ISPITNA PITANJA TEHNOLOGIJE MIKROSISTEMA

1. Koje je godine, gde i ko prvi demonstrirao rad tranzistora?

Prvi koji su demonstrirali rad tranzistora bili su Bardin, Brajten I okli 1947.godine
2. Koje je godine napravljen prvi komercijalni Si bipolarni tranzistor?
Prvi komercijalni Si bipolarni transistor je napravljen
3. Koje je godine i ko napravio prvo integrisano kolo?
Prvo integrisano kolo je napravljeno 1958.godine i njegov rad su demonstirali Robert Nojs i
Dek Kilbi.
4. Objasni Moorov zakon?
Moore-ov zakon glasi: Broj tranzistora u integrisanim kolima raste eksponencijalno sa
vremenom (udvostruuje se svake 2-3 godine).
5. Definicija MEMS-a.
MEMS Micro-ElectroMechanical-System je minijaturni inteligentrni sistem u kome su senzori,
elektronika, aktuatori i/ili mikrostrukture integrisani na jednom ipu (monolitna integracija) ili
vie ipova (hibridna integracija) korienjem mikroelektronskih tehnologija.
6. Koji su osnovni elementi MEMS-a?
Osnovni elementi MEMS-a su senyori, aktuatori, elektronika I mikrostrukture...
7. Nacrtati blok emu MEMS-a.

8. Senzori definicija.
Senzori mere okolinu bez njenog modifikovanja. Konvertuju fizike i hemijske veliine u
elektrine signale.
9. Vrste senzora.
Senzori se dele na osnovu toga kakve merene veliine mogu biti. Senzori se dele na:
- Termike (temperature, toplota, protok toplote)
- Menhanike (sila, pritisak, brzina, ubrzanje, pozicija)
- Hemijske (koncentracija nekog materijala, sastav, brzina reakcije)
- Magnetne (intenzitet magnetnog polja, gustina fluksa, magnetizacija)
- Radijacione (intenzitet, talasna duina, polarizacija, faza)
- Elektrine (napon, struja, naelektrisanje)
10. Koja dva osnovna zahteva mora da ispuni dobar senzor?

11. Koje se metode koriste za konverziju pokreta, stresa ili naprezanja u
elektrini signal?

12. Aktuatori definicija
Aktuatori interaguju sa okolinom. Konvertuju elektrinu energiju (signale) mehaniko dejstvo
(kretanje).
13. Koji su najei primeri aktuatora?
Najei primeri aktuatora su:
- Mikromotori
- Mikropumpe
- Ventili
- Glave termikih tampaa
- Pojaavai mikrofluida
- Optiki komunikationi elementi
- Skanirajua mikroogledala
14. Termiki aktuatori.

15. Piezoelektrini aktuatori.

16. Najei pasivni elementi MEMS-a
Mikrostrukture su objekti koji ne pripadaju niti senzorima niti aktuatorima. Oni su pasivni
elementi sistema. Predstavljaju niz jednostavnih oblika kao to su lebovi, otvori, brizgalice,
reetke itd. Primeri mikrostruktura:
- Mikrosita
- Optiki elementi
- Mikroelektronske komponente za hlaenje
- Elekronski ventili
- Separatori tenih izotopa
- Mikrokonektori (elektrini i optiki)
17. Vrste MEMS-ova (mikosistema).
Kategorije (vrste) mikrosistema:
- MEMS MikroElektroMehaniki Sistemi
- MOEMS MikroOptoElektroMehaniki Sistemi
- MOES MikroOptoElektronski Sistemi
- MOMS MikroOptoMehaniki Sistemi
18. Primene mikrosistema u automobilskoj industriji.
Mikrosistemi se u automobilskoj industriji primenjuju kao:
- Senzori za internu navigaciju
- Senzori stanja vazduha u kabini
- Senzori koionih sila
- Senzori nivoa goriva I pritiska pare
- Senzori za vazdune jastuke
- Inteligentne gume
19. Primene mikrosistema u medicini.
Mikrosistemi se u medicine primenjuju kao:
- Senzori pritiska krvi
- Stimulatori miia I sistemiya uvodjenje lekova
- Protetika
- Minijaturni analitiki instrumenti
- Pejsmekeri
20. Primene mikrosistema u komunikacijama.
Mikrosistemi se u komunikacijama primenjuju kao:
- Komponente fiber-optikih mrea
- RF releji, prekidai I filteri
- Projekcioni displeji u mobilnim komunikacionim komponentama I instrumentima
- Spliteri I kapleri
- Oscilatori kontrolisani naponom (VCO)
- Podesivi laseri
21. Primene mikrosistema u elektronici.
Mikrosistemi se u elektronici primanjuju kao:
- Glave u drajvovima diskova
- Glave inkjet printera
- Televizorski projekcioni ekrani
- Senzori za detekciju zemljotresa
- Senzori pritiska u avionima
- Sistemi za masovno memorisanje podataka
22. Osnovne mikroelektronske tehnologije.
Tehnologije mikrosistema se mogu podeliti u dve velike grupe:
- Tehnologije integrisanih kola
- Tehnologije mikromainstva
23. Faze proizvodnje integrisanog kola.
Procesi na ploicama u tehnologiji integrisanih kola mogu biti:
- Depozicija/rast tankih filmova
- Pattering tankih filmova
- Dopiranje primesa
24. Navedi najee korienje procese za depoziciju tankih filmova.
Najee korieni rocesi za depoziciju tankih filmova su
- Spin-on
Fotorezist
Poliamidni filmovi
- PVD (Physical Vapor Deposition)
Naparavanje (evaporation)
Katodno raspravanje (sputtering)
- CVD (Chemical Vapor Deposition)
Oksidacija
LPCVD (Low Pressure CVD)
PECVD (Plasma Enhanced CVD)
25. Objasni osnovni princip CVD procesa. Koji tipovi CVD procesa
postoje, i u emu je razlika izmeu njih?
CVD (Chemical Vapor Deposition) je hemijska reakcija gasovitih reaktanata. CVD je proces
koji se koristi za proizvodnju vrstih materijala visoke istoe, visokih performansi.Proces se
esto koristi u industriji poluprovodnika za proizvodnju tankih filmova. U tipinom CVD, vejfer
(supstrat-podloga) je izloen jednom ili vie isparljivih prethodnika, koji reaguju i/ili se
raspadaju na povrinisupstrata da bi se proizveo eljeni depozit. esto, nestabilni nusproizvodi
se takoe proizvode, koji se uklanjaju od protoka gasa kroz reakcionu komoru. Pritisak u komori
je atmosferski 50mTora. Pobuda reakcije moe biti:
- Termika > T u opsegu 100-1000C (pri viim T poveava se migracija I pokretljivost
molekula reaktanata na povrini supstrata)
- Plazmom
- Optika
Vrste CVD procesa:
- APCVD (Armospheric Pressure CVD)
- LPCVD (Low Pressure CVD)
- PECVD (Plasma Enhanced CVD)
26. Objasni osnovni princip PVD procesa. Koji tipovi PVD procesa
postoje, i u emu je razlika izmeu njih?
PVD (Physical Vapor Deposition) opisuje razliite metode korienjem vakuum depozicije da bi
se deponovali tanki filmovi kondenzacijom na isparenom eljenom obliku filmskog materijala na
razliitim povrinama predmeta obrade (npr., na poluprovodnikim ploama). Metod premaza
podrazumeva isto fizike procese kao to su visoke temperature vakuum isparavanja sa
kasnijom kondenzacijom, ili katodno raspravanje plazma bombardovanjem (sputter) pre nego
to ukljuuje hemijsku reakciju na povrini za premazivanje kao u CVD.
27. PVD termiko naparavanje.
Temiko napravanje je jedan od PVD procesa. Ovaj proces se izvodi u visokom vakuumu
(~510
7
tor) da bi se izbegla kontaminacija. Materijali za depoziciju se prevode u gasovito stanje
grejanje. Mehanizmi zagrevanja su:
- Otporno zagrevanje ladjice (posude) sa materijalom koji treba deponovati > ovo je
najjednostavniji I iroko zastupljeni metod koji se koristi za T>1800C; supstrati se izlau
vidljivom I IR zraenju; tipina brzina depozicije je 0.1-2 nm/s; materijali za grejae (W-
3410C; Ta-2996C; Mo-2670C); materijali koji se mogu deponovati: Au, Ag, Al, CdS, MgF
2
,
AgCl
- Zagrevanje snopom elektrona > ovo je sloeniji proces koji se odvija tako to se material za
depoziciju bombarduje elektronima, gde se generiu X-zraci koji oteuju supstrat/komponentu;
koristi se za T>3000C; tipini emisioni naponi 8-10kV; tipina brzina depozicije je 1-10nm/s;
materijali koji se mogu deponovati: svi materijali koji se deponoju otpornim zagrevanjem, Ni, Pt,
V, W, Al
2
O
3
, SiO, SiO
2

- Induktivno zagrevanje materijala za depoziciju > usled gubitka vihornih struja
Prednosti termikog naparavanja su:
- Velika brzina depozicije (0.5m/min)
- Atomi niskih energija (~0.1eV) ne oteuju povrinu supstrata
- Nije potrebno grejanje supstrata
Nedostaci termikog naparavanja su:
- Loe prekrianje stepenika
- Varijacije debljine deponovanog materijala kod velikih supstrata
- Oteenja izazvana X-zracima
28. PVD spaterovanje.
Spaterovanje je proces koji se izvodi u niskom-srednjem vakuumu (~10tor). Za dislokaciju
atoma sa povrine izvora materijala za deponovanje koriste se joni velikih energija. Moe se
deponovati bilo koji materijal. Incidentne jone visokih energija generie plazma:
- Magnetno polje se koristi za ograniavanje plazme, elektrino polje za ubrzavanje estica
- DC plazma za metala
- Rf plazma za dielektrike
Prednosti spaterovanja u odnosu na termiko naparavanje:
- uniformna debljina deponovanog filma po celoj povrini supstrata ak i kada su oni veliki
- laka kontrola debljine filma merenjem vremena > linearna korespodencija izmeu
vremena i debljine
- laka depozicija legura
- dobro prekrivanje stepenika
- bez oteenja X-zracima
Nedostaci spaterovanja:
- brzina depozicije nekih materijala je suvie mala
- organski materijali degradiraj zbog bombardovanja jona
- laka ugradnja neistoa zbog niskog-srednjeg vakuuma
29. Koji su osnovni tipovi procesa litografije?
Osnovni tipovi procesa litografije su:
- Optika (UV svetlost)
- Snopom elektrona
- Snopom X-zraka
30. Koji su osnovni tipovi procesa nagrizanja?
Osnovni tipovi procesa nagrizanja su:
- Vlano nagrizanje (wet)
- suvo nagrizanje (dry)
- RIE (Reactive Ion Etching)
31. Proces vlanog nagrizanja.
Prvi nagrizajui procesi su koristili tenu-fazu (" mokro nagrizanje - ecovanje"). Vejfer moe se
potopiti u nagrizajuu kupku, koji mora biti protresen da bi se postigla dobra kontrola procesa.
Na primer, uitana fluorovodonina kiselina (HF) se obino koristi za nagrizanje silicijum-
dioksida (SiO
2
) preko silicijumskog supstrata. Pored SiO
2
mogu da se primenjuju Si
3
N
4

(silicijum-nitrit) i metali. Razliiti specijalizovani profili ecovanja mogu da se koriste za
karakterizaciju povrine gravure. Vlano nagrizanje je obino izotropno, to dovodi do velike
pristrasnosti kada se nagrizaju debeli filmovi. Oni takoe zahtevaju odlaganje velikih koliina
toksinog otpada. Iz tih razloga, oni se retko koriste procesima formulisanja tehnike. Pored
izotropnog profila postoji I anizotropan profil.
Proces vlanog nagrizanja se sastoji od nekoliko glavnih koraka:
- Transporta reaktanata do povrine
- Hemijska reakcija na povrini
- Transport produkata reakcije za nagrizanje
Glavni sastojci sredstava za nagrizanje:
- Oksidirajue sredstvo (H
2
O
2
vodonik peroksid (hidrogen); HNO
3
azotna kiselina)
- Kiselina ili baza za rastvaranje oksidovane povrine (H
2
SO
4
sumporna kiselina;
NH
4
OH amonijum hidroksid)
- Rastvara za transport reaktanata i produkata reakcije (H
2
O voda; CH
3
COOH siretna
kiselina)
32. Proces suvog nagrizanja.
Sredstva za izotropno nagrizanje uklanjaju material istom brzinom u svim pravcima. Selektivnost
nagrizanja predstavlja odnos brzine nagrizanja materijala koga treba ukloniti prema brzini
nagrizanja drugih materijala. Selektivnist maskirajuih materijala I slojeva za stopiranje
nagrizanja je od izuzetnog znaaja. Suvo nagrizanje predstavlja uklanjanje materijala reakcijama
koje se odvijaju u gasovitoj fazi. Vrste suvog nagrizanja:
- Nagrizanje bez plazme koristi spontanu reakciju odgovarajue smee reaktivnih gasova;
odvija se u gasovima koji sadre fluor fluoridima (ksenon-difluorid (XeF
2
)) i interhalogenima
(BrF
3
i ClF
3
); obezbeuje izotropno nagrizanje Si; visoka selektivnost maskirajuih filmova;
kontrola putem temperature I parcijalnih pritisaka reaktanata
- Nagrizanje sa plazmom koristi RF snagu za pobudu hemijske reakcije; vrste:
o Fiziko nagrizanje bazira se na fizikom bombardovanju jona ili atoma; plazma
se koristi za energizaciju hemijski inertnih estica kako bi velikim brzinama udarale u supsrat;
pri udaru estice predaju energiju atomima supstrata, ukoliko je ta energija vea od energije veze
atomi supstrata se dislociraju; nagrizanje je anizotropno; kao izvor jona najee se koristi Ar
o Hemijsko nagrizanje plazma se koristi za stvaranje hemijski reaktivnih estica
(atoma, radikala i jona) iz inertnog molekulisanog gasa;nagrizanje se odvija u 6 koraka: 1.
Generacija reaktivnih estica (npr. slobodnih radikala); 2. Difuzija do povrine; 3. Adsorpcija na
povrini; 4. Hemijska reakcija; 5. Desorpcija produkata reakcije; 6. Difuzija produkata
o Nagrizanje reaktivnim jonima (RIE) RIE je kombinacija fizikog i hemijskog
plazma nagrizanja; proces u kome se hemijsko nagrizanje vri zajedno sa bombardovanje jona
koje otvara oblasti za obavljanje hemijskih reakcija; osobine: 1. Ne postoji podecovanje jer
bone strane nisu izloene; 2. Vea brzina nagrizanja; 3. Manja selektivnost
o Duboko nagrizanje reaktivnim jonima (DRIE) primenjuje se magnetno polje za
poboljanje transfera energije rezonirajuih elektrona; DRIE proces koristi jone manjih energija,
to ima za posledivu manja oteenja i bolju selektivnost materijala; gustina reaktivnih jona i
njihova kinetika energija kontroliu se odvojeno.
33. Izotropno nagrizanje.
Izotrpono nagrizanje ima nekoliko osobina:
- Jednaka brzina nagrizanja u svim pravcima
- Lateralna brzina nagrizanja je skoro ista kao vertikalna
- Brzina nagrizanja ne zavisi od orijentacije ivice maske

34. Anizotropno nagrizanje.
Osobine koje karakteriu anizotropno nagrizanje su:
- Brzina nagrizanja zavisi od orijentacije kristalnih ravni
- Lateralna brzina nagrizanja moe biti vea ili mnogo manja od vertikalne, to zavisi od
orijentacije ivice maske u odnosu na kristalografske ose
- Orijentacija ivice maske I detalji eme na maski odreuju konaan oblik nagrizanja
o Moe biti korisno u stvaranju kompleksnih oblika
o Moe biti udno kada nije dobro osmiljeno
o Samo su standardni oblici rutinski
35. Koji su osnovni procesi dopiranja u IC tehnologiji?
Osnovni procesi dopiranja (uvoenja primesa) su:
- Termika difuzija
- Jonska implantacija
36. Objasni proces implantacije.
Jonska implantacija se vri snopom jona energije ~ 300 keV, pri temperaturi od oko 500 C.
Jonska implantacija daje manju bonu difuziju primesa i mogunost preciznije kontrole dubine
primesne oblasti. Jonska implantacija obino se sastoji od izvora jona, gde se proizvode joni
eljenog elementa, akcelerator, gde su joni elektrostatiki ubrzani visokom energijom.
Iimplantacija je poseban sluaj estica zraenja. Svaki jon je obino jedan atom ili molekul, i na
taj nain je stvarna koliina materijala koja se implantira u meti sastavni deo tokom vremena
jonske struje . Struje koje se dobijaju od implantera su obino male (microamperes). Jonska
implantacija nalazi primenu u sluajevima kada je potrebna mala hemijska promena.
37. Objasni proces difuzije.
Difuzija je spontani transport materije ili energije pod uticajem odgovarajueg gradijenta iz zone
vie u zonu nie energije ili koncentracije. Kao i mnogi spontani procesi, difuzija je entropijski
voen proces u kojem se energija ili materija koja difunduje uniformno rasporeuje u
raspoloivom prostoru podiui time entropiju sistema. Svaki proces difuzije odvija se pod
uticajem odgovarajueg gradijenta. Recimo difuzija materije se odigrava pod uticajem gradijenta
koncentracije a difuzija toplote pod uticajem gradijenta temperature. Difuzija je diretkna
posledica drugog principa termodinamike, koji kae da entropija nekog neravnotenog sistema
moe samo da raste, sve dok sistem ne doe u ravnoteu. Obzirom da materija difunduje iz
oblasti vee koncentracije u oblast manje koncentracije, sistem prelazi iz ureenijeg u manje
ureen sistem, tj. entropija raste.
38. Tehnologije mikromainstva vrste.
Tehnologije mikromainstva se mogu podeliti na:
- Povrinsko mikromainstvo MUMPS i SIMMiT tehnologije
- Zapreminsko mikromainstvo
- HARM tehnologije DRIE, LIGA, Bondiranje ploica
39. Tehnologija povrinskog mikromainstva princip.
Povrinsko mikromainstvo spade u aditivne procese. Preocesiranje na povrini supstrata
(silicijuma) kojim se formiraju sojevi tankih filmova:
- Strukturni slojevi (polisilicijum, silicijum nitrid i aluminijum)
- Pomoni slojevi (oksidi)
Koraci proizvodnje povrinskog mikromainstva su:
- Depozicija pomonog sloja (sacrificial of spacer layer)
- Fotolitografija i nagrizanje pomonog sloja
- Depozicija, fotolitografija i nagrizanje strukturnog sloja
- Nagrizanje pomonog sloja i dobijanje samodree (slobodne) structure
40. Tehnologija zapreminskog mikromainstva princip.
Zapreminsko mikromainstvo podrazumeva uklanjanje dela zapremine supstrata. Koristi procese
vlanog (za silicijum i kvarc) ili suvog nagrizanja (za silicijum, metale, plastiku i keramiku).
Formiraju se strukture u vidu rupa, lebova, kanala...
41. Zato je Si najee korieni materijal u tehnologiji proizvodnje IC i
MEMS-a?
Si je osnovni material u tehnologiji integrisanih kola. Jeftin je i kompatabilan sa postojeim
poluprovodnikim tehnologijama (laka integracija). Pogodan je za hibridne strukture kao
supstrat. Postoji monokristalni, polikristalni i amorfni. Valentrnost Si je 4 svaki atom Si je
vezan sa 4 susedna atoma u tetragonalnoj konfiguraciji. Kristalna reetka je tipa dijamanta (PC
kubna reetka sa 4 unutranja atoma).
42. Osnovne uloge oksida u poluprovodnikoj tehnologiji.

43. Vrste procesa oksidacije. Kinetika rasta oksida (Deal-Groov model).
Oksidacija moe biti:
- Termika oksidacija
- Anodizacija
Osnovni model: Grove&Deal-ov model
- Prisustvo oksidanta na medjupovrini ogranieno je njegovom difuzijom kroz oksid
o Prvi Fick-ov zakon: fluks J = -D dN/dx
o Aproksimacija: dN/dx = - (N
0
N
1
)/x
N
0
predstavlja graninu rastvorljivost oksidanta u oksidu
o N
0
O2
= 5x10
16
cm
-3
na 1000
o
C
o N
0
H2O
= 3x10
19
cm
-3
na 1000
o
C

44. Koji se materijali najee koriste kao supstrati u proizvodnji
mikrosistema?
Materijali koji se najee koriste kao supstrati su:
- Silicijum (Si)
- Galijum-arsenid (GaAs)
- Drugi elementarni poluprovodnici i poluprovod. Jedinjenja
- Metali
- Stakla
- Kvarc
- Safir
- Keramika
- Plastika, polimeri i drugi organski materijali
45. Koji su najee korieni aditivni materijali u proizvodnji
mikrosistema.
Aditivni materijali u proizvodnji mikrosistema koji se najee koriste su:
- Si (amorfni, polikristalni, epitaksijalni)
- Jedinjenja Si (oksidi, nitridi, karbidi)
- Metali i njihova jedinjenja
- Stakla
- Keramika
- Polimeri i drugi organski materijali
- Biomaterijali
46. HARM tehnologija proizvodnje.
Za proizvodnju mikrosistema razvijene su netradicionalne tehnologije na bazi polimera, metala i
keramike. Njima se mogu dobiti HARM strukture (2.5-D i 3-D). Vrste HARM tehnologije:
- LIthographie (Lithography) Galvanoformung (Electroforming) Abformung (Molding)
- DRIE (Dry Reaction Ion Ecthng)
- Bondiranje ploica
LIGA tehnologija proizvodnje: 1. Rezist od polimernog materijala (PMMA-Poly Methyl Metha
Acrylate) izlae se X-zracima kroz unapred pripremljenu masku; 2. Eksponirane oblasti imaju
oslabljene veze i rastvaraju se pogodnim razvijaem. Dobijaju se strukture sa aspektnim
odnosom 20:1 i visinom od nekoliko mm; 3. U medjuprostor polimera nanosi se metal
electroplating postupkom; 4. Metalni deo se koristi kao deo vee matrice za operaciju daljeg
kalupljenja (molding); 5. Kalupljenje injekcijom plastike (injection molding); 6. Oslobadjanje
kalupa ime se dobija polimerna komponenta; Maske u LIGA tehnologijama proizvode se
tehnikama mikromainstva jer moraju da budu neprozirne za X-zrake
Bondiranjem ploica se kreiraju kanali i upljine i kreiraju se izolacioni slojevi, smanjuje
sloenost ipa i bolje je pakovanje. Tehnike koje se koriste u bondiranju:
- Anodno bondiranje naziva se jo i elektrostatiko bondiranje; povezuje se Si i staklo;
vri se na temperaturi od oko 400
o
C; Si se polarie pozitivno, a staklo negativno; pozitivni joni u
staklu diftuju daleko od Si ime se na medjupovrini formira visoko polje; koristi se staklo sa
termikim koeficijentom irenja slinim Si; kroz spoj mogu da prodju tanke metalne linije
- Fuziono bondiranje silicijuma Ostvaruju se Si-Si i Si-oksid veze; Daje visoku vrstou
veze; Na povrini su potrebne OH grupe; Vri se natemperaturi od 300-800
o
C.
- Eutektiko bondiranje Koriste se legure Si i metala kao Si-Au, Si-Ag, Si-Al i druge; Na
370
o
C Si se rastvara u Au i prodire dublje u Au; Dobijaju se jake veze sa visokom termikom
stabilnou; Mogui su problemi kod veih povrina bondiranja.
- Epoksi bondiranje (Poliamidno) Moe biti provodno i neprovodno; Jednostavan i jeftin
postupak; Jaina veze slaba; Moe da se formira izolujui sloj; Dekompozija esta.
- Ostale tehnike
o Termokompresiono bondiranje
o Ultrazvuno bondiranje
o avno zavarivanje
o Lasersko zavarivanje
47. Funkcija i nivoi pakovanja mikrosistema
Pakovanjem se ostvaruju veze mikrosistema sa spoljnim svetom. Nivoi pakovanja:
- L0: Oblici na ipu
- L1: ip
- L2: Nosa ipa
- L3: Kartica
- L4: Ploa
- L5: Kablovi