Professional Documents
Culture Documents
ความรู้พื้นฐานเซลล์แสงอาทิตย์
ความรู้พื้นฐานเซลล์แสงอาทิตย์
ความรู้พื้นฐานเซลล์แสงอาทิตย์
ความรูพื้นฐานเกี่ยวกับ
เซลลแสงอาทิตย
เซลลแสงอาทิตยเปนสิ่งประดิษฐอิเล็กทรอนิกสที่สามารถแปลงพลังงานแสงใหเปนพลังงานไฟฟาได
ดวยปรากฏการณโฟโตโวลทาอิก เซลลแสงอาทิตยชนิดแรกไดแกเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกซิลิคอนซึ่งไดรับ
การพัฒนาขึ้นใน ค.ศ. 1954 การใชงานเซลลแสงอาทิตยเริ่มจากการใชงานในยานอวกาศใน ค.ศ. 1958
และเมื่อเกิดเหตุการณวิกฤตน้ํามันในตนทศวรรษที่ 1970 เซลลแสงอาทิตยจึงเริ่มไดรับความ สนใจ ในการใช
งานเปนแหลงพลังงานทดแทนบนพื้นโลก ปจจุบันเซลลแสงอาทิตยไดเขามามีบทบาทตอชีวิตความเปนอยูของ
มนุษยอยางใกลชิด ความตองการเซลลแสงอาทิตยในแตละปก็เพิ่มขึ้นเรื่อยๆ อัตราการเติบโตการใชงานเซลล
แสงอาทิตยในชวง ค.ศ. 2002 – 2003 สูงถึง 30-40% เฉพาะใน ค.ศ. 2002 มีการติดตั้งใชงานเซลล
แสงอาทิตยสูงถึง 540 MW ทางดานตนทุนการผลิตก็ไดลดลงเหลือประมาณ 2-3 ดอลลารสหรัฐตอวัตตแลว
สําหรับในประเทศไทยจนถึง ค.ศ. 2003 มีการติดตั้งใชงานเซลลแสงอาทิตยรวมแลวประมาณ 6
MW และกําลังเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ ทุกป
1.1 ความสําคัญของเซลลแสงอาทิตย
เซลลแสงอาทิตย (solar cell) เปนสิ่งประดิษฐออปโตอิเล็กทรอนิกสที่สรางจากสารกึ่งตัวนํา
สามารถเปลี่ยนพลังงานแสงอาทิตย (หรือแสงจากหลอดไฟ) ใหเปนพลังงานไฟฟาไดโดยตรง ทันทีที่มีแสงตก
กระทบ เซลลแสงอาทิตยก็จะผลิตไฟฟาไดทันที และไฟฟาที่ไดนั้นจะเปนไฟฟากระแสตรง (DC current)
เซลลแสงอาทิตยเปนแหลงพลังงานทดแทนชนิดหนึ่ง (renewable energy) ที่เปนที่ยอมรับกันทั่วไปวา สะอาด
และไมสรางมลภาวะเปนพิษใดๆ ขณะใชงาน ไมทําลายสภาพแวดลอม เพียงแตติดตั้งเซลลแสงอาทิตยไวกลาง
แสงอาทิตย ก็สามารถใชงานไดทันที เซลลแสงอาทิตยทํางานไดโดยไมสรางเสียงรบกวนหรือการเคลื่อนไหว
และไมเคยปรากฏวามีการคัดคานการผลิตกระแสไฟฟาดวยเซลลแสงอาทิตย เนื่องจากเซลลแสงอาทิตยทํางาน
โดยใชพลังงานแสงอาทิตยเทานั้น จึงเปนการประหยัดน้ํามัน และสามารถผลิตกระแสไฟฟาไดจากแสงอาทิตย
ซึ่งเปนพลังงานที่มนุษยไดมาฟรีและมีไมสิ้นสุด อายุการใชงานของเซลลแสงอาทิตยยาวนานกวา 20 ป ดังนั้น
เมื่อลงทุนติดตั้งเซลลแสงอาทิตยในครั้งแรก ก็แทบจะไมมีคาใชจายเพิ่มขึ้นอีกตอไป
การผลิตกระแสไฟฟาดวยเซลลแสงอาทิตยเปนหนึ่งในนโยบายการผลิตพลังงานทดแทนของประเทศ
ไทย และเมื่อเปรียบเทียบกับพลังงานทดแทนอื่นๆ ที่มีการคนควาในประเทศไทย เชน พลังงานลม พลังงาน
ความรอนใตพิภพ ปรากฏเปนที่เดนชัดวา เทคโนโลยีเซลลแสงอาทิตยถูกนํามาใชงานไดอยางประสบ
ความสําเร็จมากที่สุด เชน มีการใชในหมูบานชนบทหางไกลที่สายไฟฟาไปไมถึง ใชสูบน้ําบาดาลในพื้นที่
ทุรกันดาร ใชในระบบสื่อสารถายทอดสัญญาณโทรศัพท ใชในการทหาร ฯลฯ ใน ค.ศ. 1998 ไดมีโครงการ
สาธิตการติดตั้งเซลลแสงอาทิตยบนหลังคาบานในเขตกรุงเทพมหานคร (solar houses) จํานวน 10 หลังอีก
ดวย เซลล-แสงอาทิตยที่ติดตั้งแลวในประเทศไทยทั้งหมดในขณะนี้มีกําลังไฟฟาเอาตพุตรวมประมาณ 3.7
1-1
MW หรือประมาณ 92,500 แผง (กําลังไฟฟาที่เซลลแสงอาทิตยหนึ่งแผงผลิตไดมีคาประมาณ 40-50 W
พลังงานแสงอาทิตยที่ตกกระทบพื้นโลกเรามีมากมหาศาล รอยละ 99.98 ของพลังงานที่โลกเรา
ไดรับมาจากดวงอาทิตย สวนที่เหลือรอยละ 0.02 เปนพลังงานความรอนใตพิภพ ปริมาณพลังงานของ
แสงอาทิตยที่เดินทางมาสูโลกมีมากถึง 1.77×1014 kW ซึ่งมีมากกวาปริมาณพลังงานที่มนุษยตองการ
(3.8×108 kW) ถึงกวาลานเทา ดังนั้นถามนุษยใชพลังงานแสงอาทิตยโดยตรงนี้ใหเปนประโยชน ก็จะชวย
ประหยัดน้ํามันไปไดมาก
สําหรับในประเทศไทย บนพื้นที่ 1 ตารางเมตร เราไดรับพลังงานแสงอาทิตยประมาณ 1,000 W
หรือเฉลี่ย 4-5 กิโลวัตต-ชั่วโมงตอตารางเมตรตอวัน (kWh/m2/day) ซึ่งมีความหมายวา ในวันหนึ่งๆ บน
พื้นที่เพียง 1 ตารางเมตรนั้น เราไดรับพลังงานแสงอาทิตย 1 kW เปนเวลานานถึง 4-5 ชั่วโมงนั่นเอง ถา
เซลลแสงอาทิตยมีประสิทธิภาพในการแปลงพลังงานเทากับ 15% ก็แสดงวา เซลลแสงอาทิตยที่มีพื้นที่ 1
ตารางเมตร จะสามารถผลิตพลังงานไฟฟาได 150 W หรือเฉลี่ย 600-750 kWh/m2/day นั่นเอง
ในเชิงเปรียบเทียบ ในวันหนึ่งๆ ประเทศไทยเรามีความตองการพลังงานไฟฟาประมาณ 250 ลาน
kWh/day ดังนั้นถาเรามีพื้นที่ประมาณ 1,500 ตารางกิโลเมตร (0.3% ของประเทศไทย) เราก็จะสามารถผลิต
พลังงานไฟฟาจากเซลลแสงอาทิตยไดเพียงพอกับความตองการทั้งประเทศ
1.2 หลักการทํางานพื้นฐานของเซลลแสงอาทิตย
รูปที่ 1.1 แสดงโครงสรางและหลักการทํางานพื้นฐานของเซลลแสงอาทิตย โครงสรางของเซลล
แสงอาทิตยที่นิยมใชกันมากที่สุดไดแก รอยตอพีเอ็น (p-n) ของสารกึ่งตัวนํา และวัสดุสารกึ่งตัวนําที่ราคาถูก
ที่สุดและมีมากที่สุดบนพื้นโลกไดแก ซิลิคอน ซึ่งถลุงไดจากแรควอตไซตหรือทราย และผานขั้นตอนการทําให
บริสุทธิ์ตลอดจนการทําใหเปนผลึก เซลลแสงอาทิตยหนึ่งแผนอาจมีรูปรางเปนแผนวงกลม (เสนผาน
ศูนยกลาง 5 นิ้ว) หรือแผนสี่เหลี่ยมจัตุรัส (ดานละ 5 นิ้ว) มีความหนา 200-400 μm (0.2-0.4 mm) และ
ตองนํามาแพรซึมสารเจือปนในเตาอุณหภูมิสูง (ประมาณ 1,000 °C) เพื่อสรางรอยตอ p-n ที่มีความลึก
ประมาณ 0.3-0.5 μm ขั้วไฟฟาดานหลังเปนผิวสัมผัสโลหะเต็มแผน สวนขั้วไฟฟาดานหนาที่รับแสงมีลักษณะ
เปนลายเสนคลายกางปลา
เมื่อมีแสงอาทิตยตกกระทบเซลลแสงอาทิตย จะเกิดการสรางพาหะนําไฟฟาชนิดประจุลบและประจุ
บวกขึ้นซึ่งไดแก อิเล็กตรอน และ โฮล โครงสรางรอยตอ p-n จะทําหนาที่สรางสนามไฟฟาภายในเซลล
แสงอาทิตยเพื่อแยกอิเล็กตรอนใหไหลไปที่ขั้วลบและแยกโฮลไหลไปที่ขั้วบวก ดวยเหตุนี้ทําใหเกิด
แรงดันไฟฟาแบบกระแสตรงขึ้นที่ขั้วทั้งสอง เมื่อเราตอเซลลแสงอาทิตยเขากับเครื่องใชไฟฟาชนิดกระแสตรง
(เชน หลอดแสงสวาง มอเตอรกระแสตรง ฯลฯ) ก็จะมีกระแสไฟฟาไหลในวงจร
1-2
เซลลแสงอาทิตยที่มีเสนผานศูนยกลาง 5 นิ้ว จะใหกระแสไฟฟาลัดวงจรประมาณ 3 A และให
แรงดันไฟฟาวงจรเปดประมาณ 0.5 V ถาตองการใหไดกระแสไฟฟามากๆ ทําไดโดยการนําเซลลแสงอาทิตย
หลายเซลลมาตอขนานกัน หรือถาตองการใหไดแรงดันไฟฟาสูงๆ ก็ทําไดโดยการนําเซลลแสงอาทิตยหลาย
เซลลมาตออนุกรมกัน เซลลแสงอาทิตยที่มีขายทั่วไปจะถูกออกแบบใหอยูในกรอบอะลูมิเนียมสี่เหลี่ยมผืนผาซึ่ง
เรียกวา แผง หรือมอดูล (module) แผงเซลลแสงอาทิตยมีขนาดประมาณ 1.2 × 0.5 ตารางเมตร ภายใน 1
แผงจะมีเซลลแสงอาทิตยจํานวนมากตออนุกรมกัน (เชน 32-40 เซลล) เซลลแสงอาทิตยหนึ่งแผงให
แรงดันไฟฟาวงจรเปดประมาณ 16-20 V กระแสไฟฟาลัดวงจรประมาณ 3-4 A และใหกําลังไฟฟาประมาณ
40-50 W ในกรอบอะลูมิเนียมนี้จะออกแบบปดผนึกดานหนาดวยแผนกระจกใส และดานหลังปดผนึกดวย
วัสดุกันความชื้นและฝุนละอองไมใหเขาไปสูเซลลแสงอาทิตย
เนื่องจากกระแสไฟฟาที่ไหลออกจากเซลลแสงอาทิตยเปนชนิดกระแสตรง ดังนั้นถาผูใชตองการนํา
เซลลแสงอาทิตยไปจายพลังงานไฟฟาใหกับอุปกรณไฟฟาชนิดกระแสสลับ ตองตอเซลลแสงอาทิตยเขากับ
อินเวอรเตอร (inverter) ซึ่งเปนอุปกรณแปลงกระแสไฟฟาจากกระแสตรงใหเปนกระแสสลับกอนที่จะตอเซลล
แสงอาทิตยเขากับอุปกรณไฟฟากระแสสลับดังกลาว
ปจจุบันเซลลแสงอาทิตยที่นิยมใชงานบนพื้นโลกมากที่สุดมี 3 ชนิดซึ่งไดแก เซลลแสงอาทิตยชนิด
ผลึกเดี่ยวซิลิคอน เซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอน และเซลลแสงอาทิตยชนิดฟลมบางอะมอรฟสซิลิคอน
รูปที่ 1.2 แสดงภาพถายตัวอยางเซลลแสงอาทิตยทั้ง 3 ชนิดนี้
1-3
1.3 ทฤษฎีพื้นฐานและหลักการทํางานของเซลลแสงอาทิตย
1.3.1 ผลตอบสนองเชิงสเปกตรัมและประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะ
เมื่อสองแสงอาทิตยเขาสูเซลลแสงอาทิตย คากระแสไฟฟาโฟโต (photocurrent) ที่เซลลแสงอาทิตย
จะผลิตได จะขึ้นกับลักษณะของสเปกตรัมของแสงอาทิตยและผลตอบสนองเชิงสเปกตรัมของเซลลแสงอาทิตย
ผลตอบสนองเชิงสเปกตรัม (spectral response) หมายถึง อัตราสวนของกระแสไฟฟาโฟโตลัดวงจร
Jsc(λ) ตอพลังงานแสง P(λ) ที่เซลลแสงอาทิตยไดรับ ซึ่งทั้ง Jsc(λ) และ P(λ) เปนฟงกชันของความยาวคลื่น
ของแสงอาทิตย ผลตอบสนองเชิงสเปกตรัมมีหนวยเปนแอมแปร/วัตต (A/W)
คําวา ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะ (collection efficiency) หมายถึงอัตราสวนของจํานวน
อิเล็กตรอนที่เซลลแสงอาทิตยผลิตตอจํานวนโฟตอนที่ตกกระทบเซลลแสงอาทิตย ประสิทธิภาพการรวบรวม
พาหะเปนฟงกชันของความยาวคลื่นแสงและมีนิยามอีก 2 ชนิดดังนี้
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะภายใน (internal collection efficiency: ηin) หมายถึง ประสิทธิภาพ
การรวบรวมพาหะในกรณีที่สมมติวาผิวดานรับแสงของเซลลแสงอาทิตยไมมีการสะทอนแสง
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะภายนอก (external collection efficiency: ηext) หมายถึง
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะในกรณีที่ผิวดานรับแสงของเซลลแสงอาทิตยมีการสะทอนแสง
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะภายในและภายนอกดังกลาวเขียนเปนสูตรไดดังนี้ [1]
J (λ) J sc ( λ)
ηin ( λ) = sc = (1.1)
P( λ ) qF ( λ)[1 − R( λ)]
J sc ( λ)
η ext ( λ) = η in ( λ)[1 − R ( λ)] = (1.2)
qF ( λ)
โดยทั่วไป ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะภายในจะมีคามากกวาประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะ
ภายนอกเสมอ และประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะทั้ง 2 ชนิดนี้จะมีคานอยกวาหนึ่งเสมอ ผลรวมทั้งหมดของ
ηext สามารถคํานวณไดจากสมการที่ (1.2) คือ
∑ J sc ( λ)
η ext = (1.3)
q ∑ F ( λ)
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะของเซลลแสงอาทิตยรอยตอ p-n
เราจะลองพิจารณาประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะของเซลลแสงอาทิตยที่มีรอยตอ p-n โดย
กําหนดใหวาความหนาแนนของสารเจือปนในชั้น p และ n เทากัน รูปที่ 1.3 แสดงโครงสรางของเซลล
แสงอาทิตยและแผนภาพของแถบพลังงาน ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะคํานวณไดโดยการแบงเซลล
แสงอาทิตยออกเปนชั้น n ชั้นปลอดพาหะ และชั้น p และคํานวณกระแสไฟฟาลัดวงจรไดโดยการแกสมการ
แพรกระจาย ซึ่งมีวิธีคํานวณดังตอไปนี้
1-4
ในสถานะคงตัว (steady state) สมการตอเนื่องของพาหะขางนอยชนิดโฮลที่ถูกผลิตโดยแสงในชั้น n
แสดงไดดังนี้
dJ h p − p no
+ n − g( x ) = 0 (1.4)
dx qτ h
dp
J h = qμ h pn E − qDh n (1.5)
dx
และสมการตอเนื่องของพาหะขางนอยชนิดอิเล็กตรอนที่ถูกผลิตโดยแสงในชั้น p แสดงไดดังนี้
dJ e n p − nno
− + g ( x) = 0 (1.6)
dx qτ e
dn p
J e = qμ e n p E + qDe (1.7)
dx
1-5
ในการแกสมการที่ (1.4)~(1.7) นี้ เราจะกําหนดเงื่อนไขขอบ (boundary conditions) ดังนี้
n p = n po exp( qV / kT ) ณ x = xj +w (1.9)
dp n
S h ( p n − p no ) = Dh − μ h pn E ณ x=0 (1.10)
dx
dn p
Se ( n p − n po ) = − De − μe n p E ณ x=H (1.11)
dx
x x αF (1 − R )τ h
p n − p no = A cosh + B sinh − exp( −αx ) (1.14)
Lh Lh α 2 L2h − 1
½
โดยที่ Lh : ระยะทางแพรซึมของโฮล และ Lh = (Dh τh ) α : สัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง
R : สัมประสิทธิ์การสะทอนแสง
pn − pno = 0 ณ x = xj (1.15)
1-6
d ( pn − pno )
Dh = Sh ( pn − pno ) ณ x=0 (1.16)
dx
αF (1 − R )τ h
p n − p no = [ ]
α Lh − 1
2 2
S h Lh xj − x S h Lh x x
( + αLh ) sinh + exp( −αx j )( sinh + cosh )
Dh Lh Dh Lh Lh
×[ − exp( −αx )] (1.17)
S h Lh xj xj
sinh + cosh
Dh Lh Lh
S h Lh S h Lh xj xj
+ αLh − exp( −αx j )( cosh + sinh )
Dh Dh Lh Lh
×[ − αLh exp( −αx j )] (1.18)
S h Lh xj xj
sinh + cosh
Dh Lh Lh
1) n p − n po = 0 ณ x = xj + w (1.19)
d ( n p − n po )
2) − De = Se ( n p − n po ) ณ x=H (1.20)
dx
ผลการคํานวณจะไดวา Je มีคาดังนี้
dn p qF (1 − R) αLe
J e = qDe = exp[ − α( x j + w)]
2 2
dx α Le − 1
Se Le H′ H′
(cosh − exp( −αH ′ )) + sinh + αLe exp( −αH ′ )
De Le Le
×[αLe − ] (1.21)
Se Le H′ H′
sinh + cosh
De Le Le
โดยที่ H ′ = H − ( x j + w)
1-7
จากสมการที่ (1.18) และ (1.21) เราไดขอมูลวา “กระแสไฟฟาโฟโตของโฮล (Jh) และของ
อิเล็กตรอน (Je ) มีคาแปรผันโดยตรงกับผลคูณของสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง (α ) และระยะทางแพรซึมของ
พาหะ (Le , Lh )”
ตอไปเราจะคํานวณหาคากระแสไฟฟาโฟโตที่ผลิตในชั้นปลอดพาหะ พาหะที่ถูกแสงกระตุนในชั้น
ปลอดพาหะนั้น จะถูกสนามไฟฟาภายในของรอยตอ p-n พัดพาใหไหลออกสูวงจรภายนอก พาหะเหลานี้จึง
ไมมีการรวมตัวกันในชั้นปลอดพาหะหรือรวมตัวกันนอยมาก กระแสไฟฟาที่ไหลเชนนี้เรียกวา กระแสไฟฟาพัด
พา (drift current: Jdr) และมีคาเทากับ
⎡ 2ε ⎤
1/ 2
Na + Nd
w=⎢ ⎥
s
(Vd − V ) (1.23)
⎢⎣ q Na Nd ⎥⎦
โดยที่ εs : คาคงตัวไดอิเล็กทริกของสารกึ่งตัวนํา
Na , Nd : ความหนาแนนของแอกเซ็ปเตอรและโดเนอรตามลําดับ
Vd : แรงดันไฟฟาภายในที่เกิดจากรอยตอ p-n
V : แรงดันไฟฟาไบแอส (ถามี)
J sc ( λ ) = J h ( λ ) + J e ( λ ) + J dr ( λ ) (1.24)
1-8
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะของเซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสรางชอตตกีแบรเรียร และ
MIS
รูปที่ 1.5 (ก) และ (ข) แสดงโครงสรางและแผนภาพของแถบพลังงานของเซลลแสงอาทิตยที่มี
โครงสรางชอตตกีแบรเรียร (Schottky barrier) และ MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) ตามลําดับ ใน
เซลลแสงอาทิตยทั้ง 2 ชนิดนี้ แสงอาทิตยสองเขาทางดานชั้นโลหะบางๆ และทะลุผานเขาสูชั้นสารกึ่งตัวนํา
ดังนั้นพาหะที่ถูกแสงกระตุนจึงเกิดขึ้นในบริเวณชั้นปลอดพาหะและชั้นสารกึ่งตัวนํา
กระแสไฟฟาโฟโตที่ผลิตในชั้นปลอดพาหะ จะมีคาเหมือนสมการที่ (1.22) คือ
⎡ 2ε ⎤
1/ 2
w=⎢ (Vd − V ) ⎥
s
(1.26)
⎢⎣ qN d ⎥⎦
สารกึ่งตัวนําที่อยูในชั้นถัดไป จะผลิตกระแสไฟฟาโฟโตของโฮลซึ่งมีคา
⎛ qFαL ⎞
J h = ⎜⎜ ⎟⎟T ( λ) exp( −αw)
h
(1.27)
α
⎝ h 1⎠
L +
1-9
J sc ( λ) = J dr ( λ) + J h ( λ)
αLh
= T ( λ) qF ( λ)[1 − exp( −αw) + exp( −αw) ] (1.28)
αL h + 1
J sc ( λ)
η in ( λ) = (1.29)
qF ( λ) T ( λ)
ประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะของเซลลแสงอาทิตยรอยตอเฮเทโร
เซลลแสงอาทิตยชนิดรอยตอเฮเทโร (heterojunction solar cell) ไดแก เซลลแสงอาทิตยซึ่ง
ประกอบดวยสารกึ่งตัวนําที่มีชองวางพลังงานไมเทากันมาประกอบกันเปนรอยตอ p-n รูปที่ 1.7 แสดง
ตัวอยางโครงสรางของเซลลแสงอาทิตยซึ่งชองวางพลังงานของชั้น n กวางกวาชั้น p และแสงอาทิตยตกกระทบ
ดานชั้น n ในเซลลแสงอาทิตยชนิดนี้ พาหะที่ถูกผลิตในชั้นลึกคือชั้น p จะมีอิทธิพลตอประสิทธิภาพของเซลล
แสงอาทิตยมาก ถาแผนภาพของแถบพลังงานของเซลลแสงอาทิตยมีลักษณะดังที่แสดงในรูปที่ 1.7
กระแสไฟฟาของอิเล็กตรอนที่ผลิตในชั้น p จะคํานวณไดจากสมการที่ (1.6), (1.7), (1.19) และ (1.20)
โดยพิจารณาวาแสงบางสวนถูกดูดกลืนในชั้น n จึงไดวา
1-10
S e Le 2 H′ H′
(cosh − exp( −αH ′ )) + sinh + α 2 Le 2 exp( −αH ′ )
De 2 Le 2 Le 2
×[α 2 Le 2 − ] (1.30)
Se Le 2 H′ H′
sinh + cosh
De 2 Le 2 Le 2
1-11
1.3.2 ลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตย
พารามิเตอรที่สําคัญที่ใชอธิบายลักษณะสมบัติเอาตพุต (output characteristics) ของเซลลแสงอาทิตย
มีดังนี้
I out = I − I ph (1.33)
∫o
∞
I sc = qA F ( λ)η ext ( λ) dλ (1.34)
⎧ ⎡ q (V − IRs ) ⎤ ⎫ V − IRs
I out = I 0 ⎨exp⎢ − 1⎬ + − I ph
⎣ nkT ⎥⎦ ⎭
(1.33’)
⎩ Rsh
1-12
รูปที่ 1.9 วงจรสมมูลของเซลลแสงอาทิตยทั่วไป
nkT ⎛ I sc ⎞
Voc = ln⎜ + 1⎟ (1.35)
q ⎝ I0 ⎠
1-13
qVmax qVmax I sc
exp( )(1 + )=( + 1) (1.37)
nkT nkT I0
qVmax
( I sc + I 0 )
nkT
I max = (1.37’)
qVmax
1+
nkT
สมการที่ (1.37) และ (1.37’) ชี้ใหเราทราบวา Pmax จะมีคามากเมื่อ I0 มีคานอย (นั่นก็คือ ชองวาง
พลังงานของสารกึ่งตัวนําควรมีคากวางพอสมควร) และ n มีคานอย
Pmax V m ax × I m ax V oc × I sc × FF
η = × 100% = = × 100% (1.40)
Pin Pin Pin
∞
ในปจจุบัน ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกซิลิคอนที่ผลิตในภาคอุตสาหกรรมมี
คาประมาณ 12~19% พลังงานแสงที่ตกกระทบเซลลแสงอาทิตยบางสวนถูกนําไปใชประโยฃน บางสวน
สูญเสีย
1-14
รูปที่ 1.11 แผนภูมิการสูญเสียพลังงานในเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน
1-15
ตัวอยางที่ 2 เซลลแสงอาทิตยมีลักษณะเปนแผนวงกลมรัศมี
= 6 cm มีพารามิเตอรตอไปนี้ r
-12
I0 = 10 A, Isc = 3.0 A, Voc = 0.7 V, Vmax = 0.55 V, Imax = 2.85 A, วัดที่กําลังแสงอินพุต =
100 mW/cm2 จงหาคาฟลลแฟกเตอรและประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย
A = π r = 113 cm
2 2
วิธีทํา พื้นที่รับแสงอาทิตย
V max × I max 0.55V × 2.85 A
ฟลลแฟกเตอร FF = = = 74%
Voc × I sc 0.7V × 3.0 A
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย
Pmax 0.55V × 2.85 A
η= = 2 2
= 13.8%
Pin 113cm × 0.1W / cm
Voc × I sc × FF 0.7V × 3.0 A × 0.74
หรือ η= = 2 2
= 13.8%
Pin 113cm × 0.1W / cm
1.3.3 ทฤษฎีเกี่ยวกับเซลลแสงอาทิตยรอยตอเฮเทโร
รอยตอที่เกิดจากการนําสารกึ่งตัวนําตางชนิดกันมาตอกันเรียกวา รอยตอเฮเทโร (heterojunction)
และถาสารกึ่งตัวนําทั้งสองชนิดนั้นมีพาหะชนิดเดียวกัน เชน รอยตอ n-n และ p-p เรียกวา รอยตอชนิดไอโซ
1-16
รอยตอชนิดไอโซมีความสําคัญตอเซลลแสงอาทิตยชนิดเฮเทโรมาก รูปที่ 1.12 แสดงตัวอยาง
แผนภาพของแถบพลังงานของเซลลแสงอาทิตยรอยตอของ p-Ga1-xAlxAs/p-GaAs/n-GaAs ถาไมมีชั้น
หนาตางของ p-Ga1-xAlxAs ในเซลลแสงอาทิตยชนิดนี้ อัตราการรวมตัวของอิเล็กตรอนที่ผิวของ p-GaAs จะ
สูงมากกวา 106 cm/s ทําใหอิเล็กตรอนที่เกิดจากแสงจํานวนมากสูญเสียดวยการรวมตัวที่ผิวของ p-GaAs
และไมสามารถไหลไปสูชั้น n-GaAs หรือออกสูวงจรภายนอกได
แตถาเราปลูกชั้น p-Ga1-xAlxAs ทับชั้น p-GaAs จะทําใหอัตราการรวมตัวของอิเล็กตรอนที่ผิวของ
p-GaAs ลดลงต่ํากวา 104 cm/s และชั้น p-Ga1-xAlxAs ยังชวยทําใหเกิดกําแพงศักยสะทอน (ΔEc) และทําให
อิเล็กตรอนไหลไปทางชั้น n-GaAs ไดมากขึ้นอีกดวย ดังนั้นประสิทธิภาพการรวบรวมพาหะจึงมีคาสูงขึ้น คา
คงตัวแลตทิซ (lattice constant) ของ p-GaAlAs มีคาใกลเคียงกับ p- หรือ n-GaAs มากดังแสดงในตารางที่
1.1
1-17
โฟตอนฟลักซ (photon flux) Φ( x ) ตอหนวยเวลาตอพื้นที่ในสารกึ่งตัวนําชั้นที่ 2 ณ จุดที่มีระยะหาง
จากรอยตอเชื่อมเฮเทโร (heterointerface) เทากับ x มีคาเทากับ
โดยที่ Φ0 : โฟตอนฟลักซที่ตกกระทบผิวเซลลแสงอาทิตย
α1, α2, : สัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง ณ ความยาวคลื่น λ ของสารกึ่งตัวนําชั้นที่หนึ่งและชั้นที่
สอง
xj : ความหนาของสารกึ่งตัวนําชั้นหนาตาง
dΦ
G( x) = − (1.43)
dx
ดังนั้นกระแสไฟฟาโฟโตลัดวงจรจึงแสดงไดวา
∞
J = q ∫ G exp( −
x
) dx
0
L
α2L
= qΦ 0 exp( −α 1 x j ) (1.44)
1 + α2L
ΔE c = χ1 − χ 2 (1.45)
ΔE v = E g1 − E g 2 − ΔE c (1.46)
1-18
โดยที่ χ1 และ χ2 คืออิเล็กตรอนแอฟฟนิตี (electron affinity) ของ n-CdS และ p-InP ตามลําดับ
โดยที่ δ1 : ความแตกตางของระดับพลังงานของแถบคอนดักชันและระดับพลังงานเฟรมีของสารกึ่งตัวนํา
1-19
ชนิด n (ชั้นที่ 1)
δ2 : ความแตกตางของระดับพลังงานของแถบเวเลนซและระดับพลังงานเฟรมีของสารกึ่งตัวนํา
ชนิด p (ชั้นที่ 2)
โดยสรุปแลว ในเซลลแสงอาทิตยชนิดรอยตอเฮเทโรนั้น ΔEc และ ΔEv ควรมีคาดังนี้
De 2 q( E g2 − δ 1 − δ 2 ) qV
J D = qXN d 1 exp[ − ] ×[exp( ) − 1] (1.51)
τ e2 kT kT
โดยที่ X : สัมประสิทธิ์ซึ่งแสดงความสามารถในการทะลุผานรอยตอของอิเล็กตรอน
Nd1 : ความหนาแนนของโดเนอรในสารกึ่งตัวนําชนิด n (ชั้นที่ 1)
V : แรงดันไฟฟาที่ปอนใหเซลลแสงอาทิตยแบบไบแอสตาม
De2, τe2 : สัมประสิทธิ์การแพรซึมและอายุของอิเล็กตรอนตามลําดับในสารกึ่งตัวนําชนิด p
(ชั้นที่ 2)
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤
J D = J 0 ⎢ exp⎜ ⎟ − 1⎥ (1.52)
⎣ ⎝ nkT ⎠ ⎦
1-20
n : มีคาอยูระหวาง 1 และ 2
สมการที่ (1.52) ใชไดกับเซลลแสงอาทิตยชนิด n-GaAs/p-Ge และ n-CdS/ p-InP [9] แต ไม
สามารถใชกับเซลลแสงอาทิตยชนิด p-GaAs/n-Ge ซึ่งมีลักษณะของแถบพลังงานที่แตกตางไปจากชนิดแรก
ดังที่แสดงในรูปที่ 1.15 จะสังเกตเห็นไดวาบริเวณรอยตอของแถบเวเลนซมียอดแหลม (ΔEv= -0.69 eV)
และเมื่อสังเกตกราฟ ln(J-V) จะพบวาความชันของกราฟจะไมลดลงแมอุณหภูมิจะสูงขึ้นซึ่งขัดแยงกับสมการ
ที่ (1.52) ในเซลลแสงอาทิตยชนิด p-GaAs/n-Ge นี้ อิเล็กตรอนในแถบคอนดักชันของ n-Ge จะตกลงไป
ในแก็ปสเตต (gap states) ซึ่งมีอยูจํานวนมากที่รอยเชื่อมตอ (interface) ในแถบพลังงานตองหาม ตอจากนั้น
อิเล็กตรอนจึงจะทะลุอุโมงค (tunnel) เขาไปในแถบเวเลนซของ p-GaAs ซึ่งแสดงดวยเสนทางสาย A การ
ขนสงของอิเล็กตรอนเชนนี้ทําให J-V มีความสัมพันธดังนี้
J b = B exp[−α (V B − V )] (1.53)
โดยที่ B : คาคงตัว
VB : ศักยไฟฟาภายใน (built-in potential) ที่เกิดขึ้นในรอยตอ และ
4 ⎛ m *ε 1 ⎞
1/ 2
α= ⎜ ⎟ (1.54)
3h ⎝ N A1 ⎠
1-21
รูปที่ 1.16 ตัวอยางความสัมพันธระหวางกระแสไฟฟาและแรงดันของรอยตอชนิด p-Si1-xGex/n-Si
1.3.4 ขีดจํากัดของประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย
ไดกลาวมาแลวในหัวขอที่ 1.2.2 แลววาลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยสามารถแสดงได
ดวยพารามิเตอรที่สําคัญ 6 ชนิด คือ
1) กระแสไฟฟาลัดวงจร (Isc) 2) แรงดันไฟฟาวงจรเปด (Voc)
3) กระแสไฟฟาสูงสุด (Imax) 4) แรงดันไฟฟาสูงสุด (Vmax)
5) ฟลลแฟกเตอร (FF) และ 6) ประสิทธิภาพ (η)
ในจํานวนพารามิเตอรเหลานี้ Isc และ Voc เปนพารามิเตอรที่สําคัญที่สุดในการกําหนดขีดจํากัดของ
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย ในหัวขอนี้เราจะวิเคราะหวาขีดจํากัดของประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย
เปนอยางไรบาง
1) กระแสไฟฟาลัดวงจร
การคํานวณหาคากระแสไฟฟาสูงสุดของเซลลแสงอาทิตยเปนสิ่งที่ไมยาก ในเงื่อนไขอุดมคติ เราอาจ
สมมติใหวา เมื่อโฟตอนที่มีพลังงานมากกวาชองวางพลังงานของสารกึ่งตัวนําเดินทางเขาสูเซลลแสงอาทิตย โฟ
ตอนทุกตัวจะสามารถกระตุนใหเกิดคูของอิเล็กตรอนและโฮล และอิเล็กตรอนทุกตัวสามารถไหลออกจากเซลล
แสงอาทิตยไปสูวงจรภายนอกได การคํานวณคากระแสไฟฟาลัดวงจรเชนนี้ เราตองทราบโฟตอนฟลักซใน
สเปกตรัมของแสงอาทิตย รูปที่ 1.17 และตารางที่ 1.2 แสดงสเปกตรัมและขอมูลแจกแจงความเขมของ
พลังงานของแสงอาทิตยตามลําดับ จากรูปและตารางนี้ โฟตอนฟลักซคํานวณไดโดยการหารคาความเขมแสงใน
ตารางดวยคาพลังงานโฟตอน (hc/λ) ณ ที่ความยาวคลื่นแสงนั้น ผลการคํานวณสเปกตรัมของโฟตอนฟลักซ
ของแสงอาทิตยแสดงในรูปที่ 1.18 หนวยของโฟตอนฟลักซคือ cm-2/sec/μm
จากรูปที่ 1.18 กระแสไฟฟาลัดวงจรสามารถคํานวณไดโดยการหาคาปริพันธของสเปกตรัมตั้งแต
ความยาวคลื่นต่ําสุดไปจนถึงความยาวคลื่นแสงสูงสุดที่สารกึ่งตัวนําที่เราสนใจจะดูดกลืนแสงได ตัวอยางกรณี
ของ Si ซึ่งมีชองวางพลังงานเทากับ 1.1 eV ดังนั้นจึงหาปริพันธจากความยาวคลื่น 1.13 μm ไปถึงประมาณ
0.2 μm รูปที่ 1.19 แสดงผลการคํานวณคากระแสไฟฟาลัดวงจรสูงสุดในอุดมคติที่สารกึ่งตัวนําจะสามารถ
ผลิตได โดยที่แกนในแนวนอนคือชองวางพลังงานของสารกึ่งตัวนํา ตัวอยางในกรณีของเซลลแสงอาทิตยชนิด
1-22
Si จากรูปนี้ทําใหเราทราบวากระแสไฟฟาลัดวงจรสูงสุดมีคาประมาณ 35 mA/cm2 ที่แสงอาทิตย ความเขม
1-23
ตารางที่ 1.2 ขอมูลสเปกตรัมของแสงอาทิตย ที่ Air Mass 1.5 (832 W/m2)
หนวยของความเขมแสงคือ W/m2-μm
ความยาว ความเขม ความยาว ความเขม ความยาว ความเขม ความยาว ความเขม ความยาว ความเขม
คลื่น แสง คลื่น แสง คลื่น แสง คลื่น แสง คลื่น แสง
(μm) (μm) (μm) (μm) (μm)
0.295 0 0.595 1262.61 0.870 843.02 1.276 344.11 2.388 31.93
0.305 1.32 0.605 1261.79 0.875 835.10 1.288 345.69 2.415 28.10
0.315 20.96 0.615 1255.43 0.8875 817.12 1.314 284.24 2.453 24.96
0.325 113.48 0.625 1240.19 0.900 807.83 1.335 175.28 2.494 15.82
0.335 182.23 0.635 1243.79 0.9075 793.87 1.384 2.42 2.537 2.59
0.345 234.43 0.645 1233.96 0.915 778.97 1.432 30.06
0.355 286.01 0.655 1188.32 0.925 217.12 1.457 67.14
0.365 355.88 0.665 1228.40 0.930 163.72 1.472 59.89
0.375 386.80 0.675 1210.08 0.940 249.12 1.542 240.85
0.385 381.78 0.685 1200.72 0.950 231.30 1.572 226.14
0.395 492.18 0.695 1181.24 0.955 255.61 1.599 220.46
0.405 751.72 0.6983 973.53 0.965 279.69 1.608 211.76
0.415 822.45 0.700 1173.31 0.975 529.64 1.626 211.26
0.425 842.26 0.710 1152.70 0.985 496.64 1.644 201.85
0.435 890.55 0.720 1133.83 1.018 585.03 1.650 199.68
0.445 1077.07 0.7277 974.30 1.082 486.20 1.676 180.50
0.455 1162.43 0.730 1110.93 1.094 448.74 1.732 161.59
0.465 1180.61 0.740 1086.44 1.098 486.72 1.782 136.65
0.475 1212.72 0.750 1070.44 1.101 500.57 1.862 2.01
0.485 1180.43 0.7621 733.08 1.128 100.86 1.955 39.43
0.495 1253.83 0.770 1036.01 1.131 116.87 2.008 72.58
0.505 1242.28 0.780 1018.42 1.137 108.68 2.014 80.01
0.515 1211.01 0.790 1003.58 1.144 155.44 2.057 72.57
0.525 1244.87 0.800 988.11 1.147 139.19 2.124 70.29
0.535 1299.51 0.8059 860.28 1.178 374.29 2.156 64.76
0.545 1273.47 0.825 932.74 1.189 383.37 2.201 68.29
0.555 1276.14 0.830 923.87 1.193 424.85 2.266 62.52
0.565 1277.74 0.835 914.95 1.222 382.57 2.320 57.03
0.575 1292.51 0.8465 407.11 1.236 383.81 2.338 53.57
0.585 1284.55 0.860 857.46 1.264 323.88 2.356 50.01
1-24
2) แรงดันไฟฟาวงจรเปด
ขอจํากัดพื้นฐานที่เปนตัวกําหนดคาสูงสุดของแรงดันไฟฟาวงจรเปด Voc ยังไมเปนที่ทราบชัดเจน
อยางไรก็ตาม จากสมการที่ (1.35) เราเคยทราบแลววา แรงดันไฟฟาวงจรเปด Voc มีคาเทากับ
kT ⎛I ⎞
ln ⎜⎜ + 1⎟⎟
sc
Vo c = (1.55)
q ⎝ I0 ⎠
โดยที่ I0 คือกระแสไฟฟายอนอิ่มตัว และมีคาเทากับ
⎛ D n2 2
D p ni ⎞
I0 = qA ⎜ n i
+ ⎟ (1.56)
⎜L N ⎟
⎝ n A Lp N D ⎠
⎛ Eg ⎞
N C N V exp ⎜ − ⎟
2
ni = (1.57)
⎝ kT⎠
⎛ Eg ⎞
. × 10 exp ⎜ − ⎟
5 2
I0 = 15 A / cm (1.58)
⎝ kT⎠
1-25
รูปที่ 1.20 ผลการคํานวณความสัมพันธระหวางประสิทธิภาพสูงสุดของเซลลแสงอาทิตยและ
ชองวางพลังงานของสารกึ่งตัวนําชนิดตางๆ
3) อิทธิพลของอุณหภูมิ
1-26
เซลลแสงอาทิตยที่เรานําไปวางรับแสงอาทิตยไวตลอดทั้งวันนั้น จะไดรับอิทธิพลจากแสงอาทิตยทํา
ใหอุณหภูมิสูงขึ้นมาก และการใชงานนั้น บางครั้งอาจตองไปติดตั้งในบริเวณที่สภาพแวดลอมมีอุณหภูมิต่ํา
มาก เชน บริเวณที่มีหิมะ หรือบริเวณที่มีอุณหภูมิสูงมาก เชน ในทะเลทราย อุณหภูมิมีอิทธิพลตอการทํางาน
ของเซลลแสงอาทิตยมาก ซึ่งผูใชงานควรจะทราบดังตอไปนี้
เมื่ออุณหภูมิของเซลลแสงอาทิตยสูงขึ้น จะทําให
1. กระแสไฟฟาลัดวงจรจะสูงขึ้น แตเพิ่มไมมากนัก
2. แรงดันไฟฟาวงจรเปดและฟลลแฟกเตอรจะลดลง
ความสัมพันธระหวางกระแสไฟฟาลัดวงจรและแรงดันไฟฟาวงจรเปดคือ
⎛ qV / kT ⎞
I sc = I 0 ⎝ e oc − 1⎠ (1.59)
γ −E / kT qV / kT
=
g0 oc
I sc AT e e (1.60)
โดยที่ A : พจนที่ไมขึ้นกับอุณหภูมิ
Eg0 : ชองวางพลังงานของสารกึ่งตัวนําที่อุณหภูมิศูนยองศาสัมบูรณ
γ : พจนท่ขี ึ้นกับอุณหภูมิและเปนพจนที่มีอิทธิพลตอ I0 และมีคาประมาณ 1-4
d I sc
=
dT
(1.61)
γ −1 q (Voc −V g 0 ) k T
⎛ q ⎞ ⎡ d Vo c ⎛ V o c − V g 0
γ
⎞⎤ q⎛⎜⎝Vo c −Vg 0 ⎞⎟⎠ kT
AγT e + AT ⎜ ⎟⎢ −⎜ ⎟⎥ e
⎝ k T ⎠ ⎢⎣ d T ⎝ T ⎠⎥⎦
1-27
ผลการคํานวณนี้ไดผลใกลเคียงผลการทดลองพอสมควร ทําใหเราทราบวาในกรณีเซลลแสงอาทิตย
ชนิด Si Voc จะลดลงดวยอัตราประมาณ 0.4% เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น 1°C
เนื่องจากฟลลแฟกเตอร FF เปนฟงกชันของ Voc ดังนั้นฟลลแฟกเตอรจึงลดลงดวย เมื่ออุณหภูมิ
สูงขึ้น
จากการวิเคราะหขางตน สรุปไดวาการขึ้นกับอุณหภูมิของ Voc เปนสาเหตุหนึ่งที่ทําใหประสิทธิภาพ
ของเซลลแสงอาทิตยลดลงเมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น ตัวอยางในกรณีของเซลลแสงอาทิตยชนิด Si ประสิทธิภาพจะ
ลดลงประมาณ 0.4-0.5% เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้น 1 °C
1.3.5 การสูญเสียในเซลลแสงอาทิตย
ในหัวขอกอนหนานี้ ไดกลาวถึงขีดจํากัดของประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยแลววาควรมีคาเทาไร
แตอยางไรก็ตาม ในทางความเปนจริง จะมีแฟกเตอรอื่นๆ อีกมากมายที่เปนสาเหตุทําใหประสิทธิภาพของ
เซลลแสงอาทิตยลดลงไปจากคาในอุดมคติ ดังจะไดกลาวตอไปนี้
1) การสูญเสียกระแสไฟฟาลัดวงจร
การสูญเสียกระแสไฟฟาลัดวงจรมีสาเหตุดังตอไปนี้
1. การสะทอนแสงที่ผิวของเซลลแสงอาทิตย เนื่องจากผิวที่รับแสงของสารกึ่งตัวนํานั้น โดยทั่วไปมีคา
สัมประสิทธิ์การสะทอนแสงที่สูงมาก ดังนั้นโฟตอนจํานวนมากจึงถูกสะทอนกลับ โดยไมไดเดินทางเขาไปใน
สารกึ่งตัวนํา วิธีการลดการสะทอนแสงวิธีหนึ่ง ไดแกการเคลือบฟลมปองกันการสะทอนแสง เชน SiO2 และ
Si3N4
2. การสรางขั้วไฟฟาบนผิวดานรับแสง เชน การเคลือบขั้ว Al เปนลายเสนดานผิวรับแสง ทําใหเกิด
การบังแสง พื้นที่ที่บังแสงมีประมาณ 5-15% ของพื้นที่ทั้งหมด
1-28
ชนิดตรง รูปที่ 1.22 แสดงผลการคํานวณความสัมพันธระหวางกระแสไฟฟาลัดวงจรและความหนาของสารกึ่ง
ตัวนําชนิด GaAs และ Si ที่ใชผลิตเปนเซลลแสงอาทิตย
4. มีการสูญเสียเนื่องจากอิเล็กตรอนและโฮลรวมตัวกันกอนที่จะออกสูภายนอกเซลลแสงอาทิตย การ
รวมตัวเกิดขึ้นมากที่บริเวณผิวของสารกึ่งตัวนําและในชั้นที่ไมมีสนามไฟฟาภายใน ปกติพาหะโฟโตที่สามารถ
เดินทางออกสูภายนอกไดดีไดแกพาหะโฟโตที่เกิดขึ้นในยานปลอดพาหะซึ่งมีศักยไฟฟาภายใน (built-in
potential) ชวยพัดพาใหพาหะโฟโตไหลดวยสนามไฟฟา
2) การสูญเสียแรงดันไฟฟาวงจรเปด
กระบวนการที่เปนตัวกําหนดการสูญเสียของ Voc โดยพื้นฐานไดแก กระบวนการรวมตัวของพาหะใน
สารกึ่งตัวนํา การรวมตัวของพาหะทําใหกระแสไฟฟายอนอิ่มตัวเพิ่มขึ้นดังที่แสดงในสมการที่ (1.55)
การรวมตัวอาจเกิดขึ้นไดทั้งภายในสารกึ่งตัวนําและที่ผิวของสารกึ่งตัวนํา ระดับแทร็ป (trap levels)
ในยานปลอดพาหะมีอิทธิพลมากตอการรวมตัวของพาหะ อัตราการรวมตัวของพาหะที่ระดับแทร็ปแสดงไดดวย
สมการ
2
np − ni
U =
τ h 0 ( n + n1 ) + τ e 0 ( p + p1 )
(1.63)
การรวมตัวที่ระดับแทร็ปในยานปลอดพาหะ จะทําใหกระแสไฟฟามืดมีคามากขึ้นตามสมการดังนี้ [14]
I = (
I0 e
qV k T
)
− 1 + IW e ( qV 2 kT
)
−1 (1.64)
โดยที่ IW มีคาเทากับ
q Ani π kT
IW = (1.65)
2 τ e0τ h 0 q ξ max
I0 ⎛ e − 1⎞
' qV n k T
I = (1.66)
⎝ ⎠
1-29
รูปที่ 1.23 ความสัมพันธระหวางกระแสไฟฟามืดและแรงดันไฟฟาของรอยตอ p-n โดยพิจารณา
กรณีมีการรวมตัวของพาหะในชั้นปลอดพาหะ
3) การสูญเสียฟลลแฟกเตอร
การสูญเสียฟลลแฟกเตอรมีสาเหตุหลายขอดังตอไปนี้
3.1 เกิดจากคาแฟกเตอร n และ Voc
รูปที่ 1.24 แสดงความสัมพันธระหวางฟลลแฟกเตอรและแรงดันไฟฟาวงจรเปด จะเห็นไดวาถา
แรงดันไฟฟาวงจรเปดลดลง ก็จะทําใหฟลลแฟกเตอรลดลงดวย และจากการที่เราไดวิเคราะหมาแลวในหัวขอ
ที่ 2) วาถาแฟกเตอร n เพิ่มขึ้น ก็จะทําให Voc ลดลง ดังนั้นคาฟลลแฟกเตอรในรูปที่ 1.24 ก็จะตองลดลง
ดวยถา n มีคาเพิ่มขึ้น
ถาเราใหนิยามวา voc = Voc /(nkT/q) ดังนั้นเราจะสามารถเขียนสมการของฟลลแฟกเตอรใหอยูใน
รูปทั่วไปไดวา
(
v oc − ln v oc + 0.72 )
FF = (1.67)
v oc + 1
3.2 เกิดจากคาความตานทานอนุกรมและความตานทานชันต
เซลลแสงอาทิตยที่ดีควรมีความตานทานอนุกรม (series resistance) Rs นอยที่สุด แตในทางปฏิบัติ
ความตานทานอนุกรมนี้อาจเกิดขึ้นไดจากหลายสาเหตุ เชน ความตานทานอนุกรมของเนื้อสารกึ่งตัวนํา ความ
ตานของรอยตอ p-n ความตานทานของขั้วไฟฟา ความตานทานที่รอยตอของสารกึ่งตัวนําและขั้วไฟฟา เปน
ตน
1-30
รูปที่ 1.24 ความสัมพันธระหวางฟลลแฟกเตอรและแรงดันไฟฟาวงจรเปด
1.4 การออกแบบเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน
ในหัวขอที่ 1.3 ไดกลาวถึงหลักการทํางานพื้นฐานของเซลลแสงอาทิตยแลว ในหัวขอนี้จะกลาวถึงการ
ออกแบบเซลลแสงอาทิตยวาควรใหมีพารามิเตอรดานโครงสรางเปนอยางไรบาง ควรโดปสารเจือปนในชั้น n
1-31
และชั้น p ดวยความหนาแนนเทาไร รอยตอ p-n ควรอยูลึกเทาไร ขั้วไฟฟาดานบนที่รับแสงควรออกแบบ
อยางไร ชั้นปองกันการสะทอนแสงควรหนาเทาไรและมีดัชนีหักเหเทาไร
โดยที่ x : ระยะทางจากผิวรับแสง
α : สัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง
N : โฟตอนฟลักซที่ตกกระทบเซลลแสงอาทิตย
R : สัมประสิทธิ์การสะทอนแสง
1-32
ดังนั้นภายใตแสงอาทิตย ผลรวมของอัตราการผลิตพาหะโฟโตที่ความยาวคลื่นทั้งหมด คือ
−α ( λ ) x
∫ 0max [1 − R( λ) ] α ( λ) N ' ( λ) e
λ
G( x) = dλ (1.69)
1.4.2 ความตานทานในแนวระนาบของชั้นดานบนที่รับแสง
โดยทั่วไป กระแสไฟฟาในเซลลแสงอาทิตยไหลในแนวตั้งฉากกับผิวของเซลล ดังแสดงในรูปที่ 1.27
(ก) แตเนื่องจากที่ดานผิวรับแสง เราออกแบบใหขั้วไฟฟาเปนรูปกริดอยูหางกันและปกคลุมผิวเพียงบางพื้นที่
เพราะฉะนั้นจะมีกระแสไฟฟาที่ไหลในแนวระนาบกับแผนเซลลดวย ถาความหนาแนนของการโดปชั้น n
สม่ําเสมอตลอดความลึก สภาพตานทานของชั้น n จะมีคาเทากับ
1
ρ = (1.70)
q μe N D
1-33
ถาความหนาแนนของการโดปไมสม่ําเสมอตามความลึก ปริมาณของ μe ND t จะตองแทนคาดวยการ
หาคาปริพันธดังนี้
∫ 0 μ e ( x ) N D ( x ) dx
t
(1.72)
สภาพตานทานจะเปนตัวกําหนดระยะหางของขั้วกริด การไหลของกระแสไฟฟาในแนวระนาบเปน
สาเหตุของการสูญเสียกําลังไฟฟา ถาพิจารณารูปที่ 1.27 (ข) ซึ่งแสดงภาพมองจากดานบนของเซลลแสง-
อาทิตย จะพบวาการสูญเสียของกําลังไฟฟา dP ในระยะทาง dy สั้นๆ คือ [16]
2
dP = I dR (1.73)
ρ s dy
โดยที่ dR = S : ระยะหางของขั้วกริด
b
I : กระแสไฟฟาที่ไหลในแนวระนาบซึ่งมีคาเทากับ 0 ที่ตําแหนง S/2 และเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ จนถึง
คาสูงสุดที่ขั้วกริด
J b y ρ s dy J bρ s S
2 2 2 2 3
∫ I 2 dR ∫0
s/ 2
Ploss = = = (1.75)
b 24
1-34
2 12 pV max
วิธีทํา จากสมการที่ (1.76) S <
ρ s J max
1
⎛ 12 × 0.04 × 0.45 ⎞ 2
∴S < ⎜ ⎟ cm < 4 mm
⎝ 40 × 0.03 ⎠
1.4.3 ความหนาแนนของการโดปแผนฐาน
โดยทั่วไป แผนฐานที่นํามาใชผลิตเปนเซลลแสงอาทิตยมีความหนาประมาณ 200~400 μm ซึ่งได
จากการตัด (slicing) แทงผลึก การโดปแผนฐานจะถูกกําหนดตั้งแตขั้นตอนการดึงผลึก ในหัวขอนี้เราจะ
พิจารณาวา ความหนาแนนของการโดปแผนฐานควรมีคาเทาไร
เมื่อเรากําหนดคาความลึกของรอยตอ p-n แลว คาระยะทางแพรซึมของพาหะขางนอย (diffusion
length of minority carriers) ในแผนฐานจะเปนพารามิเตอรที่สําคัญในการกําหนดคากระแสไฟฟาเอาตพุต
ลัดวงจร Isc คาระยะทางแพรซึมมีคาพื้นฐานตามสูตร Ln = Dnτ n คาระยะทางแพรซึมนี้ไดรับอิทธิพลจาก
กลไกการรวมตัวของพาหะ 3 ชนิดดวยกัน ตัวอยางเชน ถาเราเพิ่มปริมาณการโดปสารเจือปนจะทําใหเวลาอายุ
ของพาหะลดลง ตัวอยางความสัมพันธระหวางความหนาแนนของการโดปสารเจือปนและเวลาอายุของพาหะ
ขางนอยแสดงในรูปที่ 1.28 เวลาอายุของพาหะดังกลาวจะยาวนานหรือสั้น จะถูกกําหนดดวยกลไกการ
รวมตัวของพาหะ กลไกการรวมตัวของพาหะที่สําคัญมี 3 ชนิดดังนี้
1. การรวมตัวของพาหะที่ระดับแทร็ป (Recombination at Trap Centers)
เวลาอายุของพาหะที่ถูกกําหนดดวยการรวมตัวที่ระดับแทร็ป คือ
⎛ m1 ⎞
τ nT = τ n 0 ⎜1 + ⎟ (1.77)
⎝ NA ⎠
1-35
2. การรวมตัวแบบ Auger (Auger Recombination)
เวลาอายุของพาหะที่ถูกกําหนดดวยการรวมตัวแบบ Auger คือ
1
τ nA = 2 (1.78)
DN A
1
τ nR = (1.79)
2 BN A
ดังนั้นถาการรวมตัวของพาหะมีสาเหตุจากกลไกหลายๆ ชนิดจะทําใหเวลาอายุของพาหะมีคาเทากับ
1 1 1 1
= + + (1.80)
τn τ nT τ nA τ nR
1-36
ในขณะเดียวกัน กระแสไฟฟายอนอิ่มตัว I0 แปรผกผันกับความหนาแนนของการโดปตามสมการ
⎛ D n2 D p ni2 ⎞
I0 = ⎜
qA ⎜
n i
+ ⎟⎟ (1.81)
⎝ Ln N A L p N D ⎠
1.4.4 การสรางสนามไฟฟาที่ดานหลังของเซลลแสงอาทิตย
(Back Surface Field)
ไดกลาวมาแลววา การโดปใหดานหลังสุดของเซลลแสงอาทิตยมีความหนาแนนสูง จะสงผลชวยทํา
ใหกระแสไฟฟาลัดวงจรและแรงดันไฟฟาวงจรไฟฟาเปดมีคาเพิ่มขึ้น กระแสไฟฟาลัดวงจรเพิ่มขึ้นเพราะวา
ประสิทธิภาพของการรวบรวมพาหะที่ดานหลังของเซลลดีขึ้น และแรงดันไฟฟาวงจรเปดเพิ่มขึ้นเพราะวา
กระแสไฟฟายอนอิ่มตัวลดลงนั่นเอง กระแสไฟฟายอนอิ่มตัวในเซลลแสงอาทิตยที่มีชั้น BSF นี้มีคาดังนี้ [17]
qDe ni
2 ⎛W ⎞
tanh ⎜⎜ ⎟⎟
p
I0 p = (1.82)
Le N A ⎝ e⎠
L
2
qni Wp
I op = (1.83)
τeNA
1.4.5 อิทธิพลของชั้นดานบน
1-37
1) ชั้นตาย (Dead Layer)
ไดกลาวในหัวขอที่ 1.4.3 แลววาอัตราการรวมตัวของพาหะที่ผิวดานรับแสงมีคาสูง ดังนั้นในการ
ออกแบบเซลลแสงอาทิตย จึงพยายามใหชั้น n ที่รับแสงมีความบางที่สุด และขณะเดียวกันก็โดปชั้น n ดวย
ความหนาแนนที่สูงๆ เพื่อมิใหสภาพตานทานแผนของชั้น n มีคาสูง ในชวง ค.ศ. 1960 ความหนาของชั้น n
ในเซลลแสงอาทิตยที่ใชงานในอวกาศมีเพียงประมาณ 0.5 μm เทานั้น การออกแบบเชนนี้ มิไดมีเพียงแต
ขอดี แตความจริงแลวมีขอเสียอยูดวยดังจะกลาวตอไปนี้
ในทางทฤษฎี การโดปสารเจือปนดวยกระบวนการแพรซึมดวยความรอนสูง ตัวอยางเชน การโดป
ฟอสฟอรัส P เขาสูผลึก Si นั้น จะสงผลใหความหนาแนนของ P เปลี่ยนแปลงแบบฟงกชันเกาสเชียน
(Gaussian) ตามความลึก [18] รูปที่ 1.30 (ก) แสดงผลการวัดความสัมพันธระหวางความหนาแนนของแอก
เซ็ปเตอรที่แอกทิฟใน Si และความลึก โดยที่พารามิเตอรคือเวลาที่ใชในการแพรซึม ทั้งนี้ไดกําหนดให
อุณหภูมิของการแพรซึมคงที่ตลอดทุกการทดลอง [19] รูปที่ 1.30 (ข) แสดงการเปลี่ยนแปลงของความนาจะ
เปนของการรวบรวมพาหะและความลึก จากผลการทดลองพบวาการแพรซึมอะตอม P เขาสู Si ดวย
1-38
การแกปญหาไมใหเกิดชั้นตาย อาจทําไดโดยการควบคุมมิใหความหนาแนนของการโดปมากเกินไป
และพยายามทําใหรอยตอ p-n มีความตื้นมากที่สุด และออกแบบใหขั้วกริดอยูใกลกัน เปนตน
อนึ่งการโดปสารเจือปนดวยความหนาแนนที่สูงเกินไป มีผลทําใหชองวางพลังงานของสารกึ่งตัวนํา
ลดลงไดดวย [21]
1.4.6 การออกแบบขั้วไฟฟาดานบน
การออกแบบลักษณะของขั้วไฟฟาดานที่เซลลแสงอาทิตยรับแสงมีความสําคัญมากตอประสิทธิภาพ
ของเซลลแสงอาทิตย รูปที่ 1.31 แสดงตัวอยางการออกแบบขั้วไฟฟาดานรับแสงแบบตางๆ โดยทั่วไปมีกลไก
หลายชนิดที่เปนสาเหตุของการเกิดการสูญเสียของกําลังไฟฟาที่บริเวณขั้วไฟฟาดานบนดังกลาว เชน
1. การสูญเสียอันเนื่องจากการไหลของกระแสไฟฟาในแนวระนาบของเซลล (ไดกลาวแลวในหัวขอที่
1.4.2)
2. ความตานทานอนุกรมของขั้วไฟฟา
3. ความตานทานอนุกรมที่รอยตอระหวางขั้วไฟฟาและสารกึ่งตัวนํา
4. การสูญเสียอันเนื่องจากเกิดเงาบังโดยขั้วไฟฟา
ในหัวขอนี้จะกลาวถึงหลักการออกแบบเบื้องตนเกี่ยวกับลักษณะของขั้วไฟฟาดานรับแสง โดยจะ
ยกตัวอยางกรณีที่แผนเซลลแสงอาทิตยมีรูปเปนแผนสี่เหลี่ยมจัตุรัสหรือสี่เหลี่ยมผืนผา อยางไรก็ตามแนวทาง
ในหัวขอนี้ยังสามารถประยุกตใชกับแผนเซลลที่มีรูปรางอื่นๆ ไดดวย
โดยทั่วไป ขั้วไฟฟาดานรับแสง มีลักษณะเปนลวดลายเสนที่เวนชองวางไวเพื่อใหแสงสามารถกระทบ
สารกึ่งตัวนําไดมากที่สุด เราแบงเสนขั้วไฟฟาออกเปน 2 ชนิดคือ
1. เสนนิ้ว หรือ เสนฟงเกอร (Fingers) ไดแก เสนที่มีขนาดเล็ก มีจํานวนมาก ทําหนารวบรวม
กระแสไฟฟาเพื่อสงตอไปยังเสนบัสบาร เสนฟงเกอรนี้อาจแตกแยกเปนเสนฟงเกอรยอยๆ ไดอีก
2. เสนบัสบาร (Bus Bars) ไดแก เสนที่มีขนาดคอนขางอวน มีจํานวนไมมาก มักจะออกแบบใหตั้ง
ฉากกับเสนฟงเกอร ทําหนาที่รวบรวมกระแสไฟฟาจากเสนฟงเกอรเพื่อสงตอไปยังโหลดภายนอกเซลลหรือตอ
อนุกรมกับแผนเซลลขางเคียง
ระยะหางของเสนฟงเกอรและเสนบัสบารแตละเสน อาจมีคาคงที่ หรือเปลี่ยนแปลเปนขั้นๆ หรือ
คอยๆ เปลี่ยนก็ได
1-39
สมมติวาขั้วกริดมีรูปรางดังที่แสดงในรูปที่ 1.32 (ก) ถาเราพิจารณาพื้นที่เล็กๆ ที่มีความยาวเทากับ
A และความกวางเทากับ B ดังที่แสดงในรูป (ข) กําลังไฟฟาสูงสุดที่จะไดจากพื้นที่เล็กๆ นี้คือ ABJmaxVmax
ดังนั้นกําลังไฟฟาที่สูญเสียอันเนื่องความตานทานของเสนฟงเกอรในสภาพเชนนี้คือ [22]
1 J max S
B ρ smf
2
p rf = (1.84)
m V max WF
ในทํานองเดียวกัน กําลังไฟฟาสูญเสียอันเนื่องจากความตานทานของเสนบัสบารคือ
1 J max 1
A Bρ smb
2
p rb = (1.85)
m V max WB
1-40
ทางดานกําลังไฟฟาสูญเสียอันเนื่องจากเงาของเสนฟงเกอรและเสนบัสบารคือ
WF
psf = (1.86)
S
WB
psb = (1.87)
B
เนื่องจากเสนฟงเกอรมีพื้นที่สัมผัสกับสารกึ่งตัวนํานอยกวาเสนบัสบารมาก ดังนั้นกําลังไฟฟาสูญเสีย
อันเนื่องจากรอยตอระหวางขั้วและสารกึ่งตัวนําจึงเกิดขึ้นที่เสนฟงเกอรเปนสวนใหญ ดังนั้นกําลังไฟฟาสูญเสีย
อันเนื่องจากรอยตอระหวางเสนฟงเกอรและสารกึ่งตัวนําคือ
J max S
p cf = ρc (1.88)
V max WF
โดยที่ ρc : สภาพตานทานของรอยตอ
อยางไรก็ตามในกรณีเซลลแสงอาทิตยชนิด Si กําลังไฟฟาสูญเสียอันเนื่องจากรอยตอระหวางขั้วและ
สารกึ่งตัวนํานี้มีคาไมมาก
สาเหตุของกําลังไฟฟาสูญเสียชนิดตอไปไดแก การไหลของกระแสไฟฟาในแนวระนาบของแผนเซลล
ซึ่งมีคาเทากับ (จากสมการที่ (1.76))
ρ s J max 2
p tl = S (1.89)
12 V max
โดยที่ ρs : สภาพตานทานแผนของชั้นสารกึ่งตัวนําดานบน
ρ smb J max
WB = AB (1.90)
m V max
และกําลังไฟฟาสูญเสียที่นอยที่สุดโดยเสนบัสบารคือ
ρ smb J max
( prb + p sb ) min = 2A (1.91)
m V max
1-41
การคํานวณหาคาจํานวนชุดของเสนฟงเกอรวาจะตองมีกี่ระดับเปนสิ่งที่คอนขางยุงยาก อยางไรก็ตาม
สิ่งที่ควรคํานึงถึงคือ ระยะหางของเสนฟงเกอรควรจะนอยที่สุดเพื่อใหการสูญเสียที่เกิดจากการไหลของ
กระแสไฟฟาในแนวระนาบมีคานอยที่สุด นั่นคือเราอาจพิจารณาใหวา
S→0 (1.92)
ρ smf + ρ c m / B
2
WF J max
= B (1.93)
S m V max
ρ smf + ρ c m / B
2
(ρ rf + ρ cf + ρ sf + ρ tl ) min
= 2B
m
J max
V max
(1.94)
ในทางปฏิบัติจะเปนการยากลําบากที่จะสรางขั้วกริดใหไดตามเงื่อนไขเหลานี้ ดังนั้นความกวางที่นอย
ที่สุดของ WF และ S จึงเปนเรื่องของขีดจํากัดทางเทคโนโลยีและผลิตผล (yield)
ตัวอยางที่ 6 จงคํานวณคาความกวางเฉลี่ยของเสนบัสบาร WB
และคาระยะหางที่เหมาะสมของเสนฟง
เกอรของเซลลแสงอาทิตยตามที่แสดงในรูปที่ 1.33 โดยกําหนดพารามิเตอรพื้นฐานดังนี้
ขนาดของแผนเซลลแสงอาทิตย 10cm×10 cm
แรงดันไฟฟาเอาตพุตสูงสุด 450 mV
กระแสไฟฟาเอาตพุตสูงสุด 30 mA/cm2
สภาพตานทานแผนของชั้น n ดานรับแสง 40 Ω/
ความกวางของเสนฟงเกอร 150 μm (ผลิตโดยการชุบทางเคมี)
สภาพตานทานของเสนฟงเกอร 15 μΩ.cm
บนเสนฟงเกอรมีชั้นขั้วตะกั่วบัดกรีหนา 42 μm
บนเสนบัสบารมีชั้นขั้วตะกั่วบัดกรีหนา 80 μm
μΩ.cm
2
สภาพตานทานที่รอยตอของขั้วกริดและสารกึ่งตัวนํา 370
1-42
วิธีทํา
สภาพตานทานแผนของชั้นขั้วตะกั่ว = สภาพตานทานของตะกั่ว/ความหนาของตะกั่ว
ดังนั้น ρ smf = 0.00357Ω / ρ smb = 0.00188Ω /
เนื่องจาก ρ smb < ρ smf ดังนั้นเสนบัสบารจึงควรยาวและเสนฟงเกอรจึงควรสั้นกวา กําหนดใหการ
แบงพื้นที่ยอยมีความยาว A (100mm) และมีความกวาง B (25mm) ขนาดของเสนบัสบารสามารถคํานวณ
ไดจากสมการที่ (1.90) และออกแบบใหเสนบัสบารเปนรูป taper (ปลายแหลม) ดังนั้นความกวางเฉลี่ย WB
จึงมีคาเทากับ
⎛ 0.00188 × 0.03 ⎞
WB = 10 × 2.5 × ⎜ ⎟cm = 0.14 cm
⎝ 4 × 0.45 ⎠
ρ rb + ρ sb = 0.112
p sf = 0.0456, p t l = 0.0240
1.4.7 การลดการสูญเสียของแสงสะทอน
การเคลือบผิวบนดวยชั้นปองกันการสะทอนแสง (Antirefelction)
แสงที่ตกกระทบเซลลแสงอาทิตย บางสวนจะถูกขั้วกริดสะทอนกลับหมด บางสวนจะถูกสารกึ่งตัวนํา
สะทอน ปรากฏการณเหลานี้เปนสาเหตุของการสูญเสียแสงในเซลลแสงอาทิตย การเคลือบฟลมบางทับ
ดานบนของเซลลแสงอาทิตยจะเปนวิธีหนึ่งที่จะชวยลดการสะทอนแสงของสารกึ่งตัวนําไดและทําใหแสงเดิน
ทางเขาสูเซลลแสงอาทิตยไดมากขึ้น ฟลมบางที่นํามาเคลือบดวยวัตถุประสงคนี้เรียกวา “ชั้นปองกันการสะทอน
แสง” (anti-reflection layer) นิยมเรียกสั้นๆ วา “ชั้น AR” และตองมีการออกแบบทั้งดานความหนาและคา
ดัชนีหักเหแสงที่เหมาะสมดังนี้ (ดูรูปที่ 1.34)
1. ความหนา d1 ของชั้น AR ควรมีคาที่เปนไปตามกฎ “1/4 ของความยาวคลื่นแสง” ถาแสงที่เรา
พิจารณามีความยาวคลื่น λ (เชน ยอดของสเปกตรัมของแสงอาทิตย) และดัชนีหักเหแสงของชั้น AR เทากับ
n1 ดังนั้นความหนาที่เหมาะสมของชั้น AR คือ [25]
λ
d1 = (1.95)
4 n1
1-43
2. ชั้น AR ควรมีความโปรงใสที่ดีและดัชนีหักเหแสง n1 ในอุดมคติควรมีคาเทากับคาเฉลี่ยของผล
คูณของคาดัชนีหักเหแสงของอากาศและของสารกึ่งตัวนําตามสมการดังนี้ [25]
n1 = n0 n 2 (1.96)
r1 + r2 + 2r1r2 cos 2θ
2 2
R = (1.97)
1 + r1 r2 + 2r1r2 cos 2θ
2 2
2πn1d1
และมุม θ = (1.99)
λ
⎛ n 2 − n n ⎞2
Rmin = ⎜⎜ 12 0 2
⎟⎟ (1.100)
⎝ n1 + n0 n2 ⎠
1-44
ดังนั้นถาแทนคาสมการที่ (1.96) ลงในสมการที่ (1.100) จะไดวา
2
⎛ n n − n0 n2 ⎞
Rmin = ⎜ 0 2 ⎟ = 0
⎝ 2n0 n2 ⎠
1-45
ตารางที่ 1.3 คาดัชนีหักเหแสงของวัสดุที่เคลือบเปนชั้นปองกันการสะทอนแสงสําหรับเซลลแสงอาทิตย
วัสดุ ดัชนีหักเหแสง วัสดุ ดัชนีหักเหแสง
MgF2 1.3-1.4 Si3N4 ∼1.9
SiO2 1.4-1.5 TiO2 ∼2.3
Al2O3 1.8-1.9 Ta2O5 2.1-2.3
SiO 1.8-1.9 ZnS 2.3-2.4
1.5 เซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน
เซลลแสงอาทิตยชนิดที่ผลิตจากผลึกเดี่ยวซิลิคอน (Si) ปจจุบันมีการผลิตและใชงานกันมากที่สุด
เนื่องจากมีจุดเดนดังตอไปนี้
1) วัสดุดิบซึ่งไดแก ซิลิคอน มีปริมาณมากบนพื้นโลก และวัสดุซิลิคอนไมทําลายสภาพแวดลอม
2) เทคโนโลยีการผลิตผลึกเดี่ยวซิลิคอน และเทคโนโลยีการแพรซึมสารเจือปนไดรับการพัฒนาไป
กาวหนามาก ซึ่งเจริญควบคูไปกับเทคโนโลยี VLSI
3) ความหนาแนนของซิลิคอน มีคานอย ทําใหมีน้ําหนักเบา และเปนวัสดุที่แข็งแรงตอแรงเคน แมจะ
มีความหนาเพียง 50 μm ก็ยังคงสภาพเปนแผนไดดี
4) มีประสิทธิภาพดีกวาเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอนและชนิดอะมอรฟสซิลิคอน
5) ลักษณะสมบัติการผลิตพลังงานไฟฟาเปลี่ยนแปลงตามอายุการใชงานนอยมาก สามารถใชงานใน
สถานที่โดดเดี่ยว เชน ประภาคารและดาวเทียม ไดอยางมีความมั่นใจ อายุยืนนานกวา 20 ป
6) เนื่องจากผลึกซิลิคอนมีชองวางพลังงานชนิดไมตรง ดังนั้นสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงอาทิตยจึง
มีคานอย การผลิตจึงใหหนาพอสมควร เชน หนากวา 100 μm
1-46
รูปที่ 1.36 โครงสรางพื้นฐานของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนรอยตอ p-n
โครงสราง BSF
รูปที่ 1.38 แสดงตัวอยางผลการคํานวณความสัมพันธระหวางความหนาของแผนฐานชนิด p และ
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยว Si ซึ่งมีรอยตอชนิด n+-p และชนิด n+-p-p+ จากรูปนี้พบวา
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยจะเพิ่มขึ้นตามความหนาของแผนฐาน และจะไมเพิ่มอีกแมวาความหนาของ
1-47
รูปที่ 1.38 ผลการคํานวณความสัมพันธระหวางความหนาของแผนฐานชนิด p และประสิทธิภาพของ
เซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยว Si รอยตอ n+-p และ n+-p-p+
โครงสรางสําหรับกักแสง
1) การใชฟลมปองกันการสะทอนแสง
1-48
ในชวงความยาวคลื่นแสง 400-1,100 nm ดัชนีหักเหแสงของวัสดุซิลิคอนมีคาคอนขางมากประมาณ
6.00-3.50 ดังนั้นจึงทําใหมีการสูญเสียอันเนื่องจาการสะทอนแสงที่ผิวดานรับแสงมีคามากถึง 54% ในยาน
ความยาวคลื่นสั้น และมีการสูญเสียถึง 34% ในยานความยาวคลื่นยาว วิธีการลดการสูญเสียในกรณีนี้ทําได
โดยการเคลือบฟลมบางๆ ที่โปรงใสและมีดัชนีหักเหแสงนอยที่บนผิวดานบนเพื่อใหทําหนาเปน “ชั้นปองกัน
การสะทอนแสง” (anti-reflection layer) รายละเอียดเกี่ยวกับชั้น AR นี้ไดกลาวถึงแลวในหัวขอที่ 1.4.7
รูปที่ 1.40 แสดงตัวอยางสเปกตรัมการสะทอนแสงจากผิวของเซลลแสงอาทิตย โดยที่เสนหมายเลข
(1) เปนกรณีผิวกระจกที่ยังไมมีชั้น AR เสนหมายเลข (2) เปนกรณีเคลือบชั้น AR (ดัชนีหักเหแสง 2.25)
ลงบนผิวกระจก เสนหมายเลข (3) เปนกรณีผิวขรุขระ และเสนหมายเลข (4) เปนกรณีเคลือบชั้น AR ลงบน
ผิวขรุขระ ตัวอยางวัสดุชั้น AR ที่นิยมใชกันไดแก Si3N4 , SiO2 , SnO2 เปนตน
2) การใชโครงสรางผิวขรุขระ
เนื่องจากผิวดานรับแสงของเซลลแสงอาทิตยโดยทั่วไปเปนผิวเรียบมันแบบกระจกเงา ดังนั้นแมวาจะ
เคลือบผิวดวยฟลมปองกันการสะทอนแสง แตก็ยังคงทําใหมีการสะทอนแสง วิธีการลดการสะทอนแสงที่
ไดผลมากอีกวิธีหนึ่งไดแก การทําใหผิวของซิลิคอนขรุขระแบบพีระมิดซึ่งเรียกวา “โครงสรางผิวเทกซเจอร”
(textured surface) ดังแสดงในรูปที่ 1.41 ผิวขรุขระทําไดโดยการกัดผิวของแวนผลึกซิลิคอนดวยน้ํายาเคมีที่
เลือกเฉพาะ จะสามารถกัดใหผิวขรุขระแบบพีระมิด ในโครงสรางเชนนี้ แสงที่เดินทางเขามาจะสะทอนที่ผิว
1-49
ของพีระมิดและจะเบี่ยงเบนเขาสูเนื้อผลึกและเกิดการสะทอนแสงในผลึกหลายๆ ครั้ง และเนื่องจากแสงที่เดิน
ทางเขาสูเนื้อผลึกมีทิศทางเฉียง ดังนั้นระยะทางการเดินของแสงในผลึกจะเพิ่มขึ้นและสงผลใหเกิดการดูดกลืน
แสงในผลึกมากขึ้น เสนประหมายเลข (3) และ (4) ในรูปที่ 1.40 แสดงสเปกตรัมการสะทอนแสงกรณีผิว
ขรุขระซึ่งจะเห็นไดวาการสะทอนแสงแทบไมมีเลย นิยมเรียกเซลลแสงอาทิตยที่มีทั้งชั้นปองกันการสะทองแสง
และผิวขรุขระเชนนี้วา “เซลลดํา” (black cell) เพราะวาเมื่อเรามองผิวของเซลลแสงอาทิตย จะพบวาสีของ
เซลลแสงอาทิตยเปนสีดํา
วิธีการกัดผิวซิลิคอนระนาบ (100) ใหเปนพีระมิดซึ่งดานขางของพีระมิดจะเปนระนาบ (111) ทําได
โดยการแชแวนผลึกลงในสารละลายไฮโดราซิน 60% ที่อุณหภูมิ 110 °C เปนเวลาประมาณ 10 นาที หรือแช
ลงในสารละลายของโซดาไฟ (NaOH) 1% ที่กําลังเดือดเปนเวลาประมาณ 5 นาที
1.5.2 ประสิทธิภาพสูงสุดของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน
ในทางทฤษฎี
ชอกลียไดคํานวณหาคาประสิทธิภาพสูงสุดของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน [13] โดย
สมมติวาโฟตอนที่มีคามากกวาชองวางพลังงานถูกสารกึ่งตัวนําดูดกลืนและโฟตอนทุกตัวสามารถผลิต
อิเล็กตรอนได และใหสเปกตรัมของแสงอาทิตยมีรูปแบบสเปกตรัมของวัตถุดําที่อุณหภูมิ 6,000 K ผลการ
คํานวณไดผลวา ประสิทธิภาพสูงสุดไดจากผลึกที่มีชองวางพลังงาน 1.1 eV และมีประสิทธิภาพ 44% แตผล
การคํานวณนี้ไมสามารถนํามาใชไดในทางปฏิบัติ เพราะวาในเซลลแสงอาทิตยท่เี ปนจริงจะมีการสูญเสียตางๆ
เกิดขึ้น ตอไปจะแสดงวิธีการประเมินหาคาประสิทธิภาพของเซลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนที่ใกลเคียง
กับสภาพความเปนจริง
ถาสมมุติใหวาโฟตอนแตละตัวที่มีพลังงานมากกวาชองวางพลังงาน 1.1 eV ของซิลิคอนสามารถผลิต
อิเล็กตรอนได 1 ตัว ดังนั้นจากการคํานวณจํานวนโฟตอนทั้งหมดตลอดสเปกตรัมของแสงอาทิตย จะไดคา
กระแสไฟฟาลัดวงจรเทากับ 37.7 mA/cm2 ที่แสงความเขม AM 1.5 (83.2 mW/cm2) หรือเทากับ 54.2
mA/cm2 ที่แสงความเขม AM 0 (135.3 mW/cm2)
สําหรับคาในอุดมคติของแรงดันไฟฟาวงจรเปด Voc คือ
kT I sc
V oc = ln( + 1) (1.101)
q I0
โดยที่ I0 คือกระแสไฟฟายอนอิ่มตัวในขณะไมมีแสง
v oc − ln( v oc + 0.72)
FF = (1.102)
v oc + 1
1-50
จากสมการนี้ ผลการคํานวณคาฟลลแฟกเตอร FF มีคา 0.846
ดังนั้นภายใตแสงอาทิตยความเขม AM 1.5 (83.2 mW/cm2) คาคาดคะเนสูงสุดที่นาจะเปนไปได
ของประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนคือ 26.5 % โดยคํานวณดังนี้
เซลลแสงอาทิตยขนาดเล็ก
1) โครงสราง PESC
รูปที่ 1.42 แสดงโครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิด PESC (passivated emitter solar cell) [29] มี
ลักษณะเปนรอยตอ n-p ที่ดานรับแสงมีฟลมฉนวนออกไซดบางมาก (ประมาณ 2-3 nm) เคลือบไว ฟลม
ฉนวนนี้ชวยลดการรวมตัวของอิเล็กตรอนและโฮลและเพิ่มแรงดันไฟฟาวงจรเปด ขั้วไฟฟาดานบนสัมผัส
2) โครงสรางไมโครกรูฟ
รูปที่ 1.43 แสดงโครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดไมโครกรูฟ (micro grooved passivated emitter
solar cell) [31-32] โครงสรางพื้นฐานคลายกับโครงสราง PESC โดยที่ผิวดานรับแสงนั้นผลิตใหมีลักษณะ
เปนรองซึ่งเรียกวา “ไมโครกรูฟ” มีลักษณะคลายหลังคาบาน ความลึกของไมโครกรูฟประมาณ 5 μm
ระยะพิตช (pitch) ประมาณ 10 μm สรางดวยวิธีโฟโตลีโทกราฟและกัดดวยสารละลายของ NaOH ลักษณะ
เดนของโครงสรางนี้คือ
- ผิวไมโครกรูฟชวยใหสัมประสิทธิ์ของการสะทอนแสงลดลงจาก 3-4 % เปนนอยกวา 1%
- แสงจะตกกระทบผิวในลักษณะมุมเฉียง ซึ่งจะสะทอนจากผิวไมโครกรูฟหนึ่งไปยังผิวไมโครกรูฟ
ขางเคียงและเดินทางเขาสูเนื้อผลึกไดดีขึ้น ทําใหมีการดูดกลืนแสงเพิ่มขึ้น
1-51
- เนื่องจากผิวไมโครกรูฟเรียงตัวกันอยางเปนระเบียบ ทําใหสามารถสรางขั้วไฟฟาดานบนไดอยาง
เปนระเบียบ เปนผลใหลดความตานทานอนุกรมได
- สามารถผลิตใหเหมือนเดิมไดงาย (reproducibility)
ตัวอยางผลการผลิตและวัดภายใตแสง AM1 (100mW/cm2) ไดลักษณะสมบัติเอาตพุตดังนี้
Jsc = 38.3 mA/cm , Voc = 662 mV, FF = 0.824 และ ประสิทธิภาพ η = 20.9% [33]
2
3) โครงสราง PERC
เซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสราง PERC (passivated emitter and rear cell) แสดงในรูปที่ 1.44 ที่
ดานหลังมีการเคลือบวัสดุฉนวน SiO2 บางๆ และเปดชั้นฉนวนออก 2 mm จากนั้นเคลือบขั้วไฟฟา Al ใหเต็ม
พื้นที่ดานหลังและอบที่อุณหภูมิ 400 °C เปนเวลา 15 นาที การออกแบบดานหลังเชนนี้ชวยใหแรงดันไฟฟา
วงจรเปดดีขึ้นและลดการรวมตัวของพาหะที่ดานหลังและลดกระแสไฟฟายอนอิ่มตัว [12] ที่ดานหนา
ออกแบบใหผิวรับแสงมีลักษณะขรุขระแบบ “พีระมิดคว่ํา” (inverted pyramid) ซึ่งเปนการชวยทําให
สัมประสิทธิ์การสะทอนแสงที่ผิวมีคานอยที่สุด แผนฐานชนิด p มีสภาพตานทานไฟฟา 0.2 Ωcm ตัวอยางผล
การผลิตและวัดภายใตแสง AM 1.5 ไดลักษณะสมบัติเอาตพุตดังนี้ Jsc = 40.3 mA/cm2, Voc = 696 mV,
FF = 0.814 และประสิทธิภาพ η = 22.8% [12]
4) โครงสราง PERL
โครงสราง PERC ที่กลาวมาแลวขางตนชวยทําใหความเร็วในการรวมตัวของพาหะที่ผิวดานหนา
ดานหลังและภายในผลึกลดลง เปนผลทําให Voc และ Jsc เพิ่มขึ้น เซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสราง PERL
(passivated emitter rear locally diffused) แสดงในรูปที่ 1.45 [34] ที่ดานหลัง มีการแพรซึมสารเจือปน
รูปที่ 1.44 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิด PERC (passivated emitter and rear cell) [12]
1-52
รูปที่ 1.45 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิด PERL (passivated emitter rear locally diffused)
5) โครงสรางฝงขั้วไฟฟา
แมวาเซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสรางตางๆ ที่กลาวมาแลวขางตนจะใหประสิทธิภาพสูงมากก็ตาม แต
มีขอเสียที่ตองใชกระบวนการผลิตที่ยุงยากและหลายขั้นตอน จึงไดมีการเสนอโครงสรางใหมที่เหมาะสมตอการ
ผลิตจํานวนมากๆ เชน การใชโครงสรางฝงขั้วไฟฟา (buried contact) ดังแสดงในรูปที่ 1.46 [35] ผิวดานรับ
แสงมีลักษณะขรุขระแบบเทกซเจอร และมีการใชแสงเลเซอรเจาะผิวดานบนใหเปนรองที่ลึกประมาณ 40 μm
และกวางประมาณ 20 μm ตอจากนั้นจึงแพรซึมสารเจือปนชนิด n เขาสูภายในรองนี้
ตัวอยางผลการผลิตเซลลแสงอาทิตยพื้นที่ 4 cm2 และวัดภายใตแสง AM1.5 ไดลักษณะสมบัติ
เอาตพุตดังนี้ Jsc = 38.0 mA/cm2, Voc = 609 mV, FF = 0.802 และ ประสิทธิภาพ η = 18.6 %
เซลลแสงอาทิตยขนาดใหญ
เซลลแสงอาทิตยที่มีการผลิตจํานวนมากในภาคอุตสาหกรรมมีพื้นที่ของเซลลตามขนาดของแผนเว
เฟอร (wafer) เชนในกรณีรูปสี่เหลี่ยมจัตุรัสมีพื้นที่ประมาณ 10 cm × 10 cm หรือในกรณีรูปวงกลมมีเสน
ผานศูนยกลาง 5 นิ้ว โดยทั่วไป เมื่อเซลลแสงอาทิตยมีพื้นที่ใหญขึ้น ประสิทธิภาพของการแปลงพลังงานจะ
ลดลง ทั้งนี้มีหลายสาเหตุ เชน 1) มีการสูญเสียอันเนื่องจากความตานทานอนุกรมของขั้วไฟฟามากขึ้น และ
2) พื้นที่ที่มีจุดบกพรองของผลึกมีขนาดมากขึ้น ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยที่มีพื้นที่ระหวาง 50-100
cm2 มีคาประมาณ 15-17%
1-53
1.6 เซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอน
หัวขอการพัฒนาและวิจัยเซลลแสงอาทิตยที่สําคัญในขณะนี้ไดแก การประดิษฐเซลลแสงอาทิตยที่มี
ประสิทธิภาพสูงและการหาวิธีลดตนทุนการผลิต เนื่องจากตนทุนการผลิตผลึกโพลีซิลิคอนมีแนวโนมวาถูกกวา
ผลึกเดียวซิลิคอน ดังนั้นเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอนจึงกําลังไดรับความสนใจในฐานะที่จะเปนเซลล
แสงอาทิตยที่มีราคาถูกชนิดหนึ่งและปจจุบันมีการผลิตเซลลแสงอาทิตยชนิดนี้ออกจําหนายแลวปหนึ่งหลายสิบ
เมกะวัตต
ผลึกโพลี Si ไดแก ผลึกที่มีระนาบของผลึกหลายชนิดปนอยูในระนาบเดียวกัน เชน (111) (211)
(330) เปนตน เมื่อมองดูดวยตาเปลาก็จะเห็นความแตกตางของสีของแตระนาบอยางชัดเจน อาณาเขตของ
ผลึกแตละระนาบเรียกวา “เกรน” (grain) เกรนแตละเกรนอาจมีรูปรางเกือบเปนทรงกลมหรือหลายเหลี่ยม
หรือมีรูปรางที่ไมแนนอน เทคโนโลยีในปจจุบันสามารถผลิตผลึกโพลี Si ใหมีเกรนที่มีเสนผานศูนยกลางตั้งแต
หลายสิบ μm ไปจนถึงหลายพัน μm ได ถาเกรนมีขนาดใหญกวาความหนาของเซลลแสงอาทิตย พาหะ โฟโต
ที่เกิดจากแสงจะสามารถเดินทางผานรอยตอ p-n ออกสูวงจรภายนอกของเซลลแสงอาทิตยไดอยางมี
ประสิทธิภาพ รูปที่ 1.47 แสดงผลการคํานวณความสัมพันธระหวางเสนผานศูนยกลางของเกรนและ
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย [36] จากรูปนี้จะพบวาประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยจะเพิ่มขึ้นเมื่อ
เกรนมีขนาดใหญขึ้น ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลี Si ที่ผลิตในภาคอุตสาหกรรมสูงถึงระดับ
15% แลว
1.6.1 การผลิตผลึกโพลีซิลิคอน
ผลึกโพลีซิลิคอนสามารถผลิตไดจากซิลิคอนทั้งวิธีการใชซิลิคอนที่มีสถานะเปนของเหลวและวิธีการใช
กาซ รูปที่ 1.48 แสดงรายชื่อวิธีการผลิตผลึกโพลีซิลิคอนจากสถานะของเหลว
วิธีแคสติง (casting) ไดแก การหลอซิลิคอนเหลวลงในเบา รูปปริมาตรสี่เหลี่ยม เมื่อเย็นลง ผลึก
ซิลิคอนจะมีลักษณะเปนแทงแข็ง (ingot) ตอจากนั้นจึงตัดใหเปนแผนบางๆ (slicing) บริษัทที่เปนผูนํา
1-54
รูปที่ 1.48 รายชื่อวิธีการผลิตผลึกโพลีซิลิคอนจากสถานะของเหลว
1-55
รูปที่ 1.50 เทคโนโลยีการผลิตผลึกโพลี Si แบบแคสตริบบอน (cast-ribbon)
1.6.2 อิทธิพลของเกรนที่มีตอคุณสมบัติทางไฟฟาและแสง
ปญหาหลักที่เกิดขึ้นในผลึกโพลีซิลิคอนไดแก อิทธิพลของเกรนที่มีตอคุณสมบัติทางไฟฟาและแสง
อะตอมซิลิคอนที่อยูบริเวณผิวรอบๆ เกรนนั้นปกติจะมีพันธะที่ไมสมบูรณ กลาวคือ จะมีแขนขาด (dangling
bonds) ซึ่งไมมีอะตอมซิลิคอนตัวอื่นมาสรางพันธะดวย อิเล็กตรอนซึ่งเปนแขนขาดนั้นมีคุณสมบัติที่ไวตอการ
จับอิเล็กตรอนจากธาตุอื่นๆ มาก ดังนั้นในขณะที่กําลังปลูกผลึกโพลีซิลิคอน อิเล็กตรอนที่เปนแขนขาดจึงมี
โอกาสที่จะสรางพันธะกับสารเจือปนหรือสารแปลกปลอมไดงาย และในทางอิเล็กทรอนิกสจะทําใหเกิดสถานะ
ที่ไมพึงปรารถนาอยูภายในชองวางพลังงานของซิลิคอนซึ่งเรียกวา “สถานะของจุดบกพรอง” (defect states)
สถานะของจุดบกพรองเหลานี้จะทําหนาที่คอยดักจับพาหะขางนอยที่เกิดจากแสงไมใหเดินทางออกไปสูวงจร
ภายนอกและสงผลใหเวลาอายุ (life time) ของพาหะขางนอยลดลง
นอกจากนี้ การจับพาหะดังกลาวยังทําใหเกิดสภาพไอออนขึ้นที่พรมแดนของเกรน และทําให
แถบพลังงานที่พรมแดนเกิดเสนโคงดังแสดงในรูปที่ 1.51 ในรูปนี้แสดงกรณีสารกึ่งตัวนําชนิด n แตสามารถ
ใชไดกับกรณีชนิด p ดวย
กรณี (ก) ไดแกกรณีที่พรมแดนของเกรนมีสภาพเปนไอออนลบและสถานะของจุดบกพรองจะ
กระจายอยูเหนือกึ่งกลางของชองวางพลังงาน ทําใหแถบพลังงานที่พรมแดนโคงงอสูงขึ้น ที่พรมแดนดังกลาว
จะเกิดเปนชั้นปลอดพาหะ (depletion layer) ในสภาพเชนนี้ พาหะขางมากจะตองกระโดดขามกําแพงศักย จึง
จะเดินทางผานสวนแหลมนี้ไปได ผลทําใหคาสภาพความคลองตัวลดลงอยางมากและความตานทานอนุกรม
ของผลึกจะมีคาสูงขึ้น [38] ขณะเดียวกันพาหะขางนอยจะถูกสนามไฟฟาที่พรมแดนนี้ดึงดูดใหไปรวม
1-56
รูปที่ 1.51 แถบพลังงานและการเกิดสถานะของจุดบกพรองบริเวณพรมแดนของเกรนใน
ผลึกโพลีซิลิคอน
1.6.3 การทํางานของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอน
เซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอนมีโครงสรางพื้นฐานเปนรอยตอ p-n และมีหลักการทํางาน
เหมือนกับเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอน ประเด็นที่เซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอนมีความ
แตกตางออกไปไดแก
(1) มีเกรนอยูในผลึก พาหะขางนอยที่เกิดจากแสงจะถูกกักใหรวมตัวที่พรมแดนของเกรน
(2) การเดินทางของพาหะขางมาก จะตองกระโดดขามกําแพงศักยที่โคงงอขึ้นที่พรมแดนของเกรน
ทําใหความตานทานอนุกรมของเซลลมีคาสูงขึ้น
(3) ความสูงของกําแพงศักยที่บริเวณพรมแดนของเกรน เปลี่ยนแปลงตามความเขมของแสงที่ตก
กระทบ
(4) เนื่องจากในกระบวนการผลิตลึกโพลี ใชเงื่อนไขใหความเร็วของการเติบโตของผลึกมีคาสูง
ดังนั้นจึงทําใหจุดบกพรองภายในผลึกมีจํานวนมากดวย
1-57
นอกจากนี้ กรณี (1) ยังทําสงผลทําใหแรงดันไฟฟาวงจรเปดของเซลลแสงอาทิตยลดลงดวย และถา
สภาพนําไฟฟาตามแนวพรมแดนมีคาสูง ก็จะทําใหความตานทานชันต (shunt resistance) ลดลง ซึ่งจะทําให
ฟลลแฟกเตอรของเซลลแสงอาทิตยลดลงได
ผลึกโพลีซิลิคอนที่ดีไมควรมีเกรนรูปรางสุม แตควรมีเกรนที่มีลักษณะเปนทอนยาว (column
structure) ในทิศทางตามความหนาของแผนผลึก และเกรนทอนยาวนั้นตองไมมีการขาดตลอดความหนาของ
แผนผลึก เกรนที่มีลักษณะเชนนี้จะทําใหความเร็วในการรวมตัวของพาหะที่พรมแดนมีคานอยกวากรณีเกรน
รูปรางอื่นๆ
โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอนที่กําลังไดรับความสนใจในปจจุบันมีดังตอไปนี้
(1) โครงสรางรูปอักษร “V” แสดงในรูปที่ 1.52 ที่ผิวดานรับแสงถูกเครื่องมือกลไสใหเปนรอง
รูปอักษร “V” ดวยเหตุผลเพื่อตองการลดการสูญเสียอันเนื่องจากการสะทอนแสง ขนาดของพิตช 70 μm ลึก
70 μm ตอจากนั้นใชน้ํายาเคมีชนิดกรดและดางกัดผิวอีกครั้งเพื่อลดจํานวนของแขนขาดที่ผิว ขั้วไฟฟาดานรับ
แสงใชขั้วโลหะชนิด MgF2 และเคลือบดวย SiO2 เพื่อลดการเกิดปฏิกิริยาตางๆ ดานหลังของเซลลใช Al เปน
ขั้วไฟฟา ขั้วไฟฟาดานหนามีความกวาง 50 μm และพิตช 2.2 mm ประสิทธิภาพที่ไดสูงถึง 17% [42]
1-58
รูปที่ 1.53 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกโพลีซิลิคอนที่มีขั้วไฟฟา 3 ขั้ว [43]
1-59
1.7 เซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอน
สิ่งประดิษฐออปโตอิเล็กทรอนิกสที่ผลิตจากสารกึ่งตัวนําชนิดอะมอรฟสซิลิคอน (a-Si:H) ที่มีการใช
งานกันแพรหลายและรูจักกันมากที่สุดไดแก เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ปจจุบันเซลลแสงอาทิตยชนิด
a-Si:H มีการใชงานตั้งแตสําหรับผลิตกระแสไฟฟาใหเครื่องคิดเลขที่มีขนาดเล็กๆ ไปจนถึงการผลิต
กระแสไฟฟาใหระบบสายสงกระแสไฟฟาปริมาณมากๆ
เนื่องจากคุณสมบัติทางฟสิกสของ a-Si:H แตกตางไปจากกรณีของผลึกซิลิคอน (c-Si) ในหลายๆ
ดาน เชน สัมประะสิทธิ์การดูดกลืนแสง ความคลองตัว แก็ปสเตต ฯลฯ ดังนั้นการออกแบบเซลลแสงอาทิตย
ชนิด a-Si:H จึงตองแตกตางไปจากกรณีเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึก Si ในหัวขอนี้จะกลาวถึงพื้นฐานของ
เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ซึ่งไดแก หลักการทํางานพื้นฐาน การออกแบบ การประดิษฐ คุณสมบัติพื้นฐาน
การปรับปรุงประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ตลอดจนจะกลาวถึงความกาวหนาในการพัฒนา
และการใชงานเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ที่มีโครงสรางพิเศษตางๆ
1.7.1 ประวัติการพัฒนาเซลลแสงอาทิตยชนิดฟลมบางของ
อะมอรฟสซิลิคอน
เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H มีขอดีเดนกวาเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึก Si หลายประการ เชน ผลิต
จากวัสดุอะมอรฟสซิลิคอนซึ่งมีราคาถูกกวา ผลิตเปนฟลมบางไดจึงประหยัดวัสดุกวา ผลิตเปนพื้นที่ใหญๆ ได
และมีน้ําหนักเบา เปนตน
เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ไดรับการพัฒนาขึ้นครั้งแรกโดย D. E. Carlson และ C. R. Wronski
ที่บริษัท RCA ประเทศสหรัฐอเมริกา เมื่อ ค.ศ. 1976 [45-47] โดยเริ่มตนใชโครงสรางชอตตกีแบรเรียร
และมีประสิทธิภาพประมาณ 2.4 % และตอมาพัฒนาเปนโครงสรางแบบ p-i-n หลังจากนั้นนักวิจัยจากหลาย
แหงไดใหความสนใจปรับปรุงประสิทธิภาพใหดีขึ้นเรื่อยๆ ปจจุบันเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H มี
ประสิทธิภาพสูงกวา 12% แลว [48-49] ทางดานภาคอุตสาหกรรมนั้น ใน ค.ศ. 1979 บริษัท Sanyo จํากัด
ประเทศญี่ปุนเปนบริษัทแรกที่ไดผลิตเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H พื้นที่ 1 cm × 4 cm เพื่อประยุกตใชงาน
ผลิตกระแส ไฟฟาใหกับเครื่องคิดเลขอิเล็กทรอนิกส หลังจากนั้นไดมีบริษัทตางๆ มากมายเริ่มผลิตเซลล
แสงอาทิตยชนิด a-Si:H ใหมีขนาดใหญขึ้นดังตัวอยางในรูปที่ 1.55 และขณะนี้ไดมีการใชงานกวางขวางขึ้นทั้ง
ในการผลิตไฟฟาใหผลิตภัณฑไฟฟาตางๆ และระบบไฟฟากําลัง สําหรับในประเทศไทย ปจจุบัน
หนวยงานที่สามารถ
1-60
ประดิษฐเซลลแสงอาทิตยชนิดนี้ไดแลวไดแก หองปฏิบัติการวิจัยสิ่งประดิษฐสารกึ่งตัวนํา จุฬาลงกรณมหา-
วิทยาลัย [50-54]
1.7.2 คุณสมบัติดีเดนของเซลลแสงอาทิตยชนิดฟลมบางของอะมอรฟส-
ซิลิคอน
อะมอรฟสซิลิคอน (a-Si:H) มีคุณสมบัติดีเดนหลายขอที่ทําใหไดรับความสนใจในการนํามาผลิตเปน
เซลลแสงอาทิตย คือ
1. a-Si:H มีคาสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงที่สูงมากในยานยอดของสเปกตรัมของแสงอาทิตย (สูง
กวา 10 cm-1) ดวยเหตุนี้จึงทําใหเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ไมตองใชความหนามาก ความหนาโดยทั่วไป
5
1-61
รูปที่ 1.56 แสดงความสัมพันธระหวางตนทุนการผลิตเซลลแสงอาทิตยชนิดตางๆ และปริมาณการ
ผลิตตอปของโรงงาน 1 แหง จากรูปนี้จะเห็นวาเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H มีตนทุนการผลิตที่ต่ํากวาเซลล
แสงอาทิตยชนิดอื่นๆ ถาโรงงานหนึ่งสามารถผลิตไดในปริมาณ 10 เมกะวัตตขึ้นไปตอป ก็จะทําใหตนทุน
ลดลงต่ํากวา 1 ดอลลาร/วัตต ได [55-56]
ในระยะชวงตนๆ ของการพัฒนาเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H มีปญหาเกี่ยวกับการเสื่อมลงของ
ประสิทธิภาพ แตในชวง ค.ศ. 1995 เปนตนมาไดมีการปรับปรุงขอบกพรองนี้ใหดีขึ้นดวยการเสนอการผลิต
เซลลแสงอาทิตยใหมีโครงสรางซอนทับหลายๆ ชั้น
1.7.3 พื้นฐาน
เมื่อเราสองแสงที่มีพลังงานโฟตอนมากกวาชองวางพลังงาน (Eg) เขาสูสารกึ่งตัวนํา แสงนั้นจะถูก
สารกึ่งตัวนําดูดกลืน และแสงจะกระตุนใหเกิดอิเล็กตรอนอิสระขึ้นในแถบคอนดักชันและเกิดโฮลอิสระขึ้นใน
แถบเวเลนซ ปรากฏการณเชนนี้สังเกตไดจากการเพิ่มขึ้นของสภาพนําไฟฟาดวยแสง (photoconductivity)
หรือกระแสไฟฟาโฟโต (photocurrent) ถาสารกึ่งตัวนํานั้นประกอบดวยรอยตอ p-n ซึ่งที่รอยตอนั้นจะมีความ
ลาดของพลังงานศักยกลาวคือ ถามีแรงดันไฟฟาภายใน (built-in potential) อิเล็กตรอนอิสระและโฮลอิสระที่
ถูกผลิตดวยแสง ก็จะถูกแรงดันไฟฟาภายในนั้นพัดพาใหไหลไปในทิศทางตรงขามกัน (อิเล็กตรอนไหลสวน
ทางกับทิศทางของสนามไฟฟา สวนโฮลไหลตามทิศทางของสนามไฟฟา) ทําใหประจุอิเล็กตรอนและโฮ
ลแยกตัวออกจากกันและเปนผลใหเกิดแรงดันไฟฟาเอาตพุตขึ้นที่ปลายทั้งสองของรอยตอ p-n นี้ เราเรียก
ปรากฏการณนี้วา ปรากฏการณโฟโตโวลทาอิก (photovoltaic effect) และเปนหลักการทํางานพื้นฐานของ
เซลลแสงอาทิตย
ประสิทธิภาพการทํางานของเซลลแสงอาทิตยถูกกําหนดโดยความเหมาะสมของลักษณะของสเปกตรัม
ของแสงอาทิตยและขนาดของชองวางพลังงาน และสเปกตรัมของสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงของสารกึ่งตัวนํา
นอกจากนี้ เนื่องจากปรากฏการณโฟโตโวลทาอิกเปนปรากฏการณทางควอนตัมชนิดหนึ่ง ดังนั้นสเปกตรัมของ
แสงอาทิตยที่กําลังกลาวถึงจึงไมไดหมายถึง radiative power spectrum แตหมายถึง photon flux spectrum
สเปกตรัมของแสงอาทิตยที่วัดไดบนโลกเปลี่ยนแปลงไดตามเงื่อนไขตางๆ เชน ตําแหนงเสนรุง เสนแวง เวลา
สภาพภูมิอากาศ และสภาพแวดลอมอื่นๆ และเนื่องจากรอบโลกมีชั้นบรรยากาศหอหุมอยู ดังนั้นแสงอาทิตย
บางสวนจะถูกชั้นบรรยากาศดูดกลืนไวกอนที่จะเดินทางถึงพื้นผิวโลก หนวยมาตรฐานที่แสดงลักษณะ
สเปกตรัมของแสงอาทิตยที่ใชกันในปจจุบัน มีชื่อเรียกวา Air Mass (ยอวา AM) การวัดสเปกตรัมเมื่อ
แสงอาทิตยตกลงมาในแนวดิ่งเรียกวา AM1 ถาวัดในอวกาศมีคา AMO สเปกตรัมของแสงอาทิตยที่วัด
บนโลกโดยมาตรฐานมีคา AM 1.5 รูปที่ 1.57 แสดงลักษณะสเปกตรัม AMO และ AM 1.5 พลังงานของ
แสงอาทิตยที่มีอยูในสเปกตรัม AM1-1.5 มีคาประมาณ 100 mW/cm2 ดังนั้นถาเซลลแสงอาทิตยมีพื้นที่
100 cm2 และมีประสิทธิภาพ 10% เราก็จะไดพลังงานไฟฟาจากเซลลแสงอาทิตยประมาณ 1 W
1-62
รูปที่ 1.57 สเปกตรัมการแผรังสีของแสงอาทิตยที่ AM0 และ AM1.5
qV
J (V ) = J ph − J 0 [exp( ) − 1] (1.104)
nkT
1-63
ถากระแสไฟฟาที่ไหลผานรอยตอทั้งหมดขึ้นกับกระบวนการแพรซึมและใชการคํานวณดวยทฤษฎีของ
ผลึกรอยตอ p-n เราจะไดคาประสิทธิภาพในอุดมคติของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ซึ่งมีชองวางพลังงาน
1.7 eV ไดประมาณ 20-25%
กับความสามารถในการดูดกลืนแสงอยางมีประสิทธิภาพของชั้น i จากแนวความคิดที่จะพยายามใหแสงผาน
เขาสูชั้น i มากที่สุดไดมีการพัฒนาวัสดุใหมสําหรับ ชั้น p และ n ที่มีชองวางพลังงานกวางกวาชองวางพลังงาน
ของชั้น i เชน อะมอรฟสซิลิคอนคารไบด (a-SiC:H) และ ไมโครคริสตัลไลนซิลิคอน (μc-Si:H)
นอกจากนี้เนื่องจากสภาพนําไฟฟาของชั้น p และ n ยังไมดีพอ ดังนั้นเพื่อลดการสูญเสียกระแสไฟฟาอัน
1-64
เนื่องจากความตานทานจึงไดมีการใชชั้นขั้วโปรงใสชนิด SnO2 และ ITO ฉาบไวดานหนาและใชโลหะ เชน Al,
Ag ฉาบไวดานหลังของชั้น p-i-n
แรงดันไฟฟาวงจรเปด Voc ของเซลลแสงอาทิตยมีรูปทั่วไปดังนี้
σ ph ( x )
Voc = ∫ E ( x ) dx (1.105)
σ D ( x ) + σ ph ( x )
ถาหากวาในชั้น p และ n ให σph(x) << σD(x) และในชั้น i ให σph(x) >> σD(x) คาสูงสุดของ Voc
จะหาไดโดยการหาคาปริพันธของ E(x) ดวย x ในชั้น i ทั้งหมด ซึ่งผลที่ไดก็จะเทากับผลตางของศักยที่ปลาย
ทั้งสองขางของชั้น i นั่นเอง ศักยนี้เรียกวา แรงดันไฟฟาภายในประสิทธิผล (effective built-in potential)
ถาใหชื่อยอวา Vb จากรูปที่ 1.59 เราจะไดสมการใกลเคียงของ Vb ดังนี้
q ⋅ Vb = ε g ( i ) − Δε n − Δε p + δ n + δ p − ΔΦ n − ΔΦ p (1.106)
1-65
การออกแบบคาพารามิเตอรของชั้น p และ n (เชน ชองวางพลังงานและความหนา) นั้นจึงตองดูความ
เหมาะสมทั้งดานคาของ Vb และ Jsc
การทํางานของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H นั้นกลาวโดยสรุปแลว คือ ภายใตแรงดันไฟฟาภายใน
พาหะที่ถูกสรางดวยแสงในชั้น i นั้นจะตองถูกกวาดใหไหลไปยังขั้วทั้งสองของเซลลแสงอาทิตย ปจจุบันเปนที่
ทราบกันดีวาความหนาที่เหมาะสมที่สุดของชั้น i ในรอยตอ p-i-n คือประมาณ 0.5-1 μm ดังนั้นเราอาจ
สมมติใหไดวา สนามไฟฟาในชั้น i นั้นมีความสม่ําเสมอตลอด เพราะฉะนั้นการขนสงและการกวาดรวบรวม
พาหะที่ถูกผลิตดวยแสงจึงขึ้นกับอิทธิพลของการพัดพาดวยแรงดันไฟฟาภายในมาก กลาวคือ ขนาดและ
ลักษณะการแจกแจงของแรงดันไฟฟาภายในนี้มีความสําคัญตอการทํางานของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
มาก และนี้คือ เหตุผลที่ทําใหกระแสไฟฟาโฟโต Jph ในสมการที่ (1.104) เปนฟงกชันของแรงดัน V
รูปที่ 1.60 แสดงการเปรียบเทียบอิทธิพลของแรงดันไฟฟาที่มีตอกระแสไฟฟาโฟโตของ (ก) เซลล
แสงอาทิตยชนิดผลึก Si และ (ข) เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H โดยในกรณีเซลลชนิด a-Si:H นี้ไดสมมติ
ใหวาแรงดันไฟฟาภายใน (built-in potential) มีคาสม่ําเสมอตลอดชั้น i และการรวมตัวของพาหะเกิดขึ้น
เฉพาะในชั้น i ดวยอัตราที่แปรผันตรงกับความหนาแนนของพาหะ
ลักษณะการขึ้นกับแรงดันไฟฟาของกระแสไฟฟาโฟโตภายใตสภาพการดูดกลืนแสงที่สม่ําเสมอตลอด
ชั้น i ในเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H แสดงไดดังนี้
−1 / v
J ph ∝ V [1 − e ] (1.107)
1-66
ผลคูณของ μτ มีความหมายทางฟสิกสที่แตกตางไปจาก μτ ที่ไดจากการวัดสภาพนําไฟฟาดวยแสง
(photoconductivity) กลาวคือ μτ ที่ไดจากการวัดสภาพนําไฟฟาดวยแสงนั้นไดจากเงื่อนไขที่วา จํานวนของ
อิเล็กตรอนและโฮลนั้น มีคาสม่ําเสมอตลอดเนื้อวัสดุและเปนคาที่แสดงพฤติกรรมการขนสงและการรวมตัวของ
พาหะขางมากภายใตการถูกสองดวยแสง สวนในเซลลแสงอาทิตยนั้นมีขอแตกตางกันมาก เชน ภายใตการถูก
สองดวยแสง จํานวนหรือความหนาแนนของอิเล็กตรอนและโฮลในเซลลแสงอาทิตยมีการแจกแจงแบบไม
สม่ําเสมอ อีกทั้งอัตราการรวมตัวก็ไมสม่ําเสมอดวย สมการที่ (1.107) นี้กลาวไดวาเปนเพียงคาใกลเคียง
(semi-quantity) เทานั้น และคา μτ ที่ปรากฏจึงเปรียบเสมือนเปนพารามิเตอรใกลเคียง (quasi-parameter)
ที่แสดงปรากฏการณโฟโตโวลทาอิกในรอยตอของ a-Si:H เทานั้น แตอยางไรก็ตามแมวาสมการที่ (1.107)
หรือแบบจําลองของกระแสไฟฟาของรอยตอที่ไดจากสมการที่ (1.107) จะมีรูปแบบที่งายๆ ก็ตาม แตก็เปน
สมการที่มีความหมายมากสําหรับการวิเคราะหและหาคาพารามิเตอรที่เหมาะสมในการออกแบบเซลล
แสงอาทิตยชนิด a-Si:H ในทางปฏิบัติ
ถาเราจะสรุปกระบวนการสําคัญๆ ที่มีอิทธิพลตอการทํางานของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
รอยตอ p-i-n จะไดดังนี้
ประการแรก ในสภาวะสมดุลเชิงความรอน ลักษณะของสนามไฟฟาในรอยตอ p-i-n ถูกกําหนด
ดวยคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกและการแจกแจงระดับโลคอไลซสเตตในชั้น p, i และ n และคุณสมบัติของขั้ว
โปรงใสและขั้วโลหะ และคุณสมบัติรอยตอ (interface) ของชั้นตางๆ เหลานี้ เมื่อเซลลแสงอาทิตยถูกสอง
ดวยแสงอาทิตย พาหะสวนเกินของอิเล็กตรอนและโฮลจะถูกผลิตขึ้น และพาหะเหลานี้จะเคลื่อนที่ดวยการ
แพรซึม (diffusion) หรือพัดพา (drift) ดวยสนามไฟฟา ซึ่งเปนเหตุใหเกิดการกระจายของอิเล็กตรอนและ
โฮลในสภาวะไมสมดุลเชิงความรอน
ประการที่สอง ในจํานวนพาหะที่ถูกผลิตดวยแสงนั้น พาหะบางตัวจะถูกกักหรือรวมตัวกันที่ระดับ
พลังงานของโลคอไลซสเตตในชั้น p, i และ n หรือในรอยตอระหวางชั้นอะมอรฟสดวยกันหรือที่ระหวางชั้น
อะมอรฟสกับขั้วไฟฟา ทําใหอัตราการครอบครอง (capture rate) ของโลคอไลซสเตตเปลี่ยนแปลงไปและจะทํา
ใหการแจกแจงประจุปริภูมิ (space charge) เปลี่ยนแปลงไป ซึ่งสงผลทําใหลักษณะของสนามไฟฟาในชั้น i
เปลี่ยนแปลง และการเปลี่ยนแปลงของสนามไฟฟานี้จะมีอิทธิพลตอไปถึงกระบวนการขนสงของอิเล็กตรอน
และโฮล การที่จะรักษาไวซึ่งเงื่อนไขความสมดุลของพาหะ จึงตองมีการเปลี่ยนแปลงการแจกแจงพาหะ
สวนเกินที่เกิดขึ้นทั้งจากการกระตุนดวยแสงและดวยความรอน จากผลของการหมุนเวียนของกระบวนเหลานี้
ทําใหเกิดการแจกแจงอิเล็กตรอนและโฮลในสภาวะคงที่และมีกระแสไฟฟาเอาตพุตไหลในลักษณะที่เปน
ฟงกชันของความยาวคลื่นและความเขมของแสงและเปนฟงกชันของสภาพของโหลดที่ตอภายนอกดวย ดังนั้น
กระแสไฟฟาโฟโตในสมการที่ (1.104) จึงมีสวนเกี่ยวของกับกระแสไฟฟาของรอยตอมาก
จากที่กลาวมาทั้งหมด จะเห็นไดวากลไกการทํางานของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H นั้นมีความ
ยุงยากสลับซับซอนมาก การที่จะคาดคะเนหรือคํานวณเกี่ยวกับประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยหรือทํา
อยางไรจึงจะไดเซลลแสงอาทิตยที่มีประสิทธิภาพสูง เราจําเปนที่จะตองทราบขอมูลอยางละเอียดเกี่ยวกับ
คุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกของวัสดุฟลมตระกูล a-Si:H
1-67
1.7.5 ปรากฏการณโฟโตโวลทาอิกชนิดพัดพาในเซลลแสงอาทิตยชนิด
a-Si:H รอยตอ p-i-n
ในหัวขอนี้จะกลาวถึงขอแตกตางในการออกแบบเซลลแสงอาทิตยชนิดรอยตอ p-n ของผลึกเดี่ยว Si
และชนิดรอยตอ p-i-n ของ a-Si:H และจะพิจารณากลไกของการกําเนิดพาหะดวยแสง (photocarrier
generation) และกระบวนการรวมตัวของพาหะ (recombination process) ในเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
รอยตอ p-i-n หลังจากนั้นจะอธิบายขีดจํากัดของประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยดวยการคํานวณถึง
ลักษณะของการแจกแจงประจุปริภูมิในรอยตอ p-i-n
โดยทั่วไปการทํางานของเซลลแสงอาทิตย ประกอบดวยกระบวนการหลัก 2 อยางคือ
1) การผลิตคูพาหะดวยการดูดกลืนแสงระหวางแถบพลังงานในสารกึ่งตัวนํา
2) การแยกหรือกวาดพาหะดวยสนามไฟฟาที่เกิดขึ้นภายในเซลลแสงอาทิตย
1-68
hc / ε g
J sc = ∫0 q(1 − R )Φ( λ ) ⋅ J tot dλ (1.108)
p n
J tot = J df + J df + J dr (1.109)
p
โดยที่ J df : ความหนาแนนของกระแสไฟฟาที่เกิดจากโฮลที่ถูกผลิตดวยแสงในบริเวณชั้นหนาตางชนิด p
n
J df : ความหนาแนนของกระแสไฟฟาที่เกิดจากอิเล็กตรอนที่แพรกระจายเขาไปในชั้น p และ
Jdr : กระแสไฟฟาชนิดพัดพา (drift current) ที่ไหลในชั้น i
n αγ
และ J df = exp( −αd ) (1.111)
α + 1 / Lp
1-69
รูปที่ 1.62 เปรียบเทียบลักษณะของแถบพลังงานของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึก Si
และชนิด a-Si:H
1-70
รูปที่ 1.63 กระบวนการผลิตพาหะดวยแสงในเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
kBT −1 qr0
PG ( x , hω ) = E ( x) ⋅ exp( − rc / r0 ) ⋅ exp( − E ( x ))
qr0 kBT
∞ m ∞ ∞
∑ ∑ ∑
( r0 / rc ) qr0 E ( x ) l 1
× ⋅ ( ) (1.112)
m= 0 m! n = 0 l = m+ n +1 kBT l!
q 1 q 1 1
PG ( x , hω ) = exp( − rc / r0 ) ⋅ (1 +
2 2
rc ) E +( ) ⋅ rc ( rc − r0 ) E
k BT 2!
kBT 3! 2
q 3 1 2 1 2 3
+( ) ⋅ rc ( r0 − r0 rc + rc ) E +................................................
kBT 4! 6
q 100 1 100
+( ) ⋅( rc (...........)) E (1.113)
kBT 101!
1-71
กระบวนการที่ 3 ในการทํางานของเซลลแสงอาทิตย คือประสิทธิภาพของการกวาดเก็บพาหะที่เกิด
จากแสง (photocarrier collection efficiency) พาหะที่กวาดเก็บไดนี้ จะกลายเปนกระแสไฟฟาเอาตพุตของ
เซลลแสงอาทิตย เราจะทราบประสิทธิภาพของการกวาดเก็บพาหะไดก็ตอเมื่อเราทราบวา ในจํานวนของ
พาหะโฟโตที่เกิดจากแสงทั้งหมดนั้น มีจํานวนเทาไรที่หลุดพนจากการรวมตัวกันชนิดเจมิเนต (geminate
recombination) นอกจากนี้ ประสิทธิภาพของการกวาดเก็บพาหะก็ขึ้นกับสนามไฟฟาภายในเซลลแสงอาทิตย
(E) และระยะทางการแพรซึม (L) ดวย
∫0
g ( 0) x −1
Pc ( x ) = (1 + f ( u ) du) (1.114)
Lp
∫0g (u)du)
1 x
โดยที่ f ( x ) = exp(
Lp
2 1/ 2
qL p
g ( x ) = (1 + r ( x ) ) − r ( x ), r ( x ) = ⋅ E ( x)
2k B T
1-72
รูปที่ 1.65 การขึ้นกับความหนาของชั้น i ของประสิทธิภาพการกวาดเก็บพาหะในเซลลแสงอาทิตยชนิด
a-Si:H โดยเปรียบเทียบใหเห็นความแตกตางในกรณีสองแสงเขาทางดานชั้น p และ n
จากสมการตางๆ ขางตน ประสิทธิภาพของการกวาดเก็บพาหะ η c (hω ) แสดงไดดังนี้
∂
η c ( hω ) = ∫ i PG ( x , hω ) Pc ( x ) ⋅ [ −
d
Φ( x , hω )]dx (1.115)
0 ∂x
1-73
1.7.7 เทคนิคการผลิตเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H รอยตอ p-i-n ใน
ภาคปฏิบัติ
โครงสรางพื้นฐานของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H รอยตอ p-i-n ที่เคลือบบนแผนกระจกไดแสดง
ไวแลวในรูปที่ 1.66 เทคนิคในการออกแบบเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H นั้น จะตองคํานึงถึงความ
เหมาะสมในการผลิตชั้นตางๆ ดังจะไดกลาวตอไปนี้ [52, 69]
ขั้วไฟฟาโปรงใส
แผนฐานสําหรับเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H อาจเปนแผนกระจกก็ไดหรือแผนเหล็กกลาไรสนิมก็
ได และไมวาจะใชแผนฐานชนิดใด ยอมจะตองมีขั้วไฟฟาโปรงใสเสมอ ตัวอยางในกรณีที่ใชแผนกระจกเปน
แผนฐาน นิยมใชฟลมบาง 2 ชั้นของ ITO/SnO2 เปนขั้วไฟฟาโปรงใสและมีรายละเอียดดังนี้
1. ฟลมบางชนิด SnO2 มีราคาถูก แตมีสภาพความตานทานไฟฟาสูงกวา ITO
2. ฟลมบาง ITO เปนสารประกอบของ SnO2 และ In2O3 โดยมีอัตราสวนน้ําหนักของ Sn:In เทากับ
5:95 โดยประมาณ ITO มีสภาพตานทานไฟฟาต่ํากวา SnO2 แตราคาแพง
3. โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยคือ แผนกระจก/ITO/SnO2/p-i-n-a-Si:H/Al
4. การที่ตองใชขั้วไฟฟาโปรงใสถึงสองชั้นเชนนี้มีเหตุผลคือ ถา SnO2 มีความหนามากกวา 20 nm
จะชวยกันไมใหอะตอมของ In จาก ITO หลุดออกแลวแพรซึมเขาไปในชั้น a-Si:H เพราะการแพรซึมของ In
เขาสูชั้น a-Si:H จะทําใหประสิทธิภาพโดยเฉพาะอยางยิ่ง Voc ลดลง [70-71]
5. คุณสมบัติพื้นฐานของขั้วไฟฟาโปรงใสเหลานี้ที่จําเปนคือ ควรโปรงใสมากๆ และนําไฟฟาไดดี
และในขณะเดียวกันก็ควรเปนชั้นปองกันการสะทอนแสงดวย (antireflection layer)
1-74
6. นอกจากนี้ ในการใชงานก็ควรเลือกความหนาที่เหมาะสม โดยพิจารณาจากสัมประสิทธิ์การ
สะทอนแสง เนื่องจากความสามารถสูงสุดในการผลิตและกวาดเก็บพาหะอยูในชวง 500-550 nm ดังนั้น
ความหนาของขั้วไฟฟาโปรงใสควรมีคาเปน 1/4 หรือ 3/4 ของความยาวคลื่นแสง เชน 70 nm หรือ 200 nm
สิ่งที่ควรระวังคือถาฟลมบางเกินไปจะทําใหความตานทานแผนมีคาสูง ตัวอยางเชน ถา SnO2 หนา 20 nm และ
ITO หนา 50 nm จะมีความตานทานแผน (sheet resistance) ประมาณ 40-50 Ω/ หรือถา SnO2 หนา
20 nm และ ITO หนา 180 nm จะมีความตานทานแผนนอยกวา 10 Ω/
7. ในปจจุบัน เนื่องจาก นิยมผลิตชั้น p จากวัสดุไมโครคริสตัลไลนซิลิคอน (p-μc-Si:H) หรือ
อะมอรฟสซิลิคอนคารไบด (a-SiC:H) ซึ่งดัชนีหักเหแสงมีคาอยูระหวางดัชนีหักเหแสงของขั้วไฟฟาโปรงใส
และชั้น i พอดี ดังนั้นจึงชวยลดการสะทอนแสงที่ผิวของชั้น i ได
8. นอกจากนี้การทําใหผิวของแผนกระจกมีสภาพเปนผิวขรุขระ (textured) ดวยวิธีทางเคมี และทํา
ใหผิวของ ITO/SnO2 ขรุขระ ก็จะชวยทําใหแสงเดินทางเขาสูชั้นอะมอรฟสไดมากขึ้น และแสงสามารถเดินทาง
ในชั้นอะมอรฟสไดไกลขึ้นซึ่งจะทําใหกระแสไฟฟาเอาตพุตเพิ่มขึ้น
ชั้น p
ทําหนาที่เปนขั้วสรางแรงดันไฟฟาภายใน เชนเดียวกับชั้น n แตเปนที่นาเสียดายที่มีคาสภาพนํา
ไฟฟาดวยแสงต่ํามาก ดังนั้นชั้น p จึงไมไดมีสวนชวยในการผลิตพาหะดวยแสงเทาไรนัก เรานิยมเรียกชั้น p
วา ชั้นตาย (dead layer) ถาผลิตชั้น p จากวัสดุ a-Si:H ซึ่งโดปดวยโบรอนและมีชองวางพลังงานแคบ ควร
ออกแบบใหชั้น p-a-Si:H บางที่สุด แตอยางไรก็ตามถาชั้น p บางมากเกินไป ก็จะทําใหแรงดันไฟฟาวงจร
เปดลดลงดวย
ในปจจุบันนิยมใช p-a-SiC:H ที่มีชองวางพลังงานประมาณ 2 eV หรือ p-μc-Si:H เปนหนาตาง
กวางรับแสง ซึ่งจะชวยเพิ่มทั้งกระแสไฟฟาลัดวงจร แรงดันไฟฟาวงจรเปดและฟลลแฟกเตอร ตามปกติ
ความหนาของ p-a-SiC:H ที่เหมาะสมคือประมาณ 150 ล
ชั้น i
คุณสมบัติพื้นฐานของ a-Si:H ชนิด i (undoped a-Si:H) นี้จะมีอิทธิพลและผลตอประสิทธิภาพของ
เซลลแสงอาทิตยมาก จากประสบการณ เงื่อนไขการผลิต i-a-Si:H ที่มีแก็ปสเตตนอยคือ ควรใชกําลังไฟฟา
ในการแยกสลายกาซใหต่ําๆ และใชกาซไซเลนดวยอัตราการไหลที่มากๆ เพื่อใหไดอัตราการเติบโตของฟลม
ประมาณ 1 μm ตอชั่วโมง อุณหภูมิแผนฐานที่เหมาะสมคือประมาณ 200-250 °C
แมวาในกระบวนการผลิตชั้น i-a-Si:H จะไมไดโดป i-a-Si:H แตผลที่ไดคือ จะไดฟลม i-a-Si:H
ที่มีคุณสมบัติเปนชนิด n แบบออนเสมอ เพราะระดับพลังงานเฟรมีของ i-a-Si:H ไมไดอยูกึ่งกลางชองวาง
พลังงาน แตจะอยูในตําแหนงที่คอนไปทางแถบคอนดักชัน การเติมโบรอนบางเล็กนอย (เชนประมาณ 1
ppm) จะทําใหระดับพลังงานเฟรมีเคลื่อนมาอยูตรงกลางชองวางพลังงานพอดี และจะทําใหสนามไฟฟาในชั้น
i มีคาเพิ่มขึ้น และประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น [72]
ชั้น n
ไมโครคริสตัลไลนซิลิคอนชนิด n (n-μc-Si:H) มีคุณสมบัติที่เหมาะสมในการใชงานเปนชั้น n
สําหรับเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H มาก ทั้งนี้เพราะวา n-μc-Si:H มีคุณสมบัติที่เดนดังนี้
1. ระดับพลังงานเฟรมีของ μc-Si:H ชนิด n อยูใกลแถบคอนดักชันมาก และสภาพนําไฟฟาก็มีคา
สูงมาก (1-10 S.cm-1) จึงทําใหแรงดันไฟฟาเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยมีคามากขึ้น
1-75
2. ชองวางพลังงานของ n-μc-Si:H มีคาประมาณ 1.9 - 2.0 eV ซึ่งกวางกวาของ n-a-Si:H จึงมี
ความโปรงใสดีและชวยใหแสงที่สะทอนจากขั้วโลหะดานหลังกลับเขาสูชั้น i ไดดีขึ้น ทําใหไดกระแสไฟฟา
เอาตพุตมากขึ้น
3. เนื่องจาก n-μc-Si:H มีคาสภาพนําไฟฟาสูง จึงสรางขั้วไฟฟาโอหมิกชนิด Al ไดงาย
เงื่อนไขของการปลูกฟลมบางชนิด μc-Si:H ไดแก การใชกําลังไฟฟาสูงๆ ในการแยกสลายกาซ
SiH4 และผสมดวยกาซ H2 ที่อัตราสวนสูงมากๆ [73-74]
1-76
รูปที่ 1.67 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H รอยตอเฮเทโร [52-53]
1-77
รูปที่ 1.69 สเปกตรัมผลตอบสนองของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H รอยตอเฮเทโร [52]
1-78
รูปที่ 1.70 ความสัมพันธระหวางลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
และความหนาของชั้น p-a-SiC:H [54]
1-79
รูปที่ 1.72 ความสัมพันธระหวางลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
และความหนาของชั้น n-μc-Si:H [54]
1-80
เซลลแสงอาทิตยมีรอยตอเฮเทโรนั้นเพื่อตองการใหแสงที่มีความยาวคลื่นสั้นวิ่งเขาสูชั้น i ไดดีขึ้น ดังนั้นการ
ตรวจวัดสเปกตรัมผลตอบสนองทางแสงของเซลลแสงอาทิตยจึงเปนสิ่งที่ขาดไมได สําหรับการเพิ่มขึ้นของ Voc
นั้น เกี่ยวของกับการเพิ่มขึ้นของศักยไฟฟาภายใน (built-in potential) โดยตรง
1-81
1.7.9 การผลิตเซลลแสงอาทิตยที่ใหแรงดันเอาตพุตสูงดวยโครงสราง
อินทิเกรต
เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H มีขอไดเปรียบกวาเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึกเดี่ยว Si คือ มีแรงดัน
วงจรเปดที่สูงประมาณ 0.7-0.8 V และมีลักษณะเปนฟลมบาง สามารถผลิตใหเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H
ตออนุกรมกันบนแผนฐาน เชน แผนกระจกแผนเดียวกันไดโดยตรงโดยไมตองใชสายไฟฟาตอเชื่อมเลย จึงทํา
ใหลดขั้นตอนการผลิต ลดตนทุน มีความสวยงามและกะทัดรัด บริษัท Sanyo ในประเทศญี่ปุนเปนบริษัทแรก
ที่พัฒนาเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ซึ่งตออนุกรมกันโดยตรงบนกระจกแผนเดียวกัน และใหชื่อวา “เซลล
แสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรต” (integrated type solar cell) [79]
เซลลแสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรตนี้ ใหแรงดันวงจรเปดสูงตามจํานวนของเซลลแสงอาทิตยที่ตอ
อนุกรมกัน มีประโยชนในการใชงานหลายอยาง เชน ใชประจุถานไฟฉาย ประจุแบตเตอรี่หรือใชเปนแหลง
ผลิตกระแสไฟฟาใหกับเครื่องใชไฟฟาตางๆ เชน นาฬิกา เครื่องคิดเลข โทรศัพท ไฟฉาย ฯลฯ
ในหัวขอนี้ จะกลาวถึงการออกแบบและการผลิตเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H โครงสรางอินทิเกรต
รูปที่ 1.75 แสดงลักษณะของเซลลแสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรตซึ่งเสนอโดยบริษัท Sanyo และ
ปจจุบันมีการใชงานกันแพรหลาย การเชื่อมตอเซลลแสงอาทิตยแตละตัว ทําไดโดยการเคลือบขั้วไฟฟา ITO
ของเซลลหนึ่งใหเชื่อมตอกับขั้ว Al ของเซลลถัดไป
รูปที่ 1.76 แสดงวงจรสมมูลของเซลลแสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรต แรงดันไฟฟาเปนผลรวมของ
แรงดันไฟฟาของเซลลแสงอาทิตยแตละตัว แตกระแสไฟฟาจะถูกกําหนดดวยกระแสไฟฟาของเซลล
แสงอาทิตยตัวที่มีคานอยที่สุด
D. Kruangam ไดออกแบบเซลลแสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรต ซึ่งแตกตางไปจากของบริษัท Sanyo
ดังแสดงในรูปที่ 1.77 ความแตกตางอยูที่ตําแหนงของการเชื่อมตอของขั้ว ITO และ Al ในกรณีรูปที่ 1.77 ขั้ว
ITO และ Al เชื่อมตอกันที่ขอบดานนอกของแผนกระจกในลักษณะตัวอักษร L ซึ่งวิธีนี้ชวยใหการจัดวาง
(alignment) ในกระบวนการผลิตทําไดงายขึ้นและชวยลดตนทุนการผลิตได [50, 53] ในรูปที่ 1.77
ระยะหางของเซลลแสงอาทิตยแตละตัวเทากับ 1 mm พื้นที่รับแสงของเซลลแสงอาทิตยแตละตัวเทากับ 0.4
cm × 4 cm มีเซลลรวมจํานวน 12 ตัวตออนุกรมกันบนแผนฐานกระจกขนาด 5 cm × 7.5 cm
1-82
รูปที่ 1.76 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H แบบอินทิเกรต
ซึ่งออกแบบโดยบริษัทซันโย จํากัด ประเทศญี่ปุน
ขั้นตอนในการผลิตเซลลแสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรตมีดังนี้ [50-53]
1. เตรียมแผนฐานและจะตองกัด ITO ใหมีรูปรางลวดลายตามตองการ การกัด ITO ใช
กระบวนการโฟโตลิโทกราฟดังแสดงในรูปที่ 1.78
2. ขั้นตอนการเคลือบฟลมอะมอรฟสชั้น p-a-SiC:H (200 ล)/i-a-Si:H (6,500 ล)/n-μc-Si:H
(500 ล) ในการเคลือบฟลมอะมอรฟสเหลานี้ใชมาสก (mask) ชนิดอะลูมิเนียมหนา 1 mm วางบนแผน
ฐานเพื่อเคลือบฟลมชั้นอะมอรฟสใหไดรูปรางตามตองการ
3. ขั้นตอนการเคลือบฟลม Al หนาประมาณ 6,000 ล ใหไปเชื่อมกับ ITO ของเซลลแสงอาทิตยที่
อยูถัดไป มาสกสําหรับการเคลือบอะลูมิเนียมนั้นทําจากแผนเหล็กกลาไรสนิมอยางบางเชนเดียวกับมาสกของ
ชั้นอะมอรฟส รูปที่ 1.79 แสดงภาพถายขั้นตอนการผลิตเซลลแสงอาทิตยดังกลาว
รูปที่ 1.80 แสดงตัวอยางลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยโครงสรางอินทิเกรต [50] ซึ่ง
ประกอบดวยเซลลแสงอาทิตยจํานวนหลายตัวตออนุกรมกัน โดยวัดที่ AM1 40 mW/cm2 จะเห็นไดวา
กระแสไฟฟาลัดวงจรจะลดลงเมื่อจํานวนเซลลแสงอาทิตยที่ตออนุกรมเพิ่มขึ้น และแรงดันไฟฟาวงจรเปดจะ
เพิ่มขึ้นตามจํานวนของเซลลแสงอาทิตย ตัวอยางขอมูลมีลักษณะสมบัติเอาตพุตที่วัดโดยแสง AM1
1-83
(100mW/cm2) คือ แรงดันไฟฟาวงจรเปด 10.1 V กระแสไฟฟาลัดวงจร 0.81 mA/cm2 ฟลลแฟกเตอร
55.6% และประสิทธิภาพ 4.54 %
1-84
รูปที่ 1.80 ลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H แบบอินทิเกรต
ซึ่งมีเซลลแสงอาทิตยเชื่อมตออนุกรมกันหลายตัว [50]
1-85
รูปที่ 1.81 ตัวอยางมอดูลของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H แบบอินทิเกรต
และการใชงานประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่ [50]
1-86
รูปที่ 1.83 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H แบบทันเดม [53]
หลักการทํางานและการออกแบบเซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดม
ลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H p-i-n ขึ้นกับความหนาของชั้น p, i และ n
มาก [54] ไดกลาวไวในหัวขอที่ 1.7.9 แลววาความหนาที่เหมาะสมที่สุดของชั้น i อยูในชวง 5,000-6,500
อังสตรอมซึ่งคอนขางจะบางมากเมื่อเปรียบเทียบกับความหนาหลายไมครอนของชั้นปลอดพาหะในรอยตอ p-n
ของเซลลแสงอาทิตยชนิดผลึก Si ความหนาที่เหมาะสมของชั้น i เพียง 5,000-6,500 อังสตรอมนี้มีสาเหตุ
มาจากการที่ระยะทางแพรซึม (diffusion length) ของพาหะโดยเฉพาะอยางยิ่งของโฮลมีคาสั้น และยานที่
สนามไฟฟามีคาสูงในชั้น i มีคาสั้น [52] สาเหตุเหลานี้ทําใหประสิทธิภาพของการกวาดเก็บพาหะของเซลล
แสงอาทิตยชนิด a-Si:H ลดลงอยางรวดเร็วเมื่อชั้น i มีความหนามากขึ้นดังแสดงดวยเสนไขปลาในรูปที่ 1.84
สนามไฟฟาในชั้น i ที่บริเวณใกลรอยตอ p/i (wp) และ i/n (wn) มีคาสูงกวาตรงกลางของชั้น i ดวยเหตุนี้
ถาเราแบงชั้น i ออกเปนเซลลแสงอาทิตย p-i-n ยอยๆ หลายชุด เชน 3 ชุดดังแสดงในรูปที่ 1.84 (มีชุด d1,
d2 และ d3) ก็คาดวาประสิทธิภาพของการกวาดเก็บพาหะจะมีคาสูงสม่ําเสมอตลอดความหนาทั้งหมด ซึ่งจะ
ทําใหประสิทธิภาพของการผลิตพาหะสูงขึ้นและไดกระแสไฟฟาโฟโตมากขึ้นและทําใหฟลลแฟก-เตอร (FF)
ในเซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดมมีคาสูงกวาเซลลแสงอาทิตยรอยตอ p-i-n เพียงชุดเดียว
เซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดมที่กําลังกลาวถึงนี้มีรอยตอ กระจก/ITO/a-Si:H ชนิด p-i-n-p-
i-n-.../Al ดังแสดงในรูปที่ 1.85 (ก) รูปที่ 1.85 (ข) แสดงลักษณะแถบพลังงานของเซลลแสงอาทิตยขณะ
ยังไมถูกแสง และรูปที่ 1.85 (ค) แสดงลักษณะแถบพลังงานของเซลลแสงอาทิตยขณะถูกแสงและรูปที่ 1.85
(ง) แสดงวงจรสมมูล
เซลลแสงอาทิตยยอยทั้งหมดนี้ เมื่อถูกแสงก็จะผลิตกระแสไฟฟาโฟโตซึ่งจะมีคามากนอยขึ้นกับ
ความเขมของโฟตอนฟลักซที่เซลลแสงอาทิตยแตละตัวดูดกลืนได จากวงจรสมมูลในรูป (ง) แรงดันไฟฟา
เอาตพุตทั้งหมดจะเทากับผลบวกของแรงดันไฟฟาเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยยอยแตละตัว และ
กระแสไฟฟาเอาตพุตจะมีคาเทากับกระแสไฟฟาเอาตพุตที่มีคานอยที่สุดของเซลลแสงอาทิตยยอย [80]
1-87
รูปที่ 1.85 เซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H แบบทันเดม [53-54]
(ก) โครงสรางของเซลลแสงอาทิตย (ข) แถบพลังงานขณะไมมีแสง
(ค) แถบพลังงานขณะมีแสง และ (ง) วงจรสมมูล
1-88
รูปที่ 1.86 เปรียบเทียบลักษณะสมบัติกระแสไฟฟาและแรงดันไฟฟาของ a-Si:H รอยตอ
p-n และรอยตอ p-i-n
การหาคาแรงดันไฟฟาเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดม
ในเซลลแสงอาทิตยทั่วไป ความสัมพันธระหวางกระแสไฟฟาและแรงดันไฟฟา (I-V) มีรูปดังนี้ [81]
⎧ (V + IR ) ⎫ V + IR
I = I s ⎨ exp[ q ] − 1⎬ + − IL (1.116)
⎩ nkT ⎭ Rsh
nkT I L + Is − I
V + IR = ⋅ ln[ ] (1.117)
q Is
nkT m
I Li + I s − I
V + IR =
q
⋅ ln[ ∏( Is
)] (1.118)
i =1
1-89
m : จํานวนของเซลลแสงอาทิตย (จํานวนของชุด p-i-n)
R : ความตานทานอนุกรมทั้งหมด
V : แรงดันไฟฟาเอาตพุตทั้งหมด
nkT IL
Voc = m( )[ln( ) − ln( m)] (1.119)
q Is
IL
โดยที่ให IL >> Is และ I sc ≈ (1.120)
m
⎡ IL ⎤
⎢ + Is − I ⎥
nkT m nkT I L + mI s − mI
ln⎢ ( ) ⎥ = m
m
V + IR = ln[ ]
q ⎢ Is ⎥ q mI s
⎢⎣ ⎥⎦
V R nkT I L + mI s − mI
+ mI 2 = ln[ ]
m m q mI s
nkT I L + Is − I
V + I ⋅ Reff = ln[ ] (1.121)
q Is
R
โดยที่ V = V / m, I = mI , I s = mI s และ Reff = (1.122)
2
m
การออกแบบความหนาของชั้น i ในเซลลแสงอาทิตยแตละตัว
ความหนา di ของชั้น i ในเซลลแสงอาทิตยแตละตัวมีอิทธิพลตอกระแสไฟฟาโฟโต ILi รวมทั้ง
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยโดยรวมเปนอยางมาก ในหัวขอนี้จะอธิบายแนวทางการออกแบบความหนา
ของชั้น i ในเซลลแสงอาทิตยแตละตัววาควรเปนอยางไร
ความหนา di ที่เหมาะสม เริ่มแรกควรจะสอดคลองกับเงื่อนไขที่ทําให
1-90
IL
I Li = ( i = 1,2, . . . . . . . m) (1.123)
m
กลาวคือ เนื่องจากกระแสไฟฟาที่ไหลในเซลลแสงอาทิตยทุกตัวจะถูกกําหนดโดยเซลลแสงอาทิตย
ตัวที่ใหกระแสไฟฟาเอาตพุตนอยที่สุด และเนื่องจากเซลลแสงอาทิตยชั้นที่ 1 จะไดรับแสงเขมมากที่สุด ในขณะ
ที่เซลลแสงอาทิตยที่อยูลึกเขาไปดานหลังจะไดรับแสงเขมนอยลงอยางเอกซโพเนนเชียล ดังนั้นเราจึง
คาดคะเนไดวาความหนาของชั้น di นั้นควรจะเพิ่มขึ้นเมื่อเซลลแสงอาทิตยอยูลึกเขาไปดังแสดงในรูปที่ 1.87
นั่นคือ d1 < d2 < d3 <... dm
ถาให Φ ( hω , x ) คือโฟตอนฟลักซของแสง ณ ที่ ตําแหนง x ในเซลลแสงอาทิตย และ Eg คือ
ชองวางพลังงานของ a-Si:H (ปกติ Eg = 1.7-1.8 eV) เราจะไดคา ILi ดังนี้ [81]
= q[Φ( x 2i ) − Φ( x 2i −1 )] (1.124)
= qΔΦi
d i = x 2i − x 2i − 1 และ Φ( x ) = ∫ Φ( hω , x ) d ( hω )
∞
โดยที่ Eg
(1.125)
1-91
ตัวอยางการผลิตเซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดม
ในหัวขอนี้จะขอยกตัวอยางผลการวิจัยการประดิษฐเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ที่มีโครงสรางทัน
เดมดวยวิธีพลาสมาซีวีดี [81] รูปที่ 1.83 แสดงโครงสรางพื้นฐานของเซลลแสงอาทิตยซึ่งเปนรอยตอ p-i-
n ชั้น p ไดแกวัสดุ p-a-SiC:H (Eg = 2.0 eV)
กาซสําหรับชั้น p คือ SiH4 + CH4 + B2H6 กาซสําหรับชั้น i คือ SiH4 และกาซสําหรับชั้น n คือ
SiH4 + PH4 แผนฐานคือ glass/ITO/SnO2 ตารางที่ 1.4 แสดงพารามิเตอรคาความหนาของชั้นตางๆ ในเซลล
แสงอาทิตย โปรดสังเกตวา ความหนาของชั้น i จะมากขึ้นเมื่อเซลลอยูลึกเขาไป เชน ในกรณีเซลลมี 4 ชุด
ความหนาของชั้น i ของ 4 เซลลนี้คือ (เรียงจากดานรับแสง) 200, 370, 930 และ 4,700 ล ตามลําดับ
สําหรับความหนาของชั้น p และ n นั้นกําหนดใหคงที่ที่ประมาณ 100 ล
ผลการผลิตเซลลแสงอาทิตยทั้ง 4 รุน แสดงในรูปที่ 1.88 และรูปที่ 1.89 [81] โดยรูปที่ 1.88
แสดงลักษณะสมบัติเอาตพุตของกระแสไฟฟาและแรงดันไฟฟาของเซลลแสงอาทิตยที่วัดดวยแสงอาทิตยเทียม
(solar simulator) ความเขม AM1 (100 mW/cm2) และรูปที่ 1.89 แสดงความสัมพันธระหวางพารามิเตอร
เอาตพุตและจํานวน m ของเซลลแสงอาทิตยที่ซอนทับกัน จากรูปเหลานี้พบวา เมื่อ m
1-92
รูปที่ 1.88 ลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ที่มีโครงสรางแบบทันเดม
ซึ่งประกอบดวยเซลลแสงอาทิตยซอนทับกันจํานวนหลายเซลล [81]
1-93
โตเกิดขึ้นในชั้น p และ n ดังนั้นการดูดกลืนแสงดวยชั้น p และ n จึงอาจเปนสาเหตุที่ทําใหผลการทดลอง
คลาดเคลื่อนไปจากการคาดคะเนไดบาง
ลักษณะเดนของเซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดมเชนนี้ไดแกการที่มีแรงดันเอาตพุตสูง ดังนั้นถา
ผลิตใหมีพื้นที่ใหญพอเหมาะ ก็จะสามารถใชปอนกระแสไฟฟาใหผลิตภัณฑเครื่องใชไฟฟาอิเล็กทรอนิกสได
ตัวอยางขอมูลขางตนไดกําหนดใหชองวางพลังงานของชั้น i เทากันทุกชั้น (1.7 eV) ดังนั้นลักษณะ
สเปกตรัมผลตอบสนองแสงของเซลลแสงอาทิตยทุกชั้นจึงเหมือนกันหมด ทําใหไมสามารถดูดกลืนแสงที่มี
ความยาวคลื่นยาวไดเลย แตถาใชวัสดุชั้น i ที่มีชองวางพลังงานแคบลง เชน a-Si1-xGex:H เปนชั้น i ในเซลล
แสงอาทิตยชั้นที่ 2, 3, 4... โดยควบคุมใหชองวางพลังงานแคบลงจาก 1.7 eV ลงไปถึง 1.1 eV ก็จะ
สามารถทําใหประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยโครงสรางทันเดมสูงขึ้นได [82-86]
1-94
รูปที่ 1.91 ผลการคํานวณประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H ที่ประกอบดวยเซลลที่
ซอนทับกัน 3 ชั้น (triple junctions) ประสิทธิภาพสูงสุดมีคา 24% ไดจากการณีที่ชองวาง
พลังงานของเซลลชั้นบน ชั้นกลางและชั้นลางเทากับ 2.0 eV 1.7 eV และ 1.45 eV
ตามลําดับ [82]
1-95
รูปที่ 1.93 ลักษณะสมบัติเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยในรูปที่ 1.92
มีประสิทธิภาพสูงถึง 14.6 % [85]
1-96
รูปที่ 1.96 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยแบบทันเดมซึ่งมีโลหะเปนแผนฐาน [87]
การพัฒนาเซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสรางแบบตางๆ
(1) เซลลอาทิตยซึ่งชั้น p เปนซูเปอรแลตทิซ (superlattice p-layer)
ปญหาหนึ่งเกี่ยวกับคุณสมบัติของ a-SiC:H ชนิด p ซึ่งนิยมใชเปนชั้นหนาตางรับแสงคือ มีคาสภาพ
นําไฟฟาดวยแสงที่ยังต่ําอยูและชองวางพลังงานก็ยังถูกจํากัดอยูที่ประมาณ 2.0 eV ทั้งนี้เพราะวาถาปลูกฟลม
ใหชองวางพลังงานกวางขึ้น จะทําใหทั้งสภาพนําไฟฟามืดและสภาพนําไฟฟาดวยแสงลดลงอยางรวดเร็ว
แนวทางหนึ่งที่จะชวยแกปญหาเกี่ยวกับชั้น p ไดแก การประดิษฐใหชั้น p มีโครงสรางเปนซูเปอรแลตทิซ
(superlattice) เชน ปลูกฟลมบางของ a-SiC:H และ a-Si:H ที่มีความบางมากๆ เชน 20-50 อังสตรอม
สลับกันจํานวนหลายๆ ชั้นในลักษณะมัลติเลเยอร โดปชั้น a-Si:H ใหเปนชนิด p สําหรับชั้น a-SiC:H อาจจะ
โดปหรือไมก็ได
บริษัท Sanyo จํากัด ประเทศญี่ปุนไดออกแบบและประดิษฐเซลลแสงอาทิตยซึ่งชั้น p เปนซูเปอร
แลตทิซดังที่แสดงในรูปที่ 1.97 (ก) ผลการวัดสเปกตรัมของผลตอบสนองตอแสงของเซลลแสงอาทิตยแสดง
ในรูปที่ 1.97 (ข) จากรูปนี้จะเห็นไดวา ผลตอบสนองตอแสงยานความยาวคลื่นสั้นของเซลลชนิดซูเปอร
แลตทิซนี้ดีกวากรณีของเซลลซึ่งชั้น p ไมไดเปนซูเปอรแลตทิซ [88]
1-97
(4) เซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสราง “See Through”
บริษัท Sanyo จํากัด ประเทศญี่ปุน ไดผลิตเซลลแสงอาทิตยชนิด “See through” ซึ่งมีลักษณะเดนที่มี
ความโปรงใสมาก [90] ทําใหสามารถมองทะลุเซลลแสงอาทิตยเห็นดานหลังได รูปที่ 1.99 แสดง โครงสราง
ของเซลลชนิดนี้ วิธีการผลิตไดแกการใชเทคนิคเจาะฟลมอะมอรฟสซิลิคอนใหเปนรูจํานวนมากดวยแสงเลเซอร
สามารถนําเซลลชนิดนี้ไปใชงานเปนหนาตางและประตูที่ผลิตกระแสไฟฟาไดดังที่แสดงในรูปที่ 1.100
(5) เซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสรางอินทิเกรต
บริษัท Sanyo จํากัด ไดพัฒนาเซลลแสงอาทิตยที่มีโครงสรางอินทิเกรตซึ่งไดแสดงไวในรูปที่ 1.75
แลว สิ่งที่นาสนใจคือ การใชเทคโนโลยีเลเซอรในการกรีดตัดฟลมชั้นตางๆ ไมวาจะเปน ฟลม ITO ฟลม a-
Si:H และฟลม Al ตามที่แสดงในรูปที่ 1.101 และ 1.102 การใชแสงเลเซอรดังกลาวทําใหกระบวนการผลิต
เปนแบบอัตโนมัติได เปน dry process และมีความเที่ยงตรงสูง
รูปที่ 1.103 1.106 แสดงตัวอยางการออกแบบเซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอนในลักษณะ
ตางๆ และการนําไปใชงานผลิตกระแสไฟฟาแบบตางๆ เชน ใชงานเปนหลังคาบาน ใชงานเปนหลังคารถยนต
ไฟแสงสวางตูไปรษณีย ชุดปกนิก เครื่องใชสํานักงาน เปนตน
1-98
รูปที่ 1.98 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยซึ่งประกอบดวยเซลลชนิด a-Si:H และชนิดโพลี Si
1-99
รูปที่ 1.101 การใชเทคโนโลยีเลเซอรสําหรับการกรีดตัดฟลมบางชั้นตางๆ ในการผลิตเซลลแสงอาทิตย
1-100
รูปที่ 1.104 การใชงานเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H เปนหลังคาบาน
1-101
รูปที่ 1.106 การใชงานเซลลแสงอาทิตยชนิด a-Si:H กับเครื่องใชสํานักงาน
1-102
1.8 เซลลแสงอาทิตยชนิดสารประกอบกึ่งตัวนํา
สารกึ่งตัวนําที่สามารถใชผลิตเปนเซลลแสงอาทิตยนอกจาก Si ซึ่งเปนธาตุตระกูล IV แลว ยังมี
สารประกอบกึ่งตัวนําตระกูล III-V ซึ่งประกอบดวยธาตุตระกูล III (เชน Ga, In) และ V (เชน P, As) สราง
พันธะเปน GaAs และ InP และยังมีสารประกอบกึ่งตัวนําตระกูล II-VI ซึ่งประกอบดวยธาตุตระกูล II (เชน
Zn, Cd) และ VI (เชน S, Se, Te) สรางพันธะเปน CdS, CdTe เปนตน ในอดีต เซลลแสงอาทิตยที่ผลิตจาก
วัสดุเหลานี้มรี าคาแพงมาก แตในปจจุบันราคาของเซลลแสงอาทิตยเหลานี้ไดลดลงมากแลว เซลลแสงอาทิตย
ชนิด CdS/CdTe ไดมีการผลิตและขายเชิงพาณิชยแลว และเซลลแสงอาทิตยชนิด GaAs และ InP ก็ใชกันมาก
ในอวกาศ นอกจากนี้ในปจจุบัน สารประกอบกึ่งตัวนําตระกูลคารโคไพไรตซึ่งประกอบดวยธาตุตระกูล I-III-
VI2 เชน CuInSe2 ก็กําลังไดรับความสนใจมากเชนกัน
ตารางที่ 1.5 แสดงตัวอยางรายชื่อสารประกอบกึ่งตัวนําชนิดตางๆ ที่กําลังไดรับความสนใจในการ
ประดิษฐเปนเซลลแสงอาทิตยกันมากในปจจุบัน
1.8.1 คุณสมบัติเดนของเซลลแสงอาทิตยชนิดสารประกอบกึ่งตัวนํา
คุณสมบัติเดนของเซลลแสงอาทิตยชนิดสารประกอบกึ่งตัวนําเหลานี้ มีดังตอไปนี้
(1) มีศักยภาพที่ทําใหเซลลแสงอาทิตยมีประสิทธิภาพสูง
จากการศึกษาทางทฤษฎีพบวา ชองวางพลังงานของสารกึ่งตัวนําที่จะใหประสิทธิภาพสูงที่สุดมีคาอยู
ในชวง 1.4-1.5 eV วัสดุสารประกอบกึ่งตัวนําหลายชนิด เชน GaAs (1.41 eV) InP (1.35 eV) และ
CdTe (1.44 eV) จึงมีศักยภาพที่จะใหประสิทธิภาพสูงได
(2) มีคาสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงสูงและสามารถผลิตใหเปนฟลมบางได
กรณีวัสดุ Si ซึ่งเปนสารกึ่งตัวนําชนิดชองวางพลังงานแบบไมตรง ดังนั้นสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสง
ของ Si จึงมีคานอย และการที่จะให Si ดูดกลืนแสงอาทิตยมากๆ ตองใชผลึก Si ที่มีความหนาถึงระดับ 100
μm ในขณะที่สารประกอบกึ่งตัวนําหลายชนิดมีชองวางพลังงานชนิดตรง จึงมีความสามารถดูดกลืนแสงไดดี
และดวยความหนาเพียงระดับสิบ μm ก็สามารถดูดกลืนแสงอาทิตยไดมาก [91] รูปที่ 1.107 แสดงการ
เปรียบเทียบความสัมพันธระหวางประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยและความหนาของผลึกชนิด Si และชนิด
1-103
ตารางที่ 1.5 วัสดุสารกึ่งตัวนําที่ใชประดิษฐเปนเซลลแสงอาทิตย
เทคนิคการแกะฟลม วิธีการเอชชิง
ผลึกเดี่ยวฟลมบาง วิธีการแกะฟลมใหรอน
เซลลชนิดราคาถูก/น้ําหนักเบา เทคนิคเอพิแทกซีบน GaAs/Si, InP/Si, GaAs/Ge
แผนฐานตางๆ ชนิด
ตระกูล III-V GaAs, InP/Graphite, Mo, W
AlGaAs/GaAs
วัสดุประสิทธิภาพสูง GaAs/Si, GaAs/Ge,
AlGaAs/GaAs,
GaAs/CuInSe2
เซลลสําหรับใชในอวกาศ รวมแสง
วัสดุทนรังสีตางๆ InP
1-104
รูปที่ 1.107 การเปรียบเทียบความสัมพันธระหวางประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยและความหนาของ
ผลึกชนิด Si และ GaAs
(4) ทํางานไดดีภายใตแสงที่มีความเขมสูง
สารประกอบกึ่งตัวนําเหลานี้ มีชองวางพลังงานกวางกวา Si ดังนั้นแมจะใชงานที่อุณหภูมิสูง
กระแสไฟฟามืดจึงเปลี่ยนแปลงนอยกวา จึงยังคงรักษาประสิทธิภาพใหคงไวที่คาสูงไดดีกวา Si ดังแสดงในรูปที่
1.108 [92] ดังนั้นจึงไดรับผลกระทบตอความรอนขณะใชงานนอย
(5) มีศักยภาพในการดูดกลืนแสงในลักษณะสเปกตรัมที่กวางไดดี
เราสามารถผลิตเซลลแสงอาทิตยที่ประกอบดวยสารประกอบกึ่งตัวนําที่มีชองวางพลังงานตางๆ ให
ซอนทับกันหลายชั้นได ทําใหเซลลแสงอาทิตยแบบหลายชั้นสามารถดูดกลืนแสงอาทิตยไดที่ยานความยาวคลื่น
ที่กวาง ทําใหเซลลแสงอาทิตยสามารถดูดกลืนแสงอาทิตยไดอยางมีประสิทธิภาพ
1-105
1.8.2 คุณสมบัติพื้นฐานของสารประกอบกึ่งตัวนําสําหรับการใชงานเปน
เซลลแสงอาทิตย
1) คุณสมบัติพื้นฐานทั่วไป
ตารางที่ 1.6 และ ตารางที่ 1.7 แสดงคุณสมบัติทางฟสิกสตางๆ ของสารกึ่งตัวนําตระกูล III-V และ
II-VI ตามลําดับ คุณสมบัติเดนของสารประกอบกึ่งตัวนําเหลานี้คือ การเปลี่ยนแปลงสวนผสม
1-106
ตารางที่ 1.7 คุณสมบัติพื้นฐานของสารประกอบกึ่งตัวนําตระกูล II-VI
รายการ ZnS ZnSe ZnTe CdS CdSe CdTe
คาคงตัวแลตทิซ a0 (ล) 3.822 5.669 6.103 4.137 4.297 6.483
c0 (ล) 6.259 6.716 7.006
ความหนาแนน g.cm-3 4.087 5.262 5.636 4.819 5.670 5.849
สัมประสิทธิ์ ⊥c 6.5 7.1 8.4 4.6 4.9 4.5
การขยายตัว (10-6/°C)
// c 4.6 2.6 2.9
จุดหลอมเหลว °C 1,718 1,526 1,292 1,397 1,258 1,097
ชองวางพลังงาน (eV) 3.6 2.7 2.23 2.42 1.72 1.44
ชนิด ตรง ตรง ตรง ตรง ตรง ตรง
การนําไฟฟา ชนิด n n, p p n n p, n
ความคลองตัว อิเล็กตรอน 120 530 530 350 650 1000
(cm2V-1s-1) โฮล 130 65
อิเล็กตรอนแอฟฟนิตี (eV) 3.9 4.09 3.5 4.5 4.95 4.28
คาคงที่ไดอิเล็กทริก ε33/ε0 8.00 10.33 10.65
ε11/ε0 8.58 9.25 10.1 9.35 9.70 11.0
ดัชนีหักเหแสง n0 2.356* 2.48 2.79 2.336 2.550 2.84
(1 μm)
ne 2.378* 2.354 2.570
โครงสราง Hexagonal Cubic Cubic Hexagonal Hexagonal Hexagonal
*ที่ความยาวคลื่น 0.589 μm
2) อิทธิพลของการรวมตัวของพาหะ
1-107
พารามิเตอรที่สําคัญเกี่ยวกับออปโตอิเล็กทรอนิกสของสารประกอบกึ่งตัวนําไดแก ความคลองตัว (μ)
สภาพนําไฟฟา (σ) เวลาอายุของพาหะขางนอย (τ) ระยะทางแพรซึมของพาหะขางนอย (L) และ
กระบวนการรวมตัวของพาหะ พารามิเตอรเหลาสามารถไดรับผลกระทบจากหลายสาเหตุ เชน สารเจือปน
ความบกพรอง เกรนตางๆ และผิวของผลึก
ในเซลลแสงอาทิตย พาหะขางนอยที่เกิดจากแสง เมื่อเวลาผานไปจะคอยๆ รวมตัวกับพาหะขางมาก
ดวยกระบวนการตางๆ และจํานวนของพาหะขางนอยก็จะลดลง ถาความหนาแนนของศูนยกลางการรวมตัว
(Nr) มีคามาก จํานวนของพาหะขางนอยก็จะยิ่งลดลงอยางรวดเร็ว เวลาอายุของพาหะขางนอย τ โดยทั่วไป
แปรผกผันกับ Nr ตามสมการดังนี้
1
τ = (1.126)
σvN r
โดยพื้นฐานแลว ลักษณะสมบัติของเซลลแสงอาทิตยไดรับผลกระทบจากการรวมตัวของพาหะในเนื้อ
สารกึ่งตัวนํา (ซึ่งมีการรวมตัวของอิเล็กตรอนและโฮล การรวมชนิด Auger และการรวมตัวที่ระดับแทร็ป) รูป
ที่ 1.109 แสดงความสัมพันธระหวางระยะทางแพรซึมของพาหะขางนอยและความหนาแนนของการโดปสารกึ่ง
ตัวนํา InP ทั้งชนิด n และชนิด p [93] และสามารถเขียนเปนสมการแสดงคาใกลเคียงไดดังนี้
1 1 −11 18 −3
กรณีโฮลเปนพาหะขางนอย 2
= −4 2
+ 4 × 10 n เมื่อ n ≤ 10 cm (1.127)
Lh ( 3 × 10 )
0.908
1 n 18 −3
= 12
เมื่อ n > 10 cm (1.128)
Lh ( 2.87 × 10 )
0 .3
1 p 17 −3
กรณีอิเล็กตรอนเปนพาหะขางนอย = เมื่อ p ≤ 4 × 10 cm (1.129)
Le ( 215
. )
0.83
1 p 17 −3
= 10
เมื่อ p > 10 cm (1.130)
Le ( 4.77 × 10 )
1-108
รูปที่ 1.110 แสดงตัวอยางผลการคํานวณความสัมพันธระหวางลักษณะสมบัติเอาตพุตของ เซลล
แสงอาทิตยชนิด CuInSe2 และเวลาอายุของพาหะขางนอย [94] จากรูปนี้ทําใหเราทราบวาเมื่อเวลา อายุ
พาหะสั้นลง จะทําใหพารามิเตอรเอาตพุตตางๆ ทั้งแรงดันไฟฟาวงจรเปด กระแสไฟฟาลัดวงจร และ
ประสิทธิภาพลดลง ระยะทางการแพรซึมของพาหะขางนอยจะลดอยางชาเมื่อความหนาแนนของการโดป
เพิ่มขึ้น แตเมื่อความหนาแนนของการโดปมากกวาประมาณ 5×1017∼1018 cm-3 เวลาอายุของพาหะจะลดลง
อยางรวดเร็วซึ่งไดรับอิทธิพลจากการรวมตัวชนิด Auger
รูปที่ 1.111 แสดงระดับพลังงานของจุดบกพรองและสารเจือปนในผลึกสารกึ่งตัวนําชนิด GaAs,
InP และ CdTe เรามีความจําเปนตองพยายามลดปริมาณของสารเจือปนประเภทโลหะทรานซิชัน ออกซิเจน
ชองวาง (vacancy) อะตอมแทรกใหนอยที่สุด เพราะวาความบกพรองเหลานี้เปนสาเหตุของเกิดระดับแทร็
ปที่อยูลึกในชองวางพลังงาน และสามารถจับพาหะขางมากได และเปนศูนยกลางการรวมตัวของพาหะดวย
นอกจากนี้ ผิวของสารกึ่งตัวนําก็เปนศูนยกลางของการรวมตัวดวย ทั้งนี้เพราะวาอะตอมที่ผิวจะมีแขน
ขาดเกิดขึ้นเสมอ แขนขาดที่ผิวเหลานี้เปนสาเหตุของการเกิดระดับแทร็ปที่ผิวสารกึ่งตัวนําซึ่งจะทําใหพาหะขาง
นอยรวมตัวและเปนการสูญเสีย
1-109
ในกรณีสารกึ่งตัวนําชนิด n กระแสไฟฟา Js ของพาหะขางนอยที่สูญเสียไปอันเนื่องจากการรวมตัวที่
ผิวจะแปรผันตรงกับความหนาแนนของโฮลซึ่งเปนพาหะขางนอยสวนเกิน (excess minority carriers) ดังนี้
J s = qS h Δp n (1.131)
โดยที่ Sh คือความเร็วของการรวมตัวของโฮลที่ผิวและมีคาเทากับ
S h = σ p vN ss (1.132)
1.8.3 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดสารประกอบกึ่งตัวนํา
เราอาจแบงโครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดสารประกอบกึ่งตัวนําออกเปนชนิดรอยตอเดี่ยว
(single-junction) ซึ่งมีรอยตอ p-n เพียงชุดเดียว และชนิดหลายรอยตอ (multi-junction) ซึ่งมีรอยตอ p-n
หลายชุด ดังมีรายละเอียดตอไปนี้
(1) เซลลแสงอาทิตยชนิดรอยตอเดี่ยว
รูปที่ 1.112 แสดงโครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดรอยตอเดี่ยวซึ่งสามารถแบงออกเปนชนิด
ยอยๆ ไดดังนี้
1. รอยตอโฮโม (homo-junction) เชน n+-p-InP, n+-p-GaAs
2. รอยตอซิงเกิลเฮเทโร (single hetero-junction) เชน p-AlGaAs/p-n-GaAs
3. รอยตอดับเบิลเฮเทโร (double hetero-junction) เชน p-InGaP/p-n-GaAs/n-InGaP
4. รอยตอชองวางพลังงานลาด (graded band gap) เชน p-AlGaAs/n-GaAs
5. รอยตอเฮเทโรของวัสดุตางชนิด (hetero-junction) เชน n-CdS/p-InP, n-ITO/p-InP
6. รอยตอ MIS (Metal/Insulator/Semiconductor junction)
หรือชอตตกีแบรเรียร (Schottky barrier) เชน p-InP/SiO2/metal
1-110
รูปที่ 1.112 โครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดรอยตอเดี่ยวแบบตางๆ
(2) เซลลแสงอาทิตยชนิดหลายรอยตอ
คาประสิทธิภาพสูงสุดในทางทฤษฎีของเซลลแสงอาทิตยรอยตอเดี่ยวมีคาประมาณ 26-28% การที่
จะไดประสิทธิภาพสูงกวานี้ เราจําเปนตองออกแบบใหเซลลแสงอาทิตยมีรอยตอ p-n จํานวนหลายชุดซอนทับ
กัน บางครั้งอาจเรียกโครงสรางเชนนี้วา “ทันเด็ม” (tandem cell) ขอเดนของโครงสรางทันเด็มไดแก การใช
สรางรอยตอ p-n ของสารกึ่งตัวนําที่มีชองวางพลังงานที่กวางอยูดานบนสุด และการใชรอยตอ p-n ของสารกึ่ง
ตัวนําที่มีชองวางพลังงานแคบอยูดานลาง ดวยเทคนิคนี้จะทําใหเซลลแสงอาทิตยสามารถดูดกลืนแสงอาทิตยที่
1-111
ความยาวคลื่นหลายๆ คาไดอยางดี รูปที่ 1.114 แสดงตัวอยางโครงสรางของเซลลแสงอาทิตยชนิดทันเด็ม
จํานวนของขั้วไฟฟาอาจมีเพียง 2 ขั้ว (รูป ก) หรือ 3 ขั้ว (รูป ข) หรือ 4 ขั้ว (รูป ค)
1.8.4 เซลลแสงอาทิตยที่ทนตอรังสีตางๆ
เซลลแสงอาทิตยที่ติดตั้งอยูในดาวเทียมที่โคจรอยูรอบโลกหรือในยานอวกาศที่เดินทางไกล ตองมี
คุณสมบัติทนทานตอสภาพแวดลอมที่รุนแรง เชน อุณหภูมิสูงและตองรับรังสีตางๆ จากอวกาศ เซลลแสง-
อาทิตชนิด InP มีการทดลองสรางตั้งแตชวง ค.ศ. 1958 แตยังไมมีจุดเดน จนกระทั่งมีการคนพบใน ค.ศ.
1984 วา InP เปนสารกึ่งตัวนําที่ทนตอรังสีในอวกาศและอุณหภูมิสูงๆ ไดดี รูปที่ 1.115 แสดงผลการ
ทดลองผลกระทบของการยิงลําอิเล็กตรอนที่มีตอกําลังไฟฟาเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยชนิดตางๆ [99]
จากรูปนี้ไดขอมูลวาเซลลแสงอาทิตยชนิด InP จะทนตอรังสีไดดีกวาชนิด Si และ GaAs และที่นาสนใจคือการ
1-112
สองดวยแสงเขาสูเซลลแสงอาทิตยชนิด InP เปนเวลานานๆ จะทําใหเกิดการแอนนีลิง (annealing) และทําให
ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิด InP ฟนกลับดีขึ้นมาได (recovery) ประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตย
ชนิด InP ในปจจุบันสูงถึงระดับ 22% แลว [100]
1-113
อนึ่ง ความหนาแนนของจุดบกพรองตอหนวยพื้นที่ ภาษาอังกฤษนิยมเรียกวา EPD ซึ่งยอมาจากคําวา
etched pitch density (cm-2) ศัพทคํานี้มีที่มาวาเมื่อตัดผลึกออกเปนแวนผลึก (wafer) แลว ผูผลิตจะทําการ
กัด (etch) ผิวผลึกและทําการนับจํานวนจุดบกพรองที่ผิวของแวนผลึก
1.8.7 แนวทางการพัฒนาเซลลแสงอาทิตยใหมีประสิทธิภาพสูง
ดังไดกลาวมาแลววาเซลลแสงอาทิตยสามารถประดิษฐไดจากวัสดุสารกึ่งตัวนําชนิดตางๆ ไดมากมาย
สารกึ่งตัวนําเปนวัสดุที่นิยมนํามาใชงานมากที่สุดเพราะมีคุณสมบัติทางแสงที่ดีกวาวัสดุชนิดอื่น ประสิทธิภาพ
ของเซลลแสงอาทิตยหมายถึงอัตราสวนของพลังงานไฟฟาที่เซลลแสงอาทิตยสามารถผลิตไดสูงสุดตอพลังงาน
ของแสงที่ตกกระทบเซลลแสงอาทิตย เหตุผลความจําเปนที่เราตองการเซลลแสงอาทิตยที่มีประสิทธิภาพสูงก็
เพราะจะชวยลดพื้นที่การใชงานลงได ซึ่งจะชวยใหระบบการใชงานเซลลแสงอาทิตยมีราคาถูกลง เซลล
แสงอาทิตยจะทํางานไดประสิทธิภาพสูงเพียงไรนั้นมีหลักการที่สําคัญ คือจะตองชักนําใหพลังงานแสงเดิน
ทางเขาสูเซลลแสงอาทิตยใหมากที่สุด จะตองผลิตคูอิเล็กตรอนและโฮลดวยพลังงานแสงใหไดปริมาณมากที่สุด
และจะตองกวาดอิเล็กตรอนและโฮลเหลานั้นใหไหลออกไปสูวงจรภายนอกใหไดมากที่สุด ตารางที่ 1.8 แสดง
กลไกพื้นฐานที่จําเปนและเทคโนโลยีเพื่อปรับปรุงใหประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยสูงขึ้นได [105] ใน
หัวขอนี้เราจะสรุปอีกครั้งวาจะมีเทคโนโลยีในการปรับปรุงประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยใหสูงขึ้นไดอยางไร
กลไกพื้นฐานที่จําเปน เทคโนโลยีทางปฏิบัติ
1. ชักนําใหแสงเขาสูสารกึ่งตัวนําใหมากที่สุด 1.1 เคลือบวัสดุปองกันการสะทอนแสงที่ผิวดานหนา
และขยายผลตอบสนองเชิงสเปกตรัมใหกวางที่สุด 1.2 ทําผิวใหขรุขระเพื่อเพิ่มระยะทางเดินของแสงใน
สารกึ่งตัวนํา
1.3 เพิ่มการสะทอนแสงที่ผิวดานหลัง
2. ผลิตคูอิเล็กตรอนและโฮลใหไดมากที่สุด 2.1 เลือกสารกึ่งตัวนําที่มีสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงสูงและมี
สภาพนําไฟฟาดวยแสงสูง
2.2 ปรับปรุงคุณภาพของสารกึ่งตัวนําโดยพยายามเพิ่มผลคูณของ
อายุพาหะและความคลองตัว
2.3 ลดการรวมตัวของคูอิเล็กตรอนและโฮลที่ถูกผลิตดวยแสง
โดยลดการรวมตัวที่รอยตอ p-n, p-i และ i-n (เชน ใช
รอยตอแบบลาดเพื่อลดความไมเขาคูของแลตทิซ) และที่
ผิวดานหนาและดานหลัง
1-114
3. รวบรวมคูอิเล็กตรอนและโฮลที่ผลิตดวยแสง 3.1 ใชปรากฏการณโฟโตโวลทาอิกแบบพัดพา (driff type)
ใหมากที่สุด เชน ใชรอยตอ p-i-n
3.2 ใชชองวางพลังงานแบบลาด การโดปสารเจือปนแบบลาด
และใช back surface field effect (BSF)
3.3 ใชปรากฏการณ minority carrier mirror effect
3.4 ใชโครงสรางซูเปอรแลตทิซ
4. ลดการสูญเสียอันเนื่องจากความตานทานอนุกรม 4.1 ลดความตานทานของขั้วโปรงใสดานหนา
ภายในของเซลลแสงอาทิตย 4.2 ออกแบบรูปรางของขั้วโลหะใหเหมาะสมที่สุด
4.3 ใชปรากฏการณ tunneling injection (MIS)
5. ลดการสูญเสียของแรงดันไฟฟา 5.1 ลดการรวมตัวของคูอิเล็กตรอนและโฮลโดยใช mirror
effect ของรอยตอแบบเฮเทโร
5.2 ใชปรากฏการณโฟโตโวลทาอิกแบบพัดพา
5.3 ใชโครงสราง BSF
6. เพิ่มผลตอบสนองทางสเปกตรัมใหมีความกวาง 6.1 ใชเซลลฯ แบบ stack 4 ขั้ว
ที่สุด 6.2 ใชเซลลฯ แบบ stack 2 ขั้ว
6.3 ใชรอยตอแบบเฮเทโร
6.4 ใชชั้นหนาตางที่มีชองวางพลังงานกวาง เชน รอยตอเฮเทโร
และซูเปอรแลตทิซ
1-115
field (BSF) และแบบชองวางพลังงานมีความลาด เปนตน ตารางที่ 1.9 แสดงขอมูลประสิทธิภาพสูงสุดของ
เซลลแสงอาทิตยชนิดตางๆ ที่ผลิตไดในปจจุบัน [105]
แนวทางการเพิ่มประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยที่สําคัญอีกแนวทางหนึ่ง ไดแกการออกแบบให
เซลลแสงอาทิตยประกอบดวยเซลลแสงอาทิตยที่มีชองวางพลังงานแตกตางกันซอนทับกันหลายๆ ชั้น ซึ่ง
เรียกวา “โครงสรางทันเดม” (tandem structure) โดยทั่วไปจะออกแบบใหชองวางพลังงานของเซลลชั้นบนสุด
ที่รับแสงกวางกวาชั้นที่อยูลึกลงไปตามลําดับ การออกแบบเชนนี้จะชวยทําใหสเปกตรัมการตอบสนองกวางขึ้น
เพราะเซลลแสงอาทิตยชั้นตางๆ จะชวยกันดูดกลืนแสงอาทิตยในยานความยาวคลื่นแสงที่แตกตางกัน กลาวคือ
แสงที่มีความยาวคลื่นสั้นจะถูกดูดกลืนมากดวยเซลลแสงอาทิตยที่อยูชั้นบนๆ และแสงที่มีความยาวคลื่นยาวจะ
ถูกดูดกลืนมากดวยเซลลแสงอาทิตยที่อยูชั้นลึกลงไป
1-116
รูปที่ 1.119 แสดงผลการคํานวณประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอนซึ่ง
ประกอบดวยเซลลแสงอาทิตยจํานวน 3 เซลลซอนทับกัน (triple junctions) ถาชองวางพลังงานของเซลล-
แสงอาทิตยชั้นบน ชั้นกลางและชั้นลางเทากับ 2.0 eV 1.7 eV และ 1.45 eV ตามลําดับ ผลการคํานวณจะได
ประสิทธิภาพสูงสุด 24% [108]
1-117
ชองวางพลังงานของวัสดุอะมอรฟสซิลิคอน (a-Si:H) มีคาประมาณ 1.7-1.8 eV ถาตองการเพิ่ม
ชองวางพลังงานทําไดโดยการใชสารประกอบของอะมอรฟสซิลิคอนคารไบด (a-SiC:H) และถาตองการลด
ชองวางพลังงานทําไดโดยการใชสารประกอบของอะมอรฟสซิลิคอนเจอรเมเนียม (a-SiGe:H) อยางไรก็ตาม
เทคโนโลยีในภาคปฏิบัตินั้นยังมีปญหาวา คุณภาพของวัสดุอะมอรฟสซิลิคอนอัลลอย เชน a-SiC:H และ a-
SiGe:H นั้นยังไมดีมากนัก ดังนั้นประสิทธิภาพของเซลลแสงอาทิตยชนิดทันเดมเหลานี้จึงยังไมสูงไปกวาชนิด
เซลลเดี่ยวมากนัก กลาวคือยังคงอยูที่ระดับประมาณ 12-13 % เทานั้น [109]
1.9 การใชงานเซลลแสงอาทิตย
ปจจุบันเซลลแสงอาทิตยถูกนําไปใชงานในหลายดานหลายสาขา ตารางที่ 1.10 แสดงตัวอยางการ
ประยุกตใชงานเซลลแสงอาทิตย ในหัวขอนี้จะกลาวถึงหลักการออกแบบระบบเซลลแสงอาทิตย เพื่อความ
สะดวกตอการอธิบาย ในหัวขอนี้จะขอแบงการใชงานเซลลแสงอาทิตยออกเปน 2 ประเภทคือ 1) การใชงานกับ
ผลิตภัณฑอิเล็กทรอนิกสซึ่งตองการเซลลแสงอาทิตยที่มีกําลังเอาตพุตไมสูง และ 2) การใชงานกับระบบไฟฟา
กําลังซึ่งตองการเซลลแสงอาทิตยที่มีกําลังเอาตพตุ สูงๆ ตั้งแตหลายสิบวัตตขึ้นไปถึงหลายกิโลวัตต
1.9.1 การออกแบบระบบเซลลแสงอาทิตยสําหรับผลิตภัณฑอิเล็กทรอนิกส
จุดทํางานของเซลลแสงอาทิตย
ในการใชงานเซลลแสงอาทิตยไมวาประเภทใด เริ่มแรกผูใชควรทําความเขาใจเกี่ยวกับจุดทํางานของ
เซลลแสงอาทิตย รูปที่ 1.120 แสดงกราฟลักษณะสมบัติเอาตพุตและจุดทํางานของเซลลแสงอาทิตย ปกติ
กระแสไฟฟาและแรงดันไฟฟาที่เซลลแสงอาทิตยจะสามารถปอนใหกับโหลดไดนั้น จะอยูบนเสนกราฟ I-V นี้
เสมอ ดังนั้นคําวา “จุดทํางาน” จึงหมายถึงจุดที่กําหนดคากระแสไฟฟาและแรงดันไฟฟาที่เซลลแสงอาทิตย
ปอนใหโหลดนั่นเอง ตัวอยางวิธีการกําหนดจุดทํางานมีดังนี้
(1) ในกรณีของการตอเซลลแสงอาทิตยกับโหลด
จุดทํางานของเซลลแสงอาทิตยจะถูกกําหนดโดยอิมพิแดนซของโหลดดังแสดงในรูป (ก) เสนตรง
ในรูปนี้คือเสนโหลด จุดตัดของเสนโหลดกับกราฟ I-V คือ “จุดทํางาน” จากจุดทํางานนี้ เมื่อเราลากเสน
ตรงไปตัดกับแกนกระแสไฟฟา จะไดคากระแสไฟฟาทํางาน (คือกระแสไฟฟาที่ปอนใหโหลด) และเมื่อเรา
ลากเสนตรงไปตัดกับแกนแรงดันไฟฟา ก็จะไดคาแรงดันไฟฟาทํางาน (คือแรงดันไฟฟาที่ปอนใหโหลด)
1-118
ตารางที่ 1.10 ตัวอยางการใชงานเซลลแสงอาทิตยในดานตางๆ
1-119
รูปที่ 1.120 กราฟลักษณะสมบัติเอาตพุตและจุดทํางานของเซลลแสงอาทิตย
วงจรพื้นฐาน
การใชงานเซลลแสงอาทิตยเพื่อปอนพลังงานไฟฟาใหผลิตภัณฑอิเล็กทรอนิกสมี 2 วิธีคือ
1. วิธีใชเซลลแสงอาทิตยเพียงอยางเดียวเปนแหลงกําเนิดพลังงาน เชน การใชเซลลแสงอาทิตยกับ
เครื่องคิดเลข ซึ่งเรามักจะใชเครื่องคิดเลขเฉพาะเมื่อมีแสงเทานั้น
2. ใชแบตเตอรี่สําหรับประจุไฟฟาควบคูดวย เชน กรณีนาฬิกาขอมือ ซึ่งบางครั้งเราอาจเก็บนาฬิกา
ไวในที่มืด จึงตองมีแบตเตอรี่หรือตัวเก็บประจุเก็บพลังงานไฟฟาไว
กรณีการใชเซลลแสงอาทิตยเพียงอยางเดียวเปนตนกําเนิดพลังงานไฟฟา
รูปที่ 1.121 แสดงวงจรพื้นฐานการใชเซลลแสงอาทิตยเพียงอยางเดียวเปนตนกําเนิดพลังงานไฟฟา
ถาเราใชเซลแสงอาทิตยเพื่อปอนพลังงานไฟฟาใหเครื่องคิดเลขซึ่งมี LSI เปนโหลด ในวงจรจะตองมีไดโอด
สําหรับควบคุมแรงดันไฟฟาไมใหสูงเกินขีดจํากัด (นิยมใชซีเนอรไดโอด) และตัวเก็บประจุสําหรับควบคุม
1-120
แรงดันไฟฟาใหคงที่ ตัวเก็บประจุนี้ชวยควบคุมมิใหการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟามากเกินไป (<± 10%)
เชน กรณีที่ความเขมแสงเปลี่ยนแปลงมากๆ หรือเกิดแสงไฟกะพริบจามากๆ
กรณีใชแบตเตอรี่สําหรับประจุไฟฟาควบคูดวย
รูปที่ 1.122 แสดงวงจรการใชงานเซลลแสงอาทิตยซึ่งมีแบตเตอรี่สําหรับประจุไฟฟา จะตองมี
ไดโอดที่ทําหนาที่ปองกันมิใหกระแสไฟฟาไหลยอนจากแบตเตอรี่กลับไปสูเซลลแสงอาทิตย และมีตัวตานทาน
สําหรับควบคุมไมใหกระแสไฟฟาไหลเกินขีดจํากัด (หรืออาจใชวงจรควบคุมแรงดันไฟฟาแทนก็ได)
วงจรควบคุมแรงดันไฟฟาและกระแสไฟฟา
ไดโอดสําหรับควบคุมแรงดันไฟฟาครอมโหลดไมใหสูงเกินขีดจํากัด
ปกติการปอนพลังงานไฟฟาใหผลิตภัณฑอิเล็กทรอนิกสมักจะตองการใหแรงดันไฟฟาคงที่ หรือ
ตองการไมใหแรงดันไฟฟาสูงเกินขีดจํากัด มิฉะนั้นผลิตภัณฑอิเล็กทรอนิกสอาจจะเสียหายได วิธีการควบคุม
แรงดันไฟฟามี 2 วิธีคือ
(1) วิธีการตอซีเนอรไดโอดแบบไบแอสยอน (กลับทิศทาง) กับเซลลแสงอาทิตย รูปที่ 1.123 แสดง
กราฟลักษณะสมบัติ I-V ของซีเนอรไดโอด หลักการทํางานของซีเนอรนี้คือ ในกรณีที่แรงดันไฟฟาจากเซลล
แสงอาทิตยสูงเกินแรงดันพังทลายของซีเนอรไดโอด กระแสไฟฟาจะไหลผานซีเนอรไดโอดทันที และ
แรงดันไฟฟาที่ครอมโหลดจะไมสูงเกินกวาคาแรงดันพังทลายของซีเนอรไดโอด แรงดันพังทลายของซีเนอร
ไดโอดที่มีขายมีหลายชนิด เชน ตั้งแตคาต่ําระดับ 1.5 V ไปจนถึงระดับ 100 V
1-121
(2) วิธีการตอไดโอดแบบไบแอสตามกับเซลลแสงอาทิตย เมื่อมีแรงดันไฟฟาจากเซลลแสงอาทิตย
สูงเกินคาแรงดันเทรชโฮลดของไดโอดกระแสไฟฟาก็จะไหลผานไดโอด ตัวอยางกรณีถาใช LED ชนิด GaP
เปนไดโอด แรงดันไฟฟาจะถูกจํากัดอยูที่ประมาณ 1.5 V ซึ่งเหมาะสมตอการใชวิธีกับ LSI รูปที่ 1.124 แสดง
กราฟ I-V ของ LED ชนิด GaP เมื่อกระแสไฟฟาไหลผาน LED กระแสไฟฟาสวนเกินนี้ก็จะถูกเปลี่ยนเปน
แสง จึงชวยกําจัดพลังงานสวนเกินจากเซลลแสงอาทิตยไดดวย เปนการรักษาไมให LSI เสียหาย
ไดโอดสําหรับปองกันไมใหกระแสไฟฟาไหลยอนกลับเขาเซลลแสงอาทิตย
ในสภาพที่เกิดความมืด เชน ตอนกลางคืนหรือ เซลลแสงอาทิตยวางอยูในที่มืด ถาแรงดันไฟฟา
เอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยลดลงต่ํากวาแรงดันของแบตเตอรี่ จะทําใหกระแสไฟฟาไหลยอนจากแบตเตอรี่
ไปสูเซลลแสงอาทิตย วิธีการปองกันไมใหเกิดเหตุการณเชนนี้ จําเปนจะตองมีไดโอดตอเพิ่มเขาไปในวงจรดัง
แสดงในรูปที่ 1.122 ไดโอดที่ทําหนาที่นี้เรี่ยกวา “บล็อกกิงไดโอด” (blocking diode) วิธีการตอบล็อกกิง
ไดโอดคือ ใหตอแบบอนุกรมกับเซลลแสงอาทิตยโดยใหกระแสไฟฟาจากเซลลแสงอาทิตยไหลไดสะดวกขณะมี
แสง (ไบแอสตาม) คุณสมบัติของบล็อกกิงไดโอดที่พึงปรารถนาไดแก กระแสไฟฟาไหลยอนกลับอิ่มตัวควรมี
คานอยที่สุด และแรงดันไฟฟาครอมตอนไบแอสตามควรมีคานอยที่สุด รูปที่ 1.125 แสดงตัวอยางกราฟ I-V
ของไดโอดชนิด Ge, Si และ ชอตตกีไดโอด เนื่องจากกระแสไฟฟาไหลยอนกลับอิ่มตัวของชนิด Ge คอนขาง
มีคามาก ดังนั้นจึงนิยมใชบล็อกกิงไดโอดชนิด Si และชอตตกีแบเรียชนิด Si
วงจรควบคุมอัตราการประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่ไมใหสูงเกินขีดจํากัด
ในการประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่จะตองมีการควบคุมมิใหกระแสไฟฟาไหลเขาแบตเตอรี่ดวย
อัตราที่สูงเกินขีดจํากัด อัตราการประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่มีหนวยเปนแอมแปร-ชั่วโมง (Ah)
ตัวอยางเชน ถากําหนดวา อัตราการประจุเทากับ 40 Ah หมายความวาในการประจุเปนเวลา 1 ชั่วโมง จะตอง
ควบคุมไมใหกระแสไฟฟาไหลเกิน 40 A วิธีการควบคุมอัตราการประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่สามารถทํา
ไดโดย
1-122
รูปที่ 1.124 กราฟลักษณะสมบัติ I-V ของ LED ชนิด GaP
ΔV
Rc = (1.133)
I limit
โดยที่ ΔV คือแรงดันไฟฟาที่ลดลงตามที่แสดงในรูป
วงจรปองกันไมใหประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่นานเกินขีดจํากัด
1-123
การประจุกระแสไฟฟาจากเซลลแสงอาทิตยเขาแบตเตอรี่นานเกินขีดจํากัด กลาวคือ แมวาแบตเตอรี่
จะเต็มแลว ยังปลอยใหกระแสไฟฟาไหลเขาเรื่อยๆ โดยไมสิ้นสุด จะทําใหแบตเตอรี่เสียหายได ดังนั้นจึง
จําเปนจะตองมีวงจรที่ทําหนาที่ตัดแบตเตอรี่ออกจากเซลลแสงอาทิตยหรือทําการลัดวงจรของเซลลแสงอาทิตย
การออกแบบขนาดของมอดูลของเซลลแสงอาทิตย
คําวามอดูล หมายถึงชุดที่ประกอบดวยเซลลแสงอาทิตยจํานวนหลายแผนที่ถูกนํามาตอกัน เพื่อใหได
แรงดันและกระแสไฟฟาตามที่ตองการ กําลังไฟฟาเอาตพุตที่จะไดจากมอดูลจะแปรผันตรงกับพื้นที่ของมอดูล
การออกแบบมอดูลจะตองกําหนดชนิดของเซลลแสงอาทิตย และตองทราบเงื่อนไขสภาพการใชงาน เชน
สเปกตรัมของแสง ความเขมของแสง อุณหภูมิการใชงาน กําลังไฟฟา แรงดันไฟฟาและกระแสไฟฟาที่ตองการ
ตัวอยางในกรณีของเซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอน สามารถดูดกลืนแสงจากหลอดไฟชนิด
ฟลูออเรสเซนตไดดีกวาชนิดผลึกซิลิคอน ดังนั้นจึงนิยมใชเซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอนกับผลิต
อิเล็กทรอนิกสที่ใชในหองสํานักงาน
(1) การกําหนดจํานวนของเซลลแสงอาทิตยที่จะตออนุกรม
1-124
เซลลแสงอาทิตยตางชนิดกัน จะใหแรงดันไฟฟาเอาตพุตแตกตางกัน ตัวอยางการใชงานภายใตแสง
ความเขม 100 lux - 100,000 lux แรงดันไฟฟาสูงสุดของเซลลแสงอาทิตยชนิดตางๆ จะมีคาโดยประมาณ
ดังนี้
กรณีที่ใชเซลลแสงอาทิตยเปนตนกําเนิดไฟฟาใหโหลด
จํานวนเซลลแสงอาทิตยที่ตออนุกรม =
(แรงดันไฟฟาเอาตพุตที่ตองการ)÷(แรงดันไฟฟาเอาตพุตสูงสุดของ 1 เซลล) (1.134)
กรณีที่ใชเซลลแสงอาทิตยประจุกระแสไฟฟาใหแบตเตอรี่
จํานวนเซลลแสงอาทิตยที่ตออนุกรม =
(แรงดันไฟฟาที่ตองใช+แรงดันไฟฟาครอมบล็อกกิงไดโอด)÷(แรงดันไฟฟาเอาตพุตสูงสุดของ 1 เซลล)
(1.135)
(2) การกําหนดพื้นที่ของเซลลแสงอาทิตย
กระแสไฟฟาเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยถูกกําหนดดวยพื้นที่ของเซลลแสงอาทิตย ในกรณีที่ความ
ตองการกระแสไฟฟาไมสูงมากนัก ไมจําเปนตองตอเซลลแสงอาทิตยแบบขนาน แตถาความตองการแสไฟฟา
สูงมาก เราก็จะตองตอเซลลแสงอาทิตยแบบขนานหลายๆ ตัว ถาให S คือพื้นที่ของเซลลแสงอาทิตย และ Imax
คือกระแสไฟฟาเอาตพุตสูงสุดของเซลลแสงอาทิตยตอหนวยพื้นที่ I คือความตองการกระแสไฟฟาที่จุดทํางาน
ดังนั้นพื้นที่ของเซลลแสงอาทิตยที่ตองใชคือ
1 I
S = (1.136)
m I max
โดยที่ m คือแฟกเตอรที่ขึ้นกับชนิดของเซลลแสงอาทิตย
(3) การออกแบบขนาดของเซลลแสงอาทิตยที่ตอกับแบตเตอรี่
การประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่ มีแฟกเตอรหลายขอที่ควรระวัง เชน กําลังไฟฟาที่ประจุจะ
เปลี่ยนแปลงตลอดเวลาซึ่งขึ้นกับความจุของแบตเตอรี่ และเวลากลางคืนจะไมมีการประจุกระแสไฟฟา เปนตน
ความเขมของแสงอาทิตยในเวลาวันมีคาประมาณ 100,000-200,000 lux และมีแสงประมาณ 5-7 ชั่วโมง
คําวา “ความจุของแบตเตอรี่” หมายถึง “ปริมาณของกระแสไฟฟาที่สามารถนําไปใชงานได โดยเมื่อมี
การประจุแบตเตอรี่จนเต็มแลวและใชงานดวยอัตรากระแสไฟฟาที่คงที่จนกระทั่งแรงดันของแบตเตอรี่ลดลง
จนถึงคาต่ําสุด” มีหนวยคือ แอมแปร-ชั่วโมง (Ah) หรือ วัตต-ชั่วโมง (Wh) โดยทั่วไปนิยมใชหนวย Ah
เพื่อปองกันมิใหแบตเตอรี่เสื่อมสภาพเร็ว จะมีการกําหนดคาการประจุกระแสไฟฟาสูงสุดที่ใชในการ
ประจุเขาแบตเตอรี่ดวยตัวอักษร C เชน อัตราการประจุกระแสไฟฟาเทากับ 0.1C สําหรับแบตเตอรี่ขนาด
100 mAh หมายความวา จะตองประจุดวยกระแสไฟฟาที่ไมสูงกวา 10 mA (=0.1×100 mAh) ตารางที่
1.12 แสดงคามาตรฐานของการประจุกระแสไฟฟาเขาแบตเตอรี่ชนิดตางๆ [110]
ในกรณีการใชแบตเตอรี่ชนิด Ni-Cd กับวิทยุ การประจุที่อัตรา 0.1C จะทําใหไมเกิดการประจุมาก
เกินไป หรือถาพิจารณาวา ความเขมของแสงไมสูงมากนักและมีแสงอาทิตยสั้นเพียง 3-4 ชั่วโมงตอวัน ก็อาจ
1-125
ประจุที่อัตรา 0.2-0.4C ก็ได ในกรณีแบตเตอรี่ชนิด AgCl ซึ่งนิยมใชกับนาฬิกาขอมือนั้น ควรใชอัตราการ
ประจุที่นอยมากๆ คือ 0.001C
รูปที่ 1.128 แสดงตัวอยางการใชงานเซลลแสงอาทิตยจายกระแสไฟฟาใหอุปกรณอิเล็กทรอนิกสชนิด
ตางๆ
1.9.2 การออกแบบระบบเซลลแสงอาทิตยสําหรับไฟฟากําลัง
เซลลแสงอาทิตยที่ใชงานสําหรับไฟฟากําลังในที่นี้หมายถึง การใชงานที่กําลังไฟฟาสูงระดับหลายสิบ
วัตตขึ้นไปถึงระดับหลายกิโลวัตตหรืออาจถึงระดับเมกะวัตต เราสามารถแบงประเภทการใชงานออกเปน 2
ประเภท คือ 1) ระบบโดดเดี่ยว (Stand Alone System) และ 2) ระบบตอเขากริดของการไฟฟา (Grid
Connected System)
เริ่มแรกผูจะใชงานเซลลแสงอาทิตยตองเขาใจกอนวากระแสไฟฟาที่ไดจากเซลลแสงอาทิตยนั้นเปน
ชนิดกระแสตรง และเซลลแสงอาทิตยผลิตไฟฟาไดเฉพาะชวงเวลากลางวันขณะมีแสงอาทิตยเทานั้น ถา
ตองการใชเซลลแสงอาทิตยจายกระแสไฟฟาใหกับเครื่องใชไฟฟากระแสสลับ จะตองตออินเวอรเตอรดวย
และถาตองการใชงานในตอนกลางคืน ก็ตองใชแบตเตอรี่เก็บสะสมไฟฟาไวในตอนกลางวันดวย ดังนั้นวิธีการ
ออกแบบระบบเซลลแสงอาทิตยอยางงายๆ พอจะสรุปไดดังตอไปนี้ (สมมติใหวาแสงอาทิตยกระทบเซลล
แสงอาทิตยแบบมุมฉาก)
1. ขั้นตอนการกําหนดองคประกอบของระบบ
ผูใชตองกําหนดวาจะใชเซลลแสงอาทิตยจายไฟฟาใหเครื่องใชไฟฟาอะไร และตองการใชไฟฟาเวลา
กลางวันหรือกลางคืน (ในทุกรูปแบบการใชงานจะตองมีไดโอดตอดังรูป เพื่อปองกันมิใหกระแสไฟฟาไหล
ยอนกลับเขาเซลลแสงอาทิตย)
ถาจายไฟฟาใหเฉพาะเครื่องใชไฟฟากระแสตรงในเวลากลางวัน เชน หลอดไฟกระแสตรง ระบบจะ
เปนดังรูปที่ 1.129
ถาจายไฟฟาใหเครื่องใชไฟฟากระแสสลับในเวลากลางวัน เชน ตูเย็น เครื่องปรับอากาศ ในระบบจะมี
อินเวอรเตอรดังรูปที่ 1.130
1-126
ถาตองการใชไฟฟาในเวลากลางคืนดวย จะตองมีแบตเตอรี่เพิ่มเขามาดังรูปที่ 1.131 กลอง
ควบคุมการประจุไฟฟาทําหนาที่ 1) เลือกวาจะสงกระแสไฟฟาไปยังอินเวอรเตอรหรือสงไปยังแบตเตอรี่ หรือ
2) ตัดเซลลแสงอาทิตยออกจากระบบและตอแบตเตอรี่ตรงไปยังอินเวอรเตอร
2. ขั้นตอนการกําหนดขนาดของระบบ
1. กําหนดจํานวนของแผงเซลลแสงอาทิตย รายละเอียดจะกลาวถึงในหัวขอที่ 5
2. กําหนดขนาดและจํานวนของแบตเตอรี่ แบตเตอรี่ที่ใชในระบบเซลลแสงอาทิตยจะตองเปนชนิด
ที่สามารถประจุกระแสไฟฟาไดหลายครั้ง ซึ่งมีหลายชนิด เชน ชนิดนิกเกิลแคดเมียม (Ni-Cd) ชนิดตะกั่ว
(Pb) (นิยมใชในระบบใหญๆ มากที่สุด) และชนิดนิกเกิลไฮไดรด (NiH) เริ่มแรกผูใชตองกําหนดขนาดของ
แบตเตอรี่วาควรเปนเทาใด
1-127
วิธีทํา จํานวนแบตเตอรี่ที่ตองตออนุกรม = 100 V÷12 V= 9 ตัว (ปดเศษขึ้น)
ความจุ B ของแบตเตอรี่แตละตัวคือ (B-20 Ah) ÷B = 70% (คา70% คือปริมาณที่ควรเหลือของ
แบตเตอรี่)
เพราะฉะนั้น แบตเตอรี่แตละตัวควรมีความจุมากกวา 66 Ah ขึ้นไป
3. กําหนดขนาดของอินเวอรเตอร อินเวอรเตอรคืออุปกรณที่ใชสําหรับแปลงไฟฟากระแสตรงใหเปน
ไฟฟากระแสสลับ ในการแปลงดังกลาวจะมีการสูญเสียเกิดขึ้นเสมอ โดยทั่วไปประสิทธิภาพของอินเวอร-เตอร
มีคาประมาณ 0.85-0.9 หมายความวา ถาเราปอนกําลังไฟฟาเขาอินเวอรเตอร 100 W เราจะไดกําลังไฟฟา
เอาตพุตออกจากอินเวอรเตอรมาใชประมาณ 85 -90 W นั่นเอง ดังนั้นถาเราทราบกําลังของไฟฟาที่ตองการ
แลว เราจะตองเผื่อขนาดของอินเวอรเตอรไวดวย เชน ถาตองการใชไฟฟา 85-90 W เราควรเลือกใช
อินเวอรเตอรที่มีเอาตพุตขนาด 100 W เปนตน ในทางปฏิบัติ อินเวอรเตอรที่มีขายในทองตลาดสําหรับใชกับ
เซลลแสงอาทิตยนั้นมีขนาดมาตรฐานรุน 3 kW และ 5 kW เงื่อนไขสําคัญของสถานที่สําหรับติดตั้ง
อินเวอรเตอรคือ จะตองอยูในที่รม อุณหภูมิไมสูงมากหรือต่ํามากเกินไป (ควรอยูในชวง -10°C และ 40°C)
ความชื้นไมสูงเกิน 60% วางในที่ระบายอากาศไดดี ไมมีสัตว เชน หนู งู ซึ่งอาจกัดสายไฟฟาได มีพื้นที่ให
บํารุงรักษาไดเพียงพอ เปนตน
3. ขั้นตอนการกําหนดสถานที่ติดตั้งแผงเซลลแสงอาทิตย
สถานที่ติดตั้งแผงเซลลแสงอาทิตยควรเปนที่โลง ไมมีเงามาบังแผงเซลลแสงอาทิตย ไมอยูใกลสถานที่
เกิดฝุนมาก อาจติดตั้งแผงเซลลแสงอาทิตยบนพื้นดินก็ไดหรือบนหลังคาบานก็ได ควรวางใหแผงเซลลแสง-
อาทิตยมีความลาดเอียงประมาณ 10-15 องศา จากระดับแนวนอนและหันหนาไปทางทิศใต การวางแผงเซลล
แสงอาทิตยใหมีความลาดดังกลาวจะชวยใหเซลลแสงอาทิตยรับแสงอาทิตยไดเฉลี่ยมากที่สุดและเกิดการระบาย
น้ําฝนไดรวดเร็ว ตองออกแบบใหมีอุปกรณยึดแผงเซลลแสงอาทิตยไดอยางแข็งแรง สามารถทนตอแรงลม
และฝนไดเพียงพอ และถาดานลางของแผงมีชองระบายลมไดดวยก็จะดีที่สุด
1-128
4. การใชบล็อกกิงไดโอดและบายพาสไดโอดในระบบไฟฟากําลัง
ดังไดกลาวขางตนแลววา การใชเซลลแสงอาทิตยกับแบตเตอรี่นั้น จะตองมีบล็อกกิงไดโอดเพื่อ
ปองกันการไหลยอนกลับของกระแสไฟฟาจากแบตเตอรี่สูเซลลแสงอาทิตย ในระบบไฟฟากําลัง เชนเดียวกัน
ก็จะตองมีบล็อกกิงไดโอดตออยูเสมอ รูปที่ 1.132 แสดงวิธีการตอบล็อกกิงไดโอดกับเซลล-แสงอาทิตย
จํานวนมากๆ ที่ปลายดานหนึ่งของเซลลแสงอาทิตยที่ตออนุกรมแตละแถวจะมีบล็อกกิงไดโอด 1ตัว บางครั้ง
ถาเกิดเงาบังเซลลแสงอาทิตยบางตัวหรือบางแถว จะทําใหแรงดันไฟฟาเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยแถวนั้น
ลดลง ดังนั้นบล็อกกิงไดโอดจะเปนตัวปองกันมิใหกระแสไฟฟาจากแถวอื่นไหลมาผานแถวที่เกิดเงาซึ่งเปนการ
ปองกันมิใหแรงดันไฟฟาเอาตพุตของระบบลดลงดวย
นอกจากนี้สถานที่และมุมการติดตั้งระบบเซลลแสงอาทิตยก็มีความสําคัญตอกําลังไฟฟาเอาตพุตดวย
ตัวอยางถาติดตั้งเซลลแสงอาทิตยในสถานที่มีเงาเปนแถบบังเซลลแสงอาทิตยดังที่แสดงในรูปที่ 1.133 นั้นถือ
วาเปนกรณีที่ไมดี เพราะเงาเหลานั้นสามารถบังเซลลแสงอาทิตยจํานวนหลายแถว จะทําใหกําลังไฟฟาเอาตพุต
ลดลงแทบจะไมมีเอาตพุตเลย
วิธีการแกไขคือ ใหพยายามจัดวางเพื่อใหเงาเหลานั้นบังเซลลแสงอาทิตยเพียงแถวใดแถวหนึ่งดังที่
แสดงในรูปที่ 1.134 ในรูปนี้กําลังไฟฟาที่ลดลงจะมีมีคาเพียง 1/6 ของระบบทั้งหมดเทานั้น
นอกจากบล็อกกิงไดโอดแลว การตอบายพาสไดโอดกับเซลลแสงอาทิตยก็มีความสําคัญดวยเชนกัน
รูปที่ 1.135 แสดงวิธีการตอบายพาสไดโอดเขากับเซลลแสงอาทิตย บทบาทของบายพาสไดโอดคือ ในแผง
หรือมอดูลของเซลลแสงอาทิตยที่ตออนุกรมกันนั้น เชน สมมติวาตออนุกรมกัน 10 เซลล ถามีเงาไปบังเซลล
แสงอาทิตยตัวใดตัวหนึ่ง แรงดันไฟฟาจากเซลลที่เหลืออีก 9 เซลลก็จะไปตกครอมเซลลมืดตัวนั้น จะเปน
สาเหตุทําใหเซลลที่มืดนั้นเกิดความรอนสูง และในที่สุดก็จะสงผลใหแผงหรือมอดูลทั้งหมดรอนและเสียหายได
ดังนั้นบายพาสไดโอดนี้จึงทําหนาที่ใหกระแสไฟฟาจากเซลลอื่นไหลผานไดโอดไดสะดวก
1-129
รูปที่ 1.134 การเกิดเงาบนเซลลแสงอาทิตยตามรูปนี้จะทําใหกําลังไฟฟาเอาตพุตลดลงเพียง
1/6 ของทั้งหมด
1.9.3 ตัวอยางการใชงานเซลลแสงอาทิตยในประเทศไทย
สําหรับในประเทศไทยเราจากอดีตถึงปจจุบัน (พ.ศ 2546) มีการติดตั้งใชงานเซลลแสงอาทิตยแลว
ทั่วประเทศประมาณ 6 MW สวนใหญเปนการติดตั้งในพื้นที่หางไกลที่สายไฟฟาเขาไปไมถึง ตัวอยางการใชงาน
เชน
ไฟฟาหมูบานหางไกล (โดยการไฟฟาสวนภูมิภาค)
สถานีทวนสัญญาณสื่อสาร (โดยองคการโทรศัพทแหงประเทศไทย)
ระบบสูบน้ําในที่ทุรกันดาน (โดยกรมโยธาธิการกระทรวงมหาดไทย และกระทรวง
กลาโหม)
สถานีประจุแบตเตอรี่ (โดยกรมพัฒนาและสงเสริมพลังงาน กระทรวงวิทยาศาสตร
เทคโนโลยีและสิ่งแวดลอม และการไฟฟาสวนภูมิภาค)
ในโรงเรียนประถมศึกษาพื้นที่หางไกล (โดยกระทรวงศึกษาธิการ)
ระบบผลิตไฟฟาตอเขาระบบกริด (โดยการไฟฟาฝายผลิตแหงประเทศไทย)
ฯลฯ
1-130
ผูเขียนไดทดลองนําเซลลแสงอาทิตย 4 แผงไปติดตั้งที่สวนยางพาราในอําเภอสะเดา จังหวัดสงขลา
เพื่อใชประจุแบตเตอรี่สําหรับไฟฉายที่ใชในการกรีดยางพาราแทนการใชตะเกียงถานหิน พบวาชาวสวนยางมี
ความพอใจ เพราะไมตองดมกลิ่นควันถานหินอีกตอไป และไดแสงสวางที่ดีกวาตะเกียงถานหิน
รายละเอียดเกี่ยวกับการใชงานเซลลแสงอาทิตยในประเทศไทย จะกลาวถึงอีกครั้งในบที่ 46 ซึ่งจะ
กลาวถึงสถานภาพการวิจัยและพัฒนาสิ่งประดิษฐออปโตอิเล็กทรอนิกสในประเทศไทย
1.9.4 การออกแบบขนาดของระบบเซลลแสงอาทิตยสําหรับติดตั้งบนหลังคาบาน
ขั้นตอนที่ 1 การกําหนดกําลังไฟฟาของเซลลแสงอาทิตยที่ควรติดตั้ง
กอนจัดหาซื้อเซลลแสงอาทิตยมาใชงาน ผูใชควรพิจารณาวาจะใชเซลลแสงอาทิตยสําหรับผลิต
กระแสไฟฟาใหกับเครื่องใชไฟฟาใดบาง ทั้งนี้เพื่อจะไดติดตั้งเซลลแสงอาทิตยไดเพียงพอกับความตองการและ
ไมติดตั้งมากจนเกินความจําเปนซึ่งจะทําใหระบบมีราคาแพงโดยไมจําเปน จะขอยกตัวอยางวิธีคํานวณ
กําลังไฟฟาของเซลลแสงอาทิตยอยางงายๆ ดังตอไปนี้
ตัวอยางที่ 10 บานหลังหนึ่งมีเครื่องใชไฟฟาและจํานวนชั่วโมงของการใชงานดังตารางขางลางนี้
จงออกแบบระบบเซลลแสงอาทิตย
PL
Pcell = (1.137)
Q× A× B×C/ D
โดยที่ PL : ความตองการพลังงานไฟฟาในหนึ่งวัน
Q : พลังงานแสงอาทิตยในหนึ่งวัน (Wh/m2) สําหรับประเทศไทยเทากับ 4,000 Wh/m2 โดย
ประมาณ
A : คาชดเชยการสูญเสียของเซลลแสงอาทิตย โดยทั่วไปกําหนดคาประมาณ 0.8
B : คาชดเชยการสูญเสียเชิงความรอน โดยทั่วไปกําหนดคาประมาณ 0.85
C : ประสิทธิภาพของอินเวอรเตอร โดยทั่วไปกําหนดคาประมาณ 0.85-0.9
D : ความเขมแสง โดยปกติความเขมแสงประมาณ 1,000 W/m2
เพราะฉะนั้น บานหลังนี้ตองใชเซลลแสงอาทิตยที่มีกําลังเอาตพุตเทากับ
1-131
6,760
Pcell = = 2,923 W หรือประมาณ 2.9 kW
400 × 0.8 × 0.85 × 0.85 / 1,000
ขั้นตอนที่ 2 การกําหนดจํานวนแผงของเซลลแสงอาทิตย
เมื่อทราบกําลังไฟฟาของเซลลแสงอาทิตยที่จะตองติดตั้งแลว ขั้นตอนตอไปคือ จะตองคํานวณวา
จะตองใชเซลลแสงอาทิตยกี่แผง จํานวนแผงของเซลลแสงอาทิตยคํานวณไดโดยใชกําลังไฟฟาของระบบหาร
ดวยกําลังไฟฟาที่เซลลแสงอาทิตยหนึ่งแผงผลิตได เมื่อทราบคาจํานวนแผงแลว ขั้นตอนตอไปคือ จะตอง
คํานวณวา จะตองนําเซลลแสงอาทิตยจํานวนหลายเซลลมาตออนุกรมหรือขนานกันอยางไร จึงจะได
แรงดันไฟฟาที่เพียงพอตอการใชงาน จํานวนของแผงเซลลแสงอาทิตยที่จะตองตออนุกรมกันนั้น คํานวณได
โดยการใชคาแรงดันไฟฟาที่ตองการหารดวยแรงดันเอาตพุตของเซลลแสงอาทิตยหนึ่งแผง
วิธีทํา
ประมาณการเริ่มแรกของจํานวนของแผงเซลลที่ตองติดตั้งทั้งหมด = 2,900 W ÷50 W = 58 แผง
จํานวนของแผงเซลลที่ตออนุกรม = 200 V ÷ 17 V = 12 แผง (ปดเศษขึ้น)
จํานวนแถวที่ตองตอขนาน = 58 ÷12 = 5 แถว (ปดเศษขึ้น)
ดังนั้น กรณีบานหลังนี้ จะใชแผงเซลลแสงอาทิตยทั้งหมด = 12×5 = 60 แผง โดยตออนุกรมแถวละ
12 แผง และตอขนานจํานวน 5 แถว
หมายเหตุ ถาในการใชงาน เมื่อเซลลแสงอาทิตยรับแสงอาทิตยเปนเวลานาน อุณหภูมิของเซลลแสงอาทิตยจะ
สูงขึ้น และจะสงผลใหแรงดันไฟฟาลดลง ดังนั้นในการออกแบบ จึงควรใชคาแรงดันไฟฟาเอาตพุตสูงสุด ณ ที่
อุณหภูมิที่ใชงานจริงในการคํานวณ
ตัวอยางการติดตั้งระบบเซลลแสงอาทิตยบนหลังคาบานในประเทศไทย
การไฟฟาฝายผลิตแหงประเทศไทย (กฟผ.) เปนหนวยงานหนึ่งของประเทศไทยที่มีความสนใจและ
กระตือรือรนในการนําเซลลแสงอาทิตยมาใชงานเปนเวลานาน และไดติดตั้งระบบเซลลแสงอาทิตยไปแลวหลาย
แหงรวมเกือบ 100 kW “โครงการสาธิตการติดตั้งเซลลแสงอาทิตยบนหลังคาบาน” เปนโครงการที่กฟผ.
กําลังใหความสนใจมาก ตัวอยางที่ติดตั้งไปแลวไดแก ที่อําเภอสันกําแพง จังหวัดเชียงใหม มีแผงเซลล-
แสงอาทิตย 44 แผง รวมกําลังไฟฟาเอาตพุต 2.5 kW เซลลแสงอาทิตยทั้งหมดผลิตไฟฟากระแสตรงในชวง ที่
มีแสงอาทิตยผานอินเวอรเตอรใหเปนกระแสสลับขนาด 220 V ความถี่ 50 Hz และผานระบบปองกันแลวจึง
นํามาใชภายในบาน กระแสไฟฟาสวนเกินจะสงขายเขาระบบ
สําหรับใน พ.ศ. 2541 นี้ กฟผ. ยังไดรับงบสนับสนุนจากสํานักงานคณะกรรมการนโยบายพลังงาน-
แหงชาติ (สวทช.) ใหดําเนินการติดตั้งเซลลแสงอาทิตยบนหลังคาบานเพิ่มอีก 10 หลังคาเรือนในเขต
กรุงเทพมหานคร จากการประกาศรับสมัครประชาชนผูสนใจ มีผูเสนอชื่อขอเขารวมโครงการกวา 200 ราย
1-132
แตตองคัดเลือกเหลือเพียง 10 ราย คาใชจายซึ่งสํานักงานนโยบายพลังงานแหงชาติใหการสนับสนุนหลังละ
ประมาณ 2 แสนบาทเศษ และเจาของบานรับผิดชอบเองอีกประมาณ 2 แสนบาทเศษ ลักษณะเดนของ
โครงการนี้คือ
1. ไมมีการใชแบตเตอรี่ ทําใหลดราคาของระบบลงไดมาก
2. กระแสไฟฟาที่ผลิตไดจากเซลลแสงอาทิตยจะถูกนําไปใชในบานทันที และถามีไฟฟาเหลือ ไฟฟาที่
เหลือนั้นจะถูกสงออกไปสูระบบของการไฟฟานครหลวงอยางอัตโนมัติ นั่นคือ มีการขายไฟฟาที่เหลือใช
3. มีวัตตมิเตอร ซึ่งสามารถวัดไฟฟาที่ซื้อจากการไฟฟานครหลวง อีกวัดไฟฟาที่ขายใหการไฟฟานคร
หลวง ทําใหเจาของบานทราบปริมาณไฟฟาที่ซื้อและที่ขายไดอยางถูกตอง
รูปที่ 1.136 แสดงสวนประกอบที่สําคัญของชุดสาธิตระบบเซลลแสงอาทิตยบนหลังคาบานซึ่งมี 5
สวนคือ
1-133
กระแสตรงที่ผลิตไดจากเซลลแสงอาทิตย รวมทั้งมีฟวสและสวิตชเบรกเกอร เพื่อปองกันการเกิดไฟฟาลัดวงจร
และสามารถปดเมื่อเกิดเหตุการณฉุกเฉิน
3. อินเวอรเตอร (Inverter)
อินเวอรเตอรที่ใชในโครงการมีกําลังเอาตพุตสูงสุด 5,000 W แรงดันไฟฟากระแสตรงขาเขา
อินเวอรเตอร 170-230 V แรงดันไฟฟากระแสสลับขาออก 220 V ความถี่ 50 Hz ประสิทธิภาพในการแปลง
กระแสไฟฟาสูงกวา 90% ฮารมอนิกต่ํากวา 5% มีระบบปองกันใหอินเวอรเตอรหยุดทํางานในกรณีที่
แรงดันไฟฟาอินพุตมีการเปลี่ยนแปลงมากคาที่กําหนด
ผลที่คาดวาจะไดรับจากโครงการสาธิตติดตั้งเซลลแสงอาทิตยบนหลังคาบานนี้ไดแก
1) ชวยผลิตพลังงานทดแทนในชวงเวลากลางวันซึ่งใชไฟฟามาก
2) ทําใหประชาชนมีสวนรวมในการผลิตไฟฟา และสรางจิตสํานึกในการใชไฟฟาอยางประหยัด
3) ลดผลกระทบที่ทําลายสิ่งแวดลอม
4) ชะลอการกอสรางโรงไฟฟาและขยายระบบสายสง
5) ชวยลดการสูญเสียพลังงานไฟฟาในระบบสายสง เปนตน
1.9.5 การบํารุงรักษาเซลลแสงอาทิตยและอายุการใชงาน
อายุการใชงานเซลลแสงอาทิตยโดยทั่วไปยาวนานกวา 20 ป และบริษัทผูผลิตเซลลแสงอาทิตย
รับประกันในระยะเวลาที่นานหลายป ดังนั้นผูใชจึงไมจําเปนตองกังวลเกี่ยวกับอายุการใชงาน การบํารุงรักษา
ก็งาย เพียงแตคอยดูแลวามีสิ่งสกปรกตกคางบนแผงเซลลแสงอาทิตยหรือไม เชน ฝุน มูลนก ใบไม ถาพบวามี
สิ่งสกปรก ก็ใชน้ําลางทําความสะอาดบางเปนครั้งคราว เชน ปละ 1-2 ครั้งก็เพียงพอ หามใชน้ํายาพิเศษลาง
1-134
หรือใชกระดาษทรายขัดผิวกระจกโดยเด็ดขาด เมื่อฝนตก น้ําฝนจะชวยชําระลางแผงเซลลแสงอาทิตยไดตาม
ธรรมชาติ ในบางครั้งเซลลแสงอาทิตยที่ประกอบไมดี เมื่อใชงานไปนานๆ ความชื้นจากอากาศอาจซึมเขาสู
ภายในแผง และจะทําใหแผงเซลลแสงอาทิตยมีสีเหลืองน้ําตาลซึ่งเปนสีที่แสดงวาแผนโพลิเมอรในแผงเซลล
แสงอาทิตยเสื่อมคุณภาพลง หรือบางครั้งอาจพบวาฉนวนอิปอกซีซึ่งถูกอัดอยูที่ขอบของแผงมีน้ําขังหรือเปราะ
ในกรณีเหลานี้ใหผูใชติดตอบริษัทผูผลิตเพื่อขอแลกเปลี่ยนแผงเซลลแสงอาทิตยที่ชํารุด
สําหรับในระบบที่มีการใชแบตเตอรี่ชนิดใชน้ํากลั่น (lead acid) หามใชไฟฟาจนแบตเตอรี่หมด แต
ควรใชไฟฟาเพียง 30-40% และเริ่มประจุไฟฟาใหมใหเต็มกอนใชงานครั้งตอไป และตองคอยหมั่นเติมน้ํา
กลั่นและเช็ดทําความสะอาดขั้วของแบตเตอรี่ ในกรณีที่มีการใชอินเวอรเตอร ก็ควรสังเกตวามีเสียงดังผิดปกติ
หรือเกิดความรอนผิดปกติหรือไม ถาพบความผิดปกติที่อินเวอรเตอร ใหตัดหยุดการปอนกระแสไฟฟาเขา
อินเวอรเตอรและติดตอบริษัทผูจําหนายหรือผูเชี่ยวชาญ
สุดทายนี้ ขอแนะนําตัวอยางแนวความคิดในการประยุกตใชงานเซลลแสงอาทิตยในลักษณะตางๆ
ดังที่แสดงในรูปที่ 1.138-1.152
1-135
รูปที่ 1.138 ระบบลอปลาดวยแสงไฟพลังงานจากเซลลแสงอาทิตย แผงเซลลวางอยูบนทุนลอยกลางทะเล
หลอดไฟอยูใตน้ํา ชาวประมงจะออกไปจับปลาเมื่อเห็นภาพฝูงปลาปรากฏบนจอโทรทัศน
1-136
รูปที่ 1.141 ระบบการตรวจวัดสภาพแวดลอมแบบอัตโนมัติดวยพลังงานจากเซลลแสงอาทิตย
ประกอบดวย เครื่องวัดความเร็วลม เครื่องวัดความเร็วกระแสน้ํา เครื่องวัด
อุณหภูมิและความลึก และเครื่องวัดระดับน้ําขึ้นน้ําลง เปนตน
1-137
รูปที่ 1.144 ระบบฉีดโปรยน้ําดวยพลังงานจากเซลลแสงอาทิตย เพื่อการเพาะปลูกพืชผัก
1-138
รูปที่ 1.147 เครื่องนวดขาวพลังงานเซลลแสงอาทิตย สามารถติดตั้งที่กลางทุงนา
1-139
รูปที่ 1.150 สถานีสังเกตอุตุนิยมวิทยา ในที่หางไกล เชน วัดปริมาณน้ําฝน วัดความเร็วลม
พรอมดวยชุดเตือนอุทกภัย
1-140
เอกสารอางอิง
[1] C. Hu and R.M. White, Solar Cells, McGraw-Hill (1983).
[2] H.J. Hovel, Semiconductors and Semimetals, 11, Academic Press (1975).
[3] B.L. Sharma, R.K. Purohit, Semiconductor Heterojunctions, Pergamon Press (1974).
[4] K. Ito and T. Ohsawa, “Photovoltaic Effect at n-CdS/p-InP Heterojunctions”, Jpn. J. Appl.
Phys., 14, 1259 (1975).
[5] R.L. Anderson, Solid State Electron., 5, 341 (1962).
[6] A.L. Farenbruch, J. of Crystal Growth, 39, 73 (1977).
[7] A. Rothwarf and A.M. Barnett, “Design Analysis of the Thin-Film CdS-Cu2S Solar Cell”, IEEE
Trans. on Electron Devices, ED24, 381 (1977).
[8] Z.I. Alferov, V.M. Andrev and D.N. Tretyakov, Sov. Phys. Semicond., 4, 132 (1970).
[9] M. Bettini and K.J. Bachmann, “CdS/InP and CdS/GaAs Heterojunctions by Chemical-Vapor
Deposition of CdS”, J. Appl. Phys., 49, 865 (1978).
[10] K. Ito, “Effect of Lattice Misfit on pn Junction Characteristics”, Appl. Phys. Lett., 36, 577
(1980).
[11] M.A. Green, Solar Cells, Prentice-Hall, 88 (1982).
[12] A.W. Blakers, A. Wang, A.M. Milne, J. Zhao and M.A. Green, “22.8% Efficient Silicon Solar
Cell”, Appl. Phys. Lett., 55, 1363 (1989).
[13] W. Shockley and H.J. Queisser, “Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar
Cells”, J. Applied Physics, 32, 510 (1961).
[14] C.T. Sah, “Carrier Generation and recombination in p-n Junctions”, Proc. IRE, 45, 1228
(1957).
[15] A.S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 158
(1967).
[16] M.A. Green, Solar Cells, Prentice-Hall, 146 (1982).
[17] J.G. Fossum et al., “Physics Underlying the Performance of Back-Surface Filed Solar Cells”,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-27, 785 (1980).
[18] A.S. Grove, Physics and technology of Semiconductor Devices, New York, Wiley, 44 (1967).
[19] J.C. Tsai, Proc. IEEE-Photovoltaic Specialists Conf., U.S.A., 1499 (1969).
[20] J. Lindmayer and J.F. Allison, Proc. 9th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., U.S.A. 83 (1972).
[21] J.G. Fossum, F.A. Lindholm and M.A. Shibib, “The Importance of Surface recombination and
Energy Gap Narrowing in pn Junction Silicon Solar Cells”, IEEE Trans. Electron Devices, ED-
26, 1294 (1979).
[22] H.B. Serreze, “Optimizing Solar Cell Performance by Simultaneous Consideration of Grid Pattern
Design and Interconnect Configurations”, Proc. 13th IEEE Photovoltaic Specialists Conf,
Washington D.C., 609 (1978).
[23] G.A. Landis, “Optimization of Tapered Busses for Solar Cell Contacts”, Solar Energy, 22, 401
(1979).
[24] R.S. Scharlack, “The Optimization Design of Solar Cell Grid Lines”, Solar Energy, 23, 199
(1979).
1-141
[25] E.S. Heavens, Optical Properties of Thin Solid Films, Buterworths, London (1955).
[26] M.A. Green, Solar Cells, Prentice-Hall, 163 (1982).
[27] E.Y. Wang et al., “Optimal Design of Antireflection Coatings for Silicon Solar Cells”, Proc.
10th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Palo Alto, U.S.A., 168 (1973).
[28] M.A. Green, Solar Cells, Prentice-Hall, 96 (1982).
[29] M.A. Green, A.W. Blakers, J. Shi, E.M. Keler and S.R. Wenham, “19.1% Efficient Silicon
Solar Cell”, Appl. Phys. Lett., 44, 1163(1984).
[30] M.A. Green, A.W. Blakers and C.R. Osterwald, “Characterization of High-Efficiency Silicon
Solar Cells”, J. Appl. Phys., 58, 4402 (1985).
[31] M.A. Green, A.W. Blakers, S.R. Wenham, S. Narayanan, M.R. Willison, M. Taouk and T.
Szpitalak, “Improvements in Silicon Solar Cell Efficiency”, Proc. 18th IEEE PVSC, 39 (1985).
[32] A.W. Blakers and M.A. Green, “20.9% Efficiency Silicon Solar Cells”, Appl. Phys. Lett., 48,
215 (1986).
[33] M.A. Green, Z. Jianhua, A.W. Blakers, M. Taouk and S. Narayanan, “25% Efficient Low
Resistivity Silicon Concentrator Solar Cells”, IEEE Elec. Dev. Lett., EDL-7, 583 (1986).
[34] A. Wang, J. Zhao and M.A. Green, “24% Efficient Silicon Solar Cells”, Appl. Phys. Lett., 57,
602 (1990).
[35] C.M. Chong, S.R. Wenham and M.A. Green, “High-Efficiency, Laser Grooved, Buried Contact
Silicon Solar Cells”, Appl. Phys. Lett., 52, 407 (1988).
[36] A.K. Ghosh, C. Fishman and T. Feng, “Theory of the Electrical and Photovoltaic Properties of
Polycrystalline Silicon”, J. Appl. Phys. 51, 44 (1980).
[37] Ishikawa, et al., Proc. 3rd High Efficiency Solar cell Workshop, Toyama, Japan, 24 (1992).
[38] G.E. Pike and C.H. Seager, “The DC Voltage Dependence of Semiconductor Grain-Boundary
Resistance”, J. Appl. Phys., 50, 3414 (1979).
[39] P.H. Robinson and R.V. D’Aiello, “The Effect of Atomic Hydrogen Passivation on
Polycrystalline Silicon Epitaxial Solar Cells”, Appl. Phys. Lett., 39, 63 (1981).
[40] D.S. Ginley and D.M. Haaland, “Observation of Grain Boundary Hydrogen in Polycrystalline
Silicon with Fourier Transform Infrared Spectroscopy”, Appl. Phys. Lett., 39, 271 (1981).
[41] B.L. Sopori and S. Tsuo, “Hydrogen in Si: Diffusion and Defect Passivation”, Proc. 22nd IEEE
Photovoltaic Specialists Conf., Las Vegas, U.S.A., 833 (1991).
[42] T. Machida and T. Tsuji, “Efficiency Improvement in Polcrystalline Si Solar Cell with Grooved
Surface”, Proc. 22nd IEEE Photovoltaic Specialists Conf., Las Vegas, U.S.A., 1033 (1991).
[43] T. Warabisao, K. Matsukuma, S. Kokunai and H. Yagi, Proc. 11th European PVSEC (1992).
[44] A. Takayama, Proc. 3rd High Efficiency Solar cell Workshop, Toyama, Japan, 28 (1992).
[45] D. E. Carlson and C. R. Wronski, “Amorphous Silicon Solar Cell”, Appl. Phys. Lett., 28,
671(1976).
[46] D. E. Carlson and C. R. Wronski, “Amorphous Silicon Solar Cells”, U.S. Patent No.
4,064,521.
[47] D. E. Carlson, “Amorphous Silicon Solar cells”, IEEE Trans. Elec. Dev., ED-24, 449
(1977).
1-142
[48] Y. Hattori, D. Kruangam, K. Katoh, Y. Nitta, H. Okamoto and Y. Hamakawa, “Highly
Conductive Wide Band Gap p-type a-SiC:H Prepared by ECR CVD and Its Application to High
Efficiency a-Si Basis Solar Cell”, Proc. 19th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., New
Orleans, U.S.A., 689 (1986).
[49] Y. Hattori, D. Kruangam, T. Toyama, H. Okamoto and Y. Hamakawa, “High Efficiency
Amorphous Heterojunction Solar Cell Employing ECR CVD Produced p-type Microcrystalline
SiC Film”, Technical Digest of 3th Int. Photovoltaic Science & Engineering Conf. (PVSEC-3),
Tokyo, Japan, 171 (1987).
[50] D.Kruangam, P. Siamchai, W. Boonkosum and S. Panyakeow, “Integrated Type a-Si:H Solar
Cells Having Simple Configurations”, Technical Digest of 7th Int. Photovoltaic Science and
Engineering Conf. (PVSEC-7), Nagoya, Japan, 217 (1993).
[51] D. Kruangam and S. Panyakeow, “Study of Hydrogenated Amorphous Silicon for
Optoelectronic Devices”, Proc. 2nd Regional Symp. Optoelectronics, Jakarta, Indonesia, 11
(1989).
[52] ดุสิต เครืองาม และคณะ, รายงานการวิจัยฉบับสมบูรณเรื่อง “เซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิ-
คอน”, หองปฏิบัติการวิจัยสิ่งประดิษฐสารกึ่งตัวนํา ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟา จุฬาลงกรณมหาวิทยาลัย
เสนอสํานักงานคณะกรรมการวิจัยแหงชาติ (1990) 181 หนา.
[53] ดุสิต เครืองาม และคณะฯ, รายงานการวิจัยฉบับสมบูรณ, เซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอน,
หองปฏิบัติการวิจัยสิ่งประดิษฐสารกึ่งตัวนํา, ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟา, คณะวิศวกรรมศาสตร, จุฬาลง-
กรณมหาวิทยาลัย เสนอศูนยเทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกสและคอมพิวเตอรแหงชาติ (1993) 130
หนา.
[54] ดุสิต เครืองาม และคณะฯ, “เซลลแสงอาทิตยชนิดอะมอรฟสซิลิคอน”, การประชุมวิชาการของเนค-
เทค ครั้งที่ 4, โรงแรมอโนมา, กรุงเทพมหานคร, 190 (1992).
[55] Y. Hamakawa, “Recent Advance in PV Technology”, The Japan Industrial Journal, 9,
10(1996).
[56] ดุสิต เครืองาม, “สถานภาพเทคโนโลยีและอุตสาหกรรมเซลลแสงอาทิตยในปจจุบัน”, วิศวกรรมสารป
ที่ 42 เลมที่ 2, 65 (1989).
[57] H. Okamoto, Y. Nitta, T. Adachi and Y. Hamakawa, “Glow Discharge Produced Amorphous
Silicon Solar Cells”, Surface Scince, 86, 486 (1979).
[58] Y. Hamakawa editor, Japan Annual Reviews in Electronics, Computers & Telecommunications
(JARECT), Amorphous Semiconductor, North-Holland-OHM, 134 (1982).
[59] D. M. Pai and R. C. Enck, “Onsager Mechanism of Photogeneration in Amorphous Selenium”,
Phys. Rev. Lett., 11, 5163 (1975).
[60] Y. Hamakawa and H. Okamoto, Report of Special Research Project on Amorphous material and
Physics, 2, 196 (1980).
[61] I. Mort, A. Troup, M. Morgan, S. Grammatica, J. C. Knights and R. Lujan, “Geminate
Recombination in a-Si:H”, Appl. Phys. Lett., 38, 277 (1981).
[62] J. Dresner, B. Goldstein and D. Szostak, “Diffusion Length of Holes in a-Si:H by the Surface
Photovoltage Method”, Appl. Phys. Lett., 38, 998 (1981).
1-143
[63] R. S. Crandall, “Modeling of Thin Film Solar cells: Uniform Field Approximation”, J. Appl.
Phys., 54, 7176 (1983).
[64] M. Hack and M. Shur, “Physics of Amorphous Silicon p-i-n Solar cells”, J. Appl. Phys., 58,
997 (1985).
[65] R. J. Swartz, J. N. Park and G. B. Turner, “Numerical Modeling of a-Si:H Thin Solar cells”,
Technical Digest of 4th PVSEC, Sydney, Australia, 607 (1989).
[66] M. Shur, W. Czubatyj and A. Madan, J. Non-Crystalline Solids, 35 & 36, 731 (1980).
[67] T. Yamaguchi, H. Okamoto, S. Nonomura and Y. Hamakawa, “Study of Drift Type Photovoltaic
Effect in Amorphous Silicon p-i-n Junction Structure”, Proc. 2nd Photovoltaic Sci. & Eng.
Conf., Tokyo (1980), and Jpn. J. Appl. Phys., 20-2, 191 (1981).
[68] H. Okamoto, T. Yamaguchi and Y. Hamakawa, “A Study of Geminate Recombination Process in
Terms of p-i-n Basis Drift Type Photovoltaic Effects”, Proc. 15th Int. Conf. on the Physics of
Semiconductors, Kyoto (1980), and J. Phys. Soc. Japan, 49A, 1213 (1980).
[69] Electrical Society of Japan, Solar Cell Handbook, 72 (1985).
[70] J. H. Thomas and A. Catalano, “AES and XPS Analysis of the a-Si:H/SnO2 Interface: Evidence
of Plasma Induced Reaction”, Appl. Phys. Lett., 43, 101 (1983).
[71] C. Gianetti et al. “SnO2 Reduction by H-Bombardment and its Effects on SnO2/a-Si
Interfaces”, J. Non-Cryst. Solid, 115, 204 (1989).
[72] A. Catalano, B. W. Faughnan and A. R. Moore, “Effects of Low Level Boron Doping of the i-
layer Performance of a-SiC:H p-i-n Devices”, Solar Energy Materials, 13, 65 (1986).
[73] D. Kruangam, K. Hanaki, S. Nonomura, H. Okamoto and Y. Hamakawa, “Characterization of
Undoped Microcrystalline Silicon for Solar Cell Application”, Technical Digest of Int.
Photovoltaic Science & Engineering Conf. (PVSEC-1), Kobe, Japan, 437 (1984).
[74] A. Matsuda, “Formation Kinetics and Control of Microcrystalline in μc-Si:H From Glow
Dischrage Plasma”, J. Non-Cryst. Solids, 59&60, 767 (1983).
[75] Y. Tawada, M. Kondo, H. Okamoto and Y. Hamakawa, “Hydrogenated Amorphous Silicon
Carbide As a Window Material for High Efficiency a-Si Solar Cells”, Solar Energy Materials, 6,
299 (1982).
[76] Y. Tawada, M. Kondo, H. Okamoto and Y. Hamakawa, “a-SiC:H as a Window Material for
High Efficiency a-Si Solar Cells”, Solar Energy Materials, 6, 299 (1982).
[77] Y. Hamakawa and Y. Tawada, “Valency Control of Glow Discharge Produced a-SiC:H and Its
Application to Heterojunction Solar Cells”, Int. J. Solar Energy, 1, 125 (1982).
[78] Y. Kashima, S. Nonomura, H. Kida, K. Fukumoyo, H. Okamoto and Y. Hamakwa, “High
Quality a-Si Film Produced by Horizontal Plasma Furnace”, J. Non-Crys. Solids, 59&60, 755
(1983).
[79] Y. Kuwano, “A New Integrated Type Amorphous Si Solar Cell”, Jpn. J. Appl. Phys.,
supplement 20-2, 213 (1981).
[80] Y. Hamakawa, chapter 3 in Current Topics in Photovoltaics, T. H. Coutt, editor, Academic
Press, 111 (1985).
1-144
[81] D. Kruangam, W. Boonkosum and P. Siamchai, “Development of
Amorphous Si:H High-Voltage Solar Cell Based upon p-i-n Multi-
Layered Structrues”, Proc. 16th Conf. on Electrical Engineering,
King Mongkut Institute of Technology (Ladkrabang), Bangkok,
482 (1993).
[82] Y. Kuwano, M. Ohnishi, H. Nishiwaki, S. Tsuda, T. Fukatsu and H. Tarui, “Multi-Gap
Amorphous Si Solar Cells Prepared by the Consecutive Seperated Reaction Chamber Method”,
Proc. 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., New York, 1338 (1982).
[83] A. Catalano et al., “Research on Stable, High-Efficiency, Amorphous Silicon Multijunction
Modules”, SERI/TP-214-4405 (1991).
[84] J. Yang and S. Guha, “High Efficiency Multijunction Solar Cells Using a-Si and a-SiGe
Alloys”, Proc. 20th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., New York, 241 (1988).
[85] J. Yang, A. Banerjee and S. Guha, “An Amorphous Silicon Alloy Triple-Junction Solar Cell
with 14.6% Initial and 13.0% Stable Efficiencies”, Proc. Materials Research Society, Vol. 467:
Amorphous and Microcrystalline Silicon Technology, San Francisco, 693 (1997).
[86] S. Terazono, T. Ishihara and M. Aiga, “Amorphous SiGe Alloy Film and Its Application to High
Efficiency Triple Junction Solar Cells”, Optoelectronics-Devices and Technologies-, 2, 115
(1987).
[87] S. R. Ovshinsky, “Roll to Roll Mass Production Process for a-Si Solar Cell Fabrication”,
Technical Digest of 1st Int. Photovoltaic Science & Engineering Conf. (PVSEC-1), Kobe, 577
(1984).
[88] Y. Kuwano, H. Tarui, T. Takahama, M. Nishikuni, Y. Hishikawa, N. Nakamura, S. Tsuda, S.
Nakano and M. Ohnishi, “High Effiency a-Si Solar Cell with a Superlattice Structure p-Layer
and Stable a-Si Solar Cells with Reduced Si-H2 Bond Density”, J. Non-Crystalline Solids,
97&98, 289 (1987).
[89] S. Fujikake, H. Ohta, P. Sichanugrist, M. Ohsawa, Y. Ichikawa and H. Sakai, “a-SiO:H Films
and Their Applications to Solar Cells”, Optoelectronics-Devices and Technologies-, 9, 379
(1994).
[90] Y. Kishi, H. Inoue, H. Tanaka, M. Morizane, H. Shibuya, M. Ohnishi and T. Yazaki,
“Development of See-Through a-Si:H Solar Cell and Its Applications”, Technical Digest of 3rd
Int. Photovoltaic Science & Engineering Conf. (PVSEC-3), Tokyo, Japan, 569 (1988).
[91] M. Yamaguchi and Y. Itoh, “Efficiency Considerations for Polycrystalline GaAs Thin-Film Solar
Cells” J. Appl. Phys., 60, 413 (1986).
[92] L.C. Stuerke, Proc. 13th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 551 (1978).
[93] T.J. Coutts and M. Yamaguchi, “Current Topics in Photovoltaics”, Vol. 3, J. Coutts and J.D.
Meakin editors, Academic Press, 79 (1988).
[94] J.R. Tuttle, M. Contreras, D.S. Albin and R. Noufi, “Physical, Chemical and Structural
Modifications to Thin Film CuInSe2 Based Phovoltaic Devices”, Proc. 22nd IEEE Photovoltaic
Specialists Conf., Las Vegas, U.S.A., 1062 (1991).
[95] D.A. Jenny, J.J. Loferski and P. Rappaport, “Photovoltaic Effect in GaAs p-n Junctions and
1-145
Solar Energy Conversion”, Phys. Rev., 101, 1208 (1956).
[96] J.C.C. Fan, C.O. Bozler and R.L. Chapman, “Simplified Fabrication of GaAs Homojunction Solar
Cells with Increased Conversion Efficiencies”, Appl. Phys., 32, 390 (1978).
[97] J.M. Woodall and H.J. Hovel, “High Efficiency GaAlAs/GaAs Solar Cells”, Appl. Phys., 21,
379 (1972).
[98] S.R. Kurtz, J.M. Olson and A.E. Kibbler, Proc. 21st IEEE Photovoltaic Specialists Conf.,
Orlando, U.S.A., 138 (1990).
[99] M. Yamaguchi, C. Uemura and A. Yamamoto, “Radiation Damage in InP Single Crystals and
Solar Cells”, J. Appl. Phys., 55, 1429 (1984).
[100] S.M. Vernon and T.M. Dixon, “III-V Solar Cell Research at Spire Corporation”, Solar Cells,
27, 107 (1989).
[101] Y. Kadota, M. Yamaguchi, and Y. Ohmachi, “GaAs-on-Si Solar Cells”, Proc. of 4th Int.
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-4), Australia, 873 (1989).
[102] J.A. Bragagnolo, A.M. Barnett, J.E. Philips, R.B. Hall, A. Rothwarf and J.D. Meakin, “The
Design and Fabrication of Thin Film CdS/Cu2S Solar Cells of 9.15% Conversion Efficiency”,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-27, 645 (1980).
[103] N. Suyama, N. Ueno, K. Omura, and H. Takada, National Technology Report, Matsushita
Techno-Research, 32, 667 (1986).
[104] M. Konagai, “Present Status and Perspectives of Thin Film Solar Cells”, 2nd ASEAN
Renewable Energy Conf., Phuket, Thailand (1997).
[105] ดุสิต เครืองาม, “สถานภาพของเทคโนโลยีเซลลแสงอาทิตย”, วิศวกรรมสาร เลมที่ 2, 65 (1989).
[106] D. Kruangam, T. Endo, M. Deguchi, W.G. Pu, H. Okamoto and Y. Hamkawa, “Amorphous
Silicon Carbide Thin Film Light Emitting Diodes”, Optoelectronics Devices and Technologies, 1-
1, 67 (1986).
[107] Y. Hattori, D. Kruangam, K. Katoh, Y. Nitta, H. Okamoto and Y. Hamakawa, “Highly-
Conductive Wide Band Gap p-type a-SiC:H Prepared by ECR CVD and Its Application to High
Efficiency a-Si Basis Solar Cells”, Proc. 19th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., New Orleans,
U.S.A., 689 (1987).
[108] Y. Kuwano, M. Ohnishi, H. Nishiwaki, S. Tsuda, S. Fukatsu, T. Enomoto, K. Nakashima and
H. Tarui, Proc. 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., New York, U.S.A., 1338 (1982).
[109] L.D. Partain editor, Solar Cells and Their Applications, John Wiley & Sons, New York, 173
(1995).
[110] Y. Hamakawa and Y. Kuwano editors, Solar Energy Engineering, chapter 6, Baifukan, Japan
(1995).
[111] D. Kruangam, B. Ratwises, T. Sujaridchai and S. Panyakeow, “Novel Application of
Amorphous Silicon Flexible Solar Cell as Battery Charger for Personal Mobile Telephone”, Proc.
9th Int. Photovoltaic Science and Engineering Conf., Japan, 829 (1996).
1-146