Tabela 2

Na wykresie 1 przedstawiono zalenoci czasw: t

d
t
p
t
n
t
o
od wspczynnika wzmocnienia K
f
.
- V s s s s
1 0,58 4 60 4 100
2 1,1 2 36 12 90
4 2,04 1 16 22 84
8 3,95 1 8 32 80
16 7,9 1 4 44 70
K
f
U
z
t
d
t
n
t
p
t
o
Wykres 1
1 2 4 8 16
0
20
40
60
80
100
120
td
tn
tp
to
Kf
t

[

s
]
3.2. Praca przy sterowaniu napiciem jednobiegunowym. Badanie wpywu pojemnoci
przypieszajcej na czas przeczania tranzystora.
W powyszym ukadzie dla wartoci pojemnoci C
B
= 100 pF i 500 pF dokonano pomiarw
czasw: t
p
t
n
t
o
i zestawiono je w tabeli 3.
Tabela 3
pF - s s s
100
1 20 1 18
2 6 2,5 12
4 3 3 6
8 1,6 3,2 2,4
16 0,8 4,4 1,2
500
1 13 1 11
2 6 1 7
4 3 3 3,2
8 1,4 3 1,6
16 0,8 3,6 1
C
B
K
f
t
n
t
p
t
o
Czasy z indeksami 1 to czasy zmierzone przy podczonym kondensatorze CB o pojemnoci 100 pF,
czasy z indeksami 2 to czasy zmierzone przy podczonym kondensatorze CB o pojemnoci 500 pF,
natomiast czasy bez indeksw cyfrowych to czasy zestawione w tabeli nr 2.
Wykres 2
1 2 4 8 16
0
20
40
60
80
100
120
tn
tp
to
tn1
tp1
to1
tn2
tp2
to2
Kf
t

[

s
]
3.3. Praca przy sterowaniu napiciem jednobiegunowym. Badanie wpywu polaryzacji
zaporowej bazy.
3.3.1. Wyznaczanie wartoci prdu wejciowego obwodu sterujcego na granicy
nasycenia tranzystora.
Wyniki pomiarw zestawiono w tabeli 4.
Tabela 4
- mA V
1 0,14 0,5
2 0,28 1,04
4 0,56 1,9
8 1,12 3,65
16 2,24 7,28
K
f
I
we
U
z
3.3.3 Wyznaczanie wartoci czasw przeczania.
Wyniki pomiarw zestawiono w tabeli 5.
Tabela 5
- V s s s
1 0,5 54 0 40
2 1,04 17 6 44
4 1,9 8 10 44
8 3,65 4 15 44
16 7,28 2 21 44
K
f
U
z
t
n
t
p
t
o
Czasy z indeksami 1 to czasy zmierzone z polaryzacj zaporowa natomiast czasy bez indeksw
cyfrowych to czasy zmierzone bez polaryzacji zaporowej.
Wykres 3
1 2 4 8 16
0
20
40
60
80
100
120
tn
tp
to
tn1
tp1
to1
Kf
t

[

s
]
Wnioski:
Tranzystor pracujc na coraz wikszym prdzie bazy i napiciu zasilacza osiga
proporcjonalne wzmocnienia napiciowe i prdowe. Wiksze napicie spowodowao znaczny
spadek czasu narastania i nieco mniejszy spadek czasu opnienia. Jednak wzrost prdu bazy
spowodowa wzrost czasu przecigania. Czas opnienia by bardzo may i stabilizowa si na
poziomie 1 s wraz ze wzrostem wzmocnienia.
Doczenie pojemnoci przypieszajcej 100 pF przy wzmocnieniu pocztkowym rwnym
1 spowodowao 3-krotne zmniejszenie czasu narastania, 5-krotny spadek czasu opadania i 3-krotny
spadek czasu przecigania. Wraz ze wzrostem wzmocnienia czasy: t
n i
t
o
nadal malay natomiast
czas przecigania rs w znacznie wolniej ni w ukadzie bez kondensatora doczonego do bazy.
Zastosowanie pojemnoci przypieszajcej 500 pF spowodowao, e poszczeglne czasy
opisujce fazy przeczania zmalay lub zwikszyy si w wikszym stopniu ni przy pojemnoci
100 pF w odniesieniu do ukady bez kondensatora doczonego do obwodu zasilajcego baz.
Zastosowanie polaryzacji zaporowej bazy spowodowao niewielkie zmniejszenie czasu
narastania, ponad 2-krotne zmniejszenie czasu opadania i mae zmniejszenie czasu przecigania dla
wszystkich wartoci wzmocnienia realizowanego przez tranzystor wzgldem ukadu bez polaryzacji
zaporowej i pojemnoci wymuszajcej.
Zmniejszenie czasw przeczania faz tranzystora jest najwiksze przy zastosowaniu
pojemnoci wymuszajcej i duo mniejsze przy zastosowaniu polaryzacji zaporowej bazy.
Podczas pomiarw czasw przeczania czas z zastosowaniem kondensatora i polaryzacji
zaporowej bazy czas opnienia by tak may, e jego pomiar obarczony by by bardzo duym
bdem. Dlatego pomiary tego czasu zostay pominite.