Professional Documents
Culture Documents
Mikrotech Labor
Mikrotech Labor
TERMISZTOROK
A termisztorok olyan ellenllsok, amelyek hmrskleti tnyezje (TK) a szoksos fmek illetve norml ramkri ellenllsok hmrskleti tnyezjhez kpest nagysgrendekkel nagyobb. A termisztor ellenlls hmrskleti tnyezje nagy s ltalban negatv, de van pozitv egytthatj tpus is. Elnevezsek: negatv TK, NTC termisztor vagy melegen vezet, illetve pozitv TK, PTC termisztor, vagy hidegen vezet.
OXIDTERMISZTOROK
Az NTC termisztorok alapanyaga flvezet tulajdonsg fmoxidok (MnO, NiO, stb.) Az oxidtermisztorok olyan fmoxidokbl kszlnek, amelyeknek nagy a hmrskleti egytthatjuk (flvezet tulajdonsg!), ellenllsuk stabil, s gyrtsuk jl reproduklhat. Kedvez tulajdonsggal rendelkeznek a keverk oxidok, mint pl. a TiO2+MnO, vagy a Mn2O3+NiO+CoO keverkek. A nagyobb hkapacits s szlesebb hmrsklettartomnyban alkalmazhat termisztorok grammnyi tmegek is lehetnek, mg a gyngy-, flia-, szltermisztorok tmege miniatr vltozatban nhny mg is lehet.
4
TERMISZTOROK KARAKTERISZTIKI
R(T) = Aexp(B/T)
5
TERMISZTOR KARAKTERISZTIKI
ln R = ln A + B/T Az ellenlls logaritmust az abszolt hmrsklet reciproka 6 fggvnyben brzolva a karakterisztika egyenes.
TERMISZTOR KARAKTERISZTIKI
FLVEZET FNYRZKELK
Szilcium technolgia: nagyon rett, viszonylag olcs, de a Si fizikai tulajdonsgai miatt nem alkalmazhat mindentt! Eszkzk: fotoellenlls, PIN fotodida, lavina-fotdida, fm-flvezet tmenetes (Schottky) dida, fototranzisztor
10
FNYDETEKTLS FVEZETVEL
Fizikai mechanizmus: Kvantum felttel: optikai abszorpci tltshordoz (elektron-lyuk pr) kelts ltal. h = hc/ > EG
Detektls: fotram, fotfeszltsg, ellenlls vltozs. A detektlsi folyamat kvantumos jelensgen alapul: kvantum-hats ill. foton-detektor.
11
A FOTODIDA
A fotodidk, s az egykristlyos napelemek lnyegben pn-tmenetes eszkzk. Fny hatsra bennk fotoram generldik. A fotoramot a keltett elektronok s lyukak hozzk ltre. A kirtett rtegbeli beptett elektromos tr az elektronokat az n-tpus, a lyukakat a p-tpus tartomny fel sodorja.
12
13
= =1 1
Si fotodida spektrlis karakterisztiki. Az R rzkenysg linerisan nvekszik majd a hatrhullmhossz elrse 14 utn meredeken lecskken.
15
LAVINA FOTDIDA
Lavina fotdida (avalanche photodiode, APD) Az tkzsi ionizci tltshordozsokszorozdst hoz 16 ltre (ersts)
LAVINA FOTDIDA
17
LAVINA FOTODIDA
MGNESES RZKELK
Mgneseses rzkel: ktfle tpus lehet. 1. Kzvetlenl rzkelhet egy mgneses teret (direkt alkalmazs), pl. mint egy magnetomterben a Fld mgneseses tert, vagy egy adattrol kszlkben az adathordoz (mgneses lemez, szalag, krtya, stb.) loklis mgnesezettsgt. 2. A mgneses tr mint kzvett eszkz szolgl nemmgneses jelek rzkelsre (indirekt alkalmazs) mint pl. lineris- vagy szghelyzet, elmozduls s sebessg rzkels permanens mgnesekkel kontaktusmentes mdon, vagy ramrzkels a mgneses tere rvn, stb.
19
LORENTZ ER
A legtbb mgneses szenzor a Lorentz ert hasznlja ki F = -q v x B mely az anyagban (fm, flvezet, vagy szigetel) mozg elektronra hat. Br a H mgneses trer az rzkelend mennyisg, a B mgneses indukci, mely az erhatst lerja, hatrozza meg a szenzor vlaszt.
20
A HALL ELEKTROMOS TR
p-tpus mintban a lyukak sebessge -x irny, a lyukakra hat F = e v x B Lorentz er irnya y, s lefel trti el a lyukakat. A lyukak az als lapon felhalmozdva egy +y irny elektromos teret hoznak ltre. Mivel az y irnyban nem folyik ram, az y irny tr (a Hall tr) egyenslyt tart a Lorentz er tervel, Ey = vxBz. Ekkor Ey = Vy/w = VH/w = RHjxBz, 21 s a Hall lland RH = 1/ep.
HALL RZKELK
Az eszkz alapegyenlete UH = K x I x B I - az eszkzn tfoly ram [A], B - az alkalmazott mgneses indukci [Vs/m2], UH - a Hall-feszltsg [V], K - rzkenysgi lland [m2/As] , mely magban foglalja a geometriai, s a flvezet anyagi paramtereket. Az eszkz kimenjele a mgneses tr fggvnyben lineris.
22
SI MEMS ER S NYOMSRZKELK
24
PIEZOREZISZTV HATS
Piezorezisztv hats: mechanikai feszltsg fajlagos ellenlls vltozs
25
SZILCIUM NYOMSRZKLE
26