4,5.

1. Koja je funkcija aktivnih elektronikih komponenata u elektronici?

Pojaanje snage
Preklapanje (rad u reimu sklopke).
2. Kako se tranzistori dijele prema naelu rada?
Bipolarni (spojni) tranzistor (BJT)
Unipolarni tranzistori (FET)- dijele se na spojne unipolarne tranzistore (JFET) i metal-
oksid-poluvodi unipolarne tranzistore (MOSFET).
3. to je unos (injekcija) nosilaca naboja, a to njihov prijenos (transport)? Opisati
tranzistorski efekt.
Unos (injekcija) - unoenje manjinskih nosilaca naboja propusno polariziranim PN-spojem.
Prijenos (transport) - prijenos manjinskih nosilaca naboja kroz neutralno podruje.
Sabiranje (kolekcija) - na drugom nepropusno polariziranom PN-spoju
Tranzistori s efektom polja otpori su u kojima jakost struje u volumenu poluvodia ili
gustoa nosilaca naboja u povrinskom sloju poluvodia ovisi o vanjskom elektrinom polju.
4. Nacrtati elektriki simbol NPN i PNP tranzistora. Oznaiti sve struje i napone.
str. 147.(slika 5.3)

5. Na koje se sve naine moe spajati NPN tranzistor?

Spoj zajednike baze Spoj zajednikog emitera Spoj zajednikog kolektora
6. Koji sve naini rada tranzistora postoje prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog
spoja?
Normalno aktivno podruje (NAP) emiter- propusna, kolektor- nepropusna
Zasienje emiter- propusna, kolektor- propusna
Zapiranje emiter- nepropusna, kolektor- nepropusna
Inverzno aktivno podruje (IAP) emiter- nepropusna, kolektor- propusna

7. Nacrtati tehnoloki presjek NPN tranzistora. Oznaiti emiter, bazu i kolektor. Na
skici presjeka planarnog tranzistora oznaiti aktivan dio.
str.149. (slika 5.5b).

8. Nacrtati energetske pojase tranzistora, oznaiti osiromaena podruja i smjerove
elektrinog polja za normalno aktivno podruje rada NPN tranzistora.
str.150.(slika 5.6b).

9.-11.

9. Koje su komponente emiterske struje?
I
NE
- elektronska komponenta struje emitera.
I
PE
- upljinska komponenta struje emitera.
10. Koje su komponente bazne struje?
I
R
- struja rekombinacije.
11. Koje su komponente kolektorske struje?
I
NC
elektronska komponenta struje kolektora.
I
CB0
reverzna struja zasienja kolektorskog spoja.
12. to je faktor injekcije ili faktor djelotvornosti emitera? Kako se taj faktor poveava?
Odreuje udjel korisne (elektronske) komponente struje u ukupnoj struji emitera. Tei
jedinici sa smanjenjem upljinske komponente struje emitera I
PE
. Taj uvjet je zadovoljen:
- kad je emiter znatno jae dopiran od baze,pa je njegova provodnost vea od provodnosti
baze E>B i
- kada je baza u usporedbi s difuzijskom duljinom upljina u emiteru LpE vrlo uska


13. to je to prijenosni ili transportni faktor? Kako se taj faktor poveava?
* Predstavlja omjer kolektorske struje elektrona, koji su izbjegavi rekombinaciju u bazi
stigli do kolektora i elektronske komponente emiterske struje. prijenosni faktor tei
jedinici kada struja rekombinacije I
R
postane zanemarivo mala, odnosno kada je baza vrlo
uska u usporedbi s difuzijskom duljinom elektrona u bazi L
nB
.


14. Kako je definiran istosmjerni faktor strujnog pojaanja u spoju zajednike baze?

;
0
E
CB C
I
I I
= o

15. Zato spoj zajednike baze nema strujno, a ima naponsko pojaanje?
Spoj zajednike baze ima napon propusne polarizacije emiterskog spoja manji od napona
nepropusne polarizacije kolektorskog spoja pa se taj spoj moe koristit kao naponsko
pojaalo, a struja kolektora je uvijek manja od struje emitera za iznos struje baze pa je
istosmjerni faktor strujnog pojaanja uvijek manji od jedan (o < 1, npr. 0,997). te spoj ZB
nema strujnog pojaanja.
16. Zato se zamjenom emitera kolektorom (uz iste presjeke PN-spojeva) dobiva manje
strujno pojaanje?
Struja kolektora uvijek je manja od struje emitera za iznos strujne baze istosmjerni faktor
strujnog pojaanja uvijek je manji od 1 pa ovaj spoj nema strujnog pojaanja.
17. Zato se spajanjem dviju diskretnih dioda ne moe dobiti tranzistor?
- - - -
18. Kako je definiran istosmjerni faktor strujnog pojaanja za spoj zajednikog
emitera?

0
0
CB B
CB C
I I
I I
+

= | o
o
|

=
1
- istosmjerni faktor strujnog pojaanja u spoju zajednikog
emitera.
19. Kakvo je strujno i naponsko pojaanje spoja zajednikog emitera?
>>1 (npr.100) struja kolektora je znatno vea od struje baze pa taj spoj ima strujno
pojaanje. Napon propusne polarizacije emiterskog spoja je manji od napona kolektor-
emiter pa taj spoj ima i naponsko pojaanje.
20. Skicirati raspodjelu manjinskih nosilaca naboja u difuzijskom podruju baze pri
normalnom aktivnom podruju rada, zasienju i zapiranju.
str.158. (slika 5.13)

21. Kako prijenosni faktor ovisi o tehnolokim parametrima tranzistora?
Prijenosni faktor
*
moe se dobiti uvrtavanjem raspodjele naboja u bazi u izraze za
struju I
NC
i I
NE
, a njih u izraz:
1 1 < =

= =
-
NE
R
NE
R NE
NE
C
I
I
I
I I
I
I
|

22. Kako faktor djelotvornosti emitera ovisi o tehnolokim parametrima tranzistora?
Ovisi o uvrtavanju elektronske i upljinske struje emitera u izraz za faktor djelotvornosti:

1 <
+
= =
PE NE
NE
E
NE
I I
I
I
I

23. Nacrtati Ebers Mollov model tranzistora. Uz kakve pretpostavke je dobiven taj
model?
str.164. (slika 5.15).

Niska injekcija, zanemareno rekombiniranje i generiranje nosilaca
naboja u osiromaenim podrujima, zanemareni sekundarni efekti, zanemaren otpor
neutralnog podruja emitera,baze i kolektora.
24. to je inverzni faktor strujnog pojaanja u spoju zajednike baze?

N
I
ES
=
I
I
CS
. Ako je
N
faktor pojaanja u normalnom podruju rada vei od
I
faktora
pojaanja u inverznom nainu rada, onda je i povrina presjeka kolektora A
C
vea od
povrine emitera A
E
, pa je reverzna struja zasienja kolektorskog spoja I
CS
vea od
reverzne struje emiterskog spoja I
ES
.
25. Napisati jednadbe emiterske, kolektorske i bazne struje na temelju Ebers Mollova
modela tranzistora.
str.162 (5.40a, 5.40b)






26. Definirati parametre Ebers Mollova modela. Kako se oni dobivaju mjerenjem?
str.163(tablica 5.3)






27. Koje su razlike izmeu struja I
ES
i I
EB0
, te I
CS
i I
CB0
.
Struje I
ES
I I
CS
mogu se mjeriti i uz prekinuti kolektorski, odnosno emiterski strujni krug.
I
EB0
i I
CB0
su reverzne struje nepropusno polariziranog emiterskog spoja, odnosno
kolektorskog spoja.
28. to je statistika karakteristika, a to porodica statistikih karakteristika?
Statika karakteristika je karakteristika na kojoj su oznaena pojedina podruja rada
(podruje zasienja, zaporno podruje, NAP). Porodica statikih karakteristika je krivulja
struja (I
C
,I
E
,I
B
)


29. Nacrtati izlazne I-U karakteristike u spoju zajednike baze? Oznaiti na
(
(

|
|
.
|

\
|

(
(

|
|
.
|

\
|
= = = 1 1
T
CB
CS I
T
EB
ES CI I EN EI EN E
U
U
I
U
U
I I I I I I exp exp o o
(
(

|
|
.
|

\
|

(
(

|
|
.
|

\
|
= = = 1 1
T
CB
CS
T
EB
ES N CI EN N CI CN C
U
U
I
U
U
I I I I I I exp exp o o
karakteristikama podruje rada tranzistora. Na kojem je naponu, za zadanu struju
I
E
struja I
C
= 0?
str.167. (slika 5.19)

str.166.(tablica 5.4)
ZAS: U
EB
< 0 ,U
CB
< 0
ZAS- kako kroz tranzistor tee vrlo velika struja, to se podruje rada koristi u radu tranzistora
kao sklopke - zatvorena sklopka (niska naponska razina).
-ako kroz tranzistor tee vrlo mala struja, ZAP se koristi u radu tranzistora kao sklopke -
otvorena sklopka (visoka naponska razina).

30. Nacrtati ulazne I-U karakteristike u spoju zajednike baze?
str.169. (slika 5.22)

31. Nacrtati izlazne I-U karakteristike u spoju zajednikog emitera? Oznaiti na
karakteristikama podruje rada tranzistora. Na kojem je naponu, za zadanu struju
I
B
struja I
C
= 0? Uz koju struju I
C
je, za zadanu struju I
B
, napon U
CE
= 0?
str.171. (slika 5.24)

Skoro sve karakteristike slijevaju se u jednu prolazei kroz vrijednost I
C
= 0 pri
naponu U
CEzas
. Pri naponu U
CE
= 0 struja kolektora je to negativnija to je struja baze vea.
U ZAS kroz tranzistor tee vrlo velika struja, to se podruje rada koristi radu
tranzistora kao sklopke - zatvorena sklopka (niska naponska razina).
U ZAP tee vrlo mala struja, to se podruje rada koristi u radu tranzistora kao sklopke
- otvorena sklopka (visoka naponska razina).

32. Nacrtati ulazne I-U karakteristike u spoju zajednikog emitera?
str.172. (slika 5.25)

33. Nabrojati najvanije sekundarne efekte u radu tranzistora?
Suenje baze-Earlyjev efekt.
Drift u podruju baze. Tranzistori nehomogene baze
Ovisnost faktora strujnog pojaanja o razini injekcije
Utjecaj omskih otpora R
C
i R
B

Strujna ogranienja u radu tranzistora
Probojni naponi tranzistora
Ogranienje snage. Utjecaj temperature na rad tranzistora
34. Zbog ega nastaje suenje baze? Opisati Earlyjev efekt i njegov utjecaj na izlazne i
ulazne karakteristike u spoju zajednikog emitera i zajednike baze.
Baza N
+
PN
+
tranzistora slabo je dopirana pa se osiromaeno podruje reverzno
polariziranog kolektorskog spoja vie iri u podruje baze zbog ega se njena efektivna
irina suuje. Utjecaj Earlyjeva efekta na izlazne karakteristike- poveanjem reverznog
napona kolektorskog spoja efektivna irina baze smanjuje se zbog irenja osiromaenog
sloja. Dolazi do suenja baze, a time i struje I
B
, stuja I
C
se poveava. Utjecaj Earlyjeva
efekta na ulazne karakteristike- kada tranzistor radi u NAP-u, napon nepropusne
polarizacije kolektorskog spoja U
CB
je vei od 0, baza je uska. Smanjenje napona U
CB

na 0 i kasnije na jo nie vrijednosti dovodi tranzistor prvo na rub, a zatim sve dublje u
zasienje, zbog ega se poveava efektivna irina baze.
35. to je posljedica nehomogenosti baze?
Posljedica nehomogenosti baze je pojava ugraenog elektrinog polja usmjerenog od
kolektora prema emiteru (NPN tranzistor). Drift u podruju baze.
36. Kako razina injekcije utjee na prijenosni faktor tranzistora?
Izraz za tehnoloku ovisnost prijenosnog faktora
*
ne pokazuje ovisnost o struji I
E
i I
C,

ve samo o naponu U
CB
preko Earleyeva efekta. Taj izraz dobiven je uz uvjet niske
injekcije. Meutim, ve pri malim naponima baza ulazi u stanje visoke injekcije.
37. Kako razina injekcije utjee na faktor djelotvornosti emitera?
U uvjetima vrlo niske razine injekcije pretpostavka zanemarive rekombinacije i generacije
unutar osiromaenog podruja vie ne vrijedi. Daljnjim porastom razine injekcije smanjuje
se utjecaj rekombinacije i generacije u osiromaenom podruju. Meutim na jo vioj
razini injekcije znatnije raste i neravnotena koncentracija veinskih nosilaca zbog ega se
poinje mijenjati provodnost baze.
38. Nacrtati ovisnost faktora strujnog pojaanja u spoju zajednike baze o struji I
E
.
str.179. (slika 5.32)


39. Kako omski otpori neutralnih podruja kolektora i baze utjee na rad tranzistora?
U veini tranzistora (legiranih i difuzijskih) otpor emitera R
E
moe se zanemarit, dok u
difuzijskim tranzistorima otpor kolektora R
C
nije zanemariv. Tehnolokim postupcima
moe se djelovati na izose otpora R
E
i R
C
, utjecaj otpora baze R
B
uvijek je prisutan. Kao
posljedica protjecanja struje baze kroz otpor R
BB'
na njemu dolazi do pada napona zbog kojeg
se napon U
EB
doveden na vanjske kontakte tranzistora B i E, vie ne pojavljuje u cjelosti na
aktivnom dijelu baze (B' i E)
40. Proiriti Ebers-Mollov model otporom baz e R
BB'.
180. str. 5.34.

41. Opisati strujna ogranienja u radu tranzistora.
Raspodjela napona U
EB
nije uniformna zbog nastajanja pri protjecanju struje baze kroz
R
B'E
- distribuirani omski otpor aktivnog dijela baze. Za velike struje emitera i baze, U
EB
je
veliki, a emiterski spoj je jae propusno polariziran blie baznih prikljuaka zgunjavanje
(lokalizacija) strujnog toka uz rub emitera. Zgunjavanje strujnog toka lokalno
zagrijavanje neispravan rad tranzistora unitenje.
42. Opisati naponska ogranienja u radu tranzistora. Zato je U
CE0
< U
CB0
?
U spoju ZE napon proboja U
CE0
je nieg iznosa (U
CE0
< U
CB0
), a prisutan je i vrlo jak utjecaj
multiplikacije nosilaca naboja u irokom opsegu napona kolektora.
Pri I
B
= 0:
Struja I
C
tei beskonanoj vrijednosti u dva sluaja:
1) kada M (kao u spoju ZB, pri znatno viim naponima ~ U
CB0
)
2) kada umnoak Mo 1 (budui da je o

~ 1, to se dogaa ve kod malih iznosa M, dakle
na niim naponima) - prevladava lavinska multiplikacija!
43. Kako temperatura utjee na ulazne karakteristike tranzistora?

44. to je to hiperbola maximalnih kolektorskih gubitaka?
Proizvoai poluvodikih komponenata daju maksimalno doputenu disipaciju P
CM
= konst. u
obliku hiperbole doputene disipacije
I
CM
=P
CM
/U
CE
.
Tranzistori predvieni za rad na visokim snagama ugrauju se u metalno kuite + hladnjak
(odvoenje toplinske energija sa Si ploice).
45. Opisati toplinski bijeg u bipolarnom tranzistoru.
Toplinski bijeg disipirana snaga poveava temperaturu tranzistora, ona poveava | pa se
za istu struju I
B
poveava struja I
C
. Vea struja I
C
izaziva daljnje poveanje disipacije na
kolektoru samounitenje!.
46. Na nekoj nelinearnoj I-U karakteriskici definirati veliki i mali signal.
Reim velikog signala i rad u statikim prilikama opisuju Ebers-Mollove jednadbe - struje
tranzistora linearne kombinacije naponskih funkcija tipa exp(U) nelinearna ovisnost struje
o naponu.


Reim malog signala - promjene izmjeninog signala oko statike radne toke vrlo male (kao
u pojaalu) nelinearna karakteristika se moe linearizirati tranzistor u linearnom reimu
rada (za izmjenini signal postaje linearna elektronika komponenta).

47. to je linearni reim rada?
U linearnom reimu rada konstante proporcionalnosti izmeu pojedinih izmjeninih veliina
ovise o poloaju statike radne toke (i radnoj frekvenciji!).
nelinearna karakteristika se moe linearizirati tranzistor u linearnom reimu rada (za
izmjenini signal postaje linearna elektronika komponenta).
Linearni reim rada odnosi se samo na izmjenine (AC) komponente. Za istosmjerne
komponente ne postoji linearan odnos pa je za DC uvjete dioda nelinearna komponenta!


48. Opisati sve trenutne totalne vrijednosti struja i napona tranzistora u spoju
zajednikog emitera?
Za spoj ZE kod malog signala mogu se struje baze i kolektora, te naponi baza-emiter i
kolektor-emiter pisati kao: i
B
(t) = I
B
+ i
b
(t)
u
BE
(t) = U
BE
+ u
be
(t)
i
C
(t) = I
C
+ i
c
(t)
u
CE
(t) =U
CE
+ u
ce
(t)
trenutana ukupna = istosmjerna + izmjenina
vrijednost vrijednost
49. Prikazati linearnu vezu izmeu izmjeninih promjena koncentracija naboja i
izmjeninog napona koji ju je izazvao. Reim malog signala!
Linearizacija karakteristika tranzistora u reimu malog signala moe se prikazati pomou
malih dinamikih promjena naboja u bazi. U uvjetima niske injekcije (uz r
B
~ 0), trenutana
ukupna koncentracija injektiranih nosilaca uz rub emiterskog spoja NPN tranzistora
homogene baze, u spoju ZE i NAPu)
50. Prema definiciji struja i napona etveropola izraziti ovisnost ulaznog napona i
izlazne struje, o ulaznoj struji i izlaznom naponu.



IZL
konst.
IZL
UL
UL
konst.
UL
UL
d d d
UL IZL
u
u
u
i
i
u
u
I U
UL
= =
|
|
.
|

\
|
c
c
+
|
|
.
|

\
|
c
c
=
IZL
konst.
IZL
IZL
UL
konst.
UL
IZL
IZL
d d d
UL IZL
u
u
i
i
i
i
i
I U
= =
|
|
.
|

\
|
c
c
+
|
|
.
|

\
|
c
c
=
51. Iz totalnog diferencijala gornjih izraza odrediti h-parametre. Nacrtati nadomjesni
sklop bipolarnog tranzistora s h-parametrima.
ulazni dinamiki otpor uz konstantan istosmjerni napon na izlazu ili kratko spojen izlaz za
izmjenini signal



faktor povratnog djelovanja uz konstantnu istosmjernu struju na ulazu ili odspojen ulaz za
izmjenini signal



faktor strujnog pojaanja uz konstantan istosmjerni napon na izlazu ili kratko spojen izlaz za
izmjenini signal



izlazna dinamika vodljivost uz konstantnu istosmjernu struju na ulazu ili odspojen ulaz za
izmjenini signal



Linearni nadomjesni sklop tranzistora pri malom signalu i niskim frekvencijama izveden
pomou h-parametara.



52. Kakva je veza h-parametara i tehnolokih parametara tranzistora?
Male su izmjenine struje i naponi tranzistora linearno povezane pomou h-parametara:
izl ul ul
u h i h u
r i
+ =

izl ul izl
u h i h i
o f
+ =













IZL I
UL
UL
konst./ 0
ZL
i
U u
u
h
i
= =
| | c
=
|
c
\ .
UL
UL
IZL
konst./ 0
UL
r
I i
u
h
u
= =
| | c
=
|
c
\ .
IZL I
IZL
UL
konst./ 0
ZL
f
U u
i
h
i
= =
| | c
=
|
c
\ .
UL
IZL
IZL
konst./ 0
UL
o
I i
i
h
u
= =
| | c
=
|
c
\ .



53. Nacrtati Earlyjev nadomjesni sklop. Koje fizikalno znaenje imaju elementi tog
sklopa?



54. Kako glase h-parametri takvoga sklopa?
ulazni dinamiki otpor h
ib
faktor povratnog djelovanja h
rb
faktor strujnog pojaanja h
fb
izlazna dinamika vodljivost h
ob
55. Pomou nadomjesnog sklopa za spoj zajednikog emitera i h-parametara za spoj
zajednike baze, nai h-parametre za spoj zajednikog emitera.




56. Grafiki odrediti h-parametre iz I-U karakteristika za spoj zajednikog emitera.





57. Objasniti naelo mjerenja h-parametara.
Mjerenje h-parametara prema uvjetima za izmjenine signale (kratko spojeni izlaz u
izl
= 0 ili
uz otvoren ulaz i
ul
= 0 )

58. to je hibridni -nadomjesni sklop i gdje se upotrebljava?
Za tranzistore je uobiajeno upotrebljavati nadomjesne sklopove s jednim izvorom koji se
temelje na g-parametrima. U spoju ZE to je najee hibridni t-nadomjesni (Giacolettov)
sklop iji se svi elementi:
mogu se izraunati iz h-parametara i
imaju izravnu vezu s fizikalnim pojavama u tranzistoru!






59. Pokazati vezu izmeu otpornih elemenata nadomjesnog sklopa i h-parametara.
Veza niskofrekvencijskih (otpornih) elemenata hibridnog t-nadomjesnog sklopa i h-
parametara


60. Kako je definirana i o emu ovisi granina frekvencija spoja zajednike baze?
Spoj ZB - utjecaj ostalih parametara na graninu frekvencija faktora strujnog pojaanja f
hfb
:
- barijerni C
be
- postaje frekvencijski ovisan, a f
hfb
jo nia!!
- difuzijski C
dc
<< C
bc
- mali utjecaj!
- barijerni C
bc
- dodatno snizuje f
hfb
!!
- kolektorska struja I
C
-s porastom struje f
hfb
prvo raste, a zatim
poinje opadati
- napon kolektor-baza U
CB
- smanjuje irinu baze W
B
, pa f
hfb
raste!

61. Kako je definirana granina frekvencija spoja zajednikog emitera?
Spoj ZE - granina frekvencija f
hfe
i f
T

Frekvencija f
T
na kojoj je h
fe
=1 naziva se frekvencijom irine pojasa strujnog pojaanja:
()
()
hfb hfb
fe
fe
T
f f
h
h
f ~
+

=
1 0
1 0

62. to je frekvencija f
T
?
Frekvencija f
T
na kojoj je h
fe
=1 naziva se frekvencijom irine pojasa strujnog pojaanja
63. Poredati po veliini frekvencije f
hfb,
f
T, i
f
hfe.
f
hfb,
f
T i
f
hfe
64. to je radna toka i radni pravac? Za spoj zajednikog emitera pokazati ulazak
tranzistora u zasienje i zapiranje.
Radna toka poblie odreuje dinamike karakteristike sklopa, a uz njezin poloaj na izlaznoj
karakteristici aktivnog elementa povezan je i pojam klase u kojoj djeluje elektroniki sklop.
Statiki radni pravac - doputene statike radne toke Q(I
C
,U
CE
) u zadanom sklopu. U
tranzistorskoj sklopci struja baze upravlja strujom kolektora u veem dijelu izlaznih
karakteristika.

65. to je duboko zasienje?
Duboko zasienje je zasienje kod kojeg se kolektorska struja gotovo ne mijenja, iako je
struja baze poveana, a napon U
CE
se i dalje smanjuje sve do U
CEzas
. Duboki ulazak u
zasienje vaan je jer on utjee na vrijeme koje je potrebno da tranzistor izae iz stanja
zasienja. to je tranzistor manje u zasienju to je i njegovo vrijeme iskljuivanja (prelazak iz
zasienja u zapiranje) krae.

66. Koja je svrha spajanja Schottkyjeve diode paralelno spoju baza-kolektor
tranzistora?
Schottkyjevu diodu spajamo paralelno spoju baza-kolektor zbog ubrzanja rada prekidakih
tranzistora, preklapaju i do 10 puta bre od obinog tranzistora.

67. Koje su bitne karakteristike tranzistora kao sklopke?
Bitne karakteristike tranzistora kao sklopke su vremena ukljuivanja i iskljuivanja. Vrijeme
ukljuivanja t
uklj.
= t
d
+ t
r
, gdje je t
d
vrijeme kanjenja definirano kao vrijeme potrebno da pri
baznoj struji, struja kolektora dosegne 10% njene konane vrijednosti, a t
r
vrijeme porasta
definirano kao vrijeme u kojem struja kolektora poraste sa 10% na 90% vrijednosti.
Vrijeme iskljuivanja t
isklj.
= t
st
+ t
f
, gdje je t
st
vrijeme zadravanja obino definirano kao
vrijeme potrebno da struja I
C
padne na 90% pune vrijednosti, a t
f
vrijeme pada definirano kao
vrijem u kojem struja kolektora padne s 90% na 10% vrijednosti.


6.

1. Zato se tranzistori s efektom polja nazivaju i unipolarnim tranzistorima?
Tranzistori s efektom polja se nazivaju i unipolarnim tranzistorima zato to struju ine
samo veinski nosioci naboja.

2. Koje su dvije osnovne vrste FET-ova? Po emu se oni bitno razlikuju?
JFET, spojni unipolarni tranzistori- napon upravljake elektrode G (engl. gate) mijenja
irinu osiromaenog podruja nepropusno polariziranog PN-spoja pa time i otpornost
vodljivog kanala u volumenu poluvodia. Upravljaka elektroda je odvojena od vodljivog
kanala nepropusno polariziranim PN-spojem.
MOSFET,metal-oksid-poluvodi unipolarni tranzistori- metalnu upravljaku elektrodu od
vodljivog kanala na povrini poluvodia odvaja izolator. Najea izvedba te strukture je
izolacija oksidnim slojem (esto SiO
2
) odakle naziv MOSFET

3. Skicirati presjek spojnog FET-a. Oznaiti podruje uvoda S, odvoda D i
upravljake elektrode G i kanala.

4. Objasniti naelo rada FET-a.
Spojni FET radi tako to upravljaki napon U
GS
stvara el. polje koje e ovisno o svojoj
jakosti i smjeru inducirati tj. poveati ili smanjiti koliinu naboja u poluvodiu. Na taj
nain se poveava ili smanjuje vodljivost poluvodia. Upravljaki napon U
GS
osigurava
nepropusnu polarizaciju izmeu p
+
i N podruja. irina PN barijere je vee s poveanjem
napona U
GS
. Kroz preostali el. neutralni dio poluvodia N-tipa zvanog kanal tei e struja
koja e ovisiti kako o naponu U
DS
tako i o naponu U
GS
. Ta struja se zove struja odvoda I
D
.

5. Na kojem je naponu U
GS
najiri kanal N-kanalnog spojnog FET-a?
Kanal N-kanalnog FET-a je najiri kada je napon U
GS
=0.

6. Na kojem se naponu U
GS
prekida kanal N-kanalnog spojnog FET-a?
Kanal N-kanalnog FET-a se prekida kada je napon U
GS
= -U
p
.

7. to je napon dodira? Zbog kojih jo razloga dolazi do prekida kanala?
Napon dodira U
p
je napon pri kojem se prekida kanal, dolazi do zasienja
-zbog porasta napona U
DS
i struje I
D
dolazi do prodiranja osiromaenog podruja u kanal i
do prekida samog kanala.

8. Izvesti izraz za struju spojnog FET-a. Nacrtati I-U karakteristiku.
Izraz za struju spojnog FET-a:
DS
p
GS
D
U
U
U
G I
(
(

|
|
.
|

\
|

=
2
1
0
1
-gdje je G
0
vodljivost potpuno otvorenog kanala (dobivenu uz U
GS
=0), tj. vodljivost od
zanemarive debljine osiromaenog sloja (x
n
<<D). Za zadanu vrijednost reverznog napona
U
GS
taj izraz pokazuje linearnu ovisnost struje odvoda I
D
o naponu U
DS
.

9. Na I-U karakteristikama oznaiti: triodno podruje, podruje zasienja i podruje
linearnog naponski promjenjivog otpora.
-podruje linearnog naponski promj. otpora se nalazi na spoju kod ishodita.

10. Nacrtati prijenosnu karakteristiku N-kanalnog i P-kanalnog spojnog FET-a.



11. to je modulacija duljine kanala i gdje se na I-U karakteristikama vidi njezin
utjecaj?
U realnim tranzistorima efektivna duljina kanala se skrauje ime se smanjuje i njegov
otpor, pa se poveanjem napona U
DS
struja odvoda ipak malo povea (predstavlja onu
iscrtkanu liniju na izlaznoj karakteristici). Taj efekt se naziva modulacijom duljine
kanala. U biti to je poveanje struje odvoda u zasienju (odstupanje od idealne
karakteristike).

12. Definirati dinamike parametre i nacrtati nadomjesni spoj FET-a.
Dinamiki parametri:
g
m
=
. konst U
u
i
GS
GS
D
=
|
|
.
|

\
|
c
c
strmina (prijenosna vodljivost)
.
1
konst U
u
i
g
r
GS
DS
D
d
d
=
|
|
.
|

\
|
c
c
= =
izlazna dinamika provodnost

=g
m
r
d
faktor naponskog pojaanja


13. Kako je definirana izlazna dinamika vodljivost?
Izlazna dinamika vodljivost g
d
je predstavljena nagibom izlaznih karakteristika.
14. Kako je definirana strmina FET-a?
Strmina je predstavljena nagibom prijenosnih karakteristika. Strmina je maksimalna za
U
GS
=0, osim toga strmina se moe poveavati poveavanjem omjera W/L (irim, a kraim
kanalom).

15. Objasniti princip rada MESFET-a.
Konstantna otpornost
n
u lanu G
0
implicitno pretpostavlja konstantnu pokretljivost
elektrona! Pri veim jakostima elektrinih polja moe doi do zasienja pokretljivosti, pa
gornja pretpostavka vie nije tona! To posebno vrijedi za FET-ove vrlo kratkih kanala -
na primjer MESFET-ove.
Suenje kanala se ostvaruje irenjem osiromaenog sloja nepropusno polarizirane
strukture metal-poluvodi - Schottkyjeva barijera.
MESFETovi se koriste u vrlo brzim digitalnim ili mikrovalnim sklopovima (jednostavnost
Schottkyjeve barijere omoguava i vrlo male dimenzije komponente!!).

16.Opisati naelo rada tranzistora s efektom polja s izoliranom upravljakom
elektrodom (MOSFET)
Strujom kroz povrinski kanal upravlja napon upravljake elektrode G - odvojena od
kanala izolatorom.
Za P-kanalni MOSFET napon U
GS
mora biti negativniji od napona praga -U
tp
da bi
dolo do indukcije pozitivnog naboja tik uz povrinu ispod upravljake elektrode i
stvaranja vodljivog P-kanala u N-podlozi.
MOSFET kod kojeg se kanal stvara indukcijom, tj. tek dovoenjem napona U
GS
veeg
od napona praga naziva se: MOSFET obogaenog tipa
MOSFET kod kojeg kanal postoji i za U
GS
= 0 V naziva se MOSFET osiromaenog
tipa (engl. depletion). Kod njih se za razgradnju kanala na povrini poluvodia mora
privesti negativan napon U
GS
- koristi se za osiromaenje kanala koji u uvjetima
ravnotee ve postoji!!


17. Koje vrste MOSFET-ova postoje? Nacrtati njihove prijenosne karakteristike
Simbol i prijenosna karakteristika N-MOSFETa obogaenog tipa
I
D
=f(U
GS
)
UDS

= konst

Simbol i prijenosna karakteristika P-MOSFETa obogaenog tipa


Simbol i prijenosna karakteristika N-MOSFETa osiromaenog tipa
I
D
=f(U
GS
)
UDS

= konst


Simbol i prijenosna karakteristika P-MOSFETa osiromaenog tipa


18. to je osiromaeni a to obogaeni tip MOSFET-a?
MOSFET obogaenog tipa : MOSFET kod kojeg se kanal stvara indukcijom, tj. tek
dovoenjem napona U
GS
veeg od napona praga
MOSFET osiromaenog tipa: MOSFET kod kojeg kanal postoji i za U
GS
= 0 V. Kod
njih se za razgradnju kanala na povrini poluvodia mora privesti negativan napon U
GS

- koristi se za osiromaenje kanala koji u uvjetima ravnotee ve postoji!!

19. Kako uz razne iznose vanjskog napona dolazi do akumulacije, osiromaenja i
inverzije idealnog
MOS kondenzatora?
MOS struktura u neravnotei (U < 0) akumulacija
MOS struktura u neravnotei (U > 0) osiromaenje
MOS struktura u neravnotei (U >> 0) inverzija
20.Kako dolazi do induciranja povrinskog N-kanala u P-podlozi?
Inverzijom originalnog P-tipa pod djelovanjem vanjskog napona (uz povrinu P-tipa
poluvodia poveava se koncentracija elektrona)(irina inverzijskog sloja ua od
1m)
21.Kako je definiran napon praga?
U
tn
=U
GS
- u
DSzas
U
tn
=
ms
-Q
i
/C
i
-Q
d
/C
i
+2
F
22.Kako kapacitet idealne MOS strukture ovisi o naponu?Koje se kapacitivnosti ovdje
pojavljuju?
C
TS
i C
TD
- kapaciteti osiromaenih slojeva
C
RS
i C
RD
- kapaciteti zbog preklapanja metalizacije upravljake elektrode G i
difuzijskog podruja uvoda D
23. Kako razlika radova izlaza utjee na napon praga? to je napon ravnih pojasa?

24. Kako naboj na spoju oksid-poluvodi utjee na napon praga?

| |
tn GS i n
U U C Q =

25. Izvesti izraz za struju MOSFETA-a? Nacrtati U-I karakteristiku
U-I- izlazne karakteristike
Izlazna karakteristika obogaeni N-MOSFET Izlazne karakteristike osiromaeni
N-MOS FET
I
D
=f(U
DS
)
UGS

= konst.
I
D
=f(U
DS
)
UGS

= konst.

26. Kako se definira napon zasienja?
tn GS DS
U U U =
zas
27. to je modulacija duljine kanala? Kako se iz izlaznih karakt. moe odrediti napon
U
A
?
poveanjem napona U
DS
smanjuje se duljina kanala i poveava struja I
D




28. Kako se mjerenjem moe odrediti napon praga U
t
i koeficijent K?

29. Koji je toniji nain odreivanja koeficijenta K?
Odreivanje koeficijenta K iz nagiba pravca ne daje tone iznose tog koeficijenta, jer je K/2
dobiven krajnjim pojednostavljenjem u izvoenju izraza:
Taj se koeficijent mnogo tonije mjeri u triodnom podruju
i to u okolici nule gdje se MOS tranzistor ponaa kao linearni otpor.

30. Kako podloga utjee na napon praga?

tako da se spoje
produetci izlaznih
napona U
GS
L d
W
K
ox
s ns
c =


Poveanje apsolutnog iznosa
napona podloge poveanje
rezultantnog napon praga U
tn
.

( )
2
2
tn GS D
U U
K
I =
zas
31. Nacrtati nadomjesni sklop za MOSFET i ucrtati parazitne kapacitete






32. Koji je najei nain tehnolokog utjecanja na napon praga?
Danas je najei nain podeavanja napona praga ionska implantacija. Budui da se
tom metodom mogu unijeti vrlo precizne koncentracije primjesa, mogue je i vrlo
precizno kontrolirati napon U
tn,p.
Tom se metodom uz primjenu jaih iznosa
implantacije moe napon praga ne samo smanjiti na nulu, nego i po potrebi i poveavati.

7.

1.Koji su efekti osvjetljavanja poluvodia?
Fotoefekt - osvjetljavanjem poluvodia poveava se generiranje parova nosilaca
naboja
Posljedice fotoefekta:
poveanje provodnosti poluvodia,
poveanje inverzne struje PN-spoja (ako se fotoefekt javlja dovoljno blizu PN-
spoja),
promjena irine osiromaenog sloja PN-spoja zbog difuzijskog gibanja
nosilaca naboja (izravna pretvorba svjetlosti u elektrinu energiju),
emitiranje svjetlosti (posljedica rekombinacije nosilaca zbog protoka struje
kroz PN-spoj).

2. to je fotootpornik? Koji su njegovi karkteristini parametri?
Fotootpornici - poluvodika zamjena za vakuumske fotoelije
Osnovni parametri fotootpornika:
- vodljivost u tami,
- osjetljivost na svjetlosnu pobudu,
- spektralna osjetljivost,
- prag osjetljivosti i
- brzina odziva na svjetlosnu pobudu.
3. Objasniti fotonaponsku pretvorbu u PN spoju. Koje je uvjete treba zadovoljiti da bi
do nje dolo?
Neosvijetljena nepropusno polarizirana PN-dioda tee samo reverzna struja
zasienja I
S
, posljedica drifta manjinskih nosilaca kroz PN-spoj
I
S
je generacijska struja termiki generirani manjinski nosioci prenose se na drugu
stranu PN-spoja pod djelovanjem elektrikog polja osiromaenog sloja.

Nadomjesni spoj na visokim frekvencijama

C
TS
i C
TD
- kapaciteti osiromaenih slojeva
C
RS
i C
RD
- kapaciteti zbog
preklapanja metalizacije upravljake
elektrode G i difuzijskog podruja
uvoda D
Osvijetljena nepropusno polarizirana PN-dioda (izloena djelovanju fotona)
uestalosti termike generacije para elektron-upljina G
term
dodaje se uestalost
optike generacije para elektron-upljina G
opt
.

Nuan uvjet za pojavu optike generacije para nosilaca: hc/ > E
G

4. Na koja se dva naina moe koristiti fotodioda?
- fotodioda
- suneva elija
5. to je suneva elija?
Suneva elija - izravna pretvorba optike energije Sunca u elektrinu energiju.
6. to je faktor popunjenja kod suneve elije?
Faktor popunjenja = mjera za usporeivanje sunevih elija
1
ks
pop
< =

U I
U I
F
m m

7. O emu ovisi djelotvornost suneve elije?

h o
m m m
maks
AW
U I
P
P
u
= =
opt
q


8. Koje su uobiajene izvedbe sunevih elija?
-elije od polikristalinog silicija
-elija od amorfnog silicija

9. to su fotodetektori?
To su fotodiode koje mjenjaju vrem. promjenjive optike u vrem. promj. elektrine
signale


10. Objasniti razliku fotodetektora s osiromaenim slojem i PIN fotodetektora
Fotodiode s osiromaenim slojem - generiranje para elektron-upljina uglavnom u
osiromaenom podruju
irina d
b
= kompromis (velika osjetljivost i kratko vrijeme odziva):
- vea osjetljivosti - iri d
b
(slabije dopiranje). Veinu nosilaca
apsorbira osiromaeni sloj, manji barijerni kapacitet (manja
vremenska konstanta detektorskog kruga)
- krae vrijeme odziva - ui d
b

PI N fotodetektor - osjetljiv na fotone energije ~ E
G

hc/ < E
G
- fotoni nisu apsorbirani,
hc/ > E
G
- fotoni apsorbirani ali u blizini povrine gdje je
uestalost
rekombinacije vrlo velika.

11. to su lavinske fotodiode i kada se koriste?
Lavinska fotodioda- rade u podruju lavinskog proboja.
koristi se za detekciju optikog signala vrlo niskog intenziteta
12. Koji je princip rada fototranzistora?
simbol fototranzistora:
- u
o
povrinska

gustoa protoka fotona u poluvodiu kod
monokromatske svjetlosti valne duljine
- A povrina suneve elije
- W
h
srednja vrijednost energije fotona iz sunevog spektra
Princip rada: pod djelovanjem upadne svijetlosti kroz emiterski
spoj potee struja bez obzira koji je od spojeva (E,B,C)
osvijetljen. Optiki generirani nosioci naboja stvaraju struju koja
je ekvivalentna struji baze. Struja emitera jednaka je:
I
E
= I
opt
+I
opt
= (1+)I
opt

13. Zato je fototranzistor osjetljiviji od foodiode?
prema izrazu I
E
= I
opt
+I
opt
= (1+)I
opt
fototranzistor je (1+) puta osjetljiviji od
fotodiode
14. Nabrojati i opisati vrste luminiscencije
Luminiscencija - svojstvo nekog materijala da emitira svjetlost = proces "hladne"
emisije (za
razliku od "vruih" procesa - sijalica sa arnom niti).
Podjela luminiscencija prema najeim mehanizmima pobude nosilaca naboja:
a) fotoluminiscenciju - pobuda apsorpcijom fotona
- brzi R proces - fluorescencija
- spori R proces - fosforescencija,
b) katodoluminiscenciju - pobuda bombardiranjem materijala elektronima
visoke
energije
c) injekcijsku luminiscenciju - pobuda uvoenjem struje u uzorak materijala.
15. Objasniti injekcijsku luminiscenciju kod svjetlee diode (LED)
Simbol LED-ice

16. Objasniti princip rada optoizolatora
simbol i nain polarizacije optoizolatora



17. to je stimulirana emisija svijetlosti?
Stimulirana emisija - elektron na vioj ili pobuenoj razini energije moe biti i
stimuliran na rekombinaciju pomou polja fotona odgovarajue valne duljine (i
energije) hc/=E
2
E
1
18. Usporedba LED-laser? Objasniti odnose spontane emisije, apsorpcije i stimulirane
emisije
LED-laser?
U radijacijskom polju fotona energije hc/ istodobno su prisutna tri procesa:
a) stimulirana emisija - proporcionalna trenutnom broju elektrona n
2
na gornjoj
energetskoj razini E
2
i gustoi energije stimulirajueg polja u.
b) apsorpcija fotona - proporcionalna populaciji elektrona donje razine n
1
i gustoi
energije
razdvajaju se ulazne i izlazne komponente
(izor i detektor svijetlosti) i povezuju
optokom vezom preko prozirnog
izolacijskog spoja
stimulirajueg polja u.
c) spontana emisija - uestalost proporcionalna samo populaciji gornje razine n
2
.
Stacionarno stanje: populacije n
2
i n
1
su konstantne apsorp = spont + stim
19. to je populacijska inverzija kod PN- lasera?
Za stim >> spont (stimulirana emisija fotona vea apsorpcije fotona)
populacijsku inverziju - n
2
> n
1

osiromaeno podruje nije vie osiromaeno - velika koncentracija elektrona u vodljivom
i upljina u valentnom pojasu - uski pojas u PN-spoju i oko njega postaje podruje
populacijske inverzije - najlake se opisuje kvazi-Fermijevim razinama
Koncentracija elektrona injektiranih u podruju populacijske inverzije u P-tip
poluvodia i upljina injektiranih u N-tip poluvodia, mnogo je via od ravnotene
koncentracije.

8.

1.to je tiristor ?
Najvanija i najee upotrebljavana poluvodika energetska sklopka . Ta komponenta
je etveroslojna PNPN struktura koja djelotvorno blokira struju kroz dva izvoda sve
dok malom strujom na treem izvodu nije prebaena u stanje voenja
2.to je jednospojni tranzistor? Opisati njegov rad
simbol:




3. Kako u njegovoj I-U karakteristiki nastaje podruje negativnog otpora?










4. Kako izgleda struktura diodnog tiristora?
Osnovna struktura i koncentracija primjesa diodnog tiristora :
Jednospojni tranzistor ( ili UJT ) je poluvodika sklopka iji se rad temelji na
modulaciji provodnosti baze. Ona ima jedan PN spoj ali jedan od slojeva tog spoja
ima dva prikljuka.
UJT ili dvobazna dioda prelazi iz stanja blokiranja u stanje voenja kada
napon na napon na njezinim izvodima dosegne neki kritian iznos U
pr0
, koji
je mogue mjenjati pomou vanjskog prednapona.

Smanjenjem napona U
R1
dodatno se poveava
propusna polarizacija diode koja radi toga u bazu
injektira jo vie upljina. Rezultat je da poveanje
struje kroz P
+
N spoj dovodi do smanjenja ukupnog
napona U
E
=U
D
+U
R1
. To u I-U karakteristici UJT-a na
prijelazu iz stanja blokiranja u stanje voenja stvara
podruje negativnog otpora


5. Objasniti njegovu karakteristiku! Zato je takva komponenta prikladna za izvedbu
elektronike
sklopke?
Simbol i I -U karakteristika diodnog tiristora

6.Zato se tiristor sa svoja 3 PN spoja ne ponaa kao 3 serijski spojene diode?

7.to je dvotranzistorska analogija diodnog tiristora?

8. Koje osiromaeno podruje odreuje napon prelaska tiristora u voenje? Zato?
naponski proboj - nastaje kod U
AK
U
PM0
. Posljedica je proboj (ili znatno
proputanje) srednjeg nepropusno polariziranog osiromaenog podruja d
b2
.
Mehanizam proboja obino nastaje kombinacijom
a) lavinske multiplikacije i
b) efekta suenja baze.
Uvjet prelaska u vodljivo stanje: M ( 1+2 ) = 1, gdje je


9.Koje osiromaeno podruje odreuje napon proboja tiristora u nepropusnoj
polarizaciji?
unutarnj
i tiristor

simbol:

I
h
- (engl holding current) struja dranja
U
h
- (engl holding voltage) napon
dranja

Prelazak iz stanja blokiranja u stanje voenja
deava se pri naponu U
PM0
, a odvija se brzim
prolaskom kroz podruje negativnog otpora.
Kada kod tiristora u voenju napon U
AK
padne
ispod vrijednosti U
h
kroz tiristor prestaje tei
struja i on se ponovo vraa u stanje blokiranja.
Struja u 3.kvadrantu je ograniena na malu
struju termiki generiranih parova elektron-
upljina u blizini podruja d
b1
i d
b3
. Ostaje mala
sve do pojave lavinskog proboja U
pr
proboj
nepropusna
polarizacija

voenje
podruje
negativnog
otpora
propusna
polarizacija
tiristor (PNPN) se prikae kao spoj
PNP i NPN tranzistora
M - koef. lavinske multiplikacije

1
pr
1
1
+
|
|
.
|

\
|

=
k
AK
U
U
M











d
b1
i d
b3
su neprop. polar, a d
b2
prop. pol.
Poveanjem napona reverzne
polarizacije prvo dolazi do proboja
osiroma. podr. d
b3
. Naime kako su N
2
- i
P
2
- podruja jae dopirana od N
1-

podruja, d
b3
je ue od osirom.p. d
b1
pa
do njegova proboja dolazi pri naponu od
svega
svega nekoliko volta. Budui da kod nepropusne polarizacije nema tranzistorskog
efekta, proboj d
b3
ne utjee na struju kroz cijelu komponentu jer osir. p. d
b1
jo nije
probijeno. Proboj diodnog tiristora kod nepropusne polarizacije ovisi stoga o proboju
osiromaenog podruja d
b1
. Napon proboja tog irokog osiroma. p. d
b1
je po iznosu
pribl. jednak naponu U
PM0