KVANTNI KASKADNI LASER U MAGNETNOM POLJU

Radovanovi, J.
1,2,3
, A. Mireti
2,4
, Milanovi, V.
2,3
, Inin, D.
2,3
, Harrison, P.
3
, Ikoni, Z.
2,3
, Kelsall R.W.
3

1
Institut za fiziku, Pregrevica 118, 11080 Beograd
2
Elektrotehniki fakultet, Bulevar Kralja Aleksandra 73, 11120 Beograd
3
Institute of Microwaves and Photonics, School of Electronic and Electrical Engineering,
University of Leeds, Leeds LS2 9JT, United Kingdom
4
Telekom Srbija a.d., Zona odravanja Panevo



I UVOD

Kvantni kaskadni laser (quantum cascade laser
QCL) predstavlja jedan od najznaajnijih rezultata tzv.
kvantnog inenjeringa koji podrazumeva kontrolisanje
elektronskih osobina materijala na nanometarskom nivou
narastanjem ultratankih slojeva poluprovodnikih materijala
putem epitaksije molekularnim snopom. Zahvaljujui velikoj
snazi koja se moe ostvariti ak i na sobnoj temperaturi, kao i
mogunostima podeavanja talasne duine u irokom opsegu
(bez promene vrste materijala), ovaj tip lasera je naao iroku
primenu u praksi [1-8], za npr. detekciju toksinih para i
gasova prisutnih u tragovima, kontrolu zagaenja,
neinvanzivnu medicinsku dijagnostiku, kod komunikacionih
naprava za prenos podataka kroz transparentne atmosferske
prozore, laserskih spektrometara za ispitivanje svemira, itd.
[4].
Mehanizam generacije fotona kod QCL zasniva se
na prelazima izmeu diskretnih stanja provodne zone
(unutarzonski prelazi) kojima odgovara ultrakratko vreme
ivota nosilaca u pobuenom stanju (~1ps) zahvaljujui
dominaciji rasejanja elektron-longitudinalni optiki (LO)
fonon. Smatra se da je ovaj nain relaksacije uzrok veih
vrednosti struje praga kod kvantnih kaskadnih lasera u
odnosu na klasine emitere zasnovane na meuzonskim
prelazima [7]. Meutim, smanjenje dimenzionalnosti sistema,
npr. primenom jakog spoljanjeg polja normalnog na
epitaksijalne slojeve, dovodi do drastine promene vrednosti
vremena ivota [4-8]. Konkretnije, pomenuto polje uvodi
dodatnu kvantizaciju kretanja elektrona u ravni slojeva i
prevodi dvodimenzionalne podzone u serije strogo diskretnih
Landau-ovih nivoa. Raspored ovih nivoa zavisi od jaine
magnetnog polja to otvara mogunosti za pojaavanje ili
inhibiranje neradijativnih mehanizama relaksacije u strukturi.
Ovo se preslikava u modulaciju vremena ivota nosilaca u
gornjem laserskom nivou i promenu stepena inverzije
naseljenosti u aktivnom regionu sa varijacijom primenjenog
polja. Ideja je da se ovo selektivno zatvaranje relaksacionih
kanala za elektrone iskoristi za spreavanje odlaska nosilaca
iz osnovnog Landau-ovog nivoa pobuenog laserskog stanja
u ostale Landau-ove nivoe niih energija i na taj nain povea
stepen inverzije naseljenosti.
U ovom radu opisan je teorijski model za
izraunavanje brzine rasejanja elektrona pri prelazima izmeu
Landau-ovih nivoa putem interakcija sa optikim i akustikim
fononima, kao i optikog pojaanja aktivne oblasti QCL, u
reimu jakih magnetnih polja. Model je zatim primenjen na
dve karakteristine strukture bazirane na poluprovodnikom
sistemu GaAs/Al
x
Ga
1-x
As, dizajnirane za emitovanje zraenja
na talasnim duinama od 11.4m i 9m, respektivno, uz
varijaciju magnetnog polja od 10-60T.

II TEORIJSKA RAZMATRANJA

Na Slici 1 prikazan je klasian dizajn aktivnog
regiona kvantnog kaskadnog lasera, u formi tri spregnute
kvantne jame polarisane putem spoljanjeg elektrinog polja
K. U odsustvu magnetnog polja ovaj sistem poseduje 3 stanja
tj. podzone (n=1,2,3), pri emu se laserski prelaz odvija
izmeu stanja n=3 i n=2. Sa obe strane aktivne oblasti nalaze
se emiterske/kolektorske strukture koje su dizajnirane kao
Bragg-ovi reflektori, koji s jedne strane injektuju elektrone u
stanje n=3, dok s druge strane omoguavaju vrlo brzu
ekstrakciju elektrona sa najnieg nivoa enegije E
1
. Razlika
energija nivoa E
2
i

E
1
poklapa se sa vrednou energije LO
fonona kako bi se obezbedila brza depopulacija donjeg
laserskog nivoa putem rezonantne emisije optikog fonona.
Kretanje elektrona u pravcu paralelnom ravnima
slojeva je slobodno i disperzija ima oblik
* 2
||
2
2 / m k E = ,
gde je m
*
efektivna masa, a k
||
je transverzalni talasni broj.
Neradijativno vreme ivota za stanje |3,k
||
) limitirano je
rasejanjem elektron-LO fonon uz prelaze na dva nia stanja
aktivne oblasti, pa shodno tome ima pikosekundne vrednosti
to poveava vrednost struje praga i naruava optiko
pojaanje. Kada se ovakva struktura izloi dejstvu jakog
magnetnog polja B, iji je pravac normalan na ravni slojeva,
kontinualne podzone E
n
(k
||
) se razbijaju na nizove
pojedinanih diskretnih stanja sa energijama,
c n l n
l E E + + ) 2 / 1 (
,
, gde l=0,1,2,... predstavlja indeks
Landau-ovog nivoa, a
c
=eB/m
*
je ciklotronska frekvencija.
Oigledno je da se promenom jaine magnetnog polja menja
konfiguracija ovih diskretnih stanja, a time i verovatnoe za
razliite neradijativne prelaze.


-0.05
z [nm]
U [eV]
-15 -10 -5 0 5 10 15
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
E
2
E
1
e
-
e
-
E
3

Slika 1. Dno provodne zone aktivnog regiona
GaAs/Al
0.33
Ga
0.67
As kvantnog kaskadnog lasera pod dejstvom
spoljanjeg elektrinog polja od 44kV/cm. Prikazan je
poloaj laserskih nivoa u odsustvu magnetnog polja, kao i
kvadrati odgovarajuih talasnih funkcija. Horizontalne
strelice oznaavaju tok elektrona koji se injektuju u stanje
n=3 i ekstrahuju iz stanja n=1
Vrednosti magnetnog polja pri kojima se ostvaruju
fononske rezonancije u odnosu na gornji laserski nivo date su
sledeim jednainama:
LO , 0 , 3
=
l n
E E , gde je 2 , 1 = n , a
LO
predstavlja energiju LO fonona. Kod ovakvog tipa
energetskog spektra dozvoljeni su samo prelazi izmeu stanja
kojima odgovara ista vrednost Landau-ovog broja l (i,lf,l)
[9]. Optiko pojaanje lasera je u tom sluaju dato sledeim
izrazom:
( )
2 S 3 S
0 , 2 0 , 3
2
2 , 3
0
2
2 , 3
) ( 2
N N
E E d
n
e
g

=

(1)
gde je
0
je dielektrina permitivnost vakuuma, n indeks
prelamanja materijala,
f i if
z d = | | je matrini element
prelaza (
i
i
f
predstavljaju z-komponente ukupnih talasnih
funkcija inicijalnog i finalnog stanja), a
Sn
N je ukupna
povrinska gustina elektrona u stanjima nastalim
diskretizacijom podzone
n
E . Za izraunavanje pojaanja
neophodno je odrediti stepen inverzije naseljenosti nosilaca, a
raspodela po nivoima dodatnih nosilaca koji su injektovani u
aktivni region dobija se reavanjem standardnog sistema
brzinskih jednaina. Pretpostaviemo sledee uslove:
elektroni bivaju injektovani u aktivni region sa Slike 1
konstantnom strujom povrinske gustine J, pri emu se
raspodeljuju samo u ogranieni broj relevantnih Landau-ovih
nivoa gornjeg laserskog stanja (nivoi 3,0;...;3,
3
max
l ).
Vrednost
3
max
l se odreuje tako da se svi nivoi iznad
(3,
3
max
l ) mogu smatrati nenaseljenim na datoj temperaturi.
Ukoliko zanemarimo procese apsorpcije (to je opravdano na
niim temperaturama [10]), sistem brzinskih jednaina dobija
oblik:

0
) ( ) ( ) (

1 max
3 max
2 max
3 max
3 max
3 max
3 max
3 max 3 max
0
, 1 ; , 3
, 1
0
, 2 ; , 3
, 2
1
0
, 3 ; , 3
, 3
, 3
, 3 , 3
=
(
(

= =

=
l
j
j l
j
l
i
i l
i
l
p
p l
p
l
l l
E f E f E f
N
e
J
t
N

0
) ( ) ( ) (
) (
1
0
, 1 ; , 3
, 1
1
0
, 2 ; , 3
, 2
1
0
, 3 ; , 3
, 3
, 3
, 3 ; , 1
, 1
, 3 ; , 2
, 2
1
, 3 ; , 3
, 3
, 3
, 3 , 3
) , 3 ( min ) , 3 ( min
1 max
) , 3 ( min
2 max
) , 3 ( min
3 max
=
(
(

(
(

+ =

=
= = + =
k k
k k
j
j
j k
j
i
i
i k
i
k
p
p k
p
k
l
j j
k j
j
l
i i
k i
i
l
k p
k p
p
k
k k
E f E f E f
N
N N N

E f
e
J
t
N

0
) ( ) ( ) (
) (
1
0
, 1 ; , 2
, 1
1
0
, 2 ; , 2
, 2
1
0
, 3 ; , 2
, 3
, 2
, 2 ; , 1
, 1
, 2 ; , 3
, 3
, 2
, 2
)
2 max min(
2 max
2 max
2 max
)
2 max min(
2 max
2 max
1 max
) 0 , 3 ( min
2 max
3 max
)
2 max min(
2 max
2 max
2 max
=
(
(

(
(

=
= =
l l
l
i
j
j l
j
l
i
i l
i
p
p
p l
p
l
l
j j
l j
j
l
p p
l p
p
l
l
E f E f E f
N
N N
E f
t
N

0
) (
) (
1
0
, 1 ; 0 , 2
, 1
0 , 2
0 , 2 ; , 1
, 1
1
0 , 2 ; , 2
, 2
0
0 , 2 ; , 3
, 3
0 , 2
0 , 2
) 0 , 2 ( min
1 max
) 0 , 2 ( min
2 max 3 max
=

(
(

=
= = =
j
j
j
j
l
j j
j
j
l
i
i
i
l
p
p
p
E f
N

N N N
E f
t
N

0
) ( ) ( ) (
) (
, 1
1
0
, 1 ; , 1
, 1
1
0
, 2 ; , 1
, 2
1
0
, 3 ; , 1
, 3
, 1
1
, 1 ; , 1
, 1
, 1 ; , 2
, 2
, 1 ; , 3
, 3
, 1
, 1
) , 1 min( ) , 1 min(
1 max 2 max
) , 1 ( min
3 max
) , 1 min(
=
(
(

(
(

=
+ = = =
e
J E f E f E f
N

N N N
E f
t
N
k
k
j
j k
j
i
i
i k
i
p
p
p k
p
k
l
k j
k j
j
l
i i
k i
i
l
k k
k p
p
k
k
k k
k k

0
) ( ) ( ) (
) (
1 , 1
0 , 1 ; 1 , 1
0 , 1
1
0
, 2 ; 1 , 1
, 2
1
0
, 3 ; 1 , 1
, 3
1 , 1
2
1 , 1 ; , 1
, 1
1 , 1 ; , 2
, 2
1 , 1 ; , 3
1 , 3
1 , 1
1 , 1
) 1 , 1 min( ) 1 , 1 min(
1 max 2 max
) 1 , 1 ( min
3 max
) 1 , 1 min(
=
(
(

(
(

=
= = =
e
J E f E f E f
N
N N N
E f
t
N
i
i
i
i
p
p
p
p
l
j
j
j
l
i i
i
i
l
k k
p

(2)
gde je
2 2 1 1
;
/ 1
l n l n
ukupna brzina relaksacije elektrona koja
odgovara neradijativnim prelazima sa nivoa n
1
,l
1
na nivo
n
2
,l
2
, uz emisiju LO i akustikih fonona, a
) ( 1 ) (
, , l n FD l n
E f E f = . Struje injekcije i ekstrakcije elektrona
se raunaju na sledei nain: / ) / exp(
, 3 , 3
T k E J J
B k k
=

=

3 max
0
, 3
) / exp(
l
p
B p
T k E i / ) / exp(
, 1 , 1
T k E J J
B k k
=

=

1 max
0
, 1
) / exp(
l
p
B p
T k E . Veliine
1
max
l i
2
max
l predstavljaju
maksimalne vrednosti indeksa Landau-ovih nivoa koji potiu
od dve nie podzone, takve da jo vai 0
1
max
, 1 0 , 3
>
l
E E i
0
2
max
, 2 0 , 3
>
l
E E .

III NUMERIKI REZULTATI

Prva analizirana struktura bazirana je na sistemu
GaAs/Al
0.33
Ga
0.67
As i dizajnirana je za emitovanje zraenja
na talasnoj duini od 11.4m (Slika 1). Dimenzije slojeva
iznose 5.6nm, 1.9nm, 1.1nm, 5.8nm, 1.1nm, 4.9nm i 2.8nm,
gledano od emiterske ka kolektorskoj barijeri, a vrednost
spoljanjeg elektrinog polja je 44kV/cm. U odsustvu
magnetnog polja energije laserskih nivoa iznose
E
1
(k
||
=0)=76.5meV, E
2
(k
||
=0)=113.5meV i E
3
(k
||
=0)


=224.5meV. Parametri materijala koji su korieni tokom
prorauna glase m
*
=0.0665m
0
(m
0
je masa slobodnog
elektrona), n=3.3 i diskontinuitet provodne zone izmeu
GaAs i AlAs je E
c
=0.8355eV. Pod dejstvom spoljanjeg
magnetnog polja u z-pravcu, u ovoj strukturi se formiraju
serije diskretnih Landau-ovih nivoa ije energije (uz
uraunate efekte zonske neparabolinosti) glase [11]:
) ( / ) 2 / 1 ( ) 0 (
|| || ,
E m eB l k E E
n
n l n
+ + = =
'
1
2
) 5 8 8 [( 8 / 1 + + l l
2 * '
1
2
) / ]( ) 1 ( m eB l l + + + gde se transverzalna masa za
elektrone rauna na sledei nain:
}

= dz E z m z E m
n
) , ( ) ( ) (
1 2 1
|| ||
, gde je = ) , (
||
E z m
))] ( )( 2 ( 1 [
'
1
'
1
*
z U E m + + . U ovom izrazu ) (z U
predstavlja profil dna provodne zone sa npr. Slike 1, dok su
1 '
1
eV 642 . 0

= i
1 '
1
eV 679 . 0

= koeficijenti nepara-
bolinosti. Brzina emisije longitudinalnih optikih fonona pri
prelazu izmeu inicijalnog stanja
i i
l n i
E E
,
= i finalnog stanja
f f
l n f
E E
,
= data je izrazom [12]:
[ ] 1 ) ( ) (
] [ ) , (
LO 0
0
||
) , , (
||
0
2
LO , ,
LO
LO
2
||
2
2
||
,
+

=
} }

+

n dq q dq q P
E E E E W
q q
l l q F
z z
l n l n
p
f i
z
f i
f f i i
(3)
gde je
}
=
d
f z i
dz z q P
0
*
) sin( , d predstavlja duinu
konfinirajue oblasti u z-pravcu, a q
z
je z komponenta
talasnog vektora fonona q=(q
z
,q
||
). Veliina |F(q
||
,l
i
,l
f
)|
predstavlja lateralni integral preklapanja iji je analitiki
oblik dat u Ref. 12. Konstanta
p
u izrazu (3) izraunava se
kao
1 1 1

=
s p
, gde je

visokofrekventna a
s
statika
permitivnost, dok je faktor = ) (
LO
n
1
LO
] 1 ) / [exp(

T k
B

ravnoteni broj optikih fonona. Dirac-ova funkcija u izrazu
(3) izraava zakon o odranju energije pri prelazu izmeu
nivoa n
i
,l
i
i n
f
,l
f
, ali u realnim proraunima stanja se moraju
smatrati proirenim, sa raspodelom energije u vidu Gaussian-
a [6]. Uzima se da irina takvog Gaussian-a zavisi od
magnetnog polja na sledei nain 1) B B
0
) ( = , gde je

0
=1meV/T
1/2
, za prelaze izmeu nivoa koji potiu od iste
podzone (
f i
n n = ); 2) = 2 / ako je
f i
n n , ali se
Landau-ovi indeksi poklapaju (
f i
l l = ); i konano 3)
[meV] ] ) 2 / ( 5 . 0 [
2 / 1 2 2
0 eff
B + = ako je
f i
n n ,
f i
l l .
Slino tome, Dirac-ova funkcija u izrazu za pojaanje (1) se
zamenjuje Lorentzianom ija je irina . U model smo takoe
ukljuili i proces emisije akustikih fonona, a odgovarajua
brzina relaksacije data je izrazom [10], [12]:
( )
}

max
0
2
0
||
2
) /( ) (
) /( ) (
2
AC
AC
) , , ( ) (
1
) , (
z
B f i
B f i
L
f i
q
z f i z
T k E E
T k E E
v
E E
f i
dq l l q F q P
e
e
E E W

(4)
gde je
AC
=
2
k
B
T/c
L
, je deformacioni potencijal, c
L
elastina konstanta pridruena akustikim vibracijama,
] / ) [(
max
L f i z
v E E q = ,
2 / 1 2 2
0
||
] [
max
z z
q q q = , a v
L
je longi-
tudinalna brzina. Na Slici 2 prikazano je optiko pojaanje u
aktivnoj oblasti QCL (sa Slike 1), kao i ukupna brzina
relaksacije elektrona pri prelazima sa osnovnog Landau-ovog
nivoa tree podzone (u koji se injektuje veina nosilaca) na
dva niza Landau-ovih nivoa dve nie podzone, pri promeni
spoljanjeg magnetnog polja u opsegu 10-60T. Numeriki
parametri korieni u proraunu glase 67 . 10 =

,
s
=12.51,
=6.7eV, c
L
=1.210
11
N/m
2
, v
L
=4.710
3
m/s, =2.125meV,
T=77K. Uoavaju se izrazite oscilacije brzine relaksacije pri
promeni B, sa najizraenijim pikovima na vrednostim
magnetnog polja koje odgovaraju ispunjenju rezonantnih
uslova za emisiju optikih fonona. S druge strane, kada je
konfiguracija Landau-ovih nivoa takva da ne postoji ni jedan
nivo smeten
LO
ispod stanja 3,0, ovaj tip rasejanja je
inhibiran to dovodi do poveanja vremena ivota u gornjem
laserskom nivou. U sluaju konstantne strujne pobude,
poslednja situacija rezultuje u poveanju stepena inverzije
naseljenosti izmeu nivoa 3,0 i 2,0, a time i u porastu
optikog pojaanja (Slika 2). Dobijeni rezultati ilustruju
injenicu da se osobine kvantnog kaskadnog lasera mogu
znaajno modifikovati putem eksternog magnetnog polja, to
je i eksperimentalno potvreno merenjem intenziteta
laserskog zraenja pri promeni jaine polja, pri emu su
konstatovane jake oscilacije intenziteta [5-7].

10 20 30 40 50 60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8

g


[
c
m
/
k
A
]
2
B [T]
2
10

10 20 30 40 50 60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
1/
LO
1/
AC
1/ +
LO
1/
AC
1
/

[
]
3
,0

p
s
- 1
B [T]


Slika 2. Zavisnost pojaanja (po jedinici struje injektovanih
elektrona) od magnetnog polja, na temperaturi T=77K, kao i
ukupna brzina relaksacije usled emisije LO i akustikih
fonona u funkciji magnetnog polja za prelaze sa nivoa 3,0 na
dva niza Landau-ovih nivoa koji potiu od niih podzona
(inset).

Druga analizirana struktura je predstavljena na Slici
3 i ini je sistem od etiri spregnute GaAs jame koje su
razdvojene Al
0.45
Ga
0.55
As barijerama. Nju karakterie
postojanje tri, umesto dosadanja dva donja laserska nivoa na
meusobnom rastojanju jednakom energiji LO fonona, ija je
funkcija da omogue bolju ekstrakciju a samim tim i veu
inverznu populaciju. Debljine slojeva, u nanometrima,
poevi od injektorske barijere iznose 4.6, 1.6, 1.1, 4.4, 0.8,
5.0, 1.4, 3.8 i 2.5 a predstavljaju rezultat optimizacije aktivne
oblasti sa ciljem postizanja maksimalnog pojaanja. Uticaj
magnetnog polja na neradijativne mehanizme relaksacije u
ovoj specijalnoj strukturi prikazan je na Slici 4, gde su uzeti u
obzir prelazi sa gornjeg laserskog nivoa (4,0) na sve
relevantne Landau-ove nivoe nastale diskretizacijom niih
podzona.



0 5 10 15 20
E
4
E
1
E
3
E
2
25
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
E

[
e
V
]
z [nm]

Slika 3. Dno provodne zone aktivne oblasti GaAs/
Al
0.45
Ga
0.55
As kvantnog kaskadnog lasera pod dejstvom
spoljanjeg elektrinog polja od 48kV/cm.


10 20 30 40 50 60
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8

1
/

[
]
4
,
0


p
s
-
1
B [T]
1/
LO
1/
AC
1/ +
LO
1/
AC

Slika 4. Ukupna brzina relaksacije u funkciji magnetnog
polja, za strukturu sa Slike 3, pri prelazima sa nivoa 4,0 na
nizove Landau-ovih nivoa koji potiu od tri nie podzona

IV ZAKLJUAK

Razmatrane su mogunosti modulisanja optikog
pojaanja u aktivnoj oblasti poluprovodnikog kvantnog
kaskadnog lasera, uvoenjem dodatne kvantizacije energija
elektrona putem spoljaenjeg magnetnog polja paralelnog
pravcu rasta strukture. Promenom jaine polja utie se na
konfiguraciju diskretnih stanja u sistemu to omoguava
podeavanje stepena inverzije naseljenosti nosilaca. Efekti
zonske neparabolinosti ukljueni su u model, a numeriki
proraun sproveden je za dve karakteristine strukture
predviene za emitovanje zraenja u srednjoj infracrvenoj
oblasti spektra.
LITERATURA
[1] Sirtori, C., Kruck, P., Barbieri, S., Collot, P., Nagle, J.,
Beck, M., Faist, J., and Oesterle, U., GaAs/Al
x
Ga
1-x
as
quantum cascade lasers, Appl. Phys. Lett., vol. 73, pp.
3486-3488, 1998.
[2] Kruck, P., Page, H., Sirtori, C., Barbieri, S.,
Stellmacher, M. and Nagle, J., Improved temperature
performance of Al
0.33
Ga
0.67
As/GaAs quantum-cascade
lasers with emission wavelength at lambda 11m,
Appl. Phys. Lett., vol. 76, pp. 3340-3342, 2000.
[3] Page, H., Becker, C., Robertson, A., Glastre, G., Ortiz,
V., and Sirtori, C., 300 K operation of a GaAs-based
quantum-cascade laser at lambda 9m, Appl. Phys.
Lett., vol. 78, pp. 3529-3531, 2001.
[4] Chakraborty T., and Apalkov, V., Quantum cascade
transitions in nanostructures, Advances in Physics,
vol. 52, pp. 455-521, 2003.
[5] Smirnov, D., et al., Intersubband magnetophonon
resonances in quantum cascade structures, Phys. Rev.
B, vol. 66, 125317, 2002.
[6] Smirnov, D., et al., Control of electron-optical-phonon
scattering rates in quantum box cascade lasers, Phys.
Rev. B, vol. 66, 121305(R), 2002.
[7] Becker, C., Sirtori, C., Drachenko, O., Rylkov, V.,
Smirnov, D., Leotin, J., GaAs quantum box cascade
lasers, Appl. Phys. Lett., vol. 81, pp. 2941-2943, 2002.
[8] Alton, J., et al., Magnetic-field in-plane quantization
and tuning of population inversion in a THz
superlattice quantum cascade laser, Phys. Rev. B, vol.
68, 081303(R), 2003.
[9] ivanovi, S., Milanovi, V., Ikoni, Z., Intraband
absorption in semiconductor quantum wells in the
presence of a perpendicular magnetic field, Phys. Rev.
B, vol. 52, pp. 8305-8311, 1995.
[10] Sun, G., and Khurgin, J., Optically Pumped Four-Level
Infrared Laser Based on Intersubband Transitions in
Multiple Quantum Wells: Feasibility Study, IEEE J.
Quantum Electron., vol. 29, pp.1104-1111, 1993.
[11] U. Ekenberg, Nonparaboliciy effects in a quantum
well: Sublevel shift, parallel mass, and Landau Levels,
Phys. Rev. B, vol. 40, pp. 7714-7726, 1989
[12] Turley, P. J., and Teitsworth, S. W., Bose, B.K.,
Theory of localized phonon modes and their effects on
electron tunneling in double-barrier structures, J.
Appl. Phys., vol. 72, pp. 2356-2366, 1992.

Zahvalnica: Ovaj rad je finansiran od strane Ministarstva za
nauku Republike Srbije, The Royal Society (UK) i EPSRC
(UK).
Abstract We have demonstrated the possibilities of
modulating the optical gain in the active region of mid-
infrared quantum cascade laser by externally applied
magnetic field. This is achieved by controlling the electron
relaxation paths in the structure, in particular, the LO phonon
assisted intersuband transitions. When the direction of the
magnetic field is perpendicular to the structural planes,
electron dispersion is broken into series of discrete Landau
levels. This additional confinement strongly modifies the
lifetime of electrons in the excited state and results in
pronounced oscillations of optical gain as a function of
magnetic field. Numerical results are presented for two
specific structures, designed to emit radiation at ~11.4m,
and ~9m, respectively, with the magnetic field varied in the
range 10-60T.

QUANTUM CASCADE LASER IN MAGNETIC FIELD
Radovanovi, J., Mireti, A., Milanovi, V., Inin, D.,
Harrison, P., Ikoni, Z., Kelsall R.W.