半導體元件合金製程

作 者 ： 蘇 漢 儒
 半導體元件合金製程
➠ 完成鋁金 屬導線 製程 的晶片必
須
經過合金 ( Alloy ) 的製程，使
鋁
金屬導 線層 能與矽密切熔合，
使
鋁金屬 導線 層能具有低阻 抗的
導 Page 2
 半導體元件合金製程

➠ 如果最低 溫度超過 577 ℃ 鋁

與矽
混合物 將會熔解，因此使用低溫
擴散爐 做合金 ( Alloy ) 製程，
其
製程溫 度設定在 450℃ 至 550
℃ Page 3
 半導體元件退 火製程

➠ 完成合金 ( Alloy ) 製程的晶片

，
必須經過退火 ( Anneal ) 的製程。

其目的為藉由逐漸降溫 的過程，
使晶片的材質增加軔性 ，不易脆
裂，並使元件的特性參 數穩 定 Page 4
 半導體元件退 火製程

➠ 使用低溫 擴散爐 做退火

( Anneal )
製程，其製程 溫度 設定在
400℃
至 500 ℃ ，製程時間 約 30
分鐘
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 半導體元件參數測試

➠ 完成合金 及退火 製程的晶片即可

進行抽樣 測試 ，測試其特性參數。
測試裝備如下述：
1. 手動式晶片測試 臺 ( A hand
probe station ) 。
2. 示波器 ( Oscilloscope ) 。
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 半導體元件參數測試
➠ 晶片抽樣 測試位置如下圖示：
+ 共計五
個抽樣
+ + + 測試點

+
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 半導體元件參數測試
➠ 作抽樣測試 的晶 粒，其參數符
合
規格之分佈狀態，可做為判定該
晶片良 率高低的依據。通常晶
片
表面會設計放置監測 製程參 數
的 Page 8
 半導體元件參數測試
➠ 舉例：
在製程中監測製程參數 晶粒 的
基
極電阻 值的變化量 ，它表示電
晶
體基極摻雜 硼元 素的變異總 量
。 Page 9
 半導體晶片表面保護層

➠ 為避免因為不適當的操作，造成
晶片表面刮 傷或受到化學品污染 ，
完成全部製程的晶片，必須在其
表面沉積一層氧化物質 ( Oxide )
作為晶片表 面保護層 ( A scratch
protection layer ) 。
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 半導體晶片背面製程
➠ 兩種晶片背面製程方法：
1. 晶片 背面研 磨製 程：
將晶片背面磨薄，為後
續金屬
沉積製程 的前置製程
，其目的
為使完成金屬沉 積製 程
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 半導體晶片背面製程
➠兩種晶片背面製程方法：
2. 晶片 背面金屬 沉積製 程：
晶片背面磨薄之後，必
須在晶
片背面沉積一層黃金，
其目的
為使晶粒容易被焊接在Page 12
 半導體晶片測試分類
➠ 將晶片放置在電腦控 制晶 片測
試
臺上，調整金屬測 試探 針使其
對
準晶粒表面的打線 區位置，金
屬
測試探 針係經由電腦伺服控制
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 半導體晶片測試分類
➠ ( 舉例 ) ：經由電腦伺服控制系
統
之電腦測試程式，設定每 0.01
秒
完成金屬 測試 探針 與晶粒 的打
線
區接觸與釋放，在此瞬間完成 Page 14
 半導體晶片測試分類
➠ 當電腦測試 程式 完成一粒晶粒
的
測試參數資料之分析與判 斷，
若
不符產品規格，在此瞬間將啟
動
滴墨器 ( An inker) ，滴落一
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 半導體晶片測試分類
➠ 測試完成的晶片送入烤箱將晶粒
表面的墨水滴 烘乾，此時可藉由
目視晶片表面墨水 滴分佈的狀態
，
大略研判其良率 之高低。
➠ 執行電腦測試程式 亦可輸出晶粒
不良率之統計報表。
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 半導體晶片切割製程
➠ 三種方法切割晶片成為晶粒：
1. 鑽石 刀畫線器
( Diamond scribing ) 。
2. 雷射 刀畫線器
( Laser scribing ) 。
3. 葉片 式金屬鋸片
( Sawing ) 。 Page 17
 半導體晶片切割製程
➠ 1. 鑽石刀 畫線器：
畫線器刀具的尖 端鑲有一
粒尖
銳的鑽石 ，調校晶片切割
道的
位置之後，沿切割 道畫直
線， Page 18
 半導體晶片切割製程
➠ 2. 雷射刀 畫線器：
使用精密雷射光束，調校晶片切
割道 的位置之後，沿切割道 用雷
射光束打洞，形成一串直線孔洞，
然後用手握住直線孔 洞的兩邊，
輕輕用力便可將晶片掰開。

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 半導體晶片切割製程
➠ 3. 葉片式金屬鋸片：
使用旋轉的葉片式 鋸片 切
割晶
片，將晶片切開成為晶粒
。
由於近來金屬工業進步，
已經 Page 20
E-mail ： henzusu@ms57.hinet.net

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