4.

Poluprovodnike diode

Dioda je poluprovodnika komponenta koja poseduje usmerako svojstvo.

Usmerako svojstvo diode ogleda se u injenici da provodi znaajnu struju samo u
jednom smeru, od anode A ka katodi K. Anoda je kontakt na P strani, a katoda
kontakt na N strani PN spoja.

Dioda i njena ematska oznaka: A anoda (P-tip), K katoda (N-tip)

Statika strujno-naponska karakteristika diode dobija se mnoenjem gustine struje

PN spoja, J J S (e

VD
VT

1) , J S qni2 (

D
DP
N ) , sa povrinom PN spoja:
LP N d LN N a

VD /VT

ID J S JS S e

VD /VT

1 IS e

1 , gde je:

I S - inverzna struja zasienja diode, (treba da bude to je mogue manja!),

VT kT / q 26[mV] termiki napon za Si poluprovodnik na 3000K,
VD - napon na diodi (uvek u smeru anoda-katoda VD VAK ! ).

Statika karakteristika diode i principsko kolo za snimanje

VD - napon na diodi kada provodi znaajnu struju, tipino VD 0.6 0.7[V]

VDT V - napon praga provoenja diode, tipino VDT V 0.5 0.6[V] ,

BVD - probojni napon diode, od nekoliko volti do nekoliko stotina volti.
Vremenski promenljive veliine obeleavaju se malim slovima, a vremenski konstantne
(jednosmerne) veliine velikim poetnim slovima. Prethodna relacija vai i za spore

promene napona diode vD i struje diode iD , kada glasi iD I S evD /VT 1 , pri direktnoj i
inverznoj polarizaciji diode, ali ne vai u oblasti proboja.
Reim rada kada su naponi i struje na komponenti vremenski konstantni naziva se
statiki reim.
Statika karakteristika diode lako se snima pomou principske eme sa prethodne slike.
Statika karakteristika diode zavisi od temperature diode. Sa porastom temperature raste
inverzna struja saturacije spoja IS i opada napon na provodnoj diodi VD.

Reavanje jednostavnih kola sa diodama statiki reim

iD
+

R
D

VDD

vD

Za kolo sa slike vai:

iD I S evD /VT 1 ,

zavisnost trenutne vrednosti struje od napona na diodi

(eksponencijalna kriva).
vD VDD RiD , tj. iD (VDD vD ) / R jednaina naponske ravnotee (radna prava).
Zbog prirode jednaina najjednostavnije je grafiki reiti dati sistem. U preseku
karakteristike diode (eksponencijalna kriva) i radne prave nalazi se tzv. (mirna) radna
taka diode Q(VDQ , I DQ ) ije koordinate VDQ i I DQ odreuju napon i struju diode u kolu
sa slike. Ipak, grafiki metod reavanja je krajnje nepraktian i neprecizan.
Kako se gornji sistem sastavljen od jedne linearne i jedne nelinearne jednaine ne moe
tano reiti u zatvorenom obliku, pribegava se numerikom reavanju sa zadatom
tanou. Ovakav pristup je zahvaljujui digitalnim raunarima danas veoma popularan.
Numeriko reavanje je raunski isuvie intenzivno za oveka, pa se u praktinim
primenama esto koriste jednostavniji modeli diode.

Idealna dioda (naponom kontrolisani idealni prekida)

provodi
zatvoren prekida

ne provodi
otvoren prekida

Statika karakterisitka idealne diode

Model idealne diode je

kontrolisani idealni prekida.

naponom

Kada je direktno polarisana dioda se ponaa kao zatvoreni prekida.

Kada je inverzno polarisana dioda se ponaa kao otvoreni prekida.

Na idealnoj diodi nema pada napona kada provodi, niti proticanja struje kada ne provodi.
Takoe, njen probojni napon je beskonano veliki.

Linearizovani model diode

Dioda provodi kada napon direktne

polarizacije premai prag provoenja
PN spoja VDT V , tj. kada spoljanji
napon polarizacije premai napon
potencijalne barijere PN spoja.
VD je pad napona na diodi u reimu
provoenja znaajnih struja, tipino
VD 0.6 0.7[V] .

provodi
zatvoren
prekida

Model diode se onda moe predstaviti

ekvivalentnim kolom sa slike:

VD

ne provodi
otvoren prekida

idealna dioda VD

realna dioda

Generalizovani linearni model diode

diD
1

dvD RB

BVD

1
RBV

Statika karakteristika diode se aproksimira linearnim segmentima.

Model diode se moe predstaviti
ekvivalentnim kolom sa slike:

A
realna dioda

A
idealna VD
dioda

K
RB

Uzima se u obzir i otpornost tela diode RB (baze diode) pri provoenju struje. Otpornost
tela diode (baze) izraunava se kao reciprona vrednost provodnosti, tj. kao reciprona
vrednost nagiba linearnog segmenta karakteristike u provodnoj oblasti. Analogno, RBV je
otpornost tela diode u reimu proboja.
U reimu malih signala, kada se jednosmernom naponu polarizacije diode superponira
mali, naizmenini, pobudni signal najee se koristi tzv. model za male signale.

Model diode za male signale dinamiki reim

Jednosmerna baterija VDD obezbeuje polarizaciju diode, tj. postavljanje mirne radne
take Q0 u eljeni deo karakteristike, u naem sluaju, na sredinu linearnog segmenta u
provodnoj oblasti. Promenljiva sinusna komponenta vg , prikazana u donjem desnom
uglu statike karakteristike, je mali naizmenini signal. Ukupan napon na diodi je onda
zbir jednosmerne i naizmenine komponente: vD VDD vg .
Pod dejstvom malog, naizmeninog, pobudnog napona vg radna taka se ciklino
pomera po statikoj karakteristici izmeu taaka Q1 i Q2 , kreui se smerom
Q2 Q0 Q1 pri porastu napona i Q1 Q0 Q2 pri opadanju napona.
Ovakvoj pobudi odgovara struja diode iD I DQ id prikazana u gornjem levom uglu
karakteristike. Kao to se vidi, varijacija naizmenine komponente struje diode id je
viestruko vea od varijacije napona vg . Odnos varijacije struje diode id i napona vg
odreen je recipronom vrednou nagiba karakteristike u mirnoj radnoj taki Q0:
V
1
1
1
rd

T
I DQ I DQ g d
diD
VT
dvD Q
0

i naziva se dinamika otpornost diode ili otpornost diode za mali signal. Reciprona
vrednost gd naziva se dinamika provodnost diode.
Napomena: Nagib karakteristike moe se odrediti grafiki ili analitiki:
diD
dvD

Q0

d
1 I DQ
v /V
v /V
I S (e DQ T 1) I S e DQ T
.

dvD
VT VT

Iskorieno je I DQ I S e

vDQ /VT

, jer je u reimu voenja znaajnih struja e DQ

/VT

1 .

Sada konano moemo pisati vd rd id ili id g d vd .

Parametar rd 1/ g d dinamika otpornost diode zavisi od poloaja mirne radne
take, tj. od struje kroz diodu.
Tako dolazimo do modela diode za male, sporo promenljive signale:

, gde je rd

rd

V
1
1

T .
gd
I DQ
diD
dvD Q
0

Ako je pobudni signal brzo promenljiv, moramo uzeti u obzir difuzionu i kapacitivnost
oblasti prostornog tovara diode.
K

rd
CT

Potpuni model diode za male (naizmenine) signale za visoke

frekvence u provodnom reimu.

CD

Reavanje kola sa diodama primenom principa superpozicije:

1. Anuliraju se sve vremenski promenljive (naizmenine) pobude u kolu. Odredi se

poloaj mirne radne take svake diode u jednosmernom reimu.
2. Odredi se dinamika otpornost svake diode u mirnoj radnoj taki (za brzo
promenljive pobude i kapacitivnosti svake diode).
3. Anuliraju se svi jednosmerni izvori u kolu, aktiviraju naizmenini, a diode zamene
dinamikim modelom za male signale. Zatim se izrauna odziv na naizmenine
pobude.

Specijalne diode

otkijeva dioda - brza usmeraka dioda, poseduje usmeraki i omski kontakt.

SiO2

Al

Al
N+

Prostorni
tovar

Poluprovodnik N-tipa
Integrisana otkijeva dioda
5

Usmeraki kontakt. Metalni aluminijumski kontakt se u dodiru sa Si poluprovodnikom

N tipa ponaa kao primesa P tipa. Energija slobodnih elektrona u N oblasti (provodna
zona) je vea od energije elektrona u metalu, gde se valentna i provodna zona
preklapaju. Elektroni slobodno prelaze iz Si u metal, ali obrnuto, zbog energetske
barijere ne mogu. Kao posledica, Si N tipa e se naelektrisati pozitivno, a metalni
kontakt negativno. Zato se na anodnom spoju Al(N tip) Si stvara napon potencijalne
barijere, pa se ovaj spoj ponaa kao usmeraki. Napon praga provoenja ovog "PN"
spoja je V0.20.3V, a cela oblast prostornog tovara lei u Si poluprovodniku. Vreme
rastereivanja i nagomilavanja nosilaca u prekidakom reimu je vrlo kratko jer u
procesu provoenja struje uestvuju samo slobodni elektroni kao veinski nosioci.
Omski kontakt. Katodni spoj Al(N+ostrvo) Si je omski kontakt, jer je zbog vrlo visoke
koncentracije primesa napon potencijalne barijere ovog spoja vrlo mali i moe se
zanemariti. Elektroni prolaze kroz ovaj spoj tuneliranjem (sloen kvantno-mehaniki
efekat). Ovaj spoj nema usmeraki karakter, ve predstavlja isto omski kontakt vrlo
male otpornosti.
Zener dioda referentni izvor termiki stabilnog napona.
Radi u reimu tzv. Zenerovog proboja, pri inverznoj polarizaciji. Formira se od PN spoja
sa vrlo visokom koncentracijom primesa. Odlikuje se relativno malim probojnim
naponom i poveanom kapacitivnou (nije pogodna za prekidaki reim rada).

radna oblast

Kada napon inverzne polarizacije vZ dostigne probojni Zenerov napon VZD , inverzna
struja kroz diodu iZ naglo raste, dok napon na diodi ostaje priblino konstantan. Koristi
se za stabilizaciju napona i izradu referentnih naponskih izvora. Vrednosti probojnog
napona VZD su od 2[V] do nekoliko stotina volti. Imaju izuzetno dobru temperaturnu
stabilnost Zenerovog probojnog napona.

iD

Varikap dioda dioda sa promenljivom kapacitivnou.

Radi u inverznom reimu, kada je dominantna kapacitivnost
oblasti prostornog tovara. Promenom inverznog napona na diodi
menja se kapacitivnost OPT, pa se ponaa kao naponom
kontrolisana kapacitivnost. Primenjuje se za stabilizaciju i
podeavanje uestanosti oscilovanja.

+
vD

 Tunel dioda karakteristika "negativne otpornosti".

Imaju vrlo veliku koncentraciju primesa. Mehanizam tunelskog proboja omoguava
proboj i pri vrlo malim naponima inverzne polarizacije. Koriste se za realizaciju
oscilatora, pojaavaa i brzih prekidaa. U jednom delu karakteristike imaju osobinu tzv.
negativne otpornosti, kada se pri porastu napona na diodi struja diode smanjuje.

ID

iD
U

I
P

dioda

VD

IV
VP

VV

vD

tunel
dioda
LED (Light Emitting Diode) dioda emituje svetlost.
LED diode emituju svetlost pri direktnoj polarizaciji. Svetlost se
emituje tokom rekombinacije elektrona sa upljinama.
Jaina svetlosti je srazmerna naponu direktne polarizacije, a
boja zavisi od vrste poluprovodnikog materijala. Uglavnom se
koriste jedinjenja Galijuma (GaAs, GaP,...).
Pad napona na provodnoj diodi je tipino izmeu 1 i 2 V.
Koriste se kao izvori nekoherentnog svetlosnog zraenja u
vidljivom i nevidljivom delu spektra.
Poznat je 7-segmentni LED display.
Takoe, koriste se kao svetlosni emiteri u optikim kablovima.

Fotodioda pretvara svetlosnu u elektrinu energiju.

Rade u reimu inverzne polarizacije, kada je inverzna struja
zasienja spoja proporcionalna jaini osvetljenosti diode.
Nosioci naelektrisanja generisani u oblasti prostornog tovara
pomou svetlosnih fotona (fotogeneracija) pod dejstvom
zaprenog polja u OPT bivaju lako transportovani kroz spoj do
kontakata pojaavajui tako inverznu struju zasienja.
Osetljivost fotodiode zavisi od talasne duine upotrebljene
svetlosti.
Koriste se za izradu detektora razliitih vrsta zraenja, a
grupisane u tzv. solarne panele (elije) kao izvori elektrine
energije. Solarne elije rade, naravno, bez spoljanje polarizacije.
7

Optokapler povezivanje elektronskih kola bez galvanske veze.

Optokapler sainjavaju LED i fotodioda u istom kuitu. Optokapler slui za

povezivanje elektronskih kola bez
direktnog oiavanja. Omoguava
efikasno povezivanje raznorodnih
sistema, kao na primer pogonskog
dela i kontrolne elektronike, ili
visokonaponskog i niskonaponskog
dela nekog ureaja. Galvansko
razdvajanje spreava da eventualni
incident u pogonskom delu oteti
kontrolnu elektroniku.