OSNOVE ELEKTRONIKE 2.

OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kao neophodni dijelovi elektronikih sklopova, elektroniki
elementi bitno utjeu na njihove funkcije.
Za razumijevanje rada sklopa nuno je poznavati meusobne
ovisnosti veliina koje odreuju ponaanje elektronikog elementa
u strujnom krugu.
Ostaje jo pitanje: zato su ovisnosti takve, mogu li se mijenjati?
Radi toga se uz utvrivanje bitnih ovisnosti, ovdje do neke mjere
pokuavaju objasniti i njihovi uzroci na temelju grae i svojstava
tvari.
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.1. Temelji poluvodike elektronike

Na poetku razvitka elektronike struja u elektronikim elementima
protjecala je kroz vakuum ili plin.
Dananji osnovni materijal je poluvodi, vrsta tvar.
Stoga se elektronika temelji na poluvodiima i naziva se
elektronika vrstog stanja (solid state electronics).
Ovdje se prikazuju bitna svojstva poluvodia vana za objanjenje
panaanja elektronikih elemenata.

A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.1.1: Osnavna svojstva poluvodikih materijala

U elektrinom smislu osnovno svojstvo materijala jest vodljivost.
Tako je pri normalnim okolnostima vodljivost dobrih vodia oko
=0,5108 a dobrih izolatora ispod =10-10 S/m.
Iako bi se po nekom kriteriju svi materijali s vodljivou izmeu
tih dviju grupa mogli nazivati poluvodiima, naziv poluvodi
pripada ipak samo onim tvarima iz tog raspona, na iju vodljivost
utjeu znatno neki unutarnji (istoa, sastav) i/ili vanjski
energetski faktori (ozraenost, temperatura).
Kako je vodljivost funkcija koncentracije slobodnih pokretljivih
nosilaca naboja, valja zakljuiti da spomenuti faktori utjeu na broj
nosilaca u poluvodiu. Takvo poluvodiko ponaanje pokazuju
neki spojevi (sulfidi, arsenidi, fosfidi) i elementi germanij i silicij.
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Objanjenje ponaanja poluvodia temelji se na zasad vaeoj

kvantnoj teoriji vrstog stanja. Ovdje se u tu materiju ne ulazi, ali
se rabe njeni plauzibilno prikazani rezultati.
Za utvrivanje ponaanja poluvodia kao reprezentativni (i danas
najzastupljeniji) poluvodiki materijal moe posluiti silicij. U
modelu kristalne reetke istog silicija svaki atom ima na
jednakom razmaku etiri susjedna, tvorei prostorni raspored
prikazan slikom 2.1.a).

Sl. 2.1. Prikaz reetkaste strukture silicija a) prostorni, b)

odgovarajui ploni
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Silicij je etverovalentan, dakle u vanjskoj nezasienoj ljusci

sadri etiri elektrona odgovorna za meuatomske veze. Veza je
kovalentnog tipa, svaku ostvaruje po jedan elektron vanjske ljuske
susjednih atoma.
Prostorni raspored atoma se radi jednostavnosti moe prikazati
plonim; veze meu atomima simboliziraju crtkane linije (sl. 2.1.
b).
Oznaena su i nadalje se promatraju sama 4 elektrona vanjske
ljuske, jer ostalih 10 elektrona (silicijski atom ima 14 elektrona) ne
sudjeluje u stvaranju veza. Svaki atom je elektrino neutralan dok
sadri svih 14 elektrona.

A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

U strukturi na slici nema slobodno gibljivih naboja, to znai da

prikazuje izolator, jer niti jedan elektron nema energiju potrebnu za
ionizaciju koja kod silicija iznosi 1,2 eV.
Ve pri sobnoj temperaturi nae se elektrona s viom energijom;
takvi naputaju svoje mjesto u kovalentnoj vezi i postaju slobodni.
Kad u dobrom vodiu, npr. bakru, elektron napusti atom, kae se:
atom osiromaen za elektron postao je pozitivni ion. Taj ion
dodue pri normalnim okolnostima ne sudjeluje u vodljivosti, jer
nije pokretan; vodljivost bakra sva potjee od slobodnih elektrona.
Ve kod sobne temperature, poradi male energije potrebne za
oslobaanje, svi atomi bakra su pozitivni ioni. estica bakra je
ipak elektrino neutralna, jer sadri jednak broj slobodnih
elektrona i pozitivnih jedininih naboja nepokretnih iona.
Kod istog silicija ova predodba nije prikladna.
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Pozitivnost silicijskog atoma nije naime trajna; naputeno mjesto u

kovalentnoj vezi lako se popuni elektronom iz susjedne veze ili
slobodnim elektronom; oslobaanje elektrona iz kovalentne veze i
popuna ispranjenog mjesta su esti dogaaji. Zato je manje
zgodno oznaavati silicijski atom s tako dinaminom nabojskom
(ne)ravnoteom kao pozitivni ion, jer on to trajno nije.
Pokazalo se prikladnim da se nabojsku pozitivnost atoma prikae
prazninom ili upljinom lociranom u kovalentnoj vezi na mjestu s
kojega je osloboen elektron. upljini pripada pozitivni naboj
jednak iznosom elementarnom naboju elektrona.
upljina je pokretna, lako se premjeta u susjednu kovalentnu vezu
(zapravo se premjeta elektron koji je popunjava, a iza sebe
ostavlja u vezi upljinu, pa ostaje dojam da se upljina preselila).
Ipak nije slobodna na nain kako je to osloboeni elektron;
upljina nastaje i opstoji samo unutar kovalentne veze.
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Proces oslobaanja elektrona iz kovalentne veze i nastanak

upljine naziva se generiranje para elektron-upljina, dok se
popunjavanje
upljine
slobodnim
elektronom
naziva
rekombinacija.
Poradi vanjskih utjecaja (ope prisutno zraenje, temperatura iznad
apsolutne nule) i time dovoda energije, generiranje parova u
poluvodiu je trajno, takoer i rekombinacije. Prosjeno trajanje
ivota para od generiranja do rekombinacije na sobnoj temperaturi
procjenjuje se na nekoliko mikrosekundi. U stacionarnom stanju
broj generiranih parova i rekombinacija u jedinici vremena je isti,
pa je koncentracija slobodnih elektrona i upljlna takoer jednaka.
Slobodni elektroni i upljine gibaju se kaotino bez rezultantnog
smjera. Tek kad se kristal podvrgne djelovanju elektrinog polja,
nastaje rezultantno gibanje slobodnih elektrona nasuprot polja i
upljina u smjeru polja, dakle struja.
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kako je struja usmjereno gibanje naboja, tvori je zbroj struje

elektrona i struje upljina. U svakoj estici silicija postoji ipak
stalna nabojska ravnotea i elektrino je neutralna.
Koncentracija parova eksponencijalno raste s temperaturom i na
300 K iznosi oko 1,51016 m-3. Ipak, parovi su rijetki u kristalu, jer
je koncentracija atoma oko 51028 m-3; tako jedan par dolazi
priblino na svakih 1012 atoma!
isti silicij je dakle poluvodikog ponaanja; vodljivost mu se
kree u irokim granicama i naziva se vlastita vodljivost. Vlastitu
vodljivost moe, osim temperature poveati svaki vanjski utjecaj
koji povea koncentraciju parova, npr. ako se kristal izloi Xzrakama. Nadalje, pod utjecajem jakog elektrinog polja mogu
slobodni elektroni postii takve kinetike energije, koje, predane u
sudaru s atomima, omoguuju generiranje novih parova
poveavajui vodljivost.
A. Rezi

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.1.2. Svojstva dopiranog poluvodia

Vodljivost silicija se na drugi nain poveava dopiranjem, tj.
dodavanjem malog broja stranih atoma, primjesa. Kod prosjene
koncentracije primjesa, na 108 silicijskih atoma dolazi jedan strani
atom i to okruen samim silicijskim atomima, zauzimajui u
reetki mjesto jednog silicijskog atoma.
Ako se kontrolirano srednje dopiranje ostvaruje u omjeru
koncentracija 1:108 (jedan atom primjese na 108 silicijskih atoma),
jasno je, da nekontrolirano oneienje mora biti znatno ispod tog
omjera, to ukazuje na vrlo visoke tehnoloke zahtjeve.
Primjese su trovalentne (bor, aluminij, galij) ili peterovalentne
(fosfor, antimon), s tri ili pet elektrona u vanjskoj ljusci.
A. Rezi

10

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Sl. 2.2. n-tip poluvodia

a) donorski atom fosfora u kristalnoj silicijskoj reetki
b) naboji u n-tipu
A. Rezi

11

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kad se peterovalentni atom npr. fosfora nae okruen silicijskim

atomima, etiri elektrona njegove vanjske ljuske aktivira se u
kovalentnim vezama prema susjedima; okoli prihvaa atom
fosfora kao da je silicijski. Preostali peti elektron nema susjeda
prama kome bi se vezom angairao. Energija dostatna za njegovo
oslobaanje je tako malena, da je pri sobnoj temperaturi praktino
svaki takav elektron slobodan (sl. 2.2.a). Pritom nije nastala
upljina, jer elektron nije bio angairan u kovalentnoj vezi, ve je
atom primjese postao pozitivni ion (dio reetke, nepomian). Meu
pokretnim nosiocima ima i upljina, jer se u kristalu i dalje
generiraju parovi. Uslijed velikog broja slobodnih elektrona ivot
upljina je kratak i njihova koncentracija vrlo mala.
Peterovalentni dodaci zovu se donori, dok se poluvodi s trajno
visokom koncentracijom slobodnih elektrona uslijed donorskih
primjesa naziva n-tip poluvodia. Elektroni su ovdje veinski, a
upljine manjinski nosioci.
A. Rezi

12

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kad se isti silicij dopira trovalentnim primjesama, svaki dodani

atom okruen je u reetki s etiri silicijska atoma. S tri postojea
elektrona vanjske ljuske ostvaruje potrebne kovalentne veze s tri
susjeda, dok za etvrtu manjka elektron. Malu energiju potrebnu za
njeno ostvarivanje ima bliski slobodni ili elektron u nekoj
susjednoj kovalentnoj vezi; jedan od njih uskae i vrsto se vee,
ostavljajui za sobom nepokrivenu upljinu. S vikom naboja
jednog elektrona, dodani trovalentni atom postaje nepomini
negativni ion (sl. 2.3, a) i b).
Pri koncentraciji dopiranja 1:108, na svakih 108 silicijskih atoma
opisanim putem nastaje jedan negativni ion i jedna upljina.

A. Rezi

13

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

U kristalu postoje jo i nosioci nastali zbog trajne generacije

parova. upljine tog porijekla neznatno poveavaju broj veinskih
nastalih dopiranjem, a mali broj slobodnih elektrona su manjinski
nosioci (sl. 2.3.c).
Opisani tip poluvodia je p-tip, sa upljinama kao veinskim
nosiocima. Trovalentni dodaci nazivaju se akceptorima.

Sl. 2.3. p-tip poluvodia: a) smjetaj akceptorskog atoma bora,

b) nastanak upljine i negativnog iona, c) naboji u p-tipu
A. Rezi

14

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Koliko vodljivost uslijed primjesa nadmauje vlastitu vodljivost,

ovisi o dopiranju.
Kod jakog dopiranja (1:105) vodljivost je vea nego kod slabog
(1:1010).
Kako je koncentracija parova kod istog silicija pri sobnoj
temperaturi otprilike 1:1012, vodljivost uslijed primjesa daleko
pretee.
Tek kod viih temperatura zbog intenzivnije generacije parova u
vodljivosti se zamjeuje utjecaj manjinskih nosilaca.
Vrijedi uoiti da i estica dopiranog poluvodia ostaje nabojski
neutralna.
A. Rezi

15

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

1.1.3. p-n spoj

Svojstvo poluvodia da na granici p- i n-tipa ostvaruju naroite
efekte, najvie je pridonijelo njihovom masovnom koritenju u
elektronici.

Sl. 2.4. Pojave na granici p-tipa i n-tipa poluvodia

A. Rezi

16

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Neka se zamisli dovoenje u savren kontakt dvaju jednakom

koncentracijom dopiranih i u svim svojim esticama neutralnih p i
n poluvodia (u praksi isti kristal dopiran razliito). to se dogaa
s veinskim nosiocima? Moe se oekivati da e se slobodni
elektroni s mjesta vie kancentracije (n podruje) nastojati
difuzijom pomicati prema nioj, dakle popunjavati bliske upljine
u p podruju. Pritom se meutim poremeuje lokalna nabojska
ravnotea, jer odlazei elektroni ostavljaju nepokriven naboj
pozitivnih iona u n-tipu, kao to se ieznuem upljina na granici
u p-tipu pojavljuju nabojski nepokriveni negativni ioni.
Nepokriveni ioni tvore prostorni naboj pozitivan u n, negativan u p
podruju; izmeu naboja postoji elektrino polje E (sl.2.4). Smjer
je polja takav da spreava daljnju difuziju. Ostvaruje se ravnoteno
stanje ovisno o vrsti poluvodia i koncentraciji dopiranja, u kome
je difuzija ostvarena do neke dubine u svako podruje, a izmeu
njih postoji kao posljedica polja razlika potencijala nazvana
difuzijski napon UD.
A. Rezi
17

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Podruje prostornog naboja u kome nema veinskih pokretljivih

nosilaca djeluje praktiki izolirajue i naziva se poluvodika
barijera ili zaporni sloj.
Difuzijski napon je statikog karaktera; ne moe se izmjeriti
izravno, niti moe prouzroiti struju (osim uz trajne vanjske
energetske utjecaje).
Pozitivni i negativni prostorni naboj su istog iznosa (na sl. 2.4.
idealizirano pravokutne raspodjele), stoga kod nejednakog
dopiranja zaporni sloj zadire dublje u slabije dopirano podruje.
Ukupna irina zapornog sloja manja je kod jae dopiranih
poluvodia i iznosi nekoliko m.
Difuzijski napon slabo ovisi o koncentraciji dopiranja i
temperaturi; prosjena vrijednost za silicij je oko 0,7 V, a za
germanij oko 0,3 V.
A. Rezi

18

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.1.4. p-n spoj u strujnom krugu

Kristal s p i n podrujem, dakle i s formiranim zapornim slojem,
ponaa se u strujnom krugu ovisno o prikljuenom polaritetu i
iznosu vanjskog napona.
Spoji li se p podruje s negativnim, a n podruje s pozitivnim
polom vanjskog izvora napona, vanjsko prikljueno polje ima isti
smjer kao i ono od difuzijskog napona ED. Djelovanja se zbrajaju i
rezultiraju poveanim naponom na barijeri i irenjem zapornog
sloja (dublje u slabije dopirano podruje). Kako podruje bez
gibljivih veinskih nosilaca postaje jo i ire, struja ne tee.
Takva vanjska polarizacija zapornog sloja zove se zaporna ili
reverzna polarizacija (sl. 2.5.a).
A. Rezi

19

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Sl. 2.5. a) zaporna polarizacija p-n prijelaza

b) propusna polarizacija uz U<UD
A. Rezi

20

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Porast napona dovodi do jaeg polja usprkos proirenju zapornog

sloja. Prekomjerni porast napona moe dovesti do proboja
praenog lavinskom ionizacijom.
Kad se p-n prijelaz polarizira s prikljukom pozitivnog pola izvora
na p-tip, a negativnog na n-tip, vanjsko polje EU je suprotno
unutarnjem ED.
Ako je vanjsko polje iznosom manje od unutranjeg, ukupni napon
na barijeri smanjuje se na UD-U, barijera se suzuje, ali struja jo ne
tee (sl. 2.5. b).
Tek kad je U>UD, iezava zaporni sloj i potee struja, to vea, to
je vea razlika UUD. Pri U>0, zaporni je sloj propusno
polariziran.
A. Rezi

21

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

U razmatranjima o propusnoj i zapornoj polarizaciji poluvodike

barijere vodilo se rauna samo o veinskim nosiocima.
Treba uoiti da pri zapornoj polarizaciji veinski nosioci iz p i n
podruja ne mogu sudjelovati u struji preko zapornog sloja, ali
manjinski dakako mogu. Njih ima i u zapornom sloju jer se ovisno
o energetskim utjecajima i tamo generiraju parovi. Prema smjeru
polja oznaenom na sl. 2.5. a) oni se giblju slobodno preko
barijere: upljine u smjeru polja, a elektroni u suprotnom. Tako
nastala malena struja zove se preostala ili zaporna struja. Ve kod
malih zapornih napona svi nazoni manjinski nosioci ukljueni su
u tu struju.
Zaporni napon praktiki ne utjee na broj generiranih parova u
zapornom sloju, pa zaporna struja s porastom zapornog napona
neznatno raste.
A. Rezi

22

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Vana je karakteristika zaporne struje eksponencijalna ovisnost o

temperaturi, to je prirodna posljedica ovisnosti broja manjinskih
nosilaca o temperaturi. Ne samo temperatura, ve i svaki
energetski utjecaj koji moe povisiti broj manjinskih nosilaca,
poveat e vrijednost zaporne struje.
U propusnoj polarizaciji pri U<UD rezultantno polje na barijeri
prijei gibanje nosilaca i struja ne tee.
Pri U>UD rezultantno polje mijenja smjer i omoguuje gibanje
veinskih nosilaca. Pritom na podruju p-n spoja dolazi do
masovnih rekombinacija upljina dolazeih iz p-tipa i elektrona
dolazeih iz n-tipa. Ukupna struja je u svakom presjeku ista i
jednaka zbroju struje upljina i struje elektrona.
Dublje u p-tipu struja upljina daleko nadmauje struju elektrona
dok je u n-tipu obrnuto.
A. Rezi

23

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Shockley je 1949. godine dokazao ranije eksperimentalno

utvrenu priblinu ovisnost struje zapornog sloja I o prikljuenom
naponu U
Uk Tq
I = I S e 1

(2.1)

gdje je
Is
q
T
k

struja zasienja ovisna o materijalu, geometriji i

temperaturi
jedinini naboj (1,6 .10-19 C)
apsolutna temperatura
Boltzmannova konstanta (1,38.10-23 J/K)

A. Rezi

24

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Relativna promjena koncentracije pri promjeni temperature manja

je kod veinskih, a vea kod manjinskih nosilaca, pa je i relativna
promjena propusne struje s temperaturom manja nego promjena
zaporne struje s temperaturom. U praksi se nerijetko za mjeru te
zavisnosti daje omjer promjene propusnog napona i promjene
temperature pri konstantnoj struji. Kod silicija taj je omjer
priblino konstantan
U D

2
I = const

mV
K

i nerijetko se rabi u senzorima temperature.

A. Rezi

25

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Zapornom polarizacijom ostvaruje se izmeu dva vodljiva

podruja p i n nevodljivo podruje prostornog naboja. Mogue je
ovakvu konfiguraciju predoiti kao kondenzator kapaciteta
ovisnog o irini zapornog sloja kojom upravlja vrijednost zapornog
napona. Koliina pokretljivog naboja pohranjenog u takvom
kondenzatoru odreuje dinamika svojstva zapornog sloja. U
dinamiki zahtjevnim sluajevima nastoji se kapacitet i pohranjeni
naboj odrati to manjim. U rijetkim primjenama dobrodola je i
rabi se ovisnost kapaciteta zapornog sloja o zapornom naponu.

A. Rezi

26

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2. poluvodika dioda

Osnovno svojstvo zapornog sloja da se moe zaporno ili propusno
polarizirati i time onemoguiti ili proputati struju, rabi se u
elektronikom elementu nazvanom dioda. Sastoji se od
poluvodikog kristala koji se s krajeva razliito dopira tako, da
nastaje p-n prijelazno podruje u kojem se formira zaporni sloj.
Metalni izvodi na krajevima kristala omoguuju spajanje diode u
strujni krug.

Sl. 2.6. Dioda, sastav i simbol

Anoda je naziv prikljuka uz p-tip, dok je drugi izvod katoda (sl.
A. Rezi
27
2.6.).

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.1. Statika karakteristika diode

Za dobivanje statike karakteristike diode mogue je zamisliti spoj
prema slici 2.7. s naponom U promjenljive vrijednosti i polariteta.

Sl. 2.7. Spoj za snimanje statike karakteristike diode

Statiku karakteristiku odreuju parovi razliitih vrijednosti struje
I kroz diodu i napona U na njoj, koji se dobiju mjerenjem pomou
(zamiljeno idealnih) instrumenata.
A. Rezi

28

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Grafiki prikaz izmjerenih parova na slici 2.8. potvruje ponaanje

na temelju dogaaja u zapornom sloju.

Sl. 2.8. Statika karakteristika diode

A. Rezi

29

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Pri naponu Up anoda diode je pozitivna prema katodi;

polarizacija diode je propusna. Dodue, pri naponima Up manjim
od difuzijskog nema zamjetne struje, jer postoji podruje
prostornog naboja bez veinskih gibljivih nosilaca. Porastom Up
podruje se suzuje, dok pri izjednaenju prikljuenog napona s
difuzijskim, Up=Upo, u cijelosti ne iezne. Porast napona iznad
Upo uzrokuje znatan porast struje koja ovisi o vodljivosti dijelova
diode.
Kad je katoda diode pozitivnija od anode (ili, to je isto, anoda
negativnija od katode), na diodi postoji zaporni napon, zaporno je
polarizirana. U odnosu na propusnu polarizaciju struja mijenja
smjer; statika karakteristika ostvaruje se u treem kvadrantu pri
naponu Uz i struji Iz.
A. Rezi

30

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Ve kod propusne polarizacije naponom Up<Upo postoji podruje

prostornog naboja na granici dvaju kristala tipova p i n.
Snienjem napona pa i prijelazom u zapornu polarizaciju podruje
prostornog naboja se iri. Smjer polja prijei veinskim nosiocima
gibanje, ali ne i manjinskim. Malena struja koja tee posljedica je
gibanja manjinskih nosilaca preko zapornog sloja i stoga jako
temperaturno ovisna.
Iako se porastom zapornog napona podruje prostornog naboja
iri, polje u njemu raste, doseui pri naponu Uzo vrijednosti koje
omoguuju ionizaciju.
Daljnji porast zapornog napona Uz popraen je naglim porastom
struje i kod standardnih dioda je to podruje statike karakteristike
zabranjeno.
A. Rezi

31

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Koljeno propusne karakteristike je kontinuirani prijelaz (a ne lom)

izmeu nevodljivog i vodljivog podruja, to je posljedica
injenice da podruje prostornog naboja ne iezava na itavoj
graninoj plohi p i n kristala pri istom naponu, ve na nekim
dijelovima pri niem, a nekim na viem, s prosjenom vrijednou
Upo. Poradi razmjerno velike vodljivosti dopiranih kristala, ukupni
napon na propusno polariziranoj diodi i pri maksimalno
doputenim propusnim strujama ne prelazi mnogostruko Upo.
Pri strujama ispod maksimalno doputenih, izmeu anode i katode
postoji napon Up>Upo koji se moe oitati iz statike
karakteristike.
Dok Upo uglavnom ovisi o vrsti osnovnog materijala kristala,
probojni napon Uzo ovisi pri specificiranim okolinim uvjetima o
koncentraciji dopiranja, istoi kristala i koritenoj tehnologiji. U
praksi primijenjeni zaporni napon mora biti ispod Uzo.
A. Rezi

32

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Crtkano je na sl. 2.8. naznaena karakteristika pri vioj temperaturi

kristala.
Pri povienoj temperaturi uoava se porast zaporne struje (u III
kvadrantu), te pad propusnog napona kod konstantne propusne
struje (objanjeno u temi 2.1.4.).
Dioda je izrazito nelinearni element, te tonije odreivanje
parametara strujnog kruga u kom se nalazi nije sasvim
jednostavno. Ovisnost struje o naponu diode moe se izraziti
analitiki (npr. s pomou (2.1)), pri emu je tonost proporcionalna
sloenosti modela.

A. Rezi

33

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.2. Karakteristika idealne diode

Za grubo odreivanje prilika u strujnom krugu s diodom nerijetko
je dostatno uzeti u obzir samo osnovno svojstvo diode: vodi tek u
jednom smjeru. To dovodi do predodbe "idealne diode" sa
statikom karakteristikom na sl. 2.9.a).
Pri bilo kojem zapornom naponu kroz idealnu diodu ne tee struja,
dok je u propusnom polaritetu pri bilo kojoj struji pad napona na
diodi jednak nuli. Slino ponaanje ima mehanika sklopka: kad je
iskljuena ne vodi struju, a na ukljuenoj (u idealnom sluaju)
nema pada napona. Diodu se smije zamijeniti idealnom uglavnom
onda kad je pad napona na realnoj diodi znatno manji od ostalih
napona u strujnom krugu i kad se moe prema njima zanemariti.
Kad je predodba idealne diode pregruba, karakteristiku realne
diode mogu zamijeniti i njene aproksimacije.
A. Rezi

34

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Sl. 2.9. a) karakteristika idealne diode, b) i c) aproksimacije

U karakteristici na slici 2.9. b) ne zanemaruje se pad napona na
vodljivoj diodi, ali se uzima kao konstantan iznosa Up, koji se
moe kod silicijskih dioda za male signale procijeniti na npr. 0,6
do 0,8 V, a kod snanih dioda i iznad 1 V. Aproksimacija b) blia je
stvarnoj karakteristici diode nego idealna, ali je i sloenija.
U karakteristici c) vodljivi dio ima jo i konstantan i konaan
diferencijalni otpor.
Koja e se karakteristika odabrati, ovisi o zahtijevanoj tonosti i
poznavanju ostalih parametara strujnog kruga.
A. Rezi

35

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.3. Dioda u strujnom krugu

Jednostavni sluaj ukljuenja diode u strujni krug prikazuje sl.
2.10. a).

Sl. 2.10. Dioda u jednostavnom strujnom krugu

Prema drugom Kirchhoffovom zakonu napon napajanja uG mora
biti jednak zbroju padova napona uR+ uD. Kad je stezaljka a izvora
pozitivnija od stezaljke b za uG1, potei e struja i1, takva, da
napon na diodi uD1, koji slijedi iz karakteristike diode, zbrojen s
uR1= i1.R ba dade uG1 (toka A1 na slici 2.10.b).
A. Rezi

36

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Po istoj logici pri naponu napajanja uG2 tei e krugom struja i2

osiguravajui uG2= uD2+uR2 u toki A2.
Ako stezaljka a postane negativnija od stezaljke b za uG3, sjecite
pravca otpora p3 i karakteristike diode ostvaruje se u zapornom
dijelu karakteristike diode (toka A3) pri struji i30. Radi toga je i
uR0, te ostaje uD3uG3; praktiki itav napon napajanja nalazi se
na diodi i zaporno je polarizira. Oito je, da u zapornoj polarizaciji
dioda pri struji i0 djeluje poput iskljuene sklopke.
Kad je u praksi uG>>uD, opravdano je primijeniti karakteristiku
idealne diode prema sl. 2.9.a).
Svojstvo diode da u jednom smjeru ne proputa struju u praksi se
naziva ventilno; dioda je, dakle, strujni ventil, ukljuen kad dioda
vodi, a iskljuen kad je zaporno polarizirana.
A. Rezi

37

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.4. Tehnika svojstva i padaci

Diode se izrauju razliitim tehnologijama, te za razne namjene, iz
ega slijede i razliita svojstva; navode se u katalokim podacima.
Posebna grupa podataka su granine vrijednosti, koje se nikako ne
smiju prekoraiti radi opasnosti od nepovratnih promjena strukture
i svojstava.
Vanije granine vrijednosti su maksimumi za:
-

trajno podnoljivi nazivni zaporni napon Un,

kratkotrajno podnoljivi zaporni napon,
trajno podnoljivu nazivnu propusnu struju In,
kratkotrajno podnoljivu propusnu struju,
temperaturu kristala.
A. Rezi

38

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Interesantniji ostali parametri obuhvaaju neka statika i

dinamika svojstva:
-

propusni napon pri nekoj propusnoj struji (toka propusnog

dijela karakteristike),
zaporna struja pri zapornom naponu i temperaturi,
vrijeme oporavka,
toplinski otpori.

Deklarirani trajno podnoljivi zaporni napon neke diode ima jednu

od vrijednosti odreenih normama. Najvie mogue vrijednosti
premauju ak 1,5 kV.
Kratkotrajno podnoljivi napon vei je od trajno podnoljivog s
faktorom ovisnim o trajanju.
Trajna gustoa struje iznosi i do 2 A/mm2.
A. Rezi

39

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Najvie vrijednosti nazivnih struja premauju 1 kA, dok

kratkotrajne struje smiju imati viestruko vee vrijednosti.
Maksimalne temperature kristala iznose najee 200 C za silicij i
150 C za germanij.
Pri sobnoj temperaturi zaporna struja IZ je bar 104 puta manja od
nazivne.
Propusni napon pri nazivnoj struji redovito je ispod 2 V.
Vrijeme oporavka je vremenski interval potreban da pri trenutnoj
promjeni polariteta na diodi propusna struja poprimi vrijednost
zaporne i bitno je dinamiko svojstvo diode (kod najbrih dioda
ispod 1 ns).

A. Rezi

40

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Uslijed malog propusnog napona u odnosu na probojni Uz0, te radi

male zaporne struje u odnosu na nazivnu, diodne karakteristike
crtaju se ili s razliitim linearnim mjerilima u I i III kvadrantu ili se
prikazuju u logaritamskim mjerilima.
Ipak, statike karakteristike oblika I=f(U) nemaju znatnije mjesto u
podacima. Prvi je razlog to postoji rasipanje karakteristika unutar
istog tipa. Drugi, vaniji, to je u praksi znaenje statike
karakteristike skromno. Naime, pri veim strujama dolazi do
zagrijavanja kristala i do promjene karakteristike, pa ona,
snimljena pri uvjetima koji simuliraju konstantnu temperaturu
kristala, nije mjerodavna.
Parametri ostvareni pri specificiranim uvjetima (npr.
reprezentativna toka propusne i toka zaporne karakteristike) u
dostatnoj mjeri zamjenjuju statiku karakteristiku pa se esto
navode u katalozima.
A. Rezi

41

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kuita dioda od kojih neka prikazuje sl. 1.7. najee su izvedena

od stakla, keramike i plastike (a), te keramike i metala (b, l).
Metalna kuita omoguuju dobar spoj s hladilom (tema 1.4. ) i
primjenjuju se obavezno kod dioda veih nazivnih struja, dok
diode malih snaga primijenjene u informacijskoj elektronici
najee imaju stakleno ili plastino kuite.
Diode namijenjene veim strujama imaju i vee povrine zapornog
sloja, prema tome i vee dimenzije.

A. Rezi

42

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.5. Osnovne primjene diode

U svakoj primjeni diode iskoritena su neka njezina svojstva.
Ventilno djelovanje rabi se u dobrom dijelu primjena, npr. kod
ispravljaa (sl. 2.11. a).

2.11. Primjene diode

a), b) ventil, c) sklopka, d) ograniavalo napona, e) osjetilo
temperature
A. Rezi

43

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Za ispravljanje energetski naglaenih veliina primjenjuju se diode

s veim nazivnim strujama, dok za ispravljanje signala u
informacijskoj elektronici slue diode s malim nazivnim strujama.
Na slici 2.11. b) dioda djeluje zatitno onemoguujui napajanje
troila T pri neispravnom polaritetu izvora.
Kad dioda spaja ili rastavlja dvije toke ovisno o svojoj propusnoj
ili zapornoj polarizaciji, govori se o diodi u ulozi sklopke. Tako na
sl. 2.11. c) postoji veza (preko propusno polarizirane diode) ili
prekid (radi nepropusno polarizirane diode) izmeu toaka A i B
za visokofrekvencijski signal.

A. Rezi

44

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

U spoju d) izlazni napon se ograniuje izmeu UG+Up1 i Up2. Pri

veim ulaznim pozitivnim naponima vodi dioda D1 i time pritee
izlaz na napon UG+Up1, gdje je Up1 pad napona na vodljivoj diodi
D1. Pri negativnim ulaznim naponima niim od Up2 vodi dioda D2
i odrava izlaz na Up2 (za Up2 je njena katoda negativnija od
njene anode na referentnom potencijalu 0). Pri ulaznom naponu
izmeu graninih ne vodi nijedna dioda, te izlazni napon slijedi
ulazni.
Ovisnost propusnog napona o temperaturi je osnovica za primjenu
diode u spojevima za mjerenje temperature ili temperaturnu
kompenzaciju (sl. 2.11. e).

A. Rezi

45

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.6. Zenerova dioda

Varijanta silicijske diode s naglaeno velikom i priblino
konstantnom strminom zaporne karakteristike naziva se, po
izumitelju Zenerova dioda. Propusna karakteristika jednaka je onoj
kod standardne silicijske diode (sl. 2.12.).
Zenerov napon UZ0 bitna je znaajka Zenerove diode; to je zaporni
napon pri nekoj maloj navedenoj struji IZ0. Izvedena dioda ima
proizvodnjom odreenu vrijednost UZ0; mogue su vrijednosti od 3
do 150 V.
Za diode s UZ0=5,6 V Zenerov napon ne ovisi o temperaturi. Diode
s UZ0>5,6 V imaju pozitivan, a one s UZ0<5,6 V negativan
temperaturni koeficijent Zenerovog napona. Diode s UZ0 oko 8 V
imaju najmanji dinamiki otpor.
A. Rezi

46

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Sl. 2.12. Statika karakteristika Zenerove diode i simboli

A. Rezi

47

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Radna toka Zenerove diode postavlja se u podruje velike strmine

zaporne karakteristike koristei minimalnu promjenu napona pri
velikim promjenama struje.
U stacionarnom stanju radna toka mora ostati iznad hiperbole
optereenja (sl. 2.2.) koju odreuje doputena snaga.
Temperatura kristala ne smije prijei za silicij graninih 200 C.
Kuita su jednaka onima kod obine silicijske diode.

A. Rezi

48

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

U primjeni Zenerove diode rabi se priblina neovisnost napona o

struji zaporne karakteristike. Tako Zenerova dioda nerijetko slui
kao naponska referenca (npr. u stabilizatorima). Pomou Zenerove
diode moe se ostvariti naponski pomak za konstantni iznos.
Nadalje, Zenerova dioda moe posluiti u ogranienju iznosa
napona na unaprijed zadanu vrijednost, dakle kao zatitni element.
Zenerove diode istog nazivnog napona i tipa imaju UZ0 unutar
standardom odreenog pojasa vrijednosti koji iznasi 10%, 5% (ili
manje) od nazivnag napona. Rasipanje vrijednosti UZ0 obino se
ne smatra veim nedostatkom. Naime, vanije je da taj napon bude
konstantan nego toan, jer se potrebna vrijednost lako postie
izborom ili odgovarajuim spojem (npr. naponskim djelilom).

A. Rezi

49

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.7. Fotodioda i fotoelement

Dioda s graom koja omoguuje djelovanje svjetlosnog zraenja
na zaporni sloj ima zapornu struju ovisnu o rasvjeti i naziva se
fotodioda.
Ako se p-n spoj vanjskim vodiem kratko spoji i izloi
svjetlosnom zraenju, u krugu tee struja proporcionalna rasvjeti.
Naime, generirani nosioci giblju se pod djelovanjem polja na
barijeri, elektroni u n-tip, upljine u p-tip. Ako se kratki spoj
prekine, dolazi do ogranienog gomilanja naboja, radi kojeg se na
mjestu prekida moe izmjeriti napon.
Oito, svjetlosna energija pretvara se u elektrinu. To je naelo na
kome se zasniva fotoelement.
A. Rezi

50

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Iako ista komponenta naelno moe posluiti i kao fotodioda, kad

se zaporno polarizira, i kao fotoelement, ako se rabi kao generator,
praktine izvedbe se razlikuju.
Statika karakteristika fotodiode s ukljuenim generatorskim
podrujem daje ovisnost fotostruje IF o naponu (sl. 2.13).
Pri rasvjeti jednakoj nuli tee minimalna "tamna" struja zaporno
polarizirane diode. Uz neovisnost o prikljuenam naponu
fotostruja IF je linearno ovisna o rasvjeti. Razliite valne duine
nemaju istu djelotvornost u generiranju nosilaca, to rezultira
promjenljivom spektralnom osjetljivou. Maksimalnu osjetljivost
fotodiode imaju u infracrvenom dijelu spektra, pritom germanijske
kod veih valnih duina, silicijske kod manjih. Prikladno
izabranim optikim filtrom moe se donekle korigirati spektralnu
karakteristiku.
A. Rezi

51

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Sl. 2.13. a) statika karakteristika fotodiode, b) graa

A. Rezi

52

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Graa fotodiode mora omoguiti pristup zraenju do zapornog

sloja, to se postie transparentnim p slojem na sl. 2.13. b).
Nerijetko se radi modifikacije kuta ulaznog zraenja prikladni dio
kuita izvodi kao sabirna lea.
Zaporno polarizirana barijera posjeduje kapacitet ovisan o povrini
p-n prijelaza i prikljuenom naponu. O naboju akumuliranom u
tom kapacitetu ovise dinamika svojstva. Postiu se bolja pri
veem zapornom naponu i manjoj aktivnoj povrini.

A. Rezi

53

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Neki vaniji prosjeni statiki podaci za Si i Ge fotodiode su:

Si
- zaporni napon
- fotoosjetljivost

Ge
10 do 100

10

100

- aktivna
povrina

0,2 do 20

- tamna struja

2 do
5 do 15 A
1000 nA

A. Rezi

V
nA/lx mm2
mm2

54

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Tamna struja je temperaturno zavisna i otprilike se udvostruuje

pri porastu temperature za 10 K. Nastoji se odrati to manjom
emu pogoduje i mala aktivna povrina.
Fotodioda se iroko primjenjuje u opto-elektronici, jer je element s
odlinim dinamikim svojstvima. Nerijetko se kao nedostatak
pokazuje premala fotostruja. Zbog linearne ovisnosti struje o
rasvjeti slui i za mjerne svrhe.

A. Rezi

55

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Fotoelementi daju struju kratkog spoja Ik linearno ovisnu o

rasvjeti, dok napon praznog hoda Uph ima zasienje (sl. 2.14.).

Sl. 2.14. Statike karakteristike silicijskog fotoelementa

A. Rezi

56

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kako fotoelement normalno ne dolazi u zapornu polarizaciju, o

izolacijskim svojstvima zapornog sloja ne treba voditi rauna.
Vea povrina zapornog sloja (A1> A2) rezultira veim strujama,
ali i veim kapacitetom zapornog sloja, pa je fotoelement u
usporedbi s fotodiodom spor u odzivu na promjene rasvjete. Pri
slabijoj rasvjeti dinamika svojstva su jo loija.
Posebne izvedbe silicijskog fotoelementa optimirane na tvorbu to
vee elektrine energije pri to veem stupnju djelovanja su
sunane (solarne) elije. One pretvaraju sunevo zraenje u
elektrinu energiju, i jedan su od alternativnih izvora energije od
kojeg se dosta oekuje. Uz dananju, jo skupu tehnologiju, slue
napajanju pojedinanih troila male snage, dok su energetski
objekti veih snaga jo uglavnom pokusni.

A. Rezi

57

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Pojedinana elija dosee pri optimalnim uvjetima na povrini

Zemlje slijedee tehnike karakteristike:
- napon praznog hoda
- struja kratkog spoja
- stupanj djelovanja

570 mV
25 mA/cm2
10%.

A. Rezi

58

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.2.8. Svijetlea dioda (LED)

Pri rekombinacijama slobodni elektroni popunjavaju upljine
poprimajui nie energetske razine. Pri tome se oslobaa dio
njihove energije u dva mogua oblika: generiranjem topline ili
radijacijom zraenja valne duine ovisne o iznosu osloboene
energije.
Izborom poluvodikog materijala i prikladnim dopiranjem moe se
poveati broj rekombinacija s radijacijom.
Elektroniki element kod kojeg se graom omoguuje zraenje
svjetlosti na opisani nain zove se svjetlea dioda ili LED (LightEmitting-Diode).

A. Rezi

59

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Kao osnovni poluvodiki materijal uglavnom slue kristali spojeva

peterovalentnih (arsen, fosfor) i trovalentnih (galij) elemenata.
P-sloj (sl. 2.15.) izvodi se vrlo tanak kako bi zraenje uz to manju
apsorpciju napustilo kristal. Ipak, tek je oko 2% zraenja vidljivo
izvana. Zraenje je razmjerno uskopojasno, to znai da se zrai
jedna boja, ovisna o vrsti materijala. Najee se susreu zelena,
uta, crvena (GaAsP), te infracrvena (GaAs), dok se u novije
vrijeme pojavljuje i plava.

Sl. 2.15. Princip grae svijetlee diode i simbol

A. Rezi

60

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Svijetlea dioda svijetli uz propusno polarizirani zaporni sloj, te

ima veu jakost svjetlosti I (u kandelama, cd) pri veoj struji (sl.
2.16.).

Sl. 2.16. Statike karakteristike svijetlee diode

A. Rezi

61

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Napon koljena propusne strujno-naponske karakteristike iznosi 1,5

do 2 V (za plave 4 V) ovisno o materijalu. Doputeni zaporni
napon je mali, svega 5 V (za plave 1 V). Propusne struje kod
kontinuiranog zraenja ne prelaze prosjeno 20 mA.
Bolji stupanj djelovanja postie se u impulsnom radu. Za
frekvencije impulsa iznad cca 30 Hz ljudsko oko ne zamjeuje
treperenje svjetlosnog zraenja. Kut zraenja odreuje prostorni
raspored svjetlosnog toka, a osim o grai i smjetaju kristala ovisi i
o pridodanoj optici.
Intenzitet svjetla i njegova boja ne odgovaraju za rasvjetu, ali su
prikladni za prijenos informacija. Dok se pojedinane svjetlee
diode rabe u signalne svrhe sa za to prilagoenim oblicima kuita,
zgodni segmentni ili matrini raspored dioda moe selektivnim
aktiviranjem zasvijetliti razliitim oblicima ukljuujui
alfanumerike znakove (sl. 2.17).
A. Rezi

62

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Prema tome koja je elektroda zajednika za sve segmente, mogua

je izvedba sa zajednikom anodom (CA) ili zajednikom katodom
(CC). Kod matrinog rasporeda svim diodama jednog reda
zajednika je jedna elektroda, a svim diodama jednog stupca
druga.

Sl. 2.17. Primjena svijetlee diode u pokazivalima

A. Rezi

63

OSNOVE ELEKTRONIKE 2. OSNOVNI ELEKTRONIKI ELEMENTI

Laserske diode emitiraju na istim valnim duinama kao i svjetlea,

ali se razlikuju graom i radnim reimom.
U impulsnom radu takve diode proizvode vrlo uskopojasno
(jednobojno ! ), istofazno i paralelno zraenje pomou tzv,
stimulirane emisije u svjetlosnom rezonatoru.
Najee su namijenjene prijenosu informacija.

A. Rezi

64