~) 반도체 [ 半導體 , semiconductor ]

전기전도(電氣傳導)가 전자와 정공(hole)에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항(比抵抗)이 도체와 절연체 비

저항값의 중간값을 취하는 것.

~) 반도체 재조장비

우리는 자주 TV 에서 극히 작은 반도체칩을 가는 선에 빈틈없이 정확하게 꽂는 장면을 볼 수 있다. 기술고도화의 상징적인 장면

이다.실리콘이라고 하는 반도체는 회색의 단단한 돌 같은 것으로 트랜지스터 등의 기초로 쓰이고, 현대산업의 백미로 평가될 만

큼 그 중요성이 높다.

IC(집적회로)는 수 밀리 두께의 사각 실리콘 기판 위에 다수의 부품과 회로가 얇은 막처럼 몇 겹씩 쌓아 올릴 수 있게 되어 있다.

IC 제품의 공정은 반도체 소자를 만드는 공정과 패키지로 꽂아 넣는 조립 공정 등 2 가지로 나뉘어 있다. 반도체 소자를 제조할

때는 웨이퍼(wafer)에 회로를 그린 다음 필요한 원자가 스며들게 하는 것으로, 사진이나 전자빔 기술이 사용된다. 이러한 처리

를 여러 번 되풀이하여 회로를 중첩시킨다.

이렇게 가공된 한 벌의 웨이퍼를 절단하면 수백 개의 칩이 된다. 그 칩에 고속도의 와이어본드(wire-bond) 작업을 하거나 주위

를 수지로 고정하거나 해서 IC 라는 전자패키지가 완성된다.반도체 제조는 초정밀 작업이므로 미세한 먼지도 들어가서는 안되

며, 반드시 청정실에서 작업을 해야 한다. 이를 위해 천장에서 청정공기를 불어넣거나 터널에서 공급한다.

IC 를 비롯해 전자부품은 모두 프린트기판(프린트배선판)에 접속된다. 이것은 절연판의 표면에 동 등의 얇은 띠를 부착시킨 회

로로 아무리 복잡하게 접속을 해도 정확하게 배선 된다. 최근 들어서는 다층프린트기판이 늘어나 깔끔하게 조립된다.전자부품

은 종래에는 '발이 달린' 방식이었는데, 점차 열로 접속시키는 '칩' 방식으로 변화하고 있다. 이것을 '표면 내장방식'이라 하며 공

장의 제조라인 자동화를 크게 촉진시켰다.

최근엔 하이브리드 IC(혼성집적회로)라 해서 반도체칩과 단체(單體)부품을 하나로 합한 전자 패키지도 증가했다. 이에 따라 고

집적화, 고밀도화는 더욱 진전될 전망이다.

~) p 형 반도체

-p 형 반도체란 실리콘 반도체 소자에 갈륨이나 인듐과 같은 불순물을 넣어 전자의 수를 줄여

양(+)의 특성을 가지게 하는 반도체 입니다.

이것은 항상 자유 전자를 끌어 당기려 하는 특성이 있지요

~) n 형 반도체

-n 형 반도체는 실리콘 반도체 소자에 비소나 안티몬 같은 불순물을 넣어 전자의 수를 늘여 음(-)

의 특성을 가지게한 반도체 입니다.

이때 추가된 전자를 과잉 전자라 혹은 자유전자라 하는데 적은 힘에도 전자가 분리되어 자유롭게 움직입니다.

이것은 언제든지 소자 자체가 안정 되기위해 자유 전자를 내 보내려고 합니다.

위의 두 반도체를 접합하여 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 만든 반도체를 pn 접합 다이오드라고

합니다.

~) 반도체 사용시 주의할점

◇ 정전기

IC 는 정전기에 매우 약하며, 특히 건조한 겨울철에는 정전기가 발생하기 쉽기 때문에 주의가 필요합니다.

IC 를 취급하기전에 인체의 정전기를 완전히 방전해야 합니다.

◇ 납땜

납땜시 가장 주의해야 할 점은 온도이며 특히 디핑을 할 때는 주의가 필요합니다.

또한 땜납할때 누전에 주의합시다. AC 전원이 누전되어 IC 를 파괴할 수도 있습니다.

◇ 방열판

반도체 소자와 방열판의 열전도를 좋게 하기 위해 실리콘 수지를 사용하며 실리콘 수지는 가능한 한 얇게 바르는 편이

좋습니다. 방열기를 나사로 고정할 때는 무리한 힘을 가하면 칩이 깨져버릴 수도 있으므로 주의 해야하며 소자와 방열

기 사이에 이물질이 들어가지 않도록 해야합니다.

◇ 온도 환경

사용환경에 대한 주의사항 일반적인 IC 는 주위 온도를 섭씨 85 도까지밖에 보증하고 있지 않습니다.기온이 85 도까지

오르는 일은 없으나 밀폐한 케이스에 들어있을 경우 방열에주의하여 주위 온도가 85 도를 넘지 않도록 주의해야 합니

다. 특히 소비 전력이 큰 소자는 특별한 주의가 필요합니다.

◇ 강전계· 강자계

IC 를 강한 자계에 노출시킬경우 몰드수지와 IC 칩 내부의 분극 현상으로 누설전류의 증가현상이 발생하는 것이 있으

며 텔레비젼의 편향코일 근방에 LSI 를 실장하여 오동작을 일으키는 사례가 있었스니다. 이러한 경우에는 실장 장소

의 변경과 전계 및 자계의 실드가 필요합니다.

◇ 외란광

반도체 소자에 빛을 주면 광전효과에 의해 전압이 발생하여 오동작을 일으키는 경우 가 있습니다. 몰드수지에따라

적외선을 통과시키는 것이 있으므로 주의가 필요합니다.

◇ 최대정격 설계상의 주의사항

최대정격이란 순간적이라도 초과해서는 안 되는 규격입니다. 최대정격의 항목에는 단자 전압, 전류, 허용 손실, 온도

등이 있습니다. 최대정격을 초과하면 소자가 열화하거나 파괴 될 수 있습니다.

외부에서의 서지 전압의 유입이 우려되는 경우는 최대정격을 넘지 않도록 보호 회로를 넣을 필요가 있습니다.

◇ 래치업

CMOS 구조의 디바이스에는 래치업이라고 하는 특유의 상태가 있습니다.

이것은 CMOS IC 자신이 내장하는 기생의 PNPN 접합 (사이리스터 구조) 부가 도통하여 IC 에 수백 mA 이상의 많은

전류가 흐르고 파괴에 도달하는 현상입니다. 래치업은 입력 및· 출력 전압이 정격을 초과하여 내부 소자에 큰 전류가

흐른 경우, 혹은 전원 단자의 전압이 정격을 넘어가 내부 소자가 항복 상태가 되었을 때에 일어나며 이러한 상태는 순

간적일지라도 한번 IC 가 래치업 상태가되면 사이리스터 구조에 의하여 전원을 끌 때까지 계속 유지됩니다. 래치업을

방지하기 위해서는 다음사항을 고려해야합니다.

입출력 단자의 전압레벨을 Vcc 보다 높게하거나 Vss 보다 낮게하지 말 것.

노이즈나 서지의 유입이 없도록 할것

미사용 입력 단자의 전위를 Vcc 또는 Vss 에 고정할것.

출력의에 과전류가 흐르지 않도록 할 것.

◇ 열설계

반도체 소자의 고장율은 사용 온도에 많은 영향을 받으며 내부의 온도는 주위 온도와 소자 자신의 전력 소비에 의해

온도가 올라갑니다. 신뢰성확보를 위해서는 다음 사항을 고려해야 합니다.

소자의 주위 온도 (Ta) 는 발열의 영향을 피하고 가능한 한 낮게 유지할것.

소자의 소비 전력이 큰경우는 방열기나 강제 공냉을 사용할것.

소비 전력을 가그적 억제하여 사용할것

◇ 반도체 소자의 수명

온도는 수명을 짧게 하는 최대의 요인입니다. 가급적 소비전력을 낮게 사용하는 것이 신뢰성을 올리는 방법이며

ON/OFF 의 반복등에 의한 반복적인 온도 변화는 열팽창 계수의 차이 의하여 접합 부분이 파손될 수 있스빈다.

알루미늄 부식 몰드수지는 수분을 어느정도통과시킵니다. 또한 수지와 리드의 경계는 벗겨져 떨어지기 쉬워서 그

사이로 수분이 침입 할 수 있습니다. 수분과 함께 염소 ion 등이 유입되면 알루미늄 배선을 부식시켜서 단선에 이르

게 합니다. 땜납의 플럭스에는 염소 ion 이 들어 있기때문에 납땜후 세정을 잘하지 않으면 알루미늄 부식을 일으킬

수 있습니다.

◇ 표면 오염

수분과 함께 나트륨 ion 등이 칩에 유입되면 오염에 의한 고장이 발생 합니다.

나트륨 ion 은 실리콘산화막 중에서 자유롭게 이동하여 전위가 낮은 곳에 모이게되며 이러한 ion 은 칩 표면에 리크

전류를 발생시켜서 고장에 이르게합니다.

◇ 리드핀의 이상

전원의 ON/OFF 등에 의한 온도 사이클이 있으면 열팽창 계수의 차이에 의한 응력이 발생 합니다.기판과 소자의 팽창

계수의 차에 의한 응력은 리드와 땜납에 의해 대부분 흡수되나 응력이 반복되면 리드핀이나 납땜 부분에 이상이 발생

할수 있습니다.

~) 반도체 보호 방안

o 특허법을 통한 보호

특허의 일반적 요건을 충족한다면 반도체 배치설계 역시 특허로서 보호받을 수 있다. 특허의 일반적 요건은 ㉠발명의 성립 ㉡산

업상 이용가능성 ㉢신규성 ㉣진보성 등이다. 그러나 반도체 배치설계는 종래의 특허분야와는 다른 특징을 가지고 있다. 이미 확

립된 종류의 집적회로인 경우에는 기술사상이라는 견지에서 공지기술을 뛰어넘는 것이 아니어서 진보성 요건을 충족시키지 못

하는 경우가 많다는 것이다. 진보성을 충족시키지 못한다해서 기술적으로 아무런 가치를 갖지 못한다는 것을 의미하지는 않는

다. 대다수의 경우 이론설계상의 연구, 레이아웃상의 연구 등에 의해 실질적으로는 어떤 기술적 향상이 도모되고 있다고 판단되

기 때문이다. 특히 리버스엔지니어링(reverse engineering)이 보편화되어 있는 반도체업계의 상황을 감안하면 이에 적절한 보

호대책이 요구된다.

o 특별법을 통한 보호

'79 년부터 미국에서 논의되어 오던 반도체칩의 보호문제가 '84 년 11 월 특별입법인 반도체칩보호법(Semiconductor Chip

Protection Act)으로 성립하고 외국인의 반도체 배치설계가 미국에서 보호받기 위해서는 해당 외국의 법제가 미국과 동등하게

반도체 배치설계를 보호하고 있을 것을 조건으로 하고 있다. 이에 따라 일본이 '85 년 3 월 반도체칩보호법을 제정하고 스웨덴도

보호입법을 제정하였다. 또 EC 이사회가 EC 가맹국에 대하여 '87 년 11 월까지 반도체 칩 보호법제를 발효시킬 것을 의무로 하
는 이사회지령을 내렸다. 이를 받아들인 EC 가맹국은 점차적으로 보호입법을 제정하고 있다.

마침내 WIPO 에서도 '89 년 5 월 26 일에 워싱턴에서 「집적회로에 관한 지적재산보호조약(Treaty on the Protection of

Intellectual Property in Respect of Integrated Circuits)」을 성립시켰다.

그 후 우리나라를 비롯하여 아일랜드·호주·스페인·이탈리아·룩셈브르크·포르트칼·캐나다·오스트리아·벨기에·러시아가 보호입법

을 제정하였고, 이중에 아일랜드·오스트리아·벨기에·러시아를 제외한 모든 국가는 등록주의를 취하고 있다. 그 외의 내용은 각

국이 거의 동일하다.

국내 보호현황

o 특허법을 통한 보호

반도체집적회로배치설계의 보호에 있어서 가장 문제가 되는 부분은 특허법 제 29 조 제 1 항 및 제 2 항에 규정된 신규성 및 진보

성에 대한 판단문제이다. 출원된 회로소자(回路素子)의 배치가 공지(公知)된 배치에 비해 과연 새롭다고 할 수 있는 것인지(신

규성 문제), 혹은 기존의 배치를 이용하면 쉽게 만들 수 있는 것인지(진보성 문제) 등의 판단이 용이하지 않다. 이러한 문제의 발

생원인은 특정한 기술적(技術的) 사상(思想)을 보호대상으로 하는 특허권의 보호범위로는 반도체칩 전체의 배치(layout)설계를

보호하는 데 일정한 한계가 있기 때문이다. 이에 대한 보완을 위해 특별법 제정이 요구되었다.

o 반도체집적회로배치설계에관한법률을 통한 보호

반도체 산업분야에서 우리나라가 세계 2·3 위의 생산국으로 부상하게 됨에 따라 반도체집적회로배치설계에 대한 보호 및 기술

개발 유도를 위한 정책의 필요성이 대두되었다. WTO/TRIPs 협상에서는 선진국과 후진국간의 반도체칩 보호문제가 타결됨에

따라 국내에 영향을 미치게 되었으며 반도체집적 기술의 고도화에 따라 그 개발에 소요되는 시간이나 비용이 증대됨에도 불구

하고 배치설계에 대한 국내에서의 법적 보호 수단이 결여되어 있었다. 이러한 점들을 고려하여 특별법인 "반도체집적회로의 배

치설계에 관한 법률" (이하 '반도체칩법'이라고 한다)을 '91 년 11 월 정부가 만들어 국회에 제출하였으나 논의되지 못하고 '92

년 정기국회에 다시 상정되어 통과되었다('92 년 11 월 10 일 공포, '93 년 8 월 시행).

~) 반도체의 특징과 결합원리

1. 원자의 구조 : 원자는 중심에 원자의 핵 그리고 주위에는 전자가 선회하고 있다. 원자의 핵은 양전하를 띠고 있는 양성자

(proton)와 전기를 띠지 않는 중성자(neutron)으로 구성되어 있으면 이들의 질량은 거의 같다. 핵 주위를 선회하는 전자는 음

전기를 띠고 있으며, 핵 속의 양성자와 수가 같기에 원자의 총 전하는 0 으로 중성이다.

물질의 성질을 나타내는 것은 대부분 가장 바깥쪽궤도의 전자(가전자)에 의해서이며 이 전자는 원자에서 가장 높은 에너지 준위

를 나타내며 다른 원자와 결합하여 화학적 변화를 일으키는 역할을 한다.

2. 이온결합(ionic bonding)

가전자를 버림으로써 안정을 찾으려는 원자와, 전자를 받아들여서 안정을 찾으려는 원자 사이의 결합으로 전자를 버린 양이온

과 전자를 얻은 음이온 사이에 서로 당기는 힘에 의해서 결합이 이루어진다.

예) 염소와 나트륨의 결합

염소는 7 개의 가전자를 가지며 1 개를 받아들여 안정을 찾으려는 성질이 강하고, 나트륨은 1 개의 가전자를 갖기에 가전자를 버

림으로써 안정을 찾으려 한다. 결과적으로 나트륨은 양이온인 Na+가 되고 염소는 음이온인 Cl-가 되어 서로 당기는 힘에 의해

NaCl 이 형성된다

예) 산화구리의 이온결합
구리는 1 개의 가전자를 가지고 있고, 산소는 6 개의 가전자를 가지고 있다. 그리하여 산소원자는 두 개의 구리원자로부터 두 개

의 가전자를 받아들여 안정을 찾게 된다. 그리하여 구리는 도체이지만 안정을 찾은 산화구리는 부도체가 된다.

3. 공유결합(Covalent bonding)

원자의 최외각의 일부가 비어있는 경우 두 원자가 서로의 가전자를 공유함으로써 최외각을 완전히 채워서 안정을 찾으려는 결

합으로 전자를 주고 받지 않고 공유하기 때문에 이온은 형성되지 않는다. 결합력은 전자를 공유하는 결속력으로 유지되며 공유

된 전자는 원자 사이를 교대로 옮겨 다닌다. 산소나 질소와 같은 공기분자들이 공유결합을 하며,실리콘이나 게르마늄도 공유결

합을 하고 있다.

4 금속결합(metallic bonding)

전기 전도도가 매우 좋은 도체에서 일어나는 결합으로 가전자가 한 개인 경우 쉽게 궤도를 이탈하여 다른 원자의 궤도에 들어간

다. 만일 가전자가 충분한 에너지를 얻는다면 원자를 완전히 떠나 자유전자가 되며, 각 원자들이 이들 자유전자를 공유하는 형

태의 결합이다. 결합력은 자유전자의 무리인 전자구름과 양이온과의 불규칙하지만 끊임없는 인력이 발생하여 원자간의 결합력

이 생긴다.

< 물질의 전도성> 도체, 부도체, 반도체

물질의 전도성은 가전자에 의해서 좌우된다. 가전자에 대한 핵의 구속력이 강하면 자유전자가 만들어지기 힘들게 되며 이런경

우는 전도성이 작은 부도체가 되고, 핵의 구속력이 약하면 많은 자유전자를 갖게 되어 전도성이 크게 된다.

~) 반도체 산업의 메카

반도체산업은 세계적으로 급진적인 발전을 하고 있는데, 현재 중심을 이루고 있는 곳은 미국 캘리포니아주(州) 샌프란시스코 동

남지방(Silicon Valley:전세계 생산량의 25%를 생산), 미국 텍사스주(州) 댈러스 평원(Silicon Plane:전세계 생산량의 15%를

생산), 일본의 규슈지방(Silicon Island:전세계 생산량의 10%를 생산) 및 영국 스코틀랜드 동쪽 에든버러(스코틀랜드 실리콘글

렌:유럽 생산량의 20%를 생산) 등이며, 세계 각국은 국가적 차원에서 반도체산업을 위한 연구개발에 주력하고 있다. 앞으로의

반도체산업은 소프트웨어 기술과 새로운 반도체 재료의 개발에 크게 의존할 것이다. 반도체산업에 있어서 미국보다 후발국인

일본은 1951 년에 다이오드를 개발, 그 후 계속 해외기술도입에 의존해 왔으나, 1979 년 VLSI 를 개발하여 미국을 앞지르기에

이르렀다.

한국의 경우 1966 년부터 주로 페어차일드사·모토로라코리아(주) 등 외국인 업체에 의해 반도체소자의 노동집약적 국내조립이

시작되어 1970 년에는 아남·삼성·금성사 등이 이 분야에 참가하였고, 1974 년에는 한국반도체(삼성반도체통신의 전신)가 트랜

지스터를 시험생산하였다. 1977 년에는 삼성전자가 LSI 를 생산하여 국내 공급체제를 갖추었고, 1981 년에는 컬러 텔레비전용

집적회로를 개발·생산하였다. 1980 년에는 한국전자(주)·금성반도체(주) 등에서도 기술집약적인 반도체소자공업(웨이퍼 가공)

이 시작되었다. 특히 1993 년에는 반도체산업 경기의 피크와 엔고현상 등으로 대외수출이 증대하여 성장이 두드러졌다.

그동안 생산의 50% 이상을 차지하였던 조립반도체 비율도 36%로 낮아졌으며 질적인 성장도 가져왔다. 미국의 VLSI 리서치사

(社)가 발표한 1993 년 반도체 잠정매출순위에서 삼성전자(주)가 30 억 9000 만 달러로 8 위를 차지함으로써 최초로 한국업체

가 세계 10 대 반도체 업체에 속하게 되었다. 한국의 반도체 업체들은 산·학·연(産學硏)이 삼위일체가 되어 기술개발에 협력하고

있으며, 16M D-RAM 설비투자의 완비단계인 1994 년도부터는 D-RAM 뿐만 아니라 주문형 반도체·마이크로프로세서 등 비기

억소자 분야에까지 영역을 넓혀 생산다각화에 힘쓰고 있다.

~) 반도체 기억소자
일반적으로는 기억소자 집적회로(IC)를 가리킨다. IC 제조기술의 향상에 의해서 IC 의 회로를 만드는 실리콘판 위에, 트랜지스

터나 콘덴서 등을 보다 작게 만들 수 있게 되어 기억용량이 비약적으로 커지고 있다. 크게 나누어 읽기전용 기억소자(read only

memory:ROM)와 읽고 쓰기가 가능한 기억소자(randam access memoy:RAM)가 있다. RAM 에는 스태틱형과 다이내믹형이

있으며, 각각 특징에 따라 나누어 쓰이고 있는데, 낮은 소비전력으로 대용량인 다이내믹형이 가장 많이 쓰이고 있다.

~) 반도체 종류

1>주문형 반도체

고객의 주문에 따라 특수한 기능을 갖도록 설계 제작된 첨단 반도체로 서 완전한 특별 제품보다 개발기간이 짧고 소요비용도 적

게든다.

2>DDR SD 렘

DDR SD 램은 신호 1 회에 데이터를 2 번 전송할 수 있어, 신호 1 회에 데이터 를 1 번 보내거나 받는 일반 싱크로너스 D 램보다

데이터 전송량이 2 배 이상 빠른 초고속 메모리 반도체이다.

3>화합물 반도체(化合物半導體)

화합물의 결정(結晶)을 기판으로 사용하는 반도체이다. 발광(發光) 다이오드로 이용되는 갈륨·인(燐), 마이크로파 소자로 이용

되는 갈 륨·비소와, 반도체 레이저에 쓰이는 갈륨·알루미늄·비소 등 그 종 류가 다양하다.

반도체는 이제까지 실리콤 등 단일 원소의 결정을 기판으로 사용하는 것이 대부분이었으나 옵토일렉트로닉스(opto-

electronics) 등 반도체 응용영역이 확대됨에 따라 화합물반도체의 수요도 증가일로에 있다.

4>반도체 레이저

1962 년 미국 GE(제너럴 일렉트릭)에 의해 최초로 개발되었다. 반도체 레이저 발진을 시키는 방법으로는 PN 접합에 대전류를

흐르게 하는 방법 이 행해진다. 이에 쓰여지는 PN 접합 다이오드를 레이저 다이오드라고 부 른다. 각종 금속화합물이 레이저 다

이오드의 재료로서 연구되고 있지만 그 중에서도 갈륨·비소가 일반적이다. 레이저로서는 다른 가스 레이저 나 액체 레이저 등이

사용되어 왔지만 레이저 광선의 이용이 광범위하게 보급되어 온 것은 소형으로 가격이 싼 반도체 레이저의 등장으로 힘 입 은

바 크다. 현재 급속하게 실용화가 추진되고 있는 광통신용 레이저에 서도 반도체 레이저가 쓰여지고 있으며, 그림이 나오는 레

코드라고 불리 는 광디스크나 꿈의 오디오라고 불리는 CD(콤팩트 디스크)의 플레이어에 쓰여 지고 있는 것도 반도체 레이저다.

5> CSP(Chip Scale Package)

칩 크기와 동일하거나 약간 큰 반도체를 총칭하는 것으로 주로 휴대전화와 개인정보단말기.노트북에 사용되며 3 년전에 비해 생

산량이 10 배이상 증가할 정도로 급속하게 보급되고 있는 초박형.경량.초소형 반도체이다.

6>반도체 칩(semiconductor chip)

전기 전도도가 부도체보다는 높고 금속과 같은 전도체보다는 낮은 반도 체로 구성된 집적회로. 원래 칩은 얇은 판조각을 가리키

는 말이나 현재 는 반도체 회로를 나타내는 말로 사용된다. 가로 세로 1cm 내외의 얇은 실리콘웨이퍼 위에 트랜지스터 저항 콘

덴서 등의 각종 소자를 집적하여 만든다.반도체칩은 현대의 컴퓨터를 만드는 기본 부품으로 산술연산, 정 보기억, 다른 칩의 제

어등을 수행하는 핵심이며 전자산업을 뒷받침한다.

반도체칩의 성능도 고도화, 1 개의 기판위에 수백만개의 트랜지스터가 집적되는 수준까지 발전했으며 기억용량도 칩 1 개에 원

고지 수십만장 분 량이 입력될 만큼 방대하다.

7>유기반도체

실리콘과 갈륨, 게르마늄 등의 광물과 같이 반도체로서의 성질을 가진 유기화합물의 총칭. 유기화합물은 유리나 다이어먼드와
더불어 전기를 통하지 않는 절연체의 대표격. 그러나 유기화합물 가운데에는 전기를 통 하는 성질인 전도도가 조금 높은 것이

있고 또 빛이 닿으면 전도도가 향 상되는 것도 있다. 이것이 유기반도체. 반도체로서의 성질은 실리콘이나 갈륨 등 보다는 떨어

지지만 제조가 쉽고 생산코스트가 낮다. 목적에 따 라 여러가지 화합물을 합성할 수 있는 등 광물에는 없는 장점이 있다.

현재 복사기의 감광체로서 몇 개의 유기반도체가 사용되기 시작했으며 값이 싼 이점을 살려서 유기반도체로 태양전자를 만들려

는 연구도 진행 되고 있다. 태양전지에 대해서 연구되고 있는 폴리아세틸렌이나 각종의 유기색소, 복사기의 감광체로 사용되고

있는 스티릴 스틸벤계 화합물 등 이 유기반도체의 대표격.

8>SICAS(반도체 신규투자 사전조정 국제조사기관)

점증하는 반도체의 생산량 조절을 위해 주요 반도체의 생산량 조절을 위 해 주요 반도체 생산국인 한국·미국·일본·유럽 등 4 개

지역 반도체생 산자 단체가 결성했다.

한국 반도체산업협회, 미국 반도체공업협회, 일본 전자공업협회, 유럽 전자부품공업협회 등 4 개 반도체 생산자단체가 1994 년

1 년간 협의를 벌 인 끝에 결성, 브뤼셀에 사무국을 마련해 전세계의 반도체 수요조사는 물론 시장동향, 전세계 반도체 생산능력

과 가동실적 등을 정기적으로 조 사해 설비의 증설과 신규투자 등에 대한 자료로 활용하고 있다.

9> 세마 테크

세계의 반도체시장을 석권하고 있는 일본에 대항하여 1988 년 11 월에 미 국의 IBM, 인텔, AT & T(미국 전신전화회사)등 반도

체·전산기 제조기업 14 사와 국방성이 설립한 민관합동의 반도체개발·제조회사. 본사는 텍사 스주 오스틴에

10> GBR

... 출하량 수치. 「Global Billing Report」의 약어로 「BB 율」을 대체할 반도체 수급 상황 지표. 지금까지 반도체 수급 상황

은 「BB 율(Book to Bill Ratio)」 로 표시했다. 주문량을 출하량으로 나눈 수치인 BB 율이 1.0 이상이면 공 ...

11> 범핑 공정

범핑 공정은 기존 반도체 제품의 패키지 제조 과정에서 크기를 최소화 하고 반도체 소자를 설계할 때 전기적 특성을 유지할 수

있도록 하는 기술이다.

12> BB 레이쇼

출하액에 대한 수주액의 비율. 미국 반도체 시장의 수급관계를 나타내 는 지표로 이용된다. SIA(미국 반도체공업회)가 미국에

있는 반도체메이 커로부터 받은 과거 3 개월간 수주액의 평균을 똑같이 과거 3 개월간의 출 하액으로 나누어...

13> 테라급 D 램

너 무 좁아져 난반사등 불규칙운동을 일으켜 이에따라 기억소자구조는 기능 을 잃게된다. 따라서 테라비급 반도체는 초미세공

간에서도 전자에 방향 성을 줄 수 있어야 하기 때문에 ＇신개념 반도체＇로 불린다. 테라비급...

14>BB 율

미국 반도체시장의 수급관 계를 나타내는 지표로 이용되어 왔다. SIA(미국 반도체 공업회)가 미국 에 있는 반도체메이커로 부터

받은 과거 3 개월간 수주액의 평균을 똑같 이 과거 3 개월간의 출하액으로 나누어 산출, 발표한다. ...

15> MOS-IC

금속산화막 반도체 집적회로. 반도체 소자의 하나로 바이폴러형과 대비 된다. 실리콘 등 반도체 표면을 산화시켜 절연물로 하고
그 위에 금속 등 전극을 입힌 것이다. 소자간의 분리가 불필요하고 배선이 간단하므로 고집적도화가...