閘 流 體 元 件

作者：蘇漢儒
 P - N - P - N 閘流體結構圖示
閘極 n+
P+
Gate
陽極 陰極
P1 N1 P2
Anode Cathode
75µm 250 µm 65
µm
N2
10µm

J1 J2
J3
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 閘流體摻雜元素濃度分佈圖
18
P+ 5×10 / cm³
20
5×10
/ cm³
n+
P1 20
P2 2×10
N1 / cm³
18 13 14
5×10 / cm³ 10 ~ 10 / cm³
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 閘 流 體 的 參 數 特 性
逆向偏壓模式：
閘流體 ( Thyristor ) 的第三個 PN
接合面 (J3) 是高濃度摻雜元素的
PN 接合面，此接合面在崩潰之
前能承載直流15 伏特 至 25 伏特
的逆向偏壓。
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閘 流 體 的 參 數 特 性
逆向偏壓模式：
閘流體的第一個PN接合面 (J1)
是低濃度摻雜元素的 PN 接合
面， 此接合面在崩潰之前只能
13 -0.75
承載直流 5.34×10 NN1 伏特的
逆向偏壓。
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 閘 流 體 的 參 數 特 性

在逆向偏壓電路模式時，閘流
體的作用等於一只斷路的開關，
其元件兩端 ( 陽極與陰極 ) 保
持高電壓值之狀態，元件內部
只導通低逆向電流值。

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 閘 流 體 的 參 數 特 性

在順向偏壓電路模式時，閘流
體的作用等於一只閉路的開關，
其元件兩端 ( 陽極與陰極 ) 保
持低電壓值之狀態，元件內部
導通高順向電流值。

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閘 流 體 的 參 數 特 性
參照前述之閘流體圖示與摻雜
元素濃度分佈圖，閘流體元件
在逆向偏壓電路模式時，能安
全的操作在直流 2 仟伏特之逆
向偏壓。

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閘 流 體 的 參 數 特 性
參照前述之閘流體圖示與摻雜
元素濃度分佈圖，閘流體元件
在順向偏壓電路模式時，能安
全的導通操作在 3 仟安培之連
續順向電流，並能承受一萬五
仟安培之脈衝電流。
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 閘 流 體 的 構 造
基本的 P-N-P-N 閘流體元件之結
構是在一片具高電阻質值的 N 型
矽晶片基材的兩面，使用深度擴
散法的製程分別製作一層 P 型的
材料 ( P 型的厚度視規格而定 )。

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 閘 流 體 的 構 造
再使用合金法或擴散法的製程
+
在其中一面，製作一層 N 型材
料當作閘流體元件之陰極。
接下來在閘流體元件之另一端，
+
使用合金法，製作一層鋁 ( P )
的材料當作閘流體元件之陽極。
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 閘 流 體 的 構 造
使用歐姆接觸法在第二層 P 型材
料的表面作連接，當作閘流體元
件之閘極。
因此基本的閘流體元件之結構是
+ +
呈現 P -P-N-P-N 構造。

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 閘 流 體 的 符 號

P+ 陽極
Anode + IA
P1
J1
N1 閘極
Gate
J2
P2 IG
J3 N2 – IK
n+ 陰極
Cathode
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 閘 流 體 的 參 數 特 性
電路偏壓模式：
接合面 ( J1 ) 和接合面 ( J3 )是順
向偏壓，接合面( J2 )是逆向偏壓
。 因此 P1-N1-P2 組合成為一只
PNP 電晶體， P1當射極，它的
電流增益是 αpnp。
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 閘 流 體 的 參 數 特 性
電路偏壓模式：(續)
相同情況，N2-P2-N1 組合成為
一只 NPN 電晶體， N2當射極，
它的電流增益是 αnpn。
陽極電流 IA = αpnp IA + αnpn IK + IL
陰極電流 IK = IA + 閘極電流 IG
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 閘流體的逆向斷路模式
逆向斷路模式：
(R) (F) (R)
P1 N1 P 2 N2
A K
W
_
J1 J2 J3 +
0 WN1
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 閘流體的逆向斷路特性
閘流體 J3 接合面的崩潰電壓約
15 伏特 至 25 伏特，當A 與 K
之間的逆向偏壓上升超過25 伏
特時， J3 接合面崩潰，使閘流
體的等效電路等同一只由 P1- N1
-P2 組合的 PNP 電晶體。
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閘流體的逆向斷路特性
(續) 等效 PNP 電晶體的基極 N1
是浮動的，射極是 P2 ，集極是
P1 。 N1 與 P2 是順向偏壓模式
N1 與 P1 是逆向偏壓模式， J1
接合面的崩潰電壓等於 9.17 ×
9 -0.4
10 S 伏特。 S = 斜坡常數。
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 閘流體的逆向斷路特性
(續) 等效 P2N1P1 電晶體崩潰，
貫穿 ( Punch through ) 空乏區
( Depletion layer ) 至 P2 。
VPT = 貫穿電壓
2
qNN1WN1
= K1
2 εε0
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 閘流體的逆向斷路特性
K1 = 貫穿電壓的修正因數。
q = 電子的電荷。
NN1 = N1( 基極 ) 的摻雜濃度。
WN1 = N1( 基極 ) 的寬度。
ε = 相對介質常數 ( 矽是12 )。
ε0 = 自由空間介質常數 ( 8.85 × 10 -4

F/cm )。 Page 20
 閘流體的順向斷路模式
順向斷路模式： G
IG
αPNP IA
A_
IA αNPN IK IK
K
IL
J1 J2 J3 +
P1 N1 P 2 N2
(F) (R) (F)
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 閘流體的順向斷路特性
順向斷路特性：

IG2 > IG1 > 0

IA = IK
IG2 IG1 IG = 0
0 VBF VAK
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 閘流體的順向斷路特性
順向斷路特性：
IA = αpnp IA + αnpn IK + IL
IK = IA + IG
IA = (αnpn IG + IL) / (1- αpnp - αnpn)
IA = IL / (1- αpnp - αnpn)

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 閘流體的順向斷路特性
順向斷路特性：
當小漏電流時， αpnp 加 αnpn 的總電
流增益小於一，因此閘流體元件成
斷路狀態，當 VAK 增加時漏電流增
加，符合 α 值增加，使 IA 趨向無限
大，因此閘流體元件在某一順向崩
潰電壓值 ( VBF ) 終止斷路狀態。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
閘流體導通特性區分為三步驟：

1. 導通延遲時間 ( Delay time )。

2. 導通上升時間 ( Rise time )。
3. 導通擴展時間 ( Spreading
time )。
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閘 流 體 導 通 的 特 性
閘流體導通特性區分為三步驟：
VAK IA

t
0 td tr ts
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。
初始時，N1 P2 N2 電晶體開始導通
電子從 N2 流入 N1，同時電洞從 P1
注入 N1，兩者相遇形成中和的電荷
( Charge neutrally )。經由 P1 N1 P2
電晶體導通的作用，大部份的電洞
會進入 P2 。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
電子與電洞越過空乏區 ( J2 )，因
為 αnpn 大於 αpnp，故電子流由 N2
往 P2 方向越過空乏區 ( J2 )。
另外因為 σP2 >> σN1，因此電子流
以擴展的方式流入 N1。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
當閘極電流 ( IG ) 注入 P2 時，造
成空間電荷層 ( Space charge
layer ) 膨脹與斷路接合面 ( J2 )
連結，使 P1 N1 P2 電晶體打穿
( Punch through )， 使導通延遲時
間 ( td ) 終止。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
這時候突增的順向電流 ( IA ) 產生
直到交流 α 的總合超過一，此時
空間電荷層開始崩潰，進入導通
上升時間的初始狀態 。

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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
位於導通延遲時間的末端與打穿
時間的前端的電流稱為關鍵電流
( Critical current )。
因為初始注入電子流，流入具高
阻抗的 N1層區域。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
在 N1層的區域中建立一個漂移
電場 ( A drift electric field )，幫
助從 P1 流入的電洞。空乏層
(J2) 擴展，擠壓 N1 層區域中的
電荷，使電荷朝向 J1 移動。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
結果空乏層邊緣的少數載子的濃
度呈現階梯狀增加 ( Increase in
the gradient ) 與注入的陽極電流
增加量相符合 ( IA 的增加量等於
N1 層區域中少數載子的增加量 )
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
最後，因為基極中的濃度狀態使
P1 N1 P2 電晶體的增益提高，
使順向電流開始進入導通上升時
間 ( Rise time phase ) 的初始點 。

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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
當 IG尚未輸入時，J2 接合面空間
電荷層的寬度，決定導通延遲時
間的長短。高額定工作電壓的閘
流體元件，因為基極的寬度比較
寬，故導通延遲時間比較長。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟一：導通延遲時間。( 續 )
增加 VAK 電壓數值，會減少導通
延遲時間。因為 N1 層區域中的
空間電荷層的寬度會擴展，佔據
大部份的 N1 層，使等效的基極
寬度變窄。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟二：導通上升時間 。
使用電荷控制理論描述導通上升
時間的作用。
QN1 = N1 層中的電荷。
QP2 = P2 層中的電荷。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟二：導通上升時間。( 續 )
dQN1
= αnpnIK
dt
dQP2
= αpnpIA + IG
dt
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟二：導通上升時間。( 續 )
QN1
= αpnpIA
tN1
QP2
= αnpnIK
tP2
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟二：導通上升時間。( 續 )
d² QN1 QN1 IG
- =
dt² tN1 tP2 tP2

tN1 = 經過 N1 層的傳遞時間。
tP2 = 經過 P2 層的傳遞時間。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟二：導通上升時間。( 續 )
它是呈現指數曲線的形式，隨時
間的增加而上升。
1/2
tr = ( tN1 tP2 )

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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟三：導通擴展時間。
初始時，只有小區域的陰極有電
流注入，靠近閘極接觸區 ( Gate
contact ) 的區域有導通電流流動
接下來閘極的外部控制終止。

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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟三：導通擴展時間。
高導通的區域提供需要的順向電
流，誘導打開其臨近的區域並擴
展導通電流至整個閘流體元件，
此時順向電流擴展導通至整個閘
流體元件的橫斷面。
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 閘 流 體 導 通 的 特 性
步驟三：導通擴展時間。
當交流 α 數值之總合接近 1，閘
流體元件開始進入小區域的導通
狀態。當直流 α 數值之總合到達
適當值，閘流體元件進入完全導
通的狀態。其所需時間稱為導通
擴展時間。
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 閘流體時變電流的特性
閘流體元件 di/dt 的限制：
假設陽極電流和陽極至陰極的電
壓都是隨時間變化的線性函數，
則擴展速率 ( A spreading velocity
，µs ) 在閘流體元件導通的過程中
亦可假設為常數。
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 閘流體時變電流的特性
閘流體元件 di/dt 的限制：( 續 )
應用簡單的同心圓的幾何結構，
設計閘流體元件，以 r0 當作閘
極的中心半徑。

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 閘流體之閘極的設計圖

閘極中
C
B 心半徑
閘流體 E D
元件的 F
A
閘極 0 δ
r0 r

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 閘流體時變電流的特性
閘流體元件 di/dt 的限制：( 續 )
1. 導通期間陽極電流公式
iA = dIA
t
dt
2. 導通期間陽極至陰極電壓公式
νAk = VAk ( 1- t )
tf Page 48
 閘流體時變電流的特性
閘流體元件 di/dt 的限制：( 續 )
3. iA = 時變的陽極電流。
νAk = 時變的陽極至陰極電
壓。
f
t = 導通下降時間。
Page 49
 閘流體時變電流的特性
閘流體元件 di/dt 的限制：( 續 )
4. r = r0 + µs t
r = 導通狀態的擴展半徑。
r0 = 閘極中心半徑。
µs = 擴展速率。

Page 50
 閘流體瞬間消耗功率
閘流體元件 di/dt 的限制：( 續 )
5. 瞬間消耗功率 ( iA νAk )
dIA ( 1- t ) t
= VAk dt tf

Page 51
閘流體時變電流的特性
導通狀態閘流體元件之晶粒的
導通面積
= π [ ( r0 + µs t )² - r0 ² ]

Page 52
閘流體時變電流的特性
閘流體元件的消耗功率密度：

VAK (dIA/dt) (1- t/t f ) t

P=
π [( r0 + µs t )² - r0 ²]

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 閘流體時變電流的特性
閘流體元件晶粒的內部熱點的
溫升：
∞

∫
1
∆T = Pdt
ρC 0

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 閘流體時變電流的特性
閘流體元件晶粒的內部熱點的
溫升： ( 續 )
ρ = 空間電荷密度
( Space charge density )
C = 矽的特定熱力
( Specific heat of silicon )
Page 55
 閘流體時變電流的特性
閘流體元件晶粒的內部熱點的
溫升：( 續 )
溫升與 VAK 及時變電流( iA ) 呈
正比之關係，因此 dIA/dt 與 VAK
兩項參數是重要的應用評估特性
項目。
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 閘流體擴展速率的特性
擴展速率( µs ) 愈快，閘流體元
件消耗功率的密度愈低，因此
晶粒內部熱點的溫升愈慢。
1/n
擴展速率隨電流密度 ( J ) 改變
( n = 2 ~ 6 )。

Page 57
 閘流體擴展速率的特性
若操作在相同的負載功率，晶粒
的半徑愈大，元件消耗功率的密
度愈低，因此晶粒內部熱點的溫
升愈慢。

Page 58
 閘流體擴展速率的特性
三種方法測試擴展速率：
1.探針測試法 ( Probing techniques )
當 µs ∝ J
1/n

電流密度等於 20 A / cm² 時，µs

等於 3000 cm / sec。

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 閘流體擴展速率的特性
三種方法測試擴展速率：
2.紅外線影像測試法 ( Infrared
imaging ) 當 µs ∝ τ ½

短期時間( Short lifetime ) 等於 1

µsec 時，µs 等於 3000 cm / sec。

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 閘流體擴展速率的特性
三種方法測試擴展速率：
3.微波反射測試法 ( Microwave
reflection ) 當 µs ∝ 1/W
N1

基極寬度( Base widths ) 等於

100 至 800 µm 時，µs 等於 8000
cm / sec 至 10000 cm / sec。
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 閘流體放大器的特性
閘流體放大器如下述圖片所示 ，
它係由一只主閘流體及另外一只
小型閘流體組合而成。
K′ K
G
N2′ N2
IG
P1
P1 IA
A
Page 62
 閘流體放大器的特性
閘流體放大器的結構如下述圖片
G K
K′ 厚度
160
N2 µm
N2′ P2 至
1100
N1 µm
P1
A Page 63
 閘流體放大器的特性
小型閘流體 ( P1N1P2N2′ ) 的陰
極比較靠近閘極因此先導通，其
陰極電流當作主閘流體的閘極電
流，驅使主閘流體 ( P1N1P2N2 )
隨後也跟著導通，IA 的作用等於
產生的放大電流。
Page 64
 閘流體放大器的特性
主閘流體不能比小型閘流體先導
通，因此晶片生長結晶的製程必
須使晶片中心區域的摻雜濃度高
於晶片的外圍區域，如此才能確
保主閘流體不會提前導通。

Page 65
 功率半導體元件製造技術
功率半導體元件以矽晶片為基材
其製造技術與積體電路元件部分
相似 ( 切割、研磨、磊晶生長、
氧化矽沉積、摻雜擴散、合金)
但是有部分製造技術與積體電路
元件不相同。
Page 66
 功率半導體元件製造技術
功率半導體元件製造技術與積體
電路元件製造技術不相同之處。
1. 功率半導體元件的體積很大，
通常一片矽晶片只能製作一只
元件，因此必須要求高標準的
品質均勻度之矽晶片。
Page 67
 功率半導體元件製造技術
2. 功率半導體元件封裝製程必須
非常小心，避免在晶粒上殘留
應力。晶粒表面應力在熱循環
( Thermal cycling ) 時會使晶粒
崩裂毀損。

Page 68
 功率半導體元件製造技術
3. 功率半導體元件操作在高電壓
環境，因此晶粒表面需要特殊
表面處理，塗佈玻璃 ( Glass )
或矽樹脂 ( Silicone )，使其具
良好之電氣絕緣特性。

Page 69
 功率半導體元件製造技術
4. 功率半導體元件要求較長的載
子壽命期 ( Carrier lifetime )，
約10 微秒至 30 微秒，使功率
半導體元件具最小順向導通電
壓降 ( VAK ) 之數值。
Page 70
 功率半導體元件製造技術
5. 功率半導體元件要求較長的高溫
擴散製程時間，以達到較深之擴
散深度，因此需要超高潔淨度
之無塵室。真空爐管殘餘氣體
吸收技術 ( Getter technique ) 是
非常重要的製程技術。
Page 71
 功率半導體元件製造技術
1980 年代，市售的功率半導體元
件其晶粒的直徑約 2 英吋至 4 英
吋 ( 52 mm 至 100 mm )。
目前積體電路元件製程，其晶片
的直徑已經發展到 8 英吋及12英
吋的製程。
Page 72
 功率半導體元件製造技術
直徑四英吋 ( 約100 mm ) 的功率
半導體元件，其額定湧浪電流
( Surge current ) 可達 24,000 安
培，逆向電壓可達 5,000 伏特至
10,000 伏特。

Page 73
 功率半導體元件散熱技術
功率半導體元件的工作溫度若過
高，將會造成晶粒熔毀，因此適
當的散熱是非常的重要。晶粒產
生的熱量可藉由水冷式熱交換
器將熱量經由冷卻水帶走，亦
或經由散熱器散熱至空氣中。
Page 74
 功率半導體元件散熱技術
散熱器( Thermal element ) 的
溫度差計算式：
∆T = PRθ
∆T = 溫度差
P = 元件的消耗功率 ( W )
Rθ = 元件的熱阻抗 ( ℃ / W )
Page 75
 功率半導體元件散熱技術
Rθ = 元件的熱阻抗 ( ℃ / W )
= ( 1 / K )( L / A )
K = 熱傳導 ( W / cm - ℃ )
( Thermal conductivity )
L = 熱流路徑 ( cm，Heat flow path )
A = 熱流截面積 ( cm² )
Page 76
 功率半導體元件散熱技術
∆TJA = PRθJA
RθJA = RθJD + RθDC + RθCS + RθSA
J = 晶粒的接合面 ( Junction )
D = 晶粒焊接粘著 ( Die bond )
C = 晶粒的封裝外殼 ( Case )
S = 元件的散熱器 ( Sink )
A = 元件的周圍環境 ( Ambient )
Page 77
 功率半導體元件暫態熱電抗
單一功率半導體元件的暫態熱電
阻抗 ( Transient thermal impedance )
響應之等效電路是由許多的熱電
阻抗 ( Thermal impedance ) 及熱電
容抗 ( Thermal capacitance ) 以階梯
網路圖的形式組合而成。
Page 78
 功率半導體元件暫態熱電抗
一只功率半導體元件的暫態熱電
阻抗( Rθt )之階梯網路圖如下：
總熱度
接 Rθ1 Rθ2 Rθ3 Rθn
合
面
Cθ1 Cθ2 Cθ3 Cθn

Page 79
 功率半導體元件暫態熱電抗
一只功率半導體元件熱量的時間
常數 ( Thermal time constant ) 等
於 Rθ Cθ ( sec )。
Rθ = 熱電阻抗 ( ℃ / W )。
Cθ = 熱電容抗 ( W - sec ) / ℃。

Page 80
 功率半導體元件暫態熱電抗
Cθ = 功率元件的熱電容抗
= CρV ( W - sec ) / ℃。
C = 功率元件的熱
( W - sec ) / ( g - ℃ )。
ρ = 熱密度 ( g / cm³ )。
V = 功率元件的體積 ( cm³ )。
Page 81
 功率半導體元件暫態熱電抗
任意已知時間 (t) 功率元件之
上升溫度如下式：
-t / RθCθ
∆T(t) = ∆TF ( 1 – e )。
∆TF = 穩態之上升溫度。

Page 82
 功率半導體元件暫態熱電抗
任意時間 (t0) 功率元件之上升
溫度如下式：
∆T0 = PRθt (t0)。
P = 功率。
Rθt (t0) = 暫態熱電阻抗。
Page 83
功率半導體元件暫態熱電抗
材料 熱電阻率 [(℃ - cm) / W]
矽 0.69
鉬 0.66
鎢 0.6
鋁 0.43
金 0.34
Page 84
功率半導體元件溫度響應曲線
功率元件上升溫度響應曲線：
上 ∆TF
升
∆T0
溫
度 時間，t
0 t0
Page 85
功率半導體元件熱循環壽命試驗
功率半導體元件必須能安全承受
封裝外殼溫度在 65 ℃時，作 500
次的熱循環壽命試驗 ( Thermal
cycling life test )，其晶粒與接腳
的導線必須能維持良好的接觸，
晶粒不變形、移位或破裂。
Page 86
E-mail：henzusu@ms57.hinet.net

Page 87