OSNOVNA SVOJSTVA POLUVODIA

vrste tvari mogu biti:

1) Amforne imaju nepravilan raspored atoma i molekula, nisu od znaaja za
poluvodiku elektroniku.
2) Kristali imaju pravilan raspored atoma, ako je itavo tjelo nainjeno od
pravilnog ponavljanja osnovne geometrijske forme kae se da se radi o
monokristalu. Za vrste tvari u kojima su atomi ili molekule rasporeeni po
strogom gemetrijskom redu kae se da imaju kristalnu strukturu. Kad bi se
atomi povezali sa nitima konca dobila bi se prostorna reetka kristala. Zato se
takav skup atoma naziva kristalna reetka. U poluvodikoj elektronici od
interesa su materijali koji imaju kristalnu reetku.
[ ]
[ ]
[ ]

19
27
31
27
31
1,602 10 ,
, 1,2,3,...
1,67 10
9,11 10
1,67 10
1836
9,11 10
e
p n
e
p
e
q C As
Q n q e n
m m kg
m kg
m
m
K, L, M, N, O, P, Q

2
2 n k
Za sva svojstva neke tvari (mehanika, kemijska, optika, toplinska, elektrika,
magnetska) mjerodavni su elektroni u vanjskoj ljusci koji se zovu valentni elektroni.
Elektroni se dre na okupu jednom od sljedeih veza:
- ionska veza
- metalna veza
- molekularana veza
- kovalentna
Atomi germanija i silicija dre se na okupu kovalentnom vezom. Kod kovalentne
veze, sile koje dre atome na okupu, ostvaruju se sa zajednikim elektronima dvaju
susjednih atoma.
Germanij i silicij su 4-valentnoj vezi to znai da u vanjskoj ljusci ima 4 valentna
elektrona. Svaki atom silicija vezan je sa 4 susjedna atoma kovalentnom vezom.
k n
1 2
2 8
3 18
1

1
]
1
]
22 3
Si
22 3
14 - atomski broj
28,08 - masa
N 5 10
4 20 10
Si
Si
val Si
Z
A
atoma cm
n N atoma cm
Elektroni koji krue oko atoma mogu imati samo diskretne energetske nivoe. Ovi
energetski nivoi prerastaju u pojaseve energija. U pravilu od svakog diskretnog nivoa
u atomu nastaje pojas energija u kristalu. Pojasevi odvojenih energija meusobno su
odjeljeni zabranjenim energijama.

0 -273,15
0 273,15
16,15 290
26,85 300
o
o
o
o
K C
C K
C K
C K
Prema dolje odozdo energetski pojasevi popunjehih unutarnjih ljusaka, ali oni nisu
interesantni.
Na 0K valentni pojas je popunjen i odjeljen od vodljivog pojasa pojasom zabranjeih
energija E
G
. Da bi takav kristal mogao provoditi struju treba elektrone iz valentnog
pojasa prebaciti u vodljivu i za to im treba predati energiju

G
E E
. Energija se moe
predati privoenjem topline, zraenjem ili vanjskim elektrinim poljem. Na
temperaturu T elektroni dobivaju energijureda veliine [ ]
,
T
E k T J Ws
,
[ ]

-23
1,38 10 , k J K Ws K
- Boltzmanova konstanta, temperatura T je u K.
2
VALENTNI POJ AS
ZABRANJ ENI POJ AS
VODLJ IVI POJ AS
E
g
E(eV)
[ ]
[ ] [ ]

19
19
21
1 1,602 10 ,
1,602 10 11605
1,38 10
T
eV J Ws
kT T T T
E eV eV
q
q
k
+4 +4
+4
+4
+4
+4 +4
+4 +4
+4
za [ ]
290 0,025
T
T E eV
za [ ]
300 25,8
T
T E meV
INTRINSIAN POLUVODI
Poluvodi ija se kristalna reetka sastoji samo od atoma jednog elementa naziva se
INTRINSIAN ili ist poluvodi. Kristal je nastao ponavljanjem geometrijske forme.
Poluvodi je nastao ponavljanjem osnovne geometrijske forme. Svi atomi su na
svojim normalnim mjestima tj. nema atoma u nekim meupoloajima. Na
temperaturama blizu 0K svi su valentni elektroni vezani uz svoje atome i ne mogu se
kretati kroz kristal. Na nekoj konanoj temperaturi postoji vjerojatnost da elektron
zahvati val energije dovoljno velik da se prebaci u vodljivi pojas. Taj proces zove se
razbijanje valentne veze. Elektron se giba po kristalu kaotino jer se ne moe
pridruiti niti jednom atomu.
Odlaskom elektrona ostaje jedan ne kompenziran pozitivan naboj. To se ini tako da
se uzme elektron sa neke od susjednih kovalentnih veza i tako se proces nastavlja.
Prema tome uz kaotino gibanje elektrona u vodljivom pojasu postoji kaotino
gibanje elektrona u valentnom pojasu. U valentnom pojasu ima mnotvo elektrona pa
je zato pogodnije promatrati gibanje pozitivnog naboja, a on predstavlja nepopunjenu
kovalentnu vezu i naziva se upljina (praznina).
n - koncentracija elektrona
p - koncentracija upljina
Koncentracija n
i
rauna se primjenom sljedee relacije:
Silicij:
[ ]

0
16
'
3,58 10
1,206
11605
G
T
C
E eV
T
E

1
]

6997,8
3
16 3
2
22 12
12
10
3,58 10
20 10 14,5 10
14,5 10
1,38 10 1
T
i
val
i
n T e el cm
n
n
3
[ ]

11605
T
T
E eV

i i
n p

1
]
'
0
3
2 3
2
G
T
E
E
i
n C T e el cm
E
G
t
E
G0
T n
290
10 3
0,58 10 / cm
295
10 3
0,90 10 / cm
300
10 10 3
1,3778 10 1,38 10 / cm
305
10 3
2,07 10 / cm
310
10 3
3,07 10 / cm
EKSTRINSIAN POLUVODI
Ako elektrina vodljivost ovisi o prisustvu nekog drugog elementa, on se zove
EKSTRINSIAN ili primjesni poluvodi. Ako su novi atomi prisutni u veoj
koncentraciji njihov utjecaj je dominantan unutar ireg raspona temperatura. U
poluvodikoj tehnici vane su one primjese koje se dodaju namjerno i u tono
odreenoj koncentraciji. Za to se koriste i tehnoloki postupci koji se odvijaju
privisokoj temperaturi i visokom vakumu.
Koncentracija dodanih primjesa kree se izmeu:

14 3 20 3
10 10
I
N at cm at cm
Primjese zauzimaju mjesta u kristalnoj reetci gdje bi inae bili atomi silicija. One se
ukljuuju u kristalnu reetku supstitucijom:

22
8 6
14
5 10
5 10 500 10
10
Si
I
N
N
Kao primjese koriste se peterovalentni i trovalentni elementi. Kad se dodaju
peterovalentni naziva se poluvodi N-tipa. Kad se dodaju trovalentni naziva se
poluvodi P-tipa.
1. Poluvodi N-tipa
Dobiva se tako da se siliciju dodaju peterovalentni elementi kao to su: duik, fosfor,
arsen, antimon.
etri elektrona od peterovalentnog atoma udruena su u kovalentne veze sa etri
susjedna atoma silicija. Peti elektron dri se za svoj atom slabom privlanom
elektrostatskom silom i potrebno je utroiti mnogo manji iznos energije da se taj
elektron odvoji od atoma nego da se razbije kovalentna veza. Iznad temperature
100C praktiki su svi atomi primjesa ionizirani, elektroni su u vodljivom pojasu i
mogu se slobodno gibati kroz kristal. Odlaskom elektrona ostao je jedan nepokretni
naboj
4
+4 +4
+4
+4
+4
+4 +4
+4 +5
+4
Peterovalentne primjese daju elektrone u vodljivi pojas pa se zovu donorske primjese
ili donori.
N
D
koncentracija donora.
Ionizirani donor ima naboj +q
e
.
Kod razbijanja kovalentnih veza stvaraju se nositelji naboja u parovima, prema tome
u ovakvom poluvodiu postojat e i mala koncentracija upljina. U ovakvom
poluvodiu veinski ili majoritentni nositelji naboja su upljine. Ovakav poluvodi zove
se poluvodi N-tipa zato to su veinski nosioci naboja elektroni tj. estice koje nose
negatvni naboj.
2. Poluvodi P-tipa
Dobiva se tako da se siliciju dodaju trovalentne primjese kao to su: bor, aluminij,
galij i indij.
Trovalentnoj primjesi nedostaje jedan elektron kompletira svoju kovalentnu vezu.
Ona to ini tako da uzme elektron sa neke od susjednih kovalentnih veza. Na taj
nain stvorena je upljina koja se slobodno giba po kristalu, a ionizirana primjesa ima
jedan nepokretni negativni naboj q
e
. Budui da trovalentne veze primaju elektron
zovu se akceptorske veze ili akceptori.
N
A
koncentracija akceptora. Energija potrebna za ionizaciju akceptora je vrlo mala i
u istom je rasponu kao i ona kod donora. Kae se da ionizirani akceptor ima jedan
nepokretni negativni naboj, a "otpustio" je slobodnu upljinu u valentni pojas. U
poluvodiu P-tipa veinski ili majoritentni nositelji naboja su upljine, one imaju
pozitivni naboj pa se zato i zove P-tip.
5
+ + + +
+ + + +
+ + + +
- - -
+ + +
I
up
+
U
I
+
el up el
I I I I
+ + + +
- - - -
E
g
0K
E
+ + + +
- - - -
E
g
0K
+ + + +
- - - -
E
g
300K
+ + + +
+4 +4
+4
+4
+4
+4 +4
+4 +3
+4
GENERACIJA I REKOMBINACIJA U POLUVODIIMA
Na konstantnoj temperaturi konstantna je koncentracija elektrona n
0
i upljina p
0
. U
istom poluvodiu nositelj naboja stvaraju se u parovima razbijanjem kovalentnih
veza.
U ekstrinsinom poluvodiu nositelj naboja stvaraju se na dva naina:
- ionizacijom primjesa
- razbijanjem kovalentnih veza.
Da bi se odrala stalna kocentracija elektrona i upljina mora postojati jo jedan
mehanizam koji se naziva rekombinacija parova elektrona upljina. Postoji dinamika
veza izmeu generacije i rekombinacije
3
g r parova cm 1
]
. Ravnotene
koncentracije elektrona i upljina ne ovise o tome na koji nain se vri generacija i
rekombinacija. Izmeu generacije para i rekombinacije para protekne neko srednje
vrijeme koje se zove vrijeme ivota [ ]
7 3
10 10 s


.
Za koncentracije n
0
i p
0
vrijedi zakon o termodinamikoj ravnotei:
6
- - - -
- - - -
- - - -
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
I
up
+
U
I
E
E
g
0K
E
+ + + +
- - - -
E
g
0K
up el up
I I I I +
E
+ + + +
- - -
E
g
300K
+ + + + + + +
2
0 0 i
n p n
ODREIVANJE KONCENTRACIJA U N I P TIPU
POLUVODIA
1) N-tip poluvodia
- zakon o elektrinoj neutralnosti (1)
- zakon o termodinamikoj ravnotei (2)
iz (1)
0 0 0
p n N
, to u (2)
( )
2
0 0
2 2
0 0
0
D i
D i
n n N n
n N n n


PR
14 3
300
10 /
D
T K
N cm

0 0
, ? n p
10 3
0
2
0
14 3
0
2 20
6 3
0 14
14
6 0
6
0
1,38 10 /
10
1,38 10
1,9044 10
10
10
52,5 10
1,9044 10
i
D i
D
i
D
n cm
N n
n n
n
p
N
n el cm
p up cm
n
p

?
7
0 0 D
N p n +
2
0 0 i
n p n
2 2
0
4
2
D D i
N N n
n
+ +

2
0
0
i
n
p
n

2) P-tip poluvodia
(1)
(2)
iz (1)
0 0 A
n p N
, to u (2)
( )
2
0 0
2 2
0 0
0
A i
A i
p p N n
p N p n


Za
A i
N n ?
0
2
0
A
i
A
p N
n
n
N

Pri niskim koncentracijama NA i ND sa porastom temperature poluvodi tei ka

savrenom poluvodiu.
POKRETLJIVOST NABOJA U POLUVODIIMA
Kad poluvodi nije u elektrinom polju gibanje nositelja naboja je kaotino, svi
smjerovi jednako su vjerojatni. Kaotino gibanje nastaje zbog vibracije kristalne
reetke koje uvijek postoje zbog neke temperature. Ako se poluvodi izloi djelovanju
vanjskog elektrinog polja doi e do usmjerenog gibanja slobodnih elektrona i
upljina tj. potei e struja. Zbog djelovanja elektrinog polja kaotinom gibanju
superioria (dodaje) se usmjereno gibanje (driftno gibanje), elektroni i upljine izmeu
dva sudara dobivaju dodatnu usmjerenu brzinu koja se zove driftna brzina:
v
D
je proporcionalna sa elektrinim poljem, a faktor proporcionalnosti je .
Zove se pokretljivost i ta pokretljivost za silicij je:
VODLJIVOST POLUVODIA
8
0 0 D
N n p +
2
0 0 i
n p n
2 2
0
4
2
A A i
N N n
p
+ +

2
0
0
i
n
n
p

[ ]
d
v E cm s
[ ]
2
cm
Vs

2
2
1430
460
n
p
cm Vs
cm Vs

s v
[ ]
q e
e
d q n s vdt
dq
I q n S v A
dt


- vodi
3
0 0
3
0
n e dn e n
p e p
J q n v q n E A cm
J q p E A cm

1
]
1
]
- poluvodi
{
{
1
E
U U u
I S
l
R l
S
I S E

- Ohmov zakon u elementarnom obliku
INTRINSIAN POLUVODI

9
2
e
I
J q n v A cm
s
1
]
( )
3
0 0 0 0 n p e
J J J q n p E A cm 1 + +
]
J E
( ) [ ]
0 0 0 0 e
q n p S cm +
( )
0 i e i p
q n +
PR
Koliko iznosi otpor istog silicijskog komadia kojem je
2
1 , 10 , S mm l mm ako je
2 2 10 3
300 , 1430 , 460 , 1,38 10 /
r p i
T K cm Vs cm Vs n cm 1 1
] ]
.
[ ] [ ]
[ ] [ ]
10 10 6 4
4 2 4 6 2 2
9
9
9 6
1,602 10 1,38 10 1890 4,178 10 4,178 10
1 10 10 10
, 2,3934 10
4,178 4,178
10 10
2,3934 10 23,934 10 23,934
1
i
i
i
i
S cm S m
m mm mm
m
m m m
l
R M
S

1 1 1

1 1 1
] ] ]

EKSTRINSIAN POLUVODI
a) N-tip
2
0 0

i
D i D
D
n
N n n N p
N
?
b) P-tip
2
0 0

i
A i A
A
n
N n p N n
N
?
PR
Koliko iznosi otpor istog silicijskog komadia kojem je
2
1 , 10 , S mm l mm ako je
2 2 10 3
300 , 1430 , 460 , 1,38 10 /
r p i
T K cm Vs cm Vs n cm 1 1
] ]
.
[ ] [ ]
[ ]
19 14
6
2 2
6 3
1,602 10 10 1430 2,3
1 1 10
2,3 2,3
10 10 10
4,34
2,3 1
N e D N
N
N
N
q N S cm S m
m m mm m
l
R k
S

1 1
] ]

10
0 N e D
q N B
P e A P
q N B
DIFUZIJSKO GIBANJE NOSITELJA NABOJA
Osim nositelja polja uzrok proticanja elektrine struje kroz poluvodi moe biti i
difuzija. Do difuzije dolaz kada koncentracija estica u cijelom prostoru nije jednaka.
estice se gibaju od mjesta vee, ka mjestu manje koncentracije. Kroz popreni
presjek prolazi naboj odnosno tee difuzna struja.
- upljine
Zbog terminog gibanja upljine e kroz presjek x-x prolaziti u oba smjera. Kako je
koncentracija upljina u podruju A vea od one u podruju B bit e vei broj upljina
koje prijeu kroz A u B nego obrnuto. Rezultantno gibanje tei da se izjednae
koncentracije. Difuzijska struja proporcionalna je gradijentu koncentracije upljina.
Konstanta D
P
zove se difuzijska konstanta, a opisuje svojstvo estica da prodiru kroz
poluvodi.
- elektroni
Dn e n
Dn e n
dn
J q D
dx
dn
J q D
dx
_


,

- difuzijske konstante za silicij
U poluvodiu postoji elektrino polje i razlika u koncentraciji elektrinih naboja.
11
dp e p
dp
J q D
dx

x
J
Dp
p(x)
x
A B
2
2
32
11
n
p
D cm s
D cm s
1
]
1
]
n(x)
x
1)
2
p Dp Ep
p e p e p
J J J
dp
J q D q p E A cm
dx

+
1 +
]
2)
2
p Dp Ep
p e p e p
J J J
dp
J q D q p E A cm
dx

+
1
]
Izmeu difuzijske konstante D i pokretljivosti istovrsnih estica postoji veza:
- Einsteinova relacija
Difuzijska duina L
n
i L
p
.
Duina kod koje koncentracija zbog rekombinacije padne za e puta zbog poetne
koncentracije zove se difuzijska duina upljina L
p
, a analogno za elektrone L
e
Vrijedi slijedea relacija:

- prosjeno vrijeme ivota para elektron upljina

Prijelazno podruje izmeu p i n tipa vodia je najvanije u podruju poluvodike
elektronike.
12
p(x)
x
E
J
Dp
p(x)
x
E
J
Dp
[ ]
p
n
n p e
D
D kT
V
q

[ ]
[ ]
n n
p p
L D cm
L D cm

PN SPOJ
PN spoj ostvaruje se razliitim tehnolokim postupcima kojima se postie to da je
jedan dio poluvodia n-tip drugi dio p-tip, s time da je sauvana monokristana
struktura.
10 3
16 3
16 3
300
1,38 10 /
2 10 /
10 /
i
A
D
T K
n cm
N cm
N cm

16 3
2 20
4 3
16
16 3
2
4 3
,
2 10 /
1,9044 10
0,95 10 /
2 10
10 /
1,9 10 /
A D i
op A
i
op
A
on D
i
on
D
N N n
p N cm
n
n cm
N
n N cm
n
p cm
N

?
Kada se ostvari kontakt ovih dvaju vodia lako se moe zakljuiti da ovo stanje ne
moe biti i ravnoteno stanje. Postoji vrlo velika razlika u koncentracijama istog tipa
na lijevoj i na desnoj strani. Posljedica toga je difuzijsko gibanje elektrona iz n-tipa u
p-tip i upljina iz p-tipa u n-tip.

13
n
on
n
op
p
on
p(x)
n(x)
10
4
10
11
10
12
10
13
10
14
10
15
10
16
x
J
Ep
J
Dp
d
Bn
d
Bp
d
B
-
-
-
+
+
+
p n
E
r
N strana koja gubi elektrone, a dobiva upljine pa postaje pozitivnija. upljine koje
dolaze iz P tipa u N tipa nailaze na veliku koncentraciju elektrona pa se sa njima
rekombiniraju. Koncentracija upljina sve vie opada sa udaljenou spoja.
P strana gubi upljine, a dobiva elektrone pa postaje sve negativnija. Elektroni
nailaze na veliku koncentracju upljina pa se s njima rekombiniraju i koncentracija
opada s udaljenou od spoja.
Prolaz difuzijske struje sve vie se oteava, elektronima se suprostavlja negativan
naboj na P strani, a upljinama pozitivan na N strani. P i N tip vie nisu elektriki
neutralni u graninom podruju.
P-tipu ostaju nekompenzirani negativni akceceptorski ioni, a u N-tipu pozitivni
donorski ioni, a koliine naboja su jednake.
Podruje u kome se mijenjaju potencijalne energije elektrona i upljina oznaeno je
sa d
B
, a zadire u P i N tip poluvodia. To podruje zove se PN barijera ili prijelazni
sloj ili sloj porstornog naboja. Barijera se vie iri na onu stranu na kojoj je manja
koncentracija primjesa.
(1)
(2)
Bp A Bn D
Bp Bn B
d N d N
d d d

+
Razliku potencijala N i P podruja izraunati emo iz uvijeta da struje upljina i
elektrona moraju biti jednake 0.
0
p p p
p p
dp
J q D q p E
dx
dp
D p E
dx

( ) x ( ) x
d
E
dx

d
E
dx

0
2
2
on
ln
ln
p
on Bn
Bp op
on
k
op
p
p
p d
d p
p
p
op
k
on
i
on on i
on
D
dp
d
p
kT dp
d
q p
kT dp
d
q p
kT
d p
q
p
kT
q p
n
p n n
n

[ ]
2
ln
op on
k
i
p n
kT
U V
q n

14
E
x
E E
za
,
A D i
N N n ?
op A
on D
p N
n N

[ ]
2
ln
11605
A D
k
i
N N kT
U V
n

Sa porastom temperature Uk pada
PR
16 3
16 3
300
2 10 /
10 /
A
D
T K
N cm
N cm

[ ]
10 3
16 16
2 20
1,38 10 /
300 2 10 10
ln 0,71555
11605 1,9044 10
i
k
n cm
U V

PR
16 3
16 3
310
2 10 /
10 /
A
D
T K
N cm
N cm

[ ]
10
16 16
2 20
3,07 10
310 2 10 10
ln 0,69668
11605 3,07 10
i
k
n
U V

PR
Skicirati valni oblik elektrinog polja u PN-spoju
15
[ ]
2
ln
A D
k
i
N N kT
U V
q n

x
+

3

Na osnovu poznate raspodjele naboja moe se izraunati jakost elektrinog polja

16
N
A
N
B
d
B p
d
Bn
d
Bn
-d
Bp

2
d

2
2
S
Q
EdS
S
dS
E S
d
E

r r

2
d

2
A Bp
q N d

2
A Bp
q N d

2
D Bn
q N d

2
D Bn
q N d

Bp A Bn D
d N d N
max
A Bp D Bn
q N d q N d
E



Izrazi za elektrina polja su:
1) u P-tipu:
( ) ( )
0
Bp
A
Bp
d x
q N
E x x d

+
2) u N-tipu:
( ) ( )
0
Bn
D
Bn
x d
q N
E x x d

+
Na osnovu poznatih derivacija za jakost elektrinog polja moe se izraunati
potencijal za bilo koju toku unutar barijere.
( )
( ) ( ) ( )
0
0
Bp
Bn Bn
Bp Bp
x
d
d d
k p n k
d d
E x dx
E x dx E x dx E x dx U

Iz ove relacije moe se dobiti i irina PN barijere koja je jednaka:
[ ] [ ]
( )
12 14
0
8,854 10 8,854 10
11,8 za silicij 11,9
r
As Vm As Vcm

[ ] [ ]
[ ] [ ]
14 16
5 4
19 16 16
3
2 8,854 10 11,8 3 10
0,715 3,74 10 3,74 10
1,602 10 2 10 10
0,347 10 0,374
B
d cm mm
mm m

[ ]
[ ]
0,124
0,2493
Bp
Bn
d m
d m

17
[ ]
2
ln
op on
k
i
p n
kT
U V
q n

[ ]
2
ln
11605
A D
k
i
N N T
U A
n

[ ]
0
2 1 1
r
B k
A D
d U cm
q N N
_
+

,
Bn D
Bp
A
d N
d
N

D
Bn B
A
N
d d
N
_

,
PN SPOJ POD DJELOVANJEM NAPONA
Kada se PN spoj prikljii na vanjski izvor napna, kroz njega e tei struja. Uz razliite
prikljuke napona bit e i razliita struja.
1. Propusno polariziran PN spoj
Spajanjem napona U na prethodni nain dolazi do sniavanja potencijalne barijere.
Krugom tee struja I koja nastaje zbog difuzijskog gibanja veinskih nositelja naboja.
to je prikljuni napon vei potencijalna barijera je nia i difuzijska struja vea.
18
d
B
x
U
U -U
k
=U
T
U
k
+
P N
I
Bp A Bn D
d N d N
Bp Bn B
d d d +
B A
Bn
A D
d N
d
N N

+
B D
Bp
A D
d N
d
N N

2. Nepropusno polariziran PN spoj

Krugom tee struja manjinskih nositelja naboja, zove se invertna struja PN spoja,
oznaava se sa I
S
, praktiki ne ovisi o naponu U, pa se naziva i struja zasienja.
Potencijalna barijera se poveava, a takoer i irina barijere.
Ovisnost struje o naponu dana je Shockleyevom jednadbom:
- Shockleyeva jednadba
m=12 za male U, m=1
za velike U, m=2
19
+
P N
I=I
S
d
B
x
U
U
k
U
k
( )
0
2
r A D
B k
A D
N N
d U U
q N N
_ +

,
( )
T k
U U U
1
T
U
mU
S
I I e

_


,
[ ]
11602
T
T
U V

PR
[ ] [ ]
3
290
0,025 25 10
T
T K
U V V

( )
1
40
1
m
U
S
I I e

za
za
U[V]
10
20
30
40
50
0.2 0.4 0.6 0.8
-10 -20
A (anoda)
- IDEALNA DIODA p-tip
K (katoda)
n-tip
20
[ ]
40
0,1
U
S
U V
I I e

>
B
[ ]
0,1
S
U V
I I
<
B
2 p
n
S i
n op p on
D
D
I S q n
L p L n
1
+
1

1
]
U
ELEKTRINI PROBLEM U PN SPOJU
Ako se diodi prikljui dovoljno veliki inverzni napon dolazi do proboja diode, struja
naglo raste te moe doi do unitenja diode ako ona nije ograniena vanjskim
otporom.
Postoje dva tipa proboja:
1.) Zenerov proboj nastupa kad dioda koje imaju vrlo usku irinu barijere, kod
velikih koncentracija primjesa. Elektrino polje u barijeri postaje tako snno da
se izvlae elektroni iz valentnog pojasa u p-tipu pa se struja naglo poveava.
2.) Lavinski proboj nastupa kod irih barijera pri manjim konsentracijama
primjesa. Pri svom gibanju elektroni se sudaraju s atomima u babarijeri,
izbijaju im elektrone pa se proces dalje nastavlja kao lavina.
VRSTE DIODA
1. SLOJNA DIODA ima veliku povrinu PN spoja, a time i kapacitet zbog toga se
ne moe koristiti na visokim frekvencijama. Koristi se u ispravljaima za dobivanje
istosmjernog iz izmjeninog.
Poluvalni ispravlja
Punovalni ispravlja
a) s transformatorom sa srednjim izvodom

21
U
m
t
U
sek
U
B
S
C
d

2
T
T
2
T
T
*
D
R
+

U U
S
U
P
+
m
Sr
U
U

*
*
A
B
0
D
1
D
2
R
+

U
2
m
Sr
U
U

U
m
t
U
sek
U
Za vrijeme pozitivne poluperiode ulaznog napona struja tee krugom A, D1, R, 0.
Za vrijeme negativne poluperiode ulaznog napona struja tee krugom B, D2, R, 0.
b) Graetzov spoj

Za vrijeme pozitivne poluperiode ulaznog napona struja tee krugom A, D1, R, D3, B.
Za vrijeme negativne poluperiode ulaznog napona struja tee krugom B, D2, R, D4, A.
Graetzov spoj moe se kupiti za odreene napone, struje i snage.
2. TOKASTA DIODA ima malu povrinu PN spoja, i mali kapacitet barijere, pa
se moe koristiti na viim i visokim frekvencijama, za modulatore, demodulatore itd.
3. ZENER DIODA koristi se u podruju probojnih napona. Proizvodi se sa razliitim
iznosima probojnih napona. Slui kao izvor referentnog napona u stabilizatorima.
22
+ - ~
I
U
U
0
U
U
I
I
0
U
R
0
0
0
i
U U R
I R U U
U U
I
R R

+
+
*
D
1
D
2
D
3
D
4
+ -
A
B
R
+

U

U
S

U
P
Z
D
+
I
Iz
I
Z
I
U

U=U
Z
Stabilizator sa Zener diodom
1) Na ulazu je
min
ul
U
, na izlazu je
max
Z
I
:
max
min min max
min
min min
...
iz Z
Z
Z Z Z Z
ul Z
S
U U
I
R R
I I I I I
U U
R
I

+

2) Na ulazu je
max
ul
U
, na izlazu je
min
Z
I
:
max
min
max min
max max
max
...
ul Z
Z
Z
S
Z Z
Z Z Z
U U
U
I I
R R
I I I
P U I

PR
23
min
max
min max
min max
Z
i
do
?, R ?
z
S
U U
R R R
I
R

5 V [ ]
I
Iz
I
Z
I
+
U

U
i z
=?
[ ]
100sin u t V
10
5
-10
Z
D
I
Iz
I
Z
I
R
D

U
IZ
+
U
I
max
I
min
4. TUNEL DIODA (Esakijeva dioda) izvodi se sa vrlo visokim koncentracijama
primjesa. Zbog toga je barijera vrlo uska. U nepropusnom podruju odmah nastupa
proboj. U propusnom podruju ima dio karakteristike sa negativnim nagibom
tangente.
Podruje sa negativnom
dinamikom karakteristikom
Karakteristika ove diode objanjava se kvantnom mehanikom, a efekt se zove tunel
efekt. Japanski fiziar Esaki patentirao je naziv tunet dioda.
Koristi se za izradu oscilatora.
5. VARICAP DIODA (kapacitivna dioda) slui kao promjenjivi kondenzator, kome
se iznos kapaciteta mjenja s inverznim naponom.
[ ]
10 40
B
C pF
24
max
min
I
12
I
B

0
din din
ST
dU U
R R
dI I
U
R
I

>
( )
0
0
0
2
1
2
1
T
r A D
B k
A D
B
B
A D
k
k A D
C
N N
d U U
q N N
S S
C
d
N N U
U
U q N N

14444444244444443
1
T
B
k
C
C
U
U

6. SVJETLEA DIODA - LED (LIGHT EMITTING DIODE)

Radi pri propusnoj polarizaciji i tada zrai svjetlost. Svjetlost nastaje kao rezultat
rekombinacije upljina i elektrona. Koristi se kao signalni i kontrolni element, te kao
izvor svjetlosti. Izrauje se od spojeva galija, arsena i fosfora. Obino daju crveno,
uto i zeleno svjetlo, a mogu dati i infracrveno.
7. FOTODIODA - LAD (LIGHT ACTIVATED DIOD)
Dioda radi pri inverznoj polarizaciji. Upadno svjetlo generira parove elektron upljina.
I
R
se poveava proporcionalno sa intenzitetom svjetla. Koristi se u ureajima za:
mjerenje intenziteta svjetlosti, fotoaparata, svjetlomjera, za pozicioniranje alata kod
strojeva, za detekciju svjetlosnih signala u optikim kabelima.
8. FOTOELIJA struja tee krugom i bez vanjskog napajanja.
Koristi se u solarnim elijama za punjenje akumulatora za pogon satova, kalkulatora.
Efikasnost im je
max
=11%.
25
U
I
R
+
P N
N
R
I
TRANZISTORI
Tranzistori su poluvodike komponente sa tri sloja poluvodia.
Imaju svojstvo pojaavanja signala.
Izumili si ih 24.12.1947.: John Barden, Walter Brattain, William Shockley.
1956 g. dobili su Nobelovu nagradu za to otkrie.
Rad NPN tpa tranzistora temelji se na prijenosu elektrona iz jednog N-tipa u drugi N-
tip, a rad PNP tipa temelji se na prijenosu upljina iz jednog P-tipa u drugi P-tip. Kod
NPN tipa glavni nositelji su elektroni, a kod PNP upljine.
Da bi se postiglo usmjereno gibanje elektrona potrebno je jedan PN spoj polarizirati
propusno a drugi nepropusno.
E emiter
C kolektor
B baza
N-tip koji emitira elektrone u P podruje naziva se emiter E, a drugi N-tip koji ih
sakuplja naziva kolektor C. Srednje podruje ili P-tip naziva se baza B.
PN spoj izmeu E i B zove se emiterski PN spoj, a onaj izmeu C i B zove se
kolektorski PN spoj.
Struje u tranzistoru pri normalnoj polarizaciji
26
N P
E C
B
+ +
B
C
E E
C
NPN PNP
N P
E C
B
+ +
I
elE
I
elC
I
elB
I
C
I
rB
I
E
U
BE
U
BC
I
E
I
C
I
B
1.
I
elE
je struja koju ine elektroni koji iz emitera prelaze u bazu. To je korisna
komponenta jer tee kroz tranzistor, zahvaljujui njoj postie se pojaanje.
I
B
je struja upljina koje iz baze prelaze u emiter, nije od koristi za pojaanje samo
dodatno zagrijava emiterski PN spoj.
Prema tome poeljno je da struja I
elE
>>I
B
. Zato se tranzistor izvodi tako da je
koncentracija primjesa u emiteru i do 100 puta vea od koncentracije primjesa u bazi.
- efikasnost emitera
2.
C elC elC elB
I =I +I +I
I
elC
je struja koju ine elektroni koji dolaze iz emitera preko baze. Zbog
rekombinacije jednog broja elektrona u bazi I
elC
je manja od I
elE
.
U normalnom aktivnom podruju struja I
elC
praktiki ne ovisi o naponu U
CB
.
I
C
struja koju ine upljine koje iz kolektora ulaze u bazu.
I
elB
struja koju ine elektroni koji iz baze ulaze u kolektor.
I
C
i I
elB
su struje manjinskih nositelja naboja, jako rastu sa temperaturom.
0 C elB CB
I I I +
3.
CB0
B B rB C elB
I
I =I +I -(I +I )
144424443
I
B
struja upljina koja iz baze prelaze u emiter.
I
rB
je struja upljina koje se u bazi rekombiniraju sa elektronima koji dolaze iz
emitera. Da bi tranzistorski efekat bio to bolji potrebno je da to vei broj elektrona
doe iz emitera u kolektor.
E C B
I =I +I
(1)
E C B
I = I + I
(2) za male promjene
- faktor strujnog
pojaanja u spoju ZB
27
1
elE
elE B
I
I I
<
+
E elE B
E C B
I =I +I
I =I +I
C
E
I
I

+
U
CB
I
CB0
Kod spoja zajedniki emiter faktor srujnog pojaanja je:
(2)
iz (2)
za
0,995
0,995 = 199
0,005

U spoju zajednike baze je:
U spoju zajednikog emitera:
U kojoj su vezi I
CB0
i I
CE0
?
0
(1)
(2)
C E CB
E C B
I I I
I I I
+
+
( )
( )
( )
{
0
0
0
0
0
1
1 1
CE
C C B CB
C B CB
CB
C B
I
C B CE
I I I I
I I I
I
I I
I I I

+ +

+

+
1442443
( )
0 0 0 0
1
1 1
1 1
CE CB CB CB
I I I I

+ _
+ +


,
28
0,995 1 <
C
B
I
I

1
B E C
C
E C
C
E
C
E
I I I
I
I I
I
I
I
I

+
0 C E CB
I I I +
0 C B CE
I I I +
Za rad tranzistora u normalnom aktivnom podruju bitna su tri sljedea mehanizma:
1.) Ubacivanje veinskih nositelja naboja iz emitera u bazu kroz propusno polariziran
emiterski PN spoj
2.) Prijenos ubaenih nositelja kroz bazu u kojoj su oni manjinski nositelji naboja. Da
bi prijenos bio to bolji baza treba biti uska i manja koncentracija primjesa da se
smanji I
B
i I
rB
.
3.) Skupljanje manjinskih nositelja koji su proli kroz bazu od strane inverzno
polariziranog konektorskog PN spoja.
STATIKE KARAKTERISTIKE TRANZISTORA
Odnosi izmeu istosmjernog napona i struja dani su statikim karakteristikama. One
se snimaju toku po toku sa istosmjernim naponom napajanja. Daju se u katalozima
proizvoaa kao srednja vrijednost karakteristika od velikog broja tranzistora istog
tipa. To su familije karakteristika od kojih je jedna veliina parametar. Za praksu su
najvanije izlazne i ulazne karakteristike, a ostale se mogu dobiti iz njih. Najee se
susreu karakteristike spoja zajednikog emitera.
Shema za snimanje prikazana je na slici:
LABORATORIJSKI IZVOR
1. IZLAZNE KARAKTERISTIKE
29
A
1
V
1
V
2
P
1
U
BE
I
B
I
C
U
CE
U
CC
+ +
U
BB
+
-
P
2
8
6
4
2
12
5 10 15
U
CE
I
C
[mA]
I
B
=50[A]
I
B
=40[A]
I
B
=30[A]
I
B
=20[A]
I
B
=10[A]
CE
U
C
I
Izlazne karakteristike prikazuju ovisnost struje I
C
o naponu U
CE
uz struju I
B
kao
parametar:
( )
B
I =parametar
C CE
I f U
Snimaju se na slijedei nain:
- sa potenciometrom P
1
podesi se iznos struje I
B
- sa potenciometrom P
2
mjenja se napon U
CE
i oitava struja I
C
- ponovi se mjerenje (pod 2) sa drugom strujom I
B
Napon koljena koje je oko 0,5V za tranzistore malih i srednjih snaga promjene
napona U
CE
uzrokuju male promjene struje I
C
.
Podruje nakon koljena je radno podruje tranzistora kao pojaala u izlazne
karakteristike ucrtava se:
- statiki radni pravac (SRP)
- radna toka (Q)
- dinamiki radni pravac (DRP)
- hiperbola snage.
Iz njih se moe oitati faktor strujnog pojaanja i dinamiki izlazni otpor.
( )
( )
( )
( )
[ ] ( )
3
6
7,5
3
20
6,6 4,2 10
240 100 500
30 20 10
12,5 7,5
50 10-150
4,3 4,2 10
CE
B
U V
CE
I A
r k k

2. ULAZNE KARAKTERISTIKE
Prikazuju ovisnost struje o I
B
o naponu U
BE
uz napon U
CE
kao parametar:
( )
CE
U =parametar
B BE
I f U
Ove su karakteristike nelinearne pa su one glavni uzrok nastajanja nelinearnih
izoblienja.
Snimaju se na sljedei nain:
- sa P
2
podesi se U
CE
- sa P
1
mijenja se U
BE
i oitava se struja I
B
- ponovi se korak 2 sa drugim naponom U
CE
30
CE
U =konst.
C
B
I
I

B
I =konst.
CE
CE
C
U
r
I

POJAALO S TRANZISTOROM U SPOJU SA ZAJEDNIKIM

EMITEROM
Ovo pojaalo se najee primjenjuje pri realizaciji NF (nisko frekventnih) pojaala
jer se njime dobiva najvee pojaanje napona, struje i snage. Ulazni signal dovodi se
izmeu baze i emitera, a izlazni se dobiva izmeu kolektora i emitera.
Da bi se dobilo pojaanje radna toka mora se nalaziti u normalnom aktivnom
podruju. Dakle pored izmjeninog signala tranzistoru se trebaju privesti odreeni
istosmjerni naponi.
Statika radna toka Q moe se odrediti na nain kao to je prikazano na slici:
Pomou U
BB
i R
B
odnosno ulaznih karakteristika odredi se struja I
BQ
3 BB BQ BEQ
U R I U +
31
8
6
4
2
12
5 10 15
U
CE
I
C
[mA]
I
B
=50[A]
I
B
=40[A]
I
B
=30[A]
I
B
=20[A]
I
B
=10[A]
Q
1
Q
2
(SRT)
Q
3
U
CEZAS
U
CEQ
I
CQ
I
B0
=0[A]
SRP
40
30
20
10
60
0,6 1
U
BE
I
B
[ A]
0,2 0,4 0,8 1,2
BB BEQ
BQ
B
U U
I
R

+
+
U
CE
U
BE
U
CC
U
BB
U
g
+
R
B
R
C
I
C
Pomou U
CC
i R
C
odredi se statiki radni pravac
CC C C CE
C C CE CC
U I R U
I R U U
+
+
JEDNADBA SRP
1. za
0
CE
U
:
CC
C
C
U
I
R

2. za
0
C
I
:
CE CC
U U

[ ]
[ ]
15
1,5
CC
C
U V
R k

[ ]
[ ]
8,5
4,5
CEQ
CQ
U V
I mA

[ ]
[ ]
2,5sin
8,5 2,5sin
ce
CE
u t V
u t V

TOTALNI IZNOS IZMJENINA KOMPONENTA
ISTOSMJERNA KOMPONENTA
32
CE CC
C
C C
U U
I
R R
+
CE CEQ ce
u U u +
2
4
6
8
10
12
14
16
t
C CQ c
i I i +
B BQ b
i I i +
U praktinim izvedbama radna toka odreuje se sa jednim izvorom napajanja u
tome se koriste dvije sheme:
1. Visokoomski djelitelj baze
2. Niskoomski djelitelj baze
1. VISOKOOMSKI DJELITELJ BAZE
PR
[ ]
[ ]
[ ]
[ ]
15
7,5
5
100
0,7
CC
CEQ
CQ
BEQ
U V
U V
I mA
U V

B C cemax
R , R , U =?
[ ]
[ ] [ ]
[ ] [ ]
3
3
6
6
6
15 7,5
1,5
5 10
5 10
50 10 50
100
15 0,7 14,3
10 28600 286
50 10 50
CC CEQ
C
CQ
CQ
BQ
CC BEQ
B
BQ
U U
R k
I
I
I A A
U U
R k
I

Odredi radnu toku Q i maksimalni hod napona U

cemax
ako se tranzistor zamjeni s
novim kojem je =120. U
CEQ
, I
CQ
, U
cemax
=?
33
+
u
CE
u
BE
R
B
R
C
I
C
u
u l
I
B
+U
CC
+
C
v
+
[ ]
( )
0,7

B B BE CC BE
CC BE
B
B
CE CC
C
C C
C
B
R I U U U V
U U
I
R
U U
I SRP
R R
I
I

8
6
4
2
5 10 15
U
CE
I
C
[mA]
6 7,5
I
CQ
Q
[ ]
[ ]
[ ]
[ ]
3
6
CEmax
15 0,7
50
286 10
120 50 10 6
6
6
CC CEQ
BQ
B
CQ BQ
CEQ CC CQ C
U U
I A
R
I I mA
U U I R V
U V

B
2. NISKOOMSKI DJELJITELJ BAZE
Otpor R
B2
odaberite takav da je
2
10
BQ
I I
[ ]
[ ]
2
2
1 2
1
1
2 6
6
1 6
0,7
10
11
0,7
1,4
500 10
15 0,7 14,3 10
26000 26
550 10 550
BE
B
BQ
BQ BQ
CC BEQ
B
B
B
U
R
I I
I I I I
U U
R
I
R k
R k

POJAALO U SPOJU ZAJEDNIKOG EMITERA SA RADNIM

TROILOM
- SRP
34
+
u
CE
u
BE
R
B1
R
C
I
C
u
u l
I
B
+U
CC
+
C
v
+
I
1
I
2
R
B2
[ ]
50
BQ
I A
+
u
i z
u
BE
R
B
R
C
I
C
u
u l
I
B
+U
CC
+
C
v
+
R
T
u
CE
C
v
CE CC
C
C C
U U
I
R R
+
iz T iz
u R i
Za izmjenine naponske signale kondenzatori C
v
su kratki spoj, takoer i izvor U
CC
.
Shema za izmjenine signale je:
( )
( )
( )
c
ce
1 i
||
2 u
3
ce
c C CQ
C T
C CQ c CE CEQ
CE CEQ ce
u
i i I
R R
i I I u U
u U u

+
+
DINAMIKI RADNI PRAVAC (DRP)
1. DRP prolazi kroz Q
za

ce CEQ C CQ
u U i I
2. za ( ) 0 ||
C CE CEQ CQ C T
i u U I R R +
35
+
u
iz
u
ul
i
C
+
R
T
u
CE
R
B
R
C
( )
||
|| 0
C T
C T CT
C T
ce c C T
R R
R R R
R R
u i R R

+
+
||
CE CEQ
c CQ
C T
u U
i I
R R

( ) ||
|| ||
CEQ CQ C T
CE
C
C T C T
U I R R
u
i
R R R R
+
+
i ,I
c C
[mA]
I
CQ
Q
DRP
SRP
U
CC U
CEQ
I
CQ
(R ||R )
C T
CC
C
U
R
STABILIZACIJA RADNE TOKE
Poluvodike komponente su jako temperaturno osjetljive. Zbog toga se u sklopovima
provodi temperaturna stabilizacija radne toke.
Stabilizacija radne toke izvodi se na jedan od sljedeih naina:
a) primjenom stabilinih spojeva (spojevi sa negativnom povratnom vezom)
b) metodama kompenzacije (upotrebom PTC i NTC otpornika)
Najee se koristi stabilni spoj uvoenjem otpora R
E
.
Stabilizirajue djelovanje otpornika R
E
ogleda se u sljedeem:
- ako zbog porasta temperature poraste I
C
, poraste I
E
, poraste napon na otporu R
E
,
smanji se U
BE
, smanji se I
B
pa je porast struje I
C
daleko manji nego da nema
otpora R
E
.
Uvoenjem otpora R
E
uvodi se i strujna serijska negativna povratna veza koja
smanjuje pojaanje. Da bi se djelovanje negativne povratne veze uklonilo za
izmjenine signale paralelno otporniku R
E
spaja se kapacitet C
E
dovoljno velikog
iznosa kapaciteta.
( )

||

|| ||
CE CC
C
C E C E
CEQ CQ C T
CE
C
C T C T
B B BE E E CC
U U
I SRP
R R R R
U I R R
u
i DRP
R R R R
R I U I R U
+
+ +
+
+
+ +
36
+
u
iz
u
BE
R
B
R
C
I
C
u
ul
I
B
+U
CC
+
C
v
+
R
T
C
v
i
u l
R
E
C
E
DINAMIKA ANALIZA
U sklopu pojaala tranzistor radi u dinamikim uvjetima to znai da uz istosmjerne
napone kojima je odreena radna toka djeluju i izmjenini naponi.
Dinamiki rad razmatra se u "reimu malih signala", a tada se tranzistor moe
smatrati kao linearni aktivni element. Tada izmeu napona i struja postoji linearna
zavisnost.
Bipolarni tranzistor moe biti u spoju zajednikog emitera, zajednike baze ili
zajednikog kolektora, a u ovoj analizi predstavlja se sa dvije ulazne i dvije izlazne
prikljunice.
Ponaanje etveropola potpuno je odreeno sa etri promjenjive veliine U
1
, U
2
, I
1
, I
2
,
a one se povezuju sa dvije linearne jednadbe sa dvije nezavisne veliine. Tranzistor
se najee opisuje sa h parametrima. Jednadbe etveropola sa h parametrima su:
1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
u h i h u
i h i h u
+
+
Za opisivanje tranzistorskih umjesto brojevnih indeksa koriste se slovni indeksi:
1 1 2
2 1 2
i r
f o
u h i h u
i h i h u
+
+
1 1 2
2 1 2
ie re
fe oe
u h i h u
i h i h u
+
+
Osim toga dodaju se i indeksi e, b i c, zavisno od toga u kojem spoju tranzistor radi.
be ie b re ce
c fe b oe ce
u =h i +h u
i =h i +h u


Na osnovu ovih jednadbi moe se nacrtati nadomjesna shema sa h parametrima u
spoju zajednikog emitera.
Postoje etri vrste zavisnih izvora (i ne moe ih biti vie):
1. naponom upravljan naponski izvor
2. strujom upravljan naponski izvor
3. strujom upravljan strujni izvor
4. naponom upravljan strujni izvor
Bipolarni tranzistor ponaa se kao strujom upravljan strujni izvor.
37
I
1
I
2
U
1
U
2
+ +
E
h i
fe b
h u
re ce
h
i e
i
b
i
c
u
ce
u
be
B C
+
+
+
oe
1
h
FET se ponaa kao naponom upravljan strujni izvor.
U katalozima proizvoaa najee se daju h
e
parametri, rijee h
b
, a vrlo rijetko h
c
parametri. h
fe
.
TRANZISTOR KAO SKLOPKA
Osnovna shema prikazana je na slici:
Kada je na ulaz napon U
ul
dovoljno visokog iznosa sklopka je ukljuena i krugom tee
struja:
CC
C T
C
U
I I
R

,
a napon na troilu je:
T RC CC CEzas CC
U U U U U
.
Da bi sklopka bila ukljuena uz napon na ulazu mora tei neka struja I
Bmin:
min
min
C CC
B
C
ul BEQ
B
B
I U
I
R
U U
R
I

Ovako izraunat otpor R

B
je maksimalni koji bi se smio koristiti. Iz niza standardnih
vrijednosti treba izabrati manji. Prema tome kada se sklopka ukljui radna toka na
SRP-u je Q
1
. sklopka je iskljuena kada je U
ul
=0 odnosno I
B
=0, radna toka je Q
2
.
Prednosti tranzistorske sklopke su:
1. Malim strujama I
B
upravlja se velikim strujama I
C
2. Strujom troila moe se upravljati sa daljine
3. Brzina ukapanja i iskapanja je i do 10
8
puta u sekundi
4. Nema efekta iskrenja kao kod mehanikih sklopki
5. Tranzistor ima dug vijek trajanja
38
+
U
CE
R
B
R
C
=R
T
I
C
+
U
ul
+U
CC
I
B
CE CC
C
C C
U U
I
R R
+
I
C
I
B5
I
B4
I
B3
I
B2
I
B1
U 0,2
CEZAS
= -0,5 U
CC
I
B
=0
Q
1 CC
C
U
R
Nedostaci tranzistorske sklopke su:
1. Tranzistor radi samo sa istosmjernim naponima, ne mogu se prekidati
izmjenine struje
2. Krug nije potpuno zatvoren niti otvoren, ne ponaa se kao idealna sklopka
3. Tranzistor je osjetljiv na preoptereenja strujom ili naponom
4. Tranzistor moe raditi samo do odreene temperature (silicij do 200C)
Tranzistorska sklopka obavlja logiku funkciju NE (NOT)
A T
0 1
1 0
Pomou tranzistorske sklopke mogu se realizirati i druge logike sklopke kao to su :
I, ILI, N, NILI.
OGRANIENJA U RADU TRANZISTORA
Postoje ogranienja maksimalnih dozvoljenih struja, maksimalnih dozvoljenih napona
i maksiamlnih dozvoljenih snaga. Daju se u katalogu rubrici ''maximal ratings'':
1. Maksimalna struja kolektora I
cmax
(I
CH
), je struja koja smije tei kroz tranzistor
bez obzira na iznos napona U
CE
i snagu. Ovisi o povrini kolektora. Kod snanih
tranzistora moe biti i do 100A.
2. Maksimalni napon U
Cemax
3. Maksimalna snaga disipacije [ ]
tmax CE C
P U I W
ovisi i o temperaturi
ambijenta, (okoline). Daje se i podatak o tome za koliko se smanjuje dozvoljena
snaga ako temperatura poraste za 1C.
[ ]
[ ]
[ ]
o
tmax
o
o
tmax
500 do 40
-10
za T=50
50 10 10 400
P mW C
mW C
C
P mW

Da bi se zagrijavanje smanjilo, a time poveala dozvoljena snaga koriste se
hladila.
39
T=A
A T=A
A T=A
A T=A
1
t
1
U
ul
t
1
I 0
E
=
U
CB 0
=60[V]
+
I
CE0
I 0
B
=
U
CE0
=40[V]
+
I 0
C
=
U
EB0
=5[V]
+
Toplinski otpor hladila ovisi o povrini hladila i debljini materijala, to je povrina
vea to je toplinski otpor manji. Hladila se izrauju u obliku radijatora sa veim
brojem rebara.
Tranzistor se montira na hladilo tako da je izmeu njega i hladila tanki sloj
izolatora od:
- liskuma (tinjac)
- beriljija
- aluminijevog dioksida
SEKUNDARNI PROBOJ:
Zbog nejednolike raspodjele struje po povrini emitera u nekim podrujima je gustoa
struje vea. Baza je izraena manjom koncentracijom primjesa pa kod neke vee
temperature podruje baze postaje intrinsino, pa se stvara direktni spoj izmeu
emitera i kolektora. Struja naglo raste a napon U
CE
opada.
Zbog pojave sekundarnog proboja smanjuje se sigurno podruje rada:
SOA safe operating area.
40
[ ]
[ ]
1
o
th
o
th
T C R P W
C
R
W
1
]

(liskum) 0,4
o
th
C
R
W
1
1
]
B
I
C
U
CEmax
I
CM
P
tmax
LAVINSKI PROBOJ
PODRU JE SEKUNDARNOG
PROBOJA

I 0
B
=
tmax
C
CE
P
I
U

TIRISTORI (THYRISTOR)
Tiristor je zajedniki naziv za razne vrste etveroslojnih poluvodikih komponenata.
Najvaniji predstavnik je jednosmjerni triodni tiristor SCR (silicon controlled rectipier,
silicijsko upravljani ispravlja).
Razvio ga W. Shockley, a radi u reimu lavinskog proboja. Nakon to porovede struju
proputa struju u jednom smjeru. U stanje nevoenja moe doi ako mu struja padne
ispod odreenog iznosa.
UI karakteristika prikazana na slici:
Prebacivanje iz iskljuenog u ukljueno stanje izvodi se pomou pozitivnog napona
U
GK
i struje I
G
. Na taj nain postie se snienje prelomnog napona.
Ove veliine zovu se:
I
H
(holding current) = struja pridruavanja
U
H
(hoding voltage) = napon pridruavanja
U
BO
prijelomni napon u I
G
=0
41
N
2
P
1
A (ANODA) K (KATODA)
G (GATE)
(VRATA, ZASUN, UPRAVNI ELEMENT)
P
2
U
B2 U
A/C
[V]
I
A
[A]
U
H
U
B1
U
B0
I
G2
I
G1
I 0
G
=
U
Z
K
G
A
G
K
Tiristori se koriste u raznim tipovima upravljivih ispravljaa. Pogodnom izvedbom
moe se mjenati kut voenja, a time i snaga na troilu.
Tiristor moe biti u slijedea tri stanja (ili hoda):
1. Invertni mod
2. Blokirajui mod
3. Tiristor u vodljivom stanju
Nakon to se prekida P trajno zatvori potee struja glavnim krugom: +U, R
T
, A, K, -U
T
U
I , 2
R
AK
U V B B
Da bi se struja u glavnom krugu prekinula potrebno je njen iznos smanjiti manje od I
H
,
a to se moe postii poveanjem otpora R
T
ili smanjenjem napona U.
Tiristor se primjenjuje energetskoj elektronici: za regulacije brzine vrtnje
elektromotora, za regulaciju snage kod snanih grijaa, za regulaciju osvjetljenja itd.
Izuzetno su pogodni za primjenu kod izmjenine struje. Tada svaka negativna
poluperioda dovodi tiristor u stanje inverznog moda.
42
N
2
P
1
P
2
U
+
R
T
K
G
A
J
1
J
2
J
3
N
2
P
1
P
2
U
+
R
T
K
G
A
J
1
J
2
J
3
N
2
P
1
P
2
U
+
R
T
K
G
A
J
1
J
2
J
3
U
CG
+
P
R
G
0
0
0
1 1
dt sin dt
T
T
Tsr m
t
U u U t
T T


za
0
0
m
Tsr
U
t U

za
0
2
1 cos
4
2 4 2
m m
Tsr
U U T
T
t U
T

1
_
+
1
,
]
0
2
2 2 2
max
1
sin dt
T
T
t
U U t
T

43
K
G
POBUDNI
KRUG
R
T

+
U
A
K
G
R
T

+
U
R
G
D

U
AK
+
U
m
t
U
T
t
U
2
T 3
2
T
T
2
T
4
T
T
0
t
( )
0
1 cos
2
m
Tsr
U
U t

+
0
0
4
T
t
0 0
sin2 1
2 2
2
m
T
t t U
U
T T

+
za
2 2
0 Tmax
0
2 4
m T m
T
T T
U U U
t U P
R R

za
2
0

4
8
2 2
m m
Tsr T
T
U U
T
t U P
R

0
0
4
T
t
za
0
0
2
m
Tsr
U
t U
za
0

4
2
m
T
U
T
t U
44
K
G
R
T
+
R
G
D
+
D
1
t t
0
D
1
D
2
D
3
D
4
+ -
R
T
R
G

+

U
T
U
T
U
m
2
T
T
0 0
T
sin2
U 1
2
2
m
t t U
T T

+
[ ]
0
1 cos
m
sr
U
U t

+
0 0
sin2 1
2 2
T m
t t
U U
T t

+
OGRANIENJA U RADU TIRISTORA
1. di dt ogranienje brzina porasta struje mora biti ispod nekog maksimalnog
iznosa jer moe doi do unitenja tiristora, podatak se daje u katalogu proizvoaa.
Kada se na gate dovede impuls struje najprije provede usko podruje u blizini
elektrode G. Struja tiristora tee tim uskim pordujem dok se ono ne proiri. Zbog
toga dolazi do lokalnog zagrijavanja koje ne smije prijei odreeni maksimalni iznos
jer moe doi do unitenja tiristora.
Da bi se smanjio utjecaj vremena porasta u seriju s tiristorom spaja se zavojnica.
2. du dt ogranienje daje se u katalogu proizvoaa.
Ako brzina porasta napona prijee neki iznos tiristor moe doi u stanje voenja i
kada se to ne eli. Za to je odgovoran parazitni kapacitet C
AG
izmeu anode i gatea.
Dodatkom RC spoja utjecaj du dt se smanjuje.
Ovaj efekt moe se i iskoristiti za ukljuenje tiristora.
max
300 2500
du
V
s
dt

1

1
]
45
max
m
m
max
50
I sin
cos
I
m
di A A
dt S S
di
A
s
dt
i t
di
I t
dt
di
dt

1

1
]
1

1
]

K
G
I
g
K
G
C
AG
g AG
du
i C
dt

OPERACIJSKA POJAALA I SKLOPOVI S NJIMA
Ovaj naziv odnosi se na pojaalo koje ima vrlo veliko pojaanje, dva ulaza i jedan
izlaz. Naziv potjee iz tehnike analognih raunala u kojima se ono koristilo za
izvoenje matematikih operacija zbrajanja, oduzimanja, deriviranja i integriranja.
Masovna proizvodnja donjela je i njihovu vrlo nisku cijenu, a poela je nakon pojave
monolitne tehnike u planarnoj tehnologiji na siliciju.
Cijelo pojaalo proizvodi se na jednoj ploi povrine od svega oko 1mm
2
.
Operacijska pojaala spadaju u grupu linearnih integriranih sklopova.
Od svih operacijskih pojaala najiru primjenu nalo je ono pod brojem 741. U
osnovnoj verziji ima 20 bipolarnih tranzistora, 11 otpornika i jedan kondenzator od
30[pF]. Simbol za idealno operacijsko pojaalo je:
( )
1 2 iz
u A u u
za
2 1
0
iz
u u A u
neinvertirajui ulaz
za
1 2
0
iz
u u A u
invertirajui ulaz
Svojstva idealnog operacijskog pojaala:
1. A , pojaanje tei u beskonanost
2.
ul
R
, ulazni otpor tei u beskonanost
3.
0
iz
R
, izlazni otpor tei u nulu
4. sva svojstva ne ovise o temperaturi i frekvenciji
Za realna operacijska pojaala:
1. 200000 A >
2. [ ]
2
ul
R M >
3. [ ]
100
iz
R <
4. pojaanje ovisi o frekvenciji i temperaturi
Realno operacijsko pojaalo
46
+
+


u
2
u
1
1
2

u
iz
+
A(u -u )
1 2
-
+
+


u
2
u
1
1
2

u
iz
NEINV.
-U
INV. +U
N.C. (Not conected)
IZLAZ
BAL.
1
2
3
4 5
6
7
8
-
+
Da bi ispravno radilo potrebno ga je prikljuiti na izvor napajanja koji je simetrian s
obzirom na zajedniku toku. Obino su to naponi do maksimalnog iznosa U=22V.
Prikljunice 1 i 5 koriste se za otklanjanje debalansa odnosno nesimetrije koja je
prisutna u realnim pojaalima. Kada se prikljunice 2 i 3 spoje na zajedniku toku 0
izlazni napona morao bi biti jednak 0. Kod realnog pojaanja na izlazu postoji mali
napon reda nekoliko [mV] da bi se podesio na nulu potrebno je nainiti spoj prema
slici:
Operacijska pojaala koriste se za:
1. Realizaciju invertirajueg i neinvertirajueg pojaala
2. kod aktivnih RC filtara
3. kod stabilizatora napajanja generatora
4. u generatorima raznih napajanja
5. u mjernim instrumentima
6. kod A/D i D/A pretvaraa
Operacijska pojaala koriste se u sklopovima sa jakom negatvnom povratnom vezom
koja se realizira sa pasivnim komponentama.
Zbog visokog pojaanja svojstva sklopa ovise o elementima u povratnoj vezi, zato se
sa operacijskim pojaalima mogu dobiti sklopovi vrlo dobrih i stabilinih svojstva.
47
+


u
2
u
1
3
2
7
4
6
+
+
U
-U
+15
-15
0
+
1
3
2
5 4
7
6
V
-U
+U
1. INVERTIRAJUE POJAALO
( )
( )
1 2 1
2 2
1 2
2
2 2
1 1 2 2
0
1
2
iz v ul
ul iz
iz
ul iz
u A u
i i u
u u u u
R R
u A u
u u u u
R R R R

iz (2)
2
iz
u
u
A

1 1 2 2
1 2 1
2 1 1
1 2 1
2
1 1 2
2
1 2
1
1
1 1 1
1
ul iz iz iz
ul
iz
ul
iz
iz ul
v
u u u u
R A R A R R
u
u
A R A R R R
u R R A R
u
A R R R
A R
u u
A R R R
A R
A
R R
A R
A R
+

1
+ +
1

]
+ +

+ +

1 +
+
1

]
za
2
1

v
R
A A
R

48
2
1 2
1
1
1
1 1
v
R
A
R R
A R

1
+ +
1
]
-
+
+

u
2 u
ul
1
2

u
iz
u
1
=0
+
R
1
R
2
i
1
i~0
PR
2 1
10
100000
R R
A

1
5
1
10 1 10
9,998978
1 11 10 1,00011
za 10
v
v
R
A
R
A A

+


PR
[ ]
0,1
45,45
100000
ul
v
U V
A
A

[ ]
[ ]
max
max
min
4,5
4,5
45
100000
iz
iz
iz
U V
U
U V
A

+
Na ulazu operacijskog pojaala postoji virtualni ili prividni kratki spoj. Napon izmeu
prikljunica je skoro nula, ali je ulazni otpor beskonano velik.
2. NEINVERTIRAJUE POJAALO
( ) ( )
( )
( )
1 2
1
1
2
1 2
1
1 2
1
1 2
1 2 1
1 2
1 2
1 1 2
1
1
v
iz
ul
iz
iz iz
ul
iz ul
iz ul
iz ul
A
u A u u
u u
u R
u
R R
u u R
u
A R R
R
u u
A R R
R R A R
u u
A R R
A R R
u u
A R R R

+
1
+
1
+
]
+ +

+
+

+ +
144444424444443
49
-
+


u
2
u
ul
1
2

u
iz
u
1
+
R
1
R
2
+
+
( )
1 2
1 2
1
1
1 2
1 2
1
2
1
2
1
1
1
1
1 1
1
1
1
1 1
v
v
v
A R R
A
R R
A R
A R
R R
A
R R
A R
R
A
R R
A R
+

1 +
+
1

]
+

_
+ +

,
_
+

_
,
+ +

,
za A
3. NAPONSKO SLJEDILO
Za realizaciju aktivnih RC fitera i za odvajanje stupnjeva pojaala potrebno je imati
pojaalo sa pojaavanjem ''1'', velikim ulaznim otporom i malim izlaznim otporom.
Ovaj sklop dobiva se iz neinvertirajueg pojaala takoda je R
2
=0 i R
1
tei u
Sklop se zove naponsko sljedilo zato to izlazni napon sljedi ulazni po iznosu i fazi.
1
1
1 1
1
v
A
A
A

+
+
za A
1
v
A
za 100000 A
100000
1
100001
v
A B
50
2
1
1
v
R
A
R
+
-
+
+

u
ul

u
iz
+
4. SKLOP ZA ZBRAJANJE S INVERTIRAJUIM POJAALOM
( )
1 2
1 2
1 2
1 2
1 2
1 2 1 2
za
ul ul iz
f
f f
iz ul ul
f iz ul ul
i i i
u u u
R R R
R R
u u u
R R
R R R u u u
+
+
_
+

,
+
U sluaju da su ulazni naponi sinusne veliine koristi se fazorski raun
PR
[ ]
[ ]
( )
[ ]
1
2
3sin
4cos 4sin
2
ul
ul
u t V
u t V t V

+
?
iz
u
[ ]
( ) [ ]
1 2
1
2
o
3
4
3 4
5sin 223
f
ul m
ul m
izm
iz
R R R
U
U j
U j V
u t V

+
&
&
&
51
-
+


u
ul1

u
iz
u 0
1
=
+
R
1
R
f
+
R
2
u
ul2
i
1
i
2
i

u0
2
~
i~0
5. SKLOP ZA ZBRAJANJE SA NEINVERTIRAJUIM POJAALOM
1)
2
0
ul
u
' 1 2
1 2
1
b ul
iz
a
R u R
u
R R R
_
+

+
,
2)
1
0
ul
u
'' 2 1
1 2
1
b ul
iz
a
R u R
u
R R R
_
+

+
,
' '' 2 2 2 1
1 2 1 2
1
2
1 2 2 1 1 2
1 1 2 1 2
2
1 2
1
1 2 1 2
1
za
b ul ul
iz iz iz
a
a
b
ul ul
iz
iz ul ul
a b iz ul ul
R u R u R
u u u
R R R R R
R R
R R
u R u R R R
u
R R R R R
R
u u u
R
R R R R u u u
_ 1
+ + +
1
+ +
] ,

_ +
+

+ +
,
+
+
52
+

u
ul2

u
iz
+
R
a
R
2
+
+
R
1
R
2
u
ul1
6. SKLOP ZA DOBIVANJE RAZLIKE ULAZNIH SIGNALA
1) za
2
0
ul
u
' 1 2
1 1 2
1
ul b
iz
u R R
u
R R R
_
+

+
,
2) za
1
0
ul
u
'' 2
2
1
iz ul
R
u u
R

( )
' '' 1 2 2
2
1 1
1
2
2
1 2
1
1
ul b
iz iz iz ul
a b
a
b
iz ul ul
u R R R
u u u u
R R R R
R R
R R
R
u u u
R
_
+ +

+
,

53
+


u
ul2

u
iz
+
R
1
R
2
+
+
R
a
R
b
u
ul1
7. SKLOP ZA DERIVIRANJE
1 2
ul iz
ul
iz
i i
du u
C
dt R
du
u R C
dt

PR
[ ]
[ ]
3 4
100
10
50 10 sin10
ul
R k
C nF
u t

5 9 3 4 4 4
10 10 50 10 10 cos10 cos10
2
iz
u t t

54
+


u
iz
C
R
+
+
u
ul
i
1
i
2
~0
8. SKLOP ZA INTEGRIRANJE
( )
0
1 2
2
1
0
1 1
t
iz ul
du
i C
dt
u idt u
C
i i
u i dt u dt
C RC

+

9. KOMPARATOR
( )
[ ] [ ]
1 2
15 100000
150 0,15
iz
iz d
izm
izm
dm
u A u u
u A u
U A
U
U V mV
A



t

55
+


u
iz
C
R
+
+
u
ul
i
1
i
2
~0
-
+
+


u
2
u
1
1
2

u
iz
PRIJENOSNA KARAKTERISTIKA
56
u
d
[ ] V
5
50 100 150
-100 -50
10
15
-150
5
10
15
TRANZISTORI SA EFEKTOM POLJA (FET)
FET (field efekt transistor) = tranzistor sa efektom polja, unipolarni tranzistor sa
efektom polja.
Struju im ini samo jedna vrsta naboja, ili elektroni ili upljine.
Dvije osnovne skupine:
1. JEFT (junction field efekt transistor) = spojni tranzistor sa efektom polja.
Moe biti P i N kanalni.
2. IGFET (insulated gate field efekt transistor) = tranzistor s efektom polja i
izoliranom upravljakom elektrodom.
MOSFET (metal oxide semiconductor field efekt transistor).
Moe biti: - N-kanalni (obogaeni i osiromaeni),
- P-kanalni (obogaeni i osiromaeni).
Elektrode:
S (source) uvod
D (drain) odvod
G (gate) vrata (upravljaka elektroda)
FET-ovi imaju jako velik ulazni otpor pa u nadomjesnoj shemi malih signala imaju
naponom upravljan strujni izvor.
1. IZVEDBA I PRINCIP RADA JFET A
1. U
DS
=0,
57
S
G
N-kanal
U
DS
U
GS
<0
+
+
P+
P+
S
G
N-kanal +
P+
P+
-2[V]
-4[V]
-5[V] -5[V]
Napon U
GS
pri kome se lijeva i desna barijera dotaknu zove se napon praga,
oznaava se sa U
GS0
i daje se u katalogu proizvoaa za pojedini tip tranzistora.
2. U
GS
=0
irina kanala
(vrlo mali broj)
Porastom napona U
DS
struja I
D
raste skoro linearno. Kada struja I
D
naraste do
odreenog iznosa dolazi praktiki do dodira lijeve i desne barijere. Sa daljnjim
poveavanjem napona U
DS
struja I
D
vie ne raste nego ostaje konstantana.
Napon U
DS
pri kome dolazi do dodira dodira lijeve i desne barijere zove se napon
dodira, oznaava se sa U
P
(pinch voltage) i daje se u katalogu proizvoaa.
Simbol
- N-kanalni JFET - P-kanalni JFET
Shema za snimanje izlaznih karakteristika prikazana je na slici:
LABORATORIJSKI IZVOR
58
0 p GS
U U
S
G
N-kanal
+
P+ P+
+2[V]
+4[V]
+5[V] +5[V]
U
DS
I
D
D
S
D
S
V
1
V
2
P
1
U
GS
I
D
U
DC
U
DD
+ +
U
GG
+
G
D
S
-15
0
P
2
( )
GS
D DS
U parametar
I f U

Izlazne karakteristike snimaju se na sljedei nain:

1. Sa P
1
podesi se napon U
GS
2. Sa P
2
mjenja se U
DS
i oitava se struja I
D
3. Ponoviti mjerenje pod 2. sa drugim naponom U
GS
1. [ ]
0
GS
U V
[ ]
[ ]
10
5
DSS
P
I mA
U V

2. [ ]
-1
GS
U V
[ ]
[ ]
[ ]
0
2
0
4
-5
1-
6,4
DS
GS
GS
DS DSS
GS
U V
U V
U
I I
U
mA

1

1
]

Maksimalna vrijednost struje I

D
pri naponu U
GS
=0 oznaava se I
DSS
i daje se u
katalogu proizvoaa.
U izlaznim karakteristikama oitava se: statiki radni pravac (SRP), radna toka Q,
dinamiki radni pravac (DRP) i hiperbola snage.
Iz izlaznih karakteristika moe se oitati dinamiki radni otpor.
1. Dinamiki izlazni otpor:
[ ] [ ]
.
100 1
GS
DS
DS
D
U konst
U
r k M
I

2. Strmina
( )
[ ]
.
7,5
6,4 3,6
2,8
1 2
DS
DS
DS
m
GS
U konst
U V
I
mA
g
V
U



1

]

Nadomjesna shema za reim malih signala prikazana je na slici:
59
DS
U
DS
I
8
6
4
2
12
5 10 15
U
DS
I
D
[mA]
U
GS
=0[V]
I
CQ
U
GS
=-1[V]
U
GS
=-2[V]
U
GS
=-3[V]
U
GS
=-5[V]
U
GS
=-4[V]
D
S
G
r
ds
g U
m gs

U
gs
U
ds
+
2. IZVEDBA I PRINCIP RADA IGFETA (MOSFET)
- N-kanalni MOSFET
obogaeni tip
(enhancened type)
- N-kanalni MOSFET - P-kanalni MOSFET
Silicijska podloga je P-tip sa niskom koncentracijom primjesa. Na nju su nanesene
dvije zone N+ tipa i na njima su prikljuci za elektrode D i S.
Izmeu D i S nanesen je tanki sloj silicijevog dioksida koji je izolator, a na njega je
vezana metalna upravljaka elektroda G. Pozitivni napon U
GS
stvara u sloju podloge
izmeu D i S vodljivi kanal kojim tee struja I
D
. Struju ine samo elektroni pa se zato
ovaj tip zove N-kanalni MOSFET.
Uz vei napon U
GS
vodljivi kanal je iri pa uz isti napon U
DS
tee ista struja I
D
.
Kod osiromaenog MOSFET-a vodljivi kanal nainjen je jo u toku procesa
proizvodnje. Prema tome ovaj tip tranzistora vodi struju i pri naponu U
GS
=0.
60
I
D
U
GS
=3[V]
U
GS
=4[V]
U
GS
=5[V]
U
GS
=6[V]
U
GS
=7[V]
U
GS
=8[V]
D
S
G
D
S
D
S
G
D
S
+
U
DS
S G D
I
D
N
+
N
+
U
GS
P - podloga
METAL
SiO
2
(izolator)
SILICIJEV DIOKSID
N-kanalni MOSFET P-kanalni MOSFET
osiromaeni tip osiromaeni tip
(depletion type)
61
I
D
+3
+2
+1
U
GS
=0[V]
-1
-2
D
S
G
D
S
D
S
G
D
S