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DTD版本： 1.0.0

發明專利說明書
※申請案號：094123137 ※I P C 分類：

一、 發明名稱：
糊狀組成物及使用其之太陽電池元件
Paste Composition and Solar Cell Employing the Same
二、 中文發明摘要：
本發明係提供一種即便使用更薄的矽半導體基板，仍可防止發生翹曲或龜裂
狀況，且可達成高BSF效果與高能量轉換效率的糊狀組成物，以及具備有使用
此組成物所形成之電極的太陽電池元件。糊狀組成物係用於在p型矽半導體基
板(1)上形成鋁電極層(8)的糊狀組成物；包含有：鋁粉末、有機質調漆料及碳
粉末。太陽電池元件係具備有將具有上述特徵的糊狀組成物，塗佈於p型矽半
導體基板(1)上之後，藉由燒成所形成的鋁電極層(8)。鋁電極層(8)係含有碳
粒子。
三、 英文發明摘要：
A paste composition and a solar cell including an electrode formed by employing
the composition are provided to attain a high BSF effect and a high energy
conversion efficiency as well as to prevent a silicon semiconductor substrate from
warping or breaking when the thinner silicon semiconductor substrate is used. A
paste composition for forming an aluminum electrode layer (8) on a p－type silicon
semiconductor substrate (1) contains aluminum powder, an organic vehicle and
carbon. A solar cell comprises an aluminum electrode layer (8) formed by applying
the paste composition having the aforementioned characteristics onto a p－type
silicon semiconductor substrate (1) and thereafter firing the paste composition. The
aluminum electrode layer (8) includes carbon particles.
四、 指定代表圖：
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(一)本案指定代表圖為： 第1圖
(二)本代表圖之元件符號簡單說明：
1．．．P型矽半導體基板
2．．．n型不純物層
3．．．抗反射膜
4．．．柵電極
5．．．鋁燒結層
6．．．鋁矽混合層
7．．．p＋ 層
8．．．鋁電極層
本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化
五、
學式：

六、 發明說明：
【發明所屬之技術領域】
[0001] 本發明係關於一般的糊狀組成物及使用其之太陽電池元件；特定而言，係關於
在構成結晶系矽太陽電池的p型矽半導體基板上，形成背面鋁電極之際所使用的
糊狀組成物及使用其之太陽電池元件。
【先前技術】
[0002] 太陽電池係屬於安全且環境負擔較少的綠色能源，並期待其更廣範圍地實用
化。特別係為達成使用矽半導體基板構成元件的太陽電池的普及，必須朝輕量
化與低成本化演進。因應此項要求，為將太陽電池元件厚度變薄而進行研究開
發。
[0003] 圖1所示係太陽電池元件的一般剖面構造示意圖。
[0004] 如圖1所示，在厚度300~600 μ m的p型矽半導體基板1之受光面側，依序形成厚
度0.3~0.5 μ m的n型不純物層2、抗反射膜3及柵電極4。

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[0005] 在p型矽半導體基板1的背面側，形成作為背面電極的鋁電極層8。鋁電極層8係
由鋁燒結層5與鋁矽混合層6所構成。在p型矽半導體基板1背面塗佈著含鋁之糊
狀物(paste)並施行燒成，便形成鋁燒結層5與鋁矽混合層6，同時藉由將鋁擴散於
p型矽半導體基板1中而形成p＋ 層(或p＋＋ 層)7。藉由此p＋ 層7的存在，便可獲
得所謂的BSF(Back Surface Field)效果，俾可提高p型矽半導體基板1內所生成的載
子收集效率。換言之，在p型矽半導體基板1內所生成的少數載子中，朝向背面
電極的載子將因p＋ 層7形成內部電場並構成障礙，而朝表面方向反彈，便可利
用表面電極依光電流形式有效率地收集，結果便將增加光電動勢與光電流，俾
可提高轉換效率。
[0006] 用於形成鋁電極層之含鋁糊狀物的塗佈，一般係採用網版印刷法實施，且其燒
成係在氧化性環境中實施。為能獲得所需之BSF效果，必須將含鋁糊狀物厚厚地
塗佈再施行燒成。具體而言，在矽半導體基板整面上將含鋁糊狀物塗佈為40~70
μ m的厚度，但是若未施行燒成的話，BSF效果將嫌不足而無法提高轉換效率。
[0007] 但是，在形成發揮BSF效果的p＋ 層之同時，鋁電極層亦將形成為必要以上的厚
度。因而，若為將太陽電池元件厚度削薄，而將矽半導體基板厚度削薄至300
μ m以下的話，鋁電極層厚度相對於半導體基板厚度的比率將變大。結果，當
從用於形成鋁電極層的燒成溫度起冷卻至常溫之際，將因鋁或鋁矽混合物、與
矽之間的熱膨脹係數差，而引發內部應力，導致半導體基板出現翹曲或龜裂的
問題。
[0008] 所以，以習知太陽電池元件之製造方法，當因應太陽電池元件的薄型化要求，
而將矽半導體基板厚度削薄至300 μ m以下的情況時，便將發生問題。
[0009] 為解決此類問題便有提案出數個方法。
[0010] 例如日本專利特開2002－353476號公報所提案，在半導體基板上形成背面電極
之後，再對背面電極表面朝厚度方向施行部分蝕刻的方法。但是，此方法除了
製造程序複雜之外，亦有在燒成時無法防止發生翹曲或龜裂狀況的問題。

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[0011] 再者，例如日本專利特開2002－217435號公報所提案，在半導體基板背面整體
上先薄薄地塗佈含鋁糊狀物，然後在其上面於欲形成較厚的部分處，再度塗佈
含鋁糊狀物之後，進行燒成，藉此在半導體基板背面上依2種以上厚度形成背面
電極的方法。例如日本專利特開2002－141533號公報所提案，在半導體基板背面
上，將背面電極形成為格子狀的方法。例如日本專利特開2002－141534號公報所
提案，在半導體基板背面上將背面電極形成為不同厚度之條紋狀的方法。例如
日本專利特開2002－141546號公報所提案，在半導體基板背面上將背面電極形成
為矩形狀的方法。但是，該等不管哪一種方法所形成之發揮BSF效果的p＋ 層將
呈不均勻，而有導致轉換效率降低的問題發生。
[0012] 再者，例如日本專利特開2000－90734號公報所提案，作為可確保所需BSF效果
且可削薄鋁電極層的導電性糊狀物之組成物，為含有：鋁粉末、玻璃料、有機
質調漆料及含鋁有機化合物。但是，藉由使用此導電性糊狀物，雖將確保某一
定程度的太陽電池特性且減少塗佈量，而使背面電極層變薄，而降低p型矽半導
體基板所發生的翹曲量，但是為能獲得充分的BSF效果，並未減少導電性糊狀物
的塗佈量，因而將無法減少翹曲量。
[0013] 例如日本專利特開2003－223813號公報所提案，係含有：熱膨脹率小於鋁，且
熔融溫度、軟化溫度及分解溫度均大於鋁融點的無機化合物；鋁粉末；以及有
機質調漆料；的糊狀組成物。但是，若增加無機化合物的添加量，雖可更進一
歩抑制燒成時發生翹曲或龜裂的狀況，但是，鋁電極層的表面電阻將增加，導
致電極間的歐姆電阻增加，而無法有效地取出由太陽光照射所產生的能量，將
有導致能量轉換效率降低的問題發生。
【發明內容】
《所欲解決之技術問題》
[0014] 所以，本發明之目的在於解決上述問題，提供一種即便使用更薄的矽半導體基
板，仍可防止發生翹曲或龜裂狀況，且可達成高BSF效果與高能量轉換效率的糊
狀組成物，以及具備有使用此組成物所形成之電極的太陽電池元件。
《技術手段》
[0015] 本發明者等為解決習知技術問題點經深入鑽研，結果發現藉由使用具特定組成
的糊狀組成物，便可達成上述目的。根據此發現，依照本發明的糊狀組成物將
具備有如下述特徵。
[0016] 依照本發明的糊狀組成物係供在p型矽半導體基板上，形成電極用的糊狀組成
物；包含有：鋁粉末、有機質調漆料及碳粉末。
[0017] 最好本發明的糊狀組成物更包含有玻璃料。
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[0018] 再者，最好本發明的糊狀組成物係含有0.1質量%以上、18質量%以下之碳粉末。
[0019] 再者，最好本發明的糊狀組成物係含有60質量%以上、75質量%以下之鋁粉末，
20質量%以上、35質量%以下之有機質調漆料，0.1質量%以上、18質量%以下之
碳粉末。
[0020] 當含玻璃料的情況時，最好本發明的糊狀組成物係含有：60質量%以上、75質
量%以下之鋁粉末，20質量%以上、30質量%以下之有機質調漆料，0.1質量%以
上、18質量%以下之碳粉末，5.0質量%以下之玻璃料。
[0021] 本發明的糊狀組成物中，碳粉末最好為碳黑。
[0022] 再者，本發明的糊狀組成物中，最好碳粉末的平均粒徑係10 μ m以下。
[0023] 再者，本發明的糊狀組成物中，最好碳粉末的平均粒徑在0.5 μ m以下。
[0024] 本發明的糊狀組成物中，當碳粉末平均粒徑在0.5 μ m以下的情況時，最好含有
0.3質量%以上、6質量%以下之碳粉末。
[0025] 依照本發明的太陽電池元件，具備有將具有上述特徵的糊狀組成物塗佈於p型矽
半導體基板上之後，藉由燒成所形成的電極。
[0026] 依照本發明之另一佈局的太陽電池元件，係具備有：鋁電極層，此鋁電極層係
包含有碳粒子。
《功效》
[0027] 如上述，依照本發明，當將已塗佈含碳粉末之糊狀組成物的p型矽半導體基板施
行燒成，而形成電極之際，將可防止p型矽半導體基板發生翹曲或龜裂狀況，且
在具備有使用此組成物所形成之電極的太陽電池元件中，將可達成高BSF效果與
高能量轉換效率。
【實施方式】
[0028] 本發明之糊狀組成物的特徵係除了含有鋁粉末、有機質調漆料之外，尚含有碳
粉末。碳粉末的熱膨脹係數將依結晶構造等因素而異，大約為0.5~10×10－6 /
℃，較小於鋁熱膨脹係數23.5×10－6 /℃。此外，碳粉末的導電率係大於無機化
合物粉末或含鋁有機化合物粉末。
[0029] 藉由使此種碳粉末含於糊狀組成物中，碳粉末與矽之間的熱膨脹係數之差較
小，因此將可抑制經塗佈糊狀物且燒成後的p型矽半導體發生變形。此外，因為
碳粉末的導電率較高，因而將可抑制鋁電極層的表面電阻增加。

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[0030] 習知為求抑制燒成後的p型矽半導體之變形，除了採取：削薄糊狀物之塗佈膜
厚；或藉由使用經添加含鋁有機化合物粉末的糊狀物，在確保一定的太陽電池
特性之同時，削薄糊狀物的塗佈膜厚而削薄背面電極層；或者使用經添加無機
化合物粉末的糊狀物等之外，尚無實質上之有效手段。
[0031] 若削薄糊狀物的塗佈膜厚，則鋁從p型矽半導體基板表面朝內部的擴散量將嫌不
足，並無法獲得充分的BSF效果，結果便將降低太陽電池元件的特性。
[0032] 若使用經添加無機化合物粉末或含鋁有機化合物粉末的糊狀物，鋁電極層的表
面電阻便將增加，導致能量轉換效率降低，結果便將降低太陽電池元件的特
性。
[0033] 但是，本發明因為並未增加鋁電極層的表面電阻，因而將無導致能量轉換效率
降低的顧慮。此外，即便削薄糊狀物的塗佈膜厚，因為可抑制燒成後的p型矽半
導體基板之變形，因而將可獲得充分的BSF效果。
[0034] 本發明之糊狀組成物中所含的碳粉末，除人造石墨粉、活性碳或碳黑等之外，
尚適用如：碳纖維、玻璃狀碳等任何材料。
[0035] 本發明的糊狀組成物中所含之碳粉末含有量，最好在0.1質量%以上、18質量%以
下。若碳粉末含有量未滿0.1質量%，將無法充分獲得抑制燒成後的p型矽半導體
基板發生變形之添加效果。若碳粉末含有量超越18質量%，網版印刷等方面的
糊狀物塗佈性將降低。
[0036] 本發明的糊狀組成物中所含之碳粉末之平均粒徑，最好在10 μ m以下，尤以1
μ m以下為佳，更以0.5 μ m以下為佳。若碳粉末的平均粒徑超過10 μ m，因為
在糊狀物燒成時所形成的鋁電極層中所存在的碳粒子數量將變少，因而將無法
充分獲得抑制燒成後的p型矽半導體基板發生變形之添加效果。
[0037] 為能使燒成後的p型矽半導體基板之變形(翹曲)、及電極層表面電阻均衡佳地降
低，只要將碳粉末的平均粒徑設定在0.5 μ m以下，且將碳粉末含有量設定在0.3
質量%以上、6質量%以下的話便可。藉由依此設定，便可使微細碳粉末有效地
分散含於鋁電極層中。
[0038] 碳粉末平均粒徑的下限值並無特別的限制，但是若隨平均粒徑的減少而增加的
比表面積超過20000m2 /g的話，糊狀物黏度便將上升，在網版印刷時的糊狀物塗
佈性將降低。
[0039] 再者，本發明的糊狀組成物中所含之鋁粉末的含有量，最好在60質量%以上、75
質量%以下。若鋁粉末含有量未滿60質量%，燒成後的鋁電極層表面電阻將增
加，恐將導致能量轉換效率降低。若鋁粉末含有量超過75質量%，在網版印刷
時的糊狀物塗佈性將降低。
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[0040] 本發明的糊狀組成物中所含之有機質調漆料，係使用將乙基賽路蘇、丙烯酸樹
脂、醇酸樹脂等溶解於溶劑中的調漆料。有機質調漆料的含有量最好在20質
量%以上、35質量%以下。若有機質調漆料含有量未滿20質量%或超過35質
量%，糊狀物的印刷性將降低。
[0041] 本發明的糊狀組成物亦可含有玻璃料。玻璃料含有量最好在5.0質量%以下。玻
璃料雖與p型矽半導體的變形、BSF效果及能量轉換效率間無直接關係，但是屬
於為提升燒成後的鋁電極層與p型矽半導體基板間之密接性而添加者。若玻璃料
含有量超越5.0質量%，恐將發生玻璃偏析狀況。
[0042] 本發明的糊狀組成物中所含之玻璃料，除SiO2 －Bi2 O3 －PbO系之外，尚可舉例
如：B2 O3 －SiO2 －Bi2 O3 系、B2 O3 －SiO2 －ZnO系、B2 O3 －SiO2 －PbO系
等。
[0043] 另外，本發明一實施形態的太陽電池元件，具有如圖1所示之剖面構造，在p型
矽半導體基板1背面側上所形成之背面電極的鋁電極層8，係含有碳粒子。
[0044] 以下，針對本發明一實施例進行說明。
[0045] 首先，製作出含有60~75質量%範圍內之鋁粉末，含有0.3~5.0質量%範圍內之玻
璃料，含有20~30質量%範圍內之有機調漆料，且依表1所示比率含有碳粉末的
各種糊狀組成物。
[0046] 具體而言，在將乙基賽路蘇溶解於乙二醇醚系有機溶劑中的有機質調漆料中，
添加鋁粉末與B2 O3 －SiO2 －PbO系玻璃料，更添加表1所示之各種碳粉末，並
利用週知混合機進行混合，便獲得糊狀組成物。
[0047] 其中，就從鋁粉末在確保與p型矽半導體基板間之反應性、塗佈性及塗佈膜之均
勻性等觀點而言，便採用由平均粒徑2~20 μ m的球形或具有接近球形形狀之粒
子所構成的粉末。
[0048] 將上述各種糊狀組成物在大小為2吋(50.8mm)×2吋(50.8mm)、厚度280 μ m的p
型矽半導體基板上，使用180網孔的網版印刷版施行塗佈．印刷。塗佈量係設定
為燒成後的鋁電極層厚度成為40~50 μ m。
[0049] 將經印刷糊狀物的p型矽半導體基板施行乾燥之後，便利用紅外線燒成爐，在空
氣環境中依400℃/分的昇溫速度施行加熱，然後依在710~720℃的溫度中保持30
秒鐘的條件進行燒成。經燒成後，藉由冷卻便如圖1所示，獲得形成將在p型矽
半導體基板1上構成背面電極之鋁電極層8的各試料。

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[0050] 已形成鋁電極層之燒成後的p型矽半導體基板之翹曲量，經燒成．冷卻後，再如
圖2所示，以鋁電極層朝上，將基板四角落之一端朝箭頭方向按壓，藉由測定其
對角位置處之一端的浮起量(包含基板厚度)x而進行評估。將此浮起量x記為表1
的「翹曲(mm)」。
[0051] 利用4端子式表面電阻測定器(Napson公司製RG－5型薄片電阻測定器)，測定鋁
電極層的表面電阻。測定條件係設定為：電壓4mV、電流100mA、對表面所施
加的荷重200grf(1.96N)。將此測定值記為表1的電極層表面電阻(mΩ/□)。
[0052] 然後，將上述已形成鋁電極層的p型矽半導體基板，浸漬於鹽酸水溶液中，將鋁
電極層8溶解去除後，便使用4端子式表面電阻測定器，測定已形成p＋ 層7的p型
矽半導體基板1的表面電阻。將測定值記為表1的p＋ 層表面電阻(Ω/□)。
[0053]

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[0054] 由表1的結果得知，實施例在相較於習知例之下，在維持著p＋ 層表面電阻(Ω/

□)的前提下，可壓低翹曲量且亦可減小電極層的表面電阻(mΩ/□)。
[0055] 上述所揭示的實施形態與實施例均僅止於例示而已，不可認為是限制。本發明
的範圍並非上述實施形態與實施例，而是依申請專利範圍所示，舉凡與申請專
利範圍具有均等涵義與範圍內的所有修正與變形均涵蓋在內。
[0056] 本發明的糊狀組成物係即便塗佈於p型矽半導體基板上且經燒成，仍可防止p型
矽半導體基板發生翹曲或龜裂狀況，且在使用此組成物形成電極的太陽電池元
件中，將可達成較高的BSF效果與較高的能量轉換效率。
【圖式簡單說明】
[0065] 圖1為一實施形態的本發明所適用太陽電池元件之一般剖面構造的示意圖。
[0066] 圖2為實施例與習知例中，經形成鋁電極層並經燒成後的p型矽半導體基板之翹
曲量測定方法的示意圖。
【主要元件符號說明】
[0057] 1．．．p型矽半導體基板
[0058] 2．．．n型不純物層
[0059] 3．．．抗反射膜
[0060] 4．．．柵電極
[0061] 5．．．鋁燒結層
[0062] 6．．．鋁矽混合層
[0063] 7．．．p＋ 層
[0064] 8．．．鋁電極層
七、 申請專利範圍：
1.一種糊狀組成物，係用於在p型矽半導體基板上形成電極者，其包含有：鋁
粉末、有機質調漆料及碳粉末。
2.如申請專利範圍第1項之糊狀組成物，其中，更包含有玻璃料。
3.如申請專利範圍第1項之糊狀組成物，其中，碳粉末係含有0.1質量%以上、
18質量%以下。
4.如申請專利範圍第1項之糊狀組成物，其中，鋁粉末係含有60質量%以上、75
質量%以下，有機質調漆料係含有20質量%以上、35質量%以下，碳粉末係含
有0.1質量%以上、18質量%以下。
5.如申請專利範圍第2項之糊狀組成物，其中，鋁粉末係含有60質量%以上、75
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質量%以下，有機質調漆料係含有20質量%以上、30質量%以下，碳粉末係含
有0.1質量%以上、18質量%以下，玻璃料係含有5.0質量%以下。
6.如申請專利範圍第1項之糊狀組成物，其中，上述碳粉末係碳黑。
7.如申請專利範圍第1項之糊狀組成物，其中，上述碳粉末的平均粒徑係10 μ
m以下。
8.如申請專利範圍第1項之糊狀組成物，其中，上述碳粉末的平均粒徑係0.5 μ
m以下。
9.如申請專利範圍第8項之糊狀組成物，其中，上述碳粉末係含有0.3質量%以
上、6質量%以下。
10.一種太陽電池元件，係具備有將含有鋁粉末、有機質調漆料及碳粉末的糊
狀組成物，塗佈於p型矽半導體基板上之後，藉由燒成所形成的電極。
11.一種太陽電池元件，係具備有鋁電極層，上述鋁電極層係含有碳粒子。
八、 圖式：

圖1

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圖2

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