Latch-Up

Giri: Bu raporda latch-up mekanizmasnn nasl ortaya ktndan, genel alma prensibinden, ne gibi etkilerle tetiklenebileceinden ve bu durumdan korunma yntemlerinden bahsedilecektir. Latch-up'n oluumunu ve almasn anlayabilmek iin ncelikle SCR (kontroll dorultucu) dier bir adyla tristr yapsn anlamalyz. SCR (Kontroll Dorultucu): SCR kontroll bir yariletken elemandr. Y aps itibariyle drt yariletken blgeden oluur.

Y andaki ekilde de grld gibi bu drt yariletken blge anottan katota doru srasyla p-n-p-n dizilimindedir. Gate ile gsterilen p tipi yariletken blge ise geit olarak adlandrlr. SCR bu yapsyla ierisinde ayr pn jonksiyonu yani diyot bulundurur. Anot katottan daha yksek gerilimde olmak zere, anot ve katota bal pn jonksiyonlar iletimde iken ortadaki np jonksiyonu kesimdedir. Tam ters durumda ekil 1 dardaki SCR'nin yaps [5] birbirlerine balanmas ile elde edilecek eleman SCR ile ayn davran gstermeyecektir." [2] ise iki utaki pn jonksiyonlar kesimde, ortadaki np jonksiyonu ise iletimde, pn jonksiyonlar ise kesimde olur. Bylece her iki durumda da SCR zerinden akm akamaz. " ayr diyotun ayn jonksiyon diziliini salayacak ekilde

Bu durumu daha iyi ifade edebilmek ve SCR'nin alma prensibini anlayabilmek iin SCR'nin transistr modeli ve transistr edeeri yanda verilmitir. Buna gre SCR birbirine balanm pnp ve npn transistrlerden oluur. Q1 transistrnn baz Q2 transistrnn kolektrne, Q2 transistrnn baz ise Q1 transistrnn kolektrne balanmtr. ekil 2 SCR'nin transistr yapsnn yariletken baznda gsterimi [5]

Geite herhangi tkamada kalr; fakat geit gerilimi Q2 transistrn iletime soktuunda, Q2'nin kolektr akm Q1'in bazn tetikleyerek, Q1 transistrn de iletime

bir gerilim uygulanmadnda SCR

sokar. Bylece iki transistr pozitif geribeslemeyle birbirlerinin akmlarn yukar eker ve SCR iletime girer. Bu noktadan sonra geitten verilen gerilim kesilse dahi SCR iletimde kalmaya devam eder, yani geit kontroln kaybetmitir. SCR'yi kesime srebilmek iin anot-katot geriliminin negatif yaplmas gerekmektedir. SCR'yi iletime geiren minimum akma kenetlenme akm, iletime getikten sonra tekrar kesim sokmak iin altna inilmesi gereken akm deerine ise tutma akm denir. SCR'nin akm-gerilim grafii aadaki gibidir. ekil 3 SCR'nin transistr edeeri [1]

ekil 4 SCR'nin gerilim-akm grafii [1] Latch-Up'n Oluumu:

Latch-Up entegre devrelerde besleme ve toprak arasnda parazitik etkiler nedeniyle bir ksa devre olumas durumudur. Bylesi bir ksa devrenin oluumu ise biraz nce anlatlan tristr yapsnn devre zerinde oluumundan kaynaklanr.

ekil 5 Latch-up'n oluumu [1] Y ukardaki ekilde grld gibi bir pmos ve bir nmos'tan oluan devrede parazitik transistrler olumutur. Oluan yapya dikkat edilirse, yapnn pnpn diziliiyle bir SCR oluturduu grlecektir. nmos'un gvdesinin Vdd, pmos'un gvdesinin ise topraa bal olduu dnlrse, oluan SCR'nin besleme ile toprak arasnda olduu grlecektir.

Y anda daha ak gsterilen bu latch-up yaps tetiklendiinde ise SCR'nin alma prensibi dolaysyla besleme ve toprak arasnda bir ksa devre oluacak ve bu yoldan yksek bir akm akacaktr. Bylesine yapdaki aktif blgelere zarar vererek devrenin ilevini kaybetmesine neden olacaktr. "Byle bir tehlike olutuunda, besleme kesilirse SCR kesime gireceinden devre ilk anki durumuna geri dnecektir." [3]

ekil 6 Latch-Up'n transistr gsterimi [1] Latch-Up'n Tetiklenmesi: Genel olarak latch-up'n tetiklenme mekanizmalar ksmda incelenebilir. 1. Besleme gerilimlerinin verilen maksimum deerlerin zerine kmas. Byle bir durumda yukarda verilen ekil dorultusunda Q1 transistr tetiklenir ve dolaysyla SCR iletime geer. Besleme gerilimindeki bu srama devredeki baz elemanlarn delinmesine de neden olabilir. 2. k ya da giri pininin toprak seviyesinin altna ya da besleme seviyesinin stne bir diyot gerilimi (0.6-0.7V) kadar kmas. rnek olarak k pininin toprak seviyesinin altna indiini varsayalm. Bylece substrat direnci zerinden kenetlenme akmnn zerinde bir akm akacak ve SCR iletime geecektir. 3. "oklu besleme gerilimi kullanlmas da besleme gerilimlerinin devreye farkl sralarla gelmesi srasnda maksimum besleme deerlerinin geilmesi sonucunda latch-up tetiklenebilir."[1]

Latch-Up'n nlenmesi:

Eer retim aamasnda bir deiiklie gidebilmemiz mmknse, latch-up'n nlenmesi amacyla nmos ve pmos blgelerinin izolasyonu bu sorunun zm olabilir. Bu izolasyon ise n-well ve p substrat'n arasna bir oksit tabakas eklenerek yaplr ve buna trenching denir. "Bunun dnda n+ katklanm blgeyle n-well katmann birbirinden uzaklatrmak aradaki p substrat blgesinin dolaysyla Q2 transistrnn baznn genilemesini salar ki bu da Q2 transistrnn deerinin dmesine neden olur. Bylece SCR'nin kenetlenme akmna ulamas zorlatrlm olur. " [3] Baka bir yntem ise n-well ve substrat direnlerinin deerlerini drmek olabilir. Bu sayede bu kollarn zerinde oluacak akm deerleri daha ufak gerilim sramalarna neden olacaktr. Bu da SCR'nin tetiklenmesini geciktirecektir. Daha farkl diren deerleri ise katklama oranlarnda deiiklie giderek salanabilir. "Son olarak deinilecek baka bir yntem ise latch-up nedeniyle oluan besleme - toprak yoluna seri olarak bir diyot eklemektir. Bylece bu yoldan akacak ufak akmlar engellenerek yakalama akmna klmasna engel olunmas salanr." [1] REFERENCES [1] Redmond, C. "Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches", Analog Dialogue vol.35, no.5, 2001

vol.35, no.5, 2001 [2] Trkz, M. Sait "Elektronik", page 173-177 [3] http://www.ece.drexel.edu/courses/ECE-E431/latch-up/latch-up.html [4] http://en.wikipedia.org/wiki/Latchup [5] http://tr.wikipedia.org/wiki/Tristr