Elektronika (120)

Auditorne vjebe 1

O kolegiju
Elektroniki elementi

Elektroniki sklopovi

Poluvodii
Dioda
Tranzistor

Pojaala s bipolarnim tranzistorom

Pojaala s unipolarnim tranzistorom
Operacijsko pojaalo

02.03. 17.04.

04.05. 12.06.

Ocjena: teorija 50%, zadaci 50% (+ dodatni bodovi)

Ispiti: 01.07.2015. i 15.07.2015.
Bodovi

Ocjena

50-60

dovoljan (2)

61-74

dobar (3)

75-87

vrlo dobar (4)

88-100

izvrstan (5)

Konzultacije: Tihomir Betti, B709, betti@fesb.hr

Ivan Marasovi, B406, ivan.marasovic@fesb.hr
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

to je elektronika?

Elektronika je grana znanosti i tehnologije koja

prouava/koristi usmjereno gibanje elektrona kroz
neki medij ili vakuum.
Usmjereno gibanje elektrona elektrina struja
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Od ega se izrauju elektroniki ureaji?

Silicij Si (2. najrasprostranjeniji element u Zemljinoj

kori 27,7%)
Germanij Ge
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Sloeni poluvodii
III-V poluvodii:

GaAs, GaN, GaP, GaSb

AlAs, AlN, AlP
InSb, InAs, InN, InP
AlGaAs, InGaAs
InGaP, AlGaP

II-VI poluvodii:
CdS, CdSe, CdTe
ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe

itd
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Definicija poluvodia
Materijali ija je elektrina vodljivost vea od
vodljivosti izolatora, a manja od vodia.
10 S cm 10 S cm
8

Kljuni parametar je elektrina vodljivost!

Vodljivost poluvodia moe se mijenjati u irokom
rasponu vrijednosti.
Kako?
Pogledati u strukturu silicija!

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Struktura silicija

vrsto tijelo
Kristalna struktura
Kovalentna veza
Gustoa atoma: 51022 cm-3

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Kovalentna veza
Atom:
Jezgra
Elektroni (smjeteni u tzv. ljuskama)

Kljuni su tzv. valentni elektroni.

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Slobodni elektroni

Elektrina vodljivost ovisi o broju slobodnih elektrona

Ali elektroni su u kovalentnim vezama!
Kako osloboditi elektron iz kovalentne veze???
Razbiti kovalentnu vezu!

KAKO???

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Gustoa slobodnih elektrona

Gustoa slobodnih elektrona: n [cm-3]
Broj slobodnih elektrona u jedinici volumena
Ovisi o temperaturi!

Elektron se moe osloboditi iz kovalentne veze ako

mu se dovede energija (zagrijavanjem, djelovanjem
svjetla itd.).
Oslobaanjem elektrona nastaje upljina!!!

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

10

Karakteristine energije
Vrh valentnog pojasa najvea energija koju elektron
moe imati, a da je jo uvijek vezan uz atom. Ev
Dno vodljivog pojasa najmanja energija koju
elektron moe imati kad je slobodan. Ec
irina zabranjenog pojasa najmanja energija koju
treba dovesti da bi se oslobodio elektron iz
kovalentne veze. EG
Prikaz karakteristinih energija energijski dijagram.

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

11

Energijski dijagram poluvodia

E

Ec
EG

EG Ec Ev

Ev

Za silicij na 300 K: EG=1,12 eV

Za GaAs na 300 K: EG=1,42 eV

1 eV = 1,60210-19 J
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

12

irina zabranjenog pojasa

Model za proraun irine zabranjenog pojasa Si u
ovisnosti o temperaturi:
2
T
4
EG T 1,17 4,73 10
[eV ]
T 636

Drugi model:
E G T 1,17 1,059 10 5 T 6,05 10 7 T 2
E G T 1,1785 9,025 10 5 T 3,05 10 7 T 2

eV
eV

T 170K
T 170K

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

13

Zadatak 1.
Izraunati irinu zabranjenog pojasa silicija na sljedeim
temperaturama:
1.25

T= 200 K
T= 350 K
T= 400 K
Rjeenje:
a)
EG = 1,147 eV
b)
EG = 1,111 eV
c)
EG = 1,097 eV

1.2

Zbranjeni pojas [eV]

a)
b)
c)

1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85

200

400

600

800

1000

Temperatura [K]

Domai rad: Odrediti irine zabranjenog pojasa pri zadanim temperaturama s

drugim modelom i usporediti ih s rezultatima iz zadatka 1.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

14

isti (intrinsini) silicij

Bez primjesa (neistoa).
Broj slobodnih elektrona = broj razbijenih
kovalentnih veza.
Razbijena kovalentna veza = slobodno mjesto za
drugi elektron upljina.
Gustoa upljina p [cm-3].
U intrinsinom poluvodiu:

n = p = ni
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

15

Odreivanje intrinsine gustoe

Model za odreivanje intrinsine gustoe u ovisnosti
o temperaturi za silicij:
ni N c N v

12

EG
exp
2 ET

[cm 3 ]

Nc 6,2 1015 T 3 2 [cm 3 ]

Nv 3,5 1015 T 3 2 [cm 3 ]

T
ET k T
[eV ]
11605
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

16

Zadatak 2.
Izraunati intrinsinu gustou u silicijskom poluvodiu na
temperaturama:
10
a) T = 100 K
b) T = 200 K
c) T = 350 K
d) T = 400 K
Rjeenje:
a)
ni = 2,2310-11 cm-3
b)
ni = 4,61104 cm-3
c)
ni = 3,051011 cm-3
d)
ni = 4,581012 cm-3

Intrinsina gustoa [cm-3]

20

10

10

10

10

10

10

-10

-20

-30

100

200

300

400

500

600

Temperatura [K]

Domai rad: Izraunati intrinsinu gustou u silicijskom poluvodiu na zadanim

temperaturama koristei irine zabranjenog pojasa izraunate u prethodnom
zadatku domaeg rada. Dobivene rezultate usporediti s rezultatima iz zadatka 2.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

17

700

Oneieni (ekstrinsini) poluvodi

Poluvodi s primjesama (namjerno unesene)
Gustoa primjesa odreuje elektrina svojstva
(vodljivost)
primjesa = neistoa = dopant
unoenje neistoa = dopiranje

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

18

Tipovi ekstrinsinih poluvodia

Prevladavaju elektroni n-tip
Prevladavaju upljine p-tip
Primjese se unose posebnim tehnolokim
postupcima

Ureaj za ionsku
implantaciju i nanoenje
poluvodikih filmova
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

19

Poluvodi n-tipa
Primjese: 5-valentni atomi:
FOSFOR (P)
ARSEN (As)
ANTIMON (Sb)

Imaju 5 valentnih elektrona:

4 u kovalentnoj vezi (vrsto
vezani)
1 vezan uz jezgru (puno slabije
vezan)

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

20

Intrinsini poluvodi
+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

21

Poluvodi n-tipa
+4

+4

+4

+4

+4

+5

+4

+4

+4

+4

+4

+4

atom silicija

atom
fosfora

5. valentni elektron
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

22

Poluvodi n-tipa
slobodni elektron
slobodni elektron
+4

+4

+4

+4

upljina

Pozitivan ion DONOR

+4

+5

+4

+4

+4

+4

+4

+4

5. valentni elektron
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

23

Poluvodi n-tipa
Naboji u poluvodiu n-tipa:
Slobodni elektroni
Slobodne upljine
Lokalizirani donori

Ravnoteno stanje:
Gustoa elektrona n0
Gustoa upljina p0
Gustoa donora ND

n0 p0

Elektroni su veinski nosioci naboja

upljine su manjinski nosioci naboja
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

24

Poluvodi p-tipa
Primjese: 3-valentni atomi:
BOR (B)
ALUMINIJ (Al)
GALIJ (Ga)

Imaju 3 valentna elektrona:

3 u kovalentnoj vezi (vrsto
vezani)
1 nedostaje uz jezgru (slobodno
mjesto za elektron - upljina)

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

25

Poluvodi p-tipa
+4

+4

+4

+4

+4

+3

+4

+4

+4

+4

+4

+4

atom silicija

atom aluminija

upljina
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

26

Poluvodi p-tipa
Naboji u poluvodiu p-tipa:
Slobodni elektroni
Slobodne upljine
Lokalizirani akceptori

Ravnoteno stanje:
Gustoa elektrona n0
Gustoa upljina p0
Gustoa donora NA

p0 n0

upljine su veinski nosioci naboja

Elektroni su manjinski nosioci naboja
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

27

Osnovni zakoni u poluvodiima

1) Zakon elektrine neutralnosti:

n0 N A p0 N D
2) Zakon termodinamike ravnotee:

n0 p0 n

2
i

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

28

Zadatak 3.
Izraunati relativnu promjenu intrinsine gustoe u
silicijskom poluvodiu ako se temperatura s 300 K
povisi za 10%.
Rjeenje:
Proraun:
T1=300 K ni1 = 8,68109 cm-3
T2=330 K ni2 = 8,31010 cm-3

ni ni 2 ni1

856%
ni1
ni1
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

29

Zadatak 4.
Silicijskom poluvodiu dodane su akceptorske primjese
gustoe NA=1014 cm-3. Odrediti gustoe slobodnih
nosilaca naboja na temperaturama:
a) 0C
b) 27C
c) 175C

Rjeenje:
Primjese=akceptori p-tip poluvodia! prevladavaju
upljine!
Primijeniti osnovne zakone o poluvodiima!

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

30