Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=300 K iznosi p=51015 cm-3.

Izraunati koncentraciju
elektrona i upljina na T=300 K i T=550 K.
Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=350 K iznosi p=107 cm-3. Izraunati koncentraciju
elektrona i upljina na T=350 K i T=550 K.
Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=450 K iznosi n=1011 cm-3. Odrediti tip i
koncentraciju dodane primjese.
Silicij je dopiran akceptorima koncentracije NA=1015 cm-3 i donorima koncentracije ND=1,251015 cm-3. Izraunati
koncentracije nosilaca na temperaturama T=300K i T=473K.
Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K iznosi n=5107 cm-3. Koji tip i koliku
koncentraciju primjesa treba dodati da na T=450 K koncentracija elektrona bude ista (n=5107 cm-3)
Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=525 K je 10 puta vea od koncentracije upljina.
Izraunati specifinu vodljivost na T=300 K, ako su pokretljivosti nosilaca 900 cm2/Vs i 350 cm2/Vs
Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti
b) Kolika je struja u toki B

Prijenosna karakteristika MOSFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti
b) Kolika je struja u toki B

Izlazna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Pretpostaviti =0.

a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni,obogaeni ili osiromaeni)
b) Odrediti struju u toki C

Prijenosna karakteristika nekog MOSFET-a prikazana je na slici. Faktor modulacije duljine kanala iznosi =10-2 V-1.
a) Odrediti tip MOSFET-a (n ili p kanalni, obogaeni ili osiromaeni) i obrazloiti.
b) Izraunati struju i dinamike parametre u toki B.

Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip JFET-a.
b) Odrediti struju i strminu u toki A.

Prijenosna karakteristika nekog JFET-a u podruju zasienja prikazana je na slici.

a) Odrediti tip JFET-a.
b) Odrediti struju i strminu u toki A

Izlazna karakteristika nekog JFET-a prikazana je na slici. U tokama A i B struja odvoda iznosi IDA= - 1,125 mA i IDB= 0,125 mA.
a) Odrediti tip JFET-a
b) Odrediti struju i dinamike parametre u toki C. Kod prorauna rd pretpostaviti =0,002 V-1.

Izlazna karakteristika nekog JFET-a prikazana je na slici. Napon praga tranzistora iznosi UP= - 2,5 V. Struje u tokama A
i B iznose IDA=0,5 mA i IDB=0,502 mA.
a) Odrediti tip JFET-a
b) Odrediti struju i dinamike parametre u toki C.

Bipolarni npn tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=5 mA. Faktor injekcije (efikasnost emitera) je
0,995, a rekombinacijska struja baze iznosi 5 A. Odrediti sve komponente struja, te ukupne struje emitera, baze i
kolektora. Izraunati istosmjerne faktore strujnog pojaanja u spoju zajednike baze i zajednikog emitera.
Pretpostaviti ICB0=0.
Bipolarni pnp tranzistor radi u NAP-u uz struju emitera iznosa |IE|=7,5 mA. Faktor injekcije (efikasnost emitera) je
0,99, a rekombinacijska struja baze iznosi 20 A. Odrediti sve komponente struja, te ukupne struje emitera, baze i
kolektora. Izraunati istosmjerne faktore strujnog pojaanja u spoju zajednike baze i zajednikog emitera.
Pretpostaviti ICB0=0.