Kombinacija CMOS i bipolarne tehnologije: integrisano kolo izraeno u BiCMOS tehnologiji sadri i bipolarne i

CMOS tranzistore
Koristei prednosti koje pojedinano nude tehnologije bipolarnih i CMOS kola, BiCMOS tehnologija
omoguava izradu VLSI kola odlinih performansi (brzina, snaga, gustina pakovanja) koje nisu mogle biti
postignute niti jednom od dve tehnologije individualno
U osnovi, u pitanju je modifikovana CMOS tehnologija (dodatne maske i tehnoloki postupci) da se omogui i
izrada BT.
Prednosti u odnosu na isto-CMOS i isto-bipolarnu tehnologiju:
Vea brzina od CMOS
Manja disipacija od BT (prostiji zahtevi koje treba da zadovolje pakovanje i tampane ploe)
Fleksibilnost u pogledu I/O kola (pobuda/optereenje: TTL, CMOS, ECL)
generisanje signala koji su kompatibilni sa ulaznim ili izlaznim nivoima ECL, TTL i CMOS kola bez
problema koji bi ograniili brzinu rada
Mogunost primene za analogna kola odlinih performansi
Smanjena mogunost ukljuenja parazitnih struktura.

Savremena tehnologija poluprovodnikih komponenata i integrisanih kola: visoko razvijena, bazirana uglavnom
na silicijumu
Si komponente su optimizovane u pogledu dizajna, dimenzija (gustine pakovanja) i veliine ipa, elektrinih
karakteristika, disipacije, pouzdanosti rada, trokova izrade dominiraju u veini aplikacija

Osim Si, u manjoj meri koriste se i tzv. kompozitni poluprovodniki materijali, uglavnom jedinjenja elemenata iz
III i V grupe periodnog sistema, kao to su Ga As, InP, InSb. Ovi materijali pogodniji su od Si za izradu
optoelektronskih i mikrotalasnih komponenata
Poreenje izmeu Si i GaAs:
GaAs ima iru zabranjenu zonu od Si (1.42 eV u poreenju sa 1.12 eV), znatno veu (6-7 puta) pokretljivost
nosilaca i brzinu drifta pri slabim i umerenim elektrinim poljima, a odlikuje se i direktnim zonskim prelazima
nosilaca (za prelazak elektrona iz valentne u provodnu zonu potrebna je samo promena energije, a ne i
promena momenta) i prisustvom lokalnih minimuma u energetskim zavisnostima zona (laki i teki nosioci
naelektrisanja pojava negativne dinamike otpornosti na I-V karakteristikama komponenata).

otkijeva dioda najjednostavnija komponenta bazirana na usmerakim svojstvima kontakta metal-
poluprovodnik
Dobijanje: naparavanjem metala (Al, Ni, Au, Ag, Ti, Ta, ...) preko slabo dopiranog epitaksijalnog sloja n-tipa na
jako dopiranom supstratu (Si ili GaAs)
Osnovne karakteristike:
- Unipolarna komponenta nema gomilanja nosilaca velika brzina rada
- Nizak napon provoenja pri direktnoj polarizaciji (tipino 0.2-0.3 V)
- Neto vea inverzna struja zasienja u odnosu na diodu sa pn spojem
Mali pad napona u direktu i velika brzina rada posebno su izraeni u sluaju otkijeve diode na GaAs

otkijeve diode pogodne su za brza prekidaka kola i mikrotalasne frekvencije zbog velike brzine rada i
mogunosti realizacije otkijevog kontakta male povrine. Koriste se i kod hibridnih i kod monolitnih
mikrotalasnih integrisanih kola, a najeu primenu imaju u detektorima signala i meaima.

Dioda sa takastim spojem prvobitna varijanta diode sa spojem metal-poluprovodnik, po performansama
slina otkijevoj. Formira se kratkotrajnim proputanjem velike struje kroz zailjenu elastinu icu od volframa
koja vrhom nalee na povrinu poluprovodnika (n-tip Ge ili Si). Prednosti: mala povrina, mala kapacitivnost,
velika brzina (fG 200 GHz)
Nedostaci: veoma mala snaga, krhkost.




















































Varaktor ili varikap dioda je dioda sa pn spojem koja se koristi (najee u hibridnim integrisanim kolima)
kao promenljivi kondenzator. Iskorieno je svojstvo pn spoja da irina oblasti osiromaenja inverzno
polarisanog spoja, to znai i kapacitivnost ove oblasti, jako zavisi od primenjenog inverznog napona.

Najea primena: u rezonantnim kolima za podeavanje rezonantne frekvencije promenom vrednosti
napona inverzne polarizacije

Kapacitivnost diode je nelinearna funkcija napona polarizacije, pa se dioda moe koristiti i kao umnoava
frekvencija. Ako na inverzno polarisanu diodu dovedemo naizmenini napon v = Vsint, kapacitivnost
diode menjae se kao:
pa e se i struja diode usled promena kapacitivnosti menjati u obliku:
Shodno tome, varikap dioda se moe koristiti kao generator viih harmonika.


Naziv PiN dioda potie zbog prisustva slabo dopiranog (intrinsic sopstveni ) sloja poluprovodnika izmeu
jako dopiranog n+ supstrata i p-oblasti na vrhu.
U mikrotalasnim kolima koristi se kao promenljivi otpornik ija se otpornost menja sa promenom napona.
Inverzna polarizacija: i-oblast savren izolator (Ri , C dominira)
Direktna polarizacija: kroz diodu tee struja, pri emu je Ri obrnuto proporcionalno struji. Variranjem
napona direktne polarizacije menja se Ri , a time i impedansa diode, pa je zbog toga ova dioda nala
primenu kao oslabljiva (attenuator). Osim toga, PiN dioda koristi se za realizaciju prekidaa, pomeraa
faze, ograniavaa, itd.

Tunelska dioda - pn spoj u kome su i p i n oblast dopirane primesama visoke koncentracije (reda veliine
1020 cm3) mogue tunelovanje elektrona jer je
(a) dijagram energetskih zona u oblasti spoja jako iskrivljen, tako da se dno provodne zone u n oblasti
nalazi ispod vrha valentne zone u p oblasti;
(b) oblast osiromaenja veoma uzana (<10 nm, uporedivo sa talasnom duinom elektrona)

Gunn dioda komad poluprovodnika n tipa sa omskim kontaktima na suprotnim stranama. Obino se
koristi GaAs, mada postoje i Gunn diode na bazi InP i CdTe
Pojava oblasti negativne dinamike otpornosti (provodnosti) na I-V karakteristici Gunn diode posledica je
postojanja dva bliska minimuma u zavisnosti energetskih zona u GaAs, kojima odgovaraju elektroni
razliitih efektivnih masa, tzv. laki i teki elektroni/

HEMT (High Electron Mobility Transistor) FET sa heterospojem u gejtu
Heterospoj - spoj dva poluprovodnika sa razliitim irinama energetskih procepa. Promena energije na
heterospoju je veoma strma heterospojevi formiraju potencijalne jame u kojima elektroni mogu da
dostignu izuzetno veliku pokretljivost ukoliko do izraaja dou njihova talasna svojstva
Talasna svojstva elektrona dolaze do izraaja ako su dimenzije potencijalne jame istog reda veliine kao i
talasna duina elektrona
Kod MOSFET-a trougaona potencijalna jama formira se upravno na gejt prema podlozi (u x-pravcu)
talasna duina elektrona pri dnu jame vea od irine jame elektroni u provodnoj zoni zauzimaju
diskretne energetske nivoe, pri emu se u x-pravcu ponaaju kao stojei talasi, a u druga dva pravca (y i z)
slo-bodno se kreu i rasejavaju svaki
energetski nivo u x-pravcu javlja se kao
dvodimenzionalna energetska podzona
u y i z-pravcima elektroni se ponaa-
ju kao dvodimenzionalni elektronski gas
(2DEG)




HEMT baziran na heterospoju AlGaAs-GaAs: granina frekvencija > 10 GHz, izuzetno nizak um (< 1dB) i
visoko pojaanje

Na krajevima kanala nalaze se N
+
oblasti GaAs (sors i drejn), a gejt je realizo-van u formi otkijevog kontakta
i kontrolie struju kroz kanal. Kanal je normalno otvoren, a zatvara ga negativan napon na gejtu koji smanjuje
koncentraciju elektrona u 2DEG kanalu strujno-naponske karakteristike HEMT-a su slinog oblika kao kod
JFET-a i MESFET-a
Elektroni prolaze kroz par heterospojeva formiran izmedju izvoda sorsa i 2DEG kanala, potom kroz kanal, i na
kraju kroz par heterospojeva izmedju 2DEG kanala i izvoda drejna. Tunelovanje elektrona iz sorsa u 2DEG
kanal i iz kanala u drejn manifestuje se parazitnom otpornou sorsa i drejna koja smanjuje brzinu i poveava
um HEMT-a neophodna optimizacija kontakt-nih oblasti sorsa i drejna u cilju minimizacije njihove
parazitne otpornosti








































































































Vara
ktor
(vari
kap)
diod
a
Varak
tor ili
varika
p
dioda
je
dioda
sa pn
spoje
m
koja
se
koristi
(naje
e u
hibrid
nim
integri
sanim
kolim
a) kao
prome
nljivi
konde
nzator
.
Iskori