บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด

• แนวความคิดของอะตอม
• การนํ าไฟฟ้ าในของแข็ง
• ความเข้าใจเกีย่ วกับคุณสมบัตขิ องตัวนํ า สารกึง่ ตัวนํ าและฉนวน
• แผนภาพแถบพลังงาน
• สารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์และไม่บริสทุ ธิ์
• กลไกการนํ ากระแสในสารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์
• รอยต่อ PN
• สมการไดโอด
• การไบแอส
• วงจรสมมูลไดโอด
• การวิเคราะห์วงจรไดโอด
• การประยุกต์ใช้งาน
• ไดโอดชนิ ดต่างๆ
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 1
 บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด
Part 1
• แนวความคิดของอะตอม
• การนํ าไฟฟ้ าในของแข็ง
• ความเข้าใจเกี่ยวกับคุณสมบัตขิ องตัวนํ า สารกึ่งตัวนํ าและฉนวน
• แผนภาพแถบพลังงาน
• สารกึ่งตัวนํ าบริสทุ ธิ์และไม่บริสทุ ธิ์
• กลไกการนํ ากระแสในสารกึ่งตัวนํ าบริสทุ ธิ์
• รอยต่อ PN
• สมการไดโอด
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 2
 แนวความคิดของอะตอม
สสารทุกชนิ ดประกอบด้วยส่วนย่อยพื้นฐานคืออะตอม
อะตอมหนึ่ งหน่ วยประกอบด้วยศูนย์กลางที่
เรียกว่า นิ วเคลียส(Nucleus) ซึ่งเป็ นอนุ ภาคที่มี
ประจุบวกคือโปรตอน(Protons) กับอนุ ภาคไร้
ประจุคอื นิ วตรอน(Neutrons) และรอบนอก
นิ วเคลียสจะมีอนุ ภาคลบคืออิเล็กตรอน
(Electron) เป็ นประจุลบวิ่งรอบนิ วเคลียสใน
แต่ละวงโคจร
• จํานวนอิเล็กตรอนในอะตอมหนึ่ งหน่ วย
คําถามโปรตอน(Protons) จะมีนํา
เท่ากับจํานวนของโปรตอนในอะตอมหนึ่ งหน่ วยนั้น
หนักมากหรือน้อยกว่าอิเล็กตรอน
• ค่าตัวเลขที่บอกจํานวนอิเล็กตรอนในอะตอมเรียกว่า
(Electron) ? กีเ่ ท่า
เลขเชิงอะตอม(Atomic Number)
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 3
 แนวความคิดของอะตอม
ตัวอย่าง แสดงสองอะตอมพื้นฐานคือ hydrogen และ helium.

Hydrogen Atom

Helium Atom
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 4
 แนวความคิดของอะตอม
บอห์รโมเดล(Bohr Model)
ค.ศ.1913

อิเล็กตรอนใน shell
รอบนอกสุดเรียกว่า
เวเลนซ์อเิ ล็กตรอน
Niels Henrik David Bohr (Valence electron)

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 5

 วัสดุโซลิดสเตต (Solid State Material)
• วัสดุโซลิดสเตต แบ่งได้ 3 ประเภทคือ ตัวนํ า สารกึ่งตัวนํ า และ ฉนวน
• การแยกวัสดุพจิ ารณาอย่างง่ายจากสภาพนํ าไฟฟ้ า หรือสภาพต้าน
• สารกึ่งตัวนํ ามีสภาพนํ าไฟฟ้ า หรือสภาพต้านอยู่ระหว่างตัวนํ าและฉนวน
• สภาพนํ าไฟฟ้ าเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิ แสง สนามแม่เหล็ก หรือ การเจือสารเจือปน
• ฉนวน คือสารที่ไม่สามารถนํ าไฟฟ้ าได้มีค่าสภาพต้านทาน ตัง้ แต่ 108 Ω ⋅ cm ขึ้นไป
• ตัวนํ า คือสารที่นําไฟฟ้ าได้มีค่าสภาพต้านทาน ตัง้ แต่ 10 −3 Ω ⋅ cm ลงมา
• สารกึง่ ตัวนํ า คือสารนํ าไฟฟ้ าได้ดีกว่าฉนวนแต่ดอ้ ยกว่าตัวนํ ามีค่าสภาพต้านทานระหว่าง
108 Ω ⋅ cm ถึง 10 −3 Ω ⋅ cm

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 6

 วัสดุโซลิดสเตต (Solid State Material)

โครงสร้างอะตอมของโลหะและสารกึง่ ตัวนํ า

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน

 สสารที่เป็ นของแข็ง/แถบพลังงาน
• อะตอมอยู่ใกล้ชิดกันมาก ทําให้อะตอมแต่ละตัวส่งแรงกระทําไปยังอิเล็กตรอนของอะตอมอืน่
ที่อยู่รอบข้างได้
• การอธิบายจะใช้ทฤษฎีแถบพลังงาน ซึ่งกล่าวว่าอิเล็กตรอนในระบบอะตอมสามารถมี
ระดับพลังงาน(Energy level)ได้หลายระดับแตกต่างกัน ระดับพลังงานจํานวนมาก
อาจจะอยู่ใกล้ชิดกันเป็ นแถบๆ ดังรูป

ระดับพลังงานจํานวนมากอาจจะอยู่ใกล้ชิดกันเป็ นแถบๆ นี้ เรียกว่า แถบพลังงาน(Energy band)

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 8
 แถบพลังงาน
• แถบพลังงานที่มีอเิ ล็กตรอนอยู่เต็มเรียกว่าแถบเวเลนซ์(Valence band)
• แถบพลังงานที่สูงขึ้นไปและในสภาวะปกติจะไม่มีอเิ ล็กตรอนอยู่เลยเรียกว่าแถบนํ า
(Conduction band) เพราะเมื่อที่เวเลนช์อเิ ล็กตรอนได้รบั พลังงานเพิม่ จนเลื่อนระดับ
ไปอยู่ในแถบนํ าแล้วสารชนิ ดนั้นจะมีคณ ุ สมบัตนิ ํ าไฟฟ้ า
• อิเล็กตรอนที่เลือ่ นระดับขึ้นไปในแถบนํ าเรียกว่า อิเล็กตรอนอิสระ(Free electron)
• ช่องว่างของพลังงานระหว่างแถบทัง้ สองเรียกว่า แถบช่องว่างพลังงาน(Energy gap)
หรือแถบต้องห้าม (Forbidden band)

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 9

แถบพลังงานในวัสดุ ฉนวน ตัวนํ า และสารกึ่งตัวนํ า

= 6eV

= 1eV

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 10

 แผนภาพของอะตอม Silicon และ Germanium
14 Atomic Number 32 Atomic Number
Si
28.09
Ge
Atomic Mass (g mol-1) 72.99 Atomic Mass (g mol-1)

Silicon Atom Germanium Atom

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 11
 ความต้านทาน

นํ าของแข็งที่มีความยาว L และมีพ้ นื ที่หน้าตัด A ไปป้ อนแรงดันด้วยแหล่งจ่ายจากภายนอก

L
1 ⎛L⎞
R= ⎜ ⎟
σ ⎝ A⎠ A
μn
E d
โดย
σ = qn μ n Siemens/cm V
p

เมื่อ σ คือ สภาพนํ า (conductivity) เป็ นพารามิเตอร์ท่แี สดงคุณลักษณะเฉพาะในการนํ าไฟฟ้ า

ของวัสดุ
μ n = ความคล่องตัวอิเล็กตรอน
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 12
 ค่าความคล่องตัวและสภาพนํ าไฟฟ้ า
จาก
⎡ 1 ⎛ L ⎞⎤ Vσ A
V = ⎢ ⎜ ⎟⎥ I I=
⎣ σ ⎝ A ⎠⎦ L
ความสัมพันธ์ตามกฎพื้นฐานของโอห์ม
I V
=σ
A L
ซึ่งทางด้านซ้ายมือสังเกตว่าเป็ นความเข้มของกระแส (J) มีหน่ วยเป็ นแอมแปร์แปรต่อหน่ วยพื้นที่
J = σξ

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 13

 สารกึง่ ตัวนํ า (Semiconductor)
สารกึ่งตัวนํ าแบ่งตามส่วนประกอบของธาตุ
• สารกึง่ ตัวนํ าประเภทธาตุเดี่ยว เป็ นธาตุในหมู่ท่ี IV เช่น Si , Ge
• สารกึง่ ตัวนํ าประเภทสารประกอบที่สร้างขึ้น เช่น GaAs
สารกึ่งตัวนํ าแบ่งตามจํานวนอิเล็กตรอนและโฮลในสารกึ่งตัวนํ าได้ดงั นี้
• สารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์(Intrinsic Semiconductor) คือสารกึ่งตัวนํ าที่มีจาํ นวนอิเล็กตรอน
เท่ากับจํานวนของโฮล
• สารกึง่ ตัวนํ าไม่บริสทุ ธิ์(Extrinsic Semiconductor) คือสารกึง่ ตัวนํ าที่มีจาํ นวนอิเล็กตรอน
ไม่เท่ากับจํานวนของโฮลแบ่งได้เป็ น 2 ชนิ ดคือ
• สารกึง่ ตัวนํ าชนิ ดเอ็น(n type Semiconductor) คือสารกึ่งตัวนํ าที่มีจาํ นวน
อิเล็กตรอนมากกว่าจํานวนของโฮล
• สารกึง่ ตัวนํ าชนิ ดพี(p type Semiconductor) คือสารกึง่ ตัวนํ าที่มีจาํ นวน
อิเล็กตรอนน้อยกว่าจํานวนของโฮล
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 14
 ผลึกสารกึง่ ตัวนํ า และการทําให้บริสทุ ธิ์
• ซิลกิ อนเป็ นธาตุท่ี มีมากที่สดุ ธาตุหนึ่ ง ในโลกประมาณ 25% เช่น ทราย ซึ่งประกอบ
ด้วย SiO2
• กระบวนการทําให้บริสทุ ธิ์ โดยนํ า SiO2 วางในเตาแบบอาร์กไฟฟ้ า
• เติมคาร์บอน(C) และเพิม่ อุณหภูมิจนถึง 2000 ๐C เพือ่ ทําปฏิกริ ยิ าเคมี จะได้โพลีซิลกิ อน
(Polysilicon) ที่บริสทุ ธิ์ 98%
• บดเป็ นผง และนํ าไปทําปฏิกริ ยิ ากับก๊าซ HCI ที่อณ ุ หภูมิ 300 ๐C จนกลายเป็ น ไทรคลอโร
ไซเลน (Trichlorosilane : SiHCI3) ซึ่งเป็ นของเหลว และ H2
• นํ า SiHCI3 ไปกลัน่ เพือ่ ทําให้บริสทุ ธิ์
• รีดิวซ์ดว้ ย H2 กลายเป็ น ซิลกิ อนระดับงานอิเล็กทรอนิ กส์ (Electronic grade silicon หรือ
EGS) ซึ่งมีความบริสทุ ธิ์ถงึ 99.9999999 %
• โพลีซิลกิ อนในลักษณะนี้ พร้อมที่จะใช้เป็ นวัตถุดิบในกระบวนการปลูกผลึกเพือ่ ทําให้เกิด เป็ น
ซิลกิ อนผลึกเดี่ยว ซึ่งสามารถนํ ามาใช้เป็ นวัตถุดิบในการผลิตสิง่ ประดิษฐ์สารกึง่ ตัวนํ า
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 15
 การผลิตซิลกิ อนให้เป็ นผลึกเดี่ยว
• การผลิตซิลกิ อนให้เป็ นผลึก
เดี่ยวจะต้องเติมชนิ ดและ
ปริมาณสารเจือปนตามกําหนด
• กระบวนการผลิตซิลกิ อนให้
เป็ นผลึกเดี่ยวที่นิยมทํามี 2 วิธี
1. วิธโี ซชาร์ลสกีCzochralski:CZ
พบเมื่อปี 1900 และนํ ามาใช้เมื่อ ปี
1950เป็ นวิธที ่งี า่ ย ผลึกมีเส้นผ่าศูนย์
กลางใหญ่ เติมสารเจือได้งา่ ยและ
ต้นทุนตํา่ ในวงจรรวมจะใช้ผลึกเดี่ยว
ที่สร้างด้วยวิธกี ารนี้
2. วิธี Float-zone(FZ) ใช้ปี 1952
ผลึกเดี่ยวมีความบริสทุ ธิ์สูง ผลึกที่ได้
มักใช้ผลิตอุปกรณ์เดี่ยวจําพวกกําลัง
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 16
 แผนภาพอะตอมของ Silicon และ Germanium
14 Atomic Number 32 Atomic Number
Si
28.09
Ge
Atomic Mass (g mol-1) 72.99 Atomic Mass (g mol-1)

Silicon Atom Germanium Atom

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 17
 พันธะโควาเลนต์(Covalent Bonds)
• การมีแรงพันธะที่ทาํ ให้อะตอมข้างเคียง 2 ตัวใช้อเิ ล็กตรอนร่วมกัน
เรียกว่าพันธะแบบโควาเลนต์ (covalent bonds) เช่นในซิลกิ อนดังรูป
• อะตอมศูนย์กลางจะใช้อเิ ล็กตรอนร่วมกับสีอ่ ะตอมใกล้เคียงด้วยพันธะแบบโควาเลนต์
เครือ่ งหมายลบแทนเวเลนช์
อิเล็กตรอนที่อะตอมใช้รว่ มกัน
เรียกว่าพันธะแบบโควาเลนต์

- บอนด์(Bond) คือการยึดเหนี่ยวของอะตอม
- โควาเลนซ์บอนด์ เป็ นการยึดเหนี่ยวของอะตอมโดยใช้วาเลนซ์อิเล็กตรอนร่ วมกัน
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 18
 การเกิดคู่อเิ ล็กตรอน-โฮล
• คู่อเิ ล็กตรอน-โฮลในผลึกซิลกิ อน อิเล็กตรอนอิสระจะถูกสร้างอย่างต่อเนื่ อง

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด
เนื่ องจากจํานวนอิเล็กตรอนและโฮลใน
ผลึกซิลกิ อนบริสทุ ธิ์มีจาํ นวนเท่ากัน
ดังนั้นถ้าให้
ni = จํานวนอิเล็กตรอนต่อหน่ วย
ปริมาตรของสารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์
pi = จํานวนโฮลต่อหน่ วย
ปริมาตรของสารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์
แล้ว ni ≅ pi
อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 19
 การนํ าไฟฟ้ าของสารกึ่งตัวนํ าบริสทุ ธิ์
• เมื่อมีการกระตุน้ ทําให้อเิ ล็กตรอนหลุดจากพันธะกระโดดไปชัน้ แถบนํ า ทําให้เกิดช่องว่างคือโฮล
(hole) ในแถบเวเลนต์ ซึ่งการเกิดคู่อเิ ล็กตรอน-โฮลขึ้นนี้ ทําให้จาํ นวนอิเล็กตรอนเท่ากับโฮลซึ่ง
เป็ นคุณสมบัตสิ ารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์ และอิเล็กตรอนและโฮลนี้ มีผลต่อการนํ าไฟฟ้ า

Energy Diagrams Bonding Diagrams

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 20
 การนํ าไฟฟ้ าสารกึ่งตัวนํ าบริสทุ ธิ์
กระแสอิเล็กตรอนในซิลกิ อนบริสทุ ธิ์ เกิดขึ้นจากการเคลื่อนที่ของเล็กตรอนอิสระ
เนื่ องจากความร้อน และสนามไฟฟ้ า
สนามไฟฟ้ า
กระแส

•ดังนั้นกระแสของสารกึ่งตัวนํ าเกิดจากสองสาเหตุคอื
1. กระแสพัดพาจากการอิทธิพลของสนามไฟฟ้ าเช่นเดียวการนํ าไฟฟ้ าในโลหะ
2. กระแสที่เกิดจากการแพร่กระจายของพาหะประจุในสารกึ่งตัวนํ าจากความหนาแน่ น
มากไปยังที่มีความหนาแน่ นน้อยกว่า
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 21
 การนํ าไฟฟ้ าสารกึ่งตัวนํ า
สมการของไอนสไตล์(Einstein equation)
การพัดพาและการแพร่ของพาหะประจุในสารกึง่ ตัวนํ ามีความสัมพันธ์กบั อุณหภูมิ
ทําให้ความคล่องตัวและค่าคงตัวการแพร่กระจายมีความสัมพันธ์กนั ดังนี้

KT
VT =
q
โดยที่ k เป็ น ค่าคงตัวโบท์แมน (Boltzmann’s constant)
ค่าคงที่โบท์แมน เท่ากับ 1.38 × 10-23 J/K
T คืออุณหภูมิท่สี มบูรณ์
VT ซึ่งเรียกคุณสมบัตนิ ้ ี ว่า แรงดันเชิงความร้อน (thermal voltage)
ุ หภูมิหอ้ ง VT มีค่าประมาณ 1/40V หรือ 25 mV หรืออาจจะใช้ 26 mV
ที่อณ
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 22
 สารกึ่งตัวนํ าไม่บริสทุ ธิ์ (Extrinsic Semiconductor)
• สารกึ่งตัวนํ าที่มีการเติมสารเจือปน(Impurity)เพือ่ ให้มสี ภาพนํ าไฟฟ้ าสูงกว่า สารกึ่ง
ตัวนํ าบริสทุ ธิ์
• สารเจือปนชนิ ดตัวให้(Donor impurity) นิ ยมใช้คอื ธาตุท่มี ีเวเลนซีเท่ากับ 5
เช่นพลวง(Sb) สารหนู (As)และ ฟอสฟอรัส(P) ทําหน้าที่เพิม่ อิเล็กตรอนอิสระให้แก่
ระบบอะตอมเรียกสารเจือ
• สารเจือปนชนิ ดตัวรับ(Acceptor impurity) นิ ยมใช้คอื ธาตุท่มี ีเวเลนซีเท่ากับ 3
เช่นโบรอน(B) อะลูมิเนี ยม(Al)และ อินเดียม(In) ทําหน้าที่เพิม่ โฮล (รับอิเล็กตรอน
แทนที่กไ็ ด้)ให้แก่ระบบอะตอม 50
(พลวง-Sb) Sb

5
B
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 23
 สารกึ่งตัวนํ าชนิ ดเอ็น (n type Semiconductor)
• คือสารกึ่งตัวนํ าที่เติมสารเจือปนที่มีเวเลนซี 5 เช่นพลวง(Sb)ลงในระบบอะตอม
สารกึ่งตัวนํ าบริสทุ ธิ์ท่มี ีเวเลนซี 4 ตัว
• การสร้างพันธะร่วมกับอิเล็กตรอน 4 ตัวของสารกึ่งตัวนํ าบริสทุ ธ์ เช่น ซิลกิ อน4 จะ
ทําให้อเิ ล็กตรอนตัวที่ 5 ของสารเจือไม่สามารถสร้างพันธะได้ทาํ ให้หลุดจากอะตอม
ได้งา่ ย
อิเล็กตรอนตัวที่ 5 ที่หลุดออกจากอะตอมสารเจือปน จะกลายเป็ นอิเล็กตรอนอิสระ
• สารกึ่งตัวนํ าชนิ ดเอ็น พาหะส่วนใหญ่(Majority carrier)เป็ นอิเล็กตรอนอิสระ
และพาหะส่วนน้อย(Minority carrier)เป็ นโฮล

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 24

 สารกึ่งตัวนํ าชนิ ดเอ็น (n type Semiconductor)

พลวง(Sb)

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 25

 สารกึ่งตัวนํ าชนิ ดพี (p type Semiconductor)
• คือสารกึง่ ตัวนํ าที่เติมสารเจือปนที่มีเวเลนซี 3 เช่นโบรอน(B)ลงในระบบอะตอมสารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธิ์ท่มี ี
เวเลนซี 4 ตัว
• การสร้างพันธะร่วมกับอิเล็กตรอน 4 ตัวของสารกึง่ ตัวนํ าบริสทุ ธ์ เช่น ซิลกิ อน 4 จึงขาดอยู่พนั ธะหนึ่ งทํา
ให้เกิดโฮลขึ้น
• ดังนั้นสารกึง่ ตัวนํ าชนิ ดพี พาหะส่วนใหญ่(Majority carrier)เป็ น โฮล และพาหะส่วนน้อย(Minority
carrier)เป็ นอิเล็กตรอนอิสระ

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 26

 ไดโอด(DIODES)
ไดโอดเป็ นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนํ าเส้นพื้นฐานที่มีโครงสร้างจากรอยต่อสารกึ่ง
ตัวนํ าชนิ ดเอ็นและพี และเป็ นพื้นฐานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนํ าทุกชนิ ด เช่น
MOSFETS, JFETS, Bipolar Transistors, solar cells,……

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 27

 Typical diode packages with terminal identification.

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 28

 โครงสร้างพื้นฐานของไดโอด
พาหะที่เกิดในรอยต่อ พีเอ็น
รูปแสดงโครงสร้างพื้นฐานของไดโอดที่แสดงเฉพาะพาหะข้างมาก(majority)
และพาหะข้างน้อย(minority)

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 29

 คุณลักษณะรอยต่อพี-เอ็น(PN junction)
e ทีข่ า้ มมากลายเป็ นพาหะข้างน้อย xd สูญเสีย e แสดงอํานาจไฟฟ้ าบวก
และรวมตัวกับประจุอน่ื ๆ xp xn (ประจุบวกไอออนตัวให้ท้งิ ไว้)
P-type N-type
เมือ่ สมดุลจะ
เป็ นกลาง
- h + เมือ่ สมดุลจะ
เป็ นกลาง
e

การแพร่ ซึม(diffusion) เกิดสนามไฟฟ้ าข้ามรอยต่อส่งแรงกระทําต่อ

การพัดพา(drift)เนื่องจากสนามไฟฟ้ า พาหะส่วนน้อยเพือ่ พัดพาไปได้/ทําให้สนาม
อ่อนลงได้
ทํ าให้เกิดกํ าแพงศักย์ (voltage barrier)
ต้านการแพร่ของพาหะข้างมากทัง้ e และ h

ประจุบวกของไอออนตัวให้
ประจุลบของไอออนตัวรับ
โฮล อิเล็กตรอน
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 30
 การให้ไบอัสตรงแก่รอยต่อพี-เอ็น
xd
xp xn
P-type N-type

Vo

V ID
v vo
vo-v

VD
0.7
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 31
 สัญลักษณ์ สมการกระแส ของไดโอด
สัญลักษณ์

สมการไดโอด
เจอร์เมเนี ยม n = 1
ซิลกิ อน n = 2
โดยที่

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 32

 Depletion width
การให้with Reverse
รอยต่Bias
ไบอัสตรงแก่ อพี-เอ็ofน PN junction
xd
xp xn
P-type

VD
แรงดันพังทลาย
(Breakdown Voltalge)

ID
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 33
 การทดสอบโอด

http://www.youtube.com/watch?v=b8gPSKpbXQs&feature=PlayList&p=5DE3ED5D
7122A8EE&playnext_from=PL&playnext=1&index=13

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 34

 สัญลักษณ์ สมการ และกราฟคุณลักษณะของไดโอด
Forward Bias:

Reverse Bias:

breakdown voltage,
VZ. 2 V <VZ<2000 V

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 35

 สั มประสิ ทธิ์อุณหภูมขิ องไดโอด
แรงดันไดโอดขณะไบแอสตรง(forward bias)

สําหรับไดโอดชนิ ดซิลกิ อนทัว่ ไป:

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 36

 วงจรไดโอด (Diode Circuits)
วงจรไดโอดเบื้องต้นดังรูป สามารถเขียนสมการไดโอดและสมการเส้นภาระงานได้คอื

I D (t ) = I S eVD VT

VDD − VD
ID =
R

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน

 วงจรสมมูลไดโอดในโปรแกรม SPICE
Diode SPICE Model วงจรสมมูลไดโอดในโปรแกรม PSPICE

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 38

 ไดโอดในอุดมคติ

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 39

 การวิเคราะห์วงจรไดโอด
การวิเคราะห์ในแบบวิธดี ีซีของวงจรที่แทนด้วยไดโอดในอุดมคติ
ขัน้ ตอนการวิเคราะห์ดงั นี้
• คาดคะเนสถานะของไดโอดทุกตัว
• เขียนวงจรใหม่โดยแทนด้วยการลัดวงจรสําหรับไดโอดที่ ON และแทนด้วยการเปิ ดวงจร
สําหรับไดโอดที่ OFF
• วิเคราะห์วงจรหากระแสที่ให้ผ่านไดโอดที่แทนด้วยวงจรลัดวงจร และหาแรงดันตกคร่อม
ไดโอดที่แทนด้วยวงจรเปิ ด
• ตรวจสอบความถูกต้องของสถานะไดโอดทุกตัว ที่เราสมมติไว้ในวงจร ถ้ามีจุดใดที่คา้ น
กับที่ได้สมมติไว้ เช่น กระแสเป็ นลบในไดโอดที่ ON หรือแรงดันบวกตกคร่อมที่ไดโอดที่
OFF ให้กบั ไปทําขัน้ ที่ 1. โดยปรับปรุงการคาดคะเนใหม่
• เมื่อไม่มีขอ้ ขัดแย้งใด ๆ แล้ว แรงดันและกระแสที่คาํ นวณได้ในวงจร จะใกล้เคียงกับค่า
จริงเพือ่ สามารถเข้าใจได้ดีย่งิ ขึ้นให้พจิ ารณาจากตัวอย่างต่อไปนี้

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 40

 วิเคราะห์ไดโอดในอุดมคติ
ตัวอย่างที่1 จากวงจรในรูปสมมติว่าเป็ นไดโอดในอุดมคติ จงหา VA ในวงจร
การหาคําตอบ กระแสไหลเข้าจุด A จึงทําให้จุด A เป็ นบวก ถ้าเราคาดคะเนว่าไดโอด ON
+12V +12V
12 − ( −8)
iD = = 2mA
10k
10kΩ 10kΩ 10kΩ
VA +12V VA VA
A
iD
8V C
-8V -8V

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 41

 การวิเคราะห์วงจรไดโอดในอุดมคติ
ตัวอย่างที่2 วงจรในรูป ก ถ้าไดโอดเป็ นไดโอดในอุดมคติหา VC
การหาคําตอบ สมมติว่าไดโอด ON เขียนวงจรได้ดงั รูป ข และลัดวงจรใหม่เขียนแทนด้วย
แหล่งจ่ายเธวินินด้านขาแอโนดของไดโอด ดังรูป ค และจากรูปนี้ แสดงให้เห็นว่ากระแสเป็ นลบ
แสดงว่าเราสมมติผิดจึงกลับไปสมมติใหม่
สมมติใหม่ โดยให้ไดโอด OFF ดังรูปที่ ง จากรูปจะได้ iD=0 และหาแรงดันที่ VA=5
และ VC=6 ดังนั้น VD=VA-VC= -1V เพราะฉะนั้นจากวงจรจะได้ VC=5-(-1)=6V

+10V +10V
2.5kΩ iD 2.5kΩ
5kΩ 5kΩ
iD
vc vD vc
vc vc A C A C
A C
5kΩ 5kΩ
5V 5kΩ 5V 5kΩ
5kΩ 5kΩ
6V 6V
6V 6V

ก. ข. ค. ง.
บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 42
 การวิเคราะห์วงจรไดโอดในอุดมคติ
ตัวอย่างที่3 จงหาจุดทํางาน(Q-Point: ID, VD) ของวงจรโดยสมมุตวิ ่าเป็ นไดโอดในอุดมคติ
การหาคําตอบ
• สมมุตไิ ดโอดทัง้ สองตัว ON
• แทนไดโอดด้วยวงจรสมมูลอุดมคติได้รูป ข.
• คํานวณหากระแส I1 ก.
,
ใช้ KCL
ข.
ดังนั้นจุดทํางานของ D1 และ D2 ขณะนี้ คือ
และ
แต่ ID1 เป็ นลบ แสดงว่ามันต้อง OFF ต้องแทนวงจรใหม่ตามรูป ค. และคํานวณใหม่

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 43

 การวิเคราะห์วงจรไดโอดในอุดมคติ
• จากรูป ค. สังเกตว่า D1 เปิ ดวงจร
• ทําให้ ID1=0 ดังนั้น I1 = ID2
• ใช้ KVL
ค.

หาแรงดัน VD1

ดังนั้นจุดทํางานของไดโอดที่ถกู คือ
ดังนั้นแสดงว่า D1 ไม่ทาํ งานหรือ OFF
ส่วน D2 ทํางาน หรือ ON D1: (0 mA, -1.67 V):off
D2: (1.67 mA, 0 V) :on

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 44

 วงจรสมมูลแบบออฟเซต
วงจรสมมูลแบบออฟเซต
• ที่ iD ≥ 0 จะต้องมีแรงดันออฟเซตเกิดขึ้นเช่นเดียวกับไดโอดจริง ๆ
• แรงดันออฟเซตมักจะประมาณเท่ากับแรงดันที่รอยต่อพี-เอ็น
• แรงดันออฟเซตจะมีค่าเท่ากับ 0.7V สําหรับซิลกิ อน , 0.25V สําหรับเยอรมันเนี ยม
และ 1.2V สําหรับแกลเลียมอาเซไนด์
iD
A
ON vD iD
A ON
iD C
vD vD
OFF 0 V
D
C OFF A
Si GaAs Ge vD
VD(volt) 0.7 1.2 0.25 C

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 45

 วิเคราะห์ไดโอดวงจรสมมูลแบบออฟเซต
ตัวอย่างที่4 จากวงจรในรูปสมมติว่าเป็ นไดโอดในอุดมคติ จงหา VA ในวงจร
การหาคําตอบ สมมติว่าไดโอด ON ดังนั้นแทนด้วยวงจรสมมูลแบบออฟเซต จะได้วงจรดังรูป ข.
พิจารณาทิศทาง iD แล้วหาแรงดันโดย KVL จะได้
+12V +12V
VA= -8+0.7= -7.3V iD

12 − ( −7.3 ) 10kΩ 10kΩ 1.93mA

i D= = +193
. mA VA VA
10kΩ A
iD
C 0 0.7 vD
-8V -8V

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 46

 วงจรสมมูลในทางปฏิบตั ิ
วงจรสมมูลในทางปฏิบตั ิ
• ที่ iD ≥ 0 จะต้องมีแรงดันออฟเซตเกิดขึ้นเช่นเดียวกับไดโอดจริง ๆ
• ใช้แรงดันค่าหนึ่ งที่เพียงพอที่จะทําให้กระแสเริ่มไหล เรียกแรงดันที่จุดนี้ ว่า
แรงดันคัทอิน Vγ (cut-in voltage) ของไดโอด
• การประมาณว่าไดโอด ON จะแทนด้วยความต้านทาน rf อนุ กรมกับ Vγ
Vγ = 0 .7 + VT ln(0 .001) ≈ 0 .5V
iD A
ON 1 A rf
rf iD ON
vD
OFF กราฟจริ ง ๆ
C Vγ
0 V vD
γ C

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน 47

 การใช้งานไดโอด
ตัวเรียงกระแสแหล่งจ่ายกําลัง(Power Supplies Rectifier)

AC DC DC DC output
Correct Pulsating Smoothed
Power
Line
AC Load
Transformer Rectifier Filter Regulator

ไดอะแกรมแหล่งจ่ายกําลัง (Power Supplies)

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน

 ตัวเรียงกระแส(Rectifier)

ตัวเรียงกระแสมีสามชนิ ดใหญ่ ๆ คือ

1. ตัวเรียงกระแสแบบครึ่งคลืน่ (Half Wave Rectifier)
2. ตัวเรียงกระแสแบบเต็มคลื่น (Full Wave Rectifier)
3. ตัวเรียงกระแสแบบครึ่งคลืน่ (Bridge Rectifier)

ตัวเรียงกระแสแบบครึ่งคลืน่ (Half Wave Rectifier)

Vm = 2Vrms Vm − VD
220Vrms

0 π 2π 3π 4π
180o 360o 540o 720o
VL
π 2π 3π 4π
o
180 360 540 720o
o o

บทที่ 2 สารกึ่งตัวนํ าและไดโอด อิเล็กทรอนิกส์พ้นื ฐาน ผศ.พิชญ์สนิ ี มะโน