1

4. gaia: BJT Lotura transistore bipolarra

Sarrera Ikurra Korronteak Konfigurazioak PNP transistorea Sarrera eta irteera ezaugarriak. Konmutazioan.
4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Sarrera

Transistore bipolarrek hiru anka dituen osagaiak dira. Hiru dopaketa gunez osatuta daude. PNP transistoreek P motako bi eta N motako erdieroaleak dituzte. NPN tansistoreek, berriz, n motako bi eta p motako erdieroale bat dituzte. Transistoreen anken izenak:, igorlea, oinarria eta kolektorea dira. Igorlea espurutasun handikoa , igorlea espurutasun kopuru txikikoa eta kolektorea espurutasun ertainekoa dira.

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Ikurrak

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Korronteak

NPN transistore hurrengo moduan polarizatzen badugu: Igorle-oinarri juntura zuzeneko polarizazioan. Kolektore-oinarri juntura alderantzizko polarizazioan.

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Korronteak

Igorlean (N) dauden elektroiek oinarrira (P) pasatzen dira Oinarri-Igorle juntura zuzenean polarizatuta daudelako. Honela IE korrontea dugu. Elektroiak oinarrian (P) daudenean Kolektorea (N) joando dira alderantzizko polarizazioari esker. Honela IC korrontea dugu. Elektroi kopuru txiki bat oinarri (P) ankatik doa, korronte oso txikia sortuz. Honela IB korrontea dugu. Beraz, hiru korronte ditugu: IE, IC eta IB. Kirchhoff-en lehenengo legea bete behar da: IE+IC+IB=0 Hurrengo hurbilketa egin dezakegu: IB<<IC IC IE

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Konfigurazioak

Hiru anketatik bi sarrera puntu gisa erabiltzen dira (kontrola). Bestaldetik, bi anka irteera gisa erabiltzen dira. Beraz, anka bat sarrera eta irteeran erabili behar dugu.

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Konfigurazioak

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Igorle komuneko konfigurazioa (EC)

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT Transistorea. Igorle komuneko konfigurazioa (EC)

IB sarrera korrontea oso txikia da. Irteera korrontea IC eta sarrera konrrontearen, IB, artean dagoen erlazioari edo hFE. deituko diogu. Honela definitzen dugu erlazio hori:

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. PNP transistorea

10

PNP transistoreetan korronte eta tentsio guztiak NPN transistoreetan agertzen diren kontrakoak dira. Hau da, kontrako noranzkoa dute. Baina, NPN transistoreetan agertzen diren erlazioak mantentzen dira: Kirchhoff-en lehenengo legea bete behar da: IE+IC+IB=0 IB<<IC IC IE

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. NPN transistorearen sarrera eta irteera ezaugarriak. Igorle komuneko konfigurazioan
Korronte eta tentsioak
IB +
B VBE C

11

IC + VCE
E -

IB[A] 100 Sarrerra ezaugarria 0 VCE=0

VCE=5V

VCE=10V VBE[V] 0,6

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. NPN transistorearen sarrera eta irteera ezaugarriak. Igorle komuneko konfigurazioan. Hurbilketak
Lehenengo hurbilketa
IC + IB + VBE B E C

12

Gune aktiboa
VBE=0V

IC + IC IB IB

+ VCE>0V +

VCE

Asetasun gunea
+ VBE=0V -

IB

IC<IB VCE=0V IC=0 +

Etendura gunea
+ VBE<0V
4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

IB

VCE>0V -

BJT transistorea. NPN transistorearen sarrera eta irteera ezaugarriak. Igorle komuneko konfigurazioan. Hurbilketak
Lehenengo hurbilketa
IC + IB + VBE B E C

13

Gune aktiboa
VBE=0,7V

IC + IC IB IB

+ VCE>0,2V +

VCE

Asetasun gunea
+ VBE=0,7V -

IB

IC<IB VCE=0,2V IC=0 +

Etendura gunea
+ VBE<0,7V
4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

IB

VCE>0,2V -

BJT transistorea. NPN transistorearen irteera ezaugarria. Igorle komuneko konfigurazioa

Hiru guneak: Aktiboa, Asetasuna eta Etendura. Aktiboa: Irteera ezaugarriaren zati horizoltalari dagokio. Gune honetan hurrengo ekuazioa betetzen da: IC=IB . Transistorea korrontearekin kontrolatutako korronte iturri bezala lan egiten du, korrontea anplifikatuz. Asetasuna: Ezkerreko aldea da. Hau da, ezaugarrien ukondotik ezkerrera. Gune honetan IC<IB da. VCE ren balioa volteko dezimala da.BE eta BC junturak zuzenean polarizatuta daude. Gune honetan transistorea erresistentzia moduan lan egiten du. Etendura: BE juntura alderantzizko polarizazioa du. Beraz, transistorea etendura gunean dago: IB=0, IC=0, IE=0

14

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Lan guneak. EC konfigurazioa.

15

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Karga zuzena

Rc RB VBB VCC

16

Irteera begiztari Kirchhoff-en tentsioen legea aplikatuz:

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Lan puntua

Lan puntua: Transistorea lan ari den karga zuzeneko edozein puntua. Sarrera begizta: VBB Transistorea gune aktiboan badago: RB Rc

17

VCC

Irteera begizta:

Gune aktiboan dago. Lan puntua:

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Transistorea konmutazioan

Transistorea konmutazioan lan egiten du etenduratik asetasunera aldatzen denean gune aktibotik pasatu barik. Sarreran bi tentsio desberdin jartzen ditugunean etenduran edo asetasunean lanean jarriko dugu. Egoera honetan kontrolatutako etengailu moduan lan egiten du.

18

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Transistorea konmutazioan

Etengailua 1. posizioan IB = 0 A ETENDURA Karga zuzena: Karga zuzena: Etengailua 2. posizioan

19

Hori ideala litzake, zehatza, berriz, honako hau:

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Transistorez osaturiko anplifikadorea

Transistorea anplifikadorea egiteko erabiltzen badugu gune aktiboan lan egin behar du. Egoera honetan irteeran daukagun seinalea sarrerako baino handiagoa izango da. Irabazia: A=Vout/Vin. AdB=20log(Vout/Vin).

20

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Transistorez osaturiko anplifikadorea

Hurrengo irudietan ikusiko ditugu sarrera eta irteera irudiak, baita tentsio irabazia eta fasea maiztasunaren menpe ere.

21

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Ariketak

Hurrengo zirkuitua harturik, etengailuaren posizio bakoitzarekin kalkula itzazu .Ic, Vce, eta transistoreak xurgatzen duen potentzia

22

Datuak: VCEaset=0,2V; VBEakt=0.7V, VBEaset=0,7V, =100, VBB=15V, VCC=15V

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra

BJT transistorea. Ariketak

Irudiko zirkuituan aurkitu 1. eta 2. hurbilketa erabilita: a) Oinarriaren korrontea. b) Kolektore-igorlearen tentsioa. c) Transistorean xurgatutako potentzia.

23

4. gaia: BJT Lotura Transistore Bipolarra