APUNTESFFI-1 Fisica

Apuntes de apoyo a la asignatura
FUNDAMENTOS FSICOS DE
LA INFORMTICA
E.T.S. de Ingeniera Informtica
UNIVERSIDAD DE SEVILLA
Francisco L. Mesa Ledesma
ii
Copyright 2002 by Francisco L. Mesa Ledesma; esta informacin puede ser copiada, distribuida y/o modificada bajo ciertas condiciones, pero
viene SIN NINGUNA GARANTA; ver la Design Science License para ms
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END OF TERMS AND CONDITIONS
2
Apuntes de FFI
FLML
ndice general
1. Electrosttica
1.1. Introduccin
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Campo elctrico de una distribucin de cargas . . . . . . . .
1.2.1. Ley de Coulomb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2. Principio de superposicin . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.3. Campo elctrico de cargas puntuales . . . . . . . . . .
1.2.4. Campo elctrico de distribuciones continuas de carga
1.2.5. (*) Ley de Gauss
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3. Potencial elctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12
1.4. Conductores en un campo electrosttico . . . . . . . . . . . .
15
1.4.1. Campo de un conductor cargado en equilibrio electrosttico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
1.4.2. Conductor neutro en un campo elctrico externo . . .
16
1.5. Condensadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
1.5.1. Capacidad de un conductor . . . . . . . . . . . . . . . .
17
1.5.2. Influencia entre conductores . . . . . . . . . . . . . . .
19
1.6. Energa Electrosttica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20
1.6.1. Trabajo para trasladar una carga puntual . . . . . . . .
20
1.6.2. Energa en un condensador de placas paralelas . . . .
21
1.7. Dielctricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
23
1.8. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
2. Circuitos de Corriente Continua
29
2.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
2.2. Vector densidad de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30
2.3. Conductividad, Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
2.3.1. Conductividad elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
III
iv
NDICE GENERAL
2.3.2. Ley de Ohm circuital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
2.3.3. Efecto Joule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
36
2.4. Fuerza electromotriz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
2.4.1. Potencia suministrada por el generador . . . . . . . .
39
2.5. Reglas de Kirchhoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
2.5.1. Regla de Kirchhoff de las tensiones . . . . . . . . . . .
40
2.5.2. Regla de Kirchhoff de las intensidades . . . . . . . . . .
41
2.6. Resolucin de circuitos de corriente continua . . . . . . . . .
42
2.6.1. (*) Mtodo de las corrientes de malla . . . . . . . . . .
43
2.6.2. (*) Teorema de superposicin . . . . . . . . . . . . . . .
44
2.6.3. (*) Teorema de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . .
46
2.6.4. Balance de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
47
2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador . . . . . . .
47
50
3. Magnetosttica
53
3.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
3.2. Fuerza de Lorentz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
3.2.1. Movimiento de una carga puntual en presencia de un

campo magntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
54
3.2.2. Efecto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
57
3.3. Fuerzas magnticas sobre conductores . . . . . . . . . . . . .
59
3.3.1. Fuerza magntica sobre un hilo . . . . . . . . . . . . .
59
3.3.2. Momento de la fuerza sobre una espira de corriente .
60
3.4. Ley de Biot-Savart
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
62
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
64
Campo magntico producido por un hilo infinito y

rectilneo de radio R recorrido por una intensidad I .
65
3.5.2. Campo magntico en un solenoide . . . . . . . . . . .
66
67
3.5. Ley de Ampre

3.5.1.
4. Induccin electromagntica
Apuntes de FFI
71
4.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
71
4.2. Ley de Faraday . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
72
4.2.1. Fuerza electromotriz de movimiento . . . . . . . . . .
72
4.2.2. Fuerza electromotriz inducida . . . . . . . . . . . . . .
74
FLML
NDICE GENERAL
4.3. Inductancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
78
4.3.1. Inductancia mutua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
78
4.3.2. Autoinduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
80
4.3.3. Transitorios en circuitos RL . . . . . . . . . . . . . . . .
82
4.4. Energa magntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
84
4.5. Ley de Ampre-Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
86
4.6. Ecuaciones de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
89
92
5. Circuitos de Corriente Alterna

5.1. Introduccin
95
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
95
5.2. Generador de fem alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
96
5.3. Aspectos generales de funciones armnicas . . . . . . . . . .
97
5.3.1. Valores eficaces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
97
5.3.2. Anlisis fasorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
98
5.4. Relacin I V para Resistencia, Condensador y Bobina . . 100

5.5. Anlisis fasorial de circuitos de CA . . . . . . . . . . . . . . . . 101
5.5.1. Expresiones fasoriales para resitencia, condensador y
bobina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
5.5.2. Reglas de Kirchhoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
5.5.3. Circuito RLC serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.5.4. Resonancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
5.5.5. (*) Anlisis de mallas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.6. Balance de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
5.6.1. Potencia media . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
5.6.2. Factor de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
5.6.3. Consumo de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
6. Ondas Electromagnticas
6.1. Introduccin
117
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
6.2. Nociones generales de ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118

6.2.1. Ecuacin de ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
6.2.2. Ondas armnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
6.3. Ecuacin de Ondas Electromagnticas . . . . . . . . . . . . . 124
FLML
Apuntes de FFI
vi
NDICE GENERAL
6.3.1. (*) Derivacin matemtica de la ecuacin de onda . . 125

6.4. Ondas electromagnticas planas armnicas . . . . . . . . . . 127
6.5. Intensidad de la onda electromagntica . . . . . . . . . . . . . 129
6.6. Interferencia de Ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
6.6.1.
Superposicin de dos ondas electromagnticas planas armnicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
6.6.2. Focos incoherentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134

6.6.3. Focos coherentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
6.7. (*) Difraccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
6.8. Ondas estacionarias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
6.9. Espectro electromagntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
6.10. Fuentes de las Ondas Electromagnticas . . . . . . . . . . . . 146
6.11.Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
7. Semiconductores
151
7.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151

7.2. Cuantizacin de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
7.2.1. Hiptesis de Planck
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
7.2.2. Efecto fotoelctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155

7.3. Naturaleza dual de la radiacin y la materia . . . . . . . . . . 158
7.3.1. Dualidad de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
7.3.2. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
7.3.3. Nmeros cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
7.3.4. Spin del electrn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
7.3.5. (*) Tabla peridica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
7.4. Estructura cristalina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
7.5. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
7.6. Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . . . . . 173
7.7. Masa efectiva. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
7.7.1. Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
7.7.2. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
7.7.3. Generacin y recombinacin de electrones y huecos . 178
7.8. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
7.9. Semiconductores Extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
7.9.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
Apuntes de FFI
FLML
vii
NDICE GENERAL
7.9.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182

7.9.3. Ley de accin masas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
7.9.4. Compensacin y Neutralidad de la carga espacial . . . 184
7.9.5. Clculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . . . . . 185
7.10.Corrientes de Arrastre y Difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
7.10.1. Proceso de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
7.10.2. Corriente de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
7.10.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
7.10.4. Campo elctrico interno . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
7.11.Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
8. Propiedades electrnicas y pticas de la unin p-n
197
8.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197

8.2. Unin p-n en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
8.2.1. Potencial de Contacto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
8.2.2. Regin de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
8.3. Unin p-n polarizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 201
8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin . 202
8.4. Ecuacin del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
8.5. Diodo LED y Diodo Lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
8.5.1. Propiedades elctricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
8.5.2. Propiedades pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
8.5.3. (*) Estructura del lser semiconductor . . . . . . . . . 214
8.5.4. (*) Aplicaciones del Lser de Inyeccin . . . . . . . . . 217
8.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
A. Anlisis vectorial
221
A.1. Vectores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221

A.1.1. Notacin vectorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
A.1.2. Suma de vectores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
A.1.3. Producto escalar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
A.1.4. Producto vectorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
A.1.5. Productos triples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
A.1.6. Diferencial y derivada de funciones de una sola variable225
A.1.7. Teorema fundamental del clculo . . . . . . . . . . . . 225
FLML
Apuntes de FFI
viii
NDICE GENERAL
A.1.8. Diferencial y derivada parcial de funciones de varias

variables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
A.1.9. Operador gradiente
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
A.1.10.Integral de camino . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227

A.1.11. Teorema fundamental del gradiente . . . . . . . . . . 228
A.2. Integral de flujo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
A.3. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
B. Constantes fundamentales
231
C. Promedios estadsticos
233
C.1. Sistemas Discretos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233

C.2. Sistemas Continuos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
D. Propiedades de algunos materiales semiconductores
Apuntes de FFI
235
FLML
Prefacio
La presente coleccin de notas sobre Electromagnetismo, Circuitos, Ondas
y Fundamentos de Semiconductores pretende ser una ayuda al estudiante en la
asignatura cuatrimestral Fundamentos Fsicos de la Informtica de la E.T.S. de Ingeniera Informtica de la Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han sido
inspiradas por diversas fuentes (permtaseme destacar y agradecer la importante
contribucin de los profesores de la ETS de Ingeniera Informtica del Departamento de Fsica Aplicada 1 de la Universidad de Sevilla y, en especial, al Prof. Gonzalo Plaza) cualquier defecto o error slo es atribuible al autor de estos apuntes.
Es importante resaltar que estas notas no pueden ni deben sustituir a otros textos
ms elaborados sobre la materia.
El propsito principal de la materia aqu presentada es dotar al alumno de
algunos de los fundamentos fsicos elementales en los que se basa el funcionamiento de los dispositivos y sistemas usados en Informtica. Gran parte de la
tecnologa actual de los computadores se basa en la Electrnica y, puesto que la
Electrnica consiste bsicamente en el control del flujo de los electrones en materiales conductores y semiconductores, es evidente la necesidad de estudiar en
primer lugar el comportamiento general de las cargas y corrientes elctricas. Este
estudio se llevar a cabo mediante una serie de temas dedicados al Electromagnetismo bsico y a la Teora de Circuitos de corriente continua y alterna. Por otra
parte, dada la relevancia de las ondas electromagnticas en las comunicaciones
actuales, y en particular la transmisin de datos en las redes de ordenadores, se
llevar a cabo un estudio general de las ondas para acabar con una descripcin y
anlisis elemental de las ondas electromagnticas. En la ltima parte de la asignatura veremos algunos aspectos bsicos del funcionamiento de los dispositivos
semiconductores, fundamentalmente la unin pn.
Por ltimo no me gustara acabar estas lneas sin resaltar una mxima muy
antigua atribuida a Confucio, y que creo que resume con mucha precisin la naturaleza del proceso de aprendizaje.
Lo escuch y lo olvid...
Lo vi y lo entend...
Lo hice y lo aprend.
Con estas palabras solo deseo motivar a los posibles lectores de estos apuntes con
la idea de que nicamente su esforzada labor personal podr guiarles adecuadamente por el camino de un aprendizaje provechoso.
F RANCISCO L. M ESA L EDESMA
Sevilla, mayo de 2011
IX
Apuntes de FFI
NDICE GENERAL
FLML
T EMA 1
Electrosttica
1.1. Introduccin
Dado que uno de los objetivos de esta asignatura ser el estudio bsico de los principales fenmenos electromagnticos y buena parte de estos
fenmenos estn relacionados con la interaccin entre cargas elctricas,
empezaremos este tema con el estudio de las interacciones de cargas elctricas en reposo. La parte del Electromagnetismo que aborda esta materia
se denomina Electrosttica.
La carga elctrica es una propiedad fundamental e intrnseca de la materia (al igual que la masa) que tiene las siguientes propiedades:
Presenta dos polaridades: positiva y negativa. Cantidades iguales de
ambas polaridades se anulan entre s.
La carga total del universo (suma algebraica de todas las cargas existentes) se conserva, esto es, la carga no se puede crear ni destruir. No
obstante, debe notarse que esto no imposibilita que cargas positivas
y negativas se anulen entre s.
Adems de esta propiedad de conservacin global, la carga tambin
se conserva localmente. Esto quiere decir que si cierta carga desaparece en un sitio y aparece en otro, esto es porque ha viajado de un
punto a otro.
La carga esta cuantizada: cualquier carga que existe en la naturaleza
es un mltiplo entero de una carga elemental q e . Esta carga elemental corresponde a la carga del protn.
La unidad de carga en el Sistema Internacional es el culombio (C) y equivale a la carga de 6,2414959 1018 protones, o lo que es lo mismo, la carga
del protn es q e = 1,60218 1019 C.
Es interesante hacer notar que de las cuatro interacciones fundamentales de la naturaleza: nuclear fuerte, electromagntica, nuclear dbil y gravitatoria, la interaccin electromagntica (o electrosttica cuando es entre
1
Unidad de carga elctrica

1 culombio (C)
Tema 1.
Electrosttica
cargas en reposo) es la segunda ms fuerte. De hecho la interaccin elctrica entre dos electrones (de carga e igual a q e ) es aproximadamente 1039
veces ms fuerte que su correspondiente interaccin gravitatoria. Esto da
una idea de la magnitud tan importante de las fuerzas elctricas. No obstante, en la naturaleza hay muchas situaciones en las que la interaccin
elctrica no se manifiesta debido a la compensacin tan precisa que ocurre en la materia entre cargas positivas y negativas. De hecho los agregados
de materia se presentan generalmente en forma neutra y por ello las interacciones entre grandes cantidades de materia (planetas, estrellas, etc)
es fundamentalmente de carcter gravitatorio. No obstante, esto no implica que la interaccin entre cargas elctricas sea irrelevante sino que por el
contrario, estas interacciones estn en la base de multitud de fenmenos
fundamentales, por ejemplo: la formacin y estabilidad de los tomos, las
fuerzas moleculares, las fuerzas de rozamiento, las tensiones mecnicas,
las fuerzas de contacto, etc.
1.2. Campo elctrico de una distribucin de cargas

1.2.1. Ley de Coulomb
F
r
q
El estudio de la Electrosttica se iniciar mediante la ley de Coulomb,

ley experimental que describe la interaccin entre dos cargas puntuales
en reposo en el vaco (esto es, no existe ningn medio material entre ellas).
El concepto de carga puntual es una idealizacin por la que se considerar que cierta carga est localizada estrictamente en un punto. Aunque en
principio, esta idealizacin pudiera parecer poco realista, la experiencia
demuestra que es una aproximacin muy precisa en mltiples situaciones. De hecho, la carga uniformemente distribuida de cuerpos esfricos o
incluso cuerpos cargados considerados a distancias lejanas se comportan
muy aproximadamente como cargas puntuales.
~ , que ejerce una
La ley de Coulomb ( 1785) establece que la fuerza, F
carga fuente q sobre una carga prueba Q, viene dada por la siguiente expresin:
1 qQ
1 qQ
~=
~
r
F
r ,
(1.1)
40 r 2
40 r 3
donde 0 es una constante llamada permitivad del vaco cuyo valor en el
S.I. es
2
C2
1
9 Nm
0 = 8,85 1012
=
9
10
.
(1.2)
40
Nm2
C2
y
~
r = |~
r |r
(r |~
r |)
es el vector que va desde la carga fuente hasta la carga prueba siendo r = |~

r|
su mdulo y r =~
r /r su vector unitario asociado.
Vea el Apndice A para un breve repaso de vectores y tenga en cuenta
que en las guras del presente texto usaremos tipo de letra negrita para
Apuntes de FFI
FLML
denotar a los vectores, de modo que
~
u u.
Adems los vectores unita-
rios se denotarn en letra negrita con el signo
encima,
u
~
u . Asimiscomo |~
u | o bien
de modo que
debe leerse como vector unitario en la direccin y sentido de

mo el mdulo del vector
simplemente como
~
u
se denotar indistintamente
u.
Algunas propiedades destacables de la ley de Coulomb, expresin (1.1),

son:
La fuerza va dirigida segn la lnea que une las dos cargas (fuerza
central), estando su sentido determinado por el signo del producto
qQ. Por tanto, la fuerza entre dos cargas ser atractiva para cargas de
signo opuesto o bien repulsiva para cargas del mismo signo.
F
+Q
+q
La fuerza decrece con el cuadrado de la distancia. No obstante, a distancias cortas esta interaccin crece extraordinariamente.
~
La fuerza que ejercera la carga prueba sobre la carga fuente sera F
(principio de accin y reaccin).
-Q
+q
F
1.2.2. Principio de superposicin
-F
La ley de Coulomb describe el efecto de una nica carga puntual fuente, q, sobre la carga prueba, Q. El efecto de un conjunto de cargas sobre
cierta carga prueba viene determinado por el principio de superposicin.
Este principio de superposicin establece que
+Q
+q
F
FN
La interaccin entre dos cargas es completamente independiente de la presencia de otras cargas.
r1
Esto significa que para calcular el efecto de un conjunto de cargas fuente sobre cierta carga prueba, se puede proceder calculando el efecto de cada una de las cargas fuentes sobre la carga prueba para obtener el efecto
~ =F
~1 + F
~2 + ).
total como la suma de los efectos parciales (esto es, F
q1
F2
F1
r2
rN
q2
qN
De este modo, la fuerza que produce el conjunto de cargas fuentes,

{q 1 , q 2 , , q N }, sobre la carga prueba Q situada en el punto P puede calcularse como
~ (P ) =
F
N
X
i =1
~i =
F
N q Q
1 X
i
ri
40 i =1 r i2
N q
Q X
i
ri .
40 i =1 r i2
(1.3)
(1.4)
1.2.3. Campo elctrico de cargas puntuales

En la expresin de la fuerza dada por (1.4) puede apreciarse que el sumatorio depende exclusivamente de la configuracin de cargas fuente, por
lo que podemos escribir
~ (P ) = Q E
~ (P ) ,
F
(1.5)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
Electrosttica
~ (P ) se denomina campo elctrico producido por las cardonde el vector E

gas fuente en el punto P , viniendo ste dado por
Campo elctrico de una
distribucin de cargas puntuales
Unidad de campo elctrico:

1 N/C
~ (P ) =
E
N q
N q
1 X
1 X
i
i
~
r
ri .
i
40 i =1 r i2
40 i =1 r i3
(1.6)
~ permite definir una magnitud vecLa introduccin de este vector E

torial que vara punto a punto y que slo depende de las cargas fuentes.
De este modo se consigue dotar a cada punto del espacio de una propiedad vectorial tal que el producto del valor de una carga prueba situada en
ese punto por el valor de dicho vector en ese punto proporciona la fuerza
que ejercer la configuracin de cargas fuentes sobre dicha carga prueba.
~ , puede, por tanto, definirse como la
En este sentido, el campo elctrico, E
fuerza por unidad de carga y sus unidades son consecuentemente N/C. Es
interesante observar que el campo elctrico recoge de alguna manera la
informacin sobre las cargas fuentes, escondiendo la disposicin particular de esta configuracin y mostrando nicamente su efecto global.
Tal y como se ha introducido el campo elctrico podra pensarse que
este campo es nicamente un ente matemtico til para calcular la fuerza
pero sin significado fsico concreto. No obstante, tal y como se ver en te~ posee por s mismo una realidad fsica clara y por tanto
mas posteriores, E
desde este momento es conveniente considerar al campo elctrico como
un ente real (con el mismo grado de realidad fsica que la fuerza o el momento lineal) independiente de la presencia o no de carga prueba.
A partir de la expresin (1.6), el campo producido por una carga puntual en el punto P (OP ~
r ) vendr dado por
~ (P ) =
E
Apuntes de FFI
1 q
r .
40 r 2
(1.7)
~ en ciertos
Una forma de visualizar dicho campo es dibujando el vector E
puntos del espacio. No obstante, es ms conveniente describir el campo
mediante las lneas de campo, que son aquellas lneas tangentes en cada
uno de sus puntos al vector campo. Para un sistema de dos cargas idnticas
en magnitud, una positiva y otra negativa, las lneas de campo salen de la
carga positiva y acaban en la carga negativa segn el patrn que se muestra
en la figura. Este hecho particular es una propiedad del campo electrosttico, esto es, las lneas de campo salen de las cargas positivas y acaban en
las negativas o van al infinito. Dado que las cargas elctricas son las nicas fuentes del campo electrosttico, siempre que existan cargas elctricas
descompensadas espacialmente (cuando no se anulen unas a otras en cada punto), existir campo electrosttico.
FLML
E JEMPLO 1.1 Calcular el campo en el punto P debido al efecto de las tres cargas
sealadas en el dibujo.
Para calcular el campo elctrico en el punto P aplicaremos el principio de superposicin, por lo que primero debemos obtener el campo producido por cada
una de las cargas. Antes de calcular este campo, debemos identificar el vector que
va desde cada una de las cargas hasta el punto de observacin P . Segn el dibujo
adjunto tendremos que
1
1
1
1
1
1
~
r 2 = x y , ~
r 3 = x + y ,
r 1 = x + y , ~
2
2
2
2
2
2
siendo el mdulo de los tres anteriores vectores idntico y de valor
p
|~
r i | D = 1/2 .
El campo en P viene dado por
~ (P ) =
E
3
X
1 qi
~
r ,
3 i
4
0 ri
i =1
por lo que tras sustituir el valor de ~

r i obtenido anteriormente tenemos que
1
1
1
1
1
1
1 q
~ (P ) =
(
x
+
y
)
+
2(
x
y
)
3(
x
+
y
)
E
40 D 3 2
2
2
2
2
2
p
1 q
2 2q
=
(3x 2y) =
(3x 2y) .
40 D 3
40
1.2.4.
Campo elctrico de distribuciones continuas de carga
Aunque el carcter discreto de la materia (naturaleza atmica) es bien

conocido, en multitud de situaciones prcticas, este carcter discreto puede obviarse y considerar que la materia puede describirse como un continuo. Desde un punto de vista matemtico, esto implica que la materia
se describir como una superposicin de elementos diferenciales infinitesiR
males, por ejemplo para calcular su masa: m = d m (en vez de describir la
P
materia como un agregado de partculas individuales, donde: m = iN m i ).
Esta consideracin del continuo para la masa de la materia tambin es extensible a su carga, de modo que en mltiples situaciones la carga se considerar como una distribucin continua. En este caso, la carga total q de
una distribucin de carga se obtendr como
Z
q = dq .
(1.8)
Para obtener el campo elctrico producido por la anterior distribucin
de carga en un punto P , se considerar que la contribucin de cada ele~ (P ), puede asimento diferencial de carga, dq, al campo elctrico en P , dE
milarse al campo elctrico producido por una carga puntual de valor dq,
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
Electrosttica
cuya expresin vendr dada por
dE
~ (P ) =
dE
1 dq
r ,
40 r 2
(1.9)
donde el vector ~
r va desde la posicin de dq hasta el punto P .
dq
dE
El campo total producido por toda la distribucin de carga se obtendr usando el principio de superposicin, tal y como se hizo para cargas
discretas en (1.6), al sumar las distintas contribuciones infinitesimales:
dq
~ (P ) =
E
~ (P ) =
dE
1
40
dq
1
r
2
r
40
dq
~
r.
r3
(1.10)
En la prctica, para calcular el campo producido por las distribuciones

de carga se introduce el concepto de densidad de carga, que relaciona la
cantidad de carga existente en cada elemento diferencial con el volumen,
superficie o longitud de dicho elemento. En funcin del carcter geomtrico del elemento diferencial de carga pueden distinguirse tres tipos distintos de distribuciones de carga y expresar el campo en cada uno de los
casos segn:
Distribucin lineal de carga : dq = dl
~ (P ) =
E
1
40
r
dl .
r2
(1.11)
lnea
Distribucin superficial de carga : dq = dS

~ (P ) =
E
1
40
r
dS .
r2
(1.12)
superficie
Distribucin volumtrica de carga : dq = dV

~ (P ) =
E
1
40
r
dV .
r2
(1.13)
volumen
Debe notarse que en las integrales anteriores, la regin de integracin est

extendida nicamente a la regin donde existen cargas.
Apuntes de FFI
FLML
E JEMPLO 1.2 (*) Campo de una distribucin de carga lineal nita

Con referencia en la figura adjunta, el diferencial de campo en el punto P
viene dado por
1 dq
1 dx
~ (P ) =
dE
r =
r ,
(1.14)
2
40 r
40 r 2
donde
~
r = x x + R y
R
x
r = x + y = sen x + cos y .
r
r
Para expresar tanto dx como r en funcin del ngulo, debe considerarse que
x = R tan
dx = R sec2 d
r = R sec
y reescribir por tanto (1.14) como
1 R sec2 d
( sen x + cos y)
40 R 2 sec2
d
( sen x + cos y) .
=
40 R
~ (P ) =
dE
(1.15)
Para obtener el campo elctrico se integrar la expresin anterior, de modo que

E x (P ) =
40 R
E y (P ) =
40 R
1
Z 2
1
( sen )d =
cos d =
(cos 2 cos 1 )
40 R
(sen 2 sen 1 ) ,
40 R
(1.16)
(1.17)
Para el caso de un hilo infinito, se tiene que 1 = /2 y 2 = /2, por lo que

las componentes del campo elctrico al sustituir en (1.16) y (1.17) son
Ex
Ey
.
20 R
.....
donde 1 y 2 son los ngulos que determinan los bordes inferior y superior de
la distribucin lineal de carga (ntese que los ngulos son medidos en sentido
antihorario).
~ (P ) =
E
FLML
.
R
20 R
(1.18)
.....
Teniendo en cuenta la simetra cilndrica que presenta el problema, el campo para

el hilo infinito se puede expresar finalmente como
Apuntes de FFI
Tema 1.
Electrosttica
1.2.5. (*) Ley de Gauss
Ley de Gauss
r
q
La ley de Gauss ( 1867) dice que el flujo del campo elctrico debido a
una distribucin de carga a travs una superficie S es igual a 1/0 veces la
carga total, Q int , encerrada en el interior de la superficie S, esto es,
I
Q int
~ d~
E
S=
(1.19)
0
S
Aunque las expresiones (1.11)-(1.13) son suficientes para calcular el
campo en cualquier punto supuestas conocidas las distribuciones de carga
(tal como se ha mostrado en el Ejemplo 1.2), este procedimiento de clculo
no es trivial incluso para los casos ms simples. Afortunadamente la ley de
Gauss nos permitir obtener fcilmente el campo elctrico en una serie de
situaciones con alta simetra.
Para justificar la ley de Gauss, considrese el campo producido por una
carga puntual:
1 q
~=
r .
E
40 r 2
E
dS
r
q
Es interesante notar que la expresin (1.7) dice que el campo en una

superficie esfrica de radio r centrada en la posicin de la carga q puede
expresarse como
~ = |E
~ (r )|r ,
E
(1.20)
esto es, el mdulo del campo slo depende del radio de dicha esfera y va
siempre dirigido segn la normal exterior a dicha esfera en cada punto (este campo presenta, por tanto, simetra esfrica).
Si se realiza la siguiente integral (ver seccin A.2):
I
~ d~
E
S,
(1.21)
superf.
que se conoce con el nombre de flujo del campo elctrico, , para el campo producido por la carga puntual en una superficie esfrica de radio r
centrada en la carga q se tiene que
I
I
~ d~
~ (r )|
E
S = |E
=
r d~
S,
(1.22)
superf.
superf.
~ (r )| permanece constante al integrar sobre la superficie esfridado que |E

ca. Teniendo ahora en cuenta que
r d~
S = dS
(r d~
S) ,
la integral (1.21) puede escribirse para el presente caso como

I
~
~ (r )| (Area esfera)
= |E (r )|
dS = |E
superf.
=
Apuntes de FFI
1 q
q
(4r 2 ) =
.
2
40 r
0
(1.23)
FLML
Es interesante notar que el flujo no depende del radio de la esfera

y es igual al valor de la carga encerrada en la esfera dividido por 0 . Si se
considera, por tanto, una esfera centrada en el mismo punto y de distinto
radio, se obtendr que el flujo seguir siendo el mismo. Parece entonces
razonable suponer que el flujo a travs de cualquier superficie cerrada que
incluya a la carga y comprendida entre ambas esferas concntricas venga
tambin dado por q/0 .
Dado que el nmero de lneas de campo que atraviesa cualquiera de las

anteriores superficies es el mismo, el flujo del campo elctrico a travs de
estas superficies podra interpretarse como una medida del nmero de
lneas de campo que las atraviesa. En este sentido, si el nmero de lneas
de campo que atraviesa una superficie cerrada es cero (esto es, entran tantas lneas como salen), parece razonable suponer que el flujo del campo
elctrico a travs de dicha superficie sea igualmente nulo. Podra por tanto
escribirse para una superficie cerrada arbitraria, S, que el flujo de un carga
puntual a travs de dicha superficie es
q
~ d~
= E
S = o
S
0
I
S
q
si q S
(1.24)
en otro caso .
q
En el caso de que se tenga una distribucin de cargas puntuales, por el

principio de superposicin, se obtiene que
=
I
S
~ d~
E
S=
I X
S
~i d~
E
S=
XI
~i d~
E
S=
i ,
(1.25)
esto es, el flujo de la distribucin a travs de la superficie S es igual a la

suma del flujo asociado a cada una de las cargas individualmente. Dado
que el flujo asociado a una sola carga ya fue obtenido en (1.24) se puede
concluir que
I
Q int
~ d~
E
S=
,
0
S
donde Q int representa la carga total encerrada en el interior de la superficie
S. La expresin anterior tambin se aplica en el caso de una distribucin
continua de carga.
S
~ que atraviesa S en la gura adjunta.
E JEMPLO 1.3 Calcule el ujo de E
En la situacin mostrada en la figura, la carga en el interior de la superficie S es
justamente
Q int = q 1 + q 2 ,
por lo que el flujo a travs de dicha superficie, segn (1.19), ser
I
~ d~
= E
S
q1
q2
q3
q1 + q2
=
.
0
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
10
Ley de Gauss til en situaciones

de alta simetra
Electrosttica
Aunque la ley de Gauss (1.19) es vlida para cualquier tipo de distribucin de carga y superficie, sta slo es til para obtener el campo en
situaciones de alta simetra. Estas situaciones se dan cuando exista una superficie de Gauss, SG , tal que, en aquellas partes donde el flujo sea distinto
0
), la integral del flujo se pueda
de cero (superficie que se denominar SG
realizar de modo que el mdulo del campo sea constante sobre dicha superficie, esto es, cuando se pueda proceder de la siguiente manera:
I
I
~ d~
~|
=
E
S = |E
dS .
(1.26)
S G0
SG
Aplicaciones de la ley de Gauss

Algunas de las situaciones donde es til aplicar la ley de Gauss se detallan a continuacin:
l
S
dS
SL
S
Campo de un hilo recto infinito cargado.

Este campo ya fue obtenido en el Ejemplo 1.2 mediante integracin
directa. Ahora se obtendr siguiendo la ley de Gauss. Para ello puede notarse que debido a la simetra cilndrica del problema puede
deducirse que
~ = |E
~ (R)|R
.
E
Este hecho implica que se puede escoger como superficie de Gauss,

una superficie cilndrica cuyo eje coincida con el propio hilo. De este modo se tendr que el flujo a travs de las superficies superior e
~ d~
inferior (tapaderas del cilindro) es nulo dado que E
S en dichas
superficies y en la superficie lateral, el mdulo del campo ser constante, esto es,
I
I
~ d~
~ d~
~ (R)| S L .
E
S= E
S = |E
S L +S + +S
SL
El flujo debe ser igual al valor de la carga en el interior de la superficie

cerrada y sta incluye un trozo de hilo de altura h, por lo que Q int =
h. Por otra parte, como S L = 2Rh obtendremos que
~ |2Rh =
|E
h
,
0
de donde se deduce que el mdulo del campo viene dado por

~ (R)| =
|E
.
20 R
Campo de una distribucin uniforme esfrica de carga

Sea una esfera de radio R con una distribucin uniforme de carga
. Dado que en esta situacin el campo elctrico presenta simetra
~ = |E
~ (r )|r, se tiene que
esfrica, esto es, E
~ d~
~ (r )|r d~
~ (r )|dS
d = E
S = |E
S = |E
Apuntes de FFI
FLML
11
y, por tanto, el flujo a travs de una superficie de radio r y rea 4r 2

ser
I
I
~ (r )| dS = |E
~ (r )| (4r 2 )
=
d = |E
S
Q int (r )
.
0
Debe notarse que la carga total encerrada por la superficie slo depende del radio de esta superficie y por tanto slo debe considerarse
aquella carga en el interior del volumen de la esfera de radio r , esto
es,
(
Z
Z
si r < R
43 r 3
Q int = dV = dV =
4
3
3 R Q si r R .
V
V
A partir de los resultados de las expresiones anteriores puede fcilmente deducirse que el campo en cualquier punto viene dado por

r r
si r < R
30
~=
E
r si r R .
40 r 2
0
Campo de un plano infinito cargado uniformemente (SG 6= SG
) Un
plano infinito con una densidad de carga superficial uniforme provoca un campo elctrico del tipo
~ = |E
~ (y)|y .
E
El mdulo del campo no presenta dependencia respecto a las variables x y z debido a que cualquier punto con la misma coordenada y
es totalmente equivalente (es decir, desde cualquier punto del plano
y = Cte se observa la misma distribucin de cargas). Con respecto a
la direccin del campo, por simetra cualquier componente que no
sea vertical es perfectamente cancelada dado el carcter infinito del
plano.
Eligiendo como superficie de Gauss una superficie cilndrica como
la mostrada en la figura, se tiene que
I
Z
Z
~
~
~
~
~ d~
~ |S
E dS =
E dS +
E
S = 2|E
S+
S L +S + +S
e igualando el flujo al valor de la carga encerrada en el interior de la

superficie, Q int = S, se obtiene
~ |S =
2|E
S
0
~| =
|E
20
y, por tanto, el campo ser

~=
E
FLML
sign(y)y .
20
(1.27)
Apuntes de FFI
Tema 1.
12
Electrosttica
Es interesante notar que el campo, por ejemplo para y > 0, no depende de la altura sobre el plano y por tanto es constante en todos
los puntos (puede sorprender que incluso no decrezca con la distancia).
dl
1.3. Potencial elctrico
r
Si se realiza la integral de camino del campo elctrico producido por
una carga puntual, q, entre dos puntos A y B , a travs de una curva , se
obtiene que
G
A
q
C AB =
B
A,
~ d~
E
l=
1 q
q
r d~
l=
2
40
A, 40 r
r d~
l
.
2
A, r
B
(1.28)
El numerador de la integral anterior puede expresarse como

r d~
l = dl cos = dr
y por tanto se encuentra que
B
U
A
C AB
q
=
40
rB
rA
q
1
1
dr
=
.
r 2 40 r A r B
(1.29)
Es interesante observar en (1.29) que:

La integral de camino es independiente del camino tomado para ir
desde el punto A hasta el punto B ,
B
A,
~ d~
E
l=
B
A,
~ d~
E
l.
(1.30)
La integral de camino a travs de cualquier curva cerrada es nula,

I
~ d~
E
l =0.
(1.31)
Para una distribucin discreta/continua de carga, la integral de camino

del campo elctrico entre los puntos A y B puede calcularse, teniendo en
cuenta el principio de superposicin, como
!
Z B
Z B X
XZ B
~ d~
~i (~
~i (~
E
l=
E
r ) d~
l=
E
r ) d~
l.
(1.32)
A
Dado que esta magnitud se ha podido expresar como superposicin de las

circulaciones relacionadas con cargas puntuales, la circulacin del campo
de una distribucin arbitraria de cargas presentar las propiedades (1.30)
y (1.31) expuestas anteriormente. En particular la propiedad (1.31) (la circulacin del campo a lo largo de una curva cerrada es nula) nos dice que
el campo electrosttico es conservativo.
Apuntes de FFI
FLML
1.3. Potencial elctrico
13
Esta propiedad, cuya forma matemtica viene descrita en (1.31), implica

que necesariamente la integral de camino de cualquier campo electrosttico entre un punto A y otro B a lo largo de una curva arbitraria pueda
escribirse como
Z B
~ d~
E
l = V (A) V (B ) ,
(1.33)
A
donde la funcin V es cierta funcin escalar que se denomina potencial

elctrico. Las unidades del potencial elctrico sern el producto de la unidad de campo elctrico por la de longitud, esto es: Nm/C en el SI. Esta
unidad de potencial recibe el nombre de voltio (V). Usualmente, la unidad
de campo elctrico se expresa como V/m.
Introduciendo en (1.33) la expresin para el campo elctrico de una
carga puntual y observando (1.28) podemos concluir que el potencial producido por una carga puntual en el punto P situado a una distancia r de
dicha carga vendr dado por
Unidad de potencial elctrico:

1 voltio (V)
Potencial producido por una carga
q
V (P ) =
.
40 r
(1.34)
Para una distribucin continua de carga, debido al principio de superposicin y siguiendo el mismo procedimiento que para el campo, se tendr
que
Z
Z
1
1
dq
V (P ) =
=
dV .
(1.35)
40
r
40
r
regin
de cargas
puntual
Potencial producido por una distribucin de cargas
E JEMPLO 1.4 Calculo del potencial elctrico producido por un plano cargado in-
nito
Teniendo en cuenta la expresin (1.27) para el campo producido por un plano

infinito con densidad de carga , encontramos al aplicar (1.33) que esta expresin
se reduce a
Z y
V (y) V (0) =
sign(y) dy =
sign(y) y =
|y| .
20
20
0 20
Energa potencial
El trabajo, WE , que realiza el campo electrosttico para mover una carga
prueba puntual Q desde el punto A hasta el punto B , vendr dado por
Z
WE =
B
A,
~ d~
F
l =Q
B
A,
~ d~
E
l.
(1.36)
Aplicando los resultados de la seccin anterior podemos ver que la integral (1.36) no depende del camino y, por tanto, la fuerza es conservativa.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
14
Electrosttica
Para fuerzas conservativas es sabido que el trabajo realizado por dichas

fuerzas puede escribirse como la variacin (con signo negativo) de la energa potencial, esto es,
WE = U = [U (B ) U (A)] .
(1.37)
Este hecho queda patente al escribir el trabajo en (1.36) en trminos del

potencial elctrico (ver (1.33)) como
WE = QV (A) QV (B )
(1.38)
e identificar la energa potencial de la carga Q en el punto P como

Energa potencial elctrica de una
U (P ) = QV (P ) .
carga puntual
(1.39)
Si ahora tenemos en cuenta (segn el teorema de las fuerzas vivas) que

el trabajo es igual al incremento de la energa cintica del sistema, esto es:
WE = E c ; podemos escribir al igualar E c con (1.37) que
E c + U = (E c +U ) = 0 .
(1.40)
Dado que la energa mecnica, E m , del sistema se define como

E m = E c +U ,
entonces podemos establecer que la energa mecnica de la carga Q en el
campo electrosttico se conserva.
E JEMPLO 1.5 Energa de una carga q en el interior de un condensador plano
V=0
V=V0
Si entre las placas de un condensador plano se establece una diferencia de

potencial V0 (ver figura adjunta), entonces el campo en el interior del condensador ser
V
~ = 0 y .
E
d
Dado que el potencial es la integral de camino del campo elctrico, esto es,
Z y
~ d~
E
l = V (0) V (y)
0
y como V (0) = V0 , se tiene que

y
Z
V (y) = V0
y
E (y)dy = V0 1
.
d
La energa potencial, U (y), de una carga q en el interior del condensador ser por
tanto
y
.
U (y) = qV0 1
d
Una partcula de carga positiva que parta del reposo (E c = 0) en la placa del
condensador a potencial V0 , se desplazar hacia zonas de menor energa potencial a la vez que ir aumentando su energa cintica. Debido a la conservacin de
Apuntes de FFI
FLML
1.4. Conductores en un campo electrosttico
15
su energa mecnica, la energa cintica al llegar a la otra placa, segn (1.40), toma
un valor de
1
E c (d ) = mv 2 = qV0 ,
2
V=V0
a)
por lo que la partcula adquirir una velocidad al llegar a dicha placa dada por
s
v=
2qV0
.
m
U(0)=qV0
Ec(0)=0
(1.41)
b)
El hecho de que una diferencia de potencial entre dos electrodos aumente la
energa cintica de las cargas es usado muy a menudo para acelerar partculas
cargadas. En la prctica, la placa final puede ser sustituida por una rejilla metlica
que deje pasar las partculas.
1.4.
V=0
U(d)=0
2
Ec(d)=1/2mv
Conductores en un campo electrosttico
Es bien conocido que la materia est formada por partculas elementales cargadas y neutras. Las partculas de carga positiva (protones) forman
parte de los ncleos de los tomos y por consiguiente estn fijas en promedio en los slidos. En ciertos materiales llamados dielctricos, las cargas
negativas (electrones) pueden considerarse igualmente fijas. No obstante,
en otros materiales denominados conductores, algunos de los electrones
no estn ligados a tomos en particular sino que forman una especie de
gas de electrones que vaga por todo el slido. En esta seccin consideraremos un modelo ideal de conductor en el cual existen infinitas cargas
mviles que pueden desplazarse libremente. Dicho modelo se denominar conductor perfecto.
1.4.1. Campo de un conductor cargado en equilibrio electrosttico

En general, los conductores aparecen de forma natural como sistemas
neutros (igual nmero de cargas negativas que positivas). No obstante,
aadiendo o quitando cargas libres al conductor, ste quedar cargado. Si
se define equilibrio electrosttico como aquella situacin en la que todas
las cargas libres estn en reposo, y se tiene en cuenta la definicin de conductor perfecto dada anteriormente, podemos derivar las siguientes conclusiones acerca del campo elctrico:
El campo elctrico es nulo en el interior del conductor.
Si el campo elctrico no fuese nulo en el interior del conductor dara
lugar a movimientos de las cargas libres, lo cual estara en contradiccin con la condicin de equilibrio electrosttico.
Si el campo elctrico es nulo en el interior del conductor, al calcular
la integral de camino del campo entre dos puntos A y B en el interior
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
16
Electrosttica
del conductor obtenemos que

Z
B
A
Conductor es equipotencial
SG
Qin =t 0
~int d~
E
l = V (A) V (B ) = 0 V Cte ,
(1.42)
esto es, el conductor es equipotencial y en particular la superficie

del mismo es una superficie equipotencial.
La carga en exceso se localiza en la superficie del conductor.
Si el campo en todos los puntos del interior del conductor cargado es
nulo es porque no existe carga neta en el interior.1
El campo elctrico en la superficie es normal a sta y de valor /0 .
Dado que el potencial es constante en todo el conductor, para dos
puntos cercanos A y B sobre la superficie se verificar que
dV = lm [V (A) V (B )] = lm V = 0
AB
y, por tanto, se tiene que
A dl
E
S
Eint=0
AB
~ d~
E
l =0,
~ . Esto implica que el campo en la superficie,

donde d~
l lm AB AB
~
E S es perpendicular a d~
l y, puesto que d~
l es tangente a la superficie,
podemos concluir que
~S = E n.
E
(1.43)
(*) Si se aplica ahora la ley de Gauss a una superficie en forma cilndrica tal como muestra la figura, se tiene que
I
Q int
~ d~
E
S=
0
S
~ |S =
|E
,
0
de donde obtenemos finalmente que

~S =
E
.
n
0
(1.44)
1.4.2. Conductor neutro en un campo elctrico externo
Eext
-
- +
+
+
+
Eint=0 +
+
- + +
Apuntes de FFI
Si un conductor inicialmente descargado (esto es, con una compensacin perfecta de cargas elctricas positivas y negativas) se somete al efecto
de un campo elctrico externo, la carga mvil del conductor se redistribuye de manera que se establezca la condicin de equilibrio electrostti~int = 0. (Este proceso ocurre tpicamente en un tiempo del orden de
co E
14
10 s para un conductor de cobre.) La redistribucin de la carga provoca
1 Este hecho puede tambin justificarse utilizando la ley de Gauss. Si existiese carga neta en el interior, eligiendo una superficie de Gauss que la envolviese, el flujo del campo
elctrico a travs de la misma sera proporcional a la carga encerrada. Esto estara en contradiccin con el hecho de que el flujo debe ser cero puesto que el campo en el interior es
nulo. Por tanto, la carga en exceso debe localizarse en la superficie.
FLML
1.5. Condensadores
17
la aparicin de una densidad superficial inhomognea de carga que a su

vez da lugar a un campo en el interior del conductor que anula justamente
al campo externo, provocando as la anulacin punto a punto del campo
total en el interior.
Es interesante observar que el proceso de redistribucin de carga fruto
del equilibrio electrosttico puede considerarse como si ocurriese nicamente en la superficie, sin que eso implicase cambio alguno en el interior
del conductor. Es ms, si parte del material conductor del interior es extrado, con la consiguiente aparicin de un hueco, se dara la misma redistribucin de carga en la superficie exterior del conductor y, por tanto, el
campo seguira siendo nulo en todo el interior del conductor, incluyendo
al hueco.2 Esto quiere decir que para un conductor con un hueco, el interior est completamente aislado del exterior y, en consecuencia, los campos del exterior no afectaran a un dispositivo sensible al campo elctrico
(por ejemplo, circuitos electrnicos) situado en el interior del conductor.
Este fenmeno se usa para disear jaulas de Faraday que aslen los sistemas elctricos. Una simple carcasa metlica (o un plstico conductor) aislara, por ejemplo, los sistemas electrnicos del interior de un ordenador
con respecto a posibles influencias elctricas externas.
Eext
- -
- +
+
+
Eint=0 +
+
- + +
1.5. Condensadores
1.5.1. Capacidad de un conductor
Si se aade cierta carga Q a un conductor inicialmente descargado, esta
carga se redistribuye en la superficie del conductor creando una densidad
de carga superficial y consecuentemente un potencial, V , cuyo valor viene dado por la siguiente integral:
Z
1
dS
V (P ) =
, P S.
(1.45)
40
r
Por el principio de superposicin, si se aumenta la carga total, Q =
dS, es razonable suponer que ello simplemente se traduzca en un aumento proporcional de la densidad superficial de carga, esto es,
R
Q Q 0 = Q (S) 0 (S) = (S)

y por tanto
V V 0 = V .
2 Una manera alternativa de comprobar que el campo es nulo en el interior pasa por
notar que la integral de camino del campo elctrico entre dos puntos arbitrarios, A y B ,
situados en la superficie interna del hueco ser nula,
Z B
~ d~
V (A) V (B ) =
E
l =0,
A
debido a que dicha superficie es una equipotencial. La nica manera de que se verifique
la anterior expresin para puntos arbitrarios es que el campo elctrico en el interior del
hueco sea nulo.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
18
Electrosttica
En la situacin descrita anteriormente, el cociente entre la carga y el

potencial es el mismo,
Q Q 0 Q
= 0
,
V
V
V
Capacidad de un conductor
Unidad de capacidad:
lo que implica que la relacin entre la carga y el potencial es una magnitud

independiente de Q y V . Esta magnitud se conoce como capacidad, C , del
conductor y se define como
Q
C= .
(1.46)
V
La capacidad del conductor determina la carga que adquiere ste para
un potencial dado: a mayor capacidad mayor carga, siendo C un parmetro puramente geomtrico y que, por tanto, slo depende de la forma del
conductor.
La unidad de capacidad es el faradio (F), definida en el sistema internacional como 1 F=1 C/V.
1 faradio(F)
E JEMPLO 1.6 (*) Capacidad de un conductor esfrico de radio R

~ = |E
~ (r )|r
Por simetra esfrica, el campo en el exterior del conductor ser del tipo E
y, por consiguiente, al aplicar la ley de Gauss a una superficie esfrica concntrica
con el conductor se obtiene que
I
Q
~ d~
E
S=
(1.47)
0
I
Q
~ (r )| dS = |E
~ (r )|4r 2 = ,
|E
(1.48)
0
de donde se obtiene que el campo en el exterior del conductor es
~=
E
Q
r .
40 r 2
(1.49)
El potencial en un punto arbitrario se obtiene como

Z
Z
Q
dr
~ d~
V (r ) =
E
l=
40 r r 2
r
Q
Q
1
=
=
,
40
r r
40 r
por lo que en la superficie de la esfera, el potencial ser simplemente
V (R) =
Q
40 R
(1.50)
y la capacidad:
Q
= 40 R .
(1.51)
V
Como puede verse, la capacidad slo depende de la geometra (el radio) de la esfera conductora.
C=
Si el radio de la esfera fuese R = 1m, la capacidad del conductor sera

C 111 1012 F 111 pF .
Apuntes de FFI
FLML
1.5. Condensadores
19
1.5.2. Influencia entre conductores

+
Si un conductor cargado con una carga Q, que suponemos positiva, se

introduce en el hueco interior de otro conductor inicialmente descargado, esto origina una redistribucin de cargas en el conductor inicialmente neutro (ver figura). Esta redistribucin es consecuencia del establecimiento de la condicin de equilibrio electrosttico en ambos conductores
~int = 0). Si la superficie exterior del conductor neutro se conecta a tierra
(E
(almacn infinito de cargas libres), suben tantos electrones desde tierra como sean necesarios para compensar las cargas positivas, dando lugar todo
este proceso a la aparicin de una carga neta Q en dicho conductor.
La situacin anterior se conoce como influencia total dado que los dos
conductores tienen la misma carga pero de signo contrario. Todas las lneas de campo que parten de un conductor acaban en el otro. (Esta situacin se encuentra estrictamente en la prctica cuando un conductor
est encerrado en el interior de otro). Dos conductores en influencia total forman un sistema que se conoce como condensador, definindose la
capacidad de un condensador como
+
+
+
+
+
+
+
++-
+-
++ +
+
+
- +
++
- +
++
- +
+
+
+
Condensador: sistema de dos conductores en inuencia total
Q
,
(1.52)
V
donde Q es el valor de la carga en mdulo de cualquiera de los dos conductores y V es la diferencia de potencial en mdulo existente entre los
dos conductores.
C=
Algunos ejemplos tpicos de condensadores se presentan a continuacin:

(*) Condensador esfrico
Para calcular la diferencia de potencial entre los dos conductores esfricos se parte de la expresin del campo en la zona intermedia entre los dos conductores, donde
~=
E
Q
r
40 r 2
R2
y, por tanto,
V =
R2
R1
~ d~
E
r=
Q
40
R2
R1
dr
r2
R1
Q
1 R2
Q R2 R1
.
=
=
40
r R1 40 R 1 R 2
La capacidad del sistema viene entonces dada a partir de (1.52) por

C = 40
R1 R2
.
R2 R1
(1.53)
Es interesante notar que la capacidad del condensador esfrico puede llegar a ser mucho ms grande que la de un conductor esfrico del
mismo tamao, dado que
R1 R2
> R1 .
R2 R1
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
20
-Q
E(Q)
E(-Q)
y
E(Q)
E(-Q)
E(Q)
E(-Q)
Electrosttica
Condensador de placas paralelas

Para calcular la diferencia de potencial entre las placas paralelas, este
condensador se tratar suponiendo que las dimensiones de dichas
placas son mucho mayores que la distancia entre ellas y, por tanto, stas se modelarn por dos planos infinitos cargados. Teniendo
en cuenta la expresin (1.27) para el campo producido por un plano
cargado uniformemente, en el caso de dos planos infinitos cargados
con distinta polaridad, por superposicin se tiene que
y , si 0 < y < d
~ = 0
E
0 ,
en otro caso .
(1.54)
Obsrvese que el campo elctrico es uniforme en el interior del condensador y nulo fuera de ste. El condensador plano suele usarse
generalmente para producir campos uniformes e intensos.
-Q
y
Para calcular la diferencia de potencial entre las placas del condensador, se procede realizando la integral de camino del campo elctrico dado por (1.54) entre una y otra placa. Dado que el campo elctrico es uniforme, puede escribirse que
V =
=
Capacidad de un condensador de
placas paralelas
Z
0
~ d~
~ |d
E
l = |E
d.
0
(1.55)
(1.56)
Puesto que la carga de cada uno de las placas finitas viene dada por
Q = S, la capacidad del condensador de placas paralelas ser muy
aproximadamente
S
S
C = = 0 .
(1.57)
d
d
0
1.6. Energa Electrosttica
E
A
1.6.1. Trabajo para trasladar una carga puntual
dl
~ , planteemos la siEn una regin del espacio donde existe un campo E

guiente cuestin: cul es el trabajo necesario para mover una carga prueba puntual Q desde un punto A a un punto B ?. La respuesta a esta pregunta
nos la proporciona el clculo de la integral de camino de la fuerza externa
ejercida sobre la carga entre ambos puntos, esto es,
Z
W=
B
A
~ext d~
F
l.
(1.58)
Dado que la fuerza que ejerce el sistema de cargas sobre la carga prueba es de tipo electrosttico y puede expresarse segn (1.5) en funcin del
Apuntes de FFI
FLML
1.6. Energa Electrosttica
21
campo elctrico, la fuerza externa mnima que debemos ejercer nosotros

para poder desplazar la carga deber ser justamente la que contrarreste a
~ext = Q E
~ (si hiciramos una fuerza mala fuerza electrosttica; esto es, F
yor aumentariamos la energa cintica de la carga, lo cual no es necesario
para trasladar la carga de A B ). Por tanto, el trabajo ser
Z
W = Q
B
A
~ d~
E
l = Q [V (B ) V (A)] ,
(1.59)
que, obviamente, es independiente del camino debido a las propiedades

de la integral de camino del campo elctrico.
Teniendo en cuenta la definicin de energa potencial dada en (1.39),
la expresin (1.59) para el trabajo puede identificarse con el incremento de
la energa potencial, U , del sistema, es decir
W = U .
(1.60)
Es interesante observar que la expresin (1.59) ofrece la posibilidad de

interpretar la diferencia de potencial entre dos puntos como el trabajo por
unidad de carga que debemos ejercer para desplazar una partcula cargada entre dichos puntos. En el caso de que la partcula venga desde el infinito (donde usualmente se supone que est el origen cero de potencial), el
trabajo que debemos realizar para situar la partcula en el punto P puede
expresarse como
W = Q [V (P ) V ()] = QV (P ) .
(1.61)
Ahora podemos observar claramente que
el potencial elctrico puede identificarse con la energa potencial (trabajo para crear el sistema) por unidad de carga.
1.6.2. Energa en un condensador de placas paralelas

Para obtener una expresin general de la energa electrosttica de un
sistema arbitrario de cargas se analizar el caso particular del proceso de
carga de un condensador de placas paralelas para despus generalizar (sin
demostracin) las expresiones que se obtengan a cualquier sistema.
En el proceso de carga de un condensador plano (inicialmente los dos
conductores son neutros), el efecto de la batera conectada a las placas del
condensador ser el de extraer carga negativa de una de las placas y transferirla a la otra, de modo que ambas placas se van cargando dando lugar a
la aparicin de un campo elctrico entre las placas y, consecuentemente, a
una diferencia de potencial, V (q) = q/C , que va creciendo en el proceso.
+q
Bateria
V(q)
E
-q
Para aumentar en un dq la carga sobre el condensador, la batera debe

realizar un trabajo diferencial que a partir de (1.59) (adaptando la expresin vlida para cargas puntuales a cargas diferenciales) podr expresarse
como
dW = dqV .
(1.62)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
22
Electrosttica
Si ahora consideramos que V V (q), entonces el trabajo diferencial podr expresarse como
qdq
dW =
.
(1.63)
C
Segn (1.60) este trabajo equivale justamente al aumento de la energa potencial electrosttica del condensador, esto es: dW dU . Para cargar el
condensador con una carga final Q, el trabajo total realizado (o equivalentemente el aumento total de la energa potencial del sistema) se obtendr
al integrar la expresin (1.63), de modo que
W U =
Z
0
q
1 Q2
dq =
.
C
2 C
(1.64)
Dado que el aumento de la energa potencial del sistema es precisamente

la energa almacenada en el condensador, podemos identificar esta ganancia de energa potencial con la energa electrosttica del sistema, UE , por
lo que podemos escribir que
UE =
1 Q2 1
1
= CV 2 = QV .
2 C
2
2
(1.65)
En el caso particular del condensador plano, se encontr que

~ |d y C = 0
V = |E
S
,
d
por lo que al introducir estas expresiones en (1.65) obtendremos

UE
=
=
1 S
1
~ |2 d 2
CV 2 = 0 |E
2
2 d
1
1
~ |2 Sd = 0 |E
~ |2 V .
0 |E
2
2
(1.66)
Si se define la densidad de energa en un campo electrosttico, u E ,

como la energa elctrica por unidad de volumen; es decir,
dUE = u E dV ,
(1.67)
de la expresin (1.66) se deduce que la densidad de energa elctrica en el

condensador plano viene dada por
1
~ |2 .
u E = 0 |E
2
(1.68)
Es interesante observar que la energa electrosttica del condensador

plano puede expresarse tanto en trminos de la carga, expresin (1.65), como del campo elctrico, expresin (1.66). Estas dos expresiones dan cuenta
de la posible ambigedad que encontramos al definir dnde se almacena
la energa potencial del sistema. Segn la expresin (1.65), esta energa estara almacenada en las cargas y segn la expresin (1.66) estara asociada
Apuntes de FFI
FLML
1.7. Dielctricos
23
al campo elctrico. Aunque considerar que la energa est en el campo pudiera parecer artificial, esta concepcin es la ms conveniente para situaciones ms generales3 . Antes de que existiera campo elctrico entre las placas, la energa electrosttica en esa regin del espacio era cero y despus,
cuando se ha establecido un campo elctrico, la energa alcanza cierto valor. Por tanto, parece congruente asociar la energa potencial electrosttica
con la presencia del campo elctrico.
Aunque el resultado (1.68) se ha obtenido para un caso particular, clculos ms elaborados demuestran que este mismo resultado coincide con la
expresin general vlida para la densidad de energa electrosttica de cualquier sistema cargado. En consecuencia, la energa electrosttica de un sistema puede escribirse como
Z
UE =
Energa electrosttica
~ |2
0 |E
dV .
2
(1.69)
todo el
espacio
E
r
E JEMPLO 1.7 (*) Energa electrosttica de una esfera conductora.

El mdulo del campo en el exterior de la esfera conductora con carga Q viene
dado por
Q
~ (r )| =
|E
r R .
40 r 2
Q
q
Antes de calcular la energa de este sistema aplicando la expresin (1.69) debemos calcular dV . Para ello tengamos que cuenta que dado el volumen total de
una esfera de radio r viene dado por V = 4/3r 3 , por lo que el volumen diferencial dV = (dV /d r )d r puede escribirse como dV = 4r 2 d r . La energa de la esfera
conductora de radio R ser por tanto
Z
UE =
todo el
espacio
~ |2
0 |E
0 Q 2
dV =
2
2 162 20
4r 2 dr
Q2
=
r4
80
dr
r2
1 Q2
1 Q2
=
.
2 40 R 2 C
1.7. Dielctricos
Hasta ahora slo hemos venido estudiando los diferentes fenmenos
electrostticos en el vaco o bien en conductores perfectos. En este sentido, al estudiar, por ejemplo, el campo creado por una carga puntual en
el Apartado 1.2.3 suponamos que no exista medio material alguno en el
espacio que rodeada a la carga puntual. Para introducir el efecto de un posible medio material no conductor en esta ley, debemos considerar que estos medios denominados dielctricos (ver Apartado 1.4) estn formados for
3 Por ejemplo, al estudiar la energa asociada a una onda electromagntica (ver Tema 6)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
24
Eex t=0
-+tomo
neutro
+
tomo
polarizado
E ext
Electrosttica
tomos/molculas neutros elctricamente donde el centro de las cargas

positivas (protones) coincide con el de las cargas negativas (electrones).
No obstante, bajo la influencia de un campo elctrico externo, el centro de
las cargas negativas puede desplazarse con respecto al de las positivas, es
decir los tomos/molculas constitutivos del medio material pueden polarizarse. Este fenmeno de polarizacin dar lugar a un nuevo campo elctrico de polarizacin que se opondr al campo original, manifestndose
este efecto globalmente en que el campo original queda parcialmente reducido, como si fuese originado por una carga puntual de menor cuanta.
El mismo efecto global anterior se producira igualmente en un condensador plano, donde se observa experimentalmente que la introduccin
de un material dielctrico homogneo e istropo entre sus placas aumenta la capacidad de dicho condensador en cierta constante que depende
exclusivamente del material. Para entender este efecto observemos el condensador descargado de la Fig. 1.1(a), entre cuyas placas se ha colocado
-Qp
Ep
+
+
+
-Q0
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Q0
E0
(b)
(a)
Qp
F IGURA 1.1: (a) Condensador descargado entre cuyas placas existe un material dielctrico. (Las esferas representan los tomos neutros constituyentes del dielctrico.) (b) Condensador cargado con una carga Q 0 que es contrarrestada por una carga Q p proveniente de la polarizacin de los tomos
constituyentes del dielctrico.
cierto material dielctrico (madera, papel, agua, plstico,...). Si ahora este
condensador es cargado con una carga Q 0 en una placa (y Q 0 en la otra),
~0 entre las placas del condensador.
entonces aparecer un cierto campo E
Este campo elctrico provocar la polarizacin de los tomos del material
dielctrico dando lugar a una situacin microscpica tal como la descrita en la Fig. 1.1(b). Observemos que en el interior del material dielctrico
las cargas positivas y negativas se compensarn mutuamente, quedando
sin embargo una carga descompensada de valor Q p justamente en los extremos del material adyacentes a las placas del condensador. Esta carga
~p que al superponerse al campo original E
~0
originar un campo elctrico E
Apuntes de FFI
FLML
1.7. Dielctricos
25
~ , cuyo modulo puede expresarse como

da lugar a un nuevo campo E
~| =
|E
E0
,
r
(1.70)
donde r es una constante adimensional positiva mayor que la unidad

(r 1) que depender del material y que denominaremos permitividad
relativa del material.
Si la capacidad del condensador de placas paralelas en vaco (es decir,
sin material dielctrico entre sus placas) vena dada por
C0 =
Q0
S
= 0 ,
V0
d
(siendo V0 = E 0 d la diferencia de potencial entre las placas), podemos observar que al introducir el material dielctrico se reduce el valor del campo
entre las placas del condensador y, en consecuencia, tambin se reducir
la diferencia de potencial entre las mismas, que vendr ahora dada por
~ |d =
V = |E
V0
.
r
(1.71)
Dado que la introduccin del dielctrico no modifica la cantidad de carga inicial depositada en las cargas (la carga en el dielctrico aparece en los
bordes de ste, no en las placas), tenemos que la capacidad del condensador con dielctrico ser
C=
Q0
Q0
S
=
= r C 0 = 0 r ,
V
V0 /r
d
(1.72)
explicndose as el aumento de capacidad del condensador observado experimentalmente.

Observemos adems que, globalmente, el efecto de introducir el material dielctrico homogneo e istropo ha quedado reflejado en la sustitucin de
0 r r
(1.73)
en la expresin de la capacidad. De este modo podemos escribir que la

capacidad de un condensador de placas paralelas viene dada por
C =
S
,
d
(1.74)
donde
= 0 r ,
(1.75)
Permitividad dielctrica
es la permitividad dielctrica del material.

Evidentemente 0 , siendo la permitividad de algunos materiales
usuales la siguiente:
FLML
Apuntes de FFI
Tema 1.
26
Material
Permitividad
relativa (r )
Vaco
Aire
Agua (200 C)
Papel
Porcelana
Vidrio
Neopreno
Poliestireno
1
1.00059
80
3.7
7
5.6
6.9
2.55
Electrosttica
Podemos observar que, a efectos prcticos, el aire se comporta como el

vaco puesto que tiene una permitividad relativa muy prxima a la unidad.
La anterior discusin sobre la inclusin de dielctricos homogneos e
istropos podra extenderse al estudio de otras magnitudes y situaciones,
obtenindose siempre que las expresiones obtenidas anteriormente para
el vaco quedan simplemente modificadas por la sustitucin de la permitividad dielctrica del vaco por la correspondiente permitividad dielctrica
del material. As obtendramos, por ejemplo, que la densidad de energa
elctrica de una regin del espacio donde hay un material dielctrico de
permitividad vendr dada por
Energa electrosttica en un
medio material
UE =
~ |2
|E
dV .
2
(1.76)
todo el
espacio
1.8. Problemas propuestos

1.1: Calcule la fuerza de repulsin electrosttica entre dos partculas (cada partcula
est compuesta por dos protones) y comprela con la fuerza de atraccin gravitatoria entre
ellas.
Sol. F elect = 9,18 102 N; F grav = 2,97 1037 N.
1.2: Cul es el valor del mdulo del campo elctrico en un punto situado a 30 cm de una
carga puntual de 10 C.
Sol. E = 106 N/C.
1.3: Dos cargas puntuales iguales de valor q estn situadas en los puntos (a, 0, 0) y (a, 0, 0).
Calcular el potencial y el campo elctrico debido a dichas cargas en los puntos del eje Y .
~ (0, y, 0) = [q/(20 )]y(y 2 + a 2 )3/2 y .
Sol.: V (0, y, 0) = [q/(20 )](y 2 + a 2 )1/2 , E
y
q
(0, h)
(-l/2,0)
(l/2,0)
1.4: Tres cargas puntuales de igual valor, q, se encuentran dispuestas en los vrtices de
un tringulo, como se indica en la figura. Calclese: a) el campo elctrico y el potencial
generado por las tres cargas en puntos del segmento que une los puntos (0, 0) y (0, h); b) la
fuerza ejercida por las dos cargas que se encuentran sobre el eje X sobre la carga situada
en (0, h).
~ (0, y) = K q[2y((l /2)2 + y 2 )3/2 (h
Sol.: a) V (0, y) = K q[2((l /2)2 + y 2 )1/2 + (h y)1 ], E
~ = K q 2 2h[(l /2)2 + h 2 ]3/2 y .
y)2 ] y . b) F
1.5: Las cuatro cargas del dibujo estn dispuestas en los vrtices de un cuadrado de lado
L. a) Hallar el valor, sentido y direccin de la fuerza ejercida sobre la carga situada sobre el
vrtice inferior izquierdo por las cargas restantes. b) Demostrar que el campo elctrico total
en el punto medio de cualquiera de los lados del cuadrado es paralelo al lado considerado,
Apuntes de FFI
FLML
27
Y
est dirigido hacia la carga negativa vrtice de dicho lado y su valor es E = [2q/(0 L 2 )](1
p
5/25) N/C.
p
~ = [q 2 /(40 L 2 )](1 1/ 8)(x + y ) N.
Sol.: a) F
1.6: El potencial electrosttico en cierta regin del espacio est dado por V = 2x 2 y 2 +
z 2 , donde x, y, z se expresan en metros y V en voltios. Determinar: a) la componente del
campo elctrico en el punto (1, 2, 3) a lo largo de la direccin dada por la recta que pasa
por dicho punto y por el punto (3,5,0); b) el trabajo que realizara el campo sobre una carga
puntualpq = 2 C que se desplazase desde el punto (1, 2, 3) hasta el (3, 3, 3).
Sol.: a) 22 N/C; b) 22 J.
-q
q
L
L
X
-q
1.7: Sobre los planos x = 0 y x = 4 existen densidades de carga de valor 1 = 108 C/m2
y 2 = 108 C/m2 respectivamente. Determinar: a) la fuerza que acta sobre una carga
puntual q = 1 pC situada en el punto (1,0,0); b) el trabajo realizado por el campo para transportar dicha carga hasta el punto (3,2,0); c) la d.d.p. entre los puntos (1,0,0) y (8,0,0).
Sol.: a) 36 1011 x N; b) 72 1011 J; c) 1080 V.
1.8: Una gota de aceite cargada de masa 2,5 104 g est situada en el interior de un condensador de placas plano-paralelas de rea 175 cm2 . Cuando la placa superior tiene una
carga de 4,5 107 C, la gota de aceite permanece estacionaria. Qu carga tiene esta gota?
Sol. Q = 8,43 1013 C.
1.9: (*) Determinar el campo elctrico y el potencial en todos los puntos del espacio en
dos casos: a) Esfera conductora de radio R y carga Q; b) Esfera no conductora de radio R
con densidad volumtrica de carga uniforme de valor (nota: elegir potencial cero en el
infinito en ambos casos).
~ (r ) = Q/(40 r 2 ) r, V (r ) = Q/(40 r ); r < R: E
~ = 0, V = Q/(40 R); b) r > R:
Sol.: a) r > R: E
3
~
~ (r ) = r /(30 ) r, V (r ) = (R 2 r 2 /3)/(20 ).
E (r ) = R /(30 r 2 ) r, V (r ) = R 3 /(30 r ); r < R: E
1.10: (*) Una esfera no conductora de radio R tiene una densidad volumtrica de carga
= Ar , donde A es una constante y r la distancia al centro de la esfera. Determinar: a) la
carga total de la esfera; b) el campo elctrico y el potencial en cualquier punto del espacio
(nota: elegir potencial cero en el infinito).
~ (r ) = Ar 2 /(40 )r, V (r ) = Ar 3 /(120 )+ AR 3 /(30 ); r > R: E
~ (r ) =
Sol: a) Q = AR 4 ; b) r R: E
Q/(40 r 2 )r, V (r ) = Q/(40 r ).
1.11: (*) Demuestre que el campo elctrico fuera de un conductor cilndrico rectilneo de
radio R, longitud infinita y densidad de carga superficial es equivalente al campo debido
a una lnea infinita cargada con la misma cantidad de carga por unidad de longitud (es
decir, si = 2R).
1.12: (**) Determinar el potencial y el campo elctrico en el eje de un anillo circularde

radio R con una densidad de carga lineal uniforme que est situado en el plano X Y y
tiene su centro en el origen de coordenadas.
~ (0, z, 0) = [/(20 )]Rz(z 2 + R 2 )3/2 z .
Sol.: V (0, z, 0) = [/(20 )]R(z 2 + R 2 )1/2 , E
1.13: (**) Dos anillos circulares de radio R coaxiales y con sus centros separados una distancia a estn cargados con densidades de carga lineal y respectivamente. Hallar el
trabajo que hay que realizar para situar una carga prueba, q, en los puntos siguientes: a)
centro del anillo cargado positivamente; b) punto del eje equidistante de ambos anillos; c)
centro del anillo cargado negativamente (nota: en los tres apartados, suponer que la carga
q se trae desde el infinito al punto considerado).
Sol.: a) W = [q/(20 )]{1 R(R 2 + a 2 )} ; b) W = 0; c) W = [q/(20 )]{R(R 2 + a 2 ) 1}
FLML
l
R
a
-l
Apuntes de FFI
Tema 1.
28
Electrosttica
1.14: (**) Un cilndrico de longitud infinita y radio b con una cavidad cilndrica en su interior de radio a posee una densidad volumtrica de carga , segn se indica en la figura.
Calclese: a) la carga total del cilindro por unidad de longitud; b) el campo elctrico en
todos los puntos del espacio; c) la fuerza sobre una carga puntual, q, situada en el punto
de coordenadas (b,pb, 0), p
as como
p la componente de dicha fuerza en la direccin dada por
= (1/ 3, 1/ 3, 1/ 3); d) la diferencia de potencial entre los puntos (b, b, 0) y
el unitario n
(2b, 2b, 2b).
(r 2 a 2 )
(b 2 a 2 )
~ = 0 , si a < r b E
~=
~=
Sol.: a) (b 2 a 2 ) ; b) si r a E
r , si r > b E
2r 0
2r 0
q(b 2 a 2 )
q(b 2 a 2 )
~
~
n;
r; c) F =
(1, 1, 0), F n =
p
40 b
2 30 b
ln 2
d) V (b, b, 0) V (2b, 2b, 2b) = (b 2 a 2 )
.
20
1.15: a) Cul es la capacidad de un sistema de dos placas plano-paralelas de rea 1 mm2
separadas 1 mm?. b) Cunto trabajo realizaramos para carga el anterior condensador con
una carga de 103 C ?. c) Cul sera la fuerza entre las placas?.
Sol.: a) C = 8,05 nF; b) W = 62,1 J; c) F = 5,65 104 N.
C0
1.16: a) Qu cantidad de carga ser necesario aadir a una esfera conductora aislada de
radio R 1 = 10 cm para que sta alcance un potencial de 500 V?. b) Si la anterior carga es
compartida con otra esfera conductora aislada de radio R 2 = 5 cm de radio (ambas son
conectadas mediante un fino hilo conductor), cul ser la carga y el potencial final en
cada esfera conductora?.
Sol.: a) Q = 5,6 109 C; b) Q 1 = 3,74 nC, Q 2 = 1,86 nC, V1 = V2 336,6V.
C0
b
C0
a)
1.18: Un condensador de 1 F se ha cargado a 10 V. Determnese: a) la carga acumulada y

el trabajo que fue necesario realizar; b) la densidad de energa elctrica en el interior del
condensador sabiendo que puede asimilarse a un condensador ideal de placas plano paralelas separadas una distancia de 10 cm; c) el trabajo necesario para aumentar la carga del
condensador al doble de la que posee. Comprese con el trabajo calculado en el apartado
a) (Dato: 0 = 8,854 1012 F/m).
Sol.: a) Q = 10 C, W = 5 105 J; b) E = 4,427 108 J/m3 ; c) W = 15 105 J.
C0
C0
er1
er2
S/2
1.19: (*) Se consideran los condensadores planos esquematizados en la figura. Determinar

la capacidad de cada uno de ellos.
Sol.: a) C = C 0 (r,1 +r,2 )/2; b) C = C 0 r,1 r,2 /(r,1 +r,2 ), siendo en ambos casos C 0 = 0 S/d .
S/2
er1
er2
b)
1.17: Cinco condensadores idnticos de capacidad C 0 estn conectados en un circuito

puente tal como indica la figura. a) Cul es la capacidad equivalente entre los puntos a y
b?. b) Calcular la capacidad equivalente si la capacidad entre a y b cambia ahora a 10C 0 .
Sol.: a) C equiv = 2C 0 ; b) C equiv = 11C 0 ;
d
d
Apuntes de FFI
FLML
T EMA 2
Circuitos de Corriente
Continua
2.1. Introduccin
En el tema anterior se ha introducido la Electrosttica como el estudio
de la interaccin entre cargas en reposo. No obstante, cabe sealar que, en
general, la Electrosttica puede aplicarse a situaciones en las que la distribucin de cargas permanece invariable en el tiempo. El estudio de las
cargas en movimiento se iniciar en el presente tema. Estas cargas en movimiento, o lo que es lo mismo, un flujo de partculas cargadas, dan lugar
a una corriente elctrica, de la misma manera que molculas de agua en
movimiento dan lugar a una corriente de agua.
En funcin del tipo de movimiento que lleven las cargas se clasificar la
corriente elctrica en corriente continua y corriente variable en el tiempo.
La corriente continua es aqulla en la que el flujo de cargas permanece
invariable en el tiempo (por ejemplo, cuando los electrones en un cable se
mueven a velocidad constante).1 Cuando el flujo de cargas que vara en el
tiempo lo hace de forma armnica (es decir con una variacin temporal de
tipo seno o coseno), entonces se denomina corriente alterna.
El objetivo final del presente tema ser el anlisis de los circuitos de
corriente continua, tanto por su propia importancia en la tecnologa actual como por ser un primer paso para el estudio y comprensin de los
circuitos electrnicos ms complejos. Los circuitos de corriente continua
se resuelven a partir de las reglas de Kirchhoff, que sern deducidas en este
tema como una consecuencia de las leyes de la Electrosttica y de la ley de
1 Es interesante notar que si el flujo de cargas permanece invariable en el tiempo (co-
rriente continua), esto implica que la carga por unidad de tiempo que atraviesa cualquier
superficie no aumenta ni disminuye y, por tanto, la distribucin de cargas permanece invariable en el tiempo. Esto implica que, a pesar de que las cargas se muevan, todava se
pueda seguir aplicando la Electrosttica. No obstante, las cargas del interior del conductor generalmente no generan campo elctrico dado que existe una compensacin precisa
entre cargas positivas y negativas.
29
Tema 2.
30
Circuitos de Corriente Continua
conservacin de la carga. Tras la deduccin de estas reglas, se hablar de

las fuentes de alimentacin de estos circuitos y, en particular, se discutir el concepto de fuerza electromotriz. Posteriormente se mostarn algunos ejemplos y procedimientos para la resolucin de circuitos de corriente
continua. Finalmente discutiremos los transitorios de carga y descarga en
condensadores.
2.2.
Vector densidad de corriente
Una medida de la corriente elctrica es proporcionada por la intensidad de la corriente, I . Esta magnitud se define como
I=
Intensidad de la corriente
dQ
,
dt
(2.1)
esto es, la carga total por unidad de tiempo, Q, que atraviesa cierta superficie S. La unidad de intensidad de la corriente elctrica es el amperio (A)
definido como
Unidad de intensidad:
1 amperio (A)
J
dS
1amperio =
1 culombio
1 segundo
1 A = 1 C/s .
La definicin de la intensidad de corriente como el ritmo temporal con

que la carga atraviesa cierta superficie S establece una dependencia de esta
magnitud con el flujo de carga a travs de cierta superficie que debe especificarse. Este hecho sugiere la conveniencia de expresar la intensidad como el flujo de cierto vector (ver Apndice A.2), que se denominar vector
densidad de corriente ~
J , a travs de la superficie S:
Z
I= ~
J d~
S .
(2.2)
S
Evidentemente las unidades de ~

J son de intensidad partido por superficie,
esto es: A/m2 ; representando el mdulo de esta magnitud la cantidad de
carga que pasa por unidad de superficie y por unidad de tiempo a travs
de un elemento de superficie perpendicular al flujo.
Para obtener una expresin explcita del vector densidad de corriente
en funcin de las caractersticas del flujo de partculas cargadas, consideraremos la situacin mostrada en la figura adjunta. En esta figura se muestra la contribucin a la corriente, I , de la parte de carga, Q, que atraviesa
el rea S (la carga por unidad de tiempo que atraviesa la superficie completa ser I ). Claramente, la carga que atraviesa S en la unidad de tiempo
t es aqulla comprendida en un volumen de rea transversal S y de longitud l igual al recorrido de una de las cargas en el tiempo t ; siendo, por
tanto, l = |~
v a |t , donde |~
v a | es el mdulo de la velocidad de arrastre de
las partculas cargadas. Supuesto que existen n partculas cargadas mviles por unidad de volumen y que la carga de cada una de las partculas es
q (luego la carga por unidad de volumen es nq), se tiene que
Q = nqV = nqS|~
v a |t .
Apuntes de FFI
FLML
2.2. Vector densidad de corriente
31
La carga que atraviesa el elemento de rea S por unidad de tiempo t ,

ser por tanto
Q
= nq|~
v a |S .
I =
t
Si se tiene en cuenta que en el caso analizado previamente, el rea considerada estaba orientada perpendicularmente al movimiento, la expresin
anterior ofreca directamente el valor del flujo que atravesaba dicha rea.
Si el rea considerada, S, presenta otra orientacin, entonces el flujo debe expresarse en trminos del producto escalar de la velocidad de las partculas por el vector rea (al igual que ya se hizo para el flujo del campo
elctrico) y por tanto, en general,
I = nq~
v a ~
S.
(2.3)
Tomando ahora el lmite de la expresin anterior para reas infinitesimales, S 0, (2.3) puede reescribirse como:
dI = nq~
v a d~
S,
(2.4)
de donde se deduce que la intensidad que atraviesa el rea total S vendr

dado por
Z
Z
v a d~
S.
(2.5)
I = dI = nq~
S
Comparando ahora (2.5) con (2.2), obtenemos la siguiente expresin para

el vector densidad de corriente en el caso de que exista un nico tipo de
portadores:
~
J = nq~
va .
(2.6)
Vector densidad de corriente
En aquellas situaciones en las que haya ms de un tipo de portadores, la

expresin (2.6) puede generalizarse y escribirse como
X
~
J = ni qi ~
v d ,i .
(2.7)
i
vd
Es interesante observar (segn muestra la figura adjunta) que si tenemos
cargas positivas y negativas fluyendo en el mismo sentido, la corriente respectiva estar dirigida en sentidos opuestos.
E JEMPLO 2.1 Clculo de la velocidad de arrastre de los electrones en un cable de

Cu (densidad = 8,93 g/cm3 y masa atmica A = 63,55 g) de radio 0.8 mm que
transporta una corriente de intensidad 20 mA.
Es interesante primero notar que para el caso de corriente continua en un cable (que generalmente presenta una seccin transversal invariante), la expresin
de la intensidad se reduce a
Z
Z
Z
I= ~
J d~
S = |~
J |dS = |~
J | dS = |~
J |S ,
(2.8)
S
donde se ha supuesto que ~

J d~
S y que |~
J | permanece constante en toda la seccin
transversal (n no vara en la seccin y la velocidad de las cargas es la misma en
toda la seccin).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
32
Puesto que |~
J | = nq|~
v a |, de la expresin (2.8) se deduce que la velocidad de
arrastre de las cargas mviles puede escribirse como
|~
va | =
I
.
nqS
Dado que la intensidad, la carga elemental q y la seccin transversal pueden

calcularse a partir de los datos del problema, |~
v a | quedar determinada si conocemos el valor de n. Para calcular el nmero de electrones libres por m3 en el cobre,
supondremos que cada tomo de cobre aporta un electrn libre al metal, por lo
que el nmero de stos coincidir con el nmero de tomos de Cu por m3 , n a . Para obtener n a puede calcularse el nmero de moles por m3 , , y multiplicar este
nmero por el nmero de tomos en un mol, N A = 6,02 1023 , esto es: n a = N A .
A su vez, el nmero de moles por m3 puede obtenerse como
=
masa de 1m3
= ,
masa de un mol A
por lo que n puede obtenerse a partir de la siguiente expresin:

n = NA
.
A
Para el caso del Cu, A = 63,55g y = 8,93 g/cm3 , por lo que

n = 6,02 1023
8,93 106
= 8,46 1028 electrones/m3 .
63,55
La velocidad de arrastre ser por tanto:

|~
va | =
8,46
20 103
= 7,43 107 m/s .
1019 (0,8 103 )2
1028 1,6
Obsrvese el valor tan pequeo de velocidad que se obtiene para el desplazamiento de los electrones en el interior del cable, aunque esta velocidad de desplazamiento tan pequea no implica que haya que esperar un largo tiempo para que
se inicie la corriente elctrica. Algo similar ocurre en una columna de soldados
respondiendo a la voz de marcha, aunque la velocidad de desplazamiento de los
soldados pueda ser pequea, la columna se pone en marcha de forma casi instantnea.
Ecuacin de continuidad de la carga

El principio de conservacin local de la carga (ver Apartado 1.1) exiga
que si cierta carga desapareca de un lugar, esta misma carga deba haber
viajado y aparecer posteriormente en otro lugar. Dado que la carga viajando constituye una corriente elctrica, este principio puede expresarse en
trminos de dicha corriente elctrica como
La intensidad de corriente que atraviesa la superficie cerrada de un recinto es igual a menos la variacin temporal de la carga mvil en su interior.
Apuntes de FFI
FLML
2.3. Conductividad, Ley de Ohm
33
Esta ley simplemente dice que si en cierto recinto entran, por ejemplo,
5 cargas por segundo y salen 2 cargas por segundo, entonces la carga en el
interior del recinto aumenta a un ritmo de 3 cargas por segundo. En forma
matemtica, el principio anterior se conoce como ecuacin de continuidad para la carga y puede expresarse como
I
S
~
J d~
S =
dQ
,
dt
(2.9)
-dQ/dt
J
donde el signo menos delante del segundo miembro slo indica que un
flujo positivo (es decir, carga saliendo del recinto) est relacionado con una
disminucin de la carga en su interior. Dado que la carga en el interior del
recinto puede expresarse en trminos de la densidad de carga volumtrica
R
en su interior: Q = V dV , la expresin (2.9) puede reescribirse como
I
S
~
J d~
S =
d
dt
Z
V
dV =
Z
V
dV .
t
(2.10)
Para el caso de corriente continua, donde no existen variaciones temporales de carga mvil en el interior de los conductores (dado que la carga
por unidad de tiempo que atraviesa cualquier superficie es siempre la misma), se cumple que
=0,
t
por lo que la ecuacin de continuidad establece que
Ecuacin de continuidad en rgi-
I
S
~
J d~
S =0 ,
(2.11)
men estacionario
esto es, el flujo de corriente a travs de un recinto cerrado es nulo; o lo que

es lo mismo, la misma cantidad de carga que entra en el recinto sale de l.

2.3.1. Conductividad elctrica
El modelo ms elemental de lo que sucede en un conductor real 2 supone que las cargas mviles del conductor responden a la aplicacin de un
campo elctrico externo acelerndose, pero que esta ganancia continua de
energa cintica es compensada por una prdida equivalente de energa
debida a las continuas colisiones que sufren las cargas mviles (generalmente electrones) con los restos atmicos fijos del material conductor. Este proceso simultneo de aceleracin debido al campo elctrico y desaceleracin debido a las continuas colisiones es equivalente a un movimien-
2 Es muy importante distinguir el presente caso de un conductor real con el caso de un

conductor perfecto que ya estudiamos en el Apartado 1.4. Debe recordarse que en el caso
de un conductor perfecto no exista campo elctrico en el interior del conductor. En el
presente caso de un conductor real s existir campo en el interior de dicho conductor.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
34
to promedio en el que la velocidad de los portadores de carga permanece

constante. 3
El complicado proceso interno puede simularse globalmente considerando que el resultado de las colisiones puede modelarse mediante el efec~d = ~
to de una fuerza disipativa del tipo F
v a que se opone al movimiento.
Segn este sencillo modelo, la ley de movimiento de una de las partculas
cargadas en el interior de un conductor real vendra dada por
d~
va
~ ~
= qE
va .
(2.12)
dt
En la situacin estacionaria en la que la velocidad de desplazamiento de
las cargas permanece constante (esto es: d~
v a /dt = 0), sta podr expresarse, segn (2.12), como
q
~,
~
va = E
o equivalentemente como
~,
~
v a = E
(2.13)
m
donde se pone de evidencia la relacin lineal que existe entre la velocidad

de arrastre y el campo elctrico aplicado mediante el parmetro conocido como movilidad de las cargas (sus unidades en el S.I. son m2 /(Vs)).
Teniendo ahora en cuantq que ~
J = nq~
v a , el vector densidad de corriente puede escribirse como
~
~,
J = nqE
(2.14)
o bien
nq 2
~.
E
(2.15)
La anterior expresin manifiesta la existencia de una relacin lineal entre

el vector densidad de corriente y el campo elctrico aplicado que puede
expresarse como 4
~
~ ,
J = E
(2.16)
~
J=
Ley de Ohm para
~
J
~
E
siendo un parmetro asociado al material que se conoce como conductividad elctrica y que vendr dado por
Conductividad elctrica
nq 2
,
(2.17)
o bien por
= qn .
E
vd
+
vd
Apuntes de FFI
J
J
(2.18)
La conductividad elctrica mide el grado de conduccin elctrica de

los materiales, siendo mayor para aquellos materiales en los que la corriente elctrica fluye con ms facilidad (ntese que es inversamente proporcional al parmetro ).
Es interesante notar que independientemente del signo de la carga,
3 Una situacin anloga se da en la cada de las gotas de agua de la lluvia. Cada gota de
agua es acelerada por el campo gravitatorio y, a su vez, desacelerada en los choques que
sufre con las molculas de aire que se encuentra en su cada. El resultado global es que las
gotas de agua caen a velocidad aproximadamente constante.
4 En general esta ley tambin ser vlida para campos elctricos no electrostticos.
FLML
35
dado que sta aparece al cuadrado en (2.17), el sentido de la corriente es

siempre el mismo que el del campo elctrico aplicado.
2.3.2.
Ley de Ohm circuital
Si un conductor filiforme dotado de cierta conductividad se sita en

~ , este campo elctrico peneuna regin donde existe un campo elctrico E
~int = 0) y
tra en el conductor (a diferencia de un conductor perfecto donde E
afectar a las cargas mviles dando lugar a una corriente elctrica. Segn
(1.33), la integral de camino del campo elctrico entre dos puntos del conductor ser justamente la diferencia de potencial entre esos dos puntos,
esto es,
Z
2
~ d~
E
l = V (1) V (2) V12 .
Esta diferencia de potencial entre dos puntos es usualmente denominada tensin elctrica, o simplemente tensin. Dado que el campo elctrico
puede relacionarse con la densidad de corriente mediante la ley de Ohm
(2.16), se tiene que
Z 2~
J ~
V12 =
dl .
(2.19)
1
2
E
J
l
Supuesto que en el conductor filiforme de seccin transversal S, el vector

densidad de corriente pueda escribirse como
~
J=
u
S
(2.20)
el vector unitario en la direccin del conductor), el clculo de la

(siendo u
integral de camino (2.19) ser entonces
2
V12 =
Z 2
Z 2
~
J ~
I
l
I
d~
u
l=
dl =
dl =
I,
S 1
S 1
S
(2.21)
donde l es distancia entre los puntos 1 y 2.

Obsrvese que se ha obtenido una relacin lineal entre la diferencia de
potencial entre dos puntos del conductor y la intensidad de la corriente
elctrica que circula por l. Esta relacin se puede escribir de forma genrica como
V = RI
(2.22)
que se conoce como ley de Ohm circuital (enunciada por G.S. Ohm en
1827), donde el parmetro R, denominado resistencia del material, es para
el conductor filiforme
l
.
(2.23)
R=
S
Ley de Ohm circuital
Resistencia de un conductor
liforme
La resistencia es una caracterstica de cada conductor que depende de

su constitucin material (a travs de ) y de su geometra. La unidad de
resistencia en el SI es el ohmio (), siendo
1 voltio
1 ohmio =
1 amperio
FLML
Unidad de Resistencia:
1 = 1 V/A .
1 ohmio ()
Apuntes de FFI
Tema 2.
36
A diferencia de lo que ocurre en un conductor perfecto, que es equipotencial, la presencia de una resistencia (esto es, la existencia de una prdida de
energa de los portadores de carga mviles debido a las colisiones con los
restos atmicos fijos) se manifiesta en una cada de potencial, o tensin, a
lo largo del conductor real si ste es recorrido por una corriente.
Unidad conductividad elctrica:
1 (m)1
A R
V12=VAB
A partir de (2.23) podemos deducir que las unidades de conductividad

son inversamente proporcional a la resistencia y longitud, por lo que
las unidades de conductividad suelen darse en (m)1 . La conductividad
elctrica es una de las magnitudes que ms varan de un material a otro:
desde 1015 (m)1 para materiales muy poco conductores (dielctricos)
hasta 108 (m)1 en metales muy buenos conductores como el cobre o
la plata. Puesto que la conductividad de los metales suele ser muy alta y,
por tanto, su resistencia muy baja, en mltiples situaciones prcticas (por
ejemplo, en la mayora de los circuitos) se considera que no hay cada de
potencial en los conductores metlicos sino que toda la cada de potencial
se da en unos elementos especficos de menor conductividad llamados resistencias.
2.3.3.
V1
V2
E
dq
Efecto Joule
En los apartados anteriores se ha discutido que la presencia de corriente elctrica en un conductor real lleva aparejado un proceso disipativo de
energa fruto de las continuas colisiones de los portadores mviles con los
restos atmicos fijos. Este proceso disipativo implica una prdida de energa cintica de los portadores de carga en forma de calor que se transmite al
material conductor y a su entorno. La presencia de una cada de potencial
en un conductor real (cuando ste es recorrido por una corriente elctrica) provoca que para desplazar un diferencial de carga, dq, desde el punto
de potencial V1 al punto de potencial V2 , el campo elctrico externo deba
realizar un trabajo. Si la diferencia de potencial entre estos dos puntos se
expresa de forma general como V = V1 V2 , este trabajo viene dado, segn
(1.61), por
dW = dq(V1 V2 ) = dqV .
Teniendo ahora en cuenta que el elemento de carga, dq, es parte de una
corriente I que circula por el conductor, podremos escribir que: dq = I dt ;
por lo que el diferencial de trabajo realizado por el campo podr expresarse
como
dW = I V dt .
(2.24)
En consecuencia, el ritmo temporal con el que se realiza este trabajo, que
coincidir con la potencia, P = dW /dt , disipada en forma de calor en la
resistencia, vendr dado por
Ley de Joule
P = I V = I 2 R = V 2 /R .
(2.25)
Esta ley para la potencia disipada en una resistencia fue deducida experimentalmente por J.P. Joule sobre 1841.
Apuntes de FFI
FLML
2.4. Fuerza electromotriz
37
E JEMPLO 2.2 Dos conductores de la misma longitud y el mismo radio se conectan

a travs de la misma diferencia de potencial. Si uno de los conductores tiene el doble de resistencia que el otro, cul de los dos conductores disipar ms potencia?
Si la resistencia del conductor 1 es R 1 = R y la del conductor 2 es R 2 = 2R, entonces, de acuerdo con la expresin (2.25), las potencias disipadas en cada conductor son:
P1
V2 V2
=
R1
R
P2
V2 V2
=
,
R 2 2R
por lo que:
P 1 = 2P 2 .
Esto quiere decir que, supuesta igual la diferencia de potencial en los conductores, aquel conductor con menor resistencia es el que disipa mayor cantidad de
potencia.
Qu ocurrira si los conductores anteriores fuesen recorridos por la misma
intensidad?
2.4.
Fuerza electromotriz
Antes de analizar cmo puede mantenerse en la prctica un una corriente elctrica continua, detengmonos un momento en el anlisis de
una corriente continua de masa. En el dibujo adjunto se muestras bolitas
que se mueven en el interior de un tubo cerrado sobre s mismo. La cuestin es: puede existir un flujo constante de masa en la situacin anterior?.
Obviamente, bajo el efecto nico del campo gravitatorio, una bolita que sale de la parte superior no podr llegar a un punto ms alto que aqul desde
el cual ha partido y, por tanto, no puede producir un movimiento circular
continuo (es decir, la bolita no puede alcanzar un punto de potencial gravitatorio mayor que el de partida). No obstante, si adems consideramos la
presencia inevitable de rozamiento, habr una perdida adicional de energa cintica transformada en calor que provocar que la bolita no alcance
el punto terico de mxima altura sino uno de menor altura. En resumen,
la bolita en el dispositivo anterior no podr realizar un movimiento circular
mantenido sino que realizar un movimiento oscilatorio que desaparecer
tras unas cuantas oscilaciones. Por tanto, podemos afirmar que el campo
gravitatorio, que es conservativo, no es capaz de mantener por s mismo
una corriente continua de masa. Para conseguir una corriente continua de
masa debe aadirse al sistema anterior un elemento que proporcione el
empuje adicional necesario a las bolitas para que puedan continuar su
movimiento. Claramente, este elemento adicional debe producir un campo de naturaleza distinta al gravitatorio (esto es, no conservativo).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
38
La misma cuestin puede ahora plantearse respecto a si un campo

electrosttico puede mantener una corriente continua de cargas elctricas. En este caso, y debido a la naturaleza conservativa del campo electrosttico, la respuesta sigue siendo NO, por razones anlogas a las del caso
anterior. En otras palabras, el trabajo por unidad de carga que realiza el
~els , en un recorrido circular de la carga es nulo,
campo electrosttico, E
I
W
~els d~
= E
l =0,
q
~els (ver la expresin (1.31)). Dado que
debido al carcter conservativo de E
en cualquier situacin real siempre existe una prdida de energa debido al
efecto Joule, para mantener un flujo continuo de cargas debemos introducir un elemento externo que proporcione a las cargas mviles el impulso
externo necesario para compensar esta perdida constante de energa. El
agente de este impulso externo a las cargas no puede ser claramente un
campo electrosttico pues ste proporcionara siempre una energa nula
por ciclo.
Fuerza electromotriz (fem)
Puesto que el impulso sobre los portadores mviles puede estar localizado en una parte concreta del circuito o bien distribuido a lo largo de ste,
lo que importa es la integral a lo largo de todo el circuito de la fuerza por
unidad de carga, ~
f , que origina este impulso. La circulacin de esta fuerza
por unidad de carga se conoce como fuerza electromotriz, , (denotada
usualmente como fem):
I
~
=
f d~
l,
(2.26)
circuito
Unidad de fem : 1 voltio (V)
esto es, la fuerza tangencial por unidad de carga integrada sobre la longitud del circuito completo (esta cantidad es igual a la energa por unidad
de carga suministrada en cada ciclo por el agente externo). Debe notarse
que la denominacin de fuerza electromotriz es un poco desafortunada,
dado que no tiene unidades de fuerza sino de fuerza por unidad de carga
(o sea, de campo elctrico) y por longitud, que son precisamente unidades
de potencial elctrico (recurdese que, segn (1.33), la diferencia de potencial se define como la integral de camino del campo electrosttico). Por
consiguiente, las unidades de fuerza electromotriz son voltios. No obstante, es importante aclarar que la fuerza electromotriz NO es una diferencia
de potencial,
6= V ,
~s
puesto que el agente de fem no puede ser un campo electrosttico, E
(campo de circulacin nula), sino un campo de naturaleza no electrostti~m . El agente fsico concreto resca que llamaremos campo electromotor, E
ponsable de este campo electromotor puede ser muy diverso, por ejemplo:
fuerzas de origen qumico en una batera, fuerza mecnica en un generador de Van der Graaff, la luz en una clula fotoelctrica, la presin mecnica en un cristal piezoelctrico, etc...
Podemos, por tanto, establecer que la existencia de una corriente elctrica continua en un circuito requiere la accin de un agente externo, usualmente denominado generador de fem (o tambin, fuente de tensin), que
Apuntes de FFI
FLML
2.4. Fuerza electromotriz
39
F IGURA 2.1: (a) Esquema fsico de la accin de un generador de fuerza electromotriz. (b) Representacin circuital del esquema anterior
proporcione el campo electromotor necesario para empujar las cargas

positivas/negativas hacia potenciales crecientes/decrecientes en contra del
efecto del campo electrosttico. Este hecho queda de manifiesto en la parte (a) de la Fig. 2.1, donde al realizar la circulacin del campo elctrico total
~T = E
~s + E
~m ,
suma del campo electrosttico ms el electromotor, E
=
=
~T d~
E
l=
2
1
~s d~
E
l+
~m d~
E
l
~m d~
E
l
(2.27)
se obtiene que la fuerza electromotriz es justamente la integral de camino

del campo electromotor entre los puntos 1 y 2 (recurdese que la circulacin del campo electrosttico es nula). En trminos circuitales, la representacin de la situacin anterior se muestra en la parte (b) de la figura.
2.4.1.
Potencia suministrada por el generador
El trabajo que realiza el generador (en concreto, el campo electromo~m ) para mover un diferencial de carga dq vendr dado por
tor, E
I
dW = dq
~m d~
E
l = dq .
(2.28)
Puesto que este diferencial de carga forma parte de una corriente, tendremos que dq = I dt y por tanto
dW = I dt .
(2.29)
De la expresin anterior podemos deducir que la potencia, P , suministrada

por el generador es
P = I .
FLML
(2.30)
Potencia suministrada por el

generador de fem
Apuntes de FFI
Tema 2.
40
2.5. Reglas de Kirchhoff

2.5.1. Regla de Kirchhoff de las tensiones
~t , entre los punSi calculamos la integral de camino del campo total, E
tos 1 y 2 de la rama (asociacin de elementos en serie recorridos por la
misma intensidad) mostrada en la figura adjunta, tendremos que
2
Z
1
~T d~
E
l=
Z
1
~s d~
E
l+
Z
1
~m d~
E
l.
(2.31)
Ahora bien, segn la expresin (2.16), el primer miembro de la expresin

anterior se puede reescribir como
2
Z
1
~T d~
E
l=
Z
1
~
J ~
dl .
(2.32)
Suponiendo vlida la expresin (2.20) y operando obtenemos que

2
Z
1
~T d~
E
l=
Z
1
Z 2
~
J ~
I
dl =
dl = I R .
1 S
(2.33)
El sentido de la intensidad se supone inicialmente fluyendo en el sentido de

recorrido del punto 1 al punto 2.
El primer trmino del segundo miembro en (2.31) es justamente la integral de camino del campo electrosttico entre los puntos 1 y 2; esto es, la
diferencia de potencial entre ambos puntos (o tensin):
2
Z
1
~s d~
E
l = V12 .
Dado que el segundo trmino es, por definicin, la fuerza electromotriz del
generador, la expresin (2.31) puede reescribirse como
I R = V12 + ,
(2.34)
V12 = I R .
(2.35)
o bien:
Es interesante notar que si entre los puntos 1 y 2 slo existiese el generador de fuerza electromotriz (R = 0), de acuerdo con la ecuacin anterior, la
cada de tensin V21 sera numricamente igual al valor de la fuerza electromotriz del generador (V21 = ). Esta misma igualdad se dara tambin si
no circulase intensidad por la rama aunque R 6= 0.
Si en vez de una sola resistencia y generador tenemos una rama con
varios de ellos, entonces, la aplicacin del anterior razonamiento nos dice
que
V12 = I (R 1 + R 2 + R 3 ) (1 + 2 ) ,
que de forma general se puede escribir como
X
X
V12 = I R j i ,
(2.36)
j
Apuntes de FFI
FLML
2.5. Reglas de Kirchho
41
donde el signo de la correspondiente i se toma segn el siguiente criterio:

(
~m = sentido recorrido 1 2
+ si sentido E
sign() =
~m 6= sentido recorrido 1 2 .
si sentido E
En un caso todava ms general como el que se muestra en la Fig. 2.2,

donde tenemos varias ramas recorridas por diferentes corrientes, el clcu-
F IGURA 2.2: Diversas ramas recorridas por distintas intensidades.

lo de la integral de camino entre los puntos 1 y 2 nos dice que
V12 = [I 1 R 1 I 2 R 2 + I 3 (R 3 + R 4 )] (1 + 2 ) ,
donde el signo de la intensidad, I j , se toma de acuerdo al siguiente criterio:
sign(I j ) =
(
+ si sentido I j = sentido recorrido 1 2
si sentido I j 6= sentido recorrido 1 2 .
En general, la expresin anterior se puede expresar como

Regla de Kirchho para
V12 =
IjRj
i ,
(2.37)
la tensin.
(donde R j es la resistencia total de la rama j recorrida por la intensidad I j )

y se conoce como regla de Kirchhoff para la tensin.
2.5.2. Regla de Kirchhoff de las intensidades

Si la expresin (2.11) se aplica a un trozo de un cable tal como se muestra en la figura adjunto, sta dice que
I
S
~
J d~
S=
Z
S1
~
J d~
S+
Z
S2
~
J d~
S
dS1
dS2
=~
J ~
S1 + ~
J ~
S 2 = I + I = 0 .
Para el caso de tres ramas de un circuito que confluyen en un nodo, al
aplicar (2.11) obtenemos:
I
Z
Z
Z
~
~
~
~
~
~
~
J dS =
J dS +
J dS +
J d~
S
S
S1
S2
S3
=~
J1 ~
S1 + ~
J2 ~
S2 + ~
J3 ~
S 3 = I 1 + I 2 + I 3 = 0 ,
FLML
dS2
J2
dS1
J1
J3
dS3
Apuntes de FFI
Tema 2.
42
donde los valores de las distintas intensidades sern negativos (si la carga
entra en el recinto) o positivos (si la carga sale del recinto).
Si la expresin anterior se generaliza para un nodo con N ramas, se
obtiene la regla de Kirchhoff para las intensidades:
Regla de K
N
X
Ii = 0 ,
(2.38)
i =1
que establece que

la suma de todas las intensidades en un nodo es nula.
2.6. Resolucin de circuitos de corriente continua

Denominaremos circuito de corriente continua (cc) a la interconexin
de un nmero arbitrario de resistencias y generadores de cc. La interconexin puede tener cualquier topologa, siendo la ms simple la mostrada
en la figura adjunta. La aplicacin de las dos reglas de Kirchhoff anteriores
conducir, en general, a un sistema de ecuaciones, cuya resolucin nos dar los valores de las magnitudes buscadas. Para el caso simple de la figura
adjunta, tendremos que solo existe una intensidad, I , que recorre el circuito. La aplicacin de la regla de Kirchhoff (2.35) para la tensin al anterior
circuito (recorrido en el sentido horario desde el punto 1 hasta l mismo)
dice que
V11 = 0 = I R ,
por lo que la intensidad ser
I = /R .
Para un circuito ms complejo como el mostrado en la Fig. 2.3, tomamos
F IGURA 2.3:
como incgnitas las intensidades que recorren cada rama: I a , I b e I c . Las
reglas de Kirchhoff dan lugar al siguiente sistema lineal de tres ecuaciones:
Apuntes de FFI
I a R a + I b R b = a b
(2.39a)
I c R c + I b R b = c b
(2.39b)
Ib = I a + Ic ,
(2.39c)
FLML
las intensid
43
que tras sustituir I b queda como

I a (R a + R b ) + I c R b = a b
(2.40a)
I a R a + I c (R b + R c ) = c b .
(2.40b)
La resolucin del anterior sistema por cualquiera de los mtodos conocidos permitir obtener las intensidades en cada una de las ramas.
2.6.1. (*) Mtodo de las corrientes de malla

Existen algunas mtodos que permiten resolver los circuitos lineales
(circuitos cuyos componentes muestran una relacin lineal entre la intensidad y la tensin) planteando de forma sistemtica un sistema de ecuaciones para ciertas variables auxiliares. Uno de estos mtodos es el conocido
como mtodo de las corrientes de malla. Este mtodo simplemente reorganiza las expresiones resultantes de la aplicacin de las reglas de Kirchhoff, de modo que las variables incgnitas son las denominadas intensidades de malla. Antes de presentar el mtodo, es conveniente determinar
con precisin el significado de ciertas denominaciones:
Rama: Conexin en serie de componentes.
Nodo: Punto en el que concurren tres o ms ramas.
Red: Conjunto de nodos y ramas.
Malla: Recorrido de una red, tal que partiendo de un punto se vuelve
a l sin pasar dos veces por un mismo nodo.
En la aplicacin del mtodo, se debe empezar identificando un nmero mnimo de mallas que recubra completamente el circuito. En el caso del
circuito de la Figura 2.3, podemos comprobar que el circuito es recubierto por al menos dos mallas, siendo su eleccin ms trivial, la malla de la
izquierda (malla 1) y la de la derecha (malla 2). Para cada una de estas mallas definiremos su intensidad de malla respectiva (con su sentido) como
aquella intensidad que recorre la malla: I 1 e I 2 ; de modo que I 1 es la intensidad que recorre la rama a y parcialmente la rama b. Por su parte, la
intensidad de la rama b vendr dada por
Ib = I1 + I2 .
En general, el sistema planteado para las intensidades de malla, I j , es
el siguiente:
N
X
i =
Ri j I j
(i = 1, . . . , N ) ,
(2.41)
j =1
donde
N es el nmero de mallas;
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
44
i es la fem total de la malla, tomando el signo de cada f.e.m. parcial positivo si el campo electromotor va en el mismo sentido que la
intensidad de malla, y negativo en otro caso;
R i j es la resistencia total comn de la malla i y j , cuyo signo ser
sign(R i j ) =
(
+ si sentido I i = sentido I j
si sentido I i 6= sentido I j .
Si aplicamos la tcnica anterior al circuito de la Figura 2.3, obtendremos el siguiente sistema en forma matricial:

a b
R a + Rb
=
c b
Rb
Rb
Rb + Rc

I1
I2
(2.42)
E JEMPLO 2.3 Obtenga el sistema de ecuaciones para las intensidades de malla del
siguiente circuito de tres mallas
En el circuito de la figura adjunta definimos una intensidad para cada una de
las mallas sealadas, tomando el sentido de esta intensidad tal y como se muestra
en la figura. Siguiendo los criterios de signos ya sealados para las resistencias
y fuerzas electromotrices, encontramos que el sistema de ecuaciones escrito en
forma matricial que caracteriza al circuito es el siguiente:

1 4
R1 + R2 + R8
3 + 4 =
R 8
2
R 2
R 8
R5 + R6 + R7 + R8
R 5

R 2
I1
I 2
R 5
R2 + R3 + R4 + R5
I3
2.6.2. (*) Teorema de superposicin

En aquellos circuitos en los que existe ms de una fuente es a menudo
til el teorema de superposicin, que dice
La respuesta en cualquier elemento de un circuito lineal que
contenga dos o ms fuentes es la suma de las respuestas obtenidas para cada una de las fuentes actuando separadamente y
con todas las dems fuentes anuladas.
Para demostrar este teorema podemos partir del sistema de ecuaciones
que nos da el mtodo de anlisis de mallas,
[] = [R][I ] ,
(2.43)
[I ] = [R]1 [] .
(2.44)
o, equivalentemente,
Apuntes de FFI
FLML
45
Si ahora consideramos una descomposicin de las fuentes, de manera que

[] = []1 + []2 ,
(2.45)
tendremos entonces que existe una descomposicin anloga para la intensidad,

[I ] = [R]1 [] = [R]1 []1 + [R]1 []2
= [I ]1 + [I ]2 .
(2.46)
La ecuacin anterior muestra que toda combinacin lineal de fem corresponde

a una combinacin lineal de intensidades.
E JEMPLO 2.4 Aplicar el teorema de superposicin para calcular la intensidad I b

en el circuito de la parte (a) de la gura.
El clculo de la corriente I b mediante la aplicacin del teorema de superposicin requiere la descomposicin de la excitacin provocada por las dos fuentes
en dos excitaciones distintas debidas a cada una de las fuentes actuando por separado. De esta manera
I b = I b,1 + I b,2 ,
y, por tanto, debemos resolver dos problemas ms simples segn muestra la parte
(b) de la figura. Para calcular I b,1 , tenemos que resolver el siguiente sistema:
a = I a R a + I b,1 R b
I b,1 R b = I c R c
I a = I b,1 + I c .
Asimismo para calcular I b,2 , se resolver
c = I c R c + I b,2 R b
I b,2 R b = I a R a
I c = I b,2 + I a .
Aunque el ejemplo anterior no muestra ninguna ventaja de clculo en

la resolucin del circuito, existen mltiples situaciones en las que la aplicacin de este teorema puede ser muy beneficioso para simplificar los clculos. Una situacin en la que este teorema muestra su utilidad se encuentra
cuando tengamos en un mismo circuito fuentes de corriente continua y de
corriente alterna. Algn ejemplo de esta situacin se mostrar en el tema
de corriente alterna.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
46
2.6.3. (*) Teorema de Thevenin

Este teorema puede enunciarse de la siguiente manera:
En un circuito de CC que contenga resistencias y fuentes de fem
del cual salen dos terminales, stos pueden ser considerados a
efectos de clculo como los terminales de un circuito que contiene una nica fuente de tensin, TH , de valor igual a la diferencia de potencial que aparece entre los terminales, y una
nica resistencia, R TH , equivalente a la que aparece entre los
terminales cuando se anulan todas las fuentes de fem del circuito.
F IGURA 2.4: Red compuesta por mltiples fuentes de fem y resistencias

junto con su circuito equivalente Thevenin.
El contenido del teorema puede interpretarse diciendo que todo circuito lineal activo con terminales de salida A y B puede sustituirse por una
fuente de tensin en serie con una resistencia (ver Fig. 2.4). Los valores
concretos de esta fuente de tensin y de la resistencia se determinan segn el procedimiento descrito por el propio teorema.
E JEMPLO 2.5 Calcular el equivalente Thevenin del circuito de la gura

Para aplicar el teorema de Thevenin, debemos calcular el valor de la resistencia y de la fuente de tensin de Thevenin.
En primer lugar calcularemos R TH , para lo cual debe obtenerse la resistencia
equivalente cuando se anula (cortocircuita) la fuente. En primer lugar obtenemos
la resistencia paralelo, R , debido a las resistencias de 60 y 40:
26W
A
60W
1
1
1
=
+
,
R 40 60
de donde R = 24. La resistencia Thevenin ser simplemente
40W
B
R TH = R + 26 = 50 .
Para obtener la fuente de tensin Thevenin, obtendremos la diferencia de potencial entre los terminales A y B dado que TH = V AB . La intensidad, I , que recorre el circuito ser
200 V
=2A.
I=
60 + 40
Apuntes de FFI
FLML
2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador
47
Teniendo en cuenta que por las ramas A o B no circula intensidad, tenemos

que: V AB = V A 0 B 0 y por tanto
TH = 40I = 80 V .
2.6.4. Balance de potencia

En los apartados 2.3.3 y 2.4.1 se ha discutido la potencia disipada en
una resistencia y la proporcionada por una fuente de tensin. En un circuito compuesto de varias fuentes de tensin y resistencias resulta evidente,
a partir del principio de conservacin de la energa, que la potencia total (energa por unidad de tiempo) disipada en todas las resistencias debe
coincidir con la potencia suministrada por el conjunto de todas las fuentes. En otras palabras, si tenemos N fuentes de tensin, cada una de ellas
suministrando una potencia dada por
P (n ) = I n n
(siendo I n la intensidad de la corriente que circula por la fuente n ) y M
resistencias, disipando cada una de ellas una potencia
P (R m ) = I m Vm
(siendo Vm e I m respectivamente la cada de tensin y la intensidad en la
resistencia R m ), entonces debe cumplirse que
Potencia suministrada por todas

las fuentes de tensin debe ser
N
X
P (n ) =
n=1
M
X
P (R m ) ,
(2.47)
m=1
igual a potencia consumida en todas las resistencias
o equivalentemente,
N
X
n=1
I n n =
M
X
m=1
I m Vm =
M
X
m=1
2
Im
Rm =
M
X
Vm2 /R m .
(2.48)
m=1

Un circuito RC ser aquel formado por resistencias, condensadores y
generadores de fuerza electromotriz. La principal diferencia con los circuitos con generadores y resistencias que hemos visto hasta ahora reside
en el hecho de que el condensador sufre procesos temporales de carga y
descarga, lo que hace que la corriente que fluya por el circuito sufra una
variacin temporal, denominada transitorios, hasta que se alcanza finalmente un rgimen estacionario.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
48
Descarga de un condensador
Veamos lo anteriormente expuesto en el proceso de descarga de un
condensador. Supongamos que el condensador de capacidad C ha sido
cargado previamente, adquiriendo una carga final Q 0 . Si como muestra la
Fig. 2.5 el interruptor se cierra en el instante t = 0, entonces empezar a
fluir carga desde una placa a otra del condensador a travs del circuito con
F IGURA 2.5: Esquema de la descarga de un condensador a traves de un

circuito con una resistencia.
la resistencia R. Ciertamente este proceso continuar hasta que se anule
la carga en las placas del condensador (y consecuentemente la diferencia
de potencial entre dichas placas). La ecuacin que rige el anterior proceso
viene dada por la regla de Kirchhoff de las tensiones, que nos dice que
VC = VR .
(2.49)
Teniendo en cuenta que VC = Q/C y que VR = R I = RdQ/dt ,5 la ecuacin

anterior puede reescribirse como
Q
dQ
= R
C
dt
dQ
Q
+
=0.
dt RC
(2.50)
Notemos que la anterior ecuacin es una ecuacin diferencial, lo que significa que los distintos trminos de la ecuacin relacionan cierta funcin con
sus derivadas. En otras palabras debemos encontrar la funcin Q(t ) cuya
derivada sea igual a ella misma multiplicada por 1/RC . Es fcil reconocer
que la nica funcin cuya derivada es proporcional a ella misma es la funcin exponencial. En este sentido podemos comprobar que la solucin a la
ecuacin (2.50) es
Q(t ) = Q 0 et /RC ,
(2.51)
donde Q 0 es precisamente el valor de la carga en el condensador en el instante t = 0 (Q(0) = Q 0 ).
La expresion anterior nos dice que la carga en el condensador va decreciendo de forma exponencial, siendo el factor = RC , denominado constante de tiempo, el que rige el ritmo de decrecimiento. Podemos comprobar que para tiempos t & 4 la carga del condensador es prcticamente
5 Tngase en cuenta que, en este caso, debemos escribir I = dQ/dt para que est de
acuerdo con el hecho de que si disminuye la carga en la placa (+) del condensador, entonces la intensidad de la corriente sale del condensador (es decir, que tendr el mismo
sentido que el que hemos supuesto inicialmente en nuestro esquema del circuito).
Apuntes de FFI
FLML
49
despreciable y podemos considerar, a efectos prcticos, que el condensador ya se ha descargado.

Para calcular la intensidad de la corriente que fluye en el proceso de
descarga simplemente debemos derivar la expresin (2.51) para obtener
I (t ) = I 0 et /RC ,
(2.52)
donde I 0 es el valor de la intensidad de la corriente en el instante t = 0,

I (0) = I 0 = Q 0 /RC .
Carga de un condensador
El proceso contrario a la descarga del condensador ser precisamente
la carga de dicho condensador. En este proceso debemos contar con un
generador de fuerza electromotriz, , que nos proporcione la energa suficiente para llevar a cabo este proceso. Consideremos el circuito mostrado
en la Fig. 2.6. Si en el instante t = 0 cerramos el interruptor del circuito y su-
- Q(t )
+ Q(t )
I (t )
C
F IGURA 2.6: Esquema de la carga de un condensador a traves de un circuito

con una resistencia R y un generador de fuerza electromotriz .
ponemos el condensador inicialmente descargado Q(t = 0) = 0, entonces
a partir de dicho momento el generador provoca un movimiento de cargas
entre las placas del condensador que slo cesar cuando la diferencial de
potencial entre las placas del mismo se iguale al valor de la fuerza electromotriz. Aplicando la regla de Kirchooff de las tensiones al circuito tenemos
que
= VC + VR ,
(2.53)
ecuacin que podemos reescribir como
=
Q
dQ
+R
C
dt
dQ
Q
+
= .
dt RC R
(2.54)
Esta ecuacin diferencial es muy similar a (2.50) excepto en el miembro

no nulo de la derecha. La solucin es similar a la de (2.50) aunque ahora
debemos aadir un trmino ms, y as obtendremos que
Q(t ) = C +Q 0 et /RC .
(2.55)
El coeficiente Q 0 podemos obtenerlo a partir de la condicin inicial para

la carga, que nos deca que Q(t = 0) = 0. Aplicando esta condicin a (2.55)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 2.
50
obtenemos que
C +Q = 0
Q 0 = C ,
lo que nos permite escribir finalmente que
Q(t ) = C 1 et /RC .
(2.56)
Notemos que el proceso de carga viene caracterizado por una funcin

montonamente creciente, de manera que el trnsito de carga dura aproximadamente un tiempo t 4. Dependiendo de los valores de R y C este
intervalo de carga (y tambin el de descarga) puede durar desde tiempos
casi infinitesimales hasta tiempos del orden de segundos.

2.1: En un tubo fluorescente de 3 cm de dimetro pasan por un punto y por cada segundo
2 1018 electrones y 0,5 1018 iones positivos (con una carga +q e ) Cul es la intensidad
de la corriente en el tubo?.
Sol. 0,4 A.
2.2: Para saber la longitud del cable que ha sido arrollado en una bobina se mide la resistencia de este cable, encontrndose un valor de 5,18 . Si la resistencia de una longitud de
200 cm de este mismo cable es de 0,35 , cul era la longitud inicial del cable en la bobina?.
Sol.: l = 2960 cm.
2.3: a) Cul es el valor del mdulo del campo elctrico en el interior de un conductor de
cobre de resistividad = 1,72 108 m si ste est recorrido por una corriente elctrica de
densidad de corriente |~
J | = 2,54 106 A/m2 . b) Cul sera la diferencia de potencial entre
dos puntos separados 100 m?.
~ | = 43,7 mV/m; b) V = 4,37 V.
Sol.: a) |E
2.4: Cierto dispositivo mueve una carga de 1.5 C una distancia de 20 cm en una regin del
~ | = 2 103 N/C. Qu fuerza
espacio sometida a un campo elctrico uniforme de mdulo |E
electromotriz desarrolla el dispositivo?.
Sol.: = 400 V.
2.5: Cunto calor produce en 5 minutos una resistencia elctrica de hierro recorrida por
una intensidad de 5 A y sometida a una diferencia de potencial de 120 V?.
Sol. Calor 2,23 105 J.
2.6: Dos conductores de la misma longitud pero distinta rea de seccin transversal se
conectan en serie y en paralelo. Qu conductor de la combinacin disipar ms calor si
ambas son sometidas a la misma diferencia de potencial?.
Sol. Serie: el conductor con menor rea; Paralelo: el conductor con mayor rea.
2.7: En el circuito de la figura, determine: a) la corriente en cada resistencia; b) la diferencia de potencial entre los puntos a y b; y c) la potencia suministrada por cada batera.
Sol.: a) I 4 = 2/3 A, I 3 = 8 A, I 6 = 14/9 A; b) Vb Va = 28/3 V; c) 8 W suministradas por la
batera de la izquierda, 32/3 W suministrados por la otra.
2.8: Se dispone de dos bateras, una con 1 = 9 V, r 1 = 0,8 y otra con 2 = 3 V, r 2 = 0,4 .
a) Cmo deberan conectarse para dar la mxima corriente a travs de una resistencia R?.
Apuntes de FFI
FLML
51
b) Calcular la corriente para R = 0,2 y R = 1,5 .

Sol.: a) En paralelo para R pequeo, en serie para R grande; b) I 0,2 = 10,7 A, I 1,5 = 4,44 A.
2.9: Los condensadores del circuito de la figura estn inicialmente descargados. a) Cul
es el valor inicial de la corriente suministrada por la batera cuando se cierra el interruptor
S? b) Cul es la intensidad de la corriente de la batera despus de un tiempo largo? c)
Cules son las cargas finales en los condensadores?
Sol.: a) 3,42 A; b) 0,962 A; c) Q 10 = 260 C, Q 5 = 130 C.
2.10: En el circuito de la figura se conecta entre los puntos A y B una batera de 10 V y de

resistencia interna 1 . Determnese: a) la corriente por la batera; b) la resistencia equivalente entre A y B; c) la diferencia de potencial entre las placas de un condensador que se
conectase entre los nodos C y D.
Sol.: a) 32/7 A; b) 1,18 ; c) 4/7 V.
2.11: En el circuito de la figura, determinar: a) la intensidad en cada rama, b) la d.d.p. entre
a y b por todos los caminos posibles, c) la carga del condensador d) la potencia suministrada por las fuentes y la consumida por las resistencias.
Sol.: a) 0 A, 4/3 A, 4/3 A; b) 4 V; c) 12 C; d) suministradas: P ( = 4V ) = 0 W, P ( = 8V ) =
10,67 W; consumidas: P = 10,76 W.
2.12: Determnense las corrientes en el circuito de la figura.

Sol.: 1.1 A, 0.87 A, 0.73 A, 0.36 A, 0.15 A y 0.22 A.
2.13: En el circuito de la figura: a) determnense las corrientes; b) hgase el balance de

potencia.
Sol.: a) 7 A, 2 A y 5 A; b) suministrada: 560 W; consumidas: P (R = 10) = 490 W, P (R = 5) = 20
W, P (R = 2) = 50 W.
2.14: Determinar la corriente por R = 6 por dos mtodos: a) utilizando las leyes de Kirchhoff; b) mediante el equivalente de Thvenin.
Sol.: a) i R=6 = 1 A ; b) VT h = 22/3 V y R T h = 4/3 , i R=6 = 1 A.
2.15: En el circuito de la figura determinar la potencia consumida en la resistencia de carga R y encontrar el valor de dicha resistencia para el cual la potencia antes calculada es
mxima. Compltese el estudio anterior representando grficamente la funcin potencia
consumida en R en funcin del valor de R.
Sol.: P (R) = 2 R(R + R g )2 ; P (R) es mxima si R = R g .
2.16: En el circuito de la figura calclese la intensidad que circula por la resistencia R =
3 utilizando dos tcnicas diferentes: a) leyes de Kirchhoff; b) aplicando sucesivamente el
equivalentes de Thvenin, primero entre los puntos A y B y seguidamente entre los puntos
C y D.
Sol.: a)=b) i R=3 = 21/29 A.
2.17: Plantear las ecuaciones de Kirchhoff para el circuito de la figura. Una vez planteadas,
considrese ahora que R 5 = R 3 y bajo esta hiptesis eljase un posible conjunto de valores
para las fuentes de tensin de forma que la intensidad que circula por la fuente 1 sea nula.
Sol.: Una posible solucin sera 1 = 1 V, 2 = 0 V y 3 = 2 V. Obsrvese que existen infinitas
soluciones.
FLML
Apuntes de FFI
52
Tema 2.
2.18: En el circuito de la figura encuntrese la relacin entre las resistencias R 1 , R 2 , R 3 y

R 4 para que la intensidad por la resistencia R sea nula.
Sol.: R 1 R 4 = R 2 R 3 .
Apuntes de FFI
FLML
T EMA 3
Magnetosttica
3.1. Introduccin
En los temas precedentes se han estudiado las interacciones entre distribuciones de carga invariantes en el tiempo (Tema 1) as los flujos de
carga en circuitos de corriente continua (Tema 2). Todas las posibles interacciones y fenmenos pudieron ser descritos en funcin de campos y
potenciales elctricos y sus efectos sobre las cargas.
Desde muy antiguo es tambin conocido que existe en la naturaleza
una fuerza cuyo origen no est ligado a las cargas elctricas estticas pero que sin embargo tiene efectos sobre las cargas elctricas en movimiento.
Esta nueva interaccin es conocida con el nombre de interaccin magntica y se manifiesta, por ejemplo, en las fuerzas de atraccin y repulsin entre imanes y/o cabes que transportan corrientes, en la atraccin de trozos
de hierro (y otros metales) por imanes o bien en la orientacin permanente de una aguja imantada hacia el Norte magntico de la Tierra. El estudio
de esta nueva interaccin (tal como se hizo en el caso de la Electrosttica)
se llevar a cabo mediante la introduccin de un campo vectorial llamado
~ . Esto nos permitir estudiar la interaccin magntica
campo magntico B
obviando las fuentes que la producen. En el presente tema slo estaremos
interesados en estudiar los campos magnticos que no varan en el tiempo, es decir, los campos magnetostticos y, en consecuencia, este tema se
denomina Magnetosttica.
3.2.
Fuerza de Lorentz
~,
Supuesta una regin del espacio donde existe un campo magntico B
experimentalmente se encuentra que sobre una carga prueba, q, que se
mueve a una velocidad ~
v (medida en el mismo sistema de referencia donde
~ ) acta una fuerza, F
~m , con la siguientes caractersticas:
se ha medido B
La fuerza es proporcional al producto q|~
v |. Esto implica que esta
53
Tema 3.
54
fuerza no acta sobre partculas neutras o bien sobre partculas cargadas en reposo.
v
q
Magnetosttica
La fuerza tambin es proporcional al mdulo del campo magntico

~ |.
|B
Fm
La direccin de la fuerza es normal al plano formado por los vectores

~ , siendo nulo su mdulo cuando ~
~ y mximo cuando ~
~.
~
v yB
v B
v B
Los anteriores resultados experimentales pueden ser descritos en forma
matemtica por la siguiente expresin:
~m = q~
~.
F
v B
(3.1)
~ determina completamenEl producto vectorial (ver Apndice) de q~

v por B
te la fuerza magntica sobre una carga mvil. A partir de la anterior expresin puede deducirse que las unidades de campo magntico en el SI,
llamadas teslas (T), vendrn dadas por
Unidad de campo magntico
1 tesla (T)
1T = 1
N/C
.
m/s
(3.2)
La unidad de campo magntico es una unidad relativamente grande, esto

es, es difcil conseguir campos magnticos del orden de los teslas o mayores. De hecho, el campo magntico terrestre es del orden de 104 T. Por
esta razn suele usarse como unidad de campo magntico el gauss (G), de
modo que
1 T = 104 G .
(3.3)
Fe
E
v
~=q E
~ +~
~ .
F
v B
q
Fm
v
Fn
~ , existe un
Si en una regin del espacio, adems del campo magntico B
~
campo elctrico E , el fsico H.A. Lorentz (1853-1928) propuso que la fuerza total sobre una carga puntual q, o fuerza de Lorentz , poda escribirse
~e = q E
~ , ms la fuerza magcomo la superposicin de la fuerza elctrica, F
~
~
ntica, F m = q~
v B , esto es,
Ft
F
(3.4)
3.2.1. Movimiento de una carga puntual en presencia de un campo magntico

Antes de tratar la fuerza magntica, es importante recordar que la reP
~= F
~ext , que acta sobre una partcula
sultante de las fuerza externas, F
~ , y
puede descomponerse en dos partes, una tangente al movimiento, F
~
otra normal, F n :
~ =F
~ + F
~n = F
+ Fn n
.
F
En consecuencia, la ecuacin de movimiento
m
Apuntes de FFI
d~
v X
~ext
= F
dt
FLML
3.2. Fuerza de Lorentz
55
como
puede reescribirse (teniendo en cuenta que ~
v = |~
v |)
m
d|~
v|
d
d
=m
+ m|~
(|~
v |)
v|
dt
dt
dt
d|~
v|
|~
v |2
+m
=m
n
dt
r
+ Fn n
,
= F
o equivalentemente,
d|~
v|
dt
|~
v |2
Fn = m
,
r
F = m
(3.5)
(3.6)
siendo r el radio de curvatura de la trayectoria.

Una vez que hemos visto las anteriores caractersticas generales de la
ecuacin de movimiento, centrmonos en el caso de una partcula de masa
~.
m y carga q en el seno de una regin donde existe un campo magntico B
En esta caso, la ecuacin de movimiento viene dada por
m
d~
v
~m = q~
~
=F
v B
dt
(3.7)
donde podemos observar que la fuerza magntica es una fuerza normal,

~m es perpendicular a ~
dado que F
v (debido a la presencia del producto vectorial). Consecuentemente, podemos deducir que
Fuerza magntica es una fuerza

normal
~m es nula (F = 0), segn (3.5)

Como la componente tangencial de F
tenemos que d|~
v |/dt = 0; es decir, la fuerza magntica no cambia el
mdulo de la velocidad sino simplemente su direccin (|~
v | = cte).
La fuerza magntica no realiza trabajo sobre la partcula con velocidad ~
v . Si tenemos en cuenta que el diferencial de trabajo a lo largo
~m d~
de la trayectoria de la partcula, dado por el producto escalar F
l,
~
~
puede reescribirse como F m ~
v dt (dl = ~
v dt ), entonces comprobamos
~m ~
que es nulo al ser F
v.
~m |, (3.6) y (3.7) nos dicen que
Puesto que F n = |F
m
|~
v |2
~ | sen ,
= q|~
v ||B
r
(3.8)
~ ) por lo que el mdulo de la

(siendo el ngulo formado por ~
v yB
velocidad ser
~ |r
q|B
|~
v| =
sen .
(3.9)
m
Si el vector velocidad se expresa como suma de dos componentes, una
~ y otra perpendicular:
paralela a B
~
v =~
v + ~
v ,
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
56
Magnetosttica
la fuerza magntica puede expresarse como

~m = q~
~ = q~
~.
F
v B
v B
~m carece de proyeccin a lo largo de B
~ , podemos escribir las
Dado que F
siguientes ecuaciones para las velocidades ~
v y ~
v:
m
d~
v
dt
d~
v
m
dt
= 0
(3.10)
~m = q~
~.
= F
v B
(3.11)
Estas ecuaciones nos dicen que la componente de la velocidad paralela

~ no cambia por efecto del campo magntico (~
aB
v = Cte), y que la com~
ponente perpendicular, v , es afectada por una fuerza normal a sta que
nicamente cambia su sentido. Estos hechos dan lugar a que el movimiento de la partcula pueda descomponerse en un movimiento uniforme a lo
~ (supuesto que ~
largo de la direccin marcada por B
v 6= 0) junto con un
movimiento circular en un plano perpendicular, es decir, la trayectoria de
~.
la partcula es de tipo helicoidal a lo largo de un eje dirigido segn B
En el caso particular de que la velocidad inicial de la partcula no tuviese componente paralela al campo magntico, ~
v = 0, el movimiento de
~ ser un movimiento circular puro. El radio
sta en la regin donde existe B
R del crculo recorrido por la partcula puede deducirse a partir de (3.8)
( = /2):
|~
v |2
~| ,
m
= q|~
v ||B
R
esto es,
m|~
v|
R=
.
(3.12)
~|
q|B
Recordando la relacin entre la velocidad angular ~
y la velociad lineal ~
v,
tenemos que |~
| = |~
v |/R = 2/T y, por tanto, el periodo de este movimiento
vendr dado por
m
T = 2
.
(3.13)
~|
q|B
E JEMPLO 3.1 Determinar la masa de una partcula de carga q = 1,6 1019 C que
al penetrar en una regin con un campo |B~ | = 4000 G describe un crculo de radio
R = 21 cm, habiendo sido previamente seleccionada su velocidad con una disposi~ | = 3,2 105 V/m.
cin como muestra la gura con |E
En el selector de velocidades, se cumplir que slo aquellas partculas para
las que se verifique
~e | = |F
~m | |E
~ | = |~
~0 |
|F
v ||B
pasarn a la regin II. En consecuencia las partculas que llegan a esta regin tendrn una velocidad:
|~
v| =
Apuntes de FFI
~|
|E
3,2 105
=
m/s = 8,05 106 m/s .
~0 |
0,4
|B
FLML
3.2. Fuerza de Lorentz
57
Una vez en la regin II, las partculas por efecto de la fuerza magntica normal a
la trayectoria describirn un crculo de radio:
R=
m|~
v|
~|
q|B
y por tanto su masa ser

m=
~ | 1,6 1019 0,21 0,4

qR|B
=
= 1,67 1027 kg .
|~
v|
8,05 106
Dada la carga y masa de la partcula, se puede concluir que sta es un protn.
3.2.2. Efecto Hall

Se conoce como efecto Hall a la aparicin de una diferencia de potencial entre los extremos transversales de un conductor por el que circula una
corriente cuando ste es sometido a un campo magntico externo.
Este fenmeno es fcilmente detectable para el caso de un conductor
en forma de paraleleppedo (por ejemplo, una cinta conductora) y con un
campo magntico aplicado normal al conductor. Ntese que para los casos
de corriente elctrica sostenida por cargas positivas y negativas mostrados
en la figura 3.1(a) y (b) respectivamente, y dado que q~
v tiene el mismo
a)
b)
I qv
B
Fm
EH
EH
B
I qv
Fm
F IGURA 3.1: Corriente elctrica hacia la derecha sostenida por (a) cargas
positivas y (b) cargas negativas
~m = q~
~ hace que los porsentido en ambos casos, la fuerza magntica F
v B
tadores de carga mviles deriven hacia la cara inferior de la cinta conductora, acumulndose all. Debido a la neutralidad de la carga en el interior
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
58
Magnetosttica
del conductor, el exceso de carga en esta cara de la cinta es compensado

por la aparicin de una carga igual pero de sentido contrario en la otra cara
de la cinta conductora. La existencia de esta separacin de cargas da lugar
~ H de origen electrosttico y, por tanto, a la
a la aparicin de un campo E
~e que se opondr a F
~m . Este proceso de
existencia de una fuerza elctrica F
deriva de portadores libres de carga tiene lugar hasta que la fuerza magntica es estrictamente compensada por la fuerza elctrica, esto es, cuando
~m | = |F
~e |
|F
~ | = q|E
~H | ,
q|~
v ||B
por lo que el campo elctrico Hall que se instaura alcanza finalmente un
valor
~ H | = |~
~| .
|E
v ||B
(3.14)
La presencia de esta campo elctrico Hall da lugar a una diferencia de potencial entre los extremos de la cinta de anchura w dado por
~ |w .
V H = |~
v ||B
(3.15)
Esta diferencial de potencial se conoce voltaje Hall, V H , y ha sido obtenida

~ H puede considerarse uniforme en el interior
suponiendo que el campo E
de la cinta conductora.
Dado que el mdulo de la velocidad de los portadores puede deducirse
de
I = |~
J ||~
S| = (nq|~
v |)(wh) ,
esto es,
|~
v| =
I
,
nq wh
el voltaje Hall puede expresarse como

Voltaje Hall
VH = R H
~|
I |B
,
h
(3.16)
donde R H = 1/nq se conoce como coeficiente de Hall.

Es interesante destacar que mientras que el sentido de la corriente no
aporta ninguna informacin sobre el signo de los portadores de carga mviles, la medida del voltaje Hall permitira distinguir el signo de la carga
mvil, tal y como se hace patente al comparar las figuras 3.1(a) y (b). A finales del siglo pasado, el efecto Hall permiti comprobar que la corriente
en los buenos conductores metlicos, como Au,Ag,Cu,Pt,... , estaba efectivamente sostenida por portadores de carga negativa, esto es, electrones.
No obstante, analizando otros conductores (y algunos semiconductores)
como Fe,Co,Zn,... , se descubri sorprendentemente que la corriente elctrica pareca estar sostenida en estos materiales por cargas positivas. Este
hecho no encontr ninguna explicacin en aquel momento y hubo que esperar hasta el desarrollo de la teora cuntica de los electrones en slidos
(Teora de Bandas) para hallar una explicacin satisfactoria a este fenmeno.
Apuntes de FFI
FLML
3.3. Fuerzas magnticas sobre conductores
59
Adems del uso del efecto Hall para determinar el signo de los portadores (as como la densidad de stos, supuesta conocida su carga), ste suele
utilizarse en la construccin de teslmetros, esto es, medidores de campo
magntico. Para medir el campo magntico puede construirse una sonda
Hall en la que R H es conocido y por la que se hace pasar una intensidad determinada. Si se mide el voltaje Hall, el valor del campo magntico puede
obtenerse fcilmente a partir de la expresin (3.16).
E JEMPLO 3.2 En una regin donde existe un campo magntico de 1,5 T, una tira
conductora de cobre de espesor 1 mm y anchura 1,5 cm transporta una corriente
de 2 A, producindose un voltaje Hall de 0.22V. Calcular la densidad de portadores de carga y comparar con el resultado para este dato que ya se obtuvo en el
Ejemplo 2.1.
Dado que el voltaje Hall viene dado por la expresin
VH =
~|
I |B
,
nqh
la densidad de portadores ser

n=
~|
I |B
2 1,5
=
qhV H 1,6 1019 0,001 0,22 106
8,45 1028 electrones/m3 .

Puede comprobarse que este dato es muy similar al nmero de tomos por m3
que se obtuvo en el Ejemplo 2.1. Esto permite verificar que efectivamente cada
tomo de cobre contribuye con un solo electrn de conduccin.

3.3.1. Fuerza magntica sobre un hilo
La expresin (3.1) describa la fuerza que ejerca un campo magntico
~
B sobre una carga prueba q con una velocidad ~
v respecto al campo magntico. A partir de esta expresin puede obtenerse fcilmente la fuerza que
ejerce el campo magntico sobre un hilo conductor recorrido por una corriente I . Para ello consideremos que sobre cada elemento diferencial de
carga mvil del hilo conductor, dq, se ejercer una fuerza de valor
~m = dq~
~.
dF
v B
(3.17)
Dado que el elemento diferencial de carga mvil forma parte de la corriente I , ste puede expresarse como dq = I dt y, por tanto, escribir
dq~
v = I~
v dt = I d~
l,
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
60
Magnetosttica
donde d~
l =~
v dt es un vector cuyo mdulo es un diferencial de longitud
a lo largo del hilo y su sentido es el de recorrido de la corriente elctrica.
Sustituyendo ahora dq~
v en (3.17) tenemos que
~m = I d~
~
dF
l B
(3.18)
y, consecuentemente, la fuerza total sobre un hilo recorrido por una intensidad I vendr dada por la siguiente expresin:
~m =
F
~m =
dF
Fuerza magntica sobre un hilo
~.
I d~
l B
(3.19)
hilo
~ no varen a lo largo de
En aquellas situaciones en las que tanto I como B
todo el hilo, la expresin anterior puede reescribirse como
~m = I
F
~ = I~
~,
d~
lB
l B
(3.20)
hilo
donde ~
l es un vector cuyo mdulo es la longitud total del hilo y su sentido
coincide con el de la corriente elctrica.
3.3.2.
Momento de la fuerza sobre una espira de corriente
En el caso de una espira de corriente (conductor filiforme cerrado sobre s mismo) recorrida por una intensidad I , la fuerza magntica sobre
sta, de acuerdo a la expresin (3.19), viene dada por
~m = I
F
~.
d~
l B
(3.21)
espira
~ es
Si se considera ahora el caso particular y usual en el cual el campo B
uniforme en la regin donde est inmersa la espira, entonces dado que
dl
~m = I
F
espira
~
d~
lB
siendo
d~
l =0,
espira
observamos que no se ejerce fuerza magntica neta sobre la espira. No obstante, el hecho de que no haya fuerza total resultante no implica que la
espira no se mueva, sino simplemente que la espira no tendr movimiento de traslacin. La espira podra moverse realizando un movimiento de
rotacin supuesto que el momento de la fuerza en la espira fuese no nulo.
Para calcular el momento dinmico de la fuerza consideraremos la espira rectangular mostrada en la Figura 3.2. La fuerza sobre los lados 1 y 3 es
una fuerza de deformacin que generalmente est compensada por la resistencia a la deformacin del material conductor. Por el contrario, la disposicin de las fuerzas sobre los lados 2 y 4 puede reconocerse como un
Apuntes de FFI
FLML
61
F4
F3
Il3
Il4
B
b
B
F1
Il1
Il2
B
F2
F IGURA 3.2: Fuerzas magnticas sobre cada uno de los lados de una espira
rectangular recorrida por una intensidad I
par de fuerzas aplicado sobre la espira. El clculo del momento dinmico,
~ , de este par de fuerzas viene dado por
M
~ =~
~,
M
b F
(3.22)
~ es perpendicular a ~
donde ~
b es el brazo de la fuerza. La direccin de M
by
~ (M
~ presenta la misma direccin y sentido que F
~3 ) y su mdulo:
aF
~ | = |~
~ | sen .
|M
b||F
(3.23)
~ | = I l |B
~ |, al sustituir en la
Teniendo ahora en cuenta que, para este caso, |F
expresin anterior tenemos que
~ | = |~
~ | sen = I S|B
~ | sen ,
|M
b|I l |B
(3.24)
donde S = |~
b|l es el rea de la espira.
~ | viene dado por (3.24) y su direccin es idntica a la de
Dado que |M
~
F 3 , el momento de la fuerza fuerzas puede expresarse como
donde
~ =m
~ ,
~ B
M
(3.25)
~ = N I~
m
S
(3.26)
B
I
es un vector que se conoce como momento dipolar magntico (o simple~ = N I |~

mente momento magntico), cuyo mdulo es |m|
S| (N numero de
arrollamientos de la espira) y su direccin y sentido coinciden con las de la
~ viene determinado por
normal a la superficie de la espira (el sentido de m
el sentido de recorrido de la corriente siguiendo la regla de la mano derecha). Es importante notar que aunque la expresin (3.25) se ha deducido
para el caso particular de una espira rectangular, esta expresin es vlida
~ sea uniforme).
para cualquier tipo de espira (supuesto que B
El momento de la fuerza sobre la espira recorrida por una corriente
elctrica provoca entonces un giro de la espira sobre su eje tratando de ali~ . La aparicin de este momento de la fuerza de origen mag~ con B
near m
ntico constituye el fundamento fsico del funcionamiento de los motores
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
62
Magnetosttica
elctricos. Un esquema elemental de un motor elctrico es precisamente

una espira recorrida por una intensidad que, en presencia de un campo
magntico, sufre un par de fuerzas que da lugar a un movimiento de rotacin. Dado que la espira tratada anteriormente no girara de forma continua (el momento del par de fuerzas tendera ms bien a hacer oscilar la
espira), habra que disear un dispositivo que hiciera cambiar el sentido
del par de fuerzas en el momento adecuado. Si la espira es fijada a algn
rotor, se conseguira transformar energa elctrica/magntica en energa
cintica de rotacin, que posteriormente puede transformarse mediante
los mecanismos adecuados en energa asociada a cualquier otro tipo de
movimiento.

~
Hasta ahora se han discutido algunos efectos del campo magntico B
sin referirnos a las posibles fuentes de este campo. Una posible fuente de
campo magntico conocida desde muy antiguo son los imanes permanentes. Estos imanes son trozos de ciertos materiales (por ejemplo, la magnetita) que tienen entre sus propiedades ms aparentes la de atraer fragmentos de hierro. Una carga prueba mvil en presencia de un imn sufre
igualmente el efecto de una fuerza magntica que est perfectamente definida por la expresin (3.1). A pesar de que los imanes son conocidos y
usados desde hace mucho tiempo, un estudio realista del origen del campo magntico producido por estos imanes slo puede ser llevado a cabo
en el marco de la Fsica Cuntica y, por tanto, no se abordar esta tarea en
el presente tema.
Los experimentos de H. C. Oersted ( 1820) demostraron que los efectos sobre cargas mviles e hilos de corriente (recogidos en las expresiones
(3.1) y (3.19)) producidos por campos magnticos originados por imanes
eran perfectamente reproducidos cuando estos imanes son sustituidos por
cargas en movimiento o bien hilos de corriente. Esto implica que, en general, las cargas elctricas en movimiento son fuentes del campo magntico.
Dado que en el presente tema slo estamos interesados en campos magnetostticos, en este apartado estudiaremos nicamente las fuentes que producen este tipo de campos constantes en el tiempo. Experimentalmente se
encuentra por tanto que
las fuentes del campo magnetosttico son las
corrientes elctricas invariantes en el tiempo.
La forma concreta en que estas corrientes estacionarias crean campos
magnticos viene dada por la ley de Biot y Savart ( 1830) que establece
que el campo magntico en el punto de observacin, P , producido por un
elemento diferencial de corriente, I d~
l , que forma parte de una corriente
continua viene dado por
~ (P ) =
dB
Apuntes de FFI
0 I d~
l r 0 I d~
l ~
r
,
2
3
4 r
4 r
(3.27)
FLML
63
donde~
r es el vector que va desde el elemento diferencial de corriente hasta
el punto P donde se evala el campo y 0 es una constante conocida como
permeabilidad del vaco de valor
0 = 4 107
Tm
.
A
(3.28)
Obsrvese que la expresin (3.27) es similar a la obtenida en (1.9) que

nos daba el campo electrosttico producido por un elemento diferencial
de carga. Ambas expresiones muestran la misma dependencia respecto a
r , esto es, r 2 . No obstante, una importante diferencia entre ambas expresiones es que la direccin del campo es distinta en una y otra. Si, para
el caso electrosttico, la direccin del campo elctrico vena determinada
por el radiovector que una el punto fuente con el punto de observacin,
~ viene determinada por el
para el campo magnetosttico la direccin de dB
producto vectorial
I d~
l r ,
~ en el punto de observacin siempre ser perpor lo que la direccin de dB
~ r). Esta direccin puependicular a su radiovector asociado (esto es, dB
de obtenerse por la regla de la mano derecha haciendo apuntar el dedo
pulgar derecho en la direccin del elemento de corriente, el dedo ndice
coincidiendo con ~
r y el dedo corazn marcando la direccin del campo.
As, por ejemplo, las lneas de campo producidas por un elemento diferencial de corriente seran circunferencias concntricas a un eje dirigido segn
~
el elemento de corriente. La discusin anterior indica que las lneas de B
no tienen principio ni fin, pudiendo ser, como en este caso, lneas cerradas.
El campo total producido por la corriente continua que circula en una
espira podr, por tanto, escribirse como la integral de (3.27) a lo largo de
los diferentes elementos diferenciales de corriente,
~ (P ) = 0
B
4
I
espira
I d~
l ~
r
.
3
r
Campo magntico debido a una
(3.29)
espira de corriente continua
E JEMPLO 3.3 (*) Clculo del campo magntico en cualquier punto del eje de una
espira circular de radio R .
~
En la figura adjunta puede apreciarse que d~
l ~
r y por tanto el mdulo de dB
para el presente caso viene dado por
~ (P )| =
|dB
0 I dl
.
4 r 2
~ a lo largo del
Dada la simetra del problema, nicamente las componentes de B
eje z se suman mientras que las perpendiculares a este eje se anulan entre s. Consecuentemente slo nos interesa dB z :
~ (P )| cos
dB z (P ) =|dB
=
FLML
0 I dl
0 I Rdl
cos =
2
4 r
4 r 3
Apuntes de FFI
Tema 3.
64
Magnetosttica
(ntese que cos = R/r ). Para obtener el campo total hay que integrar la expresin
anterior y dado que tanto r como R permanecen constantes al recorrer la espira,
se tiene que
I
I
0 I R
0 I R
dl =
2R
dB z =
B z (P ) =
3
4 r
4 r 3
espira
espira
0 I R 2 0
I R2
=
=
.
2 r3
2 R 2 + z 2 3/2
3.5. Ley de Ampre

La ley de Ampre ( 1830) para el campo magnetosttico nos dice que
I
Z
~ d~
~
B
l = 0
J d~
S = 0 I ,
(3.30)
S()
~ , a lo largo de una curva

esto es, la circulacin del campo magnetosttico, B
arbitraria es 0 veces el flujo de la densidad de corriente, ~
J , que atraviesa
una superficie S() cuyo contorno es la curva . El sentido de recorrido
de la curva determina igualmente el sentido de d~
S (siguiendo la ley de
la mano derecha) y por tanto el signo del flujo a travs de la superficie.
El flujo de la densidad de corriente que atraviesa la superficie S(), I , es
obviamente el valor de la intensidad de la corriente interceptada por la
superficie.
En la figura adjunta, la aplicacin de la ley de Ampre para la curva 1
establece que
I
~ d~
B
l = 0 (I 1 + I 2 I 3 ) ,
1
dado que I 3 tiene sentido contrario a I 1 e I 2 , mientras que I 4 no atraviesa

la superficie apoyada en la curva. Para el caso de la curva 2 , tendremos
que
I
~ d~
B
l =0,
2
puesto que la misma intensidad atraviesa en los dos sentidos la superficie

apoyada en la curva.1
Es interesante notar que la ley de Ampre es siempre vlida cuando se
aplica al campo magnetosttico pero que sin embargo no siempre es til.
Esta ley es particularmente til para calcular el campo magntico en aquellos casos en los que es posible encontrar una curva tal que la circulacin
~ a lo largo de esa curva pueda expresarse como
de B
I
I
~
~
~
B dl = |B | dl .
Ley de Ampre siempre vlida

para campos magnetostticos y
til para clculo del campo en
situaciones de alta simetra.
Esta situacin se encuentra generalmente en situaciones de alta simetra

~ y por tanto
donde es posible predecir la forma de las lneas de campo de B
encontrar una curva que sea tangente a las lneas de campo y donde ste
sea constante en mdulo.
1 Debe notarse que el hecho de que la circulacin de B
~ a lo largo de 2 sea cero no im-
Apuntes de FFI
FLML
3.5. Ley de Ampre
3.5.1.
65
Campo magntico producido por un hilo infinito y rectilneo de radio R recorrido por una intensidad I
En el presente caso, la simetra del problema indica que el mdulo del

campo magntico slo puede depender de la distancia al hilo (puntos con
la misma distancia al hilo ven exactamente las misma disposicin de
fuentes del campo magntico, por lo que el mdulo del campo ser el mismo). Con respecto a la direccin del campo, sta puede deducirse de ley
de Biot y Savart (3.27). En la figura puede observarse que la direccin del
campo es siempre tangente a una circunferencia centrada en el hilo (puesto que d~
l ~
r tiene esa direccin). Por tanto, podemos escribir que
~ = |B
~ ()|
,
B
(3.31)
siendo las lneas de campo circunferencias centradas en el hilo, donde ade es el vector unitario tangente a
ms el mdulo del campo es constante (
la circunferencia centrada en el hilo). Este hecho sugiere aplicar la ley de
Ampre en estas curvas para obtener el valor del campo, obteniendo que
I
I
~
~
~
(3.32)
B dl = |B | dl = 0 I ,
z
J
r
y
B
x
Rz
~ d~
~ |
~ |dl ) donde I es la corriente que atraviesa la superfi dl
= |B
(B
l = |B
cie interior a . Dado que la intensidad total de corriente, I , que recorre el
hilo de radio R es uniforme, la densidad de corriente vendr dada por
~
J=
I
z
R 2
y, por tanto, I vendr dada por (d~

S = |d~
S|z)
Z
I =
S()
~
J d~
S=
J 2
si R
si > R .
Al introducir la anterior expresin en (3.32) se tiene que

(
B 2 = 0
J 2
si R
si > R ,
de donde se puede obtener finalmente que
0 I
si R
2R 2
~=
B
0 I
si > R .
(3.33)
H
~ sea nulo. De hecho, para el campo electrosttico se encontraba que E
~ ~
plica que B
dl = 0
para toda curva . Esto simplemente quera decir que el campo electrosttico derivaba de
un potencial. Dado que para el campo magnetosttico, la circulacin de ste no es siempre
~ no puede expresarse, en general, como el gradiente de un potencial escalar.
nula, B
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
66
Magnetosttica
Para el caso particular de un hilo cuyo radio pueda considerarse despreciable, el campo magntico producido por este hilo recto infinito en
cualquier punto viene dado por
~ (P ) =
B
3.5.2.
0 I
.
(3.34)
Campo magntico en un solenoide
Un solenoide es bsicamente un cable arrollado de manera compacta en forma de hlice o, equivalentemente, una superposicin de espiras
muy juntas. Un solenoide esbelto (ms largo que ancho) se usa generalmente para crear campos magnticos intensos y uniformes dado que el
campo magntico en el interior de los solenoides tiene estas caractersticas. En este sentido, el solenoide juega el mismo papel respecto al campo
magntico que el condensador plano para el campo elctrico.
Dado que una deduccin terica de la forma de las lneas del campo
~ producido por un solenoide es relativamente complicado, usaremos arB
gumentos experimentales para determinar la forma de estas lneas. Los experimentos demuestran que las lneas de campo son aproximadamente
lneas rectas paralelas al eje del solenoide en el interior de ste cerrndose
por el exterior de modo que la magnitud del campo magntico exterior se
reduce a medida que el solenoide se hace ms esbelto. Para el caso de un
solenoide infinitamente largo, que puede servir como un modelo aproximado de un solenoide esbelto, el campo magntico ser nulo en el exterior.
Dado que las lneas de campo son paralelas al eje del solenoide y por simetra no pueden variar a lo largo de la direccin paralela al eje (desde
cualquier punto de una misma lnea el solenoide se ve invariante), la aplicacin de la ley de Ampre a la curva ABC D mostrada en la figura nos dice
que
I
Z
~
~
~ d~
B dl =
B
l,
ABC D
AB
~ d~
~ = 0 a lo largo de C D.
ya que B
l en los tramos de curva BC y D A y B
~
Por la forma de las lneas de B en el interior del solenoide y teniendo en
~ est marcado por el sentido de recorrido de la
cuenta que el sentido de B
intensidad, obtenemos que
Z
~ d~
~ |l ,
B
l = |B
AB
siendo l la longitud del segmento AB . Por otra parte, la intensidad interceptada por el rectngulo interior a la curva ABC D ser
Z
~
J d~
S = NI ,
S(ABC D)
esto es, intercepta N espiras cada una de ellas transportando una intensidad de corriente I . Teniendo en cuenta los resultados de las dos ltimas
Apuntes de FFI
FLML
67
expresiones y la direccin del campo, podemos concluir segn la ley de

Ampre que
~ (P ) =
B
(
en el interior del solenoide
0 nI u
en el exterior del solenoide ,
(3.35)
siendo n = N /l el nmero de espiras por unidad de longitud en el solenoi el vector unitario en la direccin del eje del solenoide.
de y u

3.1: Cul es el radio de la rbita de un protn de energa 1 MeV en el seno de un campo
magntico de 104 G.
Sol. R = 14,4 cm.
Regin
de
campo
3.2: Una partcula de carga q entra a velocidad v en una regin donde existe un campo
magntico uniforme (dirigido hacia el interior de la pgina). El campo desva a la partcula
una distancia d de su trayectoria original al atravesar la regin del campo, como se muestra
en la figura. Indicar si la carga es positiva o negativa y calcular el valor de su momentum de
la partcula, p, en trminos de a, d , B y q.
Sol.: es positiva; p = qB (a 2 + d 2 )/(2d ).
B
d
v
a
3.3: Un alambre conductor paralelo al eje y se mueve con una velocidad ~

v = 20 x m/s en
~ = 0,5 z T. a) Determinar la magnitud y la direccin de la fuerza magun campo magntico B
ntica que acta sobre un electrn en el conductor. b) Debido a esta fuerza magntica, los
electrones se mueven a un extremo del conductor, dejando el otro extremo positivamente
cargado hasta que el campo elctrico debido a esta separacin de carga ejerce una fuerza
sobre los electrones que equilibra la fuerza magntica. Calcular la magnitud y direccin de
este campo elctrico en estado estacionario. c) Si el cable tiene 2 m de longitud, cul es la
diferencia de potencial entre sus dos extremos debido a este campo elctrico?.
~ = 1,6 1018 N y ; b) E
~ = 10 V/m y ; c) V = 20 V.;
Sol.: a) F
3.4: Una cinta de metal de 2 cm de ancho y 1 mm de espesor lleva soporta una corriente
de 20 A. La cinta est situada en un campo magntico de 2 T normal a la misma. En estas
condiciones se mide un valor del potencial Hall de 4,7 V. Determinar la velocidad media
de los electrones de conduccin de la cinta as como la densidad de dichos electrones.
Sol.: v = 1,07 104 m/s, n = 5,85 1028 m3 .
2,0 T
2 cm
20 A
1 mm
3.5: (**) Un conductor cilndrico de longitud infinita es macizo siendo b el radio de su seccin transversal. Por dicho conductor circula una intensidad, I , uniformemente distribuida
~ en cualquier punto del espacio; b) reen su seccin transversal. a) Determinar el campo B
petir el apartado anterior suponiendo que ahora el cilindro posee una cavidad cilndrica
en su interior de radio a (a < b).
0
si r < a
0 I r
2 a2)
si
r
<
b
I
(r
0
; b) B (r ) =
Sol.: a) B (r ) = 2b 2
si a < r < b .
2r (b 2 a 2 )
0 I /(2r ) si r > b
0 I /(2r )
si r > b
En ambos apartados, las lneas de campo son circunferencias con centro en el eje del conductor y contenidas en planos perpendiculares al mismo.
a)
b)
3.6: (*) Una placa metlica de espesor despreciable y extensin infinita est situada en el
plano z = 0. Por dicha placa circula un corriente elctrica en sentido positivo del eje X . Si
dicha intensidad est uniformemente distribuida a razn de ~
J = J x (A/m) (J representa en
este problema la corriente que atraviesa un segmento perpendicular al eje X y de longitud
FLML
Apuntes de FFI
Tema 3.
68
Magnetosttica
~ en todo punto del espacio (nota: utilizar el teorema de Am1 metro), calcular el campo B
pre).
~ = 0 J /2y; si z < 0, B
~ = 0 J /2y.
Sol.: si z > 0, B
3.7: (*) Repetir el problema anterior si, adems de la citada placa, se coloca en el plano
z = d una nueva placa idntica a la anterior pero que cuya densidad de corriente tiene
sentido contrario, esto es, J = J x (A/m).
~ = 0 J y ; para el resto de los puntos (esto
Sol.: Entre ambas placas (esto es, 0 > z > d ), B
es, z > 0 o z < d ), el campo es nulo.
R
I
3.8: (*) Un conductor recto infinitamente largo y circulado por una intensidad I se dobla
en la forma indicada en la figura. La porcin circular tiene un radio R = 10 cm con su centro
a distancia r de la parte recta. Determinar r de modo que el campo magntico en el centro
de la porcin circular sea nulo.
Sol. r = 3,18 cm.
3.9: Dos conductores filiformes rectos y paralelos entre s de longitud 90 cm estn separados una distancia de 1 mm. Si ambos conductores son recorridos por una corriente de 5 A
en sentidos opuestos, cul es la magnitud y el sentido de las fuerzas entre ambas corrientes?.
Sol.: 4,5 mN, siendo una fuerza repulsiva.
20 A
5A
10 cm
2 cm
C
Y
5 cm
X
3.11: El cable coaxial de la figura transporta una intensidad I por el conductor interno y
la misma intensidad pero en sentido contrario por el externo. Utilizando la ley de Ampre,
calcular el campo magntico entre ambos conductores y en el exterior del cable.
Sol.: Entre los conductores B = 0 I /(2r ), donde r es la distancia al eje del cable, y siendo
las lneas de campo circunferencias con centro en el eje del cable. En el exterior el campo
es nulo.
I1
3.10: Por un conductor rectilneo de longitud infinita circula una corriente de 20 A, segn
se indica en la figura. Junto al conductor anterior se ha dispuesto una espira rectangular
cuyos lados miden 5 cm y 10 cm. Por dicha espira circula una corriente de 5 A en el sentido
indicado en la figura. a) Determinar la fuerza sobre cada lado de la espira rectangular as
~
como la fuerza neta sobre la espira; b) calcular el flujo a travs de la espira del campo B
creado por el conductor rectilneo.
Sol. a) lado AB: 2,5 105 N y , lado BC: 104 N x , lado CD: 2,5 105 N y , lado DA: 2,85
~net a = 7,15 105 N x ; b) = 5,01 107 weber.
105 N x , F
R1
I2
R2
3.12: Un solenoide esbelto de n 1 vueltas por unidad de longitud est circulado por una
intensidad I 1 y tiene una seccin transversal circular de radio R 1 . En su interior, y coaxial
con l, se ha colocado un segundo solenoide de n 2 vueltas por unidad de longitud y de
seccin transversal circular de radio R 2 (R 2 < R 1 ). Si este segundo solenoide est circulado
por una intensidad I 2 , determinar: a) el campo magntico en todos los puntos del espacio;
b) la magnitud y sentido que debera tener I 2 para que, fijada I 1 , el campo en el interior del
segundo solenoide sea nulo.
0 n 1 I 1 n 2 I 2 si r < R 2
Sol.: a) B (r ) =
0 n 1 I 1
si R 2 < r < R 1
si r > R 1
donde r es la distancia al eje de los solenoides y el signo ms/menos se toma si ambas

intensidades circulan en igual/opuesto sentido; b) I 2 = n 1 I 1 /n 2 .
3.13: Dos conductores filiformes, rectilneos y de longitud infinita son perpendiculares al
plano X Y y cortan a dicho plano en los puntos (0, a, 0) y (0, a, 0). Por dichos conductores
circulan las intensidades I 1 e I 2 respectivamente. Calcular el campo magntico generado
por ambas corrientes en cualquier punto del espacio (nota: la solucin del problema debe
ser vlida para cualquier sentido de las intensidades por los conductores).
Sol.:
(a y)I 1
(a + y)I 2
x I1
x I2
~ (P ) = 0
+
B
x
+
y ,
2 x 2 + (a y)2 x 2 + (a + y)2
x 2 + (a y)2 x 2 + (a + y)2 ]
Apuntes de FFI
FLML
69
donde las intensidades se consideran positivas si van en el sentido positivo del eje z y negativas en el caso contrario.
3.14: Un alambre de longitud l se arrolla en una bobina circular de N espiras. Demostrar que cuando esta bobina transporta una corriente I , su momento magntico tiene por
magnitud I l 2 /(4N ).
FLML
Apuntes de FFI
T EMA 4
Induccin electromagntica
4.1. Introduccin
En el Tema 3 se vio que las corrientes elctricas son fuentes de campos magnticos, en concreto sobre 1820 H.C. Oersted comprob que un
cable recorrido por una intensidad de corriente continua produce un campo magnetosttico en su entorno (detectado por ejemplo por el efecto que
tiene sobre una aguja imantada). Dado que las corrientes elctricas producen campos magnticos, cabe plantearse igualmente si se produce el fenmeno inverso, es decir, si campos magnticos pueden producir corrientes
elctricas. En este sentido se llev a cabo una intensa labor experimental
que pareca negar esa posibilidad. No obstante, los experimentos elaborados por M. Faraday (1791-1867) alrededor de 1830 permitieron establecer
que la generacin de corriente elctrica en un circuito estaba relacionada con la variacin en el tiempo del flujo magntico que atravesaba dicho
circuito. En consecuencia, campos magnetostticos nunca produciran corrientes elctricas en circuitos fijos.
Conviene recordar (segn se discuti en el Tema 2) que debido al efecto Joule existe una disipacin de energa en las resistencias presentes en
todos los circuitos reales, lo que implica que para mantener una corriente
elctrica en el circuito es necesario un aporte continuo de energa. La prdida de energa de los portadores de carga mviles en los choques con los
tomos del material resistivo debe ser compensada por una fuerza externa impulsora sobre estos mismos portadores. Dado que el impulso sobre
los portadores mviles puede estar localizado en una parte del circuito o
bien distribuido a lo largo de ste, la magnitud relevante es la integral de
esta fuerza a lo largo de todo el circuito. De esta manera, se defini la fuerza electromotriz (fem), E , como la fuerza tangencial por unidad de carga
en el cable integrada sobre la longitud del circuito completo, esto es,
I
= ~
f d~
l.
(4.1)
En consecuencia, la presencia de una intensidad de corriente elctrica en
un circuito estar relacionada con la existencia de una fuente de fem que
71
Tema 4.
72
la mantenga. El origen de la fem puede ser diverso, de origen qumico en

bateras y pilas, de origen mecnico en el generador de Van der Graff, de
orgien ptico en las clulas fotovoltacas, etc. De forma general podemos
decir que el efecto de un generador de fem es transformar algn tipo de
energa en energa elctrica. En el caso de los experimentos realizados por
Faraday, el mecanismo de generacin de fem est directamente involucrado con las variaciones del flujo del campo magntico. Esta fem inducida
por el campo magntico tendr unas consecuencias importantsimas, tanto conceptuales como tecnolgicas, estando en la base de la generacin de
energa elctrica en las centrales elctricas, en el funcionamiento de los
circuitos de corriente alterna y en la generacin de las ondas electromagnticas.
4.2. Ley de Faraday

4.2.1.
Fuerza electromotriz de movimiento
Una forma posible de generar una fem en un circuito sera hacer uso de
la aparicin de una fuerza magntica sobre los portadores de carga mviles
~ . Por ejemplo, el movimiento de un
en una regin donde exista un campo B
conductor en el seno de un campo magntico dar lugar a lo que se conoce
como fem de movimiento. En particular, considrese la situacin mostrada
en la figura adjunta donde la regin sombreada indica la presencia de un
~ uniforme (producido, por ejemplo, por un imn) diricampo magntico B
gido hacia el papel y un circuito movindose con velocidad ~
v = |~
v |x hacia
la derecha. En esta situacin, las cargas mviles del segmento ab experimentarn la siguiente fuerza de Lorentz por unidad de carga:
~
f mag =
~mag
F
q
~,
=~
v B
(4.2)
cuyo efecto global es justamente impulsar las cargas desde a hasta b. Este
impulso dar lugar a una corriente en el circuito (en el mismo sentido que
esta fuerza) debida a la aparicin de una fem de valor
I
~ d~
= ~
v B
l,
(4.3)
que puede reducirse en el presente caso a
=
b
a
~ d~
~
v B
l=
b
a
~ |dl = |~
~|
|~
v ||B
v ||B
b
a
~ |l ,
dl = |~
v ||B
(4.4)
donde l es la longitud del segmento ab, siendo nulas las contribuciones

a la fem de los segmentos paralelos al desplazamiento dado que la fuerza
impulsora es aqu perpendicular al hilo ( ~
f mag d~
l ). La intensidad, I , que
circula por el circuito de resistencia R ser por tanto
I=
Apuntes de FFI
~ |l
|~
v ||B
=
.
R
R
(4.5)
FLML
4.2. Ley de Faraday
73
Aunque la fem de movimiento ha podido deducirse a partir de la fuerza

de Lorentz sobre los portadores de carga mviles, es interesante notar que
el valor de la fem de movimiento tambin se habra podido obtener como
menos la variacin temporal del flujo del campo magntico, m , que atraviesa el rea del circuito; esto es, mediante la expresin
=
dm
.
dt
(4.6)
Para comprobar este hecho, tengamos en cuenta que el flujo magntico se

obtiene como
Z
~ d~
m = B
S;
(4.7)
S
donde dS representa un diferencial de superficie

recurdese que d~
S = dS n,
es el vector unitario normal a la superficie. Dado que en el presente
yn
~ es paralelo a d~
~ d~
~ |dS, podremos escribir que
caso tenemos que B
S: B
S = |B
Z
Z
~
~
~ |S = |B
~ |l s ,
m = |B |dS = |B | dS = |B
(4.8)
S
siendo l s el rea del circuito situada en la regin donde el campo magntico no es nulo. La variaciones temporales de flujo magntico vendrn
entonces dadas por
dm
d
~ |ls = |B
~ |l|~
=
|B
v| ,
dt
dt
ya que |~
v | = ds/dt (esto es, el mdulo de la velocidad es positivo cuando
s decrece), lo que da lugar a la misma fem que la obtenida en (4.3) cuando
se integra directamente la fuerza de Lorentz por unidad de carga.
(*) Balance de potencia

Es interesante notar que si el campo magntico ha dado lugar a una fem
que genera una corriente, la velocidad de los portadores de carga mviles
en el segmento ab ser la composicin de un movimiento hacia la derecha
~ , de los portadores ser
ms otro hacia arriba, esto es, la velocidad total, w
~ = v x + u y ,
w
(4.9)
por lo que la fuerza por unidad de carga que afecta a una de las cargas
mviles vendr dada por
~
~ |x + |~
~ |y .
f mag = |~
u ||B
v ||B
(4.10)
Evidentemente slo la parte de la fuerza dirigida segn y es responsable de

la aparicin de la fem de movimiento (causando una corriente en la misma
direccin que esta fuerza). La componente x de ~
f mag da cuenta de la fuerza
que ejerce el campo magntico sobre la corriente. Dado que esta fuerza por
unidad de carga es
~
~ |x ,
f x = |~
u ||B
(4.11)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
74
la fuerza total sobre el conductor ab ser el producto de (4.11) por la carga

total de este conductor, esto es,
~x = nq A l|~
~ |x ,
F
u ||B
(4.12)
siendo n el nmero de electrones por unidad de volumen y A el rea transversal del conductor. Puesto que la intensidad de la corriente que recorre
el circuito es
I = nq A|~
u| ,
~x puede expresarse como
F
~x = I l|B
~ |x ,
F
(4.13)
expresin que coincidira con la aplicacin directa al presente caso de la

~ = I~
~.
expresin (3.20): F
l B
La existencia de esta fuerza sobre el conductor ab implica que para
que ste se mueva a velocidad constante, ~
v = v x , un agente externo de~ext , de igual mdulo y
be compensar dicha fuerza ejerciendo una fuerza, F
sentido opuesto, esto es,
~ext = I |B
~ |lx .
F
(4.14)
La potencia, P , suministrada por el agente externo al circuito vendr dada
por
~ext ~
~ |l|~
P =F
v = I |B
v| ,
(4.15)
que puede reescribirse, teniendo en cuenta la expresin (4.5), como
P=
E2
= I 2R .
R
(4.16)
Esta potencia es precisamente el valor de la potencia Joule disipada en la

resistencia, por lo que podemos concluir que la potencia suministrada por
el agente externo que mueve el circuito es justamente aqulla disipada en
la resistencia por efecto Joule.
4.2.2. Fuerza electromotriz inducida

La discusin de la situacin analizada en la seccin 4.2.1 ha mostrado que la aparicin de una fuerza electromotriz en el circuito mvil poda
atribuirse a la existencia de una fuerza de Lorentz. Ahora bien, si consideramos que el circuito permanece quieto y es el agente que crea el campo
magntico (por ejemplo, un imn) el que se mueve hacia la izquierda, es
razonable suponer que tambin aparecer una fem de igual magnitud y
sentido que en el caso anterior puesto que lo que debe importar, segn el
~ y el
principio de relatividad, es el movimiento relativo entre el campo B
circuito y no cul de ellos se mueve.
Los experimentos muestran que efectivamente la suposicin anterior
es cierta. No obstante, si analizamos el caso del circuito fijo y el imn movindose segn nuestra teora, dado que las cargas mviles en el circuito
Apuntes de FFI
FLML
4.2. Ley de Faraday
75
estarn ahora en reposo, no existir fuerza de Lorentz que impulse a las cargas. Por tanto, si no hay fuerza de Lorentz actuando sobre las cargas, de
dnde proviene la fem inducida en el circuito?. Podemos responder que la
causa que crea ahora la fem debe ser la aparicin de un campo elctrico,
que evidentemente no puede ser un campo electrosttico (ver discusin
en el Apartado 2.4) sino un nuevo tipo de campo elctrico que debe estar
relacionado con las variaciones temporales del campo magntico.
El punto en comn de los dos fenmenos equivalentes descritos anteriormente se encuentra en que en ambos casos existen variaciones temporales del flujo magntico que atraviesa el circuito. Este hecho no es una
coincidencia sino que M. Faraday encontr experimentalmente ( 1830)
que
La fuerza electromotriz inducida en un circuito viene
dada por la variacin temporal del flujo magntico, ,
que atraviesa dicho circuito.
En forma matemtica, esta ley puede expresarse como
=
d
,
dt
(4.17)
Ley de Faraday
donde el signo menos est relacionado con el sentido de la fem inducida.

Teniendo en cuenta que el origen de la fem es la aparicin de un campo
~ no electrosttico, la ley de Faraday puede tambin expresarse en forma
E
integral como
I
Z
d
~ d~
~ d~
E
l =
B
S,
(4.18)
dt S()
donde la curva es precisamente el recorrido del circuito. El signo menos

de la ley de Faraday queda ahora completamente determinado ya que el
sentido de recorrido de la integral de camino a la largo de est relacionado con el sentido de d~
S segn la regla de la mano derecha. La expresin
(4.18) pone claramente de manifiesto que la fem inducida est, en general,
distribuida a lo largo de todo el circuito.1
Una manera muy til y sencilla de determinar a veces el sentido de
la fem y de la intensidad inducida lo proporciona la ley de Lenz. Esta ley
establece que
La fem y la corriente inducida poseen una direccin y
sentido tal que tienden a oponerse a la variacin que las
produce.
La ley de Lenz no hace referencia a la causa (o causas) concreta que
provoca la variacin y que da lugar a la aparicin de la fem inducida sino
1 Al contrario de lo que ocurrira, por ejemplo, en una pila, donde la fuerza electromotriz
(y por tanto el campo electromotor) estaba confinada exclusivamente a la regin interior

de la batera.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
76
simplemente sugiere que la reaccin del sistema genera una fem y corriente inducidas que siempre actuar en contra de la variacin que las provoca.
Este hecho parece congruente pues de lo contrario el circuito favorecera
la causa que provoca la corriente inducida, intensificando su efecto indefinidamente.
A efectos prcticos, la deduccin del sentido de la fem y corriente inducidas puede hacerse considerando el carcter de la variacin (creciente
o decreciente) del flujo magntico con respecto al tiempo (este carcter lo
da el signo de su derivada temporal). Si, por ejemplo, el flujo es creciente
en cierto instante de tiempo, entonces la fem y corriente inducidas deben
tener un sentido tal que originen un campo magntico que contrarreste la
variacin (esto es, el crecimiento) del flujo; lo contrario debe ocurrir si el
flujo es decreciente.
Fmag
Veamos el efecto de la ley de Lenz en el circuito mvil mostrado en la

figura. En este ejemplo, la barra mvil se desplaza hacia la derecha con una
velocidad ~
v debido a la accin de un agente externo. Segn se ha discutido
en el apartado 4.2.1 y de acuerdo a ley de Lenz, el sentido de la corriente
inducida en el circuito es tal que la fuerza magntica que acta sobre la ba~mag = I l B
~ , se oponga al movimiento impuesto externamente.
rra mvil, F
Si la corriente inducida fuese en sentido opuesto al mostrado en la figura,
la fuerza magntica sobre la barra mvil favorecera el movimiento hacia
la derecha de la barra de modo que sta se acelerara continuamente, causando un aumento incesante de energa cintica que obviamente no tiene
sentido.
Hemos encontrado, por tanto, que siempre que exista una variacin de
flujo magntico en un circuito aparecer una fem inducida en dicho circuito. En consecuencia, algunas de las causas que provocaran la aparicin de
una fem inducida son:
Movimiento de un circuito o deformacin de su rea en una regin
donde existe un campo magntico constante en el tiempo.
Movimiento del agente que produce el campo magntico (por ejemplo un imn) de modo que un circuito fijo intercepte un flujo magntico variable en el tiempo. Por ejemplo, el movimiento de aproximacin y alejamiento de un imn dara lugar a una fem inducida en
el circuito.
I(t)
V
Variacin de la corriente que pasa por un circuito primario de modo

que el flujo interceptado por un circuito secundario prximo vare
en el tiempo.
Combinacin simultnea de algunas de las causas anteriores.
En el caso de una corriente variable en un circuito primario que induce una corriente en un circuito secundario, es importante observar que
esta corriente inducida se ha generado sin que exista contacto elctrico entre los circuitos. Desde un punto de vista energtico, la energa asociada a
Apuntes de FFI
FLML
4.2. Ley de Faraday
77
la corriente inducida en el circuito secundario debe ser obviamente suministrada por la fuente de fem del primario. Dado que no ha habido contacto fsico entre ambos circuitos, la nica explicacin de la aparicin de
una energa en el secundario es que sta haya sido transmitida desde el
primario hasta el secundario por el campo electromagntico a travs del
espacio. Esto indica que el campo es un agente capaz de transmitir energa
y por tanto debe ser considerado como un ente con realidad fsica propia.
E JEMPLO 4.1 Obtener el sentido y el valor de la intensidad inducida en el dispositivo mostrado en la gura. Datos. Barra mvil: = 108 (m)1 , b = 10 cm,
r = 2 mm, v = 5 m/s; i = 200 mA, a = 20cm.
En la situacin mostrada en la figura, dado que la barra vertical se mueve,
el flujo magntico que atraviesa el circuito (debido al campo magntico del hilo
recto infinito) vara en el tiempo, por lo que se inducir una en el circuito. Dado
que el circuito muestra una resistencia, R (debida a la conductividad finita de la
barra mvil), la intensidad que circula por l vendr dada por
I=
.
R
(4.19)
Segn los datos que nos da el problema, la resistencia de la barra mvil ser
R=
b
0,1
103
= 8
=
.
S 10 (2 103 )2
4
Antes de calcular la inducida notemos que, en el plano z = 0 donde se sita el

circuito mvil, el valor del campo magntico creado por el hilo recto e infinito
viene dado por
I
~ (x) = 0 z .
B
(4.20)
2x
Puesto que al moverse la barra mvil hacia la derecha, el flujo magntico del circuito crece, aplicando la ley de Lenz, tenemos que la reaccin del circuito generando una corriente inducida debe ser la de contrarrestar la accin que la produce.
En consecuencia, la corriente inducida, I , en el circuito debe ser tal que genere un
~ind que contrarreste el campo externo. Esta corriente debe ir
campo magntico, B
dirigida, por tanto, segn el sentido mostrado en la figura de modo que el sentido
~ind sea el opuesto al de (4.20). Dado que hemos determinado el sentido de la
de B
corriente, nos preocuparemos a continuacin nicamente por el mdulo de la
y de la intensidad inducidas.
La inducida puede calcularse en este caso por dos procedimientos:
Fuerza de Lorentz.
Dado que las cargas de la barra vertical se mueven en una regin donde
existe un campo magntico, encontraremos una fuerza magntica por uni~ , sobre las cargas mviles. Al aplicar la expresin
dad de carga, ~
fm = ~
v B
(4.3), esta fuerza magntica provoca la aparicin de una en el circuito dada por
Z 2
Z 2
~ d~
~ |dy = |~
~ |b .
~
=
v B
l=
|~
v ||B
v ||B
1
Teniendo en cuenta la expresin (4.20) del campo magntico, y admitiendo

que la posicin de la barra mvil viene dada por
x(t ) = a + v t ,
FLML
(4.21)
Apuntes de FFI
Tema 4.
78
tenemos que la puede escribirse como

(t ) =
0 I vb
.
2(a + v t )
(4.22)
Ley de Faraday.
Para aplicar la ley de Faraday dada por la expresin (4.17) debemos calcular
primero el flujo magntico .
Dado que el diferencial de superficie puede escribirse como d~
S = dxdy z , el
diferencial de flujo magntico, d, a travs la superficie del circuito ser
~ d~
~ |dS =
d = B
S = |B
0 I
dxdy .
2x
Para calcular el flujo hay que integrar la expresin anterior en la superficie

total del circuito, de modo que
Z b
Z x
Z b
0 I
x
0 I
=
dy
ln
=
dy
dx
2x
2
a
0
0
a
Z
0 I
x b
0 I b x
=
ln
dy =
ln .
(4.23)
2
a 0
2
a
Como la es la derivada temporal del flujo magntico, debemos derivar
con respecto al tiempo (4.23). Si hacemos esto tenemos que
d 0 I b d x 0 I b dx/dt 0 I b v
=
ln
=
=
.
dt
2 dt
a
2 x(t )
2 x(t )
Para aplicar la ley de Lenz observamos que el signo de d/dt en la expresin anterior es siempre positivo, por lo que la corriente inducida debe generar un campo magntico que se oponga a este crecimiento. Este campo
debe tener direccin z y, consecuentemente, debe estar generado por una
corriente dirigida en sentido horario (tal como se dedujo anteriormente).
Teniendo en cuenta la forma de x(t ) el mdulo de la podr escribirse como
0 I b v
(t ) =
,
(4.24)
2 a + v t
expresin que coincide con la obtenida previamente en (4.22).
Finalmente el valor de la intensidad inducida ser
I (t ) = (t )
S 0 I S v
=
.
b
2 a + v t
(4.25)
Tras un minuto de movimiento, la intensidad toma el siguiente valor:

I (60) =
I1
4.3. Inductancia
2
B1
Apuntes de FFI
4 107 0,2 108 42 106

5
2,6A .
2
0,2 + 5 60
4.3.1. Inductancia mutua

Si calculamos el flujo magntico, 21 , que atraviesa la superficie del cir~1 , generado
cuito 2 (vase la figura adjunta), debido al campo magntico, B
por la corriente, I 1 , que circula a travs del circuito 1, encontraramos que
FLML
4.3. Inductancia
79
21 I 1 ,
esto es, el flujo magntico es proporcional a la intensidad. Este hecho puede explicarse fcilmente si se considera que, segn la ley de Biot y Savart,
~ generado por una corriente I en el punto P viene
el campo magntico B
dado por
I
0
I d~
l ~
r
~
,
(4.26)
B (P ) =
3
4
r
espira
~1 puede escribirse como

lo que implica que B
~1 (P ) ,
~1 (P ) = I 1
B
(4.27)
~1 (P ) es una funcin que depende de la posicin y de la forma geodonde

mtrica del circuito 1. El flujo magntico 21 se obtiene como
Z
~1 d~
21 =
B
S,
S2
~1 dada por (4.27), se tiene que

donde al sustituir la forma de B
Z
~1 d~
21 = I 1
S.
(4.28)
S2
La expresin anterior nos confirma que existe una relacin de proporcionalidad entre el flujo magntico y la intensidad. Al factor de proporcionalidad entre el flujo magntico en un circuito debido a la intensidad que
recorre otro se le denomina inductancia mutua y se denota como M . En
nuestro caso tendramos que
21 = M I 1 .
(4.29)
Las unidades de inductancia en el SI se denominan henrios (H), de modo

que
Tm2
1H=1
.
(4.30)
A
Unidad de inductancia
1 henrio (H)
Usando razonamientos que no sern discutidos aqu encontraramos

que la relacin entre el flujo 12 que atraviesa el circuito 1 debido a un
~2 producido por una intensidad I 2 que recorriese el circuito 2 vencampo B
dra dada por la misma razn de proporcionalidad, esto es,
12 = M I 2 .
(4.31)
y
c
E JEMPLO 4.2 Flujo magntico que atraviesa una espira rectangular debido al campo de un hilo recto e innito recorrido por una intensidad I .
I
En el plano z = 0 donde se sita la espira rectangular, el valor del campo magntico creado por el hilo recto e infinito viene dado por
~ (x) =
B
FLML
0 I
z .
2x
dS
b
x
z
Apuntes de FFI
Tema 4.
80
En el presente caso, el diferencial de superficie puede expresarse como d~

S = dxdy z ,
por lo que el diferencial de flujo magntico, d, a travs de esta superficie es
~ d~
~ |dS =
d = B
S = |B
0 I
dxdy .
2x
El clculo del flujo total requiere la integracin de la expresin anterior en la superficie de la espira rectangular, de modo que
=
a+c
Z
dy
dx
a
0 I
a +c
=
ln
2
a
Z b
0 I
a +c
0 I
=
dy
ln
2x
2
a
0
Z
0
dy =
0 I b a + c
ln
.
2
a
La expresin anterior muestra que la inductancia mutua en el presente caso es

M=
0 b a + c
=
ln
.
I
2
a
4.3.2. Autoinduccin
Si consideramos ahora el caso en el que tenemos un solo circuito por
el que circula una intensidad i , un clculo similar al del apartado anterior
nos muestra que el flujo magntico, , que atraviesa este circuito es igualmente proporcional a la intensidad que lo recorre:
i .
Cuando el flujo magntico que atraviesa un circuito se debe nicamente
a la corriente que circula por el propio circuito, este flujo se conoce como
autoflujo y el parmetro de proporcionalidad entre el autoflujo y la intensidad se conoce como autoinduccin y se denota como L (las unidades
de esta inductancia son obviamente henrios). En consecuencia podemos
escribir
= Li .
(4.32)
E JEMPLO 4.3 Clculo de la autoinduccin de un solenoide esbelto de N = 100

vueltas, longitud l = 1cm y r = 1mm.
Para un solenoide esbelto de N vueltas y longitud l , el campo magntico en el
interior del solenoide puede escribirse segn (3.35) como
dS
~ = 0 n i u
,
B
B
i
es el vector unitario segn el eje

donde n = N /l es la densidad lineal de espiras y u
del solenoide. Dado que el diferencial de superficie de las espiras viene dado por
el flujo que atraviesa las N espiras del solenoide ser
d~
S = dS u,
=N
Apuntes de FFI
Z
S
~ d~
B
S=N
Z
S
~ |dS = N |B
~|
|B
Z
S
dS = 0
N2
iS ,
FLML
4.3. Inductancia
81
de donde se deduce que la autoinduccin L es

L = 0
N2
S = 0 n 2 lS .
Sustituyendo ahora los datos del problema tenemos que

L = 4 107
104
106 3,95 H; .
102
En el caso de que circule corriente tanto por el circuito 1 como por el

circuito 2, el flujo total, tot , que atraviesa la superficie del circuito 2 puede
expresarse como
tot
i
B2
= 21 + 22
= ext + aut ,
(4.33)
B1
donde ext es el flujo que atraviesa el circuito 2 debido a los agentes externos, en este caso, el campo generado por la intensidad, I , que recorre el
circuito 1 y aut es el autoflujo del circuito 2. Dadas las relaciones de proporcionalidad entre los flujos y las intensidades vistas en las expresiones
(4.29) y (4.32), el flujo total puede escribirse como
tot = M I + Li .
(4.34)
Segn la ley de Faraday y teniendo en cuenta (4.33), la fem inducida en

el circuito 2 vendr dada por
=
d
(ext + aut ) .
dt
(4.35)
En el caso frecuente de que la autoinduccin y la induccin mutua no varen en el tiempo (esto es, si la forma de los circuitos no cambia en el tiempo), puede escribirse como
= M
di
dI
L
.
dt
dt
(4.36)
El clculo de la fem inducida en el circuito 2 segn (4.36) no es trivial

dado que esta fem depende de las variaciones temporales de i , pero esta
misma intensidad depende a su vez del valor de la fem inducida. Afortunadamente, existen muchas situaciones prcticas en las que las variaciones
temporales del autoflujo son mucho menores que las correspondientes al
flujo externo, por lo que la fem inducida en el circuito puede obtenerse
muy aproximadamente como
=
dext
.
dt
Valor de la
si autoujo es
despreciable
No obstante, existen otras situaciones donde el autoflujo no puede despreciarse. Un caso particularmente importante se encuentra cuando cuando
las variaciones del flujo externo son nulas (por ejemplo cuando I = 0). En
este caso la fem inducida debe calcularse como
=
FLML
daut
.
dt
Valor de la
si ujo externo nulo
Apuntes de FFI
Tema 4.
82
4.3.3. Transitorios en circuitos RL

Una situacin prctica donde el nico flujo que atraviesa el circuito es
el autoflujo se muestra en la figura adjunta, donde tenemos una batera de
fem B que mediante un conmutador alimenta una bombilla (o cualquier
otro dispositivo). Desde un punto de vista circuital, la bombilla puede considerarse como una resistencia de valor R. Aplicando la ley de Kirchhoff de
las tensiones a la configuracin anterior tendremos que la suma de las fem
existentes en el circuito debe ser igual a la cada de tensin en la resistencia. Dado que existen dos fuentes de fem, una debida a la batera, B , y otra
fem inducida, ind , debida a las variaciones temporales del autoflujo, la ley
de Kirchhoff dice que
B + ind = Ri .
(4.37)
Dado que en el presente caso podemos escribir que
ind = L
di
,
dt
(4.38)
la ecuacin (4.37) puede reescribirse como

B L
di
= Ri .
dt
(4.39)
Para obtener el valor de la intensidad i (t ) que circula por el circuito debemos resolver la ecuacin diferencial anterior. Segn esta ecuacin, la fem
inducida puede considerarse que acta como una fuerza contralectromotriz, en el sentido de que acta contra la fem de la batera intentando contrarrestar (segn determinaba la ley de Lenz) los cambios de flujo magntico en el circuito. El efecto de esta fuerza contrelectromotriz se notar en
que la corriente que circula por el circuito no cambiar bruscamente desde 0 hasta un valor de B /R tal como ocurrira si se despreciase el efecto de
la induccin electromagntica.
Aunque la expresin (4.39) proporciona una buena interpretacin fsica de los fenmenos que suceden en el circuito, es usual reescribir esta
ecuacin como
di
dt
= VR + VL .
B = Ri + L
i(t)
L
Apuntes de FFI
VL
(4.40)
(4.41)
Escrito en esta forma, la Teora de Circuitos interpreta que la fem generada

por la fuente de tensin (la batera) es igual a la cada de tensin en la resistencia, VR = Ri , ms una cada de tensin, VL , debida a la autoinduccin
L. El efecto distribuido de la fem inducida en el circuito puede modelarse,
por tanto, como una cada de potencial en un elemento de circuito, denominado genricamente inductor, caracterizado por la inductancia L (ver
figura adjunta):
di
VL = L
.
(4.42)
dt
De este modo, los efectos de induccin electromagntica relacionados con
el campo magntico variable se supone que estn localizados en los inductores. Estos inductores son comnmente elementos puestos a propsito
FLML
4.3. Inductancia
83
en los circuitos para aumentar los efectos de induccin electromagntica,

por ejemplo, solenoides o bobinas. Dado el alto valor del campo magntico en el interior de los solenoides y la posibilidad de miniaturizarlos, estos
elementos son parte fundamental de los circuitos elctricos y electrnicos.
En este sentido, consideraremos a la autoinduccin o bobina como
otro elemento del circuito donde se produce una cada de tensin al igual
que en la resistencia; aunque obviamente la dependencia de V con la intensidad que recorre el elementos es distinto en la resistencia y en la bobina. Desde un punto de vista circuital, el circuito que debemos resolver se
muestra en la figura adjunta, donde la intensidad i (t ) que circula por este
circuito ser la solucin de (4.40) o, equivalentemente,
di R
B
+ i=
.
dt L
L
(4.43)
La solucin de esta ecuacin diferencial viene dada por
i (t ) = I 0 e L t +
B
,
R
donde la constante I 0 se determina en funcin del valor de i (t ) en t = 0. En

el presente caso dado que i (0) = 0 (esto es, la intensidad era nula antes de
conmutar), se encuentra que I 0 = B /R y por tanto
i (t ) =
R
B
1 e L t .
R
(4.44)
La forma de i (t ) claramente muestra que esta intensidad no cambia bruscamente sino que el valor final B /R se alcanza aproximadamente tras un
tiempo t s 4L/R. Si L tiene un valor alto (esto es, si los efectos de induccin electromagntica son importantes) el valor final de la corriente tarda
ms tiempo en alcanzarse.
Si ahora consideramos la situacin opuesta a la anterior, haciendo que
el conmutador abra el circuito en t = 0, entonces i (0) = B /R y dado que
el segundo miembro de la ecuacin (4.43) desaparece, la solucin para i (t )
en este caso ser
R
i (t ) = i (0)e L t
B R t
=
e L .
R
(4.45)
(4.46)
Podemos observar que, en este caso, la corriente no desciende a cero bruscamente sino que tardara aproximadamente un tiempo t s en alcanzar este
valor.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
84
4.4. Energa magntica

En el apartado anterior se ha visto que la evolucin de un circuito serie
RL tal como el mostrado en la figura adjunta vena regida por la ecuacin
= Ri + L
di
.
dt
(4.47)
Multiplicando ambos trminos de la ecuacin por la intensidad, i , obtenemos

di
i = Ri 2 + Li
,
(4.48)
dt
donde el primer miembro de (4.48) nos da, segn (2.30), la potencia suministrada por el generador de fem y el segundo miembro debe ser, por tanto,
la potencia consumida en el circuito. Dado que el primer trmino del segundo miembro, Ri 2 , es la potencia disipada en la resistencia por efecto
Joule ver (2.25), podemos concluir que el segundo trmino, Li di /dt , estar exclusivamente asociado a la autoinduccin. Este trmino puede entonces interpretarse como la energa por unidad de tiempo que se almacena en el campo magntico del inductor (recurdese que en el circuito se
ha supuesto que los efectos del campo magntico estn localizados en este elemento). Si designamos por UB a la energa magntica almacenada en
el inductor, entonces la razn con la que se almacena esta energa puede
escribirse como
dUB
di
d 1 2
= Li
=
Li .
(4.49)
dt
dt dt 2
Energa almacenada en el
inductor
En consecuencia, la energa magntica almacenada en el inductor vendr

dada por
1
(4.50)
UB = Li 2 .
2
E JEMPLO 4.4 Calcular el calor disipado en la resistencia R 2 cuando el conmutador

pasa de la posicin 1 a la 2.
Supuesto que en t = 0 se realiza el cambio del conmutador de la posicin 1 a
la 2, podemos afirmar que el valor de la intensidad en este instante era
I0 =
,
R1 + R2
supuesto que el conmutador estuvo en la posicin 1 por un tiempo considerable

ver expresin (4.44). Para t > 0, la intensidad que recorre el circuito R 2 L ser,
segn (4.45),
i (t ) = I 0 e
R2
L
Dado que el calor disipado en la resistencia R 2 por unidad de tiempo viene dado
por
dW
P R2 =
= i 2 R2 ,
dt
Apuntes de FFI
FLML
4.4. Energa magntica
85
el calor total disipado en esta resistencia, W , puede calcularse como

Z
Z
Z
2R 2
2
W=
P R2 dt =
i R 2 dt =
I 02 e L t R 2 dt
0
0
0
Z 2R
2
e L t dt .
= I 02 R 2
0
Si en la integral anterior se introduce el siguiente cambio de variable:

t=
2R 2
se tiene que
W
= I 02 R 2
L
2R 2
e
0
1
d = LI 02 .
2
El calor disipado en la resistencia es justamente la energa magntica que estaba

almacenada en el inductor.
La energa almacenada en el inductor podemos decir que est contenida en el campo magntico presente en este elemento y, consecuentemente, UB puede identificarse como la energa del campo magntico. Para
hacer este hecho ms evidente, consideremos que el inductor es un solenoide esbelto (cuya autoinduccin fue obtenida en el Ejemplo 4.3), por lo
que podemos escribir que
1
1 2 2 2
UB = 0 n 2 lSi 2 =
n i Sl .
2
20 0
(4.51)
Dado que el mdulo del campo magntico en el interior de un solenoide se

~ | = 0 ni , la expresin anterior puede reescribirse como
encontr que era |B
UB =
~ |2
|B
V ,
20
(4.52)
siendo V = S l el volumen del solenoide. Finalmente podemos deducir que

en este inductor la densidad volumtrica de energa magntica, u B , viene
dada por
~ |2
|B
.
(4.53)
uB =
20
Densidad de energa magntica
Aunque el resultado anterior se ha obtenido para un caso particular, clculos ms rigurosos demostraran que este resultado es vlido en general.
E JEMPLO 4.5 (*) Clculo de la autoinduccin por unidad de longitud de una cable
coaxial de radio interior a = 1 mm y radio exterior b = 3 mm.
Dado que un cable coaxial la corriente I que circula por el conductor interno
retorna por el conductor externo, la aplicacin de la ley de Ampre al presente
caso nos dice que el campo magntico producido por ambas corrientes fuera de
los conductores ser
0 I
si
a b,
~ = 2
B
(4.54)
0
si
>b.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
86
La densidad volumtrica de energa magntica en el interior del cable coaxial vendr entonces dada, segn (4.53), por
uB =
0 I 2
,
82 2
(4.55)
de donde podemos obtener la energa magntica almacenada en un conductor

coaxial de longitud l como
Z
UB =
u B dV .
(4.56)
volumen
Teniendo en cuenta que en el presente caso y debido a la simetra cilndrica del

problema podemos escribir
dV = dS dl = 2d dl ,
la energa magntica se calcular como
l
Z
UB =
dl
0
Z l
Z
0 I 2 b d
0 I 2 l b
0 I 2
2d
=
d
l
=
ln .
82 2
4 a
4
a
0
Considerando ahora que la energa magntica almacenada en el inductor viene

dada por (4.50), tenemos que
1
1 0 b
UB = LI 2 =
lI2 ,
ln
2
2 2 a
por lo que la autoinduccin por unidad de longitud del cable coaxial ser
L
0 b
ln .
2 a
(4.57)
Sustituyendo ahora los valores de a y b obtenemos el siguiente valor numrico:

L
4.5.
4 107
ln 3 0,22 H/m .
2
(4.58)
Ley de Ampre-Maxwell
La ley de Ampre tal como se escribi en el Apartado 3.5 slo era vlida,
en principio, para campos magnetostticos y corrientes continuas. Esta ley
bsica estableca que2
I
Z
~ (~
~
B
r ) d~
l = 0
J (~
r ) d~
S,
(4.59)
S()
es decir, la circulacin del campo magnetosttico a travs de una curva

es igual a 0 veces la intensidad de la corriente continua que atravesaba la
2 En la expresin (4.59) y en lo que queda de tema, indicaremos que cierto campo ~
A
slo depende de las variables espaciales expresando ste en la forma ~

A(~
r ). Si dicho campo
tambin dependiese del tiempo, entonces lo expresaremos como ~
A(~
r , t ).
Apuntes de FFI
FLML
4.5. Ley de Ampre-Maxwell
87
superficie S(). La constante 0 = 4 107 H/m se denomin permeabilidad magntica del vaco.
Para generalizar la ley de Ampre, es tentador extender esta ley inicialmente formulada para campos estticos a campos variables en el tiempo y
escribir
I
Z
?
~ (~
~
B
r , t ) d~
l = 0
J (~
r , t ) d~
S.
(4.60)
S()
Para comprobar la validez de la expresin (4.60) basta considerar el proceso de carga de un conductor recorrido por una intensidad I (t ), donde la
curva rodea al conductor y la superficie S() es tal como se muestra en la
figura adjunta. Al tomar el lmite cuando la curva se hace tender a cero,
la superficie S() cierra el conductor obtenindose que
I
~ (~
lm B
r , t ) d~
l =0,
(4.61)
0
puesto que el valor del campo magntico en los puntos de la curva tiende
a cero en el lmite 0.3 Ahora bien, supuesta cierta (4.60), la expresin
(4.61) tambin implicara que
Z
I
~
~
J (~
r , t ) dS = ~
J (~
r , t ) d~
S =0,
(4.63)
lm
0 S()
es decir, el flujo de ~
J a travs de la superficie cerrada es nulo. Esto es claramente incorrecto en nuestro caso puesto que observamos que entra una
intensidad I (t ) en la superficie S().
Teniendo en cuenta la ecuacin de continuidad de la carga, discutida
en el Apartado 2.2:
I
d
~
J (~
r , t ) d~
S = Q S (t ) ,
(4.64)
dt
S
Ecuacin de continuidad de carga
que establece que la variacin por unidad de tiempo de la carga encerrada

en una superficie cerrada S, Q S (t ), es igual al flujo total de densidad de corriente que atraviesa dicha superficie, observamos una clara contradiccin
entre lo que dice la ecuacin de continuidad de la carga (4.64) y la expresin (4.63) derivada directamente de la ley de Ampre al aplicarla a campos
variables en el tiempo. Dado que no cabe discusin acerca de la validez de
la ecuacin de continuidad de la carga (sta no es ms que la expresin local del principio de conservacin de la carga), tenemos que concluir que la
extensin de la ley de Ampre, tal y como se expres en (4.59), NO es vlida
para situaciones no estacionarias.
Siguiendo el razonamiento de James C. Maxwell ( 1860) debemos asumir que (4.59) debe modificarse para hacerla compatible con la ecuacin
de continuidad de la carga. As, si consideramos que la expresin de la ley
3 Recurdese que en el Apartado 3.5.1 se mostr que el campo magnetosttico en el interior de un conductor cilndrico rectilneo de radio R recorrido por una intensidad I vena
dado por
0 I
~ (~
.
B
r)=
r
(4.62)
2R 2
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
88
de Gauss para campos estticos (ver Apartado 1.2.5) s puede extendderse

a campos variables en el tiempo,
I
S
~ (~
E
r , t ) d~
S=
Q S (t )
,
0
la ecuacin de continuidad de la carga puede reescribirse como

I
S
~
J (~
r , t ) d~
S =
=
o bien
d
dt
I
S
I
S
~
~
0 E (~
r , t ) dS
~ (~
E
r ,t)
d~
S,
t
#
I "
~ (~
E
r ,t)
~
J (~
r , t ) + 0
d~
S =0.
t
S
(4.65)
(4.66)
A la vista de la expresin anterior, es claro que reescribiendo la ley de Ampre de la siguiente forma:
~ (~
B
r , t ) d~
l = 0
"
S()
~
J (~
r , t ) + 0
#
~ (~
E
r ,t)
d~
S
t
(4.67)
y siguiendo el mismo procedimiento de paso al lmite de la curva , entonces esta ley es ya congruente con la ecuacin de continuidad de la carga.
En el segundo miembro de (4.67) aparecen dos trminos que podemos
relacionarlos con corrientes de naturaleza distinta.
Corriente de conduccin
Es la corriente que hasta ahora se ha estudiado y que podemos identificar con el movimiento neto de las cargas elctricas, y por ello se
define como el flujo del vector densidad de corriente ~
J . Claramente esta corriente aparece donde haya un movimiento neto de cargas,
por ejemplo, en el interior de un conductor recorrido por una corriente elctrica.
Corriente de desplazamiento
Es un trmino de corriente que no est directamente relacionado
con el movimiento de cargas (aunque puede ser consecuencia de
ello). Se define como el flujo del vector densidad de corriente de des~
E
. Este trmino debemos asociarlo exclusivaplazamiento, ~
J D = 0
t
mente a las variaciones temporales del campo elctrico. (Recurdese
que una corriente estacionaria que recorre un conductor no da lugar
a campo elctrico alguno.) El origen de esta corriente podemos explorarlo en el paso de la ecuacin (4.64) a (4.66) y relacionar la existencia de este tipo de corriente con la mera presencia de una carga
elctrica variable en el tiempo. En consecuencia, la densidad de corriente de desplazamiento existir en todos los puntos del espacio
donde haya un campo elctrico variable en el tiempo.
Apuntes de FFI
FLML
4.6. Ecuaciones de Maxwell
89
Es interesante hacer notar que en el caso de que no haya corriente de

conduccin, la ley de Ampre-Maxwell se escribira como
I
~ (~
B
r , t ) d~
l = 0 0
~ (~
E
r ,t)
d~
S.
t
S()
(4.68)
La ecuacin anterior establece

la existencia de un campo magntico asociado a la existencia
de una campo elctrico variable en el tiempo.
E JEMPLO 4.6 (*) Clculo del campo magntico en el interior de un condensador

de placas circulares de radio R alimentado por una corriente I (t )
El campo elctrico en el interior de un condensador de placas paralelas de
densidad superficial de carga viene dado por
~=
E
u
0
es el vector unitario que va desde la placa cargada positivamente a la

donde u
cargada negativamente. Expresando ahora la densidad superficial de carga en
funcin de la carga total en la placa Q(t ) se tiene que
~ (t ) =
E
Q(t )
,
u
0 R 2
y obviamente esto implica la existencia de una corriente de desplazamiento, ~

J D (t ),
en el interior del condensador que viene dada por
~
J D (t ) = 0
~
I (t )
E
.
=
u
t
R 2
Aplicando ahora la ley de Ampre-Maxwell segn (4.68), esto es,

I
Z
~ (~
~
B
r , t ) d~
l = 0
J D d~
S.
S()
nos encontramos con un problema muy similar al del clculo del campo magnetosttico en el interior de un conductor cilndrico rectilneo (Apartado 3.5.1), con
la diferencia de que en dicho problema la corriente era de conduccin.
Consecuentemente usando la expresin (4.62) se llegara a que en el interior
del condensador
0 I (t )
~ (~
(r R)
B
r ,t) =
2R 2

Tanto en el presente tema como en los temas anteriores se han visto
una serie de leyes (la mayora extradas directamente de la experimentaFLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
90
cin) que determinan el comportamiento de los campos elctrico y magntico. Entre las mltiples leyes y expresiones que se han visto, puede escogerse un conjunto de cuatro de ellas que forman la base del Electromagnetismo y de donde se pueden derivar todos los fenmenos electromagnticos. Estas leyes fueron recogidas por James C. Maxwell ( 1860) en una labor que ha sido reconocida como una de las sntesis ms fructferas de toda la historia de la Fsica. Adems de esta labor recopilatoria, Maxwell not
adems una inconsistencia en la ley de Ampre que solucion aadiendo
a esta ecuacin un trmino adicional relacionado con un nuevo tipo de
corriente que denomin corriente de desplazamiento. Las ecuaciones de
Maxwell son cuatro ecuaciones diferenciales o integro-diferenciales (aqu
se optar por presentarlas en forma integro-diferencial) que compendian
toda la informacin que hemos adquirido sobre los campos elctricos y
magnticos y su relacin con las fuentes que los producen.
Maxwell realiza una revisin de las leyes del campo elctrico y el magntico, extendindolas a campos elctricos y magnticos variables en el
tiempo. Sus aportaciones pueden resumirse tal como sigue.
Ley de Gauss para
~ (~
E
r ,t)
Ley de Gauss para el campo elctrico

Maxwell extendi la validez de la ley de Gauss (que en su forma inicial (1.19) slo era aplicable a campos elctricos constantes en el
tiempo; es decir, a campos electrostticos) a campos elctricos que
~ =E
~ (~
varan en el tiempo, E
r , t ). De este modo, la ley de Gauss para el
campo elctrico puede escribirse, en general, como
I
S
~ (~
E
r , t ) d~
S=
Q S (t )
,
0
(4.69)
donde Q S (t ) es la carga total (que ahora puede variar en el tiempo)

encerrada en el interior de la superficie S y 0 = 8,85 1012 F/m.
Ley de Gauss para el campo magntico
Dado que experimentalmente se encuentra que las lneas de campo
magntico no divergen ni convergen en ningn punto del espacio (es
decir, no existen cargas magnticas), Maxwell propuso la siguiente
~=B
~ (~
ley para campos magnticos variables en el tiempo, B
r , t ):
Ley de Gauss para
~ (~
B
r ,t)
I
S
~ (~
B
r , t ) d~
S =0 .
(4.70)
El flujo del campo magntico a travs de cualquier superficie cerrada es siempre nulo.
Ley de Faraday-Maxwell
La ley de induccin electromagntica segn fue establecida por Faraday estaba directamente ligada a la presencia de conductores, de
modo que en la expresin (4.18), la curva coincida estrictamente
con el recorrido del circuito. Maxwell not que la identidad matemtica expresada por (4.18) no tena por qu ligarse a la existencia
Apuntes de FFI
FLML
91
de conductores; esto es, no hay nada en (4.18) que exija que la curva
deba coincidir con el recorrido del circuito. Con esta concepcin
en mente, la ley de Faraday-Maxwell:
I
~ (~
E
r , t ) d~
l =
~ (~
B
r ,t)
d~
S
t
S()
(4.71)
Ley de Faraday-Maxwell
establece que la circulacin del campo elctrico a travs de una curva arbitraria, , es igual a menos la variacin del flujo magntico que
atraviesa una superficie S() cuyo contorno se apoya en . Esta reinterpretacin de la ley de Faraday dice mucho ms que la ley original
pues establece
la existencia de un campo elctrico en cualquier punto del espacio donde exista un campo magntico variable en el tiempo.
Ecuacin de Ampre-Maxwell
Tal como se ha discutido en el Apartado 4.5, la ley de mpere se generalizaba al caso de campos y corrientes variables en el tiempo de
la siguiente forma:
I
~ (~
B
r , t ) d~
l = 0
#
~ (~
E
r ,t)
~
J (~
r , t ) + 0
d~
S
t
"
S()
(4.67)
Una de las ms importantes consecuencias que puede extraerse de las

anteriores ecuaciones surge al combinar la ecuaciones de Faraday-Maxwell
con la ecuacin (4.68) de mpere-Maxwell para el caso del vaco (es decir,
en ausencia de cargas y corrientes elctricas),
I
~ (~
E
r , t ) d~
l =
~ (~
B
r ,t)
d~
S
t
S()
y
I
~ (~
B
r , t ) d~
l = 0 0
~ (~
E
r ,t)
d~
S.
t
S()
(4.71)
(4.68)
Una lectura de dichas ecuaciones sugiere la existencia de una perturbacin electromagntica que puede autosustentarse en el vaco. La ecuacin
(4.71) nos dice que la presencia de un campo magntico variable en el
tiempo provoca la aparicin de un campo elctrico, pero a su vez la ecuacin (4.68) establece que la presencia de un campo elctrico variable en
el tiempo da lugar a la aparicin de un campo magntico. En consecuencia, la existencia de una campo magntico variable en el tiempo generara
otro campo magntico que a su vez generara otro.... (igualmente ocurrira
con campos elctricos variables en el tiempo). Tenemos, por tanto, una situacin en la que los campos electromagnticos se autosustentan ya que
seran ellos mismos su propia causa y efecto. En el prximo tema sobre
ondas veremos que este fenmeno es precisamente el origen de las ondas
electromagnticas.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
92

4.1: En el interior de un solenoide de 600 vueltas, el flujo magntico cae de 8,0 105 Wb
a 3,0 105 Wb en 15 ms. Cul es la fem media inducida? (1 Wb = 1 Tm2 .)
Sol.: = 2 V.
4.2: Una barra metlica se desplaza a velocidad constante, v, sobre dos varillas conductoras unidas por una resistencia R en sus extremos izquierdos. Se establece una campo
~ , como se indica en la figura. a) Calclese la fem inducida
magntico uniforme y esttico, B
en el circuito as como la corriente inducida indicado su sentido; b) Qu fuerza est siendo
aplicada a la barra para que se mueva a velocidad constante?; c) Realzese un balance entre
la potencia aplicada y la energa consumida. Nota: Despreciar el autoflujo del circuito.
~ |l |~
~a = I l |B
~ |x; c) Pot. aplicada=F a v = Pot. consumida=I 2 R.
Sol.: a) = |B
v |; b) F
4.3: Determinar el coeficiente de induccin mutua entre le circuito rectangular de la figura

y el conductor recto
infinito.
0 c
a +b
Sol: M =
.
ln
2
a
4.4: Un conductor rectilneo e infinitamente largo est recorrido por una intensidad I (t ).
Una espira rectangular de lados a y b y resistencia R es coplanaria con dicho conductor
y vara su posicin de acuerdo con una ley de movimiento x(t ) conocida. Calclese: a) el
flujo magntico, (t ), que atraviesa la espira; b) la fem inducida en la espira, indicando
que parte de la misma se debe al movimiento y cul a la variacin temporal del campo
magntico; c) el valor de la corriente inducida en el instante t si I (t ) = I 0 y x(t ) = v t (v > 0).
Nota: Despreciar el autoflujo
del circuito.
0 bI (t )
a + x(t )
Sol.: a) (t ) =
ln
;
2
x(t )
a + x(t )
0 b dI (t )
aI (t )v
ln
b) (t ) =
;
2
dt
x(t )
x(t )(a + x(t ))
ab0 I 0
en sentido horario.
c) I ind =
2R(at + v t 2 )
a
I(t)
b
x(t)
Z
B
4.5: Un circuito rectangular de 2 de resistencia se desplaza en el plano Y Z en una zo~ = (6 y)x T. Las dimensiones del circuito son de
na donde existe un campo magntico B
0,5 m de altura por 0,2 m de anchura. Suponiendo que en el instante inicial (t = 0) el lado
izquierdo del circuito coincida con el eje Z (segn puede verse en el dibujo), calcular la
intensidad inducida en el circuito en los casos siguientes: a) se desplaza a velocidad uniforme de 2 m/s hacia la derecha; b) transcurridos 100 segundos, si se mueve aceleradamente
hacia la derecha con a = 2 m/s2 (supngase que el circuito parti del reposo). c) Repetir los
apartados anteriores suponiendo que el movimiento es ahora paralelo al eje Z . Nota: en
todos los casos considrese despreciable el autoflujo.
Sol.: a) 0.1 A; b) 10 A; c) 0 A en los dos casos, ya que no hay variacin del flujo magntico.
Y
X
puente
mvil
a)
l
v
a
R
Apuntes de FFI
b)
4.6: Un conductor rectilneo infinito est recorrido por una intensidad I . Otro conductor
en forma de U es coplanario con el primero, su base es una resistencia, R, y mediante un
puente mvil, que se mueve a velocidad v, forma una espira rectangular de rea variable
(vase figura). Se consideran los casos en que R es paralela o perpendicular al conductor
rectilneo infinito (casos a) y b) en la figura respectivamente). Determinar en cada caso la
intensidad de corriente inducida y la fuerza que es necesario aplicar al puente mvil para
que se mueva a velocidad v. Nota: en ambos casos considrese despreciable el autoflujo
del circuito en U.
2
0 I l v
v
I 0 l
Sol.: a) I ind =
,F =
;
2R(a + v t )
R 2(a + v t )
0 I v
a +l
v 0 I
a +l 2
b) I ind =
ln
,F =
ln
.
2R
a
R 2
a
FLML
93
~ (t ) = (2 +
4.7: En la figura se muestra un campo magntico uniforme y no estacionario, B
0,5t 2 ) z T (t en segundos). En el seno de dicho campo se ha dispuesto un circuito formado
por un conductor en forma de U, que contiene una resistencia R = 10 , y que junto con la
barra conductora mvil AC , de longitud l = 1 m y masa m kg, forma una espira rectangular
de rea variable. Si la ley de movimiento de la barra AC es y(t ) = 3t 2 m, calcular: a) el flujo
magntico a travs del circuito; b) la fem inducida en el circuito; c) la intensidad inducida,
indicando su sentido; d) la fuerza debida al campo magntico que acta sobre la barra
en direccin y; e) la fuerza que hemos de aplicar a la barra mvil para que satisfaga la
mencionada ley de movimiento. Nota: Considere despreciable el autoflujo en el circuito.
Sol.: a) (t ) = 6t 2 + 1,5t 4 weber; b) (t ) = (12t + 6t 3 ) V; c) I i nd (t ) = 1,2t + 0,6t 3 sentido
~mag (t ) = (2,4t + 1,8t 3 + 0,3t 5 ) y ; e) F
~aplic (t ) = (6m + 2,4t + 1,8t 3 + 0,3t 5 ) y .
horario; d) F
Z
B(t)
C
v
R
A
4.8: A travs de un hilo conductor rectilneo muy largo circula una corriente que vara con
el tiempo segn la expresin I (t ) = at , donde a = 0,7 A/s. En las proximidades del hilo, y
en un plano que contiene a ste, se encuentra una espira de radio b = 5 mm y resistencia
R = 0,2 m. Esta espira se aleja del hilo con una velocidad constante v, estando situada
en el instante inicial (t = 0) a una distancia r 0 del hilo. Obtener a) la expresin del flujo
magntico que atraviesa la espira; b) la expresin de la fuerza electromotriz inducida; c) la
intensidad inducida en la espira en el instante inicial, indicando su sentido. Nota: debido
al pequeo tamao de la espira, podemos considerar a efecto de clculo que el campo
magntico creado por el hilo es uniforme en el interior de la espira e igual a su valor en el
centro de sta).
b 2 at
b 2 ar
0
Sol: a) (t ) = 2(r0 +v t ) ; b) (t ) = 0
; c) I (0) = 4,39 A, sentido antihorario.
2(r 0 +v t )2
0
4.9: En la figura se muestra un solenoide esbelto de longitud l 1 y un total de N1 espiras.

Dentro del mismo y coaxial con el se ha dispuesto una bobina de radio R 2 y un total de N2
espiras. Calcular: a) el coeficiente de induccin mutua entra ambos bobinados; b) la fem
inducida entre los extremos de la bobina pequea cuando por el solenoide esbelto circula
una intensidad I 1 (t ) = I 0 cos(t ). c) Reptanse los dos apartados anteriores suponiendo
ahora que el eje de la bobina pequea forma un ngulo con el del solenoide.
0 R 22 N1 N2
; b) = M I 0 sen(t ); c) en este caso, los resultados anteriores se
Sol.: a) M =
l1
multiplican por cos().
N1
I1
N2
Corte para
ver el interior
4.10: Determinar la fem autoinducida en un solenoide de inductancia L = 23 mH cuando: a) la corriente es de 25 mA en el instante inicial y aumenta con una rapidez de 37
mA/s; b) la corriente es cero en el instante inicial y aumenta con una rapidez de 37 mA/s;
c) la corriente es de 125 mA en el instante inicial y disminuye con una rapidez de 37 mA/s;
d) la corriente es de 125 mA y no vara.
Sol.: en los tres casos a), b) y c), = 851 106 V, salvo que la polaridad es diferentes. As,
dado que la polaridad de fem autoinducida es tal que se opone a las variaciones de la intensidad, en los apartados a) y b) la polaridad es la misma (ya que en ambos casos la intensidad aumenta), siendo en c) contraria a los apartados anteriores (ya que en este caso
disminuye); d) = 0.
4.11: La intensidad que circula una bobina de inductancia L vara de acuerdo con la expresin i (t ) = I 0 (1 et / ), donde es una constante. Determnese: a) la corriente inicial
(t = 0) y final (t = ) en la bobina; b) las expresiones temporales de la energa magntica
en la bobina y de la potencia recibida por la misma; c) el instante de tiempo, t , en el cual
la potencia recibida es mxima; d) la energa final almacenada en la bobina (esto es, para
t = ).
LI 0 et / i (t )
Li 2 (t )
, P (t ) =
; c) t = ln2;
Sol.: a) i (0) = 0, i () = I 0 ; b) Um (t ) =
2
LI 02
d) Um =
.
2
4.12: En la figura se ha representado un solenoide esbelto de longitud l y rea de seccin
transversal S, que posee un total de N1 espiras. Por dicho solenoide circula un intensidad
i (t ) = I 0 sen(t ). Rodeando dicho solenoide se ha colocado una bobina rectangular de N2
espiras. Calcular: a) el campo magntico, B (t ), en el interior del solenoide; b) el coeficiente
FLML
Apuntes de FFI
Tema 4.
94
N2
N1
I1
Apuntes de FFI
de autoinduccin, L, del solenoide; c) la diferencia de potencial, V1 (t ), entre los extremos

del solenoide; d) el flujo magntico que atraviesa la bobina rectangular, 2 (t ), as como la
fuerza electromotriz inducida, V2 (t ), entre los bornes de dicha bobina.
0 N12 S
0 N1 I 0
sen(t ); b) L =
; c) V1 (t ) = LI 0 cos(t );
Sol.: a) B (t ) =
l
l
d) 2 (t ) = 0 I 0 N1 N2 Ssen(t )/l, V2 (t ) = 0 I 0 N1 N2 Scos(t )/l.
FLML
T EMA 5
Circuitos de Corriente Alterna

5.1. Introduccin
Dado que en el Tema 4 se han establecido las leyes fsicas que rigen
el comportamiento de los campos elctrico y magntico cuando stos son
variables en el tiempo, en el presente tema estamos ya preparados para
tratar circuitos con corriente variable en el tiempo y as extender los conceptos de circuitos de corriente continua (Tema 2) al caso de circuitos de
corriente alterna.
Entre las posibles dependencias temporales de la corriente I (t ) en los
circuitos, en este tema estudiaremos nicamente aqulla cuya variacin es
armnica, esto es, del tipo
I (t ) = I 0 cos(t + )
(5.1)
(ver Apartado 5.3 para una descripcin de las funciones armnicas). Las
razones fundamentales para estudiar este tipo de corriente variable en el
tiempo, denominada de forma genrica corriente alterna, son dos:
1. Relevancia tecnolgica.
Desde un punto de vista tecnolgico, el uso de la corriente alterna es muy conveniente debido a que sta es muy fcil de generar
y su transporte puede realizarse fcilmente a altas tensiones (y pequeas intensidades) minimizando as las prdidas por efecto Joule
(posteriormente, por induccin electromagntica, la corriente alterna puede fcilmente transformarse a las tensiones usuales de trabajo). Estas caractersticas junto con su fcil aplicacin para motores
elctricos hizo que, a partir de finales del siglo XIX, la corriente alterna se impusiera para uso domstico e industrial y que, por tanto, la tecnologa elctrica se haya desarrollado en torno a esta forma
de corriente (en Europa la frecuencia de la corriente alterna es de
50 Hz). Una caracterstica adicional de esta corriente es que su forma armnica se conserva cuando la corriente es modificada por el
efecto de elementos lineales, a saber: resistencias, condensadores,
bobinas, transformadores, etc.
95
Tema 5.
96
2. Relevancia matemtica.
Debido a que cualquier funcin peridica puede expresarse como la
suma de diferentes armnicos (teorema de Fourier), el estudio de la
corriente alterna constituye la base para el anlisis de seales variables en el tiempo en redes lineales.
5.2. Generador de fem alterna

Anteriormente se ha sealado que una de las propiedades ms destacadas y que hacen ms tiles el uso de la corriente alterna es su fcil generacin. El generador de fem alterna basa su funcionamiento en la ley de
induccin electromagntica de Faraday (ver Apartado 4.2.2), transformando energa mecnica en energa electromagntica (en una forma opuesta
a lo que hace el motor elctrico, ver Apartado 3.3.2). Un esquema bsico
de un generador de fem alterna se muestra en la figura 5.1, donde podemos observar que el flujo magntico que atraviesa la espira giratoria viene
F IGURA 5.1: Esquema bsico de un generador de fuerza electromotriz alterna.

dado por
=
Z
S
~ d~
~ |S cos ,
B
S = |B
(5.2)
donde se ha supuesto que el campo magntico es uniforme en la regin

R
donde se mueve la espira y que S = S |d~
S| es el rea de la espira.
Si el movimiento que se le imprime a la espira es un movimiento angular uniforme caracterizado por una velocidad angular constante (como
por ejemplo el que producira un chorro de vapor constante dirigido a unas
aspas conectadas con la espira), dado que = t + 0 , el flujo magntico
que atraviesa la espira puede expresarse como
~ |S cos(t + 0 ) .
(t ) = |B
(5.3)
Haciendo uso de la ley de induccin de Faraday (4.17), la fem (t ) inducida

en un conjunto de N espiras similares a la de la figura anterior ser
(t ) = N
Apuntes de FFI
d
~ |S sen(t + 0 ) ,
= N |B
dt
(5.4)
FLML
5.3. Aspectos generales de funciones armnicas
97
esto es, se ha generado una fem alterna que puede expresarse en general
como
(t ) = 0 cos(t + ) ,
(5.5)
~ |S y = 0 /2.
donde, en el presente caso, 0 = N |B
5.3.
Aspectos generales de funciones armnicas
Tal como se ha sealado, una funcin armnica f (t ) es aquella que

vara en el tiempo de la forma genrica:
f (t ) = A cos(t + ) ,
(5.6)
donde A es la amplitud, la frecuencia angular y el desfase. La amplitud,

A, determina el rango de variacin de la seal, esto es
A f (t ) A .
La frecuencia angular est relacionada con la frecuencia f a travs de
= 2 f =
2
,
T
(5.7)
donde T el periodo de la seal, esto es, aquel valor tal que f (t ) = f (t + T ).

El desfase determina el origen del tiempo, esto es, cul es el valor de la
funcin en el instante t = 0:
f (0) = A cos .
Es interesante recordar algunas relaciones trigonomtricas de las funciones seno o coseno, a saber:
sen(a b) = sen a cos b cos a sen b
cos(a b) = cos a cos b sen a sen b ,
de donde puede deducirse, por ejemplo, que
cos(t + /2) = sen(t + ) .
(5.8)
5.3.1. Valores eficaces

El valor eficaz, I ef , de una corriente alterna dada por
I (t ) = I 0 cos(t + ) ,
(5.9)
se define como la raz cuadrada del valor cuadrtico medio I 2 (t ) de la

corriente, es decir,
p
I ef = I 2 (t ) ,
(5.10)
donde el valor medio de una funcin peridica, F (t ), de periodo T se define como
Z
1 T
F (t )dt .
(5.11)
F (t ) =
T 0
FLML
Apuntes de FFI
Tema 5.
98
El valor eficaz de la corriente, al igual que otras magnitudes circuitales

que varen armnicamente, tiene mucha importancia prctica dado que
es precisamente el valor que miden los polmetros analgicos. Siguiendo
la definicin (5.10) y teniendo en cuenta (5.11) se tiene que
2
I ef
= I 02 cos2 (t + ) =
1 2
I
T 0
Z
0
cos2 (t + ) dt =
I 02
2
por lo que el valor eficaz se relaciona con la amplitud, I 0 , de la corriente

mediante la siguiente expresin:
Valor ecaz de la corriente alterna
I0
I ef = p .
2
(5.12)
Anlogamente, el valor eficaz de cualquier otra magnitud que vare armnicamente en

p el tiempo se define como la amplitud de dicha magnitud
dividida por 2.1
5.3.2. Anlisis fasorial

En la resolucin de ecuaciones de segundo grado, es frecuente encontrarse con soluciones que implican tomar la raz cuadrada de un negativo,
p
por ejemplo 9. No obstante, es fcil notar que no existe ningn nmero real (esto es, que pertenezca al conjunto R) tal que su cuadrado sea 9.
Para solucionar esta cuestin se introducen los nmeros imaginarios, que
pueden formarse a partir de la definicin de la unidad imaginaria, j:
p
j = 1 ,
(5.17)
de modo que
p
p
p
p
9 = 1 9 = 1 9 = j3 .
1 Es interesante observar que el valor eficaz, I , de una corriente alterna, I (t ) =

ef
I 0 cos(t + ), que recorre una resistencia R es justamente el valor de la intensidad de la

corriente continua que produce el mismo efecto Joule durante un periodo de tiempo T .
La energa WCA disipada por efecto Joule en una resistencia R por una corriente alterna
durante un periodo de tiempo T puede calcularse como
Z T
WCA =
P (t )dt ,
(5.13)
0
donde P (t ) es la potencia instantnea disipada en la resistencia, que viene dada por el producto de la intensidad por la tensin, esto es:
P (t ) = I (t )V (t ) .
(5.14)
Dado que segn (5.31) la cada de tensin en la resistencia es V (t ) = R I (t ), la energa disipada por la corriente alterna en esta resistencia puede escribirse como
Z T
T
2
WCA = I 02 R
cos2 (t + )dt = I 02 R = I ef
RT ,
(5.15)
2
0
que es precisamente el valor de la energa disipada por efecto Joule durante un periodo de
tiempo T en dicha resistencia R si esta fuese recorrida por una corriente continua de valor
I ef , esto es,
2
WCC = I ef
RT .
(5.16)
Apuntes de FFI
FLML
5.3. Aspectos generales de funciones armnicas
99
Los nmeros que tienen tanto parte real como imaginaria se conocen como nmeros complejos y pueden definirse como
z = a + jb ,
(5.18)
donde a = Re (z) se dice que es la parte real de z y b = Im (z) la parte imaginaria de z.

Usualmente los nmeros complejos se representan en un plano de modo que sobre el eje vertical se sita el eje imaginario y sobre el eje horizontal el eje real. De este modo, el nmero z queda caracterizado por un punto
(como se muestra en la figura adjunta) que est a una distancia |z| dada por
p
|z| = a 2 + b 2 ,
(5.19)
que se conoce como mdulo de z, y con un ngulo medido en sentido
antihorario a partir del eje real dado por

b
= arctan
,
(5.20)
a
que se denomina argumento de z.
Es fcil observar en la figura que z puede escribirse como
z = |z|(cos + j sen ) ,
y dado que la identidad de Euler dice que
ej = cos + j sen ,
(5.21)
se tiene que el nmero complejo z puede reescribirse como

z = |z|ej .
(5.22)
Teniendo en cuenta la identidad(5.21), es fcil notar que la funcin armnica

f (t ) = A cos(t + )
puede escribirse como
f (t ) = Re Aej(t +) = Re Aej ejt .
(5.23)
Si ahora definimos el fasor, f, de la funcin f (t ) como

f = Aej ,
(5.24)
f (t ) = Re fejt .
(5.25)
se tiene que
La identidad (5.25) permite establecer una relacin biunvoca entre las

funciones armnicas y sus fasores asociados, de modo que a toda funcin
armnica se le puede asociar un fasor, esto es,
f (t ) f .
FLML
(5.26)
Apuntes de FFI
Tema 5.
100
Siguiendo las propiedades ms elementales del clculo de nmeros

complejos pueden demostrarse fcilmente las siguientes propiedades:
f1 + f2
f (t ) f ,
f 1 (t ) + f 2 (t )
(5.27)
(5.28)
siendo f i (t ) = A i cos(t + i ) y un nmero real.

Una propiedad adicional de fundamental importancia prctica es
d f (t )
j f .
dt
(5.29)
Esta ltima propiedad puede deducirse como sigue:

d f (t )
= A sen(t + ) = A cos(t + /2)
dt
=Re Aej(t +/2) = Re Aej e j/2 ejt
=Re jAej e jt = Re j fejt ,
(5.30)
de donde se deduce que el fasor asociado a d f /dt es precisamente j f.
5.4.
I(t)
Relacin I V para Resistencia, Condensador y

Bobina
Resistencia.
Segn se discuti en el Apartado 2.3.2, en corriente continua la relacin que exista entre la tension V y la intensidad I en una resistencia
caracterizada por R vena dada por la ley de Ohm, esto es: V = R I . Experimentalmente puede verificarse que la ley de Ohm sigue siendo
vlida para corrientes alternas y, por tanto, puede escribirse que2
V(t)
I (t ) =
V (t )
.
R
(5.31)
Condensador.
En la expresin (1.52) se defini la capacidad C de un condensador
como la relacin entre la carga Q de las placas y la diferencia de potencial V entre stas, esto es,
C=
Q
.
V
(5.32)
Esta relacin se cumple igualmente para corriente alterna, de donde puede deducirse que la carga variable en el tiempo, Q(t ), puede
escribirse como
Q(t ) = CV (t ) .
(5.33)
2 Los signos ms y menos en la resistencia y en otros elementos en los circuitos de co-
rriente alterna indican los puntos de potencial ms alto y ms bajo en dichos elementos
cuando la corriente tiene el sentido supuesto en la correspondiente figura.
Apuntes de FFI
FLML
5.5. Anlisis fasorial de circuitos de CA
101
Al derivar la expresin anterior respecto al tiempo obtenemos la siguiente relacin entre la intensidad I (t ) y la tensin entre las placas
V (t ):
dV (t )
I (t ) = C
.
(5.34)
dt
I(t)
V(t)
Esta relacin indica que la derivada temporal de la diferencia de potencial entre las placas est relacionada linealmente mediante el parmetro C con la intensidad que llega al condensador.
Bobina.
Tal y como se expres en (4.42), el efecto de autoinduccin electromagntica de una bobina caracterizada por una inductancia L y recorrida por una intensidad I (t ) poda considerarse como una cada
de tensin en la bobina, V (t ), dada por
+
-
I(t)
+
L
V(t)
V (t ) = L
dI (t )
.
dt
(5.35)
La bobina puede considerarse, por tanto, como un elemento de circuito que relaciona linealmente, mediante el parmetro L, la derivada temporal de la intensidad que circula por ella con la cada de
tensin en la misma.
5.5.
Anlisis fasorial de circuitos de CA
Dado que el estudio de la corriente alterna implica el tratamiento de

funciones con una dependencia temporal de tipo armnica, la introduccin de los fasores asociados a estas funciones simplificar enormemente
el clculo matemtico necesario. Tal y como se explica en el Apartado 5.3.2,
a una funcin armnica I (t ) = I 0 cos(t +) se le hace corresponder un fasor I:
I (t ) I ,
que viene dado por
I = I 0 e j ,
(5.36)
I (t ) = Re Ie jt
(5.37)
dI (t )
j I .
dt
(5.38)
de modo que
I asociado a
I (t ) = I 0 cos(t + )
Fasor
e igualmente
5.5.1.
Expresiones fasoriales para resitencia, condensador y bobina
Haciendo uso de las relaciones fasoriales apropiadas es posible expresar las relaciones fundamentales para resistencias, condensadores y bobinas en la siguiente forma:
FLML
Apuntes de FFI
Tema 5.
102
Resistencia.
La relacin (5.31) puede expresarse en forma fasorial simplemente
como
V
I = ,
(5.39)
R
o bien como
V = R I .
(5.40)
Condensador.
Para el condensador, haciendo uso de la propiedad (5.38), la relacin
(5.34) puede expresarse como
I = jC V ,
(5.41)
o equivalentemente
V =
1
I .
jC
(5.42)
La expresin anterior suele tambin escribirse como

V = jX C I ,
(5.43)
donde
1
(5.44)
C
se denomina reactancia capacitiva y se expresa en ohmios (). Esta
magnitud depende de la frecuencia tendiendo a cero para frecuencias muy altas y a infinito para frecuencias muy bajas. Esto se manifiesta en el hecho de que para frecuencias bajas el condensador
se comporta como un elemento que apenas deja fluir la corriente
mientras que a frecuencias altas casi no impide la circulacin de la
corriente.
XC =
Bobina.
La relacin (5.38) para la bobina puede expresarse en forma fasorial
como
V = jL I .
(5.45)
Si se define la reactancia inductiva, X L , como
X L = L ,
(5.46)
la expresin fasorial (5.45) puede tambin escribirse como

V = jX L I .
(5.47)
La reactancia inductiva viene dada en ohmios y es un parmetro que

depende linealmente con la frecuencia, de modo que tiende a cero
para frecuencias bajas y a infinito para frecuencias altas. Podemos
afirmar entonces que la bobina se comporta como un elemento que
se opondra al paso de la corriente a medida que la frecuencia de sta
aumenta.
Apuntes de FFI
FLML
103
Es interesante observar que las relaciones tensin/intensidad para el

condensador y la bobina fueron expresadas en el Apartado 5.4 mediante expresiones diferenciales han podido ser ahora reescritas como simples
expresiones algebraicas mediante el uso de sus fasores asociados. Es ms,
se ha encontrado que el fasor V siempre puede relacionarse linealmente
con el fasor I mediante un parmetro genrico Z ,
V = Z I ,
(5.48)
que denominaremos impedancia y que, en general, es un nmero complejo (notar que NO es un fasor):
Resistencia
R
Z=
Condensador
jX C
jX
(5.49)
Impedancia
de
una
resistencia,
condensador y bobina
Bobina .
5.5.2. Reglas de Kirchhoff

Las reglas de Kirchhoff junto con las relaciones tensin/intensidad en
los distintos elementos que constituyen los circuitos nos permitirn determinar el comportamiento de las magnitudes elctricas en corriente alterna. Las reglas de Kirchhoff fueron introducidas en el Tema 2 para los circuitos de corriente continua, donde suponamos que se haba establecido una
situacin estacionaria (es decir, las magnitudes no variaban en el tiempo).
En los circuitos de corriente alterna supondremos que las reglas de Kirchhoff siguen siendo vlidas para cada instante de tiempo.3 En consecuencia
podemos expresar las reglas de Kirchhoff de la siguiente manera:
I R EGLA DE K IRCHHOFF PARA LA TENSIN

V12 (t ) =
X
j
V j (t )
i (t ) ,
(5.50)
donde V j (t ) es la cada de potencial en el elemento j -simo y i (t )

es la i -esima fem del recorrido.
En el ejemplo mostrado en la figura adjunta, la regla (5.50) nos dice
que
V12 (t ) = [V1 (t ) V2 (t ) + V3 (t ) + V4 (t )] [1 (t ) + 2 (t )] .
I R EGLA DE K IRCHHOFF PARA LAS INTENSIDADES

N
X
I i (t ) = 0 ,
(5.51)
i =1
esto es, en cada instante de tiempo, la suma de todas las intensidades

que llegan y salen de un nudo es cero.
3 Bsicamente estamos admitiendo que en cada instante de tiempo se alcanza una si-
tuacin estacionaria.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 5.
104
Las anteriores reglas pueden tambin expresarse en forma fasorial, adoptando entonces la siguiente forma:
Regla de Kirchhoff fasorial para la tensin
V12 =
V j
i ,
(5.52)
V12 =
Z j Ij
i ,
(5.53)
donde Z j es la impedancia del elemento j -simo recorrido por la intensidad fasorial Ij . En el ejemplo de la figura (siguiendo los criterios
de signos ya explicados para los circuitos de corriente continua), al
aplicar (5.53) obtenemos
V12 = Z1 I1 Z2 I2 + (Z3 + Z4 ) I3 1 + 2 .
Regla de Kirchhoff fasorial para las intensidades

N
X
Ii = 0 ,
(5.54)
i =1
es decir, la suma de todas las intensidades fasoriales que llegan y salen de un nudo es cero.
5.5.3. Circuito RLC serie

Debemos observar que las reglas de Kirchhoff tal como han sido establecidas en (5.53) y (5.54) son idnticas a las reglas (2.37) y (2.38) establecidas para corriente continua, considerando que ahora tenemos fasores e
impedancias en vez de nmeros reales y resistencias. Como un ejemplo
sencillo de aplicacin de las leyes de Kirchhoff fasoriales consideraremos
a continuacin un circuito RLC serie en corriente alterna.
Si el generador de fem alterna proporciona una dada por
(t ) = 0 cos(t + ) ,
(5.55)
= 0 e j ,
(5.56)
cuyo fasor asociado es
al aplicar la ley de Kirchhoff de las tensiones (5.50) al circuito de la figura

tendremos que
(t ) = VR (t ) + VC (t ) + VL (t ) ,
(5.57)
o bien en forma fasorial:

Apuntes de FFI
FLML
= VR + VC + VL .
105
(5.58)
Teniendo ahora en cuenta las expresiones fasoriales (5.40),(5.43) y (5.47),

se tiene que
= R + j(X L X C ) I
(5.59)
= ZI ,
(5.60)
donde la impedancia, Z , del circuito RLC serie ser
Z = R + j(X L X C ) ,
(5.61)
Impedancia de un circuito
serie RLC
esto es, la suma de las impedancias de cada uno de los elementos del circuito. Esta impedancia puede tambin expresarse en forma mdulo y argumento como
Z = |Z |ej
(5.62)
donde
q
|Z | = R 2 + (X L X C )2
(5.63)
X L XC
= arctan
.
R
(5.64)
Despejando en la expresin (5.60), el fasor intensidad puede calcularse

como
(5.65)
I = I 0 ej = .
Z
Sustituyendo ahora (5.56) y (5.62) en la expresin anterior, I puede reescribirse como
0 j()
I =
e
,
|Z |
de donde concluimos que la amplitud y fase del fasor intensidad vienen
dados por
0
I0 = p
(5.66)
R 2 + (X L X C )2
y
X L XC
= arctan
.
(5.67)
R
Obviamente, la expresin temporal de la intensidad puede obtenerse al
sustituir las expresiones anteriores para I 0 y en I (t ) = I 0 cos(t + ).
5.5.4. Resonancia
Si la amplitud de la intensidad para el circuito serie RLC, segn se ha
obtenido en (5.66), se expresa explcitamente como una funcin de la frecuencia, obtendramos que
0
1 2
R 2 + L
C
I 0 () = s
FLML
(5.68)
Apuntes de FFI
Tema 5.
106
I 0 () = s
0
2 .
2
L
1
R 2 + 2 2
LC
(5.69)
Definiendo la frecuencia 0 como

20 =
1
,
LC
(5.70)
podemos reescribir (5.69) como

I 0 () = q
2 ,
2 R 2 + L 2 2 20
(5.71)
donde puede observarse que la amplitud de la intensidad en el circuito

serie RLC depende claramente de la frecuencia y presenta un mximo absoluto para un valor de frecuencia = 0 . Este fenmeno se conoce en
general como resonancia y aparece en mltiples situaciones prcticas (por
ejemplo, en los osciladores forzados). La frecuencia, r , a la que aparece el mximo de amplitud recibe el nombre de frecuencia de resonancia,
siendo para el circuito serie RLC: r = 0 ; cumplindose adems a esta frecuencia que X L = X C , por lo que, segn (5.64), la impedancia es puramente
real. Los fenmenos de resonancia tienen mltiples aplicaciones prcticas;
por ejemplo, si el circuito serie RLC se utiliza como el circuito de sintona
de una radio, la capacidad del condensador puede variarse de modo que
la frecuencia de resonancia vaya cambiando, sintonizndose as las diferentes emisoras (esto es, la emisora que emita con frecuencia igual a la de
resonancia es la que se recibira con ms intensidad).
5.5.5. (*) Anlisis de mallas

La resolucin del circuito RLC serie en corriente alterna ha puesto de
manifiesto que mediante el uso de los fasores y de la impedancia asociada
a cada elemento, la resolucin de un circuito de corriente alterna es equivalente a la de uno de corriente continua en la que las magnitudes intensidad y tensin son ahora fasores y las impedancias juegan el papel de resistencias. De este modo, todas las tcnicas introducidas en el Tema 2 para
la resolucin de circuitos de corriente continua pueden ser ahora aplicadas a la resolucin de circuitos de corriente alterna, teniendo en cuenta las
equivalencias antes mencionadas.
Como ejemplo, un circuito como el mostrado en la Figura 5.2 puede
resolverse mediante la aplicacin del mtodo de las corrientes de mallas.
Definiendo los fasores intensidades de malla en cada una de las tres mallas
del circuito segn se muestra en la figura y teniendo en cuenta el valor
de las impedancias de cada uno de los elementos implicados, la ecuacin
para las intensidades de malla puede escribirse como

1
I1

0 = Zi j I2 ,
0
I3
Apuntes de FFI
FLML
107
F IGURA 5.2: Circuito de tres mallas

donde la matriz de impedancias viene dada por
j (X L1 X C 1 )
0
j XC 1

.
0
R 1 + j(X L2 X C 2 )
jX L2
Zi j =
j XC 1
jX L2
R 2 + j(X L2 X C 1 )
Para los clculos en los ejercicios es siempre conveniente trabajar con
nmeros sustituyendo las expresiones algebraicas por sus valores numricos concretos antes de resolver el correspondiente sistema de ecuaciones.
E JEMPLO 5.1 En el circuito de la gura, determine las intensidades fasoriales,

I1 , I2 e I3 y las instantneas, i 1 (t ), i 2 (t ) e i 3 (t ).
Datos: (t ) = 20 sen(4 104 t )V, R1 = 8, R2 = 4, L = 0,2mH y C = 3,125F .
Lo primero que debemos hacer es obtener los fasores fuerza electromotriz y
las impedancias de cada elemento. Dado que la fuente proporciona una fem de
valor
(t ) = 20 sen(4 104 t ) V = 20 cos(4 104 t /2) V ,
de aqu obtenemos que la frecuencia angular, , de la fuente es
= 4 104 rad/s
y su correspondiente fasor asociadao es
= 20e j/2 = j20 V .
Para obtener las impedancias de la bobina y los condensadores, debemos calcular primero las reactancias inductivas y capacitivas, esto es,
X L = L = 4 104 2 104 = 8
1
1
XC =
=
= 8 ,
4
C 4 10 3,125 106
por lo que el circuito equivalente que debemos resolver es el mostrado en la figura
adjunta.
Las ecuaciones para las intensidades fasoriales de malla, I1 e I2 , son

j20
8 j8 j8 I1
=
,
0
j8
4
I2
FLML
Apuntes de FFI
Tema 5.
108
o bien simplificando al dividir por 4:

j5
2 j2
=
0
j2
j2
1

I1
.
I2
Las intensidades de mallas pueden ahora calcularse usando, por ejemplo, el mtodo de sustitucin. As de la segunda ecuacin obtenemos
I2 = 2 j I1 ,
que al sustituir en la primera ecuacin, nos lleva a que
j5 = (2 j2) I1 j2 j 2 I1 = (2 j2 + 4) I1 = (6 j2) I1 .
Despejando tenemos que
I1
j5
6 j2
j5(6 + j2)
(6 j2)(6 + j2)
j5(6 + j2)
58
j6 + 2
8
1 j3
4
y sustituyendo ahora este valor para obtener I2 , obtenemos

I2 =
2 j (1 j3) 3 + j
=
.
22
2
Para calcular ahora el fasor I3 , asociado a i 3 (t ), debemos tener en cuenta que

I3 = I1 I2 ,
por lo que
I3 =
1 j3 3 + j 1 j3 6 j2 5 j5
=
=
.
4
2
4
4
Antes de obtener las expresiones de las intensidades instantneas es conveniente expresar los fasores anteriores en forma mdulo y argumento:
I1 =
I2 =
I3 =
p
p
10 j arctan(3)
10 j1,249
e
=
e
4
4
p
p
10 j arctan(1/3)
10 j0,291
e
=
e
2
2
p
p
5 2 j arctan(1/1) 5 2 j5/4
e
=
e
.
4
4
(Notar que I3 se encuentra en el tercer cuadrante, por lo que su fase ser +/4 =
5/4).
Finalmente las intensidades instantneas vienen dadas por
i 1 (t ) =
i 2 (t ) =
i 3 (t ) =
Apuntes de FFI
p
10
cos(4 104 t 1,249) A
4
p
10
cos(4 104 t + 0,291) A
2
p
5 2
cos(4 104 t + 5/4) A .
4
FLML
5.6. Balance de potencia
109
5.6.
Balance de potencia
5.6.1.
Potencia media
Consideremos una rama de un circuito de CA caracterizada por una

impedancia Z donde se han medido las siguientes tensin e intensidad
instantneas:
V (t ) = V0 cos t
I (t ) = I 0 cos(t ) ,
siendo el ngulo de desfase entre la tensin y la intensidad (en el presente caso se ha tomado por sencillez la fase inicial de la tensin igual a
cero, aunque este hecho no afecta a las conclusiones y resultados del presente apartado).
La potencia instantnea, P (t ), consumida en dicha rama vendr dada
por la siguiente expresin:
P (t ) = I (t )V (t ) = I 0V0 cos t cos(t ) ,
(5.72)
donde debemos observar que dicha potencia es una funcin variable y peridica en el tiempo (T = 2/). Debido al carcter variable y peridico
de esta magnitud, la idea de potencia consumida en el sistema puede relacionarse ms convenientemente con la potencia media en un periodo,
P med , cuya expresin ser
1
P med = P (t ) =
T
P (t )dt .
(5.73)
La potencia media es justamente el valor que usualmente se proporciona al referirnos al consumo de cualquier aparato elctrico. Esta magnitud nos nos da una idea clara de cmo se comporta el sistema puesto que
lo que ocurre en el intervalo natural de tiempo en el sistema (esto es, el
periodo T ) determina el comportamiento del sistema en cualquier otro intervalo de tiempo mayor ste ser simplemente una repeticin de lo que
sucede en uno de los periodos. As, por ejemplo, la energa, E , consumida
en el sistema durante un intervalo de tiempo t T ser muy aproximadamente
E ' P med t .
Usando (5.72) en (5.73) para obtener la potencia media tenemos que
Z T
1
I 0 V0
cos(t ) cos(t ) dt
T
0
Z T
Z T
1
2
= I 0V0 cos
cos (t ) dt + sen
cos(t ) sen(t ) dt
T
0
0
P med =
y dado que la segunda integral se anula mientras que la primera es 21 T ,

FLML
Apuntes de FFI
Tema 5.
110
podemos concluir que

Potencia media consumida
P med =
1
I 0V0 cos = I efVef cos .
2
(5.74)
Es interesante observar que, desde un punto de vista operativo, la potencia media podra haberse calculado igualmente mediante la siguiente
expresin
1
1
(5.75)
P med = Re V I = Re V I .
2
2
Si tomamos las expresiones fasoriales correspondientes a la intensidad y
tensin consideradas,
I = I 0 ej
V = V0 ,
(5.76)
(5.77)
podemos comprobar que efectivamente

1
1
P med = Re V0 I 0 ej = I 0V0 cos .
2
2
5.6.2.
(5.78)
Factor de potencia
En la expresin (5.74) de la potencia media podemos apreciar que junto al producto de las amplitudes de la tensin e intensidad aparece un factor cos denominado factor de potencia. Este factor de mxima importancia prctica es determinante en el consumo/suministro de potencia en
el sistema puesto que su valor est comprendido en el intervalo [1, 1]. Por
ejemplo, en la resonancia donde el desfase entre la tensin y la intensidad
es nulo, el factor de potencia es uno y consecuentemente el consumo de
potencia es mximo. Por el contrario si el desfase entre la tensin y la intensidad fuese de /2 el consumo de potencia sera nulo.
El factor de potencia puede expresarse en trminos de la impedancia
Z de la rama, que podemos escribirla como
Z = |Z |ej .
Dado que en el presente caso la fase del fasor V es nula, la fase del fasor
intensidad I ser la opuesta a la fase de la impedancia, esto es,
I = I 0 ej
V
V0
V0 j
= =
e
,
=
j
Z |Z |e
|Z |
de donde obtenemos que
V0
|Z |
(5.79)
=.
(5.80)
I0 =
y
Apuntes de FFI
FLML
111
Teniendo en cuenta que cos = Re(Z )/|Z | y (5.80), el factor de potencia

puede, por tanto, escribirse como
cos =
Re (Z )
|Z |
(5.81)
y, consecuentemente, la potencia media puede tambin expresarse como

P med = I efVef cos = I ef |Z |I ef
Re (Z )
2
= I ef
Re (Z )
|Z |
(5.82)
o expresiones equivalentes (en funcin de Vef ).
5.6.3.
Consumo de potencia
La expresin (5.82) indica que la potencia media consumida est directamente relacionada con la parte real de la impedancia. Si el sistema
bajo estudio fuese un circuito serie, entonces la parte real de la impedancia vendra dada simplemente por la suma de las resistencias pero si el
circuito fuese de otro tipo, la presencia de las partes reactivas del circuito
(condensadores y bobinas) aparecern explcitamente en la parte real de
la impedancia. Evidentemente el consumo de potencia slo se lleva a cabo
en las resistencias (nicos elementos en los que tiene lugar efecto Joule)
y NO en las bobinas y condensadores. No obstante, esto no quiere decir
que estos ltimos elementos no influyan en el consumo de potencia, ms
bien habra que decir que la potencia se disipa en las resistencias pero que
la presencia y disposicin de bobinas y condensadores determina ciertamente cunta potencia es disipada en estas resistencias.
En el caso de un circuito alimentado por una fuente de tensin (ver
figura adjunta), un anlisis similar al del Apartado 5.6.1 nos dice que la potencia instantnea suministrada por el generador de fuerza electromotriz
(t ), que proporciona una corriente I (t ), viene dada por
P (t ) = (t )I (t ) ,
(5.83)
por lo que la potencia media suministrada por dicho generador ser

gen
P med
1
=
T
Z
0
Potencia media suministrada por
1
(t )I (t )dt = Re I .
2
(5.84)
un generador de fem
Dado que las potencias medias (5.84) y (5.74) representan fsicamente

la energa por periodo proporcionada por la fuente y la consumida en el
circuito respectivamente, debe cumplirse que
la suma de las potencias medias suministrada por los generadores debe ser igual a la suma de las potencias medias
disipadas en las resistencias.
FLML
Apuntes de FFI
112
Tema 5.
E JEMPLO 5.2 En el circuito de la gura, comprobar que la potencia media suministrada por la fuente es igual a la suma de las potencias medias consumidas en
las resistencias.
Teniendo en cuenta que 1 = 8 y 2 = 4, tras resolver el circuito para obtener

las intensidades fasoriales de rama obtendramos que
p j/4
2e
mA
p j/4
I 2 = 1 j mA = 2 e
mA
I 3 = 2 mA .
I1 = 1 + j mA =
Los fasores tensin en las resistencias se obtienen simplemente multiplicando los

correspondientes fasores intensidad por el valor de la resistencia, de modo que
p
V2k = 2 2 ej/4 V
p
V4k = 4 2 ej/4 V .
La potencia media, P med , consumida en cada una de las respectivas resistencias
puede obtenerse segn (5.75) resultando
P med (R = 2k) = 2 mW
P med (R = 4k) = 4 mW .
Anlogamente la potencia media suministrada por cada una de las fuentes de

fem ser
1
P med (1 ) = Re I1 1 = 4 mW
2
1
P med (2 ) = Re I2 2 = 2 mW .
2
Obtenemos que la potencial media total suministrada por las fuentes coincide con la potencia media total consumida en las resistencias.
Apuntes de FFI
FLML
113
E JEMPLO 5.3 En el circuito de la gura, calcular: (1) la intensidad (instantnea y

ecaz) que circula por la fuente; (2) la potencia media consumida por el circuito;
(3) el equivalente Thevenin entre los puntos A y B ; y (4) la energa almacenada
por la bobina de reactancia inductiva X L = 1,6 en un instante t .
1. Para calcular el fasor intensidad, I, que circula por la fuente, podemos calcular en primer lugar la impedancia, Z , en serie con dicha fuente. Para ello
notemos que
1
1
1
=
+
= 0,18 + j0,08 = 0,2 ej0,418 ,
Z AB 6 + j8 3 j4
por lo que
Z AB = 4,6 j2 = 5 ej0,418
y, por consiguiente, encontramos que
Z = (1,2 + j1,6) + (4,6 j2) = 5,8 j0,4 = 5,8 ej0,069 .
Ahora podremos calcular el fasor intensidad a partir de
I =
10
=
= 1,72 ej0,069 ,
Z 5,8 ej0,069
de donde finalmente obtenemos que

I e = 1,72 A
I (t ) = 2,43 cos(100t + 0,069) A ,
recordando
pque la amplitud de la intensidad instantnea, I 0 , vendr dada
por I 0 = I e 2.
2. Teniendo en cuenta que la potencia media consumida en el circuito ser idntica a la proporcionada por la fuente de fem, usando la expresin
(5.84), tenemos que
1
P med = Re I = 10 1,72 cos(0,069) = 17,16 W .
2
3. Para calcular el equivalente es quizs conveniente dibujar el circuito original en la forma mostrada en la figura adjunta. As para calcular la impedancia Thevenin, ZTH , tendremos que calcular la impedancia equivalente a las
tres ramas en paralelo resultantes tras cortocircuitar la fuente de fem, esto
es,
1
1
1
=
+
,
ZTH 4,6 j2 1,2 + j1,6
que tras operar nos da
ZTH = 1,43 + j0,95 = 1,72 ej0,588 .
Para obtener el fasor de tensin Thevenin, VTH , notemos que debido a que
las tres ramas estn en paralelo
VTH = VAB = Z AB I = 8,6 ej0,349
resultado que tambin podra haberse obtenido si consideramos que
VTH = (1,2 + j1,6) I .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 5.
114
4. Para calcular la energa instantnea almacenada en la bobina debemos usar

la siguiente expresin:
1
Um (t ) = LI 2 (t ) ,
2
que al operar nos da
p
1 1,6
[1,72 2 cos(100t + 0,069)]2
2 100
= 0,015 cos2 (100t + 0,069) J .
Um (t ) =

5.1: Una bobina de 200 vueltas posee un rea de 4 cm2 y gira dentro de un campo magntico. Cul debe ser el valor del mdulo de este campo magntico para que genera un fem
mxima de 10 V a 60 Hz?
Sol. 0,332 T.
5.2: Calcular el valor eficaz y la amplitud de la corriente de un secador elctrico de una lavandera que proporciona 5,0 kW eficaces cuando se conecta a una red de a) 240 V eficaces
y b) 120 V eficaces.
Sol.: a) I ef = 20,8 A, I 0 = 29,5 A ; b) I ef = 41,7 A, I 0 = 58,9 A.
5.3: Un determinado dispositivo elctrico consume 10 A eficaces y tiene una potencia media de 720 W cuando se conecta a una lnea de 120 V eficaces y 60 Hz. a) Cul es el mdulo
de la impedancia del aparato? b) A qu combinacin en serie de resistencia y reactancia es
equivalente este aparato? c) Si la corriente se adelanta a la fem, es inductiva o capacitiva
la reactancia?
Sol.: a) |Z | = 12 ; b) R = 7, 2 , X = 9,6 ;c) Capacitiva.
5.4: Determine la amplitud, periodo y fase inicial de la funcin armnica f (t ) = 7,32 cos(3,8t +
/6) y represntela grficamente.
5.5: Obtenga la expresin dual de los siguientes nmeros complejos: z 1 = 3 + j4, z 2 =
4,6ej/3 .
5.6: Para los nmeros complejos del problema anterior, realice las siguientes operaciones:
z
z 1 + z 2 , z 1 z 2 , z 1 /z 2 , z 23 , ez1 , z 1 2 .
5.7: Usando fasores, calcule la funcin resultante u(t ) = u 1 (t ) + u 2 (t ) si u 1 (t ) = 3 sen(2t )
y u 2 = 2 cos(2t ).
5.8: Obtenga el fasor asociado a la derivada de la funcin armnica f (t ) = 3,2 cos(2,5t +
/4).
i1(t)
i2(t)
i4(t)
i3(t)
5.9: En un nudo de una red concurren cuatro ramas. Las intensidades que recorren tres de
ellas son: i 1 (t ) = 3 cos(t ) A, i 2 (t ) = 4 cos(t +/4) A e i 3 (t ) = 2 cos(t +5/4) A. Utilizando
la tcnica de fasores, determinar la intensidad, i 4 (t ), en la cuarta rama.
Sol.: i 4 (t ) = 4,414 cos(t + 0,31) A.
5.10: En el circuito de la figura, determinar la d.d.p. entre los extremos de R 2 cuando se
conecta entre los terminales a y b: a) una fuente de continua de 100 V; b) una fuente de
alterna de valor eficaz 100 Vpy frecuencia f = 400/ Hz.
Sol.: a) 50 V; b) V (t ) = 79,05 2 cos(800t 0,3217) V.
Apuntes de FFI
FLML
115
5.11: En el circuito de la figura, se conecta entre los terminales A y B una fuente de alterna
de valor eficaz 500 V y frecuencia 50 Hz. Determinar: a) la impedancia total entre A y B ; b) la
intensidad, i (t ), que circula por la fuente; c) la capacidad del condensador y la inductancia
de la bobina; d) la potencia media consumida en el circuito.
Sol.: a) Z AB = (100/41)(121 + 18 j ) ; b) i (t ) = 2,37 cos(100t 0,1477) A;
c) C = 12,73 F, L = 1,273 H; d) P = 828,8 W.
5.12: En el circuito de la figura determinar: a) la impedancia de cada elemento y la admitancia del conjunto; b) la intensidad i (t ) que circula por la fuente; c) las intensidades
complejas por las ramas de la resistencia y de la bobina, dibujando, adems, el diagrama
fasorial de intensidades; d) el valor de la capacidad, C , que conectada en serie en el punto
M hace que la intensidad que circula por la
pfuente est en fase con la tensin de la misma.
Sol.: a) R =
p20 , ZL = 4 jp; b) i (t ) = 56,09 2 cos(t 1,3734) A;
c) IeR = 11 2 A, IeL = 55 2 j A; d) C = 650 F.
5.13: Una bobina de 0.1 H est conectada en serie con una resistencia de 10 y con un
condensador. El condensador se elige de forma que el circuito est en resonancia al conectarlo a una fuente de alterna de 100 V (voltaje mximo) y 60 Hz . Calcular el valor del
condensador utilizado as como la d.d.p. entre los extremos del condensador (VC (t )) y de
la bobina (VL (t )).
Sol.: C = 70,4 F, VC (t ) = 120 cos(120t + /2)V, VL (t ) = 120 cos(120t /2)V.
5.14: Un receptor de radio se sintoniza para detectar la seal emitida por una estacin de
radio. El circuito de sintona que puede esquematizarse como un circuito RLC serie utiliza un condensador de 32.3 pF y una bobina de 0.25 mH. Calcular la frecuencia de emisin
de la estacin de radio.
Sol.: 1.77 MHz.
5.15: Un mtodo para medir autoinducciones consiste en conectar la bobina en serie con
una capacidad y una resistencia conocidas, un ampermetro de ca y un generador de seales de frecuencia variable. La frecuencia del generador se vara y se mantiene constante la
fem hasta que la corriente es mxima. Si C = 10 F, max = 10 V, R = 100 , siendo la intensidad mxima para = 5000 rad/s, calcular cunto vale L e I max .
Sol. L = 4 mH, I max = 100 mA.
5.16: En el circuito de la figura determinar: a) la impedancia Z ab ; b) la intensidad, i (t ),
que atraviesa la fuente; c) la potencia activa suministrada y la potencia media consumida
(verificar el balance de las mismas); d) el elemento que debe conectarse entre los puntos a
y b para que la intensidad y tensin en la fuente estn en fase.
Sol.: a) Z ab = 5 + 5 j ; b) i (t ) = 44 cos(400t /4) A; c) P act = P R = 4840W; d) un condensador de 250 F.
5.17: En el circuito que se muestra en la figura, calcular: a) las intensidades (expresiones
temporales y fasoriales) y representar el diagrama fasorial de las mismas; b) la potencia
media suministrada y consumida.
p
Sol.: Ie1 = 10(1+j)/3 A, Ie2 = 5 A, i 1 (t ) = 10 2/3 cos(t 3/4) A, i 2 (t ) = 5cos(t ) A; b) fuente(1) consume 50/3 W, fuente(2) suministra 50 W, resistencia consume 100/3 W.
5.18: Se desea disear un dispositivo RLC serie destinado a funcionar conectado a una
fuente de frecuencia angular y resistencia de salida R s . Determinar los valores de R, L y C
(en funcin de y R s ) para que el dispositivo cumpla las tres especificaciones siguientes:
1) la tensin eficaz entre los bornes de R debe ser igual a la que exista entre los bornes de L;
2) el dispositivo debe ser globalmente resistivo, esto es, debe equivaler a una resistencia; 3)
la potencia consumida en la resistencia de salida de la fuente debe ser igual a la consumida
en el dispositivo. Determinar tambin la intensidad que circulara en el circuito si la fuente
utilizada tuviese amplitud mxima V0 .
V0
Sol.: R = R s , L = R s / y C = 1/(R s ); i (t ) =
cos(t )
2R s
FLML
Apuntes de FFI
116
Tema 5.
5.19: En el circuito de la figura: a) obtener las intensidades fasoriales y temporales en las

ramas, representado el diagrama fasorial; b) calcular las potencias medias suministradas y
consumidas; c) encontrar el equivalente Thvenin entre los terminales A y B , obteniendo,
adems, la intensidad que circulara entre dichos terminales al conectar entre ellos un condensador de 50 nF.
Sol.: a)p
Ie1 = 2 + 6 j mA, Ie2 = 2 mA, Ie3 = 4 + 6 j mA,
i 1 (t ) = p40cos(104 t + arctan(3)) mA, i 2 (t ) = 2cos(104 t ) mA,
i 3 (t ) = 52cos(104 t + arctan(3/2)) mA;
b) Suministradas fuentes: P 1 = 8 mW, P 2 = 16 mW, consumida resistencias: P R1 = 20 mw,
P R2 = 4 mW; c) VeTh = 8 j , ZTh = (2 + 2 j ) k, i C (t ) = 4 cos(104 t /2) mA.
Apuntes de FFI
FLML
T EMA 6
Ondas Electromagnticas
6.1. Introduccin
Una de las caractersticas fundamentales de una onda es que es capaz
de transmitir energa (junto con su correspondiente momento lineal/angular)
sin que ello implique un transporte neto de materia. Usualmente, las ondas consisten en la propagacin de alguna perturbacin fsica a travs de
algn medio material, por ejemplo: olas en el agua, variaciones de presin
en el aire (sonido), etc. No obstante, existe un tipo de fenmeno ondulatorio que no requiere la presencia de medios materiales para su propagacin
(esto es, la perturbacin se puede propagar en el vaco o espacio libre) aunque ciertamente tambin puede propagarse en presencia de medios materiales. Estas ondas son las ondas electromagnticas, que consisten en
la transmisin de campos elctricos y magnticos a una velocidad v c;
siendo c la velocidad de propagacin en el vaco. El origen de estas ondas
puede entenderse como una consecuencia de que un campo magntico
~1 (x, t ), puede ser la fuente de un campo elctrico
variable en el tiempo, B
~1 (x, t ), y ste a su vez puede ser la fuente de un
variable en el tiempo, E
~2 (x, t ), y as sucesivamente:
campo magntico variable en el tiempo, B
~1 (x, t ) E
~1 (x, t ) B
~2 (x, t ) E
~2 (x, t ) B
~3 (x, t )
B
De este modo, los campos elctrico y magntico se generan mutuamente
dando lugar a una onda electromagntica que se propaga en el espacio lip
bre a una velocidad c = 1/ 0 0 3 108 m/s. (Evidentemente si el campo
primario fuese uno elctrico, en vez de uno magntico, tambin se producira una onda electromagntica). Esta hiptesis terica deducida por James C. Maxwell ( 1860) fue confirmada experimentalmente por H. Hertz
en 1888. Adicionalmente, el hecho de que la velocidad de propagacin de
las ondas electromagnticas fuese justamente la velocidad medida experimentalmente para la propagacin de la luz fue el primer indicio claro de
que la luz no era otra cosa que una onda electromagntica.
Las ondas electromagnticas, adems de constituir uno de los fenmenos fsicos ms predominantes en la naturaleza, tienen una importan117
118
Tema 6.
cia tecnolgica fundamental en el campo de las comunicaciones. Podra

decirse que la mayora de las comunicaciones actuales se sustentan en la
transmisin de ondas electromagnticas, ya sea a travs del espacio libre:
radio, televisin, telfonos mviles, redes inalmbricas, satlites,... o bien
a travs de medios materiales: telefona convencional, televisin por cable, transmisin por fibra ptica, redes locales de ordenadores, etc. Existen
muchas razones para justificar este extendido uso pero, entre otras, cabe
destacar:
la posibilidad de que las ondas electromagnticas se propaguen en
el vaco;
el desarrollo de antenas (emisoras y receptoras) que permiten la transmisin y recepcin de estas ondas involucrando muy poca energa;
la posibilidad de guiar estas ondas mediante diversos sistemas de
transmisin: linea bifilar, cable coaxial, guas de ondas metlicas, fibras pticas, etc;
el hecho de poder usar seales portadoras de muy alta frecuencia
que permiten grandes anchos de banda;
la facilidad de tratamiento de las seales electromagnticas, por ejemplo su modulacin/demodulacin en fase, amplitud o frecuencia,
que permite usar estas seales como soporte de informacin tanto
analgica como digital; y
la fcil integracin de los equipos de generacin/recepcin con la
circuitera electrnica.
6.2. Nociones generales de ondas

En la naturaleza existen muchos fenmenos fsicos en los que una perturbacin fsica viaja sin que ello lleve aparejado un desplazamiento neto
de materia. Un ejemplo de esto puede ser la ola que se produce en el agua
tras arrojar una piedra. En este fenmeno se observa el desplazamiento de
una ondulacin en la superficie del agua con la particularidad de que las
partculas individuales de agua no se trasladan sino que realizan un simple
movimiento de vaivn vertical (movimiento oscilatorio). Otro ejemplo, es
la propagacin del sonido, que bsicamente es un desplazamiento de un
cambio de presin en el aire pero sin que ello implique que las partculas
de aire viajen desde el lugar donde se origin el sonido hasta el receptor;
ms bien cada partcula transmite su movimiento oscilatorio a la siguiente
antes de volver a su posicin original. Otro ejemplo bastante visual de este
tipo de fenmenos se produce al agitar una cuerda por uno de sus extremos. En este caso se observara claramente el desplazamiento de un pulso
en la cuerda, siendo tambin evidente que cada segmento de cuerda no
viaja junto a este pulso.
Apuntes de FFI
FLML
119
En todos los ejemplos anteriores una perturbacin fsica se desplaza a

travs de un medio (agua, aire y cuerda, respectivamente) sin que las partculas de este medio hayan sufrido un desplazamiento neto.1 Estos ejemplos son casos concretos de un tipo general de fenmenos fsicos denominados ondas, las cuales pueden definirse como
Propagacin de una perturbacin fsica sin que exista un transporte neto de materia.
Debe notarse que la propagacin de la perturbacin en la onda implica el
transporte de cierta energa y momento lineal (y/o angular). En este sentido, el comportamiento ondulatorio debe discernirse claramente del comportamiento de las partculas, puesto que estas ltimas siempre transportan energa y momento asociado a un transporte neto de materia.
Entre las posibles formas de clasificar a las ondas, a continuacin se
presentan dos de ellas:
Naturaleza fsica de la perturbacin
O NDAS MECNICAS: cuando la perturbacin fsica involucrada
es de naturaleza mecnica, por ejemplo: desplazamiento, velocidad, presin, torsin, etc.
O NDAS ELECTROMAGNTICAS: cuando la perturbacin es un campo electromagntico.
Direccin relativa de la perturbacin y el desplazamiento ondulatorio
O NDAS LONGITUDINALES: cuando la direccin de la perturbacin fsica y de la propagacin ondulatoria coinciden, por ejemplo: onda de sonido.
O NDAS TRANSVERSALES: cuando la perturbacin fsica se realiza en un plano transversal a la direccin de propagacin de la
onda; por ejemplo: el desplazamiento de un pulso en una cuerda, ondas electromagnticas planas en el espacio libre, etc.
perturbacin
propagacin
perturbacin
propagacin
Cuando se trata de caracterizar una onda, algunos conceptos usuales son:

Foco: es el recinto donde se produce la perturbacin inicial.
Superficie/Frente de Onda: es el lugar geomtrico de los puntos en
que han sido alcanzados simultneamente por la perturbacin.
Velocidad de Fase: velocidad con la que se propagan las superficies
de onda.
1 Debe notarse que la ausencia de un desplazamiento neto no implica la existencia de
movimiento nulo. El movimiento oscilatorio de una partcula en torno a un punto fijo es

un claro ejemplo de movimiento en el cual no existe traslacin neta.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
120
Los conceptos anteriores pueden clarificarse si los concretamos en el caso

de la propagacin del sonido. En este caso, el foco sera el lugar donde se
emiten los sonidos (por ejemplo la boca de alguien), la superficie de onda
seran superficies aproximadamente esfricas centradas en el foco, y la velocidad de fase sera la velocidad a la que se viaja el frente de ondas, esto
es, la velocidad del sonido 340 m/s.
6.2.1.
Ecuacin de ondas
Del mismo modo que existe una ecuacin diferencial general que de~, de una partcula (o conjunto de ellas) en
termina el momento lineal, p
~,
funcin de la fuerza externa, F
~=
F
d~
p
dt
(6.1)
(o bien F = md2 x/dt 2 para el caso de movimiento monodimensional), existe tambin una ecuacin diferencial, denominada ecuacin de ondas, que
se aplica a todos los fenmenos ondulatorios. La ecuacin que describe
el comportamiento ondulatorio de una perturbacin fsica, descrita matemticamente por la funcin u(x, t ), que se propaga con velocidad constante v sin distorsin (onda no-dispersiva) a lo largo del eje x viene dada
por
Ecuacin de ondas no dispersiva
monodimensional
2 u
1 2 u
=0 .
x 2 v 2 t 2
(6.2)
Para mostrar que, desde un punto de vista matemtico, la ecuacin anterior describe apropiadamente el fenmeno ondulatorio analizaremos la
propagacin de un pulso en una cuerda (dado que este ejemplo ofrece una
imagen visual muy clara). En este caso, la perturbacin que se propaga,
u(x, t ), es justamente el desplazamiento vertical de cada trocito de cuerda.
La forma del pulso para un instante arbitrario, que podemos tomar como
t = 0, se muestra en la Figura 6.1(a), esto es, la forma matemtica de la
onda en ese instante de tiempo viene completamente descrita por la funcin f (x). Si tras un tiempo t , el pulso viaja sin distorsin hacia la derecha
una distancia a, el perfil de la cuerda ser como el mostrado en la Figura 6.1(b), pudindose describir matemticamente por la funcin f (x a).
Ahora bien, si el pulso est viajando a una velocidad v, entonces la distancia recorrida por el pulso puede escribirse como a = v t y, consecuentemente, la expresin matemtica de la onda en el instante t ser
u(x, t ) = f (x v t ) .
(6.3)
Evidentemente, el pulso podra haber viajado igualmente hacia la izquierda, en cuyo caso, la expresin matemtica de la onda viajera en la cuerda
sera
u(x, t ) = f (x + v t ) ,
(6.4)
de modo que, en general, un movimiento ondulatorio sin distorsin en la
cuerda podra ser descrito por la funcin
u(x, t ) = f () siendo = x v t ,
Apuntes de FFI
(6.5)
FLML
121
F IGURA 6.1: Evolucin del pulso en una cuerda en dos instantes

que representara una onda que puede viajar tanto hacia la izquierda como hacia la derecha. Para encontrar la ecuacin diferencial cuya solucin
general es una funcin del tipo (6.5), diferenciaremos la funcin u(x, t ) con
respecto a x y a t , esto es,
u du
=
= u 0 ()
x d x
u du
=
= vu 0 () ,
t
d t
(6.6)
(6.7)
donde hemos tenido en cuenta que /x = 1 y /t = v. Dado que las

anteriores primeras derivadas no pueden relacionarse entre s debido a la
indefinicin en el signo de (6.7), procedemos para obtener las derivadas
segundas:

2 u
u
d 0
=
=
u ()
= u 00 ()
(6.8)
2
x
x x
d
x

u
d
2 u
=
=
vu 0 ()
= v 2 u 00 () .
(6.9)
2
t
t t
d
t
Si observamos ahora la forma de los ltimos miembros de (6.8) y (6.9),
podemos comprobar que al eliminar u 00 () obtendramos precisamente la
ecuacin general de ondas mostrada en (6.2). En consecuencia, esta ecuacin diferencial en derivadas parciales tiene por soluciones a funciones del
tipo (6.3) y (6.4) con la nica condicin de que stas sean diferenciables
hasta el segundo orden (la forma concreta de estas funciones en cada caso
particular vendr determinada por las condiciones iniciales del problema).
Una propiedad muy importante de la ecuacin general de ondas es que
sta es lineal, lo que implica que si u 1 (x, t ) y u 2 (x, t ) son soluciones individuales de la ecuacin de ondas, entonces la superposicin lineal de ambas, u(x, t ) = u 1 (x, t ) + u 2 (x, t ), tambin lo es. Esta propiedad de linealidad de la ecuacin de ondas simplemente expresa en forma matemtica
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
122
el siguiente principio fsico conocido como principio de superposicin de

ondas:
la perturbacin ondulatoria resultante es igual a la suma
de las perturbaciones coincidentes.
Principio de superposicin
de ondas
6.2.2.
Ondas armnicas
Segn se ha explicado en el apartado anterior, la expresin matemtica

general de una onda monodimensional no-dispersiva vena dada por (6.5).
De entre las posibles formas matemticas que puede tener este tipo de ondas, hay una especialmente interesante conocida como onda armnica.
La forma de una onda armnica es una curva tipo senoidal, cuya instantnea en t = 0 puede venir dada por la siguiente expresin matemtica:
2
u(x, 0) = A sen
x .
(6.10)
La constante A es la amplitud de la onda y representa el valor mximo

de la perturbacin, es la longitud de onda o periodo espacial, esto es,
la distancia en la que se repite la perturbacin (por ejemplo, la distancia
entre dos mnimos sucesivos). Si la onda se mueve hacia la derecha con
cierta velocidad v, la funcin de onda en cualquier instante de tiempo t
posterior vendr dada por
2
u(x, t ) = A sen
(x v t ) .
(6.11)
El tiempo que tarda la onda en recorrer una longitud de onda se conoce

como periodo T , por lo que
v=
o = v T .
T
(6.12)
El periodo T corresponde igualmente al tiempo empleado por la perturbacin en realizar una oscilacin completa en un punto fijo.
Teniendo en cuenta que v/ = 1/T , u(x, t ) puede escribirse como

x t
u(x, t ) = A sen 2
.
(6.13)
T
La expresin anterior indica claramente que la onda armnica muestra
una doble periodicidad, tanto en el espacio como en el tiempo:
u(x, t ) = u(x + n, t + mT ) .
(6.14)
Esta doble periodicidad es una consecuencia de la periodicidad temporal

de la perturbacin en el foco (x = 0), que se refleja en una periodicidad
espacial.2
2 De manera anloga a como un pastelero soltando pasteles cada tiempo T en un extremo de una cinta transportadora (periodicidad temporal en el foco) que se mueve con
velocidad v da lugar a una periodicidad espacial en dicha cinta; esto es, los pasteles aparecen distanciados una distancia que equivaldra a la longitud de onda.
Apuntes de FFI
FLML
123
La funcin de onda armnica puede expresarse en una forma ms conveniente si se definen las dos siguientes cantidades:
k = 2/
(6.15)
= 2/T ,
(6.16)
donde k corresponde a la frecuencia espacial o nmero de ondas y a

la frecuencia angular. Combinando las expresiones (6.15) y (6.16) junto
con (6.12), obtenemos la siguiente relacin para la frecuencia angular y el
nmero de ondas de una onda armnica:
= vk .
(6.17)
La frecuencia angular suele expresarse comnmente en trminos de la

frecuencia temporal, f (siendo sta la inversa del periodo: f = 1/T ) mediante
= 2 f .
(6.18)
La frecuencia temporal representa por tanto el nmero de oscilaciones
realizadas por unidad de tiempo, siendo su unidad el hertzio (Hz).
Teniendo en cuenta las definiciones dadas en (6.15) y (6.16), la funcin
de onda armnica que viaja en el sentido positivo de las x puede reescribirse como
u(x, t ) = A sen(kx t ) .
(6.19)
Unidad de frecuencia:
1 hertzio (Hz
s1 )
La expresin anterior es un caso particular de la siguiente expresin genrica usando la funcin coseno:
u(x, t ) = A cos(t kx ) , ,
(6.20)
donde el argumento completo del coseno se conoce como fase de la onda

y la constante como fase inicial (que se introduce para posibilitar que
en t = 0 la perturbacin en el foco, x = 0, pueda tomar un valor arbitrario:
u(0, 0) = A cos ). Una onda armnica viajando en el sentido negativo de
las x tendr la siguiente forma general:
u(x, t ) = A cos(t + kx ) .
Expresin matemtica de la onda armnica viajando en el sentido

positivo de las
(6.21)
Es interesante notar que el carcter viajero de la onda en sentido positivo/negativo del eje x lo determina la desigualdad/igualdad entre los signos
que acompaan a t y kx en la fase.
Para facilitar las operaciones con ondas armnicas, stas suelen expresarse en forma de exponencial compleja, de manera que la onda armnica
dada en (6.20) se escribir usualmente como
u(x, t ) = Aej(kx+) ejt
(6.22)
Expresin
matemtica
compleja
de la onda armnica
(ver Apartado 5.3.2 para un repaso de los fasores), aunque debe considerarse que u(x, t ) tal como se ha expresado en (6.20) es solamente la parte
real de (6.22):
u(x, t ) = A cos(t kx ) = Re Aej(kx+) ejt .

(6.23)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
124
No obstante, en lo que sigue del tema, cuando tratemos con ondas armnicas usaremos la notacin compleja por simplicidad, debindose sobreentender que la onda verdadera es la parte real de la expresin compleja
correspondiente.
6.3. Ecuacin de Ondas Electromagnticas

Segn se discuti en el Apartado 6.2.1, la expresin matemtica de cualquier magnitud fsica que represente a una onda debe satisfacer la ecuacin de ondas (6.2). En este sentido, aparte de la idea cualitativa obtenida
en el anterior apartado acerca de que
Variaciones temporales
~
del campo elctrico E
Variaciones temporales
~
del campo magntico B
~yB
~ en el vaco satisfacen la
es fundamental comprobar si los campos E
ecuacin de ondas para verificar as que efectivamente estos campos son
ondas. Por simplicidad en nuestro tratamiento, supondremos campos elctricos/magnticos del tipo
~ =E
~ (x, t ) ; B
~=B
~ (x, t ) ,
E
(6.24)
es decir, campos variables en el tiempo cuya dependencia espacial es nicamente a lo largo de la direccin x. Si estos campos representaran a una
onda electromagntica, sta sera una onda electromagntica plana, dado
~yB
~ ) tomara los mismos valores en
que la perturbacin fsica (campos E
los planos definidos por x = Cte; es decir, su frente de ondas seran planos
normales al eje x.
En el siguiente apartado se demuestra matemticamente que, efectivamente, se satisfacern las siguientes ecuaciones de onda monodimensio
~ = 0, E y (x, t ), E z (x, t )
nales para campos elctricos y magnticos del tipo E
~ = 0, B y (x, t ), B z (x, t ) :
yB
Ecuaciones de onda
~
2 E
monodimensionales para los

campos elctrico y magntico
x 2
~
1 2 E
=0
2
c t 2
(6.25)
~
1 2 B
=0 .
2
c t 2
(6.26)
y
~
2 B
x 2
La solucin de estas ecuaciones de onda son precisamente ondas electromagnticas planas que se propagan en la direccin x a velocidad c y cuyos
campos asociados tienen direcciones normales a la direccin de propagacin. En consecuencia puede establecerse que
las ondas electromagnticas planas en el
vaco son ondas transversales.
Apuntes de FFI
FLML
6.3. Ecuacin de Ondas Electromagnticas
125
En el siguiente apartado se demuestra igualmente que el campo elctrico y el magntico se propagan en el vaco conjuntamente a una velocidad c v cuyo valor viene dado por
1
.
c=p
0 0
(6.27)
Al sustituir los valores numricos de 0 y de 0 en la expresin anterior se

obtiene que
c = 2,99792 108 m/s .
Dado que la velocidad a la que se propaga el campo electromagntico en
el vaco (obtenida de forma terica mediante manipulaciones en las ecuaciones de Maxwell) era muy prxima a la velocidad medida experimentalmente para la luz, esta sorprendente coincidencia sugera que la luz era
simplemente una onda electromagntica. Debe notarse que en el momento en que se dedujo tericamente la velocidad de propagacin del campo
electromagntico se admita que la luz era una onda pero se discuta sobre la naturaleza de esta onda. As, por ejemplo, se postulaba que la luz,
en analoga con las ondas mecnicas, poda ser una vibracin de las partculas de un medio que impregnaba todo el universo denominado ter.
Esta y otras teoras fueron desechadas a la vista de los trabajos tericos de
Maxwell y a la verificacin experimental de las ondas electromagnticas
realizada por Hertz. Por ltimo cabe sealar que si la onda electromagntica se propaga en un medio homogneo material de constante dielctrica
relativa, r , entonces la velocidad de propagacin de la onda electromagntica (es decir, de la luz) en ese medio ser
1
c
v=p
= ,
0 0 r n
(6.28)
p
donde n = r es un parmetro del medio material que se denomina ndice de refraccin.
6.3.1. (*) Derivacin matemtica de la ecuacin de onda

Para obtener la ecuacin diferencial que relaciona las derivadas espaciales y temporales de los campos, aplicaremos la ecuacin (4.71) al contorno rectangular, x y , mostrado en la Fig. 6.2. Dado que el camino de integracin est situado en el plano x y obtendremos la siguiente expresin
para la circulacin de la componente y del campo elctrico:
I
~ d~
E
l = E y (x 2 ) E y (x 1 ) y ,
(6.29)
x y
donde E y (x 2 ) y E y (x 1 ) son los valores de la componente y del campo elctrico en los puntos x 1 y x 2 respectivamente. No aparecen contribuciones
del tipo E x x pues stas se anulan mutuamente en los tramos superior e
inferior de x y . Suponiendo que x es muy pequeo, podemos realizar la
siguiente aproximacin:
E y (x 2 ) E y (x 1 ) = E y (x)
FLML
E y
x
x ,
Apuntes de FFI
Tema 6.
126
F IGURA 6.2:
por lo que
I
x y
~ d~
E
l=
E y
x
xy .
(6.30)
Para calcular el segundo miembro de (4.71), hemos de tener en cuenta que

d~
S = dS z z y por tanto el flujo del campo magntico a travs del contorno
rectangular ser
Z
~
B
d~
S =
S(x y ) t
B z
B z
dS z =
xy .
t
S(x y ) t
(6.31)
Igualando ahora (6.30) con (6.31), obtenemos la siguiente relacin diferencial entre E y y B z :
E y
B z
=
,
(6.32)
x
t
esto es, si existe una componente de campo elctrico dirigido segn y que
vara espacialmente en x, entonces existir un campo magntico dirigido
segn z que vara temporalmente (o viceversa). Podemos obtener otra relacin diferencial entre E y y B z aplicando la ecuacin (4.68) a un contorno
rectangular, zx , situado en el plano xz. Procediendo de forma anloga a
la anterior, obtendramos la siguiente relacin:
E y
B z
= 0 0
.
x
t
(6.33)
Si derivamos con respecto a x ambos miembros de la ecuacin (6.32)

se tiene que
E y
B z
=
,
x x
x t
que puede reescribirse, tras intercambiar el orden de las derivadas en el
segundo miembro, como
2 E y
x 2
B z
,
t x
(6.34)
Sustituyendo ahora en (6.34) el valor de B z /x segn (6.33) encontramos

que
2 E y
E y
=
0 0
,
t
t
x 2
Apuntes de FFI
FLML
6.4. Ondas electromagnticas planas armnicas
127
lo que nos permite escribir la siguiente ecuacin diferencial para E y :

2 E y
= 0 0
x 2
2 E y
t 2
(6.35)
que claramente es una ecuacin de ondas del tipo (6.2) tras identificar E y
con u y 0 0 con 1/v 2 . Procediendo de forma anloga, derivando con respecto a x (6.33) y haciendo la sustitucin adecuada, se obtiene una ecuacin de ondas similar para B z :
2 B z
x 2
= 0 0
2 B z
t 2
(6.36)
A la vista de las ecuaciones de onda (6.35) y (6.36) puede parecer que los
campos E y y B z son independientes. No obstante, debe notarse que estas ecuaciones de onda provienen de las ecuaciones (6.32) y (6.33) en las
que se observa claramente que ambos campos estn relacionados entre
s; esto es, uno de ellos determina completamente al otro. En este sentido, puede afirmarse que los campos elctrico y magntico de una onda son
simplemente dos manifestaciones distintas de un nico ente fsico: la onda
electromagntica.
Es fcil comprobar que aplicando la ecuacin (4.71) al contorno zx y
la ecuacin (4.68) al contorno xz , tras realizar las sustituciones oportunas,
obtendramos unas ecuaciones de onda anlogas a las anteriores para las
componentes E z y B y . Dado que se ha supuesto que los campos slo dependen espacialmente de la coordenada x, la aplicacin de las ecuaciones
(4.71) y (4.68) a un contorno situado en el plano y z nos dara circulaciones
nulas y, por tanto, no obtendramos ninguna relacin diferencial para las
componentes E x y B x .
En consecuencia podemos concluir que los campos electromagnticos
~ = 0, E y (x, t ), E z (x, t ) y B
~ = 0, B y (x, t ), B z (x, t ) satisfacen las sidel tipo E
guientes ecuaciones de onda monodimensionales:
~
2 E
x 2
~
2 B
x 2
~
1 2 E
=0
2
c t 2
~
1 2 B
2 2 =0.
c t
6.4. Ondas electromagnticas planas armnicas

Ya se indic en el Apartado 6.2.2 que una solucin particularmente importante de la ecuacin de ondas era la solucin armnica. Para el caso
~ (x, t ) de tipo arde ondas electromagnticas planas, un campo elctrico E
mnico que satisfaga la ecuacin de ondas (6.25) puede ser descrito por la
siguiente expresin:
~ (x, t ) = E 0 cos(t kx)y .
E
FLML
(6.37)
Apuntes de FFI
Tema 6.
128
El campo magntico asociado a este campo elctrico armnico en la onda

electromagntica puede calcularse a partir de (6.32):
E y
B z
=
t
x
= kE 0 sen(t kx) .
(6.38)
Resolviendo ahora la anterior ecuacin diferencial se tiene que

Z
B z (x, t ) = kE 0 sen(t kx)dt
k
= E 0 cos(t kx) ,
(6.39)
esto es, el campo magntico vendr dado por

~ (x, t ) = B 0 cos(t kx)z ,
B
(6.40)
donde, como = kc, la relacin entre las amplitudes del campo elctrico
y magntico es
E0
B0 =
.
(6.41)
c
~yB
~ dados en (6.37) y (6.40) poA la vista de la forma de los campos E
demos establecer para la onda electromagntica plana armnica mostrada
en la Fig.6.3 que
los campos elctrico y magntico estn en fase; y
~, B
~ y~
E
c (siendo ~
c el vector velocidad de la onda; en el presente caso ~
c = c x ) forman un triedro rectngulo, es decir, cada uno de estos
vectores es perpendicular a los otros dos.
B
F IGURA 6.3:
Las dos anteriores conclusiones junto con la relacin (6.41) pueden ser
expresadas matemticamente mediante la siguiente relacin vectorial que
cumplen los campos elctrico y magntico de una onda electromagntica
plana armnica:
~ =B
~ ~
E
c .
(6.42)
Apuntes de FFI
FLML
6.5. Intensidad de la onda electromagntica
129
E JEMPLO 6.1 Una onda electromagntica plana armnica de frecuencia f = 3 GHz

viaja en el espacio libre en la direccin x . El valor mximo del campo elctrico es
de 300 mV/m y est dirigido segn el eje y . Calcular la longitud de onda de esta onda as como las expresiones temporales de sus campos elctrico y magntico.
Dado que f = 3 GHz, la longitud de onda asociada a esta frecuencia ser
=
3 108
c
=
= 10 cm .
f
3 109
Asimismo, el nmero de ondas, k, y la frecuencia angular, , de esta onda sern

= 2 f = 6 109 rad/s y k =
6 109
=
= 20 m1 .
c
3 108
~ , de la onda plana armnica que viaja segn x est

Si el campo elctrico, E
dirigido segn y, este campo vendr dado por la siguiente expresin:
~ (x, t ) = E 0 cos(kx t )y ,
E
donde E 0 representa la amplitud del campo que coincide con el valor mximo de
ste, luego E 0 = 0,3 V/m. Segn se ha visto en el presente apartado, la expresin
correspondiente para el campo magntico de esta onda ser entonces
~ (x, t ) = B 0 cos(kx t )z ,
B
siendo, segn la expresin (6.41):
B0 =
E 0 3 101
=
= 109 T .
c
3 108
~ yB
~ de esta onda
Finalmente, las expresiones temporales de los campos E
electromagntica sern
~ (x, t ) = 0,3 cos(20x 6 109 t ) y V/m
E
~ (x, t ) = 109 cos(20x 6 109 t ) z T .
B

Una de las propiedades ms significativas de la onda electromagntica es que transporta energa a travs del espacio libre. As, la onda electromagntica que transmite la luz de una estrella (que ha viajado durante
muchos millones de kilmetros antes de llegar a la Tierra) tiene todava
suficiente energa como para hacer reaccionar a los receptores de nuestros
ojos. Cuando estamos tratando con ondas, la magnitud relevante para caracterizar el contenido energtico de las mismas es su intensidad, I (no
confundir con la intensidad, I , de una corriente elctrica, que aunque tiene el mismo nombre es una magnitud completamente diferente).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
130
La intensidad de una onda se define como la energa que fluye por unidad de tiempo a travs de una superficie de rea unidad situada perpendicularmente a la direccin de propagacin. Si u es la densidad volumtrica
de energa de la onda (esto es, la energa por unidad de volumen contenida
en la regin donde se propaga la onda) y c la velocidad de propagacin de
la onda, la intensidad I de la onda puede escribirse como
Intensidad de la onda
I = uc ,
(6.43)
cuyas unidades son (ms1 )(Jm3 )=Js1 m2 =Wm2 ; es decir, potencia por
unidad de rea.
A la vista de la anterior expresin, para calcular la intensidad de la onda electromagntica debemos obtener en primer lugar la densidad volumtrica de energa asociada con esta onda. La energa del campo elctrico
y del magntico ya se discuti en los Temas 1 y 4 donde se obtuvieron las
expresiones (1.68) y (4.53) respectivamente. Concretamente se obtuvo que
1
~ |2
u E = 0 | E
2
~ |2
|B
uB =
20
Intensidad instantnea de una
densidad de energa elctrica
(6.44)
densidad de energa magntica ,
(6.45)
por lo que la intensidad (tambin denominada intensidad instantnea:

Iinst ) de la onda electromagntica vendr dada por
onda electromagntica
Iinst = (u E + u B )c .
(6.46)
Para ondas planas armnicas, encontramos que la relacin entre los

mdulos de los campos elctrico y magntico de la onda electromagntica
~ | = c|B
~ |. Esto nos permite escribir la densidad volumverificaban que |E
trica de energa almacenada en el campo magntico como
uB =
Igualdad de las densidades de

energa elctrica y magntica en
una onda electromagntica plana
armnica
~ |2
~ |2
|B
|E
1
~ |2 ,
=
= 0 |E
2
20 20 c
2
(6.47)
donde se ha tenido en cuenta que c 2 = 1/0 0 . Hemos obtenido, por tanto,

que para una onda plana electromagntica armnica, la densidad de energa almacenada en el campo magntico es idntica a la almacenada en el
campo elctrico, esto es,
uE = uB .
(6.48)
La anterior igualdad nos permite escribir las siguientes expresiones para la
densidad de energa de dicha onda electromagntica, u E B :
~ |2 |E
~ ||B
~|
1
|B
1
~ |2 + 0 |E
~ | 2 = 0 | E
~ |2 =
=
,
u E B = u E + u B = 0 |E
2
2
0
0 c
(6.49)
y, consecuentemente, podemos expresar la intensidad instantnea de dicha onda como

~ |2 = c
Iinst = u E B c = c0 |E
Apuntes de FFI
~ |2 |E
~ ||B
~|
|B
=
.
0
0
(6.50)
FLML
131
En el espacio libre, la energa de la onda plana armnica viaja en la direccin de propagacin de la onda, esto es, en una direccin perpendicular
~ como B
~ . Por otra parte, para este tipo de ondas, la intensidad de
tanto a E
la onda se puede expresar, segn (6.50), en funcin de los mdulos de los
campos elctrico y magntico de la onda. Todo ello nos sugiere la introduccin de un vector ~
S, denominado vector de Poynting, que caracterice
energticamente a la onda electromagntica y que tendr por direccin la
direccin de propagacin de la energa y por mdulo la intensidad instantnea de la onda electromagntica. A la vista de las expresiones anteriores,
para una onda electromagntica plana armnica, este vector vendr dado
por el siguiente producto vectorial:
~
S(~
r ,t) =
~ B
~
E
.
0
(6.51)
Vector de Poynting
Aunque la expresin anterior del vector de Poynting se ha obtenido para

el caso concreto de una onda plana armnica, clculos ms elaborados
muestran que la expresin (6.51) tiene validez general para cualquier tipo
de onda electromagntica.
Para la onda plana armnica discutida en el apartado anterior, el vector
de Poynting puede escribirse como
~
S(x, t ) = c0 E 02 cos2 (t kx)x = cu E B x ,
(6.52)
por lo que la intensidad instantnea de esta onda ser

Iinst (x, t ) = c0 E 02 cos2 (t kx) .
(6.53)
Tal y como se coment en el Apartado 5.6, los valores instantneos de magnitudes energticas armnicas no tienen mucho inters prctico dado que
estas magnitudes suelen variar muy rpidamente (por ejemplo, del orden
de 1015 veces en un segundo para la luz). Es, por tanto, ms significativo
obtener el promedio de la intensidad, Imed , en un periodo de tiempo, para lo cual debemos promediar temporalmente (6.53):
Imed = Iinst (x, t ) = c0 E 02
=
c0 E 02
2
1 E0B0
=
.
2 0
1
T
Z
0
cos2 (t kx) dt
Intensidad promedio de una onda
(6.54)
electromagntica armnica
E JEMPLO 6.2 Sabiendo que la amplitud del campo elctrico de la radiacin solar
que llega a la supercie terrestre es de aproximadamente E 0 = 850 V/m, calcule
la potencia total que incidira sobre una azotea de 100 m2 .
Para calcular la potencia promedio que incide en una superficie S debemos
primero obtener el valor de la intensidad promedio, Imed , de la onda. En este caso
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
132
dado que conocemos el valor de la amplitud del campo elctrico, esta intensidad
vendr dada por
1
3 108 8,85 1012
Imed = c0 E 02 =
(850)2 959 W/m2 .
2
2
Una vez calculada la intensidad promedio, la potencia promedio, P med , que
incide sobre la superficie ser simplemente
P med = Imed S = 959 100 9,6 104 W .
Aunque esta potencia es realmente alta, debe tenerse en cuenta que est distribuida en una rea grande y que su aprovechamiento total es imposible. De hecho con placas solares tpicas se podra transformar en potencia elctrica aproximadamente el 10 % de la radiacin solar, debindose tener en cuenta adems
que los datos dados en el problema se refieren a las horas de iluminacin de das
soleados.
6.6.
Interferencia de Ondas
Cuando dos o ms ondas coinciden en el espacio en el mismo instante de tiempo se produce un fenmeno que se conoce como interferencia.
El principio de superposicin de ondas establece que cuando dos o ms
ondas coinciden en un punto y en un instante de tiempo, la perturbacin
resultante es simplemente la suma de las perturbaciones individuales (este principio ya fue relacionado en el Apartado 6.2.1 con la linealidad de
la ecuacin de ondas). En consecuencia, la perturbacin resultante en un
punto P y en un instante de tiempo t , u(P, t ), debido a la coincidencia de
N ondas u i (x, t ) se obtendr mediante la siguiente expresin:
u(P, t ) =
N
X
u i (P, t ) .
(6.55)
i =1
6.6.1.
r1
F1
Para estudiar los aspectos cuantitativos de la interferencia consideraremos la superposicin de dos ondas electromagnticas planas armnicas
de la misma frecuencia pero distinta amplitud y fase inicial en cierto punto
P , cuyos campos elctricos vienen dados por
~1 (~
E
r , t ) = E 0,1 cos(t kr 1 )y
r2
y
F2
Superposicin de dos ondas electromagnticas planas armnicas
~2 (~
E
r , t ) = E 0,2 cos(t kr 2 )y .
Si r 1 y r 2 son las distancias desde los focos respectivos (F 1 y F 2 ) al punto P ,

la componente y del campo elctrico resultante vendr dada por
E y (P, t ) = E y1 (r 1 , t ) + E y2 (r 2 , t ) .
Apuntes de FFI
(6.56)
FLML
6.6. Interferencia de Ondas
133
Si usamos la notacin compleja, la perturbacin suma puede obtenerse

como la siguiente suma:
E y (P, t ) = E 0,1 ej(kr 1 t +1 ) + E 0,2 ej(kr 2 t +2 ) ,
que puede reescribirse tras definir
i = kr i + i
(6.57)
como
E y (P, t ) = E 0,1 ej1 + E 0,2 ej2 ejt
=E 0 (P )ej(P ) ejt ,
(6.58)
donde E 0 (P ) y (P ) representan respectivamente la amplitud y la fase de la

componente y del campo elctrico resultante en el punto P . Operando en
(6.58) encontramos que
E 0 (P )ej(P ) =E 0,1 ej1 + E 0,2 ej2
= E 0,1 cos 1 jE 0,1 sen 1 + E 0,2 cos 2 jE 0,2 sen 2
= E 0,1 cos 1 + E 0,2 cos 2 j E 0,1 sen 1 + E 0,2 sen 2 , (6.59)

de donde obtenemos que la amplitud puede ser calculada como sigue:
2
2
E 02 (P ) = E 0,1
cos2 1 + E 0,2
cos2 2 + 2E 0,1 E 0,2 cos 1 cos 2 +
2
2
E 0,1
sen2 1 + E 0,2
sen2 2 + 2E 0,1 E 0,2 sen 1 sen 2
2
2
= E 0,1
+ E 0,2
+ 2E 0,1 E 0,2 cos(1 2 ) ,
esto es,
E 0 (P ) =
q
2
2
E 0,1
+ E 0,2
+ 2E 0,1 E 0,2 cos (P ) ,
(6.60)
Amplitud de la interferencia de 2
ondas armn. de igual frecuencia
siendo
(P ) = kr 1 kr 2 + 1 2
= kr + .
(6.61)
En la expresin anterior, (P ) se denomina diferencia de fase, r = r 1 r 2

se conoce como diferencia de camino entre el recorrido de las dos ondas
al propagarse desde los focos respectivos hasta el punto P y = 1 2
es la diferencia de fase inicial entre las dos ondas. El ltimo trmino de la
expresin anterior,
2E 0,1 E 0,2 cos (P ) ,
se denomina usualmente trmino de interferencia puesto que es el responsable de que la amplitud de la interferencia dependa de la diferencia
de camino hasta el punto P . En concreto, si notamos que
1 cos (P ) 1
encontraremos que la amplitud en un punto podr tomar en general valores comprendidos entre
(E 0,1 E 0,2 ) E 0 (P ) (E 0,1 + E 0,2 ) .
FLML
(6.62)
Apuntes de FFI
Tema 6.
134
Para obtener la intensidad resultante de la superposicin de las dos ondas electromagnticas planas armnicas de igual frecuencia en el punto P ,
debemos tener en cuenta que, segn (6.53), la intensidad de dichas ondas
depende del cuadrado de la amplitud (I E 02 ). En consecuencia, a partir
de (6.60), podemos deducir que la intensidad resultante ser
I (P ) = I1 + I2 + 2
p
I1 I2 cos (P ) .
(6.63)
6.6.2. Focos incoherentes

En el apartado anterior observamos que la amplitud resultante en el
punto P oscilaba entre dos valores dependiendo del valor concreto de
en dicho punto. No obstante, en la prctica ocurre frecuentemente que la
diferencia de fase no es constante en el tiempo sino que = (t ). Esto puede ser causado por una posible variacin temporal de las condiciones de
emisin de los focos (usualmente en tiempos caractersticos menores que
1010 s) debida, por ejemplo, a que
1. La frecuencia de los focos no es estrictamente constante sino que
presenta pequeas fluctuaciones arbitrarias que provocan que el nmero de ondas (y equivalentemente la longitud de onda) oscile ligeramente en torno a cierto valor promedio, k
k(t ) = k + k(t ) .
2. Las fases iniciales de los dos focos presentan fluctuaciones al azar
de modo que las funciones 1 (t ) y 2 (t ) no estn correlacionadas de
ninguna manera, dando lugar a que la diferencia de fase inicial sea
una funcin del tiempo,
= 1 (t ) 2 (t ) = f (t ) ,
que vara igualmente al azar.
Cuando nos encontramos con alguna de las condiciones anteriores decimos que los focos son incoherentes. Debido a esta rpida variacin arbitraria en el tiempo de la diferencia de fase, el trmino de interferencia se
anula en promedio durante el intervalo de observacin debido a que el valor medio del coseno de un argumento que varia al azar es cero:
Z
1 T
cos (t ) =
cos (t ) dt = 0 .
T 0
Esto hecho implica que la intensidad promedio en el punto P , I (P ) =
Imed , venga dada por
Imed = Imed,1 + Imed,2
focos incoherentes.
(6.64)
Notemos que en el presente caso de focos incoherentes, la anulacin en

promedio del trmino de interferencia hace que la intensidad de la perturbacin NO dependa de la posicin del punto de observacin. Este hecho
Apuntes de FFI
FLML
135
provoca que aunque podamos, en un sentido estricto, hablar de interferencia, sta no ser observable y usualmente diremos que no existe interferencia.
A menudo cuando se habla de un nico foco tambin podemos decir que este foco es incoherente. En este caso, en realidad estamos queriendo decir que este nico foco tiene cierta extensin espacial, y que las
distintas partes del foco (asimilables a diversos focos puntuales) no son
coherentes entre s.
6.6.3. Focos coherentes

Cuando la frecuencia de los focos es constante y sus fases iniciales estn completamente correlacionadas, de modo que
= 1 (t ) 2 (t ) 6= f (t ) ,
manteniendo una diferencia de fase inicial constante, se dice que los dos
focos son coherentes. En el caso de que = 0, slo depender de la
diferencia de camino (en general r ),
= kr = 2r / ,
(6.65)
dando lugar as a una interferencia que S podra ser observable debido a

que el trmino de interferencia no se anula ahora en promedio.
En las circunstancias anteriores, podemos distinguir dos casos de inters, dependiendo de si cos es 1 o -1, esto es, si E 0 (P ) adquiere su valor
mximo (interferencia constructiva) o bien su valor mnimo (interferencia
destructiva). Por tanto, si
=
(
2n
E 0 (P ) = E 0,1 + E 0,2
(2n + 1) E 0 (P ) = E 0,1 E 0,2
Interferencia Constructiva
Interferencia Destructiva.
(6.66)
Teniendo en cuenta (6.65), la condicin de interferencia constructiva o

destructiva para r en P vendr dada por
r =
(2n + 1)
2
Interferencia Constructiva
Interferencia Destructiva ;
(6.67)
es decir, si la diferencia de camino es un mltiplo entero/semientero de la

longitud de onda, entonces tendremos interferencia constructiva/destructiva.
Desde un punto de vista prctico, una forma usual de producir focos
coherentes es generar dos focos secundarios a partir de la misma fuente primaria, asegurando as que la diferencia de fase inicial en los dos focos secundarios es una constante. Uno de los primeros experimentos que
mostr el fenmeno de interferencia con luz es el experimento de la doble
rendija de Young mostrado en la Figura 6.4(a), constatando as de forma
FLML
Apuntes de FFI
136
Tema 6.
F IGURA 6.4: Experimento de la doble rendija de Young

convincente que la luz tena naturaleza ondulatoria. En este experimento
la luz (u otra perturbacin ondulatoria) proveniente de un foco primario S
se hace pasar por una pantalla en la que se han realizado dos ranuras S 1 y
S 2 separadas una distancia d . Las rendijas se comportan como dos focos
coherentes de luz cuyas ondas interfieren en el semiespacio derecho. Este fenmeno provoca un patrn de interferencias en la pantalla S D donde
aparecen regiones sombreadas (dibujadas en negro) junto a regiones ms
iluminadas tal y como se muestra en la Figura 6.5. En este experimento
F IGURA 6.5: Patrn de interferencia resultante en el experimento de la doble rendija de Young

tenemos que la amplitud de las ondas que interfieren es idntica, esto es,
E 0,1 = E 0,2 .
Apuntes de FFI
FLML
137
Si adems consideramos que la pantalla S D se coloca a una distancia de

las rendijas tal que D d y admitimos que es muy pequeo, entonces,
segn muestra la Fig. 6.4(b), encontramos que la diferencia de camino en
un punto de la pantalla de coordenada y viene dada por
r = d sen d tan d
y
.
D
(6.68)
En consecuencia, el patrn de interferencia obtenido en la pantalla S D

mostrar franjas de interferencia constructiva o bien destructiva segn se
cumplan las siguientes condiciones:
Interferencia constructiva, y = y M :
kr = 2n
2 y M
d
= 2n ,
(6.69)
de donde se deduce que las franjas y = y M de interferencia constructiva verifican

D
(6.70)
yM = n ,
d
siendo la intensidad media de la onda en estas franjas: Imed = 4Imed,1 .
Interferencia destructiva, y = y m :
kr = (2n + 1)
2 y m
d
= (2n + 1) ,
(6.71)
de donde se deduce que las franjas y = y m de interferencia destructiva verifican

2n + 1 D
ym =
,
(6.72)
2
d
siendo la intensidad de la onda en estas franjas Imed = 0.
Ntese que la diferencia y entre un mximo y un mnimo consecutivo es
y =
D
.
d 2
(6.73)
Esta expresin nos proporciona adicionalmente un procedimiento muy

sencillo para determinar el valor de la longitud de onda a partir de la medida de la distancia entre franjas de interferencia constructiva y destructiva.
Es interesante notar que en las franjas de interferencia constructiva se
ha obtenido que la intensidad media es cuatro veces (y no dos) el valor de
la intensidad media proporcionada por cada uno de los focos. Esto parece violar el principio de conservacin de la energa, aunque tal hecho no
se produce puesto que la energa de la onda no se distribuye homogneamente en la pantalla S D sino que, debido a la interferencia, existen puntos
donde la energa es mayor que la suma de las energas provenientes de los
focos pero tambin existen otros puntos donde la energa es menor (incluso cero) que la proveniente de los focos.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
138
E JEMPLO 6.3 Un foco de luz amarilla ( = 600 nm) incide sobre dos rendijas separadas una distancia d , observndose la interferencia de la luz proveniente de estas
rendijas en una pantalla situada a una distancia de 3 m. Obtener la separacin
d entre las rendijas para que la distancia entre mximos y mnimos consecutivos
del patrn de interferencia luminoso sea mayor que 5 mm.
Segn la teora expuesta anteriormente, la distancia entre mximos y mnimos consecutivos en el experimento de la doble rendija de Young viene dado por
y >
D
.
d 2
Al despejar en la expresin anterior d encontramos que

d<
D
3 6 107
=
= 1,8 104 m = 180 m .
2y 2 5 103
El resultado anterior nos muestra que la separacin entre rendijas debe ser
muy pequea (y an menor si y se quiere mayor) por lo que en la prctica no es
fcil llevar a cabo este experimento.
6.7.
(*) Difraccin
Uno de los fenmenos ondulatorios ms caractersticos es el conocido como difraccin. Este fenmeno se produce cuando una onda es distorsionada en su propagacin por un obstculo, aunque tambin se llama difraccin a la interferencia producida por muchos focos coherentes
elementales. Desde el punto de vista fsico, la difraccin no se diferencia
bsicamente de la interferencia puesto que ambos fenmenos son fruto
de la superposicin de ondas. La difraccin es, por ejemplo, la causa de
la desviacin de la luz de una trayectoria recta, explicando as por qu la
luz llega a puntos que, en principio, no debera alcanzar si su propagacin fuese estrictamente rectilnea. Un ejemplo de difraccin puede verse
en la Fig. 6.6(b), que muestra el patrn de sombras cuando una fuente de
luz coherente ilumina una esquina recta. En la Fig. 6.6(a) se muestra esta
misma sombra cuando no se produce difraccin (por ejemplo, cuando la
fuente de luz es incoherente).
En el presente estudio de la difraccin, consideraremos nicamente la
denominada difraccin de Fraunhofer, que se presenta cuando las ondas
incidentes pueden considerarse planas y el patrn de difraccin es observado a una distancia lo suficientemente lejana como para que solo se reciban los rayos difractados paralelamente. Por ello consideraremos que la
onda incidente es una onda electromagntica plana armnica cuyo campo elctrico est dirigido en la direccin y (de forma similar a como hemos
hecho en apartados anteriores). Para obtener la perturbacin resultante
haremos uso del principio de Huygens, que explica la propagacin ondulatoria suponiendo que
Apuntes de FFI
FLML
6.7.
(*) Difraccin
139
b)
a)
Intensidad
Intensidad
Sombra
geomtrica
Borde
Borde
Distancia
Distancia
F IGURA 6.6: Sombra producida por una esquina recta iluminada por una
fuente de luz cuando: (a) NO se produce difraccin, (b) S se produce difraccin
cada punto de un frente de ondas primario se comporta
como un foco de ondas esfricas elementales secundarias que avanzan con una velocidad y frecuencia igual
a la onda primaria. La posicin del frente de ondas primario al cabo de un cierto tiempo es la envolvente de
dichas ondas elementales.
Siguiendo este principio, cuando un frente de onda alcanza una pantalla en la que existe una rendija de anchura b, tal y como se muestra en
la Figura 6.7, slo aquellos puntos del frente de ondas coincidentes con la
(b)
(a)
Px
r
S1
S2
SN
Intensidad
b
r
1)D
( N-
SD
F IGURA 6.7: (a) Difraccin de Fraunhofer de una rendija rectangular; (b)

Cada punto de la rendija se comporta como un foco puntual emisor de
ondas secundarias.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
140
rendija se convierten en focos emisores secundarios, de modo que la perturbacin ondulatoria en cualquier punto a la derecha de la rendija puede
calcularse como la superposicin de las ondas originadas en cada uno de
estos focos secundarios (ver Figura 6.7b).
En este sentido, y a efectos de clculo, supondremos que existen N focos puntuales equiespaciados en la rendija. El camo elctrico de la onda
electromagntica resultante, E y (r, t ), en cierto punto P de una pantalla S D
(situada a una distancia D d ) ser fruto de la interferencia de un gran
nmero de fuentes equiespaciadas de igual amplitud y fase inicial, esto es,
E y (P, t ) =
N
X
E 0 ej(kr n t ) ,
(6.74)
n=1
donde r n es la distancia desde el foco secundario n-simo hasta el punto

P y E 0 la amplitud constante de cada onda elemental. Notemos que, bajo la presente aproximacin, todos los rayos que llegan a P se consideran
paralelos. Si llamamos r a la distancia desde el foco 1 hasta P y r a la diferencia de camino entre la perturbacin que llega a P desde un foco y el
siguiente, r n puede escribirse como
r n = r + (n 1)r .
La perturbacin en P segn (6.74) puede entonces expresarse como
i
h
E y (P, t ) = E 0 ejkr + ejk(r +r ) + ejk(r +2r ) + . . . ejt
= E 0 1 + ej + e2j + . . . + e(N 1)j ej(kr t ) ,

(6.75)
donde = kr , lo que nos lleva a identificar la suma entre corchetes como una serie geomtrica, S g , de razn q = ej . Dado que la suma de la
siguiente serie geomtrica viene dada por
1 + q + q 2 + . . . + q N 1 =
1 qN
,
1q
el resultado de la serie geomtrica en (6.75) puede expresarse como

Sg
=
=
1 ejN
ejN /2 ejN /2 ejN /2
1 ej
ej/2 ej/2 ej/2
sen(N /2) j(N 1)/2
e
,
sen(/2)
por lo que
E y (P, t ) = E 0
sen(kN r /2) j[k(r + N 1 r )t ]

2
e
.
sen(kr /2)
(6.76)
La expresin anterior puede reescribirse como

E y (P, t ) = E P ej(kRt ) ,
donde
R =r +
Apuntes de FFI
(6.77)
N 1
r
2
FLML
6.7.
(*) Difraccin
141
es la distancia desde el centro de la rendija al punto P y

EP = E0
sen(kN r /2)
sen(kr /2)
(6.78)
es la amplitud resultante de la componente y del campo elctrico en P .

Dado que esta amplitud vara en cada punto de la pantalla, tambin lo har
la intensidad de la onda, formando lo que se conoce como un patrn de
difraccin:
Imed () sen2 (N kr /2)
.
(6.79)
max =
Imed
sen2 (kr /2)
Claramente existe un mnimo en la intensidad de la perturbacin cuando E P 0, esto es, cuando el numerador de (6.78) sea cero,
sen(kN r /2) = 0 ,
es decir, cuando el argumento verifica que
kN r /2 = m .
(6.80)
Segn se puede deducir de la Fig. 6.7(b) (si N ):

N r (N 1)r = b sen ,
por lo que la condicin de mnimo (6.80) para E P puede reescribirse como
2 b sen
= m ,
(6.81)
o equivalentemente
Condicin de intensidad nula en la
b sen m = m
m = 1, 2, . . . .
(6.82)
difraccin por una rendija
El primer mnimo (o mnimo de primer orden) ocurre para m = 1, verificndose entonces que
sen 1 = .
(6.83)
b
Puede observarse que si b, 1 0, por lo que apenas se observar patrn de difraccin, es decir, la zona de sombra aparece bien definida tal
como ocurrira si la onda se propagase en lnea recta. A medida que el cociente /b crece, el ngulo 1 aumenta, hacindose, por tanto, ms evidente el fenmeno de difraccin. En general, los fenmenos de difraccin son
ms apreciables cuando las dimensiones de la rendija son del orden de la
longitud de onda de la perturbacin ondulatoria (no obstante, debe tenerse en cuenta que el anlisis efectuado para obtener la expresin (6.82) es
slo vlido si < b, puesto que de otro modo el seno sera mayor que uno
para todo valor de m).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
142
E JEMPLO 6.4 Hallar la anchura de la franja central del patrn de difraccin producido en una pantalla situada a una distancia de 5 m de una rendija de anchura
0.3 mm por la que se ha hecho pasar una luz laser de 600 nm.
La anchura de la franja central puede obtenerse a partir del ngulo 1 que nos
da el primer mnimo en el patrn de difraccin. Segn la expresin (6.83), este
ngulo viene dado por
sen 1 =
6 107 m
=
= 2 103 .
b 3 104 m
Dado que sen 1 , tenemos que

sen 1 tan 1
y, por tanto, la anchura de la franja central ser
2a = 2D tan 1 2 5 2 103 = 20 mm .
6.8. Ondas estacionarias

u1(x,t)
onda incidente
u2(x,t)
onda reflejada
x= 0
Observemos que cuando una perturbacin viaja hacia la izquierda por

una cuerda, al llegar al extremo, sta se refleja de la forma mostrada en
la figura adjunta. Este fenmeno ondulatorio tambin se dar para ondas
electromagnticas cuando dichas ondas son reflejadas por espejos. Consideremos entonces una onda electromagntica plana armnica viajando
hacia la izquierda con un campo elctrico dado por
~1 (x, t ) = E 0,1 cos(t + kx)y .
E
Al llegar al punto x = 0, la onda se refleja en un espejo dando lugar a otra
onda armnica viajando hacia la derecha cuyo campo elctrico vendr dado por
~2 (x, t ) = E 0,2 cos(t kx)y .
E
Dado que las dos ondas viajeras anteriores se encuentran en una misma
regin del espacio darn lugar a un fenmeno tpico de superposicin o
interferencia.
Puesto que en el punto x = 0 la amplitud del campo electromagntico debe ser nula para cualquier instante de tiempo (por hiptesis sta es
la condicin de reflexin ideal en un espejo), tendremos que la componente y del campo resultante en este punto cumlir
E y (0, t ) = E 0,1 cos(t ) + E 0,2 cos(t )
= (E 0,1 + E 0,2 ) cos t = 0 ,
(6.84)
de donde se deduce que E 0,1 = E 0,2 .

Apuntes de FFI
FLML
6.8. Ondas estacionarias
143
Como las dos ondas electromagnticas anteriores coinciden simultneamente en la misma regin del espacio, la superposicin de ambas (usando notacin compleja) har que la componente y del campo elctrico de
la onda electromagntica resultante venga dada por
E y (x, t ) = E 0,2 ej(t +kx) + E 0,2 ej(t kx) = E 0,2 (ejkx + ejkx ) ejt
= E 0 sen(kx)ej(t /2)
(6.85)
(donde E 0 = 2E 0,2 y j se ha escrito como ej/2 ), cuya parte real puede

finalmente escribirse como
E y (x, t ) = E 0 sen kx sen t .
(6.86)
Ntese que en la expresin (6.86) no aparecen explcitamente expresiones

del tipo f (t kx), lo que indica que esta perturbacin no puede identificarse ya simplemente con una onda viajera, sino que constituye un nuevo
tipo de onda conocido como onda estacionaria. En este tipo de perturbacin ya no podemos decir que la energa viaja de un punto a otro sino que,
como muestra la Fig. 6.8, esta onda estacionaria corresponde a una situa-
F IGURA 6.8: Instantnea de la onda estacionaria en t = t 0 . Los nodos estn

separados una distancia /2.
cin en la que cada punto del espacio est sometido a un campo elctrico
caracterizado por una oscilacin armnica simple cuya amplitud es una
funcin de x, E 0 (x), pudindose escribir entonces que
E y (x, t ) = E 0 (x) sen t ,
(6.87)
E 0 (x) = E 0 sen kx .
(6.88)
siendo
Observemos que en la situacin anterior podemos encontrar puntos denominados nodos donde el campo elctrico es nulo para todo instante de
tiempo. Estos puntos son aquellos que verifican que E 0 (x) es cero, es decir,
aquellos que satisfacen la siguiente condicin:
kx = n x nodo = n
FLML
,
2
(6.89)
Apuntes de FFI
Tema 6.
144
siendo la distancia entre dos nodos sucesivos una semilongitud de onda

(recurdese que la longitud de onda est determinada por la frecuencia y
la velocidad de propagacin de la onda: = c/ f ).
Si ahora imponemos al problema anterior una segunda condicin consistente en colocar un segundo espejo en el punto x = L, entonces ha de
verificarse igualmente que
E y (L, t ) = 0 ,
lo cual requiere que
sen kL = 0 kL = n .
(6.90)
La condicin anterior implica que tanto el nmero de ondas como la longitud de onda de la onda electromagntica estacionaria resultante slo pueden tomar ciertos valores discretos (fenmeno conocido como cuantizacin) dados por
2 3
= ,
,
,...
L L L L
2L
2L 2L
= 2L, , , . . .
n
2 3
kn
= n
(6.91)
(6.92)
Vemos entonces que la imposicin de (6.90) ha limitado los valores de las

longitudes de onda de la onda electromagntica en la regin del espacio limitada por los dos espejos a aquellos valores que cumplan la condicin
(6.92). De forma anloga, las frecuencias permitidas sern aqullas que
cumplan
n
n = ck n = c
.
(6.93)
L
En consecuencia podemos concluir que tanto las longitudes de onda como las frecuencias permitidas estn cuantizadas y que esta cuantizacin
es fruto de la imposicin de condiciones de contorno en las fronteras de
cierta regin del espacio.
E JEMPLO 6.5 En el montaje de la gura se genera una onda estacionaria en la

regin entre la bocina emisora y la pantalla metlica (espejo). Supuesto que el
detector de campo elctrico nos dice que la distancia mnima entre los mnimos
de amplitud de campo estn situados a 15 cm, determine la frecuencia de la onda
emitida por la bocina.
Detector
Bocina
Teniendo en cuenta que la distancia entre mnimos de amplitud de campo

dos no-
Generador
de microondaselctrico viene determina por la expresin (6.89), y que la distancia entre
Osciloscopio dos sucesivos es = /2, tenemos entonces que la longitud de onda ser
= 2 = 2 0,15 = 0,3 m .
Considerando ahora la relacin existente entre la frecuencia y la longitud de
onda ( = c f ) tendremos que la frecuencia emitida es
Apuntes de FFI
FLML
6.9. Espectro electromagntico
f =
145
0,3
= 1 GHz .
=
c 3 108
Finalmente observemos que en la regin limitada por los espejos, cada una de las ondas electromagnticas estacionarias permitidas posee un
campo elctrico cuya componente y responde a la siguiente expresin:
E y,n (x, t ) = E 0,n sen(k n x) sen(n t + n ) ,
que se denominan genricamente como armnicos. Estos armnicos presentan la importante propiedad de que cualquier perturbacin electromagntica queen pueda existir en dicha regin puede expresarse como
una superposicin de ellos, esto es,
E y (x, t ) =
=
X
n=1
E 0,n sen(k n x) sen(n t + n )

E 0,n sen(nk 1 x) sen(n1 t + n ) ,
(6.94)
n=1
siendo
,
1 = v
L
L
y E 0,n la amplitud del n-simo armnico (esta amplitud ser distinta en
cada caso particular). El resultado anterior puede considerarse como una
conclusin particular de un teorema ms general, llamado teorema de Fourier, que bsicamente dice que una funcin peridica puede expresarse
como la suma de senos/cosenos cuyas frecuencias son un nmero entero
de veces la frecuencia original del problema (un tratamiento detallado de
este teorema puede encontrarse en cualquier libro de Clculo).
k1 =
6.9. Espectro electromagntico

Uno de los aspectos ms interesantes de las ondas electromagnticas
es que distintos fenmenos ondulatorios aparentemente inconexos como
la luz, las ondas de radio, las microondas, los rayos X, los rayos gamma, etc,
son todos ellos ondas electromagnticas que se diferencian simplemente
por su distinta frecuencia y longitud de onda. Todos los fenmenos anteriores son bsicamente campos elctricos y magnticos oscilantes a determinada frecuencia. En el espacio libre, la relacin entre la frecuencia f y la
longitud de onda viene dada por
=
c
.
f
(6.95)
El conjunto de todas las radiaciones electromagnticas se conoce espectro

electromagntico, distinguindose en l las distintas denominaciones que
toman las ondas electromagnticas en funcin de la frecuencia, tal como
se muestra en la Fig. 6.9.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
146
Longitud de
onda (m)
Frecuencia
( Hz)
10
10
21
18
Rayos Gamma
Rayos X
10
-12
-1A
-9
10 - 1 nm
Ultravioleta
10
15
Visible
10
-6
10
-3
- 1 mm
Infrarrojo
1 THz - 1012
- 1 cm
Microondas
1 GHz - 10
TV, FM
1 MHz - 106
Ondas de Radio
0
10 - 1 m
10
- 1 km
Radiofrecuencia
1 kHz - 103
F IGURA 6.9: Espectro electromagntico

A lo largo de este tema hemos visto cmo la longitud de onda y la frecuencia determinan fundamentalmente las propiedades de la onda. En este sentido se vio en el Apartado 6.7 que los fenmenos de difraccin dependan bsicamente de la relacin entre la longitud de onda y el tamao fsico de los objetos donde se produca la difraccin. Esto justificaba
que los efectos de difraccin de la luz sean apenas perceptibles debido a
la corta longitud de onda de la luz visible (400 . (nm) . 700) y que, por
tanto, la luz pueda ser considerada en muchas situaciones prcticas como un rayo. La misma explicacin sirve para entender por qu grandes
obstculos como edificios o montes no afectan drsticamente a la propagacin de ondas de radio largas (107 . (m) . 102 ). La interaccin de la
onda electromagntica con la materia tambin depende bsicamente de
la longitud de la onda y as, la pequea longitud de onda de los rayos X
(1012 . (m) . 108 ) es la que explica por qu estos rayos pueden atravesar fcilmente muchos materiales que son opacos para radiaciones de
mayor longitud de onda. Igualmente, al estar la longitud de onda de las
ondas generadas en los hornos de microondas ( 15 cm) dentro del espectro de absorcin de las molculas de agua se explica que esta radiacin
sea considerablemente absorbida por las molculas de agua que contienen
los alimentos y, consecuentemente, se calienten.
6.10.
Fuentes de las Ondas Electromagnticas
Hasta ahora hemos estado estudiando algunas de las caractersticas de

las ondas electromagnticas pero todava no sabemos dnde y cmo se
Apuntes de FFI
FLML
6.10.
Fuentes de las Ondas Electromagnticas
147
originan estas ondas. Dado que las ondas electromagnticas son simplemente campos elctricos y magnticos oscilantes y las fuentes de estos
campos son las cargas elctricas estticas y/o en movimiento, es razonable suponer que estas cargas sern las fuentes de las ondas electromagnticas. No obstante, debemos notar que estamos hablando de las fuentes de
los campos primarios puesto que, como se ha discutido anteriormente,
una vez que se han generado estos campos primarios, son precisamente
los propios campos los responsables de la generacin de los subsiguientes
campos. Ahora bien, para que los campos primarios generen otros campos, stos deban ser campos variables en el tiempo por lo que ni cargas
estticas ni las cargas en movimiento uniforme de una corriente estacionaria puede producir ondas electromagnticas.3 Consecuentemente solo las
cargas elctricas aceleradas (nico estado de movimiento no considerado hasta ahora) originarn estos campos primarios y, por tanto, podemos
concluir que
las cargas elctricas aceleradas son fuentes de las ondas
electromagnticas.
Cargas elctricas oscilando a una determinada frecuencia sern los focos
de ondas electromagnticas de esa misma frecuencia y con una longitud
de onda en el espacio libre dada por: = 2c/.
Normalmente la oscilacin de una nica carga produce una onda cuya
intensidad es prcticamente indetectable, por ello las ondas electromagnticas suelen originarse en la prctica cuando un nmero importante de
cargas estn oscilando conjuntamente. Este hecho se produce, por ejemplo, en las antenas, que no son, en su forma bsica, ms que dos varillas
conductoras alimentadas mediante un generador de corriente alterna. El
generador de corriente alterna provoca que los electrones de las varillas
conductoras viajen desde un extremo a otro de las varillas realizando un
movimiento oscilatorio que viene determinado por la frecuencia del generador. Este tipo de antenas es el comnmente usado para generar ondas
de radio y TV (MHz . f . GHz). Las ondas de la luz visible que oscilan a
una f 1015 Hz son originadas por el movimiento oscilatorio de las cargas
atmicas y las radiaciones de mayor frecuencia por rpidas oscilaciones
electrnicas y nucleares.
El mismo mecanismo que justifica que los electrones en movimiento en un conductor originan ondas electromagnticas, esto es, forman una
antena emisora, tambin explica por qu este mismo dispositivo (sin el generador) sera una antena receptora. Los campos elctricos que llegan a la
antena ejercen una fuerza sobre las cargas mviles del conductor (electrones) que las hacen oscilar a la misma frecuencia que la onda electromagntica incidente. Claramente, el movimiento de estas cargas, que simplemente sigue el patrn de la radiacin incidente, produce una corriente elctrica
3 Recordemos que las cargas estticas son las fuentes de campos elctricos estticos y las
cargas en movimiento uniforme en un conductor (esto es, las corrientes elctricas continuas) son las fuentes de los campos magnticos estticos.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 6.
148
oscilante que puede ser detectada por algn dispositivo adecuado. De esta
manera el patrn de variacin temporal que se produjo en el generador de
la antena emisora es ahora recogido en el detector de la antena receptora. (Los electrones de la antena receptora se mueven tal como lo hacan los
electrones de la antena emisora, slo que cierto intervalo de tiempo despus; justamente el necesario para que la onda recorra la distancia entre
las dos antenas). De esta manera se ha transmitido informacin desde un
sitio a otro del espacio usando como intermediario a la onda electromagntica. Esta manera de transmitir informacin es muy eficaz ya que pone
en juego muy poca energa y permite transmitir informacin entre puntos
muy lejanos entre s (incluyendo comunicaciones con satlites y vehculos
espaciales).

6.1: Demostrar por sustitucin directa que la siguiente expresin:
E y (x, t ) = E 0 sen(kx t ) = E 0 sen k(x ct ) ,
donde c = /k, satisface la ecuacin (6.35).
6.2: Hallar la longitud de onda de a) una onda de radio de AM tpica con una frecuencia de
100 kHz, b) una onda de radio de FM tpica de 100 MHz; c) la frecuencia de una microonda
de 3 cm y d) la frecuencia de unos rayos X con una longitud de onda de 0,1 nm.
Sol. a) = 300 m ; b) = 300 m ; c) f = 10 GHz; d) f = 3 1018 Hz. ;
6.3: Una onda electromagntica (OEM) plana se propaga en el vaco. Sabiendo que su frecuencia es de 98.4 MHz y su amplitud de campo elctrico es de 20 mV/m, calclese: a) la
amplitud del campo magntico; b) la intensidad de onda (potencia media por unidad de
rea).
Sol.: a) B 0 = 0,661010 T; b) I = 0,53 W/m2 .
6.4: Una OEM plana se propaga a lo largo del eje X con una longitud de onda de 3 cm,
transportando una potencia media por unidad de rea de 6 W/m2 . Determnense las ex~yB
~ sabiendo que el campo elctrico est dirigido
presiones completas de los campos E
segn el eje Y .
~ (x, t ) = 67,26103 cos(21010 t 200x/3 + ) y V/m,
Sol.: E
~ (x, t ) = 22,421011 cos(21010 t 200x/3 + ) z T.
B
6.5: Cierto pulso de campo electromagntico puede asimilarse a una onda plana cuyos
2
2
~ (x, t ) = E 0 e (xc t ) y (V/m) y B
~ (x, t ) = B 0 e (xc t ) z (T). Demostrar que amcampos son E
bos campos verifican la ecuacin de onda y obtener la relacin entre E 0 y B 0 sabiendo que
de acuerdo con la ley de Faraday debe cumplirse que E y (x, t )/x = B z (x, t )/t .
Sol.: E 0 = cB 0 .
6.6: La antena de un receptor radioelctrico es equivalente a una barra conductora de 2
m de altura y est orientada paralelamente al campo elctrico de la OEM que se desea
sintonizar. Si la tensin eficaz entre los extremos de la antena al recibir la onda es de 4 mV,
determnense las amplitudes de los campos elctrico y magntico de la onda sintonizada,
as como la potencia media por unidad de rea transportada por la onda.
Sol.: E e = 2103 V/m; B e = 0,6661011 T, I = 108 W/m2 .
6.7: En la superficie de la Tierra,el flujo solar medio aproximado es de 0,75 kW/m2 . Se
desea disear un sistema de conversin de energa solar a elctrica para que proporcione una potencia elctrica de 25 kW que permita cubrir las necesidades de una casa. Si el
sistema tiene una eficacia del 30 %, cul ser el rea necesaria de los colectores solares,
Apuntes de FFI
FLML
149
supuestos que son absorbentes perfectos?.

Sol. 111 m2 .
6.8: Un pulso de lser tiene una energa de 20 J y un radio de haz de 2 mm. La duracin
del pulso es de 10 ns y la densidad de energa es constante dentro del pulso. a) Cul es la
longitud espacial del pulso? b) Cul es la densidad de energa dentro del mismo? c) Hallar
los valores de la amplitud de los campos elctrico y magntico.
Sol.: a) 3 m; b) 5,31 105 J/m3 ; c) E 0 = 3,46 108 V/m, B 0 = 1,15 T.
6.9: El campo elctrico de una onda electromagntica oscila en la direccin z, viniendo su
vector de Poynting dado por
~
S(x, t ) = 100 cos2 [10x + (3 109 )t ] x W/m2
donde x est en metros y t en segundos. a) En qu direccin se propaga la onda? b) Calcular la longitud de onda y la frecuencia. c) Hallar los campos elctrico y magntico.
Sol.: a) sentido negativo de x ;b) = 0,620 m, f = 4,77 108 Hz ;
~ = 194 cos[10x + (3 109 )t ]z V/m, B
~ = 0,647 106 cos[10x + (3 109 )t ]y T.
c) E
6.10: El campo elctrico de una onda electromagntica armnica plana tiene la expresin
~ (z, t ) = 3103 cos(kz 2108 t )y (V/m). Determnese: a) la longitud de onda, frecuencia,
E
~ , as como el vector de Poynting, ~
periodo y nmero de onda; b) el campo magntico, B
S, y
la intensidad de onda, I .
Sol.: a) = 3 m, f=100 MHz, T=10 ns, k = 2/3 m1 ;
~ (z, t ) = 0,01 cos(2z/3 2108 t )x nT,
b) B
~
S(z, t ) = 0,0239 cos2 (2z/3 2108 t )z W/m2 , I = S = 0,01195 W/m2 .
6.11: Una OEM armnica plana de longitud de onda = 6 m se propaga en el sentido ne~ (x, t ) = 21010 cos(t + kx + /4)y T.
gativo del eje de las X siendo su campo magntico B
Determnese: a) el nmero de ondas, la frecuencia y el periodo de la onda; b) las expresio~ , y del vector de Poynting, ~
nes del campo elctrico, E
S, as como la intensidad de onda, I .
1
Sol.: a) k = /3 m , f = 50 MHz, T = 20 ns;
~ (x, t ) = 60103 cos(108 t + kx + /4)z V/m,
b) E
~
S(x, t ) = (30/) cos2 (108 t + kx + /4)x W/m2 , I = S = 15/ W/m2 .
Constantes: c = 3108 m/s, 0 = 4107 H/m, 0 = 8,8541012 F/m.
FLML
Apuntes de FFI
T EMA 7
Semiconductores
7.1. Introduccin
Este tema mostrar los fundamentos fsicos de la conduccin elctrica
en semiconductores. Para ello empezaremos con algunas consideraciones
clave originadas en el mbito de la Fsica Cuntica. Un buen entendimiento de estas consideraciones y sus consecuencias ser fundamental para la
posterior comprensin del comportamiento de los electrones en los materiales conductores y semiconductores. Esta comprensin nos proporcionar la base necesaria para entender el funcionamiento de los mltiples
dispositivos electrnicos y optoelectrnicos que son la base de la actual
tecnologa de los computadores y previsiblemente nos dotar de la base
cientfica imprescindible para entender futuros desarrollos de la tecnologa informtica.
De una forma muy genrica se denomina Fsica Cuntica a la Fsica
que se desarroll a principios del siglo XX para explicar el comportamiento de los fenmenos que ocurren a muy pequea escala (el mbito microscpico donde los rdenes de magnitud involucrados son: distancia 1 ,
masa 1027 kg, energa 1019 J). Esta nueva fsica complementa a la denominada Fsica Clsica que se desarroll para ser aplicada en el mbito
macroscpico (fenmenos que involucran rdenes de magnitud del orden
de 1 m, 1 kg, 1 J) y que podemos identificar, por ejemplo, con las leyes de
Newton, las ecuaciones de Maxwell, etc. Antes de introducir los fundamentos de la Fsica Cuntica, es conveniente resaltar que la Fsica Cuntica trajo consigo, adems de nuevos resultados, cambios conceptuales muy importantes que afectan a la forma en la que habitualmente entendemos el
mundo que nos rodea. No obstante, cabe sealar que estos cambios conceptuales afectan drsticamente a nuestra visin del mundo microscpico
pero no tanto a la del mundo macroscpico (aunque obviamente muchos
fenmenos macroscpicos slo pueden entenderse con base en los principios de la Fsica Cuntica).
151
152
Tema 7.
Semiconductores
La Fsica siempre afronta el estudio de los fenmenos mediante el estudio de modelos, esto es, representaciones parciales de la realidad. Es entonces importante aclarar que lo que se estudia no es directamente la realidad sino el modelo que nosotros hacemos de ella. Usualmente, el modelo es una simplificacin de la realidad que recoge, no obstante, las caractersticas esenciales del aspecto fsico en el que estemos interesados. As,
si queremos estudiar el efecto de la gravedad sobre los cuerpos, un posible modelo elemental sera el suponer que los cuerpos son puntuales (su
masa est concentrada en un punto), que la gravedad es constante y que
se desprecia el efecto del rozamiento con el aire. Este modelo simplificado explicara satisfactoriamente, por ejemplo, el tiempo que tarda en caer
una piedra desde cierta altura pero no describira muy adecuadamente la
cada de una hoja de papel. En consecuencia, el estudio de este ltimo fenmeno requerira el uso de otro modelo ms complejo. En este sentido, es
interesante constatar que la mayora de los modelos que intentan describir el mundo macroscpico se basan parcialmente en el sentido comn
(esto es, en la manera en la que nuestros sentidos perciben la realidad). De
esta forma, se suponen caractersticas generales como
continuidad de la materia y la energa (es decir, la materia y la energa pueden tomar cualquier valor e intercambiarse en cualquier cantidad);
diferenciacin objetiva entre fenmenos ondulatorios y corpusculares;
posibilidad de minimizar completamente el efecto del observador

sobre el fenmeno observado, etc.
Cuando se afronta el estudio de los fenmenos microscpicos (por ejemplo, el estudio de los tomos), una primera posibilidad sera la de partir de
los modelos y categoras que se usaron con xito en el mbito macroscpico y extrapolarlos al nuevo mbito de muy pequeas escalas. En este sentido podramos considerar el tomo como un sistema de cargas puntuales
(algunas de ellas en movimiento) regidas por las leyes de la Electrodinmica. No obstante, al iniciar el estudio del mbito microscpico se observ
que la extrapolacin directa de los modelos macroscpicos llevaba irremediablemente a resultados muy dispares con la realidad. Hubo, por tanto,
que hacer un gran esfuerzo no slo para desarrollar muevas leyes fsicas
sino tambin para olvidar muchos de los conceptos y categoras vlidas
en el mbito macroscpico y buscar otros nuevos que fuesen aplicables al
mbito microscpico. Gran parte de la dificultad de la nueva Fsica Cuntica recae en el hecho de que las leyes que rigen el comportamiento del
mbito microscpico son tremendamente antiintuitivas.
Apuntes de FFI
FLML
7.2. Cuantizacin de la radiacin
153

El inicio de la Fsica Cuntica puede situarse en el final del siglo XIX,
momento en el que se estaba estudiando la interaccin de la radiacin con
la materia. En concreto se estaba investigando la naturaleza del espectro
de radiacin emitida por los distintos cuerpos.
7.2.1. Hiptesis de Planck

Es un hecho bien conocido que cualquier cuerpo caliente emite radiacin electromagntica.1 La distribucin con respecto a la frecuencia, , de
esta radiacin se conoce como espectro. Las observaciones experimentales permitieron establecer la existencia de varios tipos de espectros: espectros discretos (emitidos por gases de tomos aislados), espectros de bandas (emitidos por gases moleculares) y espectros continuos (emitidos por
cuerpos slidos).
Los espectros continuos son emitidos por los cuerpos slidos. Dado
que la emisin de los slidos dependa en parte de su composicin, en el
estudio de estos espectros se buscaba un cuerpo cuya emisin fuese independiente de la forma y composicin particular del emisor. En este sentido, se define como cuerpo negro a un emisor cuyo espectro solo depende
de la temperatura y no de su forma y composicin. Un estudio siguiendo
las leyes de la Fsica Clsica, que queda fuera del alcance de este tema, permite establecer que la expresin terica para la radiancia espectral, R()
(intensidad de la radiacin emitida con frecuencias comprendidas entre
y + d ) viene dada por
R() 2 T ,
(7.1)
donde T es la temperatura absoluta (en grados Kelvin) del cuerpo negro.

Cuando la expresin terica (7.1) se comparaba con los datos experimentales (ver figura adjunta), se observaba una buena concordancia para
bajas frecuencias pero una discrepancia total para frecuencias altas. Esta
discrepancia es tan importante (para frecuencias muy altas R() tiende a
cero segn los datos experimentales mientras que el resultado terico tiende a infinito) que se conoce como catstrofe ultravioleta puesto que las
diferencias empiezan a ser muy importantes para frecuencias de radiacin
ultravioleta. La catstrofe ultravioleta es una clarsima constatacin de que
haba algo fundamentalmente errneo en la aplicacin de las leyes conocidas hasta ese momento al estudio del espectro de radiacin del cuerpo
negro.
R(n)
curva terica
curva
experimental
1 La explicacin clsica de este hecho se basa en la suposicin de que la temperatura es
una medida de la energa cintica media de las partculas que componen la materia. Dado
que la materia est compuesta de tomos y stos a su vez estn formados por partculas
cargadas, un cuerpo caliente puede considerarse como un conjunto de osciladores cargados (se supone que, debido a su menor masa, la carga negativa oscila en torno al ncleo
de carga positiva). Segn vimos en el Apartado 6.10, estos osciladores de carga emitirn
entonces radiacin electromagntica puesto que son cargas aceleradas.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
154
Semiconductores
Afortunadamente, en 1900 Planck incorpor un nuevo enfoque a este

problema que sorprendentemente conduca a una teora que se ajustaba
perfectamente a los resultados experimentales. La propuesta de Planck fue
que
Hiptesis de Planck
los osciladores atmicos realizan intercambios de energa

con la radiacin de modo que la magnitud denominada accin, S (energatiempo), vara nicamente en mltiplos de
h = 6,62 1034 Js.
La cantidad de intercambio de accin mnima, h, se conoce como constante de Planck y tiene por valor
Constante de Planck
h = 6,62 1034 Js = 4,135 1015 eV s
(7.2)
(1 eV = 1,6 1019 J, e = 1,6 1019 C es el mdulo de la carga del electrn

en el S.I.).
La anterior hiptesis implicaba que en el periodo T de oscilacin de
los osciladores atmicos, el intercambio de accin, S, deba ser
S = nh = E T
n = 1, 2, . . . ,
(7.3)
siendo E la energa puesta en juego en el intercambio energtico. A partir

de (7.3) encontramos entonces que 2
1
= nh .
(7.4)
T
La anterior expresin, fruto de la hiptesis de Planck, indica que el intercambio energtico mnimo es h y que cualquier otro intercambio energtico siempre se produce en mltiplos de esta cantidad. Este resultado tiene
dos implicaciones muy destacadas:
E = nh
1. La interaccin energtica entre dos sistemas no puede hacerse menor que h. Este resultado es abiertamente opuesto a la hiptesis
clsica de que la interaccin entre dos sistemas poda hacerse tan
pequea como se quisiera.
2. La energa puesta en juego en las interacciones est cuantizada. De
nuevo, este sorprendente resultado contradice la hiptesis acerca
del carcter continuo de la energa.
Es interesante finalmente notar que las consecuencias anteriores apenas tienen efecto en las interacciones entre sistemas macroscpicos. Ello
es debido a que los valores de energa puestos en juego en los intercambios energticos son generalmente mucho ms altos que h, por lo que
la existencia de una cantidad mnima de energa de intercambio apenas
difiere de la suposicin de que sta sea infinitesimal. Este hecho provoca
que la cuantizacin energtica sea prcticamente inapreciable haciendo,
por tanto, aceptable el hecho de que la energa se considere continua a
efectos prcticos.
2 En este tema, siguiendo la notacin usual en Fsica Cuntica, usaremos la letra griega
para denominar a la frecuencia temporal f = 1/T , f .

Apuntes de FFI
FLML
155
Radiacin incidente
en el metal
7.2.2. Efecto fotoelctrico

Otro efecto muy destacado fruto de la interaccin entre la luz y la materia es el efecto fotoelctrico. Este efecto se produce cuando al incidir luz
sobre ciertos metales, stos emiten electrones (que denominaremos fotoelectrones). En el metal hay que considerar que los electrones susceptibles
de ser emitidos estn ligados al metal con una cierta energa umbral e ,
denominada tambin funcin trabajo. Para que un electrn sea desprendido del metal, ste debe adquirir una energa suficiente para romper su
ligadura con el metal, manifestndose el posible exceso de energa en
forma de energa cintica del electrn emitido.
Metal
e-
electrn liberado
del metal
-
El estudio experimental del efecto fotoelctrico pone de manifiesto las

siguientes caractersticas:
La emisin fotoelctrica es instantnea.
Existe cierta frecuencia para la radiacin incidente, conocida como
frecuencia umbral, 0 , por debajo de la cual no existe emisin fotoelctrica, independientemente de la intensidad de dicha radiacin.
Al aumentar la intensidad de la radiacin, aumenta el nmero de
fotoelectrones emitidos.
Para una frecuencia fija, la energa cintica de los fotoelectrones no
depende de la intensidad de la radiacin incidente.
La mayora de los anteriores resultados experimentales resultan realmente sorprendentes y contradictorios cuando se intentan interpretar a
partir de los postulados de la Fsica Clsica. Segn vimos en el Tema 6, la
luz es
una onda electromagntica cuya energa est repartida de forma continua en el frente de ondas;
su intensidad promedio, I , viene dada por la siguiente expresin:
I=
1
0 cE 02 ,
2
(7.5)
donde 0 es la permitividad del vaco y E 0 es la amplitud del campo

elctrico de la onda luminosa. Es interesante notar que, segn (7.5),
la intensidad (y por tanto la energa) de la onda electromagntica
no depende de la frecuencia sino simplemente de la amplitud del
campo elctrico.
Aunque la Fsica Clsica no nos proporcione un buen marco para explicar el efecto fotoelctrico, esto no debe interpretarse como que la Fsica
Clsica no vale (todo lo que vimos en el Tema 6 sobre ondas es completamente vlido). Ms bien debemos entender que hay situaciones donde la
Fsica Clsica no es el marco adecuado.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
156
Semiconductores
E JEMPLO 7.1 (*) Supuestas vlidas las suposiciones del Tema 6, calcule el tiempo que habra que esperar para que se produjese el efecto fotoelctrico si una
radiacin luminosa emitida por una fuente de luz de P = 100 W y rendimiento
luminoso = 8 % incide sobre un metal que est situado a 1 m de distancia y
cuya funcin trabajo es e = 4 eV. Suponga que el radio aproximado de un tomo
es r atomo = 1 .
La intensidad luminosa emitida por la fuente de luz que llega al metal es
I =
100
2
P
= 0,08
= W/m2 ,
4R 2
412
por lo que la potencia captada por cada tomo vendr dada por
2
P tomo = I r tomo
=
2
1020 = 2 1020 W .
Finalmente, el tiempo de espera, t , para que se acumule la energa umbral suficiente, e , es

e
4 1,6 1019
32 s .
=
t =
P tomo
2 1020
Ntese que el clculo del tiempo de espera calculado segn el modelo ondulatorio de la radiacin luminosa nos da un valor fallido (t 32 s) muchsimo ms
alto que el observado experimentalmente (emisin espontnea).
En 1905, A. Einstein proporcion una explicacin satisfactoria al efecto

fotoelctrico aportando adems una concepcin revolucionaria de la energa radiante. Bsicamente Einstein, partiendo la hiptesis de Planck acerca
de la cuantizacin del intercambio energtico, dio un paso ms extendiendo la nueva idea de cuantizacin a la propia energa radiante (y no slo a su
posible intercambio). En concreto, Einstein explic el efecto fotoelctrico
a partir de las dos siguientes hiptesis:
1. La energa de la onda electromagntica de frecuencia no est distribuida continuamente en el frente de onda sino que est localizada
en pequeos paquetes (entes como partculas) llamados fotones cuya energa es
E = h = ~ .
(7.6)
Energa del fotn
(~ = h/2, = 2).
2. El efecto fotoelctrico es fruto de procesos individuales de intercambio instantneo de la energa del fotn con la del electrn.
El primer punto indica que Einstein concibe la onda electromagntica como un conjunto de paquetes discretos de energa h, esto es, la propia
energa de la onda estara cuantizada. El efecto fotoelctrico podra entonces verse como un conjunto de choques elsticos individuales entre los
fotones de la radiacin incidente y los electrones ligados del interior del
Apuntes de FFI
FLML
157
metal. Supuesta que la energa se conserva en este choque, el fotn cede toda su energa h al electrn, adquiriendo ste por tanto una energa
que sera empleada parcialmente para vencer la funcin trabajo, e , apareciendo la restante en forma de energa cintica, E c , esto es,
h = E c + e .
(7.7)
La expresin terica anterior ya nos permite explicar satisfactoriamente

todos los resultados experimentales, confirmando la sorprendente hiptesis de la naturaleza fotnica de la radiacin y proporcionando una prueba
adicional de que la constante h introducida por Planck es una constante
fundamental de la Naturaleza y no, simplemente, una constante arbitraria
de ajuste.
Dado que la emisin de fotoelectrones crece al aumentar la intensidad
de la radiacin, I , esta magnitud debe estar relacionada con el nmero de
choques y, en consecuencia, puede relacionarse con la densidad de fotones, N f (nmero de fotones promedio por unidad de tiempo y rea), de la
radiacin. Podemos escribir, por tanto, que
I = N f ~ .
(7.8)
Por otra parte, dado que los fotones transportan una energa E , tambin deben transportar un momento lineal p. En su teora de la Relatividad
Especial, Einstein demostr que el momento lineal de los fotones estaba
relacionado con su energa mediante la siguiente relacin:
p=
E
,
c
(7.9)
siendo c la velocidad de la luz. Como la energa del fotn es E = h, encontramos que

h h
p=
=
,
(7.10)
c
momento del fotn
donde se ha tenido en cuenta que la frecuencia de la onda, , est relacionada con su longitud de onda, , mediante = c.
E JEMPLO 7.2 Una radiacin luminosa de = 2000 e intensidad I = 3 mW/m2

incide sobre un metal de Cu cuya funcin trabajo es e = 1 eV. Calcule (a) el n-
mero de fotones por unidad de tiempo y rea que llegan al metal; (b) el momento
de cada uno de los fotones; y (c) la energa cintica de los fotoelectrones emitidos.
(a) Para calcular el nmero de fotones por unidad de tiempo y rea debemos
aplicar la expresin (7.8), para lo cual debemos obtener primero la frecuencia, , de la radiacin:
=
3 108
c
=
= 1,5 1015 Hz ,
2 107
por lo que la energa, E , de cada fotn ser

E = h = 6,63 1034 1,5 1015 9,95 1019 J = 6,21 eV .
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
158
Semiconductores
La aplicacin de (7.8) nos dice que

Nf =
fotones
I
3 103
3,017 1015
=
.
E
9,95 1019
m2 s
(b) El momento del fotn puede calcularse a partir de

p=
h 6,63 1034
3,31 1027 kgm/s
=
2 107
(c) Finalmente la energa cintica de los fotoelectrones emitidos, de acuerdo a

la expresin (7.7), vendr dada por
E c = h e = 6,21 eV 1 eV = 5,21 eV .
7.3. Naturaleza dual de la radiacin y la materia

7.3.1.
Dualidad de la radiacin
A la vista de la discusin presentada en el anterior apartado, nos encontramos con que existen dos concepciones distintas de la radiacin electromagntica:
Onda electromagntica (OEM)
La visin clsica de la radiacin interpreta que sta es una onda de
modo que su energa y momento se distribuye continuamente en el
frente de ondas. Segn hemos visto en el Tema 6, la intensidad de
la onda, I , puede relacionarse con la amplitud del campo elctrico,
E 0 , mediante
1
I = 0 cE 02 .
2
Fotones
Segn la interpretacin de Einstein, la radiacin electromagntica
puede considerarse como un conjunto discreto de paquetes de energa E = h, de modo que la intensidad de la radiacin, de acuerdo
con (7.8), puede escribirse como
I = N f ~ .
Segn la visin clsica, la intensidad de la onda depende del valor de
la amplitud del campo elctrico y segn la interpretacin fotnica, del nmero de fotones. En consecuencia, podemos observar que el nmero de
fotones promedio debe ser proporcional al cuadrado de la amplitud del
campo elctrico,
N f E 02 .
(7.11)
Este hecho nos permite establecer un punto comn de relacin entre las
visiones clsica y fotnica de la radiacin y establecer, en general, que
Apuntes de FFI
FLML
159
el cuadrado de la amplitud del campo elctrico de la onda electromagntica, E 02 (~

r , t ), es proporcional a la probabilidad de localizar en un instante t a los fotones en un dV
centrado en el punto ~
r.
Desde el punto de vista del modelo fotnico, el campo elctrico de
la onda electromagntica juega el papel de una funcin matemtica que
determina la probabilidad de encontrar a los fotones en un determinado
punto e instante. En aquellos puntos donde el campo elctrico tenga un
valor alto de amplitud ser, por tanto, ms probable encontrar fotones que
all donde la amplitud presente un valor bajo. En la prctica, la conveniencia de usar uno de los dos modelos (OEM/fotones) vendr determinada
por la relacin entre la cantidad de energa de los fotones y la energa puesta en juego en la posible interaccin. Si la energa en la interaccin mnima,
E , es del orden de la energa de los fotones, h, entonces se debe usar el
modelo fotnico. Por el contrario, si E h (esto es, si en la interaccin
energtica mnima intervienen muchos fotones conjuntamente), el modelo ondulatorio ser ms apropiado.
7.3.2. Dualidad de la materia

En 1924, L. de Broglie, suponiendo la existencia de una simetra interna
en la naturaleza, sugiri que el carcter dual onda/corpsculo exhibido
por los fotones era igualmente aplicable a todas las partculas materiales.
En concreto la hiptesis de L. de Broglie fue
El movimiento de una partcula material viene determinado por las propiedades ondulatorias de propagacin de una
onda piloto cuya longitud de onda, , y frecuencia, , estn asociadas con el momento lineal, p, y la energa, E , de
la partcula segn
=
=
h
p
E
h
o bien
p = ~k
(7.12)
o bien
E = ~ .
(7.13)
Relaciones de de Broglie
Debe notarse que en la onda piloto asociada a las partculas NO SE CUMPLE

que = c/ [esto slo era vlido en ondas electromagnticas/fotones en
el espacio libre, ver (6.95)]. As, por ejemplo, para el el caso de partculas
libres cuya velocidad, v, sea mucho menor que la velocidad de la luz (v 2
c 2 ), debemos considerar que la energa (en este caso, energa cintica) de
la partcula de masa m puede expresarse como
E ( E c ) =
FLML
p2
,
2m
Para una partcula
6= c/
(7.14)
Apuntes de FFI
Tema 7.
160
Semiconductores
por lo que el momento y la longitud de onda de la partcula puede expresarse como

p
p = 2mE = mv .
(7.15)
y
h
= p
.
2mE
para partcula libre
(7.16)
Al sustituir en (7.16) E por h queda claro que para partculas encontramos

que 6= c/.
Es interesante resaltar que, debido al pequeo valor de la constante de
Planck, los fenmenos tpicamente ondulatorios de interferencia y/o difraccin de las partculas macroscpicas son prcticamente imposibles de
detectar. Dado que la longitud de onda de estas partculas macroscpicas
es mucho menor que las distancia tpicas en el mbito macroscpico, podemos ignorar el carcter ondulatorio de estas partculas.
E JEMPLO 7.3 Calcular la longitud de onda asociada a (1) una pelota de tenis de
m = 50g y v = 40m/s; y (2) un electrn sometido a un potencial de aceleracin
V = 100V.
(1) En este caso, el momento lineal es
p = mv = 0,05 40 = 2 kg m/s
y la longitud de onda ser
=
h 6,6 1034
=
3,3 1034 m .
p
2
Como puede observarse, la longitud de onda asociada a la pelota de tenis considerada es muchsimo ms pequea que el tamao de un tomo de H. Esta es
tan pequea que es totalmente indetectable por cualquier dispositivo experimental. Una posible manera de aumentar esta es hacer que la masa de la partcula
sea muy pequea, en la prctica del orden de la masa de las partculas elementales (electrones, protones, ....)
(2) Si el electrn est sometido a cierto potencial de aceleracin, V , entonces, supuesto que parte del reposo, la energa cintica que adquiere ser justamente la
energa potencial elctrica que pierde la partcula cargada, esto es,
E c = eV = 100 eV .
La longitud de onda asociada a esta partcula ser entonces
h
6,6 1034
= p
=
1,2 .
31
(2 9,1 10
1,6 1019 100)1/2
2m e eV
Esta longitud de onda es muy pequea pero al menos es del orden del tamao de
los tomos.
Apuntes de FFI
FLML
161
En el Apartado 7.3.1 se discuti que la relacin existente entre la interpretacin ondulatoria y la corpuscular de la radiacin electromagntica
poda hacerse mediante la interpretacin que se le daba al campo elctrico en un punto como una medida de la probabilidad de encontrar a los
fotones en cierto instante en el entorno de dicho punto. En este sentido,
en 1926 Max Born extendi esta interpretacin probabilstica igualmente
al caso de las partculas materiales. Segn la interpretacin de Born, lo que
se est propagando en forma de onda (asociado al movimiento de las partculas) no es algo material sino una magnitud representada matemticamente por (~
r , t ), que se conoce como funcin de onda y que posee el
siguiente significado fsico:
Si en un instante t se realiza una medida para localizar a la
partcula asociada a la funcin de onda (~
r , t ), la probabilidad P (~
r , t )dV de encontrar a la partcula en un dV centrado
en ~
r viene dado por
P (~
r , t )dV = |(~
r , t )|2 dV .
(7.17)
Dado que la partcula evidentemente debe encontrarse en algn punto del

espacio, la probabilidad de encontrar a dicha partcula en algn punto del
espacio debe ser la unidad, por lo que debemos imponer la siguiente condicin:
Z
|(~
r , t )|2 dV = 1 ,
(7.18)
todo el
espacio
que se conoce como condicin de normalizacin. Es interesante notar que

|(~
r , t )|2 es una funcin de distribucin similar a la que se discute en el
Apndice C.2 y, por tanto, los mtodos matemticos de trabajo usando la
funcin de onda harn uso comnmente de procedimientos estadsticos.
Es interesante resaltar que la funcin de onda, , no es una magnitud estadstica, en el sentido de que describa el comportamiento de un colectivo muy numeroso de partculas que se manifiestan simultneamente,
sino que es una propiedad intrnseca de cada partcula, independiente del colectivo.3 En este sentido, la interpretacin probabilstica de Born
nos impone una restriccin al conocimiento que podemos tener sobre la
partcula, es decir, todo lo que nos puede dar la Fsica Cuntica sobre la
posicin de una partcula es una informacin probabilstica acerca del posible resultado de una medida. Podemos ver que este hecho dota a nuestro
conocimiento sobre la partcula de cierta incertidumbre.
3 Cuando decimos que la probabilidad de sacar cara al lanzar una moneda es de 1/2,
estamos diciendo que al lanzar un colectivo numeroso de monedas al aire, muy aproximadamente la mitad de ellas ser cara y la otra mitad cruz. Al aplicar esa propiedad a un
elemento del colectivo, le estamos atribuyendo a ste las propiedades que en realidad slo
posee el colectivo como un todo. De hecho, en principio, si supisemos con exactitud las
condiciones que determinan el lanzamiento de una moneda (su posicin y momento iniciales), podramos determinar con precisin el resultado de este evento. Esto NO es lo que
ocurre con las partculas cunticas sino que cada una de ellas individualmente presenta un
comportamiento que slo puede conocerse en forma probabilstica
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
162
7.3.3.
Semiconductores
Nmeros cunticos
En la segunda mitad del siglo XIX se se comprob empricamente que

la radiacin emitida/absorbida por sustancias formadas por elementos qumicos aislados (en forma de gases) tena un carcter discreto; esto es, estas sustancias solo emiten/absorben radiacin para ciertas frecuencias especficas. Este hecho experimental era muy sorprendente e imposible de
explicar en el marco de la Fsica Clsica (que segn vimos en la expresin (7.1) predeca un espectro continuo). Para el caso del hidrgeno (H)
se comprob que su espectro est formado por una familia de lneas espectrales cuya longitud de onda ( = c/, c 3 108 m/s) sigue la siguiente
ley emprica:
1
1
1
= R
m < n( N) ,
(7.19)
m2 n2
que se conoce como formula de Rydberg-Ritz, donde R es la denominada constante de Rydberg, cuyo valor encontrado experimentalmente es
R = 1,0967 107 m1 . Para cada valor de m y variando n se obtienen distintas familias de lneas espectrales conocidas como las series del hidrgeno. Una expresin particular para el espectro visible del H, conocido como serie de Balmer, fue obtenida en 1885 por Balmer, siendo, no obstante
un caso particular de la ley general (7.19) cuando m = 2. Es importante resaltar que la frmula de Rydberg-Ritz es una ley completamente emprica
que fue propuesta en ese momento (antes del desarrollo de la Fsica Cuntica) sin ninguna explicacin fsica que justificase el ajuste sorprendente
de dicha expresin con los resultados experimentales.
Esta explicacin fsica vino de la mano del desarrollo de la Fsica Cuntica, que propocion adems un procedimiento matemtico riguroso que
nos permite obtener la funcin de onda de cada sistema supuesto conocido la energa potencial, E p , de dicho sistema. Este procedimiento matemtico se conoce como ecuacin de Schrodinger y su discusin y resolucin
queda fuera de los contenidos del presente tema. No obstante a continuacin mostraremos los resultados ms importantes que se obtienen cuando
resolvemos la ecuacin de Schrodinger para el caso del electrn en el tomo de hidrgeno. Tras laboriosos clculos matemticos se obtiene que la
funcin de onda depende de tres nmeros cunticos, que se denominan:
n, l y m l . En consecuencia, el estado del sistema, determinado por la siguiente funcin de onda:4
n,l ,ml (r, , ) = R(r )()()
estar descrito por esta terna (conjunto de tres) de nmeros cunticos. La
resolucin de la ecuacin de Schrodinger nos proporcionara adems la
siguiente informacin relativa a cada uno de estos tres nmeros cunticos:
Nmero cuntico principal n,
4 En coordenadas esfricas, la posicin de un punto (x, y, z) se expresa como (r, , ).
Estas coordendas representan la distancia al origen (r ) y los ngulos polar () y azimutal

().
Apuntes de FFI
FLML
163
Este nmero cuntico puede tomar los valores naturales

n = 1, 2, 3, . . . .
(7.20)
Est relacionado con R(r ), la parte radial de la funcin de onda.

El valor de la energa del estado depende nicamente de este
nmero cuntico. El resultado que se obtiene es
En =
13,6
(eV) .
n2
(7.21)
Energa del tomo de H
Debemos notar que la expresin anterior nos indica que la

energa del tomo de H est cuantizada, lo que quiere decir
que dicha energa solo puede tomar los siguientes valores (en eV):
13,6, 13,6/4, 13,6/9, . . .
El valor ms probable del radio en el que se puede localizar al
electrn aumenta al incrementarse n. Esto sugiere la existencia
de capas en el tomo.
Nmero cuntico orbital l,
Los valores que puede tomar este nmero cuntico son
l = 0, 1, 2, . . . , n 1 .
(7.22)
Est relacionado con la parte azimutal de la funcin de onda,

().
Determina el valor del mdulo del vector momento angular orbital (~
L), esto es,
p
|~
L| = l (l + 1) ~ .
(7.23)
Mdulo momento angular orbital
En funcin del valor nmero de l se usa la siguiente denominacin:

l
0
s
1
p
2
d
3
f
...
...
Nmero cuntico magntico, m l

Puede tomar los siguientes valores enteros
m l = 0, 1, 2, . . . , l .
(7.24)
Est relacionado con la parte polar () de la funcin de onda.

Determina la orientacin del momento angular L cuando se introduce una direccin privilegiada; por ejemplo, mediante un
~ = |B
~ |z. En este caso, dado que la direccin
campo magntico B
privilegiada est dirigida segn el eje z encontramos que
L z = ml ~ .
(7.25)
Componente
del momento an-
gular orbital
~ , un estado con nmeEn ausencia de una campo magntico B

ro cuntico l presenta una degeneracin en la energa de 2l +1;
es decir, existen 2l + 1 estados (debido a los distintos valores de
m l ) con el mismo valor de energa. As se tiene que
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
164
estado l
degeneracin
s
1
p
3
d
5
f
7
Semiconductores
...
...
Cada uno de los estados degenerados anteriores se desdoblar

en 2l + 1 estados en presencia de un campo magntico. La aparicin de estos nuevos valores de la energa hace que aparezcan
ms rayas espectrales.
E JEMPLO 7.4 Obtenga la frmula de Rydberg-Ritz (7.19) a partir de la expresin

(7.21).
Antes de iniciar el clculo debemos tener en cuenta que un electrn que est inicialmente en un estado de energa E i y transite hacia una rbita de menor
energa, E f , emitir una radiacin electromagntica (un fotn) de frecuencia
=
Ei E f
h
(7.26)
Por ello, la frecuencia de la radiacin emitida en la transicin de un electrn

desde un estado caracterizado por n i hasta otro estado de menor energa caracterizado por n f vendr dada por
E0
n i2
+
h
E0
n 2f
!
E0 1
1
=
,
h n 2f n i2
o equivalentemente, teniendo en cuenta que = c,
!
1
1 E0 1
=
,
hc n 2f n i2
donde E 0 /hc 1,0974 107 m1 . Notemos que la anterior expresin es idntica a
(7.19) tras identificar n f con m y n i con n.
Podemos afirmar, por tanto, que el espectro discreto del H es fruto de la cuantizacin de los estados energticos de este tomo5 y de la naturaleza fotnica de la
radiacin.
7.3.4.
Spin del electrn
Aunque la aplicacin de la ecuacin de Schrdinger al tomo de hidrgeno justific muchos de los fenmenos asociados a dicho tomo, todava
existan algunos fenmenos que no pudieron ser explicados satisfactoriamente. Uno de estos fenmenos fue la estructura fina del hidrgeno, que
5 Un experimento muy relevante, llevado a cabo en 1914 por J. Frank y G. Hertz, demos-
tr empricamente que la cuantizacin de los estados energticos es una caracterstica comn de todos los tomos.
Apuntes de FFI
FLML
165
consiste en que cada una de las rayas espectrales de este elemento (en ausencia de campo magntico) en realidad estaba compuesta de dos rayas
muy prximas. Esto indicaba que la energa de los diferentes estados del
electrn del tomo no slo dependan del nmero cuntico principal sino
tambin de otro nmero cuntico no descrito por la ecuacin de Schrdinger. Para solventar este problema se postul la existencia de un momento
angular intrnseco del electrn, ~
S, llamado momento de spin. Esta nueva
magnitud es una propiedad puramente cuntica, en el sentido de que no
existe ninguna magnitud clsica anloga.6 Similarmente a lo que suceda
con el momento angular orbital del electrn, ~
L, el mdulo y la orientacin
~
del momento angular de spin, S, podan relacionarse con dos nuevos nmeros cunticos s y m s segn
|~
S| =
s(s + 1) ~ ;
S z = ms ~ ;
s = 1/2
m s = 1/2 .
(7.27)
(7.28)
Dado que el nmero cuntico s slo toma un nico valor, no tiene sentido
considerarlo como un nmero cuntico adicional y por ello el cuarto nmero cuntico que define el estado del electrn en el tomo de hidrgeno
ser el m s . El estado queda, por tanto, completamente determinado por la
siguiente cuaterna de nmeros cunticos: n, l , m l , m s .
Un estudio ms profundo de esta cuestin (fuera del objetivo del presente tema) nos revelara que el spin del electrn juega un papel fundamental en la explicacin de algunos fenmenos tan destacados como
Las fuerzas que intervienen en los enlaces covalente y metlico,
Las propiedades magnticas de los distintos materiales.
7.3.5. (*) Tabla peridica

La teora de Schrdinger ms el postulado sobre el spin electrnico
proporciona igualmente una justificacin terica a la disposicin de los
distintos elementos en la Tabla Peridica. Esta justificacin proviene del
estudio de los tomos multielectrnicos, y dado que este estudio excede los objetivos del presente tema, aqu optaremos por llevar a cabo un
tratamiento eminentemente cualitativo que hace uso de aproximaciones
muy simplificadoras. Una de las aproximaciones ms fructferas es la descripcin de la funcin de onda del electrn de un tomo multielectrnico
mediante la superposicin de funciones del electrn del tomo de H (esto
es, se desprecia la interaccin mutua entre los electrones). Las nuevas funciones de onda estarn por tanto caracterizadas por los cuatro nmeros
cunticos n, l , m l y m s .
Una de las diferencias ms importantes que aporta el estudio de las
funciones de onda del tomo multielectrnico con respecto al tomo de
6 La introduccin del spin del electrn slo pudo ser justificado posteriormente por Di-
rac en el marco de la teora cuntica relativista

FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
166
Semiconductores
hidrgeno consiste en que la energa del electrn en el tomo multielectrnico vendr ahora determinada por los nmeros cunticos n y l (recurdese que la energa del electrn slo dependa de n en el tomo de hidrgeno). La especificacin de estos dos nmeros cunticos n y l para cada
electrn del tomo se denomina configuracin electrnica. La nomenclatura de esta configuracin no hace uso del valor del nmero cuntico l
sino de su letra asociada (ver Apartado 7.3.3). En este sentido los estados
determinados por n y l sern
n
l
1
0
1s
2
0
2s
1
2p
0
3s
3
1
3p
4
2
4d
0
4s
1
4p
2
4d
3
4f
0
5s
5
1
5p
...
...
Uno de las propiedades cunticas que regir la configuracin de los

electrones en los distintos estados se conoce como principio de exclusin
de Pauli, que puede enunciarse como
Principio de exclusin de Pauli
dos electrones en un sistema (tomo, slido,...) no pueden estar en el mismo estado cuntico.
En el caso del tomo multielectrnico, esto implica que no pueden poseer
la misma serie de nmeros cunticos. En consecuencia, teniendo en cuenta la degeneracin de los estados con el mismo nmero cuntico l (ya vista
en el Apartado 7.3.3) y la existencia de otra degeneracin simultnea debida al spin, cada estado caracterizado por l puede albergar el siguiente
nmero de electrones
estado l
nmero mximo de electrones
s
2
p
6
d
10
f
14
...
...
Otras consideraciones relevantes que surgen del anlisis de las funciones de onda del tomo multielectrnico son las siguientes:
La energa del electrn aumenta al incrementarse n dado que aumenta la distancia media del electrn al ncleo y ste ejerce menos
atraccin;
Para un n dado, los electrones con menor mdulo del momento angular tienen una probabilidad mayor de estar en regiones cercanas
al ncleo. Esto afecta a la carga efectiva del ncleo que siente el
electrn segn el grado de apantallamiento de la carga nuclear por
los dems electrones y, por consiguiente, explica la dependencia de
la energa con l y que, para un valor dado de n, la energa crezca al
aumentar el valor de l ;
Si se tiene un electrn en cada uno de los m l estados asociados con
un l dado, la distribucin de carga resultante tendr simetra esfrica.
Apuntes de FFI
FLML
7.4. Estructura cristalina
167
Todas las consideraciones anteriores nos permiten justificar un hecho

que queda reflejado en la Tabla Peridica de los elementos; a saber, que
existe una dependencia peridica de las propiedades fsicas y qumicas de
los distintos elementos con respecto a su nmero atmico. Dado que las
propiedades de un elemento dependen fundamentalmente de su configuracin electrnica, la Tabla Peridica no es ms que una clasificacin de
los elementos en funcin de esta configuracin. Ahora bien, debido a la
dependencia de la energa de los estados tanto con n como con l , el orden
energtico con el que se ordenan los distintos estados sigue la siguiente ley:
1s 2
2s2 2p6
3s2 3p6 3d1 0
2
6
1 0 1 4
4s 4p 4d 4f
2
6
5s 5p .....
1 0
1 0
1 4
1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f .....
El que se llene antes el nivel 4s que el 3d reside en el hecho anteriormente

sealado de que niveles con un bajo valor de l tienden a tener menos energa y pueden as compensar el incremento producido por el aumento del
nmero cuntico n.
Dado que la interaccin entre distintos tomos se llevar a cabo fundamentalmente mediante la interaccin de los electrones de sus capas ms
externas, la explicacin de las propiedades de los elementos distribuidos
en los distintos grupos de la Tabla Peridica puede relacionarse con la configuracin de sus electrones en las ltimas capas.
7.4.
Estructura cristalina
Recordemos que uno de los objetivos finales de este tema ser proporcionar los fundamentos fsicos que nos permitan entender el funcionamiento de los dispositivos electrnicos usados en la actual tecnologa de
los computadores. Dado que este funcionamiento se basa en las propiedades del transporte de carga en metales y semiconductores, los apartados
anteriores han estado dedicados al estudio de algunas de las propiedades
cunticas de las partculas portadoras de carga (fundamentalmente electrones). No obstante, dicho transporte de carga no slo depender de las
propiedades intrnsecas de los electrones sino tambin de la disposicin de
los tomos en los slidos. En este sentido, el presente tema mostrar una
descripcin elemental de la estructura interna de la materia, haciendo especial hincapi en la estructura de los metales y semiconductores.
Una posible clasificacin de la materia divide a sta en materia condensada y materia gaseosa, con las siguientes propiedades generales:
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
168
nmero tomos/m3
densidad de masa
distancia interatmica
Semiconductores
Materia Condensada
Materia Gaseosa
Predominio energa potencial

de interaccin entre sus
componentes
Presencia de orden espacial
en sus componentes
n 1028 tomos/m3
103 kg/m3
d 3
Predominio energa cintica

de traslacin
Distribucin catica de sus
componentes
n 1025 tomos/m3
1 kg/m3
d 200
Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna de

la materia, podemos distinguir los siguientes estados de agregacin de la
materia (en rigor, esta clasificacin slo es aplicable a sustancias puras):
MONOCRISTAL
Anisotropa
POLICRISTAL
Isotropa
estadstica
Orden de largo alcance
AMORFO
LQUIDO
GAS
Isotropa
Orden de corto alcance
Desorden
Monocristal:
Presenta fuertes interacciones entre sus partculas componentes (tomos, grupos de tomos,...), que estn casi en reposo (excepto por
pequeas oscilaciones) en un mnimo de energa potencial. Las partculas estn dispuestas segn un orden espacial bien determinado
que define una estructura peridica tridimensional. Ejemplos: mayora de metales puros, muchos compuestos inicos, ...
Policristal:
Est compuesto de pequeas regiones o granulos, cada una de las
cuales con la estructura de un monocristal de tamao y orientacin
irregular.
Amorfos:
Aunque sus componentes estn bsicamente en reposo, stos no presentan una estructura espacial bien definida. Ejemplo: vidrios, plsticos, madera, ....
Lquidos:
Sus componentes no presentan fuertes interacciones entre s por lo
que pueden moverse, dando lugar a que estas sustancias adopten la
forma de los recipientes que las contienen.
Apuntes de FFI
FLML
7.4. Estructura cristalina
169
Gases:
Sus componentes apenas interaccionan entre s, estando dotados
bsicamente de energa cintica. Pueden considerarse como un caso
extremo de lquidos, presentando menos densidad que stos.
A continuacin estudiaremos elementalmente el caso extremo del monocristal. El estudio de este estado de la materia se realizar mediante un
modelo simple y representativo del slido, conocido como cristal ideal. El
cristal ideal se define como un medio material discreto e infinito con una
ordenacin espacial regular y peridica de sus componentes, fruto de la
composicin de una red cristalina con cierto motivo (tomo o grupo de
tomos). La red cristalina puede definirse como
un conjunto infinito y discreto de puntos con una disposicin y orientacin que aparece exactamente la misma desde cualquier punto del conjunto.
Una de las caractersticas esenciales de esta red cristalina es que pone
de manifiesto la importancia que tiene la disposicin geomtrica de la estructura espacial peridica del cristal con independencia de las unidades
reales o motivos que la compongan.
Red cristalina
Motivo
Estructura reticular
F IGURA 7.1: Formacin de la estructura reticular mediante la composicin

de la red cristalina con un motivo.
El estudio detallado de las distintas simetras de las redes critalinas nos
permite concluir que todas las posibles redes cristalinas tridimensionales
pueden clasificarse en 14 tipos distintos de redes, conocidas genricamente como redes de Bravais. Como ejemplo, la Fig. 7.2 muestra las 3 redes que
pertenecen al sistema cbico.
Una estructura de especial inters prctico (y que no es en s una red
de Bravais) es la denominada estructura tipo diamante, que se muestra
en la Fig. 7.3(a). Una gran nmero de las sustancias formadas por tomos
del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por tomos del grupo
III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la mayora de los materiales semiconductores estn formados por tomos de los grupos anteriores,
los semiconductores suelen presentar una estructura tipo diamante. Segn
muestra la Fig. 7.3(a), la estructura tipo diamante puede visualizarse como
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
170
Cbica
[P]
Cbica centrada
en el interior (bcc)
[Ba,Cr,Cs,Fe,K,..]
Semiconductores
Cbica centrada
en las caras (fcc)
[Ag,Al,Au,Cu,..]
F IGURA 7.2: Redes cristalinas pertenecientes al sistema cbico.
(a)
(b)
F IGURA 7.3: (a) Estructura tipo diamante formada por la interpenetracin

de dos redes cbicas centradas en las caras y desplazadas una respecto a
la otra 1/4 a lo largo de la diagonal del cubo. La red cristalina es una fcc
y el motivo es un grupo de dos tomos desplazados uno respecto a otoa
1/4 a lo largo de la diagonal del cubo. (b) Detalle que muestra la disposicin tetradrica de los tomos de las sustancias que cristalizan en esta red
cristalina.
dos redes cbicas fcc interpenetradas y desplazadas una sobre la otra 1/4
sobre la diagonal del cubo, dando as lugar a una disposicin tetradrica
(ver Fig. 7.3b) en la que cada tomo puede considerarse localizado en el
centro de un tetraedro y formando un enlace con cada uno de sus cuatro
vecinos ms prximos. Segn veremos en temas posteriores, esta disposicin tetradrica determina alguna de las propiedades ms caractersticas
de los semiconductores.
7.5.
Bandas de energa
El estudio riguroso de la evolucin de los niveles energticos individuales de dos sistemas cunticos nos dice que
Al acercar dos sistemas independientes idnticos
(con la misma energa) se rompe la degeneracin de
los dos estados correspondientes a estos sistemas y
aparecen dos niveles de energa diferente.
Apuntes de FFI
FLML
7.5. Bandas de energa
171
A partir de este principio bsico podemos analizar los cambios en los

niveles de energa del electrn en un sistema con dos tomos. Tal como
muestra la Fig. 7.4, en este caso, se observara que los niveles de energa
de los electrones ms internos (nivel E 1 ) apenas sufriran cambios mien-
distancia
interatmica
F IGURA 7.4: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema de 2 tomos
tras que los niveles de energa de los electrones de las capas ms externas
(nivel E 2 ) s que sufriran un desdoblamiento. Este hecho se debe a que los
electrones ms internos apenas seran afectados por la presencia del otro
tomo dado que su entorno de potencial apenas vara con respecto a la
situacin en la que se encontraban en cada tomo individual. Por el contrario, el entorno de potencial de los electrones externos en el sistema de
dos tomos es sustancialmente distinto al que haba en un nico tomo.
El fenmeno de desdoblamiento observado para dos tomos puede
claramente extenderse a un sistema de ms tomos (por ejemplo 5, tal como muestra la Fig. 7.5). En este caso encontraremos que por cada nivel
original de las capas del tomo individual aparecern ahora tantos niveles
como tomos haya en el sistema multiatmico. Igualmente observamos
cmo los niveles de las capas ms externas (nivel E 2 ) sufre un desdoblamiento ms amplio que el correspondiente a las capas ms internas (nivel E 1 ).
distancia
interatmica
F IGURA 7.5: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema monodimensional de N tomos
Si este modelo se sigue extendiendo hasta completar el nmero total
de tomos del slido (n 1028 m3 ), los niveles discretos de energas (correspondientes al despliegue de los niveles originales de los tomos indiFLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
172
Semiconductores
viduales) apareceran ahora tan cerca que daran lugar a una configuracin
cuasicontinua de niveles energticos. Debido a esta naturaleza cuasicontinua de la energa, se dice que la configuracin energtica del slido muestra bandas de energa (ver Fig. 7.6).
3s
2N
3s
6N
2p
2p
2N
2s
2s
2N
Banda 1s
1s
F IGURA 7.6: Aparicin de bandas de energa fruto de la prdida de degeneracin de los niveles energticos asociados a los electrones de un slido
Debido a que las propiedades fsicas de los slidos dependen bsicamente de la configuracin de las ltimas bandas de energa, stas sern las
de mayor inters para la conductividad elctrica. La denominacin usual
para estas ltimas bandas es la siguiente:
Banda de Valencia (BV): es la banda de energa ms alta conteniendo electrones.
Bandas Prohibidas (BP): corresponden a aquellos valores de energa

en los cuales no hay niveles permitidos.
Banda de Conduccin (BC): Si la BV est parcialmente llena, esta

banda se denomina banda de conduccin y si la BV est totalmente
llena (a T = 0 K) entonces la BC ser aquella banda inocupada inmediatamente superior a la BV.
Debe notarse que la anterior discusin sobre la formacin de bandas

se basa en un modelo simplificado monodimensional que no ha tenido en
cuenta las caractersticas tridimensionales del cristal. Cuando stas se tienen en cuenta, la formacin de bandas de energa puede presentar algunas
variaciones importantes respecto al modelo simple presentado anteriormente. En concreto cabe destacar el fenmeno de hibridacin de bandas,
que consiste en la existencia de bandas de energa formadas combinando
niveles de energa procedentes de diferentes niveles originales, como se
ver posteriormente para el caso del C, Si, y Ge.
Apuntes de FFI
FLML
7.6. Aislantes, Semiconductores y Conductores
7.6.
173
Aislantes, Semiconductores y Conductores
El modelo de bandas expuesto anteriormente podr explicar satisfactoriamente la existencia de conductores y semiconductores/aislantes. Debe notarse que para que los electrones respondan al campo elctrico externo (y por tanto contribuyan a la corriente elctrica), stos deben poder ganar energa y situarse en estados energticos superiores. En consecuencia, slo aquellos electrones que posean estados superiores prximos
disponibles vacos y permitidos respondern a la accin del campo elctrico externo. Siguiendo este mismo razonamiento podemos igualmente
concluir que aquellos electrones cuyas energas correspondan a las de una
banda completamente llena NO contribuirn a la corriente elctrica; es decir, su densidad de corriente es nula (para recordar el significado de esta
magnitud, ver Apartado 2.2 del tema de corriente continua) :
~
J banda llena = 0 .
(7.29)
Esto implica que los nicos electrones que podran participar en el proceso
de conduccin elctrica sern aqullos situados en las bandas superiores
(dado que las bandas inferiores estarn totalmente llenas).
Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos distinguiremos dos situaciones en funcin de la temperatura: T = 0 K y T > 0 K.
A T = 0 K, un slido que tenga la BV llena ser un aislante debido a
que los electrones en dicha BV no pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en dicha banda bajo la accin de un campo
elctrico externo. La existencia de la BP, en principio, impedira que
estos electrones pudieran desplazarse hacia la BC. Por el contrario, si
la BV est parcialmente llena, entonces los electrones pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en el interior de dicha banda y el slido se comportar como un conductor. Un aislante cuya
BP sea relativamente pequea se denominar semiconductor, aunque a T = 0 K, tanto el aislante como el semiconductor se comportan
como aislantes perfectos. Las situaciones descritas anteriormente se
muestran en la Fig. 7.7.
A T > 0 K es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos
electrones de la BV sean excitados trmicamente a la BC y, por tanto,
que haya algunos portadores disponibles para la corriente elctrica.
La probabilidad de salto de electrones de BV a BC ser directamente
proporcional a la temperatura e inversamente proporcional a la anchura energtica, E g , de la BP. En consecuencia, a mayor E g menor
concentracin de electrones en BC y menor valor de conductividad
elctrica. Esto explica el diferente valor a temperatura ambiente de
la conductividad elctrica, , dando as lugar a la diferenciacin entre aislantes y semiconductores. Por otra parte, dado que para estos
materiales, la concentracin de electrones en BC aumenta con T , la
conductividad crecer a medida que la temperatura crezca.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
174
T=0 K
Semiconductores
BC
BC
BV
BV
Aislante
Semiconductor
BV
(BC)
C onductor
F IGURA 7.7: Situacin de las bandas energticas ms externas para Aislante, Semiconductor y Conductor
En los conductores, la situacin energtica de los electrones ligados
en la BV parcialmente llena (o BC) es muy similar a la electrones libres. Esto explica que el comportamiento de la conductividad con la
temperatura para los conductores segn el modelo de bandas sea,
en este caso, T 1 .
En este punto es importante aclarar que la conduccin elctrica NO
involucra un salto de electrones entre bandas. Este salto est relacionado nicamenconte la excitacin trmica pero NO con la existencia de un campo elctrico externo. La presencia de dicho campo ser
obviamente la causante ltima del movimiento de los portadores de
carga y, por tanto, de la corriente elctrica.
3s
1N
2p
6N
2s
2N
2N
1s
tomo de Na
Slido de Na
2N
de 8N
Banda 3s3p
6N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin para Mg
Apuntes de FFI
Siguiendo los razonamientos anteriores, se podra ahora predecir el carcter elctrico de los slidos formados por distintos elementos. As para
un cristal formado por tomos de Na, cuyo nmero atmico es Z = 11 y de
configuracin 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 , es de esperar que su estructura de bandas sea
la mostrada en la figura adjunta. En principio, es de esperar que la banda
3s estuviese parcialmente llena y, por tanto, que esta banda constituyese
una Banda de Conduccin. En esta situacin, esperaramos que este solido fuese un conductor; suposicin que es plenamente confirmada por los
hechos experimentales.
Usando un razonamiento similar es de esperar igualmente que un slido cristalino de Mg (elemento de Z = 12 y configuracin electrnica
1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 ) sea un aislante al tener su ltima banda con electrones totalmente llena. No obstante, experimentalmente se encuentra que el Mg
es un buen conductor. Para explicar esta importante discrepancia hay que
considerar que el modelo de formacin de bandas que se ha seguido es un
modelo monodimensional y, tal como se seal anteriormente, este modelo slo nos proporciona las guas bsicas para explicar la formacin de
bandas en los slidos tridimensionales. Los detalles especficos de las bandas de muchos slidos slo pueden explicarse a partir de un modelo que
tuviese en cuenta el carcter tridimensional del slido. En este sentido, ha
de tenerse en cuenta que tanto el Na como el Mg presentan una hibridacin de las bandas 3s y 3p para formar una nica banda hbrida 3s3p que
FLML
7.7. Masa efectiva. Huecos
tendr en total 8N estados energticos y, en consecuencia, tanto para el Na

como para el Mg esta ltima banda con electrones est parcialmente llena
y ambos slidos sern conductores.
Una discusin anloga puede hacerse para el caso del carbono cristalizado (diamante). El carbono tiene una configuracin electrnica 1s 2 2s 2 2p 2 ,
de modo que siguiendo el modelo monodimensional debera ser un buen
conductor. No obstante, el hecho de que el diamante sea un aislante excelente puede explicarse de nuevo a partir de la formacin de una banda
hbrida 2s2p con 8N estados. Tal como se puede ver en la figura, tras la
formacin de esta nica banda hbrida ocurre una posterior separacin de
esta banda en dos bandas que podemos llamar banda 2s2p inferior y banda 2s2p superior, cada una de ellas con 4N estados energticos. Cuando
se forma el diamante los 6N electrones del slido se situarn de manera
que 2N van a la banda 1s y los restantes 4N a la banda 2s2p inferior, dando lugar a que la ltima banda con electrones est totalmente llena. Dado
que la separacin entre la BV y BC en el diamante es grande (E g 6 eV), el
diamante sera muy buen aislante de acuerdo con el modelo de bandas.
175
2N
de 4N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin aparente para C
2p
g
2s
1s
ro
S eparacin
interatm ica
Es importante notar que el Si y el Ge tienen la misma configuracin

electrnica en sus ltimas capas que el C, por lo que igualmente se producir el mismo tipo de hibridacin de bandas (banda 3s3p para Si y banda 4s4p para Ge) y, en consencuencia, los monocristales de Si y Ge sern
igualmente aislantes a T = 0 K. No obstante, la anchura de la banda prohibida entre BV y BC es menor en estos slidos que en el diamante, por lo
que de acuerdo con las discusiones al inicio de esta seccin, ambos slidos sern semiconductores a T > 0 K.
7.7.
Masa efectiva. Huecos
7.7.1.
Masa efectiva
Una de las consecuencias ms importantes de la existencia de bandas

en los slidos se manifiesta en la respuesta que presentan los electrones
~ . La distinta respuesta de los elecligados a un campo elctrico externo, E
trones en funcin de su situacin en las bandas de energa ser recogida
por la magnitud masa efectiva, m . En concreto, esta magnitud nos relacionar directamente la aceleracin, ~
a , del electrn con la fuerza externa
aplicada, esto es,
~ext
F
~
a= .
(7.30)
m
Es importante notar lo que la ley de Newton nos dice es que la suma vectorial de todas las fuerzas que actan sobre el electrn (externas ms internas) es igual a su masa real (m e ) por su vector aceleracin,
X
~int + F
~ext = m e ~
(todas las fuerzas) = F
a.
(7.31)
Esta expresin nos permite deducir que en aquellos casos en los que acten fuerzas internas no existir una relacin lineal trivial entre la aceleFLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
176
Semiconductores
racin y las fuerzas externas dado que ser precisamente la masa efectiva
(m ) la que recoger el efecto global de las fuerzas internas.
Para el caso monodimensional, un estudio riguroso sobre la definicin
de esta masa efectiva del electrn en una banda nos permitira concluir
que
1. m no presenta el mismo valor que m e .
2. m puede ser mayor que m e e incluso llegar a ser infinita.
3. m puede ser menor que m e e incluso ser negativa.
En particular usaremos el hecho de que la masa efectiva es
positiva en el borde inferior de la banda y
negativa en el borde superior.
La variacin de los valores y signo de la masa efectiva del electrn bajo
el efecto conjunto y opuesto del campo elctrico externo y del potencial
peridico de la red puede interpretarse como un balance entre la accin
de las fuerzas provenientes del campo externo (a favor del movimiento) y
las fuerzas internas de la red (opuestas al movimiento). Cuando m > 0, el
electrn gana energa globalmente dado que la accin del campo externo
es superior a la de las fuerzas internas. El punto en el que m indicara que el electrn no cambiara su velocidad (como si no respondiese a
~ ) ya que la accin del campo externo es perfectamente conla accin de E
trarrestada por la accin de las fuerzas internas de la red. La situacin en
la que m < 0 podra interpretarse como que en esa zona las fuerzas internas de la red superan a la accin del campo elctrico externo; es decir, el
electrn se acelerara en direccin opuesta a la fuerza externa.
7.7.2. Huecos
BC
BV
Apuntes de FFI
El hecho de que la masa efectiva de los electrones en el borde superior de la banda sea negativa tiene unos efectos trascendentales sobre el
fenmeno de conductividad elctrica en el slido. En este sentido estudiaremos la contribucin a la corriente elctrica de los electrones de una
banda cuasillena. Esta situacin se encuentra tpicamente para un semiconductor intrnseco en el que algunos electrones del borde superior de la
BV migran hacia la BC por excitacin trmica. Como ya hemos discutido,
los electrones que han migrado a la BC contribuirn a la corriente elctrica
del modo usual a como lo hacen los electrones libres en los metales. Para
tratar la contribucin a la corriente elctrica de los electrones que permanecen en la BV (que se denominar ~
J resto ), analizaremos en primer lugar
una situacin que involucra a todos los electrones de la BV menos a uno
en el borde superior de la banda. Tal como ya se seal en el apartado 7.6,
FLML
7.7. Masa efectiva. Huecos
177
debemos notar que la corriente elctrica de una banda totalmente llena es

nula:
~
J llena = 0 .
Esta corriente puede a su vez descomponerse en la corriente, ~
J i , producida por un nico electrn i situado en el borde superior de la BV ms
la producida por el resto de electrones de dicha banda, ~
J resto . Es claro que
esta ltima corriente describe la contribucin de los electrones de la banda
de valencia cuasillena, pudindose escribir como
~
J resto = ~
J llena ~
J i = ~
Ji ,
es decir, la corriente debida a todos los electrones de la BV menos el electrn i es equivalente a menos la corriente del electrn i situado en el borde
superior de la BV. Dado que
~
J i = e~
vi
y teniendo en cuenta que la velocidad promedio, ~
v i , puede escribirse en
funcin del tiempo de vuelo (i ) como
~
vi = ~
a i i ,
encontramos que
~
J resto = e~
a i i .
(7.32)
Para obtener una idea ms clara de la naturaleza de la corriente a la que

es equivalente ~
J resto debe analizarse el sentido del vector aceleracin ~
a i . La
aceleracin podr obtenerse a partir de la aplicacin de la ley de Newton
para el electrn ligado i , esto es,
~
ai =
~ext e E
~
F
=
.
m i
m i
Ahora bien, dado que el electrn i estaba en el borde superior de la BV, su

masa efectiva es negativa, m i = |m i | < 0, por lo que encontramos que
~
ai =
~
eE
.
|m i |
(7.33)
La expresin anterior nos indica que la aceleracin del electrn i del

borde superior de la BV es equivalente a la de una pseudopartcula, que
se llamar hueco, que tuviese carga positiva, e, y masa positiva |m i |. El
razonamiento anterior puede extenderse similarmente al caso de ms de
un electrn del borde superior de la BV. De acuerdo a esta consideracin y
a la expresin (7.32), se puede concluir que
la contribucin a la corriente de todos los electrones de la BV
menos un numero pequeo de ellos que migraron a BC es equivalente a la corriente del mismo nmero de huecos (pseudopartculas con carga y masa positiva)
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
178
Semiconductores
Bsicamente, lo que se ha conseguido con la anterior interpretacin es

encontrar una equivalencia entre la corriente de muchos electrones (obviamente con carga negativa) de una BV cuasillena con la corriente de unos
pocos huecos de carga positiva. No obstante, debemos tener en cuenta que
la corriente en el slido est sostenida fsicamente solo por electrones y
que los huecos se han introducido con el nico objetivo de simplificar el
anlisis. En este sentido, el tratamiento de la corriente debido a los huecos
en BV se har de una forma anloga al de los electrones en la BC.
Hemos encontrado entonces que la corriente en un semiconductor a
~ , est sostenida por
T > 0 K en respuesta a un campo elctrico externo, E
dos tipos de portadores:
electrones en la Banda de Conduccin, y
huecos en la Banda de Valencia.
En consecuencia, la densidad de corriente total, ~
J , puede expresarse como
la superposicin de la corriente debida a los electrones en BC, ~
J n , ms la
~
corriente debida a los huecos en BV, J p ,
~
J =~
Jn + ~
Jp .
(7.34)
La distribucin de estos dos tipos de portadores ser por tanto lo que determinar las propiedades elctricas de los semiconductores. Por este motivo, los temas siguientes dedicados al estudio de los semiconductores se
centrarn en analizar el comportamiento de los electrones en la BC y los
huecos en la BV.
7.7.3.
Generacin trmica
BC
BV
Generacin y recombinacin de electrones y huecos
Como ya se ha comentado anteriormente, la existencia de electrones

en BC y huecos en BV es la caracterstica fsica ms determinante de las
propiedades elctricas de los semiconductores. En concreto, la existencia
de estos electrones en BC y/o huecos en BV puede explicarse a partir de los
siguientes procesos:
Generacin/recombinacin trmica de pares e /h+ .
Debido a los aportes energticos de origen trmico (T > 0 K) existe
cierta probabilidad de que, fruto de la excitacin trmica, algunos
electrones de BV pasen a la BC a travs de la BP, generando as pares
de e /h+ .
Generacin ptica de pares e /h+ .
La posible interaccin luz semiconductor se producir cuando un
fotn de energa h > E g incida sobre el material. Un electrn de
BV puede absorber entonces la energa suficiente para pasar a BC
generando simultneamente un hueco en la BV.
Apuntes de FFI
FLML
7.8. Semiconductores Intrnsecos
179
Adicin de impurezas.
Si se aaden tomos de elementos que no estn en la columna IV
(usualmente llamados impurezas substitutorias), se produce un incremento de la concentracin de electrones en BC y/o huecos en BV.
La seleccin del tipo de impureza que se aade provocar un aumento considerable del nmero de e o bien de h+ . Es interesante notar
que este proceso de generacin, al contrario que los anteriores, no
genera pares de e /h+ sino que slo genera un tipo de portadores.
Cuando se aaden impurezas
no
se generan directamente pares de
/h+ sino
o h
Debemos observar que simultneamente a la generacin de e y h+ ocurre un fenmeno de recombinacin de pares e /h+ . Este proceso de recombinacin puede verse como un proceso inverso al de generacin de
pares e /h+ ; es decir, existe cierta probabilidad de que un electrn de la
BC pase a la BV, liberando as cierta energa en este trnsito en forma de
calor que absorbe la red o bien en forma de luz (fotones). Si los agentes
externos permanecen invariables en el tiempo, la actuacin conjunta de
la generacin y la recombinacin de electrones y huecos provoca que sus
concentraciones permanezcan constantes en un equilibrio dinmico.
Un estudio de las causas que intervienen en la generacin y recombinacin de pares e /h+ nos permitira concluir que la velocidad de generacin de pares e /h+ , G, depende de la temperatura de operacin y del
proceso concreto que origina dicha generacin, mientras que la velocidad
de recombinacin de estos pares, R, se encuentra que es proporcional a la
concentracin existente tanto de electrones en BC, n, como de huecos en
BV, p, es decir,
R = r np ,
(7.35)
Velocidad de recombinacin de pa-
res e
/h+
donde el factor r es una constante de proporcionalidad que depende del

material y del mecanismo particular de recombinacin.
7.8.
Semiconductores Intrnsecos
Cuando las propiedades elctricas de un semiconductor vienen determinadas exclusivamente por la estructura de bandas del cristal decimos
que este semiconductor es intrnseco (en la prctica, diremos que un semiconductor es intrnseco cuando la concentracin de impurezas sea tan
pequea que no afecte a sus propiedades elctricas). Una propiedad importante de estos semiconductores es que sus portadores de carga, pares
e /h+ , se generan nicamente por excitacin trmica a travs de la banda
prohibida.
En funcin de un modelo bidimensional de enlaces covalentes y de la
estructura de bandas, los semiconductores intrnsecos pueden describirse
de la siguiente manera:
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
180
Semiconductores
A T = 0 K.
Dado que la estructura reticular tpica de los semiconductores es la
estructura tipo diamante (ver Apartado 7.4), cada uno de los tomos
del cristal aparece rodeado de cuatro vecinos prximos de manera
que forma un doble enlace covalente con cada uno de ellos (cada
tomo proporciona cuatro electrones) para obtener la configuracin
del octete. Esta configuracin no deja ningn electrn fuera de los
enlaces covalentes, por lo que el material se comporta como un aislante.
BC
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la anterior configuracin se traduce en la presencia de una Banda de Valencia completamente llena (relacionada con los electrones en los citados enlaces
covalentes) y una Banda de Conduccin completamente vaca separadas por una banda prohibida de anchura E g .
BV
A T > 0 K.
Debido a la agitacin trmica, existe cierta probabilidad de que alguno de los enlaces covalentes del cristal pueda romperse dando
lugar a un electrn que no est localizado en las inmediaciones de
un tomo particular (est deslocalizado y extendido por la red por lo
puede funcionar como un portador de carga para conducir una corriente a travs del cristal). A su vez, queda un enlace roto que puede
ser ocupado por alguno de los electrones adyacentes provocando de
esta manera otro posible movimiento adicional de cargas que puede
identificarse con la aparicin de un hueco.7
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la aparicin del par

e /h+ es simplemente fruto de la posible transicin trmica de un
electrn de BV a BC.
BC
7 Tal como muestra la figura adjunta, la aparicin de un par e /h+ en la red podra
BV
tambin considerarse teniendo en cuenta que, en dicha red, un tomo con un enlace roto
puede verse como un tomo normal ms un par e /h+ . Para visualizar esto, consideremos que cada tomo de la red contribuye a los enlaces con cuatro de sus electrones y, en
este sentido, caractericemos cada tomo por sus cuatro electrones de valencia junto con
sus correspondientes cuatro protones que den cuenta de la neutralidad de la carga en el
tomo. En este sentido, un tomo normal ms un par e /h+ , tras la posible recombinacin de uno de los electrones ligados al tomo con el hueco, sera equivalente al tomo con
uno de sus enlaces rotos.
4
-
tomo normal +
+
par e / h
Apuntes de FFI
e y h que
se recombinan
tomo con un
enlace roto
FLML
7.9. Semiconductores Extrnsecos
181
Dado que los electrones y huecos son generados trmicamente por parejas, la concentracin de electrones en BC debe ser igual a la concentracin de huecos en BV:
n = p ni .
(7.36)
Por otra parte, dado que en equilibrio la concentracin de electrones y/o
huecos permanece constante, esto implica que la generacin trmica de
pares e /h+ es compensada por continuas transiciones (directas o indirectas) de electrones de BC a BV, es decir, por una continua recombinacin. El
equilibrio requiere, por tanto, que en el semiconductor intrnseco la velocidad de generacin trmica, G i , de pares e /h+ sea igual a la velocidad de
recombinacin, R i , de estos pares y por tanto tendremos que
Ri = G i .
Concentracin de e
y h
es la
misma en un semiconductor
intrnseco
(7.37)

Adems de los portadores intrnsecos generados trmicamente, es posible crear nuevos portadores en los semiconductores mediante la adicin
de impurezas en el cristal. Este proceso, llamado dopaje, es una tcnica
muy comn para variar la conductividad de los semiconductores. Si el nmero de tomos de impurezas que se aaden es una fraccin pequea del
nmero total de tomos originarios en el cristal, entonces puede suponerse que la accin de la adicin de estas impurezas ser la de sustituir a algunos tomos originales pero SIN cambiar la estructura reticular del cristal, es
decir, sin modificar apreciablemente la estructura de bandas del semiconductor. Segn el tipo de impurezas que se aadan al cristal, se distinguirn
dos tipos de semiconductores extrnsecos.
7.9.1. Semiconductor tipo n

Si las impurezas que se aaden al cristal semiconductor pertenecen
a elementos de la columna V (N, P, As, Sb), entonces, segn la visin bidimensional de enlaces del cristal, algunas posiciones ocupadas por tomos originales aparecern ahora ocupadas por los ND tomos de impurezas aadidas, que debido a sus cinco electrones de valencia posibilitarn
el que uno de esos electrones no est ubicado en alguno de los enlaces
covalentes. Dado que este electrn est ligado al tomo de impureza por
fuerzas electrostticas dbiles (con energas de ligadura del orden de centsimas de eV), dicho tomo puede fcilmente ionizarse y el e liberado
podr contribuir a la corriente elctrica en el cristal. A las impurezas del
grupo V se las llamar impurezas donadoras.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, y tal como muestra la
Fig. 7.8, la situacin anterior se traduce en la aparicin en la BP de un nuevo nivel de energa, E D , (con 2ND estados posibles) correspondiente a los
electrones deslocalizados de los tomos de impurezas donadoras. Este nivel de energa aparecer cercano al borde inferior de la BC y as, por exciFLML
Si ;
T=0 K
T>0K
+
P=>P + e
Apuntes de FFI
Tema 7.
182
Semiconductores
portadores
mayoritarios
portadores
minoritarios
F IGURA 7.8: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas donadoras. A bajas temperaturas, el nmero de transiciones de
electrones ala BC se debe principalmente a la presencia de los tomos
donadores (ocurren pocas transiciones de origen trmico). Ntese que
E g = EC E V 1 eV mientras que EC E D 0, 01 eV.
tacin trmica, existir una alta probabilidad de que los electrones de este
estado pasen a la BC y, por tanto, incrementen la concentracin de electrones en dicha banda. Debe notarse que el aumento de electrones en esta
banda no va acompaado de un incremento anlogo de huecos en BV dado que la correspondiente carga positiva corresponde al ion de la impureza
donadora permanecer fijo en el cristal.
Si
Al
7.9.2. Semiconductor tipo p

De manera similar a lo que sucede para el semiconductor tipo n, la adicin de tomos de elementos correspondientes a la columna III (Ga, In, B,
Al) con slo tres electrones de valencia provoca que al sustituir a alguno
de los tomos originales del cristal semiconductor, uno de los enlaces covalentes quede incompleto. Este enlace incompleto puede ser fcilmente
completado por uno de los electrones de los enlaces adyacentes provocando de este modo que el enlace incompleto pueda vagar por el cristal
y contribuya a la corriente elctrica como un hueco.
T=0K
Tal como muestra la Fig. 7.9, la adicin de un tomo de Al a la red del

Si podra visualizarse como una red tpica de Si ms una carga negativa
fija en la posicin del tomo de Al y una carga positiva (hueco) dbilmente
ligada a la carga negativa. Una dbil excitacin trmica puede liberar a
esta carga positiva creando as un portador mvil de carga.
T>0K
Al=>Al + h
-
3
-
tomo Si +
+
carga neg. fija + h
e y h que
se recombinan
tomo Al
F IGURA 7.9:
Apuntes de FFI
FLML
183
Dado que los tomos de impurezas (en nmero igual a N A ) pueden

aceptar electrones de tomos adyacentes, stas se denominan impurezas
aceptoras.
La situacin que el modelo de bandas (ver Fig. 7.10) predice para el
presente caso consiste en la aparicin de un nuevo nivel de energa, E A en
la BP (con 2N A estados electrnicos posibles) correspondiente a los electrones que pueden ser aceptados por las impurezas. Este nivel de energa
estar situado cerca del borde superior de la BV, indicando que este nivel
ser fcilmente alcanzado por los electrones del borde superior de la BV
p>>n
-
portadores
minoritarios
portadores
mayoritarios
h
T=0K
T > 0 K (~50 K)
F IGURA 7.10: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas aceptoras. Ntese que E g = EC E V 1 eV mientras que E A E V
0, 01 eV.
dejando de este modo un nmero igual de huecos en la BV.
7.9.3. Ley de accin masas

Un resultado muy interesante que se obtiene de la observacin experimental (aunque tambin puede derivarse tericamente) nos dice que al
realizar el producto de los valores de la concentracin de electrones en BC
por la concentracin de huecos en BV tenemos que
np = Cte(T ) ,
(7.38)
esto es, el producto np slo depende de la temperatura y de ciertos parmetros del semiconductor (masas efectivas de electrones/huecos y anchura de la BP). El resultado (7.38) nos dice entonces que a una temperatura
fija, en un mismo semiconductor, el producto de la concentracin de e en
BC por la de h+ en BV permanece constante independientemente del tipo
y grado de dopaje del material. En el caso particular de que no hay adicin
de impureza tendremos que n n i y p n i , lo que nos permite identificar
la Cte en la expresin (7.38) como Cte = n i2 y escribir la ley de accin de
msas como
np = n i2 .
(7.39)
Ley de accin de masas
Esta ley conocida como ley de accin de masas muestra que el producto
de la concentracin de electrones en BC por huecos en BV para cualquier
semiconductor es siempre igual al cuadrado de la concentracin intrnseca
de electrones y/o huecos.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
184
Semiconductores
7.9.4. Compensacin y Neutralidad de la carga espacial

Segn se ha discutido en el Apartado 7.8, en un semiconductor aparecen dos tipos distintos de cargas en funcin de su estado de movimiento, a
saber,
Portadores mviles de carga: las cargas mviles compuestas por los
electrones de BC, n, y los huecos de BV, p.
Cargas fijas: provenientes de la ionizacin de las impurezas sustitutorias tanto donadoras, ND + , como aceptoras, N A .
Dado que ni la generacin de pares e /h+ ni la adicin de impurezas provoca la aparicin de carga neta y supuesto que el semiconductor era originalmente neutro, de acuerdo al principio de conservacin de la carga,
debemos tener que
Nmero de cargas positivas = Nmero de cargas negativas.
En otras palabras, la concentracin de e en BC ms la concentracin de
impurezas aceptoras ionizadas negativamente debe ser igual a la concentracin de h+ en BV ms la concentracin de impurezas donadoras ionizadas positivamente, es decir,
Ecuacin de neutralidad
n + N A = p + ND + .
de la carga
(7.40)
Si la temperatura de operacin es tal que las impurezas se han ionizado

completamente (lo cual puede considerarse que ocurre aproximadamente
a temperatura ambiente), esto es, si N A N A y ND + ND , entonces la
ecuacin de neutralidad de la carga espacial en el semiconductor puede
escribirse como
n + N A = p + ND .
(7.41)
Esta ley junto con la ley de accin de masas (7.39) nos permitir calcular las concentraciones de e y h+ en funcin de las concentraciones de
impurezas donadoras/aceptoras y la concentracin intrnseca. Para ello,
partiendo de p = n i2 /n y sustituyndolo en (7.41), obtenemos que
n + NA =
n i2
n
+ ND
n 2 (ND N A )n n i2 = 0 .
Al despejar en la ecuacin anterior encontramos finalmente que
Apuntes de FFI
ND N A
+
2
n i2
n
ND N A
2
+ n i2
(7.42)
(7.43)
FLML
7.9.5.
185
Clculo aproximado de n y p
Las expresiones anteriores se pueden simplificar en las siguientes condiciones:

Semiconductor tipo n
Si se cumple estrictamente que N A = 0, la ecuacin de neutralidad
de la carga dice que
n = p + ND .
Si la generacin de electrones por excitacin trmica (recurdese que
se excitan pares e /h+ ) puede despreciarse frente a la generacin de
electrones debido a la ionizacin de las impurezas donadoras, es decir, si
ND n i ,
entonces el trmino n i2 puede despreciarse en la raz de (7.42), dando
lugar a que
n ND
p
n i2
ND
(7.44)
.
(7.45)
Semiconductor tipo p
Si en este caso ND = 0, la ecuacin de neutralidad de la carga queda
como
n + NA = p .
Suponiendo de nuevo que la generacin de huecos por excitacin
trmica puede despreciarse frente a la generacin de huecos debido
a la ionizacin de las impurezas aceptoras, esto es, cuando
N A ni ,
entonces se cumplir que N A n y por tanto
p NA
n
n i2
NA
(7.46)
.
(7.47)
E JEMPLO 7.5 Calcular la concentracin de electrones y huecos en una muestra de

Si dopada con 1019 tomos de Al.
Dado que el Al es una impureza aceptora, tenemos que
N A = 1019 m3
ND = 0 .
Por otra parte, segn el dato para n i en el Apndice D, tenemos que

N A ni ,
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
186
Semiconductores
por lo que podemos usar las aproximaciones (7.46) y (7.47) para obtener finalmente que
p 1019 m3
n
(1,42 1015 )2
2 1011 m3 .
1019
7.10. Corrientes de Arrastre y Difusin

Hasta ahora, la nica corriente que se ha estudiado es la relacionada
con el movimiento de cargas provocado por la presencia de un campo
elctrico externo E .8 Esta corriente se denomin corriente de arrastre y,
teniendo en cuenta la expresin (2.14), su forma para electrones y huecos
ser
E
Movimiento
corriente
J p,arr
qp pE
(7.48a)
J n,arr
qn nE ,
(7.48b)
siendo q la carga elemental de los portadores de carga en el proceso, que

en nuestro caso corresponde a la carga del electron q q e = 1,60218
1019 C, y donde p y n son las movilidades para electrones y huecos respectivamente. Ntese que la corriente de huecos y electrones tiene el mismo sentido que el campo aplicado, pero solo el movimiento de los huecos
tiene el mismo sentido que el campo aplicado. Teniendo en cuenta la expresin (2.18), la conductividad para un semiconductor ser
= p + n
= q pp + qnn .
(7.49)
En este apartado se ver que adems de este tipo de corriente existe otro tipo, denominado corriente de difusin, que aparece siempre que
exista una distribucin no uniforme de portadores de carga.
7.10.1. Proceso de difusin

Algunos ejemplos comunes en los que encontramos procesos de difusin son:
Proceso por el que las partculas de un gas inicialmente situado en
cierta regin de un recinto se expande por todo el recinto.
Proceso por el que una gota de tinta en un lquido va diluyndose
hasta que todo el lquido se colorea.
8 Por simplicidad, en este apartado consideraremos que el movimiento de las cargas es
modonodimensional (a lo largo del eje x), y por ello prescindiremos del caracter vectorial
de las magnitudes que sean vectores. Igualmente, el mdulo de dichas magnitudes se denotar como el valor de esta magnitud sin flecha. Por el ejemplo, el campo elctrico ser
simplemente E .
Apuntes de FFI
FLML
187
Proceso por el que el perfume que inicialmente estaba en un rincn

de una habitacin cerrada se va extendiendo hasta que toda la habitacin queda perfumada.
El origen de los procesos de difusin anteriores hay que buscarlo en
el movimiento errtico de agitacin trmica que muestran las partculas.
Este movimiento junto con los consiguientes choques con otras partculas
y con las paredes del recinto hace que las partculas traten de extenderse
por todo el recinto que las contiene. Tras cada choque, las partculas tienen
igual probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que da lugar a
que exista una transferencia neta o flujo de partculas desde las zonas ms
pobladas a las menos pobladas. Este proceso de difusin dura hasta que se
homogeniza la concentracin, , de partculas en el recinto (la permanente
agitacin trmica ya no provocara una transferencia neta de partculas).
Por consiguiente, podemos decir que
La causa del proceso de difusin es la existencia de concentraciones no uniformes de partculas, = (x).
Dado que una concentracin inhomognea implica que
d (x)
6= 0 ,
dx
podemos decir que el proceso de difusin ocurre mientras exista un gradiente de concentracin (en una dimensin, el gradiente de una funcin
f (x) es precisamente su derivada respecto a x). En este sentido podemos
establecer que el flujo de partculas (nmero de partculas por unidad de
rea) por unidad de tiempo en la posicin x, (x), ser proporcional al gradiente de la concentracin,
(x)
d (x)
,
dx
lo que nos permite escribir que

(x) = D
d (x)
,
dx
(7.50)
donde D es el coeficiente de difusin caracterstico de cada tipo de proceso.

El signo menos en la expresin anterior indica que el movimiento de las
partculas se producir desde donde hay ms concentracin hasta donde
hay menos, es decir, en el sentido decreciente de la concentracin.
7.10.2.
Corriente de difusin
En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga (esto

es, gases de electrones y de huecos) tambin pueden darse procesos de
difusin si la concentracin de portadores no es homognea. No obstante,
dado que los portadores son partculas cargadas, existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas en el proceso anterior (que
slo implicaban a partculas elctricamente neutras).
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
188
Semiconductores
En primer lugar un flujo de partculas cargadas originar obviamente una corriente elctrica, que se conoce como corriente de difusin. Por
otra parte, si el origen de las inhomogeneidades de portadores libres proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, debemos tener en
cuenta que stas se ionizan y permanecen bsicamente inmviles mientras que los electrones o huecos asociados a stas son prcticamente libres. En este caso, los procesos de difusin de portadores libres darn lugar a una descompensacin espacial de la carga elctrica que provocar la
~i , que tiende a oponerse al proaparicin de un campo elctrico interno, E
pio proceso de difusin (es decir, el proceso de difusin acaba antes de que
se haya homogenizado la concentracin de carga).
Si las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor son
no uniformes, los flujos de difusin vendrn entonces dados por
dp(x)
dx
dn(x)
n (x) = D n
,
dx
p (x) = D p
p(x)
Movimiento
n(x)
corriente
(7.51a)
(7.51b)
siendo D n y D p los coeficientes de difusin para e y h+ respectivamente.

La densidad de corriente de difusin para electrones y huecos se obtendr
simplemente multiplicando la carga por el flujo de difusin de partculas
por unidad de tiempo, por lo que
dp(x)
dp(x)
J p,dif (x) = (+q) D p
= qD p
(7.52a)
dx
dx
dn(x)
dn(x)
= qD n
J n,dif (x) = (q) D n
.
(7.52b)
dx
dx
Electrones y huecos se mueven en el mismo sentido si sus respectivas concentraciones varan del mismo modo. En este caso, sus corrientes de difusin resultan en sentidos opuestos.
7.10.3. Corriente total

Si adems del proceso de difusin, el semiconductor est sometido a
un campo elctrico externo, E (x), entonces la densidad de corriente de
electrones, J n (x), y la de huecos, J p (x), debern incluir trminos correspondientes a los dos procesos simultneos de movimiento de cargas que
ocurren en el semiconductor, a saber, arrastre y difusin:
dp(x)
dx
dn(x)
J n (x) = J n,arr (x) + J n,dif (x) = qn n(x)E (x) + qD n
.
dx
J p (x) = J p,arr (x) + J p,dif (x) = qp p(x)E (x) qD p
(7.53)
(7.54)
Es importante notar que existe una relacin entre los coeficientes de difusin y movilidad, que se conoce como relacin de Einstein, que establece
la siguiente relacin:
D n,p kT
=
,
(7.55)
n,p
q
Apuntes de FFI
FLML
189
donde k es una constante que se conoce con el nombre de constante de

Boltzmann y cuyo valor es k = 1,381 1023 J/K = 8,620 105 eV/K.
La densidad de corriente total en el semiconductor, J total (x), ser obviamente la suma de las correspondientes a electrones y huecos, esto es,
J total (x) = J n (x) + J p (x) ,
(7.56)
cuyos sentidos se muestran en la Fig. 7.11.
MOVIMIENTO
CORRIENTE
ARRASTRE
DIFUSIN
F IGURA 7.11: Sentido de las corrientes de difusin y de arrastre para electrones y huecos.
Es importante sealar que la corriente de arrastre es proporcional a la
concentracin de portadores, por lo que los portadores minoritarios apenas contribuiran a esta corriente de arrastre. Por otra parte, dado que la
corriente de difusin es proporcional al gradiente de la concentracin, entonces aunque la concentracin de minoritarios pudiera ser rdenes de
magnitud ms pequea que la de mayoritarios, su gradiente s puede ser
del mismo orden o incluso mayor y, en consecuencia, contribuir muy significativamente a la corriente de difusin y, por ende, a la corriente total.
Este importante resultado puede resumirse como
los portadores minoritarios pueden contribuir significativamente a la corriente total mediante procesos de difusin.
7.10.4.
Campo elctrico interno
En un semiconductor con un dopaje no uniforme de impurezas (esto

es, con una concentracin inhomognea de portadores), en ausencia de
campo externo aplicado y en condiciones de equilibrio, la corriente total,
tanto de electrones como de huecos, debe ser cero:9
J n (x) J p (x) = 0 .
9 Ntese que si la corriente fuese distinta de cero se estara generando energa de la nada
dado que al paso de la corriente hay resistencia.

FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
190
Semicond
Inhomog
I=0
Semiconductores
Por ejemplo si consideramos el caso de un semiconductor tipo p dopado inhomogneamente, p = p(x) (en la figura se representan los portadores de carga mviles), es claro que inicialmente existir una corriente de
difusin de huecos debido a la existencia de un gradiente no nulo en la
concentracin de huecos, J p,dif 6= 0. Dado que en el equilibrio la corriente
total de huecos es nula, esta corriente de difusin de huecos debe verse
compensada por una corriente de arrastre de huecos en sentido contrario.
Claramente, esta corriente de arrastre debe estar originada por la aparicin de un campo elctrico interno, E i , que sea responsable de la creacin
de dicha corriente.
Tal como se ha discutido en al Apartado 7.10.2, el origen de este campo
elctrico interno puede entenderse partiendo del hecho de que la muestra
era originalmente neutra. Podemos ver que existen dos tendencias contrapuestas en el semiconductor dopado no uniformemente. Por una parte
existe una tendencia hacia la inhomogeneidad de los portadores libres debido a la atraccin elctrica de las impurezas ionizadas que, buscando la
neutralidad local de la carga, tiende a igualar la distribucin de impurezas
ionizadas con la de portadores libres. Por otra parte, a causa de la difusin
(que solo afecta a las cargas mviles), existe una tendencia a la homogenizacin de la concentracin de portadores. Ambas tendencias tienden a
contrarrestarse, dando lugar a una distribucin final de portadores intermedia entre la distribucin inicial de impurezas y la homogenizacin total.
En este sentido, el proceso de difusin genera un movimiento neto de los
portadores de carga que provoca la aparicin de una densidad de carga
neta, (x), en la muestra. A su vez, la aparicin de esta densidad de carga
neta dar lugar a un campo electrosttico (que se opone a la difusin) y,
consecuentemente, a un potencial electrosttico, V (x).
A
Jp=Jp,dif +Jp,arr
Jp,dif
Ei
Teniendo en cuenta que
dp(x)
J p (x) = q p p(x)E i (x) D p
=0,
dx
podemos obtener, tras despejar, la siguiente expresin para el campo elctrico interno:
Ei =
Dp
1 dp(x) kT 1 dp(x) kT d
=
=
lnp(x) ,
p p(x) dx
q p(x) dx
q dx
(7.57)
donde se ha hecho uso de (7.55).

Dado que el campo E i es electrosttico (proviene nicamente de las
cargas elctricas), de acuerdo a (1.33), podemos escribir que
V12 =
E i dx
Z 2
Z
kT 2
kT d
=
lnp(x) dx =
d lnp(x) ,
dx
q 1
1 q
Jp,dif(x)
Jp,arr
Ei(x)
V1
Apuntes de FFI
V2
(7.58)
por lo que encontramos finalmente que

FLML
V21 =
kT
p2
ln
,
q
p1
191
Potencial debido a una
(7.59)
concentracin de portadores
no uniforme
donde V21 = V2 V1 y p 1 , p 2 son las concentraciones de huecos en los puntos 1 y 2 respectivamente. Es interesante notar que la expresin anterior
nos dice que
la diferencia de potencial que se establece entre dos
puntos de una muestra de semiconductor no homogneo slo depende de la relacin entre las concentraciones en estos puntos y no de la distancia entre los puntos
o de la forma de la concentracin entre estos puntos.
A partir de (7.59), encontramos la siguiente relacin entre las concentraciones en funcin de la diferencia de potencial:
p2
= eqV21 /kT .
p1
(7.60)
Si el proceso anterior se hubiese hecho para la corriente de electrones,10 procediendo de una forma anloga se hubiese llegado igualmente a
que
n2
(7.61)
= eqV21 /kT .
n1
Combinando ahora las expresiones (7.60) con (7.61) obtenemos que
p 2 n1
=
p 1 n2
n1 p 1 = n2 p 2 .
Dado que los puntos 1 y 2 son puntos arbitrarios y el producto de la concentracin de huecos por electrones viene fijado por la ley de accin de
masas (7.39), encontramos la siguiente expresin general de la ley de accin de masas:
n(x)p(x) = n i2 .
(7.62)
Ley
de
accin
de
masas
para
un semiconductor inhomogneo en
equilibrio
E JEMPLO 7.6 Una muestra de Si es dopada con tomos donadores de tal manera
que Nd (x) = N0 exp(ax). (a) Encuentre una expresin para el campo interno
supuesto que Nd ni . (b) Calcule el valor del campo si a = 1 (m)1 .
(a) Partiendo de que J n (x) = 0 y siguiendo un proceso anlogo al realizado en

la seccin anterior, llegamos a que
Ei =
kT d
ln n(x) ,
q dx
10 Notar que si p = p(x), esto implica que n = n(x), dado que donde hay mayor concentra-
cin de huecos habr mayor recombinacin y, por tanto, esto afectar a la concentracin
de electrones.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
192
Semiconductores
que en nuestro caso, admitiendo que n(x) ' Nd (x), se convierte en

Ei =
kT
a.
q
(b) Sustituyendo los valores oportunos tenemos que

E i = 0,0259 106 = 259 V/m .

7.1: La longitud de onda, max , para la cual la radiancia espectral de un cuerpo negro es
mxima viene dada por la ley de Wien, que establece
max T = 2,898 103 mK ,
donde T es la temperatura absoluta del cuerpo negro. Sabiendo que la temperatura de la
superficie del Sol es aproximadamente 5800 K, (a) calcular la longitud de onda de la radiacin ms intensa emitida por el Sol. (b) A qu parte del espectro pertenece esta radiacin?
Sol. max 500 nm (espectro visible).
7.2: Si el ojo humano empieza a detectar luz amarilla de longitud de onda 5890 a partir
de una potencia de 3,1 1016 W, Cul es el nmero mnimo de fotones que deben incidir
en el ojo para la luz amarilla se vea?.
Sol. 923 fotones.
Efecto fotoelctrico
7.3: Una superficie de potasio se encuentra a 75 cm de distancia de una bombilla de 100
W. Suponiendo que el rendimiento luminoso de la bombilla es del 5 % y que cada tomo
de potasio presenta una superficie efectiva equivalente a un crculo de 1 de dimetro,
calcule el tiempo requerido por cada tomo para absorber una energa igual a la de su
funcin trabajo (e = 2,0 eV), de acuerdo con la interpretacin ondulatoria de la luz.
Sol. t = 57,6 s
7.4: Una radiacin de 2,5 1015 Hz incide sobre una superficie metlica cuya frecuencia
umbral es de 91014 Hz. Calcular la velocidad de los fotoelectrones emitidos. Qu ocurrira
si la radiacin incidente fuese de 8,5 1014 Hz?.
Sol. v = 1,52 106 m/s.
7.5: (a) Calcular la longitud de onda mxima de la luz que har funcionar una clula fotoelctrica dotada de un ctodo de tungsteno sabiendo que los fotoelectrones poseen una
energa cintica de 5,5 eV cuando son arrancados por una luz de = 1200 . (b) Si esta radiacin de = 1200 e intensidad I = 2,5 W/m2 incide sobre la clula fotoelctrica de
30 mm2 de superficie, siendo el rendimiento cuntico del 20 %, cul sera la intensidad, i ,
de la corriente elctrica producida?.
Sol. (a) max = 2570 ; (b) i = 1,45 A.
7.6: Para una radiacin de 1500 que incide sobre una superficie de aluminio que tiene
una funcin trabajo de 4.2 eV, calcule (a) La energa cintica mxima de los fotoelectrones
emitidos y (b) la frecuencia de corte del aluminio.
Sol. (a) 4.09 eV; (b) 1,01 1015 Hz.
7.7: Se emite un haz de fotones mediante una transicin electrnica entre los niveles E 2 =
8 eV y E 1 = 2 eV. Este haz luminoso de potencia P = 10 W incide sobre un metal cuyo trabajo de extraccin es e = 2,5 eV, originando la emisin de electrones por efecto fotoelctrico
con rendimiento = 0,8 (nmero de electrones emitidos/nmero de fotones incidentes).
Apuntes de FFI
FLML
193
Calcular: (a) la energa, frecuencia y cantidad de movimiento de los fotones; (b) la energa
cintica de los fotoelectrones; y (c) el nmero de ellos que son emitidos por segundo.
Sol. (a) = 1,45 1015 Hz; (b) p = 3,2 1027 kgm/s; (c) E c = 3,5 eV; N = 8 1012 .
Cuantizacin de la energa
7.8: En una transicin a un estado de energa de excitacin de 10,19 eV, un tomo de hidrgeno emite un fotn cuya longitud de onda es de 4890 . Determinar la energa del estado
inicial del que proviene la desexcitacin y los nmeros cunticos de los niveles energticos
inicial y final. A qu transicin corresponde?.
Sol. 4 2.
7.9: Cul es el mayor estado que pueden alcanzar tomos no excitados de hidrgeno
cuando son bombardeados con electrones de 13.2 eV?
Sol. n = 5.
7.10: Calcular la energa, el momento lineal y la longitud de onda del fotn que es emitido
cuando un tomo de hidrgeno sufre una transicin desde el estado 3 al estado fundamental.
Sol.: E = 12,07 eV, p = 6,44 1027 kgm/s, = 1030 .
7.11: Para transiciones en tomos de hidrgeno correspondientes a n = 1, demuestre
que para valores muy grandes de n, la energa de la transicin viene dada por
E = 2 (m e c 2 /n 3 ) ,
siendo una constante adimensional cuyo valor numrico es 1/137.
tomo multielectrnico
7.12: La configuracin electrnica del azufre, Z = 16, es 1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 4 . Escribir un conjunto completo de nmeros cunticos para los cuatro electrones en el subnivel 3p.
Sol.: (3,1,-1,-1/2), (3,1,-1,1/2), (3,1,0,-1/2), (3,1,0,1/2).
7.13: Escribir la configuracin electrnica del aluminio (Al, Z = 13), calcio (Ca, Z = 20) y
bromo (Br, Z = 35).
7.14: Clasificar las siguientes configuraciones electrnicas como correspondientes a tomos en estado fundamental, a tomos en estado excitado o en incorrecta. De qu elemento se trata en cada caso? 1) 1s 2 2s, 2) 1s 2 2s 2 2d , 3) 1s 2 2s 2 2p 2 , 4) 1s 2 2s 2 2p 4 3s, 5) 1s 2 2s 4 2p 2 ,
6) 1s 2 2s 2 2p 6 3d
7.15: Escribir los numeros cunticos que caracterizan a los electrones desapareados del
potasio (K) y del cloro (Cl).
Sol. (4, 0, 0, 1/2), (3,1,1,1/2).
7.16: (a) Cul es la configuracin electrnica del litio (Li, Z = 3)?. (b) Suponiendo que el
Li es equivalente a un tomo de hidrgeno, calcular la energa de ionizacin del electrn de
valencia 2s. (c) La energa de ionizacin determinada experimentalmente para el Li es de
5.39 eV, cul es la carga efectiva positiva que ve el electrn?. (d) Repetir el clculo anterior
pata el potasio (K) que posee un electrn de valencia en el subnivel 4s, siendo su energa
de ionizacin 4.34 eV.
Sol. (a): 1s2 2s. (b): 30,6 eV. (c) 1,25 e. (d) 2,26 e.
Semiconductores
7.17: Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV. Calcular
la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para poder producir
conductividad en estos semiconductores.
Sol. Si = 2,66 1014 Hz. Ge = 1,69 1014 Hz.
7.18: Cuando un fotn de energa E E g penetra en un semiconductor produce pares
electrn/hueco (e/h), esto es, se excitan electrones desde el borde de la BV hasta el fondo
FLML
Apuntes de FFI
Tema 7.
194
Semiconductores
de la BC. Un cristal de Ge (E g = 0,67 eV) se usa como detector de rayos (fotones de alta
energa). Determinar: a) cul es el nmero mximo, N , de pares e/h que puede producir
una radiacin de 1.5 MeV?; b) si la resolucin del detector es de 4 103 pares e/h, cul
es la resolucin de la energa ptima del detector?
Sol. (a) N = 2,238 106 , (b) E = 2,68 103 eV.
7.19: La luz visible del espectro est compuesta por fotones con longitudes de onda comprendidas entre 4000 y 7000 (equivalente a energas entre 1.8 y 3.1 eV). Para el diamante el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es transparente. Asimismo,
explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al infrarrojo (IR) de frecuencia
comprendida entre 1012 y 1014 Hz y no lo es a la radiacin visible.
7.20: El GaAs es un semiconductor con una banda prohibida (BP), E g = 1,43 eV. Dentro de
esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a la BV estos
niveles estn a 0.05 eV para el Al y 1.38 para el P. Cul de estas impurezas acta como
donadora y cul como aceptora?. Razone la respuesta.
7.21: En el tema se ha visto que la introduccin de tomos donadores puede incrementar
fuertemente la concentracin de electrones en BC. Por otra parte, la ley de accin de masas
nos dice que este incremento implica una disminucin igualmente fuerte en la concentracin de huecos en BV. Explique las razones fsicas de esta importante disminucin de
huecos.
7.22: Cunto tiempo tardar un electrn en recorrer 1 m en Si puro sometido a un campo elctrico de 100 V/cm?. Repita el clculo para un campo de 105 V/cm.
7.23: Se utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de silicio tipo N de 2 mm de longitud y de 2,5 105 m2 de seccin. Sabiendo que la concentracin de tomos donadores es ND = 5 1013 cm3 y que la movilidad de electrones es
n = 1500 cm2 /Vs, determinar su resistencia a 300 K demostrando que la contribucin de
huecos es despreciable a la conductividad. Datos: p = 475 cm2 /(Vs); n i = 1,45 1016 m3
Sol. R 66 .
7.24: A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica una d.d.p. de
10 V entre sus extremos. Conociendo como datos la concentracin intrnseca de portadores, n i = 2,36 1019 m3 , que n (300K) = 0,39 m2 /(Vs) y que p (300K) = 0,182 m2 /(Vs),
determinar : a) la resistividad del Ge; b) la resistencia de la barra; c) la velocidad de arrastre
de electrones y huecos; y d) la corriente que circula por la barra.
Sol. (a) = 0,462 m; (b) R = 231,2 ; (c) v n = 39 m/s, v p = 18 m/s.
7.25: (*) Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada por ND = 1015 cm3 . Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin
Eg
n i = C T 3/2 exp
,
2kT
siendo C = 1,91 1021 m3 K3/2 , E g = 0,67 eV.

Sol. p = 8,34 1021 m3 , n = 9,34 1021 m3
7.26: Una muestra de Si es dopada con 1017 tomos/cm3 de fsforo. a) Qu valor tendr
la resistividad del material?. b) Calcule la tensin Hall que se medira en una muestra de
100 m de espesos recorrida por una corriente de 1 mA y sometida a un campo magntico
de 1 kG.
Sol.: a) = 0,0893 cm; b) |V H | = 62,5m.
7.27: Una muestra de Si a 300 K presenta dos niveles independientes de donadores con
densidades ND1 = 1 1016 cm3 y ND2 = 2 1016 cm3 , localizados a 100 meV y 200 meV
por debajo del borde inferior de BC. Supuesta ionizacin total de los donadores, obtenga la
ecuacin de neutralidad de la carga para este caso y encuentre el valor de la concentracin
Apuntes de FFI
FLML
195
de electrones en BC. Cmo cambiar este valor si se aaden impurezas aceptoras con una
densidad de 0,9 1016 cm3 ?.
7.28: Una muestra pura de InP es dopada con impurezas aceptoras desde un lado de tal
modo que obtenemos un perfil dado por N A (z) = N A (0)ebz , donde z representa la coordenada en el interior de la muestra y N A (0) la concentracin en la superficie. a) Calcule el
perfil de dopado y encuentre una expresin para el campo elctrico que se instaurara en
equilibrio trmico si N A n i . b) Obtenga el valor del campo elctrico si b = (2m)1 .
FLML
Apuntes de FFI
T EMA 8
Propiedades electrnicas y
pticas de la unin p-n
8.1. Introduccin
Las aplicaciones elctricas y pticas ms interesantes de los semiconductores surgen cuando se dopan regiones vecinas con distintos tipos de
impurezas. En este sentido, la mayora de los dispositivos semiconductores usados en Electrnica contienen al menos una unin entre un material
tipo p y uno tipo n. Las uniones p-n son fundamentales para la realizacin
de funciones tales como la rectificacin, amplificacin y conmutacin tanto de seales electrnicas como optoelectrnicas. En consecuencia, podemos considerar a la unin p-n como el elemento bsico operativo de diversos componentes electrnicos y optoelectrnicos como diodo rectificador,
diodo Zener, diodo tnel, transistor bipolar, fotodiodo, LDR, clula fotovoltaica, diodo LED, lser de inyeccin, etc.
Para el estudio de la unin p-n se usar un modelo simplificado que es
la unin abrupta. Esta unin no es en sentido estricto la que se encuentra en los diversos dispositivos pero es suficientemente simple como para
poder ser tratada cualitativa y cuantitativamente y, por otro parte, es suficientemente realista como para ofrecer un comportamiento fsico muy
prximo al que ocurre en las uniones difusas.
En principio estudiaremos la unin p-n en equilibrio (esto es, sin accin externa) para despus analizar el efecto de una polarizacin externa
sobre la unin. En primer lugar estudiaremos este efecto desde un punto de vista cualitativo para posteriormente obtener las expresiones de las
diversas corrientes. Es interesante sealar el enorme cambio que se observa en la caracterstica I V de una unin p-n respecto a la caracterstica
de una muestra homognea de semiconductor dopado (que se comporta
como una simple resistencia). Aparecen nuevos efectos fsicos relacionados con la unin que abren muchas posibilidades al diseo de nuevos y
eficaces dispositivos.
197
Tema 8.
198
Propiedades electrnicas y pticas de la unin p-n
Una vez realizado el estudio bsico de las corrientes de la unin, estudiaremos tambin su comportamiento optoelectrnico con el objetivo de
aplicarlo al anlisis de diversos componentes como el diodo LED y el diodo
lser.
8.2. Unin p-n en equilibrio

ND
NA
S
Semiconductor
Intrnseco
Tal como se ha comentado anteriormente, el estudio de la unin p-n en

equilibrio se realizar usando el modelo de la unin abrupta sin excitacin
externa y, por tanto, sin corriente neta en la unin. Esta unin abrupta estar constituida por una muestra original de semiconductor intrnseco de
seccin S constante que es dopada uniformemente en un lado de la unin
por impurezas aceptoras (de concentracin N A ) y en el otro lado por impurezas donadoras (cuya concentracin ser ND ).
n
8.2.1. Potencial de Contacto
Segn se discuti en el Apartado 7.10.2, al poner en contacto los dos lados de la unin p-n comenzar un proceso de difusin debido a la diferencia de concentracin de portadores en ambos lados de la unin. Se inicia
un flujo de huecos de p n y simultneamente un flujo de electrones de
p n . Este proceso de difusin (que intenta igualar las concentraciones
en ambos lados de la unin) contina hasta establecimiento de un campo
electrosttico interno suficientemente intenso como para oponerse al movimiento de las cargas (ver Apartado 7.10.4). La ausencia de corriente neta
en el equilibrio implica que
|~
J arrastre | = |~
J difusin | .
Los h+ que viajan desde p n provienen mayoritariamente de la ionizacin de las impurezas aceptoras en el lado p y, anlogamente, los e desde
p n , de la ionizacin de las impurezas donadoras en el lado n. Tal como
muestra la Fig. 8.1, este desplazamiento de portadores de carga, dejando
tras de s un defecto de carga fija, provoca la aparicin de una regin de
carga neta en las proximidades de la unin. Esta regin de carga neta, o
regin de carga espacial/regin de transicin, est compuesta por cierta
cantidad de cargas negativas fijas en el lado p y la misma cantidad de cargas positivas en el lado n. El campo electrosttico interno se genera debido
a la aparicin de estas cargas y es importante sealar que
el campo electrosttico est bsicamente localizado en
la regin de carga espacial,
dado que fuera de esta regin el resto de la muestra es neutro dando as lugar a que el campo apenas se extienda ms all de la zona de transicin. La
existencia de dicho campo electrosttico viene lgicamente acompaado
Apuntes de FFI
FLML
8.2. Unin p-n en equilibrio
199
F IGURA 8.1: Propiedades de la unin p-n en equilibrio

de la aparicin de una diferencia de potencial correspondiente, de tal modo que el potencial toma un valor Vn en la zona neutra n y Vp en la zona
neutra p; siendo su diferencia V0 = Vn Vp conocida como potencial de
contacto.1
El clculo del potencial de contacto puede realizarse, por ejemplo, siguiendo la expresin (7.59), que nos deca que
V21 =
kT
p2
ln
q
p1
donde hemos hecho uso ahora de una notacin ligeramente diferente al

llamar q al mdulo de la carga del electrn y k (la constante de Boltzmann).
Teniendo en cuenta adems la siguiente nomenclatura:
V2 Vn , V1 V p ,
p 1 p p0
V21 Vn Vp = V0
y
p 2 p n0 ,
donde el subndice n o p indica la regin de la unin y el subndice 0 que

se est en situacin de equilibrio, la expresin anterior puede reescribirse
1 Un voltmetro no podra medir este potencial de contacto puesto que el campo que lo
crea slo existe en el interior de la muestra, no extendindose por el exterior.

FLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
200
como
V0 =
p p0
kT
ln
.
q
p n0
(8.1)
En aquellas situaciones comunes en la prctica en las que podamos escribir que

n2
p p0 N A
y
p n0 i ,
ND
la expresin para el potencial de contacto vendr dada por
Potencial de contacto en una
unin p-n.
Desplazamiento de las bandas

de energa en una unin p-n
en equilibrio
V0 =
kT
N A ND
.
ln
q
n i2
(8.2)
Para obtener el diagrama de bandas de energa de la unin p-n mostrado en la Fig. 8.1 se ha tenido en cuenta que existe un desplazamiento de
las bandas de energa de modo que se iguala el nivel de la energa de Fermi en toda la muestra homognea en equilibrio trmico y sin otra accin
externa:
EC p EC n = E V p E V n = qV0 .
(8.3)
Tal como muestra la Fig. 8.1, la expresin (8.3) indica que las bandas de
energa en cada lado de la unin estn separadas una cantidad igual al valor del potencial de contacto por el de la carga electrnica q.
8.2.2. Regin de carga espacial

En la regin de carga espacial tanto los electrones como los huecos estn en trnsito debido a la accin del campo electrosttico E . Este hecho
provoca que existan, en un instante dado, muy pocos electrones o huecos
en esta regin. En consecuencia,
la carga espacial de la regin de transicin puede considerarse
debida nicamente a las impurezas donadoras/aceptoras fijas
ionizadas.
w
Zona
Neutra
Zona
Neutra
n
-xp0
x
xn0
Consideraremos, por tanto, que no hay portadores de carga libres en

esta regin. El clculo de la carga neta en ambos lados de la regin de transicin debe tener slo en cuenta la concentracin de impurezas ionizadas,
esto es,
Q (+) = q ND Sx n0
y
Q () = q N A Sx p0 ,
donde S era el rea transversal del semiconductor y x p0 y x n0 son los lmites de la regin de carga espacial, tal como muestra la figura adjunta.
Dado que el semiconductor era originalmente neutro, debe verificarse que
Q (+) = |Q () |, lo que implica que
q ND Sx n0 = q N A Sx p0
(8.4)
ND x n0 = N A x p0 .
(8.5)
y por tanto
Apuntes de FFI
FLML
8.3. Unin p-n polarizada
201
Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga espacial
positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = N A . A medida que
la concentracin de impurezas en una de estas zonas aumente, la longitud
de esta zona disminuye.
Si la anchura de la zona de carga espacial se denomina
w = x n0 + x p0 ,
(8.6)
la resolucin de la ecuacin de Poisson para el potencial electrosttico nos

proporcionara la siguiente expresin:
w=
1/2
1
2V0 1
+
.
q
N A ND
(8.7)
E JEMPLO 8.1 En una muestra de Si dopada para formar una unin abrupta p-n
con N A = 4 1018 cm3 , ND = 1016 cm3 y = 120 calcule a) el potencial de contacto, b) la anchura de la regin de carga espacial en cada lado de la unin, y
c) el valor promedio del campo interno.
a) Usando la expresin (8.2) obtenemos que el potencial de contacto ser

V0 =
N A ND
kT
0,85 V .
ln
q
n i2
b) Para calcular la anchura de la regin de carga espacial hacemos uso de (8.7),

lo que nos dice que
w=
1/2
2(12 8,85 1012 )(0,85)
1
1
+
0,334 m .
1,6 1019
4 1024 1022
Combinando ahora (8.5) con (8.6) obtendremos finalmente que

x n0 = 0,333 m ,
x p0 = 8,3 .
c) Para calcular el valor promedio del campo interno (es decir, suponenos que
existe un campo uniforme de valor E 0 ) usamos la expresin (1.55) que nos
relacionaba la diferencia de potencial (V V0 en nuestro caso) con el valor del mdulo del campo elctrico uniforme y con la distancia en la cual
se produca la diferencia de potencial que originaba dicho campo. Dicha
expresin nos permite escribir que V0 = E 0 w, de donce se deduce que
E0 =
V0
0,85
=
= 2,55 106 V/m .
w
0,334 106

Una de las conclusiones ms importantes que obtendremos en este
apartado es el comportamiento asimtrico que presenta la union p-n cuando sta es polarizada directamente (cuando la zona p est sometida a un
FLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
202
potencial externo positivo respecto a la zona n) o bien inversamente. Esta

asimetra en el comportamiento de la caracterstica I V implica que la
corriente puede fluir casi libremente cuando la unin se polariza directamente y apenas fluye en polarizacin inversa. Tal como muestra la Fig. 8.2,
una muestra de semiconductor dopado homogneamente mostrara un
comportamiento claramente recproco mientras que la unin p-n muestra
un evidente comportamiento no recproco.
Semiconductor
dopado
(a)
(b)
F IGURA 8.2: Caracterstica I V para (a): una muestra de semiconductor

dopado homogneamente; y (b): una unin p-n.
El anlisis del efecto de la aplicacin de un potencial externo a la unin
se realizar, en primer lugar, mediante una descripcin cualitativa para ver
cmo varan las corrientes en la unin y posteriormente se har un clculo
explcito de estas corrientes.
8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin

En el siguiente estudio de la accin externa del campo elctrico aplicado sobre la unin p-n supondremos que
Se ha llegado a una situacin estacionaria.
Todo el voltaje aplicado al sistema aparece nicamente en la regin
de carga espacial asociada a la unin.
Las cadas de voltaje y los campos elctricos en el material que se
encuentra fuera de la regin de la unin (esto es, las zonas neutras)
son despreciables.
La suposicin de que el efecto del voltaje externo aplicado a la unin aparezca nicamente en la regin de transicin es una aproximacin puesto
que, en sentido estricto, debe existir una cada de potencial en las zonas
Apuntes de FFI
FLML
203
neutras si hay un flujo de carga a travs de dichas regiones. No obstante,

la resistencia de estas regiones neutras ser muy pequea en comparacin
con la resistencia de la regin de carga espacial debido a la enorme diferencia en la concentracin de portadores de carga existentes en ambas
zonas (la zona de transicin se ha supuesto despoblada de portadores de
carga, es decir, con muy bajos valores de n o p, lo que hace que la conductividad de esta zona sea mucho menor que la de las zonas neutras). Este
hecho provoca que la diferencia de potencial en las zonas neutras pueda
despreciarse en la prctica respecto a la diferencia de potencial en la zona
de transicin.
El voltaje externo aplicado afectar a la barrera de potencial en la unin
y, en consecuencia, al campo elctrico en el interior de la regin de transicin. Debido a ello es de esperar cambios en las diversas componentes de
los flujos de corriente en la unin. Evidentemente, estos cambios se reflejarn en una distinta configuracin de bandas para la unin y en un cambio
en la anchura de zona de carga espacial (ver Fig. 8.3).
A continuacin analizaremos los cambios en las diversas magnitudes
debido a una polarizacin externa:
Altura de la barrera de potencial.
El potencial de contacto de equilibrio se ver afectado por la diferencia de potencial aplicada externamente de manera que la altura de
la barrera de potencial resultante
en polarizacin directa, V = V f , disminuye para tomar el valor
V0 V f ,
en polarizacin inversa, V = Vr , aumenta y se hace V0 + Vr .
Campo elctrico en la regin de transicin.
En concordancia con los cambios en la altura de la barrera de potencial, el campo elctrico en la regin de transicin
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
Anchura de la regin de transicin.
Dado que el campo elctrico proviene de las cargas fijas descompesadas que aparecen en la regin de transicin y puesto que las concentraciones de impurezas no cambian en cada lado de la unin, los
cambios en la magnitud del campo elctrico deben ir acompaados
de cambios en la anchura de la regin de transicin de modo que
sta
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
Separacin de las bandas de energa.
Puesto que el valor de la altura de la barrera de energa para los electrones es simplemente su carga multiplicada por la altura de la baFLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
204
(a)
(b)
Equilibrio
(c)
Polarizacin directa
Polarizacin inversa
(V=Vf )
(V=0)
( V=-Vr )
Vr
Vf
w
p
(V0 -Vf )
Vn
V0
(V+V
0
r)
Vp
q(V0-Vf )
p
qV0
q(V+V
0
r)
qVf
n
p
Flujo de
partculas
Corriente
Flujo de
partculas
Corriente
Flujo de
partculas
Corriente
(1)
(2)
(3)
(4)
(1) Difusin huecos

(2) Arrastre huecos
(3) Difusin electrones
(4) Arrastre electrones
F IGURA 8.3: Efecto de la polarizacin externa sobre la unin p-n.

rrera de potencial electrosttico, tendremos que la separacin entre
bandas viene dada por
en polarizacin directa: q(V0 V f ),
en polarizacin inversa: q(V0 + Vr ).
Los efectos de la polarizacin se localizan bsicamente en la regin
de transicin y sus proximidades, por lo que en el interior de cada
regin neutra la posicin relativa del nivel de Fermi en el diagrama
de bandas se mantiene igual que en el equilibrio. En consecuencia,
el desplazamiento de las bandas de energas por efecto del potencial
externo aplicado provocar una separacin equivalente en los niveles de Fermi para cada lado de la unin, es decir
E F n E F p = qV .
Apuntes de FFI
(8.8)
FLML
205
Corrientes de difusin.
En equilibrio, el campo elctrico interno se estableca de modo que
su efecto contrarrestaba exactamente la corriente de difusin. En la
situacin de no equilibrio impuesta por la polarizacin externa encontramos que
Polarizacin directa:
al disminuir el campo elctrico en la regin de transicin, este
campo ya no puede contrarrestar totalmente las corrientes de
difusin, de modo que se iniciar un flujo de h+ de p n y
otro anlogo de e de p n . (Estas corrientes de difusin se
mantendrn en el tiempo debido al efecto de la batera).
Polarizacin inversa:
el campo en la regin de transicin aumentaba por lo que las
corrientes de difusin sern en este caso aminoradas.
Corrientes de arrastre.
Aunque pudiera parecer un poco sorprendente,
las corrientes de arrastre son relativamente insensibles
a las variaciones en la altura de la barrera de potencial.
El hecho de que la corriente de arrastre en la unin sea despreciable respecto a la difusin en la unin puede entenderse si notamos
que dicha corriente de arrastre proviene de los portadores minoritarios que llegan a la regin de transicin y que son barridos por el
campo en esta regin. En concreto, esta corriente estar mantenida por e que viajan desde p n y por h+ de p n (por ejemplo,
electrones del lado p que por difusin aparecen en la regin de transicin y son barridos por el campo llegando a la zona n). Dado que
la concentracin de portadores minoritarios proviene de la generacin de pares e /h+ (en el presente caso nicamente por efecto de la
excitacin trmica) y sta no se ve afectada por el potencial externo
aplicado, puede deducirse que esta corriente de minoritarios depende bsicamente de la velocidad de generacin de pares e /h+ en las
zonas respectivas y apenas del voltaje exterior.2 Por este motivo, esta
corriente de arrastre de minoritarios tambin se conoce como corriente de generacin.
Corriente Total.
La Fig. 8.3 muestra que la corriente total es la suma de las corrientes de difusin, que se producen desde p n , ms las de arrastre,
cuyo sentido es desde p n . Dado que ambas corrientes han sido
analizadas anteriormente, tendremos para la corriente total que
2 Este hecho tambin puede verse como que el campo es capaz de barrer todos los portadores minoritarios que llegan a la unin y el ritmo de aparicin de estos portadores en la
unin apenas se ve afectado por V . Ciertamente, clculos ms rigurosos demuestran que,
en la regin de transicin, la corriente de arrastre es mucho menor que la de difusin para
valores de polarizacin directa no demasiado elevados.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
206
Polarizacin inversa:
Corriente de difusin disminuye considerablemente (se hace
prcticamente despreciable). La nica corriente que queda es
la relativamente pequea corriente de generacin en el sentido
p n.
Polarizacin directa:
La corriente de difusin (p n ) es ahora claramente favorecida mientras que la corriente de arrastre (p n ) apenas vara.
Esto da lugar a un incremento considerable de la corriente total
en el sentido p n .
Ntese que la corriente de difusin en polarizacin directa puede
crecer indefinidamente mientras que esta corriente en polarizacin
inversa slo puede disminuir hasta hacerse nula.
8.4. Ecuacin del diodo

En este apartado llevaremos a cabo un clculo simplificado de la ecuacin del diodo a partir de ciertos razonamientos cualitativos. Para ello notemos en primer lugar que la concentracin de minoritarios en cada lado
de la unin p-n variar con el voltaje aplicado debido al efecto de ste en la
difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin. En el equilibrio, la
relacin entre las concentraciones de h+ a ambos lados de la unin puede
deducirse de (8.1) para escribir
p p0
p n0
= eqV0 /kT .
(8.9)
Al aplicar una tensin externa, V , la altura de la barrera de potencial vara

desde V0 V0 V . Considerando que el efecto de este potencial externo
no vara la relacin anterior para cada tipo de portadores en las regiones
neutras, todava podemos escribir para las concentraciones, justo en los
lmites de las zonas neutras con la zona de transicin, que
p p (x p0 )
p n (x n0 )
= eq(V0 V )/kT .
(8.10)
Admitiendo que estamos en una situacin de inyeccin dbil (es decir, cuando la concentracin de mayoritarios apenas variar con el voltaje aplicado:
p p (x p0 ) p p0 ), la expresin (8.10) puede reescribirse como
p p (x p0 )
p n (x n0 )
p p0
p n (x n0 )
= eqV0 /kT eqV /kT ,
que, teniendo en cuenta (8.9), al agrupar trminos encontramos que

Concentracin de minoritarios en
el borde de la regin de transicin
del lado
p n (x n0 ) = p n0 eqV /kT .
(8.11)
n
La expresin anterior nos indica que la concentracin de minoritarios
sufre un fuerte incremento (exponencial) en polarizacin directa respecto
Apuntes de FFI
FLML
8.4. Ecuacin del diodo
207
a la que exista en equilibrio. En polarizacin inversa (V < 0), la concentracin sufrira igualmente una disminucin muy considerable. Dado que
hemos comprobado que un voltaje aplicado, V , incrementa la probabilidad de que un portador se pueda difundir a travs de la unin en un factor
dado por exp(qV /kT ), esto nos permite suponer que la corriente de difusin presentar similarmente una dependencia con respecto al voltaje
aplicado del tipo
I dif = I 0,dif eqV /kT
(8.12)
(lo que en ltima instancia provoca que el diodo presente un comportamiento claramente no recproco en su caracterstica I V , tal como
muestra la Fig. 8.2).
Puesto que en equilibrio (V = 0) la corriente total es nula, y adicionalmente encontramos que la corriente de difusin (I 0,dif ) y la de generacin
(I gen ) se cancelan, tendremos que
I (V = 0) = I 0,dif |I gen | = 0 ,
(8.13)
lo que nos permite escribir que

I 0,dif = |I gen | I 0 .
(8.14)
Al expresar la corriente en la unin p-n polarizada (V 6= 0) como

I = I dif |I gen | ,
(8.15)
y hacer uso de (8.12) y (8.14), obtenemos finalmente que

Ecuacin del diodo
I = I0 e
qV /kT
1 ,
(8.16)
expresin que se conoce como ecuacin caracterstica del diodo.
(*) Diodo rectificador

Una de las ms importantes aplicaciones de la unin pn consiste en
su funcin de rectificacin de seales. Rectificar seales consiste bsicamente en obtener una seal de corriente continua a partir de seales de
corriente alterna. Para llevar a cabo este procedimiento podemos usar los
siguientes dispositivos:
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador bfifsico
Diodo Zener
FLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
208
8.5. Diodo LED y Diodo Lser

La idea inicial de realizar un lser usando materiales semiconductores parece que fue propuesta de forma esquemtica por J. von Neumann
en 1953. Posteriormente Basov en 1961 llev a cabo un desarrollo terico
ms completo que finalmente redund en la realizacin del primer lser
semiconductor funcionando a 77K por R.N. Hall en 1962. El primer lser
semiconductor a temperatura ambiente fue realizado en el ao 1970 por
varios grupos rusos y en los ATT Bell Laboratories.
El lser semiconductor suele denominarse diodo lser debido a que se
basa en las propiedades fsicas de la unin p-n, al igual que los diodos de
rectificacin elctrica vistos anteriormente. Tambin se conocen estos lseres con el nombre de lseres de inyeccin debido a que el procedimiento
de bombeo ms usado es la inyeccin de portadores en la unin p-n.
8.5.1. Propiedades elctricas

Conviene recordar algunas propiedades de los semiconductores que
son relevantes en el contexto del laser de inyeccin:
I La estructura de bandas de energa de un semiconductor es aproximadamente como se representa en la Fig. 8.4, donde se muestran los dos ca-
BC
BC
m
m
Transicin
Indirecta
Transicin
Directa
k
M
BV
BV
(a)
(b)
F IGURA 8.4: Esquema energtico de bandas realista de (a): un semiconductor

directo y (b) un semiconductor indirecto.
sos usuales de semiconductor directo (por ejemplo: GaAs) y semiconductor indirecto (Si, Ge...).
En un semiconductor directo, un electrn puede realizar una transicin energtica desde el punto ms bajo de la BC al punto ms alto de la BV
sin que ello implique un cambio significativo en su momento. Por el contrario, en un semiconductor indirecto, la anterior transicin requerira un
cambio importante de momento. En una estructura peridica de periodo
espacial a (tpicamente a 1), el mayor cambio de momento permitido
sera
h
p max
.
2a
Por otra parte, teniendo en cuenta el valor del momento, p f = h/, de un
Apuntes de FFI
FLML
209
fotn luminoso ( 104 ), encontramos la siguiente relacin:

pf
p max
2a
= 104 ,
que nos indica que las diferencias de momento requeridas en una transicin indirecta no pueden ser satisfechas nicamente por la participacin
de un fotn ptico. Debemos admitir entonces que la transicin anterior
debe realizarse con la participacin conjunta de otro proceso que proporcione la cantidad de momento requerido (en concreto, participa un fonn,
que puede verse como una oscilacin colectiva de la red). Por el contrario,
en el caso de una transicin directa, los pequeos cambios de momento
requeridos en el proceso s pueden ser satisfechos nicamente por un fotn.
I Tal como se ha venido discutiendo en este tema, en la zona de transicin

de una unin p-n se igualan los niveles de Fermi de ambas regiones dando lugar a un potencial de contacto, segn se muestra en la Figura 8.5(a).
Si la anterior unin p-n se somete ahora a una fuente de tensin externa
tipo p
tipo n
tipo p
tipo n
BC
BC
qV
BV
BV
(a)
(b)
F IGURA 8.5: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n

(a): en equilibrio trmico y (b): sometida a una fuente de tensin externa que la
polariza directamente.
de modo que eleva el potencial del lado p con respecto al del lado n, lo
que se denomina polarizacin directa, el esquema energtico resultante
puede verse en la Figura 8.5(b). En esta situacin, los electrones del lado
n se desplazarn hacia el lado p y anlogamente huecos del lado p viajarn hacia el lado n. En consecuencia, electrones y huecos se encontrarn
en la misma regin espacial, siendo posible su recombinacin mediante
las transiciones directas/indirectas que antes se mencionaron (ver Figura
8.6).
Si en estas recombinaciones predomina la emisin espontnea, se tiene un LED (light emitting diode) y si por el contrario, predominan las emisiones estimuladas, se produce una accin lser.
Si en los semiconductores de la situacin anterior se incrementan los
niveles de dopaje, el efecto de las impurezas aadidas puede llegar a distorsionar la estructura de bandas energticas del semiconductor. En el caso de un incremento de impurezas donadoras, la presencia de numerosos
FLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
210
ENERGA LIBERADA EN
LA RECOMBINACIN
Tipo n
RECOMBINACIN DE
ELECTRONES Y HUECOS
REGIN DE
TRANSICIN
FLUJO NETO
DE ELECTRONES
Tipo p
+
F IGURA 8.6: Flujo de portadores en un diodo semiconductor polarizado directamente.
electrones no localizados hace que el nivel de Fermi del semiconductor

aparezca en el interior de la Banda de Conduccin. En este caso el semiconductor se denomina degenerado. La Figura 8.7(a) muestra la situacin
energtica a la que se llega en la regin de transicin de una unin p-n
tipo n
tipo p
tipo n
tipo p
BC
BC
eV
BV
BV
(a)
Estados electrnicos
llenos a T=0K
(b)
F IGURA 8.7: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n

degenerada (a): en equilibrio trmico y (b) polarizada directamente.
degenerada en equilibrio trmico. Si a esta unin se le aplica una polarizacin directa, V , tal que qV > E g , se llega a la situacin mostrada en la
Figura 8.7(b). Es importante notar que aunque estamos en una situacin
de no equilibrio trmico, lejos de la regin de transicin y dentro de cada
banda, se establece rpidamente un cuasi-equilibrio trmico (esto es, la
dinmica de los electrones fuera de la regin de transicin no es influenciada significativamente por el campo externo aplicado). Esto posibilita la
descripcin de los electrones en las bandas mediante la distribucin de
Fermi-Dirac y se puede, por tanto, seguir usando el parmetro Energa de
Fermi como caracterstico de esa banda.
8.5.2. Propiedades pticas

La interaccin de la radiacin con los semiconductores est fundamentalmente determinada por la estructura de bandas que stos posean.
Apuntes de FFI
FLML
211
As, en un semiconductor homogneo

La emisin se producir en la forma de fotones de energa igual a la
anchura energtica de la banda prohibida, h = E g , dado que, dentro de cada banda, los electrones se mueven muy rpidamente hacia los niveles ms bajos/altos disponibles en la banda de conduccin/valencia. A este proceso se le denomina recombinacin electron
hueco.
La absorcin de radiacin puede producirse en un rango mucho ms
ancho de frecuencias, denominndose a este proceso generacin de
un par e /h+ .
La recombinacin de portadores ms probable en un semiconductor
que forma una unin p-n se produce cuando electrones y huecos se encuentran en la misma regin espacial. Segn se ver ms adelante, para
densidades de corriente moderadas, la radiacin emitida tiene caractersticas de emisin espontnea y nicamente a partir de cierta intensidad
umbral, IU , se producir emisin estimulada.
Dado que los procesos de emisin y absorcin mediante recombinacin o generacin de pares e /h+ pueden considerarse como procesos de
interaccin luz-materia, para que exista accin lser la cuestin es la siguiente:
Bajo qu condiciones la razn de emisin estimulada supera
a la absorcin en una unin p-n en polarizacin directa?
Dado que los procesos de interaccin radiacin-semiconductor ocurrirn predominantemente en la regin de transicin, los procesos involucrados se suponen asociados a transiciones entre un grupo de niveles del
borde inferior de la Banda de Conduccin y un grupo de niveles del borde
superior de la Banda de Valencia (ver Figura 8.8).
REGIN DE
TRANSICIN
Niveles
electrnicos
ocupados
BC
tipo n
tipo p
BV
Niveles
electrnicos
vacos
NIVEL LASER
SUPERIOR
Inversin de poblacin
entre estos 2 grupos
de niveles
NIVEL LASER
INFERIOR
F IGURA 8.8: Niveles involucrados en la accin laser de una regin de transicin

de una unin p-n degenerada.
Debemos considerar que para que exista absorcin estimulada un electrn de BV tras tomar la energa de un fotn incidente transita un estado
FLML
Apuntes de FFI
212
Tema 8.
energtico en la BC. No obstante, este proceso no slo depende de la existencia de estados energticos en la BC sino tambin de que estos estados
estn vacos, es decir, que no haya otros electrones ocupando ese estado.
As, los procesos de absorcin estarn relacionados con la existencia de
estados llenos en BV y vacos en la BC mientras que los de emisin lo estarn con la existencia de estados llenos en BC y vacos en BV. En concreto,
las probabilidades de emisin y absorcin estimulada estarn relacionadas
con
1. la densidad de la radiacin presente, u();
2. la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de conduccin, f c (E ); y
3. la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de valencia,
f v (E ).
En este sentido se tiene que
Emisin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre los estados superiores llenos y los estados inferiores vacos.
Absorcin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre estados inferiores llenos y estados superiores vacos.
La probabilidad de que un estado con energa E 2 en la Banda de Conduccin est ocupado y que un estado con energa E 1 en la Banda de Valencia est vaco es
f c (E 2 ) 1 f v (E 1 ) o bien f c (1 f v )
y por tanto el ritmo de transiciones de E 2 E 1 ser
R 21 = B 21 u() f c (1 f v ) .
(8.17)
Anlogamente, el ritmo de transiciones de E 1 E 2 vendr dado por

R 12 = B 12 u() f v (1 f c ) .
(8.18)
Para que el ritmo de emisin estimulada supere a la absorcin deber

ocurrir que f c (1 f v ) > f v (1 f c ), que puede expresarse simplemente como
f c (E 2 ) > f v (E 1 ) ,
(8.19)
esto es, la probabilidad de ocupacin en el nivel de energa E 2 en BC debe

ser mayor que la del estado E 1 en BV (ntese que esto nunca podra ocurrir
en un semiconductor homogneo intrnseco o extrnseco con cualquier
nivel de dopaje ni tampoco en una unin p-n en equilibrio).
Un estudio sobre las condiciones que nos llevaran a que se cumpliera
(8.19) (condicin de inversin de poblacin) nos dira que sta se da para
Apuntes de FFI
FLML
213
los niveles de BC por debajo de E F n y los niveles de BV por encima de E F p .

Puesto que la diferencia entre estos niveles es necesariamente mayor que
la anchura de la banda energtica, E g , podemos concluir finalmente que la
condicin para que exista inversin de poblacin en la regin de transicin
de una unin p-n directamente polarizada es
EF n EF p > E g
(8.20)
Condicin para que exista inversin de poblacin
Lo anterior nos dice entonces que la accin lser requiere:

1. El semiconductor debe estar degenerado (pues de otra manera la diferencia entre los niveles de Fermi de la zona p y la zona n nunca
puede superar la anchura energtica de la banda prohibida).
2. La tensin de polarizacin debe exceder el valor E g /e.
3. El semiconductor debe ser directo (para que las posibles recombinaciones electrnhueco se realicen con la mayor probabilidad de
emisin de fotones).
A pesar de cumplir las condiciones anteriores, una seria limitacin para la accin lser en los semiconductores es la absorcin de portadores
libres. Esto se debe a que la estructura de bandas del semiconductor permite que un electrn de la Banda de Conduccin pueda interactuar con
uno de los fotones emitidos de tal forma que el electrn pase a uno de
los niveles superiores y vacos de dicha banda. Este exceso de energa ser
posteriormente liberado en forma de calor, dndose de esta manera transiciones energticas de valor h que pueden reducir considerablemente la
densidad de emisin estimulada y por tanto dificultar la realimentacin de
la accin lser.
Segn se indic anteriormente, cuando la corriente de alimentacin
del diodo lser es pequea, ste genera emisin espontnea, segn el mismo proceso que la emisin de un LED. Sin embargo, al aumentar la corriente de alimentacin (o anlogamente la tensin de polarizacin hasta
conseguir que se cumpla (8.20)), se alcanza un nivel umbral donde se invierte la poblacin de electrones y comienza la accin lser. Este fenmeno
puede observarse en la Figura 8.9 donde puede verse como por debajo de
la corriente umbral, la intensidad luminosa proporcionada por el diodo es
muy pequea, disipndose la mayor parte de la potencia de entrada en
calor. A partir del umbral de intensidad, aumenta considerablemente la
eficiencia ptica del diodo, aunque debe tenerse en cuenta que si la intensidad umbral es alta, esto significa una considerable prdida de potencia
en calor para mantener la accin lser. Las investigaciones actuales en los
diodos lser van encaminadas a reducir esta corriente umbral y as asegurar funcionamientos muy duraderos a temperatura ambiente.
FLML
Apuntes de FFI
214
Tema 8.
F IGURA 8.9: Potencia de salida de un lser semiconductor en funcin de la corriente de alimentacin.
8.5.3. (*) Estructura del lser semiconductor

La accin lser eficiente requiere el uso de resonadores pticos. En el
caso del diodo lser horizontal y tal como se muestra en la Figura 8.10,
la realimentacin que concentra la emisin estimulada en el plano de la
Regin activa
Haz lser
Cara Reflectiva
Regin de
Transicin
Cara de salida
parcialmente
reflectante
Sustrato
F IGURA 8.10: Las regiones reflectantes producen accin lser en el plano de la

unin en un diodo lser
unin, proviene de los bordes pulidos del cristal semiconductor que actan como espejos debido al alto ndice de refraccin de los semiconductores ( 3 4), que hace que estas caras pulidas reflejen aproximadamente
el 30 % de la luz incidente.
Una de las caractersticas ms determinantes en las propiedades del lser semiconductor es la estructura de las capas adyacentes a la capa activa
(regin de transicin donde se realiza la accin lser). En los primeros diodos lser, todas las capas estaban construidas sobre la base del mismo material y por tanto se denominan homoestructuras. Posteriores desarrollos
llevaron a la realizacin de lseres semiconductores en los que las capas
adyacentes estaban construidas con distintos materiales, denominndose
heteroestructuras. Algunas caractersticas relevantes de ambas son
Homoestructuras:
No proporcionan un confinamiento ptico ptimo ya que los ndices
de refraccin de las diversas capas eran muy parecidos ver Figura
Apuntes de FFI
FLML
215
8.11(a). Esto exiga unas densidades de corrientes umbrales muy alESTRUCTURA

LSER
PERFIL DEL
CONFINAMIENTO
NDICE DE
REFRACCIN
P-GaAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAs
Lser de Homounin
Heterouniones
P-GaAlAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAlAs
N-GaAs
Lser de Doble Heterounin

F IGURA 8.11: Lser de homounin y heterounin, sealando el perfil del ndice
de refraccin y el confinamiento luminoso.
tas, IU /cm2 50000 A/cm2 que causaban muchas prdidas por calor (lo cual exiga trabajar a temperaturas de Helio lquido, T 77 K)
y una corta vida media de los dispositivos.
Heteroestructuras:
Las capas presentan distintos ndices de refraccin de forma que esto crea un efecto gua de onda (similar al de la fibra ptica) que confina la luz en la capa activa, segn se muestra en la Figura 8.11(b). Adems, si las capas adyacentes poseen bandas energticas prohibidas
de mayor anchura se reducir sustancialmente la absorcin por portadores libres. Este tipo de lseres puede ya funcionar en modo continuo a temperatura ambiente al ser IU /cm2 2000 4000 A/cm2 ,
IU 1, 2A.
El esquema con el que se realizan actualmente la mayora de los diodos lser comerciales consiste en una modificacin de la heteroestructura anterior que se muestra en la Figura 8.12. Esta estructura
proporciona confinamiento lateral para la luz, lo que reduce la corriente umbral hasta IU 60mA. Usando esta estructura, es posible
fabricar sobre el mismo sustrato semiconductor, muchos lseres en
paralelo y as conseguir potencias de hasta 10 vatios en modo continuo.
FLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
216
Contacto
p-Ga1-xAlxAs
Aislante
GaAs
Regin activa
0.2mm
n-Ga1-zAlzAs
n-Ga1-yAlyAs
3mm
Contacto
Sustrato
n-GaAs
F IGURA 8.12: Heteroestructura tpica de los lseres semiconductores comerciales actuales.
Pozos cunticos
Un tipo de confinamiento distinto basado en fenmenos cunticos se
ha conseguido mediante el uso de capas de material muy finas ( 10 nm)
que se comportan respecto a los electrones como un pozo cuntico. La
idea bsica del pozo cuntico se consigue al intercalar una capa muy fina con una banda prohibida de anchura pequea entre capas gruesas con
anchuras de banda prohibida mayores. Los electrones que pasan por esta
configuracin de bandas pueden ser capturados en el pozo cuntico. Estos electrones capturados tienen suficiente energa para permanecer en
la Banda de Conduccin del material que forma la fina capa de pequea
anchura de banda prohibida, pero no para entrar en la capa de mayor anchura de banda prohibida.
Si los pozos cunticos se colocan en una unin p-n de un diodo lser,
permiten concentrar en capas muy finas los electrones y huecos, consiguiendo una eficaz recombinacin de stos que disminuye considerablemente la intensidad umbral. Adems, dado que las capas de confinamiento tienen diferentes ndices de refraccin, tambin posibilitan el confinamiento de luz.
Longitud de onda
En general, los medios activos de los diodos lser presentan altas ganancias, de forma que no se requieren muchas oscilaciones en la cavidad
resonante para producir accin lser. Dado que tpicamente la regin que
acta de cavidad tiene una longitud de 300500m, los modos resonantes de esta cavidad estn ms separados que en otros lseres (cuyas cavidades resonantes son al menos de 1030 cm) y como resultado, la mayora
de los diodos lser normalmente oscilan a una sola frecuencia al mismo
tiempo. No obstante, debido a que la anchura de la curva de ganancia es
grande, el diodo lser puede emitir distintas longitudes de onda (saltando
de una resonante a otra) dando lugar a un funcionamiento bastante inestable. Este fenmeno puede solucionarse mediante el uso de dispositivos
aadidos de sintonizacin y estabilizacin.
Apuntes de FFI
FLML
217
Divergencia del haz

Otra caracterstica importante del diodo lser es la inusual divergencia
del haz emitido. La geometra de la pequea cavidad junto con la minscula rea de emisin (generalmente una pequea rendija del orden de los
m2 ) se combinan para producir un haz no circular que se dispersa muy
rpidamente, tpicamente del orden de 40 grados. Se encuentra por tanto
que los rayos de un diodo lser divergen ms rpidamente que los de una
buena lmpara de flash. Afortunadamente, el uso de una ptica adecuada
permite una buena focalizacin del haz y as, por ejemplo, los diodos lser
se usan como fuente de luz de los punteros lser.
Modulacin
Segn puede observarse en la Figura 8.9, la salida ptica del diodo lser
depende linealmente de la corriente que circula a travs de ste. Esta simple dependencia lineal hace que la modulacin del haz pueda conseguirse
modulando directamente la corriente de alimentacin, constituyendo este hecho una de las principales ventajas de los lseres de inyeccin. Dado
que la respuesta de la salida ptica a las variaciones de la corriente de alimentacin es muy rpida, se consiguen anchuras de banda tpicas en la
modulacin del orden de los Gigahertzios.
8.5.4. (*) Aplicaciones del Lser de Inyeccin

Debido a las peculiaridades del lser de inyeccin (tamao reducido,
bajo coste, modulacin directa...), ste se ha convertido con diferencia en
el lser ms popular, siendo actualmente usado en millones de lectores de
discos pticos (en equipos de msica, computadores..) y en la mayora de
los sistemas de alimentacin de fibras pticas para transmisin de datos.
Discos pticos; Lectura de datos para computadores

El funcionamiento bsico de lectura de un CDROM se muestra en la
Figura 8.13, donde puede verse como la luz de un diodo lser es focalizada
sobre una diminuta regin de un disco que gira rpidamente. La superficie
del disco est cubierta con minsculas partculas, con diferente reflectividad que el fondo del disco, de acuerdo a un cierto patrn de bits de datos.
La luz lser reflejada por el disco es enfocada sobre un detector que genera una seal elctrica en forma de una serie de pulsos correspondientes al
patron de datos registrado en el disco.
Debido a que el haz del diodo lser puede ser enfocado sobre una regin que cubre aproximadamente un dimetro de una longitud de onda,
esto significa que el uso de diodos lser de = 780 nm permite que cada
una de las marcas del disco debe cubrir aproximadamente 1 m2 . De este
modo, un CD-ROM de 12 cm de dimetro permite almacenar 600 MByFLML
Apuntes de FFI
218
Tema 8.
Cabeza lectora
(muy ampliada con
respecto al disco)
Detector
Luz reflejada
Slida elctrica hacia

los decodificadores
electrnicos
Diodo Lser
Divisor del haz
Bits de datos
Disco ptico
Lente de
focalizacin
Luz enfocada sobre
la marca que se lee
F IGURA 8.13: Sistema de lectura de un CD-ROM.

tes, incrementndose considerablemente la densidad de almacenamiento
de datos con respecto a los anteriores discos magnticos. La focalizacin
a distinta profundidad permite igualmente el uso de discos pticos multicapas, dando as lugar a un incremento adicional muy importante de la
cantidad de informacin que se puede almacenar.
Dado que los diodos lser son muy pequeos y pueden ser montados
en la cabeza lectora, esto permite un acceso a la informacin muy rpido
(si se dispone de un software de control adecuado) con independencia de
donde est localizada en el disco. Por otra parte, los diodos lser requieren
poca potencia para su funcionamiento, siendo adems esta potencia del
mismo orden que la que se usa en los dispositivos electrnicos, aumentando as la compatibilidad entre la parte electrnica y la ptica.
Discos magneto-pticos; Almacenamiento y Lectura de datos para computadores

El mayor inconveniente de los CD-ROM proviene de su carcter de memoria de slo lectura. Las intensas investigaciones realizadas para conseguir discos de alta densidad de almacenamiento de datos y con posibilidad
de ser regrabados por el usuario han resultado en el desarrollo del disco
magneto-ptico. La diferencia fundamental de este disco con respecto al
CD-ROM consiste en una cubierta de un material parcialmente transparente con propiedades ferrimagnticas. Este material manifiesta una magnetizacin neta a temperatura ambiente que puede ser modificada por encima de cierta temperatura (temperatura de Neel) cuando est en la fase
paramagntica. Tal como se muestra en la Figura 8.14, el aumento de temperatura local de una pequea regin del disco se consigue mediante el
Apuntes de FFI
FLML
219
Diodo Lser
Lente de
focalizacin
Area del disco calentada
para poder magnetizarla
Haz que calienta la

cubierta del disco
Campo magnetizante
sobre el rea caliente
Electroimn
F IGURA 8.14: Esquema de grabacin de un disco magnetoptico.
haz focalizado de un diodo lser. Una vez que se ha alcanzado la temperatura adecuada, la pequea regin es magnetizada en la direccin impuesta
por un electroimn. Ntese que la grabacin de datos es puramente magntica, pero debido a que la magnetizacin se realiza en direccin normal
al disco y que se pueden magnetizar regiones muy localizadas, se consiguen unas densidades de almacenamiento de datos muy altas.
La lectura del disco magneto-ptico se realiza mediante un procedimiento similar al del CD-ROM, aunque en este caso se usa el hecho de que
la refraccin de un haz polarizado en un material magnetizado produce un
haz reflejado cuya polarizacin sufre una variacin que depende de la direccin de magnetizacin del material refractante. Detectando, por tanto,
los estados de polarizacin del haz reflejado por la cubierta magnetizada
del disco y registrando estos estados en pulsos elctricos se consigue recobrar el patrn de datos grabado previamente de forma magntica.
Comunicaciones por fibra ptica
Actualmente las fibras pticas se han convertido en el soporte fsico
dominante en las telecomunicaciones de larga distancia punto a punto.
Los LEDs pueden excitar los sistemas de fibra ptica cuando la transmisin
se realiza a corta distancia (por ejemplo: en un mismo edificio) pero se
necesitan fuentes ms monocromticas para las comunicaciones de larga
distancia, usndose para este cometido como fuentes estndar los diodos
lser, debido a
Diodo lser emite en un rea de unos pocos m2 ; lo cual es ideal para
acoplarse bien con el diminuto ncleo de la fibra ptica ( 10m)
Es muy compacto y opera con los mismos niveles de tensin e intensidad que los dispositivos electrnicos convencionales.
El esquema bsico de transmisin se muestra en la Figura 8.15. La seFLML
Apuntes de FFI
Tema 8.
220
(Larga distancia)
CABLE DE
FIBRA PTICA
Luz guiada
por fibra
Seal de
pulsos de
entrada
Corriente de
alimentacin
TRANSMISOR
DIODO
LSER
Seal
elctrica
DETECTOR
Seal de
pulsos de
salida
ELECTRNICA DE
DECODIFICACIN
F IGURA 8.15: Sistema de fibra ptica para larga distancia

al que alcanza el transmisor genera una corriente que pasa a travs de un
lser semiconductor. La seal es una serie de pulsos elctricos que genera
una correspondiente serie de pulsos luminosos en el diodo lser. El lser
emite los pulsos directamente al ncleo de la fibra ptica, siendo transmitida por sta (hasta 104 km) a un receptor lejano. All, un detector de luz
convierte los pulsos luminosos en pulsos elctricos.

8.1: Una unin p-n abrupta presenta N A = 1017 cm3 en el lado p y Nd = 1016 cm3 en el
lado n. A 300 K, (a) calcule los niveles de Fermi, dibuje el diagrama de bandas en equilibrio
y halle V0 a partir del anterior diagrama; (b) Compare el resultado anterior con el que proporciona la expresin (8.2); (c) Calcule la anchura de la regin de carga espacial y el valor
del campo elctrico en esta regin.
8.2: Compare los valores del potencial de contacto del problema anterior para el Si con los
que se obtendran en uniones hechas en Ge y GaAs con los mismos niveles de dopaje.
8.3: La corriente a travs de una unin p-n a 300 K es 0.01 A para una polarizacin inversa
de 10 V. Calcule el valor de la corriente a travs de la unin para polarizaciones directas de
(a) 0.1 V, (b) 0.3 V, y (c) 0.5 V.
8.4: Teniendo en cuenta que la corriente de saturacin inversa debe ser lo ms pequea posible en una unin p-n ideal qu material es ms adecuado para la fabricacin de
uniones p-n?. E g (Si) = 1,1 eV.
8.5: La corriente de saturacin inversa para una unin p-n es I 0 = 5 109 A. Para una
polarizacin directa de 0.45 V, (a) calcule la corriente a travs de la unin a T = 27o C; (b) si
el voltaje a travs de la unin se supone constante e I 0 no cambia con la temperatura, cul
es la corriente a travs de la unin a T = 47o C?.
Sol. (a): 0.18 A, (b) 0.06 A.
8.6: Una unin p+ -n en Si est dopada con Nd = 1016 cm3 , siendo D p = 10 cm2 /s, p =
0,1 m y el rea de la unin S = 104 cm2 . Calcule la corriente de saturacin inversa y la
corriente directa cuando V = 0,6 V.
Apuntes de FFI
FLML
Apndice A
Anlisis vectorial
A.1. Vectores
En la naturaleza existen magnitudes fsicas que estn completamente
determinadas por su valor y sus unidades. De forma genrica puede decirse que estas magnitudes son escalares. Ejemplos de estas magnitudes
son la masa, la distancia, la temperatura, etc. Por el contrario, existen otras
magnitudes que adems de su valor y unidades estn dotadas de una
propiedad adicional: su direccin. Este tipo de magnitudes se conocen con
el nombre de magnitudes vectoriales e incluyen a magnitudes tales como
la posicin, la velocidad, la fuerza, el campo elctrico, etc. Para expresar
las magnitudes vectoriales se hace uso de los vectores y por tanto se hace
imprescindible el lgebra de vectores.
A.1.1. Notacin vectorial

Usualmente las magnitudes vectoriales suelen denotarse en los textos
~,
impresos mediante letras minsculas o maysculas en tipo negrita, ~
v,V
dejndose usualmente la notacin con una flecha/raya encima de dichas
~ , para la escritura manual de los mismos. No obstante en el texto
letras, ~
v,V
de estos apuntes y con la idea de evidenciar ms si cabe el caracter vectorial de las magnitudes usaremos la notacin con una flechita encima de las
variables. En las figuras aparecern sin embargo los vectores denotados en
tipo negrita.
Para especificar los vectores se usan frecuentemente varios tipos de notacin.
vz
v
Mediante una terna de nmeros que son las componentes del vector
en los ejes cartesianos x, y, z,
~
v = (v x , v y , v z ) .
(A.1)
Geomtricamente, las componentes del vector son las proyecciones

de este vector en los ejes cartesianos.
221
vy
vx
x
222
Apndice A. Anlisis vectorial
v^
Mdulo del vector
~
v
El vector ~
v puede tambin expresarse en funcin de su mdulo y de
su vector unitario. El mdulo del vector ~
u suele denotarse como v o
bien |~
v | y viene dado segn el teorema de Pitgoras por
q
|~
v | v = v x2 + v 2y + v z2 .
(A.2)
El vector unitario asociado con el vector ~
v se define como aquel
vector de mdulo unidad que tiene la misma direccin y sentido que
~
v . Dicho vector se denotar de forma genrica como v o bien como
~
v , pudindose expresar como
Vector unitario de
v =
~
v
(v x , v y , v z )
~
v
.
=q
v
v x2 + v 2y + v z2
(A.3)
Obviamente el vector ~
v puede escribirse como: ~
v = v v .
y
x
Expresando el vector como suma de las componentes del vector por

los vectores unitarios a lo largo de los ejes coordenados. Los vectores
unitarios a lo largo de los ejes x, y, z se denotaran como x , y , z respectivamente. Otras notaciones frecuentes para estos vectores unitarios
son i, j, k o bien ex , e y , ez . Usando esta notacin, el vector ~
v se escribir como:
~
v = v x x + v y y + v z z .
(A.4)
A.1.2. Suma de vectores
La suma de vectores se realiza sumando sus componentes. De este modo si
a
~
a = a x x + a y y + a z z
~
b = b x x + b y y + b z z ,
el vector ~
c suma de los dos anteriores ser por tanto:
~
c =~
a +~
b
= (a x + b x )x + (a y + b y )y + (a z + b z )z .
(A.5)
A.1.3. Producto escalar

El producto escalar de dos vectores ~
a y~
b, denotado como ~
a ~
b es un
escalar fruto de la siguiente operacin:
~
a ~
b
ax bx + a y b y + az bz
(A.6)
ab cos ,
(A.7)
siendo el ngulo formado por los dos vectores (es independiente si este ngulo se mide en direccin horaria o antihoraria ya que cos( ) =
cos ). El producto escalar ~
a ~
b puede interpretarse geomtricamente coApuntes de FFI
FLML
A.1. Vectores
223
mo la proyeccin de uno de los vectores sobre el otro (salvo factores numricos). Este hecho se manifiesta claramente en el producto escalar de ~
a
por uno de los vectores unitarios segn los ejes coordenados, esto es,
~
a x = a x ,
donde se ve claramente que ~
a x es justamente la proyeccin del vector ~
a
sobre el eje x.
Algunas de las propiedades del producto escalar son:
El producto escalar es conmutativo:
~
a ~
b =~
b ~
a.
(A.8)
El producto escalar es distributivo respecto a la suma de vectores:

~
a (~
b +~
c) = ~
a ~
b +~
a ~
c.
(A.9)
El producto escalar de dos vectores perpendiculares es nulo:

~
a ~
b=0 ~
a ~
b.
(A.10)
El producto escalar de un vector por s mismo es igual al cuadrado

del mdulo de dicho vector:
~
a ~
a = a2 .
(A.11)
A.1.4. Producto vectorial

El producto vectorial de dos vectores ~
a y~
b, denotado como ~
a ~
b, es un
vector definido como
~
a ~
b = ab sen ~
n ,
(A.12)
siendo el ngulo ms pequeo formado por los dos vectores y ~
n el vector
unitario normal exterior al plano que contiene a los vectores ~
a y~
b. Puesto
que el plano tiene dos normales (cada una con distinto sentido), el vector
~
n que aparece en (A.12) siempre se refiere a la normal que apunta segn
la regla de la mano derecha. Esta regla dice que usando la mano derecha y
apuntando el dedo ndice en la direccin de ~
a y el dedo corazn en la de
1
~
b, el dedo pulgar indicar la direccin de ~
n . Geomtricamente, el mdulo
del producto vectorial, |~
a ~
b|, es igual al rea del paralelogramo generado
por los vectores ~
a y~
b.
A partir de la definicin del producto vectorial (A.12) pueden deducirse
las siguientes propiedades:
1 Esta regla tambin se conoce a veces como regla del tornillo cuando dice que consi-
derando el giro que va desde ~

a hasta ~
b por el camino ms corto, si este giro se aplica a un
tornillo, el sentido de avance o retroceso del tornillo indica hacia donde se dirige la normal.
FLML
Apuntes de FFI
224
El producto vectorial es anticonmutativo:

~
a ~
b = ~
b ~
a.
(A.13)
El producto vectorial es distributivo respecto a la suma de vectores:

~
a (~
b +~
c) = ~
a ~
b +~
a ~
c.
(A.14)
El producto vectorial de dos vectores paralelos es nulo:

~
a ~
b=0 ~
a ~
b.
(A.15)
Multiplicacin por un escalar :

(~
a ~
b) = ~
a ~
b =~
a ~
b.
(A.16)
Teniendo en cuenta la definicin (A.12) y las propiedades (A.13)(A.15),

el producto vectorial de ~
a por ~
b puede obtenerse como
~
a ~
b = (a x x + a y y + a z z ) (b x x + b y y + b z z ) =
= (a y b z a z b y )x + (a z b x a x b z )y + (a x b y a y b x )z .
(A.17)
Usando la definicin del determinante, la expresin anterior puede escribirse como
x
y
z
~
(A.18)
a ~
b = a x a y a z .
b
x b y bz
A.1.5. Productos triples

Dado que el producto vectorial de dos vectores es otro vector, este vector puede a su vez multiplicarse escalar o vectorialmente para formar lo
que se conoce como productos triples.
Producto triple escalar: ~
a (~
b ~
c ).
Desde un punto de vista geomtrico, este producto triple escalar puede interpretarse como el volumen del paraleleppedo generado por
los tres vectores ~
a, ~
b y~
c dado que segn la figura adjunta |~
b ~
c | es el
rea de la base y |a cos | es la altura ( es el ngulo entre ~
a y~
b ~
c ).
Usando esta interpretacin geomtrica es fcil deducir que
a
b
c
~
a (~
b ~
c) =~
b (~
c ~
a) = ~
c (~
a ~
b) .
(A.19)
Es interesante notar que en la expresin anterior se ha preservado el

orden alfabtico.
El productor triple escalar puede tambin obtenerse a partir del siguiente determinante:
ax a y az
~
a (~
b ~
c ) = b x b y b z .
(A.20)
c
c y cz
x
Apuntes de FFI
FLML
A.1. Vectores
225
Producto triple vectorial: ~

a (~
b ~
c ).
Este producto triple vectorial puede tambin obtenerse como
~
a (~
b ~
c) =~
b(~
a ~
c ) ~
c (~
a ~
b) .
(A.21)
Ntese que el vector

(~
a ~
b) ~
c = ~
c (~
a ~
b) = ~
a (~
b ~
c ) +~
b(~
a ~
c)
(A.22)
es un vector completamente diferente al definido en la expresin

(A.21).
A.1.6. Diferencial y derivada de funciones de una sola variable

Dada una funcin de una sola variable f = f (x), se define la derivada
de la funcin f (x) con respecto a x como
d f (x)
f (x + x) f (x)
f
= lm
= lm
x0
x0 x
dx
x
(A.23)
y expresa geomtricamente el valor de la pendiente de la tangente a la curva f (x) en el punto x. El concepto de diferencial de f (x), denotado genricamente como d f , expresa la variacin infinitesimal de la funcin f (x)
entre x y x + dx, esto es,
d f (x) = f (x + dx) f (x) .
(A.24)
Desde un punto de vista matemtico, este diferencial viene dado por el

siguiente producto:
df
dx .
(A.25)
d f (x) =
dx
Debe notarse que d f /dx no expresa un cociente entre d f y dx sino que
por el contrario debe entenderse como la accin del operador d/dx sobre
la funcin f (x). Este hecho se pone de manifiesto con otras notaciones que
prefieren expresar la derivada de la funcin f (x) con respecto a x como
Dx f (x), donde Dx d/dx es precisamente el operador derivada.
A.1.7. Teorema fundamental del clculo

El teorema fundamental del clculo establece la siguiente relacin entre las operaciones de integracin y diferenciacin de la funcin f (x):
Z
b df
dx
dx = f (b) f (a) .
(A.26)
deducir la expresin anterior teniendo en cuenta que d f (x) =
Es posible
df
dx
y
por
tanto
dx
Z b
d f (x) = f (b) f (a) .
(A.27)
a
FLML
Apuntes de FFI
226
A.1.8. Diferencial y derivada parcial de funciones de varias variables

Es muy frecuente que en la naturaleza las magnitudes dependan de
ms de una variable, as la temperatura de una habitacin depende de la
posicin del punto donde se mide, esto es, de las tres coordenadas espaciales del punto. Este hecho se manifiesta matemticamente diciendo que
la temperatura es funcin de x, y y z y se denota como T = T (x, y, z).
Similarmente al concepto de derivada introducido en la seccin anterior para funciones de una sola variable, puede ahora definirse el concepto
de derivada parcial. Esta derivada hace referencia a la variacin de cierta
funcin con respecto a una sola de las variables cuando las dems permanecen constantes. As, se define la derivada parcial de la funcin f (x, y, z)
con respecto a x como
f
f (x + x, y, z) f (x, y, z)
= lm
x x0
x
(A.28)
y anlogamente para las restantes variables. A partir del concepto de derivada parcial, puede deducirse que una variacin infinitesimal de la funcin f (x, y, z) cuando dicha funcin vara entre los puntos x y x +dx podr
expresarse como:

f
d f x =
dx .
(A.29)
x
La variacin infinitesimal de la funcin f (x, y, z) cuando sta vara entre
los puntos (x, y, z) y (x + dx, y + dy, z + dz) podra obtenerse, por tanto, sumando las variaciones parciales a lo largo de cada una de las coordenadas.
De este modo, puede escribirse que

f
f
f
df =
dx +
dy +
dz .
x
y
z
(A.30)
A.1.9. Operador gradiente

Es interesante notar en la expresin (A.30) que el diferencial de la funcin f (x, y, z), d f , puede expresarse como el siguiente producto escalar:
f f f
df =
,
,
(dx, dy, dz) .
x y z
(A.31)
Definiendo el operador vectorial ~

como
Operador ~
Apuntes de FFI

,
,
x y z
+ y
+ z
,
x
x
y
z
(A.32)
(A.33)
FLML
A.1. Vectores
227
al aplicarlo a la funcin f (x, y, z) se obtiene el gradiente de f , ~

f , que es
evidentemente una magnitud vectorial:
f f f
~
,
,
(A.34)
f (x, y, z) =
x y z
f
f
f
=
x +
y +
z .
(A.35)
x
y
z
Denicin de gradiente de
Esta definicin permite escribir el diferencial de la funcin f como el siguiente producto escalar:
df =~
f d~
r ,
(A.36)
donde d~
r = (dx, dy, dz).
Usando la definicin de producto escalar, d f tambin puede escribirse
como
d f = |~
f | |d~
r | cos ,
(A.37)
lo que permite deducir que la mxima variacin de la funcin f (x, y, z) se
produce cuando = 0, esto es, cuando d~
r es paralelo al gradiente de f ,
~
f . Consecuentemente, la direccin del vector ~
f marca la direccin de
mxima variacin de la funcin en el punto (x, y, z).
A.1.10. Integral de camino

~ (esto es, una magnitud vectorial cuyas comDado un campo vectorial F
~
ponentes dependen de la posicin espacial), la integral de camino de F
entre dos puntos A y B a lo largo de la curva se define como la siguiente
integral:
Z B
~ d~
C AB =
F
l
A,
X
~ (P i ) P i P i +1 .
F
= lm
(A.38)
P i +1 P i () i
La integral anterior puede interpretarse como la superposicin infinitesi~ d~

mal del producto escalar F
l para cada elemento diferencial de la curva
entre los puntos A y B (El vector d~
l es un vector que tiene por mdulo la
longitud de un elemento diferencial de la curva y por direccin la de la tangente a la curva en dicho punto). Las integrales de camino son muy usuales
en Fsica, definiendo, por ejemplo, el trabajo que realiza cierta fuerza entre
dos puntos a travs de cierta trayectoria. En general, la integral de camino
depende del camino que se elija para ir desde A hasta B .
dl
F
Algunas de las propiedades ms importantes de las integrales de camino son:

Z
B
A,
~ d~
F
l =
B,
~ d~
F
l.
Si A 0 es un punto intermedio de la curva entre A y B , se tiene que

Z B
Z A0
Z B
~ d~
~ d~
~ d~
F
l=
F
l + d~
l
F
l.
A,
FLML
A,
A 0 ,
Apuntes de FFI
228
A.1.11.
Teorema fundamental del gradiente
De forma similar a como se hizo para funciones de una sola variable en

(A.26), se verifica que
Z
B
A
~
f d~
l = f (B ) f (A) ,
(A.39)
donde la integral en la expresin anterior es una integral de camino.

La expresin (A.39) puede justificarse considerando la definicin del
diferencial de f dada por (A.36). A partir de esta definicin, la integral en
(A.39) puede verse como una superposicin infinitesimal de las variaciones de la funcin entre los puntos A y B , y esto es precisamente f (B ) f (A).
Dos importantes corolarios se pueden extraer de la expresin (A.39)
A,
~
f d~
l=
B
A,
~
f d~
l,
(A.40)
RB
esto es, A ~
f d~
l es independiente del camino tomado entre los puntos A y B . Debe notarse que, en general, la integral de camino C AB =
RB
~ d~
F
l s depende del camino (considrese, por ejemplo, el trabajo
A,
realizado por un coche para desplazarse entre dos puntos siguiendo

distintas carreteras).
~
f d~
l =0.
(A.41)
La integral de camino anterior a travs de cualquier curva cerrada,

, es nula.
A.2. Integral de flujo

Una integral muy til que aparece en Fsica es la integral de flujo. El
flujo de un campo vectorial ~
A a travs de una superficie S se define como
la siguiente integral de superficie:
=
Z
S
~
A d~
S,
(A.42)
donde S es una superficie arbitraria y d~

S es el vector diferencial de superficie, definido como
,
d~
S = dS n
(A.43)
que tiene por mdulo el rea del elemento diferencial y por direccin y
Por ejemplo,
sentido el del vector unitario normal exterior a la superficie, n.
para el caso del plano z = Cte, el diferencial de superficie ser d~
S = dxdy z .
Apuntes de FFI
FLML
A.3. Problemas propuestos
229
A.3. Problemas propuestos

1. Expresar el vector (9, 8) como combinacin lineal de los vectores (3, 1) y (1, 2) y
representar grficamente el resultado.
Sol.: (9, 8)=2(3, 1)+ 3(1, 2).
2. Encontrar el unitario en la direccin dada por los puntos de coordenadas (3, 2, 0) y
(6, 8, 2).
Sol.: n=(3/7,
6/7, 2/7).
3. Calcular el vector unitario perpendicular al plano determinado por los puntos (0, 0, 0),
(1, 2, 3) y (3, 3, 1).p
Sol.: (7, 8, 3)/ 122
4. Encontrar el ngulo formado por los vectores (3, 6, 2) y (8, 6, 0) utilizando dos tcnicas diferentes (producto escalar y vectorial).
Sol.: = 31,003o .
5. Utilizando el concepto de producto vectorial, determinar el rea del tringulo cuyos
vrtices son
plos puntos de coordenadas (1, 0, 0), (4, 5, 2) y (3, 1, 2).
Sol.: rea= 117/2.
6. Encontrar los vectores unitarios radial (r) y tangente (t) en los puntos (x, y) de una
circunferencia de radio R que se halla en el plano XY y tiene su centro en el origen
de coordenadas. Repetir lo anterior suponiendo ahora que la circunferencia tiene
su centro en el punto (3, 2).
Sol.: centro en (0, 0): r = (x/R, y/R), t = (y/R, x/R);
centro en (3, 2): r = ((x 3)/R, (y 2)/R), t = ((y 2)/R, (x 3)/R).
7. Indicar cuales de las siguientes expresiones tienen sentido y cuales no:
a) (~
a ~
b) ~
c ; b) ~
a (~
b ~
c ); c) ~
a (~
b ~
c ); d) (~
a ~
b) ~
c.
Sol.: correctas: b), c); incorrectas: a) y d) .
p
8. Utilizando el hecho de que |~
a| = ~
a ~
a , demostrar que
q
a |2 + |~
b|2 + 2~
a ~
b.
|~
a +~
b| = |~
9. Encontrar la componente del vector (7, 5, 2) en la direccin dada por la recta que
une los puntos (5, 4, 3) y (2, 1, 2).
Sol.: (6, 6, 2).
10. Descomponer el vector ~
A = (1, 5, 5) en sus componentes paralela y perpendicular a
la direccin dada por el unitario n=(0,

3/5, 4/5).
Sol.: ~
A=~
A + ~
A , siendo ~
A =(0, 21/5, 28/5) y ~
A =(1, 4/5, -3/5).
11. Las coordenadas de una partcula mvil de masa m = 2 kg en funcin del tiempo
son ~
r (t ) = (3t , t 2 , t 3 ) m (t en segundos). Determinar: a) la velocidad y aceleracin
de la partcula; b) la fuerza que acta sobre la misma en el instante t = 1 s, as como
las componentes de dicha fuerza en la direccin perpendicular y tangente a la trayectoria.
~ = (0, 4, 12) N; F
~ = (6, 0, 6)
Sol.: a) ~
v (t ) = (3, 2t , 3t 2 ) m/s, ~
a (t ) = (0, 2, 6t ) m/s2 ; b) F
~
N, y F = (6, 4, 6) N.
q
12. Calcule el gradiente de la funcin (x, y, z) = 2x y/r , siendo r = x 2 + y 2 + z 2 .
Sol. ~
= r 3 2y(r 2 x 2 )x + 2x(r 2 y 2 )y 2x y z z
FLML
Apuntes de FFI
Apndice B
Constantes fundamentales
Constante de Planck:
h=
6,626 1034 Js
4,136 1015 eVs
Velocidad de la luz:
c=
2,998 108 m/s
me =
9,109 1031 kg
Masa del electrn:
e=
Carga del electrn (sin signo):
1,602 1019 C
Masa del protn:
mp =
1,673 1027 kg
Nmero de Avogadro:
NA =
6,022 1023 partculas/mol
Constante de Boltzmann:
kB =
231
1,381 1023 J/K

8,620 105 eV/K
Apndice C
Promedios estadsticos
C.1.
Sistemas Discretos
Sea un sistema discreto compuesto de NTotal = 18 alumnos. Supngase

que la distribucin de notas ha sido la siguiente: un alumno ha obtenido
un uno, N1 = 1, un alumno ha obtenido un dos, N2 = 1, N3 = 2, N4 = 0,
N5 = 4, N6 = 2, N7 = 3, N8 = 1, N9 = 4, N10 = 0. Cada Ni puede reinterpretarse como una medida de la probabilidad de que un alumno de este
colectivo obtenga una determinada nota. Una representacin grfica de
esta distribucin se representa a continuacin
Nmero de Alumnos (Ni)
0
0
10
Calificacin (C)
P
Dado que 10
i =1 Ni = NTotal , la probabilidad de obtener una determinada nota vendr dada por
ni =
Ni
,
NTotal
(C.1)
P
obtenindose obviamente que 10
i =1 n i = 1. La funcin distribucin del sistema puede identificarse con n i .
233
234
Apndice C. Promedios estadsticos
El valor de la calificacin promedio, C , de las notas obtenidas por el

colectivo de alumnos se obtiene mediante
P10
10
X
i =1 Ni C i
ni C i .
(C.2)
=
C = P
10
N
i
i
=1
i =1
Anlogamente, el valor promedio de cualquier magnitud (F (C i )) que dependa de las calificaciones se obtendr como
F =
10
X
n i F (C i ) .
(C.3)
i =1
C.2.
Sistemas Continuos
Las discusiones anteriores para casos discretos pueden fcilmente extenderse a sistemas continuos, para ello deben notarse dos cuestiones. La
primera es que el papel jugado por el sumatorio ser ahora asumido por el
proceso de integracin,
Z
X
dx
y segundo, la existencia de una determinada funcin de distribucin, (x),
que nos da la distribucin de los elementos que componen en suceso continuo en funcin de la variable de la que dependa (en nuestro caso x). De
este modo, dN = (x)dx nos dice el nmero (diferencial) de elementos que
tenemos en el intervalo comprendido entre x y x + dx.
A la vista de los anterior podemos deducir que
La probabilidad de que el sistema tome alguno de los valores x debe
ser igual a la unidad:
Z
(x) dx = 1 .
El valor promedio de la variable x se calcular como

Z
x = x(x) dx .
(C.4)
(C.5)
El valor promedio de una funcin de x, por ejemplo f (x), puede obtenerse a partir de la funcin distribucin como
Z
f (x) = f (x)(x) dx .
(C.6)
Apuntes de FFI
FLML
Apndice D
Propiedades de algunos
materiales semiconductores
Para el silicio (Si), germanio (Ge) y arsenuro de galio (GaAs) a
T = 300 K, encontramos que
Si
Ge
GaAs
Eg
(eV)
m e /m e
m h /m e
n
(cm2 /Vs)
p
(cm2 /Vs)
ni
(m3 )
1.11
0.67
1.43
1.1
0.55
0.067
0.56
0.37
048
1350
3900
8500
480
1900
400
1,5 1016
2,3 1019
Densidad efectiva de estados para Si en BC

NC = 4,39 1024 m3
Densidad efectiva de estados para Si en BV
NV = 5,95 1024 m3
235

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Francisco L. Mesa Ledesma

DESIGN SCIENCE LICENSE

1.2. Campo elctrico de una distribucin de cargas . . . . . . . .

1.2.1. Ley de Coulomb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.2. Principio de superposicin . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.3. Campo elctrico de cargas puntuales . . . . . . . . . .

1.2.4. Campo elctrico de distribuciones continuas de carga

1.2.5. (*) Ley de Gauss

1.3. Potencial elctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4. Conductores en un campo electrosttico . . . . . . . . . . . .

1.4.1. Campo de un conductor cargado en equilibrio electrosttico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4.2. Conductor neutro en un campo elctrico externo . . .

1.5.1. Capacidad de un conductor . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5.2. Influencia entre conductores . . . . . . . . . . . . . . .

1.6. Energa Electrosttica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6.1. Trabajo para trasladar una carga puntual . . . . . . . .

1.6.2. Energa en un condensador de placas paralelas . . . .

1.8. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2. Circuitos de Corriente Continua

2.2. Vector densidad de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3. Conductividad, Ley de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3.1. Conductividad elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3.2. Ley de Ohm circuital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.3.3. Efecto Joule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4. Fuerza electromotriz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4.1. Potencia suministrada por el generador . . . . . . . .

2.5. Reglas de Kirchhoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.5.1. Regla de Kirchhoff de las tensiones . . . . . . . . . . .

2.5.2. Regla de Kirchhoff de las intensidades . . . . . . . . . .

2.6. Resolucin de circuitos de corriente continua . . . . . . . . .

2.6.1. (*) Mtodo de las corrientes de malla . . . . . . . . . .

2.6.2. (*) Teorema de superposicin . . . . . . . . . . . . . . .

2.6.3. (*) Teorema de Thevenin . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.6.4. Balance de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.7. Circuito RC. Carga y descarga de un condensador . . . . . . .

2.8. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.2. Fuerza de Lorentz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.2.1. Movimiento de una carga puntual en presencia de un

3.2.2. Efecto Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.3. Fuerzas magnticas sobre conductores . . . . . . . . . . . . .

3.3.1. Fuerza magntica sobre un hilo . . . . . . . . . . . . .

3.3.2. Momento de la fuerza sobre una espira de corriente .

3.4. Ley de Biot-Savart

Campo magntico producido por un hilo infinito y

3.5.2. Campo magntico en un solenoide . . . . . . . . . . .

3.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.5. Ley de Ampre

4.2. Ley de Faraday . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2.1. Fuerza electromotriz de movimiento . . . . . . . . . .

4.2.2. Fuerza electromotriz inducida . . . . . . . . . . . . . .

4.3.1. Inductancia mutua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.3.3. Transitorios en circuitos RL . . . . . . . . . . . . . . . .

4.4. Energa magntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.5. Ley de Ampre-Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.6. Ecuaciones de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5. Circuitos de Corriente Alterna

5.2. Generador de fem alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.3. Aspectos generales de funciones armnicas . . . . . . . . . .

5.3.1. Valores eficaces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.3.2. Anlisis fasorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.4. Relacin I V para Resistencia, Condensador y Bobina . . 100

debe leerse como vector unitario en la direccin y sentido de

E JEMPLO 1.2 (*) Campo de una distribucin de carga lineal nita