Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA

28
2. DI ODA GJ YSMPRUESE
2.1 DI ODA I DEALE
Dioda sht komponenti m i thjesht gjysmprues, por luan rol shum vital
n sistemet elektronike. Karakteristikat e diods mund t krahasohen me ato t nj
ndrprersi (ventili) t thjesht. Dioda si komponent gjysmpruese zbatohet n nj
brez shum t gjer, prej sistemeve m t thjeshta gjer te ato m komplekset. Para se t
shqyrtohen konstruksioni dhe karakteristikat e komponents aktuale, s pari do t
analizohet dioda ideale. Dioda ideale sht komponent me dy terminale karakteristikat
dhe simboli i s cils jan paraqitur n Fig. 2.1.a dhe b.

Fig. 2.1 Dioda ideale: (a) simboli; (b) karakteristikat tension-rrym
Pr qarqet q do t analizohen, gjat paraqitjes s karakteristikave tension-
rrym, ordinata do t jet boshti i rryms, ndrsa abshisa boshti i tensionit. Pra, dioda
do t proj nse tensioni n skajet e saja (anod A dhe katod K) sht pozitiv, U
AK
> 0,
dhe n kt rast rryma sht e pakufizuar. N t kundrtn, pra pr tensione negative,
U
AK
< 0, dioda nuk pron dhe rryma q kalon npr te sht zero.

2. Dioda gjysmpruese
29
Nj ndr parametrat m t rndsishm t diods sht rezistenca n pikn ose
regjionin e puns. Nse e trajtojm regjionin e definuar me drejtimin e rryms i
d
dhe me
polaritetin e tensionit v
d
n Fig. 2.1.b, caktohet vlera e rezistencs pr polarizim t
drejt, R
f
, e definuar sipas ligjit t Ohm-it si
0
, , 3 , 2
0
= = =
rryms e pozitive vler cilado ose mA I
V
R
f
f
f

ku V
f
sht tensioni n diod dhe I
f
rryma q kalon npr diod. Pra dioda ideale
paraqet lidhje t shkurt pr regjionin me polarizim t drejt (i
d
= 0, v
d
= 0).
Nse tani shqyrtojm regjionin me tension negativ t zbatuar (kuadranti i tret)
do t kemi
5, 20,
0
r
r
r
V V osecilidotensionrevers
R
I

= =
ku V
r
sht tensioni revers n diod dhe I
r
sht rryma reverse npr diod. Ksisoj pra,
dioda ideale paraqet qark t hapur n regjionin e mosprcjelljes (v
d
< 0, i
d
= 0).
N prgjithsi, sht relativisht thjesht t gjendet regjioni i puns s diods
(regjioni prues ose joprues) me shnimin e kahut t rryms n baz t tensionit t
zbatuar. Pr kahun e rrjedhjes konvencionale t rryms (kahja e kundrte lvizjes s
elektroneve), nse rryma e diods ka kah t njjt me at t shigjets n simbolin e
diods, dioda punon n regjionin prues. Kjo sht paraqitur n Fig. 2.2.

(a)

(b)
Fig. 2.2 Regjionet e puns s diods t determinuara nga polarizimi i tensionit t
zbatuar n skajet e saja: (a) regjioni prues dhe (b) regjioni joprues


Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
30

2.2 KONSTRUKCI ONI THEMELOR DHE KARAKTERI STI KAT E
DI ODS GJ YSMPRUESE
Dioda gjysmpruese formohet me bashkimin e thjesht t materialeve t tipit
n dhe p(t konstruktuara n baz t njjt t germaniumit ose silicit) si sht paraqitur
n Fig. 2.3.
2
i
po
a
n
n
N
=
2
i
no
d
n
p
N
=

Fig. 2.3 Kontakti pn: (a) gjeometria e thjeshtuar dhe (b) profili ideal me doping
uniform

Fig. 2.4 Kontakti (lidhja ) p-n pa polarizimt jashtm

2. Dioda gjysmpruese
31
N momentin kur dy materialet e tipave t ndryshm bashkohen formojn t
ashtuquajturin kontakt ose lidhje pn. Elektronet e materialit n dhe vrimat e materialit p
n regjionin e afrt me kontaktin, me difuzion pr shkak t gradientit t lart t
ngarkesave n t dyja ant, rekombinohen n mes veti dhe krijohet nj regjion me
munges t bartsve n afrsi t kontaktit (Fig. 2.4). N kt pjes jonet pozitive t
materialit n dhe jonet negative t materialit p mbesin n aspektin elektrik t
paneutralizuara dhe formojn nj barrier potenciale. Ky regjion quhet regjion i
varfruar pr shkak t mungess s bartsve t lir (Fig. 2.4(b)). Barriera potenciale
ose tensioni q paraqitet n kt hapsir shprehet me
2 2
ln ln
a d a d
bi T
i i
N N N N kT
V V
e n n
| | | |
= =
| |
\ . \ .
(2.1)
ku /
T
V kT e , k = 1.3806x10
-23
J/
o
K konstanta e Boltzmann-it, T - temperatura
absolute n
o
Kelvin (K = 273 +
o
C), e = 1.6022 x 10
-19
C ngarkesa e elektronit dhe N
a
,
N
d
jan koncentrimet e akceptorve dhe donorve n regjionet p dhe n. Parametri V
T

quhet tensioni termik, dhe n temperaturn e dhoms T = 300
o
K sht
-19
1.3806x10-23 x300
25.8
1.6022x10
T
kT
V
e
= = ~ mV (2.2)
Nse n qarkun e diods nuk ka polarizim t jashtm, bartsit minor t
materialit n do t kalojn n materialin p pr shkak t trheqjes nga jonet negative t
ktij materiali t cilat kan mbetur t pakompenzuara. N t njjtn mnyr edhe
bartsit minor nga materiali i tipit p (elektronet) t trhequra nga jonet pozitive t
materialit n do t kalojn n kt material.
Bartsit kryesor n materialin e tipit n (elektronet) duhet ta kaprcejn forcn
trheqse t shtress s joneve pozitive n materialin e tipit n dhe pengesn e joneve
negative n materialin p n mnyr q t migrojn n regjionin neutral t materialit t
tipit p. Edhe pse numri i bartsve kryesor sht mjaft i madh n materialin e tipit n, nj
numr shum i vogl i bartsve kryesor ka energji t mjaftuar q t kaloj prmes
regjionit t varfruar n materialin e tipit p. N t njjtn mnyr bhet edhe lvizja e
bartsve kryesor nga materiali i tipit p (vrimave) n materialin e tipit n.
Nse n kontaktin pn nuk sht zbatuar asnj tension i jashtm, difuzioni i
elektroneve dhe vrimave pas nj kohe duhet t ndrpritet. Kahu i fushs elektrike t
induktuar do t shkaktoj nj forc q do ti kundrvihet difuzionit t vrimave nga
regjioni p dhe difuzionit t elektroneve nga regjioni n. Baraspesha termike arrihet kur
forca e shkaktuar nga fusha elektrike dhe forcae shkaktuar nga gradienti i dendsis
plotsisht balancohen.



Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
32

2.3 KONTAKTI pn ME POLARI ZI M T KUNDRT (REVERS)
Nse n kontaktin pn zbatohet nj potencial i jashtm prej V voltsh ashtu q
terminali pozitiv (anoda) t jet i lidhur n materialin e tipit n dhe terminali negativ
(katoda) n materialin e tipit p, si sht paraqitur n Fig. 2.5, numri i joneve pozitive t
pambuluara n regjionin e varfruar t materialit t tipit n do t rritet pr shkak se nj
numr i madh i elektroneve t lira do t trhiqet nga potenciali pozitiv i tensionit t
zbatuar.

Fig. 2.5 Kontakti pn me polarizimt kundrt (revers)
Pr arsye t njjt do t rritet edhe numri i joneve t pambuluara negative n
materialin e tipit p. Efekti i trsishm sht zgjerimi i regjionit t varfruar. Ky
zgjerim i regjionit t varfruar do t bj barrier edhe m t madhe pr bartsit kryesor
dhe efektivisht do ta reduktoj rrjedhn e bartsve kryesor n zero (Fig. 2.5).
Ndrkaq, lvizja e bartsve minor do t vazhdoj, sepse vrimat e lira n
materialin e tipit n, t shtyra nga potenciali pozitiv i tensionit t zbatuar, do ta
kaprcejn barriern n regjionin e varfruar dhe do t kalojn n materialin e tipit p
dhe n kt mnyr formohet njra pjes e rryms. N t njjtn mnyr edhe
elektronet e lira, si barts minor n materialin e tipit p e kaprcejn regjionin e
varfruar dhe shkojn n materialin e tipit n, duke formuar pjesn tjetr t rryms.
Rryma e ktill, e paraqitur n kushte t polarizimit t kundrt (revers) quhet rryma
reverse e ngopjes dhe shnohet me I
S
(indeksi s vjen nga anglishtja saturation).
Madhsia e ksaj rryme sht zakonisht disa mikroampera, prve pr komponentt e
fuqive t mdha ku arrin edhe n disa miliampera. Situata e pasqyruar n Fig. 2.5 pra i
prgjigjet kushteve t puns s diods pr polarizim t kundrt ose revers.
Kur fusha elektrike e jashtme rritet, rritet edhe numri i ngarkesave pozitive dhe
negative n regjionin e varfruar, pra rritet gjersia e hapsirs rreth kontaktit pn. Pr
shkak t pranis s ngarkesave t palvizshme pozitive dhe negative n kt hapsir,
kontakti pn me polarizim revers shoqrohet me nj kapacitet. Ky kapacitet i kontaktit,
ose kapaciteti i shtress s varfruar, mund t shkruhet n formn

2. Dioda gjysmpruese
33
1/ 2
0
1
R
j j
bi
V
C C
V

| |
= +
|
\ .
(2.3)
Ku C
j0
sht kapaciteti i kontaktit pr tension t zbatuar zero.
Veoria e kontaktit pn q t shoqrohet me nj kapacitet i cili mund t
ndryshohet me nj tension t jashtm (V
R
) sht shum e dobishme pr ndrtimin e
qarqeve rezonante pr akordim. Diodat e fabrikuara posarisht pr kt qllim quhen
varaktor dioda dhe prdoren te oscilatort pr t cilt do t flitet m von.

2.4 KONTAKTI pn ME POLARI ZI M T DREJ T
Kushtet e polarizimit t drejt t diods vendosen me zbatimin e potencialit
pozitiv n materialin e tipit p dhe potencialit negativ n materialin e tipit n, si sht
paraqitur n Fig. 2.6. Fusha e zbatuar elektrike, e induktuar nga tensioni i jashtm V
D
,
sht n kah t kundrt me fushn elektrike t barriers potenciale, prandaj bartsit
kryesor elektronet nga regjioni n kalojn n regjionin p, dhe vrimat nga regjioni p n
regjionin n. Ky proces vazhdon derisa t jet i zbatuar tensioni V
D
, duke krijuar n kt
mnyr nj rrym n kontaktin pn. Duhet t theksohet se madhsia e rrjedhs s
bartsve minor n kt rast nuk ndryshon, por zvoglimi i gjersis s regjionit t
varfruar ka si rezultat nj rrjedh m t madhe t bartsve kryesor npr kontakt.
Madhsia e rrjedhs s bartsve kryesor do t rritet eksponencialisht me rritjen e
polarizimit t drejt, si sht paraqitur n Fig. 2.7.


Fig. 2.6 Kontakti pn me polarizimt drejt

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
34
Duke krahasuar karakteristikat statike t diods, t paraqitura n Fig. 2.7, me ato
t diods ideale, shihet se kjo diod ka karakteristika shum t ngjashme me ato t
diods ideale, posarisht kur t merret parasysh shkalla josimetrike e rryms s diods
i
d
pr polarizim t drejt dhe rryms reverse t ngopjes.
-
-
-
-
40
30
20
10
i
d
0
-
-
-
0 5 1 1.5
-10 -20 -30
V
Z
Regjioni
me
polarizim
revers
Regjioni
me
polarizim
t drejt
V
d
(V)
(mA)

Fig. 2.6 Karakteristikat statike t diods gjysmpruese
Mund t tregohet se rryma e diods e shprehur matematikisht n varshmri t
temperaturs (T
K
) dhe t polarizimit t zbatuar (V
D
) sht e barabart me
1
D
T
V
V
D S
I I e
q
| |
|
|
\ .
= (2.4)
ku I
D
- rryma npr diod A, V
D
- tensioni i diods, me potencial pozitiv t anods n
krahasim me katodn V, I
S
- rryma reverse e ngopjes, zakonisht n brezin prej 10
-6
deri
n 10
-5
A, q konstant empirike e njohur si koeficienti i emisionit ose faktori i
idealitetit, vlerat e t cilit ndryshojn nga 1 pr materialin e germaniumit dhe q = 2 pr
silic, dhe V
T
tensioni termik i dhn me shprehjen (2.2).
Duhet t theksohet se faktori eksponencial do t shkaktoj rritje t rrpijshme t
rryms I me rritjen e niveleve t tensionit V. Karakteristikat e diodave komerciale
ndryshojn pak nga ato ideale (shih Fig. 2.7), pr shkak t rezistencs s trupit t
materialit gjysmprues dhe rezistencs s kontaktit n mes t materialit
gjysmprues dhe pruesit t jashtm metalik. Kto rezistenca do t shkaktojn
zhvendosje t lakores n regjionin me polarizim t drejt, si sht paraqitur me vija t
ndrprera n kt figur.

2. Dioda gjysmpruese
35
Pr t treguar se ekuacioni (2.1) me t vrtet paraqet lakoret e Fig. 2.7, t
caktojm rrymn I pr tension t polarizimit t drejt prej 0.5 V n temperatur t
dhoms (T = 25
0
C).
A e I I
T
V k
k
K T T
A A I
S
K
Si
C K
S
3 6 732 . 9
) (
0 0
6
10 8448 . 16 ) 1 16848 )( 10 1 ( ) 1 (
732 . 9
298
) 5 . 0 )( 5800 (
5800
2
600 . 11
298 273 25 273
10 1 1

= = =
= =

= =
= + = + =
= =

pra rryma e diods sht I ~ 16.8 mA, si mund t shihet edhe n Fig. 2.7.
Temperatura ka ndikim t theksuar n rrymn e diods (sepse ndryshon
koncentrimin e bartsve intrinsik t rryms) dhe kjo dukuri sht prshkruar n mnyr
shum t qart me faktorin T
K
n ekuacionin (2.4).

2.5 REGJ I ONI I ZENER-it
Ndryshimi i mpreht n karakteristikat n Fig. 2.7 n potencialin e shnuar me
V
z
t polarizimit revers (indeksi z i prgjigjet emrit Zener) i prgjigjet efektit t
induktuar me tensionin e lart revers t zbatuar n diod. Kur tensioni i zbatuar bhet
shum negativ, mund t arrihet nj pik ku nj numr i bartsve minor zhvillon
shpejtsi t mjaftueshme pr t liruar barts tjer prmes t jonizimit. N t vrtet ata
ndeshen me elektrone valente dhe energjin e vet ia prcjellin ktyre elektroneve ashtu
q iu mundsojn q ta lshojn atomin am. Kta barts shtes pastaj n mnyr t
njjt i shkpusin elektronet tjera valente (mungesa e t cilave pastaj n atomet am
manifestohet si jon pozitiv) n form t ortekut, deri sa t vendoset nj rrym e cila e
determinon regjionin e thyerjes.
Regjioni i ortekut (V
z
) mund t ndodh m afr boshtit vertikal nse rritet niveli
i dopingut n materialet e tipit p dhe n.
Ndrkaq, me zvoglimin e tensionit V
z
n nivele shum t ulta, p.sh. n 5 V,
nj mekanizm tjetr i quajtur thyerja e Zener-it, do ti kontribuoj mprehtsis s
karakteristiks. Kjo dukuri paraqitet sepse n regjionin e kontaktit paraqitet nj fush e
fort elektrike e cila mund ti shkpus forcat lidhse (kovalente) brenda atomit dhe t
gjeneroj barts. Edhe pse mekanizmi i thyerjes s Zener-it sht i rndsishm vetm
n nivelet e ulta t V
z
, ky ndryshim i theksuar n karakteristikn reverse t diods n
cilindo nivel quhet regjioni i Zener-it dhe diodat t cilat gjat puns e shfrytzojn kt
pjes t vetme t karakteristikave t kontaktit p-n, quhen dioda t Zener-it. Ato m
von do t prshkruhen m hollsisht.

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
36
N prgjithsi, te diodat e zakonshme, regjioni i Zener-it i prshkruar m lart,
gjat puns duhet t shmanget nse nuk dshirohet q puna e sistemit t ndryshoj
trsisht n mnyr t padshiruar me ndryshimin e mpreht t karakteristikave n
regjionin e polarizimit revers. Tensioni maksimal i cili mund t zbatohet para se t
arrihet ky regjion quhet tensioni maksimal revers i lejuar. Nse n ndonj zbatim
krkohet q ky tension t jet m i madh se tensioni maksimal revers i deklaruar pr
diodn individuale, ather rekomandohet q disa dioda identike t lidhen n seri.
Diodat gjithashtu mund t lidhen paralel pr ta rritur prueshmrin e rryms m t
madhe t krkuar.
Diodat e silicit n prgjithsi kan tensione tension revers m t lart, rrym m
t madhe lshuese dhe brez m t gjer temperaturor se diodat e germaniumit.
N regjionin me polarizim t drejt, rritja e rryms fillon n nj potencial t
caktuar te dioda reale (Fig. 2.7) dhe ky potencial quhet pragu i diods ose potenciali i
kyjes. Pr dioda t silicit ky potencial sht V
p
= 0.7 V ndrsa pr ato t germaniumit
sht V
p
= 0.3 V.

2.6 REZI STENCA STATI KE
Rezistenca e diods n nj pik t caktuar t puns quhet rezistenca statike e
diods dhe sht e caktuar me
| | O =
D
D
S
I
V
R (2.5)
-
-
-
30
20
10
i (mA)
d
0
-
0.5 1 1.5
v (V)
d
-10
2 A
2 -
Dioda reale
e silicit Dioda ideale

Fig. 2.8 Karakteristika e diods s silicit
Pr diodn ideale n Fig. 2.8 rezistenca statike, pr rrymn i
d
= 20 mA, sht

2. Dioda gjysmpruese
37
| | O = = = 0
20
0
D
D
S
I
V
R
ashtu si sht pritur, ndrsa rezistenca e diods s silicit sht
| | O =

= =

40
10 20
8 . 0
3
D
D
S
I
V
R
N pikn i
d
= 2 mA, rezistenca e diods ideale mbetet zero, ndrsa e diods s
silicit tani sht
| | O =

= =

250
10 2
5 . 0
3
D
D
S
I
V
R
Rezultati tregon se rezistenca statike e diods n regjionin e polarizimit t drejt
zvoglohet me kalimin n brezin e rrymave dhe tensioneve m t larta.
N regjionin me polarizim revers n tensionin v
d
= -10 V, rezistenca e diods
ideale sht e pakufishme (qark i hapur ekuivalent), ashtu si sht prcaktuar me
shprehjen

= =
0
10
D
D
S
I
V
R
derisa rezistenca e diods s silicit sht
| | O =


= =

M
I
V
R
D
D
S
5
10 2
10
6

Kjo vler e rezistencs statike n shum zbatime gjithashtu mund t konsiderohet si
qark i hapur ekuivalent (rezistenc shum e madhe).
Pasi q t jet caktuar rezistenca statike e diods n nj pik t caktuar t puns,
dioda mund t zvendsohet me element rezistiv si n Fig. 2.9, dhe analiza e qarkut
pastaj mund t bhet si do analiz e qarkut pa diod.


Fig. 2.9 Zvendsimi i diods me rezistencn e saj statike

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
38

2.7 REZI STENCA DI NAMI KE
Nga Fig. 2.8 sht e qart se rezistenca statike e diods nuk varet nga forma e
lakores s karatekteristiks n regjionin prqark piks aktuale t puns. Por nse n
hyrje zbatohet tensioni alternativ n vend t tensionit njkahor, situata plotsisht
ndryshon. Hyrja e ndryshueshme do ta lviz pikn momentale t puns posht-lart n
karakteristik dhe do ta prcaktoj nj ndryshim specifik n rrym dhe tension, si sht
paraqitur n Fig. 2.10.

Fig. 2.10 Ndryshimi i tensionit dhe rryms s diods me ndryshimin e sinjalit n
hyrje
Nse nuk ka sinjal t ndryshueshm, pika e puns sht pika Q n Fig. 2.9, e
cila sht e caktuar me nivelin e rryms dhe tensionit t zbatuar njkahor (V
D
, I
D
).
Vija e drejt e trhequr si tangjent e lakores s karakteristiks n pikn Q,, do
t definoj ndryshimet q i psojn rryma dhe tensioni, e t cilat do t shrbejn pr
caktimin e rezistencs dinamike pr kt regjion t karakteristikeve t diods.

D
D
D
V
r
I
A
=
A
(2.6)
Pra, sa m e pjerrt q sht karakteristika, do t kemi vler m t vogl t AV
D

pr ndryshim t njjt t AI
D
dhe njkohsisht rezistenc m t vogl dinamike. Kshtu
q n pjesn vertikale t karakteristiks rezistenca sht shum e vogl, ndrsa n
nivelet m t ulta t rryms, rezistenca dinamike sht shum m e madhe.

2. Dioda gjysmpruese
39
Shembulli 2.1
Pr karakteristikat e dhna n Fig. 2.11 t caktohet: (a) rezistenca dinamike pr regjionin (1); (b)
rezistenca dinamike pr regjionin (2) dhe (c) t krahasohen rezultatet e fituara nn (a) dhe (b).

Fig. 2.11 Karakteristikat e diods
Zgjidhje
(a) Pr regjionin (1), ndryshimi i tensionit dhe i rryms n tangjenten e trhequr sht
O =

=
A
A
=
= ~ A
= ~ A

30
10 5
15 . 0
5 1 6
15 . 0 57 . 0 7 . 0
3
1
D
D
d
D
D
I
V
r
mA I
V V

(b) Pr regjionin (2) do t kemi
O =

=
A
A
=
= ~ A
= ~ A

2
10 10
02 . 0
10 20 30
02 . 0 78 . 0 8 . 0
3
2
D
D
d
D
D
I
V
r
mA I
V V

(c) Raporti i rezultateve t fituara nn (a) dhe (b) sht
15
2
30
2
1
= =
d
d
r
r

Dihet se derivati i nj funksioni n nj pik t caktuar paraqet pjerrtsin e
tangjentes s trhequr n at pik. Ekuacioni (2.3), i definuar sipas Fig. 2.9, sht pra
n esenc gjetja e derivatit t par t funksionit n pikn Q (pikn e puns s diods).
Nse e gjejm derivatin e funksionit t prgjithshm (2.1), pr diodn gjysmpruese

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
40
me polarizim t drejt t zbatuar n te, dhe pastaj e invertojm rezultatin, do ta fitojm
ekuacionin e rezistencs dinamike pr at regjion.
) (
1 ) (
1
S
K
T
kV
S
T
kV
S
I I
T
k
dV
dI
e I
dV
d
I
dV
d
e I I
K
K
+ =
(

|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|
=

N rastin e prgjithshm vlen I >> I
S
, prandaj
I
T
k
dV
dI
K
=
Nse zvendsohet q = 1, fitohet
600 . 11
1
600 . 11 600 . 11
= = =

k
N temperaturn e dhoms
o o o o
C K
T T 298 273 25 273 = + = + =
ashtu q
93 . 38 ~
K
T
k
dhe I
dV
dI
93 . 38 =
Nse krkojm vlern reciproke t ksaj shprehjeje si rezistenc (R = V/I) do t
kemi
mA I
mV
dI
dV
r
I dI
dV
D
d
26
026 . 0
= =
=
(2.4)
Kjo shprehje vlen pr t dy llojet e diodave (t germaniumit dhe t silicit).
Rndsia e ekuacionit (2.4) duhet t kuptohet qart. Kjo tregon se rezistenca dinamike
mund t caktohet leht me zvendsimin e thjesht t vlers s rryms s diods n
pikn e puns n kt ekuacion, ashtu q nuk paraqitet nevoja pr karakteristika dhe
matje t sakt t prerjeve t tangjentes. At q duhet mbajt n mend sht tensioni V
T
=
26 mV, i cili n t vrtet paraqet tensionin termik t dhn me ekuacionin e Einstein-it

2. Dioda gjysmpruese
41
T
kT
V
e
=
i cili, si tham m lart, pr temperatur normale (t dhoms) merret rreth 25 mV.
Pr shembullin 1.1 rezistenca dinamike n pikn Q, me rrym I
D
= 25 mA, sht
llogaritur 2 O. Nse e llogarisim kt rezistenc me ekuacionin (2.4) do t fitojm
1
10 25
10 25 10 25
3
3 3
=

=


mA I
V
r
D
d

Ndryshimi i rezistencs s llogaritur mund t shpjegohet me ndikimin e
rezistencs s trupit t gjysmpruesit dhe rezistencs s kontakteve, si sht theksuar
m par. Qarku ekuivalent i diods pr sinjale alternative sht paraqitur n Fig. 2.11.

Fig. 2.12 Modeli ekuivalent dinamik i diods

Shembulli 2.2
Dioda n qarkun e dhn ne Fig. 2.13 sht e silicit. (a) T vizatohet modeli ekuivalent pr
diodn; dhe (b) t llogaritet rryma dhe tensioni n rezistencn R.

Fig. 2.13

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
42

Zgjidhje
(a) Pasi q kemi t bjm me tension njkahor n hyrje t qarkut, modeli ekuivalent prbhet nga
tensioni i pragut V
p
= 0.7 V, pr diodn e silicit, dhe nga rezistenca statike R
S
= 20 O, kshtu q
qarku ekuivalent do t duket si n Fig. 2.13a.

Fig. 2.14
Vlerat e rezistencave jan t tilla q R >> R
S
, ashtu q dioda mund t zvendsohet vetm me
tensionin e pragut V
p
(i cili n kt rast duhet t merret parasysh sepse paraqet 14% t vlers s
tensionit hyrs V = 5 V), prandaj qarku ekuivalent thjeshtohet me modelin n Fig. 2.14.b, ku
edhe dioda ideale sht marr si lidhje e shkurt, pasi q ka polarizim t drejt.
(b) Tensioni n rezistencn R sht
V
R
= V V
p
= 5 0.7 = 4.3 V
Rryma do t jet
15 . 2
10 2
3 . 4
3
=

= = =
R
V
I I
R
R D
mA




2. Dioda gjysmpruese
43

2.8 ZBATI MI I DI ODAVE
Pr zbatimet e diodave n disa qarqe tipike elektronike, duhet t mbahen n
mend modelet e prafrta t punuara m lart, t cilat jan paraqitur n form t
prmbledhur n Fig. 2.15 dhe Fig. 2.16.


Fig .2.15 Karakteristikat e diods ideale dhe karakteristikat e prafrta t diods s silicit
dhe germaniumit


Fig. 2.16 Gjendjet e diods ideale dhe asaj reale n varshmri nga polariteti i
tensionit t zbatuar

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
44
Nse n diod zbatohet tensioni me polaritet negativ t fardo madhsie, t
gjitha diodat do t sillen si qark i hapur, pra punojn n kushte t mosprcjelljes ose
themi jan t shkyura. Pr modele t prafrta (jo edhe pr ideale), tensionet me
polaritet pozitiv por m t vogl se 0.7 V pr dioda t silicit dhe 0.3 V pr dioda t
germaniumit, kto dioda gjithashtu do t sillen si qark i hapur.
Pr diodn ideale, do tension pozitiv i zbatuar rezulton n gjendje t
prueshmris (pra dioda paraqet lidhje t shkurt), ndrsa pr modele aproksimative,
ky tension duhet t jet m i madh se 0.7 V pr dioda t silicit dhe 0.3 V pr dioda t
germaniumit.
T analizojm nivelet e tensioneve dhe rrymave pr konfiguracionin n Fig.
2.17. Pyetja e par me rndsi sht gjendja e diods si do t sillet ajo: si lidhje e
shkurt apo si qark i hapur pr tensionet e zbatuara n at konfiguracion?
Pr shumicn e situatave, polariteti i diods caktohet thjesht me zhvendosjen e
prkohshme t diods nga diagrami i qarkut, dhe kahja konvencionale e rryms do ta
prcaktoj gjendjen e diods. Nse kahja e rryms (si n Fig. 2.18) prputhet me
shigjetn n simbolin e diods, dioda ka polarizim t drejt dhe sht e kyur.


Fig. 2.17 Konfiguracioni serik i diods




Fig. 2.18 Caktimi i polaritetit t diods


2. Dioda gjysmpruese
45
Nse prvetsojm se E >V
p
, dioda sht e kyur dhe nga qarku ekuivalent n
Fig. 2.18 pr tensionin n diod dhe rezistenc do t kemi
V
D
= V
p
(2.5)
V
R
= E - V
p
(2.6)
Ndrsa rryma n qark (dhe npr diod) do t jet
I
D
= I
R
= V
R
/R (2.7)

Shembulli 2.3
Pr qarkun n Fig. 2.19 t caktohen tensionet V
D
, V
R
dhe rryma I
D
.

Fig. 2.19
Zgjidhje
Pasi q tensioni i zbatuar shkakton rrym, kahja e s cils prputhet me kahjen e shigjets s
simbolit t diods, dioda pron (sht e kyur), prandaj pr tensionet e krkuara do t kemi
V
D
= 0.7 V
V
R
= E - V
p
= 8 0.7 = 7.3 V


Ndrsa rryma n qark (dhe npr diod) do t jet
I
D
= I
R
= V
R
/R = 7.3/2.2 x 10
3
= 3.32 mA

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
46
Shembulli 2.4
T prsritet shembulli 2.3 pr diodn e invertuar.
Zgjidhje
Skema ekuivalente sht paraqitur n Fig. 2.20

Fig. 2.20
Pasi q tensioni i zbatuar shkakton rrym, kahja e s cils nuk prputhet me kahun e shigjets s
simbolit t diods, dioda nuk pron (sht e shkyur), prandaj rryma n qark do t jet
I
D
= I
R
= 0
Ndrsa tensionet e krkuara do t jen
V
D
=E - V
R

V
R
= I
R
R = 0

V
D
=E - V
R
= E = 8 V
Shembulli 2.5
T caktohet tensiono dals V
o
dhe rryma I
D
pr qarkun n Fig. 2.21a.

Fig. 2.21

2. Dioda gjysmpruese
47
Zgjidhje
N baz t tensionit t zbatuar E (E = 12 > 0.7 + 0.3) shihet se rryma ka kah t njjt me
shigjetat e simboleve t t dy diodave, prandaj qarku ekuivalent do t duket si n Fig. 2.21b.
Tensioni V
o
n dalje sht
V
o
= E - V
p1
V
p2
= 12 0.7 0.3 = 11 V

Ndrsa rryma n qark (dhe npr diod) do t jet
I
D
= I
R
= V
R
/R = 11/5.6 x 10
3
= 1.96 mA
Shembulli 2.6
Pr qarkun n Fig. 2.22 t caktohet rryma e diods, tensioni n skajet e diods s germaniumit
dhe tensioni dals.

Fig. 2.22
Zgjidhje
Zhvendosja e diodave nga diagrami i qarkut dhe caktimi i rryms rezultuese sht paraqitur n
Fig. 2.23.

Fig. 2.23
Kahu i rryms prputhet me shigjetn e diods s silicit por jo edhe me at t germaniumit,
prandaj njra diod do t proj (ajo e silicit) ndrsa tjetra jo (ajo e germaniumit). Prandaj kemi
lidhje t shkurt n diodn e silicit dhe qark t hapur n diodn e germaniumit. Rryma n qark
do t jet I
D
= 0, si sht paraqitur n Fig. 2.24.

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
48

Fig. 2.24
Pra rryma dhe tensionet e krkuara do t jen
I
D
= I
R
= 0
V
o
= I
R
= 0 V
V
D2
= E V
D1
V
R
= E = 12V
V
D1
= 0
Sepse dioda e silicit prcjell rrym prandaj rnia e tensionit n te sht zero.
Shembulli 2.7
Pr qarkun e paraqitur n Fig. 2.25 t caktohet rryma n qark dhe rniet e tensioneve n
rezistencat R
1
dhe R
2
, dhe tensioni n dalje.


Fig. 2.25

2. Dioda gjysmpruese
49
Zgjidhje
N baz t polariteteve t burimeve E
1
dhe E
2
, rryma ka kahun si n Fig. 2.26, ndrsa modeli
ekuivalent i qarkut pr diodn kyur sht paraqitur n Fig. 2.27.

Fig. 2.26


Fig. 2.27
Nse n konturn hyrse t qarkut n Fig. 2.27 zbatojm ligjin e dyt t Kirchoff-it pr tensione,
n kahun e rrotullimit t akrepave t ors do t kemi
E
1
R
1
I - V
D
- R
2
I + E
2
= 0
Prej nga mund t llogaritet rryma n qark si
1 . 2
10 ) 2 . 2 6 . 4 (
7 . 0 5 10
3
2 1
2 1
=
+
+
=
+
+
=
R R
V E E
I
D
mA
Rniet e krkuara t tensioneve n rezistencat R
1
dhe R
2
do t jen
V
1
= I R
1
= 9.66 V
gjegjsisht
V
2
= I R
2
= 4.62 V
Tensioni n dalje caktohet me zbatimin e ktij ligji n konturn dalse t qarkut, pra do t kemi

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
50
-E
2
+ V
2
V
o
= 0
prej nga tensioni dals sht
V
o
= V
2
E
2
= - 0.38 V
Shenja minus tregon se tensioni n dalje ka polaritet kundrt me at t paraqitur n Fig. 2.27.
Shembulli 2.8
Pr qarkun e paraqitur n Fig. 2.28 t caktohet tensioni dals, rryma I dhe rryma npr diodn e
dyt I
D2
.

Fig. 2.28
Zgjidhje
Pr tensionin e zbatuar E, burimi bn presion pr vendosjen e rryms n seciln diod me kah
t njjt, si sht paraqitur n Fig. 2.29.

Fig. 2.29
Pasi q kahet e rrymave prputhen me shigjetat e simboleve n t dy diodat, dhe E > 0.7 V, t
dy diodat jan t kyura. Pasi q tensioni n skaje t elementeve paralele sht gjithmon i
barabart, do t kemi
V
o
= V
D1
= V
D2
= 0.7 V
Rrymat gjegjse do t jen

2. Dioda gjysmpruese
51
18 . 28
10 33 . 0
7 . 0 10
3
=

=
R
V E
I
o
mA
dhe
09 . 14
2
18 . 28
2
2 1
= = = =
I
I I
D D
mA
Shembulli 2.9
N Fig. 2.30 sht paraqitur qarku logjik OSE (angl. OR). T caktohet tensioni n dalje t
qarkut dhe rryma I.

Fig. 2.30
Zgjidhje
N hyrjet e qarkut (1 dhe 2) sht zbatuar vetm nj potencial E = 10 V, ndrsa terminali 2 me 0
V sht n potencialin e toks, si sht paraqitur n Fig. 2.31. Dioda D
1
sht e kyur pasi q
n te sht zbatuar tensioni prej 10 V, ndrsa dioda D
2
me 0 V t zbatuar sigurisht nuk pron.
Duke i prvetsuar kto gjendje, qarku do t duket si n Fig. 2.32.
R
+
-
V
o
D
1
D
2
E = 10 V
1
+
-

Fig. 2.31

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
52
Hapi i ardhshm sht verifikimi i gjendjeve t prvetsuara t diodave. S pari duhet t
caktohet tensioni dals V
o
, pasi q n te jan t lidhura katodat e diodave. Me zbatimin e ligjit t
Kirchoff-it pr konturn e paraqitur n Fig. 2.32, do t fitojm
V
o
= E
1
- V
D1
= 10 - 0.7 = 9.3 V

Fig. 2.32
Me katodn n potencialin + 9.3 V, dioda D
2
sigurisht nuk pron. Kahja e rryms konfirmon
supozimin ton se dioda D
1
pron. Tensioni n dalje sht pra
V
o
= 9.3 V
Ndrsa rryma
3 . 9
10 1
7 . 0 10
3
1
=

=
R
V E
I
D
mA
Shembulli 2.10
N Fig. 2.33 sht paraqitur qarku logjik EDHE (angl.AND). T caktohet niveli i tensionit
n dalje V
o
dhe rryma I.

Fig. 2.33

2. Dioda gjysmpruese
53
Zgjidhje
Me potencialin pozitiv prej 10 V n ann e katods (E
1
) dioda D
1
nuk ka gjasa t proj. Dioda
D
2
mund t proj, pasi q n katodn e saj mbretron potenciali i ult (E
2
= 0 V). Prandaj qarku
ekuivalent duket si n Fig. 2.34.

Fig. 2.34
Tensioni n dalje, i cili sht njkohsisht edhe tensioni q mbretron n skajet e diods D
2
, do
t jet
V
o
= V
D2
= 0.7V
Ndrsa rryma I do t jet
3 . 9
10 1
7 . 0 10
3
2
=

=
R
V E
I
D
mA

Shembulli 2.11
N Fig. 2.35 gjeni rrymn I
0
n degn me rezistor 2.

Fig. 2.35



Zgjidhje

Qarku i msiprm mund t ekuivalentohet si m posht :

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
54


Fig. 2.35
Ku jan:
V E R V E R 4
6
2 12
2
3
4
6
4 2
2
, 3
12
6 6
1
, 3
12
6 6
1
=

= O =

= =

= O =

=

Pasi polet pozitive te baterive jan i lidhur n katod ather Dioda - nuk pron, prandaj shihet
q dioda nuk ka kurrfar ndikimi n qark.
Rryma n qark sht :
2 1
2 1
R R
E E
I
+

= , ndrsa tensioni
2 1
2 1
2 2
R R
E E
R E
AB
U
+

+ =
Rryma I
0
npr degn me rezistor 2 sht
2
0
AB
U
I =


2 1 2
2
1 2
0
( )
1.33 ( 1)
4
3.6941
4.33
1.85
2 2 2
R E E
E
R R
I A

+
+
+
= = = =
Shembulli 2.12
Percaktoni pozitn e piks s puns s diods n qarkun e Fig. 2.36.a nse sht e njohur
karakteristika statike e diods Fig. 2.36.b. Jan t njohura:R
1
= 200 O , R
2
= 600O, E = 2V.





Zgjidhje

Pika e puns e nj diode sht tensioni n skaje t diods si dhe vlera e rryms npr t. Kur
dihet karakteristika statike e diods (karakteristika e prodhuesit), tensioni dhe rryma n diod t
qarkut t dhn mund t gjendet me analiz grafike.
Fig.2.36.a
Fig.2.36.b

2. Dioda gjysmpruese
55

Skema ekuivalente do t jet si n Fig. 2.37


Fig. 2.37

1 2
1 2
1 2
1 . 5
1 1
T
E
R E R
E V
R R
R R

= = =
+
+

1 2
1 2
1 5 0
T
R R
R
R R

= = O
+


Nga Ligji i Dyt i Kirkofit pr konturn n qarkun e thjesht me E
T
, R
T
dhe D mund t
shkruajm:

0
T T D D D T T D
E R I V V E R I = =

Ekuacioni i fundit shpreh vartsin e tensionit n diod nga rryma n t, dhe kjo vartsi lineare
quhet vij e ngarkess (drejtz e puns).

S fundi paraqesim kt drejtz n karakteristikn statike t diods (lakore t cilen e jep
prodhuesi). Prerja e ksaj drejtze me karakteristikn statike paraqet pikn e puns (0.65, 5.2) n
Fig. 2.38.

















Fig. 2.38


Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
56
Shembulli 2.13
Llogaritni rrymn I n qarkun e Fig. 2.39 nse jan prdorur dy dioda t germaniumit, me t
njjtat karakteristika dhe nse jan t njohura I
s
= 1nA, T = 300
0
K, R = 1 kO dhe E = 10V. T
caktohet V
D1
dhe V
D2
.











Fig. 2.39

Zgjidhje

Dioda D
2
sht e polarizuar revers dhe n t mund t rrjedh vetm rryma I
s
= I =1 nA

Prandaj, rryma n qark sht: I = I
D1
= I
s
=1 [nA]

Nga Ligji i Dyt i Kirkof-it mund t shkruajm:


1 2
0
D D
E R I V V + =

Kur dioda sht polarizuar revers (paraqet thuajse qark t hapur), tensioni n skajet e saj sht
sa vlera absolute e tensionit t furnizimit).

Nga shprehja pr rrymn e diods n vartsi nga tensioni


1
( 1)
D
T
U
U
D s
I I e
q
=

Mund t nxjerrim q


1
( 1)
D
T
U
U
s s
I I e =

1
ln 2
D T
U U =
Prandaj ,
1
18[ ]
D
U mV =

S fundi nga ligji i Dyt i Kirkofit pr qarkun e msiprm del q:


2
9.82[ ]
D
V V =



2. Dioda gjysmpruese
57
Shembulli 2.14
Dioda e Ge me lidhje siprfaqsore n temperaturn prej 125
0
C, ka rrymn reverse t ngopjes I
s
= 30A. Llogaritni rrymn npr diod dhe rezistencn e saj dinamike kur dioda polarizohet
drejt me tension 0.2 V dhe kur polarizohet revers me t njjtin tension.
Zgjidhje

t =125 [
0
C]
I
s
= 30 [A]
U
d
= 0.2 [V]




Fig. 2.40

Rryma npr diod gjendet nga relacioni i njohur: ( 1)
d
T
U
U
D s
I I e =

Tensioni termik n ket temperatur do t ket vlern si m posht:
e
kT
=
T
V = mV V
C
K
K
J
3 . 34 0343 . 0
10 1.6
) 125 273 ( 10 1.38
19 -
0
0
23 -
= =

+


Prej nga 10
D
I mA =

34.34
3.434
10 30
T
D
D s
U mV
r
I I mA A
q

= = = O
+ +

Shembulli 2.15
Pr qarkun elektrik me nj diod t treguar n Fig 2.41 jan t njohura elementet e qarkut.
a) Sa jan V
a,
V
b
, V
D
, I
D
nse

V
1
=15[V], V
2
=10[V]
b) Sa jan V
a,
V
b
, V
D
, I
D
nse V
1
=10[V], V
2
=10[V]


Fig. 2.41

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
58
Zgjidhje
a) Kur V
1
= 15[V], V
2
= 10[V] dioda sht e shkyur (OFF)

V
a
= 7.5[V], V
b
= 5[V], prej nga V
D
= -2.5 [V] dhe I
D
=0


b) Kur V
1
= 10 V, V
2
= 15 V dioda sht ON

10 10 10 10
1 2
V V V V V V
a a b b

+ + =

6 . 0 =
b a
V V
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|
+ +
|
.
|

\
|
+ = +
10
1
10
1
6 . 0
10
1
10
1
10
1
10
1
10
10
10
15
b b
V V
V V
b
55 . 6 =
V V
mA I I
D
D D
6 . 0
19 . 0
10
55 . 6
10
55 . 6 15
=
=

=




PASQYR PYETJ ESH


2.1. ka sht bashkimi pn?

2.2. Shpjegoni procesin e difuzionit q ndodh n bashkimin pn. Sa zgjat ky
difuzion?

2.3. ka sht barriera potenciale dhe si krijohet ajo?

2.4. Pse regjioni i barriers potenciale quhet regjion i varfruar nga bartsit e lir?
Sa sht vlera tipike e tensionit t barriers potenciale pr nj diod silici e sa
pr nj diod nga germaniumi?

2.5. Nse bashkimi pn gjendet n dy temperatura t ndryshme (T
2
> T
1
), ather a do
t zvoglohet tensioni i barriers apo do t rritet n temperaturn T
2
?

2.6. Prshkruani polarizimin e drejt dhe revers t diods.

2.7. Krahasoni regjionin e varfruar (regjionin e barriers) te polarizimi i drejt dhe
te polarizimi revers i diods.

2.8. N cilat kondita t polarizimit krijohet rrym e bartsve shumic n diod?

2.9. Rryma e diods s polarizuar drejt ndryshon n vartsi nga tensioni i
polarizimit. Tregoni a sht kjo: rritje lineare, rnje lineare, rritje
eksponenciale, apo rnje eksponenciale kur tensioni polarizues rritet?


2. Dioda gjysmpruese
59
2.10. Pse dioda gjysmpruese quhet komponent elektronike jolineare?

2.11. A ndikon temperatura n karakteristikn statike t diods? Nse Po paraqitni
karakteristikn statike t diods me rastin e polarizimit t drejt n dy
temperature t ndryshme. Nse Jo jepni arsyetimin fizik.

2.12. Si prodhohet rryma reverse n nj diod?

2.13. Shkruani relacionin volt-amper pr diod dhe shpjegoni kuptimin e secilit
antar.

2.14. Paraqitni karakteristikn volt-amper t diods ideale. Shpjegoni pse dioda ideale
mund t konsiderohet si ndrprers.

2.15. Cili sht kuptimi i vijs s ngarkess dhe i piks s puns s diods?

2.16. Nse bashkimi pn polarizohet revers, npr diod do t rrjedh nj rrym e
vogl q quhet rrym reverse e ngopjes. T shpjegohet kuptimi fizik i ksaj
rryme reverse?

2.17. Paraqitni modelin e diods reale me pjes lineare.

2.18. Shpjegoni efektin ortek n diod.

2.19. Pse ndodh shpimi revers i nj diode?

2.20. A varet regjioni ortekut (V
z
) nga niveli i dopingut n materialet e tipit p dhe n?

2.21. N regjionin e shpimit t diods ndodh nj proces i ndrrimit t vlers s rryms
npr t. A sht kjo rrym zero, e pakufishme apo e kufizuar n vlern rryms
reverse t ngopjes?

2.22. Diodat mund t prdoren edhe pr ndrtimin e qarqeve logjike. T disejnohet
qarku me dioda i cili kryen funksionin ( ) ( ) y A B C D = +


2.23. ka do t mat voltmetri nse sht vendosur n terminalet e diods s pa
polarizuar?

2.24. ka do t mat voltmetri nse sht vendosur n terminalet e diods s polarizuar
drejt?

2.24. ka do t mat voltmetri nse sht vendosur n terminalet e diods s polarizuar
revers?






Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
60

PROBLEME


2.1. Ne qarkun me tri dioda n Fig. 2.39 sht kyur tensioni U =68 mV. Llogaritni
tensionet U
1
dhe U
2
nse pr rrymat reverse t ngopjes vlen: Is
1
= Is
2
= 10 pA
dhe Is
3
=20 pA, ndrsa U
T
= 25Mv.












Fig. 2.42



2.2. N qarkun e treguar n Fig. 2.43.a supozoni q karakteristika i
D
= f(V
D
) e
diods sht si n Fig. 2.43.b. Sa sht rryma n diod i
D
e sa tensioni n skajet
e diods?






















Fig. 2.43a

2. Dioda gjysmpruese
61























2.3. N qarkun me dy dioda D
1
dhe D
2
jan me karakteristika t ndryshme. Jan t
njohura I
s1
, I
s2
dhe I
in
. T gjenden rrymat I
D1
=f(I
in
, I
s1
, I
s2
), I
D2
= f(I
in
, I
s1
, I
s2
).


Fig. 2.44

2.4. Pr qarkun e treguar n Fig. 2.45 diodat t konsiderohen ideale. Gjeni
intensitetin e rryms I t shnuar n qark dhe tensionin V.

Fig. 2.43b

Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONI KA
62


Fig. 2.45


2.5. Duke prdor teoremn e Tevenen-it t gjendet vlera e rryms dhe tensionit ne
qarqet e mposhtme Fig. 2.46.



Fig. 2.46

2.6. T nxjerrt shprehja Booleane pr V
0
n vartsi nga antart hyrs n Fig. 2.47
(nse diodat konsiderohen ideale).

2. Dioda gjysmpruese
63

Fig. 2.47

Zgjidhje:
Shprehja Boleane pr V
0
sht:
0 1 2 3 4
( ) ( ) V V V V V = +