SEMICONDUCTOR MEMORY integrirani sklopovi ili grupi od integrirani sklopovi ~ija funkcija e da ~uvaat golemi koli~estva digitalni podatoci

MEMORY CAPACITY koli~estvo digitalni podatoci {to mo`e da se ~uva vo dadena memorija MEMORY CONTENT sevkupnost na digitalnite podatoci {to se smesteni vo memorijata MEMORY LOCATION potsklop namenet za ~uvawe na eden digitalen podatok MEMORY CELL potsklop namenet za ~uvawe na eden bit BIT-ORGANIZED MEMORY memorija vo koja site lokacii se ednobitni WORD-ORGANIZED MEMORY memorija vo koja site lokacii se pove}ebitni i imaat ist broj bitovi 1 Kb = kapacitet na memorija so 210 = 1024 ednobitni lokacii 8 Kb (1K8) = kapacitet na memorija so 210 8-bitni lokacii 8 Kb (2K4) = kapacitet na memorija so 220 4-bitni lokacii 1 Mb = 1024 Kb, 1 Gb = 1024 Mb, 1 Tb = 1024 Gb Dve osnovni operacii: READ i WRITE Pri READ, sodr`inata na edna memoriska lokacija se iznesuva od memorijata na nejzinata izlezna DATA LINE (bit-organized) ili DATA BUS (word-organized)

Pri WRITE, vo edna memoriska lokacija se vnesuva bitot ili zborot doveden na vleznata podato~na linija ili magistrala na memorijata. Vleznite i izleznite podato~ni linii/magistrali mo`at da bidat oddelni ili dvonaso~ni ADDRESS k-biten binaren zbor koj ednozna~no opi{uva konkretna lokacija vo memorija so m = 2k lokacii Zavisno od tipot na memorijata, adresata se zadava seriski, preku doveduvawe na odreden broj impulsi na soodveten vlez za taktirawe, ili paralelno, preku pobuduvawe na k ADDRESS LINES, koi zaedno ja so~inuvaat ADDRESS BUS na memorijata. READ ACCESS TIME vremenskiot interval od zadavaweto na adresata i postavuvaweto na re`imot na ~itawe do migot koga na podato~nata magistrala }e se pojavi sodr`inata na adresiranata memoriska lokacija WRITE ACCESS TIME vremenskiot interval od zadavaweto na adresata i postavuvaweto na re`imot na zapi{uvawe do migot koga podatokot postaven na podato~nata magistrala e so sigurnost prefrlen vo adresiranata memoriska lokacija MEMORY CYCLE TIME minimalniot vremenski interval {to mora da izmine me|u dve posledovatelni memoriski operacii (READ-READ, READWRITE, WRITE-READ ili WRITE-WRITE). Ja odreduva maksimalnata brzina na rabota. Spored na~inot na pristap do dadena memoriska lokacija, memoriite mo`at da bidat

SEQUENTIA/SERIAL ACCESSED ili RANDOM ACCESSED

Pomestuva~ki registar kako primer na SAM. Vremeto na pristap na SAM e pravoproporcionalno na goleminata na adresniot prostor me|u adresata na tekovnata lokacija i adresata na lokacijata na koja sakame da & pristapime.

Kaj memoriite so RA, vremeto na pristap ne zavisi nitu od adresata na tekovnata lokacija, nitu od adresata na sakanata lokacija. Kaj niv vremeto na pristap do slu~ajno ili proizvolno izbrana memoriska lokacija e fiksno i odnapred poznato. Memoriite kaj koi se mo`ni i operacijata na ~itawe i operacijata na zapi{uvawe se narekuvaat READ/WRITEmemorii, ili R/W-memorii. Site SAM-memorii se R/W memorii. Memoriite kaj koi e mo`na samo operacijata na ~itawe, se memorii so fiksna sodr`ina. Memoriite so RA mo`at da bidat R/W-memorii ili memorii so fiksna sodr`ina. Voobi~aeno R/W-memoriite so proizvolen pristap se narekuvaat ednostavno RAM (RANDOM ACCESS MEMORY), a memoriite so fiksna sodr`ina, iako i tie raspolagaat so proizvolen pristap, se narekuvaat ROM (READONLY MEMORY). Podvarijanta na ROM-memoriite se ROM-memoriite kaj koi fiksnata sodr`ina ne se vnesuva vo tekot na proizvodstvoto, tuku nea ja vnesuva korisnikot po pat na ednokratno programirawe. Vakvite memoriite se narekuvaat PROM (PROGRAMMABLE ROM), a ponekoga{ i OTP-memorii (ONETIME PROGRAMMABLE MEMORIES). Pokraj PROM-memoriite, koi mo`at da se programiraat samo edna{, postojat i dva tipa reprogramabilni ROM-memorii. Sodr`inata na edna reprogramabilna ROM-memorija mo`e da

se izbri{e i memorijata povtorno da se programira so nova sodr`ina. Kaj prviot tip vakvi memorii, bri{eweto se vr{i so nivno izlo`uvawe na ultravioletova svetlina, a kaj vtoriot po elektri~en pat. Vo prviot slu~aj memoriite se narekuvaat EPROM (ERASABLE PROM), a vo vtoriot EAROM (ELECTRICALLY ALTERABLE ROM) ili EEPROM (ELECTRICALLY ERASABLE PROM). Za razlika od PROM-memoriite, lokaciite na EPROM i EEPROM-memoriite se sostaveni od memoriski kletki. So ogled na toa deka i od reprogramabilnite memorii mnogu po~esto se ~ita, odo{to tie se programiraat, za niv ponekoga{ se koristi i zbirnoto ime READ MOSTLY MEMORIES. Poseben tip na EEPROM-memorii se memoriite poznati kako FLASH-memorii. Kaj niv so bri{eweto ne se opfa}a celata integrirana komponenta, tuku samo eden del, odnosno eden sektor. Blagodarenie na toa FLASH-memoriite raspolagaat so zna~itelno pokusi vremiwa na bri{ewe/programirawe odo{to EEPROM-memoriite. Memoriskite kletki mo`at da imaat stati~ki ili dinami~ki karakter, pa zavisno od toa od kakvi kletki se izgradeni i memoriite mo`at da bidat stati~ki ili dinami~ki. Osnovata na memoriskite kletki na stati~kite memorii e flipflopot ili le~ot. Vo nego mo`e da se zapi{e eden bit i, blagodarenie na bistabilnata struktura, zapi{aniot podatok }e ostane neizmenet (stati~en) proizvolno dolgo vreme (se razbira, pod uslov napojuvaweto na flipflopot da ne se prekinuva). Osnovata na memoriskite kletki na dinami~kite memorii e kondenzatorot. Vo praktikata sekoj, edna{ napolnet kondenzator, po dovolno dolgo vreme }e se isprazni preku nesovr{enata izolacija me|u negovite kraevi, pa zatoa podatokot zapi{an vo edna vakva memoriska kletka ima tendencija da is~ezne. Za da se spre~i

toa, sodr`inata na memoriskata kletka mora da se osve`uva (REFRESH) so odredena dinamika. RAM-memoriite se izrabotuvaat kako stati~ki ili dinami~ki. Za razlika od niv, EPROM i EEPROM-memoriite (kako i ROM i PROM-memoriite) se sekoga{ stati~ki. Iako, vo princip, SAM mo`at da bidat i stati~ki i dinami~ki, vo praktikata tie sekoga{ se izveduvaat kako dinami~ki. Onovata na memoriskata kletka na edna EPROM ili EEPROMmemorija e unipolaren tranzistor so specifi~na konstrukcija koja ovozmo`uva negoviot napon na prag da se postavi (po elektri~en pat ili po pat na izlo`uvawe na ultravioletova svetlina) na edna od dve vrednosti. Koga naponot na pragot }e se postavi na prvata vrednost, vo kletkata e zapi{ana logi~ka 1, koga }e se postavi na drugata vrednost, vo kletkata e zapi{ana logi~ka 0. Bidej}i naponot na pragot e sopstven parametar na unipolarniot tranzistor, toj ostanuva ja zadr`uva edna{ postavenata vrednost bez ogled dali memorijata ili kletkata imaat napojuvawe ili ne. SAM i RAM-memoriite ja gubat svojata sodr`ina dokolku ostanat bez napojuvawe, za razlika od EPROM i EEPROMmemoriite, ~ija sodr`ina ostanuva nepromeneta i pri proizvolno dolg prekin na napojuvaweto. Spored toa dali sodr`inata na memoriite is~eznuva pri prekin na napojuvaweto ili ne, memoriite gi delime na nepostojani (VOLATILE) ili postojani (NON-VOLATILE).