Elektronika

ELEKTRONIKA

Elementi i sklopovi Karakteristike elektronikih komponenti Fizika poluvodia Dioda, tiristor Tranzistor (BJT, JFET, MOSFET) Raunsko pojaalo Digitalni sklopovi

100

ELEKTROTEHNIKA

8.1. Uvod u elektroniku

Elektronika je dio elektrotehnike koji se bavi voenjem struje kroz poluvodie, plinove i vakuum, te pripadnim elementima i sklopovima. Razvija se od poetka dvadesetog stoljea i temelji na vakuumskim (kasnije i plinskim) elektronskim cijevima. Radi mogunosti pojaavanja signala doprinosi poetno naglom razvitku telekomunikacija, a zatim iri primjenu u razna podruja tehnike. Pronalazak tranzistora 1948. godine dovodi do dinaminog rasta poluvodike elektronike. Dananja mogunost izvedbe raunala malih dimenzija uinila je elektroniku prisutnom i nezamjenljivom u gotovo svakoj ljudskoj djelatnosti.

8.1.1. Sistematizacija
Prema podruju kome slue razlikuju se informacijska i energetska elektronika. Informacijska elektronika bavi se stjecanjem, obradbom i prijenosom informacija troei pritom minimalnu potrebnu energiju (telekomunikacije, mjerna i raunska tehnika...). Informacija je sadrana u nekom parametru signala, iji je nosilac vremenski ovisna fizikalna veliina (u elektronici napon, struja, naboj). Energetska elektronika bavi se elektronikim elementima i sklopovima u proizvodnji, prijenosu i razdiobi energije. Omoguuje upravljanje toka i pretvorbe energije s tenjom prema to veoj korisnosti. Podruja informacijske i energetske elektronike u praksi se znaajno proimlju. Prema namjeni razlikuju se potroaka (konzumna) i profesionalna elektronika. Elementi i sklopovi namijenjeni potroakoj elektronici proizvode se u masovnim koliinama, pri emu se uz standardnu kvalitetu nastoje postii to nie cijene. Predvieni su za rad u okolinim uvjetima prihvatljivim za boravak ovjeka. Profesionalna elektronika obuhvaa ureaje i komponente predviene za siguran rad i pri tekim okolinim uvjetima, pa pouzdanost i trajnost moraju zadovoljiti visoke standarde. Prema karakteru veliina razlikuju se analogna i digitalna elektronika. U analognoj elektronici parametar signala koji sadri informaciju (iznos, frekvencija, trajanje...) moe poprimiti bilo koju vrijednost izmeu dviju graninih. Vaan je zadatak ouvanje informacije od utjecaja smetnji. U digitalnoj elektronici barata se s diskretnim signalima, najee binarnim. Vrijednost fizikalne veliine koja nosi element informacije (binarnu varijablu) nalazi se samo u jednom od dva dostatno razmaknuta intervala moguih vrijednosti, to informaciju ini vrlo otpornom na smetnje. Kompleksna informacija sastoji se od skupa elementarnih informacija, a operacije na njoj od skupa elementarnih operacija. Zbog prednosti u 101

Elektronika obradbi, pohrani i prijenosu digitalnih signala, esto se analogne veliine pretvaraju u digitalne (A/D pretvorba). Rabi se i obrnuta D/A pretvorba.

Slika 8.1. Primjeri analognog i digitalnog signala

Na granici fizikalnih podruja primjenu nalazi senzorska elektronika s elementima osjetljivim na okoline podraaje, te pripadnim sklopovima, najee sa zadatkom pretvorbe neelektrinih veliina u elektrine. iroko se primjenjuje i optoelektronika, koja povezuje podruja elektronike i optike. Elektroniki elementi su dijelovi strujnih krugova s voenjem kroz poluvodie, plinove i vakuum, s definiranom karakteristikom i pripadnim grafikim simbolom (npr. dioda, tranzistor, tiristor). Vakuumski i plinski elementi zadrali su se u rijetkim primjenama gdje ih poluvodiki ne mogu uspjeno zamijeniti. Elektroniki sklopovi su kompleksniji strujni krugovi sastavljeni od vie smisleno povezanih elemenata koji ostvaruju neke funkcije ili zadatke (npr. ispravljaki most, pojaalo, oscilator, bistabil). U elektronikom sklopu obino ima elemenata iz ope elektrotehnike koji nisu elektroniki (otpori, kapaciteti, induktiviteti), pa mehanikih (kontakti, sklopke), ali bar jedan elektroniki. Iste funkcije mogu se esto ostvariti na vie naina, razliitim sklopovima. Elektronike komponente su najmanji kompaktni i odvojivi dijelovi elektronikih ureaja. Mogu sadravati pojedine elektronike elemente ili cijele sklopove (integrirani sklopovi). Elektroniki ureaji su za eksploataciju osposobljeni elektroniki sklopovi i njihove kombinacije. Za funkcioniranje moraju imati nekim putem privedenu energiju. Pri izvedbi elektronikih uredaja openito se tei smanjenju za rad potrebne energije, volumena, neeljenih okolinih 102

ELEKTROTEHNIKA utjecaja, te poboljanju i proirenju eksploatacijskih svojstava. Eventualno promjenljiv program osposobljava isti elektroniki uredaj za izvedbu razliitih zadataka.

8.1.2. Graa elektronikih komponenti

Elektroniku komponentu fiziki predstavlja kuite s izvodima. Kuite omoguuje smjetaj elektrino aktivnog dijela, te ga zatiuje i odvaja od okolia, dok izvodi slue elektrinom (esto i mehanikom) povezivanju s okoliem u ureaju. ei materijali kuita poluvodikih komponenti su umjetne mase, staklo, keramika i metal, te njihove kombinacije. Keramika i metal su u pogledu izolacijskih i toplinskih svojstava, te trajnosti, superiorniji materijali, pa se njima izvode kuita kvalitetnijih i pouzdanijih komponenti.
Slika 8-2 Kuita integriranih krugova

8.1.3. Karakteristike elektronikih elemenata

Svojstva elektronikih elemenata (i spojeva) iskazuju se iznosima i ovisnostima interesantnih veliina uzimajui u obzir okoline utjecaje i tipine primjene. Ovisnosti se mogu izraziti matematikim modelom, grafiki (karakteristikama) ili numeriki (esto parametrima). Za brzi uvid u praksi je primjena matematikog modela ograniena, te se svojstva iskazuju karakteristikama i parametrima. Karakteristike i parametri elektronikih elemenata zbog nehomogenosti materijala i nesavrenosti tehnologije izrade unutar istog se tipa rasipaju oko prosjenih, tipinih vrijednosti. (Za zahtjevnije primjene stoga se katkad izabiru komponente sa to slinijim kritinim vrijednostima, ili se rabe spojevi koji doputaju razlike.)

103

Elektronika

Slika 8.3. Statika karakteristika diode

Tablica 8.1 Izraavanje ovisnosti veliina na primjeru diode

matematiki model diodne statike karakteristike

v v n VT i = IS e 1 = ISe n VT I S

Glavni parametri (dioda 1N4007)

gdje su: IS struja zasienja p-n spoja (saturation current) n emisijski koeficijent s vrijednou izmeu 1 i 2 VT termiki napon, zadan sa

VR(RMS)=700 V I0=1,0 A VF=0,93 V (tip) VF=1,1 V (max) Za Tj=25C i VR(DC)=1000 V IR=0,05 A (tip) IR=10 A (max)

VT =

kT q

(9.3)

Zbog rasipanja stvarnih karakteristika, a i zbog pojednostavljenja modela, nerijetko se koriste pribline (aproksimativne) i idealne karakteristike i reducirani modeli.

104

ELEKTROTEHNIKA

VZ
r
+

id
v
rZ

v = VF + i r

za v > VF

VZ rZ VF

id VF
+

i = 0 za VZ < v < VF

v = (VZ + i rZ ) za v < VZ

Slika 8-4 Jedna aproksimacija karakteristike diode i njezin model

Statike karakteristike obuhvaaju iznose i zavisnosti veliina neovisno o vremenu (pri frekvenciji nula). Obino vrijede i kod polaganih promjena, te se mnogo koriste. Dinamika svojstva elemenata opisuju zavisnosti njihovih veliina kad su vremenski promjenljive. Pri brim promjenama razlikuju se od statikih. Razlog tome jest to realni elementi posjeduju masu i volumen, dakle i spremnike energije (kapacitete, induktivitete), koji ne mogu promijeniti sadranu energiju, a time i vrijednosti veliina, trenutno, nego tek u nekom vremenu (prijelazne pojave). Dinamika svojstva elemenata opisuju se razliitim nadomjesnim shemama i pripadnim matematikim modelima.

8.1.4. Granine i tipine vrijednosti

U podacima za elektronike elemente ili meu parametrima nalaze se oznaene granine vrijednosti veliina, koje se ne smiju nadilaziti. Neke od njih mogu se nai u statikoj i-v karakteristici: granica stalne struje Imax i granica stalnog napona Vmax . Naponska granica odreena je granino podnosivim elektrinim poljem u komponenti iznad kojeg moe doi do lavinske ionizacije i proboja, dakle unitenja komponente. Granica maksimalne struje ne smije se prekoraiti zbog lokalnog pregrijavanja, koje ima istu posljedicu. Koliko se i kako dugo kod kratkotrajnih struja i napona granine vrijednosti smiju nadmaiti, navodi se u podacima za pojedine veliine i komponente. Vrijednosti parametara koje su za neki tip elektronike komponente najvjerojatnije, nazivaju se tipine, i obino se uz granine daju kao kataloki podaci.

105

Elektronika Za izradu elektronikih elemenata danas se prevladavajue koriste poluvodiki materijali. ine ih neki dvovalentni do esterovalentnih elemenata iz Mendeljejeve tablice (Tablica 8-2) i njihove smjese (Tablica 83). Za osnovni materijal najvie se koristi etverovalentni silicij, dok se u poecima poluvodike ere u skladu s tadanjim tehnolokim mogunostima koristio germanij.
Tablica 82 Izvod iz tablice elemenata

II

III

IV

VI

B Al Zn Cd Ga In

C Si Ge Sn

N P As Sb S Se Te

Tablica 83 Poluvodiki materijali

Elementarni

IV smjese

III-V smjese

II-VI smjese

IV-VI smjese

Si Ge

SiC SiGe

AlAs AlSb GaP GaAs GaSb InP InAs InSb

ZnS ZnSe ZnTe CdS CdSe CdTe

PbS PbTe

Po vodljivosti, glavnom svojstvu materijala u elektrotehnici, poluvodii se nalaze izmeu vodia i izolatora (Tablica 8-4).
Tablica 84 Vodljivosti i otpornosti osnovnih vrsta materijala u elektrotehnici

materijal

vodljivost (Scm-1)

otpornost (cm)

vodii poluvodii izolatori

> 103 10-8 < < 103 < 10-8

< 10-3 10-3 < < 108 > 108

Na vodljivost poluvodia mogu bitno utjecati privoenje energije (npr. zraenje) i dodatak primjesa. U nastavku se uvodi u mehanizam voenja intrinsinih (bez primjesa) i ekstrinsinih (s primjesama) poluvodia. 106

ELEKTROTEHNIKA

8.2. Intrinsini poluvodii

8.2.1. Energetski pojasevi
Prema planetarnom modelu izoliranog atoma, jezgru koja sadri neutrone i pozitivne protone okruuju negativno nabijeni elektroni u posebnim orbitalama. Ako elektron apsorbira energiju (u obliku fotona), prelazi u orbitu udaljeniju od jezgre i poprima viu energetsku razinu. Prijelaz elektrona s vie energetske razine u niu popraen je emisijom fotona. Mogue energetske razine elektrona neizoliranih atoma ine energetske pojaseve. Popunjenost energetskih pojaseva vanjskih elektrona utjee na elektrinu vodljivost. U izolatorima pri sobnim temperaturama energetski pojas niih energija (valentni pojas, granica EV) je popunjen, a energetski pojas viih energija (vodljivi pojas, engl. conduction band, granica EC) prazan. Valentni i vodljivi pojas odijeljeni su zabranjenim energetskim procijepom EG (engl. gap), te vrijedi
EG = EC E V
(8.1)

ENERGIJA ELEKTRONA

VODLJIVI POJAS EC ZABRANJENI POJAS EG EV VALENTNI POJAS

Slika 85 Energetske razine vanjskih elektrona

U vodiima valentni pojas moe djelomino preklapati vodljivi pojas, te tada zabranjeni procijep ne postoji. Zabranjeni procijep u nekim poluvodikim materijalima pri sobnoj temperaturi ima vrijednosti prema tablici.
Tablica 85 Iznosi zabranjenog energetskog procijepa za neke poluvodike materijale

Ge EG [eV]

Si

InP

GaAs

SiC-6H SiC-4H

0,66

1,12

1,34

1,42

3,03

3,28

5,5

107

Elektronika

8.2.2. Pokretni nositelji naboja

etverovalentni silicij je danas najzastupljeniji poluvodiki materijal za izradu elektronikih elemenata i sklopova (integriranih krugova). U reetki silicijskog kristala svaki atom ima 4 susjedna atoma i svoja 4 valentna elektrona angaira u kovalentne veze s njima. Na temperaturi apsolutne nule valentni pojas potpuno je ispunjen s elektronima, vodljivi pojas je prazan i struja nije mogua. Ako temperatura silicijevog kristala raste (ili se na drugi nain privodi energija), poveava se vjerojatnost oslobaanja elektrona iz kovalentne veze i prijelaza iz valentnog u vodljivi pojas. Osloboena mjesta nazivaju se upljine, pridaje im se pozitivni jedinini naboj q i njihov je broj jednak broju osloboenih elektrona. Pokretne su unutar kovalentnih veza. Slobodni elektroni posjeduju energije iz vodljivog pojasa, a upljinama pripadaju energije iz valentnog pojasa. Proces stvaranja parova elektron-upljina naziva se ionizacija i trajno je prisutan na temperaturama iznad apsolutne nule. upljine se lako popunjavaju sa slobodnim elektronima iz vodljivog pojasa, to se stalno i dogaa, a naziva se rekombinacija (slika 8-6). Ionizacija (generiranje para) i rekombinacija (ieznue para) jednakobrojni su dogaaji, ei pri viim temperaturama.

Slika 86 a) generiranje i rekombinacija u intrinsinom poluvodiu b) pripadni energetski dijagram

Gustoa (koncentracija) slobodnih elektrona ni jednaka je u intrinsinom poluvodikom materijalu gustoi upljina pi i moe se izraunati iz masaakcija zakona:
n i = pi = AT 1,5e
EG kT

cm-3

(8.2)

gdje su: 108

ELEKTROTEHNIKA T apsolutna temperatura [K] k Boltzmann-ova konstanta (k 1,3810-23 J/K ili 8,6210-5 eV/K) EG irina zabranjenog procijepa [eV] A konstanta zavisna o zadanom materijalu. Intrinsina gustoa pokretnih nositelja (elektrona i upljina) raste s temperaturom T, te za silicij na 300 K iznosi n i = pi = 1,52 1010 cm3 .

Slika 87 Ovisnost gustoe nosilaca o temperaturi u intrinsinom siliciju

Elektroni su pokretljiviji od upljina. Pokretljivost je faktor razmjernosti izmeu rezultantne srednje brzine nosilaca i elektrinog polja
v = E
(8.3)

Za intrinsini silicij na 300 K pokretljivost elektrona iznosi n 1500 cm2/Vs, a upljina p 500 cm2/Vs. Vodljivost intrinsinog poluvodia jednaka je:

i = q (n i n + pi p )
gdje su: i vodljivost [S/cm] q jedinini elektrini naboj (1,610-19 C) ni gustoa elektrona [cm-3] pi gustoa upljina [cm-3] n pokretljivost elektrona u poluvodikom materijalu [cm2/Vs] p pokretljivost upljina u poluvodikom materijalu [cm2/Vs].

(8.4)

109

Elektronika Pri porastu temperature zbog poveanja gustoe nosilaca vodljivost poluvodia raste, to je ponaanje suprotno onom kod metala. Ako se na poluvodi primijeni elektrino polje, dotad samo stohastiko gibanje postie rezultantu u smjeru polja za upljine i nasuprot polja za elektrone, inei struju. Zbog vee pokretljivosti elektrona, u intrinsinom siliciju struja elektrona znaajno je vea od struje upljina.

8.3. Ekstrinsini poluvodii

8.3.1. Gustoe elektrona i upljina
Ekstrinsini poluvodii dobivaju se unoenjem stranih atoma (neistoa) u poluvodiki kristal (dopiranje), ime se bitno mijenja vodljivost. Razmatranje koje slijedi odnosi se na ponaanje etverovalentnog poluvodia pri sobnim temperaturama.

Slika 8-8 a) donorski atom u silicijskom okruenju b) pripadni energetski dijagram

Dopiranjem silicija s elementima iz V. skupine periodike tablice elemenata (antimon Sb, arsen As, fosfor P) postie se n-tip silicijskog poluvodia. Takvi atomi neistoe nazivaju se donori (darivatelji). Ugraen u kristalnu reetku etverovalentnog silicija donorski peterovalentni atom angaira etiri elektrona iz svoje vanjske ljuske u veze prema etiri susjedna silicijska atoma, dok se peti elektron lako oslobaa zbog male potrebne energije ionizacije. Donorski atom gubi nabojsku ravnoteu i postaje u silicijsku reetku ugraen nepomian pozitivni ion s nabojem +q (slika 8-8). Gustoa donora ND, a time i gustoa slobodnih elektrona nastalih pomou dopiranja, nadmauje intrinsinu gustou obino za nekoliko redova 110

ELEKTROTEHNIKA veliina. Veinski (glavni) pokretni nositelji su elektroni, a manjinski nositelji su upljine, ija je gustoa za vie redova veliina manja od intrinsine. U n-tipu silicija nije mogue odrati intrinsinu gustou upljina jer im nastane, upljina bude brzo popunjena radi nadintrinsine mnoine slobodnih elektrona. Dopiranjem silicijevog kristala s elementima iz III. skupine periodike tablice elemenata (aluminij Al, bor B, galij Ga, indij In) dobiva se p-tip silicijskog poluvodia. Atomi neistoe nazivaju se akceptori (primatelji). Trovalentni akceptorski atom ugraen u kristalnu reetku upotpunjuje kovalentnu vezu sa etvrtim susjednim atomom silicija prigrabljivanjem bliskog slobodnog elektrona ime postaje stacionarni negativni ion s nabojem q, a u susjedstvu ostaje nabojski nepokrivena upljina (slika 89). Kako se akceptori dopiraju u gustoi NA znatno veom od intrinsine, a svaki akceptorski atom proizvede upljinu, veinski pokretni nositelji u ptipu poluvodia su upljine, a manjinski nositelji su elektroni.

Slika 8-9 a) akceptorski atom u silicijskom okruenju b) pripadni energetski dijagram

Manjinski nositelji postoje uslijed stalne ionizacije, a njihova mala gustoa posljedica je kratkog ivotnog vijeka zbog brzih rekombinacija prouzroenih velikom gustoom veinskih nositelja. U poluvodikom materijalu (intrinsinom i ekstrinsinom) vrijedi zakon o akciji mase:
p n = konstanta
(8.5)

gdje su: p gustoa upljina n gustoa elektrona.

111

Elektronika Za intrinsine poluvodie vrijedi:

p = n = ni
(8.6)

pa jednadba (8.5) daje: pn = n i2

(8.7)

Zakon akcije mase omoguuje izraun gustoe veinskih i manjinskih nositelja u ekstrinsinom poluvodikom materijalu. Iz zahtjeva nabojske neutralnosti slijedi:
p + ND = n + N A
(8.8)

U n-tipu poluvodia (indeks n) gustoa donora vea je od intrinsine gustoe elektrona, npr. ND je tipino 1017 cm-3 i ni 1,51010 cm-3 za silicij na sobnoj temeperaturi. Tako za veinske i manjinske nositelje vrijedi:
nn N D
(8.9) (8.10)

pn

n i2 ND

U p-tipu poluvodia (indeks p) gustoa akceptora NA znatno je vea od intrinsine gustoe upljina pi ni, te za veinske i manjinske nositelje vrijedi pp N A np n i2 NA
(8.11) (8.12)

Ako se poluvodiu dodaju i donori i akceptori, rezultantna e gustoa biti jednaka razlici njihovih pojedinih gustoa s karakterom vee. Pri povienju temperature u ekstrinsinom poluvodiu raste broj generiranih parova, te se kod intrinsine temperature izjednauju gustoe nosilaca porijeklom od primjesa i uslijed generiranih parova ni. Pri istim gustoama dopiranja intrinsina temperatura je via kod poluvodia s veim EG, pa e se primjerice silicijski poluvodiki elementi moi koristiti do viih graninih temperatura nego germanijski.

8.3.2. Gustoa struje

Na gibanje pokretnih nositelja u poluvodikom materijalu naelno djeluju dva mehanizma: drift (pomak) i difuzija. Struja drifta posljedica je djelovanja elektrinog polja E, dok struju difuzije uzrokuje kretanje nositelja iz podruja visoke njihove gustoe prema podruju nie gustoe. Gustoa struje drifta Jdrift [A/cm2] u ekstrinsinom poluvodikom materijalu u smjeru elektrinog polja E [V/cm] je zbroj gustoe struje drifta elektrona i gustoe struje drifta upljina te iznosi 112

ELEKTROTEHNIKA
J drift = J n drift + J p drift = E = q (n n + p p ) E
(8.13)

i ovisi o pokretljivosti elektrona n i pokretljivosti upljina p. U sluajevima ravnomjerne gustoe nosilaca ukupna struja jednaka je struji drifta.

8.4. PN-spoj: kontaktni potencijal, struja spoja

8.4.1. Kontaktni potencijal
Idealni pn-spoj dobije se kad se jednoliko dopirani p-tip materijala diskontinuirano promijeni u n-tip materijala. U stvarnosti se pn-spojevi formiraju unoenjem vee gustoe neistoa p-tipa do neke dubine u slabije dopirani poluvodi n-tipa ili obratno. Radi razliitih gustoa pokretnih nositelja oko granice, postoji jaka tenja da veinske upljine iz p-tipa difundiraju u n-tip poluvodia, a veinski elektroni iz n-tipa u materijal p-tipa. Kad upljine prijeu granicu, u materijalu n-tipa rekombiniraju se s veinskim slobodnim elektronima. Slino, kad elektroni preu spoj u podruje p-tipa, rekombiniraju se s veinskim upljinama. S obje strane granice ostvaruje se tako podruje praktino bez veinskih nositelja i naziva se prijelazno ili osiromaeno (engl. depeletion) podruje.
E p n

q E V

x x x

Slika 8-10 Jednodimenzijski prikaz idealnog simetrinog pn-spoja s raspodjelom naboja, el. polja i potencijala

Dijelovi osiromaenog podruja prestaju biti nabojski neutralni, jer nepomini ioni dopiranih materijala ostaju bez ranije ravnotee s veinskim nositeljima. Nabojski nepokriveni donorski ioni ine osiromaeno podruje blizu spoja unutar n-tipa poluvodia pozitivno nabijenim, dok podruje blizu spoja unutar p-tipa materijala ostaje negativno nabijeno akceptorskim ionima (prostorni naboj). Nastaje unutranje elektrino polje E usmjereno od pozitivnih prema negativnim ionima. Elektrino polje na prijelaznom podruju stvara razliku potencijala VC koja se naziva potencijalna barijera ili konaktni potencijal. Potencijalna barijera 113

VC

Elektronika spreava daljnji tok veinskih nositelja preko spoja pod ravnotenim uvjetima (kad ne tee struja jer su drift i difuzija su u ravnotei).

energija

difuzija

qVC

drift

EC n

difuzija drift

EV x

osiromaeno podruje

Slika 8-11 Energetske razine na pn-spoju bez vanjskog napona

U ravnotenim uvjetima kontaktni potencijal VC iznosi:

VC = kT N A N D ln 2 q ni
(8.14)

i ne mijenja se znaajno s temperaturom. Za silicij VC iznosi izmeu 0,5 i 0,8 V, za germanij izmeu 0,1 i 0,2 V, a za galijev arsenid oko 1,5 V.

8.4.2. p-n spoj pod naponom

Kad se na pn spoj primijeni vanjski napon 0<VS<VC s pozitivnim potencijalom na p-strani spoja (propusna polarizacija, engl. forwardbiased), vanjsko se polje suprotstavlja unutranjem, ukupna se razlika potencijala na spoju smanjuje na VCVS, a osiromaeno podruje suzuje. Za VS=VC osiromaeno podruje iezne i veinski se nositelji lako prenose preko granice iza koje su manjinski i zbog rekombinacija gustoa im opada. Kad se pak na p-stranu spoja primijeni negativni napon VS (reverzna polarizacija, engl. reversed-biased), ukupna razlika potencijala na spoju iznosi VC+|VS|, osiromaeno podruje se iri i za veinske nositelje barijera je jo tee savladiva. Malobrojni manjinski nositelji omoguuju tek neznatnu struju preko spoja. Slika 8-12 prikazuje raspodjelu potencijala oko granice u propusnoj i nepropusnoj polarizaciji pn-spoja.

114

ELEKTROTEHNIKA

VS=0 VS>0 propusna polarizacija

VC V0-VS

zaporna polarizacija VS<0

V0+VS

Slika 8-12 Dijagrami potencijala na pn-spoju

8.4.3. Struja spoja

Kad se na pn-spoj s temperaturom T prikljui napon VS, tee struja: qVS I = I S e kT 1
(8.15)

gdje je IS struja zasienja (engl. saturation) ovisna o geometriji spoja i parametrima materijala, te temperaturi. Jednadba (8.22) pogodna je za izraun struje i pri propusnoj (VS>0) i pri nepropusnoj polarizaciji (VS<0) pn-spoja. Pri zapornoj polarizaciji struja je praktino jednaka struji zasienja IS. U propusnoj polarizaciji jedinica se unutar zagrade moe zanemariti, te struja spoja raste eksponencijalno s porastom prikljuenog napona VS.

8.5. POLUVODIKI ELEKTRONIKI ELEMENTI

8.5.1. Dioda
U veini elektronikih elemenata koristi se bitna znaajka poluvodikih materijala: mogunost stvaranja zapornog sloja (poluvodike barijere). Poluvodika barijera posjeduje izrazitu nelinearnost strujno-naponske ovisnosti, to pojednostavljeno znai da preko barijere u jednom smjeru struja moe tei (kad je propusno polarizirana), a u drugom ne (tad je nepropusno ili zaporno polarizirana). Elektroniki element koji sadri samo poluvodiku barijeru naziva se dioda.

115

Elektronika

Slika 8-13 Dioda a) karakteristika idealne diode b) simbol diode

Glavnu primjenu svog ventilnog ponaanja diode nalaze u ispravljaima.

Slika 8-14 Poluvalni ispravlja s diodom

Kombiniranjem vie poluvodikih barijera razliitih svojstava pod razliitim geometrijskim okolnostima mogu se ostvariti razliiti elektroniki elementi. Glavni predstavnici iz velikih skupova srodnih elemenata su tiristor i tranzistor.

8.5.2. Tiristor
Snaga veeg troila prikljuenog na mreni ispravlja s diodama ne moe se kontinuirano i ekonomino smanjivati. Taj nedostatak nemaju ispravljai s tiristorima. Tiristor je element s tri zaporna sloja, a moe se promatrati kao dioda s mogunou upravljanja. Dok dioda vodi im napon anode prema katodi nadmai iznos kontaktnog potencijala (za silicij 0,7 V), tiristoru to nije dostatno, ve se za provoenje mora ostvariti i primjerena (obino impulsna) pobuda na upravljakoj elektrodi G.

116

ELEKTROTEHNIKA

Slika 8-15 Primjena tiristora u poluvalnom ispravljau

Kao to dioda prestane voditi kad nestane uvjet pozitivne anode prema katodi, tako i tiristor prestaje voditi kad struja kroz njega padne priblino na nulu. U poluvalnom ispravljau prema slici to se dogaa na kraju pozitivnih poluperioda. Troilo dobiva istosmjerne strujne impulse koji poinju pojavom pobudnih impulsa tijekom pozitivnih poluperioda, a zavravaju krajem poluperioda. Pozicioniranje pobudnih impulsa utjee na iznos srednje i efektivne vrijednosti struje kroz troilo, a time i na snagu troila. Najvea snaga ostvaruje se ako pobudni impulsi djeluju poetkom poluperioda (takva kao da je na mjestu tiristora dioda), a najmanja, s iznosom nula ako pobudni impulsi izostanu. Za mnoge primjene i dioda i tiristor mogu se promatrati kao sklopke. Dioda kao sklopka ukljuena je ako je ispunjen uvjet voenja, a to se u ispravljau sa slike ostvaruje tijekom cijelih pozitivnih poluperioda. Tijekom negativnih sklopka je iskljuena. Tiristor je sklopka ukljuena nakon nailaska impulsa ako se to zbilo u pozitivnim poluperiodama, a iskljuena tijekom negativnih. Postoje vrste tiristora kojima je mogue prekinuti voenje i prije kraja pozitivnih poluperioda (GTO tiristori).

117

Elektronika

8.5.3. Tranzistor
8.5.3.1. FET

Dva su osnovna tipa tranzistora: bipolarni i FET (tranzistor s efektom polja). U elektronikim sklopovima mogu se promatrati kao upravljivi elementi (otpori, izvori ili sklopke, ovisno o okolnostima).

a) FET

b) Bipolarni

Slika 8-16 Tranzistor kao upravljani element u strujnom krugu

Ako se u izlazni krug umetne otpor (opteretni otpor), promjene izlazne struje stvaraju na njemu promjenljiv pad napona I R = V koji se izl izl interpretira kao izlazni signal. Omjer

Av =
jest naponsko pojaanje.

Vizl Vul

Ako se i u izlazni krug bipolarnog tranzistora unese opteretni otpor, moe se na isti nain dobiti izlazni naponski signal.

8.5.3.2.

Bipolarni tranzistor

Bipolarni tranzistor sadri dvije poluvodike barijere i ima tri izvoda: emiter E, bazu B i kolektor C. U najeem reimu rada barijera EB polarizira se propusno i nalazi se u ulaznom (upravljakom) strujnom krugu, dok je barijera CB polarizirana zaporno. Mogue su npn i pnp izvedbe.

118

ELEKTROTEHNIKA

Slika 8-17 Struktura i simboli a) npn i b) pnp tranzistora

Izlazni (radni) krug obuhvaa obje barijere (CE) i izvor napajanja. Struja u ulaznom krugu je upravljaka, a upravlja se struja izlaznog kruga. Male promjene upravljake struje I imaju za posljedicu velike promjene ul izlazne struje I , to se interpretira kao strujno pojaanje:
izl

I izl I ul

8.5.3.3.

FET

FET (s izvodima G, D, S) se pojavljuje u osnovnim inaicama JFET i MOSFET.

c) 119

Elektronika

Slika 8-18 JFET a) n-kanalni b) p-kanalni c) simboli

JFET ima u upravljakom krugu zaporno polariziranu poluvodiku barijeru GS.

Slika 8-19 Promjena irine kanala kod JFET-a

Promjene ulaznog napona barijeri, zbog ega se struje u izlaznom krugu DS.

Vul mijenjaju jakost elektrinog polja na

mijenja irina kanala i time iznos

Slika 8-20 Karakteristike JFET-a

120

ELEKTROTEHNIKA

8.5.3.4.

MOSFET

MOSFET je inaica FET-a s prikljukom metalno-slojnog izvoda G preko tankog izolirajueg oksidnog sloja na silicijski kanal n ili p tipa (MetalOxide-Silicon). Napon na upravljakoj elektrodi G influencijskim djelovanjem utjee na gustou nosilaca, a time i na irinu kanala izmeu prikljuaka S i D, te izlaznu struju.

Slika 8-21 Graa MOSFET-a

Tranzistori se, kao i ostale elektrine i elektronike komponente, za svrhu analize mogu prikazivati razliitim ekvivalentnim elektrinim shemama. Jednostavna ekvivalentna shema bipolarnog tranzistora za mali signal sadri upravljani strujni izvor.

Slika 8-22 Spoj sa zajednikim emiterom i ekvivalentna shema bipolarnog tranzistora za mali signal

Upravljani tranzistor moe se u izlaznom krugu promatrati kao promjenljiv otpor, ijim promjenama upravlja ulazna upravljaka veliina. Pri minimalnim vrijednostima tog otpora tee u izlaznom krugu maksimalno mogua struja (zasienje), odreena naponom napajanja i opteretnim otporom. Odgovarajuim iznosom ulazne veliine moe se u izlaznom krugu 121

Elektronika ostvariti struja iznosa nula (zapiranje), to bi znailo da tranzistor kao promjenljiv otpor ima iznos beskonano. Ta dva ekstremna sluaja sugeriraju da se tranzistor moe promatrati u izlaznom krugu kao upravljana sklopka, to je temelj digitalne elektronike.

Slika 8-23 Karakteristike tranzistora

Vie tranzistora integrira se u sloenije komponente, npr. operacijska ili raunska pojaala.

Slika 8-24 Integrirana operacijska pojaala

8.6. Digitalna elektronika

Digitalna elektronika bavi se pridobivanjem digitalnih signala i razliitim postupcima nad njima. U praksi su meu digitalnim signalima najvaniji binarni. Matematiki ekvivalent binarnog signala je logika ili binarna varijabla s moguim vrijednostima 0 i 1. Razliite funkcije nad binarnim varijablama daju kao rezultat takoer binarne varijable, a mogu se 122

ELEKTROTEHNIKA ostvarivati kombinacijama sklopki (sklopna algebra) ili elementarnim logikim sklopovima (logic gates). U opisu i projektiranju digitalnih sustava od koristi je Boolova algebra s pravilima postupanja s binarnim varijablama (funkcije, jednakosti i teoremi). I veliki digitalni sklopovi sastoje se od elementarnih na kojima se izvode u velikom broju osnovne funkcije. Digitalni sklopovi mogu biti kombinacijski (izlaz ovisi samo o postojeem stanju na ulazima sklopa) ili sekvencijski (izlaz ovisi o postojeem, ali i o prethodnim stanjima na ulazima). Sekvencijski sklopovi moraju sadravati memorijske elemente radi pamenja prethodnih stanja. Najjednostavniji kombinacijski sklopovi su elementarni logiki sklopovi (NOT, AND, OR....).

Slika 8-25 Ostvarenje invertora (funkcija NOT) s bipolarnim tranzistorom

Najjednostavniji sekvencijski sklop je bistabil (flip-flop). Ima memorijski kapacitet od jednog bita (binarna znamenka binary digit) i dva izlaza s oprenim (komplementarnim) vrijednostima binarnog signala. Stanje bistabila definirano je vrijednostima na izlazima. Postoji vie vrsta bistabila koji se razlikuju po nainu pobude za promjenu stanja (RS, JK, D,...).

123

Elektronika

Slika 8-26 RS i JK bistabil

Integrirani krugovi su danas osnovne komponente za izradu sklopova u podruju informacijske elektronike (ranije su to bili diskretni elementi). U integriranim krugovima kombiniraju se na minijaturnom prostoru elektroniki elementi (kombinacijom slojeva i struktura razliito dopiranih poluvodia, izolatora i metala u razliitim tehnologijama) ostvarujui razliite sklopove i vie ili manje komplicirane funkcije. Osnovne su im znaajke: male dimenzije, mali utroak energije, velike brzine, mogunost razmjerno jeftine masovne proizvodnje. Integrirani krugovi namijenjeni podruju analogne elektronike nazivaju se linearni, dok digitalni procesiraju digitalne signale. Meu osnovne linearne komponente ubrajaju se operacijska pojaala, naponski stabilizatori, aktivni filtri, vremenske i analogne sklopke. Digitalni integrirani krugovi postiu veliku gustou elementarnih funkcija (i preko 106 tranzistora), a u sluaju mikroprocesora opremaju se i s velikim brojem prikljuaka kojima se ostvaruju veze s okoliem. Nerijetko sadre i memorije razliitih kapaciteta. 124