1

II TEST EES - VARIJANTA 4

Zadatak broj 1.

1.1. Napisati relaciju za strujno pojaanje
0
bipolarnog tranzistora u modelu
tranzistora za male signale.

1
1
]
1

,
_

C
F
F
C
F
I

1
1
0



1.2. Kakvi odnosi izmeu otpora u ulaznom krugu pojaala sa zajednikim emiterom
moraju postojati, da bi se naponsko pojaanje tranzistora moglo izraziti preko relacije:

C L L m V
R R r R i R g A
3 0


Odgovor: Rs<<R
B
(Unutranji otpor izmjeninog izvora mora biti mnogo manji
od ukupnog otpora u bazi tranzistora).

1.3. Napisati izraz za struju odvoda MOSFET-a u oblasti zasienja njegovih izlaznih
karakteristika, kada se uzima u obzir modulacije duine kanala (kanal je zgnjeen).
) 1 ( ) (
2
2
DS TN GS n DS
u V u
L
W
K i +
1.4. Napisati izraz za otpor kanala JFET-a koji vrijedi za rad JFET-a u linearnoj
oblasti karakteristika.

W
L
t
R
CH

1.5. Napisati pojednostavljenu relaciju za strminu MOSFET-a u modelu tranzistora za
male signale.

DS n m TN GS n m
I K g ili V V K g 2 ) (

Zadatak broj 2. Taan odgovor zaokruiti

2.1. Na slici su date prenosne karakteristike tranzistora sa efektom polja. Definirati
kojem tranzistoru pripada karakteristika 4)

1) 2) 3) 4 )



2
a) PMOSFET sa induciranim kanalom
b) NMOSFET sa ugraenim kanalom
c) NMOSFET sa induciranim kanalom
d) PMOSFET sa ugraenim kanalom


2.2. Kada MOSFET radi u oblasti zasienja izlaznih karakteristika i vodljivi kanal je
zgnjeen na samom izvoru, tada:
a) struja izmeu izvora i odvoda ne tee, jer je vodljivi kanal prekinut;
b) vodljivi kanal je prekinut i struja izmeu izvora i odvoda tee kroz osiromaenu
oblast pri kraju bliem odvodu;
c) struja izmeu izvora i odvoda ne tee jer ne postoji vodljivi kanal;


2.3 Kod FET-a u provoenju struje kroz tranzistor uestvuju:
a) veinski i manjinski nosioci naboja
b) nosioci naboja oba znaka
c) samo veinski nosioci naboja

2.4. Na slici 1. je dat ematski prikaz:
a) optike sprege lasera i fototranzistora
b) klasinog optokaplera;
c) optokaplera sa PIN diodom.

Slika 1. Slika 2.

2.5. Na slici 2, je prikazana i-u karakteristika:
a) trijaka
b) dijaka
c) dinistora



3. REZULTATI: A) Q(1,25 mA; 10,5V) uz V
GS
=-2,5 V; B) A
v
=-3,9 ~ -4.




3