1.

FIZIKA POLUPROVODNIKA
1.1. Elektrina svojstva materijala
Elektrina svojstva materijala su odredjena strukturom materijala.
Valentnu zonu ine elektroni u ljusci koja je najdalje od jezgra atoma. Valentni elektroni su vezana
elektrina optereenja. To nisu slobodni elektroni.
Provodnu zonu ine slobodni elektroni koji su oslobodjeni veze sa jezgrom atoma i kreu se kroz
materijal.
Prema specifinoj elektrinoj provodnosti, materijali se dele na:
- izolatore

< 105 ( cm )

- provodnike

> 102 ( cm )

-poluprovodnike

105 < < 103

(tehnoloki se podeava)

1.2. Energetski nivoi elektrona u provodnoj i valentnoj zoni

ENERGIJA

PROVODNA
ZONA

Eg
VALENTNA
ZONA
PROVODNIK

IZOLATOR

POLUPROVODNIK

Slika 1.1. Energetski nivoi u elektrinim materijalima.

Energetski procep Eg, silicijum E g = 1.1 eV na sobnoj temperaturi.

1.3. Nosioci naelektrisanja u poluprovodniku

ist poluprovodnik je poluprovodniki materijal bez hemisjkih primesa (svi atomi su Si na

primer). Silicijum je najee korien poluprovodniki materijal sa tetraedarskom kristalnom
reetkom i valencom 4.

e
e

Si-4

e
e

Si-4

e
e

Si-4

Si-4

Si-4

Si-4

Si-4

Si-4

Si-4

Slika 1.2. Model kristalne reetke silicijuma u jednoj ravni .

Na sobnoj temperaturi izvestan broj valentnih veza je razgradjen jer su takve osobine Si kao
materijala. Jedan elektron iz valentnog para ima dovoljno energije da se oslobodi uticaja svog atoma,
postaje slobodan elektron i ostavlja nepopunjenu valentnu vezu kojoj fali jedan elektron i koja se
zove upljina. Razgradnjom jedne valentne veze nastaju jedan slobodan elektron i jedna upljina.

1.4. Provodjenje struje u poluprovodniku

Provodjenje struje sa slobodnim elektronom muiavo kretanje elektrona po zapremini materijala sa

usmerenim pomakom.
Provodjenje struja sa upljinama obavlja se pomeranjem elektrona u valentnoj zoni tako to
elektron iz kompletne valentne veze napusti svoj par i popuni polupraznu valentnu vezu. Time se
stvori virtualan efekat pomeranja upljine u suprotnom smeru. Pojava se modelira esticom
analognom slobodnom elektronu sa pozitivnim elementarnim naelektrisanjem +q koja se zove
upljina.
Uspostavljanje valentnih veza (rekombinacija) obavlja se popunjavanjem praznog mesta u
valentnoj vezi od strane slobodnog elektrona ija se energija smanjila zbog sudara sa reetkom.
Koncentracija slobodnih elektrona u istom poluprovodniku ni , koncentracija upljina u istom
poluprovodniku pi .
Sopstvene koncentracije ni i pi su jednake jer su nastale razgradnjom valentnih veza u
istom poluprovodniku. Ove koncentracije izrazito zavise od temperature materijala (vea
temperatura vea energija estica). Valentne veze se istovremeno razgradjuju i rekombinuju, a
statistika srednja vrednost sopstvenih koncentracija je ni = pi .
1.5. Vrednost sopstvene koncentracije ni = pi u termikoj ravnotei (ekvilibrijumu)

Na osnovu rezultata kvantne teorije (dopustena energetska stanja u atomu i verovatnoa

njihove popunjenosti), sledi:

Eg 0

ni 2 = pi 2 = A0T 3e kT

(1.1)

A0 - eksperimentalno odredjena konstanta, za Si A0 = 1, 26*1033 atoma 2 / K 3m6

T - apsolutna temperatura
E g 0 - energetski procep na T = 0oK
k - Bolcmanova konstanta k = 8, 62*105 eV/ K .
Poluprovodnik sa primesama (dopiran) se dobija unoenjem atoma primese umesto atoma Si
u kristalnu reetku silicijuma pod sledeim pretpostavkama:
broj atoma neistoe (primese) mnogo je manji od broja atoma Si;
valenca neistoe je za 1 manja ili za 1 vea od domaina Si;
vrsta materijala neistoe se bira tako da u teperaturnom opsegu korienja poluprovodnika
svi atomi neistoe budu jonizovani.

PRIMER 1: Neistoa je petovalentna (Al)

+1
Al jonizovan atom
Al pusti 1 e

Al
slobodan e

Al (petovalentan) DONOR (daje slobodne elektrone)

Provodnik sa donorskom neistoom se zove N tip (ima vie slobodnih elektrona od upljina).
Naelektrisanja u N tip-u su:
- slobodni elektroni, koji potiu od razgradjene valentne veze i od jonizacije donora
- upljine, koje potiu od razgradjene valentne veze
- vezani pozitivni donorski joni
PRIMER 2: Neistoa je trovalentna (In)
In privue jedan elektron od susednog Si da popuni etvorovalentnu vezu jer se nalazi u
etvorovalentnoj strukturi domaina silicijuma.
-1
In jonizovan atom
In
upljina u Si
In (trovalentan) AKCEPTOR.
Poluprovodnik sa akceptorskom neistoom se zove P tip (ima vie upljina od slobodnih elektrona).
Nealektrisanja u P tip-u su:
- slobodni elektroni, nastali razgradnjom valentnih veza;
- upljine, nastale razgradnjom valentnih veza i od jonizacije akceptora;
- vezani negativni akceptorski joni

Izborom vrste neistoe i njene koncentracije pravi se P ili N tip dopiranog poluprovodnika sa
koncentracijom slobodnih nosilaca po izboru.
1.6. Koncentracija slobodnih elektrona n i upljina p u poluprovodniku sa primesama

Na osnovu kvantne teorije izveden je zakon termodinamike ravnotee koji pokazuje da je

proizvod koncentracija u dopiranom poluprovodniku jednak kvadratu sopstvene koncentracije:

n p = ni 2
Druga jednaina za odredjivanje n i p se dobija iz elektrine neutralnosti
POLAZ:
SLEDI:
ANALIZA:

- ist poluprovodnik je elektrino neutralan

- primesa je elektrino neutralna
- dopiran poluprovodnik je elektrino neutralan
- dopiran poluprovodnik sadri sledea naelektrisanja
(a) n slobodne elektrone nastale od razgradnje valentnih veza i od donora
(b) p upljine nastale razgradnjom valentnih veza i od akceptora
(c) vezani pozitivni donorski joni N D
(d) vezani negativni akceptorski joni N A
(e) ostala naelektrisanja koja su kompenzovana: (+) = (-).

Iz razloga neutralnosti:
4

ND + p = N A + n
Iz zadnje formule sledi:

n=

N
N
+ + ni 2
2
2
2

N
N
p = + + ni 2
2
2

N = ND N A

Koncentracije slobodnih nosilaca izrazito zavise od temperature.

n,ni

ni
n
100

200

300

400

500

600

T [K]

Slika 1.3. Zavisnost koncentracije slobodnih elektrona u

poluprovodniku N tipa od temperature.

Temperaturski opseg u kome rade poluprovodnike komponente je 150 oK 500 oK. Ispod
temperature od 150 oK nisu jonizovani svi atomi primese pa je provodnost poluprovodnika mala.
Iznad 500 oK raste sopstvena koncentracija slobodnih nosilaca nastalih raskidanjem valentnih veza u
tolikoj meri da je zanemarljivo prisustvo slobodnih nosilaca nastalih od primesa i poluprovodnik se
ponaa kao da je bez primesa (gubi svojstvo P ili N tipa).
1.7. Provodjenje struje u poluprovodniku

Nosioci:

- slobodni elektroni koncentracije n

- upljine koncentracije p
Donorski i akceptorski joni su vezana naelektrisanja i ne uestvuju u provodjenju struje.
1.7.1. Mehanizmi provodjenja

DRIFT:

usmereno pomeranje slobodnog naelektrisanja pod dejstvom elektrinog polja K .

5

Za jednodimenzione probleme, povrinska gustina struje [A/m 2 ] je:

J =K

gde je K polje du x ose. Povrina za gustinu struje J je normalna na x.

Specifina elektrina provodnost = q n n [S/m]
q - elementarno naelektrisanje
n - koncentracija nosilaca
- pokretljivost nosilaca srazmerna srednjoj vrednosti trajanja vrmenskog intervala izmedju dva
sudara; jako zavisi od temperature i jaine polja.
Drift struja u poluprovodniku:

J d = K = q n n + q p p K

n 3 p = 1500 cm 2 /Vs ,
jer je pomeranje slobodnih elektrona lake od pomeranja elektrona u valentnom opsegu koje
odgovara kretanju upljina.
Specifina elektrina provodnost poluprovodnika je izrazito zavisna od temperature zbog i n .
DIFUZIJA:

kretanje nosilaca od mesta vee koncentracije ka mestu manje koncentracije

Za jednodimenzioni sluaj, povrinska gustina struje difuzije je srazmerna gradijentu koncentracije

nosilaca:
dn
dx
dp
J p = qD p
.
dx
J n = qDn

Minus u izrazu za Jp postoji jer struja Jp ima isti smer kao opadanje koncentracije upljina.
n
konc
n
x

x
Slika 1.4. Ilustracija koncentracije nosilaca, jednodimenzioni model.
Dn , D p su difuzione konstante elektrona i upljina.

Ajntajnova relacija povezuje difuzione konstante i pokretljivosti:

Dn / n = D p / p = kT / q .

Ukupna povrinska gustina struje elektrona u poluprovodniku:

6

J n = qn nK + qDn

dn
dx

[A/m 2 ] .

Ukupna povrinska gustina struje upljina u poluprovodniku:

J p = q p pK qD p

dp
dx

[A/m 2 ] .

Ukupna povrinska gustina struje J u poluprovodniku iznosi:

J = J n + J p = qn nK + qDn

dn
dp
+ q p pK qD p
.
dx
dx

Ne moraju uvek da postoje sve komponente struja.