6.

udgave

Kurt Bodi

ANALOG- OG DIGITALTEKNIK
KURT BODI

6. UDGAVE

UDGIVET P FORANLEDNING AF
SFARTSSTYRELSEN

KBENHAVN

BOGFONDENSFORLAG
1995

Forord

Nrvrende udgave er som de tidligere udarbejdet med henblik p anvendelse ved undervisningen i elektroteknik og automation til maskinmestereksamen.
Der er adskillige steder i bogen foretaget ndringer og tilfjelser, dels
dikteret af den tekniske udvikling, dels foranlediget af de erfaringer, der er
indhstet ved bogens anvendelse. Der er medtaget nye kapitler, der omhandler dmpning af elektromagnetisk stj og elektronisk analog afbryder.
For gode rd og vejledninger takker jeg maskinmesterskolernes lrere.
Endvidere en tak til de firmaer, der har hjulpet med stof og billedmateriale.

Karlslunde, aprill995
Kurt Bodi

Indholdsfortegnelse
Kapitel

l
1.1

1.2

1.3

1.4
1.5
1.6

2
2.1
2.2

2.3

Side

PASSIVE KOMPONENTER
Linere modstande .......................................................................
Faste modstande. ................................................................
Variable modstande ............................................................
Ulinere modstande ...... ........ ...... ... ............ ............... .... .. ........ .....
NTC termistorer .................................................................
PTC termistorer ..................................................................
Varistorer ............................................................................
Fotomodstande ...................................................................
Kondensatorer .. ...... .............. .......... .. ............... .. ........ .......... .. ...... .
Kondensatorers mrkning..................................................
Kondensatorers op- og afladning ...................... ... .... ..........
Kondensatorers energiindhold .................... ....... ....... ..........
Differentierings- og integrationsnetvrk ... ..... ...... .. ..... .. ... .
Frekvensafhngig spndingsdeler ... .... .. ....... ... ... ... ... ..... ...
Spoler ...........................................................................................
Beskyttelseskredslb mod transien te overspndinger .. ...............
Dmpning af elektromagnetisk stj .................... ....... ............. .. ...

13
13
17
18
18
20
24
26
27
31
31
34
35
36
38
42
45

HALVLEDERE
P- og N-materiale..........................................................................
Dioder...........................................................................................
Zenerdiode .........................................................................
Infrard- og lysemitterende dioder. ....................................
Fotodiode ...........................................................................
Transistorer......... ..........................................................................
Transistoren som afbryder ......... ............ ...... .......................
Transistor-smsignalforstrkere ......... .. ......... ... ....... ..........
AC-forstrker i jordet emitterkobling ................................
Darlingtonkobling .................. .. ....................... .. ........ .........
Fototransistor .... ...... ....................... ...... ..... ....... ....... ... ........
Fotodarlington ..... ... .......................... .... ............... ...............
Felteffekt-transistor ........... .... ................. ...... .. ........... .........
Unijunction-transistor ........................................................

49
51
55
58
62
63
71
72
77
89
89
91
91
93

2.4

Styrede dioder..............................................................................
Thyristor .. .. .... ... .... .... .. ....... .. .... ... .... .. .. ................ .. .. .... ... ... .
Slukkethyristor ....... ............. ....... ...... ...... ...... ... ...... ..... .. ... ..
Triac ..................................................................................

95
96
l 03
103

3
3.1

STRMRETTERKREDSE
Strmforsyning .............................................................................
Transformer ....................................................................... .
Ensretterkoblinger ..............................................................
Filtrering af "ripple" .................... ...................................... .
Stabilisering ...................................................................... .
Strmretterteknik for flerfasede systemer ................................... ..
Trefasede ensretterkoblinger ........................................................ .
Ustyret ensretter i trefaset envejskobling ...........................
Styret ensretter i trefaset envejskobling ........................... ..
Trefasede brokoblinger .......................................................
Trefasede vekselretterkoblinger ....................................................
Netkommuteret strmretterkobling .................... ............... .
Selvkommuteret strmretterkobling .................................. .
Statiske omformere ...................................................................... .

106
106
106
113
117
119
121
122
124
130
135
135
137
142

MLEVRDIOMSTTERE
Mlemetoder.................................................................................
Kalibrering ......... ............................. ... ... .. .. .........................
Temperaturflsomme komponenter .. ... ... .... .... .... ..... ....... ..... ..... ... .
Termoelement ............. .... .... ... ... ....... ...... ... .... ..... ... ..... .........
Termomodstand ............ ............................. .... ..... .. .. ... .. .... ...
Termistorer .. .... ... ... .... ... .. .. .. ... .... .... .. ... .. ... .. .. ... ... .. .. .. .. .. ... .. ..
Trk- og trykflsomme komponenter..........................................
Mlepotentiometer ....... .. ....... .. ... ... .... .. ... ..... .. ... ... .... ... ... .. ...
Modstandsfler...................................................................
Differenstransformer ..........................................................
Kapacitiv fler..... ...............................................................
Piezoelektrisk fler................. ............................................
Strkmlemodstand .. ..... .......... .... ....... .. ... ... ... ... ............. ....
Masseflowmler ....... ...................... .................. .. ...... ..... .....
Magnetflsomme komponenter ..... ... .................. ....... ... ... .... .. .. .....
Elektrodynamisk fler ..... .. .... ... .... .. .... .. .. .... ...... .............. .. ..
Hall-effekt fler..... .............................................................
Induktiv mling af vskestrmning .... .. .. ...... ..... .. ....... ..... ..
Reed-rel ... .... .... ......... ...... ... ... .... ....... .... ... ...... ........... .. .. .. ..

149
154
172
172
17 5
175
176
176
177
178
179
184
186
190
191
191
193
197
198

3.2
3.3

3.4

3.5

4
4.1
4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

S.
5.1
5.2
5.3
5.4

5.5

5.6
5. 7

Lysflsomme komponenter ...... ... ...... ...... .... ... ..... ..... ............ ........
Fotocelle ............ ...... ............................................. ..............
Fotoelementer........ .. .... ... ....... ........................ ............. ........
Fotodioder ....................................................... ... ...... ..........
Gasflsomme komponenter ....... .. ...... ... ..... .. ... ....... ....... .. ... ... .... ....
Gasprveapparater for C02, CO og 0 2 ........ . . . .......
Fugtighedsfler .. .............................................. ..................
Oxygen-fler......................................................................
Infrard-analyseapparat......................................................
Gaskromatograf ..................................................................
Lydflsomme komponenter..........................................................
Ultralydniveaufler ............................................................
Ultralydflowmler ..............................................................
Elektrometriske komponenter .......................................................
Mling af pH-vrdi............................................................
Mling af oplsningers elektriske ledningsevne ................

200
200
20 l
204
207
207
21 O
213
214
215
217
217
218
220
220
221

ANALOGE KREDSE
Jvnspndingsforstrker ............................................................
Generel operationsforstrkerteknik .............................................
Stationr totalafvigelse (offset)....................................................
Linere koblinger med operationsforstrkere .. .. .. ... .. .. .. ... ... .. .. .. ..
Inverterende kobling ...... .............. ... ... .... .......... .... .. ..... ..... ..
Ikke inverterende kobling .... ....... ......... ........................ ......
Differenskobling ........ ...... ... .... .... .. .... ... ............. ... ... ..... .. ....
Operationsforstrkere i analoge koblinger for regulering............
Summator .... .. .... .. .... .......... .. .... ...... .. .. .. ... .... .. .. ... .. .. .. .. .. .... .. .
Proportional-funktion .........................................................
Integrator .. ... .. .. .. .. .... ... ... ......... ... .. .. .. .... ... .... ... .......... ..... ..... .
Integral-funktion ........................... .....................................
Differential-funktion ......................................................... :
Proportional + integral-funktion ........................................
Proportional+ differential-funktion...................................
Proportional+ integral+ differential-funktion ...................
Mleforstrker .............................................................................
Ulinere koblinger med operationsforstrkere .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. ..
Komparator ............................................... t........................
Hysterese ............................................................................

224
226
230
234
236
237
239
241
241
243
246
248
251
254
255
257
259
260
260
261

5.8

Digital/analog- og analog/digital-omsttere ................................

D/A-omstter med vgtede resistorer ...............................
D/A-omstter med R-2R resistorkobling ...........................
A/D-omstter .. ) ......... .. .. .. .. .... .... ... .. ... .... ... .. ...... .. ... ... ... ... .
5.9 Log-omstter......................... .......................................................
5.10 Udgangstrin ..................................................................................

6
6.1

6.2
6.3
6.4
6.5

7
7 .l
7.2

7.3
7.4

7.5

7.6
7.7

262
262
264
265
266
270

EKSEMPLER P REGULERINGSKREDSE
Reguleringstekniske egenskaber .. .... ... .. ...... ... ................. .... .. .. .... .
Tidskonstant .. ............... ........ ............. ...... .. .... ... .... ..... .. .. ... ..
Ddtid ........................ ........................................................
Hastighedsregulering....................................................................
Effektregulator ..............................................................................
Positionsservo... .... ... .... ... .... ...... ................... ...... ... ................. .. .....
Temperaturregulering .. ....... ..... ... .................. .... .... ... ... ... .... .... .. .. ...

272
272
273
274
284
291
293

DIGITALE KREDSE
Digitalteknik.................................................................................
Logikelementer .............................................................................
TIL-kredse .. .... .... ... ... ..... .... .... ... ... ..... .. .... .. ......... .... ... .. ... .. ..
MOS-kredse .......................................................................
Udfrelse ...... ........... .. ..... ....... .. ... .... ... .. ..... ...... .. ... ...... .... .. ...
NAND og NOR i andre logikfunktioner ...... ......................
Regneregler for logiske kredse .........................:.. .. ... .. .. .. ... .. .. .. .. ...
Terminalegenskaber .. .... .. ..... .. ... .. ....... ....... ......... ... .. .... ... .. .. ... ... .... .
Overfringskurve ..... ... .... ... ... .. .. .... ....... ... .. ... ..... ..... ... ..... ....
Ind- og udgangssignaler .... .... .... ... ... .... ....... .. ....... ..... .. ..... ...
Ind- og udgangsstrmme ... .... .. ....... ..... ... .... ... ...... .... ...... .. ...
ben-kollektor kredse........................................................
Tri-State element................................................................
Regenerative switch-koblinger .....................................................
Astabil multivibrator..........................................................
Monostabil multivibrator ...................................................
Bistabil multivibrator.........................................................
Schrnitt-trigger ...................................................................
E1etronisk analog afbryder............................................................
Ind- og udgangskredse ...... ... ... .. .. .. .. .. .. ......... ...... .. .... .. .... .... ... .. ......
Indgangskredse...................................................................
Udgangskredse ...................................................................

295
296
293
301
303
307
307
317
317
318
319
321
323
324
324
327
331
336
339
340
340
343

8
8.1
8.2
8.3

EKSEMPLER P DIGITALE KREDSE

Sikkerhedssystem ........ .. ... .. ..... ..... ... ....... .......... ... ........... ..............
"Exclusive" ELLER-kobling ............................... ............. ........ ....
Tllere..........................................................................................
Asynkrone tllere ..............................................................
Synkrone tllere.................................................................
Sammenligningskobling for fem bits ...........................................

35 1
355
356
356
361
364

FEJLFINDING
Opbevaring og hndtering .. ...... ....... ...... ............. ... ............. ....... .. .
Oscilloskop...................................................................................
Generelle betragtninger vedrrende fejlfinding............................
Fejlsgning i analoge kredse ........................................................
Mling af ko Hektorstrm .............................................. ......
Fejlsgning i digitale kredse.........................................................
Fejlfindingsudstyr for digitale kredse ................... ...... .......
Fejlfindingsmetodik ... ....... ......... ... ... ....... ..... .. ..... ...... ...... ...

368
369
375
376
378
380
381
391

Sagsregister ........................................................................................... .

396

.
henv1sn1ng
. . ............................................................................... .
L Itteratur

403

Skematisk oversigt af elementer til digitale kredse ................................ .

405

8.4

9
9 .l
9.2
9.3
9.4
9.5

l. Passive komponenter

1.1 LINERE MODSTANDE

Modstande benyttes til at fremskaffe et nsket spndingsfald, til at begrnse strmstyrken i et kredslb, som koblingselement m.m.
Modstandenes resistans angives normalt i ohm, kiloohm og megaohm,
idet man har flgende omstning mellem de enkelte strrelser:
l kohm = 1.000 ohm
l Mohm = 1.000.000 ohm.
Inden for modstandens belastningsomrde glder ohms lov. Afsttes
strm og spnding i et koordinatsystem som vist p fig. 1.1 Ol, vil der
dannes en ret linie - heraf betegnelsen liner modstand. Liniens hldning
vil vre bestemt af modstandens vrdi. P fig. 1.1 Ol er vist modstandslinier for to resistanser p henholdsvis 200 ohm og 300 ohm.
I (mA)
125
100
75

50

25

10

15

20

25

U(V)

Fig. 1.101. Linere modstande.

Faste modstandes symboler er vist p fig. 1.102. De kan fremstilles som:

-kulstofmodstande,
-kulfilmmods tande,

13

-metaloxidmodstande og
-trdviklede modstande.

J-

Fig. 1.102. Symbol for faste modstande.

Kulstofmodstande fremstilles af en blanding af kulkorn og et bindemiddel. Blandingen presses sammen til en cylinder, og tilledninger er fastgjort direkte til denne blanding. Modstanden isoleres ved hjlp af et lag
lak eller en belgning af keramisk materiale.
P grund af fremstillingsmden er kulstofmodstandes tolerance ikke
srlig god. Man fremstiller normalt ikke kulstofmodstande med toleran
cer bedre end l 0-20 procent.
Kulfilmmodstande bestr af et keramisk rr, der er belagt med et tyndt
kullag. Modstanden isoleres med et lag lak eller lignende. Kulfilmmodstande fremstilles normalt med tolerancer p 5-l Oprocent.
Metaloxidmodstande fremstilles ved at belgge et glaslegeme med et
lag metaloxid, hvorefter det hele isoleres.
Metaloxidmodstande har stor stabilitet og njagtighed. De kan fs med
tolerancer ned til ca. 0,05 procent.
Trdviklede modstande benyttes isr, hvor der afsttes stor effekt, og
hvor man nsker modstande med sm ohm-vrdier.
Mens de tidligere omtalte modstandstyper fremstilles til effekter p
mellem O, l og 5,0 watt, fs trdviklede modstande i vrdier fra et par
watt og op til flere hundrede watt. Det er derfor ikke usdvanligt, at
trdviklede modstande bliver varme under normal drift.
Temperaturafbngighed: Alle modstande er konstruerede til bestemte
maksimale arbejdstemperaturer.
Overskrides denne maksimale temperatur, delgges enten selve modstandsmaterialet eller beskyttelseslageL
Har en modstand vret udsat for en forbigende overhedning, vil dens
vrdi ofte have ndret sig varigt. Nr en modstand derfor er mrket med
en bestemt effekt, er dette at forst ved en eller anden maksimal temperatur af omgivelserne ofte 70C, idet den temperatur, en modstand fr, dels
er en flge af omgivelsernes temperatur og dels af modstandens egenopvarmmng.
14

Nr en modstand opvarmes, ndres dens modstandsvrdi; dette udtrykkes i en temperaturkoefficient, der angiver modstandsndringen pr. ohm
pr. grad.
Temperaturkoefficientens strrelse er atbngig af modstandens strrelse
samt af modstandstype. Temperaturkoefficienten andrager for:
Kulstofmodstande ................................ (-2000 til-8000) lo-s;oc
Kulfilmmodstande .................................. ( -250 til-700) 1o-s;oc
Metaloxidmodstande ............................. ( -300 til+ 100). 1Q-6fC
Trdviklede modstande:

o, t - 1 n .......................................................( o til+600) . 1o-s;oc

l, l - l 0 n ..................................................( -50 til + 25) 1Q-6/C

Farvekoder for modstande

Strrelsen af en modstands resistans kan enten vre angivet ved et tal, der
er trykt p selve modstanden, eller ved hjlp af en farvekode. Sidstnvnte metode har den fordel, at man kan aflse modstandens resistans uanset,
hvorledes modstanden er vendt ved monteringen. Foruden modstandens
ohmvrdi, angiver farvekoden ogs modstandens tolerance.

~ ~
J

Frste tal

Andet tal

1
2
3

1
2
3

5
6

5
6
7
8
9

7
8
9

,-

Multi
pi ikator

Farve

Tolerance

Farve

x 1n
x 10 n
x 100 o
x1 KO
x 10 kO
x 100 KO
x 1 MO
x 10 MO
x 100 MO
x 1000 Mn

Sort
Brun
Rd
Orange
Gul
Grn
Bl
Violet
Gr
Hvid

1%
2%
5%
10%

Brun
Rd
Guld
Slv

Modstande uden
tolerancering
angiver 20%
l

Fig. 1. 103. Farvekode.

Fig. 1.103 viser et eksempel p en farvekode. Af tabellen ses det, at en

15

modstand med ringene grn, bl, orange og slv er p 56 kohm og har en

tolerance p +l O procent.
Modstande fremstilles i standardvrdier. Tabellen fig. 1.104 angiver,
hvilke standardvrdier, der findes, idet mindre eller strre modstande fs
ved henholdsvis at dividere eller at multiplicere tallene i tabellen med
potenser af l O.
E24

E12

E6

Tolerance

Tolerance

Tolerance

5%
1,O
1,1
1,2
1,3
1,5
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1

10%
1,0

20%
1,0

1,2
1,5
1,8
2,2

2,2

2,7
3,3

3,3

3,9
4,7

4,7

5,6
6,8
8,2

Fig. 1. 104.

Inden for elektronikken benyttes mest E 12-rk.k.en.

16

1,5

6,8

Variable modstandes symbol er vist p fig. 1.105. De benvnes ofte

potentiometre og kan fremstilles som
-kulpotentiometre,
-trdviklede potentiometre.

-------~1

z
l

~-----1-

Fig. 1. 105. Symbol for variabel modstand.

Kulpotentiometre har p en cirkulr flade af isolerende materiale anbragt

et tyndt kullag i et blte mellem terminalerne l og 3, som vist p fig.
1.106.

Fig. 1. 106. Kulpotentiometer.

P en aksel, der kan drejes ved hjlp af en knap eller en skruetrkker, er

der anbragt en kontaktfjeder, der er elektrisk forbundet til terminalen 2.
Trdviklede potentiometre svarer i opbygning til kulpotentiometeret,
men har som modstandselement en modstandstrd, der er viklet om et
isolerende materiale.
P fig. 1.107 er vist et eksempel p udformningen af et trdpotentiometer, der dels anvendes, hvor der krves stor njagtighed og dels, hvor der
afsttes strre effekt.

17

Fig. 1. 1Ol. Trdpotentiometer.

1.2 ULINERE MODSTANDE

Fremkomsten af halvledermaterialerne har gjort det muligt at fremstille
modstande, hvis vrdi er strkt afbngig af temperatur, spnding og
lyspvirkning.
NTC termistorer
NTC (Negative Temperature Coefficient) termistorer er modstande med
meget stor negativ temperaturkoefficient De fremstilles af et halvledende
oxydmateriale, f.eks. jern-, nikkel- eller coboltoxyd.
Sammenhngen mellem en NTC termistors modstand og temperatur
kan udtrykkes ved
B

R= AeT,

hvor R er modstandsvrdien i ohm ved en absolut temperatur T.

A og B er konstanter for en given termistor og e er grundtallet for de
naturlige logaritmer. P fig. 1.201 er vist modstanden R som funktion af
temperaturen i C for tre forskellige vrdier af A og B.

18

R(.!\)

'

IIII

l l 11 l

J 'li
:"i.

, l
1

~ ~ ~-

101
5

11

i"'tl

40

80

~~

li :III III
120

160

-T

("C)

Fig. 1.201.

Tolerancen for NTC modstande er ret hj, ofte 20 procent. P fig.

1.202 a er symbolet for en NTC termistor vist, og p fig. 1.202 b til d er
vist nogle eksempler p NTC termistorers udformning, idet b er af skivetype, c er i glasrr og d er af perletype i vacuum kapsel.

-'1..9-

~wLI u+ l

a
~~
~

IO :t; Z

....

i ..ja r~e
-ll

c
Fig. 1.202. NTC termistor.

19

Termistorer kan enten vre egenopvarmede eller fremmedopvarmede.

Egenopvarmede termistorer opvarmes af den strm, der lber igennem
dem, mens fremmedopvarmede termistorer opvarmes af omgivelserne.
Den egenopvarmede NTC termistor kan f.eks. som vist p fig. 1.203
anvendes til at forsinke indkoblingstidspunktet for et rel.

Fig. 1. 203.

Nr der sluttes spnding til kredsen, vil strmmen gennem relspolen

vre ganske lille, da NTC termistoren ved start er kold og dermed har en
stor modstand. Strmmen opvarmer NTC termistoren, hvorved dens
modstand falder, og strmmen ges. P et tidspunkt er strmmen s stor,
at relet kan trkke.
Fremmedopvarmede termistorer kan f.eks. anvendes til temperaturmling.
PTC termistorer
PTC (Positive Temperature Coefficient) termistorer er modstande med
stor positiv temperaturkoefficient De fremstilles af barium-, strontiumeller titanoxyder.
P fig. 1.204 er vist karakteristikken for en PTC termistor. Det ses, at
den pgldende termistor har den nskede egenskab for temperaturer
mellem ca. 70C og ca. 125 C.

20

IO7
R
(Jl.l

106

10 5
u

:.."' t- t~w- r-

"'J

104

_l

10

_L

l
l

1/
107

10

-50

100

T ("C)

150

Fig. 1. 204.

P fig. 1.205 a er symbolet for en PTC termistor vis~ og p fig. 1.205 b

og c er vist termistoren udformet som ski vetype.
+1J'-

a
..-4.5maJ

.____o.s_:r-

4.3mar+:
ll5.5ma

A
l l

li
b

Fig. 1. 205. PTC-termistor.

21

Anvendelsen af PTC termistorer kan opdeles i to grupper: egenopvarmede og fremmedopvarmede.

P fig. 1.206 er der som eksempler p anvendelse af egenopvarmede
PTC termistorer vist:
a - beskyttelse imod overspnding og kortslutningsstrm.
S snart strmmen forges, vil PTC termistorens modstand stige og begrnse strmmen.
b -undertrykkelse af lysbue. Nr kontakten bryder, vil den kolde
PTC termistors lave modstand modvirke lysbuedannelse. Med
afbrudt kontakt stiger PTC termistorens modstand, hvorved
strmmen gennem belastningen reduceres.
c -forsinkelse af indkoblingstidspunktet for et rel.

BELASTNING

b
Fig. 1. 206.

Fremmedopvarmede PTC termistorer kan finde anvendelse som termoflere bl.a. til indbygning i el-motorers viklinger til beskyttelse af disse
imod overtemperaturer.
Ohms lov glder ikke for NTC- og PTC-modstande, idet strm-spnding-karakteristikken for en seriekreds bestende af en termistor og en
resistans vil forlbe ulinert i et retvinklet koordinatsystem.
P fig. 1.207a er vist en kreds med en PTC- modstand i serie med en
resistans og p fig. 1.207b er vist PTC- modstandens karakteristik i= f( u)
For kredsen kan udtrykkes, at
u= U -R i,

der omskrevet til

22

. u

Z=---U

har formen y = a + bx, som beskriver en ret linie med hldningen

b = - ~ . Liniens placering bestemmes udfra skringspunkterne med koordinatsystemets akser, idet:
. u
u= O =>l=R

og
i=O=>u=U

De fundne skringspunkter indtegnes og forbindes med en ret linie som

vist p fig. 1.207 b. En sdan linie kaldes en arbejdslinie.

(U, O)

b
Fig. 1.207.

Det fremgr af fig. 1.207b, at der forekommer tre skringspunkter mellem karakteristikken i= f( u) og arbejdslinien. P 1 og P 2 er stabile arbejdspunkter, hvorimod P3 er ustabilt.
Nr serieforbindelsen tilsluttes spndingen U vil strm og spndingsfordeling indstille sig i ligevgt ved P1 . P 2 kan kun ns, hvis toppunktet
af karakteristikken i= f( u) er lavere end arbejdslinien. Dette kan opns p
flgende mde:
l) spndingen U forges (fig. 1.208 a),
2) omgivelsestemperaturen forges (fig. 1.208 b),
3) seriemodstandens resistans formindskes (fig. 1.208 c).
Kendes den empiriske funktion i= f(u), er u og i svarende til givne strrelser af U og R herved bestemt.
23

(U,Ol

(U,O)

(U, O)

Fig. 1. 208.

Varistorer (VDR)
En varistor eller VDR-modstand (Voltage Dependent Resistor) er en
komponent, hvis modstandsvrdi i ohm er atbngig af den spnding, der
ligger over modstanden. VDR-modstande fremstilles af siliciumkarbid.
Karakteristikken R =f( U) for en given YDR-modstand kan have et forlb
som vist p fig. 1.209.

R
(Q)

l'

1'\
~

'
1\
~

'

l\

U (V)
Fig. 1. 209.

24

P fig. 1.210 a er symbolet for en VDR-modstand vist, og p fig. 1.210 b

og c er vist varistoren udformet dels som skivetype dels som stavtype.

b
..

min23

16J

....j~ rt---t----:;~~=,..........,."..,""L..f---_____:::.-._....................__

="------'

c
Rg. 1.210. VOR-modstand.

YDR-modstande kan anvendes til mange forml, hvoraf der p fig.

1.211 er vist flgende eksempler:
a - kontaktbeskyttelse. To principper er vist. Nr kontakten bryder,
vil den oplagrede energi i spolen (t. L. 12 ) blive optaget af varistoren.
b - tilpasning af instrumenters flsomhed. En varistor i serie med et
voltmeter eller parallel med et milliamperemeter vil forstrke flsomheden inden for et bestemt omrde.

~
u

L
u

a
Fig. 1.211.

25

Fotomodstande (LDR)
LDR (Light Dependent Resistor) er lysflsomme modstande, der fremstilles af cadmiumsulfid.
Fotomodstandens ohmvrdi ndrer sig med belysningen efter en kurve
som vist p fig. 1.212, hvor den fuldt optrukne kurve angiver det typiske
forlb og de punkterede angiver tolerancegrnserne for den valgte LDRmodstand.
R

(Q)

10

' '

' '

' '

'

'

"

'
l'~

l'

10

l
l

10

'

101

'

104

illumination (lux)

Fig. 1.212.

Fotomodstande reagerer kun for lys inden for et begrnset blgelngdeomrde, d.v.s. for lys af bestemte farver.
Ved lys med stor blgelngde, d. v .s. i farvespekterets rde ende, er der
en trskel-blgelngde, hvorover lyset ikke kan pvirke en LDR, fordi
lyset ikke besidder tilstrkkelig energi til at frigre elektroner. Ved lys
med kortere blgelngde end trskelvrdien tiltager den elektriske
virkning, for derefter at have aftagende virkning imod farvespekterets
violette ende (se fig. 1.213).

26

100

O,b

"\

60

l\
l

60
40

'_1
11_

20

l
L

04000

6000

_J

>

.:'3
!D

5l

a:

"

6000 ~
w

"z
oCI

0::

\
c

&
0::

Fig. 1.213.

P fig. 1.214 a er symbolet for en fotomodstand vist, og p fig. 1.214 b er

vist et eksempel p en fotomodstands udformning.

b
Fig. 1.214. LDR-modstand.

Fotomodstande anvendes til utallige forml, f.eks. til flammekontrol ved

oliefyr, til styring og overvgning af industrielle processer og til styring
af belysningsanlg.

1.3 KONDENSATORER
En kondensator bestr i princippet af to metalplader, der er anbragt i en
vis afstand fra hinanden, se fig. 1.301 a.
Forbindes de to metalplader til en jvnspndingskilde, vil der kortvarigt lbe en elektrisk strm, den skaldte ladestrm, gennem kredsen.
Efter kort tid vil der ikke lbe nogen strmstyrke gennem kredsen, og
hvis forbindelsen til elektricitetskilden afbrydes, vil der stadig vre den
27

samme spnding mellem pladerne som mellem elektricitetskildens poler.

Fig. 1.301.

Man siger, at pladerne er blevet opladet med en elektricitetsmngde, den

ene med en positiv elektrisk ladning +Q, den anden med en negativ elektrisk ladning -Q, efter hvilken pol af elektricitetskilden de har vret forbundet til.
Den elektricitetsmngde Q kondensatoren oplades med af ladestrmmen i ampere i tiden t sekunder, kan udtrykkes ved ligningen
Q= i. t,
hvor enheden for elektricitetsmngden Q kaldes coulomb.
Af ligningen Q = i t ses det, at l coulomb er den elektricitetsmngde,
som en elektrisk strm af styrken l ampere transporterer gennem et vilkrligt ledertvrsnit i tiden l sekund, d. v .s. l coulomb = l amperesekun d.
I mange tilflde anvendes elektricitetsmngdeenheden l amperetime.
En blyakkumulators totale ydeevne angives normalt i amperetimer. Kan
en akkumulator give f.eks. 3 ampere i 20 timer, er dens "kapacitet" 3 20
= 60 amperetimer.
De elektriske ladninger Q p de to kondensatorplader med arealet A vil
forrsage, at der i mellemrummet mellem pladerne vil opst et elektrisk
felt, der afbildes ved hjlp af kraftlinier, hvis tthed tegnes sledes, at de
bliver et ml for strrelsen af feltstyrken E, idet antallet af kraftlinier er
proportional med ladningen Q pr. fladeenhed og omvendt proportional
med en materialekonstant for stoffet mellem pladerne. Materialekonstanten kaldes stoffets dielektricitetskonstant eller permittivitet, og for vacuum bruges betegnelsen e0 .
E=

A Eo

28

I kondensatoren p fig. 1.30 l b er der indskudt et stykke isolationsmateriale mellem pladerne. I dette stof vil der, nr kondensatoren oplades, ske
en elektrisk forskydning, hvorfor der opstr en elektrisk skinladning p de
flader, der vender ind mod kondensatorens metalplader. Disse skinladninger vil binde en del af ladningerne p metalpladerne (vist ved punkterede linier p fig. 1.301 b). Det isolerende materiale kaldes et dielektrikum, og for alle faste stoffer vil dielektricitetskonstanten e vre strre
end vacuumets e0 , og man kan da skrive

hvor er da bliver den relative dielektricitetskonstant eller permittivitetsforholdet for det pgldende stof.
Er der mellem pladerne indskudt et dielektrikum med permittiviteten e,
vil feltstyrken blive
E=_g_=
Q
A e A Er Eo

Feltstyrken E er sledes omvendt proportional med dielektrikummets

relative dielektricitetskonstant er. Er er f.eks. lO vil feltstyrken blive O, l
gange feltstyrken E ved vacuum. For luft er er : ;:;: l.
Elektricitetsmngden Q fres under pvirkning af det elektriske felt E
fra den ene kondensatorplade til den anden. Er afstanden mellem pladerne
a, m der herved udfres et arbejde W.

W= QEa
Den elektriske spnding U mellem en fuldt opladet kondensators to plader er defineret som det arbejde W feltstyrken udfrer pr. ladningsenhed
Q, d.v.s.
U=

Q Ea
= E a
Q

Indsttes heri udtrykket for E, vil

U = -----"Q::__a_
A Er Eo

Sttes Ae~ eo , der er en konstant for en given kondensator, idet strrelsen

29

alene er afhngig af materialekonstanter og dimensioner, lig med C, bliver

U = Q eller C = Q

C kaldes kondensatorens kapacitans eller kapacitet og mles i Farad. En

Farad er kapacitansen for en kondensator, hvor spndingen mellem pladerne bliver l volt ved tilfrsel af en elektricitetsmngde p l coulomb.
Mleenheden Farad er meget stor, og i praksis bruges derfor enhederne
mikrofarad, nanofarad og picofarad, hvor:
l F= 106 J..lF = 109 nF = 1012 pF.

Nr en kondensator skal vlges til et givet forml, skal man sikre sig, at
den har den rigtige kapacitans, og at den kan tle den spnding, den bliver udsat for. Ved for stor spnding kan der ske gennemslag i kondensatorens dielektrikum.
Kondensatorer kan opdeles i to grupper:
l. Ikke polariserede kondensatorer, der har to ens plader, hvilket medfrer, at man frit kan vlge hvilken plade, der tilsluttes pluspolen, og hvilken, der tilsluttes minuspolen. Sdanne kondensatorer kan derfor ogs
anvendes til vekselspnding. Efter arten af kondensatorens dielektrikum
haves bl.a. flgende typer:

- papirkondensatorer,
- metalpapirkondensatorer,
- oliekondensatorer,
- kunstfoliekondensatorer,
-keramiske kondensatorer.
2. Polariserede kondensatorer, der har forskellig plus- og minusplade,
hvorfor de kun kan anvendes til jvnspnding og skal poles rigtigt. Der
findes to hovedtyper:
- elektrolytkondensatorer,
- tantalkondensatorer.

30

P fig. 1.302 er vist en skitse af en aluminium elektrolytkondensator.

Rubber end seal
Vinyl sleeve

d Tinned steel copper

w1~e

,--------------z _--------
~~==c=~~-:.~

1.{)

-ti

F=== c:==::;;:;a~t-~~#t--t c
L + 1 max

15min.

Fig. 1.302. Aluminium elektrolytkondensator.

Kondensatorers mrkning
En del kondensatorer ssom papirkondensatorer og elektrolytkondensatorer er almindeligvis mrket i klar tekst med kapacitans, spnding, tolerance, type m.v.
Ved sm kondensatorer ssom keramiske og visse kunstfolietyper anvendes en farvekodemrkning som vist p fig. 1.303. De tre frste farver
angiver kapacitansen i pF og de efterflgende farver angiver henholdsvis
tolerance og driftspnding.
1. ciffer af kapacitansvrdi
2. ciffer af kapacitansvrdi

Farve
Sort
Brun
Rd
Orange
Gul
Grn
Bl
Violet
Gr
Hvid

2
3
4

10
101
103

10'

6
7
8
9

Multiplikator
Tolerance/:.
Driftspnding/

20%
250

400

630

7
8
9

10%

Fig. 1.303. Farvekodemrkning af kondensatorer.

Kondensatorers op- og afladning

P fig. 1.304 er vist et RC-led, der ved hjlp af en omskifter er tilsluttet
en konstantjvnspnding U (eller lang firkantimpuls).
31

_[-r
u :
l

cl
I

~i

't'

u1----t----==o.---

u
0,63
037

u -

u -

Fig. 1. 304.

Nr kondensatoren C er opladet til spndingen U, og omskifteren derefter til tidspunktet t= O fres til stilling b, begynder en afladning, hvorunder man har u =R i og i= -C~~, idet u= f (t) betegner spndingsforskellen over kondensatoren og i =f (t) afladestrmmen, regnet positiv
som angivet p figuren. Heraf fs differentialligningen
RC du + u = O
(l)
dt

med begyndelsesbetingelsen (t,u) =(O, U).

Omskrives ligning (l) til
du= __l_dt
u
RC
kan flgende udledes ved integration:
du=-J-1 dt
u
RC

In u= - - t +K
RC

(2)

(3)

(4)

K er en integrationskonstant Til tiden t = O er spndingens jebliksvrdi

u lig med begyndelsesspndingen U, hvorfor
l

In U= - - 0 +K
RC
'
32

(5)

hvoraf flger, at
K=ln U

(6)

Indsttes ligning (6) i ligning (4) fs:

l n u - ln U= ln -u = - -l . t
u

-=e

__
t

RC

(7)
(8)

RC

(9)
Strrelsen RC kaldes kredslbets tidskonstant og betegnes -r. Under kondensatorens afladning er spndingens jebliksvrdi sledes:
u= U . e- t
for t> O
(10)
Af ligning (7) fs

t = R C ln - =
u

-r ln -u ,
u

hvoraf man ser, at det varer tiden -r fr spndingen er aftaget til

(Il)

i eller

ca. 37o/o af U.
Oplades kondensatoren fra ladningsfri tilstand ved at omskifteren til tiden t = Ofres til stilling a, har man under opladningen
.
. cdu
u - U =- R l og l = dt
d. v.s. differentialligningen
RCdu +u=U
dt

(12)

med begyndelsesbetingelsen (t, u) = (0,0).

Heraf kan udledes, at spndingens jebliksvrdi under kondensatorens
opladning bliver
u= U {l- e-

f)

for t >O

(13)

Ved opladning er
t= -r l n

U
U-u

(14)

hvoraf man ser, at det varer tiden -r for at oplade til en spnding svarende
til ca. 63o/o af U.
Kurverne p fig. 1.304 viser jebliksvrdien af spndingsforskellen u
over kondensatoren C som funktion af tiden t, dels under afladning og

33

dels under opladning. Spndingsforskellen uR over modstanden R vil

aftegne sig som spejlvendte kurver og summen af u og uR er til enhver
tid konstant lig med U.
Af ligningerne (11) og (14) fremgr det, at tiden kan udtrykkes som:
"hele spndingen"
t = -r . ln - ---=----=-"resten"

(15)

Ligningen ( 15) forudstter, at begyndelsesbetingelserne for ligningerne

(l) henholdsvis (12) er opfyldte. Da man imidlertid ofte kan komme ud
for at skulle beregne tidsintervallet t:..t mellem to spndingsniveauer p en
RC-kurve, kan det vre praktisk at anvende flgende udtryk:
A _
" hele springet"
-r 1n - - -r 1n----=---=-B
"resten"
Udtrykkene "hele springet" og "resten" fremgr af fig. 1.305.
At _

.u -

HELf

uki=
~

-- ----~

S>RONGHJ

-:f

------

!_.:
.li t

=r. l n

uf
se"NG'J ~

RESTEN

,
~

HELE

-------

(16)

.d t ='l' In 8

[\>"""
t

Fig. 1. 305.

Kondensatorers energiindhold
En kondensator under opladning vil gennemstrmmes af en ladestrmstyrke i = C ~~ , der vil tilfre kondensatoren en elektricitetsmngde Q i

sm portioner d Q.
Da dQ =C dU, vil en forgelse af elektricitetsmngden med dQ give
anledning til en forgelse af spndingen u over kondensatoren.
Foregr der en tilfrsel af elektricitetsmngden i tiden dt, vil der vre
tilfrt feltet i kondensatoren en energi p

dW= u i dt

34

(17)

Indsttes i= C~~ i (17) fs:

(18)

dW=uCdu
Ved integration af (18) fs:
2 .c
W= .lu
2

(19)

Indsttes i ligning (19) U i volt og C i farad, vil energien W blive angivet

i wattsekunder [Ws].

Differentierings- og integrationsnetvrk
Tilsluttes et RC-led en sinusformet vekselspnding, vil udgangssignalet
ndre amplitude og fasebeliggenhed i forhold til indgangssignalet, men
selve formen ndres ikke. I modstning hertil kan impulsformede signaler fuldstndigt ndre karakter efter passage gennem et enkelt RC-led.
Fig. 1.306 viser de karakteristiske tilflde, som kaldes differentiering og
integrering.
o

r cl
l
I

l
c

1
U ind

r1
l
l

..t

U ud'

U ind

U ud

r1
l

'
U ud:

l
t

'
'

Differentieringsnetvrk

l ntegrationsnetvrk

Fig. 1. 306.

Ved differentiering krves en tidskonstant som er lille i forhold til signalets periodetid. Ved integrering krves en tidskonstant, som er stor i forhold til signalets periodetid.

35

Frekvensafhngig spndingsdeler
Ved hjlp af RC-led kan endvidere dannes en frekvensatbngig spndingsdeler, idet det bestr af to komponenter i serie, hvoraf den ohmske
modstand er ens for alle frekvenser, mens kondensatoren fr lavere kapacitiv reaktans ved stigende frekvens. Mles udgangsspndingen over
spndingsdelerens modstand, tillades hje frekvenser at passere, hvorimod lave frekvenser afskres. Spndingsdeleren betegnes derfor et hjpas-filter. Mles udgangsspndingen over spndingsdelerens kondensator, tillades lave frekvenser at passere og hje frekvenser afskres. En
sdan spndingsdeler betegnes et lavpas-filter.
Tilfrer man et hjpas-filter, som vist p fig. 1.307, en sinusformet
spnding u 1 med variabel frekvens, vil den afgivne spnding u 2 vre nul
ved de lavere frekvenser. ges frekvensen, vil u 2 p et tidspunkt begynde
at stige, indtil den bliver lig med u1.
Au [dB]

[H z]
c

Fig. 1.307. Hjpas-filter.

Hjpas-filteret har en nedre grnsefrekvens fn, som defineres som den

frekvens, hvor UR = Uc Spndingen UR er samtidig filterets udgangsspnding u2, og det ses af vektordiagrammet fig. 1.307c, at fasedrejningen mellem u1 og u2 her m vre 45, samt at u2 = u 1 cos 45.
Forholdet uUl2 , der er dimensionslst og ubenvnt, angiver, hvor mange
gange u2 er strre end u1 .
Et forhold mellem to fysiske strrelser omsttes ofte fra linert udtryk
(gange) tillogaritmisk udtryk (decibel dB = 0,1 bel). Decibel defineres
Efter telefonens opfinder Graharn Bell.

36

som logaritmen til effektforholdet

R
dB= 10 log~
pl

Afsttes effekterne P2 og P 1 i modstanden R1, fs ved spndingsforskellen u2 og u1:

~2

dB= 10 log- -- 2 = 20 logR Ul

Ul
Omsttes forholdet

u2

Ul

til logaritmisk udtryk Au = 20 log

u2

Ul

[dB] og

afsttes Au i et koordinatsystem som funktion af frekvensen, fremkommer den p fig. 1.307 b viste kurve.
Vedf=fn er
A = 20 log

2
_u

Ul

= 20 log _u1=-_co_s_4-5 = -3 dB
Ul

Da strmmen er flles for bde R og C og da UR = Uc' er R = Xc ved

grnsefrekvensen, hvilket giver:

~
n

l
2 -1t R -C

P fig. 1.308 er vist et lavpas-filter.

u,

a
Fig. 1.308. Lavpas-filter.

P samme mde som ved hjpas-filteret definerer man grnsefrekvensen

37

(her vre grnsefrekvens f), som den frekvens, hvor Uc = UR, og man
fr her ligeledes en afskring p 3 dB og en grnsefrekvens, der er givet
ved:
l
f=----

21tRC

1.4SPOLER
Sendes der en varierende strm gennem en leder, villederen blive omgivet af et varierende magnetfelt, der vil vre ligefrem proportionalt med
strmstyrken, d.v.s.
= L i,

(l)

hvor L er en proportionalitetsfaktor. Hver gang strmmen i et kredslb

sluttes eller afbrydes, sker der en strmstyrkendring di i tiden dt og en
dermed proportional fluxndring d= L di. Udtrykkes ndringerne pr.
tidsenhed, fs:
d_ L di
dt
dt

--

(2)

Iflg. induktionsloven vil slutning af strmmen da fremkalde en elektromotorisk kraft

d
di
E= - - = - L dt
dt'
som er rettet mod den elektromotoriske kraft, der driver strmmen, og
derfor hmmer dennes vkst (modelektromotorisk kraft). Afbrydes
strmmen, vil den inducerede elektromotoriske kraft derimod g i samme
retning som den primre, da di bliver negativ. Strmmens ophr vil derfor blive forsinket. Nr strmstyrken i en leder ndres, induceres der
alts som flge heraf en elektromotorisk kraft i lederen. Dette fnomen
kaldes selvinduktion og proportionalitetsfaktoren L kredsens selvinduktionskoefficient eller blot selvinduktion.

38

b) Strmmens opvoksen

u il

a)

c) Strmmens aftagen

Fig. 1.401. Ind- og udkobling af spole.

P fig. 1.401a er vist et kredslb, hvor en spole med selvinduktionen L

og modstanden R kan tilsluttes en jvnspnding U. Fres omskifteren S
til tiden t = O til stilling l, vil strmmen ikke jeblikkeligt opn sin fulde
styrke, da der p grund af spolens selvinduktion induceres en modelektromotorisk kraft E =-L ~~ .
Strmstyrken i til tiden t vil da kunne bestemmes ved hjlp af den
fuldstndige Ohms lov:
U+E=Ri

(3)

U- L di =R i
dt

(4)

eller

I det jeblik kredsen sluttes, er i= O, og ~~

= ~

iflg. (4). Derefter aftager

~! efterhnden som i vokser til sin stationre vrdi I = ~ , der ns, nr

di
dt

=o.

P fig. 1.401b er vist, hvorledes strmstyrken vokser med tiden. Figuren

for strmmens opvoksen er sledes det grafiske billede af lsningen til
differentialligningen (4 ):
i = l(l-e- f t)

for t~ O,

hvor e er de naturlige logaritmers grundtaL

39

Det er alene forholdet mellem L og R, der er afgrende for, hvor hurtigt

strmmen vokser op. ~ kaldes spolens tidskonstant, der ofte betegnes
med -r. Indsttes i ligning (5) spolens tidskonstant ~ = t, ser man, at
tidskonstanten netop er den tid, det tager strmstyrken at vokse til. 1- 1-

,. "

63% af sin stationre vrdi I.

Som flge af strmstyrken gennem spolen, vil der i denne frembringes
.
.
en VIS energi.
Multipliceres ligning (4) med i dt, fs:
U i dt -L i di = R i2 dt,

der kan omskrives til:

L i di = U i dt - R i 2 dt

(6)

Hjre sides frste led betyder den i tiden dt tilfrte energi og andet led
den i samme tid til strmvarme omsatte del af energien.
Venstre side er da den i tidsrummet dt frembragte energi. Kaldes den
stationre strmstyrke I og tiden det tager at n denne vrdi t, fs ved
integration af (6) det totale energiindhold W i den stationre strms magnetfelt.
W= L

J:i di

~ L 12

(7)

Afbrydes spolen ved at fre omskifter S til stilling O, vil der induceres en
elektromotorisk kraft E1 = - L~~, der har samme retning som elektricitetskildens elektromotoriske kraft U, men som bliver mange gange strre
end U, da ~~ bliver meget stor. Herved opstr s stor en spndingsforskel mellem omskifterens kontakter O og l, at der dannes en afbrydnings gnist, som bestr af luftioner. I denne omsttes kredsens magnetiske
feltenergi f L 12 til varme, som kan delgge kontakterne. Hvis f L 12
er lille, sker der ingen vsentlig skade, nr afbrydningen sker hurtigt.
Til beskyttelse af relkontakten under afbrydning kan anvendes en
VDR-modstand som omtalt i kapitel 1.2. Beskyttelse kan tillige opns
ved at shunte kontakten med en serieforbindelse bestende af en kondensator C og en resistans R som vist p fig. 1.402.

40

Fig. 1. 402.

Det magnetiske felts energiindhold W =

torens elektriske felt

w = i c . U2

i L 12

skal optages i kondensa-

[ligning ( 19) i kapitel l .3] .

(8)

U=I

(9)

Den spnding kondensatoren skal kunne tle, kan sledes udregnes. Er

f.eks. L= 3 H; C= 15 J..lF og strmstyrken, der skal afbrydes I= 0,8 A, er

u= 0,8 . ~ = 358 v

v15.1D-6

Resistansen R har til forml at sikre, at kondensatoren C ikke kortsluttes,

nr kontakten slutter, hvilket isr ved prelning kan delgge kontaktfladerne.
Fres omskifteren S i fig. 1.40 l direkte fra stilling l til stilling 2, vil der
dannes en lukket kreds, hvori R og L indgr. Ved anvendelse af Ohms lov
fs:
(lO)

Med begyndelsesbetingelsen (t, i)

i = l e

- R .t
L

for t~ O

= (0,[) fs ved integration af (10):

(11)

P fig. 1.40lc er vist i som funktion af t. Udtrykket viser, at strmstyrken

efter omskiftningen aftager eksponentielt med tidskonstanten ~ , der
41

(som man ser af ligning (11) ved indstning af t=~) netop angiver den
tid, det tager strmstyrken at aftage til

i- 37% af sin oprindelige vrdi/.

1.5 BESKYTTELSESKREDSLB MOD TRANSJENTE

OVERSPNDINGER

Elektronikudstyr er srligt srbar over for transien te (impulsformede)

overspndinger, der kan opst ved atmosfriske udladninger (lyn), eller
ved induktiv eller kapacitiv induktion. En hyppig rsag til transientproblemer opstr, nr kondensatorbatterier benyttes til at kompensere for
brugernes induktive belastning og derfor i takt med forbruget kobles ind
og ud. Ved ind- og udkobling genereres der p el-nettet en svingning, der
kan give topvrdier op til 750 V med en varighed p lO- 20 ms. P fig.
1.501 er vist en transient p 230 V net skabt ved indkobling af et hjspndingskondensatorbatteri.
u
425

32SV

Fig. 1.501. Transient p 230 V net.

Transienterne kan indeholde s meget energi, at der skal kraftige beskyttelseskredslb til at holde spndingen nede p et for elektronikkredsene
ufarligt niveau. Som beskyttelseskomponenter anvendes bl.a. gasafledere,
slukkeafledere, varistorer og dioder.
Gasfyldt overspndingsafleder ogs kaldet gasafleder, bestr af et par
elektroder indstbt i et keramisk rr eller i en glaskolbe. Mellem elektroderne befinder sig en delgas som f.eks. Argon eller Neon.
42

I tilflde af, at der over elektroderne opstr en overspnding, vil der

tndes en lysbue mellem elektroderne, hvorved strkningen mellem
elektroderne vil overg fra en hj- til en lavimpedans tilstand. Som flge
heraf kan transientstrms tyrken, der kan vre op til l O kA, afledes til
jord. Efter transienten vil strmstyrken vre faldet s meget, at lysbuen i
gasaflederen normalt vil slukke, men da der kan foreligge en mulighed
for, at dette ikke vil ske, skal der indskydes en 2 A smeltesikring imellem
spndingsforsyningen og beskyttelseskoblingen.
Ved at indskyde et isolationsstof mellem elektroderne, opns en sikker
slukning af afledningen. En beskyttelseskomponent med disse egenskaber
kaldes en slukkeafleder. Den kan aflede transientstrmstyrker op til l 00
kA. Der er ikke krav om anvendelse af smeltesikringer mellem spndingsforsyning og beskyttelseskobling.
I de senere r har spndingsafhngige modstande, de skaldte varistorer, fundet anvendelse som beskyttelseskomponent mod transiente overspndinger. En varistors energi-absorption kan sammenlignes med en
slukkeaflederstrkning.
Endvidere anvendes som beskyttelseskomponent en type diode, den skaldte suppressor-diode. Den adskiller sig fra zenerdioden ved at have tre
spndingsniveauer som vist p karakteristikken fig .. 1.502.
l

-l
lpp

1mA

-(

UR Ue Uc

-u

Fig. 1.502. Karakteristik for en suppressor-diode.

Sprrespndingen UR er den hjeste spnding, hvorved dioden endnu

med sikkerhed er sprret. Ved gennemslagsspndingen UB lber der
gennem suppressor-dioden en strmstyrke p l mA. Her begynder suppressor-dioden at begrnse overspndingen. Uc er den maksimale begrnsningsspnding ved hvilken suppressor-dioden kan aflede den transiente strmstyrke.
For at opn den mest optimale overspndingsbeskyttelse, anvendes ofte
en kombination af frnvnte beskyttelseskomponenter.
43

P fig. 1.503 er vist et eksempel p en dobbeltlederbeskyttelse med

kunstigt nulpunkt.

IN

Fig. 1.503. Beskyttelse med kunstigt nulpunkt.

Elementet fig. 1.503, der har indbygget:

-3 stk. gasafledere,
-1 stk. varistor,
-1 stk. suppressor-diode,
-4 stk. spoler,
er beregnet for en afledningsstdstrm p 10 kA. Udfrelsen er en isolerende box, der kan monteres p en skinne som vist p fig. 1.504 a.

o
IN

Elektronik

r
l
l

_j_

o
L---,.---"-----'

b
Fig. 1.504. Beskyttelseselement

P fig. 1.504 b er vist ledningsfringen mellem beskyttelseselement og

elektronikkreds. IN og OUT mrkningen angiver den retning transienten
kan forventes at vandre.
44

1.6 DMPNING AF ELEKTROMAGNETISK STJ

Elektromagnetisk stj er en unsket hjfrekvent energi, der udstrler fra

TV og radioapparater samt fra computers, strmforsyninger, elektronisk
apparatur, kraftsystemer som motorer, lysrrsarmaturer og alle slags reler, kontaktorer og afbrydere.
Den stigende anvendelse af mikroprocessorer og anden flsom elektronik, samt den tiltagende brug af mobile kommunikationsterminaler og
apparater, har skrpet opmrksomheden omkring elektrisk stj.
Dette har frt til, at den Europiske Union (EU) har vedtaget et direktiv
om Electramagnetic Compatibility (EMC). Direktivet glder for alle
elektriske/elektroniske apparater, og stter dels grnser for apparaternes
udsendte stj, dels bestemmelser for deres stjimmunitet, d.v.s. deres
flsomhed over for stjen i omgivelserne.
Den elektromagnetiske stj kan vre bde lednings- og luftbren, og
kan trnge ud eller ind fra AC og DC strmforsyningsledninger, signalledninger, stelforbindelser og selve kabinettet, hvorfor den elektriske stj
sdvanligvi3 reduceres i apparaterne ved anvendelse af passende filtrering, afkobling, dmpning og skrroning samt ttning af apparatkasser
m.v.
Til afskrmning kan anvendes metalkabinetter eller metalbelagte plastkabinetter og svb, og til ttning af mekaniske bninger i kabinetter kan
anvendes metalfingre og ledende tape.
Til strmforsyningsledningerne anvendes kondensatorer, stjspoler og
netfiltre. P fig. 1.60 l er vist et netstjfilter indbygget i en apparat stikbrnd.

Fig. 1.601. Netstjfilter.

45

Netstjfilteret er et lavpasfilter (se kapitel 1.3), der har den egenskab, at

det ikke svkker 50 eller 60 Hz netstrmmen, men svkker det hjfrekvente stjsignal ved hjlp af en indbygget kondensator Cx forbundet
mellem en fase og nul samt to kondensatorer Cy forbundet mellem fase
og jord henholdsvis mellem nul og jord. Det hjfrekvente strmsignal
dmpes ved hjlp af to strmkompenserende spoler L.
Kondensatorerne Cy er valgt sdan, at strmstyrken til jord, den skaldte lkstrm (leakage current) ved 250 V, 50 Hz almindeligvis er begrnset til strrelsesordenen to gange 0,02 - l ,O mA.
Sdanne lkstrmme til jord vil under alle omstndigheder medfre berringsspnding, og hvis der kan optrde store lkstrmme, vil berringsspndingen blive farlig.
For at forhindre denne fare, har man i strkstrmsbekendtgrelsens
kapitel 714 srlige bestemmelser om jordingsanlg for tilslutning til den
faste installation af databehandlingsudstyr, udstyr til industriel styring og
udstyr til telekommunikation, nr udstyret har en lkstrm til jord, der
overstiger 3,5 mA.

Til signalledningerne bruges en rkke andre produkter som in-line filtre, filterkonnektorer, filterkondensatorer og ferritmaterialer.
Ferritmaterialer, der er fremstillet af en legering af jern, nikkel og zink
oxider, vinder stadig strre udbredelse, idet de udmrker sig ved at give
god stjdmpning ved hje frekvenser og over et stort frekvensomrde.
Ferritmaterialernes legering har i vrigt den egenskab, at de ikke kan
afstemmes, hvorfor de ikke giver anledning til resonanser, som i givet
fald ville skabe andre problemer.
Ferritmaterialerne fremstilles i princippet som et rr, der omslutter signalledningen. De leveres med tilledninger til printmontage og som ferritter til konnektorer og integrerede kredse (fig. 1.602),og som ferrit-perler
og -damps til runde og flade kabler (fig. 1.603).
Ferrittens effekt som stjdmpningsmateriale hnger sammen med, at
ferrittens prstation, sledes som det er tilfldet for ethvert magnetisk
materiale, vil blive forringet, hvis det pvirkes med en stor DC eller en
lavfrekvent AC formagnetisering, sdan at magnetiseringen kommer op i
nrheden af magnetiseringskurvens mtningsomrde.

46

Fig. 1. 602. Ferrit med ti/ledninger.

Fig. 1.603. Ferrit for kabler.

Et signal gennem en signalledning, der omsluttes af en ferrit, vil medfre,

at ferritten magnetiseres i takt med signalfrekvensen, hvorved der vil opst en feltvariation d1 Udsttes signalledningen for stj, vil det overlejrede hjfrekvente stjsignal yderligere magnetisere ferritten til magnetiseringskurvens mtningsomrde (vandret magnetiseringskurve), hvorved feltvariationen d~ ~ O. Dette vil medfre, at ferritmaterialets ledningsevne for magnetiske feltlinier (permeabilitet) vil falde til den svarer
til permeabiliteten i vacuum, ferritten er s at sige blevet umagnetisk. I
takt med at permeabiliteten falder, vil ogs selvinduktionskoefficienten L
falde.
Disse forhold er medvirkende til ferrittens komplekse frekvensatbngige impedans, hvor ferritten kan kvivaleres med en serieforbindelse i
signalledningen bestende af en frekvensatbngig resistans og en frekvensafhngig induktiv reaktans.
Z= R(f) + jroL(f)

47

Af fig. 1.604 fremgr det, at ved frekvenser under 10 MHz vil en ferritkerne typisk optrde som en induktiv reaktans p omkring 40 ohm,
mens impedansen ved hjere frekvenser kan vre mere end ti gange strre, og hovedsagelig resistiv ved frekvenser over l 00 MHz. Ferrittens resistans vil derfor virke dmpende p den hjfrekvente stj, mens dens
impedans er ubetydelig over for de nskede signaler ved lavere frekvenser.

Fig. 1.604. Typisk karakteristik for ferritmateriale.

Den elektromagnetiske stj dmpes normalt ved kilden p printkortet, for

herigennem at begrnse stjen til sm regioner og samtidig reducere muligheden for, at stjen breder sig til andre kredslb. Denne metode er
generelt ogs mere konomisk, og man undgr den ekstra skrmning og
filtrering, som vil vre ndvendig, hvis stjproblemerne frst angribes
senere i konstruktionen.
Ved at anvende ferrit til stjdmpning i signalbaneme direkte p printen kan man ofte opn elegante lsninger for sm midler, og jo tttere p
stjkilden man kommer, desto mindre ferrit er ndvendig.

48

2. Halvledere

2.1 P- OG N- MATERIALE

Karakteristisk for ledere er en meget lav specifik modstand og for isolatorer, en meget hj specifik modstand. Mellem ledere og isolatorer befinder
de skaldte halvledere sig.
De elektriske egenskaber er for alle tre grupper strkt afhngig af materialernes renhed, og dette glder isr for halvlederne, hvor man ved
tilstning af forureningsatomer kan kontrollere og variere den specifikke
modstand over et stort omrde.
Som halvledermaterialer til produktion af halvlederkomponenter kan
nvnes germanium (Ge), silicium (Si), gallium-arsenid (GaAs) og gallium-phosfid (GaP), der alle er krystallinske. Dette betyder, at atomerne
indtager bestemte lovbundne pladser i forhold til hinanden og derved
danner et krystalmnster.
Silicium har vundet strst udbredelse som grundlag for halvledermaterialerne. Silicium tilhrer hovedgruppe 4 i det periodiske system, og er
derfor tetravalent (valensen 4). Hvert atom kan sledes forene sig med
fire naboatomer, sledes at der dannes en meget stabil struktur, hvor hvert
atom tilsyneladende har otte valenselektroner (d.v.s. en fuld valensskal).
Dette forhold kaldes kovalente bindinger og er i forenklet tegnemde vist
p fig. 2.101, hvor hver ring angiver svel atomkernen som de indre
elektronskaller, og de sorte pletter angiver valenselektroner, der parvis
udgr de kovalente bindinger.

:::

@:::@

:@:@:@
Fig. 2.101. Silicium.

49

De fremmede atomer, der kan benyttes til forurening eller dopning af

silicium, m vlges blandt naboatomer i henholdsvis hovedgruppe 3 og 5
i det periodiske system.
Dopes silicium med atomer fra hovedgruppe 3 i det periodiske system,
f.eks. med indium (In), bliver krystalgitteret tilfrt atomer med tre valenselektroner (se fig. 2.102). Fremmedatomets tre valenselektroner danner
da kovalente bindinger med tre af de ftre nrmeste siliciumatomer, men
der mangler en elektron i den fjerde binding. Denne elektron forsger
fremmedatomet at "stjle" fra en af de nrmeste bindinger mellem siliciumatomer, som antydet med pil p fig. 2.102. Nr en elektron bryder ud
af en kovalent binding, vil den atterlade en tom plads, som betegnes et
hul. P den tomme plads vil der opst et underskud p en negativ ladning,
hvilket medfrer, at hullet bliver positivt.

:::@

:@:@':

:::@)

Fig. 2. 102. Silicium dopet med indium.

Det opstede positive hul i den kovalente binding vil herefter kunne flytte
sig fra binding til binding som en fri positiv ladning. En halvlederkrystal
af denne type benvnes derfor et P-materiale. Det tegnes normalt i en
forenklet tegnemde som vist p fig. 2.103.
0000000
0000000
0000000
0000000
Fig. 2. 103. P-materiale.

Dopes silicium med atomer fra hovedgruppe 5 i det periodiske system,

f.eks. med arsen (As), bliver krystalgitteret tilfrt atomer med fem valenselektroner (se fig. 2.104). De fire nrmeste siliciumatomer danner
kovalente bindinger med fire af fremmedatomets fem valenselektroner.
50

Den femte elektron bindes ikke og kan derfor bevge sig rundt i krystallen som en fri negativ ladning.

Femte
valenselektron

:::

Fig. 2. 104. Silicium dopet med arsen.

En halvlederkrystal af denne type benvnes derfor et N-materiale. Det

tegnes normalt i en forenklet tegnemde som vist fig. 2.105.

Fig. 2. 105. N-materiale.

2.2DIODER

Dersom et P- og et N-materiale fr en flles kontaktflade, viser det sig, at

strmgennemgangen lettest sker i den ene retning. Der er sledes tale om
en ensretter eller diode.
P fig. 2.201a er vist forholdene i de to halvledere fr sammenfjningen. I N-halvlederen er der frie negative ladninger -elektroner, og i Phalvlederen er der frie positive ladninger- huller.
N

o o o o

o o o o
o o o o

o o o
o o o
o o o

Fig. 2.201. PN-overgang, skematisk.

51

Fig. 2.201b viser forholdene, nr de to materialer bringes i kontakt med

hinanden. Der vil opst en diffusion af frie ladnings brere, idet elektroner fra N-halvlederen vil trnge gennem grnsefladen og ind i Phalvlederen, og huller fra P-halvlederen vil trnge ind i N-halvlederen.
Derved mister omrdet p begge sider af PN-overgangen sine frie ladningsbrere, da hullerne optager elektronerne (rekombination).
Det omrde, der nu er tmt for frie ladningsbrere, virker uden plagt
spnding som en isolator, og kaldes derfor for "sprrelaget".
Tilsluttes en jvnspnding til dioden med pluspolen til N-halvlederen
og minuspolen til P-halvlederen, trkkes de frie ladningsbrere bort fra
grnsefladen som vist p fig. 2.202a. Derved gres sprrelaget bredere,
og diodens modstand bliver nsten uendelig stor, d.v.s. dioden sprrer
for strmgennemgang.

N
+
-

.,__

--.0 0 0

oo o ---+
oo o

4-

N
-

---... o
_.. o

.,

0~0
~

o
o

o
+
o 1o

__.,

,.

J. -

+
b

Fig. 2.202. Strmgennemgang - halvlederdiode.

Tilsluttes derimod minuspolen til N-halvlederen og pluspolen til Phalvlederen, vil den ydre spnding presse de frie ladningsbrere tttere
til grnsefladen som vist p fig. 2.202b. Derved gres sprrelaget smallere, og diodens modstand vil falde til nsten nul, d.v.s. dioden er ben
for strmgennemgang.
I praksis fremstilles en diode normalt ikke ved sammenfjning af et P
og et N -materiale, men ved at dope en tetravalent krystal med et trivalent
stof i den ene "ende" og et pentavalent stof i den anden "ende".
P fig. 2.203a er vist symbolet for en diode, og p fig. 2.203 b og c er
vist eksempler p dioders udformning, idet b er plasticindkapslet og c er
metalindkapslet
Diffusion er en udjvning af koncentrationsforskelle. Det er en proces, der hyppigt
kan observeres i dagliglivet. Et eksempel er spredning af rg i luften.

52

1,5

~~

en
c
c

tt

J
<1>

"'ct

'!1
K

0.9

0.5

Fig. 2.203. Diode.

P fig. 2.204a er vist en siliciumdiodes strm-spnding karakteristik. Af

karakteristikken fremgr det, at der med en stigende ydre ptrykt spnding ug vil blive presset frie ladningsbrere (minoritetsbrere) tttere til
PN-overgangens grnseflade, hvilket svarer til, at strmttheden vokser i
dioden. Ved spndingen Ug = 0,7 V vil minoritetsbrerttheden ved
grnsefladen vre steget s meget, at diodens modstand er faldet til nul,
sdan at siliciumdioden n bnern for strmgennemgang. Denne spnding
kaldes slusespnding eller trskelspnding.

Gennemgangsretning

Gennemgangsretning

0,7V
Sprreretning

a) Ideel karakteristik

U9

,'

'

'

0,7 V

Ug

Sprreretning

b) Praktisk karakteristik

Fig. 2.204. Siliciumdiode.

53

Karakteristikken fig. 2.204a flger eksponentialfunktionen

hvor:
- lg er strmmen eller strmttheden i dioden,
- Is er diodens strm i sprreretningen, den skaldte sprrestrm eller
lkstrm. I henhold til datablad er en typisk maksimal sprre- eller
lkstrm p 20 nA til l 00 nA,
- Ug er ptrykt udvendig spnding med positiv pol forbundet til Nomrdet i sprreretningen og til P-omrdet i gennemgangsretningen,
- UT er en temperaturafhngig naturkonstant, der er proportional med
omgivelsestemperaturen angivet i kelvin. Ved en omgivelsestemperatur p 298 K svarende til 25 oc er UT = 25,7 mV.

UT omregnes til andre omgivelsestemperaturer ved

25

2~8 T , hvor T ind-

sttes i kelvin.
For en aktuel diode indkoblet i lederetningen ved Ug = 0,4 V med en
sprrestrm opgivet til 50 nA, vil ved 25 oc (298 K) have en
0_4

/g= 501o-9

3
( e 25710- -

l) = 0,29 A

Det fremgr heraf, at lkstrmmen er betydeligt mindre end diodestrmmen, selv ved meget sm spndinger. Forskellen gr det ofte praktisk at
anvende forskellige strmskalaer i karakteristikken.
Den ubetydelige lkstrm og den nsten vandrette kurve i sprreretningen betyder, at dioden optrder som en nsten uendelig stor modstand
i sprreretningen.
Disse forhold bevirker, at det normalt i praksis er tilstrkkeligt at angive forlbet af diodens karakteristik sledes som vist p fig. 2.204b.
Spndingen i sprreretningen kan forges til en vis tilladelig vrdi, inden for hvilken lkstrmmen forbliver konstant. Forges spndingen i
sprreretningen ud over den tilladelige vrdi, fr dioden gennemslag,
strmstyrken stiger pludseligt, og dioden delgges. Dette er rsagen til,
at der i installationer, hvori der indgr dioder, ikke m foretages mling
af isolationsmodstanden ved hjlp af et isolationsprveapparat (Megger).
54

Zenerdiode
En diode er som tidligere nvnt karakteriseret ved en lav modstand i
gennemgangsretningen og en hj modstand i sprreretningen.
Den meget store modstand i sprreretningen holder sig nogenlunde
konstant ved spndinger indenfor diodens arbejdsomrde, men ger man
sprrespndingen, vil man n et punkt, hvor diodens modstand falder
nsten til nul.
Denne spnding kaldes gennembrudsspndingen eller zenerspndingen. At passere denne grnse, vil for almindelige dioder betyde
delggelse.
Man har imidlertid fremstillet srlige dioder, der i og for sig er identiske med almindelige dioder, men som kan tle vedvarende at arbejde ved
zenergennembrud uden at tage skade. Disse kaldes zenerdioder.
P fig. 2.205a er vist symbolet for zenerdioden, og p fig. 2.205b er
som eksempel p en zenerdiodes udformning vist en mlskitse. Det bemrkes, at zenerdioden i en kreds skal vende modsat en almindelig diode.
Nr voltmeteret p fig. 2.205c viser gennemslagsspndingen eller zenerspndingen Uz, begynder zenerdioden at lede. Strmstyrken gennem
zenerdioden kan aflses p amperemeteret. Selv om strmmen stiger, vil
voltmeteret fortsat vise Uz. Indstilles spndingen lavere end Uz, ophrer
strmmen gennem zenerdioden (se fig. 2.205d).

n
1:

fg

+
Usp U z

Ug
0,7 v

IO
N

LJk.

lsp

Fig. 2.205. Zenerdiode.

Det forhold, at zenerspndingen Uz for en given zenerdiode er konstant,

udnyttes bl.a. til stabilisering af en jvnspnding.
P fig. 2.206 er vist en belastning RL, der ved hjlp af en afbryder S
kan tilsluttes en stabiliseret jvnspnding. Zenerdioden kan kun tle en
55

vis effekt Pz max = Uz Iz max' hvorfor der maksimalt kan tillades en

strmstyrke p I z max at passere zenerdioden. P den anden side skal der
mindst passere en strm gennem zenerdioden p c a. l 0% af I z max' for at
spndingen kan stabilisere sig p Uz, hvilket bl.a. fremgr af, at karakteristikken fig. 2.205d ikke har et skarpt knk ved Uz.
l

Fig. 2.206.

Kan forsyningsspndingen U1 variere mellem 13 og 16 V, og er Uz = 9,1

V, Pz max = 0,5 w og RL = 500 n ' skal strrelsen af formodstanden RF
beregnes:

I z max = Pz max = 0,5

Uz

Izmin

=:::

9,1

551Q-3 A= 55 mA

=10o/o af 55 mA - 6 mA

Ubelastet - S afbrudt
Ved en forsyningsspnding p U1 = 13 V, vil spndingsfaldet over formodstanden vre:
URF

= U1 -

Uz = 13-9,1

= 3,9 V

Stiger forsyningsspndingen til U1 = 16 V, bliver

URF = U1 - Uz = 16 - 9, l

=6,9 V

Ved en strmstyrke p Iz max= 55 mA skal spndingsfaldet over formodstanden mindst vre URF = 6,9 V
R

. = URF = 6,9 =
Fmm

56

lzmax

55

o 125
'

kQ

Belastet - S sluttet
N r kredsen belastes, deler strmmen gennem formodstanden sig i to grene, l z og /L.
91
/L= Uz = , =: 0,018 A= 18 mA
RL 500

Formodstandens maksimalvrdi RF max skal fastlgges p grundlag af, at

strmstyrken Iz min = 6 mA skal opretholdes ved mindste forsyningsspnding U1 = 13 V.
R

Fmax

U1 - U z = 13- 9,1 =O 163 kQ

- '
l z min + I L
6 + 18

Under belastning vil formodstandens minimalvrdi RF min kunne fastlgges p grundlag af, at strmstyrken lz max= 55 mA ikke m overskrides
ved strste forsyningsspnding, d.v.s.
RFmin =

Ul- Uz = 16-9,1
Izmax +IL
55+ 18

=0,095 kil

Den fundne vrdi for RF min er mindre for belastet kreds end for ubelastet. For at sikre zenerdioden under begge forhold, m formodstanden
0,125 kn < RF ~ 0,163 kn.
Til RF vlges en modstand p 150 0. Effekten, der maksimalt afsttes i
RFer

Eksempler p anvendelse af zenerdioder vil i vrigt fremg af fig. 2.207,

hvor:
a - viser, hvordan yderligere stabilisering af spnding kan opns ved
hjlp af to zenerdioder. En betingelse er dog, at V 1 skal have en
hjere zenerspnding end V 2 ,
b - viser stabilisering af hjere spnding ved hjlp af seriekobling af
flere zenerdioder,
c - viser, hvordan stor njagtighed kan opns ved hjlp af zenerdiode
i serie med voltmeter. Er zenerdiodens zenerspnding 90 V, og er
instrumentet et 0-10 V voltmeter, vil instrumentet vise den tilfrte

57

spnding, nr denne ligger mellem 90 V og l 00 V. Dette omrde

vil vre spredt over hele instrumentskalaen.

.f f

~u?V ~2 ~ud+
o.

U z ::.90v

U;nd

b
Fig. 2.207.

Uud

~!goV~ ~o

-lOv

Infrard- og lysemitterende dioder

Optoelektroniske komponenter har den egenskab, at de kan udsende
(emittere) elektromagnetisk strling, nr en strmstyrke passerer gennem
dem.
Ved elektromagnetisk strling forsts svel det synlige spektrum som de
afgrnsede ultraviolette og infrarde spektre.
Ved hjlp af et prisme kan hvidt lys oplses i sine bestanddele, som vist
p fig. 2.208.
BLGE LNGDE
).
NANOMETER nm
-

TERMOELEMENT

Fig. 2.208. Oplsning

af hvidt lys.

58

GALVANOMETER

--

390nm

----

'SOnm

Ved hjlp af en fotocelle, der successivt anbringes p forskellige steder i

spektret, kan det direkte mles, hvor stor en effekt strlingen har indenfor
de forskellige farver, d. v .s. indenfor de forskellige blgelngdeomrder.
Denne effekt kan for eksempel mles i mW/cm2.
Bliver en PN-halvlederdiode ptrykt en jvnspnding i gennemgangsretningen, drives elektroner ind i P-laget og huller ind i N-laget. P grund
af den strmstyrke, der villbe i kredsen, vil der finde en stadig rekombination sted mellem ladningsbreme. Under rekombinationen vil elektronerne bevge sig fra et omrde med hjt energiniveau til et omrde med
lavt energiniveau. Der vil herved blive frigjort energi i form af elektromagnetisk strling.
Til fremstilling af infrard- og lysemitterende dioder anvendes som
grundmateriale gallium-arsenid (GaAs), gallium-arsenidphosfid (GaAsP)
eller gallium-phosfid (GaP) og som forureningsmateriale anvendes zink
(Zn), silicium (Si) eller phosfor (P). Herved kan dannes PN-overgange,
der ved tilslutning i gennemgangsretningen kan udsende elektromagnetisk
strling af forskellig blgelngde.
Materialer
Blgelngde

GaAs:Zn

GaAs:Si

GaAsP

GaAsP:N

GaAsP:N

GaP:N

infrard

infrard

rd

orange

gul

grn

'A

900nm

930nm

655 nm

610 nm

590 nm

555 nm

Komponenter, der udsender elektromagnetisk strling i det infrarde

omrde benvnes ofte IRED og komponenter, der udsender strler i det
synlige omrde (rd, orange, gul og grn) kaldes for lysemitterende dioder- LED.

Fig. 2.209. Lysemitterende diode.

59

P fig. 2.209 er vist en lysemitterende diode samt symbolet for IRED og

LED, og p fig. 2.210 er vist den spektrale fordeling for flgende lysemitterende dioder:
l- grn
2- gul
3- rd
4- infrard
.5 - infrard

500

600

700

800

900

nm

Fig. 2.210. Spektral fordeling.

Den nominelle blgelngde er som angivet i foranstende skema 555 nm

-930 nm.
En diode, der er i stand til at emittere optisk strling med veldefineret
frekvens og fase, hvilket kaldes kohrent strling, betegnes en LASER
(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation). En laserdiodes udstrlede effekt som funktion af strmmen kan se ud som vist p fig.
2.211.

60

1,5

Udgangseffekt [W]

1,0

Kohrent
strling

0.5
Inkohrent
strling

l Trskelstrm

~:..__-_------t------+----+----+---~ Strm [A]

5

10

15

20

Fig. 2.211. Laserdiodes optiske udgangseffekt som funktion af strmmen.

Af figuren fremgr det, at der findes en trskelvrdi, ved hvilken strlingen skifter fra inkohrent (spontan emission) til kohrent (stimuleret
emission). Forskellen mellem de to strlingsformer er tydelig, hvis man
studerer spektralliniens bredde i et spektrometer. Under strmtrsklen er
bredden mske 50 nm, og over gr den pludseligt, samtidig med at laservirkningen starter, ned til mske l nm. P fig. 2.212 er vist den spektrale
fordeling hos en laserdiode. Den nominelle blgelngde ligger p 850
nm.

Fig. 2.212. Spektral fordeling for Jaserdiode.

61

Strlen kan ved hjlp af speciallinser samles i et omrde, der er s fantastisk lille, at det nrmest er punktformigt. Laserens energi p mske 5
watt kan koncentreres p et meget lille omrde, sledes at energien pr.
kvadratcentimeter mske kan mles i MW (millioner watt). Dette giver
laseren helt fantastiske muligheder som skrende vrktj i hrde materialer, der bringes til at fordampe, hvor man nsker at snittet skal ligge. Ligeledes kan med laserens hjlp fremstilles huller s sm, som de aldrig
ville kunne laves med mekaniske vrktjer.
Laseren benyttes p nsten tilsvarende mde i medicinske anvendelser,
hvor den kan benyttes som en smertefri kirurgisk kniv ved operationer.

Fotodiode
En fotodiode er en PN-overgang, som fremstilles af silicium som grundmateriale. P fig. 2.213a er vist en fotodiode og p b er fotodioden vist
tilsluttet en spndingskilde U i sprreretningen, hvorved sprrelaget vil
blive bredere end uden forspnding. Befinder fotodioden sig i mrke, vil
der i sprrelaget ikke befinde sig frie ladningsbrere (elektroner og huller), og fotodiodens modstand kan betragtes som uendelig stor. Koblingens udgangssignal U0 vil da vre nul volt.

--R

5.0---+-~:z. es

Uo

STRAHLUNGSEMPFINDLICHE Fll<CHE
lUlllAN T S ENSIT/l t: ARI.A

Fig. 2.213. Fotodiode.

Udsttes FN-overgangen for strling af passende blgelngde, vil strlingsenergien absorberes i halvlederen, hvorved der vil ske dels en bevgelse i ladningsbrerne dels en samling af minoritetsbrere ved PN Minoritetsbrere: - elektroner i P-omrdet,
-huller i N-omrdet.

62

overgangen. Dette vil bevirke, at fotodiodens modstand vil falde, og udgangssignalet U0 vil indtage en strrelse, der er proportional med den
indfaldende bestrlingsstyrke. Fotodioden er sledes velegnet til kvantitative mlinger.

2.3 TRANSISTORER

En transistor har p samme krystal tre dopede omrder ved siden af hinanden. Man kan p denne mde fremstille PNP- henholdsvis NPNtransistorer.
PNP-transistoren har mellem to P-materialer (benvnt henholdsvis
emitter og kollektor) et N-materiale kaldet basis (se fig. 2.301a), mens
basis i en NPN-transistor bestr af P-materiale og emitter og kollektor
bestr af N-materiale (se fig. 2.301b).
-M~1
...

.... l l,..

-~~~~Emitter Basis Kailektor

Emitter Basis Kailektor

Uc a
NPN-transistor

PN P-transistor

Fig. 2.301.

I en transistor kontrolleres strmme og spndinger i den ene PNovergang ved hjlp af strmme og spndinger i den anden PN-overgang.
Dette er muligt, nr de to PN-overgange ligger nr hinanden, idet basisomrdet m vre vsentligt smallere end ladningsbrernes diffusionslngde. PN-overgangens emitter-basis forspndes i lederetningen og
kollektor-basis i sprreretningen.
Virkemden for PNP-transistoren er, at jvnspndingen UEB vil presse
en strm af huller fra emitteren op i basislaget med s stor en hastighed
(bevgelsesenergi), at langt den overvejende del vil passere N-materialet

63

uden at blive rekombineret med frie elektroner, og vil fortstte videre ind
i kollektorlaget,hvor den negative pol af spndingskilden UeB vil tiltrkke de frie positive ladninger.
Emitteren afgiver sledes tilstadighed huller, mens kailektoren trkker
en meget stor del af hullerne til sig. Da hullerne er positive ladninger, vil
strmretningen gennem transistoren blive som vist p fig. 2.302a. Emitterstrmmen /E bestr af summen af basis- og kailektorstrmmen (se
fig.2.302b ):

jit:V
2.5

l;

Fig. 2.302. PNP-transistor.

Nr kollektorstrmmen le og basisstrmmen /B har retning ind i transistoren, angives i datablade strmretningen som positiv. For en PNP transistor, hvor le og IB gr ud af transistoren, angives disse normalt som -le
og -/B. UeE angives som -UeE
Kollektorstrmmens strrelse afhnger af basisstrmmens strrelse.
Forholdet mellem disse to kaldes transistorens jvnstrmsforstrkning
eller DC-strmforstrkning hFE:

Strrelsen af hFE varierer strkt fra den ene transistortype til den anden.
En kraft-transistor vil normalt kun have en hFE p ca. 10-20, mens visse
sm transistorer kan have en hFE op til ca. l 000.

64

Symbolet for en PNP-transistor er vist p fig. 2.302c og p d er vist et

eksempel p en transistors udformning.
Ved NPN-transistoren er batteriernes polaritet vendt (se fig. 2.301b).
Det negative potential fra spndingskilden UEB vil give de frie elektroner
i emitterlaget en sdan energiforgelse, at de kan bryde gennem NPovergangens sprrelag og ind i basislaget, hvorefter den overvejende del
vil blive tiltrukket af den positive kollektorspnding. Strmretningen, der
er modsat elektronretningen, vil for en NPN-transistor derfor blive som
vist p fig. 2.303a.

le
"'
~

fE

Fig. 2.303. NPN-transistor.

Strmforholdene for en NPN-transistor svarer helt til strmforholdene

ved en PNP-transistor (se fig. 2.303b).

P fig. 2.303c er vist symbolet, der anvendtes for NPN-transistorer, og p

fig. 2.303d er vist en mlskitse af en NPN-transistor.
Sammenhngen mellem en transistors strmme og spndinger kan vises i et karakteristikfelt, hvor karakteristikkerne for en NPN-silicium
transistor kan optages ved hjlp af en opstilling som vist p fig. 2.304.
65

+ ~-----------------------------.----Re

R1

R2

Fig. 2.304. Optagelse af karakteristikker.

Transistoren styres normalt p basis/emitter-strkningen, hvorfor denne

benvnes indgangskredsen. Ved at variere p R l og samtidig aflse
sammenhrende vrdier af /B og UBE mens UCE holdes p en konstant
vrdi (f.eks. 5 V) ved hjlp af R2, opns en karakteristik som vist p fig.
2.305. Da karakteristikken angiver sammenhngen mellem strm og
spnding i indgangskredsen, benvnes den indgangskarakteristik.
le (mA)

Is<~>

1000

so o

Indgangskarakteristik
Uce =konstant

&00
700
800

UBE (mV)

Fig. 2.305. lndgangskarakteristik.

Basis/emitter-strkningen er en PN-overgang. Af indgangskarakteristik66

kenfremgr det, at UBE stabiliserer sig omkring 0,7 V, hvilket er karakteristisk for en siliciumdiode.
Hvis man samtidig med optagelsen af indgangskarakteristikken aflser
le, sdan at man har sammenhrende vrdier af /B og le med UcE holdt
konstant p f.eks. 5 V, kan kurven i koordinatsystemets anden kvadrant
tegnes som vist p fig. 2.306. Af denne kurve fremgr det, hvordan strm
i basiskredsen bner for en strm i kollektorkredsen. Kurven er saledes et
udtryk for transistorens strmforstrkning og benvnes overfringsle (m A)
karakteristik.
Overfringskarakteristik

55 mA

1B (W\) +-1-+oo-o--sol-o---1---------+ Uc E (V)

600
700

800

UaE (mV)

Fig. 2.306. Overfringskarakteristik.

Ud af overfringskarakteristikken kan DC-strmforstrkningen aflses i

et vilkrligt punkt. Ved en basisstrm p 500 JlA fs iflge karakteristikken en kollektorstrm p 65 mA, hvilket giver

= le = 65 . 103 = 130

h
FE

IB

500

Sammenhngen mellem strm og spnding i transistorens kollektor/emitterkreds, der udgr transistorens udgangskreds, betegnes transistorens udgangskarakteristik. Udgangskarakteristikken kan optages ved,
at man p Rl indstiller /B til en bestemt vrdi og fastholder denne, og
derefter aflser sammenhrende vrdier for Ic og UCE mens der varieres
p R2. Derefter indstilles /B til en ny vrdi, o.s.v. Herved fremkommer
67

en kurveskare som vist p fig. 2.307, hvor hver enkelt kurve reprsenterer vrdierne for le og UcE ved en bestemt basisstrm.
le

(m A l
Udgangskarakteristik

UcE

konstant

=1000 J!A
~ 800~A .

150

100

so

I8

~~ 600- ~A
~

400JIA

~200~A

r.::::...--- 100 J.L A

' : . . - - - - - - - - - 50 ~A

1000

500

10

20

UcE (V)

600

UcE

=konstant

700
800

Fig. 2.307. Udgangskarakteristik.

Nr transistoren arbejder i en opstilling, vil der udvikles varme i transistorens indre. Det totale effekttab i transistoren er:
P= UeE le+ UBE IB

Er transistorens strmforstrkningsfaktor hj, kan man se bort fra tabet i

basiskredsen, og beregne effekttabet tilnrmet som:
P= UeE le

Er karakteristikfeltet fig. 2.308 for en transistor, der i sit datablad har

opgivet en maksimal effekt P tot = 300 mW ved en omgivelsestemperatur
p Tamb = 25C, kan man i udgangskarakteristikken indtegne en kurve,
der reprsenterer den maksimale effekt. Denne kurve kaldes effekthyperblen, og fremkommer ved at tegne en linie gennem alle de punkter,
hvor:
P= UeE le = 300mW

68

'

le (mA)
UcE

Is=

=konstant

1000 J.LA
800 li A
600 V.A
400 J.LA

200 J.L A

lr:::==~5~1oo
J.LA
50 J.LA

IC
I 8 (J.LA}

1000

10

500

20

UcE(V)

600

700
UcE = konstant

800

UBE (mV)
Fig. 2.308. Karakteristikfelt for transistor.

De optegnede karakteristikker er som nvnt optaget for en NPN-silicium

transistor. Karakteristikker for en PNP-silicium transistor vil vre identiske hermed.

Transistortrinnets DC-arbejdslinie
For at sikre sig, at hverken Ic max' UCE max eller Pmax p noget tidspunkt
overskrides, indtegner man i karakteristikfeltets frste kvadrant en arbejdslinie, der er et nyttigt "vrktj" til information om placering af trinnets le og UcE
Skal arbejdslinien indtegnes for transistortrinnet vist p fig. 2.309a, opstilles frst udtryk, som giver sammenhngen mellem le og UcE

69

~==~~~~e=~~~

UcE1 Ucc

UcE

UcE max

Fig. 2.309.

En omskrivning frer til:

le= Uee _ UeE

Re'

der har formen som beskriver en ret linie, hvis placering bestemmes udfra
skringspunkterne med frste kvadrants akser, idet:

UeE =O::::::> le = _QQ.

Re

og
l e = O::::::> UeE = Uee

De fundne skringspunkter indtegnes, og forbindes med en ret linie - DC

arbejdslinien - som vist p fig. 2.309b. Af figuren fremgr det, at arbejdslinien ud fra et sikkerhedshensyn er korrekt placeret, idet der ikke
kan ske overskridelse af hverken le max' UcE max eller Pmax
Den endelige placering af I c og dermed UCE sker ved valg af en basisstrm /B= /Bl som vist p fig. 2.309.
Basismodstanden RB, som skal overfre /B 1, kan nu beregnes ud fra flgende sammenhng, som kan udledes fra fig. 2.309a.

70

_ Ucc -UBE
I B-

RB

RB-_ Ucc-UBE
/B

UBE kan aflses p indgangskarakteristikken i karakteristikfeltets tredie

kvadrant, men vil for siliciumtransistorer normalt kunne sttes til O, 7 V

Transistoren som afbryder

Typisk for afbryderkredse er skift mellem to mulige stationre tilstande her kaldet "OFF" for brudt strmkreds og "ON" for sluttet strmkreds.
P fig. 2.310 er vist et transistortrin. I transistorens udgangskarakteristikfelt er indtegnet en arbejdslinie og to skraverede omrder.
Det ene ved UcE-aksen kaldes sprreomrdet. Med basisstrmmen /B= O
bliver arbejdspunktet "OFF". Transistoren er her sprret og kollektarstrmmen skyldes udelukkende lkstrmme.

I B= 0
b

Ucc

UcE

Fig. 2.310.

Det andet skraverede omrde er ved I c-aksen. Med voksende kollektorstrm aftager UCE p grund af spndingsfaldet over Re- U CE nrmer sig
strrelsesmssigt UBE' og nr disse to spndinger er lige store, d.v.s.
UCB = O, virker transistoren ikke mere som aktivt element. Dette kaldes
mtningsomrdet. Transistoren siges at vre i mttet tilstand, nr le har
71

net sin maksimale vrdi i arbejdspunktet "ON". Af karakteristikken kan

lses, hvilken basisstrm, der skal til for at drive transistoren i mtning
(ON), her /B = /Bl
I datablade for transistorer er ofte angivet en vrdi for UcE sat' der kaldes mtningsspndingen (saturation voltage). UcE sat' der er vist p fig.
2.310, afhnger af kollektorstrrnmen og basisstrmmen, og er spndingsfaldet over transistorens kollektor/emitter-strkning, nr transistoren er i mtning (ON).
I digitalteknikleen tilstrber man at arbejde med to veldefinerede tilstande, sdan at det ene svarer til sprret tilstand "OFF" og det andet til
ledende tilstand "ON". Skift mellem "OFF" og "ON" sker momentant,
hvorfor overskridelse af effekthyperblen under disse forhold kan accepteres.

Transistor-smsignalforstrkere (AC-forstrkere)
I digitalteknikken tilstrbes, at transistoren er enten OFF eller ON. I analogforstrkerteknikken er det derimod af hensyn til unsket forvrngning
af vital betydning, at transistorerne kun arbejder i det linere omrde,
d. v .s. aldrig kommer i mtning eller afskring.
r-----4....------Q-:-+- - ,
l

l
l
l
l
_L

.,. Ucc
l

Uud

l
l

0--_ ____....__

l
l
__..___ _ _ _ _- o - - - _J

Fig. 2. 311. Jordet emitter-kobling.

P fig. 2.311 er vist en typisk RC-koblet enkelttrinsforstrker, d. v.s. en

modstands-kondensator koblet forstrker, hvor signalet fres gennem
indgangskondensatoren cl ind p basis af transistoren, og det forstrkede
signal udtages gennem kondensatoren C2 fra transistorens kollektor. For-

72

mlet med de skaldte overfringskondensatorer cl og c2 er, ar man

nsker AC-signaler overfrt, d. v.s. at holde de enkelte trin i en forstre "'
adskilt DC-mssigt.
Kondensatoren CE er en skaldt afkoblingskondensator, der har til forml at lgge knudepunktet, den er tilsluttet, AC-signalmssigt til stel
Uord). Tilsvarende vil jvnspndingsforsyningen Ucc lgge lederen
mrket + AC-signalmssigt til stel.
Kondensatoren CE afkobler emitteren, hvorfor forstrkertrinnet fig.
2.311 ofte benvnes "jordet emittertrin".
P fig. 2.312 er vist et jordet emittertrins skaldte AC-kvivalentskema,
hvor alle kondensatorer i trinnet og trinnets jvnspndingsforsyning er
tnkt som effektive AC-kortslutninger.
lind

U ind

Re

Uud

Fig. 2.312. Jordet emittertrins AC-kvivalentskema.

Et jordet emittertrin er karakteriseret ved:

-stor spndingsforstrkning Au
-middel indgangsimpedans Ri
-middel udgangsimpedans Ru

(10-500 gange)
( 1-lOldl)
( l - 10 kfl)

Af andre mulige grundkoblinger er jordet basis-kobling og jordet kollektor-kobling .

P fig. 2.313a er vist en jordet basis-kobling og p fig. 2.313b er koblingens AC-kvivalentskema vist. Den jordede basis-kobling er karakteriseret ved:
-stor spndingsforstrkning Au
-lav indgangsimpedans Ri
-middel udgangsimpedans Ru

(10-500 gange)
(10-100 fl)
( 1-10 kO)

73

~~ud
U ind

AC-kvivalentskema

b
Fig. 2.313. Jordet basis-kobling.

P fig. 2.314a er vist en jordet kollektor-kobling og p fig. 2.314b er

koblingens AC-kvivalentskema vist. Den jordede kollektor-kobling er
karakteriseret ved:
-spndingsforstrkning Au
-hj indgangsimpedans Ri
-lav udgangsimpedans Ru
.----~-------o

( l gang)
(lO kQ- l M!l)
(10- 100 Q)

+u ((

Uud
Uind

AG- kvivalentskema

Fig. 2.314. Jordet ko/lektor-kobling

74

Impedanstilpasning
Forstrkerens indgangskreds kan betragtes som indgangsimpedansen Ri,
der er den modstand et indgangssignal iind vil mde i forstrkeren.
Forstrkerens udgangskreds kan kvivaleres med en generator uu og en
udgangsimpedans Ru.
P fig. 2.315 er vist forstrkerens kvivalentskema som en enhed med
en indgangskreds og en udgangskreds. Forstrkerens spndingsforstrkning er

hvorfor generatorspndingen i udgangskredsen bliver

Uu

Au,o ~nd '

hvor Au 0 er forstrkerens spndingsforstrkning under tomgang.

'

Uind

Fig. 2.315. AG-forstrker.

Sluttes afbryderen S, vil det eksterne netvrk (belastningen RL) blive

koblet til forstrkeren. Der vil i udgangskredsen opst en strmstyrke
.
Uud
lud= RL

h
RL
.4
RL
' vor Uud = Uu . RL +Ru = ~nd . ..-"u,O. RL +Ru

P fig. 2.316 er vist en simpel AC-forstrkerkreds bestende af en mlevrdiomstter (transducer), en forstrker og en belastningskreds. For at
kunne tilpasse komponenterne i forstrkerkredsen sdan, at der overfres

75

effekt fra transducer til belastning med mindst muligt tab, m der foretages en tilpasning mellem forstrkerkredsens ind- og udgangsimpedanser.
TRANSDUCER

~~~RKER

i,
!

Ri

~/

-~-

BELASTNING

,---,

;j
l

l
Uud

Rt

L____ j

Fig. 2. 316. AC-forstrkerkreds.

Hvis man betragter en enkelt sluttet kreds i fig. 2.316, f.eks. forstrkerens udgangskreds og dens belastningskreds, som vist p fig. 2.317a, vil
strmstyrken igennem kredsen blive:
i

ud-

llu

Ru+ RL

Effekten i belastningsmodstanden bliver:

lud

a
Fig. 2.317.

76

Hvis uu = 1,0 V og Ru= 5 kohm, kan effekten i belastningsmodstanden

O~ RL

< 10 kQ, og kurven

=
j( RL) vil have et forlb som vist p fig. 2.317b. Af kurven vil det fremg,
at generatoren afgiver maksimal effekt til en belastning p RL = 5 kohm,
d.v.s. der overfres maksimal effekt nr RL =Ru.
Betingelsen for, at der afsttes strst mulig effekt i belastningsmodstanden Rv kan tillige udledes ved hjlp af differentiation. Frst vil det
imidlertid vre praktisk at omskrive udtrykket:
beregnes ved forskellige vrdier for

_
RL -

u.
-u
RL

CRu + RL)2

-11.2
- -u

l
RL

l
_2._
- -u
N
_

Ru 2 + R + 2 TI

PRL

11

.._'U

Effekten PRL er strst, nr N er mindst. Betingelsen for, at N bliver minimum kan findes ved differentiation af N med hensyn til Rv

dN =N' (R L) =-RL- 2 Ru2 + RL0 + O =-RL- 2 Ru2 + l

dRL

samt

Det vil heraf fremg, at N' (RL) =O for RL =Ru og at N" (RL) >O, d.v.s. N
er minimum for RL = Ru og der findes ikke andre ekstrema.
Bemrk, at betragtningerne vedrrende impedanstilpasning glder for
svel AC- som DC-kredse.

AC-forstrker i jordet emitterkobling

Af de omtalte tre grundkoblinger; jordet emitter-kobling, jordet basiskobling og jordet kollektor-kobling, gr emitter-koblingens egenskaber
-stor spndingsforstrkning,
-middel indgangsimpedans,
-middel udgangsimpedans,
at denne koblingstype er den mest anvendte.
P fig. 2.318 er vist en simpel AC-forstrker i jordet emitter-kobling.

77

lud

Uud

RL

Uind

Ug

Fig. 2.318. AG-forstrkertrin.

Forstrkerens kondensatorer betragtes dels som effektive DCafbrydelser, dels som effektive Ae-kortslutninger. Endvidere betragtes
jvnspndingsforsyningen som en effektiv AC-kortslutning. For, i den
efterflgende beskrivelse af smsignalforstrkeren, at holde DC-vrdier
adskilt fra A C-vrdier, er alle DC-vrdier for transistorens strmme og
spndinger skrevet med store bogstaver, mens de tilsvarende ACsignalvrdier er skrevet med sm bogstaver.
Emittermodstanden RE har en stabiliserende funktion. Basis fdes fra
den "stive" spndingsdeler RB 1 og RB2 som srger for, at basispotentialet
holdes absolut konstant. En tendens til en stigning i le, f.eks. forrsaget af
en temperaturstigning, vil f spndingsforskellen over RE til at stige. Da
basis ligger p en fast spnding, reduceres UBE Herved reduceres /B og
dermed tendensen til en stigning i le. Denne reguleringsproces fortstter
indtil den nskede le er tilvejebragt.
Som nvnt skal forstrkertrinnet, for at undg unsket forvrngning,
arbejde i det linere omrde. For at opn korrekt virkning af trinnet m
man indstille et arbejdspunkt for transistoren, hvilket sker ved, at basisemitter-dioden tilfres den rigtige forspnding, sdan at der vil sendes
den nskede basisstrmstyrke gennem basis-emitter, hvorved der vil opst en tilsvarende og meget strre strmstyrke fra kailektor til emitter.
Den strmstyrke, der vil passere basis-emitter-dioden er emitterstrmmen
/E, hvis strrelse atbnger af basis-emitter spndingen UBE p tilsvarende mde som strmmen gennem en diode i lederetning (se kapitel2.2).
78

UBE

/E= /g(e UT - 1),

-oo < UBE < oo

(l)

Er siliciumdioden i det aktive omrde, d.v.s. nr UnE

0,7 V vil

UBE

e uT ~

6,75 . 10 11 , hvorfor parantesens sidste strrelse, l-tallet, vil vre

helt uden betydning.
Endvidere vil transistorens store strmforstrkning hFE (for den valgte
transistor er hFE typisk 200 i det aktive omrde) medfre, at basisstrmstyrken In vil vre forsvindende lille, hvorfor der praktisk taget ingen
forskel er p /E og le.
Med henvisning til disse forhold kan ligning (l) omskrives til:

(2)
Dersom man kender transistorens statiske karakteristikker, bestemmes
jvnstrmsforholdene lettest ved benyttelse af disse. I udgangskarakteristikfeltet fig. 2.319 indtegnes forstrkertrinnets DC-arbejdslinie,
idet dens endepunkter bliver (Ucc,O) og (OJcc), hvor:

Ucc er forsyningsspndingen og
1 cc-

Ucc

le (mA)

Re+ RE

,..---

- - AC-arbejdslinie,
hldning __ l_
RciRL

.
'c

Ic c

S:z!~_.___",..----.4~~~

-----

'---1--t-~~~---

DC-arbejdslinie,
1
hldning

"'---t'-:::--o:==f:;:;::odt---:~-

UCE( V )

Rc+R8

Ie a

Fig. 2.319.

79

Signalforholdene fastlgges ved betragtning af forstrkertrinnets ACkvivalentskema, der er vist p fig. 2.320.

Re

Fig. 2.320. AC-kvivalentskema af enkelttrins jordet emitter-kobling.

Af fig. 2.320 fremgr det, at kollektorsignalstrmmen ic lber i parallelforbindelsen af kollektarmodstanden Re og belastningsmodstanden RL.
Resultatet er, at transistoren ser en samlet AC-belastningsmodstand R'L =
Re/IR L.
Denne belastningsmodstand kan indtegnes som en AC-arbejdslinie
(dynamisk arbejdslinie) i karakteristikfeltet, sledes at problemerne omkring spndingssvinget p den belastede kollektor kan anskueliggres
grafisk. Kollektorsignalstrmmen ic eksisterer jo i virkeligheden som
ndringer i hvilestrmmen Iea Da enhver ndring fra hviletilstanden
udgr fra lea-vrdien, m AC-arbejdslinien g gennem DCarbejdspunktet, der vlges et passende sted p DC-arbejdslinien. ACarbejdsliniens hldning er
l

R 'L

Re 11 RL

, og m sledes krydse UcE-aksen ved:

UcEa + R'L Iea' idet

l

tan a = - = Ca X = R 'L Iea

R'L
X '
I fig. 2.319 er kollektorsignalstrmmen ic projekteret ned p Uc E-aksen

med det resultat, at udgangssignalspndingen ucE kan aflses.

80

Hvis placeringen af arbejdspunktet vlges uheldigt, vil det kunne resultere i "klipning" af udgangssignalet, sledes som vist p fig. 2.321 .
le

Ica

Rci/RL
1
Rc~E

Re/l RL
1
Re+ RE

1ca

UcE

UcE

{&)t

ucE \ For lille I c.

Fig. 2.321.

Relationerne mellem et forstrkertrins smsignalvrdier fremgr af fig .

2.322.
t
.
w~ls

le (mA)

- cff RL

--r:.
l

: '.,....,-is
l

'

_ l- - ~--: "7.>t

''

___
'

'

'

l
l

'
~-

le (JJA)

wt

~ Us E
UaE (mV)

Fig. 2.322.

81

Dimensionering afforstrkertrin.
Det forudsttes, at den p fig. 2.316 viste forstrkerkreds bestr af:

- en piezoelektrisk transducer med en indre modstand R g = l O kohm

og en generator, der kan afgive tomgangssignalspndingen ug =
10mV,
- en enkelttrins forstrker i jordet emitter-kobling,
- en belastning med en indre modstand RL = 5 kohm.
Som flge af forstrkerens opgave som spndingsforstrker samt nsket
om at kunne overfre signaler med mindst muligt tab, skal forstrkertrinnet analyseres med det forml at f opstillet udtryk for:
- spndingsforstrkningen Au
- indgangsimpedansen Ri
- udgangsimpedansen Ru
Spndingsforstrkningen Au er defineret ved
Au = Zlud (gange)
Zl:ind

For forstrkertrinnet glder det forhold, at der jf. fig. 2.320 og fig. 2.322
sker en 180 fasedrejning mellem indgangssignalet uind = uBE og udgangssignalet Uud = UeE
Fasedrejningen angives i formlerne ved hjlp af et minustegn, hvorfor
spndingsforstrkningen Au for den emitterkoblede forstrker kan udtrykkes ved:

A = - UCE
u

=- ic . R'L =- die . Ri

UBE

UBE

(3)

dUBE

Indsttes ligning (2) for le fs:

UBE
UBE

l
-u
dLS euT
A u = - dUBE . R L = - UT . Ls . e T . R'L
I

(4)

UBE

Erstattes Is e uT i ligning (4) med le fra ligning (2) fremkommer ud-

82

trykket for spndingsforstrkningen:

A =-le R'

UT

(5)

hvor le er kollektorstrmmen og UTeren temperaturatbngig naturkonstant, der ved 25C er 25,7 mV.

Indgangsimpedansen Rl er givet ved:

Ri= ~BE

= RBB

~nd

11 u~E ,hvor u~E

"B

"B

er transistorens indgangsimpedans, der svarer til hldningen af indgangskarakteristikken i DC-arbejdspunktet (se fig. 2.322). I datablade
betegnes transistorens indgangsimpedans med hie For den valgte transistor opgives den typiske vrdi for hie til 8, 7 kohm.
Transistortrinnets indgangsimpedans kan herefter udtrykkes som:
Ri

= Ras 1/ hle

(6)

Udgangsimpedansen Ru svarer til trinnets kollektarmodstand (se fig.

2.320).
(7)

Transistorens smsignal strmforstrkning betegnes i datablade med hfe og angives ved

hldningen af transistorens overfringskarakteristik i DC-arbejdspunktet (2. kvadrant i fig.
2.322).

(8)

(9)

hre f;:

(10)

hre =~e ~~

(l l)

~e=

83

Forstrkertrinnets strmforstrkning A 1 kan udtrykkes ved:

..1.

=~d

(l2)

lind

hvor iud = ~~

og ~nd = u~ , der indsat i formlen for Ai giver:

A , :::: ucE . .Bi_

.. ..,_

UBE

RL

= _A

,~

(13)

RL

Strrelsen af kollektorjvnstrmmen le til bestemmelse af spndingsforstrkningen Au fastlgges ud fra et fast DC-arbejdspunkt (UcEa' Iea),
hvis placering krver flgende oplyst:
- forsyningsspndingen Ucc (f.eks. l O V)
- kailektorstrmstyrken Icc (UcE = OV)
Arbejdspunktet nskes placeret i midteromrdet af DC-arbejdslinien for
at opn en symmetrisk forstrkning af begge A C-signalets halvblger.
Dette medfrer, at UCEa svarer til i Ucc I det foreliggende tilflde
UcEa = 5 V.
Det skal erindres,at der opns maksimal effektoverfrsel ved Ru = RL.
Belastningsmodstanden er opgivet til RL = 5 kohm, hvorfor DC-arbejdsliniens skring med Ic-aksen fastlgges under hensyn hertil:
1cc-

l Ca

ucc

Re + RE

"'
ucc- ,... -

RL

lO -- 2 mA
5 ' 10 3

=t l cc = t 2 = l mA

Ved hjlp af transistorens datablad m det kontrolleres, at hverken le max

UCE max eller p max OVerskrides.
DC-arbejdspunktet vlges sledes (UcEa Iea) = (5 V, l mA).
Spndingsforstrkningen Au kan derefter overslagsmssigt beregnes
til:
3
A = - 1ca . R' =- l 10- 3 -2500 = -97 (gange)
u
UT
L
25,7 10Svarer strrelsesordenen af spndingsforstrkningen med de valgte
komponenter til det nskede, kan dimensionerne for de vrige komponen84

ter i forstrkeren beregnes, idet DC-arbejdspunktet nskes fastholdt til

ca. (5 V, l mA).
P fig. 2.323 er det komplette forstrkertrins DC-vrdier vist (intet
AC-signal tilfres).

Fig. 2.323. DC-kvivalentskema af enkelttrinsjordet emitterkobling.

Kvilektormodstanden Re vlges til den nrmeste standardvrdi, der svarer til Rv I det foreliggende tilflde vlges fra E12-rkken (se fig.
1.104):

Re= 4700 ohm

Emittermodstanden RE vil i de fleste tilflde have en passende vrdi,
hvis UE =/E RE~ l til 2 volt.

l
<R <
2
l 10-3 - E - l 10-3

85

Da transducerens indre modstand Rg er forholdsvis stor, og det nskes, at

Ri er i strrelsesordenen med Rg, vlges fra E12-rkken en vrdi for RE,
der er s stor som muligt, idet RE indgr i formlen for beregning af RB2 .
RE=

1800 ohm

Basisspndingsdeler. For at holde basispotentialet konstant uanset ndringer i basisstrmstyrken /B, vlges komponentvrdierne i spndingsdeleren RB 1 - RB2 sdan, at /B 2 er ca. ti gange strre end /B (/B2 ~10 /B),
d.v.s. spndingsdeleren RB 1 - RB 2 er svagt belastet.

Transistorens DC-strmforstrkning hFE' der kan hentes fra et datablad,

er for den valgte transistor 200, hvorfor
hFE
200
36000 ohm
RB2 :-RE=-1800=
10
10

Fra E 12-rkken vlges

R82 = 39 kohm
RBl .... Ucc- UB
UB

RB2

VB= VE+ VBE:: Iea RE+ VBE

RB 1 -

10 2 5
- , . 39 103
2,5

Fra E12-rkken vlges

R81

86

120 kohm

=l

lQ-3 1800 + 0,7

= 117 103 = 117 kohm

=2,5 V

Forstrkertrinnets data med de valgte komponentsvrdier:

l

ee-

Ucc

Re+ RE

10
= l 5 mA
4700 + 1800
'

Iea = 0,7 mA
UeEa = 5 V

A = - l Ca . T)- l l R
u
UT ... 'C
L

= - O,7 . 10-3

25,7 10-3

6
4,7 5,0 10 = -66
(4,7 + 5,0)103
o

Au -70 gange
R.=
RBB//h1 = (
1
e

RBl. RB2 ) //
RB1 + RB2

h;_e = 120.39 106 3 // 8,7 103

(120 + 39) 10

R1 = 6,7 kohm

Ru= Re= 4,7 kohm

Hvis forstrkningen ikke er tilstrkkelig, og der ikke nskes forringelse
af impedanstilpasningen, vil forstrkningen kun kunne forhjes ved at
reducere RE, men dette vil i givet fald kun give en yderst ubetydelig forgelse. Skal der, med den angivne belastning RL, opns en virkelig forgelse af forstrkningen, kan forstrkeren udformes med flere forstrkertrin.
For at kontrollere om der p arbejdslinien er "plads" for ueE uden at der
forekommer "klipning", kan der foretages flgende overslagsmssige
betragtninger:
ug = l O mV ' ugpeak
U
=
mdpeak

u
gpeak

Um dpeak '""' UBE

UcE

=../2 . 10 . 2 =28 mV

~ + Rg

= 28 .

S,7
6,7 + 10

= 11 m V

= 11 m V

=Au UBE = 70 11

= 770 m V

Da UeEa- 5 V vil der ikke vre risiko for "klipning" jf. fig. 2.321.
Ved valget af de modstande, der indgr i forstrkertrinnet, skal der tages hensyn til effekten. Da effekten, der afsttes i Re er vsentlig strre
87

end de effekter, der afsttes i de vrige modstande, kan beregningerne

indskrnkes til at omfatte
PRc =Re fc2 = 4700 (0,8 lQ-3)2 = 3,0 IQ-3 W

Som modstandstype kan sledes vlges mindste standard p O, l W.

Forstrkertrinnets g rnsefrekvens.
Forstrkertrinnet fig. 2.318 indeholder to overfringskondensatorer og en
emitteratkoblingskondensator. Forstrkeren er sledes en RC-koblet type,
der vil have en nedre grnsefrekvens fn p grund af, at kondensatorerne
ved lave frekvenser ikke lngere kan betragtes at have impedansen nul
over for vekselstrm. Den vil endvidere have en vre grnsefrekvens f
forrsaget af, at der ved hje frekvenser dannes interne kapacitanser i
transistoren, sledes som vist p fig. 2.324.

Fig. 2.324.

Omrdet mellem disse to grnsefrekvenser kaldes forstrkerens middelfrekvensomrde. Her er forstrkningen Anm uatbngig af frekvensen,
som vist p fig. 2.325.
Au
Au m

Lavfrekvensomrde

fn

--1

fmid

Middelfrekvensomrde

Fig. 2.325.

88

fe

t-- HJfrekvensomrde

Darlingtonkobling
En darlingtonkobling kan som vist p fig. 2.326 opbygges af to transistorer TI og T2.
Indgangssignalet fres gennem RI til basis p TI. Tl's emitterstrm /E 1
bliver:
/El =/Bl+ /Bl . hFEl "'/Bl . hFEl
/E 1

er basisstrm for T2 og giver derved mulighed for en kailektorstrm

pa:

--------------~-------

T2

Fig. 2.326. Dar/ingtonkobling.

Det vil heraf fremg, at den samlede forstrkning

kobling bliver:

hFE

for en Darlington-

hFE = hFEl . hFE2

Fototransistor
Den sdvanlige (NPN) bipolare fototransistor kan ses som en naturlig
udbygning af fotodioden, idet den simpelt hen kan opfattes som et diodepar, hvor den ene (emitter-basis) drives i gennemgangsretningen, mens
den anden (kollektor-basis) drives i sprreretningen - alts som fotodiode, se fig. 2.327.

89

u :Ns

~
re
4 4

Uo

Fig. 2.327. Fototransistor.

Basis kan lades svvende, idet den af strlingen genererede fotostrmstyrke s at sige erstatter basisstrmstyrken. Der ptrykkes dog undertiden
basisspnding til fiksering af arbejdspunktet, hvorved man opnr strre
stabilitet, men mindre flsomhed.
lc(mA)
IO

9.0

l/
_k v

8.0

7.0

6,0

.....

5,0

6.0
S. O

'.0
3,0

3.0
2.0

2.0
H=10mW/cm2

1.0

t.

10

12

14

16

18

20

UcE (v ol t)

Fig. 2.328. Karakteristik for fototransistor.

Karakteristikker Uc = fiUcE)] for fototransistorer er som for sdvanlige

transistorer, idet blot strlingens effekt f.eks. mlt i mW/cm2 remplacerer
basisstrm som parameter, se fig. 2.328.
90

Fotodarlington
I princippet er en fotodarlington en fototransistor, men har langt strre
forstrkning, idet en enkelt enhed indeholder to transistorer, som vist p
fig. 2.329.

Fig. 2.329. Fotodarlington.

Strmforstrkningen for en fotodarlington er produktet af de enkelte

transistorers strmforstrkninger og vil vre af strrelsesordenen l 03 til
105 .

Felteffekt-transistor
MOS-felteffekt transistorens grundbestanddel er en skive monokrystallinsk silicium, som kaldes "substratet". Bestr substratet af P-materiale,
diffunderes heri to N-zoner, der henholdsvis kaldes source og drain. Gateelektroden udgres af en metalbelgning oven p et siliciumdioxidlag i
omrdet mellem source og drain. Mellem source og drain ligger der to
modsat rettede PN-overgange, sledes at en af PN-overgangene altid vil
vre sprret, uanset hvorledes man polariserer source og drain i forhold
til hinanden. Hvis gate tilfres en positiv spnding i forhold til substrat
(fig. 2.330), vil der ske flgende:
l) Ved lav spnding, f.eks. mindre end l volt, vil en del af hullerne i
P-omrdet mellem source og drain umiddelbart under oxidlaget
frastdes, sledes at dette smalle omrde, der normalt betegnes Nkanalen, bliver negativt ladet, men enheden vil fortsat vre sprret, da ionerne er bundet til krystalgitteret og derfor ikke kan deltage i ladningstransport
91

2) Ved hjere spnding, f.eks. over 2 volt, bliver feltstyrken s stor,

at der trkkes elektroner ind i N-kanalen fra de tilgrnsede Nomrder. Kanalen er dermed ben, og der flyder strm gennem
den, nr der ptrykkes en spnding mellem source og drain.
So u re e

+O

Drain

Go.te

~J r*'~;j-sl o,
.

l
- o

~Substrat

Fig. 2.330.

Felteffekttransistorer af MOS-typen fremstilles tillige med substrat af Nmateriale. Heri diffunderes to P-zoner, hvorved der opstr en P-kanal
mellem source og drain. Der skelnes derfor mellem N-kanal MOS og Pkanal MOS.
Symbolerne og karakteristikkerne for transistorerne, som indgr i integrerede kredse er vist p fig. 2.331.
1

Drain

Gate

U as

Uas=

Uas= -::-?2\Jvr=======:Tiuos

-4v---.. .
-6V---

-----+av

.-----+6V
~----+4V

+2V

-av--~

P- Kanal

N-Kanal

Fig. 2.331 . MOS-transistorer. Bemrk, at P-kanal transistoren og N-kanal transistoren arbejder i et negativt, henholdsvis positivt spndingsomrde.

92

U nijunction-transistor
Unijunction er en vigtig komponent med negativ modstandskarakteristik
Den er dannet ved indlegering af en emitter (P-zone) i en halvlederstang
af N-typen som vist p fig. 2.332. Stangen er udstyret med terminaler i
hver ende - de skaldte basiselektroder B 1 og B 2 , idet man ptrykker en
spnding UBB mellem disse med positiv pol p B 2

ls2

Fig. 2.332. Unijunction transistor.

S lnge emitterspndingen UEBl er mindre end en vis spnding UP' er

FN-overgangen sprret, men nr emitterspndingen overskrider UP' diffunderer huller ind i stangen fra emitteren og tiltrkkes af B 1, som er den
negative pol. Denne ekstra positive ladning tiltrkker elektroner fra B1,
og stangens modstand i omrdet l 1 aftager. I begyndelsen falder stangens
modstand hurtigere end /E forges, hvorved UEBl falder med voksende
/E. Den dertil svarende modstandskarakteristik er vist p fig. 2.333. Er
stangen ikke forspndt (/B2 = 0), fr man en normal diodekarakteristik.

Sprreomrde
Fig. 2.333. Unijunction transistor.

93

Unijunction transistorer (UJT) er velegnede til mange switchfunktioner.

Dens specielle (negativ dynamisk) modstandskarakteristik medfrer, at
den kan virke som aktivt element i oscillatorer, mono- og bistabile multivibratorer, triggerkredse etc.
Fig. 2.334a viser en typisk oscillatorkobling, hvor kondensatoren oplades via modstanden RT. Nr emitter-basis l spndingen UEBl vokser op
(se fig . 2.334b), vil emitter-basis l strkningen
til triggerspndingen
blive ledende, og kondensatoren udlades hurtigt via R1 , som er vsentligt
mindre end RT - typisk 100 ohm. Derefter oplades CT atter, og forlbet
gentager sig. Forudstningen er imidlertid, at emitterstrmmen ligger
mellem visse grnser. Er den for lille, vil unijunction transistoren ikke
trigges, og er den for stor, vil der indtrde permanent mtning. Belastningslinien skal sledes skre den faldende del af UEBl-/E karakteristikken som vist p figuren. Dette medfrer flgende begrnsninger for RT's
strrelse:

up

ucc - uv < Rr < ucc - up

IP

IV
+ Ucc

'

UEs 1
Ucc
Belastningslinie

Up

VV1.
Uv
lp

Rr

o
Fig. 2.334. Oscillatorkobling.

hvor indekserne p og v angiver top og bund ("peak" og "valley") for den

faldende del af karakteristikken. I praksis viser det sig, at man br vlge
RT til2-3 gange mindstevrdien.
For sm vrdier af R1 og R2 ( << RT) kan svingningsfrekvensen beregnes ved hjlp af udtrykket:
l

!= Rr . cT . l n -1-TJ
l
94

'

hvor 17 normalt er opgivet i unijunction transistorens datablad. 1] ligger

typisk mellem 0,5 og 0,8.
Spndingen, der opstr over eT, bliver savtakformet, men med denne
simple opstilling kan der ikke opns en liner savtakform.
Liner savtakform kan opns, hvis eT oplades med en konstant strm.
En konstant strm opns ved at erstatte RT i fig. 2.334 med en skaldt
konstant-strm-generator. Fig. 2.335 viser en sdan kobling, hvor der
som konstant-strm-generator er anvendt en transistor med konstant forspnding, idet le som bekendt er nsten uafhngig af UcE s lnge arbejdspunktet ligger over karakteristikkens "kn".

0_.....______---+-____.,.
Fig. 2.335. Savtakgenerator.

Af fig. 2.334 og fig. 2.335 fremgr det, at hver gang UJT'en trigges
(bliver gjort ledende), vil der foruden den strmimpuls, der gr gennem
emitteren og som danner savtakspndingen, kunne udtages strmimpulser p svel basis l som basis 2.

2.4 STYREDE DIODER

Inden for gruppen af styrede dioder finder man:
-thyristoren,
-slukkethyristoren,
-triacen.
95

Thyristor
Thyristaren (engelsk: SCR = Silicon Controlled Rectifier) er et PNPNelement (se fig. 2.40la), der har den egenskab, at den foruden at sprre i
sprreretningen tillige sprrer i gennemgangsretningen, med mindre den
p en srlig styreelektrode (GATE) fr ptrykt en kortvarig styreimpuls,
hvilket kaldes trigning. Sker dette, vil thyristaren tnde momentant,
d. v.s. g fra afbrudt til ledende tilstand, forudsat at anode-katode spndingens polaritet er rigtig (anode + og katode -) i tndingsjeblikket
A

ANODE.

T1

N
GATE

T2

N
KATODE

Fig. 2.401. Thyristorens transistoranalogi.

Thyristarens virkemde kan beskrives ved en transistoranalogi som vist

p fig. 2.401b, hvor man tnker sig, at en thyristor er opdelt i to transistorer, en PNP og en NPN, koblet sammen som vist p fig. 2.401c.
Tilsluttes thyristaren en jvnspnding, og belastes den med en belastningsmodstand RL som vist p fig. 2.402a, ses det, at Tl har sin basisstrm fra T2's kailektor og omvendt.

Fig. 2.402. Thyristor.

96

Er TI i OFF-tilstand, vil T2 ogs vre i OFF-tilstand, da den ingen styrestrm fr p basis. Thyristaren vil sledes virke som en ben afbryder,
og strmmen i kredslbet vil vre nul.
Tilfrer man nu gatenenpositiv spnding, vil basis p T2 blive positiv,
hvorved T2 gr ON. Der vil nu g en strm fra plus gennemTl's emitter/basis, gennem T2 og videre gennem RL til minus. Denne strm styrer
TI ON.
Med Tl iON-tilstand vil Tl's kollektorstrm, der samtidig er basisstrm
for T2, holde T2 iON-tilstand, sarlan at thyristaren nu ikke mere behver
den positive spnding p gaten (triggerspnding).
For at f afbrudt strmmen, m man afbryde det ydre kredslb, f.eks.
ved hjlp af den viste brydekontakt
Nr strmmen gennem thyristaren er afbrudt, vil begge transistorer vre
OFF, hvorfor thyristaren frst kan tndes igen, nr gaten fr tilfrt ny
triggerimpuls.
I virkeligheden vil det ikke vre en praktisk brugbar lsning at anvende
to transistorer for at opn en funktion, der svarer til en thyristors, idet
denne for at virke korrekt krver forskellige grader af dopning og udstrkning af P- og N-omrderne.
P fig. 2.402b er vist thyristarens symbol og p fig. 2.403a og b er vist
eksempler p udformning og indkapsling, idet a er i plastichus og b i
metalhus.

1.5 .

0.9 ,i!- 2,2

2,5 2,5 2,5

b
Fig. 2. 403. Thyristarens indkapsling.

Thyristarens karakteristik, der er vist p fig. 2.404, minder meget om en

almindelig diode-karakteristik, d. v.s. at den bde har en sprreretning og
en gennemgangsretning.

97

Fig. 2. 404. Thyristarens karakteristik og kredslbssymbol.

ges spndingen UA over thyristaren til en bestemt vrdi i gennemgangsretningen med ben gate (10 = 0), vil thyristaren tnde af sig selv,
og overg tilledende tilstand.
I de fleste thyristoranvendelser foretages tnding ved at tilfre gaten en
plusspnding. I fig. 2.404 er vist strm-spndingskarakteristikker ved to
forskellige gate-strmme.
Trigning tilbage til blokeret tilstand kan normalt ske ved, at UA reduceres, indtil strmmen bliver mindre end holdestrmmen I Ah
Tvinger man p samme mde thyristoren til at bne i sprreretningen,
vil den derimod delgges.
Thyristaren kan i jvnstrmskredse bruges som kontaktls afbryder til
ind- og udkobling af store effekter. P fig. 2.405 er vist nogle metoder,
der kan anvendes for at f thyristoren tndt (trigget):
a -ved at tilfre gaten positiv spnding igennem en begrnsermodstand,
b- ved at tilfre gatenenpositiv impuls,
c- ved at tilfre katoden en negativ impuls.

98

+---+---

Fig. 2.405. Tndemetoder.

Nr thyristoren skal slukkes, kan dette ske ved hjlp af en af de p fig.

2.406 viste metoder, hvor slukningen foregr ved:
a -at afbryde strmmen igennem thyristoren,
b -kortvarigt at kortslutte thyris toren, hvorved strmmen gennem den
falder til under I Ah
c -at forspnde thyristoren med omvendt polaritet. Dette kan opns
ved hjlp af en kondensator, der med tndt lampe vil oplades til
forsyningsspndingen gennem modstanden R. Kondensatorens
polaritet bliver som vist med plus p hjre plade og minus p
venstre. Nr kontakten sluttes, vil kondensatoren forbindes parallelt med thyristoren, der derved bliver omvendt forspndt af kondensatoren.

Fig. 2.406. Slukkemetoder.

99

Thyristaren kan i vekselstrmskredse foretage en halvblgestyring som

vist p fig. 2.407. Dioden V2 skal srge for, at gaten kun tilfres de positive triggerimpulser, sdan at undig varmeudvikling i gatekredsen under
de negative halvblger undgs. Ved ohmsk belastning vil thyristoren
slukke, hver gang forsyningsspndingen og dermed strmmen gennem
V l passerer nulpunktet.

V1

Fig. 2.407. Halvblgestyring.

Belastningens spndingskurve uH =f( mt) har et lille hak i svel kurvens

for- som bagkant. Hakket i forkanten skyldes, at der optrder en lille
tidsforsinkelse efter netspndingens nulvrdi og indtil triggerimpulsen
har opnet en sdan strrelse, at den kan gre thyristoren ledende. Hakket
i bagkanten skyldes, at thyristaren slukker nr netspndingens jebliksvrdi er faldet til UAh (se fig. 2.404).
En mere udbredt anvendelse af thyristoren er dog i forbindelse med impulsstyring, der er vist p fig. 2.408.

100

u2
H

:J

wt

v
TRIGGER

...

wt

UH

,_ / l

Fig. 2.408. lmpulsstyring.

Styreimpulserne frembringes i en trigger-enhed. De synkroniseres med

netspndingen, og kan frembringes p forskellige tidspunkter i forhold til
netfrekvensen.
Ved at variere tndimpulsens fasebeliggenhed i forhold til nettets sinuskurve (tndvinklen a, udstyringen), kan man udnytte en strre eller
mindre del af sinuskurven og sledes ndre p middelvrdien af jvnspndingen over belastningsmodstanden H.
Middelvrdien af jvnspndingen kan beregnes af udtrykket:
Uda = -

i21t .J2 .u2. Sln(rot)

.
. d(rot),

27t o

hvor U2 er effektivvrdien af transformerens sekundrspnding.

Uda =

.J2 .1tu2 (JoO

ra d(rot) + l1ta sin(rot) d(rot) + J1tr21t O d(rot))
2

101

Uda. =

J2.2nU2 (-[cos(rot)J")
a

U da. =

.J2 U2 (-(-1- cos a)) = J2 U2 ( 1 + cos a)

2n

Uda = U 2
4,44

2n

(1+

cos a)

Triggerenheden i fig. 2.408 kan vre opbygget som vist p fig. 2.409.

r- - - - - - - - - - - - - - - - l

V1

R3

<(- },

~/\/-l

-"'

l
l

l
l
~~7

_-h-_o __ /- -"'-l
1--

l
l

X2

L - - - - - - - - - - - - - - - - ____l
Fig. 2.409. Triggerenhed.

Nr potentialet p transformerens klemme Xl er positivt, vil dioden V l

vre ledende, og spndingen over zenerdioden V2 vil antage vrdien
Uz. Denne spnding driver en strm gennem RT1 og RT2 og oplader kondensatoren eT. Nr kondensatorspndingen kommer op p unijunction
transistorens UP-spnding, bner denne og aflader kondensatoren. Derved frembringes der over R1 et spndingsfald, der virker som triggerimpuls for thyristoren.
Ved hjlp af potentiometeret RT1 kan udstyringen reguleres, d. v .s. ndring af tndvinklen a.
Zenerdioden V2 skal sikre, at spndingen over unijunction transistoren
holdes p en tilladelig vrdi.

102

Slukkethyristor
Slukkethyristoren, der almindeligvis benvnes GTO-thyristoren fra engelsk Gate Tum-OFF thyristor, er en thyristor som kantrigges tilbage til
blokeret tilstand ved, at man vender triggeimpulsens polaritet, d. v .s. tilfre styreelektroden (gaten) et negativt signal.

Fig. 2.410. Slukkethyristor.

P fig. 2.41 O er vist symbolet for en slukkethyristor, der m fremstilles

med en vsentlig strre styreelektrode end en thyristor. Ofte er den forsynet med to styreelektroder.
Nr en slukkethyristor er tndt, har den egenskaber som en thyristor.
Nr dertil kommer, at den kan slukkes ved hjlp af en negativ styreimpuls, vinder den stadig strre udbredelse frem for en thyristor (SCR), idet
man ved anvendelse af GTO-thyristoren kan opn:
- eliminering af komponenter, der i et netvrk er pkrvet for at
opn tvungen kommutering,
- reduktion af akustisk og elektromagnetisk stj som flge af elimineringen af kommuteringsnetvrket,
- hurtigere slukketider, der tillader brug af hjere koblingsfrekvens.
Nvnte forhold gr, at slukkethyristoren isr har vundet udbredelse i
forbindelse med selvkommuterende strmrettere, der er beskrevet i kapitel 3.4.

Triac
Triac er navnet p en halvlederkomponent med tre elektroder, som er i
stand til at lede en vekselstrm, nr dentriggersp GATE med et signal,
p lignende mde som ved thyristoren.
Symbolet for en triac er vist p fig. 2.411. Den afviger fra thyristaren
ved, at den kan lede strm i begge retninger og kan trigges med bde
positivt og negativt gate-signal, hvorfor betegnelserne anode og katode

103

ikke kan anvendes ved en triac. I stedet kaldes hovedterminalerne henholdsvis T 1 ogT2.

Fig. 2.411. Triac.

P fig. 2.412 er vist, hvordan man ved hjlp af en triac, kan styre en belysning i to trin.
H

Vl

V2
1
'

''"L. -l

"

Fig. 2.412. To-trins styring af belysning.

N r omskifteren S str i stilling l, trigges triacen ikke, og strmkredsen

til lampen H er afbrudt.
Med omskifteren i stilling 2, vil kun den ene halvperiode af netspndingen passere dioden V2 og trigge triacen, hvorved lampen H kun modtager den ene halvblge.
I stilling 3 trigges triacen i begge halvperioder, og belastningen er fuldt
indkoblet.
Modstanden R har til forml at begrnse gatestrmmen.
P fig. 2.413 er vist et kredslb, hvor der i triacens gatekreds er indskudt en komponent, hvis symbol svarer til triacens, men uden gate. Denne komponent betegnes en DIAC, og anvendes til trigningsforml.
En diac er opbygget af tre lag halvledermateriale, hvorved der fremkommer to sprrelag, hvoraf det ene altid vil vre forspndt i lederetning og det andet altid i sprreretning. Indtil en vis spnding vil diacen
104

sprre, men overstiger den ptrykte spnding diacens gennembrudsspnding, nedbrydes sprrelaget, og diacenbliver ledende.

Vl

Fig. 2.413. Trinls styring af belysning.

Nr kredslbet fig. 2.413 tilsluttes en vekselspnding, vil kondensatoren i

den ene halvperiode oplades positivt over den variable modstand, og
frst, nr kondensatorspndingen overstiger diac'ens gennembrudsspnding, bliver denne ledende og trigger triacen, der ogs bliver ledende. I nste halvperiode oplades kondensatoren med modsat fortegn, og
nr kondensatorspndingen bliver tilstrkkelig stor, vil diacen igen lede
og trigge triacen, s den leder i modsat retning. Med den variable modstand kan man regulere den tid, det tager at oplade kondensatoren til diacens gennembrudsspnding og dermed regulere den tid, hvor triacen er
ledende.

105

3. Strmretterkredse

3.1 STRMFORSYNING

I blokskemaet fig. 3.101 er vist de enheder, der indgr i en strmforsyning til et elektronisk anlg.
2
IND

11[1 ~l* l lrY l l ~l

~
~
~
~
>

UD

Fig. 3.101. Strmforsyningsenhed.

P figuren an gi ver:
l -transformer,
2 -ensretter,
3 - filter,
4 - stabilisering.

Transformeren har bl.a. til forml at tilpasse spndingen, at galvanisk

adskille og at hindre stjimpulser fra nettet i at komme ind i anlgget.
Ensretterkoblingen skal srge for ensretning af vekselspndingen fra
transformerens sekundrside. Som ensrettere til strmforsyning af elektroniske anlg anvendes fortrinsvis siliciumdioder i en-fasede koblinger,
hvoraf der bl.a. findes:
-envejskobling (E-kobling),
-midtpunktskobling (M-kobling),
-brokobling (B-kobling).
106

Envejskoblingen giver enkeltensretning af en vekselspnding. P fig.

3.102 er vist en envejskobling, hvor belastningen RL er ren resistiv.

:J

Fig. 3. 102. Envejskobling.

Tilfres der koblingen en sinusformet vekselspnding, vil kun de positive

halvperioder frembringe strm gennem belastningen. Betragtes dioden
som ideel, d.v.s. der ses bort fra diodens sluse- eller trskelspnding, vil
spndingsforskellen ud over belastningsmodstanden RL flge de positive
halvperioder af spndingen u2 = J2. u2 . sin(mt), hvor u2 er sekundrspndingens effektiv vrdi.
u2

1T
Fig. 3.103.

P fig. 3.103 er vist kurveforlbene for u2 og ud. Middelvrdien af

spndingsforskellen ud over belastningen RL kan mles ved hjlp af et
drejespoleinstrument (se fig. 3.1 02). Kendes den tilfrte vekselspnding,
kanjvnspndingens middelvrdi ud udregnes, idet

107

ud =l- i21t~(oot)d(oot)
21t o

m . u2 .sin(oot)d(oot)
ud =l- i21t ..;2
2 n o

ud = J2 .u2<i1tsin(rot) d(rot) + 121to d(rot))

2n

ud

1t

~. u2(-[cos(rot)]~ +o)
21t

ud = .J2 .u2 (-(-l- l)) = .J2 .u2 . 2 = .J2 .u2

2 1t

21t

1t

(l)

Strmstyrken id vil ved en ren ohmsk belastning forlbe som vist p fig.
3.104. Strmstyrkens middelvrdi /d kan udregnes som:

Id= ud

(2)

RL

1T

211

311'

wt

wt
Fig. 3.104.

108

Middelvrdien /d svarer til hjden af det rektangel, som har samme areal
og grundlinie som en periode af sinuskurven.
Er der tale om en ikke ren jvnstrm, har man indfrt begrebet effektivvrdi. Man definerer en vekselstrms effektive strmvrdi Jeff som
strrelsen af den jvnstrm, der vil udvikle den samme effekt i en modstand som vekselstrmmen.
Forholdet mellem strmmens effektivvrdi og dens middelvrdi betegnes formfaktoren F.
F=

Jeff

(3)

Jmid

I en envejskobling omfatter strmmen kun de positive halvperioder,

hvorfor den i belastningsmodstanden udviklede effekt er:
2
Jeff RL =

Jeff=

1 ((u2 )2
)
RL RL
2

u2

(4)

J2 . RL

Strmmens middelvrdi kan udtrykkes som:

l .d = I d = Ud = 0,45 U2
nu
RL
RL

(5)

Indsttes udtrykkene (4) og (5) i (3), finder man:

F=

Jeff =

Jmid

u2 .RL

J2 RL 0,45 U2

1,57

Ligger formfaktoren nr l, er der tale om en god kurveform. En ren

jvnstrm svarer til F= l.
Et ml for ensretterkoblingens evne til at omforme vekselspnding til
jvnspnding kan udtrykkes som strrelsen af forholdet mellem den
overlejrede vekselspndings effektivvrdi, der kaldes ripple- eller
brumspndingen, og den ensrettede spndings middelvrdi.
RF = Ubr

ud

(6)

Brumspndingen Ubr kan som vist p fig. 3.105 mles med et bldtjernsvoltmeter med stor indre modstand i serie med en kondensator, idet kon109

densataren ikke vil tillade jvnspndingskomponenterne at slippe igennem, og bldtjemsvoltmeteret mler effektive vrdier.
For en enkeltensretter kan brumspndingen mles til ca. 120% af den
ensrettede spndings middelvrdi, hvilket giver en rippiefaktor p:
RF ~ 1,2 . Ud = 12

ud

Fig. 3.105.

Midtpunktskoblingen giver dobbeltensretning af en vekselspnding, og

nyttiggr sledes i modstning til enkeltensretteren begge vekselspndingens halvperioder. P fig. 3.106 er vist en midtpunktskobling med en
resistiv belastning.
V1

V2
Fig. 3. 106. Midtpunktskobling.

I hveranden halvperiode vil potentialet p klemmerne Xl og X2 skiftevis

vre positivt, og de tilsvarende dioder V l og V2 vil derfor vre ledende.
I det jeblik spndingen ved Xl er positiv, vil strmmen iv1 lbe i den
viste kreds, fra transformerens klemme XI, gennem dioden V l, belastningen RL og tilbage til transformerens midtpunkt. P fig. 3.107 er vist kurveforlbene for u 2, ud og id = iv1 og iv2
110

wt

wt

wt
Fig. 3.107.

Da transformerens sekundrside kun arbejder med den ene hal vdel ad

gangen, m hver halvdel kunne afgive den fulde spnding (U2).
Man finder analogt med enkeltensretteren:
Middelvrdien af spndingen:
Ud

l
21t

=-

i27t~(rot)d(rot) = 0,90U2
o

Middelvrdien af strmmen:
Id= Ud= 0,90U2
RL
RL

Effektivvrdien af strmmen:
Jeff

u2

:;=

RL

Formfaktoren:

F = I eff = -l- = 1,11

Id
0,90

111

Ripplefaktoren, idet brumspndingen Uhr bliver ca. 50% af den ensrettede spndings middelvrdi Ud:

RF = Ubr = 0,5 . Ud = 0,5

ud

ud

I forhold til enkeltensretning er middelvrdien her fordoblet, mens

effektivvrdien er forget med faktoren ..J2.
Brokoblingen eller Graetz-koblingen er vist p fig. 3.108a. Ofte samles
de fire dioder i en plasticindkapsling, hvis udformning kan vre som vist
p fig. 3.108b. Strrrunen gennem belastningen er identisk med strmmen
i midtpunktskoblingen (se fig. 3.107), sledes at de samme betragtninger
kan benyttes:

o,9. U2
l, 11
0,5

u=*

,..,.Lr=====~

~,ij------- -- 1)

b
Fig. 3. 1OB. Brokobling.

I brokoblingen vil der for hver halvperiode altid vre to dioder i serie.
Dioderne vil derfor i brokoblingen kun blive udsat for den halve sprrespnding i forhold til midtpunktskoblingens dioder. Brokoblingen byder
endvidere p den fordel, at man undgr midtpunktsudtag p transformeren, men da strmmen m passere to dioder i serie i stedet for en, vil der
opst strre effekttab og dermed drligere virkningsgrad.

112

Filtrering af "rippie"
Som fig. 3.103 og fig. 3.107 viser, afgiver ensretterne en pulserende
jvnspnding. Til strmforsyning af halvlederkoblinger er en "glattet"
j vnspnding ndvendig, d. v .s. impulserne m udjvnes med et filter.
Sdanne filtre kan enten vre kapacitive eller induktive.
Filter med kapacitiv indgang
P fig. 3.109a er vist et kapacitivt filter i forbindelse med en ubelastet
enkeltensretter.

v
b
ly

J! ]

Ud

c
1\
l \

l \ _, l

ll

l
/i

j{'

2'Tt'

1\

wt

,_/ ll

1\
l
l
l

ll

l
l

3l't

41t

wt

Fig. 3. 109 Ubelastet ensretter med kapacitivt filter.

Fig. 3.109b viser transformerens sekundrspnding u2 , der vil oplade

'ondensatoren til den p fig. 3.109 c viste spnding
ud= U2max =

.J2

U2

Af fig. 3.109c fremgr det, at spndingsforskellen over dioden V er

ud - u2 i de perioder, hvor dioden er i sprret tilstand. Den strste spndingsforskel over dioden vil sledes for en ubelastet kobling andrage
2 U2max =2,8 U2
P fig. 3.11 Oa er vist en belastet enkeltensretter med kapacitiv t filter.
Fig. 3.11 Ob viser transformerens sekundrspnding u2 Antages det, at
spndingen over kondensatoren C til begyndelsestidspunktet er nul, vil
113

u2 = fi u2. sin (wt)

v
iv

:J

wt

RL

wt

1\

l\
'li
l ._/ 11
l

l
l

lT

2n

3lT

4ll

wt

Fig. 3. 11 O Belastet ensretter med kapacitivt filter.

dioden V fre strm indtil 2, og spndingen ud over kondensatoren vil

flge u2, som vist p fig. 3.110c. Ved 2 opnr u2 sin maksimalvrdi og
aftager derefter. Da C ikke aflades s hurtigt, som u2 aftager, vil ud nu
blive strre end u2 , hvorved diodens katodespnding overstiger anodespndingen, og dioden sprres. Ladestrmmen iv bliver nul, mens kondensatoren aflades gennem Rv Afladningen bestemmes af strrelsen af
tidskonstanten RLC, men nr u2 atter har samme strrelse som ud vil dioden pny begynde at lede. Kondensatoren oplades atter til vrdien
.J2 .u2' hvorp der flger en ny afladning gennem RL o.s.v.
Til fastlggelse af strrelsen for kondensatoren C glder som tommelfingerregel, at man for
enkeltensrettere skal benytte en kondensator med en kapacitet p 2

JlF' for

hver l mA belast-

ningsstrm, og ved dobbeltensrettere en kondensator med en kapacitet p l 11F for hver l mA

belastningsstrm.
Ved dimensionering af kondensatorens spnding skal det tages i betragtning, at transformerens tomgangsspnding kan vre op til 20% hjere end spndingen under belastning, og at hele
spidsspndingen af den ensrettede vekselspnding i tomgang vil lgge sig over kondensatoren

(jf. fig. 3.1 09).

Filter med induktiv indgang

Den simpleste form for filter med induktiv indgang er vist p fig. 3.111a.

114

1'2 = ../2 U2 sin(mt)

id = f(mt) ved L = O

U2,id

'd
~-
ud

:1

RL

wt

Fig. 3.111.

Strmmen id vil ved L = O (ohmsk belastning) flge kurveforlbet for u2

som vist p fig. 3.111b. Ved voksende L vil strmmens maksimalvrdi
aftage, og faseforskydningen mellem u2 og id vil forges.
I den tid strmmen id lber i kredsen, kan dioden V ikke udve nogen
sprrevirkning. Ses der bort fra spndingsfaldet over den ledende diode,
vil kurveforlbet af spndingen ud = ft. (J) t) sledes flge kurveforlbet af
spndingen u 2 =j{(J)t), (se fig. 3.112).

"f'f,
l

l/b

~ ..w t
w

Fig. 3.112.

Af fig. 3.112 fremgr det. at strmmen. i den del af perioderne, hvor

spndingen u2 er negativ og dioden er ledende, skal lbe op mod
netspndingen, idet strmmen drives af den i spolen inducerede selvinduktionsspnding. Ved at anbringe en skaldt frilbsdiode parallelt
115

med belastningen som vist p fig. 3.113, opns, at strmmen i den del af
perioderne, hvor netspndingen er negativ, kan tage vejen gennem frilbsdioden V2, og vil aftage eksponentielt med tiden jf. kapitel 1.4..

V1

Fig. 3. 113. Filter med frilbsdiode.

Dette simple induktive filter benyttes sjldent i forbindelse med enkeltensretning, men er velegnet ved dobbeltensretning som vist p fig. 3.114.

V1

u]

u2
u2

iv1

V2

..............
iv2

Fig. 3. 114. Filter med induktiv indgang.

Den induktive belastnings selvinduktionsspnding vil holde dioderne VI

og V2 strmfrende ud over en halv periode. Dette medfrer, at summen
af strmmene gennem de respektive dioder, vil vre udglattet.
116

Der vil opns bedre udglatning d. v .s. mindre ripple, nr forholdet ~~

forstrres.
Med L --7 oo vil id =f (m t) aftegne sig som en ret linie.

tr- type filter

Ved at kombinere et filter med kapacitiv og induktiv indgang, fs et skaldt K-type filter som vist p fig. 3.115.
L

c,
Fig. 3. 115. li-filter.

Ved hjlp af et n--filter opns en meget hj grad af udglatning.

Stabilisering
Spndingsforsyningen til et styringsanlg kan blive udsat for ret store
variationer i netspndingen. For at rde bod p dette er strmforsyningen
ofte udstyret med en stabiliseringsenhed, der uanset variationer i spndingsforsyningen og belastningen afgiver en konstant spnding.
Stabilisering med zenerdiode

Den enkleste form for stabilisering opnr man ved brug af en zenerdiode.
En sdan stabiliseringskreds er vist p fig. 2.206.
Stabilisering ved hjlp af en spndingsregulator

Spndingsregulatoren har til forml at omdanne jvnspndingen fra

ensretterkoblingen til en bestemt og stabil udgangs-jvnspnding og at
opretholde denne spnding over et stort variationsomrde af belastning.
For at kunne opfylde denne funktion, er en typisk spndingsregulator i
integreret udfrelse udstyret med:
-et referenceelement, der giver et kendt og stabilt spndingsniveau,
-et element, deraftaster udgangsspndingsniveauet (sampling),
117

-et sammenligningskredslb, der sammenligner udgangsspndingen

(jebliksvrdien) med referencen (nskevrdien) og afgiver signal i tilflde af afvigelse,
-et styringselement, der ndrer udgangsspndingen i takt med afvigelsens strrelse.
Spndingsregulatorernes indkapsling er beregnet for indlodning p
printplade. Der skelnes mellem 3-terminal spndingsregulatorer, der har
fast udgangsspnding (se fig. 3.116), og regulatorer med indstillelig udgangsspnding (se fig. 3.117). Udgangsspndingen for regulatoren fig.
3.117 kan indstilles ved hjlp af de eksterne modstande RI og R2 (RI og
R2 virker som modkoblingsnetvrk). Begge typer spndingsregulatorer
fremstilles med enten positiv eller negativ udgangsspnding.
U ud

u Ind

IN

Uud Uind

3-terminat OUT
spndmgsreg.

IN

COMMON

C2

C1

Regulerbar
spndingsreg.

CONTROL
COMMON

--

-=-

Fig. 3.116.

Fig. 3.117.

For at opn tilfredsstillende udgangsspnding, skal indgangsspndingen

hele tiden vre et par volt over udgangsspndingen. Kondensatoren Cl
er ndvendig, hvis regulatoren er anbragt i nogen afstand fra ensretteren,
og kondensatoren C2 har til forml at forbedre filtreringen og undertrykke transienter i udgangen.
Til at indikere, hvor tt en spndingsregulator kommer de ideelle forhold, angives, i forbindelse med de normale specifikationer som ind- og
udgangsspnding, temperaturforhold o.lign., to begreber, der benvnes
Line Regulation og Load Regulation.
Line Regulation er den ndring i udgangsspndingen en ndring i indgangsspndingen giver anledning til. Load Regulation er den ndring i
udgangsspndingen en ndring i belastningsstrmmen giver anledning
til.

118

3.2. STRMRETTERTEKNIK FOR FLERFASEDE SYSTEMER

Ved hjlp af strmrettere kan den elektriske energi omformes og styres.
Strmretterens funktion bestr i, at den periodisk veksler mellem ledende
og ikke ledende tilstand. Som strmretterventiler i ilerfasede systemer
anvendes i dag s godt som udelukkende silicium halvlederkomponenter.
Til at anskueliggre strmretterens virkemde, benyttes den p fig.
3.201 viste kobling, der bestr af to vekselspndingskilder Ul og U2, to
ensretterventiler V l og V2, to afbrydere Sl og S2 samt en belastningsmodstand R.

U2

Fig. 3.201.

'ekselspndingeme Ul og U2 har forskellig frekvens og amplitude og

!il have et kurveforlb som vist p fig. 3.202.
Ensretterventilerne V l og V2 har den egenskab, at de tillader strmgen~mgang i ventilsymbolets pilretning (gennemgangsretning), p grund af
:orsvindende lille modstand, men ikke i den modsatte retning (sprreretningen), idet ventilen i denne retning har uendelig stor modstand. Som
flge heraf vil der, med afbryderne SI og S2 sluttet, ikke lbe en
strmstyrke fra den ene spndingskilde over gennem den anden.
Derimod vil der gennem belastningen R lbe en strmstyrke id, der vil
have et kurveforlb som vist p fig. 3.202a. I tiden t0-t2 vil id flge grafen

= sin (2cvt) (proportionalitet mellem u1 og id), idet spndingens po-

laritet inden for dette omrde gr det muligt at drive en strm gennem
ventil Vl (Vl er forspndt i lederetningen).
Til tiden t2 er begge spndingernes jebliksvrdier lige store, og
spndingen u2 vil, efter at t 2 er passeret, vre strre end u1 . Flgen heraf
vil vre, at strmstyrken id herefter vil ophre med at blive ledet gennem
119

u1

= y'2 U sin(2c..>t)

l/

'' ' \

l/

,l

\l\'

2n

l
!

S1 SLUTTET
, 52 SLUTTET

'

!
o

l
l
l

t5

l t,

t7

~~::::-_-:_-~~;_..._-----___=.=--.:-~J~~~J-''c-_-:::: "!
b)
Fig. 3.202.

VI (VI er forspndt i sprreretningen), men vil istedet blive ledet

gennem ventilen V2 (V2 er forspndt i lederetningen), og vil indtil tiden
t3 flge grafen ~ =sin (3cvt) (proportionalitet mellem u2 og id).

Dette skift fra en ventil til en anden kaldes kommutering og nr det som
i dette tilflde er netspndingen, der er bestemmende for kommuteringstidspunktet, kaldes det naturlig kommutering.
Fra t3 til t 4 vil der ikke lbe nogen strm gennem R, fordi begge spndinger i dette tidsinterval er polariseret sdan, at begge ventiler er sprret
for strmgennemgang.
Fra t 4 kan begge ventiler lede, men da u 1 er strre end u2, vil kun ventil
V l vre virksom og fre strmmen id indtil t5 . Der vil her ikke fore120

komme kommutering, da der frst til tiden t6 vil kunne lbe strm gennem V2.
P fig. 3.202b er vist, hvordan id forlber, nr afbryderne S l og S2
sluttes og brydes p vilkrlige tidspunkter i lbet af en periode. Der vil
ikke lbe en strm i kredsen fr afbryder S l sluttes til tiden t 1. Fra t 1 til
t20 er ventil V l ledende. Til tiden ~o sluttes S2 og der vil finde en kommutering sted, sdan at V2 vil vre ledende fra t20 til t3 Mellem t3 og t4
vil ingen af ventilerne kunne lede, uanset afbrydernes stillinger.
Sluttes svel S l som S2 til tiden t4 vil ventil V l vre virksom som flge
af, at spndingen u1 er strre end spndingen u 2 Ved at bryde S l til
tiden t 41 , vil der samtidig med at strmmen gennem ventil Vl bliver afbrudt, indfinde sig en kommutering af ventil V2. Ventil V2 vil sledes
have strmgennemgang indtil nulgennemgang af spndingen u2 Den
kommutering, der fandt sted til tiden t 41 foregik ved, at den ventil, der var
ledende som flge af at vre pvirket af den strste spnding, bliver afbrudt, og dermed tvinger den anden ventil til at blive aktiv, kaldes for
tvungen kommutering.
Efter tiden t 6 vil der ikke kunne finde kommutering sted, idet kun
spndingen u2 er positiv, men det er muligt at reducere jvnstrmmens
middelvrdi, ved f.eks. at forsinke tndingen af ventil V2 indtil tiden t60 .
Af fig. 3.202 fremgr det, at der kun villbe en strm gennem belastningskredsen i de perioder, hvor vekselspndingen er positiv. Derfor
benvnes koblingen fig. 3.201 en positiv ensretterkobling. Hvis dioderne
Vl og V2 vendes, vil kun vekselspndingens negative halvperioder
frembringe strm gennem belastningen, hvorfor en sdan kobling da
betegnes en negativ ensretterkobling. Normalt foretrkkes positiv ensretterkobling, men negativ kobling indgr bl.a. i trefasede brokoblinger (se
kapitel 3.3).

3.3 TREFASEDE ENSRETTERKOBLINGER

P fig. 3.301 er vist tre ensretterventiler og tre ens spndingskilder, der
er stjernekoblet og sledes udgr en symmetrisk trefaset vekselspnding.
Koblingen benvnes trefaset envejskobling eller midtpunktskobling.
Gennem modstanden R vil der lbe en jvnstrm, hvis jebliksvrdi i
modstning til jvnstrmmen i fig. 3.201, aldrig vil vre nul; idet der
altid vil ligge en spnding i gennemgangsretningen over en af ventilerne.

121

Fig. 3.301.

Herved vil der finde en cyklisk kommutering sted, sdan at ventilerne vil
vre ledende i en rkkeflge, der vil vre bestemt af nettets faseflge.
Ensretterne i en sdan kobling kaldes ofte netstyrede ensrettere med naturlig kommutering eller blot netkommuterede ensrettere.
Ustyret ensretter i trefaset envejskobling
Den praktiske udformning af en ensretterkobling er vist p fig. 3.302,
hvor tre halvlederdioder er tilkoblet vekselstrmsnettets tre faser via en
transformer. Diodernes tre katoder er forbundet til et stjernepunkt, hvorfra jvnstrmmen fres gennem en belastningskreds, der bestr af en
udglatningsdrossel L, en modstand R og en modelektromotorisk kraft E
(fremmedmagnetiseret jvnstrmsmaskine), og tilbage til transformerens
stjernepunkt Belastningskredsens selvinduktion er s stor, at strmstyrken gennem belastningskredsen vil blive strkt udglattet.
L1

L2

L3

u",
v3

to

ud
i

il

t2

t1

~d=t(wt)
V1

V2

V3

Id

-;;tf
Fig. 3.302. Ustyret ensretter i trefaset envejskobling.

122

Betragtes fasespndingerne til et vilkrligt tidspunkt t0 , ses det, at fasespndingen u2L1 er positiv i forhold til u2L2 og u2L3. Diode Vl er alts
forspndt i lederetningen, hvorfor diode V l vil fre belastningsstrmmen.
Til tiden t 1 skrer de to spndingskurver u2L1 og u2L 2 hinanden og efter
t 1 vil u2L2 vre mere positiv end u2L 1 og diode V2 vil herefter vre forspndt i lederetningen. Diode Vl vil blive forspndt i sprreretningen,
og belastningsstrmmen vil herefter lbe gennem diode V2. Til tiden t2
vil diode V3 overtage strmmen. Der foregr sledes en naturlig kommutering ved de tidspunkter, hvor spndingskurverne skrer hinanden. De
kraftigt optrukne udsnit af spndingernes sinuskurver p fig. 3.302 vil
sledes tilsammen udgre den over belastningen vrende jvnspnding
ud, hvis middelvrdi Ud kan beregnes som arealet under spndingskurven i en periode divideret med periodetiden. Ved beregningen er der ikke
taget hensyn til spndingsfald og tab i ensretterkoblingen, hvorfor den
udregnede jvnspnding er den, der vil kunne mles under tomgang.
l
ud=-

lTo

~L(t)dt

hvor U2L = J2 U2L sin (COt), idet U2L er fasespndingens effektivvrdi.

Ud kan udregnes som lTC gange tre arealer som vist skraveret p fig.
3.302.
l
Ud=- 3
21t
ud =

5n;
6

J2 U2L sin(rot) d(rot)

3 J2 CJ2L [-cos(rot)] :Sx

21t
6

Ud= 1,17 U2v

hvor U2 L som nvnt er fasespndingens effektivvrdi. Udtrykt ved den
sekundre netspndings effektivvrdi U2 er:

ud= ~. U2 = 0,67 u2
Den maksimalt forekommende sprrespnding vil bl.a. vre bestemmende for valg af diode. Af fig. 3.302 fremgr det, at diodernes anodepotential vil vre bestemt af fasespndingen u2L, mens deres katodepo123

tential vil vre afbngig af, hvilken diode, der er ledende, idet en ledende diode kun vil have lille gennemgangsspndingsfald. Den ledende diodes fasespnding er sledes katodepotential for de ikke ledende. Af vektordiagrammet fig. 3.303 vil det fremg, at sprrespndingens effektivvrdi over en ikke ledende diode vil svare til transformerens sekundere
netspnding. Vektordiagrammet viser sprrespndingen over diode V l ,
nr diode V2 er ledende.
L1

L2

L3
Fig. 3.303.

Styret ensretter i trefaset envejskobling

Fig. 3.304 viser en tilsvarende trefaset envejskobling som fig. 3.302, blot
med den forskel, at dioderne her er erstattet af thyris tarer.

L1

L2

L3

jtl

~d~f(wt)

~.~v-1~~--v2~~v~3-~~ Id
:

isttl h

L l

~t

Fig. 3.304. Styret ensretter i trefaset envejskobling.

Thyristarer har den egenskab, at de for at gres ledende, dels skal vre
forspndt i lederetningen, dels skal have tilfrt en tndimpuls. Tilfres
124

thyristoreme en tndimpuls, nr spndingskurverne skrer hinanden,

opns samme jvnspnding som ved diodekoblingen i fig. 3.302. Tndtidspunktet svarende til spndingskurveroes skringspunkt betegnes
derfor som det naturlige tndtidspunkt, og da jvnspndingen her har
sin maksimale vrdi, siger man, at ensretteren er fuldt udstyret og deres
tilhrende styrevinkel a= 0.
Thyristoreme tndes i takt med den trefasede vekselspnding ved hjlp
af tnd- eller styreimpulser fra en netstyret trigger. For en stjernekobling
som vist p fig. 3.304 skal triggeren afgive tre impulser pr. periode, og
disse impulser skal have en indbyrdes afstand p 120. Nr tndtidspunktet forskydes, forskydes samtlige impulser.
Ved at forskyde tndtidspunktet bort fra det naturlige tndtidspunkt, vil
det vre muligt at ndre jvnspndingens middelvrdi som vist p fig.
3.305, hvor forlbet af jvnspndingen udcx = j(mt) er angivet ved styrevinklerne a= 30, 60 og 90. Endvidere er jvnspndingens middelvrdi Udcx angivet p figuren.

_J

e =

~ (3~

Fig. 3. 305. Spndingskurver ved induktiv belastet trefaset

envejskobling med styrede ventiler.

125

Ved styrevinkler a. > 30 vil spndingskurven g under nullinien. Dette

skyldes, at der i belastningskredsen forekommer en stor selvinduktion,
hvis inducerede elektromotoriske kraft vil drive en strm gennem thyristaren og holde denne ledende. Thyristaren vil kunne holdes ledende
indtil skift ved nste triggerimpuls under forudstning af, at den optagne
energi i belastningskredsen (t .L . 1 2 ) kan bevare holdestrmmen gennem
thyristoren _
Middelvrdien af udgangsspndingen Uda. findes ved at det negative
areal under nullinien fratrkkes det positive areal over nullinien. For
styrede ensrettere har man tilsvarende deustyrede ensrettere:
Uda. =

3 . .fi . u2L r:+a. sin(rot) . d(wt)

2. 1t
J~+CI.

Uda. -- 3 . .J2 .u2L [-coscwt)]5:+a.

n
21t
s+a.

1,17

U2L

cosa

Middelvrdien bliver mindre med voksende a og opnr vrdien nul

ved a= 90, hvilket tillige fremgr af fig. 3.305, idet figuren viser, at de
negative og de positive arealer er lige store.
Belastes den trefasede envejskobling med en ren ohmsk modstand som
vist p fig. 3.306, vil jvnspndingen uda. =f (cot) ved styrevinkler a=
oo, 30, 90 og 150 forlbe som vist.

126

L2

L1

lst!N l

~(-~~
(90)

L3

,t

l l

--- is'U b..

wt

~--.
56fT l-

OJt

(150)

Fig. 3.306. Ohmsk belastet trefaset envejskobling.

Ved styrevinkler strre end 30 vil spndingen i perioder antage vrdien

nul. Disse perioder vil have en strre udstrkning med stigende styrevinkel og vil ved a= 150 have en sdan udstrkning, at spndingen er nul.
127

Middelvrdien af udgangsspndingen Uda er for styrevinkler a

og ren ohmsk belastning:
udCJ.

= 3 . .J2. u2L
2 -n

fn
7t

-6 +a

sin(cot) . d(cot)

_ 3 .J2 U 2L [-COS(COt)]nE
2. 1t
6+0.

UdCJ. -

Uda :::: Ud

Uda

l+ cos(~+ a)
- cos 561t + cos~
6

l+ cos(~+ a)
::::Ud --~--

J3

~(l + cos(~+ a))

P fig. 3.307 er vist fire forskellige drifttilflde.

A - ohmsk belastning
B -induktiv belastning
C - akkumulator belastning
D - motorbelastning.

128

30

LI

L2

L3

--

11

A) Ohmsk belastning

L1

L2

L3

11

B) Induktiv belastning

LI

L2

L3

l
l

l
l

'tb ~. l~
~ff~'\A
.l

C) Akkumulator belastning

ld(X)

D) Motorbelastning

Fig. 3.307.

129

Nr der alene indgr en ohmsk belastning i strmretterens jvnstrmskreds, som vist p fig. 3.307 A, vil jebliksvrdien af jvnstrmmen
id(x) flge grafen ud~xJ = sinx. I de perioder, hvor koblingens udgangsspnding er nul, vil strmstyrken id ogs vre nul. Der opstr sledes
"huller" i strmstyrken, hvorfor den kaldes hullet eller ufuldstndig
jvnstrm.
Er belastningen induktiv og er reaktansen i jvnstrmskredsen meget
stor, vil jvnstrmmen blive strkt udglattet, som vist p fig. 3.307 B.
Ved akkumulator belastning som vist p fig. 3.307 C, vil der kun lbe
strm gennem belastningen, nr jebliksvrdien af jvnspndingen udcx
er strre end akkumulatorens elektromotoriske kraft E.
I tilfldet som vist p fig. 3.307 D, hvor strmretteren kun er belastet af
en fremmedmagnetiseret shuntmotor (ingen udglatningsdrossel), kan der
vre s lille selvinduktion i jvnstrmskredsen, at der ikke optages tilstrkkelig med energi til, at thyristarens holdestrm kan opretholdes
indtil nste triggerimpuls. I sdanne tilflde vil jvnstrmmen forlbe
som en ufuldstndig jvnstrm.
Af fig. 3.307 D fremgr det, at selvinduktionen i kredsen er i stand til at
vedligeholde strmmen i et stykke tid, sledes at belastningsspndingen
kommer under nullinien. Imidlertid er selvinduktionen ikke s stor, at den
kan vedligeholde strmmen, indtil nste thyristor tnder. Dette medfrer, at strmmen i et tidsrum er nul. Nr strmmen er nul, leder thyristoreme ikke, og motoren vil virke som tomgende generator, der inducerer
en elektromotorisk kraft E, som samtidig er et udtryk for spndingens
middelvrdi Udcx' da motorens omdrejningshastighed jo indstiller sig efter
spndingens middelvrdi. I det tidsrum strmmen er nul, vil E aftegne
sig som et vandret kurvestykke. Drifttilflde med ufuldstndig jvnstrm vil ofte forekomme, nr motoren krer i tomgang eller er ringe
belastet.
Trefasede brokoblinger
Ved at foretage seriekobling af to trefasede envejskoblinger - en positiv
og en negativ koblet envejskobling - kan der dannes en trefaset brokobling som vist p fig. 3.308a. Brokoblingen er fuldstyret, og skal styres af
en seks-impuls netstyret trigger, der afgiver impulser med en indbyrdes
afstand p 60.

130

oc: :sO

b)

c)
V1

V3

vs

V6
V2

Fig. 3. 308. Fuldstyret brokobling.

I det verste koordinatsystem i fig. 3.308 viser den verste kraftigt optrukne kurve udgangsspndingen fra en trefaset positiv koblet envejskobling Uf. fig. 3.304) og den nederste kraftigt optrukne kurve udgangsspndingen fra en trefaset negativ koblet envejskobling. I begge tilflde
ved en styrevinkel a = oo.
Brokoblingens udgangsspnding kan tnkes som differencen mellem
de to spndinger fra henholdsvis den positiv koblede og den negativ
koblede envejskobling, d. v .s. afstanden mellem de to kraftigt optrukne
kurver i det verste koordinatsystem.
Differencen mellem de to kurver er indtegnet i det nederste koordinatsystem, og der er pskrevet hvilke to fasespndinger, der til de aktuelle
131

tidspunkter danner spndingen. Endvidere er der i et skema vist, hvomr

de enkelte thyristarer er ledende.
Udgangsspndingens middelvrdi Uda. vil med fuld udstyring have en
vrdi, der er dobbelt s stor som ved envejskoblingen.
Uda. =ud. cos a= 2,34.

u2L

ved a= 0,

hvor U2L er fasespndingens effektivvrdi. Udtrykt ved netspndingens

effektivvrdi U2 er
Uda =Ud cos a= 1,34 U2 ved a= 0

Koblingen fig. 3.308a krver en transformer med to st sekundre viklinger. Da imidlertid sekundrviklingernes stjernepunkter er koblet sammen, vil de thyristorterminaler, der er sluttet til viklingerne, parvis have
samme potential. Det vil sledes vre muligt at opn samme funktion
med en enklere transformer, som vist p fig. 3.308b. Den trefasede brokobling tegnes ofte som vist p fig. 3.308c, der kun i tegnemde adskiller
sig fra fig. 3.308b.
Middelvrdien af brokoblingens udgangsspnding vil variere med udstyringsvinklen p tilsvarende mde som ved den trefasede envejskobling.
Har selvinduktionen i belastningskredsen en sdan strrelse, at der opns
en fuldstndig jvnstrm, vil spndingskurverne ved styrevinklerne a =
0, 30, 60 og 90 forlbe som vist p fig. 3.309, hvor de kraftigt optrukne kurver i de verste koordinatsystemer angiver de tnkte envejskoblingers udgangsspndinger og de kraftigt optrukne kurver i de
nederste koordinatsystemer angiver brokoblingens udgangsspnding.
Ved a= 90 ses det, at de negative arealer er liges store som de positive
arealer. Dette betyder, at middelvrdien af spndingen bliver nul (Uda.=
ud . cos 90 =O).

132

OC=60

Fig. 3.309. Spndingskurver ved induktiv belastet fuldstyret brokobling.

Det forhold, at transformerens stjernepunkt ikke indgr i strmkredsen i

en trefaset brokobling, muliggr, at der kan anvendes andre transformerkoblinger end YN.
En variant af en trefaset brokobling er den halvstyrede brokobling, der
er vist p fig. 3.310. Af figuren fremgr det, at tre thyristarer er erstattet
af tre dioder. Dette medfrer, at den halvstyrede brokobling kun kan
anvendes, nr der af strmretteren ikke bliver forlangt mulighed for vek133

seiretterdrift (se efterflgende kapitel). Brokoblingen styres af en tre-impuls netstyret trigger.

,
l

l
l

V1
V3

V5

_J
l

______ j

.
l

-- -- J

v
----------- ~---.---.-.-

Fig. 3.310. Halvstyret brokobling.

P fig. 3.311 er vist forlbet af de tnkte envejskoblingers udgangsspndinger ved to styrevinkler, og under hver af disse, kurveforlbet af
brokoblingens udgangsspnding. Det vil umiddelbart fremg af kurverne,
at udgangsspndingens middelvrdi frst vil antage vrdien nul for a=
180, til forskel fra den helstyrede brokobling, hvor uda =o for a= 90.
Ved a= 180 vil den strmfrende thyristor imidlertid ikke n at blive
sprret, fordi den efterflgende thyristor umiddelbart efter tndtidspunktet vil vre forspndt i sprreretningen. Der vil med andre ord ikke
kunne n at finde en kommutering sted. Nr dertil kommer, at kommuteringen ikke kan foreg uden nogen tidsforsinkelse, ligger begrnsningen i
udstyringsvinklen p ca. 150. Den halvstyrede brokoblings jvnspndingsvrdi kan som flge heraf ikke helt blive nul. Forholdet kan dog
forbedres, hvis de tre dioder, som antydet med punkteret linie p fig.
3.310, tilsluttes et udtag p transformerviklingen med ca. 90% af mrkespndingen.

134

<

<X

< 60

60

< o< < 180

Fig. 3.311. Spndingskurver ved induktiv belastet halvstyret brokobling.

I det jeblik jvnspndingens jebliksvrdi nr vrdien nul, vil en induktiv belastning bevirke, at der induceres en elektromotorisk kraft, der
vil vre i stand til at drive en strm gennem frilbsventilen V. Frilbsventilen V vil dermed sikre, at jebliksvrdien af jvnspndingen vil
opn vrdien nul, nr styrevinklen a> 60.

3.4 TREFASEDE VEKSELRETTERKOBLINGER

Netkommuteret strmretterkobling
P fig. 3.401 er vist en strmretterkobling, der svarer til ensretterkoblingen fig. 3.304, men som i stedet for en modelektromotorisk kraft i
jvnstrmskredsen har en spndingskilde Gvnstrmsgenerator).
Thyristcreme tndes i takt med den trefasede vekselspnding ved hjlp
af styreimpulser fra en netstyret trigger.
Er strmretterens udstyringsvinkel u = 90, s er jvnspndingen
Uda = Ud cos a = O. Generatoren krer derved ubelastet, selv om

135

strmreneren er i drift. Ved denne styrevinkel kan der sledes ikke overfres effekt.
Forges styrevinklen a til en vrdi, der er strre end 90, vil det fremg
af ligningen Udrx. = Ud cos a, at energiretningen i strmretteren vil vre
modsat energiretningen ved ensretterdrift, idet cosinus til vinkler strre
end 90 er negativ, hvorfor jvnspndingen har omvendt polaritet. En
del af den i generatoren udviklede jvnstrmsenergi afsttes i modstanden R og den vrige del overfres til vekselstrmsnettet; strmretteren
arbejder som vekselretter. Nr generatoren sledes afgiver energi til nettet, vil der opns en skaldt regenerativ bremsning af ankeret.
P fig. 3.401 er, ved styrevinklerne a= 120 og 150, vist forlbet af
jvnspndingen uda. = f(x), endvidere er jvnspndingens middelvrdi
ud angivet p figuren.

L2

L3

Fig. 3.401. Induktiv belastet strmretter i vekselretterdrift

Som flge af, at kommuteringen tager en vis tid, kan styrevinklen hjst
forges til c a. 150, idet strre styrevinkler kan bevirke, at kommutering
ikke finder sted (den strmfrende thyristor sprres ikke fr den nste
tnder), hvilket kan resultere i en kortslutningslignende tilstand.
P fig. 3.402a er vist princippet for den i tilknytning til fig. 3.304 og fig.
3.401 omtalte netkommuterede ensretter- og vekselretterkobling.
For at kombinere de to koblinger, skal det imidlertid iagttages, at
ankerstrmmen under begge driftsformer skal passere thyristoreme i gennemgangsretningen. Da strmretningen gennem jvnstrmsmaskinens
anker skifter retning, nr den ved samme omdrejningsretning gr fra
136

motor- til generatordrift, vil det vre pkrvet, enten at ndre omdrejningsretningen ved overgangen fra motor- til generatordrift, eller at indskyde en omskifter, ved hjlp af hvilken ankerstrmmens retning gennem
koblingen kan ndres.

Selvkommuteret strmretterkobling
Skal strmretteren tilsluttes et jvnstrmsnet, som vist p fig. 3.402b,
styres thyristorernes tnd- og slukketider af et selvkommuterende kredslb. Strmretternes udstyringsvinkel ndres ved hjlp af styrespndingen ust

31V -...---.....-

Spnding og
frekvens
variabel
~

3~

a) Netkommuteret
strmretter

(G)

b) Selvkommuteret
strmretter

Fig. 3.402.

Udgangsspndingen fra de selvkommuterede strmrettere kan styres ved

at pvirke en af flgende strrelser:
l - indgangsspndingen,
2 - udgangsspndingen,
3- kurveformen.
P fig. 3.403 er vist hvordan ndring af kurveformen ved en enfaset
strmretterkobling kan ske enten ved at danne udgangsspndingen UL
som differencen mellem to potentialer u1 og u 2 med indbyrdes faseforskydning, hvilket benvnes fasevinkelstyring, eller som differencen mellem to potentialer u1 og u2 med forskellig pulsbredde, hvilket benvnes
pulsbreddestyring eller pulsbreddemodulering.
137

P fig. 3.403 er thyristoremes tndperioder vist med kraftig optrukne

streger i tidsfunktionsdiagrammeme.
+ Ud o---......-------,
2

_ Ud

o---..,.________,

2
Enfaset selvkom mu ter e t str mretter

-- - -- --

TNDPERIODER

V1
V2-r
V3--:
V4
l

POTENTIALKARAKTERISTIKKER
1

~1 J

l
l

.....__l_ _ _':_
l

Ud

Ud
2
U
2d

titJ o-~,,
Fasevinkelstyring

-u.,_jcur-----,Ul---:I u~
1

Ud

~>l

FU

~-~
l
l
l
l

UDGANGSSPNDING UL=.t.t1-M2

POTENTIALKARAKT ERl STIKKE R

L:~u d

1 ___

E~!
-:r
l

UDGANGSSPNDING UL=.ti1-.t.<2

n_nn -~-~--,-lud
l

~UTI~t
Fig. 3.403.

Pulsbreddestyring

Trefaset strmretter med fasevinkelstyring

P fig. 3.404 er vist en symmetrisk ohmsk belastet brokobling, der er
sluttet til et jvnstrmsnet og som har et styrekredslb til tnding og
slukning af thyristoreme, sdan at de hver er ledende i perioder svarende
til -t T og med en indbyrdes forskydning som vist ved hjlp af kraftig
optrukne streger i tidsfunktionsdiagrammet fig. 3.404. Thyristoreme vir138

ker her som omskiftere, der i en bestemt orden indkobler forbrugeren p

jvnstrmsnettet.

'U GJ

UL2I

-d

Uu
Uu

R3

--- t

Fig. 3.404. Selvkommuteret strmretter med fasevinkelstyring.

Under idealiserede tnde- og slukketider for thyristoreme, vil den trefasede udgangsspnding forlbe som vist p fig. 3.404. Fasestrmstyrkens
forlb i perioden t0 , hvor thyristorerne Vl, VS og V6 er tndte, vil fremg
af fig. 3.405. Jvnstrmmen id fra klemme L+ villbe gennem thyristor
VI og modstand RI for derefter at fordele sig med halvdelen gennem R2V5, henholdsvis gennem R3-V6, til klemme L-.
Til tnding og slukning af brokoblingens thyristarer afgives der
styreimpulser fra et styrekredslb.
Thyristorerne tndes ved at fre en positiv impuls til gaten. Slukning af
brokoblingens thyristarer sker ved hjlp af et srligt slukkekredslb, der
139

er forbundet parallelt med broens thyristorer. Slukkekredslbet indeholder bl.a. en thyristor, der tndes af slukkeimpulsen. Slukkekredslbet vil
herved shunte brokoblingens thyristorer, hvorved strmmen gennem disse
vil blive mindre end deres holdestrm og thyristorerne vil slukke.

lu

R3

Fig. 3.405.

Ved symmetrisk ohmsk-induktiv belastning vil strmstyrkerne ved thyristorernes ind- og udkobling af belastningen ikke skifte momentant, som
ved ohmsk belastning, men vil ndre sig eksponentielt som flge af
induktionen. Herved opns, at strmkurverne ved ohmsk-induktiv
belastning vil have mere karakter af sinusformet forlb end ved ohmsk
belastning.
Under hver strmndring induceres der i belastningen en selvinduktionsspnding, der vil sge at modvirke den rsag, som har fremkaldt
den. Den energi, der herved opstr, vil man ofte have frt til nettet, hvilket kan realiseres ved at forsyne brokoblingen med dioder som vist p fig.
3.406.

Fig. 3.406.

140

Er den ohmsk-induktive belastning en trefaset asynkronmotor, vil der

kunne opns regenerativ bremsning af rotoren, dersom motoren lber
med oversynkron omdrejningshastighed.

Trefaset strmretter med pulsbreddestyring

Til systemer med pulsbreddestyring eller pulsbreddemodulering anvendes
ofte slukkethyristorer (GTO-thyristorer) som styrende element. Tnding
og slukning af thyristorerne kan varetages af en microprocessor.
For at det spndingssystem, som en trefaset vekselretter afgiver, skal
vre praktisk anvendelig, skal potentialkurverne u1 , u2 og u 3 have samme
kurveform og ligge 120 forskudt fra hinanden, sledes som vist p fig.
3.407.
V1

V2 --~~~--~~----~-
V3
~-~----~-~-~----~-~--~
V4--~~~--~~~--~--

--~~----~-~---~--~-~-

VS

V6~---------~-~--~---~-~---t

r-Lnr=Jr nn

M,J

UlJ

_j
2
M

t
J

Il

LIU c=J

nJJ 11 nJI nJJ

u L__j~ u~ u L

__j

MJlftF=l_JunLJ11unu't
-t
R3

Fig. 3.407. Selvkommuteret strmretter med pulsbreddestyring.

Differencen mellem potentialkurverne u 1, u2 og u3 danner udgangsspndingerne U11, U12 og U13 .

141

Ved at ndre p den tidsmssige udstrkning af de enkelte af udgangsspndingens spndingsimpulser, som vist p fig. 3.408, vil man ved
ohmsk-induktiv belastning kunne opn, at strmkurverne vil have karakter af sinusformet forlb.

t
Fig. 3.408.

3.5 STATISKE OMFORMERE

P fig. 3.501 er (SR) en strmretter, hvis udstyringsvinkel ndres ved
hjlp af styrespndingen ust
31V--.....- -

Ust

SR

it

Omlormer

Ust

SR

'f

Omformer

Spnding og
frekvens
variabel

(G)

(G)

a
Fig. 3.501.

Strmretternes funktion adskiller sig fra ensretter- og vekselretterdrift,

idet der her ikke er tale om ndring af vekselspnding til jvnspnding
og omvendt, men er tale om at overfre jvnstrmsenergi til jvnstrmsenergi med variabel spnding (fig. 3.501 a) eller at overfre vekselstrmsenergi til vekselstrmsenergi med variabel spnding og frekvens
(fig. 3.501 b). Dette betegnes som omformerdrift
142

Ved jvnstrmsomformeren (fig. 3.501 a) vekselrettes netspndingen

gennem en selvstyret vekselretter til en vekselspnding, der derefter
ensrettes gennem en thyristorbro til en jvnspnding, hvis strrelse kan
varieres ved ndring af styreimpulsernes udstyringsvinkeL
Ved vekselstrmsomformeren (fig. 3.501 b) ensrettes netspnilingen
gennem en ustyret ensretter til en j vnspnding, der derefter vekselrettes
gennem en selvstyret vekselretter til en vekselspnding med variabel
spnding og frekvens.
En statisk frekvensomformer er et eksempel p en vekselstrmsomformer.
Omdrejningshastigheden for en vekselstrmsmotor er i det vsentlige
bestemt af motorens poltal og frekvensen af den tilfrte spnding. Ved
stigende belastning vil omdrejningshastigheden falde nogle f procent.
Samtidig stiger det afgivne drejningsmoment, fordi slippet vokser. Det
samme sker med fasestrmstyrkeme.
Der foreligger sledes tre forskellige mder at ndre en asynkronmotors
omdrejningshastighed p. Det kan ske ved at ndre:
-frekvensen,
-slippet,
-poltallet.
Ved anvendelse af statiske frekvensomformere udnyttes den frste mulighed. Fordelene herved er, at man kan anvende en almindelig motor, og at
omdrejningshastigheden kan indstilles trinlst. Endelig, og det er ikke
mindst vigtigt, er omformeren indrettet sdan, at motoren kan opretholde
et konstant drejningsmoment selv om hastigheden ndres.
P fig. 3.502 er vist den principielle opbygning af en statisk frekvensomformer.

143

Spndingsregulator

Ensretter
L1
L2

:!:

L3

_j_

*l

-~

l L+-

li

Slukk:'-reds

t
L

SI~

Vekselretter

Mlekreds

Ju:uennQ-'kOf1

l
l

11'1,.,9'""'

- !

u
v

M.:~novreonhltd

R@fernce ror

Retrt"Ct tor

,-~

ve .. seltnetslynng

sana,ngssryr,ng

omdre,ungSh1Sit9f'IO<I

r-'

Slukkelved s

l~

-Q

Eleklromsll. $IArtslo

4'

...,-

Fell.venso..,toe
~vvvsong

Fig. 3.502. Statisk frekvensomformer.

Da motoren virker som et lavpas filter, er det ikke ndvendigt at den tilfres sinusformede spndinger. Det er tilstrkkeligt, at en af seks segmenter opbygget trappespnding tilfres motoren. Det indebrer imidlertid, at spndingen foruden grundfrekvensen indeholder et antal ulige
harmoniske. Det forger motortabene en smule og medfrer, at motoren
ikke kontinuerligt br belastes med mere end 90% af motorens pstemplede moment.
For at opn, at asynkronmotoren kan afgive et konstant moment fra start
til nominel omdrejningshastighed, er det ndvendigt, at den magnetiske
flux i motoren holdes konstant uanset frekvensen. Et kvivalentskema for
en asynkronmotor vil indeholde ohmske og induktive modstande. Mens
de ohmske modstande er uafhngige af frekvensen, er reaktansen i den
induktive del afhngig af frekvensen (XL= 2 1r f L). Ved en lavere
frekvens vil magnetiseringsstrmmen stige, fordi reaktansen bliver mindre ved faldende frekvens.
Heraf flger, at en reduceret frekvens m ledsages af en faldende forsyningsspnding. Hvis motorens omdrejningshastighed forges, m forsyningsspnding og frekvens p tilsvarende mde flges ad.
I den statiske frekvensomformer fig. 3.502 er indbygget en spndingsregulator, hvorfra fres en variabel jvnspnding gennem en mlekreds
til vekselretteren, der er en selvkommuteret strmretter med fasevinkelstyring. Denne omformer jvnspndingen til en trefaset vekselspnding,
hvis frekvens bestemmes af styresignalernes frekvens, der igen er afhngige af jvnspndingens strrelse.

144

Spndingsregulatoren er kombineret med en strmbegrnser, der tillader valg af maksimal driftsstrm, og dermed strst muligt drejningsmoment for motoren.
Koordinatsystemet fig. 3.503 viser motorens maksimalt tilladelige belastning som funktion af omdrejningshastigheden.
M/M 111

1,0

Selvventilation
M
M111
n
nm

0.4
0,2

0,2

= Kontinuerligt drejningsmoment
=Mrke-drejningsmoment
= Omdrejningshastighed
= Mrke-omdrejningshastighed

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

ntnm

Fig. 3.503.

Det ses, at i omrdet fra l 00% og ned til 50% af motorens pstemplede
omdrejningshastighed, kan et kontinuerligt drejningsmoment p 90% af
motorens pstemplede moment tillades. Nedsttes omdrejningshastigheden yderligere, m drejningsmomentet reduceres som angivet i fig.
3.503, idet klingen fra motorens indbyggede ventilator tillige formindskes. nskes strre moment ved lave omdrejningshastigheder, m motorens kling forbedres.
Ved omdrejningshastigheder strre end l 00% af motorens pstemplede
omdrejningshastighed m motoren kontinuerlig hjst belastes med et
drejningsmoment, der svarer til 90% af motorens mrkeeffekt.
Da thyristoreme i vekselretteren altid vil vre forspndt i lederetningen, kan thyristorerne ofte med fordel erstattes af transistorer, idet disse
bner og lukker lettere og hurtigere end thyristorer. Der opns dermed en
bedre virkningsgrad, men til gengld krves en njagtig styring af basis.
I funktionsskemaet fig. 3.504 af Danfoss statiske frekvensomformer er
anvendt transistorer i vekselretteren. Spndingen helt hen til vekselretteren er konstant, hvorfor svel spnding som frekvens skal kunne ndres i
vekselretteren. Styre- og reguleringskredslbet styrer transistorerne i
vekselretteren for pulsbreddestyring. Af fig. 3.505 fremgr det, hvordan
145

spnding og frekvens kan reguleres, idet a) viser pulsmnstret for opnelse af maksimal spnding og maksimal frekvens og b) viser pulsmnstret for halv spnding og halv frekvens.
--------l
Orivfl'kort

l
+--;-+-J1'---+1 u
..~-'t~-~ v

+--~~

_!_ _ _ _ _

Fig. 3.504. Funktionsskema af frekvensomformer.

r--

_,.r-

,.....!--

........

!-' .... -

..--

.....

'

IL,...

'

' ',

.....
.___

r.... ..........

..... .....

v....__

a)
r

~----

-- 1- -- - -- -r-

r-

r--

r-

-r-

-- -

b)
Fig. 3.505.

146

-- -- --- -.

Frekvensomformerens styrekort er delt op i fire grupper for henholdsvis

analoge indgange, digitale indgange tilpasset standardiserede PLC-krav,
analoge udgange til overvgning og relkontakt til alarmfunktion.
Betjening og programmering af frekvensomformeren foregr fra et
trykknapfelt som vist p fig. 3.506.
Data

-, l l ,-,

l-l

l- l

Menull1_1l 1_1
l 11

Fig. 3.506. Beljeningsfelt til frekvensomformer

Frekvensomformeren indeholder ca. 40 menuer, der hver er tilknyttet et

st data. Skift mellem menuerne sker ved betjening af "pil op" og "pil
ned" knapperne. Datafeltet viser altid vrdien for den aktuelle menu, og
det er altid denne data vrdi, der benyttes i reguleringen. Vrdien ndres
ved at betjene "pil op" og "pil ned" knapperne, nr "data"-knappen er
trykket ind.
Menuerne for udlsning og indstilling er delt op i fem grupper:

Udlsefunktioner. Her kan der urllses aktuelle vrdier for driften

som f.eks. omformerens udgangsfrekvens, aktuel motorspnding,
aktuel motorstrm og aktuel motormoment
Applicationsindstillinger. Her programmeres frekvensomformeren s
styringen passer til et givent forml. Som eksempler er indstilling af
minimum hastighed (min. Hz), maksimum hastighed (max. Hz), jogging- hastighed, der kan vre lavere end minimum hastighed, rampeop tid, der angiver tiden i sekunder ved krsel fra O Hz til nominel
147

motorfrekvens og rampe- ned tid, der angiver tiden i sekunder ved

krsel fra nominel motorfrekvens til O Hz.
Motordata. Her indlses motorens mrkedata for spnding, frekvens
og strmstyrke.
Styring og overvgning. Her indstilles start-, stop-, genindkoblings-og
reverseringsfunktioner.
Motorkompensering. Anvendes kun i tilflde af, at frekvensomformeren skal styre en motor, der ikke er omfattet af de af fabrikanten
anbefalede motorstrrelser.

148

4. Mlevrdiomsttere

4.1 MLEMETODER

Til brug i forbindelse med overvgning og automatisering af tekniske

anlg og processer, er det ndvendigt at kunne f mlevrdier for de i
anlgget eller processen forekommende fysiske strrelser, ligesom det
ofte vil vre nskeligt at kunne fjernoverfre mlinger til brug for registrering, regulering m.v.
En komponent (fler), der er i stand til at modtage information i form af
en fysisk strrelse og omdanne denne til information i form af en strrelse af samme eller anden art i overensstemmelse med en fysisk lov, benvnes en transducer (transor). En transducer kan til eksempel reagere p
en temperatur- eller trykndring og videregive informationen i form af en
spndingsndring, en modstandsndring eller en kapacitetsndring.
Den enhed, der reagerer p en transducers mlevariabel, og som omformer informationen, f.eks. gennem en forstrkerkreds, til et normeret
signal, der er egnet til transmission, og som udelukkende er en funktion
af mlevrdien, benvnes en transmitter.
Den generelle betegnelse for en komponent, der kan omforme mlevrdier er mlevrdiomstter. Symbolet for en mlevrdiomstter er
vist p fig. 4.101.
Er mlevrdiomstteren f.eks. beregnet til at omforme mekanisk tryk
til elektrisk spnding, kan dette angives i symbolet ved at skrive p i symbolets ene halvdel og U i den anden.

Fig. 4. 101.

149

En transmitters mlesignal er ofte en strmstyrke p 4-20 mA DC, som

transmitteren trkker fra linien, der derfor skal ptrykkes en vis spnding, for at transmitteren kan fungere.
P fig. 4.102 er vist, hvorledes jvnspndingsfdetransmittere kan vre
tilsluttet spndingsforsyninger og signalkredse.
p

-iZh~

. I~

l=0/4-20mA

Rb

a) Firetrdsprincip

.I~0/4-10mA I ~

H~~----------t----t?J::Nel
b) Tretrdsprincip

-:..:::___ .,_:--HI ~Ih,. . ____.. ;;;.:[2t:Net

1=4-20mA

c) Totrdsprincip

Fig. 4.102.
r

Den p fig. 4.102 a viste transmitters forsyningsklemmer P og N er direkte tilsluttet spndingsforsyningsenheden med to ledere, hvorigennem
strmforsyningen af transmitteren foregr. Den ydre signalkreds med
belastningsmodstanden R b tilsluttes de to separate klemmer S l og S2.
Transmitteren p fig. 4.102 b har den ene signalledning flles med
spndingsforsyningsenhedens ene leder.
Den tredie tilslutningsmulighed, der er vist p fig. 4.102 c, har en flles
ledningsfring for effekttilfrsel og signaltransmission.
Hvad 4 mA, henholdsvis 20 mA "betyder", afhnger af den aktuelle
transmitter. Hvis den skal mle en temperatur i intervallet O til 100C, vil
150

det vre rimeligt at justere transmitteren, s 4 mA betyder ooc og 20 mA

betyder l 00C. Den nedre grnse p 4 mA er valgt, s den overordnede
elektronik kan skelne mellem en temperatur p ooc og en defekt transmitter eller mlekreds.
Mange transmittere kan leveres med skaldt "SMART"-kommunikation,
d. v .s. med muligheden for at sende og modtage digitale data over den
samme to-trds linie, som i forvejen frer mlesignalet.
Oveni 4-20 mA signalet lgges SMART-transmitterens digitale signal,
der bl.a. muliggr, at mleomrdet kan omstilles ved fjernbetjening, hvilket kan udnyttes til f.eks. at udfre temperaturkompensering af mlesignalet.
Af eksempler p fysiske strrelser, der nskes mlt, kan nvnes:
temperatur,
tryk,
omdrejningshastighed,
vinkeldrejning,
ru veau,
gennemstrmning (flow),
mekanisk forskydning,
moment,
lys- og farveintensitet,
kemiske reaktioner.

Mlevrdiomstterens forml er som nvnt at videregive en information, der svarer til den mlte fysiske strrelse. Ved s godt som enhver sdan mling vil der imidlertid optrde mlefejl som flge af konstruktionsmde, omgivelsernes indflydelse, egetforbrug m.v.
For at f en information, der svarer til den sande vrdi, kan der foretages en kalibrering, hvilket vil sige, at bestemme den njagtige afvigelse
mellem mlevrdi og sand vrdi. Enhver kalibrering flges af en kalibreringsrapport, af hvilken det fremgr, hvilke afvigelser man skal justere
sine mlinger med. Rent teoretisk kan man godt klare sig med kalibreringsrapporten for at finde frem til den sande vrdi, men det vil sandsynligvis vre upraktisk og give anledning til fejl fr eller siden. Derfor
foretages der normalt p grundlag af kalibreringen en justering, hvorved
mlevrdiomstteren bringes til at afgive sand information,

151

Den sande vrdi findes i internationalt vedtagne standarder. Til eksempel er temperatur en af syv grundenheder i det internationale enhedssystem, SI, og dens enhed, kelvin, er defineret som:
En kelvin er 11273,16 af den termodynamiske temperatur af vands
trip lepunkt.
Enheden er sledes defineret ved valg af en vrdi for en universel og
reproducerbar stoftilstand, nemlig vands triplepunkt.
Da enheden kelvin normalt ikke anvendes i dagligdagen, er det normal
praksis at udtrykke temperaturen som dens forskel fra is smeltepunkt.
Dette punkt er 0,01 kelvin lavere end vands triplepunkt. SI-systemet definerer l oc ud fra flgende ligning:

oc = K-273, 15
Disse definitioner er klare, men det er srdeles vanskeligt af foretage
njagtige mlinger af den termodynamiske temperatur ved andre stoftilstande, da der hertil krves anvendelse af gastermometre. P den anden
side findes idag kommercielt tilgngelige instrumenter, som har god flsomhed og reproducerbarhed over for temperaturndringer. Disse instrumenter kan anvendes til praktisk mling af temperatur, selvom den
tilsvarende termodynamiske temperatur ikke behver at vre kendt.
For at definere procedurer ved hjlp af hvilke, specificerede termometre
af tilstrkkelig kvalitet kan kalibreres, sledes at vrdier for temperaturer
opnet ved hjlp af disse termometre kan vre njagtige og reproducerbare, samtidig med at de tilnrmer de tilsvarende termodynamiske vrdier s tt som teknologien tillader, er der udarbejdet en international
temperaturskala, ITS-90.

' Triplepunktet af et stof er den temperatur, hvor de tre faser - fast form, flydende form og luftform - sameksisterer i ligevgt

152

Fixpunkterne optaget i ITS-90 er flgende:

Equilibrium state
Triple point of hydrogen
Boiling point of hydrogen at
a pressure of 33321.3 Pa
Boiling point of hydrogen at
a pressure of 101292 Pa
Triple point of neon
Triple point of oxygen
Triple point of argon
Triple point of mercury
Trip le point of water
Melting point of gallium
Freezing point of indium
Freezing point of tin
Freezing point of zinc
Freezing point of aluminium
Freezing point of silver
Freezing point of gold
Freezing point of copper

13,8033

-259,3467

17,035

-256,115

20,27
24,5561
54,3584
83,8058
234,3156
273,16
302,9146
429,7485
505,078
692,677
933,473
1234,93
1337,33
1357,77

-252,88
-248,5939
-218,7916
-189,3442
-38,8344
0,01
29,7646
156,5985
231,928
419,527
660,323
961,78
1064,18
1084,62

Da det er upraktisk i daglig kalibrering og justering at sammenligne med

frnvnte fixpunkter, benyttes i stedet kalibrerede termometre til at vise
den sande vrdi.
I et termostatreguleret temperaturbad som vist p fig. 4.103 anbringes
det kalibrerede termometer sammen med det instrument, der nskes kalibreret. Der foretages derefter mling ved et antal punkter indenfor instrumentets mleomrde, hvorefter der kan fastlgges en korrektionstabel
eller en korrektionskurve. Det er vigtigt, at der ved mling af hvert punkt
medgr en passende tid til temperaturudligning.

153

Termostatreguleret
varmelegeme

Fig. 4. 103. Prvebnk for termometre.

I forbindelse med anvendelse af kalibrerede termometre skal man vre

opmrksom p, at disse kan have specificeret en neddykningsdybde, der
kan vre:
- delvis neddykning, hvor kun spidsen og en del af termometervsken skal vre neddykket,
- total neddykning, hvor hele termometervsken skal vre neddykket,
- fuldstndig neddykning, hvor hele termometeret skal vre neddykket.
~

Kalibrering af et instrument kan foretages af et af Statens Tekniske Prvenvn autoriserede kalibreringslaboratorier. Et afprvningsresultat kan
ved en temperaturkalibrering se ud som vist p fig. 4.104.

154

Mlinger udfrt ved:

Rumtemperatur: 23 + l C,
Resultater:

Relativ fugtighed:

Calibrated with resistance thermometer in "insertion tube 65 mm".

oc

Set value

-30,0
-20,0
-10,0
0,0
15,0
30,0
45,0
60,0

op

-22,1
-4,1
13,9
32,0
59,0
86,0
113,0
140,1

Truevalue

oc

-26,1
-20,0
-10,0
0,0
14,9
29,9
45,0
60,1

op

-15,0
-4,0
14,0
32,1
58,8
85,9
112,9
140,2

oc

Reading

-26,3
-20,1
-10,0
0,0
14,9
29,9
44,9
59,9

op

-15 3
'
-4,3
13,7
31,8
58,8
85,9
112,8
140,0

U ncertainty o f temperature measurement < 0, l oc

To measure the temperature we used a Rosemount 162CE/1849 platinuro
resisstance thermometer which has a sensor length of 50 mm (2,0")

The platinum resistance temperature standard of the laboratory is traceable to National Physical Laboratory, England.

Fig. 4.104. Temperaturkalibrering.

Det autoriserede kalibreringslaboratorium, som har gennemfrt kalibreringen, har ikke selv en referencenormal som udgr det frste trin fra
mleenhedens definition, hvorfor det af afprvningsresultatet fig. 4.104
fremgr, at kalibreringen direkte refererer til National Physica1 Laboratory, der er et engelsk laboratorium p et hjere niveau i kalibreringskden,
og som derfor er nrmere mleenhedens definition.
Dette betegnes, at kalibreringen er sporbar (traceable) til National Physical Laboratory.
155

KONVENTION
INTERNATIONAL
(Primrt niveau)

Mleenhedens definition
---------~--------Bureau Internationale des Poids et
Mesures, Paris

Primrnormaler placeret i primrlaboratorier som for eksempel:

National Physical Laboratory.
Physikalisch Technische Bundesanstalt
NATIONAL
(Sekundrt niveau)

---------~--------Referencenormaler placeret i autoriserede kalibreringslaboratorier.

_t
Arbejdsnormaler
INDUSTRI
(Tertirt niveau)

---------~--------Referencenormaler placeret i industriens

kontrol afdelinger.

_t
Produktions- og procesmleudstyr placeret i produktionsled.

Fig. 4. 105. Kalibreringskden.

P fig. 4.105 er vist kalibreringskden, der som verste niveau har mleenhedens definition. P et primrlaboratorium etableres den mletekniske
enhed efter dens definition. Ved hjlp af denne kalibreres primmormaleme, der anvendes til kalibrering af de autoriserede laboratoriers referencenormaler.
P de autoriserede kalibreringslaboratorier overfres sporbarheden fra
referencenormalen til laboratoriets arbejdsnormaler, hvorefter kalibreringslaboratoriet kalibrerer referencenormaler for industriens kontrolafdelinger. Herfra overfres sporbarheden til industriens produktions- og
procesmleudstyr.
Kravet til mlingers njagtighed inden for kalibreringskdens tre niveauer er strst p det primre niveau og mindst p det tertire niveau.
Kravene til njagtighed er afhngig af instrumenttype og anvendelse,
men kan f.eks. vre sledes:
156

'

Primrt niveau; njagtighed 99,98% af aktuel vrdi svarende til en

unjagtighed p 0,02% af aktuel vrdi.
Sekundrt niveau; njagtighed 99,95% af aktuel vrdi svarende til en
unjagtighed p 0,05% af aktuel vrdi.
Tertirt niveau; njagtighed 99,8% af aktuel vrdi svarende til en
unjagtighed p 0,2% af aktuel vrdi.
Ved hjlp af det p prvebnken kalibrerede termometer, eller som man
i praksis oftere anvender, en kalibreret termomodstandsfler, overfres
sporbarheden herefter til industriens produktions- og procesmleudstyr.
P fig. 4.106 er vist en transportabel temperaturkalibrator, der er hurtig
og prcis uden brug af vsker. Det instrument, der nskes kalibreret,
placeres i apparatets varmeblok i en korrekt strrelse bsning, hvorefter
apparatet tndes. Derefter indstilles den temperatur, der nskes anvendt,
og nr temperaturen er stabiliseret, foretages kalibrering eller justering af
instrumentet .

157

Fig. 4.106. Temperaturkalibrator.

Til kalibrering af produktionsleddets anvendte trykmleinstrumenter benyttes som regel prcisionsmanometre i forbindelse med en trykpumpe,
der enten kan fungere ved hjlp af vand- eller olietryk, som vist p fig.
4.107, eller ved hjlp af trykluft i forbindelse med en prvebnk, som
vist p fig. 4.108.
Prvebnken er forsynet med afblsningsventil, idet den p figuren viste reduktionsventil virker bedst, nr der etableres belastning ved en svag
afblsning gennem afblsningsventilen.
158

Fig. 4. 1Ol. Trykkalibra tor.

Testmanometer

Prcisionsmanometer

Reduktionsvent i l
Kapacitetstank

AFBLSNING

Fig. 4. 108. Prvebnk for manometre.

159

P fig. 4.109 er prcisionsmanometret udformet som en elektronisk indikator, der p a) anvendes til kalibrering af et viserinstrument, p b) til
kalibrering af en pressostat og p c) til kalibrering af en transmitter.

Fig. 4. 109. Kalibrator for tryk/vacuum.

Med den elektroniske indikator flger en kombineret tryk-, vacuumhndpumpe samt et st adaptere og overgangsstykker for forskellige gevind.
For at opn en tilfredsstillende njagtighed af kalibreringen, m de anvendte prcisionsmanometre vise sand vrdi, der er sporbar til et hjere
niveau i kalibreringskden. Dette opns ved at kalibrere prcisionsmanometrene ved hjlp af en skaldt "Dead Weight Tester" som vist p fig.
4.110.

160

Fig. 4.110. Dead Weight Tester.

P fig. 4.111 er vist en principskitse af en Dead Weight Tester, der er

baseret p definitionen for tryk; en kendt masse, der pvirker et kendt
areal. I den lodrette cylinder er anbragt et stempel, der foroven afsluttes
med en plade, hvorp der kan anbringes lodder. For at opn forsvindende
lille friktion mellem stempel og cylindervg under stemplets bevgelse
op og ned, bringes stemplet til at rotere. Endvidere anvendes der en
tyndtflydende olie som fyldning.
Foroven af den lodrette cylinder er anbragt et oliereservoir, i hvis bund
en gennemboring kan skabe forbindelse med det indre system, nr
stemplet befinder sig i den verste stilling.
Med det vandret liggende gevindskrne stempel kan olien presses ind
under det lodrette stempel og ud til det manometer, der skal kalibreres.
Der opns nu en ligevgtstilstand mellem trykket i manometeret og trykket i cylinderen, der stammer fra det lodrette stempels egenvgt plus de
lodder, der er anbragt p stemplets tallerken.
161

Fig. 4.111. Dead Weight Tester.

Instrumentet er forsynet med et mrke som tallerkenens underside skal

st ud for. Nr tallerkenens underside str ud for mrket, er stemplets
underside ud for manometertilslutningen, d.v.s. at afstanden z er lig med
nul og der skal ikke kompenseres for vskesjlen "z".
Normaludgaven af en Dead Weigh Tester har et trykomrde p 0,1-35
bar, men det kan leveres til trykomrder op til 1100 bar.
I forbindelse med trykmling anvendes ofte et bourdonrr som mleelement, der kan styre en transducer eller en viser. Det vil almindeligvis
vre nskeligt, at transducerens udgangssignal er linert eller at viserskalaen er liner.
Bourdonrrets frie ende beskriver imidlertid en bevgelse, der er proportional med kvadratroden af mlevrdien. For at omstte bourdonrrets bevgelse til en liner bevgelse af viser, anvendes en tandsektor og
en tandhjulsmekanisme som vist p fig. 4.112.
Bevgelsen af tandsektor og tandhjulsmekanisme skal vre s fri som
muligt, og tandsektoren afbalanceres med kontravgte i prcisionsinstrumenter. Bevgelsen af bourdonrrets frie ende overfres ved hjlp af
et forbindelsesled til den ende af vgtarmen, der er modsat tandsektoren.
P fig. 4.113 er vist bourdonrr, forbindelsesled, tandsektor og viser i
tre stillinger.
162

Oval
cross section

Applied
Pressure.

Fig. 4. 112. Bourdonrrsinstrument.

O0/o

A= 70
B

= O"

50 /o
A= 80,5
B= O, 262"

100/o
A=110
B= 0,375"

Fig. 4. 113.

Forbindelsesleddet er stilbart i lngden. Vinklen A mellem forbindelsesled og tandsektorens centerlinie kaldes bevgelsesvinklen, hvis strrelse
ndrer sig ulinert i forhold til det tryk, der bliver tilfrt indvendigt i
bourdonrret. P fig. 4.114 er vist de ulinere kurver dels for den frie
endes bevgelse og dels for bevgelsesvinklens ndringer i forhold til
trykket i rret.
163

110:.._--r-------------::::~r-

0,375"

O, 250"
Bevgelsesvinklens vandring A

Den frie endes

bevgelse B.
O, 125"

700

~0~~~o~-A-rb-e-jd_s_o_m_r_d_e____10~0-~-o TRYK
fig. 4.114.

Det kan ses, at middelvrdien af de to kurver for bevgelse giver en liner sammenhng mellem trykvariationen og tandsektorens bevgelse,
nr bevgelsesvinklen varierer mellem 70 og 110 grader. De tre viserstillinger, der er vist p fig. 4.113 er for henholdsvis 0%, 50% og 100% af
det tryk, der kan tilfres bourdonrret. Ved justering skal det tilstrbes,
at vinklen A i de tre stillinger er henholdsvis 70, 80,5 og 11 O grader.
Dette kan opns ved at ndre forbindelsesleddets lngde. I prcisionsinstrumenter er der normalt ogs mulighed for at flytte tandsektorens omdrejningspunkt, hvorved der kan opns en njagtigere indstilling af vinklen.
Ved en justering af en mlevrdiomstter eller et instrument sges
eventuelle fejl i udgangssignalet eller i instrumentvisningen minimeret.
Af typiske instrumentfejl kan nvnes:
-ulinearitet,
-nulpunktsfejl,
-multiplikationsfejl,
-vinkelforskydningsfej l.
Ulinearitet i mleelementets udgangssignal vil i almindelighed vre bortelimineret ved hjlp af det indstillelige forbindelsesled mellem mleelement og viser (se fig. 4.112), sdan at instrumentvisningen bliver liner.
Skulle der ved lngere tids brug opst ulinearitet, m det formodes, at
rsagen er metaltrthed eller lignende, og elementet m udskiftes.

164

TREKAKSEL FRA
MLEELEMENT

- - - - ---G!ti!

c
o
Fig. 4. 115. Stangtrk mellem mleelement og viser.

Til afhjlpning af de vrige instrumentfejl kan der f.eks. vre indskudt et

stangtrk mellem mleelement og viser, som vist p fig. 4.115. Mleelementet kan dreje trkakslen til hjre i billedet. Ved hjlp af de to arme A
og B samt forbindelsesstangen C overfres bevgelsen til viseren.
Nulpunktsfejl er som vist p fig. 4.116 en forskydning af nulpunktet, sdan at visningen parallelforskydes, men uden at ndre hldningen af den
kurve, der angi ver visningen i forhold til den sande vrdi.
aktuel kurve

Visning

/nsket kur ve
/

/
/

/
/
/
/
/
/

"'----- - -

Rigtig vrdi

Fig. 4. 116. Nulpunktsfejl.

Ved nulpunktsjustering flyttes den totale skalavisning sledes op eller

ned. Det er den mest almindelige justering, og den foretages ved stangtrkket fig. 4.115 ved at stille p nulpunktsskruen.
I et stort antal instrumenter foretages justeringen ved simpelthen at dreje
viseren p instrumentets aksel. I forbindelse med elektroniske mlevrdi-

165

omsttere foretages nulpunktjusteringen ved at dreje p et potentiometer,

der kan vre mrket 0% eller ZERO.
Multiplikationsfejl er som vist p fig. 4.117 en progressiv forgelse eller
formindskelse af visningen over hele skalaen, uden at nulpunktsjusteringen er ndret. Ved multiplikationsfejl ndres alts kurvens hldning,
men ikke kurveformen.
Visning

aktuel - nsket kurve

/
/

/
/
/

/
/'

v
L - - - - - - Rigti g vrdi

Fig. 4. 117. Multiplikationsfejl.

Multiplikationen ndres ved at ndre lngden af armene A og B i forhold til hinanden. I stangtrkket fig. 4.115 har armen B en fast lngde,
sledes at multiplikationen ndres ved at ndre lngden af A ved mleelementet. Multiplikationen ges ved at forlnge armen A og mindskes
ved at gre A kortere.
Den ndrede hldning af kurven angiver, at der ved justeringen foretages en ndring af forstrkningen. Dette forhold kan udnyttes i forbindelse med ndring af instrumentets omrdeindstilling f.eks. sdan, at omrdet nul til fuldt udslag ndres fra 0-600 mbar til 0-300 mbar.

Visning

Fig. 4. 118. Omrdeindstilling.

166

Det skal iagttages, at denne justering pvirker nulpunktet som vist p fig.
4.118, hvorfor justeringen altid m afsluttes med at indstille nulpunktsskruen.
Ved elektroniske mlevrdiomsttere foretages omrdeindstilling og
justering af multiplikationsfejl ved hjlp af et potentiometer, der kan vre mrket 100%, GAIN eller SPAN.
Vinkelforskydningsfejl giver sig udtryk som vist p kurverne fig. 4.119.
Visning

Fig. 4. 119. Vinkelforskydningsfejl.

I forhold til den nskede kurve opstr kurve I, hvis forbindelsesstangen C

gres lngere, og kurven II, hvis C gres kortere.
Er der opstet en vinkelforskydningsfejl, foretages frst en grov indstilling ved at stille viseren midt p skalaen. Vinklerne (a) og (b) skal nu
vre 90, hvilket kan opns ved at ndre lngden af trkstangen C og
lade armen A skride p trkakslen fra mleelementet et tilsvarende stykk e.
Kalibrering af et instrument foregr ved at fastlgge et antal kalibreringspunkter foreskrevet i DIN 16005, idet der skal tages mindst:
- 10 kalibreringspunkter ved klasse 0,1 - 0,2- 0,3 og 0,6 instrumenter,
- 5 kalibreringspunkter ved klasse l ,O - l ,6 og 2,5 instrumenter,
- 4 kalibreringspunkter ved klasse 4 instrumenter.
Nul-punktet og skalaendepunktet er mlepunkter og 2.-mlepunktet er
typisk 1~ af fuldskalavrdien. Der foretages normalt tre kalibreringsforlb som antydet p fig. 4.120, hvor frste og andet kalibreringsforlb
er med stigende mlevrdier og tredie kalibreringsforlb er med svel
stigende som faldende mlevrdier .
167

Fig. 4. 120. Kalibreringsforlb.

Inden de tre kalibreringsforlb gennemfres, belastes instrumentet til

maksimal mlevrdi, der fastholdes i mindst et minut, for at motionere
element og evt. visermekanisme.
Instrumenters njagtighedsklasser angiver brugsfejlgrnsen som procent af fuldt udslag, f.eks. betyder "klasse 0,6", at instrumentets fejlvisning p et vilkrligt sted af skalaen ikke overstiger +0,6% af fuldt udslag.
I DIN 16005 fastlgges en kalibreringsfejlsgrnse, der er ca. 20% lavere end brugsfejlgrnsen. Til eksempel kan nvnes, at for klasse 0,6 instrumenter er kalibreringsfejlgrnsen 0,5% af fuldt udslag. Kalibreringsfejlgrnsen er med andre ord den fejlgrnse, instrumentet skal kunne overholde ved kalibrering, mens det i det daglige brug skal overholde
brugsfejlgrnsen.
Justeringsproceduren for et instrument, der f.eks. kan vre en trykmler, er flgende:
l)

2)

3)

4)

5)
6)

168

Anbring trykmleren i prvestanden.

Indstil den mlte variable til en vrdi, der svarer til 50% af skalavisning, og bemrk om vinklerne (a) og (b) er 90 (se fig. 4.115),
i modsat fald justeres som nvnt under vinkelforskydningsfejl.
Indstil den mlte variable til den vrdi, der svarer til den laveste
vrdi p skalaen, og bring viseren til at st ud for dette punkt p
skalaen ved hjlp af nulpunktsskruen eller ved at flytte viseren p
viserakslen p anden vis (en viseraftrkker br altid forefindes
ved prvestanden).
Indstil den mlte variable tillOO% skalavisning og indstil multiplikationen til korrekt visning ved at ndre lngden af A (se fig.
4.115).
Gentag 3) og 4) til der er opnet korrekt visning.
Kontroller trykmlervisningen ved at foretage en rkke mlepunkter over hele skalaen. Skulle der mod forventning vre en

vinkelforskydningsfejl, rettes denne ved at ndre lngden af C,

og punkterne 3) til5) gentages.
7) Foretag kalibrering af trykmleren, idet der gennemfres tre kalibreringsforlb. P grundlag heraf udarbejdes en fejlkurve for
trykmleren.
Skal trykmleren opfylde kravet til klasse 0,6 med et mleomrde p O-l O
bar, kan mleresultaterne vre som angivet p fig. 4.121.
MLERESULTATER
NOMINEL
VRDI

TRYKMLER VISNING

p bar

pl bar

p2 bar

p3s bar

p3fbar

0,0
1,0
1,6
3, l
4,0
4,6
5,5
7,0
8,5
10,0

0,000
1,000
1,605
3,085
3,980
4,580
5,485
6,970
8,470
9,970

0,000
1,000
1,600
3,085
3,980
4,575
5,485
6,970
8,465
9,970

0,000
1,000
1,605
3,090
3,980
4,580
5,480
6,970
8,470
9,970

0,000
1,000
1,605
3,090
3,980
4,580
5,485
6,970
8,470

Fig. 4.121. Mleresultater for trykmler klasse 0,6 med mleomrde 0-10 bar.

Mlingerne p3s er for stigende tryk og p3f er for faldende tryk. De tre
kalibreringsforlb pl, p2 og p3s angives i kalibreringsresultatet som middelvrdier, der sammenlignes med de p kontrolinstrumentet mlte sande
vrdier. Forskel i mlingerne p3s og p3f for henholdsvis stigende og faldende tryk angiver instrumentvisningens hysterese, der benvnes
"Umkehrspanne" og beregnes som
u=

pf- ps
100 [%]
fuldskalavrdi

169

Hysterese skal alts forsts sledes, at instrumentets visning ved faldende

tryk fra ethvert trykniveau skal ligge over visningen ved tilsvarende
trykniveau for stigende tryk.
Af fig. 4.122 fremgr de kalibreringsresultater, der kan dannes ved
hjlp af mleresultaterne fig. 4.121.
Den relative variationsbredde b angiver, hvor mange procent af "sand
vrdi", mleresultaterne varierer.

KALIBRERINGSRESULTATER
SAND

VRDI

MIDDEL
VRDI

FEJL

RELATIV
UMKEHR

RELATIVVA-

SPANNE

BREDDE

b%

p bar

Pm bar

q bar

u%

0,0000
0,9995
1,5998
3,1004
4,0007
4,6010
5,5013
7,0019
8,5026
10,0032

0,0000
1,0000
1,6033
3,0867
3,9800
4,5783
5,4833
6,9700
8,4683
9,9700

0,0000
0,0005
0,0035
-0,0138
-0,0207
-0,0227
-0,0180
-Q,0319
-Q,0342
-0,0332

0,000
0,000
0,000
0,000
0,000
0,050
0,000
0,000

RIATIONS-

0,000
0,312
0,162
0,000
0,109
0,091
0,000
0,059
0,000

Fig. 4. 122. Kalibreringsresultater for trykmler klasse O, 6

med mleomrde 0-1 Obar.

P fig. 4.123 er vist et eksemplar fra DANTEST p en hysterese og fejlkurve for en trykmler med kalibreringsresultater som angivet i fig.
4.122.

170

fejl
bor

. 060 . . . . - - - - - - - - - - - - - - - - - - - . OSS

. oso

- - - - - - - -

br ug>feJl gr nso

- - kal .feJigrnse

. 04S
. 040
. 03S
. 030
. 02S
. 020
. 01S
. 010

. oos

,---

. .

o. 000 t--~:::;.._.....>o.+---+---+---..:.'+-'--+-----=-" ' t - - t - - - - 1 - - ; v1borsmng

-. OOS
- . 010
-. 01S
- . 020
- . 02S
-. 030
-. 03S
-. 040
- .04S

-. oso

- - -

--- -

kol.feJigrnso

-. OSS
-. 060 L - - - - - - - - - - - - - -- - - -brugsfej lgrnse
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
S.O
6.0
7. 0
8.0
9.0
10.0

Fig. 4.123. Hysteresekurve (-------)og fejlkurve (

klasse 0,6 med mleomrde 0-10 bar.

) for trykmler

Kurverne viser, at den afprvede trykmler opfylder kravet til klasse 0,6 i
henhold til D IN 16005.
Med mle- og kalibreringsresultaterne flger en prvningsattest, hvoraf
fremgr:
-kundeudstyr, data:
-trykmlerens type, klasse, fabrikat og nummer,
-mleomrde og skalaenhed,
-sknnet aflsningsusikkerhed.
-prvningsresultat:
-angivelse af hvilken klasse trykmleren opfylder efter
DIN 16005.
-kontroludstyr, data:
-anvendt kontroludstyr,
-kontroludstyrets sporbarhed.
171

-prvningsbetingelser:
-korrektioner foretaget af sand vrdi for lokal tyngdeacceleration og temperaturafvigelser,
-lufttryk,
-kalibreringstemperatur,
-starttidspunkt,
-sluttidspunkt,
-prvemedium.

4.2 TEMPERATURFLSOMME KOMPONENTER

Termoelement
Princippet for temperaturmling med termoelement er vist p fig. 4.20 l.
To metaltrde A og B af forskelligt materiale sammenloddes i den ene
ende, og de to frie ledningsender forbindes til et voltmeter eller fres til
en analog eller digital regulerings-eller styrekreds.

Fig. 4.201.

Sfremt temperaturen T ved det skaldte varme Ioddested er forskellig fra

temperaturen t ved voltmeterels klemmer, vil der mellem de to ledninger
opst en termospnding, og man kan herigennem f et ml for temperaturen.
For en given kombination af trdmaterialer er termospndingen udelukkende en funktion af T og t. Holdes det kolde Ioddested (voltmeterets
172

klemmer) p en kendt konstant temperatur, den skaldte referencetemperatur, kan det andet Ioddested derfor anvendes som temperaturfler. Referencetemperaturen er standardiseret til 0C, og de fleste tabeller over
sammenhngen mellem temperaturer og termospndinger for forskellige
materialer anvender denne referencetemperatur.
Ved en praktisk mling vil man naturligvis ikke forsge at holde det
kolde Ioddested p en temperatur p 0C, men ved mange anvendelser,
hvor hje temperaturer mles, f.eks. i glde- og hrdeovne, gr man ud
fra, at det kolde Ioddesteds temperatur vil vre 20C konstant og korrigerer herfor. Afviger temperaturen fra de 20C, fr man en mlefejl omtrent
lig med afvigelsen, der ved normale rumtemperaturer nppe vil overstige
5C. Er systemet f.eks. beregnet til en temperatur p 1200C, er denne
afvigelse i almindelighed uden betydning.
Termoelementet anbringes i et beskyttelsesrr, der kan modst angrebene fra gasarterne i ovnen, og det afsluttes i et hoved med klemmer for
ledningerne, sledes som vist i fig. 4.202.
Cu -led n in

r :-1 Kompensationslednin

Fig. 4. 202. Temperaturmling med termoelement.

Dersom man tilsluttede kobberledninger til disse klemmer, ville der

fremkomme termospndinger og fejl visning, da temperaturen i nrheden
af ovnen ikke er konstant, hvorfor der sammen med termoelementer leveres en srlig ledning (kompensationsledning), der har to trde af forskellige materialer, men valgt sledes, at de termospndinger, der opstr ved
forbindelsesklemmerne i termoelementets hoved, holder hinanden i ligevgt, nr temperaturen ndrer sig. Kompensationsledningen fres frem
til et sted, hvor temperaturen er konstant (dette svarer til det kolde loddested), og derfra kan man fortstte med almindelig ledning. Man m passe
p ikke at f ombyttet ledningerne til klemmerne i termoelementets hoved, da kompenseringen for temperatursvingninger ved det kolde loddested derved delgges.
I kobberledningen kan der, som vist p fig. 4.202, vre indskudt en regulerbar modstand til anvendelse i forbindelse med kalibrering af instrumentvisningen .
173

Nuljusteringen foretages normalt ved ca. 10% af fuldt mleomrde og

mlevrdijusteringen ved ca. 90% af fuldt mleomrde.
Fig. 4.203 viser eksempler p almindeligst anvendte udfrelser af termoelementer. a for en type, der skrues fast, og b for en type, der svejses
fast. Den udvendige beskyttelseskappe udfres af messing, korrosionsbestandigt stl eller keramisk materiale, afhngig af temperaturen og mleobjektets kemiske aktivitet. Ved mling i ikke korroderende luftarter
udelades beskyttelseskappen ofte.

Fig. 4.203. Termoelementer.

Til anvendelse, hvor ekstrem sm dimensioner er pkrvet, er udviklet et

specielt termoelement, det skaldte THERMOCOAX, der i snit er vist p
fig. 4.204 a .
. - - - - - - - - - - - - - Loddested
;- - - - - Yderkappe
._-----Isolation
Q
.

b
Fig. 4.204. Thermocoax.

174

. --

\':;

Termoelementmaterialet er krom-aluminium, jem-konstantan eller kromkonstantan. Y derkappen, der f.eks. kan vre af rustfrit stl, nikkel-kromjem-legering el. lign., leveres med yderdiametre fra 0,25 mm til2 mm og
i lngder p indtil200 mm. THERMOCOAX kan leveres for temperaturer indtil l 000C.
Termomodstand
Modstandstermometre er, i modstning til termoelementer, passive flere, hvis virkning beror p metallers og halvlederes elektriske modstands
temperaturafhngighed. De deraf forekommende temperaturmlinger
bestr sledes i det vsentlige i en modstandsmling, hvorved en normeret modstandsvrdi svarer til en temperatur, og kendskabet til materialets
temperaturkoefficient vil muliggre fastlggelse af temperaturndringer.
For temperaturmlinger indtil ca. 500C anvendes til industrianlg modstandstermometre, der bestr af platin, nikkel eller kobber, med en defineret renhed og evt. med en defineret tilsat legering. Modstandstermometrenes betegnelser henviser til de anvendte materiales kemiske atomtegn
samt til mrkemodstanden ved 0C. F.eks. anvendes betegnelsen Pt 100
for modstandstermometre af platin med en modstand p l 00 ohm ved
0C.
Termistorer
I kapitel 1.2, er omtalt PTC- og NTC-modstande. For disse modstande
glder, at deres modstandsvrdier ndrer sig ulinert, nr de udsttes
for temperaturndringer.

o-------.

NTC-modstand

PlC-modstand

Fig. 4.205.

V ed at indkoble disse modstande som en del af en spndingsdeler som

vist p fig. 4.205, kan man f et direkte brugbart elektrisk signal, der kan
bearbejdes i en analog eller digital kreds.
175

Fig. 4.206 viser et modstandstermometer med termistor-mlefler. P

figuren angiver:
l tilslutningsdse,
2 hals,
3 opslidset 01nlber med konusgevind,
4 beskyttelseskappe,
5 termistor.

Fig. 4.206 Modstandstermometer.

4.3 TRK- OG TRYKFLSOMME KOMPONENTER

Mlepotentiometer
Et mlepotentiometer er en elektromekanisk komponent, der indeholder
en skydemodstand som vist p fig. 4.301.

0~-1---+----~~

Fig. 4.301.

176

UDGANGS SIGNAL

Glidekontakten er sat i forbindelse med den mekaniske bevgelse, der

skal omsttes til et elektrisk signal. Nr membranen bevger sig, ndres
gliderens stilling, hvorved spndingsforskellen ,~p udgangsklemmerne
ndrer sig.
P fig. 4.302 er vist en transducer af potentiometertype for mling af
differenstryk F.eks. kan trykket af luft, der tilsluttes "GAUGE", mles i
forhold til et referencetryk, som fre ind ved "CASE".

Fig. 4.302. Differenstryk-transducer af potentiometertype.

Modstandsfler
I en modstandsfler er anbragt trykflsomt pulver, f.eks. kulstof, mellem
en membran og en fastsiddende plade som vist p fig. 4.303. Sker der
trykstigning, vil membranen sammenpresse pulveret med deraf ndring i
modstanden.

ISOLATION

Fig. 4.303.

Ved at indkoble en modstandsfler i f.eks. en brokobling kan man f et

elektrisk udgangssignal til en analog eller digital kreds.
Modstandsflere anvendes f.eks. i mikrofoner.
177

Differenstransformer
Differenstransformeren fig. 4.304 har fet stor udbredelse som et middel
til at ndre en forskydning til et elektrisk signal.

PRI~.cltRVII<LING

SEKUNDRVIKLING

=-----o

}UDGANGSSIGNAL

{\~JERNKERNE

Fig. 4.304.

En bevgelig jernkerne er anbragt midt i en dobbelt symmetrisk transformervikling. Nr jernkernen befinder sig symmetrisk lige ud for de to
sekundrviklinger, vil de inducerede spndinger i de to sekundrviklinger vre lige store, og udgangssignalet vil vre nul.
Forskydes jernkernen, vil der opst en forskel mellem de i sekundrviklingerne inducerede spndinger, og differensen mellem disse vil vre
et udtryk for jernkernens forskydning og dermed for den pvirkning,
jernkernen udsttes for.
P fig. 4.305 er vist en transducer med differenstransformer. Jernkernen
bevges ved hjlp af en gevindtap, der stikker ud af transducerens ene
ende.

Fig. 4.305. Transducer med differenstransformer.

178

Transduceren kan anvendes til mange forml som f.eks. kontinuerlig mling af materialers tykkelse og kontrol af en aksels vibrationer.
Transduceren kan tillige i specielle konstruktioner anvendes til mling
af gas- og vsketryk, acceleration eller vridning. P fig. 4.306 er vist en
mlevrdiomstter for tryk, i hvilken transducerens jernkerne styres af et
bourdonrr.
r

Fig. 4.306. Tryktransmitter.

Kapacitiv fler
Ved kapacitive flere benytter man sig af, at en kondensators kapacitans
ndres, hvis dielektricitetskonstanten, pladearealet eller afstanden mellem
pladerne ndres (se fig. 4.307) .

....LI
T

Fig. 4.307.

P fig. 4.308 er vist et kapacitivt element (delta celle), der virker p den
mde, at enhver trykvariation overfres via isolationsmembranerne (l)
gennem et siliconemedie (2) til selve mlemembranen (3). Variationen i
mlemembranen medfrer en ndring af kapacitansen mellem mlemembranen og de kapacitive plader (4). Kapacitansndringen kan via en
179

oscillatorkreds omformes til et jvnstrmsudgangssignal, der er p 1-5 V

DC svarende til en strmstyrke p 4 mA for 0% og 20 mA for 100%,
hvilket er standard for langt de fleste transmittere.

1.

Isolationsmembranen

Fig. 4.308.

En delta celle kan anvendes i tryktransmittere for absoluttryk og overtryk, men er i vrigt meget velegnet til brug i differenstryktransmittere,
idet der kan tilfres forskellige tryk til de to isolationsmembraner. Et eksempel p en differenstryktransmitter med en delta celle som det flende
element for vske-, gas- eller damptryk er vist p fig. 4.309.

~1
'

Fig. 4.309. Differenstryktransmitter.

Transmitterens elektriske tilslutning er vist p fig. 4.31 O. De verste terminaler er mrket "SIGNAL" og de nederste terminaler er mrket
180

"TEST". Terminalerne mrket "TEST" anvendes for tilslutning af lokalindikator eller for afprvning af udgangssignalet og har samme signal (420 mA DC) som terminalerne mrket "SIGNAL".

Sig nalsljfen kan jordfo rb i nde s hvorsomhelst ,

men beh ver ikke at vre
forbundet til jord ..

Fig. 4.31 O. Elektrisk tilslutning.

Kalibrering af differenstryktransmitterens udgangssignal kan foretages

ved at tilslutte en hndbetjent trykpumpe med prcisionsmanometer til
transmitterens rrtilslutningsstuds mrket H for hjtryk og lade den anden rrtilslutningsstuds mrket L for lavtryk vre ben til atmosfren.
Til terminalerne mrket "SIGNAL" tilsluttes et kalibreringsinstrument,
med hvilket udgangssignalet 4-20 mA DC kan mles.
Transmitterens nulpunkts- og omrdeindstilling foretages ved hjlp af
potentiometrene ZERO og SPAN, der indstilles ved at dreje to skruer,
som er let tilgngelige udefra og som er placeret under navneskiltet p
siden af elektronikhuset
Hvis skruerne drejes hjre om stiger transmitterens udgangssignaL
Skruen ZERO, hvormed nulpunktet indstilles, har kun ringe virkning p
omrdeindstillingen. Derimod pvirker omrdeindstillingen (SPAN) nulpunktet. Det er derfor bedst at justere transmitteren til det nskede mleomrde og afslutte justeringen ved at stille p nulpunktsskruen.
nskes transmitterens omrdeindstilling ndret fra et differenstrykomrde p f.eks . 0-50 mbar til 0-100 mbar, kan flgende fremgangsmde
anvendes:
I et retvinklet koordinatsystem med differenstrykket i mbar afsat ud af
abscisseaksen og udgangssignalet i mA DC afsat ud af ordinataksen (fig.
4.311 ), indlgges karakteristikken (ret linie mrket SPAN l) for transmitterens aktuelle omrdeindstilling, i dette tilflde 0-50 mbar. Det skal
iagttages, at O mbar svarer til 4 mA DC og 50 mbar svarer til 20 mA DC.

181

Derefter indlgges karakteristikken svarende til den omrdeindstilling,

der nskes, hvilket i dette eksempel er O-l 00 mbar (ret linie mrket
SPAN 2).

I (m A)
20
l/
/(

~"'

16

c.,~~

//

",""

/
/

12

1/

:/

//
/
/

4,

l
l
l
l
l
l
l

l
l

/l
l

1/

50

100

plm bar)

Fig. 4.311.

Ved justering af transmitteren til SPAN 2, skal der tages hensyn til indvirkningen p nulpunktsindstillingen. Dette kan gres ved parallelt med
SPAN 2 at tegne en ret linie udgende fra SPAN l 's start ved O mA. Herved dannes to ensvinklede trekanter, for hvilke det glder, at forholdene
mellem de ensliggende sider er lige store. Med den anfrte inddeling af
ordinataksen vil siden x i den lille trekant have en ensliggende side i den
store trekant p x+~.
Heraf kan udtrykkes:
SP_-'\N 1: p l= O til 50 mbar
SPAN 2: p2 =O tillOO mbar

x = p2 - pl = l 00 - 50 = 50 mbar
x

50

x+-= 50+-= 62,5 mbar

4
4

S= 50+ 62,5 = 112,5 mbar

182

Omrdeindstillingen foretages ved hjlp af skruen SPAN, der skal vre

sledes indstillet, at udgangssignalet viser 20 mA DC nr prcisionsmanometeret efter betjening af trykpumpen viser 112,5 mbar.
Herefter tages trykket fra, og ved et differenstryk p O mbar foretages en
nulpunktsindstilling ved hjlp af ZERO, der ved drejning vil parallelforskyde den punkterede hjlpelinie indtil den ligger over linien SPAN 2.
Dette konstateres ved, at udgangssignalet skal vre p 4 mA DC.
Transmitteren vil herefter vre korrekt indstillet til det nskede mleomrde.
Foruden omrde- og nulpunktsindstillingerne findes et potentiometer,
hvormed lineariteten kan indstilles. Lineariteten er optimeret fra fabrikken og skal normalt ikke indstilles af brugeren.
Tryktransmittere for overtryk, der anvendes til niveaumling, mler vsketrykhjden. Trykket er lig med vskehjden over udtaget gange med
vskens massefylde. Det er uafhngigt af rumindhold og beholderens
form.
I bne beholdere mler en tryktransmitter, som er monteret nr ved beholderens bund vist p fig. 4.312, det tryk, der svarer til vskehjden
over den.

!I {m A)

~~
x

t------------

NULPUNKTSHVNIN

250

500

plm bar)

Fig. 4.312. Niveaumiing.

Tilslutningen foretages til transmitterens hjtrykside. Lavtryksiden udluftes til atmosfren.

P fig. 4.312 angiver:
-x den vertikale afstand mellem min. og max. niveauet, der skal mles
(5 m VS), d.v.s. nsketSPANeller mleomrde for transmitteren.
- y den vertikale afstand mellem transmitterens nullinie og det laveste
niveau, der skal mles (2m VS)

183

Er vskes massefylde Q = 920 kg/m3 frembringer x henholdsvis y flgende specifikke vsketryk:

Px =

g x= 920 9,82 5 lQ-3 = 45 kN/m2 = 450 mbar

Py=

g y= 920 9,82 2 lQ-3 = 18 kNfm2 = 180mbar

Mleomrdet udtrykt i mbar, er sledes:

Py til Py + Px = 180 til 630 mbar

Piezoelektrisk fler
Ved deformering af visse krystaller, gennem pvirkning af mekanisk tryk,
opstr der elektriske ladninger p krystallernes overflade.
Anbringes en sdan krystal i et elektrisk felt, vil der omvendt ske en deformering af krystallen.
Disse fnomener kaldes med en fllesbetegnelse for piezoelektriske effekter.
z

Fig. 4.313.

For det meste anvendes krystaller af kvarts, nr man i teknikken vil gre
brug af den piezoelektriske effekt. I fig. 4.313 er vist en kvartskrystal
med indtegnede X-, Y- og Z-akser. X-akserne gr gennem to modstende
kanter og benvnes krystallens elektriske akser. Y-akserne gr gennem
midtpunkterne af de modstende sider og benvnes krystallens mekani184

ske akser. Z-aksen str vinkelret p de to andre akser i krystallens midtpunkt og kaldes krystallens optiske akse. Aksernes njagtige beliggenhed
kan bestemmes ved hjlp af polariseret lys eller rntgenstrler.
De piezoelektriske fnomener er knyttet til X- og Y -akserne p en sdan mde, at et elektrisk felt i en X-akses retning fremkalder en mekanisk
lngdendring i den tilhrende Y-akses retning. Omvendt fremkalder en
mekanisk pvirkning i en Y-akses retning et elektrisk felt i den tilhrende
X-akses retning.
Ved den praktiske anvendelse skrer man et stykke ud af krystallen og
anbringer det mellem et par plane elektroder.
Symbolet for en piezoelektrisk fler er vist p fig. 4.314. Den piezoelektriske effekt kan f.eks. anvendes til at:
omstte mekaniske svingninger til elektriske svingninger,
omstte elektriske svingninger til mekaniske svingninger.

_L

D
T
Fig. 4.314.

Det piezoelektriske element finder bl.a. anvendelse ved vibrationsmlinger. Ved vibrationer forsts en svingende bevgelse af et fast stof om en
referencestilling, d.v.s. en forskydning p hver side af en hvilestilling.
Udover forskydningen kan bevgelsen beskrives ved dens hastighed og
dens acceleration.
Anbringes det piezoelektriske element som vist p fig. 4.315, pvirkes
dette af en masse med en kraft, nr den samlede enhed vibreres.

Elektrisk udgangssignal

Fig. 4.315.

185

Denne kraft er proportional med bevgelsens acceleration, idet kraft =

masse x acceleration.
For frekvenser, som ligger passende under resonansfrekvensen for det
samlede masse-fjedersystem, vil massens acceleration vre den samme
som basispladens acceleration, og der vil dermed vre proportionalitet
mellem den acceleration transduceren udsttes for og transducerens udgangssignal. En transducer af denne type benvnes et accelerometer.
Forspndt fjeder
Peizoelektrisk element
(forskydningsdeformation l
Seismisk m81se

Signeludgang

Signeludgang

'----Basis

Kompressionstype

Forskydningstype

Fig. 4.316. Acce/erometre.

I praksis udnyttes to konstruktionsprincipper, der er vist p fig. 4.316.

Kompressionstypen, hvor massen udver en kompressionskraft p det
piezoelektriske element og forskydningstypen, hvor massen udver en
forskydningskraft p det piezoelektriske element.

Strkmlemodstand (strain gauge)

En strain gauge er en tynd metaltrd, der kan vre opviklet som vist p
fig. 4.317 a. Den limes p den flade, hvis deformationer man nsker at
mle, sledes at trden deltager i lngdendringen. Nr trden f.eks.
strkkes, vil dens tvrsnit formindskes og dens elektriske modstand vokse. Modstandsndringerne, der sledes er et ml for deformationen
(belastningen), mles med en mlebro, der kan justeres til direkte at vise
den sgte mekaniske strrelse.

186

Strain gauge, trd

b
Strain gauge, print

c
Strain gauge, halvleder

Fig. 4.317.

Skal der mles njagtigt, m der korrigeres for flerens egenudvidelse tor
den del af modstandsndringen, der hidrrer fra dens temperaturndring.
Man m ogs regne med, at flere af samme type kan have forskellig karakteristik, som da frst m udmles. Metalfilmflere som vist p fig.
4.317 b er de mest ensartede i denne henseende.
I de senere r har ogs halvledere fundet anvendelse som strain gauge.
Et siliciumkrystal tsets ganske tynd, og ved ionimplantation lgges der
nogle modstandsbaner ind i siliciummet. Nr det udsttes for mekaniske
spndinger, ndres modstandsvrdien efter den skaldte piezoresistive
effekt, hvorved bl.a. opns en vsentlig bedre flsomhed, end ved anvendelse af trd- og print-strain gauge.
Ofte anvender man fire ens strain gauges i brokobling, sledes som vist
p fig. 4.318. Den ubalance, der opstr i broen som flge af modstandsndringerne i strain gaugene, vil give et udgangssignaL

UDGANGSSIGNAL

1-...-----ll--- -1.._.........
Fig. 4.318.

187

Ved torsionsmlinger kan anvendes en type som vist p fig. 4.319. Den
bestr af en brende film, hvorp er anbragt fire strain gauges. Ved normaJ mling af en aksels vridning og snoningsvinkel plimes filmen sdan,
at hver strain gauge danner en vinkel p 45 med mleobjektets akse.

,/
~ -~6S!
w

Fig. 4.319. Strain gauges for torsionsmling.

Tryktransducere, der benyttes til at omstte vske- og gastryk til elektriske signaler, fremstilles ofte efter strain gauge princippet, hvor transduceren bestr af en membran af et siliciumkrystal, p hvis inderside de fire
strain gauges er fremstillet som integreret halvlederkreds.

Fig. 4. 320. Tryktransmitter til industrianlg.

188

P fig 4.320 er vist en tryktransmitter, der er baseret p en membran udfrt i mikro-chip-teknik med fire strain gauges i brokobling.
Trykomrdet bestemmes af membranens tykkelse, dens areal og placeringen af modstandsbanerne p membranen. Da strain gaugene er halvledere, varierer transducerens temperaturkoefficient med arbejdstemperaturen, hvorfor der ofte for sdanne transducere kun opgives den totale temperaturdrift.
Den p fig. 4.320 viste tryktransmitter er for mling af relativ tryk og
kan leveres med mleomrderne 0-1110/100/400 og 1000 bar. Njagtigheden er for alle mleomrder + 0,5% af fuld skala, og den tilladelige procestemperatur er fra -l0C til 80C. Udgangssignalet er 4-20 mA DC.
Transmitteren kan spndingsforsynes med 10-30 V DC.
Kalibrering af tryktransmitteren kan udfre ved hjlp af den p fig.
4.321 viste kalibrator, der kan anvendes til kalibrering af tryk- og differenstryktransmittere i alle omrder fra 0-1000 bar. Transmitterens mleomrde indtastes blot p kalibrataren i valgfri mleenheder.

Fig. 4.321. Kalibrator for tryktransmittere.

Nr en transmitter og kalibrataren pfres et tryk, udvlges i instrumentet den trykcelle blandt fem, hvis maleomrde bedst passer hertil.
Trykket og afvigelsen fra transmitterens udgangssignal udlses, og
transmitteren justeres, indtil afvigelsen ligger inden for toleranceomrdet
Det er ikke ndvendigt at kalibrere med endelige trykvrdier, idet afvigelsesudlsningen beregnes og vises over hele det valgte omrde. Resultatet kan gemmes i kalibrataren for senere udskrift af kalibreringsrapport

189

Masseflowmler
Et legemes masse p jorden bestemmes normalt ved at veje det. Masse
kan ogs, i henhold til Newtons 2. lov om bevgelse, bestemmes ved at
mle den acceleration som legemet pvirkes af fra en ekstern kraft (kraft
= masse x acceleration). Legemer, der bevger sig i forhold til jordoverfladen afbjes mod hjre p den nordlige halvkugle og mod venstre p
den sydlige. Dette skyldes, at legemet pvirkes af en fiktiv gyroskopisk
kraft, opkaldt efter C. G. Coriolis, der frst foruds og beregnede fnomenet. Coriolis-krfterne er s sm, at de sdvanligvis udelades; men da
Coriolis-kraften vokser proportionalt med vinkelhastigheden, vil den
f.eks. for hurtigt roterende maskindele spille en vsentlig rolle.
Hvis strmmen i Storeblt er sydgende med en vis hastighed, vil en
vandpartikel med en vis masse, foruden af tyngdekraften og opdriften,
pvirkes af Coriolis- kraften med retning mod vest. Den udgr mindre
end 0,01 promille af tyngdekraften, men bevirker dog en vandstandsforskel p ca. O, 18 m, dersom vandet strmmer med hastigheden 0,5 m/s
gennem bltet.
Af frnvnte fremgr det, at Coriolis- krfterne er direkte udtryk for en
vskes masse og dennes hastighed. Dette forhold benyttes til njagtig
masseflowmling, hvor flowet lber igennem to U-formede parallelle
mlerr, der sttes i svingninger af en elektromagnet, som vist p fig.
4.322.

AFGANG

VSKE-

~~.
TilGANG~
VSKEKRAFT

DETEKTOR SPOLE

r,:;I~VRIDNINGS

MAGNET

VRIDNINGSVINKEL

t~l..LJ. VINKEL
~

Fig. 4.322. Princip for masseflowmling.

Ved indgangen til mlerrene vil masseflowet, som flge af Corioliskrfternes pvirkning, have en bremsende effekt p svingningerne, og
ved udgangen, hvor vskestrmmen er den modsatte af strmningsretningen ved indgangen, en accelerende effekt. Herved vil der fremkomme
190

en vridning af mlerrene og dermed en lille tidsforskydning

(faseforskel) mellem de to enders svingning. Tidsforskydningen, der er
proportional med masse gange hastighed af den del af mediet, der til enhver tid befinder sig i de U-formede mlerr, omsttes til et brugbart
elektrisk signal ved hjlp af to magnetisk induktive detektorer, der hver
bestr af en spole og en magnet. Detektorerne er placeret p rrenes indhhv. udlbs side, sdan at:
-den ene har spolen ved indlbet og magneten ved udlbet, og
-den anden har magneten ved indlbet og spolen ved udlbet.
Under rrenes vibrationer vil hver af detektorernes magneter inducere
en sinusformet spnding i de respektive spoler. En elektronikenhed
sammenholder nu de to signaler, og beregner, ud fra tidsforskydningen
mellem dem, masseflowet
Elektronikenheden konverterer den mlte vrdi til et standard mlesignal, enten 4 - 20 mA eller en frekvens.
Mleren er srdeles njagtig: 0,4% af aktuelt flow, og den kan anvendes i temperaturomrdet fra -240C til +200C, idet en indbygget Pt 100fler kompenserer for temperaturudvidelser i rret.
Ud over at mle masseflow indeholder masseflowmleren en mulighed
for at mle massefylde med stor njagtighed. Elektronikenheden tilpasser
hele tiden den frekvens, hvormed mlerrene svinger, sledes, at den svarer til sensorens mekaniske resonansfrekvens, som bl.a. er afhngig af
sensortype. Resonansfrekvensen afhnger tillige af massen af den vske,
der befinder sig i rret. Hvis rrets volumen forudsttes konstant, vil
massen af vsken i rret alts afhnge af vskens massefylde. Da sensorens data er kendte, er eneste ubekendte vskens massefylde, som s kan
omsttes til et 4-20 mA signal.

4.4 MAGNETFLSOMME KOMPONENTER

Elektrodynamisk fler
Den elektrodynamiske fler bygger p generatorprincippet - der induceres
en spndingsforskel i en leder, nr der bevges en magnet i forhold til
lederen.

191

P fig. 4.401 er vist en permanent magnet, der f.eks. kan anbringes p

en aksel, hvis omdrejningshastighed man nsker at mle, eller p en propel anbragt i en rrledning, hvis vskegennemstrmning skal mles. Ved
drejning af aksel eller propel vil der, hver gang magneten passerer pickup spolen, induceres en spndingsimpuls i denne. Ved at fre impulserne
til et elektronisk tllevrk fr man et ml for omdrejningshastigheden
eller for den gennemstrmmende vskemngde.

D~+++,...--

UDGANG SS l G NAL

Fig. 4.401. Elektrodynamisk t/er.

Det vil ofte vre mere praktisk, at fleren er opbygget som vist p fig.
4.402, hvor den permanente magnet er omviklet med en spole.

Fig. 4.402.

Nr et magnetisk materiale bevges foran fleren, ndres den magnetiske flux i spolen, hvorved der induceres en spnding, som fres til udgangen. Denne spnding er proportional med fluxens ndringshastighed,
som igen er proportional med hastigheden af mleobjektet foran fleren.
Fleren er alts hastighedsflsom. Dens flsomhed er imidlertid ogs
afhngig af jernarealet, samt dettes afstand fra fleren, hvorfor kalibrerede mlinger er vanskelige at foretage, mens den er velegnet til relative
mlinger.
Skal der mles p uroagnetiske materialer (f.eks. messing eller plast)
fastgres en lille jernskive p mlestedet

192

Hall-effekt fler
Hall-effekt er en spndingsforskel, der opstr mellem modstende kanter
p tvrs af en tynd plade af et metal eller et halvledermateriale, nr der
p langs gennem pladen sendes en strmstyrke og pladen udsttes for et
magnetfelt (se fig. 4.403).

UH ALL

Fig. 4.403.

Hall-spndingens strrelse er afbngig af svel magnetfeltets som

strmstyrkens strrelse. Er magnetfeltet og strmstyrken nul, vil hallspndingen ogs blive nul. Hvis strmstyrken er konstant, vil hall-spndingen blive proportional med magnetfeltets strrelse, og omvendt vil
baHspndingen blive proportional med strmstyrken, hvis magnetfeltet er
konstant.
Disse forhold udnyttes ved hall-elementets anvendelse i forbindelse
med:
flerfunktion,
relfunktion,
strmkontroL
Hall-effekt flere fremstilles normalt i integreret udfrelse omfattende
hall-element, forstrkerkreds og evt. triggerkreds. Uden triggerkreds er
fleren med analog udgang (fig. 4.404 a), og med triggerkreds er fleren
med digital udgang (fig. 4.404 b).

r---------+
Hall-

Hall-

Trigger
kreds

element

ele
ment

j__ _ _ _ _ _ _

UD

Ker

.L - - - - - - - - - -'

-:-

Fler med analog udgang

Forstr-

Fler med digital udgang

Fig. 4.404.

193

En permanent magnet, der bevges i forhold til fleren, er den almindeligste anvendte metode for opnelse af udgangssignaL P fig. 4.405 er
vist tre sdanne eksempler, idet a viser, at magneten bevges aksialt, b
viser, at magneten bevges som pendul og c viser et roterende magnethjul. Udgangssignal kan endvidere opns ved et arrangement som vist p
fig. 4.405 d, hvor en jemplade (fane) bevges gennem luftgabet mellem
hall-effekt fleren og magneten. Nr fanen befinder sig i luftgabet, vil
jernet shunte fluxen bort fra fleren.

rn_

ill!

rn

Qllllllllllj

ep

Fig. 4.405. Flerfunktion.

Styrer hall-effekt fleren en triac (se fig. 4.406), kan man opn en relfunktion, idet en triac kan slutte og bryde en stor vekselstrmseffekt Til
at trigge triacen krves f.eks. lO mA ved 1,5 V p gaten. Hall-effekt fleren tilsluttes 6 V jvnspnding og har normalt ca. l ,5 V lavere udgangsspnding, d. v.s.
uud-

6- 1,5 = 4,5

VEKSEL
SPNDING

R2

Fig. 4.406.

194

Spndingen UGATE svarer til spndingen fra spndingsdeleren R l-R2,

men da R2, som det senere er nvnt, vlges meget strre end R l, kan
der, i forbindelse med beregning af R l, ses bort fra R2.
Spndingsfaldet over RI skal sledes vre flerens udgangsspnding
minus den krvede spnding p triacens gate.
URl

uud- UGATE

= 4,5- 1,5 = 3,0 v

Da der endvidere krves l O mA til gate n er

Rl = URl = S,O = 300 ohm
]Rl

0,01

Modstanden R2 har til opgave at trkke potentialet p gaten ned til jord,
nr udgangssignalet fra hall-effekt fleren er nul. R2 skal sledes kunne
optage lkstrmme og stj p flerens udgang, nr fleren er uaktiveret.
Nr fleren er aktiveret, m R2 kun optage nogle f procent af belastningsstrmmen. I det p fig. 4.406 viste eksempel vlges R2 til lO kohm.
Til at udlse alarm i tilflde af overbelastning kan hall-effekt fleren
anvendes i forbindelse med en magnetisk kreds, som vist p fig. 4.407.
En spole gennemlbes af en strmstyrke, hvis strrelse vil give en vis
magnetisme og dermed et udgangssignal fra hall-effekt fleren.

Fig. 4.407.

Samme princip kan anvendes til mling af jvn- og velselstrmme ved

anvendelse af en speciel transformer med urlbalancering af det magnetiske felt, sledes som vist p fig. 4.408.
Rundt omkring den strmfrende leder, i hvilken strmmen skal mles,
er anbragt en ikke helt lukket ringspole. Den strmfrende leder og spolen danner en transformer, i hvilken lederen udgr primrvildingen og
spolen sekundrviklingen. Arrangementet gi ver naturligvis en god isola-

195

tion mellem leder og spole. Isolationsspndingen kan vre flere tusinde

volt og i specialtilflde op til 50 kV.
MLESIGNAL
(SPNDING)

MLEMODSTAND

~-----o

STRMFRENDE
LEDER (PRIMR)

+12 TIL 24V

"'--------o-12 TIL 24V

Fig. 4.408. Strmtransformer for jvn- og vekselstrmme.

I luftspalten i den ikke helt lukkede spole sidder et Hall-element; udgangssignalet fra dette element fres gennem en effektforstrker til to
transistorer, der atbngigt af signalets polaritet styres henholdsvis ON
eller OFF. Herved dannes en strmkreds gennem sekundrviklingen, og
strmmen gennem denne kreds, vil danne et felt, der er modsat rettet primrviklingens felt.
Hall-elementet mler induktionen og tilstrber at holde denne p vrdien nul. Den strm, der krves til udbalanceringen, fres gennem en
modstand, d. v .s. spndingsfaldet over denne modstand er proportional
med strmmen i primrlederen.
Princippet kan anvendes til mling af strmstyrker op til 50 kA ( i spedaltyper op til 100 kA). Det har fundet mange anvendelsesomrder f.eks.
i ensretterudrustninger til elektromotordrift, i processtyringsanlg og i
ndstrmsanlg.

196

Induktiv mling af vskestrmning

Princippet ved den induktive gennemstrmningsmling bygger p Faraday's opdagelse; at der opstr en spndingsforskel i en leder, der bevges
i et magnetfelt.
Ved den induktive mling af vskestrmning indtager det strmmende
stof den bevgelige leders sted. Fig. 4.409 viser et rr af et elektrisk isolerende materiale, hvori en vske strmmer med hastigheden v. Vinkelret
p rrets akse er ptrykt et magnetisk felt, og vinkelret p feltet er to
elektroder boret gennem rret, s de danner kontakt med vsken. Der vil
mellem de to elektroder induceres en spndingsforskel, hvis strrelse er
afhngig af feltets styrke, lngden af den del af rret (lederen), som befinder sig i det magnetiske felt, og endelig af den hastighed, hvormed
vsken (lederen) bevges gennem feltet (E= B l v) . Da feltstyrke og
lngde er konstante strrelser, er der proportionalitet mellem spndingsforskellen mellem de to elektroder og vskehastigheden.

Mlespnding

Fig. 4. 409. Induktiv mling af vskestrmning.

Da mlespndingen er meget lav, kan polarisationsspndinger fra elektrolytiske vsker give store mlefejL Polarisationsspndinger opstr, hvis
magnetfeltet er permanent, men kan elimineres, hvis magnetfeltet er et
vekselfelt. Derfor er magnetpolerne normalt sluttet direkte til vekselstrmsnettet
For vsker med lille ledningsevne (stor modstand) er det vanskeligt at
fremstille mleapparatur, der kan tilpasses elektrodesystemets impedans.
Dette medfrer visse indskrnkninger i mlerens anvendelsesmuligheder,
idet ledningsevnen for olieprodukter er s lille, at mleren ikke kan an197

vendes til disse, hvorimod ledningsevnen for vand er tilstrkkelig stor til,
at den kan anvendes til vandvrksvand.
Mlerret skal vre umagnetisk, kunne modst vsketrykket i ledningen samt vre elektrisk isolerende. Som materiale kan anvendes glasfiberarmeret plastic, men det kan ogs fremstilles som et yder- og inderrr,
hvor yderrret er modstandsdygtigt over for mekaniske pvirkninger,
mens inderrret er isolerende. Y derrret skal, foruden at vre umagnetisk, kunne yde modstand mod de hvirvelstrmme, som induceres i det,
og derfor fremstilles det normalt af umagnetisk rustfrit stl. Inderrret
kan vre af f.eks. teflon; kravet er, at materialet er slidstrkt og kan
modst kemiske angreb. Det samme glder elektroderne, som normalt er
af rustfrit stl, men i specielle tilflde kan der anvendes platinelektroder.
Fig. 4.410 viser udformningen af en induktiv vskestrmningsmler
(flowmler).

Fig. 4.41 O. Induktiv vskestrmningsmler.

Reed-rel
En reed-kontakt er ikke en egentlig mlevrdiomstter, men skal dog
nvnes her, idet den ofte kan finde anvendelse i forbindelse med digitale
kredse i stedet for en elektrodynamisk fler.
Reerl-kontakten bestr af et lukket glasrr som vist p fig. 4.411 med to
indsmeltede elektroder l og 2. Elektroderne, som er af et magnetisk materiale, er i virkeligheden en kombination af anker og kontakt. V ed at
udstte reerl-kontakten for et magnetfelt (f.eks. ved at bevge en permanent magnet forbi kontakten), som antydet med stiplet linie p figuren, vil
elektroderne udsttes for en gensidig tiltrkning, sledes at de danner
198

kontakt. I umagnetiseret tilstand indtager elektroderne den stilling, som er

vist p figuren. Tilbagegangen foregr ved egen fjederkraft, eventuelt
assisteret af en hjlpefjeder Fj.

Fig. 4.411. Reed-kontakt.

P fig. 4.412 er vist en fler, der indeholder en reed-kontakt, som er

placeret i et balanceret magnetisk felt af to magneter. Hvis feltet forstyrres ved tilstedevrelse af ferromagnetisk materiale, vil kontakten slutte.
Fleren kan anvendes som signalgiver ved tilstedevrelse og passage af
emner af jern.

Fig. 4.412. Fler.

Omsluttes reerl-kontakten af en spole som vist p fig. 4.413 a, har man et

reed-rel, der aktiveres ved at sende en strmstyrke gennem trkspolen.
For at forge kontakttrykket, hvorved kontaktmodstanden formindskes,
er der ofte indbygget en permanent magnet som vist p fig. 4.413 b. Med
en indbygget permanent magnet opns endvidere, at det er muligt at
fremstille monostabile og bistabile reed-reler.

199

Skiftekontakt
Spole

a
Fig. 4.413. Reed-rel.

4.5 LYSFLSOMME KOMPONENTER

Fotocelle
Belyser man en blank metaloverflade, vil der som flge af lysets indvirken finde en emission (lsriven) af elektroner sted fra metallets overflade.
Denne emission er srlig strk, hvis det anvendte metal er et alkalimetal,
f.eks. calcium, barium eller csium.
Det viser sig, at antallet af lsrevne elektroner afhnger af intensiteten
af det indfaldende lys ved en given blgelngde.
Dette forhold kan udnyttes til f.eks. mlinger af belysning, og 1
fig.4.501 er vist en opstilling, der kan benyttes til dette og andre forml.

---

LYS

Fig. 4.501. Fotocelle.

Det lysflsomme element i denne opstilling er en skaldt fotocelle, d.v.s.

en glasbeholder, der er pumpet lufttom, og p hvis ene side er anbragt
lysflsomt alkalimetaL En elektrode A er frt ind i glasbeholderen og
forbindes uden for denne til det lysflsomme lag gennem en ohmsk
modstand R og et batteri B. Et amperemeter til mling af ganske sm
strmme er indskudt i kredsen.
200

Nr alkalilaget belyses, vil det som ovenfor nvnt udsende elektroner.

Disse er negativt ladede og vil blive tiltrukket af elektroden A (anoden),
der er tilsluttet den positive pol p batteriet, og en strm vil g gennem
kredsen. Man vil finde, at der er proportionalitet mellem den belysning,
som fotocellen opfanger, og den strmstyrke, der opstr i kredsen.
Fotocellerne kan, ved anvendelse af passende alkalimetaller, konstrueres
sledes, at de er flsomme over for lys af bestemte blgelngder, svel i
det synlige som i det usynlige omrde. Fotocellen er imidlertid s godt
som aflst af fotoelektriske flere p halvlederbasis, og den spiller kun en
rolle i blflsom udfrelse med csium-antimon-katode, idet den blflsomme fotocelle kan anvendes til gasflammeovervgning.

Fotoelementer
Fotoelementer fremstilles i flgende typer: selen-fotoelement og siliciumfotoelement. Under fremstillingen tilsttes der forureningsatomer til
grundmaterialerne selen eller silicium, hvorved der dannes en PN-overgang som vist p fig. 4.502. Ved grnsen mellem P-laget og N-laget vil
der opst en diffusion af frie ladnings brere, idet hullerne i P-omrdet vil
diffundere over i N-omrdet og elektronerne i N-omrdet vil diffundere
over i P-omrdet. Nr hullerne kommer over i N-omrdet, vil de straks
rekombinere, og det samme vil ske med elektronerne, nr de diffunderer
over i P-omrdet. En lille zone p hver side af PN-overgangen vil p denne mde tmmes for frie ladningsbrere, hvilket medfrer, at forureningsatomerne ikke mere neutraliseres af de tilsvarende elektroner og
huller. Forureningsatomerne i N-materialet vil derfor udgre en positiv
ladning og forureningsatomerne i P-materialet en negativ ladning.
De positive og negative ladninger frembringer et elektrisk felt. Udsttes
PN-overgangen for lys, skabes der nye elektroner og huller, der under
pvirkning af feltet vil blive trukket til hjre henholdsvis til venstre p
fig. 4.502, d.v.s. den opstede strmstyrke har samme retning som en
sprrestrm i den af PN-overgangen dannede diode.

201

N- SILICIUM

P- SILICIUM
Hul

<V

Forure<V
ningsatom---0
@
(f.eks. indium)

e~

e e e0 e
e e

G>

e
e

(t)

e - Fri

e 0
0
0 00 0e
0
e
e
e

elektron

Forureningsatom
(f.eks. arsen)

Elektrisk felt

Fig. 4.502.

Selen-fotoelementet er opbygget som vist p fig. 4.503, hvor det nederste

lag er en jernplade, hvis overflade er belagt med et tyndt lag krystallinsk
selen, der udgr P-laget, i hvilket der optrder frie positive ladninger
(huller). Selenlaget er belagt med en selenforbindelse, der overvejende
bestr af cadmiumselenid, og som udgr N-laget. N-laget dkkes af en
elektrode, der er et ganske tyndt metallag, s tyndt, at lyset kan trnge
gennem det.
Lys

~ ~

l
D~kelektrode

Jern

Fig. 4.503. Selen-fotoelement.

Udsttes dette fotoelement for lysets pvirkning, vil der lbe en elektrisk
strm (fotostrm) gennem den p figuren viste ydre kreds. Strmstyrken
vil vre proportional med effekten (W/m2) af den belysning, der rammer
fotoelementet
Silicium-fotoelementet fremstilles af en tynd siliciumskive som forurenes til en P-leder, og der diffunderes et meget tyndt N-omrde ind i krystallen. Den dannede PN-overgang ligger kun ca. 2 J.Lm under overfladen.
Elektroder frembringes ved at dampe et egnet metal- overvejende slv -

202

p krystallen. Den uflsomme side af elementet bliver ofte helt dkket af

et metallag, mens den lysflsomme side kun bliver dkket i kanten.
En sammenligning mellem selen- og silicium-fotoelementer viser vsentlige forskelle i spektral flsomhed, se fig. 4.504.
0

/o

'Q Or-r---------------------~~~~~----------------,----------~p---~-------,

30
/

50

.",

l
l
l

40

l l

400

500

600

700

800

nm

900

Fig. 4.504. Relativ spektral flsomhed for selen- og siliciumfotoelementer.

Selen-fotoelementets flsomhed svarer omtrent til jets flsomhed, hvilket har medvirket til dette fotoelements store anvendelsesomrde inden
for lysmleteknikken.
Silicium-fotoelementet har imidlertid isr vundet udbredelse p grund
af sin lavere fremstillingspris og sin bedre virkningsgrad. Disse elementer
anvendes bl.a. til solbatterier, hvor flere silicium-fotoelementer er grupperet i enheder som vist p fig. 4.505 .
Ved en omgivelsestemperatur p ca. 25C kan hvert fotoelement ved belysning af sollyset afgive en tomgangsspnding p ca. 570 mV, hvorfor
det p fig. 4.505 viste solbatteri, der har 36 elementer forbundet i serie,
vil kunne afgive en tomgangsspnding p ca. 20 V. Ved hjere omgivelsestemperaturer falder spndingen.
Belysrung med en bestrlingseffekt p 100 mW/cm2 . d.v.s. omtrent den effekt sollyset afgiver,
nr solen str lodret over horizonten, alts i zenit.

203

20,6
~---------562--------~

9,55

Fig. 4.505. Solbatteri.

Solbatteriets belastningsstrmstyrke (fotostrm) er afhngig af strrelsen af det enkelte elements overflade. De fotoelementer, der er anvendt til
solbatteriet fig . 4.505, har en diameter p 76 mm og har en fotostrm p
ca. 1000 mAveden udgangsspnding p ca. 15 V. Solbatteriet har sledes en udgangseffekt p ca. 15 W.

Fotodioder (se kapitel 2.2) fremstilles almindeligvis af silicium som

grundmateriale, og kan ved anvendelse af moderne teknologi til dannelse
af PN-overgangen opn ganske sm dimensioner, som vist p fig. 4.506.
LINSE

1- -a-

Fig. 4.506. Fotodiode.

Fotodioden kan bruges som fler med eller uden en ydre spndingskilde.
Ofte anvendes fotodioder i forbindelse med infrard-ernitterende dioder
(IRED) som:
204

afbryder/reflektor moduler, som opfanger emners ndring af lysbane,

isolatorer/koblere, som overfrer elektrisk signal uden elektrisk forbindelse.
Afbryder- og reflektor moduler er vist p fig. 4.507. Modulerne har elektriske ind- og udgangssignaler- d.v.s. som et koblet par- og med defineret afhngighed af et mekanisk indgangssignaL
SENDER

AFBRYDER

MODUL

REFLEKTOR

DETEKTOR

MODUL

Fig. 4.507. Afbryderireflektor moduler.

Modulerne er ofte fremstillet af plastic, og indeholder en IRED (E), der

tilsluttes sin mrkespnding f.eks. 5 volt, og en fotodiode (D).
Afbryder-modulerne er opbygget som en gaffel med to ben. Igennem
slidsen, der dannes af de to ben, kan fres et emne, der skiftevis fri gi ver
og afbryder den infrarde strle. Dette emne har ofte form som en cirkulr skive som vist p fig. 4.508, hvor skiven er forsynet med et antal
tnder. Er fotodioden (detektoren D) koblet som vist p fig. 2.213b, vil
der afgives udgangssignal, nr der er passage for den infrarde strle.
P fig. 4.509 er illustreret, hvordan reflektormodulet fungerer. Et roterende emne er forsynet med nogle reflektormrker, som tilbagekaster de
udsendte infrarde strler til fotodioden, hvis modstand da vil falde til
nul.

205

~ +
E

-.._

Fig. 4.508. Afbryder-modul.

Fig. 4.509. Reflektor-modul.

Isolatorerikoblere benvnes ofte FOTOKOBLERE eller OPTOKOBLERE. Delene er totalt indkapslet for indlodning p printkort, som vist p
fig. 4.510 a. P fig. 4.510 b er vist, at fotokobleren indeholder en IRED,
der ved tilslutning til en passende spndingskilde pvirker en fototransistor ved hjlp af infrard bestrling.

r-------,

~rt
l~
o-r-l
L-------.J
b
Fig. 4.510. Optokobler.

Anvendes fotokoblere f.eks. i indgangene til et elektronisk apparat, opns

en fuldstndig elektrisk adskillelse mellem de ydre anlgsdele og apparatet.

206

4.6 GASFLSOMME KOMPONENTER

Gasprveapparater for mling af C02 , CO og 0 2

Elektriske gasprveapparater for C02, CO og 0 2 udnytter forskellen
mellem forskellige luftarters varmeledningsevne. For en forbrndingsgas
med sammenstningen C02 , CO, 0 2 og N 2 glder det, at varmeledningsevnen for C02 er ca. 59% af den atmosfriske lufts varmeledningsevne,
varmeledningsevnen for CO er ca. 96% af den atmosfriske lufts varmeledningsevne, og varmeledningsevnen for 0 2 er ca. l Ol% af den atmosfriske lufts varmeledningsevne.
P fig. 4.601 er vist en C02-mler, der bestr af fire isolerede metalkamre, hvori der i hver er udspndt en platintrd. Til to af kamrene fres
der luft, og til de vrige to fres prvegas, sledes som angivet p figuren. Ved hjlp af skydemodstanden R 1 indstilles strmstyrken til en p
amperemeteret angiven vrdi, hvorved trdens temperatur bliver ca.
100C hjere end omgivelsernes temperatur.

Fig. 4.601. C02 -mler.

207

Er der atmosfrisk luft i alle fire kamre, bliver klevirkningen den samme p alle trdene, og broen kan da indstilles i balance ved hjlp af skydemodstanden R 2 . Fyldes derefter gaskamrene med forbrndingsgas, der
indeholder co2, vil afklingen p trdene i disse kamre blive drligere,
og trdenes temperatur vil stige. P grund af platintrdenes temperaturkoefficient vil modstandsvrdierne for trdene i gaskamrene blive
hjere end for trdene i luftkamrene, og broen vil komme ud af ligevgt
med det resultat, at galvanometeret vil gre udslag. Parallelt til galvanometeret kan der eventuelt udtages udgangssignal til et regulerings-, styrings- eller kontrolsystem.
Til mling af forbrndingsgassens indhold af carbonoxid og hydrogen
(CO + H2) anvendes et princip som vist p fig. 4.602. Ved hjlp af en
brokobling med to isolerede metalkamre (en for prvegas og en for atmosfrisk luft) og to modstande foretages sammenligningen.

Fig. 4. 602. CO-mc}/er.

I begge kamrene er udspndt en platintrd, der bliver opvarmet til ca.

500C. Findes der brndbare dele i forbrndingsgassen, der ledes til gaskammeret, vil der foreg en forbrnding, hvorved platintrdens tempera208

tur og dermed dens modstand vil stige. Da trden udgr en del af broen,
vil denne komme ud af balance, og galvanometeret vil give udslag.
P skitsen fig. 4.603 er vist et mlekammer for bestemmelse af 0 2-indholdet i en gas. En platintrd i mlekammeret frer en strm og holdes
derved p ca. 300C. I mlekammeret er der et kraftigt magnetisk felt
frembragt af en permanent magnet.

Mlekammer
v.-~~ Platintrd

Fig. 4.603. Mlekammer.

Mlingen udnytter det forhold, at oxygen ved lave temperaturer er magnetisk. Indeholder mlegassen oxygen, vil gassen p grund af oxygenens
magnetiske egenskaber blive tiltrukket af det omrde, hvor den magnetiske fluxtthed er strst. I netop dette omrde er platintrden anbragt, og
vil opvarme gaspartikleme. Som flge af denne opvarmning aftager oxygenens magnetisme- p tilsvarende mde som en permanent magnet bliver umagnetisk efter udgldning- og den opvarmede gas bliver fortrngt
af den kligere gas, idet oxygen i den kligere gas har strre magnetisme
end i den opvarmede gas. P denne mde opstr der en cirkulation af gassen. Gascirkulationens hastighed vil vre proportional med gassens indhold af oxygen.
Til mling af gascirkulationen anvendes platintrdens modstand, idet
den afkling af trden, som forrsages af gascirkulationen og som ndrer
trdens elektriske modstand, er et ml for gassens oxygenindhold.
For at opn stor mlenjagtighed indgr der ofte to mlekamre og to rcferencekamre i en brokobling, sledes som vist p fig. 4.604.

209

Fig. 4.604. 02 -mler.

I alle fire kamre er udspndt en platintrd, der opvarmes til ca. 300C,
hvorved gassen, der gennemstrmmer kamrene, vil blive opvarmet. I de
to mlekamre vil varmetrdene blive strkere afklet end trdene i referencekamrene. Afklingen vil vre proportional med gassens indhold af
0 2, hvorfor galvanometerudslaget direkte vil angive gassens iltindhold.

Fugtigbedsfler
P fig. 4.605 er vist en lithium-chlorid fugtighedsfler, der bestr af et
modstandstermometer, der er anbragt i et rr af ikke elektrisk ledende
materiale. Om rret er viklet glassilke, som er vdet med en lithiumchlorid-oplsning. Uden om glassilkerret er lagt to trdvindinger som varmeelektroder .
Bliver varmeelektroderne tilsluttet en vekselspnding (jvnspnding
kan ikke anvendes, idet der da kan opst unsket elektrolyse), vil strmvarmen hve oplsningens temperatur, og vandet i LiCl-oplsningen vil
fordampe. Herved aftager den elektriske ledeevne, og strmgennemgan210

gen nedsttes. Oplsningens temperatur vil herved synke, og da LiCl er

strkt hygroskopisk (vandsugende), vil oplsningen optage vand fra omgivelserne. Dette vil medfre forget el-ledeevne, stigende strmstyrke
og get fordampning o.s.v., indtil der indtrder balance ved en bestemt
temperatur. Denne ligevgtstemperatur indtrffer, nr der er overensstemmelse mellem damptrykkene i oplsningen og i den omgivende luft.
Da der er sammenhng mellem ligevgtstemperaturen og dugpunktet,
kan ogs den absolutte og relative fugtighed bestemmes.
ELEKTRODER
GLASSILKE
MED LiCI

Fig. 4. 605. LiCI-fugtighedsfler.

Ved at indkoble fugtigbedsfleren i en brokobling kan man opn et udgangssignal, der kan fres til en analog eller digital kreds.
P fig. 4.606 a er selve udformningen af en fugtigbedsfler vist. I udfrelse for indbygning i rrledninger og beholdere er den egentlige fler
monteret i et beskyttelsesrr med langsgende spalter, som vist p fig.
4.606 b.

Fig. 4.606. Fugtighedsfler.

211

Kalibrering af flere for relativ luftfugtighed kan gennemfres ved hj~n

af saltoplsninger, idet luften, der i en lukket beholder befinder sig Jvt:.r
en bestemt saltoplsning, indstiller sig p en bestemt relativ luftfugtighed,
der alene er afhngig af temperaturen.
Beholderen, der anvendes under kalibreringen, skal kunne lukkes lufttt. Fleren anbringes i beholderen med tilledningerne frt til beholderens yderside, sdan at tilpasningselektronikken kan tilsluttes her.
Nr saltoplsningen er hldt i beholderen, lukkes denne lufttt, og efter
en ventetid p mindst 30 minutter ved konstant temperatur, kan der foretages kalibrering af fler og tilpasningselektronik
I flgende tabel er angivet de temperaturafhngige relative luftfugtigheder, der kan opns ved hjlp af forskellige saltoplsninger.
Maksimal oplst saltmasse (g) i 100 gram vand ved 20C til fremstilling af en saltoplsning til dannelse af en speciflk relativ luftfugtighed (%) i afhngighed af temperaturen (C).
Temperatur( C) 5
Masse

Salt

JO

15

Formel

20

25

30

35

40

45

50

Relativ luftfugtighed

(%)

(g)
98

98

31,60 Kaliumnitrat

K2 so4
KN0 3

96

95

31,30

Ka1iumch1orid

KCI

88

88

87

86

85

85

84

82

81

80

76,30

Ammoniumsulfat2 (NH4)2S04

82

82

81

81

80

80

80

79

79

78

76

76

76

76

75

75

75

75

75

75

65

65

63

62

62

59

59

73

69

65

62

59

55

53

47

42

Natriumdichromat Na2Cr207
Magnesiumnitrat Mg(N03) 2

59

58

56

55

54

52

51

50

47

58

57

56

55

53

52

50

49

46

K2 co3
Magnesiumch1orid MgCI2
CH3 COOK
Kaliumazetat

47

44

44

43

43

43

42

34

34

34

33

33

33

32

32

31

30

21

21

22

22

22

21

20

Lithiumchiarid

14

14

13

12

12

12

12

ll

Il

11

11,15

Kaliumsulfat

Natriumchlorid3
Natriumnitrit l
190,00
70,50
111,50
54,20
82,20

NaC1
NaN02

Ammoniumnitrat2 NH4N03

Kaliumkarbonat

Li Cl

l ) Pas p giftig !
2) Forsigtig !
3) Oplsning nr temperaturuafhngig

212

97
94

97
93

97
92

96
91

96
89

96
88

96
85

96
82

Oxygen-fler
Til mling af en gasblandings iltindhold kan anvendes en oxygen-fler
som vist p fig. 4.607. Til mlingen anvendes en zirconiumdioxidcelle,
der er stabiliseret med calcium.
Flange for montering

t ttt

Kalibreringsgas

ind~

Referenceluft ind
Beskytte l seskappe

t ttt

Filterelement

M&legas

Varmetrde

Referencey
luft ind

Termoelement

Kalibreringsgas udJ

ill

Malegas
ind

Fig. 4. 607. Principskitse af oxygen-fler.

Zirconiumdioxid (Zr02 ) er et keramisk materiale, der har den egenskab,

at det kan lede iltioner gennem sit krystalgitter ved temperaturer over
400-500C. Andre gasmolekyler kan derimod ikke passere.
...

ELEKTRODE

. . .. . . . ..

... ........ '..

Fig. 4.608.

Zirconiumdioxidcellen indeholder en membran af zirconiumdioxid med

porse platinelektroder p begge sider, som adskiller to gasser. Fig. 4.608
viser princippet. Den ene gas er en referencegas med kendt iltindhold,
den anden er mlegassen, hvor iltindholdet er ukendt. Typisk anvendes
atmosfrisk luft med 20,9% 0 2 som referencegas. Loven om ligevgt
213

foreskriver, at ilt vil have tendens til at bevge sig fra gassen med strst
iltindhold til gassen med lavest iltindhold. Der opstr herved en spndingsforskel mellem de to elektroder. Jo strre forskel, der er i iltindholdet mellem de to sider af membranen, des strre bliver spndingsforskellen.
Tilstedevrelsen af H20 eller C02 i mlegassen vil ikke have nogen
indflydelse p mlingen, hvorimod der ikke br vre brndbare bestanddele i rnlegassen. For at modvirke, at temperatursvingninger vil have
indflydelse p cellespndingen, har oxygen-fleren et indbygget termoelement, og temperaturen holdes konstant ved hjlp af en P-regulator.
Kontrol af flerens kalibrering kan foretages uden nogen form for demontering, idet en beholder med kendt gasindhold kan tilsluttes en udvendig fitting, og et tyndt rr villede gassen hen til mlecellen.
Oxygen-fleren anvendes fortrinsvis til styring af forbrndingsprocesser i varmeproducerende anlg, styring af brndstof/luft-forholdet i bl.a.
bilmotorer, kontrol af iltindhold i procesanlg, f.eks. i ovne til varmebehandling af stl og ved brnding af kerantik

Infrard-analyseapparat
Til en njagtig analyse af gas-luftblandinger kan anvendes et infrardanalyseapparat, der p fig. 4.609 er vist som principskitse. I analyseapparatet
udnyttes den kendsgerning, at infrarde strler absorberes af forskellige
luftarter i forhold til den tilstedevrende mngde af disse luftarter.

UDGANGS SIGNAL

Fig. 4. 609. Infrard-analyseapparat.

Infrard-analyseapparatet indeholder to strlingskilder r1 og r2, hvorfra

de infrarde strler ledes gennem et roterende blndehjul s, drevet af en
214

el-motor m. De infrarde strler gennemlyser, via det roterende blndehjul, skiftevis mlekammeret M l og referencekammeret M2. Referencekammeret M2 er som regel fyldt med en gasart, der ikke absorberer infrard-strling, normalt rent kvlstof, mens absorbtionen i mlekammeret er
afhngig af sammenstningen af den gennemstrmmende gas.
Strlerne nr sledes detektorenheden D med forskellig styrke. Detektorenheden D er delt op i to afdelinger for henholdsvis mle- og referencekammer, og begge afdelinger er fyldt med den gaskomponent, apparatet skal mle, f.eks. fyldes detektorenheden D med CO, hvis apparatet
skal anvendes til at mle det procentvise indhold af CO i forbrndingsprodukter. Afhngig af styrkedifferencen mellem de to strler inden for
komponentens specifikke absorbtionsbnd vil gassen i de to afdelinger
blive opvarmet forskelligt, hvorved der opstr en trykforskel mellem detektorenhedens to afdelinger.
Skillevggen mellem de to afdelinger er en tynd letbevgelig membran, som udgr den ene plade El i en kondensator, hvis anden plade er
E2. P grund af, at det roterende blndehjul skiftevis sender strler igennem mlekammer Ml og referencekammer M2, vil membranen blive sat i
svingninger, hvis amplitude er proportional med koncentrationen af gaskomponenten i det undersgte forbrndingsprodukt Svingningerne i
kondensatorens kapacitans omformes til en pulserende jvnspnding, der
forstrkes og derefter tilfres instrument eller styrekreds.
Gaskomponenter med nrliggende absorbtionsbnd kan urlskilles ved
indstning af absorbtionsbeholdere F. Skal apparatet f.eks. anvendes til at
mle det procentvise indhold af CO i forbrndingsprodukter, skal absorbtionsbeholderne F udskille virkningen af andre luftarter end CO, isr
C02

Apparatets flsomhed kan indstilles med blnden B. Korrigering for

opstillingsstedets middellufttryk sker ved hjlp af et indbygget potentiometer.

(}askronnatograf
Gaskromatografien er en analyseform, ved hjlp af hvilken man hurtigt
og i en arbejdsgang kan f svel kvantitative som kvalitative oplysninger.
Foruden at kunne analysere gasarter, kan metoden anvendes til analysering af faste eller vskeformige stofblandinger, hvis disse blot kan bringes til fordampning.
215

P fig. 4.610 er vist gaskromatografiens grundprincip, hvor man til en

stadigt strmmende bregas, der f.eks. kan vre bor, hydrogen, helium
eller nitrogen, tilstter et bestemt volumen af den prve, der skal analyseres. Bregas og prve strmmer sammen gennem en spiralformet udskillesjle, der indeholder et adsorberende fast stof, f.eks. aktivt kul. Nr
gassen passerer gennem udskillesjlen, vil nogle af mlegassens komponenter hurtigt adsorberes og kommer til at befinde sig nr bunden af udskillesjlen, mens andre komponenter adsorberes senere og kommer dermed hjere oppe i sjlen. Efter en tids forlb vil mlegassens adsorberede
komponenter blive lsrevet af bregassen, der tilstadighed strmmer
gennem udskillesjlen, og der kan p ny finde adsorption af mlegas sted.
De af bregassen lsrevne gaskomponenter vil forblive at vre udskilt
fra hinanden, nr de af bregassen fres videre gennem apparatet (pos. 5
p fig. 4.610). Nr gaskomponenten passerer mlevrdiomstteren, fs et
udslag p skriveren. Hjden af den aftegnede spids indikerer, hvilken
gaskomponent det drejer sig om, idet der for den pgldende udskillesjle findes referencevrdier. Arealet af den aftegnede spids er et ml for
gaskomponentens koncentration.

1-~
3

5a

5b

!=======-

Se
6

1 Bregas
2 Prvegas for analyse
3 Mlegas (bregas og analysegas)
4 Udskillesjle
5 Gaskomponenter med bregas
6 Mlevrdiomstter
7 Linieskriver

Fig. 4.610. Gaskromatografens princip.

Som mlevrdiomstter kan anvendes en:

Adsorption er en overfladeegenskab, der forekommer, nr et fast legeme bringes i berring
med en luftart (eller damp), og det faste legeme overtrkkes med en hinde af luftarten.

216

- varmeledningsevnedetektor, hvis mleprincip svarer til mleprincippet i

gasmleapparaterne for C02 , CO og 0 2 ,
- flammeioniseringsdetektor, der er vist p fig. 4.611. Flammeioniseringsdetektoren benyttes isr ved mlinger p gasser bestende af
brndbare kulbrinter.

LUFT
BRE-og

MALEGAS

BRINT
Fig. 4.611. Flammeioniseringsdetektor.

Ved forbrnding af gaskomponenterne i en brintflamme, vil der dannes

en ionstrm / 0 , der er proportional med den pgldende gaskomponents
masse, og som gennem en forstrker vil kunne mles.

4.7 LYDFLSOMME KOMPONENTER

Ultralydniveaufler
P fig. 4.701 er vist en ultralydniveaufler med to piezoelektriske krystaller og med separat kontrolenhed. Et elektrisk signal fra kontrolenheden
frembringer ultralydblger i flerens senderkrystaL Nr gabet mellem
sender- og modtagerkrystallen er vskefyldt, transmitteres ultralydeffekten i hjere grad, end nr gabet er luftfyldt. Det modtagne ultralydsignal
pvirker, via et elektronisk kredslb, et udgangsrel med en omskifterkontakt. Ultralydniveaufleren kan anvendes til niveaustyring i vsker
enten som pumpe-, ventilstyring eller som alarm for hjt eller lavt niveau.

217

Ultralydsignalet
opfanges af
modtagerkrystallen

krystal

Ultralydsignalet
opfanges ikke af
modtagerkrystallen
motorskab
eller
alarmsystem

Fig. 4.701.

Ultralydflowmler
Ultralydflowmling er en metode til praktisk industriel mling af vskestrmning i rr. Mlemetoden udnytter, at en lydblge transmitteres
hurtigere med en strmning end mod en strmning. De effektive lydhastigheder, medstrms og modstrms, mles med et par ultralydtransducere,
der bringes i kontakt med vsken. Transducerne rager ikke ind i
strmningen, og ultralydflowmleren giver derfor ikke anledning til noget
tryktab eller anden ndring i strmningen, ligesom flowmleren hverken
slides eller pvirkes af snavs, da den ikke indeholder nogen bevgelige
dele.
En ultralydflowmler bestr bl.a. af et transducerst, der som vist p
fig. 4.702, kan vre monteret skrt overfor hinanden, hvis der er tale om
store rr med en diameter p mere end l 00 mm. Ved mindre rr anbringes transducerne p langs ad rret, som vist p fig. 4.703.

218

Fig. 4. 702.

Kontrolenheden, der er en elektronisk enhed, styrer afsendelsen af lydimpulser fra transducerne, mler transmissionstiderne og danner et udgangssignal, der er proportionalt med gennemstrmningen. Ultralydtransducerne virker skiftevis som sender og modtager, idet der frst sendes fra transducer l til transducer 2, derefter fra 2 til l.
For at man kan mle vskestrmning med ultralyd, skal vsken naturligvis kunne transmittere lyden. Langt de fleste vsker som vand, vandige oplsninger, olieprodukter o.s.v. lader sig mle med ultralyd, kun
enkelte vsker, som f.eks. koncentreret eddikesyre, er ikke gennemsigtige for lyd.

Kontrol
enhed

Fig. 4.703.

Luftbobler i vsken vil virke strkt lyddmpende og kan umuliggre

brug af ultralydflowmling. Derimod har faste partikler i strmningen
normalt ingen indflydelse p mlingen, og da rret er glat indvendigt, vil
selv store genstande kunne passere uden problemer.

219

4.8 ELEKTROMETRISKE KOMPONENTER

Mling af pH-vrdi
pH-vrdien er et udtryk for en oplsnings indhold af hydrogenion [H+],
og dermed ogs for oplsningens indhold af hydroxidion [OH-], idet det
ved stuetemperatur glder, at i en fortyndet vandig oplsning er

[H+] [OH-] = l0-14

Er [H+]> lQ- 7 alts pH< 7, har man en sur oplsning; og er [H+] < lQ-7
alts pH > 7, er oplsningen basisk. Ved en neutral oplsning er [H+] =
l 0-7, der svarer til pH = 7.
pH-mling har stor betydning for kraftvrksdrift, idet det har vist sig at
vre muligt at begrnse korrosion p alle vandberrte stldele ved at
hve vandets pH-vrdi fra det neutrale 7 til 9,0-9,5. Der skal uendeligt
sm mngder af basisk stof til at ndre pH-vrdien i omrdet 7 til 9 i
meget rent vand som kedelfdevand. Det er alts meget sm koncentrationer af hydroxidion og hydrogenion, som skal mles, og mlemetoden
m derfor vre srdeles flsom og njagtig.
Man har udviklet meget flsomme pH-metre baseret p glaselektroder,
som b li ver elektrisk opladet, nr de anbringes i vand. Opladningen varierer i takt med vandets hydrogenionkoncentration, [H+], og den varierer
derfor ogs med vandets pH-vrdi.
Man antager, at dette skyldes den lille hydrogenions evne til at trnge
ind i elektrodeglasset
P fig. 4.801 er vist den principielle indretning for et pH-mleapparat.
Oplsningen, hvis pH-vrdi man nsker at mle, lber til stadighed gennem et prvekammer, i hvilket er anbragt en glaselektrode og en sammenligningselektrode neddyppet i oplsningen.
Glaselektroden er et glasrr, som ender i en tyndvgget kugle af specialglas. Rret er fyldt med en tynd saltsyreoplsning, og heri er neddyppet en platintrd, som er forbundet til en forstrker.
Sammenligningselektroden bestr af et glasrr med kapillarbning forneden. Glasrret kan vre fyldt med en blanding af vand og fast kaliumchlorid, KCl, hvori er nedstukket et tyndere glasrr med kvikslvchlorid,
HgC1 2, og rent kvikslv, Hg, og heri er anbragt en platintrd, som forbindes til forstrkeren.

220

t> :: ~} Udgangssignal
Forstrker

- - sammenligningselektrode

lt-----t

--

A f lb

~==+---Kvikslv (Hg)
- - + - - - - Kvikslvchlorid (HgCI 2)
: ~=:
;.:.,...- - + - - - - Kaliumchlorid (KCI) + Vand (H 20)
.;
.
w

~ ~t

;::=

:~~:::ar prve

\ \Glaselektrode .
L Saltsyreoplsnmg (HCI)

Fig. 4.801. pH-mleapparat.

Platintrdene i henholdsvis glaselektrode og sammenligningselektrode

forbindes som nvnt til en forstrker, som sender det forstrkede elektrodesignal til f.eks. en skriver eller en styring.
Forsg har vist, at der er proportionalitet mellem vandets pH-vrdi og
spndingsforskellen mellem elektroderne. Ved 20C svarer en ndring i
spndingsforskellen p 58, l millivolt til en ndring p l pH, f.eks. fra
pH= 7 til pH= 8.

Mling af oplsningers elektriske ledningsevne

Ledningsevne-mleindretninger anvendes til bestemmelse og overvgning
af koncentrationen af salte i vandige oplsninger. F.eks. kan ledningsevne-mling anvendes p skibe i forbindelse med overvgning af en kedelkondensators tthed, idet en utt kondensator vil suge saltvand ind i
kondensatorens forttningsrum, hvorved kondensatets chloridindhold vil
stige.
Et almindeligt mleprincip er mling ved hjlp af en 4-elektrode mlecelle, som, bl.a. p grund af sin uflsomhed overfor tilsmudsning, er i
stand til at levere prcise mlinger i lange perioder. P fig. 4.802 er vist
221

en skitse af elektrodearrangementet i 4-elektrode mlecellen med elektroderne A, B, C og D.

Fig. 4.802.

Elektroderne A og B kobles til en konstant jvnspnding, hvorved der

lber en strmstyrke gennem vandprven mellem elektroderne A og B.
Spndingsfaldet p denne strkning atbnger af vandprvens ledningsevne. C og D er elektroder, som er anbragt i vandet imellem A og B. De
er tilsluttet en flsom forstrker, ved hjlp af hvilken man kan mle
spndingsforskellen mellem C og D. C og D er kun "flere" for et potential. Der tilfres ikke strm til C og D, og disse elektroders renheds- og
polarisationstilstand er derfor uden betydning for ledningsevnemlingen,
som kan udfres med stor prcision. Signal fra C og D forstrkes gennem en forstrker.

222

P fig. 4.803 er vist en 4-elektrode mlecelle, i hvilken de fire elektroder er kulringe, der er anbragt over hinanden. Mlecellen er foroven lukket ved hjlp af en forskruning af rustfrit stl.

Fig. 4.803. 4-e/ektrode mlecelle.

223

S. Analoge kredse

5.1 JVNSPNDINGSFORSTRKER
Forstrkning af sm jvnspndinger med transistorforstrkere medfrer
umiddelbart problemer p grund af temperaturdriften. Denne drift reduceres, nr forstrkeren opbygges som en differensforstrker med to ens
transistorer, der udsttes for den samme temperatur.
Ul, ud

+Ucc
Re z

u l, ind

U 2,1nd

-Xa
Fig. 5.101. Simpel differensforstrker.

En simpel differensforstrker er vist p fig. 5 .l Ol. Transistorerne T 1 og

T 2 er koblet symmetrisk, idet emitterterminalerne er sammenkoblet via et
potentiometer, med hvilket usymmetri i koblingen kan udbalanceres. Ved
hjlp af modstandene RB 1 og RB 2 sikres, at transistorernes udgangssignaler (u 1,ud og u2,ud) er nul, nr indgangssignalerne (u 1,ind og u2,ind) er
nul, med andre ord, at transistorernes spndingskarakteristikker u1 ud = f
(u 1 ind) og u2 ud= f (u2 ind) gr gennem koordinatsystemets nulpunkt, som
'
vist' p fig. 5.101
b. '

224

En positiv indgangsspnding u 1,ind vil forrsage en negativ udgangsspnding u1,ud - og omvendt. Forstrkningen for henholdsvis T 1 og T 2
kan derfor udtrykkes ved:
_
A1 -

og A 2 -_

-Llul,ud
Llul,ind

-Ll~,ud

_---=...;~

Llu2,ind

Tilfres indgang a et signal u1,ind, der er inden for spndingskarakteristikleens linere omrde, vil der p udgang c kunne mles et forstrket,
uforvrnget signal u1,ud Forstrkningen i det aktuelle eksempel kan derfor udtrykkes ved
_
A1--

ul,ud

Ul, ind

Det samme er tilfldet, hvis der tilfres et signal u2 ind p indgang b, idet
der da vil st et forstrket udgangssignal u2,ud p klemme d, og forstrkningen er:
A 2_- -

~.ud

~.ind

Tages udgangssignalet mellem klemmerne c og d, fs differenssignalet

uud = ul,ud- u2 ,ud = -A 1 u 1,ind + A 2 u2 ,ind Drift, som skyldes variationer i temperatur eller spndingsforsyning, fr samme polaritet og vil ikke
vise sig i differenssignalet, dersom de to forstrkerhalvdele er helt ens,
og det elektriske kredslb er linert. Stilles der store krav til stabiliteten,
vil det imidlertid vre praktisk umuligt at opn ensartet temperatur i de to
transistorer, hvorfor man ofte benytter en "dobbelt transistor", hvor de to
transistorer er fremstillet p samme krystal.
Forstrkningerne for de to forstrkerhal vdele er p grund af differensforstrkerens symmetriske opbygning lige store, nr udstyringen omkring
arbejdspunktet er forholdsvis lille. Man kan sledes anvende betegnelsen
A0 i stedet for de specifikke betegnelser A1 og A2 , og udtrykket
uud = -A 1 u 1,ind+ A 2 u2,ind kan da omskrives til:

Udgangssignalet (spndingsforskellen mellem klemmerne c og d) vil

sledes numerisk vre lig med forstrkningen gange med differensen
mellem indgangssignalet p klemme a og indgangssignalet p klemtue b.

225

Er der indgangssignal p klemme a, men ikke p klemme b (u 2 ,ind = 0),

vil uud = -A0 ul,ind' hvoraf fremgr, at indgangs- og udgangssignal er i
modfase.
Er der derimod indgangssignal p klemme b, men ikke p klemme a
(u 1 ind = O) vil uud = A 0 u 2 ind Indgangs- og udgangssignal vil i dette
'
'
tilflde
vre i fase.
Dette forhold, at uud vil vre i modfase med u 1,ind og i fase med u 2 ,ind'
nr forstrkeren betragtes udefra, kan ogs illustreres ved, at der mellem
klemmerne c og d anbringes et voltmeter (drejespoleinstrument) med dets
+klemme til c og dets- klemme til d. Instrumentet vil da give positivt
udslag nr u 1,ind < u2 ,ind og negativt udslag, nr u 1,ind > u 2,ind
En videre udvikling af metoderne ved fremstilling af flere transistorer
p samme krystal finder man i integrerede forstrkere, hvor hele forstrkeren er opbygget p en enkelt halvlederkrystaL Hvor en sadan forstrker
tilfredsstiller store stabilitetskrav, benvnes den en operationsforstrker.

5.2 GENEREL OPERATIONSFORSTRKERTEKNIK

Af hensyn til stabiliteten over for temperatursvingninger m.m. er operationsforstrkerens indgangstrin altid opbygget som et differensforstrkertrin (se kapitel 5.1), hvorved man samtidig opnr to indgange, der
muliggr at udgangen er henholdsvis i fase og i modfase med indgangsspndingen. De to indgange benvnes derfor i overensstemmelse hermed
plus- og minus-indgang. Operationsforstrkeren kan derfor bruges bde i
ikke-inverterende og i inverterende kobling.
En praktisk operationsforstrker bestr ofte af f.eks. to differensforstrkertrin samt af et eller flere normale forstrkertrin.
Betragtes differensforstrkeren fig. 5 .l Ol som operationsforstrkerens
indgangstrin, fres udgangssignalet uud til endnu en differensforstrker,
hvorved stabiliteten forges, og videre til nogle normale forstrkertrin.
Det endelige udgangssignal fra operationsforstrkeren vil herefter st p
en terminal d.v.s reprsenteret ved spndingsforskellen mellem operationsforstrkerens udgangsterminal og stel eller "nul".
Integrerede operationsforstrkere fremstilles med forskellig indkapsling, der normalt er fremstillet af plast. De mest anvendte typer er T0-5
indkapsling, FLAT-PACKog DUAL-IN-LINE.
T0-5 er en cirkulr kapsel som vist p fig. 5.201.
226

0.015 IliA X.

11~ ~~:.~ ;f
...

uzcl
TYr.
.L:: TTo.o71

IliA X.

t_ o1so

I.OSO ~

T_LI

=~lo.ou

IIIIN

o1n I.OOG
TYr.
IIIAX.- --j

["

J:~>t:

U li

Fig. 5.201. T0-5 kapsel.

Fig. 5.202. FLA T-PACK kapsel.

Fig. 5.203. DUAL-/N-LINE kapsel.

FLAT-PACK kapslen, hvis front- og sidebillede er vist p fig. 5.202, er

en rektangulr kapsel med koblingsbenene stikkende ud til siderne.
DUAL-IN-LINE kapslen, der er vist p fig. 5.203, er den mest anvendte
kapseltype. Den har nedadbukkede koblingsben, sledes at den umiddelbart kan stikkes ned i et kredslbskort.
Operationsforstrkere kan kvivaleres med koblingen fig. 5.204. Ri er
forstrkerens indgangsimpedans og er defineret som impedansen mlt p
en af indgangene, nr den anden er jordet.

227

Forstrkerens udgangskreds er reprsenteret ved en spndingskilde G

(generator) med vrdien -A0 (u 1,ind- u2,ind) og ved forstrkerens udgangsimpedans Ru.

....c

-...
...:Jc
Fig. 5.204.

Driftspndingen for operationsforstrkeren er benvnt +Ucc og -UEE

Alle operationsforstrkere skal tilsluttes en driftspnding og have en
stelforbindelse, men som det vil fremg af fig. 5.204, vil forholdene
mellem ind- og udgangssignalerne udelukkende vre afhngige af Ri, A0
og Ru. Da det er signalerne, man er interesseret i at flge, viser man normalt ikke spndingstilslutningen p et signalstrmskema. Den kvivalente figur for en operationsforstrker kan derfor simplificeres yderligere
som vist p fig. 5.205. Signalerne er her noteret ud for de respektive
terminaler, idet det dermed er underforstet, at signalerne mles som
Spndingsforskellene mellem de respektive terminaler og nul.

Ut,ind

Fig. 5.205.

Ved alle lavfrekvenstekniske betragtninger kan forstrkeren med god

tilnrmelse antages som ideel, hvilket bl.a. er kendetegnet ved, at:
228

-indgangsimpedansen Ri er uendelig stor,

-forstrkningen A0 er uendelig stor,
-udgangsimpedansen Ru er nul.
I en sdan forstrker kan der sledes dels ses bort fra forstrkerens optagne strmstyrke, dels ses bort fra effekttab.
Selv om forstrkningen kan betragtes som uendelig stor, vil forstrkerens udgangssignal blive nul, dersom de to indgangsspndinger er lige
store, hvilket kan ses af udtrykket:
uud

= -A0

(u 1 ind- u 2 ind),

'

'

der for A0 = oo kan omskrives til:

Zlud-O
_
U l ,In
' d -U
2,In
' d---- .
00

inverterende
indgang<>----11-0

Fig. 5.206. Ideel operationsforstrker.

P fig. 5.206 er vist symbolet for en operationsforstrker, hvor minusindgangen er kaldt for inverterende indgang og plus-indgangen for ikke
inverterende indgang. Af frnvnte fremgr det, at de to indgange muliggr, at forstrkeren tilfres:
l. positivt indgangssignal til den ikke inverterende indgang, mens
den inverterende indgang forbindes til nul eller en konstant
spnding. Udgangssignalet bliver da positivt,
2. positivt indgangssignal til den inverterende indgang, mens den
ikke inverterende indgang forbindes til nul eller en konstant
spnding. Udgangsignalet bliver da negativt,
3. indgangssignal til bde inverterende og ikke inverterende indgang.
Udgangssignalet vil i dette tilflde vre proportionalt med differensen mellem de to indgangssignaler,

229

4. samme indgangssignal til de to indgange. Da indgangstrinnet er et

differenstrin, vil signalerne p de to indgange udbalancere hinanden.
For at beskytte operationsforstrkere imod fejlagtig tilfrt spnding med
stor amplitude, kan man over indgangen anbringe to siliciumdioder i en
beskyttelseskreds som vist p fig. 5.207. Indgangssignalet til en operationsforstrker er normalt nogle f mV, mens siliciumdiodernes sluse eller
trskelspnding er ca. O, 7 V. Inden for det aktuelle signalspndingscmrde er dioderne alts sprret, men tilfres en strre spnding end 0,7 V,
vil dioderne lede og sledes begrnse spndingen over operationsforstrkerens indgange til +0,7 V.

Fig. 5.207.

5.3 STATIONR TOTALAFVIGELSE (OFFSET)

Et af de vsentlige problemer man trffer p ved DC-forstrkere - og

dermed ogs ved operationsforstrkere - er, at der p udgangen af forstrkeren optrder spndinger, som ikke hidrrer fra noget tilsvarende
tilfrt signal p indgangen.
Hvis man kobler operationsforstrkeren, som vist p fig. 5.301 a, med
indgangsklemmerne forbundet sammen, vil den ideelle operationsforstrker give udgangsspndingen O V. I den praktiske operationsforstrker vil der i indgangstrinnets differensforstrkers to transistorer (se fig.
5 .l Ol) optrde en vis forskel i basis-emitter spndingerne. Denne forskel
kaldes offsetspndingen og defineres som den spnding, der skal tilsluttes mellem forstrkerens indgangsklemmer for at f u 0 lig med O V. Man
kan tnke sig forstrkeren delt op i en ideel forstrker uden offset plus
en offset-spndingskilde p indgangen som vist p fig. 5.301 b. Selv om
230

spndingen fra denne offset-spndingskilde er meget lille, vil udgangen,

som flge af operationsforstrkerens meget store forstrkning, g i
mtning.

1
Uo

Uo

Fig. 5.301.

Skal man derfor diskutere eller arbejde med offset, kan dette i de fleste
tilflde kun ske under modkobling. Modkobling udfres ved, at man frer en spnding tilbage fra udgang til indgang.
Man beskftiger sig med flgende former for offset:
spndings-offset og
strm-offset.
Udbalancering af offset-spnding
nsker man at gennemfre en udbalancering af offset-spndingen, foretages denne normalt i forstrkerens indgangskredslb.
P fig. 5.302 er vist en kobling, der kan anvendes til nuljustering af offset-spndingen p en forstrkerkreds, hvor impedansen for R0 11 R1 =s; lO
k.O. En mindre strmstyrke er summeret til forstrkerens indgang gennem R 2 (se kapitel 5.5 "SUMMATOR"). Resistansen af modstanden R 2
anbefales ofte til 2000 gange strre end R0 11 R1, hvorfor spndingen fra
potentiometerels glidekontakt (offset-spndingskilden) er svkket med
en faktor p 2000 i sumrnationsforholdet.
Offset-spndingskildens spndingsomrde er +V . ( Ro~R1 ), der med

Ro~R 1

= 20
0

vil betyde, at med en given strrelse for potentiometer-

spndingens indstillingsomrde, f.eks. p +15 V, kan offset-spndingskilden nuljustere en offsetspnding p maksimalt +7,5 mV.
231

Rz=2000" RoiiR1
R1ftRo ~ 10 k 5l

Fig. 5.302. Nuljustering af offset-spnding p forstrkerkreds

med invertering.

Hvis vrdien af R 0 11 R1 er strre end IO kil, vil det vre at foretrkke,

at urlbalancere offset-spndingen ved at tilfre en mindre spnding til
forstrkerens ikke inverterende indgang. Fig. 5.303 viser en sdan kobling.
Modstandene R2 og R3 danner en spndingsdeler, sadan at spndingen
p plus-klemmen kan findes ved at multiplicere ~R_:Ra med spndingen
p potentiometerets glidekontakt
Koblingen fig. 5.303 er endvidere velegnet, dersom tilbagefringskomponenten er en kondensator eller et andet ikke linert element.
Ro
I NDGANGS- L-..___.
SIGNAL

Rl

UDGANGSSIGNAL

Fig. 5.303. Nuljustering af offset-spnding for alle typer

tilbagefringselementer.

232

Princippet med at supplere den inverterende indgang med en mindre

spnding anvendes tillige ved nuljustering p ikke inverterende forstrkere, som vist p fig. 5.304.
Ro

INOGANGS
SIGNAL

Fig. 5.304. Nuljustering at offset-spnding p forstrkerkreds

uden invertering.

For at undg udvendigt kredslb til offsetjusteringen, er der p mange

operationsforstrkere frt et udtag fra kollektormodstandene (Rc 1 og Rc 2
- fig. 5 .l Ol) i indgangstrinnets differensforstrker til to terminaler, for
tilslutning af et srligt offset-potentiometer som vist p fig. 5.305.

INDGANGS-L-----'
SIGNAL

R,

Fig. 5.305.

233

Minimering af offset-strm
I praksis vil der vre en vis forskel mellem strmstyrkerne til operationsforstrkerens to indgange, og der vil opst fnomenet strmoffset, der
ligesom spndingsoffset vil fremkalde en spnding p udgangen.

Fig. 5.306.

For at minimere offset-strmmen, tilstrbes det, at indgangskredslbet til

den inverterende og den ikke inverterende indgang har samme impedans.
Er forstrkeren koblet som vist p fig. 5.306, indskydes en modstand R2
mellem den ikke inverterende indgang og nul. Den optimale vrdi af R2
findes som:

R;.

Rl p_

= ---=-...~
'1)
Rl+~

5.4 LINERE KOBLINGER MED

OPERATIONSFORSTRKERE
Til en lang rkke anvendelsesomrder krves en veldefineret forstrkning. Operationsforstrkeren har i sig selv en uendelig stor forstrkning,
hvorfor den vil g i mtning selv ved sm indgangssignaler.
Kravet om en veldefineret forstrkning, der ikke gr ud over det linere omrde af forstrkerens statiske karakteristik (se fig. 5.401), opfyldes
s godt som altid gennem modkobling af forstrkeren. Uanset anvendelsen vil operationsforstrkeren vre koblet i en af to mulige grundkoblin234

ger eller i en kombination af de to. De to grundkoblinger, der er vist p

fig. 5.402, er:
INVERTERENDE KOBLING. Indgangssignalet tilfres operationsforstrkerens inverterende indgang.
IKKE INVERTERENDE KOBLING. Indgangssignalet tilfres operationsforstrkerens ikke inverterende indgang.

Udgangssignal

l ndgangssignal

Fig. 5.40 1. Statisk karakteristik for operationsforstrker.

(/)

(/)

Cl

...

z :::s
<(

Cl
Cl

Inverterende forstrkerkobling.

Ikke inverterende forstrkerkobling.

Fig. 5.402.

En forudstning for modkobling er, at operationsforstrkerens indgangsspnding ndrer sig med modkoblingen. Denne ndring sker ved hjlp
af modstanden R 1. Hvis R 1 blev kortsluttet, ville spndingen over opera235

tionsforstrkerens indgangsterminaler altid vre lig det ptrykte signal.

Med R 1 vil der derimod optrde et spndingsfald, som svarer til den nskede ndring.
Modkobling af forstrkere med hj spndingsforstrkning kan skabe
stabilitetsproblemer. idet der ved visse frekvenser kan opst en fasedrejning som resulterer i medkobling. Fabrikanterne af integrerede operationsforstrkere oplyser normalt, hvordan forstrkeren evt. kan stabiliseres. Et eksempel herp er vist p fig. 5.403.

13
FREO.UENCY
12 INPUT
CONPENSAT ION (B)

INPUT FREQUENCY 3
CONPENSA TI ON ( A)
INPUT 4

"

I NPUT 5

IO OUTPUT

y+

~~1"~~N~~~~~~HCV

Fig. 5.403.

Inverterende kobling
I denne kobling, som er vist p fig. 5.404, fres indgangsspndingen u1
til den inverterende indgang via R 1, mens den ikke inverterende indgang
er lagt til stel. R0 fungerer som modkoblingskomponent
io
Ro

u1

Ul

!
_,

Fig. 5.404. Inverterende kobling.

236

uo

Da operationsforstrkeren kan betragtes som ideel, jf. kapitel 5 .2, er forstrkningen A 0 = - ';:. uendelig stor, hvorfor spndingen

'

U1

Ul ,In
. d - U2 ,1n
. d

=-

Uo
A
0

bliver meget nr nul, d.v.s. at ulind

= u 2 ind

Der er sledes samme potential p den modkoblede operationsforstrkers to indgange. Tilsyneladende er der alts en "kortslutning" mellem
operationsforstrkerens indgangsklemmer, men strmstyrken ii gennem
denne tnkte kortslutningsforbindelse vil altid vre nul, da Ri er uendelig
stor.
Resultatet er, at den inverterende indgang ligger signalmssigt p stel. I
den anledning benvnes den inverterende indgang ofte "virtuel jord".
Ved hjlp af Kirchhoff s love p knudepunktet A kan opskrives:
eller
Ul - Ul . d

--'----"'-In~

. d - 11""

= Ul,1n
-u + l .

Ro

Rl
I dette udtryk er u 1 ind

Herved fs:
Ul
Uo
-=-Rl
~

O (p.g.a. den virtuelle jord) og ligeledes er

Koblingens forstrkning A = Uo
Ul

= -

ii -

O.

Ro
Rl

Af ligningen for koblingens forstrkning fremgr, at forstrkningen bestemmes af de valgte vrdier for R0 og R1 . Minustegnet motiveres af, at
koblingen fasevender signalet 180.

Ikke inverterende kobling

Den ikke inverterende modkoblede operationsforstrker er vist p fig.
5.405, hvor indgangssignalet tilfres den ikke inverterende indgang, mens
den inverterende indgang anvendes til modkoblingen, som det ogs var
tilfldet ved den inverterende kobling.

237

io
Ro
U1 ind

i1

il
Ul

uo

u2

Fig. 5.405. Ikke inverterende kobling.

Ved anvendelse af Kirchhoff s love p knudepunktet A kan opskrives:

O- Ulind

Ulind -

----'-' - =

Rl

Uo + l
l

P grund af den virtuelle jord bliver u1,ind = u2,ind = u2, og ii :::: O, hvorved
fs:
-u2 = u2-

Rl
-~ . ~

Uo

= ~ . Rl - uo . Rl

u.o=~~+Rl

Rl

Koblingens forstrkning A = u o
'

u2

~ + R1
Rl

Ofte vlges R0 >> R 1, og man finder da samme forstrkning som i den

inverterende kobling A ~ ~ , i dette tilflde dog med positivt fortegn.

238

Differenskobling
En modkoblet operationsforstrker i differenskobling er vist p fig.
5.406. Differenskobling er en kombination af den inverterende og den
ikke inverterende kobling. Der tilfres indgangssignal til begge indgange.

Fig. 5.406. Differenskobling.

Ved anvendelse af Kirchhoff 's love p knudepunkt A kan opskrives, Uf.

den inverterende kobling):

ul- ul,ind _ ul,ind-

Uo +
'i

(l)

Rl
~
Ved anvendelse af Kirchhoff 's love p knudepunkt B kan opskrives:

u2- U 2,ind

R;.

+i=

u2,ind

(2)

Ra

I disse ligninger er u1 ind= u2 ind p grund af den virtuelle jord, og

Ligningerne (l) og (2) kan sledes omskrives til:
Ul - ~,ind

Rl

~,ind -

~ - ~.ind

~,ind

R;.

Ra

Uo

ii -

O.
(3)

(4)

239

Iflge ligning (4) er u2 ,ind = ~ ~~Rs der indsat i (3) giver:

Ra
Ra
Ul-~ ~+Ra _ ~ ~+Ra _ Uo

Uo =

R3
2+

u2 . -R------'"-R3

''-------..
----J'
v-

Ro+ Rl

--=--~

R1

Ro
u l .-

R1

Spndingsdeler

' ' - - - -......v,....--____"/ '---y--1

Ikke inv. forstrker

lnv. forstrker

Vlges R 1 = R2 og R 0 = R 3 , kan udgangsspndingen u0 udtrykkes ved

flgende ligning:
Uo = (u2 - ul) ~

Rl

Af ligningen fremgr det, at der er proportionalitet mellem indgangssignalernes differens og koblingens udgangssignaL

240

5.5 OPERATIONSFORSTRKERE I ANALOGE KOBLINGER

FOR REGULERING

Summator
Princippet i et reguleringssystem er, at et reguleringsorgan styres af afvigelsen mellem en reference og summen af mlesignaler, som angiver reguleringsobjektets tilstand.

u,.,
Rt.2 i 1

u,.~

u,.

R,

i,.

Fig. 5.501. Summator.

Der er derfor brug for summering. P fig. 5.501 er vist en modkoblet

forstrker i inverterende kobling. Til indgangsterminalen er koblet modstandene R1. 1 , R1. 2 og R1. 3 , og modkoblingskomponenten er modstanden
R 0 . Indgangssignalerne er spndingerne u1. 1, u1. 2 og ul. 3 , og udgangssignalet er u0 .
Iflg. K.irchhoffs strmlov er summen af de strmme, der lber til et
knudepunkt, lig med summen af de strmme, der lber fra knudepunktet.
Betragtes forstrkeren som ideel, er
il.l + iL2 + i1.3 = io
!flg. kapitel 5.4 kan udtrykket omskrives til:

241

Heraf fremgr, at man kan multiplicere indgangssignalerne med forskellige konstanter og addere produktet. Endvidere fremgr det, at udgangssignalet vil blive inverteret. Konstanterne er forholdet mellem modstandene. Vlges R0 = R1. 1 = 4Rl.2 = lOR1. 3, er

Symbolet for en summationsforstrker, hvor indgangssignalerne forstrkes henholdsvis l, 4 og 10, er vist p fig. 5.502.

+ 0,1. -

+ 1,0

U=

-10(0,1a + 0,4b+1,Qc)

Fig. 5.502. Symbol for summationsforstrker.

I reguleringskredse skal signaler ofte sammenlignes. Symbolet for et

sammenligningspunkt i blokskemaer, er vist p fig. 5.503.
Forestiller blokskemaet en elektronisk regulering, vil fig. 5.503 svare til
summationsforstrkeren fig. 5.504.

+
-u 1.

Fig. 5.503.

242

Fig. 5.504.

Proportional-funktion
For en inverterende modkoblet forstrker, som vist p fig. 5.505, med en
enkelt modstand indskudt i indgangen, kan flgende udtrykkes Uf. kapitel
5.4):

Ro

Fig. 5.505. Forstrkerkreds med P-funktion.

I ligningen er u0 og u variable strrelser, mens ~ er en konstant KP' der

benvnes proportionalfaktor, og er P-kredsens forstrkning.
Ligningen kan sledes omskrives til:
u 0 =-KP

u1

Af sidstnvnte ligning ses, at der er et konstant forhold (proportionalitet)

mellem u 0 (udgangssignalet) og u1 (indgangssignalet). Dette vil i realiteten sige, at man har en elektronisk proportionalregulator eller blot Pregulator.

indgangs- 0
st~rrrelse

Fig. 5.506. Mekanisk P-regulator.

243

Sarrunenlignes med en mekanisk P-regulator, f.eks. en dobbeltarm, som

vist p fig. 5 .506, kan der udtrykkes flgende:

Mekanisk
Elektrisk

U dgangsstrrelse
Udsving af armen b-

Indgangsstrrelse
Udsving af armen avejen +s 1
Indgangssignalet- spndingen + u1

veJen -s0
Udgangssignalet- spndingen -u0

Hvis indgangsstrrelsen ndres pludseligt (springsignal), vil udgangsstrre(sen ogs ndre sig pludseligt (trinsvar). Dette forhold er vist p fig.
5.507 for en P-regulator med forstrkningen 2.

.. t
... t

Fig. 5.507. Overfringsfunktion for P-regulator med forstrkning 2.

Ved at ndre det faste modkoblingssignal til et variabelt, som vist p fig.
5.508, kan forstrkningen varieres.

Fig. 5.508.

244

Som flge af virtuel jord er:

~l=

U1

Zo
=_a. . llo

Ro
l Ro
Zlo = - - - U l
R1

a. Rl

For en P-regulator er proportionalforstrkningen K p

for R0 = R 1 er forstrkningen KP

=- uo = .1. . Ro
Ul

().

Rl

og

= ~ .

H vis man til en bestemt indgangsstrrelse nsker en bestemt udgangsstrrelse, og man ud fra dette punkt i et koordinatsystem med u0 som ordinat og u 1 som abscisse, trkker linierne for potentiometeret a indstillet
p henholdsvis l og t, fr man et karakteristikfelt som vist p fig. 5.509.

Fig. 5.509.

Af karakteristikfeltet fremgr det, at udgangssignalet u0 ved forstrkning

KP = l vil forandre sig lige s meget som indgangssignalet u 1, og ved
forstrkning KP = 2 vil udgangssignalet u0 forandre sig dobbelt s meget
'"'
som forandringen p indgangssignalet u1.
Ved at reducere R 0 til t R1 vil forstrkningen med a= l blive KP= t .
Under disse forhold vil udgangssignalet u 0 forandre sig med hal vdelen af
forandringen p indgangssignalet u1.

245

Justering eller indstilling af en P-regulator foregr ved at indstille forstredmingen til en-passende vrdi. Tnker man sig en regulator med meget stor forstrkning, betyder dette, at en ringe ndring i indgangsstrrelsen vil give en stor ndring i udgangsstrrelsen. Regulatoren siges at
have et smalt proportionalbnd.
Omvendt vil en lille forstrkning krve stor ndring i indgangsstrrelsen. Under disse forhold siges regulatoren at have et bredt proportionalbnd.
Er forstrkningen KP, udtrykkes proportionalbndet XP som den reciprokke strrelse af KP udtrykt i procent.
Ved formindsket forstrkning tiltager proportionalbandet XP = ~o [%].
p

For karakteristikkerne i fig. 5.509 fr man sledes:

Kp = 1; x p = 1OO%
KP=2; XP= 50%
Et typisk kendetegn for en reguleringskreds, hvori der indgr en regulator
med P-funktion, er, at den ikke holder "nsket vrdi" njagtig, men altid
fr en blivende afvigelse ved ndringer.
Er forstrkningen lille, skal der en stor ndring af indgangsstrrelsen til
for at give udstyring af det aggregat, som regulatoren styrer, mens der
kun skal en lille ndring til, hvis forstrkningen er stor.
Den blivende afvigelse vil derfor vre strre, nr forstrkningen er lille
og omvendt.
Man kan sledes udtrykke flgende:
bredt proportionalbnd-stor blivende reguleringsafvigelse,
smalt proportionalbnd - lille blivende reguleringsafvigelse.
Integrator
Modkoblingskomponenten i en integrator er kondensatoren C0 , som vist
p fig. 5.510. Idet forstrkeren antages at vre ideel, kendes strmstyrken gennem kondensatoren. Coulomb's lov fastslr, at ladningen

Q = u0 C0 , og strmstyrken er
. - dQ-

~- dt -

dUo

o dt

Forskellen mellem den nskede og den jeblikkelige vrdi.

246

R1.2

u1. 2

o-----tC:::::::J

Fig. 5.510. Integrator.

For positive vrdier af u1. 1, u1. 2 og u1. 3 er u0 negativ, hvorfor

4l = -Co du.o
dt

Ved anvendelse af Kirchhoffs strmlov kan flgende udledes:

il.l

+ il.2 + il.3 =

4l

U1.1 + U1.2 + u1.3 = _ Co du.o

R1.1 R12 Rta
dt

du.o
dt

- - =-

l
l
l
u11 u12 u1a
C0 R 1.1
C0R 1.2
. C0 R 1_3
.

1
u =-CoR1.1
Ju
0

1_1 dt-

1
CoR1.2

ju1.

dt-

1
Ju 1.3 dt +konstant
CoRta

Heraf fremgr, at man kan multiplicere et antal indgangssignaler med

forskellige konstanter, addere dem og integrere dem med hensyn til tiden.
Integrations-konstanten er kondensatorspndingen til t= O.

247

Integral-funktion
For en kondensator-modkoblet forstrker, som vist p fig. 5.511 med en
enkelt modstand R 1 indskudt i indgangen, kan flgende udtrykkes:
u0 = -

CoRl

f u1 dt + konstant

0 1

I ligningen er u 0 og u1 variable strrelser, mens c ~ er en konstant Ki,

der benvnes integralfaktor. Ligningen kan sledes omskrives til:

u 0 = - Ki u1 d t

+ konstant

Heraf ses, at udgangssignalet (u0) til ethvert tidspunkt t, efter at en ndring af indgangsstrrelsen har fundet sted, er lig med tidsintegralet af
ndringen (u1).
I reguleringsteknikkeD karakteriseres en reguleringskreds' integraldel
sledes:
V ed en regulator med integraldel er udgangsstrrelsens ndringshastighed afhngig af indgangsstrrelsens afvigelse.
Omskrives u0

= -Ki f u1 dt til d;to = -Ki u1,

har man det matematiske

udtryk for en regulators integraldel, idet d:lto er udgangsstrrelsens ndringshastighed, og u1 er ndringen i indgangsstrrelsen fra "nsket
vrdi", hvilket man i reguleringsteknikkeD kalder afvigelsen.

u,

Fig. 5.511. Forstrkerkreds med l-funktion.

248

Den kondensator-modkoblede forstrker p fig. 5.511 er derfor en elektronisk integralregulator eller I-regulator (CoR 1 danner et integrationsled).
Igennem kondensatoren C0 vil der lbe en strm, hvis der sker en ndring i spndingen u 0
Af udtrykket

d;:

dd7

= -Ki u1 fremgr, at

= O, nr u1 = O.

Da u1 er afvigelsen fra nsket vrdi, vil det sige, at en I-regulator altid

regulerer njagtigt ind p den nskede vrdi i modstning til en Pregulator.
I den oprindelige ligning u 0 = - c ~ Ju1 dt + konstant er faktorerne

01

CoR 1 tidskonstanten for den pgldende I-regulator og kaldes integraltiden Ti.

Co . Rl = Ti

= K
l

Hvis kondensatoren er afladet efter foregende integration, bortfalder

integrationskonstanten. Tilfres integratoren en firkantimpuls, som vist
p fig. 5 .512, p indgangen, kan udgangsspndingen u 0 beregnes af
l rt Ul dt
C0 R1 Jo
nr C0 og R1 er kendte.
Vlges C0 til 10 J,.tF og R1 til 100 kohm, kan u0 beregnes til det tidspunkt, hvor firkantimpulsen u 1 returnerer til O, d. v .s. til tiden t = 2 sekunder.
Uo = -

1s

-t

2s

l
o~----~----------~t

-1V
- 2V

-----+----lj-1

uo
Fig. 5.512. Overfringsfunktion for l-regulator.

Indgangssignalets funktion er den simplest tnkelige, idet den for

O~ t~ 2s er en konstant p l V.
249

JlJ>

-v(t= 2 s)

Uo(t= 2 s)

=-

10 10-6 lQQ 103

12

. l dt = - l
O

[t]2

=-l (2- O)= -2 V

For t> 2s (hvor u1 = OV), bliver u0 liggende p vrdien -2 V, og den vil

forblive p denne vrdi, indtil der igen tilfres en indgangsspnding,
eller kondensatoren C0 kortsluttes.
Af udtrykket for udgangsstrrelsens ndringshastighed
dzto

- = - K Ul= -

&

l
~~

l
~

Ul=- -

U1
Ul=--

fremgr, at integraltiden Ti er den tid, det tager for integrationsleddets

udgangsstrrelse at ndre sin vrdi svarende til indgangsstrrelsens
vrdi (fig. 5.512).
Udgangsstrrelsens ndringshastighed er med andre ord afhngig af
strrelsen af afvigelsen u1 (p fig. 5.513 angivet som u1. 1, u1.2 og ul. 3 ) og
af integraltiden Ti.
u1.3
U1.2
uu

T,

t
t

IU1.1I
fuul
(u1.3l

Fig. 5.513.

Hvis en integrator med integraltiden Ti = 5 ms blev tilfrt en firkantspnding med passende frekvens i stedet for den fromtalte frrkantimpuls, vil udgangssignalet u 0 blive som vist p fig. 5.514, idet kondensatoren C0 ved starttidspunktet t0 i fig.:
a - ikke er i besiddelse af nogen ladning,
b - er i besiddelse af en ladning p + 0,5 V.
250

u,
1V

1V

o
-1V

(ms)

-1V

u0 1
O, SV

l
l

O, SV
o~~~~~~~---

-1V

-1V

-2V

-2V

b
Fig. 5.514.

Differential-funktion

P fig. 5.515 er vist en modkoblet forstrker med en kondensator C1 i

indgangen, og hvor modkoblingen kan ske gennem en modstand R 0 . Som
bekendt sprrer en kondensator for jvnstrmme, kun ndringer i
strmmen fres gennem kondensatoren. Er indgangssignalet en jvnspnding, vil der sledes ingen strm lbe, og udgangsstrrelsen vil blive
nul. ndres indgangsstrrelsen, vil der gennem kondensatoren lbe en
strmstyrke, s lnge der finder en ndring sted.
io

Ro

Fig. 5.515. Forstrkerkreds med D-funktion.

Er ndringen af indgangsspndingen p u1 volt, kan flgende udledes

ved anvendelse af Kirchhoff s strmlov:

251

Uo

Fig. 5.517.

Det kan vre vanskeligt at realisere en D-regulator, idet:

l) reaktansen af C gr mod nul ohm ved hje frekvenser. Der er derfor ingen modkobling tilstede. Operationsforstrkerens egenstj
forstrkes med et uacceptabelt udgangsstjniveau til flge.
2) forstrkerkredsens indgangsimpedans gr mod nul ohm, da operationsforstrkerens indgang er "virtuel jord".
3) differentiatoren vil have tilbjelighed til at virke som oscillator.
Lsningen p ovennvnte problemer er at indfre forstrkningsbegrnsning ved hje frekvenser. Dette gres ved at placere en modstand
R 1 i serie med kondensatoren C1, sledes som vist p fig. 5.518.

Fig. 5.518.

253

Proportional- + integral-funktion
Svel P- som l-regulatorer anvendes i stor udstrkning til regulering.
Imidlertid er det en kombination af disse regulatorer, som er bedst anvendelig, idet proportionalvirkningens bidrag hurtigt vil modvirke en afvigelse, men aldrig fjerne denne helt, medens integralvirkningens bidrag giver
den endelige indregulering til den nskede vrdi.
Kombinationen af proportional- og integralvirkning kan opns ved, som
modkoblingskomponenter, at anvende en serieforbindelse af en modstand
og en kondensator, som vist p fig. 5.519.

Fig. 5.519. PI-regulator.

P fig. 5.520 er vist PI-regulatorens overfringsfunktion. P figuren er Ifunktionens integraltid Ti angivet. Endvidere er indfrt en tidsangivelse

l - -Tn

.r

.. t

l Ti --'

""-- - - - o ~-4-------,--~ t

""' U1~
"-: u1

, _ _- t - -

uo

for

Pl-regula to r

Fig. 5.520. Overfringsfunktion for PI-regulator.

254

Tn, der er den tid, det tager en I-regulator at opn samme ndring af u0
som en PI-regulators P-andel straks opnr. Tn betegnes PI-regulatorens
efterstillingstid.
Ti= Co. Rl

T0 = T; KP = C0 R 1

~=

C0 R 0

ndres efterstillingstiden Tn ved at ndre vrdien af kondensatoren C0 ,

vil der ikke ske ndring af regulatorens P-forstrkning. Skal Pforstrkningen derimod ndres ved at ndre vrdien af R 0 , vil T n tillige
blive ndret. For at opretholde den oprindelige vrdi afTner det derfor
pkrvet, at formindske kondensatorstrrelsen C0 med samme faktor som
modstandsstrrelsen R 0 forges, eller omvendt.

r,

Fig. 5.521. Overfringsfunktion for PO-regulator.

Proportional- + differential-funktion
Som tidligere omtalt er differentialdelens udgangsstrrelse afungig af
indgangsstrrelsens ndringshastighed. ndres indgangssignalet som vist
p fig. 5.521 som et springsignal, vil PD-regulatorens trinsvar , som flge af differentialdelens indflydelse, stige meget hurtigt. Da indgangsspringsignalets ndringshastighed hurtigt vil antale vrdien nul, vil differentialdelens bidrag hurtigt blive nul. Proportionaldelens bidrag vil imidlertid forhindre, at trinsvaret antager vrdien nul, men vil p grund af P Trinsvaret er et systems tidssvar efter at en pludselig ndring (springsignal) er ptrykt
en indgang

255

funktionens karakter forrsage blivende afgivelse. En PD-regulator vil

sledes foretage en hurtig indregulering, men med blivende afvigelse.
Co

Ro

Fig. 5.522. PO-regulator.

PD-funktion kan opns ved at kombinere en kobling for en P-funktion

med en kobling for en D-funktion, sledes som vist p fig. 5.522.
P fig. 5.223 er vist en PD-regulators udgangssignaler, nr indgangssignalerne forlber som rampefunktioner.

Tv

.......-----+------+t

Tv

........---------++t

''

''

''

Tv

''

'

\
\
\
\

PO regulator

Fig. 5.523. PO-regulators rampesvar.

P figurerne er angivet en tid Tv, der er den tid der gr, fr P-virkningen
har net samme bidrag som det oprindelige D-spring. Tv kan ogs beskri256

ves som den tid, udgangssignalet er foran P-andelens signal. Tv betegnes

som flge herafforvirkningstid.
For en PD-regulator med en given proportionalfaktor KP for P-andelen
og en given differentialfaktor Kd for D-andelen er der p fig. 5.523a angivet en forvirkningstid Tv.
Fordobles differentialfaktoren Kd, som vist p fig. 5.523b, vil forvirkningstiden ogs for bles.
Fordobles prop ionalfaktoren KP' som vist p fig. 5 .523c, vil forvirkrungstiden derim d halveres.
Som flge heraf n udledes, at
T= Kd
v

Kp

og da Kd = Td= R 0 Cn og KP=

Rp

bliver

U1

L---------------------~~~

~------------------~

----------}P dn r
.::::_--------

o- ind
stilling{

-IOSIIOQ

I-indstil li ng

Uo

Fig. 5.524. Overfringsfunktion for P/D-regulator.

Proportional- + integral- + differential-funktion

En PID-regulator vil have samme indsvingningsforlb som en POregulator, men sdan, at integraldelen til slut bliver virksom og overlejrer
proportionaldelens bidrag. En regulator med PID-funktion vil sledes
bde virke hurtigt og uden blivende afvigelse. Dens overfringsfunktion
vil forlbe som vist p fig. 5.524.
257

PIO-funktionen kan opns ved at kombinere en kobling for PI-funktion

med en kobling for D-funktion, som vist p fig. 5.525.
(o

Fig. 5.525. P/D-regulator.

PIO-funktion kan endvidere opns ved en kobling som vist p fig.5.526.

hvor komponenterne i modkoblingen danner funktionen.

PI

MODKOBLING

r----,
l

MODKOBLING

0(..

Fig. 5.526. PID-reguJ.

258

uo

5.6 MLEFORSTRKER
For mleforstrkere foretrkkes strmudgang. Dette skyldes, dels at instrumenter for strm udnytter hele den tilfrte effekt, dels at man er uafhngig af tilledningernes modstande, hvorfor instrumenter for fjernvisning kan anbringes uden ndring af justering.

io
U1 ind

Fig. 5. 601. Mleforstrker.

P fig. 5.601 er vist en forstrker koblet for strmudgang. Koblingen

svarer til den ikke inverterende kobling fig. 5.405, blot hvor modkoblingsmodstanden R 0 er udskiftet med et instrument, der har en indre
modstand p Ri ohm. Ved anvendelse af Kirchhoffs love p knudepunkt
A kan flgende opskrives:
il= io + ii
ul,ind =

Rl

io + il

P grund af den virtuelle jord bliver u1

io

'

ind=

u2

'

ind=

u2 og da ii-O fs at

RI

Det fremgr heraf, at strmstyrken gennem instrumentet kun er afbngig

af indgangsspndingen u2 og af forstrkerkredsens modstand R1, men
uafbngig af instrumentets indre modstand Ri og af modstandene i instrumentets tilledninger.

259

5.7 ULINERE KOBLINGER MED

OPERATIONSFORSTRKERE
Operationsforstrkere har uendelig stor forstrkning, hvorfor de uden
modkobling vil g i mtning selv ved meget sm indgangssignaler. Nr
forstrkeren gr i mtning, vil den g ud over den statiske karakteristiks
linere omrde (se fig. 5.401), og give et nsten konstant udgangssignaL
P fig. 5.701 er vist et eksempel p forlbet af i~ og udgang~ignalet
ved ben forstrkerkreds. Ved ulinere koblinger med operationsforst;;,-kere v.Jl.ui altid vre forskellig fra nul.

Ul )

Fig. 5. 701. Aben forstrkerkreds.

En ben forstrkerkreds kan f.eks. anvendes som lavfrekvens ulsformer

og som overgangsled mellem analo~ og digitale
kredse.
T--~

Komparator
P fig. 5.702 a er vist en komparator. Til det analoge signal~ (se fig.
5.702 b) summeres en spnding -uref Nr -uref + u 1 < O er udgangssignalet uud =um (t:p.ttet tilstand) og nr -uref + u 1 >O er uud =-um.
En sdan koblings udgangssignal (+ um) er et binrt signal.

260

- Um

___ .___ __,

b
Fig. 5. 702. Komparator.

P fig. 5.703 er vist, hvordan samme funktion kan opns ved at tilfre
den ikke inverterende indgang en positiv referencespnding fra et potentiometer. Er uind = urerJlliyer udgangssignalet u 0 = O volt. Er uind > uref'
er udgangssignalet _(,;~ og et uind < uref' er udgangssignalet + um.

u 0 = f ( t)
Um
U re f 1-----JI.'------'t~-+--~~-

Fig. 5. 703. Komparator.

Hysterese
En hysterese kan dannes ved at foretage en tilbagefring fra udgangen til
den ikke inverterende indgang, som vist p fig. 5.704.

261

-uo
Um

u1.b

u,,o

Um

a
Fig. 5. 704. Kobling med hysterese.

5.8 DIGITAL/ANALOG- OG ANALOG/DIGITAL-OMSTTERE

En datamaskine (computer) anvendes ofte til pro'Cesstyringer. Mling af

processens variable foretages normalt p analog ljasis ved hjlp af mlevrdiomsttere, hvorimod datamaskinen arbejdtr p digital basis.
En digital behandling i datamaskinen kan kun finde sted, nr det analoge signal fra processen omformes til en ciffervrdi ved hjlp af en analog/digital-omstter (A/D-omstter).
I modstning hertil vil den vrdi, datamaskinen beregner, forekomme
p digital form, og den skal i mange tilflde omsttes til en analog vrdi, en omstning, der foretages ved hjlp af en digitallanalog-omstter
(D/A-omstter).

D/A-omstter med vgtede resistorer

Ciffersignalet, der skal omsttes til en analog spnding, fres normalt til
omstteren i binr form som parallelinformation, d.v.s., hvert binr ciffer er tilsluttet en indgangsterminal. Et syvcifret binrt tal, der reprsenterer en talvrdi i omrdet 0-127 krver sledes syv indgangsterminaler
p omstteren. P fig. 5.801 er skitseret et principskema for en digital/analog-omstter.
Fig. 5.801 viser, hvordan en referencespnding Urer er tilsluttet et
modstandsnetvrk med et antal udgange, der svarer til antallet af binre

262

cifre, som nskes omsat til en analog vrdi - i dette tilflde syv binre
cifre (7 bits). Ved hjlp af binre indgangssignaler sluttes de viste kontakter, nr de tilsvarende binre cifre antager vrdien l Strmstyrkerne i 1, i 2 .... i 64 stiger fra i 1 til i64 sledes, at de bidrager til en udgangsstrmstyrke i 0 med vrdien svarende til det pgldende ciffers vgt. Er
f.eks. i 1 = O, l mA, bliver i 2 = 0,2 mA, i4 = 0,4 mA, i8 = 0,8 mA, i 16 = l ,6
mA, i 32 = 3,2 mA og i 64 = 6,4 mA. Den totale strmstyrke i 0 som svarer
til det pgldende binre tal, fres til en modkoblet inverterende forstrker, hvis udgangsspnding u 0 kan udtrykkes som:
11

11

uo =- io. Ro

164

,,6

i32

la

,,

Ra--B_3

R
R=4 22

li4ere

32ere

16 er e

a e re

4ere

,,

12

h re

R ,..R_
2

2'

R,

U ret.

R
=lO

le re
lndgan gsterminale r
tor binatre tal

Udgangsterminal for
anolog spnding

Fig. 5.801. Principskema tor DIA-omstter med vgtede resistorer.

I efterflgende skema er opstillet eksempler p sammenhrende vrdier

af l O-talsystemet, det binre talsystem, den totale strmstyrke i 0 samt
udgangsspndingen u 0 , idet R 0 sttes til l kil.

263

1O-tal-

system

64 32
1

3
5

70

Den totale strmstyrke i0

Tilsvarende binre tal til

indgangsterminalerne

16

Udgangssignal u0

o o o o o o 1
o o o o o
o o o o 1 o 1
1
1 o o o 1
o

, ,

i1

-0,1 v
-0,3V
-O,SV
-7,0V

=0,1 mA

=0,3 mA
i1 + i4 =0,5 mA
;2 + i4 + i64 =7,0 mA
i1 + i2

Det fremgr af skemaet, at der er proportionalitet mellem det binre tal,

der reprsenteres ved signalerne p indgangsterminalerne og det analoge
udgangssignaL

D/A-omstter med R-2R resistorkobli~g

I DIA-omstteren med vgtede resistorel\) ndgr resistorer med vidt forskellige vrdier, hvilket gr det svrt at udfre dem med samme temperaturkoefficient. Denne ulempe undgs ved en DlA-omstter med R-2R
resistorkobling som vist p fig. 5 .802.

2R

T~~~
6L.ere

32 ere

io

16ere

Ser e

L. er e

2ere

1er e

Indgangsterminaler
for binre tal
Udgangsterminal for
u o analog spnding

Fig. 5.802. Principskema for D/A-omstter med R-2R resistorkobling.

264

Koblingens omskiftere kan enten koble 2R-modstandene til jord eller til
virtuel jordpunktet A, hvorfor de strmstyrker, der lber gennem de enkelte 2R-modstande er uafhngig af omskifterstilling.
Beregning af kredsens indre impedans kan lettest foretages ved at starte
fra hjre i resistorkoblingen. Den resulterende modstand ved punkt l er
2R ll 2R = R. Dernst ved punkt 2, hvor den resulterende modstand er
2R l/ (R+ R)= R o.s.v.
Koblingens indre impedans bliver sledes R og strmstyrken i = u;{.
Vlges Urer og R sdan, at i= u]{ = 12,8 mA, vil det af fig. 5.802 fremo
. = uref
6 4 mA .
ga,
at ls4
2R = '
For de vrige strmme i 32 til i 1 vil der yderligere ske halvering, idet impedansen fra et knudepunkt og set mod hjre altid bliver R+ R= 2R.
Ved at tilfre signaler til indgangsterminalerne for binre tal, vil de pgldende strmme i 1 til i64 blive ledet mod det virtuelle jordpunkt A, og
bidrage til strmstyrken i0 med en vrdi svarende til det pgldende ciffers vgt, p tilsvarende mde som ved D/A-omstteren med vgtede
resistorer.
I praktiske digital-analog-omsttere udfres de viste omskifterfunktioner p halvlederbasis, og omstteren indkapsles i et plasthus.
Symboler for digital-analog-omsttere fremgr af fig. 5.803.

--.

Fig. 5.803. Symboler for digital-analog-omstter.

A/D-omstter
P fig. 5.804 er vist en principskitse af en analog-digital-omstter. Det
analoge indgangssignal fres til en kamparator (se kapitel 5.7), hvis udgangssignal vil vre O volt, nr uA =uR og um volt, nr uA ~ uR. Er uA
~ uR vil relet i komparatarens udgangsterminal trkke, hvorved der
tilfres impulser til den binre tller, og der afgives binre cifre til de
digitale udgange.
Som en kredslbsenhed i analog-digital-omstteren indgr en digitalanalog-omstter, der omstter de digitale udgangssignaler til en analog

265

vrdi uR. Denne analoge vrdi sammenlignes successivt med analogdigital-omstterens analoge indgangssignal uA-

rc
~

AHA LOG
IHO GANG

uA

UR

UDGANGSSIG HAL

FOR

u,-u,-o volt

uA~UR:;:um volt

.l-_
l

DIGITAL

BINR
TLLER

UDGANG
}

IMPULS
GENERATOR

r--

1----

r---

Fig. 5.804. Principskitke af analog-digital-omstter.

Lader man cifferindgangssignalet gennemlbe en rkke vrdier og

standser tilfrsel af nye ciffervrdier (d.v.s. udkobler relet) nr uA =uR,
vil det sidst fundne ciffersignal vre et udtryk for den analoge indgangsspnding.
I praktiske analog-digital-omsttere udfres den viste omskifterfunktion
p halvlederbasis. Symboler for analog-digital-omsttere fremgr af fig.
5.805.

Fig. 5.805. Symboler for ana/og-digital-omstter.

5.9 LOG-OMSTTER
Anvendes en komponent med logaritmisk karakteristik ssom en diode
eller en transistors basis-emitter strkning som modkoblingsnetvrk i en
inverterende forstrkerkobling, har man en kobling, hvis udgangsspnding er proportional med indgangsspndingens logaritme. Dette
bner mulighed for at udfre matematiske operationer som multiplikation, division, kvadrering og roduddragning p analoge signaler.

266

To
r

Fig. 5.901. Log-omstter.

P fig. 5.901 er vist en simpel log-omstter med en jordet basiskoblet

transistor som logaritmisk modkoblingskomponent Koblingens udgangssignal vil antage formen
u0 =A log (B u 1),
hvor A og B er temperaturafhngige konstanter, hvilket medfrer, at
Log-omstteren er temperaturustabil og derfor ikke egnet i praksis.
P fig. 5.902 er vist en log-omstter, hvor der er foretaget den ndvendige temperaturkompensation.

Fig. 5.902. Praktisk /og-omstter.

267

ICl og T0 udgr den kendte log-omstter, mens T 1 anvendes til at udkompensere temperaturens indvirken p transistorens emitter-lkstrm.
IC2 virker som udgangsforstrker, hvis spndingsforstrkning faststter
udgangsspndingsndringen pr. dekade indgangsspndingsvariation.
PTC-modstanden i modkoblingsspndingsdeleren benyttes til at kompensere for drift forrsaget af temperaturndringer.
I kredslb, hv~ri'ndgr log-omsttere, vil det ofte kunne vre af interesse, at kunne slutte kredsen med en antilog-omstter.
Et eksempel p en antilog-omstter er vist p fig. 5.903.
\

--------- ....

Fig. 5.903. Antilog-omstter.

Strmstyrken / 1 kommer fra en konstant-strm-generator (se fig. 2.337).

Udgangssignalet flger ligningen
u0 = A antilog (B u 1),

A og B er konstanter, som faststtes under konstruktionen.

J

Anvendelse
P fig. 5.904 er vist, hvorledes to log- og en antilog-omstter sammen
med en additionskobling danner et kredslb, som kan udfre multiplikation af to spndinger u1. 1 og u1. 2 .
Udgangsspndingen u0 = u1 .1 u1. 2 .

268

Fig. 5.904.

P fig. 5.905 er vist, hvorledes division af to spndinger foretages.

ua

Fig. 5.905.

Endeligt er der p fig. 5.906 vist et kredslb, som kan oplfte indgangsspndingen u 1 i en vilkrlig potens. Eksponenten er lig med forstrkningen i den ikke inverterende forstrker, hvorfor eksponenten i
eksemplet er:
x= R+R =2
R

269

u1

log

Fig. 5.906.

Der er sledes tale om en kvadrering; men enhver eksponent kan opns

ved ndring af forstrkningen.

5.10 UDGANGSTRIN
De forstrkeropstillinger, der har vret beskrevet p de foregende sider,
har vret bestykket med operationsforstrkere, og m derfor karakteriseres som smsignal- eller laveffektforstrkere, idet den maksimale udgangsstrmstyrke fra udgangstrinnene har vret begrnset til nogle f
mA.
For at kunne levere en passende hj udgangseffekt til belastningen, m
forstrkersystemet udbygges med et effekt-udgangstrin.

-4----------1...--

Ucc

lo

_.....,__ _ _ _ _---4..,___ - Ucc

R3
Fig. 5. 1001. Effekt-udgangstrin.

270

P fig. 5.1001 er vist, hvorledes en smsignal operationsforstrker,

kombineret med et komplementrt udgangstrin, udgr en effektforstrker.
Transistorerne Tl og T2 arbejder som emitterflgere. Den maksimale
udgangsstrmstyrke i0 er derfor bestemt af strmmen, der er til rdighed
p operationsforstrkerens udgang samt strmforstrkningen hFE for
transistorerne T l og T2.
Benyttes darlingtontransistorer med hFE > l 03, vil det vre muligt at
opn udgangsstrmstyrker i strrelsesordenen 1-1 O A. Da u0 samtidig kan
nrme sig forsyningsspndingens vrdi, vil det vre muligt at aflevere
stor udgangseffekt til belastningsmodstanden Rv

271

6. Eksempler p reguleringskredse

6.1 REGULER)NGSTEKNISKE EGENSKABER

Tidskonstant
I modstning til systemer med proportionalregulering bygger integralregulering principielt p reguleringssystemers dynamiske egenskaber.
Den regulerende strrelse, der f.eks. kan vre en motors omdrejningshastighed, en temperatur el. lign., er imidlertid ogs ved proportionalregulering genstand for et tidsmssigt forlb under reguleringen, inden den
nr sin slutposition.
I mange elektroniske reguleringssystemer indgr der ofte et eller flere
RC- og RL-led (se kapitlerne 1.3 og 1.4). I hvert af disse led vil der forekomme en tidskonstant. Tidskonstanter forekommer tillige i forbindelse
med mekaniske emner som f.eks. en tung cylinder, der kan drejes om sin
akse. Skal en sdan cylinder bringes til rotation, vil rotationshastigheden
antage et forlb, der svarer til RC-leddets, under den forudstning, at det
drejningsmoment, der tilfres akselen, er konstant, og at gnidningskraften
i lejerne er proportional med omdrejningshastigheden.
Tidskonstanten er den tid, der hengr, fra et reguleringsindgreb stter
ind, til den regulerede strrelse antager ca. 63% af den hertil svarende
endelige ndring. En tidskonstant medfrer sledes, at et signal overfres
med en vis forsinkelse, og m ikke forveksles med begrebet integralregulering, hvorved der opns, at et konstant, men ndret signal, omformes til
et signal, der vokser konstant med tiden (se fig. 5.512).
Der forekommer tidskonstanter i nsten enhver del af et reguleringssystem. Overfringsfunktionen for et system, hvori indgr flere tidskonstanter, vil forlbe som en sammensat eksponentialfunktion.
P fig. 6.101 er vist overfringsfunktionen for en proces, hvori indgr to
tidskonstanter (overgangsfunktion af 2. orden).

272

t
Fig. 6. 101.

Ddtid
En anden type af trghed, som forekommer i visse processer, og som
mere end noget begrunder automatisk regulering, er ddtiden. Den forekommer normalt i reguleringssystemer, hvor varme eller anden energi
skal transporteres en lngere strkning med en given hastighed. Som
eksempel er p fig. 6.102 vist en varmeveksler. Lufttemperaturen reguleres ved hjlp af darnptilfrselen. Hvis lufthastigheden er 300 rnlmin., og
fleren er anbragt 30 m fra varmeveksleren, vil der optrde et tidsinterval
p -fo minut mellem damptilfrselens ndring og temperaturndringen
ved fleren - dette tidsinterval er ddtiden. I dette eksempel kunne ddtiden have vret reduceret ved at anbringe fleren i selve varmeveksleren, men ddtid kan aldrig helt undgs. P den anden side kan man i visse
processer ligefrem tilstrbe tilstedevrelse af ddtid af hensyn til reguleringens stabilitet.
REGULATOR

~---LUFT

lOm

f..___.f\

l~-~-~---~~

'

Fig. 6. 102. Varmeveksler.

273

6.2 HASTIGHEDSREGULERING

Hvis en fremmedmagnetiseret jvnstrmsmotors omdrejningshastighed

skal holdes omtrent konstant, uanset ndringer i motorens belastning, kan
en reguleringskreds med P-funktion, som vist p fig. 6.201, anvendes.

Uo

----,{g. 6.20 1. Hastighedsregulering.

Omdrejningshastigheden mles ved, at motorakselen er sammenkoblet
med et tachameter T, der er en lille jvnstrmsdynamo med permanentmagnet, og som afgiver en spnding uT, der er proportional med omdrejningshastigheden og sledes angiver jebliksvrdien.
Har jvnstrmsmotorens anker den nskede omdrejningshastighed ved
en given konstant belastning, vil tachometerspndingen uT summeres
med potentiometerspndingen -ur til et resulterende indgangssignal
(uT -ur) til operationsforstrkeren, hvis udgangssignal u 01 giver jvnstrmsmotoren den nskede omdrejningshastighed. Til et bestemt positivt
udgangssignal u01 svarer, ved en given forstrkning, et bestemt negativt
indgangssignaL
Indstilles regulatorens proportionalbnd p xp = 200% (se fig. 6.202),
skal potentiometeret r indstilles sdan, at det resulterende indgangssignal
bliver -u1. 1 for at f det nskede udgangssignal u01 .

274

Indstilles regulatorens proportionalbnd til XP = 100%, vil karakteristikken forlbe som vist med stiplet linie p fig. 6.202.
For at jvnstrmsmotoren under disse forhold skal opn den samme nskede omdrejningshastighed, skal operationsforstrkeren have samme
udgangssignal u01 . P grund af den strre forstrkning skal det negative
indgangssignal formindskes, hvilket sker ved justering af potentiometer r,
sdan at det resulterende indgangssignal til operationsforstrkeren er
-ul.2

Antages det nu, at omdrejningshastigheden falder, vil den positive

tachometerspnding falde, og det resulterende indgangssignal til forstrkeren vil f en strre negativ vrdi, idet den negative referencespnding
vil st urrt. I henhold til fig. 6.202 vil dette medfre et strre udgangssignal (strre u0 ). Spndingsforskellen over ankeret vil hermed blive forget, og motorens omdrejningshastighed vil stige. Det omvendte vil ske,
hvis omdrejningshastigheden er for hj, og det indses derfor, at systemet
af sig selv tilstrber at holde motoromdrejningshastigheden p den
nskede vrdi.

..

..

"'

Xp
Xp =100/o

=200/o

Fig. 6.202.

Tachometerspndingen fres ofte gennem et filter- p fig. 6.201 et simpelt RC-led - dels for at udglatte jvnspndingen dels for at forbedre
reguleringskredsens stabilitet.
DetteRC-led er behftet med en tidskonstant r1, motorens ankervikling
indeholder en vis selvinduktion, der i forbindelse med ankermodstanden

275

frembringer endnu en tidskonstant r 2 , og endelig vil ankerets inertimoment i forbindelse med gnidningsmomentet udgre en tidskonstant r 3 .
Der vil optrde andre tidskonstanter i systemet, men de tre nvnte m
betragtes som de strste, og der vil derfor blive set bort fra de vrige.
Antages det nu, at motorens belastning pludselig ges, vil dens omdrejninghastighed begynde at falde, og tachometeret afgiver flgelig en lavere spnding. Denne spndingsndring vil imidlertid i filteret blive behftet med tidskonstanten r 1, og afvigelsen, der fres til forstrkerens
indgang, forsinkes derfor tilsvarende. Forstrkeren vil forge spndingen over motorens anker, men ankerstrmmen vil ikke straks stige, men
vokse med tidskonstanten r 2. Motorens drejningsmoment forges proportionalt med ankerstrmmen (M= k la), mens forgelsen i omdrejningshastigheden sker med tidskonstanten r 3.
P grund a(alle disse faktorer vil omdrejningshastigheden i frste jeblik falde til~~ vrdi, der er lavere end den, der opns, nr reguleringen
er trdt i fu;tt~on, og den afvigelse, der tilfres forstrkeren, vil derfor
vre strre--end under statiske forhold. Dette medfrer, at reguleringsmekanismen tilfrer motoren s stor en ankerspnding, at omdrejningshastigheden bliver for stor.
Spndingen over tachometeret vil derfor blive hjere end normalt,
hvorfor forstrkerens udgangsspnding, der fres til motorens anker, vil
falde. Strmmen gennem ankeret kan imidlertid kun ndre sig med en
forsinkelse svarende til tidskonstanten r 2, og motorens omdrejningshastighed vil i mellemtiden n en endnu hjere vrdi.
Dette bevirker en yderligere forgelse af tachometerspndingen, og
ankerspndingen kan da blive s lav, at den ikke under statiske forhold
vil kunne opretholde den nskede omdrejningshastighed, der derfor efter
nogen tids forlb vil falde til en vrdi under den nskede. Reguleringsmekanismen vil herefter igen- med forsinkelse -forge ankerspndingen.
Omdrejningshastigheden kan flgelig svinge flere gange op og ned omkring den nskede vrdi, inden systemet falder til ro.
Strrelsen og antallet af svingninger atbnger isr af systemets proportionalbnd .
Ved bredt proportionalbnd (lille forstrkning) vil en given afvigelse i
motorens omdrejningshastighed kun medfre en ringe ndring i motorens
ankerspnding, og flgelig bliver "oversvinget" ikke srligt stort.
Tachometerspndingens afvigelse vil derfor ogs blive ringe, og systemet
falder hurtigt til ro.

276

Omvendt vil et smalt proportionalbnd (stor forstrkning) medfre, at

en lille afvigelse fra den nskede omdrejningshastighed, med en vis forsinkelse, vil give en stor ndring i motorens ankerspnding, og oversvinget i omdrejningshastigheden kan da n at blive meget stort, inden
reguleringssystemet ndrer motorens ankerspnding.
P fig. 6.203 er vist, hvordan antallet og strrelsen af "oversving" er afhngig af proportionalbndets indstilling. I de viste fire tilflde er det
forudset, at regulatoren ved en bestemt konstant belastning er sdan indjusteret, at jebliksvrdien svarer til nskevrdien, d.v.s., at reguleringsafvigelsen er nul.

b
PROPORTIONALITETSB

NOETS

INOSTILLING PA REGULATOREN

Fig. 6.203. Indsvingningskarakteristikker for P-regulering.

Sker der en belastningsforgelse, skal regulatorens udgangssignal vre

strre end i balanceret tilstand. For at opn dette krves en blivende afvigelse mellem jebliks- og nskevrdien. Den blivende afvigelse vil aftage, efterhnden som proportionalbndet gres smallere. Omdrejningshastigheden vil sledes stabilisere sig p en lavere vrdi efter belastningsforgelsen, hvilket bevirker, at der vil optrde en blivende reguleringsafvigelse ved P-regulering.
Dette medfrer, at svingningerne ved en P-regulering bl.a. kan karakteriseres ved, at de, ved en blivende belastningsndring, sker om en akse
forskudt fra nskevrdien.
ndres nskevrdien som et springsignal, vil indsvingningstiden vre
afhngig af proportionalbndets indstilling, som vist p fig. 6.204.
Stigningen i nskevrdien medfrer forget omdrejningshastighed af
motoren og dermed forget effekt. Trinsvarets indsvingning (fig. 6.204)
vil derfor ogs her stabilisere sig p en lavere vrdi, d.v.s. der vil optrde en bli vende reguleringsafvigelse.
277

JEBLIKSVRDI

SMALT P-BAND
MODERAT P-BND

-,----

NSKET
VRDI

\_BREDT P-BND

~-----------------------4-t

Fig. 6.204. Trinsvar ved P-regulering.

Det forhold, at den blivende reguleringsafvigelse bliver strre med stigende belastning, medfrer, at jebliksvrdien (motorens omdrejningshastighed) ved P-regulering, med fast indstillet nsket vrdi, har en svagt
faldende vrdi ved stigende motorbelastning, som vist p fig. 6.205. Det
kraftige fald i jebliksvrdien skyldes overbelastning af motoren.
OMDREJNINGS=
HASTIGHED
NSKET VRDI
JEBLIKSVRDI

~
_x1

BELAST=
NING

Fig. 6.205.

Indstilles proportionalbndet p en lille vrdi (smalt proportionalbnd ~

stor forstrkning), kan man opn, at systemet ikke falder til ro, men vil
fortstte med svingningerne - vil pendle - som vist p fig. 6.203d. Systemet er ustabilt.
Indstilles proportionalbndet p en stor vrdi (bredt proportionalbnd ~
lille forstrkning), vil ndringen i allkerspndingen blive s ringe, at
motorens omdrejningshastighed ikke passerer den nskede vrdi, og
oversvinget undgs da helt- p bekostning af systemets statiske njagtighed.
For at opn dels en stabil regulering, dels en indregulering til den nskede vrdi, anvender man ofte en PI- eller PIO-regulator.
278

PI-regulatorens udgangssignal er i frste jeblik proportional med afvigelsen mellem jebliks- og nske-vrdien (P-andelen). Signalet ndres
imidlertid i sdan retning, at denne forskel formindskes, og ndringshastigheden bliver derved proportional med afvigelsens strrelse og omvendt proportional med regulatorens integrationstid.
Indfres en belastningsforgelse, bliver forlbet, at jebliksvrdien
frst ndres, som ved P-regulering, men nr jebliksvrdien begynder at
indtage stabilt leje (bredt proportionalbnd) begynder I -andelen at virke.
Regulatorens integraldel medfrer, at regulatorens udgangssignal stiger
og dermed mindsker reguleringsafvigelsen. P grund af, at reguleringsafvigelsen i begyndelsen er stor, vil formindskelsen af afvigelsen ske meget hurtigt for efterhnden, som afvigelsen formindskes, at g langsommere for til slut helt at forsvinde, nr jebliks- og nske-vrdierne er
sammenfaldende. Foranstende beskrivelse af PI-regulatorens virkemde
i hastighedsreguleringen glder ved relativt bredt proportionalbnd (lav
vrdi af forstrkning) og relativ lang integrationstid.
Formindskes integrationstiden, vil jebliksvrdiens ndringshastighed
blive s stor, at hastigheden ikke opbremses, nr jebliksvrdien er i
overensstemmelse med nskevrdien, hvilket bevirker en oversvingning
af jebliksvrdien.
Indstilles integrationstiden p en for kort tid, bliver systemet ustabilt, og
jebliksvrdien vil pendle. Den pendling, der optrder p grund af for
kort integrationstid, kan bl.a. karakteriseres ved, at svingningen altid sker
omkring nskevrdien.

INTEGRATIONSTID:

LANG

KORT

LANG

PROPORTIONALBND:

B R E DT

BREDT

SMALT

ALT FOR KORT

SMALT

Fig. 6. 206. Indsvingningskarakteristikker for PI-regulering.

279

P fig. 6.206 er vist forskellige indsvingningskarakteristikker for en PIregulering. Ved bredt proportionalbnd og lang integrationstid opns stor
trghed, hvorimod der kan optrde svingninger, hvis integrationstiden er
for kort.
Med smalt proportionalbnd og lang integrationstid kan der opst
svingninger p grund af den store forstrkning (svingningerne sker
usymmetrisk af nskevrdien). Smalt proportionalbnd og meget kort
integrationstid kan give pendling p grund af den korte integrationstid.
ndres nskevrdien som et springsignal, vil trinsvaret forlbe som
vist p fig. 6.207.

JEBLIKSVRDI

NSKET
VRDI
LANG
INTEGRATIONSTID
~----------------------~t

Fig. 6. 207. Trinsvar ved PI-regulering.

Med fast indstillet nskevrdi og jvn stigende belastningsforgelse vil

hastighedskarakteristikken forlbe vandret ved PI-regulering, idet karakteristikken for jebliksvrdien vil flge karakteristikken for nskevrdien, alts ingen reguleringsafvigelse. Fald i omdrejningshastighed indtrffer frst nr motoren overbelastes.
Udstyres reguleringskredsen med en PD-regulator, vil jebliksvrdien
(omdrejningshastigheden) efter en springvis belastningsforgelse forlbe
som vist p fig. 6.208, hvor karakteristikkernes indbyrdes placering for
forskellige indstillinger p D-tiden og konstant proportionalbnd er skitseret.

280

OMDREJNINGSHASTIGHED

'-------KORT D-TID
'-------P-REGULERING

(D-TID=O)

Fig. 6.208. PO-regulering.

P fig. 6.209 er vist, hvordan jebliksvrdien forlber ved en PD-regulering, nr nskevrdien ndres som et springsignaL

LANG D-TID
L---------------------~ t

Fig. 6.209. Trinsvar ved PO-regulering.

Anvendes en PID-regulator i hastighedsreguleringen, vil regulatorens

udgangssignal vre en sammenstning af de beskrevne regulatorers udgangssignaler.
Forlbet ved belastningsndring fremkommer ved at sammenstte tilsvarende forlb for PI- og PD-reguleringen. Ved Pill-regulering kompliceres imidlertid indjusteringen, idet der findes tre parametre.
Ved optimering af en reguleringskreds kan der anvendes forskellige
fremgangsmder, men der skal uanset fremgangsmde altid regnes med
ugunstigste reguleringsforhold som f.eks. hunigste og strste belastningsndring.
En metode til optimering, som ofte anvendes, er forsgsmetoden. Regulatoren indstilles som en ren P-regulator, d.v.s, at et eventuelt differentialled udkobles- eller (hvis D-tiden er indstillelig) indstilles p O sekunder-,

281

og et eventuelt integrationsled annulleres enten ved at kortslutte kondensatoren eller om muligt at indstille integrationstiden p oo sekunder.
Regulatorens proportionalbnd indstilles p bredt bnd (lille forstrkning), og der indfres en belastningsndring eller nskevrdindring og
jebliksvrdien registreres. Proportionalbndet gres smallere (forstrkningen gres strre), og en ny belastningsndring eller nskevrdindring foretages. Dette gentages, indtil jebliksvrdien pendler. Derefter forges bndbredden indtil pendling netop ophrer.
Denne indstilling holdes nu undret, hvorefter l-funktionen indkobles.
Kondensatoren i modkoblingsnetvrket formindskes i sm trin og for
regulatorer med indstillelig I-tid formindskes denne i sm trin med belastningsndringer eller nskevrdindringer mellem hver justering,
indtil jebliksvrdien pendler. Som kondensator til modkoblingsnetvrket vlges en strrelse, hvis vrdi ligger lige over den, ved hvilken
pendling netop forekom. For regulatorer med indstillelig I-tid forges
integrationstiden langsomt, indtil pendling ophrer. Regulatorens PIfunktion vil herefter vre optimeret, se fig. 6.21 O.
JEBLIKSVRDI

Fig. 6.210.

Til de tre kurver p fig. 6.210 kan anfres flgende:

Kurve 1: for lang I-tid (C for stor) eller
for bredt P-bnd (R for lille),
Kurve 2: ideel indsvingningskarakteristik (C og R er optimale),
Kurve 3: for kort I-tid (C for lille) eller
for smalt P-bnd (R for stor).
Visse regulatorers I-indstilling er gradieret i sekunder eller minutter
(integrationstiden), mens andre er gradieret i repetitioner pr. minut (RI
min.), hvilket er den reciprokke vrdi af integrationstiden.
282

Er regulatoren tillige forsynet med et D-led, vil dette reagere alene p

ndringer i indgangssignalet, uden at tage hensyn til dets jeblikkelige
vrdi. Denne virkning, der ogs kaldes forvirkning, vil medfre at indsvingningsforlbets oversving dmpes, og at regulatoren hurtigere vil
indregulere til nsket vrdi.
Nr regulatorens D-funktion er indkoblet, foretages indstilling ved at
forge kondensatoren i differentialleddet (eller ved indstillelig D-tid forges denne) indtil pendling. Herefter formindskes kondensatoren eller Dtiden forkortes med mellemvrende belastningsndringer eller nskevrdindringer indtil indsvingningskarakteristikken er s tt ved de
ideelle forhold som muligt.
Har den regulerede proces en meget stor tidskonstant, som f.eks. kan
vre tilfldet ved mange temperaturreguleringer, kan det vre en besvrlig opgave at indstille en kombineret regulator ved forsg, og her
skal derfor angives en empirisk metode, der er udarbejdet af amerikanerne Ziegler og Nichols.
Til optegning af jebliksvrdien (den regulerede strrelse) anvendes et
registrerende instrument - en skriver med stor papirhastighed. Regulatoren indstilles som ren P-regulator, d.v.s., at et eventuelt differentialled
udkobles, og et eventuelt integralled annulleres.
JEBLIKSVRDI

Tkr

~--------------------~t

Fig. 6.211.

Derefter reduceres proportionalbndet (forstrkningen forges) langsomt,

indtil en svag pendling begynder. Den vrdi, proportionalbndet da har
(den kritiske vrdi), kaldes XPkr (forstrkningen KPkr), og den kritiske
svingningstid Tkr aflses p papirstrimlen, se fig. 6.211. Nr disse to
vrdier er bestemt, kan regulatorens proportionaldel, integraldel og differentialdel beregnes som anfrt i efterflgende skema:
283

Proponionaldel
Regulatortype

P-bnd

XP%.

P-regulator

2,0XPkr

PI-regulator

2,2XPkr

Pill-regulator

1,7XPkr

Forstrkning KP
KPkr

2,0
Kpkr

2,2
KPkr

1,7

Integraldel
Tn l)= K p T1

Differentialdel
T 2) = Td
v

Kp

0,85Tkr

0,50Tkr

O, 12 Tkr

l) Tn er PI-regulatorens integrationstid, der betegnes efterstillingstid.

2) Tv er PO-regulatorens differentialtid, der betegnes forvirkningstid.

Skemaet kan dog kun betragtes som retningsgivende, hvorfor en mindre

efterjustering kan vre ndvendig.

6.3 EFFEKTREGULATOR

P fig. 6.301 er vist et signalstrmskema for en effektregulator eller thyristorstrmretter, anvendt til regulering af en jvnstrmsmotors omdrejningshastighed .
P figuren an gi ver:
l - potentiometer for nsket omdrejningshastighed,
2 - omdrejningshastighedsregulator,
3 - potentiometer for strmbegrnsning,
4 - strmregulator,
5 - triggerenhed,
6 - thyristorbro,
7 - jvnstrmsshuntmotor,
8 - tachometergenerator,
9 - tilpasningsnetvrk,
l O - transformer
11 - spndingsforsyningsenhed,
12 - indkoblingsstyrekreds,
13 - savtakgenerator,
14 -transduktor,
15 - overspndingsbeskyttelse,
16 - ensretterbro for feltmagnetisering.
284

L:, l

,.
.Jl>l

.,E
T1

'''

'l' '

'" !

:;:

p~

Jl
ll
.
l

p38

R33Q

R3l.
39
bol.1

IA

w
,221

:;; ! Pj<l l -

~ ~---

00
Ul

~iL_

Si16~ )
_

11

ms'5:J~V

NETLl
L2(N)

. .,

.f.

Imax= 3A=

Fig. 6.301

Referencespndingen for den nskede omdrejningshastighed indstilles

med potentiometeret (l) og jebliksvrdien for omdrejningshastigheden
dannes af tachometergeneratoren (8). Den forskel mellem nskevrdi og
jebliksvrdi, som opstr f.eks. ved referencendringer, belastningsndringer, netspndingsvariationer m.m. giver en spnding p udgangen
af omdrejningshastighedsregulatoren (2). Denne spnding danner via
potentiometeret (3) en reference for strmregulatoren (4). Denne reference sammenlignes med mlevrdien for aktuel ankerstrm, og ved forskelle mellem disse vrdier, opstr der p regulatorens udgang en styrespnding, der via triggerenheden (5) bestemmer udstyringsvinklen for
thyris torbroen (6) og dermed motorens omdrejningshastighed.
Mlevrdien for aktuel ankerstrm skabes i transduktor (14), der bestr
af to hovedviklinger og en styrevikling. Hovedviklingerne indgr i en
vekselstrmskreds, idet de er tilsluttet transformer (l 0), og er belastet
gennem modstandene R 33 og R 34. Ankerstrmmen, der er en jvnstrm, fres gennem styreviklingen, hvorved magnetkernen formagnetiseres. Formagnetiseringens strrelse har indflydelse p vekselstrmkredsens
selvinduktion og dermed p vekselstrmsstyrken og spndingsfaldet over
belastningsmodstandene R 33 og R 34.
Triggerenheden (5) afgiver til thyristorbroen (6) triggerimpulser med en
vis udstyringsvinkel, hvis strrelse fastlgges af skringen mellem det
analoge signal fra (4) og det savtakformede signal fra (13). Tiden for hver
savtakspnding skal svare til en halvperiode af netspndingen. Omstilling fra 50 Hz til 60 Hz foretages ved at indlodde en forbindelse (lus)
mellem p 65 og p 66.
Triggerimpulsernes udstyringsvinkel synkroniseres med netspndingen
ved hjlp af indkoblingsstyrekredsen (12). Udstyret har visse begrnsninger i udstyringsvinklen, idet den mindste udstyringsvinkel a.min er ca.
l oo, der opns ved kortslutning af R 64 og den strste udstyringsvinkel
<lmax er ca. 150, der indstilles p R 42. Ved fjernelse af lusen over R 64,
kan cx.mm forges.
Jvnstrmsmotorens anker og transduktorens styrekreds vil belaste thyristorbroen induktivt. P fig. 6.302 er vist kurveforlbet for ankerspnding og ankerstrm, idet der i belastningskredsen ikke er indskudt en
udglatningsdrossel, hvorfor induktionen forudsttes s lav, at ankerstrmmen vil blive ufuldstndig ("hullet"). P figuren viser:
a - netspndingen som funktion af tiden,
b -triggerimpulser ved udstyringsvinkel CX.0 ,
286

c - ankerspndingen som funktion af tiden. E er den i motoren inducerede elektromotoriske kraft,

d -ankerstrmstyrken som funktion af tiden.

~~V4

~il
V3

IIIIIII

IIII 11 l

IIIIIII

IIIIIII
l

... t

..

UA

Fig. 6.302.

Idriftsttelse
Under idriftsttelse skal der foretages en tilpasning af tachospndingcn
samt en optimering af reguleringsudstyret.
Tachospndingen tilpasses reguleringsudstyret ved hjlp af modstandene i tilpasningsnetvrket (9), sdan at maksimal omdrejningshastighed
kan opns, nr potentiometer (l) indstilles p maksimum (100o/o referen-

287

cespnding). Fabrikanten af reguleringsudstyret oplyser normalt, hvilke

modstandsvrdier, der skal vlges, afhngig af hvilken spnding tachageneratoren afgiver ved motorens nominelle omdrejningshastighed.
Nr tilpasningsnetvrket (9) er bestykket med passende modstande, kan
idriftsttelsen fortstte med kontrol af omdrejningsretning, indstilling af
strmbegrnsning og omdrejningshastighed samt optimering af regulatorerne.
Kontrol af omdrejningsretning
Potentiometer (l) for nsket omdrejningshastighed samt potentiometer
R 93 i tilpasningsnetvrket (9) nulstilles.
Nettet tilsluttes.
Potentiometer (l) indstilles p en lille vrdi, sdan at motorens anker
begynder at rotere. Omdrejningsretningen kontrolleres. Ved forkert omdrejningsretning vendes feltviklingens polaritet.
Strmbegrnsning
Strmbegrnsningen indstilles ved hjlp af potentiometer (3) og kan
kontrolleres ved hjlp af et drejespoleamperemeter indskudt i ankerkredsen. Under denne justering skal motorankeret fastbremses og forsyningen
til motorens feltvikling vre afbrudt, og motoren m derfor kun vre
tilsluttet ankerspnding i korte tidsrum. Potentiometer (l) indstilles p
maksimum (100% referencespnding), potentiometer (3) nulstilles og
nettet tilsluttes.
Med (3) nulstillet vil udgangsspndingen fra strmregulator (4) blive
nul volt. Triggerenheden (5) vil som flge heraf ikke afgive triggerimpulser til tnding af thyristoreme. Drejespoleamperemeteret for ankerstrmstyrke viser ingen udslag.
Ved drejning af potentiometer (3) vil der opst en udgangsspnding p
strmregulator (4), hvorved triggerimpulserne frigives, thyristoreme vil
tnde, og ankerstrmstyrken vil stige. Strmgrnsen forges ved drejning af potentiometer (3), indtil ankerstrmstyrkens strrelse modsvarer
den p motorens mrkeskilt angivne nominelle ankerstrm.
Nominel omdrejningshastighed
Motorens feltvikling tilsluttes og potentiometer (l) for nsket omdrejningshastighed forbliver p maksimum. Under disse forhold skal potenti-

288

ometeret R 93 i tilpasningsnetvrket (9) justeres indtil den omdrejningshastighed, der er anfrt p motorens mrkeskil t, er net.

Optimering
Reguleringsudstyrets to regulatorer er med PI-funktion, idet operationsforstrkernes modkoblingsnetvrk bestr af en serieforbindelse af en
modstand og en kondensator. For at opn optimale reguleringsegenskaber
m modkoblingernes modstands- og kondensatorstrrelser vlges efter
den foreliggende motor med belastning (arbejdsmaskine).
I mange tilflde vil det vre muligt at opn tilfredsstillende reguleringsegenskaber ved justering af potentiometer R 10, der ndrer proportionalforstrkningen i omdrejningshastighedsregulatoren (2).
I de tilflde, hvor justering af R 10 ikke giver tilfredsstillende reguleringsegenskaber, kan flgende optimeringsforskrift anvendes:
A. Forberedelse
Potentiometer (l) for nsket omdrejningshastighed indstilles p maksimal
omdrejningshastighed, og der installeres en omskifter (S) mellem potentiometer (l) og omdrejningshastighedsregulator (2) som vist p fig. 6.303.
l
l

l
t

~------------------------------+~~
2

+ 15

~--+0~
l

12 l

Fig. 6.303.

B. Optimering af strmregulator (4)

Under denne justering skal motorankeret vre fastbremset og motorens
feltvikling vre afbrudt. Motoren m derfor kun vre tilsluttet ankerspnding i korte tidsrum. Endvidere kortsluttes kondensatoren C 3 i
modkoblingsnetvrket for omdrejningshastighedsregulator (2), sdan at
forstrkerkredsen fr P-funktion. Med omskifter (S) i stilling "l" vil triggerenheden (5) ikke afgive triggerimpulser (ingen ankerstrmstyrke),
hvorimod triggerimpulser vil frigives, nr omskifter (S) er i stilling "2".
289

Da regulatorkredsen (2) har P-funktion med en forstrkning p ca. 5, vil

skift mellem omskifterstilling "l" og "2" medfre en springvis ndring i
ankerstrmstyrken fra nul til den indstillede strmbegrnsningsvrdi.
Modkoblingsnetvrket for strmregulator (4) erstattes af et variabelt
RC-led, der indstilles med:
R s lille som mulig,

C s stor som mulig.

Ankerstrmstyrkens jebliksvrdi registreres p skriver eller storageoscilloskop ved tilslutning mellem klemme XI, l og klemme X l, 12
(stel).
Nettet tilsluttes, og triggerimpulserne frigives kortvarigt ved skift af
omskifteren (S) fra stilling "l" til "2".
Ved hvert skift iagttages ankerstrmstyrkens kurveforlb, idet R indstilles sdan, at strmkurven opnr bedst mulig ensartethed mellem de enkelte toppe.
Derefter gres C mindre, indtil det opns, at strmkurvens enkelte toppe
tilnrmelsesvis har samme hjde (se fig. 6.302d).
At ankerstrmkurvens enkelte toppe har samme hjde tilkendegiver, at
strmregulatorens optimering er tilfredsstillende. Der tilstrbes ensartede
kurvetophjder for at sikre, at hver af thyristcreme frer lige store andele
af strmstyrken.
Komponenter med de herved bestemte vrdier monteres i modkoblingsnetvrket for strmregulator (4).

C. Optimering af omdrejningshastighedsregulator (2)

Motorakselen frigives og feltforsyningen genetableres. Endvidere fjernes
kortslutningsforbindelsen over kondensatoren i modkoblingsnetvrket for
regulator (2).
Omdrejningshastighedens jebliksvrdi (tachometerspnding) registreres p skriver eller storageoscilloskop.
Netspndingen tilsluttes og omskifter (S) fres til stilling "2". Ved
hjlp af potentiometer R 93 i tilpasningsnetvrket (9) indstilles omdrejningshastigheden til den p motorens mrkeskilt angivne.
Ved skift af (S) mellem stillingerne "2" og "l" henholdsvis startes og
stoppes motoren. Under iagttagelse af jebliksvrdiens (tachospndingens) kurveforlb justeres potentiometer R l O i modkoblingsnetvrket
for regulator (2), indtil optimalt kurveforlb opns jf. kapitel 6.2.
290

6.4 POSITIONSSERVO

En positionsservo er et reguleringssystem, der kan bevge en genstand

sledes, at denne bringes til at indtage en nsket position.
P fig. 6.401 er vist et eksempel p en positionsservo, der f.eks. kan anvendes i forbindelse med automatisk regulering af damptrykket i en udstdskedel med tvungen cirkulation. Systemet bestr af to potentiometre
r L l og r1.2, der begge kan drejes omtrent 360, en mlevrdiomstter for
tryk til elektrisk spnding, en forstrkerkreds med P-funktion samt en
servarnotor M, der via en tandhjulsudveksling kan dreje kedelens udstdsspjld, nr der opstr en afvigelse fra den nskede reguleringsvrdi.
Servornotaren er en fremmedmagnetiseret jvnstrmsmotor, hvis anker
er stillestende, nr u 0 = O volt, mens dets omdrejningsretning er "mod
uret", nr u0 er positiv, og "med uret", nr u0 er negativ. Er omdrejningsretningen "mod uret", bner urlstdsspjldet

Uo

Up

Fig. 6.401. Automatisk regulering at damptryk.

Servomotoren er i mekanisk forbindelse med potentiometeret r1. 2 . Nr

ankerets omdrejningsretning er "mod uret", drejer r1.2 imod mindre negativ spnding. Det omvendte er tilfldet, nr omdrejningsretningen er
"med uret".

291

Reguleringen er baseret p urlstdskedelens varmebalance, idet den

mngde udstdsgas, der passerer udstdskedelen, er proportional med
den varmemngde, der bortfres fra kedelen med den dannede damp.
Damptrykket i hoveddampledningen kan anvendes som kontrol for denne varmebalance, idet dette tryk forges, hvis der tilfres kedelen mere
varme, end der bortfres. P den anden side vil et dampforbrug, der
bortfrer mere varme, end der tilfres kedelen, bevirke, at damptrykket
falder.
Damptrykket omformes derfor ved anvendelse af mlevrdiomstteren
til en elektrisk spnding, der sendes til forstrkerkredsen. Til et nsket
damptryk svarer dels en bestemt positiv spnding fra mlevrdiomstteren, dels en bestemt stilling af udstdsspjldet, og dermed ogs en bestemt stilling af potentiometeret r1. 2 , med hertil svarende negativ spnding (jebliksvrdi) til forstrkerkredsen. Den positive spnding fra
mlevrdiomstteren og den negative spnding fra r1.2 skal afstemmes
sdan, at motoren ikke roterer, hvilket er tilfldet, nr forstrkerkredsens
udgangssignal er nul. I henhold til fig. 5.509 er u0 = O, nr forstrkerens
indgangssignal er nul.
For at opn dette indstilles potentiometeret r1. 1 sdan, at den resulterende strmstyrke til forstrkeren er nul (iflg. kapitel 5.5 "SUMMATOR":
~+ Url.l + (- Url.2 ) =O).
R1

R1

R1

nskevrdien, d.v.s. den vrdi, der svarer til det nskede damptryk,
indstilles sledes med r1. 1.
Hvis damptrykket formindskes, forrsaget af et forget dampforbrug,
vil den positive spnding fra mlevrdiomstteren falde, og der vil opst
en afvigelse, der vil vre en negativ spnding (indgangssignal) til forstrkeren. Af fig. 5.509 fremgr, at dette bevirker et positivt udgangssignal u0 , der igen bevirker, at motorankeret vil dreje "mod uret" og bne
mere for urlstdsspjldet Urlstdsspjldet bnes, indtil potentiometeret
r 1_2 er drejet s meget, at det resulterende indgangssignal til forstrkeren
er nul.
Det omvendte vil ske, hvis damptrykket stiger, og det indses derfor, at
systemet af sig selv tilstrber at holde urlstdsspjldet i en stilling svarende til det nskede damptryk
En eventuel pkrvet afstemning, sdan at den resulterende strmstyrke
til forstrkeren bliver nul, kan foretages ved valget af modstandene R 1.

292

6.5 TEMPERATURREGULERING
P fig. 6.501 er vist, hvordan man ved hjlp af en brokobling kan danne
en reguleringsafvigelse.
R1.2

Ro

vrige bidrag

Reference
indstilling

+
soervof o r s; t c:erke r

Fig. 6. 501. Temperaturregu/ering.

Platinfleren mler den temperatur, der nskes reguleret. P referencepotentiometeret indstilles broen i balance for den modstandsvrdi, der
svarer til den nskede temperatur. Afvigelsen i broen forstrkes med en
kendt faktor og tilfres servoforstrkeren. vrige bidrag, ssom tilbagefring, vil indvirke p systemet efter samme retningslinier som beskrevet
i kapitel5.5 "SUMMATOR".
Anvendes temperaturreguleringen i forbindelse med varmeveksleren fig.
6.102, og antages det, at reguleringen udfres som to-stillingsregulering,
vil magnetventilen enten vre under spnding eller afbrudt (ben eller
lukket). Driftsformen bliver dermed diskontinuert, og temperaturen, der
skal reguleres, holdes ikke konstant, men har en vis difference, sdan at
temperaturen vil stige, indtil den nr den vre grnse for differencen.
Magnetventilen villukke damptilfrslen, og temperaturen vil begynde at
falde, indtil den nedre grnse for differencen er net, hvorefter magnetventilen igen vil bne, og temperaturen vil begynde at stige.
Ses der bort fra ddtid, vil temperaturen svinge mellem grnserne for
differencen som vist p fig. 6.502. Som antydet p fig. 6.102 er der
imidlertid en ddtid i systemet, hvilken medfrer, at den regulerede strrelse fortstter med at ndre sig, indtil der er get en tid, der modsvarer
ddtiden.
293

MALEVRDI

MALEVRDI

6c

Fig. 6.502.

11

MALEVRDI

11

MALE VRDI

c
Ul

w
a:
w

LL

LL
......

DDTID
Fig. 6.503.

Der vil som flge heraf opst oversving, som antydet p fig. 6.503.

294

7. Digitale kredse

7.1 DIGITALTEKNIK
Udviklingen inden for digitalteknikleen har vret overordentlig omfattende og betydningsfuld bl.a. i forbindelse med styrings- og kontrolsystemer.
Et karakteristisk trk gennem de senere r er den udstrakte anvendelse
af integrerede kredse. Disse blev netop frst brugt i digitalteknisk udstyr
tillogisk styring af enhver art. Integrerede kredse finder nu udstrakt industriel anvendelse.
Digitalteknikken er baseret p kredslb, der kan generere eller detektere
(d.v.s. skelne imellem) to og kun to tilstande. Disse kaldes i det flgende
logisk O og logisk l. I kredslbene defineres de to tilstande ved hvert sit
spndingsomrde. Tilstanden logisk O kan f.eks. ligge inden for spndingsomrdet 0,0-0,8 V og tilstanden logisk l f.eks. inden for spndingsomrdet 2,0-5,0 V.
At der opereres med spndingsomrder, og ikke blot med nominelle
spndinger, hnger sammen med den uundgelige spredning p kredslbenes parametervrdier.
DECIMAL

BINR
0000

0001
0010
0011
0100
0101
0110

o
2
3

4
5

6
7
8
9

10
11
12

Olll

1000
1001
1010

GRAY

0000
0001
0011
0010
0110
0111
0101
0100
1100
1101
1111

1011

1110

1010

13

1100
1101

14

1110

1011
1001

15

1111

1000

295

I digitale kredse vil der sledes kun optrde to tilstande, nemlig logisk l
og logisk O. Da det imidlertid ofte er af interesse at kunne foretage tlleog beregningsopgaver p grundlag af de binre cifre l og O, har man
udviklet nogle "totalsystemer", hvoraf der her ud for decimaltallene O til
15 er gengivet det binre talsystem og Graykoden.
Graykoden har den egenskab, at der kun er et bit, der skifter ad gangen.

7.2 LOGIKELEMENTER
Digitale kredse opbygges af logikelementer (portkredse), der fremstilles i
flgende typer:
l -diode logik (DL-kredse),
2- resistor logik (RL-kredse),
3 - diode transistor logik (DTL-kredse),
4- resistor transistor logik (RTL-kredse),
5 - transistor transistor logik (TIL-kredse),
6- metal oxide semiconductor (MOS-kredse).
7- complementary metal oxide semiconductor (CMOS-kredse).
Indfrelsen af integreret teknik har medfrt, at det i de senere r overvejende er TIL-, MOS- og CMOS- kredse, der fremstilles.

TTL-kredse
P fig. 7.201 er vist et simplificeret TIL-kredslb, der bl.a. indeholder to
NPN-siliciumtransistorer, hvoraf T l virker som indgangstransistor og T2
som kredsens udgangstransistor.
Er TIL-kredsens driftspnding Ucc = 5 V, vil indgangssignalspndingeme U1ND typisk vre ca.:
0,2 V for logisk O,
3,0 V for logisk l.

296

Uuo

1UIND
Fig. 7.201.

Indgangstransistoren TI er en NPN-transistor, der har to PN-overgange.

Nr der ses bort fra forskellene p transistorens strmforstrkning, kan
NPN-transistoren Tl sammenlignes med to dioder (PN-overgange) som
vist p fig. 7 .202.
+U cc

T1

Uuo

l
Fig. 7. 202.

er et potentiometer, hvormed VIND kan ndres fra O V til +5 V.

Basisstrmmen /B tnkes opdelt i to delstrmme / 1 og / 2 som vist p
figuren.

RP

297

=SV

TIL- kredslbets virkemde:

1. Med U1ND p 0-0,2 V, svarende tillogisk O, vil/1 vre strre end
12 , da den ndvendige slusespnding ( UBE) p T2 vil begrnse
/2.

Da basisstrmmen / 2 til T2 sledes er meget lille, vil T2 vre i

sprret (OFF) tilstand, og udgangssignalspndingen Uun vil
antage en vrdi p nsten Ucc volt, svarende til udgangssignal
p logisk l.
2. Med UrND p ca. 0,7 V vil I 1 = I 2, idet U1ND nu har samme vrdi
som UBE p T2
N u vil T2 begynde at trkke kollektorstrm og Uun vil begynde at falde.
3. Med UrND > 0,7 V vil / 2 vre strre end / 1, idet UBE p T2 stadig
er p 0,7 V. Derfor vil T2 nu begynde at trkke en vsentlig
basisstrmstyrke, der vil bevirke, at transistoren vil blive ledende
(ON), hvorved udgangssignalspndingen Uun vil falde til vrdien UCE sat svarende til udgangssignal p logisk O.
4. Dersom emitteren p Tl er uden forbindelse til stel og uden
spndingstilfrsel d.v.s. er "svvende", vil / 2 vre strre end / 1,
og tilstanden vil da svare til pkt. 3. Heraf fremgr det, at en
"svvende" indgang p et TTL- element vil blive opfattet som
om der blev tilfrt et "l" -signal til pgldende indgang.
Af frnvnte fremgr det, at:

U1ND = logisk O giver Uun = logisk l

U1ND =logisk l giver Uun =logisk O
I det simple kredslb p fig. 7.201 fungerer T2 bde som komplementerende element og som udgangstrin. Nr T2 er sprret, "trkker" R 2
kollektaren op p hj udgangsspnding. Et sdant udgangstrin siges at
arbejde med passiv pull-up. Dersom udgangstrinnet med hj udgangsspnding skal afgive en belastningsstrm Ib til de efterflgende kredslb
bliver:

298

Problemet med et sdant udgangstrin er, at udgangssignalet reduceres

strkt nr /b vokser, da R 2 ndvendigvis m vre ret stor, for ikke at gre
transistorens mtningsbetingelser drlige.
Denne ulempe kan elimineres ved at supplere kredslbet med et aktivt
pull-up kredslb, der er et kredslb med meget lille effektiv modstand,
nr udgangstransistoren er sprret og en uendelig stor modstand, nr den
er ledende.
P fig. 7.203 er vist et udgangskredslb, der virker efter dette princip.
Her er T3 udgangstransistoren, dioden Vl og transistoren T4 er pull-up
kredslbet, mens T2 nu er en styretransistor, der bde styrer udgangstransistoren og pull-up kredslbet og samtidig fungerer som det komplementerende trin. I forhold til fig. 7.201 er T2 p fig. 7.203 forsynet med
en emittermodstand og indgangstransistoren T l udstyret med to emittere,
der er frt til indgangsterminalerne A og B.

Fig. 7.203. TTL -grundelement.

Hvis der tilfres logisk O til blot en af indgangsterminaleme, vil basisstrmmen til T2 vre nul og T2 vil vre sprret. Med T2 sprret, vil
spndingen p transistor T2's kollektor (T4's basis) stige til nsten Ucc
volt og T4 kan lede en strmstyrke til en belastning tilsluttet udgangen Q.
Det skal bemrkes, at sprret T2 bevirker, at T3 ikke trkker basisstrm,
hvorfor T3 holdes i sprret tilstand. Da T4 er ledende og T3 er sprret,
er udgangssignalet Q et logisk l.
Hvis bde A og B tilfres logisk l, vil der tilfres basisstrm til T2, der
vil vre ledende. Nr T2 er i ledende tilstand, vil den fre basisstrm til
T3, der derved ogs bliver ledende. T3 vil som fuldt ledende fre enhver
strmstyrke fra en belastning tilsluttet udgangen Q til jord og sledes
holde udgangsterminalen p logisk O. Det bemrkes, at med ledende T2,

299

vil dens kollektorspnding falde og holde T4 i sprret tilstand. Da T4 er

sprret og T3 er ledende, er udgangssignalet p Q et logisk O.
Funktionen for TIL-grundelementet kan sammenstilles i en skaldt
sandhedstabeL
A

o
o

l
l

Q
l
l
l

Sandhedstabel for element fig. 7.203.

Mellem stel (jord) og hver af indgangsklemmerne henholdsvis A og B er

der indskudt en diode, hvis opgave er at beskytte kredsen imod de negative indgangsspndinger, der kan opst ved kobling med de omgivende
elektromagnetiske komponenter.
Ved indgreb og ndringer af TIL-grundelementet kan der dannes elementer med andre funktioner. P fig. 7.204 er vist et element, hvor der
mellem T2 og udgangskredsens transistorer T3 og T4 er indskudt en
transistor T5. Endvidere er indskudt en transistor T6, der virker som lavimpedanskreds for T5's basis.

Fig. 7. 204.

Er T2 sprret, vil T5 lede, og er T2 ledende, vil T5 vre sprret. Elementet har sledes fet ndret sin funktion, idet T5 vil bevirke, at
300

udgangssignalerne ndres (fra l til O og omvendt) i forhold til grundelementets udgangssignaler.

o
o

o
o

o
o
o

l
l

Sandhedstabel for element fig. 7.204.

Den funktion, der udfres af element fig 7.204 betegnes en OG-funktion,

idet udgangssignalet er logisk l, nr A og B fr tilfrt logisk l. Det matematiske udtryk herfor er Q = A 1\ B.
Transistor T5 ndrede udgangssignalet fra logisk l til O og omvendt.
Dette kaldes at ndre signalet til dets komplementsignaL Et komplementsignal udtrykker sledes en ngtelse (negation), idet et sandt urlsagt
ndres til et falsk udsagn og omvendt. En metode til at vise komplementsignalet med, er at bruge en nagationsstreg over signalnavnet, i det
foreliggende tilflde Q= A . Som alternativ hertil kan anvendes bogstavet N forbundet med signalnavnet ved en bindestreg. Et element, der udfrer en sdan funktion har negeret udgang og betegnes et IKKE-element.
Funktionen af grundelementet fig. 7.203 er en OG-funktion med en
negeret udgang, og det matematiske udtryk for funktionen er
Q=AAB.
Foruden elementer med frnvnte funktioner, fremstilles der elementer
med ELLER-funktion og med ELLER-funktion med en negeret udgang.

MOS-kredse
Logikelementer med MOS-felteffekt transistorer har i de senere r vundet
stor indpas og kan forventes at komme til at indtage en frerstilling inden
for integrerede kredse, idet MOS-kredse er velegnede til opbygning af
store integrerede logiksystemer.
301

P fig. 7.205 er vist karakteristikker for henholdsvis en P- og en N

MOS transistor.
UGs=

UGs= -:?2uv-=======~~Uos

~---+av

-4v-----

----+6V

-sv-----

-----+4V
+2V

-av--~

P-Kanal

N-Kanal

Fig 7.205. Karakteristikken for MOS-transistorer. Bemrk, at P-kanal

transistoren og N-kanal transistoren arbejder i et negativt,
henholdsvis positivt spndingsomrde.

IKKE-funktionen og den komplementerende del af et integreret logis}

element med komplementre MOS-transistorer, CMOS-kreds, er vist p~
fig. 7.206a. Delen bestr af en P- og en N-MOS, der giver samme god(
egenskaber som TIL-kredsens aktive pull-up kredslb.

du.
G

G :

S P- Kanal

SQ
ts

N-Kanal

Rp

Rp

~Q
N

l i

UA< 2V

+U 00 10V

!+Uo =10V

RN
Ua

2V< UA <SV

uQcc

uA> av

Fig. 7. 206.

P fig 7.206 b-d er CMOS-kredsens kvivalentskema vist ved forskellig(

vrdier af indgangssignalspnding UA- Modstandene Rp og RN symboli
serer lederresistansen i henholdsvis P-MOS- og N-MOS -transistorerne.
Er indgangssignalet logisk O (UA < 2 V), vil P-kanalen vre ledende, S(
fig. 7.206 b. Udgangssignalet vil da vre logisk l (UQ =Unn= lO V).
302

Hvis indgangssignalet ges over 2 V, vil N-kanalen tillige begynde at

lede. Med indgangssignalspndingen 2 V < UA < 8 V vil begge kanaler
sledes lede, som vist p fig. 7.206 c. Er kredsen symmetrisk opbygget, er
Rp = RN. Ved en indgangssignalspnding UA = 5 V, der ved den i fig.
7.206 valgte spnding for Unn svarer til Unn bliver udgangsspndingen UQ = Unn p grund af spndingsdelingen mellem Rp og RN. Kredsen arbejder alts i sit aktive omrde. Forstrkningen er hj og derfor
falder karakteristikken UQ = f (UA) brat inden for dette omrde, hvilket
fremgr af fig. 7.207. P denne figur er endvidere vist, hvordan mtningsstrmmen Inn fr maksimum for UA
Unn (= 5 V).

=i

UQ.

UA

10

Ioo

mAt

~ --~~
2

l
10

UA

Fig. 7.207.

Er indgangssignalet logisk l (UA > 8 V), vil N-kanalen vre ledende, se

fig. 7.206 d. Udgangssignalet vil da vre logisk O.
Udfrelse
Logikelementer, der fremstilles i integreret udfrelse, vil normalt have
meget sm dimensioner, hvorfor flere elementer kan vre samlet i f.eks.
en DUAL-IN-LINE-kapsel (Dual-In-Line Packages (DIP)), som vist p
fig. 7.208.

303

Fig. 7. 208.

Driftspndingen Ucc for integrerede TIL-elementer skal normalt ligge i

omrdet 4,75-5,25 volt, mens driftspndingen Unn for MOS-elementer
ligger i omrdet 3-18 volt.
Af fig. 7.209 fremgr det, inden for hvilke spndingsomrder logisk l
og logisk O normalt befinder sig for henholdsvis TTL- og MOS-kredse.
TTL

MOS
U 00 = 10 V

MOS
U00 = 5 V

Ucc = 5 V

lOV..---....---.
Logisk 1
Logisk 1 t---""'-i910V

5,0

a,o vt - - - - i

5,0V

Logisk 1
Logisk 1

Logisk 1

~---~

~5V

____.......--..

3,5V

Logisk 1

2,t v
2,0

o, a v

2,0V
1,5V
Logisk O

LOQI~ U

0,4V

1,o

Logisk O
Logisk O

Logisk O 0,5V

Logisk O

Fig. 7.209. Spndingsniveauer for TTL- og MOS-elementer.

Logikelementer findes i fem grundtyper, der efter deres funktion betegnes: OG-element (AND-gate), ELLER-element (OR-gate), IKKE-element (NOT-gate), NOG-element, og-element med en negeret udgang
(NAND-gate) og NELLER-element, eller-element med en negeret udgang (NOR-gate).
De engelsk-amerikanske betegnelser NAND og NOR for henholdsvis
NOG og NELLER er godt indarbejdede og benyttes ofte her i landet,
304

hvorfor disse betegnelser ogs vil blive anvendt i det efterflgende istedet
for de danske.
P fig. 7.21 O er symbolerne for de fem grundtyper samlet. Endvidere
omfatter figuren en beskrivelse af de enkelte elementer i form af en sandhedstabel, et funktionsskema og et matematisk udtryk for den logiske
funktion.
Funktionstegnene 1\ for OG og v for ELLER anvendes fortrinsvis i matematisk litteratur. I tysk litteratur anvendes & for OG og v for ELLER,
mens der i amerikansk litteratur anvendes for OG og +for ELLER. I
kantet paranteser i fig. 7.210 angivet de logiske funktioner ved hjlp af
de amerikansk anvendte tel!n.
Element

OG

ELLER

Symbol

:fl-a
:=EJ-a

~ 1kan erstattes af 1o hvis rris

forstetser ikke delved kan opsl

IKKE
(Negation)

NAND
(OG meden
negeret udgang)

NOR
(ELLER med en
negeret udgang)

A-C}- a

:=e}-o

;bf:a
~rstattes
A

~forstelser
1 kan
a 1 hvis misikke derved kan opst
o

Funktionsskema

Sandhedstabel
A B Q
o o o
o 1 o
1 o o
1

B Q
o o

o
o

1
1
1

~
A B

1
1

o
o

Logisk
funktion
1

B~o

A -- - -- -1-- --- -L:

Q

:.::.:..:..:.:.6

B ~1O
A

- - -- - -

. -1

O=AAB
[O=A B]
O=AvB

-- ---'-o

-1
o .::.r.:L:I------~o

A~6
1

0~0

[O=A+ B]

O=A

B ~1o
.. - -- -
-- 1

O=AA B

' ----'-O

--

1
1

o 1
1 o

1
a~o

[O=A B]

B
o

B~o

-O=AVB

o
o
1

o
o o
1 o
1

--- - - -

-- 1

L - - -- ~.0

1
o~o

[O= A+ B]

Fig. 7.210.

P bilaget bag i bogen findes en skematisk opstilling over forskellige standarder.

305

Logiske kredse arbejder med binre eller to-vrdi indgangssignaler, som

enten kan vre skift mellem to forskellige potentialer, skaldt statisk indgang, eller vre impulser, skaldt dynamisk indgang. De to mulige logiske tilstande (lavt eller hjt niveau, ikke impuls eller impuls) kaldes tilstand O og tilstand l. Lader man det mest positive potential reprsentere l
og det mest negative reprsentere O, har man en skaldt positiv logik,
mens den omvendte definition kaldes negativ logik. For impulssignaler
identificerer man normalt "impuls" med l og "ikke impuls" med O.
Den enkle logiske konvention, positiv eller negativ, fastlgger forholdet
mellem den logiske tilstand og det logiske niveau ved alle indgange og
udgange. Nr den positive logiske konvention er gyldig, svarer sand altid
til hjt niveau- logisk H-niveau, og nr den negative logiske konvention
er gyldig, svarer sand altid tillavt niveau -logisk L-niveau.
Enkellogisk
konvention
positiv

Logisk
m veau
H
L

negativ

H
L

Logisk
tilstand
l

o
o
l

Logisk
udsagn
sand
falsk

Signal
navn
ALARM
ALARM

falsk
sand

ALARM
ALARM

For at kunne se p et skema, om indgangen er statisk eller dynamisk, om

der er anvendt positiv eller negativ logik, og om der er anvendt komplementerende indgang eller udgang, anbefaler Dansk Standard, at de p fig.
7.211 viste symboler anvendes for ind- og udgangsfunktioner.
- - [ Statisk indgang

Indgang for negativ logik

--E

Udgang for negativ logik

- - { Indgang for positiv logik

Negeret indgang

} - - Udgang for positiv logik

} - - Negeret udgang

Dynamisk indgang

Kombination af dynamisk og negeret indgang

Fig. 7. 211. Symboler for ind- og udgangsfunktioner.

306

NAND og NOR i andre logikfunktioner

H vis man negerer indgangssignalerne i sandhedstabellen for et N ANDelement (se fig. 7.210) d.v.s. ndrer "l" til "O" og omvendt, vil sandhedstabellen blive identisk med sandhedstabellen for et ELLER-element.
Negeres derimod udgangssignalet for NAND-elementets sandhedstabel,
vil man se, at denne bliver identisk med sandhedstabellen for OG-elementet.
P fig. 7.212 er vist, hvordan man ved hjlp af NAND-elementer kan
realisere ELLER- og OG-funktion.
A

A
Q B

ELLER

OG

(Q =A v B)

(Q = A " B)

Fig. 7.212.

Pa samme mde vil negering af indgangssignalerne i NOR-elementets

sandhedstabel (se fig. 7.210) give en sandhedstabel, der er identisk med
OG-elementets sandhedstabel og ved negering af udgangssignalet vil
sandhedstabellen svare til ELLER-funktion.
P fig. 7.213 er vist hvordan man ved hjlp af NOR-elementer kan realisere OG- og ELLER-funktion.
A
Q A
B

OG

ELLER

(Q=AAB)

(Q=AvB)

Fig. 7.213.

7.3 REGNEREGLER FOR LOGISKE KREDSE

I flgende skema er regnereglerne for Boolealgebra opstillet. Disse kan
afprves ved hjlp af de dertil svarende elementkombinationer.
307

Nr

Regneregler for Boolealgebra

Elementkombinat i o n er

AABc:.BAA

[ A Be.B Al

:=eJ-o =:=eJ-o

AvB<=>BvA

(AB-=BAI

:TI-a ;TI-a
=

A~
~~

~]~~~~~It-a

(A v B)vCc::.Av ( BvC)

((AB)+C<= A+IBCJI

!A AB)AC~A(BAC)

[(ABIC =-AIB CJI

AA(BvC)-(A A B) v (A A C) (A (B+C)-(AB)+(AC)

~=B l &ra

Av (B" Cl-(A v Bl" (A v Cl [A+(BCl-{A+BHA+C)

& Q
~=J3-o = B~

& a = ~~Q
~

~~
~

&

li

A " A =A

(A A =A]

:=eJ-a . .- -0-o

AvA=-A

(A+ A =-A]

:fia ~

A A A =-0

!A

A =-

O]

;13-a "' fiEJ-o

10

A v A= 1

[A

1l

11

m<>AvS

12

AVB<=> A"

Afia

=E}- o

J(j>J:1-o

""A

(AB<=>A+Bl

~fl-o

-'

!A+"S c:. A. SI

:fia

~ eA

::>

~=EJ-o

=B- o

Regnereglerne (11) og (12) svarer til at negere indgangssignalerne til et

NAND- henholdsvis NOR-element (se fig 7.212 og fig. 7.213). Det frem308

gr heraf, at man ved at negere kan opn, at:

"OG"-symbolet (A) gr over i "ELLER"-symbolet (v),
"ELLER"-symbolet (v) gr over i "OG"-symbolet (A).
Eksempel p anvendelse af Boolealgebra
Boolealgebra giver mulighed for gennem regnetekniske operationer at
finde frem til den simpleste kobling for en nsket styring. Endvidere kan
man ved hjlp af Boolealgebra fastsl, om to forskellige koblinger er
kvivalente, d.v.s., om de opfylder samme funktion.
Hvordan man opstiller og forenkler en kobling fremgr af efterflgende
simple eksempel for et sikkerhedssystem til en oliefyret kedel, hvor olietilfrselen bliver afbrudt, nr bestemte betingelser opfyldes.
Indgangsstrrelserne er flgende variable:

A: overtryk p kedel
B: mangel p kedelvand
Udgangsstrrelsen er:
Q: olietilfrsel afbrydes

8
l

A= O ved normaltryk (af br. ~ben)

A=1 ved overtryk (afbr. sluttet)

A~
..___

STYRING

r--

/
l

Magnetventil
ben tor Q =0
lukket tor Q::1

(>lt:l

B~ B=O

)
ved normal vandstand ( afbr. aben
8=1 ved vandmangel (afbr sluttet)

Fig. 7.301.

Systemet er skematisk vist p fig. 7.30 l. Den mulige kontaktkombination

for de to indgangsvariable kan opstilles i en sandhedstabeL Fremgangsmden er, at man til de respektive kontaktkombinationer anvender det
tilsvarende binre tal begyndende fra 00. Herved fremkommer flgende
sandhedstabel:
309

o
o

Olietilfrsel til kedel

Olietilfrsellukket

Ved de tre kombinationer af de variable indgangsstrrelser er der ingen

olietilfrsel til brnderne i kedelen. De mulige kontaktkombinationer kan
udtrykkes som:
Q= (A A B) v (A A B) v (A A B),

der iflg. regneregel (5)

kan omskrives til

Q = (A A B) v A A (B v B) ,

der iflg. regneregel (l 0)

kan omskrives til

Q=(AAB)v A,

der iflg. regneregel (6)

kan omskrives til

Q=(AvA)A(AvB),

der iflg. regneregel (l O)

kan omskrives til

Q=AvB
Af sidstnvnte udtryk fremgr det, at styringen kan realiseres ved hjlp
af et ELLER-element.
Eksempel p anvendelse af Kamaugh-diagram
Brugen af Karnaugh-diagrammer er en grafisk teknik til simplificering af
boolealgebraiske problemer. Det er en af de mest anvendte metoder til
lsning af opgaver, hvor der indgr 4 eller 5 variable.
I eksemplet p anvendelse af Boolealgebra er sandhedstabellen opstillet
for et sikkerhedssystem til en oliefyret kedel. Den samme sandhedstabel
er gengivet nedenfor p fig. 7 .302, og overfor er det korresponderende
Karnaugh-diagram vist.

310

o
o

1. Rkke

2.Rkke

11

.....
. &

.... (/)

Sandhedstabel

Karnaugh-diagram
Fig. 7.302.

I sandhedstabellen er anvendt binre tal for de variable. I Karnaugh-diagrammet er Graykoden anvendt (se kapitel 7 .l).
Ethvert felt (celle) i Karnaugh-diagrammet reprsenterer en linie i
sandhedstabellen. For eksempel er den verste venstre celle i Karnaughdiagrammet fig. 7.302 identificeret ved rkke-mrkningen O (d.v.s. A=
O) og sjle-mrkningen O (d.v.s. B = 0). Cellen reprsenterer begge de to
variable (A og B) af logisk O, hvilket korresponderer med den frste linie
i sandhedstabellen. Tilsvarende vil Karnaugh-diagrammets celle i 2.
rkke, l. sjle reprsentere A = l og B = O, hvilket korresponderer med
3. linie i sandheds tabellen.
Enhver af Karnaugh-diagrammets celler, der indeholder et l, reprsenterer en kombination af de variable, for hvilke det boolealgebraiske udtryk er l. Endvidere er der mellem hver celle underforstet et "ELLER" (
v). Der kan derfor skrives et udtryk op med s mange logiske tilstande,
som der er celler, der indeholder et l.
(A A B) v (A A B) v (A A B)= Q

Karnaugh-diagrammet kan anvendes til at reducere udtrykket for den

logiske funktion. Reduktionen sker ved at indramme s mange naboceller
som muligt, dog sledes at antallet udgr 16, 8, 4, 2 eller l celle.
Foretages indramning af Karnaugh-diagram fig. 7 .302, fremkommer
f.eks. det p fig. 7.303 viste diagram.
Indramningen i 2. sjle (lodrette indramning) viser, at B inden for indramningen har logisk l for begge cellerne, hvorimod A har henholdsvis O
og l, hvilket ophver hinanden. Resultatet er, at A udgr og tilbage er
kun B.

311

o
1

"-,
1 ll

-( 1 \__1
l

---- -&
... l

ISl

R~kke

2. Rkke

tU

t)

~(J)

1.

~
(J)

Fig. 7. 303.

Indramningen i 2. rkke (vandrette indramning) viser, at A inden for indramningen har logisk l for begge cellerne, hvorimod B har henholdsvis O
og l, hvilket ophver hinanden, hvorfor resultatet er A.
Mellem hver indramning i diagrammet er underforstet et "ELLER" (v).
Den logiske funktion bliver herefter:
A v B= Q,

hvilket svarer til det udtryk, der blev udledt ved anvendelse af Boolealgebra.

Karnaugh-diagramfor funktion medflere end to variable

P fig. 7.304 er vist et Karnaugh-diagram for funktion med tre variable
og p fig. 7.305 for funktion med fire variable.

A
o
o
o
o

B
o
o

C
o

o
o

o
o

oo

V (A 1\ B1\ C) - Q
der enklere kan skrives
ABC V ABC= Q

Fig. 7.304.

312

(A 1\ B 1\ C)

o
o
o
o
o
o
o
o

o
o
o
o

o
o

o
o
o
o
o

1
1

o
o

o
1

o
o
o
o

1
1

o
o

o
1

o
o
o

o
D o

oo

1 1

(A/\ Bl\ C ~D) V (A/\ B!\ Cl\ Dl

V(A/\BACAD)V~ABACA~

o
o

=Q

V (A/\ B/\ Cl\ D)

der
enklere- -kan skrives
-- -

ABCD V ABCD V ABCD

V ABCD V ABCD = Q

Fig. 7. 305

Indramningen i Karnaugh-diagrammet foretages under hensyn til flgende:

l) Enhver indramning skal indeholde s mange naboceller som
muligt, dog sledes at antallet udgr 16, 8, 4, 2 eller l celle (se
fig. 7.306 a og b).
2) To indramninger m overlappe hinanden (se fig. 7.303 og
fig.7.306 b).
3) Naboceller kan vre yderceller i samme rkke eller sjle (se
fig.7.306 c).

313

Der kan ofte vre forskellige muligheder for indramning, som vist p fig.
7.306 d. Normalt vil en gruppering, der giver det mindste antal indramninger, vre at foretrkke.

c
A

D 0

oo

oo

1 t

1 1

'-"

o
~

o ~

o
l

'-"'

'-"'

(a)

(c)

(b)

(t
1 1

o 'l'

o
D 0

EKSEMPEL l

t) o

f)'

t) ~

J
l'..

'-.../

EKSEMPEL 2

'-"'

EKSEMPEL 3

(d)

Fig. 7. 306.

Af eksemplerne i fig. 7.306 a-d kan der udledes flgende funktioner:

Fig. 7.306 a
For indramning i l. og 2. sjle og i 2. og 3. rkke:

A = O og l, hvorfor den udgr; B = l og l, hvorfor den indgr i

funktionen som B; C= O og O, hvorfor den indgr i funktionen som
C ; D = O og l, hvorfor den udgr.
Resultat = B A C , eller enklere skrevet B C .

314

For indramning i 4. sjle, l. og 2. rkke:

A = O og O, hvorfor den indgr i funktionen som A ; B = O og l,
hvorfor den udgr; C= l, hvorfor den indgr i funktionen som C; D
= O, hvorfor den indgr i funktionen som D .
-Resultat= A A C A D eller enklere skrevet ACD.
Funktionen for fig. 7.306 a er sledes BC v ACD =Q.
Fig. 7.306 b

Funktionen er: BCD v BCD v ABCD v A= Q

Fig. 7.306 c

Funktionen er: BD v B D = Q
Fig. 7.306 d

Funktionen er for de tre eksempler:

1: ABDvACDvBDvABC=Q
--2: ABCvBDvACD=Q
3: ABDvACDvBDvACD=Q
Funktionerne for de tre eksempler kan bringes i overensstemmelse med
hinanden ved hjlp af Boolealgebra.

ad 1:

---

1: ABDvACDvBDvABC=Q
ABD v ABC kan, ved hjlp af regneregel (5), omskrives til
--ACD(B v B)= ACD.

Udtrykket ACD kan kun omskrives, hvis der tilfjes ABD. Da denne
kombination allerede findes i udtrykket, vil Q iflg. regneregel (8) ikke
ndres ved tilfjelsen.
Funktionen for eksempel l kan sledes omskrives til:
315

ABDvACDvBDvABC vABD=Q
- --ACD(B v B) v ABC(D v D) v BD =Q
ACDv ABC vBD =Q
ad 2:
Funktionen svarer til den omskrevne i eksempel l.
ad 3:

- -ABDv ACDvBDv ACD =Q

---ABC(DvD)vBDv ACD =Q

ABC vBDv ACD =Q

hvilket viser, at funktionen svarer til funktionerne i eksemplerne l og 2.
Ved et Karnaugh-diagram for fem variable kan man anvende to diagrammer som vist p fig. 7.307.

o
A

c
B

o
o

o
1

1
1

c
B

oo

oo

1 1
1

1
1

--ABC DE
Fig. 7.307.

316

1 1

o
o

--ABC DE

7.4 TERMINALEGENSKABER
Overfringskurve
Hidtil er ind- og udgangssignalerne blevet betragtet som enten vrende
logisk O (lavt spndingsniveau L) eller logisk l (hjt spndingsniveau
H). Det vil imidlertid ofte vre af betydning at have kendskab til overgangsforlbet imellem de to tilstande. Til dette forml kan man i et koordinatsystem, som vist p fig. 7.40 l, indtegne udgangssignalet UQ som
funktion af indgangssignalerne UA og Un. Den herved dannede kurve
kaldes elementets overfringskurve. Den p fig. 7.401 viste kurve er for
en TTL-kreds med NAND-funktion. Kurveforlbet varierer noget med
ndringer i temperatur, driftspnding og belastning.
Ua
4,0V
LOGISK 1

3,0
2,0

1,0

LOGISK O
11.0

2.0

3 .0

4,0 V UA

og U8

0 ,8

Fig. 7.401. Overfringskurve for TTL-e/ement.

.....--------<.,._-----o+ ucc

Q=AAB <!>

I-

V)

4:
...J

lU

1k.R

Fig. 7.402. NAND-kreds i TTL.

Sammenholdes overfringskurvens spndingsniveauer med den p fig.

7.402 viste NAND-kreds, vil flgende betragtninger kunne udledes:
Med UA og Un p nul volt, vil T l vre fuldt ledende, hvorfor basisstrmstyrken til T2 vil vre nul ampere og T2 vil vre sprret.
317

Udgangssignalet UQ er da logisk l svarende til en spnding p:

UQ = Ucc- Uv- UcEsat- UR'

hvor Ucc er driftspndingen, Uv er spndingsfaldet over dioden VI,

UcE sat er T4's mtningsspnding og UR er spndingsfaldet over R4 .
Stiger UA og UB over nul volt, vil T l 's basisstrm i takt med spndingsstigningen blive ledet fra TI 's emitterkreds til dens kollektorkreds.
Nr UA og UB er p ca. 0,8 V vil Tl's kollektorstrm og dermed T2's
basisstrm vre vokset s meget, at T2 begynder at foretage skift til
ledende tilstand (punkt H p overfringskurven). Fra punkt H til L
arbejder T2 i det linere omrde mellem sprret (OFF) og ledende (ON)
tilstand. Inden for dette omrde, hvor man som bekendt vlger arbejdspunktet, nr transistoren skal bruges som liner forstrker, er der god
proportionalitet mellem basisstrm og kollektorstrm (/c= hFE /B)
Med voksende kailektorstrm aftager kollektor-emitter-spndingen
over T2 p grund af spndingsfaldet over R2 Basisspndingen p T4 vil
sledes aftage, mens basisspndingen p T3 vil stige.
Mellem punkterne H og J vil basisspndingen og dermed basisstrmmen til T4 aftage, og da spndingsfaldet over dioden VI yderligere vil
reducere basisstrmstyrken til T4, vil T4 blive sprret, og mellem punkterne J og L vil basisspndingen p T3 stige s meget, at T3 bliver ledende. Idet T3 begynder at blive ledende (punkt J) bnes der for en lavimpedanskreds for T2's emitter. Dette vil resultere i en forget forstrkning og
dermed en strre hldning af overfringskurven .
Ved pkt. L er T4 fuldt sprret (OFF) og T3 fuldt ledende (ON). Udgangssignalet UQ er da logisk O svarende til 0,2-0,4 volt.
En CMOS-kreds har en overfringskurve (se fig. 7.207), der svarer til
overfringskurven for en TIL-kreds, men spndingsfaldet i CMOS-kredsen er mindre end i TIL-kredsen.

Ind- og udgangssignaler
Af overfringskurven fig. 7.401 for en TIL-kreds fremgr det, at indgangssignaler op til ca. 0,8 volt kan tillades som logisk O, og tilsvarende
kan indgangssignaler ned til ca. 2,0 volt tillades som logisk l.
Er udgangssignalet et logisk O, vil dette svare til maksimum 0,4 volt og
et logisk l til minimum 2,4 volt (se fig. 7 .209). Dette betyder, at der er
0,4 volt mellem de garanterede maksimale udgangs- og indgangsvrdier
318

for logisk O og 0,4 volt mellem de garanterede minimale udgangs- og

indgangsvrdier for logisk l.
Forskellen imellem ud- og indgangssignalerne angiver systemets stjtolerance, hvis strrelse har betydning i forbindelse med et anlgs mulighed for at blive pvirket af stjimpulser, uden at funktionen pvirkes.
P fig. 7.403 er vist to NAND-elementer, der er koblet sammen med en
ledningsforbindelse. Det fremgr af figuren, at en stjimpuls indtil + 0,4
V ingen indflydelse vil f p funktionen af det NAND-element, der er
styret.

",,

1 ud
~

, 1"- NIVE AU

2,0

TJTOLERANCE]
f'

{{O (

u, ,

( c

( '<

STJMARGIN

1.0

"

2 6:_ 'NivEu "?

O ud

''o" ind

:sTJTOLERANC :

STYRENDE
ELEMENT

STYRET
ELEMENT

Fig. 7. 403.

Ind- og udgangsstrmme
De strmstyrker, der flyder ind og ud af logiske elementer, nr disse er i
henholdsvis logisk l og logisk O tilstand, er en vigtig faktor for funktionen af digitale kredslb.
P fig. 7.404 er strmforlbet vist gennem to forbundne NAND-elementers ud- og indgangskredse. Hvis element nr. l har logisk O som udgangssignal, og element nr. 3 har logisk l som udgangssignal, vil transistor Tl i element nr. 2 vre i normal drifttilstand, og der vil dannes flgende strmkreds: NAND-element nr. 2: +Dee- Rl - Tl -klemme A til
NAND-element nr. l; Q - T3 - jord. Har bde element nr. l og element
nr. 3 logisk l som udgangssignal, vil transistor T2 i element nr. 2 vre
319

ledende, og der vil dannes flgende strmkredse: NAND-element nr. l og

NAND-element nr. 3: +Ucc - R4 - T4 - Q til NAND-element nr. 2
klemme A henholdsvis B til Tl og flles gennem T2- R3 til jord. Maksimumvrdier for disse strmme er specificeret af fabrikanterne og er
bestemmende for et logisk elements belastbarhed, der normalt kaldes fan
out.

r---

l2

.-:;---~-.,.---

0~~-----4----~~
l

_ _ _ _ _j

r-l

13

L_ _ _ _ _ _ _]
"....,. .... ..,. .... " LOGISK O STRMVEJ
- - - - - - - LOGISK 1 STRMVEJ

Ao-,...__.

<>--+--+--'
l

~~._----~----~~
L_-

--_j

Fig. 7. 404.

For en typisk TIL-kreds, hvor fan-out kan vre opgivet til 10, er strmstyrken p udgangsklemmen Q ved logisk O p l ,6 mA og ved logisk l p
40 !J.A.
De 40 J.!A ved logisk l er s lille en strm, at den i forbindelse med fanout normalt ikke har nogen betydning. Derimod har strmstyrken p l ,6
mA stor indflydelse, idet strmstyrken ved logisk O i tilflde af, at det
maksimalt angivne antal (fan-out) p 10 NAND-elementer er sluttet til
element l's udgang, vil stige til 16 mA, der skal ledes til jord gennem

fan-out angiver den vre grnse for, hvor mange element-indgange magen til dens
egne, det betragtede element kan styre.

320

transistor T3. Tilsluttes et strre antal end den angivne fan-out, er der
risiko for at transistor T3 i element nr. l ikke er i stand til at fre s stor
en strm, og udgangsspndingen p element nr. l vil da stige over den
foreskrevne maksimale vrdi p 0,4 V for "O". Dette medfrer, at den p
fig. 7.403 viste stjtolerance reduceres.

ben-kollektor kredse
TIL-kredse med et aktivt pull-up udgangskredslb har meget lille udgangsmodstand for bde hj og lav udgangsspnding, og man kan derfor
ikke forb.inde sdanne udgange sammen uden at kredsene delgges.
Dette skyldes, at der vil opst en delggende kortslutningsstrm, dersom den ene kreds sger at operere med hj udgangsspnding og den
anden med lav udgangsspnding.
Kredse, hvori udgangstransistoren benytter en simpel kollektormodstand
i stedet for et aktivt pull-up kredslb, kan bedre parallelkobles p udgangene. Der findes kredse specielt beregnet p denne anvendelse, hvor udgangstrinnet blot bestr af selve udgangstransistoren uden kollektormodstand, idet denne da opfattes som en ydre komponent brugeren m tilfre.
Sdanne kredse kaldes ben-ko/lektor logik. P fig. 7.405 er vist en benkollektor TIL NAND-kreds med to indgange.
Ucc

,...----+----o- -

Rl

,-,

,_,Re
l

--6----o Q

Fig. 7.405. Aben-ko/lektor NAND-element.

Forbinder man udgangene p f.eks. to sdanne kredse sammen under benyttelse af en flles ydre kollektormodstand Re (pull-up modstand) som
vist p fig. 7 .406, vil udgangssignalet UQ vre logisk O, hvis blot en af de
to udgangstransistorer er ledende, og vil vre logisk l, hvis de begge er
sprret.

321

--o-----.,..__-6--- Ucc
NAND

NAND

n r.1

nr.2

____..-o---+--o---+1

Fig. 7. 406.

Betegner A og B de logiske indgangssignaler p NAND-element nr. l og

C og D de logiske indgangssignaler p NAND-element nr. 2, vil kredslbets funktion kunne udtrykkes sdan:
Q= l hvis ikke A og B begge er l eller C og D begge er l, ellers O.
Dette kan udtrykkes ved den Boolske funktion:
Q=AABVCAD
Ved anvendelse af NAND-elementer med normale udgangstrin og dermed uden brug af parallelkobling af udgangene, ville denne funktion
krve fire NAND-elementer som vist p fig. 7.407. Man kan alts spare
to NAND-elementer ved i dette tilflde at anvende ben-kollektor kredse.

/\(CAD)
Q

Fig. 7.407.

P fig. 7.408 er vist signalstrmskemaet for fig. 7 .406. Betegner Q1 og Q2

hver af de to NAND-elementers udgangssignaler med det andet NANDelement frakoblet, bevirker sammenkoblingen, at Q= Q 1 A Q2 .

322

Fig. 7. 408.

Tri-State element
For at f en mindre belastning ved sammenkobling af flere elementer og
et hurtigere omslag har man udviklet et element, der har tre stillinger:
"0", "l" og frikoblet Et sdant element betegnes en "TRI-STATE"-gate.
Det arbejder ved sending eller modtagning som et normalt TIL-element
med aktivt pull-up udgangskredslb og er derfor hurtig ved omslag.
P fig. 7.409 er vist et tri-state-element, der i stedet for styreindgang har
en frikoblingsindgang (disable). Tilfres denne et l-signal er bde indgang og udgang "frit svvende" og udgr ingen belastning, hvadenten tristate-elementet arbejder som sender eller modtager.
TTL

STYREKREDS

DISABLE
--+-------0

Fig. 7.409. Tri-State element.

323

Hvis disable-indgangen tilfres l-signal, bringes spndingen i punkt P i

den verste TIL-kreds p ca. 0,2 + 0,7 V= 0,9 V, samtidig med at en af
multiemitterindgangene lgges p ca. 0,2 V. I dette tilflde er bde T4
og T5 p udgangen sprrede, og indgangen A p Tl udgr en sprret
diode.

7.5 REGENERATIVE SWITCH-KOBLINGER

I forbindelse med impulsteknik spiller kredse med positiv tilbagekobling

en overordentlig vigtig rolle. De bruges som impulsgeneratorer, impulstllere, hukommelseskredse o.s. v.
Karakteristisk for de koblinger, der skal omtales her, er den stadig tilbagevendende veksling mellem to tilstande - et oscillatorisk fnomen p
grund af positiv tilbagekobling. Dette glder den store gruppe
multivibratorer (engelsk: flip-flop), hvoraf der findes et utal af koblingsvarianter, ofte i integreret udfrelse.
Typisk for impulskredse er ogs den udstrakte brug af RC-netvrk til
integrering og differentiering af impulssignaler. Disse koblinger, der er
omtalt i kapitel 1.3, er srdeles vigtige inden for impulsteknikken.

Astabil multivibrator
Karakteristisk for denne er det stadige skift mellem to ustabile tilstande,
d. v.s. en vedvarende oscillation. Den astabile multivibrator er alts en
fritsvingende impulsgenerator, der afgiver et nsten firkantformet udgangssignal.
P fig. 7.501 er vist en astabil multivibrator, der er opbygget af to
IKKE-elementer og en RC-kreds.

c
1

l--<z>---o uud

Fig. 7. 501. Astabil multivibrator.

324

Anvendes der TIL-elementer tilsluttet en driftspnding Ucc = 5,0 V, vil

overfringskurven for hvert element svare til den p fig. 7.40 l viste
kurve. Pkt. J p overfringskurven angiver vrdien af trskelspndingen, ved hvilken der indledes skift p udgangen fra logisk l til O og omvendt. Den ideelle overfringskurve for et logisk element er vist p fig.
7.502.

Fig. 7. 502. Ideel overfringskurve for logisk element.

Er spndingen ved klemme y (fig. 7.501) p UQ volt, der svarer tillogisk

l, vil spndingen ved klemme z blive nul volt. Kondensatoren vil blive
opladet med tidskonstanten t = RC mod spndingen UQ' men idet spndingen p klemme x nr vrdien UT, vil de logiske elementer skifte udgangssignaler, og potentialet p klemme x vil som flge heraf blive forget med UQ volt. Efter springet aflades kondensatoren C med tidskonstanten t = RC mod nul, men vil ved ux = UT atter gives en springvis
ndring, denne gang i negativ retning. Sdan gentages forlbet, som vist
p fig. 7.503.
Ved hjlp af ligning (16) i kapitel 1.3 kan flgende udtrykkes for
tiderne:

325

OPLADNING

AFLADNING

Fig. 7. 503.

Det fremgr heraf, at tiderne ikke kan vlges uafhngig af hinanden.

nskes det, at kunne ndre forholdet t2 : t 1 (mark/space forholdet), kan
den p fig. 7.504 viste astabile multivibrator anvendes.

Fig. 7.504. ndring af forholdet t2 : t1 .

326

Ved betragtning af fig. 7.505 indser man, at spndingen p hjre ende af

modstanden R m vre lig den, der er p hjre ende af modstanden R i
fig. 7.501. Koblingen fig. 7.505 vil have samme funktion som fig. 7.501,
men kurveformen fra koblingen med tre elementer vil, p grund af elementernes bedre belastningsforhold, blive pnere end kurveformen fra
koblingen med kun to elementer.

R
Fig. 7.505. Astabil multivibrator.

Anvendes der til opbygningen af den astabile multivibrator CMOS i stedet for TIL-elementer,
kan det forekomme, at beskyttelsesdioder i CMOS-indgangen kan klippe spidsen af kurven. For
at rde bod herp, kan der indkobles en resistans p ca. l 00 ko hm i indgangen p det venstre
IKKE-element.

Symbolet for en astabil multivibrator er vist p fig. 7 .506.

n
Fig. 7.506. Astabi/t element.

Monostabil multivibrator
Karakteristisk for denne er, at den har en ustabil og en stabil tilstand. En
triggerimpuls bringer koblingen over i den ustabile tilstand, og efter en
tid, som bestemmes af et RC-led, skifter den tilbage til den stabile tilstand.
P fig. 7.507 er vist en monostabil multivibrator opbygget af to NORelementer (CMOS-kredse) og et RC-led.
Nr multivibratorens ind- og udgangssignal er logisk O, er
udgangssignalet fra element El konstant logisk l (UQ ~ U00). E2's
indgangssignal vil dermed vre logisk l og dens udgangssignallogisk O,
hvorfor multivibratoren under disse forhold indtager stabil tilstand.
327

+Uoo

~t,~

_n_

E1
o-----1 ~ 1

E2
---t~ 1

IND

Fig. 7.507. Monostabil multivibrator.

Kondensatoren C har samme positive spnding p begge plader ("l" og

"l") svarende til en uopladet kondensator. Fr element El tilfrt et indgangssignal u IND p logisk l, vil elementets udgangssignal uun skifte til
logisk O (ca. O volt). Momentant lgges indgangene p E2 via kondensatoren til stel og indgangssignalet p E2 er dermed logisk O, som bevirker,
at elementets udgangsspnding uun skifter tillogisk l (se fig. 7 .508).

t1No< tuo
Fig. 7.508.

328

Ved trNn > tun fr element E l derved "1"-" l" p dens indgange. Ved trNn
< tun vil signalerne p El's indgange blive "1"-"0". Uanset om der str
"l"-" l" eller "l"-"O", vil udgangen af E l holdes effektivt p logisk O,
d. v .s. forbundet til stel. Kondensatoren C lades op via modstanden R med
+mod E2. Nr potentialet i punktet "A" efter tiden tun har net en vrdi
svarende til trskelspndingen for logisk l, skifter multivibratorens udgangssignal atter tillogisk O.
Ved hjlp af ligning (16) i kapitel 1.3 kan flgende udtrykkes for tiden

Trigning af simple monostabile multivibratorer har altid voldt problemer.

De er ofte stjflsomme og trigges let af "falske" signaler. For at undg
dette fremstilles de i integreret udfrelse med specielle triggerkredse. P
fig. 7.509 er som eksempel vist en multivibrator, der trigges via en indbygget Schmitt-trigger.

Fig. 7.509.

Schmitt-triggeren har to indgange, og for at den ene kan arbejde, krves

det, at der p den anden str logisk l (ligger hj). Denne indgang drives
af en NAND-kreds. For at Schmitt-triggerens indgang (B) skal blive
aktiv, m en af indgangene (Al eller A2) p kredsen alts ligge p logisk
O. Det tidsbestemmende RC-led er ikke integreret i kredsen, sledes at
man ved indlodning af R- og C-komponenter selv kan bestemme pulslngden.
329

Monostabile multivibratorer benyttes til impulsformere, impulsforsinkelseskredse, frekvensdelere m.m. Symbolet og funktionsdiagrammet for
en monostabil multivibrator er vist p fig. 7.51 O. Af funktionsdiagrammet
fremgr det, at den udgangsvariable forbliver i sin definerede l-tilstand i
en tid, der er uafungig af den tid, den indgangsvariable forbliver i sin
definerede l-tilstand.
Indgang, .

triggeimpuls

1fl

~ ----~

~----n

Udgang

Fig. 7. 510. Monostabilt element.

Tidsforsinkelse i ind- eller udkobling kan opns ved kobling af logiske

elementer i forbindelse med en monostabil multivibrator.
Forsinkelseselement med forsinket indkobling
P fig. 7.511 a er vist en kobling, der kan realisere forsinket indkobling.
Sttes indgang A p spnding (l-signal), vil der opst l-signal p y, som
vil blive negeret gennem et efterflgende IKKE-element. OG-elementet
vil som flge heraf have O-signal p udgangsterminalen Q.

-------

-B-

Fig. 7.511. Forsinkelseselement.

Efter udlbet af den monostabile multivibrators udgangsimpulstid t vil y

f O-signal. Dette negeres, og begge OG-elementets indgangsterminaler
har l-signal. Dermed vil der opst l-signal p Q, som vil blive stende, til
A igen har O-signal.
Koblingens tidsfunktionsdiagram fremgr af fig. 7.511 b og elementets
symbol af fig. 7.511 c.

330

Forsinkelseselement med forsinket udkobling

For at opn forsinkelse i udkoblingstiden kan anvendes en kobling som
vist p fig. 7.512 a.

Fig. 7.512. Forsinkelseselement.

Nr spndingen p A er O (O-signal), vil der st et l-signal p IKKE-elementets udgangsterminaL Efter udlbet af forsinkelsestiden vil der st Osignal p begge ELLER-elementets indgange, og der vil som flge heraf
vre O-signal p Q. Ssnart A fr l-signal, vil Q f l-signal. Samtidig vil
IKKE-elementet give O-signal til tidselementet Nr l-signalet forsvinder
p A, bliver tidselementet igen styret og giver l-signal p Q, til det efter
udlbet af den af RC-kombinationen valgte tidsforsinkelse t igen forsvinder.
Fig. 7.512 b og c viser henholdsvis forsinkelseselementets tidsfunktionsdiagram og symbol.

Bistabil multivibrator
Denne type har to stabile tilstande, sledes at der krves en triggerimpuls,
hver gang kredsen skal skifte tilstand. Bistabile multivibratorer finder
udstrakt anvendelse som impulstllere, frekvensdelere, hukommelseselementer i logiske kredse og i binre tllekredse.
Bistabile kredse betegnes efter hvilken mde, de trigges p.
T-element' (trigger-flip-flop (T-FF)) har kun en indgang. Hver gang der
tilfres indgangen en triggerimpuls, vil udgangen skifte tilstand. Symbolet og sandhedstabellen for T-elementet er vist p fig . 7.513.

T str for toggle, d. v .s. skiften op og ned.

331

t---Q

---f".....,'> T ----

undret
komplementere t

1---Q

t'

(.,.

Fig. 7. 513. T-element.

l l!

..v

--(4{)1;.-)1
~

RS-element (Set-reset-flip-flop (RS-FF)) kan dels fs som integreret kreds

med to indgange dels fremstilles ved krydskobling af to NOR-elementer.
Symbolet og sandhedstabellen for et RS-element er vist p fig. 7 .514.
Af sandhedstabellen fremgr det, at signal p set-indgangen vil medfre
Q = l, mens signal p reset-indgangen vil resultere i Q = O. Samtidige
set- og reset-impulser medfrer en ubestemt udgangstilstand og tillades
ikke.
S

----tS

---------tR ~J.

O O

undret

o 1
"1-----J--t--i kft-d.e-f i~

f----Q

Fig. 7.514. RS-element.

En tilsvarende funktion opns ved krydskobling af to NOR-elementer,

som vist p fig. 7.515. Tilfres signal (set-impuls) til S, vil a have O p
udgangen, og tilbagefringen til b vil bevirke, at der p udgangen af b vil
st l-signal. Nr set-impulsen ophrer, skifter signalet p S fra l til O,
men signalet fra b vil imidlertid stadig st p den ene indgang af a, og der
vil sledes ingen ndringer ske med signalerne p Q og Q . Kredsen
husker set-impulsen, indtil kredsen resettes ved at tilfre signal (resetimpuls) til terminal R.

R
b

Fig. 7. 515. Hukommelseskreds.

332

Svel RS-elementet som kredsen fig. 7.515 anvendes i logiske kredse til
"huske"-funktioner. Tidsfunktionsdiagrammet herfor fremgr af fig.
7.516.
~

5 o

,---------------

----L-------

:------------o--------

1 --

l ----------

Q o--.L ____ ____ L....-----

~--r-------,

Fig. 7.516. Huske-funktion.

JK-element (JK-flip-flop (JK-FF)) kan opns ved at koble to OG-elementer i forbindelse med et RS-element, som vist p fig. 7.517.

1--t-4--o Q

Fig. 7.517.

Forudsat, at Q = l og Q = O, vil der ikke ske ndringer ved tilfrsel af

signal til J-indgangen, hvorimod signal p K-indgangen vil skifte udgangssignaleme. Tilfres signal til svel J- som K-indgangen, vil kun det
ene OG-element kunne fre signal, hvorfor JK-kredsen i dette tilflde vil
negere (engelsk: Toggle) udgangssignaleme.
Symbolet og sandhedstabellen for et JK-element vil fremg af fig.
7.518.
J

>J

?K

------

o o
o 1
1 o
1 1

Q.

undret

o
komplementere t

Fig. 7.518. JK-element.

333

&

G
&

Fig. 7.519.

Bistabile kredse (flip-flop-kredse) udstyres ofte med en skaldt klokkeindgang (betegnes i henhold til DS 5005.18 med G), som muliggr at et
strre antal kredse kan trigges med ensartede mellemrum. Trigningen
foregr da ved kommando fra klokkeimpulssignalet, idet princippet for
styringen f.eks. kan indrettes som vist p fig. 7.519. Kun nr G har net et
vist spndingsniveau kan Ja og Ko-indgangene fungere. Visse flip-flopkredse trigges p klokkeimpulssignalets positive flanke og andre p dets
negative flanke. Endvidere vil R- og S-indgangene ofte vre frt ud til
klemmer p elementet. P fig. 7.520 er vist symbolerne for J0 KaRS-elementer, idet a er for trigning p klokkeimpulssignalets positive flanke og
b er fortrigning p dets negative flanke.
~~ 0SITIV

'\.L ANKE

___.Y\_

S
---4 J

Q
1--

--~G---

__
__.__l__,

---1K R

NEGATIV]
FLANKE

r--\'

_j

G----

____.

a
/

Fig. 7.520. JaKaRS-elementer.

Trigning p negativ flanke - p klokkeimpulssignalets bagkant -angives

p symbolet ved komplementerende indgang.
JK-MS element (JK master/slave flip-flop). For at det skal vre muligt
for en flip-flop i et register eller en tller p samme tid at afgive sin tidligere "information" og at modtage ny "information", m elementet vre
forsynet med en intern hukommelse. En af de almindeligste flip-flop typer med intern hukommelse er den skaldte master/slave flip-flop. Den
indeholder egentlig to ordinre flip-flopper som vist p fig. 7.521 , nemlig "masteren" M og "slaven" S.

334

J
K
CLOCKIMPULS

Fig. 7.521. JK-MS element.

Indlsning til "masteren" M sker ved klokkeimpulsens forkant, mens

overfrsel af informationen til "slaven" S sker ved klokkeimpulsens bagkant.
D-element (D-flip-flop (D-FF)) kan opns ved at kombinere et JGKaelement med et IKKE-element som vist p fig. 7 .522.

CLOC~:

aG--- i~---- ~
Fig. 7.522. D-element.

For dette kredslb glder J = D og K = D , d. v.s. K = J . JK elementet

udnytter derfor kun de to midterste rkker i sandhedstabellen fig. 7 .518.
I almindelighed udfres en D-flip-flop sdan, at den kun skifter udgangssignal, nr klokkeimpulsen ndres fra logisk O til logisk 1. Denne
srlige egenskab kan opns ved at opbygge elementet som vist p fig.
7.523.

335

CLOCK

-Q

L_ __ _________ _j
CLEAR

Fig. 7. 523.

D-flip-floppens symbol og tidsfunktionsdiagram er vist p fig. 7.524.

CLEAR---------------------

CLOCK--~--~---L--~--~r=0

Q
t

Fig. 7.524. D-flip-flop.

Schmitt-trigger
I digitale systemer krves impulser med givne niveauer og givne stige-og
faldtider. Nr ydre kredse skal sluttes til digitale systemer, m man derfor
ofte indstte "interface"-kredse mellem systemet og de ydre kredse.
En af de mest benyttede kredse til dette forml er Schmitt-triggeren, der
dels skal indikere bestemte niveauer hos indkomne signaler (f.eks. med

336

svagt stigende flanker) og dels skal give det digitale system signaler med
passende niveauer og impulsflanker.
En simpel Schmitt-trigger kan opbygges af to IKKE-elementer og to
modstande som vist p fig. 7.525.

u 1n
.d

R,

,...

_j

l
l

l
J

--

h.
~

U ud

Fig. 7.525. Schmitt-trigger.

De to elementer er koblet i serie, hvorfor indgangssignalet vil vre i fase

med udgangssignalet
Vlges til Schmitt-triggeren to TTL NAND-elementer, med overfringskurver svarende til fig. 7.40 l, og vlges modstandsvrdierne sdan,
at R 1 =R og R 2 = 2R, vil det af fig. 7.526 fremg, hvilke vrdier uind skal
antage for at opn uud p henholdsvis logisk l og logisk O.
Er uind stigende, vil element A p fig. 7.526a kippe, nr elementets indgangsspnding UT svarer til trskelvrdien 2 V. Element A vil dermed
have et udgangssignal p logisk O, og element B et udgangssignal p logisk l.
For at opn UT ~ 2 V, kan den ndvendige indgangsspnding beregnes.
UT

= '""'lnd . 3R
2R = _g_
d
3 11.
'""'ln

uind

J/..

>
2
-

~ 2~ = 3 V
R

2R

c---[=:J ~t-------,

"ind

2R

~ 1. ,. f
lur

ov
..,.

a} uind stigende

b} uind aftagende
Fig. 7. 526.

337

P fig. 7.526b er forholdene vist for uind aftagende. Her nskes beregnet,
hvor lav en vrdi uind kan antage, fr udgangen igen gr p logisk O.
Element A skifter, nr UT falder under 2 V. Flgende ligning kan opstilles for
UT = 2 V =

uind

+ UR = uind + 5~~nd . R

6 V = 3 uind + 5 "tnd = 0,5

uind

Triggerkredsens symbol, dens hysteresekurve samt dens tidsfunktionsdiagram er vist p fig. 7.527.
U ind

3,0V

_f

"1" -.,- -----,--

Uud

1 -- -

o,sv

3,0V

1
1

-r- - - - - i -

l--

u ind

"o t - - - - "

Fig. 7.527. Schmitt-trigger.

Af det gennemregnede eksempel for Schmitt-triggeren fremgr det, at

strrelsen af spndingen uind for skift af uud fra logisk O til logisk l og
omvendt, ikke kan vlges uafhngigt af hinanden. For at opn en sdan
uafhngighed, kan resistansen R1 i Schmitt-triggerens indgang erstattes
af en parallelforbindelse af to resistanser, der hver er i serie med en diode.
Dioderne skal i parallelforbindelsens to grene vre modsat rettede, sdan
at strmmen under stigende uind ledes gennem den ene resistans og under
faldende uind ledes gennem den anden resistans.
Ved anvendelse af TIL-kredse til en Schmitt-trigger, m tilbagekoblingsmodstanden R 2 ikke gerne vre strre end l kohm. Hvis den bliver
det, er der fare for selvsving. Disse problemer vil i nogen grad kunne
undgs ved at anvende CMOS-kredse.

338

7.6 ELEKTRONISK ANALOG AFBRYDER

Et typisk eksempel p en analog afbryder (analog switch) kan vre den i
fig. 7.601 viste DUAL-IN-LINE kapsel (DIP), som indeholder fire separate 1-polede afbrydere.
IN D4 S4 +UccGND S3 03

IN 3

IN, 01 S1 -Uee

IN2

S2

02

Fig. 7.601. DIP med fire analoge afbrydere.

I de fire uafhngige sektioner udfres selve den analoge afbryderfunktion

af en felteffekt-transistor, hvis drain og source udgr de to afbryderterminaler mrket D henholdsvis S.
Felteffekt-transistorens gate styres af et indbygget kontrolkredslb, der
er vist med en trekant svarende til en forstrkers diagramsymboL Kontrolkredslbets opgave er at omdanne definerede digitale spndingsniveauer p kontrolindgangene mrket IN til gatespndingsvrdier, som
giver felteffekt-transistoren en sikker ON- henholdsvis OFF-tilstand.
Kontrolindgangene er indrettet til at operere fra minimum TTL-spndingsniveau, hvorfor de ogs kan drives direkte fra DTL-, RTL- og
MOS-kredse.
Den p fig. 7.601 viste DIP spndingsforsynes med +15 V og de analoge afbrydere vil kunne tle signalniveauer indtil +l OV.
Der kan alts uden vanskeligheder behandles signaler af begge polariteter (positiv og negativ logik). Dette indebrer, at S og D terminalerne
umiddelbart kan ombyttes, uden at afbryderfunktionen pvirkes.
Analog-atbrydere af den viste type vil normalt kunne anvendes for signaler gende fra DC til en medium frekvens p omkring 50 MHz.
I katalogblade angives f.eks. "High open switch isolation at 1,0 MHz
.... -50 dB". Denne oplysning henviser til, at OFF-isolationen garanteres
en dmpning p 50 dB i den enkelte atbrydersektion, nr denne er i OFFtilstand. OFF-isolationen kan bestemmes ved at tilfre afbryderens ene

339

side et sinusformet generatorsignal med f= l ,O MHz og mle spndingen

over en belastningsmodstand RL tilsluttet afbryderens anden side.
Analog-afbryderes anvendelsesomrder er mangfoldige. F.eks. kunne
man ndre forstrkningen i en forstrkerkreds, ved successivt at ndre
kredsens modstandsvrdier, ved efter tur at lade analog-afbrydere indkoble resistanser. I sdanne tilflde vil afbryderen vre i serie med resistansen, og njagtigheden af kredslbet vil derfor vre atbngig af, hvor
stor en resistans afbryderen har i ON tilstand. ON-resistansen vil vre
konstant for signaler op til +lOV og 100kHz og eksempelvis andrage 100
ohm.
En af de store fordele ved anvendelsen af analog-afbrydere er, at signalfrende afbryderenheder kan placeres direkte p kredslbskortet Herved
undgr man den gede stjopsamling, som uundgeligt flger med signaloverfring ud til traditionelle afbrydere.

7.7 IND- OG UDGANGSKREDSE

Logikelementer og regenerative switch-koblinger anvendes i styrings-og
kontrolanlg til lsning af krav om udgangssignal, nr bestemte indgangssignaler er tilstede. Denne del af et styrings- og kontrolanlg betegnes ofte signalbearbejdningsdelen. Signalbearbejdningsdelens indgangssignaler skal vre logiksignaler, som er blevet tilpasset ved passage gennem indgangskredse og dens udgangssignaler, der kan vre ret svage, m
ofte forstrkes gennem udgangskredse, sdan at de er i stand til at aktivere udgangsenhedeme, der kan vre kontrollamper, reler, magnetventiler
o .lign.

Indgangskredse
Kontrol- og styresystemer krver information vedrrende tilstanden af
det anlg, der skal overvges eller styres. For at formidle denne information anvendes signalgivere, der kan vre kontaktbehftede eller kontaktlse (mlevrdiomsttere).
Kontaktbehftede signalgivere kan vre kontaktorer, reler, pressostater, trykafbrydere m.m.
For at opn tilfredsstillende indgangssignal og for at opn tilstrkkelig
belastning af kontakten anvendes ofte en srlig modstandskobling. P fig.
7.701 er vist to eksempler, hvor a er for sluttekontakter og b er for brydekontakter. For a vil signalet til logikkredsen ndres fra "l" til "O", nr
340

kontakten aktiveres, og for b vil signalet ndres fra "O" til "l", nr kontakten aktiveres.
Den kobling, der vlges, vil vre afbngig af anlggets opgave. Da
kontakter bliver smudsige efter en tid, vil man normalt ikke anvende a til
alarmkredse.

+~
oo

l
a

TIL LOGIKKREDS

Fig. 7.701.

Ved frnvnte modstandskobling er der ikke taget hensyn til at eliminere

kontaktprel, hvorved der kan opst en rkke impulser, som kan fre til
fejlfunktion i den efterflgende logiske kobling. Problemet kan ofte lses
ved at koble en kondensator p l O til l 00 nF over logikkredsens indgangsklemmer (se fig. 7.702).

Fig. 7. 702.

Er kontaktprel-problemet imidlertid strre, end det kan lses ved hjlp af

en kondensator, kan koblingen fig. 7.703 eller fig. 7.704 anvendes.
I fig. 7. 703 skal det monostabile elements udgangsvariable forblive i ltilstand i lngere tid end kontaktens mulige preltid, i almindelighed strre
end 5 ms.
I fig. 7.704 krves en signalgiver med omskifterkontakt Ved hjlp af
det viste RS-element opns en meget sikker lsning.
341

1 Jl
\

oo--J.......____o
Fig. 7.704.

Fig. 7.703.

For at beskytte logikkredslbene imod overspnding og stj, er der i indgangskredsen ofte indbygget en optokobler som vist p fig. 7.705. Ved
anvendelse af optokobler opns fuldstndig elektrisk adskillelse mellem
de ydre anlgsdele og apparatet, idet informationsoverfringen sker i
optokobleren ad optisk vej.

R2

TI L LOGIKKREDS
}

~--~~~------~~~

Fig. 7.705.

Kontaktlse signalgivere (mlevrdiomsttere) kan vre fotomodstande,

termistorer, differenstransformere m.m .. Det analoge indgangssignal til
logik-koblingen kan omdannes til et veldefineret signal ved hjlp af en
TRIGGER som vist p fig. 7.706.

ANALOG ../'

INOGANG

l 1---'
.

_f

O l GIT Al

UDGANG

Fig. 7. 706.
l

\ Ofte kan man dog opn en tilstrkkelig god lsning ved blot at lade det
analoge indgangssignal passere et NOR- eller NAND-element.

l
342

Udgangskredse
Kontrol- og styresystemers udgangsenheder kan vre kontrollamper, reler, magnetventiler o.lign., der ind- og udkobles af signaler fra logikkredsen.
Driverforstrker for ITL-logikkreds
For at f et tilstrkkeligt stort udgangssignal fra logikkredsen afsluttes
denne, som vist p fig. 7.707, ofte med en udgangsforstrker
(driverkreds) til styring af f.eks. et reed-rel Kl.
- - - - - - - . . . . - - - - - . - - - - - + Ucc
Kl
LOGIKKREDS

T1

Fig. 7. 707. Udgangsforstrker.

Modstanden R1 skal tilpasse logikkredsen til transistorens basis og dioden

V l skal beskytte transistoren for den selvinduktionsspnding, der kan
opst i relspolen, nr denne afbrydes. Ved at forbinde Vl parallelt med
relspolen K l som vist, fr spolen mulighed for at udlade sin energi gennem diodekredsen.
Flgende er givet:
-driftspnding Ucc....................................
5,0 V
-logikkredsens udgangssignallogisk 1. ...... - 3,0 V
-logikkredsens udgangssignallogisk 0 ....... - 0,4 V
-relspolens mrkespnding .................... 5,0 V
-relspolens modstand............................... 500 n
-relet indkobler ved.................................
3,5 V
-relet udkobler ved ..... .. .. .. .. .. ..... .. .. .........
0,5 V

343

Som transistor vlges en siliciumtransistor, i hvis datablad er opgivet:

-mrkespnding UeEo = 40 V
-mtningsspnding UeE sat= 0,3 v
-maksimal kailektorstrm Iemax. = 100 rnA
-strmforstrkning hFE = fra l 00 til 250
Med transistoren i mtning (ON), vil der vre et spndingsfald over
transistorens kollektar-emitter-strkning p ueE sat = 0,3 v. Kollektarstrmmens strrelse kan da beregnes som:
1 = Uee -UeEsat = 5-0,3 =9 4. IQ-3 A= 9 4 rnA.
c
RKl
500
'
'
Ved "mindste" strmforstrkning bliver basisstrmstyrken
94
IB = le = ' = 94 10-3 mA = 94 ~A
hFE
100
R 1 skal nu beregnes sdan, at /B~ 94 J..lA, nr logikkredsens udgangssignal er logisk l.
6

R = "logisk 1"-UBE = (3,0-0,7) 10 = 245103

l
IB
94
,

R1 vlges til 22 k!l, svarende til en basisstrm p

IB = 3,0- 0,7 :: 105 ~

22

Som V l vlges en diode, der mindst skal kunne tle kollektorstrmmen

le.
Er logikkredsens udgangssignal et logisk O, der svarer til 0,4 V, vil
transistoren vre OFF, idet siliciumtransistorens basis-emitter-strkning
frst bner ved en spnding p ca. 0,7 V.

Driverforstrker for CMOS-logikkreds

Ved en CMOS-logikkreds tilsluttet en driftspnding Unn = 10 V kan
kredsens udgangssignal for logisk O andrage en vrdi p ca. 1,0 V jf. fig.
7.209. Ved denne spnding vil siliciumtransistoren vre i sit aktive omrde, og der kan vre risiko for, at relet ikke vil kunne udkoble. Dette
problem kan lses ved at serieforbinde en zenerdiode V2 med basismodstanden R 1 som vist p fig. 7.708. Et reed-rel passende til Unn= 10 V

344

vil have en spolemodstand p RK1 = 1000 ohm og vlges zenerdioden

f.eks. til Uz= 6,2 V, kan R 1 beregnes, idet
_ Unn- UcEsat
l cRKl

_ "logisk f'- Uz- UBE

R1-

JB

------------~~~r--------+Uoo

Kl
T1

Fig. 7. 708.

Er logikkredsens udgangssignallogisk O, er /B= O, da spndingsniveauet

for logisk O er mindre end zenerspndingen.
P fig. 7. 709 er vist symboler for driverforstrkere, der kan vre med
eller uden negeret udgang.

Fig. 7. 709. Drivertorstrkere.

Styrede dioder i belastningskredsen

To vigtige parametre for styring af en thyristor eller triac er:
tndspndingen UG
tndstrmstyrken I G

345

Tndspndingen UG er den spnding, der krves p gaten af thyristor

eller triac for at opn tnding. For at sikre slukning krves, dels at den
over belastningskredsen tilsluttede vekselspnding passerer nul, dels at
UG er mindre end 0,4 V. For at undg unsket tnding br spndingen
p gaten, med slukket thyristor eller triac, ikke kunne overstige 0,4 V.
Tndstrmstyrken la er den strmstyrke, der krves for at trigge thyristor eller triac. Der fremstilles i dag tndflsomme thyristorer, der kan
tnde, hvis la er p mindst 5 mA, hvilket kun er ca. 10% af den tndstrmstyrke, der krves tiltrigning af visse standardthyristorer.
Svel tndspndingen som tndstrmstyrken har negativ temperaturkoefficient, det vil sige, der krves get U a og la med aftagende temperatur. I datablade angives Ua og la normalt ved 25C, og deres temperaturafhngighed angives i form af en kurve eller tabel. For at ge sikkerheden for tnding selv ved lave temperaturer, vlges ofte en tndstrmstyrke p 3- 10 x la.

ITL-element med aktivt pull-up kredslb er vist p fig. 7.710. Elementets

udgang er sluttet direkte til gaten p en tndflsom thyristor.

~
1/)
..J

1/)
~

>

Fig. 7. 71 O. Direkte thyristorstyring.

Nr der p TIL-elementets udgang str et l-signal, er transistor T4 ledende. Herved dannes en strmkreds fra Ucc gennem R4, T4 og videre
gennem thyristarens gate til jord. Hvis oriftspndingen Ucc = 5,0 V, og
logisk l p TIL-elementets udgang svarer til 2,4 V, vil strmstyrken
gennem den nvnte strmkreds vre p ca. 12 mA.
346

Slukning af thyristoren sker, nr TIL-elementets udgangssignal skifter

til logisk O og netspndingskurven har nulgennemgang. Modstanden R ~
4,7 ldl har til opgave at trkke potentialet p gaten ned mod jord, nr
TIL-elementets udgangssignal er logisk O, for herved yderligere at sikre
thyristorens slukning.
Skal TIL-elementet styre en thyristor eller triac, der krver en noget
hjere tndstrmstyrke, end det er muligt at opn ved direkte styring, vil
en kobling som vist p fig. 7. 711 a eventuelt kunne anvendes.

-------,
TTL

Ucc
l

"=

c
z
R20

IR10!

R 10 =
330n

lud~~

Cl)

..J

w
Cl)
:0::

w
>

!G

R20

GO
1,5V
-:-

Fig. 7. 711. Styring af triac.

Modstanden R 10 er en pull-up modstand, der tillader kredsen at afgive en

strre strmstyrke, nr TIL-elementets udgangssignal er logisk l, idet T4
da er ledende og kobler R4 i parallel med R10 .
Nr TIL-elementet har O-signal p udgangen, er transistor T4 sprret
og transistor T3 ledende. Under disse forhold dannes en strmkreds fra
Ucc gennem R 10 og videre gennem T3 til jord. For at opn sikker slukning af triacen m 0-signalspndingen ikke overstige 0,4 V, der svarer til
transistor T3's mtningsspnding UcE sat Lavt TIL-niveau m sledes
ikke overstige 0,4 V, hvorfor strmstyrken gennem T3 ikke m overstige
den i forbindelse med fan-out foreskrevne maksimale vrdi (f.eks. l O x
1,6 mA = 16 mA).
For at opn strst mulig tndstrmstyrke ved en driftspnding Ucc =
5,0 V og en maksimal strmstyrke ved logisk O p 16 mA, kan modstanden R10 beregnes som:

R
lO

~ Ucc- UcEsat ::: 5,0-0,4 = 288 Q

16. 10-3
0,016

347

Som modstand R10 vlges 330 n, 0,25 W.

Med udgangssignalet logisk l svarende til 2,4 V og med en tndspnding Ua= 1,5 V, vil udgangskredsens kvivalentskema vre som vist p
fig. 7.711 b. Modstanden R 20 kan da beregnes som:

10.o ="logisk l"- Ua

la

hvor

2,4- 1,5 = 0,9,

la
la

la= /ud+ /RlO- 20 mA

R20 -45

Som modstand R20 vlges 4 7 n, 0,25 W.

Koblingen fig. 7. 711 a vil sledes kunne styre en thyristor eller triac, der
p gaten krver:
U0 ~ 1,5 V
la ~ 20mA

ITL-element med ben ko/lektor vil under alle forhold krve en pull-up
modstand i udgangskredsen for at kunne afgive en strm til gaten. Pull-up
modstandens strrelse beregnes efter samme retningslinier som ved TTLelement med aktivt pull-up kredslb.
Overgangskredse
I de tilflde, hvor thyristaren eller triacen krver en strre tndstrmstyrke end TIL-elementet kan afgive, vil det vre ndvendigt at styre
over en transistorkreds.
P fig. 7.712 er vist et TIL-element, der gennem transistoren T1 styrer
triacen V. Nr TIL-elementet har l-signal p udgangen, leder transistoren. Den resulterende kollektorstrm, som begrnses af R 3 , vil afgive
tndstrm til triacen. Anvendelse af pull-up modstand R 1 og lkstrmmodstand R4 afhnger af, hvilket TTL-element der benyttes.

348

Ucc

o
z
'!!!
Q.
(/)

..J

(/)
~

>

Fig. 7. 712. Styring af triac via transistorkreds.

Indskydes endvidere en optokobler i overgangskredsen, som vist p fig.

7.713, opns tillige elektrisk adskillelse mellem logikkreds og udgangsenheder.
<!'

o
z

~
(/)
..J

(/)
~

w
>

Fig. 7. 713. Styring af triac ved hjlp af optokobler.

CMOS-element vil ved ekstrem tndflsomme thyristarer kunne tilsluttes

direkte tilgatensom vist p fig. 7.714.

z
~
C/)
..J

C/)

">w
Fig. 7. 714. Direkte thyristorstyring.

349

Da CMOS elementers strmstyrke ved logisk O har en lav grnsevrdi

(fan out), vil det normalt blive foretrukket at lade en transistor drive en
optokobler som vist p fig. 7.715.

Fig. 7. 715. Styring af triac ved hjlp af optokobler.

350

8. Eksempler p digitale kredse

P bilaget bag i bogen findes en skematisk sammenstilling af de elementer, der indgr i eksemplerne. Endvidere findes en skematisk opstilling
over forskellige standarder.

8.1 SIKKERHEDSSYSTEM

I sikkerhedssystemer anvendes ofte en kobling, hvis udgang skal have lsignal, nr mindst to ud af tre indgange fr tilfrt l-signal. Sikkerhedssystemet fig. 8.101 kan udfres p flere mder, men skal i alle tilflde tilfredsstille flgende sandhedstabel:

A
o

B
o
o

o
o

o
o
o

o
o

~-r--~
~_j

SIKKERHEDSSYSTEM

~-L ____
j

Fig. 8.101.

351

Af sandhedstabellen fremgr betingelserne for, at Q = l. I tabellens 7.

linie str f.eks., at Q= l, nr A og B og ikke C antager vrdien l, eller
udtrykt i en ligning; Q= A A B A C, der enklere kan skrives som
Q = ABC . Systemets samlede ligning vil sledes blive:
Q= ABC v ABC v ABC v ABC

(l)

Fra ligning (l) kan ABC v ABC omskrives til AB( C v C) = AB. Derimod kan ABC v ABC kun omskrives, hvis der til udtrykket for Q tilfjes AB CvABC. Q vil ikke ndre sig herved, idet man iflg. regneregel 8 i
kapitel 7.3 kan foretage parallelkobling uden at ndre funktionen.
Ligning (l) kan sledes omskrives til:
Q= ABC v ABC v ABC v ABC v ABC v ABC v ABC
Q= BC (A v A) v AC (B v B) v AB (C v C)
Q = BC v AC v AB eller
Q=ABvACvBC
Q=A(BvC)vBC

(2)
(3)
(4)
(5)

Ved brug af ligning (5) kan man opbygge det logiske sikkerhedssystem,
idet ligningen udtrykker, at Q= l for A og (B eller C) eller (B og C).
P fig. 8.102 er den logiske kreds vist. Ved hjlp af sandhedstabellen
kan det herefter afprves, om opgaven er lst.

~t

....!..
c

&

;?1

r-- Q

a
Fig. 8.102.

Ligning (4) kunne endvidere have vret fundet ved hjlp af det viste
Kamaugh-diagram.
352

,, -1 '

---

~,.-"

o o
o

1
l'

1 1

l
\

---

'

l
l

....l

\ 1

~~-

'l
l

1
\ ....

Med indfrelsen af integreret teknik benytter nogle fabrikanter udelukkende NAND- eller NOR-elementer til de logiske koblinger.
Komplementeres ligning (4) fs:

Q = AB v AC v BC ,

(6)

deriflg.regel 12 (kapitel 7.3) kan omskrives til:

(7)

Ligning (7) udtrykker, at koblingen skal best af tre NAND-elementer,

der parallelkobles ved hjlp af et OG-element. Ligningen udtrykker
imidlertid ogs, at kravet til udgangssignalet ikke er opfyldt, nr betingelserne for de indgangsvariable er opfyldt, fordi udgangssignalet er det
komplementerede af Q(= Q = 0).
For at ndre Q til Q kan OG-elementet udstyres med negeret udgang,
d.v.s., at det erstattes af et NAND-element. Sikkerhedssystemet kan sledes opbygges af fire NAND-elementer, som vist p fig. 8.103.

&

h.

&

,....

&

..__

&

P---;;Q

Fig. 8.103.

353

Ved hjlp af sandhedstabellen kan det efterprves, om opgaven er lst.

Hvis systemet skal opbygges af NOR-elementer, kan opgaven f.eks. lses ved at benytte ligning (4).
Q = AB v AC v BC,

der ved hjlp af regneregel 11 omskrives til:

Q=AvBvAvCvBvC

(8)

Ligning (8) udtrykker, at koblingen skal best af tre NOR-elementer, der

parallelkobles ved hjlp af et ELLER-element. Indgangssignalerne skal
vre de komplementerede for A, B og C. Da koblingen skal best af
NOR-elementer, skal ELLER-elementet ndres ved at negerer (8). Herved fremkommer udtrykket
Q= AvBvAvCvBvC,

hvis kobling er vist p fig. 8.104.

A

Fig. 8.104.

For at ndre koblingen sdan, at den tilfredsstiller sandhedstabellen, negeres indgangs- og udgangssignalerne som vist p fig. 8.105.

354

Fig. 8.105.

8.2 "EXCLUSIVE" ELLER-KOBLING

"Exclusive" ELLER-kobling kan udfres som vist p fig. 8.201.

&

Fig. 8.201. "Exclusive" ELLER-kobling.

V ed at opstille de mulige kombinationer for signalflgen gennem kredsen, opns flgende sandhedstabeL
A

o
o

l
l

l
l

o
l

Af denne fremgr det, at den "exclusive" ELLER-koblings funktion adskiller sig fra et normalt ELLER-element ved, at der kun er udgangssignal, nr de rene "eller"-betingelser opfyldes, d.v.s. signal til A eller B,
men ikke ved signal til A og B.

355

8.3TLLERE
I mange binre kredse indgr tllere som en central del. F.eks. kan tllere registrere antallet af emner, der p et transportbnd passerer en fler.
De opbygges af bistabile elementer og kan klassificeres i to grundtyper:
asynkrone tllere, ogs kaldet serietllere,
synkrone tllere, ogs kaldet paralleltllere.
Her er valgt at opbygge tllerkredsene ved hjlp af to stykker dual JKelementer, som vist p fig. 8.301.
UDGANGE

INOGANGE
CLK

.fl.

JL
_n_

o
o

CLR

1
CLK1

CLR1

K1

Ucc

...fl..

o
1

1
1

UNDRET*)

KOMPLEMENTERET **)

CLK2 CLR2

Fig. 8.301.

CLR (clear) svarer til R og CLK (clock) til G, begge med komplementerende indgange. I sandhedstabellen svarer symbolet..IL til en hjt niveau
impuls, der p grund af den negerede indgang frst bevirker evt. skift af
udgangssignal ved impulsens bagkant. *) angiver, at udgangssignaleme,
med J og K p lavt niveau (O-signal), vil svare til elementets udgangssignaler fr indgangssignalerne for CLR og CLK blev ndret. **) angiver,
at udgangssignaleme, med J og K p hjt niveau (l-signal), vil skifte til
komplementet af sit oprindelige niveau ved hver aktiv klokkeimpuls
(clock-impuls).
Asynkrone tllere
P fig. 8.302 er vist en asynkron tller, der kan nulstilles ved at tilfre Osignal via en sletteledning tilsluttet elementernes CLR-indgange. Nulstillingen er her defineret sledes, at alle Q-udgange har O-signal, og elementernes komplementre udgange Q har l-signal (se sandhedstabellen fig.
8.301).

356

For at stte JK-elementeme i stand til at komplementere udgangssignalerne alene ved at tilfre tlleren klokkeimpulser, er elementernes JKindgange sluttet til en spnding p +Ucc svarende till-signal.

14

15

16

IMPULS

'l2

A (Q)

___ L,;,

_____ 1...._ ___. _____ l.__ ___.

C(Q)----------~~------------~~---------~~------------L__~

___,! ________________________ L'l15

o (Q) ______________________

NULSTILLIN.u __

-------_--------------------------L J
FREKVENS

Fig. 8.302. Binr fremtlling med fire binre elementer.

N r den frste impuls skifter fra l til O p CLK-indgangen af det frste

binre element A, vil l-signalet p dette element skifte fra terminal Q til
Q. Bagkanten af den anden impuls vil f elementet til at kippe tilbage til
sin oprindelige stilling med Q =O og Q = l.
Det flgende binre element B reagerer p denne ndring ved, at lsignalet p dette element skifter fra Q til Q.
Element B vil sledes skifte for hver anden impuls, element C for hver
fjerde impuls og element D for hver ottende impuls. Hvert element kan
opfattes som en hukommelse eller lager, som gr det muligt at danne en
numerisk vrdi, der korresponderer med antallet af impulser.
Hvis de betegnende vrdier l - 2 - 4 og 8 lokaliseres til de respektive
binre elementer, og signalkombinationer (ses af tidsfunktionsdiagrammet fig. 8.302) for udgangene Q fra de fire elementer skrives ned i den
rkkeflge, de optrder som resultat af indgangs-impulserne, vil der
dannes en binr talrkke som vist i venstre halvdel af tabel fig. 8.303.
357

IMPULS

UDLSNING AF

TLLER FRA

TERMINAL Q

15

14

13

12

11

10

o
o

o
o
o

o
o
o

o
o

o
o

10

11

o
o

o
o

HR

HUL

o
o

o
o

o
o
o
o

4
5

OECIHAL TAL

10

o
o
o

11

12

12

13

o
o

o
o
o
o

13

14

14

o
o

15

15

16

o
o

o
o

DECIMAL TAL

T IL BAGE T LL l NG

FREM TLLING

Fig. 8.303.

Tabellen indeholder endvidere de vrdier, der efter decimalsystemet svarer til den binre talrkke (jf. kapitel 7 .l).
En fire-bit binr tller svarende til fig. 8.302 fremstilles i integreret udfrelse i en enkelt DUAL IN LINE kapsel som vist p fig. 8.304.
Tlleren nulstilles ved at tilfre l-signal til indgangene R01 og R02 .
En tller med fire binre elementer kan danne 24 = 16 signalkombinationer, men har kun en tllekapacitet p 24 -l = 15, idet kombinationen
"alt nul" m opfattes som den numeriske vrdi nul.
Koblingen fig. 8.302 og elementet fig. 8.304 kan sledes tlle fra O til
15. nsker man en nedtlling fra 15 til O, anvendes en kobling som vist
p fig. 8.305, der adskiller sig fra den tidligere ved, at det er signalet fra
udgangen Q , der anvendes til trigning af det efterflgende binre element.
Af hjre side af tabellen fig. 8.303 fremgr sammenhrende vrdier
mellem det binre og decimale talsystem ved nedtlling.

358

Q0
14

13

GND

12

Oc
10

11

R02

NC

t.

Ucc

NC

NC

17
NC

Fig. 8.304.

llo!PULS

NULSTILLING

13

14

15

16

114PULS

(Q)

'/ 2

(a)

_j _______ IL-- - . . . . J

__j __________ l'------~

(Q)

D (Q)

---- - L----- YL

_j- ------------------- ' - - - - - - - - - - - - - - - - y,6

NULST I L L I N U - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

LJ

FREKVENS

Fig. 8.305. Binr tilbagetlling med fire binre elementer.

359

I mange tilflde kan det have interesse at f en melding, nr en tller

passerer et bestemt tal. nskes f.eks. tallet 6 udvalgt fra en binrtller i
fremtlling (fig. 8.302), fremgr det af fig. 8.303, at der er flgende signaler p udgangene:
Element
Udgang Q
Udgang Q
Ucc

Ucc

Ucc

Ucc

HolPULS
NULSlilli

;:;,
E
'---"!"ved

a.

impuls

Fig. 8.306. Udvalg af tallet 6 fra en binrtller.

Opgaven kan sledes lses ved at forbinde et NOR-element til udgangene

QD, Qc , Qs og QA som vist p fig. 8.306, hvorved der opns l-signal p
E for hver 6. impuls.

Reversibel tller.
Ved hjlp af en kobling som vist p fig. 8.307 kan man opn svel fremsom tilbagetlling.
Impulserne fra de binre elementer er ved hjlp af OG-elementer enten
frt fra udgang Q eller Q til det efterflgende elements CLK-indgang.
Om der sker frem- eller tilbagetlling bestemmes af, om der er signal p
frem- eller tilbage-linien.

360

NULSTILLINII

- - - - - 4 - - - - - - - . . . . __ _ _ _ _....__ _ _ _____.
z

'

10

11

12

14

15

11

IM~ULS

REMTLLlHG - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

A(Q)

I(Q) _

__,

(Q) _ _ _____,

D(Q) - - - - - - - - - - - '
NULSTILLING
DECIMALTAL

'--------

/a

_j_--------------------------------- _L
z

s'

s'

1'

fl

'1

Fig. 8.307. Binr frem- og tilbagetlling med fire binre elementer.

Synkrone tllere
Synkrone tllere er opbygget af tilsvarende bistabile elementer som de
asynkrone tllere, men adskiller sig fra de asynkrone tllere ved, at
samtlige bistabile elementer trigges af samme klokkeimpulssignaL
P fig. 8.308 er vist en fire-bit binr tllekreds, der kan nulstilles ved at
tilfre O-signal via en sletteledning tilsluttet elementernes CLR-indgange.
Nulstillingen er defineret sledes, at alle Q-udgange har O-signal, og
elementernes komplementre udgange Q har l-signal.
For at stte JK-elementet A i stand til at komplementere udgangssignalerne ved at tilfre elementetsCLK-indgang en klokkeimpuls, er Aelementets JK-indgange sluttet til en spnding p +Ucc svarende til lsignal. De vrige elementers JK-indgange er frt til det foregende elements Q-udgang.
Nr den frste impuls skifter fra l til O, vil element A's Q-udgang skifte
signal fra O til l. Udgangssignalerne fra de vrige elementers Qterminaler er nul, hvorfor udlsningen vil vre det binre tal 000 l. Element A's Q-udgang er frt til JK-indgangene p element B. Med l-signal
fra A vil element B sledes vre sat i stand til at komplementere udgangssignalerne ved impulsbagkant p elementets CLK-indgang.
361

IN PUL S
HVLSTILLIP'G _ __...__ _ _ _ __.__ _ _ _ _....__ _ _ ___,

11

13

"

IS

16

IMPULS

y2

.A(Q)
B

_.1_ _____ l

(o.) _ _

c (o.)
D

L,;,
-'
L
----'
_________ __ IL._______.I ____________ L Ya

L -_

--------'

____,l ____

_____ L...I_

____.l _____

___.I ________________________ L y,6

(o.) _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

NULSTILLIN~ .L- -------- ---------------------~:~~ -L

..

Fig. 8.308. Fire-bit binr tllekreds.

Ved den anden impuls skift fra l til O vil element A kippe tilbage til sin
oprindelige stilling med Q = O og element B vil skifte udgangssignal p Q
fra O til l.
Element C vil frst reagere ved fjerde impuls ophr, idet OG-elementet
da bner for l-signal til C-elementets JK-indgange. For element D's vedkommende, vil dette element frst reagere ved ottende impuls ophr.
T liedekade
En binr regnekobling p fire elementer kan antage 24 = 16 forskellige
stillinger. Ved hjlp af tilbagefringer kan man imidlertid f en fireelements kobling til kun at antage ti forskellige stillinger, idet den efter at
have net ti, tilbagestiller sig selv og derefter starter forfra. En sdan
kobling er vist p fig. 8.309, og den kaldes en regne- eller tlledekade
med koden 1-2-4-8, ofte benvnt 8421-kode eller BCD (Binary Coded
Decimal).
Af tidsfunktionsdiagrammet fremgr det, at tlleren tilbagestilles ved
10. impuls ophr.
362

Dette opns ved at holde element B i nulstilling, idet dets JK-indgange

vil holdes p logisk O som flge af, at Q p element D er frt tilbage til
OG-elementet i element B's JK-indgange.
2

IMPULS
HULSTILLIHIG-_ _...__ _ _ _ _....__ _ _ _ _, . __ _ _ _____J

11

12

Il

14

15

16

l !ol PULS

(Q)

(a.) _ _

_.1_ __ ___ ~....1

.____--:-_ _ _ ___._l _____ L

c (a.) _ _ _ _ ___,
D

IL

.____-;-_ __.l_ - ---'

_ __ .

(Q) - - - - - - - - - - - - - '

HULSTILLIH.!i...1 __ - - - - - - - _
DECIMALTAL

--- _
5

- - - - __
7

-~- ------------_L
O

Fig. 8.309. Tlledekade.

Endvidere vil element D kippe som flge af, at element A's Q-udgang,
der direkte er frt til element D's K-indgang, vil vre logisk O efter 8.
impuls, ligesom der vil st logisk O p J-indgangen af element D. Nr 9.
impuls skifter fra l til O vil Q p element A skifte til logisk l. Kindgangen p element D skifter dermed ogs til logisk l og element D vil
ved nste impuls ophr skifte tilbage til nulstilling (se fig. 8.301).
nskes tllerens udgangssignaler omsat, sdan at visning p et display
muliggres, kan et element som vist p fig . 8.310 anvendes. Elementet
nulstilles ved tilfrsel af l -signal til terminalen, der er mrket RBI.

363

OUTPUTS

Ucc t
16

g
15

14

12

13

11

10

9
DECIMAL
OR
RB1
FUNCTIOf'-

r-

l.

B C

RB1

6
D

7
A

INPUTS

/""i/b

ef/c

INPUTS

IS
GND

3
4

5
6

7
6
g

o o o o
o o o 1
o o 1 o
o o 1 1
o 1 o o
o 1 o 1
o 1 1 o
o 1 1 1
1 o o o
1 o o 1

o o o o o o

g DISPLAY
1

o o 1 1 1 1
o o 1 o o 1 o
o o o o 1 1 o
1 o o 1 1 o o

,...,

l
l

o o

o o
o
o
o o o o
o o o 1 1 1 1
o o o o o o o
o o o o 1 o o
1
1

-1
l_l
l

5
5..,
l
l_;:l

w
C
_l

Fig. 8.310.

8.4 SAMMENLIGNINGSKOBLING FOR FEM BITS

Skal to fysiske tilstande, f.eks. temperaturer, sammenlignes, omformes de
analoge signaler fra mlevrdiomsttere ved hjlp af analog-digital omsttere til binre signaler, i dette eksempel med fem bits.
P fig. 8.401 er vist en kobling, der kan foretage sammenligningen
mellem to strrelser. Af tabellen fig. 8.402 fremgr afhngigheden mellem indgangssignalerne A0 til A4 og B0 til B4 og udgangssignalerne
(lamperne H 1, H 2 og H 3)
bnesignalet er uafhngigt af de indgangsvariable, mens udgangssignalerne atbnger af bnesignalet som antydet p fig. 8.402.

364

A4 A A Al Ao
f-

...---

r4 B~ Bf B1 Bo

S~-

;>'

l-

~-

1;1

l-

@
.___

CD

TI

.---i:1

P-

..__

SI-

l--

~r--;1-

,-c

l--

.___

.---'---

.---

~1

P~

~s

~l-

1-

1-1P- l-l-

f-

iQ
..__

'---

r
l

'-S
..__

~ll-l--

L--

-8---'ilf~

r-

.____~&

.____~

'---

rbnesignal"

(J)&
1:1

~H 1

H2
A=B

A< B

Q9H3
A> B

Fig. 8.401.

Til den ndvendige udvlgelse af STRRE - MINDRE - LIG m flgende funktioner vre opfyldt:
H 1 = A A B og H 3 = A

365

Indgangssignaler

bnesignal

H1

H2

H3

A<B
A=B
A>B

o
o
o

o
o

Udgangssignaler

Fig. 8.402.

Opfylder den bit med den hjeste vrdi disse betingelser, s m alle lavere vrdier bortfalde. Som eksempel sttes A4 = O og B4 = l.
Herved opstr p udgangsterminalen af NOR-element (l) et O-signal, p
udgangsterminalen af (2) et l-signal, der gennem (3), sammen med et
bnesignal p "l", giver l-signal til H 1, som derved villyse og indikere at
A <B. P udgangsterminalen af NOR-elementet (4) vil der st l-signal.
Tilsvarende vil der st l-signal p udgangene af elementerne (5), (6), (7)
og (8). Da alle indgangssignalerne til (9) er "l", vil udgangssignalet vre
"O", med det resultat at H3 vil vre mrk.
Tilsvarende forlber bits-sammenligningen i rkkeflgen A3 B3 til
A0B 0 . bnesignalet skal til stadighed have l-signal.

82
INPUTS

{ A2 2

OUTPUTA=B
A>B

t.

A<B

CASCADING
INP Ul! S

A:B

INPUT A1

GND

Fig. 8.403.

Sammenligningskoblinger svarende til fig. 8.401 indgr i enhver regnemaskine, hvor en sammenligning mellem to tal (ord) er pkrvet. P fig.
366

8.403 er vist et integreret sammenligningselement (komparator) for fire

bits.
Elementet er beregnet for sammenligning imellem to fire bits ord (A og
B). Det har otte indgange for de signaler, der skal sammenlignes (AO, Al,
A2, A3, BO, B l, B2 og B3), tre kaskadeindgange (A>B, A<B og A = B)
samt tre udgange (A>B, A<B og A= B).
For ord, der er strre end fire bits, kan sammenligning finde sted ved
anvendelse af flere elementer, idet udgangene (A>B, A<B og A = B) af
det element, der modtager signaler for de mindst betydningsfulde binre
cifre (1-ere, 2-ere, 4-ere og 8-ere) forbindes til kaskadeindgangene (A >
B, A< B og A~ B) p det nst betydningsfulde element. Endvidere skal
det mindst betydningsfulde element have tilsluttet l-signal til kaskadeindgang A= B og O-signal til A>B og A<B.

367

9. Fejlfinding

9.1 OPBEVARING OG HNDTERING

Elektroniske komponenter er i fysisk henseende ret robuste, men komponenternes tilledninger er som regel meget spinkle, ligesom integrerede
kredse er ret flsomme i forbindelse med statisk elektricitet. Der skal her
gives en rkke anvisninger og forsigtighedsregler i omgangen med elektroniske komponenter.
Passive komponenter og halvlederkomponenter er modstande, kondensatorer, dioder, transistorer, thyristarer m.v.
Opbevaring: Kligt, trt og rent. Derudover ingen srlige opbevaringskrav, men for at beskytte komponenternes ben eller tilledninger, kan det
under visse forhold anbefales, at komponenterne placeres med ben eller
tilledninger trykket ind i et skummateriale.
Hndtering: Undg at komponenterne udsttes for fysisk og termisk
overlast. Bjning af ben eller tilledninger inde ved komponenten br
undgs, idet der er risiko for en reduktion af holdbarheden, nr ben eller
tilledning atter rettes.
Montering: Sfremt ben eller tilledninger skal bjes fr montering, br
dette ske med forsigtighed og ved anvendelse af det rette vrktj, for at
undg at styrken af ben eller tilledning reduceres og at komponenten skades.
Tilledninger eller ben kan normalt tle temperaturer op til ca. 325C i
c a. l O sekunder, medens komponenten loddes ind i et kredslb. Til lodning br anvendes en miniature loddekolbe med fin spids, der skal vre
omhyggelig rengjort og velfortinnet Brug en tang til at holde p tilledningen eller benet mellem loddestedet og komponenten. Denne tang vil
da virke som varmeafleder.
Integrerede elementer er operationsforstrkere, logikelementer m.v.

368

Opbevaring: Kligt, trt og rent i en beskyttelsesske (fra fabrikken)

eller i en holder. Pas p at benene eller tilledningerne ikke ved et uheld
bjes eller knkkes.
Integrerede elementer skal beskyttes mod statisk elektricitet, og de br
derfor opbevares sledes, at alle ben er i berring med et ledende materiale, der f.eks. kan vre et antistatisk skummateriale, hvori benene nedtrykkes.
Hndtering: Stort set som man vil hndtere passive komponenter og
halvlederkomponenter. For at sikre elementet imod elektriske spndingstransienter, skal spndingsforsyningen vre afbrudt, nr elementet indsttes eller udtages. Endvidere m der ikke tilfres indgangen noget signal, nr spndingsforsyningen er afbrudt.
Montering: Svarer til montering af passive komponenter og halvlederkomponenter. Bemrk dog, at loddepistoler normalt ikke kan anbefales
p grund af de store transienter, der kan induceres.
For C-MOS elementer skal tilgangene til evt. ikke benyttede kredse
forbindes sammen og fres til jord.

9.2 OSCILLOSKOP
Oscilloskopet er i forbindelse med fejlfindingsopgaver et meget benyttet
mleinstrument, idet det kan gre elektriske svingninger synlige.
Oscilloskopet kan derfor anvendes til bl.a. at kontrollere kurveformen
for analoge eller digitale signaler, at mle spndinger og at mle tider og
frekvenser.
P fig. 9.201 er vist et dobbeltstrleoscilloskop, der er udstyret med to
identiske indgangskanaler A og B.
Oscilloskopet kan opdeles i fire hovedafdelinger:
-skrm,
-horistontal,
-vertikal,
-trigning.
Skrmen er indvendigt belagt med fluorescerende stof, og er den ene
ende af et katodestrlerr, i hvis anden ende er anbragt to katoder, der ved
opvarmning kan udsende elektroner. I rret findes endvidere to anoder,
som ptrykkes en hj positiv spnding i forhold til katoderne, hvorved de
frigjorte elektroner accellererer indtil de rammer skrmens fluoresceren-

369

HORIZONTAL

TRIGGE RING

TIME I D!V

AC

o o o

OSCILLOSCOPE

@
Jl.

ON

SVp. p

C.t< L

OFr /
POWER

FOCUS

INTENS!TY

@
YA
I N?UT

GND

AC

tO
POSITION

GND

tO
POS IT!ON

DC
l

Ye
INPUT

Fig. 9.201 .

de belgning. Ved hjlp af nogle elektrostatiske felter, der pvirker de to

elektronstrler, kan man opn, at elektronerne samles i et par tynde strler, hvorved aftegningen p skrmen bliver skarp. For indstilling heraf,
er oscilloskopet udstyret med flgende drejeknapper:
FOCUS til indstilling af billedets skarphed. Skal indstilles til
strst mulig skarphed.
INTENSITY til indstilling af lysstyrken. For at undg beskadigelse af skrmen, br lysstyrken ikke vre kraftigere end ndvendigt.
Horisontal. I katodestrlerret er anbragt nogle afbjningselektroder,
hvis opgave er at afbje elektronstrmmen i henholdsvis lodret retning
(y-retning, vertikal) og vandret retning (x-retning, horisontal).
Afbjningselektroderne for horisontal afbjning tilsluttes en savtakgenerator, hvorved opns, at elektronstrlen vil bevge sig med jvn hastighed fra venstre mod hjre p skrmen. Savtakgeneratoren er kalibreret
sdan, at man kan mle tider p skrmen. For indstilling af elektronstr370

lemes afbjning i horisontal retning, er oscilloskopet udstyret med flgende drejeknapper:

TIME/DIV - yderknap til omrdeindstilling af tiden pr. mlestokinddeling (trinvis). Anvendelse som x-y skop er ofte muligt
ved drejning af knappen til en yderstilling.
TIME/DIV - inderknap til indstilling af variabel tid (mellem trinnene).
X POSITION til forskydning af de aftegnede kurver i vandret
retning. Hvis knappen trkkes ud, vil afbjningstiden blive forstrret med fem.

Vertikal. Katodestrlerrets afbjningselektroder for vertikal (y) afbjning af elektronstrlerne er gennem en forstrker tilsluttet terminalerne
INPUT for henholdsvis kanal A og B. Til terminalerne YA og YB tilsluttes de spndinger, der nskes mlt. Afgiver savtakgeneratoren en spnding med samme frekvens som mles pndingen p YA vil man f tegnet
en periode af mlespndingen. Hvis frekvensen fra savtakgeneratoren er
halvt s stor som mlespndingens frekvens, vil man f tegnet to perioder
o.s.v.
For indstilling af elektronstrlernes afbjning i vertikal retning, er oscilloskopet udstyret med flgende betjeningsgreb:
BEAM SELECTOR- trykknapper for indkobling af kanal A eller
kanal B eller kanal A og kanal B.
AC-GND-DC for kobling af indgangsterminal til AC- eller DCmling. Med arnkobleren i stilling AC er indgangen i serie med en
kondensator, hvorved der sprres for en eventuel DC komponent i
den mlte spnding. Nr arnkobleren str i stilling GND er indgangsterminalen koblet fra forstrkeren og lagt til stel.
VOLTS/DIV - yderknap til omrdeindstilling af mlespndingen
pr. mlestokinddeling (trinvis).
VOLTS/DIV - inderknap til indstilling af variabel forstrkning i
y-retningen (mellem trinnene).

371

POSITION til forskydning af den aftegnede kurve i lodret retning.

Anvendes til fastlggelse af nul volt niveau, idet arnkobleren ACGND-DC sttes i stilling GND og POSITION indstilles til vandret billede er placeret i koordinatsystemet for y = O.
Trigning. For at opn, at aftegningen af den mlte spnding begynder i
samme punkt p skrmen ved hvert fremlb af strlen, er oscilloskopet
forsynet med en trigger, der ved en bestemt vrdi af den mlte spnding
trigger savtakgeneratoren. Oscilloskopet er indrettet sdan, at det kan
vlges, om der skal trigges p en positiv eller en negativ gende flanke
p den mlte spnding.
Til valg af trigning findes flgende betjeningsgreb:

LEVEL til justering af trigger niveau. Skal indstilles sdan, at den

nskede del af mlespndingen gengives ved stillestende billede.
I udtrukket tilstand foregr trigningen automatisk.
SOURCE trykknapperne aktiveres ved valg af trigning.
YA nr kanal A's mlespnding nskes trigget fra intern trigger,
YB nr kanal B's mlespnding nskes trigget fra intern trigger,
EXT ved trigning fra ekstern trigger. Triggersignal tilfres
oscilloskop.ets terminal TRIG,
SLOPE trykknapperne aktiveres ved valg af:
+ trigning p positiv gende flanke,
- trigning p negativ gende flanke.
SYNC-trykknapperne AC, HF REJ og TV vil ved aktivering indskyde forskellige filtre mellem terminal og forstrker. A C kan anvendes i de fleste tilflde. HF REJ og TV anvendes ved forskellige specielle kurveformer for at opn stabil trigning.
Tilslutning. Oscilloskopet er for tilslutning til lysnet, og det indkobles ved
at dreje afbryderen POWER til stilling ON. Fr oscilloskopet indkobles,
skal det kontrolleres, at den p apparatet indstillede driftspnding er i

372

overensstemmelse med netspndingen. Endvidere skal jordklemmen

forbindes til en beskyttelsesleder.
Forbindelsen mellem mleobjekt og oscilloskop er normalt en enkeltleder omgivet af en ledende kappe, der anvendes som returledning. Det skal
iagttages, at kappen ikke m tilsluttes en spndingsfrende leder, idet
hele oscilloskopets kabinet da vil f en potentialforskel i forhold til jord,
hvorved der opstr berringsfare. Mles der med begge kanaler, br mlekablernes kapper tilsluttes samme punkt for at undg, at der mellem
disse opstr en potentialforskel.
INPUT -terminalerne YA og YB har en s stor indgangsimpedans, at
oscilloskopet ved de fleste lavfrekvente mlinger kun belaster mleobjektet ubetydeligt. Ved hjere frekvenser vil mlespndingen dog ofte blive
forvrnget, hvorfor man i sdanne tilflde kan anvende en probe, der er
et specielt mlekabel, hvori er indskudt en parallelforbindelse af en modstand og en kondensator samt i visse tilflde en justerbar kondensator
mellem mlekablets leder og kappe. Den justerbare kondensator skal
indstilles sdan, at man undgr forvrngning af kurveformen. Justeringen
foregr ved at tilfre proben et firkantsignal, der hentes fra oscilloskopets
terminal CAL, og indstille kondensatoren indtil signalet gengives korrekt
p skrmen. Er der p proben angivet forholdet 10:1, skal den mlte
spnding multipliceres med dette forhold, d. v.s. med l O.

BETJENING

A. Indledende indstillinger
Basisliniestabilitetskontrollen justeres ved at indstille alle variable drejeknapper til deres midterstilling og endvidere stte betjeningsgrebene:
POWER .... ........ ........ .. .................. OFF
AC-GND-DC ........... ......... ... ........ GND
VOLTS/DIV ... .. ........................ .. 5 m V
X POSITION .......... .. .......... NORMAL
LEVEL .. .. ....... ... ............. .......... AUTO
TIME/DIV ............ ......... ..... ..... .. ....5 f.lS
Oscilloskopet tilsluttes lysnettet og afbryderen POWER fres til stilling
ON. Efter ca. 20 s aktiveres trykknapperne BEAM SELECTOR, hvorefter der skulle kunne ses to vandrette linier p skrmen. Hvis dette ikke er
373

tilfldet m der foretages en justering af knapperne POSITION og der

m eventuelt drejes op for INTENSITY.
Med begge linierne aftegnet efterjusteres knapperne FOCUS og
INTENSITY, indtil der opns passende skarphed og lysstyrke.
Ved hjlp af POSITION centreres linierne til midten af koordinatsystemet.
VOLTS/DIV-inderknap drejes mellem maksimum og minimum samtidig med, at den pgldende POSITION justeres indtil skift i forstrkningen ikke flytter linierne fra midten af skrmen.

B. Mling
Oscilloskopets to kanaler kan anvendes enkeltvist eller samtidigt. Ved
mling med kanal A skal betjeningsgrebene have flgende indstillinger:
AC-GND-DC ............................................. AC
BEAM SELECTOR ..... ,................ A aktiveres
SLOPE ........................................... + aktiveres
SOURCE ......... YA aktiveres for interntrigning
PROBE ...................................... til YA INPUT
Tilslut spidsen af proben til det punkt i kredslbet, hvor spndingens
kurveforlb nskes mlt, og tilslut probens jordklemme til kabinet eller
systemets jordede del.
VedAC-spndingsmling indstilles VOLTS/DIV indtil der opns passende hjde af billedet p skrmen, og TIME/DIV p passende kiptid. P
fig. 9.202 er vist et eksempel p en vekselspnding, der er aftegnet p
skrmen, nr:
VOLTS/DIV instilles p 5 V,
TIME/DIVindstillesp lO ms.

,,l 1\

l
1\

L~ ]r~

f\

1/
i\

\ 1/

~t.DIV(d) -J
Fig. 9.202.

374

t. DI V( b)

Ved hjlp af kurven udledes spndingen:

(a) maksimalvrdi Umax = 5 V/DIV 2 DIV = 10 V
(b) p-p spnding

Upeak

= 5 V/DIV 4 DIV = 20 V

~ = 7 07 V
2../2
,
1
1
(d) frekvens f= 10 ms DIV
=
40 ms =25Hz
4 DIV
1
(c) effektivvrdi U

efT

upeak

2../2

Ved DC-spndingsmling sttes arnkobleren AC-GND-DC i stilling DC.

Den afstand som den aftegnede linie har flyttet sig fra koordinatsystemets
midte, er et ml for DC-spndingen:
DC-spnding= Antal DIV VOLTS/DIV
Strmmling udfres ved, at der i mlekredsen indskydes en lavohmet
induktionsfattig modstand, over hvilken der vil vre et med strmmen
proportionalt spndingsfald. Findes der i mlekredsen et instrument
f.eks. et bldtjernsamperemeter, vil spndingsfaldet over instrumentspolen kunne anvendes.
Manuel trigning foregr ved at trykke LEVEL-knappen ind. LEVEL
skal justeres indtil tids-basen starter p det nskede indgangssignaL

9.3 GENERELLE BETRAGTNINGER VEDRRENDE

FEJLFINDING
Ved alle former for fejlsgning i teknisk apparatur skal man g systematisk frem. For at dette er muligt, m man dels have kendskab til, hvordan
det fejlvirkende apparatur er opbygget, og hvordan det skal fungere, dels
udnytte de fejlinformationer, det er muligt at indsamle fra apparaturets
ind- og udgange. Fejlsgningen begynder med, at man udefra sger at
afgrnse fejlomrdet i strst muligt omfang.
Ved mling med universalinstrument eller oscilloskop p apparaturets
indgange kan det konstateres, om apparaturet tilfres de nskede indgangssignaler, der f.eks. kan vre en spndingsforskel fra en mlevrdiomstter eller et signal fra en signalgiver med slutte- eller brydekontakt

375

Er der ikke det nskede indgangssignal, m det konstateres, om fejlen

ligger i signalgiveren, hvilket ofte vil vre tilfldet, eller om fejlen er i
kabelforbindelsen.
Er signalerne til apparaturets indgange korrekte, b li ver nste punkt af
fejlsgningen at bestemme, i hvilken funktionsblok eller p hvilket print
fejlen er. Dette kan gres ved at kontrollere de vigtigere signaler i overgange mellem de forskellige funktionsblokke eller print.
N r den defekte funktionsblok eller det defekte printkort er lokaliseret,
er det videre forlb af reparationen afhngig af omfanget af reservedele.
Flger der med apparaturet reservedelsenheder, udskiftes den defekte
enhed, og apparaturet kontrolleres. Er der ikke en reservedelsenhed til
rdighed, men blot reservedelskomponenter, m den defekte komponent i
funktionsblokken eller p printkortet lokaliseres og udskiftes.
Til lokalisering af den defekte komponent kan allerfrst forsges med
"se- og fle-metoden". Se p komponenterne i det mistnkte print efter
en lille boble eller misfarvning midt p en komponent og /l efter om en
komponent er meget varmere end de andre.
En intern fejl i en integreret kreds f.eks. en kortsluttet transistor, vil ofte
vre selvforstrkende, sledes at hele kredsen vil trkke meget mere
strm end sdvanlig og temperaturen vil derfor stige, hvilket kan medfre misfarvning.
Pas p eventuelle hje spndinger p printet nr der fles.
En meget hurtig og effektiv prve kan foretages ved at sprjte den
mistnkte integrerede kreds med kuldespray. Kredslbet vil da ofte begynde at fungere igen, indtil det atter er opvarmet. Denne teknik br ikke
misbruges, idet en sdan afkling og genopvarmning vil udstte komponenterne for store termiske belastninger. Sprjt af en varighed p ikke
over to sekunder skulle vre fuldt ud tilstrkkeligt til at afslre en defekt
integreret kreds. Bemrk, at elektrolytkondensatorer ikke m udsttes for
sprjt, idet elektrolytten kan delgges af kuldespray.

9.4 FEJLSGNING I ANALOGE KREDSE

I analoge kredse indgr som regel komponenter, til hvilke ndringer i
signalstrrelsen er af betydning. Ved fejlsgning i analoge kredse er det
derfor ofte ndringer i modstandsvrdier, kapacitanser og spndinger,
man sger at lokalisere. Normalt vil fejlsgning i analoge kredse kunne
foretages med et universalinstrument af god kvalitet med en indre mod376

stand p mindst 20.000 ohm/volt (DC) og 1.000 ohm/volt (AC) samt

mleomrder for modstandsmling.
Optrder der fejl i et analog-system, vil man normalt flge signalet
gennem systemet for at finde frem til, i hvilket kredslb signalet ikke
lngere bliver korrekt forarbejdet, for herved at indkredse fejlstedet Hvis
systemet er sdan, at signalgiverne ikke kan aktiveres, kan det tilfres et
erstatningssignal fra en spndingskilde evt. tonegenerator.
Nr fejlstedet er indkredset, kontrolleres, om spndingerne til blokken
er korrekte. Med mange systemer flger check-lister, hvoraf det fremgr,
hvor stor en spndingsforskel, der skal vre mellem nrmere angivne
klemmer.
H vis samtlige spndinger synes at vre korrekte, er der mulighed for
fejl i kredslbskomponenterne, printpladen eller i selve transistoren. I
almindelighed er det dog sjldent transistoren, der er rsag til fejlen.
Derimod er det muligt, at transistoren gennem en fejl i kredslbet er blevet overbelastet og derved delagt.
Som grundregel ved fejlindkredsning br transistorens arbejdsspndinger frst kontrolleres.

j _ Ube---~
l (=0,7 v)
l
Ub

('=u e+ 0;7 v)
l

Fig. 9.401. Silicium-transistor.

377

Fig. 9.40 l viser den jvnstrmsmssige forsyning af en siliciumtransistor i smsignalkobling. Den negative forspnding til basis dannes
af spndingsdeleren Rtl!Rt2. P grund af den negative forspnding flyder en emitterstrm, der danner en spnding over emittermodstanden Re.
Denne spnding over Re virker i positiv retning mod basis og virker
derved som en modkoblingsspnding overfor den ptrykte spnding Ub.
Modkoblingsspndingen Ve er, nr ingen vrdi er angivet, altid 0,6-0,8
volt mindre end den negative forspnding Uh p basisspndingsdeleren.
Er denne betingelse opfyldt, ligger fejlen ikke i transistoren, men antageligt i, at spndingen ub (p basisspndingsdeleren) er for lille.
I kredse med germanium-transistorer skal modkoblingsspndingen Ve
vre O, 1-0,2 volt mindre end den negative forspnding Ub p basisspndingsdeleren.

Mling af kollektorstrm:
For lille kollektorstrm
Konstateres lettest ved at kollektorspndingen Uc er for stor.
rsag l: For stor vrdi af emittermodstanden Re, hvorved spndingsforskellen fra basis til emitter bliver for lille. Emittermodstanden Re mles med ohmmeter (husk polaritet).
rsag 2: Korrekt vrdi af emittermodstanden Re, men basisspndingsdeleren Rtl/Rt2 danner for lille basisspnding, fordi Rt2 har for lille
vrdi, eller fordi en til Rt2 parallelliggende kondensator er kortsluttet.
Rtl og Rt2 i basisspndingsdeleren mles med ohmmeter (husk polaritet).
rsag 3: Korrekt vrdi af emittermodstanden Re samt basisspndingsdeleren Rtl!Rt2, men jvnstrmsudgangsmodstanden basis/emitter er for
lille, grundet indvendig kortslutning i transistoren. Herved belastes basisspndingsdeleren s meget, at spndingen Uh bliver for lille. Spndingen Uh mles og skal stige, nr basis fraloddes.
For stor kollektorstrm
Dette kan delgge transistoren, fordi den gennem en for stor belastning
bliver for varm. Er transistoren endnu brugbar, konstateres en for stor
kellektorstrm lettest ved, at kollektorspndingen Uc er for lille.
rsag l: For lille vrdi af emittermodstanden Re, f.eks. fordi en parallelliggende kondensator er kortsluttet. Herved stiger emitterstrmmen,
378

indtil spndingsfaldet over emittermodstanden igen er ca. O, 7 volt

(silicium) mindre end basisspndingen. Emittermodstanden Re mles
med ohmmeter (husk polaritet).
rsag 2: Korrekt vrdi af emittermodstanden Re, men basisspndingsdeleren Rtl/Rt2 danner for stor basisspnding, fordi Rt2 har for stor
vrdi, eller fordi en til Rtl parallelliggende kondensator er kortsluttet.
Rtl og Rt2 i spndingsdeleren mles med ohmmeter (husk polaritet).
rsag 3: Korrekt vrdi af emittermodstanden Re samt basisspndingsdeleren Rtl!Rt2, men indvendig kortslutning mellem basis og kellektor i transistoren. Herved bliver i praksis Rtl parallelforbundet med
Re. Transistoren gennemmles (husk polaritet).
Ingen kollektorstrm
Konstateres ved, at kollektorspndingen Uc ligger p fuld batterispnding (undtagen nr fejlen sky Ides afbrudt forbindelse i Re).
rsag l: Afbrudt forbindelse i kollektarmodstanden Re eller emittermodstanden Re, eller basisspndingen er O volt, grundet afbrudt forbindelse i Rt l eller kortslutning i Rt2.
Modstandene mles med ohmmeter (husk polaritet).
rsag 2: Korrekt vrdi af tilsluttede komponenter: indvendig afbrudt
forbindelse mellem transistorens elektroder.
Transistoren gennemmles med ohmmeter fra basis til henholdsvis kaJlektor og emitter.

''

Ved mling med ohmmeter skal mlingerne

V t Se

OHMMLING

ca. l M.Q
-(sprreretning)

BASIS/KOLLEKTOR

-.......

ca_ 100 n
(lederetning)

(ELLER BASIS/EMITTER)

379

NB! Ved mling med ohmmeter skal instrumentets pluspol altid vende
mod basis, nr det drejer sig om en PNP-transistor. Ved en NPNtransistor skal instrumentets minuspol altid vende mod basis.
OHMMLING AF BASISSPNDINGSDELER.

9.5 FEJLSGNING I DIGITALE KREDSE

De digitale kredse er som regel opbygget af et stort antal ens komponenttyper, og kredsene er ofte s komplekse, at det kan vre vanskeligt at
forst i detaljer, hvordan de fungerer. For at lokalisere en fejl i en digital
kreds er et indgende kendskab til kredsens funktion ikke pkrvet. Det
vil vre tilstrkkeligt at have kendskab til signalkombinationen omkring
det enkelte element samt til, hvordan de enkelte elementer i systemet skal
samarbejde.
Under enhver form for fejlfinding skal man g systematisk frem, der er
dog det specielle ved fejlsgning i digitale kredse, at man ofte m holde
rede p et stort antal logiske tilstande.
Hvis man er i besiddelse af et reservedelslager af de almindeligste integrerede elementtyper, kan man prve at anbringe et erstatningselement
direkte ovenp et mistnkt element. Det kan vre ndvendigt at trykke
erstatningens ben lidt sammen for at sikre god kontakt.
En meget almindelig rsag til en periodisk fejl i et logisk element er en
knkket ledningsforbindelse mellem selve "chip"-en og benene. P grund
af forskellige udvidelseskoefficienter kan anvendelse af kuldespray ofte
bringe et sdant kredslb til at arbejde igen, sdan at fejlen lokaliseres ad
denne vej.
Sommetider vil det vre rart at f bekrftet, at en udskiftning af et element har afhjulpet fejlen, fr det ny indloddes. Indst det ny element p
380

printet og pres en tandstikker mellem hvert ben og hullet i printet og

kontroller om fejlen er forsvundet. Fjern tandstikkerne og lod.
Er det imidlertid endnu ikke lykkedes at indkredse fejlen, m man under
den videre fejlsgning analysere de enkelte elementers signaler, og heraf
afgre om signalsammenstningen svarer til den pgldende elementtype.
Grundlggende for digitalteknikken er, at signalerne indtager definerede niveauer (l eller 0). Det er signalspndingens vrdier i forhold til
disse niveauer, der bestemmer kredsens funktion, hvorfor det er vigtigt at
holde rede p, hvomr signalerne skifter. P fig . 9.501 er vist kurveformen for et signal i et TIL-system.

-0~4v
Fig. 9.501. Eksempel p TTL-signal.

Hvis amplituden er hjere end 2,4 V, rder tilstanden "l" (eller "hj"), og
det gr ingen forskel, om spndingen er 2,6 eller 3,0 V.
Tilsvarende glder for "lav", hvor enhver amplitude under 0,4 V giver
tilstanden "O". Vil man fejlsge ved hjlp af et oscilloskop, m man afgre p hvilken side af de aktuelle niveauer, de mlte spndinger ligger.
Dette er vanskeligt og er meget tidskrvende, og da man normalt ikke
er interesseret i at mle impulsvarigheder, repetitionsfrekvens, stigningsog faldtider, idet der er taget hensyn til disse faktorer under konstruktionen, vil brugen af oscilloskop ikke vre hensigtsmssig. For reparatren
er det tilstrkkeligt at konstatere, om der findes signal eller ej. Der findes
p markedet en lang rkke hjlpemidler, med hvilke det kan konstateres,
om et signal mangler. Da det ofte er impulser, der skal g i signalveje,
br mleudstyret have indbygget hukommelse.

Fejlfindingsudstyr for digitale kredse

Ved fejlsgning i digital apparatur glder samme forhold som ved fejlsgning i vrigt, at man m anvende metoder og hjlpemidler efter si-

381

tuationen. Der findes forskellige typer af digital apparatur, ligesom man

har varierende krav til indgreb for forskellige miljer.
HEWLETT PACKARD fremstiller bl.a. et TTL-, DTL-, RTL- og
MOS-fejlfindingsst, der bestr af:
en logikklemme,
en logikprobe,
en logik impulsgiver,
en logik komparator.
Den enkleste fejlsgningssituation kan siges at foreligge, nr man vil
undersge ind- og udgangstilstanden hos en integreret kreds. Hertil kan
anvendes en logikklemme som vist p fig. 9.502.

Fig. 9.502. Logikklemme.

Logikklemmen er beregnet for 14 eller 16 bens integreret kreds i dual-inline kapsel. Logikklemmen bliver tilsluttet kredsen, nr denne presses ned
over kapslen. Den sger selv spndings- og steltilslutningen, uanset til
hvilke ben disse tilslutninger er foretaget.
P logikklemmens top findes 16 lysdioder, der angiver signalerne "l" og
"O" for kredsens ben. Det kan forekomme, at der skal aflses indtil 16
punkter, hvorfor en logikklemme fortrinsvis er velegnet for systemer med
statisk forlb.
382

Logikproben anvendes, for at man kan f et overblik over signalaktiviteten (1- eller O-signal) p indgangene til en kapsel.
Den kan ogs anvendes for at indikere de resulterende udgangssignaler.
Endelig kan den indikere galt signalniveau, manglende terminal eller ikke
forbundet ledning.
Logikproben er vist p fig. 9.503. Den indikerer logisk "l" fra 2,0 V og
derover og logisk "O" fra 0,8 V og derunder, hvilket korresponderer med
hjt og lavt niveau for normale TTL- og DTL-kredse. Nr logikproben
berrer en terminal med l-signal, vil dette indikeres ved, at et bredt bnd
villyse op ved probens spids. Ved berring med terminal med O-signal
villyset slukke. Ved brudt kreds eller med signalniveau mellem "hj" og
"lav" vil proben lyse med halv styrke.
Ved hjlp af logikproben kan man frst lbe systemet igennem og kontrollere de vigtigste signaler som f.eks. clock-, reset-, start- og overfringsimpulser. Dernst kontrollere, om de enkelte signaler svarer til
sandhedstabellen for det pgldende logiske element.

Fig. 9.503. Logikprobe.

Logikproben er forsynet med kabel og tilslutningsstik for forsyningsspnding, der f.eks. kan tages fra systemets spndingsforsyning.
Ved dynamiske systemer med signaler i form af kortvarige impulser er
det vanskeligt at fejlsge med en logikprobe, med mindre denne er udstyret med hukommelse. Systemet kan suppleres med en impulshukommelse, der indskydes i kablet mellem logikproben og dens spndingsforsyning. Ethvert signal, der opfattes af logikproben, vil blive lagret i impuls383

hukommelsen, indtil der foretages sletning ved hjlp af en trykknap p

impuls-hukommelsen.
En fejlsgningssituation bestr ofte i, at man vil se, hvordan en tilstandsndring i et punkt i et system opfattes et andet sted i systemet. Til
dette forml anvendes en logik-impulsgiver i forbindelse med en logikprobe.
P fig. 9.504 er vist en logik-impulsgiver med kabel og tilslutningsstik
Impulsgiveren holdes ned mod det punkt p kredsen, der skal afprves.
Nr en knap p impulsgiveren trykkes ind, vil alle kredse, der er tilsluttet
punktet, indgange svel som udgange, i et ganske kort jeblik blive udstyret til modsat signal-tilstand. For at udfre afprvning af en integreret
kreds er det ikke pkrvet at lodde kredsens udgange fra det vrige system. Logik-impulsgiveren er indrettet sdan, at man ikke skal bekymre
sig om, om prvepunktet har "l" eller "O". Hvis der i punktet er "l", vil
impulsgiveren srge for, at der i det jeblik knappen p impulsgiveren
trykkes ned, vil ske en ndring til "O" . Det omvendte vil vre tilfldet,
hvis der er "O" i punktet.

Fig. 9.504. Logik-impulsgiver.

Ved fejlsgning i analoge systemer flges ofte signalvejen frem til fejlstedet. I digitale kredse vil denne metode vre tidskrvende og vanskelig, idet det, i digitale kredse, ofte glder om at finde frem til en eller
384

flere integrerede kredse blandt mske flere hundrede. Komparatoren, der

er vist p fig. 9.505, byder her p en elegant lsning.

Fig. 9.505. Komparator.

Ved hjlp af komparataren kan en defekt kapsel hurtigt indkredses, idet

funktionen af de enkelte kapsler p kredslbskortet sammenlignes med
funktionen af en fejlfri referencekapseL Komparataren kobles til de respektive kapsler ved hjlp af en kapselklemme, og da kapslerne p
kredslbskortet ikke skal loddes fri under fejlsgningen, risikerer man
ikke at indfre nye fejl.
Placeringen af referencekapslen fremgr af fig. 9.506. Nr kapselklemmen er anbragt over den kapsel, der skal kontrolleres, er indgangene til de
to kapsler i parallel. De to kapslers udgange bliver sammenlignet, og er
forskellen strre end 200 ns registreres fejl.
Registreringen vises p en skrm, der bestr af 16lysdioder.

385

Skrm med
16 lysdioder -----...

Klemme for
fastgrelse
p IC

Blanke
'------"-- referencekort

Fig. 9.506.

FLUKE har udviklet et kompakt instrument Testelip, der omfatter

funktionerne for en logikklemme, en logik kamparator og en logikprobe.

Fig. 9.507. Testclip.

386

Instrumentet, der ses p fig. 9.507, er udfrt sdan, at det direkte passer
over en monteret 6-, 8-, 14- eller 16-polet integreret kreds. Instrumentet
kan anvendes til s godt som alle forekommende digitale kredse af DTL-,
TTL- og MOS-typen. De logiske niveauer indikeres ved hjlp af 16 lysdioder.
Instrumentet skal ikke tilsluttes nogen ydre spnding, idet det selv opsger den mest positive og den mest negative tilslutning p kapslen, der
kontrolleres.
Den kapsel, der skal kontrolleres, sammenlignes af instrumentet ved
hjlp af en referencekapsel, som skal anbringes i en standardsokkel p
siden af instrumentet. Referencekapslen programmeres automatisk med
tilsvarende indgangssignaler som den kapsel, der undersges. En indbygget kamparator foretager en sammenligning mellem kapslernes udgangssignaler, og enhver forskel strre end 400 ns indikeres som fejl. Forskelligheder mindre end dette lader instrumentet passere, idet man har fundet,
at to kapsler af samme type kan variere en del.
Anvendes instrumentet uden referencekapsel, fungerer det som logisk
indikator (samme funktion som logikklemme). I dette tilflde vil instrumentet indikere de enkelte tilslutningers logiske niveauer.
Instrumentet er forsynet med en 16-trins omskifter, ved hjlp af hvilken
niveauet p hvert enkelt ben kan kontrolleres. Man har nu samme funktion hos instrumentet som en logikprobe uden at behve flytte eller ndre
andet end omskifterens stilling.
Afprvning kan udfres ved frekvenser op til l MHz ved en pulsbredde
p mindst 75 ns.
I mere avancerede systemer, hvor der f.eks. indgr clock- og datasignaler, kan fejlfindingsarbejder effektiviseres betydeligt ved anvendelse af en
logikanalysator, med hvilken et stort antal signaler samtidigt kan ses p
en skrm.
P fig. 9.508 er vist Hewlett Packard's Logic Analyzer, der, tilsvarende
de fleste fabrikater af logiske analysatorer, bestr af to hoveddele. Den
frste hoveddel er en tids- analysator, og den anden hoveddel er en tilstands- analysator.
Tids- analysatoren viser p tilsvarende mde som et oscilloskop informationerne p skrmen af et katodestrlerr, med tiden afsat ud af den
horizontale akse og spndingen ud af den vertikale akse, dog sdan, at
spndingen i tids- analysatoren afsttes som digitale "O" og "l" vrdier.

387

Fig. 9.508. Logikanalysator.

P bagsiden af analysatoren er anbragt et multistik, hvortil 80 digitale

indgange kan tilsluttes. At flere kanaler kan iagttages samtidigt, gr analysatoren velegnet til at sammenligne tider mellem signalskift
P forsiden af analysatoren er anbragt to indgange for analoge signaler
til brug af analysatoren som oscilloskop.
Tids- analysatoren betjenes ved hjlp af menu'er, hvor samtlige indstillingsmuligheder vises p skrmbilleder og udvlges ved hjlp af en
drejeknap, der bevger en cursor (sort felt) til den nskede position.
Tilsvarende oscilloskopet kan tids- analysatoren trigges, hvilket i logikanalysatoren ofte betegnes "sporepunkt" (trace point). Ulig et analogt
oscilloskop, hvor sporingen starter umiddelbart efter trigning, vil en logikanalysator kontinuerligt opfange data indtil sporepunktet, hvorefter
indikering vil finde sted. Sledes kan en logikanalysator vise informationer p begge sider af sporepunktet De informationer, der ligger fr sporepunktet, er kendt som negativ tid, og informationerne efter sporepunktet, som positiv tid.
P fig. 9.509 er angivet menu'en for sporepunkt (trace). Analysatoren
trigger p tvrs af indgangssignaler ved enten "O" eller "l" vrdier, og
den pgldende analysator er programmeret til at optage data, nr kanalerne O, 2, 4 og 6 er p logisk l og nr kanalerne l, 3, 5 og 7 er p logisk

O.
388

Stole/Timing E

J(

Troet l

Run

Ae q u l s 1 t1 o n mode
Tronsl tlon ol

Lob e l >

( DATA

Bese > ( Blnory )

r 1nd
Pottern ( 01010101)
present for

O (

JO ns

Th en r l nd ,---------..

Edge

( ........ )

Fig. 9.509. Menu for trigger/sporepunkt.

Skrmbilledet p fig. 9.510 viser denne situation, hvor en linie ud for

sporepunktet angiver frnvnte betingelser for logisk l og logisk O.
~

Run

DATA
DATA
DATA
DATA
DATA
DATA

Fig. 9.510. Skrmbillede fordata 01010101.

Transiente overspndinger, der kan opst ved atmosfriske udladninger

eller ved induktiv induktion, kan volde store vanskeligheder i digitale
systemer. De kan endvidere vre svre at opspore, idet de ikke optrder
med bestemte tidsintervaller. Da en logikanalysator opsamler alle indkomne data og kan efterspore enhver overgang mellem "O" og "l" vrdier, er logikanalysatoren velegnet til at registrere transiente overspndinger p en databus eller en linie.
Logikanalysatorens anden hoveddel er tilstands- analysatoren, der har til
opgave at sammenligne aktive data (1- vrdier) p en databus eller linie.
P fig. 9.511 er som eksempel vist en D-flip-flop. Data p D-indgangen
vil ikke medfre udgangssignal fr en positiv gende klokkeimpuls tilf-

389

res. Tilfrsel af klokkeimpulsen er en "tilstand" for den pgldende flipflop.

DATA~

CLOCK,OATA VALIDSTATE

Fig. 9.511. "Tilstand" for D- f/ip-flop.

En tilstands- analysator giver mulighed for at lagre de nskede data. nsker man at se nrmere p et bestemt mnster af "O" og "l" vrdier p
en databus, kan analysatoren indstilles til at starte lagring, nr netop det
pgldende signalmnster optrder, og analysatoren vil fortstte lagringen indtil analysatorens hukommelse er fyldt op.
Hvis otte D-flip-flop forbindes i parallel og tilsluttes samme klokkesignal, sledes som vist p fig. 9.512, vil alle otte registrere data p deres Dindgange, nr der tilfres et positivt gende klokkesignaL
OB7

DB6

OB

8
0~7~~--~--------------~----------~
CLOCK-------+---------------+----------~~--~

Fig. 9.512.

Tilsluttes en tilstands-analysator til de otte indgangslinier, og indstilles

analysatoren til at opsamle data, nr der tilfres et positivt gende klokkesignal, vil analysatoren udelukkende opsamle data under disse forhold.
Dette adskiller tilstands-analysatoren fra tids-analysatoren. Tilstandsanalysatoren fr sit klokkesignal fra systemet, hvorimod tids- analysatoren har en indbygget klokke til at styre opsamling. Med andre ord, tilstands-analysatoren "kontrollerer hvad" der sker p en databus, tidsanalysatoren "ser hvornr" en ndring sker.

390

Slete/Timing E) (

Trece 1

(cencel) (

Run

Sequence Levels
Hhlle storlng "enystele"
TRIGGER on " e"
times

Q
0

( Brenches
Off

Store "enystete "

Count
Off

( Pres tor e
Of f

Lebel>
Bese>

(ADDR

)(DATA

)(
)(
)(
)(
)(

He><

11

( BOOO

c
d

(
(

)()()()(
)()()()(

)()()()(

He><

)(
)(

)
)

STAT
Symbol

) (e bso l u te

)()()()()

)()(

)(ebsolute

)()()()(

)()(

)(ebsotute

)()()()()

)()(

)(ebsolute

)()()()(

)()(

)
)
)

Fig. 9.513. Tilstands-analysators triggerpunkt

P fig. 9.513 er vist et skrmbilede, hvor tilstands- analysatorens triggerpunkt er 8000H (hexadecimal). I dette tilflde nskes det oplyst, hvilke
data der optrder p databussen, nr der p indgangslinierne str 8000H.
Derfor er analysatorens datafelt ikke trigget, men har blot kommandoen
(XX).

Fejlfindingsmetodik
Fejlsgning br foreg systematisk f.eks. i flgende rkkeflge:

l. Indlre apparatets opgave og opbygning.

2. Indsamle alle informationer, som kan fs ved hjlp af apparaturets
ydre manvreenheder. Forsge, ud fra disse informationer, at indkredse hvilken funktionsblok eller hvilket kredslbskort, der er
defekt.
Ofte standser fejlfindingen med, at der konstateres fejl i signalgiverne eller udgangskomponenteme, idet disse ofte er udsat for
kraftige mekaniske og termiske pvirkninger.
3. Undersge signalaktiviteten imellem det formodede defekte printkort og de omgivende printkort. Bestemme p hvilket printkort
eller om muligt p hvilken del af printkortet fejlomrdet ligger.
Signalaktiviteten kan kontrolleres med logikprobe. Fra pkt. 2 vil man
normalt vide imellem hvilke signalgivere og udgangskomponenter, fejl391

stedet m ligge. Det vil derfor vre hensigtsmssigt at begynde kontrollen af signalaktivitet p den af apparatets indgangsmoduler, der modtager
signal fra den signalgiver, der formodes at vre i forbindelse med fejlste-

det
Ofte vil det vre uinteressant at vide, om f.eks. en niveaukontakt skal
afgive "O" eller "l" signal for lavt eller hjt niveau, idet dette er bestemt
ved konstruktionen af anlgget. Ved fejlsgning vil det normalt vre
tilstrkkeligt at konstatere, om signalerne skifter, nr niveaukontrollen
aktiveres.
Er der signalaktivitet p indgangsmodulets udgangsterminaler, fortsttes med at undersge signalaktiviteten p nste modul, der f.eks. kan
vre et logikmoduL De printkort, der formodes at kunne indeholde fejl,
kontrolleres systematisk med logikproben.
Er der ingen signalaktivitet, vil dette indikeres af logikproben som uafbrudt "hj-" (1-) eller uafbrudt "lav-" (0-) information. Fejlen er nu lokaliseret til de printkort, der har forbindelse med terminalerne uden signalakti vi tet.
For at komme videre med fejlsgningen er det vigtigt at kende de fejl,
der normalt forekommer i digitale systemer. Fejlene kan opdeles i to hovedgrupper, der fremgr af efterflgende skema.
Fejl uden for elementerne
Brud p en signalledning
(se fig. 9.515)
Overgang mellem en forbindelsesledning og Ucc
eller jord (se fig. 9.516 og
fig. 9.517)
Kortslutning mellem to
signalfrende ledninger
(se fig. 9.518)
Fejl i ikke digital komponent (diode, kondensator
o .lign.)

392

Fejl inden i et element

Brud p ind- eller udgang
(se fig. 9.514)
Overgang mellem indeller udgang og Ucc eller
jord (se fig. 9.514)

Bemrkning
Samme
symptomer
ved interne
og externe
fejl

Kortslutning mellem to
signalfrende terminaler
Fejl i elementet

Forskellige
symptomer
ved de to
fejlmuligheder

se logikprobe "H'J''----_

overgang t1l
----Overgang ti l jord
,
''
se log1kprobe
LAV n

Fig. 9.514.

Brud
Et brud p en signalledning (se fig. 9.515) fr alle de indgange, der er i
forbindelse med dette brud, til at flyde. I TIL-kredse bliver spndingen
p en flydende indgang ca. l ,5 volt, og da den vre trskelspnding for
disse kredse er ca. 2,4 volt og den nedre ca. 0,4 volt (se fig. 9.501), vil de
ca. 1,5 volt medfre, at indgangen efter bruddet fejlagtigt fr "hj"- information.
Hjt spndingsniveau p den ene af NOR-elementets indgange vil medfre, at der ikke finder nogen signalaktivitet sted efter dette element.
Logikproben kan indikere brud i en kreds, idet proben lyser med halv
styrke, nr den sttes i forbindelse med et punkt, der savner styring.

Fig. 9.515. Brud p signa/ledning.

393

Overgang
En overgang mellem signalledning og Ucc vil af de efterflgende kredse
tolkes som "hj-"information.

.___

~1

~1

r-

1"'\.

r-

Ucc
Fig. 9.516. Overgang til Ucc

En sdan fejl, der er vist p fig. 9 .516, vil resultere i, at der ikke finder
nogen signalaktivitet sted efter fejlstedet Fejlen vil have samme virkning
som brud.
P fig. 9.517 er vist et eksempel p overgang mellem en signalledning
og jord. Alle elementer, hvis indgange er direkte tilsluttet fejlstedet, vil
opfatte fejlen som "lav" niveau p disse indgange.

~1

Fig. 9. 517. Afledning til jord.

Kortslutning
Et eksempel p en kortslutning mellem to signalfrende ledninger er vist
p fig. 9.518. Hvis indgangssignalerne til det element, der flger umiddelbart efter kortslutningen, er henholdsvis O og l, vil niveauet tilstrbe
at blive "lav". Er der f.eks. O-signal p fejlstedets verste terminal (se fig.
9.518 b), vil dette resultere i, at der villbe en strmstyrke fra fejlstedets
nederste terminal, der forudsttes at have "hj" niveau, over gennem
udgangen p foregende element og videre gennem transistoren til jord.
Dette medfrer, at kortslutningsstedet jordsluttes og dermed fr "lav"
niveau. Nr signalerne p begge sider af kortslutningsstedet er "hj" eller
"lav", vil kortslutningsstedets niveau flge efter.

394

'---- KORT S LU TN J!'(;

'-----KORTSLUTNING

Fig. 9.518. Kortslutning.

Anvendes den foran beskrevne fremgangsmde ved fejlsgning, vil fejlen

antagelig vre lokaliseret p dette tidspunkt.
Er fejlen mod forventning ikke fundet, fortsttes med at kontrollere alle
integrerede elementer p det defekte printkort eller p printkortets fejlomrde og notere de elementer, der har fejlindikering samt notere numrene
p de ben, hvorp fejlindikering optrder.
Kontrollen kan foretages ved hjlp af komparator, logikklemme eller
med logikprobe og logik-impulsgiver.
Til slut kombineres iagttagelserne for yderligere at indkredse fejlen.

395

Sagsregister

A
AC-arbejdslinie 79
A C-forstrker i jordet
emitterkobling 77, 82
AC-kvivalentskema 73, 74, 80
Accelerometer 186
Adsorption 216
Aktiv pull-up 299, 321, 323
Alkalimeta1201

Analog afbryder 339

Analog/digital omstter 265
Analoge kredse 224, 241
Antilog-omstter 268
Arbejdslinie 23, 69, 79
Arsen 50
Astabil multivibrator 324
Asynkrone tllere 356
B
Beskyttelseskredslb 42
Binre tal 295
Binre tllere 356
Bistabil multivibrator 331
Boolealgebra 307, 322, 351
Bredt proportionalbnd 278, 280
Brokobling 112, 133
Brud 392, 393
Brumspnding 109, 112

396

c
CMOS-element 302, 318, 327,
338,350, 369
CMOS-logikkreds 344
Coriolis-krfter 190
Coulomb's lov 246
D
D-element 335
D-funktion 251
D-regulator 252
D-tid 281
Darlingtonkobling 89
Darlingtontransistor 271
DC-arbejdslinie 69, 80
DC-strmforstrkning 64, 65, 67
Delta celle 179
Diac 104
Dielektricitetskonstant 28, 179
Differensforstrker 224, 226
Differenskobling 239
Differenstransformer 178
Differenstryktransmitter 180
Differential-funktion 251
Differem ialdel 284
Differentialfaktor 252, 257
Differentialled 281
Differentialtid 252

Differentieringsnetvrk 35
Diffusion 52
Digital/analog omstter 262
Digitale kredse 295, 351
Digitalteknik 295

Fasevinkelstyring 137, 138

Faste modstande 13
Fejlfinding 368, 375
Fejlfindingsmetodik 391
Fejlfindingsudstyr 381, 387

Diode logik 296

Diode transistor logik 296
Dioder 51
Dopning 50
Drain 91
Driverforstrker 343
DTL-kredse 339
Dual-In-Line 226
Dynamisk indgang 396
Ddtid 272, 293

Fejlsgning i analoge kredse 376

Fejlsgning i digitale kredse 380
Felteffekt-transistor 91
Feltstyrke 28
Ferritmateriale 46, 48
Filter 117
Filtrering af "ripple" 113
Fire-elektrode mlecelle 221, 223
Flammeioniseringsdetektor 217
Flat-Pack 226
FJerfasede systemer 119
Flip-flop kredse 331
Formfaktor 109, 111
Forsinkelseselement 330, 331
Forstrkning 237, 238
Forvirkningstid 257, 284
Fotocelle 200
Fotodarlington 91
Fotodiode 62, 204
Fotoelementer 20 l
Fotokoblere 206
Fotomodstande 26
Fototransistor 89
Frekvensafhngig spndingsdeler 36
Frilbsdiode 116, 135
Fugtighedsfler 21 O
Funktionsskema 305
Flerfunktion 194

E
Effekthyperbel 72
Effektivvrdi 109, 111, 123
Effektregulator 284
Efterstillingstid 255, 284
Elektricitetsmngde 28, 34
Elektrisk ladning 28
Elektrodynamisk fler 191
Elektrolytkondensatorer 30
Elektromagnetisk stj 45
Elektrometriske komponenter 220
ELLER-element 301, 354
EMC45
Energiindhold 40
Ensretterkobling 106, 121
Envejskobling 107, 122, 124,127, 130
Exclusive eller-kobling 355
F

Fan-out 320, 347

Farvekoder for modstande 15
Farvespektrum 26

G
Gallium-arsenid 49, 59
Gallium-arsenidphosfid 59
Gallium-phosfid 49, 59

397

Gasafleder 44
Gasflsomme komponenter 207
Gaskromatograf 215
Gasprveapparater 207
Gate 96
Germanium 49
Graetz-kobling 112
Graykoden 295, 311
Grnsefrekvens 88

H
Hall-effekt fler 193
Halvblgestyring 100
Halvledere 49
Halvstyret brokobling 134
Hastighedsregulering 274
Hukommelseskreds 332
Hysterese 261
Hjpasfilter 36
Hndtering 368

Induktiv mling af vskestrmning 197

Induktivt filter 114, 116
Infrard diode 58
Infrard-anal yseapparet 214
Integral-funktion 248
Integraldel 284
Integralfaktor 248
Integraltid 250, 254
Integrationsled 249
Integrationsnetvrk 35
Integrationstid 279, 282
Integrator 246
Inverterende kobling 226, 235, 236
IRED 59,204

JK-element 333, 356, 361

JK-MS-element 334
Jordet emitter-kobling 72, 77, 82
Justering 151, 164, 168, 173, 181
Jvnspndingsforstrker 224
Jvnstrmsforstrkning 64, 65, 67

I-regulator 249
I-tid 282
Ikke inverterende kobling 226, 235,
237
Ikke polariserede kondensatorer 30
IKKE-element 30 l
Impedanstilpasning 75, 82
Impulsstyring 100, 101
Ind- og udgangsfunktioner 306
Ind- og udgangskredse 340
Ind- og udgangssignaler 318
Ind- og udgangsstrmme 319
Indgangsimpedans 73, 74, 77, 82
Indgangskarakteristik 66
Indium 50
Indkapsling 226

K
Kalibrering 151, 154, 167, 173, 181,
189,212
Kalibreringskde 156
Kapacitans 28, 30, 179,215
Kapacitiv fler 179
Kapacitivt filter 113
Kamaugh-diagram 31 O, 352
Keramiske kondensatorer 30
Kirchhoffs love 237, 238, 239, 241,
247,251,259
Klokkeimpuls 334
Kommutering 120
Kamparator 260, 385, 387
Kondensator 27, 215

398

Kondensatorers energiindhold 34
Kondensatorers mrkning 31
Kondensatorers op- og afladning 31,
326,329
Konstant-strm-generator 95
Kortslutning 392, 395
Kulfilmmodstande 13, 14
Kulpotentiometre 17
Kulstofmodstande 13, 14
Kunstfoliekondensatorer 30

L
Laser 60
Lavpas-filter 36
LDR-modstand 26
LED 59
Ledningsevne mling 221
Line Regulation 118
Linere koblinger 234
Linere modstande 13
Lithium-chlorid fler 210
Load Regulation 118
Log-omstter 266
Logik-impulsgiver 384
Logikanalysator 387
Logikelementer 296
Logikklemme 382, 387
Logikprobe 383, 387
Logiske niveauer 306
Lydflsomme komponenter 217
Lysemitterende dioder 58
Lysflsom modstand 26
Lysflsomme komponenter 200

M
Magnetflsomme komponenter 191
Magnetisk felt 41
Mark-space forhold 326

Masseflowmler 190
Metal oxide semiconductor 296
Metaloxidmodstande 14
Metalpapirkondensatorer 30
Middelfrekvens 88
Middelvrdi 109, 111, 123, 125,
128, 132
Midtpunktskobling 110, 121
Minoritetsbrere 53, 62
Modstandsfler 177
Modstandsstandardvrdier 16
Monostabil multivibrator 327
Montering 368
MOS-felteffekt 91
MOS-kredse 301, 339
Multiplikationsfejl 166
Mtningsomrde 71
Mleforstrker 259
Mlepotentiometer 176
Mlevrdiomsttere 149, 216, 342
Mling 374, 378
Mling af pH-vrdi 220
Mling af vskestrmning 197
N
N-kanal MOS 92
N-materiale 51
NAND-element 304,317,319,
329,353
Naturlig kommutering 120
Negativ logik 306
NELLER-element 304
Netkommuteret strmretterkobling 135, 136
Netstjfilter 45, 46
Niveaumling 183
NOG-element 304
NOR-element 304, 332, 353

399

NPN-transistor 63, 65, 69, 96, 296

NTC tennistor 18
NTC-modstand 175
Nulpunktsfejl 165

o
Offset 230
Offset-spnding 231
Offset-strm 234
OG-element 301, 333, 353, 363
Ohms lov 22, 39
Oliekondensatorer 30
Omrdeindstilling 166, 182
Opbevaring 368
Operationsforstrker 226, 274
Optimering af strmregulator 289
Optimering af omdrejningshastighedsregulator 290
Optoelektroniske komponenter 58
Optokobler 206, 349
Oscillatorkobling 94
Oscilloskop 369
Overfringsfunktion 272
Overfringskarakteristik 67
Overfringskurve 317, 325
Overgang 392, 394
Overspndingsafleder 42
Oxygen fler 213
p

P-bnd 282
P-funktion 243, 291
P-kanal MOS 92
P-materiale 50
P-regulator 244, 284
P-regulering 277, 281
Papirkondensatorer 30
Passiv pull-up 298

400

PO-regulator 255, 280

Permittivitet 28
Phosfor 59
PI-funktion 282
PI-regulator 254, 278, 284
Pill-regulator 257, 278, 284
Piezoelektrisk fler 184
PN-overgang 51, 59, 62, 63, 66, 91,
201,204
PNP-transistor 63, 64, 69, 96
PNPN-element 96
Polariserede kondensatorer 30
Positionsservo 291
Positiv logik 306
Proportional-differentialfunktion 255
Proportional-funktion 243
Proportional-integral-funktion 254
Proportional-integral-differentialfunktion 257
Proportionalbnd 246, 274, 276
Proportionaldel 284
Proportionalfaktor 243, 257
Proportionalforstrkning 245
Prvningsattest 171
PTC termistor 20
PTC-modstand 175
Pull-up modstand 321, 348
Pulsbreddemodulering 137, 146
Pulsbreddestyring 137, 141, 146

R
RC-led 31, 32, 35, 324, 327, 272
RD-led 275
Reed-rel 198
Regenerative switch-koblinger 324
Reguleringsafvigelse 246, 277, 280
Reguleringskredse 272

Resistor logik 296

Reversibel tller 360
Rippiefaktor 110
RS-element 332
RTL-kredse 339

s
Sammenligningskobling 364
Sandhedstabel 300, 305, 309,
351,355
Schmitt-trigger 329, 336
SCR96
Selen-fotoelement 202
Selvinduktion 38
Selvkommuteret strmretterkobling 137, 141
Sikkerhedssystem 351
Silicium 49, 59
Silicium transistor 378
Silicium-fotoelement 202
Slukkeafleder 43
Slukkemetoder 99,
Slukkethyristor 95, 103
Slusespnding 53
Smalt proportionalbnd 278, 280
Smart-transmitter 151
Smsignal strmforstrkning 83
Solbatteri 204
Source 91
Spektral fordeling 60, 61
Spektral flsomhed 203
Spoler 38, 44
Sporbar 155
Spndingsforstrkning 73, 74, 75,
77, 82
Spndingsregulator 117
Sprreomrde 71
Stabilicering 117

Stationr totalafvigelse 230

Statisk frekvensomformer 143
Statisk indgang 306
Statiske omformere 142
Strain gauge 186
Strkmlemodstand 186
Strmbegrnsning 288
Strmforstrkning 83, 89
Strmforsyning 106
Strmregulator 290
Strmretterkredse 106
Strmretterteknik 119
Strmtransformer 196
Styrede dioder 95
Styrede dioder i belastningskredsen 345
Styret ensretter 124
Stjtolerance 319,321
Substrat 91
Summationsforstrker 242
Summator 241, 292, 293
Suppressor-diode 43
Svingningsfrekvens 94
Synkrone tllere 361
T
T -element 331

Tantalkondensatorer 30
Temperaturflsomme komponenter 172
Temperaturkoefficienter 15
Temperaturregulering 293
Terminalegenskaber 317
Termistor 18, 175, 176
Termocoax 174
Termoelement 172
Termomodstand 175
Thyristor 95, 96, 124, 346

401

Thyristorstrmretter 284
Tidsfunktionsdiagram 362
Tidskonstant 33, 40, 41, 114,
272,325
To-5 226
To-stillingsregulering 293
Totalssystemer 295
Transducer 82, 149
Transduktor 286
Transformer 106
Transiente spndinger 42
Transistor transistor logik 296
Transistor-smsignalforstrker 72
Transistoren som afbryder 71
Transistorer 63
Transmitter 149
Transar 149
Trefasede brokoblinger 130
Trefasede ensretterkoblinger 121
Tri-state element 323
Triac 95, 103, 347, 349
Triggerenhed l 02, 286
Trigning 372
Trinls styring l 05
Tryktransmitter 179, 188
Trdviklede modstande 14
TIL-element 346
TIL-grundelement 300
TIL-kreds 296,317, 339
TTL-signal 381
Tvungen kommutering 121
Tlledekade 362
Tllere 356
Tndmetoder 99
Tndtidspunkt 125
Trskelspnding 53

402

u
Udgangsimpedans 73, 74, 77, 82
Udgangskarakteristik 68, 71
Udgangskredse 343
Udgangstrin 270
Udstyringsvinkel 286
Ufuldstndig jvnstrm 130, 286
Ulinere modstande 18
Ul inere koblinger 260
Ultralydflowmler 218
Ultralydniveaufler 217
Unijunction-transistor 93
Ustyret ensretter 122

v
Varlable modstande 17
Varistor 24, 44
Varmeledningsevnedetektor 217
VDR-modstand 24
Veksetretterdrift 136
Vekselretterkoblinger 135
Vinkelforskydningsfejl 167
Virtuel jord 237, 238, 245, 259
V skestrmningsmler 198

z
Zenerdiode 43, 55, 102, 117
Zenerspnding 55
Ziegler og Nichals 283
Zirconiumdioxidcelle 213

ben kailektor kreds 321, 348

ELEMENT

SYMBOL

BESKRIVELSE

,.
ELLER

:5-Q

o
o

~l ~~;.~~~.~~~. . ~~.~:~~:. "'.l::.a:

OG

11

o
o
o

IKKE
(NEGATION )

(ELLER MED EN NEGE

AliiTUDGANG)

:fi-a

o
o

~l ~:r.~:~~~~k;
..d:'.~d
~:~
r kke
rv
k n '!'!~!l'"
o Jt .

(OG MED EN NEGERET

UDGANG)

.:::r::o:=:::t: ~

,. ------._ _____ ,----

Q--------,_ __ _.----

~
~

,. ----._ ____ _.------ ~

Q ____ , ------ ~. _____

.,:.:r::,----,____ ,----~

o
o
o

,.

NAND

,----~

11 :..:r:T---I ___ ,----

---:-r-

A-u-Q

,.

NOR

,. ------,_____
Q

o
o

.:..:.r::t---- '- -- x - -- ~

o
l
l

,.

:=C}-a

11
o

,. ------ ~-- ---- ---- ~

Q~~

.:..:.r::t--- ,____ ,---- ~

o
o

,. ------~ ---------- ~

:o-a

Q ________ ,----~----~

Omskit t n in gen fra O til l-

tilttanden torsink et

A-EJ-a

T- ELEMENT

RS-ELEMENT
(HUSKE)

JK-ELEMENT

TRIGGER

DRIVERFORSTRKER

FORSTRKER
MED EN NEGERET UD
GANG

t1

medens omskiftn ingen tro

TIDSFORSINKELSE

1 t il
t2

o~

tllsta.nden tors inket

tEJ=~

A-EJ-a
A-B-Q
A-B-Q

Q -----~._ _______

T~~

-a=~
=l~-----~ ~

,. :.:J __ ___ ___ , -----

o::~------~__

__ _.---- ~

'li :..:J ______ .-----, ___

s
o
o

o
o

undret

Ikke dol.
Q

u endret

o
1

kom pl.

s _______ --r::J______

=.:.:.r:::c.:.: b
___c.:.: b
u.:.::::.. ___ , ----r::: b
~

Q.:.:::----~__

------n=----n::.: b
K----n-----,___c: L

o-:.-:.-~~

a::.::1... ---.___, ---

,.l~=
l

Q ---

l l

l __ _.----o=~

--

l
-l
Q::-==:..:.Jr=::===
- o

,.

-----------1
'
o

Q=-==:.-:-Ji[_===-=- h

SYMBOL
ELEMENT

BOOLE

lEC

DIN

USA

:=:o-

:=D-Q

:=O-Q :=D-Q

Y-

:=Q-a

A-[)-Q

A-0+a

ELLER

Q=AvB

~=EJ-Q

OG

Q=AAB

IKKE

Q=A

A - E }Q

NOR

Q=AVB

A
B

NANO

Q=AAB

--

EN G ELSK

=E}-

:=f)- Q

~=t>-

~~Q ~=[)-Q

--{>o-Q

:P
:P :=D-Q

~=D-Q

Litteraturhenvisning

Dansk Standardiseringsrd: "Logikelementer", DS 5005.18.

Dansk Standardiseringsrd: "Udarbejdelse af logikskemaer",
DS 5008.07.
Dansk Standardiseringsrd: "Halvledere og elektronrr",
DS 5009.05.
Dansk Standardiseringsrd: "Symboler p elektrotekniske tegninger
de/12: Binre logiske elementer", DS 5009.12.
Dansk Standardiseringsrd: "Analogelementer", DS 5009.13.
K. Bodi: "Skibshovedfordelingsanlg", 10. udgave, 1992.
K. Bodi: "Skibsautomation", 7. udgave, 1994.
A. Christensen, J. Nielsen og E. Ehrenreich: "Mekanisk fysik og
varme/re", 6. udgave, 1990.
Per Schamby Espensen og Henry Juul Nielsen: "Interface og procestilpasning samt dataopsamling og datalogging".
A. Serup Hansen, B. Hgen Mathiesen og S.. West: "Matematik/Ol
maskinmestre og navigatrer", 5. udgave, 1994.
Thomas Heilmann: "Praktisk regulering og instrumentering",
2. udgave, 1993.
Chr. Knak: "Brandbekmpelse i skibe", 8. udgave, 1993.
Jrgen Nielsen: "Miljteknik", l. udgave, 1990.
Poul Erik Petersen: "Elektricitet og magnetisme", 3. udgave, 1993.
M. Rancke-Madsen: "Lrebog i kemi for maskinmestre",
8. udgave, 1990.

403

62.364

Bodi, Kurt
Analog- og digitalteknik
6. udgave