ELEKTROTEHNIKA

DIODA

Strujno-naponska karakteristika

PN spoj tehnologijski uvjeti

Temperaturni utjecaji

Radna toka

Primjena - ispravlja

Tiristor i trijak

125

Dioda

9.1. Karakteristika diode

Dioda je elektroniki element s dva prikljuka: anodom (A) i katodom (K).
Glavno je svojstvo diode voenje struje i samo u jednom smjeru (kad je
anoda pozitivnija od katode), na to ukazuje i njen elektroniki simbol
(slika 9.1 a). Idealna bi dioda posjedovala strujno-naponsku karakteristiku
prema slici 9.1. b) s modelom:
i = 0 za v 0
v = 0 za i 0

(9.1)

Slina svojstva ima mehanika sklopka: u iskljuenom stanju kad se

prikljui na bilo koji napon v kroz nju ne tee struja i, dok u ukljuenom
stanju kroz nju tee struja u iznosu kojeg odreuju ostali elementi strujnog
kruga. Na sklopki u ukljuenom stanju napon je u idealnom sluaju jednak
nuli.
i
i
A

a)

b)

Slika 91 a) oznake uz simbol diode

b) strujno-naponska karakteristika idealne diode

Realna poluvodika dioda sadri p-n spoj; prikljuak na p je anoda, a

prikljuak na n je katoda. Struja kroz diodu i ovisi o naponu anoda-katoda
v prema:
v
v

n V
nV
i = I S e T 1 = I Se T I S

(9.2)

gdje su:
a) IS struja zasienja p-n spoja (saturation current)
b) n emisijski koeficijent s vrijednou izmeu 1 i 2
c) VT termiki napon, zadan sa
VT =

kT
q

(9.3)

koji na sobnoj temperaturi iznosi oko 25 mV.

Pri v>0 dioda je propusno polarizirana (forward-biased), dok je pri v<0
nepropusno polarizirana (reversed-biased). Grafiki prikaz izraza (9.2)
naziva se statika strujno-naponska karakteristika diode (slika 9.2). Posebni
126

ELEKTROTEHNIKA
dio nepropusno polariziranog podruja je proboj (breakdown), s probojnim
naponom -VZ.
i
propusno
podruje

nepropusno
podruje

-VZ
0

VF

proboj
Slika 92 Statika karakteristika realne silicijske diode

9.2. PN-spoj: kontaktni potencijal, struja spoja

9.2.1. Kontaktni potencijal
Idealni pn-spoj dobije se kad se jednoliko dopirani p-tip materijala
diskontinuirano promijeni u n-tip materijala. U stvarnosti se pn-spojevi
formiraju unoenjem vee gustoe neistoa p-tipa do neke dubine u slabije
dopirani poluvodi n-tipa ili obratno.
Radi razliitih gustoa pokretnih nositelja oko granice, postoji jaka tenja
da veinske upljine iz p-tipa difundiraju u n-tip poluvodia, a veinski
elektroni iz n-tipa u materijal p-tipa. Kad upljine prijeu granicu, u
materijalu n-tipa rekombiniraju se s veinskim slobodnim elektronima.
Slino, kad elektroni preu spoj u podruje p-tipa, rekombiniraju se s
veinskim upljinama. S obje strane granice ostvaruje se tako podruje
praktino bez veinskih nositelja i naziva se prijelazno ili osiromaeno (engl.
depeletion) podruje.
E
n

VC

Slika 9-3 Jednodimenzijski prikaz idealnog simetrinog pn-spoja

s raspodjelom naboja, el. polja i potencijala

127

Dioda
Dijelovi osiromaenog podruja prestaju biti nabojski neutralni, jer
nepomini ioni dopiranih materijala ostaju bez ranije ravnotee s veinskim
nositeljima. Nabojski nepokriveni donorski ioni ine osiromaeno podruje
blizu spoja unutar n-tipa poluvodia pozitivno nabijenim, dok podruje
blizu spoja unutar p-tipa materijala ostaje negativno nabijeno
akceptorskim ionima (prostorni naboj). Nastaje unutranje elektrino polje
E usmjereno od pozitivnih prema negativnim ionima.

drift

difuzija

qVC

energija

Elektrino polje na prijelaznom podruju stvara razliku potencijala VC koja

se naziva potencijalna barijera ili konaktni potencijal. Potencijalna barijera
spreava daljnji tok veinskih nositelja preko spoja pod ravnotenim
uvjetima (kad ne tee struja jer su drift i difuzija su u ravnotei).

difuzija
drift

EC
n

EV
x

osiromaeno podruje

Slika 9-4 Energetske razine na pn-spoju bez vanjskog napona

U ravnotenim uvjetima kontaktni potencijal VC iznosi:

VC =

kT N A N D
ln

2
q
ni

(9.4)

i ne mijenja se znaajno s temperaturom. Za silicij VC iznosi izmeu 0,5 i

0,8 V, za germanij izmeu 0,1 i 0,2 V, a za galijev arsenid oko 1,5 V.

9.2.2. p-n spoj pod naponom

Kad se na pn spoj primijeni vanjski napon VS (0<VS<VC) s pozitivnim
potencijalom na p-strani spoja (propusna polarizacija, engl. forwardbiased), vanjsko se polje suprotstavlja unutranjem, ukupna se razlika
potencijala na spoju smanjuje na VCVS, a osiromaeno podruje suzuje.
Za VS=VC osiromaeno podruje iezne i veinski se nositelji lako prenose
preko granice iza koje su manjinski i zbog rekombinacija gustoa im opada.
Kad se pak na p-stranu spoja primijeni negativni napon VS (reverzna
polarizacija, engl. reversed-biased), ukupna razlika potencijala na spoju
iznosi VC+|VS|, osiromaeno podruje se iri i za veinske nositelje
barijera je jo tee savladiva. Malobrojni manjinski nositelji omoguuju tek
128

ELEKTROTEHNIKA
neznatnu struju preko spoja. Slika 9-5 prikazuje raspodjelu potencijala oko
granice u propusnoj i nepropusnoj polarizaciji pn-spoja.

VS=0
VS>0

VC
propusna
polarizacija

V0-VS

zaporna polarizacija

V0+VS

VS<0

Slika 9-5 Dijagrami potencijala na pn-spoju

9.2.3. Struja spoja

Kad se na pn-spoj s temperaturom T prikljui napon VS, tee struja:
qVS

I = I S e kT 1

(9.5)

gdje je IS struja zasienja (engl. saturation) ovisna o geometriji spoja i

parametrima materijala, te temperaturi.
Jednadba (9.5) pogodna je za izraun struje i pri propusnoj (VS>0) i pri
nepropusnoj polarizaciji (VS<0) pn-spoja. Pri zapornoj polarizaciji struja je
praktino jednaka struji zasienja IS. U propusnoj polarizaciji jedinica se
unutar zagrade moe zanemariti, te struja spoja raste eksponencijalno s
porastom prikljuenog napona VS.

9.2.4. Propusno polarizirano podruje

U propusno polariziranom podruju napon v je pozitivan. Na sobnoj
temperaturi za napone v>0,1 V drugi lan u jednadbi (9.5) moe se
zanemariti te ostaje prevladavajua struja uslijed difuzije:
i = I Se

n VT

U radnoj toki diode pri v=VD tee struja i=ID te vrijedi:

129

(9.6)

Dioda
VD

I D = I Se n VT

Omjer

VD
ID

(9.7)

jednak je statikom otporu u radnoj toki. Zbog izrazite

nelinearnosti karakteristike moe poprimati vrlo razliite iznose, a u

zapornom je velik. Omjer malih promjena napona i struje diode u nekoj
radnoj toki je dinamiki otpor, u praksi znaajniji od statikoga. Pri sporim
promjenama dinamiki se otpor moe odrediti na statikoj karakteristici
(diferencijski otpor), za to je uputno najprije jednadbu (9.6) derivirati po v:
v

n VT

I e
di
= S
dv
n VT

di
dv

(9.8)

VD
n V

v =VD

I e T
I
= S
= D
nVT
nVT

(9.9)

odakle je dinamiki otpor diode rd jednak:

rd =

dv
di

v =VD

nVT
ID

(9.10)

i opada s porastom struje. Reciprona vrijednost dinamikog otpora rd

naziva se dinamika vodljivost gd.
Konstanta n i struja zasienja IS iz izraza (9.6) mogu se za pojedinu diodu
odrediti ako postoje vrijednosti parova napona i struje dobiveni npr.
mjerenjem (tablica).
Tablica 91 Primjer izmjerenih vrijednosti na diodi

propusni napon [V]

propusna struja [A]

0,1

0,13310-12

0,2

1,79010-12

0,3

24,0210-12

0,4

0,32110-9

0,5

4,31010-9

0,6

57,6910-9

0,7

7,72610-7

Na rasponu napona od 0,1 do 0,7 V vrijednosti struje mijenjaju se za 5

redova veliina, to navodi na prikladnost logaritamskog grafikog prikaza.
Logaritmiranje jednadbe (9.6) daje:
130

ELEKTROTEHNIKA
ln (i ) =

v
+ ln ( I S )
n VT

(9.11)

to se u koordinatama (v, ln(i)) grafiki predouje kao pravac s nagibom

1/nVT i odsjekom ln(IS) na ordinati. Karakteristika s logaritmom struje
znatno je korisnija od one s linearnom strujom, jer pokriva vei raspon
vrijednosti i omoguuje lako oitavanje parametara, pa u praksi prevladava.

Slika 96 Karakteristika diode u propusnoj polarizaciji s logaritmom struje

9.2.5. Zaporno polarizirano podruje

Pri v<0,1 V prvi se lan u izrazu (9.5) moe zanemariti prema drugom, te
preostaje samo vrlo malena struja drifta i=IS. Zaporna struja u praksi
neznatno raste s poveanjem zapornog napona. Silicijske diode imaju pri
istim okolnostima znatno manju zapornu struju od germanijskih. Statiki i
dinamiki otpor diode u zapornoj polarizaciji poprimaju vrlo visoke
vrijednosti.
Pri zapornom naponu negativnijemem od VZ nastaju preveliki iznosi
elektrinog polja na osiromaenom podruju i kod dioda ope namjene
dolazi do znatnog porasta struje popraenog poveanim lokalnim
zagrijavanjem i toplinskom destrukcijom (proboj). Silicijske diode imaju vei
iznos napona VZ od germanijskih, tj. mogu podnositi vee zaporne napone.

131

Dioda

9.2.6. Temperaturni efekti

Temperaturni efekti potjeu od utjecaja temperature na gustou nosilaca i
njihova svojstva. Kako su i termiki napon VT i struja zasienja IS ovisni o
temperaturi, postoji temperaturna ovisnost karakteristika i u propusnom i
u zapornom podruju.
Struja zasienja ovisi o temperaturi priblino prema:
EG
kT

I S = k1T 3e

(9.12)

gdje je k1 konstanta razmjernosti, a EG irina zabranjenog pojasa. Pri

sobnim temperaturama reverzna struja mijenja se priblino 15% K-1 za
silicijeve i germanijeve diode i otprilike se udvostruuje pri porastu
temperature za 5 K.

Slika 97 Temperaturna ovisnost struje zasienja

Mogue je struju zasienja pri temeperaturi T2 izraziti pomou struje

zasienja pri temperaturi T1:
kS (T2 T1 )

I S (T2 ) = I S (T1 ) e

(9.13)

gdje je kS=0,072 K-1.

U propusnoj polarizaciji pri povienju temperature struja diode se na istom
naponu poveava, te se iv karakteristika pribliava ordinati.

132

ELEKTROTEHNIKA
i
T2

T1

-2mV/C
T2 > T1

Slika 98 Propusna karakteristika diode pri promjeni temperature

Na konstantnoj struji u propusnom podruju napon v opada s poveanjem

mV
temperature priblino 2
, to se katkad koristi za mjerenje
K
temperature. Vrijedi uoiti da pri povienju temperature raste i napon
proboja VZ.
Pri prolasku struje dioda se zagrijava. Stvorena toplina
W = vi dt

(9.14)

mora u ravnotenom stanju biti jednaka odvedenoj u istom vremenu.

Pritom temperatura p-n spoja ne smije nadmaiti graninu (za silicij oko
200 C). Za odravanje temperature ispod granine u zahtjevnim
sluajevima potrebno je dodatno hlaenje.

9.2.7. Modeli diode

Za razliite potrebe koriste se razliiti modeli kojima se oponaa djelovanje
diode. Za statike i kvazistatike primjene modeli su drugaiji od
dinamikih, a i oni se razlikuju za razliite frekvencije i iznose promjena.
Model nekad treba, a nekad ne treba sadravati npr. podruje proboja,
zapornu struju, temperaturnu ovisnost i dr. Pri velikim promjenama
napona i struje rabe se obino drugaiji modeli od onih za male promjene.
U jednostavnim statikim sluajevima zadovoljava model idealne diode
prema slici 9.1. Analitiki model prema izrazu (9.5) nelinearan je i zahtijeva
vie raunanja. Tablica 9.2 sadri neke najjednostavnije statike modele
temeljene na idealnoj diodi s grafom i analitikim iskazom strujnonaponske ovisnosti, prikladne za brzu analizu strujnih krugova s diodom.
Osim modela s ukljuenim probojem prikazani se modeli u zapornom
podruju ponaaju poput idealne diode, to je blisko realnosti zbog vrlo
male reverzne struje pri sobnoj temperaturi. Za odnose u strujnom krugu
prihvatljiv je model idealne diode i u propusnom podruju ako se napon na
133

Dioda
vodljivoj diodi moe zanemariti prema naponima na ostalim elementima
strujnog kruga.
Tablica 92 Aproksimacije karakteristike diode za veliki signal

model

i-v graf i shema

analitiki opis

i = 0 za v < 0
v = 0 za i > 0

id

idealna
dioda

s
naponskim
izvorom

id

v = VF

VF

i =0

VF
i

sa serijskim
otporom

v
za
r
v
r =
i v > 0

id

i =0
i

sa serijskim
otporom i
naponskim
izvorom

V Z
rZ

id
v

VF

i =0

VF
VZ

v = VF + i r

+ id

VF
i

s
ukljuenim
probojem

rZ

v < VF

i=

ctg = r

i >0

za
za

r
id
VF
+

za

v = VF + i r
i =0

za

v >0

v <0

za

v > VF

za
v < VF

za

v > VF

V Z < v < VF

v = (V Z + i rZ ) za v < V Z

Dinamikim se modelima nastoji obuhvatiti ponaanje diode prilikom brzih

promjena radne toke koje se oituje ponajvie u kanjenju posljedica za
uzrocima. Stoga dinamiki modeli sadre uz ostalo elemente za pohranu
energije, kapacitete. Primjerice, u zapornoj polarizaciji prostorni naboj u
osiromaenom podruju mijenja se pri promjeni zapornog napona, to
navodi na spojni kapacitet Cj. Pri veem zapornom naponu spojni kapacitet
je manji radi poveane irine osiromaenog podruja. U propusnoj
polarizaciji promjena gustoe manjinskih nosilaca pri promjeni radne toke
mijenja naboj uz granicu, to je razlog pridjeljivanja difuzijskog kapaciteta
Cd tom radnom podruju. Difuzijski kapacitet znatno je vei od spojnog.
Razlikuju se dinamiki modeli za propusno i nepropusno podruje, za
134

ELEKTROTEHNIKA
velike promjene radne toke i za male promjene, kao i za razliita
frekvencijska podruja. Dinamiko se ponaanje zanemaruje kad su
vremena kanjenja zanemarljivo mala prema trajanju promjena pozicije
radne toke.

Slika 99 Visokofrekvencijski model diode

9.2.8. Osnovne vrste dioda

Spoj p-n izvodi se na razliite naine poprimajui razliita svojstva, a i za
razne je potrebe razvijen niz dioda specifinog ponaanja i pripadnih
naziva.
Normalna p-n dioda ima opu namjenu i pripada joj dosadanji opis.
Zener dioda posjeduje izrazito strmu probojnu karakteristiku u III.
kvadrantu pri zapornom naponu do oko 5 V zahvaljujui pojavi nazvanoj
Zenerov proboj. Pri tome elektrino polje u osiromaenom podruju raste do
vrijednosti na kojoj se raskidaju kovalentne veze i intenzivno generiraju
parovi. U I. kvadrantu karakteristika je jednaka onoj kod normalne diode. S
radnom tokom u III. kvadrantu Zenerova dioda slui za odranje stalnog
napona na iznosima manjima od 6,2 V.
Lavinska (avalanche) dioda ima karakteristiku slinu karakteristici
Zenerove diode, no zaporni napon proboja je iznad 7 V. Pri velikom iznosu
zapornog polja manjinski nosioci u osiromaenom podruju stjeu tako
veliku kinetiku energiju da u atomima s kojima se sudaraju generiraju
nove nosioce koji se dalje lavinski umnoavaju.
LED (Light-emitting diode) emitira zraenje s pn spoja protjecanog
propusnom strujom. Graom i vrstom materijala optimirana je na
naglaavanje onih rekombinacija u graninom podruju koje imaju za
posljedicu emisiju fotona. Ovisno o vrsti materijala i gustoi dopiranja
postiu se razliite valne duine (od infracrvenih do ultraljubiastih) i
naponi koljena propusne karakteristike (od 1,2 V na vie). Podvrsta su
laserske diode s rezonancijskim efektom na odreenoj valnoj duini.
Fotodioda ima pn spoj izloen djelovanju fotona koji generiraju nosioce
naboja. Moe se optimirati na izvor struje (sunana elija, pn spoj vee
povrine) ili na senzorsku primjenu kad struja u zapornoj polarizaciji ovisi
o intenzitetu zraenja. Par LED-fotodioda (optoizolator) omoguuje prijenos
podataka bez galvanske veze.

135

Dioda
Schottky dioda koristi umjesto normalnog pn spoja vezu poluvodi-metal.
Odlikuje se malim propusnim naponom, malom zapornom strujom i malim
kapacitetom pa se koristi za brza preklapanja.
Varicap dioda slui kao kondenzator promjenjivog kapaciteta Cj pri
promjeni zapornog napona. Primjenjuje se pri naponskom upravljanju
frekvencije u oscilatorima.

9.3. Analiza strujnih krugova s diodom

9.3.1. Radna toka
Najjednostavniji strujni krug s diodom sastoji se od istosmjernog izvora s
naponom VDC, otpora R i diode. Struju kruga i=ID odreuju orijentacija
elemenata kruga i iznosi njihovih parametara. Par vrijednosti (VD, ID) je
ujedno toka karakteristike diode i naziva se radna toka.
R
+
i
v

VDC

Slika 910 Jednostavni strujni krug s diodom

Primjena 2. Kirchhoffovog zakona na krug na slici 9-10 daje:

VDC = Ri + v

(9.15)

gdje je i struja kruga, a v napon na diodi. Izraz je linearna funkcija, tj.

jednadba pravca u koordinatnom sustavu v, i.
Na propusno polariziranoj diodi vrijedi izraz (9.5) s nelinearnom ovisnou
v i i:
i = I Se

v
n V

(9.16)

Koordinate radne toke (i=ID, v=VD) mogu se iz jednadbi (9.15) i (9.16)

nai primjenom razliitih metoda. U grafikoj metodi jednadbe se nacrtaju
i presjecite grafova je traena radna toka (VD, ID).

136

ELEKTROTEHNIKA
i

VDC
R

radni pravac

ID

VD

VDC

Slika 911 Radna toka u serijskom spoju izvora, diode i otpora

Radna toka dijeli napon izvora VDC na napon na diodi VD i napon na

otporu VDCVD. Pri promjenljivom naponu izvora mijenja se poloaj radne
toke i raspodjela napona na diodi i otporu. Pri velikim vrijednostima
napona izvora VDC esto se u propusnom podruju napon diode VD moe
zanemariti, to znai koritenje modela idealne diode.

9.3.2. Poluvalno ispravljanje

Ispravljanje je postupak pretvorbe izmjeninog napona u istosmjerni,
potreban za napajanje istosmjernog troila s izmjenine mree.
Najjednostavniji poluvalni ispravlja moe se zamisliti izveden s brzom
sklopkom koja ukljuuje troilo na izvor tijekom npr. pozitivnog poluvala
napona izvora, dok je iskljuena tijekom negativnog. U spoju s izvorom
izmjeninog napona v i = VM sin ( t ) i troilom omskog otpora R funkciju
takve sklopke ostvaruje idealna dioda.

Slika 912 Dioda kao idealna sklopka

Tijekom pozitivnog poluvala (vi>0) dioda vodi struju i djeluje kao ukljuena
sklopka, pa je napon vo na otporu:
vo = vi

137

(9.17)

Dioda
Za vi<0, dioda je reverzno polarizirana, djeluje kao iskljuena sklopka i
vrijedi:
vo = 0

(9.18)

ili analitiki
V sin ( t ) za 2 (k 1) t ( 2k 1)
vo = M
pri k = 1,2,3... (9.19)
0
za ( 2k 1) t 2k

Takav se oblik naziva poluvalno ispravljeni oblik, periodian je s vremenom

2
ponavljanja T =
i prikazuje ga slika 9-13.

v i ,v o
VM
vo
T /2

0
vi

T
2

R
VM

vi

Slika 913 Poluvalni ispravlja

a) spoj b) valni oblici

Struja kruga jednaka je po Ohmovom zakonu

i=

vo
R

(9.20)

i ima vremensku zavisnost istog oblika kao i napon. Srednja vrijednost

periodinog napona jednaka je srednjoj vrijednosti u jednom periodu i
primijenjena na ispravljeni napon vo iznosi:
T

Vsr =

1
v o dt
T 0

(9.21)

koja za uvrteni vo prema izrazu (9.17) daje vrijednost

Vsr =

VM

(9.22)

Izrazi (9.21) i (9.22) mogu se primijeniti i na struju istog oblika. Primjeuje

se da je srednja vrijednost openito jednaka konstantnom lanu (s
frekvencijom nula) u Fourier-ovom redu koji izraava bilo koji periodiki, pa
i ovaj poluvalno ispravljeni oblik.
Efektivna vrijednost mjerodavna je za toplinske uinke i jednaka je
kvadratnom korijenu iz srednje vrijednosti kvadrata trenutnih iznosa (engl.
root-mean-square: RMS), a za poluvalno ispravljeni napon vo iznosi
138

ELEKTROTEHNIKA
T

Vef =

1 2
v o dt
T 0

(9.23)

te izraunata za uvrteni (9.17) daje

Vef =

VM
2

(9.24)

Moe se uoiti da je efektivna vrijednost jednaka drugom korijenu iz snage

signala (vidi Parseval-ovu jednadbu u Fourier-ovoj analizi).
Dioda u poluvalnom ispravljau treba biti u stanju podnositi efektivnu
struju Ief koja je zagrijava, te na frekvenciji izvora periodiki pojavljujue
zaporni napon VM i tjemenu struju IM.
Glavni su nedostaci poluvalnog ispravljanja:

istosmjerne veliine troila izrazito su impulsne na frekvenciji izvora

napajanja, to za mnoge primjene nije prihvatljivo,

vremenski isprekidano je optereenje izvora,

izmjenini izvor je nesimetrino optereen (istosmjernom

komponentom).

Ako se paralelno troilu prikljui kondenzator s kapacitetom C, postiu se

sljedei efekti ovisni o iznosu vremenske konstante RC:

poveava se srednji iznos istosmjernog napona na troilu i struje

kroz troilo,

smanjuje se valovitost napona na troilu (vomaxvomin),

skrauje se vrijeme (kut) voenja diode,

diodu i izvor optereuju strujni impulsi veih tjemenih iznosa,

dioda je optereena veim reverznim naponom

(za RC , v Z 2VM ).
v i ,v o , i D

t1

iD

vi

t2

0 1 2

iR

vo

VSR

VM
VRM

iD
T

v0=vC

VM

vi

Slika 914 Kondenzator paralelan otporu u poluvalnom ispravljau

139

Dioda

9.4. Tiristor i trijak

Dioda se moe promatrati kao sklopka koja istosmjerno troilo ukljuuje
poetkom pozitivnog poluvala na napon izmjeninog izvora, a iskljuuje na
zavretku poluvala. Srednja vrijednost napona i struje te srednja snaga na
troilu nepromjenljivi su kod uobiajenog stalnog napona izvora. Osobito bi
kod troila velikih snaga dobro dola mogunost promjene snage
istosmjernog troila (od najvee do nule), za to bi trebalo osigurati laku
promjenu srednje vrijednosti ispravljenog napona (od najvee do nule). Kad
bi brza sklopka mogla kontrolirano ukljuivati i iskljuivati i u trenutcima
koji nisu samo granice poluvala, to bi bilo postignuto.
Neka sklopka ukljuuje u trenutku t =
t=

, a iskljuuje krajem poluvala u

u spoju prema slici 9-15 troilo otpora R na izvor s naponom

v i = VM sin ( t ) . Na troilu e postojati napon

VM sin ( t ) za 2 (k 1) + t ( 2k 1) pri k = 1,2,3...
vo =

0
za ( 2k 1) t 2k

te 0

(9.25)

Srednja vrijednost napona vo iznosi

Vsr =

1
2

v o dt =
0

V
1
VM sin (t ) d(t ) = M (1 + cos )
2
2

i moe se mijenjati promjenom kuta okidanja izmeu 0 i

(9.26)

VM
.

v i ,v o
VM

vi

vo
R

VM

vo

vi

Slika 915 Tiristorski ispravlja

a) shema b) valni oblici napona

Elektroniki element kojim se priblino ostvaruje opisano ponaanje naziva

se tiristor. Slika 9-15 prikazuje spoj tiristorskog ispravljaa i valni oblik
prema izrazu (9.26). Na mjestu sklopke nalazi se tiristor.

140

ELEKTROTEHNIKA
anoda
P
N
upravljaka
elektroda

i
anoda

J1
J2
J3

upravljaka
elektroda
katoda

vAK

katoda

Slika 916 Tiristor, sastav, simbol i statika karakteristika

a) podruje blokiranja b) podruje voenja
c) zaporno podruje d) podruje proboja

Slika 9-16 prikazuje grau, simbol i statiku karakteristiku tiristora. U

statikoj karakteristici podruje a) je podruje blokiranja. Pri pozitivnim
naponima vAK struja ne tee. Ako vAK nadmai prekretnu vrijednost ili ako
se strujnim impulsom prekretna vrijednost smanji, tiristor provede i radna
toka skae u podruje voenja b). Struja tada ovisi o ostalim elementima
strujnog kruga, a napon vAK poprima iznos 1 do 2 V, ovisno o struji. U
podruju zaporne polarizacije c) pri negativnim vAK struja ne tee, dok pri
prevelikim iznosima zapornog napona dolazi do proboja d). Podruja c) i d)
slina su istima kod diode.
Uvjeti za provoenje tiristora su anoda A pozitivnija od katode K (to ima
dioda) i dostatna struja upravljake elektrode G. U tiristorskom ispravljau
ta dostatna struja ostvaruje se najee strujnim impulsom na upravljakoj
elektrodi u eljenom trenutku (pri kutu okidanja na slici 9-16 b). Strujni
impuls dobiva se iz prikladnog impulsnog generatora. Standardni tiristor
prestaje voditi kad struja koja tee smjerom anoda katoda padne ispod
minimalne struje dranja IH, to se pri omskom teretu dogaa na kraju
svakog pozitivnog poluvala. Tijekom voenja (kut voenja ) promjene struje
upravljake elektrode kod standardnih titistora nemaju uinka. U stanju
voenja anoda je pozitivnija od katode za 1 do 3 V, ovisno o struji. Preveliki
zaporni naponi dovode do proboja kao kod diode.
Postoje inaice tiristora s mogunou prekidanja voenja prikladnim
strujnim impulsom na upravljakoj elektrodi i nazivaju se GTO (Gate-TurnOff) tiristori. Primjenjuju se pri velikim snagama.
Potreba da se upravlja snagom u oba poluvala izmjeninog napona dovodi
do antiparalelnog spoja dva tiristora. Jedan od tiristora upravlja pri jednom
smjeru struje, drugi pri suprotnom. Element s ponaanjem poput takvog
spoja naziva se trijak.

141

Dioda
MT1

MT1

upravljaka
elektroda

MT2

MT2

0
MT2

N
N

vMT

MT1
upravljaka
elektroda

-i

Slika 917 Ekvivalentni spoj, simbol, sastav i statika karakteristika

Statika karakteristika trijaka simetrina je s obzirom na ishodite. Glavni

prikljuci izmeu kojih se trijak ponaa kao sklopka oznauju se s MT1 i
MT2 (Main Terminal). Tiristor i trijak izrauju se i kao komponente velikih
snaga, te sudjeluju u upravljanju velikim energijama.

Primjer 9.1

Na propusno polariziranoj diodi izmjereni su parovi napona i struje prema

tablici. Treba nai struju zasienja IS i emisijski koeficijent diode n te
grafiki prikazati ln(i)=f(v).
Tablica 93 Tablica uz primjer 9.1

propusni napon [V]

propusna struja [A]

0,1

0,13310-12

0,2

1,79010-12

0,3

24,0210-12

0,4

0,32110-9

0,5

4,31010-9

0,6

57,6910-9

0,7

7,72610-7

Rjeenje
% Diodni parametri
vt = 25.67e-3;

142

ELEKTROTEHNIKA
v = [0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7];
i = [0.133e-12 1.79e-12 24.02e-12 321.66e-12 4.31e-9 57.69e-9
772.58e-9];
lni = log(i); % prirodni log struje
% linearni model najbolje prilagoden podacima
p_fit = polyfit(v,lni,1);
% linearna jednadzba je y = m*x + b
b = p_fit(2);
m = p_fit(1);
ifit = m*v + b;
% racunanje Is i n
Is = exp(b)
n = 1/(m*vt)
% crtanje linearne ovisnosti ln(i)=f(v)
plot(v,ifit,'b', v, lni,'or')
axis([0,0.8,-35,-10])
xlabel('napon, V')
ylabel('ln(i)')
title('Propusno podrucje silicijske diode prema mjernim
podacima')

Poziv programa daje:

>>Is =
9.9525e-015
n =
1.5009

i grafiki prikaz:

Slika 918 Slika zu primjer 9.1

Prema (9.11) odsjeak na ordinati pri v=0 jednak je ln (i ) = ln ( I S ) .

143

Dioda
Primjer 9.2

Za strujni krug sa serijskim spojem naponskog izvora, otpornika i diode

zadano je: R=100 , VDC=10 V, IS=10-12 A, n=1,1 (uz pretpostavku da je
temperatura 25C). Treba:
a) pomou Matlab programa nacrtati propusnu karakteristiku diode i
radni pravac troila,
b) iz grafa oitati koordinate radne toke diode.
Rjeenje
% Odredjivanje radne tocke koristenjem graficke tehnike
% jednadzba diode
k = 1.38e-23; q = 1.6e-19;
t1 = 273 + 25; vt = k*t1/q;
v1 = 0.25:0.0005:1.1;
i1 = 1.0e-14*exp(v1/(1.1*vt));
% radni pravac iz KZ2: 10=(1.0e2)i2 + v2
vdc = 10;
r = 1.0e2;
v2 = 0:2:10;
i2 = (vdc - v2)/r;
% crtanje
plot(v1,i1,'r', v2,i2,'b')
axis([0,2, 0, 0.15])
title('Odredivanje radne tocke grafickom metodom')
xlabel('napon, V')
ylabel('struja, A')
text(0.4,1.05e-1,'radni pravac')
text(1.08,0.3e-1,'karakteristika diode')

Slika 919 Slika uz primjer 9.2

Iz crtea se moe oitati: ID=0,09 A i VD=0,85 V.

144

ELEKTROTEHNIKA
Primjer 9.3

Slika 920 Slika uz primjer 9.3

Bateriju s naponom VB=11,8 V treba puniti preko idealne diode u strujnom

krugu prema slici. Napon izvora iznosi vs(t)=18 sin(120 t) V, a otpornik
ima vrijednost R=100 . Pomou Matlab programa treba:
a) nacrtati ulazni napon,
b) nacrtati struju kroz diodu,
c) izraunati kut voenja diode,
d) izraunati vrnu (tjemenu) vrijednost struje.
Rjeenje

Dioda vodi (id>0) kad je vs>VB to se u prvom periodu ostvaruje pri kutu
1<t<2 i ponavlja svakih 2. Za granice vrijedi
18 sin 1 = 18 sin (120 t1 ) = VB = 11,8

1 = arcsin

11,8
= 0,7149 rad
18

18 sin 2 = 18 sin (120 t 2 ) = VB = 11,8

Zbog simetrije vrijedi: 2 = 1 = 0,7149 = 2, 4267 rad

Kut voenja iznosi 2 1 = 2, 4267 0,7149 = 1,7118 radijana.
Dioda ne vodi (id=0) kad je vs<VB to je u jednom ciklusu ispunjeno pri
kutevima t<1 i t>2.
Tijekom voenja struja id iznosi:
id =

v S VB
R

a njena tjemena vrijednost nastupa u t =

IT =

VM VB 18 11,8
=
= 0,062 A
100
R

Matlab program
% Krug za punjenje baterije
r = 100;
period = 1/60;
period2 = period*2;

145

i iznosi
2

Dioda
inc =period/100;
npts = period2/inc;
vb = 11.8;
t = [];
for i = 1:npts
t(i) = (i-1)*inc;
vs(i) = 18*sin(120*pi*t(i));
if vs(i) > vb
idiode(i) = (vs(i) -vb)/r;
else
idiode(i) = 0;
end
end
subplot(211), plot(t,vs)
% graf ulaznog napona
xlabel('vrijeme, s')
ylabel('napon, V')
text(0.027,10, 'ulazni napon')
subplot(212), plot(t,idiode)
% graf struje diode
xlabel('vrijeme, s')
ylabel('struja, A')
text(0.027, 0.7e-1, 'struja diode')
% kut vodjenja
theta1 = asin(vb/18); theta2 = pi - theta1;
kut = (theta2 - theta1)
% vrsna vrijednost struje
vrsna_vr = (18*sin(pi/2) - vb)/r
% pcurrent = max(idiode)

koji pozivom daje:

>> pr6_4
kut =
0.2724
vrsna_vr =
6.2000e-004

Slika 921 Slika uz primjer 9.3

146