LCD (6) (고려대, 원본) -2010.10.28a-김완수

[고려대/2010년 2학기/마이크소소자특론/LCD] Molecular Orientation of LCs
액정의 배열 및 배향
Orientation & Alignment of Liquid Crystals
2010. 10. 29
고려대학교
김완수
Copyright © WAN-SOO KIM

순서 Molecular Orientation of LCs
Part 1
I. 서론
II. 액정 배향의 중요성
III. 배향의 구조
Part 2
IV. 배향의 기본 개념 및 이론 (생략)
V. 배향 방법 및 배향 막 형성 방법
VI. 배향 상태의 측정 / 평가 (생략)
VII. 배향 메커니즘 (생략)
VIII. 배향 불량 (생략)

Molecular Orientation of LCs
Part 2

Part 1
IV. 배향의 기본 개념 및 이론 (생략)
V. 배향 방법 및 배향막 형성 방법
VI. 배향 상태의 측정 / 평가 (생략)
VII. 배향 메커니즘 (생략)
VIII. 배향 불량 (생략)

배향 방법 및
배향막 형성 방법

Part 1
V. 배향 방법 및 배향막 형성 방법
1. 배향 방법
2. 배향막 형성 방법

배향방법
Methods of
Molecular Orientations of
Liquid Crystals
배향 방법
1. 표면 배향 (러빙 / 광배향 / 이온 빔 등)
2. Field 배향 (전기장 / 자기장 / 빛 등)
3. 혼합 배향 (표면 배향 + Field 배향 등)

배향 방법 Molecular Orientation of LCs
표면 배향
액정의 표면 유도 배향 (Surface Induced Alignment of Liquid Crystals)

: 표면의 작용 (표면 경계 조건) 에 의하여
Î 유도된 액정의 배향
1. 미리 러빙 등의 배향 막 형성 방법으로 처리 / 형성 된 배향 막 표면의
Î 표면 고정력 / 배향 규제력 (Surface Anchoring) 에 의하여 지배됨
2. 러빙 등에 의하여 규정되는
Î 방향으로 배열됨

네마틱 액정 화합물 의 표면 배향 Molecular Orientation of LCs
상전이 순서 : 등방 상 (Isotropic Phase) Î 네마틱 상 (Nematic Phase)
TNI * 이상의 등방 상 에서 Î 액정 화합물 을 셀 내에 주입한 후

Î 네마틱 상으로 냉각시키는 경우
1. [냉각 순서]
1) 액정 화합물이 배향막 과 맞닿아 있는 부분 (표면) 부터 냉각됨
2) 표면 (Surface) Î 셀 내부 (Bulk) / 중심
Tsurface > TNI Tsurface < TNI Tsurface < TNI

Tbulk > TNI Tbulk > TNI Tbulk < TNI
* 네마틱 – 등방 상 전이 온도
(Nematic-Isotropic Phase Transition Temperature : TNI) (To be continued)
2. [표면에서 액정 화합물 內 분자 들의 배열]
표면 上의 액정 화합물이 냉각되어
Î TNI 이하로 떨어지면
1) 표면 上의 액정 화합물 의 相
: 등방 상에서 Î 네마틱 상으로 전이함
(To be continued)
2) 표면 上의 액정 화합물 內 분자 들의 배열
(네마틱 상으로 있는 액정 분자들의 배향 구조)
(1) 미리 러빙 등의 배향 막 형성 방법으로 처리 / 형성 된 배향막 표면의

Î 표면 고정력 / 배향 규제력 (Surface Anchoring) 에 의하여 지배됨
(2) 러빙 등에 의하여 규정되는

Î 방향으로 배열됨
(3) 배향 구조는
Î 표면에서 액정 셀 의 중심으로 전파됨
(탄성체 / 연속체로서의 액정의 물리적 성질에 기인함)
(To be continued)
Tsurface > TNI Tsurface < TNI

Tbulk > TNI Tbulk > TNI
r r
R R
r r
Copyright © WAN-SOO KIM R R
3. [셀 내부 (Bulk) / 중심에서 액정 화합물 內 분자 들의 배열]

셀 내부 (Bulk) / 중심의 액정 화합물 이 냉각되어 Î TNI 이하로 떨어지면,
1) 셀 내부 (Bulk) / 중심에서 액정 화합물의 相

: 등방 상에서 Î 네마틱 상으로 전이함
(표면 상의 액정 화합물 보다 조금 뒤늦게)
2) 셀 내부 (Bulk) / 중심에서 액정 화합물 內 분자 들의 배열

(네마틱 상으로 있는 액정 분자들의 배향 구조)
(1) 표면 上의 액정 화합물 內 분자 들에 의하여 전파 / 간접적으로 전달된
Î 표면 고정력에 의하여 지배됨
(2) 러빙 등에 의하여 규정되는
Î 방향으로 배열 됨 (To be continued)
Tsurface < TNI Tsurface < TNI

Tbulk > TNI Tbulk < TNI
r r
R R
r r
4. [셀 전체의 액정 화합물 내 분자들의 배향 구조]
- 배향막 표면에서의 Î 표면 고정력 에 의하여 지배되어

- 러빙 등에 의하여 규정되는 Î 방향으로 배열됨
(To be continued)
Tsurface > TNI Tsurface < TNI Tsurface < TNI

Tbulk > TNI Tbulk > TNI Tbulk < TNI
r r r
R R R
r r r
RKIM
Copyright © WAN-SOO R R
Field 배향 (전기장 / 자기장 / 빛 등)
액정의 장 유도 배향 (Field Induced Alignment of Liquid Crystals)

: 액정과 전기장 (또는 자기장)의 상호 작용에 의하여 유도된 액정의 배향
1. 전기장 에 의하여 지배됨
2. 액정과 전기장의 상호 작용에 의하여 규정되는

Î 방향으로 배열됨 (Field-Induced Reorientation of Liquid Crystals)
3. 전기장을 제거하여도
Î 배향 구조 가 유지되어야 효과적임(Memory Effect)
4. CLC, FLC 등에서 사용됨

3 Independent Deformations
자기장에 의하여 유발된 액정 분자의 변형
(Splay) (Twist) (Bend)

Cholesteric 상
~ PSCT (Polymer Stabilized Cholesteric Texture) mode LCD
Remove
of field
• On-state (transparent state) • Off-state (opaque state)

• Homeotropic texture of LCs • Focal conic texture of LCs
• Polymerization with strong field • Scatter light
• Polymer network ~ perpendicular to cell substrates
• Helix unwound

혼합 배향 (표면 배향 + Field 배향 등)
1. 혼합배향 : 두 가지 이상의 배향 방법을 동시에 사용

Î 표면 배향 + Field 배향 등
2. 용도 Î주로 FLC 에서 사용됨
3. 사례 : Iso Î 콜레스테릭 [Cholesteric (N*)] Î Sm C*

의 상전이를 갖는 FLC 의 배향 시 필요 : 1) + 2)
1) 액정 분자 : 표면 배향 에 의해 배열
2) 스멕틱 층 : Field 배향 에 의해 배열

강유전성 액정 화합물의 Field 배향 Molecular Orientation of LCs
FLC 의 상전이 순서의 유형
1. 등방 [Isotropic (Iso)] Î Sm C* : Field 배향도 필요
2. Iso Î Sm A Î Sm C*
3. Iso Î 콜레스테릭 [Cholesteric (N*)] Î Sm C* : Field 배향도 필요
4. Iso ÎN* Î Sm A Î Sm C* : 표면 배향만 필요
(To be continued)
강유전성 액정 화합물의 Field 배향(1) Molecular Orientation of LCs
상전이 순서 4) : Iso Î N* Î Sm A Î Sm C*
Isotropic
r Cholesteric
r
R R
표면 배향
r r
Cholesteric
r Sm A
r
R R
표면 배향
r r
Sm A
r Sm C*
r
R R
표면 배향
r r
Copyright © WAN-SOO KIMR R
상전이 순서 3) : Iso Î N* Î Sm C*
Isotropic
r Cholesteric
r
R R
표면 배향
r r
상전이 순서 3) : Iso Î N* Î Sm C*
위에서 본 그림
Cholesteric
r Sm C*
R r (표면에서의
배향 구조)
E r r
Field 배향
n // R
r
r k
Ps
(1) Director (n) 는 유지된 채
Î Ps 가 E 와 평행하도록
Î 층의 구조 (k)가 배열됨
r
r(2) ÎE 가Director
없으면
(n) 는 유지된 채
R
R Î 층의 구조 (k)가 랜덤하게 배열됨
Preparation Methods of
Molecular Orientation Layer of
Liquid Crystals

I. 고분자 (Polymer) + 러빙(Rubbing)
II. 광배향 (Photo Alignment) (생략)

A. 광 중합(Photo-Polymerization)
B. 광 분해(Photo-Decomposition)
C. 광 이성질화(Photo-Isomerization)
III. 사방증착 (Oblique Evaporation) (생략)
IV. 기타 (생략)
A. LB Film
B. 표면 처리제
C. 이온 빔
고분자 + 러빙
Polymer + Rubbing
배향막 형성 방법 : 고분자 + 러빙
1. 배향 공정
2. 배향 물질 / 재료
3. 배향 장비 / 장치
4. 배향 물리량 (선 경사각 등) 제어
5. 배향 원리 / 메커니즘 / 모델
6. 배향 문제점
배향 공정

액정Cell 공정

배향공정

배향막 형성 방법 : 고분자 + 러빙 Molecular Orientation of LCs
공정 (Process)
기판 Polyamic Acid
배향材 도포 / 인쇄 (Coating / Printing)
세정 도포
예비 열처리(Pre-Curing / Leveling) 용매 증발
본 열처리 / 경화 / 소성 (Main-Curing) 이미드화

External
Mechanical
Stress 에 의해 러빙(Rubbing) 기판 세정
Anisotropy 유발

PI 전 세정 공정의 도식도



PI 전 세정기

액정 배향막 형성 Molecular Orientation of LCs
배향材 도포 / 인쇄 (Coating / Printing)
예비 열처리(Pre-Curing / Leveling)
본 열처리 / 경화 / 소성 (Main-Curing)
액정 배향막
ITO 전극
Glass 기판
(To be continued)

PI 인쇄 공정의 도식도

PI 인쇄기에서 인쇄부의 구조

APR Plate

PI 인쇄기

PI 전 경화 공정 인라인 장비

PI 본 경화 장비
/자동화 인라인 시스템

PI 본 경화 장비
/자동화 인라인 시스템의 구조

러빙 Molecular Orientation of LCs
러빙(Rubbing) 배향막의 표면을 포로 문지름
회전
러빙 롤 (레이온 / 코튼)
액정 배향막
ITO 전극
Glass 기판
기판 이송
(To be continued)
액정의 배향 Molecular Orientation of LCs
일축 배향성 + 선 경사각 발현
Î 배향 결함 없는 LCD 를 제작하기 위해 필요 불가결
러빙 방향
액정 분자
액정 배향막
ITO 전극
Glass 기판

배향 물질 / 재료

물질 / 재료 (배향재) : 고분자 ~ Polyimide (PI)
Polyimide 의 특징
1. 우수한 열 안정성 (250 ~ 450 oC 에서 사용 가능 Î 배향 안정성)
2. 우수한 기계적 특성
3. 우수한 전기적 특성 (높은 비저항 등)
4. 우수한 액정 배향 특성

배향막 재료 Molecular Orientation of LCs
제조 Process 조건 측면에서 요구 특성
요구 특성 주 Process
1. 도포성 / 인쇄성 Î 좋아야 함 성막

(용제에 가용성 Î 박막 형성 가능성)
2. 기판과의 밀착성 Î 좋아야 함 성막
3. 물리적 막 강도 Î 강해야 함 러빙
4. 내 약품성 Î 좋아야 함 러빙 후 세정
5. 실(Seal) 제와의 밀착성 Î 좋아야 함 실 인쇄 / 소성
6. 내열성 Î 좋아야 함(200 oC 이상) 실 형성 / 합착
7. 화학적 안정성 (액정에의 용출이 없을 것) 액정 주입

표시 품질 측면에서 요구 특성
요구 특성
1. 배향 규제력 Î 강해야 함
2. 러빙에 의한 고분자 쇄 / 액정 분자의 일축 배향성 Î 있어야 함
3. 불순물 (특히, 이온성 물질) Î 포함하지 말아야 함
4. 착색 Î 없어야 함
(투명성 Î 좋아야 함)

물리량의 개념 Molecular Orientation of LCs
1. 표면 용이 배열각 (Surface Easy Orientation Angle)
: [정의] 외부 토크 없는 평형상태에서 (전기장 / 자기장 등이 없는)

표면에너지를 최소화 시키는
표면 배열 각 (극각 / 방위각)
: [개념] 표면 처리에 의해 부과된 국소 선호 (Preferred) 배열각
: [성질] 강한 배향 규제력(Strong Anchoring) 상태에서,

표면 배열각 = 표면 용이 배열각

물리량의 개념 Molecular Orientation of LCs
2. 배향 규제력 / 표면 고정력 / Surface Anchoring Energy
: [정의] 방향자를 표면 용이 배열각으로 부터

임의의 표면 배열각으로 회전시키는 데 필요한 일
Î 표면 상의 방향자는 두개의 단위 면적 당 복원 토크에
종속되어 있음을 의미 (극성분 / 방위성분)
: [개념] 용이한 방향자 배열을 담당하는 배향 상호작용의 세기의 척도 임
: [성질] 표면 배열 각 = 표면 용이 배열각
Î Vanish 1
F s = W 0 ∫ s in 2 (θ − θ 0 ) d S
2 s

배향 규제력 / 표면 고정력 / Surface Anchoring Energy
N polar
anchoring
Wθ
θ n
ce
rfa
φ
su
azimuthal
anchoring
Wφ
Strong anchoring 10-4 J/m2 Wθ,φ is energy needed to
Weak anchoring 10-7 J/m2 move director n from
its easy axis
배향막 재료는
러빙에 의하여 고분자 쇄 / 액정 분자의 일축 배향성 이 있어야 함 Î PI

PI Film 의 제작 방법
<방법 1> PA (Polyamic Acid) 을 기판에 코팅

Î 고온 소성 (250 oC 이상)
Î (열적으로 이미드화 한) PI 배향막 제작
<방법 2> (화학적으로 이미드화 한) PI 용액을 기판에 코팅

Î 저온 소성 (200 oC 이하)
Î PI 배향막 제작

Polyimide 의 제법 (1) 중합 Molecular Orientation of LCs
Di-anhydride Di-amine
중합 + Solvent (극성 용매) ~ NMP 등
(N-
Methyl-2-
Pyrrolidone)
Polyamic Acid (Soluble /Fusible) (To be continued)

Polyimide 의 제법 (2) 이미드화 Molecular Orientation of LCs
Polyamic Acid (Soluble / Fusible)
가열 : 이미드화 -H2O (탈수)
Polyimide (Insoluble / Infusible)

배향 장비 / 장치

장비 / 장치 ~ 러빙기

러빙 공정의 도식도

러빙기

Pre-tilt Angle 측정기

AFM / 3D Surface 측정기

(러빙 롤러의 구조)
(To be continued)
(러빙 시스템의 구조)
(To be continued)
러빙 밀도

러빙 강도

배향 물리량
(선 경사각 등)
제어

물리량 제어
러빙한 고분자 표면에서의 Î 액정 분자의 물리량 제어
1. 표면 선 경사각
(1) 러빙에 의해 유발된 액정의 표면 극 선경사각 은

Î 일반적으로, 러빙 강도에 반비례 하나,
(2) 주로, 배향물질 / 액정물질에 의존
(To be continued)
물리량 제어
러빙한 고분자 표면에서의 액정 분자의 물리량 제어
2. 표면 고정 에너지
(1) 러빙에 의해 유발된 액정의 표면 극 고정 에너지는

Î 일반적으로, 러빙 강도 에 비례 하나,
(2) 주로, 배향물질 / 액정물질에 의존
(To be continued)
표면 극 선경사각

배향 원리 / 메커니즘 / 모델

원리 / 메커니즘 / 모델
러빙한 고분자 표면에서의 액정 분자의 배향 에 대한

1. 계면 분자간 상호 작용 (Interfacial Intermolecular Interaction)
2. 표면 형상 효과 (Surface Topological Interaction)

ÎMicrogroove 이론
(To be continued)

(1) 계면 분자간 상호 작용
1. 러빙한 고분자 의 Side Chain 또는 Main Chain 과

Î 액정 분자 사이의 상호 작용에 의해 Î 액정의 배향이 결정됨
2. Model
- 러빙에 의해
Î 고분자의 Side Chain 또는 Main Chain 이 러빙 방향으로 배열
- 액정 주입 후 액정은
Î 고분자의 Side Chain 또는 Main Chain 과 평행하게 배열(To be continued)

계면 분자간 상호 작용

러빙 후 PI 표면 구조

선 경사각의 발생 메커니즘
(Low Pretilt Angle)
(High Pretilt Angle)

Rubbing 에 의한 Pre-tilt 의 발생 : Side Chain Effect
(a) 고분자 Main Chain
(b) 고분자 Side Chain (Alkyl 기)
: Polymer Side Chain 에 의해 Î Pre-tilt 가 Induce 됨

(To be continued)
러빙 前
(To be continued)
러빙 後
High Pre-tilt : Side Chain Effect

Rubbing 에 의한 Pre-tilt 의 발생 : Main Chain Effect
러빙 前
(To be continued)
Rubbing 에 의한 Pre-tilt 의 발생 : Main Chain Effect
러빙 後
Low Pre-tilt : Main Chain Effect


(2) 표면 형상 효과
1. 러빙한 표면에 형성된 Microgroove 와

Î 액정 분자 사이의 상호 작용에 의해 Î액정의 배향이 결정됨
2. Model
- 러빙에 의해
Î 고분자의 표면에 Microgroove 가 형성됨
- 액정 주입 후 액정은
Î Microgroove 에 평행하게 배열
(탄성 에너지를 최소화 시키는 배열)
(To be continued)
표면 형상 효과

Rubbing 에 의한 Pre-tilt 의 발생 : Micro-Groove
(To be continued)
Groove 의 배열 효과
표면상에서 Groove 에 수직한 Nematic 액정 배열 (a) 은

Î 표면상에서 Groove 에 평행한 Nematic 액정 배열 (b) 보다
Î 잉여 탄성 에너지가 요구됨 (변형됨)
Î (b) 배열이 에너지적으로 안정

정리 : 러빙한 고분자 표면에서 액정의 배향은

Î 표면형상효과보다는
Î 분자간 상호작용에 지배적으로 기인함

배향 문제점

문제점 (러빙 기술의 과제)
1. 정전기의 발생 / 방전
신
- 배향막 손상 + TFT 소자 파괴 / 단선 등을 방지 하도록 배
향
Î 장치에 정전기 대책이 되어 있지만,
방
Î 완전하지 않음 법
:
광
배
향
2. Particle / Dust 의 발생 / 대책
등
- 세정 공정이 추가됨 Î 공정증가

러빙 후 이물의 현미경 사진

신
3. 비균일 효과 배
향
- 단차부와 평탄부의 러빙 조건이 상이함 방
Î 배향 규제력 / 선 경사각의 불균일이 발생 법
:
광
배
향
4. 러빙 스크레치 의 발생 등

5. (광시야각 대응) 화소 분할 배향 어려움 신

배
향
방
법
6. 대형 기판 대응 균일 러빙 어려움 :
광
배
향
7. 재현성의 관리가 어려움 등


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IV. 배향의 기본 개념 및 이론 (생략)

VI. 배향 상태의 측정 / 평가 (생략)

VII. 배향 메커니즘 (생략)

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2. Field 배향 (전기장 / 자기장 / 빛 등)

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액정의 표면 유도 배향 (Surface Induced Alignment of Liquid Crystals)

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상전이 순서 : 등방 상 (Isotropic Phase) Î 네마틱 상 (Nematic Phase)

TNI * 이상의 등방 상 에서 Î 액정 화합물 을 셀 내에 주입한 후

Tsurface > TNI Tsurface < TNI Tsurface < TNI

2. [표면에서 액정 화합물 內 분자 들의 배열]

(1) 미리 러빙 등의 배향 막 형성 방법으로 처리 / 형성 된 배향막 표면의

(2) 러빙 등에 의하여 규정되는

Tsurface > TNI Tsurface < TNI

3. [셀 내부 (Bulk) / 중심에서 액정 화합물 內 분자 들의 배열]

1) 셀 내부 (Bulk) / 중심에서 액정 화합물의 相

2) 셀 내부 (Bulk) / 중심에서 액정 화합물 內 분자 들의 배열

Tsurface < TNI Tsurface < TNI

4. [셀 전체의 액정 화합물 내 분자들의 배향 구조]

- 배향막 표면에서의 Î 표면 고정력 에 의하여 지배되어

Tsurface > TNI Tsurface < TNI Tsurface < TNI

Field 배향 (전기장 / 자기장 / 빛 등)

액정의 장 유도 배향 (Field Induced Alignment of Liquid Crystals)

1. 전기장 에 의하여 지배됨

2. 액정과 전기장의 상호 작용에 의하여 규정되는

4. CLC, FLC 등에서 사용됨

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자기장에 의하여 유발된 액정 분자의 변형

(Splay) (Twist) (Bend)

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• On-state (transparent state) • Off-state (opaque state)

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1. 혼합배향 : 두 가지 이상의 배향 방법을 동시에 사용

2. 용도 Î주로 FLC 에서 사용됨

3. 사례 : Iso Î 콜레스테릭 [Cholesteric (N*)] Î Sm C*

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FLC 의 상전이 순서의 유형

1. 등방 [Isotropic (Iso)] Î Sm C* : Field 배향도 필요

3. Iso Î 콜레스테릭 [Cholesteric (N*)] Î Sm C* : Field 배향도 필요

4. Iso ÎN* Î Sm A Î Sm C* : 표면 배향만 필요

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I. 고분자 (Polymer) + 러빙(Rubbing)

II. 광배향 (Photo Alignment) (생략)

III. 사방증착 (Oblique Evaporation) (생략)

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본 열처리 / 경화 / 소성 (Main-Curing) 이미드화

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3. 사례 : Iso Î 콜레스테릭 [Cholesteric (N)] Î Sm C

3. Iso Î 콜레스테릭 [Cholesteric (N)] Î Sm C : Field 배향도 필요