SEE 2253

LITAR ELEKTRONIK
(ELECTRONIC CIRCUITS)

Chapter 2
Field Effect Transistor (FET)

Dr. Norlaili Mat Safri

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 1
In this chapter, we will learn:

1. JFET construction and schematic symbol

2. MOSFET construction and schematic symbol
(Depletion and Enhancement MOSFET)
3. I-V characteristics & operating region
4. JFET & MOSFET biasing circuit
5. DC Analysis
6. AC Analysis

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 2

Background:
 Transistor kesan medan (Field Effect Transistor) @ FET merupakan
transistor ekakutub (unipolar) di mana pengaliran arus hanya
disebabkan oleh pembawa arus majoriti sahaja iaitu samada lubang
(hol) atau elektron.
 Keadaan ini berbeza dengan BJT yang merupakan peranti dwikutub
(bipolar) di mana pengaliran arus disebabkan kedua-dua pembawa
arus majoriti dan minoriti iaitu elektron dan lubang (hol).
 FET merupakan pernati kawalan voltan di mana voltan pada satu
terminal iaitu VGS mengawal jumplah arus ID yang mengalir melalui
peranti tersebut. Manakala BJT adalah peranti kawalan arus di mana
arus IB mengawal arus IC.
 FET terbahagi kepada dua jenis iaitu transistor kesan medan
simpang (Junction FET@JFET) dan transistor kesan medan separuh
pengalir oksida logam (Metal Oxide Semiconductor
FET@MOSFET).
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 3
Background:
 FET mempunyai beberapa kelebihan berbanding BJT seperti
berikut:-
1. Mempunyai rintangan masukan yang tinggi iaitu beberapa M untuk FET
berbanding dengan beberapa k untuk BJT.
2. FET sesuai digunakan untuk merekabentuk get-get logik kerana is tidak
menghasilkan voltan ofset.
3. FET kurang dipengaruhi oleh hingar berbanding BJT di mana ia sesuai
digunakan pada peringkat masukan untuk penguat tahap-rendah terutamanya
dalam sistem audio.
4. FET lebih stabil dar isegi suhu berbanding dengan BJT dimana titik-Q bagi
FET tidak mudah berubah dengan perubahan suhu berbanding BJT.
5. FET adalah lebih kecil berbanding BJT dari segi saiz pembuatan. Oleh itu
FET terutamanya jenis MOSFET menggunakan ruang yang lebih kecil dalam
litar bersepadu (Integrated Circuit@IC) berbanding BJT.
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 4
JFET Construction & Schematic Symbol 　
Drain (D) Drain (D)

n
n
n p p p
Gate (G) Gate (G)
n

Source (S) Source (S)

Fig.1: N-channel JFET

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 5

JFET Construction & Schematic Symbol 　
Drain (D)

D
n
n p
Gate (G) G
n

Source (S) S

Fig.2: Schematic symbol of N-channel JFET

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 6

 MOSFET Construction & Schematic Symbol 　
Depletion-type MOSFET Enhancement-type MOSFET
Insulating material
(eg: SiO2) Drain (D) Insulating material Drain (D)
(eg: SiO2)
n
n p p
Gate (G) Substrate Gate (G) Substrate
n

Source (S) Source (S)

(a) N-channel depletion-type (b) N-channel enhancement-type

MOSFET MOSFET
Fig.3: N-channel MOSFET
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 7
MOSFET Construction & Schematic Symbol 　
Depletion-type MOSFET Enhancement-type MOSFET
Insulating material Drain (D) Insulating material Drain (D)
(eg: SiO2) (eg: SiO2)
n
p
Gate (G) n Substrate p
Gate (G) Substrate
n
Source (S) Source (S)

D D

G G

S S
(a) N-channel depletion-type (b) N-channel enhancement-type
MOSFET MOSFET
Fig.4: Schematic symbols of N-channel MOSFET
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 8
JFET I-V Characteristics 　
D

ID
S
D
n
+
G VDD
p p －

Vp VDS (V)

Fig.1: N-channel JFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 9

JFET I-V Characteristics 　
D

ID
S
D
VGS = 0 V
n IDSS
+
G VDD > Vp
p p －

Vp VDS (V)

Fig.1: N-channel JFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 10

JFET I-V Characteristics 　
D

ID
S
D
VGS = 0 V
n IDSS
+
G VDD

Ohmic region
p p －
－
VGG Active region VGS = -ve
+
S

Vp VGS =
Cutoff region - Vp = VGS (off)
VDS (V)

Fig.1: N-channel JFET (Drain

(Outputcharacteristics)
characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 11

JFET I-V Characteristics 　

2 ID ID
 VGS 
I D  I DSS 1  
V VGS = 0 V
 GS ( off ) 
IDSS IDSS

VGS = -ve

- Vp
VGS (V) -3 -2 -1 Vp VGS = - Vp = VGS (off)
VGS (off)
VDS (V)

Fig.2: N-channel JFET (Input characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 12

D-MOSFET I-V Characteristics 　
D

G
ID
S

Insulating material D
(eg: SiO2)
+
SS －
VDD
n p
G

S
Vp VDS (V)

Fig.3: N-channel D-MOSFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 13
D-MOSFET I-V Characteristics 　
D

G
ID
S
VGS = 0 V
IDSS
Insulating material D
(eg: SiO2)
+
SS －
VDD > Vp
n p
G

S
Vp VDS (V)

Fig.3: N-channel D-MOSFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 14
D-MOSFET I-V Characteristics 　
D

G
ID
S
VGS = 0 V
IDSS
Insulating material D

Ohmic region
(eg: SiO2) n
+
IG = 0 SS VDD > Vp Active region VGS = -ve
p －
G
－
VGG
+
Vp VGS =
Cutoff region - Vp = VGS (off)
S
VDS (V)

Fig.3: N-channel D-MOSFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 15
D-MOSFET I-V Characteristics 　

2 ID ID
 VGS 
I D  I DSS 1  
V VGS = 0 V
 GS ( off ) 
IDSS IDSS

VGS = -ve

- Vp
VGS (V) -3 -2 -1 Vp VGS = - Vp = VGS (off)
VGS (off)
VDS (V)

Fig.4: N-channel D-MOSFET (Input characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 16

D-MOSFET I-V Characteristics 　

2 ID ID
 VGS 
I D  I DSS 1   VGS = +ve
V VGS = 0 V
 GS ( off ) 
IDSS IDSS

VGS = -ve

- Vp
VGS (V) -3 -2 -1 Vp VGS = - Vp = VGS (off)
VGS (off)
VDS (V)
Depletion mode Enhancement mode
(0  ID  IDSS) (ID > IDSS)

Fig.4: N-channel D-MOSFET (Input characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 17
E-MOSFET I-V Characteristics 　
D

S
ID
Insulating material
(eg: SiO2)
D
n
+
p －
VDD
G SS
n

S VDS (V)

Fig.5: N-channel E-MOSFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 18
E-MOSFET I-V Characteristics 　
D

S
ID VDS  VGS  V T
Insulating material
(eg: SiO2)
D
n
+
p －
VDD
G SS
VGS = +ve
+ n
VGG VGS = VTh
－
S VDS (V)

Fig.5: N-channel E-MOSFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 19
E-MOSFET I-V Characteristics 　
I D  k V GS  VGS (Th ) 
2

ID ID VDS  VGS  V T

VGS = +ve

VGS = VTh
VTh VGS (V) VDS (V)

Fig.5: N-channel E-MOSFET (Drain characteristics)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 20
PARAMETER ARUS-ULANGALIK (AU) JFET 　
 Kealiran-pindah hadapan punca-sepunya (Common
source forward transconductance)
 gm (juga dikenali sebagai gfs)
 Unit gm ialah Siemens (S)
Dimana;  
V
g m  g mo 1  GS 

 VGS ( off ) 

2 I DSS
g mo  iaitu nilai kealiran pindah
VGS ( off )
semasa VGS = 0V

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 21

PARAMETER ARUS-ULANGALIK (AU) JFET 　
Nilai gm juga boleh diperolehi dari graf ciri
ID
pindah:
IDSS

I D
gm  Titik-Q
VGS V DSQ

ID
- Vp

-3 -2 -1
VGS (V)
VGS
VGS (off)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 22

PARAMETER ARUS-ULANGALIK (AU) JFET 　
Secara penghampiran, rumus untuk menentukan nilai
gm ialah
2 I DSS  
gm  1  VGS 
VGS ( off )  VGS ( off ) 
 

2
 VGS 
tetapi ID  I DSS 1  
 VGS ( off ) 
 

 
atau 1  VGS  ID
 VGS ( off )  I DSS
 

2 I DSS ID
Maka gm 
VGS ( off ) I DSS

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 23

JFET PINCANGAN DIRI 　
1. Rajah berikut menunjukkan litar pe nguat JFET pincangan diri
dengan pemuat CS bagi konfigurasi sumber sepunya (CS).
Diberi IDSS = 8 mA, VGS(off) = -4 V dan YOS = 40 S.

i. Kirakan titik kendalian AT iaitu nilai arus IDQ dan voltan

VGSQ.

ii. Kirakan nilai-nilai parameter model hibrid- iaitu gm dan

r d.
iii. Lukiskan litar setara AU pada frekuensi pertengahan.
iv. Kirakan galangan masukan Zi dan galangan keluaran Zo.

v. Kirakan gandaan voltan Av = Vo / Vi dan gandaan arus

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 24
JFET PINCANGAN DIRI 　

+ VDD (+12 V)

RD 2.2k
C2

C1 ID io
ii

IG VGS RL
RG 10k Vo
Vi RS
10M CS
750

Zi Zo

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 25

JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AT (DC Analysis)- 　

+ VDD (+12 V)

RD 2.2k
C2 i. Analisis AT

C1 ID io Semua pemuat (capacitor)

ii
hendaklah dilitarbukakan.
IG VGS RL
RG 10k Vo
Vi RS
10M CS
750

Zi Zo
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 26
 JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AT (DC Analysis)- 　
Analisis AT
Semua pemuat (capacitor) hendaklah dilitarbukakan.

+ VDD (+12 V) RD 2.2k

RD 2.2k
C2 IG=0 A ID
io + VDD
ii C1 ID
VGS (+12 V)
IG VGS RL
RG RS
10k Vo 10M 750
Vi RG RS
10M CS
750

Zi Zo
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 27
 JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AT (DC Analysis)- 　
1. Gelung I
VGS  VGS  VRS  0
I G RG  VGS  I S RS  0

RD 2.2k Oleh ker ana I G  0 A dan I S  I D

VGS   I D RS  (i )
2
IG=0 A ID  VGS 

Diketahui juga I D  I DSS 1  

+ VDD  VGS ( off ) 
VGS (+12 V) Diberi I DSS  8 mA dan VGS ( off )  4V , maka
2
RG I R  VGS 
10M S I D  (8m)1  
750  (4) 
Masukkan persamaan (i ) ke dalam
persamaan di atas
2
 (  I D RS ) 
I D  (8m)1  
 (4) 
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 28
 JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AT (DC Analysis)- 　
1. Gelung I

 samb.
2
 281.25 I D  4 I D  8m  0
RD 2.2k Dengan menggunakan rumus
 b  b2  4ac
ID 
IG=0 A ID 2a
+ VDD
VGS (+12 V) 4  (4) 2  4(281.25)(8m)
ID 
RG I R 2(281.25)
10M 750
S
I D  2.42 mA @ 11 .81 mA

Olek ker ana I D  I DSS , maka

I D  2.42 mA

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 29

 JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AT (DC Analysis)- 　
1. Gelung I
 samb.
Sekiranya I D  2.42mA
Dari rumus (i )
RD 2.2k VGS   I D (750)
VGS  (2.42m)(750)
VGS  1.82 V
IG=0 A ID
Sekiranya I D  11.81mA
+ VDD Dari rumus (i )
VGS (+12 V) VGS   I D (750)
RG I R VGS  (11.81m)(750)
10M S VGS  8.86 V
750
Oleh ker ana VGS  VGS ( off ) (bagi N  ch)
VGS sebenar adalah VGS  1.82 V dan
I S  I D  2.42 mA
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 30
JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AU (AC Analysis)- 　
ii.
- Kealiranpindah gm - Rintangan rd

  1
gm 
2 I DSS 1  VGS 
 V 
rd @ rds 
VGS ( off )  GS ( off )  YOS
2(8m)  (1.82)  1
 1   
4  (4)  40 S
 2.18 (mS )  25 ( k)

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 31

 JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AU (AC Analysis)- 　
iii. Litar setara AU adalah seperti di bawah.

ii ig=0 g io
d Analisis AU
Semua bekalan voltan
vgs gmvgs (cth VCC) dan semua
vi RG rds v
RD RL o
pemuat (cth C1 dan C2)
s
hendaklah dipintaskan.

Zi Zo

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 32

JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AU (AC Analysis)- 　
iv.
- Galangan masukan Zi - Galangan keluaran Zo

ii ig=0Ag d

Z i  RG Z o  RD rds
vgs  10 ( M)  2.2k 25 k
RG rds RC
 2.02  k 
s

Zi Zo

Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 33

JFET PINCANGAN DIRI
-Analisis AU (AC Analysis)- 　
v.
- Gandaan voltan Av - Gandaan arus Ai
io
Ai 
ii
vo RD rds
Av 
vi  gmZi
( RD rds )  RL
  g m  RD rds RL  2.02 k
 (2.25m)(1.68k )  (2.25 mS )(10M)
 3.78 2.02k  10k
 3781

vo   g m v gs ( RD rds RL )
vi  v gs  ii Z i
ZO
io   ( g m v gs )
Z O  RL
Dr. N.M. Safri/SEE2253_FET 34