1

OSNOVNA SVOJSTVA POLUVODIA

ZADATAK.1. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K
iznosi n=10
15
cm
-3
. Izraunati koncentraciju elektrona i upljina na T=300 K i T=550 K.


Rjeenje:

Na prvoj temperaturi T=300 K intrinzina koncentracija iznosi

3 10
1
10 45 , 1

= cm n
i


Zadana koncentracija elektrona iznosi

3 15
10

= cm n

Vrijedi da je n>ni pa zakljuujemo da se radi o n-tipu poluvodia. Silicij je dopiran
jednom primjesom, a kako se radi o n-tipu zakljuujemo da su to donori.
Kako je n>>n
i
poluvodi je ekstrinzian i vrijedi

3 15
10

= cm N n
D


Koncentraciju upljina raunamo iz zakona termodinamike ravnotee:

( )
3 5
15
2
10 2
10 1 , 2
10
10 45 , 1

=

= = cm
n
n
p
i


Druga zadana temperatura T=550 K je vea pa e i intrinzina koncentracija na toj
temperaturi biti vea. Raunamo:

( )
3 15
5
5 , 1 16
'
0 2 / 3
1
10 32 , 1
550 10 62 , 8 2
196 , 1
exp 550 10 07 , 3
2
exp

= |

\
|

=
|
|

\
|

= cm
T k
E
T C n
G
i


U prvom dijelu zadatka izraunali smo da je silicij dopiran donorima koncentracije
N
D
=10
15
cm
-3
. Na zadanoj temperaturi ne vrijedi da je N
D
>>n
i
pa zakljuujemo da se
silicij nalazi u intrinzinom temperaturnom podruju te koncentraciju elektrona raunamo
na sljedei nain:

[ ] ( ) ( )
3 15
2
15
2
15 15 2 2
10 91 , 1 10 32 , 1 4 10 10
2
1
4
2
1

=
(

+ + = + + = cm n N N n
i D D


Koncentracija upljina je:

2
( )
3 14
15
2
15 2
10 1 , 9
10 91 , 1
10 32 , 1

=

= = cm
n
n
p
i


ZADATAK.2. Silicij je prvo dopiran akceptorima koncentracije N
A
=1,510
15
cm
-3
, a
nakon toga donorima koncentracije N
D
=10
15
cm
-3
. Izraunati koncentracije elektrona i
upljina na temperaturama T=27 C i T=200 C nakon prvog i drugog dopiranja.

Rjeenje:

Nakon prvog dopiranja silicij je p-tipa.
Prva zadana temperatura je T=27 C odnosno T=T[C]+273=27+273=300 K.
Na temperaturi T=300 K vrijedi da je N
A
>>n
i
=1,4510
10
cm
-3
pa moemo zakljuiti da je
silicij u ekstrinzinom temperaturnom podruju:

3 15
10 5 , 1

= cm N p
A


( )
3 5
15
2
10 2
10 4 , 1
10 5 , 1
10 45 , 1

=

= = cm
p
n
n
i


Druga zadana temperatura je T=200 C odnosno T=T[C]+273=200+273=473 K.
Na temperaturi T=473 K intrinzina koncentracija iznosi:

( )
3 14
5
5 , 1 16
'
0 2 / 3
1
10 35 , 1
473 10 62 , 8 2
196 , 1
exp 473 10 07 , 3
2
exp

= |

\
|

=
|
|

\
|

= cm
T k
E
T C n
G
i

Jo uvijek vrijedi N
A
>>n
i
i silicij se jo uvijek nalazi u ekstrinzinom temperaturnom
podruju:

3 15
10 5 , 1

= cm N p
A


( )
3 13
15
2
14 2
10 21 , 1
10 5 , 1
10 35 , 1

=

= = cm
p
n
n
i


Druga primjesa je donorska, odnosno suprotnog tipa od prve primjese. Kako je energija
ionizacije primjesa puno manja od energije potrebne za kidanje kovalentne veze i
preskakanje elektrona iz valentnog u vodljivi pojas moemo zakljuiti da e akceptorske
primjese prihvatiti elektrone koje daju donorske primjese. Kako vrijedi da je N
A
>N
D
,
dodane donorske primjese e kompenzirati dio akceptora koji su uneeni prvim
dopiranjem. Silicij je jo uvijek p-tip i netto koncentracija akceptora iznosi:

3 14 15 15
10 5 10 10 5 , 1

= = = cm N N N
D A Anetto


Na T=27 C (T=300 K) i nakon drugog dopiranja silicij je ekstrinzian. Vrijedi da je
N
Anetto
>>n
i
pa moemo raunati:

3
3 14
10 5

= cm N p
Anetto


( )
3 5
14
2
10 2
10 21 , 4
10 5
10 45 , 1

=

= = cm
p
n
n
i


Na T=200 C (T=473 K) vie ne vrijedi N
Anetto
>>n
i
pa zakljuujemo da je silicij u
intrinzinom temperaturnom podruju te koncentracije nosilaca raunamo na sljedei
nain:

[ ] ( ) ( )
3 14
2
14
2
14 14 2 2
10 34 , 5 10 35 , 1 4 10 5 10 5
2
1
4
2
1

=
(

+ + = + + = cm n N N p
i Anetto Anetto

( )
3 13
14
2
14 2
10 4 , 3
10 34 , 5
10 35 , 1

=

= = cm
p
n
n
i




ZADATAK.3. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=350 K
iznosi p=10
6
cm
-3
. Izraunati koncentraciju elektona i upljina na T=480 K

Rjeenje:

Intrinzina koncentracija na T=350 K iznosi:

( )
3 11
5
5 , 1 16
'
0 2 / 3
1
10 96 , 4
350 10 62 , 8 2
196 , 1
exp 350 10 07 , 3
2
exp

= |

\
|

=
|
|

\
|

= cm
T k
E
T C n
G
i

Vrijedi da je n
i
>>p=10
6
cm
-3
te moemo zakljuiti da je silicij n-tip (dopiran donorima),
te da se nalazi u ekstrinzinom temperaturnom podruju:

( )
D
i
N cm
p
n
n =

= =
3 17
6
2
11 2
10 46 , 2
10
10 96 , 4


Intrinzina koncentracija na T=480 K iznosi:

( )
3 14
5
5 , 1 16
'
0 2 / 3
1
10 71 , 1
480 10 62 , 8 2
196 , 1
exp 480 10 07 , 3
2
exp

= |

\
|

=
|
|

\
|

= cm
T k
E
T C n
G
i


I na ovoj temperaturi vrijedi da je N
D
>>n
i
pa je silicij u ekstrinzinom temperaturnom
podruju:

3 17
10 46 , 2

= cm N n
D

( )
3 11
17
2
14 2
10 19 , 1
10 46 , 2
10 71 , 1

=

= = cm
n
n
p
i


4
ZADATAK.4. Silicij je prvo dopiran akceptorima koncentracije N
A
=1,510
15
cm
-3
, a
nakon toga donorima koncentracije N
D
=210
15
cm
-3
. Odrediti poloaj Fermijeve energije
nakon prvog i drugog dopiranja na T=300 K.

Rjeenje:

Nakon prvog dopiranja silicij je p-tipa i na T=300 K nalazi se u ekstrinzinom podruju
(N
A
>>n
i
). Vrijedi:

3 15
10 5 , 1

= cm N p
A


Uz zadanu koncentraciju, iz raspodjele upljina u siliciju vrijedi:

|

\
|
=
|
|

\
|
=
kT
E E
n
T k
E E
N p
F Fi
i
F v
V
exp exp


Iz ega se moe izraunati Fermijeva energija:

|
|

\
|
+ =
p
N
kT E E
v
v F
ln
|
|

\
|
=
i
Fi F
n
p
kT E E ln


Efektivna gustoa kvantnih stanja u valentnom pojasu iznosi:

( )
3 19 5 , 1 15 2 / 3
10 67 , 3 300 10 07 , 7

= = = cm T C N
V


Poloaj Fermijeve energije je:

eV E E
p
N
kT E E
v v
v
v F
261 , 0
10 5 , 1
10 67 , 3
ln 300 10 62 , 8 ln
15
19
5
+ =
|
|

\
|

+ =
|
|

\
|
+ =



eV E E
n
p
kT E E
v Fi
i
Fi F
299 , 0
10 45 , 1
10 5 , 1
ln 300 10 62 , 8 ln
10
15
5
+ =
|
|

\
|

=
|
|

\
|
=



Fermijeva energija nalazi se 0,261 eV iznad vrha valentnog pojasa, odnosno 0,299 eV
ispod Fermijeve energije intrinzinog silicija (E
Fi
) koja se nalazi na sredini zabranjenog
pojasa (E
G
/2).
Nakon drugog dopiranja silicij postaje n-tip jer je N
D
>N
A
. Vrijedi da je

3 14 15 15
10 5 10 5 , 1 10 2

= = = cm N N N
A D Dnetto


Na T=300 K silicij je i u ovom sluaju ekstrinzian te vrijedi:
5

3 14
10 5

= cm N n
Dnetto


Uz zadanu koncentraciju, iz raspodjele elektrona u siliciju vrijedi:

|

\
|
=
|
|

\
|
=
kT
E E
n
T k
E E
N n
Fi F
i
F c
c
exp exp


Poloaj Fermijeve energije je:

|

\
|
=
n
N
kT E E
c
C F
ln
|
|

\
|
+ =
i
Fi F
n
n
kT E E ln


Efektivna gustoa kvantnih stanja u vodljivom pojasu iznosi:

( )
3 19 5 , 1 15 2 / 3
10 67 , 3 300 10 07 , 7

= = = cm T C N N
v c


Uz izraunatu koncentraciju elektrona poloaj Fermijeve energije je:

eV E E
n
N
kT E E
c c
c
c F
290 , 0
10 5
10 67 , 3
ln 300 10 62 , 8 ln
14
19
5
=
|
|

\
|

= |

\
|
=



eV E E
n
n
kT E E
Fi Fi
i
Fi F
270 , 0
10 45 , 1
10 5
ln 300 10 62 , 8 ln
10
14
5
+ =
|
|

\
|

+ =
|
|

\
|
+ =



Fermijeva energija nalazi se 0,290 eV ispod dna vodljivog pojasa, odnosno 0,270 eV
iznad Fermijeve energije intrinzinog silicija (E
Fi
) koja se nalazi na sredini zabranjenog
pojasa (E
G
/2).



ZADATAK.5. Silicij je dopiran jednom primjesom. Fermijeva energija u nalazi se 0,2
eV od dna vodljivog pojasa. Odrediti tip poluvodia te izraunati koncentraciju veinskih
nosilaca. Odrediti tip i koncentraciju primjesa koju treba dodati u silicij da se Fermijeva
energija pomakne za 0,1 eV:

a) prema dnu vodljivog pojasa
b) prema vrhu valentnog pojasa


Rjeenje:
6

Zadano je eV E E E
c F c
2 , 0 =
Za intrinzian silicij vrijedi da je eV E
E
E E E
c
G
c Fi c
56 , 0
2
= =
Fermijeva energija nalazi se iznad sredine zabranjenog pojasa i radi se o n-tipu silicija.
Koncentracija elektrona rauna se prema relaciji:


( )
3 19
10 67 , 3 300

= = cm K T N
c


3 16
5
19
10 61 , 1
300 10 62 , 8
2 , 0
exp 10 67 , 3 exp

= |

\
|

+
=
|
|

\
|
= cm
E E
T k
E E
N n
c c F c
c


Vrijedi da je n>>n
i
=1,4510
10
cm
-3
pa vrijedi:

3 16
1
10 61 , 1

= cm n N
D


a) Da bi se Fermijeva energija pomaknula prema dnu vodljivog pojasa treba dodati
donore. Novi poloaj Fermijeve energije je 0,1 eV ispod dna vodljivog pojasa:

eV E E E
c F c
1 , 0 =

Nakon drugog dopiranja koncentracija elektrona treba iznositi:

3 17
5
19
10 68 , 7
300 10 62 , 8
1 , 0
exp 10 67 , 3 exp

= |

\
|

+
=
|
|

\
|
= cm
E E
T k
E E
N n
c c F c
c


Silicij je ekstrinzian (n>>n
i
=1,4510
10
cm
-3
) i vrijedi:

3 17
2 1
10 68 , 7

= + cm n N N
D D


Iz toga slijedi da treba dodati donore koncentracije:

3 17 16 17
1 2
10 52 , 7 10 61 , 1 10 68 , 7

= = = cm N n N
D D



b) Da bi se Fermijeva energija pomaknula prema vrhu valentnog pojasa treba dodati
akceptore. Novi poloaj Fermijevog nivoa je 0,3 eV ispod dna vodljivog pojasa:

eV E E E
c F c
3 , 0 =

Fermijeva energija se nalazi iznad sredine zabranjenog pojasa i silicij ostaje n-tip.
Koncentracija elektrona nakon dopiranja treba iznositi:
7

3 14
5
19
10 36 , 3
300 10 62 , 8
3 , 0
exp 10 67 , 3 exp

= |

\
|

+
=
|
|

\
|
= cm
E E
T k
E E
N n
c c F c
c


Silicij je ekstrinzian (n>>n
i
=1,4510
10
cm
-3
) i vrijedi:

2 1 A D Dnetto
N N N n =

Iz ega moemo izraunati koncentraciju akceptora koju treba dodati:

3 16 14 16
1 2
10 576 , 1 10 36 , 3 10 61 , 1

= = = cm n N N
D A



ZADATAK.6. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K
iznosi n=10
15
cm
-3
. Izraunati specifinu vodljivost na T=300 K i T=530 K. Pokretljivosti
nosilaca iznose 900 cm
2
/Vs i 350 cm
2
/Vs. Kad temperatura poraste sa 300 na 530 K
pokretljivost se promijeni za 20 %.

Rjeenje:

Intrinzina koncentracija na T=300 K iznosi n
i
=1,4510
10
cm
-3
. Vrijedi da je n>>n
i
pa
zakljuujemo da je silicij n-tip u ekstrinzinom temperaturnom podruju. Vrijedi:

3 15
10

= cm n N
D


( )
3 5
15
2
10 2
10 1 , 2
10
10 45 , 1

=

= = cm
n
n
p
i


Specifinu vodljivost raunamo prema relaciji:

( ) p n q
p n
+ =

n
=900 cm2/Vs i
p
=350 cm2/Vs jer je
n
>
p


Uz n>>p vrijedi:

cm S n q
n
144 , 0 10 900 10 6 , 1
15 19
= =




Intrinzina koncentracija na T=530 K iznosi:

( )
3 14
5
5 , 1 16
'
0 2 / 3
1
10 74 , 7
530 10 62 , 8 2
196 , 1
exp 530 10 07 , 3
2
exp

=
|
|

\
|

=
|
|

\
|

= cm
T k
E
T C n
G
i


8
Na T=530 K vie ne vrijedi da je n>>n
i
pa zakljuujemo da se silicij nalazi u intrinzinom
temperaturnom podruju. Prema tome koncentracije nosilaca iznose:

[ ] ( ) ( )
3 15
2
14
2
15 15 2 2
10 42 , 1 10 74 , 7 4 10 10
2
1
4
2
1

=
(

+ + = + + = cm n N N n
i D D


( )
3 14
15
2
14 2
10 2 , 4
10 42 , 1
10 74 , 7

=

= = cm
n
n
p
i

Vie ne vrijedi n>>p pa kod raunanja vodljivosti treba uzeti u obzir i elektronsku i
upljinsku komponentu vodljivosti. Pokretljivost pada s porastom temperature te vrijedi:

( ) ( ) Vs cm K K
n n
2
720 900 8 , 0 300 8 , 0 530 = = =

( ) ( ) Vs cm K K
p p
2
280 350 8 , 0 300 8 , 0 530 = = =


Vodljivost na T=530 K iznosi:

( ) ( ) cm S p n q
p n
183 , 0 10 2 , 4 280 10 42 , 1 720 10 6 , 1
14 15 19
= + = + =



ZADATAK.7. Silicij je prvo dopiran primjesama koncentracije 1,510
15
cm
-3
, a nakon
toga primjesama koncentracije 210
15
cm
-3
. Odrediti tip prve i druge primjese tako da
nakon drugog dopiranja specifina vodljivost bude

a) najvea,
b) najmanja.

Izraunati specifinu vodljivost nakon drugog dopiranja na T=300 K za oba sluaja.
Pokretljivosti iznose 900 cm
2
/Vs i 350 cm
2
/Vs.


Rjeenje:

a) Specifina vodljivost e biti vea ako su primjese istog tipa jer se primjese ne
kompenziraju i ukupan broj nosilaca se zbraja. Zbog vee pokretljivosti elektrona,
specifina vodljivost e biti vea ako se radi o n-tipu. Prema tome najvea specifina
vodljivost e biti u sluaju ako su obje primjese donorske.

1 1 D
N N =

2 2 D
N N =


Nakon drugog dopiranja ukupna koncentracija donora u siliciju iznosi:

3 15 15 15
2 1
10 5 , 3 10 2 10 5 , 1

= + = + = cm N N N
D D Duk

9

Na T=300 K vrijedi da je N
Duk
>>n
i
pa zakljuujemo da je silicij u ekstrinzinom
temperaturnom podruju:

3 15
10 5 , 3

= cm N n
Duk


( )
3 4
15
2
10 2
10 6
10 5 , 3
10 45 , 1

=

= = cm
n
n
p
i


Vrijedi da je n>>p pa specifina vodljivost iznosi:

cm S n q
n n
504 , 0 10 5 , 3 900 10 6 , 1
15 19
= = =





b) Specifina vodljivost e biti manja u sluaju da su primjese suprotnog tipa jer je dio
primjesa kompenziran. Zbog manje pokretljivosti upljina nakon drugog dopiranja silicij
mora biti p-tip. Prema tome vea koncentracija e se odnositi na akceptorsku, a manja na
donorsku primjesu.

1 1 D
N N =

2 2 A
N N =


Nakon drugog dopiranja dio akceptora je kompenziran donorima pa imamo netto
koncentraciju akceptora:

3 14 15 15
1 2
10 5 10 5 , 1 10 2

= = = cm N N N
D A Anetto


Vrijedi da je N
Anetto
>>n
i
i silicij u ekstrinzinom temperaturnom podruju:

3 14
10 5

= cm N p
Anetto


( )
3 5
14
2
10 2
10 2 , 4
10 5
10 45 , 1

=

= = cm
p
n
n
i


Vrijedi da je p>>n pa specifina vodljivost iznosi:

cm mS p q
p p
28 10 5 350 10 6 , 1
14 19
= = =





ZADATAK.8. Izraunati iznos otpora silicijske ploice duljine 10 m i povrine
presjeka 0,1 mm
2
na temperaturama 300 i 450 K. Ploica je dopirana s N
A
=10
15
cm
-3
i
N
D
=910
14
cm
-3
. Pokretljivosti nosilaca su 900 i 350 cm
2
/Vs (zanemariti temperaturnu
ovisnost pokretljivosti nosilaca).
10

Rjeenje:

Ploica je dopirana istovremeno s dvije primjese. Vrijedi da je N
A
>N
D
pa zakljuujemo da
e nakon oba dopiranja ploica biti p-tip. Dio akceptora je kompenziran i imamo netto
koncentraciju akceptora:

3 14 14 15
10 10 9 10

= = = cm N N N
D A Anetto


Na T=300 K vrijedi N
Anetto
>>n
i
=1,4510
10
cm
-3
. Silicij je ekstrinzian i vrijedi:

3 14
10

= cm N p
Anetto


( )
3 6
14
2
10 2
10 1 , 2
10
10 45 , 1

=

= = cm
p
n
n
i


cm mS p q
p p
6 , 5 10 350 10 6 , 1
14 19
= = =



Otpor silicijske ploice zadanih dimenzija je onda jednak:

=

= = =

6 , 178
10 1 , 0
10 10
10 6 , 5
1 1
2
4
3
S
l
S
l
R

Napomena: Kod uvrtavanja paziti na mjerne jedinice, npr. ako je specifina vodljivost
izraunata u [S/cm] onda sve dimenzije treba uvrstiti u [cm].


Na T=450 K intrinzina koncentracija iznosi:

( )
3 13
5
5 , 1 16
'
0 2 / 3
1
10 91 , 5
450 10 62 , 8 2
196 , 1
exp 450 10 07 , 3
2
exp

=
|
|

\
|

=
|
|

\
|

= cm
T k
E
T C n
G
i


Na ovoj temperaturi ne vrijedi N
Anetto
>>n
i
, odnosno silicij je u intrinzinom
temperaturnom podruju pa koncentracije nosilaca, specifinu vodljivost i otpor ploice
raunamo na sljedei nain:

[ ] ( ) ( )
3 14
2
13
2
14 14 2 2
10 274 , 1 10 91 , 5 4 10 10
2
1
4
2
1

=
(

+ + = + + = cm n N N p
i Anetto Anetto


( )
3 13
14
2
13 2
10 74 , 2
10 274 , 1
10 91 , 5

=

= = cm
p
n
n
i


( ) ( ) cm mS p n q
p n
1 , 11 10 274 , 1 350 10 74 , 2 900 10 6 , 1
14 13 19
= + = + =



11

=

= = =

3 , 90
10 1 , 0
10 10
10 1 , 11
1 1
2
4
3
S
l
S
l
R

ZADATAK.9. Za ploicu silicija iz prethodnog zadatka izraunati kolika struja tee ako
du ploice djeluje homogeno polje iznosa F=3,3 kV/cm. Koliki se pri tome napon moe
izmjeriti na krajevima silicijske ploice. T=300 K

Rjeenje:

Zadatak se moe rijeiti na vie naina.
Jedan nain je da iz iznosa polja i duljine ploice izraunamo napon koji se nalazi na
krajevima otpornika:

V d F U 3 , 3 10 10 10 3 , 3
4 3
= = =



Otpor silicijske ploice na T=300 K iznosi R=178,6 pa struju moemo jednostavno
izraunati kao:

mA
R
U
I 48 , 18
179
3 , 3
= = =


Drugi nain je da se iz specifine vodljivosti i polja izrauna driftna struja (koja uostalom
tee kroz ploicu):

mA F S F S p q I
p p
48 , 18 10 3 , 3 10 1 , 0 10 6 , 5
3 2 3
= = = =




Oba postupka svode se na koritenje Ohmovog zakona.


ZADATAK.10. Raspodjela koncentracije
upljina prikazana je na slici i moe se
opisati eksponencijalnom funkcijom.
Izraunati gustou struje u x=0. Odrediti
na kojoj udaljenosti struja padne na 10%
od iznosa struje u ravnini x=0. Zadano je
p
0
=10
5
cm
-3
, p
1
=510
12
cm
-3
, a=10 m,

p
=380 cm
2
/Vs, T=300 K.








p
0
p
1
p(x), [cm
-3
]
x, [m] a
12
Rjeenje:

Raspodjela koncentracije upljina ravna se po eksponencijalnoj funkciji i moe se
napisati:

( ) ( ) |

\
|
+ =
a
x
p p p x p exp
0 1 0


Difuzijska struja jednaka je:

( )
( )
( )
( )
|

\
|


=

\
|
= =
a
x
a
p p D q
a a
x
p p D q
x d
x p d
D q x J
p
p p Dp
exp
1
exp
0 1
0 1


U zadatku vrijedi da je p
1
>>p
0
pa moemo napisati:

( )
|

\
|

a
x
a
p D q
x J
p
Dp
exp
1


Za zadane vrijednosti raunamo struju u x=0:

s cm U D
T p p
2
82 , 9
11600
300
380 = = =


( ) ( )
2
4
12 19
1
86 , 7 0 exp
10 10
10 5 82 , 9 10 6 , 1
exp 0 cm mA
a
x
a
p D q
x J
p
Dp
=

=
|

\
|


=

Moemo napisti za gustou struje:

( ) ( )
|

\
|
= =
a
x
x J x J
Dp Dp
exp 0


Prema tome struja e pasti na 10 % iznosa struje u x=0 na x=x
1
kod kojeg vrijedi

1 , 0 exp
1
= |

\
|

a
x
( ) m a x 23 1 , 0 ln
1
= =



Zadaci za vjebu

VJ.1. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=300 K iznosi
p=510
15
cm
-3
. Izraunati koncentraciju elektrona i upljina na T=300 K i T=550 K.

Rjeenje: n(300 K)=4,210
4
cm
-3
, n(550 K)=3,2610
14
cm
-3
, p(550 K)=5,3310
15
cm
-3

13
VJ.2. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=350 K iznosi
p=10
7
cm
-3
. Izraunati koncentraciju elektrona i upljina na T=350 K i T=550 K.

Rjeenje: n(350 K)=2,4610
16
cm
-3
, n(550 K)= 2,4610
16
cm
-3
, p(550 K)=7,0710
13
cm
-3


VJ.3. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=500 K iznosi
p=10
15
cm
-3
. Izraunati koncentraciju elektrona i upljina na T=300 K i T=500 K.

Rjeenje: n(500 K)=1,0510
14
cm
-3
, n(300 K)=2,3510
5
cm
-3
, p(300 K)= 8,9510
14
cm
-3


VJ.4. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=450 K iznosi
n=10
12
cm
-3
. Izraunati koncentraciju elektrona i upljina na T=300 K i T=450 K.

Rjeenje: p(450 K)= 3,510
15
cm
-3
cm
-3
, n(300 K)=6,0210
4
, p(300 K)= 3,510
15
cm
-3


VJ.5. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=450 K iznosi
n=10
11
cm
-3
. Odrediti tip i koncentraciju dodane primjese.

Rjeenje: N
A
=3,510
16
cm
-3


VJ.6. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=350 K iznosi
n=10
17
cm
-3
. Odrediti tip i koncentraciju dodane primjese.

Rjeenje: N
D
=10
17
cm
-3


VJ.7. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=200 C iznosi
p=10
13
cm
-3
. Odrediti tip i koncentraciju dodane primjese.

Rjeenje: N
D
=1,8110
15
cm
-3


VJ.8. Silicij je dopiran akceptorima koncentracije N
A
=10
15
cm
-3
i donorima koncentracije
N
D
=1,2510
15
cm
-3
. Izraunati koncentracije nosilaca na temperaturama T=300K i T=473
K.

Rjeenje: n(300 K)=2,510
14
cm
-3
, p(300 K)=8,4110
5
cm
-3
, n(473 K)=3,0910
14
cm
-3
p(473 K)=5,8910
13

cm
-3


VJ.9. Silicij je dopiran akceptorima koncentracije N
A
=1,510
15
cm
-3
i donorima
koncentracije N
D
=10
15
cm
-3
. Izraunati koncentracije nosilaca na temperaturama T=300K
i T=450 K.

Rjeenje: n(300 K)=4,210
5
cm
-3
, p(300 K)=510
14
cm
-3
, n(450 K)=6,910
12
cm
-3
p(450 K)=5,0710
14
cm
-3


VJ.10. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300 K iznosi
n=510
7
cm
-3
. Koji tip i koliku koncentraciju primjesa treba dodati da na T=450 K
koncentracija elektrona bude ista (n=510
7
cm
-3
)

Rjeenje: N
A
=6,9910
19
cm
-3

14
VJ.11. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija upljina na T=300 K iznosi
p=10
15
cm
-3
. Koji tip i koliku koncentraciju primjesa treba dodati da na T=550 K
koncentracija upljina bude ista (p=10
15
cm
-3
)

Rjeenje: N
D
=1,7410
15
cm
-3


VJ.12. Silicij je dopiran jednom primjesom. Fermijeva energija nalazi se 0,18 eV od dna
vodljivog pojasa. Odrediti tip i koncentraciju primjese. Koji tip i koliku koncentraciju
primjese treba dodati da Fermijeva energija nakon drugog dopiranja bude udaljena 0,18
eV od vrha valentnog pojasa. T=300 K.

Rjeenje: N
1
=N
D
=3,4910
16
cm
-3
, N
2
=N
A
=6,9710
16
cm
-3


VJ.13. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=27C iznosi
n=10
15
cm
-3
. Izraunati specifinu vodljivost na T=250C ako su pokretljivosti na toj
temperaturi 450 cm
2
/Vs i 220 cm
2
/Vs.

Rjeenje: =0,105S/cm

VJ.14. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=300K iznosi
n=10
4
cm
-3
. Izraunati specifinu vodljivost na T=400 K ako su pokretljivosti na toj
temperaturi 800 cm
2
/Vs i 320 cm
2
/Vs.

Rjeenje: =1,08S/cm

VJ.15. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=525 K je 10
puta vea od koncentracije upljina. Izraunati specifinu vodljivost na T=300 K, ako su
pokretljivosti nosilaca 900 cm
2
/Vs i 350 cm
2
/Vs.

Rjeenje: =0,276S/cm

VJ.16. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T=400 K je 10
5

puta manja od koncentracije upljina. Izraunati specifini otpor na T=300 K, ako su
pokretljivosti nosilaca 900 cm
2
/Vs i 350 cm
2
/Vs.

Rjeenje: =7,83cm

VJ.17. Silicij je dopiran donorima. Specifina vodljivost na T=550 K iznosi 0.28 S/cm.
Odrediti koncentraciju i tip primjese koju treba dodati da specifina vodljivost na T=300
K ostane ista (=0.28 S/cm), a silicij ostane istog tipa. Pretpostaviti da su pokretljivosti
konstantne i iznose 900 i 350 cm
2
/Vs.

Rjeenje: N
D
=1,6210
15
cm
-3


VJ.18. Silicij je dopiran s N
A
=10
15
cm
-3
i N
D
=1.110
15
cm
-3
. Izraunati specifinu
vodljivost na T=300 i 450 K. Na T=300 K pokretljivosti nosilaca su 900 i 350 cm
2
/Vs
dok se na T=450 K promijene za 15%

Rjeenje: (300 K)=14,4mS/cm, (450 K)=16,9mS/cm
15
VJ.19. Silicij je prvo dopiran primjesama koncentracije 510
16
cm
-3
, a nakon toga
primjesama koncentracije 10
17
cm
-3
. Odrediti tip prve i druge primjese tako da nakon
drugog dopiranja specifini otpor bude

c) najvei,
d) najmanji.

Izraunati specifinu vodljivost nakon drugog dopiranja na T=300 K za oba sluaja.
Pokretljivosti iznose 900 cm
2
/Vs i 350 cm
2
/Vs.

Rjeenje: a) N
1
=N
D
, N
2
=N
A
, =0,357 cm
b) N
1
=N
D
, N
2
=N
D
, =0,046 cm

VJ.20. Silicijski otpornik duljine 10 m i poprenog presjeka 1 m
2
izveden je u n-tipu
silicija specifine vodljivosti 100 S/cm. Izraunati struju koja potee kroz otpornik kada
se na njega prikljui napon U=1,8 V.

Rjeenje: I=1,8 mA