Memori Hirarki

Tim Lab. SKJK

Pertanyaan
Tahukah anda Tipe-tipe Prosesor dari awal
sampai sekarang ? sampai sekarang ?
Tahukah anda Kategori Sistem Hardware dari
masing-masing tipe ?
Prosesor Lebar Data Kategori Lebar Register
masing-masing tipe ?
Prosesor Lebar Data Kategori Lebar Register
8088 8-bit 8-bit 16-bit
8086 16-bit
16-bit
16-bit
286 16-bit 16-bit
386/SX 16 bi 32 b 386/SX 16-bit 32-bit
386/DX 32-bit
32-bit
32-bit
486/AMD-5x86 32-bit 32-bit
Pentium/AMD-K6 64-bit 32-bit
64-bit
Pentium Pro/Celeron/II/III 64-bit 32-bit
AMD Duron/Athlon/Athlon XP 64-bit 32-bit
Pentium 4 64-bit 32-bit
Itanium 64-bit 64-bit
2
AMD Athlon 64 64-bit 64-bit
Pentium 4 w/ EM64T 64-bit 64-bit
Problem Identification Possible Cause Resolution
System is dead, no cursor, no beeps, no fan. Power cord failure. Plug in or replace power cord. Power cords can fail even though
they look fine
Troubleshooting CPU ?
they look fine.
Power supply failure. Replace the power supply. Use a known-good spare for testing.
Motherboard failure. Replace motherboard. Use a known-good spare for testing.
Memory failure. Remove all memory except 1 bank and retest. If the system still
won't boot replace bank 1.
System is dead, no beeps, or locks up before POST begins. All components either incorrectly installed. Check all peripherals, especially memory and graphics adapter.
Reseat all boards and socketed components.
System beeps on startup, fan is running, no cursor on screen. Improperly seated or failing graphics adapter. Reseat or replace graphics adapter. Use known-good spare for
testing.
System powers up, fan is running, no beep or cursor. Processor not properly installed. Reseat or remove/reinstall processor and heatsink.
Locks up during or shortly after POST. Poor heat dissipation. Check CPU heatsink/fan; replace if necessary, use one with higher
capacity.
Improper voltage settings. Set motherboard for proper core processor voltage.
Wrong motherboard bus speed. Set motherboard for proper speed.
Wrong CPU clock multiplier. Jumper motherboard for proper clock multiplier.
Improper CPU identification during POST. Old BIOS. Update BIOS from manufacturer.
Board not configured properly. Check manual and jumper board accordingly to proper bus and
multiplier settings.
System won't start after new processor is installed. Processor not properly installed. Reseat or remove/reinstall processor and heatsink.
BIOS doesn't support new processor. Update BIOS from system or motherboard manunew facturer.
Motherboard can't use new processor. Verify motherboard support.
Operating system will not boot. Poor heat dissipation. Check CPU fan; replace if necessary; it might need a higher-
capacity heatsink or heatsink/fan on the North Bridge chip.
Improper voltage settings. Wrong motherboard bus speed. Jumper motherboard for proper core voltage. Jumper motherboard
for proper speed.
Wrong CPU clock multiplier Jumper motherboard for proper clock multiplier
3
Wrong CPU clock multiplier. Jumper motherboard for proper clock multiplier.
Applications will not install or run. Improper drivers or incompatible hardware; update drivers and
check for compatibility issues.
System appears to work, but no video is displayed. Monitor turned off or failed. Check monitor and power to monitor. Replace with known-good
spare for testing.
Pendahuluan
Kapan materi COA terasa bermanfaat ?
Sebagai dasar pengetahuan, Bila anda bekerja di suatu
h d d di i t t k perusahaan dan anda diminta untuk :
Memilih spesifikasi komputer yang akan digunakan dengan
spesifikasi sesuai kebutuhan dan harga kompetitif
M b k di di b dd d Membuat program yang akan ditanam di embedded system
Melakukan debug terhadap program yang telah terinstall pada
embedded system (sensor mesin, sistem pengapian elektronik,
dll) dll)
Mata kuliah wajib pada computing curricula 2005 yang
dikeluarkan oleh ACM, AIS, IEEE-CS
4
Pendahuluan
Processor
Devices
Control
Memory
Input
Datapath
Output
5
Processor-Memory Performance Gap
Proc
10000
Proc
55%/year
(2X/1.5yr)
1000
a
n
c
e
Moores Law
Kapasitas chip meningkat
2x 1tiap 18-24 bln
Cost per bit turun secara
10
100
e
r
f
o
r
m
a
Processor-Memory
Performance Gap
(grows 50%/year)
Cost per bit turun secara
exponensial
Kecepatan dan Kehandalan
meningkat
1
10
P
e
DRAM
7%/year
(g y )
1
9
8
0
1
9
8
3
1
9
8
6
1
9
8
9
1
9
9
2
1
9
9
5
1
9
9
8
2
0
0
1
2
0
0
4
(2X/10yrs)
6
Year
Tujuan Hirarki Memori
Fakta : Fakta :
Large memories are slow and fast memories
are small are small
Bagaimana membuat memori yang dapat
menggambarkan bahwa Memori memiliki
Kapasitas yang besar, murah dan cepat ?
Berhirarki
7
Parallelism
Hirarki Memori
Masing-masing memori pada level hirarki memiliki teknologi yang beda
Kecepatan ukuran dan bahkan cost nya
On-Chip Components
Kecepatan, ukuran dan bahkan cost nya
Locality principle
Second
Control
Secondary
On-Chip Components
M i
I
n
C
a
I
T
eDRAM
Level
Cache
(SRAM)
Datapath
Memory
(Disk)
R
e
g
F
i
l
e
Main
Memory
(DRAM)
D
a
t
a
C
a
c
h
e
n
s
t
r
c
h
e
T
L
B
D
T
L
B
Speed (%cycles): s 1s 10s 100s 1,000s
Size (bytes): 100s Ks 10Ks Ms Gs to Ts
8
Size (bytes): 100 s K s 10K s M s G s to T s
Cost: highest lowest
Hirarki
4-8 bytes (word)
Memori
1 to 4 blocks
8-32 bytes (block)
1,024+ bytes (disk sector = page)
9
Computer Architecture and Organization: An Integrated Approach
Miles J. Murdocca and Vincent P. Heuring, John Wiley & Sons, (2007)
Hirarki Memori
Biaya per bit
ki h
Registers
makin murah
Kapasitas makin
besar
L1 Cache
L2 Cache
besar
Waktu akses
makin lama
Main memory (RAM)
Disk cache (pure S/W)
makin lama
Frekuensi
diakses oleh
(p )
Disk (Harddisk)
Optical (CD DVD)
d akses oleh
prosesor makin
jarang
Optical (CD, DVD)
Magnetic tape
10
Karakteristik Memori (1)
Memory diklasifikasikan berdasarkan:
(1) Lokasi
(2) Kapasitas
(3) Satuan transfer
(4) C k e (4) Cara akses
(5) Performansi
(6) Jenis fisik (6) Jenis fisik
(7) Karakteristik fisik
(8) Organisasi memori ( ) g
11
Karakteristik Memori (2)
(1) Lokasi:
Internal : dapat diakses oleh prosesor tanpa melalui I/O ?
Register
Cache memory
Main memory (RAM)
l k k h l l i /O External : untuk mengaksesnya harus melalui I/O
Harddisk, Diskette, Magnetic Tape
Flashdisk
CDROM dll CDROM, dll
(2) Kapasitas:
Adalah kemampuan menampung data dalam p p g
satuan tertentu (byte atau word)
Satu byte = 8 bit
Satu word = 8, 16, atau 32 bit (tergantung pada pembuat
12
Satu word 8, 16, atau 32 bit (tergantung pada pembuat
prosesor, Intel: word = 16 bit, IBM 370 = 32 bit),
MIPS ???
Karakteristik Memori (3)
(3) Satuan transfer:
Memori internal:
Adalah banyaknya bit yang dapat dibaca/ditulis dari/ke
memori dalam setiap detik
Adalah setara dengan banyaknya jalur data yang terhubung ke
memori (lebar bus) memori (lebar bus)
Biasanya sebanyak satu word, tetapi dapat lebih banyak lagi
(misal: 32, 64, atau 128 bit)
Memori eksternal Memori eksternal
Digunakan satuan block yang ukurannya lebih dari satu word
Satuan alamat: (minimum addressable unit) Satuan alamat: (minimum addressable unit)
Adalah ukuran memori terkecil yang dapat diberi alamat
tersendiri
Besarnya tergantung pembuat prosesor (Intel: 1 byte atau 8 bit),
13
Besarnya tergantung pembuat prosesor (Intel: 1 byte atau 8 bit),
MIPS ???
Cluster di harddisk
Karakteristik Memori (4)
(4) Cara akses:
Sequential access
Akses ke memori dilakukan secara berurutan (searching Akses ke memori dilakukan secara berurutan (searching,
passing, rejecting)
Digunakan mekanisme shared read/write
Waktu akses sangat variabel, bergantung pada lokasi data yang g , g g p y g
akan dituju dan data sebelumnya
Contoh: Magnetic tape
Direct access
Akses ke memori langsung menuju ke lokasi terdekat, diteruskan
dengan sedikit pencarian dan perhitungan
Setiap blok/record mempunyai alamat unik berdasarkan lokasi
fisik fisik
Digunakan mekanisme shared read/write
Waktu aksesnya variabel (berbeda-beda) dan bergantung pada
lokasi data yang akan dituju dan lokasi data sebelumnya
14
Contoh: harddisk
Karakteristik Memori (5)
Random access
Akses ke memori dilakukan secara random langsung
k l t dit j ke alamat yang dituju
Setiap alamat memori mempunyai alamat unik
Waktu aksesnya konstan dan tidak bergantung pada Waktu aksesnya konstan dan tidak bergantung pada
urutan akses sebelumnya
Contoh: main memory, beberapa sistem cache
A i ti Associative
Pencarian data di memori dilakukan dengan
membandingkan seluruh word secara bersamaan, membandingkan seluruh word secara bersamaan,
tidak berdasarkan alamat
Waktu akses konstan dan tidak bergantung pada
lokasi dan urutan akses sebelumnya
15
lokasi dan urutan akses sebelumnya
Contoh: cache memory
Karakteristik Memori (6)
(5) Performansi Latency : Time to access one word
Waktu akses (access time)
Waktu antara perintah akses (baca atau tulis) sampai didapatkannya data
di MBR atau data dari MBR telah disalin ke lokasi memori tertentu di MBR atau data dari MBR telah disalin ke lokasi memori tertentu
(time between the request and when the data is available or written)
Waktu siklus memori (cycle time)
Waktu dimulainya suatu operasi memori sampai memori siap
l k k i b ik t (l bih ti ) melaksanakan operasi berikutnya (lebih penting)
(time between requests)
Waktu akses + waktu untuk perubahan signal jalur data sebelum akses
kedua
cycle time > access time
Memory access time
Load addr to
MAR
Decode
Copy data to
MBR
Restore
16
Memory cycle time
Karakteristik Memori (7)
Transfer rate
Adalah waktu rata-rata perpindahan data p p
RAM: 1/waktu siklus
Non-RAM:
T
N
= T
A
+ N/R
T
N
= Waktu rata-rata untuk baca/tulis sejumlah N
bit
T R t t kt k T
A
= Rata-rata waktu akses
N = jumlah bit
R = transfer rate (bit per second)
17
R = transfer rate (bit per second)
Karakteristik Memori (8)
(6) Jenis fisik:
Semikonduktor : RAM, flashdisk
Magnetik : harddisk, magnetic tape
Optik : CD, DVD
(7) Karakteristik fisik: (7) Karakteristik fisik:
Volatile : nilainya hilang bila tegangan listrik tidak ada Semua
internal memory ???
Non volatile: nilainya TIDAK hilang (tetap ada) meskipun TIDAK ada Non-volatile: nilainya TIDAK hilang (tetap ada) meskipun TIDAK ada
tegangan listrik
Erasable : nilainya dapat dihapus (semikonduktor, magnetik)
Non erasable : nilainya tidak dapat dihapus (ROM) Non-erasable : nilainya tidak dapat dihapus (ROM)
(8) Organisasi memori:
Penyusunan bit untuk membentuk word
18
19
Tugas Anda
Yang dimaksud SRAM dan DRAM ?
Apa yang dimaksud dengan SIMM DIMM dan Apa yang dimaksud dengan SIMM, DIMM dan
RIMM ?
M RAM ? Macam-macam RAM ?
EDO,
SDRAM,
DDR SDRAM,
DDR2 SDRAM,
RDRAM
20
SRAM
SRAM dan DRAM adalah tipe chip memori.
Static RAM (SRAM) jauh lebih cepat dan tidak ( ) j p
memerlukan refresh daripada DRAM dan mampu
mengimbangi kecepatan Processor
Menggunakan desain cluster yang memiliki 6 Menggunakan desain cluster yang memiliki 6
transistor untuk setiap bit penyimpanannya.
Menggunakan transistor tanpa kapasitor Menggunakan transistor tanpa kapasitor
Kerapatan jauh lebih rendah daripada DRAM dan
secara fisik lebih besar dan menyimpan lebih sedikit y p
bit, juga lebih mahal daripada DRAM
21
DRAM
Dynamic RAM, tipe chip memory yang digunakan pada kebanyakan
memori utama.
Keunggulannya adalah sangat padat sehingga dapat dimasukkan banyak
bit ke dalam chipn a ang sangat kecil bit ke dalam chipnya yang sangat kecil.
Sel-sel nya terdiri dari kapasitor tipis yang memiliki charge untuk
mengindikasikan bit.
DRAM harus terus di refresh. Karena jika tidak direfresh menyebabkan DRAM harus terus di refresh. Karena jika tidak direfresh menyebabkan
beban listrik pada kapasitor akan habis dan data akan hilang.
Refresh dilakukan ketika controller memory siap berhenti untuk
mengakses semua baris data pada chip. Kecepatan refresh standar nya
adalah 15 microsecond adalah 15 microsecond.
Menggunakan 1 transistor & sepasang kapasitor per bit yang menjadikan
sangat padat.
Jika densitas mencapai 512MB ini berarti chip DRAM memiliki 512 juta
transistor.
Transistor untk setiap bit cell DRAM membaca keadaan beban dari
kapasitor yang berdekatan. Jika kapasitor di charge maka cell dibaca
untuk diisi 1 jika tidak di charge mengindikasikan 0. Lebih lambat dari
22
untuk diisi 1 jika tidak di charge mengindikasikan 0. Lebih lambat dari
arsitektur memori lainnya.
SIMM, DIMM dan RIMM
SIMM , DIMM dan RIMM adalah Tipe-tipe Modul chip
memory. Dimana masing-masing tipe memiliki jumlah pin,
memory row width yang berbeda y y g
SIMM = Single Inline Memory Module, DIMM = Dual Inline
Memory Module, RIMM = Rambus Inline Memory Module.
SIMM ada 2-tipe yaitu 30-pin (8-bit plus 1 bit paritas) dan SIMM ada 2 tipe yaitu 30 pin (8 bit plus 1 bit paritas) dan
72-pin (32 bit plus 4 bit paritas).
DIMM ada 2 versi, dengan chip SDRAM atau DDR SDRAM
yang dibedakan dengan karakteristik fisik. y g g
DIMM SDRAM memiliki 168-pin, sedangkan DDR DIMM
memiliki 184-pin.
Perbedaan utama dengan SIMM, DIMM memiliki pin-pin Perbedaan utama dengan SIMM, DIMM memiliki pin pin
sinyal yang berbeda di setiap sisi modul. DIMM memiliki lebih
banyak pin daripada SIMM. Memiliki lebar data path 64-bit
(non-paritas) atau 72-bit dengan paritas atau ECC (error
i d )
23
correcting code).
SIMM, DIMM dan RIMM
SIMM ada 2-tipe,30-pin (8-bit plus 1 bit paritas) dan
72-pin (32 bit plus 4 bit paritas). p ( p p )
DIMM ada 2 versi, chip SDRAM atau DDR
SDRAM Memiliki 168-pin, DDR DIMM memiliki 184- p ,
pin.
Perbedaan utama dengan SIMM, pin-pin sinyal yang g , p p y y g
berbeda di setiap sisi modul.
DIMM memiliki lebih banyak pin daripada SIMM.
Memiliki lebar data path 64-bit (non-paritas) atau
72-bit dengan paritas atau ECC (error correcting
24
code).
SIMM, DIMM dan RIMM
RIMM memiliki pin-pin di 2 sisi modul nya
Jumlah pin-nya : 184-pin (16/18-bit) 232-pin Jumlah pin-nya : 184-pin (16/18-bit), 232-pin
(32/36-bit), 326-pin (64/72-bit).
RIMM d 16 bit di k t k lik i RIMM dengan 16-bit digunakan untuk aplikasi
non-ECC
Masing-masing memiliki kecepatan yang
berbeda. Baik DRAM SIMM, DIMM, dan RIMM
DIMM & RIMM memiliki ROM Onboard
25
30-pin dan 72-pin SIMM
26
27
168-pin dan 184-pin DIMM
28
RIMM
29
Organisasi Memori Organisasi Memori
Tim Lab SKJK Tim Lab. SKJK
Sel Memori (1)
Setiap memori tersusun dari rangkaian sel-sel
memori:
31
Sel Memori (2)
Sifat-sifat sel memori:
Dapat memberikan 2 kondisi (1 atau 0) p ( )
Dapat ditulisi (minimal satu kali) dengan cara mengubah
kondisi sel memori
dib Dapat dibaca
Tiap sel terdiri dari 3 terminal:
S l t t k ilih l i k Select: untuk memilih sel memori yang akan
dibaca/ditulisi
Control: untuk menentukan jenis operasi write/read Control: untuk menentukan jenis operasi write/read
Data:
Write: untuk mengubah kondisi sel dari 1 ke 0 atau sebaliknya
32
Read: untuk membaca kondisi sel memori
Sel Memori (3)
Apa syarat device dapat digunakan untuk menyimpan
data biner ?
Hanya dapat menyimpan 2 macam nilai/kondisi (true false Hanya dapat menyimpan 2 macam nilai/kondisi (true-false
atau 1-0) yang stabil
Mempunyai pembatas yang lebar yang dapat memisahkan
kedua nilai/kondisi secara tegas kedua nilai/kondisi secara tegas
Mampu menangani perubahan nilai/kondisi dalam waktu
yang tidak terbatas
Nilai/kondisinya tidak rusak pada saat dibaca Nilai/kondisinya tidak rusak pada saat dibaca
Apakah saklar/switch memenuhi syarat ???
Implementasinya dengan apa ? Implementasinya dengan apa ?
Magnetic core
Semikonduktor:
G b t t i t d k it
33
Gabungan antara transistor dan kapasitor
Gabungan beberapa transistor
Sel Memori (4)
Magnetic core
Ferric oxide coating Ferric oxide coating
+ Bahan yang mudah bersifat magnet
Selection wire:
+ Untuk menentukan nilai medan magnet + Untuk menentukan nilai medan magnet
+ Jika arah arus berbeda medan
magnet berbeda
Sense wire: Sense wire:
+ Untuk membaca nilai bit yang disimpan
Cara kerja:
+Simpan data (write):
o Aliri select wire dengan arah arus
sesuai dengan nilai bit data yang
34
g y g
diinginkan
Sel Memori (5)
Cara kerja: (contd)
+Baca data (read): +Baca data (read):
o Selection wire dialiri arus yang menghasilkan bit bernilai 0
o Jika bit yang sedang disimpan:
0 Tid k d t i d k i d i = 0 Tidak ada tegangan induksi pada sense wire
Bit bernilai 0
= 1 Medan magnet berubah
Data yang disimpan berubah dari 1 menjadi 0
Sense wire terinduksi berarti data yang sedang
disimpan bernilai 1 disimpan bernilai 1
Kembalikan nilai bit ke nilai semula (1) dengan cara
aliri select wire dengan arus yang menghasilkan bit
b il i 1
35
bernilai 1
Sel Memori (6)
Gabungan antara transistor dan kapasitor
(memori dinamis) (memori dinamis)
Capasitor
+Untuk menyimpan nilai data
Address line:
+Untuk mengaktifkan sel
memori (transistor)
Bit line:
+Untuk membaca/menulis
36
Untuk membaca/menulis
data dari/ke sel memori
Sel Memori (7)
Gabungan antara transistor dan kapasitor
(memori dinamis) (contd)
2
(memori dinamis) (cont d)
Cara kerja
+Simpan data (write):
3
+Simpan data (write):
1. Signal yang akan ditulis
dihubungkan ke bit line (high
voltage = 1 low voltage = 0)
4
voltage = 1, low voltage = 0)
2. Signal diberikan ke address line
transistor on
3. Untuk simpan bit 1 arus
1
3. Untuk simpan bit 1 arus
mengalir masuk ke kapasitor
kapasitor diisi muatan
4. Untuk simpan bit 0 arus
37
mengalir dari ke kapasitor
muatan kapasitor dikosongkan
Sel Memori (8)
Cara kerja: (contd)
B d t ( d)
1
+Baca data (read):
1. Address line diberi signal
transistor on
4
2. Muatan kapasitor dialirkan ke bit
line/sense amplifier
3. Sense amplifier membandingkan
3
p g
muatan kapasitor dengan tegangan
reference untuk menentukan
apakah data bernilai 1 atau 0
2
4. Muatan kapasitor berkurang
perlu di-refresh disebut
memori dinamis
38
Sel Memori (9)
Gabungan antara beberapa transistor (memori statis)
Status T1 selalu berlawanan
dengan T3 tetapi selalu sama dengan T3, tetapi selalu sama
dengan T4
Status T2 selalu berlawanan
dengan T4 tetapi selalu sama dengan T4, tetapi selalu sama
dengan T3
Nilai bit line berlawanan
dengan nilai bit line B
B
dengan nilai bit line B
Signal high:
T1=off, T3=on titik C1=high
bit line B = HIGH bit line B HIGH
T2=on, T4=off titik C2 = LOW
Signal low:
T1=on, T3=off titik C1=low
39
,
bit line B = LOW
T2=off, T4=on titik C2 = HIGH
Sel Memori (10)
Magnetic core vs Semikonduktor
M ti S ik d kt Magnetic core Semikonduktor
(-) Lambat (switching: 0.5-3 S) (+) Cepat (switching: 10-200 nS)
( ) Unt k l n ng m jml (+) Unt k l n ng m jml (-) Untuk luasan yang sama jml (+) Untuk luasan yang sama jml
memori lebih sedikit memori jauh lebih banyak
(+) Non-volatile (-) Volatile (+) Non volatile ( ) Volatile
40
Organisasi Memori (1) - rev
Bagaimana sel-sel memori disusun ?
m, lebar memori
0 1 m-1
. . .
000
001
Sel
memori
m, lebar memori
001
002
003
a
n

m
e
m
o
r
i
2
n
,

u
k
u
r
a
.

.

.
.

.

.
2
n
-1
Alamat
Satu plane
41
memori
Satu plane
Organisasi Memori (2) - rev
Memori dapat digambarkan seperti sebuah matriks
berukuran m kali n, dimana:
l b i j l h bi d l l m = lebar memori = jumlah bit dalam satu alamat
= minimum addressable unit
n = ukuran memori = jumlah alamat n ukuran memori jumlah alamat
Setiap bit pada setiap alamat yang mempunyai posisi yang
sama disusun ke dalam sebuah memory plane
Memory plane merupakan array 2 dimensi dibutuhkan 2
buah select line (x dan y)
Setiap satu memory plane terdiri dari sebuah sensor line Setiap satu memory plane terdiri dari sebuah sensor line
pada waktu diakses, dalam setiap memory plane hanya
satu bit saja yang dibaca
42
Organisasi Memori (3) - rev
Contoh soal:
Sebuah memori terdiri dari 32 alamat dan setiap p
alamat terdiri dari 16 bit.
Berapakah jumlah jalur untuk setiap select line ?
B k h j l h l di l k ? Berapakah jumlah memory plane yang diperlukan ?
Berapakah kapasitas memori ?
Jawab: Jawab:
Jumlah jalur setiap select line = 32, 2 dan 16,
4 dan 8, atau 8 dan 4, atau 16 dan 2 , ,
Jumlah memory plane = jumlah bit setiap alamat = 16
memory plane
K it i 32 16 bit 512 bit 64 b t
43
Kapasitas memori = 32 x 16 bit = 512 bit = 64 byte
Organisasi Memori (4) - rev
Memory bank
Merupakan memori yang tersusun dari sejumlah memory plane
Sebuah memory bank tersusun dari beberapa chip
Pada gambar di bawah ini, berapakah:
Jumlah bit setiap alamat ? Jumlah bit setiap alamat ?
Jumlah alamat total jika setiap select line = 8 ?
44
Organisasi Memori (5) - rev
Contoh soal:
Sebuah RAM berkapasitas 128 MB dipasang pada sebuah
komputer dengan prosesor Intel dan menggunakan format komputer dengan prosesor Intel dan menggunakan format
instruksi yang terdiri dari 32 bit. Setiap satu memory plane
dikemas ke dalam sebuah chip.
Berapakah jumlah chip dalam RAM tersebut ? e apa a ju a c p da a te sebut
Berapakah jumlah alamat yang tersedia ?
Berapakah jumlah jalur untuk select line ?
Jawab:
- Jumlah bit dalam setiap alamat untuk komputer dengan
prosesor Intel adalah 8 bit diperlukan 8 buah memory
plane terdapat 8 chip p p p
- Jumlah alamat yang tersedia = kapasitas setiap memory
plane/chip yaitu (128 x 8/8) M = 128 M alamat
- Kapasitas setiap memory plane/chip = 128/8 = 16 MB = 128
45
Kapasitas setiap memory plane/chip 128/8 16 MB 128
Mb = 2
7
x 2
20
bit jumlah jalur select line = 2
27
, 2 dan 2
26
, 4 dan 2
25
jalur dst.
Pengaksesan Memori (1)
Bagaimana memori diakses ?
46
Pengaksesan Memori (2)
MAR (Memory Address Register):
Memuat alamat dari lokasi memori yang akan diakses (baca/tulis)
Jumlah bit MAR menentukan jumlah maksimum dari memori fisik Jumlah bit MAR menentukan jumlah maksimum dari memori fisik
yang dapat dipasang dalam suatu komputer
Jika MAR terdiri dari n bit alamat memori yang valid adalah 0
hingga 2
n
1 hingga 2
n
- 1
MBR (Memory Buffer Register):
Memuat isi informasi yang akan dituliskan ke memori atau baru
saja dibaca dari memori pada alamat yang ditunjukkan oleh isi
MAR
MBR dapat berukuran m bit, 2m bit, 4m bit, dst dimana m =
jumlah bit minimal dalam satu alamat (minimum addressable unit )
Memory Decoder:
Untuk menerjemahkan alamat yang disimpan dalam MAR
47
Untuk menerjemahkan alamat yang disimpan dalam MAR
menjadi pasangan x dan y
Pengaksesan Memori (3)
Urutan baca dari memori:
Taruh alamat memori yang akan dibaca (dalam unsigned
binary) ke MAR (range 0 hingga 2
n
1) binary) ke MAR (range 0 hingga 2 1)
Kirim READ signal melalui READ control line
Decode isi MAR sehingga diperoleh nilai x dan y (nilai MAR
tidak berubah) tidak berubah)
Taruh isi alamat yang ditunjuk ke dalam MBR
Urutan tulis ke memori:
Taruh alamat memori yang akan ditulisi (dalam unsigned
binary) ke MAR (range 0 hingga 2
n
1)
Taruh data yang akan ditulis ke MBR y g
Kirim signal WRITE melalui WRITE control line
Decode isi MAR sehingga diperoleh nilai x dan y (nilai MAR
tidak berubah)
48
tidak berubah)
Copy-kan isi MBR ke memori (isi MBR tidak berubah)
Pen-decode-an Memori (1)
Bagaimana cara men-decode alamat memori ?
Contoh:
S b h i i 128 l t ( k i ) ti Sebuah memori mempunyai 128 alamat (maksimum) yang setiap
alamat terdiri dari 8 bit. Memori tersebut tersusun dari 8 memory
bank , maka:
D t ti b k 128/8 16 l t Daya tampung setiap memory bank = 128/8 = 16 alamat
16 alamat = 2
4
alamat diperlukan 4 jalur untuk setiap select line
128 alamat = 2
7
alamat jumlah bit MAR = 7 bit
M b k Al t D l bi Memory bank Alamat Dalam biner
ke-0 0 15 0000000 0001111
ke-1 16 31 0010000 0011111
... ... ...
ke-7 112 127 1110000 1111111
+Bit ke-4, 5, 6 nilainya tetap untuk setiap memory bank dan
b b d t k b k b b d Bit k 4 5 6
49
berbeda untuk memory bank yang berbeda Bit ke-4, 5, 6
(warna merah) menunjukkan nomor bank (bank selector)
Pen-decode-an Memori (2)
Bit 7 (plane ke-7) Bit 0 (plane ke-0)
(0,7) (1,7)
(4,7)
(0,0) (1,0)
Location 0 15
Distribusi lokasi
memori
b k 128
. . .
(15,7)
(8,7)
(12,7) (15,0)
(memory bank ke-0)
sebanyak 128
alamat
. . .
(16,7) (17,7) (16,0) (17,0)
Location 16 31
(memory bank ke-1)
(31,7) (31,0)
.

.

.
Memory bank ke-2, 3, 4, 5, 6
. . .
(112,7) (113,7)
Location 112 127
(memory bank ke-7)
(112,0) (113,0)
50
(127,7) (127,0)
* (a,b) = memory location a, bit position b
Pen-decode-an Memori (3)
Bagaimana cara menentukan nilai x dan y ?
Alamat ke-0, 1, 2, dan 3 terletak pada baris pertama pada plane
ke-0 dan pada bank ke-0 adalah sbb:
Alamat Dalam biner
0 000 00 00
1 000 00 01
2 000 00 10 2 000 00 10
3 000 00 11
Alamat ke-4, 5, 6, dan 7 terletak pada baris kedua pada plane
ke-0 dan pada bank ke-0 adalah sbb: ke 0 dan pada bank ke 0 adalah sbb:
Alamat Dalam biner
4 000 01 00
5 000 01 01
6 000 01 10
7 000 01 11
Dari 2 contoh di atas bit ke-2 dan 3 (warna biru) menunjukkan
b i d l b h l il i d i l t li
51
nomor baris dalam sebuah plane = nilai dari x select line
Pen-decode-an Memori (4)
Alamat yang terletak pada kolom pertama pada plane ke-0 dan
pada bank ke-0 adalah sbb:
Alamat Dalam biner
0 000 00 00
4 000 01 00
8 000 10 00 8 000 0 00
12 000 11 00
Alamat yang terletak pada kolom kedua pada plane ke-0 dan
pada bank ke-0 adalah sbb: p
Alamat Dalam biner
1 000 00 01
5 000 01 01
9 000 10 01
13 000 11 01
Dari 2 contoh di atas bit ke-0 dan 1 (warna biru) menunjukkan
52
Dari 2 contoh di atas bit ke 0 dan 1 (warna biru) menunjukkan
nomor kolom dalam sebuah plane = nilai dari y select line
Pen-decode-an Memori (5)
Arti/fungsi setiap bit pada MAR adalah sbb:
6 5 4 3 2 1 0
53
ROM ROM dan dan RAM RAM
Tim Lab. SKJK Tim Lab. SKJK
Read Only Memory (ROM)
ROM (Read Only Memory)
PROM( PROM (Programmable ROM)
EPROM (Erasable PROM)
EEPROM (Electrically EPROM)
Flash Memory
55
Read Only Memory (ROM)
Data bersifat permanen (non-volatile)
Nilai data dihasilkan dari kombinasi rangkaian logika g g
di dalamnya
Penulisan data dilakukan pada saat pembuatan chip
Data tidak dapat dihapus
Aplikasi:
Lib b ti t k f i f i i Library subroutine untuk fungsi-fungsi yang sering
digunakan
Program sistem
Tabel fungsi, dll
BIOS (Basic Input Output Systems)
56
Programmable ROM (PROM)
Data ditulis sesudah chip dibuat
Digunakan bila jumlahnya tidak terlalu besar (bukan mass
d t) d t d t kh product) dan memuat data khusus
Non-volatile
Hanya dapat ditulisi satu kali Hanya dapat ditulisi satu kali
Penulisan data dilakukan secara elektrik dengan PROM
programmer
Sel memori dibakar (burning in) dengan arus listrik yang cukup besar Sel memori dibakar (burning-in) dengan arus listrik yang cukup besar,
lokasi bit akan terbakar dan menunjukkan sebuah nilai (0 atau 1)
Data tidak dapat dihapus
Lebih fleksibel daripada ROM Lebih fleksibel daripada ROM
57
Erasable PROM (EPROM)
Data ditulis sesudah chip dibuat
Non volatile Non-volatile
Proses baca dan tulis secara elektrik
Data dapat dihapus dan ditulisi berulang-ulang Data dapat dihapus dan ditulisi berulang ulang
dengan radiasi ultraviolet
Sinar tersebut melewati celah di kumpulan chip
Data dihapus dalam satuan chip (semua data dihapus)
Lebih mahal daripada PROM
58
Electrically EPROM (EEPROM)
Data ditulis sesudah chip dibuat
Non volatile Non-volatile
Data dapat ditulis dan dihapus kapan saja secara
elektrik, data tidak perlu dihapus terlebih dahulu elektrik, data tidak perlu dihapus terlebih dahulu
Data dihapus dalam satuan byte
Lebih mahal daripada EPROM
Kurang rapat dibanding EPROM
59
Flash Memory
Non-volatile
Biaya dan fungsionalitas berada diantara EPROM dan Biaya dan fungsionalitas berada diantara EPROM dan
EEPROM
Data dihapus dalam satuan blok memori p
Lebih rapat dibanding EEPROM
Contoh aplikasi:
BIOS i i l bih d h di b h k l h BIOS isinya lebih mudah diubah, termasuk oleh
virus
60
Hirarki Memori
Biaya per bit
ki h
Registers
makin murah
Kapasitas makin
besar
L1 Cache
L2 Cache
besar
Waktu akses
makin lama
Main memory (RAM)
Disk cache ( /W)
makin lama
Frekuensi
diakses oleh
Disk cache (pure S/W)
Disk (Harddisk)
O ti l ( )
d akses oleh
prosesor makin
jarang
Optical (CD, DVD)
Magnetic tape
61
RAM (Random Access Memory) (1)
Dynamic RAM (DRAM)
Sel DRAM:
Data berupa muatan
listrik yang disimpan
di kapasitor
Mengapa disebut
dynamic RAM ?
Muatan listrik yang Muatan listrik yang
disimpan di kapasitor
cenderung mengalami
kebocoran sehingga kebocoran, sehingga
harus selalu di-refresh
DRAM digunakan
untuk main memory
62
untuk main memory
RAM (Random Access Memory) (2)
Static RAM (SRAM)
Sel SRAM: Sel SRAM:
Disusun dari beberapa
transistor (flip-flop)
Mengapa disebut static
RAM ?
Selama masih ada
listrik, maka data yang
disimpan tidak hilang disimpan tidak hilang,
sehingga tidak perlu di-
refresh
63
SRAM digunakan untuk
cache memory
DRAM vs SRAM
DRAM SRAM
(+) sederhana (-) lebih kompleks
(+) dimensi lebih kecil (-) dimensi lebih besar
(+) murah (-) lebih mahal
(+) kapasitas besar ( ) kapasitas kecil (+) kapasitas besar (-) kapasitas kecil
(-) perlu rangkaian refresh (+) tidak perlu di-refresh
(-) biaya rangkaian refresh (+) tidak perlu rangkaian refresh ( ) y g ( ) p g
memori berukuran besar
lebih mahal daripada biaya
i i di i memori itu sendiri
(-) lebih lambat (-) lebih cepat
Apa kesamaannya ???
64
Apa kesamaannya ???
Sama-sama volatile
Jenis Memori Semikonduktor
65
Chip Logic DRAM 16 Mbit (4Mx4) (1)
66
Chip Logic DRAM 16 Mbit (4Mx4) (2)
Dalam satu saat dapat dibaca/ditulis data 4 bit (1 bit
tiap memori plane) tiap memori plane)
Terdiri dari 4 buah array berukuran 2048 x 2048
Alamat tiap sel ditentukan oleh alamat baris dan kolom p
Pin alamat baris paralel dengan alamat kolom
hemat jumlah pin
digunakan RAS dan CAS
Terdapat 4 pin untuk data in (write) dan out (read)
l l di k WE d OE secara paralel digunakan WE dan OE
Refresh dilakukan dengan membaca data dan
menuliskannya kembali
67
menuliskannya kembali
Contoh Chip Packaging (1)
EPROM 8 Mbit:
Alamat = 20 bit (pin) = A0- (p )
A19 = 1 M alamat
1 alamat = 8 bit kapasitas =
8 x 1 Mbit = 8 Mbit 8 x 1 Mbit 8 Mbit
Chip Enable (CE) untuk
memilih chip yang aktif bila
di k l bih d i t hi digunakan lebih dari satu chip
D0-D7 = data keluar (8 jalur)
Vss = ground
Vcc = tegangan positif
68
Contoh Chip Packaging (2)
DRAM 16 Mbit:
Alamat = 11 pin = A0-A10
Di k l h b i d k l Digunakan oleh baris dan kolom secara
bergantian setara dengan 2x11
pin = 22 pin = 2
22
alamat = 4 M
alamat
1 alamat = 4 bit kapasitas = 4 M x
4 bit = 16 bit
CAS untuk mengaktifkan kolom
RAS untuk mengaktifkan kolom
D0-D3 = data keluar (4 jalur)
OE = Output Enable (memungkinkan
d t dib ) data dibaca)
WE = Write Enable =
memungkinkan data disimpan ke
memori
69
memori
Organisasi Modul (1)
Organisasi memori
256 Kbyte
Terdiri dari 8
memori plane
berukuran
512 x 512 bit
Alamat terdiri dari
18 bit (9 b i 9 18 bit (9 baris, 9
kolom)
Data terdiri dari 8 ata te d da 8
bit (1 byte)
70
Organisasi Modul (2)
71
Organisasi Modul (3)
Organisasi memori 1 Mbyte
Terdiri dari 4 buah bank memori masing-masing Terdiri dari 4 buah bank memori masing masing
berukuran 256 KByte (4 kolom A, B, C, D)
Alamat terdiri dari 20 bit (2 bit MSB digunakan
untuk memilih group chip A B C atau D) untuk memilih group chip A, B, C, atau D)
72
Advanced DRAM (1)
Synchronous DRAM (SDRAM)
Pertukaran data didasarkan pada signal clock
t eksternal tanpa wait state
Kecepatan sesuai dengan kecepatan prosesor
atau bus memori atau bus memori
Selama proses pencarian data, CPU dapat
melakukan tugas lain (tidak perlu menunggu, g ( p gg ,
karena CPU tahu kapan data sudah tersedia)
73
Advanced DRAM (2)
Contoh: SDRAM read timing
Burst length = 4 = T3-T6, CAS latency = 2 = T1-T2
Burst length = banyaknya clock untuk mengirimkan data (1, 2, 4, 8, full
page)
Latency = banyaknya clock yang diperlukan untuk persiapan sebelum Latency = banyaknya clock yang diperlukan untuk persiapan sebelum
data dikirimkan
Double Data Rate SDRAM (DDR-SDRAM)
74
( )
Sama seperti SDRAM, tetapi dapat mengirimkan data 2x dalam satu clock
Advanced DRAM (3)
Contoh
IBM
64Mb
SDRAM SDRAM
75
Advanced DRAM (4)
Rambus DRAM (RDRAM)
Diadopsi oleh Intel untuk Pentium dan Itanium
Pesaing model SDRAM
Bus alamat support s.d. 320 chip RDRAM
Transfer data s.d. 1,6 GBps (2 x 800 MBps) , p ( p )
Impedance, clock, dan signal didefinisikan secara tepat
Jalur data sebanyak 18 bit (16 data, 2 parity)
Jalur RC (8 bit) digunakan untuk alamat dan signal control Jalur RC (8 bit) digunakan untuk alamat dan signal control
Memory request tidak menggunakan RAS, CAS, R/W atau
CE, tetapi melalui high speed bus yang memuat informasi:
alamat yang diinginkan alamat yang diinginkan
jenis operasi
jumlah byte dalam operasi
Pengiriman data secara synchronous
76
Pengiriman data secara synchronous
Advanced DRAM (5)
Struktur RDRAM
77
Advanced DRAM (6)
Cache DRAM (CDRAM)
Penggabungan sejumlah kecil SRAM (16 kbit) ke
d l hi DRAM dalam chip DRAM
Tujuan:
Sebagai cache seperti cache pada prosesor yang terdiri Sebagai cache seperti cache pada prosesor yang terdiri
dari 64 line
Sebagai buffer akses blok data serial, misal untuk
refresh screen refresh screen
78