UNIVERZITET U BANJOJ LUCI ELEKTROTEHNIKI FAKULTET

OSNOVI RAUNARSKE TEHNIKE 1

PREDSTAVLJANJE PODATAKA U RAUNARU

seminarski rad

Student: Sinia Nikoli 1318/12

Asistent: Marko Markovi, dipl. in. el.

Banja Luka, januar 2012.

Dolo je vrijeme kada u oblasti informacionih tehnologija ne moemo nita napraviti bez fle memorije. Postoji malo segmenata u kojima ova oblast tehnologije nije primjenjena a postoji ve 16 godina. Najvie se upotrebljavaju za digitalne kamere i mobilne telefone. Koriste ga razliite osobe, bez obzira na djelatnost kojom se bave ili na svoju starost. Flash memorije omoguavaju brzo, jednostavo i trajno uvanje podataka. Postoje flash memorije raznog kapaciteta.

Uopteno o flash memorijama

Flash memorija je jedan oblik EEPROM memorije (Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory) koja omoguuje da se vie memorijskih lokacija izbrie ili zapie jednom programskom operacijom. Flash memorija je memorija koja moe da uva podatke i kada nije pod naponom, a moe se brisati i reprogramirati elektronskim putem. Zasnovana je na tehnologiji memorijskih kartica koje se najee koriste u digitalnim fotoaparatima, telefonima, audio plejerima, itd.

Bitne karakteristike flash memorije

Osim karakteristika da im nije potrebno elektrino napajanje za uvanje podataka, flash memorija nudi i brz pristup podacima. Jo jedna veoma bitna karakteristika flash memorije je to ima bolju otpornost na kinetike okove, odnosno udarce, u odnosu na hard disc-ove. Fiziki je gotovo neunitiva kada je upakovana u memorijsku karticu koju koristi neki digitalni ureaj.

Princip rada flash memorije

Flash memorija smjeta informacije u redove FTG-a(Floating Gate Transistor) koji se nazivaju elije i u svaku od elija se smjeta po jedan bit informacija. Ureaji novijih generacija mogu da smjetaju vie od jednog bita po eliji koristei vie od dva nivoa elektrinog punjenja i svaka sledea informacija se smjeta na tzv.lebdeem ulazu elija. Kod flash memorija svaka elija izgleda slino, kao i elija standardnog MOSFET -a (Metal Oxide Semiconductor Field-Efect Transistor), osim to ima dva ulaza umjesto jednog. Jedan ulaz, ili gate, kao i kod ostalih MOS tranzistora je kontrolni ulaz (Control Gate), ali drugi je lebdei ulaz (FG), izolovan jednim oksidnim slojem koji se nalazi svuda oko njega. Lebdei ulaz se nalazi izmeu kontrolnog ulaza i podloge. Poto je lebdei ulaz izolovan njegovim oksidnim slojem, bilo koji electron koji se nae na njemu ostaje zarobljen tu in a taj nain smjeta informacije. Kada se elektron nalazi na lebdeem ulazu, oni djelomino prekidaju elektrino polje koje se javlja sa kontrolnog ulaza, to modifikiuje naponski impuls elije. Na taj nain, kada je elija oitana postavljanjem naponskog impulsa elije, trenutno elektrino stanje e ili proticati ili nee proticati, u zavisnosti od naponskog impulsa elije koji je kontrolisan od strane broja elektrona na lebdeem ulazu