主題／半導體之 WAT (wafer acceptance test)量測

指導老師／劉傳璽
組員／鍾育騰、陳昶瑋、黃柏融、
林書良、卓美芳、

圓接受度測試(WAT, Wafer Acceptance Test)視為晶圓出廠前的最後一道防線，而

晶 在 WAT 的測試下可確保晶圓某個程度上的品質與穩定性。而 WAT 的主要目的

是模擬客戶所設計的電路，並監控 Fab 製程的穩定性及增進產品良率，所以 WAT
對 IC 設計而言扮演著很重要的角色。而對 IC 而言，基本的電性參數，例如 MOS
特性的量測、阻值...等，是保證 IC 是否能正常運作的基本指標。因此在量測基本電性參數
應與原本設計之大小相符合的條件下，使得 IC 在正常情況下可正常運作。由於對 Wafer
上的 IC 做 C/P(Chip Probe)Test 相當的耗時且具有破壞性，因此藉由測試晶片的電性參數來
檢驗 Wafer 在生產時是否有異常的情況下，可以確保 Chip 正常而避免低良率，即為 WAT
最重要的工作。而 WAT 的另一個重要目的，是希望能透過測試基本電性參數來反映產線
上的問題；並藉由在量測當中來判斷 Metal 是否有斷線、橋接…上的問題。否則等測完 C/P
或做完 F/A 才知道線上的異常後，已是緩不濟急。此外，對 C/P 值測試而言，其所測試的
內容為電路之性能，既使知道故障原因，也很難得知為線上哪一個步驟所造成，而在 WAT
測試中，我們可以藉著測試不同圖案(Test Pattern)來立即反應線上哪些或某一步驟可能有問
題。因此 WAT 測試所得的關於線上異常狀況的資訊能比做 C/P 測試來得多。而在現階段
中，晶圓製造良率的高低為影響產品成本結構及該產業世界競爭優勢的主要因素，因此，
良率的提昇與改善成為半導體產業在製程技術及製程管理上努力研究及改善的目標。

圖片說明： 圖片說明： 圖片說明：

此為 n-MOSFET 與 p-MOSFET 藉由轉移特性(ID-VG)以及 此為 n-MOSFET 的貫穿現象
的輸出特性曲線圖，圖中包 轉移電導(gm)在操作於線性 (punch-through)曲線圖，圖中
含截止、線性以及飽和區。 區時，可作圖得臨界電壓 可知當貫穿現象發生時，次臨界
由此圖可得到 Ion (on (VT)值。 斜率與漏電流相互影響的關係。
current)與 Ioff (off
current)。