Professional Documents
Culture Documents
Ileri Guc Elektronigi
Ileri Guc Elektronigi
Giri
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 1
I - GR
TANIM: G elektronii, herhangi bir kaynaktan alnan elektrik enerjisinin,
elektronik yntemlerle
kontrol edilerek (dntrlerek veya ilenerek) kontroll olarak yke aktarlmas ilemidir.
M.Necdet YILDIZ
G Elektronii, gn getike daha da genileyen elektronik sektrnn en nemli dallarndan birisidir. nceleri endstriyel alanlardaki elektronik zmlerde kullanlan g elektronii devre ve dzenekleri, gnmzde endstrinin dna taarak evlere, ofislere ve aralara girmitir.
2
I - GR
TEMEL YAPI: Bir g elektronii dzeneinin temel yaps blok olarak ekil1.1de grlmektedir. ekilden grld gibi bir g dzenei, g devresi ve kontrol devresi olmak zere iki blmden olumaktadr.
TARHE: G elektronii serveni, 1900l yllarn balarnda endstriyel makinelerde ok youn olarak kullanlmakta olan doru akm motorlarnn hz kontrol ile balamtr. 1950li yllara kadar g elektroniinin endstriyel uygulamalar ile ilgili pek ok teorik alma yaplm, fakat elektron tplerinden baka kullanlabilecek malzeme gelitirilemedii iin uygulamaya sokulamamtr.
3
G Devresi
Yk (Tketici)
Kontrol Devresi
M.Necdet YILDIZ
I - GR
1950lerin banda yariletken malzemelerin gelitirilmesi ve bu malzemeler kullanlarak diyot, transistor gibi devre elemanlarnn yaplmaya balanmas g elektronii uygulamalarnn nnn alma iaretini vermitir. Nihayet 1960larn banda Tristrn bulunmas g elektronii asndan ok nemli bir devrim olmutur. Tristrn bulunmasyla o zamana kadar elektron tpleri ile yaplan uygulamalar artk tristrle yaplmaya balamtr.
M.Necdet YILDIZ
Tristr kullanlarak hem daha basit, hem daha kk, hem de daha ucuza yaplabilir hale gelen g elektronii devrelerinin uygulama alanlar da hzla yaygnlamaya balamtr. Ayn zamanda, yine o zamana kadar dnlp de yaplamayan pek ok uygulama Tristr sayesinde yaplabilir hale gelmitir. 1960l ve 1970li yllar tristrn altn yllar olmu ve g elektronii uygulamalar her alana yaylmtr.
4
I - GR
1980lerin balarndan itibaren ise saysal elektronik alanndaki gelimeler ve mikroilemcilerin gelitirilmeye balamas ile g elektroniinde yeni ufuklar almaya balamtr. Bu gelimelere uygun olarak tristre alternatif yeni g elektronii elemanlar gelitirilme almalar balam ve bu almalar sonucunda o zamana kadar dk glleri kullanlmakta olan G Transistrleri ve G Mosfetleri gelitirilmitir.
M.Necdet YILDIZ
G transistrleri, g mosfetleri ve bu elemanlarn daha ileri versiyonlarnn gelitirilmesiyle birlikte, daha nceki yllarda tristrler kullanlarak hem daha zor hem de daha pahal olarak yaplmaya allan birtakm g elektronii devreleri ve endstriyel uygulamalar, bu yeni elemanlarn kullanlmaya balamasyla, hem daha basit, hem daha kk, hem daha fonksiyonel hem de ok daha ucuza yaplabilir ve kullanlabilir hale gelmitir.
I - GR
G ELEKTRON DEVRELERNN KULLANIM ALANLARI: Endstride; 1- Enerji iletimi ve datmnda, 2- Her tr motor kontrolunda, 3- Makine otomasyonunda, 4- Her tr stma soutma ilemlerinde, 5- Her tr retim ve montaj sanayinde, 6- Her tr g kayna ve g kontrol sistemlrinde. Bina, Ofis ve Evlerde; 1- Bina otomasyon sistemlerinde, 2- Istma, soutma, havalandrma ve gvenlik sistemlerinde, 3- Tm ofis aralarnda, 4- Elence, spor ve oyun aralarnda, 5- Tbbi cihazlarda, 6- amar makinesi, bulak makinesi, buzdolab, klima, elektrik sprgesi vb. ev cihazlarnda.
6
M.Necdet YILDIZ
I - GR
Ulam Aralarnda; 1- Uak ve dier hava aralarndaki tm g sistemlerinde, 2- Demiryolu ve metro aralarnda ve yer sistemlerinde, 3- Otobs, kamyon ve ekici gibi ar vastalarn tm elektronik sistemlerinde, 4- Otomobillerdeki tm elektriksel g ve kontrol sistemlerinde, 5- Forklift, seyyar vin, beton makinesi vb. aralarda. Tarm ve Hayvanclkta; 1- Sera otomasyonu ve kontrolnde, 2- Ak hava sulama ve rn kontrol sistemlerinde, 3- Tarm makinelerinin otomasyonunda, 4- Kmes, ahr vb. hayvan yetitirme tesislerinin bakm ve otomasyonunda, 5- Tarla ve arazilerin ekim, dikim ve gbreleme kontrollarnda. 6- Tohumculuk, fide yetitirme vb. almalarda.
7
M.Necdet YILDIZ
I - GR
TEMEL G DEVRELER: ekil-1.2den grld gibi temel g devreleri, G elektronii kapsamnda yaplan tm iler ve uygulamalar 1) AC-DC dntrcler, 4 temel devre yaps zerine 2) AC-AC dntrcler, kurulmutur. 3) DC-DC dntrcler, Bu devre yaplar, alternatif akm 4) DC-AC dntrclerdir. veya doru akm trndeki elektrik enerjisinin bir birlerine AC / DC AC DC veya kendi ilerinde farkl ~/= ekillere ve seviyelere Dorultucular dndrlmesi ilemini AC / AC DC / DC AC DC gerekletirmektedir. ~ / ~ Kyclar Kyclar = / = Bu durumda, g elektroniinin nvertrler temel devre yaplar yan tarafta DC / AC ekil-1.2de olduu gibi AC DC ~/= gsterilebilmektedir.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 8
I - GR
AC-DC Dntrcler (Dorultucular); G elektroniinin temel devrelerinden birincisi olan dorultucular, bir fazl veya fazl AC kayna kullanarak, sabit veya deiken DC gerilim elde etmek iin kullanlmaktadr. AC-DC dntrcler (dorultucular); 1- Kontrolsuz dorultucular, 2- Kontrollu dorultucular, olarak 2 ana gruba ayrlr. ekil 1.3de basit bir kontroll dorultucu devresi ve dalga ekilleri grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
ekil 1.3 - 1 fazl yarm dalga kontroll dorultucu devresi ve dalga ekilleri.
Giri (Kaynak)
k (Yk)
I - GR
AC-AC Dntrcler (AC kyclar); G elektroniinin temel devrelerinden ikincisi olan AC kyclar, bir fazl veya fazl AC kayna kullanarak, sabit veya deiken frekansl ve genlikli AC gerilim elde etmek iin kullanlmaktadr. AC-AC dntrcler; 1- AC voltaj kontrolcular, 2- Direkt frekans eviriciler, olarak 2 ana gruba ayrlr. ekil 1.4de basit bir AC kyc devresi ve dalga ekilleri grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Giri (Kaynak)
10
I - GR
DC-DC Dntrcler G elektroniinin temel devrelerinden ncs olan DC-DC dntrcler, herhangi bir DC kaynaktan ald gerilimi ykselterek , drerek veya oullayarak, sabit veya deiken DC gerilim(ler) elde etmek iin kullanlmaktadr. DC-DC dntrcler; 1- DC kyclar, 2- Anahtarlamal reglatrler, olarak 2 ana gruba ayrlr. ekil 1.5de basit bir DC kyc devresi grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Giri (Kaynak)
k (Yk)
11
I - GR
DC-AC Dntrcler (nvertrler); G elektroniinin temel devrelerinden sonuncusu olan nvertrler, herhangi bir DC kaynaktan ald gerilimi ileyerek, sabit veya deiken genlik ve frekansl AC gerilim elde etmek iin kullanlan g elektronii devreleridir. nvertrler; 1- PWM invertrler, 2- Rezonansl invertrler, olarak 2 ana gruba ayrlr. ekil 1.6da basit bir PWM invertr devresi grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Giri (Kaynak)
0V
k (Yk)
12
I - GR
Temel G Elemanlar; G devrelerinin, istenilen g dnmlerini uygun olarak gerekletirebilmeleri, bu devrelerde kullanlan uygun g elemanlaryla mmkn olabilmektedir. G devrelerinde kullanlan g elemanlar, hangi tr dnmde olursa olsun, daima kaynak ile yk arasndaki balanty kesip brakmakla grevlendirilmitir. Dolaysyla bu elemanlar birer ANAHTAR olarak almakta ya da altrlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda anahtar yaps g elektronii iin ok nemlidir ve burada ayrnts ile incelenecektir. Anahtar Trleri; Elektrik-Elektronik g dzeneklerinde kullanlan 3 tr anahtar bulunmaktadr. Bunlar, 1- Mekanik anahtarlar, 2- Elektromekanik anahtarlar, 3- Yariletken anahtarlardr. Bu anahtar trlerini incelemeden nce ideal anahtar yaps incelenmelidir.
13
I - GR
deal Anahtar zellikleri; deal anahtar, almas srasnda zerinde herhangi bir kayp oluturmayan anahtardr. deal anahtar sadece 2 durumda bulunabilir. Bunlar, 1- Yaltm durumu (kapal-off), 2- letim durumu (ak-on). Anahtarlarn almas srasnda zerinde iki tr kayp olumaktadr. Bu kayplar, 1- Anahtarlama (amakapama) kayplar, 2- letim kayplardr. Bu anahtarda kayplar sfrdr.
M.Necdet YILDIZ
VA
deal Anahtar k (Yk)
Giri (Kaynak)
PA= VA x IA
Harcanan g (PA)
14
I - GR
Bu durumda ideal anahtarla ilgili nemli parametreler Tablo-1.1deki gibi gsterilebilir. Tabii ki byle bir anahtar gerekte yoktur.
Kn. off V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn.
0 A
F T
0 V
on
Hz
Y N
Yandaki Tablo-1.1den grlebilecei gibi anahtarlar iin ncelikli 6 parametre kullanlmaktadr. Bunlar, 1) alma gerilimi (VA), 2) alma akm (IA), 3) letim direnci (Ron), 4) alma frekans (fA), 5) Anahtarlama zaman (tA), 6) Anahtar yndr. deal bir anahtarda iletim i direncinin ve gei zamannn sfr olmas nedeniyle iletim ve anahtarlama kayplar sfrdr.
15
M.Necdet YILDIZ
I - GR
Mekanik Anahtarlar; Mekanik anahtarlar, elektrik devrelerini kesmek iin kullanlan, adi anahtar, pako alter vb. anahtarlardr. Mekanik anahtarlar da, iletimi srasnda zerinde herhangi bir kayp oluturmayan anahtardr. Mekanik anahtarlar da sadece 2 durumda bulunabilir. 1- Yaltm durumu (kapal-off), 2- letim durumu (ak-on). Mekanik anahtarlar, devrelerde genellikle ama-kapama eleman olarak kullanlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-1.8
Giri (Kaynak)
Anahtar akm (IA) off Anahtar gerilimi (VA) Harcanan g (PA) on off on
16
I - GR
Mekanik anahtarla ilgili ncelikli parametreler Tablo1.2de rnek deerler kullanlarak gsterilmitir.
Kn. off V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn.
500
0 A
F T
0 V
on
25 A
Hz
Y N
Tablo-1.2den grld gibi, mekanik anahtarda iletim i direncinin sfr olmas nedeniyle iletim kayplar da sfr olacaktr. Yine Tablo-1.2den grld gibi, mekanik anahtarlarda frekans ve gei zaman parametreleri hzl anahtarlama iin uygun deildir. Piyasada anahtar, pako alter, alter, kesici vb. isimler verilen mekanik anahtarlar eitli gerilimlerde, birka amperden birka yz ampere kadar bulunabilmektedir.
17
M.Necdet YILDIZ
I - GR
Elektromekanik Anahtarlar; Elektromekanik anahtarlar, elektrik devrelerini kesmekdeitirmek iin kullanlan, rle, kontaktr, kesici vb. anahtarlardr. Elektromekanik anahtarlar da sadece 2 durumda bulunabilir. 1- Yaltm durumu (kapal-off), 2- letim durumu (ak-on). Elektromekanik anahtarlar, devrelerde genellikle g anahtarlama ve otomatik g kontrol eleman olarak kullanlmaktadr (ekil-1.9).
Giri (Kaynak)
Anahtar akm (IA) off Anahtar gerilimi (VA) Harcanan g (PA) on off on
Pa
Pa= Va x Ia
ton
toff
18
M.Necdet YILDIZ
I - GR
Elektromekanik anahtarla ilgili ncelikli parametreler Tablo1.3de rnek deerler kullanlarak gsterilmitir.
Kn. off V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn.
380
0 A
F T
0 V
on
63 A
Hz
Y N
Elektromekanik anahtarda kontaklarn temiz olmas durumunda iletim i direnci sfr olmas nedeniyle iletim kayplar da sfr olacaktr. Elektromekanik anahtarlarda da frekans ve gei zaman parametreleri olduka ktdr. Bu nedenle hzl anahtarlama yapamazlar. Elektromekanik anahtarda da hzl anahtarlama yaplacak olursa, gei zamannn ok uzun olmas nedeniyle ise anahtarlama kayplar ok yksek olacaktr.
19
M.Necdet YILDIZ
I - GR
Yariletken (Statik) Anahtarlar; Yariletken anahtarlar, elektrikelektronik devrelerde yksek hzl anahtarlama ileri iin kullanlan, Tristr, Transistr, Mosfet vb. elemanlardr. Yariletken anahtarlarn pek ou 3 durumda bulunabilir. 1- Tam yaltm durumu, 2- Tam iletim durumu. 3- Ara (ykseltme) durumu. Bu anahtarlar, istenirse on-off anahtar olarak, istenirse de ykseltme eleman olarak kullanlabilmektedirler.
M.Necdet YILDIZ
ekil-1.10
Giri (Kaynak)
Anahtar akm (Ia) off Anahtar gerilimi (Va) Harcanan g (Pa) on off on
Pa Pi ton toff
20
I - GR
Yariletken anahtarla ilgili ncelikli parametreler Tablo1.4de rnek deerler kullanlarak gsterilmitir.
Kn. off V(a) I(a) R(o) f(a) t(a) Yn.
600
0 A
20
10
T E K
2,1 V
on
120
0,02
kHz
Y N
Tablo-1.4den grld gibi, yariletken anahtarlarda frekans ve gei zaman parametreleri ok ok iyidir. Bu nedenle ok hzl anahtarlama yaplabilmektedir. Fakat yariletken anahtarda iletim i direncinin sfr olmamas nedeniyle iletim kayplar dierlerinde olduu gibi sfr olamayacaktr. Yine bu anahtarda gei zamannn ok ksa olmas nedeniyle hzl anahtarlama yaplsa bile anahtarlama kayplar az olacaktr.
21
M.Necdet YILDIZ
I - GR
G Elektronii Devrelerinde Kullanlan Anahtar Tr Hangisidir? G elektronii devrelerinde daha nceden aklanan g dnm ilemlerinin yaplabilmesinde kullanlacak anahtarlarn, basit bir dnm ilemi iin bile ok sayda ama-kapama yapmas gerekmektedir. rnein; basit bir ebeke dorultucu devresinde, diyotlar 1 saniye iinde 50 kez ama-kapanma yapmak zorundadrlar.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda, g dnm iin frekanslar dk olan mekanik veya elektromekanik anahtarlar kullanma imkan kesinlikle yoktur. G elektronii devrelerinde g dnm iin, iletim kayplar yksek olmasna ramen, alma frekanslar yksek ve gei zamanlar ok kk olan yariletken (statik) anahtarlar kullanlmaktadr. Mekanik ve elektromekanik anahtarlar ise g devrelerin giri ve klarnda enerji verme ve kesmede kullanlr.
22
I - GR
Yariletken G Anahtarlarnn Kullanm Srasnda Dikkat Edilmesi Gereken Konular; Mekanik ve elektromekanik anahtarlarn kullanm srasnda anahtarn uygun yere yerletirilmesi ve balantlarnn doru yaplmas dnda dikkat edilmesi gereken bir ey yoktur. Yariletken g anahtarlarnda ise bu iki konu dnda anahtarn gvenli olarak alabilmesi (korunmas) iin bir takm ilemler yaplmas (nlemler alnmas) gerekmektedir. Yariletken anahtarn korunmas iin alnacak nlemler; 1 G anahtarnn sl gvenliinin salanmas. 2 G anahtarnn ani deien gerilime kar korunmas. 3 G anahtarnn ani deien akma kar korunmasdr. Yukarda belirtilen nlemler alnmad takdirde g anahtar iini istendii gibi yapamayacak ve bozulacaktr.
M.Necdet YILDIZ
23
I - GR
Yariletken G Anahtarnn Isl Gvenliinin Salanmas; Yariletken g anahtarlar, kk de olsa bir iletim direncine sahip olduklar iin, iletimde kaldklar srece zerlerinde bir g harcamas olmaktadr (IxR). Ayrca yariletken g anahtarlar devrelerde ok sayda a-kapa yaplarak altrld iin anahtarlama srasnda da zerlerinde g harcamas olmaktadr. Harcanan bu gler elemann snmasna yol amaktadr. Yariletken g anahtarlarnda scaklk arttka performans dmekte ve belli bir seviyeden sonra da eleman yanmaktadr. Bu olumsuz durumun nne geebilmek iin eleman zerinde oluan s enerjisinin alnarak datlmas gerekmektedir. Bu i iin uygun boyutta Heatsink-Is emici yada yaygn sylenile Soutucu kullanmak gerekmektedir. Soutucu olarak, zel olarak retilmi yaprakl alminyum levhalar kullanlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
24
I - GR
Yariletken G Anahtarnn Ani Deien Gerilimden Korunmas Yariletken g anahtarlar, p ve n katmanlardan olumaktadr. Bu katmanlar arasndaki akm tama ilemi de elektron ve boluklarn yer deitirmesi ile olmaktadr. G anahtarlarnda akmn balamas,
Elemann uyarlmas, Ar derecede snmas, Yksek voltaj verilmesi, Ani voltaj deiiklii olmas,
Yariletken g anahtarlarnn, ani voltaj deiikliklerinde istenmedii halde iletime geerek hem kendisinin hem de devredeki dier elemanlarn zarar grmesini engellemek iin ekil-1.11de grld gibi bir Snubber-Gerilim yumuatma devresi kullanlmaktadr. Bu sayede ani gelen gerilimin deiim hz istenen seviyeye drlr.
Snubber devresi
durumlarnda gerekleir.
+ V(ak) -
V(ak)
V(ak)
M.Necdet YILDIZ
25
I - GR
Yariletken G Anahtarnn Ani Deien Akmdan Korunmas Yariletken g anahtarlar, kristalize yapya sahip olan silisyum malzemesi kullanlarak yaplmlardr. Bu malzemenin retim srasnda belirlenen bir ani akm tama hz bulunmaktadr. reticinin belirlemi olduu bu hz kullanc tarafndan ald taktirde malzemenin kristal yaps dalr ve eleman yanar. Yariletken g anahtarlarnn, ani akm deiikliklerinde istenmedii halde bozularak hem kendisinin hem de devredeki dier elemanlarn zarar grmesini engellemek iin ekil-1.12de grld gibi bir akm yumuatma devresi kullanlmaktadr. Bu sayede akmn deiim hz istenen seviyeye drlr.
Akm yumuatc I(a)
I(a)
I(a)
M.Necdet YILDIZ
26
DEV-1
1.1 - G elektronii devrelerinin enerji girilerini kesmek ve brakmakta kullanlan, Mekanik Anahtarlarn genel yaplar, trleri, reticileri, sat fiyatlar vb. konularda internet zerinde aratrma yaparak bir rapor hazrlaynz.
1.2 - G elektronii devrelerinin enerji girilerini kesmek ve brakmakta kullanlan, Elektromekanik Anahtarlarn genel yaplar, trleri, reticileri, sat fiyatlar vb. konularda internet zerinde aratrma yaparak bir rapor hazrlaynz.
M.Necdet YILDIZ
27
Blm-2
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Giri; G elektroniinin temel talar ve ar iileri olan Yariletken G Anahtarlar, zel baz elemanlar ile temel elektronikte kullanlan klasik elemanlardan bazlarnn daha yksek akm ve gerilimlerde alabilir hale getirilmesi veya ihtiyaca gre yeni baz tasarmlarn yaplmasyla ortaya kmlardr. Yariletken g anahtarlarnn temel malzemesi dier yariletken malzemelerde de olduu gibi yine Silisyumdur.
M.Necdet YILDIZ
Bu blmde yariletken g anahtarlarnn; 1) Temel yaplar ve almas, 2) Temel test devreleri, 3) Temel karakterisitik erileri, 4) Temel uyarma yntemleri, 5) alma dalga ekilleri, 6) Seri ve paralel balanmalar 7) Koruma yntemleri, 8) Gleri ve klf yaplar, 10) Temel kullanm alanlar, vb. konular ayrntsyla incelenecek ve bu elemanlara hkmedilmesi retilecektir.
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Yariletken G Anahtarlarnn Trleri; Yariletken g anahtarlar 3 temel grup altnda toplanmaktadr. Bunlar, 1- G Diyotlar:
a) Genel amal diyotlar, b) Hzl toparlanan diyotlar, c) Schottky diyotlar.
3- G Transistrleri:
a) ift polariteli transistrler (BJT), b) MOS transistrler (MOSFET), c) Yaltlm kapl transist. (IGBT).
2- G Tristrleri:
a) Genel amal tristrler (SCR), b) ift ynl tristrler (TRIAC), c) Kapsndan tkanabilen tristrler (GTO).
M.Necdet YILDIZ
Yariletken g anahtarlar piyasaya 3 farkl klf eklinde sunulmulardr. Bunlar, a) Tek elemanlar. b) G modlleri. c) Akll modller. Kurulacak devreye ve allacak olan gce gre uygun klfl malzeme seilir.
3
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
G DYOTLARI: G diyotlar, kontrolsuz g anahtarlardr. Bu diyotlar; 1) Genel amal (ebeke) diyotlar, 2) Hzl toparlanan (hzl) diyotlar, 3) Schottky (ok hzl) diyotlar, olmak zere 3 ayr trde bulunmaktadr, bu trlerin kendilerine ait zellikleri ve buna bal olarak da kullanm alanlar bulunmaktadr. imdi bu trleri ayrntsyla inceleyelim. 1) Genel Amal Diyotlar; ekil-2.1de yaps grlen genel amal g diyotlarnn genel yaps ve almas temel elektronikte kullanlan diyotlarla ayndr. Bu diyotlarda da normal diyotlarda olduu gibi, anod terminali, katoda gre 0,7V daha pozitif olduunda iletime geer.
Anod (A)
P N
Katod (K)
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Bilindii gibi diyodun yaltma geebilmesi iinse anod-katod arasndaki potansiyel farknn 0,7V altna inmesi veya negatife dmesi yeterlidir. Diyot iletimde olduunda tam iletim, yaltmda olduunda ise tam yaltm durumunda bulunur, gei an dnda herhangi ara durumu yoktur. Genel amal diyotlarn en nemli zellii dk frekanslarda almak iin imal edilmi olmalardr (ideal frekans 50-60Hz, max. frekans: 1kHz).
M.Necdet YILDIZ
Genel amal diyotlar dk frekansta almalar nedeniyle ok yksek akm-gerilimlerde kullanlabilirler (5kV-5kA gibi). Genel amal diyotlarn en nemli zelliklerinden birisi de, gei zamannn uzun olmasna ramen, iletim i direncinin ok dk olmas nedeniyle iletim kayplarnn ok dk olmasdr. Bu zellikleri ile genel amal diyotlar ebeke geriliminde kontrolsuz anahtar olarak alabilen ok kullanl yariletken elemanlardr.
5
II YARILETKEN G ANAHTARLARI
Diyodun Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi; Aadaki ekil-2.2de diyodun temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. Aadaki balant ekli ile diyodun doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir. Aadaki ekil-2.3de genel amal diyodun temel karakteristik erilerinden olan akm-gerilim (Ia-Vak) erisi grlmektedir.
Ia
Imax.
Doru (ileri) yn A+, K-
-Vak
-Vmax.
Von 0,7V
Vak
-Ia
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi doru ynde 0,7Vdan sonra iletime geen diyot, Imax. akmna kadar gvenle alabilmektedir. Bu akm aldnda ise diyot yanar. Diyot zerinden akacak akm deerini RL yk direnci belirlemektedir. Ters ynde ise Vmax. gerilim deerine kadar diyot gvenle yaltmda kalacak (blokaj yapacak), bu deer alrsa ise diyot yanacaktr. Diyot zerine gelecek olan ters gerilim deeri, tamamen VS kaynak gerilim deerine baldr.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda, genel amal diyodun; doru ynl (A+, K-) gerilimde kendiliinden tam iletime geen, doru ynl gerilimi asla bloke edemeyen, ters ynl (A-, K+) gerilimde ise yine kendiliinden tam yaltma geen (ters ynl gerilimi srekli olarak bloke eden) bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. Diyot bu zellikleriyle ACde tek ynl iletim salad iin dorultucu olarak, DCde ise anahtarlama eleman olarak altrlabilmektedir.
7
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Diyodun alma Dalga ekilleri; Yariletken g anahtarlarnn alma durumlarnn grlmesi iin aktif alma srasndaki akm-gerilim dalga ekilleri incelenmelidir. Diyodun doru ve ters polarmada davranlar ekil2.6dan gzlenebilir.
ekil-2.7de diyot devresinin AC kaynakta almas srasndaki dalga ekilleri grlmektedir.
Vm 2 3 4 t Giri Gerilimi
V(s)
Vm
V(RL)
(INV)
k Gerilimi
V(ak) Ia + V(ak) Im
V(ak)
Diyot Gerilimi
I(a)
360
540
720
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.7den grld gibi 0180 aralnda diyot iletimde (on) olup, k gerilimi giri gerilimi ile ayndr. Bu srada diyot zerindeki gerilim sfr olacaktr (iletim gerilim dm ihmal ediliyor), diyot zerinden geen akm ise yke bal olup, kaynak veya yk akm ile ayndr. 180-360 aralnda ise diyot ters polarmada olduu iin yaltmdadr (off). Bu durumda k gerilimi sfr, diyot zerindeki gerilim dm ise kaynak gerilimi ile ayndr (diyodun bloke ettii gerilim). Bu durumda diyot zerinden geen akm, dolaysyla da devre akm ise sfrdr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.8de diyotlarn seri balanarak alma geriliminin arttrlmas grlmektedir. Gerilim; VD= VD1 + VD2 + VD3 olur.
R1
ekil-2.8den grld gibi yksek gerilimde alma gerektiinde diyotlar seri balanarak bu gerilim deeri elde edilebilmektedir. Burada;
D1
VD1
R2
Vs AC D2 VD2
R3
D3 Yk
VD3
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Diyotlarn Paralel Balanmas;
zellikle yksek akm altnda altrlacak olan diyotlarda diyodun zerinden gemesi gereken ok yksek seviyeli akm geirebilmesi gerekir. Bu durumda retici tarafnda belirtilen diyodun alma akm, uygulamada zerinden geecek olan akmdan en az %30 daha fazla olmas gerekmektedir ki salkl bir alma salanabilsin. Uygulama srasnda mevcut diyotlarn bu art salayamamas durumunda diyotlarn paralel balama yoluna gidilir. Bu sayede istenilen alma akmna ulalabilir. Aadaki ekil-2.9da diyotlarn paralel balanarak alma akm arttrlmas grlmektedir. Burada toplam akm;
Vs AC
R1
R2
R3
Yk
M.Necdet YILDIZ
11
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.9dan grld gibi yksek akmda alma gerektiinde diyotlar paralel balanarak bu akm deeri elde edilebilmektedir. Burada;
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.10da retici tarafndan verilen, diyodun rnek dv/dt karakteristik erisi ve diyodun bu olaydan etkilenmesini nlemek iin alnan nlem grlmektedir. Burada rnek dv/dt: 500V/s
500V t(s) 0
SW
1s
ekil-2.10dan grld gibi, ok ani olarak ters gerilim altnda kalma riski olan D2 diyodunun paraleline, onu bu ani ters gerilimin bozucu etkisinden korumak iin bir R-C devresi yerletirilmitir. Bu sayede diyot zerine gelen ani gerilim yumuatlarak karakteristik erideki 500V/s snrnn altna indirilmekte ve diyotta oluacak olan ters akm (ters toparlanma) engellenmi olmaktadr. Burada R-C devresi;
D1 dv/dt iin Yk D2
T= R.C
zaman sabitesine gre istenilen oranda yumuatma yapmaktadr.
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 13
Vs
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.11de retici tarafndan verilen, diyodun rnek di/dt karakteristik erisi ve diyodun bu olaydan etkilenmesini nlemek iin alnan nlem grlmektedir. Burada rnek di/dt: 50A/s
50A t(s) 0 1s
L (di/dt iin)
SW
D1 Yk D2
Vs
M.Necdet YILDIZ
14
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.11den grld gibi, ok ani olarak yksek akm altnda kalma riski olan D1 diyoduna seri olarak, onu bu ani yksek akmn bozucu etkisinden korumak iin bir L endktans yerletirilmitir. Bu sayede diyot zerinden gemek isteyen ani yksek akm yumuatlarak karakteristik erideki 50A/s snrnn altna indirilmekte ve diyotta oluacak olan kristal dalmas (yanma) engellenmi olmaktadr. Burada L (L-R) devresi; dv/dt ve di/dt nlemlerini her zaman kullanmak gerekli deildir. Ancak yksek gte ani yksek gerilime veya ani yksek akma maruz kalma riski varsa kullanlmas gerekmektedir. Diyotlarn seri ve paralel balanmalar srasnda da ani gerilim ve akm riski bulunduu taktirde dv/dt ve di/dt nlemlerinin alnmas gerekmektedir. Bu durumda gerekli yumuatmay salamak iin, seri balama srasnda her bir seri diyoda paralel olarak R-C devresi, veya paralel balama srasnda her bir paralel diyoda seri olarak L eleman yerletirilmelidir.
15
T= L/ R
zaman sabitesine gre istenilen oranda yumuatma yapmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada genel amal bir diyodun bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
16
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Hzl Toparlanan Diyot; Hzl toparlanan g diyotlarnn genel yaps ve almas da ekil-2.12de grld gibi temel elektronikte kullanlan diyotlarla tamamen ayndr. Bu diyotlarda da normal diyotlarda olduu gibi, anod terminaline, katoda gre 0,7V daha pozitif gerilim geldiinde eleman kendiliinden iletime geer.
Anod (A)
Hzl toparlanan (hzl) diyotlarda, genel alma ilkeleri, temel karakteristik eriler, ters toparlanma, alma dalga ekilleri, seri ve paralel balanmalar, ani akm ve gerilim davranlar ve korunmalar genel amal diyotlardaki gibidir. Hzl diyotlarn gei zamanlar 35s gibi ok ksa, dolaysyla da alma frekanslarnn 150200kHz gibi yksek olmasdr. 23kV, 200-300A gibi deerlere kadar bulunabilen bu diyotlar DCDC ve DC-AC dntrclerde ve yksek frekansl uygulamalarda kullanlmaktadrlar.
17
P N
Katod (K)
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada hzl toparlanan bir diyodun bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
18
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Schottky Diyot, Temel Yaps ve almas; Schottky g diyotlarnn genel yaps, temel elektronikte kullanlan diyotlardan olduka farkldr. Bu diyotlarda ekil2.13de grld gibi normal diyotlarda olduu gibi P-N birleimi yerine, daha hzl olmas iin N-Metal birleimi kullanlmtr.
Anod (A) Metal
N
Katod (K)
Schottky diyotlarda N-Metal birleimi kullanlmas sayesinde ok dk gei zaman dolaysyla da ok yksek alma frekans elde edilmekle beraber, N-Metal birleiminin ters polarmada sznt akm seviyesinin olduka yksek olmas en nemli dezavantajlardr. Bu diyotlarn daha ok dk gerilim yksek akml dntrc devrelerinde anahtar olarak ve normal g devrelerinde koruma eleman olarak kullanmlar yaygndr. alma gerilimleri 100V civarnda alma akmlar ise 250-300A seviyelerine kadar kmaktadr.
19
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada bir Schottky diyodun bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
20
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
G Tristrleri; G tristrleri, kontrollu g anahtarlardr. Bu tristrler; 1- Genel amal tristrler (SCR), 2- ift ynl tristrler (TRIAC), 3- Kapsndan tkanabilen tristrler (GTO), olmak zere 3 ayr trde bulunmaktadr. Bu trlerin kendilerine ait zellikleri ve buna bal olarak da kullanm alanlar bulunmaktadr. imdi bu trleri ayrntsyla inceleyelim.
1- Genel Amal Tristr (SCR), Temel Yaps ve almas: Genel amal g tristrlerini genel amal diyodun kontrollu versiyonu olarak tanmlamak mmkndr. ekil-2.14de grlen bu tristrler normal diyotlarda olduu gibi kendiliinden iletime gemezler, ancak bir uyar aldklarnda iletime geerler.
Anod (A) P N P N (G) Gate (kap) Katod (K)
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 21
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn (SCR) yaltma geebilmesi iin iinden gemekte olan akmn sfra dmesi veya drlmesi gerekmektedir. Tristr iletimde olduunda tam iletim, yaltmda olduunda ise tam yaltm durumunda bulunur, gei an dnda herhangi bir ara durumu yoktur. Genel amal tristrlerin en nemli zellii dk frekanslarda almak iin imal edilmi olmalardr (ideal frekans 50-60Hz, max.1kHz).
M.Necdet YILDIZ
Genel amal tristrler dk frekansta almalar nedeniyle yksek akm ve gerilimlerde kullanlabilirler (5kV-5kA gibi). Genel amal tristrlerin en nemli zelliklerinden birisi de, gei zamannn uzun olmasna ramen, iletim i direncinin ok dk olmas nedeniyle iletim kayplarnn ok dk olmasdr. Bu zellikleri ile genel amal tristrler, ebeke geriliminde kontrollu anahtar olarak alabilen ve yaygn kullanlan yariletken elemanlardr.
22
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Genel Amal Tristrn (SCR) altrlmas; Aadaki ekil-2.15de genel amal tristrn altrlmas yariletken yap zerinde grlmektedir. Burada VS kayna yk beslemekle grevli olan ana kaynaktr, VG ise tristr uyarmak iin kullanlan kaynaktr.
Yk P
Buton
N P
IA
VS
VG
Rg
IGK
Devrede butona baslmad srece tristr, doru ynde blokaj (yaltm) durumunda kalacaktr. Tristr iletime geirebilmek iin butona basldnda tristrn G-K terminalleri arasndan ok ksa bir sre iin IGK akm dolar. Bu durumda G-K arasndaki PN maddeleri iletken haline gelir ve A-K arasnda sadece tek PN birleimi kalaca iin tristr iletim on durumuna geer ve yk zerinden IA akm akar. Tristr dcde iletime getiinde artk uyarma gerektirmez.
23
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn Edeer Devresi; ekil-2.16da tristrn almasn farkl bir ekilde aklamak iin kullanlmakta olan transistrl edeer devresi grlmekltedir. Devredeki transistrler P-N birleimlerini, kondansatrler ise kaak kapasitelerdir.
A IA C1 Q1 G IGK C2 C3 K
M.Necdet YILDIZ
Q2
Edeer devreye gre, G-K terminalleri arasna balanan bir kaynak yardmyla IGK akm aktldnda Q2 iletime geer ve Q1in baz akmn salayarak, IGK kesilse de Q2nin iletimde kalmasn salar. Bylelikle ana besleme kaynandan ekilen IA akm akmaya balar, yani tristr tamamen iletime gemi olur. C1,2,3 kondansatrleri ise P-N birleimleri arasndaki boluktan kaynaklanan kapasiteleri ifade etmekte olup tristrn kontrolsuz iletime gemesine neden olur.
24
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn (SCR) Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi; Aadaki ekil-2.17de genel amal tristrn temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. Aadaki balant ekli ile SCRnin doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir. Aadaki ekil2.18de genel amal tristrn (SCR) temel karakteristik erilerinden akmgerilim (Ia-Vak) erisi (k karakteristik erisi) grlmektedir.
Ia Imax. -Vak -Vmax. Vak +Vmax
Ters (geri) yn A-, K+ Uyarma yaplrsa
Doru (ileri) yn A+, K-
-Ia
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 25
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra kendiliinden iletime geerken, SCR ancak Vmax. gerilimine ulaldnda kendiliinden iletime gemektedir. Bu ekilde iletime geme istenmeyen bir durumdur. SCRnin normal olarak iletime geebilmesi iin uyarlmas gerekmektedir. SCRnin uyarlmas G-K terminalleri arasndan yaplr. Ters ynde ise Vmax. gerilim deerine kadar yine SCR gvenle yaltmda kalacak (blokaj yapacak), bu deer alrsa ise iletime geerek yanacaktr. Tristr zerine gelecek olan ters gerilim deeri, tamamen VS kaynak gerilim deerine baldr. Bu durumda, genel amal tristrn; doru ynl (A+, K-) gerilimde uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld taktirde ise tam iletime geen, doru ynl gerilim altnda kontrol edilebilen, ters ynl (A-, K+) gerilimde ise tam yaltmda kalan bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. Genel amal tristr (SCR), bu zellikleriyle hem AC, hem de DCde altrlabilmektedir. SCRnin baz durumlarda skntya yol aan zellii ise, doru ynde iletime geirildikten sonra, zerine gelen gerilim doru da olsa ters de olsa, ancak iinden geen akm sfra dnce yaltmagemesidir.
26
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn alma Dalga ekilleri; G anahtarlarnn alma durumlarnn grlmesi iin aktif alma srasndaki akmgerilim dalga ekillerinin incelenmesi gerekmektedir. Tristrn doru ve ters polarmada davranlar inceleyebilmek iin ekil2.19daki balant yaplabilir.
ekil-2.20de tristrn devresinin AC kaynakta almas srasndaki dalga ekilleri grlmektedir.
Vm 0 Giri G. (Vs) Vm 0 t k G. (RL) t Tristr Gerilimi 2 3 4 t
Ia + V(ak) -
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.20den grld gibi 0180 aralnda tristr istenirse uyarlarak iletime (on) geirilebilir, k gerilimi tristrn iletime gemesinden itibaren grnmeye balar. Bu srada tristr zerindeki gerilim sfr (iletim gerilim dm ihmal ediliyor), tristr zerinden geen akm ise kaynak veya yk akm ile ayndr. 180-360 aralnda ise tristr ters polarmada olduu iin yaltmdadr (off). Bu durumda k gerilimi sfr, tristr zerindeki gerilim dm ise kaynak gerilimi ile ayndr (tristrn bloke ettii gerilim). Bu durumda tristr zerinden geen akm, dolaysyla da devre akm ise sfrdr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.21de tristrlerin seri balanarak alma geriliminin arttrlmas grlmektedir. Burada gerilim;
ekil-31den grld gibi yksek gerilimde alma gerektiinde tristrler seri balanarak bu gerilim deeri elde edilebilmektedir. Burada;
T1
VT1
R2
Vs AC T2 VT2
R3
T3 Yk
VT3
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrlerin Paralel Balanmas;
zellikle yksek akm altnda altrlacak olan tristrlerde, tristrn zerinden gemesi gereken ok yksek seviyeli akma dayanabilmesi gerekir. Bu durumda retici tarafnda belirtilen tristrn alma akm, uygulamada zerinden geecek olan akmdan en az %30 daha fazla olmas gerekmektedir. Uygulama srasnda mevcut tristrlerin bu art salayama durumunda tristrlerin paralel balama yoluna gidilir. Bu sayede istenilen alma akmna ulalabilir. Aadaki ekil-2.22de tristrlerin paralel balanarak alma akm arttrlmas devresi grlmektedir. Burada toplam akm;
IA1 T2
IA2 T3
IA3
Vs AC
R1
R2
R3
Yk
M.Necdet YILDIZ
30
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.22den grld gibi yksek akmda alma gerektiinde tristrler paralel balanarak bu akm deeri elde edilebilmektedir. Burada;
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.23de retici tarafndan verilen, tristrn rnek dv/dt karakteristik erisi ve tristrn bu olaydan etkilenmesini nlemek iin alnan nlem grlmektedir. Burada rnek dv/dt: 500V/s
500V t(s) 0 1s
S VS
T RL dv/dt iin
ekil-2.23den grld gibi, ok ani olarak doru veya ters gerilim altnda kalma riski olan T tristrnn paraleline, onu bu ani gerilimin bozucu etkisinden korumak iin bir R-C devresi yerletirilmitir. Bu sayede tristr zerine gelen ani gerilim yumuatlarak karakteristik erideki 500V/s snrnn altna indirilmekte ve istenmeyen kontrol d iletim (akm) engellenmi olmaktadr. Burada R-C devresi;
T= R.C
zaman sabitesine gre istenilen oranda yumuatma yapmaktadr.
32
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrlerde di/dt korumasnn salanmas; G tristrlerinde, tristr zerinden geen akm ok ksa srede ok ani olarak deer deitirecek olursa yariletken P-N maddesinin kristal yaps dalarak istenmeyen akmlarn akmasna neden olabilmekte bu da elemann ksa devre olmas ve devrede hasarlar olumas anlamna gelmektedir. Bu olayn snrlar retici tarafndan elemann di/dt erisi olarak belirtilmekte olup kullanc uygun nlem almak zorundadr.
M.Necdet YILDIZ
Aadaki ekil-2.24de retici tarafndan verilen, tristrn rnek di/dt karakteristik erisi ve tristrn bu olaydan korunmas grlmektedir. Burada rnek di/dt: 50A/sdir.
50A t(s) 0 1s
L (di/dt iin)
SW
Vs
33
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.24den grld gibi, ok ani olarak yksek akm altnda kalma riski olan T1 tristrne seri olarak, onu bu ani yksek akmn bozucu etkisinden korumak iin bir L endktans yerletirilmitir. Bu sayede tristr zerinden gemek isteyen ani yksek akm yumuatlarak karakteristik erideki 50A/s snrnn altna indirilmekte ve tristrde oluacak olan kristal dalmas (yanma) engellenmi olmaktadr. Burada L (L-R) devresi; dv/dt ve di/dt nlemlerini her zaman kullanmak gerekli deildir. Ancak yksek gte ani yksek gerilime veya ani yksek akma maruz kalma riski varsa kullanlmas gerekmektedir. Tristrlerin seri ve paralel balanmalar srasnda da ani gerilim ve akm riski bulunduu taktirde dv/dt ve di/dt nlemlerinin alnmas gerekmektedir. Bu durumda gerekli yumuatmay salamak iin, seri balama srasnda her bir seri tristre paralel olarak R-C devresi, veya paralel balama srasnda her bir paralel tristre seri olarak L eleman yerletirilmelidir.
34
T= L / R
zaman sabitesine gre istenilen oranda yumuatma yapmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn (SCR) Kontrol D letime Gemesi; Bilindii gibi tristrlerin kontrollu olarak iletime geirilmesi iin G-K arasndan ksa sreli bir akm aktmaktadr. Bu durumda tristr off konumdan on konuma gemektedir. Baz durumlarda ise tristr istenmedii halde kontrol d olarak iletime geebilmekte ve hem kendisinin, hem ykn hem de etrafndaki elemanlarn tahrip olmasna neden olmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
Tristrlerin kontrol d olarak iletime gemesine, dolaysyla da bozulmasna neden olan 4 durum vardr. Bu durumlar;
1) Yksek scaklk, 2) Yksek voltaj, 3) Hzl gerilim deiimi, 4) Hzl akm deiimi.
1- Yksek scaklkla iletim; Tristr, almas srasnda iletim ve anahtarlama kayplar nedeniyle snmaktadr. Eer bu s enerjisi tristr zerinden yeterince alnamazsa snmaya devam eder ve dayanma scakl aldnda yanar.
35
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn yksek scaklktan etkilenerek zarar grmesini engelleyebilmek iin tristr zerinde oluacak s enerjisi hesaplanarak bu enerjiyi ortama yaymak iin uygun boyutta soutucu belirlenmeli ve tristr bu soutucuya balanmaldr. Eer gerekiyorsa fan veya svl soutma dzenei kullanlarak soutucu zerinden s transferi daha hzl yaplmaldr. 2- Yksek voltajla iletim; Yksek voltaj nedeniyle tristrn kontrol d olarak iletime geerek zarar grmesi, tristrn zerine gelen doru veya ters ynl gerilimin, tristrn dayanma (alma) geriliminin zerine kmas durumunda gerekleir. Tristrn bu olaydan zarar grmesini engelleyebilmek iin tristr gerilimi, tristr zerine gelebilecek olan en yksek gerilim deerinden en az %30 daha yksek seilmelidir.
36
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
3- Hzl gerilim deiimi (dv/dt); Daha nce akland gibi tristr, retici tarafndan belirlenen dv/dt deerinden daha hzl deien bir gerilimle kar karya kaldnda, i kapasitelerinin etkisiyle uyarlmad halde zerinden akm aktmaya balar yani iletime geer. Bu istenmeyen iletim tristre, yke ve devreye zarar verir. Bilindii gibi bu olay engellemek iin, ani gerilimi yumuatmak amacyla, tristre paralel olarak bir RC balanr.
M.Necdet YILDIZ
4- Hzl akm deiimi (di/dt); Yine daha nce akland gibi tristr, retici tarafndan belirlenen di/dt deerinden daha hzl deien bir akmla kar karya kaldnda, i kapasitelerinin etkisiyle uyarlmad halde zerinden akm aktmaya balar ve ksa devre olur. Bu istenmeyen iletim tristre, yke ve devreye zarar verir. Bilindii gibi bu olay engellemek iin, ani akm yumuatmak amacyla, tristre seri olarak bir L balanr.
37
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Tristrn Yaltma Geirilmesi; Bilindii gibi tristr (SCR), iletime gemesi kontrol edilebilen fakat yaltma gemesi kontrol edilemeyen bir yariletken g anahtardr. Tristrn yaltma geebilmesi iin diyotlarda olduu gibi ters polarma altna girmesi yeterli deildir. Tristrn yaltma geebilmesinin tek art, A-K arasndan akmakta olan akmn ok ksa bir sre iin sfra ekilmesidir. AC kaynakta yn deitii iin bu olay kendiliinden gerekleir.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda zellikle DCde almakta olan bir tristr yaltma geirebilmek iin iinden geen akm ksa bir sre iin sfra drebilecek yntemler kullanmak gerekmektedir. Bu durumda, tristr susturma yntemleri;
1) Seri anahtar kullanarak, 2) Paralel anahtar kullanarak, 3) Seri ayarl diren kullanlarak, 4) Ayarl kaynak kullanarak, 5) Ters gerilim kullanlarak,
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
1- Tristrn (SCR) seri anahtar kullanarak yaltma geirmesi; Bu yntem, aadaki ekil2.25de grld gibi tristrn anod devresine seri bir anahtar (buton) balayarak uygulanabilmektedir. Burada iletimde olan bir tristr grlmektedir.
Buton T Vs Ia RL
Bu yntemde, iletimde olan T tristrn yaltma geirebilmek amacyla butona baslarak ok ksa bir sreliine Ia akm kesildiinde tristr iinden geen akm sfra decei iin yaltma gemi olur. Bu yntem ok basit ve kolay uygulanabilir olmasna karn ancak dk akm ve gerilim seviyelerinde kullanlabilir. Bunun nedeni, yksek akm ve gerilimde ark olumas nedeniyle boton ile kontrolun imkansz hale gelmesidir.
M.Necdet YILDIZ
39
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
2- Tristrn (SCR) paralel anahtar kullanarak yaltma geirmesi; Bu yntem, aadaki ekil2.26da grld gibi tristrn anod-katod arasna paralel bir anahtar (buton) balayarak uygulanabilmektedir. Burada iletimde olan bir tristr grlmektedir.
Buton
T Vs Ia RL
Bu yntemde, iletimde olan T tristrn yaltma geirebilmek amacyla butona baslarak ok ksa bir sreliine devreden geen Ia akm buton zerine alnr, bu srada tristr akm sfra deceinden eleman yaltma gemi olur. Bu yntem ok basit ve kolay uygulanabilir olmasna karn ancak dk akm ve gerilim seviyelerinde kullanlabilir. Bunun nedeni, yksek akm ve gerilimde ark olumas nedeniyle boton ile kontrolun imkansz hale gelmesidir.
40
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
3- Tristrn (SCR) seri diren kullanarak yaltma geirmesi; Bu yntem, aadaki ekil2.27de grld gibi tristre seri bir ayarl diren (reosta) balayarak ve bu ayarlanarak uygulanabilmektedir. Burada tristr iletimde, reosta ise ksa devre konumundadr.
Reosta T
Ia Vs RL
Bu yntemde, iletimde olan T tristrn yaltma geirebilmek amacyla reosta deeri arttrlp ak devreye gtrlerek, bir sreliine Ia akm sfrlanr, bu srada tristr akm sfra deceinden eleman yaltma gemi olur. Bu yntem ok basit ve yksek gte uygulanabilir olmasna karn, reosta maliyeti, boyutu ve kayplar olduka byktr. Ayrca, her seferinde tristr susturulduktan sonra reostann tekrar ksa devre konumuna getirilmesi gerekmektedir.
41
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
4- Tristrn (SCR) ayarl kaynak kullanarak yaltma geirmesi; Bu yntem, aadaki ekil2.28de grld gibi yk besleyen ana kayna ayarl yaparak ve bu ayarlanarak uygulanabilmektedir. Burada tristr iletimde, kaynak ise en yksek deer konumundadr.
T
Ia Vs
RL
Bu yntemde, iletimde olan T tristrn yaltma geirebilmek amacyla kaynak gerilimi deeri azaltlp sfra doru gtrlerek, bir sreliine Ia akm sfrlanr, bu srada tristr akm sfra deceinden eleman yaltma gemi olur. Bu yntem yksek gte uygulanabilir olmasna karn, ayarl kaynak maliyeti olduka yksek, hz dk olacaktr. Ayrca, bu kaynak baka ykleri beslemek iin kullanlamayacaktr. Bu nedenle pek uygun deildir.
42
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
5- Tristrn (SCR) ters gerilim kullanarak yaltma geirmesi; Bu yntem, aadaki ekil2.29da grld gibi, tristr ularna, bir anahtar zerinden ters bir kaynak balanarak uygulanabilmektedir. Burada tristr iletimde, ters kaynak ise pasif konumdadr.
Buton VT T Ia Vs
RL
Bu yntemde, iletimde olan T tristrn yaltma geirebilmek amacyla butona baslarak VT kayna tristr ularna ters olarak balanr. VT Vs olduundan VT kayna VSnin tristr zerinden geirmekte olduu Ia akmn bastrarak kendi akmn aktmak isteyecektir. Bu srada tristr akm sfra deceinden eleman yaltma gemi olur. Bu yntem tm glerde rahatlkla uygulanabilmektedir. Uygulamada VT kayna yerine arj edilmi bir kondansatr kullanlmaktadr.
43
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
zellikle orta ve yksek gl DC kaynakl uygulamalarda, anahtar olarak tristr seilmesi durumunda, kullanlmakta olan ters gerilimle susturma (yaltma geirme) yntemi ile ilgili bir uygulama devresi aadaki ekil-2.30da grlmektedir.
L1 letim palsi T1 VC + T2 D1 L2 Yaltm palsi YK
+ VS -
Dm
ekil-2.30dan grld gibi T1 tristrnn susturmak iin gerekli olan ters gerilim C kondansatrne depolanmakta T2 tristr ise bu kondansatr zerindeki ters gerilimin, susturulmak istenen T1 tristrne uygulanmasn salamaktadr. Ksacas, T1 tristr uyarldnda devre almakta, T2 tristr uyarldnda ise durmaktadr. Bu arada kondansatr de yardmc elemanlar zerinden tekrar arj olmaktadr.
44
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada genel amal bir tristrn bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
45
DEV-2
2.1 - 380V-50Hz 3 fazl ebekeden yararlanarak 512V-50Alik bir kontrolsuz dorultucu yaplmak istenmektedir. Bu dorultucu iin uygun bir diyot belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Diyot yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz. 2.2 - 380V-50Hz 3 fazl ebekeden yararlanarak 512V-100Alik bir kontrollu dorultucu yaplmak istenmektedir. Bu dorultucu iin uygun bir tristr belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Tristr yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz.
M.Necdet YILDIZ
46
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ift Ynl Tristr (Tiyak), Temel Yaps ve almas; ift ynl tristrler (TriacTriyak), aslnda aadaki ekil-2.31de grld gibi birbirine ters paralel balanm iki adet tristr gibi dnlebilmektedir.
2. Anod (A2) T2 T1 Gate (Kap) G
1. Anod (A1)
Triyak, her alandaki endstriyel elektronik uygulamalarnda, AC gerilimin anahtarlanmas ve kontrol edilmesi amacyla ok youn olarak kullanlan bir g yariletken elemandr. Yapsndan da anlalabilecei gibi tristr (SCR) ile ayn zellikleri gstermektedir. Tristrden tek fark, her iki ynde de rahatlkla iletime geebilmesidir. Triyak, tpk SCR gibi sadece iletime gemesi kontrol edilebilen bir anahtardr.
M.Necdet YILDIZ
47
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Triyakn yaltma geebilmesi iin ise iinden gemekte olan akmn sfra dmesi veya drlmesi gerekmektedir. Triyak, iletimde olduunda tam iletim, yaltmda olduunda ise tam yaltm durumunda bulunur, gei an dnda herhangi ara durumu yoktur. Triyakn, genel amal tristrler (SCR) gibi en nemli zellii dk frekanslarda almak iin imal edilmi olmalardr ki ideal alma frekanslar 50-60Hz, max. frekanslar ise 1kHzdir.
M.Necdet YILDIZ
Triyaklar, ift ynl olmalar nedeniyle, genel amal tristrler gibi, ok yksek akm ve gerilimlerde kullanlamamaktadr. Ancak 1200V-300A civarna kadar olanlar bulunmaktadr. Ayrca triyaklarn iletim i direnleri de SCRler gibi ok dk deildir. Bu nedenle ok yksek akml uygulamalarda genellikle triyak yerine birbirine ters paralel balanm olan SCRler tercih edilmektedir. Bu zellikleri ile triyaklar, ebeke geriliminde kontrollu anahtar ve ebeke deitirici olarak alabilen ok kullanl yariletken elemanlardr.
48
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ift Ynl Tristrn (Triyak) altrlmas; ekil-2.32de triyakn altrlmas yariletken yap zerinde grlmektedir. Burada Vac kayna, yk beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VG ise tristr uyarmada kullanlan kaynaktr.
A2
P N P Buton
Yk
IA Vac A1
G VG
IGK
Rg
Triyakn almasn grebilmek iin ekil-2.32de grlen balant yaplr. Butona baslmad srece triyak, doru ve ters ynde blokaj (yaltm) durumunda kalacaktr. Triyak iletime geirebilmek iin butona basldnda triyakn G-A1 terminalleri arasndan ok ksa bir sre iin IGK akm dolar. Bu durumda G-K arasndaki P-N maddeleri iletken haline gelir ve A2-A1 arasnda sadece tek P-N birleimi kalaca iin triyak iletim on durumuna geer ve yk zerinden IA akm akar. Triyak iletime getikten sonra alternans deiiminde susaca iin butona srekli basmaldr.
49
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Triyakn Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi; Aadaki ekil-2.33de triyakn temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. Aadaki balant ekli ile Triyakn doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir.
Aadaki ekil-2.34de ise triyakn temel karakteristik erilerinden akm-gerilim (IaVa1a2) erisi (k karakteristik erisi) grlmektedir.
Ia
Uyarma yaplrsa
-Vmax. -Va2a1
Ters (geri) yn A-, K+
Va2a1 +Vmax
Uyarma yaplrsa
-Ia
M.Necdet YILDIZ
50
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra kendiliinden iletime geerken, triyak ancak Vmax. gerilimine ulaldnda kendiliinden iletime gemektedir. Bu ekilde iletime geme istenmeyen bir durumdur. Triyakn her iki ynde de normal olarak iletime geebilmesi iin uyarlmas gerekmektedir. Triyakn uyarlmas G-A1 terminalleri arasndan yaplr. Ters ynde ise triyak yine Vmax. gerilim deerine kadar gvenle yaltmda kalacak (blokaj yapacak), bu deer alrsa ise iletime geecektir. Tabii ki bu ekilde iletime geme asla istenmez. Bu durumda, triyakn, doru ynl (A2+, A1-) gerilimde uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld taktirde ise tam iletime geen, doru ynl gerilim altnda kontrol edilebilen, Ters ynl (A2-, A1+) gerilimde ise yine uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld taktirde ise tam iletime geen, hem doru hem de ters ynl gerilim altnda kontrol edilebilen, bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. Triyak, bu zellikleriyle ACde altrlmak iin uygun bir anahtar durumundadr. Fakat, triyak da SCR gibi iinden geen akm sfra dmedike yaltma geememektedir.
51
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Triyakn uyarlma yntemleri; Triyakn G-A1 arasndan uyarlmas srasnda 4 farkl durum bulunmaktadr. 1- A2(+) A1(-) olmas durumunda, G(+) A1(-). 2- A2(-) A1(+) olmas durumunda, G(-) A1(+). 3- A2(+) A1(-) olmas durumunda, G(-) A1(+). 4- A2(-) A1(+) olmas durumunda, G(+) A1(-). olmas durumlardr.
M.Necdet YILDIZ
VS
ekil-2.35
RL Buton VG Ig A2 Ia VS
ekil-2.36
52
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
3. ve 4. durumlar ise ekil-2.37 ve ekil-2.38de gsterilmitir.
RL Buton VG 2.Ig A2 Ia VS
ekil-2.37
RL Buton VG 2.Ig A2 Ia
VS
ekil-2.38
M.Necdet YILDIZ
ekillerden grld gibi 1. ve 2. durumlarda triyakn gate (Ig) ve anod (Ia) akmlar ayn ynl olarak, 3. ve 4. durumlarda ise bu akmlar birbirlerine ters hareket etmektedir. Her durumda da triyakn uyarlmas mmkn olmaktadr. Fakat, triyak 1. ve 2. durumlarda daha dk uyarma akmyla ve daha kolaylkla uyarlabilirken, 3. ve 4. durumlarda ise daha yksek uyarma akmyla (yaklak 2 kat) uyarlabilmektedir.
53
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Bu durumda triyakn AC kaynakta altrlrken uyarlabilmesi iin farkl farkl uyarma yntemi kullanlmasna imkan tanmaktadr. Buna gre triyakn uyarlmas ekil-2.39dan grld gibi, 1- ift ynl ine pals kullanlarak uyarma, 2- Tek ynl ine pals kullanlarak uyarma, 3- Dk frekansl kare dalga kullanarak uyarma, olmak zere 3 farkl ekilde yaplabilmektedir.
VS
1. yntem
2. yntem
3. yntem 2 3 4
54
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Uygulamada, yukarda belirtilen uyarma yntemlerinin hepsi de triyak uyarmak iin kullanlabilmesine ramen, triyakn kullanld yere ve yapaca ie gre en uygun yntem seilerek kullanlmaktadr. Bu yntemlerden birincisi, triyak uyarmak iin, daha sonra ayrntsyla tantlacak, zel olarak retilmi olan Diyak isimli uyarma eleman ile oluturulmakta ve basit uygulamalarda kullanlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
kinci uyarma yntemi zel uyarma entegreleri veya analog-lojik devre elemanlar yardmyla oluturulup profesyonel uygulamalarda kullanlmaktadr. nc yntem ise kare dalga reteleri veya mikroilemci yardmyla oluturulmakta ve hem basit hem de profesyonel uygulamalarda kullanlmaktadr. Bu uyarma sinyallerinin retilmesi ve triyaka uygulanmas daha sonra ayrntsyla aklanacaktr.
55
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Triyakn alma Dalga ekilleri;
Yariletken g anahtarlarnn alma durumlarnn grlmesi iin aktif alma srasndaki akm-gerilim dalga ekillerinin incelenmesi gerekmektedir. Triyakn doru ve ters polarmada davranlarn inceleyebilmek iin ekil-2.40daki balant yaplabilir. ekil-2.41de ise triyak devresinin AC kaynakta almas srasndaki dalga ekilleri grlmektedir.
Vm 0 2 3 4 t Giri G. (Vs)
M.Necdet YILDIZ
56
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.41den grld gibi 0180 aralnda triyak istenirse uyarlarak iletime (on) geirilebilir, k gerilimi triyak iletime gemesinden itibaren grnmeye balar. Bu srada triyak zerindeki gerilim sfr (iletim gerilim dm ihmal ediliyor), triyak zerinden geen akm ise kaynak veya yk akm ile ayndr. 180-360 aralnda ise triyak istenirse uyarlarak iletime (on) geirilebilir, k gerilimi triyak iletime gemesinden itibaren grnmeye balar. Bu srada triyak zerindeki gerilim sfr (iletim gerilim dm ihmal ediliyor), triyak zerinden geen akm ise kaynak veya yk akm ile ayndr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Triyaklarn Paralel Balanmas;
zellikle yksek akm altnda altrlacak olan triyaklarda, triyakn zerinden gemesi gereken ok yksek seviyeli akma dayanabilmesi gerekir. Bu durumda retici tarafnda belirtilen triyak alma akm, uygulamada zerinden geecek olan akmdan en az %30 daha fazla olmas gerekmektedir ki salkl bir alma salanabilsin. Uygulama srasnda mevcut triyaklarn bu art salayamamas durumunda daha nceden akland gibi paralel balama yoluna gidilir ve bu sayede istenilen alma akmna ulalabilir.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Triyakn Kontrol D letime Gemesi; Triyaklarn kontrol d olarak iletime gemesine, dolaysyla da bozulmasna neden olan 4 durum vardr. Bu durumlar; 1- Yksek scaklk, 2- Yksek voltaj, 3- Hzl gerilim deiimi, 4- Hzl akm deiimidir. Triyakn bu durumlarda kontrol d olarak iletime gemesini engellemek iin genel amal tristrde (SCR) akland gibi alnan tm nlemlerin ayn ekilde alnmas gerekmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Triyakn Yaltma Geirilmesi; Triyak, genel amal tristr (SCR) gibi iletime gemesi kontrol edilebilen fakat yaltma gemesi kontrol edilemeyen bir yariletken g anahtardr. Triyakn yaltma geebilmesi iin diyotlarda olduu gibi ters polarma altna girmesi yeterli deildir. Triyakn yaltma geebilmesinin tek art, A2-A1 arasndan akmakta olan akmn ok ksa bir sre iin sfra ekilmesidir. ACde alma srasnda bu olay kendiliinden gerekleir.
59
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada bir triyakn bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
60
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Kapsndan Tkanabilen Tristr (GTO), Yaps ve almas; Bilindii gibi genel amal tristrler ve triyaklarda sadece iletime geme ii kontrol terminalleri zerinden kontrol edilebilmekte, yaltma gemeleri ise kontrol terminalleri zerinden kontrol edilememektedir. Bu olay zellikle DC kaynakta alma srasnda bu ok kt bir zellik ve eksiklik olarak karmza kmakta ve eleman yk altnda susturabilmek iin baka ilemler gerekmektedir.
M.Necdet YILDIZ
te GTO bu eksiklii gidermek amacyla yaplan almalar sonrasnda ortaya kan bir g anahtardr. ekil-2.42de sembol grlen GTO, gate (kap) terminali ile katod terminali arasndan, pozitif pals ile uyarldnda iletime, negatif pals ile uyarldnda ise yaltma gemektedir.
A GTO G K
61
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
GTOnun kontrollu olarak iletime geirilebilmesi iin SCR ve triyakta olduu gibi ok ksa sreli (1-2ms) bir pozitif pals uygulanmas ve Gden Kya doru kk bir uyarma akmnn aktlmas yeterli olmaktadr. Yine GTOnun kontrollu olarak yaltma geirilebilmesi iin ise ok ksa sreli fakat bu defa GK arasna negatif bir palsin uygulanmas ve Kdan Gye doru daha byk negatif bir susturma akmnn aktlmas gerekmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu zellikleri nedeniyle kapsndan tkanabilen tristr(GTO), DCde altrlan bir SCRye gre aadaki avantajlara sahip olunmaktadr. 1- Tristr susturma dzeneklerinden kurtulma, 2- Daha temiz, kk, ucuz dzenekler elde edilmesi, 3- Hzl susturulabildii iin yksek frekansta alma, 4- Devre veriminin artmasdr. Bu durumda zellikle yksek gl DC devrelerde uygundur.
62
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
1200V-500A seviyelerine kadar versiyonlar olan GTOlar zellikle ok yksek gl DCDC dntrclerde ve yksek gl dk frekansl invertr uygulamalarnda tercih edilmektedirler. zellikle metro, elektrikli tren gibi toplu tam aralarnda DC motor kullanlmas durumunda GTOlar ok yksek gl olan bu motorlarn kontrolunda vazgeilmez hale gelmektedir. rnek olarak, 750Vdc ile alan zmir metrosunun aralardr.
M.Necdet YILDIZ
Aadaki ekilde bir GTOnun yariletken katman yaps grlmektedir. ekilden grld gibi tek gate (kap) terminali olduu halde ama ve kapatma ii farkl tabakalardan yaplmaktadr.
63
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Kapsndan Tkanabilen Tristrn altrlmas; Aadaki ekil-2-44de GTOnun altrlmas grlmektedir. Burada Vs kayna, yk beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VG ise GTOyu uyarmada kullanlan kaynaktr.
Yk
GTO IA
Buton
VS
VG IGK
Rg
+ -
ekil-2.44den grld gibi GTO pozitif akmla (gateden katoda) veya negatif akmla (katoddan gatee) uyarlabilmekte fakat yk akm olarak (IA) sadece pozitif ynde (anoddan katoda doru) akabilmektedir. GTO iletime geirilmek istendiinde ok ksa bir sre iin butona baslarak G-K arasndan dz (pozitif) bir akm akmas salanr. GTO yaltma geirilmek istendiinde ise G-K arasndan ters (negatif) akm aktlr.
64
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
GTOnun Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekil-2.45de GTOnun temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. ekil-2.45de verilen balant ile GTOnun doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir.
Aadaki ekil-2.46da ise GTOnun temel karakteristik erilerinden akm-gerilim (IaVak) erisi (k karakteristik erisi) grlmektedir.
Ia
Imax.
Doru (ileri) yn A+, K-
-Vak
-Ia
M.Necdet YILDIZ
65
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra kendiliinden iletime geerken, GTO ancak Vmax. gerilimine ulaldnda kendiliinden iletime gemektedir. Bu ekilde iletime geme istenmeyen bir durumdur. GTOnun doru ynde de normal olarak iletime geebilmesi iin pozitif akmla, yaltma geirilebilmesi iinse negatif akmla uyarlmas gerekmektedir. Ters ynde ise GTO yine Vmax. gerilim deerine kadar gvenle yaltmda kalacak (blokaj yapacak), bu deer alrsa ise iletime geecektir. Tabii ki bu ekilde iletime geme asla istenmez. Bu durumda GTOnun, doru ynl (A+, K-) gerilimde uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld taktirde ise tam iletime geen, doru ynl gerilim altnda iletimi ve yaltm kontrol edilebilen, Ters ynl (A-, K+) gerilimde ise yine uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld taktirde ise bozulma ihtimali yksek olan tek ynl akm aktan bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. GTO, bu zellikleriyle DCde altrlmak iin ok uygun bir anahtar durumundadr. GTOnun bu zellii sayesinde SCRde kullanlan zorla susturma dzenekleri kullanlmaz.
66
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.47de GTOnun DC almasn izleyebilmek iin kurulan devre grlmektedir. Yandaki ekil-2.48de ise GTOnun DC kaynak altnda iletim ve yaltmnn kontrol edilmesi, devrenin alma dalga ekilleriyle birlikte verilmitir.
t1 t2 t3 t4
+V Vs VGK t t
VRL
VAK
IA off on off on
M.Necdet YILDIZ
67
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.48den grld gibi 0-t1 aralnda herhangi bir uyar verilmedii iin GTO yaltmda bulunmaktadr. t1 annda GTOnun G-K arasna pozitif bir uyarma (tetikleme) palsi uygulandnda eleman hemen iletime gemektedir. t1-t2 aralnda iletimde kalan GTOya t2 annda daha byk ve negatif bir tetikleme palsi uygulandnda eleman hemen yaltma gemektedir. t3 annda eleman tekrar pozitif pals ile uyarldnda yine iletime gemektedir. Ksacas hem iletime hem de yaltma gemesi G-K arasndan rahatlkla kontrol edilebilir ve bu ilem istenilen sklkta yaplr.
GTOlarn Seri ve Paralel Balanmas; GTOlar zellikle DCde yksek akm ve gerilimlerde almak iin imal edilmi yariletken g anahtarlar olduu iin pek fazla seri ve paralel balamaya ihtiya olmaz. Buna ramen ok daha yksek akm ve gerilimlerde allmas gerektiinde tpk tristrlerde olduu gibi seri veya paralel balanma prosedr uygulanr. Tabii ki kontrol devresi de tm elemanlar iin yaplandrlr.
68
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
GTOlarda dv/dt ve di/dt korumasnn salanmas; Bilindii gibi ani deien akm ve gerilimde yariletken g anahtarlar istenmedii halde zerlerinden akm geirmekte ve yanmaktadrlar. GTO iin de bu olay tamamen geerlidir ve bu i iin mutlaka nlem alnmaldr. dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk diyot ve tristrde olduu gibi, elemana paralel olarak uygun bir R-C devresinin balanmasdr. di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri olarak uygun bir endktansn (L) balanmasdr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada bir GTOnun bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
70
DEV-3
3.1) 380V-50Hz 3 fazl ebekede alacak 380V-50Alik bir AC kyc yaplmak istenmektedir. Bu kyc iin uygun bir Triyak belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Triyak yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz. 3.2) 750Vdc ebekede alacak 100Alik bir DC-DC dntrc (DC kyc) yaplmak istenmektedir. Bu devre iin uygun bir GTO belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. GTO yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz.
M.Necdet YILDIZ
71
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
G TRANSSTRLER: G transistrleri, kontrollu g anahtarlardr. temel yapda bulunan bu transistrler; 1- ift polariteli, genel amal transistr (BJT), 2- Metal oksitli, alan etkili transistrler (MOSFET), 3- Yaltlm kapl transistrler (IGBT), Bu trlerin kendilerine ait zellikleri ve buna bal olarak da kullanm alanlar bulunmaktadr. imdi bu trleri ayrntsyla inceleyelim. ift Polariteli Transistr (BJT), Temel Yaps ve almas: Elektronik alannda ilk gelitirilen ve ok kullanlan elemanlardan birisi olan BJT, bu gne kadar pek ok alanda youn bir ekilde kullanlm ve kullanlmaktadr. Bu alanlardan bazlar; Ykselte olarak, Sinyal reteci (osilatr) olarak, Alc-verici olarak, Mantk ilemcisi olarak, Anahtarlama eleman vb. olarak.
72
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Bu kadar fazla i iin kullanlan BJT, g elektronii devrelerinde ve endstriyel elektronikte de anahtar olarak kullanlmaktadr. ekil-2.51de temel taransistr (BJT)nin yariletken yaps ve sembolleri grlmektedir.
Kollektr, C
N P
NPN
P N
Base B
Grld ve nceden de bilindii gibi yariletken katmanlarn sralanna gre NPN ve PNP olmak zere iki tr transistr (BJT) bulunmaktadr. Transistr (BJT), u ana kadar tantlan elemanlarn aksine, sadece on ve off olmak zere iki durumu olan bir yariletken anahtar deildir. BJTnin on ve off arasnda bir de amplifikasyon (ykseltme) durumu (blgesi) bulunmaktadr. Kollektr, C Base, B Base, B Emiter, E
N P
PNP
Emiter, E
M.Necdet YILDIZ
NPN
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
PNP
73
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
BJT bu sayede ok farkl uygulamalarda kullanlabilmektedir. Fakat g elektronii uygulamalarnda transistrn (BJT) bir anahtar gibi almas ve sadece on ve off durumlarnda olmas istenmektedir. Bu nedenle g elektroniinde transistrn (BJT) kullanlmas srasnda anahtar olarak alacak ekilde kontrol edilir. Ayrca g elektronii uygulamalarnda daha ok NPN transistr tercih edilir.
M.Necdet YILDIZ
G elektronii uygulamalarnda daha ok DCDC dntrc (DC kyc) ve DC-AC dntrc (nvertr) devrelerinde tercih edilen transistr (BJT), ok dk frekanslardan (1-2Hz), yksek frekanslara (20-30kHz) kadar kontrollu anahtar olarak kullanlabilmektedir. BJT, tpk tristr, triyak ve GTO gibi akm kontrollu bir yariletken anahtardr. Fark ise uyarld srece iletimde olmas uyar kesildiinde ise yaltma gemesidir.
74
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ift Polariteli Transistrn (BJT) altrlmas; Aadaki ekil-2.52de ift polariteli transistrn altrlmas yariletken yap zerinde grlmektedir. Burada Vs kayna yk beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VB ise transistr uyarmada kullanlan kaynaktr.
Yk
NPN BJT
Buton
N P
IC
VS
VB
Rg
IBE
ekil-2.52den grld gibi, uyarma butonuna baslmad srece BJT, kollektr ile emiteri arasna gelen doru ynl gerilime blokaj yapacak ve yaltmda kalacaktr. BJT iletime geirilmek istendiinde ise uyarma butonuna baslarak beyz (base)den emitere doru bir uyarma akm (IBE) akmas salanr ve bu sayede BJT iletime geerek kollektrden emitere doru yk akmn (IC) aktmaya balar. IBE akm kesildiinde BJT susar.
75
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Yalnz burada ok nemli bir ayrnt vardr. BJTnin sadece on ve off durumlar olmad ve ara durumlarda da yar geirgen olarak alabildii iin, g elektronii uygulamalarnda BJTyi uyaracak olan akmn (IBE), eleman tam olarak iletime geirebilecek akm seviyesinde olmas gerekmektedir. BJTyi tam iletime geirecek olan uyarma akm (IBE) seviyesi, retici tarafndan elemann bilgi yapraklarnda ayrntl olarak verilmektedir.
M.Necdet YILDIZ
G elektronii uygulamalarnda transistr tek olarak kullanlabildii gibi, yksek akm seviyelerine kabilmek iin genellikle retici tarafndan veya kullanc tarafndan aadaki ekil2.53de grld gibi darlington balanarak kullanlmaktadr.
Kollektr, C T1 Base, B T2 Emiter, E
76
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
BJTnin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekil-2.54de BJTnin temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. ekil-2.54deki balant ekli ile BJTnin doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir. Aadaki ekil-2.55de BJTnin temel karakteristik erilerinden akm-gerilim (IC-VCE) erisi (k karakteristik erisi) farkl bir ekilde grlmektedir. IC Imax. -VCE
Ters (geri) yn C-, E+ almada transistr zarar grr! Doru (ileri) yn C+, E-
VCE
VCEon
+Vmax
-IC
M.Necdet YILDIZ
77
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra iletime geerken, BJT ancak Vmax. gerilimine ulaldnda iletime geer fakat bu ekilde iletime geme istenmeyen bir durumdur. BJTnin doru ynde de normal olarak iletime geebilmesi iin uyar verilmesi, yaltma geirilebilmesi iinse uyarnn ekilmesi gerekmektedir. Ters ynde ise BJT asla alamaz, yani BJTnin ters gerilim blokaj kabiliyeti yoktur.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda BJTnin, doru ynl (C+, E-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan, tam uyarld taktirde ise tam iletime geen, doru ynl gerilim altnda iletimi ve yaltm kontrol edilebilen, Ters ynl (C-, E+) gerilimde ise asla alamayan, altrld taktirde bozulan, tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. BJT, bu zellikleriyle DCde altrlmak iin uygun bir anahtar durumundadr. BJTnin bu zellii sayesinde SCRde kullanlan zorla susturma dzenekleri kullanlmaz.
78
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
BJTlerde elemann hangi durumlarda tam iletim veya tam yaltm, hangi durumlarda da amplifikasyon (ykseltme) modunda olduunu gsteren ok nemli bir karakteristik eri daha vardr, bu eri aada ekil-2.56da grlmektedir. IC
Doyum blgesi
IC(max) IB(max) IB(4) IB(3) IB(2) IB(1) IB(min)
ekil-2.56dan grld gibi BJTnin kollektr akmnn (IC) miktar, tamamen B-E arasndan aktlan akmn (IB) deerine baldr. Bu balant retici tarafndan bir parametreyle () verilmekte olup, aadaki gibi gsterilir; rnek, = 150 (= Ic / IB) Ic= .IB veya IB= Ic / Grld gibi kollektr akm beyz akmnn katdr. Anahtarlama uygulamalarnda beyz akm (IB), ya max. yada 0 seilerek kontrol yaplr.
79
IC(sz.)
Kesim blgesi
VCE(sat.)
M.Necdet YILDIZ
VCE(max)
VCE
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.57de BJTnin DCde almasn izleyebilmek iin kurulan devre grlmektedir. Yandaki ekil-2.58de ise BJTnin dc kaynak altnda iletim ve yaltmnn kontrol edilmesi, devrenin alma dalga ekilleriyle birlikte verilmitir. Zaten BJT ac kaynakta asla altrlamaz nk ters gerilimi bloke edemez ve yanar.
t1 t2 t3 t4
+V Vs t
VBE
VRL
VCE
IC off
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
t on off on
80
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.58den grld gibi 0-t1 aralnda BJT yaltmda bulunmaktadr. t1 annda BJTnin B-E arasna pozitif bir uyarma gerilimi uygulandnda IB akarak eleman hemen iletime gemektedir. t1-t2 aralnda iletimde kalan BJTnin t2 annda uyarma gerilimi dolaysyla da IB akm kesildiinde, eleman hemen yaltma gemektedir. t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile uyarldnda yine iletime gemektedir. Ksacas hem iletime hem de yaltma gemesi B-E arasndan rahatlkla kontrol edilebilmektedir.
BJTlerin Seri ve Paralel Balanmas; BJTler, sadece DCde alabilen yariletken elemanlar olduu iin daha ok dc-dc dntrc ve invertrlerde eskiden youn olarak kullanlmak idi. Gnmzde pek fazla kullanlmamasna ramen yksek akm ve gerilimlerde allmas gerektiinde darlington balant yaplr veya dier elemanlarda olduu gibi seri veya paralel balanma prosedr uygulanabilir.
81
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
BJTlerde dv/dt ve di/dt korumasnn salanmas; Bilindii gibi ani deien akm ve gerilimde yariletken g anahtarlar istenmedii halde zerlerinden akm geirmekte ve yanmaktadrlar. BJT iin de bu olay tamamen geerlidir ve bu i iin mutlaka nlem alnmaldr. dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk diyot ve tristrde olduu gibi, elemana paralel olarak uygun bir R-C devresinin balanmasdr. di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri olarak uygun bir endktansn (L) balanmasdr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada bir BJTnin bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
83
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Metal Oksitli Alan Etkili Transistr (Mosfet) Temel Yaps ve almas; Elektronik alannda ok kullanlan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu gne kadar pek ok alanda youn bir ekilde kullanlm ve kullanlmaktadr. Bu alanlar; Ykselte olarak, Sinyal reteci (osilatr) olarak, Reglatr olarak, Alc-verici olarak, Mantk ilemcisi olarak, Anahtarlama eleman olarak.
M.Necdet YILDIZ
Mosfetin temeli alan etkili transistre (FET) dayanmaktadr. Alan etkili transistrler analog elektroniin temel elemanlarndan birisi olup zellikle ykseltme ve osilasyon retme ilerinde youn olarak kullanlmaktadr. Mosfetler FETin bir ileri versiyonu olup, transistr gibi kontrol edilebilme zelliine sahip elemanlardr. Mosfetler D ve E-Mosfet olarak ikiye ayrlmaktadr.
84
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Bunlardan arttrmal Mosfet olarak bilinen E-Mosfetler g elektronii devrelerinde yar iletken anahtar olarak kullanlmaktadr. Aadaki ekil-2.59da E-Mosfetin yariletken yaps ve sembolleri grlmektedir.
Drain, D N N-Kanal P N Source, S
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
P P-Kanal N P
ekilden grld gibi yariletken katmanlarn sralanna gre NKanal ve P-Kanal olmak zere iki tr E-Mosfet bulunmaktadr. E-Mosfet, tpk transistr (BJT) gibi, sadece on ve off olmak zere iki durumu olmayan, ara durumlara da sahip olan bir yariletken anahtardr. E-Mosfetin on ve off arasnda bir de amplifikasyon (ykseltme) durumu (blgesi) bulunmaktadr. Drain, D
Gate G
N-Kanal
P-Kanal
Source, S
85
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
E-Mosfet, bu sayede ok farkl uygulamalarda kullanlabilmektedir. Fakat g elektronii uygulamalarnda E-Mosfetin bir anahtar gibi almas ve sadece on ve off durumlarnda olmas istenmektedir. Bu nedenle g elektroniinde E-Mosfetin kullanlmas srasnda anahtar olarak alacak ekilde kontrol edilir. Ayrca g elektronii uygulamalarnda daha ok NKanal E-Mosfet tercih edilir.
M.Necdet YILDIZ
G elektronii uygulamalarnda daha ok DCDC dntrc (DC kyc) ve DC-AC dntrc (nvertr) devrelerinde tercih edilen EMosfetler, ok dk frekanslardan (1-2Hz), yksek frekanslara (80-100kHz) kadar kontrollu anahtar olarak kullanlabilmektedir. E-Mosfet, tpk MCT gibi gerilim kontrollu bir yariletken anahtardr. Fark ise uyarld srece iletimde olmas uyar kesildiinde ise yaltma gemesidir.
86
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Metal Oksitli Fet Transistrn (E-Mosfet) altrlmas;
Aadaki ekil-2.60da N-kanal E-Mosfetin altrlmas yariletken yap zerinde grlmektedir. Burada Vs kayna yk beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VG ise transistr uyarmada kullanlan kaynaktr.
N-Kanal E-Mosfet
Yk
N
Buton
ID
VS
VG RG
M.Necdet YILDIZ
+ +
- P N
ekil-2.60dan grld gibi, uyarma butonuna baslmad srece E-Mosfet, Drain ile Source arasna gelen doru ynl gerilime blokaj yapacak ve yaltmda kalacaktr. E-Mosfet iletime geirilmek istendiinde ise uyarma butonuna baslarak Gate (kap) ile Source arasnda bir uyarma geriliminin olumas salanr ve bu sayede E-Mosfet iletime geerek Drainden Sourcee doru yk akmn (ID) aktmaya balar. VGS gerilimi kesildiinde E-Mosfet susar.
87
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Yalnz burada ok nemli bir ayrnt vardr. E-Mosfetin sadece on ve off durumlar olmad ve ara durumlarda da yar geirgen olarak alabildii iin, g uygulamalarnda E-Mosfeti uyaracak olan gerilimin (VGS), eleman tam olarak iletime geirebilecek gerilimin seviyesinde olmas gerekmektedir. E-Mosfeti tam iletime geirecek olan uyarma gerilimi (VGS) seviyesi, retici tarafndan elemann bilgi yapraklarnda verilmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Buraya kadar aklananlardan yola karak E-Mosfet ile transistrn (BJT) ayn mantkla altklar yani uyarld srece iletimde olduklar, uyar kesildiinde ise baka bir ileme gerek kalmakszn yaltma getikleri grlmektedir. Peki ikisi arasndaki fark ne? E-mosfet ile BJT arasndaki fark, BJTnin akmla (IBE), EMosfetin ise gerilimle (VGS) kontrol edilmesidir ki bu sayede E-Mosfet BJTe gre daha hzl anahtarlanabilir.
88
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
E-Mosfetin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekil-2.61de EMosfetin temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. Aadaki balant ekli ile EMosfetin doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir.
Aadaki ekil-2.62de ise EMosfetin temel karakteristik erilerinden akm-gerilim (IDVDS) erisi (k karakteristik erisi) grlmektedir.
ID
Imax.
Doru (ileri) yn D+, S-
-VDS
Ters (geri) yn D-, S+ almada E-Mosfet zarar grr!
VDS
VDSon
+Vmax
-ID
M.Necdet YILDIZ
89
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra kendiliinden iletime geerken, E-Mosfet ancak Vmax. gerilimine ulaldnda kendiliinden iletime gemektedir. Bu ekilde iletime geme istenmeyen bir durumdur. EMosfetin doru ynde de normal olarak iletime geebilmesi iin uyar verilmesi, yaltma geirilebilmesi iinse uyarnn ekilmesi gerekmektedir. Ters ynde ise E-Mosfet asla alamaz, yani E-Mosfetin ters gerilim blokaj kabiliyeti yoktur. Ters gerilim verildiinde BJT blokaj yapamayarak yanar. Bu durumda E-Mosfetin, doru ynl (D+, S-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan, tam uyarld taktirde ise tam iletime geen, doru ynl gerilim altnda iletimi ve yaltm kontrol edilebilen, Ters ynl (D-, S+) gerilimde ise asla alamayan, altrld taktirde bozulan, tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. E-Mosfet, bu zellikleriyle DCde altrlmak iin uygun bir anahtar durumundadr. E-Mosfetin bu zellii sayesinde SCRde kullanlan zorla susturma dzenekleri kullanlmaz.
90
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
E-Mosfetlerde, elemann hangi durumlarda tam iletim veya tam yaltm, hangi durumlarda da amplifikasyon (ykseltme) modunda olduunu gsteren ok nemli bir karakteristik eri daha vardr, bu eri aada ekil2.63de grlmektedir.
ID
Doyum blgesi
ID(max)
ekil-2.63den grld gibi E-Mosfetin Drain akmnn (ID) miktar, tamamen G-S arasndaki kontrol geriliminin deerine baldr. Bu balant retici tarafndan parametreyle (gm) verilmekte olup, aadaki gibi gsterilir; rnek, gm= 50 (gm= ID / VGS) ID= gm.VGS veya VGS= ID / gm Grld gibi Drain akm VGS geriliminin gm katdr. Anahtarlama uygulamalarnda VGS gerilimi ya max. yada 0 seilerek kontrol yaplr.
91
ID(sz.)
Kesim blgesi
VDS(sat.)
M.Necdet YILDIZ
VDS(max)
VDS
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.64de E-Mosfet DCde almasn izleyebilmek iin kurulan devre grlmektedir. Yandaki ekil-2.65de ise E-Mosfetin DC kaynak altnda iletim ve yaltmnn kontrol edilmesi, devrenin alma dalga ekilleriyle birlikte verilmitir. Zaten E-Mosfetler ac kaynakta asla altrlamaz nk ters gerilimi bloke edemez ve yanarlar.
t1 t2 t3 t4
+V Vs t
VGS
VRL
VDS
ID off
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
t on off on
92
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2-65den grld gibi 0-t1 aralnda E-Mosfet yaltmda bulunmaktadr. t1 annda E-Mosfetin G-S arasna pozitif bir uyarma gerilimi uygulandnda eleman hemen iletime gemektedir. t1-t2 aralnda iletimde kalan E-Mosfetin t2 annda uyarma gerilimi kesildiinde (sfra dtnde), eleman hemen yaltma gemektedir. t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile uyarldnda yine iletime gemektedir. Ksacas hem iletime hem de yaltma gemesi G-S arasndan rahatlkla kontrol edilebilmektedir.
E-Mosfetlerin Seri ve Paralel Balanmas; E-Mosfetler, sadece DCde alabilen yariletken elemanlar olduu iin daha ok DC-DC dntrc ve invertrlerde youn olarak kullanlmaktadr. Gnmzde olduka fazla kullanlan E-Mosfetlerin yksek akm ve gerilimlerde allmas gerektiinde diyot, tristr ve dier elemanlarda olduu gibi seri veya paralel balanma prosedr uygulanabilir.
93
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
E-Mosfetlerde dv/dt ve di/dt korumasnn salanmas; Bilindii gibi ani deien akm ve gerilimde yariletken g anahtarlar istenmedii halde zerlerinden akm geirmekte ve yanmaktadrlar. E-Mosfetler iin de bu olay tamamen geerlidir ve bu i iin mutlaka nlem alnmaldr. dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk diyot ve tristrde olduu gibi, elemana paralel olarak uygun bir R-C devresinin balanmasdr. di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri olarak uygun bir endktansn (L) balanmasdr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada bir E-Mosfetin bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
95
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Yaltlm Kapl Transistr (IGBT), Temel Yaps ve almas;
Gnmzde g elektronii uygulamalarnda en fazla kullanlan elemanlardan birisi olan IGBT, transistr (BJT) ile EMosfet karm zel bir elemandr. Bilindii gibi BJTnin iyi taraf iletim i direncinin dolaysyla da iletim kayplarnn dk olmasdr. Kt taraf ise anahtarlanma sresinin uzun olmas dolaysyla da anahtarlama kayplarnn yksek olmasdr. E-Mosfetlerde ise BJTye gre tam tersi durum sz konusudur. Yani Mosfetin kt taraf, iletim i direncinin yksek dolaysyla da iletim kayplar transistre gre daha fazla olmasdr. yi taraf ise anahtarlanma sresinin dk, dolaysyla da anahtarlama kayplarnn transistre gre daha az olmasdr. te her iki elemann iyi zellikleri alnarak yeni bir eleman gelitirilmitir. Bu eleman girii mosfet gibi yaplandrlm k ise transistr gibi yaplandrlm olan IGBTdir.
96
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
IGBTer kontrol srasnda mosfet gibi alma srasnda ise transistr gibi davranan ve sadece anahtar olarak kullanlan elemanlardr. ekil-2.66da IGBTnin yariletken yaps ve edeer devresi grlmektedir. Edeer devreden grld gibi IGBT yaps, giri terminalleri arasna N-Kanal E-Mosfet balanm bir PNP transistr gibidir. Bu sayede Mosfet gibi hzl anahtarlanan, transistr (BJT) gibi iletim i direnci dk olan yeni bir eleman oluturulmutur.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 97
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
IGBT, bu sayede son zamanlarda daha nceden transistr ve E-Mosfetin kullanld tm anahtarlama uygulamalarnda ok yaygn olarak kullanlmaktadr. Pratikte dk gerilimli uygulamalarda daha ok EMosfet, yksek gerilimli (400V ve zeri) daha ok IGBT tercih edilmekte olup sembol ekil2.67de grld gibidir.
Kollektr, C Gate, G IGBT Emiter, E
M.Necdet YILDIZ
G elektronii uygulamalarnda daha ok DCDC dntrc (DC kyc) ve DC-AC dntrc (nvertr) devrelerinde tercih edilen IGBTler, ok dk frekanslardan (1-2Hz), orta frekanslara (20kHz) kadar kontrollu anahtar olarak kullanlabilmekte olup, 1200V400A seviyelerine kadar olan versiyonlar bulunmaktadr. IGBTler, tpk E-Mosfetler gibi gerilim kontrollu bir yariletken anahtardr ve kontrolunda EMosfet prosedr uygulanr.
98
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Metal Oksitli Fet Transistrn (E-Mosfet) altrlmas; Aadaki ekil-2.68de IGBTnin altrlmas sembol zerinde grlmektedir. Burada Vs kayna yk beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VG ise transistr uyarmada kullanlan kaynaktr.
Yk
IGBT
IC
Buton
VS
VG RG
ekil-2.68den grld gibi, uyarma butonuna baslmad srece IGBT, kollektr ile emiter arasna gelen doru ynl gerilime blokaj yapacak ve yaltmda kalacaktr. IGBT iletime geirilmek istendiinde ise uyarma butonuna baslarak Gate (kap) ile Emiter arasnda bir uyarma geriliminin olumas salanr ve bu sayede IGBT iletime geerek kollektrden emitere doru yk akmn (IC) aktmaya balar. VGE gerilimi kesildiinde IGBT susar.
99
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Yalnz burada ok nemli bir ayrnt vardr. IGBTnin sadece on ve off durumlar olmad ve ara durumlarda da yar geirgen olarak alabildii iin, g elektronii uygulamalarnda IGBTyi uyaracak olan gerilimin (VGE), eleman tam olarak iletime geirebilecek gerilimin seviyesinde olmas gerekmektedir. IGBTyi tam iletime geirecek olan uyarma gerilimi (VGE) seviyesi, retici tarafndan elemann bilgi yapraklarnda ayrntl olarak verilmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Buraya kadar aklananlardan yola karak IGBTi ile EMosfetin ayn mantkla altklar yani uyarld srece iletimde olduklar, uyar kesildiinde ise baka bir ileme gerek kalmakszn yaltma getikleri grlmektedir. Peki ikisi arasndaki fark ne? IGBT, zellikle yksek gerilim ve akm altnda hzl olarak anahtarlanabilecek ekilde imal edildiinden, yksek gerilim ve akmda E-Mosfete gre avantajl durumdadr.
100
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
IGBTnin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekil-2.69da IGBTnin temel karakteristik erisinin karld temel test devresi grlmektedir. Aadaki balant ekli ile IGBTnin doru yn almas, devredeki Vs bataryas ters evrilerek de ters yn almas test edilebilmektedir. Aadaki ekil-2.70de IGBTnin temel karakteristik erilerinden olan akm-gerilim (IC-VCE) erisi (k karakteristik erisi) grlmektedir. IC Imax. -VCE
Ters (geri) yn C-, E+ almada IGBT zarar grr! Doru (ileri) yn C+, E-
VCE
VCEon
+Vmax
-IC
M.Necdet YILDIZ
101
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Karakteristik eriden grld gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra kendiliinden iletime geerken, IGBT ancak Vmax. gerilimine ulaldnda kendiliinden iletime gemektedir. Bu ekilde iletime geme istenmeyen bir durumdur. IGBTnin doru ynde de normal olarak iletime geebilmesi iin uyar verilmesi, yaltma geirilebilmesi iinse uyarnn ekilmesi gerekmektedir. Ters ynde ise IGBT asla alamaz, yani IGBTnin ters gerilim blokaj kabiliyeti yoktur. Ters gerilim verildiinde IGBT blokaj yapamayarak yanar. Bu durumda IGBTnin, doru ynl (C+, E-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan, tam uyarld taktirde ise tam iletime geen, doru ynl gerilim altnda iletimi ve yaltm kontrol edilebilen, Ters ynl (C-, E+) gerilimde ise asla alamayan, altrld taktirde bozulan, tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g anahtar olduu grlmektedir. IGBT, bu zellikleriyle DCde altrlmak iin uygun bir anahtar durumundadr. IGBTnin bu zellii sayesinde SCRde kullanlan zorla susturma dzenekleri kullanlmaz.
102
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
IGBTlerde, elemann hangi durumlarda tam iletim veya tam yaltm, hangi durumlarda da amplifikasyon (ykseltme) modunda olduunu gsteren ok nemli bir karakteristik eri daha vardr, bu eri aada ekil-2.71de grlmektedir. IC
Doyum blgesi
IC(max) VGE(max) VGE(4) VGE(3) VGE(2) VGE(1) VGE(min)
ekil-2.71den grld gibi IGBTnin Kollektr akmnn (IC) miktar, tamamen C-E arasndaki kontrol geriliminin deerine baldr. Bu balant, retici tarafndan parametreyle (gm) verilmekte olup, aadaki gibi gsterilir; rnek, gm= 50 (gm= IC / VGE) IC= gm.VGE veya VGE= IC / gm Grld gibi kollektr akm VGE geriliminin gm katdr. Anahtarlama uygulamalarnda VGE gerilimi ya max. yada 0 seilerek kontrol yaplr.
103
IC(sz.)
Kesim blgesi
VCE(sat.)
M.Necdet YILDIZ
VCE(max)
VCE
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aadaki ekil-2.72de IGBTnin dcde almasn izleyebilmek iin kurulan devre grlmektedir. Yandaki ekil-2.73de ise IGBTnin dc kaynak altnda iletim ve yaltmnn kontrol edilmesi, devrenin alma dalga ekilleriyle birlikte verilmitir. Zaten IGBTler ac kaynakta asla altrlamaz nk ters gerilimi bloke edemez ve yanar.
t1 t2 t3 t4
+V Vs t
VGE
VRL
VCE
IC off
M.Necdet YILDIZ
t on off on
104
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
ekil-2.73den grld gibi 0-t1 aralnda IGBT yaltmda bulunmaktadr. t1 annda IGBTnin G-E arasna pozitif bir uyarma gerilimi uygulandnda eleman hemen iletime gemektedir. t1-t2 aralnda iletimde kalan IGBTnin t2 annda uyarma gerilimi kesildiinde (sfra dtnde), eleman hemen yaltma gemektedir. t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile uyarldnda yine iletime gemektedir. Ksacas hem iletime hem de yaltma gemesi G-E arasndan rahatlkla kontrol edilebilmektedir.
IGBTlerin Seri ve Paralel Balanmas; IGBTler, sadece DCde alabilen yariletken elemanlar olduu iin daha ok DC-DC dntrc ve invertrlerde ok youn olarak kullanlmaktadr. Gnmzde olduka fazla kullanlan IGBTlerin yksek akm ve gerilimlerde allmas gerektiinde diyot, tristr ve dier elemanlarda olduu gibi seri veya paralel balanma prosedr uygulanabilir.
105
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
IGBTlerde dv/dt ve di/dt korumasnn salanmas; Bilindii gibi ani deien akm ve gerilimde yariletken g anahtarlar istenmedii halde zerlerinden akm geirmekte ve yanmaktadrlar. IGBTler iin de bu olay tamamen geerlidir ve bu i iin mutlaka nlem alnmaldr. dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk diyot ve tristrde olduu gibi, elemana paralel olarak uygun bir R-C devresinin balanmasdr. di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri olarak uygun bir endktansn (L) balanmasdr.
M.Necdet YILDIZ
II - YARILETKEN G ANAHTARLARI
Aada bir IGBTnin bilgi yapra (datasheet) grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
107
DEV-4
4.1) 200Vdc ebeke alacak ve 5 luk bir yk besleyecek olan DCDC dntrc (DC kyc) devresi iin uygun bir Mosfet belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Mosfet yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz. 4.2) 600Vdc ebeke alacak ve 5 luk bir yk besleyecek olan DCAC dntrc (nvertr) devresi iin uygun bir IGBT belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. IGBT yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz.
M.Necdet YILDIZ
108
Blm-3
Tabii ki bu elemanlar ebekenin her alternansnda ebekeyi grerek uyarabilmek gerekmektedir. Bu durumda g tristrlerini acde alrken etkin bir ekilde uyarabilmek iin ebeke ile senkronize (uyumlu) ine palsler retmek gerekmektedir. Dzgn dcde alma srasnda ise ebeke senkronizasyonu gerekmeyecektir. te bu tr devrelere tristr uyarma (tetikleme) devreleri denilmektedir.
2
Bu durumda g tristrlerini uyarmak iin kullanlan uyarma elemanlar ve devreleri, 1) UJTli uyarma devreleri, 2) PUTlu uyarma devreleri, 3) Diyakl uyarma devreleri, 4) Analog uyarma devreleri, 5) Saysal uyarma devreleri, 6) Entegre uyarma devreleri, 7) PICli uyarma devreleri, 8) Mikroilemcili uyarma devreleri, olarak 8 temel grupta toplanabilmektedir. Bu gruplar ayrntsyla incelenecektir.
3
B2
E B1
1.Beyz, B1
M.Necdet YILDIZ
ekil-3.1den grld gibi UJT, bir para N ve bir para P maddesinin birlemesinden olumutur. Bu nedenle UJTye tek birleimli transistr denilmektedir. Elemann 2 adet beyz terminali ve bir adet de emiter terminali bulunmaktadr. Edeer devrede B2-E arasndaki yariletken direnci r2 ile, E-B1 arasndaki yariletken direnci ise r1 ile gsterilmitir. P-N maddelerinin birleimi ise D ile ifade edilmitir.
4
VE Ro
GND
ekil-3.2den grld gibi, ncelikle UJTnin almaya hazr hale gelebilmesi iin B2 terminali ile GND arasna bir polarma gerilimi (+VB= 12-15V) balanmas ve IB akmnn akmasnn salanmas gerekmektedir. UJTnin B2-B1 arasndaki i direnci 8-10k civarnda olduu iin IB akm 1-2mA civarnda olacaktr. Bu durumda edeer devrede grlen A noktasnda yaklak VB/2 kadar bir baraj gerilimi oluacaktr.
5
M.Necdet YILDIZ
UJT, uyarlacak deil uyarma palsi retecek bir elemandr. Bu nedenle aadaki ekil3.4de grlen uygulama devresi kurularak UJTnin R.C zaman sabitesine bal olarak arka arkaya pals retmesi salanabilir. Burada VE grevini C stlenmitir.
B2 +V
R
-Veb Veb +VP
B1 C Ro
Pals k GND
-Ie
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 6
t3 t4
t5 t6
t
VP VC VP VO T f(pals)= 1 / T t
T= R.C
M.Necdet YILDIZ
T R.C.ln[1/(1-)] 1 / f
eitlii kullanlarak bulunabilmektedir. Burada, T: Palslerin peryot sresi (s), R: Devredeki diren ( ), C: Devredeki kondansatr (F), : UJTnin gerilim blme oran, f: Pals frekans (Hz). Yalnz bu durumda devrede retilen palsler herhangi bir ac ebeke ile uyumlu deildir.
8
M.Necdet YILDIZ
+Vz +V VP
VC
IP IO VT t
3
9
Bu balant yardmyla ac ebekede alan ve her pozitif alternans sonrasnda susan tristrn, her pozitif alternansta tekrar uyarlmas salanmaktadr. Ayn zamanda bu balant sayesinde tristrn uyarlma asn () deitirmek de mmkndr. Bunun iin UJT devresindeki R direncini ayarl yapmak gerekmektedir. Bu sayede palslerin frekans (skl) deitirilerek, tristr yaklak 0 ile 180 arasnda istenilen ada uyarlabilir.
10
+Vz +V VP VC IP IO VT t t t
3
11
Bu balant yardmyla ac ebekede alan ve her pozitif ve negatif alternans sonrasnda susan triyakn, her alternansta tekrar uyarlmas salanmaktadr. Ayn zamanda bu balant sayesinde triyakn uyarlma asn () deitirmek de mmkndr. Bunun iin UJT devresindeki R direncini ayarl yapmak gerekmektedir. Bu sayede palslerin frekans (skl) deitirilerek, triyak yaklak 0 ile 180 arasnda istenilen ada uyarlabilir.
12
A G
IG
Gate G
Katod, K
M.Necdet YILDIZ
ekil-3.10dan grld gibi PUT, tpk genel amal tristr (SCR) gibi, iki para N ve iki para P maddesinin birlemesinden olumutur. Elemann tristrde olduu gibi, anod, katod ve gate (kap) terminalleri bulunmaktadr. PUTun tristrden fark ise ekil-3.10dan grld gibi gate (G) terminalinin katoda yakn olan P maddesinden deil, anoda yakn olan N maddesinden kartlm olmasdr. Bu sayede PUT, Adan Gye doru aktlacak akmla uyarlabilmektedir.
13
Buton
IG IA
PUT
Pals k GND
VA
VG Ro
M.Necdet YILDIZ
PUT da uyarlacak bir eleman deil uyarma palsi retecek bir elemandr. Bu nedenle aadaki ekil-3.13de grlen uygulama devresi kurularak PUTun R.C zaman sabitesine bal olarak arka arkaya pals retmesi salanabilir. Burada VG gerilimi, R1-R2 gerilim blcs ile salanmaktadr.
-VAK
-IA
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 15
t3 t4
t5 t6 t
VP VC VP VO T f(pals)= 1 / T
16
T= R.C
M.Necdet YILDIZ
T R.C.ln[1/(1-)] 1 / f
eitlii kullanlarak bulunabilmektedir. Burada, T: Palslerin peryot sresi (s), R: Devredeki diren ( ), C: Devredeki kondansatr (F), : Gerilim blcnn oran, f: Pals frekans (Hz). Yalnz bu durumda devrede retilen palsler herhangi bir ac ebeke ile uyumlu deildir.
17
M.Necdet YILDIZ
+Vz +V VP VC IP IO VT t t t
3
18
Bu balant yardmyla ac ebekede alan ve her pozitif alternans sonrasnda susan tristrn, her pozitif alternansta tekrar uyarlmas salanmaktadr. Ayn zamanda bu balant sayesinde tristrn uyarlma asn () deitirmek de mmkndr. Bunun iin PUT devresindeki R direncini ayarl yapmak gerekmektedir. Bu sayede palslerin frekans (skl) deitirilerek, tristr yaklak 0 ile 180 arasnda istenilen ada uyarlabilir.
19
+Vz +V VP VC IP IO VT t t t
3
20
Bu balant yardmyla ac ebekede alan ve her pozitif ve negatif alternans sonrasnda susan triyakn, her alternansta tekrar uyarlmas salanmaktadr. Ayn zamanda bu balant sayesinde triyakn uyarlma asn () deitirmek de mmkndr. Bunun iin PUT devresindeki R direncini ayarl yapmak gerekmektedir. Bu sayede palslerin frekans (skl) deitirilerek, triyak yaklak 0 ile 180 arasnda istenilen ada uyarlabilir.
21
2. Anod, A2
M.Necdet YILDIZ
ekil-3.19dan grld gibi diyak, tpk triyak gibi birbirine ters balanm PNPN ve NPNP yariletken yapsna sahiptir. Triyaktan fark ise uyarma terminalinin (gate) bulunmamasdr. nk diyak bir g eleman deil, sadece triyak uyarmak iin kullanlan ok dk gl bir uyarma elemandr. Diyakn 1.anod (A1) ve 2.anod (A2) terminallerinin yeri nemli deildir. Eleman zerinde herhangi bir iaret yoktur.
22
Buton IA VA VA Ro
Pals k GND
M.Necdet YILDIZ
ekil-3.21den grld gibi diyak VP (30V) geriliminde iletime gemekte fakat iletime getiinde dier elemanlarda olduu tamamen ksa devre olmamakta zerinde VD kadarlk (20V) bir gerilim tutmaktadr. Aadaki ekil-3.22de diyakn ACde pals reten uygulama devresi grlmektedir.
-VD 20V
-IA
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 24
VS
VC
30V 20V
VD VO
1 2 2 3 3 4 4
25
M.Necdet YILDIZ
VC
30V 20V
VD IO t
VT
1
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
2 3 3 4 4
27
ekil-3.25den grld gibi 1 asnda uyarmann gereklemesiyle triyak iletime geerek zerindeki gerilim (VT) sfr seviyesine dmektedir. Triyakn iletimi pozitif alternasn sonuna kadar devam etmekte, alternans sonunda yaltma gemektedir. Diyak, negatif alternans iinde tekrar iletime geerek 2 asnda triyakn tekrar uyarlmasn salamaktadr. R direnci ayarlandnda ise faz kaymas dolaysyla da uyarma as deiecektir.
28
Aadaki ekil-3.26da transistr ve transformatr kullanlarak yaplan bir pals reteci grlmektedir.
+V
29
Aadaki ekil-3.27de lojik kaplar ve kristal kullanlarak yaplan bir pals reteci grlmektedir.
30
Bu sayede tristr grubu elemanlar uyarabimek iin, hem daha gvenilir hem daha kolay kurulabilen hem de daha ok fonksiyona sahip uyarma devreleri elde edilebilmektedir. Bilindii gibi tristr grubu elemanlarn uyarlmas srasnda AC ebekeyle senkronize almann nemi ok bykt, ite bu entegre devrelerin kullanlmas sayesinde ebekeyle senkronizasyon ve 0-180 derece arasnda uyarma as ayarlanmas da ok kolaylamaktadr.
31
M.Necdet YILDIZ
32
TCA785 entegre devresinin alabilmesi iin 12-15V civar dc gerilime ihtiya vardr (16 ve 1 nolu terminaller arasna). Ayrca entegrenin pals retebilmesi iin ebeke geriliminden alnacak kk bir rnee ihtiya duyulmaktadr (5 ve 1 terminalleri arasna). Entegrenin rettii palslerin ebeke alternanslarnn 0-180 dereceleri arasnda ayarlanabilmesi iinse 0-10V arasnda ayarlanabilen bir dc gerilme ihtiya duyulmaktadr (11 ve 1 terminalleri arasna).
33
M.Necdet YILDIZ
M.Necdet YILDIZ
Yan tarafta grlen ekil3.33de 220Vac ebekede bir motoru kontrol eden triyak, bir mikroilemci yardmyla kontrol edilmektedir. Tabii ki burada yaplan kontrolun etkin olabilmesi iin mikroilemciye ebeke ile ilgili bilgi aktarm yaplmas gerekmektedir. ekil-3.33den grld gibi besleme gerilimi, senkronizasyon gerilimi ebekeden alnmakta, ayrca kontrol edilecek motorun da hz sezilerek mikroilemciye aktarlmakta ve buna gre kontrol yaplmaktadr.
39
M.Necdet YILDIZ
Bu ders iinde PIC ve mikroilemcilerle yaplan uygulamalara daha fazla girilmeyecektir. Bunun nedeni PIC ve mikroilemcilerin bal bana bir ders olmasdr. Bu elemanlar, yaplar, programlanma yntemleri ve uygulama alanlar ile uygulama devreleri bu dersler iinde ayrnts ile verilecektir. Gnmzde g elektronii uygulamalarnn pek ounda artk PIC ve mikroilemci ile kontrol kullanlmaktadr.
40
Yksek gl elemanlar kontrol edilecei veya birden fazla eleman ayn anda kontrol edilecei zaman ise uyarma devreleri ile g elemanlar arasna pals src devrelerinin yerletirilmesi gerekmektedir. Pals src devrelerinin stlenmi olduu ilev bulunmaktadr. Bunlar, 1) Palslerin akm veya gerilim olarak glendirilmesi, 2) Pals retecinin g devresinden yaltlmas, 3) Palslerin oullanmasdr.
41
M.Necdet YILDIZ
veya
M.Necdet YILDIZ
Yaltma ilemi iin aadaki ekil-3.35de grld gibi pals transformatr denilen dk gl zel imal edilmi kk transformatrler kullanlmaktadr.
Pals trafosu
G K
44
P a l s t r a f o s u
G1 K1
G2
K2 G3 K3
45
DEV-5
5.1) Tristr grubu elemanlarn uyarmasnda kullanlan UJT, PUT ve Diyak yaplarn daha iyi tanmak iin uygun elemanlar belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Her elemann da yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz. 5.2) Tristr grubu elemanlarn uyarmasnda en ok kullanlan entegre devrelerden olan TCA785 yapsn daha iyi tanmak iin internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Elemann i yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz.
M.Necdet YILDIZ
47
Bu durumda g transistrleri grubunda olan BJT, E-Mosfet ve IGBTlerin uyarlabilmesi ve kontrol edilebilmesi iin tasarlanacak olan uyarma devrelerinin, etkin peryodu %0 ile %100 arasnda deitirilebilen, frekans da istenilen frekans aralnda kontrol edilebilen kare dalga uyarma sinyalleri (PWM-kare dalga) retebilmelidir. Bu uyarma sinyallerinin, tristr grubu elemanlar uyaran ine palsler gibi, allan ebeke ile senkronize (uyumlu) olmalarna ihtiya yoktur.
48
Bu durumda g transistrlerini uyarmak iin kullanlan uyarma elemanlar ve devreleri, 1) Analog uyarma devreleri, 2) Saysal uyarma devreleri, 3) Entegre uyarma devreleri, 4) PICli uyarma devreleri, 5) Mikroilemcili uyarma devreleri, olarak 5 temel grupta toplanabilmektedir. Aslnda tm bu devrelerin yapmaya alt tek i PWM kare dalga retmektedir. Bu gruplar ayrntsyla incelenecektir.
49
ekil-3.38
ekil-3.39
50
ekil-3.40
ekil-3.41
51
Bu tr entegreler en uygun analog ve saysal devrelerin birletirilmesiyle pek ok fonksiyonu kusursuz bir ekilde yerine getirebilmekte ve kararl bir ekilde alabilmektedirler. PWM kare dalga entegre devrelerinin etrafna yerletirilen birka destek eleman ile ayn anda birden fazla sinyal, hem frekanslar hem de etkin peryotlar kontrol edilebilir ekilde retilebilmekte ve belli bir seviyeye kadar srebilmektedirler.
52
M.Necdet YILDIZ
53
UC3525 entegre devresinin alabilmesi iin 8-35V aras dc gerilime ihtiya vardr (1315 ile 1 nolu terminaller aras). Entegre 11 ve 14 numaral k terminallerinden 2 adet PWM kare dalga sinyal retmektedir (100Hz-500kHz aras frekansta). Entegrenin 2 numaral terminaline uygulanan 0V-5V aras gerilim ile entegrenin retmi olduu her iki PWM kare dalgann etkin peryodu %0 ile %50 arasnda ayarlanabilmektedir.
54
PWM-11
PWM-14
Max. %50
Max. %100
M.Necdet YILDIZ
55
1 16 9 2 6
15
13 10
11 5 7 8 12 14
M.Necdet YILDIZ
56
Aadaki ekil-3.46da 16F84 ile yaplm olan bir uygulama grlmektedir. Uygulamada bir dc motor, PWM ile uyarlan bir BJT ile kontrol edilmektedir.
57
M.Necdet YILDIZ
Yksek gl elemanlar kontrol edilecei veya birden fazla eleman ayn anda kontrol edilecei zaman ise uyarma devreleri ile g elemanlar arasna PWM src devrelerinin yerletirilmesi gerekmektedir. PWM src devrelerinin stlenmi olduu ilev bulunmaktadr. Bunlar, 1) Sinyallerin akm veya gerilim olarak glendirilmesi, 2) PWM retecinin g devresinden yaltlmas, 3) Sinyallerin oullanmasdr.
59
G elemanlar iin gerekli olan en az ve en ok uyarma akm veya gerilim seviyeleri retici tarafndan elemann bilgi yapraklarnda belirtilmektedir. Uyarma akm veya geriliminin dk olmas g elemannn ya uyarlamamasna ya da anahtarlama zamannn uzun olmasna yol amaktadr. Bu nedenlerle g elemann uyarrken mmkn olan (retici tarafndan belirtilen) en yksek uyarma sinyal seviyesiyle uyarmak en dorusu olacaktr.
60
M.Necdet YILDIZ
61
Yaltma ilemi iin aadaki ekil-3.49da grld gibi opto-coupler (optik-iletici) denilen dk gl zel imal edilmi led+foto transistr vb. entegresi kullanlmaktadr.
Optocoupler
62
Optocoupler 1
Optocoupler 2
B
A
63
Bu entegrelerden bazlar ayn zamanda pals oullama ilemini de yapabilmektedir. stelik opto-coupler uygulamalarnda olduu gibi birden fazla besleme kaynana ihtiya duymadan bu ii yaparlar. Baz src entegre devreler ise g elemanlarnn anahtarlama kayplarn azaltabilmek iin susturma srasnda uyarma gerilimini kesmek yerine negatife drerek gei sresini azaltc etki yapmaktadrlar.
64
M.Necdet YILDIZ
65
Entegre iinde giriten gelen sinyalleri ykseltmek ve kontrol etmek amacyla lojik arlkl ir yap kurulmu ve sinyaller push-pull k katndan darya verilmitir. Entegrenin yksek giri (HI) ve alak giri (LI) olmak zere iki sinyal girii ve bir de koruma (SD) girii vardr. k olarak da yksek k (HO) ve alak k (LO) vardr. Bu klar sayesinde ekilden grld gibi bir kprnn yars yaltma olmadan kontrol edilebilmektedir.
66
Bu tr uygulamalarda ebekede alan triyakn ebekeyle senkronize (uyumlu) palsler yerine PWM karedalga ile uyarlmas daha uygun olmaktadr. AC ebekede alan triyaklarn herhangi bir PWM retecinden elde edilen kare dalga sinyallerle uyarlmas srasnda, uyarma devresi triyak giriine dorudan balanabildii gibi, daha ok yaltlarak da balanmaktadr. Ayn zamanda sinyal oullama da kullanlmaktadr.
67
Profesyonel uygulamalarda ise ekil-3.53de grld gibi PWM reteci bir opto-coupler yardmyla yaltlarak balanr. Burada kullanlan opto-coupler led-fotodiyak ikilisidir.
Yk
Optocoupler
VS
M.Necdet YILDIZ
68
DEV-6
6.1)
Transistr grubu elemanlarn yaltlarak uyarmasnda kullanlan Optocoupler yaplarn daha iyi tanmak iin uygun elemanlar belirleyerek internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Tm optocoupler trlerinin yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz.
6.2) Transistr grubu elemanlarn uyarmasnda ve srlmesinde kullanlan entegre devrelerden olan UC3525 ve IR2110 yaplarn daha iyi tanmak iin internet ortamnda bilgi yapraklar (datasheets) zerinden aratrnz. Elemanlarn i yapsn, genel zelliklerini, temel parametrelerini, retici firmalarn, Trkiye temsilcilerini ve sat fiyatn gsteren bir rapor hazrlaynz.
M.Necdet YILDIZ
69
Blm-4
AC-DC Dntrcler
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 1
IV - AC/DC DNTRCLER
GR: AC-DC dntrcler (dorultucular), AC gerilimi DC gerilime dntren g elektronii devreleridir. G elektroniinin temel g devrelerinden dorultucular 2 temel grup altnda incelemek gerekmektedir. Bunlar; 1) Kontrolsuz dorultucular, 2) Kontrollu dorultuculardr. Kontrolsuz dorultucular sabit DC gerilim kl, kontrollu dorultucular ise deiken DC kl g devreleridir ve genellikle DC motorlarn kontrolunda kullanlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
Kontrolsuz dorultucularda kullanlan temel g eleman diyotdur. Diyot, kontrolsuz bir g eleman olduu iin bu dorultucuya byle bir isim verilmitir. Kontrollu dorultucularda kullanlan temel g eleman ise tristrdr. Tristr, iletime gemesi kontrol edilebilen bir eleman olduu iin bu dorultucuya byle bir isim verilmitir. Aada kontrolsuz ve kontrollu dorultucularn alt blmleri verilmitir.
2
IV - AC/DC DNTRCLER
Kontrolsuz dorultucu trleri aadaki gibi sralanabilir, 1 fazl dorultucular;
Yarm dalga dorultucu, Simetrik tam dalga dorultucu, Kpr tam dalga dorultucu,
3 fazl dorultucular;
Yarm dalga dorultucu, Kpr tam dalga dorultucu,
3 fazl dorultucular;
Yarm dalga dorultucu, Yarm kontrollu kpr dorultucu, Tam kontrollu kpr dorultucu, Tam kontrollu ift kpr dorultucudur.
3
IV - AC/DC DNTRCLER
Dorultucu trlerini bu ekilde sraladktan sonra ilk ve en basit dorultucu devresi olan 1 fazl yarm dalga dorultucu devresinden itibaren tm dorultucular incelenmeye balanacaktr. nceleme srasnda dorultucunun g devresi balants, varsa uyarma devresi yaps ve g devresine balants, g devresinin almasn gsteren dalga ekilleri ve devredeki akm ve gerilimlerin hesaplanmas yaplacaktr.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Yarm Dalga Kontrolsuz Dorultucu (rezistif ykte): Aadaki ekil-4.1de 1 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu devre balants grlmektedir. Bu devrenin rezistif (R) ykte almasn gsteren temel dalga ekilleri ise ekil-4.2de verilmitir.
IS + ac VS ID IO + VO RL
+ VD -
IV - AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
Vdc
Vm
VD
Im
Itm
ekil-4.2den grld gibi, g devrelerinin analizinde kullanlan 6 adet parametrenin dalga ekilleri gsterilmitir. Bunlar; 1) Kaynak gerilimi (VS), 2) k (yk) gerilimi (VO), 3) Anahtar (diyot) gerilimi (VD), 4) Kaynak akm (IS), 5) k (yk) akm (IO), 6) Anahtar (diyot) akm (ID)dir. Burada kaynak, yk ve anahtar akmlar devre balants nedeniyle ayn olduu iin tek ekille (Itm) gsterilmitir.
5
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
ekil-4.2den grld gibi, k (yk) zerinde kaynaktan gelen pozitif alternanslar olduu gibi grlmekte, negatif alternanslar ise grlmemektedir. Bunun nedeni diyodun pozitif alternanslarda iletimde olmas, negatif alternanslarda ise yaltmda kalmasdr. Diyodun yaltmda kald negatif alternanslarda ise kaynaktan gelen bu negatif alternanslar diyot zerinde, diyodun bloke ettii gerilim olarak grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.2de grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k gerilimi ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g, 6) Anahtar (diyot) gerilimi, 7) Anahtar (diyot) akm. 8) G katsays,
IV - AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; Yarm dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.3de grlen dalga eklinin grleceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k geriliminin ortalama deer eitliini bulalm.
Vm
V dc V dc V dc
1 = T
v
0 0
( t ). dt . sin( t ). d ( t )
1 = 2 Vm = 2
sin( t ). d ( t )
0
V dc =
V dc V dc
4 t
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
V dc
IV - AC/DC DNTRCLER
k akm ortalama deeri; Yarm dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinden aadaki ekil4.4de grlen akmn geeceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k akmnn ortalama deer eitliini bulalm.
Im
I dc
I dc I dc
1 = io ( t ).dt T 0
1 = 2 I = m 2
2
I
0
. sin( t ).d ( t )
sin( t ).d ( t )
0
I dc =
4 t
I dc
I dc I dc
Idc T
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir.
I S ( rms ) 1 = [is (t )]2 .dt T 0
T
I S ( rms ) =
I S ( rms ) =
I S ( rms ) =
I S ( rms ) =
I S ( rms ) =
1 2
[ I m . sin(t )]2 .d (t )
0
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.5deki gibidir. Buradan;
Im
2 Im sin 2 (t ).d (t ) 2 0
2 I m t sin( 2t ) [ ]0 2 2 4
2 0 sin( 2.0) I m sin( 2 ) [( )( ] 2 2 4 2 4
2 Im [( ) (0)] = 2 2 2 Im 2 2
4 t
IS T
M.Necdet YILDIZ
I S ( rms)
2 Im Im V = = = 0,5.I m = 0,5. m 4 2 R
IV - AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. diyot tarafndan bloke edilen gerilimdir. Yan tarafta ekil4.6da grld gibi, kaynan negatif alternanslarnda diyot yaltmda kalmakta ve tepe deeri Vm olan kaynak gerilimini bloke etmektedir. Bu durumda devrede kullanlacak olan diyodun alma gerilimi aadaki eitlikten bulunabilecektir. VD Vm+(%30.Vm)
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 10
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (diyot) gerilimi; Anahtar (diyot) gerilimi,
VD
-Vm
4 t
IV - AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot) akm; Anahtar (diyot) akm, aada ekil-4.7de grld gibi yarm dalga bir akmdr. Bu durumda devrede kullanlacak olan diyodun alma akm, ID Im+(%30.Im) eitliinden bulunabilmektedir.
Im
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.8deki gibidir. Bu durumda kaynaktan sadece pozitif alternanslarda ve kaynakla ayn fazda akm ekilmektedir.
Vm
4 t
VS
Im
Idc T
M.Necdet YILDIZ
IS
11
IV - AC/DC DNTRCLER
Bilindii gibi endstrideki yklerin ok byk bir blm endktif karakterli (L+R) yklerdir. Bu yklere verilebilecek en nemli rnek elektrik motorlardr. Elektrik motorlar ierdikleri bobinler ve bu bobinlerin direnleri nedeniyle endktif + rezistif (L+R) durumundadrlar. Tabii ki devrede endktif yk olmas bata devre akmlar olmak zere devrede pek ok parametreyi ve artlar deitirmektedir.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Yarm Dalga Kontrolsuz Dorultucu (endktif ykte): Aadaki ekil-4.9da 1 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu devre balants grlmektedir. Bu devrenin endktif ykte almasn gsteren temel dalga ekilleri ise ekil-4.10da verilmitir.
IS + ac VS ID IO + IDm Dm VO ZL
+ VD -
12
IV - AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
Vdc
Vm
VD
Im
Idc
Im
t t t
IS,D
Im
Yan taraftaki ekil-4.10dan grld gibi, ykn ok endktif olduu kabul edilirse, devrenin k akm (IO) ok az dalgalanacaktr. Biz izim ve hesaplama kolayl olmas asndan bu akm dz kabul edeceiz. Yine ekilden grld gibi bu akm, pozitif alternanslarda karnaktan ve diyot zerinden (IS,D), negatif alternanslarda ise yke ters paralel olarak balanm serbest gei diyodu zerinden dolamaktadr. Bu durumda parametreler;
13
IDm
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; Yarm dalga kontrolsuz dorultucunun endktif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.11de grlen dalga ekli, rezistif yk ile ayn olacaktr. Bu durumda resitif yk iin elde edilen eitlik endktif yk iin de aynen geerlidir.
Vm
k akm ortalama deeri; Endktif ykte yk zerinden geen akm ekil-4.12de grld gibi srekli ve sabit (dz) kabul edilmektedir. Bu durumda ortalama deer,
Idc= Im= Vm / Z
eitlii kullanlarak dorudan hesaplanabilecektir.
2 3 4
4 t
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
Im
Idc
14
IV - AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Endktif ykte ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir. ekil-4.13de belirtilen ve akmn aktif olduu t1 ve pasif olduu gre t2 sreleri kullanlarak, etkin peryot (k) hesaplamas yaplabilir.
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.13deki gibidir.
Im
k= t1 / (t1+t2)= t1 / T
(Burada, t1= t2 olduundan, k= 0,5dir)
4 t
Buradan, kare dalga eklinde deien kaynak akmnn etkin deeri aadaki eitlikten bulunabilecektir.
IS,D t1 T
M.Necdet YILDIZ
t2
15
IV - AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. ekil-4.14den grld gibi, rezistif ykteki eklini koruduuna gre ayn eitlikle hesaplanabilecektir. VD Vm+(%30.Vm) Anahtar (diyot) akm; Anahtar (diyot) akm, ekil4.13den grld gibi, kaynak akm ile ayn olduuna gre ve diyot zerinden akan en yksek akm Im olduuna gre bu akm deeri,
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (diyot) gerilimi; Anahtar (diyot) gerilimi,
VD
-Vm
4 t
ID Im+(%30.Im)
T
eitliinden bulunabilecektir.
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 16
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.15deki gibidir. Bu durumda kaynaktan sadece pozitif alternanslarda ve kaynakla ayn fazda akm ekilmektedir ve bu durumda g katsays akm dc olduu iin belirsizdir.
Vm
rnek:
220V-50Hz ebekede alan yarm dalga kontrolsuz dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
4 t
VS
Im
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= 0,318.Vm
17
IS,D
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 0,318.311= 98,89V Rezistif ykte k akmnn ortalama deeri, Idc= 0,318.Im Im= Vm / R= 311 / 10= 31,1A Idc= 0,318.31,1= 9,88A Rezistif ykte ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 9,88.98,89= 977W Rezistif ykte kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= 0,5.Im IS(rms)= 0,5.31,1= 15,55A
M.Necdet YILDIZ
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 15,55.220= 3,42kW Rezistif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (diyot) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
18
IV - AC/DC DNTRCLER
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= 0,318.Vm Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 0,318.311= 98,89V k akmnn ortalama deeri, Idc= Im= Vm/ R= 311/ 10= 31,1A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 31,1.98,89= 3,07kW Kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= k . Im IS(rms)= (0,5).31,1= 21,77A
M.Necdet YILDIZ
ok endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 21,77.220= 4,78kW ok endktif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311. 1,3 400V ok endktif ykte anahtar (diyot) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
19
IV - AC/DC DNTRCLER
rnekten grld gibi akm ve gerilimlerin dalga ekillerine gre rezistif ve endktif yklere gre devreyle ilgili tm parametreler (akm, gerilim, g vb.) rahatlkla hesaplanabilmektedir. Elde edilen bu deerler, giri gerilimi veya yk deimedike sabittir. imdi ise ayn devreyi kontrollu versiyonunu inceleyelim. Bu durumda devrede diyot yerine tristr kullanlacak ve tristr pozitif alternansta 0 ile 180 arasnda kontrol edilecektir.
M.Necdet YILDIZ
IS + ac VS -
ID
IO + VD + VO 20
RL
IV - AC/DC DNTRCLER
Vm
2 3
4 t
VS
Vkont.
Vm
Vdc
Vm
VT
Im
Itm
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.17de g devrelerinin analizinde kullanlan 6 adet parametre ve kontrol dalga ekilleri gsterilmitir. Bunlar; 1) Kaynak gerilimi (VS), 2) Kontrol gerilimi (Vkont.) 3) k (yk) gerilimi (VO), 4) Anahtar (diyot) gerilimi (VD), 5) Kaynak akm (IS), 6) k (yk) akm (IO), 7) Anahtar (diyot) akm (ID)dir. Burada kaynak, yk ve anahtar akmlar devre balants nedeniyle ayn olduu iin tek ekille (Itm) gsterilmitir.
21
IV - AC/DC DNTRCLER
ekil-4.17den grld gibi, k (yk) zerinde kaynaktan gelen pozitif alternanslar istenilen miktarda grlmekte, negatif alternanslar ise grlmemektedir. Bunun nedeni tristrn pozitif alternanslarda iletime gemesi, negatif alternanslarda ise yaltmda kalmasdr. Tristrn, pozitif ve negatif alternanslarda yaltmda kald zamanlarda kaynak gerilimi tristr zerinde, tristrn bloke ettii gerilim olarak grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.17de grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k gerilimi ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g, 6) Anahtar (diyot) gerilimi, 7) Anahtar (diyot) akm. 8) G katsays,
22
IV - AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; Yarm dalga kontrollu dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.18de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k geriliminin ortalama deer eitliini bulalm.
Vm
V dc
1 = T
v
0
( t ). dt
V dc V dc
1 = 2 V = m 2
Vm 2 V = m 2 V = m 2 V = m 2
V
0
. sin( t ). d ( t )
sin( t ).d ( t )
[ cos( t )]
V dc =
V dc
4 t
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
V dc V dc
23
IV - AC/DC DNTRCLER
k akm ortalama deeri; Yarm dalga kontrollu dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinden aadaki ekil4.19da grlen akmn geeceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k akmnn ortalama deer eitliini bulalm.
Im
I dc I dc
1 = T
i
0
( t ). dt . sin( t ). d ( t )
1 = 2
I
0
I dc
I = m 2
Im 2 I = m 2 I = m 2 Im = 2
sin( t ). d ( t )
[ cos( t )]
I dc = I dc
4 t
Idc T
M.Necdet YILDIZ
I dc
I dc
[ ( 1) + (cos )]
V dc (1 + cos ) = R
24
IV - AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir.
I S ( rms ) 1 = [is (t )]2 .dt T 0 1 2
2 T
I S ( rms ) =
[ I m . sin(t )]2 .d ( t )
0
Pdc= IdcVdc
I S ( rms ) =
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.20daki gibidir.
Im
2 Im 2 sin (t ).d (t ) 2
2 I m t sin( 2t ) [ ] 2 2 4
I S ( rms ) =
4 t
I S ( rms ) = I S ( rms ) =
IS T
M.Necdet YILDIZ
I S ( rms ) =
Im 2
(1
sin 2 + ) 2
25
IV - AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. tristr tarafndan bloke edilen gerilimdir. Yan tarafta ekil4.21de grld gibi, kaynan pozitif ve negatif alternanslarnda tristr yaltmda kalmakta ve tepe deeri Vm olan kaynak gerilimini bloke etmektedir. Bu durumda devrede kullanlacak olan tristrn alma gerilimi aadaki eitlikten hesaplanabilecektir. VT Vm+(%30.Vm)
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (tristr) gerilimi; Tristr gerilimi, devredeki
Vm
4 t
VT T
M.Necdet YILDIZ
26
IV - AC/DC DNTRCLER
Anahtar (tristr) akm; Anahtar (tristr) akm, aada ekil-4.22de grld gibi max. yarm dalga bir akmdr. Bu durumda devrede kullanlacak olan tristrn alma akm, IT Im+(%30.Im) eitliinden bulunabilmektedir.
Im
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.23deki gibidir. Bu durumda kaynaktan sadece pozitif alternanslarda ve asyla balantl dengesiz bir akm ekilmektedir.
Vm
4 t
VS
Im
IT T
M.Necdet YILDIZ
IS
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
27
IV - AC/DC DNTRCLER
Endstride arlkla elektrik motorlarnn kullanld bilinmektedir. Elektrik motorlar ierdikleri bobinler ve bu bobinlerin direnleri nedeniyle endktif + rezistif (L+R) durumundadrlar. Kontrollu dorultucular, zellikle doru akm elektrik motorlarnn kontrolu iin gelitirilmi devrelerdir. Tabii ki devrede endktif yk olmas bata devre akmlar olmak zere devrede pek ok parametreyi ve artlar deitirmektedir.
M.Necdet YILDIZ
IS + ac VS -
ID
IO + VD + IDm Dm VO ZL
28
IV - AC/DC DNTRCLER
Vm
2 3
4 t
VS
Vm
Vdc
Vm
VT
Im
Idc
Im
t t t
IS,T
Im
IDm
M.Necdet YILDIZ
Yan taraftaki ekil-4.25den grld gibi, ykn ok endktif olduu kabul edilirse, devrenin k akm (IO) ok az dalgalanacaktr. Biz izim ve hesaplama kolayl olmas asndan bu akm dz kabul edeceiz. Yine ekilden grld gibi bu akm, tristrn iletimde olduu zamanlarda tristr zerinden (IS,T), dier zamanlarda ise yke ters paralel olarak balanm serbest gei diyodu zerinden dolamaktadr. Bu durumda parametreler;
29
IV - AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; Yarm dalga kontrollu dorultucunun endktif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.26da grlen dalga ekli, rezistif yk ile ayn olacaktr. Bu durumda resitif yk iin elde edilen eitlik endktif yk iin de aynen geerlidir.
Vm
k akm ortalama deeri; Endktif ykte yk zerinden geen akm ekil-4.27de grld gibi srekli ve sabit (dz) kabul edilmektedir. Bu durumda ortalama deer,
Idc= Im= Vm / Z
eitliinden dorudan hesaplanabilecektir.
2 3 4
4 t
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
Im
Idc
30
IV - AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Endktif ykte ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir. ekil-4.28de belirtilen ve akmn aktif olduu t1 ve pasif olduu gre t2 sreleri kullanlarak, etkin peryot (k) hesaplamas yaplabilir.
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.28deki gibidir.
Im
k= t1 / (t1+t2)= t1 / T
Buradan, kare dalga eklinde deien kaynak akmnn etkin deeri aadaki eitlikten bulunabilecektir.
4 t
IS,D t1 T
M.Necdet YILDIZ
t2
31
IV - AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. ekil-4.29dan grld gibi, rezistif ykteki eklini koruduuna gre ayn eitlikle hesaplanabilecektir. VT Vm+(%30.Vm) Anahtar (tristr) akm; Anahtar (tristr) akm, ekil4.28den grld gibi, kaynak akm ile ayn olduuna gre ve diyot zerinden akan en yksek akm Im olduuna gre bu akm deeri, IT Im+(%30.Im) eitliinden bulunabilecektir.
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 32
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (tristr) gerilimi; Tristrn alma gerilimi
Vm
4 t
VT
-Vm
T
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.30daki gibidir. Bu durumda kaynaktan sadece pozitif alternanslarda ve ile orantl tek ynl dengesiz bir akm ekilmektedir.
Vm
rnek:
220V-50Hz ebekede alan ve 90 de uyarlan yarm dalga kontrollu dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
VS
zm:
Im
IS
M.Necdet YILDIZ
IV - AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 311/6,28.(1+cos90)= 49,52V Rezistif ykte k akmnn ortalama deeri, Idc= (Im / 2).(1+cos) Im= Vm / R= 311 / 10= 31,1A Idc= 31,1/6,28.(1+cos90)= 4,95A Rezistif ykte ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 49,52 . 4,95= 245,12W Rezistif ykte kaynak akmnn etkin deeri,
I S ( rms ) = I S ( rms ) Im 1 sin 2 ( + ) 2 2 31 ,1 1 sin( 2 . 90 ) = ( + ) 2 2 2
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 10,99.220= 2,41kW Rezistif ykte anahtar (tristr) gerilimi, VT Vm+ (%30.Vm) VT 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (tristr) akm, IT Im+ (%30.Im) IT 31,1 . 1,3 40A olarak bulunmaktadr.
Is(rms)= 10,99A
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 34
IV - AC/DC DNTRCLER
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= (Vm / 2).(1+cos) Vdc= 311/6,28.(1+cos90) Vdc= 49,52V ok endktif ykte k akmnn ortalama deeri, Idc= Im= Vm / Z= 31,1A ok endktif ykte ort. k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 49,52 . 31,1= 1,54kW ok endktif ykte kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= k.Im k= t1 / T= 5ms / 20ms= 0,25 IS(rms)= 0,25 . 31,1= 15,55A
M.Necdet YILDIZ
ok endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 15,55 . 220= 3,42kW ok endktif ykte anahtar (tristr) gerilimi, VT Vm+ (%30.Vm) VT 311 . 1,3 400V ok endktif ykte anahtar (tristr) akm, IT Im+ (%30.Im) IT 31,1 . 1,3 40A olarak bulunmaktadr.
35
DEV-7
7.1) 220V-50Hz ebekede 12 luk saf rezistif bir yk besleyen 1 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 7.2) 220V-50Hz ebekede, 90 uyarma asnda,12 luk ok endktif bir yk besleyen 1 fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 36
IV AC/DC DNTRCLER
1 Fazl Simetrik Tam Dalga Kontrolsuz Dorultucu: Bilindii gibi, 1 fazl gerilimi tam dalga dorultabilmek iin, simetrik AC kaynan olduu veya kolaylkla elde edilebilecei yerlerde, sadece 2 adet g anahtar kullanarak tam dalga dorultma yapmak mmkndr. Bu sayede daha az g anahtar kullanlarak anahtar kayplar azaltlmaktadr. Fakat simetrik AC olmad durumlarda ayrca bir kurulu maliyeti ortaya kmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
Aadaki ekil-4.31de 1 fazl simetrik tam dalga kontrolsuz dorultucu devre balants grlmektedir. ekilden grld gibi kaynak gerilimi orta ulu bir transfo ile oullanmaktadr.
D1 Idc
Is
ID RL
+
Vdc
Vs D2
37
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.31de grlen 1 fazl simetrik tam dalga kontrolsuz dorultucu ile ayn ii yapan bir dier devre de kpr bal kontrolsuz dorultucu devresidir. 1 fazl kontrolsuz kpr dorultucu devresinde simetrik AC kaynaa ihtiya yoktur. Bu nedenle simetrik AC elde etmek iin ayrca transformatr kullanmaya da gerek yoktur. Her iki devreden elde edilen k da tam dalga olduu iin analiz kpr dorultucuya gre yaplacaktr.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Kontrolsuz Kpr Dorultucu (rezistif ykte): ekil-4.32de 1 fazl tam dalga kontrolsuz kpr dorultucu devre balants grlmektedir. Devrenin rezistif (R) ykte almas dalga ekilleri ekil4.33de verilmitir.
Id D1 Vs Is D4 D2 Idc
Vd D3
+
Vdc RL
38
IV AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
Vdc
Vm
t
t
VD
Im
IS
Im
Idc
Im
t t
ID
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.33den grld gibi, g devrelerinin analizinde kullanlan 6 adet parametrenin dalga ekilleri gsterilmitir. Bunlar; 1) Kaynak gerilimi (VS), 2) k (yk) gerilimi (VO), 3) Anahtar (diyot) gerilimi (VD), 4) Kaynak akm (IS), 5) k (yk) akm (IO), 6) Anahtar (diyot) akm (ID)dir. Burada kaynak, yk ve anahtar akmlar devre balants nedeniyle farkl olduu iin ayr ekillerle gsterilmitir.
39
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.33den grld gibi, k (yk) zerinde kaynaktan gelen pozitif alternanslar olduu gibi negatif alternanslar ise pozitife katlanm ekilde grlmektedir. Bunun nedeni pozitif alternanslarda D1 ve D2, negatif alternanslarda ise D3 ve D4 diyotlarnn iletimidir. Diyotlarn yaltmda kald kendilerine gre ters olan alternanslarda ise kaynaktan gelen bu alternanslar her bir diyot zerinde, bloke ettii gerilim olarak grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.33de grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k gerilimi ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g, 6) Anahtar (diyot) gerilimi, 7) Anahtar (diyot) akm. 8) G katsays,
40
IV AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; 1 fazl tam dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.34de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k geriliminin ortalama deer eitliini bulalm.
Vm
V dc
1 = T
1
v
0
( t ). dt
. sin( t ). d ( t )
V dc =
V
0
V dc =
V dc =
V dc = V dc =
Vm
sin( t ).d ( t )
0
Vm
[ cos( t )] 0
[ (cos( ) cos( 0 ))] [ ( 1) + ( + 1)]
Vm
4 t
Vm
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
V dc =
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
2 .V m
= 0 , 636 .V m
41
IV AC/DC DNTRCLER
k akm ortalama deeri; 1 fazl tam dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinden aadaki ekil4.35de grlen akmn geeceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k akmnn ortalama deer eitliini bulalm.
Im
I dc
1 = io (t ).dt T 0 1
I dc =
Im
I
0
. sin( t ).d ( t )
I dc =
I dc =
sin( t ).d ( t )
0
4 t
I dc
Im
[ cos( t )] 0
Idc T
M.Necdet YILDIZ
I dc =
[ ( 1) + ( + 1)]
I dc =
2 .I m
Vm = 0,636 .I m = 0,636 . R
42
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir.
I S ( rms ) 1 = [is (t )]2 .dt T 0
T
I S ( rms ) =
I S ( rms ) =
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.36daki gibidir.
Im
1 2
2 Im 2
[ I m . sin(t )]2 .d (t )
0
sin
0
(t ).d (t )
4 t
IS T
M.Necdet YILDIZ
2 Im V = 0,7.I m = 0,7. m 2 R
43
IV AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. diyot tarafndan bloke edilen gerilimdir. Yan tarafta ekil4.37de grld gibi, kaynan negatif alternanslarnda diyot yaltmda kalmakta ve tepe deeri Vm olan kaynak gerilimini bloke etmektedir. Bu durumda devrede kullanlacak olan diyodun alma gerilimi aadaki eitlikten bulunabilecektir. VD Vm+(%30.Vm)
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (diyot) gerilimi; Anahtar (diyot) gerilimi,
VD
-Vm
4 t
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 44
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot) akm; Anahtar (diyot) akm, aada ekil-4.38de grld gibi yarm dalga bir akmdr. Bu durumda devrede kullanlacak olan diyodun alma akm, ID Im+(%30.Im) eitliinden bulunabilmektedir.
Im
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.39daki gibidir. Bu durumda kaynaktan her iki alternansta da ve kaynakla ayn fazda akm ekilmektedir Bu durumda cos= 1dir.
Vm
4 t
VS
Im
Idc T
M.Necdet YILDIZ
IS
45
IV AC/DC DNTRCLER
Bilindii gibi endstrideki yklerin ok byk bir blm endktif karakterli (L+R) yklerdir. Bu yklere verilebilecek en nemli rnek elektrik motorlardr. Elektrik motorlar ierdikleri bobinler ve bu bobinlerin direnleri nedeniyle endktif + rezistif (L+R) durumundadrlar. Tabii ki devrede endktif yk olmas bata devre akmlar olmak zere devrede pek ok parametreyi ve artlar deitirmektedir.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Kontrolsuz Kpr Dorultucu (endktif ykte): ekil-4.40da 1 fazl tam dalga kontrolsuz kpr dorultucu devre balants grlmektedir. Devrenin endktif (L+R) ykte almasn gsteren dalga ekilleri ekil-4.41de verilmitir.
Id Vs D1 Is D4 D2 Idc
Vd D3
+
Vdc ZL
46
IV AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
VO
Vm
t t
VD
Im
IO
Im
t t
IS
Im
ID1
M.Necdet YILDIZ
Yan taraftaki ekil-4.41den grld gibi, ykn ok endktif olduu kabul edilirse, devrenin k akm (IO) ok az dalgalanacaktr. Biz izim ve hesaplama kolayl olmas asndan bu akm dz kabul edeceiz. Yine ekilden grld gibi bu akm, pozitif ve negatif alternanslarda kaynaktan ift ynl olarak ekilmekte, diyotlardan ise kendilerine uygun olan alternanslarda akm akmaktadr. Bu durumda parametreler;
47
IV AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; Yarm dalga kontrolsuz dorultucunun endktif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.42de grlen dalga ekli, rezistif yk ile ayn olacaktr. Bu durumda resitif yk iin elde edilen eitlik endktif yk iin de aynen geerlidir.
Vm
k akm ortalama deeri; Endktif ykte yk zerinden geen akm ekil-4.43de grld gibi srekli ve sabit (dz) kabul edilmektedir. Bu durumda ortalama deer,
Idc= Im= Vm / Z
eitliinden dorudan hesaplanabilecektir.
Im
4 t
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
Idc
48
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Endktif ykte ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir. ekil-4.44de grlen ok endktif yk iin kaynak akm eklinden hareketle kaynak akmnn etkin deeri kolaylkla bulunabilecektir. Bilindii gibi ebeke geriliminde etkin deer hesab tek alternans iin bulunmaktadr, nk kare alnd iin negatif alternansta da ayn sonuca ulalmaktadr. Bu durumda sadece 0- aral iin etkin deer dorudan tepe deer (Im) veya k akm deerine eit olacaktr yani Irms= Imdir.
49
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.44deki gibidir.
Im
4 t
IS T
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. ekil-4.45den grld gibi, rezistif ykteki eklini koruduuna gre ayn eitlikle hesaplanabilecektir. VD Vm+(%30.Vm) Anahtar (diyot) akm; Anahtar (diyot) akm, ekil4.41den grld gibi, kaynak akm ile ayn olduuna gre ve diyot zerinden akan en yksek akm Im olduuna gre bu akm deeri,
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (diyot) gerilimi; Anahtar (diyot) gerilimi,
2 3 4 t
VD
-Vm
ID Im+(%30.Im)
T
eitliinden bulunabilecektir.
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 50
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.46daki gibidir. Bu durumda kaynaktan hem pozitif hem de negatif alternanslarda kaynak gerilimiyle ayn fazl akm ekilmekte yani cos= 1dir.
Vm
rnek:
220V-50Hz ebekede alan tam dalga kpr kontrolsuz dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
4 t
VS
Im
zm:
t
IS
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 0,636.311= 197,79V Rezistif ykte k akmnn ortalama deeri, Idc= 0,636.Im Im= Vm / R= 311 / 10= 31,1A Idc= 0,636.31,1= 19,77A Rezistif ykte ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 19,77 . 197,79= 3,91kW Rezistif ykte kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= 0,7.Im IS(rms)= 0,7.31,1= 21,77A
M.Necdet YILDIZ
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 21,77.220= 4,78kW Rezistif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (diyot) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
52
IV AC/DC DNTRCLER
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= 0,636.Vm Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 0,636.311= 197,79V ok endktif ykte k akmnn ortalama deeri, Idc= Im= Vm/ R= 311/ 10= 31,1A Endktif ykte ort. k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 31,1.197,79= 6,15kW ok endktif ykte kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= Im IS(rms)= 31,1A
M.Necdet YILDIZ
ok endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 31,1.220= 6,84kW ok endktif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311. 1,3 400V ok endktif ykte anahtar (diyot) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
53
IV AC/DC DNTRCLER
1 Fazl Simetrik Tam Dalga Kontrollu Dorultucu: Bilindii gibi, 1 fazl gerilimi tam dalga dorultabilmek ve kontrol edebilmek iin, simetrik AC kaynan olduu veya kolaylkla elde edilebilecei yerlerde, sadece 2 adet g anahtar kullanarak dorultma yapmak mmkndr. Bu sayede daha az g anahtar kullanlarak anahtar kayplar azaltlmaktadr. Fakat simetrik AC olmad durumlarda ayrca bir kurulu maliyeti ortaya kmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
Aadaki ekil-4.47de 1 fazl simetrik tam dalga kontrollu dorultucu devre balants grlmektedir. Grld gibi kaynak gerilimi oullanmakta ve tristrlere uygulanmaktadr.
Sync
+
ne Pals - reteci
Is Vs
IT
+ IT +
Vo
-
IO
54
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.47de grlen 1 fazl simetrik tam dalga kontrollu dorultucu ile ayn ii yapan bir dier devre de kpr bal kontrollu dorultucu devresidir. 1 fazl kontrollu kpr dorultucu devresi, yarm kontrollu ve tam kontrollu olmak zere iki ekilde yaplabilmektedir. ncelikle yarm kontrollu kpr dorultucu devresi, daha sonra da tam kontrollu kpr dorultucu devresi hem rezistif hem de endktif ykte ayrntsyla analiz edilecektir.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Yarm Kontrollu Kpr Dorultucu (rezistif ykte): ekil-4.48de 1 fazl tam dalga yarm kontrollu kpr dorultucu devre balants grlmektedir. Devrenin rezistif (R) ykte alma dalga ekilleri ekil-4.49da Sync verilmitir.
+
IT Vs T1 Is D2 D1 VT + T2 + Vdc -
RL
55
IV AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
Vdc
Vm
t
t
VT
Im
IS
Im
Idc
Im
t t
IT
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.49dan grld gibi, g devrelerinin analizinde kullanlan 6 adet parametrenin dalga ekilleri gsterilmitir. Bunlar; 1) Kaynak gerilimi (VS), 2) k (yk) gerilimi (VO), 3) Anahtar (diyot) gerilimi (VD), 4) Kaynak akm (IS), 5) k (yk) akm (IO), 6) Anahtar akm (ID-T)dir. Burada kaynak, yk ve anahtar akmlar devre balants nedeniyle farkl olduu iin ayr ekillerle gsterilmitir.
56
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.49dan grld gibi, k (yk) direnci zerinde kaynaktan gelen pozitif alternanslar asndan itibaren, negatif alternanslar ise pozitife katlanm ekilde yine asndan itibaren grlmektedir. Bunun nedeni , pozitif alternanslarda T1-D1, negatif alternanslarda ise T2-D2 elemanlarnn birbirlerine seri olarak iletime gemeleri ve pozitif alternaslarda T1in, negatif alternanslarda ise T2nin da uyarlmasdr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.49da grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k gerilimi ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g, 6) Anahtar (diyot-tristr) gerilimleri, 7) Anahtar (diyot-tristr) akmlar, 8) G katsays,
57
IV AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; 1 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.50de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k geriliminin ortalama deer eitliini bulalm.
Vm
V dc
1 = T 1
v
0
( t ). dt . sin( t ). d ( t )
V dc = V dc = V dc =
V dc =
Vm
V
0
sin( t ). d ( t )
[ cos( t )]
Vm
4 t
Vdc
V dc V dc
V = m [ ( 1) + (cos )] V = m (1 + cos )
Vm
M.Necdet YILDIZ
58
IV AC/DC DNTRCLER
k akm ortalama deeri; 1 fazl tam dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykte altrlmas durumunda, yk zerinden aadaki ekil4.51de grlen akmn geeceini belirtmitik. imdi bu dalga ekline gre k akmnn ortalama deer eitliini bulalm.
Im
I dc
1 = T
1
v
0
( t ). dt
. sin( t ). d ( t )
I dc =
I dc = I dc = I dc =
Im
I
0
sin( t ). d ( t )
[ cos( t )]
Im
4 t
Im
Idc
I dc = I dc =
Im
Im
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir.
I S ( rms ) = I S ( rms ) = 1 [is (t )]2 .dt T 0 1 2
2 T
[ I m . sin( t )] 2 .d ( t )
0
Pdc= IdcVdc
I S ( rms ) =
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.52deki gibidir.
Im
2 2 .I m sin 2 ( t ).d ( t ) 2
2 I m t sin( 2 t ) [ ] 2 4
2 +
4 t
2 Im
[(
sin( 2 ) sin 2 )( )] 4 2 4
IS T
M.Necdet YILDIZ
2 I m sin 2 ( + ) 2 2 4
I S ( rms ) =
Im 2
(1
sin 2 + ) 2
60
IV AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen etkin g; Bu devrenin kaynaktan ektii etkin g, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmna eittir. diyot ve tristrler tarafndan bloke edilen gerilimdir. Yan tarafta ekil-4.53de grld gibi, kaynan negatif ve pozitif alternanslarnda anahtarlar yaltmda kalabilmekte ve kaynak gerilimini bloke etmektedir. Bu durumda devrede kullanlacak olan anahtarlarn alma gerilimleri aadaki eitlikten hesaplanabilir. VD Vm+(%30.Vm)
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 61
PS(rms)= IS(rms)VS(rms)
Anahtar (diyot-tristr) gerilimi; Diyot ve tristrlerin gerilimi,
Vm
4 t
VD-T
-Vm
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot-tristr) akm; Diyot ve tristrlerin akm, ekil-4.54de grld gibi en fazla yarm dalga bir akmdr. Bu durumda devrede kullanlacak olan diyodun alma akm, ID Im+(%30.Im) eitliinden bulunabilmektedir.
Im
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.55deki gibidir. Bu durumda kaynaktan her iki alternansta da ve kaynakla farkl fazda akm ekilmektedir Bu durumda cos= cos(/2)dir
Vm
4 t
VS
Im
t
= /2
ID-T T
M.Necdet YILDIZ
IS1
IS
62
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.55den grld gibi kaynak gerilimi ile kaynaktan ekilen akmn aralarndaki faz farkn bulabilmek iin kaynak akmnn temel bileeni (IS1) izilmitir. Temel bileen izilirken kaynak akm kare dalga gibi kabul edilmi ve bunun sins edeerinin nasl olabilecei dnlmtr. Yan tarafta ise 1 fazl yarm kontrollu kpr dorultucu devresinin endktif (L+R) ykteki davran ayrntsyla incelenmeye balanmtr.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Yarm Kontrollu Kpr Dorultucu (endktif ykte): ekil-4.56da 1 fazl tam dalga yarm kontrollu kpr dorultucu devre balants grlmektedir. Devrenin endktif (L+R) ykte almasn gsteren dalga ekilleri ekil-4.57de verilmitir.
Sync
+
IT Vs T1 Is D2 VT + T2 Dm D1 + Vdc IDm
ZL
63
IV AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
Vdc
Vm
t t
VT
Im
IS
Im
Idc
Im
t t
ID-T
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.57den grld gibi, g devrelerinin analizinde kullanlan 6 adet parametrenin dalga ekilleri gsterilmitir. Bunlar; 1) Kaynak gerilimi (VS), 2) k (yk) gerilimi (VO), 3) Anahtar (diyot) gerilimi (VD), 4) Kaynak akm (IS), 5) k (yk) akm (IO), 6) Anahtar akm (ID-T)dir. Burada kaynak, yk ve anahtar akmlar devre balants nedeniyle farkl olduu iin ayr ekillerle gsterilmitir.
64
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.57den grld gibi, k (yk) direnci zerinde kaynaktan gelen pozitif alternanslar asndan itibaren, negatif alternanslar ise pozitife katlanm ekilde yine asndan itibaren grlmektedir. Devre kna bal yk ok endktif kabul edildiinde devrenin k akm da tepe deerde dz olarak kabul edilmi ve izilmitir. Kprdeki elemanlarn yaltmda olduu durumlarda akm Dm zerinden dolar.
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.57de grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k gerilimi ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g, 6) Anahtar (diyot-tristr) gerilimleri, 7) Anahtar (diyot-tristr) akmlar, 8) G katsays,
65
IV AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; 1 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun endktif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.58de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda k gerilimi eitlii rezistif yk eitlii ile ayn olacaktr.
Vm
k gerilimin ortalama deeri; 1 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun endktif ykte altrlmas durumunda, yk zerinden aadaki ekil4.59da verilen akmn geeceini belirtmitik. Bu durumda k akm; Idc= Im= Vm / R olacaktr.
Im
4 t IO
4 t
Vdc
M.Necdet YILDIZ
66
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc; Ortalama k gc, ortalama k gerilimi ve akmnn arpmna eittir. nceden akland gibi kaynak akmnn etkin peryodu; k= t1 / (t1+t2) eitlii ile bulunup, buradan da akmn etkin deeri; Is(rms)= Im . k eitliinden bulunabilmektedir. Kaynaktan ekilen etkin g; Kaynaktan ekilen etkin g deeri, kaynak gerilimi ve kaynaktan ekilen akmn etkin deerlerinin arpmdr; Bu durumda, PS(rms)= IS(rms) . VS(rms) olacaktr.
67
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil-4.60deki gibidir.
Im
4 t
IS
t2 t1
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot-tristr) gerilimi; Diyot ve tristrlerin gerilimi aadaki ekil-4.61deki gibi olduundan anahtar gerilimi, VD-T Vm+(%30.Vm)
olacaktr.
Vm
Anahtar (diyot-tristr) akm; Diyot ve tristrlerin akm aadaki ekil-4.62deki gibi olduundan anahtar akmlar, ID-T Im+(%30.Im) olacaktr. Ksacas, devrede kullanlan diyot ve tristrler ayn akm ve gerilimde olmaldr.
4 t
Im
ID-T T
4 t
VD-T
-Vm
M.Necdet YILDIZ
68
IV AC/DC DNTRCLER
G katsays (cos); Devrede kaynak gerilimi ve akm ekil-4.63deki gibidir. Bu durumda kaynaktan her iki alternansta da ve kaynakla farkl fazda akm ekilmektedir Bu durumda cos= cos(/2)dir
Vm
rnek:
220V-50Hz ebekede 90de uyarlan tam dalga yarm kontrollu kpr dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
VS
Im
t
= /2
zm:
t
IS IS1
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= (311/3,14).(1+cos90) Vdc= 99,04V k akm ortalama deeri, Idc= Vdc / R Idc= 99,04 / 10= 9,9A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 9,9 . 99,04= 980,49W Kaynak akmnn etkin deeri,
Im= Vm / R = 311 / 10 = 31,1A
I S ( rms ) =
I S ( rms )
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 15,43.220= 3,39kW Rezistif ykte anahtar (diyottristr) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (diyottristr) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
Is(rms)= 15,43A
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 70
IV AC/DC DNTRCLER
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= (Vm / ).(1+cos)dan Vdc= (311/3,14).(1+cos90) Vdc= 99,04V ok endktif ykte k akmnn ortalama deeri, Idc= Im= Vm/ R= 311/ 10= 31,1A Endktif ykte ort. k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 31,1.99,04= 3,08kW ok endktif ykte kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= Im . k = 31,1 . (5/10) IS(rms)= 21,77A
M.Necdet YILDIZ
ok endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 21,77.220= 4,78kW ok endktif ykte anahtar (diyot-tristr) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311. 1,3 400V ok endktif ykte anahtar (diyot-tristr) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
71
IV AC/DC DNTRCLER
Yarm kontrollu dorultucularda, endktif ykte altrlrken, kprdeki elemanlarn korunmas iin, yke ters paralel olarak bir serbest gei diyodu balama zorunluluu vardr. Bu durumda dorulltucu ekil-4.64deki gibi sadece 1.blgede alacak ve kaynaktan yke doru enerji transferine izin verecektir. Eer dorultucunun ift ynl enerji transferine izin vermesi isteniyorsa Tam Kontrollu kullanlmaldr. VO IO
Yarm Kontrollu Tam Kontrollu
1 Fazl Tam Kontrollu Kpr Dorultucu (endktif ykte): ekil-4.65de 1 fazl tam dalga tam kontrollu kpr dorultucu devre balants grlmektedir. Devrenin rezistif ykte almasn gsteren dalga ekilleri ekil-4.66da dr.
T3 ve T4 iin ayn transformatr balants Sync
ne Pals + reteci
-
Is
+ VS
-
Io T1 T3 Z T4 T2
+ VS
-
VO IO
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
t Vdc
Vm
VT1
Im
IS
Im
Idc
Im
t t
IT1
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.66dan grld gibi, ykn ok endktif olduu kabul edilirse, devrenin k gerilimi tristrlerin uyarma as deitii halde hi sfra dmemekte, ya pozitifte ya da negatifte yer almaktadr. Uyarma asna gre deien sadece pozitif ya da negatifteki alanlardr. Bu sayede tetikleme asnn 0-180 derece arasndaki hareketinde k gerilimi en yksek pozitif deerden en dk negatif deere kadar ift ynl deitirilebilmektedir. k akm ise tamamen tek ynl ve dz olmaktadr. Bunu nedeni tristrlerin iletime devam etmesidir.
73
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin zaman zaman pozitif zaman zaman negatif olmasna ramen k akmnn hep pozitifte olmas, g ak ynnn de zaman zaman deimesine neden olmaktadr. k gerilimi pozitif olduu zamanlarda kaynaktan yke doru pozitif g ak (+V . +I = +P), k geriliminin negatif olduu zamanlarda ise ykten kaynaa doru negatif g ak gereklemektedir (-V . +I = -P). Devredeki tristrler ters polarma altnda olsalar bile ilerinden geen akm sfra dmeden yaltma geemedikleri iin bu olay gereklemektedir.
ekil-4.66da grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k gerilimi ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) G katsays, 7) Anahtar (diyot-tristr) gerilimleri, 8) Anahtar (diyot-tristr) akmlar,
M.Necdet YILDIZ
74
IV AC/DC DNTRCLER
k gerilimin ortalama deeri; 1 fazl tam kontrollu kpr dorultucunun endktif ykte altrlmas durumunda, yk zerinde aadaki ekil4.67de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda k gerilimi eitlii yan tarafta olduu gibi bulunabilecektir.
Vm
1 Vdc = vo (t ).dt T0
Vdc =
Vdc =
V .sin(t).d (t)
m 0
Vm
sin(t ).d (t )
Vdc =
Vm
[ cos(t )] +
4 t
Vdc =
Vdc = Vdc =
Vm
Vm
Vdc T
M.Necdet YILDIZ
Vm
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri; k akm dz kabul edildiinden Idc= Im = Vm / Z Ortalama k gc; k akm ve geriliminin arpm, Etkin giri gc; Giri akm ve geriliminin arpm, PS(rms)= IS(rms)VS(rms) G katsays (cos); Kaynak akmnn dalga ekli ekil4.69daki gibidir. Buradan; cos= cos olacaktr.
Pdc= IdcVdc
Kaynak akmnn etkin deeri; Kaynak akmnn dalga ekli ekil4.68deki gibidir ve IS(rms)= Imdir.
4 t
VS
=
4 t
Im
IS
IS
M.Necdet YILDIZ
76
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (tristr) gerilimi; Devredeki tristrlerin gerilimi aadaki ekil-4.70deki gibi olduundan anahtar gerilimi, VT Vm+(%30.Vm) olacaktr.
Vm
Anahtar (tristr) akm; Devredeki tristrlerin akm aadaki ekil-4.71deki gibi olduundan anahtar akmlar, IT Im+(%30.Im) olacaktr. Uyarma asnn artmas yada azalmas tristr gerilim ve akmn etkilememektedir.
4
Im
4 t
VT
-Vm
t T
IT1 T
M.Necdet YILDIZ
77
IV AC/DC DNTRCLER
1 fazl tam kontrollu dorultucu devreleri, zellikle doru akm motorlarnn tek ynl kontrolu iin kullanlan g elektronii devreleridir. Devrede serbest gei diyodu kullanlmad iin yk zerindeki enerjiden dolay dolamak isteyen akm, dorudan kprdeki tristrler ve kaynak zerinden dolamakta ve ift ynl enerji transferi gereklemektedir. Bu zellik sayesinde doru akm motorlarnda enerjiyi geri kazanarak yaplan frenleme yntemi olan rejeneratif frenleme yapabilme olana da ortaya kmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
rnek:
220V-50Hz ebekede 90de uyarlan tam dalga tam kontrollu kpr dorultucu devresi 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
Endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= (2.Vm / ).cosdan
78
IV AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= (2.311/3,14).cos90 Vdc= 0V k akm ortalama deeri, Idc= Im =Vm / Z Idc= 311 / 10= 31,1A
90 derecelik uyarma asnda k gerilimi sfr olmasna ramen akm devam eder.
Endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 31,1.220= 6,84kW Endktif ykte anahtar (tristr) gerilimi, VD Vm+ (%30.Vm) VD 311 . 1,3 400V Endktif ykte anahtar (tristr) akm, ID Im+ (%30.Im) ID 31,1 . 1,3 40A
Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 31,1 . 0= 0W Kaynak akmnn etkin deeri, Is(rms)= Im =Vm / Z= 31,1A
M.Necdet YILDIZ
79
IV AC/DC DNTRCLER
1 Fazl iftli tam kontrollu kpr; Tam kontrollu dorultucular kullanlarak DC motor kontrolu yapldnda, motorun yn kontrolu dndaki kontrollar gerekletirilebilir. Eer motorda rotor devresinde yn kontrolu da yaplmak isteniyorsa iftli tam kontrollu kpr dorultucu kullanlmaldr.
P-Dor. Vs T5 T7 T1 T3 T4 T2 Motor T8 T6
L1 L2
iftli dorultucu devresi aadaki ekil-4.72de grlmektedir. Grld gibi iki tam kontrollu kprnn klar birbirine ters paralel olarak yke balanmtr. ekil-4.72den grld gibi her iki dorultucu iin de ayr ayr uyarma devresi kullanlm fakat her ikisinin de kontrolu tek noktadan yaplmtr. 1
T1 T2 T3 T4
G1 K1 G2 K2 G3 K3 G4 K4
Sync
+ ne
N-Dor.
2
ne + Pals retc.1 zin-2 T5 T6 T7 T8
veya Yn Kontrol
M.Necdet YILDIZ
80
IV AC/DC DNTRCLER
Bir fazl tam kontrollu iftli dorultucu, iki farkl yntemle altrlabilmektedir. Bu yntemlerden birincisinde, kontrol devrelerinin izin girileri bir yn kontrol devresi yardmyla 1 veya 0 yaplarak istenilen dorultucu altrlmakta, dolaysyla da istenen yne dn salanabilmektedir. kinci yntemde ise her iki kontrol devresi, dolaysyla da her iki dorultucu ayn anda altrlmakta fakat uyarma alar arasnda aadaki eitlik daima korunmaktadr. Kontrol eitlii; 1 + 2 = 180 dir.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda 1. dorultucunun (P), 60 ile uyarlmas gerekirse 2. dorultucu (N) 120 a ile uyarlacaktr. Bylelikle dorultuculardan birincisi aktif blgede alp kaynakta yke g aktarrken, ikinci dorultucu ise pasif blgede alp ykten kaynaa doru g aktaracaktr. Bu durumda ekil-4.73de grld gibi 4 blgeli alma salanacaktr. VO IO
Tam Kontrollu
VO IO
iftli Dorultucu
81
DEV-8
8.1) 220V-50Hz ebekede, 120 uyarma asnda, 9 luk saf rezistif bir yk besleyen 1 fazl tam dalga yarm kontrollu dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 8.2) 220V-50Hz ebekede, 60 uyarma asnda, 2 luk ok endktif bir yk besleyen 1 fazl tam dalga tam kontrollu dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 82
IV AC/DC DNTRCLER
3 FAZLI DORULTUCULAR: 3 fazl dorultucular hem daha yksek g elde etmek iin hem de daha dzgn DC gerilim salamak iin kullanlan g elektronii devreleridir. 1 fazl dorultucu devrelerle yaklak 15kW glere kadar klmakta daha yksek gler iin ise 3 faz kullanm gerekmektedir. 3 fazl dorultucular da 1 fazllar gibi nce kontrolsuz daha sonra da kontrollu olarak incelenecek ve analizi yaplacaktr.
M.Necdet YILDIZ
3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu (rezistif ykte); 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu balants rezistif ykte alma iin ekil-4.74de gsterilmitir. ekilden grld gibi her fazn pozitif alternans bir diyot tarafndan iletilmektedir. ekil-4.75de ise devreye ait temel dalga ekilleri grlmektedir.
IA 3 fazl yldz bal ac kaynak R(A) S(B) T(C) D1 D2 D3 + VD Io + R Vo -
83
IV AC/DC DNTRCLER
0 Vm Vf Vm Vdc
VD
V(an)
V(bn)
2 V(cn)
3.Vm Im Idc
Im
ID
Im
IA
M.Necdet YILDIZ
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, yarm dalga dorultma yaplmasna ve filtreleme kullanlmamasna ramen her 3 faz gerilimi arasndaki 120 lik faz kaymalarndan dolay k gerilimi olduka dzgn olumutur. Devrenin faz gerilimlerini dorulttuu grlmektedir. Fakat diyotlar zerine gelen ters gerilimin hat gerilimi olduu grlmektedir. Kaynaklardan ekilen akm ise kare dalga formatnda olup 120 faz farkldr.
84
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.76da grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0 Vm Vdc 2
1 Vdc = vo (t).dt T0
5 / 6
3 Vdc = 2
5 / 6
V
/6
sint.d (t)
T
30
M.Necdet YILDIZ
3.V 3Vm 5 / ( cost )/ 66 2 3.Vm [(cos( / 6) cos( / 6))] 5 Vdc = 2 3.V 3.V Vdc = m [(0,866 0,866)] = m .1,732 2 2
Vdc =
150
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucunun rezistif ykteki k akm dalga ekli aadaki ekil-4.77de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda akmn ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0 Im Idc 2
1 I dc = io (t ).dt T0
5 / 6
3 I dc = 2
5 / 6
I
/6
sint.d (t)
T
30
M.Necdet YILDIZ
3.I m 5 / ( cost )/ 66 2 3.I m I dc = [(cos( / 6) cos( / 6))] 5 2 3.I 3.I I dc = m [(0,866 0,866)] = m .1,732 2 2
I dc =
150
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.78de grlmekte olup bu akmn etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0
Im
ekil-4.78de verilen ekle gre kaynak akmn Im tepe deerli kare dalga formatnda bir akm olarak kabul edersek bu akmn yaklak etkin deeri
IA(rms)= Im . k
eitliinden bulunabilecektir. Burada etkin peryot (k), k= t1 / (t1+t2)den bulunacaktr. 5) Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g;
IA
t1 t2
30
M.Necdet YILDIZ
150
390
PS(rms)= 3 . PA(rms)
87
IV AC/DC DNTRCLER
Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili faz gerilimi ekil4.79da grlmektedir.
0 Vm Vf 2
ekil-4.79da verilen ekle gre kaynak akm, kaynan sadece pozitif alternanslarnda ekildii iin dengesiz ve g katsays da belirsizdir. Anahtar (diyot) akm (ID); Anahtar (diyot) akm dalga ekli ekil-4.80deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm; ID= Im + (%30.Im)= 1,3 . Vm/R
0
Im
Im
IA
ID
M.Necdet YILDIZ
88
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot) gerilimi (VD); Anahtar gerilimi aadaki ekil-4.81de grlmektedir. Grld gibi anahtar zerine dorudan kaynan hat gerilimi gelmektedir. Bu durumda anahtar gerilimi, hat gerilimi tepe deerinin (3.Vm) en az %30 daha fazlas olmaldr. VD= 3 . Vm + %30 VD= 3 . Vm . 1,3 olur.
0 VD 3.Vm 2
3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu (endktif ykte); 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu balants endktif yk iin aadaki ekil-4.82de gsterilmitir. ekilden grld gibi yke ters paralel bir serbest gei diyodu balanmamtr. ekil-4.83de ise devreye ait temel dalga ekilleri grlmektedir.
IA 3 fazl yldz bal ac kaynak R(A) S(B) T(C) ID D1 D2 D3 + VD Z Io
+ Vo -
M.Necdet YILDIZ
89
IV AC/DC DNTRCLER
0 Vm Vf Vm Vdc
VD
V(an)
V(bn)
2 V(cn)
3.Vm Im Idc
Im
ID
Im
IA
M.Necdet YILDIZ
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, yarm dalga dorultma yaplmasna ve filtreleme kullanlmamasna ramen her 3 faz gerilimi arasndaki 120 lik faz kaymalarndan dolay k gerilimi olduka dzgn olumutur. Devrenin faz gerilimlerini dorulttuu grlmektedir. Fakat diyotlar zerine gelen ters gerilimin hat gerilimi olduu grlmektedir. Kaynaklardan ekilen akm ise kare dalga formatnda olup 120 faz farkldr.
90
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucunun endktif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.84de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0 Vm Vdc 2
1 Vdc = vo (t ).dt T0
1 Vdc = Vm sint.d (t ) 2 / 3 6 /
5 / 6
3 Vdc = 2
5 / 6
V
/6
sint.d (t )
T
30
M.Necdet YILDIZ
3.Vm 5 / ( cost )/ 66 2 3.Vm Vdc = [(cos(5 / 6) cos( / 6))] 2 3.V 3.V Vdc = m [(0,866 0,866)] = m .1,732 2 2 Vdc =
150
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucunun endktif ykteki k akm dalga ekli aadaki ekil-4.85de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda akmn ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0 Im Idc 2
Burada yk ok endktif kabul edilerek k akm da tamamen dz kabul edilmitir. Bu akm her 120 derecede devreye giren fazlara ait diyotlar zerinden salanmakta olup serbest gei diyoduna ihtiya kalmamaktadr. Bu nedenle serbest gei diyodu kullanlmamtr. Bu durumda akmn ortalama deeri, etkin deeri, ani deeri tepe deere eit olacaktr.
Idc= Im = Vm / Z olacaktr.
30
M.Necdet YILDIZ
150
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 92
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.85de grlmekte olup bu akmn etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0
Im
ekil-4.85de verilen ekle gre kaynak akmn Im tepe deerli kare dalga formatnda bir akm olduu grlmektedir. Buna gre akmn etkin deeri,
IA(rms)= Im . k
eitliinden bulunabilecektir. Burada etkin peryot (k), k= t1 / (t1+t2)den bulunacaktr. 5) Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g;
IA
t1 t2
30
M.Necdet YILDIZ
150
390
PS(rms)= 3 . PA(rms)
93
IV AC/DC DNTRCLER
Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili faz gerilimi ekil4.86da grlmektedir.
0 Vm 2
ekil-4.86da verilen ekle gre kaynak akm, kaynan sadece pozitif alternanslarnda ekildii iin dengesiz ve g katsays da belirsizdir. Anahtar (diyot) akm (ID); Anahtar (diyot) akm dalga ekli ekil-4.87deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm; ID= Im + (%30.Im)= 1,3 . Vm/R
0
Im
Vf
Im
IA
IA
M.Necdet YILDIZ
94
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot) gerilimi (VD); Anahtar gerilimi aadaki ekil-4.88de grlmektedir. Grld gibi anahtar zerine dorudan kaynan hat gerilimi gelmektedir. Bu durumda anahtar gerilimi, hat gerilimi tepe deerinin (3.Vm) en az %30 daha fazlas olmaldr. VD= 3 . Vm + %30 VD= 3 . Vm . 1,3 olur.
0 VD 3.Vm 2
rnek:
220V/380V-50Hz ebekede altrlan 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= 0,827.Vm den
M.Necdet YILDIZ
95
IV AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 0,827 . 311 Vdc= 257,19V k akm ortalama deeri, Idc= Vdc / R= 257,19 / 10 Idc= 25,72A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 25,72 . 257,19= 6,61kW Kaynak akmnn etkin deeri, IA(rms)= Im .k IA(rms)= Vm/R .[t1/(t1+t2)] IA(rms)= 311/10 .(6,66ms / 20ms) IA(rms)= 17,94A
M.Necdet YILDIZ
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.17,94.220= 11,84kW Rezistif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Rezistif ykte anahtar (diyot) akm, ID Im+ %30 ID 31,1 . 1,3 40A
96
IV AC/DC DNTRCLER
b) Endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 0,827 . 311= 257,19V k akm ortalama deeri, Idc= Im= Vm/Z= 311 / 10= 31,1A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 31,1 . 257,19= 7,99kW Kaynak akmnn etkin deeri, IA(rms)= Im .k IA(rms)= Vm/Z .[t1/(t1+t2)] IA(rms)= 311/10 .(6,66ms / 20ms) IA(rms)= 17,94A
M.Necdet YILDIZ
Endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.17,94.220= 11,84kW Endktif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Endktif ykte anahtar (diyot) akm, ID Im+ %30 ID 31,1 . 1,3 40A
97
IV AC/DC DNTRCLER
3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucu (rezistif ykte);
3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucu devre balants saf rezistif ykte alma iin aadaki ekil-4.89da gsterilmitir. ekilden grld gibi her fazn pozitif alternans ayr bir tristr tarafndan kontrol edilmektedir.
A T1 B T2 C T3 If + VT IT IO + VO R
T3 - G T2 - G
ekil-4.89da grlen devredeki tristrleri kontrol etmek iin ise aadaki ekil229da grld gibi 3 fazl bir uyarma devresine ihtiya duyulmaktadr. ekil-4.90da ise devrenin almasn gsteren dalga ekilleri verilmitir.
+ ne
Pals retc.1
+ ne
Sync-A
Pals retc.2
+ ne
Sync-B
Pals retc.3
Sync-C
M.Necdet YILDIZ
98
IV AC/DC DNTRCLER
0
Vm
V(an)
V(bn)
2 V(cn)
Vf
Vm
Vdc VT 3.Vm
Im
Idc
Im
IA
IT
M.Necdet YILDIZ
ekil-4.90daki temel dalga ekillerinden grld gibi, her bir tristr kendi faznn pozitif alternansnda ilk 30den sonra kontrol edilmeye balanmakta ve bu kontrol alternans sonuna kadar devam edebilmektedir. Devre faz gerilimlerini dorultmakta fakat devredeki tristrler zerine alma srasnda darbeler halinde hat gerilimi gelmektedir. Yk rezistif olduu iin k akmnn dalga ekli, k geriliminin ekliyle tamamen ayndr.
99
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun rezistif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.91de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0
Vm
30 iin
V dc
1 = T
v
0
( t ). dt
V dc =
2 / 3 / 6 +
. sin( t ). d ( t )
V dc
3 .V m = 2
/ 6+
sin( t ). d ( t )
V dc =
V dc
Vdc
T
30+
M.Necdet YILDIZ
V dc
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun rezistif ykteki k akmnn dalga ekli aadaki ekil-4.92de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda akmn ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0
Im
30 iin
I dc
1 = T
i
0
( t ). dt
I dc = I dc
2 / 3 / 6 +
. sin( t ). d ( t )
3 .I m = 2
/ 6+
sin( t ).d ( t )
I dc = I dc
Idc
T
30+
M.Necdet YILDIZ
I dc
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.93da grlmekte olup bu akmn etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0
Im
I A ( rms ) =
I A ( rms ) = I A ( rms ) =
I A ( rms )
1 [is (t )] 2 .dt T 0
1 2
2 Im 2 2
[ I m . sin( t )] 2 .d ( t )
0
sin
/ 6+
( t ).d ( t )
I A ( rms )
2 I m t sin( 2 t ) = [ ] / 6 + 2 2 4 I 5 sin( / 3 + 2 ) = m + ) 2 6 2
IA
T
30+
Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g; PS(rms)= 3 . PA(rms)
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 102
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili faz gerilimi ekil4.94de grlmektedir.
0 Vm Vf 2
ekil-4.94de verilen ekle gre kaynak akm, kaynan sadece pozitif alternanslarnda ekildii iin dengesiz ve g katsays da belirsizdir. Anahtar (tristr) akm (IT); Anahtar (tristr) akm dalga ekli ekil-4.95deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm; IT= Im + (%30.Im)= 1,3 . Vm/R
0 2
Im Im
IA
IT
M.Necdet YILDIZ
103
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (trist.) gerilimi (VT); Anahtar gerilimi aadaki ekil-4.96da grlmektedir. Grld gibi anahtar zerine dorudan kaynan hat gerilimi gelmektedir. Bu durumda anahtar gerilimi, hat gerilimi tepe deerinin (3.Vm) en az %30 daha fazlas olmaldr. VT= 3 . Vm + %30 VT= 3 . Vm . 1,3 olur.
0 VT T T3 3.Vm If + VT IT 2
IO + VO Z
M.Necdet YILDIZ
104
IV AC/DC DNTRCLER
0
Vm
V(an) V(bn)
2 V(cn)
Vf
Vm
Vdc
ekil-4.98deki temel dalga ekillerinden grld gibi, ok endktif ykte her bir tristr yine kendi faznn pozitif alternansnda ilk 30den sonra kontrol edilmeye balanmakta ve bu iletim dier tristr uyarlana kadar srmektedir. ekilden grld gibi, k akm tamamen dz kabul edilmitir. Serbest gei diyoduna gerek kalmakszn her bir tristr dieri uyarlana kadar iletimde kalarak bu devamll salamaktadr. Devre kna serbest gei diyodu balanacak olursa, k geriliminin negatife geileri kesilecektir.
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 105
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun endktif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.99da grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
Vm
1 Vdc = vo (t ).dt T0
1 Vdc = 2 / 3 3.V Vdc = m 2
5 / 6 +
V
/ 6+ / 6+
. sin(t ).d (t )
5 / 6 +
sin(t ).d (t )
Vdc
T
30+ 150+
3.Vm 5 / [ cos(t )]/ 66+ + 2 3.Vm [ cos(5 / 6 + ) + cos( / 6 + )] Vdc = 2 3.Vm [(cos150o. cos sin 150o. sin .. Vdc = 2 3.V 3. 3.Vm Vdc = m 1,73.cos = cos 2 2 Vdc =
106
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun endktif ykteki k akmnn dalga ekli aadaki ekil-4.100de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda akmn ortalama deeri, Idc= Im= Vm / Z eitliinden bulunabilecektir.
Im 0 Im Idc
30+
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.101de grlmekte olup, etkin deeri etkin peryoda gre bulunabilir.
0 2
IA
t1
150+
t2
M.Necdet YILDIZ
107
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.101e gre, kaynak akmnn etkin peryodu, k= t1 / (t1+t2) Buradan akmn etkin deeri, IA(rms)= Im . k ifadesinden bulunabilecektir.
Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); Bir fazdan ekilen g, PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) olduuna gre buradan, fazdan ekilen toplam g;
Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili faz gerilimi ekil4.102de grlmektedir.
0 Vm Vf
Im IA
PS(rms)= 3 . PA(rms)
olur.
M.Necdet YILDIZ
108
IV AC/DC DNTRCLER
ekil-4.102de verilen ekle gre kaynak akm, kaynaktan sadece tek ynl olarak (pozitif ynde) ekildii iin dengesiz ve g katsays da belirsizdir. 8) Anahtar (tristr) akm (IT); Anahtar (tristr) akm dalga ekli ekil-4.103deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm; IT= Im + (%30.Im)= 1,3 . Vm/R
0 Im IT 2 VT 3.Vm
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 109
9) Anahtar (trist.) gerilimi (VT); Anahtar gerilimi aadaki ekil-4.104de grlmektedir. Grld gibi anahtar zerine dorudan kaynan hat gerilimi gelmektedir. Bu durumda anahtar gerilimi, hat gerilimi tepe deerinin (3.Vm) en az %30 daha fazlas olmaldr. VT= 3 . Vm + %30 VT= 3 . Vm . 1,3 olur.
0 2
IV AC/DC DNTRCLER
fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun rezistif ve tam endktif ykler altnda altrlmasnda yaplan analizlerde her bir g elemannn 360 derecelik bir peryot iinde 120er derece alt, 240 derece ise yaltmda kald grlmtr. Bu alma srasnda her bir elemandan faz akm akmakta ve her bir eleman hat gerilimine dayanmak zorunda kalmaktadr. Kaynaktan ekilen akm tek ynl olduu iin dengesizdir.
M.Necdet YILDIZ
rnek:
220V/380V-50Hz ebekede 90 uyarmada altrlan 3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri,
V dc
3 .V m = [1 + cos( 30 o + )] 2
110
IV AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 3.311/6,28.(1+cos120) Vdc= 74,28V k akm ortalama deeri, Idc= Vdc / R= 74,28 / 10 Idc= 7,42A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 7,42 . 74,28= 551,15W Kaynak akmnn etkin deeri,
I S ( rms ) = Im 2 5 sin( / 3 + 2 ) ) + 6 2
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.6,9.220= 4,55kW Rezistif ykte anahtar (tristr) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Rezistif ykte anahtar (tristr) akm, ID Im+ %30 ID 31,1 . 1,3 40A
111
IV AC/DC DNTRCLER
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= (3.3.Vm / 2).cos Vdc= 257.cos90= 0V k akm ortalama deeri, Idc= Im= Vm/Z= 311 / 10= 31,1A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 31,1 . 0= 0W (ani deer). Kaynak akmnn etkin deeri, IA(rms)= Im .k IA(rms)= Vm / Z .[t1/(t1+t2)] IA(rms)= 311/10 .(6,66ms / 20ms) IA(rms)= 17,94A
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 112
Endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.17,94.220= 11,84kW Endktif ykte anahtar (tristr) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Endktif ykte anahtar (tristr) akm, ID Im+ %30 ID 31,1 . 1,3 40A
DEV-9
9.1) 380V/220V-50Hz ebekede 19 luk saf rezistif bir yk besleyen 3 fazl yarm dalga kontrolsuz dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 9.2) 380V/220V-50Hz ebekede, 60 uyarma asnda, 22 luk rezistif bir yk besleyen 3 fazl yarm dalga kontrollu dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 113
Quiz-1
A grubu: 220V/50Hz ebekede, 5 ok endktif yk besleyen bir fazl tam dalga tam kontrollu dorultucu devresini ve 60 alma as iin giri-k gerilim dalga ekillerini iziniz. B grubu: 220V/380V-50Hz ebekede, 15 rezistif yk besleyen fazl yarm dalga kontrollu dorultucu devresini ve 60 alma as iin giri-k gerilim dalga ekillerini iziniz.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 114
IV AC/DC DNTRCLER
3 fazl tam dalga kontrolsuz kpr dorultucu (rezistif yk);
3 fazl tam dalga kontrolsuz dorultucu balants rezistif ykte alma iin ekil-4.105de gsterilmitir. ekilden grld gibi kaynan ntr (N) ucu kta kullanlmam sadece 3 fazn canl ular kullanlmtr. Bu durumda kpr hat gerilimlerini dorultur.
3 fazl kaynak A B C D4 D6 D2 IA VD + ID D1 D3 D5 IO + VO R -
Kprdeki diyotlardan D1 ve D4, A fazna balanm olup, D1 pozitif, D4 ise negatif alternans iletmekle grevlendirilmitir. Ayn ekilde D3 ve D6 diyotlar B faznn pozitif ve negatif alternanslarn, D5 ve D2 diyotlar ise C faznn pozitif ve negatif alternanslarn iletmektedirler. Diyotlara verilen bu numaralar standarttr ve asla deitirilmez, nk bu numaralar 120 derece faz farkl 3 fazl gerilim altnda alma srasnda kprdeki diyotlarn iletime geme srasn ifade etmektedir. Devreye ait dalga ekilleri ekil4.106da ayrntl olarak verilmitir.
115
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
3.Vm Vh 3.Vm Vdc VD
3.Vm
D56 D61 D12 D23 D34 D45 D56 D61
0 V(ab)
V(bc)
2 V(ca)
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, tam dalga dorultma yaplmas halinde filtreleme kullanlmamasna ramen her 3 faz gerilimi arasndaki 120 lik faz kaymalarndan dolay k gerilimi ok dzgn bir ekilde olumutur. Devrenin hat gerilimlerini dorulttuu grlmektedir. Her bir diyot 120 derece iletimde kalmakta fakat 60 derecede bir e deitirmektedir. Kaynaklardan ekilen akm ise AC kare dalga formatnda olup 120 faz farkldr.
116
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl kontrolsuz kpr dorultucunun rezistif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.107de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0 3.Vm Vdc 2
1 Vdc = vo (t ).dt T0
2 / 3
Vdc =
2 / 3
3.Vm sint.d (t )
2 ( cost )/ 3/ 3
/3
Vdc =
Vdc =
3 3.Vm
T
60 120
3 3.Vm
M.Necdet YILDIZ
117
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl kontrolsuz kpr dorultucunun rezistif ykteki k akmnn dalga ekli aadaki ekil-4.108de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri yan taraftaki gibi bulunabilecektir.
0 3.Vm/R Idc 2
1 I dc = io (t ).dt T0
1 I dc = 3.I m sint.d (t ) / 3 3 /
2 / 3
I dc =
2 / 3
3.I m sint.d (t )
2 ( cost )/ 3/ 3
/3
I dc =
I dc =
3 3.I m
T
60 120
3 3.I m
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.109da grlmekte olup etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0 3.Vm/R IA
t1 t2
ekil-4.109da verilen kaynak akmn 3.Vm / R tepe deerli bir kare dalga olarak kabul edersek zm kolaylaacaktr. Bu durumda akmn etkin peryodu, k= t1 / (t1+t2) olacaktr. Buradan akmn etkin deeri, IA(rms)= Im . k veya, IA(rms)= (3.Vm / R) . k olur. Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g; PS(rms)= 3 . PA(rms)
60
240
M.Necdet YILDIZ
119
IV AC/DC DNTRCLER
Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili hat gerilimi ekil4.110da grlmektedir.
0 3.Vm Vh 3.Vm/R IA 3.Vm/R IA1 ID 2
ekil-4.110da verilen ekle gre kaynak akm, kaynak gerilimine gre kadar (30) geridedir. Bu durumda, cos= cos30= 0,866 dr. Anahtar (diyot) akm (ID); Anahtar (diyot) akm dalga ekli ekil-4.111deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm; ID= Im+(%30.Im)= 1,3 . 3.Vm/R
0 2
M.Necdet YILDIZ
120
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot) gerilimi (VD); Anahtar gerilimi aadaki ekil-4.112de grlmektedir. Grld gibi anahtar zerine dorudan kaynan hat gerilimi gelmektedir. Bu durumda anahtar gerilimi, hat gerilimi tepe deerinin (3.Vm) en az %30 daha fazlas olmaldr. VD= 3 . Vm + %30 VD= 3 . Vm . 1,3 olur.
0 VD 3.Vm 2
IO + VO Z
M.Necdet YILDIZ
121
IV AC/DC DNTRCLER
0 3.Vm Vh 3.Vm Vdc VD
3.Vm
D56 D61 D12 D23 D34 D45 D56 D61
V(ab)
V(bc)
2 V(ca)
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, tam dalga dorultma yaplmas halinde filtreleme kullanlmamasna ramen her 3 faz gerilimi arasndaki 120 lik faz kaymalarndan dolay k gerilimi ok dzgn bir ekilde olumutur. Devrenin hat gerilimlerini dorulttuu grlmektedir. Her bir diyot 120 derece iletimde kalmakta fakat 60 derecede bir e deitirmektedir. Kaynaklardan ekilen akm ise AC kare dalga formatnda olup 120 faz farkldr.
122
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl kontrolsuz kpr dorultucunun endktif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.115de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri rezistif ykteki eitlikle ayndr.
0 3.Vm Vdc 2 3.Vm/Z IO
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl kontrolsuz kpr dorultucunun endktif ykteki k akmnn dalga ekli aadaki ekil-4.116da grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilimin ortalama deeri, Idc= Im= 3 . Vm / Z olacaktr.
0 2
T
60 120
T
60 120
M.Necdet YILDIZ
123
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.117de grlmekte olup, etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0 3.Vm/R IA
t1 t2
ekil-4.117de verilen kaynak akmn 3.Vm / R tepe deerli bir kare dalga olarak kabul edersek zm kolaylaacaktr. Bu durumda akmn etkin peryodu, k= t1 / (t1+t2) olacaktr. Buradan akmn etkin deeri, IA(rms)= Im . k veya, IA(rms)= (3.Vm / R) . k olur. 5) Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g; PS(rms)= 3 . PA(rms)
60
240
M.Necdet YILDIZ
124
IV AC/DC DNTRCLER
Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili hat gerilimi ekil4.118de grlmektedir.
0 3.Vm Vh 3.Vm/R IA 2
ekil-4.118de verilen ekle gre kaynak akm, kaynak gerilimine gre kadar (30) geridedir. Bu durumda, cos= cos30= 0,866 dr. Anahtar (diyot) akm (ID); Anahtar (diyot) akm dalga ekli ekil-4.119daki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm; ID= Im+(%30.Im)= 1,3 . 3.Vm/R
0 3.Vm/R ID 2
M.Necdet YILDIZ
125
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot) gerilimi (VD); Anahtar gerilimi aadaki ekil-4.120de grlmektedir. ekilden grld gibi hat geriliminin tepe deerine blokaj yapmaktadr. Bu durumda anahtar gerilimi, hat gerilimi tepe deerinin (3.Vm) en az %30 daha fazlas olmaldr. VD-T= 3 . Vm + %30 VD-T= 3 . Vm . 1,3 olur.
0 VD 3.Vm 2
rnek:
220V/380V-50Hz ebekede altrlan 3 fazl tam dalga kontrolsuz dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vdc= 3 . 3 . Vm /
M.Necdet YILDIZ
126
IV AC/DC DNTRCLER
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 3 . 1,73 . 311 / 3,14 Vdc= 514V k akm ortalama deeri, Idc= Vdc / R= 514 / 10 Idc= 51,4A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 51,4 . 514= 26,42kW Kaynak akmnn etkin deeri, k= t1 / T= 6,66ms / 10ms= 0,66 IA(rms)= (3 . Vm / R) . k IA(rms)= (3 . 311 / 10) . 0,66 IA(rms)= 43,7A
M.Necdet YILDIZ
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.43,7.220= 28,84kW Rezistif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Rezistif ykte anahtar (diyot) akm, ID 3.Vm/R + %30 ID 53,8 . 1,3 70A
127
IV AC/DC DNTRCLER
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 3.3.Vm / Vdc= 3.3.311 / 3,14 Vdc= 514V k akm ortalama deeri, Idc= Im= 3.Vm/Z= 538 / 10= 53,8A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 53,8 . 514= 27,65kW Kaynak akmnn etkin deeri, IA(rms)= Im .k IA(rms)= 3.Vm / Z .[t1/(t1+t2)] IA(rms)= 538/10 .(6,66ms / 10ms) IA(rms)= 43,7A
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 128
Endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.43,7.220= 28,84kW Endktif ykte anahtar (diyot) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Endktif ykte anahtar (diyot) akm, ID 3.Vm/R + %30 ID 53,8 . 1,3 70A
IV AC/DC DNTRCLER
3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucu (rezistif ykte);
3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucu g devresi balants rezistif yk iin ekil-4.121de gsterilmitir. Bu devrede de 1 fazl kprde olduu gibi srme kolayl asndan stteki elemanlar tristr, alttaki elemanlar ise diyottur.
3 fazl kaynak A B C D2 D3 D1 IT IA VD + IO T1 T2 T3 T2 - G + VO R -
ekilden grld gibi, 3 faz yarm kontrollu kpr dorultucu devresini srmek iin, daha nce 3 faz yarm dalga kontrollu dorultucu devresini srmekte kullanlan 3 fazl uyarma devresi aynen kullanlmtr. Bu devreye ait temel dalga ekilleri aada ekil-4.122de ayrntl olarak verilmitir.
+ ne
Pals retc.1
+ ne
Sync-A
Pals retc.2 T3 - G
+ ne
Sync-B
Pals retc.3
Sync-C
M.Necdet YILDIZ
129
IV AC/DC DNTRCLER
0 3.Vm Vh 3.Vm Vdc VT
3.Vm 3.Vm/R
V(ab)
V(bc)
2 V(ca)
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, T1 tristr Vab geriliminin, T2 tristr Vbc geriliminin, T3 tristr ise Vca geriliminin 90nc derecesinde uyarlmtr. Bunun sonucunda k gerilimi ve k akm kesikli olarak olumutur. A fazndan ekilen akm ise T1 iletimde olduunda pozitif, T2 iletimde olduunda negatif olarak akmakta, T3 iletimde olduuna ise A fazndan herhangi ynde bir akm akmamaktadr.
130
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun rezistif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.123de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilim ortalama deeri 60 derece iin yandaki gibidir.
0 3.Vm Vdc 2
60 iin
V dc
1 = T
v
0
( t ). dt
V dc =
2 / 3
3 .V m sin t .d ( t )
V dc
3 3 .V m = 2
sin t .d ( t )
V dc =
V dc
3 3 .V m ( cos t ) 2
3 3 .V m = [ (cos cos )] 2
V dc =
3 3 .V m (1 + cos ) 2
131
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Idc); 3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun rezistif ykteki k akmnn dalga ekli aadaki ekil-4.124de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda akmn ortalama deeri 60 derece iin yandaki gibidir.
0 3.Vm/R Idc 2
60 iin
I dc
1 = T
i
0
( t ). dt
I dc =
2 / 3
3 . I m sin t .d ( t )
I dc
3 3 .I m = 2
sin t .d ( t )
I dc
3 3 .I m = ( cos t ) 2
3 3 .I m [ (cos cos )] 2
I dc =
T
I dc =
3 3 .I m V (1 + cos ) = dc 2 R
132
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.125de grlmekte olup, etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0 3.Vm/R IA 2
I A( rms )
I A( rms ) = I A( rms ) =
I A ( rms )
sin 2 (t ).d (t )
I A( rms )
2 I m t sin( 2t ) = [ ] 2 4 I t sin( 2t ) = m [ ] 2 2
I A( rms ) =
I A( rms )
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g; PS(rms)= 3 . PA(rms) Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili hat gerilimi yan tarafta ekil-4.126da grlmektedir. ekilden grld gibi, kaynak akm, kaynaktan kesikli olarak ekilmekte ve g katsays aadaki ekil zerinden tam olarak belirlenememektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda g katsays, aktif gcn grnr gce oranndan yani, cos= P / Sden bulunabilir.
0 3.Vm
Vh
3.Vm/R IA
134
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot-tristr) akm (ID); Devredeki anahtar (diyottristr) akmnn dalga ekli ekil-4.127deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm, dier uygulamalarda da olduu gibi, zerinden geen akmn tepe deerine en az %30 tolerans pay eklenerek bulunabilir. ID= Im+(%30.Im)= 1,3 . 3.Vm/R
0 3.Vm/R IT 2 VO 3.Vm
Anahtar (diyot-tristr) gerilimi (VD); Devredeki anahtar (diyottristr) geriliminin dalga ekli ekil-4.128deki gibidir. Bu ekle gre anahtar gerilimi de, dier uygulamalarda da olduu gibi, zerindeki gerilimin tepe deerine en az %30 tolerans pay eklenerek bulunabilir. VD= 1,3 . 3.Vm
0 2
M.Necdet YILDIZ
135
IV AC/DC DNTRCLER
3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucu (endktif ykte);
3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucu g devresi balants endktif yk iin ekil-4.129da gsterilmitir. Bu devrede de 1 fazl kprde olduu gibi srme kolayl asndan stteki elemanlar tristr, alttaki elemanlar ise diyottur.
3 fazl kaynak A B C D2 D3 IT IA VD + T2 - G + VO R IO
ekilden grld gibi, 3 faz yarm kontrollu kpr dorultucu devresini srmek iin, daha nce 3 faz yarm dalga kontrollu dorultucu devresini srmekte kullanlan 3 fazl uyarma devresi aynen kullanlmtr. Bu devreye ait temel dalga ekilleri aada ekil-4.130da ayrntl olarak verilmitir.
+ ne
Pals retc.1 T1 T2 T3 Dm D1
+ ne
Sync-A
Pals retc.2 T3 - G
+ ne
Sync-B
Pals retc.3
Sync-C
136
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
0 3.Vm Vh 3.Vm Vdc VT
3.Vm
V(ab)
V(bc)
2 V(ca)
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, T1 tristr Vab geriliminin, T2 tristr Vbc geriliminin, T3 tristr ise Vca geriliminin 90nc derecesinde uyarlmtr. Bu durumda k akm serbest gei diyodunun etkisiyle dz olarak gereklemitir. A fazndan ekilen akm ise T1 iletimde olduunda pozitif, T2 iletimde olduunda negatif olarak akmakta, T3 iletimde olduuna ise A fazndan herhangi ynde bir akm akmamaktadr.
137
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun endktif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.131de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilim ortalama deeri rezistif ykle ayndr.
0 3.Vm Vdc 2 3.Vm/Z Idc
k akmnn ortalama deeri (Vdc); 3 fazl yarm kontrollu kpr dorultucunun endktif ykteki k akm dalga ekli aadaki ekil-4.132de grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda akmn ortalama deeri, Idc= Im= 3.Vm / Z olacaktr.
0 2
138
IV AC/DC DNTRCLER
Ortalama k gc (Pdc); Pdc= Idc . Vdc den bulunabilir. Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.133de grlmekte olup, etkin deeri yandaki gibi bulunabilecektir.
0 3.Vm/Z IA 2
ekil-4.133den grld gibi AC kare dalga formatnda olan kaynak akm ancak etkin peryotla yaklak olarak hesaplanabilecektir. Bu durumda etkin peryot, k= t1 / [t1+(t2+t3)/2] Etkin peryodu kullanarak kaynak akmnn etkin deeri, IS(rms)= Im . k veya, IS(rms)= (3.Vm / Z) . k eitliinden hesaplanabilecektir.
139
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
t3
IV AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g; PS(rms)= 3 . PA(rms) Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili hat gerilimi yan tarafta ekil-4.134de grlmektedir. ekilden grld gibi, kaynak akm, kaynaktan kesikli olarak ekilmekte ve g katsays aadaki ekil zerinden tam olarak belirlenememektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda g katsays, aktif gcn grnr gce oranndan yani, cos= P / Sden bulunabilir.
0 3.Vm
Vh
3.Vm/Z IA
140
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot-tristr) akm (ID); Devredeki anahtar (diyottristr) akmnn dalga ekli ekil-4.135deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm, dier uygulamalarda da olduu gibi, zerinden geen akmn tepe deerine en az %30 tolerans pay eklenerek bulunabilir. ID= Im+(%30.Im)= 1,3 . 3.Vm/Z
0 3.Vm/Z IT 2 VT 3.Vm
Anahtar (diyot-tristr) gerilimi (VD); Devredeki anahtar (diyottristr) geriliminin dalga ekli ekil-4.136daki gibidir. Bu ekle gre anahtar gerilimi de, dier uygulamalarda da olduu gibi, zerindeki gerilimin tepe deerine en az %30 tolerans pay eklenerek bulunabilir. VD= 1,3 . 3 . Vm
0 2
M.Necdet YILDIZ
141
IV AC/DC DNTRCLER
rnek:
220V/380V-50Hz ebekede altrlan 3 fazl tam dalga yarm kontrollu dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri,
V dc =
3 3 .V m (1 + cos ) 2
Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= 3.1,73.311/6,28(1+cos90) Vdc= 257V k akm ortalama deeri, Idc= Vdc / R= 257 / 10 Idc= 25,7A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 25,7 . 257= 6,6kW Kaynak akmnn etkin deeri, k= t1 / T= 5ms / 10ms= 0,5 IA(rms)= (3 . Vm / Z) . k IA(rms)= (3 . 311 / 10) . 0,5 IA(rms)= 37,66A
142
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.37,66.220= 24,85kW Rezistif ykte anahtar (diyottristr) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Rezistif ykte anahtar (diyottristr) akm, ID 3.Vm/R + %30 ID 53,8 . 1,3 70A
b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= (3.3.Vm / ) . (1+cos90) Vdc= (3.3.311 / 6,28) . (1+0) Vdc= 257V k akm ortalama deeri, Idc= Im= 3.Vm/Z= 538 / 10= 53,8A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 53,8 . 257= 13,82kW Kaynak akmnn etkin deeri, IA(rms)= Im .k IA(rms)= 3.Vm / Z .[t1/(t1+t2)] IA(rms)= 538/10 .(5ms / 10ms) IA(rms)= 37,66A
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 143
IV AC/DC DNTRCLER
Endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.37,66.220= 24,85kW Endktif ykte anahtar (diyottristr) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Endktif ykte anahtar (diyottristr) akm, ID 3.Vm/R + %30 ID 53,8 . 1,3 70A Bilindii gibi yarm kontrollu kprnn endktif ykte altrlmas durumunda ykten kaynaa doru enerji transferi olamamakta ve aadaki ekil-4.137den grld gibi dorultucu sadece 1. blgede almaktadr. Dorultucunun ift blgede alabilmesi iin tam kontrollu dorultucu olmas gerekecektir.
VO IO
Yarm Kontrollu Tam Kontrollu
VO IO
M.Necdet YILDIZ
144
IV AC/DC DNTRCLER
3 fazl tam kontrollu kpr dorultucu (endktif ykte);
3 fazl tam kontrollu kpr dorultucu g devresi balants endktif yk iin ekil-4.138de gsterilmitir. Bu devrede de 1 fazl kprde olduu gibi kprdeki tm elemanlar tristrdr ve serbest gei diyodu kullanlmamtr.
3 fazl kaynak A B C T4 T6 T2
ekilden grld gibi, 3 faz tam kontrollu kpr dorultucu devresini srmek iin, daha nce 3 faz yarm dalga kontrollu dorultucu devresini srmekte kullanlan 3 fazl uyarma devresi yaltma yaplarak kullanlmtr. Bu devreye ait temel dalga ekilleri aada ekil-4.139da ayrntl olarak verilmitir.
+ ne
IA
VD +
IO T1 T3 T5 + VO -
T4 T3 T6 T5 T2
Pals - retc.1
+ ne
Sync-A
Pals
- retc.2 + ne
Sync-B
Pals - retc.3
Sync-C
145
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
0 3Vm Vh 3.Vm Vdc
T56 61 12 23 34 45 56
V(ab) V(bc)
2 V(ca)
Yan taraftaki dalga temel ekillerinden grlebilecei gibi, devredeki tristrler tpk 3 fazl kontrolsuz kprdeki diyotlarn doal hareketlerinde olduu gibi uyarlmlardr. Burada kullanlan uyarma teknii ile her bir tristr 120 derece iletimde tutulmakta, her 60 derecede e deitirmekte ve kta hat gerilimini dorultarak kontrol etmektedir. 60 derecelik uyarma as iin izilen bu ekilde negatif ksmlar olumamtr. A bydke gerilim negatife doru sarkmaktadr.
146
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
k geriliminin ortalama deeri (Vdc); 3 fazl tam kontrollu kpr dorultucunun endktif ykteki k gerilim dalga ekli aadaki ekil-4.140da grld gibi olduunu belirtmitik. Bu durumda gerilim ortalama deeri iin yandaki gibi olacaktr.
0 3.Vm Vdc
T56 61 12 23 34 45 56
1 Vdc = vo (t ).dt T 0
1 Vdc = /3
2 / 3 +
3.V
/ 3+
sin t.d (t )
Vdc =
3 3.Vm
2 / 3 +
sin t.d (t )
/ 3+
Vdc =
Vdc =
3 3.Vm
2 3+ ( cos t )/ 3/ +
3 3.Vm
[ cos( 2 / 3 + ) + .....
T
60 120 + + M.Necdet YILDIZ
Vdc =
3 3 .Vm
cos
147
IV AC/DC DNTRCLER
k akmnn ortalama deeri (Vdc); 3 fazl tam kontrollu kpr dorultucunun endktif ykteki k akm dalga ekli aadaki ekil-4.141de grld gibidir. Bu durumda akmn ortalama deeri, Idc= Im= 3.Vm / Z olacaktr.
0 3.Vm/Z Idc 2 0 3.Vm/Z IT
Kaynak akmnn etkin deeri (IA(rms)); Kaynan bir fazndan ekilen akm ekil-4.142de grlmekte olup etkin deeri, k= t1 / (t1+t2) IS(rms)= Im . k IS(rms)= (3 . Vm / Z) . k eitliinden bulunabilecektir.
2
t1 T
148
IV AC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen toplam etkin g (PS(rms)); PA(rms)= IA(rms) . Vf(rms) fazdan ekilen toplam g; PS(rms)= 3 . PA(rms) Devrenin g katsays (cos); Kaynan bir fazndan ekilen akm ve ilgili hat gerilimi yan tarafta ekil-4.143de grlmektedir. ekilden grld gibi, kaynak akm, kaynaktan ift ynl ve kesikli olarak ekilmekte ve bu akm peryodik olarak deimektedir.
M.Necdet YILDIZ
3.Vm/Z IT
149
IV AC/DC DNTRCLER
Anahtar (diyot-tristr) akm (IT); Devredeki anahtar (diyottristr) akmnn dalga ekli ekil-4.144deki gibidir. Bu ekle gre anahtar akm, dier uygulamalarda da olduu gibi, zerinden geen akmn tepe deerine en az %30 tolerans pay eklenerek bulunabilir. IT= Im+(%30.Im)= 1,3 . 3.Vm/Z
0 3.Vm/Z IT 2 VT1 3.Vm
Anahtar (diyot-tristr) gerilimi (VT); Devredeki anahtar (diyottristr) geriliminin dalga ekli ekil-4.145deki gibidir. Bu ekle gre anahtar gerilimi de, dier uygulamalarda da olduu gibi, zerindeki gerilimin tepe deerine en az %30 tolerans pay eklenerek bulunabilir. VT= 1,3 . 3.Vm
0 2
M.Necdet YILDIZ
150
IV AC/DC DNTRCLER
rnek:
220V/380V-50Hz ebekede 90 uyarmada altrlan 3 fazl tam dalga tam kontrollu dorultucu, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz. b) ok endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, Vm= Vrms.2= 220.2= 311V Vdc= (3.3.Vm / ) . cos90 Vdc= (3.3.311 / 6,28) . 0 Vdc= 0V k akm ortalama deeri, Idc= Im= 3.Vm/Z= 538 / 10= 53,8A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 53,8 . 0= 0kW (ani deer). Kaynak akmnn etkin deeri, IA(rms)= Im .k IA(rms)= 3.Vm / Z .[t1/(t1+t2)] IA(rms)= 538/10 .(6,66ms / 10ms) IA(rms)= 43,9A
151
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri,
Bu tr bir dorultucu rezistif ykte kullanlmaz, kullanlacak olursa yarm kontrollu gibi olur.
M.Necdet YILDIZ
IV AC/DC DNTRCLER
Endktif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3.43,9.220= 28,97kW Endktif ykte anahtar (diyottristr) gerilimi, VD 3.Vm+ %30 VD 3.311 . 1,3 700V Endktif ykte anahtar (diyottristr) akm, ID 3.Vm/R + %30 ID 53,8 . 1,3 70A Bilindii gibi tam kontrollu kpr dorultucu k gerilimi ok endktif ykte, pozitif maksimum ile negatif maksimum arasnda deimekte ve dorultucu ift ynl almaktadr. DC motorlarda yn deiimi iin iftli kullanlan bu devre ile ekil-4.146da grld gibi 4 blgeli alma salanabilir.
VO IO
Tam Kontrollu
VO IO
iftli Dorultucu
M.Necdet YILDIZ
152
IV AC/DC DNTRCLER
3 fazl tam kontrollu ift kpr dorultucu;
3 fazl tam kontrollu ift kpr dorultucu g devresi balants endktif yk iin ekil-4.147de gsterilmitir. Bu devrede de 1 fazl uygulamada olduu gibi iki tan kontrollu kpr birbirine ters paralel olarak balanmtr.
3 fazl kaynak A B C T4 T6 T2 IA VD +
Devrenin uyarmasnda ise daha nce aklanan tam kontrollu uyarma dzeneinden iki adet kullanlmal ve bu devreler de 1 fazl ift kpr dorultucuda olduu gibi bir lojik kontrol devresiyle kontrol edilmelidir. Bilindii gibi bu devre tek tek ya da daima 1+2= 180 artn salayacak ekilde uyarlmaldr.
T1
T3
T5
IO M + VO -
T2
T6
T4
C B
T5
T3
T1
A 3 fazl kaynak
153
M.Necdet YILDIZ
DEV-10
10.1) 380V/220V-50Hz ebekede 19 luk saf rezistif bir yk besleyen 3 fazl tam dalga kontrolsuz dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 10.2) 380V/220V-50Hz ebekede, 120 uyarma asnda, 22 luk rezistif bir yk besleyen 3 fazl tam dalga yarm kontrollu dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 10.2) 380V/220V-50Hz ebekede, 60 uyarma asnda, 10 luk rezistif bir yk besleyen 3 fazl tam dalga tam kontrollu dorultucunun, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ
154
Blm-5
AC-AC Dntrcler
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 1
V AC/AC DNTRCLER
Giri: AC kyclar (AC-AC dntrcler), ebekeden aldklar sabit genlik ve frekansl AC gerilimi ileyerek kna yine AC olarak veren g elektronii devreleridir. Bu devreleri genel olarak 2 gruba ayrmak mmkndr. Bu gruplar, 1) AC voltaj kontrolcular, 2) Direkt frekans eviricilerdir. Bu gruplardan birincisi olan AC voltaj kontrolcular, giriine uygulanan AC gerilimin sadece genliini kontrol eder.
M.Necdet YILDIZ
kinci grupta yer alan direkt frekans eviriciler ise girilerine uygulanan AC gerilimin hem genliini hem de frekansn kontrol edebilmektedirler. AC kyclar bu zellikleriyle 3 farkl alanda ok yaygn olarak kullanlmaktadr. Bu alanlar, 1) Is kontrolu, 2) Ik kontrolu, 3) Motor kontroludur. Is ve k (aydnlatma) kontrolunda sadece AC voltaj kontrolcular, motor kontrolunda ise her iki grup AC kyc da kullanlabilmektedir.
2
V AC/AC DNTRCLER
Temel g eleman olarak tristr, triyak ve diyot kullanlan AC kylarn alt gruplar ise aada grld gibidir. AC voltaj kontrolcular;
1) 1 fazl AC voltaj kontrolcular, 1a- Ama-kapama kontrollu, 1b- Faz as kontrollu, 2) 3 fazl AC voltaj kontrolcular, 2a- Ama-kapama kontrollu, 2b- Faz as kontrollu,
1 Fazl Ama-Kapama Kontrollu AC Voltaj Kontrolcu (rezistif yk); ekil-5.1de 1 fazl amakapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devre balants grlmektedir. Grld gibi tristrler bir ine pals reteciyle pals retecinin izin girii ise bir PWM ile kontrol edilmektedir.
Sync
+
T1 Is, IT T1 + Vs T2 + VT Io T2 + Vo -
ne Pals - reteci
=0
zin
PWM reteci 0-%100
k
3
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.2de devrenin uyarma, ekil5.3de ise g devresi dalga ekilleri e zamanl olarak verilmitir.
Vm
Vm
4 t
VS
Vm
4 t
VS
VO
Vm
t t t t2
VT
Im
IS
Im
IO-T
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.1de grlen ama kapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devresini, dk ve orta gler iin, ekil-5.4 ve ekil-5.5de grld gibi sadece bir triyak kullanarak da yapmak mmkndr.
%0 %100
+ PWM
Vm
4 t
VS
VPWM
Vm
t t1 t2 t
reteci - 2x%50
VO
Vm
Is, IT
k
+ Vs + VT Io + Vo -
VT
Im
IS,T,O
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.1 ve 5.5den grld gibi 1 fazl ama kapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devresi hem birbirine ters paralel balanm tristrlerle hem de triyak kullanarak yaplabilmektedir. Tristrler kullanldnda ine pals reteci alternansn hemen banda pals retecek ekilde ayarlanp, izin girii bir PWM sinyali ile kontrol edilmektedir. Triyak kullanldda ise PWM sinyali dorudan triyak giriine uygulanabilmekte ve amakapama kontrolu olmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.3 ve 5.5de grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin (rms) k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) G katsays, 7) Anahtar gerilimleri, 8) Anahtar akmlar,
V AC/AC DNTRCLER
k gerilimin etkin deeri; 1 fazl ama-kapama kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, yk zerinde aadaki ekil5.6de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda etkin k gerilimi eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Vm
VO ( rms )
VO ( rms ) =
VO ( rms ) =
VO ( rms ) = VO ( rms ) = VO ( rms ) =
k 2 Vm . sin 2 (t ).d (t ) 2 0
k .( 2 .VS ( rms ) ) 2 2
2
sin 2 (t ).d (t )
0
4 t
.[(
2 0) (0)] 2
VO
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
t1 t1 + t2
7
V AC/AC DNTRCLER
k akmnn etkin deeri; 1 fazl ama-kapama kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, yk zerinden aadaki ekil5.7de dalga ekli verilen akmn geeceini belirtmitik. Bu durumda etkin k akm eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Im
I O ( rms )
I O ( rms ) =
I O ( rms ) =
I O ( rms ) = I O ( rms ) =
k .( 2 .I S ( rms ) ) 2 2
sin
0
(t ).d (t )
4 t
.[(
2 0) (0)] 2
IO
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
V AC/AC DNTRCLER
Etkin k gc; Bilindii gibi etkin k gc, PO(rms)= IO(rms) . VO(rms) eitliinden bulunabilmektedir. Kaynak akm etkin deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekil-5.8deki gibi olduunu belirtmitik. Buna gre,
Im
k T
[i
0 2 0
( t )] 2 .dt
k 2
2 I m . sin 2 ( t ). d ( t ) 2
k .( I m ) 2 2
sin 2 ( t ). d ( t )
0
2 k . I m t sin 2 ( t ) 2 .[ ]0 2 2 4 2 2 k .I m .[( 0 ) ( 0 )] 2 2
4 t
IS
I S ( rms )
t1 t2
I S ( rms )
2 2 k .I m k .I m = .( ) = 2 1 2 I I t1 = m . k = m . 2 2 t1 + t 2
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen g; Bilindii gibi etkin giri gc, PS(rms)= IS(rms) . VS(rms) eitliinden bulunabilmektedir.
Vm
G katsays (cos); G katsays kaynaktan verilen gerilim ile kaynaktan ekilen akm arasndaki ann cos deeridir. ekil-5.9da kaynak gerilimi ve akm grlmektedir. Buradan, kyc iletimde (on) iken faz kaymas olmad grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
VS
Im
IS
10
V AC/AC DNTRCLER
Anahtar (tristr) gerilimi; Bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn gerilimi, bloke ettikleri gerilimin tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki gerilim ekil-5.10daki gibi olduuna gre anahtar gerilimi, VT= Vm + (%30.Vm)= 1,3.Vm olarak hesaplanabilmektedir.
Vm
Anahtar (tristr-triyak) akm; Yine bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn zerlerinden geirilen akmn tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki akm ekil-5.11deki gibi olduuna gre anahtar akm, IT= Im + (%30.Im)= 1,3.Vm / R olarak hesaplanabilmektedir.
Im
VT
IT
M.Necdet YILDIZ
11
V AC/AC DNTRCLER
1 Fazl Ama-Kapama Kontrollu AC Voltaj Kontr. (endktif yk); ekil-5.12de 1 fazl amakapama kontrollu tristrl AC voltaj kontrolcu devresinin endktif ykte balants grlmektedir. Devrede yke ters paralel serbest gei diyodu kullanlamamaktadr. ekil-5.12de grlen devrede endktif yk kullanlmas durumunda, zellikle kaynak frekansna yakn frekanslarda (10Hz-50Hz) anahtarlama yapldnda, zellikle ykn ok endktif olmas durumlarnda, yk zerindeki enerjinin boalmas nedeniyle tristrler hemen yaltma Sync geememekte ve dolaysyla + ne : 0 da paralelindeki tristrn de Pals hemen iletime gemesine - reteci engel olmaktadr. zin Devreye ait dalga ekilleri PWM reteci ekil-5.13-5.14de verilmitir.
0-%100
T1 Is, IT T1 + Vs T2 + VT Io T2 + Vo -
k
12
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.13de devrenin uyarma, ekil-5.14de ise g devresi dalga ekilleri e zamanl olarak verilmitir.
Vm
Vm
4 t
VS
Vm
4 t
VS
VO
Vm
t t t t2
VT
Im
IO
Im
t t
13
IS-T
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.12de grlen ama kapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devresinin triyak ile yaplm olan versiyonunun endktif yk altnda almas ekil-5.15 ve 5.16da ayrntl olarak grlmektedir.
+ PWM
Vm
4 t
VS
VPWM
Vm
t t1 t2 t t t
%0 %100
reteci - 2x%50
VO
Vm
Is, IT
k
+ Vs + VT Io + Vo -
VT
Im
IS,T,O
M.Necdet YILDIZ
14
V AC/AC DNTRCLER
Her iki devreden de grld gibi, yk endktif olmasna ramen serbest gei diyodu kullanlamamtr. Bunun nedeni k geriliminin AC olmasdr. Balanacak olan diyot hangi ynde olursa olsun ksa devreye yol aacaktr. Dalga ekillerinden grld gibi, serbest gei diyodu kullanlamad iin tristrler veya triyak yk tarafndan fazladan iletimde tutulmakta ve ancak ykn enerjisi bittiinde ( asnda) tristr veya triyak yaltma geebilmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda daha nceki devrelerde olduu gibi temel dalga ekillerinden yararlanarak genel eitlikler kartlamayacaktr. Bunun nedeni, ykn endktiflik derecesine gre dalga eklinin uzamas veya ksalmasdr. Dk endktiflie sahip olan yklerde bu devreler aynen kullanlp oluan dalga ekillerine gre hesaplama yaplabilir. Yksek endktif yklerde ise kontrollu bir serbest gei kullanlmaldr.
15
V AC/AC DNTRCLER
Ama kapama kontrolu yntemi incelemelerden de grld gibi, kesikli yaps gerei, AC voltaj kontrolcularn temel kullanm alanlarndan olan motor kontrolunda ve k kontrolunda kullanlamaz. Kullanld taktirde motorlarda kesik kesik enerjilenmeden dolay performans kayb oluur. Ayn ekilde n dk frekansta yanp snmesi kontrol deildir. Bu yntem sadece s kontrolunda ok verimli olarak kullanlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
rnek:
220V-50Hz ebekede 10Hz ferkansl %50 etkin peryotlu uyarmada altrlan ama kapama kontrollu 1 fazl AC kyc devresinin, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin etkin deeri, VO(rms)= VS(rms) . k
16
V AC/AC DNTRCLER
k= t1/(t1+t2)= %50= 0,5 VO(rms)= 220V . 0,5 VO(rms)= 155,56V k akm etkin deeri, IO(rms)= VO(rms) / R= 155,56 / 10 IO(rms)= 15,5A Etkin k gc, PO(rms)= IO(rms).VO(rms) PO(rms)= 155,5 . 15,5= 2,41kW Kaynak akmnn etkin deeri, Im= Vm/R= 220.2 / 10= 31,1A IS(rms)= (Im/2) . k IS(rms)= (31,1/1,41) . 0,5 IS(rms)= 15,5A
M.Necdet YILDIZ
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 15,5 . 220= 3,41kW Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) gerilimi, VD Vm+ %30 VD 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) akm, ID Vm/R + %30 ID 31,1 . 1,3 40A
17
V AC/AC DNTRCLER
AC voltaj kontrolcularda kullanlan ikinci kontrol ynteminin faz as kontrolu yntemi olduunu belirtmitik. Bu yntemde devrede kullanlan tristrler veya triyak hi ara vermeden tm alternanslarda srekli olarak uyarlmaktadr. k geriliminin deitirilmesi ilemi ise tristr veya triyaklarn uyarma alarnn 0180 arasnda deitirilmesiyle olmaktadr. Ik (dimmer) ve motor kontrolunda kullanlan bu yntem yanda incelenmitir.
M.Necdet YILDIZ
1 Fazl Faz As Kontrollu AC Voltaj Kontrolcu (rezistif ykte); ekil-5.17de 1 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcu devre balants grlmektedir. Devreyenin almasn gsteren temel dalga ekilleri ise ekil-5.18de ayrntl olarak verilmitir.
Sync
+
T1 Is, IT T1 + Vs T2 + VT Io T2 + Vo -
ne Pals - reteci
zin
18
V AC/AC DNTRCLER
Vm
4 t
VS VGK1 VGK2
Vm
t t t
VO
Vm
VT
Vm
IS-T-O
ekil-5.18den grld gibi her iki tristre de srekli olarak kendi alternanslarnda pals verilmekte ve uyarlmaktadr. Her iki tristrn de uyarma alar kendi alternanslar iinde 0 ile 180 arasnda ayarlanabilmektedir. Bu sayede de ekilden grld gibi devre kndaki AC gerilimin etkin deeri sfr ile kaynak gerilimi arasnda deitirilebilmektedir. ekilden grld gibi devrede kaynak, anahtar ve yk akmlar tamamen ayndr.
19
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.17de grlen faz as kontrollu AC voltaj kontrolcu devresini, dk ve orta gler iin, ekil-5.19 ve ekil5.20de grld gibi sadece bir triyak kullanarak da yapmak mmkn olmaktadr.
Sync
Vm
4 t
VS
VGA1
Vm
t t
VO
Vm
ne Pals - reteci
zin 1
Is, IT
VT
Vm + Vo -
+ Vs -
+ VT Io
IS-T-O
M.Necdet YILDIZ
20
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.17 ve 5.19dan grld gibi 1 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcu devresi hem birbirine ters paralel balanm tristrlerle hem de triyak kullanarak yaplabilmektedir. Tristrler kullanldnda ine pals reteci her bir tristre ait alternansn istenilen derecesinde () uyarlmasn salamaktadr. Triyak kullanldda ise yine ayn tristr uyarma devresi kullanlmakta ve triyak her iki alternansta da uyarlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.18 ve 5.20de grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin (rms) k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) G katsays, 7) Anahtar gerilimleri, 8) Anahtar akmlar,
21
V AC/AC DNTRCLER
k gerilimin etkin deeri; 1 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, yk zerinde aadaki ekil5.21de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda etkin k gerilimi eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Vm
VO ( rms )
VO ( rms ) =
VO ( rms ) =
VO ( rms )
2 Vm . sin 2 (t ).d (t )
2 Vm
sin 2 (t ).d (t )
2 Vm t sin 2(t ) = .[ ] 2 4
4 t
VO ( rms ) =
VO ( rms )
2 Vm
.[( 2
sin 2 sin 2 )( )] 4 2 4
VO T
M.Necdet YILDIZ
2 Vm sin 2 = .( + ) 2 1 1 2
VO ( rms ) = VS ( rms ) 1
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
sin 2 + 2
22
V AC/AC DNTRCLER
k akmnn etkin deeri; 1 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, yk zerinden aadaki ekil5.22de verilen akmn geeceini belirtmitik. Bu durumda etkin k akm eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Im
I O ( rms )
I O ( rms ) =
I O ( rms ) =
I O ( rms ) = I O ( rms ) =
I
2 Im
2 m
. sin 2 (t ).d (t )
sin 2 (t ).d (t )
2 I m t sin 2(t ) .[ ] 2 4
4 t
2 Im
.[( 2
sin 2 sin 2 )( )] 4 2 4
I O ( rms ) I O ( rms )
IO T
M.Necdet YILDIZ
23
V AC/AC DNTRCLER
Etkin k gc; Bilindii gibi etkin k gc, PO(rms)= IO(rms) . VO(rms) eitliinden bulunabilmektedir. Kaynak akm etkin deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekil-5.23deki gibi olduunu belirtmitik. Buna gre,
Im
I S ( rms )
I S ( rms ) = I S ( rms ) =
I S ( rms ) =
2 I m . sin 2 (t ).d (t )
2 Im
sin 2 (t ).d (t )
2 I m t sin 2(t ) .[ ] 4 2
4 t
I S ( rms ) =
I S ( rms ) I S ( rms )
2 Im
.[( 2
sin 2 sin 2 )( )] 4 2 4
IS T
M.Necdet YILDIZ
2 I m sin 2 = .( + ) 2 1 1 2 I sin 2 = m 1 + 2 2
24
V AC/AC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen g; Bilindii gibi etkin giri gc, PS(rms)= IS(rms) . VS(rms) eitliinden bulunabilmektedir. G katsays (cos); G katsays kaynaktan verilen gerilim ile kaynaktan ekilen akm arasndaki ann cos deeridir. ekil-5.24de kaynak gerilimi ve akm grlmektedir. Buradan, devre kndaki ykn rezistif olmasna ramen kadarlk bir faz kaymasnn olduu grlmektedir
M.Necdet YILDIZ
4 t
VS
Im
t IS IS1
25
V AC/AC DNTRCLER
Anahtar (tristr) gerilimi; Bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn gerilimi, bloke ettikleri gerilimin tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki gerilim ekil-5.25deki gibi olduuna gre anahtar gerilimi, VT= Vm + (%30.Vm)= 1,3.Vm olarak hesaplanabilmektedir.
Vm Im
Anahtar (tristr-triyak) akm; Yine bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn zerlerinden geirilen akmn tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki akm ekil-5.26daki gibi olduuna gre anahtar akm, IT= Im + (%30.Im)= 1,3.Vm / R
4 t
VT
IT T
M.Necdet YILDIZ
26
V AC/AC DNTRCLER
1 Fazl Faz As Kontrollu AC Voltaj Kontr. (endktif ykte); ekil-5.27de 1 fazlfaz as kontrollu tristrl AC voltaj kontrolcu devresinin endktif ykte balants grlmektedir. Devrede yine yke ters paralel olarak balanan serbest gei diyodu kullanlamamaktadr.
Sync
+
T1 Is, IT T1 + Vs T2 + VT Io T2 + Vo -
ne Pals - reteci
zin 1
ekil-5.27de grlen devrede endktif yk kullanlmas durumunda, zellikle ykn ok endktif olmas durumlarnda, yk zerindeki enerjinin boalmas nedeniyle tristrler hemen yaltma geememekte ve dolaysyla da paralelindeki tristrn de hemen iletime gemesine engel olmaktadr. Bu durumda dere sanki yarm dalga kontrollu dorultucuymu gibi almaktadr. Devreye ait dalga ekilleri ekil-5.28de verilmitir.
27
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Vm
4 t
VS
Vm
VO
VT
Vm Im
IO
Im
t t
IS-T
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.28den grld gibi kaynan pozitif alteransn kontrol eden T1 tristr yaklak 60 derecede () uyarlm ve iletime gemitir. Alternans sonunda tristr yaltma gemek istemesine ramen yk zerindeki akmn sfra dmemesi nedeniyle asna kadar iletimine devam etmitir. as, ykn endktifliine gre deimektedir. Bu durumda negatif alternansta almas gereken T2 tristr uyarlamamaktadr.
28
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.27de grlen ama kapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devresinin triyak ile yaplm olan versiyonunun endktif yk altnda almas ekil-5.29 ve 5.30da ayrntl olarak grlmektedir.
Sync
+
Vm
4 t
VS
Vm
VO
ne Pals - reteci
VT
Vm
Is, IT + Vs + VT Io + Vo -
zin 1
Im
IO
Im
t t
29
IS-T
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Her iki devreden de grld gibi, yk endktif olmasna ramen serbest gei diyodu kullanlamamtr. Bunun nedeni yine k geriliminin AC olmasdr. Balanacak olan diyot hangi ynde olursa olsun ksa devreye yol aacaktr. Dalga ekillerinden grld gibi, serbest gei diyodu kullanlamad iin tristrler veya triyak yk tarafndan fazladan iletimde tutulmakta ve ancak ykn enerjisi bittiinde ( asnda) tristr veya triyak yaltma geebilmektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu durumda daha nceki devrelerde olduu gibi temel dalga ekillerinden yararlanarak genel eitlikler kartlamayacaktr. Bunun nedeni, ykn endktiflik derecesine gre dalga eklinin uzamas veya ksalmasdr. Dk endktiflie sahip olan yklerde bu devreler aynen kullanlp oluan dalga ekillerine gre hesaplama yaplabilir. Yksek endktif yklerde ise kontrollu bir serbest gei kullanlmaldr.
30
V AC/AC DNTRCLER
rnek:
220V-50Hz ebekede 90 derecelik uyarma asnda altrlan faz as kontrollu 1 fazl AC kyc, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
VO ( rms ) = 220 1
/ 2 sin 2.90 + 2
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin etkin deeri,
VO ( rms ) = VS ( rms ) 1
VO(rms)= 220 . 0,5 = 154V k akm etkin deeri, IO(rms)= VO(rms) / R= 154 / 10 IO(rms)= 15,4A Etkin k gc, PO(rms)= IO(rms).VO(rms) PO(rms)= 15,4 . 154= 2,37kW Kaynak akmnn etkin deeri,
I S ( rms ) = Im sin 2 1 + 2 2
sin 2 + 2
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 15,4 . 220= 3,38kW Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) gerilimi, VD Vm+ %30 VD 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) akm, ID Vm/R + %30 ID 31,1 . 1,3 40A b) Endktif ykte k geriliminin etkin deeri, Daha nce de akland gibi, endktif ykte normal olarak serbest gei diyodu kullanma imkan olmadndan, ykn zerindeki enerjinin etkisiyle g anahtar fazladan iletimde kalacak ve ters yndeki iletimini gerekletireme imkan olmayacaktr. Bu durumda dalga ekli bozulacandan ykn byklne gre oluacak deerine gre hesap yapmak gerekecektir.
32
M.Necdet YILDIZ
DEV-11
11.1) 220V-50Hz ebekede, 10Hz-%50 etkin peryotla uyarmada, 5 luk saf rezistif bir yk besleyen 1 fazl ama-kapama kontrollu AC kycnn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 11.2) 220V-50Hz ebekede, 45 uyarma asnda, 15 luk saf rezistif yk besleyen 1 fazl faz as kontrollu AC kycnn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ
33
V AC/AC DNTRCLER
3 FAZLI AC KIYICILAR:
1 fazl AC kyclar, daha nce de belirtildii gibi, dk gl stc kontrolu, aydnlatma kontrolu ve motor kontrolunda kullanlmaktadr. Orta ve yksek gteki benzer uygulamalarda ise aada grlen 3 fazl AC kyclar kullanlmaktadr.
T1 Van
A
Ra T4 T3 T4 T3 T6 T6 T5 Rb T5
Sync-B Pwm
Vbn
B Is
Io
+ = 0
34
Sync-C
Vcn
C
T2
+ Vo Rc
T2
- Vs +
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Bir fazl uygulamalardan bilindii gibi dk ve orta glerde ters paralel bal tristrler yerine triyak kullanm daha uygun olmaktadr. Ayn durum 3 faz uygulamalar iin de geerlidir.
G Devr.
ekil-5.32de 3 fazl amakapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devre balantsnn triyaklar kullanlarak yaplmas grlmektedir. ekil-5.33de ise devrenin almasn gsteren dalga ekilleri verilmitir.
Uyarma Devr.
Rg Van
T1
Optoc. Gnd
A
T1 Ra
- Vs + N
Vbn
Io B Is
T2 Rb
T2 f T3
Pwm k
Vcn
C
T3
+ Vo Rc
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 35
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Vm
an
bn
cn
VS(faz)
VPWM t1 VO(abc) t2
VT1
ISa,T1,Oa
M.Necdet YILDIZ
36
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.31 ve 5.32den grld gibi yldz ykte ama kapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devresi de hem birbirine ters paralel balanm tristrlerle hem de triyak kullanarak yaplabilmektedir. Tristrler kullanldnda ine pals reteci alternansn hemen banda pals retecek ekilde ayarlanp, izin girii bir PWM sinyali ile kontrol edilmektedir. Triyak kullanldda ise PWM sinyali dorudan triyak giriine uygulanabilmekte ve amakapama kontrolu olmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.33 grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin (rms) k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) G katsays, 7) Anahtar gerilimleri, 8) Anahtar akmlar,
37
V AC/AC DNTRCLER
Yk gerilimin etkin deeri; 3 fazl ama-kapama kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, her yk zerinde aadaki ekil5.34de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda etkin k gerilimi eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Vm
VO ( rms )
VO ( rms ) = VO ( rms ) =
VO ( rms ) = VO ( rms ) = VO ( rms ) =
sin 2 (t ).d (t )
0
4 t
.[(
2 0) (0)] 2
VO
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
t1 t1 + t2
38
V AC/AC DNTRCLER
Yk akmnn etkin deeri; 3 fazl ama-kapama kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, her yk zerinden aadaki ekil5.35de dalga ekli verilen akmn geeceini belirtmitik. Bu durumda etkin k akm eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Im
I O ( rms ) = I O ( rms ) =
I O ( rms ) =
k 2
2 I m . sin 2 ( t ).d ( t ) 0 2
2 k .I m 2
sin 2 ( t ).d ( t )
0
2 k .I m t sin 2 ( t ) 2 .[ ]0 2 2 4 2 k .I m 2 .[( 0 ) ( 0 )] 2 2
4 t
I O ( rms ) =
IO
I O ( rms )
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
I O ( rms )
2 2 k .I m k .I m = .( ) = 2 1 2 Im Vm / R = k = k 2 2
39
V AC/AC DNTRCLER
Etkin k gc; Toplam etkin k gc, PO(rms)= 3 . IO(rms) . VO(rms) eitliinden bulunabilmektedir. Kaynak akm etkin deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekil-5.36daki gibi olduunu belirtmitik. Buna gre,
Im
k T
[i
0 2 0
( t )] 2 .dt
k 2
2 I m . sin 2 ( t ). d ( t ) 2
k .( I m ) 2 2
sin 2 ( t ). d ( t )
0
2 k . I m t sin 2 ( t ) 2 .[ ]0 2 2 4 2 2 k .I m .[( 0 ) ( 0 )] 2 2
4 t
IS
I S ( rms )
t1 t2
I S ( rms )
2 2 k .I m k .I m = .( ) = 2 1 2 Im Vm / R = . k = . k 2 2
M.Necdet YILDIZ
40
V AC/AC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen g; Toplam etkin giri gc, PS(rms)= 3 . IS(rms) . VS(rms) eitliinden bulunabilmektedir.
Vm
G katsays (cos); G katsays kaynaktan verilen gerilim ile kaynaktan ekilen akm arasndaki ann cos deeridir. ekil-5.37de kaynak gerilimi ve akm grlmektedir. Buradan, kyc iletimde (on) iken faz kaymas olmad ak olarak grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
VS
Im
IS
41
V AC/AC DNTRCLER
Anahtar (tristr) gerilimi; Bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn gerilimi, bloke ettikleri gerilimin tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki gerilim ekil-5.38deki gibi olduuna gre anahtar gerilimi, VT= Vm + (%30.Vm)= 1,3.Vm olarak hesaplanabilmektedir.
Vm
Anahtar (tristr-triyak) akm; Yine bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn zerlerinden geirilen akmn tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki akm ekil-5.39daki gibi olduuna gre anahtar akm, IT= Im + (%30.Im)= 1,3.Vm / R olarak hesaplanabilmektedir.
Im
VT
IT
M.Necdet YILDIZ
42
V AC/AC DNTRCLER
Bilindii gibi 3 fazl sistemde ykler yldz balanabildii gibi, daha yksek g elede edebilmek amacyla gen olarak da balanmaktadr. Bu durumda AC kyc devre balants da deiecektir. gen balant durumu aada gsterilmitir.
Van T1
Is
Vbn
A
T3
T4
Io
Ra
T4 T3
Sync-B Pwm
+ + = 0
43
N
Vcn
B
T5
T6 Rb
T6 T5 T2
Sync-C
+ Vo T2 Rc
- 3.Vs +
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Bir fazl uygulamalardan bilindii gibi dk ve orta glerde ters paralel bal tristrler yerine triyak kullanm daha uygun olmaktadr. Ayn durum 3 faz uygulamalar iin de geerlidir.
G Devr.
ekil-5.41de 3 fazl amakapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devre balantsnn triyaklar kullanlarak yaplmas grlmektedir. ekil-5.42de ise devrenin almasn gsteren dalga ekilleri verilmitir.
Uyarma Devr.
Rg Van
A
T1 Ra
T1
Optoc. Gnd
Vbn
B
T2
Io
Rb
T2 f T3
Pwm k
Is
Vcn
C
T3
+ Vo Rc
- 3.Vs +
M.Necdet YILDIZ
44
V AC/AC DNTRCLER
3Vm
ab
bc
ca
VS(hat)
VPWM t1 VO(abc) t2
VT1
ISa,T1,Oa
M.Necdet YILDIZ
45
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.40 ve 5.41den grld gibi gen ykte ama kapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devresi de hem birbirine ters paralel balanm tristrlerle hem de triyak kullanarak yaplabilmektedir. Tristrler kullanldnda ine pals reteci alternansn hemen banda pals retecek ekilde ayarlanp, izin girii bir PWM sinyali ile kontrol edilmektedir. Triyak kullanldda ise PWM sinyali dorudan triyak giriine uygulanabilmekte ve amakapama kontrolu olmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.42 grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin (rms) k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) G katsays, 7) Anahtar gerilimleri, 8) Anahtar akmlar,
46
V AC/AC DNTRCLER
2 Yk gerilimin etkin deeri; k VO(rms) = ( 3.Vm )2.sin2 (t ).d (t ) 3 fazl ama-kapama kontrollu 2 0 AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, her yk k.( 3 2.VS (rms) )2 2 2 VO(rms) = sin (t ).d (t ) zerinde aadaki ekil2 0 5.43de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. k.3.2.VS2(rms) t sin 2(t ) 2 .[ ]0 Bu durumda etkin k gerilimi VO( rms) = 2 2 4 eitlii rezistif yk iin yan k.3.VS2(rms) 2 taraftaki gibi hesaplanacaktr.
3.Vm
VO(rms) =
4 t
.[(
0) (0)]
VO
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
V AC/AC DNTRCLER
Yk akmnn etkin deeri; 3 fazl ama-kapama kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, her yk zerinden aadaki ekil5.44de dalga ekli verilen akmn geeceini belirtmitik. Bu durumda etkin k akm eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
Im
I O ( rms ) = I O ( rms ) =
I O ( rms ) =
I O ( rms ) =
I O ( rms )
k 2
2 I m .sin 2 (t ).d (t ) 0 2
2 k .I m sin 2 (t ).d (t ) 2 0
2 k .I m t sin 2(t ) 2 .[ ]0 2 2 4 2 k .I m 2 .[( 0) (0)] 2 2
4 t
IO
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
I O ( rms )
2 2 k .I m k .I m = .( ) = 2 1 2 3.Vm / R I = m k= k 2 2
48
V AC/AC DNTRCLER
Etkin k gc; Toplam etkin k gc, PO(rms)= 3 . IO(rms) . VO(rms) eitliinden bulunabilmektedir. Kaynak akm etkin deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekil-5.45deki gibi olduunu belirtmitik. Buna gre,
3.Im
I S ( rms)
I S ( rms)
I S ( rms)
4 t
IS
I S ( rms)
2 k.3.I m 3 2 = .( ) = k.I m 2 1 2
t1
M.Necdet YILDIZ
t2
I S ( rms) =
3 k .I m = 3.IO(rms) 2
49
V AC/AC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen g; Toplam etkin giri gc, PS(rms)= 3 . IS(rms) . VS(rms) eitliinden bulunabilmektedir.
3.Vm
G katsays (cos); G katsays kaynaktan verilen gerilim ile kaynaktan ekilen akm arasndaki ann cos deeridir. ekil-5.46da kaynak gerilimi ve akm grlmektedir. Buradan, kyc iletimde (on) iken faz kaymas olmad ak olarak grlmektedir.
M.Necdet YILDIZ
VS
3.Im
IS
50
V AC/AC DNTRCLER
Anahtar (tristr) gerilimi; Bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn gerilimi, bloke ettikleri gerilimin tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki gerilim ekil-5.47deki gibi olduuna gre anahtar gerilimi, VT= 3.Vm + %30 olarak hesaplanabilmektedir.
3.Vm
Anahtar (tristr-triyak) akm; Yine bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn zerlerinden geirilen akmn tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki akm ekil-5.48deki gibi olduuna gre anahtar akm, IT= (3.Vm / R) + %30 olarak hesaplanabilmektedir.
Im
VT
IT
M.Necdet YILDIZ
51
V AC/AC DNTRCLER
rnek:
380V/220V-50Hz ebekede 10Hz ferkansl %50 etkin peryotlu uyarmada altrlan ama kapama kontrollu 3 fazl yldz bal AC kyc devresinin, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz. b) Ayn rnei 3 fazl gen bal AC kyc devresi iin tekrar yapnz. k akm etkin deeri, IO(rms)= VO(rms) / R= 154 / 10 IO(rms)= 15,4A Etkin k gc, PO(rms)= 3 . IO(rms).VO(rms) PO(rms)= 3 . 154 . 15,4= 7,11kW Kaynak akmnn etkin deeri, Im= Vm/R= 220.2 / 10= 31,1A IS(rms)= (Im/2) . k IS(rms)= (31,1 / 2) . 0,5 IS(rms)= 15,4A Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3 . 15,4 . 220= 10,16kW olarak bulunur.
52
zm:
a) Yldz bal rezistif ykte k geriliminin etkin deeri, VO(rms)= VS(rms) . k VO(rms)= 220 . (0,5)= 154V
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) gerilimi, VD Vm+ %30 VD 311 . 1,3 400V Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) akm, ID Vm/R + %30 ID 31,1 . 1,3 40A NOT: Yldz balantda g elemanlar dorudan faz gerilimi ile karlamaktadr. Bu nedenle de akm ve gerilim belirlemesi yaplrken faz gerilimi dikkate alnmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
b) gen bal rezistif ykte k geriliminin etkin deeri, VO(rms)= 3 . VS(rms) . k VO(rms)= 3 . 220 . (0,5)= 266,4V k akm etkin deeri, IO(rms)= VO(rms) / R= 266 / 10 IO(rms)= 26,6A Etkin k gc, PO(rms)= 3 . IO(rms).VO(rms) PO(rms)= 3 . 266 . 26,6= 21,22kW Kaynak akmnn etkin deeri, Im= Vm/R= 380.2 / 10= 53,7A IS(rms)= (Im/2) . k IS(rms)= (53,7 / 2) . 0,5 IS(rms)= 26,6A olarak bulunur.
53
V AC/AC DNTRCLER
Rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3 . 26,6 . 380= 30,32kW Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) gerilimi, VT Vm+ %30 VT 537 . 1,3 700V Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) akm, IT Vm/R + %30 IT 53,7 . 1,3 70A olarak bulunur.
M.Necdet YILDIZ
NOT: gen balantda g elemanlar dorudan hat gerilimi ile karlamaktadr. Bu nedenle de akm ve gerilim belirlemesi yaplrken hat gerilimi dikkate alnmaktadr.
54
V AC/AC DNTRCLER
Bilindii gibi, ama kapama kontrolu youn olarak stc kontrolunda kullanlmaktadr. 3 fazl motor kontrolu ve yksek gl k kontrol yapmak iin ise aada grld gibi faz as kontrollu AC kyclar kullanmak gerekmektedir.
T1 Van
A
Ra T4 T3 T4 T3 T6 T6 T5 Rb T5
Sync-B
Vbn
B Is
Io
+ Sync-C
Vcn
C
T2
+ Vo Rc
T2
- Vs +
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
1 fazl uygulamalardan bilindii gibi dk ve orta glerde ters paralel bal tristrler yerine triyak kullanm daha uygun olmaktadr. Ayn durum 3 faz uygulamalar iin de geerlidir. ekil-5.50de 3 fazl amakapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devre balantsnn triyaklar kullanlarak yaplmas grlmektedir. ekil-5.51de ise devrenin almasn gsteren dalga ekilleri verilmitir.
+ T1 Ra Sync-A
T1 Van
A Io
T2 Rb T2
+ + -
Sync-B
Vbn
B Is
T3
Sync-C
Vcn
C
T3
+ Vo Rc
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
- Vs +
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.49 ve 5.50den grld gibi yldz ykte faz as kontrollu AC voltaj kontrolcu devresi de hem birbirine ters paralel balanm tristrlerle hem de triyak kullanarak yaplabilmektedir. Hem tristrl uygulamada hem de triyakl uygulamada uyarma devresinde ine pals reticiler kullanlmtr. ne palsler her faz iin ayr ayr retilmekte ve anahtarlara uygulanmaktadr. Bu yntemde kontrol ise tetikleme asnn ayarlanmas ile olmaktadr, ekil-5.51.
M.Necdet YILDIZ
Vm
an
bn
cn
VS(faz) Vpals
T1-T4 T1-ilt. T4-ilt. T1-ilt.
Vpals
T3-T6
T6-ilt.
T3-ilt.
T6-ilt.
Vpals
T5-T2
T5
T2-ilt.
T5-ilt.
3.Vm/2
VO (Ra)
0,5 0,5 Vab Vac
57
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.51den grld gibi, her tristr kendisine ait olan alternansn (T1A+, T4A-, T3B+, T6B-, T5C+, T2C-) 90. derecesinde () uyarlm ve iletime gemesi salanmtr. rnek olarak izlenen Ra direnci zerindeki k faz gerilimine bakldnda hat gerilimlerinin yar genliinde olutuu gzlenmektedir. Bunun nedeni her 60 derecelik aralkta sadece 2 elemann iletimde kalmas ve gerilimin 2 yk zerinde paylalmasdr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.51 grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin (rms) k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) Devrenin verimi, 7) Devrenin g katsays, 8) Anahtar gerilimleri, 9) Anahtar akmlar,
58
V AC/AC DNTRCLER
1) Yk gerilimin etkin deeri; 3 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, her yk zerinde aadaki ekil5.52de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda etkin k gerilimi eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
3.Vm/2 0,5 0,5 Vab Vac
0 59o
VO(rms) = 6.VS
60 89o
1 sin 2 + 6 4 8
1 3sin 2 3 cos2 + + 12 16 16 5 sin 2 3 cos2 + + + 24 4 16 16
59
VO(rms) = 6.VS
t
0,5 0,5 Vab Vac
VO
90 150o
VO(rms) = 6.VS
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
2) Yk akmnn etkin deeri; 3 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcunun rezistif ykte altrlmasnda, her yk zerinden aadaki ekil5.53de verilen dalga eklinde akm grleceini belirtmitik. Bu durumda etkin k akm eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
3.Vm/2R
1 IO(rms) = [(Vm / R).sin(t )]2 .d (t ) 2 0 (Vm / R)2 IO(rms) = sin2 (t).d (t) 2 0
0 59o
2
IO(rms) = ( 6.VS / R)
60 89o
1 sin 2 + 6 4 8
1 3sin 2 3 cos2 + + 12 16 16
IO(rms) = ( 6.VS / R)
t
IO
veya
IO(rms) =
M.Necdet YILDIZ
VO(rms) R
60
V AC/AC DNTRCLER
3) Etkin k gc; Toplam etkin k gc, PO(rms)= 3 . IO(rms) . VO(rms) eitliinden bulunabilmektedir. 4) Kaynak akm etkin deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekil-5.54deki gibi olduunu belirtmitik. Buna gre,
3.Vm/2R
I S (rms) = ( 6.VS / R)
60 89o
1 sin 2 + 6 4 8
1 3sin 2 3 cos2 + + 12 16 16
I S (rms) = ( 6.VS / R)
t
IO
veya
I S (rms) = IO(rms) =
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
VO(rms) R
61
V AC/AC DNTRCLER
5) Kaynaktan ekilen g; Toplam etkin giri gc, PS(rms)= 3 . IS(rms) . VS(rms) eitliinden bulunabilmektedir. 6) Devren verimi; Bilindii gibi verim, = PO(rms) / PS(rms) eitliinden bulunabilmektedir. 7) G katsays (cos); G katsays kaynaktan verilen gerilim ile kaynaktan ekilen akm arasndaki annM.Necdet YILDIZ
cos deeridir. ekil-5.55de kaynak gerilimi ve akm grlmektedir. Buradan, g katsaysnn tetikleme asna gre deitii grlmektedir. cos= cos(2 /3)dr.
Vm
VS
IS
62
V AC/AC DNTRCLER
8) Anahtar (tristr) gerilimi; Bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn gerilimi, bloke ettikleri gerilimin tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki gerilim ekil-5.56daki gibi olduuna gre anahtar gerilimi, VT= 3.Vm/2 + %30 olarak hesaplanabilmektedir.
3Vm/2
9) Anahtar (tristr-triyak) akm; Yine bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn zerlerinden geirilen akmn tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki akm ekil-5.57deki gibi olduuna gre anahtar akm, IT= 3.Vm/2R + %30 olarak hesaplanabilmektedir.
3Vm/2R
VT
VT
M.Necdet YILDIZ
63
V AC/AC DNTRCLER
Bilindii gibi, 3 fazl sistemde yke daha fazla g aktarabilmek iin yldz yerine gen balant kullanlmas gerekmektedir. Bu durumda, aadaki ekilden de grld gibi, ykn her bir paras dorudan hat gerilimi ile kar karya gelmektedir.
Van
T1 T4 Ra
T1 T4 T3 T6 T5 T2
+ + + -
Sync-A
Vbn
B Is
T3 T6
Io
Rb
Sync-B
Sync-C
Vcn
T5 T2
+ Vo Rc
- Vs +
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
1 fazl uygulamalardan bilindii gibi dk ve orta glerde ters paralel bal tristrler yerine triyak kullanm daha uygun olmaktadr. Ayn durum 3 faz uygulamalar iin de geerlidir. ekil-5.59da 3 fazl amakapama kontrollu AC voltaj kontrolcu devre balantsnn triyaklar kullanlarak yaplmas grlmektedir. ekil-5.60da ise devrenin almasn gsteren dalga ekilleri verilmitir.
+ T1 Vbn Ra
Sync-A
T1 Van
A Io
T2 Rb T2
+ + -
Sync-B
B Is
Sync-C
T3
Vcn
C
T3
+ Vo Rc
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
- Vs +
M.Necdet YILDIZ
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.58 ve 5.59dan grld gibi gen ykte faz as kontrollu AC voltaj kontrolcu devresi de hem birbirine ters paralel balanm tristrlerle hem de triyak kullanarak yaplabilmektedir. Hem tristrl uygulamada hem de triyakl uygulamada uyarma devresinde ine pals reticiler kullanlmtr. ne palsler her faz iin ayr ayr retilmekte ve anahtarlara uygulanmaktadr. Bu yntemde kontrol ise tetikleme asnn ayarlanmas ile olmaktadr, ekil-5.60.
M.Necdet YILDIZ
3.Vm
ab
bc
ca
VS(faz) Vpals
T1-T4 T1 T4 T1
Vpals
T3-T6
T6
T3
T6
Vpals
T5-T2
T2
T5
3.Vm
VO (Ra)
66
V AC/AC DNTRCLER
ekil-5.60dan grld gibi, her tristr kendisine ait olan alternansn (T1A+, T4A-, T3B+, T6B-, T5C+, T2C-) 90. derecesinde () uyarlm ve iletime gemesi salanmtr. rnek olarak izlenen Ra direnci zerindeki k faz gerilimine bakldnda hat gerilimlerinin genliinde olutuu gzlenmektedir. Bunun nedeni her bir tristrn devreye girmesinde ykn her bir parasnn dorudan iki faz arasna balanmasdr.
M.Necdet YILDIZ
ekil-5.60 grlen temel dalga ekillerinden yararlanarak devrede gerekli hesaplamalar yaplabilir. Devrede yaplabilecek baz hesaplamalar unlardr;
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin (rms) k gc, 4) Kaynaktan ekilen akmn etkin deeri, 5) Kaynaktan ekilen etkin g 6) Devrenin verimi, 7) Devrenin g katsays, 8) Anahtar gerilimleri, 9) Anahtar akmlar,
67
V AC/AC DNTRCLER
1) k gerilimin etkin deeri; 3 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcu gen rezistif ykte altrlmasnda, yk zerinde aadaki ekil5.61de verilen dalga eklinin grleceini belirtmitik. Bu durumda etkin k gerilimi eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
3Vm
VO ( rms )
VO ( rms ) = VO ( rms ) =
VO ( rms )
2 3.Vm
sin 2 (t ).d (t )
4 t
VO ( rms ) =
VO ( rms )
2 3.Vm
.[( 2
sin 2 sin 2 )( )] 4 2 4
VO T
M.Necdet YILDIZ
2 3.Vm sin 2 = .( + ) 2 1 1 2
sin 2 + 2
68
V AC/AC DNTRCLER
2) k akmnn etkin deeri; 3 fazl faz as kontrollu AC voltaj kontrolcunun gen rezistif ykte altrlmasnda, yk zerinden aadaki ekil5.62de verilen akmn geeceini belirtmitik. Bu durumda etkin k akm eitlii rezistif yk iin yan taraftaki gibi hesaplanacaktr.
3Vm/R (Im)
I O ( rms )
I O ( rms ) =
I O ( rms ) =
I O ( rms ) = I O ( rms ) =
I
2 Im
2 m
. sin 2 (t ).d (t )
sin 2 (t ).d (t )
2 I m t sin 2(t ) .[ ] 2 4
2 Im
.[( 2
sin 2 sin 2 )( )] 4 2 4
IO T
M.Necdet YILDIZ
I O ( rms ) I O ( rms )
69
V AC/AC DNTRCLER
2 3) Etkin k gc; 1 I S (rms) = [ 3.I m.sin(t)]2 .d (t) Bilindii gibi etkin k gc, 2 0 PO(rms)= 3 . IO(rms) . VO(rms) 2 ( 3.I m )2 eitliinden bulunabilmektedir. I S (rms) = sin2 (t ).d (t )
4) Kaynak akm etkin deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekil-5.63deki gibi olduunu belirtmitik. Buna gre,
0 60o
3Vm/R IS t
I S (rms) = 3 6.(VS / R)
90 150o
I S (rms) = 3 6.(VS / R)
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
V AC/AC DNTRCLER
5) Kaynaktan ekilen g; Bilindii gibi etkin giri gc, PS(rms)= 3 . IS(rms) . VS(rms) eitliinden bulunabilmektedir. 6) Devren verimi; Bilindii gibi verim, = PO(rms) / PS(rms) eitliinden bulunabilmektedir. 7) G katsays (cos); G katsays kaynaktan verilen gerilim ile kaynaktan ekilen akm arasndaki annM.Necdet YILDIZ
cos deeridir. ekil-5.64de kaynak gerilimi ve akm grlmektedir. Buradan, devre kndaki ykn rezistif olmasna ramen kadarlk bir faz kaymasnn olduu grlmekte (cos= cos(2/3).
Vm
VS
Im
IS IS1
71
V AC/AC DNTRCLER
8) Anahtar (tristr) gerilimi; Bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn gerilimi, bloke ettikleri gerilimin tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki gerilim ekil-5.65deki gibi olduuna gre anahtar gerilimi, VT= 3.Vm + %30 olarak hesaplanabilmektedir.
3Vm
9) Anahtar (tristr-triyak) akm; Yine bilindii gibi, devrede kullanlan g anahtarlarnn zerlerinden geirilen akmn tepe deerine gre hesaplanmaktadr. Anahtarlar zerindeki akm ekil-5.66daki gibi olduuna gre anahtar akm, IT= 3.Vm/R + %30
3.Vm/R
4 t
VT
IT T
M.Necdet YILDIZ
72
V AC/AC DNTRCLER
rnek:
380V/220V-50Hz ebekede 45 derecelik uyarma asnda altrlan faz as kontrollu 3 fazl AC kyc, a) Yldz bal 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) gen bal 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Yldz bal rezistif ykte k geriliminin etkin deeri,
VO(rms) = 6.VS
M.Necdet YILDIZ
1 sin 2 + 6 4 8
V AC/AC DNTRCLER
Yldz bal rezistif ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3 . 20,4 . 220= 13,4kW Yldz ykte devrenin verimi, = PO(rms) / PS(rms) = 12,4kW / 13,4kW= %92,53 Yldz bal rezistif ykte anahtar (tristr-triyak) gerilimi, VT Vm+ %30 VT 311 . 1,3 400V Yldz bal rezistif ykte anahtar (tristr-triyak) akm, ID Vm/R + %30 ID 31,1 . 1,3 40A
M.Necdet YILDIZ
sin 2 + 2
/ 4 sin 2.45 + 2
VO(rms)= 363,29V k akm etkin deeri, IO(rms)= VO(rms) / R= 363 / 10 IO(rms)= 36,3A Etkin k gc, PO(rms)= 3 . IO(rms).VO(rms) PO(rms)= 3 . 36,3 . 363= 39,5kW olarak bulunur.
74
V AC/AC DNTRCLER
Kaynak akmnn etkin deeri;
I S (rms) = 3 6.(VS / R)
1 sin 2 + 6 4 8 1 / 4 sin(2.45) + 6 4 8
IS(rms) = 61,32A gen ykte kaynaktan ekilen etkin g, PS(rms)= 3 . IS(rms).VS(rms) PS(rms)= 3 . 61,3 . 220= 40,4kW gen ykte devrenin verimi, = PO(rms) / PS(rms) = 39,5kW / 40,4kW= %97,77
M.Necdet YILDIZ
Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) gerilimi, VT 3.Vm+ %30 VT 3.311 . 1,3 700V Rezistif ykte anahtar (tristrtriyak) akm, ID 3.Vm/R + %30 ID 3.31,1 . 1,3 70A
75
DEV-12
12.1) 380V/220V-50Hz ebekede, 10Hz-%50 etkin peryotla uyarmada, gen bal 5 luk saf rezistif bir yk besleyen 3 fazl amakapama kontrollu AC kycnn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 12.2) 380V/220V-50Hz ebekede, 45 uyarmada, yldz bal 15 luk saf rezistif yk besleyen 3 fazl faz as kontrollu AC kycnn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ
76
Blm-6
DC-DC Dntrcler
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 1
VI DC/DC DNTRCLER
GR:
DC-DC dntrcler, zellikle son dnemlerde g elektronii ve endstriyel elektronik uygulamalarnda ok youn olarak kullanlmaya balayan g devreleridir. DC-DC dntrclerin kullanm alanlar,
1) Ulam aralarnda, 2) Seyyar elektronik cihazda, 3) Rzgar ve gne enerji sistemlerinde, 4) Kk boyutlara sdrlmas gereken elektronik cihazlarda vb.
DC-DC dntrcleri iki temel grup atnda incelemek mmkndr. Bu gruplar, 1) DC kyclar; a) A snf DC kyc, b) B snf DC kyc, c) C snf DC kyc, d) D snf DC kyc, e) E snf DC kyc. 2) Anahtarlamal regletrler; a) Sekonder anahtarlamal reglatrler, b) Primer anahtarlamal regletrler,
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
1- DC KIYICILAR:
Endstride zellikle DC motorlarn kontrolunda youn olarak kullanlmakta olan DC kyclarda temelde iki farkl alma (altrma) ekli vardr. Bunlar; Azaltan tip DC kyc almas (rezistif ykte); Bu alma durumunda, DC kycnn k gerilimi, giri geriliminden daima daha dk seviyededir. Bu nedenle bu tr almaya azaltan tip alma denilmektedir. ekil-6.1de tipik bir azaltan DC kyc balants grlmektedir. Balantdan grld gibi temel g anahtar olarak BJT kullanlmtr. Devrede, BJT yerine Mosfet veya IGBTde kullanlabilmektedir.
3
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.1den grld gibi azaltan tip DC kycda g anahtar yk ile kaynak arasna seri olarak balanmtr. Devrenin uyarma ve temel dalga ekilleri yan tarafta ekil-6.2de grlmektedir.
%0-%100 Is + Vs + Vk Io + Vo -
t1
VS
T t
VS
1020V
Vk
Vm
VO
Vm
PWM
VT
Im
k
+ Vt f
IS
Im
G devresi
M.Necdet YILDIZ
Kont. devresi
IT-O
t
4
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.2den grld gibi devre girii sabit DC gerilim kaynana balanm, devredeki g anahtar (transistr) ise bir PWM sinyal ile uyarlmtr. Transistr giriine uyarma sinyali verildii srece k gerilimi giri gerilimine eit, uyarma sinyali verilmediinde ise eleman yaltma geeceinden k gerilimi sfr olmaktadr. Uyarma sinyali etkin peryodu %0 ile %100 arasnda deitirilerek k ayarlanabilir
M.Necdet YILDIZ
Hem rezistif yklerin ve elektronik devrelerin beslenmesinde hem de doru akm motorlarnn kontrolunda kullanlabilecek olan bu altrma ynteminde dier g devrelerinde olduu gibi, 1) k geriliminin ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynak akmnn ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Etkin giri direnci 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm hesaplanabilir.
5
VI DC/DC DNTRCLER
1) k gerilimi ortalama deeri; Azaltan tip alan devrede k gerilimi, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.3den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresine gre, 2) k akm ortalama deeri; Azaltan tip alan devrede k akm, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.4den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresine gre,
VO ( dc )
t1
I O ( dc )
1 t V = I m .dt = 1 .I m = k . S T 0 T R
t1
VO t1
M.Necdet YILDIZ
t t2
IO t1 t2
VI DC/DC DNTRCLER
3) Ortalama k gc; Devrenin ortalama k gc, Po= Io.Vo= Vo/R= k.Vs/R eitliinden bulunabilir. 4) Kaynak akm ortalama deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekli, ekil-6.5deki gibi olduuna gre ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc; Kaynaktan ekilen ortalama giri gc aadaki gibi olacaktr. Ps= k . Is . Vs eitliinden bulunabilecektir. 6) Devrenin etkin giri direnci, Kaynaktan grnen direntir.
I S ( dc )
1 t V = I m .dt = 1 .I m = k . S T 0 T R
t1 T
t1
Ri =
VS R = IS k
Im
7) Anahtar akm; IT= 1,3 . Im = 1,3 . Vm / R t 8) Anahtar gerilimi; VT= 1,3 . Vm olacaktr.
IS t1
M.Necdet YILDIZ
t2
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 7
VI DC/DC DNTRCLER
Azaltan tip DC kyc almas (endktif ykte);
Azaltan tip almada endktif yk kullanlmas durumunda ekil6.6da grld gibi serbest gei diyodu kullanlmaldr. Devreyle ilgili dalga ekilleri ise ekil-6.7de grlmektedir.
%0-%100 + Vk -
t1
VS
T t
VS
1020V
Vk
Vm
VO
Vm
Is + Vs -
Io
PWM
VT
k
+ Vt Dm + Vo f
Im
IO
Im
Kont. devresi
G devresi
M.Necdet YILDIZ
IS-T
t
8
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.6dan grld gibi devre girii yine sabit DC gerilim kaynana balanm, devredeki g anahtar (BJT) ise bir PWM sinyal ile uyarlmtr. Transistr giriine uyarma sinyali verildii srece k gerilimi giri gerilimine eit, uyarma sinyali verilmediinde ise eleman yaltma geeceinden k gerilimi sfr olmaktadr. k akm ise sabit olup transistr iletimde olduunda transistr zerinden, transistr yaltmda olduu zamanlarda ise yke ters paralel bal olan serbest gei diyodu zerinden dolamaktadr.
M.Necdet YILDIZ
Hem rezistif yklerin ve elektronik devrelerin beslenmesinde hem de doru akm motorlarnn kontrolunda kullanlabilecek olan bu altrma ynteminde dier g devrelerinde olduu gibi yine, 1) k geriliminin ortalama deeri, 2) k akmnn ortalama deeri, 3) Ortalama k gc, 4) Kaynak akmnn ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Etkin giri direnci 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm, hesaplanabilir.
9
VI DC/DC DNTRCLER
1) k gerilimi ortalama deeri; Azaltan tip alan devrede k gerilimi, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.8den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresine gre, 2) k akm ortalama deeri; Azaltan tip alan devrede k akm, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.9dan grld gibi, yk zerinden srekli akm akt dnlerek,
VO ( dc )
t1
I O ( dc )
1 T V = I m .dt = .I m = S T 0 T R
VO t1
M.Necdet YILDIZ
t t2
IO t1 t2
10
VI DC/DC DNTRCLER
3) Ortalama k gc; Devrenin ortalama k gc, Po= Io.Vo= Vo/R= k.Vs/R eitliinden bulunabilir. 4) Kaynak akm ortalama deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekli, ekil-6.10deki gibi olduuna gre ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc; Kaynaktan ekilen ortalama giri gc aadaki gibi olacaktr. Ps= k . Is . Vs eitliinden bulunabilecektir. 6) Devrenin etkin giri direnci, Kaynaktan grnen direntir.
I S ( dc )
1 t V = I m .dt = 1 .I m = k . S T 0 T R
t1 T
t1
VS R Ri = = IS k
7) Anahtar akm; IT= 1,3 . Im = 1,3 . Vm / R t 8) Anahtar gerilimi; VT= 1,3 . Vm olacaktr.
11
Im
IS t1
M.Necdet YILDIZ
t2
VI DC/DC DNTRCLER
rnek:
200Vdc ebekede %50 etkin peryotlu uyarmada altrlan azaltan tip DC kyc, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri, VO= VS . k VO= 200 . 0,5 VO= 100V
M.Necdet YILDIZ
k akmnn ortalama deeri, IO= VO / R= 100 / 10 IO= 10A Ortalama k gc, PO= IO.VO PO= 10 . 100= 1kW Kaynak akmnn ortalama deeri, IS= Im . k= (Vm / R) . k IS= (200 / 10) .0,5 IS= 10A
NOT: Devrenin girii de DC olmas nedeniyle kaynak akmnn ortalama deeri hesaplanmtr.
12
VI DC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen g, Ps= k . Vs . Is = 0,5 . 200 . 10 Ps= 1kW Devrenin etkin giri direnci, R= R / k R= 10 / 0,5 = 20 Anahtar (transistr) akm, IT Vm/R + %30 IT (200 / 10) . 1,3 26A Anahtar (transistr) gerilimi, VT 200 . 1,3 260V b) Endktif ykte k geriliminin ortalama deeri, VO= VS . k VO= 200 . 0,5 VO= 100V k akm ortalama deeri, IO= VS / Z= 200 / 10 IO= 20A Ortalama k gc, PO= IO.VO PO= 20 . 100= 2kW Kaynak akm ortalama deeri, IS= (VS / Z).k = (200/10).0,5 IS= 10A
13
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
Endktif ykte kaynaktan ekilen g, PS= k . IS .VS PS= k . 10 . 200= 1kW Endktif ykte devrenin etkin giri direnci, Z = Z / k Z= 10 / 0,5 = 20 Anahtar (transistr) akm, IT VS/R + %30 IT (200 / 10) . 1,3 26A
Anahtar (transistr) gerilimi, VT VS + %30 VT 200 . 1,3 260V NOT: Azaltan tip DC kyc
devresinde giri gerilimi tamamen dzgn bir DC olmasna karn yaplan anahtarlama sonucu oluan k gerilimi kare dalga formatndadr. Bu gerilimin dzgnletirilmesi iin kapasitr filtresi kullanlmaldr. Devre knda filtre iin kullanlan kapasiteyi kltmek ve kn daha dzgn olmasn salamak iin anahtarlama frekans yksek (10-100kHz aras) seilmektedir.
14
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
Arttran tip DC kyc almas (rezistif ykte);
ekil-6.11de arttran tip devre yaps, ekil-6.12de ise rezistif yke gre devrenin dalga ekilleri grlmektedir. Bu devre yaps genellikle batarya gerilimini ykseltmek iin kullanlmaktadr.
IS, IL IO
t1
VS
T t t t t t t t
15
VS
12V
Vk
Vm
VO
Vm
+ VL + Vs -
+ Vt +Vk- -
It
+ Vo -
VT
Im
IS
Im
O
PWM k
Im
T
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.12den grld gibi ykselten tip devrede anahtarlama eleman azaltan devrenin aksine kaynaa ve yke paralel olarak balanmtr. Bu durumda transistr uyarldnda kayna L zerinden ksa devre ederek akm yklemekte, yaltma geirildiinde ise kaynak ve L akm yk zerinden gemektedir. Bu akma gre oluan k gerilimi tepe deeri kya bal olarak deimektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu devrede k geriliminin etkin deere (k) gre deiim grafii aadaki ekil-6.13de grlmektedir. Grafikten grld gibi, k gerilimi k ile doru orantl olarak deimekte olup giriin 7 katna kadar kabilmektedir.
Vo / Vs 7 6 5 4 3 2 1 .2 .4 .6 .8 1.0
16
VI DC/DC DNTRCLER
1) k gerilimi ortalama deeri; Rezistif ykte oluan k gerilimi, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.14den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresine gre, k= t1 / (t1+t2) Vdc VS + VL = Vs + L(di/dt) Vdc Vs.[ (t1+t2) / t2 ]= Vs/(1-k) eitlikleri kullanarak bulunabilir. kT T
Vm
2) k akm ortalama deeri; Ykselten tip alan devrede k akm, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.15den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresine gre oluan gerilimle orantl olarak, Idc = Vdc / R eitlii kullanarak bulunabilecektir. kT
Im
VO t1 t2
IO t1 t2
M.Necdet YILDIZ
17
VI DC/DC DNTRCLER
3) Ortalama k gc; Ortalama k gc, Pdc= Idc . Vdc olacaktr. 4) Kaynak akm ortalama deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekli, ekil-6.16daki gibidir. Buna gre akmn ortalama deeri yledir, IS Im= (VS/R) + IL = (VS/R) / (1-k) t1
Im
5) Ortalama giri gc; Kaynaktan ekilen ortalama giri gc aadaki gibi olacaktr. PS(dc)= (IS(dc) . VS) / (1-k) 6) Devrenin etkin giri direnci, Kaynaktan grnen direntir ve R= VS / IS = R . (1-k) olacaktr. 7) Anahtar akm; IT= 1,3 . Im = 1,3 . Vm / R 8) Anahtar gerilimi; VT= 1,3 . Vm olacaktr.
IS t1 t2
M.Necdet YILDIZ
18
VI DC/DC DNTRCLER
Arttran tip DC kyc almas (endktif ykte);
Bu alma eklinde ykn ok endktif olduu kabul edilmitir. Buna gre ekil-6.17de devre yaps, ekil-6.18de ise devrenin almasn gsteren dalga ekilleri grlmektedir.
IS, IL IO
t1
VS
T t t t t t t t
19
VS
12V
Vk
Vm
VO
Vm
+ VL + Vs -
It
VT
Z
+Vk-
+ Vt -
+ Vo -
Im
IO
Im
IS
PWM k
Im
T
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.17den grld gibi ykselten tip devre endktif ykte altrldnda yk zerindeki ykn boalmas iin yke ters paralel bir serbest gei diyodu balanmtr. Devrede yine transistr uyarldnda kayna L zerinden ksa devre ederek akm yklemekte, yaltma geirildiinde ise kaynak ve L akm ykten gemektedir. Bu akma gre oluan k gerilimi tepe deeri kya bal olarak deimektedir.
M.Necdet YILDIZ
Bu devrede k geriliminin etkin deere (k) gre deiim grafii yine aadaki ekil6.19da grld gibidir. Grafikten grld gibi, k gerilimi k ile doru orantl olarak deimekte olup giriin 7 katna kadar kabilmektedir.
Vo / Vs 7 6 5 4 3 2 1 .2 .4 .6 .8 1.0
20
VI DC/DC DNTRCLER
1) k gerilimi ortalama deeri; Endktif ykte oluan k gerilimi, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.20den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresine gre, k= t1 / (t1+t2) Vdc VS + VL = Vs + L(di/dt) Vdc Vs.[ (t1+t2) / t2 ]= Vs/(1-k) eitlikleri kullanarak bulunabilir. kT T
Vm Im
2) k akm ortalama deeri; Ykselten tip alan devrede k akm, daha nce verildii ve aadaki ekil-6.21den grld gibi, g anahtarnn iletimde kalma sresiyle doru orantl olarak, Idc = Im = VS/R + IL = (VS/R) / (1-k) eitlii kullanarak bulunabilecektir. kT T
VO t1 t2
IO t1 t2
M.Necdet YILDIZ
21
VI DC/DC DNTRCLER
3) Ortalama k gc; Ortalama k gc, Pdc= Idc . Vdc olacaktr. 4) Kaynak akm ortalama deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekli, ekil-6.22deki gibidir. Buna gre akmn ortalama deeri yledir, IS(dc) = Im = VS/R + IL = (VS/R) / (1-k) kT
Im
5) Ortalama giri gc; Kaynaktan ekilen ortalama giri gc aadaki gibi olacaktr. PS(dc)= (IS(dc) . VS) / (1-k) 6) Devrenin etkin giri empedans, Kaynaktan grnen direntir ve Z= VS / IS = Z . (1-k) olacaktr. 7) Anahtar akm; IT= 1,3 . Im = 1,3 . Vm / R t 8) Anahtar gerilimi; VT= 1,3 . Vm olacaktr.
IS t1 t2
M.Necdet YILDIZ
22
VI DC/DC DNTRCLER
rnek:
200Vdc ebekede %50 etkin peryotlu uyarmada altrlan arttran tip DC kyc, a) 10 luk rezistif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 10 luk endktif bir yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
k akmnn ortalama deeri, Idc= Vdc / R = 400 / 10 Idc= 40A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 40 . 400= 16kW Kaynak akmnn ortalama deeri,
IS(dc) Im= VS/R + IL = (VS/R) / (1-k)
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin ortalama deeri, k= t1 / (t1+t2)= 0,5 Vdc VS + VL = VS / (1-k) Vdc 200 / (1-0,5)= 400V
M.Necdet YILDIZ
23
VI DC/DC DNTRCLER
Kaynaktan ekilen g, PS(dc)= (IS(dc).VS(dc) ) / (1-k) PS= (40 . 200) / (1-0,5)= 16kW Devrenin etkin giri direnci, R= R . (1-k) R= 10 . (1-0,5) = 5 Anahtar (transistr) akm, IT Vm/R + %30 IT (400 / 10) . 1,3 52A Anahtar (transistr) gerilimi, VT 400 . 1,3 520V b) Endktif ykte k geriliminin ortalama deeri etkin peryot kullanlarak, k= t1 / (t1+t2)= 0,5 Vdc VS + VL = VS / (1-k) Vdc 200 / (1-0,5)= 400V k akmnn ortalama deeri, Idc = Im = VS/R + IL = (VS/R) / (1-k) Idc = (200/10) / (1-0,5)= 40A Ortalama k gc, Pdc= Idc.Vdc Pdc= 40 . 400= 16kW
M.Necdet YILDIZ
24
VI DC/DC DNTRCLER
Kaynak akmnn ortalama deeri,
IS(dc) Im= VS/R + IL = (VS/R) / (1-k) Anahtar (transistr) akm, IT Vm/Z + %30 IT (400 / 10) . 1,3 52A Anahtar (transistr) gerilimi, VT 400 . 1,3 520V NOT: Arttran tip DC kyc devresi genellikle doru akm motorlarnda rejeneratif frenleme uygulanmas srasnda kullanlmaktadr. Bu uygulama sayesinde motor sarglarnda indklenen gerilim kaynak geriliminden daha yksek hale getirilerek ters akm akmas ve bu sayede hem motorun frenlemeye girmesi hem de kazanlan enerjinin kaynaa geri aktarlmas salanmaktadr.
25
IS(dc) Im= (200/10) / (1-0,5) IS(dc) Im= 40A Kaynaktan ekilen g, PS(dc)= (IS(dc).VS(dc) ) / (1-k) PS= (40 . 200) / (1-0,5)= 16kW Devrenin etkin giri empedans, Z= Z . (1-k) Z= 10 . (1-0,5) = 5
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
DC KIYICILARIN SINIFLANDIRILMASI: Giri blmnde de belirtildii gibi DC kyclar alma ekline gre 5 farkl snfa ayrmak mmkn olmaktadr. Bunlar; A snf dc kyclar, B snf dc kyclar, C snf dc kyclar, D snf dc kyclar, E snf dc kyclardr. imdi bu kyc trleri ve zellikleri srasyla detayl olarak incelenecektir.
M.Necdet YILDIZ
A snf DC kyclar;
A snf DC kyclar, daha nce ayrnts ile incelenen Azaltan tip DC kyc yapsdr. Dolaysyla bu tr bir kycda k gerilimi daima giri geriliminin altndadr. ekil-6.23de grld gibi, genellikle dk ve orta glerdeki doru akm motorlarnn kontrolnde ve farkl dc besleme gerilimi gereken devrelerde kullanlan A snf DC kyclar sadece 1. blgede almaktadr.
Vo A snf DC kyc alma blgesi 0 1. blge Io
26
VI DC/DC DNTRCLER
B snf DC kyclar;
B snf DC kyclar, daha nce ayrnts ile incelenen Arttran tip DC kyc yapsdr. Dolaysyla bu tr bir kycda k gerilimi daima giri geriliminin stndedir. Genellikle doru akm motorlarnn re-jeneratif (enerjiyi geri kazanarak) frenleme kontrolnde ve gerilim ykseltmekte kullanlan B snf DC kyclar, ekil-6.24de grld gibi sadece 2. blgede almaktadr.
Vo 2. blge -Io
M.Necdet YILDIZ
C snf DC kyclar;
C snf DC kyclar, A snf ve B snf DC kyclarn birletirilmesiyle oluturulan yeni bir kyc devresidir. C snf kyclar, zellikle orta ve yksek gteki doru akm motorlarnn tek ynl hz ve rejeneratif frenleme kontrolnde kullanlmaktadrlar. Bu tr kyclar A ve B snflarnn birleimi olduu iin alma blgesi de ekil-6.25de grld gibi 1. ve 2. blgelerdir.
Vo 2. blge -Io
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
1. blge Io
27
VI DC/DC DNTRCLER
Aadaki ekil-6.26da tipik bir C snf DC kyc balants grlmektedir.
If Is + Vs T1 + Vt1 - D1 It D2
Io
+ Vo G devresi
+ Vk T2
ekil-6.26da grlen balantda T1 transistr uyarldnda devre A snf olarak almakta ve motoru enerjilendirerek dnmesini salamaktadr. T2 transistr uyarldnda ise devre B snf olarak almakta ve ykn ataletiyle dnmeye devam ederek bir jeneratr gibi elektrik reten motorun k gerilimini ykselterek kaynaa doru akm aktmasn salamaktadr. Bu sayede hem motor hzl olarak frenlenmekte hem de kaynak arj edilmektedir.
28
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.26da grlen balantda T1 transistr uyarldnda devreden Is=Io akm dolamakta, T1 yaltma getiinde ise Io akm D2 diyodu zerinden devam etmektedir. T2 transistr uyarldnda ise devreden It akm dolamakta, T2 yaltma getiinde ise If akm D1 diyodu zerinden kaynaa doru akmaktadr. Devrenin dalga ekilleri ve hesaplamalar A ve B snflarnda olduu gibidir.
M.Necdet YILDIZ
D snf DC kyclar; D snf DC kyclar, ift ynl DC kyclara geite bir ara durum olup, genellikle tek bana kullanlmazlar. Bu tr kyclar, C snf DC kycda olduu gibi yine ift blgede almaktadr. D snf DC kycnn alma blgeleri ekil-6.27de grld gibi 1. ve 4. blgelerdir.
Vo 1. blge -Io 0 4. blge Io
-Vo
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 29
VI DC/DC DNTRCLER
Aadaki ekil-6.28de tipik bir D snf DC kyc balants grlmektedir.
Is T1 + Vs Io D1 T2 Id + Vo D2
Opto-1 T1e
+ Vk -
Opto-2
ekil-6.28den grld gibi T1 ve T2 transistrleri ayn anda uyarlmakta ve seri bal gibi almaktadr. D1 ve D2 diyotlar ise serbest gei diyodu olarak almaktadrlar. Devre aslnda azaltan tip DC kyc gibi almakta ve motoru tek ynl olarak kontrol etmektedir. Tek fark serbest gei akmnn (Id) kaynak zerinden dolamasdr. Devrenin herhangi bir frenleme fonksiyonu yoktur, nk yk akm hep ayn ynldr. k gerilimi ise srekli olarak yn deitirmektedir.
30
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
ekil-6.28de grlen balantda transistrler uyarldnda devreden Is=Io akm dolamakta, transistrler yaltma getiinde ise Io=Id akm diyotlar ve kaynak zerinden devam etmektedir. Bu durumda transistrler iletimdeyken k gerilimi pozitif, transistrler yaltma getiinde ise akm diyotlar zerinden dolaaca iin k gerilimi negatif olmaktadr. Devrenin k dalga ekilleri ve hesaplamalar ise azaltan tip DC kycda olduu gibidir.
M.Necdet YILDIZ
E snf DC kyclar; E snf DC kyclar, ift ynl (4 blgeli) DC kyclar olarak bilinmekte olup iki adet C veya iki adet D snf DC kycnn birleiminden olumulardr. Bu tr kyclar, iki adet ift blgeli DC kycnn birleimi olduu iin, alma blgeleri de ekil-6.29da grld gibi 1.2.3. ve 4. blgelerdir.
Vo 2. blge -Io 1. blge Io
31
VI DC/DC DNTRCLER
Aadaki ekil-6.30da tipik bir E snf DC kyc balants grlmektedir.
Is + Vs T1 D1 Io
T4 D4
G devresi Uyarma dv.
+ Vo -
T3 D3
T2 D2
PWM
Opto-1 T1 Opto-2 T2
ekil-6-30dan grld gibi, motor ileri ynde dndrlmek istendiinde T1 ve T2 uyarlmakta ve devre D snf DC kyc gibi altrlmaktadr. Motor ileri ynde dnerken rejeneratif frenleme yaplmas gerektiinde sadece T4 uyarlarak devre B snf (ykselten tip) DC kyc gibi altrlmakta ve motoru jeneratr gibi altrarak D1D2 ve kaynak zerinden frenleme akm aktlmaktadr. Bu durumda motor zerindeki enerji geri kazanlarak hzl frenleme yaplmaktadr.
32
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
Yine ekil-6-30dan grld gibi, motor geri (ters) ynde dndrlmek istendiinde T3 ve T4 uyarlmakta ve devre ters ynde yine D snf DC kyc gibi altrlmaktadr. Motor geri ynde dnerken rejeneratif frenleme yaplmas gerektiinde sadece T2 uyarlarak devre yine B snf (ykselten tip) DC kyc gibi altrlmakta ve motoru jeneratr gibi altrarak D3D4 ve kaynak zerinden frenleme akm aktlmakta ve motor zerindeki enerji geri kazanlarak fren yaplmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
E snf DC kyclar, zellikle sabit mknats uyartml ve yabanc uyartml doru akm motorlarnda hem ift ynl hz kontrolu hem de ift ynl frenleme kontrolunda kullanlabilen, hem k akm hem de k gerilimi ters evrilebilen tam donanml motor src devreleridir. E snf DC kyclar istenirse birbirine ters paralel bal iki C snf kyc olarak da kontrol edilebilmektedir. Devrenin k dalga ekilleri ve hesaplamalar ise azaltan tip DC kycda olduu gibidir.
33
VI DC/DC DNTRCLER
2- ANAHTARLAMALI REGLATRLER:
Anahtarlamal reglatrler hemen hemen tm elektronik cihazlarn beslemesinde ok yaygn olarak kullanlan dc-dc dntrc uygulamalardr. Aadaki ekil-6-31de anahtarlamal reglatrlerin genel yaps grlmektedir.
DC kaynak
Deiken DC
ekil-6.31den grld gibi, devre giriine gelen reglesiz dc gerilim bir DC kycdan geirilerek kta bulunan ve sabit gerilim isteyen yke aktarlmaktadr. k geriliminin sabit kalabilmesi iinse DC kycnn PWM kontrol devresi bir geribesleme dzenei zerinden srekli olarak uyarlmaktadr. Anahtarlamal reglatrlerin 3 temel tr bulunmaktadr. Bunlar,
DC kyc
Kontrol Devresi PWM
Sabit DC
DC yk
Referans gerilimi
Geri besleme
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
Azaltan (Buck) Reglatr;
Azaltan reglatr aslnda azaltan tip DC kyc g devresinin dolaysyla da A snf DC kyc devre yapsnn benzeridir. ekil6.32den grld gibi aradaki tek fark devre knda bir L-C filtre devresinin kullanlmasdr.
Is Io
Lf Dm Cf
+ Vo -
Yk
Geri Besleme
PWM f k
ekil-6.32de grlen azaltan (buck) reglatr devresinin A snf DC kycdan bir baka fark da kontrol devresine g devresi kndan bir voltaj geri beslemesi yaplm olmasdr. Zaten bu sayede devre reglatr (sabitleyici) zelliini kazanmaktadr. k gerilimi ykselmek istediinde geri besleme sayesinde kontrol devresi uyarlarak PWM kare dalgann etkin peryodu daraltlmakta, tersi durumda da geniletilmekte ve k gerilimi hep istenen deerde sabit tutulmaktadr. Yksek frekansta alan devrenin dalga ekilleri ve hesaplamalar azaltan tip DC kycyla ayndr.
35
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
Arttran (Boost) Reglatr;
Arttran reglatr aslnda arttran tip DC kyc g devresinin dolaysyla da B snf DC kyc devre yapsnn benzeridir. ekil6.33den grld gibi aradaki tek fark devre knda bir C filtre devresinin kullanlmasdr.
Is=IL Io
+ Vt + Vo -
D Cf
+ Vo -
Yk
Geri Besleme
PWM f k
ekil-6.33de grlen arttran (boost) reglatr devresinin B snf DC kycdan bir baka fark da kontrol devresine g devresi kndan bir voltaj geri beslemesi yaplm olmasdr. Zaten bu sayede devre reglatr (sabitleyici) zelliini kazanmaktadr. k gerilimi ykselmek istediinde geri besleme sayesinde kontrol devresi uyarlarak PWM kare dalgann etkin peryodu daraltlmakta, tersi durumda da geniletilmekte ve k gerilimi hep istenen deerde sabit tutulmaktadr. Yksek frekansta alan devrenin dalga ekilleri ve hesaplamalar arttran tip DC kycyla ayndr.
36
M.Necdet YILDIZ
VI DC/DC DNTRCLER
Tersleyen (Inv.) Reglatr;
Tersleyen reglatr aslnda azaltan ve arttran reglatrlerin birleiminden oluan ve k gerilimi girie gre ters olan bir reglatr trdr. ekil-6.34de grlen devrede ters k gerilimi Vsin altnda veya stnde olabilir.
Is Io
+ Vs -
D L + Vo IL Cf
Vo +
Yk
Geri Besleme
PWM f k
ekil-6.34de grlen tersleyen (inv.) reglatr devresinin yine en nemli zellii, kontrol devresine g devresi kndan bir voltaj geri beslemesi yaplm olmasdr. Zaten bu sayede devre reglatr (sabitleyici) zelliini kazanmaktadr. k gerilimi istenen seviyeden ykselmek istediinde geri besleme sayesinde kontrol devresi uyarlarak PWM kare dalgann etkin peryodu daraltlmakta, tersi durumda da geniletilmekte ve k gerilimi hep istenen deerde sabit tutulmaktadr. Devrenin dalga ekilleri ve hesaplamalar arttran tip kycyla benzerdir (Vs yerine k.Vs).
37
M.Necdet YILDIZ
DEV-13
13.1) 220V-50Hz ebekede, 10kHz frekansl ve %70 etkin peryotlu PWM ile altrlan ve 6 rezistif bir yk besleyen A snf DC kycnn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 13.2) 50Vdc ebekede, 10kHz frekansl ve %60 etkin peryotlu PWM ile altrlan ve 4 rezistif bir yk besleyen B snf DC kycnn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ
38
Blm-7
DC-AC Dntrcler
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 1
DC-AC dntrcleri iki temel grup atnda incelemek mmkndr. Bu gruplar, 1) PWM nvertrer; a) Gerilim Kaynakl (VSI), 1 faz VSI, 3 faz VSI. b) Akm Kaynakl (CSI), 1 faz CSI, 3 faz CSI. 2) Rezonansl nvertrler; a) Seri Rezonansl nvertrler, b) Paralel Rezonansl nvertrlerdir.
2
M.Necdet YILDIZ
M.Necdet YILDIZ
ekil-7.1de grlen yarm kpr invertr devresi, ayn g ve zelliklerde 2 adet DC kaynak gerektirdii iin pratik kullanm iin uygun deildir. Devre knda AC gerilim elde edebilmek iin T1 ve T3 transistrleri srayla ve e zamanl olarak (push-pull) uyarlmaldr. T1 uyarldnda Vs-1 kayna yke balanacak ve k gerilimi pozitif olacaktr. T3 uyarldnda ise Vs-2 kayna yke balanacak ve k gerilimi negatif olacaktr. Bu ilem peryodik olarak gerekli olarak frekansta yapldnda kta istenilen frekansl AC gerilim elde edilmi olacaktr.
4
M.Necdet YILDIZ
T3 + Vo Io
T2
PWM
ekil-7.2de grlen tam kpr invertr devresiyle, tek bir DC kaynak kullanarak yarm kpr invertrle elde edilen sonucun ayns elde edilebilmektedir. Devre knda AC gerilim elde edebilmek iin T1-T2 ve T3-T4 transistrleri srayla ve e zamanl olarak (push-pull) uyarlmaldr. T1-T2 uyarldnda Vs kayna yke balanacak ve k gerilimi pozitif olacaktr. T3-T4 uyarld zaman ise Vs kayna yke ters balanacak ve k gerilimi negatif olacaktr. Bu ilem peryodik olarak yapldnda kta istenilen frekansl AC gerilim olumaktadr.
5
M.Necdet YILDIZ
T3-T4
T1-T2
T3-T4 t
VS
15V
Vt1t2
15V
k k k= %100 k
k
t t t
Vt3t4
Vm
VO
-Vm Vm
VT1
Im
IO
-Im Im
IS
M.Necdet YILDIZ
Deiken frekansl gerilim gereken uygulamalarda kullanlan 1 fazl gerilim kaynakl PWM invertrn rezistif ykte alrken dier g devrelerinde olduu gibi,
1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akmnn ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm, hesaplanabilir.
7
1) Deiken kaynak gerilimi (Vs) kullanlarak, 2) Deiken etkin peryot (k) kullanlarakdr.
PWM invertrlerde adndan da anlalaca gibi daha ok ikinci yntem olan etkin peryot kontrol yntemi kullanlmaktadr.
M.Necdet YILDIZ
VO ( rms )
k 2 = Vm .dt = k .VS T /2 0
T /2
I O( rms)
k = T /2
T /2
I
0
2 m
.dt =
VO( rms)
R
olarak bulunabilecektir.
Vm
k= %100 k k
olarak bulunabilecektir.
t
2
Im
k= %100 k
2
t
k
VO
-Vm
IO
-Im
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
T
8
I S ( rms )
k = T /2
T /2
I m .dt =
0
k .VS R
eitliinden bulunabilecektir. 2
Im
k= %100 k k k k
IS
T
M.Necdet YILDIZ
T3 D3
T2 D2
PWM
+ Src-3 T3 Src-4 T4
Src-1 T1 Src-2 T2
ekil-7.7den grld gibi ykn endktif olmas durumunda, yk zerindeki enerjinin boalabilmesi iin devreye serbest gei diyotlar eklenmi durumdadr. Serbest gei diyotlar her bir transistre ters paralel olarak eklemitir. Bu durumda ortaya kan devre daha nce DC kyclarda incelenmi olan E snf DC kyc devresi olmaktadr. Tabii ki burada kontrol mant E snf kycdaki gibi deildir. Bu nedenle devre invertr olarak almaktadr.
10
M.Necdet YILDIZ
VS
15V
Vt1t2
15V
t t t
Vt3t4
Vm
VO
-Vm Vm
VT1
Im
IO
-Im Im
IS
-Im
M.Necdet YILDIZ
11
VO ( rms )
k 2 = Vm .dt = k .VS T /2 0
T /2
I O ( rms )
k T /2
T /4
I
0
2 m
.dt
k Vm . 2 Z
olarak bulunabilecektir.
k= %100 k k
olarak bulunabilecektir.
t
2
Im
2
t
Vm
VO
-Vm
IO
-Im
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
T
12
I S ( rms )
k T /2
T /4
2 I m .dt 0
k Vm . 2 Z
eitliinden bulunabilecektir. 2
Im
IS
-Im
T
M.Necdet YILDIZ
zm:
a) Rezistif ykte k geriliminin etkin deeri,
VO= VS . k VO= 200 . 0,5 = 140V k akmnn etkin deeri, IO= VO / R= 140 / 10 IO= 14A Etkin k gc, PO= IO.VO PO= 14 . 140= 1,96kW Kaynak akmnn ortalama deeri, IS= Im . k= (VS / R) . k IS= (200 / 10) .0,5 IS= 10A
14
Etkin k gc, PO= IO.VO PO= 10 . 140= 1,4kW Kaynak akm etkin deeri, IS= (VS / Z).(k/2) IS= (200/10).(0,5/2) = 10A Kaynaktan ekilen g, PS= IS .VS PS= 10 . 200= 2kW Devrenin verimi, = PO / PS = 1,4kW / 2kW= %70 Anahtar gerilimi ve akm, VT 200 . 1,3 260V IT (200 / 10) . 1,3 26A
15
M.Necdet YILDIZ
16
T1 D1
T3 D3
T5 D5
+ VAN IA
+ RA VAB -
RB RC
3xPWM
A B C D
Src-1
Src-3
Src-5
T1
Src-4 Src-6
T3
Src-2
T5
T4
B
T6
D
T2
M.Necdet YILDIZ
17
Devrenin kna balanm olan yldz bal fazl yk ise her bir transistr ikilisi kna balanmtr. Yk direnlerinin ortak ucu ise ntr (N) durumundadr. Devrenin kontrol edilebilmesi iin ise prensip olarak 3 adet PWM reteci kullanlmas gerekmekte olup bunlardan her birisi bir fazn olumasn salamaktadr. Her bir PWM devresinin kna da srcler balanarak (optoc. vb.) transistrlerin etkin olarak kontrolu salanmaktadr. Uygulamada her fazn PWM sinyalleri tek bir mikroilemci ile retilmektedir.
18
Vm VS Vm Vab Vm Vbc
T1 T1 T1 T4 T4 T4 T1 T1 T1 T4 T4 T4 T6 T6 T3 T3 T3 T6 T6 T6 T3 T3 T3 T6 T5 T2 T2 T2 T5 T5 T5 T2 T2 T2 T5 T5
t t
180
360 2
540 3
720 4 t
Vca
t t
k
t t t
Vcn
M.Necdet YILDIZ
19
ekil-7.14de verilen g devresi dalga ekillerine bakldnda yaplan 180 derecelik uyarma sonucunda, istenilen frekansta, 120er derece faz farkl ve Vm tepe deerli 3 adet hat gerilimi (Vab, ) ile yine kendi aralarnda 120er derece faz farkl ve 2.Vm/3 tepe deerli 3 adet faz gerilimi (Van, ) olumaktadr. ekil-7.14de gsterilen kademeli faz gerilimlerinin oluumu aada ekil-7.15de gsterilmitir.
+ Vs/3 RA + VS
-
RB RC RA + 2Vs/3 b) 60 - 120
RC RB a) 0 - 60
3 fazl gerilim kaynakl PWM invertr devresinin yldz ykteki daga ekillerinden yararlanarak dier g devrelerinde olduu gibi hesaplamalar yaplabilir. 1) k faz ve hat gerilimlerinin etkin deeri, 2) k faz ve hat akmlarnn etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akm ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm.
21
Vm Vab t
2Vm/3 Vm/3
Van
T
t1 t2
M.Necdet YILDIZ
T
t1 t2 t3
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 22
Is = 2.Vm / 3.R
eitliinden bulunabilecektir.
0 60 120 180 2Vm/3R
Ian
T
t1 t2 t3
M.Necdet YILDIZ
IS
23
Bilindii gibi 3 fazl sistemde yldz balantnn yansra gen balant da zellikle yksek glerde kullanlmaktadr. 180 derece iletimde yldz bal ykteki performansn incelediimiz 3 fazl gerilim kaynakl PWM invretrn gen bal ykte altrlmas durumunda devre yapsnda, dalga ekillerinde ve performans hesaplamalarnda oluacak deiiklikler yine 180 derece alma durumu iin aadaki blmde ayrntsyla incelenecektir.
24
DEV-14
14.1) 300Vdc ebekede, 100Hz frekansl ve %50 etkin peryotlu PWM ile altrlan ve 6 rezistif bir yk besleyen 1 fazl VSInn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 14.2) 500Vdc ebekede, 100Hz frekans ve 180 iletim modunda altrlan ve 5 yldz bir yk besleyen 3 fazl VSInn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ
25
T1 D1
T3 D3
T5 D5
A IA
+ VAB -
B C
3xPWM
A B C D
Src-1
Src-3
Src-5
T1
Src-4 Src-6
T3
Src-2
T5
T4
B
T6
D
T2
M.Necdet YILDIZ
26
Devrenin kna balanm olan gen bal fazl ykn keleri ise her bir transistr ikilisi kna balanmtr. Bilindii gibi gen balantda ntr noktas olumamaktadr. Devrenin kontrol edilebilmesi iin ise prensip olarak 3 adet PWM reteci kullanlmas gerekmekte olup bunlardan her birisi bir fazn olumasn salamaktadr. Her bir PWM devresinin kna da srcler balanarak (optoc. vb.) transistrlerin etkin olarak kontrolu salanmaktadr. Uygulamada her fazn PWM sinyalleri tek bir mikroilemci ile retilmektedir.
27
Vm VS Vm Vab Vm Vbc
T1 T1 T1 T4 T4 T4 T1 T1 T1 T4 T4 T4 T6 T6 T3 T3 T3 T6 T6 T6 T3 T3 T3 T6 T5 T2 T2 T2 T5 T5 T5 T2 T2 T2 T5 T5
t t
180
360 2
540 3
720 4 t
Vca
t t
k
t t t
IC
M.Necdet YILDIZ
28
ekil-7.22de verilen g devresi dalga ekillerine bakldnda yaplan 180 derecelik uyarma sonucunda, istenilen frekansta, 120er derece faz farkl ve Vm tepe deerli 3 adet hat-faz gerilimi (Vab, ) ile yine kendi aralarnda 120er derece faz farkl ve 2.Vm/R tepe deerli 3 adet hat akm (Ia, ) olumaktadr. ekil-7.22de gsterilen kademeli hat akmlarnn oluumu aada ekil-7.23de gsterilmitir.
Vs/R + VS
-
RA RB
2Vs/R A
RA RB
Vs/R A
RA RB
B C RC
B C RC
B C RC
b) 60 - 120
c) 120 - 180 29
3 fazl gerilim kaynakl PWM invertr devresinin gen ykteki daga ekillerinden yararlanarak dier g devrelerinde olduu gibi hesaplamalar yaplabilir. 1) k faz ve hat akmlarnn etkin deeri, 2) k faz ve hat gerilimlerinin etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akm ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm.
30
Vm/R IRa t
2Vm/R Vm/R
IA
T
t1 t2
M.Necdet YILDIZ
T
t1 t2 t3
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 31
Po = 3 . IRa . VAB
4) Kaynak akmn ortalama deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekli, ekil-7.27deki gibi olduuna gre,
Is = 2.Vm / R
eitliinden bulunabilecektir. t
2Vm/R 0 60 120 180
Vm VAB
T
t1 t2
M.Necdet YILDIZ
IS
32
rnek:
200Vdc ebekede 180 derece uyarmada altrlan 3 fazl gerilim kayn. PWM invertrn, a) 3x10 luk yldz bal yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 3x10 luk gen bal yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) 3x10 luk yldz bal yk beslenmesi durumunda, k hat geriliminin etkin deeri;
33
Ia(rms) (200/3.10).[(6,66) / 10] + (2.200/3.10) . (3.33 / 10) Ia(rms) 5,44 + 7,69 Ia(rms) 13,13A Etkin k gc; Po = 3/2 . Ia . Van Po= 3/2.13,13.131,3= 2,58kW Kaynak akmnn ortalama deeri; Is = 2.Vm / 3.R Is = 2.200 / 3.10 = 13,33A Kaynaktan ekilen g; Ps = Is . Vs Ps= 13,33 . 200= 2,66kW
34
k hat akmnn etkin deeri; Ia(rms) (Vm/R) . [(t1+t3) / T] + (2Vm/R) . (t2 / T) Ia(rms) (200/10) . [(6,66) / 10] + (2.200/10) . (3,33 / 10) Ia(rms) 16,32 + 23,0 39,32A k faz akmnn etkin deeri; IRa(rms) = Vm/R . (t1/T) IRa(rms) = 200/10 . (6,66/10) IRa(rms) = 16,32A Etkin k gc; Po = 3 . Ira . Vab Po = 3 . 16,32 . 163,21 Po = 7,99kW
35
Daha nceden de belirtildii gibi deiken genlik ve frekansl fazl sistem oluturmak iin kullanlmakta olan fazl gerilim kaynakl PWM invertrlerde 180 derece alma durumundan farkl olarak bir de 120 derece alma durumu da kullanlmaktadr. Bundan sonraki blmde gerilim kaynakl PWM invertrn 120 iletim modunda altrlmas durumunda oluacak performans ayrntsyla incelenmeye allacaktr.
36
T1 D1
T3 D3
T5 D5
+ VAN IA
+ RA VAB -
RB RC
3xPWM
A B C D
Src-1
Src-3
Src-5
T1
Src-4 Src-6
T3
Src-2
T5
T4
B
T6
D
T2
M.Necdet YILDIZ
37
T1 T1 T3 T3 T5 T5 T1 T1 T3 T3 T5 T5 T6 T2 T2 T4 T4 T6 T6 T2 T2 T4 T4 T6
t t
180
360 2
540 3
720 4 t t t
t t t
Vcn
M.Necdet YILDIZ
38
ekil-7.30da verilen g devresi dalga ekillerine bakldnda yaplan 120 derecelik uyarma sonucunda, istenilen frekansta, 120er derece faz farkl ve Vm tepe deerli 3 adet hat gerilimi (Vab, ) ile yine kendi aralarnda 120er derece faz farkl ve Vm/2 tepe deerli 3 adet faz gerilimi (Van, ) olumaktadr. ekil-7.30da gsterilen kademeli hat gerilimlerinin oluumu aada ekil-7.31de gsterilmitir.
A + VS
-
A RA RB B C
RA +Vs/2 RB
RA -Vs/2
Vs
RB
C RC a) 0 - 60
RC b) 60 - 120
C RC c) 120 - 180 39
3 fazl gerilim kaynakl PWM invertr devresinin yldz ykteki daga ekillerinden yararlanarak dier g devrelerinde olduu gibi hesaplamalar yaplabilir. 1) k faz ve hat gerilimlerinin etkin deeri, 2) k faz ve hat akmlarnn etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akm ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm.
40
Vm/2 Van t
Vm/2
Van
T
t1 t2
M.Necdet YILDIZ
T
t1 t2 t3
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 41
Po = 3 . Ian . Van
4) Kaynak akmn ortalama deeri; Kaynaktan ekilen akmn ekli, ekil-7.35deki gibi olduuna gre,
Is = Vm / 2R
eitliinden bulunabilecektir. t
0 60 120 180 Vm/2R
Vm/2R Van
T
t1 t2
M.Necdet YILDIZ
IS
42
Bilindii gibi 3 fazl sistemde yldz balantnn yansra gen balant da zellikle yksek glerde kullanlmaktadr. 120 derece iletimde yldz bal ykteki performansn incelediimiz 3 fazl gerilim kaynakl PWM invretrn gen bal ykte altrlmas durumunda devre yapsnda, dalga ekillerinde ve performans hesaplamalarnda oluacak deiiklikler yine 120 derece alma durumu iin aadaki blmde ayrntsyla incelenecektir.
43
T1 D1
T3 D3
T5 D5
A IA
+ VAB -
B C
3xPWM
A B C D
Src-1
Src-3
Src-5
T1
Src-4 Src-6
T3
Src-2
T5
T4
B
T6
D
T2
M.Necdet YILDIZ
44
T1 T1 T3 T3 T5 T5 T1 T1 T3 T3 T5 T5 T6 T2 T2 T4 T4 T6 T6 T2 T2 T4 T4 T6
t t
180
360 2
540 3
720 4 t t t
3Vm/2R Ia 3Vm/2R Ib
t t t
Ic
M.Necdet YILDIZ
45
ekil-7.38de verilen g devresi dalga ekillerine bakldnda yaplan 120 derecelik uyarma sonucunda, istenilen frekansta, 120er derece faz farkl ve Vm tepe deerli 3 adet hat-faz gerilimi (Vab, ) ile yine kendi aralarnda 120er derece faz farkl ve 3Vm/2R tepe deerli 3 adet hat akm (Ia, ) olumaktadr. ekil-7.38de gsterilen kademeli hat gerilimleri-akmlarnn oluumu ekil-7.39da gsterilmitir.
Ia + Vs A Rc Ia A Ra + Ra Vab C Rb B
a) 0 - 60
Rc C Rb
+ Vab B
B Rb C
Ra Vab + A Rc
b) 60 - 120
c) 120 - 180 46
3 fazl gerilim kaynakl PWM invertr devresinin gen ykteki daga ekillerinden yararlanarak dier g devrelerinde olduu gibi hesaplamalar yaplabilir. 1) k faz ve hat akmlarnn etkin deeri, 2) k faz ve hat gerilimlerinin etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akm ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Anahtar gerilimi, 8) Anahtar akm.
47
3Vm/2R IA t
Vm/2R
IRa
T
t1 t2
M.Necdet YILDIZ
T
t1 t2 t3
G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 48
Is = 3Vm / 2R
eitliinden bulunabilecektir.
0 60 120 180
VAB
T
t1 t2 t3
M.Necdet YILDIZ
3Vm/2R
IS
49
rnek:
200Vdc ebekede 120 derece uyarmada altrlan 3 fazl gerilim kayn. PWM invertrn, a) 3x10 luk yldz bal yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini, b) 3x10 luk gen bal yk beslediinde oluacak tm devre parametrelerini hesaplaynz.
zm:
a) 3x10 luk yldz bal yk beslenmesi durumunda, lk olarak k faz geriliminin etkin deeri bulunacak olursa;
50
Etkin k gc; Po = 3 . Ia . Van Po= 3 . 8,16 . 81,65= 1,99kW Kaynak akmnn ortalama deeri; Is = Vm / 2.R Is = 200 / 2.10 = 10,0A Kaynaktan ekilen g; Ps = Is . Vs Ps= 10 . 200= 2,0kW Devrenin verimi; = Po / Pi = 1,99kW / 2,0kW= %99,5 Anahtar gerilimi; VT= Vm . 1,3= 200 . 1,3= 260V Anahtar akm; IT= Im.1,3= (200/2.10) . 1,3= 13A
51
Etkin k gc; Po = 3/2 . Ira . Vab Po = 3/2 . 19,7 . 197= 5,82kW Kaynak akmnn ortalama deeri; Is = 3Vm / 2R Is = 3.200 / 2.10 = 30A Kaynaktan ekilen g; Ps = Is . Vs Ps= 30 . 200= 6,0kW Devrenin verimi; = Po / Pi = 5,82kW / 6,0kW = %97 Anahtar gerilimi; VT= Vm . 1,3= 200 . 1,3= 260V Anahtar akm; IT= Im.1,3= 3.200/2.10.1,3= 39A
52
DEV-15
15.1) 500Vdc ebekede, 100Hz frekans ve 120 iletim modunda altrlan ve 5 gen bir yk besleyen 3 fazl VSInn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 15.2) 300Vdc ebekede, 60Hz frekans ve 180 iletim modunda altrlan ve 15 gen bir yk besleyen 3 fazl VSInn, a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ
53
M.Necdet YILDIZ
54
M.Necdet YILDIZ
PWM
+ Src-3 T3 Src-4 T4
Src-1 T1 Src-2 T2
Yan taraftaki ekil-7.82de ift ynl anahtar kullanlarak yaplm olan tam kpr seri rezonansl invertr devresi grlmektedir. ekilden grld gibi g ve kontrol devresi yaps tamamen 1 fazl gerilim kaynakl PWM invertr yapsnn aynsdr. Sadece yk olarak ka bir seri LC devresi balanmtr. kta grlen R eleman ise LC devresinin istenmeyen direncini ifade edebildii gibi dardan balanan rezistif yk de temsil edebilmektedir. Devrenin kontrolu da tamamen PWM invertrde olduu gibi yaplmaktadr.
56
M.Necdet YILDIZ
2
T3-T4 T1-T2 T3-T4 t t
k
VS
15V
Vt1t2
15V
Vt3t4
t t
Vm
k= %100 k
k
VO
-Vm Vm
VT1
Im
IO
-Im Im
IS
M.Necdet YILDIZ
57
+ Vo -
Sabit frekansl ve sinsoidal formatta akm gereken uygulamalarda kullanlan 1 fazl seri rezonansl invertrn seri rezistif ykte alrken dier g devrelerinde olduu gibi, 1) k geriliminin etkin deeri, 2) k akmnn etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akmnn ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Devrenin frekans, 8) Anahtar gerilimi, 9) Anahtar akm, hesaplanabilir.
58
VO ( rms )
k 2 = Vm .dt = k .VS T /2 0
T /2
I O( rms)
Im 2 2 = [I m sin(t )] .d (t ) = 2 T 0
T /2
olarak bulunabilecektir.
k= %100 k k
olarak bulunabilecektir.
t
2
Im
2
t
Vm
VO
-Vm
IO
-Im
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
T
59
I S ( rms )
2 = T
T /2
I
0
sin(t ).dt =
2I m
eitliinden bulunabilecektir. 2
1 fo = fr = 2
1 R2 L.C 4.L2
Im
IS T
M.Necdet YILDIZ
8-9) Anahtar gerilimi ve akm, zerindeki akm ve gerilime gre, VT= 1,3 . Vm IT= 1,3 . Im = 1,3 . Vm / R olacaktr.
60
M.Necdet YILDIZ
Is Ls + Vs -
+ Vo -
RL
T1
T2
PWM f k
Yandaki ekil-7.86da simetrik yapl paralel rezonansl invertr devresi grlmektedir. ekilden grld gibi g devresi giriine Is akml bir akm kayna balanm durumdadr. Paralel rezonans devresi ise orta ulu bir transformatrn primer devresinde oluturulmutur. Orta utan giren kaynak akm push-pull altrlan T1 ve T2 transistrlerinin iletim durumuna gre L1 veya L2 zerinden akmaktadr. Devrenin k ise Lo sekonder bobini zerinden alnmaktadr. Kontrolu kolay olan bu devre zellikle fluoresant lamba kontrolu vb. iler iin kullanlmaktadr.
62
M.Necdet YILDIZ
2
T3-T4 T1-T2 T3-T4 t
IS
15V
Vt1
15V
t
k
Vt2
Vm
IO
-Vm Vm
IT1
Vm
VO
-Vm
M.Necdet YILDIZ
63
T3 D3
T2 D2
+ T2
T1
T3 T4
Yandaki ekil-7.88de tam kpr yapl paralel rezonansl invertr devresi grlmektedir. ekilden grld gibi g devresi giriine Is akml bir akm kayna balanm durumdadr. Paralel rezonans devresi ise kpr invertr kna yk olarak veya ykle birlikte balanmtr. Akm kaynandan gelen kaynak akm push-pull altrlan T1-T2 ve T3-T4 transistrlerinin iletim durumuna gre paralel rezonans devresine aktarlmaktadr. Daha ok HVDC vb. uygulamada kullanlan devrenin k ekilde grld gibi dorudan veya L bobini transformatr yaplarak sekonderinden alnabilmektedir.
64
M.Necdet YILDIZ
2
t
T1 T1 T3 T3 T1 T1 T3 T3 T2 T4 T4 T2 T2 T4 T4 T2
IS
15V
Vt1
15V
k k
t t
k
Vt3
15V
Vt2
15V
t t t
Vt4
Im
IO
-Im Vm
VO
M.Necdet YILDIZ
65
T4 D4
M.Necdet YILDIZ
T2 D2
Sabit frekansl ve sinsoidal formatta gerilim gereken uygulamalarda kullanlan 1 fazl paralel rezonansl invertrn paralel rezistif ykte alrken dier g devrelerinde olduu gibi, 1) k akmnn etkin deeri, 2) k geriliminin etkin deeri, 3) Etkin k gc, 4) Kaynak akmnn ortalama deeri, 5) Ortalama giri gc, 6) Devrenin verimi, 7) Devrenin frekans, 8) Anahtar gerilimi, 9) Anahtar akm, hesaplanabilir.
66
VO ( rms )
k 2 = Vm .dt = k .VS T /2 0
T /2
VO ( rms)
Vm 2 2 = [Vm sin(t )] .d (t ) = 2 T 0
T /2
olarak bulunabilecektir.
Im
olarak bulunabilecektir.
t
2
Vm
2
t
IO
-Im
VO
-Vm
T
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI
T
67
5) Ortalama giri gc; Kaynaktan ekilen ortalama giri gc aadaki gibi olacaktr. Ps= Is . Z 6) Devrenin verimi, = PO / PS olacaktr.
7) Devrenin frekans,
1 fo = fr = 2
1 1 L.C 4.R 2C 2
IS T
M.Necdet YILDIZ
8-9) Anahtar gerilimi ve akm, zerindeki akm ve gerilime gre, VT= 1,3 . Vm IT= 1,3 . Im = 1,3 . Vm / R olacaktr.
68
zm:
a) Seri rezonansl invertrn parametreleri,
k geriliminin etkin deeri,
I O( rms)
I m 20 = = = 14,18A 2 2
69
I S ( rms )
2I m
b) Paralel rezonansl invertr, k akmnn etkin deeri, I O ( rms ) = k .I S = 1.50 = 50 A k geriliminin etkin deeri, Vm= Is . R= 50 . 10= 500V
Kaynaktan ekilen ortalama g, Ps= Vs . Is = 200 . 12,73 = 2,54kW Devrenin alma frekans, 1 1 R2 fo = fr = 2 L.C 4.L2 fo 20kHz Anahtar (transistr) akm, IT Vm/R + %30 IT (200 / 10) . 1,3 26A Anahtar (transistr) gerilimi, VT 200 . 1,3 260V
VO ( rms ) =
Vm 500 = = 354,6V 2 2
Etkin k gc, PO= IO.VO PO= 50 . 354,6= 17,73kW Kaynaktan ekilen ortalama g, Ps= Is . R= 50 . 10 = 25kW Devrenin alma frekans,
fo = fr = 1 2 1 1 L.C 4.R 2C 2
fo 20kHz
70
M.Necdet YILDIZ
DEV-16
16.1) 500Vdc kaynakta, %100 etkin peryotlu uyarmada, 200H bir bobin 25F bir kondansatr kullanlarak altrlan 1 fazl seri rezonansl invertrn, 10 luk seri bal rezistif bir yk beslediinde a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz. 16.2) 30Adc kaynakta, %100 etkin peryotlu uyarmada, 100H bir bobin 0,5F bir kondansatr kullanlarak altrlan 1 fazl paralel rezonansl invertrn, 10 luk paralel bal rezistif yk beslediinde a) Devre emasn tam olarak iziniz, akm ve gerilim ynlerini devre zerinde gsteriniz. b) Devrenin temel dalga ekillerini deerleriyle birlikte iziniz. c) izilen dalga ekillerine gre temel parametreleri hesaplaynz.
M.Necdet YILDIZ G ELEKTRON-1 DERS NOTLARI 71