Professional Documents
Culture Documents
Poster Sunumlari
Poster Sunumlari
POSTER
SUNUMLARI
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P1
(C27H25N3S) kapalı formülü ile verilen yeni kristal yapı, 1H NMR, 13C NMR, IR, UV-Vis
spektroskopi ve tek kristal X-ışını kırınımı yöntemleriyle sentezlenip, yapısı aydınlatılmıştır.
Bileşik, monoklinik, P21/c uzay grubunda kristalize olmuştur ve yaklaşık olarak 0.5:0.5
oranında ikizlenmiştir. X-ışını deneyinden elde edilen moleküler geometri ve dimerik yapıya
ek olarak, hesaplamalı yöntemlerden ab initio metodu kullanarak, taban durumda monomer ve
dimer halleri için optimize moleküler geometrileri, titreşim frekansları, Mullikan yük
dağılımları ve HOMO, LUMO öncü orbital enerjileri hesaplatılmıştır. Hesaplamalarda,
Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (B3LYP) ve Hartree- Fock metodu kullanılarak elde edilen
sonuçların deneysel değerlerle karşılaştırması yapılmış, baz setleri olarak 6-31G(d, p) ve 3-
21G seçilmiştir. Ayrıca, deneysel olarak kristal yapı aydınlatılırken, moleküller arası N–H...N
hidrojen bağının kristal paketlenmeyi dengelediği görülmüştür ve sonuç olarak, bu hidrojen
bağının titreşim frekanslarına etkisi araştırılmış, teorik ve deneysel yoldan elde edilen verilerin
birbiriyle uyum içinde olduğu bulunmuştur.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P2
İbrahim Mutlay1,2
1
Kimya Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
2
Hayzen Mühendislik, Ağaç İşleri San. Sit. 521. sok. No: 39, İvedik OSB, Ankara
Tekstil malzemeleri, polimer zincirleri, canlı dokular, proteinler vb. çok geniş bir aralıkta
değişen sayısız örneğin mikroyapısı polimerik lifli sistemlerden oluşmaktadır. Proteinlerin
zincirli/lifli katlanma mekanizmaları biyofiziğin en önemli sorunlarındandır. Öte yandan
tekstil yapıları günümüz teknolojisinin temel malzemelerinden biri olup gündelik giyim
dışında uzay-havacılıkta kompozit malzemeler gibi stratejik uygulama sahalarına sahiptir.
Konunun verilen önemine rağmen lifli yapıları açıklamada maalesef yakın zamana kadar basit
mekanik ve geometrik yaklaşımlar kullanılmış ve bekleneceği üzere oluşturulan modeller
oldukça yetersiz kalmıştır. Bunun üzerine son dönemde, topolojik kavramları ve gerçekçi
mekanik yaklaşımları esas alan modeller geliştirilmesi hususunda çalışmalar başgöstermiştir.
Mevcut çalışmada lifli demetlerin mekanik davranışı için çokölçekli bir model geliştirilmiştir.
Bu maksatla liflerin topolojisi ≥ 2 mertebeli eğriler ve yönlenmiş ortonormal çerçeveler
kullanılarak tanımlanmıştır. Liflerin eğilme, burulma ve uzama davranışını bir arada veren bir
Hamiltonyan terimi önerilmiştir. Ardından, tanımlanan bireysel liflerden kurulu bir lif demeti
elde edebilmek için gerekli topolojik simetri bağıntıları tartışılmıştır. Lif demetine ait
Hamiltonyan terimi, bireysel lif Hamiltonyanı ve lifler-arası etkileşimler göz önünde
bulundurularak ortaya konmuştur.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P3
Rashba spin-orbital etkileşmesi dikkate alınarak et kalınlıklı içi boş silindir şeklinde olan Kane
tipi yarıiletkenin yüzeyindeki elektronun enerji spektrumu, balistik iletkenliği hesaplandı.
Elektronun enerji spektrumu, Rashba spin-orbital sabitinin işaretine bağlı olarak değişimini
inceledik. Elektronun enerji spektrumu iki dala sahiptir. Rashba parametresinin büyük
değerlerinde enerjinin bir dalında iki minimum, bir maksimum oluşur. Bu ekstremumları dış
magnetik alanla kontrol etmek mümkündür. Ekstremumların oluşması balistik iletkenliğin
Fermi enerjisine bağlı değişiminde monoton olmayan aralıklar oluşmasına sebep olur. Balistik
iletkenliğin Fermi enerjisine bağlı olarak değişimi mutlak sıfır sıcaklığında ve sıfırdan farklı
sıcaklıklarda araştırılmıştır. Elektronların g-faktörünün Rashba spin-orbital etkileşme
parametresine bağlı olarak değişimi lineerdir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P4
Safsızlık potansiyelinin etkisi sistematik bir şekilde çalışılarak, tam sayılı kuantize Hall etkisi
üzerindeki etkileri incelenmiştir. Safsızlıkların (impurity) nümerik araştırması yapılıp, üç
boyutta Poisson eşitliği çözülmüştür. Safsızlık erimi açısından, düzensizlik (disorder)
potansiyeli ile uzun ve kısa erim potansiyeli özellikleri ayrı ayrı incelenmiştir. Basit ve aynı
zamanda temel olan Thomas Fermi dielektrik fonksiyonunu kullanarak uzun erim düzensizlik
potansiyelinin iyi perdelenmiş olduğu ve kısa erim kısmının zayıf olduğu gösterilmiştir. Plato
genişliğinin temelde düzensizlik potansiyelinin uzun erimli salınımlarına bağlı olduğu
bulunmuştur.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P6
Bu çalışmada, GeI2 bileşiğinin fluorite (C1), ideal β-Cristobalite (C9), Rutile (C4), PbCl2
(C23), hexagonal omega (C32) ve CdI2 fazları VaSP (ab initio/LDA) program paketi
kullanılarak incelendi. En kararlı durumun CdI2 fazı olduğu ve örgü sabitinin deneysel değerle
uyumlu olduğu görüldü. Bu faza ait elastik sabitleri “Zor-Zorlama (Stress-Strain)” yöntemi
kullanılarak ilk kez bu çalışmada hesaplandı. Elektronik band yapısı ve durumlar yoğunluğu
(DOS) CdI2 yapı için çizildi. Ayrıca bu bileşiğin kohesif enerji değeri tahmin edildi. Fonon
frekansları temel simetri yönlerinde “Direct Method” yöntemi kullanılarak ilk kez hesaplandı.
Daha sonra fonon frekanslarından elde edilen veriler yardımıyla bazı termodinamik
özelliklerin (Entalpi, Etropi, Isı kapasitesi, İç enerji ve Serbest Enerji) sıcaklıkla değişimi
incelendi. Elde edilen sonuçlar yorumlandı.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P7
Tl2In2S3Se katmanlı tek kristallerin optik özellikleri, geçirgenlik ve yansıma ölçümleri yoluyla
450-1100 nm dalga boyu aralığında incelendi. Soğurma verilerinin analizi sonucunda kristalin
2.16 eV luk indirekt bant genişliği ve 2.42 eV luk direkt bant genişliğine sahip olduğu tespit
edildi. Yansıma indeksinin dağılımı Wermple-DiDomenico tekli-efektif-salınım modeli
vasıtasıyla incelendi. Yansıma indeks parametreleri olan: salınım energisi, dispersiyon
energisi, salınım tesir derecesi ve sıfır-frekanslı yansıma indeksi sırasıyla 4.78 eV, 43.58 eV,
13.18 × 1013 m-2 ve 3.18 olarak tespit edildi. X-ışınımı ölçümleri yardımıyla monoklinik birim
hücrenin parametreleri bulundu.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P9
(Z)-6-[(5-Chloro-2-hydroxyphenyl)aminomethylene]-2-
ethoxycyclohexa-2,4-dienone molekülün Kristalografik ve Kuramsal
Analiz Çalışması
Şekil 1
Kaynaklar:
[1] Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT
06492, USA.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P10
Teşekkür:
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından 061039
nolu projesi olarak desteklenmektedir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P11
Sol jel spin kaplama metodu ile elde edilen ZnO yarıiletken filminin
fiziksel özellikleri üzerine kalay katkısının etkisi
Bu çalışmada, katkısız ve %5 Sn katkılı ZnO filmleri cam alttaşlar üzerine sol jel spin kaplama
metodu kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kristalografik özellikleri, yüzeysel
yapısı ve optik özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin polikristal ve
hekzagonal yapıda oldukları gözlenmiştir. Filmlerin tanecik boyutu ve yapılanma katsayısı
hesaplanmıştır. SEM fotoğraflarından, ZnO filminin kırışık-ağ yapıda olduğu ve aynı yapının
%5 Sn katkılı ZnO filminde de korunduğu, ancak tetragonal yapıda parçacıkların oluştuğu
belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin geçirgenlik ve specular-yansıma ölçümlerinden
yararlanılarak, optik bant aralıkları, Urbach enerjileri ve optik sabitleri hesaplanmıştır.
Filmlerin kırılma indisi ve sönüm katsayısı Sn katkısına bağlı olarak incelenmiştir.
Teşekkür:
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından 061039
nolu projesi olarak desteklenmektedir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P12
Son yıllarda, düşük elektriksel özdirence ve görünür bölgede yüksek optik geçirgenliğe sahip
geniş bant aralıklı yarıiletken malzemelerden meydana gelen ve optoelektronik cihazlarda
yaygın kullanım alanlarına sahip saydam iletken oksit (TCO) filmlerin üretilmesi ve fiziksel
özelliklerinin incelenmesi üzerine pek çok çalışma yapılmaktadır. Bu çalışmada da, TCO
sınıfına ait bir malzeme olan katkısız ve %2, 4 ve 6 oranında Co katkılı ZnO filmleri,
yarıiletken film üretimi için uygun ve ekonomik bir teknik olan Ultrasonik Kimyasal
Püskürtme (UKP) Tekniği ile 275±5 °C taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerine
elde edilmiştir. Elde edilen tüm filmlerin XRD ile yapısal ve SEM ile yüzeysel özellikleri
incelenmiş olup elemental analizleri EDS ile yapılmıştır. XRD incelemeleri sonucunda tüm
filmlerin polikristal yapıda oluştukları belirlenmiş olup, katkısız ZnO filmlerinin kristalleşme
düzeylerinin iyi olduğu ve Co katkısına bağlı olarak filmlerin kristalleşme düzeylerinin biraz
kötüleştiği görülmüştür. Ayrıca, XRD desenlerinden faydalanılarak tüm filmler için yapılanma
katsayıları, yarı pik genişlikleri, tane büyüklükleri ve dislokasyon yoğunlukları gibi bazı
yapısal parametreler hesaplanmış ve bu parametreler üzerine Co katkısının etkisi
araştırılmıştır. SEM görüntülerinden de film yüzeylerinin hemen hemen homojen olduğu
belirlenmiştir.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-108T500 numaralı proje ile desteklenmektedir.
Verdiği destekten dolayı TÜBİTAK’a teşekkür ederiz.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P15
I.N.Askerzade1,2 , Ş. Emrah1
1
Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, 06100, Tandoğan, Ankara, Turkiye
2
Azerbaycan Bilimler Akademisi, Fizik Enstütü, Bakü- AZ1143, Azerbaycan
Josepson eklemi ve interferometerler bazındakı kuantum bitler son yıllar yogun ilgi
görmektedir. Süperietken kuantum bitlerin özellikjleri Hamiltonian formalizmi kapsamında
¶
araştırıla bilir. Bu yaklaşımda Cooper çiftlerinin sayı operatoru n̂ için n̂ = -i ifadesi
¶j
kullanıla bilir, burada f Josephson fazıdır/1,2/. Süperiletken tek eklemli interferometer
için uygun hamiltonian aşagıdakı gibi yazılabilir:
(j - je )2 hI c (2e)2
H = EC nˆ 2 - EJ cos j + EJ , burada EJ = -Josephson alakası, EC = -
2l 2e 2C
2pLI c
Coulomb enerjisi, l= -normalizasyon yapılmş süperiletken ilmeğin induktansı,
F0
F 0 magnetik akının kuantumu. Perturbasion yaklaşımı kullanılarak taban durumunun
L
yarılması için DE ifade elde edilmiştir. Gösterilmiştir ki, DE parametresi ve F e dış
LF
F0 2 1
manyetik akı ile belirlenmektedir, burada LF = ( ) kuantum fluktuatuason induktansı,
p hw
1
w= ise harmonik salınganın frekansıdır. Elde edilen sonuçlar kuantum bitlerin
LC
kontrölu /3/ ve onların farklı fiziksel büyüklüklere duyarlılığını araştırma için önemlidir.
Referanslar
Bu çalışmada, güneş pili yapılarında soğurucu katman olarak kullanılmak üzere CuIn1-x GaxSe2
(CIGS) yarıiletken ince filmler ısısal buharlaştırma tekniği kullanılarak üretildi. Üretilen CIGS
ince filmlerin üretim sıcaklığındaki yapısal özellikleri ve bu özelliklerin farklı tavlama
sıcaklığı ve farklı tavlama sürelerine göre değişimi X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlı
X-ışını analizi (EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Ayrıca, filmlerin elektriksel
özellikleri sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümü, Hall etkisi ölçümü ve fotoiletkenlik ölçümleri
yapılarak karakterize edildi. CIGS yarıiletken ince filmlerde iletkenliğin oda sıcaklığında,
tavlama sıcaklığına ve süresine bağlı olarak 1.98 x10-3 ile 2.70 x10-1 (Ω-cm)-1 aralığında
değiştiği görüldü. Sıcaklık bağımlı iletkenlik ölçümlerinden aktivasyon enerjisi değerleri
tavlama işleminin süresi ve sıcaklığına bağlı olarak yaklaşık 8 meV ile 108 meV aralığında
hesaplandı. Filmlerin fotoiletkenliklerinin aydınlatma şiddeti ile orantılı olarak arttığı ve
arttışın tavlama sıcaklığına göre değiştiği görüldü. Filmlerin optik özellikleri 325-900 nm
aralığında geçirgenlik ölçümleri yapılarak incelendi. Yapılan geçirgenlik ölçümleri neticesinde
üretilen CIGS yarıiletken ince filmlerin optik bant enerji aralığı değerlerinin tavlama
sıcaklığına bağlı olarak 1.32 eV ile 1.41 eV aralığında değiştiği gözlendi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P17
G. Uğur1 ve R. Ellialtıoğlu2
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
2
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800 Beytepe, Ankara
Teşekkür:
Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P23
TiN kaplamaları, yalıtkan malzemelerde bulunan kovalent bağlar, yüksek sertlik ve erime
sıcaklığı gibi özellikleri içerisinde barındırırken, metalik elektriksel iletkenlik, düşük sürtünme
katsayısı, kimyasal dayanıklılık gibi ilave özelliklere sahip olmasından ötürü çok dikkat çeken
sihirli bir malzemedir.
Ayrıca görünür bölgede sergilediği yüksek optik geçirgenliğinden ve sahip olduğu altın
renginden ötürü de optik kaplamalarda oldukça sık tercih edilen bir katmandır. TiN’ün bu tip
olağanüstü özelliklere sahip olması, onu geniş uygulama alanlarının ve teknolojik
uygulamaların aranılan malzemesi haline getirmiştir.
Sunulan çalışmada, metalik Ti hedefine uygulanan RF/DC gücünün, alttaşa uygulanan negatif
dağlama geriliminin ve nitrojen kısmi basıncının kaplama hızına, filmin elektriksel direncine,
rengine ve geçirgenliğine olan etkisi incelenmiştir. Bu sayede istenilen stokiyometride ve
özellikte TiN elde edebilmek için gerekli optimum deneysel koşullar belirlenmiştir.
% 6-30 oranlarında değişen N2 kısmi basıncında, 40-150 Watt saçtırma gücünde ve 0-250
VDC dağlama voltajlarında deneyler yapılmış ve üstün özelliklerde TiN örnekler
hazırlanmıştır. Örneklerin I-V özellikleri 100-400 K aralığında ölçülerek, TiN kaplamaların
metalik davranış sergiledikleri gözlenmiştir. Ayrıca NKD fotospektrometresi ile 350-1100 nm
aralığında eş-zamanlı optik yansıtma ve geçirgenlik değerleri ölçülmüştür. Ölçüm
sonuçlarından TiN’ün 500 nm civarında yer alan optik pencereye sahip olduğu belirlenmiştir.
Özelliklerin, hazırlanma şartlarına olan bağımlılığı irdelenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P25
Rıdvan Karapınar
Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, 65080 Van
Nematik Sıvı Kristal (NSK) fazlar, kristal yapılı katılar ile izotropik sıvılar arasında bir ara hal
sergileyen organik bileşiklerdir. NSK bir ortamda moleküllerin uzun eksenleri ortaklaşa olarak
belirli bir yön vektörü boyunca dizilme eğilimi gösterirler. Bu durum maddenin fiziksel
özelliklerinde anizotropik bir davranışın ortaya çıkmasına yol açar. Moleküllerin düzenlenme
biçimlerine bağlı olarak nematik, simektik ve kolesterik gibi ara fazlar arasinda teknolojik
öneme sahip olan nematik fazdir. Bu fazdaki moleküllerin elektrik ve manyetik alan gibi dış
etkilere oldukça duyarlı olmasi nedeniyle, bu maddeler örneğin birkaç voltluk bir potansiyel
farkı uygulanması ile opak halden saydam bir hale geçebilirler. NSK’lerin bu ilginç elektro-
optik özellikleri gösterge amaçlı elektronik devrelerin çalışma ilkesini oluşturur. Özellikle
1980li yıllardan başlayarak, NSK teknolojisindeki gelişmeler bilimsel araştırmalar ve teknik
uygulamalar arasındaki karşılıklı etkileşmenin sonucu olarak doruk noktaya ulaşmış ve
günümüzde renkli, düz ekranlı ve yüksek bilgi yoğunluğuna sahip bilgisayar ve televizyon gibi
göstergelerin yapımı gerçekleşmiştir. Bu bildiride, NSK fazlarin elektro-optik özellikleri
inceleme konusu edilmektedir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P26
Elektronik devrelerde tel görevi üstlenebilecek yeni yapılar oluşturabilmek, yeni nano elektrik
cihazlar üretebilmek güncel ve oldukça popüler bir konudur. Yapılan teorik çalışmalar, uygun
nanotüplerin üretilmesi ve geliştirilmesi açısından hem zaman hem de kaynak tasarrufu
sağlamaktadır, hatta uygun olmayanların elenmesi bakımından deneysel çalışmalara öncülük
edebilmektedir. Bu çalışmada, oluşturulması düşünülen GaN nanotüplerini tek başına
incelemek yerine TiO2 (titanya) yüzeyi üzerinde incelemek, yapıyı teknolojik olarak çok daha
önemli bir hale getirecektir. Dielektrik sabiti yüksek malzemelerden olan TiO 2 çok düzgün ve
kararlı yüzeylere sahiptir ve bu özelliği ile büyük ilgi görmektedir. İlk hesaplamalarda
TiO2’nın en kararlı yüzeyi olan rutil (110) yüzeyi için örgü parametresi hesabı ve band yapısı
hesabı yapıldı. Hesaplamalarda VASP ab-initio simülasyon paket programı kullanıldı [1,2] ve
elde edilen Egap= 1,69 eV değerinin daha önce çalışılmış teorik bir çalışma ile oldukça uyumlu
olduğu görüldü [3]. Sonraki aşamalarda rutil (110) yüzeyi üzerine GaN nanotüpünün
tutunması incelenecek ve bu sistem için band hesabı yapılacak ve kimyasal bağ yapıları
belirlenecektir.
Kaynaklar
[1] G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993), and 49, 14251 (1994).
[2] G. Kresse and J. Furthmüller, Comp. Mat. Sci. 6, 15 (1996).
[3] F. Labat, P. Baranek, C. Domain, C. Minot, and C. Adamo, J. Chem. Phys. 126, 154703
(2007).
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P28
Teşekkür:
Bu çalışma Hacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P29
ZrX (X=Zn, Os, Ru, Pt) Bileşiklerinin Sezyum Klorür Yapıda Yapısal,
Elektronik ve Titreşim Özellikleri
Bu çalışmada sezyum klorür yapıda ZrX (X=Zn, Os, Ru, Pt) bileşiklerinin yapısal, elektronik
ve titreşim özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi içerisinde genelleştirilmiş eğim yaklaşımı
(GGA) kullanılarak hesaplandı. Bulunan yapısal özellikler literatürde mevcut diğer
çalışmalarla karşılaştırıldı. Elde edilen örgü sabitlerini kullanarak elektronik bant yapısı ve
durum yoğunluğu grafikleri çizdirildi. Son olarak fonon dağılım ve durum yoğunluğu eğrileri
temel simetri yönleri boyunca çizildi. ZrPt hariç diğer bileşiklerin kararlı olduğu görüldü.
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Biriminin 05/2008-18 ve 05/2007-
17 nolu projeleri ile desteklenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P30
B2(CsCl) yapıdaki SrSe ve SrTe bileşiklerinin yapısal, elektronik ve titreşim özellikleri sanki
potansiyel metodu (PP) ve genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı (GGA) kullanılarak hesaplandı.
Her iki bileşiğinde örgü sabitlerinin ve hacim modüllerinin daha önceki deneysel ve teorik
çalışmalarla oldukça uyumlu olduğu görüldü. Temel simetri yönleri boyunca elektronik bant
yapısı ve durum yoğunluğu grafikleri çizildi. Ayrıca doğrudan ve dolaylı bant aralıkları diğer
çalışmalarla karşılaştırıldı. Bu iki bileşiğin fonon frekansları lineer tepki yaklaşımında ilk defa
bu çalışmada hesaplandı ve durum yoğunlukları ile birlikte temel simetri yönleri boyunca
çizildi.
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi 05/2009-39 nolu projesi ve
Hacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P35
Katı-sıvı yüzey enerjisi σks ; katı-sıvı arayüzeyinde yüzeyin birim alanını oluşturmak için
gerekli enerji olup, maddelerin temel fiziksel sabitlerinden (örneğin yoğunluk, iletkenlik,
entropi, özdirenç, erime sıcaklığı vb.) birisidir ve katı-sıvı faz dönüşümlerinde,
termodinamikte, çekirdeklenme teorisinde, yüzey gerilim hesaplanmasında büyük etkiye
sahiptir. Saf malzemeler ve alaşımlar için katı-sıvı arayüzey enerjisini ölçmek zordur. Katı-sıvı
arayüzey enerjisini deneysel olarak ölçmek için kullanılan en uygun metod (GBGM) tane
arayüzey oluğu metodudur. Bu metodun zorluğu, alaşımlarda makroskobik olarak düzgün bir
tane arayüzey oluk şeklini elde edebilmek için numunenin sabit sıcaklık gradyentinde oldukça
uzun bir süre tutulmasının gerekliliğidir. σ ks ٰyi hesaplamak için katı ve sıvı fazların ısı
iletkenlik katsayıları, katı fazın sıcaklık gradyenti, oluk koordinatlarının ölçümü yapılır, etkin
entropi değerleri hesaplanır ve bu ölçümlerden faydalanarak Gibbs-Thomson (G) katsayısı
hesaplanır.
Bu çalışmada (Ag-%96,5 ağ.Sn) ötektik alaşımı için elde edilen oluk şekillerinden bilgisayar
programı yardımıyla Gibbs-Thomson (G) katsayısı elde edilmiştir. Daha sonra faz
diyagramından yararlanarak birim hacim başına düşen entropi değişimi hesaplanmıştır.
s SL = GDS f eşitliğinden σks katı-sıvı arayüzey enerjisi,
s=
kk s ksA Cosq A + s ksB Cosq B eşitliğinden ise σgb tane arayüzey enerjisi
hesaplanmıştır. Buna göre (Ag-%96,5 ağ. Sn) alaşım sistemi için yapılan hesaplamalarda
Gibbs-Thomson katsayısı G, σks enerjisi, σgb enerjisi sırasıyla (8,2±0,65 ×10-8) Km,
(104,96±13,64) mJ/m2, (200,61±30,09) mJ/m2 olarak belirlenmiştir ve önceki çalışmalarla
kıyaslandığında literatürle uyumlu olduğu gözlemlenmiştir [1-3].
Katı-sıvı arayüzey enerjisi σ ks; katı-sıvı arayüzey eğriliğinin denge erime sıcaklığını
etkilemesinden dolayı Gibbs-Thomson eşitliğiyle tanımlanmış olup, yüzeyin birim alanını
oluşturmak için gerekli enerjidir. Ayrıca maddenin temel fiziksel sabitlerinden (yoğunluk,
entropi, iletkenlik, özdirenç vb.) birisidir ve faz dönüşümlerinde, metalurjinin yaygın bir
alanında, katılaştırma teorilerinde, çekirdeklenme teorilerinde (otomotiv sanayi, optik
memoriler, protein kristallerin elde edilmesi, yüksek sıcaklığa dayanıklı uzay araçları yapımı,
medikal alanda ileri cam seramiklerin imalatı gibi ileri teknoloji uygulamalarında) oldukça
önemlidir. σ ks’yi ölçmek için kullanılan en yaygın metod "grain boundary groove method"
denilen tane arayüzey oluğu metodudur. Bu metod ile saf malzemelerde olduğu gibi ikili ve
çok bileşenli sistemlerde de (hem saydam hem de opak ) katı-sıvı ve tane arayüzey enerjileri
ölçülebilmektedir.
Bu çalışmada Mg-%98 ağ. Sn alaşımı için Bridgemen tipi doğrusal katılaştırma fırını
kullanılarak sıvı fazın ısı iletkenliğinin katı fazın ısı iletkenliğine oranı R (R=KL /KS )
belirlenmiştir. Radyal ısı akış fırını ile de katı fazın ısı iletkenlik katsayısı belirlenmiştir.
Numunenin sabit sıcaklık da 5 gün dengede tutulmasıyla elde edilen tane arayüzey oluk
şekillerinden katı fazın sıcaklık gradyenti, oluk koordinatlarının düzeltmesi hesaplanmıştır ve
nümerik metod yardımı ile Gibbs-Thomson katsayısı G elde edilmiştir. DSf etkin entropi
değişiminin de hesaplanmasıyla katı-sıvı arayüzey enerjisi belirlenmiştir ve literatürle
karşılaştırması yapılmıştır [1].
[1] B. Saatçi, S. Çimen, H. Pamuk and M. Gündüz, The interfacial free energy of solid Sn on
the boundary interface with liquid Cd-Sn eutectic solution, J. Phys.: Condens. Matter ,19,
(2007).
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P38
Katmanlı yapıya sahip yarıiletken kristaller, geniş aralıkta ışığı geçirmesi ve görünür spektral
bölgede ışığa duyarlılığı nedeniyle optoelektronik uygulamalarda önemlidir. Yarıiletken devre
verimini etkileyen etkenlerden biri de tuzak merkezleridir ve onların fiziksel özelliklerinin
karakterize edilmesine ihtiyaç vardır. Bu çalışmada; ısısal uyarılmış akım yöntemiyle elde
edilen deneysel veriler, çok katmanlı algılayıcı sinir ağı ve genetik algoritma yaklaşımları
kullanılarak modellendi. Deneysel izotermal azalma eğrilerinin sonuçları ve modellemeyle
elde edilen sonuçlar uyumluydu. Geliştirilen bu yapay sinir ağı modeli katmanlı
yarıiletkenlerin izotermal azalma eğrilerini tahmin edebilir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P39
Üstün mekanik özelliklerinden dolayı örümcek ağları, pek çok bilimsel araştırmaya konu
olmaktadır. İçerdikleri zengin protein yapı, mekanik özelliklerinin yanında bu malzemelerin
tıbbi ve kozmetik uygulamalarda da kullanılabilmesine olanak sağlamaktadır.
Bir örümceğin ürettiği ağlar, anahat, saklanma/dinlenme ağı ve yumurtalarını
koruduğu/yavrularını beslediği kokon formları başta olmak üzere yedi farklı çeşittedir. Bu
ağların yapısı ve özellikleri örümceğin türüne, yaşadığı ortama, ağı örme nedenine ve aldığı
besinlere bağlı olarak değişebilmektedir. 107T017 nolu TÜBİTAK projemiz kapsamında
yapılan çalışmalar ile bu örneklerin yapısı farklı türlere göre sistematik bir biçimde
araştırılmaktadır. Yapısal incelemelerimizde ağ içeriğindeki moleküler yapılar için; FT-IR ve
XRD, nano oluşumlar için; SWAXS ve DLS, Mikro yapılar için; SEM deneysel yöntemleri ile
çalışılmaktadır.
Yapısal incelemelerimizin yanında bu ağların mekanik özellikleri de incelenerek, en kaliteli
ağı üreten türler ve ürettikleri değerli ağ tipleri belirlenmiştir. Projemizin geldiği son aşamada
üstün özellikte ağlar üreten örümcekler laboratuvar koşullarında yaşam kabinlerine alınmıştır.
Bu örümceklerden en az üçer kez örnek toplanması için çalışmalarımız başlamıştır. Bu
aşamada proteince zengin besinler verilerek bol ağ üretimi sağlanmakla birlikte, belirli
aralıklarla örümceklerin biyofiziksel olarak sağılması ve elde edilen ağların ikincil
üretimlerinin yapılması da hedeflenmektedir.
Bu çalışmada, örümceğe ve ürettiği ağın yapısına zarar vermeden, en fazla uzunlukta örnek
toplayabilmek için hangi biyofiziksel yöntemlerin kullanıldığı açıklanmaktadır. Ayrıca,
incelenecek örneklerin toplanması ve ikincil ağ örneklerinin üretilmesi için tasarlanan elektro-
mekanik sistemlerden ve yaptığımız uygulamalardan bahsedilmektedir. Son olarak, yapısal
araştırmalarımızda kullanılan deneysel yöntemlerle ne tür bilgilere ulaştığımız konusunda da
bilgiler verilmektedir.
Titanyum oksit (TiO2) filmler, fiziksel ve kimyasal kararlılıkları, yüksek kırılma indisine,
yüksek geçirgenlik ve yüksek elektriksel dirence sahip olmaları nedeniyle optik ve elektronikte
pek çok uygulama alanına sahiptir. Bu çalışmada, TiO2 filmleri cam taban (T1) ve p-tipi
silisyum (Si) (T2) taban üzerinde sol jel spin kaplama yöntemi ile elde edildi. Elde edilen
filmlerin yapısal ve optik özellikleri araştırıldı. Filmlerin kristal yapısı ve tercihli yönelimi X-
ışını kırınım desenleri ile araştırılmış ve her ikisinin de polikristal yapıda olduğu bulunmuştur.
T1 filminin optik geçirgenlik spektrumu 300-800 nm dalgaboyu aralığında bütünleştirilmiş
küre ataçmanlı spektrofotometre kullanılarak ölçüldü. Görünür bölgede ortalama geçirgenliği
yaklaşık %76 olarak bulundu. Her iki filmin yansıma spektrumu ise 5o specular-yansıma
ataçmanı kullanılarak yapılmıştır. Optik metod kullanılarak, T1 filminin direk bant aralığına
sahip olduğu bulunmuştur. Ayrıca bu filmin optik sabitleri ve dispersiyon parametreleri
belirlenmiştir.
Teşekkür
Bu çalışma Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Fonu tarafından desteklenmiştir
(Proje No: 061039).
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P42
Emine Yüksel, Seval Aksoy, Yasemin Çağlar, Saliha Ilıcan, Müjdat Çağlar
Anadolu Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 26470 Eskişehir
Çinko oksit (ZnO) filmleri, geçirgen elektrotlar, piezoelektrik aygıtlar, gaz sensörleri gibi pek
çok ilginç potansiyel uygulamalara sahiptir ve heteroeklem güneş pillerinde pencere materyali
olarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada, 0.25M ve 0.50M lik kaplama çözeltileri kullanılarak
ZnO filmleri (sırasıyla Z1 ve Z2 filmleri) sol-jel spin kaplama yöntemi ile elde edildi. Elde
edilen filmlerin optik ve yapısal özellikleri araştırıldı. Filmlerin kristal yapısı ve yönelimi X-
ışını kırınım deseni ile araştırıldı ve her iki filmin de polikristal yapıda ve (002) tercihli
yönelimine sahip olduğu bulundu. Filmlerin tanecik boyutları, örgü sabitleri ve yapılanma
katsayıları hesaplandı. Elde edilen filmlerin geçirgenlikleri bütünleştirilmiş küre ataçmanlı
spektrofotometre ile ölçüldü. Optik metot kullanılarak, Z1 ve Z2 filmlerinin optik bant
aralıkları sırasıyla 3.27eV ve 3.29eV olarak bulundu. Ayrıca filmlerin optik sabit sabitleri
(kırılma indisi, sönüm katsayısı, dielektrik sabitleri) hesaplandı.
Teşekkür
Bu çalışma Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Fonu tarafından desteklenmiştir
(Proje No: 061039).
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P43
Yüksek basınçta SnS’nin kararlılığı, sabit basınç kullanılarak ab initio tekniğiyle çalışıldı.
Başlangıçta bu malzemede basıncın sebep olduğu faz dönüşümü, Pnma yapısından Cmcm
yapısına basınç uygulanarak simülasyon yardımıyla elde edildi. Pnma yapısından Cmcm
yapısına dönüşüm 15 GPa basınçta gerçekleşti. Cmcm hala tabakalı yapıya sahip ,yüksek
sıcakta elde edilen formu ile iki tabakalı rocksalt yapıya benzerdir.Bu faz dönüşümü aşamalı
olarak ilerler, bu ise ikinci komşu uzaklılarının önemli ölçüde azalmasından kaynaklanır. Bu
faz değişimi aynı zamanda toplam enerji hesaplamaları ile de çalışıldı.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P47
S. Özkıraç ve B. Kutlu
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar Ankara, Türkiye
selda.ozkirac@gazi.edu.tr, bkutlu@gazi.edu.tr
Bu çalışmada tek duvarlı (6,0) zig-zag bor nitrür(BN) nanotüpün elektronik ve yapısal
özellikleri “Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi” (DFT) ile incelenmiştir. Hidrojen adsorpsiyonu
ile tek duvarlı (6,0) BN nanotüpün yasak enerji aralığındaki değişim, yoğunluk fonksiyoneli
teorisini temel alan CASTEP Paket Programı kullanılarak hesaplanmıştır. Hesaplamalarda
genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA), Wang ve Perdew (PW91) değiş-tokuş korelasyon
fonksiyoneli ve elektron iyon etkileşimleri Ultrasoft sözde potansiyeli kullanılmıştır. Sonuç
olarak, Hidrojen adsorpsiyonu ile yasak enerji aralığının yarıiletkenden yalıtkana doğru bir
değişim gösterdiği tespit edilmiştir. Adsorpsiyon ile (6,0) BN nanotüpün elektriksel
özelliklerinin değişmesi onun sensör olarak kullanılabileceğine işaret etmektedir.
Kaynakça:
1. Payne M.C., Teter M., Allan D.C. and Joannopouls J.D., Rev. Mod. Phys., 1992, 64, 1045
2. Mailman V, Winkler B, White J. A., Pickard C.J., Payne M.C., Akhmatskaya E.V. and
Nobes R.H, Int. J. Quantum Chem. , 2000, 77,895
3. Perdew J., Chevary J.A, Vosko S.H., Jacson K.A., Pederson M.R. and Fiolhais C.,Phys.
Rev. B.,1992, 46, 6671
4. Wang Y. and Perdew J.P., Phys Rev. B.,1991, 43,8911
5. Vanderbilt D, Phys Rev. B.,1990, 41,7892
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P48
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG–107T560 projesi kapsamında desteklenmektedir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P49
Bu çalışmada K ve Rb sıvı metalleri ile K-Rb sıvı metal alaşımının yapısal ve elektronik
taşınım özellikleri incelenmiştir. Yapı faktörleri Ornstein-Zernike denkleminin HMSA
yaklaşımıyla çözümünden elde edilmiştir. Atomlar arası etkileşme potansiyeli olarak Fiolhais
ve diğ. tarafından katıhal için önerilen elektron-iyon potansiyeli kullanılmıştır. Özdirençleri
Ziman Formülü ile Ferraz ve March tarafından önerilen özdirenç formülü kullanılarak
hesaplanmıştır. Özdirenç hesabı için gerekli olan form faktörlerinin hesaplanmasında iki farklı
perdeleme fonksiyonu kullanılmış, sonuçlar deneysel verilerle karşılaştırılarak perdeleme
fonksiyonlarının özdirenç üzerindeki etkisi incelenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P50
Rıza Erdem
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Taşlıçiftlik, 60250, Tokat
Mikrodalga yüzey direncinin sıcaklığa bağlılığı, Rs-T eğrileri alışıldık öz direnç-sıcaklık, ρ-T
eğrileri ile benzerlik göstermesine rağmen, bazı sıra dışı durumlar da söz konusu olabilir. Bu
nadir gözlenen durumlardan birisi de II tip süperiletkenlerin manyetizasyon ve manyetik
zorlanım çevrimlerinde karşılaşılan balık kuyruğu etkisidir. Sunulan çalışmada mikro dalga
yüzey direncinin sıcaklık bağlılığında karşılaşılabilecek balık kuyruğu etkisi modellenmiştir.
Bir yüksek sıcaklık süperiletkeninde yüzey direncinin alan bağlılığının histerezis göstermesi,
uygulanan dış manyetik alan ve/veya transport akım ve onlara dik bir mikrodalga alan
tarafından çivilenmiş akı çizgilerinin hareket ettirilmesi ile açıklanabilir. Bu çalışmada, Coffey
ve Clem modeli çerçevesinde [Phys. Rev. Lett. 67, 386 (1991); Phys. Rev. B 45, 9872; 45,
10527 (1992)] transport akımın ve/veya sabit dış manyetik alanın bir fonksiyonu olarak elde
edilen mikro dalga yüzey direnci hesaplamaları sunulmuştur.
Bu çalışmada ZnO ince filmler sol-gel daldırma yöntemiyle elde edilmiştir. Filmler 200-350°C
arasında farklı sıcaklıklarda tavlanmış ve tavlama sıcaklığının filmlerin optiksel özelliklerine
etkisi UV-VIS-NIR geçirgenlik spektrumları 300-1700 nm dalgaboyu aralığında çekilerek
incelenmiştir. Film kalınlıkları spektrumlardan Swanepoel yöntemiyle hesaplanmıştır. Aynı
daldırma sayısında farklı tavlamanın film kalınlığını etkilediği görülmüştür. Film kalınlığı
200°C de tavlanan filmler için 366nm iken 350°C da tavlanan filmlerde 500nm bulunmuştur .
Filmlerin geçirgenliklerinin tavlama sıcaklığıyla değişmediği, %92 gibi yüksek bir
geçirgenliğe sahip oldukları görülmüştür. Farklı tavlama sıcaklıklarında elde edilen ZnO
filmlerin yasak enerji bant aralıkları Tauc bağıntısıyla hesaplanmış ve tavlama sıcaklığı artıkça
3.2eV’dan 3.12eV’a azaldığı, yüksek frekans dielektrik sabitlerinin ise kurutma sıcaklığı
artıkça 2.7’den 3.5’e arttığı gözlenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P55
Bu çalışmada Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (Density Functional Theory, DFT) ‘ne dayalı
VASP paket programı/PAW/GGA yöntemleri kullanılarak LiAl (B2 fazında) bileşiğinin
yapısal, elektronik, elastik ve termo-elastik özellikleri hesaplanmıştır. Elektronik bant yapısı,
faz geçiş basıncı ve ilişkili durumların toplam yoğunluğu incelenerek ikinci mertebeden elastik
sabitleri (Cij) stres-strain yöntemi, termo-elastik sabitleri quasi-harmonik Debye yaklaşımı ile
belirlendi. Teorik olarak elde edilen yapısal parametreler, mevcut literatür değerleriyle
karşılaştırıldı ve tam bir uyum içinde olduğu gözlendi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P56
Bu çalışmada ab-initio yöntemi kullanılarak NiSb (NiAs yapıda) kristalinin bulk özellikleri
üzerine teorik hesaplamalar yapılmıştır. İlk olarak, öngörülen kristal yapının örgü sabiti, bulk
modülü ve bulk modülünün birinci türevi (Murnaghan hal denklemine fit edilerek) hesaplandı.
Elastik modülleri stres–strain yöntemi ile hesaplandı. Fonon frekansları sonlu küçük
yerdeğiştirme (finite displacement) metodu ile hesaplanarak elde edilen veriler termodinamik
özelliklerin hesabında kullanıldı. Bulunan sonuçların mevcut literatürle uyum içerisinde
olduğu görüldü.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P57
Bu çalışmada rSb bileşiği, Zinc Blend ve Ortorombik ( MnP ) yapılarda Castep paket
programı ile spin polarize etki dahil edilerek Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi’ne ( Density
Functional Theory – DFT ) dayanan ab-initio yöntemleri ve Perdev-Burke-Ernzerhof (PBE)/
GGA parametrizasyon sonuçları kullanılmıştır. Elektron - iyon etkileşmeleri ultrasoft
pseudopotansiyelleri ile temsil edildi. Bileşiğin bant yapısı, elastik sabitleri , durum
yoğunluğu, dielektrik fonksiyonu ve diğer optik özellikleri incelendi. Bulunan sonuçların
mevcut literatür çalışmaları ile uyum içerisinde olduğu görüldü.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P58
Si(111)-2x1 yüzeyi üzerine fosfor (P) adsorplanmasının atomik ve elektronik özellikleri sanki-
potansiyel ve Yoğunluk Fonksiyonel Teorisine (DFT) dayalı ab-initio hesaplamaları ile
incelendi.
Kararlı geometrik yapıyı belirlemek için, dört farklı bağlanma noktası göz önüne alındı. p-
bağlı zincir yapısında, ‘üst’ konumun diğer bağlanma noktalarına göre yaklaşık 0.1 eV/adatom
daha enerjitik olduğu bulundu.
Bu kararlı geometriye karşı gelen elektronik yapı incelendiğinde, temel bant aralığında bir
yüzey durumuna sahip olduğu ve metalik davranış sergilediği gözlendi.
Bu yüzey durumunun kaynağını belirlemek için elektronik yük yoğunlukları çizildiğinde,
yüzeyin P atomunun pz orbitalinden kaynaklanan p karatere sahip olduğu bulundu.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P59
Si ve Cu(In x, Ga1-x) Se2 tabanlı güneş gözelerinin verimliliklerini artırmaya yönelik oldukça
fazla çalışma olmasına karşın, aygıt perofrmansını etkileyen mekanizmaların anlaşılmasına
yönelik ölçüm teknikleri ve analiz yöntemleri üzerine araştırmalar sınırlıdır.
Bu çalışmada öncelikli olarak, literatürde oldukça yeni bir teknik sayılan Modüle
Fotoimpedans ismiyle anılan bir deneysel teknik geliştirilmeye çalışılmıştır. Bu deneysel
ölçüm tekniğinde; güneş gözesi, soğurucu tabakasını oluşturan yarıiletken malzemenin optik
bant aralığını karşılayacak monokromatik bir demet ile aydınlatılır. Monokromatik demeti
sağlayan LED gurupları, tasarlanan bir elektronik devre yardımıyla sürülerek, sürekli bir foton
akısı üzerine çok küçük sinüzoidal bir foton akısı modülasyonu sağlayacak hale getirilmiştir.
Foton akısı modülasyonu ve güneş gözelerinin ürettiği kısa devre akımı arasındaki faz farkı,
HP4192A impedance analizör yardımı ile ölçülerek, optoelektronik transfer fonksiyonu
hesaplanmıştır. Önerilen bu teknik yardımyla Porus Si ve Cu(Inx, Ga1-x) Se2 tabanlı güneş
gözeleri üzerinde, foton uyarımıyla yaratılan fototaşıyıcı dinamiği sıcaklığın fonksiyonu olarak
incelenmiştir. Yapılan ölçümlerde her iki güneş gözesinde de faz açısının sıcaklığın
fonksiyonu olarak değiştiği gözlemlenmiştir. Sıcaklığa bağlı olarak elde edilen faz açıları ve
kısa devre akım değerleri kullanılarak yük taşınım süreleri hesaplanmıştır. Yapılan analizler
sonucunda oda sıcaklığında yük taşınımı süresi Porus Si tabanlı güneş gözesi için t=0.12 ms
Cu(Inx, Ga1-x) Se2 tabanlı güneş gözesi için t=2.2 ms şeklinde bulunmuştur.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P62
Geniş bant aralığına sahip bir yarıiletken olan TiO2, yüksek dielektriksel özelliği ile elektronik
endüstrisinde önemli bir yere sahiptir[1-2]. TiO2, Anatase, Rutile ve Brookite olmak üzere üç
farklı kristal fazında bulunmaktadır[3]. Rutile fazı, Anatase fazından daha yüksek dielektrik
sabitine sahiptir. Bu çalışmada, TiO2, RF-DC Sputtering yöntemiyle n-Si alttaş üzerine
biriktirilmiştir. Elde edilen numuneden iki parça, farklı sıcaklıklarda tavlanarak anatase ve
rutile fazına sahip olmaları sağlanmıştır. Bu filmlerin elektriksel özellikleri akım-voltaj (I-V)
ve kapasitans-voltaj (C-V) yöntemiyle karakterize edilmiştir. Rutile fazına sahip olan örnek,
anatase fazına sahip örneğe göre daha düşük ara-yüzey duruma sahip olduğu görülmüştür.
Referanslar:
[1] M.-K. Lee, J.-J. Huang, Y.-H. Hung, J. Electrochem. Soc. 152 (2005) F190.
[2] S. Chakraborty, M.K. Bera, C.K. Maiti, P.K. Bose, J. Appl. Phys. 100 (2006) 023706.
[3] U. Diebold, Surf. Sci. Rep. 48 (2003) 53.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P63
MBE ile büyütülen InGaAs ince filmleri için sıcaklığa bağlı Hall ve özdirenç ölçümleri
yapıldı. Anormal sıcaklığa bağlı özdirenç davranışı gözlendi. Araştırılan numunelerin 200 K
civarında yarıiletken-metal geçişi sergiledikleri bulundu. Düşük sıcaklık bölgesinde (T <
200K), özdirencin sıcaklığa bağımlılığı elektron-elektron etkileşmeleri ile açıklandı. Yüksek
sıcaklıklarda (T > 200K) ise elektron-fonon etkileşmelerinin baskın olduğu belirlendi. Ayrıca
Fotolümünesans ve XRD ölçümleri yapılarak numunelerin optiksel ve yapısal özellikleri
belirlenerek, gözlemlenen yarıiletken-metal geçişinin nedeni de tartışıldı.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P65
MBE ile büyütülen InP ince filmleri için elektriksel, yapısal ve optiksel özellikler, sırası ile
sıcaklığa bağlı Hall ve özdirenç ölçümleri, XRD ve fotolümünesans ölçümleri ile araştırıldı.
Yüksek taşıyıcı konsantrasyonu ile numunelerin dejenere yarıiletken özellikleri sergiledikleri
gözlendi. Sıcaklığa bağlı mobilite verileri analiz edilerek numunelerde elektron iletiminde
baskın olan saçılma mekanizmaları belirlendi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P66
DC püskürtme yöntemi ile büyütülen TiO2 ince filmleri için sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümleri
yapıldı. Alttaş sıcaklığı ile elektriksel özellikler arasındaki ilişki araştırıldı. Numunelerde
baskın olan iletkenlik mekanizmaları belirlendi. Numunelerin çeşitli elektriksel parametreleri;
bariyer yüksekliği, Fermi seviyesindeki durumların yoğunluğu, alıcı ve verici konsantrasyonu
belirlendi. Bulunan parametrelerin değerleri alttaş sıcaklığının bir fonksiyonu olarak
kıyaslandı.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P67
Müge Söyleyici, Elif Ketenci, Meryem Polat, İdris Akyüz, Ferhunde Atay
Eskisehir Osmangazi Üniversitesi,Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,Eskisehir
MSoyleyici@ogu.edu.tr
İdris Akyüz, Ferhunde Atay, Kutay Yaman, Elif Ketenci, Müge Söyleyici,
Meryem Polat
Eskisehir Osmangazi Üniversitesi,Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,Eskisehir
iakyuz@ogu.edu.tr; fatay@ogu.edu.tr; kutayyaman@gmail.com.tr;
eketenci@ogu.edu.tr;Msoyleyici@ogu.edu.tr
Son yıllarda yapılan çalışmalar, ITO, SnO2, ZnO ve CdO gibi Saydam İletken Oksit (SİO)
malzemelerin fotovoltaik güneş pili uygulamalarında önemli bir yere sahip olduklarını
göstermiştir. CdO filmleri SİO malzemeler içinde az çalışılan, önemi son yıllarda anlaşılan ve
teknolojik cihazların performans limitlerinin arttırılmasında kullanılabilecek uygun
karakteristiklere sahip malzemelerdir. Katkısız ve Cu katkılı (%1, %2 ve %3) CdO filmleri,
yarıiletken film üretimi için ekonomik ve uygulaması kolay bir teknik olan, Ultrasonik
Kimyasal Püskürtme Tekniği ile 300±5°C taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerine
büyütülmüşlerdir. Filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları alınarak, yansımaları, kırılma
indisleri, yasak enerji aralıkları ve Urbach parametreleri gibi optiksel parametreleri
hesaplanmıştır. Katkısız CdO filmlerinin geçirgenliklerinin yaklaşık %70 civarında olduğu,
%1 ve %2 Cu katkısıyla geçirgenliklerinin azaldığı ancak %3 katkısı ile arttığı görülmüştür.
Filmlerin yasak enerji aralıklarının ve Urbach parametrelerinin sırasıyla 2.28-2.33 eV ve 710-
874 meV aralıklarında değiştiği belirlenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P70
“(E)-3-[2-(Triflorometil)feniliminometil]-benzen-1,2-diol”(I) ve
“(E)-3-[(2-Florofenilimino)metil]-benzen-1,2-diol”(II)
Bileşiklerinin Yapısal Karakterizasyonu
Bu çalışmada (I) ve (II) bileşiklerinin kristal yapısı X-ışını kırınımıyla belirlenmiştir. Birinci
bileşik asimetrik biriminde iki molekül ile triklinik P1 uzay grubunda kristallenirken, ikinci
bileşik monoklinik P 21/ c uzay grubunda kristallenmiştir. Her ikisi de enol-imin
tautomerik formda olan bu bileşikler Schiff bazları için karakteristik olan O-H...O ve N-H...O
tip hidrojen bağlarıyla paketlenmiştir. Bu hidrojen bağları, her iki yapıda S (6) ve merkezi
2
simetrik R (10)
2 halkaları oluştururken, ikinci yapıda ilave S (5) halkası da
bulunmaktadır.
Şekil 1. Bileşik (I)’in asimetrik biriminde bulunan iki molekülün ORTEP çizimi
“Bis(2-hidroksietil)-etilendiaminbis(sakkarinat)çinko(II)”
Kompleksinin Sentezi ve Karakterizasyonu
Ge (Si)(111) yüzeyi üzerine Yb tutunması ile oluşan (3x2) yeniden yapılanması ilk ilkeler
toplam enerji hesaplamarı kullanılarak çalışıldı. İki mümkün farklı tutunma bölgesi düşünüldü:
(i) H3 ve (ii) T4 bölgesi. Bu bağlanma bölgeleri ile ilgili toplam enerjilerin birbirine çok yakın
olduğu, Yb/Ge (Si)(111)-(3x2) yapısı için T4 modelinin, H3 model ile kıyaslandığında 0.01
(0.08) eV/birimhücre kadar daha kararlı olduğu bulundu. Önerilen modelin aksine Ge=Ge çift
bağında herhangi bir bükülme belirlenmedi. Yüzeylerin elektronik bant yapısı ve ilgili orbital
doğası da hesaplandı. Her iki yüzey içinde elde edilen sonuçların, son deneysel bulgularla
uyumlu olduğu görüldü.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P75
Günümüzdeki soğutma teknolojisi, yaşadığımız doğaya zarar veren, pahalı ve düşük verimli
bir teknolojidir. Gelecekte, bu nedenlerden dolayı geleneksel-gaz sıkıştırmalı soğutucuların
yerlerini, çevre dostu ve yüksek verimli manyetik soğutuculara bırakacakları düşünülmektedir.
Manyetik soğutma, oda sıcaklığı yakınlarında ve üstün manyetokalorik etki gösterebilen
Gd5(Si-Ge)4 alaşımlarının 1990’lı yıllarda keşfedilmesi ile ev tipi buzdolapları ve klimalar gibi
soğutma uygulamaları için de gündeme gelmiştir [1]. Manyetik soğutma teknolojisinde üstün
manyetokalorik etki gösteren malzemeler kullanılmaktadır. Bu malzemelerin ortak özelliği
birinci dereceden yapısal ve manyetik faz geçişlerine sahip olmalarıdır. Gd5(Si-Ge)4
alaşımında yüksek manyetik entropi değişim gözlemlendikten sonra bu alaşımlarla ilgili olarak
manyetokalorik özelliklerini geliştirmek amacıyla bir çok çalışma yapılmıştır. Bu çalışmada,
büyük manyetik entropi değişimi gösteren Gd5Si1.95Ge2.05 kompozisyon dışındaki alaşımına,
Mn katkılaması ile faz geçişinin, Curie sıcaklığının ve manyetik entropi değişiminin üzerine
etkisi incelenmiştir. Bu bağlamda Gd5Si1.95-xGe2.05-xMn2x (2x=0.02, 0.06) alaşımları elde
edilmiştir. Bütün alaşımlar, alaşımları oluşturan saf elementlerin argon atmosferi altında ark
ergitme fırınında, su soğutmalı bakır pota kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen alaşımların
kristal yapılarını tespit etmek için X-ışını toz kırınım deneyleri Cu hedefli Rigaku Dmax 2200
toz kırınımmetresi ile yapılmıştır. Manyetik özellikleri belirlenmek için, Quantum Design
PPMS kullanılmıştır. X-ışını toz kırınım deneylerine göre, bütün alaşımların oda sıcaklığında
monoklinik yapıda (uzay grubu: P1121/a) kristallendiği tespit edilmiştir. Ayrıca, bütün
alaşımlarda az miktada yabancı faz (ortorombik, uzay grubu: Pnma) tespit edilmiştir.
Alaşımların manyetik ölçümleri 5–350 K sıcaklık aralığında sıfır alan soğutmalı-ZFC, alan
soğutmalı ve alan ısıtmalı-FH olarak yapılmıştır. Sıcaklığa bağlı mıknatıslanma ölçümlerine
göre, Curie sıcaklığı artan Mn miktarı ile artış göstermiştir. Manyetik entropi değişimini
hesaplayabilmek ve alaşımının karakteristik geçişinin anlayabilmek amacıyla manyetik alana
bağlı mıknatıslanma ölçümü yapılmıştır. Manyetik alana bağlı mıknatıslanma ölçümlerine
göre, Gd5Si1.95-xGe2.05-xMn2x (2x=0.02, 0.06) alaşımlarında birinci derecede faz geçişi
gözlenmiştir. Gd5Si1.95Ge2.05 alaşımların gözlemlenen en yüksek manyetokalorik etki elde
edilmiştir [2].
Kaynaklar:
[1] V.K. Percharsky et al. 1997 J. Alloys Compd. 260 98.
[2] E. Yüzüak et al. 2009 J. Magn. Magn. Mater. gönderildi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P76
Amonyum Nitrat Eritme (ANE) tekniği ile hazırlanmış olan RuSr2RECu2O8 (RE = Gd)
süperiletkeninin mekaniksel özellikleri dinamik nanoçentme tekniği ile incelendi. Berkovich
çentme testleri oda sıcaklığında ve 10-400 mN kuvvet aralığında yapıldı. XRD ölçümlerinden
malzemenin tetragonal yapıya sahip olduğu ve az miktarda SrRuO3 ve Sr2GdRuO6 safsızlığı
içerdiği anlaşıldı. Mekaniksel özellikleri değerlendirmek için yük-yerdeğiştirme eğrileri ve bu
eğrilerden elde edilen enerji değerleri (Mutlak Enerji;EM , Toplam Enerji;ET, Plastik Enerji; EP
ve Elastik Enerji; EE) analiz edildi. Nanosertlik (H) ve indirgenmiş elastiklik modülü (Er)
değerleri Oliver-Pharr metodu ve enerji yaklaşımı metodu ile hesaplandı. Bu iki metot
karşılaştırıldı. Ayrıca, malzemenin mekanik özellikleri hakkında bilgi veren bazı özel
malzeme sabitleri (Elastik-Toplam; υET , Plastik-Toplam; υPT ve Elastik-Plastik; υEP enerji
sabitleri) hesaplandı. Nanosertlik ve indirgenmiş elastiklik modülü değerlerinin, yükün artması
ile birlikte azaldığı görüldü (Çentik Boyut Etkisi; ÇBE). Bu sonuçların literatür ile uyum
içerisinde olduğu belirlendi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P77
Moleküler Demet Epitaksi (MBE) kullanılarak büyütülen InGaAs süperörgü yapıları hızlı
termal tavlama yöntemiyle oda sıcaklığından 775°C’ ye kadar tavlanıp, her sıcaklık için yüksek
çözünürlükteki X- ışınları cihazı kullanılarak, paralel X-ışınları gerilmesi (eII), dik X-ışınları
gerilmesi (e^), misfit (ef), rahatlama dereceleri (R), x bileşeni, tilt açıları ve dislokasyon
hesaplanmıştır. Elde edilen sonuçlardan yapısal özellikler her yansıma düzlemi için artan
sıcaklıkta farklı özellikler gösterir. Bunun nedeni ise, artan tavlama sıcaklığında, uzaysal
inhomojen gerilim dağılımı InGaAs süperörgü yapısında gevşemeye neden olur bu da büyütme
boyunca In atomlarının göçünü artırır [1-3]. Tavlama sıcaklığının artması da süperörgüdeki
arayüzeylerde bozulmaya dolayısıyla yapının yapısal özelliklerinde bir olumsuzluğa neden
olmaktadır. Şekil 1 a ve b asimetrik düzlemlerde tavlama sonucu meydana gelen bozulmayı
göstermektedir. Tavlama sıcaklığı arttıkça FWHM lardaki genişlemeler görülmektedir, bu
genişlemelerde yapının bozulduğunu göstermektedir.
Şekil 1. a. (224) yönelimi için farklı tavlama sıcaklıklarında Şiddet-theta grafiği, b. (115)
yönelimi için farklı tavlama sıcaklıklarında Şiddet-theta grafiği.
(224) refleksiyonu
(115) refleksiyonu
775 oC
Şiddet (arb.)
775oC
Şiddet (arb.)
o
750 C
o
750 C
o
600 C
o 600oC
500 C
500o C
400o C
400o C
50 oC 50 oC
41.4 41.6 41.8 42.0 42.2 44.6 44.8 45.0 45.2 45.4 45.6
Theta (derece) Theta (derece)
[1] B.M. Arora, K.S. Chandrasekaran, M.R. Gokhale, G. Nair, G. Venugopal Rao, G.
Amarendra and B. Viswanathan, J. of Appl. Phys., 87 (2000) 8444.
[2] Chris G. Van De Walle, M. D. McCluskey, C.P. Master, L.T. Romano, N.M. Johnson,
Materials Science and Engineering B59 (1999) 274.
[3] Y. W. Choi, C.R. Wie, K. R. Evans and C. E. Stutz, J. Appl. Phys. 68 (1990) 1303.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P78
Bu çalışmanın amacı, (100) yönelimine sahip, Bor katkılı p-tipi tek silisyum kristal
kullanılarak yapılan Zn/p-Si Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizmalarının
incelenmesi ve bu yapıya ait temel parametrelerin akım-gerilim karakteristiklerinden tayin
edilmesi ve seri direnç etkisini incelemektir. Zn/p-Si Schottky diyot yapısının temel
parametreleri olan, idelite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç Cheung metodu kullanılarak
elde edildi. Hazırlanan Zn/p-Si (MS) Schottky diyotu için temel fiziksel parametreler farklı
metotlar kullanılarak hesaplandı ve sonuçların birbirleriyle ve literatürle uygun olduğu
gözlendi. Ayrıca diyot karakteristiklerini oldukça etkileyen ara yüzey durumlarının yasak
enerji aralığındaki dağılım profili oda sıcaklığında akım-voltaj ölçümlerinden elde edildi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P79
Bakır sülfür (CuxS) ince filmler SILAR (Sıralı İyonik Tabaka Adsorpsiyonu ve Reaksiyonu)
metodu kullanılarak cam taban malzeme yüzeyine oda sıcaklığında büyütüldü. Taban malzeme
yüzeyine homojen bir film elde etmek için çözelti konsantrasyonu ve pH’sı, taban sıcaklığı,
adsorpsiyon, reaksiyon ve durulama zamanı gibi büyütme parametreleri optimize edildi. Elde
edilen filmler yapısal optik ve elektriksel açıdan sırasıyla XRD (X-ışını difraksiyonu), optik
soğurma ve iki nokta prob özdirenç ölçüm yöntemleri kullanılarak incelendi. Sonuç olarak
CuxS ince filmlerin polikristal yapıda, yasak enerji aralığının 1,9 eV ve yaklaşık 10-2 Ώcm
özdirence sahip olduğu belirlendi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P81
Kaynaklar:
1. Recarte V., Perez- Saez R. B., Bocanegra E.H., No M.L., San Juan J., 2002. Metal.
Mater. Trans. A33 2581–2591.
2. Balo S. N., Ceylan M. J., 2002. Effect of Be content on some characteristics of Cu-
Al-Be shape memory alloys. Mater Sci Technol., 124, 200-8.
3. Kustov S., Pons J., Cesari E., Morin M., Van Humbeeck J., 2004. Athermal
stabilization of Cu-Al- Be beta '(1) martensite due to plastic deformation and heat treatment.
Mater. Sci. Eng. A 373–328
4. Uzun O., Karaaslan T., Gogebakan M., Keskin M., 2004. Hardness and
microstructural characteristics of rapidly solidified Al–8–16 wt.%Si alloys. Journal of Alloys
and Compounds, 376, 149–157.
Kaynaklar
1.Meyers, F., Jawetz, H. E., and Goldfien, A. Review of Medical Pharmacology, 3rd
ed.,Lange Medical Publications, Los Altos, Calif., 523–527 (1972).
2. Petri, W. A. , Hardman, J. G., Limbird, L. E. and A. Goodman Gilman, eds.,Goodman and
Gilman’s The Pharmacological Basis of Therapeutics, 10th ed., McGraw-Hill, New York,
1171–1188 (2001).
3.Işık, K., Ozdemir Kocak, F., “Antimicrobial activity screening of some sulfonamide
derivatives on some Nocardia species and isolates” Microbiological Research, 164, 49-58
(2009).
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P83
Teşekkür:
Bu çalışma, DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ tarafından BAP-2007-1 projesi olarak
desteklenmektedir.
Kaynaklar
[1]. F. Marquez, I. Lopez Tocon, J.C. Otero, J.I. Marcos, J. Mol. Struc. 410-411(1997) 447-
450
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P84
Tek kristal formunda olan 4-[(3-fenil- alliden amino) -5- tiyofen -2-yl- methil-2,4-dihidro-
[1,2,4]triazol-3-on molekülünün kristal yapısı X-ışınları kırınım yöntemi ile aydınlatıldı.
Yapısı aydınlatılan molekül için kuramsal yöntemlerden yoğunluk fonksiyonel teorisi
kullanılarak geometri optimizasyonu yapıldı, elektrostatik potansiyel yüzeyleri ile HOMO,
LUMO enerji düzeyleri belirlendi. Ayrıca yapının IR, 1H-NMR, 13C-NMR ve MS analizleri
yapılıp incelendi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P87
Anahtar kelimeler: Au/PVA/n-Si Schottky diyotları, ışık etkisi, I-V karakteristikleri, ara
yüzey durumları, seri direnç.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P88
Günümüzde oldukça geniş uygulama alanları olan optik ve elektronik aygıtların üretiminde
ohmik kontakların önemi oldukça fazladır. Üretilen aygıtın yüksek güçte ve frekanslarda
çalışması, yaşam süresi gibi aygıt özelliklerini etkileyen en önemli parametrelerden biri de
kontak özellikleri yani diğer bir deyişle karakteristik kontak direncidir. Günümüzde, üretilen
cihazlarda karakteristik kontak direncinin 1x10-6 Ωcm2 değerinden daha düşük olması
amaçlanmaktadır. Geleneksel ohmik kontaklara ek olarak geçiş metal silikatları yarıiletken
endüstrisindeki öneminden dolayı çok uzun yıllardır çalışılmaktadır. Fakat, günümüze kadar
olan araştırmalarda bu konuda yapılan çalışmalar oldukça azdır. Bu metallere olan ilgi ve
araştırmalar temel ve teknolojik sebeplerden dolayı gittikçe artmaktadır. Bu elementlerin
metalik direnci ve düşük Schottky bariyer yükseklikleri gibi özellikleri, malzemeleri ohmik
kontak için cazip hale getirmektedir. Bu çalışmada p-InGaAs tabakası için geleneksel
(Pd/Ir/Au, Ti/Pt/Au ve Pt/Ti/Pt/Au) ve Au-içeren ve içermeyen nadir bulunur metal silikat
(Gd/Si/Ti/Au, Gd/Si/Pt/Au ve Gd/Si/Pt) ohmik kontaklar incelendi. Ohmik kontak
özelliklerinin incelenebilmesi için fotolitografi yardımıyla Transmisyon Çizgi Modeli (TLM)
numunelerinin fabrikasyonu yapıldı. Fabrikasyonu tamamlanan numunelerin karakteristik
kontak direnci Transmisyon Çizgi Modeli kullanılarak hesaplandı. Metalizasyon işlemi için
geleneksel ohmik kontaklı numunuler farklı sıcaklıklarda farklı sürelerde tavlandı. Tavlama
işlemleri sonucunda 400 oC’de 25 s tavlanan Pt/Ti/Pt/Au ohmik kontaklı numunenin en düşük
karakteristik kontak direncine, 0.111x10-6 Ωcm-2 , sahip olduğu görüldü. Nadir bulunur metal
silikat ohmik kontaklı numuneler ise farklı sıcaklıklarda, metal silikat oluşumu için geleneksel
ohmik kontaklı numunelerden daha uzun süre tavlandı. Yapılan analizler sonucunda 400 oC’de
1dk süreyle tavlanan Au-içermeyen Gd/Si/Pt ohmik kontağın en düşük karakteristik kontak
direncine, 4.410x10-6 Ωcm-2, sahip olduğu görüldü.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P89
1. Rosenberg, J. J., Benlamri, M., Krircher, P.D., Woodall, J. M. and Petit, G. D., IEEE
Electron Device Lett, EDL-6: 491(1985).
2. Laidig, W. D., Lin, Y. F. And Caldwell P. J., J. Appl. Phys., 57: 33 (1985).
Au/polyvinyl alkol (Co, Zn-Katkılı)/n-Si Schottky engel diyotların (SBDs) doğru ve ters
beslem kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında
ve 1 MHz de hem karanlık hem de farklı ışık şiddetleri (125 W ve 250 W) altında incelendi. C-
V ve G/w-V eğrilerinde seri direnç (Rs), terslenim ve tüketim bölgesinde etkili olmaz iken,
iletim bandında oldukça etkili olduğu ve bu eğrilerde bükülmeye yol açtığı gözlendi. Rs değeri
artan ışık şiddetiyle önemli ölçüde azalırken, verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND)
artmaktadır. Bu durum, ışık şiddeti etkisiyle metal/yarıiletken ara yüzeyinde çok sayıda
elektron-hol çiftinin oluşmasına ve dolayısıyla ara yüzeydeki moleküllerin yeniden yapılanıp
düzenlenmesine atfedildi. Ayrıca, sıfır beslem engel yüksekliği ( B0), tüketim tabakasının
kalınlığı (WD) ve idealite faktörü (n) gibi temel diyot parametreleri de ışık şiddetine bağlı
olarak incelendi.
Farklı Ar/O2 oranlarına sahip olan Titanyum dioksit (TiO2) ince filmler 200 oC alttaş
sıcaklığında cam üzerine RF Magnetron püskürtme sistemi yardımıyla büyütüldü. Püskürtme
sisteminin gaz akışları her bir gaz için ayrı kütle değişim kontrol ünitesi ile A numunesi için
%20 Ar ve %20 O2, B numunesi için %10 Ar ve %20 O2 ve C numunesi için ise %90 Ar ve
%10 O2 olarak belirlendi. Büyütülen A, B ve C numunelerinin optik karakterizasyonu UV-VIS
spektrometresi ve fotolüminesans sistemi kullanılarak gerçekleştirildi. 200-1100 nm aralığında
yapılan transmisyon ölçümleri sonucunda numunelerin yasak bant aralığı A-C numuneleri için
sırasıyla 3.24, 3.33, 3.30 eV bulundu. Fotolüminesans analizleri sonucunda ise A-C
numuneleri için yasak bant aralığı ve FWHM değerleri sırasıyla 3.151, 3.172, 3.205 eV ve
0.58, 0.72, 0.75 eV bulundu. Yapılan analizler sonucunda, O2 gaz akışı azaldığında
malzemenin yapısında bir bozulma görüldü.
400
3.21 0.76
0.74
A 2.5e+7
3.20
0.72 A
350 B 3.19 0.70 B
FWHM (eV)
Eg (eV)
3.18 0.68 C
C 0.66
3.17 0.64
300 2.0e+7 3.16 0.62
Eg(eV)
0.60
-1/2
250
(cm.eV)
3.14 0.56
20/20 10/20 90/10
1.5e+7
Ar/O 2 oranı
200
1/2
1.0e+7
(ahn)
150
(E g)A=3.24 eV
(Eg)B=3.33 eV
100 5.0e+6
(E g)C =3.30 eV
50
0.0
0
2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Şekil 1. (a) 250 oC de tavlanan (b) 450 oC’de tavlanan numunelerin DLTS spektrumu.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P93
Günümüz elektronik ürünlerinde kullanılan transistörler, doğrultucu diyotlar gibi güneş pilleri
de yarıiletken maddelerden yapılırlar. Yarıiletken özellik gösteren birçok madde arasında
güneş pili yapmak için en elverişli olanlar, silisyum (Si), galyum arsenit (GaAs), kadmiyum
tellür (CdTe) gibi malzemelerdir. Son zamanlarda ise yüksek verimliliğe sahip GaAs
teknolojisine dayalı güneş pillerine ilgi artmıştır. Güneş ışığının yoğunlaştırılması ile küçük
boyutlardaki bu pillerden %40 civarında verime ulaşılabilmiştir.
Bu çalışmada; moleküler demet epitaksi (MBE) tekniği kullanılarak büyütülen InGaAs/GaAs
çoklu kuantum kuyulu güneş pili (MQWSC) yapısı incelenmiştir (Şekil-1). Büyütülen yapının
yapısal analizleri yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) tekniğiyle yapılmıştır.
Büyütülen MQWSC yapısının metalizasyonu için; püskürtme ve buharlaştırma sistemleri
kullanılmıştır. Fabrikasyonu tamamlanan güneş pilinin karanlık ve ışık altında akım-gerilim
ölçümlerinden açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc), dolum faktörü (FF) ve verim (n)
gibi temel elektriksel parametreler; sırasıyla 0.82 V, 2.41 mA, 0.83 ve 14% olarak elde
edilmiştir. Bu parametrelere ait akım-gerilim (I-V) grafiği Şekil-2 ‘de verilmiştir.
0,0005
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
-0,0005
Voc = 0,82 V
Akım (A)
Isc = 2,41 mA
-0,001
FF = 0,83
-0,0015 n = 14 %
-0,002
-0,0025
Voltaj (V)
Şekil-1 Şekil-2
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P96
SnS ortorombik yapıda IV-VI grubu bir yarıiletkendir. Güneş pillerinde yüksek absorbsiyon
katsayısı (104cm-1) ve uygun bant aralığı nedeniyle umut verici bir materyaldir[1]. SnS filmleri
heteroeklem fotovoltaik güneş pillerinde, bazı optoelektronik cihazlarda ve sensör yapımında
kullanılmaktadır [2-4]. SnS, farklı taban sıcaklıklarında payreks cam tabanlar üzerine hem
üretim kolaylığı hem de kimyasal oluşumu bakımından araştırmacıların son yıllarda ilgisini
çekmektedir. Ultrasonik kimyasal püskürtme (Ultrasonic, Chemical. Pyrolysis-UCP) tekniği
ile elde edilen SnS filmleri, 200-400oC sıcaklık aralıklarında ve hava ortamında iki saat süre
ile tavlanmıştır. Optik yöntem ve atomik kuvvet mikroskobu kullanılarak, yasak enerji
aralıkları ve yüzey durumlarında meydana gelen değişimler incelenmiştir. Filmlerin
kalınlıkları, kırılma indisleri ve dielektrik sabitleri elipsometrik yöntem ile hesaplanmıştır.
Raman spektrumları çekilerek, spektrumların tavlama sıcaklığına etkisinin değerlendirmesi
yapılmıştır.
Anahtar Kelimeler: SnS, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği, AFM, fotovoltaik, güneş
pilleri; Raman spektrumları.
[1]. Guo Yuying, Shi Weimin, Wei Guangpu, Proceedings of ISES World Congress 2007
(Vol. I – Vol. V) Pages 1337-1340, (2009)
[2] S. Aksay, T. Özer, M. Zor, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 47 (2009) 30502.
[3] C. An, K. Tang, G. Shen, C. Wang, Q. Yang, B. Hai, Y. Qian, J. Crystal Growth 244, 333
(2002)
[4] N. Koteswara Reddy, K.T. Ramakrishna Reddy, G. Fisher, R. Best and P.K. Dutta, J. Phys.
D. Appl. Phys. 32, 988 (1999)
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P97
H.Yurtseven, Y. Dildar
ODTÜ Fizik Bölümü, 06531 Ankara
H.Yurtseven, Ş. Aslan
ODTÜ Fizik Bölümü, 06531 Ankara
Sodyum nitratın ( NaNO3) düzenli-düzensiz faz geçişi ( Tc = 548 K) Raman saçılması yoluyla
incelenmiştir. Deneysel Raman şiddeti sıcaklığın işlevi olarak analiz edilmiş ve kuvvet-yasası
bağıntısına göre düzen parametresi için kritik üs değeri bulunmuştur.
Raman bandının genişliği düzen parametresi ( Raman şiddeti) cinsinden sıcaklığın işlevi
olarak hesaplanmış ve deneysel ölçümlerle karşılaştırılmıştır.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P100
Fe(1-x) – Alx (x=0.125; 0.25; 0,5) alaşımının ikinci derece elastik sabitleri wiwn2k programı
yardımıyla incelendi. Bu çalışmada; kristal yapılar süpercell olarak tasarlandı. Elde edilen
sonuçlardan; her bir oran için Cij>0 olduğu ve deneysel değerler ile de örtüştüğü görüldü.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P101
Neon gazının boşalma özellikleri p (30-760 Torr), d(330 μm–530 μm) lik elektrotlar arası
mesafe ve D (9 mm -18 mm) lik katot çapı için incelendi. Bu araştırmanın amacı Neon ve
hava ortamında boşalma karakteristikleri ile geometrik parametreler arasındaki bağlantıyı daha
detaylı olarak ele almaya yöneliktir. Deneysel analiz N-tipi Akım voltaj karakteristikleri ve
zamana bağlı akım ve boşalma ışık emisyonununu kullanarak gerçekleştirildi. Akımın dinamik
bölgesi U = 200–1200 Voltluk besleme voltajı altında katot materyaline gönderilen farklı
şiddetteki Infrared ışık şiddetleri için gerçekleştirildi. Eğer uygulanan elektrik alan kritik
değerden daha yüksekse, osilasyonlu davranış gözlenir. Yeterince yüksek voltajlarda sistemin
dinamik özelliklerini incelemek için gerçekleştirdiğimiz deneyler, konuyla alakalı süreçlerin
özellilerini nicel olarak daha iyi anlamaya katkıda bulunmaktadır.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P103
p-GaAs (100) ve n-GaAs (100) alttaş kullanılarak Moleküler Demet Epitaksi tekniği ile
büyütülen çoklu kuantum kuyulu InGaAs/GaAs yapılarının şematik diyagramı aşağıdaki
Şekilde gösterildi.Yüksek çözünürlükteki X–ışınları kırınımı sistemi kullanılarak büyütülen
kristal yapıların ısıl etki altında yapısal değişimleri incelendi. Her iki yapı 20°C, 555°C, 610°C,
665°C, 720°C’ de hızlı ısıl tavlama tekniği ile azot atmosferinde tavlandı. Tavlanan yapılar,
simetrik ve asimetrik yönelimlerde w-2θ ölçümleri alındı. Elde edilen piklerin yarı genişlik
(FWHM) ve pik pozisyonlarından yararlanarak kusur analizleri yapıldı.Ayrıca, kırınım
desenlerinden yaralanılarak, paralel X-ışınları gerilmesi (eII), dik X-ışınları gerilmesi (e^),
misfit (ef), rahatlama dereceleri (R), tilt açıları ve kusur yoğunlukları hesaplandı. Tavlama
sıcaklığının 500 oC’den küçük olduğu durumlarda örgü sabiti ve FWHM değerlerinin
analizinden kristal yapıda iyileşme olduğu gözlenmiştir. 650 oC’den büyük tavlama
sıcaklıklarında (004) yansıma düzleminde hem GaAs hem de InGaAs için FWHM değerlerinin
anormal artış gösterdiği; bu davranış, yapıdaki grup III atomlarının tabakalarda difüzyona
uğradığı ve bu sıcaklıklarda kristal düzlemin kırıldığı şeklinde yorumlanmıştır.
Titanyum dioksit, TiO2 fotovoltaik güneş pilleri, elektriksel izolasyon ve optik elemanlardaki
uygulamalar için büyük potansiyeli nedeniyle dikkat çekmektedir [1]. TiO2 ince filmleri için
pek çok büyütme yöntemi kullanılabilmektedir. Bu tekniklerden biri de magnetron püskürtme
yöntemidir [2]; Yüksek biriktirme oranına sahip olması, yüksek kaliteli filmlerin geniş bölge
biriktirme oranı, homojen tabaka oluşturma gibi nedenlerle tercih edilmektedir [3].
TiO2 ince filmleri, n tip Si alttaş üzerine DC magnetron püskürtme tekniği kullanılarak 150oC
de büyütüldü. Stylus tipi profilometre kullanılarak, filmlerin kalınlıkları belirlendi. Hızlı
termal tavlama (RTA) sistemi ile O2 ortamında 20 dakika farklı sıcaklıklarda tavlandı. Farklı
akı oranların da büyütülen numunelerin, tavlama sıcaklığına bağlı değişimleri X-ışını Kırınımı
(XRD) ve Morötesi (UV) spektrometre kullanılarak analiz edildi. Biriktirildiğinde amorf
yapıda olan numunelerin tavlamadan sonra anataz yapıya dönüştüğü gözlendi. Tavlama
sıcaklığının numunelerin yapısal ve optic özellikleri üzerine etkisi incelendi.
1. Long H., Yang G., Chen A., Li Y., Lu P., Thin Solid Films 517 (2008) 745-749
2. Ab. Benyoucef, Am. Benyoucef, F. Lapostolle, D. Klein, B. Benyoucef , Journal of
Electron Devices, 5, (2007),159-163
3. Singh P., Kumar A., Kour D., Physica B 403 (2008) 3769-3773
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P107
Bu çalışmada ikili B2-RhX (X=Y, Mg, Sc) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve titreşim
özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi içerisinde genelleştirilmiş gradiyent yaklaşımı (GGA)
kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan denge örgü sabitleri, hacim modülleri ve hacim
modüllerinin basınca göre birinci türevleri daha önceki çalışmalarla karşılaştırıldı. Elde edilen
örgü sabitleri kullanılarak çizdirilen elektronik bant yapısı ve durum yoğunluğu grafiklerinden
her üç bileşiğin de metalik karakter gösterdiği gözlendi. RhY ve RhMg için fonon frekansları
ilk defa bu çalışmada hesaplandı ve temel simetri yönleri boyunca çizildi.
Teşekkür:
Bu çalışma, Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi 05/2009-39 nolu projesi ve
Hacettepe Üniversitesi 0701602005 nolu projesi ile desteklenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P108
Kuantum mekaniğinde gözlem, deneycinin deneyin bir parçası olması nedeniyle deneysel
zorluklar içermektedir. Bir sistem üzerinde ölçüm yapıldığında sistemin özellikleri
değişmektedir. Sistemi değiştirmeden ölçüm yapmak için kuantum nokta kontak ile kuantum
nokta arasındaki yük taşınım geçirgenlik genliklerini seçilmiş enerji değerleri için
hesaplanmakta ve böylece kuantum nokta durumlarını bozmadan elektron geçişi
incelenebilmektedir. İki boyutlu elektron gazında kuantum noktası elektrostatik olarak yani
yüzeye yerleştirilen yüklü metalik kapılarla veya kimyasal kesme yöntemiyle
tanımlanmaktadır [1,2]. Son yıllarda geliştirilen diğer bir yöntem ise atomik kuvvet
mikroskobunu kullanana yerel oksidasyon yöntemidir. Bu yöntemle kuantum noktasının
biçim sınırlandırılması ortadan kalkmakta ve küçük ölçeklerde kuantum noktası tanımlana
bilmektedir. Böylece küçük ölçeklerde yüzey gerilim yöntemiyle oluşturulan kuantum
noktasındaki deneysel zorluklar kimyasal kesme yöntemindeki biçimin maske ile
sınırlandırılması ve kuantum noktalarının denetlenebilirliğinin kısıtlanması problemlerini
ortadan kaldırmaktadır [3, 4]. Bu çalışmada üç boyutta Poisson denklemi oksidasyon
yöntemiyle elde edilen kuantum nokta için, nümerik olarak çözülecek, iki boyutta elektron
gazının enerji özdeğer ve öz vektörleri sonlu farklar yöntemini kullanarak elde edilecektir [5].
Elde edilen daga fonksiyonları kullanılarak yük taşınım olasılıkları tartışılacaktır.
Kaynaklar:
[1] Avinun-Kalish M, Heiblum M, Zarchin O, Mahalu D and Umansky V, Nature 436 529,
(2005).
[2] F. E. Camino, W. Zhou, and V. J. Goldman, Phys. Rev. Lett. 95, 246802 (2005).
[3] H. W. Schumacher, U. F. Keyser, U. Zeitler, R. J. Haug, K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 75 (8),
1107 (1999).
[4] R. Leturcq, D. Graf, T. Ihn, K. Ensslin, D. D. Driscoll and A. C. Gossard, Europhys. Lett.
67, 439 (2004).
[5] S.Arslan, E. Cicek, D. Eksi, S. Aktas, A. Weichselbaum and A. Siddiki, Phys. Rev. B, 78,
125423 (2008).
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından desteklenmektedir (Proje No: 109T083).
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P109
İbrahim Mutlay1,2
1
Kimya Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
2
Hayzen Mühendislik, Ağaç İşleri San. Sit. 521. sok. No: 39, İvedik OSB, Ankara
Karmaşık kimyasal tepkimeler biyokimyasal süreçler, petrokimya ve yanma gibi çok farklı
sahalarda kendini göstermektedir. Bu bakımdan karmaşık tepkime mekanizmalarını
açıklayacak genel kuramların geliştirilmesi yaşam bilimleri, enerji üretimi ve diğer sayısız
bilimsel ve teknolojik alan için olağanüstü önem arz etmektedir. Karmaşık kimyasal tepkime
kinetiğinde son yıllarda şebeke (network) yaklaşımları özellikle göze çarpmaktadır. Kimyasal
girdi/çıktıların düğüm, etkileşimlerin ise bağ çizgileri olarak alınmasıyla ortaya çıkan şebeke,
tepkimelerin topolojik olarak incelenebilmesini olanaklı kılmaktadır. Böylece elde edilen
topolojik uzay, hesaplamalı çalışmalarda büyük yararlar sağlar. Smoluchowski denklemi
kolloidal sistemlerin koagulasyon kinetiklerinin modellenmesinde kullanılan bir bağıntıdır.
Ancak denklemin başarısı, uygulama alanını kimyasal ve fiziksel bir çok sürecin zamana bağlı
değişimlerine yaymış ve oldukça umut veren sonuçlara ulaşılmıştır.
Bu çalışmada, kimyasal tepkime şebekelerinin zamana bağlı değişimi ve özellikle kümelenme
davranışı Smoluchowski denklemi kullanılarak modellenmiştir. Tepkime şebekesi kendisini
oluşturan öbeklere ayrıştırılmış ve Smoluchowski denklemi bu öbeklerin topolojik boyut
kinetiklerini tanımlamak üzere uyarlanmıştır. Elde edilen denklem K = A + B(k + j) kerneli
için analitik olarak çözülmüştür. Analitik genel çözüm bazı özel haller için irdelenerek öbek
boyutlarının zamana bağlı değişimi tartışılmıştır.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P110
Kaynaklar:
[1]. Reed, J. S., 1995, “ Principles of Ceramic Processing”, John Wiley & Sons Inc., 658 p.
[2]. Ryan, W., 1978, “Properties of Ceramic Raw Materials”, Pregamon Pres, 113 p.
Tm3+ katkılı telürit esaslı optik camlarının sentezi, optik ve mikroyapısal özelliklerinin
araştırılması amacıyle farklı cam kompozisyonları için gerçekleştirildi. Cam malzemelerin
sentezinde 800oC sıcaklığında, elektrikli-zaman ayarlı ortamda eritme teknikleri kullanıldı. Bu
çalışmada, ilk olarak Tm3+ katkılı telürit optik camlarının, 200 ile 1300 nm dalgaboyu
aralığında soğurma spektrumları ölçüldü. Elde edilen soğurma spektrumları gözönüne
alındığında, Tm3+ iyonlarının optik cam malzemeler içinde, 1D2, 1G4, 3F2, 3F3, 3F4, ve 3H5 gibi
soğurma bandlarına sahip olduğu görüldü. Soğurma spektrumlarından elde edilen datalar
sonucu, optik enerji band aralıkları (Eg) hesaplandı. İlave olarak, Farklı ZnO cam
kompozisyonları için malzemelerin yoğunlukları, Archimed prensibi uygulanarak hesaplandı.
Artan ZnO cam kompozisyonuna göre (x= %5-30 mol), yoğunluk değişimi 5.42’ den 4.51
g/cm3 olarak azalma gösterdiği tespit edildi. Optik cam malzemelerin ısısal karakteristikleri
olarak, cam geçişi sıcaklığı (T g), kristallenme (Tc) ve erime sıcaklıkları (Tm), Isıl Analizleri
(DTA) sonucu belirlendi. Farklı kristallenme sıcaklıklarında ısıl tavlamaya tabii tutulan optik
malzemelerin, yüzey topoğrafyası, mikroyapısal ve kimyasal bileşenleri, Elektron Mikroskopu
(SEM) ve X-Işını Kırınımı spektrometresi kullanılarak analiz edildi.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P112
Bu çalışmada, 400µm kalınlıklı, 1-10 Ω-cm özdirençli n-Si yarıiletkeni kullanıldı. Gerekli
kimyasal temizleme işlemleri yapıldıktan sonra n-Si vakum ortamına alınarak mat yüzeyine
0
Au-Sb alaşımı buharlaştırılıp 420 C’de 3 dakika tavlanarak omik kontak elde edildi. n-Si’un
parlak yüzeyi üzerine Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) metodu
yardımıyla CdSe ince filmi büyütüldü. Elde edilen ince filmlerin üzerinde kontak alanını
belirlemek için 1 milimetre çaplı maskeler kullanılarak Cd metali buharlaştırıldı ve böylece Cd
/ CdSe / n-Si /Au-Sb yapısı elde edildi. Daha sonra oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V)
ölçümleri alındı. Termal tavlamanın etkisini araştırmak için, bu yapı sırasıyla 500C’den
başlanarak 4000 C ‘ye kadar 3 dakika süreyle termal tavlama işlemine maruz bırakıldı. Her bir
termal tavlama sıcaklığından sonra alınan ( I-V) ölçümlerinden yararlanarak idealite faktörü,
engel yüksekliği, doyma akım yoğunluğu ve seri direnç değerleri tavlama sıcaklığına bağlı
olarak farklı metotlarla hesaplandı. Artan tavlama sıcaklığına bağlı olarak idealite fakrörü ve
engel yüksekliği değerlerinin azaldığı, seri direnç değerlerinin ise 1000C’ye kadar arttığı, daha
sonra ise artan sıcaklık değerleri ile azaldığı bulundu.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-108T500 numaralı proje ile desteklenmektedir.
Verdiği destekten dolayı TÜBİTAK’a teşekkür ederiz.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P113
Galyum Selenid (GaSe), Galyum Sülfid (GaS) ve İndiyum Selenid (InSe) gibi tabakalı III-VI
kristalleri yarıiletken aygıtlarda potansiyel uygulama alanlarından dolayı geniş bir şekilde
çalışılmaktadır [1]. GaSe kristali c-ekseni doğrultusunda büyüyen hekzagonal yapıda, tabakalı
bir kristaldir ve tabakaları van der Waals kuvvetleriyle birbirlerine bağlanırlar. Her bir tabaka
kimyasal bağlanmada güçlü anizotropi ile karakterize edilen Se-Ga-Ga-Se düzeninde birbirine
kovalent bağlarıyla bağlanmış dört atomdan oluşur [2,3]. GaSe kristalini c-eksenine dik
kesmek çok kolay iken, istenilen herhangi bir doğrultuda kesmek zordur. GaSe’nin herhangi
bir molekülle katkılandırılması, onun herhangi bir doğrultuda kesilebilme işlemini
kolaylaştıran, aynı zamanda optik ve diğer fiziksel özelliklerini arttıran en iyi yöntemdir. [4-8].
Katkılandırılmış GaSe kristalinin optik ve mekanik özellikleri daha önce geniş bir biçimde
çalışılmış olmasına rağmen, çizgisel olmayan optik özellikleri çok az çalışılmıştır [9-11]. GaSe
kristalleri büyütülme ve katkılandırılma koşullarına bağlı olarak p- veya n- tipi yarıiletkenler
olabilirler. Biz bu çalışmada Bridgman yöntemiyle büyütülmüş saf GaSe ile % 0.01
Germanyum (Ge) ve % 0.5 Kalay (Sn) katkılı GaSe kristallerinin çizgisel olmayan soğurma ve
doyum soğurmalarını; aynı frekanslı (10 Hz), aynı dalga boylu (1064 nm), fakat farklı atma
sürelerine (4 nanosaniye ve 65 pikosaniye) sahip iki lazer kaynağı kullanarak Z- tarama deneyi
yöntemiyle farklı şiddetlerde (0.049 - 0.106 GW/cm2) inceledik [12,13]. Saf GaSe bütün
şiddetlerde çizgisel olmayan soğurma göstermektedir. Ge ve Sn katkılı GaSe kristalleri ise
düşük şiddetlerde doyum soğurması gösterirken, yüksek şiddetlerde çizgisel olmayan soğurma
göstermektedir. Katkılı GaSe’lerde düşük şiddetlerde gözlenen doyum soğurmaları katkı
atomlarının oluşturdukları katkı seviyelerinden kaynaklanmaktadır.
Referanslar
1. C. Julien, I. Samaras, Solid State Ionics 27, 101 (1988).
2. J. C. J. M. Terhell, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 7, 55 (1983).
3. J. V. Mc Canny, R. B. Murray, J. Phys. C 10, 1211 (1977).
4. G. Micocci, A. Serra, A. Tepore, J. Appl. Phys. 82, 2365 (1997).
5. J. F. Sanchez-Royo, D. Errandonea, A. Segura, L. Roa, A. Chevy, J. Appl. Phys. 83, 4750 (1998).
6. G. Micocci, A. Serra, A. Tepore, Phys. Stat. Sol. (a) 162, 649 (1997).
7. S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima, J. Appl. Phys. 80, 4779 (1996).
8. S. Shigetomi, T. Ikari, Phil. Mag. Lett. 79, 575 (1999).
9. D. R. Suhre, N. B. Singh, V. Balakrishna, N. C. Fernelius, F. K. Hopkins, Opt. Lett. 22, 775 (1997).
10. N. B. Singh, D. R. Suhre, W. Rosch, R. Meyer, M. Marable, N. C. Fernelius, F. K. Hopkins, D. E.
Zelmon, R. Narayanan, J. Cryst. Growth 198, 588 (1999).
11. S. Das, C. Ghosh, O. G. Voevodina, Yu. M. Andreev, S. Yu. Sarkisov Appl. Phys. B 82, 43 (2006).
12. M. Yüksek, A. Elmali, M. Karabulut, G.M. Mamedov, Opt. Mater. 31, 1663 (2009)
13. M. Yüksek, A. Elmali, M. Karabulut, G.M. Mamedov, Appl. Phys. B DOI 10.1007/s00340-009-3665-y
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P114
Süperiletken bir yük kübitinin özdeğer ve özfonksiyonları, yaygın kullanılan yoğunluk matrisi
yöntemi yerine, Schrödinger denkleminden hareketle Mathieu tipi bir denkleme
dönüştürülerek sayısal olarak araştırılmıştır. Özfonksiyonlar periyodik sınır koşulları altında
faz-bağlı uzayda zamandan bağımsız olarak sonlu farklar yöntemi yardımıyla çözümlenmiş ve
enerji band diagramı, kapı gerilimlerinin fonksiyonu olarak farklı boyutsuz Josephson
bağlanma enerjisi (Ej/Ec) için elde edilmiştir. Kübitin durağan kuantum durumları için Cooper
çifti kutusundaki süper akımın, Coulomb engeli tarafından bastırıldığı gözlenmiştir. Cooper
çifti sayısının beklenen değeri <n>, kapı sayıları ng ve boyutsuz Josepson enerjisi cinsinden
bulunarak bazı sayısal çıktıların, deneysel verilerle karşılaştırılması sağlanmış, sayısal
sonuçların deneylerle çok iyi uyum gösterdiği saptanmıştır.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P117
Semra İde1, Elif Hilal Soylu2, Atila Yoldaş3, Salih Aslan4, Hüsnü Aksoy5
1
Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe-Ankara
2
Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon
3
Adana Veteriner Kontrol ve Araştırma Enstitüsü, Adana
4
Hacettepe Üniversitesi, Ağaç İşl. Endüst. Müh. Böl.,06800, Beytepe-Ankara
5
Hacettepe Üniversitesi, Jeoloji Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe-Ankara
İki tabakalı bal peteği örgüsü üzerinde karma spin–1 ve spin–3/2 ferrimanyetik Ising
modelinin dengeli davranışları, korelâsyonlu etkin alan teorisiyle incelendi. Sistemin taban
durum faz diyagramları manyetik alan (h) ve tek-iyon veya kristal alan parametresi (Δ)
düzlemlerinde elde edildi. Sistemin manyetik özellikleri (faz diyagramları, compensation
(telafi) sıcaklıkları ve mıknatıslanmaları) sıcaklığın bir fonksiyonu olarak korelâsyonlu etkin
alan teorisiyle araştırılarak, (∆, kT/|J3 |) düzleminde faz diyagramları elde edildi ve sistemde
paramanyetik (P) fazın yanında, ferrimanyetik (1, 3/2), (1, 1/2) ve (0, 1/2) fazlarının olduğu
görüldü. Sistem üzerinde etkileşim parametrelinin etkisi incelenerek, (J 3/J1, kT/J1), (J1/J3,
kT/J3) ve (J2/J3, kT/J3) eksenlerinde faz diyagramları sunuldu. Bu faz diyagramlarındaki ilginç
nokta: Birinci- ve ikinci-tür faz geçişlerine ilaveten sistemde üçlü kritik ve çoklu kritik
noktaların bulunmasıdır. Ayrıca, sistemin (T, J2), (T, J1), (J1, ∆) ve (J2, ∆) eksenlerinde de
ilginç faz diyagramları elde edilmiştir.
Bu çalışma Türkiye Bilimsel ve Teknik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK) Proje No. 107T133 ve
Erciyes Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimi, Proje No: FBA-06-01 ve FBD-08-
593 tarafından desteklenmiştir.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P120
Salih Köse
ESOGÜ Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 26480, Eskişehir.
skose@ogu.edu.tr
Polikristal yarıiletken materyallerin üretiminde kimyasal püskürtme tekniği son yıllarda yaygın
olarak kullanılmaktadır. Yarıiletken pn eklem yapılı cihazların yüksek verimlilikle çalışmaları,
kullanılan materyalin kristalleşme derecesine, elektrik, optik özelliklerine, katkı elementlerinin
türüne, üretim parametrelerine, yüzey morfolojilerine ve materyal seçimine bağlıdır.
Kristallerin bu özellikleri ise kullanılan kristal büyütme tekniklerine bağlıdır. Geniş yüzeyli
polikristallerin büyütülmesinde,normal ve ultrasonik kimyasal püskürtme teknikleri sıkça
kullanılmaktadır. Bu tekniklerle, II-VI grup bileşiklerinden olan CdS, ZnO, CdO,ZnS gibi ikli,
CdxIn1-xS, CdxZn1-xS, CdxAl1-xS, CuxIn1-xS gibi üçlü polikristal alaşımlar elde edilmektedir.
Ayrıca veya dörtlü yada beşli elementlerden oluşan alaşımlarında elde edilmesi mümkündür.
Ancak element sayısı artdıkça malzemenin kompleksliği de artmakta ve analizi zorlaşmaltadır.
Bu teknikler ile farklı elementler katkılanarak, yarıiletken malzemelerin elektriksel, optiksel,
yapısal ve yüzeysel özellikleri değiştirilmekte, malzeme içerisindeki elementlerin atomik ve
elemantel ağırlıkları kontrol edilmektedir.
Bu çalışmada, normal ve ultrasonik kimyasal püskürtme tekniğinin avantajları, dezavantajları
ve kullanılan sistemin parametrelerinden ve yapım maliyetinden söz edilecektir.
KAYNAKLAR
[1] R. R. Chamberlin and J. S. Skarman; J. Electrochem.Soc., 113 (1966)90.
[2] M.Fujimoto, T.Urano, S. Murari, Y. Nishi; Jpn.Appl.Phys.28(1989)2587.
[3] Z.Guangghui, S.A.Wessel, K. Colbow;J. Phys.D.: Appl.Phys.22(1988)1802.
[4] P.Rajı, C. Sanjeevıraja, k. Ramachandran, Bull. Mater.Sci. vol.no:3 June 2005,
pp.233-238,
[5] L.D.Kadam, C.H.Bhosale, P.S.Patil,Tr.J.Pyscs21(1997)1037
[6] http.:// www.fluidproducts.com/ultrason.htm
[7] http.://www.lechler.de/uk/main/product/general_industry/ultrasonic_atomizers
/index.shtml.
[8] D.Perednis, L.J. Gauckler, Journal of Electroceramics, 14(2005) pp.103-1111.
[9] D. Perednis,M.B. Joerger, K. Honegger, L.J. Gauckler,
http.://216.239…./DP-Sotc/.pdf+spray+pyrolysisi Technique and hı.
[10] M.Calixto-Rodriguez, H.Martinez, A. Sanchez-Juarez, J. Campos-Alvarez,
A. Tiburcio-Silver, M.E. Calixto, Thin Solid Films 517(2009)2497-2499.
[11] P.Rajı.C. Sanjeervıraja and K. Ramachandran, Bull.Mater.Sci Vol. 28 No.3 june 2005,
pp.233-238
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P121
Taner Şengör
1
Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü, Yıldız Teknik Üniversitesi,
Yıldız, Beşiktaş, 34349, İstanbul
Çimento ile harç ve beton gibi çimentolu ürünler, insanoğlunun geçmişte en fazla kullandığı
ve gelecekte en fazla kullanacağı yapı malzemesi olmakla beraber özellikleri en az bilinen
malzemelerdir. Bunun nedeni, ilk bakıştaki basit görünümleri ve kolay sanılan üretimleridir.
Çimentonun gerek kimyasal yapısı gerekse su ile reaksiyonu son derece karmaşıktır. Özellikle
inşaat sektöründe kullanılan ana elemanlardan biri olan çimento ve onun yapısının
bileşenlerinin tayin edilmesi çimentonun kullanıldığı yapı ve benzerlerinin sağlamlık ve
dayanıklılığını etkileyecektir.
Bu çalışmada inşaat sektöründe oldukça önemli bir yere sahip olan çimento örneklerinin X-
ışını toz kırınım yöntemi kullanılarak nitel analizleri yapıldı. X-ışınları kırınım yöntemi ile
yapılan kimyasal analizle numune içindeki her bir örneğin bileşeni ve bunların değişik
izomorfları tespit edildi. Kimyasal formülleri açık bir şekilde saptandı.
Sentezi yapılan ve X-ışın tek kristal kırınım tekniği kullanılarak düşük sıcaklıkta üç boyutlu
yapısı aydınlatılan bileşik bir benzotriazol türevidir. Benzotriazol türevleri korezyana karşı
koruyucu-katkılama maddesi olarak kullanılmaktadır[1]. Son yıllarda ise ultraviole stabilizanı
olarak önemli uygulama alanları vardır. Özellikle afak ve psödoafaklarda UV fıltrasyonu
sağlamak için PMMA lenslerin içine üretim aşamasında katılan benzotriazol gibi kromoforlar
etkili bir UV filtresi görevi görürler [2].
Bileşiğin tek kristal kırınım verileri düşük sıcaklıkta [T=150(2)K], Bruker SMART APEX II
difraktometre sisteminde, MoKa (l = 0.71073 Å) radyasyonu kullanılarak toplandı. Kristal yapı
direk metotla çözüldü ve moleküler yapı parametreleri en küçük kareler yöntemi ile arıtıldı.
Kristal verileri : C20H25N3O, ortorombik sistem, Pca21, Mr = 323.43, a = 8.231 (3) Å, b =
13.142 (5) Å, c = 16.152 (7) Å, V = 1747.2 (12) Å3, Z = 4, Dx = 1.230 g/cm3, F(000) = 696,
m(Mo) = 0.08 mm-1.
Kaynaklar:
[1]. Shitagaki, S., Seo, S. & Nishi, T. (2004). PCT Int. Appl. WO 2004060021.
[2]. Buratto L., General principles of implantology, in extracapsular cataract microsurgery, Ed
by Buratto L, Piazza Republica, Milano. First ed, (1989) 7:183.
16. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Gazi Üniversitesi, 6 Kasım 2009
P124
Metalik bağları ve amorf yapıları ile karakterize edilen camsı metaller, malzemelerin özel bir
grubunu teşkil etmektedir. Düzensiz yapıları dolayısıyla sahip oldukları eşsiz bazı özellikleri
camsı metalleri, mekaniksel ve tribolojik uygulamalar için cazip hale getirmektedir [1]. Öte
yandan, camsı metallerin belli bir sıcaklığın üzerinde amorf durumlarını koruyamayarak kristal
duruma geçmeleri, bu alaşımların özellikle yüksek sıcaklık uygulamalarında, kristallenme
sıcaklığının altında olduğu kadar üstünde de nasıl davrandığının bilinmesini gerekli
kılmaktadır. Çalışmamızda, Fe-tabanlı camsı alaşımlar grubuna giren Fe40Ni40B20 alaşımı melt-
spinning yöntemi ile 30 m/s disk devir hızında üretildi. Alaşımın diferansiyel taramalı
kalorimetre (DSC) analizlerinden, kristallenme sıcaklığı 434 ºC olarak belirlendi. Diğer
taraftan, kristallenme sıcaklığının altında (22, 150 ve 300 °C) ve üstündeki (450 °C)
sıcaklıklarda yapılan mikromekanik karakterizasyon çalışmalarında, alaşımın sertlik (H) ve
elastiklik modülü (Er) değerlerinin artan sıcaklıkla birlikte azalma eğiliminde olduğu ve söz
konusu eğilimin kristallenme sıcaklığının altındaki sıcaklıklarda nispeten daha az, üstünde ise
çok daha belirgin olduğu gözlendi.
Kaynaklar
Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510) teşekkür ederiz.