STOJAN RISTI

ELEKTRONSKE
KOMPONENTE







PREDAVANJA
Godina: I
Semestar: II




















Elektronski fakultet Ni
2010.


2




















































3


SADRAJ


1. UVOD 7

2. KOMPONENTE SA IZVODIMA I KOMPONENTE ZA
POVRINSKO MONTIRANJE (SMD) 9

2.1. KOMPONENTE SA IZVODIMA 9
2.2. KOMPONENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE SMD 10
2.3. KUITA 13
2.4. LEMLJENJE KOMPONENATA 18

3. OTPORNICI 25

3.1. OPTE O OTPONICIMA 25
3.1.1. Vrste otpornika 25
3.1.2. Osnovne karakteristike otpornika 26
3.1.3. Nizovi nazivnih vrednosti otpornosti i klase tanosti 28
3.1.4. Oznaavanje otpornika 29
3.1.5. Stabilnost karakteristika otpornika 31
3.1.6. Frekventna svojstva otpornika 33
3.2. NENAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI 35
3.2.1. Ugljenini otpornici 37
3.2.2. Metalslojni otpornici 38
3.2.3. Slojni kompozitni otpornici 39
3.2.4. Maseni kompozitni otpornici 40
3.2.5. ip otpornici 40
3.2.6. Otporniki moduli (otpornike mree) 41
3.3. NAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI 42
3.3.1. Temperaturna kompenzacija 43
3.4. OTPORNICI PROMENLJIVE OTPORNOSTI (POTENCIOMETRI) 44
3.4.1. Osnovne karakteristike potenciometara 44
3.4.2. Vrste potenciometara 46
3.4.3. Regulacioni otpornici (trimeri) 47
3.5. OTPORNICI SA NELINEARNOM PROMENOM OTPORNOSTI 48
3.5.1. NTC otpornici 48
3.5.2. PTC otpornici (pozistori) 52
3.5.3. Varistori 53
3.5.4. Fotootpornici 55

4. KONDENZATORI 58

4.1. OPTE O KONDENZATORIMA 58
4.1.1. Kapacitivnost kondenzatora 58
4.1.2. Klase tanosti; oznaavanje kondenzatora 60
4.1.3. Dielektrici i dielektrina konstanta 61
4.1.4. Otpornost izolacije i vremenska konstanta kondenzatora 61

4
4.1.5. Frekventna svojstva kondenzatora 63
4.1.6. Gubici u kondenzatoru 64
4.1.7. Stabilnost kondenzatora 66
4.2. KONDENZATORI STALNE KAPACITIVNOSTI 67
4.2.1. Papirni kondenzatori 68
4.2.2. Kondenzatori sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama 68
4.2.3. Liskunski kondenzatori 71
4.2.4. Stakleni kondenzatori 72
4.2.5. Keramiki kondenzatori 72
4.2.6. Elektrolitski kondenzatori 75
4.2.7. UltraCap kondenzatori 80
4.3. KONDENZATORI PROMENLJIVE KAPACITIVNOSTI 82
4.3.1. Obrtni kondenzatori 82
4.3.2. Polupromenljivi kondenzatori trimeri 82
4.3.3. Varikap diode 83

5. KALEMOVI 85

5.1. OPTE O KALEMOVIMA 85
5.1.1. Induktivnost kalemova 85
5.1.2. Kalemska tela i vrste namotaja 86
5.1.3. Frekventna svojstva kalemova 89
5.1.4. Faktor dobrote kalemova 90
5.2. KALEMOVI BEZ JEZGRA 92
5.3. KALEMOVI SA JEZGROM 93

6. TRANSFORMATORI I PRIGUNICE 98

6.1. KONSTRUKCIJA I PRORAUN 98
6.1.1. Materijali za magnetna jezgra 98
6.1.2. Oblici magnetnih jezgara 100
6.1.3. Osnovne relacije kod transformatora 102
6.2. MRENI TRANSFORMATORI 104
6.2.1. Dimenzionisanje jezgra 105
6.2.2. Namotaji 106
6.3. PRIGUNICE 107

7. OSNOVNE OSOBINE POLUPROVODNIKA 108

7.1. ELEMENTARNI POLUPROVODNICI I POLUPROVODNIKA JEDINJENJA 108
7.2. SLOBODNI ELEKTRONI I UPLJINE U POLUPROVODNICIMA 111
7.3. PRIMESNI POLUPROVODNICI 114
7.3.1. Poluprovodnici n-tipa 115
7.3.2. Poluprovodnici p-tipa 116
7.4. ENERGETSKE ZONE 117
7.5. TRANSPORT NOSILACA NAELEKTRISANJA 121
7.5.1. Drift nosilaca naelektrisanja 121
7.5.2. Specifina otpornost i provodnost homogenih poluprovodnika; driftovska struja 124
7.5.3. Difuzija u poluprovodnicima; difuziona struja 125
7.5.4. Ukupna struja 126

5

8. DIODE 127

8.1. p-n I n-p SPOJEVI 127
8.1.1. Ravnoteno stanje na p-n spoju 131
8.1.2. Kapacitivnost prostornog naelektrisanja 135
8.2. STRUJA DIODE 136
8.2.1. Testiranje ispravnosti dioda 139
8.3. PROBOJ p-n SPOJA 141
8.3.1. Zenerov proboj 141
8.3.2. Lavinski proboj 142
8.4. KONTAKT METAL-POLUPROVODNIK 143
8.5. PRIMENA DIODA U IZVORIMA NAPAJANJA 144

9. BIPOLARNI TRANZISTORI 150

9.1. VRSTE TRANZISTORA 150
9.1.1. Nain rada tranzistora 153
9.2. KOEFICIJENT STRUJNOG POJAANJA 156
9.3. STATIKE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE 157
9.3.1. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenom bazom 157
9.3.2. Statike strujno-naponske karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom 157
9.4. PRIMENA TRANZISTORA 161
9.5. ELEKTRINI MODEL TRANZISTORA 163
9.6. TESTIRANJE ISPRAVNOSTI TRANZISTORA 164

10. MOS TRANZISTORI 165

10.1. VRSTE MOS TRANZISTORA 166
10.1.1. Osnovni principi rada MOS tranzistora 167
10.2. IZLAZNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA 169
10.3. PRENOSNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA 174

11. OSNOVI FOTOELEKTRONSKIH KOMPONENATA 176

11.1. FOTODIODA 177
11.2. FOTOGENERATOR (SOLARNA ELIJA) 178
11.3. FOTOTRANZISTOR 181
11.4. SVETLEE DIODE (LED) 181
11.6. KOMPONENTE SA SVETLOSNOM SPREGOM 183
11.6. POLUPROVODNIKE LASERSKE DIODE 184

12. OSNOVI INTEGRISANIH KOLA 188

12.1. VRSTE INTEGRACIJE 188
12.2. VRSTE INTEGRISANIH KOLA 193
12.2.1. Monolitna inetgrisana kola 193
12.2.2. Tankoslojna i debeloslojna integrisana kola 197
12.2.3. Hibridna integrisana kola 198

6

13. TAMPANE PLOE 201

13.1. JEDNOSLOJNE TAMPANE PLOE 202
13.1.1. Izrada crtea tampanog kola 203
13.1.2. Prenoenje crtea na ploicu 206
13.1.3. Nagrizanje ploice 210
13.1.4. Dvostrano tampana ploa 211
13.2. VIESLOJNE TAMPANE PLOE 212
13.3. TAMPANE PLOE ZA POVRINSKU MONTAU 214










































7



1. UVOD


Danas se ve pouzdano moe tvrditi da smo savremenici elektronske revolucije. Uvoe-
nje pojma elektronska revolucija ima i stvarni smisao, s obzirom da se kod nje mogu izdvojiti
nekoliko faktora bitnih za svaku revoluciju. Prvi od njih je veliina i raspon promene: elek-
tronska revolucija je iz osnova promenila drutvo, zahvatajui pojedinca, njegov dom i radno
mesto, obrazovanje, ivotni vek, pa ak i nain raanja i smrti. Druga osobina elektronske revo-
lucije je brzina kojom je osvojen svet, iako vreme njenog najjaeg uticaja traje svega tridesetak
godina. Najzad, posle pokretanja, elektronsku revoluciju nita vie nije moglo zaustaviti.
Svake godine u elektronici nas impresionira sve ve}i broj tehnolo{kih inovacija, koje su,
prvenstveno, posledica intenzivnog razvoja elektronskih komponenata. Ipak, s pravom se mo`e
re}i da su ta teholo{ka ~uda veoma skromna u odnosu na ono {to tek dolazi. Pogled na samo
deo budu}nosti tehnologije izrade elektronskih komponenata i elektronskih naprava fascinira da
je, prakti~no, nezahvalno prognozirati {ta }e se sve i kako u budu}nosti proizvoditi.
Kada je re~ o elektronskim komponentama, osnovni cilj }e i dalje biti smanjivanje di-
menzija istih, sve do nivoa molekula, pa, ~ak, i atoma. Elektronika bazirana na takvim kom-
ponentama ve} sada se zove molekularna elektronika. Pored znatno ve}eg stepena integracije,
odnosno izuzetno ve}eg broja komponenata po ~ipu, smanjivanje dimenzija komponenata do-
ve{}e do daljeg pove}anja brzine njihovog rada. Naravno, postoje}i materijali bi}e zamenjeni
drugim, tako da }e i principi rada sada{njih komponenata biti druga~iji. Na sl. 1.1 prikazano je
kako su se tokom godina smanjivale dimenzije (konkretno du`ina) komponenata.


Sl. 1.1. Smanjivanje dimenzija komponenata tokom godina i predvi|anje do 2020. godine.


Elektronske komponente se mogu podeliti u dve osnovne grupe: pasivne i aktivne. Pod
pasivnim komponentama se podrazumevaju one komponente koje nisu u stanju da pojaavaju
neki elektrini signal; suprotno njima, komponente koje pojaavaju elektrini signal jesu aktivne

8
komponente. Treba napomenuti da se, pored toga to osnovu savremene elektronike ine polu-
provodnike komponente i integrisana kola, pasivne elektronske komponente i dalje masovno
proizvode i ugrauju u elektronske ureaje, ali da je, zbog velikog broja i raznovrsnosti, prak-
tino nemogue opisati sve postojee komponente. Na sl. 1.2 su prikazane osnovne pasivne i
aktivne elektronske komponente kojima e biti posveena panja u okviru ovoga predmeta, sa
naznakom glave u kojoj e biti razmatrane.


Sl. 1.2. Osnovne pasivne i aktivne elektronske komponente kojima e biti posveena panja
u okviru kursa koji sledi, sa naznakom glave u kojoj e biti razmatrane.











9




2. KOMPONENTE SA IZVODIMA I KOMPO-
NENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE (SMD)


Svaka elektronska komponenta mora da poseduje elektrini prikljuak kojim se povezuje
sa drugim komponentama u elektrinom kolu. Prema izgledu tih elektrinih prikljuaka elektron-
ske komponente se dele na komponente sa izvodima (to su tkzv. klasine komponente) i na
komponente za povrinsko montiranje, ili SMD (od Surface Mounted Devices). Vizuelna raz-
lika izmeu ovih dveju vrsta komponenata moe se uoiti sa sl. 2.1, na kojoj je predstavljen vie-
slojni keramiki kondenzator u obe verzije.


Sl. 2.1. Vieslojni keramiki kondenzator sa ianim izvodima i u SMD izvedbi.


2.1. KOMPONENTE SA IZVODIMA

Da bi se, u cilju oformljenja unapred definisanih elektronskih kola, komponente sa izvo-
dima (sl. 2.2) nanosile na tampane ploe neophodno je da te ploe poseduju otvore (sl. 2.3)
kroz koje se uvlae izvodi komponenata, koji se sa suprotne strane ploe leme (sl. 2.3 i sl. 2.4 a).



Sl. 2.2. Komponente sa izvodima (tkzv. klasine komponente).

10

Sl. 2.3. tampana ploa sa otvorima (rupama) za montiranje komponenata sa izvodima.



Sl. 2.4. a Montiranje komponenata sa izvodima; b, c povrinsko montiranje komponenata.



2.2. KOMPONENTE ZA POVRINSKO MONTIRANJE SMD

Odmah treba rei da SMD (sl. 2.5) nisu bezizvodne komponente, ve su kod njih izvo-
di takvog oblika (nekada su to samo kontaktni zavreci) da omoguuju povrinsko montiranje
komponenata. Dakle, povrinski montirane komponente, za koje se odmah naglaava da su
veoma malih dimenzija (sl. 2.6 i sl. 2.7), jesu komponente koje se direktno leme za tampanu
plou, a ne ubacuju se u nju ili neku drugu podlogu (sl. 2.4 b, sl. 2.4c i sl. 2.8).
SMD tehnologija ima nekoliko prednosti u odnosu na montiranje komponenata sa izvo-
dima. Prva i najoiglednija prednost jeste drastino poveanje raspoloivog prostora na tam-
panoj ploi, s obzirom da su komponente za povrinsko montiranje izuzetno malih dimenzija. Na
taj nain SMD tehnologija prua mogunost da se prevaziu ogranienja u pogledu veliine i te-
ine i daje dopunski stepen slobode pri projektovanju novih minijaturnih elektronskih kola.

11

Otpornik Keramiki kondenzator Elektrolitski Al Otporniki modul
kondenzator

Svetlee diode (LED) Tranzistor (SOT 23) Diode (SOD 80C)


Integrisana kola
Sl. 2.5. Komponente za povrinsko montiranje SMD.


Sl. 2.6. Jedno integrisano kolo u SMD izvedbi u poreenju sa vrhom prsta.


12
Druga velika prednost je ekonomska. Naime, povrinskim montiranjem komponenata
moe da se utedi do 50% ukupnih trokova sklapanja tampanih ploa, a to se postie automat-
skim ureajima za montau. Istina, i kod komponenata sa izvodima se koristi automatsko ubaci-
vanje izvoda u otvore na tampanoj ploi, ali ta tehnika, iako je brza i pouzdana, zahteva pribli-
no 30% vie prostora na ploi u poreenju sa runom montaom.
Trea prednost je u brzini nanoenja, s obzirom da se u SMD tehnologiji mogu da kori-
ste najsavremenije metode lemljenja, kao to su talasno lemljenje i lemljenje razlivanjem, uz na-
pomenu da je lake smetati komponente na supstrat nego ubacivati njihove izvode u otvore na
tampanoj ploi. Na taj nain su SMD sistemi bri od ma kojeg ureaja za montau.




Sl. 2.7. Uz prikaz veliine SMD-a.

13

Sl. 2.8. SMD na tampanoj ploi.


etvrta prednost je u poveanju nivoa pouzdanosti gotovih ploa, uz istovremeno nji-
hovo krae testiranje i znaajno smanjeni kart. Izuzetno mali kart kod SMD tehnologije posle-
dica je nepostojanja otvora u tampanoj ploi, odnosno eliminacije otkaza koji nastaju prilikom
formiranja i korienja tih otvora, a takoe i nemogunosti pogrenog smetanja komponenata, s
obzirom da je montaa kontrolisana raunarom.
Peta dobra osobina SMD tehnologije jeste to su, zbog nepostojanja izvoda, odnosno
veoma kratkih izvoda, parametri parazitnih elemenata svedeni na minimalne vrednosti. To,
pak, znai da su takva kola sa boljim elektrinim karakteristikama i sa veom brzinom rada.
Bolje mehanike karakteristike, odnosno vea izdrljivost na udarce i vibracije jeste
esta prednost kola u SMD tehnologiji.
I konano, SMD mogu da imaju vei broj izvoda i kontaktnih zavretaka od klasinih
komponenata sa izvodima.
Nedostaci SMD tehnologije ogledaju se u sloenijim tehnolokim postupcima lemljenja
(posebno kada je re o runom lemljenju), teem ispitivanju usled slabije pristupanosti kontakti-
ma, odnosno kontaktnim zavrecima komponenata, kao i u nepostojanju nekih (posebno pasivnih
komponenata) sa izrazito visokim nazivnim vrednostima (otpornika veoma velikih otpornosti,
kondenzatora sa velikim vrednostima kapacitivnosti).



2.3. KUITA

Velika veina komponenata, o kojima e nadalje biti rei, inkapsulirana je u odreena
kuita. Kuita su, prvenstveno, neophodna da bi se sama komponenta, odnosno njen funkci-
onalni deo pelet (ip) (sl. 2.9), zatitio od spoljanjih uticaja (vlage, temperature, mehanikih
oteenja). Pored toga, sama kuita su tako izvedena da se preko njih komponenta vezuje (lemi)
u odreeno elektronsko kolo; drugim reima, kuita omoguuju da se preko njih (sl. 2.9) pri-
vrste elektrini izvodi kojima se ostvaruje elektrina veza izmeu peleta i ostalog dela elektron-
skog kola, odnosno drugih komponenata. Elektrina veza izmeu peleta i izvoda ostvaruje se i-
com koja se sa jedne strane bondira za pelet, a sa druge strane na izvod (sl. 2.9).
esto se prema vizuelnom izgledu kuita moe prepoznati vrsta elektronske kompo-
nente; to se posebno moe rei za komponente sa izvodima, sl. 2.10. Meutim, kod SMD-a, kada
su komponente paralelopipednog (sl. 2.1a), odnosno cilindrinog oblika (sl. 2.11b), vrlo je teko
vizuelno razlikovati otpornik od kondenzatora, odnosno otpornik ili kondenzator od diode.

14

Sl. 2.9. Poloaj peleta unutar kuita.


Na sl. 2.10 prikazana su najee koriena kuita za standardne (klasine) diskretne
poluprovodnike komponente sa izvodima, konkretno za bipolarne tranzistore. Napominje se da
kuita za komponente sa poveanom disipacijom (komponente snage) TO-3, TO-220 i TO-
247, imaju otvore kroz koje se zavrtnjima privruju za hladnjake, ime se poboljavaju uslovi
hlaenja tih komponenata.


Sl. 2.10. Najee koriena kuita bipolarnih tranzistora sa izvodima;
diode su u slinim kuitima (samo sa dva izvoda), i tada nose oznake DO.


Najee korieni tipovi i kuita SMD-a prikazani su na sl. 2.11. Paralelopipedni oblik,
tkzv. ip-komponente (sl. 2.11a), imaju otpornici, kondenzatori, pa ak i neki kalemovi. Otpor-
nici, takoe, mogu biti i cilindrinog oblika (sl. 2.11b). Cilindrini oblik kuita se koristi i za
diode, a oznaava se sa SOD (skraenica od Small Outline Diodes niskoprofilne diode). Kui-
ta diskretnih poluprovodnikih komponenata, prvenstveno se misli na tranzistore (i bipolarne i
unipolarne), oznaavaju se sa SOT (od Small Outline Transistors niskoprofilni tranzistori), sl.
2.11c.

15
Integrisana kola u SMD izvedbi se pakuju na vie naina. Kuita SOIC (od Small Inte-
grated Circuits niskoprofilna integrisana kola), sl. 2.11d, koriste se za integrisana kola sa rela-
tivno malo izvoda (od 6 do 28). Najea integrisana kola tipa CHIP CARRIER (nosa ipa),
sl. 2.11e, jesu PLLC (Plastic Leaded Chip Carrier, sl. 2.12); napominje se da je kod njih izvod sa
donje strane savijen ka unutranjosti kuita (u obliku slova J), sl. 2.13. Na sl. 2.11f VSO
oznaava kuita za veoma niskoprofilna integrisana kola (od Very Small Outline). U kuita
FLATPACK (ravna) sa sl. 2.11g spadaju veoma esto koriena kvadratna QFP (Quad Flat Pack,
sl. 2.12 i sl. 2.14a) i bezizvodna kvadratna QFN (Quad Flat Pack Non-lead, sl. 2.12 i 2.14b) ku-
ita. MICROPACK (sl. 2.11h) ili TAB (od Tape Automated Bonding) interisana kola se koriste
za automatsko bondiranje sa trake.


Sl. 2.11. Najee korieni tipovi i kuita komponenata za povrinsku montau.

Sl. 2.12. Podtipovi i kuita integrisanih kola za povrinsku montau.


Sl. 2.13. Izvodi (u obliku slova J) kod integrisanih kola sa kuitima tipa Chip carrier.

16

Sl. 2.14. a. Kvadratna QFP (Quad Flat Pack) kuita; (TQFP: Thin Quad Flat Pack;
PQFP: Plastic Quad Flat Pack; cifra iza QFP oznaava broj izvoda);
b bezizvodna kvadratna QFN (Quad Flat Pack Non-lead) kuita.


Na sl. 2.15 prikazana je tampana ploa jednog elektronskog ureaja sa povrinski mon-
tiranim komponentama, na kojoj se vide komponente u SOIC, SOT i QFP kuitima.


Sl. 2.15. Deo jednog elektronskog ureaja sa naznakom komponenata sa SOIC, SOT i QFP kuitima.

17
Za integrisana kola sa veoma velikim brojem izvoda (bolje rei kontaktnih zavretaka)
pokazalo se da su najpogodnija tkzv. BGA (od Ball Grid Array) kuita, sl. 2.12 i sl. 2.16. Pred-
nosti BGA kuita ogledaju se u sledeem: imaju svojstvo samocentriranja, imaju krae elektri-
ne veze (a to znai manje parazitne kapacitivnosti i induktivnosti, pa samim tim veu brzinu
rada), imaju manju mehaniku osetljivost izvoda, imaju vei razmak izmeu lemnih taaka i
imaju bolja termika svojstva u odnosu na ostala SMD kuita.




Sl. 2.16. Integrisana kola u BGA kuitima.



Sl. 2.17. Vieipna MCP (Multi Chip Package) kuita.


18
Na ovom mestu interesantno je pomenuti da postoje, kao na sl. 2.17, vieipna kuita
koja u sebi sadre vie meusobno razdvojenih i naslaganih ipova, kao i dvojna kuita (sl.
2.18), gde se, praktino, jedno kuite nalazi u drugom.



Sl. 2.18. Dvojna POP (Package on Package) kuita.


2.4. LEMLJENJE KOMPONENATA

Pod lemljenjem se podrazumeva postupak kojim se, pomou rastopljenog dodatnog mate-
rijala (lema), izvodi komponenata spajaju sa provodnim vezama na tampanoj ploi (ili sa izvo-
dima drugih komponenata) u nerazdvojnu celinu. Pri lemljenju se izvodi i metal na tampanoj
ploi samo zagrevaju, ali ne tope, a topi se samo materijal za lemljenje, s obzirom da ima nisku
taku topljenja (reda 180
o
C).


Sl. 2.19. Koturovi ice za lemljenje (tinol ice).

19
Za runo lemljenje elektronskih komponenata materijal za lemljenje je najee tinol
ica, sl. 2.19, prenika ne veeg od 1 mm (optimalni prenik ovakve ice je 0,7 mm). Dosadanje
tinol ice, koje su se pokazale izuzetno efikasne u praksi, najee su sadrale 60% kalaja i 40%
olova (taka topljenja 178
o
C). Meutim, svi elektronski ureaji koji e se proizvoditi u zemljama
evropske unije ili koji e se u te drave uvoziti moraju da, u skladu sa direktivama RoHS (Re-
striction of Hazardous Substances), eliminiu iz proizvodnje tih ureaja olovo (Pb), kadmijum
(Cd), ivu (Hg), hrom (Cr) i brom (Br). Stoga se proces lemljenja u proizvodnji elektronskih
ureaja preusmerava na ice za lemljenje koje ne koriste olovo. U praksi to znai vie tem-
perature topljenja (to ima za posledicu i poveanje radne temperature opreme), slabiji, tj. sporiji
temperaturni odziv potrebno je dodatno vreme za rad bez olova, pojavljivanje mostova koji
ne obezbeuju dobar kontakt, a takoe povrina lema je hrapava, to oteava pregled spojeva.


Sl. 2.20. Runo lemljenje komponenata.


Kod runog lemljenja komponenata sa izvodima (sl. 2.20), neophodno je prvo dobro oi-
stiti sve delove koji e se lemiti, a zatim vrh lemilice nasloniti na lemno mesto tako da dodiruje i
provodni sloj na tampanoj ploi i metalni izvod komponente koji se lemi. Odmah potom treba
prisloniti tinol icu na taku koja predstavlja tromeu vrha lemilice, metalnog sloja ploice i
lemnog vrha komponente, sl. 2.21a. Ako je lemilica dobro zagrejana (na oko 300
o
C) i ako su
lemne povrine iste, vrh tinola e se trenutno istopiti i, zahvaljujui adheziji, poeti da obuhvata
sve metalne povrine. Bez prekida treba nastaviti da se uvodi tinol i, kad se proceni da ga je
dovoljno, skloniti tinol icu i nastaviti sa dranjem lemilice na istom mestu jo oko jedne sekun-
de, odnosno lem se ne sme dugo grejati moe doi do unitenja komponente ili odvajanja ba-
karne folije sa ploice. Posle toga se ukloni lemilica i procenjuje kvalitet uraenog lema. Ohla-
eni i oformljeni tinol treba da ima oblik kupe kao na noici koja je na sl. 2.21b.


Sl. 2.21. Runo lemljenje komponenata sa izvodima.

20
Treba napomenuti da, iako postoji posebna pasta za lemljenje, nju ne treba koristiti, s
obzirom da se u samoj tinol ici nalazi sredstvo koje pospeuje proces lemljenja. Meutim, to
sredstvo deluje samo u prvom trenutku, kad se tinol rastapa, a posle hlaenja postaje potpuno
neaktivno. Ovo sredstvo je neophodno, odnosno lemljenje je bez njega nemogue, ali ako
lemljenje nije uspelo iz prvog pokuaja (npr. ako tinol nije u celosti obuhvatio lemne povrine),
nita se nee popraviti samo lemilicom, bez novog tinola. Pored toga, kada delovi koji se leme
(bakarna folija na tampanoj ploi i izvodi komponente) nisu isti, ili je sam proces lemljenja
loe izveden, spojevi mogu da dobiju jedan od oblika kao na sl. 2.21c. U tom sluaju nije
preporuljivo dalje dodavanje tinola, iako se njegovim upornim nanoenjem mogu ostvariti spo-
jevi koji lie na one sa sl. 2.21b to su tkzv. hladni spojevi, tj. spojevi koji vizuelno izgledaju
kao dobri, a u stvari su neispravni, jer ne obezbeuju elektrinu vezu na mestima lemljenja.
Tada, kao i u sluaju da tinola ima previe na lemnom mestu, bolje ga je ukloniti pomou
vakuum pumpice (sl. 2.22), ponovo dobro oistiti lemne povrine, pa ponoviti proces lemljenja
od poetka. Vrh lemilice potrebno je s vremena na vreme obrisati vlanim suneriem, da bi se
odrao uvek istim, ali se ne sme koristiti sintetiki suner (onaj koji se obino koristi u do-
mainstvu za pranje), jer e se istopiti.


Sl. 2.22. Vakuum pumpica za uklanjanje vika tinola sa lemnog mesta.


Runo lemljenje komponenata za povrinsku montau (SMD-a) se obavlja lemilicama
male snage (12 W do 18 W) sa izuzetno uzanim vrhom. U tu svrhu se na mesto lemljenja na
tampanoj ploi prvo lemilicom nanese malo lemnog materijala iz tinola (sl. 2.23a), a zatim se na
ta ostrvca postavi SMD (sl. 2.23b). Potom se vrh lemilice zajedno sa tinol icom prisloni na to
ostrvce (sl. 2.23c), tako da se lemni materijal rastopi, a SMD lagano pritiska na dole sve dok ne
legne na svoje mesto, a lem dobije oblik kao na sl. 2.23c (desno).


Sl. 2.23. Runo lemljenje komponenata za povrinsko montiranje (SMD-a).



21
Za runo lemljenje SMD-a, uz izuzetnu spretnost izvrioca lemljenja, pored opisanog
lemljenja lemilicom, koriste se i duvaljke toplog vazduha, koje u principu izgledaju kao na sl.
2.24.


Sl. 2.24. Duvaljke toplog vazduha za lemljenje SMD-a.


Pored opisanog naina lemljenja SMD-a, postoji i lemljenje selektivnim grejaem. Na-
ime, posebno oblikovani zagrejani greja se postavlja samo na izvode komponenata, tako da se
svi izvodi (samo jedne komponente) istovremeno leme; ovaj nain lemljenja je posebno pogodan
za lemljenje integrisanih kola sa ravnim kuitima. Izvodi (ili kontaktni zavreci) ostaju pritisnuti
grejaem sve dok se mesto lemljenja ne ohladi. Nedostaci ovog lemljenja jesu to se na taj nain
ne mogu lemiti svi tipovi komponenata (npr. integrisana kola sa keramikim kuitima) i to se
istovremeno ne moe lemiti vie komponenata, ve samo jedna po jedna.
Pored tampanih ploa samo sa komponentama sa izvodima i iskljuivo sa komponenta-
ma za povrinsku montau, postoje i tampane ploe meovitog tipa, sl. 2.25a. Osnovni koraci
sklapanja (montae) tampanih ploa meovitog tipa prikazani su na sl. 2.25b. Prvo se ubacuju
komponente sa izvodima u otvore na ploi i krajevi privrste; zatim se ploa okree i nanosi
lepak (adheziv) na plou ili na komponentu. Posle nanoenja adheziva postavljaju se SMD i, da
bi adheziv formirao dobru vezu pri lemljenju, ploa se sui. Nakon toga se komponente leme.
Napominje se da je, takoe, mogue montiranje na istoj strani tampane ploe i SMD-a i kompo-
nenata sa izvodima.
Metode koje su nale iroku primenu pri lemljenju SMD komponenata, posebno pri
automatskoj montai SMD-a, jesu lemljenje razlivanjem i talasno lemljenje, sl. 2.26.
Za lemljenje razlivanjem neophodno je korienje paste za lemljenje. Pasta za lemljenje
je meavina osnovnog sredstva za lemljenje (obino srebro-paladijuma), vezivnog sredstva i
tenog materijala. Ova pasta se nanosi na tampanu plou, a zatim se komponente postavljaju
tako da se izvodi, odnosno kontaktni zavreci, praktino urone u pastu. Nakon toga se i tampana
ploa i komponente zagrevaju, pri emu se lem razliva i ostvaruje istovremeno lemljenje svih
komponenata; tipine temperature pri ovom nainu lemljenja su (215230)
0
C.
Kod talasnog lemljenja komponente se privruju za tampanu plou lepkom, odnosno
adhezivom i, nakon suenja, alje se velika koliina lema u obliku talasa preko ploe i kompo-
nenata. Za razliku od klasinog talasnog lemljenja koje se iroko primenjuje u konvencionalnoj
tehnici montae tampanih ploa sa komponentama sa izvodima, kod SMD talasnog lemljenja
se, najee, koristi dvostruki talas: najpre se turbulentnim talasom nanosi lem na sve kritine

22
take tampane ploe, a potom se laminarnim talasom sa tih mesta uklanja suvini lem. Nedo-
statak ovog naina lemljenja je potrebno relativno veliko rastojanje izmeu komponenata.



Sl. 2.25. a Meoviti tipovi tampanih ploa; b nain montae ploa meovitog tipa:
1. formiranje otvora (rupa) u ploi; 2. ubacivanje komponenata sa izvodima;
3. okretanje ploe i nanoenje adheziva; 4. nanoenje komponenta za povrinsko
montiranje; 5. gotove ploe, sa talasno zalemljenim komponentama.


Za ureaje automatske montae (sl. 2.27) komponente za povrinsko montiranje su naj-
ee pakovane u reljefne trake sa udubljenjima za smetaj komponenata, sl. 2.28. Reljefne trake
su od papira ili kartona i namotavaju se u koture, slino filmskim trakama (sl. 2.29). Sa ovih tra-
ka komponente se uzimaju pomou pipetnih jedinica. Pipetne jedinice za podizanje (uzimanje)
i postavljanje komponente predstavljaju osnovni deo ureaja za montau SMD-a na tampanu
plou. Njihova izvoenja mogu biti razliita, ali kod svih njih same pipete imaju par mehanikih
vilica i njima hvataju komponente iz leita u traci, a zatim ih kompjuterom upravljano sputaju
na odreena mesta na tanpanoj ploi.




23

Sl. 2.26. Prikaz osnovnih koraka pri lemljenju razlivanjem i talasnom lemljenju.



Sl. 2.27. Laboratorijski ureaji za montau SMD-a.

24


Sl. 2.28. Reljefne trake sa udubljenjima za smeta SMD-a.



Sl. 2.29. Trake sa komponentama za povrinsko montiranje (na slici levo su prikazani
elektrolitski kondenzatori).









25




3. OTPORNICI

Pod otpornikom se podrazumeva komponenta koja poseduje tano odreenu vrednost
otpornosti, a koja se koristi za regulaciju raspodele elektrine energije izmeu komponenata
elektronskog kola.
Na sl. 3.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju otpornici u emama elektronskih
kola.




Sl. 3.1. Simboli kojima se oznaavaju otpornici u emama elektronskih kola.


3.1. OPTE O OTPORNICIMA

3.1.1. Vrste otpornika

Sa aspekta otpornosti postoje tri osnovne grupe otpornika; to su: otpornici stalne otpor-
nosti, otpornici promenljive otpornosti (potenciometri) i nelinearni otpornici. Ako se dele po
konstrukciji, otpornici mogu biti slojni, od mase i iani. U zavisnosti od namene dele se na ot-
pornike opte i posebne namene.
U otpornike opte namene spadaju otpornici od kojih se ne trae povieni zahtevi u
odnosu na tanost njihove proizvodnje i stabilnost njihovih karakteristika pri eksploataciji. Oni
se koriste u razliitim oblastima elektronike (najvie u ureajima iroke potronje).
U otpornike posebne namene spadaju visokoomski, visokofrekventni, otpornici poviene
stabilnosti (precizni i poluprecizni) i neki drugi tipovi otpornika sa posebnim zahtevima.
Konstruktivni izgled otpornika stalne otpornosti prikazan je na sl. 3.2.


Sl. 3.2. Konstruktivni izgled otpornika stalne otpornosti: a otpornik od mase
(cilintrini); b slojni; c slojni sa prorezima; d slojni sa spiralnim narescima.

26
3.1.2. Osnovne karakteristike otpornika

1. Nazivna otpornost. Pod nazivnom otpornou, koja se jo zove i nominalna otpor-
nost, podrazumeva se otpornost otpornika pri normalnim radnim uslovima. Nazivna otpornost i
doputeno odstupanje otpornosti od nazivne vrednosti (tolerancija) najee su oznaeni na sa-
mom otporniku.
Otpornost otpornika konstantnog preseka povrine S i duine l data je izrazom:


S
l
R = , (3.1)

pri emu je specifina otpornost otpornog materijala, koja se izraava u mm
2
/m, m ili cm.
Otpornost cilindrinog otpornika ija je zapremina od otporne mase prenika D, prikaza-
nog na sl. 3.2a, iznosi:


2
4
D
l
R

= . (3.2)

S obzirom da kod slojnih otpornika (o kojima e vie biti rei u delu 3.2.2) debljina ot-
pornog sloja moe biti veoma mala, esto znatno ispod 1 m, to je kod njih u velikoj meri pore-
meena idealna atomska struktura, usled ega je specifina otpornost
h
takvih slojeva vea od
zapreminske specifine otpornosti
v
. Stoga se za karakterizaciju tankog otpornog sloja ko-
risti slojna otpornost R
S
jednaka odnosu specifine otpornosti tankog sloja
h
i njegove debljine
h:


h
R
h
S

= (3.3)

i izraava se u / (ita se oma po kvadratu).

Sl. 3.3. Zavisnost slojne otpornosti od debljine filma, uz specifinu otpornost filma
h
kao parametar.

27
Dakle, slojna otpornost R
S
zavisi od debljine filma i njegove specifine povrinske otpor-
nosti. To znai, a to se i vidi sa sl. 3.3, da bi se, na primer, dobila slojna otpornost R
S
= 100 /,
mogue je koristiti materijale specifinih otpornosti
h
= 0,1 mm
2
/m,
h
= 1 mm
2
/m,
h
= 10
mm
2
/m ili
h
= 100 mm
2
/m sa debljinama filma h = 0,001 m, h = 0,01 m, h = 0,1 m ili h
= 1 m, respektivno. Treba napomenuti da se vea stabilnost karakteristika osigurava debljim
otpornim slojevima, pa je bolje za istu vrednost slojne otpornosti koristiti materijal vee specifi-
ne otpornosti
h
.
Otpornost slojnih otpornika cilindrinog oblika (jedan od takvih je prikazan na sl. 3.2b),
kod kojih je debljina otpornog sloja h znatno manja od prenika tela otpornika (h << D), data je
izrazom:


D
l
R
D
l
h Dh
l
R
S
h
h

= . (3.4)

Da bi se poveala otpornost tankoslojnog otpornika, otporni sloj je ponekad prorezan ni-
zom neprovodnih crta (pruga) irine a, sl. 3.2c. Otpornost takvog otpornika odreena je irinom
neprovodne trake i njihovim brojem N i iznosi:


D
Na
R
R
o

=
1
, (3.5)

gde je R
o
otpornost nenarezanog slojnog otpornika, data sa (3.4).
Poveanje otpornosti tankoslojnih otpornika cilindrinog oblika jo vie se postie spi-
ralnim narezivanjem neprovodnih traka, sl. 3.2d. Na ovaj nain moe se postii poveanje otpor-
nosti i nekoliko hiljada puta u odnosu na otpornost otpornika kada nema ovih traka. Otpornost
takvih otpornika je:


) (
2 2 2
a t t
D t
R R
o

+
= , (3.6)

pri emu su: t korak narezane spirale (sl. 3.2d); a irina neprovodne trake; R
o
otpornost
otpornika pre nego to su narezane neprovodne trake.

2. Nazivna (nominalna) snaga P
n
. To je maksimalna dopustiva snaga koja se razvija na
otporniku u toku relativno dugog vremenskog perioda pri neprekidnom optereenju i odreenoj
temperaturi okolne sredine, pri emu parametri otpornika ostaju u odreenim granicama.
Pri optereenju otpornika snagama koje su iznad nazivne dolazi do razaranja otpornog
materijala, ime se smanjuje vek otpornika, ili, ak, do pregorevanja istog. Ova snaga se zasniva
na maksimalnoj temperaturi koju ne sme da pree nijedno mesto na otporniku. Nazivna snaga
zavisi od dimenzija otpornika i uslova hlaenja, kao i od uslova eksploatacije. Ovom snagom
odreena je i maksimalna vrednost struje kroz otpornik:


R
P
I
n
=
max
. (3.7)

Vrednosti nazivnih snaga odreene su standardom. Na sl. 3.4 prikazani su, ako se to eli
posebno da naznai, nain obeleavanja nazivnih snaga otpornika snage od 0,25 W do 2 W i
dimenzije pojedinih otpornika zavisno od njihove nazivne snage.

28

Sl. 3.4. Obeleavanje nazivnih snaga otpornika (tamo gde se to eli da istakne)
i dimenzije pojedinih otpornika odgovarajue nazivne snage.


3.1.3. Nizovi nazivnih vrednosti otpornosti i klase tanosti

U cilju svrstavanja otpornika stalne otpornosti i kondenzatora nepromenljive kapacitivno-
sti u grupe sa tano utvrenim vrednostima otpornosti, odnosno kapacitivnosti, kao i zbog uni-
formnosti u proizvodnji i korienju otpornika i kondenzatora, koriste se nizovi nazivnih (nomi-
nalnih) vrednosti otpornosti i kapacitivnosti, koje je ustanovila Meunarodna elektrotehnika
komisija. Ovi nizovi se oznaavaju slovom E. Tako, postoje nizovi E6, E12, E24...E192 i kazuju
da u navedenim nizovima respektivno ima u jednom redu veliine 6, 12, 24...192 nazivnih
vrednosti otpornosti, odnosno kapacitivnosti. Nizovi su dobijeni zaokrugljivanjem vrednosti koje
slede iz 10
n/q
, pri emu je n ceo pozitivan ili negativan broj, a q = 6, 12, 24. ...192 (npr. niz E12
se dobija iz 10
n/12
), to se najbolje vidi iz T3.1. Numerike vrednosti navedene u T3.1
pomnoene sa 10
m
(m = 0, 1, 2, 3...) ine nizove otpornika i kondenzatora ije su otpornosti
izraene u , a kapacitivnosti u pF (zakljuno sa 10
6
pF).


T3.1. E nizovi nazivnih vrednosti otpornosti nepromenljivih
otpornika i kapacitivnosti nepromenljivih kondenzatora
Oznaka
niza

Nazivne vrednosti
Tole-
rancija
E6 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 20%

E12
1,0
1,2
1,5
1,8
2,2
2,7
3,3
3,9
4,7
5,6
6,8
8,2

10%

E24
1,0
1,1
1,2
1,3
1,5
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1

5%

Klase tanosti. U procesu proizvodnje komponenata dobijaju se i komponente kod kojih
postoji odstupanje otpornosti, kapacitivnosti, induktivnosti, itd. od nazivne vrednosti. Maksimal-
no dozvoljeno odstupanje otpornosti, kapacitivnosti ili induktivnosti od nazivne vrednosti, tj. =
N
imax
/N
i
odreeno je klasom tanosti, odnosno tolerancijom. Tolerancija se obino izraava u
procentima. Za otpornike i kondenzatore opte namene propisane su tolerancije: 0,1%, 0,25%,
0,5%, 1%, 2%, 5%, 10% i 20%.

29
Nazivne vrednosti veliina i tolerancija meusobno su povezane tako da se maksimalna
stvarna vrednost veliine N
imax
pri nazivnoj vrednosti N
i
poklopi sa minimalnom stvarnom
vrednou parametra N
(i+1)min
sledee nazivne vrednosti N
(i+1)
, tj. N
imax
N
(i+1)min
. Na primer, za
niz E6 je tolerancija = 0,2. Pri nazivnoj vrednosti otpornosti R
i
= 2,2 k je R
imax
= 2,2(1 + 0,2)
= 2,64 k. Za sledeu nazivnu vrednost (T3.1) je R
(i+1)
= 3,3 k i R
(i+1)min
= 3,3(1 0,2) = 2,64
k. Kao to se vidi, dobija se potpuno poklapanje vrednosti otpornosti. Zbog toga, dakle, nema
smisla proizvoditi otpornike sa nazivnim vrednostima otpornosti veim od 2,2 k i manjim od
3,3 k sa tolerancijom 20%.



3.1.4. Oznaavanje otpornika

Otpornik mora sadrati sledee podatke: nazivnu otpornost (u , k ili M), toleranciju
nazivne otpornosti, nazivnu snagu (u W), granini napon (u V), itd. Ovi podaci se na otporniku
naznauju datim redosledom, a ako na telu otpornika nema mesta za sve podatke, onda prvenstvo
imaju oznake po nabrojanom redosledu.
Vrednosti nazivnih otpornosti, kao i tolerancija te otpornosti, nanose se na telo otpornika
ispisivanjem cifara i slova, ili boja. Otpornost ip otpornika obino se oznaava pomou tri cifre;
trea cifra kazuje koliko nula ima iza prve i druge cifre. Na primer: 220 221; 47 470;
5600 562. Kada se oznaavanje vri ciframa i slovima koristi se skraena notacija kao u
T3.2.

T3.2. Skraeno oznaavanje otpornika ciframa i slovima

Jedinica
merenja
Oznaavanje
jedinice me-
renja
Primer
skraenog
oznaavanja

Odgovarajue
znaenje

Omi ()

E ili R
E47 ili R47
4E7 ili 4R7
47E ili 47R
0,47
4,7
47

Kiloomi
(k)

K
K47
4K7
47K
0,47 k 470
4,7 k
47 k

Megaomi
(M)

M
M47
4M7
47M
0,47 M 470 k
4,7 M
47 M

Gigaomi
(G)

G
G47
4G7
47G
0,47 G 470 M
4,7 G
47 G
Teraomi
(T)

T
T47
1T0
0,47 T 470 G
1,0 T


Oznaavanje bojama vri se prema T3.3, sa napomenom da oznaavanje poinje prvom
bojom (odnosno trakom) koja je blia jednom (levom) kraju otpornika. Oznakom sa etiri trake
oznaavaju se otpornici sa dvocifrenom osnovnom vrednou otpornosti i sledeim vrednostima
tolerancije otpornosti: 1%, 2%, 5%, 10% i 20%. Sa pet traka oznaavaju se otpornici
koji imaju trocifrenu osnovnu vrednost otpornosti, sa tolerancijom otpornosti 0,1%, 0,25%,
0,5%, 1% i 2%. Znai, oznaavanje otpornika sa tolerancijama otpornosti 1% i 2% moe
biti i sa etiri boje i sa pet boja. Na sl. 3.5a dat je primer oznaavanja otpornika sa etiri boje, a
na sl. 3.5b sa pet boja.

30
Pored ovoga, prema publikaciji IEC 115-1 (klauzula 4.5), za otpornike kod kojih je bitna
mala temperaturna promena otpornosti, pri oznaavanju bojama mogu se koristiti i est traka; u
tom sluaju, esta traka, koja je dvostruko ira od ostalih, oznaava vrednost temperaturnog
koeficijenta otpornosti, T3.3.

T3.3. Oznaavanje otpornika bojama

Napomena: umesto 10
-6
esto se koristi oznaka ppm, tako da je 10
-6
/
o
C ppm/
o
C.



Sl. 3.5a. Primer oznaavanja otpornika sa dvocifrenim osnovnim brojem: otpornik
otpornosti 1200 sa dozvoljenim odstupanjem otpornosti 5% i jedan takav otpornik.




Sl. 3.5b. Primer oznaavanja otpornika sa trocifrenim osnovnim brojem:
otpornik otpornosti 86,4 sa dozvoljenim odstupanjem otpornosti 0,1%
i nekoliko takvih otpornika; napomena: da ne bi dolo do zabune,
peta traka moe biti ira od ostalih 1,5 do 2 puta.

31
3.1.5. Stabilnost karakteristika otpornika

Pod dejstvom razliitih spoljanjih uticaja, kao to su toplota (hladnoa), vlanost, priti-
sak, potresi, radijacija, itd., parametri otpornika su podloni promenama, pri emu te promene
mogu biti povratne ili nepovratne, tj. posle ukidanja dejstva spoljanjih faktora nazivne vrednosti
mogu imati ili nemati prvobitnu vrednost.

1. Temperaturna stabilnost otpornosti. Povratne promene otpornosti otpornika pri
porastu temperature karakteriu se temperaturnim koeficijentom otpornosti
R
, koji je jednak
relativnoj promeni otpornosti pri promeni temperature:

=
C dT
dR
R
R
o
1 1
. (3.8)

Temperaturni koeficijent otpornosti, koji zavisi i od same vrednosti otpornosti, kod nena-
motanih otpornika ima vrednosti
R
= (110)10
-4
1/
o
C, a kod namotanih otpornika
R
= (0
2)10
-4
/
o
C.
Treba napomenuti da vrednost temperaturnog koeficijenata otpornosti
h
tankih slojeva
zavisi od debljine sloja, sastava legure, naina nanoenja filma, vrste podloge i temperature.
Jedna tipina zavisnost temperaturnog koeficijenata otpornosti
h
nihromskog (nihrom legura
nikla i hroma) tankog filma od debljine filma prikazana je na sl. 3.6. Sa slike se vidi da vrlo tanki
filmovi nihroma imaju
h
< 0, a da je kod odreene debljine sloja
h
= 0.

Sl. 3.6. Temperaturni koeficijent otpornosti
h
nihromskog tankog
filma naparenog na staklenu podlogu kao funkcija debljine filma h.


Za opseg radnih temperatura T otpornost otpornika stalne otpornosti na nekoj tempera-
turi T vrlo priblino jednaka je:

) 1 ( T R R
R o
+ = , (3.9)

pri emu je R
o
otpornost otpornika pri temperaturi T
o
, a T = T T
o
.
Dugotrajno dejstvo poviene temperature moe dovesti do nepovratnih promena otpor-
nosti ili oteenja otpornika, a ove promene posebno su izraene kod nenamotanih otpornika.

32
Zbog toga, za svaki tip otpornika postoji maksimalna temperatura okolne sredine pri kojoj se
sme otpornik da optereti nazivnom snagom. Kada otpornik treba da radi pri viim temperatu-
rama, onda se mora opteretiti snagom koja je manja od nazivne, sl. 3.7.


Sl. 3.7. Zavisnost dopustive snage otpornika od temperature okolne sredine.

Kada se otpornik zagreje iznad temperature okoline T
o
za vrednost T=TT
o
, to se ova
toplota mora preneti na okolinu. Ovo prenoenje toplote se, uglavnom, odvija preko spoljanje
povrine otpornika. U tom sluaju, snaga koju otpornik odaje spoljanjoj sredini iznosi:

T S P = , (3.10)

pri emu je S spoljanja povrina otpornika (povrina hlaenja), a koeficijent prenoenja to-
plote, ija je vrednost = (12)10
-3
W/
o
Ccm
2
.

2. Vlanost. Otpornost otpornika moe biti izmenjena u sluaju da je on pod uticajem
vlage. Ova promena otpornosti nastupa zbog toga to se usled vlane povrine otpornika stvara
provodni most, te se antira otpornik (ova pojava je izraenija kod otpornika velike otporno-
sti), ili se usled oksidacije i elektrohemijskih procesa razara otporni sloj otpornika. Zbog toga se
vri zatita povrine otpornika kvalitetnim lakovima, emajlima ili, pak, ulaganjem u plastine
mase. Na taj nain se, pored zatite od vlage, otporni sloj titi i od mehanikih povreda. Savre-
meni otpornici mogu raditi u sredinama sa relativnom vlanou i do 98%.

3. Elektrino optereenje. Za razliku od metalnih provodnika, otpornost nenamotanih
otpornika se ne potinjava u potpunosti Omovom zakonu. Naime, kod otpornika, ak i pri nezna-
tno malom porastu napona na njemu, otpornost toga otpornika poinje da opada, a sama pojava
ima nelinearan karakter. Nelinearnost otpornosti otpornika sa zrnastom strukturom uslovljena je
promenom provodnosti kontakata izmeu estica, to je posledica neravnomernog zagrevanja
istih. Kod kompozitnih otpornika sa vrlo grubom krupnozrnastom strukturom moe doi do
lokalnog stapanja zrnaca, usled ega se menja otpornost otpornika; kod isto metalnih slojeva se
ne primeuje nelinearnost otpornosti.
Kao mera nelinearnosti otpornosti moe posluiti naponski koeficijent otpornosti. Ovaj
koeficijent, ija je vrednost negativna, oznaava promenu otpornosti otpornika kada se na njega
prikljui napon V i jednak je:

100
1

=
R
R
V
V
(%/V). (3.11)

Kod ianih i metalslojnih otpornika vrednost koeficijenta
U
je zanemarljiva, dok se kod
otpornika od mase i slojnih kompozitnih otpornika o ovom koeficijentu mora voditi rauna.

33
4. umovi. U otpornicima su od znaaja dve vrste umova: termiki i strujni. Termiki
ili Donsonov um je posledica termike fluktuacije nosilaca naelektrisanja i nezavisan je od
vrste materijala od koga je izraen otpornik. Napon ovoga uma V
ter
se rauna na osnovu:

f kTR V
ter
= 4 (V), (3.12)

pri emu su: k = 1,3810
-23
J/K Bolcmanova konstanta, T (K) apsolutna temperatura, R ()
otpornost otpornika, f (Hz) irina frekventnog podruja u kome se meri um.
Strujni um, koji je posebno izraen kod nenamotanih otpornika, javlja se samo kada
protie struja kroz otpornik. On je posledica promene povrine kontakata izmeu zrna otpornog
materijala pri proticanju struje kroz otpornik. Usled toga ovaj um zavisi od fizikih osobina ma-
terijala i naina izrade otpornika, te se ak menja od jednog do drugog uzorka iste vrste otporni-
ka. Intenzitet strujnog uma, kao i termikog, izraen preko napona V
str
proporcionalan je kvad-
ratnom korenu iz otpornosti otpornika, ali, za razliku od termikog uma, zavisi od struje koja
protie kroz otpornik i slabo zavisi od temperature. Nivo ovoga uma se smanjuje sa poveanjem
duine otpornika i sa smanjenjem veliine zrna otpornog materijala. Na sl. 3.8 prikazan je strujni
um (kao odnos V
str
/V) u funkciji vrednosti otpornosti tri tipa otpornika (videti odeljak 3.2). Vidi
se da slojni kompozitni otpornici imaju nivo uma priblino za dva reda veliine vei nego to ga
imaju metalslojni otpornici.
Ukupan napon uma (V

= V
ter
+ V
str
) definie nivo sopstvenih umova, izraen preko
V

/V. Po nivou sopstvenih umova standardni otpornici se dele na dve grupe. Prvu grupu ine ot-
pornici kod kojih nivo umova nije vei od 1 V/V, a drugu otpornici sa nivoom uma ne
veim od 5 V/V u frekventnom opsegu od (606000)

Hz.


Sl. 3.8. Zavisnost strujnog uma od otpornosti tri tipa otpornika.



3.1.6. Frekventna svojstva otpornika

Otpornik, kao i svaka druga komponenta, poseduje reaktivne parazitne elemente L
P
i C
P
.
Na uestanostima na kojima se uticaj reaktivnih elemenata moe zanemariti, a to su niske ue-
stanosti, otpornost otpornika se moe smatrati aktivnom. Meutim, na visokim uestanostima,
pored aktivne komponente otpornosti postoji i reaktivni deo, tj. otpornik se ponaa kao impe-
dansa. Uzimajui aktivne i reaktivne elemente, uticaj uestanosti na karakteristike otpornika mo-
e se razmatrati na osnovu uproenih ekvivalentnih ema prikazanih na sl. 3.9.

34

Sl. 3.9. Uproene ekvivalentne eme otpornika: a velike otpornosti
(visokoomskog); b male otpornosti (niskoomskog).


Kod otpornika velike otpornosti, kod kojih je R
2
> L
p
/C
p
, moe se zanemariti induktiv-
nost otpornika i ekvivalentna ema je predstavljena paralelnom vezom R
n
i C
p
, sl. 3.9a, tako da je
aktivna komponenta kompleksne otpornosti jednaka:


2
) ( 1
n p
n
a
R C
R
R
+
= , (3.13)

pri emu je R
n
nazivna otpornost otpornika. Iz (3.13) se vidi da se pri malim vrednostima C
p
R
n

aktivna komponenta R
a
malo razlikuje od R
n
.
Smanjenje aktivne otpornosti otpornika na visokim uestanostima zavisi, takoe, i od
povrinskih efekata, skin efekta i dielektrinih gubitaka (u telu otpornika, keramici, zatitnom
sloju, itd.). Uzimanje svih ovih efekata pri proraunu uticaja uestanosti na karakteristike otpor-
nika je veoma kompleksno. Zbog toga se u praksi najee koriste zavisnosti promene otpornosti
od uestanosti dobijene eksperimentalnim putem, sl. 3.10. Iz ovih zavisnosti je evidentno da se
na visokim uestanostima aktivna komponenta otpornika velike otpornosti moe da smanji i ne-
koliko puta, o emu se mora voditi rauna pri upotrebi odreenog otpornika.

Sl. 3.10. Promena aktivne otpornosti visokoomskih ugljeninih otpornika sa uestanou.


S obzirom da otpornost otpornika zavisi od uestanosti, to e i dozvoljeni napon, takoe,
zavisiti od uestanosti. Naime, pri odravanju stalne vrednosti napona, usled postojanja parazitne
kapacitivnosti, na viim uestanostima struja kroz prethodno kolo bila bi uveana. Da do toga ne
bi dolo, na visokim uestanostima se napon ograniava na vrednost (V
max
= V
n
kada tei nuli):

35

( )
2
max
1
1
p p
doz
R C
V V
+
= . (3.14)

Za razliku od visokoomskih otpornika, koji obino imaju spiralni narezak, niskoomski
otpornici se izrauju od glatkih povrina. Uproena ekvivalentna ema otpornika male otpor-
nosti prikazana je na sl. 3.9b. Kod ovih otpornika, sa nazivnim otpornostima manjim od 300 ,
uticaj parazitne kapacitivnosti je znatno manji od parazitne induktivnosti. Sa porastom uesta-
nosti impedansa raste i na nekoj uestanosti moe nastupiti rezonansa. Zavisnost modula impe-
danse otpornika od uestanosti ima oblik kao na sl. 3.11. Pri vrlo malim vrednostima nazivne
otpornosti otpornika (pri R
2
< 5L
p
/C
p
) moduo impedanse otpornika moe imati maksimum (obi-
no na uestanostima iznad 100

MHz).


Sl. 3.11. Zavisnost modula impedanse niskoomskog otpornika od uestanosti.




3.2. NENAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI

Konstrukcija otpornika je uslovljena njegovom primenom, tipom otpornog materijala i za
veinu otpornika je relativno prosta. Na sl. 3.12 su prikazani nenamotani otpornici sa izvodima, a
na sl. 3.13 otpornici za povrinsku montau (SMD) i razliite kombinacije otpornika konstantne
otpornosti, poznate pod nazivom otporniki moduli (otpornike mree).


Sl. 3.12. Spoljanji izgled nenamotanih otpornika sa izvodima konstantne otpornosti.

36





SMD

Otporniki moduli (otpornike mree)
Sl. 3.13. Otpornici za povrinsku montau (SMD) i otporniki moduli.


Nenamotani otpornici stalne otpornosti se mogu podeliti na nain prikazan na sl. 3.14.


Sl. 3.14. Podela nenamotanoh otpornika stalne otpornosti.


Nadalje e ukratko biti date osnovne osobenosti razliitih tipova otpornika konstantne
otpornosti. Pre svega bie rei o slojnim otpornicima, koji se sastoje od otpornog sloja (filma)
nanetog na izolacionu podlogu, na primer na keramiki tapi ili cevicu na ijim su krajevima
uvreni kontakti. Ovi otpornici su stabilnih elektrinih karakteristika, malih dimenzija, dugog
veka eksploatacije, itd.
Za nanoenje otpornih materijala u obliku tankih slojeva (filmova) koristi se ili vakuum-
sko naparavanje ili katodno raspravanje. Vakuumsko naparavanje je metoda kod koje se, u
uslovima pritiska reda (10
-7
10
-4
) Pa, otporni materijal zagreva do temperature isparenja i koji
se, zatim, naparava na izolatorsku podlogu. Sa druge strane, metoda katodnog raspravanja ne
zahteva vakuum, ve se to raspravanje odvija u uslovima niskog pritiska, reda (0,020,1) Pa i u
prisustvu nekog inertnog gasa, npr. argona. Kod ove metode egzistira jako elektrino polje izme-
u katode i anode, ostvareno potencijalnom razlikom od (35) kV. Katoda je od materijala koji
treba da se nanese u tankom sloju na podlogu, dok je sama podloga u blizini anode. Pozitivni
joni, koji se generiu izmeu katode i anode, dobijaju dovoljnu kinetiku energiju da, udarivi u
katodu, izbacuju iz nje atome, odnosno jone materijala koji se naparava i koji se potom, pod
uticajem elektrinog polja, taloe na izolacionu podlogu.

37
Svaka od ovih metoda ima prednosti i nedostatke. Tako, katodnim raspravanjem se dobija-
ju homogeniji slojevi tekotopljivih, i po hemijskom sastavu, sloenijih materijala na veoj povr-
ini. Istovrermeno, pri procesu katodnog raspravanja, nastaje reakcija rasprenog materijala sa
ostacima gasova u komori, to ozbiljno pogorava osnovna svojstva tako dobijenih slojeva. Va-
kuumskim naparavanjem se dobijaju najistiji slojevi. Stepen zagaenja slojeva se kontrolie
pritiskom zaostalih gasova; za snienje pritiska praktino nema ogranienja. Sa druge strane,
pak, vakuumskim naparavanjem se mogu dobiti samo otporni slojevi relativno prostog hemij-
skog sastava.


3.2.1. Ugljenini otpornici

Ugljenini otpornici kao otporni materijal imaju sloj pirolitikog ugljenika na keramikoj
cevici ili tapiu. Debljina ovakvih slojeva, ija je otpornost znatno vea od otpornosti legura
metala, iznosi od 0,001

m do 1 m. Popreni presek slojnog ugljeninog otpornika prikazan je
na sl. 3.15, a na sl. 3.16 spoljanji izgled takvih otpornika.
Ove otpornike odlikuju jednostavnost proizvodnje, relativno mali negativni temperaturni
koeficijent otpornosti, mali nivo uma, mala zavisnost otpornosti od uestanosti i dovedenog
napona, poviena stabilnost. Stabilnost se poveava primenom debljih slojeva, posebnih zatitnih
prekrivaa, smanjenjem optereenja i radnih napona i dodavanjem male koliine bora.


Sl. 3.15. Presek slojnog ugljeninog otpornika.


Sl. 3.16. Spoljanji izgled nekih slojnih ugljeninih otpornika.


Otpornici sa dodatkom bora predstavljaju posebnu grupu ugljeninih otpornika i esto
se zovu otpornici od sloja karbida bora. Oni su veoma stabilnih karakteristika, ija je stabilnost
istog reda veliine kao i stabilnost ianih otpornika.

38
3.2.2. Metalslojni otpornici

Otporni sloj ovih otpornika, ija je debljina reda (0,10,5) m, a kao to se vidi sa sl.
3.14, moe biti sastavljen od legura metala (metalizirani), od oksida metala i od meavine metala
i dielektrika. Popreni presek jednog metalslojnog otpornika prikazan je na sl. 3.17.


Sl. 3.17. Presek metalslojnog otpornika.


Metalslojni otpornici su 23 puta manjih dimenzija od odgovarajuih ugljeninih otpor-
nika opte namene pri istoj nazivnoj snazi, sl. 3.18.


Ugljenini


Metalslojni
Sl. 3.18. Uporedni prikaz dimenzija ugleninih i metalslojnih otpornika.


Pored otpornika sa klasinim aksijalnim izvodima, danas metalslojni otpornici poprimaju
i drugaije oblike, posebno kada je re o otpornicima koji omoguavaju njihov mehaniki kon-
takt sa hladnjacima. Tako, na sl. 3.19 su prikazani otpornici sa jednostranim izvodima i mogu-
nou vezavinja za hladnjake.

Sl. 3.19. Metalslojni otpornici pogodni za hladnjake sa jednostranim izvodima.



39
Metalizirani otpornici

Kod metalslojnih otpornika sa otpornim slojem od legura metala (metalizirani) legure su
obino sastavljene od vie metala; one mogu biti veome velike specifine otpornosti. Jedan od
esto upotrebljavanih otpornih materijala za metalizirane otpornike jeste legura hroma i nikla,
poznata i kao nihrom. Povrinska otpornost slojeva nihroma se regulie promenom odnosa hro-
ma i nikla u leguri, a kada im se dodaju male koliine bakra i alumunijuma, dobija se materijal
koji ima vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti priblino jednak nuli na sobnoj tempera-
turi (videti sl. 3.6).
Uopte, metalizirani otpornici imaju neke bolje, a neke loije karakteristike od odgovara-
juih ugljeninih otpornika opte namene pri istoj nazivnoj snazi. Naime, oni imaju bolje
temperaturne karakteristike i stabilniji su i otporniji na klimatske uslove (posebno vlagu), to se
postie dugotrajnom termikom i elektrinom stabilizacijom otpornog sloja. Nedostatak meta-
liziranih otpornika jeste manja pouzdanost pri veim disipacijama, posebno pri impulsnom radu,
to je posledica lokalnog pregrevanja nehomogenog otpornog sloja. Takoe, ovi otpornici imaju
loije frekventne osobine od ugljeninih otpornika.


Metaloksidni otpornici

Metaloksidni otpornici imaju otporni sloj od toplotnootpornih oksida metala, najee
dioksida kalaja ili oksida rutenijuma naneenih obino na staklenu podlogu (a ne na keramiku
kao kod metaliziranih otpornika). U poreenju sa metaliziranim otpornicima, proizvodnja metal-
oksidnih otpornika je prostija, karakteristike su im sline, dimenzije identine, imaju izrazito
nizak nivo uma, imaju vei temperaturni koeficijent otpornosti, ali su stabilniji pri impulsnim
optereenjima i mehanikim dejstvima.


Kermetni otpornici

Otpornici sa mikrokompozitnim filmovima od dielektrika i metala zovu se kermetni ot-
pornici (naziv kermet potie od KERamika i METal). Kermetni slojevi se odlikuju vrlo velikom
slojnom otpornou. Za tankoslojne otpornike najbolje karakteristike od kermetnih materijala po-
kazuje smesa hroma i silicijum monoksida. Taj kermet je homogen, ima visoko atheziono svoj-
stvo, visoku temperaturnu stabilnost i dobre mehanike osobine.



3.2.3. Slojni kompozitni otpornici

Ovo su, praktino, debeloslojni otpornici. Kod njih se otporni materijal, koji je sastavljen
od mehanikih smesa prahova provodnih materijala i organskih ili neorganskih dielektrika (kao
vezivnih sredstava), u relativno debelom sloju od 7 m do 20 m, nanosi na keramiku podlogu.
Jedan od takvih tipova otpornika jeste onaj kod koga se otporni sloj sastoji od smese stakla i
meavine provodnih materijala.
Zato to je otporni sloj kompozitnih otpornika vei nego kod tankoslojnih ugljeninih i
metalslojnih otpornika, to su ovi otpornici vrlo visoke pouzdanosti. Ostale dobre osobine su, po-
red pomenutog, jednostavnost izrade i, uprkos retkim i skupim metalima (koji se dodaju u ma-
lom procentu), niska cena. Nedostaci su niska stabilnost, visoki nivo umova, znatna zavisnost
otpornosti od prikljuenog napona i relativno loa frekventna karakteristika.

40
3.2.4. Maseni kompozitni otpornici

Otpornici od mase izrauju se od smese otpornih materijala i vezivnih sredstava. Ove
smese se na povienoj temperaturi najee presuju u obliku tapia. Proizvodnja je jevtina, ali
su veoma nestabilni, imaju relativno veliki um, otpornost im znatno zavisi od snage optereenja
i temperature okoline. Otpornost i snaga im je priblino ista kao kod slojnih otpornika.
Ovi otpornici se proizvode kao kompozitni i to na keramikoj bazi i na bazi laka. Otporni
materijal na keramikoj bazi je od smese ugljenika i peska (zato se ovi otpornici esto i zovu
ugljenini kompozitni otpornici).
Otporni materijali na bazi laka su smese grafita ili ai sa vezivnim sredstvima, kao to
su ugljovodonici i razliite vrste vetakih smola, sa dodatkom neorganskih materijala za ispunu
(azbestno brano ili liskunsko brano). Pri presovanju otpornog materijala na povienoj tempera-
turi, najee u obliku tapia, umeu se sa obe strane iani izvodi za prikljuke.



3.2.5. ip otpornici

ip otpornici, koji se koriste za povrinsko montiranje, mogu biti sa tankim (tankoslojni
SMD) i debelim (debeloslojni SMD) otpornim slojem. Na sl. 3.20 su prikazani osnovni delovi
jednog tankoslojnog ip otpornika za povrinsku montau: na supstrat, koji je od alumine, kera-
mike ili stakla, naneen je tanak sloj otpornog materijala. Tipini otporni materijali su: nihrom,
legura hroma i kobalta i tantalnitrid. Otporni sloj i kontaktna elektroda (kontaktni zavretak) spo-
jeni su metalnim filmom, odnosno spojnom elektrodom.
Pored ve klasinih ip otpornika za povrinski montirane tampane ploe, danas me-
talslojni otpornici poprimaju i drugaije oblike, posebno kada je re o veoma preciznim otpor-
nicima (sl. 3.21).


Sl. 3.20. Tankoslojni ip otpornik za povrinsku montau.



41





Sl. 3.21. Precizni metalslojni otpornici za povrinsku montau.



3.2.6. Otporniki moduli (otpornike mree)

Otporniki moduli se sastoje od vie otpornika smeenih u jedno kuite sa vie izvoda. Iz-
vodi mogu biti samo sa jedne strane (sl. 3.22) i tada se zovu SIL moduli (od single-in-line), i sa
obe strane (sl. 3.23), tzv. DIL moduli (od dual-in-line), u kuitima slinim onim koja se koriste
za integrisana kola. Moduli se mogu sastojati iz vie individualnih otpornika, ili su otpornici u
njima tako povezani da ine otpornike mree (stoga se ovi moduli zovu i otpornike mree).




Sl. 3.22. SIL (single-in-line) otporniki moduli (otpornike mree).

Sl. 3.23. DIL (dual-in-line) otporniki modul.


Na sl. 3.24 prikazan je presek otpornikog modula sa jednostranim izvodima i zajedni-
kim izvodom (tipa prvog modula na sl. 3.22). Sami otpornici u otpornikim modulima najee
su dobijeni ili tankoslojnom ili debeloslojnom tehnologijom.

42

Sl. 3.24. Presek otpornikog modula sa zajednikim izvodom.



3.3. NAMOTANI OTPORNICI STALNE OTPORNOSTI

Namotani ili iani otpornici se koriste svuda gde je neophodna velika snaga otpornika.
Ako se porede sa nenamotanim otpornicima, oni su od njih skuplji, proizvodnja je sloenija,
imaju vee dimenzije (sl. 3.25) i nisu pogodni za rad na viim uestanostima. Ipak, za posebne
primene ovi otpornici imaju bolje karakteristike od nenamotanih otpornika, jer se mogu koristiti
pri viim temperaturama, imaju veoma nizak nivo uma, veoma su stabilni i mogu se izraivati
za vee nazivne snage sa malim odstupanjem otpornosti od nazivne vrednosti. Neki tipovi i-
anih otpornika su standardizovani, ali se mnogi od njih rade van standarda za konkretne prime-
ne u elektronskim ureajima.


Sl. 3.25. Spoljanji izgled ianih otpornika sa i bez hladnjaka.


Ovi otpornici se dobijaju namotavanjem na izolacionu podlogu izolovane ili neizolovane
ice od legura velike specifine otpornosti (hromnikal, hromaluminijum, manganin, konstantan

43
ima negativan temperaturni koeficijent otpornosti
R
, kazma, evanom, itd). ice su razliitih
prenika. Izborom duine, prenika i legure od koje je otporna ica nainjena mogu se dobiti
otpornici od 0,1 do 1 M i snaga znatno iznad 10 W.


Sl. 3.26. Oklopljavanje ianih otpornika keramikim kuitima,
postavljanje hladnjaka na iste i vezivanje hladnjaka za asije.


S obzirom da iani otpornici rade sa velikim snagama, razvijajui, pri tom, visoke tem-
perature, neki od njih se ugrauju u keramika kuita sa ljebovima, koja omoguavaju da se na
njih relativno lako postave metalni hladanjaci, koji su ili slobodni, ili se, u cilju efikasnijeg
hlaenja, vezuju za same asije (sl. 3. 26). Na sl. 3.27 prikazan je spoljanji izgled ianih otpor-
nika sa hladnjacima.

Sl. 3.27. Spoljanji izgled ianih otpornika sa hladnjacima.



3.3.1. Temperaturna kompenzacija

Pogodna osobina ianih otpornika jeste mogunost temperaturne kompenzacije, koja se
postie namotavanjem osnovnog i kompenzacionog namotaja suprotnih znakova temperaturnih

44
koeficijenata otpornosti. Neka su R
1o
i R
2o
otpornosti osnovnog i kompenzacionog namotaja pri
temperaturi T
o
, a
1
i
2
odgovarajui temperaturni koeficijenti otpornosti. Otpornost ovakve
redne veze, pri promeni temperature za T, na osnovu (3.9) je:

+
+
+ + = + = T
R R
R R
R R T R R
o o
o o
o o u o
2 1
2 2 1 1
2 1
1 ) ( ) 1 ( . (3.15)

Potpuna temperaturna kompenzacija bie kada je dR/dT = 0, odnosno kada je ukupni
temperaturni koeficijent otpornosti ove veze jednak nuli, odakle sledi uslov temperaturne kom-
penzacije:


1
2
2
1

=
o
o
R
R
. (3.16)



3.4. OTPORNICI PROMENLJIVE OTPORNOSTI
(POTENCIOMETRI)

Potenciometri se primenjuju za runu regulaciju struja i napona u elektronskim kolima.
Na sl. 3.28 prikazani su simboli kojima se oni oznaavaju u emama elektronskih kola. Po
obliku, potenciometri mogu biti kruni i pravolinijski. Na sl. 3.29a prikazan je slojni kruni
potenciometar sa osnovnim delovima, a na sl. 3.29b pravolinijski (iber) potenciometar.


Sl. 3.28. Simboli kojima se oznaavaju potenciometri u emama elektronskih kola.



3.4.1. Osnovne karakteristike potenciometara

Pored osnovnih parametara koji definiu otpornike konstantne otpornosti, potenciometre
karakteriu jo i sledee osobine: nazivna vrednost ukupne otpornosti, minimalna otpornost,
poetni skok otpornosti, postojanost na habanje, dopunski kontaktni um i zakon promene otpor-
nosti.
Nazivna vrednost ukupne otpornosti potenciometra jeste otpornost izmeu nepokret-
nog (11) i pokretnog (12) izvoda (sl. 3.29a), pri maksimalnom uglu obrtanja
m
pokretnog siste-
ma ( = 270
o
300
o
) obrtnih potenciometara, odnosno pri maksimalnom poloaju klizaa kod
iber potenciometara.
Poetni skok otpornosti predstavlja minimalnu vrednost otpornosti od koje poinje rav-
nomerna promena otpornosti potenciometra. Ova vrednost obino iznosi (12)% ukupne otpor-
nosti za potenciometre sa logaritamskom promenom, odnosno (510)% za potenciometre sa li-
nearnom promenom otpornosti.

45

a.


b.
Sl. 3.29. a Slojni kruni potenciometar: 1 otporni sloj; 2 zakivka; 3, 11, 12 izvodi;
4 osnova od plastine mase ili pertinaksa; 5 izvod struje; 6 kontaktna etkica; 7 dra etkice;
8 osovina; 9 nosa zavrtnja; 10 metalni poklopac. b Pravolinijski (iber) potenciometar.


Postojanost na habanje je okarakterisana sposobnou potenciometra da sauva nepro-
menjene karakteristike pri viestrukom korienju pokretnih delova potenciometra. Ona se oce-
njuje brojem korienja tih pokretnih delova, a da pri tom karakteristike potenciometra ostanu u
dozvoljenim granicama. Ovaj broj korienja iznosi kod potenciometara opte namene do 50000,
a kod potenciometara za profesionalnu upotrebu 10
5
10
7
.
Dopunski kontaktni um nastaje izmeu otpornog elementa i pokretnog kontakta kako
pri pomeranju pokretnog sistema (um pomeranja), tako i pri fiksiranom poloaju istog. Nivo
uma pomeranja je znatno vei od nivoa termikog i strujnog uma.
Funkcionalna karakteristika otpornosti predstavlja zakon promene otpornosti izmeu
nepokretnog (12) i pokretnog (11) kontakta potenciometra (sl. 3.29a) pri pomeranju pokretnog
sistema, a zavisi od naina konstrukcije potenciometra. Najee se primenjuju potenciometri sa
linearnom (kriva 1 na sl. 3.30), logaritamskom (kriva 2) i inverzno-logaritamskom (kriva 3)
promenom otpornosti. Pored njih, postoje potenciometri i sa drugaijom promenom otpornosti,
na primer sa sinusnom, kosinusnom i drugim funkcionalnim zavisnostima.

Sl. 3.30. Funkcionalne karakteristike potenciometara:
1 linearna; 2 logaritamska; 3 inverzno-logaritamska.

46
Otpornost krunih potenciometara sa linearnom promenom otpornosti (linearnih potenci-
ometara) zavisi od ugla obrtanja pokretnog sistema, tako da je:

) (
min max min
R R R R
m

+ = , (3.17)

gde je R
min
poetna otpornost potenciometra, a R
max
njegova ukupna otpornost.
Kod potenciometra sa logaritamskom promenom otpornosti (logaritamskih potencio-
metara) logaritam relativne promene otpornosti je proporcionalan relativnom pomeranju pokret-
nog kontakta:


m
k
R
R

=
min
log . (3.18)

Logaritamski potenciometri se primenjuju za regulaciju jaine zvuka, s obzirom da se sa
njima moe postii proporcionalnost ugla obrtanja sa jainom zvuka (u decibelima). Inverzno-
logaritamska promena otpornosti (kriva 3 na sl. 3.30) koristi se kod potenciometara od kojih se
zahteva ravnomernija promena otpornosti pri veim uglovima obrtanja; obino se primenjuju za
regulaciju boje tona kod prijemnih i pojaavakih audio ureaja.


3.4.2. Vrste potenciometara

Kao i otpornici konstantne otpornosti, i potenciometri mogu biti nenamotani i namo-
tani. Nenamotani potenciometri najee imaju otporni materijal u obliku sloja (slojni potencio-
metri). Namotani ili iani potenciometri se najee proizvode za vee snage i reostate.
Slojni potenciometri imaju otporni sloj od ugljenika, oksida metala, razliitih kompozi-
cija, kermeta i provodnih plastinih masa. Nedostatak ugljeninih i kompozitnih potenciometara
je to imaju relativno slabu temperaturnu stabilnost. Boljom temperaturnom stabilnou odlikuju
se potenciometri sa otpornim slojem od oksida metala; oni su veoma stabilni, ali imaju nazivne
vrednosti otpornosti najvie do 100 k. Korienjem kermeta i provodnih plastinih masa kao
otpornih materijala, poslednjih godina su dobijeni potenciometri sa izuzetno dobrim eksploata-
cionim karakteristikama, dobrom regulacijom otpornosti, niskim nivoom strujnih umova i rela-
tivno malim dimenzijama.
Motani potenciometri se dobijaju motanjem ice od otpornih legura na bazi nikla, hroma,
bakra, mangana, a takoe i od ica prevuenih provodnom plastikom (hibritron potenciometri).
Ovi potenciometri imaju ogranienu oblast nazivnih otpornosti, poveanu parazitnu kapacitiv-
nost i induktivnost, vrlo visoku stabilnost, imaju nizak nivo strujnih umova i mali temperaturni
koeficijent otpornosti. Pri manjim snagama se motani potenciometri ree koriste od nenamota-
nih; obino se primenjuju za obezbeenje poveanih zahteva u pogledu tanosti i stabilnosti
elektrinih i eksploatacionih karakteristika elektronskih ureaja. Naprotiv, pri velikim snagama,
iskljuivo se koriste motani, i to iani, potenciometri.

a
b.
c.
Sl. 3.31. Spoljanji izgled nekih vieokretnih (helikoidalnih) potenciometara.

47
Posebnu grupu motanih potenciometara ine vrlo precizni vieokretni (helikoidalni) po-
tenciometri (sa tolerancijom otpornosti do 1%), sl. 3.31; kod njih, da bi se dobila maksimalna
vrednost otpornosti, kliza treba okrenuti (po 360
o
) 2-, 3-, 5- ili 10-puta. Mogu biti za direktnu ili
servo ugradnju (preko kainika, sl. 3.31c).


3.4.3. Regulacioni otpornici (trimeri)

Trimeri se koriste u kolima kada otpornost treba tano odrediti u toku njihovog podea-
vanja i koju ne treba esto menjati u toku eksploatacije. Po konstrukciji se ne razlikuju mnogo od
standardnih potenciometara, sem to su manjih dimenzija i, kao i oni, mogu biti jednookretni i
vieokretni, sa nenamotanim (ugljeninim, kermetnim) ili namotanim otpornim elementom. Na
sl. 3.32 prikazano je nekoliko razliitih oblika regulacionih otpornika, a na sl. 3.33 dva proiz-
vodnje BOURNS.


Sl. 3.32. Regulacioni otpornici (trimeri).

a.





b.
Sl. 3.33. Regulacioni otpornici (trimeri) proizvodnje BOURNS: a jednoobrtni
trimer; b trimer sa puastim zupanikom za pomeranje klizaa (kruna putanja klizaa).

48
3.5. OTPORNICI SA NELINEARNOM
PROMENOM OTPORNOSTI

Poslednjih godina sve veu primenu u elektronskim ureajima imaju otpornici ija otpor-
nost zavisi od spoljanjih uticaja, kao to su temperatura, svetlost, elektrino polje, mehanika
sila, itd. S obzirom da karakteristike ovih otpornika nisu linearne funkcije promene otpornosti sa
uzrokom promene otpornosti, to se ovi otpornici zajednikim imenom zovu nelinearni otpor-
nici. Na sl. 3.34 su prikazani osnovni tipovi nelinearnih otpornika.





Sl. 3.34. Osnovni tipovi nelinearnih otpornika.


Kada se otpornost otpornika menja sa temperaturom, takvi otpornici se zovu termistori i u
zavisnosti od naina zagrevanja (sl. 3.35), ovi otpornici se dele na termistore sa direktnim i indi-
rektnim zagrevanjem. Razlikuju se dve osnovne vrste termistora: sa negativnim temperaturnim
koeficijentom otpornosti (NTC otpornici) i sa pozitivnim temperaturnim koeficijentom otpor-
nosti (PTC otpornici, ili kako se jo zovu, pozistori). Otpornici kod kojih se otpornost nelinearno
menja pod uticajem elektrinog polja zovu se varistori ili VDR otpornici, a oni koji menjaju
otpornost pod uticajem svetlosti jesu fotootpornici (sl. 3.34).


Direktno zagrevanje Indirektno zagrevanje
Sl. 3.35. Naini zagrevanja termistora (NTC i PTC otpornika).


3.5.1. NTC otpornici

NTC otpornici su termistori sa relativno velikim negativnim temperaturnim koeficijen-
tom otpornosti. Najee se izrauju od polikristalnih oksidnih poluprovodnikih materijala

49
oksida prelaznih metala (od titana do cinka u Mendeljejevom sistemu). Veliku primenu su nali
oksidi kobalta (Co
2
O
3
), titana (TiO
2
), aluminijuma (Al
2
O
3
), nikla (NiO), mangana (Mn
2
O
3
),
cinka (ZnO), bakra (CuO i Cu
2
O), hroma (Cr
2
O
3
), kalaja (SnO), itd. Obino se upotrebljavaju
smese nekoliko oksida, od kojih se, metodom keramike tehnologije, dobijaju NTC otpornici
razliitog oblika, sl. 3.36.







SMD
3.36. Razliiti tipovi NTC otpornika (napomena: 2, 3, 4. i 5.
termistor su sa znatno duim izvodima nego to je prikazano na slici).


Radno telo NTC otpornika se pravi u obliku tapia, diska (tablete) i perlice (bisera).
Ponekad se minijaturni NTC otpornici oblika perlice smetaju u staklene ampule (sl. 3.36). NTC
otpornici oblika tapia imaju maksimalnu snagu od vie vati, snaga NTC otpornika u obliku
diska (tablete, ploice) dostie jedva 1 W, a minijaturni NTC otpornici oblika perlice su snaga od
nekoliko mW.
Nadalje e se razmatrati samo NTC otpornici sa direktnim zagrevanjem. Kod takvih NTC
otpornika promena otpornosti nastaje pod dejstvom toplote koja se razvija u telu termistora usled
struje koja protie kroz njega, ili kao rezultat promene temperature NTC otpornika usled prome-
ne toplotnog reima termistora (npr. pri izmeni temperature okolne sredine). Njihove najznaaj-
nije karakteristike su:

1. Temperaturna karakteristika NTC otpornika to je zavisnost otpornosti NTC ot-
pornika od temperature. Primer temperaturnih karakteristika razliitih NTC otpornika dat je na
sl. 3.37. U opsegu radnih temperatura zavisnost otpornosti NTC otpornika od temperature moe
se predstaviti sledeim izrazom:

=

T
B
R R exp , (3.19)

gde je B koeficijent temperaturne osetljivosti, ili kratko, temperaturna osetljivost i izraava
se u Kelvinovim stepenima (K), T apsolutna temperatura (K) i R

konstanta koja zavisi od

materijala i dimenzija NTC otpornika (to je uslovna otpornost termistora na beskonano visokoj
temperaturi).

2. Nazivna otpornost NTC otpornika to je njegova otpornost pri odreenoj
temperaturi (obino 20
o
C). Nazivne otpornosti razliitih tipova NTC otpornika kreu se od
nekoliko do nekoliko k.

50

Sl. 3.37. Temperaturne karakteristike razliitih NTC otpornika;
R
T0
je nazivna otpornost NTC otpornika pri T = 20
o
C.



3. Koeficijent temperaturne osetljivosti B to je konstanta koja se nalazi u eksponentu
izraza kojim je definisana temperaturna karakteristika NTC otpornika, jedn. (3.19). Vrednost
ovog koeficijenta, koji zavisi od svojstava materijala od kojeg je NTC otpornik nainjen, prak-
tino je konstantna za dati termistor u opsegu radnih temperatura i za razliite tipove NTC ot-
pornika iznosi od B = 700 K do B = 15000 K.

4. Koeficijent disipacije NTC otpornika H brojno je jednak snazi koju treba dovesti
NTC otporniku da bi se on zagrejao za 1
o
C = 1K. Ovaj koeficijent se izraava u (mW/K) ili,
kada se rauna po jedinici povrine, u (mW/m
2
K). Vrednost koeficijenta disipacije zavisi od tipa
NTC otpornika i iznosi H = (0,530) mW/K.

5. Statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika to je zavisnost pada
napona na NTC otporniku od struje koja protie kroz njega u uslovima termike ravnotee
izmeu termistora i okolne sredine.
Na sl. 3.38 prikazana je statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika u dvo-
strukoj logaritamskoj razmeri, ija nazivna otpornost iznosi 10 k pri 20
o
C; za druge vrednosti
nazivnih otpornosti dobijaju se sline krive. Ova karakteristika se eksperimentalno snima pri
konstantnoj temperaturi okolne sredine.
Za svaku taku statike strujno-naponske karakteristike NTC otpornika postoji toplotna
ravnotea. Naime, u ustaljenom reimu zagravanja NTC otpornika strujom koja protie kroz
njega, sva snaga koja se razvija u termistoru predaje se okolnoj sredini, tako da je:

) (
2
2 2
os
T T H R I
R
U
R
V
P = = = , (3.20)

gde je T temperatura NTC otpornika, a T
os
temperatura okolne sredine.

51

Sl. 3.38. Statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika.


Iz (3.19) i (3.20) mogue je dobiti jednainu strujno-naponske karakteristike NTC otpor-
nika u parametarskom obliku:

( )

=

T
B
T T HR U V
os
exp ; (3.21)
( )

T
B
T T
R
H
I
os
exp . (3.22)

Dakle, oblik statike strujno-naponske karakteristike NTC otpornika odreen je samo ko-
eficijentom disipacije H, njegovom otpornou na temperaturi T i temperaturom okolne sredine.
Iz jedn. (3.21) i (3.22) mogue je odrediti ekstremume statike strujno-naponske karakteristike
uz uslov da su konstantni koeficijent temperaturne osetljivosti i koeficijent disipacije:


( )
2
4
os
eks
T B B B
T

= , (3.23)

pri emu je T
eks
temperatura pri ekstremnoj vrednosti strujno-naponske karakteristike, tj. pri
dU/d I = 0. Iz jedn. (3.23) sledi:
statika strujno-naponska karakteristika NTC otpornika imae ekstremnu vrednost napona
samo ako je ispunjen uslov B > 4T
os
;
temperatura, a to znai i otpornost NTC otpornika, pri ekstremnim vrednostima napona od-
reeni su samo vrednostima B i T
os
. Temperatura NTC otpornika pri ekstremnim vrednostima
napona ne zavisi, na primer, od koeficijenta disipacije, a to znai da e maksimumi (i minimumi)
statikih strujno-naponskih karakteristika NTC otpornika biti tano pri jednoj te istoj vrednosti
otpornosti NTC otpornika, nezavisno od njegovog oblika i dimenzija.


52
3.5.2. PTC otpornici (pozistori)

Termistori sa velikom pozitivnom vrednou temperaturnog koeficijenta otpornosti se
drugim imenom zovu pozistori. Koriste se kao ograniavai struje (za prekostrujnu zatitu, sl.
3.39) i kao limitatori temperature (sl. 3.40), zatim za demagnetizaciju kolor-katodnih cevi, za
zatitu motora, za regulaciju struja u telefoniji (sl. 3.40), za zatitu telefonskih linija, itd.

SMD


SMD


3.39. PTC za prekostrujnu zatitu.









Sl. 3.40. PTC za prekostrujnu zatitu u telefonskoj aplikaciji (prva etiri)
i kao senzorski limitatori temperature (poslednja etiri).


Osnovne karakteristike PTC otpornika su:
1. Temperaturni koeficijent otpornosti pozistora ima pozitivnu vrednost (
T
> 0) samo u
odreenom intervalu temperature, a van tog opsega je
T
< 0 (sl. 3.41);
2. najee je vrednost temperaturnog koeficijenta otpornosti pozistora znatno vea od
apsolutne vrednosti
T
NTC otpornika;
3. promena otpornosti termistora sa temperaturom znatno zavisi od uestanosti; ova
promena je najvea pri jednosmernoj polarizaciji i opada sa porastom uestanosti signala koji se
prikljuuje na pozistor, sl. 3.41.

53




Sl. 3.41. Promena otpornosti pozistora sa temperaturom i uestanou.


U najveem broju sluajeva pozistori se izrauju na bazi keramike od barijum titanata sa
polikristalnom strukturom, ija se otpornost znatno smanjuje ako se doda izvesna koliina pri-
mesa. Naime, barijum titanat (BaTiO
3
) je dielektrik sa specifinom otpornou pri sobnoj tem-
peraturi od (10
10
10
12
)

cm. Ako se u barijum titanat unese mala koliina ((0,10,3)%) primesa,
kao to su lantan, niobijum, itrijum, specifina otpornost se smanjuje na vrednost (1010
2
) cm.
U delu karakteristine promene otpornosti sa temperaturom, u kome je pozitivna vrednost
temperaturnog koeficijenta otpornosti, a za sluaj jednosmerne polarizacije (kriva 0 Hz na sl.
3.41), otpornost se moe aproksimirati izrazom:

( ) BT C A R
PTC
exp + = , (3.24)

gde su A, B i C konstante.



3.5.3. Varistori

Varistori ili VDR otpornici (sl. 3.42) su otpornici kod kojih se otpornost nelinearno me-
nja sa promenom jaine elektrinog polja, odnosno napona na njima (sl. 3.43). Koriste se za na-
ponsku stabilizaciju, posebno veih vrednosti napona.
Varistori se najee izrauju od cink oksida. Nelinearnost otpornosti od elektrinog po-
lja uslovljava nelinearnost i naponsko-strujne karakteristike varistora, sl. 3.44. Strujno-naponska
karakteristika varistora data je izrazom:



= U K V K I , (3.25)

gde je K konstanta, a koeficijent nelinearnosti varistora, ija vrednost (npr. proizvodnje SIE-
MENS) iznosi = 3055.

54




Sl. 3.42. Razliiti tipovi varistora.




Sl. 3.43. Promena otpornosti varistora u lin-lin i log-log razmeri.




Sl. 3.44. Naponsko-strujna karakteristika varistora u lin-lin i log-log razmeri.


Iako je izrazom (3.25) definisana strujno-naponska karakteristika, proizvoai merene
vrednosti struja i napona predstavljaju u obliku naponsko-strujne karakteristike; na sl. 3.45 je pri-
kazana jedna takva realna zavisnost. Sa slike se vidi da je u radnoj oblasti koeficijent nelinear-
nosti 38 (U-I karakteristika u log-log razmeri na sl. 3.44 je data za radnu oblast), a dobija se
na osnovu (3.25):

38
08 . 0
3
59 . 2 67 . 2
) 3 ( 0
390 log 470 log
10 log 1 log
log log
log log
3
1 2
1 2
=

=

U U
I I
.

55

Sl. 3.45. Realna naponsko-strujna karakteristika varistora.



3.5.4. Fotootpornici

Jedan tip fotootpornika prikazan je na sl. 3.46. Fotootpornici su poluprovodniki otpor-
nici kod kojih se otpornost smanjuje pod uticajm svetlosti. Rad poluprovodnikih fotootpornika
zasnovan je na efektu fotoprovodnosti (unutranjem fotoelektrinom efektu). Izrauju se od kad-
mijum sulfida (CdS), kadmijum selenida (CdSe), kadmijum sulfoselenida (CdSSe), cink sulfida
(ZnS), a za oblast infracrvenog zraenja od olovo sulfida (PbS), indijum antimonida (InSb), kad-
mijum telurida (CdTe), itd. U najveem broju sluajeva otporni materijal se nanosi na izolacionu
podlogu, a preko toga se prekriva providnim materijalom, sl. 3.47.

Sl. 3.46. Jedan od moguih spoljanjih izgleda fotootpornika (uveliano).


Osnovne karakteristike i svojstva fotootpornika su:
1. Statika strujno-naponska karakteristika predstavlja zavisnost jednosmerne struje
koja protie kroz fotootpornik od napona na njemu pri konstantnom osvetljaju, sl. 3.48a. Razlika
izmeu struje koja protie kroz fotootpornik kada je on osvetljen i struje neosvetljenog fotoot-
pornika (struje tame) zove se fotostruja. Strujno-naponska karakteristika fotootpornika je u ve-
ini sluajeva linearna ili bliska linearnoj, sl. 3.48a.

56

Sl. 3.47. Konstruktivni izgled fotootpornika: aploica od steatita; bfotoosetljivi otporni sloj (CdS);
celektrode za kontakt (ovde su u obliku elja); dprovidno kuite od epoksidne smole; eizvodi.


2. Promena otpornosti sa osvetljajem, sl. 3.48b, meri se pri razliitom osvetljenju ot-
pornika svetlou sloenog spektralnog sastava. Ova promena otpornosti iznosi 10
4
10
5
puta.
3. Svetlosna karakteristika predstavlja zavisnost fotostruje I
F
od osvetljenosti E, pri
konstantnom naponu, sl. 3.49. U nekoj oblasti promene osvetljenosti za svetlosnu karakteristiku
se koristi zavisnost:

= E A I
F
, (3.26)

gde su: A konstanta koja zavisi od tipa fotootpornika; konstanta koja zavisi od talasne du-
ine svetlosti i tipa fotootpornika; E osvetljenost.


Sl. 3.48. a Strujno-naponska karakteristika fotootpornika; b promena otpornosti
dva fotootpornika sa osvetljajem.

57

Sl. 3.49. Svetlosna karakteristika fotootpornika.


4. Spektralna karakteristika (sl. 3.50) izraava relativnu promenu fotostruje u zavisno-
sti od talasne duine svetlosti koja pada na fotootpornik. Karakteristino je za sve fotootpornike
da postoji talasna duina
opt
, zavisno od materijala od koga je sainjen fotootpornik, pri kojoj je
najvea promena fotostruje. To je tzv. maksimalna spektralna osetljivost.


Sl. 3.50. Spektralna karakteristika fotootpornika.







58





4. KONDENZATORI

Kondenzator predstavlja sistem od najmanje dva provodna tela (ploe, folije, metalizi-
rane folije) razdvojena dielektrikom, a koji ima sposobnost akumulacije elektrine energije.
Na sl. 4.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kondenzatori u emama elektron-
skih kola.


Sl. 4.1. Simboli kojima se oznaavaju kondenzatori u emama elektronskih kola.



4.1. OPTE O KONDENZATORIMA

4.1.1. Kapacitivnost kondenzatora

Osnovna veliina kondenzatora je njegova elektrina kapacitivnost C, koja je odreena
odnosom koliine naelektrisanja Q i napona V na oblogama kondenzatora:


V
Q
C = . (4.1)

Nazivna kapacitivnost jeste kapacitivnost pri normalnim radnim uslovima i oznaena je
na samom kondenzatoru. Nazivne kapacitivnosti kondenzatora sa dozvoljenim tolerancijama bi-
raju se iz nizova E6, E12... datih u T3.1. Kapacitivnost se izraava u faradima (F). Meutim, s
obzirom da je farad vrlo velika jedinica, kapacitivnost se obino izraava u mikrofaradima (F),
nanofaradima (nF) i pikofaradima (pF).
Kapacitivnost kondenzatora zavisi od vrste dielektrika, geometrijskog oblika, dimenzija,
itd. Uticaj dielektrika na kapacitivnost je uslovljen intenzitetom polarizacije samog dielektrika.
Kao to je poznato, sposobnost dielektrika da se polarizuje u elektrinom polju karakterie se
dielektrinom propustljivou, koja se jo zove i dielektrina konstanta:


o r
= , (4.2)

gde je
r
relativna dielektrina konstanta dielektrika, a
o
dielektrina konstanta vakuuma i
ona iznosi
o
= 8,8510
-12
F/m.
Kapacitivnost kondenzatora razliitih konstrukcija (sl. 4.2) izraunava se sledeim izrazi-
ma, u kojima je kapacitivnost u pF, a dimenzije u cm:
kapacitivnost ploastog kondenzatora sa N obloga (sl. 4.2a):


59

a.

b.
Sl. 4.2. Kondenzatori razliitih konstrukcija: a ploasti sa vie obloga; b tubasti.



( ) ( )
d
N S
d
N S
C
r r o
1
0885 , 0
1
=

= , (4.3)

pri emu je S povrina obloga, a d debljina dielektrika (rastojanje izmeu obloga);
kapacitivnost tubastog kondenzatora, dobijenog namotavanjem trake (sl. 4.2b):


d
bL
C
r
= 177 , 0 , (4.5)

gde je b irina, a L ukupna duina trake.
Kada je vie kondenzatora vezano paralelno (na sl. 4.3 su, kao primer, prikazana dva
paralelno vezana kondenzatora), ukupna kapacitivnost C
ekv
takve veze je:

=
=
n
i
i ekv
C C
1
, (4.6)

a kada je njih vie vezano na red, ukupna kapacitvnost se izraunava na osnovu izraza:

=
=
n
i i ekv
C C
1
1 1
. (4.5)


Sl. 4.3. Paralelno i redno vezivanje dva kondenzatora.

60
4.1.2. Klase tanosti; oznaavanje kondenzatora

Kada je to mogue, vrednosti kapacitivnosti kondenzatora (ako nije posebno naglaeno, u
pF), kao i dozvoljena odstupanja kapacitivnosti od nazivne vrednosti, nazivni napon, itd. ispisuju
se na samom telu kondenzatora. Dozvoljena odstupanja kapacitivnosti od nazivne vrednosti, koja
se izraavaju u procentima, definisana su klasama tanosti. Ta odstupanja mogu biti simetrina
(10%, 20%) i nesimetrina (10%, +30%). S obzirom da veoma esto, zbog malih dimenzija
kondenazatora, na njima nema mesta za ispisivanje tolerancije kapacitivnosti, to je za iste uveden
sistem slovnog oznaavanja (isti standard vai i za oznaavanje tolerancije otpornosti otpornika);
na primer, oznaka F se odnosi na toleranciju 1% (100 F 100 pF 1%), a J na toleranciju 5%
(47 J 47 pF 5%)
1
.
Pored toga, za oznaavanje kondenzatora koriste se i boje koje se nanose u obliku trake ili
take (videti fusnotu br. 2). Naalost, nain oznaavanja kondenzatora bojama, kao i slovima i
ciframa, nije jedinstven za sve vrste kondenzatora i esto odstupa od standarda. Kada se
kapacitivnost u pF oznaava pomou tri cifre, trea cifra kazuje koliko nula ima iza prve i druge
cifre. Na primer: 220 pF 221; 47 pF 470; 56 nF 563. Meutim, kada se kapacitivnost
oznaava takom iza koje je neka cifra, onda je C u F; na primer: .0047 0,0047 F. Na sl. 4.3
je prikazano nekoliko naina oznaavanja kondenzatora (uz korienje T2.1 i T2.2 u knjizi nave-
denoj u fusnoti br. 2).


1000 pF = 1 nF 10%, 50
V
DC
0,22 F 10%, 250 V
DC 4,7 nF, 400V
DC

0,15 F 20%, 100 V
DC


47 pF 20%,

C
= 2200 ppm/
o
C


0,47 F,
100V
DC

10 nF 20%, 250 V
DC

330 nF 5%, 160 V
DC

20 pF 20%,
50 V
AC
, 400V
DC
Sl. 4.3. Razliiti naini obeleavanja kondenzatora; naalost, mnogi proizvoai
imaju svoja interna obeleavanja, tako da je za konkretnu primenu kondenzatora
neophodno korienje kataloga dotinog proizvoaa.


1
O detaljnijem ozna~avanju kondenzatora, kako slovima tako i bojama, videti u knjizi: Stojan Risti}, "RLC kom-
ponente", Prosveta, Ni{, 2005.

61
4.1.3. Dielektrici i dielektrina konstanta

Kapacitivnost i karakteristike kondenzatora znatno zavise od toga koji je dielektrik upo-
trebljen u kondenzatoru. Pored podele na polarne i nepolarne, dielektrici se mogu podeliti i u
sledee grupe:
Liskun, staklo, keramika sa malim gubicima (keramika tipa I) i njima slini; koriste se
za kondenzatore ije su kapacitivnosti od nekoliko pF do nekoliko stotina pF.
Keramika sa velikom vrednou dielektrine konstante (keramika tipa II i tipa III); ko-
risti se za kondenzatore kapacitivnosti od nekoliko stotina do nekoliko desetina hiljada pF.
Papir i metalizirani papir; koristi se za kondenzatore kapacitivnosti od nekoliko hiljada
pF do nekoliko F.
Oksidni slojevi; koriste se za elektrolitske kondenzatore kapacitivnosti reda F i vee.
Dielektrici u obliku folija, kao to su stirofleks, poliester, polikarbonat, itd.; koriste se
za kondenzatore kapacitivnosti od stotinu pF do nekoliko F.
Dielektrina konstanta dielektrika zavisi, u optem sluaju, od temperature, napona i ue-
stanosti promene elektrinog polja izmeu obloga kondenzatora, a takoe i od niza drugih spo-
ljanjih faktora, to znai da je i kapacitivnost kondenzatora funkcija pomenutih veliina.



4.1.4. Otpornost izolacije i vremenska konstanta kondenzatora

Realni dielektrici poseduju neku elektroprovodnost, uslovljenu postojanjem slobodnih
jona i elektrona u njima. Ta provodnost je mala, ali ipak konana. Konstantna struja I
cu
koja
protie kroz dielektrik pod uticajem napona na oblogama kondenzatora i koja je, praktino, struja
gubitaka, zove se struja curenja. Prema tome, otpornost dielektrika, odnosno otpornost izola-
cije kondenzatora, a to je otpornost izmeu obloga kondenzatora, jednaka je:


cu
I
V
R = . (4.6)

Struja curenja I
cu
je vrlo mala, reda stotog ili hiljaditog dela mikroampera (izuzev kod
elektorlitskih kondenzatora) i raste sa temperaturom priblino po eksponencijalnom zakonu, tako
da otpornost izolacije jako zavisi od temperature i veoma je velika (izraava se u megaomima,
gigaomima, a takoe i u teraomima). Otpornost izolacije prvenstveno zavisi od specifine zapre-
minske otpornosti dielektrika i od njegovih dimenzija (debljine d i povrine S):


S
d
R = . (4.7)

Otpornost izolacije se meri pri normalnim klimatskim uslovima. Sa poveanjem tempera-
ture ova otpornost se eksponencijalno smanjuje (sl. 4.4).
Za N = 2, iz (4.3) i (4.7) sledi:


C r o
RC = = . (4.8)

Veliina
C
= RC se zove vremenska konstanta kondenzatora i izraava se u sekun-
dama. Kao to se iz (4.8) vidi, vremenska konstanta ne zavisi od dimenzija kondenzatora, ve
samo od fizikih osobina dielektrika. Praktino, vremenska konstanta kondenzatora predstavlja

62
vreme za koje koliina elektriciteta opadne na 1/e deo (ili 36.8%) poetne vrednosti. Ona, tako-
e, odreuje vremensko punjenje i pranjenje kondenzatora. Naime, neka je na kondenzator prik-
ljuen jednosmerni napon E. Napon na kondenzatoru nee trenutno dostii tu vrednost, ve e se
poveavati po zakonu:

= ) exp( 1
C
C
t
E V . (4.9)


Sl. 4.4. Otpornost izolacije razliitih vrsta dielektrika u funkciji temperature pri 500 V
jednosmernog napona na oblogama kondenzatora: 1 liskun zatopljen epoksidnom
smolom; 2 izolovana keramika; 3 neizolovana keramika; 4 namotan impregnisan papir;
5 liskun zatpoljen bakelitom; 6 metalizirani papir; 7 impregnisani papir.


Ako je, pak, kondenzator bio napunjen i na njegovim oblogama je bio napon E, pri
njegovom slobodnom pranjennju napon na kondenzatoru e se smanjivati po zakonu:

) exp(
C
C
t
E V

= . (4.10)

Treba naglasiti da su vremenske konstante kondenzatora ije su kapacitivnosti manje od 100
nF vie uslovljene konstrukcijom i spoljanjim izgledom kondenzatora, nego samim osobinama
dielektrika. Za razliite tipove kondenzatora vrednost vremenske konstante iznosi od nekoliko
sekundi do nekoliko dana (T4.1).

T4.1. Vrednosti vremenskih konstanti razliitih tipova kondenzatora

Tip kondenzatora Vremenska konstanta
Kond. sa plastinim folijama (polistirolni, stirofleksni) Nekoliko dana
Papirni Nekoliko sati
Tantalni elektrolitski Jedan do dva sata
Keramiki sa velikom vrednopu dielektrine konstante Nekoliko minuta
Aluminijumski elektrolitski sa nenagrienom anodom Nekoliko sekundi

63
4.1.5. Frekventna svojstva kondenzatora

Kapacitivnost kondenzatora zavisi od uestanosti i to zbog toga to se sa uestanou
menja dielektrina konstanta i, znatno ee, zbog toga to kondenzator poseduje i parazitne veli-
ine, kao to su parazitna otpornost i parazitna induktivnost L
C
. Na visokim uestanostima svaki
kondenzator se moe predstaviti ekvivalentnom emom kao na sl. 4.5. Ovom ekvivalentnom e-
mom obuhvaeni su ne samo osnovna kapacitivnost i otpornost kondenzatora, nego i induktiv-
nost i aktivne otpornosti izvoda.

Sl. 4.5. Ekvivalentna ema kondenzatora.


Induktivnost kondenzatora obino je mala i ima vrednost reda nanohenrija. Otpornost gu-
bitaka r, koja se sastoji od aktivnih otpornosti obloga kondenzatora i izvoda, za obine konden-
zatore (ne elektrolitske), iznosi desetine delova oma. Otpornost R >> r u naznaenoj ekvivalent-
noj emi jednaka je otpornosti izolacije kondenzatora (ova otpornost se obeleava i sa R
p
pa-
ralelna otpornost).
Postojanje sopstvene induktivnosti uslovljava pojavu rezonance koja nastaje pri rezonant-
noj uestanosti:


C L
f
C
r

=
2
1
. (4.11)

To znai da e se kondenzator pri uestanostima f > f
r
ponaati kao impedansa koja ima
induktivni karakter. Drugim reima, kondenzator treba koristiti pri uestanostima f < f
r
, pri
kojima impedansa kondenzatora ima kapacitivni karakter. Najee se radni opseg uestanosti
bira tako da je najvia uestanost 23 puta nia od rezonantne uestanosti kondenzatora. Na sl.
4.6 prikazane su tipine zavisnosti impedanse aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora i kon-
denzatora sa plastinim metaliziranim folijama od uestanosti.
Poveanje rezonantne uestanosti f
r
postie se smanjenjem parazitne kapacitivnosti L
C
.
Jedan od naina dobijanja malih vrednosti induktivnosti L
C
jeste primena kratkih izvodnica, ili
upotreba kondenzatora za povrinsko montiranje (SMD). Smanjenje induktivnosti L
C
kod namo-
tanih tubastih kondenzatora postie se postavljanjem kontakata izvodnica to je mogue blie
jedan drugome.
Gubici u parazitnim kapacitivnostima, do kojih neminovno dolazi usled konstruktivnih
izvoenja kondenzatora (inkapsulacija, zalivanje ili presovanje u plastine mase, itd.), kao i
gubici na otpornosti izolacije (otpornosti R = R
p
na ekvivalentnoj emi na sl. 4.5) odreuju donju
graninu uestanost kondenzatora. Slika 4.7 prikazuje opseg uestanosti pri kojima se konden-
zatori sa razliitim dielektricima mogu koristiti. S obzirom da se konstrukcijom i tehnologijom
proizvodnje kondenzatora moe unekoliko da utie na frekventni opseg, to je dijagram na sl. 4.7
samo orijentacionog karaktera.


64

Sl. 4.6. Frekventna zavisnost modula impedanse: a aluminijumskih elek-
trolitiskih kondenzatora; b kondenzatora sa metaliziranim plastinim folijama.



Sl. 4.7. Frekventni opseg primene kondenzatora sa razliitim dielektricima.



4.1.6. Gubici u kondenzatoru

U realnom kondenzatoru, koji je prikljuen u elektrino kolo, jedan deo energije se uvek
bespovratno izgubi. Ovaj gubitak energije je posledica zagrevanja kondenzatora i rasejavanja to-
plote u okolnu sredinu. Pri tom, izdvojena toplota moe u kondenzatoru da dovede do nedopu-
stivog poveanja njegove temperature. Poveanje temperature iznad temperature okolne sredine
direktno je proporcionalno snazi gubitaka P
a
. Kondenzatori velikih reaktivnih snaga, kod kojih
gubici energije imaju i ekonomski smisao, karakteriu se dopustivim gubicima snage P
a,dop
.
Ukupna snaga gubitaka P
a
u kondenzatoru iznosi:

65

m a
P P P + =

, (4.12)

gde je P

snaga gubitaka u dielektriku, a P

m
snaga gubitaka u metalnim delovima kondenzatora.
Gubici u dielektriku su, u osnovi, povezani sa procesom polarizacije dielektrika i njegovom
provodnou. Gubici u metalnim delovima uslovljeni su zagrevanjem obloga, izvoda i kontakata.


Sl. 4.8. a Redna ekvivalentna ema kondenzatora; b fazorski dijagram napona i struja.


Snaga gubitaka u kondenzatoru moe se izraziti preko gubitaka na ekvivalentnoj rednoj
otpornosti kondenzatora R
e
, sl. 4.8 (sl. 4.8 je redna ekvivalentna ema kondenzatora sa sl. 4.5).
Ekvivalentna redna otpornost R
e
i ekvivalentna kapacitivnost C
e
iznose (zanemaruje se L
c
):


2
) ( 1 C R
R
r R
p
p
e
+
+ = ; C
C R
C C
p
e

+ =
2
) (
1
1 za
2
) ( C R
p
>> 1. (4.13)

Ugao , koji dopunjuje ugao izmeu vektora struje I i napona U (sl. 4.8b) do 90
o
zove se
ugao gubitaka. Tangens tog ugla, ija je vrednost pri zadatoj kapacitivnosti kondenzatora C i
uestanosti direktno proporcionalna otpornosti gubitaka R
e
, zove se tangens ugla gubitaka
kondenzatora:

+ =

+ =

= tg tg
C R
C r
I
C
I R
V
V
tg
m
p
e
Ce
1
1
Re
, (4.14)

gde je tg
m
= rC tangens ugla gubitaka u metalnim delovima, a gubici u dielektriku su dati
uglom gubitaka

i tangensom ugla gubitaka tg

1/(R
p
C).
Veliina inverzno proporcionalna tangensu ugla gubitaka (Q = 1/tg) jeste faktor dobro-
te kondenzatora (Q-faktor).
Kao to se iz jedn. (4.14) vidi, tangens ugla gubitaka jednak je zbiru tangensa ugla gu-
bitaka u metalu (tg
m
) i dielektriku (tg

). Treba naglasiti da je tg

dominantan pri vrlo niskim

uestanostima i da sa porastom uestanosti naglo opada. Sa druge strane, kao to je evidentno iz
jedn. (4.14), tg
m
raste sa uestanou, tako da se moe smatrati da je na visokim uestanostima
tg tg
m
, sl. 4.9a,b. Tangens ugla gubitaka, meren za razliite tipove kondenzatora u njihovom
radnom opsegu uestanosti, iznosi a10
-4
, pri emu koeficijent a ima vrednosti od jedinice za
vazdune do a = 1000 3000 za elektrolitske kondenzatore.

66

Sl. 4.9. Zavisnost tg: a od uesatnosti za kondenzatore sa nepolarnim dielektrikom;
b od uesatnosti za kondenzatore sa polarnim dielektrikom; c od temperature za
kondenzatore sa nepolarnim dielektrikom; d od temperature za kondenzatore sa
polarnim dielektrikom; e od napona.



4.1.7. Stabilnost kondenzatora

Elektrina svojstva i radni vek kondenzatora zavise od dejstva spoljanjih klimatskih i
mehanikih uticaja (temperature, pritiska, vlanosti, radijacije, vibracija, itd.).
Uticaj temperature ogleda se u promeni kapacitivnosti i ugla gubitaka (faktora dobrote
kondenzatora), a takoe i elektrine vrstoe. Naime, promena temperature utie na metalne
delove kondenzatora u vidu skupljanja ili irenja, usled ega se menja kapacitivnost. Isto tako,
promena temperature moe da utie i na dielektrik, koji moe ili da omeka (staklo), ili da se
rastopi (parafin), ili da ovrsne (kao ulje na niskim temperaturama), ili da u dielektriku nastanu
naprsline i pukotine. Pored pomenutih promena u dielektriku, sa promenom temperature menja
se i dielektrina konstanta dielektrrika.
Linearna promena kapacitivnosti kondenzatora sa temperaturom moe se predstaviti
izrazom:

( ) T C C
C o
+ = 1 , (4.15)

gde je C
o
kapacitivnost pri temperaturi T
o
u odnosu na koju se meri promena kapacitivnosti, a
C

je temperaturni koeficijent kapacitivnosti:


dT
dC
C
C
1
= . (4.16)

Ako promena kapacitivnosti sa temperaturom C(T) ima nelinearni karakter, to je za ocenu
temperaturne stabilnosti kapacitivnosti kondenzatora bolje koristiti relativnu promenu kapacitiv-
nosti C:

67
100
) (
) ( ) (
o
o
T C
T C T C
C

= (%). (4.17)

Uticaj vlage na karakteristike kondenzatora moe biti znatan u sluaju da vlaga prodre u
dielektrik, ime se menja dielektrina konstanta dielektrika (dielektrina konstanta vode iznosi
r
= 80), a to znai da se menja i kapacitivnost kondenzatora. Pored toga, prisustvo vlage znatno
smanjuje otpornost izolacije. Kao rezultat smanjenja otpornosti izolacije rastu gubici, posebno
pri povienim temperaturama, a takoe se smanjuje i elektrina vrstoa usled porasta verovat-
noe nastajanja toplotnog proboja. Pri konstantnom dejstvu vlage postoji mogunost nastajanja
elektrohemijskih pojava u dielektriku. Katastrofalne promene vrednosti parametara kondenzatora
najee se javljaju kod kondenzatora koji due vreme nezatieni rade pri visokoj vlanosti,
posebno u tropskim krajevima. Kondenzatori koji su zatopljeni u plastine mase mogu pouzdano
da rade pri relativnoj vlanosti vazduha do 90%, a hermetizovani do iznad 98%.



4.2. KONDENZATORI STALNE KAPACITIVNOSTI









Sl. 4.10. Razliite vrste kondenzatora stalne kapacitivnosti.


Kondenzatori stalne (konstantne) kapacitivnosti najee se dele prema vrsti upotreblje-
nog dielektrika, tako da se razlikuju: papirni kondenzatori, kondenzatori sa metaliziranim papi-
rom, kondenzatori sa plastinim i metaliziranim plastinim folijama, liskunski kondenzatori, sta-
kleni kondenzatori, keramiki kondenzatori, elektrolitski kondenzatori, itd. Vie informacija o
njima u odnosu na ono to e nadalje biti dato mogu se nai u knjizi navedenoj u fusnoti br. 2.

68
4.2.1. Papirni kondenzatori

Papir je jedan od najstarijih dielektrika koji se koristi pri proizvodnji kondenzatora. Pri
tom, papir mora biti posebno izraen (tkzv. kondenzatorski papir). Treba napomenuti da se
papir nikada ne koristi sam, ve se uvek impregnie sintetikim tenostima, mineralnim uljima,
votanim materijalima ili vazelinom. To se ini zbog toga da bi se smanjila higroskopnost kon-
denzatorskog papira. Istovremeno, na taj nain se poveava dielektrina vrstoa papira, ali po-
veava i koeficijent dielektrinih gubitaka.
Papirni kondenzatori se najee rade tubastog oblika namotavanjem papirnih traka iz-
meu kojih su, kao kondenzatorske obloge, metalne folije. Kao kondenzatorske obloge obino se
koriste aluminijumske folije, sl. 4.2b. U elektronici se papirni kondenzatori sve manje koriste i
zamenjuju se kondenzatorima sa plastinim folijama. Meutim, jo se koriste u telefoniji (npr. u
aluminijumskom kuitu), u energetskoj elektronici, za korekciju faktora snage, itd.
Nedostaci papirnih kondenzatora su postojanje vazdunih mehuria u papiru i velike
dimenzije samoga kondenzatora. Ovi nedostaci su, donekle, izbegnuti kod kondenzatora sa
metaliziranim papirom, kod kojih je jedna strana papirne trake metalizirana. Druga dobra
osobina ovih kondenzatora je autoregeneracija, koja se sastoji u sledeem: ako pod dejstvom
napona nastane proboj ili kratak spoj izmeu obloga, usled velike lokalne temperature isparie
veoma tanak sloj metala u okolini mesta proboja i spreie obrazovanje stalnog kratkog spoja.
Trea prednost u odnosu na papirne kondenzatore jeste manja dimenzija kondenzatora sa metali-
ziranim papirom, s obzirom da se umesto aluminijumskih folija (debljine oko 6 m) koristi sloj
metalizacije debljine (0,020,06) m.
Postoji vie razliitih tipova i modela kondenzatora sa metaliziranim papirom, od kojih se
izdvajaju: cilindrini kondenzatori za iroku potronju u plastinim kuitima, kondenzatori za
kompenzaciju faktora snage kod fluoroscentnih svetiljki, kondenzatori za kompenzaciju faktora
snage kod motora, itd.


4.2.2. Kondenzatori sa plastinim
i metaliziranim plastinim folijama

Kondenzatori sa plastinim folijama (filmovima) i metaliziranim plastinim folijama su
skoro u potpunosti potisnuli papirne kondenzatore, s obzirom da od njih imaju znatno veu
otpornost izolacije i istovremeno znatno manji tangens ugla gubitaka. Kao dielektrik koriste se
nemetalizirane i metalizirane folije od razliitih materijala, kao to su stirofleks (zove se jo i
polistiren i polistirol), poliester, polikarbonat, polipropilen, itd.
Konstrukcija kondenzatora sa plastinim folijama i metaliziranim plastinim folijama je
slina konstrukciji papirnih kondenzatora. Kada su folije nemetalizirane, one i metalne folije se
slau kao na sl. 4.11a (kod blok kondenzatora), ili se metalne folije, izmeu kojih se smetaju
dva ili tri sloja folija od pomenutih materijala, namotavaju (sl. 4.2b). Na sl. 4.11b je prikazan deo
blok kondenzatora sa metaliziranim plastinim folijama, a na sl. 4.12 spoljanji izgled tih kon-
denzatora (zovu se jo i metal-film kondenzatori). Kao to se sa sl. 4.11b vidi, kontaktiranje me-
talizacije sa izvodnicama ostvareno je posredstvom metalnog draa, za razliku od kondenzatora
sa folijama bez metalizacije (sl. 4.11a), u kome su metalne folije u direktnom kontaktu sa izvod-
nicama.
Pored izrazito boljih karakteristika u odnosu na papirne kondenzatore i kondenzatore sa
metaliziranim papirom u pogledu otpornosti izolacije, gubitaka, vremenske konstante, faktora
dobrote, frekventnog opsega, itd., nedostatak kondenzatora sa plastinim i metaliziranim plasti-
nim folijama je to imaju relativno malu zapreminsku kapacitivnost.

69

a. b.
Sl. 4.11. Detalji konstrukcije blok kondenzatora sa plastinim folijama (a)
i metaliziranim plastinim folijama (b).

Sl. 4.12. Spoljanji izgled kondenzatora sa metaliziranim folijama (metal-film kondenzatora).


Sl. 4.13. Spoljanji izgled stirofleksnih kondenzatora.

70
Od kondenzatora sa plastinim folijama u ureajuma iroke potronje najee se koriste
stirofleksni (polistirenski, polistirolski) i poliesterski (polietilenski) kondenzatori. Spoljnji iz-
gled nekih stirofleksnih kondenzatora prikazan je na sl. 4.13, a poliesterskih na sl. 4.14.
Osovne razlike izmeu stirofleksnih i poliesterskih kondnezatora prikazane su na sl. 4.15.
Sa sl. 4.15 se vidi da poliesterski kondenzatori imaju neto loije karakteristike od stirofleksnih,
ali treba naglasiti da se, za razliku od stirofleksnih foilija, poliesterske folije mogu metalizirati,
te postoje (oni se vie i koriste) i kondenzatori sa metaliziranim poliesterskim folijama.










Sl. 4.14. Spoljanji izgled razliitih vrsta poliesterskih kondenzatora.

a.
b.
d.
c.
Sl. 4.15. Uporedne zavisnosti promene kapacitivnosti sa temperaturom (a),
tg sa temperaturom (b) i uestanou (c) i otpornosti izolacije sa tempera-
turom (d) za stirofleksne i poliesterske kondenzatore.


Pored pomenutih, veliku primenu su nali i polikarbonatski (sl. 4.16) i polipropilenski
kondenzatori (sl. 4.17) koji su izraeni od metalizirane polikarbonatske, odnosno polipropilenske

71
folije, respektivno. Po elektrinim karakteristikama i polikarbonatski i polipropilenski konden-
zatori su veoma slini stirofleksnim kondenzatorima, ali za razliku od njih imaju 1015 puta ma-
nju zapreminu (manjih su dimenzija) i mogu se koristiti u irem temperaturnom opsegu.



Sl. 4.16. Spoljanji izgled razliitih vrsta polikarbonatskih kondenzatora.










Sl. 4.17. Spoljanji izgled razliitih vrsta polipropilenskih kondenzatora.



4.2.3. Liskunski kondenzatori

Liskunski kondenzatori, ili kako se jo zovu mika kondenzatori spadaju u red preciznih i
stabilnih kondenzatora primenljivih na visokim uestanostima. Ovi kondenzatori imaju izuzetno
malu rednu otpornost, maksimalni odnos kapacitivnosti i zapremine, mali i jako stabilan tempe-
raturni koeficijent kapacitivnosti i uske tolerancije.
Liskun je mineral sloenog hemijskog sastava i u prirodi se sree u vie razliitih varijan-
ti. Jedna od osobina liskuna, koja je iskoriena za proizvodnju kondenzatora, jeste mogunost
njegovog cepanja na tanke listie (zato se od njih mogu dobiti samo blok kondenzatori, sl. 4.18).

72

Sl. 4.18. Spoljanji izgled nekih liskunskih kondenzatora.



4.2.4. Stakleni kondenzatori

Stakleni kondenzatori su namenjeni za visoke uestanosti i dopunjuju nazivne vrednosti
kapacitivnosti liskunskih kondenzatora iz E-nizova. Kao dielektrik se koristi borsilikatno staklo.
To su blok kondenzatori (sl. 4.19) sa naslaganim listiima stakla i aluminijumske folije. Sami
kondenzatori su monolitni, izvanredno hermetiki zatvoreni.
Ono to staklene kondenzatore izdvaja od ostalih jeste to oni zadravaju stabilne karak-
teristike ak od 180
o
C do +200
o
C i to su od svih ostalih kondenzatora najotporniji na ko-
smika i nuklearna zraenja, sl. 4.20 (u svemirskim letilicama upravo zato ima najvie ovih kon-
denzatora).


Sl. 4.19. Spoljanji izgled nekih staklenih kondenzatora.



4.2.5. Keramiki kondenzatori

Postoji veliki broj razliitih vrsta keramikih kondenzatora (njihov spoljanji izgled je
prikazan na sl. 4.21), a svi se primenjuju pri srednjim i visokim uestanostima. Iako su to, mo-
da, kondenzatori koji se brojano najvie koriste (zbog niske cene), u principu to nisu kvalitetne
komponente. Najee se dele u tri osnovne grupe: tipa I, tipa II i tipa III.
Keramiki kondenzatori tipa I (keramike tipa I su titanati magnezijuma ili kalcijuma,
sa
r
= 5 470) su temperaturno stabilni kondenzatori, sa kapacitivnou (10 30) pF/mm
3
. Ono

73
po emu se kondenzatori razlikuju od keramikih kondenzatora tipa II i tipa III jeste to je kod
njih promena kapacitivnosti sa temperaturom linearna, sl. 4.21.


Sl. 4.20. Uporedni prikaz otpornosti na promene kapacitivnosti razliitih
tipova kondenzatora usled kosmikog i nuklearnog zraenja.





Sl. 4.21. Spoljanji izgled razliitih vrsta keramikih kondenzatora.

Sl. 4.22. Temperaturne zavisnosti kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa I; oznaka, npr.
N1500, znai da je temperaturni koeficijent kapacitivnosti negativan i da iznosi
C
= 150010
-6
1/
o
C.

74
Keramiki kondenzatori tipa II su temperaturno nestabilni kondenzatori sa velikom
vrednou dielektrine konstante (
r
= 700 15000), pogodni za upotrebu u kolima za spregu i
odvoenje ili odvajanje uestanosti, gde nisu bitni mali tangens ugla gubitaka ili velika stabil-
nost kapacitivnosti. Iako su kondenzatori malih dimenzija, kapacitivnosti su relativno velike, s
obzirom da se koriste keramike sa velikim vrednostima dielektrinih konstanti; kapacitivnost je
oko 500 pF/mm
3
.
Za razliku od keramikih kondenzatora tipa I, koji imaju definisan i stabilan temperaturni
koeficijent kapacitivnosti, keramiki kondenzatori tipa II imaju nestabilnu kapacitivnost, koja je
sloena funkcija temperature (sl. 4.23), uestanosti, prikljuenog napona i vremena rada konden-
zatora. Kod njih temperaturni koeficijent kapacitivnosti nije definisan, te se i ne normira.
Za keramike tipa II se koristi i naziv senjetokeramike. To su titanati i cirkonati barijuma
ili stroncijuma. Nju karakterie Kirijeva temperatura, tj. temperatura pri kojoj jedan tip kri-
stalne reetke prelazi u drugi tip. Tako, keramika na bazi titanata barijuma ima tetragonalnu kri-
stalnu strukturu na 25
o
C; poveanjem temperature do (120125)
o
C tetragonalna kristalna struk-
tura transformie u kubinu. Ovaj fenomen nije poeljan, s obzirom da poveava kapacitivnost, a
vraanje na prvobitnu kristalnu strukturu u toku vremena se odvija priblino po eksponenci-
janom zakonu. Proizvodnja keramike, njena metalizacija i zatopljavanje kondenzatora su iznad
Kirijeve temperature. Stoga se, tokom vremena, smanjuje kapacitivnost kondenzatora.


Sl. 4.23. Temperaturne promene kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa II.


Keramiki kondenzatori tipa III su veoma temperaturno nestabilni kondenzatori (sl.
4.24) sa izuzetno velikom vrednou dielektrine konstante (
r
= 50000100000), pogodni za
sprena kola, kola za blokiranje i slino, u kojima mali tangens ugla gubitaka, velika otpornost
izolacije i velika stabilnost kapacitivnosti nisu bitni. U poreenju sa keramikim kndenzatorima
tipa II, ovi kondenzatori imaju manju otpornost izolacije ili manji proizvod RC i vei tg (znai,
jo su loiji). Sa druge strane, usled vrlo velike vrednosti dielektrine konstante, ovi konden-
zatori imaju najveu zapreminsku kapacitivnost, iznad 1 nF/mm
3
.

75

Sl. 4.24. Temperaturna zavisnost kapacitivnosti keramikih kondenzatora tipa III.



4.2.6. Elektrolitski kondenzatori

Osnovna osobina elektrolitskih kondenzatora je velika zapreminska kapacitivnost, pose-
bno izraena pri malim radnim naponima. Velika kapacitivnost se postie upotrebom veoma tan-
kih oksidnih slojeva nekih metala (Al, Ta) kao dielektrika; naime, iz


d
S
C
r o
= , (4.18)

vidi se da e, pri istim vrednostima povrine S i relativne dielektrine konstante dielektrika
r
,
kapacitivnost utoliko biti vea ukoliko je debljina dielektrika d manja. Stoga, da bi se obezbedio
dobar (ravnomeran) elektrian kontakt izmeu povrine tako tankog dielektrika (tj. oksida meta-
la) i druge elektrode (jedna elektroda je metalna folija ili tapi na kojoj je oksid, a druga obino
neoksidisana metalna folija, sl. 4.24a) neophodno je da se upotrebi provodna tenost zato se
koristi tean elektrolit (kod kondenzatora sa tenim elektrolitom, sl. 4.24a), ili mangan dioksid
koji ima poluprovodnike osobine (kod kondenzatora sa vrstim elektrolitom, sl. 4.24b). Drugim
reima, elektrolit ima ulogu produetka druge elektrode.



Aluminijumski kondenzatori sa tenim elektrolitom

Aluminijumski kondenzatori sa tenim elektrolitom (sl. 4.25) dele se na polarizovane i
nepolarizovane (bipolarne).
U osnovi je svaki polarizovani aluminijumski elektrolitski kondenzator izraen kao i
svaki drugi kondenzator: izmeu provodnih elektroda je izolator (sl. 4.25a). Kao jedna elekroda
(anoda) koristi se aluminijumska folija, koja je posebnim tehnolokim postupkom oksidisana.
Taj oksidni sloj predstavlja dielektrik, a njegova debljina zavisi od nazivnog napona konden-
zatora. Druga elektroda (katoda) je izvedena preko provodnog elektrolita (npr. rastvora glikola,

76
borne kiseline i amonijaka), a za dovod elektrine struje i kontakt sa elektrolitom koristi se druga
aluminijumska folija. Izmeu oksidisane aluminijumske folije i folije za dovod struje (katode)
nalazi se u elektrolitu uvijen (slino kao kod papirnih kondenzatora) papir. Papir ima ulogu
razdvajaa izmeu pozitivne folije (anode) i negativne folije (katode).


Sl. 4.24. Principijelna predstava konstrukcije polarizovanog elektrolitskog kondenzatora
sa tenim (a) i vrstim (b) elektrolitom.



Sl. 4.25. Spoljanji izgled razliitih vrsta aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora.


Ono o emu mora da se vodi rauna jeste da pri inverznoj polarizaciji polarizovanog
elektrolitskog kondenzatora, ve pri naponu od 2V, nastaje proces oksidacije katodne alumini-
jumske folije, to se oituje poveanjem struje, a sve to dovodi do pogoravanja karakteristika
kondenzatora (pri veim inverznim naponima nastupa proboj uz jako ujan prasak). Zbog toga su
polarizovani alumijumski elektrolitski kondenzatori namenjeni za rad pri jednosmernoj polari-
zaciji, a kada se jednosmernoj polarizaciji superponira naizmenini napon, mora se voditi rauna
da pri negativnoj poluperiodi naizmeninog napona inverzni napon ne bude vei od 2V.
Kod nepolarizovanih (bipolarnih) elektrolitskih kondenzatora katodna neoksidisana fo-
lija je zamenjena oksidisanom folijom. Zbog toga ovi kondenzatori mogu raditi i pri jednosmer-
noj i pri naizmeninoj polarizaciji. Svaki od slojeva dielektrika moe se u takvom kondenzatoru

77
nalaziti pod punim radnim naponom. Meutim, s obzirom da se debljina dielektrika udvostruila,
pri istom nazivnom naponu kapacitivnost nepolarizovanih kondenzatora je dva puta manja u
odnosu na kapacitivnost polarizovanih kondenzatora.
Ve je ranije napomenuto (sl. 4.6a) da impedansa aluminijumsih elektrolitskih kondenza-
tora jako zavisi od uestanosti i temperature (u cilju kompletnosti, na sl. 4.26 ponovo su prika-
zane zavisnosti modula impedanse od uestanosti i temperature za dva razliita kondenzatora).
Naime, pri viim uestanostima ekvivalentna ema kondenzatora sa sl. 4.5, kada se zanemari
otpornost izolacije, koja je R
i
> 100 M, svodi se na ekvivalentnu emu kao na sl. 4.27.

Niskonaponski Visokonaponski
Sl. 4.26. Moduo impedanse aluminijumsih elektrolitskih kondenzatora u
funkciji uestanosti i temperature.

Sl. 4.27. Ekvivalentna ema aluminijumsih elektrolitskih kondenzatora.


U tom sluaju moduo impedanse kondenzatora iznosi:


2
2
1

+ =
c
L
C
r Z . (4.19)

U poslednjem izrazu r je, praktino, ekvivalentna redna ili serijska otpornost elektrolit-
skog kondenzatora, koja se esto obeleava sa ESR, i koja, za odreenu temperaturu, odgovara
minimalnoj vrednosti |Z| = f(f) sa sl. 4.26.
Pored modula impedanse, i tangens ugla gubitaka (sl. 4.28) jako zavisi od uestanosti i
temperature. Osim toga, vrednosti tg aluminijumskih elektrolitiskih kondenzatora nisu male.
Naprotiv. Upravo zbog tako velikih vrednosti tg, posebno na niskim temperaturama i relativno
niskim uestanostima (sl. 4.28), preporuljivo je ove kondenzatore koristiti samo pri jednosmer-
nim reimima, a ako je to neophodno, pri naizmeninim strujama vrlo niske uestanosti.


78

Sl. 4.28. Tangens ugla gubitaka aluminijumsih elektrolitskih kondenzatorau funkciji
uestanosti i temperature: a niskonaponski (100 F/63V); b visokonaponski (47 F/350V).


Kao to je u taki 4.1.4 napomenuto, kod elektrolitskih kondenzatora struja curenja nije ma-
la i ovde se ona ee zove struja gubitaka, a predstavlja struju koja pri prikljuenju jedno-
smernog napona protie kroz kondenzator. Struja gubitaka raste sa temperaturom (sl. 4.29a).
Kada je re o zavisnosti ove struje od vremena, treba rei da je odmah po ukljuenju napona ona
velika i zatim opada, tako da posle izvesnog vremena dostie konstantnu vrednost, sl. 4.29b.

Sl. 4.29. Zavisnost struje gubitaka od: a temperature, b vremena.


Ukoliko je aluminijumski elektrolitiski kondenzator due bio uskladiten, ili u samom
ureaju nije bio pod naponom, neophodno ga je ponovo formirati. Formiranje se vri pod na-
zivnim naponom i pri tome je dozvoljeno da struja gubitaka u prvom minutu bude vea i do 100
puta (sl. 4.29b) od dozvoljene; ukoliko taj uslov nije ispunjen (struja gubitaka u trenutku uklju-
enja je znatno vea od strostruke dozvoljene vrednosti), ili ne opadne posle (1020) min kao na
sl. 4.29b, takav kondenzator treba odbaciti.


79
Tantalni elektrolitski kondenzatori


Sa tenim elektrolitom

Sa vrstim elektrolitom

SMD (sa vrstim elektrolitom)
Sl. 4.30. Spoljanji izgled razliitih vrsta tantalnih elektrolitskih kondenzatora.


Princip rada tantalnih kondenzatora je slian radu aluminijumskih elektrolitskih konden-
zatora. Sami kondenzatori su manjih dimenzija, ali skuplji od aluminijumskih elektrolitskih kon-
denzatora. U poreenju sa aluminijumskim elektrolitskim kondenzatorima, pored vee zapremin-
ske kapacitivnosti, imaju i sledea preimustva: poveano vreme uskladitenja (od 5 do 10 godi-
na), s obzirom da je oksidni sloj na tantalu stabilniji nego na aluminijumu; manju struju gubita-
ka; manji tangens ugla gubitaka; due vreme ivota; mogunost rada pri znatno viim uestano-
stima (do 100 kHz). Dobra osobina tantala je i to to ne reaguje sa drugim materijalima sa ko-
jima je u dodiru, to doputa upotrebu elektrolita visoke provodnosti, ime se obezbeuje niska
redna otpornost.
Na osnovu vrste elektrolita, tantalni kondenzatori se dele na kondenzatore sa tenim i sa
vrstim elektrolitom (sl. 4.30). Kod kondenzatora sa tenim elektrolitom anode su obino u ob-
liku folija od tantala, koje se namotavaju slino kao kod aluminijumskih elektrolitiskih kon-
denzatorima.
Mnogo eu primenu imaju tantalni kondenzatori sa vrstim elektrolitom. Anoda moe
biti u vidu sinterovanog otpreska tantalnog praha, ili od ice tantala (za kondenzatore manje ka-
pacitivnosti), kao i u vidu tapia od tantala. Dielektrik sainjava tantal-oksidni sloj, a za elek-
trolit vrstih tantalnih elektrolitskih kondenzatora koristi se mangandioksid (MnO
2
, sl. 4.24b).
Provodnik za katodu je grafitna i srebrna prevlaka, koja se nanosi na sloj mangandioksida i na
nju lemi katodni izvod. S obzirom da MnO
2
ima poluprovodnike osobine, ovi kondenzatori se
zovu i oksidno-poluprovodniki tantalni kondenzatori. Nedostatak im je to se, u sluaju pro-
boja, ponaaju kao kratak spoj, a zamena pola dovodi do ekspolozije samoga kondenzatora.

80
Kao i kod aluminijumskih elektrolitskih kondenzatora, i kod tantalnih elektrolitskih kon-
denzatora impedansa jaki zavisi od uestanosti. Meutim, kao to se vidi sa sl. 4.31, tantalni kon-
denzatori zadravaju kapacitivne osobine do znatno viih uestanosti. anodu.

Sl. 4.31. Zavisnost impedanse tantalnih elektrolitskih kondenzatora od uestanosti i temperature za
kondenzatore: a sa vrstim elektrolitom (8,2 F/35 V); b sa tenim elektrolitom (20 F/60 V).



4.2.7. UltraCap kondenzatori


Sl. 4.32. Spoljanji izgled ultraCap kondenzatora.


UltraCap kondenzatori su komponente koje su namenjene za uvanje energije, s obzirom
da imaju izuzetno velike vrednosti kapacitivnosti, iznad farada: 5 F, 10 F, 110 F, ak do 5000 F.
Stoga se one i tretiraju kao komponente koje, u energetskom smislu, popunjuju jaz izmeu elek-
trolitskih kondenzatora i punjivih baterija. Meutim, radni naponi ultraCap kondenzatora su niski
(U
n
2,5 V), i njihov vek jako zavisi od temperature i vrednosti napona sa kojima su radili Za

81
postizanje veih vrednosti napona oformljuju se moduli sa vie redno i paralelno vezanih ultra-
Cap kondenzatora (sl. 4.33), ali se istovremno mora obezbediti hlaenje tih modula, da bi se
temperatura odravala to niom, jer se jedino u tom sluaju, moe garantovati njihov dug radni
vek.


Modul 300 F/14 V Modul 150 F/42 V
Sl. 4.33. Moduli od ultraCap kondenzatora.


U osnovi, ultraCap kondenzator je elektrohemijski dvoslojni kondenzator kojeg ine dve
elektrode uronjene u elektrolit. Ovi kondenzatori nemaju klasian dielektrik, ve je tu ulogu pre-
uzela elektrohemijski ostvarena (zato su to elektrohemijski kondenzatori) suprotstavljena ko-
liina naelektrisanja na oblogama od aktivnog ugljenika, sl. 4.34. Rastojanje izmeu pozitivnog i
negativnog naelektrisanja (kvazidielektrik) iznosi samo d = (25) nm, to uslovljava izuzetno ve-
like vrednosti kapacitivnosti (zbog C =
o

r
S/d).


Sl. 4.34. Konstrukcija ultraCap kondenzatora.


Treba naglasiti da su, zbog specifinosti izrade, kao i zbog toga to to nisu kondenzatori u
klasinom smislu rei (nemaju fiziki dielektrik), ultraCap kondenzatori poznati i pod drugim
imenima: elektrohemijski dvoslojni kondenzator, pseudokondenzator, superkondenzator, itd.

82
4.3. KONDENZATORI PROMENLJIVE KAPACITIVNOSTI

Kondenzatori promenljive kapacitivnosti, koji se obino koriste u oscilatorniim kolima za
promenu rezonantne uestanosti tih kola, dele se na obrtne kondenzatore (vazdune i sa vrstim
dielektrikom izmeu obloga), polupromenljive kondenzatore (trimere) i varikap diode. Na sl.
4.35 su prikazani simboli kojima se oznaavaju kondenzatori promenljive kapacitivnosti u
emama elektronskih kola.


Obrtni kondenzator Trimer kondenzator Varikap dioda
Sl. 4.35. Simboli kondenzatora promenljive kapacitivnosti u emama elektronskih kola.



4.3.1. Obrtni kondenzatori

Sl. 4.36. Izgled nekih kondenzatora promenljive kapacitivnosti.


Obrtni kondenzatori promenljive kapacitivnosti (sl. 4.36) se sastoje od grupe nepokretnih
paralelnih ploa statora i grupe pokretnih paralelnih ploa rotora. Rotorske ploe su tako
smetene da se izmeu svake dve statorske ploe nalazi po jedna rotorska ploa. Pri obrtanju
rotorskih ploa menja se aktivna povrina izmeu ploa, tj. menja se kapacitivnost kondenzatora.
Od oblika kondenzatorskih ploa jako zavisi promena kapacitivnosti u funkciji ugla obr-
tanja, odnosno, drugim reima, izborom oblika ploa kondenzatora moe se menjati uestanost
oscilatornog kola po eljenom zakonu pri obrtanju rotorskih ploa. Na primer, za kondenzatore
sa pravolinijiskom promenom uestanosti, koji se koriste u oscilatornim kolima u kojima se sa
obrtanjem rotorskih ploa uestanost menja linearno sa uglom obrtanja, rotorske ploe su srpa-
stog oblika, dok su za linearnu promenu talasne duine te ploe bubreastog oblika.



4.3.2. Polupromenljivi kondenzatori trimeri

Kod polupromenljivih kondenzatora (trimera), sl. 4.37, kapacitivnost se menja samo u
toku podeavanja elektronskih kola, a u toku eksploatacije ostaje stalna. Proizvode se vazduni
polupromenljivi kondenzatori i kondenzatori sa vrstim dielektrikom. Svi polupromenljivi kon-
denzatori imaju izolacionu podlogu (npr. keramiku) za koju se privruje stator, leite za ro-
torsku osovinu i izvode pomou kojih se kondenzator lemi za tampanu plou. Kapacitivnost je
odreena povrinom i debljinom rotora i dielektrinom konstantom materijala izmeu rotora.

83






Sl. 4.37. Vieslojni keramiki trimer kondenzatori.



4.3.3. Varikap diode


Sl. 4.38. Varikap diode u razliitim kuitima.


Varikap diode su poluprovodnike diode (o diodama i p-n spoju videti glavu 8) sa kon-
trolisanim kapacitivnim osobinama. Kod njih se koristi kapacitivnost inverzno polarisanog p-n
spoja, pri emu se promenom inverznog napona menja irina prelazne oblasti p-n spoja, a time i
kapacitivnost varikap diode. Zbog toga se varikap diode mogu koristiti umesto klasinih promen-
ljivih kondenzatora (npr. za podeavanje oscilatornih kola).
Prednosti varikap dioda u odnosu na vazdune promenljive kondenzatore su:
neuporedivo su manjih dimenzija i mogu da se oklope zajedno sa kalemom, ime se izbe-
gavaju parazitne sprege;
otpornije su na mehanika dejstva (udare, potrese, itd.) i atmosferski uticaj;
ne postoji osovina kao kod vazdunih promenljivih kondenzatora, ve se promena kapaci-
tivnosti vri promenom napona na diodi, to se moe ostvariti promenom otpornosti poten-
ciometra, koji moe biti daleko od same diode, sl. 4.39.


Sl. 4.39. Uz ilustraciju promene napona na varikap diodi.

84
Nedostaci varikap dioda kao kondenzatora su:
gubici su vei nego kod vazdunih promenljivih kondenzatora;
kapacitivnost je nelinarna funkcija napona, usled ega nastaju izoblienja, to dovodi do
pojave viih harmonika.
Od posebnog znaaja su varikap diode sa superstrmim p-n spojem kod kojih je promena
kapacitivnosti sa inverznim naponom V
inv
data izrazom:


2
1

+
=
k
inv
o
V
V
C
C , (4.20)

gde je V
k
tkzv. kontaktna razlika potencijala koja za silicijumske diode iznosi oko 0,9 V (videti
glavu 8), a C
0
je kapacitivnost nepolarisane varikap diode.
Kada se varikap dioda sa promenom kapacitivnosti po (4.20) iskoristi za oscilatorno LC
kolo, onda je rezonantna uestanost


LC
f
r

=
2
1

2 / 1
C ( )
2 / 1
2
) (

+
inv k
V V ( )
inv k
V V + ,

tj. uestanost oscilatornog kola se linearno menja sa naponom.






























85




5. KALEMOVI

Kalem (sl. 5.1) je elektronska komponenta koja poseduje reaktivnu otpornost direktno
proporcionalnu uestanosti dovedenog signala na tu komponentu; koeficiejent proporcionalnosti
izmeu otpornosti i uestanosti predstavlja induktivnost tog kalema. Na sl. 5.2 su prikazani sim-
boli kojima se oznaavaju kalemovi u emama elektronskih kola.





Sl. 5.1. Razliite vrste kalemova.



Kalem se jezgrom Kalem sa jezgrom Kalem bez jezgra
induktivnosti L induktivnosti L
Sl. 5.2. Simboli kojima se oznaavaju kalemovi u emama elektronskih kola.



5.1. OPTE O KALEMOVIMA

5.1.1. Induktivnost kalemova

Pri promeni magnetne indukcije B u toku kratkog vremenskog intervala (dt), u provodniku
se indukuje elektromotorna sila e:


dt
dB
S e = , (5.1)

gde je S povrina dejstva magnetne indukcije.

86
Dakle, ako se na provodnik prikljui jednosmerni napon, to se jednosmerna struja u nje-
mu odmah ne uspostavlja, s obzirom da se neposredno nakon prikljuenja napona stvara mag-
netno polje (sl. 5.3) koje ne dozvoljava trenutno uspostavljanje struje (zbog nastanka elektromo-
torne sile suprotnog znaka). Kada se magnento polje ustali (postane konstantno), to ono prestaje
da utie na proticanje jednosmerne struje.

Sl. 5.3. Nastanak magnetnog polja pri proticanju struje kroz provodnik.


U sluaju da se na provodnik prikljui naizmenini napon, to se struja i uspostavljeno
magnetno polje naizmenino menjaju. Pri tom, indukovana elektromotorna sila dovodi do pojave
otpornosti proticanju struje. Ova otpornost nije povezana sa gubicima energije, tj. to je reaktivna
otpornost i proporcionalna je uestanosti primenjenog naizmeninog napona, a koeficijent pro-
porcionalnosti L nazvan je induktivnou i izraava se u henrijima (H). Drugim reima, ako je X
L

reaktivna otpornost, a kruna uestanost, to je:

L X
L
= . (5.2)

Za poveanje induktivnosti provodnik se mota spiralno (sl. 5.3), tako da se svaki zavojak
ne nalazi samo u svom magnetnom polju, ve i u magnetnom polju susednog zavojka. Induk-
tivnost takvog namotanog provodnika je mnogo vea od induktivnosti nenamotanog provodnika
iste duine.



5.1.2. Kalemska tela i vrste namotaja

Od kalemskog tela unekoliko zavise i karakteristike kalema. Kalemska tela su obino
cilindrinog oblika sa glatkom ili rebrastom povrinom od lakoobradivih materijala (sl 5.4), ali
mogu biti i u obliku prizme, posebno za kalemove za povrinsko montiranje (SMD).
Namotaji mogu biti jednoslojni i vieslojni. Kod jednoslojnih kalemova zavojci su jedan
do drugoga bez koraka (sl. 5.5) ili su razmaknuti sa korakom (sl. 5.6). Korak zavojaka (p
na sl. 5.6) bira se na osnovu razliitih konstruktivnih zahteva; sa jedne strane, pri poveanju
koraka smanjuje se magnetna veza izmeu zavojaka, usled ega se smanjuje induktivnost, a sa
druge strane to smanjuje sopstvenu (parazitnu) kapacitivnost kalema. U jednoslojne kalemove
spadaju i tampani kalemovi (sl. 5.7), koji mogu biti krunog, pravougaonog, estouagaonog ili
kvadratnog oblika u vidu rama.
Za dobijanje veih vrednosti induktivnosti proizvode se vieslojni kalemovi (sl. 5.8).
Meutim, vieslojni kalemovi sa zavojcima motanim po pravilnom redu (sl. 5.9) imaju mali Q-
faktor, malu stabilnost i veliku sopstvenu kapacitivnost, tako da su primenljivi samo kao prigu-
nice i u opsegu dugih talasa u radiodifuziji. Zbog toga se za motanje vieslojnih kalemova kori-

87
sti unakrsno (sl. 5.9) i nasumino motanje (sl. 5.10), ime se postie da takvi kalemovi imaju
relativno veliki Q-faktor (Q = 80100) i neznatnu sopstvenu kapacitivnost. Pored toga, ovakav
nain motanja obezbeuje veliku mehaniku vrstou ak i bez kalemskog tela.









SMD
Sl. 5.4. Kalemska tela i presek jednog kalema za povrinsko montiranje (SMD).




Sl. 5.5. Jednoslojni kalemovi bez koraka.



Sl. 5.6. Jednoslojni kalem sa korakom.

88

Sl. 5.7. Neki od tampanih kalemova.



Sl. 5.8. Vieslojni kalem sa osnovnim veliinama koje
su neophodne za njihov proraun.


Jedan od naina da se obrazuju zavojci jeste motanjem ice. Mogu se ostvariti motanjem
hladne zategnute ice (kalemovi sa stegnutim zavojcima) ili sa neznatno zategnutom icom koja
je zagrejana do (80120)
o
C i koja nakon hlaenja vrsto prijanja za kalemsko telo (kalemovi sa
vruim zavojcima). Drigi nain je taloenjem sloja metala na neko izolatorsko kalemsko telo.
Ovakvi kalemovi imaju neto nii Q-faktor od odgovarajuih kalemova dobijenih namotavanjem
ice, ali su zato znatno stabilniji.


Sl. 5.9. Dvoslojni (vieslojni) kalem sa unakrsnim motanjem.

89

Sl. 5.10. Dvoslojni (vieslojni) kalem sa nasuminim motanjem.


Za namotaje se najee koriste lakom izolovane bakarne ice. Pored masivne ice,
koriste se i visokofrekventni (VF) gajtani. VF gajtan se sastoji od upredenih tankih, lakom izo-
lovanih bakarnih ilica, debljine (0,05 0,1) mm. Upredanjem ilica se znatno smanjuje uticaj
skin efekta, s obzirom da je svaka ilica aktivna pri provoenju struje. Zbog toga je Q-faktor
kalema sa VF gajtanom pri visokim uestanostima vei nekoliko puta od Q-faktora odgovaraju-
eg kalema motanog masivnom icom.



5.1.3. Frekventna svojstva kalemova

Ekvivalentna ema kalema izgleda kao na sl. 5.11a, na kojoj je L induktivnost kalema, C
0

parazitna (sopstvena) kapacitivnost, a R = R
0
+ R
f
je otpornost gubitaka, koja, pored omske ot-
pornosti R
0
, sadri i frekventno zavisne otpornosti usled skin efekta i efekta blizine R
f
. Kod kale-
mova se jezgrom otpornost R sadri i gubitke u jezgru R
j
; dakle, R = R
0
+ R
f
+ R
j
.


Sl. 5.11. Ekvivalentna ema kalema (a), redna ekvivalentna ema (b)
i odgovarajui fazorski dijagram (c).


Iz ekvivalentnosti ema sa sl. 5.11a i sl. 5.11b dobijaju se sledei izrazi za ekvivalentnu
otpornost R
e
i ekvivalentnu induktivnost L
e
:


( ) ( )
2
2
2
1
1
R C LC
R R
o o
e
+
= (5.3)


( ) ( )
2
2
2
2
2
1
1
R C LC
L
R C
LC
L L
o o
o
o
e
+

= . (5.4)

90
Iz (5.4) je evidentno da se induktivnost smanjuje sa poveanjem uestanosti i da je L
e

uvek manje od L. Moduo impedanse kalema, na osnovu sl. 5.11a, iznosi:


( )
( ) ( )
2
2
2
2 2
1 R C LC
L R
Z
o o
+
+
= . (5.5)

a. b.
Sl. 5.12 Frekventna zavisnost modula impedanse kalemova razliitih induktivnosti.


Dakle, ako su gubici relativno mali, moduo umpedanse e se sa uestanou linearno po-
veavati samo do neke uestanosti, a zatim, kada se uticaj parazitne kapacitivnosti C
o
vie ne
moe da zanemari, poveanje modula impendanse je sa znatno veim nagibom (sl. 5.12). Para-
zitna kapacitivnost uslovljava nastanak rezonanse na nekoj uestanosti, i tada moduo impedanse
dobija maksimalnu vrednost (sl. 5.12); iznad te uestanosti kalem gubi induktivne osobine, odno-
sno tada dominantnu ulogu preuzima parazitna kapacitivnost, i kalem se ponaa kao konden-
zator. Ve je napomenuto da parazitna kapacitivnost zavisi od naina motanja kalema, to ima
posledice na vrednost modula impedanse, a to se najbolje vidi na sl. 5.12b.



5.1.4. Faktor dobrote kalemova

Faktor dobrote kalemova (Q-faktor) definisan je izrazom:

=
tg R
L
Q
e
e
1
, (5.6)

gde je ugao gubitaka izmeu pada napona na induktivnoj otpornosti V
Le
= L
e
I i napona na
kalemu, sl. 5.11c.
Kako i ekvivalentna otpornost kalema R
e
i ekvivalentna induktivnost L
e
zavise od ue-
stanosti, to se Q-faktor nee u celom frekventnom opsegu linearno poveavati sa uestanou,
to na prvi pogled proizilazi iz jedn. (5.6), ve e, naprotiv, pri visokim uestanostima opadati sa
poveanjem frekvencije. Naime, pri viim uestanostima ekvivalentna otpornost R
e
, jedn. (5.3),

91
bre raste sa uestanou od induktivne otpornosti L
e
(L
e
po (5.4)), te Q-faktor dostie mak-
simum i sa daljim poveanjem frekvencije isti opada, sl. 5.13. Radni frekventni opseg kalema se
bira tako da Q-faktor ima maksimalnu vrednost u sredini tog opsega.


Sl. 5.13. Merene vrednosti Q-faktora kalemova razliitih induktivnosti.


Treba napomenuti da kod kalemova se jezgrom otpornost R
e
sadri i gubitke u jezgru R
j

(usled histerezisnih, remanentnih i gubitaka usled vihornih struja u magnentom materijalu). Sto-
ga kod kalemova sa jezgrom nije Q
j
=
r
Q
0
(Q
o
faktor dobrote kalema bez jezgra); na primer,
usled gubitaka, kod kalemova sa otvorenim jezgrom je


i o
Q Q , (5.7)

gde je
i
poetna relativna magnetna permeabilnost na krivoj magneenja (u taki P
1
na sl. 5.14):


H
B
H
o
i

=
0
lim
1
. (5.8)


Sl. 5.14. Kriva magneenja magnetnih materijala za jezgra kalemova.

92
Kod kalema sa jezgrom zatvorenog tipa, Q-faktor se moe poveati 23 puta ubaciva-
njem nemagnetnog procepa meugvoa. To je zbog toga to se uvoenjem meugvoa
smanjuje magnetna permeabilnost, a to znai da su i manji gubici. Naime, ako su
e
i tg
e

magnetna permeabilnost jezgra sa meugvoem i tangens ugla gubitaka kalema sa tim jezgrom,
a tg tangens ugla gubitaka kalema sa jezgrom bez procepa, vai:


i e
e
tg tg

, (5.9)

tako da je Q-faktor kalema sa jezgrom i meugvoem (Q
e
):


e
i
e
i
e
e
Q
tg tg
Q

=
1 1
. (5.10)

S obzirom da je
e
<
i
, iz (5.10) se vidi da se Q-faktor poveava uvoenjem meu-
gvoa.



5.2. KALEMOVI BEZ JEZGRA

U ovom delu bie dati izrazi kojima se mogu izraunati induktivnosti pojedinih kalemova
bez jezgra i bez koraka, u zavisnosti od njihove veliine i oblika.

Induktivnost dugakih jednoslojnih cilindrinih kalemova. Pod dugakim kalemom
podrazumeva se kalem kod kojeg je duina l najmanje 10 puta vea od njegovog prenika d
o
(l i
d
o
prema sl. 5.6). Induktivnost takvog kalema (l 10 d
o
) sa dosta dobrom tanou moe se
izraunati prema obrascu:


3
2 2
2
10

=
l
N d
L
o
(H), (5.11)

u kojem su d
o
i l u cm, a N je broj zavojaka.

Induktivnost kratkih jednoslojnih cilindrinih kalemova. Ova induktivnost se sa do-
sta dobrom tanou moe aproksimirati izrazom, u kojem su d
o
i l u cm:


o
o
d
l
N d
L
25 , 2 1
10 26 , 2
2
2
+
=

(H). (5.12)

Induktivnost kratkih vieslojnih cilindrinih kalemova. Za izraunavanje induktivno-
sti kratkih vieslojnih cilindrinih kalemova, koji se najee motaju unakrsno ili nasumino,
koristi se Vilerov (Wheeler) obrazac (sve dimenzije su, prema sl. 5.8, ucm):


3
2 2
10
10 9 3
7 , 78

+ +
=
h l d
N d
L
o
o
(H). (5.13)

93
Induktivnost ploastih kalemova. Ploasti kalem je onaj kod kojeg je duina kalema l
veoma mala i manja od visine namotaja h i srednjeg prenika d
o
; kod njih se, sa dimenzijama u
cm, induktivnost rauna po:


3
2 2
2
10

=
h
N d
L
o
(H). (5.14)



5.3. KALEMOVI SA JEZGROM


Sl. 5.15. Razliite vrste kalemova sa jezgrom.








Sl. 5.16. Razliite vrste feritnih jezgara za kalemove.

94
Za poveanje induktivnosti kalemova koriste se magnetna jezgra. Iako jezgra za kalemo-
ve mogu biti i od magnetodielektrika (metalnog magnetnog praha), znatno ee se prave od fe-
rita, sl. 5.16. To je stoga to pri vrlo visokim uestanostima jezgra od magnetodielektrika imaju
prevelike gubitke usled vihornih struja, te je u tom sluaju neophodno koristiti feritna jezgra, kod
kojih su ti gubici znatno manji.
Feriti su jedinjenja oksida gvoa (Fe
2
O
3
) i dvovalentnih oksida metala (ZnO, MnO,
NiO, BaO, CuO i dr.) koji poseduju ferimagnetne osobine; to su tkzv. meki feriti. Dobijaju se
sinterovanjem u inertnoj atmosferi i strogo kontrolisanim temperaturnim ciklusima, a dobijena
jezgra su vrlo tvrda i otporna na vodu, slino kao keramike sinterovane mase.
S obzirom da se jezgra razlikuju po konstrukciji, to se ona mogu podeliti na otvorena,
poluzatvorena i zatvorena. Najmanje iskorienje magnetnih osobina je kod jezgara otvorenog
tipa u obliku tapia ili cevica (sl. 5.17), s obzirom da kod njih magnetni fluks dobrim delom
protie kroz vazduh.



Sl. 5.17. Jezgra otvorenog tipa i kalemovi sa takvim jezgrima.


Sl. 5.18. Prividna permeabilnost
app
u funkciji odnosa duine l i prenika d
feritnih tapia za razliite vrednosti poetne permeabilnosti
i


Induktivnost kalemova sa otvorenim jezgrom se izraunava na osnovu:


o app
L L = , (5.15)

95
pri emu je L
o
induktivnost kalema bez jezgra, a
app
prividna permeabilnost. Prividna permea-
bilnost zavisi od oblika jezgra i kalema, poloaja kalema na jezgru, itd. Na sl. 5.18 je prikazana
zavisnost prividne permeabilnosti od odnosa duine l i prenika d feritnih tapia za razliite
vrednosti poetne permeabilnosti
i
(definicija poetne permeabilnosti je data sa (5.8)).
Najbolje iskorienje magnetnih osobina pruaju torusna jezgra, sl. 5.19. Kalemovi sa
torusnim jezgrima praktino nemaju rasipanje magnetnog fluksa i imaju relativno velike vred-
nosti Q-faktora i magnetne permeabilnosti koja se obeleava sa
tor
(
tor
je torusna permeabilnost
snima se na torusnom jezgru na poetku krive magneenja). Ovi kalemovi se ne moraju da
oklopljavaju. Jezgra su kompaktna, tako da se induktivnost kalemova sa torusnim jezgrima ne
moe da menja.



Sl. 5.19. Torusno jezgro i torusni kalemovi.

Ako su L
0
, Q
0
i R
0
induktivnost, Q-faktor i gubici torusnog kalema bez jezgra, a R
j
gubici
u jezgru, onda je induktivnost i Q-faktor torusnog kalema sa jezgrom, respektivno:


0 ) (
L L
tor tor j
= (5.16)
i

0
0
) (
1
R
R
Q
Q
j
tor
tor j
+

= . (5.17)

I kod kalermova sa jezgrima zatvorenog tipa (sl. 5.20) se osigurava veoma dobro is-
korienje magnetnih osobina materijala. To su tzv. lonasta jezgra, RM i PM jezgra (sl. 5.21).
Kod njih je magnetno kolo zatvoreno, usled ega kalemovi imaju vei Q-faktor, manju zavisnost
parametara od uestanosti i spoljanjeg magnetnog polja, te mogu raditi na viim uestanostima.
Induktivnost kalema sa jezgrom zatvorenog tipa moe da se izrauna na osnovu sledeeg
izraza:


2
N
l
S
L
e
e
e o
=
, (5.18)

u kojem su
e
, l
e
i S
e
efektivna magnetna permeabilnost, efektivna duina magnetnih linija sila i
efektivna povrina magnetnog jezgra, respektivno, a N broj zavojaka.

96


Sl. 5.20. Kalemovi sa zatvorenim feritnim jezgrima za povrinsku montau (SMD).




Kalem sa lonastim jezgrom i njegovi sastavni delovi


Kalem sa RM jezgrom i njegovi sastavni delovi


Kalem sa PM jezgrom i njegovi sastavni delovi


Sastavni delovi dva razliita kalema sa E jezgrima
Sl. 5.21. Zatvorena feritna jezgra i odgovarajui kalemovi sa njima.


97
Kao to se iz (5.18) vidi, induktivnost kalemova sa jezgrom direktno zavisi od vrednosti
efektivne magnetne permeabilnosti
e
, koja umnogome zavisi od oblika i dimenzija jezgra, vrste
materijala, a pogotovo od vrednosti vazdunog procepa u magnetnom materijalu. Analitiko
odreivanje vrednosti efektivne permeabilnosti i induktivnosti kalema sa vazdunim procepom
ponekad je veoma zametno. Stoga se definie faktor induktivnosti A
L
, koji se eksperimentalno
odreuje. Naime, faktor induktivnosti A
L
praktino predstavlja induktivnost kalema sa jezgrom
koji ima samo jedan zavojak. Induktivnost kalema sa N zavojaka je onda:


2
N A L
L
= . (5.19)

Faktor induktivnosti (ili, prosto, A
L
vrednost) predstavlja konstantu jezgra koju daje
proizvoa za svaki tip jezgra i za odgovarajui materijal i izraava se u nH. Iako je A
L
u nH,
uobiajeno je da se ta vrednost daje samo brojano, npr. A
L
= 1340 (to znai da A
L
= 1340 nH).
Uporeujui (5.18) i (5.19), sledi da je efektivna magnetna permeabilnost:


e o
e
L e
S
l
A

= . (5.20)

Iz (5.20) je evidentno da kako A
L
vrednost zavisi od vazdunog procepa, tako e zavisiti i
efektivna magnetna permeabilnost
e
, te i induktivnost kalema. Veza izmeu efektivne magnetne
permeabilnosti
e
, poetne permeabilnosti
i
(definisane sa (5.8)), efektivne duine magnetnih
linija l
e
i debljine vazdunog procepa dobija se primenom zakona o cirkulaciji magnetnog
polja, odakle, ali samo za male vrednosti , sledi:


e i e
l

1 1
. (5.21)

Smenjujui (5.21) u (5.18) dobija se za induktivnost kalema sa vazdunim procepom
(meugvoem):


+
=
i e
e
i o
l
S
N L
2
. (5.22)


















98



6. TRANSFORMATORI I PRIGUNICE

Transformatori se sastoje od najmanje dva induktivno spregnuta kalema, primara i se-
kundara. U sekundaru se indukuje napon koji moe biti jednak, manji ili vei od napona dove-
denog na primarni namotaj. Za bolji prenos snage, sa to manjim gubicima, potrebno je da je
induktivna sprega izmeu namotaja to jaa; zbog toga se kod transformatora koriste magnetna
jezgra.
Na sl. 6.1 su prikazani simboli kojima se oznaavaju transformatori u emama elektron-
skih kola, a na sl. 6.2 spoljanji izgled nekih transformatora.


Sl. 6.1. Simboli kojima se oznaavaju transformatori u emama elektronskih kola.


Sl. 6.2. Spoljanji izgled nekih transformatora.



6.1. KONSTRUKCIJA I PRORAUN

6.1.1. Materijali za magnetna jezgra

Kada se jezgro od magnetnog materijala nalazi u naizmeninom magnetnom polju, to se
deo energije tog polja izgubi. Ti gubici se pri veim magnetnim indukcijama B sastoje od gubi-
taka usled vihornih struja i gubitaka usled histerezisa. Histerezisni gubici su srazmerni povrini
histerezisnog ciklusa i zbog toga su oni, kao i zagrevanje jezgra, utoliko vei ukoliko je vea
povrina histerezisne petlje. Zbog toga se nastoji da materijali koji se upotrebljavaju za magnetna
jezgra transformatora (i prigunica) imaju to je mogue uu histerezisnu petlju. Ova petlja je
najvea kada se materijal magnetie do zasienja; ako se, pak, sa magneenjem prestane kod
manjih indukcija, dobija se sve manja i ua petlja, te i manji gubici.

99
Gubici usled vihornih struja zavise od specifine otpornosti materijala jezgra i od uesta-
nosti magnetnog polja. Zato se, za smanjenje ovih gubitaka, za jezgra klasinih transformatora
koriste limovi (ili trake) koji moraju biti meusobno izolovani, a s obzirom da se sa kvadratom
uestanosti poveavaju gubici usled vihornih struja, to se za jezgra transformatora koji rade na
viim uestanostima koriste tanji limovi. Upravo iz tog razloga se, na visokim uestanostima, a
posebno pri visokofrekventnim impulsnim signalima, umesto limova za transformatore koriste
feritna jezgra.
Od limova se koriste silicijumom legirani gvozdeni lim (Fe-Si) i niklom legirani gvoz-
deni lim (Fe-Ni). Silicijumom legirani gvozdeni lim iskljuivo se koristi pri mrenoj uestanosti
(50Hz ili 60Hz), a ponekad i za transformatore za 400Hz; niklom legirani gvozdeni lim je naao
primenu u podruju audio frekvencija.
1. Vrue valjani silicijumom legirani gvozdeni lim. Silicijum se dodaje gvou da bi se
poveala njegova omska otpornost, odnosno da bi se smanjili gubici, s obzirom da se oni sma-
njuju sa poveavanjem procenta silicijuma; meutim, istovremeno se smanjuje vrednost mag-
netne indukcije u zasienju i poveava krtost materijala. Kako je, s druge strane, magnetna in-
dukcija merilo za optereenost namotaja i jainu struje u praznom hodu transformatora (vee
vrednosti indukcije omoguavaju manji broj zavojaka i vee optereenje transformatora i pri-
gunica), to se silicijum ne moe dodavati u veim koliinama (najvie do 4%), tako da se dobiju
indukcije u zasienju B
m
izmeu 1 T i 1,2 T. Pri proraunu transformatora i prigunica sa vrue
valjanim silicijumom legiranim gvozdenim limovima uzima se B
m
= 1,2 T.
2. Hladno valjani silicijumom legirani gvozdeni lim. Ovi limovi, u poreenju sa vrue
valjanim Fe-Si limovima, ali samo ako je smer indukcije u isrom smeru sa smerom valjanja lima,
maju sledee osnovne prednosti: manje gubitke, veu vrednost magnetne indukcije i veu mag-
netnu propustljivost; meutim, ako je indukcija sa smerom normalnim na smer valjanja, gubici
mogu biti i do tri puta vei. Stoga se prednosti orijentisanog lima mogu iskoristiti jedino kod
transformatora kod kojih je indukcija u magnetnom jezgru uvek u smeru valjanja lima (trake).
Taj neophodan uslov se obezbeuje kada se od traka oforme torusna i prereza C-jezgra. Zbog
toga transformatori sa ovakvim jezgrima imaju znatno manje gubitke i veu vrednost magnetne
indukcije (do B
m
= 1,85 T), a samim tim i manje dimenzije i manju teinu od odgovarajuih
transformatora od vrue valjanih limova.
3. Niklom legirani gvozdeni lim. Iako se kod silicijumom legiranih gvozdenih limova
gubici pri uestanostima viim od 50 Hz donekle mogu smanjiti izborom tankih limova, ipak su
ti gubici nedopustivo veliki, tako da su takvi limovi praktino neupotrebljivi u oblasti viih ue-
stanosti. Pored toga, pomenuti limovi imaju relativno male vrednosti i poetne i maksimalne
magnetne permeabilnosti, koje su nedovoljne za precizne merne transformatore ili transforma-
tore koji e raditi u podruju audio uestanosti (20Hz 20kHz). Zbog toga se, u sluajevima
kada su dozvoljeni samo mali gubici i kada se trai velika relativna magnetna propustljivost,
upotrebljavaju niklom legirani gvozdeni limovi.
4. Feritna jezgra. Pored namene za transformisanje visokofrekventnih sinusoidalnih signa-
la, feritna jezgra se najvie koriste za transformatore u visokofrekventnim prekidakim izvorima
napajanja (SMPS Switched-Mode Power Supply), koji rade na uestanostima viim od 15 kHz,
a ponekad i iznad 100 kHz. Naime, za napajanje elektronskih ureaja, kao to su TV prijemnici,
raunari, avionski ureaji, itd., gde svaki milivat utede znai mnogo u ukupnom energetskom
bilansu, i svuda tamo gde se tolerie malo vei napon brujanja (oko 1% od ulaznog napona),
SMPS sa transformatorima sa feritnim jezgrima imaju nekoliko prednosti u odnosu na klasine
izvore napajanja, a to su prvenstveno vrlo visok stepen iskorienja i to nisu vie potrebni
klasini mreni transformatori, tako da se postie uteda u teini i zapremini ureaja. Obino se
pri proraunu za magnentnu indukciju u zasienju uzima B
m
= (0,2 0,3) T.



100
6.1.2. Oblici magnetnih jezgara


Sl. 6.3. Transformatori sa razliitim oblicima jezgara.


Jezgra od Fe-Si i Fe-Ni se mogu dobiti od profilisanih odvojenih (izolovanih) ploica
standardizovanih oblika i dimenzija (npr. EI i UI profila), koje se slau jedna na drugu, ili od
traka, koje se koncentrino motaju i zatim seku (trakasta i prerezana trakasta jezgra npr. C-
jezgra).

1. Jezgra od limova EI profila. Kod ovih jezgara (sl. 6.4 i sl. 6.5) namotani kalem, sa
kalemskim telima kao na sl. 6.4, postavlja se na srednji stub jezgra. Primena jednog kalema
pojednostavljuje konstrukciju i omoguuje maksimalnu ispunu bakrom raspoloivog prostora
(prozora).


Sl. 6.4. Kalemska tela i odgovarajui transformatori sa jezgrima EI profila.


2. Jezgra od limova UI profila. Kao i kod jezgara od limova EI profila, i kod jezgara UI
profila se u ve namotane kalemove umeu listovi magnetnih jezgara, sl. 6.6. Meutim, u ovom
sluaju se koriste (najee) dva odvojena kalema, ime se poveava povrina preko koje se zrai
toplota i poboljava toplotni reim namotaja, te se transformatori sa jezgrima od limova UI
profila obino koriste za vee snage.

101

Sl. 6.5. Limovi EI profila (sa oznakama koje se koriste pri
proraunu transformatora) i izgled transformatora.





Sl. 6.6. Limovi UI profila (sa oznakama koje se koriste pri
proraunu transformatora) i izgled transformatora.


3. Trakasta torusna jezgra. Da bi se iskoristile dobre osobine hladno valjanog silici-
jumom legiranog lima, od traka tog lima se namotavaju torusna, kompaktna, jezgra. Najvie se
koriste za mrene transformatore (sl. 6.7) sa i bez kalemskog tela, a u poreenju sa odgovara-
juim transformatorima sa jezgrima EI profila (za istu snagu) su oko 50% manje mase.


Sl. 6.7. Torusni mreni transformatori.

4. Prerezana trakasta jezgra (C-jezgra). Od traka orijentisanog lima izrauju se goto-
va, kompaktna jezgra, sl. 6.8, tako da pri gradnji transformatora nema dugotrajnog slaganja
limova jezgra. Naime, montaa takvih jezgara je vrlo jednostavna: dve polovine jezgra umetnu
se sa jedne i druge strane u kalemsko telo, a onda se stisnu (stegnu) trakom, sl. 6.9.

102

Sl. 6.8. Prerezana trakasta C-jezgra (sa oznakama koje se koriste pri
proraunu transformatora) i izgled transformatora.


Sl. 6.9. Mreni transformatori sa C-jezgrima.


5. Feritna jezgra. Od feritnih jezgara za transformatore u visokofrekventnim prekida-
kim izvorima napajanja koriste se jezgra prikazana na sl. 5.21 (lonasta, PM, RM) i na sl. 5.19
(torusna jezgra).



6.1.3. Osnovne relacije kod transformatora

1. Odnos transformacije n. Pod uticajem magnetnog fluksa, prouzrokovanog naponom
U
1
V
1
, u primarnom i sekundarnom namotaju se, respektivno, indukuju elektromotorne sile e
1
i
e
2
(sl. 6.10):


e m
S B fN e
1
4
1
10 44 , 4

= (6.1)


e m
S B fN e
2
4
2
10 44 , 4

= , (6.2)

pri emu su: f uestanost primarnog napona u Hz; N
1
i N
2
broj zavojaka primarnog i sekun-
darnog sekundarnog namotaja, respektivno; magnetna indukcija u zasienju u T; S
e
efektivni
presek jezgra (sl. 6.11) u cm
2
.
Naponi na krajevima transformatora se razlikuju od indukovanih elektromotornih sila
zbog pada napona na namotajima (U
1
> e
1
i U
2
< e
2
). Ako se, u prvoj aproksimaciji, ovi padovi
napona zanemare, moe se smatrati da je e
1
U
1
i e
2
U
2
, tako da iz (4.1) i (4.2) sledi odnos
transformacije napona n:

103
a.

b.
Sl. 6.10. Uz indukovanje elektromotornih sila u transformatoru:
a sekundar otvoren (u praznom hodu); b sekudar opereen impedansom Z.


Sl. 6.11. Uz definiciju efektivne povrine magnetnog jezgra.



1
2
1
2
N
N
U
U
n = . (6.3)

Kada se na sekundarni namotaj prikljui potroa (sl. 6.11b), to e kroz njega proticati
struja I
2
, koja ima tendenciju da promeni prvobitni magnetni fluks. Na taj nain bi se poremetila
naponska ravnotea u primarnom namotaju; meutim, to nije sluaj, s obzirom da primarni na-
motaj povue dodatnu struju iz izvora pobude, koja u svakom trenutku dri magnetnu ravno-
teu struji u sekundaru, tako da prvobitni magnetni fluks ostaje nepromenjen. Ovo je ispunjeno
samo kada je I
1
N
1
= I
2
N
2
, odakle sledi:


n N
N
I
I 1
2
1
1
2
= = . (6.4)

Da li e naponi na primarnom i sekundarnom namotaju biti u fazi ili protivfazi zavisi od
toga kako su primar i sekundar motani. Naime, kada su i primarni i sekundarni namotaj motani u
istom smeru, naponi U
1
i U
2
e biti u fazi i, ako se to eli posebno da naglasi, na oznaci za

104
transformator, pored oznaka za primar i sekundar, stavljaju se dve take sa iste strane (sl. 6.12a);
meutim, kada je sekundarni namotaj motan suprotno od primarnog, naponi U
1
i U
2
e biti u
protivfazi i to se naznaava takama sa razliitih strana primara i sekundara, sl. 6.11b.

a. b.
Sl. 6.12. Naponi U
1
i U
2
u fazi (a) i protivfazi (b).


2. Gubici u transformatoru. U transformatorima gubici nastaju u namotajima (gubici u
bakru) i u magnetnom jezgru (gubici u gvou usled vihornih struja i histerezisa).
Gubici u bakru P
Cu
su posledica omske otpornosti namotaja primara R
1
i sekundara R
2
,
tako da je (za transformator koji ima n sekundarnih namotaja):

=
+ =
n
i
i i Cu
I R I R P
1
2
2 2
2
1 1
, (6.5)

pri emu su I
1
i I
i2
struje primarnog i i-tog sekundarnog namotaja.
Kada je re o gvozdenim jezgrima, ukupni gubici u jezgru P
Fe
(gubici u gvou) za
indukcije B
m
> 0,7 T mogu se predstaviti izrazom:


Fe m Fe
m AB P
2
= , (6.6)

u kojem su A konstanta koja zavisi od vrste i debljine lima, a m
Fe
masa magnetnog jezgra.

3. Koeficijent korisnog dejstva. Koeficijent korisnog dejstva transformatora je definisan
odnosom izlazne P
i
(=P
2
) i ulazne P
u
snage:


Cu Fe u
i
P P P
P
P
P
+ +
= =
2
2
100 (%). (6.7)

Vrednost koeficijenta korisnog dejstva kod transformatora koji se koriste u elektronici je
relativno velik, i iznosi od = 85% do = 95%.



6.2. MRENI TRANSFORMATORI

Mreni transformatori se u najveem broju sluajeva koriste za obezbeenje potrebnih
napona u ispravljakim stepenima elektronskih ureaja. Za njihov proraun potrebni su sledei
podaci: vrednost ulaznog napona U
1
, uestanost mrenog napona f i vrednosti napona i struja
sekundarnih namotaja U
2
i I
2
(odnosno izlazna snaga transformatora P
2
). Odmah treba naglasiti
da su jezgra mrenih transformatora bez vazdunog procepa.
Za mrene transformatore primenljive u elektronici skoro iskljuivo se koriste standardizo-
vani EI (ree UI) limovi ili trakasta prerezana jezgra (C-jezgra). Kako je broj zavojaka i primar-
nog i sekundarnog namotaja, prema (4.1) i (4.2), obrnuto proporcionalan vrednosti magnetne

105
indukcije u zasienju B
m
, tj. N 1/B
m
, to e za istu nazivnu snagu broj zavojaka svih namotaja, a
samim tim i masa transformatora, biti manji ukoliko je vrednost indukcije B
m
vea. S obzirom da
hladno valjani silicijumom legirani gvozdeni limovi (tj. trake koje se od njih prave, a potom
prerezana C-jezgra) imaju indukciju B
m
reda 1,8 T, to e mreni transformatori od ovih limova
(traka) imati manju masu od odgovarajuih transformatora sa vrue valjanim silicijumom legira-
nim limovima, kod kojih je B
m
= 1,2 T.
Ovde e, ukratko, biti opisan postupak prorauna mrenog transformatora sa EI jezgri-
ma
2
, koristei oznaavanje sa sl. 6.5.

6.2.1. Dimenzionisanje jezgra

Izmeu standardizovanih dimenzija EI limova (videti fusnotu br. 3) treba izabrati najpo-
desniji profil sa gledita potronje, magnetnog materijala i bakra (ice za namotavanje). U tu
svrhu, osnovni koraci pri proraunu mrenih transformatora su:

1. Odreivanje efektivnog preseka jezgra: Veliina efektivnog preseka jezgra se pribli-
no moe izraunati iz izraza:


2
P S
e
(cm
2
), (6.8)

u kojem je P
2
snaga sekundara (izlazna snaga) u W (mnogo ee se izraava u VA).

2. Izbor profila (veliine jezgra) i odreivanje debljine limenog paketa. Za mrene
transformatore, sa gledita najmanje upotrebe ice za namotavanje, a istovremeno i najmanje
otpornosti namotaja, najpodesnije bi bilo da je povrina poprenog preseka jezgra S
e
kvadratnog
oblika, odakle sledi da treba izabrati lim irine stuba:


e
S =
max
. (6.9)

Kako je od standardizovanih veliina limova mogue izabrati samo ogranien broj onih
sa kvadratnim presekom, to se mora pribei i pravougaonim presecima jezgra. Minimalna irina
stuba lima odreena je uslovom da je visina limenog paketa h 1,5, odakle je:


max min
82 , 0 82 , 0 = =
e
S . (6.10)

Dakle, bira se veliina lima kod kojeg irina stuba odgovara uslovu:


max min
< < . (6.11)

Znajui efektivni presek jezgra S
e
, irinu stuba i debljinu lima , potreban broj limova
je:



=
e
L
S
n . (6.12)



2
Prora~un mre`nog transformatora sa C-jezgrima, kao i svi podaci za EI jezgra, mogu se na}i u knjizi: Stojan Ri-
sti}, "RLC komponente", Prosveta, Ni{, 2005

106
4.2.2. Namotaji

Namotaji se uvek motaju na kalemsko telo (sem kod torusnih transformatora). Kalemska
tela se izrauju na vie naina i od razliitih izolacionih materijala, to zavisi od toga da li je re
o individualnoj ili serijskoj proizvodnji transformatora. Najvie se koriste kalemska tela od pre-
pana i vetakih smola (bakelita), sa takvim dimenzijama da se u njih normalno mogu da umeu
limovi.

1. Odreivanje broja zavojaka. Pri odreivanju broja zavojaka namotaja transformatora
polazi se od jedn. (6.1), uz pretpostavku da se pad napona na primaru moe da zanemari i da e
se njegov uticaj uzeti sa sekundarne strane, tako da je e
1
U
1
, odakle sledi (jedinice su kao u
(6.1)):


4 1
1
10
44 , 4
=
m e
B fS
U
N . (6.13)

Na slian nain, tj. na osnovu (6.2) mogao bi da se odredi i broj zavojaka sekundarnog
namotaja kod neoptereenih transformatora. Meutim, pri optereenju se mora uzeti u obzir
omski i induktivni pad napona u primarnom i sekundarnom namotaju, zbog ega broj zavojaka u
sekundaru treba poveati; to poveanje je izraeno preko koeficijenta sekundarnih gubitaka
2
,
sl. 6.13. Stoga se broj zavojaka sekundarnog namotaja N
2
ne rauna iz odnosa transformacije n
U
2
/U
1
N
2
/N
1
, ve iz izraza:


1
2
1 2 2
U
U
N N = . (6.14)

Na isti nain se izraunava broj zavojaka i kada transformator ima vie sekundarnih na-
motaja, s tim da se koeficijent gubitaka
2
odreuje u odnosu na ukupno optereenje, tj. pri isto-
vremenom optereenju svih namotaja.


Sl. 6.13. Koeficijent sekundarnih gubitaka
2
u funkciji
snage za transformatore sa jezgrima EI profila.


2. Odreivanje prenika ica. Prenici ica za namotaje izraunavaju se na osnovu
vrednosti struja primara i sekundara. Struje u sekundarnim namotajima su unapred zadate, dok se
struja primara odreuje iz:

107

1
2
1
U
P
I

= , (6.15)

pri emu se za koeficijent korisnog dejstva uzima pretpostavljena vrednost (npr. = 0,9).
Dakle, znajui struje I
1
i I
2
i koristei

J
d
J S I

4
2

= = , (6.16)

gde je S

popreni presek ice, a J gustina struje, dobija se za prenik ice d

:


J
I
d

=
4
. (6.17)

Iz poslednjeg izraza sledi da prenik ice namotaja zavisi od gustine struje. Za mrene
transformatore snaga do 150 W sa EI jezgrima esto se uzima da je J = 2,55 A/mm
2
, tako da je iz
poslednjeg izraza, ako je struja I u amperima,

I d

5 , 0 = (mm). (6.18)



6.3. PRIGUNICE

Prigunice se koriste u sluajevima kada je potrebno imati to vee induktivno opteree-
nje, a to znai da one treba da imaju to veu induktivnost (da bi L bilo to vee). Prigunice sa
jezgrima od silicijumom legiranih gvozdenih limova za 50 Hz koriste ista jezgra kao mreni
transformatori (na primer, EI jezgra kao na sl. 6.14) i proraunavaju se na isti nain kao i mreni
transformatori. Kako one najee imaju veliki broj zavojaka, a napon na njima je relativno mali,
to je i indukcija u magnetnim jezgrima mala, reda B
m
= (0,40,5) T. Zbog toga su gubici u
prigunicama mali, te se pri proraunu o njima ne mora mnogo voditi rauna.


Sl. 6.14. EI jezgra za prigunice (ista kao i za mrene transformatore).




108





7. OSNOVNE OSOBINE POLUPROVODNIKA

Pre izlaganja o poluprovodnikim komponentama ovde e biti izloene neke osnovne
karakteristike poluprovodnika, i to u prvom redu silicijuma. To i jeste osnovni cilj ovog poglav-
lja, koje obuhvata izlaganja o strukturi poluprovodnika, o mehanizmu provoenja struje i efek-
tima dopiranja poluprovodnika.



7.1. ELEMENTARNI POLUPROVODNICI I
POLUPROVODNIKA JEDINJENJA

U kolonama na levoj strani tablice periodnog sistema elemenata nalaze se metali. Atomi
metala mogu lako izgubiti jedan ili dva elektrona i postati pozitivni joni. Oni su, kao to je
poznato, dobri provodnici elektrine struje, s obzirom da je kod njih veza izmeu atoma i
elektrona u spoljanjoj orbiti slaba, tako da se elektroni mogu relativno lako osloboditi i postati
slobodni. Elementi u kolonama na desnoj strani tablice periodnog sistema imaju elektrone u
spoljanjim opnama vrsto vezane; oni su, prema tome, izolatori. U srednjim kolonama tablice
nalaze se elementi kod kojih je provodnost znatno manja nego kod dobrih provodnika, a znatno
vea nego kod izolatora. Oni ine klasu poluprovodnika. Tu spadaju 12 elementarnih polupro-
vodnika: bor (B), ug1enik (C), silicijum (Si), fosfor (P), sumpor (S), germanijum (Ge), arsen
(As), selen (Se), kalaj (Sn), antimon (Sb), telur (Te) i jod (J). U tabl. 7.1 prikazani su poloaji
pomenutih elemenata u periodnom Mendeljejevom sistemu. Danas se od elementarnih polupro-
vodnika skoro iskljuivo koristi silicijum, dok se drugi, kao sto su arsen, fosfor i bor upotreblja-
vaju za dopiranje silicijuma, ime se menja njegova provodnost.

Tabl. 7.1. Poloaj elementarnih poluprovodnika u periodnom sistemu elemenata
Grupa
Perioda
II III IV V VI VII
II Be B C N O
III Al Si P S Cl
IV Ga Ge As Se Br
V In Sn Sb Te J Xe
VI Pb Bi Po At


I neka jedinjenja elemenata III i V grupe periodnog sistema imaju poluprovodnike oso-
bine. Zahvaljujui svojim osobinama, posebnu panju privlai galijum-arsenid (GaAs), koji se
koristi za visokofrekventne i mikrotalasne komponente (na primer kod MESFET-a). Istraivanja
poluprovodnikih jedinjenja su vrlo aktuelna, s obzirom da komponente na bazi ovih jedinjenja
mogu biti efikasni izvori, ili, pak, detektori kako infracrvenih radijacija, tako i radijacija u
vidljivom spektru. U tabl. 7.2 prikazana su poluprovodnika III-V jedinjenja koja se danas
najvie koriste, sa naznakom vrste prelaza elektrona iz valentne u provodnu zonu.

109
Tabl. 7.2. Poluprovodnika III-V jedinjenja
Elementi V grupe
Elementi III grupe Fosfor (P) Arsen (As) Antimon (Sb)
Aluminijum (Al) AlP
indirektan
AlAs
indirektan
AlSb
indirektan
Galijum (Ga) GaP
indirektan
GaAs
direktan
GaSb
direktan
Indijum (In) InP
direktan
InAs
direktan
InSb
direktan


a. Dijamantska (C, Si, Ge)


b. Sfaleritna (GaAs, GaP)
Sl. 7.1. Kristalna struktura elementarnih poluprovodnika (a) i poluprovodnikih jedinjenja (b).


Svi poluprovodnici, i elementarni i poluprovodnika jedinjenja, imaju kristalnu struk-
turu. Elementarni poluprovodnici imaju kristalnu reetku dijamantskog tipa, dok je reetka
poluprovodnikih jedinjenja modifikovana dijamantska struktura, tkzv. struktura sfalerita, sl.
7.1. Reetke dijamantskog tipa ine kovalentne veze, tj. atomi u teitu tetraedra povezani su sa
etiri atoma na vrhovima tetraedra, sl. 7.1a. Struktura sfalerita je ista kao dijamantska, ali atomi
u reetki nisu isti, sl. 7.1b. Dakle, kod reetki sa dijamantskom strukturom svaki atom je vezan sa

110
etiri oblinja atoma, tako da su ovi od njega podjednako udaljeni i meusobno se nalaze na
jednakim rastojanjima, poznatim pod nazivom tetraedralni radijus. Tetraedralni radijus se
kod dijamantske strukture izraunava na osnovu a ) 8 / 3 ( , pri emu je a konstanta reetke. Na
primer, kod silicijuma je a = 0,543072 nm, tako da je tetraedralni radijus 0,118 nm.
Poluprovodniki materijal od koga se proizvode komponente treba da ima pravilnu kri-
stalnu strukturu po celoj zapremini; to je, takozvani, monokristal. Meutim, monokristal nije
izotropan, s obzirom da njegove osobine zavise od pravca. To uslovljava da i karakteristike po-
luprovodnikih komponenata u znatnoj meri zavise od orijentacije povrine monokristala. Zbog
toga se kristali seku po odreenoj ravni. Naime, poloaj svake ravni kristalne reetke moe se
odrediti sa tri cela uzajamno prosta broja, ako se kao koordinatne ose izaberu pravci koje imaju
tri ivice kristalne reetke. Jedinice merenja su odseci na izabranim koordinatnim osama koje
odseca jedna od kristalografskih ravni u kristalnoj reetki. Obino se u kristalografiji koristi de-
sni koordinatni sistem, a merna jedinica na x-osi se oznaava sa a, na y-osi sa b i na z-osi sa c.
Jedinina duina za svaku osu se odreuje izborom jedinine kristalografske ravni u kristalnoj
reetki. Svaka ravan u kristalnoj reetki se smatra moguom kristalografskom ravni ako joj
pripadaju tri srazmerno postavijene take na koordinatnim osama u odnosu na koordinatni po-
etak. Ravan u kristalnoj reetki kojoj ne pripadaju srazmerno postavljene take na koordinatnim
osama moe se premestiti translacijom u poloaj da joj pripadaju srazmerno postavljene take na
koordinatnim osama. Shodno tome, odnos odseaka OA, OB i OC koje ravan ABC odseca na
koordinatnim osama x, y i z pravouglog koordinatnog sistema, moe se napisati u sledeem obli-
ku:

OA:OB:OC = ma:nb:pc,

gde su a, b i c odseci jedininih duina na odgovarajuim koordinatnim osama, a m, n i p celi
brojevi. Ovako izabrana ravan predstavlja jedininu ravan.


(020) (110) (111)
Sl. 7.2. Prikaz orijentacije tri karakteristine ravni sa Milerovim indeksima (020), (110) i (111).


Za oznaavanje orijentacije ravni kristala koriste se Milerovi indeksi. Naime, prema
osnovnoj eliji povuku se ortogonalne koordinatne ose x, y i z i proizvoljne ravni koje seku ove
ose u takama OA = x
1
, OB = y
1
i OC = z
1
. Kada se reciprone vrednosti ovih koordinata pom-
noe najmanjim zajednikim imeniocem, dobijaju se Milerovi indeksi. Na primer, ako ravan see
koordinatne ose u takama x
1
= 3, y
1
= 2 i z
1
= 1, reciprone vrednosti su: 1/x
1
= 1/3, 1/ y
1
= 1/2 i
1/ z
1
=1/1. Najmanji zajedniki imenilac je 6, tako da su Milerovi indeksi: (1/3)6 = 2, (1/2)6 = 3
i (1/1)6 = 6. Milerovi indeksi se belee u srednjoj ili maloj zagradi, te je orijentacija kristala za
pomenuti primer (236). Na sl. 7.2 prikazane su tri karakteristine ravni ije su orijentacije (020),
(110) i (111).

111
7.2. SLOBODNI ELEKTRONI I UPLJINE U
POLUPROVODNICIMA

Atomski broj silicijuma je 14 i njegova 14 elektrona su rasporeena po orbitama oko jez-
gra. Prve dve orbite su popunjene, jer sadre dva, odnosno osam elektrona, respektivno, dok je
poslednja, trea orbita nepopunjena i sadri etiri elektrona, sl. 7.3a. Elektroni u unutranjim,
popunjenim orbitama, nazivaju se stabilnim elektronima, s obzirom da se nalaze na niim ener-
getskim stanjima od elektrona u spoljanjoj, nepopunjenoj orbiti. Oni ne uestvuju u mehanizmu
provoenja struje u poluprovodnicima, kao to je, uostalom, to sluaj i kod metala, te se nee
pominjati u daljim izlaganjima.


a.


b.
Sl. 7.3. ematski prikaz atoma silicijuma u prostoru (a) i u ravni (b).


Zbog toga se silicijumov atom moe ematski da predstavi jezgrom sa pozitivnim naelek-
trisanjem od etiri elektronske jedinice (+4) koje je okrueno sa etiri elektrona iz spoljanje or-
bite, sl. 7.3b. etiri elektrona iz spoljanje orbite, zbog toga to ulaze u hemijske veze, nazivaju
se valentnim elektronima. U savrenom kristalu silicijuma, odnosno germanijuma, koji su,
dakle, etvorovalentni, svaki od ova etiri elektrona obrazuje po jednu valentnu vezu sa po
jednim elektronom iz spoljanje orbite oblinjeg atoma.

112
Prema tome, potpuno ist kristal poluprovodnika, kod koga su svi elektroni povezani
valentnim vezama, ponaao bi se kao izolator, s obzirom da kod njega nema slobodnih nosilaca
naelektrisanja. Meutim, pri normalnoj sobnoj temperaturi, usled termikih vibracija kristalne
reetke, izvesni valentni elektroni poveavaju svoju energiju do te mere da mogu da se oslobode
valentnih veza i postaju slobodni elektroni, sl. 7.4a. Oslobaanjem svakog elektrona po jedna va-
lentna veza ostala je nepopunjena. Atom, koji je izgubio elektron, postaje elektrino pozitivan sa
naelektrisanjem jednakim naelektrisanju elektrona po apsolutnom iznosu (pre gubitka valentnog
elektrona atom je bio elektrino neutralan). Na taj nain se stvara pozitivno opterereenje ija se
prava priroda moe protumaiti tek pomou kvantne fizike, ali koje se po mnogim svojstvima
ponaa kao estica sa pozitivnim naelektrisanjem jednakim naelektrisanju elektrona. Njemu se
moe pripisati odreena efektivna masa, brzina u kretanju i energija, to znai da se moe tretira-
ti kao estica. Ova estica se, zbog naina postanka, naziva upljinom. Eksperimentalnim rezul-
tatima pokazana je opravdanost ovako uproene koncepcije upljina.

a. b.
Sl. 7.4. Prikaz generacije para elektron-upljina (a) i rekombinacije elektrona sa upljinom (b).


Kretanje upljina u poluprovodniku moe se predstaviti na sledei nain. Atom, koji je
izgubio jedan elektron, tei da upotpuni pekinutu valentnu vezu. On izvlai elektron iz neke
oblinje valentne veze u kojoj je elektron na relativno viem energetskom nivou. Usled toga, po-
smatrani atom postaje elektrino neutralan, ali se upljina pojavijuje na mestu sa koga je privu-
en elektron za neutralizaciju. Drugim reima, praktino se kreu elektroni, ali izgleda kao da se
kreu prazna mesta (upljine) u suprotnom smeru od kretanja elektrona. Na sl. 7.5 prikazano je
kretanje elektrona i upljina u silicijumu kada je na njega prikljuen spoljanji nspon V.
Slobodni elektroni i upljine u kristalu poluprovodnika predstavljaju energetske nesavr-
enosti kristala i imaju ogranieno vreme ivota, jer se u kretanju kroz kristal susreu i rekom-
binuju uspostavljajui ponovo valentne veze, sl. 7.4b. Termiko raskidanje valentnih veza raste
sa temperaturom, dok je brzina ponovnog uspostavljanja valentnih veza srazmerna koncentraciji
slobodnih nosilaca naelektrisanja. Zbog toga, koncentracije slobodnih elekrona i upljina pri sva-
koj temperaturi imaju onu vrednost pri kojoj se uspostavlja ravnotea izmeu brzine raskidanja i
brzine ponovnog uspostavljanja valentnih veza. Koncentracije slobodnih elektrona (n
0
) i upljina
(p
0
) meusobno su jednake (n
0
= p
0
). Ova koncentracija se zove koncetracija sopstvenih nosi-
laca naelektrisanja ili sopstvena koncentracija i obeleava se sa n
i
= p
i
. Na sobnoj temperaturi
(300K) sopstvena koncentracija nosilaca naelektrisanja za silicijum iznosi n
i
=1,1310
10
slobod-
nih elektrona ili upljina po cm
3
. Na sl. 7.6 su prikazane vrednosti sopstvenih koncentracija
nosilaca naelektrisanja germanijuma, silicijuma i galijum-arsenida u funkciji temperature.


113



Sl. 7.5. Kretanje elektrona i upljina u istom (sopstvenom) silicijumu pod
uticajem spoljanjeg napona V.


Proces raskidanja valentnih veza, kao i obrnuti proces ponovnog vezivanja slobodnih
elektrona i upljina u valentne veze, zavisi u znatnoj meri i od postojanja izvesnih strukturnih
nesavrenosti kristala (defekata). Ove nesavrenosti postoje, na primer, kod kristala kod kojih se
poneki atomi nalaze u kristalnoj reetki na mestima koja bi zauzimali kada bi kristal bio savren.
I povrinski sloj kristala moe imati slian uticaj kao i strukturne nesavrenosti, to je posliedica
nepotpunosti valentnih veza u povrinskom sloju. Prisustvo strukturnih nesavrenosti, meutim,
ne menja koncentraciju sopstvenih nosilaca naelektrisanja, jer strukturne nesavrenosti u istoj
meri potpomau razbijanje valentnih veza i njihovo ponovno uspostavljanje. Ove nesavrenosti,
dakle, samo smanjuju vreme ivota slobodnih elektrona, odnosno upljina.

114

Sl. 7.6. Sopstvene koncentracije nosilaca naelektrisanja u funkciji temperature.



7.3. PRIMESNI POLUPROVODNICI

Kada elektrina svojstva poluprovodnika, a tu se pre svega misli na provodnost, zavise od
prisustva nekog stranog elementa, onda je takav poluprovodnik primesni poluprovodnik. Treba
primetiti da se atomi stranih elemenata (neistoe), koje se obino nazivaju primesama, ne mo-
gu nikada u potpunosti da odstrane. Meutim, ukoliko je njihova koncentracija vrlo mala, onda
primese ne utiu u veoj meri na elektrina svojstva poluprovodnika. Naprotiv, ako je koncen-
tracija primesnih atoma relativno velika, njihov uticaj na elektrina svojstva poluprovodnika je
dominantan unutar irokog intervala temperature.
Primese mogu biti veoma razliite. U poluprovodnikim komponentama su od preva-
shodnog znaaja one primese koje se namerno i kontrolisano, pomou odgovarajuih tehnolokih
postupaka, dodaju poluprovodniku. Koncentracije primesa kreu se obino izmeu 10
14
cm
-3
i
10
20
cm
-3
. To su, redovno, primese iji su atomi petovalentni ili trovalentni. Ukoliko se dodaju
petovalentne primese, onda nastaju poluprovodnici n-tipa, a dodavanjem trovalentnih primesa se
dobijaju poluprovodnici p-tipa. Atomi primesa zauzimaju u kristalnoj reetki mesta gde bi se u
istom poluprovodniku nalazili atomi samoga poluprovodnika oni se, dakle, ukljuuju u kri-
stalnu reetku supstitucijom. Karakteristino je da pojedine primese pokazuju vei afinitet prema

115
mestima u kristalnoj reetki poluprovodnika, na kojima se kod istog kristala nalaze atomi polu-
provodnika, nego sami atomi poluprovodnika. Zbog toga e, dodavanjem primesa poluprovod-
niku u istopljenom stanju, posle ovravanja primesni atomi zameniti na pojedinim mestima
atome poluprovodnika.


7.3.1. Poluprovodnici n-tipa

Kao to je napomenuto, n-tip poluprovodnika nastaje kada se poluprovodnik dopira pe-
tovalentnim primesama, na primer fosforom (P), arsenom (As) ili antimonom (Sb). ematski
prikaz kristalne reetke poluprovodnika n-tipa dat je na sl. 7.7.


Sl. 7.7. ematski prikaz kristalne reetke poluprovodnika n-tipa.


S obzirom da je broj primesnih atoma u jedinici zapremine vrlo mali u poreenju sa
brojem atoma poluprovodnika, svaki atom primese normalno je okruen atomima poluprovod-
nika. Kako samo etiri valentna elektrona primese ulaze u valentne veze, peti valentni elektron je
samo slabo vezan za atom, te se lako moe osloboditi veze i postati slobodan elektron. Energija
potrebna za oslobaanje ovog elektrona je vrlo mala, reda 0,01 eV do 0,02 eV kod germanijuma
i 0,04 eV do 0,07 eV kod silicijuma, tako da su ve na vrlo niskim temperaturama, a posebno na
sobnoj temperaturi, svi elektroni koji potiu od atoma primesa u provodnoj zoni i slobodno se
mogu kretati kroz kristal. Petovalentne primese, dakle, daju slobodne elektrone, te se, stoga,
zovu donorske primese, ili kratko donori i njihova koncentracija se oznaava sa N
D
. Donorski
atomi gubitkom elektrona postaju pozitivni joni i ostaju vezani u strukturi kristalne reetke, ali
treba napomenuti da je dodavanjem donora poluprovodnik ostao elektrino neutralan.
Usled toga to se dodavanjem donorskih primesa razbijaju valentne veze, u polupro-
vodniku n-tipa postojae i odreena koncentracija upljina. Naravno, koncentracija upljina bie
znatno manja od koncentracije slobodnih elektrona. Zbog toga, osnovni nosioci naelektrisanja u
n-tipu poluprovodnika bie elektroni, iji je broj (n
o
) veoma blizak broju donorskih primesa, tj.
n
o
N
D
. Elektroni se u n-tipu poluprovodnika esto zovu veinski, a upljine manjinski no-
sioci naelektrisanja.

116
U dijagramu energetskih nivoa prisustvo donorskih primesa ima za posledicu postojanje
dodatnog energetskog nivoa unutar zabranjene zone, i to u blizini dna provodne zone. Taj nivo se
zove donorski nivo E
D
. To to se donorski nivo nalazi u zabranjenoj zoni u blizini provodne zone
lei u injenici da je za prebacivanje elektrona (koji potiu od donorskih atoma) u provodnu
zonu potreban vrlo mali iznos energije.



7.3.2. Poluprovodnici p-tipa

Ovaj tip poluprovodnika nastaje kada se poluprovodnik dopira trovalentnim primesama,
meu koje spadaju bor (B), aluminijum (Al), galijum (Ga) i indijum (In). Kristalna reetka koja
sadri trovalentne primese prikazana je ematski na sl. 7.8. Trovalentnoj primesi nedostaje jedan
elektron da dopuni valentnu vezu. Ona se kompletira na taj nain to je dopuni valentni elektron
iz susedne veze, ili, drugim reima, da bi se obrazovala i etvrta valentna veza, privlai se jedan
elektron iz neke oblinje veze. Tako se stvara upljina na mestu odakle je valentni elektron
privuen. Kako trovalentne primese kompletiraju valentne veze primajui elektrone iz valentne
zone, zovu se akceptorske primese, ili kratko akceptori, a njihova koncentracija obeleava se
sa N
A
. Akceptorski atom postaje negativan jon vrsto vezan za kristalnu reetku. Energije joni-
zacije akceptorskih primesa su vrlo male i lee u istom intervalu energija kao i za donorske
primese, tako da je broj upljina p
o
na sobnoj tempertauri veoma blizak broju akceptorskih pri-
mesa (p
0
N
A
). Ove upljine se mogu slobodno kretati po unutranjosti kristala na nain opisan
ranije (taka 7.2).


Sl. 7.8. ematski prikaz kristalne reetke poluprovodnika p-tipa.


Kao i u poluprovodniku n-tipa, i u poluprovodniku p-tipa postoji raskidanje valentnih
veza, tako da ovde postoji i odreena koncentracija elektrona n
o
, iji je broj znatno manji od
broja upljina; drugim reima: n
o
<< p
o
. Prema tome, u poluprovodniku p-tipa upljine su ve-
inski, a elektroni manjinski nosioci naelektrisanja.

117
Akceptorske primese uvode u dijagram energetskih nivoa dodatni akceptorski nivo E
A
,
koji lei unutar zabranjene zone i to u blizini vrha valentne zone.



7.4. ENERGETSKE ZONE

Teorija energetskih zona, koja obuhvata prouavanje promena energetskih stanja elek-
trona u atomima kristalne resetke, predstavlja veoma podesan put za analizu pojava u polupro-
vodnicima i to ne samo u kvalitativnom, ve i u kvantitativnom pogledu. Iz fizike je poznato da
se elektroni u izolovanom atomu nalaze na razliitim energetskim nivoima, koji su jednaki celim
umnocima kvanta energije. Napominje se da su ovi energetski nivoi, koji odgovaraju energija-
ma elektrona na pojedinim orbitama, meusobno razdvojeni energetskim procepima (zabranje-
nim zonama), sl. 7.9a, ime se ukazuje na injenicu da ne postoji nijedan elektron koji bi imao
energiju unutar zabranjene zone. Ako se dva atoma sa jednakim energetskim nivoima elektrona
priblie jedan drugome, doi e do cepanja svakog pojedinog energetskog nivoa u dva nova ni-
voa koji su jedan prema drugome malo pomereni, sl. 7.9b. S obzirom da se u kristalnoj reetki
veliki broj atoma (reda 10
22
cm
-3
) nalazi u meusobnoj sprezi, svaki energetski nivo se cepa u
vei broj novih, meusobno malo pomerenih nivoa, koji obrazuju energetske zone, sl. 7.9c.
Za utvrivanje elektrinih svojstava poluprovodnika od vanog interesa je da se poznaju
energetska stanja u dva najvia energetska opsega. Kod idealnog kristala poluprovodnika najvia
energetska zona je skoro prazna, s obzirom da sadri veoma mali broj elektrona (jednak koncen-
traciji sopstvenih nosilaca naelektrisanja n
i
, dok je prva nia energetska zona potpuno popunjena.
Ova druga energetska zona popunjena je elektronima iz spoljanje orbite atoma poluprovodnika,
tj. valentnim elektronima. Zbog toga se ona naziva valentnom zonom, za razliku od prve zone
(najvie zone), koja predstavlja provodnu zonu, sl. 7.10.


Sl. 7.9. Energetski nivoi atoma (a), dva atoma (b) i kristala (c) silicijuma.

118

Sl. 7.10. Energetske zone du jednog pravca u istom (sopstvenom) kristalu silicijuma pri T = 0 K.


Provodna zona je od valentne zone razdvojena nizom energetskih nivoa koje elektroni ne
mogu da zauzimaju i koji se zbog toga naziva zabranjenom zonom. irina zabranjene zone E
g

kod poluprovodnika relativno je mala i na sobnoj temperaturi (300K) iznosi E
g
= 0,66 eV za ger-
manijum, E
g
= 1,1 eV za silicijum i E
g
= 1,42 eV za galijum-arsenid. Ove vrednosti predstavljaju
najmanje iznose energije koje je potrebno dovesti elektronu u valentnoj zoni da bi mogao da
pree u provodnu zonu i uestvuje u provoenju elektrine struje kroz poluprovodnik (ovo ne
znai da elektron, u fizikom smislu, prelazi iz valentne u provodnu zonu, ve da je elektron na
energetskim nivoima koji odgovaraju pomenutim zonama). Treba naglasiti da se irina zabranje-
ne zone poluprovodnika smanjuje sa poveanjem temperature, sl. 7.11.
Usled toga to kod poluprovodnika irine zabranjenih zona nisu velike, izvestan broj va-
lentnih elektrona ak i na relativno niskim temperaturama raspolae dovoljnom energijom da se
oslobodi valentnih veza i iz valentne zone pree u provodnu zonu, ostavljajui za sobom upljine
u valentnoj zoni. Treba napomenuti da je valentna zona prelaskom izvesnog broja valentnih
elektrona u provodnu zonu ostala nepopunjena, tako da i u njoj moe da doe do kretanja nae-
lektrisanja pod dejstvom stranog elektrinog polja.
Prema irini zabranjene zone, materijali se dele na provodnike, poluprovodnike i izo1ato-
re, sl. 7.12. Kod metala, sa napomenom da oni nemaju zabranjenu zonu (provodna i valentna zo-
na se dodiruju ili preklapaju), najvia energetska zona, koja sadri valentne elektrone, nije popu-
njena, sl. 7.12a. Zbog toga kod metala elektroni mogu lako prelaziti u energetske nivoe iznad
Fermijevog i slobodno se kretati pod uticajem elektrinog polja (Fermijev nivo kod metala se
definie kao onaj energetski nivo ispod koga su na temperaturi apsolutne nule svi nivoi popu-
njeni, a iznad njega svi nivoi prazni, pri emu verovatnoa da e taj nivo biti popunjen na tempe-
raturi T>0 iznosi 50%). Kod izolatora je zabranjena zona iroka, sl. 7.12c, obino nekoliko elek-
tronvolti, ili vie. Zbog toga pri normalnim uslovima samo zanemarljivo mali broj elektrona mo-

119
e da pree u provodni opseg, to objanjava izolaciona svojstva ovakvih materijala. Bitne raz-
like izmeu izolatora i poluprovodnika nema, niti je granica izmeu njih otra. Ako je irina za-
branjene zone do oko 3 eV, smatra se da je to poluprovodnik, a ako je vea od 3 eV moe se
govoriti o izolatoru. I dok su metali dobri provodnici sa otpornou oko 10
-4
cm, a izolatori
izuzetno loi provodnici elektrine struje, jer imaju otpornost reda 10
12
cm, dotle poluprovod-
nici mogu imati otpornost u vrlo velikom opsegu, od male, kada se ponaaju kao provodnici, do
velike, koja se pribliava otpornosti izolatora. Bitna razlika izmeu provodnika i poluprovodnika
ogleda se u tome to je provodnost kod provodnika ostvarena uglavnom pomou elektrona, a kod
poluprovodnika jo i pomou upljina.


SI. 7.11. irina zabranjene zone germanijuma, silicijuma i galijum-arsenida u funkciji temperature.



Sl. 7.12. Energetske zone provodnika (a), poluprovodnika (b) i izolatora (c)
(E
V
vrh valentne zone; E
C
dno provodne zone).

120
Unutar zabranjene zone se nalazi jo jedan energetski nivo tkzv. Fermijev nivo E
F
,
koji je konstanta u Fermi-Dirakovoj funkciji raspodele, a prema kojoj po energetskim nivoima
podlee raspodela elektrona i upljina. Pokazuje se da se kod sopstvenog poluprovodnika Fermi-
jev nivo nalazi na sredini zabranjene zone (sl. 7.13a), a kod n-tipa poluprovodnika u gornjoj
polovoni zabranjene zone (sl. 7.13b), i to to je koncentracija donorskih primesa vea, to je Fer-
mijev nivo blii dnu provodne zone; kod p-tipa poluprovodnika (sl. 7.13c) je obrnuto: Fermijev
nivo je u donjoj polovini zabranjene zone i to je utoliko blii vrhu valentne zone ukoliko je
koncentracija akceptorskih primesa vea.


Sl. 7.13. Poloaj Fermijevog nivoa.


Treba napomenuti da je Fermijev nivo energetski nivo sa odreenim fizikim znaenjem
samo kod metala, kada predstavlja maksimalni nivo elektrona na temperaturi apsolutne nule.
Iako se Fermijev nivo kod poluprovodnika ne moe tano da definie, odnosno ne moe mu se
dati odreena fizika interpretacija, ipak je njegovo uvoenje od izuzetne koristi pri prouavanju
provoenja struje u poluprovodnicima i poluprovodnikim komponentama. Po analogiji sa meta-
lima, gde Fermijev nivo odraava termodinamiku energiju sistema, i kod poluprovodnika Fer-
mijev nivo mora biti kontinualan na mestu spoja dva poluprovodnika, odnosno poluprovodnika
i metala.
Uvoenjem Fermijevog nivoa moe se pokazati da je u termodinamikoj ravnotei (kada
kroz poluprovodnik ne protie struja) proizvod koncentracija elektrona n
0
i upljina p
0
jednak
kvadratu sopstvene koncentracije nosilaca naelektrisanja:

2
0 0 i
n n p = . (7.1)

Ovaj izraz je veoma bitan, s obzirom da prua mogunost izraunavanja koncentracije
manjinskih nosilaca. Na primer, ako je na sobnoj temperaturi koncentracija donorskih primesa u
n-tipu poluprovodnika N
D
= 510
16
cm
-3
, prema (7.1) koncenracija upljina kao manjinskih nosi-
laca n-tipu poluprovodnika iznosi p
0
= n
i
2
/N
D
= (1,1310
10
)
2
/510
16
2,510
3
cm
-3
.

121
7.5. TRANSPORT NOSILACA NAELEKTRISANJA

Kada na poluprovodnik nije prikljueno spoljanje elektrino polje, elektroni i upljine se
nalaze u stalnom kretanju usled termike energije kristala. Ovo kretanje nosilaca naelektrisanja
je haotino, tj. svi smerovi kretanja su podjednako verovatni. Ukoliko bi jedan smer kretanja bio
favorizovan, to bi znailo da kroz poluprovodnik protie elektrina struja i bez prikljuenja na-
pona, to je, oigledno, nemogue. Putanje po kojima se kreu nosioci naelektrisanja u odsustvu
spoljanjeg elektrinog polja imaju oblik izlomljenih linija. Ovakav oblik putanja nastaje prven-
stveno usled uticaja termikih vibracija kristalne resetke. Naime, ove vibracije se sastoje od lon-
gitudinalnih ili transverzalnih talasa odreene talasne duine i brzine prostiranja, a kao rezultat
javljaju se fononi koji imaju dvojni karakter estice i talasa. Pri sudarima sa fononima, nosioci
naelektrisanja skreu sa prvobitne putanje, usled ega putanja ima oblik izlomljene linije. U po-
luprovodnicima jak uticaj na haotino kretanje elektrona i upljina imaju, takoe, jonizovane pri-
mese usled dejstva Kulonove sile zbog pozitivno, odnosno negativno naelektrisanih donorskih i
akceptorskih jona. Treba napomenuti da i atomi drugih stranih nejonizovanih hemijskih eleme-
nata, koji se mogu nai u kristalu, kao i defekti kristalne reetke, mogu imati udela na kretanje i
putanje pokretnih nosilaca naelektrisanja.


Sl. 7.14. (a) Ilustracija haotinog kretanja elektrona u poluprovodnicima;
(b) kretanje elektrona u prisustvu spoljanjeg elektrinog polja.


Kretanje elektrona moe se, u odsustvu spoljanjeg elektrinog polja, prikazati kao na sl.
7.14a, na kojoj je prikazano sedam uzastopnih sudara elektrona sa fononima ili drugim uzroni-
cima. Rastojanja izmeu sudara su razliita, ali se moe definisati srednji slobodan put l, koji se
kree u granicama od 10
-5
cm do 10
-4
cm, to je je oko 2 do 3 reda veliine puta vee od rastoja-
nja izmeu atoma poluprovodnika. Brzine kojima se nosioci kreu izmeu sudara su statistiki
rasporeene, a u proseku pri sobnoj temperaturi iznose oko 10
7
cm/s. Srednje vreme izmeu dva
sudara iznosi oko 10
-12
s do 10
-11
s.


7.5.1. Drift nosilaca naelektrisanja

Kada se poluprovodnik podvrgne spoljanjem elektrinom polju, opisanom termikom
kretanju nosilaca naelektrisanja superponira se usmereno kretanje pod dejstvom toga polja. Kre-
tanje elektrona u prisustvu elektrinog polja prikazano je na sl. 7.14b. Vidi se da u pravcu de-
lovanja elektrinog polja elektron izmeu dva sudara dobija dodatnu, usmerenu brzinu, tkzv.
driftovsku brzinu. Ova brzina, usled estih sudara i promena pravca kretanja nosilaca, nee se

122
stalno poveavati, ve e postii jednu srednju vrednost, koja se za elektrina polja K koja nisu
suvie velika, moe izraziti u obliku:

K v
n n
= , (7.2)

gde koeficijent proporcionalnosti
n
izmeu brzine i elektrinog polja predstavlja pokretljivost
elektrona i izraava se u cm
2
/Vs.
I upljine se vladaju na slian nain, ali zbog razliite mase i drugaijeg naina postanka,
pokretljivost upljina
p
je manja od pokretljivosti elektrona (sl. 7.15). Slino (7.2), srednja
driftovska brzina upljina v
p
iznosi:

K v
p p
= . (7.3)


Sl. 7.15 Eksperimentalno dobijene zavisnosti brzine nosilaca
naelektrisanja od elekrinog polja za ist Ge, Si i GaAs.


Za velike vrednosti elektrinog polja prestaje da vai linearna zavisnost izmeu brzine
kretanja nosilaca i elektrinog polja data jedn. (7.2) i (7.3). Pri tim poljima se poveava broj
sudara nosilaca, te brzina usmerenog kretanja sve manje zavisi od polja. Postoji granina brzina
kojom se nosioci mogu kretati kroz kristal, sl. 7.15. Kada nosioci dostignu graninu brzinu, dalje
poveanje elektrinog polja ne poveava brzinu usmerenog kretanja nosilaca, ve samo njihovu
kinetiku energiju. Na sl. 7.15 su prikazane eksperimentaine zavisnosti driftovske brzine od
elektrinog polja za Ge, Si i GaAs. Kao to se vidi sa slike, granina brzina za sva tri polupro-
vodnika iznosi oko 10
7
cm/s.
Pokretljivost nosilaca naelektrisanja jako zavisi od temperature i koncentracije primesa.
Zbog toga su na sl. 7.16 prikazane eksperimentalne zavisnosti pokretljivosti elektrona i upljina
u Ge, Si i GaAs od koncentracije primesa na sobnoj temperaturi, a na sl. 7.17 zavisnosti pokret-
ljivosti u Si od temperature pri razliitim vrednostima koncentracije primesa. Sa slika 7.16 i 7.17
moe se videti da je pri sobnoj temperaturi pokretljivost elektrona priblino dva puta vea od
pokretljivosti upljina.

123

Sl. 7.16. Zavisnost pokretljivosti elektrona i upljina od koncentracije primesa u Ge, Si i GaAs.



Sl. 7.17. Zavisnost pokretljivosti elektrona (a) i upljina (b) od temperature
pri razliitim vrednostima koncentracije primesa u silicijumu.



124
7.5.2. Specifina otpornost i provodnost
homogenih poluprovodnika; driftovska struja

Specifina otpornost poluprovodnika predstavlja koeficijent proporcionalnosti izmeu
elektrinog polja K i gustine struje J:

J K = . (7.4)

Ova veliina je inverzno proporcionalna specifinoj provodnosti, tj. = 1/, tako da je:

K J = . (7.5)

Kada su poznate pokretljivosti upljina
p
i slobodnih elektrona
n
, kao i njihova koncen-
tracija u poluprovodniku (uz napomenu da se, kada kroz poluprovodnik protie struja, koncen-
tracija upljina oznaava sa p, a koncentracja elektrona sa n), specifina otpornost se izraunava
prema izrazu:


) (
1 1
p n q
p n
+
=

= . (7.6)

U istom (sopstvenom) poluprovodniku koncentracija slobodnih elektrona je jednaka
koncentraciji upljina (n
i
= p
i
), te jedn. (7.6) za specifinu otpornost postaje:


) (
1 1
p n i i
i
qn +
=

= . (7.7)

Specifina otpornost, odnosno provodnost istog poluprovodnika zove se sopstvena ili
unutranja otpornost (provodnost) poluprovodnika.
Ako je n N
D
>> p (n-tip poluprovodnika), onda je:


D n n
n
N q n q

1 1
. (7.8)

Ako je, pak, p N
A
>> n (p-tip poluprovodnika), sledi:


A p p
p
N q p q

1 1
. (7.9)

Izmerene vrednosti specifine otpornosti (pri T = 300K) za silicijum dopiran borom (p-
tip) i fosforom (n-tip) u zavisnosti od koncentracije primesa prikazane su na sl
.
7.18.
Driftovska struja. Struja koja nastaje kretanjem elektrona i upljina pod uticajem elek-
trinog polja predstavlja driftovsku struju. Gustina struje usled kretanja elektrona (gustina struje
elektrona) jeste:

K K qn qnv J
n n n ndrift
= = = , (7.10)

gde je v
n
brzina elektrona prema jedn. (7.2), a
n
provodnost poluprovodnika usled posto-
janja pokretnih elektrona.

125

Sl. 7.18. Specifina otpornost silicijuma pri T = 300K u zavisnosti od koncentracije primesa.


Gustina struje nastala kretanjem upljina pod uticajem elektrinog polja (gustina struje
upljina) je:

K K qp qpv J
p p p pdrift
= = = , (7.11)

gde je
p
provodnost poluprovodnika usled postojanja pokretnih upljina.
Prema tome, za poluprovodnik kod koga u procesu proticanja struje uestvuju i elektroni
i upljine, driftovska gustina struje je:

K p n q K J J J
p n p n pdrift ndrift drift
) ( ) ( + = + = + = . (7.12)



7.5.3. Difuzija u poluprovodnicima; difuziona struja

Difuziono kretanje estica nastaje, uopte, kada u prostoru postoji razlika njihove gustine.
To vai i za poluprovodnike. Naime, kada postoji razlika u gustini slobodnih nosilaca naelektri-
sanja, nastae njihovo kretanje sa mesta vie koncentracije ka mestu nie koncentracije, sa
tendencijom da se koncentracije nosilaca izjednae. Ovo kretanje nosilaca prouzrokuje elektrinu
struju, tkzv. difuzionu struju.
Ako se posmatraju, na primer, upljine ija se koncentracija menja samo du koordinate
x, a u smerovima y i z je konstantna, difuziona struja e biti proporcionalna gradijentu kon-
centracije upljina u smeru ose x. Kada promena koncentracije postoji samo du jedne koordina-
te, gradijent je jednak dp/dx i treba ga uzeti sa negativnim predznakom, jer se kretanje upljina
obavlja sa mesta vie koncentracije prema mestu sa niom koncentracijom, sl. 7.19a. Difuziona
struja e, takoe, biti proporcionalna sposobnosti estice da difunduje, tj. difuzionoj konstanti
D. U sluaju upljina, difuziona konstanta se oznaava sa D
p
. Prema tome, za gustinu difuzione
struje upljina moe se napisati:

126

Sl. 7.19. Difuziono kretanje upljina (a) i elektrona (b).



dx
dp
qD J J
p pd pdiff
= . (7.13)

U sluaju difuzije elektrona, za difuzionu gustinu struje elektrona vai sledee:


dx
dn
qD J J
n nd ndiff
= . (7.14)

U poslednjoj jednaini je pozitivan predznak zbog toga to je naelektrisanje elektrona negativno,
tako da je q(dn/dx) = qdn/dx.
Ovde se ukazuje da difuziona komponenta struje ima odluujuu ulogu u radu bipolarnih
poluprovodnikih komponenata na bazi p-n spojeva (pod bipolarnom komponentom podrazu-
meva se komponenta kod koje u procesu provoenja elektrine struje uestvuju obe vrste nosila-
ca naelektrisanja i elektroni i upljine).



7.5.4. Ukupna struja

Kada u uzorku poluprovodnika postoji i elektrino polje i gradijent koncentracije nosilaca
i kada je elektrino polje relativno malo (tako da pokretljivost ne zavisi od polja), gustine struje
elektrona i upljina u jednodimenzionalnoj predstavi su:

dx
dn
qD K qn J
n n n
+ = (7.15)
i

dx
dp
qD K qp J
p p p
= . (7.16)

Poslednje dve jednaine poznate su pod nazivom transportne jednaine.
Ukupna struja u poluprovodniku jednaka je zbiru struje elektrona i struje upljina, tj.:


p n
J J J + = . (7.17)


127






8. DIODE

Rad poluprovodnikih dioda zasniva se na usmerakim osobinama p-n spojeva. Zbog to-
ga e prvi deo ove glave biti posveen karakteristikama p-n spojeva. U praksi je skoro iskljuivo
jedna oblast p-n spoja male specifine otpornosti, to znai da je u njoj velika koncentracija pri-
mesa; drugim reima, jedna oblast p-n (ili n-p) spoja je najee jako dopirana (N
A,D
> 10
17
cm
-
3
). Prema tome, re je o p
+
-n ili n
+
-p spojevima, ali, da se ta injenica ne bi stalno isticala, nadalje
e se umesto oznaka spojeva p
+
-n i n
+
-p koristiti oznake p-n i n-p, respektivno.



8.1. p-n I n-p SPOJEVI

Danas se iskljuivo proizvode planarne diode, sl. 8.1. Planarne diode, koje treba da imaju
malu direktnu otpornost, prave se u epitaksijalnom sloju silicijuma. Naime, da bi redna otpor-
nost diode bila to manja, silicijumska ploica na kojoj se planarnim postupkom istovremeno
oformljuje veliki broj dioda, trebalo bi da je to tanja. Meutim, ukoliko je ploica tanja, utoliko
se lake lomi. Minimalna debljina ploice sa kojom se uopte moe raditi je (120150) m, dok
je za dobar rad diode neophodna znatno manja debljina (vea debljina ploice samo poveava
rednu otpornost). Zbog toga se smanjenje redne otpornosti postie epitaksijalno naraslim slojem,
sl. 8.1. Kako je supstrat male otpornosti, to je otpornost tog dela zanemarljivo mala, te je i redna
otpornost diode mala. Mala otpornost osnove ima prednost i zbog toga to je sa njom mogue
lako ostvariti dobar neusmeraki spoj, te i to smanjuje rednu otpornost.



Sl. 8.1. Planarna epitaksijalna dioda.



128
Iako diode sa epitaksijalnim slojem imaju bolje karakteristike od dioda bez takvog sloja
(prvenstveno manju rednu otpornost i vei probojni napon), nadalje e se, u cilju jednostavnosti,
razmatrati samo diode koje ne sadre epitaksijalni sloj, sl. 8.2, kao i diode sa tkz. skokovitim p-n
spojem kada sa p-tipa na n-tip postoji nagla promena koncentracije primesa, sl. 8.6.


Sl. 8.2. Ilustracija diode bez epitaksijalnog sloja; velikim krugovima u prelaznoj
oblasti p-n spoja oznaene su jonizovane primese (pozitivni donorski i negativni
akceptorski joni), a kruii sa znakom + oznaavaju upljine kao veinske nosio-
ce u p-oblasti, dok je za veinske elektrone u n-oblasti iskoriena oznaka .


Dakle, p-n spoj se sastoji od intimnog spoja poluprovodnika p-tipa i poluprovodnika n-ti-
pa. Mesto na kome se prelazi sa jednog na drugi tip poluprovodnika zove se metalurki spoj, sl.
8.3a; to je, praktino, povrina dodira poluprovodnika p- i n-tipa. Kao to je u sedmoj glavi
reeno, moe se smatrati da su na sobnoj temperaturi skoro sve primese jonizovane. Zbog toga
e u p-oblasti veinski nosioci biti upljine, ija je koncentracija p
po
N
A
, a u n-tipu elektroni,
sa koncentracijom n
no
N
D
. Manjinski nosioci u p-oblasti su elektroni (sa koncentracijom n
po
), a
u n-oblasti upljine, sa koncentracijom p
no
. S obzirom da je u p-oblasti koncentracija upljina
za nekoliko redova veliine vea nego u n-oblasti, to e iz p-oblasti ka n-oblasti nastati difuzija
upljina. Na mestu uz metalurski spoj, odakle su difuzijom otile upljine, ostaju nekompenzo-
vani akceptorski joni (sl. 8.2 i sl. 8.3a) i, kako su oni negativno naelektrisani, u p-oblasti ostaje
negativna koliina naelektrisanja (Q). Isto tako, sa strane n-oblasti difuzijom kroz metalurki
spoj odlaze elektroni u p-oblast, te u n-oblasti ostaju nekompenzovani donorski joni (sl. 8.2 i sl.
8.3a), odnosno pozitivna koliina naelektrisanja (+Q). Ta oblast sa nekompenzovanim prime-
sama, tj. sa prostornim naelektrisanjem vrsto vezanim za kristalnu reetku, zove se prelazna
oblast p-n spoja (sl. 8.2 i sl. 8.3a). U njoj, usled prostornog naelektrisanja postoji elektrino
polje K (sl. 8.3a), odnosno tolika potencijalna razlika V
bi
da u ravnotei zaustavlja dalje difu-
ziono kretanje nosilaca naelektrisanja. Zbog postojanja naelektrisanja, prelazna oblast p-n spoja
zove se i barijerna oblast ili oblast prostornog naelektrisanja.

129


Sl. 8.3. p-n spoj sa izvodima bez polarizacije (a), pri direktnoj (b) i inverznoj polarizaciji (c).

130

Sl. 8.4. Uz objanjenje proticanja struje kroz direktno polarisan p-n spoj.


irina prelazne oblasti, ili barijera, moe se menjati prikljuenjem spoljanjeg napona.
Smanjenje irine barijere postie se kada se na p-oblast prikljui pozitivan, a na n-oblast nega-
tivan pol spoljanjeg napona, sl. 8.3b; takav napon V zove se direktan napon. U suprotnom
sluaju, tj. prikljuenjem inverznog napona V
R
, irina prelazne oblasti se poveava, sl. 8.3c.
Neka se na p-n spoj dovede napon tako da se barijera smanji, sl. 8.3b. Usled smanjenja
barijere difuziona struja kroz p-n spoj postaje vea od driftovske i kroz p-n spoj e proticati
struja. Na sl. 8.4 simbolino je prikazano kretanje elektrona i upljina koje ine struju kroz p-n
spoj, odnosno kroz diodu. U n-oblasti veinski nosioci su elektroni i oni se kreu sdesna u levo,
inei driftovsku struju elektrona I
ndrift
, koja je suprotnog smera od smera kretanja elektrona
znai, u desno. Injektovane upljine iz p-oblasti u n-oblast predstavljaju manjinske nosioce u toj
oblasti (na sl. 8.4a su one predstavljene belim kruiima). Njihova koncentracija je najvea ne-
posredno uz prelaznu oblast, tj. na poetku n-oblasti. upljine se kroz n-tip poluprovodnika (n-
oblast) kreu difuzijom sleva u desno, usled ega, takoe sleva u desno, nastaje difuziona struja
upljina I
pdiff
. U bilo kojoj taki u n-oblasti ukupna struja koja protie kroz direktno polarisanu
diodu bie jednaka zbiru driftovske struje elektrona i difuzione struje upljina, tj. I
D
= I
ndrift
+ I
pdiff

(ovo je razlog zbog kojeg dioda spada u tkzv. bipolarne komponente komponente kod kojih
struju ine oba tipa naelektrisanja, i elektroni i upljine). S druge strane, u p-oblasti veinski
nosioci su upljine i one se kreu sleva u desno, od kojih nastaje driftovska struja upljina I
pdrift
,
koja je istog smera sa smerom kretanja upljina znai, u desno. Injektovani elektroni iz n-
oblasti u p-oblast predstavljaju manjinske nosioce u toj oblasti. Kako je njihova koncentracija
najvea neposredno uz prelaznu oblast, oni se kroz p-tip poluprovodnika (p-oblast) kreu
difuzijom sdesna u levo, inei difuzionu struju elektrona I
ndiff
, sa smerom suprotnim od difu-
zionog kretanja elektrona. I ovde, u bilo kojoj taki u p-oblasti ukupna struja koja protie kroz
direktno polarisanu diodu je jednaka zbiru driftovske struje upljina i difuzione struje elektrona.

131

Sl. 8.5. Simbolina predstava nastanka veoma male struje pri inverznoj polarizaciji diode.


Kada se, pak, na diodu dovede inverzan napon (sl. 8.3c), barijera se povea. U tom slu-
aju difuziona struja veinskih nosilaca kroz barijeru prestaje, a driftovska struja ne moe da
poraste iznad ravnotene, jer u prelaznoj oblasti nema odgovarajuih nosilaca. Na primer, difu-
zionoj struji upljina, koju ine veinski nosioci iz p-oblasti, dri ravnoteu driftovska struja istih
nosilaca koji su uli u prelaznu oblast. Prema tome, driftovska komponenta struje kroz p-n spoj
ne moe biti vea od difuzione. Da bi ona porasla, potrebno je da iz n-oblasti dou upljine.
upljine su u n-oblasti manjinski nosioci; njih ima vrlo malo, te e i struja u ovom smeru biti
vrlo mala, sl. 8.5. Zbog toga se p-n spoj zove i usmeraki spoj, jer on u jednom smeru proputa,
a u drugom ne proputa elektrinu struju.



8.1.1. Ravnoteno stanje na p-n spoju

Raspodela koncentracije primesa u okolini metalurskog spoja moe biti takva da je prelaz
sa p- na n-tip poluprovodnika skokovit, linearan, eksponencijalan, ili po nekoj drugoj funkciji
(erfc, Gausovoj, itd.). Skokovitim prelazom se moe smatrati onaj prelaz kod kojeg je koncen-
tracija primesa priblino konstantna u samoj prelaznoj oblasti, sl. 8.6. Tako se i spoj dobijen
difuzijom u izvesnim uslovima moe smatrati skokovitim, a to je kada je dubina p-n spoja
relativno mala. Duboki difundovani p-n prelazi su priblino linearni. Nadalje e se samo analizi-
rati skokoviti p-n spojevi pri sobnoj temperaturi (T = 300 K).
Neka su otpornosti p- i n-oblasti silicijuma respektivno
p
= 0,009 cm i
n
=1 cm. Sa
sl. 7.18 se za ove otpornosti dobija da je koncentracija akceptora N
A
= 10
19
cm
-3
, a koncentracija
donora N
D
= 510
15
cm
-3
. U tom sluaju koncentracija manjinskih nosilaca u p-tipu (elektrona),
na osnovu (7.1) i n
i
= 1,1310
10
cm
-3
, iznosi
A i po
N n n /
2
1,2810
20
/(110
19
) 13 cm
-3
, a
upljina u n-tipu
D i no
N n p /
2
1,2810
20
/(510
15
) 2,610
4
cm
-3
. Na sl. 8.7 su slikovito
prikazane koncentracije akceptora, upljina i elektrona u p-tipu i koncentracije donora, elektrona

132
i upljina u n-tipu silicijuma sa pomenutim brojnim vrednostima. Ovde je uzeto da je
koncentracija veinskih nosilaca priblino jednaka koncentraciji primesa (pretpostavlja se da su
sve primese jonizovane).


Sl. 8.6. Aproksimacija skokovitom raspodelom primesa (skokovit pn-spoj).


Sl. 8.7. Uz ilustraciju vrednosti koncentracija nosilaca naelektrisanja
i primesa u p- i n-oblasti silicijuma koje ine p-n spoj.

133
Na sl. 8.8a nacrtana je prelazna oblast p-n spoja. Kako je ovaj crte u linearnoj razmeri,
to slika ne prua pravi odnos veliina. Sa leve strane metalurkog spoja, usled odlaska upljina,
ostali su nekompenzovani akceptorski joni. Sa desne strane, odlaskom elektrona, ostali su ne-
kompenzovani donorski joni. Kako u ravnotei p-n spoj mora biti elektroneutralan (+Q = |Q|),
to je broj nekompenzovanih donora sa jedne strane jednak broju nekompenzovanih akceptora sa
druge strane. Prema tome, prelazna oblast e biti ira sa one strane sa koje je koncentracija
primesa manja (u ovom sluaju u n-oblasti (x
n
>> x
p
)).
Koncentracija veinskih nosilaca kroz prelaznu oblast opada za nekoliko redova veliine
(sl. 8.7), te je u odnosu na koncentraciju primesnih jona zanemarljivo mala. To daje mogunost
da se u razmatranjima pretpostavi da postoji totalno osiromaenje nosilaca naelektrisanja u
prelaznoj oblasti (sl. 8.8b). Drugim reima, aproksimacija totalnim osiromaenjem prelazne
oblasti, koja se, kao to je reeno, jo zove i barijera i oblast prostornog naelektrisanja, kazu-
je da je u toj oblasti koncentracija nekompenzovanih primesa jednaka ukupnoj koncentraciji pri-
mesa. Totalno osiromaenje se posebno moe prihvatiti u sluaju kada se prikljui takav spo-
ljanji napon na p-n spoj da se barijera povea (pri inverznoj polarizaciji, sl. 8.3c).


Sl. 8.8. Prelazna oblast skokovitog p-n spoja (nije u pravoj razmeri): (a) p-n spoj sa naznakom
prelaznih oblasti; (b) aproksimacija totalnog osiromaenja.


U p-tipu poluprovodnika Fermijev nivo je blizu vrha valentne zone, a u n-tipu blizu dna
provodne zone. Kako je u ravnotei Fermijev nivo u celom poluprovodniku konstantan, to e
nastati krivljenje zona, sl. 8.9. Na osnovu sl. 8.9 moe se pokazati da se za kontaktnu razliku
potencijala V
bi
p-n spoja dobija:


2
ln ln
i
D A
T
no
po
bi
n p
bi
n
N N
U
p
p
q
kT
V V =

, (8.1)

pri emu su k Bolcmanova konstanta, a U
T
= kT/q tkzv. termiki potencijal i na sobnoj tempe-
raturi (T = 300K) je U
T
0,026 V.
Analogno, kontaktna razlika potencijala n-p spoja data je izrazom:


2
ln ln
i
D A
T
po
no p n
bi
n
N N
U
n
n
q
kT
V =

. (8.2)

134

Sl. 8.9. (a) Odvojeni poluprovodnici p- i n-tipa pri termodinamikoj ravnotei;
(b) ravnoteno stanje na p-n spoju bez prikljuenog spoljanjeg napona.


Na sl. 8.10 prikazane su zavisnosti kontaktnih razlika potencijala u Si od koncentracije
primesa u slabije dopiranoj oblasti, pri emu je, na osnovu (8.1) i (8.2), raunato sa koncentraci-
jom primesa u jae dopiranoj oblasti N
A
= 510
16
cm
-3
, N
A
= 10
18
cm
-3
i N
A
= 510
19
cm
-3
,



Sl. 8.10. Zavisnosti kontaktnih razlika potencijala za skokovite
p-n spojeve Si od koncentracije primesa u slabije dopiranoj oblasti.

135
Prikljuenjem spoljanjeg napona napon na barijeri se menja. Drugim reima, usled di-
rektnog napona V, napon barijere V
B
, koji je u ravnotei bio jednak kontaktnoj razlici potencijala
(V
B
= V
bi
), smanjuje se na V
B
= V
bi
V; ukoliko se prikljui inverzni spoljanji napon (
inv
V ),
napon barijere se poveava i iznosi V
B
= V
bi
(
inv
V ) = V
bi
+
inv
V .



8.1.2. Kapacitivnost prostornog naelektrisanja

U prelaznoj oblasti, kao to je pokazano, postoji prostorno naelektrisanje od jonizovanih
primesa. Ako je, dakle, re o p-n spoju, prema sl. 8.8 u p-oblasti irine x
p
postojae negativno
naelektrisanje Q
p
= qSx
p
N
A
(S je povrina p-n spoja), a u n-oblasti irine x
n
pozitivno nalektri-
sanje Q
n
= qSx
n
N
D
. S obzirom da poluprovodnik ima tano definisanu vrednost dielektrine
konstante
s
=
0

rs
(
0
dielektrina konstanta vakuuma), to se naelektrisanja Q
p
i Q
n
mogu
smatrati kao naelektrisanja na oblogama jednog kondenzatora, pri emu je rastojanje izmeu tih
obloga w = x
p
+ x
n
. Kapacitivnost takvog kondenzatora


w
S
C
s
= (8.3)

zove se kapacitivnost prostornog naelektrisanja ili barijerna kapacitivnost.
Kako se, kao to je reeno, promenom napona na diodi moe menjati vrednost irine pre-
lazne oblasti p-n spoja, tj. w (sl. 8.4 i sl. 8.5), to se, na osnovu (8.3), moe spoljanjim naponom
V menjati i barijerna kapacitivnost u relativno irokim granicama. Na sl. 8.11 je, u funkciji napo-
na, prikazana promena barijerne kapacitivnosti jedne diode sa skokovitim p-n prelazom U praksi
je to iskorieno kod varikap dioda (videti deo 4.3.3). Iako je promena kapacitivnosti sa
naponom vea kod direktno polarisanih p-n spojeva, koristi se samo inverzna polarizacija dioda,
s obzirom da tada kroz diodu protie zanemarljivo mala struja (o emu e kasnije biti vie rei).
koje se ugrauju u tjunere televizora i radio aparata (napominje se da su prave varikap diode sa
tkzv. superstrmim prelazom, a ne sa skokovitim p-n spojem).


Sl. 8.11. Kapacitivnost skokovitog p-n spoja u funkciji napona na diodi.


136
8.2. STRUJA DIODE

Difuziona struja. Uz pretpostavku strmog p-n spoja, na sl. 8.12a je kvalitativno pred-
stavljena raspodela nosilaca naelektrisanja du nepolarisane diode. Meutim, kada se na p-n spoj
prikljui direktni napon V (na p-tip pozitivan a na n-tip negativan pol napona, sl. 8.3b), smanjie
se napon barijere na vrednost V
B
= V
bi
V, odnosno smanjie se koee elektrino polje u pre-
laznoj oblasti p-n spoja. Usled toga nastae injekcija nosilaca naelektrisanja, i to upljina iz p- u
n-oblast i elektrona iz n- u p-oblast, sl. 8.12b. Stoga to sada postoji gradijent koncentracije
manjinskih nosilaca naelektrisanja, a u skladu sa onim to je ranije napomenuto, proticae u n-
tipu difuziona struja upljina i u p-tipu poluprovodnika difuziona struja elektrona.


Sl. 8.12. Kvalitativna predstava koncentracija nosilaca naelektrisanja du
(a) nepolarisane i (b) direktno polarisane (samo za manjinske nosioce) p-n diode.


Injektovane upljine, kao manjinski nosioci u n-oblasti, kreui se du x-ose u desno ine
difuzionu struju upljina (ija je gustina J
pdif
). Te upljine se rekombinuju sa veinskim nosio-
cima elektronima, sl. 8.13; istovremeno, usled prikljuenog napona elektroni se du n-oblasti
kreu u suprotnom smeru od kretanja upljina, tj. sdesna u levo i to njihovo kretanje definie
driftovsku struju elektrona, ija je gustina J
ndrift
. Drugim reima, kako gustina difuzione struje
upljina J
pdif
opada, tako gustina driftovske struje elektrona J
ndrift
raste (sl. 8.13). Smer difuzione
struje upljina je u smeru kretanja upljina, a ovo kretanje je u smeru opadanja njihove kon-

137
centracije, tj. u desno. Elektroni se, pak, kreu u susret upljinama, u levo, te je i smer struje
elektrona u desno. U p-oblasti je situacija obrnuta: injektovani elektroni se difuziono kreu u
levo (od njih potie difuziona struja elektrona gustine J
ndif
J
nd
). Ovi elektroni se u p-oblasti
rekombinuju sa veinskim upljinama (sl. 8.12), koje se, pak, kreu sleva na desno, usled kojih
nastaje driftovska gustina struje J
pdrift
.


Sl. 8.13. Kvalitativna predstava raspodele gustina struja u p-n diodi.


Ne ulazei u nain analitikog odreivanja, za struju diode se dobija:


T
s
T
s
U
V
I
U
V
I I exp 1 exp

= , (8.4)

gde je V spoljanji napon na diodi, U
T
termiki potencijal (U
T
= 0,026 V pri T = 300K), a I
s
je in-
verzna struja zasienja diode.
Struja I
s
je nazvana inverznom zbog toga to bi, na osnovu srednjeg lana u (8.4), ta
struja tekla pri inverznoj polarizaciji. Naime, pri inverznoj polarizaciji (na n-tip pozitivan a na p-
tip negativan pol napona, sl. 8.3c) je u jedn. (8.4) exp(-V/U
T
) << 1 ve pri naponima V = 0,2V,
tako da iz (8.4) sledi da je tada I = I
s
. Inverzna struja zasienja je veoma mala (kod silicijum-
skih dioda reda pA do nA), s obzirom da nju odreuju koncentracije manjinskih nosilaca naelek-
trisanja, a one su, kao to je pokazano, male.
Pri direktnoj polarizaciji p-n spoja eksponencijalna funkcija u jedn. (8.4) brzo raste i ve
pri naponu veem od 0,2V je exp(V/U
T
) >> 1. Prema tome, p-n spoj ukljuen u kolo elektrine
struje, proputa struju kada je direktno polarisan, a praktino je ne proputa pri inverznoj pola-
rizaciji; drugim reima, p-n spoj (dioda) ima usmerake karakteristike, sl. 8.14. Kao to se sa
sl. 8.14a vidi, struja silicijumske diode naglo poinje da raste oko 0,6V, ali se kao napon voe-
nja diode uvek uzima V = 0,7 V.
Izraz (8.4) daje izuzetno dobro slaganje teorijskih i eksperimentalnih vrednosti struja pri
direktnoj polarizaciji diode za napone V 0,4 V, a to su upavo oni naponi pri kojima se dioda i
koristi. Pri niim direktnim naponima, a posebno pri inverznoj polarizaciji izmerene vrednosti
inverznih struja I
r
su znatno vee od I
s
(obino je I
r
1000I
s
). Stoga, pri inverznoj polarizaciji
ne treba raunati sa strujom I
s
, ve sa sa inverznom strujom I
r
>> I
s
.


138

Sl. 8.14. Struja (I
d
I) jedne silicijumske diode u funkciji napona.


Sl. 8.15. Praktian model silicijumske diode.

139
Ako to nije posebno naglaeno, za struju diode se koristi desni lan u izrazu (8.4). Kao
to se i sa sl. 8.14 vidi, a ve je to i pomenuto, struja koja protie kroz diodu pri inverznoj pola-
rizaciji je veoma mala, reda nA. Zbog tako izuzetno male struje inverzne polarizacije, a relativno
velike struje kada je dioda direktno polarisana, dioda se, u prvoj aproksimaciji, moe smatrati
elektrinim ventilom, tj. komponentom koja u jednom smeru (direktna polarizacija) proputa, a u
suprotnom (inverzna polarizacija) ne proputa struju.
Stoga je mogue uvesti tkzv. praktian model diode, koji je za silicijumsku diodu dat
na sl. 8.15. Naime, u ovom modelu se dioda pri direktnoj polarizaciji u kolu prikazuje kao
kratkospojeni prekida P sa padom napona izmeu katode i anode V
d
= 0,7 V (sl. 8.15a); pri
inverznoj polarizaciji prekida P je otvoren, a zbog I
inv
= 0 napon izmeu anode i katode je jed-
nak naponu izvora napajanja V
bat
(sl. 8.15b). Pri tom, strujno-naponska karakteristika se smatra
idealnom (sl. 8.15c), sa naponom voenja kod silicijuskih dioda V
d
= 0,7 V.



8.2.1. Testiranje ispravnosti dioda

Korienjem univerzalnih mernih instrumenata (multimetara), bilo digitalnih, bilo analo-
gnih, mogue je veoma brzo i efikasno ustanoviti da li je dioda ispravna ili ne. Naime, veina
digitalnih multimetara ima mogunost direktnog testiranja ispravosti dioda. Tipian takav multi-
metar, kao to se vidi na sl. 8.16, ima oznaku diode ka kojoj treba usmeriti funkcionalni prek-
lopnik. Svi multimetri poseduju baterije kojima se napajaju. U primeru na sl. 8.16 prikazani mer-
ni instrument se napaja sa V
bat
= 2,6 V.
Ispravna dioda. Prikljuivanjem pozitivnog pola baterije digitalnog multimetra (crvena
ica na sl. 8.16a) na anodu i negativnog pola (cna ica na sl. 8.16a) na katodu, na displeju se
oitava vrednost napona na diodi koja moe biti od 0,5 V do 0,9 V, sa tipinom vrednou oko
0,7 V (kao na sl. 8.16a). Vrlo esto takvi multimetri poseduju i zvuni signal koji se u tom tre-
nutku oglaava. Da bi bili sigurni da je dioda stvarno (tanije: najverovatnije) ispravna, okreu se
izvodi diode (dioda se fiziki okrene za 180
o
, sl. 8.16b); tada se ista testira pod uslovima inver-
zne polarizacije. U tom sluaju se na displeju oitava napon napajanja instrumenta (2,6 V na
primeru na sl. 8.16b). Kada se merenje ispravnosti diode vri analognim multimetrom, prek-
lopnik se postavi u poloaj kojim se izabira merenje otpornosti. Napominje se da je kod takvih
instrumenata u odnosu na digitalne multimetre izmenjen polaritet napona napajanja samog in-
strumenta: oznaka uzemljenja (obino iz nje izlazi crna ica) je na pozitivnom, a oznaka koja
oznaava merenje otpornosti (trebalo bi po pravilu da bude crvena ica) je na negativnom polu
baterije kojom se napaja multimetar. Stoga e kod ispravne diode igla multimetra skrenuti kraj-
nje desno. Kada se dioda okrene (anoda i katoda izmene prethodni poloa), merna igla multime-
tra se ne pomera (u zavisnosti koji merni opseg otpornosti je izabran moe se desiti da se igla
malo i pomeri u desno).
Neispravna dioda. Neispravna dioda moe biti kada se dioda ponaa kao prekid u kolu
(tkzv. otvorena dioda) ili kada je kratkospojena. U testu u kojem se koristi digitalni multimetar
na displeju se kod otvorene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji oitava ista identifi-
kacija, tj. napon baterije u instrumentu, sl. 8.17a. (kod nekih multimetara pie OL). Sa druge
strane, kod kratkospojene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji na displeju pie takoe
ista cifra, ali je to ili 0 (kao na sl. 8.17b) ili napon znatno manji od napona baterije u instru-
mentu. Kada se koristi analogni instrument, skretanje merne igle je isto i pri direktnoj i pri in-
verznoj polarizaciji diode, s tim to je kod otvorene diode skretanje igle znatno vee nego kod
kratkospojene diode.


140

Sl. 8.16. Test kojim se pokazuje da je dioda ispravna.



Sl. 8.17. Test kojim se pokazuje da je dioda neispravna: (a) kod otvorene diode i pri
direktnoj i pri inverznoj polarizaciji je ista identifikacija (kod nekih multimetara pie OL);
(b) kod kratkospojene diode i pri direktnoj i pri inverznoj polarizaciji na displeju pie ista
cifra: ili 0 ili napon znatno manji od napona baterije u instrumentu.





141
8.3. PROBOJ p-n SPOJA

Inverzni napon na p-n spoju se ne moe poveavati neogranieno. Pri izvesnom inverz-
nom naponu V
pr
inverzna struja poinje naglo da raste, sl. 8.18. Kada je nastupio ovaj trenutak,
govori se o proboju p-n spoja, a V
pr
je probojni napon. Proboj moe nastati usled tunelskog
efekta, odnosno neposrednog prelaska elektrona iz valentne u provodnu zonu pod uticajem
elektrinog polja (Zenerov proboj). Drugi uzrok proboju moe biti umnoavanje (multiplikacija)
nosilaca naelektrisanja usled jakog elektrinog polja (lavinski proboj).


Sl. 8.18. Strujno-naponske karakteristike dve diode u lin-lin razmeri: kod jedne diode proboj
nastaje usled tunelovanja a kod druge usled lavinskog umnoavanja nosilaca naelektrisanja.


8.3.1. Zenerov proboj

Iz fizike je poznato da elektroni, usled svoje talasne prirode, mogu prolaziti kroz poten-
cijalnu barijeru. Prolaenje elektrona kroz barijeru mogue je ako on moe da zadri svoju ener-
giju i na drugoj strani barijere. Verovatnoa prolaenja je utoliko vea ukoliko je barijera ua, a
takoe i ukoliko ima vie elektrona sa jedne strane barijere i vie slobodnih mesta (nezauzetih
energetskih nivoa) sa druge strane. Takva situacija moe da se ostvari kod inverzno polarisanog
p-n spoja.
Naime, pod uticajem inverznog napona barijera na p-n spoju se proiruje, ali se i ener-
getske zone krive. U sluaju kada je krivljenje zona toliko veliko da provodna zona u n-tipu bu-
de naspram valentne zone u p-tipu (sl. 8.19), ispunie se uslov za tunelsko prelaenje elektrona
iz valentne zone poluprovodnika p-tipa u provodnu zonu poluprovodnika n-tipa, s obzirom da u
valentnoj zoni u p-tipu ima mnogo elektrona, a u provodnoj zoni u n-tipu mnogo praznih mesta
(nezauzetih stanja). Kako verovatnoa tunelskog prelaza zavisi i od irine barijere, to je za
nastajanje ovog proboja potrebno da irina barijere bude mala, a to e biti ako su i p-tip i n-tip
poluprovodnika jako dopirani i istovremeno oformljuju strm p-n prelaz. Napominje se da tunel-
ski proboj (Zenerov proboj V
z
) p-n spoja nastaje pri inverznim naponima koji nisu vei od 5 V
(sl. 8.18).

142

Sl. 8.19. Uz objanjenje tunelskog prelaska elektrona iz valentne u provodnu zonu.


8.3.2. Lavinski proboj

Lavinski proboj nastaje udarnom jonizacijom atoma poluprovodnika u prelaznoj oblasti
p-n spoja. Na sl. 8.20 je prikazan mehanizam jonizacije. Naime, pod uticajem jakog elektrinog
polja, elektroni se kreu i dobijaju poveanu kinetiku energiju. Na kraju slobodnog puta l elek-
tron se sudari sa atomom kristalne reetke. Ako izmeu dva sudara elektron stekne kinetiku
energiju jednaku ili veu od energije jonizacije, izvrie jonizaciju atoma, te stvoriti jo jedan
slobodan elektron. Sada oba elektrona u sledeim sudarima stvore jo dva elektrona i tako dalje
se elektroni umnoavaju. Prilikom stvaranja slobodnog elektrona stvara se i upljina, koja se kre-
e u suprotnom smeru. Prelazei slobodan put, i ona, sudarom sa atomom, moe da izvri njego-
vu jonizaciju. Prema tome, bilo da pone proces umnoavanja nosilaca elektronima, bilo up-
ljinama, usled toga to se pri sudaru stvara par elektron-upljina, u ovom procesu uestvuju i
elektroni i upljine, a inverzna struja pri naponu V
pr
naglo poinje da raste (sl. 8.18).


Sl. 8.20. Uz objanjenje lavinskog umnoavanja nosilaca naelektrisanja.

143
8.4. KONTAKT METAL-POLUPROVODNIK

Pri kontaktu metala sa poluprovodnikom (m-s kontakt) obrazuje se oblast prostornog nae-
lektrisanja u okolini kontakta. Kod kontakta metala sa n-tipom poluprovodnika prelaskom elek-
trona iz poluprovodnika u metal formira se u poluprovodniku oblast pozitivnog, a u metalu ob-
last negativnog prostornog naelektrisanja. Treba naglasiti da je u povrinskom delu metala nae-
lektrisanje rasporeeno samo do jednog atomskog sloja, usled ega se ova oblast u metalu za-
nemaruje. Znai, oblast prostornog (nepokretnog) nalektrisanja je, praktino, samo u polupro-
vodniku. Drugim reima, u poluprovodniku n-tipa neposredno uz metal postoji osiromaena
oblast (osiromaena elektronima). Osiromaeni sloj m-s kontakta je analogan osiromaenoj ob-
lasti p-n spoja, a to znai da se i kod m-s kontakta pojavljuje kontaktna razlika potencijala
s m
bi
V

,
ali je ona manja nego kod p-n spojeva (
s m
bi
V

<
n p
bi
V

). Kod kontakta metala i poluprovodnika p-
tipa se u poluprovodniku uz metal pojavljuje oblast (sloj) koja je osiromaena upljinama.
Pri direktnoj polarizaciji (kod m-s kontakta sa n-tipom poluprovodnika na metal pozitivan
a na poluprovodnik negativan pol napona, a kod m-s kontakta sa p-tipom poluprovodnika na
metal negativan a na poluprovodnik pozitivan pol napona) smanjuje se kontaktnta razlika po-
tencijala
s m
bi
V

za vrednost prikljuenog napona direktne polarizacije V. Obrnuto, pri inverznoj
polarizaciji naponom V
R
, kontaktna razlika potencijala se poveava za vrednost tog napona. To
znai da e pri direktnoj polarizaciji m-s kontakta kroz njega proticati vea struja nego pri in-
verznoj polarizaciji, a to, pak, znai da i m-s kontakt ima usmerake osobine, sl. 8.21.


Sl. 8.21. Strujno-naponska karakteristika Si diode sa p-n spojem i otkijeve diode.


Diode na bazi m-s kontakta zovu se otkijeve diode. Osnovna razlika izmeu otkijevih
dioda i dioda sa p-n spojevima je u tome to je kod prvih struja uglavnom posledica kretanja

144
veinskih nosilaca naelektrisanja, dok je kod p-n spojeva struja najveim delom uslovljena di-
fuzionim kretanjem manjinskih nosilaca nalektrisanja. Stoga su otkijeve diode znatno bre od
dioda sa p-n spojevima, s obzirom da kod njih nema nagomilavanja manjinskih nosilaca nae-
lektrisanja.
Razlika u strujno-naponskoj karakteristici otkijevih dioda i silicijumskih dioda sa p-n
spojevima najbolje se moe uoiti sa sl. 8.21. Tipine vrednosti napona pri kojima u direktnom
smeru struja naglo poinje da raste su kod Si dioda oko 0,6 V, dok je ta vrednost kod otkijevih
dioda oko 0,3 V. Istovremeno, inverzna struja otkijevih dioda je oko tri do etiri reda veliine
vea od inverzne struje Si diode. Ali, sa druge strane, kao to je pomenuto, otkijeve diode su
bre od silicijumskih dioda, te su, stoga, pogodnije za tad na visokim uestanostima.



8.5. PRIMENA DIODA U IZVORIMA NAPAJANJA

Nijedan elektronski ureaj ne bi mogao da radi bez jednosmernog izvora napajanja. Neki
ureaji (raunari, televizori, DVD plejeri) se direktno prikljuuju na mreni napon, koji je kod
nas uestanosti 50 Hz i efektivne vrednosti 220 V, dok drugi (mobilni telefoni, lap-topovi) kori-
ste baterije. Da bi oni ureaji koji se direktno prikljuuju na mreni napon mogli da rade, neop-
hodno je da se taj naizmenini mreni napon ispravi, tj. da se od naizmeninog napona dobije
jednosmerni napon. Taj proces se odvija u ispravljaima, sl. 8.22. Ispravljai su neophodni i kod
mobilnih telefona, lap-topova i mnogih drugih ureaja koji danas koriste punjive baterije (nikl-
kadmijumske, nikl-metal hibridne, litijum-jonske), s obzirom da se te baterije dopunjuju jedno-
smernim naponima iz ispravljaa. Osnovna elektronska komponenta u ispravljaima jeste dioda.


Sl. 8.22. Princip dobijanja jednosmernog (ispravljenog) napona od naizmeninog mrenog napona.

145
Princip na kome se zasniva dobijanje jednosmernog od naizmeninog napona pomou je-
dne diode prikazan je na sl. 8.23. Kada na anodu diode naie pozitivna poluperioda ulaznog
napona V
in
(od trenutka t
0
do trenutka t
1
, sl. 8.23a), dioda proputa struju i na potroau (otpor-
niku R
L
) stvara pad napona V
out
istog oblika sa ulaznim naponom (sl. 8.23a). Meutim, kada na
anodu u vremenskom periodu od t
1
do t
2
(sl. 8.23b) naie negativna poluperioda ulaznog napona
V
in
, dioda ne proputa struju i na potroau je izlazni napon V
out
jednak nuli. Nailaskom sledee
pozitivne poluperiode ulaznog napona dioda ponovo provede, a zatim sa negativnom polupe-
riodom napon na izlazu ponovo biva jednak nuli, sl. 8.23c. Nedostatak ovog naina ispravljanja
jeste to struja protie kroz potroa samo za vreme jedne poluperiode naizmeninog napona,
dok je za vreme od t
1
do t
2
struja kroz potroa jednaka nuli.


Sl. 8.23. Ispravljanje napona pomou jedne diode.


Sl. 8.24. Ispravljanje napona pomou dve diode.

146
Bolji nain dobijanja ispravljenog napona dobija se pomou dve diode, sl. 8.24. Na istoj
slici je prikazan i transformator koji mreni napon od 220 V sniava na eljenu vrednost, i tako
snieni naizmenini napon se sa sekundarnog namotaja (sekundara) transformatora dovodi na
diode D
1
i D
2
. Za vreme pozitivne poluperiode naizmeninog napona vodi dioda D
1
(sl. 8.25a), a
dioda D
2
je tada inverzno polarisana i kroz nju ne protie struja (dioda D
2
je zakoena). Situa-
cija je potpuno izmenjena kad na diodu D
2
naie negativna poluperioda napona sa sekundara:
tada ona vodi (sl. 8.25b), a dioda D
1
je tada zakoena. Kao posledica, kroz potroa sve vreme
protie struja, koja na njemu stvara pad napona V
out
kao na sl. 8.25b.


Sl. 8.25. Prikaz voenja i zakoenja pojedinih dioda u ispravljau sa dve diode.


Najei i najbolji nain dobijanja ispravljenog napona postie se pomou etiri diode ve-
zane na nain prikazan na sl. 8.26 (tako vezane diode ine tkzv. Grecov spoj). Naime, za vreme
pozitivne poluperiode naizmeninog napona koji se dovodi sa sekundara transformatora provede
dioda D
1
; struja prolazi kroz potroa R
L
i strujni krug se zavrava preko diode D
2
(sl. 8.26a).
Drugim reima, tada vode diode D
1
i D
2
, a diode D
3
i D
4
su tada zakoene. Meutim, kada na
diodu D
3
naie negativna poluperioda napona sa sekundara, uloge dioda su izmenjene: tada vode
diode D
3
i D
4
(sl. 8.26b), a diode D
1
i D
2
su tada zakoene. Na taj nain kroz potroa sve vreme
protie struja, koja na njemu stvara pad napona kao na sl. 8.26b. Na sl. 8.27 je prikazano neko-
liko razliitih Grecovih spojeva, na kojima se vidi gde se prikljuuje naizmenini napon, a sa
kojih izvoda se uzima + i ispravljenog napona (to je, takoe, naznaeno i na sl. 8.26).
Do sada je bilo rei o nainima ispravljanja napona. Meutim, tako dobijeni su i kod pu-
notalasnog (sl.8. 28b), a posebno kod polutalasnog ispravljanja (sl. 8.28a), takvi da su talasni ob-
lici napona na izlazu neprihvatljivi za praktinu primenu (na primer kod audio ureaja bi bio ja-
ko ujan nedozvoljeni brum). Stoga se posle ispravljakih dioda koristi kondenzator velike kapa-
citivnosti (obino su to elektrolitski kondenzatori kapacitivnosti nekoliko stotina F), sl. 8.29.

147

Sl. 8.26. Ispravljanje napona pomou etiri diode (Grecov spoj).


Sl. 8.27. Nekoliko razliitih Grecovih spojeva.


Uloga kondenzatora (sl. 8.28 i sl. 8.29) se ogleda u sledeem: u prvom trenutku kada
dioda provede, kondenzator se napuni (sl. 8.39a) i napon na njemu je V
C
= V
p(in)
0,7 V, gde je
V
p(in)
maksimalna vrednost ulaznog napona. Odmah nakon toga kondenzator poinje da se prazni
preko potroaa R
L
(sl. 8.29b) i to pranjenje kondenzatora traje sve do trenutka kada, pri pozi-
tivnoj poluperiodi naizmeninog napona, struja koja protie kroz diodu ne dopuni kondenzator
(na sl. 8.29c je to trenutak koji je iznad t
2
). Na taj nain se dobija prilino ispeglan napon na
potroau, sl. 8.28. Oigledno je, stoga, da e to peglanje ispravljenog napona biti bolje ukoli-
ko je kapacitivnost kondenzatora vea, s obzirom da je vreme pranjena kondenzatora srazmerno
kapacitivnosti istog.
Na kraju, na sl. 8.30 dat je izgled jednog ispravljaa sa etiri diode, a na sl. 8.31 je prika-
zano nekoliko vrsta dioda, sa naznakom na kom je izvodu katoda.


148

Sl. 8.28.Naponski oblici ispravljenog napona bez kondenzatora i sa kondenzatorom.


Sl. 8.29 Uz objanjenje uloge kondenzatora u ispravljaima.

149

Sl. 8.30. Izgled jednog ispravljaa sa etiri diode.


Sl. 8.31. Razliite vrste dioda.








150





9. BIPOLARNI TRANZISTORI

9.1. VRSTE TRANZISTORA

Sama re tranzistor nastala je saimanjem rei TRANSfer-resISTOR, koje na engles-
kom jeziku znae prenosna otpornost. Moe se, s pravom, rei da je elektronska revolucija
zapoela pronalaskom bipolarnih tranzistora 1947. godine. Do tada su se poluprovodnici koristili
samo za termistore, fotodiode i ispravljae. 1949. godine okli je publikovao teoriju o radu polu-
provodnikih dioda i bipolarnih tranzistora i od tog trenutka poinje nagli razvoj kako teorijskih
istraivanja, tako i industrijske proizvodnje ovih komponenata. Zahvaljujui intenzivnom napret-
ku tehnologije poveala se, znatno, pouzdanost, snaga, granina uestanost i primena bipolarnih
tranzistora.
Za razliku od dioda, koje su, kao to je pokazano, elektronske komponente sa dva izvoda,
tranzistori su komponente sa tri izvoda, sl. 9.1. Ti izvodi su kontaktirani za tri oblasti: oblast
tranzistora iz koje se injektuju nosioci naelektrisanja zove se emitor, oblast u koju se injektuju ti
nosioci je baza, a oblast u koju ekstrakcijom iz baze dolaze nosioci zove se kolektor, sl. 9.1a.
Osnovna karateristika bipolarnog tranzistora jeste da je to komponenta koja ima pojaavaka
svojstva, tj. da signal koji se dovodi na ulaz tranzistora biva pojaan na njegovom izlazu, to je
figurativno prikazano na sl. 9.1b.


Sl. 9.1. Bipolarni tranzistor komponenta sa tri izvoda (a) i kao pojaavaka kompoenta (b).


Bipolarni tranzistor se sastoji od dva p-n spoja, sl. 9.2. Meutim, naglaava se da ti p-n
spojevi moraju da budu u jednoj poluprovodnikoj komponenti tranzistor se ne moe, dakle,
dobiti jednostavnim spajanjem dva p-n spoja (dve diode); osnovno svojstvo tranzistora sastoji se
ba u tome da izmeu tih p-n spojeva postoji uzajamno dejstvo strujom jednog spoja moe se
upravljati struja drugog p-n spoja. Kao to se sa sl. 9.2 vidi, u zavisnosti od toga koga je tipa
srednja oblast, koja se, kao to je reeno, zove baza, razlikuju se p-n-p (nadalje e se oznaavati
sa PNP) i n-p-n (NPN) tranzistori.

151

Sl. 9.2. Ilustrativni i ematski prikazi PNP (a) i NPN (b) tranzistora.


Sl. 9.3. NPN tranzistor kao diskretna komponena i u okviru integrisanih kola.

152

Sl. 9.4. Kvalitativna predstava preseka epitaksijalnog dvostruko difundovanog
PNP tranzistora male snage


Bipolarni tranzistori male i srednje snage se najee dobijaju planarnom tehnologijom,
pri emu se emitorski i kolektorski spoj oformljuju dvostrukom difuzijom primesa u epitaksijalni
sloj. Na sl. 9.3 prikazan je NPN, a na sl. 9.4 PNP planarni tranzistor.

Epitaksijalni sloj je sa
niskom koncentracijom primesa i prvenstveno slui za poveanje probojnog napona spoja kolek-
tor-baza (ceo kolektor ne moe biti sa niskom koncentracijom primesa, jer bi, u tom sluaju, bila
velika redna otpornost kolektora, a time i veliki pad napona na toj otpornosti; sa druge strane,
velika koncentracija primesa u kolektoru dovela bi do niskog probojnog napona kolektorskog
spoja, to bi bilo neodrivo za normalan rad tranzistora).


Sl. 9.5. Fotografija diskretnog tranzistorskog ipa (a) i njegova montaa u metalno kuite TO 18.



153
Ne ulazei u tehnoloki niz proizvodnje bipolarnih tranzistora, na sl. 9.3 su prikazana dva
NPN tranzistora: jedan se odnosi na diskretnu komponentu (svaki tranzistor je pojedinana kom-
ponenta), a drugi je izdvojen iz jednog integrisanog kola. Osnovna razlika izmeu njih ogleda se
u tome to se kod diskretnog tranzistora kolektorski i emitorski kontakt nalaze sa suprotnih stra-
na, a kod tranzistora u integrisanim kolima su svi kontakti sa jedne strane, sl. 9.3. Stoga kolek-
torska struja kod diskretnog tranzistora protie vertikalno kroz komponentu, a kod integrisanog
tranzistora ona je najveim delom planparalelna.
Slika 9.5 prikazuje fotografiju ipa jednog diskretnog bipolarnog tranzistora i figurativni
odnos veliina samoga ipa i kuita.
Kako tranzistor ima tri izvoda, to se on moe ukljuiti na 6 razliitih naina u dva elek-
trina kola, pri emu je jedan kraj zajedniki za oba kola. Meutim, u praksi se koriste samo 3
naina vezivanja; to su: spoj sa uzemljenom (zajednikom) bazom (sl. 9.6a), spoj sa uzemljenim
emitorom (sl. 9.6b) i spoj sa uzemljenim kolektorom (sl. 9.6c).


Sl. 9.6. Tri naina vezivanja PNP tranzistora: (a) sa uzemljenom bazom; (b) sa uzemljenim emi-
torom; (c) sa uzemljenim kolektorom.



9.1.1. Nain rada tranzistora

U normalnom radnom reimu (aktivnom reimu) jedan p-n spoj tranzistora je direktno, a
drugi inverzno polarisan; direktno polarisan spoj jeste emitor-bazni (ili, kratko, emitorski)
spoj, a inverzno polarisan spoj je kolektor-bazni (kolektorski) spoj. Prema tome, kod PNP
tranzistora pozitivan pol izvora prikljuen je za emitor preko metalnog kontakta, a negativan za
bazu; pozitivan pol kolektorskog izvora prikljuen je na bazu, a negativan na kolektor (sl. 9.2a).
Kod NPN tranzistora je obrnuto (sl. 9.2b).
Na sl. 9.7 figurativno je prikazano kako se kreu elektroni kod normalno polarisanog
NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom, sa naznakom smerova emitorske I
E
, bazne I
B
i kolek-
torske struje I
C
, s napomenom da su smerovi struja suprotni od smera kretanja elektrona.
Rad bipolarnog tranzistora bie objanjen na primeru PNP tranzistora sa uzemljenom ba-
zom. Analiza, meutim, ostaje nepromenjena i kod NPN tranzistora, sa napomenom da kod nje-
ga naponi i struje menjaju smerove, a upljine i elektroni uloge. Dakle, sve ono to se kod PNP
tranzistora odnosi na upljine, kod NPN tranzistora odnosi se na elektrone, i obratno.
Na sl. 9.8 ematski su prikazane komponente struja u PNP tranzistoru (u preseku AA' na
sl. 9.4). Naime, usled direktne polarizacije emitorskog spoja upljine se, koje su u emitoru ve-
inski nosioci naelektrisanja, iz emitora injektuju u podruje baze; ove injektovane upljine ine
emitorsku struju upljina I
pE
. Sa druge strane, iz baze, gde su veinski nosioci, elektroni prelaze

154
u podruje emitora, inei emitorsku struju elektrona I
nE
. Kako su elektroni i upljine nosioci
naelektrisanja suprotnog znaka, to je i emitorska struja elektrona I
nE
istog smera kao i emitorska
struja upljina I
pE
, tako da je emitorska struja I
E
jednaka zbiru ovih dveju struja. Meutim, samo
komponenta struje koja nastaje prolaskom upljina kroz emitorski spoj doprinosi pojaavakom
svojstvu tranzistora, s obzirom da ona efektivno uestvuje u formiranju kolektorske struje. Otuda
se u konstrukciji tranzistora tei da se emitorska struja elektrona I
nE
kroz emitorski spoj to vie
smanji (ne treba zaboraviti da je ovde re o PNP tranzistoru; kod NPN tranzistora je upravo obr-
nuto). Prema tome, emitorska struja I
E
je:


nE pE E
I I I + = . (9.1)



Sl. 9.7. Figurativna predstava kretanja elektrona u normalno polarisanom NPN tranzistoru.



155

Sl. 9.8. Komponente struja u PNP tranzistoru u aktivnom reimu rada.



Injektovane upljine e se, usled njihove poveane koncentracije u bazi uz emitorski spoj,
difuziono kretati kroz bazu ka kolektorskom spoju, sa napomenom da su u bazi upljine manjin-
ski nosioci naelektrisanja. Kreui se ka kolektoru, jedan manji broj upljina se rekombinuje sa
elektronima u bazi; ta komponenta struje upljina obeleena je sa I
pB
= I
nB
(sl. 9.8). Meutim,
daleko najvei broj upljina injektovanih iz emitora stie do prelazne oblasti kolektorskog spoja.
Kako je, zbog inverzne polarizacije, elektrino polje u prelaznoj oblasti kolektorskog spoja tak-
vog smera da pomae kretanje manjinskih nosilaca naelektrisanja (u ovom sluaju upljina), to,
praktino, sve upljine koje su stigle do kolektorskog spoja prelaze u kolektor, inei kolektorsku
struju upljina I
pC
. Kroz inverzno polarisani kolektorski spoj protie i struja I
CB0
, koja se sastoji
od tri komponente: inverzne struje upljina kao posledice prelaska ravnotenih manjinskih
nosilaca (p
no
) iz baze, struje zasienja elektrona koja potie od ravnotenih manjinskih nosilaca
u kolektoru (n
po
) i generaciono-rekombinacione struje usled generacije nosilaca u kolektorskoj
prelaznoj oblasti, ali, zbog toga to je I
CB0
<< I
pC
, o struji I
CB0
nadalje se nee voditi rauna.
Prema tome, bazna struja I
B
e biti:


nE pB B
I I I + = , (9.2)

a kolektorska struja I
C
je:

pC C
I I . (9.3)

Na osnovu sl. 9.8 moe se, takoe, videti da je:


C B E
I I I + = . (9.4)

Dakle, iz jedn. (9.1) do (9.4) sledi:

156

pC nE pE C E B
I I I I I I + = = . (9.5)

Bazna struja je vrlo priblino jednaka razlici emitorske struje upljina I
pE
i kolektorske
struje upljina I
pC
, s obzirom da je struja I
nE
znatno manja u poreenju sa strujama I
pE
i I
pC
.
Kolektorska struja upljina I
pC
je vrlo malo manja od emitorske struje upljina I
pE
, jer se samo
neznatan broj upljina gubi rekombinacijom sa elektronima u toku difuzionog kretanja kroz ba-
zu; stoga je bazna struja relativno mala. (Napominje se da je bazna struja vrlo mala samo kod
tranzistora male snage; naprotiv, kod tranzistora velike snage bazna struja moe iznositi i neko-
liko ampera, to je osnovni nedostatak takvih bipolarnih tranzistora snage.)
Ako se na red sa izvorom V
BE
(sl. 9.2a) prikljui izvor naizmenine struje, polarizacija
emitorskog spoja menjae se u ritmu pobudnog naizmeninog napona. Oigledno je da e se u
istom ritmu menjati i emitorska i kolektorska struja i da e, s obzirom na reeno, i naizmenine
komponente emitorske i kolektorske struje biti priblino jednake. Sa druge strane, otpornost
direktno polarisanog emitorskog spoja je mala, dok je otpornost inverzno polarisanog kolektor-
skog spoja vrlo velika. Drugim reima, tranzistor se ponaa u odnosu na spoljanji kolektorski
prikljuak kao izvor konstantne struje. To omoguava da se na otporniku vezanom na red u
kolektorskom kolu dobije znatno vea snaga i napon od onih kojim se tranzistor pobuuje, to je
osnovno svojstvo tranzistora (tranzistorski efekat) kao pojaavake komponente. Napominje se
da je do sada bilo rei o tranzistoru sa uzemljenom bazom, koji ne moe da slui kao strujni
pojaava, jer je kolektorska struja manja od emitorske; meutim, kao to e kasnije biti poka-
zano, znatno strujno pojaanje se moe dobiti kod tranzistora sa uzemljenim emitorom.



9.2. KOEFICIJENT STRUJNOG POJAANJA

Odnos izlazne i ulazne struje zove se koeficijent strujnog pojaanja. Tako, kod tranzistora
sa uzemljenom bazom, koeficijent strujnog pojaanja je:

E
C
I
I
= za V
EB
= const. (9.6)

Ovde, zapravo, nije re o strujnom pojaanju, s obzirom da je < 1; ovaj termin koe-
ficijent strujnog pojaanja ima pravo znaenje kod tranzistora sa uzemljenim emitorom, gde
predstavlja odnos kolektorske (izlazne) i bazne (ulazne) struje:

B
C
I
I
= za V
BE
= const. (9.7)

Veza izmeu koeficijenata strujnih pojaanja tranzistora sa uzemljenim emitorom i
uzemljenom bazom dobija se iz (9.6) i (9.7):

= =
1
1
E
C
E
C
C E
C
B
C
I
I
I
I
I I
I
I
I
. (9.8)
Iz poslednjeg izraza, takoe, sledi:

157

+

=
1
. (9.9)

Treba napomenuti da su vrednosti koeficijenta strujnog pojaanja kod svih tipova tranzis-
tora 1 (ali uvek < 1), a vrednosti koeficijenta strujnog pojaanja kod tranzistora male
snage su 100300, dok su kod tranzistora snage te vrednosti znatno manje ( 2060). Koe-
ficijent strujnog pojaanja se esto obeleava i sa h
FE
.




9.3. STATIKE STRUJNO-NAPONSKE KARAKTERISTIKE

9.3.1. Statike strujno-naponske karakteristike
tranzistora sa uzemljenom bazom

Ulazna strujno-naponska karakteristika tranzistora sa uzemljenom bazom jeste zavis-
nost ulazne struje I
E
od ulaznog napona V
EB
. Ova zavisnost je prikazana na sl. 9.9a. Vidi se da za
V
CB
= 0 i V
CB
< 0 karakteristika odgovara strujno-naponskoj karakteristici emitorskog p-n spoja.
Kada tranzistor radi u zasienju kada je i kolektorski spoj direktno polarisan (V
CB
> 0), pri
istom emitor-baznom naponu emitorska struja je manja nego u sluaju kada je V
CB
< 0. Takoe,
sa sl. 9.10a vidi se da pri naponima V
EB
< V
EB
(0) (kada je I
E
= 0), emitorska struja menja znak, tj.
tee u suprotnom smeru od smera koji ima kada tranzistor radi u aktivnom reimu.
Izlazne karakteristike tranzistora sa uzemljenom bazom predstavljaju zavisnost izlazne
struje I
C
od izlaznog napona V
CB
pri konstantnoj ulaznoj struji I
E
. Uobiajeno je da se sa pozi-
tivnim predznakom uzimaju struje koje utiu u tranzistor, iako kod PNP tranzistora bazna i
kolektorska struja istiu iz tranzistora. U skladu sa takvim oznaavanjem, na sl. 9.9b su prika-
zane izlazne karakteristike PNP tranzistora (zato je kolektorska struja I
C
sa negativnim pred-
znakom; kod NPN tranzistora su i I
C
i V
CB
sa pozitivnim znakom). Vidi se da je za I
E
= 0
kolektorska struja jednaka struji kolektorskog p-n spoja (pri otvorenom ulazu) i da su te karak-
teristike, praktino, pomerene za I
E
kada je I
E
> 0.



9.3.2. Statike strujno-naponske karakteristike
tranzistora sa uzemljenim emitorom

Ulazna karakteristika tranzistora sa uzemljenim emitorom jeste zavisnost ulazne struje
I
B
od ulaznog napona V
BE
, sl. 9.10. Treba naglasiti da je u aktivnom reimu rada V
BE
> 0 i kada
je I
B
= 0, s obzirom da i tada kroz emitorski spoj protie inverzna struja kolektorskog spoja,
usled ega na emitorskom spoju postoji izvestan napon V
BE
(0) (sl. 9.10). Ako je, pak, V
CE
= 0
(V
CB
= V
EB
) napon V
BE
je, pri datoj baznoj struji, manji nego u sluaju V
CE
<< 0, to je posledica
direktno polarisanog kolektorskog spoja, te se struja raspodeljuje izmeu emitorskog i
kolektorskog spoja.
Izlazne karakteristike tranzistora sa uzemljenim emitorom predstavljaju zavisnost izlaz-
ne struje I
C
od izlaznog napona V
CE
pri konstantnoj ulaznoj struji I
B
, sl. 9.11. Vidi se da i kada je
bazna struja jednaka nuli, izmeu kolektora i emitora protie struja I
CE0
; ova struja praktino je
jednaka I
CE0
= (1 + )I
CB0
, pri emu je, kao to je pomenuto, I
CB0
struja inverzno polarisanog ko-

158
lektorskog p-n spoja. Sa sl. 9.11 se, takoe, vidi da su, desno od isprekidane krive (aktivna ob-
last emitorski spoj direktno a kolektorski spoj inverzno polarisan), izlazne karakteristike para-
lelne (to je samo teorijski, dok su u praksi one nagnute sa pozitivnim koeficijentom nagiba, sl.
9.12); isprekidana kriva oznaava granicu oblasti zasienja (saturacije) i njome je odreen
napon zasienja V
CEsat
izmeu emitora i kolektora nakon kojeg je kolektorska struja praktino
konstantna i jednaka I
Csat
. Levo od isprekidane krive (za napone 0 < V
CE
V
CEsat
i struje 0 < I
C
<
I
Csat
) je i kolektorski p-n spoj direkno polarisan i ta oblast se ne koristi u pojaavake svrhe.


Sl. 9.9. Statike strujno-naponske karakteristike PNP tranzistora sa uzemljenom bazom:
(a) ulazne i (b) izlazne karakteristike.



159

Sl. 9.10. Ulazne karakteristike PNP tranzistora sa uzemljenim emitorom.


Sl. 9.11. Izlazne karakteristike PNP tranzistora sa uzemljenim emitorom.


Napon izmeu kolektora i emitora se ne moe neogranieno poveavati, s obzirom da je,
u normalnom reimu rada, kolektorski spoj inverzno polarisan, te e u jednom trenutku u njemu,
kao kod inverzno polarisane diode (odeljak 8.3, sl. 8.18), nastati proboj V
CB0
. Meutim, kod tran-
zistora sa uzemljenim emitorom, pored probojnog napona V
CB0
, postoji i proboj izmeu
kolektora i emitora V
CE0
. Ne ulazei u analizu i mehanazme nastanka proboja V
CE0
, ovde su samo
na sl. 9.13 prikazane izlazne karakteristike tranzistora u oblasti proboja. Napominje sa da je
napon proboja V
CE0
izmeu kolektora i emitora manji od probojnog napona kolektor-baznog
spoja V
CB0
, a moe se priblino odrediti iz izraza:

160


m
CB
CE
V
V
/ 1
0
0
) 1 ( +
= , (9.10)

gde je m koeficijent ija je vrednost, zavisno od koncentracoje primesa u bazi, 2 m 4.


Sl. 9.12. Realne izlazne karakteristike NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom.



Sl. 9.13. Izlazne karakteristike NPN tranzistora sa uzemljenim emitorom u oblasti proboja.





161
9.4. PRIMENA TRANZISTORA

Osnovna primena tranzistora je kao pojaavake komponente u pojaavakim kolima i
prekidake komponente u prekidakim kolima.
Da je tranzistor sa uzemljenim emitorom elektronska komponenta koja ima pojaavake
osobine vidi se sa sl. 9.14. Naime, na sl. 9.14 je prikazan NPN tranzistor sa koeficijentom struj-
nog pojaanja = 200. Izvorima napajanja V
CC
(u primeru na sl. 9.14 je V
CC
= 6,5 V) i V
BB

obezbeuju se potrebni naponi za rad tranzistora u aktivnom reimu: izborom vrednosti ot-
pornosti otpornika R
B
podeava se napon izmeu baze i emitora (V
BE
0,7 V, kojim se osigurava
bazna struja I
B
= 40 A), a vrednou otpornosti otpornika R
C
definie se tkzv. radna prava.
Naime, sa sl. 9.14a je
C C CC CE
I R V V = , odakle je:

CE
C C
CC
C
V
R R
V
I
1
= . (9.11)



Sl. 9.14. Uz objanjenje primene tranzistora kao pojaavake elektronske komponente.

162
Poslednji izraz (I
C
= f(V
CE
)) u koordinatnom sistemu I
C
V
CE
, u kojem su i izlazne karak-
teristike tranzistora, predstavlja radnu pravu, sl. 9.14b (za primer na sl. 9.14, ako se eli da u
radnoj taki M, u kojoj je bazna struja I
B
= 40 A, kolektorska struja pri naponu V
CE
= 3,5 V bu-
de I
C
= 8 mA, iz (9.11) se dobija da otpornost otpornika R
C
iznosi R
C
= 375 ).
Kada se na bazu dovede i naizmenini signal V
in
(sl. 9.14a), jednosmernoj baznoj struji I
B

se superponira naizmenina komponenta i
b
(t) = I
bm
sin(t) (u primeru na sl. 9.14 je amplituda
naizmenine bazne struje I
bm
= 35 A). Pri pozitivnoj poluperiodi naizmeninog signala pove-
ava se i kolektorska struja (od take M u levo po radnoj pravoj, sl. 9.14b; za primer na sl. 9.14
pri maksimalnoj vrednosti I
bm
= 35 A promena kolektorske struje je do take A, u kojoj je I
cm
=
I
bm
= 200 35 A = 7 mA, odnosno u taki A kolektorska struja je I
CA
= I
CM
+ I
cm
= 8 + 7 = 15
mA). Isto tako, pri negativnoj promeni naizmenine komponente bazne struje, kolektorska struja
se po radnoj pravoj od jednosmerne radne take M smanjuje u desno (za primer na sl. 9.14
promena kolektorske struje je do take B, u kojoj je kolektorska struja je I
CB
= I
CM
I
cm
= 8 7
= 1 mA). Dakle, ako je promena bazne struje I
B
, promena kolektorske struje je I
C
= I
B
(za
primer na sl. 9.14 je I
B
= 70 A, tako da je I
C
= 20070 A = 14 mA). Drugim reima, malom
promenom ulazne struje mogue je ostvariti relativno veliku promenu izlazne struje, koja na
otporniku R
C
stvara pad napona koji se dalje, na isti nain, moe poveavati; treba napomenuti
da je naizmenina komponenta napona na otporniku R
C
, usled v
c
(t) = R
C
i
c
(t) = R
C
i
b
(t) =
R
C
I
bm
sin(t) u protivfazi sa baznom strujom kad se bazna struja poveava napon na kolek-
toru se smanjuje i obrnuto (kao to je i naznaeno na sl. 9.14a).

Kao to je i pokazano na sl. 9.14, radna taka na radnoj pravoj pomerala se do dake A,
odnosno do take B. To je, stoga, da ne bi dolo do deformacije signala. Naime, na sl. 9.15a su
ponovo prikazane izlazne karakteristike jednog NPN tranzistora sa naznakom dozvoljenog po-
meranja radne take Q po radnoj pravoj; na pomenutoj slici ta oblast se kree od saturacije (za
dati primer je V
CEsat
0,5 V) do prekidne oblasti, kada je I
B
= 0 (V
CEprekid
9,5 V na sl. 9.15a). U
suprotnom, ako je ulazni signal relativno veliki, odnosno takav da radna taka na radnoj pravoj
zalazi bilo u oblast saturacije, bilo u prekidnu oblast, dolazi do deformacije izlaznog signala
bilo u pogledu izlazne struje I
c
, bilo u pogledu izlaznog napona V
ce
, sl. 9.15b (napominje se de su
jednosmerne komponente napona i struje oznaene u indeksu velikim, a naizmenine malim slo-
vom).


Sl. 9.15. Dozvoljeno pomeranje radne take po radnoj pravoj (a) i
deformacija izlaznog signala kada radna taka zalazi i u oblast saturacije
i u prekidnu oblast (b) (ovde je ak uzeto da je u pitanju idealni tranzistor sa V
CEsat
= 0 V).



163
Kao to je reeno, pored primene kao pojaavake komponente u pojaavakim kolima,
tranzistor se koristi i kao prekidaka komponenta u prekidakim kolima. Naime, ako se tranzi-
stor dovede u stanje zakoenja, a to je kad je bazna struja I
B
= 0 (tada radna prava preseca u I-V
karakteristikama pravu koja se odnosi na I
B
= 0, sl. 9.15a), tada tranzistor ne vodi (kroz njega ne
protie struja, tj. I
C
= 0) i moe se tretirati kao otvoren prekida, sl. 9.16a. Napon na kolektoru,
koji je tada priblino jednak naponu napajanja V
CC
moe se tretirati kao logika jedinica (1),
to se moe da iskoristi u digitalnim logikim kolima. Naprotiv, kada napon izmeu kolektora i
emitora opadne na V
CEsat
(kae se tranzistor je u zasienju), kroz njega protie maksimalna
kolektorska struja, tj. I
C(sat)
, i tranzistor se tada ponaa kao zatvoren prekida, sl. 9.16b; u tom
sluaju napon izmeu kolektora i emitora je majmanji i to moe da bude logika nula u digital-
nim kolima.


Sl. 9.16. Tranzistor kao prekidaka komponenta.



9.5. ELEKTRINI MODEL TRANZISTORA

U cilju uspenog projektovanja nekog elektronskog kola (ukljuujui i integrisana kola),
pogodno je raspolagati elektrinim modelom tranzistora koji se koriste u razliitim simulatorima
rada elektonskih kola. Osnovni model se zove Ebers-Molov model, koji su Ebers i Mol razvili na
bazi poznavanja fizike rada samih bipolarnih tranzistora. Na sl. 9.17 prikazan je uproen ovaj
elektrini model i to samo kada je emitorski spoj direktno, a kolektorski inverzno polarisan.
Na osnovu dosadanjeg izlaganja moe se, u normalnom reimu rada, kada je emitorski
spoj direktno a kolektorski spoj inverzno polarisan, spoj kolektor-baza predstaviti strujnim izvo-
rom koji zavisi od vrednosti napona V
BE
izmau baze i emitora. S obzirom da je I
C
= I
E
+ I
B
I
E
,
a struja I
E
je struja direktno polarisanog emitorkog spoja, to se na osnovu (8.4) moe napisati:

T
BE
s E C
U
V
I I I exp . (9.12)

Stoga se izrazom (9.12) moe predstaviti strujni izvor kolektorskog spoja, to je prikazano na sl.
9.17.
Sa druge strane, direktno polarisani emitor-bazni spoj se na uproenom Ebers-Molovom
modelu predstavlja diodom (sl. 9.17), sa strujom I
B
= I
C
/(+1).


164

Sl. 9.16. Uproeni Ebers-Molov model NPN i PNP tranzistora za rad u aktivnom reimu.



9.6. TESTIRANJE ISPRAVNOSTI TRANZISTORA

S obzirom da se tranzistor, praktino, sastoji od dva p-n spoja, testiranje njegove isprav-
nosti je slino testiranju ispravnosti dioda (odeljak 8.2.1 i slike 8.16 i 8.17). Stoga je na sl. 9.17
prikazan samo jedan od naina ispitivanja emitorskog i kolektorskog spoja digitalnim multime-
trom (sa napomenom da preklopnik treba prebaciti u poloaj koji oznaava merenje dioda).


(a) (b) (c) (d)
Sl. 9.17. Testiranje ispravnosti dioda:
(a) direktno polarisan emitor-bazni spoj; (b) inverzno polarisan emitor-bazni spoj;
(c) direktno polarisan kolektor-bazni spoj; (d) inverzno polarisan kolektor-bazni spoj.








165





10. MOS TRANZISTORI

Do sada je sve vreme bilo rei o bipolarnim komponentama, tj. o komponentama u koji-
ma u procesu provoenja elektrine struje uestvuju obe vrste nosilaca naelektrisanja (i elektroni
i upljine). Za razliku od njih, MOS tranzistori su unipolarne komponente kod kojih u pro-
voenju elektrine struje u normalnom radnom reimu uestvuje samo jedna vrsta nosilaca nae-
lektrisanja. Odmah treba napomenuti da je najvea prednost MOS tranzistora u tome to su to
naponski kontrolisane komponente, za razliku od strujno kontrolisanih (strujom baze) bipolar-
nih tranzistora. Ovo je od veoma bitnog znaaja, posebno u komponentama snage.
MOS (Metal-Oxide-Semicoductor) tranzistori spadaju u grupu tranzistora sa efektom po-
lja, takozvane FET (Field-Effect Transistor), tako da se mogu sresti i pod nazivom MOSFET.
Zanimljivo je da je princip rada tranzistora sa efektom polja predloen jo 1932. godine, ali je
prve zamisli o izradi ovih tranzistora bilo mogue ostvariti tek kada se ovladalo planarnom teh-
nologijom. Tek 1960. godine je proizveden prvi silicijumski MOS tranzistor korienjem procesa
termike oksidacije. Nakon toga MOS tranzistor je postao osnovna komponenta integrisanih kola
vrlo visoke gustine pakovanja, kao i procesora i memorija.


Sl. 10.1. Principijelna struktura MOS tranzistora


Na sl. 10.1 je predstavljena principijelna struktura MOS tranzistora. Praktino, u silici-
jumski supstrat (osnovu) koji, kao to e kasnije biti pokazano, moe biti ili p- ili n-tipa, difun-
duju se dve oblasti suprotnog tipa provodnosti (u p-supstrat difunduju se n-oblasti, a u n-supstrat
p-oblasti). Prva difundovana oblast zove se sors, a druga drejn. Na povrini supstrata naini se

166
vrlo tanak sloj oksida (SiO
2
, Si
3
N
4
), a preko njega (ali obavezno da zahvata oblasti sorsa i
drejna) sloj metala koji slui kao upravljaka elektroda. Ova upravljaka elektroda zove se gejt.



10.1. VRSTE MOS TRANZISTORA

Kao to je reeno, u procesu provoenja elektrine struje u normalnom radnom reimu
uestvuje samo jedna vrsta nosilaca nelektrisanja. U zavisnosti od toga koja vrsta nosilaca ue-
stvuje u provoenju, MOS tranzistori se dele na n-kanalne i p-kanalne, sl. 10.2.


Sl. 10.2. Osnovne strukture n-kanalnih i p-kanalnih tranzistora.

Ve u samom nazivu o tipu MOS tranzistora pominje se kanalni, to ukazuje na to da u
strukturi MOS tranzistora postoji neki kanal. Naime, re je o kanalu koji se formira u supstratu
izmeu sorsa i drejna, i koji, praktino, uspostavlja elektrinu vezu izmeu te dve oblasti, odno-
sno omoguava da protie elektrina struja izmeu sorsa i drejna, sl. 10.3 i sl. 10.4.


Sl. 10.3. n-kanalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.

167

Sl. 10.4. p-kamalni MOS tranzistor pre (a) i posle (b) uspostavljanja (indukovanja) kanala.

Kanal moe biti ugraen (na primer difuzijom ili implantacijom primesa) ili, to je mno-
go ei sluaj, indukovan. Kod MOS tranzistora sa indukovanim kanalom, kanal se formira
elektrinim poljem koje nastaje usled primene odgovarajueg napona na gejtu.
MOS tranzistor je osnovna komponenta integrisanih kola (IC) vrlo visoke gustine pako-
vanja. U praktinim izvoenjima danas dominiraju CMOS IC. CMOS kao osnovnu jedinicu
imaju komplementarni par sastavljen od po jednog n- kanalnog i p-kanalnog MOS tranzistora.
Na sl. 10.5 prikazano je oznaavanje MOS tranzistora u elektrinim emama. Napominje
se da se srednje oznake na pomenutoj slici koriste kod tranzistora kod kojih supstrat nije na po-
tencijalu sorsa, ve se on prikljuuje na poseban izvor napona.


Sl. 10.5. Oznaavanje MOS tranzistora.


10.1.1. Osnovni principi rada MOS tranzistora

Nadalje e biti rei samo o najee korienim MOS tranzistorima, a to su MOS tranzi-
stori sa indukovanim kanalom i sa uzemljenim sorsom i supstratom (supstrat i sors su kratko-
spojeni). Takvi tranzistori, sa potrebnim polarizacijama, prikazani su na slikama 10.3 i 10.4.

168

Sl. 10.6. n-kanalni MOS tranzistor sa relevantnim podacima za analizu njegovog rada.



Sl. 10.7. Prikljuivanjem pozitivnog napona na gejt u odnosu na p-supstrat indukuje se n-kanal.


Kao to je ve pomenuto, na povrini, izmeu sorsa i drejna a jednim delom i iznad njih,
nalazi se tanak sloj oksida (SiO
2
, Si
3
N
4
), koji slui kao dielektrik, sl. 10.6. Preko oksida nalazi se
gejt (upravljaka elektroda), kojeg ini tanak sloj aluminijuma (kod MOS tranzistora sa alumini-
jumskim gejtom) ili polikristalnog silicijuma (kod tranzistora sa polisilicijumskim gejtom). S
obzirom da su i sors i drejn oblasti suprotne provodnosti od provodnosti supstrata, to se u oblasti
sorsa i drejna u supstratu (zato to je koncentracija primesa u supstratu znatno nia nego u sorsu i
drejnu) formiraju prelazne oblasti p-n spojeva, koje se, zbog toga to su sors i drejn veoma blizu
(L je reda m), spajaju (sl. 10.7). U daljem razmatranju naina rada MOS tranzistora ove pre-
lazne oblasti se nee analizirati, a bie pomenute samo kada je to neophodno.

169
MOS tranzistori koriste efekat poprenog polja (normalnog na povrinu), kojim se ostva-
ruje inverzija tipa provodnosti povrinskog sloja poluprovodnika ispod gejta i na taj nain formi-
ra kanal izmeu sorsa i drejna. Naime, ako se, na primer, kod n-kanalnog MOS tranzistora gejt
prikljui na pozitivan napon u odnosu na p-supstrat, pri emu su i sors i drejn uzemljeni, sl. 10.7,
u supstratu e se neposredno ispod oksida na njegovoj povri, usled Kulonove sile, indukovati
negativno naelektrisanje i to tako to e se upljine iz povrinskog sloja udaljiti i ostaviti nekom-
penzovane negativno naelektrisane akceptorske jone. Poveavanjem pozitivnog napona na gejtu
sve vie se udaljavaju upljine, a iz zapreminskog dela supstrata ka povini kreu manjinski ele-
ktroni sve dok, pri odreenom naponu na gejtu, ne nastupi inverzija tipa provodnosti supstrata.
Drugim reima, pri jednoj vrednosti napona na gejtu, koji se zove napon praga i obeleava sa
V
T
, povrinski sloj p-supstrata ispod oksida gejta, a izmeu sorsa i drejna, ponaa se kao n-tip
poluprovodnika. Stoga se ta oblast ponaa kao kanal od sorsa do drejna (sors i drejn su istog tipa
provodnosti kao indukovani kanal, sl. 10.7), tj. ako se u tim uslovima dovede pozitivan napon na
drejn u odnosu na sors, elektroni iz sorsa kroz kanal mogu driftovski da dou do drejna, odnosno
u tom sluaju izmeu sorsa i drejna e proticati struja drejna, sl. 10.3. Ukoliko je napon na gejtu
vei, utoliko je jaa inverzija tipa, odnosno utoliko je vei broj elektrona u kanalu. Kada je re
o p-kanalnom MOS tranzistoru inverzija tipa n-supstrata ostvaruje se negativnim naponom na
gejtu u odnosu na supstrat, a u indukovanom kanalu se skupljaju upljine, sl. 10.4.
Kao to je reeno, napon na gejtu V
T
potreban da se stvori kanal od sorsa do drejna je na-
pon praga. Tano definisanje napona praga je veoma teko. Zbog toga se za napon praga uslovno
moe prihvatiti definicija da je to onaj napon izmeu upravljake elektrode (gejta) i supstrata pri
kome koncentracija manjinskih nosilaca na povrini postaje jednaka koncentraciji veinskih no-
silaca u unutranjosti supstrata.


10.2. IZLAZNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA

Uspostavljanje kanala izmeu sorsa i drejna omoguuje proticanje struje od sorsa do drej-
na kada se prikljui odgovarajui napon na drejn (slike 10.3, 10.4 i 10.8). Izlazne karakteristike
MOS tranzistora predstavljaju zavisnosti struje drejna I
D
od napona na drejnu V
D
.


Sl. 10.8. Proticanje struje drejna u n-kanalnom MOS tranzistoru pri malim naponima na drejnu.

170
Pri veoma malim naponina na drejnu kanal se moe predstaviti kao otpornik, tako da je
struja drejna u jednom delu I
D
-V
D
karakteristike priblino linearno proporcionalna naponu na
drejnu; to je tkzv. linearna oblast rada MOS tranzistora (sl. 10.10). Nakon linearne oblasti, a pri
naponima |V
D
| < |V
G
V
T
|, struja drejna sporije raste sa poveavanjem napona na drejnu, sl.
10.11. To je, stoga, to se kanal u okolini drejna suava, sl. 10.9a, kao posledica poveavnja
irine prelazne oblasti p-n spoja drejn-supstrat (sl. 10.7), koji je inverzno polarisan. Ta oblast,
zajedno sa linearnom oblau, sve do napona na drejnu |V
D
| = |V
G
V
T
| zove se triodna oblast,
sl. 10.11 (zato to podsea na slinu oblast na strujno-naponskoj karateristici triode).


Sl. 10.9. n-kanalni MOS tranzistor u: (a) linearnoj oblasti rada (mali napon na drejnu);
(b) na ivici zasienja i (c) u zasienju.


Sl. 10.10. I
D
-V
D
karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora u linearnoj oblasti rada.


Kada u taki y = L debljina kanala postane jednaka nuli, dolazi do prekida kanala (sl.
10.9b) i to se deava pri naponu na drejnu |V
D
| = |V
G
V
T
|. Napon drejna pri kome nastaje prekid
kanala zove se napon zasienja (saturacije) V
Dsat
. Sa daljim poveanjem napona na drejnu (sl.
10.8), tj. pri |V
D
| > |V
G
V
T
|, duina kanala se smanjuje sa L na L' (sl. 10.9c). Na prvi pogled
moe se pomisliti da e struja drejna prestati da tee. Meutim, ona i dalje protie i sa

171
poveanjem napona na drejnu ostaje konstantna, sl. 10.11. To znai da broj nosilaca
naelektrisanja koji sa sorsa stiu u taku y = L' ostaje nepromenjen, a s obzirom da su oni
zahvaeni poljem osiromaene oblasti drejna, bivaju prebaeni u drejn, tako da struja drejna
ostaje, takoe, nepromenjena i konstantna. Zbog toga se oblast rada MOS tranzistora pri
naponima V
D
V
Dsat
zove oblast zasienja (sl. 10.11).


Sl. 10.11. Izlazne (I
D
-V
D
) karakteristike n-kanalnog MOS tranzistora.


Sl. 10.12. Struja izmeu sorsa i drejna ne prestaje i kada se kanal prekine, jer se MOS
tranzistor ponaa kao bipolarni tranzistor u stanju prodiranja.


Da struja drejna ostaje konstantna nakon prekida kanala moe se protumaiti i uz pomo
sl. 10.12. Naime, u pogledu rasporeda p- i n-oblasti n-kanalni MOS odgovara strukturi NPN
tranzistora (za p-kanalni MOS ova struktura e biti PNP tranzistor). Sors sa kanalom je emitor,
drejn je kolektor, a supstrat MOS tranzistora je baza. Prelazna oblast irine w prostire se od drej-

172
na do kanala (sl. 10.12). Ovo u potpunosti odgovara sluaju kod bipolarnog tranzistora kada se
prelazna oblast kolektorskog spoja prostire od kolektora do emitora, pa kod bipolarnog tranzisto-
ra nastaje proboj (dostignut je tkzv. napon prodiranja). Dakle, kod MOS tranzistora proboj na-
staje izmeu kanala i drejna i struju drejna ograniava samo otpornost preostalog dela kanala L'.
Da bismo izveli zavisnost struje drejna od napona na njemu, kao i od napona na gejtu,
posmatrajmo ponovo sliku 10.6, sa naznaenim koordinatnim sistemom na njoj.
Na osnovu izraza za gustinu driftovske struje


y n
K qn qnv J = = , (10.1)

struja drejna kroz kanal (pretpostavlja se da koncentracija nosilaca ne zavisi od z) je:

= =
x
y n D
ndx W K q S J I
0
, (10.2)

gde su: S povrina kanala normalna na smer struje, K
y
elektrino polje u smeru y, W irina
kanala (sl. 10.6), a
n
efektivna pokretljivost elektrona u kanalu.
Kako koncentracija elektrona opada sa udaljavanjem od povrine po sloenom zakonu,
integral u (10.2) relativno je teko izraunati. Stoga se vri aproksimacija kojom se vrednost po-
menutog integrala izjednaava sa ukupnom koliinom naelektrisanja po jedinici povrine kanala
(povrine gejta), koja zavisi od elektrinog polja u oksidu:


x ox x
x
x
K D
dS
dQ
ndx q = = =

0
, (10.3)

pri emu su: Q koliina naelektrisanja na povrini S
x
gejta, D
x
dielektrini pomeraj,
ox

dielektrina konstanta oksida i K
x
elektrino polje normalno na povrinu gejta. Prema tome, iz
(10.2) i (10.3) sledi:

y x ox n D
K WK I = . (10.4)

Elektrino polje u pravcu kanala je:


dy
dV
K
y
y
= . (10.5)

Elektrino polje u oksidu, koje utie na provodnost kanala, zavisi od efektivnog napona
na gejtu (V
Geff
= V
G
V
T
) i potencijala take y na kanalu. Smatrajui da je oksid homogen i bez
prostornog naelektrisanja, debljine t
ox
, bie:


ox
y T G
ox
y Geff
x
t
V V V
t
V V
K

=

= . (10.6)

Zamenom vrednosti K
y
iz (10.5) i K
x
iz (10.6) u (10.4), dobija se:


dy
dV
V V V
t
W
I
y
y T G
ox
ox n
D
) ( =

. (10.7)

173
Iz jednaine (10.7), razdvajanjem promenljivih i integraljenjem du kanala, sledi:



=
D
V
y y T G
ox
ox n
L
D
dV V V V
t
W
dy I
0 0
) (

. (10.8)

Granice za promenljivu y su poetak (0) i kraj (L) kanala, a za promenljivu V
y
napon kod
sorsa, V
y
(0) = 0, i napon kod drejna, V
y
(L) = V
D
. Posle integraljenja i sreivanja dobija se:

[ ] [ ]
2 2
) ( 2 ) ( 2
2
D D T G n D D T G
ox
ox n
D
V V V V V V V V
L t
W
I =

= , (10.9)

gde je

L t
W
ox
ox n
n
2

= . (10.10)

Jednaina (10.9) za struju drejna vai samo za |V
G
V
T
| |V
D
|, odnosno u triodnoj oblasti,
sl. 10.11. Za male napone na drejnu drugi lan u srednjim zagradama u (10.9) se moe zane-
mariti u odnosu na prvi lan, pa je tada struja drejna:


on
D
D T G n D
R
V
V V V I = ) ( 2 , (10.11)

gde je R
on
otpornost kanala pri malim naponima na drejnu:


) ( 2
1
T G n
on
V V
R

= . (10.12)

Iz (10.11) vidi se da za vrlo mele napone na drejnu struja drejna linearno zavisi od
napona drejna, tj. tada se MOS tranzistor nalazi u linearnoj (omskoj) oblasti rada, sl. 10.10.
Drugim reima, tada se MOS tranzistor ponaa kao otpornik ija je otpornost kontrolisana
naponom izmeu gejta i sorsa.
Sa druge strane, kada se u (10.9) uvrsti |V
G
V
T
| = |V
D
|, dobija se izraz za struju drejna

( )
2
T G n D
V V I = , (10.13)

koji reprezentuje parabolu koja deli triodnu oblast od oblasti zasienja na izlaznim karakteristi-
kama MOS tranzistora, sl. 10.11.
Realna struja drejna e, ipak, rasti sa porastom napona na drejnu, posebno kod MOS tran-
zistora sa kratkim kanalima. Ovaj efekat se najjednostavnije moe opisati izrazom:

( )

+ =
A
D
T G n D
V
V
V V I 1
2
, (10.14)

gde je V
A
tkzv. Erlijev napon, ije se znaenje vidi na sl. 10.13.


174

Sl. 10.12. Realna struja drejna ipak raste sa porastom napona na drejnu.


Sl. 10.13. Uz objanjenje definicije Erlijevog napona.




10.3. PRENOSNE KARAKTERISTIKE MOS TRANZISTORA

Prenosne karakteristike MOS tranzistora predstavljaju zavisnost struje drejna od napona
na gejtu, tj. I
D
= f(V
G
) pri V
D
= const. One se mogu dobiti iz jedn. (10.9) za triodnu oblast i iz
jedn. (10.12) za oblast zasienja, stavljajui V
D
= const.

175


Sl. 10.14. Grafika konstrukcija prenosnih karakteristika
n-kanalnog MOS tranzistora iz datih izlaznih karakteristika.


Drugi nain dobijanja prenosnih karakteristika je grafiki, sl. 10.14. Izabere se vrednost
napona V
D
= const. na izlaznim karakteristikama MOS tranzistora i povue vertikala, koja prese-
ca karakteristike V
G
= const. u takama A, B, C, D, E. U koordinatnom sistemu I
D
-V
G
koji se
nacrta levo od izlaznih karakteristika povuku se vertikalne prave za odgovarajue V
G
. Horizon-
talne linije povuene iz taaka A, B, C, D i E su odgovarajue struje drejna za napone V
G
= 3 V,
4 V, 5 V, 6 V i 7 V na sl. 10.14. Na preseku odgovarajuih horizontalnih i vertikalnih linija dobi-
jamo take A', B', C', D' i E', koje lee na prenosnoj karakteristici. Kada ih spojimo, dobijamo
prenosnu karakteristiku MOS tranzistora za izabranu vrednost napona na drejnu. Presek ove ka-
rakteristike sa V
G
-osom daje vrednost napona praga V
T
(na sl. 10.14 je V
T
= 3 V).















176






11. OSNOVI FOTOELEKTRONSKIH
KOMPONENATA

Prilikom osvetljavanja poluprovodnika u njemu se poveava koncentracija i manjinskih i
veinskih nosilaca. To je tkzv. unutranji fotoelektrini efekat. Ovaj efekat se javlja kada usled
energije fotona elektroni prelaze iz valentne zone (sl. 11.1a), ili sa primesnih nivoa, u provodnu
zonu, kao i iz valentne zone na primesne nivoe. Pri tom, energija fotona mora biti vea ili
jednaka aktivacionoj energiji E
a
odgovarajueg prelaza, tj.:


a
E hf , (11.1)

gde je h = 6,6710
-34
Js Plankova konstanta, a f uestanost elektromagnetnog zraenja (svet-
losti).
Iz jedn. (11.1) se dobija maksimalna talasna duina elektromagnetnog talasa koji moe
izazvati fotoefekat, tkzv. crvena granica fotoefekta. Crvena granica unutranjeg fotoefekta u
poluprovodnicima esto se nalazi u oblasti infracrvenog zraenja (
max
reda nekoliko m), tako
da se neke poluprovodnike komponente mogu koristiti u prijemnicima infracrvenog zraenja.
Osvetljavanje poluprovodnika i poluprovodnikih komponenata ima sledee posledice:
1. Poveava se provodnost poluprovodnika; ovaj fenomen je iskorien kod fotootpornika
(deo 3.5.4).
2. Ukoliko je fotoefekat u blizini p-n spoja, nastaje poveanje inverzne struje p-n spoja.
3. Usled difuzionog kretanja nosilaca, na p-n spoju e se promeniti visina barijere, te os-
vetljen p-n spoj moe sluiti kao izvor elektrine energije.
Obrnuto, prilikom proticanja struje kroz p-n spoj, usled rekombinacije nosilaca moe biti
emitovana svetlost (sl. 11.1b), te takav elemenat moe sluiti kao izvor svetlosti.


Sl. 11.1. Apsorpcija (a) i emisija (b) svetlosti.


177
11.1. FOTODIODA

Na sl. 11.2 prikazan je presek fotodiode. To je planarna dioda kod koje je anodni kontakt
izveden samo na delu difundovane povrine, tako da je samo mali deo povrine p-tipa zaklonjen
kontaktom. Svetlost koja pada na povrinu prodire u silicijum. Struja inverzno polarisane diode
pri osvetljavanju poraste usled poveanja koncentracije manjinskih nosilaca u p-oblasti, koja je
vrlo tanka, i u n-oblasti u dubini ispod prelazne oblasti. Osim toga, inverzna struja poraste i usled
generacije nosilaca u prelaznoj oblasti. Stvoreni elektroni odlaze iz prelazne oblasti u n-oblast, a
upljine u p-oblast.


Sl. 11.2. Fotodioda i njen grafiki simbol.


Sl. 11.3. Statike karakteristike fotodiode.


Ako je koncentracija generisanih nosilaca proporcionalna svetlosnom fluksu koji je
pao na aktivnu povrinu diode, tj. ako je n i p , onda e i poveanje inverzne struje biti
proporcionalno svetlosnom fluksu:

178
=

K I , (11.2)

gde se koeficijent K

zove osetljivost fotodiode.

Na sl. 11.3 prikazane su strujno-naponske karakteristike fotodiode. One podseaju na
tranzistorske karakteristike bipolarnog tranzistora sa uzemljenom bazom, samo je ovde parame-
tar svetlosni fluks.



11.2. FOTOGENERATOR (SOLARNA ELIJA)

Fotogenerator stvara elektromotornu silu pod uticajem svetlosti. To je, u stvari, fotodioda
koja nije prikljuena na spoljanji izvor napajanja. Naime, pod dejstvom ugraenog polja u pre-
laznoj oblasti p-n spoja, svetlou generisani elektroni iz prelazne i p-oblasti prei e u n-oblast,
a upljine iz prelazne i n-oblasti u p-oblast, sl. 11.4. Usled prelaska ovih nosilaca naruie se rav-
notea, anoda e se naelektrisati pozitivno, a katoda negativno. Ako spojimo krajeve (anodu i
katodu), potei e struja, to znai da se ovakva dioda ponaa kao generator elektrine energije.
Drugim reima, ovakva dioda, koja se esto zove solarna elija, pretvara sunevu energiju u
elektrinu. Paralelnim i rednim vezivanjem veeg broja solarnih elija (sl. 11.4) dobijaju se so-
larni paneli dovoljno velike elektrine energije da mogu da napajaju manje potroae.


Sl. 11.4. Uz opis foto elije i solarnih panela.


Struja nastala usled foftoefekta, a koja protie kroz neki potroa, kao to je reeno kod
fotodiode, proporcionalna je svetlosnom fluksu:

179
=
F
K I . (11.3)

Ako dioda nije kratkospojena, kontaktna razlika potencijala se mora smanjiti za V
0
da bi
potekla i difuziona struja, odnosno da bi ukupna struja bila jednaka nuli.
Na sl. 11.5 prikazana je statika karakteristika fotogeneratora. Karakteristika za neosvet-
ljeni fotogenerator ( = 0) je praktino karakteristika diode. Osvetljavanjem je porasla inverzna
struja, te se karakteristika prosto sputa na nie. Struja je usled svetlosnog fluksa (jedn. (11.3))
jednaka struji kratkog spoja fotogeneratora.


Sl. 11.5. Diodna karakteristika fotogeneratora pomera se na nie za
veliinu struje kroz p-n spoj nastale usled svetlosnog fluksa.


Sl. 11.6. a. Ekvivalentna ema, b. grafiki simbol fotogeneratora.


Na sl. 11.6a prikazana je ekvivalentna ema fotogeneratora. Idealnoj diodi, kroz koju
protie difuziona struja usled promene barijere, na red je vezana otpornost R
s
, a paralelno otpor-
nost R
p
i strujni generator fotoelektrine struje I

. Za razliku od redne otpornosti, paralelna

otpornost R
p
se uglavnom moe zanemariti. Ekvivalentna ema fotogeneratora kod koga su za-
nemarene i redna i paralelna otpornost prikazana je na sl. 11.7a, a radni deo njegove statike
karakteristike na sl. 11.7b.
Sa sl. 11.7 vidi se da se fotostruja I

deli na jednu kroz otpornost potroaa R

p
to je
spoljanja struja I i drugu I
1
to je difuziona struja kroz diodu. Reim rada fotogeneratora se
bira tako da korisna snaga bude najvea. Kako je korisna snaga

180

Sl. 11.7. a Uproena ekvivalentna ema fotogeneratora; b strujno-naponska
karakteristika fotogeneratora u aktivnom podruju.


UI P
K
= , (11.4)

to se R
p
tako bira da osenena povrina na sl. 11.7b bude maksimalna.
Danas se intenzivno radi na poboljanju karakteristika fotogeneratora, odnosno solarnih
elija, prvenstveno u cilju poveanja stepena korisnog dejstva. Postignuti su izuzetno dobri re-
zultati, pa se u mnogim delovima sveta, gde ima dosta sunanih dana, velikim solarnim panelima
koji sadre veoma veliki broj solarnih elija, a koji se i kompjuterski upravljaju tako da na njih
uvek pada najvie svetlosti, dobijaju izvori relativno velike elektrine energije, sl. 11.8.




Sl. 11.8. Razliiti primeri primene solarnih elija.

181
11.3. FOTOTRANZISTOR

Dalje poveanje osetljivosti fotoelemenata postie se fototranzistorima. Na sl. 11.9a pri-
kazan je presek fototranzistora. Kao to se vidi, fotodiodi je dodat jo mali emitor, te je dobijen
tranzistor, koji ima veliku povrinu kolektorskog spoja. Svetlost deluje uglavnom na kolektorski
spoj. Ovaj tranzistor je zatvoren u providno kuite kako bi svetlost prodire do tranzistorske
strukture. S obzirom da je najveim delom osvetljen kolektorski p-n spoj, to je kao da je kolek-
tor-baznom spoju paralelno vezana fotodioda, sl. 11.9c, a kako je bazna struja praktino jednaka
fotostruji I

, to znai da je kolektorska struja I

C
= I

. Drugim reima, fototranzistor je puta

osetljiviji od fotodiode koja ima istu efektivnu povrinu.


Sl. 11.9. Fototranzistor: a presek; b grafiki simbol;
c fototranzistor je ekvivalentan fotodiodi i obinom bipolarnom tranzistoru.



11.4. SVETLEE DIODE (LED)

Dosad smo analizirali poluprovodnike komponente koje svetlosni signal ili svetlosnu
energiju pretvaraju u elektrini signal, odnosno u elektrinu energiju. Svetlea dioda, sl. 11.10,
koja se znatno ee zove LED (od Light-Emitting Diode) ili fotoluminiscentna dioda, vri
obrnuti proces: elektrinu energiju, odnosno elektrini signal pretvara u svetlosnu energiju.
Na sl. 11.1b prikazan je osnovni princip na kome se zasniva rad svetleih dioda. Naime,
elektron u valentnoj zoni ima manju energiju od elektrona u provodnoj zoni za veliinu irine
zabranjene zone E
g
. Ako je mogua rekombinacija direktnim prelaskom elektrona iz provodne u
valentnu zonu, a kod svetleih dioda se biraju upravo takvi poluprovodniki materijali koji to
omoguavaju, oslobaa se tom prilikom elektrina energija ija je vrednost jednaka E
g
. Ova
energija se pretvara u foton svetlosti energije hf = E
g
.

182

Sl. 11.10. Svetlee diode (LED); anoda je uvek sa duim izvodom.


Da bi poluprovodnik emitovao svetlost, neophodno je da postoji veliki broj pobuenih
elektrona. Pobuivanje elektrona sa nieg na vii energetski nivo najbolje se postie injekcijom,
dakle pomou p-n spoja pri direktnoj polarizaciji, sl. 11.11a. U tom sluaju slobodni elektroni iz
provodne zone n-tipa prelaze u provodnu zonu p-tipa. Poto u p-tipu ima mnogo upljina, po-
rae intenzitet rekombinacije, te e nastati svetlosno zraenje tkzv. spontana emisija. Uko-
liko je struja vea, a to je direktna struja diode I
F
, bie vea i jaina svetlosti, sl. 11.11b.


Sl. 11.11. a Nain povezivanja luminiscentne diode;
b zavisnost jaine svetlosti od struje direktno polarisane diode.


Od irine zabranjene zone zavisie energija fotona, odnosno talasna duina svetlosti. Pre-
ma tome, izborom poluprovodnika moemo dobiti eljenu talasnu duinu svetlosti, sl. 11.12. Od-
mah treba istai da se LED ne realizuju u silicijumskoj tehnologiji, tako da je njihov napon pri

183
direktnoj polarizaciji znatno vei od 0.7 V. Drugim reima, LED se izrauju od poluprovod-
nikih materijala ije su vrednosti energetskih procepa vee nego u sluaju silicijuma. Na primer,
trokomponentno jedinjenje galijum-arsenid-fosfid (GaAsP) zrai vidljivu crvenu svetlost, dok se
LED od galijum-arsenida (GaAs) koristi za infracrveno (nevidljivo) podruje spektra, sl. 11.13.


Sl. 11.12. Spektralne karakteristike LED u vidljivom delu spektra.


Sl. 11.13. Spektralna karakteristika LED za infracrveno podruje.



11.5. KOMPONENTE SA SVETLOSNOM SPREGOM

Sve poluprovodnike komponente koje imaju ulaz i izlaz, iako se tretiraju kao da imaju
etiri izvoda, u sutini imaju samo tri kraja, s obzirom da je jedan kraj zajedniki i za ulazno i za
izlazno kolo. Prema tome, nije mogue ulaz izolovati od izlaza. I ne samo to, ve postoji i po-
vratno dejstvo izlaznog kola na ulazno.
Kod komponenata sa svetlosnom spregom, koji se popularno zovu optokapleri, ulaz je
izolovan od izlaza i, osim toga, izlaz nema nikakvog povratnog dejstva na ulaz. Izmeu izlaznog
i ulaznog kola potencijalna razlika moe biti i nekoliko kilovolta.
Komponenta sa svetlosnom spregom sastoji se od dve nezavisne optokomponente koje su
u nekom kuitu, obino plastinom, zatopljene. Prva komponenta je svetlea dioda (LED), a

184
druga je neka od fotokomponenata: fotootpornik, fotodioda ili, najee, kao to je prikazano na
sl. 11.14, fototranzistor. Izmeu njih je providan izolator. LED je prema tranzistoru okrenuta ta-
ko da zrai najvei intenzitet svetla, a fototranzistor je okrenut prema diodi svojom fotoosetlji-
vom stranom.


Sl. 11.14. Komponenta sa svetlosnom spregom (optokapler).

Svetlost se od svetlee diode do fototranzistora moe prenositi i posredstvom svetlosnog
provodnika. To je nit nainjena od transparentnog materijala, sa izuzetno dobro obraenom povr-
inom. Svetlost se usled totalne refleksije od zida prenosi kroz nit sa vrlo malim slabljenjem.



11.6. POLUPROVODNIKE LASERSKE DIODE

Poluprovodniki laseri predstavljaju praktino jednu od najbitnijih optoelektronskih na-
prava, koje se koriste u optikim fiber komunikacijama, kao i u optikom skladitenju podataka
u nizu aplikacija u mnogim oblastima.


Sl. 11.15. Laserskie diode u razliitim kuitima.

185
Veina laserskih dioda male snage inkapsulirana su u kuita tranzistorskog tipa (sl.
11.15 a, b i c), a manji deo ima kuita drugih oblika, sa razliitim talasnim duinama svetla koje
emituju (npr. oko 670 nm za crveno podruje spektra). Laserske diode koje se koriste u optikim
komunikacijskim sistemima ugrauju se u kuita koja na prozoru imaju ugraen (nalepljen)
svetlovod (sl. 11.15 d i e).
Na sl. 11.16 ilustrativno je prikazano poreenje veliine laserskih dioda sa drugim pred-
metima.


Sl. 11.16. Uz prikaz dimenzija laserskih dioda.

Slika 11.17 prikazuje delove diodnog lasera. Okruglo kuite zatvoreno je hermetiki. Sa
prednje strane (gore) ima tanki stakleni prozor kroz koji prolazi laserska svetlost, a sa zadnje
strane tri elektrina kontakta (noice). U kuitu se nalazi ne samo laserski ip mikronskih di-
menzija, priblino 0,5 5 300 m (desni gornji uago na slici, strelice oznaavaju snopove
svetlosti), nego i jedna integrisana fotodioda, takoe mikronskih dimenzija. Ona slui za prae-
nje intenziteta svetla lasera koje dolazi iz zadnjeg ogledala laserske diode. Ova fotodioda, u prin-
cipu, omoguuje kontrolu snage i talasne duine zraenja lasera optoelektronskom povratnom
vezom, preko odgovarajueg sklopa koji je deo elektronike za napajanje diode.


Sl. 11.17. Uz prikaz inkapsulirane laserske diode.


186
Bitna karakteristika lasera, koja ga izdvaja od ostalih izvora svetlosti, jeste emisija strogo
definisanih (uzanih) snopova monohromatske svetlosti. Sam princip rada laserske diode je slian
radu svetlee diode, sl. 11.18, ali za razliku od LED kod koje svetlost nastaje usled spontane
emisije, kod laserskih dioda svetlost je rezultat procesa stimulisane emisije. Drugim reima, kod
lasera se sreemo sa terminom stimulisana emisija, jer i sam naziv laser potie od Light Ampli-
fication by Stimulated Emission of Radiation, to znai: pojaanje svetlosti stimulisanom emisi-
jom zraenja. Stimulisana emisija nastaje kada kod direktno polarisane diode pored emisije foto-
na (spontana emisija) dolazi do stvaranja fotonske lavine, tj. kada svaki ovako stvoreni foton uz-
rokuje stvaranje drugih fotona koji imaju iste optike osobine (istu frekvenciju, smer, stanje po-
larizacije).


Sl. 11.18. Uz slinost i razliku izmeu svetlee diode i laserske diode.

Kod laserske diode se p-n spoj nalazi u optikoj upljini (rezonatoru) koju ine kristalne
ravni po kojima je kristal seen, tako da fotoni nastali stimulisanom emisijom doivljavaju vie-
struke refleksije unutar ovog rezonatora. Ako pojaanje emisije svetlosti (kao posledica stimuli-
sane emisije) uspe da kompenzuje gubitak fotona usled apsorpcije i difuzije iz p-n spoja, moe se
pojaviti laserski efekt, odnosno laserska emisija, sl. 11.19.


Sl. 11.19. Ilustracija laserske emisije.


Laserski efekat se javlja u ravni p-n spoja ako kroz njega protie struja elektrona dovolj-
no velike gustine. Poluprovodniki diodni laser nema spoljanjih ogledala. Viestruka refleksija

187
unutar rezonatora lasera odvija se na izlaznim ravnima kristala poluprovodnika (sl. 11.20) ija je
prirodna refleksivnost samo oko 30%. Meutim, veliko pojaanje kojim se odlikuje laserska
dioda ipak, i sa ogledalima tako niske refleksije, omoguava lasersku emisiju. Treba napomenuti
da je laserski efekat u smeru normalnom na osu laserskog zraenja uguen time to se dve bo-
ne ravni naprave da budu hrapave, ime se onemogui refleksija svetla u tom smeru koja bi,
inae, dovela do dodatnih gubitka i smanjenja efikasnosti laserske diode.


Sl. 11.20. Ilustracija viestruke refleksije laserskog zraka unutar rezonatora.

Treba napomenuti da se laserske diode proizvode od poluprovodnika sa tkzv. direktnim
prelazom nosilaca iz provodne u valentnu zonu, u koje ne spada silicijum. To su jedinjenja iz III
i V ili iz II i VI grupe periodnog sistema. I ne samo to, ve se p-n spoj formira kao heterospoj, a
to znai da je takav spoj sainjen od razliitih poluprovodnikih jedinjenja. Na sl. 11.21a je
prikazana realna struktura jednog InGaAsP poluprovodnikog lasera. Slika je dobijena skeniraju-
im elektronskim mikroskopom, i na njoj se lepo vidi struktura laserskog ipa. U cilju boljeg ob-
janjenja realne strukture na slici 11.21b data je skica te iste strukture. Uoava se da je aktivni
sloj mikronskih dimenzija, oko 0.3 3 m (duina ipa je 200 300 m).

a. b.
Sl. 11.21. Realna struktura InGaAsP poluprovodnikog lasera (a) i skica iste strukture (b).

188





12. OSNOVI INTEGRISANIH KOLA

Integrisano kolo je sloeno elektrino kolo sastavljeno iz mnotva elemenata objedinjenih
na jedinstvenoj podlozi i spremno za ugradnju u sloenije sisteme, ali kao jedinstvena kompo-
nenta. Ono u sebi sadri itave elektrine eme sa razliitim komponentama, kao to su tran-
zistori, otpornici, kondenzatori. Sastoji se (sl. 12.1) od kuita koje je od plastike ili keramike,
izvoda pomou kojih se montira na tampanu plou i ipa (u kojem su integrisani svi elementi) u
sreditu integrisanog kola, koji je sa izvodima povezan najee veoma tankim icama.


Sl. 12.1. Integrisano kolo sa osnovnim sastavnim delovima.


Broj izvoda zavisi od tipa integrisanog kola, tj. od njegove funkcije i moe se rei da je
taj broj standardizovan za razliite funkcije. Upravo funkcija koju obavlja uslovljava osnovnu
podelu integrisanih kola na: analogna (na primer, operacioni pojaava, sl. 12.2), digitalna (na
primer, procesor, sl. 12.3) i meovita na primer, A/D i D/A konvertori ona koja obrauju i
analogni i digitalni signal na istom ipu (ip poluprovodnika ploica s monolitnim sklopom).


12.1. VRSTE INTEGRACIJE

Posle otkria tranzistora, verovatno najzasluniji izum koji je doveo do elektronske revo-
lucije kakvu poznajemo u sadanjem obliku, posebno kada je re o raunarskoj tehnologiji, jesu
integrisana kola, koja su uslovila tehnoloki napredak nezabeleen u istoriji civilizacije. Naime,
integrisana kola su postajala i postaju i sada sve bra i monija zahvaljujui stalnom poveavanju

189
broja komponenata u njima, a novi modeli raznovrsne raunarske opreme pojavljuju se takvom
brzinom da ih s potekoama prate i najbolje upueni poznavaoci. Da se, na primer, automobil-
ska industrija razvijala istim tempom, automobil bi danas prelazio milion kilometara s potro-
njom od jednog litra goriva, razvijao bi brzinu veu od milion km/h, kotao bi svega nekoliko
evra, imao bi teinu manju od 100 g, a vreme eksploatacije bi mu bilo preko 10000 godina.


Sl. 12.2. Nekoliko SMD operacionih pojaavaa i oznaka u emama.


Sloenost, odnosno kompleksnost integrisanih kola meri se stepenom integracije, koji
predstavlja broj osnovnih elemenata (sada se tu misli na broj tranzistora) integrisanih u jednom
kolu. Usavravanjem tehnologije stepen integracije iz godine u godinu raste. O ovakvom tempu
razvoja govori poznati Murov zakon (sl. 12.4), nazvan po osnivau Intela Gordonu Muru, koji
kae da se broj elektronskih komponenata u procesoru udvostruuje svakih 18 meseci. Meutim,
fantastian napredak koji je doiveo silicijumski ip, ucrtan Murovim zakonom, ima svoje gra-
nice posle kojih nee postojati fizika mogunost da u jedan silicijumski ip stane jo elektron-
skih komponenata. Ogranienje je uslovljeno smanjivanjem najmanje komponente integrisanog
kola na veliinu atoma, kada e dalji razvoj mikroprocesora biti zaustavljen. Poluprovodnika
tehnologija potovala je Murov zakon gotovo 40 godina, a prema miljenju mnogih strunjaka to
bi trebalo da potraje do 2020. godine, dok mikroprocesori ne dou do atomske granice, to e
znaiti kraj ere silicijuma.
Po stepenu integracije integrisana kola se mogu podeliti u sledee grupe:
SSI (od Small Scale Integration) kola malog stepena integracije (sl. 12.5), koja u sebi
sadre do 100 osnovnih elemenata;
MSI (od Medium Scale Integration) kola srednjeg stepena integracije (sl. 12.5), sa
100 do 1000 osnovnih elememata;
LSI (od Large Scale Integration) kola visokog stepena integracije (sl. 12.6), koja ima-
ju 1000 do 10000 elemenata;

190

Sl. 12.3. Procesor (iz generacije 486) u okviru personalnog raunara.


Sl. 12.4. Prikaz poveanja broja tranzistora u Intelovim procesorima tokom godina.


VLSI (od Very Large Scale Integration) kola vrlo visokog stepena integracije (sl.
12.6), koja u sebi sadre 10000 do 100000 tranzistora;
ULSI (od Ultra Large Scale Integration) kola izuzetno visokog stepena integracije (sl.
12.7), sa preko milion tranzistora po integrisanom kolu ili ipu;

191
U
2
LSI
3
(od Ultra-Ultra Large Scale Integration) kola izuzetno-izuzetno visokog ste-
pena integracije (sl. 12.8), sa preko milijardu tranzistora po integrisanom kolu ili ipu (sa preko
milion tranzistora po mm
2
).


Sl. 12.5. Neka od SSI i MSI integrisanih kola.

Sl. 12.6. LSI i VLSI integrisanih kola.

Dakle, broj tranzistora u procesorima koji se sada ugrauju u raunare vei je od milijar-
de. Stoga je disipacija na njima izuzetno velika. Kao primer kako se poveava snaga disipacije
Intelovih procesora sa smanjivanjem duine kanala MOS tranzistora, na sl. 12.9 je prikazan dija-
gram koji u budunosti predvia snage za koje je komentar izlian. (Napominje se da su ve sada
napajanja naponima od 0.8 V, tako da za snagu od npr. 80 W, struja iznosi 100 A!). Iz tog raz-
loga je ULSI i U
2
LSI kola potrebno dodatno hladiti. Hlaenje moe biti pasivno dodavanjem

3
Ovaj termin nije zvani~an, ve} je autor ovog teksta dao "sebi za pravo" da ga uvede.

192
masivnih hladnjaka koji odaju toplotu, ili aktivno ugradnjom ventilatora (to je danas redovan
sluaj kod procesora).


Sl. 12.7. Intelovi procesori 486 iz generacije ULSI kola.


Intel: 45 nm-ski procesor Intel: 32 nm-ski procesor AMD: 45 nm-ski procesor
Sl. 12.8. Nove generacije etvojezgarnih procesora.


Sl. 12.9. Murov prikaz poveanja snage sa smanjivanjem duine kanala
tranzistora u Intelovim procesorima tokom godina.

193
12.2. VRSTE INTEGRISANIH KOLA

Integrisana kola se mogu podeliti na vie naina: prema vrsti podloge (sl. 12.10), prema
tehnologiji izrade (sl. 12.11) i prema nainu rada.


Sl. 12.10. Podela integrisanih kola prema vrsti podloge (osnove).


Sl. 12.11. Podela integrisanih kola prema tehnologiji izrade.



12.2.1. Monolitna integrisana kola

Daleko najvei broj svih dananjih integrisanih kola jesu monolitna integrisana kola
sve njegove osnovne komponente su od istog materijala. Ova kola se jo zovu i planarna inte-
grisana kola, i to iz tri razloga: prvo, njihova izrada je bazirana na planarnom tehnolokom po-
stupku; drugo, struktura osnove na kojoj su realizovai elementi kola je planarna, tj. ravna, i tree,
dimenzije elemenata kola, normalne na povrinu osnove, su za vie od reda veliine manje od
debljine osnove, pa se stie utisak kao da su svi elementi u jednoj ravni.
Ne ulazei u detalje, ovde se istiu dve bitne prednosti planarnog procesa u poreenju sa
svim ostalim postojeim procesima, koja se nee posebno opisivati:
p-n spojevi, kao osnovni delovi svih bipolarnih i unipolarnih monolitnih integrisanih
kola, zatieni su na povrini poluprovodnika oksidnim slojem od spoljanjih uticaja, to omo-
guuje da se postignu vrlo male vrednosti struja inverzno polarisanih p-n spojeva i visoka pouz-
danost elemenata kola;

194
tehnika fotolitografije omoguuje postizanje izuzetno malih dimenzija elemenata kola i
istovremenu proizvodnju velikog broja istovetnih integrisanih kola na jednoj poluprovodnikoj
ploici, sl. 12.12 i sl. 12.13.
Dimenzije ipa monolitnih integrisanih kola, zavisno od sloenosti i funkcije koju inte-
grisano kolo treba da obavlja, mogu biti od nekoliko mm
2
(kao na sl. 12.14a) do preko 350 mm
2

(kao kod procesora na sl. 12.8). Na sl. 12.14b je prikazano jedno minijaturno SMD integrisano
kolo na vrhu prsta, upravo da bi se mogla da oceni njegova veliina.
Sa sl. 12.11 vidi se da monolitna integrisana kola mogu biti bipolarna, unipolarna i bipo-
larno-unipolarna (BiNOS i BiCMOS). U bipolarnim integrisanim kolima osnovni element je
NPN tranzistor. Izrada svih ostalih elemenata (dioda, PNP tranzistora, otpornika i kondenzatora)
je prilagoena tehnologiji NPN tranzistora. Bipolarna integrisana kola se odlikuju velikom opte-
retljivou, ali i relativno velikom sloenou.


Sl. 12.12. Planarna tehnologija omoguuje istovremenu proizvodnju velikog broja istovetnih integri-
sanih kola na jednoj poluprovodnikoj ploici (svaki kvadrat predstavlja jedno integrisano kolo).


Sl. 12.13. Uveana slika dva istovetna ipa dobijena planarnom tehnologijom.

195

a. b.
Sl. 12.14. Poreenje ipa sa veliinom nokta (a) i minijaturnog SMD operacionog
pojaavaa sa vrhom prsta (b).


Osnovni element unipolarnih integrisanih kola je MOS tranzistor, odnosno komplemen-
taran par n-kanalnog i p-kanalanog MOS tranzistora CMOS (s obzirom da su digitalna CMOS
integrisana kola od veoma velike vanosti u savremenoj elektronici, nadalje e vie rei biti o
CMOS invertoru, sl. 12.15).
Od bipolarnih i unipolarnih elemenata mogue je realizovati i kombinovana integrisana
kola (BiMOS i BiCMOS, sl. 12.11). U sutini, kod njih je osnova bipolarna ili MOS tehnologija,
pri emu se drugi osnovni element (npr. MOS tranzistor u bipolarnoj tehnologiji) radi komple-
mentarnim postupkom.



CMOS invertor

Osnovna elija digitalnih CMOS integrisanih kola jeste CMOS invertor, u kojem se kori-
sti par MOS tranzistora sastavljen od jednog n-kanalnog i jednog komplementarnog p-kanalnog
tranzistora, sl. 12.15. Korienje komplementarnog para MOS tranzistora omoguava projekto-
vanje digitalnih kola sa minimalnom potronjom energije. Karakteristika CMOS kola da imaju
nisku potronju energije enormno je proirila primenu digitalnih kola, koja se kree od dejih
igraaka do mobilnih telefona i kompjutera koje sada poznajemo. Prekidaka brzina, odnosno
maksimalna radna frekvencija, bila je u poetku nedostatak CMOS kola, ali je savremenim teh-
nolokim postupcima postugnuto izuzetno smanjivanje dimenzija MOS tranzistora, to je dovelo
do veoma velikog porasta brzine. Smanjivanje dimenzija je, takoe, omoguilo porast nivoa
integracije, dovodei do realizacije digitalnih integrisanih kola velikih operativnih mogunosti.
Stoga je CMOS tehnologija danas postala dominantna elektronska tehnologija.
CMOS invertor redovno se formira u supstratu n-tipa koji je istovremeno podloga inte-
grisanog kola kao celine i podloga p-kanalnog tranzistora. Da bi se formirao n-kanalni tranzistor,
potrebno je u zajednikom n-supstratu oformiti lokalnu p-podlogu. Ona se dobija difuzijom bora.
U tako dobijeno p-podruje difunduju se n
+
-podruja sorsa S
1
i drejna D
1
n-kanalnog tranzistora,
sl. 12.15b. p-kanalni tranzistor dobija se difuzijom bora direktno u n-podlogu, ime se formiraju
p
+
-podruja sorsa S
2
i drejna D
2
.
U CMOS invertoru upravljake elektrode G
1
i G
2
n-kanalnog i p-kanalnog tranzistora
meusobno su spojene i slue kao ulazna elektroda invertora. Drejn D
1
n-kanalnog i drejn D
2
p-

196
kanalnog tranzistora su takoe meusobno spojeni i oni su izlazna elektroda invertora, sl. 12.15.
Sors S
1
n-kanalnog tranzistora je uzemljen, a sors S
2
p-kanalnog tranzistora je spojen na napaja-
nje V
DD
.
Uz pretpostavku da su p-kanalni i n-kanalni tranzistori komplementarni po karakteristika-
ma i da su im naponi praga suprotni po predznaku i jednaki po apsolutnom iznosu, princip rada
CMOS invertora moe se objasniti pomou slika 12.15 i 12.16. Naime, kad se na ulaz G CMOS
invertora dovede napon logike nule, to odgovara naponu V
GS1
= 0, tada n-kanalni MOS ne
vodi. Istovremeno je napon izmeu kontrolne elektrode G
2
i sorsa S
2
p-kanalnog MOS
tranzistora negativan i priblino jednak V
DD
. Zato to je napon praga tog tranzistora negativan,
p-kanalni MOS tranzistor vodi. Meutim, kako je n-kanalni tranzistor zatvoren, p-kanalni MOS
radi s vrlo malom strujom drejna I
s
n-kanalnog MOS tranzistora, te se nalazi na samom poetku
triodnog podruja. Zato je napon V
DS1
= V
iz
V
DD
, pa logikoj nuli na ulazu odgovara logika
jedinica na izlazu. Taj sluaj ilustrovan je na sl. 12.16a. Radna taka T
1
odgovara izlaznom
naponu V
DD
i struji drejna I
D
= I
S
. Pri tome se menjanjem napona napajanja V
DD
moe menjati po
elji napon logike jedinice.


a.
b.
Sl. 12.15. Presek (a) i ematski prikaz (b) MOS invertora.


197

Sl. 12.16. Uz opis rada CMOS invertora: a - stanje logike jedinice
na izlazu; b - stanje logike nule na izlazu.


Ukoliko se na ulaz CMOS invertora dovede napon logike jedinice, tj. napon +V
DD
, tada
n-kanalni MOS tranzistor vodi. Istovremeno je napon kontrolne elektrode G
2
prema sorsu S
2
jed-
nak nuli, pa p-kanalni tranzistor ne vodi. Zato n-kanalni MOS tranzistor vodi vrlo malu struju
drejna p-kanalonog MOS tranzistora, te se nalazi na samom poetku triodnog podruja karakte-
ristika. Taj sluaj je predstavljen na sl. 12.16b, gde je oznaena taka T
2
koja odgovara stanju
logike nule na izlazu.
Dakle, i pri voenju n-kanalnog i pri voenju p-kanalnog MOS tranzistora troi se veoma
malo energije, s obzirom da u oba sluaja protie izuzetno mala struja drejna jednog od tranzisto-
ra.



12.2.2. Tankoslojna i debeloslojna integrisana kola

Paralelno sa monolitnim integrisanim kolima razvijala su se, ali u znatno manjoj meri, i
integrisana kola u tehnologiji debelog i u tehnologiji tankog filma. U oba sluaja kao podloga
kola slui tanka ploica od izolatorskog materijala, npr. od specijalnih vrsta keramike.
U tehnologiji debelog filma se na podlogu metodom sito-tampe nanose provodni, otpor-
ni, dielektrini i izolatorski slojevi, pomou kojih se formiraju pasivne komponente debelosloj-
nog integrisanog kola (npr. otpornici, kondenzatori, provodne veze), sl. 12.17.


Sl. 12.17. Debeloslojna integrisana kola.

198
U tehnologiji tankog filma se za nanoenje odgovarajuih slojeva koristi tehnika va-
kuumskog naparavanja ili tehnika katodnog (jonskog) raspravanja. Ovom tehnologijom, kao i
debeloslojnom, mogu se dobiti dovoljno kvalitetne pasivne komponente, sl. 12.18. Mada je
ovom tehnikom mogue dobiti i pojedine aktivne komponente, one se u praksi, ipak, dodaju kao
diskretne. Na sl. 12.19 prikazano je nekoliko razliitih tankoslojnih inetgrisanih kola.


Sl. 12.18. Otponiki modul u tehnici debelog ili tankog filma (sloja).


Sl. 12.19. Tankoslojna integrisana kola.



12.2.3. Hibridna integrisana kola

Hibridna integrisana kola su kombinacija monolitnih kola i elemenata s kolima uraenim
tehnikama debelog ili tankog filma. Pri tome, pasivne komponente se realizuju debeloslojnom ili
tankoslojnom tehnologijom. Aktivna kola, realizovana planarnim procesom, dodaju se naknadno
u formi ipa koji se na pasivnoj podlozi povezuje sa debeloslojnim ili tankoslojnim komponen-
tama. Stoga postoje deboslojna i tankoslojna hibridna integrisana kola, sl. 12.20 i sl. 12.21.
U optem sluaju, u jednom hibridnom kolu mogu da budu i tankoslojne i debeloslojne i
monolitne i diskretne aktivne i pasivne komponente. Tehnologija kojom se komponente povezu-
ju odreuje naziv kola. Tako, na primer, debeloslojna hibridna integrisana kola, osim debelosloj-
nih pasivnih elemenata, mogu da sadre u ip formi aktivne komponente (tranzistore, diode, mo-
nolitna integrisana kola) i tankoslojne komponente. Stoga to se sve te komponente meusobno
povezuju tehnikom debelog filma, kola se zovu debeloslojna.

199





Sl. 12.20. Debeloslojna i tankoslojna hibridna integrisana kola.


Kombinovanjem svih raspoloivih tehnika koje omoguuju hibridno udruivanje kom-
ponenata (sl. 12.21) dobijaju se integrisana kola optimalnih karakteristika. Tako, na primer,
tankoslojni otpornici imaju manje tolerancije otpornosti, a tehnika debelog filma omoguuje vei
raspon vrednosti otpornosti otpornika. Ako u jednom hibridnom integrisanom kolu postoje oba
zahteva, kolo e se uraditi u debeloslojnoj tehnologiji, pri emu e se otpornici, kod kojih se tra-
e uske tolerancije otpornosti, realizovati kao ip komponenta tankoslojnom tehnologijom.
Ovde je neophodno istaknuti da se hibridna integrisana kola neuporedivo manje koriste
od monolitnih integrisanih kola. To je, stoga, to je monolitna tehnologija znatno univerzalnija, s
obzirom da omoguuje realizaciju i aktivnih i pasivnih komponenata veoma irokog raspona
vrednosti osnovnih parametara, i to, takoe, omoguuje za nekoliko redova veliine veu gusti-
nu pakovanja, kao i znanto veu pouzdanost. Sa druge strane, hibridnom tehnikom se prven-
stveno realizuju pasivne komponente. Dodue, tankoslojna tehnologija omoguuje realizaciju
tranzistora koji su slini MOS-u, ali se, po pravilu, u hibridnoj tehnici, kao to je pomenuto,

200
aktivne komponente dodaju u obliku ipa napravljenog planarnom tehnologijom. Moe se rei da
e se korisnik opredeliti za hibridnu tehniku u sledeim sluajevima:
kod maloserijske proizvodnje, jer je hibridna tehnologija, zbog nie cene, prihvatljivija;
za izradu kola specijalne namene;
kada se monolitnom tehnikom ne mogu ostvariti potrebne performanse (npr. vee kapa-
citivnosti kondenzatora);
kada je potrebno smanjiti dimenzije sistema realizovanog na tampanoj ploi sa diskret-
nim komponentama (sl. 12.22).


Ovo hibridno IC sadri 2 SMD integrisana
kola, precizne debeloslojne otpornike i
tankolsojne otpornike i kondenzatore
Ovo debeloslojno hibridno IC sadri 20
integrisanih kola i 600 ica za bondiranje
Sl. 12.21. Razliita hibridna integrisana kola.



Sl. 12.22. Spoljanji izgled hibridnih integrisanog kola.







201



13. TAMPANE PLOE

tampane ploe slue da se na njih montiraju pasivne komponente (otpornici, kondenza-
tori, kalemovi, diode), aktivne diskretne komponente (bipolarni i MOS tranzistori), integrisana
kola i sve ostale elektronske komponente, kao i za meusobno elektrino povezivanje tih kom-
ponenata. Na sl. 13.1 je prikazan deo tampane ploe za komponente sa izvodima (komponente
su sa suprotne strane), na kojoj se vide zalemljeni izvodi tih komponenata (sjajne zadebljane ta-
ke) i natampane provodne veze izmeu komponenata; na sl. 13.2 se vidi prednji deo
tampane ploe sa otvorima za izvode komponenata, koji e titi zalemljeni sa suprotne strane
ploe.


Sl. 13.1. Deo tampane ploe za komponente sa izvodima; komponente su sa suprotne strane.


Sl. 13.2. Prednji deo pripremljene tampane ploe za komponente sa izvodima.

202
Primenom tampanih provodnih veza u proizvodnji elektronskih ureaja obezbeuje se
vea pouzdanost komponenata i samih ureaja, poboljana tehnoloka izvodljivost (uslovljena
automatizacijom nekih montanih procesa), poveana gustina pakovanja komponenata (zbog
smanjenja dimenzija i mase pojedinih komponenata), poveana brzina rada i zatita od smetnji.
Za tampanu plou neophodna je fabriki pripremljena tanka ploa od nekog izolaci-
onog materijala, npr. od vitroplasta, pertinaksa (obino se zove kairani pertinaks) ili fiber-
stakla sa epoksidnom smolom, na koju je sa jedne ili sa obe strane nanesen tanak sloj bakra.
Na sl. 13.3 su predstavljene jednoslojne tampane ploe, koje se, pak, dele na jednostrano
(sl. 13.3a) i dvostrano (sl. 13.3b) tampane ploe. Jednostrano tampane ploe imaju provo-
dne veze samo na jednoj strani podloge, dok su dvostrano tampane ploe (kao i na sl. 13.2)
sa provodnim vezama na obema stranama. Pored njih, u industrijskoj proizvodnji i za veoma
sloena elektronska kola koriste se i vieslojne tampane ploe, sl. 13.4. Vieslojne tampane
ploe se sastoje od naizmenino rasporeenih slojeva provodnog i izolacionog materijala
spojenih zajedno. Provodni slojevi su povezani preko metaliziranih otvora koji se koriste kako
za montiranje, tako i za elektrino povezivanje komponenata.


Sl. 13.3. Jednoslojne tampane ploe.


13.1. JEDNOSLOJNE TAMPANE PLOE

Postoji vie naina da se jednoslojna tampana ploa napravi, i svi su oni zasnovani na
istom principu, a to je da se ukloni tanak sloj bakra sa neeljenih mesta, a da ostane samo ta-
mo gde je potrebno (za provodne veze i stopice za koje se leme komponente). Uklanjanje
sloja bakra ostvaruje se tako to se ploica nagriza hemijskim putem nekom kiselinom, ili se
nepotrebni delovi bakra mehaniki odstranjuju posebnim glodalicama.

203

Sl. 13.4. Vieslojne tampane ploe.


13.1.1. Izrada crtea tampanog kola

Da bi se na ploici ostvarile provodne tampane veze, potrebno je prvo da se na njoj
iscrta ema tih veza. To se radi tako to se na bakarni povrinski sloj (jednom od tehnika koje e
u delu 13.1.2 biti opisane) nanosi slika tampanih veza, vodei, pri tom, rauna da se provodne
veze ne seku i da budu to krae (na sl. 13.5 prikazane su dve dobro i dve loe projektovane pro-
vodne veze).
Nadalje e se, kao najprostiji sluaj, razmatrati samo jednostrano tampane ploe kao na
sl. 13.3a, a da bi postupak izrade maske bio jasniji, prikazae se kako se, od ulaznih taaka 1 i
2 do izlaza + i , crta tampa za elektrino kolo sa sl. 13.6
4
(to je jedan klasian stabilisani
ispravlja kod kojeg se, pomou trimer potenciometra TP, izlazni napon moe podesiti na bilo
koju vrednost do 9 V).

4
Primer sa sl. 13.6 i slike ozna~ene sa "*", kao i dobar deo obja{njenja vezan za njih, uz saglasnost autora Miomira
D. Filipovi}a i izdava~a Mikoelektronika (Beograd, 2008) preuzet je iz knjige "Komponente i prakti~na realizacija
elektronskih ure|aja".

204

Dobro Loe

Dobro Loe
Sl. 13.5. Dobro i loe projektovane provodne tampane veze.


Sl. 13.6
*
. Klasian stabilisani ispravlja.


Pre poetka crtanja tampanog kola neophodno je nabaviti sve komponente, da bi se
znale kolike su im dimenzije i kolika su rastojanja izmeu njihovih izvoda (noica). Takve ras-
poloive komponente sa naznakom njihovih relevantnih dimenzija za ispravlja sa sl. 13.6, od
ulaznih taaka 1 i 2 do izlaza + i , prikazane su na sl. 13.7.

205

Sl. 13.7
*
. Komponente za ispravlja sa sl. 13.6.
(O prikazanim komponentama videti sledee delove: za Grecov spoj (a) deo 6.1.6;
za elektrolitske kondenzatore (b) i (g) deo 4.1.5; za otpornik (c) deo 4.1.1); za Zener diodu
(d) deo 6.1.3; za trimer potenciometar (e) deo 4.2.3: za NPN tranzistor (f) deo 7.1.1)



Sl. 13.8
*
. Postupak crtanja tampanog kola ispravljaa sa sl. 13.6.


Postupak crtanja je prikazan na sl. 13.8. Prvo su, sl. 13.8a, nacrtana dva kruia prenika
2 mm do 3 mm, na meusobnom rastojanju od oko 13 mm. To su stopice u koje e biti zalem-
ljene noice elektrolitskog kondenzatora C1 (sa sl. 13.7b). Ispod ovih stopica, a na osnovu di-
menzija sa sl. 13.7a, nacrtane su etiri stopice na meusobnom rastojanju od oko 5 mm u koje e
se zalemiti noice Grecovog spoja (usmeraa). Prema sl. 13.6, noica usmeraa koja je obeleena
sa +, spojena je sa + noicom kondenzatora C1, a noica obeleena sa , spojena je sa
noicom kondenzatora. Te dve veze su na sl. 13.8a nacrtane u obliku dve izlomljene prave linije.
Pri tome, treba se truditi da te linije budu, kao to je ve reeno, to krae i da se dobro pazi da se
ne dodirnu meusobno ili sa nekom od stopica pored kojih prolaze. Na sl. 13.8a su nacrtani i
kondenzator C1 i Grecov usmera onako kako izgledaju gledani sa donje strane (gde su im
noice), mada oni ne mogu da se vide, jer se nalaze sa suprotne strane ploice. Zgodno ih je,
ipak, crtati, da bi se lake snalazili i pri crtanju i pri kasnijoj montai komponenata na ploicu.

206
Na sl. 13.8b su nacrtane jo dve stopice, 1 i 2, koje su povezane sa stopicama u koje
se leme noice Grecovog spoja, obeleene sa . U stopice 1 i 2 e biti zalemljene dve
bakarne ice kojima se na ploicu dovodi naizmenini napon sa sekundara mrenog transforma-
tora. Desno od kondenzatora C1 i Grecovog usmeraa, vodei rauna o dimenzijama, nacrtane su
stopice za otpornik R i Zener diodu D.
U daljem postupku crtanja tampanih veza, na sl. 13.8c su dodate i linije kojima su otpor-
nik R i Zener dioda D spojeni meusobno, kao i sa + krajem kondenzatora C1 i krajem
Grecovog spoja. Na istoj slici su nacrtane i stopice u koje e biti zalemljene noice NPN tran-
zistora T, elektrolitskog kondenzatora C2 i trimer potenciometra TP, kao i dve stopice (gore de-
sno, sa oznakama + i ) u koje se leme dve bakarne ice kojima se odvodi ispravljeni izla-
zni napon. Odgovarajuim meusobnim povezivanjem pomenutih stopica, kao i njihovim spaja-
njem sa ostalim komponentama, dobija se konaan izgled tampane ploe, prikazan na sl. 13.8d.
To je pogled na ploicu sa strane tampe. Sve komponente su sa druge strane (strane kompo-
nenata), pa kao to je ve reeno, ne mogu da se vide.
Raspored komponenata i izgled tampanih veza ne mora da bude kao na sl. 13.8d. Na pri-
mer, samo malo drugaijim rasporedom komponenata dobija se izgled tampane ploe kao na sl.
13.8e, odnosno na sl. 13.8f, na kojoj je prikazano kolo sa slike 13.8e bez komponentata, onako
kako ono stvarno treba da izgleda. Pored toga, sigurnije je, posebno ako kroz provodne veze teku
vee struje, da same veze budu ire. Stoga, kolo sa slike 13.8f moe da izgleda kao na sl. 13.9, na
kojoj su linije kroz koje teku struje proirene do maksimuma (napominje se da u sluaju
ispravljaa sa sl. 13.6 to nije neophodno). Time se ostvaruje uteda tenosti za nagrizanje bakra,
ploica postaje otpornija na mehanika oteenja, a komponente se efikasnije hlade, jer bakarne
povrine odvode sa njih toplotu i emituju je u okolni prostor. Nekada se upravo eli da se
provodna povrina za masu (uzemljenje) ureaja maksimalno povea, to doprinosi stabilnijem
radu ureaja, posebno ako su to ureaji koji rade na visokim uestanostima.


Sl. 13.9
*
. Drugaiji oblik (u odnosu na sl. 13.8f) tampanih veza ispravljaa sa sl. 13.6.


13.1.2. Prenoenje crtea na ploicu

Pripremljeni crte tampanih veza neophodno je sada preneti na povrinu ploice na kojoj
se nalazi bakar. Postoji vie naina prenoenja tog crtea. Najjednostavnije je da se crtanje pro-
vodnih veza kao na sl. 13.8 uradi alkoholnim flomasterom direktno na bakarnoj povrini.
Meutim, ovako relativno prost postupak crtanja crtea tampanog kola mogu je samo kada su
u pitanju elektronski ureaji koji nisu sloeni, kao to su ispravljai, razni pojaavai, alarmni
ureaji, jednostavniji digitalni ureaji i sl.
Opisani postupak nije mogue koristiti u sloenijim digitalnim ureajima koji imaju vrlo
veliki broj minijaturnih stopica i vrlo tanke provodne veze (linije). Jednostavno, stopice su suvie
malih dimenzija, a linije suvie tanke (ak i do desetog dela milimetra) i sasvim blizu jedna po-
red druge, tako da ih nije mogue nacrtati rukom. U takvim sluajevima koristi se raunar i neki

207
od programa za projektovanje tampanih kola (primer jednog takvog tampanog kola prikazan je
na sl. 13.10b). Najpoznatiji su TANGO, OrCAD PCB, PROTEL, EAGLE, itd. U takvim sluaje-
vima se za prenoenje crtea koristi fotopostupak.
Za prenoenje crtea fotopostupkom potreban je fotolak u obliku spreja, a postupak je
sledei:
1. tampano kolo se nacrta rukom (npr. kao na sl. 13.10a), ili odtampa visokokontrastno na
printeru sa raunara na poluprovidnoj hartiji (pausu) ili nekom drugom propustljivom materijalu
za ultraljubiastu (UV) svetlost (fotografski film, prozirna folija visoke stabilnosti i sl.). Kako
odtapani sloj treba da prijanja uz bakarni sloj na ploici, to je crtanje, odnosno printanje crtea
neophodno izvesti u Mirror (kao lik u ogledalu) opciji, sl. 13.10. Sam nacrt mora biti izraen
tako da budui elektrino provodni putevi budu potpuno neprozirni za UV deo spektra, a da
delovi koji e odgovarati nagrienim povrinama bakarne folije budu potpuno prozirni.


a. b.
Sl. 13..10. Crtei koji se prenose fotopostupkom mora da budu u Mirror opciji (kao lik u ogledalu).


2. Bakarna povrina treba da bude savreno ista. Najbolje ienje mogue je postii ne-
kim prakom koji sadri sitan pesak (npr. VIM), a zatim je prebrisati suvom istom tkaninom
(povrina mora biti sjajna, bez otisaka prstiju, a posle ienja se bakarni sloj ne sme dodirivati
prstima).
3. Bakarna strana ploice se ravnomerno isprska lakom (sl. 13.11) u tankom sloju. Nano-
enje laka je potrebno izvesti u (cik-cak) horizontalnoj i zatim vertikalnoj osnovi, koso drei
sprej na udaljenosti oko 20 cm. Lak je, neto manje nego fotografski film, osetljiv na svetlost, pa
se prskanje obavlja u nekoj polutamnoj prostoriji. Osim toga, lak je osetljiv i na prainu, pa i o
tome treba voditi rauna. Sloj laka treba da je vrlo tanak i ravnomerno preliven preko cele povr-
ine.
4. Suenje laka na ploici na sobnoj temperaturi moe da potraje itava 24 sata. Ovo vreme
se skrauje na samo oko 15 minuta ako se suenje obavlja u penici tednjaka, na temperaturi
oko 70C. Pri suenju lak promeni boju, odnosno postane malo svetliji. Hlaenje ploice traje
nekoliko minuta. I suenje i hlaenje treba obavljati u polumraku, titei ploicu od svetlosti.
5. Za dalji rad potrebni su ravno staklo i komad ravne drvene podloge istih dimenzija, koje
su vee od dimenzija tampane ploice koja se pravi. Prema sl. 13.12, na drvenu podlogu se stavi

208
ploica. Bakarna strana, koja je isprskana lakom, mora da bude gore. Na nju se stavi paus sa
crteom kola. Strana na kojoj je crte mora da bude sa donje strane, tako da boja kojom je crte
pravljen lei na bakru. Preko pausa se stavi staklo. Staklo se pritisne i komadima lepljive trake
spoji po uglovima za drvenu podlogu (tako je dobijen tkzv. sendvi). Sve ovo se radi u polu-
mraku sa to manje svetlosti koja bi mogla da oteti fotolak.


Sl. 13.11
*
. Prskanje ploice lakom.


Sl. 13.12
*
. Sendvi: drvena podloga, ploica sa lakiranim bakrom na gore, paus sa slikom na dole, staklo.


6. Sledei korak je osvetljavanje (ekspozicija) ploice (sl. 13.13). Sendvi, sa staklom na
gore, stavi se ispod UV (ultravioletne) sijalice i dri ispod nje nekoliko minuta. U nedostatku ove
sijalice moe da se koristi i neki drugi izvor svetlosti talasne duine od 370 nm do 440 nm (uz
striktno pridravanje uputstva za vreme osvetljavanja ploice), pri emu je neophodno da ploica
bude ravnomerno osvetljena. Da bi cela povrina ploice bila ravnomemo osvetljena, s vremena
na vreme ploicu treba pomerati levo-desno, napred-nazad. Vreme izlaganja sendvia svetlo-
sti, kao i udaljenost izvora svetlosti od ploice, zavisi od vrste i jaine svetla, ali i od vrste foto-
laka.

209

Sl. 13.13. Osvetljavanje (ekspozicija) ploice.


7. Odmah nakon zavretka osvetljavanja, ploica se odvoji iz sendvia u zatamnjenoj
prostoriji i izlae procesu koji se zove razvijanje. Razvija se pravi tako to se 7 grama natri-
jum hlorida (NaOH iva soda) rastvori u jednom litru vode na sobnoj temperaturi. Ploica se,
sa bakarnom stranom okrenutom na gore, stavi u neku plitku posudu od plastike ili keramike i
sipa razvija, tako da prekrije ploicu za nekoliko milimetara (sl. 13.14a). Ploica ostaje u rast-
voru oko 2 minuta, dok lak koji nije bio zatien od svetlosti (to je sav lak van stopica i linija na
crteu) ne bude rastvoren. Razvijanje je gotovo kada se na ploici pojavi crte tampanog kola,
nacrtan lakom, sl. 13.14b. Odmah treba izvaditi ploicu i isprati je pod mlazom vode. Raz-
vijanjem prestaje svaka osetljivost na svetlo i tako dobijen sloj je stabilan u duem vremenskom
periodu.


a. b.
Sl. 13.14. a Uz proces razvijanja; b razvijena ploica.


Pre nego to bude rei o zavrnom delu u dobijanju tampane ploice, a to je nagrizanje,
odnosno odstranjivanje vika bakra sa ploice koji nije bio zatien crteom, ovde e se navesti
jo jedan nain prenoenja crtea na ploicu, koji po kvalitetu daje tampane veze skoro kao i
fotografska tehnika, ali je znatno jednostavniji (jer se preskau koraci od 3 do 7 opisani u okviru
fotopostupka). Naime, postoji posebna plastina folija koja se zove Press and Peel Blue (PnP
Blue). To je tanka plastina folija presvuena specijalnim plavim premazom. Spoj izmeu pre-
maza i plastine podloge je veoma slab. ema tampane veze se otiskuje na PnP Blue, a zatim se
peglanjem prenosi na istu bakarnu povrinu ploice. Zagrejana pegla topi toner, usled ega se
on lepi za bakar. Zatim se PnP Blue skida sa ploice, a toner ostaje na bakru.

210
13.1.3. Nagrizanje ploice

Krajnji rezultat opisanih postupaka projektovanja tampanog kola i njegovog precrtava-
nja na ploicu je nagrizanje vika bakra, odnosno odstranjivanje sa ploice bakra koji nije zati-
en stopicama i linijama. To se u kunim uslovima obavlja pomocu ferihlorida, ili pomou me-
avine sone kiseline i vodonik peroksida (hidrogena). Treba naglasiti da su oba sredstva za na-
grizanje, kao i veina drugih kiselina, otrovni, opasni za oi, otvorenu ranu i sluzokou. Dakle,
pri radu sa sredstvima za razvijanje, treba biti oprezan.


Nagrizanje pomou ferihlorida

U trgovini se ferihlorid (FeCl
3
) moe nabaviti ili kao tenost crveno-smee boje, ili u
vrstom stanju u obliku grumenova kristala. Da bi se dobila tenost, u plastinu posudu u kojoj
0,5 kg grumenja treba naliti jedan litar vode i saekati da se grumenovi otope.
Za nagrizanje ploice je potreban neki plitak sud, najbolje pravougaonog oblika, izraen
od plastike, stakla ili keramike. Ferihlorid se sipa u sud tako da dubina tenosti bude nekoliko
centimetara. Ploica, sa bakrom na dole, stavlja se tako da pliva po povrini tenosti (sl.
13.15). Ploicu treba povremeno vaditi iz rastvora i proveravati kako se proces razvija, jer ako
ploica suvie dugo ostane u rastvoru, on e poeti da unitava i bakar ispod boje. Vaenje plo-
ice se vri iskljuivo nemetalnim pomagalima (plastinom pincetom ili, kao na sl. 13.15, pomo-
u selotejpa zalepljenog u obliku malog draa za gornji deo ploice). Pored toga, potrebno je
pomerati ploicu, naroito ako je veih dimenzija, nekoliko puta levo-desno da bi se bilo sigurno
da se ispod nje nisu zadrali mehuri od vazduha.


Sl. 13.15
*
. Nagrizanje ferihloridom.


Tenost e poeti da nagriza i rastvara bakar koji nije zastien flomasterom ili lakom i
posle izvesnog vremena, oko 15 minuta, sav ovaj bakar e nestati i ploica e izgledati kao na sl.
13.16a. Kada je nagrizanje zavreno i na ploici nema vie nezatienog bakra, treba je prvo do-
bro oprati u vodi, a zatim skinuti boju koja je titila tampane veze. Na ploici e se pojaviti
sjajne bakarne linije i stopice kao na sl. 13.16b.


Nagrizanje pomou H
2
O + HCl + H
2
O
2


Umesto ferihlorida, za nagrizanje se ee koristi meavina 35% hlorovodonine (sone)
kiseline (HCl), hidrogena (H
2
O
2
vodonik peroksid, ili kako se jo zove, oksien) i vode. Smea
se pravi neposredno pre nagrizanja.

211

a. b.
Sl. 13.16. Izgled ploica posle nagrizanja (a) i posle uklanjanja zatitnog sloja (b).


Na dno plitkog plastinog ili nekog drugog nemetalnog suda stavi se ploica sa bakrom
na gore i sipa sona kiselina tako da tenost prekrije ploicu (sl. 13.17). Zatim se u nju dodaje
hidrogen, koji se sipa direktno iznad ploice. Koliina hidrogena koji se dodaje zavisi od njegove
koncentracije, kao i od koncentracije sone kiseline. To znai da treba iznad ploice sipati malo
hidrogena, podii malo levi pa desni kraj suda, da se tenosti izmeaju, i posmatrati ploicu.
Smea je potpuno providna, i ako bakar posle desetak sekundi pone da menja boju, nagrizanje
je poelo. Pri tome, iz tenosti izlaze mehurii, a ako i nema ili ih je malo, dodaje se jo malo hi-
drogena. Pri dodavanju hidorogena se pazi da se ne pretera, jer ako mehuria ima previe, te-
nost e poeti da se zagreva i moe da uniti boju.


Sl. 13.17
*
. Nagrizanje sonom kiselinom i hidrogenom.


Proces nagrizanja se lako prati, jer je tenost providna. Nagrizanje je zavreno kada na
ploici nema vie nezatienog bakra (sl. 13.16a). Nju treba izvaditi i dobro oprati u vodi, a boju
koja je titila tampane veze treba skinuti (sl. 13.16b) trljanjem vlanom krpicom, zamoenom u
neko od prakastih sredstava za ienje.
Zavrena ploica, sa prethodno izbuenim rupicama (obino prenika 1 mm) za kompo-
nente i dve rupe od 3 mm za zavrtnje kojima se ploica montira u kutiju u koju je smeten is-
pravlja sa slike 13.6, prikazana je na sl. 13.18a.


13.1.4. Dvostrano tampana ploa

Pored jednostrano kairanog pertinaksa o kome je do sada bilo rei, kao to je reeno (sl.
13.3b) postoji i pertinaks na ije je obe strane naneen tanak sloj bakra. On se najee koristi pri

212
praktinoj realizaciji elektronskih kola koja imaju mnogo linija kojima se spajaju komponente,
dovode i odvode signali, itd.


a. b. c.
Sl. 13.18
*
. a Zavrena tampana ploica ispravljaa sa sl. 13.6; b crte tampane
ploice (sl. 13.8b); c tampana ploa sa komponentama.


Komponente se montiraju na jednoj strani strani komponenata, a veina veza, sve ko-
je mogu da se ostvare, su na suprotnoj strani, kao i kod obinih (jednostranih) tampanih ploa.
Preostale veze se crtaju na strani komponenata. Spojevi izmeu bakarnih linija (veza) sa jedne i
sa druge strane ostvaruju se na taj nain to se te linije crtaju tako da se ukrtaju, a na mestu
ukrtanja se bui rupica kao za komponentu. U fabrikoj proizvodnji te rupe se metalizuju (ob-
loe metalom), ime se ostvaruje potreban spoj. U kunoj izvedbi spoj se ostvaruje tako to se
kroz rupicu provue komad ice koji se zalemi za obe bakarne linije. Moe i kolo da se tako pro-
jektuje, da kroz tu rupicu prolazi prikljuak neke komponente koji se zalemi za obe bakarne lini-
je.
Ako se crte tampanih veza koji se realizuje na jednostrano kairanom pertinaksu po
precrtavanju na bakarnu stranu ploice pomeri malo levo ili desno, to nema velikog znaaja. Ali
u sluaju dvostrane tampe, ak i vrlo malo pomeranje moe da dovede do toga da je vrlo teko,
esto i nemogue, ostvariti potrebne veze izmeu jedne i druge strane. Zato je najbolje nacrtati
samo jednu stranu, izvriti nagrizanje bakra i izbuiti rape. Rupe kroz koje prolaze provodnici
kojima se ostvaruje spoj izmeu veza sa suprotnih strana, omoguuju da se veze sa druge strane
nacrtaju tano na potrebnim mestima. Naravno, te veze ne smeju da prelaze preko ostalih rupa,
jer su one zauzete. Zatim se izvri nagrizanje bakra i sa te strane.
Dok se nagriza jedna strana, druga mora biti zatiena. To se najlake ostvaruje tako to
se na nju, pomou lepljive trake, privrsti komad neke plastine folije otporne na kiseline.



13.2. VIESLOJNE TAMPANE PLOE

Odmah treba rei da se vieslojne tampane ploe, iji su popreni preseci prikazani
na sl. 13.4 i sl. 13.19, ne realizuju u kunim uslovima, ve je njihova proizvodnja iskljuivo
industrijska, s obzirom da su za njih neophodne veoma velike investicije i skupa oprema.
Na svetskom tritu postoje dve velike grupe proizvoaa ovih tampanih ploa.
Prvu grupu ine tkzv. nezavisni ili trini proizvoai, koji svoje proizvode nude na otvo-
renom tritu. Te ploe su, pre svega, namenjene za ugradnju u ureaje koji se proizvode i
prodaju u veoma velikom broju (TV aparati, PC raunari, mobilni telefoni). Pored toga, ova
grupa proizvoaa nudi mogunost kupcima da i sami uestvuju u dizajniranju tampanih
ploa, ime je trite znaajno proireno i na proizvodnju ureaja koji se ne proizvode u

213
tako velikim serijama. Drugu veliku grupu proizvoaa vieslojnih tampanih ploa ine tkzv.
proizvoai zatvorenog tipa, koji proizvode ove ploe iskljuivo za ugradnju u svoje sopstvene
proizvode (Hewlett Packard, Texas Instruments, IBM).


Sl. 13.19. Popreni presek vieslojne tampane ploe.


Sl. 13.20. Blok ema tipinog tehnolokog niza za proizvodnju vieslojnih tampanih ploa.


Kao to je ve reeno, vieslojne tampane ploe se sastoje od naizmenino raspore-
enih slojeva provodnog i izolacionog materijala spojenih zajedno (sl. 13.4 i sl. 13.19). Pro-
vodni slojevi su povezani preko metaliziranih otvora koji se koriste kako za montiranje, tako i

214
za elektrino povezivanje komponenata, uz napomenu da se pojedini itavi provodni slojevi
koriste kao kontakti za napajanje ili za uzemljenje (sl. 13.19)
Proces proizvodnje vieslojnih tampanih ploa predstavlja veoma sloen tehnoloki po-
stupak koji ubuhvata preko 50 proizvodnih koraka, ali se, grubo, moe podeliti u 9 procesnih ko-
raka, kao to je prikazano blok emom na sl. 13.20. Procesi projektovanja, kao i formiranja unu-
tranjih i spoljanjih slojeva tampane ploe su potpuno automatizovani primenom snanih rau-
nara i softverskih paketa za razmetaj komponenata. Trei procesni korak (laminiranje unutra-
njih slojeva) je proces spajanja razliitih slojeva, u kojem se elektrino povezuju provodni likovi
prethodno nezavisno uraeni na svakom sloju bakar-dielektrik. Ovaj proces na kraju ukljuuje i
presovanje sloenih ploa u jedinstvenu sendvi tampanu plou (sl. 13.4 i sl. 13.21). Posle bu-
enja otvora (etvrti korak, sl. 13.20) i njihovog ienja (peti korak), pristupa se metalizaciji
otvora. Proizvoai za metalizaciju koriste razliite materijale: jedni je izvode hemijskim nano-
enjem bakra, drugi za to koriste ugljenik, trei grafit, a etvrti se opredeljuju za paladijum. Za-
vrna obrada na kraju (sl. 13.20), izmeu ostalog, predvia i elektrotestiranje ploe u cilju otkla-
njanja neispravnosti provodnih veza, kao to su prekidi i kratki spojevi.



13.3. TAMPANE PLOE ZA POVRINSKU MONTAU

To su, praktino, vieslojne tampane ploe sa stopicama prilagoenim za komponente za
povrinsku montau (SMD), sl. 13.21. Procenjuje se da svetsko trite ovakvih tampanih ploa
iznosi izmeu 20 i 25 milijardi dolara. Do pre par godina vodei proizvoai su bili SAD i Ja-
pan, a sada je primat preuzela Kina, uz stalno prisutnu tendenciju daljeg rasta proizvodnje.



Metalizirana rupa
Sl. 13.21. Deo vieslojne tampane ploe za povrinsku montau komponenata.


Na sl. 13.22 je prikazana fotografija (sa uveanjem 16 puta) dela tampane ploe sa povr-
inski montiranim komponentama, a sl. 13.23 se, takoe, odnosi na deo takve ploe, snimljenom
odozgo.

215

Sl. 13.22. Fotografija (sa uveanjem 16 puta) dela tampane ploe sa povrinski
montiranim komponentama.


Sl. 13.23. Snimak odozgo dela tampane ploe sa povrinski montiranim komponentama.




216