OSNOVNI ELEMENTI KVANTNE MEHANIKE

Naboj elektrona
-eksperimentalno odreivanje naboja elektrona po Millikan-ovoj th (kapljica ulja izmeu obloga kondenzatora, masa i R se odreuju
eksperimentalno, prostor izmeu obloga se ozrai rengen.zrakama, kapljica se jonizira (pretpostavka da postaje negativno nabijena), ne
obloge se prikljuuje U-kapljica ide prema gore. Sile koje djeluju na kapljicu: Culonova (

), gravitaciona ( ) i sila trenja

( ). (-koef. Viskoznosti, t-vrijeme tokom kod je kapljica prela put d, q-naboj kapljice, elektr.polje izmeu obloga kond.)
Suma sila mora biti jednaka 0, pa

. Ponavlja se postupak n puta, pa se naboji kapljica dobiju kao

umnoak nekog k iz N i konstante e (najmanja koliina elektriciteta-naboj elektrona) e=1,6022

.
Bohrov model atoma
Prvi Borov postulat: Atom se sastoji od pozitivno naelektrisanog jezgra oko kojeg krue negativno nabijeni elektroni po
strogo odreenih putanjama (orbitama).
Plankova pretpostavka: emisija elektrom.zraenja se ne vri kontinualno nego u tano odreenim iznosima (kvantima).
Energija jednog kvanta:

(h-plankova const, f-frekvencija em zraenja)

Drugi Borov postulat (na osnovu prethodnog): Prelaskom elektrona sa vie na niu orbitu oslobaa se energija uvidu em
oscilacija frekvencije f.To je spontan dogaaj pri kom se emituje kvant energije(foton) koji predstavlja razliku izmeu dvije
susjedne orbite(

.Za obratno potrebno je elektronu dovesti energiju jednog fotona.

relacije za energetske nivoe u Bohrovom modelu mogude je dobiti iz sljededih pretpostavki:
1. Stabilne su samo one obite kod kojih je moment koliine kretanja proprocionalan sa

2. Elektron moe ostati na orbiti ako je zadoboljen uslovjednakost elektrost sile privlaenja izmeu
elektrona i jezgre i cf sile koja djeluje na elektron:
3.Energija elektrona na orbiti (n)je suma njegove potencijalne i kinetike energije
Dualistiki karakter materije
De Broglie pretpostavio da estice materije (e,p,n) mogu imati kako korpuskularne tako i talasne osobine.
Talasna duina elektronskog talasa:

(v-brzina elektrona na orbiti) ova jednaina je posluila kao osnov

savremene talasne (kvante) mehanike. De Brolj pretposavio da su stabilne samo one orbite ija je duina putanje
proporcionalna tralsnoj duini: (jednako Borovom uslovu ali se sada dobije kada se elektron posmatra kao talas).
Schrdingerova jednaina
Heisenbergova realcija neodreenosti
Kvantnomehanika teorija vodikovog atoma
Elektron se u atomu vodika nalazi u elektrinom polju jezgre koje je uzrokovano Kulonovom silom privlaenja i njegova
potencijalna interakcija sa jezgrom je data izrazom

gdje je

naboj jezgre (Z=1 za atom vodika), a r rastojanje jezdre i elektrona,

dielektrina konstanta vakuma. Slika: kriva

promjene energije u ovisnosti od udaljenosti r od jezgra:
-Schdingrova jna preko Laplaceovog operatora...
-Ova j-na ima konana, jednoznana i neprekidna rjeenja samo:
a)za sve pozitivne vrijednosti parametra E
b)za diskretne negativne vrijednosti energije, koja iznosi

-sluaj pod a) za E>0 odgovara situaciji kada elektron prolijede blizu
jezgre i ponovo se udaljava u beskonanost (slobodni elektron)
-sluaj pod b) za E<0 odgovara elektrno koji se nalazi unutar granica atoma
-rjeenja jednaine sadre tri cjelobrojna parametra:
-n (glavni kvantni broj-redno broj energ.nivoa)
-l (orbitalni kv broj azimutalni) =0,1,2,...,(n-1) ->n razliitih vr.
-m (magnetni kvantni broj) =(-l),(-l+1),...-1,0,+1,...,(l-1) ->(2l+1)

Kvantni brojevi
Prema kvantnomeh modelu, stanje elektrona u atomu je odreeno sa 4 kvantan broja, koji kvantiziraju sljedede fizikalne
veliine (u vezi sa kretanjem elektrona):
Ukupna energija elektrnoa E: odreena glavnim kvantnim brojem n (=1,2,3...)
Momenat koliine kretanja elektrnoa L: moe se pokazati da ga orbitalni kvantni broj l odreuje na sljededi
nain:
Projekcija momenta koliine kretanja na zadani smjer

: kretanjem elektrno po zatvorenoj putanji stvara

se sopstveno mag polje iji se vektor indukcije B poklapa po pravcu i smjeru sa vektorom momenta koliine
kretanja elektrona L. Vektor L ima samo neke dozvoljene pravce u odnosu na osu z koji su odreeni
vrijednostima projekcije vektora L na osu z:

, gdje je m magnetni kvantni broj

Vlastiti moment koliine kretanja elektr. S(spin): elektrno osim mase i naboja mora imati i vlastiti moment koliine
kretanja. Spin je odreen spinskim kvantnim brojem s (za p,e,n je , za fotone 1). Izraz za spin:

komponenta vektora spina u zadanom smjeru moe poprimiti samo vrijednosti

projekcija vektora spina na z osu je kvantizirana:

je spinski kvantni broj)

Vieelektrnonski atomi i Paulijev princip iskljuivosti
-Potencijalna energija vieel atoma se sastoji od energije privlaena el prema jezgru i energije odbijanja od drugih el, pa se
umjesto rjeenja Schrdingerove jednaine pribjegava priblinim metodama rjeavanja (metoda samosaglasnog polja npr).
Prema ovoj metodi pretpostavlja se da se el krede u nekom rezultantnom polju koje stvara jezgro i preostalih Z-1 elektrona.
-Smatra se da se sloeni atom sastoji od jezgra iji je nabor +Ze i sferne simetrine ljuske sainjene od Z-1 elektrona. Stanje
svakog elektrona se karakterizira sa 4 kvanta broja kao i vodik.
-Raspodjela el po energ nivoima se deava po Paulijevom principu: Dva elektrna u atomu ne mogu imati jednaka sva etiri
kvanta broja i moraju se razlikovati barem za jedan kvantni broj.
-Maksimalan broj elektrona za svaku vrijednost glavnog kvantnog broja n:

-grupa/sloj (skup svih ljuski sa istim kvantnim brojem n). Daju se oznake K,L,M,N,O,P (za n=1,2,3,4,5,6 respektivno). Svaki
sloj je podijeljen na ljuske.
-ljuska (skup svih elektrona koji imaju iste kvantne brojeve n i l). Oznake: s,p,d,f,g,h (za l=0,1,2,3,4,5)
Struktura vrstih tijela
Amorfna vrsta tijela (smole, staklo..) nemaju pravilan
raspored atoma. Posljedica: imaju iste fizike osobine u
svim pravzima (potpuna izotropnost), taka topljenja im
je odreena.
Kristalna vrta tijela imaju pravila unutranji raspored
atoma, zato imaju pravilne geometrijske oblike. Oni su
antizotropni (fizike osobine npr el otpro, toplotna
vodljivost.. zavise od smjera u kojem se one odreuju)
Polikristalna tijela se sastoje od mnotva sitnih kristala pa su im osobine praktino izotropne. Kod monoktristala se uoava
pravilan raspored atoma u cijeloj masi kristala i formiraju jedinstvenu kristalnu reetku. Za potrebe dobijanja elektronikih
komponenti proizvode se vjetaki monokristali na bazi poluvodia
Kristalna reetka prostorni skup estica (atoma, molekula, jona). Osnovna delija kristala predstavlja najmanji paralelopiped
ijim se pomijeranjem du 3 ose moe dobiti cijeli kristal. Svi kristali se mogu svrtati unutar 7 kristalnih sistema: triciklini,
monociklini, rombini, tetragonalni, trigonalni, heksagonalni, kubini.
Tipovi veza u kristalima
Osnovni tipovi: jonska, kovalentna, metalna i molekularna:
Jonska veza-zasniva se na elektrost sili privlaenja suprotno naelektr estica. Nastaje obino kada se pribliavaju atomi
iji valetni elektroni imaju znaajno razliite energije.Veza se ostvaruje prelaskom valentnih elektrona jednog atoma
koji popunjavaju prazna mjesta u posljednjem energ nivou drugog atoma. Tako nastaju pozitivni i negativni joni
izmeu kojih djeluje privlana es sila. Kada se joni jo vie priblie oiinje djelovati odbojna sila es djelovanja
elektrnoskih omotaa. Te dvije se sile uravnotee i nastaje stabilno stanje jedinjenja. Vrlo vrsta veza (MgO, NaCl)
Kovalentna veza-ostvaruje se silama koje djeluju izmeu neutralnih atoma, uglavnom atoma iste vrste kada se
dovoljno priblie, pa jezgro prvog atoma djeluje na valentne atome drugog i obrnuto. Tako se formira zajednika orbita
po kojoj parovi valentnih elektrona krue oko oba jezgra. Veza se moe ostvariti preko jednog ili vie parova elektrona.
Kod nekih istih metala, u organskim jedinjenima.. vrsta i priblino jednakog intenziteta kao jonska.
Metalna veza-ostvaruje se u kristalima metala, ija se kristalna reetka sastoji od pozitivnih jona meu kojima se
slobodno kredu elektroni. Elektroni su privueni od strane pozitivnih jona u vrhovima kristalne reetke. Veza vrsta,
takvi metali imaju veliku elektrovodljivost, kovni su i imaju dobru temp vodljivost
Molekularna veza-ostvaruje se preko Van der Waals-ovih sila koje djeluju izmeu neutralnih molekula i atoma. U tim
atomima koji imaju srednji dipolni momenat jednak nuli, pojavljuje se isti fluktirajudi dipolni momenat, koji stvara el
polje a koje uzrokuje induciranje dipolnih momenata u susjednim atomima. To uzrokuje sile privlaenja izmeu njih
Ovim vezama se veu mnogi organski kristali, sumpor, selen...
Osnovi zonske teorije
-elektroni u kristalnoj reetki su rasporeeni po strogo utvrenom redu i od njihovog rasporeda i veza u kristalnoj reetki
zavise fizike osobine vrstih tijela.
-Za osnovu rjeavanja problema vezanih sa vrstim tijelima koriste se aproksimacije rjeenja Schrdingenove j-ne.

Slika ilustrira energetske nivoe dva odvojena
atoma i en.nivoe nastale njihovim
pribliavanjem. Pribliavanjem atoma dolazi do
cijepanja energ nivoa, formiranje podnivoa, koji
definiu energetsku zonu. Pri tome je broj
kvantnih stanja u energetskoj zoni jednak broju
kvantnih stanja atoma koji kreiraju tu zonu
-Svaki energetski nivo cijepa se na onoliko diskretnih podnivoa koliko ima atoma na bliskim rastojanjima. Ovi diskretni nivoi
su na malom meusobnom razmaku i mogu se posmatrati kao neprekidna zona te tako formiraju tzv slobodnu zonu (Es), a
ukupan broj energetskih zova zavisi od broja individualnih energetskih nivoa atoma.
-Elektrno u kristalu se ne mogu nazalaziti na bilo kom nivou i imati bilo koju energiju nego se mogu nalaziti samo unutar
slobodnih zona. Prostor izmeu slobodnih zona naziva se zabranjena zona.
-slobdne zone su nejednake irine, na niim nivoima ue a na viim ire (dole ire zbog jaih sila imeu elektr i jezgra) Sa
zabranjenim zonama je obrnuto.
Vodii, poluvodii i izolatori
-osnovni parametar koji se koristi za kvalifikaciju je specifini otpor (. Izolatori imaju specif otpor vedi do 105
(dijamant), a vodii manji od 10(-3) (bakar). Poluvodii izmeu ove dvije granice.
-osobine manje ili vede el vodljivosti mogude je objasniti putem zonske teorije: posmatra se samo energetska zona nastala
cijepanjem en nivoa u atomu na kojoj se nalaze valentni elektroni, i ona de biti oznaena kao valenta zona (VZ-dakle en zona
na kojoj se nalaze val elektroni, posljednja u kojoj se nalaze elektroni). Prva sljededa nepopunjena zona bih je slobodna zona
(SZ). Izmeu VZ i SZ nalazi se zabranjena zona ZZ. Ovo je posmatranje na temp 0K
-Vodii su kristali sa djelimino popunjenom valentnom zonom ili sa valentnom zonom koja se preklapa sa slobodnom zono,
kod njih i vrlo slabo el polje uzrokuje preraspodjelu elektrona na vii energ nivo i usmjereno kretanje elektrona
-Poluvodii i izolatori: kristali sa potpuno popunjenom valentnom zonom, a praznom slobodnom zonom. Ne moe dodi do
pomijeranja elektrona u valentnoj zoni. Da bi ovakab kristal provodio struju potrebno je elektronima u VZ dovesti eneriju
vedu od energ zabranjene zone Eg kako bi mogli predi u SZ.Kod poluvodia je manja irina ZZ.
-Kada se poluvodii posmatraju na temp >0K, znatan dio elektrona de predi iz VZ u SZ zbog uske zabranjene zone. Tada su
poluvodii sliniji vodiima po osobinama.
VODII POLUVODII
ELEKTRONI I UPLJINE
Pri 0 K valentni elektroni Si su vrsto vezani u kristalnu reetku kovalentnim vezama. Ovo je prikazano na slici:





Pri povedanju temperature pojedini valentni elektroni dobijaju potrebnu energiju i mogu da napuste matini atom. Na tom
mjestu se pojavljuje upranjeno mjesto koje se naziva upljina.
Odlaskom valentnog elektrona iz matinog atoma Si u kovalentnoj vezi pri temp vedim od 0 K pojavljuje se upljina koju
moe popuniti neki drugi valentni elektron, koji je napustio svoje mjesto u matinom atomu. Na slici je prikazan planarni
model kristalne reetke Si, i energetski dijagram kada elektron prelazi iz valentne u slobodnu zonu, a u valentnoj zoni ostaje
upljina:





upljina ima isti iznos naelektrisanja kao i elektron, samo suprotnoh znaka. Ukoliko u atomu postoji upljina kae se da je to
defektna veza. Prelazak atoa iz popunjenog stanja u stanje sa pojavom upljine predstavlja sluajan proces i putanje
elektrona/upljina imaju kaotian karakter.
U sluaju da se kristal izloi djelovanju spoljanjeg elektrinog polja, tada de kretanje elektrona i upljina biti odreeno
pravcem linija elektrinog polja. Usmjereno kreteanje elektrona/upljina predstavlja elektrinu struju.
POLUVODII SA PRIMJESAMA
Formiranje n tipa poluvodia
Dodavanjem primjesa poluvodiima povedava se njihova vodljivost. Ovo je ilustrirano planarnim modelom kristalne reetke
SI kojem je dodana primjesa (Sb), emu odgovara energetski dijagram na slici:





Atom primjese je petovalentan, tako da u valentnoj zoni ima jedan suvian elektron (koji ne moe da stupi u kovalentnu
vezu), a koji je slabo vezan za matini atom, te je za njegovo naputanje kovalentne veze potrebno dovesti manje energije.
Ovaj elektron de predi u slobodnu zonu pri znatno manjoj energiji od irine zabranjene zone. To znai da de se energetski
nivoi takvih elektrona pri 0K nalaziti u zabranjenoj zoni i to vrlo blizu slobodne zone Si, tako da de elektroni pri
temperaturama neto viim od 0 K prelaziti u slobodnu zonu.
Uvoenjem vedeg broja atoma primjese povedava se broj slobodnih atoma u kristalnoj reetki, a samim tim i voljivost
kristala. Kada suvini elektron napusti atom primjese, isti postaje klasini pozitivan jon, vrsto vezan za kristanu reetku.
Odlaskom suvinog elektrona ne pojavljuje se upljina u kristalnoj reetki jer nije naruena kovalenta veza.
Zbog postojanja primjese uvijek ima vie slobodnih elektrona nego upljina. Broj slobodnih elektrona u jedinici zapremine
naziva se koncentracija elektrona (n), a broj upljina u jedinici zapremine koncentracija upljina (p). Poto je n>p, ovakav tip
polubodia se naziv n tipom i kod njega se provoenje struje vri putem negativnih nosilaca elektriciteta. Oni su ovdje
osnovni (vedinski) nosioci elektriciteta. upljine su sporedni/manjinski nosioci elektriciteta. Petovalentne elemente koji
daju suvine elektrone u kristalnoj reetki nazivamo donori.
Formiranje p tipa poluvodia
U sluaju da se u kristalnoj reetki Si pojavio neki trovalentni atom, on de u kristalnoj reetki popunjavati samo tri veze, dok
de etvrta ostati nepopunjena. Ova nepopunjan veza nema nikakav naboj, jer su oba atoma elektriki neutralna. Pri
temperaturama neto vedim od 0 K, elektron iz atoma Si iz neke od popunjenih veza prelazi u nepopunjenu vezu, pa atom Si
postaje pozitivan jon (pojavljuje se upljina), a atom primjese negativan jon (dodaje mu se elektron).





Ovaj prelaz valentnih elektrona vri se pri energijama znatno manjim od irine zabranjene zone Si, pa se u blizini valentne
zone Si pojavljuje slobodan energetski nivo. Na ovaj nain u valentnoj zoni nastaje upljina. Trovalentni atomi koji primaju
na svoje energetske nivoe elektrone, nazivaju se akceptori. Povedavanjem koncentracije trovalentnih atoma u kristalnoj
reetki Si, povedava se broj upljina u valentnoj zoni. Poto je p>n ovakav tip poluvodia nazova se p tipom i kod njega se
provoenje struje vri putem pozitivnih nosilaca elektriciteta (upljina).

Istovremeno sa prelaskom elektrona sa niih na vie nivoe, dogaa se obrnut proces, pri emu elektroni gube energiju
predajudi je kristalnoj reetki ili emituju em oscilacije. Ovaj proces, pri kom elektroni popunjavaju upljine naziva se
rekombinacija.
KVANTITATIVNA ANALIZA POLUVODIA
Na osnovu Fermi-Dirac-ove statistike, vjerovatno da de se, pri temperaturi T, elektron nalaziti na nekom energ nivou E u
valentnoj zoni je: (Fermi-Dirac-ova fja raspodjele energetskih nivoa slobodnih elektrona)

gdje je:
k-Boltzmanova const

-Fermijev nivo (maksimalna energija slobodnih elektrona pri 0 K, a koji se za poluvodie nalazi u zabranjenoj zoni
E-energetski nivo elektrona/upljina
Vjerovatnoda da se pri temperaturi T, na nekom energ nivou E nalazi upljina:

Ako je

i 1

, ova statistika prelazi u Maxwel-Boltzmanovu. Te je sada mogude odrediti koncentracije

elektrona/upljina u slobodnoj zoni za sluajeve : poluvodi bez primjesa, poluvodi sa primjesama.
a)poluvodi bez primjesa: mora biti ispunjen uslov da je koncentracija elektrona jednaka koncentraciji upljina

, pa
slijedi relacija:

gdje je:
Eg=Es-Ev irina zabranjene zone
B-parametar koji ovisi od vrste materijala (za Si: B=

k-Boltzmanova konstanta
T-apsolutna temperatura

Kako je

, a takoer , slijedi:

Ovo vrijedi samo kada je poluvodi u stanju termike ravnotee, i kada nije izloen vanjskim uticajima.
b)poluvodi sa primjesama:
Neka je

koncentracija donorskih primjesa a

koncentracija akceptorskih primjesa.

U sluaju dodavanja primjesa:
Poluvodiki materijal ostaje elektriki neutrala-ovo podrazumijeva da suma ukupnih pozitivnih i negativnih naboja bude
jednaka nuli. Tako, jonizirani donor i upljina predstavljaju pozitivne naboje, a jonizirani akceptor i elektron negativne.
Neutralnost ukupnog naboja zahtjeva da bude zadovoljeno:

n-tip poluvodia:
Koncentracija vedinskih nosilaca elektriciteta n:

U praksi je

pa je koncentracija elektrona u n tipu:

a koncentracija upljina u n tipu:

p-tip poluvodia:
Koncentracija vedinskih nosilaca elektriciteta n:

U praksi je

pa je koncentracija upljina u p tipu:

a koncentracija elektrona u n tipu:

U oba sluaja vrijednosti

su odreene direktno od proizvoaa i nisu ovisne od temperature. Obrnuto je kod

koncentracije manjinskih nosilaca, koja je direktno proporcionalna sa

i znaajno ovisi od temperature.

POKRETLJIVOST ELEKTRONA I UPLJINA
Izlaganjem poluvodia djelovanju spoljanjeg elektrinog polja , dolazi do kretanja naboja (drift), a
rezultirajuda struja je struja drifta. Gustoda struje drifta je odreena kao:

gdje je:
Q-gustoda naboja
v-brzina naboja u el polju
Tada dolazi do usmjerenog kretanja naboja. Tako da se elektroni kredu suprotno vektoru elektrinog polja, a
upljine u smjeru elektrinog polja.
Brzina kretanja nosilaca ove struje drifta je direktno proporcionalna jaini elektrinog polja, a koeficijent
proporcionalnosti se naziva pokretljivost i oznaava sa , pa se za brzinu elektrona i upljina moe pisati:

U istom Si je pokretljivost upljina manja od pokretljivosti elektrona. U dopiranom poluvodiu je pokretljivpst
elektrona i upljina dominantno ovisna o koncentraciji donora i akceptora
SPECIFINA VODLJIVOST POLUVODIA
a)Poluvodi bez primjesa koji je izloen djelovanju spoljanjeg elektrinog polja, gustoda struje drifta elektrona i
upljina:

Ukupna gustoda struje drifta u kristalima:

Specifina toplotna vodljivost:

Za razliku od metala, poluvodii imaju vedu pokretljivost slobodnih nosilaca elektriciteta, dok je koncentracija
slobodnih nosilaca manja. Porastom temperature, povedava se koncentracija slobodnih nosilaca elektriciteta u
poluvodiima, ali se smanjuje njihova pokretljivost. Bududi da je porast koncentracije slobodnih nosilaca
izrazitiji od smanjenja pokretljivosti, slijedi da de porastom temperature rasti i specifina vodljivost poluvodia.
Poluvodii imaju negativan koeficijent otpora.
b)Poluvodi sa primjesama:
Specifina toplotna vodljivost
za n tip:

za p tip:

Za ova dva tipa materijala, vedinski nosioci naboja su oni koji upravljaju vodljivodu tih materijala: za n tip
prevladava koncentracija donora vedinski nosioci su elektroni..
GUSTODA DIFUZNE STRUJE U POLUVODIU I EINSTEIN-OVA JEDNAINA
......
UKUPNA GUSTODA STRUJE U POLUVODIU
......
FORMIRANJE PN SPOJA
Kada se kristal istog poluvodia u jednom svom dijelu dopira akceptorima, a u drugom donorima, tada postoji
granica na kojoj p tip poluvodia prelazi u n tip. Ta granica se zove pn spoj.
U zavisnoti od vrste upotrebljenog tehnolokog postupka i njegovim parametrima mogudi su razliiti profili
primjesa u blizini pn spoja. Opis tih profila je veoma komplikovan pa da se umanje problemi aproksimira se
prelaz iz p tipa u n tip poluvodia na dva uobiajena naina: strmom fjom ili linearnom fjom.
Skokoviti pn spoj nastaje kada se u poluvodiku podlogu n tipa (sa koncentracijom donora koja je konst)
dodaju akceptori po brzo opadajudoj fji od x, tako da je koncentracija akceptora veda nego koncentracija
donora (slika a) Povrina po kojoj prodiru atomi akceptora odreena je koordinatom x=0, a pn spoj sa

. Kao
rezultat ovog procesa, u dijelu

formira se p top poluvodia u dijelu

. Prelaz sa p
strane na n stranu je toliko strm da se moe aproksimirati skokovitim pn prelazim (slika c):





Linearno promjenjiv pn spoj nastaje kao rezultat sporije promjene koncentracije akceptora du prelaza (x), u
odnosu na skokoviti pn spoj. Koncentracija donora je konstanta, a koncentracija akceptra sporo opadajuda fja
od x (slika a). Prelaz sa p na n stranu poluvodia se u ovom sluaju moe dobro aproksimirati pravcem koji
priblino odgovara tangenti na krivu

u taki x=y (slika b)

JEDNOSLOJNE I DVOJSLOJNE ELEKTRONIKE KOMPONENTE
Komponente-elektroniki elementi koji omogudavaju obradu signala na mnogo razliitih naina, proizvode se upotrebom
jednog ili vie slojeva poluvodikog materijala.
Dijele se na:
Aktivne poluvodike komponente-imaju osobinu da pojavaaju ulazni signal (po stuji, snazi, naponu)
Pasivne poluvodike komponente-ne pojaavaju ulazne signale, ali imaju vanu ulogu u obradi signala
Poluvodike komponente se proizvode kao:
Diskretne (komponente odreenog tipa i odreene fje osnovnog elementa kao to su dioda, tranzistor itd)
Integrirane (jedinstveni poluvodiki sklopovi kod kojih su posebnom tehnologijom zajedno napravljeni psnovni
poluvodiki elementi istog ili razliitog tipa, zajedno sa otpornicima, kondenzatorima i njihovim meusobnim
vezama. Integrirana tehnologija omogudava, izmeu ostalog, da se elektronska kola proizvode kao jedinstven
skup vrlo malih dimenzija)

TERMISTOR
Termistori su temperaturno ovisni otpori, izraeni na bazi razliitih poluvodia (Npr NTC otpori-otpori sa negativnim
temperaturnim keoficijentom sa porastom temperature njihov se otpor smanjuje).
Izrauju se prvenstveno od poluvodia sa velikim temperaturnim koeficijentom otpora i obino na bazi vie oksida.
Slabilizacija elektronikih osobina se postie dugotrajnom termikom obradom.
Mogu se podijeliti u dvije grupe:
Termistori sa direktnim zagrijavanjem: promjena otpora je uzrokovana proticanjem struje ili na raun toplote koja u
njega prelazi iz spoljanje sredine (najedi u praksi)
Termistori sa indirektnim zagrijavanjem: dodatno zagrijavanje se vri iz posebnog izvoranapajanja, a promjena otpora
je uzrokovana proticanjem struje i temperaturom spirale (pomodu koje se vri zagrijavanje)
Najede se proizvode u obliku diska ili cilindra.
U temperaturnom radnom podruju, otpor NTC termistora se mijenja po eksp zakonu:

, ime se moe odrediti

temperaturna karakteristika termistora. R1 i B1 su konstante koje ovise od vrste termistora, a T i T1 temperature u K.
Vrijednost konstante B se moe dobiti mjerenjem otpora na dvije temp:

.
U praksi se uzma da je R1 otpor termistora na sobnoj temperaturi (293 K ili 298 K), kada se ovaj otpor naziva nominalni ili
hladni otpor. Opseg promjene ovog otpora i konst B za razliite tipove termistora je vrlo irok.
U dijelu krive OA, postoji skoro linearna ovisnost pada napona na
termistoru od struje, poto se pri malim strujama ne razvije dovoljno
Jaul-ove toplote, koja bi bitnije izmijenila temperaturu termistora. Pri
vedim strujama temperatura termistora se povedava, njegov otpor se
smanjuje, to rezultira nelinearnim dijelom karakteristike ABC, koja
predstavlja radni dio karakter. termistora. U nekoj taki B mogude je
definisati statiki otpor termistora

i dinamiki otpor

, to znai da ovi otpori ovise od radne take termistora.

Oblik stat.kke zavisi kako od vrste termistora tako i od uslova
razmjene toplote sa okolinom. Koriste se u....... str 62
POZISTOR
Pozistori su poluvodiki otpornici sa pozitivnim temperaturnim koeficijentom otpora, i za razliku od metalnih poluvodia
imaju znatno vedi temp koeficijent otpora.
Sa dijagrama se vidi da pozistor ima negativan temp koef otpora u
podruju promjene temperature od -25C do +25C, ali i na visokim
temperaturama (>150C). U srednjem dijelu krive, otpor raste sa
temperaturom, td se pozistor praktiki koristi samo u podruju
pozitivnog temp koef otpora. Stat kka pozistora je praktino
jednaka kao kod termistora, samo to se sada na ordinatu nanosi
struja i, a na apscisu napon u (iu kka)
Sve primjene pozistora se mogu podijeliti u dvije grupe:
pozistori, iji se otpor mijenja pod uticajem promjena spoljanje temperature a zagrijavanje i promjena otpora usljed
uticaja vlastite struje se moe zanemariti (primjena: odravanje konst temp u tenosti, mjerenje temp tenosti itd)
pozisori, kod kojih spoljanja temp ostaje konstantna, a otpor pozistora se mijenja po uticajem vlastite Jule-ove
toplote (primjena: zatita potroaa od preopteredenja, gaenje elektrine varnice itd)
KRISTALNA DIODA SA POVRINSKIM SLOJEM
Spojna kristalna dioda, nacrtana na slici a), proizvodi se kao p tip poluvodia koji je u prisnom kontaktu sa poluvodikim
podrujem n tipa a dobijena je putem dodavanja primjesa. Dioda se formira od takog sloja n tipa poluvodia obogaenog
odreenom koncentracijom donorskih molekula

i formiranjem uz njega sloja p tipa dodavanjem akceptorskih primjesa.

Dodirna povrina, odnosno prelazi iz p tipa materijala u n tip naziva se metalurki spoj.
Oblast p tipa predstavlja anodu, a oblast n tipa katodu diode. Pozitivan smjer stuje kroz diodu na slici je oznaen strelicom.
U oblasti p tipa je velika koncentracija upljina, a koncentracija
elektrona mala, a u n oblasti je velika koncentr elektrona a mala
koncentracija upljina.
Pokretne upljine iz p tipa prelazit de u n tip, dok de se elektroni
kretati obrnuto. Obje ove difuzione struje teku u pozitivnom smjeru
Ox. Zato se uz metalurki spoj javlja podruje bez pokretnih
nosilaca elektriciteta, tzv osiromaena oblast. Slika dole! Tako u
okolini metalurkog spoja odlaskom pokretnih upljina iz oblasti p
tipa ostaju nepokretni negativni akceptorski joni. Takoer
odlaskom pokretnih elektrona iz oblasti n tipa ostaju nepokretni
pozitivni donorski joni. Ovaj proces uzrokuje pojavu el polja u
osiromaenoj oblasti, koje sjeluje u smjeru od n ka p.
Ovo elektrino polje uzrokuje struje drifta (elektrona i
upljina) u smjeru suprotnom od difuzionih struja
elektrona i upljina respektivno. U ovome sluaju
dolazi do uravnoteenja gustoda struje drifta i
difuzione struje upljina, a isto tako i za elektrone.
Elektrino polje du ose x:

Na osnovu ove relacije i poznajudi koncentracije
donora i akceptora, te termiki potenicjal Vt, mogude
je izraunati hemijski potencijal izmeu n i p oblasti u
diodi, nazvan kontaktni potencijal (napon Uk):

a takoer i ukupnu irinu osiromaene oblasti: maksimalno elektrino polje:

Statika karakteristika kristalne diode
Ako se na izvore kristalne diode dovede neki spoljni napon

dolazi do naruavanja td ravnotee, i ovo podrazumijeva da

de kroz diodu protedi neka struja

.
Dovoenjem pozitivnog napona na anodu diode smanjuje se potencijalna barijera za elektrone i upljine, i struja lako prolazi
kroz spoj. Negativni spoljanji napon na anodi povedava potencijalnu barijeru i mada je td ravnotea naruena, povedanje
barijere rezultira vrlo malom diodnom strujom. Ovo je prikazano iu kktristikom diode:

Uoljivo je da kka diode nije linearna.
Za vrijednosti napona <0 dioda je u oblasti iverzne
polarizacije i praktino je neprovodna

Pri velikim inverznima naponima dolazi do naglog
povedanja inverzne struje diode. Ova oblast je
karaktristina po velikim promjenama struje pri
malim promjenama napona i naziva se oblast
inverznog proboja.
Kada je napon na diodi povedan u pozitivnom
smjeru, dioda je u oblasti direktne polarziacije.
Struja kroz diodu je takoer priblino jednaka nuli
dok napon

ne dostigne vrijednost priblino 0,5

do 0,7V (za Si diode). Od te take struja diode naglo
raste i napon na diodi praktino postaje neovisan
od struje. Napon koji je potreban dovesti na diodu,
da se ona dovede u stanje znaajne vodljivosti zove
se napon voenja (prag voenja) i oznaava sa

.
Primjedbe:
Kada je napon nula i stuja je nula.
Pri inverznom naponu struja nije apsulutno jednaka nuli i tei graninoj vrijednosti, koja je oznaena sa

i zove se inverzna
struja zasidenja.
Matematiki model diode
Matematiki model iu karakteristike diode:

)
gdje je:
Is-inverzna struja zasidenja

-napon doveden na diodu

q-naboj elektrona
k-Boltzmanova konstanta
-koeficijent neidealnosti

-termiki napon (25mV na sobnoj temp)

Posmatrano sa fizikog stanovita, inverzna struja zasidenja je jako ovisna od temperature, bududi da je proporcionalna sa

. Parametar je definisan kao faktore neidealnosti i on je jednak jedinici za idealnu diodu. Sem ako nije naglaeno moe
se uzeti pa model poprima oblik:

)
Karakteristike diode pri inverznoj, nultoj i direktnoj polarizaciji
Kada se na neki elektroniki ureaj ili komp dovede isposmjerni napon, kaemo da je ureaj ili komponenta polarizirana.
Polarizacija odreuje oblast rada ureaja.
Radna podruja diode: inverzna polarizacija i direktna polarizacija.
Nulta polarizacija sa

predstavlja granicu izmeu direktne i inverzne polarizacije. Pri

je

Inverzna polarizacija
Dovoenjem inverznog napona na diodu dolazi do proirenja osiromaene oblasti oko metalurkog spoja, to se odraava
kroz povedanje potencijalne barijere. Kroz diodu protie vrlo mala inverzna struja, mada mi smatramo da je u neprovodnom
stanju. Ovu struju ine manjinski nosioci i p oblasti (elektroni) koji de prelaziti u n oblast i manjinski nosioci iz n
oblasti(upljine) koje prelaze u p oblast.

Eksperimentalno: inverzna struja moe biti nekoliko redova veliine veda od one koja se dobije raunskim putem, i inverzna
struja raste linearno sa porastom inverznog napona. Iz toga se moe zakljuiti kao da paralelno pn spoju postoji otpor kroz
koji protie struja mnogo veda od inv struje zasidenja. Kae se da struja curi kroz spoj, odnosno da je diodi prikljuen
curedi otpor. Uzrok ove curede struje je generiranje i rekombinacija nosilaca u osiromaenoj oblasti.






Direktna polarizacija
Pri direktnoj polarizaciji dolazi do smanjenja irine osiromaene oblasti to se odraava kao smanjenje potencijalne barijere.
Struja poinje primjetno da raste kada napon dostigne iznos napona voenja (koji zavisi od diode, tj materijala od kog je
napravljena).

Pri direktnoj polarizaciji odstupanja od teorijski izvedene jednaine (matem model diode) nastupaju pri malim i pri vrlo
velikim strujama. Pri malim vrijednostima su posljedica rekombinacije u osiromaenoj oblasti, a pri vrlo velikim pad napona
na tijelu poluvodia i omskom kontaktu spanjuje pad napona na samom pn spoju. Tako za dati napon realna struja diode je
manje od one koja je dobijena mm modelom diiode. Prilikom prorauna ova odstupanja se koriguju putem faktora
neidealnosti.






Parametri diode
Ovdje se radi o karakteristikama diode u istosmjernom reimu rada.
1.Osnovni parametar diode je njena inverzna struja zasidenja Is ije su karakt ved obraene.
2.Drugi paramatar diode je njen otpor. Definiu se dva otpora:
a)statiki-kolinik napona na diodi i struje kroz diodu. Ovisnost ovog otpora od prikljuenog napona je nelinearna. On
nema vedi tehnoliki znaaj
b)dinamiki (unutranji) definie se u datoj taki (

) kao:

dinamiki otpor ovidi od struje kroz diodu. On je pri direktnoj polarizaciji nelinearna fja struje kroz diodu.
Kod realne diode postoje odstupanja....str 75
Temperaturni koeficijent diode, ogranienja pri radu sa diodama, kapaciteti...
str 75-80
Didona kola- Raspodjela struja i napona u diodnim kolima:
Raspodjela trenutnih vrijednosti signala u jednostavnim diodnim kolima: (grafiko rjeavanje) str 81.

Istosmjerni reim rada diode
Pretpostavlja se da je pad napona na diodi jednak nuli, pa se realna dioda zamjenjuje idealnom, ija je iu karakteristika
skokovita:
Pri direktnoj polarizaciji idealna dioda se predstavlja preko svoje
struje

i pretpostavlja se da je napon na njoj jednak nuli.

Pri inverznoj polarizaciji se smatra da je struja kroz diodu jednaka
nuli, to se predstavlja otvorenim krajevima diode.



Drugi nain predstavljanja diode je putem modela sa konst
padom napona (CVD), gdje se realna dioda zamjenjuje idealnom i
izvorom napona

.
U ovom se sluaju moe smatrati da je struja diode pri inverznoj
polarizaciji jednaka inverznoj struji zasidenja

, sve dok ne ue u
oblast proboja.
Rad diode u prekidakom reimu
Podrazumijeva da se pobudni signal trenutno mijenja sa nule na puni iznos i obrnuto, ili da spobudni signal trenutno mijenja
polaritet (slike a i b), ime se dioda trenutno prevodi iz provodnog u neprovodni reim i obrnuto.
Proce uspostavljanja i razgradnje slobodnih
nosilaca elektriciteta nije trenutan pa ni
odziv realne diode. Zato se ponaanje diode
u prekidakom reimu karakterizira
vremenom ukljuenja (tu) i iskljuenja (ti).
Vrijeme porasta tr i vrijeme opadanja se
obino definiu kao vremenski interval u
kome se signal promijeni od 10% do 90%
Proitati str 87.
VRSTE DIODA
Dioda sa takastim spojem (takasta dioda)
Prvi patent za diodu. Ima dobre osobine pri visokim frekvencijama pa je zato ostala
u upotrebi do danas. Kao poluvodi se koristi n tip (Ge ili Si) n koga u jednoj taki
nalijee ica od fosforne bronze. Kroz ovako formiran kontakt propusti se struja
0,1A u trajanju od 1ms u smjeru metalna ica-poluvodi. Dolazi do zagrijavanja
kontakta usljed prelaznog otpora na mjestu spoja te djeliminog topljenja ice i
difuzije prijesa iz ice u poluvodi, ime se formira p podruje. Ovim se formira pn
spoj, sa vrlo malom povrinom i kapacitetom. Ova dioda ima ograniene
vrijednosti struje u direktnom smjeru (do 50mA) ali isto tako i vedane struje u
inverznom smjeru.
Poboljanje je postignuto kod dioda sa zlatnom takom, kada atomi iz zlatne ice
difuzijom prelaze u poluvodiki metal te tako ograniavaju inverznu struju.
Varikap dioda
Varikap dioda ili naponom upravljani kapacitet. Dioda moe biti formirana sa
takvim profilom primjesa da radi kao naponski upravljani kapacitet.
Da bi se obezvijedilo da ova komponenta po svojoj prirodi bude to blia istoj
kapacitivnosti, potrebno je da otpor diode za istosmjernu struju bude to vedi,
reda 1Mohm ili vie. Stoga je reim rada ove diode u inverznoj polarizaciji.
Moe se koristiti u svim kolima u kjima je potrebno mijenjati rezonantnu
frekvenciju oscilatornog kola, iji je sastavni dio varikap dioda.
Tunel dioda
Izraene na bazi poluvodia sa vrlo velikim koncentracijama primjesa. Da bi se objasnili procesi koji se deavaju u jako
dopiranim poluvodiima potrebno je razmotriti njihove energetske dijagrame.
Fermijev nivo (Ef) predstalja maksimalnu enegriju slobodnih
elektrona pri temperaturi 0K. On zavisi od koliine primjesa.
Ako se poluvodiu n tipa dodaje veda koliina donorskih
primjesa, njegov Fermijev nivo de se pribliavati dnu slobodne
zone i pri odreenoj koncentraciji primjesa de F nivo predi u
slobodnu zonu.
Kod dodavanja velikih koliina primjesa u p tip je obrnuto,
Fermijev nivo prelazi u valentnu zonu.
Ovakvi poluvodii kod kojih se D nivo nalazi u slobodnoj odnosno valentnoj zoni zoveu se degenerirani.
Nedegenerirani poluvodi je na 0K izolator, dok je kod degeneriranih poluvodia n tipa F nivo unutar SZ i ak i tada moe
imati neku elektrovodljivost.
Tunel diode su izraene na bazi degeneriranih poluvodia p i n tipa i irina
potencijalne barijere je ovdje vrlo mala (uska pot barijera, manja nego kod obinih)
Pomodu energetskih nivoa mogude je objasniti iu karakteristiku diode. Zbog
sadraja primjesaenergetski nivoi u poluvodiu su izlomljeni i F nivo u p tipu poluv
je znatno pomjeren u odnosu na F nivo u n tipu. Poto na pn spoju F nivo mora biti
isti, dolazi do znaajnih pomijeranja granica valentnog i slobodnog podruja u pn
spoju.
U nultoj polarizaciji donja granica SZ u n oblasti ima manju enegriju od gornje VZ u
p oblasti. Slika a!
Pri dovoenju napona na ovakvu diodu, slobodni nosioci iz jednog tipa poluvodia mogu da prolaze kroz pn spoj na
energetske nivoe drugog tipa poluvodia (slobodno bez razmjene energije). Prolazak slobodnih nosioca elektriciteta kroz
potencijalnu barijeru, bez razmjene energije naziva se tunelski efekat.
Pri direktnoj polarizaciji pn spoja energetski nivoi se pomijeraju u zavisnosti od iznosa prikljuenog napona
objanjeno na str 98,99... A bitno:
Ukupna struja kroz diodu je jednaka zbiru tunelske struje i struje pri direktnoj polarizaciji.
Schottky-jeva dioda
Formira se spajanjem posebno odabranog metala i SI poluvodia n tipa, koji je jako
dopiran. Metalna katoda je u omskom kontaktu sa jako dopiranim Si n tipa. Ovaj sloj
prelazi u slabije dopiranu a vrlo tanku zonu istog tipa preko kog je nanesena metalna
anoda koja s njime formira Shottky-jevu barijeru. Materijali su tako odabrani da je
energija slobodnih elektrona poluvodia veda od energije slobodnih elektrona u
metalu pa elektroni odlaze iz poluvodia n tipa (Si) u metal (anodu).
Tako elektroni odlaze iz poluvodia u metal, a nekompenzirani pozitivni donorski joni
se gomilaju u poluvodiu u blizini kontakta sa anodom (metalom) , stvarajudi tako osiromaenu oblast. Ovim se formira
potenc barijera koja ne dozvoljava dalji prelazak elektrona iz poluvodia u metal.
Elektron iz metala ne mogu da prelaze u poluvodi jer je njihova energija manja od energije elektrona u poluvodiu. Zbog
naglog prelaza iz jedne materijalne sredine u drugu ova vrsta dioda ima osobine dioda sa strmim pn spojem.
Pri direktnoj polarizaciji(anoda pozitivna u odnosu na katodu) potencijalna barijera se smanjuje i elektroni prelaze iz
poluvodia u metal. Tada je dioda provodna.
Pri inverznoj polarizaciji, potencijalna barijera raste i elektroni ne mogu da prelaze iz poluvodia u metal. Samo pojedini
elektroni koji dobiju dovoljnu termiku energiju prelaze iz metala u poluvodi i tako formiraju inverznu struju.
Najznaajnija razlika izmeu spojne kristalne diode i Shottky-jeve je u vremen oporavka, kada se dioda prekopa iz
nevodljivog stanja u vodljivo i obrnuto. Kod S diode ne postoji vrijeme oporavka jer ne postoji rekombinacija nosilaca u
osiromaenoj oblasti. Vrijeme prekidanja je praktino trenutano.
Pad napona kad dioda vodi je mali i odreen je vrstom materijala koritenim za anodu.