OSNOVE TEHNOLOGIJE INTEGRIRANIH I TISKANIH VEZA

4. nastavna cjelina

POVIJESNI PRIKAZ RAZVOJA POLUVODIKE TEHNOLOGIJE

Godina 1947. 1950. 1951. 1952. 1954. 1954. 1955. 1958. 1959. 1960. 1960. 1960. 1961. 1962. Otkrie tokasti tranzistor monokristal germanija spojni tranzistor monokristal silicija maskiranje oksidom komercijalni silicijev spojni tranzistor tranzistor s difundiranom bazom monolitni integrirani sklop planarni tranzistor epitaksijalni tranzistor MOS FET Schottkyjeva dioda komercijalni monolitni integrirani sklop (RTL) DTL Godina Otkrie 1962. TTL 1962. ECL 1962. MOS monolitni integrirani sklop 1963. CMOS 1964. Linearni monolitni integrirani sklop 1966. 1968. 1969. 1970. 1971. 1972. 1975. 1977. MSI MOS memorija LSI MOS kalkulatorski ip mikroprocesor 2 IL VLSI mikroraunalo

Prouavanje oksidnih slojeva silicija dovelo je do pojave planarnog postupka, koji je omoguio porast sloenosti elektronike opreme. Rezultat porasta sloenosti elektronike opreme je tenja za minijaturizacijom i integracijom sloenijih cjelina i ak cijelih sustava. Integrirani sklopovi dijele se prema namjeni na: -digitalne (logike) i -analogne (linearne); a prema tehnolokom postupku izrane na: -monolitne i -hibridne.

STUPANJ INTEGRACIJE MONOLITNIH SKLOPOVA

Pod stupnjem integracije podrazumijeva se broj komponenata ostvarenih u jednom monolitnom integriranom sklopu, tj. unutar jednog ipa. Prema stupnju integracije, monolitni integrirani sklopovi mogu se podijeliti u skupine: 1 niskog stupnja integracije - SSI-sklopovi (small-scale integration), 2 srednjeg stupnja integracije - MSI-sklopovi, 3 visokog stupnja integracije - LSI-sklopovi, 4 vrlo visokog stupnja integracije - VLSI-sklopovi, 5 ultravisokog stupanja integracije - ULSI-sklopovi. U SSI tehnologiji ostvaruju se ipovi sa 100 ili manje komponenata po sklopu. U MSI su ipovi sa 100 1000 komponenti, u LSI s 1000 10000, u VLSI preko 10000 komponenti u jednom ipu. U ULSI tehnologiji postie se stupanj integracije od milijun i vie komponenti po integriranom sklopu.

PLANARNI PROCES
Monolitni integrirani sklopovi formiraju se planarnim procesom. Uvoenjem tog procesa u poluvodiku tehnologiju silicij je zamijenio germanij i postao osnovni materijal u elektronici. Naziva se planarnim zbog toga to taj proces rezultira u priblino planarnoj (ravninskoj) strukturi iako se komponente formirane tim procesom proteu u sve tri dimenzije. Planarne dimenzije ostvarenih komponenata redovito su puno vee od volumnih, jer je prodiranje pojedinih komponenti u volumen silicijeve ploice vrlo malen u usporedbi s njenom debljinom. Pri tome povrina silicijeve ploice ostaje relativno ravna i nakon primjene svih postupaka planarnog procesa. Planarni proces sastoji se od pet osnovnih postupaka. To su: 1 epitaksijalni rast, 2 oksidacija silicijeve povrine, 3 fotolitografija, 4 difuzija primjesa, 5 metalizacija. U ovisnosti o konanom proizvodu, taj se proces ponavlja vie puta.

Skica planarnog procesa

Priprema silicijevih ploica

Poluvodiki monokristali najei su oblik u kojemu se poluvodiki materijal upotrebljava. Kako je veina poluvodia umjetnog porijekla, razvijeno je niz razliitih postupaka dobivanja monokristala. Na svojstva poluvodia, osim primjesa, utjeu i kristalografski defekti, kao to su: tokasti, linijski ili ploni. Najvaniji postupci rasta kristala iz taljevine za dobivanje velikih i homogenih monokristala su: Bridgemanov, Czochralskoga i postupak lebdee zone.

Polikristalni silicij, koji je osnovni materijal, dobija se iz trgovakog ferosilicija. Klorovodikom se silicij prevede u triklorsilan, koji se isti, te se reakcijom s vodikom dobiva isti polikristal u obliku granulata ili polikristalinih tapova (tzv. ingota). Kao granulat slui za dobivanje monokristala postupkom Czochralskog, a u obliku tapa postupkom lebdee zone.

Priprema silicijevih ploica

Planarni proces poinje od silicijeve monokristalne ploice (engl. wafera). Ona se dobija iz monokristalnog tapa silicija koji se ree u ploice debljine 250 650 m posebnim pilama u obliku koluta ili danas laserom. Takvim se rezanjem u kristalnu strukturu unosi minimalan broj defekata. Na povrini ploica ostaje mehaniki oteena, pa se ploice zato bruse i poliraju. Pomou abrazivnog sredstva (npr., Al2O3) odbrusi se dio ploice, a zatim se povrina ploice poliranom tkaninom ispolira do visokog optikog sjaja. Obino je poliranje kemijsko-mehaniko. Silicijske ploice su pravilnog krunog oblika s jednim ravnim bridom. Taj se ravni brid, jo dok je monokristal u obliku ipke, oblikuje tako da predstavlja jedan, tono odreen kristalografski smjer. Tonost tog brida tehnologijski je vana za pravilan raspored ipova po ploici s obzirom na kasnije lomljenje silicijske ploice u pojedine ipove. Kristalografska orijentacija podloge mora biti takva da je smjer rasta u epitaksiji nekoliko stupnjeva otklonjen od tog smjera, jer e u protivnom epitaksijalni sloj nepravilno stepeniasto rasti.

Epitaksijalni rast
Ploice se koriste kao klica za rast kristala epitaksijalnim postupkom. Rast kristala istog materijala kao to je klica naziva se homoepitaksija, a klica se tad zove supstrat. Mogue je da na nekom supstratu naraste i neki drugi materijal, uz uvjet da taj materijal kristalizira u istom tipu kristalne reetke i da se parametri reetke meusobno bitno ne razlikuju. Takav rast naziva se heteroepitaksija. Primjenom epitaksijalne tehnike na podlozi P-tipa raste sloj N-tipa nanoenjem atoma silicija i atoma primjesa. Proces se odvija na visokoj temperaturi od preko 1000C. Debljina epitaksijalnog sloja obino iznosi 3-10 m. Epitaksijalni rast silicijeva kristala vri se u tzv. epitaksijalnom reaktoru. U epitaksijalnom reaktoru se silicijeve ploice sa istom i kemijski poliranom povrinom zagrijavaju.

Epitaksijalni rast
Tokom epitaksijalnog rasta plinovi koji sadravaju silicijeve atome struje preko zagrijanih silicijevih ploica. Kao nosei plin upotrebljava se vodik sa silicij-tetrakloridom (SiCl 4) ili silanom (SiH4). Ova dva spoja silicija su ujedno i njegov izvor za proces. Vodikovom redukcijom silicij-tetraklorida ili pirolitikom dekompozicijom silana oslobaaju se silicijevi atomi, koji se nataloe na povrini silicijevih ploica:
o

SiCl4 + 2H2 1250CSi + 4HCl SiH 4 1000C2H2 + Si Zbog prirode epitaksijalnog procesa, silicijevi atomi se taloe ravnomjerno na kristalnu strukturu ploice. Zato raste debljina ploice. Ovako se taloi intrinzini silicij. Kako je za ostvarenje raznih elektronikih komponenti potrebno imati P i N tip poluvodia, oni se unose tokom procesa u kontroliranim iznosima donorskih ili akceptorskih atoma u struju noseeg plina, ime se taloe na ploici zajedno sa silicijevim atomima.
o

Epitaksijalni rast
Nedostatak epitaksijalnog procesa je mogunost pojave veeg broja razliitih kristalnih defekata, koji nepovoljno djeluju na elektrine karakteristike. Ti kristalni defekti reduciraju vrijeme ivota manjinskih nosilaca u epitaksijalnom sloju, poveavaju odvodne struje reverzno polariziranih PN spojeva i izazivaju lokalne naponske proboje. Epitaksijalni slojevi su elektrine otpornosti od 0,001 do 100 cm. Za epitaksiju monokristala potrebne su temperature supstrata vee od 1000C, a kremene stijenke posude reaktora moraju biti hladne kako se na njima ne bi nataloio silicij. U jednadbi 5.1 silicij na desnoj strani je u krutom
agregatnom stanju, dok su sve ostalo plinovi.

Klorovodikom je mogue odstraniti (odjetkati) silicij. Silicij se moe jetkati u reaktoru i bez klorovodika reakcijom: SiCl4 + Si 2SiCl2 strane u vrstom stanju. gdje je samo elementarni silicij s lijeve

Oksidacija
Oksidacija ili pasivizacija povrine silicija najee se postie termikim rastom silicij-dioksida ili pirolitikom depozicijom silicij-nitrida. Pasivizirajui dielektrini sloj na povrini ploice ima tri osnovna zadatka: 1 slui kao difuzijska maska za selektivnu difuziju primjesa u silicij; 2 titi PN spojeve na povrini silicija od vanjskih utjecaja; 3 slui kao dielektrik MOS-kondenzatora i tranzistora, te kao izolator preko kojeg se nanose metalne veze meu pojedinim komponentama monolitnog integriranog sklopa. Termikim rastom oksida ili nanoenjem nekog drugog dielektrikog sloja na povrinu ploice s epitaksijalnim slojem osigurava se pasivizacija, to znai da povrina kemijski teko reagira s vanjskim elementima i spojevima. Tipina debljina oksidnog sloja je 0,1 m. Ponekad se oksidacija vri izravno na podlozi, bez epitaksijalnog sloja.

Oksidacija
Oksidni se sloj nanosi na silicijevu povrinu termikom oksidacijom u atmosferi kisika ili vodene pare pri temperaturi od 900 do 1200 C prema reakcijama: Si + O2 SiO2 Si + 2H2O SiO2 + 2H2(5.6) Kako je silicij-nitrid znatno manje osjetljiv na ionske utjecaje od silicijdioksida, ponekad se upotrebljavaju pasivizirajui slojevi sa silicijnitridom umjesto silicij-dioksida, posebno kad se ele realizirati monolitni integrirani sklopovi otporni na ionske utjecaje.

Fotolitografija
Procesu fotolitografije prethodi postupak izrade maski za difuziju i metalizaciju. Ovisno o vrsti sklopa i tehnolokom postupku, broj potrebnih maski obino varira izmeu tri i osam. Optika maska, izraena u obliku fotonegativa, prenosi se na povrinu silicija prekrivenog oksidnim slojem fotolitografskim postupkom.

Koraci u fotolitografskom postupku: a) nanoenje fotorezista na oksidni sloj, b) djelovanje ultraljubiastog svjetla na fotorezist, c) a-podruje nepolimeriziranog fotorezista, d) odstranjenje nepolimeriziranog fotorezista, e) odstranjenje oksidnog sloja f) odstranjenje polimeriziranog fotorezista

Fotolitografija
Prvi korak je pokrivanje povrine silicijeve ploice fotoosjetljivom emulzijom, poznatom kao fotorezist. Ako se eli u oksidnom sloju napravit otvor za selektivnu difuziju primjesa, na optikoj maski podruje koje odgovara otvoru za difuziju mora biti neprozirno za ultraljubiasto svjetlo. Pod djelovanjem ultraljubiastog svjetla dolazi do polimerizacije fotorezista u osvijetljenom dijelu, dok u neosvijetljenom dijelu fotorezist ostaje nepolimeriziran. Vrsta fotorezista koji se polimerizira pod utjecajem ultraljubiastog svjetla naziva se negativni fotorezist. Djelovanjem odgovarajueg razvijaa, odstranjuje se nepolimerizirani fotorezist iz neosvijetljenog dijela. Na polimerizirani fotorezist taj razvija ne djeluje. Postoji i pozitivni fotorezist, te se postupak moe analogno odvijati s njim.

Fotolitografija
Na fotorezist se preslikava negativ optike maske, jer neprozirnom polju u njoj odgovara otvor u sloju fotorezista. Djelovanjem fluorovodine kiseline uklanja se sloj silicij-dioksida s povrine koja nije prekrivena polimeriziranim fotorezistom. Kiselinom se uklanja preostali sloj silicij-dioksida s odgovarajuim otvorima za difuziju primjesa. Za postupak fotolitigrafije vana je izrada maski. Zahvaljujui raunalnom dizajnu, topografski podaci o maski unose se na magnetsku vrpcu. U posebnom ureaju iz podataka nastaje slika u mjerilu 10:1, a u redukcijskoj kameri se reducira na stvarne dimenzije.

Difuzija
Difuzijom primjesa P-tipa na epitaksijalni N-sloj (ili N-tipa na epitaksijalni P-sloj), formira se PN-spoj. Pri difuziji podruje gdje difundiraju primjese je ire od prozora predvienog maskom u fotolitografskom postupku. Tako PNspoj dolazi na povrinu silicijeve ploice ispod oksidnog sloja. Sam difuzijski proces slui za upravljivo unoenje primjesa u ploicu kroz difuzijske prozore. Proces je uinkovit pri visokim temperaturama. Difuzija se obavlja u difuzijskim peima. Difuzija je volumna pojava, ali je zadovoljavajue i opisivanje jednodimenzionalnim modelom. Trajanje depozicije fosfora je 10 do 20 minuta pri temperaturama od 800 do 1100 C, a dubina prodiranja fosfora je manja od 0,2 m. Povrinska koncentracija fosfora odreena je temperaturom depozicije. Istovremeno se, u praksi, uz duik puta i kisik, kako bi povrina silicija lagano oksidirala. Nakon depozicije, jetkanjem se uklanja oksidni sloj bogat fosforom. Difuzija je za sve primjese ista, a depozicija se razlikuje prema vrsti primjese i njenom agregatnom stanju. U praksi se moe razlikovati dva sluaja difuzije: difuzija iz neogranienog izvora i difuzija iz ogranienog izvora primjesa.

Difuzij a

Shema ureaja za difuziju primjesa u silicij

Metalizacija
Ovaj postupak slui za izradu metalnih kontakata s pojedinim komponentama monolitnih sklopova, kao i za vanjske veze preko sloja oksida. Kod unipolarnih tranzistora, ovim se postupkom formiraju i upravljake elektrode. Najee se za metalizaciju koristi aluminij. Aluminij ostvaruje neispravljaki kontakt sa silicijem, te ima nizak iznos elektrine otpornosti, dobro prianja na sloj silicijevog dioksida i dobro odvodi toplinu, pa je zato vrlo pogodan za kontakte. Jedan od naina kako se aluminijski tanki film nanosi na povrinu ploice je vakuumsko naparavanje. U uvjetima visokog vakuuma isparava aluminij. On se naparuje na povrinu silicijeve ploice. Taj tanki metalni (aluminijski) film obino je debljine 0,5 do 2 m, te se nanosi po cijeloj povrini ploice. Kako bi se uklonio s dijelova gdje nisu potrebni, ili ak poeljni, metalni kontakti, koristi se fotolitografski postupak. Fotolitografijom se uklanja metal sa svih dijelova ploice, osim tamo gdje je potreban kontakt. Preostali metal se legira kako bi se konano formirali kontakti i veze meu komponentama preko sloja oksida (npr. SiO2).

Ionska implantacija i ostali postupci

Jedan od postupaka koji su korisna nadopuna planarnoj tehnologiji je i ionska implantacija. Pod njom se podrazumijeva kontrolirano unoenje atoma primjesa u poluvodi djelovanjem jakog elektrinog polja. Za tu namjenu se koriste razni postupci elektronske balistike i optike kako bi se ioni fokusirali i ubrzali, te odvojili od neeljenih iona prije udara u metu, tj. poluvodiku ploicu. Raspodjela implantiranih primjesa moe se aproksimirati Gaussovom raspodjelom. Dubina prodora estica ovisi o njihovoj kinetikoj energiji, koja, pak, ovisi o jakosti elektrinog polja. Jedan od tehnologijskih postupaka kojim se metal nanosi na povrinu supstrata ionskim bombardiranjem je napraivanje (engl. sputtering postupak prevlaenja filmom premjetanjem estica osloboenih bombardiranjem ionima).

Ureaj za napraivanje metala

Ionska implantacija i ostali postupci

Silicijske ploice se stave na anodu, a katoda je izvor metala. Pod utjecajem magnetskog polja elektroni se iz nastale plazme otklone i tako ne dolaze do poluvodia, a napraeni se materijal bolje iskoritava pri naparivanju. Ugraivanje poluvodikog ipa u kuite vri se da bi se poluvodikim elementom spretnije rukovalo, da bi se zatitio od vanjskih utjecaja i zbog boljeg toplinskog rasipanja.

Kemijski postupci koji se obavljaju su: - ienje osnovnog materijala (silicija), koje se obavlja uzastopnim pranjem u razrijeenim otopinama razliitih kiselina; - ispiranje, koje se vri u deioniziranoj i steriliziranoj (najee ultraljubiastim zraenjem) vodi nakon svake uporabe kiseline; - jetkanje silicij-dioksida, koje se obavlja nakon svake difuzije i metalizacije, a vri se u vodenim otopinama i plinskoj plazmi; - jetkanje silicija, kako bi se postigla bolja kvaliteta materijala; -jetkanje metalnih slojeva (npr. aluminij se jetka u otopini duine i fosforne kiseline).

Ionska implantacija i ostali postupci

Kontrola tehnologijskih postupaka najbitnija je kod poluvodikih proizvoda zbog njihove osjetljivosti na razne utjecaje. Osim elektrinih svojstava, provjeravaju se i kemijska i mehanika svojstva. Koriste se spektrometri, mikroskopi, te razni drugi sloeni elektroniki ureaji. Zatitini slojevi se postavljaju na poluvodike elemente da bi se zatitili od atmosferskih utjecaja.

Industrijski planarni postupak

Poetak izrade: a) supstrat N-tipa, b) silicijski ingot, c) izgled izrezanog ingota - silicijske tanke ploice Formira se n-sloj epitaksijalnim rastom u epitaksijalnom reaktoru. Primjese se unose plinskim mlazom.

aza: a) rast N-tipa silicija, b) vanjski izgled epitaksijalnog reaktora, c) unutranjost epitaksijalnog reaktora

Industrijski planarni postupak

Oksidacijom nastaje sloj silicijevog dioksida koji slui za pasivizaciju povrine ploice. Taj sloj je debljine 0,15 m. Reakcija se odvija na

temperaturi 1100C. Nanosi se tekui sloj fotorezista.

a)

b)

c )

Formiranje sloja rotacijom (a, b, c), kapanje fotorezista

fotorezista d) ureaj za
d)

Industrijski planarni postupak

Ploica se pee dok fotorezist donekle ne otvrdne. Nakon izrade maske, ona se postavlja na ploicu. Ploica se izlae ultraljubiastom zraenju. Fotoosjetljiva komponenta fotorezista rastvara se na izloenim djelovima, stvarajui kiselinu. Zatim se fotorezist razvija. Ostatak fotorezista se opet pee, a hidrofloridna kiselina se koristi za uklanjanje oksida u otvorima. Fotorezist se potpuno uklanja. (Nijedan poznati fotorezist ne moe opstati na visokim temperaturama).

b) a) Postavljanje maske

izlaganje UV

zraenju

c)

razvijanje fotorezista

skica konanog rezultata obrade u ovoj fazi

PDF to Wor