ELEKTRONIKI ELEMENTI pitanja za usmeni dio ispita

1. Prema poloaju atoma u ristalnoj re!et"i primjese u polu#odi$u mo%u &iti donorske i akceptorske. '. O&zirom na #rstu dodani( primjesa polu#odi$i mogu biti n-tipa i p-tipa. ). Ka o nastaju polu#odi$i n*tipa i polu#odi$i p*tipa+ Polu#odi$i N*tipa. Taj tip poluvodia nastaje kad se poluvodi oneisti ili dozira peterovalantnim neistoama, meu koje spadaju duik (N), fosfor (P) arsen ( s) i antimon (!b). "etiri elektrona peterovalentnog elementa neistoe udru#ena su u valentne veze sa etiri susjedna germanijeva atoma. Peti elektron vezan je uz svoj atom jedino elektrostatskom privlanom silom $oulombovog tipa. Polu#odi$i P*tipa. Taj tip poluvodia nastaje kad se poluvodi oneisti ili dozira, trovalentmim neistoama, meu koje spadaju bor (%), aluminij ( l), galij (&a) i indij ('n). Trovalentnoj neistoi nedostaje jedan elektron da kompletira valentnu vezu. (na se kompletira na taj nain da je popuni valentni elektron iz neke susjedne veze, ime se pro)es nastavlja. ,. Ka o se zo#u tro#alentne- a a o petero#alentne primjese+ Tro#alentne ne$isto.e kompletiraju valentne veze primajui elektrone iz valentnog pojasa i nazivaju se a "eptors e ne$isto.e. Petovalentne neistoe daju elektrone u vodljivi pojas, pa se zbog toga nazivaju donors e ne$isto.e. /. 0rste slo&odni( nosila"a u polu#odi$ima. !lobodni nosio)i su slobodni elektroni i *upljine. 1. Ka #i su nosio"i slo&odni ele troni- a a #i !upljine u n*tipu polu#odi$a+ + n-tipu poluvodia slobodni elektroni su veinski ili majoritetni nosio)i, a *upljine su manjinski ili minoritetni nosio)i.. 2. Poloaj dis retno% donors o% ni#oa u n*tipu polu#odi$a na temperaturi apsolutne nule i na so&noj temperaturi. ,iskretni donorski nivo -, u poluvodiu N-tipa pri temperaturi (apsolutne nule) ./0, smje*ten je u zabranjenom pojasu pri samom njegovom vr1u , tik ispod vodljivog pojasa, pun je i u vodljivom pojasu nema slobodni1 elektrona, kao i *upljina u valentnom pojasu. Na sobnoj temperaturi donorski nivo je prazan jer su svi atomi donora ionizirani. !vaki atom donora dao je po jedan suvi*an valentni elektron u vodljivi pojas, pa je u njemu onoliko slobodni1 elektronakoliko ima atoma donora. + valentnom pojasu prikazane su i manjinske *upljine nastale razbijanjem kovalentni1 veza !i atoma, ali nji1 ima puno manje nego slobodni1 elektrona u vodljivom pojasu jer su one manjinski nosio)i.

Poloaj dis retno% donors o% ni#oa E3 u polu#odi$u N*tipa 4. Poloaj dis retno% a "eptors o% ni#oa u p*tipu polu#odi$a na temperaturi apsolutne nule i na so&noj temperaturi. ,iskretni ak)eptorski nivo - u poluvodiu P-tipa pri temperaturi (apsolutne nule) ./0, smje*ten je u zabranjenom pojasu pri samom njegovom dnu , tik iznad valentnog pojasa, pun je i u valentnom pojasu nema *upljina, kao i slobodni1 elektrona u vodljivom pojasu. Na sobnoj temperaturi ak)eptorski nivo je prazan jer su svi atomi ak)eptora ionizirani. !vaki ak)eptor uzeo je iz valentnog pojasa po jedan elektron i u valentnom pojasu stvorio *upljinu, pa u valentnom pojasu ima onoliko *upljina koliko ima atoma ak)eptora. + vodljivom pojasu prikazani su i manjinske elektroni nastali razbijanjem kovalentni1 veza !i atoma.

Poloaj dis retno% a "eptors o% ni#oa E5 u polu#odi$u P*tipa

6. O&jasniti pro"es %enera"ije i re om&ina"ije nosila"a u polu#odi$u. Na temperaturama razliitim od temperature apsolutne nule termika titranja kristalne re*etke dovoljna su da se neke veze medu atomima razbiju. 2azbijanjem veze elektron se oslobaa od matinog atoma, *to e omoguiti protok elektrine struje. 'stovremeno, prekinutoj kovalentnoj vezi nedostaje elektron *to se simbolizira *upljinom, nositeljem pozitivnog jedininog naboja. 3alentni elektroni iz susjedni1 kovalentni1 veza mogu uskoiti na mjesto *upljine, dodatno doprinosei elektrinoj vodljivosti poluvodia. (pisani pro)es nastanka elektrona i *upljina naziva se %enera"ija nositelja. ! porastom temperature, raste energija termiki1 titraja kristalne re*etke, pa raste i broj termiki generirani1 parova elektron-*upljina, a time i elektrina vodljivost poluvodia. Tijekom gibanja kroz kristalnu re*etku osloboeni elektron e negdje u kristalnoj re*etki naletjeti na pret1odno razbijenu valentnu vezu koju e dopuniti. Time e poni*titi *upljinu koja je na tom mjestu u tom trenutku postojala. Taj pro)es se naziva re om&ina"ija nositelja. !vi pro)esi koji su do sada razmatrani imaju re#erzi&ilni ara ter. 'stovremeno sa prelaskom elektrona sa ni#i1 na vi*e nivoe, doga a se i obrnut p4ero)es, pri emu elektroni gube energiju predajui je kristalnoj re*etki ili emitiraju elektromagnetske titraje. (vaj pro)es, kada elektroni popunjavaju *upljine naziva se rekombinacija. Pri konstantnoj temperaturi kristal se nalazi u stanju termodinami ke ravnote#e, jer se pro)es generacije parova elektron - *upljina uravnote#ava sa pro)esom rekombinacije. Porastom temperature raste kon)entra)ija parova elektron - *upljina, ali tako ne raste i vjerojatnost rekombina)ije, a u stanju termodinami e ra#notee &rzina %enera"ije i &rzina re om&ina"ije je ista. 17. O&jasniti o#isnost on"entra"ije slo&odni( ele trona u n*tipu sili"ija o temperaturi uz onstantnu on"entra"iju donora. Na temperaturama vi*im od apsolutne nule, dolazi do ioniza)ije najprije donorski1 atoma. Na temperaturrama oko 5.. 0 ioniza)ija donora je intenzivna, a kod veine donora oko temperature oko 56. 0 pro)es ioniza)ije je za1vatio praktiki sve atome. Na istoj temperature praktiki svi matini atomi sili)ija su jo* neutralni. + tom sluaju postoje slobodni elektroni donorskog porijekla, dok *upljina praktiki gotovo nema. ,akle rastom temperature od nule ka 56. 0, rast e broj ionizirani1 donora , a time i broj slobodni1 elektrona. To temperaturno podruje zove se podru$je ioniza"ije. 0ad je postignuta temperature potpune ioniza)ije donora, jo* uvijek nema ioniza)ije matini1 atoma sili)ija. + prilino *irokom temperaturnom podruju kon)entar)ija slobodni1 elektrona mo#e se izjednaiti s kon)entra)ijom donora. + tom podruju kon)entra)ija veinski1 nosila)a praktiki ne ovisi o temperature ( e strinsi$no podru$je ili podru$je e strinsi$ni( temperatura ). 0od odreene temperature n e porasti iznad ND i ta temperature se zove intrinsi$na temperatura. 11. 8a on ra#notee prostorno% na&oja. +kupna suma pozitivni1 naboja jednaka je ukupnoj sumi negativni1 naboja.

1'. Poloaj 9ermije#a ni#oa u intrinsi$nom polu#odi$u je u sredini zabranjenog pojasa. 1). Poloaj 9ermije#a ni#oa u n*tipu polu#odi$a je iznad sredine zabranjenog pojasa, neposredno za .,.67e3 ispod vodljivog pojasa. 1,. Poloaj 9ermije#a ni#oa u p*tipu polu#odi$a je izmeu gornje grani)e valentnog pojasa i ak)eptorskog nivoa.

1/. Ka o se %i&aju slo&odni nosio"i u polu#odi$u &ez pri lju$eno% #anjs o% napona+ %ez prikljuenja vanjskog napona gibanje slobodni1 nosila)a je kaotino, odnosno svi smjerovi gibanja su jednako vjerojatni. 11. Ka o se se %i&aju slo&odni nosio"i pod djelo#anjem ele tri$no% polja+ Pod djelovanjem elektrinog polja javlja se gibanje koje je usmjereno suprotno od polja. 12. 3ri:tna &rzina ele trona propor"ionalna je ja osti ele tri$no% polja. 9a tor propor"ionalnosti je #eli$ina oja se zo#e pokretljivost elektrona 8. vd9-: 8 ;)m<s= 14. Na#esti d#ije omponente struje u polu#odi$ima. 0omponente struja u poluvodiima su ,'>+?'@!0 ' ,2'>TN . 16. O&jasniti di:uzijs u struju u polu#odi$ima. ,'>+?'@!0 - ako je zbog bilo kojeg razloga kon)entra)ija slobodni1 nosila)a u kristalu nejdnolika(npr. razliite temp. na kristalu) tada dolazi do diAuzionog kretanja slobodni1 nosila)a s mjesta vi*e kon)entra)iji prema mjestu ni#e kon)entra)ije, dok se slobodni nosio)i ne pro*ire jednoliko po itavom kristalu poluvodia.

,2'>TN Bako se izmeu krajeva kristala poluvodia prikljui elektrini napon, slobodni elektroni idu prema pozitivnom polu izvora napona, a *upljine prema negativnom polu izvora napona. -lektrino polje ubrzava slobodne nosio)e pa dolazi do srazova s ionima i razvija se @ouleova toplina. !lobodni nosio)i imaju srednju driAtnu brzinu vd9-: 8 ;)m<s=

'7. Na#esti s#e omponente struje u polu#odi$u. ,iAuzijska struja, driAtna struja, *upljina struja, struja eletrona. '1. Pri azati smjer %i&anja nosila"a i omponente struje u polu#odi$u ada postoji ele tri$no polje i %radijent on"entra"ije. !mjer gibanja nosila)a i komponente uz elekt. polje i gradijent kon)entra)ije.

''. Na#esti osno#ne postup e planarne te(nolo%ije. 5.,eAiniranje PN spoja. C. -pitaksijalni rast- zagrijavanje uz prisutstvo 6 3 primjese D. Pasiviza)ija- stvaranje oksida 7. >otopostupak- odstranjivanje kisika( stvaranje rupa) 6. Naparavanje- u rupe stavljamo D 3 primjese E. Fetaliza)ija- stvaranje metalni1 kontakata '). Ka a# moe &iti pn*spoj po pro:ilu primjesa u &lizini ra#nine na ojoj se do%a;a prijelaz iz p*tipa u n*tip polu#odi$a+ p-n spoj po proAilu primjese u blizini ravnine na kojoj se dogaa prijelaz iz p-tipa, u n-tip mo#e biti !0(0(3'T' i G'N- 2N(-P(!T-P-N(.

',. 5 o u #olumenu polu#odi$a on"entra"ija primjesa o#isi o poloaju u polu#odi$u onda se polu#odi$ zo#e N-H(F(&-N' P(G+3(,'". '/. Posljedi"a promjenlji#e on"entra"ije primjesa u ne(omo%enom polu#odi$u je +&2 I-N( -G. P(G@-. '1. 5 o je pn*spoj u stanju termodinami$ e ra#notee- a a# je 9ermije# ni#o roz polu#odi$e+ ko je pn-spoj u stanju termodinamike ravnote#e, >ermijev nivo kroz poluvodie je 0(N!T NT N. '2. Na"rtati dija%ram ener%ets i( pojasa pn*spoja &ez pri lju$eno% #anjs o% napona.

'4. Ka o se zo#e podru$je pn*spoja izme;u neutralne p i neutralne n strane. O&jasniti a o nastaje. Podruje PN-spoja izmeu neutralne p i neutralno n strane zove se 'NT2'N!'JN 2 3N'N (prijelazno podruje) + toj je ravnini (%%K) >ermijev nivo kroz prijelazno-podruje izjednaen sa intrinsinim >ermijevim nivoem. '6.O&jasniti onta tni poten"ijal. * prostorni naboj u pn-barijeri ima za posljedi)u da u barijeri postoji elektrino polje, odnosno razlika poten)ijala izmeu P i N strane. Poten)ijalna razlika izmeu P i N strane zove se 0(NT 0TN' P(T-N$'@ G.

)7. < i"irati propusno polarizirani pn*spoj.

)1. < i"irati ener%ets i dija%ram propusno polarizirano% pn*spoja.

)'. < i"irati nepropusno polarizirani pn*spoj.

)). < i"irati ener%ets i dija%ram nepropusno polarizirano% pn*spoja.

),. Pri azati %i&anje manjins i( nosila"a roz pn*spoj pri nje%o#oj re#erznoj polariza"iji.

)/. Na#esti me(anizme pro&oja u re#erzno polariziranom pn*spoju. *G 3'N!0' P2(%(@ (nekontrolirani rast slobodni1 nosio)a) -T+N-G!0' P2(%(@ )1. O&jasniti la#ins i pro&oj. G 3'N!0' P2(%(@- javlja se kod *iri1 barijera. Fanjinski nosio)i koji slobodno prolaze preko barijere mogu kod vei1 jakosti polja zadobiti dovoljne brzine da razbijaju valentne veze unutar barijere. Na taj nain se ostvaruju dodatni parovi elektron-*upljina, koji doprinose porastu struje. )2. O&jasniti tunels i pro&oj. T+N-G!0' P2(%(@- javlja se kod u#i1 barijera koje se dobivaju vrlo jakim onei*enjima. ?bog toga je i polje u osiroma*enom podruju vrlo jaki. + tim uvjetima mo#e se desiti da elektirno polje djeluje dovoljno jako da kida kovalentne veze i na taj nain stvara par slobodni1 elektron-*upljina. Taj par tada sudjeluje u pro)esu voenja. (vaj proboj se kod poluvodia naziva ?enerov proboj. )4. < i"irati strujno napons u ara teristi a sili"ije#e i %ermanije#e pn*diode.

)6. Temperaturni oe:i"ijent napona i struje pn diode. Nepropusna polariza)ija-kao temp. koeA. !e uzima klativna promjena reverzne struje zasienja na jedininu promjenu temperature. Propusna polariza)ija- '-+ karakt. su ovisne o temp., tj. na vi*im temp. uz isti napon struja raste. Btemp. koeA. @e pozitivan ako se struja odr#ava konstantnom promjenom temp. B dolazi do promjene napona- temp. koeA. je negativan.

,7. O&jasniti rad 8ener diode. ?enerova ili probojna dioda je !i dioda s povr*inskim spojem. Njezino je podruje rada u oblasti napona proboja (?enerov napon + ?). 3rijednost probojnog napona odreena je kon)entra)ija primjesa na slabije vodljiovoj strani poten)ijalne barijere, a kree se od nekoliko volti(?enerove diode s velikom koliinom primjese) do tridesetak volti. !ili)ijske diode sa probojnim naponom ispod 6.E 3 imaju negativan temp. koeAi)ijent. ,iode s probojnim naponom 7-E 3 imaju o*tro izra#eno koljeno kod probojnom napona, ali imaju minimalni temp. koeA.(oko 5. -63<L$) 0ako je vrijednost probojnog napona neovisna o struji, a vrlo se malo mijenja i s promjenom temp. diode, ?enerove diode slu#e za stabiliza)iju napona i dobivanje reAerentnog konstantnog napona.

,1. O&jasniti rad tunel diode i s i"irati ara teristi u. Tunelska ili -sakijeva dioda po +-' kar. bitno se razlikuje od ostali1 dioda sa povr*inskim spojem. ,odavanjem jo* vee koliine primjesa nego kod ?enerovi1 dioda dobivaju se diode kod koji1 je invetzni probojni napon .3. ?bog ekstremno velike kon)entra)ije primjesa ove diode imaju vrlo tanki PN-spoj na kojem se u propusnom podruju javlja eAekt tuneliranja elektrona kroz barijeru. ,io karak. sa Mnegativnim otporomN je nestabilna i mo#e se koristiti za stvaranje os)ila)ija vrlo visoki1 Arekven)ija do nekoliko &Hz, a ove diode mogu se upotrijebiti kao vrlo brze sklopke.

,'. Na&rojiti diode o&zirom na on"entra"iju primjesa. -zenerove probojne -tunelske diode -protusmjerne pn-diode -kapa)itivne ,). Na#esti apa"itete prisutne od pn*diode. 5. ,'>+?'(N 0 P $'T'3N(!T C. 0 P $'T'3N(!T % 2'@-2,,. O&jasniti di:uzijs u admitan"iju. ,'>+?'@!0 ,F'T N$'@ se deAinira kao omjer izmjenine komponente diAuzijske struje i izmjenine komponente napona. ,/. Nadomjesni s lop pn*diode za mali izmjeni$ni si%nal. PN dioda se mo#e zamijeniti (u re#imu mali1 signala) dvopolom *to ga ine radna vodljivost g d(O) i diAuzijski kapa)itet $d(O) B idealna PN-dioda 2- GN - dodaje se 2!- otpor P i N strane, $i-kapa)itivnost osiroma*enog podruja, 2- parazitni otpor

,1. < i"irati #remens i o&li struje roz diodu pri promjeni napona iz #rijednosti => u #rijednost >.

,2. Od oji( #remena se sastoji #rijeme opora# a. O&jasniti. t!PtA(vrijeme oporavka)- je vrijeme potrebno da PN dioda prijee iz stanja voenja u stanje nevoenja. t!-vrijeme zadr#avanja, tA- vrijeme opadanja ,4. Ka a# moe &iti spoj metala i polu#odi$a+ 5. (F!0' C. P(G+3(,'"0' ,6. 8a!to je to &itno za ele troni$ e elemente+ ?a elektronike elemente je to bitno zato da bi se -.- mogli spojiti na vanjski strujni krug.(kontakt) /7. O&jasniti prin"ip rada &ipolarno% tranzistora. 2ad bipolarnog tranzistora temelji se na dva PN-spoja. @edan PN spoj je polariziran nepropusno. Pokraj njega se nalazi drugi propusno polariziran PN spoj. Na taj se nain posti#e poveanje kon)entra)ije manjinski1 nosila)a u blizini nepropusno polariziranog PN-spoja, a time i struje (reverzne) kroz nepropusno polarizirani PN-spoj. Pri tome je va#no da ta dva PN-spoja budu neposredno blizu jedan drugome kako bi naboj manjinski1 nosio)a mogao stii do propusno polariziranog PN-spoja prije nego *to se rekombinira s veinskim nosio)ima. Na taj se nain lako mo#e mijenjati tok struje kroz nepropusno polariziran PN-spoj promjenom napona za propusno polariziranom PN-spoju, *to je temeljni prin)ip rada bipolarnog tranzistora.

/1. Na"rtati sim&ole za razli$ite #rste &ipolarni( tranzistora.

/'. 3e:inirati e:i asnost emitera. 'li Aaktor injek)ije je omjer elektornske komponente struje emitera i ukupne struje emitera . /). 3e:inirati &azni transportni :a tor. (mjer elektonske komponente kolektorske struje i elektronske komponente struej emitera. R:9'P$<'P/,. 3e:inirati :a tor strujno% poja$anja u spoju zajedni$ e &aze. +mno#ak eAikasnosti emitera i baznog transportnog Aaktora S9QR:9T')< T'------ +$-9konst. //. 3e:inirati :a tor strujno% poja$anja u spoju zajedni$ o% emitera. (mjer male promjene kolektorske struje prema promjeni struje baze R9 S<(5- S)9 T')< T'%-------- +$-9 konst.

Q9'pe<'-

/1. < i"irati npn tranzistor u normalnom a ti#nom podru$ju u spoju zajedni$ e &aze. Ozna$iti napone i s#e omponente struja.

N
-'N-

P
-'N$ '2 'P -

/2. < i"irati pnp tranzistor u normalnom a ti#nom podru$ju u spoju zajedni$ e &aze. Ozna$iti napone i s#e omponente struja.

/4. < i"irati npn tranzistor u normalnom a ti#nom podru$ju u spoju zajedni$ o% emitera.

/6. < i"irati pnp tranzistor u normalnom a ti#nom podru$ju u spoju zajedni$ o% emitera.

17. Na#esti podru$ja rada tranzistora o&zirom na polariza"iju pn*&arijera.. 5. Normalno aktivno podruje (+-%U., +$%V.) C. 'nvetzno aktivno podruje (+-%V., +$%U.) D. Podruje zasienja (+-%U., +$%U.) 7. ?aporno podruje (+-%V., +$%V.) 11. < i"irati tipi$ni o&li izlazni( ara teristi a npn tranzistora s ozna$enim proiz#oljnim strujama i naponima i podru$jima rada.O&jasniti !to pri azuju.

1'. > ojem radnom podru$ju se tranzistor oristi ao poja$alo Tranzistor radi kao pojaalo u N P-u. 1). < i"irati tipi$ni o&li izlazni( ara teristi a pnp tranzistora s ozna$enim proiz#oljnim strujama i naponima i podru$jima rada. O&jasniti !to pri azuju.

1,. Ka o se tranzistor moe pri azati u reimu mali( si%nala -kao etveropol -linearna aproksima)ija strujno-naponski1 ovisnosti, a analiza daje dovoljno tone rezultate

- etiri veliine u +G,i+G,u'?G,i'?G

i+G u+G
u>L? : @i>L- uI8LA

i'? ;1=
iI8L? : @i>L-uI8LA

u '?G

1/. O&jasniti impedantne parametre. < i"irati nadomjesni s lop. ko se struje odaberu kao nezavisne, a naponi kao zavisne varijable, postoje Aunk)ionalne ovisnosti u59A(i5,iC) uC9A(i5,iC) koji i1 re#u. +re#imu mali1 signala vrijediW u59?55:i5P?5C:iC uC9?C5:i5P?CC:iC ?55, ?C5, ?5C ?CC- impedantni parametri

11. O&jasniti admitantne parametre. < i"irati nadomjesni s lop. ko se naponi odaberu kao nezavisne varijable, a struje kao zavisne, tada postoje Aunk)ijonalne ovisnosti i59A(u5,uC) iC9A(u5,uC) koji i1 re#u. + re#imu mali1 signala vrijediW i59X55:u5PX5C:uC iC9XC5:u5PXCC:uC X55, XC5, X5C XCC- admitantni parametri

12. O&jasniti (i&ridne parametre. < i"irati nadomjesni s lop. Proizvoai u svojim poda)ima naje*e daju 1ibridne parametre ili 1 parametre, a takoer se i analize tranzistora na niskim Arekven)ijama naje*e izvode s njima. ko se kod etveropola ulazna struja i1 i izlazni napon u' izaberu kao nezavisne varijable, a ulazni napon u' i izlazna struja i' kao zavisne varijable mogu se napisati sljedee dvije linearne jednad#beW u1?(11Bi1=(1'Bu' i'?('1Bi1=(''Bu' -parametri (11- (1'- ('1- ('' imaju razliite dimenzije pa se zbog toga nazivaju 1ibridnim ili mije*anim parametrima -parametri tranzistora mogu se mijenjati ili graAiki odrediti iz statiki1 karakteristika tranzistora, a prin)ip mjenjanja slijedi iz same deAini)ije za pojedini parametar -1ibridni parametri deAiniraju se i mjere na sljedei nainW (11 ? u1 C i1 u'?7 -ulazni otpor uz kratko spojeni izlaz (1' ? u1 C u' i' ?7 -Aaktor naponskog povratnog djelovanja uz otvoren ulaz ('1 ? i' C i1 u'?7 -Aaktor strujnog pojaanja uz kratko spojen izlaz ('' ? i' C u' i1 ?7 -izlazna vodljivost uz otvoren ulaz -u tranzistorskim nadomjesnim spojevima naje*e se upotrebljavaju uz 1 parametre indeksi i, r, A, o 155 9 1i (input - ulaz) 15C 9 1r (reverse-povrat) 1C5 9 1A (AorYard - prema naprijed) 1CC 9 1o (output-izlaz)

1i iul iizl

P uul 1r uizl Z 1A iul

1o uizl

14. O&jasniti rad tranzistora ao s lop e ko je struja baze '%9., radna toka tranzistora je u zapiranju, a izlazni napon tada je gotovo jednak napon napajanja (+$-Z+$$). Tada je iskljuena sklopka. +z dovoljno velik napon (pozitivni)(!i-..[ 3 -..\ 3 9 +%-) potei e dovoljno velika struja baze '%zas koja e radnu toku dovesti do zasienja. (na e kroz tranzistor protjerati najveu struju kolektora '$zas. ?ato je gotovo sav napon na kolektoru 2$. (+kljuena sklopka) ,a bi tranzistor djelovao kao sklopka, radna toka mora biti u zasienju ili zapiranju.

16. Ka o se moe u&rzati rad tranzistors e s lop e. %rzina prijelazni1 pojava tran. vezana je uz Arekven)ijske korak. pa e sklopka biti br#a *to joj je granina Arekven)ija vea. 27. 8a!to se oristi <"(ott Dje# tranzistor se koristi kao tranzistorska sklopka gdje je potrebna velika brzina rada. 21. Na#esti o%rani$enja u radu tranzistora naponska, strujna, ogranienja snage i temperature. 2'. O&jasniti !to je pro(#at P2(H3 T je me1anizam proboja, koji je posljedi)a -arlXjeva eAekta. ,e*ava se pri porastu napona nepropusne polariza)ije 0(G-0T(2-% ? . ?bog porasta napona osiroma*eno podruje se *iri uglavnom na kolektorsku stranu ali budui da je baza vrlo uska mo#e se desiti da se pro*iri sve do emitera. Tada prestaje tranzistorsko djelovanje. 2). O&jasniti o%rani$enje sna%e ,isipa)ija snage u tranzistoru ne smije prijei vrijednost Pdma] jer bi to dovelo do trajnog o*teenja i toplinskog proboja tranzistora. + aktivnom podruju rade kolektorski pn-spoj je najjae optereen, jer kroz njega tee velika kolektorska struja, i tu se razvija najvea disipa)ija snage tranzistora (PS). P dma] ograniena je maksimalno dozvoljenom temp. kristala poluvodia.

2,. O&jasniti se undarni pro&oj Nastaje zbog neuniAormne raspodjele struje kroz pn-spojeve tranzistora *to dovodi do nji1ova nejednolikog zagrijavanja i do pojave lokalni1 vrui1 tolaka. ko temp. pnspoja dostigne odreeni iznos dolazi do !-0+N, 2N(& P2(%(@ i P2'3',N(& 02 T0(& !P(@ kolektor-emiter. 2/. O&jasniti ele tromi%ra"iju Nastaje zbog vrlo mali1 popreni1 presjeka na metalnim vodovima. ,olazi do veliki1 gustoa struja. ?bog toga elektroni koji putuju predaju moment metalnim ionima, koji se tada gibaju u smjeru elektrona. ,olazi do gomilanja iona na pozitivnoj strani metalnog voda zbog ega na toj strani dolazi do zadebljanja, a dok se na suprotnoj strani javljaju pukotine. ?bog toga se na tim pukotinama smanjuje presjek i poveava gustoa struje, pa se na tim mjestima javljaju male pukotine, pa se u jednom trenutku presjek toliko smanji da se vod zbog gustoe struje pregrije i uni*ti. 21. O&jasniti rad spojno% tranzistora s e:e tom polja ^irina kanala je odreena s dvije zone p-tipa poluvodia kod n-kanalnog spojenog >-T-a. Poveanjem negativnog napona na zavisnu dolazi do pro*irenja pn-barijere (*raAirano), odnosno do su#avanja slobodnog puta za elektrone, a time i do smanjenja struje kroz kanal.

22. O&jasniti osno#nu razli u izme;u &ipolarni( i unipolarni( tranzistora %ipolarni tranzistor je strujno upravljana elektonika komponenta, a unipolarni tranzistor naponski upravljana elektronika komponenta. 24. 3e:inirati napon dodira -je onaj napon +&!(+&&) kada se gornja i donja osiroma*ena podruja dodiruju pa otpor kanala te#i u beskonano. (kanal se prekida) 26. < i"irati izlazne ara teristi e n* analno% E9ET*a za napon > F<?7 i jo! jedan proiz#oljni napon na upra#lja$ oj ele trodi..Ozna$iti podru$ja rada.

47. > ojem se podru$ju E9ET oristi ao linearni otporni . 3a li se otpor moe mijenjati i a o. + triodnom podruju @>-T se koristi kao linearni otpornik. (tpor se mo#e mijenjati promjenom napona +&!.

41. Nadomjesni s lop E9ET*a za mali izmjeni$ni si%nal.

4'. O&jasniti MO< stru turu pod djelo#anjem napona. F(! struktura je troslojna. Podloga je sili)ijska monokristalna ploi)a p ili n-tipa, iznad nje je oksidni sloj, a iznad oksidnog sloja je tanki metalni sloj. Pod djelovanjem napona na monokristalnoj ploi)i prema oksidnom sloju se izvlae ili elektroni ili *upljine, ovisno o polariza)iji +&! napona. 4). 3e:inirati napon pra%a MO< stru ture @e napon +&! kod kojeg je kon)entra)ija manjinski1 nosila)a na povr*ini sili)ija jednaka kon)entra)iji veinski1 nosila)a u neutralnom volumenu. n s9pb 4,. O&jasniti MO< 9ET s n* analom u razli$itim radnim u#jertima a) +&!U+&!., +,!9. ;inverzijski sloj na povr*ini podloge i osiroma*eni sloj ispod inverzijskog sloja imaju uniAormnu debljinu u smjeru X= b) +&!U+&!., +,!V+&!-+&!. ;inverzijski sloj se su#ava, a osiroma*eni *iri u smjeru X= )) +&!U+&!., +,!9+&!-+&!. ;*irina inverzijskog sloja na strani odvode te#i nuli= d) +&!U+&!., +,!U+&!-+&!. ;inverzijski sloj se prekida= 4/. Klasi:i a"ija MO< 9ET*o#a o&zirom na napon upra#lja$ e ele trode. *valjda n i p kanalni 41. < i"irati izlazne ara teristi e n* analno% MO< 9ET*a o&o%a.eno% tipa s ozna$enim naponima >F<. Ozna$iti podru$ja rada.

42. < i"irati izlazne ara teristi e n* analno% MO< 9ET*a osiroma!eno% tipa s ozna$enim naponima > F<. Ozna$iti podru$ja rada.

44. < i"irati prijenosne ara teristi e za s#a $etiri tipa MO< 9ET*a.

46. Na#esti ele troni$ e elemente oji oriste pret#or&u ele tri$ne u s#jetlosnu ener%iju. !vjetlea dioda, laserska dioda 67. Na#esti ele troni$ e elemente oji oriste pret#or&u s#jetlosne u ele tri$nu ener%iju. >otootpornik, Aotodioda, Aototranzistor, Aototiristor, sunana elija

61. O&jasniti prin"ip rada tiristora. Na gate treba dovesti impuls, ne propu*ta struju u nepropusnom smjeru.

6'. Klasi:i a"ija tiristora. -jednosmjerni diodni tiristor- etveroslojna dioda -dvosmjerni diodni tiristor- dijak -jednosmjerni triodni tiristor- tiristor !$2 -dvosmjerni triodni tiristor- trijak 6). < i"irati i o&jasniti ara teristi u jednosmjerno% diodno% tiristora.@$et#eroslojna diodaA Ne vodi struju ni pri propusnoj polariza)iji sve dok napon prikljuen izmeu anode i katode ne poprimi dovoljno veliku vrijednost + %.(prekretni napon). Tada dolazi do prelaska iz nevodljivog u vodljivo stanje. !truja naglo poraste uz smanjenje napona izmeu anode i katode. ,ioda ostaje u vodljivom stanju sve dok se struja kroz nju ne smanji ispod odreene vrijednosti 'H (struja dr#anja). +z napon zaporne polariza)ije dioda ne vodi sve dok napon ne poprimi vrijednosti vee od probojnog napona zaporne polariza)ije +%2.

6,. < i"irati i o&jasniti ara teristi u d#osmjerno% diodno% tiristora.@dija A 2azlikuje se od etveroslojne diode tako da mo#e propu*tati struju u oba smjera. C tipa- peteroslojni i troslojni.

6/. < i"irati i o&jasniti ara teristi u jednosmjerno% triodno% tiristora.@<GR*tiristorA 3oditi e struju ako prikljueni napon ima dovoljno veliku vrijednost (prekretni ili prijelomni napon + %.). 0ad tiristor proradi, napon izmeu anode i katode smanji se na vrlo mali iznos +T koji je reda veliine 5 do C volta, a struja poprima velike vrijednosti. Tiristor e prestat voditi tek kad struja koja tee kroz njega padne ispod vrijednosti ' H (struja dr#anja). +z napon zaporne polariza)ije tiristor se pona*ao kao poluvodika dioda.

61. < i"irati i o&jasniti ara teristi u d#osmjerno% triodno% tiristora.. Triak - je dvosmjerni regenerativni prekida izmjenine struje s tri prikljuka. Praktino, to je komponenta koja se sastoji od dva antiparalelna SCR-a sa zajednikim gejtom. 2azlika u odnosu na triodni tiristor-SCR je, u tome *to triak mo#e voditi u oba smjera, od AK i od KA. !toga se, kao i kod diaka, priklju)i optereenja nazivaju glavnim izvodima i oznaavaju se sa MT1 i MT , pri emu je MT1 reAerentna elektroda. Presjek triaka prikazan je na sl.a.
MT2 N3 P1 N1 P2 N G a) N2 MT1 b) c) I G1 I G2 I G3 I G3 I G2 I G3 > I G2 > I G1 I G1 V G MT1 MT2 I

<li a /. Popre$ni presje @aA- I*0 ara teristi a @&A i sim&ol tria a @"A. ,vosmjerni triodni tiristor (T2' $) je jedan od znaajniji1 tiristora. + biti je to dvo-tiristorski integrirani krug od dva paralelno spojena tiristora (n-p-n-p i p-n-p-n). T2' $ se mo#e aktivirati i odgovarajuim polaritetom napona narinutog na katodu i anodu, a ne samo preko pobudne elektrode. T2' $ je razvijen za bolju kontrolu izmjenini1 krugova od jednotiristorski1 sklopova. 0ada je MT pozitivniji od MT1, aktivna je tiristorska struktura P5N5PCNC. Podruje PC ima ulogu gejta. !poj P5ND je inverzno polarisan, pa je oblast ND pasivna. ko je MT negativnija od MT1, aktivna je etveroslojna struktura PCN5P5ND. (blast NC je sada, zbog inverzne polariza)ije, pasivna. &ejt prekriva oblasti PC i N tako da su mogua etiri naina rada triaka I #adrant * %ejt poziti#an. &ejt (oblast PC) je direktno polarizian i pona*a se kao gejt `normalnog` tiristora. (blast PC injektira *upljine, a NC elektrone *to dovodi do ukljuenja tiristorske strukture P5N5PCNC. I #adrant * %ejt ne%ati#an. &ejt je negativan u odnosu na elektrodu MT1. ?bog toga je N oblast gejta direktno polarisana i injektuje elektrone u oblasti PC. !truja gejta tee od PC ka N i stvara u PC oblasti pad napona koji direktno polari*e dio PC-NC. (vo, takoe, dovodi do ukljuenja strukture P5N5PCNC. Naravno, za to je potrebna vea struja gejta nego u sluaju kada je gejt pozitivan. III #adrant * %ejt ne%ati#an. + ovom sluaju prikljuak MT1 je pozitivniji od MT ! pa je smjer struje ukljuenog triaka MT1MT . &ejt je negativan u odnosu na MT1, usljed ega je oblast N-PC direktno polarisana, tako da dolazi do injek)ije elektrona iz N u PC. (vi elektroni su `pokupljeni` od spoja PC-N5 *to dovodi do okidanja tiristorske strukture PCN5P5ND. III #adrant * %ejt poziti#an. !ada je gejt pozitivan u odnosu na elektrodu MT1. ktivni dio gejta je oblast PC izmeu N i NC. !poj PC-NC direktno je polarisan i emituje elektrone koje `skuplja` spoj PC-N5. To, kao u pret1odnom sluaju, dovodi do ukljuenja triaka. Nakon ukljuenja, oblast NC ne uestvuje u provoenju, jer struja *upljina tee u prav)u metaliza)ije. (kidanje triaka. 0ola za okidanje su slina kao kod SCR-a, s tim da se triak mo#e okidati i pozitivnim i negativnim impulsima, u toku pozitivne ili negativne poluperiode naizmjeninog napona. !toga su za okidanje triaka veoma aktuelni dvosmjerni (bilateralni) prekidaki elementi.

i0 R0 220V 50Hz R1 Pr a)

i0 TAC Pr b)

<l.1. O idno olo tria a sa zajedni$ im napajanjem @aA i talasni o&li"i struje optere.enja @&A. 62. O&jasniti diCdt e:e t. -Aekat brzine porasta anodne struje (di"dt eAekat) Tiristori klasine konstruk)ije imaju upravljaku elektrodu sa strane. Neposredno po djelovanju pozitivnog impulsa na upravljaku elektrodu, pun iznos napona #g e biti samo na onom dijelu spoja @C koji je najbli#i dovodu gejta. ?bog pada napona na transverzalnom otporu RS oblasti PC, na udaljenim dijelovima, poten)ijal e biti ni#i, a time i propusna polariza)ija. ,akle, na poetku voenja injek)ija elektrona iz NC oblasti je izrazita samo u blizini gejta (streli)ama oznaeno na sl.5.). To znai da je na poetku samo u#i dio tiristora provodan dok je njegov vei dio u iskljuenom stanju. ?bog velike gustine struje na tom uskom dijelu je i disipa)ija najvea, *to mo#e dovesti do prekomjernog zagrijavanja spoja i uni*tenja elementa. (vo pogotovo dolazi do izra#aja pri vrlo brzom porastu anodne struje. Naime, tada se anodna struja ne stigne ravnomjerno raspodijeliti i kon)entri*e se na uski provodni dio. ko je brzina porasta diA"dt manja od maksimalno dozvoljene (diA"dt)M , struja e se, zbog regenerativnog pro)esa, 1omogeno raspodijeliti po itavom presjeku i nee doi do uni*tenja tiristora. !na#ni tiristori imaju veu povr*inu, a time i veu poprenu otpornost RS, pa su osjetljiviji na di"dt eAekat od tiristora male snage. (vaj eAekt je na vi*im temperaturama izra#eniji. Po*to (diA"dt)M varira od uzorka do uzorka istog tipa tiristora, to se di"dt sposobnost deAinira pod najnepovoljnijim uslovima .

5.

64. O&jasniti duCdt e:e t. E:e t &rzine porasta anodno% napona @du/dt e:e atA Pret1odna analiza pro)esa ukljuivanja vrijedi samo uz pretpostavku spore promjene anodnog napona. Pri velikim brzinama tog napona doi e do br#eg ukljuivanja tiristora. ! obzirom na to da je kolektorski $n spoj tranzistora Tn i T$ inverzno polariziran, mo#e se promatrati kao kondenzator. ko se zanemari pad napona na direktno polariziranim emiterskim spojevima, onda je struja kroz taj kondenzatorW

d 1 d i ( C C' d# A ) # A C C' C C' # A ! A dt dt dt +

Tp
i

jer je

CC' Z 5 # A

V
C B

Tn K

+ spe)iAika)ijama se deAinira maksimalna vrijednost (du"dt)M pri kojoj nee doi do ne#eljenog ukljuenja tiristora. 0ree se u grani)ama od 1% &"ms do oko 1%% &"ms. Fogue je na nekoliko naina poveati du"dt sposobnost (sl). 0ondenzatorom CS izmeu anode i katode (sl) smanjuje se brzina porasta anodnog napona. Napon anodakatoda sada raste eksponen)ijalno. + krajnjem sluaju, ako se napon +AA mijenja skokovito, onda mora bitiW

# AA d# A + ! R *C S dt M

odakle se izraunava kapa)itet CS

!lika ?a*titni (snaber) krugovi (a i b) i tiristor s kratko spojenim emiterom za smanjenje uti)aja du/dt eAekta.

55