M KRO ER T DZLEMSEL D Z ANTENLERDE EMPEDANS BANT GEN L N N NEGAT F KAPAS TANS KULLANILARAK ARTTIRILMASI

Adnan KAYA1
1,2

Ye im YKSEL2

Elektronik ve Elektronik Mhendisli i Blm Mhendislik Fakltesi Dokuz Eyll niversitesi Izmir, 35160, Trkiye 1 2 e-posta: kaya@eee.deu.edu.tr e-posta: yksel@eee.deu.edu.tr
Anahtar szckler:Negatif kapasitans, Aktif mikro erit anten, Dzlemsel anten

ABSTRACT

In this study, a novel technique for bandwidth enhancement of a microstrip antenna with active negative capacitor matching network is presented. In this work, new design for the microstrip array antennas has been proposed and implemented and described method for variation of impedance of active microstrip rectangular array antenna. The antenna considered here is operated 2.5 GHz. The impedance bandwith of the antenna changed by using the reactive loading. Bandwith of the antenna is enhanced approximately 213 MHz by using the negative capacitance that is larger than that of a passive resonant array antenna. The simulation results show that compensation network can improve the bandwidth from 6 % to 8.52 %.

dzlemsel uyumlandrma sistemleri zerine al m lar ve 10-12% bant geni li i elde etmi lerdir [3]. Benzer teknikleri Paschen [4] de uygulam ve 25% den daha fazla bant geni li i elde etmi tir. Genellikle, empedans uyumlandrma metodu klasik bir metod olmakla birlikte olduka ba arl bir metod dur. Burada empedans de i imlerinin bant limitleme faktr olarak baskn oldu u aktr. Mikro erit antenlerde empedans uyumla trma eleman olarak aktif komponentlerin nerildi i al malarda literatrde mevcuttur [5,6]. Yaylm patterni bant geni li i ierisinde ok az de i mektedir[1]. Son bir ka yldr, mikrodalga entegre devreler (MICs) ve Monolitik devreler (MMICs) bir ok sistem uygulamasnda byk avantajlar sa lamaktadr. Sistem performansn geli tirmedeki ba arlar, daha gvenilir olmalar ve d k maliyetleri sebebiyle RF sistemlerde oka kullanlmaktadr. Bu avantajlar nedeniyle anten portlarnn nne bu tip Rf devreler yerle tirilerek entegre antenler elde edilmektedir. Bu tr antenlere rnek olarak ykselteli ve osilatr tipi antenler verilebilir. Bu tr al malarda anten dizayn ve entegre edilecek devre ile kombinasyonlardaki etkilerde nem kazanmaktadr[6,7]. Aktif antenlerde geleneksel 50 ohm giri k portlar yerine aktif mikrodalga devreleri nerilmektedir. Bu al mada band geli tirmek iin negatif kapasitans devresi MMIC devresi olarak nerilmi tir. Bu tip aktif antenlerde anten performans daha da geli mektedir nk filtreleme, rezonans gibi devre fonksiyonlar da sisteme eklenmektedir. Aktif devrelerde FETler, Gunn diyotlar gibi 3 terminalli elemanlar kullanlmaktadr. Aktif elemanlarn pasif radyasyon yapan elemanlara entegrasyonuyla uyumlu ba lant katsaysnda (mutual coupling) ve grlt faktrnde de iyile me gibi avantajlar elde edilmektedir. Bu

1. G R

Mikro erit antenler birok zelli e (hafiflik, ucuzluk v.b.) sahiptirler fakat bir ok sistemde dar bant geni likleri nedeniyle d nlmemektedirler. Bunlarn yerine 15-50% bant geni liklerinde al abilen dipol antenler yada horn antenler tercih edilmektedir. Mikro erit antenlerde bant geni li ini arttracak bir ok eleman ara trlm tr: rne in elektriksel olarak kaln elemanlar, ok katl elemanlar, oklu-rezonatr elemanlar gibi [1]. Tm bu bant geni letici elemanlar radyasyon yaps boyutlarndaki kompleksli ide arttrmaktadr. o unlukla bant geni li i karakteristi i artarken radyasyon parametreleri zayflamaktadr. Bu durumda mikro erit antenlerde bant geni li ini arttrmak iin geni bant empedans uygunla trma metodu nerilmektedir [2]. Bu teknikle radyasyon (pattern ve ynlendiricilik) elemanlar etkilenme mektedir. Aslnda giri empedansnn frekansla de i iminin kompanzasyonu iin, kompanzasyon eleman olarak reaktif bir uyumlandrma sistemi nerilmektedir. Pues ve Van de Capelle pasif

avantajlar anten performansn geli tirmekte ve aktif antenleri son zamanlarda daha popler yapmaktadr. Aktif anten al mas yapan Svitac ve arkada lar FET kullanarak ykselte tasarlam lar, uyumlandrma zelli ini de katarak sisteme entegre ederek % 7 bant geni li i elde etmi lerdir [6]. Bunlarn d nda bir ok bant arttrma tekni i uygulanm tr. Bu al mada MMIC devresi olarak besleme hattna, 2 FET ve bir endktif elemandan olu an negatif kapasitans devresi eklenerek aktif bir anten yaps nerilmektedir. Devre iin, iki ortak kaynakl FET negatif empedans retecek ekilde endktif bir ykle (L) ba lanm tr ( ekil-1). Negatif kapasitans devresinde VDS=8V, IDS=35mA al ma artlarnda, Cgs=0.64pF, gm=54mS, Cgd=0.023pF, Cds=0.096pF, Ri=4.8, Rs=1.3,Rds=538 parametrik de erlerine sahip Fujitsu FSX017X GaAs FET eleman kullanlarak yaplm tr.

ekil-3 deki de erler kullanlarak e lenik devre elemanlar RN=-0.6374 Ohm, LN=-0.219 nH, CN=9.477 pF olarak hesaplanr. Bu al mada yeni bir uyumlandrma metodu eleman olarak negatif kapasitans reten ekil-1 deki devre nerilmektedir. Bu aktif negatif kapasitansn ekici zellikleri (i) kaypsz olmas (ii) geni mikrodalga frekans band iinde al abilmesi (iii) MMIC (monolithic microwave integrated circuit) devre olarak kolaylkla gerekle tirilebilir olmasdr.

2. AKT F ANTEN TASARIMI

Ze S

ekil 4. Negatif kapasitans ve mikro erit rezonatr ksmlarnn blmler halinde birle tirilmi durumunu gsteren e de er devre
L

ekil 1. Negatif kapasitans devresinin prensip emas Bu kompanzasyon devresinin e de eri paralel bir RLC devresidir. E de er model olu turulurken FET in sadece transconductance, gm, gate-source kapasitesi ,Cgs, elemanlarndan olu tu u d nlm tr. Devrede iki FET de ayn karakteristi e sahiptir [9].
Rds

ekil-4 deki RA radyasyon direncini, LA ve CA da anten rezonans devresinin endktif ve kapasitif paralarn gstermektedir. Za sadece pasif mikro erit antenin empedans Ztot da antenin toplam empedansdr. nerilen devre topoloji ekil-5' grlmektedir. de

Cgs
Ze

ekil 5. nerilen devre ekli

RN=-1/gm2Rds

CN=-Lgm2

LN=-Cgs/gm2

ekil 2. Negatif kapasitans e de er devresi

Ze

RN=-1/gm2Rds

CN=-Lgm2

LN=-Cgs/gm2

ekil 3. Basitle tirilmi negatif kapasitans e de er devresi

Referans anten ve aktif anten performans sonular Microwave Office simlasyon program kullanlarak kar la trlm tr. Simlasyon sonular ekil 2 de gsterilmektedir. Referans ve Aktif antenler iin geri dn karakteristi i |S11| ekil 6 (a) da gsterilmektedir. Referans antene gre aktif antende 2.5 GHz iin -15.45 dB den -17.12 dB ye d erek daha iyi bir sonu elde edilmekte ve bant geni li i de artmaktadr. ekilden de grld gibi rezonans frekansnda daha dip noktalar elde edilmektedir. Bant geni li i ve geri dn kayb parametreleri iin simlasyon sonular Tablo-1 de gsterilmi tir.

S MLASYON SONULARI

0 Geri Dns Kaybi (dB)

-20 S(2,1) [dB]

AKTIF DIZI ANTEN

-5
AKTIF DIZI ANTEN

-40

-10

PASIF DIZI ANTEN

-15

-60

-20 1

2 Frekans (GHz)

-80 1

2 Frekans (GHz)

(a)
150

ekil 7. Aktif antenin port izolasyon karakteristi i

Mag Max 0 dB
40
50
60

10

-10

20
30

-20

PASIF DIZI ANTEN

0 -4

0 -3

100 Re (Z) Ohm

AKTIF DIZI ANTEN

-6 0

-5 0

70
80

50

- 70
-80

90 -90

0
-100

Pasif Dizi Anten (H-Dzlemi) Pasif Dizi Anten (E-Dzlemi)

20 -1

100

1 10
12 0

0 -11

-50 1

Aktif Dizi Anten (E-Dzlemi)

30 -1

2 Frekans (GHz)

13 0

-1 40

Aktif Dizi Anten (H-Dzlemi)

0 15 -1 50

0 14

1 60

0 - 16

(b)
300

5 dB Per Div

-170

Mag Min -50 dB

170

ekil 8. Yaylm patterni E dzleminde maksimum kazan 11.5 dBi dr ( ekil 10).
10

180

0 Im (Z) Ohm

PASIF DIZI ANTEN

-300

AKTIF DIZI ANTEN

dBi

-10

-20

-600 1

AKTIF ANTEN

2 Frekans (GHz)

4
-30

PASIF ANTEN

(c) ekil 6. Aktif ve pasif antenler iin simlasyon sonular: (a) Geri dn kaybnn frekansla de i imi (b) Empedansn sanal ksmnn frekansla de i imi (c) Empedansn gerel ksmnn frekansla de i imi Tablo 1. Referans ve Aktif anten iin performans kar la trlmas Performans Parametreleri Bant geni li i Yzde bant geni li i S11 dip noktas Referans Anten 150 MHz 6% -15.45 dB Aktif Anten

-40 -90

-45

0 Ai (Deg)

45

90

ekil 9. 2.5 GHz de H dzleminde yaylm patterni H dzleminde anten sistemi negatif kapasitansla ykl durumda iken kazancn olduka artt grlmektedir.
20

10

dBi

213 MHz 8.52 % -17.12dB

AKTIF ANTEN
-10

PASIF ANTEN

-20 -90

-45

0 Ai (Deg)

45

90

ekil 10. 2.5 GHz de E dzleminde yaylm patterni

3. SONU

Bu makalede negatif kapasitans devresi kullanarak geni bantl radyasyon yapan aktif mikro erit anten yaplabilece i gsterilmi tir. Performans sonular Moment yntemini kulanan Microwave Office simlasyon program ile elde edilmi tir. Uyumlandrma sonucunda empedans de i imiyle bant geni li inin %5.76 den %8.19 a de i ti i grlmektedir. Sonulardan da grld gibi aktif negatif kapasitans devresi kullanarak yaplan uyumlandrma ile literatrdeki di er baz tekniklere gre daha fazla bant geni li i elde edilebilece i aktr. Aktif verici alc antenlerde bu konfigrasyonun yaylm patterninde de olumlu de i ikliklere neden oldu undan ve sistemin performansn arttrd ndan literatrdeki di er tekniklere gre daha avantajl oldu u sylenebilir.

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[1] D.M. Pozar, Microstrip Antennas, PROC. IEEE, vol. 80, no. 1, pp.79-81, January 1985. [2] R.M. Fano, Theoretical limitations on broadbant matching of arbitrary impedances, J. of the Franklin Institute, vol. 249, pp.57-83 and 139154, Jan.-Feb.1950. [3] H.F. Pues and A.R. Van de Capelle, An impedance matching technique for increasing the bantwidth of microstrip antennas IEEE TRANS.

KAYNAKLAR

[9]

ANTENNAS AND PROPAGAT ON, vol.AP-37, pp.1345-1354, Nov.1989. D.A. Paschen, Practical examples of integral broadbant matching of microstrip antenna elements, PROCEEDINGS OF THE 1986 ANTENNA APPLICATIONS SYMP., pp.199217, 1986. H. An, B. Nauwelaers, and A.Van de Capelle, Broadbant active microstrip array elements, ELECTRONICS LETTERS, vol. 27, pp. 23782379, Dec. 1991. A.J. Svitak, D.M. Pozar, and R.W. Jackson, Optically fed aperture coupled microstrip patch antennas, IEEE TRANS. ANTENNAS AND PROPAGAT ON, vol. 40, pp.85-90, Jan.1992. S. Fong, H.F. Pues and M.J. Withers, Widebant multilayer coaxial fed microstrip antenna element, ELECTRONICS LETTERS, vol.21, pp.497-499, 1985. E. Rajo Iglesias, Segovia-Vargas, J. L. VazquezRoy, V. Gonzalez-Posadas, and C. Martin Pascual Bantwidth Enhancement in Noncentered Stacked Patches M CROWAVE AND OPT CAL TECHNOLOGY LETTERS, vol. 31, no. 1, Oct. 2001. K.Svilen,D.Bruno,GautierJ. Using a Negative Capacitance to Increase the Tuning Range of a Varactor diyote inMMIC Technology IEEE MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, vol. 49, no.12, Dec. 2001.