Elektronske Komponente Lab

You might also like

Download as pdf or txt
Download as pdf or txt
You are on page 1of 13

ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku

1
Laboratorijske vebe



Snimanje karakteristika dioda
VANA NAPOMENA: ZA VREME POSTAVLJ ANJ A VEBE (SASTAVLJ ANJ A ELEKTRINE EME) I
PRIKLJUIVANJA MERNIH INSTRUMENATA MAKETA MORA BITI ODVOJ ENA OD NAPAJ ANJA! TEK NAKON TO
PREDMETNI ASISTENT ODOBRI UPOTREBU VEBE MOE SE PRIKLJUITI MAKETA.
NE PISATI PO OVOM UPUTSTVU.

PRIPREMA MAKETE
Prilikom izrade ove vebe koristi se ispravlja napona, maketa, otpornik 180, etri diode i dva
merna instrumenta (voltmetar i ampermetar).
Odmah na poetku, a pre prikljuivanja na maketu, voltmetar je potrebno postaviti na opseg 20V, a
ampermetar na opseg 20mA, vidi sliku 1.
Pomou makte i potrebnih komponenata sastaviti elektrinu ema kola koja je data je na slici 2.
Gotova maketa treba da izgleda kao na slici 3.
Potenciometar za promenu napona napajanja makete treba okrenuti u krajnji levi poloaj.
Prikljuiti ampermetar i voltmetar.
Pozvati predmetnog asistenta radi provere ispravnosti sastavljene makete i nakon toga pristupiti
izradi vebe.

Slika 1


Slika 2

ELEKTRONSKE KOMPONENTE
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
2

Slika 3
IZRADA VEBE
Potenciometar za promenu napona napajanja makete lagano oketati udesno dok se na voltmetru ne
oita potreban napon (vidi tabele). Zatim zapisati oitanu vrednost struje prikazanu na ampermetru.
Po zavretku snimanja karakteristike jedne diode smanjiti napon napajanja na 0V, promeniti diodu i
ponoviti postupak snimanja karakteristike.
LED zelena
V
D
1.00 1.40 1.70 1.75 1.80 1.85 1.90 1.95 2.00 2.10 2.20
I
D


1N4007
V
D
0.20 0.45 0.55 0.57 0.60 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.67
I
D


Schottky dioda
V
D
0.10 0.20 0.23 0.25 0.27 0.29 0.30 0.32 0.34 0.36 0.38
I
D


IC dioda
V
D
0.40 0.60 0.85 1.00 1.04 1.08 1.09 1.10 1.11 1.12 1.13
I
D


ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
3
IZVETAJ
U izvetaju je potrebno navesti elektrinu emu ove vebe, postupak merenja i izmerene podatke u
vidu tabela i grafikona I
D
(V
D
).
Karakteristike za sve etri diode nacrtati na istom grafikonu, koristei milimetarski papir. Dimezije
grafikona treba da budu priblino fomata A4.
Odrediti napon praga za svaku diodu (Presena taka tangente na karakteristiku diode u radnom
reimu i x-ose).
Svesku sa izvetajem OBAVEZNO predati asistentu radi overe na prvom narednom asu
laboratorijskih vebanja.
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
4
Laboratorijske vebe



Upotreba zener dioda
VANA NAPOMENA: ZA VREME POSTAVLJ ANJ A VEBE (SASTAVLJ ANJ A ELEKTRINE EME) I
PRIKLJUIVANJA MERNIH INSTRUMENATA MAKETA MORA BITI ODVOJ ENA OD NAPAJ ANJA! TEK NAKON TO
PREDMETNI ASISTENT ODOBRI UPOTREBU VEBE MOE SE PRIKLJUITI MAKETA.
NE PISATI PO OVOM UPUTSTVU.

PRIPREMA MAKETE
Prilikom izrade ove vebe koristi se ispravlja napona, maketa, otpornik 1K, tri zener diode i dva
merna instrumenta (voltmetri).
Odmah na poetku, a pre prikljuivanja na maketu, voltmetre je potrebno postaviti na opseg 20V,
vidi sliku 1.
Pomou makete i potrebnih komponenata sastaviti elektrinu ema kola koja je data je na slici 2.
Gotova maketa treba da izgleda kao na slici 3.
Potenciometar za promenu napona napajanja makete treba okrenuti u krajnji levi poloaj.
Prikljuiti voltmetre.
Pozvati predmetnog asistenta radi provere ispravnosti sastavljene makete i nakon toga pristupiti
izradi vebe.

Slika 1


Slika 2

ELEKTRONSKE KOMPONENTE
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
5

Slika 3
IZRADA VEBE
a)
Potenciometar za promenu napona napajanja makete lagano oketati udesno i time postepeno
poveavati napon napajanja makete. Istovremeno oitavati napon Vin i napon Vout, a vrednosti uneti
u tabelu. Posebno obratiti panju da se u blizini zenerovog napona korak smanji na oko 0.1~0.2 V, a
kasnije, kada dioda provede korak moe da bude 1V
Po zavretku snimanja karakteristike jedne diode smanjiti napon napajanja na 0V, zameniti diodu od
2V1 diodom 5V6 i ponoviti postupak snimanja karakteristike.
D1(2V1)
V
in

V
out


D2(5V6)
V
in

V
out

b)
Da bi se ilustrovala upotreba zener dioda kao ograniavaa i pozitivnog i negativnog napona potrebno je
sastaviti maketu kao na slici 4. Elektrina ema je data na slici 5.
Postupak izrade ovog dela vebe je podeljen u dva dela. Najpre treba da se snimi Vout(Vin) kao u sluaju po
a). Zatim vratiti potenciometar skroz ulevo (napon napajanje makete je time vraen na 0V) i promeniti
meusobno mesta prikljucima za napajanje makete. Time praktino dovodimo negativan napon na maketu
u odnosu na prethodni sluaj. Ponoviti postupak za snimanje karakteristike Vout(Vin).
Ove dve karakteristike se snimaju samo za diode 2V1.
Obe karakteristike treba da se nacrtaju na istom dijagramu (1. i 3. kvadrant).
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
6

Slika 4


Slika 5
c)
Da bi se ilustrovala upotreba zener dioda kao stabilizatora razliitih napona iz istog izvora napajanja,
potrebno je sastaviti maketu kao na slici 6. Elektrina ema je data na slici 7.


Slika 6

ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
7

Slika 7


IZVETAJ
U izvetaju je potrebno navesti elektrinu emu ove vebe, postupak merenja i izmerene podatke u
vidu tabela i grafikona.
Koristiti milimetarski papir. Dimezije grafikona treba da budu priblino fomata A4.
Svesku sa izvetajem OBAVEZNO predati asistentu radi overe na prvom narednom asu
laboratorijskih vebanja.

Izmeriti napone na katodama ovih zener dioda, pri emu je ulazni napon 12V. Nije potrebno crtati dijagrame.
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
8
Laboratorijske vebe



Snimanje karakteristike bipolarnog tranzistora
VANA NAPOMENA: ZA VREME POSTAVLJ ANJ A VEBE (SASTAVLJ ANJ A ELEKTRINE EME) I
PRIKLJUIVANJA MERNIH INSTRUMENATA MAKETA MORA BITI ODVOJ ENA OD NAPAJ ANJA! TEK NAKON TO
PREDMETNI ASISTENT ODOBRI UPOTREBU VEBE MOE SE PRIKLJUITI MAKETA.
NE PISATI PO OVOM UPUTSTVU.

PRIPREMA MAKETE
Prilikom izrade ove vebe koristi se ispravlja napona, maketa, otpornici 180E I 100K, bipolarni
transistor BC107 i tri merna instrumenta (2 voltmetra i ampermetar).
Odmah na poetku, a pre prikljuivanja na maketu, voltmetar je potrebno postaviti na opseg 20V, a
ampermetar na opseg 20mA, vidi sliku 1.
Pomou makete i potrebnih komponenata sastaviti elektrinu ema kola koja je data je na slici 2.
Gotova maketa treba da izgleda kao na slici 3.
Potenciometar za promenu napona napajanja makete i potenciometar za promenu bazne struje
tranzistora treba okrenuti u krajnji levi poloaj.
Prikljuiti ampermetar i voltmetre.
Pozvati predmetnog asistenta radi provere ispravnosti sastavljene makete i nakon toga pristupiti
izradi vebe.





Slika 1 Slika 2
ELEKTRONSKE KOMPONENTE
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
9

Slika 3
IZRADA VEBE
Potenciometar za promenu bazne struje tranzistora podesiti tako da voltmetar V
1
pokazuje 1V. S
obzirom da je V
1
napon na otporniku od 100k, to znai da je bazna struja I
B
=V
1
/R=1V/100k=10A.
Potenciometar za promenu napona napajanja makete lagano oketati udesno dok se na voltmetru ne
oita potreban napon V
CE
(vidi tabele). Zatim zapisati oitanu vrednost struje I
C
izmerenu
ampermetrom.
Za vreme snimanja karakteristike bazna struja se mora odravati konstantnom. Ukoliko je potrebno,
izvriti korekciju potenciometrom za podeavanje bazne struje.
Po zavretku snimanja karakteristike za jednu vrednost bazne struje smanjiti napon napajanja na 0V,
poveati baznu struju i ponoviti postupak snimanja karakteristike.
I
B
=10A (V
1
=1V)
V
CE
0.20 0.30 0.60 2.00 4.00 6.00 8.00
I
C

I
B
=20A (V
1
=2V)
V
CE
0.20 0.30 0.60 2.00 4.00 6.00 8.00
I
C

I
B
=30A (V
1
=3V)
V
CE
0.20 0.30 0.60 2.00 4.00 6.00 8.00
I
C


ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
10
IZVETAJ
U izvetaju je potrebno navesti elektrinu emu ove vebe, postupak merenja i izmerene podatke u
vidu tabela i grafikona I
C
(V
CE
).
Karakteristike za sve tri bazne struje (10A, 20A, 30A) nacrtati na istom grafikonu. Ukoliko se
grafikon crta runo, koristiti milimetarski papir. Dimezije grafikona treba da budu priblino fomata
A4.
Odrediti pojaanje ovog tranzistora: izabrati dve take u aktivnoj oblasti rada tranzistora na
karakteristikama za 10A i 30A, a pojaanje izraunati kao:
=I
C
/I
B
=I
C3
-I
C1
/I
B3
-I
B1

Na grafikonu oznaiti oblasti rada tranzistora.
Svesku sa izvetajem OBAVEZNO predati asistentu radi overe na prvom narednom asu
laboratorijskih vebanja.
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
11
Laboratorijske vebe



Snimanje karakteristike MOS tranzistora
VANA NAPOMENA: ZA VREME POSTAVLJ ANJ A VEBE (SASTAVLJ ANJ A ELEKTRINE EME) I
PRIKLJUIVANJA MERNIH INSTRUMENATA MAKETA MORA BITI ODVOJ ENA OD NAPAJ ANJA! TEK NAKON TO
PREDMETNI ASISTENT ODOBRI UPOTREBU VEBE MOE SE PRIKLJUITI MAKETA.
NE PISATI PO OVOM UPUTSTVU.

PRIPREMA MAKETE
Prilikom izrade ove vebe koristi se ispravlja napona, maketa, otpornici 180E i 100K, MOS
transistor IRF510 i tri merna instrumenta (2 voltmetra i ampermetar).
Odmah na poetku, a pre prikljuivanja na maketu, voltmetar je potrebno postaviti na opseg 20V, a
ampermetar na opseg 20mA, vidi sliku 1.
Pomou makete i potrebnih komponenata sastaviti elektrinu ema kola koja je data je na slici 2.
Gotova maketa treba da izgleda kao na slici 3.
Potenciometar za promenu napona napajanja makete i potenciometar za promenu napona V
GS

tranzistora treba okrenuti u krajnji levi poloaj.
Prikljuiti ampermetar i voltmetre.
Pozvati predmetnog asistenta radi provere ispravnosti sastavljene makete i nakon toga pristupiti
izradi vebe.



Slika 1 Slika 2
ELEKTRONSKE KOMPONENTE
ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
12

Slika 3
IZRADA VEBE
Potenciometar za promenu napona V
GS
tranzistora podesiti tako da voltmetar pokazuje 2.80V.
Potenciometar za promenu napona napajanja makete lagano oketati udesno dok se na voltmetru ne
oita potreban napon V
DS
(vidi tabele). Zatim zapisati oitanu vrednost struje I
D
izmerenu
ampermetrom.
Za vreme snimanja karakteristike napon V
GS
se mora odravati konstantnim. Ukoliko je potrebno,
izvriti korekciju potenciometrom za podeavanje ovog napona.
Po zavretku snimanja karakteristike za jednu vrednost napona V
GS
smanjiti napon napajanja na 0V,
poveati napon V
GS
i ponoviti postupak snimanja karakteristike.
V
GS
=2.80V
V
DS
0.02 0.05 0.10 0.30 0.40 1.00 2.00 4.00 6.00 8.00
I
D

V
GS
=2.90V
V
DS
0.02 0.05 0.10 0.30 0.40 1.00 2.00 4.00 6.00 8.00
I
D

V
GS
=3.00V
V
DS
0.02 0.05 0.10 0.30 0.40 1.00 2.00 4.00 6.00 8.00
I
D

ELEKTRONSKI FAKULTET Katedra za mikroelektroniku
13
IZVETAJ
U izvetaju je potrebno navesti elektrinu emu ove vebe, postupak merenja i izmerene podatke u
vidu tabela i grafikona I
D
(V
DS
).
Karakteristike za sve tri vrednosti napona V
GS
(2.80V, 2.90V, 3.00V) nacrtati na istom grafikonu.
Ukoliko se grafikon crta runo, koristiti milimetarski papir. Dimezije grafikona treba da budu
priblino fomata A4.
Na grafikonu oznaiti oblasti rada tranzistora.
Svesku sa izvetajem OBAVEZNO predati asistentu radi overe na prvom narednom asu
laboratorijskih vebanja.

You might also like