Pardmetros épticos del compuesto semiconductor PbTe E.A. Albanesi'”, V. Gottig? y A.G. Petukhov’ ‘mvTEC (CON UNL), Guemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina, e-mail. eaa@imtecunl eduar Facultad de Ingenieria, UNER, Ruta Peial. 11, 3100 Oro Verde (Entre Rios), Argentina SSDSMT, Rapid City, SD 57701-3995, USA. Se presenta un célculo de las constantes Spticas del compuesto semiconductor PbTe en estructura tipo cloruso de sodio, La estructura electrénica en la que se basa este estudio fue calculada dentro del esquema de aproximacién de densidad local como modelo de correlacién e intercambio. Hemos calculado la parte imag.naria de la funcién dieléctrica ¢2(0), y a través de la relacién de Kramers-Kronig hemos obtenido la parte real ¢)(o). Otros parimetros épticos, como el indice de refracci6n complejo, el cocficiente de absorciOn, y también la reflectividad son presentados. Hemos incluido la interaccién spin-orbita, 1a cual conduce a una estructura de picos mas rica, Las principales caracteristicas de los resullados épticos, que se busan en la estructura de picos observados en las curvas de los parimetros dpticos, pueden ser correlacionados con la estructura de bandas de este compuesto. La comparacién con resultados expenmentales provenientes de diferentes técnicas experimentales, resulta satisfactoria. ‘A calculation of the optical constants of the semiconductor compound PbTe in the sodium-chloride structure, is presented. The electronic structure has becn obtained in the exchange and correlation local density approximation, and the spin-orbit interaction has been included. We have calculated the imagonary part of the dielectric function ¢2(), and also the real part e,(@) through the Kramers-Kronig, relationship. Also, other optical parameters such as the complex refraction index, the absorption coefficient and the reflectivity are presented. The main features showed by the optical parameter curves, can be understood on the bases of the band structure ofthis compound, and our results can be satisfactory 3 compared to experimental results L INTRODUCCION El compuesto P6Te, al igual que otras sales de Pb, resulta tun semiconductor con buen grado de polaridad, cuyas lignduras se deben en gran medida a fuerzas clectrostiticas entre los iones de la red cristalina, Esto se reflejaen su estructura cristalin tipo cloruro de sodio,! El interés generado por su utilidad en dispositivos para la deteccién de radiaci6n infraroja y visible, diodos laser, y celdas fotovoltaicas ha resultado en numerosos estudios tendientcs al entendimiento de sus propiedades.* Este es uno de los compuestos tipicos de la familia 1-17 que presentan propiedades electrinicas y _estructurales diferentes de los semiconductores tipicos (por ej. los IZf- V), como alta movilidad de portadores, altas constantes diclectricas, muy angosto band gap y cocficiente de temperatura positivo. En este trabajo hemos empleado el método Full Potential Linearized Augmented Plane Wave (FP-LAPW), dentro de la teorin de la funcional densidad (DFT), en la forma implementada en cl cédigo WIEN97.> También hemos incluido en los céloulos Ia interaccién spin-érbita Debido a que son sistemas con band gap angosto y a la presencia de elementos pesados, hemos incluido en nuestro estudio la interaccién spin-drbita, mejorando la conformacién y simetria de las bandas, de particular importancia en la zona donde aparece el band gap. Esta descripcién desdobla bandas de energia, que en este caso conducen a un adecuado valor del gap, Estas diferencias 126 - ANALES AFA Vol. 12 son de importancia en las propiedades épticas del material, ya que aparecen més cantidad de picos y los tmismos résultan mas agudos. ‘Heros caiculado 1a estructuctura de bandas; con y sin 1a interaceién spin-orbita, usado en todos los casos cl potencial de intercambio-correlacion LDA. IL DISCUSION DE RESULTADOS La estructura cristalina del compuesto PbTe es tipo cloruro de sodio, con dos dtomos por celda unitaria. En los calculos* hemos usado el valor de 1a constante de red experimental’ de 6.462 A La estructura de bandas fue calcalada en /65 puntos k irreducibles, en la primera zona de Brillouin (BZ). La Fig 1 muestra las bandas de energia en las direcciones ‘mas importantes de la BZ, principalmente los puntos L, donde se forma el band gap, y el punto 7; donde se suele medir el Uamado desdoblamiento de spin-érbita, que tiene lugar entre las bandas de valencia de mayor energia. La interaccién spin-orbita desdobla las bandas en la zona del bborde de valencia, Las bandas se corren levemente hacia cenergias mayores. A su vez, el desdoblamiento en la bandas de conduccion, producen un descenso en los estados de la zona del gap. Como consecuencia de estos efectos, el band-gap resulta mejor descripto. También la BUENOS AIRES 2000-126“ descripcién completa de las bandas mejora, y la simetria que carrersponde a cada una. Nuestros renultados muestran que el méximo de 1a banda de valencia (VBM) resulta un estado L's , con buen porcentaje e contribuciéa s-Pb, apareciendo también otras bandax muy cercanas desdobladas por la interaccion, spin-trbita. La signient: banda que se destaca, més profunda en ‘energia, cs la L's correspondiente a un fuerte estado s-Pb. Finalmente se obtiene 1a banda mis profunda en energia, Le, que comesponde principalmente a un estado s-7e. Estas dos iiltimas bandas no se modifican mayormente debido al spin-orbita. En el punte J; tanto la banda de valencia como la de conduccién préximas a sus respectivos bordes, se deedoblan respectivamente en dos bandas separadas, con un valor de desdoblamiento de spin-Srbita de 1.06 eV para Fig. I: Dingrumas de bandas de energia de] compuesto PbTe en las direccions més relevantes. Se muestran transiciones que ddan origen a los picas de la fmciOn dieléctrica imaginaria £0) la banda de valencia, en muy buena coincidencia con el valor experimental’ de /.J5 eV. En el punto X, el desdoblamiento spin-érbita obtenido entre las dos bandas de valencia més préximas al borde es de 0.70 eV, siendo cl valor medido experimentalmente’ de 0.9 eV. EI band gap es directo y aparece en el punto L de la Ira. Zona de Brillouin. Se forma entre la banda de valencia que tiene principalmente contribuciones s del Pb, y la ‘banda de conduccién que resulta tipo p en el cation (Pb) y tun poco tipo p.s del anion (Te). Aparecen otro méximo y minimo secundarios en ta direcci6n Z ( I» K) no mostrado en la Fig. 1, alrededor del cual se originan algunas contxibuciones posibles a los pardmetros Spticos, coro se dicute en la Secién IL. 327 - ANALES AFA Vol. 12 IL1 Parémetros Opticos Et punto de partida para el cilculo de los parkmetros Opies, es una buena estructura électrimicd obtenida autoconsistentemente. Este es un requisto fundamental ya que los panimetres épticos provenientes de las transiciones antre bandas, involucraniclementos de matriz del operador momento, por lo que los resultados varian si las autofunciones utilizadas ca los cdlealos no fueran suficientemente precisas. Y aén en el caso en que la determinaci6a se llevara a cabo solo con tas densidades de estados joint (DOS) se utilizan también las autofunciones del célculo de bandas. La inclusién de la interaccién spin- es la matria dipolar, y f, 1 son los estados final e inicial respectivamente, w, es la funcién de distribucién dé Fermi para el estado /-¢simo, y E; es la cnergia del electrin en el i-¢simo estado. Aqui, ¥ cen las expresiones que siguen, j denota una cualquiera de las tres componente en coordenadas cartesianas. La parte real de la funcién dicléctrica es computada a partir de 6,() usando las relaciones de Kramers-Kronig, en la forma 2a), =e 27] Oa donde P significa el valor principal de la integral. Otros parimetros importaiies en la caracterizacién Sptica que también hemos calculade, son el coeficiente de absorcién (a) obtenido como® ae), =% 2( sce) 15) iy y el indice de refraccién complejo A(ay) naa); + 1 Ka), ‘efinido en términos del indice de refraccién real (a), ‘como su parte real, y el cocficiente de extincién k/a) ‘como su parte imaginaria, donde {e0" +60); +6(0) 2 i nal), BUENOS AIRES 2000- 127(coy +e,c0yJ"-c@y, Boa Ko), Finalmente, calculamos la reflectividad R(a) obteiiga como - Re), = (lo), -1 fF +H@) (uo, +1) +k@); , Para obtener valores de los parimetros Gpticos que puedan compararse también en magnitad con los Observados experimentalmente, se debe usar una grlla muy densa de puntos en el espacio K. En este caso se utiizaron 2050 puntos irreducible en la BZ para obtener ‘convergencia, en los cuales se Hevé.a cabo la integracion usando ¢l metodo de los tetrahedros. De esta, manera se suavizan las curvas y se deteclan’ los, picos mis precisamente Nuestros resultados para la parte imaginaria de ta funcién dieléctrica e; en el rango‘de 0 a 5 eV, en el que las mediciones cxperimentales se evan a cabo usualmente, resulta una curva que presenia tres picos claramente definidos, y el umbral inicial coincidente con el band gap, Valor a. partir del cual comienzan a ser_posibles. las transiciones interbanda en el compuesto semiconductor.” 40 20 Energia (eV) -e Fig.2: Partes real g(@) © imaginaria e/a) de la funcion dielectrica calculada para PbTe, incluyendo la interaccién spin orbita vs 128 - ANALES AFA Vol. 12 a Fig 2 muestra ti funcion calculada ¢3,.la cual muestra el umbral Ep en 0.15 eV, Eo es la energia ‘umbral del semiconductor que coincide con el valor del band gap calculado, cuya principal transicién asignada es 1/516) (numeramos las bandas como usvalmente, 1 ¢s la ‘banda s mis profunda). Este-valor es razonable dentro de 1a conocida ‘subestimacion del valor del band-gap por parte dé la LDA, siendo de 0.190 eV su valor experimental” para ef compuesto Pb7e Le sigue luego #, en 1.00 e¥, et primer hombro que aparece en el espectro, el cual se origina en la transicién YS) [L(S-97)] (Fes la ditecci6n TK de ta BZ, no ‘mostrada en la Fig.l). Los valores experimentales lsighados a este pico varian entre 1.08 eV".a 1.60 eV', La curva sigue creciendo hasta formar el pico principal £; posicionado en’ 1.75 e¥, para el cual se obtiene la ‘magnitud maxirha en la curva de ¢2 y ¢s Mamado pico de reflectividad, cl cual presenta cierta estructura fina, (5-16) [2{5-7)]. Los valores experimentales asignados ‘este pico varian entre-1.98 eV’ a 2.02 eV’ Pasado este pico, los valores calculados de ¢; decrecen en cenergia, apareciendo F, én 2.71 eV, el hombro de mayor energia, asignado a” 4/46) [£/4-»7)]. Los. valores experimentales asignados a oste pico varian entre 3.25 eViy 3.5 eV 80 60 + Fig. 3: Coeficiente de absorcién a(a) caleulado en funcién de la enerpla, para P&Te. + BUENOS AIRES 2000- 128 ”2 3 4 «5 Energia (ev) Fig. 4: Varincion espectral caloulada de las partes real € ‘imaginaria de indice de refiaccién complejo f(a), para PbTe. ara la parte real de la funcién dieléctrica, 1a cantidad mas {importante ex el limite a frecuencia cero 6,(0), a partir de la cual Ia constante dicléctrica estitica puede ser éeterminada. Los resultados para a/a) son presentados en la Fig 3, mientras que la variacién espectral de na(a) y k(a) es mostradi cn la Fig. 4. En la Fig. 5 presentamos los resultados obtenidos para R(@). 2 3 Energia (ev) Fig. 5: Reflectividad R(q) calculada para PbTe. 129 - ANALES AFA Vol. 12 Nuestros resultados muestran que el coeficiente de absorcién @ presenta el maximo valor de absorcién en la region £;, Esta absorcién corresponde a la transicién entre bandas, que ocurre en esa misma regién de energia. Las curvas’ presentan claramente también los _picos correspondientes a las otras transiciones interbandas iscutidas, E, y Ey. La variacién expectral del coeficiente de extincién & muestra la conocida semejanza con la curva correspondiente a & , y la reflectividad R muestra claramente su disminucién para Ins energias correspondientes a los picos en Ia curva de absorcién. Nuestros resultados muestran buena —coincidencia comparados con las curvas experimentales obtenidas con clipsometria espectroscépica’, método que presenta la yentaja de medir en forma directa ambas partes, real imaginaria, de la funci6n dicléctrica. Si bien existe cierta dispersion entre fos resultados que se pueden obtener al medir con diferentes técnicas, también obtenemos concordancia con mediciones de espactroscopia de modulacion de longitud de onda'®, electroabsorcién y clectrorreflectancia, y mds directas como reflectancia y transmision’. MIL CONCLUSIONES Hemos presentado un estudio de fos parmetro Spticos de la sal de plomo PbTe, usando el método FP-LAPW. El estudio ha inchuido los efectos de spin-érbita, que resultan fundamentales para lograr describir las ediciones: Heros explicado el origen de las principales contribuciones y el comportamiento de los parémetros 6pticos, y nuestros resultados pueden ser comparados satisfactoriamente en relacién a diversos estudios cexperimemtales. Agradecimientos Los autores agradecen al CONICET spoyo ecanémico para la realizaciéa de este trabajo. REFERENCIAS "ML. CohenJ. R Chelikowsky, Blectromlc Sructure and ‘optical properties of Semiconductors (Springer Series in Solid State Sciences, vol. 75, 2nd Edition (Springer-Verlag, Bertin,1989). ? R Dalven in Solid State Physics, vol. 28, (Academic Press New York,1973) 179. > P Blaha, K Schwarz and J. Luitz, Viena University of BUENOS AIRES 2000- 129“echnology(1997), (Improved and updated version of the WIEN code, published by P. Blaha, K. Schwory, P. Sorantin and S. B. Rickey, Comp. Phys. Commin,, 59,399 (1990)" “EA. Albanesi, CM. Okoye, C.O. Rodriguez, EL, Peltzer y Bianca, A.G.’Petukhov, 84a Reunion Asociacion Fisica Argentina (AFA), Tucuman, Septiembre 1999. *T. Grandke, L, Levy, and M. Cardona, Phys. Rev, BI8, 3847 cag78y . © C, Ambroch-Draxl and R. Abt, authors of the code extension for optical properties, in ‘The calculation of optical properties within WIEN97', ICTP Lecture notes, July 1998, *N. Suzuki, and S. Adechi, J. Appl. Phys, 33, 193 (1994), "DLE. Aspnes and M. Cafdona, Phys” Rev, 173, 714 (1968) * M_ Cardone and D. L.Greeseway; Phys. Rev, 133, A168 (1964). toons SE Kobn,P.Y.Yu, YPetrofl, Y.R Shen, ¥. Tang sod ue Coben, Phys, Rev. B8, 1477(1973). 130 - ANALES AFA Vol. 12 \ BUENOS AIRES 2000- 130