Povr inski napon te nosti:

Molekule te nosti su rasporo ene blizu jedna drugoj i privla ne sile izme u njih I imaju znatnu vrijednost. Te sile stvaraju povr inski napon, koji djeluje u ravni slobodne povr ine. Povr in ski napon se najo itije demonstrira na opitu s filmom te nosti. Neke te nosti, kao naprimjer vodena sapun ica, mogu formirati tanki film. Ako se spusti ram od ice, ija je jedna strana pokretna u rastvor sapuna, a zatim izvadi, pojavljuje se zategnuti film sapunice, sl. 13.1. Sila Fizazvana povr inskim naponom i pridru ena popre noj ipki AB izaziva podizanje popre ne ipke na gore. Da bi odr ali popre nu ipku nepokret nom njoj treba pridodati silu P. Slika 13.1bilustruje jednostavnu tehniku za mjerenje povr inskog napona. Sila potrebna da di e ram od ice kroz povr inu te nosti je suma te ine rama i sile Fod djelovanja povr in skog napona. Sila kojom povr inski napon vu e ram prema dole je 2l , jer povr ina te nosti postoji s obje strane rama. Ravnote a sila daje F= 2l .

Izdvojimo na proizvoljnoj povr ini te nosti jedini ni odrezak ab, sl. 13.2a. Na izdvojeni element jedini ne du ine po normali na nju i po tangenti na povr inu djeluje sila , koja se naziva povr inski napon.Povr in ski napon je jednak sili koja djeluje na jedinicu du ine i u pravcu normale na element jedini ne du ine a t angente na povr inu te nosti.Veli ina se mjeri kao sila po jedinici du ine, N/m, ili kao energija po jedini ci povr ine, J/m2. Povr inski napon opada s temperaturom i u kriti noj ta ki je jednak nuli. Primjese jako uti u na veli inu povr inskog napona.

Tako, na primjer, za istu vodu pri sobnoj temperaturi =7210 3 N/m, a rastvaranjem sapuna smanjuje se njegova vrijednost do =4510 3N/m , dok rastvaranjem kuhinjske soli pove ava se povr inski napon. Bolja definicija povr inskog napona, kak o bi ga tretirali termodinami ari, je rad izvr en po jedinici povr ine. Da bi pove ali povr inu neke

mase te nosti za iznos dA, potreban je rad dA. Po to mehani ki sistemi te e stanju minimalne potencijal ne energije, slobodna kapljica te nosti prirodno posti e sferi an oblik. To je iz razloga jer sferi an oblik i ma minimalnu povr inu za datu zapreminu. Prema tome, povr inski napon se mjeri u J/m2. Slika 13.2 pokazuje djelovanje povr inskog napona. Na jedini nom odsje ku ab ta kama su ozna ene molekule. Sile f1 karakteri u usrednjeno uzajamno djelovanje molekula s drugim molekulama povr ine te nosti. O ito, ako na jedinicu du ine dolazi X estica, onda je:

Sila povr inskog pritiska koja djeluje na pokretnu pregradu, sl. 13.1, ra una se odnosom:

ldu ina pregrade, a koeficijent 2 uzima u obzir dvije povr ine filma, sl 13.1c. Tako, povr inski napon se m o e izra unati iz poznate sile F i du ine .Ako se pri konstantnoj temperaturi vanjski film rastegne djelovanjem sile, tako to se pregrada p omjeri na rastojanje h, polo aj AB, sl. 13.1a, onda je rad sila povr inskog napona.

Na molekule povr inskog sloja, osim sila f1, koje djeluju du povr ine djeluju sile fn, usmjerene po norma li na povr inu, sl. 13.3, koje su rezultat privla enja od molekula dubljih slojeva sredine.

13.2 Molekularni pritisak povr inskog sloja te nosti:

Gustina te nosti dalje od kriti ne ta ke je mnogo ve a od gustine njene zasi ene pare. Izme u dvije faze p ostoji prelazni sloj u kojem se gustina mijenja od gustine te nosti do pare, sl. 13.4a. Pri obi nim temperat urama taj sloj je tanak i njegova debljina je nekoliko pre nika molekula. Pri porastu temperature prelazni sloj se uve ava.

Polaze i od nekog odstojanja sile uzajamnog djelovanja molekula se moguzanemariti; to rastojanje r naziva se radijus molekularnog djelovanja, a sfera radijusa r naziva se sfera molekularnog djelovanja. Na sl. 13.5a takvim sferama su odvojena etiri sloja u oblasti po vr ine te nostpara. Pri tome, u donjem sloju aa gustina je najve a i jednaka je gustini te nosti, a u gornjem sloju jednaka je gustini pare. Zbog smanjenja gustine od sloja aa do sloja bb sile koje djeluju na molekule tih slojeva nisu u ravnote i: sile u smjeru te nosti su ve e od suprotno usmje renih sila.Pri tome granica razdvajanja faza bi e ravan koja se zove ekvimolekularna povr ina.

Prema tome, povr inski napon nastaje usljed sila privla enja izme u molekula u te nosti. Ako posmatramo m olekulu unutar te nosti njih podjednako privla e susje dne molekule. Efekat je privla enje sa svih strana istim silama, onda je rezultuju a sila nula, sl. 13.6.

Normalne sile izazivaju pritisak povr inskog sloja na te nost. Ako na jedinicu du ine povr ine dolazi X molekula, onda molekularni pritisak povr inskog sloja s se defini e izrazom

gdje je X2 broj estica na jedinicu povr ine te nosti.

Ako je d srednje rastojanje me u esticama, onda je X=1/d ,

13.3 Sile na zakrivljenoj povr ini te nosti:

Povr inski napon u slu aju iskrivljene povr ine te nosti stvara dodatni pritisak, ve i ili manji pritisak, od onog koji djeluje na ravnu povr inu. Za ispup enu povr inu taj dodatni pritisak je pozitivan, sl. 13.7a, u sl u aju udubljene povr ine on je negativan, sl. 13.7b. Pritisak uzrokovan krivinom te nosti i usmjeren u cen tar krivine naziva se Laplasov ili kapilarni pritisak, pc.

Za odre ivanje ovog pritiska primijeni emo izraz za slobodnu energiju povr ine te nosti:

Te nost u stanju ravnote e ima takav oblik povr ine, pri kojem je slobodna energija povr ine minimalna. Smanjenje (kontrakcija) veli ine povr ine je povezana s promjenom zapremine sredine. Kapilarni pritisak se defini e izvodom:

Za mjehure sapunice kapilarni pritisak je dva puta ve i od pritiska datog prethodnom relacijom,

jer mjehur sapunice ima dvije sferne povr ine.Krivinu proizvoljne povr ine u pojedinim njenim ta kama k arakteri e krivina normalnih presjeka. Normalni presjek povr ine u datoj ta ki naziva se linija presjeka te povr ine s ravni koja prolazi kroz normalu na povr inu u razmatranoj ta ki. Na sl. 13.8 pokazana su dva g lavna (uzajamno normalna) presjeka l1 i l2 neke povr ine u ta ki C.

13.8 Metode mjerenja povr inskog napona:

Metod vise e kapljice: Postoji niz eksperimentalnih metoda, pored onih navedenih na po etku ovog poglavlja, za odre ivanje po vr inskog napona te nosti. Jedan od njih se sastoji u tome da pri sporom isticinju te nosti iz okrugle cijevi te ina kapljice Gu momentu otkidanja je jednaka sili povr inskog napona, koja djeluje po obimu vratak apljice.

U opitu se mjeri broj kapljica n, koje se formiraju pri isticanju iz cijevi odre ene zapremine te nosti V. M no enjem obje strane gornje jed. sa n, dobije se

Pre nik dvrata kapljice odre uje se pomo u fotografisanja procesa otkidanja kapljica. Geometrija kaplji ce se analizira opti ki, koristi se kamera visoke rezolucije (CCD ili CMOS) s uve anjem slike. Pre nik ka pljice, nakon njenog otkidanja, kad ona dobije sferi an oblik, mo e se precizno odrediti, na isti na in se o dre uje i pre nik vratakapljice u momentu otkidanja.

Metod pritiska mjehuri a: Usljed privla enja izme u molekula te nosti mjehuri i vazduha unutar te no sti su tako er podvrgnuti ovim silama, to jest, povr inski napon komprimira mjehuri formiran u te nosti. Nastali pritisak raste s opadanjem radijusa mjehuri a. Ovaj pove ani pritisak u pore e nju s pritiskom izvan mjehuri a se koristi za mjerenje povr inskog napona. Vazduh se upumpava kroz kap ilaru u te nost, sl. 13.18. Ovako formirana povr ina mjehuri a pravi ispup enje i tako se smanjuje radijus mjehuri a.

U toku ovog procesa pritisak raste do maksimalne vrijednosti. Tada mjehuri ima najmanji radijus. Ovaj radijus postaje jednak radijusu kapilare i formira polusferu. Poslije prolaska kr oz ovu ta ku mjehuri izlazi i otkida se od kapilare. U toku ovog procesa karakteristi na promjena pritiska se mo e mjeriti u mjehuri u. Iz ove karakteristi ne promjene pritiska mo e se izra unati povr inski napo n. Ure aj za ovakvo mjerenje se zove tenziometar na bazi pritiska mjehuri a.

Temperaturna zavisnost povr inskog napona: Na povr inski napon te nosti uti e temperatura. Po pravilu, to je vi a temperatura ni i je povr inski napo n. Zato je va no veli inu povr inskog napona te nosti uvijek prikazati s odgovaraju om temperaturom.

Za ra unanje povr inskog napona vode do 100C mo e se koristiti jednostavna relacija (SITA Messtechni k GmbH, 2004),

gdje je (t,C). Sa porastom temperature raste odstupanje od izmjerenih vrijednosti.