DC HAT KOMTASYONU

Dorultucu elemanlarn bir AC beslemeyle irtibatl olduu nceki iki blmde, elemanlar AC peryot ierisinde akmn sfra dt anlarda tabii olarak snyorlard. DC beslemeli ou uygulamalarda da yar iletken elemanlar bulunabilir. DC kaynakla beslenen yklerin anahtarlanmasyla yk gc kontrol edilebilir. Btn devreler DC Kyc denir. Kycnn temel yaps ekil 4.1 de grlmektedir. Gerilim ve akm anahtarlama frekansna bal olarak g transistor, g MOSFET i GTO veya IGBT kullanlabilir.

Yk endktif ise, snm sonras yk akmnn devam edebilmesi iin ularna diyot balanr. Yk ularndaki
or or or

gerilimin ortalama deeri, on/off periyodu

deitirilerek ayarlanabilir. Eleman

E

olarak

VL
Yk

VL

transistoru durumunda,
Zaman t
On Off

kullanlmas kollektr-

emiter gerilimi baz akmnn deitirilmesiyle ayarlanabilir (bylece yk

ekil 4.1 DC Kyc

gerilimi de ayarlanm olur). Ancak bu uygulama kk g seviyesinde yaplabilir. Yk akm 100A iin transistr ularnda 200V gerilim dm demek, transistor de 20kW g kayb demektir. Bu kayp transistor n yanmasna yol amasa bile en azndan parasal kayp demektir.

Eski temel devrelerin ou anahtarlama eleman olarak tristr ieriyordu. Bu tristrlerin sndrlebilmesi iin harici bir devre bulunuyordu. Bu devre anot akmn sfra drerek ve tristrn bloke durumunu kazanabilmesi iin yeterli bir zaman ters gerilim uygulanmasn salayarak tristr sndryordu. Bu blmde bu temel sndrme devrelerinin genel prensipleri anlatlacaktr. Devrelerle alakal formller blm sonunun da izah edilecektir.

4.1 PARALEL KAPAS TANS

ekil 4.2 deki tristr

VT C
Zaman

iletime alnrsa akm E/R olur. Tirstr iin

iT S

sndrmek

ekildeki doldurulmu bir Kapasitr S

anahtar
ekil 4.2 Paralel Kapasitrle Snm

kapatlarak gerilim

ters

ynde

uygulanr. Bylece tristr akm azalarak negatif blgeye geer ve tristr yklerinin bloke durumu kazandracak ekilde yerlemelerini salar. Bir mddet sonra tristr ularndaki gerilim kapasitrn dolmasyla pozitif olarak E seviyesine ular. Bu devredeki kapasitr deeri tristrn bloke durumunu kazanmasn salayabilecek deerde olmaldr. ekil 4.2 deki devreyi pratikte kullanabilmek iin S anahtar elektronik bir anahtarla deitirilmeli ve devre, yeniden snm salayabilecek ekilde kapasitr doldurabilmelidir. Byle bir devre ekil 4.3de grlmektedir.
ig2

ic C VC ig2 T2 E iT2 VT2 L VT1

T1
VC

Yarm Periyot Kosins Dalgas 1 Osilasyon fre.= 2 -E Exponansiyel Art 2E e-t/RC R

(LC)

ig1 iT1

iC iT2
ig1
2E/R E/R

iR iD D R Yk

Yk Akm

iD

ekil 4.3 (a) Paralel Kapasitans Kmtasyon Devreli Kyc Devresi

iT1
VT1
Snm Z.

deal tristrler ve kaypsz elemanlar kabul ile dalga ekilleri (b)de grlmektedir. T1, ana yk tristrdr. T2 ise T1 in snm iin gerekli kapasitr devreye almak iin yedek tristrdr. L endktans, C kapasitr

VT2

Maksimum dv/dt

ON T

OFF

ig2
Batarya baland

ularndaki polaritenin doru ynde olmasn salamak iindir.

ekil 4.3 (b) Paralel Kapasitans Kmtasyon Devreli Kyc Devresi

Balangta tristrler snmde olduklar iin batarya balansa bile akm akmaz. ncelikle T2nin tetiklenerek C kapasitrnn dolmas salanr. Bu durumda ekil 4.4 (a) daki balant gereklemi olur. Kapasitr, akm ekspnonansiyel olarak azalan bir dalga ekliyle dolar. (Balang deeri E/R dir) Bir mddet sonra kapasitr E batarya gerilim seviyesine kadar dolar. (T2 nin tutuma akmnn altna inmesiyle akm sneceinden tam E ye kadar dolamaz)

T1 tetiklenirse yk, bataryaya balanm olur. (ekil 4.4 (b)) Ayn zamanda L endktans ile C kapasitans arasnda yarm peryot srecek bir osilasyon balar. ( Diyot ters ynde akm akn engelleyeceinden). Bylece kapasitr ularndaki polarite deierek ekil 4.4(a) daki durumu alr. T2 tetiklenirse, C nin T1 zerinden boalmasyla T1 sndrlr. bylece ekil 4.4(a) da T2 tristr ve yk zerinden geen akmn balang deeri 2E/R olur.

C E T2

T1 E

C L

T1

(a) ekil 4.4 ekil 4.3 iin edeer devreler

(b)

ekil 4.3 teki devrenin almasn zetleyecek olursak: T1 tetiklenirse yk bataryaya balanm olur. T2nin tetiklenmesi T1i sndrerek yk bataryadan ayrr. Bu devrenin dezavantaj, kapasitrn yk araclyla doldurulmasdr. Pratikte D diyodu yerine tristr kullanlabilir. Eer diyot kullanlrsa T2 sndkten sonra diyot ve kapasitr araclyla endktansn neden olaca ikincil bir osilasyon sz konusu olabilir. Bylece kapasitr bir miktar boalr. Tristr kullanm bunu nleyecektir.

T1

T2

ekil 4.5 teki devre endktr kullanlma gerekliliini ortadan kaldrr. T1in

tetiklenmesi hem yk bataryaya balar, hem de C kapasitrnn R2 zerinden kolmasna

E C
Yk

imkn

verir.

T2nin

tetiklenmesiyle

kondansatr gerilimi T1e uygulanm olur

R1

R2 ve T2 sner. T2, R2 zerinden akm

akacandan iletimde kalr ve R1 araclyla C kapasitrn ters ynde doldurur. T1 tetiklenirse R1 yk bataryaya balanm

ekil 4.5 Basit paralel kapasitrl kyc

olur, ayn zamanda C kondansatr T2 yi

sndrr. Bu basit devrenin dezavantaj ise R2 direncinde meydana gelen kayptr. R2 byk seilerek bu kayp azaltlabilir, ancak bu kondansatrn dolma sresini artrarak ykn anahtarlama frekansn snrlar.

T1

T2

iC

VC

E C
Yk

T3 L
ekil 4.7 LC devresi bataryaya seri bal

ekil 4.6 Deiik bir paralel kapasitans komtasyon devresi

ekil 4.6 da kapasitrn yk zerinden doldurulmasn nleyen bir devre grlmektedir. devrede T1 in tetiklenmesi, bataryay yke balar. Ayn zamanda veya bir mddet sonra T3 tetiklenirse LC devresinde meydana gelen osilasyonla C kapasitr 2E gerilimine kadar dolar. Bu olay anlamak iin ekil 4.7 deki devreye baklabilir. Devrede osilasyon frekans kayplar ihmal edilirse 1/2 LC dir. Eer kayplar varsa C kapasitr snml bir osilasyonla sonuta E gerilimine ulaacaktr. T3 tristr ters ynde akm akmasn nleyeceinden sadece yarm periyotluk bir osilasyon olur ve kapasitr ularnda yaklak 2E kadar gerilim bulunur.

ekil 4.6 da kapasitr doluyken T2 tetiklenirse bu, T1i sndrr. snm esnasnda C kondansatr T2 araclyla yk zerinden ters polariteli olarak E kadar dolar. Bir sonraki T1 ve T3 n tetiklenmesiyle de kondansatr osilasyonla dier ynde 2Enin de zerinde dolmu olur. Bu devrenin avantaj, kondansatrn batarya geriliminden daha byk bir deerle komtasyonu gerekletirmesidir. Dezavantaj ise T2 ve T3 yanllkla birlikte tetiklenirse batarya ular ksa devre edilmi olur.

imdiye kadar anlatlan bu devreleri seerken Kriter: ykn tipi, anahtarlama frekans, elemanlarn byklkleri , kayplar ve maliyet gz nne alnmaldr.

4.2 REZONANSLA SNM

Kondansatr-Bobin kombinasyonu kendinden osilasyona girme zellii, yedek veya ikinci bir tristr gerektirmeden, iletime girdikten belli bir zaman sonra yk tristrn sndrmede kullanlabilir.

ekil 4.8 (a) da grlen seri rezonans devresi, tristr akmnn ters ynde evrilmesini ve snmn gerekleebilmesini salamak iin eksik snml tasarlanmaldr. ekil 4.8 (b) de dalga ekilleri grlmektedir. Batarya balandktan sonra ilk tetikleme darbesi
iT

uygulannca LC osilasyonu balar tristr akm yn

ig VT

ters dnemeyecei iin osilasyon yarm periyot

VI E Yk VC R VL

devam eder ve tristr sner. osilasyon sonunda kapasitr ularnda yaklak 2E kadar gerilim bulunduundan tristre ters kutuplanmayla E kadar gerilim uygulanm olur. Bu andan itibaren

(a)

kondansatr yk zerinden boalmaya

Osilasyon dalga ekli Eksponansiyel azalma

ig
>E

balar. Gerilimi Enin altna dnce tristr ularnda olur. kalma yeniden Devrede sresi pozitif tristr

kutuplama
VC=VL

iletimde

osilasyon

frekans belirler. Kesim sresi ise yke

iT
E
Snm zaman

baldr. Ancak kondansatrn gerilim deeri, Enin altna decek kadar bir sre iin kesimde kalmaldr. Aksi takdirde
dv/dt

VT

bir

sonraki

tristr osilasyon

tetiklemesinde yaplamayabilir.

Tristrden olursa

geen ikinci akmn grlr.

VI
Zaman(t)

akm

incelenecek

tetiklenmede birincisinden
ilk tetikleme darbesi

geen az olduu

Bunun nedeni kondansatrn ularnda

(b)

zaten bulunmu olmasdr.

belirli

bir

gerilim seviyesi

ekil 4.9 da ise paralel rezonansla snm salayan devre grlmektedir.

iC iT VT ig L E iT R C VC

ig E/R iC

VL

VC E/R

ekil 4.9 Paralel rezonansla snm

iL,VL iT = iL - iC

Batarya

baland

zaman

devredeki
iT
Snm Zaman

kondansatr E seviyesine kadar dolar. bu andan itibaren tristrn tetiklenmesiyle yke gerilim uygulanm olur, ayn zamanda LC devresinde osilasyon balar. Osilasyon akmnn yk akmndan (E/R)

VT
Batarya baland (b) dV/dt

byk olmas durumunda tristr akm ters dnmeye alacaktr ve sonuta snecektir. Osilasyon ilk yar periyodunda tristr akm artarken sonra azalmaya balayacak ve ikinci yarsnn balarnda da sfra decektir. ekil 4.9 (b) deki dalga ekilleri LCR seri devresinin kritik snml olduu (R2= 4L/C) durumu iin geerlidir. Eer R drlrse yk akm osilasyon akmndan (LC) daha byk olabilir. R arttrlrsa, bu da kapasitrn dolma sresini arttrr. (Yani minumum snm sresi). Bu nedenle, bir devre sabit direnli ykler iin kullanlabilir.

reaktr doyumda

ig
C

iC
L E

VC
R

ekil 4.10 Doyumlu reaktrl paralel snm devresi

iL,VL

Rezonans devresi, doymaya ulaabilen bir reaktr kullanmyla ekil 4.10 daki gibi gelitirilebilir. Bu reaktr demir nveli yksek endktansl bir reaktrdr. Ancak doyma blgesinde endktans dktr. ekil 4.10 daki devrede tristr tetiklenirse
VT ON OFF iT

ekil 4.11 Doyumlu reaktrl paralel snm devresi ekilleri

L byk olduu iin doyma blgesine geene kadar yava bir osilasyon olur. Doyma blgesinde L azalacandan akm birden artar ve yarm periyot devam eder. Bu akm yk akmyla ayn ynde tristr den akar. osilasyon akm doyma blgesinden knca yine az bir akmla devam eder ve ters ynde akmaya balar. Bu akm yine doyma blgesine ulaabilirse tristr sndrr. Bu devre ile ykn iletimde kalma sresi arttrlm olur.

Eer yk endktifse yk ularna ekil 4.12 de grld gibi diyot balanmaldr. Ayrca LC osilasyon devresinin akmna yk zerinden akmasn nlemek iin LC ularna diyot balanabilir.
C T E D1 D2 L E C L D2

Yk

D1

ekil 4.12 Paralel rezonansl snm devresi (diyotlar eklenmi)

ekil 4.13 Yksek endktansl ykler iin rezonans devresi

Ykn endktans deeri ekil 4.13 deki rezonans endktansndan ok daha bykse, ekil 4.13 devresini kullanmak dier devreleri kullanmaktan daha avantajldr. Avantaj: L endktansnn, tristrn akm art hzn snrlayabilmesidir. Ayrca tristr snme giderken akm yava yava azalacaktr, bylece tristrde ters ynde yk birikmesi az olacaktr. Devredeki D2 diyodu yk (motor) sebebiyle kapasitrn dolumunda problem olumasn nlemektedir. kapasitrn yk araclyla dolmas ise besleme kaynandan ar gerilim dm olmasn nleyecektir.

4.3 KUPLAJLI DEVRE

Yk akmn tayan tristr, kendisine seri bir endktrle sndrlebilir. Bu endktr zerinde DC besleme gerilimine ters ve ondan daha byk deerli bir gerilim oluturulmaldr. Bu gerilim tristr ularnda ters kutuplanma meydana getirir ve yeterince uzun olursa tristr sner. ekil 4.14 (a) ve (b) de dolu
D1 VL Yk R iT1 T1 L2
Yk

kondansatr

geriliminin

endktr araclyla tristr sndrmesine ait devreler

D2 VT1 VT2 iT2 ig2 T2 VC iL1 C

ig1

grlmektedir. ekil 4.14 (a)

(b)

L1

da

kaynak

devreye

balannca C kondansatr,
(a)
E'den byk

L2

ve

D2

zerinden

VC

yaklak 2E kadar dolar. T1 tetiklenirse; L1 araclyla yk, kaynaa balanm olur. T2

ig1
E/R

tetiklenince kondansatr gerilim L1 zerinde T1 tristrn sndrr. L1, C rezonans devresi kondansatr ters ynde doldurarak

VL, iT1

ig2

T2

tristrn

sndrr.

Bundan

sonra

iT2

kondansatr, L2 ve D2 araclyla yeniden T1 tristrn sndrecek ekilde doldurulur.

iL1
snm zaman

Bu devrede, L2 C devresinin rezonans frekans, L1 C devresinden ok daha

VT1

dktr. Dolaysyla Cnin L1 zerinden

VT2

boalmas, L2 den bamszdr. L2, L1 den daha byk seilmelidir. Eer D2 yerine, T2
ON OFF

sndkten sonra iletim giren bir tristr balanrsa L2 daha kk seilebilir ve OFF sresi azaltlabilir. ekil 4.14 (c)

ekil 4.14 Harici darbeyle komtasyon a)Dorudan balant b) Karlkl kuplajl c) Dalga ekilleri

dalga ekilleri grlmektedir. Yk akm kare dalga biimindedir. ekil 4.14(a) daki devrede kullanlan elemanlarn kaypsz olduu kabul edilirse her anahtarlamada bir kondansatr ularndaki gerilim 2E kadar byyecektir. Bu durum ekil 4.15 de grlmektedir.

L2, C devresindeki osilasyon -3E,+3E

4E L2 3E E D2 E 3E C 2E -2E

eklinde

olacak

ve

sonuta

4E

deerine ulaacaktr. Aslnda kayplar bu deere kadar klmasn nler. T2 ularna ters balanacak bir diyot ile bir periyotluk bir salnm salanarak da kapasitr gerilimi 2E ile

ekil 4.15 - ekil 4.14 (a)'da T1 'in ilk sn sonras artlar

snrlandrlabilir.

ekil 4.16da ise kuplajl darbe devresi grlmektedir. Bu devrede yk kaynaa baland anda kondansatr snm iin
T1 T2 C iC D L1 M L2 iL Yk Yk L2diL/dt

gerekli

ynde

dolar. yk

T1

in

tetiklenmesiyle,

akmnn

E MdiL/dt

art L2 de gerilim endkleyecek bu da karlkl endktansla L1de gerilim indkleyecektir. Bu

gerilim, kondansatr zerinden i akm geirerek D diyodu onu da

ekil 4.16 Kuolajl darbe devresiyle komtasyon

dolduracaktr.

kondansatrn dearj olmasn nler. T2 tetiklendiinde kondansatr, T1 i sndrr ve ters ynde dolar. T1 in bir sonraki tetikleniiyle L1, C ve D zerinde meydana gelen osilasyon kondansatr dolduracak, bu gerilime ekil 4.16 (b) de grld gibi m.diL/dt gerilimi de katkda bulunacaktr.

ekil 4.16 daki kuplajl darbe devresinin dier iki devreye stnl yk zerinden kapasitrn dolmas ve bylece snm iin gerekli artlarn garantilenmi olmasdr. Ayrca yk akm ne kadar ok olursa kapasitrn dolumu da o kadar ok olacandan, tristr snm iin o kadar ok sre, kondansatr tarafndan salanabilecektir.

4.4 B R BAKA YK BESLEYEN TR STR ARACILIIYLA KOMTASYON

zellikle inverterlerde bulunan ou devreler, yk akmn, sndrlecek tristrden uzaklatrarak dier yk akm tayan tristr ya da diyoda transfer eden komtasyon teknii kullanrlar. ki eit yk arasnda akm transfer eden byle bir devre ekil 4.17de

grlmektedir.
is iL1 R C E iT1 VC T1 ig1 VT1 VT2 T2 ig2 iT2 R iL2

T1

tetiklendiinde

bir

yk

kaynaa

balanrken ayn zamanda C kondansatr dier yk ve T1 araclyla dolar. T2 tetiklendiinde ise C kondansatr T1 i sndrr ve ters ynde dolar. Bu anda T2 zerinden dier yk kaynaa balanm olur. Bu ekil 4.18 deki devreden yola klarak basit inverter devreyi

oluturabilir.
(a)
VL

ig1
Yk

i1

ig2
E

i2 VL
-E

VC
2E R

-t/RC

iC
2E/R E/R

ekil 4.18 - ekil 4.17 (a)'nn invertere dntrlmesi

iL1
3E/R E/R

Bu devrede eit zaman aralklaryla iki tristrn tetiklenmesi yk ularnda AC

max di/dt

iT1

gerilim oluturur. Tamamlayc bir devre olan McMurray-Bedford darbe komtasyonlu kpr devresi ekil

iL2

iT2
snm zaman

4.19 da grlmektedir. eer T1 ve T2 iletimde ise yk kaynaa bal demektir veya T3 ve T4 iletimdeyse yk ters ynde akmgeecek ekilde kaynaa bal demektir. Bylece yk ularnda

VT1
max dV/dt

VT2

is
Zaman (t) ilk tetikleme Batarya baland ON/OFF OFF/ON

AC gerilim elde edilebilir.

1 Periyot

ekil 4.17 Eit iki yk arasnda komtasyon

D1

C1

T1

T3

C3

D3

L1 E L4 T4

Yk

D4

C4

T2

C2

D2

C1 = C2 = C3 = C4 = C L1 = L2 = L3 = L4 = L ekil 4.19 Tamamlayc darbe komtasyonlu kpr devresi (Mc-Murray - Bedford)

ekil
I

4.19

daki

komtasyonu

incelersek: T1 (ve T2) iletimde ve yk

T1 I L1=L E L4=L T2 E

akmn tarlarken T4 tetiklenirse yk akm T4e transfer olarak T1 i sndrecektir. Dier iki tristrde (T2 ve T3) bir deiiklik olmakszn T1in sndrlmesi, ykn

C4 I I

T4

kaynaktan ayrlmasna neden olur. T4le

(a)

ayn anda T3 tetiklenirse T1 ve T2 ayn anda sner ve yk ters ynde kaynaa balanm
E

C1 E E I/2 E=LdI/dt E I T2

olur. ekil 4.20de komtasyon esnasndaki olaylar grlmektedir. ekil 4.20(a) da T4n tetiklenmesi nce artlar bulunmaktadr. C4, E ile doludur. Endktrde depolanan enerji 1/2LI2 dir. T4 tetiklenince ekil 4.20 (b) deki artlar gerekleir. C4n gerilimi L4

C4 I

(b)

ularna uygulanr ve bu da L1 zerinde E gerilimi endkler. Bu sebeple T1 ters

E L4
i

kutuplanarak sner. ekil 4.20 (b) deki akm dal T4n tetiklenmesinden sonra L1,

D4

(c)

L4 teki depolanan enerjinin deimemesi sebebiyledir. L1 den akmakta olan I akm L4 e transfer olur, bylece 1/2LI2 enerji

ekil 4.20 Omik yk iin snm artlar a) T4 tetiklenmeden nce b) T4 tetiklendikten hemen sonra c) Kondansatr gerilimi ters olmaya baladktan sonra

seviyesi korunmu olur. Omik bir yk varsaym ile yk akm sfra derken, I akm eit oranda C1 ve C4 zerinden ekilir. C1 ve C4, L4 ile osilasyona girer. (f=1/2 2 LC ) C4n gerilimi (1/2)E ye dnce T1 pozitif kutuplanr, bu zamana kadar da T1 bloke olmu olur. Devrede diyotlar olmasayd, osilasyon sebebiyle C1 ularndaki gerilim 2E nin zerine kacak ve sonuta E seviyesine inecekti. D4 sebebiyle C4 ularndaki gerilim ters dnemez, ekil 4.20 (c) de grld gibi L4n
I E C4 E I T4 (a) I L D4 I+i (b) ekil 4.21 Endktif yk iin snm artlar a) T4 tetiklendikten hemen sonra b) D4 diyodu iletimdeyken i T4 I T2 Yk Yk I L I T2

azalan akm D4 diyodundan devresini tamamlar. Bylece C1, E seviyesine kadar dolar. T4n akm ise D4 ve L4 deki kayplar sebebiyle sfra der. ou durumda yk endktif olduu iin yk akm srekli olacaktr. Ayrca ykn endktans, komtasyon

devresinin endktansndan ok daha byktr. tetiklendikten Bu durumda sonra T4 akm

hemen

deiiklii ekil 4.21 (a) daki gibi olur.

C4n dearj akm iki kat artmtr.

T1A T1 D1 Yk E T3

nk kondansatr hem ykn hem de T4n akmn salamaktadr. yk kabul

C T4A

L T4 D4 T2

Komtasyon akmnn

periyodunca deimediini

ekil 4.22 Yedek tristrlerle darbe komtasyonu

edersek, D4 iletime geince T4n

akm azalr, yk akm da T2 ve D4 zerinden akar, ancak yk ularndaki gerilim sfrdr. ( ekil 4.21 (b) ) Yukardaki ekilde ise LC seri devresi ve yedek tristrlerde snm ve akm transferi gerekletirilen devre grlyor. T1 ile T2 veya T3 ile T4 iletime alnarak yk kaynaa balanabilir.

Devrede T1 tristr sndrebilmek

iT1A VT1 ig1A iC E VC IL iD4 Yk iT1 iD1

iin

T1Ann

tetiklenmesi

gerekir.

Komtasyon sresince dalga ekilleri ekil 4.23 de grlmektedir. Devrede komtasyon ve aamada komtasyon

gereklemektedir

sresince yk akm sabit kalmaktadr. T1A tetiklenirse, ekil 4.24 (a) da grld gibi CL devresi T1 ile seri olur ve
IL ig1A VC

kondansatr T1 zerinden boalr. t1 annda kondansatr akm IL ye eit olur ve T1 sner

IL iT1A , iC
(a) (b) (c)

iT1 iC - IL iD1

Kondansatr akm artmaya devam eder. IL den fazlas D1 diyodundan geer (ekil 4.24(b) ) kondansatr gerilimi ters
IL - iC IL

iD4
snm zaman

evrilince, akm yk akmnn altna der. D1in akm azalr ve D4 iletime

VT1
ileri gerilim dm D'de ileri gerilim dm

dV/dt Zaman

geer. Bylece ekil 4.24 (c) de olduu gibi LC kaynak ularna balanm olur.

Kondansatr, basit bir LC devresinden daha fazla bir gerilime ular. Kondansatr akm ters dnmek isteyince T1A tristr t3 annda sner, D4 diyodu yk akmn zerine alr. ekil 4.23 teki artlar zetlersek IC akm IL den daha byk bir pik deere sahip olmaldr. T1 tristrnn snm zaman, D1 diyodunun iletimde kalma sresi kadardr. Bu anda tristre uygulanan ters kuplajlama gerilimi, D1 zerindeki gerilim dm kadardr. T1 ularndaki gerilimin deiim hz yksek olduu iin pratikte bu art D4 diyodunun daha erken akm zerine almas demektir, bu da C kondansatrnn daha fazla gerilimle dolmas anlamna gelir. Bylece bir sonraki komtasyon daha kolay yaplabilir.

4.5 FORMLLERLE ZET

i E/R R E C V t i V

Bu kaynaa

blmde bal

DC

tristrlerin

snm ile ilgili devreler anlatlmtr. Ykn tipine

gre devre uygulamalar yer

(b)

(a) i E+V R

almamtr. veya L-C

Devrelere

R-C

kombinasyonlar devre

i E V

ierdiinden

davranna uygun formller verilecektir. R-C devresinde

E V V

t (c) (d)

akm ve gerilim zamana gre deimeleri ekil 4.25 teki gibidir. i=Be-t/T v=E+ Ae-t/T

ekil 4.25 RC devresinde dolum koullar

ve zaman sabiti T=R.C dir

i E i

V R

E L C (a) V (b)

E i V

t (c) (d)

ekil 4.26 - RLC seri devresi (ilk artlar sfr) a) Devre b) az snml c) kritik d) ar snml

t=0 ise A ve B belirlenebilir. ekil 4.26 da grlen RLC seri devresinin ise cevab szkonusu olabilir. ou snm devreleri az snml devrelerdir. ekil 4.26 iin eitlikler: Az snml R2<4L<C1 ise i=Ae-t sin(wt+ ) di/dt = A [e-t cos(wt+ ) - e-t sin(wt+ )] v=E+ B e-t sin(wt+ ) dv/dt = A [e-t wcos(wt+ K) - e-t sin(wt+ K)] =R/2L

w= [(1/LC) (R/2L)2]1/2

Formllerdeki A, B, ve K sabitleri t= 0 ilk atnda belirlenebilir + ihmal edilebiliyorsa R=0 ve snmsz devre szkonsudur.

i=A sin(wn t+ ) w= E + B sin(wn t+ K) wn=(1/LC)1/2 snmsz tabii frekans. Ar snm durumunda R2>4L/C olup i=Ae-at + Be-bt a= (R/2L) [(R/2L)2 - (1/LC)]1/2 b= (R/2L) + [(R/2L)2 - (1/LC)]1/2 dir.

A, B, C, D sabitleri yine t=0 artndan belirlenebilir. Kritik snml durum iin

R2 = 4L/C1 ise i=e-t(At+ B) v=E + e-t(Ct+D)

=R/2L olup t= 0 dan A,B,C ve D belirlenebilir.