Elektronika

Auditorne vjebe 2

Proli tjedan
Elektronika poluvodiki materijali.
Osnovno svojstvo poluvodia: el.vodljivost se moe
mijenjati!
El. vodljivost ovisi o broju slobodnih nosilaca naboja
(elektroni i upljine).
Energijski dijagram
E
Ec

Ev

EG

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Najraireniji poluvodiki materijal silicij (Si)

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Kristalna struktura silicija

Kovalentna veza zajedniki elektronski par.

Pucanje kovalentne veze (= oslobaanje elektrona):

Zagrijavanje
Elektromagnetsko zraenje (svjetlost)
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Elektrina vodljivost poluvodia

Ovisi o gustoi elektrona (n) i gustoi upljina (p).
(gustoa = broj elektrona (upljina) u jedinici
volumena)
Nastanak slobodnih nosilaca:
Razbijanjem kovalentne veze - elektroni i upljine nastaju
u parovima
Dodavanjem primjesa

Poluvodi:
isti (bez primjesa)
Oneieni
P-tip (3-valentne primjese akceptori)
N-tip (5-valentne primjese donori)
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Osnovni zakoni u poluvodiima

1) Zakon elektrine neutralnosti:

n0 N A p0 N D
2) Zakon termodinamike ravnotee:

n0 p0 n

2
i

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Zadatak 4.
Silicijskom poluvodiu dodane su akceptorske primjese
gustoe NA=1014 cm-3. Odrediti gustoe slobodnih
nosilaca naboja na temperaturama:
a) 0C
b) 27C
c) 175C

Rjeenje:
Primjese=akceptori p-tip poluvodia! prevladavaju
upljine!
Primijeniti osnovne zakone o poluvodiima!

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Zadatak 4.
Rjeenje:
a) T=273,15 K:
EG=1,1312 eV
ni=7,72108 cm-3

(1) n0 N A p0
(2) n0 p0 n

2
i

N A N 4n
p0
2
2
A

p0 10 cm
14

N n p0 N A
2
A

2
i

2
i

ni2
3
n0
5954 cm
p0
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Zadatak 4.
Rjeenje:
b) T=300 K:
EG=1,1245 eV
ni=8,68109 cm-3

N n p0 N A
2
A

2
i

p0 1014 cm 3
ni2
n0
7,53 105 cm 3
p0
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

Zadatak 4.
Rjeenje:
c) T=448 K:
EG=1,0824 eV
ni=3,631013 cm-3

N A N 4n
p0
1,12 1014 cm 3
2
ni2
n0
1,18 1013 cm 3
p0
2
A

2
i

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

10

Zadatak 5.
U silicijskom poluvodiu na 350 K izmjerena je
gustoa elektrona iznosa 1012 cm-3. Odrediti tip
poluvodia i neto gustou dodanih primjesa.
Rjeenje:
n-tip
ND=9,071011 cm-3.

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

11

Zadatak 6.
Silicijskom poluvodiu dodane su akceptorske primjese
gustoe NA=1014 cm-3. Odrediti tip i gustou primjese koju
treba pridodati na T=300 K da bi se gustoa elektrona:
a) udvostruila;
b) smanjila peterostruko;
c) bila etiri puta manja od gustoe upljina prije drugog
dopiranja.

Rjeenje:
a) ND=51013 cm-3;
b) NA=41014 cm-3;
c) ND=1,251014 cm-3.

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

12

Zadatak 7.
Silicijskom poluvodiu dodane primjese gustoa
NA=1013 cm-3 i ND=21013 cm-3. Odrediti tip
poluvodia i ravnotene gustoe slobodnih nosilaca
naboja na temperaturama:
a) T=300 K;
b) T=400 K.

Rjeenje:
a) n0=1013 cm-3, p0=107 cm-3;
b) n0=1,051013 cm-3, p0=21012 cm-3.

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

13

Gibanje nosilaca u poluvodiu

Usmjereno gibanje nosilaca elektrina struja.
Smjer struje:
Jednak smjeru gibanja pozitivnih naboja (upljina).
Suprotan smjeru gibanja negativnih naboja (elektrona).

Dva osnovna mehanizma:

Elektrino polje DRIFT
Nejednolika raspodjela nosilaca - DIFUZIJA

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

14

Driftno gibanje
Gibanje nosilaca pod utjecajem elektrinog polja.
+

upljina
elektron

+ U
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

15

Driftno gibanje
O emu ovisi driftno gibanje?
Iznos i smjer prikljuenog elektrinog polja!
Sposobnost gibanja elektrona i upljine u poluvodiu
POKRETLJIVOST!
Pokretljivost: [cm2/Vs]
elektrona n
upljina p

Pokretljivost ovisi o:

gustoi primjesa
temperaturi
jakosti elektrinog polja
rasprenju i meusobnim sudarima nosilaca i dr.
Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

16

Pokretljivost nosilaca
U siliciju na T=300 K:

min

maks min
N
1
N
ref

nosilac

Nref [cm-3]

maks [cm2V-1s-1]

min [cm2V-1s-1]

elektron

1,121017

1430

80

0,72

upljina

2,231017

460

45

0,72

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

17

Elektrina provodnost
Elektrina provodnost: [S/cm]
Ukupna provodnost poluvodia je zbroj provodnosti
zbog gibanja elektrona i upljina:

n p
p q p p
n q n n

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

18

Zadatak 8.
Izraunati elektrinu provodnost silicija pri temperaturi T=300 K,
ako je gustoa primjesa:
a) ND=NA=0
b) ND=1016 cm-3, NA=0
c) NA=1016 cm-3, ND=0
d) ND=NA=1016 cm-3

Rjeenje:
a)

(p=460 cm2/Vs; n=1350 cm2/Vs; =3,0310-6 S/cm)

b)

(p=419,9 cm2/Vs; n=1228,3 cm2/Vs; =1,97 S/cm)

c)

(p=419,9 cm2/Vs; n=1228,3 cm2/Vs; =0,67 S/cm)

d)

(p=397,8 cm2/Vs; n=1127,1 cm2/Vs; =2,4410-6 S/cm)

Katedra za nanoelektroniku i
fotonaponsku pretvorbu

19