下世代光源－準分子紫外光介紹

日期：2005/5/3 來源：半導體科技

"劉有台 / 工研院化學工業研究所

近年來，準分子紫外光(Excimer UV)技術已廣泛地應用在科學研究與工業生產應用方面，
例如臭氧的產生[1]、殺菌處理、紫外光印刷製程、光化學反應、塑膠表面處理[2，3]、光化學
氣相沈積(Photo- CVD)[4]、薄膜加工[5]、光化學反應、金屬材料表面處理[6]、LCD 玻璃基
板清潔、半導體矽晶圓的表面清潔等[7]。

Excimer UV 具有單一波長、效率高、能量強、無高溫產生等特性，改進傳統產生紫外光之許
多缺點，其技術之應用已經越來越受到產業界之重視。目前工業界產生紫外光之方式有低壓
水銀燈(Low pressure mercury vapor lamp)、中壓水銀燈(Medium pressure
mercury vapor lamp)等方式，但是這些紫外光光源均有以下共同缺點，使得在應用上受
到限制。一般低壓水銀燈紫外光有以下之缺點：
一、光譜之頻寬很廣：除了我們所需的紫外光外，尚有紅外光、可見光等；
二、所發出紫外光之能量，僅佔全部能量之小部分；
三、照射過程會產生高溫。

由於傳統產生紫外光光源這些缺點，使得紫外光的應用僅限於一小範圍，無法擴大。自
1960 年代雷射(LASER)快速的發展後，各種不同波長的雷射陸陸續續被發展出來，而其中
波長落在紫外光(Ultraviolet，UV)波長範圍內，又具有單一波長(monochromatic)高能量
輸出的光源，就是熟知的 Excimer UV 光源。Excimer 這個名詞是由 Excited 加 Dimer 兩
個字組合而來，意即受激發的兩個離子結合成準分子狀態，當不穩定的分子解離後釋放出的
能量便是 Excimer UV。Excimer UV 之波長為 100nm ~ 360nm 之間，其波長可破壞化
學鍵結，將材料表面的特定鍵結打斷，因此產生一些特殊之應用。

Excimer UV 產生的原理
紫外光為一種電磁波，其波長介於可見光與 x-ray 之間，一般紫外光光譜又可區分為，如表
一所示，UV-A、UV-B、UV-C、VUV 等 4 個範圍。此處必須先對 VUV (Vacuum UV)加以說
明：當紫外光的波長低於 200nm 時，空氣對其吸收非常強，僅於數 mm 後，其強度即近
似於零。所以必須於真空的情況下或加入保護性或墮性氣體時才可工作，譬如氮氣或氬氣等。

#F#表一：紫外光的區隔

以氙氣(Xenon)說明準分子紫外光產生之原理：
一、首先必須將氣體原子及分子導入激發狀態(Excited state)。由於電子之質量輕，經過外
加電場加速後，撞擊氣體分子或原子後，將其激發。若是加諸於上之能量足夠，則可產生連
鎖反應，成為電漿(Plasma)。
e→→→→Xe→Xe* + e
二、此時一被激發之氙氣原子與一未被激發之中性氙氣原子碰撞，而產生 Dimer state。發生
Dimer state 的機率則與氣體壓力成正比。
Xe + Xe*→Xe2*
三、由於此狀態非常不穩定，其生命期短，跳回基態，並釋放 172nm 紫外光能量。
Xe2*→Xe + Xe + hv
由此種方式所產生的準分子紫外光具有下列優點：
⊙Excimer 僅可存在於被激發之狀態，無法存在於基態(即穩定狀態)。其有一非常重要的性
質：由其所發出的紫外光不會被其本身所再吸收(reabsorb)，即於穩定狀態之氣體分子無
法吸收此紫外光。紫外光可在沒有阻礙的情況下離開燈管，因而其光線強度及效率均高。
⊙用來產生 Excimer UV 的介質通常是兩種氣體，一為惰性氣體(Noble gas)如：
He、Ne、Ar 等，另一為化學性質較活潑之鹵素氣體(Halogen gas)如：F、Cl、Br 等。可利用
單一氣體，或是不同的氣體組合，便可得到不同波長的紫外光輸出，見表二。

#F#表二：氣體與紫外光波長之關係

⊙所發出之紫外光的波長範圍非常窄，屬單一波長(Monochromatic)型態。
⊙不會產生高溫，適合於對溫度較敏感之物件進行加工，屬於一種冷加工。
⊙不需等待，無暖機(Warm-up)時間，可瞬間亮燈及滅燈，耗損電力低。

Excimer UV
設備及構造
電漿(Plasma)可藉由多種不同電能(Electric Energy)的形式產生，譬如：DC、AC、RF 或
是微波等。電能與電漿耦合則有多種不同之設計，因此產生之電漿的性質亦不盡相同。其中則
以 Dielectric-Barrier Discharge(DBD)可於近大氣壓下產生穩定的電漿，特別適合產生
Excimer 的需求。

DBD 之構造可為平面狀(planar)或圓柱狀(cylindrical)。圖一則表示於平面構造時不同之結
構。將一高壓交流電(High Voltage AC)加於兩金屬平板上，介於此兩金屬平板間，則最少
有一平板狀非導體(Dielectric)。此非導體之材質可為玻璃、石英、陶磁或塑膠聚合體。

#F#圖一：不同平面型(DBD)的結構

DBD 特點在於利用高壓交流電，於近似大氣壓力下，將氣體崩潰(Breakdown)，產生電漿。
而崩潰的產生，則是藉由許多被稱為 Microdischarge 的 current filament，其可被視為
一低游離的電漿(weakly ionized plasma)，生命期僅有數奈秒(nanosecond)。崩潰數奈
秒後，由於 Microdischarge 附近之電場強度降低，以致於電流之流動中斷。由於時間短，
僅有小部分之電荷流動，不致於將氣體溫度急速上升。於 Microdischarge 內之電子能量
(Electron Energy)則可用來激發其它的氣體原子或分子，產生化學反應或發出特殊光波。
表三則示 DBD 之產生過程及其應用，如臭氧產生(Ozone Generation)、準分子(Excimer
Formation)、(Numerical Analysis)來分析 Microdischarge 的產生，其
excitation、dissociation、ionization、attachment、recombination 的過程，對於電場之
影響、電子能量的分布及其化學反應等。我們可藉由改變一些參數，譬如：氣體壓力、電壓、交
流電之頻率、電極間的距離以氣體之組成等，而得到一最佳解。

#F#表三：DBD 產生的步驟及其應用

一般 Excimer UV 燈管構造見圖二所示。主要包括：金屬電極(Metal electrode)、石英管

(Quartz)、高壓電源產生器(HV generator)等。將單一或混合氣體灌入封閉之石英管內，於
管內部則覆以金屬電極，外部則覆以網狀金屬電極，以便利於紫外光線通過如圖三所示。這
種結構之優點在於高溫電漿不與電極接觸，可稱為無電極激發(Electrodeless
discharge)。因此不會產生氣體污染的問題，可沿長燈管的壽命。兩電極間之距離為 1 ~
10mm，於石英管內之氣體壓力可為 100 ~ 1000 torr，加於電極上之電壓，則為 5 ~
10kV，脈衝頻率(Pulse frequency)則約為 10kHz ~ 1MHz。這些參數必須與所使用的氣
體做最佳的配合，以便產生高強度之紫外光。

#F#圖二：Excimer UV 燈管之構造(正視圖)
#F#圖三：Excimer UV 燈管之構造(側視圖)

Excimer UV 應用[8]
在沒有討論紫外光的應用前，先略為討論光化學(Photo-chemical machining)反應。當材
料分子接收到紫外光時，由於紫外光波長較短，因此由蒲朗克定律(Planck law)可知每
個光子所攜帶的能量相對較高，其公式如下表示
E = h‧v = h‧c/l
E：photon energy
H：Planck constant
v：frequency
c：light velocity
l：Gwavelength
如分子直接吸收高能的紫外光子會導致電子在能階上的躍遷，造成分子鍵直接斷裂。我們可
將化學鍵結能換算為光能，如表四所示。以 C-H 化學鍵結為例，欲將此鍵結打斷，則需 413
kJ / mol。將此鍵結能換算為光能，則為波長 290nm 之紫外光即可。以 172nm 紫外光為例
除了 C=O 鍵結以外，它可將大部分之分子鍵結打斷，而正是 Excimer UV(172nm)所具有
之特性。

#F#表四：化學鍵結能與紫外光波長的關係

目前 Excimer UV 技術的用途越來越廣，以下就商業化之 VUV / O3 表面清潔、UV 光硬化 、

UV 光分解及 UV 光表面活化等處理技術做一簡單介紹。

VUV / O3 表面清潔處理
一般物件經過有機溶劑清洗後，仍可能會有一層有機物分子薄膜遺留於表面上。對於某些製
程而言，譬如 LCD 玻璃基板，於鍍膜(deposition)前必須再做表面清潔處理，因為表面清
潔度的好壞對於鍍膜之品質有決定性之影響。現今有兩種方法可達成此要求：一為利用電漿
表面處理，另一則為利用紫外光進行光化學處理。電漿方法須於低壓下進行；經由真空泵浦，
進行抽氣的動作，達所需之工作壓力後，再利用電漿進行清潔工作。此種方法之缺點為產能
(Throughput)低。而利用 Excimer UV 來做基材清潔則為另一不錯的選擇，可省略抽真空
時間，設備簡單及操作容易。VUV / O3 處理技術是一基材表面接受 Excimer UV 照射時，
UV-172 將附著於基材表面上之有機物的鍵結打斷。同時在有氧氣之狀況下，UV-172nm 又
可將氧氣之雙鍵打斷，產生氧原子。此時一氧分子再與一氧原子結合，產生活性極強之臭氧
(O3) 。此時鍵結被打斷之有機物被臭氧更進一步進行氧化分解，形成 VUV / O3 雙重清潔
處理加工效果。
Excimer UV 產生臭氧(O3) 及分解有機物之機構如下：
O2 + hv(UV-172) O(3P) + O(3P)
O(3P) + O2 O3 O2 + O(1D)
CmHnOq + hv(UV-172) Cmnq?+ O CO, CO2, H2O
其已知 VUV / O3 處理技術之使用範圍有：
(1)cleaning before oxidation processes
(2)cleaning before epitaxial deposition
(3)removal of photoresist
(4)controlled oxide-growth on compound semiconductors
(5)cleaning before bonding
(6)cleaning of optical surface and photo-masks before deposition

UV 光硬化 (UV curing)處理

傳統溶劑型塗料、油墨或黏著劑於乾燥時，必須加熱，或在常溫下放置很長時間，讓溶劑完
全揮發後，始可進行下一步之加工。此過程耗時、耗能源，非常不經濟，而此種傳統溶劑亦有
環保上之顧慮。UV 硬化的原理為不再使用傳統溶劑，取而代之的則是使用特殊的樹脂，並於
其中加入感光起始劑(Photoinitiator)。當此種塗料或油墨受到 UV 光照射時，即產生自由基
這些自由基開始與單體稀釋劑及預聚合體發生連鎖反應，產生聚合現象，而令樹脂瞬間由液
體變成固體。因而可立刻進行下一步之製程。UV 光波長的選擇則視所使用感光起始劑而不同。
兩者必須搭配，始可產生最佳效果。

與傳統乾燥法比較