Transistoret Bipolar

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA
124

4.TRANSISTORT BIPOLAR ME KONTAKT

4.0 HYRJE

N kapitullin e fundit pam se karakteristikat drejtuese tension-rrym t diods,
jan shum t dobishme n qarqet elektronike ndrprerse dhe te qarqet pr prpunimin e
forms valore t sinjaleve. Ndrkaq, diodat nuk jan n gjendje t prforcojn
(amplifikojn) rrym ose tension. Komponenti elektronik i cili ka aftsi t prforcimit t
tensionit ose t rryms, n bashkveprim me elementet tjera t qarkut, sht transistori, i
cili sht komponent me tri terminale.
Transistori bipolar, i cili do t shtjellohet n kt kapitull, sht njri nga dy tipat
kryesor t transistorve me t cilin ka filluar revolucioni elektronik n vitet 1950 dhe
1960. Tipi i dyt i transistorit, transistori me efekt t fushs ose FET-i (nga anglishtja
Filed-Effect Transistor), i ka parapri revolucionit t dyt n elektronik, n vitet 1970 dhe
1980. Kto dy tipe t komponentve paraqesin bazn e mikroelektroniks moderne. Secila
prej ktyre komponentve ka rndsin e vet dhe ka prparsit e veta pr zbatime
specifike.
N fillim t kapitullit do t analizohet struktura fizike dhe funksionimi i transistorit
bipolar me kontakt. N mnyr m detale sht punuar analiza statike e qarqeve me kta
transistor, dhe sht diskutuar se si ky tip i transistorit mund t shfrytzohet n zbatime t
ndryshme si ndrprers, n qarqe digjitale dhe si amplifikator linear.
Edhe pse mund t duket se n kt kapitull i sht dhn shum hapsir qarqeve
diskrete, qllimi parimor i ktij kapitulli sht q lexuesin ta bj familjar me
karakteristikat e transistorit dhe ti aftsoj pr analiz dhe dizajnim t shpejt t kushteve
njkahore t qarqeve me transistor bipolar, sepse kjo sht baz pr qarqet e integruara t
cilat do t diskutohen m von.

4. Transistort bipolar me kontakt
125

4.1 BAZAT E TRANSISTORIT BIPOLAR ME KONTAKT

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor),
ka tri shtresa gjysmpruese me doping t ndryshm dhe prmban dy kontakte pn. Nj
kontakt i vetm pn i ka dy mode t puns- pr polarizim t drejt dhe revers. Transistori
bipolar me dy kontakte pn, ka pra katr mode t puns, varsisht nga kushtet e polarizimit
t secilit kontakt. Me tri regjione t ndara, transistori bipolar sht komponent me tri
terminale, dhe parimi themelor i puns s transistorit sht q me tensionin n mes t dy
terminaleve t kontrollohet rryma npr terminalin e tret.
Pr ta shpjeguar punn e transistorit, do t fillohet me prshkrimin e strukturs
themelore dhe prshkrimin kualitativ t veprimit t tij, duke i shfrytzuar konceptet bazike
mbi kontaktin pn t cilat jan paraqitur n kapitujt paraprak. Por, kto dy kontakte pn jan
mjaft afr njra tjetrs, ashtu q ka ndrveprim n mes tyre, prandaj puna e transistorit
plotsisht ndryshon nga puna e dy diodave t vendosura n opozit.
Rryma n transistor sht pasoj e rrjedhs s vrimave dhe elektroneve t lira,
prandaj edhe quhen transistor bipolar, pr dallim nga transistori FET i cili sht unipolar
sepse n te rrymn e formon rrjedha e vetm njrit lloj t bartsve t elektricitetit.

4.1.1 Struktura e transistorit

N Fig. 4.1 sht paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturs themelore dhe
simbolet e t dy tipave t transistorit bipolar: npn dhe pnp. Transistori bipolar npn
prbhet nga nj regjion i holl p i vendosur n mes t dy regjioneve n. N ann tjetr,
transistori bipolar pnp ka nj shtres t ngusht t regjionit n n mes t dy shtresave t tipit
p. Tri regjionet dhe lidhjet e tyre terminale quhen emiteri (emiter), baza (base) dhe
kolektori (collector). Puna e komponents varet nga dy kontaktet pn t vendosura afr
njra tjetrs, prandaj baza duhet t jet shum e ngusht, n brezin prej disa dhjetra
mikrometra (10
-6
m).
Baza
Kolektori Kolektori
Emiteri Emiteri
B
E
E
C
C
I
I
B
B
I
I
C
C
I
I E
E
(a) (b)
n
p
p
n
n
p
Baza

Fig. 4.1 Struktura themelore dhe simboli i transistorit bipolar: (a) tipi npn dhe (b)
tipi pnp


126
Struktura aktuale e transistorit bipolar sht dukshm m e komplikuar se ajo e
paraqitur n Fig. 4.1, sepse regjionet e emiterit dhe kolektorit nuk kan zakonisht
gjeometri t njjt, elektrikisht jan asimetrike dhe nuk kan koncentrim t njjt t
dopingut t jopastrtive. Pr shembull, koncentrimi i dopingut t jopastrtive n emiter,
baz dhe kolektor mund t jet i rendit 10
19
, 10
17
, dhe 10
15
cm
-3
. Por, edhe pse bllok
diagramet n Fig. 4.1 jan shum t thjeshtuara, ato jan t dobishme pr paraqitjen e
karakteristikave themelore t transistorit. N Fig. 4.2 sht paraqitur prerja teknologjike e
transistorit bipolar diskret dhe atij t integruar.
Kontakti i bazs
Kontakti i emiterit
Kontakti i kolektorit
baza emiteri
kolektori
emiteri baza kolektori
Kontakti i emiterit Kontakti i bazs
Kontakti i kolektorit
Transistori i integruar
Substrati p
+
Rrjedha izoluese n
Shtresa nnkolektor n
+
Difuzioni izolues p
+
Transistori diskret

Fig. 4.2 Prerja teknologjike e transistorit bipolar diskret dhe atij t integruar

4.1.2 Transistori npn: modi aktiv i puns
Pasi q transistori ka dy kontakte pn, n kt komponent mund t zbatohen katr
kombinime t mundshme t polarizimit, varsisht nga zbatimi polarizimit t drejt ose
revers n secilin kontakt. Pr shembull, nse transistori shfrytzohet si komponent
amplifikuese, kontakti baz-emiter (B-E) sht i polarizuar drejt ndrsa kontakti baz-
kolektor (B-C) ka polarizim revers, dhe konfiguracioni i till quhet modi aktiv i puns ose
regjioni aktiv.
N Fig. 4.3 sht paraqitur transistori npn i idealizuar me polarizim n modin aktiv
t puns. Pasi q kontakti B-E ka polarizim t drejt, elektronet nga emiteri futen prmes
ktij kontakti n brendi t bazs, duke krijuar nj rritje t koncentrimit t bartsve minor
n baz. Kontakti tjetr B-C ka polarizim revers, prandaj koncentrimi i elektroneve n skaj
t ktij kontakti sht prafrsisht zero.

127
n p n
i
E
i
C
Injektimi
i
elektroneve
R
E
R
C
{
Kontakti
B-E
Kontakti
B-C
- +
V
BB
V
BE
V
CC
-
+
E
C
B
_
+
i
B

Fig. 4.3 Transistori npn i idealizuar me polarizim n modin aktiv t puns
Koncentrimi i elektroneve n regjionin e bazs sht paraqitur n Fig. 4.4. Pr
shkak t gradientit t lart t ktij koncentrimi, elektronet e futura nga emiteri difuzohen
npr baz n regjionin e ngarkess hapsinore t kontaktit B-C, prej nga fusha elektrike i
shtyn ato n regjionin e kolektorit. Qllimi sht q nj numr sa m i madh i elektroneve
t arrij n kolektor pa u rekombinuar me vrimat, si barts kryesor n baz. Fig. 4.3
paraqet rastin ideal n t cilin nuk ndodh rekombinimi, prandaj koncentrimi i elektroneve
sht funksion linear i distancs npr baz. Por, n praktik gjithmon disa barts
rekombinohen n baz, prandaj koncentrimi i elektroneve do t devijoj nga lakorja ideale
lineare, si sht paraqitur n figur me vija t ndrprera. Pr minimizimin e efektit t
rekombinimit, gjersia e regjionit neutral t bazs duhet t jet e vogl n krahasim me
gjatsin e difuzionit t bartsve minor.
Gjrsia e bazs
neutrale
Injektimi
i elektroneve
Ideale (lineare)
n(x)
Me
rekombinim
E(n) B(p) C(n)

Fig. 4.4 Koncentrimi i elektroneve n regjionin e bazs
Rryma e emiterit Pasi q kontakti B-E ka polarizim t drejt, pritet q rryma
npr kt kontakt t jet nj funksion eksponencial i tensionit B-E, ashtu si ishte rryma e
diods funksion eksponencial i tensionit t drejt t zbatuar n skaje t diods. Prandaj
rryma n terminalin e emiterit mund t shkruhet si
/ /
1
BE T BE T
v V v V
E S S
I I e I e ( = ~

(1)


128
ku aproksimimi me mosprfilljen e antarit (-1) zakonisht vlen pasi q v
BE
>> V
T
n
shumicn e rasteve, ku parametri V
T
sht tensioni termik. N kt rast sht prvetsuar
se koeficienti i emisionit sht 1, si sht diskutuar te rasti i diods ideale. Rrjedha e
elektroneve sht prej emiterit kah baza dhe sht e kundrt nga kahja konvencionale e
rryms. Rryma konvencionale e emiterit pra sht prej terminalit t emiterit.
Konstanta I
S
, prfshin parametrat elektrik t kontaktit dhe njherit sht n
proporcion t drejt me siprfaqen aktive t prerjes trthore t B-E. Prandaj nse dy
transistor jan identik, prpos q njri ka siprfaqen dy her m t madhe se tjetri, ather
rrymat e tyre t emiterve do t ndryshojn pr faktorin dy pr tension t njjt t zbatuar
n B-E. Vlerat tipike t I
S
jan prej 10
-12
deri n10
-15
A, por te disa transistor special
mund t ndryshojn jasht ktij brezi t vlerave.
Rryma e kolektorit Pasi q koncentrimi i dopingut n emiter sht shum m i
lart se n regjionin e bazs, pjesa kryesore e rryms s kolektorit sht pasoj e injektimit
t elektroneve nga emiteri n baz. Numri i elektroneve t ktilla t injektuara q
mbrrijn n kolektor, paraqet komponentn kryesore t rryms s kolektorit.
Numri i elektroneve q mbrrijn n kolektor n njsi t kohs sht proporcional
me numrin e elektroneve t injektuara n baz, i cili, n ann tjetr sht funksion i
tensionit B-E. Pra, prafrsisht mund t thuhet se rryma e kolektorit sht proporcionale
me
T BE
V v
e
/
dhe nuk varet nga tensioni revers i kontaktit C-B. Prandaj, kjo komponent i
ngjet burimit t rryms konstante. Rryma e kolektorit sht e kontrolluar nga tensioni B-E,
me fjal t tjera, rryma n njrin terminal (kolektor) sht e kontrolluar nga tensioni n dy
terminalet tjera. Ky lloj i kontrollit sht veprimi themelor i transistorit.
Rryma e kolektorit sht proporcionale me rrymn e emiterit, prandaj kt rrym
mund ta shkruajm si
/
BE T
v V
C F E F S
i i I e o o = = (2)
ku o
F
sht nj konstant me vler afr 1, por gjithmon m t vogl se 1. Ky parametr
quhet amplifikimi i rryms pr baz t prbashkt. Arsyeja e nj emrtimi t till do t
bhet e qart m von.
Rryma e bazs Pasi q kontakti B-E ka polarizim t drejt, vrimat nga baza
rrjedhin prmes kontaktit B-E n emiter. Pasi q vrimat nuk i kontribuojn rryms s
kolektorit, ato nuk jan pjes e veprimit t transistorit. Rrjedha e vrimave formon nj pjes
t rryms s bazs. Kjo komponent sht gjithashtu funksion eksponencial i tensionit B-
E, pr shkak t polarizimit t drejt t ktij kontakti, prandaj mund t shkruhet
T BE
V v
B
e i
/
1
~ (3)
Disa elektrone rekombinohen me bartsit kryesor, vrimat, n baz. Elektronet t cilat
rekombinohen duhet t zvendsohen prmes terminalit t bazs. Rrjedha e elektroneve t
tilla paraqet komponentin e dyt t rryms s bazs.

129
n p
vrimat
iB1
i
B
iB2
B
C
E
elektronet
n
i
E
i
C

Fig. 4.5 Rrjedha e rrymave t elektroneve dhe vrimave n transistorin e tipit npn

Kjo rrym e rekombinimit sht n proporcion t drejt me numrin e elektroneve
t injektuara nga emiteri, e nga na tjetr sht funksion eksponencial i tensionit B-E,
prandaj mund t shkruhet
T BE
V v
B
e i
/
2
~ (4)
N Fig. 4.5 sht paraqitur rrjedha e elektroneve dhe vrimave n nj transistor
bipolar t tipit npn, si dhe rrymat e terminaleve. Koncentrimi i elektroneve n emiterin e
tipit n sht shum m i lart se koncentrimi i vrimave n bazn e tipit p, prandaj edhe
numri i elektroneve t injektuara n baz do t jet shum m i madh se numri i vrimave t
injektuara n emiter. Kjo do t thot se komponenti i
B1
e rryms s bazs do t jet shum
m e vogl se rryma e kolektorit. E nse edhe gjersia e bazs sht e vogl, ather numri
i elektroneve q rekombinohen n baz do t jet i vogl, dhe komponenti i
B2
e rryms s
bazs do t jet gjithashtu shum m e vogl se rryma e kolektorit.

4.1.3 Amplifikimi i rryms pr emiter t prbashkt
N transistor, shpejtsia e rrjedhs s elektroneve dhe rryma rezultuese e kolektorit
jan funksione eksponenciale t tensionit B-E, si sht edhe rryma e bazs. Kjo do t
thot se rryma e kolektorit dhe rryma e bazs kan lidhshmri lineare, prandaj mund t
shkruhet
F
B
C
i
i
| = (5)
ose
T Be
V v
F
S F
B
e
I
i
/
|
o
= (6)
Parametri | sht prforcimi i rryms pr emiter t prbashkt dhe ai paraqet
parametrin ky t transistorit bipolar. N kt situat t idealizuar, | konsiderohet t jet
konstante pr cilindo transistor t dhn. Vlera e | sht zakonisht n brezin prej 50 < | >
300, por mund t jet m i madh ose m i vogl pr komponent special.


130
n
p
n
i
E
i
C
R
B
R
C
-
+
V
BB
v
BE
V
CC
-
+
E
C
B
_
+
+
v
CE
-

Fig. 4.6 Qarku me transistor npn
N Fig. 4.6 sht paraqitur nj transistor bipolar npn n qark. Pr shkak se emiteri
sht lidhja e prbashkt, ky qark quhet konfiguracioni me emiter t prbashkt. Kur
transistori sht i polarizuar n modin e drejt aktiv, kontakti B-E ka polarizim t drejt,
ndrsa kontakti B-C polarizim revers. Si te dioda, tensioni B-E duhet t jet i barabart me
tensionin e pragut t prueshmris s kontaktit. Pasi q
C C CE CC
R i v V + = (7)
tensioni i burimit duhet t jet mjaft i lart q ta mbaj kontaktin B-C me polarizim
revers. Rryma e bazs vendoset me V
BB
dhe R
B
, dhe rryma rezultuese e kolektorit sht
B C
i i | = (8)
Nse sht V
B
= 0, kontakti B-E do t ket tension zero t zbatuar, prandaj i
B
= 0, q
implikon se edhe i
C
= 0. Ky kusht quhet kushti i shkyjes.
Nse transistori bipolar trajtohet si nj nyje e vetme, ather, sipas ligjit t
Kirchhoff-it, do t kemi
C B E
i i i + = (9)
Nse transistori sht i polarizuar n modin e drejt aktiv, ather
B C
i i | = (10)
Me zvendsimin e ek.(10) n ek.(9), do t fitohet ndrlidhja n mes t rryms s emiterit
dhe bazs si
B E
i i ) 1 ( | + = (11)
Nse rrymn e bazs nga ek.(10) e zvendsojm n ek.(11), fitohet ndrlidhja n mes t
rryms s kolektorit dhe emiterit si

131
E C
i i
|
|
.
|
\
|
+
=
|
|
1
(12)
Nga ek. (2), kemi pas
E F C
i i o = , ashtu q
F
F
F
|
|
o
+
=
1
(13)
Parametri o
F
quhet prforcimi i rryms pr baz t prbashkt dhe gjithmon sht
pak m i vogl se 1. Mund t vrejm se nse |
F
= 100, ather o
F
= 0.99, pra o
F
sht
vrtet ka vler afr 1. Nga ek.(13) mund t nxjerrt prforcimi i rryms pr emiter t
prbashkt n varshmri t prforcimit t rryms pr baz t prbashkt
F
F
F
o
o
|
=
1
(14)

4.1.4 Transistori pnp: modi aktiv i puns
Komponenti komplementar i transistorit npn sht transistori pnp, rrjedha e
rrymave t elektroneve dhe vrimave pr t cilin sht paraqitur n Fig. 4.7. Pasi q
kontakti B-E ka polarizim t drejt, emiteri i tipit p sht pozitiv ndaj bazs s tipit n,
vrimat difuzohen prmes bazs dhe zhvendosen kah kolektori. Rryma e kolektorit sht
rezultat i rrjedhs s ktyre vrimave.
n
p
elektronet
vrimat
i
B
B
C E
p
R
E
R
C
V
BB
V
CC

Fig. 4.7 Rrjedha e rrymave t elektroneve dhe vrimave n transistorin e tipit pnp

Prsri, pasi q kontakti B-E ka polarizim t drejt, pritet q rryma npr kt
kontakt t jet nj funksion eksponencial i tensionit B-E. Duke i respektuar kahet e rryms
s emiterit dhe tensionin e polarizimit, rryma e emiterit mund t shkruhet
/ /
[ 1]
EB T EB T
v V v V
E S S
I I e I e =
(15)
Rryma e kolektorit sht nj funksion eksponencial i tensionit E-B, dhe kahja e saj
sht prej terminalit t kolektorit, q sht e kundrt me at te komponenti npn. Kjo rrym
mund t shkruhet si


132
T EB
V v
S E F C
e I i i
/
= = o (16)
Ku o
F
prsri paraqet prforcimin i rryms pr baz t prbashkt.
Rryma e bazs sht shuma e dy komponentve. Komponenti i par vjen nga
elektronet q rrjedhin nga baza n emiter, si rezultat i polarizimit t drejt t kontaktit E-B.
Komponenti i dyt vjen nga rrjedha e elektroneve nga burimi n baz pr zvendsimin e
elektroneve t humbura pr shkak t rekombimit me vrima n baz. Kahja e rryms s
bazs sht nga terminal i bazs, dhe kjo rrym sht gjithashtu funksion eksponencial i
tensionit E-B

/
EB T
v V
F S
B
F
I
i e
o
|
= (17)
Parametri | sht prforcimi i rryms pr emiter t prbashkt pr tipin pnp t transistorit.
Transistori si komponent me tri terminale dalse mund t lidhet n tri
konfiguracione themelore n qark: (1) n konfiguracion me emiter t prbashkt; (2) n
konfiguracion me baz t prbashkt dhe (3) n konfiguracion me kolektor t prbashkt.
Pr seciln nga kto konfiguracione ve e ve do t bhet fjal n kapitujt n vijim.
N Fig. 4.8 jan paraqitur konfiguracionet e transistorit me emiter t prbashkt me
transistor npn, Fig. 4.8a, me transistor pnp Fig. 4.8b dhe me transistor pnp por me tension
pozitiv t furnizimit, Fig. 4.8c.

Fig. 4.8 Konfiguracioni me emiter t prbashkt: (a) me transistor t tipit pnp transistor t
tipit npn, (b) me transistor t tipit pnp me polarizim pozitiv

N Fig. 4.9 jan paraqitur karakteristikat tipike dalse tension-rrym t transistorit
bipolar n konfiguracion me emiter t prbashkt. Te kto lakore, rryma e kolektort sht
paraqitur n funksion t tensionit kolektor-emiter, pr vlera t ndryshme konstante t
rryms s bazs. Te puna e transistorit mund t dallohen tri mode (regjime) t puns: (1)
Modi i bllokimit, kur rryma e bazs sht e barabart me zero dhe transistori nuk prcjell,
pra sht i bllokuar; (2) modi aktiv, ku ekziston varshmria lineare e rryms s kolektorit
dhe bazs dhe (3) modi i ngopjes, kur transistori shkon n ngopje dhe m nuk ka
varshmri lineare n mes t rrymave t transitorit. Gjat zbatimit t transistorit bipolar me
kontakt n qarqet amplifikuese, transistori gjithmon duhet t punoj n modin aktiv t
puns, sepse n t kundrtn do t fuste deformime jolineare pr shkak t karakteristikave

133
jolineare n modet tjera t puns. Kur transistori punon si ndrprers, n qarqet logjike,
ather ai punon n dy modet e skajshme, n at t bllokimit dhe t ngopjes.

Modi aktiv
M
o
d
i

i

n
g
o
p
j
e
s
Modi i bllokimit

Fig. 4.9 Karakteristikat dalse tension-rrym t transistorit n konfiguracion me emiter t
prbashkt
Kto lakore jan gjeneruar pr qarkun me emiter t prbashkt nga Fig. 4.8. n kt
qark, burimi V
BB
polarizon drejt kontaktin B-E dhe kontrollon rrymn e bazs i
B
. Tensioni
C-E mund t ndryshohet me ndryshimin e burimit V
CC
.

4.2 ANALIZA DC (njkahore) E QARQEVE ME TRANSISTOR
Analiza dhe projektimi i polarizimit njkahor t qarqeve me transistor sht pjes e
rndsishme e projektimit t amplifikatorve. Pr kt qllim mund t shfrytzohet modeli
i linearizuar i kontaktit pn. S pari do t analizohet qarku me emiter t prbashkt dhe do
t definohet drejtza e puns pr at qark. Pastaj do t analizohen konfiguracionet tjera t
qarqeve me transistor. Pasi q transistori duhet t punoj modin aktiv t puns, edhe analiza
do t prqendrohet n kt mod t puns s transistorit.
4.2.1 Qarku me emiter t prbashkt
Njri nga konfiguracionet themelore t qarkut me transistor sht i ashtuquajturi
qarku me emiter t prbashkt i paraqitur n Fig. 4.10 (a) dhe qarku ekuivalent njkahor
n Fig. 4.10 (b). Do t prvetsohet se kontakti B-E ka polarizim t drejt, ashtu q rnia e


134
tensionit n kt kontakt sht tensioni i kyjes V
BE
(on). Kur transistori sht i polarizuar
n modin aktiv, rryma e kolektorit paraqitet si burim i varur i rryms q sht funksion i
rryms s bazs. N kt rast nuk sht prfillur rryma reverse e kontaktit C-E.

Fig. 4.10 (a) Qarku me emiter t prbashkt; (b) skema ekuivalente njkahore.
Rryma e bazs sht
( )
BB BE
B
B
V V on
I
R
=
Pra sht e qart se V
BB
> V
BE
(on), q do t thot se I
B
> 0. Kur sht
( )
BB BE
V V on < , transistori sht i shkyur dhe I
B
= 0.
Pr pjesn kolektor-emiter t qarkut, mund t shkruajm
C B
I I | =
dhe
CC C C CE
V I R V = +
ose
CE CC C C
V V I R =
N ekuacionin e fundit gjithashtu kemi prvetsuar se ( )
CE BE
V V on < , q do t thot se
kontakti B-C ka polarizim revers dhe transistori sht n modin aktiv t puns.

4.2.2 Drejtza e puns dhe modet e puns
Drejtza e puns mund t ndihmoj pr vizuelizimin e karakteristikave t qarkut t
transistorit. Pr qarkun me emiter t prbashkt n Fig. 4.10(a), mund t prdoret metoda
grafike pr analizn e konturs B-E si dhe C-E t qarkut. N Fig. 4.11(a) jan paraqitur
karakteristikat e linearizuara pr kontaktin B-E dhe drejtza hyrse e puns. Kjo drejtz
sht fituar nga ekuacioni ligjit t dyt t Kirchoff-it pr konturn B-E

135
BB BE
B
B B
V V
I
R R
=
Edhe drejtza e puns edhe rryma e bazs n pikn e qet t puns mund t
ndryshohen me ndryshimin e V
BB
ose R
B
. Kjo drejtz e puns sht e njjt me drejtzn e
puns te karakteristikat e diods.
Modi aktiv
Ngopja
Drejtza e puns
Pika Q
Bllokimi (prerja)
Rryma e bazs
dhe tensioni B-E
Drejtza e puns Karakteristika e
kontaktit B-E
Fig. 4.11 (a) K karakteristikat B-E dhe drejtza hyrse e puns dhe (b) karakteristikat
dalse dhe drejtza e puns C-E
Pr konturn C-E, ekuacioni i ligjit t dyt t Kirchoff it mund t shkruhet si
CE CC C C
V V I R =
ose n formn

CC CE
C
C C
V V
I
R R
=
Ekuacioni i fundit paraqet ekuacionin e drejtzs s puns, dhe tregon raportin
linear n mes t rryms s kolektorit dhe tensionit kolektor-emiter. Pasi q jemi duke
trajtuar analizn njkahore (dc) t qarkut t transistorit, ky ekuacion paraqet drejtzn
njkahore (dc) t puns s transistorit.
N Fig. 4.11(b) jan paraqitur karakteristikat dalse t transistori n konfiguracion
me emiter t prbashkt dhe drejtza e puns. Dy pikat fundore t drejtzs s puns
gjenden n rastin e par kur 0
C
I = dhe
CE CC
V V = , dhe pastaj kur 0
CE
V = dhe
CC
C
C
V
I
R
= .
Pika e qet e puns, ose pika Q, e transistorit caktohet me rrymn njkahore (dc) t
kolektorit dhe tensioni kolektor-emiter. Pika Q sht pikprerja e drejtzs s puns dhe
lakores ( )
C CE
I V q i prgjigjet rryms s bazs n at pik.


136
Nse tensioni i furnizimit n qarkun e bazs sht m i vogl se tensioni i kyjes,
( )
BB BE
V V on < , rrymat do t jen 0
B C
I I = = dhe transistori do t jet n modin e
bllokimit (prerjes). N kt mod rrymat e transistorit jan zero.
Me rritjen e tensionit V
BB
, rryma e bazs rritet dhe pika Q lviz prpjet n
drejtzn e puns. Me rritjen e mtutjeshme t rryms I
B
, arrihet pika n t ciln rryma I
C

m nuk mund t rritet. N kt pik transistori polarizohet n modin e ngopjes. Kjo do t
thot se transistori shkon n ngopje. Kontakti B-C bhet me polarizim t drejt, dhe raporti
n mes t rryms s kolektorit dhe bazs m nuk sht linear. Tensioni C-E i transistorit n
ngopje V
CE
(sat), (nga anglishtja saturationngopja), sht m i vogl se tensioni i prerjes
B-E. Tensioni i polarizimit t drejt t B-C sht gjithmon m i vogl se tensioni i
polarizimit t drejt t kontaktit B-E, prandaj tensioni C-E n ngopje sht nj vler e
vogl pozitive. Vlerat tipike t V
CE
(sat) jan n brezin prej 0.1 deri 0.3 V.

4.2.3 Polarizimi i transistorit bipolar
Qarku n Fig. 4.12(a) sht njri prej qarqeve m t thjeshta t transistorit. Ky qark
ka vetm nj burim njkahor t furnizimit, dhe pika e qet e puns vendoset prmes
rezistencs R
B
. Kapaciteti kuplimit C
C
vepron si qark i hapur pr sinjale njkahore dhe
kshtu e izolon sinjalin e burimit nga rryma njkahore e bazs. Nse frekuenca i sinjalit
hyrs sht mjaft e madhe, burimi i sinjalit mund t kyet n baz prmes t CC
pothuajse pa humbje (kapaciteti vepron si lidhje e shkurt). N Fig. 4.12(b) sht paraqitur
qarku ekuivalent pr sinjale njkahore; vlerat e piks Q jan t shnuara me nj indeks
shtes Q.

Fig. 4.12 (a) Qarku me emiter t prbashkt me nj rezistenc t vetme t
polarizimit n baz dhe (b) qarku ekuivalent njkahor.
Edhe pse polarizimi i qarkut t transistorit sht realizuara thjesht vetm me nj
burim, ky polarizim nuk sht i prshtatshm pr qarqe t integruara sepse krkohen vlera

137
t larta t rezistencs R
B
(t rendit mega oma), dhe nuk mund t realizohen n qarqe t
integruara.
N Fig. 4.13(a) sht paraqitur shembulli klasik i polarizimit t transistorit. N kt
rast rezistenca R
B
sht zvendsuar me nj ift t rezistencave R
1
dhe R
2
. Sinjali alternativ
(ac) edhe m tutje sht i kyur prmes kapacitetit t kuplimit C
C
n bazn e transistorit.

Fig. 4.13 Qarku me emiter t prbashkt me ndars t tensionit pr polarizim n
qarkun e bazs dhe (b) qarku ekuivalent njkahor me qark ekuivalent t Thevenin-it.
Qarku m s lehti mund t analizohet duke formuar qarkun ekuivalent t
Thevenin-it pr konturn e bazs. Kapaciteti i kuplimit vepron si qark i hapur pr sinjal
njkahor. Tensioni ekuivalent i Thevenin-it sht
2 1 2
[ /( )]
T CC
V R R R V = +
dhe rezistenca ekuivalente e Thevenin-it sht

1 2 T
R R R =
ku simboli tregon kombinimin paralel t rezistencave. N Fig. 4.13(b) sht paraqitur
qarku ekuivalent njkahor.
Me zbatimin e ligjit t dyt t Kirchoff it npr konturn B-E, fitohet
( )
T BQ T BE EQ E
V I R V on I R = + +
Nse transistori sht i polarizuar n modin aktiv, ather
(1 )
EQ BQ
I I | = +


138
dhe rryma e bazs sht

( )
(1 )
T BE
BQ
T E
V V on
I
R R |
=
+ +

Rryma e kolektorit sht

[ ( )]
(1 )
T BE
CQ BQ
T E
V V on
I I
R R
|
|
|
= =
+ +

Qarku i ndarsit t tensionit R
1
dhe R
2
mund ta polarizoj transistorin n modin
aktiv me vlera t rendit t ult kilooma, pr dallim nga qarku me nj rezistenc t vetme q
krkonte rezistenc t rendit megaoma. Prandaj ky qark i polarizimit pothuajse prdoret
m s shpeshti edhe n qarqet e integruara.

4.3 Amplifikatori linear me transistor bipolar
Transistori sht zemra e amplifikatorit. Transistort bipolar tradicionalisht
shfrytzohen n qarqet e amplifikatorve pr shkak se kan prforcim (amplifikim)
relativisht t lart.
Trajtimin e fillojm me qarkun e njjt t cilin e diskutuam n paragrafin e kaluar.
Fig. 4.14(a) paraqet at qark, n Fig. 4.14(b) jan paraqitur karakteristikat prcjellse t
tensionit q jan nxjerr m par.
Pika Q n bllokim
Pika Q
Pika Q pr regjionin aktiv
Pika Q n ngopje
Fig. 4.14 (a) qarku themelor i amplifikatorit me transistor; (b) karakteristikat prcjellse
Kur qarku shfrytzohet si amplifikues (prforcues), transistori duhet t jet i
polarizuar me tension njkahor n pikn e qet t puns Q, si sht paraqitur n figur,
ashtu q transistori t jet i polarizuar n regjionin aktiv t puns. Kjo analiz ka qen n
fokus n kapitullin e kaluar. Nse tensionit hyrs njkahor V
BB
i superponohet nj sinjal i

139
ndryshueshm n koh (p.sh. sinusoidal), sinjali n dalje do t ndryshoj prgjat lakores
prcjellse duke krijuar tension dals t ndryshueshm me kohn. Nse tensioni i
ndryshueshm n dalje sht proporcional dhe m i madh se tensioni hyrs, qarku sht
amplifikator linear. Nga figura shihet se nse transistori nuk sht n regjionin aktiv t
puns (i polarizuar ose n bllokim ose n ngopje), tensioni dals nuk do ti prcjell
ndryshimet e tensionit hyrs. Prandaj m nuk do t jet amplifikator linear.

4.3.1 Analiza grafike dhe qarku ekuivalent AC (alternativ)
N Fig. 4.15(a) sht paraqitur qarku i njjt i amplifikatorit por tani i sht shtuar
burimi njkahor n seri me burimin e sinjalit sinusoidal. (Ky qark nuk sht praktik dhe
nuk mund t ndrtohet n laborator sepse rryma njkahore rrjedh npr burimin e sinjalit
sinusoidal, por, megjithat sht shum i prshtatshm pr ilustrimin e veprimit themelor
t qarkut dhe mekanizmin e amplifikimit).

Fig. 4.15 (a) Qarku me emitter t prbashkt me burim t sinjalit t ndryshueshm kohor
n seri me burim njkahor, (b) karakteristikat e transistorit, drejtza njkahore dhe
ndryshimet sinusoidale t rryms s bazs, rryms s kolektorit dhe tensionit kolektor-
emiter
N Fig. 4.15(b) jan paraqitur karakteristikat e transistorit, drejtza njkahore e
puns dhe pika Q. Burimi i sinjalit sinusoidal, v
s
, do t krijoj rrym t bazs t
ndryshueshme n koh (ac) e cila i superponohet rryms njkahore t bazs n pikn Q,
si sht paraqitur n figur. Rryma e bazs do t induktoj nj rrym t kolektorit t
ndryshueshme e cila gjithashtu i superponohet rryms njkahore t kolektorit n kt pik.
Rryma ac e kolektorit ather krijon tension t ndryshueshm n koh n rezistencn R
C
, i
cili indukton tension kolektor-emiter gjithashtu ac. Tensioni kolektor-emiter ac, ose


140
tensioni dals, n prgjithsi, do t jet m i madh se tensioni hyrs sinusoidal, prandaj
qarku ka realizuar amplifikim t sinjalit, pra qarku sht amplifikator.
Pasi q amplifikatori sht linear dhe mund t zbatohet metoda e superponimit,
analiza njkahore (dc) dhe ajo alternative (ac) e qarkut mund t bhet ndaras. Pr t fituar
amplifikator linear, rrymat dhe tensionet ac duhet t jen mjaft t vogla q ta mbajn
varshmrin lineare n mes t sinjaleve ac. Pr plotsimin e ktij kushti, sinjalet e
ndryshueshme n koh prvetsohet se jan sinjale t vogla, q do t thot se amplitudat e
sinjaleve ac jan mjaft t vogla q ti mbajn relacionet lineare.
Sinjali alternativ n hyrje t qarkut gjeneron komponentn alternative t rryms s
bazs dhe tensionit baz-emiter. N Fig. 4.16 sht paraqitur varshmria eksponenciale e
rryms s bazs nga tensioni baz-emiter. Nse amplitudat e sinjalit alternativ, q
superponohet n pikn e qet t puns, jan mjaft t vogla, ather mund t nxjerrn
relacione lineare n mes t ktyre dy madhsive, t cilat i prgjigjen pjerrtsis s
tangjentes s lakores n at pik.
Pjerrtsia
Koha
Koha

Fig. 4.16 Rryma e bazs n varshmri nga tensioni baz-emiter me sinjalin
sinusoidal t superponuar
Relacioni n mes t rryms s bazs dhe tensionit baz-emiter mund t shkruhet si
1
BE
T
v
V
S
B
F
I
i e
|
| |
|
|
\ .
=
+

141
Nse tensioni baz-emiter i prmban t dy komponentt (dc dhe ac) ai mund t
shkruhet si
BE BEQ be
v V v = + , prandaj
1 1
BEQ be BEQ
be
T T T
V v V
v
V V V
S S
B
F F
I I
i e e e
| |
+ | | | | | |
| | |
| | |
\ . \ . \ .
= =
+ +

ku V
BEQ
sht tensioni i kyjes V
BE
(on). Antari
1
BEQ
T
V
V
S
F
I
e
|
| |
|
|
\ .
+
paraqet rrymn e bazs n
pikn e qet t puns, prandaj mund t shkruhet
be
T
v
V
B BQ
i I e
| |
|
|
\ .
=
Rryma e bazs e shprehur n kt form, nuk mund t shkruhet si nj rrym ac e
superponuar n vlern dc t piks s puns. Por nse
be T
v V , ather antari
eksponencial mund t zbrthehet n seri t Taylor-it, dhe t merret vetm antari linear.
Ky prafrim paraqet at se ka nnkuptohet me sinjal t vogl. Pastaj do t fitohet
(1 )
BQ
be
B BQ BQ be BQ b
T T
I
v
i I I v I i
V V
~ + = + = +
ku i
b
sht rryma sinusoidale e bazs e dhn me

BQ
b be
T
I
i v
V
| |
=
|
\ .

Rryma sinusoidale (ac) e bazs linearisht varet nga tensioni baz-emiter. Nisur nga
koncepti i sinjalit t vogl, t gjitha sinjalet sinusoidale t paraqitura n Fig. 4.15(b) do t
ken varshmri lineare dhe jan t superponuara n vlerat njkahore (dc). Prandaj mund t
shkruajm

B BQ b
i I i = +
C CQ c
i I i = +
CE CEQ ce
v V v = +
dhe

BE BEQ be
v V v = +
Nse burimi i sinjalit, v
S
, sht zero, ather nga konturat baz-emiter dhe kolektor
emiter mund t shkruajm

BB BQ B BEQ
V I R V = +


142
dhe

CC CQ C CEQ
V I R V = +
Kur t merren parasysh edhe sinjalet sinusoidale kto ekuacione bhen

BB S B B BE
V v i R v + = +
ose
( ) ( )
BB S BQ b B BEQ be
V v I i R V v + = + + +
Me rregullimin e antarve do t kemi

BB BQ B BEQ b B be S
V I R V i R v v = +
prandaj mund t shkruhet

S b B be
v i R v = +
q paraqet ekuacionin e konturs s bazs pr t gjith antart dc t barabart me zero.
Ekuacioni i konturs kolektor emiter sht
( ) ( )
CC C C CE CQ c C CEQ ce
V I R v I i R V v = + = + + + , ose

CC CQ B CEQ c C ce
V I R V i R v = +
Pr sinjale ac, kur t gjith antart dc barazohen me zero, do t fitojm
0
c C ce
i R v + =
Kto ekuacione mund t fitohen drejtprdrejt me barazimin e t gjitha komponentve dc
me zero, ashtu q burimet e tensionit dc bhen lidhje t shkurta, ndrsa ato t rryms qarqe
t hapura. Kto rezultate jan konsekuenc e zbatimit t metods s superponimit n
qarkun linear. N Fig. 4.17 sht paraqitur qarku ekuivalent ac i transistorit bipolar ku t
gjitha rrymat dhe tensionet jan sinjale alternative.

Fig. 4.17 Qarku ekuivalent ac i amplifikatorit n konfiguracion me emiter t prbashkt
me transistor npn

143

Shembulli 4.1
N qarkun me nj transitor bipolar t treguar n Fig. 4.18 Gjeni pikn e puns pr tri raste:
a) R
B
= 2,2 M,
b) R
B
= 220 k,
c) R
B
= 22 k.
Jan t njohura edhe elementet tjera t qarkut: U
CC
= 24 V, U
BB
= 15 V, R
C
= 1,5 k, = 120.

Fig. 4.18
Zgjidhje

Nga Ligji i Dyt i Kirkofit pr qarkun e Bazs shkruajm:
BE B B BB BE RB BB
U I R U U U U + = = 0

Ndrsa, pr qarkun e Kolektorit mund t shkruajm:

CE C C CE RC CC
U I R U U U + = + =

Nga relacionet pr BJT si amplifikator:
B C
I I = | dhe V U
BE
7 , 0 =

a) Kur O = M R
B
2 , 2
1

A
R
U U
I
B
BE BB
B
5 , 6
10 2 , 2
7 , 0 15
6
1
1
=
=

A I I
B C
| 780 5 , 6 120
1 1
= = =
V I R U U
C C CC CE
83 , 22 17 , 1 24 10 78 , 0 1500 24
3
1 1
= = = =


144
b) Kur O = k R
B
220
2

A
R
U U
I
B
BE BB
B
65
10 220
7 , 0 15
3
2
2
=
=

mA I I
B C
8 , 7 065 , 0 120
2 2
= = = |

V I R U U
C C CC CE
3 , 12 7 , 11 24 10 8 , 7 1500 24
3
2 2
= = = =

c) Kur O = k R
B
22
3

A
R
U U
I
B
BE BB
B
650
10 22
7 , 0 15
3
3
3
=
=

mA I I
B C
78 65 , 0 120
3 3
= = = |

V I R U U
C C CC CE
93 117 24 10 78 1500 24
3
3 3
= = = =

Zgjidhja e fundit nuk sht e vrtet, pasi nuk sht e mundur q tensioni U
CE
t jet negativ dhe
nuk sht e mundur q n transistor t rrjedh rrym m e madhe se U
CC
/R
C
= 16 mA.

Konstatimi: Transistori punon n zonn e ngopjes, ku vlen I
C
< I
B
.

Tensioni U
CE3
vlersohet si tension i ngopjes U
CEsat
, i cili tension lviz prej 0 dhe deri 1 V. Ksaj
radhe do zgjedhim U
CEsat
= 0,3 V.

V U U
CEsat CE
3 , 0
3
= = dhe mA
R
U U
I
C
CE CC
C
8 , 15
1500
3 , 0 24
3
3
=
= .
Shembulli 4.2
Pr prforcuesin n Fig. 4.19 gjeni:
a) pikn statike t puns si dhe shkruani ekuacionin e drejtzs statike
b) Ekuacionin e drejtzs dinamike.
Jan t njohura: U
CC
= 24 V, R
b
= 220 k, R
c
= 820 , R
sh
= 500 si dhe = 130.

Fig. 4.19

145

Zgjidhje

a) Llogaritja e piks statike t puns:
N kushte DC (njkahore) frekuenca sht zero, prandaj kondensatort paraqesin qark t hapur
sepse reaktansa e tyre sht pakufi. Skema ekuivalente do t jet si m posht:

Ligji i Dyt i Kirkofit pr qarkun e bazs:
BE B B cc
U I R V + =
Ku V U V
BEQ BE
7 , 0 = =

A
R
U U
I
B
BEQ CC
BQ
9 , 105
10 220
7 , 0 24
3
=
=

Pr Qarkun e kolektorit vlen mA I I
BQ CQ
77 , 13 = = |

CE RC C CC
U I R V + = ,

N pikn e puns vlen
CEQ CQ C CC
U I R V + =

V I R V U
CQ C CC CEQ
71 , 12 29 , 11 24 10 77 , 13 820 24
3
= = = =

Ekuacioni i drejtzs statike t puns ... ( )
CE C
U f I =

CE C C CC
U I R U + = , prej nga

+ = + =
820
24
820
1 1
CE
C
CC
CE
C
C
U
R
U
U
R
I
mA U I
CE C
27 , 29 220 , 1 + =

Ekuacioni i drejtzs dinamike t puns ... ( )
CE C
u f i =


146
( )
= + + = + + =
= + = + = + =
3
10 77 , 13
6 , 310
71 , 12
6 , 310
1 1
1 1
CE CQ
sh C
CEQ
CE
sh C
C
C CE CE
sh C
C ce
sh C
C c C
u I
R R
U
u
R R
i
I U u
R R
I u
R R
I i i

mA u i
CE C
69 , 54 220 , 3 + =

Shembulli 4.3

N qarkun n Fig. 4.20 sht prdorur transistori npn prej Si me | =100 dhe I
s
= 20 nA.

a) Gjeni rrymat n terminalet e transistorit.
b) Prsritni pjesn (a) nse n qark shtohet nj rezistenc emiteriale 2 k.

Fig. 4.20
Zgjidhje

a) Pasi kontakti B-E sht polarizuar drejt, kalimi i emiterit drejt dhe kalimi i kolektorit kundr
pranojn se transistori sht n zonn aktive (n kt zon ai sht i aft t prodhoj prforcim ).
Propozojm kahet e rrymave si m posht

Ligji i Dyt i Kirkofit pr konturn 1 sht:

5 200 0
B BE
I V =

147

BJT sht i Si, prandaj V
BE
= 0.7 V

5 4.3
0.0215
200 200
BE
B
V V
I mA
k
= = =
O

Pasi ( 1)
C B B
I I I | | = + + dhe
B S
I I >>
C B
I I | ~
100 0.0215 2.15
C
I mA mA = =

BJT mund t konsiderohet nyje dhe nga Ligji i Par i Kirkofit:

0
2.1715
B E C E B C
E
I I I I I I
I mA
+ = = +
=

b) Kur vendosim rezistencn emiteriale R
E
= 2 kO qarku merr formn e mposhtme

Njsoj sikur m par nga Ligji i Dyt i Kirkofit:

0
BB B B BE E E
V R I V R I =

5 200 0.7 2 ( 1) 0
B B
I I | + =

4.3
0.01069
402
B
I mA = =

100 0.01069 1.069
C B
I I mA | = = =

E C
I I ~

Mundemi shum leht t verifikojm se qarku funksionon n zonn aktive.

V
CB
=
C
-
B
nse

V
CB
> 0

Kolektori sht n potencial m t lart se Baza.


148
Shembulli 4.4
N qarkun e treguar n Fig. 4.21 sht prdorur transistori prej Silici me faktor t amplifikimit t
rryms = 50. Elementet tjera t qarkut jan: V
cc
= 20 V, R
1
= 9 k, Re = 200 si dhe U
BE
= 0.7
V. Njehsoni vlern e rezistencs R
b
ashtu q n pikn e puns U
CE
= 5V

Fig. 4.21
Zgjidhje:

Pr konturn kolektore shkruajm ligjin e dyt t Kirkofit

Vcc R
1
(I
C
+I
B
)- U
CE
- R
E
I
E
= 0 Pasi I
E
=(I
B
+I
C
)= (I
B
+ I
B
)=( +1)I
B
vlen

U
CC
R
C
(+1) I
B
U
CE
R
E
( +1) I
B
= 0

U
CC
U
CE
=(R
C
+ R
E
)( +1) I
B

Prej nga gjendet se rryma e Bazs,
) 1 )( ( | + +

=
e c
CE CC
B
R R
U U
I =0.032 mA

Vlern e rezistencs R
b
e gjejm nse aplikojm ligjin e dyt t Kirkofit pr konturn e jashtme

-U
BE
-R
e
(I
C
+I
B
)+U
cc
-R
C
(I
C
+I
B)
-R
B
I
B
=0, meq I
C
= I
B
, ather llogaritet R
B

O =
+ + + +
= k
I
I I R R U U
R
B
B C E C CC BE
B
134
) )( (

Vrejtje! Sigurisht q ka edhe rrug tjera t prcaktimit t rezistencs R
B

149

Shembulli 4.5

Pr qarkun e treguar n Fig. 4.22 njehsoni rrymat I
C
, I
E
dhe I
B
si dhe tensionin U
CE
nse U
BE
=0 V.
Jan t njohura: U
CC
= 25 V, R
C
=1 kO, R
B1
= R
B2
= 300 kO, | = h
Fe
=100.

Fig. 4.22
Zgjidhje

E vizatojm skemn ekuivalente duke pasur kujdes q skaji i eprm i R
C
sht i lidhur me polin (-)
t burimit Vcc, kurse poli (+) i tij n tokzim. E njjta vlen edhe pr rezistonin R
B2
dhe
ekuivalentojm lidhjen paralel n baz.

N baz t teorems s Millmanit kemi:

V
R R
R U
E
B B
B cc
BB
5 . 12
2 1
1
=
+
= dhe O =
+
= k
R R
R R
R
B B
B B
B
150
2 1
2 1

Shkruajm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr konturat 1 dhe 2

Kontura 1 -R
C
I
E
- V
EB
+ R
B
I
B
+ V
BB
=0

Kontura 2) - V
CC
R
C
I
C
+ V
CB
+ R
B
I
B
+U
BB
=0

Nga ekuacion 1 kemi: R
B
I
B
+ U
BB
+ R
C
(I
C
+ I
B
)=0 nga se I
C
=| I
B

Prej nga, I
B
= 0.05 mA, I
C
= 100I
B
= 5 mA, I
E
5 mA ose e sakt I
E
= 5.05 mA

Tensionin U
CE
e gjejm po ashtu nse aplikojm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr konturn e jashtme:

U
CE
+ R
C
I
E
- U
CC
+R
C
I
C
=0

U
CE
= 1.5 0.5 25 + 1.5 = 15 V< 0


150
Shembulli 4.6

Pr qarkun n Fig. 4.23 Gjeni I
B
, I
C
, I
E
dhe V
CE
. N cilin mod t puns punon transistori. Dihet =
100.

Fig. 4.23
Zgjidhje:

Qarku i m siprm mund t ekuivalentohet

Supozojm qe BJT punon n Modin aktiv. Ligji i Dyt i Kirkofit pr konturn e jashtme sht:

101 1 10.8 0
BE B E
U I I + + = si dhe 101
E B
I I =

Duke zvendsuar ekuacionin e dyt n t parin, fitojm:

nA
U
I
BE
B
05 . 0
202
1 . 10
202
7 . 0 8 . 10
202
8 . 10
= =
=

100 0.05 5
C B
I I nA | = = =

( 1) 101 0.05 5.05
E B
I I nA | = + = =
1 10.8 0
CE E
U k I + =
10.8 5.05 5.75
CE
U V = =

Pasi q U
CE
> 0.3 V transistori punon n modin AKTIV

151

Shembulli 4.7

Pr qarkun me transistor pnp n Fig. 4. 24 gjeni vlern e | .

Fig. 4.24

Zgjidhje

M posht jan treguar kahet e rrymave npr seciln deg.

Tensioni ndrmjet Bazs dhe Kolektorit sht:
B C B BC
I U = = = 20 3 . 2 3 . 4

mA I
B
1 . 0
20
3 . 2 3 . 4
=
=
Rryma n rezitorin 230 sht, mA I
C
10
23 . 0
3 . 2
23 . 0
1
= = =

Nga Ligji i Par i Kirkofit pr nyjn n Kolektor mund t shkruajm:
0
1
= + I I I
B C

mA I I I
B C
9 . 9
1
= =
Nga relacioni i njohur pr :
99
1 . 0
9 . 9
= = =
B
C
I
I
|


152
Shembulli 4.8

Pr qarkun n Fig.4.25 (boot-strapped follower), gjeni rrymn DC t emiterit.

sht e njohur =
100

Fig. 4.25
Zgjidhje

N regjimin DC, kondensatort paraqesin qark t hapur pasi reaktansa e tyre sht pakufi, prandaj
qarku ekuivalent DC sht kshtu:

Pas ekivalentimit t serishm me Teorem t Millmanit fitojm:

Ku jan:

153
] [ 5 . 4
20 20
20 9
V V
ek
=
+
= , ] [ 10
20 20
20 20
O =
+
= k R
ek

Nga Ligji i Kirkofit pr tensione pr konturn e Bazs si dhe Ligji i Par i Kirkofit (pr nyjn
transistorike) kemi:

mA I I
mA
k k k
V
I
I I I k V I k
B E
Be
B
B E B BE B
728 . 1 017 . 0 101 ) 1 (
017 . 0
222
8 . 3
20 101 2
5 . 4
) 1 ( , 0 101 2 20 5 . 4
= = + =
= =
+

=
+ = =
|
|

Shembulli 4.9

N qarkun n Fig. 4.26 transistori punon si ndrprers. Gjeni:

a) Tensioni V
out
kur V
IN
= 0
b) Vlern minimale t rryms s bazs pr t ciln sigurohet ngopja e transistorit, nse sht =
125 dhe V
CE
(sat) = 0.2 V
c) Vlern maksimale R
B
pr t ciln sigurohet kushti i ngopjes nse sht V
IN
= 5 V
Jan t njohura : V
CC
= 10 V, R
C
= 1 k, V
BE
= 0.7 V.

Fig. 4.26


154
Zgjidhje

Kahet e rrymave n elektroda t transistorit jan paraqitur n figurn e mposhtme.

Nga qarku po vrehet se tensioni n dalje t qarkut sht:

V
OUT
= V
CE
= V
CC
- R
C
I
C

a) Kur V
IN
= 0, bashkimi i bazs sht i bllokuar, ashtu q I
B
= 0, e pastaj edhe I
C
0. Nga kjo
konstatojm q: V
OUT
= V
CC
= 10 V.

b) Kushti i tensionit q transistori t jet n ngopje sht V
CE
= V
CE
(sat). Pr qarkun e kolektorit
vlen:

V
CC
=V
CE
(sat)+R
C
I
C

Prej nga, n regjimin e ngopjes rryma e kolektorit ka vlern:

( ) 10 0.2
9.8
1
CC CE
C
C
V V sat
I mA
R k

= = =
O

Kushti i rryms pr ngopje sht: I
C
< I
B
, respektivisht I
B
> I
C
/.

Prej ktu, vlera mininimale e rryms s bazs pr t ciln sigurohet ngopja e transistorit sht:

9.8
(min) 78.4
125
B
mA
I A = =

c) Qarku i bazs e plotson relacionin:

5 0.7
(max) 54.8
(min) 78.4
IN BE
B
B
V V V V
R k
I A

= = = O

155

Shembulli 4.10

N Fig. 4. 27 jan paraqitur karakteristikat dalse t prforcuesit me BJT me emiter t prbashkt
pr vlera t ndryshme t rryms s bazs. Gjeni pikn e puns dhe regjimin e puns s transistorit bipolar pr
vlerat e dhna t rryms s bazs nse vlera e rezistorit i cili lidhet n qarkun e kolektorit sht:
a) R
C1
= 2 k
b) R
C2
= 5 k

sht e njohur V
CC
= 3 V

Fig. 4.27
Zgjidhje

a) Kur R
C1
= 2 k, Ligji i Dyt i Kirkofit pr konturn kolektore sht:

1 CE CC C C
V V R I =

Pr t paraqitur ket drejtz mjaftojn dy pika.

Pr I
C1
= 0, V
CE
= V
CC
= 3 V
Pra, pika A = (3 V, 0 A)

Pr V
CE
= 0, I
C
= V
CC
/R
C1
= 1.5 mA
Pra, pika B = (0 V, 1.5 mA)

Me bashkimin e pikave A dhe B fitohet drejtza e puns (figura e mposhtme)


156

Kur R
C2
= 5 k, Ligji i Dyt i Kirkofit pr konturn kolektore sht:

1 CE CC C C
V V R I =

Pr t paraqitur ket drejtz mjaftojn dy pika.

Pr I
C2
= 0, V
CE
= V
CC
= 3 V
Pra, pika e mparshme A = (3 V, 0 A)

Pr V
CE
= 0, I
C
= V
CC
/R
C2
= 0.6 mA
Pra, pika C = (0 V, 0.6 mA)

Me bashkimin e pikave A dhe C fitohet drejtza e puns (figura e msiprme).

a) Nse shikohet drejtza AB e puns vrejm q: Pr I
B
= 2.5 A, I
B
= 7.5 A dhe I
B
=
12.5 A transistori sht n modin aktiv t puns, ndrsa pr I
B
= 17.5 A transistori sht
n ngopje.
b) Nse shikohet drejtza AC e puns vrejm q: Pr I
B
= 2.5 A transistori punon n modin
aktiv t puns, ndrsa pr I
B
= 7.5 A, I
B
= 12.5 A dhe I
B
= 17.5 A punon n
ngopje
Shembulli 4.11
N qarkun me pnp transistor t Silicit n Fig. 4.28 jan t njohura: R
b
= 500 k, R
c
= 2 k, Re = 0,
V
cc
= 15 V dhe = 70. Gjeni rrymn e kolektorit n pikn e puns dhe tensionin kolektor-emiter.

Fig. 4.28

157

Zgjidhje

Skema ekuivalente

Aplikojm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr konturn e bazs duke pas parasysh polaritetin e tensionit t
kyjes baz emiter dhe rezistencn emiteriale t barabart me zero.

0
BE b B cc cc BE b B
U R I V V U R I + = = +
Kshtu q:

3
15 0.7
28.6
500 10
cc BE
B
b
V U
I A
R

= = =

S fundi llogaritet rryma e kolektorit dhe tensioni kolektor emiter n pikn e puns:

70 28.6 2
C B
I I mA | = = =
11
CE cc c C
U V R I V = + =

U
BE

_
+


158

PASQYR PYETJESH

4.1 Tregoni pse regjioni i bazs n BJT sht i ngusht dhe me doping m t vogl?

4.2 Cilt jan bartsit shumic n regjionin e bazs n nj transistor npn?

4.3 Sa sht tensioni baz emiter t nj transistor n gjendje t kyur ?

4.4. Cili sht kushti i shkyjes s transistorit bipolar?

4.5 N regjionin aktiv, si duhet t jet i polarizuar bashkimi kolektor baz e si
bashkimi baz emiter?

4.6 N cilin regjion t dy bashkimet (kolektor- baz dhe baz emiter) polarizohen
drejt?

4.7 Sa sht vlera e kur = 100?

4.8 A ndikon temperatura n koeficientin e prforcimit t rryms pr emiter t
prbashkt () t transistorit bipolar?

4.9 ka sht amplifikimi?

4.10 Kur transistori prdort si ndrprers operon n dy gjendje. Cilat jan ato?

4.11 Kur rryma e kolektorit sht maksimale?

4.12 Kur rryma e kolektorit sht prafrsisht zero?

4.13 N cilat kondita V
CE
sht barazi me V
CC
?

4.14 Kur V
CE
sht minimale?

4.15 Pse rryma e bazs n nj transitor sht me e vogl se sa rryma e kolektorit?

4.16 Pse rryma e kolektorit n nj transistor sht m e vogl se rryma e emiterit?

4.17 ka sht drejtza e ngarkess (puns) s BJT?

4.18 N cilat pika t drejtzs s ngarkess do t ngjaj ngopja, amplifikimi dhe
ndrprerja?

4.19 Pr operimin normal t transistorit pnp n modin aktiv, baza duhet t jet (+ ose -
n lidhje me emiterin, dhe (+ ose -) n lidhje me kolektorin. T arsyetohet.

4.20 Cilat jan dy prparsit e polarizimit t transistorit me BJT me ndars t tensionit?

159

4.21 Transistori BJT amplifikon rrymn, sepse rryma e kolektorit sht barazi me
rrymn e bazs shumzuar me koeficientin e prforcimit t rryms . Amplifikatori
me BJT prodhon edhe prforcim t tensionit, por sinjali i prforcuar sht i
invertuar n krahasim me sinjalin hyrs. T arsyetohet.

PROBLEME

4.1 Pr qarkun me BJT gjeni potencialet e shnuara n skem dhe rrymat e degve n
transitor.

4.2 N Fig. 2 jan paraqitur karakteristikat dalse t transistorit bipolar me emiter t
prbashkt, pr rastin e rrymave t ndryshme t bazs. Po ashtu sht paraqitur
edhe pika M
1
kur rryma e bazs sht 10 A, kur n qarkun e kolektorit sht i
kyur burimi i tensionit V
CC1
. Nse n vend t burimit V
CC1
vendoset burimi V
CC2

pr rrym t bazs 10 A fitohet pika M
2
e puns. Llogaritni vlerat e burimeve t
tensionit V
CC1
dhe V
CC2
. sht e njohur R
C
= 1.5 k.


160

4.3 Gjeni pikn e puns (V
CE
, I
C
) pr qarkun me transistor BJT t treguar n figur.
Jan t njohura: V
CC
= 12 V, R
c
= 560 , R
b
= 330 k, V
BE
= 0.7 V, = 100.

Zgjidhje:
Pika e puns sht: M(V
CE
= 10.1 V, I
C
= 3.42 mA)

4.4 Gjeni pikn e puns V
CE
, I
C
) pr qarkun me transistor BJT t treguar n figur. Jan
t njohura: V
CC
= 10 V, R
c
= 10 k, R
b
= 180 k, V
BE
= 0.7 V, = 100.

Zgjidhje:
Pika e puns sht: M(V
CE
= 2.1 V, I
C
= 782 A)

4.5. Nse n qarkun e mposhtm ndrron prej 100 n 150 me rastin e rritjes s
temperaturs, si ndryshon rryma e e kolektorit me ket rast?

161

4.6 Prcaktoni I
C
dhe V
CE
n transistorin pnp n figur.

4.7 N qarkun n figur sht prdor transistori i silicit me = 99, ndrsa rryma e
bazs n pikn e puns sht 30 A. Gjeni vlern e rezistencs s panjohur R
2
nse
transistori operon n modin e amplifikimit.

Zgjidhja:
R
2
= 3.36 k

Transistoret Bipolar

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Transistoret Bipolar

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA

You might also like