cng n tp CKT

Cht bn dn. Cu 2. Nu cu to v qu trnh dn in ca cht bn dn thun . Cu 3. Nu qu trnh dn in ca cht bn dn pha tp loi N v loi P . Diode bn dn. Cu 5. Trnh by cu to, c tuyn V/A, v nguyn l hot ng ca Diode bn dn. Cu 6. Trnh by ng dng chnh lu (na v hai na chu k) ca Diode bn dn. Cu 7. Trnh by nguyn l mch hn bin trn, hn bin di, hn bin hai pha s dng Diode bn dn vi tn hiu vo hnh sin. Cu 8. Nu nguyn l lm vic, c tuyn V/A ca Diode Zener. Transistor (ch tnh dc) Cu 9. Nu cu to ca Transistor, cc ch lm vic ca Transistor . Cu 10. Nguyn tc hot ng ca Transistor ch d khuch i. Cu 11. Nu khi nim ng ti tnh, im cng tc tnh. Cu 12. Ti sao phi n nh im lm vic tnh khi nhit thay i. Cu14. Cc cch mc BJT ch khuch i. Cc s phn cc cho BJT. Bi tp xc nh ng ti tnh, im lm vic tnh ca cc s n nh im lm vic Transistor trng FET. Cu 18. Nu cu to, nguyn l lm vic ca JFET. Cu 19. Cu to nguyn l lm vic ca MOSFET. Cu 20. So snh gia transistor lng cc BJT v transistor trng FET. Cc linh kin bn dn khc. Cu 22. Trnh by nguyn l lm vic, c tuyn V/A ca UJT Cu 26. Trnh by nguyn l lm vic, c tuyn V/A ca SCR. Cu 27. Trnh by nguyn l lm vic, c tuyn V/A ca DIAC . Cu 28. Trnh by nguyn l lm vic, c tuyn V/A ca TRIAC

BI TP DIODE Cho mch nh hnh v xc nh in p u ra vo = f (vi ) 1a. vi = 10 sin t ; E1 = 8V ; E2 = 6V ; Diode D1 v D2 l l tng 1b. vi = 5 sin t ; E1 = 2V ; E 2 = 4V ; Diode D1 v D2 c U D = 0,7V ; RD = 10 1c. vi c dng xung tam gic bin U m = 8V ; E1 = 3V ; E2 = 5V ; Diode D1 v D2 l l tng 1d. vi c dng xung vung bin U m = 5V ; E1 = 3V ; E2 = 2V ; Diode D1 v D2 U D = 0,7V ; RD = 12
R=10k D1 E
1

vi

D2
+ +

vo
E2

2a. vi = 8 sin t ; E1 = 5V ; E2 = 2V ; Diode D1 v D2 l l tng 2b. vi = 5 sin t ; E1 = 3V ; E2 = 1V ; Diode D1 v D2 c U D = 0,7V ; RD = 10 2c. vi c dng xung tam gic bin U m = 10V ; E1 = 2V ; E2 = 5V ; Diode D1 v D2 l l tng
R1=1 k 1k R2

vi

D2

D1 E1

vo
+ + E2

3a. vi = 8 sin t ; E = 5V ; Diode D l l tng 3b. vi = 5 sin t ; E = 2V ; Diode D c U D = 0,7V ; RD = 10

R=1k

vi

D E
+

vo
R1=1k D

vi 4a. vi = 10 sin t ; E = 15V ; Diode D l l tng 4b. vi = 10 sin t ; E = 15V ; Diode D c U D = 0,7V ; RD = 10

2k R2 E
+

vo
R3=1k

5a. vi = 10 sin t ; E = 5V ; Diode D l l tng; R = 10k 5b. vi = 10 sin t ; E = 5V ; Diode D c U D = 0,7V ; RD = 10 ; R = 10k
E + D
E D +

vi

vo

vi

vo

6a. Xc nh vo = f (t ); bit RC >>; vi = 20 sin t ; Diode D l l tng 6b. Xc nh vo = f (t ) ; bit RC >> ; vi c dng xung vung bin U m = 10V ; Diode D l l tng
C C D R

vi

vo

vi

D
+

R E=5V

vo

BI TP BJT
Bi 1. Cho mch (hnh 1): VCC=12V; UBEQ=0,7V; =100 RB= 100K; RC=1K; RE=500 Xc nh im cng tc tnh v v ng ti tnh Bi gii: p dng nh lut Kirchhoff II Vng 1: Hnh 1
IC
RB RC

Vcc

IB 1 IE
RE

VCC = I B .RB + U BE + I E .RE I E = I B + I C = (1 + ) I B

hay:

VCC = I B .RB + U BE + (1 + )I B .RE

Vy:

IB =

VCC U BE RB + (1 + ).RE
VCC U BEQ RB + (1 + ).RE = 56 A

I BQ =

I CQ = .I BQ = 100.56 = 5,6mA
Vng 2:

VCC = I C .RC + U CE + I E .RE I E IC

nn:

VCC = U CE + I C .(RC + RE )
hay:

U CE = VCC I C .(RC + RE ) , y chnh l phng trnh ng ti tnh. U CEQ = VCC I CQ .(RC + RE ) = 3,6V
im lm vic tnh Q I BQ , I CQ ,U CEQ Bi 2. Cho mch (Hnh 1) VCC=9V; UBEQ=0,7V; =80; RC=1,2K; RE=470; Xc nh gi tr ca RB im lm vic tnh Q nm chnh gia ng ti tnh. Phng trnh ng ti tnh:

U CE = VCC I C .(RC + RE )

U CE = 0 I C =

VCC 9 = = 5,4mA RC + RE 1,2 + 0,47

I C = 0 U CE = VCC = 9V
Vy: im lm vic tnh Q nm chnh gia ng ti tnh th:

I C = 2,7mA I BQ = U CEQ = 4,5V

IC

= 33,7 A

p dng nh lut Kirchhoff II cho vng 1:

VCC = I B .RB + U BE + I E .RE

hay:

VCC = I B .RB + U BE + (1 + )I B .RE

Vy RB = 208k Bi 3. Cho mch (Hnh 2) VCC=6V; UBEQ=0,7V; =150 RB=1,5K; RC=1K; RE=1,8K Xc nh im lm vic tnh Q v v ng ti tnh. p dng nh lut Kirchhoff II: Phng trnh u vo:
IB IE IC

VCC = (I B + I C ).RC + I B .RB + U BE + I E .RE I B+ I C = I E = (1 + ).I B

Vy:

Hnh2

VCC = I B .RB + U BE + I E .(RC + RE ) = U BE + I B .[RB + (1 + )( . RC + RE )]

>> 1
I BQ = VCC U BEQ RB + (1 + )( . RC + RE )
= 12,5A

I CQ = .I BQ = 150.12,5.10 3 = 1,87mA
Phng trnh u ra:

VCC = ( I C + I B ).RC + U CE + I E .RE U CE + I C .(RC + RE ) U CE = VCC I C .(RC + RE ) , y chnh l phng trnh ng ti tnh.
Vy:

U CEQ = VCC I CQ .(RC + RE ) = 0,8V

Bi 4. Cho mch (Hnh 3)
+Vcc
Rc R1 C1 R2

VCC=9V; =100; UBEQ=0,7V RC=1K; R1=1,8K;R2=22K Xc nh im lm vic tnh Q v v ng ti tnh. Bi gii: Trong ch tnh, t ngn thnh phn mt chiu, b t. a s v dng ging bi 3: RB = R1 + R2

Hnh 3

Bi 5. Cho mch (Hnh 4) VCC=12V; UBEQ=0,7V; =200; R1=27K; R2=4,7K; RE=500; RC=1K Xc nh im cng tc tnh Q v v ng ti tnh

a s mch v s tng ng Thevenin:

VBB =

R2 .VCC = 1,78V R1 + R2 R .R RB = 1 2 = 4k R1 + R2
R1

Hnh 4
+Vcc

+Vcc

IC IB

RC

IC
RB + VBB

RC

IB IE
RE

R2

IE

RE

p dng nh lut Kirchhoff II: Phng trnh u vo:

VBB = I B .RB + U BE + I E .RE VBB U BEQ I BQ = = 10A RB + (1 + ).R E

I CQ = .I BQ = 200.10.10 3 = 2mA
Phng trnh u ra:

VCC = I C .RC + U CE + I E .RE U CE + I C .(RC + RE ) U CE = VCC I C .(RC + RE ) , y chnh l phng trnh ng ti tnh U CEQ = VCC I CQ .(RC + RE ) = 9V

BI TP FET
Bi 1. JFET knh n hot ng trong min bo ha (min tht) UP=-3V; IDSS=9mA; IG=0. Xc nh im lm vic tnh Q(ID, UGS, UDS) Biu din im lm vic trn c tuyn ra. Bi gii:
RG=0,8M VGG=-1V

+VDD=9V RD=1k

y l mch phn cc cho JFET knh t sn (knh n) hot ng trong min bo ha. Do IG=0 nn UGS=-1V
2

U GS I D = I DSS 1 U P

= 4mA

U DS = VDD I D .RD = 9 4.1 = 5V

Bi 2. JFET knh n hot ng trong min bo ha. UP=-3V; IDSS=6mA; IG=0. Xc nh im lm vic tnh Q(ID, UGS, UDS) Biu din im lm vic trn c tuyn ra. Bi gii: RG=1M VGG=-2V +VDD=6V RD=4k

RS=0,5k y l mch phn cc cho JFET knh t sn (knh n) hot ng trong min bo ha. Do IG=0 nn:

U GS = VGG I D .RS
hay:

ID =

VGG U GS (1) RS ( 2)
2

U GS I D = I DSS 1 U P U GS = 2,2V I D= 0,4mA

T (1) v (2), gii phng trnh bc 2:

U DS = VDD I D .( RD + RS ) = 4,2V

Bi 3. JFET knh n hot ng trong min bo ha. Xc nh im lm vic tnh Q. V ng ti tnh v biu din im lm vic tnh Q trn c tuyn ra. UP=-3V; IDSS=8mA; IG=0. Bi gii: Theo nh l Thevenin: 0,2M R1 +VDD=6V RD=1k RG=0,12M VGG=2,4V RS=500 0,3M R2

+VDD=6V RD=1k

RS=500

VGG = RG =

R1 .VDD = 2,4V R1 + R2

R1 R2 = 0,12M R1 + R2

V li mch: y l mch phn cc cho JFET knh t sn (knh n) hot ng trong min bo ha. Do IG=0 nn:

U GS = VGG I D .RS
hay:

ID =

VGG U GS (1) RS ( 2)
2

U GS I D = I DSS 1 U P
Ta c U GS , I D , U DS Bi 4.

T (1) v (2), gii phng trnh bc 2:

MOSFET knh t sn (knh n) hot ng trong ch ngho. Xc nh im lm vic tnh Q. V ng ti tnh v biu din im lm vic tnh Q trn c tuyn ra UP=-4V; IDSS=10mA; IG=0. Theo nh l Thevenin: 0,4M R2 +VDD=16V RD=1,5k

VGG =

R1 .VDD = 3,2V R1 + R2

0,1M R1

RS=0,5k

RG =

R1 R2 = 0,8M R1 + R2

V li mch: y l mch phn cc cho MOSFET knh t sn (knh n) hot ng trong ch ngho. Do IG=0 nn:

U GS = VGG I D .RS
hay:

ID =

VGG U GS (1) RS ( 2)
2

U GS I D = I DSS 1 U P

T (1) v (2), gii phng trnh bc 2:

U GS = 0,54V ; I D = 7,48mA; U DS = 1,04V

Bi 5. MOSFET knh n hot ng trong ch giu trong min bo ha UT=3V; ID=8mA ti UGS=5V. Xc nh im lm vic tnh Q. Vit phng trnh v v ng ti tnh. Bi gii: Chuyn s mch v s tng ng Thevenin: 0,2M R1 RS=500 0,8M R2 +VDD=25V RD=2k

VGG = RG =

R1 .VDD = 5V R1 + R2

R1 R2 = 160k R1 + R2

MOSFET hot ng ti ch lm giu knh dn, trong min bo ha: V li mch: Do UT=3V; ID=8mA ti UGS=5V

ID =

K (U GS U T )2 => K=... 2

Vi VGG = 5V, UT=3V v K = ... =>

ID =

K (U GS U T )2 (1) 2

nh lut Kirchoff II u vo:

VGG = U GS + I D .RS (2)

nh lut Kirchoff II ti u ra:

VDD = I D (RD + RS ) + U DS (3) y chnh l phng trnh ng ti tnh.

1a. Cho mch nh hnh 1: UP=-2V; IDSS=10mA; IG=0. Xc nh im lm vic Q v biu din trn c tuyn ra.
+VDD=10V RD=2k RG=1M -VGG=-1V

+VDD=15V RD=4k RG=1M -VGG=-1V Hnh 2a RS=1k +VDD=6V RD=2k RG=10M -VGG=-1V Hnh 2b RS=100

Hnh 1a
+VDD=12V RD=1,5k RG=500k -VGG=-0,3V

Hnh 1b +VDD=12V 8M R2 RD=1k

2M R1

RS=500

Hnh 3a 1b. Cho mch nh hnh 1: im lm vic trong mn tht vi ID=4mA, IG=0; xc nh in p UDS. Nu VGG=0,2V th ID=6mA, xc nh in p tht UP v dng mng bo ho IDSS.

2a. Cho mch nh hnh 2a: UP=-2V; IDSS=8mA; IG=0. Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t 2b. Cho mch nh hnh 2b: IDSS=4mA; UP=-2V; IG=0. Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t. +VDD=6V 0,3M R2 RD=1k 0,8M R2 +VDD=15V RD=2k 0,4M R2 +VDD=25V RD=1,5k

0,1M R1

RS=1k

0,2M R1 RS=200

0,1M R1

RS=0,5k

Hnh 3b

Hnh 4a 0,5M R2

Hnh 5 +VDD=24V RD=1,5k

0,1M R1 RS=200

Hnh 4c 3a. Cho mch (hnh 3a): UP=-4V; IDSS=mA; IG=0. Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t. 3b. Cho mch (hnh 3b): UP=-1,5V; IDSS=6mA; IG=0. Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t. 4a. Cho mch (hnh 4): UT=1V; ID=10mA ti UGS=5V Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t. 4b. MOSFET knh cm ng ( knh n): RG=750k c VT=2,5V. Nu ID=10mA v UGS=4V; xc nh VGG; RD; v VDD MOSFET lm vic ti: ID=6mA; UDS=3V. 4c. Cho mch (hnh 4): UT=1V; ID=8mA ti UGS=3,6V Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t. 5. Cho mch (hnh 5): MOSFET knh c sn hot ng trong ch lm giu knh dn vi UT=2V; ID=10mA ti UGS=3V. Xc nh im lm vic tnh Q v biu din trn c tuyn truyn t.