13.

Ders
Yariletkenlerin Optik zellikleri
E(k)

E(k)

Bu blm bitirdiinizde,

Optik sourma,
Optik geiler,
Lminesans,
Fotoiletkenlik,
Eksiton,
Kuantum Stark etkisi

konularnda bilgi sahibi olacaksnz.

Onnc Ders: erik

Optik Sourma
Optik Geiler
Lminesans
Fotoiletkenlik
Eksiton
Kuantum Stark Etkisi

Tayc Younluu
T=0 oK

T > 0 oK

Ec
Ed

Ec
Ed

Ev

Ev

ne
1/T

Ev

Elektronik ve optik devre elemanlar

iin istenmeyen kristal kusurlar

Et

Ec
Ed

Eg
2 kT

1/T

T>0 K scaklklarnda iletim bandnda serbest

tayclar bulunmaktadr. Serbest tayclarn
younluunu scaklk ve yasak bant aral
belirler.

Yasak bant aralnda kusurlardan kaynaklanan

enerji seviyeleri elektronlar iin tuzak oluturur.
Bu enerji tuzaklar hem tayc saysn azaltrlar
hem de banttan banta elektron gei srelerinin
artmasna neden olduklarndan istenmeyen
durumlardr. Ancak baz durumlarda (optik
uygulamalarda) bu tuzaklar faydal olabilir. 4

Optik Sourma-1
Isl dengede iletim ve deerlik bandndaki tayc younluu scakln ve yasak bant
enerjisinin fonksiyonudur.

ne

Eg 2 kT

D bir etki ile (rnein k) uyarlma yapldnda iletim ve deerlik bandnda fazlalk
tayclar (elektron ve deik) oluur. Fazlalk tayclar sl dengede olmadklar iin, d
etkinin kalkmas ile tekrardan birleerek denge durumundaki deerlerine gelmeye
alrlar.
Eer yariletken zerine den n enerjisi bant
enerjisinden daha byk ise uyarlan elektronlar iletim
bandnda yksek bir enerji seviyesine karldktan
sonra enerjilerini kristale verir ve ardndan iletim
bandndan deerlik bandna geerek ma yapar.

Ec
hv > Eg

In yariletken iinde ne kadar sorulaca

malzemenin sourma katsays () ve kalnlna (l)
baldr.

It
dI ( x)
Io

dx

Eg
hv = Eg

Ev

= I ( x )

It = I oe

Io=gelen n iddeti
It=geen n iddeti
=sourma katsays

Optik Sourma-2
Sourma katsays frekansa baldr ( h )
Enerjisi bant aralnn altnda olan fotonlar
sorulmadan malzemeden geerler.
hv < Eg

Sourma katsays
(birim-1)

Ec
Eg
hv

Ev
Eg
Enerjisi bant aralnn stnde olan fotonlar
ise sorulur.
hv > Eg

Sourma katsays
(birim-1)

Ec
Eg
Ev

hv
Eg

Optik Geiler-Dorudan (Direct) Geiler

letim bandnn minimumu ile deerlik bandnn maksimumu ayn k dalga vektr deerinde ise byle
malzemeler dorudan geili malzemelerdir (rnein GaAs, InP). Bu malzemelerde sourma katsays:

(h ) = A ' (h E g )1/ 2

eklinde verilir. Optik geilerde enerji ve momentum ayn anda korunmaldr. Dorudan bant
aralndan dolay iletim ve deerlik bandna gei yapan elektronlar ayn k deerine sahip
olduklarndan momentumun korunmas iin nc paracklara (fonon) ihtiya duyulmaz. Bu
sebepten optik geiler verimlidir ve bu tr yariletken malzemeler k retiminde kullanlrlar.
E
E

Ei

Ef

Ei

h
k

Ef

ki k f

ki k f

Sourma

Ima
q = foton dalga vektr
Enerjinin korunumu
Ei + h = E f
=foton frekans
Momentum korunumu hki + hq = hk f
k =elektronun dalga vektr
Fotonik blgede fotonun momentumu ok kk olduundan ihmal edilebilir q 0 7

ki k f

Optik Geiler-Dolayl (indirect) Geiler

letim bandnn minimumu ile deerlik bandnn maksimumu farkl k dalga vektr deerinde ise byle
malzemeler dolayl (indirekt) geili malzemelerdir (rnein Si, Ge). Bu malzemelerde sourma:
katsays
*
2

(h ) = A (h E g h)

eklinde verilir. Optik geilerde enerji ve momentum ayn anda korunmaldr. Dolayl bant
aralndan dolay iletim ve deerlik bandna gei yapan elektronlar gei sonras farkl k deerine
sahip olduklarndan momentumun korunmas iin nc paraca (fonon) ihtiya duyulur. Bu
sebepten optik geiler verimli deildir ve bu malzemeler k retiminde kullanlmazlar.

E(k)

E(k)

Fonon
Foton

EC

Eg+Ep

kf

EC

kf

Eg-Ep

Sourma ki = k f

Enerjinin korunumu

EV

Ei + h = E f

Momentum korunumu hki + hq h = hk f

q0

k
ki

ki
EV

ki = k f

Ima ki = k f
q = foton dalga vektr
=foton frekans
k =elektronun dalga vektr
= fonon dalga vektr

Lminesans-1
Yariletkenlerde oluturulan elektron-deik fazlalk iftleri oluturulduktan hemen sonra sl
dengedeki durumlarna dnmeye alrlar. Eski durumuna dnerken kaybettikleri enerjiyi
ma olarak yayarlar. Bu ma zelliine en genel olarak lminesans denir.
Gelen fotonun enerjisi yasak bandn stnde ise elektron iletim bandnda yksek enerjili
duruma karlr.
Elektron, tekrar deerlik bandna dnmeden fazlalk enerjisini ok ksa bir zaman diliminde
fononlara aktararak (thermalization, ther=10-13 s ) iletim bandnn ucuna gelir.
Elektron buradan ya foton salarak (lminesans, R=10-8 s) veya foton salmadan baka ekilde
(NR>>R) enerjisini rgye aktarr veya baka bir kristal kusuru (defect) tarafndan
yakalanr.
ther

Ec
hv = Eg

E Eg
Eg

NR

ther=10-13 s
R=10-8 s
NR>>10-8 s

Ev

Lminesans-2
Lminesans nn iddeti:
2

I direk (h ) M g (h ) ( doluluk oran faktr )

M gei matris eleman, g() durum younluu, doluluk oran faktr, yukar
seviyelerin dolu, aa seviyelerin bo olma olasln hesaba katar.
g(hv) malzemenin dorudan veya dolayl oluuna bal olarak byk farklar gsterir.

I direk (h ) (h Eg )1/ 2 e
2 kT
g (h ) = 2 2
h

N
NR

( h Eg ) / kT

3/ 2

(me*mh* )3/ 4 e

( h Eg ) / kT

ther=10-13 s
R=10-8 s
NR>>10-8 s

1
N N
1
dN
=

N
+

R NR

dt total
NR
R

Lminesans verimlili
i

R =

AN
1
=
1
1 1+ R
N +

NR

NR
R

10

Lminesans-3
ther=10-13 s
Ec
E > Eg

Eg
=10-8 s

hv = Eg

Ev

Elektron ve deiklerin yaratlma mekanizmasnn nasl olduuna bal olarak bu

malar snfa ayrlr:
i) Fotolminesans (Photoluminescence): Uyarlma fotonlarla
ii) Katotlminesans (Cathodoluminescence): Uyarlma yksek enerjili elektronlarla
iii) Elektrolminesans (Electroluminescence): Uyarlma akm yolu ile

11

Fotolminesans
Yariletkenlerde fotonlarla oluturulan fazlalk elektronlar oluturulduktan hemen sonra sl
dengede olmadklar iin tekrardan deiklerle birlemeye alrlar.
Elektron ve deikler uyarldktan hemen sonra bant aralnda bulunan herhangi bir tuzak
seviyesine yakalanmadan dorudan olarak (direk) birlemesi ile oluan yaylmaya
floresans denir. Bu olaydaki zaman sabiti olduka kktr (10-8 s).
Baz yariletken malzemelerde bulunan tuzaklar bu sreyi uzatabilir.
fosforesans etki denir.
ther=10-13 s
hv1 > Eg

ther=10-13 s

Ec
hv1 > Eg

hv2

Eg

Bu duruma

Er

Ec
hv2

Eg
Ev
=10-8 s
Floresans

Ev
>>10-8 s
Fosforesans

12

Katotlminesans
Fazlalk elektron ve deik iftleri k yerine ykl enerjili paracklar tarafndan da
oluturulabilir. rnek olarak katot-n tp (Cathode-Ray Tube) verilebilir.
V
hv
hv

hv
elektron
Renkli CRT ekranlar
13

Elektrolminesans
Elektrik yklerinin enjeksiyonu ile oluturulan malara denir. rnein LED ve
yariletken lazerlerde elektrik akm tketim (depletion) blgelerine elektron ve
deiklerin enjekte edilerek bu tayclarn tekrardan birleerek foton salmalarn salar.

d
-

p +

n
V

Vb
Ec
Ef
Ev

leri besleme

14

Uygulamalar
Sourma ve foton yayma ters ilem olarak gzkse de pratikte farkllklar gsterir.
Bunun iin belli bir uygulama iin seilen malzeme nem tar. rnein bir
yariletken malzeme h > Eg nin stndekileri sourmasna ramen ayn malzeme
k yayc olarak kullanldnda sadece yasak bant aralnda foton salar.

Lminesans (E)

sourma (E)

kT
Eg

Eg+E

2kT
kT
Eg

Eg

hv

15

Fotoiletkenlik
letkenliin kla deiimi esasna gre alan bir ok optoelektronik aygt vardr
(sokak lambalar, k dedektrleri vs).

n (cm-3)
-n = n g op

1015

p +

p = p g op

1014

n(t ) = ne

po t

p+po

po=1014 cm-3

= ne t / n
t(ns)

n=yeniden birleme yarmr

0

letkenlik

40

(t ) = q n(t ) n + p(t ) p
16

Eksiton-1
Yariletkenlerde uyarlma ile oluturulan elektron-deik ifti tmyle birbirlerinden
bamsz deildir. Coulomb etkilemesinden dolay elektron ve deik birbirine baldr.
Bal elektron-deik iftine eksiton denir.

Ec
Ee
Eg

Elektron
Deik (hole)
Atom

Ev

Eksiton, kristal iinde dolap enerji iletebilir; ancak yksz olduu iin yk iletmez.
Eksitonlarn balanma enerjileri ok kktr: EeSi=14,7 meV, EeGaAs=4,2 meV
17

Eksiton-2
Eksiton enerji seviyeleri ok kk olduu iin (meV mertebesinde) oda scaklnda
(kT=26 meV) deneysel olarak gzlenemez (fonon younluu scaklkla artt iin (Efonon
(GaAs)36 meV) fononlar eksitonlar hemen iyonlatrrlar).
Eksitonlar sv helyum gibi dk scaklklarda veya dk boyutlu yaplarda gzlenebilir.
Eksitonlar iin hidrojen atomu yaklam:
2

mr* 1
Ee = 13, 6 eV
me r

1
1
1
=
+
mr* me* mh*

e
(birim-1)
Ee
h
hv

Eg
Eksitonlar balanma enerjilerine gre snflandrlrlar:
Frankel Eksitonlar: Gl bal eksitonlar
Mott-Wannier: Zayf bal eksitonlar

18

Franz-Keldysh ve Stark Etkisi

D elektrik alan, yariletken malzemenin bant yapsnda deiime (eilmeye) neden olaca
iin sourma erisinin de d elektrik alan ile farkllk gstermesi beklenir.
Bir yariletkende iletim ve deerlik bantlar arasndaki geiin d elektrik alandan dolay
deimesine Franz-Keldysh Etkisi denir. Franz Keldysh, elektron ve deik arasnda oluan
Coulomb etkimesini (eksiton) dikkate almadan sourma spektrumunda oluan deiimi
hesaplar.
Eksiton etkilerini de dikkate alarak d elektrik alann bantlar aras optik geie etkisine ise
Stark Etkisi denir.
()

letim Band

E=0

eEz
Eg

h = E g eE z

E0

Eg

Deerlik Band
z
E=0

z
E0

Eg

Franz-Keldysh Etkisi
Franz-Keldysh etkisinden dolay, enerjisi yasak bant aralnn altnda h = Eg eE z
olan fotonlarn sorulduu gzlenir.
Dk boyutlu sistemlerde de Franz-Keldysh ve Stark etkisi gzlenir ve ilgin
zelliklerin gzlenmesine neden olur.

19

Kuantum Stark Etkisi

Boyutlar eksiton yrnge yarap mertebesinde olan kuantum kuyusuna deiik
dorultularda elektrik alan uygulanrsa sourma spektrumu ilgin zellikler gsterir.

EgGaAlAs

GaAlAs GaAs GaAlAs

E=0

Bir kuantum ukuruna paralel ynde

uygulanan
elektrik
alan
sourma
spektrumunu ok deitirmez.
Ancak
kuantum ukuruna dik dorultuda uygulanan
alan sourma spektrumunu uygulanan
elektrik alann iddeti ile orantl olarak
dk enerjilere kaydrr. Bu etki, ortamdan
geen n sorulmasn d elektrik alan
ile kontrol etmemize olanak salad iin
n modlasyonunda kullanlabilir.

EgGaAlAs

EgGaAs

EgGaAlAs

GaAlAs GaAs GaAlAs

E//
E=0 V/cm
E=1,6x104 V/cm
E=4,8x104 V/cm

1,42

1,5
Foton enerjisi (eV)

GaAlAs GaAs GaAlAs

Sourma katsays ()

EgGaAs

Sourma katsays ()

EgGaAlAs

E
4
E=1,6x10 V/cm
E=1,0x105 V/cm
E=1,4x105 V/cm
E=2,2x105 V/cm

1,42

1,5
20

Foton enerjisi (eV)

zet
Yariletken malzemelerin sourma katsays frekansa bal olduu kadar
malzemenin dorudan veya dolayl bant yapsna sahip oluuna da baldr.

(h)= A' (h - Eg )1/2

Dorudan

(h)= A* (h - Eg h)2 Dolayl

Yariletkenlerin bant yapsnn zellii optik geilerin verimliliini de belirler.

Dolayl enerji bant aralna sahip malzemelerde iletim ve deerlik bandndaki
elektron ayn dalga vektrne sahip olacandan gei iin fononlara ihtiya
duyulmaz, dolays ile optik geiler verimlidir. Dolayl enerji bant aralkl
malzemelerde ise bu geiler fononlara bal olduu iin geiler verimli deildir
ve bu malzemeler k reten optoelektronik devre elemanlarnn yapmnda
kullanlmaz.
Bal elektron-deik ifti eksiton olarak bilinir ve yasak bant iinde sourmalara
neden olur. Eksitonlarn enerjileri kk olduu iin gzlenebilmesi iin ya dk
scaklklarda (az fonun younluu) veya kuantum yaplarda gzlenebilir.

21

UADMK - Ak Lisans Bilgisi

Bu ders malzemesi renme ve retme yapanlar tarafndan ak lisans
kapsamnda cretsiz olarak kullanlabilir. Ak lisans bilgisi blm yani bu
blmdeki, bilgilerde deitirme ve silme yaplmadan kullanm ve gelitirme
gerekletirilmelidir. erikte gelitirme deitirme yapld takdirde katklar
blmne sadece ekleme yaplabilir. Ak lisans kapsamndaki malzemeler
dorudan ya da trevleri kullanlarak gelir getirici faaliyetlerde bulunulamaz.
Belirtilen kapsam dndaki kullanm ak lisans tanmna aykr olduundan
kullanm yasad olarak kabul edilir, ilgili ak lisans sahiplerinin ve kamunun
tazminat hakk domas sz konusudur.

22