Elektronika 1

1
Luiana TOTI ELEKTRONIKA 1

LUIANA TOTI (KINI)
ELEKTRONIKA
SHTPIA BOTUESE E LIBRIT UNIVERSITAR
TIRAN, 2012
2
Teksti sht miratuar dhe fnancuar nga Ministria e Arsimit dhe Shkencs.
Titulli: Elektronika 1
Autore: Luiana Toti (Kini)
Botues: SHTPIA BOTUESE E LIBRIT UNIVERSITAR
Adresa:
Rruga e Durrsit, Nr. 219, Tiran, Shqipri
(: + 355 4 2225659; shblu.mash@yahoo.com
Kshilli botues i ShBLU-s
Kryetare: Lirika ooli
Antar: Klara Shoshi, Nirvana Lazi, Valbona Gjergo
Spartak Kumbaro, Marjeta Pengo
ISBN 978-99927-0-618-3
Shtpia Botuese e Librit Universitar, 2012.
T gjitha t drejtat jan t rezervuara. Nuk lejohet shumfshimi
me do mjet apo form pa lejen me shkrim t botuesit.
Redaktore prgjegjse: Klara Shoshi
Redaktore shkencore: Ing. Garentina Bezhani
Redaktore letrare: Klara Shoshi
Arti grafk dhe kopertina: Klara Shoshi
Recensues: Ing. Garentina Bezhani
Msc. Elda Cina
Shtypur n shtypshkronjn KLEAN
Tirazhi: 1000 kopje
3
Parathnie
Elektronika sht nj nga lndt kryesore n do shkoll profesionale me drejtim
elektronik, teknologji informacioni etj.
Ky tekst i ri mbi elektronikn, i ndar n dy pjes, q prkojn me dy libra m vete:
Elektronika 1 dhe Elektronika 2, sht hartuar n prshtatje me kurrikulat pr
shkollat profesionale t vendit ton, n mnyr q t jet m afr zhvillimit bashkkohor
n fushn e elektroniks.
Materiali i tr tekstit prfshin shpjegime t qarta shkencore, algjebrike e
trigonometrike, t pasuruara edhe me prvojn e puns shumvjeare t autores n kt
fush. Gjithashtu n t ka edhe mjaft skema, zbatimi i t cilave haset kudo n jetn e
prditshme n pajisjet m bashkkohore.
N prgjithsi, n fund t do shtjeje jan paraqitur ushtrime, q e ndihmojn nxnsin
t kuptoj se sa i ka prvetsuar konceptet baz t dhna n tekst dhe, ndrkoh, atje
ku sht par me vend, jan zhvilluar shembuj t zgjidhur, pr ti konkretizuar m mir
shtjet e ndryshme.
Gjuha e tekstit sht zgjedhur n mnyr t till q t jet sa m e thjesht dhe e
kuptueshme pr nxnsit, por, meqense n gjuhn shqipe mungon nj fjalor i mirfillt
terminologjik pr fushn e elektroniks, ndonjher jan prdorur edhe terma n
anglisht, t cilat jan sqaruar me imtsi.
Elektronika 1 shtjellon elementet themelore t elektroniks; funksionimin dhe
fushn e prdorimit t tyre n industri. Nj vend t mir n kt tekst z studimi i plot
i diodave e transistorve, pasi kuptimi sa m mir i tyre e ndihmon nxnsin t jet
mjaft i qart n studimin e qarqeve t integruara. Gjithashtu n tekst i sht kushtuar
rndsi edhe studimit t analizs s qarqeve elektronike, duke shqyrtuar n mnyr t
detajuar skemat e rryms s vazhduar.
N vija t prgjithshme prmbajtja e tekstit sht prshtatur me programin msimor
t nxnsve q e studiojn kt lnd n shkolla t ndryshme, duke u pasuruar edhe
me materiale nga literatura bashkkohore t fushs s elektroniks, ku midis t cilave
prmendim:
4
Malvino, Electronics Principles
Robert L. Boylestad, Luis Nashelsky, Electronics Devices and Circuits Theory
Benard Grob, Basic Electronics
Schuler, Electronics Principles and Applications
Robert L. Boylestad, Introductory Circuit Analysis
Nikolla Bardhi, Elektronika 2
Rozeta Mitrushi, Elemente te elektronikes analoge.
Vlersoj shum t gjitha sugjerimet e inxhinierve dhe t specialistve me prvoj,
studiues t fushs s elektroniks, recensueset dhe n veanti ing. Garentina Bezhanin
pr redaktimin shkencor t tekstit, duke i falnderuar t gjith pr ndihmesn n
prgatitjen e ktij teksti t ri.
Gjithashtu falnderoj dhe i jam mirnjohse kujtdo q e zgjedh tekstin pr t fituar
njohuri teorike e praktike n fushn e elektroniks dhe ndrkoh mirpres do vrejtje
e sugjerim q do ti vlente prmirsimit t mtejshm t ktij teksti.
Autorja
5
PRMBAJTJA
Kapitulli DIODAT GJYSMPRCJELLSE 7
1.1. Hyrje 7
1.2. Diodat ideale 7
1.3. Materialet gjysmprcjellse 10
1.4. Nivelet energjetike 14
1.5. Gjysmprcjellsit e tipit p dhe n 15
1.6. Diodat gjysmprcjellse 19
1.7. Rezistenca statike dhe dinamike e diods 27
1.8. Qarqet ekuivalente t diods 34
1.9. T dhnat specifike t diods 34
1.10. Kontrolli i diods 35
1.11. Diodat zener 36
1.12. Diodat dritdhnse (LED) 39
1.13. Fotodioda 42
1.14. Qarqet me lidhje optike 44
1.15. Diodat Shotki (Schootky) 44
1.16. Dioda varikap (dioda me kapacitet variabl) 46
1.17. Dioda tunnel 48
1.18. Dioda me rrym konstante 49
1.19. Dioda e kundrt (back dioda) 49
1.20. Varistori 50
1.21. Ekranet me kristal t lngshm LCD (Liquid Crystal Displays) 50
1.22. Qelizat diellore 53
Kapitulli PRDORIMET E DIODAVE 57
2.1. Hyrje 57
2.2. Analiza e linjs s ngarkess 57
2.3. Transformatori 60
2.4. Sinjali sinusoidal 61
2.5. Drejtuesit me nj diod 64
2.6. Drejtuesit me dy gjysmval (me dy dioda) 68
2.7. Drejtuesit ur 70
2.8. Shumfishuesit e tensionit 72
2.9. Prersit (Clippers) 75
2.10. Qarqet q i mbivendosin sinjalit t hyrjes
nj madhsi konstante (Clamper) 82
2.11. Stabilizimi i tensionit me diod zener 89
2.12. Diodat e lidhura n seri ose n paralel 95
2.13. Portat logjike EDHE/ OSE (AND/ OR) me dioda 99
6
Kapitulli TRANSISTORT DYPOLAR 101
3.1. Hyrje 101
3.2. Ndrtimi i transistorit 102
3.3. Parimi i puns s transistorit 103
3.4. Mnyrat e lidhjes s transistorit n skem n regjim aktiv 105
3.5. Puna amplifikuese e transistorit 108
3.6. Skema me emiter t prbashkt 109
3.7. Skema me kolektor t prbashkt 115
3.8. Prmbledhje 117
Kapitulli MNYRAT E POLARIZIMIT
T TRANSISTORVE DYPOLAR (BJT) 119
4.1. Njohuri t prgjithshme 119
4.2. Zona e lejuar e puns s transistorit 120
4.3. Skema me polarizim fiks 122
4.4. Skema e polarizimit me rezistenc n emiter 131
4.5. Skemat me pjestues tensioni 140
4.6. Skema e polarizimit me lidhje t kundrt n kolektor 148
4.7. Transistori p-n-p 150
4.8. Transistori n rolin e elsit 151
Kapitulli TRANSISTORT ME EFKT FUSHE 154
5.1. Njohuri t prgjithshme 154
5.2. Ndrtimi dhe karakteristikat e JFET 155
5.3. Karakteristika e transferimit 158
5.4. far prmban nj katalog? 160
5.5. D-MOSFET 162
5.6. MOSFET me pasurim (E-MOSFET) 166
5.7. Qarqet CMOS 171
Kapitulli MNYRAT E POLARIZIMIT T FET 172
6.1. Hyrje 172
6.2. Skema me polarizim fiks 173
6.3. Skema me vetpolarizim 178
6.4. Skema me pjestues tensioni 182
6.5. Polarizimi i tipit me varfrim (D-MOSFET) 186
6.6. Mosfet i tipit me pasurim (E-MOSFET) 188
6.7. Lidhja e kombinuar midis transistorve BJT e FET 192
7
KAPITULLI
DIODAT GJYSMPRCJELLSE
1.1. HYRJE
N kt kapitull do t studiohet teoria e gjysmprcjellsve, m pas bashkimi
p-n, q sht kyi i ndrtimit t nj diode gjysmprcjellse. Fjala diod
sht formuar nga bashkimi i fjalve two + electrode, ku vendoset di
n vend t two dhe ode n vend t electrode.
M pas do t shohim si punon nj diod e kjo na prgatit pr studimin q
do ti bhet transistorit n kapitujt e tjer. Transistori sht kombinimi i dy
diodave n nj element t vetm.
N dhjetor t vitit 1947 u zbulua transistori i par. Q prej asaj kohe, kur
transistori i par ishte i mbshtjell me tub qelqi, e deri n ditt tona,
njohurit n fushn e elektroniks kan evoluar shum. Tani brenda qarqeve
t intergruara (IC) kemi miliona transistor n nj hapsir jo m t madhe
se ajo e thoit t gishtit t madh.
Problemi i minimizimit duket se sht kufizuar n tre faktor (secili prej
tyre sht pasur parasysh n kt tekst): n cilsin e vet materialeve
gjysmprcjellse, n teknikat e projektimit t skemave, n kufizimin e
siprfaqes s pajisjeve t prodhura dhe vepruese.
1.2. DIODAT IDEALE
Elementi i par q do t prshkruajm sht dioda. Ky sht elementi
m i thjesht gjysmprcjells, por luan nj rol shum t rndsishm n
sistemet elektronike. Ajo do t gjendet q nga zbatimet m t thjeshta e deri
tek ato m t ndrlikuara.
Termi ideal do t prdoret shpesh n kt tekst dhe do ti referohet do
elementi ose sistemi q ka karakteristika ideale - t prsosura n do drejtim.
Dioda ideale sht element me dy dalje me simbol si n figurn 1.1 a) dhe
karakteristik voltampere si n figurn 1.1 b).
8
Figura 1.1. Karakteristika dhe simboli i diods
N nj diod ideale kalon rrym vetm n nj kah, n at t prcaktuar nga
shigjeta n simbol, kur tensioni i zbatuar n diod ka polaritetin e treguar
n figurn 1.1 a) . Kur tensioni q zbatohet n diod do t ket polaritet t
kundrt, ather n t nuk kalon rrym, pra I
D
= 0. Karakteristika e paraqitur
n figurn 1.1 b) quhet karakteristika volt-amper e diods, sepse ajo tregon
lidhjen midis tensionit t zbatuar n diod (V
D
) dhe rryms q kalon n t (I
D
).
N kt tekst, n pjesn m t madhe t karakteristikave, boshti i ordinatave
(boshti y) do t shrbej si boshti i rryms dhe boshti i abshisave (boshti x)
si boshti i tensionit. Karakteristika e diods ideale (fig.1.1 b) prbhet nga
dy zona: zona 1 q i prket kuadrantit t par t boshteve dhe zona 2 q i
prket kuadrantit t tret.
N kuadrantin e par, dioda sht n kushtet e polarizimit t drejt dhe ka
karakteristikn e paraqitur n zonn 1 ku V
D
= 0 dhe I
D
ka vler maksimale,
pra dioda zvendsohet me nj qark t lidhur n t shkurtr. N kuadrantin
e tret, dioda sht e polarizuar n t kundrt dhe ka karakteristikn
e paraqitur n zonn 2 ku V
D
ka vler maksimale dhe I
D
= 0, pra, dioda
paraqitet si nj qark i hapur. Si prfundim, mund t nxjerrim se dioda ideale
ka karakteristikat e nj elsi q prcjell rrym vetm n nj kah.
Nj parametr i rndsishm i diods sht rezistenca e saj n pikn ose
regjimin e puns. N regjimin e prcjellshmris drejtimi i rryms n diod
dhe polariteti i tensionit n diod sht si n kuadrantin e par n figurn
1.1 b) dhe vlera e rezistencs s drejt R
F
prcaktohet nga ligji i Ohmit si m
posht:
ku V
F
sht tensioni i drejt n diod dhe I
F
sht rryma e drejt q kalon
n diod.
Dioda ideale, si rrjedhim, sht nj qark i shkurtr pr regjimin e
prcjellshmris.
Nse konsiderojm q n diod sht zbatuar tension i kundrt (kuadranti
i tret n figurn 1.1 b), vlera e rezistencs s kundrt prcaktohet nga ligji i
Ohmit si m posht:
9
Figura 1.3. a) Gjendja e prcjellshmris, b) gjendja e joprcjellshmris s diods ideale
e prcaktuar nga kahu i rryms konvencionale n varsi t lidhjes s diods n qark
ku V
R
sht tensioni i kundrt n diod dhe I
R
sht rryma e kundrt n
diod.
Dioda idele, si rrjedhim, sht nj qark i hapur n regjimin e joprcjellshmris.
N figurn 1.2 tregohet gjendja e prcjellshmrisdhe e joprcjellshmris
s diods ideale.
Figura 1.2 a) Gjendja e prcjellshmris dhe b) e joprcjellshmris e diods
ideale n varsi t tensionit t zbatuar
Lind pyetja:
Sa sht rezistenca e kalimit t drejt t diods reale krahasuar me at t
diods ideale?
Sa sht rezistenca e kalimit t kundrt t diods reale krahasuar me at t
diods ideale?
Kto pyetje do t marrin prgjigje n msimet e mposhtme.
N prgjithsi sht e thjesht t prcaktojm regjimin e prcjellshmris e
t joprcjellshmris, duke vn re kahun e rryms n varsi t tensionit t
zbatuar. Kahu i rryms konvencionale sht konsideruar kahu i kundrt me
at t rrjedhjes s elektroneve.
(b)
10
1.3. MATERIALET GJYSMPRCJELLSE
Prcjells sht nj material q lejon nj lvizje t madhe t ngarkesave (pra
ka nivel t lart prcjellshmrie) kur n t zbatohet nj burim tensioni me
amplitud t caktuar.
Izolues sht nj material q ka nivel t ult prcjellshmrie kur n t
zbatohet nj burim tensioni.
Nj gjysmprcjells, si rrjedhim, sht nj material q ka nj nivel
prcjellshmrie diku midis ekstremeve t nj izolatori dhe nj prcjellsi.
Rezistenca e nj materiali sht n prpjestim t zhdrejt me
prcjellshmrin tij. Sa m i lart sht niveli i prcjellshmris, aq m i
ult sht niveli i rezistencs. Rezistenca specifike () prdoret shpesh pr
krahasimin e nivelit t rezistencave t materialeve. Rezistenca specifike e
nj materiali matet me x cm ose x m.
Kujtojm q:
x cm (1.1)
A - siprfaqja e seksionit trthor t prcjellsit
l - gjatsia e prcjellsit
N fakt, nse siprfaqja e faqes s nj kubi (fig. 1.4) sht 1 cm
2
dhe lartsia
1 cm, vlera e rezistencs s tij sht e barabart me vlern e rezistencs
specifike t nj materiali.
USHTRIME
1. Prshkruani me fjalt tuaja kuptimin e fjals ideale pr nj element ose
sistem.
2. Prshkruani me fjalt tuaja karakteristikat e diods ideale dhe si
prcaktohet q ajo sht n gjendje prcjellse apo jo.
3. Cili sht ndryshimi mes nj elsi t thjesht dhe t nj diode ideale.
11
Kjo tabel na ndihmon pr t krahasuar nivelin e rezistencave specifike t
materialeve t mposhtme.
Figura 1.4. Prcaktimi i rezistencs
N tabeln 1.1 jan dhn vlerat e tre kategorive t gjera materialesh. Duket
qart q silici e germaniumi jan materiale gjysmprcjellse. Ato jan
dy materiale q kan marr prdorim t gjer n zhvillimin e elementeve
gjysmprcjellse. Nj fakt i rndsishm sht niveli shum i lart i
pastrtis me t cilin ato mund t prodhohen.
Nse n nj pjes shum t vogl materialesh prej silici futet nj numr
i caktuar atomesh t tjera (tipat e tyre do ti prmendim m posht),
karakteristikat e materialit mund t ndryshojn. Kto veti i gzon Ge dhe Si,
prandaj ato kan marr prdorim t gjer. Karakteristikat e tyre ndryshojn
veanrisht nn ndikimin e drits ose nxehtsis, kshtu q elementet
gjysmprcjellse prdoren edhe n ndrtimin e elementeve t ndjeshme
ndaj drits ose nxehtsis.
Atomet e t dy materialeve (Ge ose Si) formojn nj model shum t
prcaktuar me natyr periodike (pra q prsritin vetveten). Nj model i
kompletuar sht quajtur kristal.
Kristali sht nj struktur tredimensionale si n figurn 1.5.
Tabela 1.1
Pra | R| = =| | =
l
A
(1cm)
(1cm )
2
12
Figura 1.6. Modeli i Bohrit pr a) Ge dhe b) Si
Atomi i Ge ka 32 elektrone t shprndara npr orbita, ndrsa atomi i Si ka
14 elektrone t shprndara npr orbita. Si shihet Ge dhe Si jan atome
katrvalente, sepse kan secili nga katr elektrone valence. N kristalin e
pastr t Ge apo Si, 4 elektronet e valencs s do atomi lidhen me elektronet
e valencs s 4 atomeve t tjera, duke formuar nj lidhje kovalente si n
figurn 1.7.
N kushte normale nj kristal i till nuk prcjell rrym, sepse elektronet
jan t lidhura n ifte dhe nuk mund t lvizin.
Elektronet e valencs me energji kinetike t mjaftueshme, pr arsye t
ndryshme, mund t thyejn lidhjen kovalente dhe t dalin n gjendje t
lir. P.sh., nse futen atomet e elementeve kimike me 3 ose 5 elektrone
valence (si papastrti), prishet lidhja kovalente dhe krijohet mundsia e
prcjelljes s rryms. Lidhja kovalente mund t ndikohet edhe nga efekti
i energjis diellore n formn e fotoneve ose energjis termike t mjedisit
rrethues.
(b)
Modeli i Bohrit pr dy gjysmprcjellsit m t prdorshm sht treguar
n figurn 1.6
Figura 1.5. Struktura e nj kristali Ge ose Si
13
Figura 1.7. Lidhja kovalente e atomeve t silicit
N temperaturn e dhoms ndodhen afrsisht 1,5x10
10
mbarts t lir n
nj cm
3
brenda materialit t Si, ndrsa te Ge, brenda t njjts siprfaqe
ndodhen 2,5x10
13
mbarts t lir n nj cm
3
. Raporti i numrit t elektroneve
t lira t Ge ndaj atij t Si sht rreth 10
3
m i madh e kjo tregon se Ge sht
prcjells m i mir n temperaturn e dhoms.
Rritja e temperaturs s nj gjysmprcjellsi mund t sjell nj rritje reale
t numrit t elektroneve t lira n material.
Me rritjen e numrit t elektroneve t lira, do t rritet niveli i prcjellshmris
e pr pasoj, do t ulet vlera e rezistencs.
Materialet gjysmprcjellse, si Ge e Si, n t cilat zvoglohet rezistenca me
rritjen e temperaturs, thuhet se kan koeficient negativ temperature.
Rezistenca e shumics s prcjellsve rritet me rritjen e temperaturs; ata
kan koeficient pozitiv temperature.
USHTRIME
1. a) Duke prdorur tabeln 1.1, prcaktoni rezistencn e Si me siprfaqe
1 cm
2
dhe me gjatsi 3 cm.
b) Prsritni pikn a) pr siprfaqe 4 cm
2
dhe me gjatsi 1 cm.
c) Prsritni pikn a) pr bakrin dhe krahasoni rezultatin.
2. Shpjegoni me fjalt tuaja vetit e nj materiali me koeficient negativ
temperature.
3. Vizatoni strukturn atomike t bakrit. Pse sht ai nj prcjells i mir?
14
1.4. NIVELET ENERGJETIKE
N strukturn e atomit t veuar ndodhen nivelet energjetike t shoqruara
me elektronet e do orbite, si tregohet n figurn 1.8 a).
do material do t ket nivelet energjetike t lejuara pr elektronet n
strukturn atomike t tij.
Sa m e madhe t jet largsia e elektronit nga brthama, aq m e lart
sht gjendja energjetike e tij, dhe do elektron q ka ln atomin mm
t tij ka nj gjendje energjetike m t lart se do elektron n strukturn
atomike.
(etj.)
(etj.)
a)
Energjia
Bandat mbulojn
pjesrisht njra-tjetrn
Elektronet
e valencs
brenda
strukturs
atomike
Bandat mbulojn
pjesrisht njra-tjetrn
Elektronet
e valencs
brenda
strukturs
atomike
Figura 1.8. Nivelet energjetike:
a) nivelet e ndara n strukturat atomike;
b) banda e prcjellshmris dhe banda e valencs s nj izolatori,
gjysmprcjellsi dhe prcjellsi
b)
Izolatori Gjysmprcjellsi Prcjellsi
15
Energjia q shoqron do elektron matet me elektron-volt (eV). Madhsia e
saj sht afrsisht:
W = QV (eV) (1.2)
ku Q sht ngarkesa e nj elektroni.
Duke zvendsuar ngarkesn e nj elektroni dhe diferencn e potencialit
prej nj volt n ekuacionin (1.2), do t rezultoj nj nivel energjetik prej 1
elektron-volt.
Duke kujtuar q ngarkesa e nj elektroni sht 1.6 x 10
-19
C,
W = QV = (1.6 x 10
-19
)(1V)
1eV = 1.6 x 10
-19
J (1.3)
N zeron absolute (-273.15C) t gjitha elektronet e valencs s materialeve
gjysmprcjellse kan nivel energjetik t bands s valencs si n figurn
1.8 b). N temperaturn e dhoms (25C), nj numr i madh elektronesh
valence fitojn energji kinetike t mjaftueshme pr t ln bandn e
valencs. Ato prshkojn boshllkun (hapsirn energjetike) e prcaktuar
nga E
g
n figurn 1.8b) dhe hyjn n zonn e prcjellshmris. Pr silicin E
g

sht 1.1 eV, pr germaniumin E
g
sht 0.67 eV.
Pr izolatort energjia e hapsirs sht 5 eV ose m shum. Prcjellsi
ka elektrone n zonn e prcjellshmris edhe n 0
O
K (-273.15
0
C). N
temperaturn e dhoms ndodhen m shum mbarts t lir, q mund t
lindin nj rrym.
Nse brenda materialeve gjysmprcjellse futen papastrti, pra atome t
tjera, rritet numri i mbartsve n zonn e prcjellshmris.
USHTRIME
1. Sa sht energjia n J q duhet pr t lvizur nj ngarkes prej 6 C nga
nj diferenc potenciali 2 V.
2. Nse pr t lvizur nj ngarkes duhen 36 eV dhe nj diferenc potenciali
12 V, sa sht ngarkesa?
1.5. GJYSMPRCJELLSIT E TIPIT p DHE n
Karakteristikat e materialeve gjysmprcjellse mund t ndryshojn duke
shtuar atome t jashtme (papastrti) brenda materialit relativisht t pastr.
Kto papastrti, megjithse jan n raportin 1 me 10 milion, ndryshojn
vetit e materialit gjysmprcjells.
Ekzistojn dy tipa materialesh me rndsi t jashtzakonshme n prodhimin
e pajisjeve gjysmprcjellse: tip n dhe tip p. Secili prej tyre do t prshkruhet
me imtsi.
16
Atomi i futur si papastrti ka dhuruar nj elektron t lir n struktur.
Atomet me pes elektrone valence t futura si papastrti jan quajtur atome
dhuruese.
Materiali i tipit n sht elektrikisht neutral, sepse numri i protoneve me
ngarkes pozitive n brtham sht i barabart me numrin e elektroneve
n struktur.
Figura 1.9. Materiali tip n
Figura 1.10. Efekti i atomeve dhuruese
n strukturn e bandave energjetike
Gjysmprcjellsi tip n
T dy tipat e materialeve jan formuar nga shtimi i nj numri t paracaktuar
t atomeve t papastra brenda nj materiali baz Si apo Ge. Tipi n sht
krijuar nga futja e atomeve pesvalente (me pes elektrone valence), t tilla si
antimoni, arseniku dhe fosfori, n nj kristal t pastr silici apo germaniumi.
N figurn 1.9, n nj element baz Si sht prdorur antimoni si papastrti.
Si shihet, ndodhet nj elektron i pest i atomit t papastrt, i cili sht i
pashoqruar me lidhje kovalente t posame. Ky elektron i mbetur, i liruar
nga atomi mm, sht relativisht i lir pr t lvizuar brenda materialit t
ri tip-n.
17
Gjysmprcjellsi tip p
Materiali tip p sht formuar nga vendosja e atomeve 3-valente brenda nj
kristali t pastr t Si ose t Ge. Elementet m t prdorura pr kt qllim
jan bori, galiumi, indiumi. Efekti i njrit prej ktyre elementeve, borit, n
elementin baz Si, sht treguar n figurn 1.11:
Figura 1.11. Atome bori si papastrti n materialin tip p
Si shihet, ndodhet nj numr i pamjaftueshm elektronesh pr t plotsuar
lidhjen kovalente t strukturs s re. Vendi bosh sht quajtur vrim. N
vendin bosh mund t futet pa vshtirsi nj elektron i lir.
Atomi me tre elektrone valence i vendosur brenda kristalit t pastr sht
quajtur atom marrs.
Materiali i tipit p sht elektrikisht neutral, pr t njjtn arsye si u tha m
lart.
Lvizja e vrimave kundrejt elektroneve
N figurn 1.12 tregohet mnyra e lvizjes relative t vrimave. Nse nj
elektron valence ka energji kinetike t mjaftueshme pr tu shkputur nga
lidhja kovalente, ai mund t shkoj t plotsoj vendin bosh (vrimn) n
atomin fqinj. Elektroni q u largua nga lidhja kovalente krijoi nj vend bosh
n t, pra nj vrim t re. Kshtu elektroni u zhvendos djathtas, ndrsa vrima
majtas. Drejtimi konvencional i rryms prputhet me drejtimin e lvizjes s
vrimave.
(B)
18
Mbarts me shumic e pakic
N nj material tip n (fig.1.13 a) elektroni sht quajtur mbarts me shumic,
ndrsa vrima sht mbartse me pakic.
N nj material tip p (fig.1.13 b) vrima sht mbartse me shumic dhe
elektroni sht mbarts me pakic.
Kur elektroni i pest i nj atomi dhurues l atomin mm, atomi i mbetur
ka ngarkes pozitive dhe shenja pozitive brenda rrethit prfaqson jonin
dhurues. Pr arsye t ngjashme, shenja negative brenda rrethit prfaqson
jonin marrs.
Figura 1.12. Lvizja e elektroneve dhe e vrimave
Figura 1.13 a) Material tip n
b) Material tip p
+ jon pozitiv
+ vrima
- elektron
- jon negativ
a)
b)
19
1.6. DIODAT GJYSMPRCJELLSE
Diodat gjysmprcjellse jan formuar nga bashkimi i dy shtresave
gjysmprcjellse t tipave t ndryshm (por me t njjtn baz Si ose Ge)
si n figurn 1.14.
Sapo dy shtresat gjysmprcjellse bashkohen, elektronet dhe vrimat n
zonn e bashkimit fillojn t kombinohen.
Zona ku shfaqen jonet pozitive e negative quhet barrier potenciale ose
shtres e kundrt, n prshtatje me shenjn e kundrt t mbartsve me
shumic me ato t joneve n kt zon.
Dioda sht nj element me dy dalje: anoda dhe katoda. Nj diod mund
t ndodhet n kto gjendje (n varsi t tensionit t zbatuar): e papolarizuar
(V
D
= 0), e polarizuar n t drejt (V
D
>0) dhe e polarizuar n t kundrt
(V
D
<0).
USHTRIME
1. Prshkruani ndryshimin midis materialeve gjysmprcjellse tip n dhe p.
2. Prshkruani ndryshimin midis atomeve marrse dhe dhuruese.
Figura 1.14. Bashkimi i dy shtresave p dhe n
(e papolarizuar)
20
Dioda e papolarizuar nga jasht (V
D
= 0V)
Dioda quhet e papolarizuar kur n t nuk zbatohet tension, pra V
D
= 0V
(fig. 1.14).
Elektronet e lira n shtresn gjysmprcjellse tip n me energji kinetike
t mjaftueshme, mund t kalojn bashkimin e dy shtresave duke krijuar
nj jon pozitiv atje ku largohen, pra n shtresn n. Kur ky elektron hyn n
shtresn p dhe bie n nj vrim atomi bhet jon negativ. Sa her q nj
elektron kalon bashkimin krijohet nj ift jonesh (fig. 1.14).
Numri i mbartsve t shumics sht shum i madh n shtresn tip n,
por nj numr i vogl me energji kinetike t mjaftueshme kalojn prmes
shtress s kundrt brenda materialit tip p.
N nj diod gjysmprcjellse, kur nuk zbatohet tension n t, rryma n
do kah sht zero.
Simboli i nj diode, vlera e V
D
-s dhe I
D
-s jan treguar n figurn 1.15.
Figura 1.15. Dioda gjysmprcjellse e papolarizuar
Dioda n kushtet e polarizimit t kundrt (V
D
< 0)
Nse nj burim tensioni i jashtm sht lidhur me diodn, n mnyr t
till q poli pozitiv i burimit t lidhet me shtresn tip n dhe poli negativ i
burimit t lidhet me shtresn tip p, si tregohet n figurn 1.16, themi q
dioda sht polarizuar n t kundt. Numri i joneve pozitive q marrin pjes
n shtresn e kundrt t materialit tip n do t rritet pr shkak t numrit t
madh t elektroneve t lira t trhequra nga poli pozitiv i burimit t tensionit
t zbatuar. Pr t njjtn arsye, numri i joneve negative q marrin pjes
n shtresn e kundrt t materialit tip p do t rritet. Pr pasoj, shtresa e
kundrt sht zgjeruar krahasuar me rastin e mparshm. Shtresa e kundrt
do t kthehet n nj penges m t madhe pr mbartsit e shumics dhe
zvoglon lvizjen e tyre deri n zero.
Numri i mbartsve t pakics (minoritar) n shtresn e kundrt nuk do t
ndryshoj dhe vektori i lvizjes s tyre do t jet si n figurn 1.16.
21
Figura 1.16. Polarizimi i kundrt i diods
Rryma q lind n kushtet e polarizimit t kundrt sht quajtur rryma e
kundrt e ngopjes dhe shnohet me I
s
.
Rryma e polarizimit t kundrt sht e vogl, nuk i kalon disa mikroamper,
prve rasteve t elementeve me fuqi t lart.
Termi ngopje vjen nga fakti q vlera e saj arrin shum shpejt n nivelin
maksimal dhe nuk ndryshon edhe pse tensioni i kundrt n diod mund
t rritet, si tregohet edhe n karakteristikn e diods n figurn 1.19 pr
(V
D
< 0).
N figurn 1.17 sht treguar nj diod gjysmprcjellse n kushtet e
polarizimit t kundrt.
Vini re q drejtimi i kalimit t rryms I
s
sht i kundrt me at t shigjets
n simbol.
Figura 1.17. Nj diod gjysmprcjellse n kushtet e polarizimit t kundrt
22
Dioda n kushtet e polarizimit t drejt (V
D
> 0)
N kushtet e polarizimit t drejt poli pozitiv i burimit sht lidhur me
shtresn tip p dhe poli negativ i burimit sht lidhur me shtresn tip n, si
tregohet n figurn 1.18.
Figura 1.18. Dioda n kushtet e polarizimit t drejt
Nse dioda polarizohet n t drejt, tensioni i burimit V
D
do t detyroj
elektronet n shtresn tip n dhe vrimat n shtresn tip p t rikombinohen
me jonet afr kufirit dhe do t zvogloj gjersin e barriers potenciale
(shtress s kundrt) si n figurn 1.18.
Numri i mbartsve t pakics, pra i elektroneve nga shtresa tip p drejt
shtress tip n (ose e vrimave nga shtresa tip n drejt shtreses tip p) nuk ka
ndryshuar n vler, por zvoglimi i gjersis s shtress s kundrt ka rritur
numrin e mbartsve t shumics q kalojn bashkimin. Nj elektron i
shtress tip n tani duhet t kaloj nj penges m t vogl drejt shtress tip
p (te bashkimi) dhe trhiqet fort nga poli pozitiv i burimit. Sa m e madhe
t jet vlera e tensionit t drejt t zbatuar n diod, aq m e vogl sht
gjersia e barriers potenciale (shtress s kundrt), pra aq m i madh sht
numri i elektroneve q mund t kalojn bashkimin. Pr pasoj rritet n
mnyr eksponenciale rryma pr regjimin e polarizimit n t drejt, si n
figurn 1.20.
Vini re q boshti vertikal sht shkallzuar n miliamper (ose n amper),
ndrsa boshti horizontal sht shkallzuar rreth 1 V. Tensioni i polarizimit
n t drejt t diods sht m i vogl se 1 V.
N figurn 1.19 sht treguar kushti i polarizimit n t drejt t nj diode
gjysmprcjellse. Kahu i kalimit t rryms n diod sht i njjt me at t
shigjets n simbol.
I
D
= I
mb.kryesor
- I
S
23
ku I
S
= rryma e kundrt e ngopjes, k = 11,600/ ku = 1 pr Ge dhe = 2 pr
Si pr rryma n diod posht gjurit t lakores dhe = 1 pr Ge dhe Si pr
nivele m t larta t rryms n diod.
T
K
=T
C
+273
T
C
- sht temperatura n C.
Karakteristika e plot e diods sht ndrtuar n figurn 1.20.
Figura 1.20. Karakteristikat e diods gjysmprcjellse t silicit
(1.4)
Figura 1.19. Polarizimi n t drejt i nj diode gjysmprcjellse
Karakteristika kryesore e nj diode gjysmprcjellse I
D
= f (V
D
) prcaktohet
nga ekuacioni i mposhtm:
24
Pr vlera pozitive t V
D
, I
D
do t ndryshoj sipas ligjit y = e
x
dhe karakteristika
q shpreh kt varsi sht n kuadrantin e par.
Pr diodn e papolarizuar V
D
= 0 V dhe rryma I
D
= 0 mA.
Pr vlera negative t V
D
, I
D
= -I
S
. Karakteristika q shpreh varsin midis
tyre sht n kuadrantin e tret. Shihet q pjesa negative e boshtit vertikal
sht shkallzuar n A, ndrsa pjesa negative e boshtit horizontal sht
shkallzuar n dhjetra V.
Regjimi zener
N figurn 1.21 sht treguar karakteristika e diods pr vlera shum t
mdha t tensionit t kundrt. Nse tensioni i kundrt n diod rritet sa
V
shpimit
, do t rritet ndjeshm rryma e kundrt e ngopjes. Ky sht nj proces
jonizimi dhe elektronet e valencs kan energji kinetike t mjaftueshme pr
t ln atomin mm dhe pr pasoj rryma rritet si ortek. Dioda hyn n
zonn e shpimit dhe ajo del jasht prdorimit.
Figura 1.21. Karakteristika e diods pr vlera t mdha
t tensionit t kundrt
Vlera maksimale e tensionit t kundrt (PIV ose V
Shpimit
) q mund t zbatohet
n diod sht nj madhsi e rndsishme n zgjedhjen e diods dhe duhet
q V
kundrt
i zbatuar n diod t jet m i vogl se V
Shpimit
.
Nse vlera maksimale e tensionit t kundrt n pajisje sht m e madhe se
PIV i nj diode, ather mund t lidhen disa dioda n seri me karakteristika
t njjta pr t mbajtur kt tension. Diodat mund t lidhen n paralel, pr t
rritur mundsin e mbajtjes s rrymave m t mdha se rryma maksimale
e lejuar n nj diod.
25
Prparsit e diodave prej Si ndaj atyre t Ge
Diodat e Si e kan, n prgjithsi, tensionin e kundrt maksimal dhe kufijt
e rryms m t mdha se ato t diodave prej Ge (fig.1.22). Gjithashtu kufijt
e temperaturs jan m t gjer. Kufijt e tensionit t kundrt maksimal pr
diodat e Si shkojn deri n 1000 V, ndrsa pr diodat e Ge deri n 400 V.
Diodat e Si mund t prdoren deri n 200C, ndrsa ato t Ge deri n 100C.
E met e diodave prej Si sht tensioni i hapjes s tyre (0.7 V) m i madh se
n diodat e Ge (0.3 V).
Figura 1.22. Karakteristika volt-ampere e diodave t Si dhe t Ge
V i hapjes s diods (ose tensioni threshold) V
T
sht
V
T
= 0.7 V (Si)
V
T
= 0.3 V (Ge)
Efekti i temperaturs
Rryma e kundrt e ngopjes I
S
do t dyfishohet nse temperatura rritet me
10C. Nse I
S
sht 1 A n 25C, n 100C I
S
sht afrsisht 100 A ose
0.1 mA.
I
S
pr diodat e Si jan shum m t vogla se n diodat e Ge. Rritja e
temperaturs shkakton zvoglimin e tensionit t hapjes t diods s
polarizuar n t drejt (fig. 1.23). Duhet pasur parasysh q t mos kalohen
kufijt e fuqis maksimale dhe kufijt e rryms maksimale t dhna nga
katalogu, pasi, n rast t kundrt, dioda del jasht prdorimi.
26
Kur dioda polarizohet n t kundrt, tensioni i shpimit rritet me rritjen
e temperaturs, por njkohsisht vihet re edhe nj rritje e padshiruar e
rryms s kundrt t ngopjes.
USHTRIME
1. Prshkruani me fjalt tuaja kushtet e polarizimit n t drejt dhe n t
kundrt t nj diode si dhe far mund t thoni pr rrymn n do rast.
2. Vizatoni karakteristikn volt-ampere t nj diode silici me tension hapje
(gjuri) 0.7 V dhe me PIV = 50 V. Shpjegoni me fjalt tuaja do pjes t
karakteristiks.
3. Duke prdorur ekuacionin 1.4, prcaktoni vlern e rryms n diod n
20C pr nj diod silici me I
S
= 60 nA dhe pr nj tension polarizimi t
drejt 0.7 V.
4. a) Duke prdorur ekuacionin 1.4, prcaktoni vlern e rryms n diod
n 20C pr nj diod silici me Is = 0.2 A dhe nj tension polarizimi t
kundrt prej -10 V.
b) A sht rezultati i pritshm? Pse?
5. Prcaktoni vlern e tensionit t drejt n diod, karakteristikat e s cils
jan n figurn 1.24 n temperaturat -75C, 25C, 100C dhe n 200C
Figura 1.23. Ndryshimet e karakteristiks me ndryshimin e temperaturs
27
pr rrymn 8 mA. Pr do temperatur prcaktoni vlern e rryms s
saturimit.
Komentoni raportin e dy prej rezultateve t prcaktuara m sipr.
6. N nj skem, dioda e polarizuar n t drejt ka rrym 50 mA. Kur
polarizohet n t kundrt rryma bie n 20 nA. Sa sht raporti i rryms
s drejt me at t kundrt?
7. Nj diod silici e ka rrymn e saturimit 2 nA n 25C. Sa sht I
S
n 75C?
Po n 125C?
1.7. REZISTENCA STATIKE DHE DINAMIKE E DIODS
Dioda mund t punoj n pika t ndryshme t karakteristiks s saj, ndaj ajo
shfaq rezistenca n vlera t ndryshme, sepse karakteristika sht jolineare.
Rezistenca statike ose rezistenca pr rrymn e vazhduar
Nse zbatojm nj tension t vazhduar n qarkun ku lidhet nj diod
gjysmprcjellse, dioda punon n nj pik t caktuar t karakteristiks, e
cila nuk ndryshon me kalimin e kohs.
Rezistenca e diods n pikn e puns mund t gjendet thjesht nga
vlerat korresponduese t V
D
dhe I
D
, si tregohet n figurn 1.24 dhe quhet
rezistenc statike.
Figura 1.24. Prcaktimi i rezistencs statike t diods
(1.5)
Rezistenca e rryms s vazhduar ose rezistenca statike e diods te gjuri ose
posht tij sht me madhe se rezistenca e marr n pjesn sipr gjurit t
28
karakteristiks. Rezistenca e diods n kushtet e polarizimit t kundrt sht
mjaft e madhe.
Sa m e vogl t jet vlera e rryms n diod, aq m e madhe sht
vlera e rezistencs n t.
SHEMBULL 1.1
Prcaktoni vlerat e rezistencs s diods n figurn 1.25 pr:
a) I
D
= 2 mA
b) I
D
= 20 mA
c) V
D
= - 10 V
Zgjidhje
a) Pr I
D
= 2 mA, V
D
= 0.5 V (nga karakteristika),
b) Pr I
D
= 20 mA, V
D
= 0.8 V (nga karakteristika)
c) Pr V
D
= - 10 V, I
D
= -I
S
= -1A
Figura 1.25. Shembulli 1.1
29
Kshtu vrtetohen t gjitha ato q u than m sipr n lidhje me vlerat e
rezistencs statike t diods n pika t ndryshme pune.
Rezistenca dinamike ose rezistenca pr rrymn alternative
Nse n nj qark me diod zbatohet nj tension i vazhduar (i pandryshuar),
ajo punon n nj pik pune q quhet pika e qetsis Q.
Le t mendojm se qarku me diod sht lidhur me nj burim sinjali
sinusoidal. N kt rast pika e puns lviz posht e lart prgjat karakteristiks
si n figurn 1.26 n varsi t amplituds s tensionit sinusoidal.
Figura 1.26. Ndryshimi i tensionit dhe rryms rreth piks Q
N vijn e drejt t vizatuar tangjent me karakteristikn n pikn Q,
prcaktojm ndryshimin e tensionit e t rryms, dhe kto vlera mund
t prdoren pr t prcaktuar rezistencn dinamike pr kt zon t
karakteristiks, si n figurn 1.27.
(1.6)
ku sht nj ndryshim sasior i fundm.
Figura 1.27. Prcaktimi i rezistencs dinamike n nj pik Q
30
Pr pjerrsi t ndryshme, sa m e vogl t jet vlera e V
D
pr I
D
t njjta, aq
m e vogl sht rezistenca. Sa m posht t ndodhet pika Q, aq m e madhe
sht rezisteca e diods pr rrymn alternative ose rezistenca dinamike.
SHEMBULLI 1.2
Pr karakteristikat e figurs 1.28:
a) Prcaktoni rezistencn dinamike n I
D
= 2 mA.
b) Prcaktoni rezistencn dinamike n I
D
= 25 mA.
c) Krahasoni rezultatet e piks (a) dhe piks (b) me rezistencn statike
pr do vler t rryms.
Zgjidhje
a) Pr I
D
= 2 mA sht hequr tangjentja n pikn Q
1
dhe jan prcaktuar
ndryshimet n tension e n rrym:
I
D
= 4 mA - 0 mA = 4 mA
V
D
=0.76 V - 0.65V = 0.11V
Figura 1.28. Shembulli 1.2
Q
1
Q
2
31
dhe rezistenca dinamike
b) Pr I
D
= 25 mA sht hequr tangjentja n pikn Q
2
dhe jan prcaktuar
ndryshimet n tension e n rrym:
I
D
= 30 mA - 20 mA = 10 mA
V
D
= 0.8 V - 0.78V = 0.02V
dhe rezistenca dinamike
c) Pr I
D
= 2 mA, V
D
= 0.7 V pr pikn e puns Q
2
, rezistenca statike RD do
t jet:
e cila sht shum larg r
d
=27.5
Pr I
D
= 25 mA, V
D
= 0.79 V pr pikn e puns Q
2
, rezistenca statike RD do t
jet:
e cila sht shum larg r
d
= 2 .
Ne kemi gjetur rezistencn dinamike grafikisht e tani do ta prcaktojm at
matematikisht.
Derivati i nj funksioni n nj pik sht i barabart me koeficientin kndor
t tangjentes s hequr te kjo pik.
Kujtojm q koeficienti kndor sht i barabart me tg ku prcakton
pjerrsin e vijs
Pas disa veprimesh matematikore do t arrijm n nj prfundim t till:
Nse marrim parasysh rezistencn midis materialit gjysmprcjells dhe
prcjellsit metalik t jashtm, r
B
, ather rezistenca dinamike do t jet:
32
ku r
B
varion nga 0.1 (pr diodat me fuqi t madhe) deri n 2 (pr diodat
me fuqi t vogl, pra diodat e zakonshme). Prmirsimet teknologjike t
viteve t fundit kan br zvoglimin e vazhdueshm t r
B
dhe n kt tekst
ajo do t injorohet. Pra, afrsisht, formula e rezistencs dinamike do t jet
Vini re q vlera e rezistencs dinamike prcaktohet nprmjet vlers s
rryms n pikn e qetsis I
D
, kshtu q nuk sht e nevojshme heqja e
tangjentes. Ky ekuacion mund t prdoret n pjesn e karakteristiks ku
rryma rritet pothuajse vertikalisht, ndrsa pr vlera m t vogla t I
D
, vlera e
r
d
duhet shumzuar me 2 pr diodat e silicit.
Rezistenca mesatare e rryms alternative
Nse sinjali n hyrje ka vlera t mdha, rezistenca e elementit pr kt zon
sht quajtur rezistenca mesatare e rryms alternative. Ajo prcaktohet
duke hequr nj vij t drejt midis dy pikave q i korrespondojn vlerave
maksimale e minimale t tensionit n hyrje.
Figura 1.29. Prcaktimi i rezistencs mesatare t rryms alternative
midis kufijve t treguar
33
N tabeln e mposhtme sht br prmbledhja e konkluzioneve t
rndsishme q prcaktojn nivele t ndryshme rezistence.
Tabela 1.2. Mnyra e prcaktimit t rezistencs statike, dinamike dhe
mesatare t diods.
USHTRIME
1. Prcaktoni vlern e rezistencs statike s diods n figurn 1.19 pr nj
tension t kundrt (- 20) V. Krahasoni vlern e saj me vlern e rezistencs
statike n tensionin e kundrt (- 40) V.
2. Prcaktoni vlern e rezistencs statike ose dc t rezistencs s diods n
figurn 1.19 pr nj rrym t drejt 3 mA.
3. a) Prcaktoni rezistencn dinamike t diods n figurn 1.29 pr nj
vler rryme t drejt prej 15 mA duke prdorur ekuacionin (1.6).
b) Prcaktoni rezistencn dinamike (ac) t diods n figurn 1.29 pr nj
vler rryme t drejt prej 15 mA duke prdorur ekuacionin (1.7).
c) Krahasoni rezultatin e piks (a) me at t piks (b).
4. Prcaktoni rezistencn mesatare ac t diods n figurn1.19 pr zonn
0.65 V deri n 0.75 V.
34
1.8. QARQET EKUIVALENTE T DIODS
N analizn e sistemeve elektronike shpesh sht e nevojshme t studiohet
modeli (qarku) ekuivalent i diods, prandaj ato jan prmbledhur n nj
tabel, si m posht:
Tabela 1.3. Qarqet ekuivalente t diods
1.9. T DHNAT SPECIFIKE T DIODS
T dhnat e diodave, q mund t duhen gjat prdorimeve t ndryshme t
saj, jan prfshir m posht:
1. Tensioni i drejt (pr nj rrym dhe temperatur t caktuar).
2. Rryma maksimale e drejt (n nj temperatur t caktuar).
3. Rryma e kundrt e ngopjes (n nj tension dhe temperatur t caktuar).
4. Tensioni i kundrt maksimal i lejuar (n nj temperatur t caktuar).
5. Fuqia maksimale e harxhuar (n nj temperatur t caktuar).
6. Kufiri i temperaturs s puns etj.
N varsi t tipit t diods, mund t jepen edhe t dhna t tjera, si: frekuenca
kufi, niveli i zhurmave, vlera e rezistencs termike etj. Fuqia e konsumuar
n diod sht
P
D
= V
D
I
D
(1.8)
ku I
D
dhe V
D
jan rryma e tensionit n diod n pikn e puns.
Nse marrim parasysh njrin nga modelet ekuivalente t diods, ku
V
D
= V
T
= 0.7 V pr nj diod Si, n ekuacionin (1.8) prcaktojm fuqin e
konsumuar, m pas e krahasojm me fuqin maksimale t lejuar.
35
P
D
=(0.7) I
D
Fuqia e konsumuar n diod duhet t jet m e vogl se fuqia maksimale
e lejuar n t.
PD <P
max.lej
.
1.10. KONTROLLI I DIODS
Ju mund t kontrolloni gjendjen e nj diod me ohmmetr. Matni rezistencn
e rryms s vazhduar s nj diod n t dy kraht. Vini re se sa i lart sht
raporti i rezistencs s kalimit t kundrt me at t kalimit t drejt. Pr nj
diod Si ky raport mund t jet m i lart se 1000 : 1.
Figura 1.30. Kontrolli i diods me ohmmetr
Nj diod konsiderohet e rregullt nse vlerat e rezistencs s kalimit p-n t
diods t matur n t dy kraht jan t ndryshme. Pra rezistenca e kalimit
t drejt del relativisht e vogl si n figurn 1.30 a) (ku fisha e kuqe sht e
lidhur me anodn e diods dhe fisha e zez me katodn), ndrsa rezistenca
e kalimit t kundrt del relativisht e madhe si n figurn 1.30 b) (ku fisha e
kuqe sht lidhur me katodn dhe ajo e zez me anodn).
Nj diod konsiderohet e parregullt nse rezistenca sht shum e vogl
n t dy drejtimet e vendosjes s fishave (dioda ka rn n t shkurtr) ose
kur rezistenca sht shum e madhe n t dy kraht e vendosjes s fishave
(dioda sht qark i hapur).
36
Kontrolli bhet n prgjithsi kur diodat jan jasht skems. Kur diodat
jan n qark, m par duhet shkyur qarku (pra, t ndrpritet ushqimi me
tension). N kt rast ohmetri duhet t tregoj rezistenc m t vogl n
njrn an se n tjetrn.
Kontrolli i diods mund t bhet me multimetr n pozicionin si ohmmetr
ku elsi me shum pozicione vendoset n shkalln x 10 ose x 100.
Kontrolli i diods mund t bhet edhe me multimetr me ekran dixhital n
pozicionin e kontrollit t diods.
1.11. DIODAT ZENER
Regjimi zener n figurn 1.31 tregon q karakteristika n kuadrantin e tret
zbret n mnyr vertikale pr tensionin e kundrt t shnuar V
shp
ose V
Z
.
Rryma q kalon n diod n kt rast sht n drejtim t kundrt me at
t diods s polarizuar n t drejt. Diodat q shfrytzojn kt pjes t
karakteristiks jan dioda zener dhe e kan simbolin si n figurn 1.32 b).
Figura 1.31. Regjimi zener
N diodn gjysmprcjellse t treguar n figurn 1.32 a) kalon rrym n
drejtim t njjt me at t shigjets n simbol. Pr diodn zener (fig. 1.32 b)
drejtimi i kalimit t rryms sht i kundrt me at t shigjets s simbolit,
sepse gjat puns dioda zener polarizohet n t kundrt, pra (+) i burimit t
tensionit lidhet me katodn dhe (-) me anodn.
Q dioda t punoj n regjimin zener, duhet t ndryshohet niveli i
papastrtive n shtresat e saj. Sa m i madh t jet niveli i papastrtive, aq
m i vogl sht tensioni zener. Diodat zener mund t ken tension zener
nga 1.8 V deri n 200 V me fuqi maksimale nga 0.25 W deri n 50 W. Pr
shkak t tensioneve e rrymave m t larta, silici sht m i preferuar pr
prodhimin diods zener.
Figura 1.32 Drejtimi i rryms pr diodn
a) gjysmprcjellse, b) zener
37
Qarku ekuivalent i diods zener prfshin nj rezistenc t vogl dinamike
dhe nj bateri me tension t barabart me V
Z
, si sht treguar m posht
n figurn 1.33. N prgjithsi rezistencat e jashtme jan shum m t
mdha se rezistenca e diods zener dhe qarku ekuivalent sht ai i treguar
n figurn 1.33 b).
Figura 1.33. Qarku ekuivalent i diods zener
a) i plot, b) i prafrt
N tabeln e mposhtme jepen t dhnat e nj tip diode zener, ku Vz
nominale sht vlera mesatare tipike e tensionit t diods. I
Z-T
sht vlera
e rryms s prcaktuar pr e fuqis dhe Z
ZT
sht vlera e rezistencs
dinamike pr kt nivel (n fig. 1.35).
Koeficienti i temperaturs shpreh ndryshimet n prqindje t Vz n lidhje
me temperaturn. Ky prcaktohet nga ekuacioni 1.9
ku Vz sht ndryshimi i tensionit n diodn zener me ndryshimin
e temperaturs, T
0
sht temperatura e dhoms (25
o
C), T
1
- vlera e re e
temperaturs.
9
Figura 1.34. Karakteristika
e diods zener
38
N figurn 1.35 vihet re q koeficienti i temperaturs mund t jet pozitiv,
negativ ose zero. Koeficienti ka vler pozitive kur me rritjen e temperaturs
rritet Vz, ndrsa koeficienti ka vler negative kur me rritjen e temperaturs
zvoglohet Vz.
Figura 1.35. Karakteristikat elektrike pr diodn zener 10 V, 500 mW
M posht tregohen: prcaktimi i daljeve t diods zener dhe pamja e
jashtme e disa prej tyre.
Figura 1.36. Prcaktimi i daljeve t diods zener dhe
pamja e jashtme e disa prej tyre
39
SHEMBULL
Prcaktoni tensionin nominal t diods zener nga tabela 1.4 n temperaturn
100
O
C.
Zgjidhje
Nga ekuacioni 1.9
Duke zvendsuar vlerat nga tabela 1.14
Dhe pr arsye t koeficientit pozitiv t temperaturs, tensioni i ri i zenerit
sht:
1.12. DIODAT DRITDHNSE (LED)
LED jan dioda speciale q emetojn drit kur lidhen n nj qark. Ato jan
prdorur shpesh si nj llamb pilot n zbatimet elektronike pr t treguar
kur qarku sht n pun ose jo.
N nj diod t polarizuar n t drejt, elektronet e lira kalojn bashkimin e
bien brenda vrimave. Nse kto elektrone bien nga nj nivel energjetik m
i lart n nj nivel energjetik m t ult, ato rrezatojn energji. N diodat e
zakonshme Si ose Ge, pjesa m e madhe e ksaj energjie shkon n formn
e ngrohtsis.
USHTRIME
1. Pr diodn zener me kto karakteristika: V
Z
= 30 V, V
R
= 17 V, I
ZT
= 10 mA,
I
R
= 20 A dhe I
ZM
= 30 mA. Vizatoni lakoren e karakteristiks s diods
t ngjashme me at t figurs 1.34.
2. Prcaktoni koeficientin e temperaturs s nj diode zener me Vz = 5 V
(n 25C), nse tensioni nominal bie n 4.6 V n temperaturn 100C.
3. Duke prdorur karakteristikn e figurs 1.35, sa sht koeficienti i
temperaturs s diods n V
Z
= 20 V? Po pr 5 V? Mendojeni shkalln
lineare dhe vlern e rryms 0.1 mA.
40
N materiale t tjera si galium arsenik fosfor (GaAsP) ose galium fosfor (GaP),
numri i fotoneve t drits sht i mjaftueshm pr t krijuar nj burim drite
t dukshm. N diodat emetuese t drits, kjo energji rrezatohet si drit.
Pjesa m e rndsishm e nj LED-i sht nj ip gjysmprcjells q
vendoset n qendr t llambs. ipi ka dy shtresa: shtresa p ka kryesisht
ngarkesa elektrike pozitive, ndrsa shtresa n ka kryesisht ngarkesa elektrike
negative. Kur nj tension i mjaftueshm sht zbatuar n diod, elektronet
mund t lvizin leht vetm n nj drejtim n bashkimin e shtresave p dhe
n, pra fillon t kaloj rrym, sepse elektronet e shtress n kan energjin e
mjaftueshme pr t lvizur drejt shtress p.
Kur nj elektron lviz e bie mbi nj ngarkes pozitive, t dy ngarkesat
rikombinohen, pra kur nj elektron takon nj vrim, ajo bie n nj nivel m
t ult energjie dhe lshon energji n formn e fotonit.
Sa her nj elektron rikombinohet me nj ngarkes pozitive, energjia
potenciale elektrike shndrrohet n energji elektromagnetike. Duke prdorur
kombinimin e elementeve kimike galium, arsenik dhe fosfor, mund t
ndrtojm LED-e, q rrezatojn n ngjyr t kuqe, jeshile, t verdh, blu,
portokalli ose infra t kuqe (t padukshme).
Le t shohim se si duhet lidhur LED n nj qark (fig. 1.37). Dalja e katods
(ku lidhet minusi) e nj LED-i sht treguar n dy mnyra:
1. ana e rrafsht e diods (fig. 1.37 a),
2. m e shkurtra nga dy daljet e zgjatura posht diods (fig. 1.37 b).
N figurn 1.37 jan treguar pamje t ndryshme t LED, ndrsa n figurn
1.38 simboli i LED.
a) b)
Figura 1.37. Pamje t ndryshme t LED Figura 1.38. Simboli i LED
Figura 1.39. a) Skem e thjesht me LED
b) Display me 7 segmente me LED
Dalja e katods s LED-it duhet
lidhur gjithnj me terminalin negativ
t nj baterie. Tensioni i puns s
nj diode emetuese t drits (LED)
sht rreth vlerave 1.5 V deri n
3 V, ndrsa rryma q rrjedh nga
10 deri n 50 miliamper. Tensionet
dhe rrymat mbi kto vlera mund t
shkrijn ipin e LED.
Nj skem e thjesht me LED
tregohet n figurn 1.39:
a
f b
g
d
e c
a) b)
41
Nj display me shtat segmente prmban shtat LED-e. do LED sht
quajtur nj segment. N figurn 1.39 a) sht treguar nj segment i nj
display me 7 segmente ku dioda sht lidhur n seri me nj rezistenc q
prdoret pr t kufizuar vlern e rryms.
Disa nga prdorimet e LED n jetn e prditshme jan:
ndriimet arkitekturore,
indikatort (tregues gjendjeje) n mjaft pajisje,
sinjalet e trafikut dhe ato rrugore,
ndriuesit e dors,
telekomandat (komandimi n largsi) n saje t LED me infra t kuqe,
fibrat optike pr komunikacion,
pr dritat e pems s Krishtlindjes,
fototerapia me LED kundr akneve ka rezultuar efektive n zhdukjen
e akneve pr nj periudh 3-mujore etj.
Disavantazhet e prdorimit t LED-it
Shpesh LED-t jan m t shtrenjt se teknologjit e tjera ndriuese.
Prgjithsisht, performanca e LED-it varet nga temperatura e mjedisit n
t cilin punon. Duke e vn n pun LEDin n temperatura t larta t
ambientit, kjo mund t rezultoj mbinxehse pr diodn dhe e on at n
dmtim e deri n mosfunksionim t saj. Pr ta mbajtur n pun sa m gjat
diodn, krkohen ftohs. Kjo merret parasysh n pajisjet ushtarake t cilat
mund ti ushtrohen temperaturave t larta t mjedisit.
Pr t punuar me sa m shum rendiment, LED-i krkon nj burim fuqie t
studiuar. Sigurisht ajo krkon nj rezistenc, q, gjithsesi, harxhon nj sasi
t konsiderueshme t energjis.
Pamja e jashtme e disa diodave emetuese t drits jepet n figurn 1.40:
Figura 1.40. Pamja e jashtme e disa diodave emetuese t drits
USHTRIME
1. N figurn 1.39 a) tensioni i burimit sht 10 V, ndrsa tensioni i hapjes
s diods sht 2 V. Sa sht rryma q kalon n LED, nse R = 680 ?
2. Nse LED-i, me tension hapjeje 1.8 V, ushqehet nga nj burim me
V = 20 V, sa sht vlera e rezistencs kur n LED kalon rryma 20 mA?
42
1.13. FOTODIODA
Me kalimin e viteve, sht rritur s teprmi interesi pr pajisjet elektronike t
ndjeshme ndaj drits. Dega prkatse q studion kto pajisje dhe mundohet
t rris rendimentin e tyre quhet optoelektronika. Burimet e drits jan nj
burim i veant energjie. Kjo energji transferohet nprmjet grimcave t
quajtura fotone, t cilat kan nj nivel t lidhur drejtprdrejt me frekuencn
vals shtitse t drits ( f ) dhe prcaktohet me formuln e mposhtme:
W = h*f.
Energjia shprehet n xhaul, (h) sht konstantja e Plankut q sht e
barabart me 6.624 x 10
-34
xhaul/ sekond, f sht frekuenca e vals s
drits q matet me hertz. Nga ana tjetr, frekuenca sht gjithashtu e lidhur
me gjatsin e vals (largesa e dy kreshtave t nj vale).
=
Lambda () sht gjatsia e vals e matur n metra, v sht shpejtsia e
drits (v = 3 x 10
8
m/ s) dhe f sht frekuenca e vals shtitse e matur n Hz.
Gjatsia e vals normalisht matet n Angstrom () ose n mikrometr, ku
1 = 10
-10
m dhe 1 mikrometr = 10
-6
m.
Gjatsia e vals s drits rnse varet nga lloji i materialit q prdoret pr
ndrtimin e elementeve optoelektronike.
Fotodioda sht nj element gjysmprcjells me bashkim p-n. Simboli dhe
nj skem e thjesht me fotodiod (figura 1.41) tregohet m posht:

Pra, si duket dhe nga skema, fotodioda lidhet n t kundrt me baterin.
Plusi i bateris lidhet me katodn e fotodiods dhe minusi me anodn e
saj. Kur nuk aplikojm drit, rryma q do t ekzistoj sht rrym shum e
vogl dhe quhet rryma e errt.
Kujtojm nga msimet e para se rryma e kundrt e saturimit ka vler disa
mikroamper dhe ajo krijohet nga lvizja e mbartsve minoritar n shtresn
n dhe p.
(a)
p n
-
+
kundrt
-
+
I
- +
(b)
V
I
V
R
Figura 1.41. Simboli dhe nj skem e thjesht me fotodiod
R
43
Meqense koha e ndryshimit t gjendjes s ktij elementi sht shum e
vogl, deri n nanosekonda, kt element mund ta prdorim n numrues
me shpejtsi t lart, sistemet e alarmit etj. Rryma e kundrt do t jet me
vler t konsiderueshme aq koh sa t vazhdoj t bjer rrezja e drits.
N qoft se rrezja ndrpritet, rryma e kundrt bie n nivelin e rryms s
errt dhe v n pun sinjalizuesin e alarmit. Nj tjetr prdorim sht ai
i numrimit t objekteve mbi nj rrip lvizs. Me lvizjen prpara t do
objekti, sa her pritet rrezja e drits mbi fotodiod, rryma bie n nivelin e
rryms s errt dhe numruesi rrit me nj numrin. Zbatime t tjera mund t
jen: n aparatin fotografik me autofokusim, n pajisje sigurie si detektort e
tymit, rrezet X n aeroporte dhe n alarmet e automjeteve dhe t banesave,
n industri n skanerat e bar kodeve, n enkodera, n sensor pozicioni si
dhe n fotokopjues etj.
M posht tregohen skema t ndryshme praktike me fotodioda (fig. 1.42).
Kur rrezet e drits, me nj gjatsi vale t caktuar (frekuenc t caktuar), bien
mbi kalimin p-n t fotodiods, ather energjin e tyre e transferojn n
strukturn atomike. Pr rrjedhoj rriten shum mbartsit minoritar, q
krijojn rrymn e puns n fotodiod. Numri i elektroneve t lira sht n
prpjestim t drejt me intensitetin e drits q bie. Intensiteti i drits sht
i lidhur me fluksin e ndriimit q bie mbi nj siprfaqe. Fluksi i ndriimit
matet me lumens (lm) ose vat:
1 lm = 1.496 x 10
-10
W.
Intensiteti i ndriimit matet n prgjithsi me fotokandela (fc ) ose W/m
2
:
1 fc = 1.609 x 10
-9
W/m
2
Figura 1.42. Skema t ndryshme praktike me fotodioda
44
USHTRIME
1. N figurn 1.43 V
o
= 20V dhe R
o
= 47 K. Nse I
o
ndryshon nga 2 -10 A,
sa sht ndryshimi i tensionit n fotodiod?
1.15. DIODAT SHOTKI (SCHOTTKY)
Nj diod e zakonshme n frekuencat e ulta mund t ndryshoj leht
gjendjen nga e polarizuar n t drejt n t polarizuar n t kundrt. Nse
frekuenca rritet, dioda arrin nj gjendje ku nuk mund t kaloj shpejt n
gjysmciklin ku ajo polarizohet n t kundrt. Koha q i duhet diods s
polarizuar n t drejt pr tu shkyur (kur polarizohet n t kundrt gjat
gjysmvals negative) sht quajtur koha e kthimit t kundrt (reverse
recovery time) trr.
Koha e kthimit t kundrt sht shum e shkurtr n diodat e sinjaleve t
vogla dhe nuk vihet re n frekuencat posht 10 MHz. N frekuenca m t
mdha ajo duhet marr n konsiderat, sepse bhet e krahasueshme n
periodn e sinjalit (T=1/ f). N nj skem drejtuese me nj gjysmval, sinjali
n dalje sht pulsant n frekuencat e ulta, ndrsa n frekuencat e larta
sinjali n dalje sht i deformuar.
Kur frekuenca bhet e rendit MHz, sinjali n dalje sht i deformuar, sepse
koha e kthimit t kundrt bhet pjes e periods. Pr t zgjidhur kt
problem, n vend t diods s zakonshme prdorim diodn Shotki, e cila
nga njra an e bashkimit sht ndrtuar nga nj pjes metali, si: ar, argjend,
platin etj., ndrsa nga ana tjetr nga nj shtes tjetr gjysmprcjellse silici
(kryesisht tipi n), figura 1.44 a).
1.14. QARQET ME LIDHJE OPTIKE
Qarqet me lidhje optike (optoiftuesit) kan n brendsi 2 elemente:
1. Elementi q emeton drit (LED etj.).
2. Elementi i ndjeshm ndaj drits (fotodiod, fototransistor etj.).
Kto dy elemente jan t vendosura n nj paket t vetme (chip) dhe midis
tyre nuk ekziston lidhje elektrike, por vetm lidhje optike. Skema elektrike
tregohet m posht:
Figura 1.43. Skema elektrike e nj qarku me lidhje optike
45
Dioda Schottky
Dioda e zakonshme
c)
Figura 1.44. a). Skema strukturore, b) simboli, c) karakteristika e diods Shotki
dhe nj diod e zakonshme
a) b)
Dioda Schottky
Dioda e zakonshme
Kur dioda sht polarizuar n t drejt, elektronet e lira n shtresn n kan
energjin e mjaftueshme pr t kaluar n orbita (nivele energjie) m t larta.
Elektronet e lira mund t kalojn bashkimin p-n dhe t hyjn n metal
duke prodhuar nj rrym mjaft t madhe. Metali nuk ka vrima dhe koha e
kthimit t kundrt sht e paprfillshme.
M posht tregohet nj skem drejtuese me diod Shotki si dhe forma e
sinjalit n dalje n frekuencn 100 MHz.
V
i
-- tensioni n hyrje,
V
o
-- tensioni n dalje.
Figura 1.45. Skem drejtuese me diod Shotki si dhe forma e sinjalit
n hyrje dhe n dalje
46
Dioda Shotki kyet e shkyet m shpejt se diodat e zakonshme. Ato prdoren
n qarqet dixhitale kompjuterike. Shpejtsia e kompjuterave varet nga
shpejtsia e diodave dhe transistorv me t cilt ata kyen e shkyen.
Dioda Shotki e ka tensionin e hapjes rreth 0.25 V, pra m t vogl se nj diod
e zakonshme. Pr kt arsye dioda Shotki mund t prdoret n burimet e
fuqis me tensione t vogla n hyrje.
USHTRIME
1. Prshkruani me fjalt tuaja ndrtimin e nj diod Shotki dhe thoni
ndryshimin nga nj diod e zakonshme. Prshkruani mnyrn e puns.
2. Gjeni materiale shtes n lidhje me funksionimin dhe prdorimin e
diodave Shotki.
1.16. DIODA VARIKAP (DIODA ME KAPACITET VARIABL)
Dioda varikap prdoret gjersisht n qarqet televizive, n marrsit FM dhe
pajisje t tjera komunikacioni. Simboli i saj jepet n figurn 1.46 a).
Kur nj diod e sinjaleve t vogla polarizohet n t kundrt, ka nj
rezistenc t kundrt t rendit M, pra n frekuencat e ulta dioda sillet si
nj qark i hapur, ndrsa n frekuencat e larta kjo rezistenc duhet marr n
konsiderat.
Kur dioda polarizohet n t kundrt, dy shtresat p dhe n shihen si pllakat
e nj kondensatori, ndrsa zona e kundrt si nj dielektrik midis pllakave t
nj kondensatori. Ky kapacitet q shfaq dioda quhet kapacitet kalimtar (C
T
).
Sa m i madh sht tensioni i kundrt i zbatuar n diod, aq m e gjer
sht shtresa e kundrt dhe aq m i vogl sht kapaciteti kalimtar. Pra,
kapaciteti sht funksion i tensionit t kundrt q zbatohet n t.
N figurn 1.46 b) sht treguar skema ekuivalente e nj diode varikap
t polarizuar n t kundrt. Nj rezistenc e kundrt e madhe, R
R
, sht
n paralel me kapacitetin kalimtar (C
T
). N frekuencat e ulta kapaciteti
kalimtar (C
T
) sht shum i vogl dhe dioda sillet si qark i hapur (R
R
sht e
madhe). N frekuencat e larta kapaciteti i kontrolluar nga tensioni ka efekt
mbizotrues.
N figurn 1.46 c) shihet si ndryshon kapaciteti kalimtar (C
T
) n varsi t
tensionit t kundrt t zbatuar n t.
47
Figura 1.46
a) Simboli i diods varikap
b) Skema ekuivalente e diods varikap
c) Karakteristika e kapacitetit kalimtar
n varsi t tensionit t kundrt
a) b)
c)
C
T
Diodat e silicit shfaqin kapacitet t kontrolluar nga tensioni, prandaj ato
kan zvendsuar kondesatort akordues mekanik n mjaft zbatime, si:
n marrsit televiziv, n radiot e automobilave etj. N katalog, pr nj vler
referimi kapaciteti t diods varikap, ne gjejm nj kufi akordimi pr nj kufi
vlerash tensioni. P.sh., pr diodn 1N5142, pr nj vler referimi kapaciteti
15 pF, tregohet nj kufi akordimi 3:1 pr nj kufi vlerash tensioni nga (4) V
deri n ( 60) V. Kjo do t thot q kapaciteti zvoglohet nga 15 pF n 5 pF,
kur tensioni ndryshon nga (4) V deri n (60) V.
Kufiri i akordimit varet nga niveli i papastrtive n shtresat gjysmprcjellse.
Pr t rritur kufirin e akordimit, rritet densiteti i ngarkesave n afrsi t
kalimit p-n. Nse nj diod varikap lidhet n paralel me nj bobin, ne
mund t kemi nj kontur rezonues me frekuencn e akordimit:
f
r
=
USHTRIME
1. Nj bobin ka induktivitetin 20H. Nj diod varikap ka nj kapacitet
referimi prej 30 pF dhe nj kufi akordimi 3:1. Nse bobina dhe dioda
varikap jan n paralel, sa sht frekuenca minimale e rezonancs?
Po frekuenca maksimale?
2. Gjeni materiale shtes n lidhje me funksionimin dhe prdorimin e
diodave varikap.
48
Figura 1.47
a) Karakteristika e diods tunnel dhe krahasimi i karakteristiks s saj me at
t nj diode t zakonshme, b) simboli i saj, c) nj skem e thjesht me diod tunel,
d) prcaktimi i piks s puns s diods
Zona me rezistenc negative sht zona m e prdorshme n punn e
ktyre diodave sidomos n qarqet oshiluese me frekuenc t lart.
Pr skemn e figurs 1.47 c), ndrtojm linjn e ngarkeses n figurn 1.47 d)
dhe vm re q pikat a) e b) jan pika pune t qndrueshme (ndodhen n
zonat me rezistenc pozitive).
1.17. DIODA TUNNEL
Dioda tunel (tunnel) ka kt veori: nse polarizohet n t drejt, menjher
n t kalon rrym q arrin vlern maksimale I
P
, kur tensioni n diod sht
V
P
. M pas, me rritjen e tensionit, rryma zvoglohet n vlern minimale
I
v
pr tensionin V
V
. Zona midis ktyre vlerave quhet zona me rezistenc
negative (sepse rritja e tensionit n diod zvoglon rrymn n diod).
+
-
+
-
E Linja e ngarkess
b
c
a E
R
E
a) b)
c) d)
49
1.18. DIODA ME RRYM KONSTANTE
Kto dioda bjn t kundrtn e asaj q bjn diodat zener. N vend q
t mbajn tensionin konstant, ato mbajn rrymn konstante kur tensioni
ndryshon. P.sh., dioda 1N5350 sht nj diod me rrym konstante me
rrym tipike 2 mA, kur tensioni ndryshon nga 2 deri n 100 V, pra me
komplianc (kufijt e tensionit me t cilin punon) prej 98 V.
1.19. DIODA E KUNDRT (BACK DIODA)
Dioda zener ka nj tension zener m t madh se 2 V. Me rritjen e nivelit t
papastrtive, ne mund t gjejm efektin zener m pran vlers zero. Kur
kjo diod polarizohet n t drejt, ajo fillon t prcjell (t kaloj rrym) n
(+ 0.7) V, ndrsa kur polarizohet n t kundrt, ajo fillon t prcjell n (-0.1)
V. Nj diod e till quhet diod e kundrt (back), meq prcjell m mir n
t kundrt se n t drejt. Nse nj skem ushqehet me tension maksimal
0.5 V, nj diod e zakonshme e polarizuar n t drejt nuk do t prcillte
rrym, por kjo mjafton pr nj diod t kundrt t polarizuar n t kundrt.
Sinjali n dalje do t ket amplitudn 0.4 V. Dioda e kundrt prdoret pr t
drejtuar sinjale me vlera maksimale nga 0.1 V deri n 0.7 V.
Vini re q simboli i diods zener n figurn 1.48 prdoret edhe pr diodn
e kundrt.
Figura 1.48. Skema drejtuese me diod t kundrt
USHTRIME
1. Cili sht ndryshimi midis diods s zakonshme gjysmprcjellse dhe
diods tunel.
2. Prcaktoni vlern e rezistencs negative t diods tunel midis V
T
= 0.1 V
dhe V
T
= 0.3V.
3. Prcaktoni pikat e qndrueshme t puns pr skemn e figurs 1.47 c) t
diods tunel me karakteristikn e figurs 1.47 a), nse E = 2 V, R = 0.4 K.
Pika e puns c) sht pik pune jo e qndrueshme. Nj ndryshim i leht i
vlers s tensionit n diod shkakton lvizjen e piks s puns Q drejt piks
a) ose b).
50
USHTRIME
1. Prpiquni t skiconi karakteristikn volt-ampere t nj diode t kundrt
me tension hapjeje t drejt 0.7 V dhe me tension t kundrt maksimal
(-0.1) V.
1.20. VARISTORI
Ndonjher gjat puns n rrjet shfaqen disa mbitensione q shfaqen disa
mikrosekonda ose m pak. N mjaft pajisje vendosen filtra midis linjave t
fuqis ose n primart e transformatorve pr t eliminuar problemet q
shfaqen n linjat e transmetimit.
Nj prej elementeve t prdorura n kto raste jan varistort. Ato jan
elemente gjysmprcjellse si dy dioda zener t lidhura shpin m shpin
me nj tension t kundrt maksimal t lart n do drejtim.
P.sh., V 130LA2 ka tension t kundrt maksimal 184 V dhe nj rrym
maksimale t lejuar 400 A. Lidhja e tij n paralel me mbshtjelln primare
do t mbroj pajisjen nga tensione q i kalojn vlerat 184 V.
Simboli i saj paraqitet n figurn 1.49
Figura 1.49. Simboli i varistorit
1.21. EKRANET ME KRISTAL T LNGSHM
LCD (LIQUID CRYSTAL DISPLAYS)
LCD-ja sht nj pajisje e holl, e shesht, e leht dhe harxhon shum m
pak fuqi sesa CRT-t (cathode ray tubes) si dhe LED. Ato jan t prbra
nga nj numr i caktuar pikselash t rreshtuara prpara nj burimi drite
ose reflektori me kufinj temperature zakonisht nga 0-60C. Prdoren n
prgjithsi n pajisjet elektronike me bateri pr faktin se prdorin sasi
shum t vogla energjie elektrike.
Kristali i lngshm sht nj lnd ose substanc q sillet edhe si e lngt,
edhe si e ngurt. N kt kristal molekulat mund t lvizin relativisht leht
kundrejt njra-tjetres, pothuajse si molekulat n lngje. Megjithat, t gjitha
molekulat n kristalin e lngt tentojn t jen t orientuara n t njjtn
mnyr si rregullimi i molekulave n kristalin e ngurt.
51
Kristalet e lngta e ruajn natyrn e tyre t dyfisht, t lngt dhe t ngurt
vetm n nj diapazon t caktuar temperaturash dhe presionesh. N
temperatura t larta ose presione t vogla lehtsohen rrotullimet e astit t
molekulave, duke br q kristali i lngshm t sillet si lng i zakonshm.
N temperatura t ulta ose n presion t lart molekulat n kristalin e
lngt e humbin mundsin e lvizjes kundrejt njra-tjetrs dhe kristali i
lngt ngurtsohet duke br q ai t sillet si nj trup i ngurt i zakonshm.
do pixel i nj LCD-s prbhet nga nj shtres molekulash t radhitura
midis dy elektrodash transparente, dy filtrave t polarizuar, akset e prhapjes
s t cilve, n shumicn e rasteve, jan pingul me njri-tjetrin.
Siprfaqja e elektrodave q jan n kontakt me materialin e lngshm
kristalor, sht vendosur n mnyr t till q radhitja (sistemimi) e
molekulave t kristalit t lngshm ka nj drejtim t caktuar. Elektrodat
jan t prbra nga siprfaqe prcjellse transparente prej Indium Tin Oxide
(ITO).
Kur midis elektrodave nuk zbatohet tension, orientimi i molekulave t kristalit
t lngshm sht prcaktuar nga drejtimi i siprfaqes s elektrodave. N
nj element nematik t prdredhur (si sht shumica e elementeve me
kristal t lngshm) drejtimi i radhitjes s molekulave te t dy elektrodat
sht pingul me njra-tjetrn dhe ato rregullojn vetveten n mnyr t
prdredhur ose spirale. Gjat ksaj kohe pajisja duket e hirt.
Nse nj tension (zakonisht 6-20 V) sht zbatuar midis elektrodave
prcjellse, renditja molekulare rregullohet.
Kur zbatohet nj tension midis elektrodave, ndodh nj rrotullim dhe
molekulat e kristalit t lngshm radhiten paralel me fushn elektrike, duke
shtrembruar strukturn n form spirale.
N rastin kur voltazhi sht relativisht i lart, molekulat e kristalit t lngshm
n qendr t shtress jan pothuajse t paprdredhura. Drita, kur kalon
prmes shtress s kristalit t lngt, do t jet polarizuar n drejtim pingul
me filtrin e dyt dhe pikseli do t duket i zi. Duke kontrolluar tensionin e
zbatuar prmes shtresave t kristalit t lngshm n do piksel, drita do
t lejohet t kaloj n sasi t ndryshme dhe n kt mnyr do t krijohen
nivele t ndryshme t nuancs s hirt.
N figurn 1.50 a), b) sht treguar mnyra e vendosjes s shtresave n nj
LCD.
N LCD-t me ngjyra do piksel ndahet n tri qeliza ose subpiksela, t cilat
kan respektivisht ngjyr t kuqe, jeshile dhe blu. do subpiksel mund
t kontrollohet n mnyr t pavarur, n mnyr q t gjeneroj mijra
e miliona ngjyra dhe nuanca t mundshme pr do pixel. Monitort
CRT zbatojn nj struktur t ngjashme subpikselash me an t lndve
fosforeshente, pavarsisht se tufa e elektroneve e rn n CRT nuk godet me
saktsi subpikselat.
52
Karakteristikat kryesore t nj LCD-je jan:
Rezolucioni: Madhsia horizontale dhe vertikale e matur n pixel
(p.sh., 1024 x 768). Ndryshe nga monitort CRT, monitort LCD kan nj
rezolucion t vetin pr t shfaqur m mir pamjen.
Distanca midis qendrave t dy pikselave t njpasnjshm (Dotpitch):
Sa m e vogl t jet distanca, aq m e qart sht figura. Ajo mund t
jet e njjt si horizontalisht, ashtu edhe vertikalisht ose e ndryshme.
Madhsia e dukshme: Madhsia e nj paneli LCD e matur diagonalisht.
Koha e prgjigjes: Koha minimale pr t ndryshuar ngjyrn ose dritn e
nj pixeli. Koha e prgjigjes ndahet gjithashtu n koh rritjeje dhe rnieje.
Shpejtsia e rifreskimit (Refresh - numri i herve pr sekond pr t cilat
monitori paraqet t dhnat q i jepen): Kur shpejtsia (refresh rate) sht
shum e ult, mund t shkaktoj ngecje dhe dallohet m shum n
monitort e mdhenj. Shum televizore LCD t mdhenj tani prdorin
refresh rate prej 120 Hz .
Tipi i matrix (aktiv ose pasiv)
Kndi i shikimit (njihet ndryshe si drejtimi i shikimit).
Ngjyrat
Drita (sasia e drits s emetuar nga display).
Raporti i kontrastit (raporti i intensitetit s drits m t zbeht me at t
ngjyrs m t errt).
Raporti i gjersis me gjatsin (p.sh., 4:3, 16:9, 16:10).
b)
1. filtri polarizues vertikal
2. shtresa prej xhami me elektroda
3. kristali i lngshm nematik
4. shtresa prej xhami me elektroda
5. filtri polarizues horizontal
6. siprfaqja reflektuese q drgon
pamjen te shikuesi
Figura 1.50
me elektroda
a)
53
1.22. QELIZAT DIELLORE
Nj qeliz diellore, e thn ndryshe qelize voltaike, sht ajo pajisje q kthen
energjin diellore n elektricitet me an t efektit fotovoltaik.
Pak histori
Termi fotovoltaik vjen nga greqishtja foto - drit dhe voltaik - elektrike. Efekti
fotovoltaik u zbulua pr her t par n vitin 1839 nga fizikani francez
Aleksander-Edmond Becquerel. Megjithat, duhej pritur viti 1883 kur u
ndrtua qeliza e par diellore nga arls Frits (Charles Fritts). Ai mbshtolli
materialin gjysmprues selen me nj shtres mjaft t holl ari duke
formuar pika bashkimi midis tyre. Fatkeqsisht pajisja kishte rendiment
mjaft t vogl, rreth 1%.
Epoka moderne e teknologjis s fuqis diellore filloi n vitin 1954 n
laboratort Bell, duke eksperimentuar me gjysmpruesit. Rastsisht
u zbulua se silici i difuzuar me disa papastrti t caktuara ishte mjaft i
ndjeshm ndaj drits. Si rezultat u prodhuan qeliza diellore me nj
rendiment t kthimit t energjis diellore rreth 6%.
Anija e par kozmike q prdorte panele diellore ishte sateliti i SHBA-s
Explorer 1 i lshuar n orbit n janar t vitit 1958. Me kalimin e viteve
rendimenti i qelizave diellore erdhi n rritje, pr t arritur aty ku jemi sot. N
vitin 2007, dy kompani amerikane prodhuan rreth 95% t qelizave diellore
me rendiment 28%.
Ndrtimi dhe parimi i puns
Qelizat diellore moderne jan bazuar n fizikn gjysmprcjellse. Ato jan
thjesht fotodioda me nj bashkim p-n me nj siprfaqe mjaft t ndjeshme
ndaj drits. Bhen prpjekje pr t siguruar siprfaqe sa m pingule me
diellin. Efekti fotovoltaik, q bn qelizn t shndrroj dritn drejt e n
energji elektrike, ndodh n 3 shtresat e shndrrimit t energjis.
Shtresa e par e nevojshme pr konvertimin e energjise n nj qeliz diellore
sht shtresa e siprme e prbr nga nj gjysmprues i tipit n. Shtresa
e dyt sht bashkimi p-n. Shtresa e fundit e shndrrimit t energjis sht
shtresa e pasme e prbr nga gjysmpruesi i tipit p. Gjithashtu mbi to
duhen vendosur edhe dy shtresa t tilla q t lejojn rrymn elektrike t
rrjedh jasht npr qeliz. Shtresat e kontaktit elektrik jan t prbra nga
prcjells t mir metali. Ato vendosen n mnyr t till q nj numr
sa m i madh i fotoneve t energjis s drits t arrijn bashkimin. Nj
foton i energjis s drits godet panelin dhe mund t prplaset me nj
elektron valence duke br q ai t largohet nga atomi mm n saje t
energjis s teprt q krijohet. N shtresn tip p elektronet e krijuara jan
mbarts pakice (minoritar) dhe do t lvizin lirshm prmes bashkimit
p-n edhe pse tensioni i zbatuar sht 0. Njlloj mund t arsyetojm edhe
pr vrimat q krijohen n shtresn gjysmprcjellse n. Si rezultat krijohet
nj rritje e lvizjes s mbartsve t pakics q sht e kundrt me lvizjen
konvencionale t rryms n kalimin p-n.
54
V
OC
+
-
Drita e diellit
Xham
bashkim
kontakt metali
tensioni
fotovoltaik
p
n
Nj qeliz diellore ideale mund t ekuivalentohet nga nj burim rryme n
paralel me nj diod. N praktik asnj qeliz diellore nuk sht ideale,
kshtu q nj rezistenc n paralel dhe nj n seri i jan shtuar modelit.
Qelizat diellore zakonisht lidhen me njra-tjetrn pr t formuar module.
Modulet fotovoltaike n shumicn e rasteve kan nj flet xhami n faqen
ballore, duke lejuar kalimin e drits, por duke mbrojtur gjysmpruesin
nga grvishtjet e pluhurit apo faktort e shumt atmosferik.
Qelizat diellore lidhen si module n seri, n mnyr q tensionet e tyre t
mblidhen si n figurn 1.53.
Figura 1.52. Qarku ekuivalent dhe simboli skematik i nj qelize diellore
Qarku ekuivalent dhe simboli skematik i nj qelize diellore sht treguar
m posht:
Figura 1.53. Qeliza diellore n seri
N kt mnyr, ky konstrukt funksionon si diod, duke mos e ln kt
fluks elektronesh t kthehet mbrapsht dhe e detyron t lviz vetm n nj
drejtim, duke krijuar n kt mnyr rrym si n figurn 1.51:
Figura 1.51. Paraqitja m e thjesht
e ndrtimit t nj qelize diellore
V
OC
sht tensioni n daljet e bateris
kur qarku sht i hapur.
55
Duke i lidhur qelizat si module n paralel, do t prfitojm nj rrym m t
madhe (fig. 1.54).
Figura 1.54. Qeliza diellore n paralel
Pra, qelizat, pr t arritur nj rrym ose tension t dshiruar maksimal,
lidhen n module n seri ose paralel.
Fuqia n dalje e strukturave q prbhen nga qeliza diellore matet me vat
(W) ose kilovat (kW). Rendimenti i puns s nj qelize diellore prcaktohet:
= X100% = x100%
P (elektrike)
o
P (energjia e drits)
i
(siprfaqe n cm )(100mW/cm )
P
maksimale e pajisjes
2 2
Rruga q ndiqet gjat transformimit t energjis prmbledhtazi sht kjo:
Nj panel diellor e kthen ernergjin diellore n nj sasi energjie t rryms
s vazhduar.
M pas rryma e vazhduar mund t futet n nj inverter (konvertues DC-AC).
Inverteri e kthen tensionin e vazhduar n 120 V ose 240 V AC, q nevojitet
pr t vn n pun pajisjet elektroshtpiake.
Elektriciteti m pas shprndahet n t gjith shtpin.
Pjesa q nuk prdoret do t ruhet pr prdorim t mvonshm.
Prdorimet e qelizave diellore
Qelizat fotovoltaike jan t pazvendsueshme n rastet kur pajisja q duhet
ushqyer ndodhet mjaft larg, si: satelitt q prshkojn orbitn e Toks,
sondat hapsinore, n pajisjet pr pompimin e ujit, teleskopt, makinat me
energji diellore etj. Makinat e energjis diellore jan makina t cilat e marrin
fuqin nga nj grup qelizash diellore. Elektriciteti i prodhuar shkon si fuqi
pr motorin e ktyre makinave ose shkon n nj bateri duke u ruajtur aty.
56
Prdorimet m t gjera t qelizave diellore jan te makinat llogaritse (ku
ekzistojn makina llogaritse pa buton off) dhe te satelitt e ndryshm. Kto
qeliza diellore kan gjetur prdorim shum t efektshm pothuajse n do
fush t jets.
USHTRIME
1. Prshkruani me fjalt tuaja parimin e puns s nj LCD-je.
2. Diskutoni mes ndryshimeve n parimin e puns s nj ekrani LCD dhe
nj ekrani me LED.
3. Cilat jan avantazhet dhe disavantazhet e nj ekrani LCD krahasuar me
nj ekran LED?
4. Nj qeliz diellore me prmasa 1 cm me 2 cm e ka rendimentin 9%. Sa
sht fuqia maksimale e mundshme e pajisjes?
57
KAPITULLI
PRDORIMET E DIODAVE
2.1. HYRJE
Konceptet e msuara n kt kapitull do t jen t nevojshme pr kapitujt
n vijim. Pr shembull, diodat prdoren shpesh n prshkrimin e ndrtimit
t transistorve, n analizat pr rrym alternative dhe pr rrym t vazhduar
t transistorit.
Analiza e skemave elektronike bhet prmes procesit t prafrimit. Rezultatet
e fituara nga karakteristikat e vrteta mund t jen disi t ndryshme nga ato
t fituara nga nj seri prafrimesh. (Kini parasysh se edhe vet karakteristikat
e marra nga katalogu me ato t vet elementit mund t ndryshojn pak.)
Gjithashtu elementet e ndryshme t qarkut mund t mos ken vler t
barabart me at q shnojn. Jo gjithnj nj rezistenc q shnon 100 ka
vler 100 dhe tensioni 10 V mund t jet 10 V.
N kt libr synimi sht n zhvillimin e njohurive rreth puns s nj
pajisjeje prmes prafrimeve t duhura, duke shmangur nj nivel t lart
veprimesh matematike.
2.2. ANALIZA E LINJS S NGARKESS
Rezistenca e ngarkess e lidhur n skem ka nj rol t rndsishm n
pikn ose zonn e puns s elementit. Lind pyetja: Si mund t gjejm me
saktsi vlern e tensionit e rryms n diod? Nse e analizojm problemin
n mnyr grafike, pr skemn ku sht lidhur dioda, duhet t ndrtojm
nj vij t drejt t quajtur linja e ngarkess. Pikprerja e linjs s ngarkess
me karakteristikn volt-ampere t diods do t prcaktoj pikn e puns s
diods, Q. Nj analiz e till quhet analiza e linjs s ngarkess.
Le t ndrtojm linjn e ngarkess s rryms s vazhduar pr qarkun e
figurs 2.1 a).
58
Figura 2.1. a) Skema, b) karakteristika volt-ampere e diods
Duke aplikuar ligjin e Kirkofit pr tensionet pr qarkun n seri te figura 2.1 a),
do t kemi:
E - V
D
V
R
= 0
E = V
D
+ I
D
R (2.1)
Ky sht ekuacioni i nj vije t drejt. Pr ndrtimin e saj mjafton t gjejm
koordinatat e dy pikave t saj, 1 dhe 2, respektivisht n boshtin vertikal pika
(1) dhe n at horizontal pika (2) si n figurn 2.2. Pr gjetjen e koordinatave
t piks (1) mendojm V
D
=0V n ekuacionin (2.1) dhe e zgjidhim barazimin
pr gjetjen e I
D.
. Vlera e I
D
ndodhet n boshtin vertikal. Me V
D
= 0 V, ekuacioni
(2.1) shndrrohet:
E = 0 V + I
D
R
dhe
I
D
= pr V
D
=0
Pr gjetjen e koordinatave t piks (2) konsiderojm I
D
= 0 dhe nga barazimi
(2.1) do t gjejm
V
D
= E pr I
D
= 0.
a) b)
N figurn 2.1 a) skema ushqehet nga tensioni i zbatuar (E) dhe n qark kalon
rrym n drejtimin orar. Fakti q drejtimi i rryms dhe drejtimi i shigjets
n simbolin e diods prputhen, do t thot se dioda sht polarizuar n t
drejt dhe shrben si els i kyur. Pr kt polaritet t tensionit n diod,
karakteristika ndodhet n kuadrantin e par t figurs 2.1 b).
59
Figura 2.2. Vizatimi i linjs s ngarkess dhe gjetja e piks s puns
Vija e drejt q bashkon kto dy pika sht linja (vija) e ngarkess, si
tregohet n figurn 2.2. Ndryshimi i vlers s rezistencs s ngarkess do
t ndryshoj pikprerjen n boshtin vertikal. Rezultati sht ndryshimi i
pjerrsis s linjs s ngarkess dhe i pikprerjes midis linjs s ngarkess
dhe karakteristiks s diods.
Si e tham m lart, pikprerja e linjs s ngarkess me karakteristikn e
diods prcakton koordinatat e piks s puns. Nga pika Q, duke u ulur me
nj vij vertikale pingul mbi boshtin horizontal, ne prcaktojm tensionin
e diods V
DQ
, kurse duke hequr nj vij horizontale, pingul mbi boshtin
vertikal, prcaktojm vlern e rryms I
DQ
. Rryma I
DQ
sht n fakt rryma q
kalon n t gjith skemn e figurs 2.1 a). Pika e puns quhet zakonisht pika
e qetsis (shkurt Q).
Zgjidhja e prftuar nga pikprerja e dy kurbave sht e njjt me at t
prftuar nga zgjidhja matematikore e barazimit (2.1) dhe (1.4)
USHTRIME
1. Duke prdorur karakteristikn e figurs 1.19 pr diodn e skems s
mposhtme:
a) prcaktoni I
D
e V
D
,
b) prsritni krkesn a) pr R = 0.4 K
c) krahasoni rezultatet e piks a) e b).
6V
si
1k
Si
60
10V
si
50
(a)
(b)
(c)
0.5V
si
10
5V
si
20
si
2. Prcaktoni vlern e R-s pr skemn e msiprme, nse I = 8 mA dhe
E = 5 V. Prdorni karakteristikn e figurs 1.19.
3. Prcaktoni rrymn n rezistenc pr do rast (V
T
= 0.7 V).
2.3. TRANSFORMATORI
N pajisje t ndryshme elektronike shpesh prfshihen transformatort, t
cilt rritin ose ulin vlern e tensionit ose t rryms sa vlera e duhur npr
prdorime t ndryshme. Simboli tregohet m posht.
Le t kujtojm dika nga elektroteknika. Transformatori sht i ndrtuar
nga dy mbshtjella: primari (parsori) dhe sekondari (dytsori) me numr
spirash respektivisht N
1
dhe N
2
, si dhe nga brthama Lidhja e numrit t
spirave me tensionet n mbshtjella sht:
ku V
1
- tensioni n primar (vler efektive ose maksimale)
V
2
- tensioni n sekondar (vler efektive ose maksimale.
Raporti i numrit t spirave sht nj parametr i rndsishm n punn e
tyre. Nse raporti sht 9:1 (pra, transformatori sht uls) pr V
1
= 220 V,
ather:
Transformatort izolojn ngarkesn nga tensioni i linjs. Kjo nnkupton q
lidhja midis mbshtjellave sht thjesht lidhje magnetike, pra ato nuk kan
lidhje elektrike.
N nj transformator ideal mes rrymave krijohet ky raport:
Transformatort q prdorim nuk jan ideal, por gjat studimit ne i
konsiderojm t till.
=
V
V
2
1
N
N
2
1
=
I
I
1
2
N
N
1
2
=
V
V
2
1
N
N
2
1
=
V
V
2
1
N
N
2
1
=
V
V
2
1
N
N
2
1
V
220V
=
1
9
2
V
2
= =24.5 V rms
220V
9
V
220V
=
1
9
2
V
2
= =24.5 V rms
220V
9
V
220V
=
1
9
2
V
2
= =24.5 V rms
220V
9
=
I
I
1
2
N
N
1
2
=
I
I
1
2
N
N
1
2
=
I
I
1
2
N
N
1
2
V
220V
=
1
9
2
V
2
= =24.5 V rms
220V
9
61
2.4. SINJALI SINUSOIDAL
Sinjali sinusoidal sht vala baz e sinjaleve elektrike. Shpesh ai prdoret
pr t testuar pajisjet elektronike. Sinjale t komplikuara mund t paraqiten
si mbivendosje e sinjaleve sinusoidale. N kt msim do t prshkruajm
disa vlera t nevojshme parametrash elektrik gjat diskutimit t qarqeve
me dioda.
Vlera maksimale (peak)
Vreni sinjalin sinusoidal t treguar n figurn 2.3.
v = V
p
sin (2.2)
ku v = vlera e astit,
V
p
= vlera maksimale (pik),
= kndi n grad ose radian.
Tabela 2-1
v
Figura 2.3. Forma e nj sinjali sinusoidal
Vreni se si tensioni rritet nga zero n nj vler pozitive maksimale pr
kndin 90
0
, zbret n zero n 180
0
, arrin nj vler negative maksimale n
270
0
dhe rikthehet n zero n 360
0
. Duke vendosur n ekuacionin (2) vlerat
e kndit 30
0
,

45
0
,

60
0
dhe 90
0
, ndrtojm tabeln 2-1.
62
Tabela 2-1 liston disa nga vlerat e astit, t cilat duhet ti dini. Pr shkak
t simetris t sinjalit sinusoidal, ju mund t gjeni shum leht vlerat n
kndet 120
0
, 150
0
, 180
0
, 210
0
etj. N qoft se dini disa nga vlerat, ju mund
t gjeni vlerat e astit pr knde t tjera. Si u prmend, V
p
sht vlera pik,
vlera maksimale. Sinjali sinusoidal ka vlern pik pozitive n 90
0
dhe vlern
pik negative n 270
0
.
Vlera pik-pik
Vlera pik-pik e do sinjali sht diferenca ndrmjet vlerave algjebrike
maksimale dhe minimale:
V
pp
= V
max
- V
min
(2.3)
Pr valn sinusoidale vlera pik-pik (peak-peak) sht:
V
pp
= V
p
- (-V
p
) = 2 V
p
(2.4)
Vlera efektive (Vlera RMS)
Nse nj tension sinusoidal bie n nj rezistenc aktive R, ai krijon nj rrym
sinusoidale n faz me t.
Produkti i vlerave t astit t tensionit dhe t rryms jep vlern e astit
t fuqis, e cila mesatarisht pr nj interval kohe sht fuqia mesatare e
harxhuar n rezistenc.
Vlera rms e nj vale sinusoidale, e quajtur vlera efektive, sht e prcaktuar
si tension dc (i vazhduar) q prodhon vler t njjt t nxehtsis si vala
sinusoidale.
V
rms
= = 0.707 V
p
(2.5)
Pra, vler rms e nj sinjali sinusoidal ose vler efektive do t quhet ajo vler
ekuivalente me tensionin dc, e cila, duke u zbatuar n t njjtn rezistenc
si tension dc, krijon t njjtn sasi nxehtsie Q.
Ne mund ta provojm kt lidhje n mnyr eksperimentale duke ndrtuar
2 qarqe: nj qark t rryms s vazhduar me nj rezistenc dhe nj tjetr me
nj sinjal sinusoidal n hyrje me t njjtn vler rezistence n t.
N qoft se burimi i rryms s vazhduar rregullohet pr t prodhuar t
njjtn vler nxehtsie n rezistenc si vala sinusoidale, ne do t matim nj
tension dc t barabart me 0.707 her vlern maksimale t vals sinusoidale.
63
Tensioni i linjave
N Shqipri tensioni njfazor sht me vler efektive (rms) 220 V me
frekuenc 50 Hz.
Kompanit energjetike n SHBA zakonisht i furnizojn linjat me 115 V (rms)
me nj tolerance prej 10% dhe frekuenc prej 60 Hz. Nga ekuacioni (2.5),
ne mund t llogarisim vlern pik si m posht:
220V = 0.707 V
p
nga ku
Vp = = 312 V
ose
115 V = 0.707 V
p
nga ku
V
p
= = 163 V.
N rastin e fundit, nj vler pik prej 163 V do t thot nj vler pik-pik prej
326 V, q sht pa dyshim nj vler e rrezikshme tensioni.
Vlera mesatare
Vlera mesatare e sinjalit t par m lart llogaritet pr nj gjysm periode t nj
sinjali sinusoidal. Pr nj cikl t plot, ajo sht zero, sepse vala sinusoidale
sht simetrike. do vler pozitive n gjysmciklin e par asnjansohet nga
nj vler negative gjat gjysmciklit t dyt. N kt mnyr, nse mbledhim
t gjitha vlerat midis 0
0
dhe 360
0
, do t kemi vlern mesatare zero.
USHTRIME
1. Tensioni i linjs sht 220V 10%. Llogaritni vlern maksimale m t
lart e m t ult t saj.
2. Nse tensioni n primarin e nj transformatori sht 220 V alternativ,
sa sht tensioni maksimal n sekondarin e tij, nse koeficienti i
transformimit t transformatorit sht 10:1?
64
Figura 2.4. a) Sinjali n hyrje t skems drejtuese
b) Skema e drejtuesit me nj gjysmval
N gjysmvaln pozitive t tensionit, dioda sht polarizuar n t drejt pr
vlera asti m t mdha se tensioni i hapjes s diods (afrsisht 0.7 V pr
diodat e Si dhe 0.3 V pr diodat e Ge) si n figurn 2.5 a). Gjat ksaj kohe
n rezistencn e ngarkess kalon rrym dhe tensioni n dalje ka formn
e treguar n figurn 2.5 b). Pr thjeshtsi studimi, ne do t konsiderojm
diodn ideale, sepse vlera maksimale e tensionit n sekondar sht shum
m e madhe se tensioni i hapjes s diods.
2.5. DREJTUESIT ME NJ DIOD
N figurn 2.4 sht treguar skema e drejtuesit me nj gjysmval dhe forma
e sinjalit n hyrje. N hyrje t skems zbatohet tensioni sinusoidal
v
i
= V
m
sinwt,
ku v
i
sht vlera e astit e tensionit,
V
m
sht vlera maksimale (pik) ose amplituda e tensionit,
w sht frekuenca kndore, w = 2 p f.
Figura 2.5. Dioda n gjendje prcjellse (0 - T/ 2)
(a)
(b)
N figurn 2.6 tregohet rasti kur n hyrje t skems sht zbatuar gjysmvala
negative e tensionit e cila e polarizon n t kundrt diodn dhe ajo nuk
prcjell rrym. Pr rrjedhoj, tensioni n dalje n rezistencn R do t jet
zero gjat gjysms s dyt t periods.
t
65
Figura 2.6. Dioda n gjendje joprcjellse (T/ 2 - T)
Vini re se si tensioni n dalje ndryshoi nga alternativ n pulsant. Rryma n
ngarkes sht gjithnj n t njjtin drejtim dhe ky proces sht quajtur
drejtim.
Vlera mesatare e tensionit
Vlera mesatare e drejtuar e sinjalit n dalje (V
dc
) sht:
V
dc
= V
mes
= = 0.318 V
max
. (2.6)
Nse merret n konsiderat rnia e tensionit n diod:
V
dc
= 0.318 (V
max
V
D
) (2.7)
ku V
T
sht tensioni i hapjes s diods.
Figura 2.7. Sinjali n hyrje e n
dalje t skems me nj gjysmval
Pr shembull, vlera e tensionit n hyrje t skems sht 12.6 V alternativ.
Vlera maksimale e tensionit sht
V
max
= .
ndrsa vlera mesatare sht
V
dc
= V
mes
= 0.318 V
max
= 0.318 (17.8 V) = 5.66 V.
Vlera mesatare sht tensioni q mat voltmetri i rryms s vazhduar n
rezistencn e ngarkess, pra voltmetri i rryms s vazhduar mat 5.66 V.
V
dc
=0
V
m
66
Vlera maksimale e rryms n diod
Nse vlera e rezistencs s ngarkess dihet, mund t gjendet vlera
mesatare e rryms q kalon n t, pra dhe vlera mesatare e drejtuar
e rryms n diod. Kjo vler duhet t jet gjithnj m e vogl se vlera
kufi e rryms q jepet n katalog pr nj diod t caktuar. P.sh., dioda
1N4001 e ka vlern kufi t rryms I
o
= 1A. Nse R sht 10 pr rastin e
msiprm, rryma q kalon n rezistencn e ngarkess sht 0.566 A. Pra
dioda 1N4001 mund t prdoret, pasi ka vlern maksimale t rryms,
I
o
=1 A, m t madhe se vlera mesatare e rryms s drejtuar (0.566 A).
Vlera maksimale e tensionit t kundrt n diod
Kur dioda sht polarizuar n t kundrt, tensioni n ngarkes sht 0 dhe
tensioni i zbatuar bie n diodn e polarizuar n t kundrt. Ky tension duhet
t jet m i vogl se tensioni maksimal i kundrt (PIVPeak Inverse Voltage)
q jepet n katalog.
PIV V
max
. (2.8)
P.sh., nse tensioni i kundrt makimal sht 75 V, dioda duhet t kt nj
kufi tensioni t kundrt (n katalog), PIV, m t madh se 75 V.
SHEMBULL
a) Vizatoni formn e sinjalit n dalje dhe prcaktoni V
dc
e sinjalit n dalje
pr skemn e figurs 2.8, ku Vm = 20 V (dioda t konsiderohet ideale).
b) Prsritni pikn (a) nse dioda ideale sht zvendsuar me nj diod
reale silici.
c) Prsritni pikn (a) e (b) nse Vmax sht rritur n 200 V.
Zgjidhje
a) Si duket edhe nga skema, dioda do t prcjell gjat gjysmperiudhs
negative t sinjalit n hyrje. Nga ekuacioni (2.6):
V
dc
= -0.318V
m
= -0.318(20 V) =-6.36 V.
Shenja negative tregon polaritetin e tensionit n dalje.
Figura 2.8. Skema e shembullit
67
Figura 2.9 a) Sinjali n dalje pr pikn (a) t shembullit
b) Duke prdorur nj diod silici, dalja ka pamjen e figurs 2.9 b).
20V
20V
20 - 0.7 = 19.3V
Figura 2.9 b) Sinjali n dalje pr pikn (b) t shembullit
V
dc
= -0.318 (V
m
V
T
)
V
dc
= -0.318 (20 0.7 ) = -0.318 (19.3 V) =-6.14V
Zvoglimi i tensionit V
dc
sht 0.22 V.
c) Nga ekuacioni (2.6)
V
dc
= -0.318V
m
= -0.318 (200 V) = -63.6 V
Nga ekuacioni (2.7):
V
dc
= -0.318 (V
m
V
T
) = -0.318 (200 V -0.7 V)
= -(0.318) (199.3 V) = -63.38V.
Ky ndryshim sht i vogl dhe mund t injorohet gjat zbatimeve t
ndryshme.
68
USHTRIME
1. Skiconi v
i
, v
d,
i
d
pr skemn e drejtuesit me nj gjysmval, nse R = 2 K
dhe V
dc
= 2V. Sinjali n hyrje sht sinusoidal me frekuenc 50 Hz.
Diodat t mendohen si ideale.
2. Prsrite problemin, nse diodat jan prej silici (V
T
= 0.7V).
2.6. DREJTUESIT ME DY GJYSMVAL (ME DY DIODA)
N figurn 2.10 a) sht treguar drejtuesi me dy gjysmval, i cili ka n
ndrtimin e tij nj transformator, sekondari i t cilit sht me pik mesi.
Gjat gjysmvals pozitive t tensionit n sekondar, si n figurn 2.10 b),
dioda e siprme D
1
sht polarizuar n t drejt, ndrsa dioda e poshtme D
2

sht polarizuar n t kundrt. Rryma kalon npr diodn D
1
, rezistencn e
ngarkess dhe gjysmmbshtjelln e siprme.
Figura 2.10 b) Rruga e kalimit t rryms n kohn (0-T/ 2)
Gjat gjysmvals negative, si n figurn 2.10 c), rryma kalon npr diodn
D
2
, rezistencn e ngarkess dhe gjysmmbshtjelln e poshtme. Vini re
q tensioni n ngarkes ka t njjtin polaritet si n figurn 2.10 b), sepse
rryma kalon npr rezistencn e ngarkess n t njjtin kah, pavarsisht se
cila diod prcjell. Kjo sht arsyeja q tensioni n ngarkes sht sinjal i
drejtuar me dy gjysmval.
Figura 2.10 a) Drejtuesi me dy gjysmval
69
Meqense sekondari i transformatorit ka pik mesi, do diod punon
vetm pr nj gjysmval. Duke menduar diodat ideale, vlera maksimale e
tensionit t drejtuar n dajle sht
V
Dmax
= 0.5 V
2max
= V
max
ku

V
2max
sht vlera maksimale e tensionit n sekondarin e transformatorit.
Vlera mesatare e sinjalit n dalje sht sa dyfishi i sinjalit n dalje t
drejtuesit me nj gjysmval.
V
dc
= 0.636 V
Dmax
(2.9)
Nse tensioni n sekondar sht 12.6 V alternativ. Vlera maksimale (pik)
e tensionit n sekondar sht 17.8 V, ndrsa vlera maksimale e sinjalit n
dalje sht 8.9 V (pr arsye q sekondari ka pik mesi) dhe vlera mesatare:
V
dc
= 0.636 V
Dmax
= 0.636 (8.9 V) = 5.66 V.
Vlera maksimale e rryms n diod
Pr nj rezistenc ngarkese 10 , rryma n ngarkes sht 0.566 A. Nuk duhet
t harrojm q do diod prcjell vetm pr nj gjysm periode, prandaj
vlera maksimale e rryms n diod (e dhn nga katalogu) duhet t jet m
e madhe se gjysma e rryms s drejtuar n ngarkes. Nse lidhim n seri
me do diod nj ampermetr, do t lexonim 0.283 A, ndrsa ampermetri i
lidhur n seri me ngarkesen do t tregonte 0.566 A.
Frekuenca
N skemn drejtuese me nj gjysmval, frekuenca e sinjalit n dalje sht
e njjt me frekuencn e sinjalit n hyrje. N drejtuesin me dy gjysmval
frekuenca e sinjalit n dalje sht sa dyfishi i frekuencs s sinjalit n hyrje,
sepse gjat nj periode t sinjalit n hyrje kemi dy gjysmval t tensionit
n dalje, pra tensioni pulson 2 her m shum se n skemn e drejtuesit
me nj gjysmval.
Figura 2.10 c) Rruga e kalimit t rryms n kohn (T/ 2-T)
70
Tensioni i kundrt maksimal
do diod n drejtuesin me dy gjysmval (ose me val t plot) duhet t
ket nj vler maksimale tensioni m t madhe se 2V
max
.Kjo vrtetohet nse
zbatojm ligjin e Kirkofit pr tensionet n nj kontur t mbyllur.
PIV 2V
max
(2.10)
2.7. DREJTUESIT UR
Kta drejtues jan m t prdorshm nga skemat e studiuara deri tani, sepse
vlera mesatare e tensionit n dalje sht m e madhe se ajo e drejtuesit me
dy dioda pr t njjtn vler tensioni n sekondar. N figurn 2.11 a) sht
treguar skema e drejtuesit ur.

Gjat gjysmvals pozitive t tensionit n sekondar, figura 2.11 b), diodat D
2

e D
3
jan polarizuar n t drejt dhe tensioni n rezistencn e ngarkess ka
polaritetin e treguar n figurn 2.11 b).
Figura 2.11 b) Rruga e kalimit t rryms n kohn (0-T/ 2)
Gjat gjysmvals negative t tensionit n sekondar, figura 2.11 c), diodat D
1

e D
4
jan polarizuar n t drejt dhe tensioni n ngarkes ka polaritetin e
treguar n figurn 2.11 c).
Figura 2.11 c) Rruga e kalimit t rryms n kohn (T
/ 2
deri T)
Figura 2.11 a) Drejtuesi ur
71
N do gjysmval tensioni n ngarkes ka t njjtin polaritet, sepse rryma
n ngarkes kalon n t njjtin kah, pavarsisht se cila diod sht duke
prcjell. Ja pse tensioni n dalje sht sinjal i drejtuar me val t plot, si
n figurn 2.11 d). Pra, n rezistenc kalon rrym gjat gjith periods.
Tensioni maksimal n dalje sht:
V
Dmax
= V
max
.
Vini re q n skemn ur t drejtuesit vlera maksimale e tensionit n
rezistencn e ngarkess sht sa vlera maksimale e tensionit n hyrje,
ndrsa n drejtuesin me dy dioda vlera maksimale e tensionit n rezistencn
e ngarkess sht e barabarte me gjysmn e vlers maksimale t tensionit
n sekondar dhe kjo e bn m t vshtir e t kushtueshme prodhimin e
skems:
V
dc
= 0.636 V
Dmax
. (2.11)
Nse vlera efektive (rms) e tensionit n hyrje sht 12.6 V, vlera maksimale
e tensionit n hyrje sht 17.8 V, si dhe vlera maksimale e sinjalit n dalje
sht 17.8 V (V
Dmax
= 2 V
rms
). Vlera mesatare:
V
dc
= 0.636 V
Dmax
= 0.636 (17.8 V) = 11.3 V
Vlerat maksimale t rryms dhe tensionit n diod
Pr nj vler mesatare tensioni n dalje 11.3 V dhe nj rezistenc ngarkese
10 , rryma mesatare n ngarkes sht 1.13 A. Duke qen se do diod
prcjell pr nj gjysmperiode (gjysmval), vlera kufi e rryms s dhn n
katalog (Io) duhet t jet m e madhe se gjysma e rryms n ngarkes, pra
0.565 A.
N figurn 2.11 b), D
2
sht idealisht e lidhur n t shkurtr, ndrsa D
4
sht
idealisht e hapur. Duke mbledhur tensionet n qarkun e jashtm:
V
max
PIV + 0 = 0,
V
max
- tensioni maksimal n hyrje
PIV - tensioni i kundrt i ushtruar n D
4
ku 0 e ans s majt sht tensioni ideal n D
2
.
T 2T
0 0
V
m
Figura 2.11 d)
72
Tensioni i kundrt maksimal n D
4
sht:
PIV V
max
(2.12)
Pra, kufiri PIV i do diode duhet t jet m i madh se V
max
.
Frekuenca
Meq n rezistencn e ngarkess kalon rrym gjat gjith periods s sinjalit
n hyrje, T
o
sht sa gjysma e T
i
. Pr kt arsye frekuenca e sinjalit n dalje
sht sa dyfishi i frekuencs s sinjalit n hyrje.
USHTRIME
Nj drejtues ur me val t plot me tension sinusoidal n hyrje 220 V rms
ka nj rezistenc ngarkese 1 K.
1. Sa sht vlera mesatare e drejtuar e tensionit n ngarkes?
2. Prcaktoni PIV pr do diod.
3. Gjeni vlern maksimale t rryms q kalon n do diod.
4. Sa sht fuqia e harxhuar nga do diod?
2.8. SHUMFISHUESIT E TENSIONIT
Skemat e shumfishimit t tensionit jan prdorur pr t kthyer nj tension
maksimal relativisht t ult n sekondarin e transformatorit n nj tension
maksimal dy, tre, katr ose shum her m t madh n dalje.
Dyfishuesit e tensionit
N figurn 2.12 sht treguar nj dyfishues tensioni me nj gjysmval.
Gjat gjysmvals (gjysmperiods) pozitive t tensionit n transformator
(sekondar), figura 2.13 a), dioda D
1
prcjell, ndrsa D
2
nuk prcjell;
kondensatori C
1
ngarkohet me tension deri n vlern e tensionit maksimal
(V
m
) dhe me polaritetin e treguar n figur. Dioda D
1
sht idealisht si nj
qark i lidhur n t shkurtr n kt gjysmperiod. Gjat gjysmperiods
negative t tensionit n sekondar, figura 2.13 b), dioda D
1
nuk prcjell,
ndrsa dioda D
2
prcjell duke ngarkuar kondensatorin C
2
. Dioda D
2
vepron
si nj qark i shkurtr gjat gjysmperiods negative dhe D
1
si qark i hapur.
Shuma e tensioneve n qarkun e jashtm sht:
-V
m
V
K1
+ V
C2
= 0
-V
m
V
m
+ V
C2
= 0
V
C2
= 2 V
m
73
Figura 2.13. Puna e dyfishuesit: a) pr gjysmperiodn pozitive,
b) pr gjysmperiodn negative
N dalje t dyfishuesit mund t lidhet nj rezistenc ngarkese. Tensioni
n C
2
bie gjat gjysmvals pozitive (kondensatori C
2
shkarkohet npr
rezistencn e ngarkess), por kondensatori C
2
ngarkohet deri n 2 V
m
gjat
gysmvals negative. Sa m e madhe t jet vlera e rezistencs s ngarkess,
aq m tepr tensioni n dalje i afrohet 2 V
m
.
PIV (tensioni i kundrt maksimal) pr do diod duhet t jet m i madh
se 2V
m
.
Nj tjetr skem dyfishuesi sht dyfishuesi me val t plot i figurs 2.14a).
Gjat gjysmvals pozitive t tensionit n sekondarin e transformatorit,
figura 2.14 b), kondensatori C
1
ngarkohet nprmjet diods D
1
me vlern
pik V
m
. Dioda D
2
nuk prcjell rrym n kt koh.
Figura 2.14 a) Dyfishuesi i tensionit me
val t plot
(a)
Figura 2.12. Dyfishuesi i tensionit me nj gjysmval
74
Figura 2.14 b) pr gjysmvaln pozitive
c) pr gjysmvaln negative
Gjat gjysmvals negative t tensionit n sekondar (fig. 2.14 c), dioda D
2

prcjell rrym nprmjet kondensatorit C
2
, ndrsa dioda D
1
nuk prcjell
rrym.
Meq C
1
dhe C
2
jan lidhur n seri, vlera e kapacitetit total sht m e
vogl se ajo e secilit prej kapaciteteve t kondensatorve. Pra, dyfishuesit e
tensionit me gjysm vale ose me val t plot bjn dyfishimin e tensionit
maksimal t sekondarit t transformatorit dhe nuk krkojn transformator
me pik mesi. PIV (tensioni i kundrt maksimal) pr do diod duhet t jet
m i madh se 2V
m
.
Trefishuesi dhe katrfishuesi i tensionit
N figurn 2.15 tregohet nj shumfishues tensioni t cilit i jan shtuar dy
kondensator dhe dy dioda pr t marr tre- dhe katrfishin e tensionit
maksimal n sekondar.
(b)
(c)
Figura 2.15. Trefishuesi dhe katrfishuesi i tensionit
75
Po kshtu mund t veprohet nse duhet t merret n dalje nj tension q
sht 5, 6 etj. her tensionin maksimal t sekondarit t transformatorit.
Gjat gjysmvals pozitive t tensionit n sekondarin e transformatorit,
kondesatori C
1
ngarkohet nprmjet D
1
me tensionin maksimal V
m
.
Kondesatori C
2
ngarkohet me dyfishin e vlers maximale, 2 V
m
, q merret nga
shuma e tensioneve n kondesatorin C
1
dhe n sekondarin e transformatorit
gjat gjysmvals negative t tensionit.
Gjat gjysmvals pozitive dioda D
3
prcjell dhe kondesatori C
3
ngarkohet
me t njjtn vler tensioni maksimal 2 V
m
. N gjysmvaln negative diodat
D
2
dhe D
4
prcjellin dhe C
4
ngarkohet me 2 V
m
.
Tensioni n C
2
sht 2 V
m
, n C
1
dhe C
3
sht 3 V
m
, kurse n C
2
dhe C
4
sht
4 V
m
. N nyjat shtes me dioda dhe kondesator, do kondesator ngarkohet
me 2 V
m
. do diod n qark duhet t ket PIV (tensionin e kundrt maksimal):
PIV 2V
2max
.
USHTRIME
1. Prcaktoni tensionin e arritur nga dyfishuesi i tensionit n figurn 2.12,
nse tensioni n sekondarin e transformatorit sht 220 V
rms
.
2. Prcaktoni PIV e do diode pr skemn e figurs 1.12, nse vlera maksimale
e tensionit n sekondar sht V
m
.
2.9. PRERSIT (CLIPPERS)
Ekziston nj numr shum i madh qarqesh t cilat quhen prerse. Kto
qarqe kan vetin q t presin nj pjes t sinjalit n hyrje, pa e shtrembruar
pjesn e mbetur t sinjalit. Qarqet prerse m t thjeshta jan t ndrtuara
vetm nga nj rezistenc e nj diod. Kto skema jan skemat e drejtimit.
Duke vn re drejtimin e diods n qark kundrejt ndryshimit t sinjalit n
hyrje, mund t prcaktojm thjesht cila gjysmval do t pritet, ajo negative
apo ajo pozitive.
Prersit ndahen n dy grupe themelore: n prers n seri dhe prers n
paralel. Mnyra e vendosjes s diods kundrejt rezistencs s ngarkess do
t prcaktoj edhe llojin e prersit.
Prersit n seri
Nj skem prersi mjaft e thjesht n seri sht treguar n figurn 2.16 a).
Prersit n seri dhe n paralel nuk kan kufizime pr sa i prket sinjalit n
hyrje. Ai mund t jet i formave t ndryshme alternative si tregohet edhe
n figurn 2.16 b).
76
Prersit do ti studiojm me kushtin q diodat jan ideale. Shtimi i nj
burimi dc n qarkun e nj prersi, si n figurn 2.17, do t bj t mundur
zhvendosjen e sinjalit kundrejt boshtit t ordinatave. Nuk ka nj procedur
fikse pr analizimin e ktyre qarqeve. Ato duhen studiuar duke marr ve
gjysmvaln pozitive dhe ve gjysmvaln negative. Hapat q ndiqen n
prgjithsi jan:
1. Arsyetojm n lidhje me pozicionin dhe gjendjen e diods, pra kur ajo
sht n gjendje pune e kur nuk sht n gjendje pune. Pr qarkun e
mposhtm (fig. 2.17) drejtimi i diods na sugjeron q sinjali v
i
duhet t
jet pozitiv pr t br diodn prcjellse (n gjendjen ON). Nga ana tjetr,
krkohet q sinjali V
i
duhet t jet m i madh n amplitud se tensioni V,
q t kaloj diodn n gjendjen ON. Gjat gjysmvals negative dioda sht
n gjendje joprcjellse (n gjendje OFF)
Figura 2.16 a) Skema e nj prersi seri
b) Forma t ndryshme sinjalesh alternative
Figura 2.17. Prers seri me nj burim tensioni t vazhduar (dc)
2. Prcaktojm tensionin i cili do t shkaktoj ndryshimin e gjendjes s
diods. Pr nj diod ideale, ndryshimi midis gjendjeve do t ndodh n
pikn me koordinata V
D
= 0V dhe I
D
= 0A t karakteristiks (n origjin).
a)
b)
77
Pr tensione Vi m t mdha se V, dioda do t jet polarizuar n t drejt
(+V n anod) dhe ajo sillet si qark i shkurtr (n gjendjen ON) si n figurn
2.19.
3. Duhet t kemi kujdes n prcaktimin e polaritetit t tensionit n dalje V
o
.
Kur dioda sht n gjendjen ON, duke zbatuar Ligjin e Kirkofit n lidhje me
tensionet (fig. 2.19), do t gjejm:
v
i
- V - v
O
= 0
pra,
v
O
=v
i
- V.
N qoft se zbatojm ligjin e dyt t Kirkofit (fig. 2.18), do t arrijm n
prfundimin se tensioni i ndryshimit t gjendjes s diods ka lidhje me
tensionin e burimit t rryms s vazhduar. Dioda sht e polarizuar n t
kundrt (- V n anod) dhe v
i
<V, kshtu q ajo sillet si qark i hapur (fig. 2.18)
ku i
D
= 0.
Duhet t skicojm tensionin n hyrje dhe
n dalje (fig. 2.20), duke gjetur tensionin
n dalje pr aste t ndryshme kohe t
sinjalit n hyrje.
Si e tham m lart, pr v
i
<V, i
d
= 0 dhe
v
o
= 0.
Pr v
I
= V, dioda ndryshon gjendje.
Pr v
i
>V, dioda sillet si qark i shkurtr dhe
v
o
= v
i
- V e tregohet n figurn 2.21.
Figura 2.20. Prcaktimi i V
o maks
.
Figura 2.19. Prcaktimi i v
o
pr
rastin kur dioda prcjell
Figura 2.18. Prcaktimi
i v
o
pr rastin kur dioda
nuk prcjell
78
SHEMBULL
Prcaktoni formn e sinjalit n dalje pr skemn e mposhtme (fig. 2.22):
Figura 2.22. Prers n seri
Zgjidhje
Dioda sht n gjendje prcjellse (si qark i shkurtr) gjat gjysmvals
pozitive t sinjalit n hyrje, aq m tepr pr shkak t V = 5 V. Skema n kt
rast sht si n figurn 2.23 dhe v
o
= v
i
+5 V.
Dioda ndryshon gjendjen pr v
i
= -5 V, si tregohet n figurn 2.24.
Gjat gjysmvals negative, dioda sht n gjendje OFF (si qark i hapur)
dhe v
o
= 0.
Prfundimisht, forma e sinjalit n hyrje e n dalje t skems n figurn 2.17
tregohet n figurn 2.21. N kt rast tensioni v
o
sht i ndryshm nga zero
pr m pak se 1/ 2T.
Figura 2.21. Format e sinjalit n hyrje e n dalje
79
Pr v
i
m negative se (-5) V, dioda do t sillet si qark i hapur, ndrsa
pr tensione m pozitive se ( 5) V dioda do t sillet si qark i shkurtr.
Prfundimisht, tensioni n hyrje e n dalje do t jet si n figurn 2.25. N
dalje do t ket tension pr m shum se 1/ 2 T.
Figura 2.25. Forma e sinjalit n hyrje dhe n dalje
Figura 2.23. v
o
pr diodn n gjendje
pune
Figura 2.24. asti kur dioda ndryshon
gjendjen e saj
80
Prers seri t thjesht
Prersit n paralel
Skema e figurs 2.26 sht skema m e thjesht e nj prersi n paralel, ku
dioda ndodhet n paralel me bornat e daljes. Analiza e skemave n paralel
sht e ngjashme me ato t skemave n seri.
M posht paraqiten skema t ndryshme prersish.
Figura 2.26
a) Prers paralel
b) Format e sinjaleve n dalje t
prersit n paralel t figurs 2.26 a)
pr sinjale t ndryshme n hyrje
b)
a)
81
Prers paralel t thjesht
Prers t tjer paralel
USHTRIME
1. Prcaktoni v
o
pr skemat e mposhtme, nse v
i
=20V, V=5V. Dioda t
konsiderohen prej silici.
2. Prcaktoni v
o
pr sinjalin e mposhtm n hyrje, v
i
= 10V, V
1
= 5V, V
2
= 7V.
82
2.10. QARQET Q I MBIVENDOSIN SINJALIT T HYRJES
NJ MADHSI KONSTANTE (CLAMPER)
N kto skema sinjalit do ti mbivendoset nj tension i vazhduar (dc) me
vler t caktuar. Skema duhet t ket nj kondensator, nj diod dhe nj
rezistenc, por mund t prfshij edhe nj burim tensioni t vazhduar. Vlerat
e R-s dhe C-s duhen zgjedhur t tilla q konstantja e kohs = RC t jet
mjaft e madhe, pr t siguruar q tensioni n kondensator nuk do t bjer
ndjeshm gjat kohs q dioda nuk prcjell. Pr qllime praktike, ne do t
pranojm q koha e plot e ngarkimit ose e shkarkimit t kondensatorit
sht rreth 5 konstante kohe 5 = 5 RC.
N figurn 2.27 a) jepet forma e sinjalit t hyrjes pr skemn e figurs 2.27 b).
Rezistenca R mund t jet rezistenca e ngarkess ose nj qark i kombinuar
n paralel.
Gjat intervalit 0-T/ 2 figura 2.27a) skema do ket pamjen e figurs 2.28.
Tensioni n hyrje gjat ksaj kohe ka vler konstante, v
i
= V. Dioda prcjell,
n R nuk kalon rrym. Kondensatori do t ngarkohet shum shpejt me
tensionin V. Gjat ksaj kohe v
O
= 0 V.
Figura 2.28. Dioda n gjendje prcjellse
Gjat intervalit t kohs T/ 2-T skema do ket pamjen e figurs 2.29, pra, duke
e zvendsuar diodn me nj qark t hapur. Konstantja e kohs (produkti
RC) sht shum e madhe, aq m tepr 5 do jet shum m e madhe se
koha T/ 2-T.
Figura 2.29. Dioda n gjendje joprcjellse
Figura 2.27. Clamper a) jepet forma e sinjalit t hyrjes, b) skema
83
Kjo nnkupton q kondensatori vazhdon t jet i ngarkuar. Duke zbatuar
ligjin e Kirkofit n konturin e hyrjes, kemi q:
-V V- v
O
= 0
dhe
v
O
= -2 V
Shenja negative vjen nga fakti q polariteti i 2 V sht i kundrt me polaritetin
e caktuar t v
O
. Forma e sinjalit n hyrje e n dalje tregohet n figurn 2.30.
Figura 2.30. Sinjali n dalje t figurs 2.27 b)
Dalja sht 0 V pr intervalin 0-T/ 2, ndrsa n intervalin T/ 2-T valzimi total
do jet i njjt me at t hyrjes, pra vlera pik-pik e vals n dalje sht e
njjt me vlern pik-pik t vals n hyrje.
Si rrjedhim, sinjali n dalje fitohet nga mbledhja ose zbritja e tensionit n
hyrje me vlern e tensionit t ngarkimit t kondensatorit.
Hapat q na ndihmojn n analizn e skemave klemper (clamper) mund t
prmblidhen n kt mnyr:
1. Fillojm analizn duke konsideruar q fillimisht sinjali n hyrje do t
polarizoj n t drejt diodn.
2. Gjat kohs q dioda sht n gjendje prcjellse kondesatori do t
ngarkohet menjher me tension q prcaktohet nga skema.
3. Mendojm se gjat kohs q dioda sht n gjendje joprcjellse,
kondesatori ruan vlern e tensionit me t cilin u ngarkua.
4. Arsyetoni mbi polaritetin e v
O
.
5. Mos harroni rregulln e prgjithshme q valzimi total i tensionit n dalje
duhet t prkoj me valzimin e sinjalit n hyrje.
84
SHEMBULL
Prcaktoni V
out
pr skemn 2.31 pr sinjalin e treguar n hyrje, nse dioda
konsiderohet ideale.
Figura 2 31
Zgjidhje
Nse frekuenca e sinjalit n hyrje sht 1000 Hz, pra me period 1 ms, vlera
e sinjalit t hyrjes ndryshon do 0.5 ms. Gjat kohs t
1
t
2
dioda shihet si
qark i shkurtr (si n figurn 2.32).
Figura 2.32. Dioda n gjendje prcjellse
Tensioni n dalje sht sa tensioni i bateris, pra 5 V. Nga ligji i dyt i Kirkofit
pr konturin e hyrjes do t dal
20 V + V
C
5 V = 0
dhe
V
C
= 25 V.
Gjat ksaj kohe kondensatori ngarkohet me tension 25 V, si u tha n pikn
2 t prmbledhjes.
85
Dioda do t ekuivalentohet me qark t hapur dhe, duke zbatuar ligjin e dyt
t Kirkofit n qarkun e daljes v
O
, do t dal n:
+10V + 25V v
O
= 0
dhe
v
O
=35V
Figura 2.33 b) Forma e sinjalit n dalje pr skemn e figurs 2.31
Konstantja e kohs s shkarkimit t figurs 2.33 a) sht dhn nga produkti
i RC-s dhe ka madhsin
= RC = (100 k) (0.1 F)=(100 x 10
3
)(0.1 x 10
-6
F) = 0.01 s = 10 ms.
Koha totale e shkarkimit sht
5 = 5 (10 ms) = 50 ms
Prderisa intervali t
2
t
3
do t zgjas vetm 0.5 ms, kondesatori do t mbaj
pothuajse t pandryshuar tensionin gjat kohs s shkarkimit. Sinjali n
hyrje dhe n dalje tregohet n figurn 2.33 b). Vm re q dalja 30 V prkon
me tensionin n hyrje si n hapin e 5-t.
Figura 2.33 a) Dioda n gjendje joprcjellse
Pr kohn t
2
t
3
skema do t shihet si n figurn 2.33.
86
SHEMBULL
Prsritni shembullin e mparshm duke prdorur nj diod silici me
V
T
= 0.7V
Zgjidhje
Nse e zvendsojm diodn me burimin 0,7 V, skema ka paraqitjen e
figurs 2.34 dhe v
o
mund t llogaritet me ligjin e Kirkofit pr tensionet n
qarkun e daljes.
+5V-0.7V- v
O
=0
dhe
v
O
= 5V-0.7V = 4.3V
Gjat intervalit t kohs t
1
t
2
pr qarkun e hyrjes shkruajm ligjin e Kirkofit:
-20V+V
C
+0.7V-5V = 0
dhe
V
C
= 25V-07V = 24.3V
o
dhe V
C
me diodn n gjendjen prcjellse
Gjat intervalit t kohs t
2
t
3
dioda sillet si qark i hapur dhe skema do t
jet si n figurn 2.35, me ndryshim e vlers s tensionit n kondensator.
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit kemi:
+10 V + 24.3 V - v
O
= 0
dhe
v
O
= 34.3 V
o
me diodn n gjendjen e hapur
10V
87
Rezultati n dalje sht si n figurn 2.36, duke verifikuar se valzimi total i
sinjalit t hyrjes dhe valzimi total i sinjalit t daljes jan t njjt.
Figura 2.36. Tensioni n dalje t klemperit t figurs 2.31 me diod silici
Disa skema klemperi dhe format e sinjaleve jan treguar n figurn 2.37.
Pr t gjitha rastet sinjali n hyrje sht ai i forms s treguar m posht:
Kto skema mund t punojn po aq mir edhe me sinjale sinusoidale n
hyrje. Nj shembull sht dhn n figurn 2.38.
88
Figura 2.37. Qarqe klemper me dioda ideale (5 =5 RC >>T/ 2)
Figura 2.38. Skema klemper me tension sinusoidal n hyrje
USHTRIME
1. Vizatoni formn e v
o,
nse sinjali n hyrje v
i
= 20 V.
89
| |
2. Vizatoni formn e v
o,
nse sinjali n hyrje v
i
= 15 V, V
1
= 5 V.
2.11. STABILIZIMI I TENSIONIT ME DIOD ZENER
Pr t analizuar punn e skemave me diod zener m par duhet t njihemi
me qarkun ekuivalent t diods zener, si jepet n figurn 2.39
Figura 2.39 a) Dioda si stabilizuese e tensionit n gjendje pune,
b) dioda jasht pune
Qarku m i thjesht me diod zener jepet n figurn 2.40.
Figura 2.40. Nj rregullator zener
90
Figura 2.41. Prcaktimi i gjendjes s diods zener
2. Zvendsojm diodn me skemn ekuivalente t figurs 2.39 a).
N figurn 2.42 dioda zener punon si element stabilizues i tensionit.
Figura 2.42. Zvendesimi i diods zener me skemn ekuivalente
n regjimin stabilizues
V= V=
V
(R + R )
i
L
L
L
R
I = I
L R
I = 0
Z
Fillimisht, le t konsiderojm se tensioni i zbatuar n hyrje sht i
pandryshueshm, po ashtu edhe vlera e rezistencs. Analiza bhet e bazuar
n dy hapa:
1. Prcaktohet gjendja e diods zener duke llogaritur tensionin n bornat e
saj prmes nj qarku t hapur (fig. 2.41).
(2.13)
Nse V V
Z
, dioda zener sht n gjendjen on dhe qarku ekuivalent sht
ai i figurs 2.39 a).
Nse V <V
Z
, dioda zener sht n gjendjen off dhe qarku ekuivalent sht
ai i figurs 2.39 b).
Duke zbatuar hapin e par n figurn 2.40, skema do t dal si n figurn
2.41.
91
Tensioni n elementet e lidhura n paralel sht i njjt, pra:
V
L
= V
Z
(2.14)
Pr t prcaktuar rrymn n diodn zener, zbatojm ligjin e par t Kirkofit:
I
R
= I
Z
+ I
L
nga ku
I
Z
= I
R
- I
L
. (2.15)
Fuqia e harxhuar nga dioda zener sht prcaktuar nga ekuacioni (2.16):
P
Z
= V
Z
I
Z
(2.16)
Kjo vler e fuqis duhet t jet m e vogl se P
ZM
e caktuar n katalog pr
elementin e dhn.
Diodat zener prdoren m shpesh n rregullator tensioni ose pr t dhn
nj tension referimi.
N figurn 2.40 sht treguar nj rregullator i thjesht, i projektuar pr t
mbajtur nj vler fikse tensioni n R
L
edhe nse vlera e tensionit n hyrje
ose rezistenca e ngarkess ndryshojn vler (luhaten brenda nj diapazoni
t caktuar vlerash).
Rasti m i keq ndodh pr tension minimal n hyrje ose pr rrym ngarkese
maksimale, sepse rryma n zener shkon drejt zeros.
N kt rast:
ose
R
(mak)
=
Si sht thn
I
Z
= I
R
- I
L
N rastin m t keq barazimi m sipr shkruhet:
I
Z(min)
= I
R(min)
- I
L(mak)
V
i(min)
- V
Z
R
(mak)

I
R(min)
=
V
i(min)
- V
Z
I
R(min)
92
Figura 2.43
SHEMBULL
a) Pr skemn me diod zener (fig. 2.43) prcaktoni V
L
, V
R
, I
Z
, P
Z
.
b) Prsrite pikn (a) me R
L
= 3 K.
Pika kritike ndodh kur:
I
R(min)
= I
L(mak)
N kt pik rryma n zener bie n zero dhe rregullimi i tensionit ka humbur.
Duke zvendsuar
R
(mak)
=
ku
R
(mak)
- vlera kritike e rezistencs seri
V
i(min)
- tensioni mininmal i burimit
V
Z
- tensioni zener
I
L(mak)
- rryma maksimale n ngarkes
R
(mak)
sht vlera kritike, pra vlera maksimale e lejuar e rezistencs seri. R
duhet t jet gjithmon m e vogl se vlera kritike.
N rast t kundrt, dioda zener nuk sht duke punuar n regjimin zener
dhe rregullatori humbet funksionin e tij.
V
i(min)
- V
Z
I
L(mak)
93
Duke zbatuar barazimin (2.13), llogaritim:
nga ku V
AB
= 8.73 V sht m e vogl se V
Z
= 10 V dhe dioda sht n
gjendjen off, si shihet nga karakteristika e figurs 2.45. Duke pasur
parasysh skemn e figurs 2.44, gjejm:
b) Duke zbatuar ekuacionin (2.13), prcaktojm:
Figura 2.44
Figura 2.45. Karakteristika e diods
Zgjidhje
a) Sipas hapit t par t procedurs s prshkruar m sipr, prcaktojm
tensionin mes pikave ku sht lidhur dioda zener ashtu si tregohet n
figurn 2.44.
V = V = 8.73V
V = V - V = 16V - 8.73V = 7.27V
I = 0A
P = V I = V (0A) = 0W dhe
L AB
R i L
Z
Z Z Z Z
94
V
L
= V
Z
= 10 V
dhe
V
R
= V
I
V
L
= 16 V 10 V = 6 V
dhe
Kshtu, nga ekuacioni (2.15) prcaktojm:
I
Z
= I
R
I
L

= 6 mA 3.33 mA
= 2.67 mA
Fuqia e harxhuar nga dioda zener:
P
z
= V
z
I
Z
= (10 V) (2.67 mA) = 26.7 mW.
Kjo fuqi sht m e vogl se P
zmax
= 30 mW.
Figura 2.46
Pra, V
AB
= 12 V sht m e madhe se V
Z
= 10 V, dioda sht n gjendjen on
dhe skema do t jet si n figurn 2.46.
95
USHTRIME
1. a) Prcaktoni V
L
, I
L
, I
Z
, dhe I
R
pr skemn e figurs 2.40, nse R
L
= 180 ,
V
i
= 20 V, R

= 220 , V
Z
= 10 V, P
Zmaks
= 400 mW.
b) Prsritni pikn (a) pr R
L
= 470 .
c) Prcaktoni vlern e R
L
kur

dioda zener ka P
Zmaks
.
2. a) Projektoni nj skem me diod zener, t ngjashme me at m sipr, q
t ket n dalje 12 V pr rrym q ndryshon nga 0-200 mA. Prcaktoni
R e V
Z
.
b) Prcaktoni P
Zmaks
.
Figura 2.47. Nj skem e thjesht
me diod
Figura 2.48
E
12V
R
1 k
R
1k
E
12V
2.12. DIODAT E LIDHURA N SERI OSE N PARALEL
Skemat e marra n shqyrtim jan ushqyer me burim tensioni t vazhduar.
Dioda sht n gjendje prcjellse kur
rryma q kalon n skem prputhet
me drejtimin e shigjets n simbolin
saj dhe tensioni i hapjes V
T
sht
afrsisht 0.7 V pr diodat e silicit
dhe 0.3 V pr diodat e germaniumit
(fig. 2.47).
Kur dioda sht e polarizuar n
t kundrt, kahu i rryms sht i
kundrt me drejtimin e shigjets n
simbolin e diods dhe rryma ka vler
t paprfillshme si n figurn 2.48.
Pra, n vend t diods kemi qark t
hapur.
E
12V
1k
R
Si
96
N skemn e figurs 2.50 kemi dy dioda t lidhura n seri ku dioda e par
duket si qark i shkurtr dhe dioda e dyt duket si qark i hapur, rryma
I
D
= 0A, V
D1
= 0V.
N skemn e figurs 2.49 t dyja diodat jan gjendje prcjellse, pasi:
E = 12 V >(0.7 V + 0.3 V ) = 1 V,
V
o
= E - V
T1
-V
T2
= 12V - 0.7 V - 0.3 V = 11 V,
I
D
=I
R
=V
R
/ R = V
o
/ R = 11V/ 5.6 k =1.96 mA.
Figura 2.49. Dy dioda t lidhura n seri
V
o
= I
R
*R = I
D
*R = 0A*R = 0V.
V
D2
= E = 12 V.
N zbatim t ligjit t Kirkofit:
E - V
D 1
- V
D2
- Vo = 0,
V
D2
= E - V
D1
- V
o
= 12 V - 0 V = 12 V.
N praktik arsyja kryesore q diodat lidhen n seri sht pr t prballuar
vlern e tensionit te kundrt maksimal t zbatuar n qark, vler e cila nuk
mund t prballohet nga nj diod e vetme.
Figura 2.50
E
12 V
R
5.6 k
Si Ge
R
5.6 k
E
12 V
E
0.7 V
E
0.3 V
Si Ge
R
5.6 k
E
12 V
Si Si
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
R
5.6 k
E
12 V
VD1
I=DAVD2
I
D
= 0
V
D1
D
SI
D
SI
V
o
97
Diodat e lidhura n paralel
Dy ose m shum dioda duhet t lidhen n paralel, nse rryma q kalon
n qark sht m e madhe se vlera e ryms s lejuar t secils prej diodave.
Kur diodat lidhen n paralel, rryma e prgjithshme n qark degzohet dhe
n do deg kalon rrym m e vogl se vlera maksimale e lejuar e rryms
q do t nxirrte jasht prdorimi nj diod.
SHEMBULLI 1
T gjendet Vo, I
1
, I
D1
, I
D2
n skemn 2.51.
N kt rast tensioni i burimit sht m i madh se 0.7 V dhe kahu i kalimit
t rryms prputhet me drejtimin e shigjets n simbol, pra, diodat jan n
gjendje prcjellse. Tensioni n diodat e lidhura n paralel sht 0.7 V.
V
o
= 0.7 V
I
R
= V
R
/ R = E - V
D
/ R = 28.18 mA
ID1 = ID2 = I1 / 2 = 14.09 mA
Nse vlera maksimale e lejuar e rryms s nj diode sht 20 mA, rryma prej
28.18 mA do t shkatrronte diodn. Duke vendosur dy dioda n paralel, n
do diod kalon 14.09 mA, pra brenda vlers s lejuar t rryms n diod.
SHEMBULLI 2
T gjendet tensioni n rezistenc (V
o
).
Dim q n degt paralele tensioni sht i njjt, por n kt rast vetm
njra nga diodat do t kaloj n gjendje pune dhe konkretisht dioda e
germaniumit, meq ajo e ka tensionin e hapjes m t vogl se dioda e silicit.
Dioda e silicit do t sillet si qark i hapur.
V
o
=12 V 0.3 V= 11.7 V
Figura 2.51
Figura 2.52
R
0.33 k
E
10 V
Si Si
V
o
98
USHTRIME
1. Prcaktoni vlern e V
O
n dalje t do skeme.

20V
2k
Si
2k
Ge
10V
1.2k
Si
2V
4.7k
V
O
V
O
a)
b)
15V
2.2k
Si
5V
Si
V
O
c)
20V
Si
4.7k
Si
V
O
d)
99
2.13. PORTAT LOGJIKE EDHE/OSE (AND/OR) ME DIODA
Portat logjike mund t realizohen edhe me dioda.
N figurn 2.53 sht treguar si mund t realizojm port OSE me dioda.
Vlera 10 V nnkupton gjendjen 1, ndrsa vlera 0 V nnkupton gjendjen
0 (nga algjebra e Bulit). Nj port OSE ka n dalje gjendjen 1 kur ose
njra nga hyrjet, ose t dyja kan gjendjen 1. Dalja ka gjendjen 0 kur t
dyja hyrjet jan n gjendjen 0.
Me kto tensione t zbatuara n hyrje n D
1
kalon rrym, ndrsa n D
2
nuk
kalon rrym, pra ajo sillet si qark i hapur. Tensioni n dalje do t jet:
V
O
= 10V - 0.7V = 9.3 V.
N figurn 2.54 sht treguar si mund t realizojm port EDHE me dioda.
Nj port EDHE ka n dalje gjendjen 1 kur si njra hyrje, ashtu edhe tjetra
kan gjendjen 1. Dalja ka gjendjen 0 kur qoft edhe njra nga hyrjet
sht n gjendjen 0.
Me kto tensione t zbatuara n hyrje n D
1
nuk kalon rrym, pra sillet
si qark i hapur, ndrsa n D
2
kalon rrym. Tensioni n dalje do t jet i
barabart me 0.7 V, vler e cila konsiderohet si gjendje 0.
Vlera e marr n dalje sht e
mjaftueshme pr tu konsideruar si
gjendje 1. Kjo sht edhe vlera e
tensionit n R, ndrsa rryma do t
ishte:
I = V
R
/ R = 9.3V/ 1 K = 9.3 mA.
D1
10V
E1
0V
E2
1k
R
v
o
D2
E = 10 V
0
0 V
0
Figura 2.53. Porta logjike OSE
20V
Ge
0.47k 1k
Si
V
O1
V
O2
e)
100
I = V
R
/ R = 9.3V/ 1K = 9.3 mA
Figura 2.54. Porta logjike EDHE
E
1
= 10 V
0
D1
10V
E1
0V
E2
10V
E
1k
R
v
o
D2
E
2
= 0 V
0
101
KAPITULLI
TRANSISTORT DYPOLAR
3.1. HYRJE
Dioda n formn e tubit me vakuum ishte vn n zbatim nga J.A.Fleming
n vitin 1904. Pak koh m von, n vitin 1906, Lee De Fortest shtoi edhe
nj dalje t tret n diodn me vakuum, t quajtur grila e kontrollit. N kt
mnyr ishte ndrtuar amplifikuesi i par, trioda. N vitet e mvonshme
radio dhe televizori paraprin zhvillimin dhe, rreth vitit 1930, u prdorn
edhe elementet me katr dalje ose pes dalje, q e uan akoma m tej
industrin e tubave elektronik. M pas, me ritmet e shpejta t zhvillimit,
inxhiniert i kushtuan shum rndsi projektimit, teknikave t prodhimit,
zbatimit n fuqi t mdha e n frekuenca t larta, si dhe minimizimit t
ktyre elementeve.
N 23 dhjetor 1947, industria e elektroniks kaloi n nj drejtim krejt t ri
t zhvillimit t saj. Walter H.Brattain dhe John Bardenn eksperimentuan
transistorin e par si element amplifikues. T mirat e ktij elementi me
tri dalje ishin: m i vogl e m i leht n pesh, nuk kishte humbje fuqie
q kthehej n nxehtsi, pra kishte rendiment m t lart n pun (meq
fuqia e konsumuar n vet transistorin ishte e vogl). Transistori mund t
punonte me tensione m t vogla. T gjith amplifikuesit (elementet q
rritin tensionin, rrymn dhe fuqin) kan t paktn tri dalje.
Transistort i ndajm n transistor dypolar (BJT-Bipolar Junction Transistor)
dhe transistor njpolar (FET-Field-Effect Transistor).
N kt kapitull do t studiojm transistort dypolar. Quhen t till, sepse
rryma q kalon n ta krijohet nga bashkveprimi i dy lloj bartsish: bartsit
e shumics (kryesor, maxhoritar) dhe bartsit e pakics (jokryesor,
minoritar). N fillim u ndrtua transistori prej germaniumi q kishte nj
temperatur pune relativisht t ult (75-90
0
C). M von u ndrtua transistori
prej silici me temperatur pune q shkon deri n 200
0
C.
102
Figura 3.1 a) dhe b) ndrtimi i transistorve dhe simbolet e tyre,
c) dhe d) ushqimi i kalimeve p - n t transistorve
Secila zon lidhet me nj dalje q emrtohen E (emiter), B (baz), K (kolektor).
Emiteri sht zona q jep (emeton) mbarts t ngarkesave dhe ka
prqendrimin m t madh t mbartsve.
Baza sht zona e mesit, shum e ngusht (disa mikron) dhe luan rol
komunikues.
Kolektori sht zona q mbledh mbartsit.
Baza gjithmon ka prcjellshmri t ndryshme nga E dhe K.
Tipi i transistorit n simbol prcaktohet nga kahu i shigjets s vendosur n
emiter.
3.2. NDRTIMI I TRANSISTORIT
Transistori dypolar ndrtohet nga 3 shtresa (zona) gjysmprcjellse me
prcjellshmri t ndryshme (t tipit p dhe t tipit n) t vendosura n mnyr
t alternuar. N figurn 3.1 a) dhe b) tregohet ndrtimi strukturor dhe
simbolet prkatse t dy tipave t tranzistorve.
N figurn 3.1 a) tregohet ndrtimi transistorit tip p-n-p dhe simboli i tij dhe
n figurn 3.1 b) tregohet ndrtimi i transistorit tip n-p-n dhe simboli i tij.
p n p n p n
a) b)
c) d)
103
Kur shigjeta drejtohet drejt bazs, transistori sht i tipit p-n-p dhe kur
shigjeta del jasht, transistori sht i tipit n-p-n. Kahu i shigjets tregon
dhe kahun e rryms n emiter I
E
. N figurn 3.1 c), d) sht treguar ushqimi
me tension t vazhduar i dy tipave t tranzistorve. Ushqimi me tension t
vazhduar i transistorve sht i nevojshm pr t vendosur regjimin e sakt
t puns s nj amplifikatori t rryms alternative. Transistori dypolar ka dy
kalime p-n:
1. kalimi emiter baz (E-B),
2. kalimi baz kolektor (B-K).
Pra, transistori, n mnyr t thjeshtuar, mund t studiohet i prbr nga dy
dioda t lidhura n kahe t kundrta si n figurn 3.2 m posht.
Figura 3.3 a), b), c)
Figura 3.2. Skema ekuivalente e transistorit tip p-n-p dhe tip n-p-n
T
a)
b)
c)
3.3. PARIMI I PUNS S TRANSISTORIT
Do t shqyrtojm punn e transistorit tip p-n-p (parimi i puns sht i njjt
dhe pr at t tipit n-p-n ).
N figurn 3.3 a), b), c) sht treguar nj transistor tip p-n-p n tri gjendje t
ndryshme. N figurn 3.3 a) tregohet transistori i papolarizuar (i palidhur
me burimin e ushqimit).
104
1
dhe
2
jan vektort e barrierave potenciale t t dy kalimeve p-n kur ato
jan t paushqyer (t papolarizuar).
N figurn 3.3 b) tregohet transistori ku kalimi E-B sht i paushqyer, kurse
kalimi B-K sht ushqyer n t kundrt. Pra, barriera potenciale e kalimit
B-K sht rritur (B
2
>
2
) pr shkak t lidhjes n t kundrt t burimit V
kk
.
Kjo barrier pengon lvizjen e mbartsve t shumics (kryesor, maxhoritar)
q n kt rast jan vrimat, prandaj rryma e kolektorit do t krijohet nga
lvizja e bartsve jokryesor, q jan elektronet, dhe ka vler t vogl I
KB
q
quhet rryma e kundrt e kolektorit (rryma termike).
N figurn 3.3 c) tregohet rasti kur jan polarizuar t dy kalimet p-n. Kalimi
E-B sht i polarizuar (ushqyer) n t drejt dhe kalimi B-K sht polarizuar
(ushqyer) n t kundrt. N kt rast barriera potenciale n kalimin E-B
sht zvogluar m shum, B
1
<
1
, kurse barriera potenciale e kalimit B-K
sht rritur, B
2
>
2
, si n figurn 3.3 b).
Gjat shpjegimit bhet fjal pr lvizjen e vrimave, por n fakt lvizin
elektronet n drejtim t kundrt me at t lvizjes s vrimave.
N kt rast vrimat e emiterit (q jan mbarts shumice) do t kalojn me
lehtsi barriern B
1
dhe futen n baz. Ktu vrimat jan mbarts pakice.
Nj pjes e vogl e vrimave futen n baz dhe vazhdojn rrugn e tyre n
drejtim t minusit t burimit V
EE
duke krijuar rrymn e bazs I
B
. Pjesa m e
madhe e vrimave futen n kolektor. Lvizja e ktyre vrimave krijon rrymn
e kolektorit I
k
. Pr pikn T t figurs 3.3(c) shkruajm ligjin e par t Kirkofit:
I
E
= I
B
+ I
K
I
B
<<I
E
dhe

I
B
<<I
K
.
Pra,

I
E
sht afrsisht sa I
K
, por asnjher I
E
= I
K
, sepse pa rrym baz nuk ka
rrym kolektori.
I
E
dhe I
K
jan rryma t rendit mA, kurse I
B
sht e rendit A, si sht
paraqitur n figurn 3.4.
Figura 3.4. Krahasimi i rrymave
Kur transistori punon n regjim prforcimi (si amplifikator), kalimi E-B polarizohet n
t drejt dhe kalimi B-K n t kundrt.
Tensioni n diodn e kolektorit duhet t jet m i vogl se tensioni i shpimit t
transistorit.
105
USHTRIME
1. Si emrtohen dy tipat e transistorve BJT? Vizatoni ndrtimin e secilit
dhe vendosni emrat e mbartsve minoritar dhe maxhoritar. Vizatoni
simbolin grafik t secilit.
2. Cila sht diferenca ndrmjet nj transistori bipolar dhe atij njpolar?
3. Si duhet t ushqehet transistori q t sillet si amplifikator rryme?
4. Nse rryma e emiterit sht 8 mA dhe rryma e bazs sht 1/ 100 e I
K
,
prcaktoni rrymn e kolektorit dhe at t bazs.
3.4. MNYRAT E LIDHJES S TRANSISTORIT N SKEM
N REGJIM AKTIV
N skema t ndryshme prforcimi transistori lidhet n mnyr t till q
nj prej daljeve t tij (elektrodave t tij), emiteri, baza apo kolektori t jet e
prbashkt pr prbrsen alternative si n qarkun e hyrjes dhe n at t
daljes.
Pra, do t kemi tri mnyra t lidhjes s transistorit n skem dhe ato quhen:
1. Skema me emiter t prbashkt ose skema me emiter t tokzuar.
2. Skema me baz t prbashkt ose me baz t tokzuar.
3. Skema me kolektor t prbashkt ose me kolektor t tokzuar.
Secila nga kto skema ka veantit e veta, prandaj ato studiohen n veanti.
Skema me baz t prbashkt
N figurn 3.5 tregohet mnyra e lidhjes s nj skeme me baz t prbashkt
me transistor tip p. N kt skem:
K
K
E
+
-
+
-
V V
KK
Figura 3.5. Mnyra e lidhjes s transistorit n
skemn me baz t prbashkt
Hyrja sht midis emiterit dhe
bazs.
Rryma e hyrjes = I
E
Tensioni i hyrjes = V
BE
Dalja e skems merret midis
bazs dhe kolektorit, pra:
Rryma e daljes = I
K
Tensioni i daljes = V
BK
106
Pr t prshkruar sjelljen e ktij elementi me tre terminale (dalje) dhe me dy
kalime p-n n skemat e amplifikatorve me baz t prbashkt, nevojiten
dy karakteristika: njra pr madhsit e hyrjes, ndrsa tjetra pr madhsit
e daljes.
Karakteristikat e hyrjes tregojn varsin e rryms s hyrjes l
E
nga tensioni
i hyrjes V
BE
pr vlera t ndryshme t tensionit n dalje V
KB
(brenda nj
karakteristike vlera e V
KB
mbahet konstante).
Karakteristikat e daljes do t jen varsia e rryms s daljes l
C
nga tensioni
n dalje V
KB
pr vlera t ndryshme t rryms n hyrje l
K
(brenda nj
karakteristike vlera e l
E
mbahet konstante (fig.3.6 c).
N do karakteristik t hyrjes, pr nj vler fikse t V
KB
, me rritjen e tensionit
baz-emiter vm re rritjen e rryms s emiterit dhe karakteristika i ngjan
shum asaj t diods (fig. 3.6 a). N fakt, ndryshimi i vlers s V
KB
ka ndikim
t vogl (fig. 3.6 b). Nga kjo karakteristik mund t arrijm n prfundimin
se q nj transistor t jet n gjendjen on, duhet V
BE
= 0.7 V pr transistort
e silicit.
Karakteristika e daljes ose e kolektorit ka tri zona kryesore: at aktive, t
prerjes (shkyjes) dhe t ngopjes (fig. 3.6 c).
Figura 3.6. Karakteristikat e a) diods; b) e hyrjes; (c) e daljes pr transistorin
n skemn me baz t prbashkt
a) b)
c)
107
N karakteristikat e daljes te figura 3.6 c) pjesa horizontale i prket zons
aktive ku transistori punon n regjim prforcimi. N zonn aktive kalimi
baz-emiter polarizohet n t drejt, ndrsa ai kolektor-baz n t kundrt.
N pjesn e poshtme t zons aktive, ku rryma e emiterit sht zero, kemi
zonn e shkyjes ku I
K
= I
KBO
. Rryma I
KBO
sht aq e vogl (n mikroamper)
n vler numerike, krahasuar me vlerat nn shkalln vertikale t I
K
, saq
duket sikur vlera e saj sht zero. Si pasoj e prmirsimit t teknikave t
ndrtimit, niveli I
KBO
pr transistort n prdorim masiv (veanrisht me
material gjysmprcjells silici) pr fuqit e vogla dhe t mesme sht aq i
ult, sa mund t mos e marrim n konsiderat. Pr transistort me fuqi t
mdha, I
KBO
do t jet prsri n rendin mikroamper. Por I
KBO
, ashtu si I
S
pr
diodn, sht nj madhsi e ndjeshme ndaj temperaturs. N temperatura
t larta I
KBO
mund t bhet nj faktor i rndsishm pr vet faktin se n
kto kushte rryma ndryshon me vlera t mdha (n form orteku).
Me rritjen e I
E
rritet I
K
dhe rritja e vlers s tyre sht pak a shum e njjt.
Dhe vet karakteristika e daljes na e krijon kt ide, q I
K
I
E
.
N zonn e shkyjes (cutoff) kalimi baz-emiter dhe kalimi kolektor-baz
polarizohen n t kundrt.
Zona e ngopjes (saturation) sht pjesa n t majt t karakteristiks. Vihet
re nj ndryshim i menjhershm i karakteristiks kur vlera e V
KB
i afrohet
zeros.
N kt zon kalimi baz-emiter dhe kalimi kolektor-baz polarizohen n
t drejt. Transistori gjendet n zonn e ngopjes dhe t shkyjes kur punon
n regjim els.
Koeficienti
Raporti i rrymave t vazhduara I
K
me I
E
jepet me nj madhsi q quhet , ku
I
K
dhe I
E
jan vlerat e rrymave n pikn e puns.
Vlerat e madhsis ndodhen midis 0.9 - 0.998. Shpesh e konsiderojm
=1. Pra, I
E
=I
K
.
Kur skema punon me sinjal alternativ, pika e puns lviz n karakteristik
dhe do t kemi
ac
q

prcaktohet:
N shumicn e rasteve, vlerat e
ac
me
dc
jan t prafrta dhe shpesh
prdorim vlern e njrs edhe pr tjetrn.
~
~
108
USHTRIME
1. a) Duke prdorur karakteristikat e figurs 3.6.c, prcaktoni rrymn e
kolektorit nse I
E
= 5 mA dhe V
KB
= 5 V.
b) Prsritni pikn (a) pr I
E
= 5 mA dhe V
KB
= 18 V.
c) Si do t ndikojn ndryshimet e V
KB
n nivelin e I
K
?
d) Duke u bazuar n rezultatet e msiprme, lidhje ka mes I
E
dhe I
K
?
2. a) sht dhn
dc
= 0.998, prcaktoni I
K
nse I
E
= 4 mA.
b) Prcaktoni
dc
, nse I
E
= 3 mA dhe I
B
= 20 A.
c) Gjeni I
E
nse I
B
= 30 A dhe
dc
= 0.98.
3.5. PUNA AMPLIFIKUESE E TRANSISTORIT
Pr t studiuar punn amplifikuese t transistorit, le ti referohemi skems
s figurs 3.7.
Figura 3.7
=5K
Pr skemn me baz t prbashkt, rezistenca n hyrje pr rrymn
alternative (ac) mund t prcaktohet nga karakteristikat e figurs 3.6 b). Kjo
rezistenc del mjaft e vogl dhe varion nga 10 deri 100 . Rezistenca e
daljes sht mjaft e madhe (50 K deri n 1 M) dhe mund t prcaktohet
nga karakteristika e daljes (fig. 3.6 c). Ky ndyshim n vlerat e rezistencave ka
lidhje me faktin si jan polarizuar kalimet p-n t transistorit.
Pr skemn e dhn t prforcuesit t tensionit me baz t prbashkt n
figurn 3.7, le t prcaktojm koeficientin e prforcimit t tensionit A
v
.
Koeficienti i prforcimit t tensionit tregon sa her m e madhe sht vlera
e tensionit n dalje kundrejt asaj n hyrje.
N kt skem tensioni i burimit t sinjalit n hyrje sht V
i
= 200 mV dhe
rezistenca e lidhur n qarkun e daljes sht R = 5 K.
Le t marrim rezistencn e hyrjes s transistorit R
i
= 20 dhe rezistencn
e daljes 100 K. Meqense kjo rezistenc sht shum m e madhe se
rezistenca R (me t ciln lidhet n paralel), ather rezistenca e daljes s
skems R
L
do t jet afrsisht e barabart me rezistencn R, pra R
L
R.
~
~
109
Vlerat tipike t koeficientit t amplifikimit t tensionit pr skemn me baz
t prbashkt variojn nga 50 deri n 300. Amplifikimi i rryms sht
gjithnj m i vogl se 1.
Amplifikimi i tensionit n transistor ndodh nga transferimi i rrymave nga
qarku me rezistenc m t vogl n qarkun me rezistenc m t madhe, nga
ku merr edhe emrin transistor (transfer + resistor).
USHTRIME
1. Cili sht kuptimi fizik i koeficientit t amplifikimit t tensionit.
2. Llogaritni koeficientin e amplifikimit t tensionit (A
v
= V
L
/ V
I
) pr qarkun
e figurs 3.8, nse V
i
= 500 mV dhe R = 1 k (vlerat e tjera t qarkut jan
t njjta).
3.6. SKEMA ME EMITER T PRBASHKT
Skemat me tranzistor tip p-n-p dhe n-p-n jan treguar n figurn 3.9. Kto
lidhje jan quajtur skema me emiter t prbashkt, sepse emiteri bn pjes
edhe n qarkun e hyrjes, edhe n qarkun e daljes.
N kto skema: hyrja sht midis bazs dhe emiterit; rryma e hyrjes sht
I
B
dhe tensioni i hyrjes sht V
BE
. Dalja e skems sht midis emiterit dhe
kolektorit. Rryma e daljes sht I
K
.Tensioni

i daljes sht V
KE.
Koeficienti i amplifikimit t tensionit pr rastin e msiprm llogaritet:
Llogaritim vlern e V
L
:
110
a) b)
Figura 3.9. Mnyra e polarizimit t transistorve a) n-p-n, b) p-n-p
n skemat me emiter t prbashkt
N figurn e mposhtme 3.10 jan treguar karakteristikat e qarkut t hyrjes
dhe karakteristikat e qarkut t daljes.
BE
B
Figura 3.10. Karakteristikat e nj transistori silici n skemn me emiter t prbashkt:
a) karakteristika e bazs, b) karakteristika e kolektorit
a) b)
111
Rrymat e bazs, emiterit dhe kolektorit jan treguar n drejtimin konvencional
t rrymave. Skema e lidhjes s transistorit ka ndryshuar, por marrdhniet
midis rrymave nuk ndryshojn. Pra
I
E
= I
K
+ I
B
dhe I
K
= I
E
Pr skemn me emiter t prbashkt karakteristikat e hyrjes shprehin
varsin e (I
B
) = f (V
BE
) pr vlera t ndryshme t tensionit n dalje (V
KE
).
Karakteristikat e daljes shprehin varsin e rryms s daljes (I
K
) = f (V
KE
) pr
nj diapazon vlerash t rryms t hyrjes ( I
B
).
Regjimi aktiv n skemn me emiter t prbashkt sht pjesa e siprme
djathtas e karakteristiks s daljes, q ka linearitet m t lart dhe
karakteristikat pr I
B
t ndryshme jan afrsisht t drejta dhe me hapsira t
njjta.
N amplifikatorin me emiter t prbashkt, kur transistori punon n regjim
aktiv, kalimi baz-emiter sht polarizuar n t drejt, ndrsa kalimi
baz-kolektor sht i polarizuar n t kundrt.
N regjimin e shkyjes s tranzistorit (cutoff) I
K
nuk sht zero kur I
B
sht
zero, por ka vlern e I
KEO
. T dy kalimet polarizohen n t kundrt.
N regjim ngopjeje (saturimi) t dy kalimet polarizohen n t drejt.
Kur tranzistori punon si els n qarqet logjike t nj kompjuteri, pikat e
puns s tij jan njra n regjimin e shkyjes ose n regjimin e ngopjes.
SHEMBULL
a) Duke prdorur karakteristikat e figurs 3.10, prcaktoni I
K
pr I
B
= 30 A
dhe V
KE
=10 V.
b) Duke prdorur karakteristikat e figurs 3.10, prcaktoni I
K
te V
BE
= 0.7 V
dhe V
KE
= 15 V.
Zgjidhje
a) N ndrprerjen e I
B
= 30 A dhe V
KE
= 10 V, I
K
= 3.4 mA.
b) Pr V
BE
= 0.7 V kemi q I
B
= 20 A. N ndrprerjen e I
B
= 20 A, V
KE
= 15 V,
ne gjejm q I
K
= 2.5 mA. Pr I
B
= 20 A dhe V
KE
= 15 V n karakteristikn
e daljes, prcaktojm I
K
= 2.5 mA.
Beta ()
Koeficienti pr rrymat e vazhduara jepet nga ekuacioni i mposhtm:
ku I
B
dhe I
K
jan vlerat e rrymave n nj pik t caktuar t karakteristikave.
112
Zakonisht ndryshon nga 50 deri n 400. P.sh., n nj transistor me = 200,
I
K
sht 200 her m e madhe se I
B
.
N t dhnat specifike t transistorit,
dc
sht shnuar zakonisht me h
FE
(q
nnkupton koeficientin e amplifikimit t rrymave t vazhduara n skemat
me emiter t prbashkt).
Pr rrymat alternative
ac
sht prcaktuar si m posht:
N skemn me emiter t prbashkt I
K
sht rryma e daljes, ndrsa I
B
sht
rryma e hyrjes.
N t dhnat specifike t transistorit
ac
sht zakonisht shnuar me h
fe
.
Le t prcaktojm
ac
n karakteristikat e figurs 3.11 pr nj pik pune me
I
B
= 25 A dhe V
KE
= 7.5 V.
Figura 3.11. Prcaktimi i
ac
dhe i
dc
nga karakteristika e kolektorit
Pr V
KE
= 7.5 V heqim nj vij vertikale q kalon nga pika e puns dhe vm
re ndryshimin e I
B
( I
B
) n dy karakteristikat m t afrta me pikn e puns
s tranzistorit. N kt rast, I
B
= 20 A dhe I
B
= 30 A. Pr t prcaktuar
nivelet e I
K
, mund t vizatojm vijat horizontale duke u nisur nga pikat mbi
karakteristikat me I
B
t prcaktuara m lart deri te boshti i ordinatave.
1
B
113
ac
prcaktohet:
Pra, pr nj sinjal t rryms alternative n hyrje, rryma e kolektorit do t jet
rreth 100 her m e lart se ajo e bazs.
Nse do t prcaktojm
dc
n pikn Q:
Megjithse nuk jan saktsisht t barabarta,
dc
dhe
ac
jan prdorur shpesh
n vend t njra-tjetrs. Nse njihet
dc
, mendohet q vler t njjt ka edhe
ac
dhe anasjellas.
ac
do t variojn nga nj transistor te tjetri pavarsisht se
numrat e tyre jan t njjt. Sa m e vogl t jet I
KEO
, aq m t afrta jan
vlerat e . Nse karakteristikat kan pamjen e figurs 3.12,
ac
dhe
dc
do t
jen t njjta pr do karakteristik. Duke llogaritur
ac
n pikn e puns Q,
rezulton q:
Pr t prcaktuar
dc
n pikn Q:
Pra, pr kt pamje t karakteristiks,
ac
dhe
dc
do t rezultojn t njjta
n do pik t karakteristikave. N kt rast sht konsideruar I
KEO
= 0 A.
Karakteristikat e transistorit realisht nuk jan si n figurn 3.12.
Figura 3.12. Karakteristikat n t cilat
ac
sht e njjt kudo dhe
ac
=
dc
4
200
114
Pr analizat e mposhtme mund t gjeni pa asnj nga indekset ac ose dc,
por ju mund ta prdorni pr t dy situatat ac dhe dc.
Marrdhnia q ekziston ndrmjet dhe tregohet m posht. Duke
prdorur ekuacionin e rrymave n transistor dhe njohurit e marra pr
koeficientet dhe kemi:
ose
.
Duke pjestuar t dyja ant me I
K
:
Kujto q
Matematikisht
Si rrjedhim, nxjerrim q
ose
.
sht nj parametr shum i rndsishm, pasi lidh rrymn n qarkun
hyrjes me at n qarkun e daljes. Kshtu q:
I
C
= I
B
I
E
= I
C
+I
B
= I
B
+ I
B
I
E
= (+1) I
B
.
115
Figura 3.13. Prcaktimi i vendosjes s polarizimit t duhur pr nj skem
t transistorit n-p-n me emiter t prbashkt
Duke sjell ndrmend ligjin e Kirkofit mbi rrymat, ku I
E
= I
K
+ I
B
, mund t
shnojm kahun e kalimit t rrymave si n figurn 3.13 b) dhe m pas
polaizimin e tranzistorit si n figurn 3.13 c). Nse transistori do t jet i
tipit p-n-p, t gjitha rrymat dhe polaritetet do t jen t kundrta me ato n
figurn 3.13 c).
USHTRIME
1. Duke prdorur karakteristikat e figurs 3.10:
a) Gjeni vlern e I
K
pr V
BE
= 750 mV dhe V
KE
= 5 V.
b) Gjeni vlern e V
KE
dhe V
BE
pr I
K
= 3 mA dhe I
B
= 30 A.
2. Duke prdorur karakteristikat e figurs 3.10 a), prcaktoni
dc
pr I
B
=25 A
dhe V
KE
= 10 V. M pas llogaritsni I
E.
dhe
dc
.
3. a) Duke ditur q
dc
, gjeni vlern e
dc
(matematikisht, pa vlera).
b) Gjeni vlern e pr
dc
= 120.
c) Gjeni I
E
dhe I
B
kur
dc
= 180 dhe I
K
= 2 mA.
3.7. SKEMA ME KOLEKTOR T PRBASHKT
Kjo sht mnyra e tret dhe e fundit e lidhjes s transistorit. N figurn
3.14 sht treguar mnyra e polarizimit dhe kahu i kalimit t rrymave n
skemn me kolektor t prbashkt pr transistorin tip p-n-p dhe n-p-n.
Kto skema prdoren kryesisht pr prshtatje rezistencash, pr shkak t
rezistencs n hyrje t lart dhe rezistencs n dalje t ult, nj veti q u
mungon skemave me baz t prbashkt e atyre me emiter t prbashkt.
K
K
KK
Polarizimi i transistorit
Le t hamendsojm q duhet t polarizojm nj skem amplifikimi me
emiter t prbashkt, t ndrtuar me transistor n-p-n. Shigjeta n simbolin
e transistorit tregon kahun e kalimit t rryms I
E
.
116
Figura 3.14. Mnyra e polarizimit dhe kahu i kalimit t rrymave n skemn me
kolektor t prbashkt pr transistorin a) tip p-n-p ; b) tip n-p-n
N skemn me kolektor t prbashkt, rezistenca e ngarkerkess lidhet
ndrmjet emiterit dhe toks q lidhet me kolektorin (fig. 3.15).
Pr qllime praktike, karakteristikat e daljes t skems me kolektor t
prbashkt jan t njjta me ato t skems me emiter t prbashkt.
Pr skemn me kolektor t prbashkt karakteristikat e daljes jan varsia e
I
E
kundrejt V
KE
pr vlera t ndryshme t I
B
(prve faktit q ndryshon shenja
e V
KE
). Rryma n qarkun e hyrjes sht e njjt si pr karakteristikat e skems
me kolektor t prbashkt dhe me emiter t prbashkt (I
B
).
Le t shohim lidhjen midis rryms s hyrjes I
B
dhe asaj t daljes I
E
pr
skemn me kolektor t prbashkt.
Dim q:
pra, ose
+
-
V
BB
+
-
V
EE
K
K
+
+
-
V
BB
+
-
V
EE
K
K
+
-
K K
K
K
a) b)
N skemat me kolektor t prbashkt, rryma e hyrjes sht I
B
dhe ajo e
daljes sht I
E
.Tensioni i hyrjes sht V
BK
dhe ai i daljes sht V
KE
.
Figura 3.15. Skema me kolektor t prbashkt e prdorur
pr prshtatje rezistencash
I
I
E
B
= +1
I
I
K
B
I
I
E
B
= +1
I = I + I E K B
I = ( ) I +1
E B I =
B
( +1)
IE
117
USHTRIME
1. Duke pasur parasysh karakteristikn e figurs 3.10, vizatoni karakteristikn
e hyrjes dhe t daljes pr skemn me kolektor t prbashkt.
3.8. PRMBLEDHJE
Konkluzione dhe koncepte t rndsishme
1. Elementet gjysmprcjellse kan eprsi ndaj atyre me llamba. Ato jan:
a) m t vogla,
b) m t lehta,
c) m t forta,
d) me rendiment m t lart.
Prve ktyre, ato nuk krkojn koh pr tu nxehur, nuk krkojn
ngrohs dhe prdorin tensione t ulta pune.
2. Transistort jan elemente me tri dalje (terminale) t prbr me tri
shtresa gjysmprcjellse dhe kan baz ose shtres qendrore shum
m t holl se dy t tjerat. Dy shtresat e jashtme jan materiale t tipit
n ose p. Ndrkoh q shtresa n mes sht gjithmon e kundrt me dy
t jashtmet.
3. Rryma e emiterit sht gjithmon rryma m e madhe n nj transistor,
ndrsa rryma e bazs sht gjithnj rryma m e vogl. Rryma e emiterit
sht gjithmon sa shuma e dy t tjerave I
E
=I
K
+ I
B
.
4. Shigjeta e simbolit t transistorit prcakton drejtimin konvencional t
rryms s emiterit, si dhe nnkupton drejtimin pr rrymat e tjera n
transistor.
5. Nj element me tri dalje ka nevoj pr dy karakteristika volt - ampere n
mnyr q t jepen m t plota veorit e puns s tij.
6. N regjimin aktiv t nj transistori kalimi baz-emiter sht i polarizuar
n t drejt, ndrsa kalimi baz-kolektor sht polarizuar n t kundrt.
N regjimin els tranzistori ndodhet n dy gjendje: i kyur dhe i shkyur.
7. N regjimin i shkyur kalimi baz-emiter dhe kalimi baz-kolektor jan
n kushtet e polarizimit t kundrt.
8. N regjimin e kyjes ose t ngopjes kalimi baz-emiter dhe baz-kolektor
jan n kushtet e polarizimit t drejt.
118
K
KB
konstante
KBO
KEO
K
K
KE
konstante
K
I
E
= I
K
+ I
B
K KE K
I
K
= I
K shumic
+ I
KO pakic
V
BE
= 0.7 V
K
dc
=
9. Tensioni baz-emiter gjat puns s transistorit mund t merret afrsisht
0.7 V.
10. Koeficienti jep marrdhnien e rryms s kolektorit me at t emiterit
dhe sht gjithmon afrsisht 1.
11. Rezistenca midis kmbzave t kalimit t polarizuar n t drejt sht
relativisht e vogl, ndrsa rezistenca midis kmbzave t kalimit t
polarizuar n t kundrt sht mjaft e madhe.
12. Koeficienti sht nj marrdhnie e rndsishme midis rryms s
bazs dhe rryms s kolektorit dhe sht zakonisht midis 50-400.
13. Beta pr rrymn e vazhduar prcakton raportin e rrymave t vazhduara
n nj pik pune, ndrsa pr rrymn alternative sht raporti i vlerave
n nj interval t caktuar kohor t rrymave t vazhduara. N shumicn
e zbatimeve, t dyja konsiderohen t prafrta.
14. Pr tu siguruar q nj transistor sht duke punuar brenda kufijve
maksimal t lejuar t fuqis, duhet t prcaktohet produkti i tensionit
kolektor-emiter me rrymn e kolektorit dhe t krahasohet me vlerat kufi
t fuqis t gjetura n katalog.
Prmbledhje ekuacionesh
119
KAPITULLI
MNYRAT E POLARIZIMIT
T TRANSISTORVE DYPOLAR (BJT)
4.1. NJOHURI T PRGJITHSHME
Projektimi dhe analizat e puns s nj amplifikatori prfshijn dy komponent:
analiza pr rrymn e vazhduar dhe analiza pr rrymn alternative. Sipas
teorems s superpozimit, analiza pr rrymn e vazhduar zhvillohet e
ndar nga ajo e rrymave alternative.
Hapat e zbatimit t teorems s superpozimit jan:
Burimet e rryms alternative mendohen (thjeshtohen) n zero. T gjith
kondensatort shihen si qark i hapur. Skema e rivizatuar sht skema
ekuivalente pr rrymat e vazhduara. Kshtu, ne mund t llogaritim vlerat
e tensioneve t vazhduara dhe t rrymave t vazhduara q na interesojn.
Burimet e rryms s vazhduar mendohen (thjeshtohen) n zero. T gjith
kondensatort shihen si qark i shkurtr. Skema e rivizatuar sht skema
ekuivalente pr rrymat alternative. Kshtu, ne mund t llogaritim vlerat e
tensioneve alternative dhe t rrymave alternative q na interesojn.
Rryma totale n do deg t skems sht sa shuma e rrymave t
vazhduara e alternative q kalojn n kt deg. Tensioni total n do
deg t skems sht sa shuma e tensioneve t vazhduara e alternative
prgjat ksaj dege.
Gjat ktij kapitulli, pr mnyra t ndryshme polarizimi, do t prcaktojm
vlerat e tensioneve t vazhduara dhe t rrymave t vazhduara q na
interesojn. Pr kt duhet t gjejm pikn e puns Q t transistorit (e cila
duhet t ndodhet brenda zons s lejuar t puns s tranzistorit) dhe t
studiojm stabilitetin e puns s skems (sa e ndjeshme sht skema nga
ndryshimet e temperaturs). Duhet t kujtojm q:
V
BE
= 0.7 V
I
E
= ( + 1) I
B

I
C
= I
B
120
N prgjithsi, madhsia e par q prcaktohet sht I
B.
. Pra, gjat ktij
kapitulli, do t prcaktojm vlerat e rrymave e tensioneve t vazhduara n
skemat me BJT, q t mund t studiojm m pas punn e amplifikatorve
me BJT.
4.2. ZONA E LEJUAR E PUNS S TRANSISTORIT
Pr do transistor ka nj zon pune n karakteristikat e tij q siguron se
kufijt maksimal t puns s transistorit nuk kalohen (shkelen) dhe
deformimet jan minimale. T gjith kufijt e puns jepen n t dhnat
specifike t transistorit n katalog. Pr transistorin me karakteristika n
figurn e mposhtme, I
Kmaks
= 50 mA dhe V
KEmaks
= 20 V.
Figura 4.1
Vlera maksimale e fuqis s harxhuar prcaktohet:
P
Kmaks
= V
KE
I
K
.
Duke zvendsuar, P
Kmaks
= V
KE
I
K
= 300 mW.
Nse marrim I
K
= 50 mA, V
KE
do t jet:
V
KE
= 300 mW / 50 mA = 6 V
Nse marrim V
KE
= 20 V, I
K
do t jet:
I
K
= 300 mW / 20V = 15 mA
Zona
e ngopjes
I
K
max
I (mA)
K
V (V)
KE
V
KE
max
V
KE
Sat
Zona
e kyjes
I
KEO
0.3V
5 10 15 20
I = 0A
B
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
P =V I =300mW
KE K
10
20
30
40
50
K
max
A
C
B
D
121
Pr vlera t tjera t I
K
gjejm vlerat korresponduese t V
KE
. Sa m shum pika
t gjejm, aq m e sakt sht forma e lakores. Puna e transistorit brenda
zons s treguar n figurn e msiprme siguron deformime minimale
t sinjalit n dalje dhe vlerat e tensionit e rryms nuk do t shkatrrojn
elementin.
Pra, duhet t sigurojm n do ast q V
KE
I
K
sht m i vogl se vlera kufi
e fuqis.
I
KEO
I
K
I
Kmaks
V
KEng
V
KE
V
KEmaks
V
KE
I
K
P
Kmaks
.
Pr transistorin me baz t prbashkt:
P
Kmaks
= V
KB
I
K
Pr transistort q prdoren n regjim amplifikimi, vlera e tensionit dhe e
rryms s vazhduar prcaktohen nga pika e puns n karakteristik, e cila
ndodhet n at zon pune ku bhet amplifikimi i sinjalit n hyrje t skems.
Ajo sht nj pik e pandryshuar n karakteristik dhe quhet pika e qetsis
Q. Pika e qetsis duhet t ndodhet brenda zons s vijzuar.
Kur BJT punon jasht kufijve maksimal, shkurtohet jetgjatsia e tij ose ai
del jasht prdorimi.
Lind pyetja: Ku sht m mir t ndodhet pika e puns?
Vini re katr pikat e puns n karakteristikat e transistorit. Pika A tregon q
rryma dhe tensioni n transistor jan zero, pra ai sht i papolarizuar. N
pikn B tensioni e rryma mund t ndryshojn vlerat n pjesn pozitive e
negative t sinjalit t hyrjes pa e futur transistorin n zonn e ngopjes ose
t shkyjes. Pika C do t lejonte disa vlera pozitive e negative t sinjalit, por
nuk mund t fitonim vlern pik-pik. Pika D bn q elementi t punoj me
fuqi afr vlers kufi. Vala e tensionit n dalje do t ishte e kufizuar.
Nga t gjitha pikat e puns, duket q pika B sht pika m e mir, sepse
vala e tensionit dhe e rryms mendohet q jan t plota dhe koeficienti i
amplifikimit t tensionit sht linear (pothuajse konstant). Ky sht kushti i
dshiruar pr amplifikatort e sinjaleve t vogla, por jo pr amplifikatort e
fuqis q do t studiohen m von. Rritja e temperaturs do t ndryshonte
disa madhsi n punn e transistorit, pra do t ndryshonte kushtin e
dshiruar t prmendur m lart.
Nj BJT q punon n zonn lineare ose aktive duhet polarizuar n kt
mnyr:
- kalimi baz-emiter duhet polarizuar n t drejt me tension 0.6 V - 0.7 V;
- kalimi baz-kolektor duhet polarizuar n t kundrt.
Nj BJT q punon n zonn e shkyjes duhet polarizuar n kt mnyr:
- kalimi baz-emiter duhet polarizuar n t kundrt,
- kalimi baz-kolektor duhet polarizuar n t kundrt.
122
Nj BJT q punon n zonn e ngopjes duhet polarizuar n kt mnyr:
- kalimi baz-emiter duhet polarizuar n t drejt,
- kalimi baz-kolektor duhet polarizuar n t drejt.
4.3. SKEMA ME POLARIZIM FIKS
N skemn e figurs 4.2 prdoret nj transistor n-p-n, por ekuacionet dhe
llogaritjet jan njlloj edhe pr transistort p-n-p vetm duke i ndryshuar
drejtimet e rrymave dhe polaritetet e tensionit. N analizn e skems pr
rrymn e vazhduar, kondensatort ekuivalentohen me qark t hapur.
Tensioni V
KK
ushqen me tension t vazhduar qarkun e hyrjes dhe t daljes.
V
KK
sht e lidhur drejtprdrejt me R
B
dhe R
K
(fig. 4.2).
Skema ekuivalente dc ndrtohet duke konsideruar kondensatort si qark i
hapur dhe tregohet n figurn 4.3.
KK
V
KK
V
K
R
K
I
K
E
B
KE
V
B
R
B
I
BE
V
KK
V
K
I
K
R
B
I
B
R
KE
V
BE
V
KK
V
Figura 4.3. Skema ekuivalente pr
rrym t vazhduar
Polarizimi n t drejt i kalimit baz - emiter
Duke pasur parasysh qarkun baz-emiter n figurn 4.4, shkruajm
ekuacionin nga ligji i dyt i Kirkofit n drejtim orar pr skemn.
KK
+V - I R -V =0
ose
B B BE
KK
V = I R +V
B B BE
I R =V - V
B B KK BE
KK
V
KK
V
K
R
K
I
K
E
B
KE
V
B
R
B
I
BE
V
KK
V
K
I
K
R
B
I
B
R
KE
V
BE
V
KK
V
Figura 4.2. Skema me polarizim fiks
123
Vini re polaritetin e rnies s tensionit n R
B
, i cili prcaktohet nga drejtimi
i dhn i I
B
. Duke zgjidhur ekuacionin pr rrymn I
B
, dolm n rezultatin e
mposhtm:
I
B
= (4.1)
Rryma q kalon prmes R
B
nga ligji i Ohmit sht sa rnia e tensionit
prmes R
B
pjestuar me rezistencn R
B
. Tensioni V
KK
dhe tensioni n kalimin
baz-emiter (V
BE
) jan konstant, kshtu q zgjedhja e rezistencs s bazs,
R
B
, prcakton nivelin e rryms s bazs pr pikn e puns.
Qarku kolektor - emiter
Duke mbyllur lakun kolektor-emiter, skema shfaqet n figurn 4.5 me
drejtimin e prcaktuar t rryms I
K
dhe polaritetin e treguar prmes R
K
.
Madhsia e rryms s kolektorit varet drejtprdrejt nga I
B
.
(4.2)
KK
Figura 4.5. Qarku kolektor-emiter
KK
V
R
B
BE
V
B
I
B
I R
B
B
Figura 4.4. Qarku baz-emiter
K
124
dhe
V
KE
+ I
K
R
K
- V
KK
= 0
V
KE
= V
KK
- I
K
R
K
(4.3)
Kjo do t thot se tensioni kolektor-emiter n nj transistor n skemn me
polarizim fiks sht sa tensioni i burimit minus rnien e tensionit prmes R
K
.
Nga ana tjetr,
V
KE
= V
K
- V
E
, (4.4)
ku V
KE
sht tensioni kolektor-emiter dhe V
K
dhe V
E
jan tensione nga
kolektori dhe emiteri respektivisht me tokn. Por meqense V
E
= 0, kemi:
V
KE
= V
K
(4.5)
V
BE
= V
B
-V
E
(4.6)
V
BE
= V
B
. (4.7)
Ngopja (saturimi) e transistorit
Pr nj transistor q punon n zonn e saturimit, rryma ka vlern maksimale.
N figurn 4.6 a) pika e puns ndodhet n zonn e saturimit. Si shihet
ajo sht n nj regjim ku vijat e karakteristiks bashkohen dhe tensioni
kolektor-emiter sht V
KE(SAT)
. Rryma e kolektorit sht e madhe. N figurn
4.6 b) sht treguar ku merret me prafrsi pika e puns.
I
K
I
K
sat
V
KE
sat
V
KE
V
KE
sat
I
K
sat
I
K
Figura 4.6. Regjimi i saturimit: a) real, b) i prafrt
Pr V
KE
= 0 (kalimi kolektoremiter shihet si i lidhur n t shkurtr). N
skemn me polarizim fiks kemi q:
V
KK
= I
K
R
K
+ V
KE
125
Pr V
KE
= 0, kemi
V
KK
= I
K
R
K
,
pra, tensioni prmes R
K
t jet sa tensioni i burimit V
KK
. Rryma e ngopjes
(saturimit) pr skemn me polarizim fiks sht
I
Kng
= . (4.8)
Analiza e vijs (linjs) s ngarkess
Lind pyetja: Si ta prcaktojm pikn e puns?
Pr kt prdorim ekuacionin:
V
KE
= V
KK
- I
K
R
K
q quhet

ekuacioni i linjs s ngarkess, i cili lidh ndryshoret I
K
dhe V
KE
n
kt mnyr:
V
KE
= V
KK
- I
K
R
K
. (4.9)
Karakteristika e daljes (e kolektorit) lidh t njjtat ndryshore I
K
dhe V
KE
si n
figurn 4.7. I
KEO
sht rryma n qarkun kolektor-emiter kur qarku i bazs
sht i hapur, pra pr I
B
= 0.
K
KK
Figura 4.7. Karakteristikat e daljes s transistorit
KK
K
K
KE
V
R
I
V
B
R
B
I
KE
I
KE
V
B
I
K
I
O
126
Le t ndrtojm vijn e drejt t dhn nga barazimi (4.9) mbi karakteristikn.
Vija e drejt kalon nga dy pika. N qoft se I
K
= 0 mA n barazimin (4.9),
kemi:
V
KE
= V
KK
- 0R
K
V
KE
= V
KK
pr I
K
= 0 mA (4.10)
N qoft se tani zgjedhim V
KE
= 0 V, kemi:
0 V = V
KK
- I
K
R
K
I
K
= pr V
KE
= 0 V (4.11)
Duke bashkuar dy pikat e prcaktuara nga ekuacioni (4.10) dhe (4.11),
ndrtojm nj vij t drejt. Kjo vij quhet vija e ngarkess (mbasi
prcaktohet n funksion t vlers s rezistencs s ngarkess R
K
). Duke ditur
I
B
, prcaktohet Q-point si n figurn 4.8.
K
KK
I
K
V
KK
I
K
pika Q
V = 0V
KE
I = 0mA
r
I
B
Q
Linja e ngarkess
V
KE
V
KK
Figura 4.8. Vija (linja) e ngarkess n skemn me polarizim fiks
Nse vlera e I
B
ndryshon pr shkak t ndryshimit t R
B
, pika e puns do t
lviz posht e lart prgjat linjs s ngarkess, si n figurn e paraqitur m
posht 4.9 a).
Nse vlera e V
KK
mbahet konstante dhe vlera e R
K
ndryshon, linja e ngarkess
do t zhvendoset si n figurn 4.9 b).
Nse vlera e V
KK
ndryshon, linja e ngarkess do t zhvendoset si n figurn
4.9 c).
K
127
Figura 4.9. Lvizja e piks Q kur:
a) rritet vlera e I
B
,
b) rritet vlera e R
K
,
c) zvoglohet vlera e V
KK
VVV
KK KK KK
RRR
KKK
III
KKK
Pika Q Pika Q Pika Q
III
BBB
333
III
BBB
222
III
BBB
111
VVV
KK KK KK
VVV
KE KE KE
(a) (a) (a)
I
K
V
KK
R
1
R > R > R
3 3 3
Pika Q
Pika Q
Pika Q
V
KK
R
2
V
KK
R
3
I
B
Q
V
KK
V
KE
(b)
V
KK
R
K
1
V
KK
R
K
2
V
KK
R
K
3
I
K
Pika Q
Pika Q
Pika Q
V > V > V
KK KK KK
1 2 3
I
B
Q
V
KK
V
KK
V
KK
V
KE
(c)
1 2 3
128
SHEMBULLI 4.1
Prcaktoni pr skemn e figurs 4.2 me R
B
=240 K, R
K
= 2.2 K, V
KK
= 12 V,
=50:
a) I
BQ
b) I
KQ

c) V
KEQ

d) V
K

e) V
B
f) V
BK
Zgjidhje
a) Nga ekuacioni (4.1)
I
B
=
KK
.
Pas zvendsimit
I
BQ
= 47.08 A.
b) Nga ekuacioni (4.2)

K
= (50) (47.08A) = 2.35 mA.
c) Nga ekuacioni (4.3)
V
KEQ
= V
KK
- I
K
R
K =
12V - (2.35 mA)(2.2 K)
= 6.83 V
d) Nga ekuacioni (4.5)
V
K
= V
KEQ
= 6.83 V.
e) Nga ekuacioni (4.7)
V
B
= V
BE
= 0.7 V.
f) V
BK
prcaktohet:
V
BK
= V
B
- V
K
= 0.7V - 6.83V = - 6.13V.
129
USHTRIME
1. Pr skemn e treguar m posht ( = 100), gjeni:
a) I
BQ
b) I
KQ

c) V
KEQ

d) V
K

e) V
B
f) V
E
K
KE
2. Pr I
B
= 40 A, = 80 n skemn e mposhtme, gjeni:
a) I
K
b) R
K
c) R
B
d) V
KE
3. Pr skemn e mposhtme me I
B
= 25 A, I
E
= 4 mA, V
KE
= 7 V, gjeni:
a) I
K
b) V
KK
c)
d) R
B

K
K
KK
130
4. Gjeni rrymn e saturimit (I
Ksat
) pr konfiguracionin n figurn e dhn
m posht.
K
KE
5. Projektoni nj skem me polarizim fiks dhe prcaktoni R
K
e R
B
, nse
V
KK
= 16 V, = 100, I
KQ
= 3 mA dhe V
KEQ
= 6 V.
6. Pr skemn me polarizim fiks me karakteristikat e transistorit BJT n
figurn e mposhtme:
a) Vizatoni linjn e ngarkess me karakteristika t gjetura V
KK
= 16 V dhe
R
K
= 3 K pr skemn me polarizim fiks.
b) zgjidh nj pik pune midis shkyjes dhe saturimit. Gjeni vlern e R
B
.
c) Cilat jan vlerat q dalin pr I
KO
dhe V
KE
?
d) Cila sht vlera e pr pikn e puns?
e) Sa sht vlera e q gjendet nga pika e puns?
f) Sa sht rryma e saturimit (I
Ksat
) pr figurn e vizatuar?
g) Skiconi skemn e plot me polarizim fiks.
h) Sa sht fuqia q shprndahet nga pajisja n pikn e puns?
i) Sa sht fuqia e ushtruar nga V
KK
?
j) Gjeni fuqin e harxhuar nga rezistencat duke br diferencn e
rezultateve t piks (h) dhe (i).
131
KE
K
Figura e ushtrimit 6
4.4. SKEMA E POLARIZIMIT ME REZISTENC N EMITER
Polarizimi i transistorit n skemn e mposhtme prmban nj rezistenc n
emiter pr t prmiresuar nivelin e stabilitetit kundrejt skems me polarizim
fiks (fig. 4.10).
KK
V
K
I
K
R
B
R
B
I
v
i
1
C
2
C
v
O
E
R
E
I
B
I
B
R
BE
V
E
I
E
R
+
Figura 4.10. Skema e polarizimit me
rezistenc n emiter
132
Qarku baz-emiter
Qarku baz-emiter n figurn 4.10 mund t rivizatohet si n figurn 4.11.
Figura 4.11. Qarku baz-emiter
Duke shkruar ligjin e dyt t Kirkofit pr qarkun baz-emiter n drejtimin e
rrotullimit t akrepave t ors, n ekuacionin e mposhtm do t rezultoj:
+V
KK
- I
B
R
B
- V
BE
- I
E
R
E
= 0.
Duke kujtuar q
I
E
= ( + 1) I
B

dhe, duke zvendsuar I
E
n ekuacion, do t rezultoj
+V
KK
- I
B
R
B
- V
BE
- (+1) I
B
R
E
= 0
nga ku
I
B
=
KK
(4.12)
Duke krahasuar barazimin (4.12) me at (4.1) pr skemn me polarizim fiks,
vm re se ndryshimi qndron n futjen e faktorit ( + 1)R
E
.
Tensioni n baz n lidhje me tokn (fig. 4.11) sht:
V
B
= V
KK
- I
B
R
B
(4.13)
ose
V
B
= V
BE
+ V
E
. (4.14)
KK
V
BE
V
E
R
E
I
E
B
R
B
I
B
E
V
B
I
B
R
B
V
133
Qarku kolektor-emiter
Qarku kolektor-emiter sht rivizatuar n figurn 4.12.
Figura 4.12. Qarku kolektor-emiter
Duke shkruar ligjin e dyt t Kirkofit pr qarkun kolektor-emiter, n drejtim
e rrotullimit t akrepave t ors do t dilte
+ I
E
R
E
+ V
KE
+ I
K
R
K
- V
KK
= 0.
Duke zvendsuar I
E
I
K
, rrjedh q
V
KE
= V
KK
- I
K
(R
K
+ R
E
). (4.15)
Tensioni n emiter kundrejt toks sht:
V
E
= I
E
R
E
. (4.16)
Tensioni nga kolektori n tok, V
K
, prcaktohet:
V
KE
= V
K
- V
E
ose
V
K
= V
KE
+ V
E
, (4.17)
V
K
= V
KK
- I
K
R
K
. (4.18)
134
Figura 4.13
Zgjidhje
Nga sa u tha m sipr
V
KK
= I
B
R
B
+ V
BE
+ I
E
R
E
V
KK
- V
BE
= I
B
(R
B
+(1+)R
E
)
a) Nga barazimi (4.12)
I
B
=
I
B
= .
b) Nga barazimi (4.2)
I
K
= I
B
= 50*40.1 A = 2.01 mA.
SHEMBULLI 4.2
Pr qarkun e figurs 4.13 prcaktoni:
a) I
B
b) I
K
c) V
KE
d) V
K
e) V
E
f) V
B
g) V
BC
= 50
KK
135
c) Nga barazimi (4.15)
V
KE
= V
KK
- I
K
(R
K
+R
E
)
= 20V - 2.01 mA*(2k + 1k) = 13.97 V.
d) Nga barazimi (4.18)
V
K
= V
KK
- I
K
R
K
= 20V - 2.01 mA * 2k = 15.68 V.
e) Nga barazimi (4.16 )
V
E
= I
E
R
E
= I
K
R
E
= 2.01 mA *1 k = 2.01 V.
f) Nga barazimi (4.14)
V
B
= V
BE
+ V
E
= 0.7 V + 2.01 V = 2.71 V.
g) Si rrjedhim:
V
BC
= V
B
- V
K
= 2.71 V - 15.98 V = -13.27 V.
Prmirsimi i stabilitetit n punn e transistorit
Shtimi i rezistencs n emiter pr polarizimin e nj transistori BJT sjell
stabilitet m t lart, q do t thot rrymat dhe tensionet e polarizimit
mbeten afrsisht sa vlerat e caktuara nga qarku edhe pse kushtet e jashtme
si temperatura dhe koeficienti mund t ndryshojn.
SHEMBULLI 4.3
Prgatitni nj tabel dhe krahasoni tensionin dhe rrymat e qarkut n
shembullin 4.1 dhe n shembullin 4.2 (t figurs 4.12) pr vlerat e dhna t
= 50 dhe pr nj vler t re t = 100. Krahasoni ndryshimet n I
K
dhe V
KE

pr t njjtn rritje t .
136
Zgjidhje
Duke prdorur rezultatet e llogaritura n shembullin 4.1 dhe duke prsritur
zgjidhjen e tij pr = 100, arrijm n prfundimin e mposhtm:
Shihet se rryma n kolektorin e transistorit ndryshon 100% pr shkak t
ndryshimit 100% t vlers s . I
B
sht e njjt dhe V
KE
zbret me 76%.
Duke prdorur t dhnat e llogaritura n shembullin 4.2 dhe duke prsritur
pr vlern e = 100, do t kemi si m posht:
Tani rryma e kolektorit rritet me 81% pr rritjen 100% t . Vreni q I
B
zbret,
duke ndihmuar t ruhet vlera e I
K
ose t paktn t ul ndryshimin total
pr ndryshimin e . V
KE
sht zvogluar me 35%. Kshtu q qarku i figurs
4.10 sht n regjim pune m t qndrueshm se qarku i figurs 4.2 pr t
njjtin ndryshim t .
Kjo vjen pr shkak t shtimit t rezistencs n emiter, n t ciln krijohet nj
lidhje e kundrt negative.
Regjimi i ngopjes
Rryma maksimale e kolektorit pr skemn me emiter t stabilizuar mund t
prcaktohet duke prdorur t njjtn metod si te skema me polarizim fiks.
Lidhni n t shkurtr emiterin me kolektorin si sht treguar n figurn
4.14 dhe llogaritni rrymn q kalon n kolektor.
(4.19)
Futja e rezistencs n emiter zvoglon vlern e rryms s kolektorit ndaj asaj
t marr nga skema me polarizim fiks duke prdorur t njjtn rezistenc t
kolektorit. Pra, ulet pika e puns n zonn e ngopjes (saturimit) te figura 4.8.
Krahaso barazimin (4.8) pr skemn me polarizim fiks me barazimin (4.19)
K KE
KE
K
137
KK
K
K
KE 0V
SHEMBULLI 4.4
Prcaktoni rrymn e ngopjes pr qarkun e figurs 4.13.
Zgjidhje
Rryma e ngopjes do t jet:
= ,
e cila sht rreth 3 her m e madhe se niveli i I
KQ
n shembullin 4.2.
Analiza e linjs s ngarkess
Analiza e linjes s ngarkess s qarkut me emiter t polarizuar sht pak e
ndryshme nga ajo e skems me polarizim fiks. Vlera e I
B
sht prcaktuar
nga barazimi (4.12) n qarkun baz-emiter.
Ekuacioni i linjs s ngarkess i prcaktuar nga qarku kolektor-emiter n
figurn 4.12 sht:
V
KK
= I
K
R
K
+ V
KE
+ I
E
R
E
V
KE
= V
KK
- I
K
(R
K
+ R
E
). (4.20)
Pr t prcaktuar koordinatat e piks s par t linjs s ngarkess marrim
I
K
= 0 mA n ekuacionin (4.20). Si rrjedhim:
V
KE
= V
KK
Figura 4.14. Regjimi i ngopjes
138
K
KK
K
KK KE
Pr t prcaktuar koordinatat e piks s dyt t linjs s ngarkess, marrim
V
KE
= 0V n ekuacionin (4.20). Si rrjedhim:
Duke ditur ku ndodhen kto dy pika, i bashkojm me nj vij t drejt (linja
e ngarkess sht gjithnj nj vij e drejt) dhe pikprerja me karakteristikn
q i korrespondon vlers s I
B
jep pikn e puns Q.
Vlera t ndryshme t I
B
sigurisht do t lvizin pikn Q t puns prgjat vijs
s linjs s ngarkess.
Figura 4.15. Ndrtimi i linjs s ngarkess dhe prcaktimi i piks s puns
USHTRIME
1. Pr qarkun me emiter t polarizuar t figurs s mposhtme, gjeni:
a) I
BQ
b) I
KQ
c) V
KEQ
d) V
K
e) V
B
f) V
E
139
3. Pr informacionin e dhn n figurn e mposhtme, gjeni:
a)
b) V
KK
c) R
B
4. Gjeni rrymn e ngopjes (I
Kng
) pr qarkun e figurs s mposhtme.
2. Pr informacionin e dhn n figurn e ushtrimit 2, gjeni:
a) R
K

b) R
E
c) R
B
d) V
KE
e) V
B
140
5. Duke prdorur karakteristikat e figurs s mposhtme pr transistorin
n skemn e polarizimit me rezistenc shtes dhe duke konsideruar q
I
KQ
= 4 mA dhe V
KEQ
= 10 V, prcaktoni:
a) R
K
, n qoft se V
KK
= 24 V dhe R
E
= 1.2 K;
b) n pikn e puns;
c) R
B;
d) fuqin e harxhuar nga transistori;
e) fuqin e harxhuar nga rezistori R
K
.
6. Projektoni nj skem me rezistenc n emiter, ku I
KQ
= I
Kng
dhe
V
KEQ
= V
KK
. Merrni V
KK
= 20 V, I
K
(sat) = 10 mA, = 120 dhe R
K
= 4 R
E
(rrumbullakosni vlerat).
4.5. SKEMAT ME PJESTUES TENSIONI
N skemat q kemi studiuar deri tani, rryma I
KQ
dhe tensioni V
KEQ
ishin
funksione t koeficientit t amplifikimit t rryms () t transistorit.
Meqense () sht e ndjeshme nga ndryshimi i temperaturave, veanrisht
n transistort prej silici, sht mir t prdorim nj skem q sht pak
e varur ose e pavarur nga () e transistorit. Mnyra m e prdorshme e
polarizimit t transistorit n qarqet lineare sht ajo me pjestues tensioni.
Emri pjestues tensioni vjen nga pjestuesi i tensionit R
1
dhe R
2
q lidhet
nga ana e bazs s transistorit. Tensioni n R
2
polarizon n t drejt kalimin
baz-emiter. N figurn 4.16 tregohet nj skem e till.
KE
K
141
pika Q
KE
K
I
K
I
Q
KK
K
Figura 4.16. Skema e polarizimit me pjestues tensioni
N qoft se analizojm saktsisht skemn, ndjeshmria ndaj ndryshimeve
t () sht shum e vogl. Pra, nse parametrat e qarkut zgjidhen sakt,
vlera e I
KQ
dhe V
KEQ
jan plotsisht t pavarura nga . Kt e siguron vendosja
e rezistencs R
E
q krijon nj lidhje t kundrt. Pika e puns Q sht treguar
qart n figurn 4.17.
Figura 4.17. Prcaktimi i piks Q n skemn me pjestues tensioni
Vlera e I
BQ
do t ndryshonte me ndryshimin e , por pika e puns Q, me
koordinata I
KQ
dhe V
KEQ
, do t mbetet fikse nse parametrat e qarkut jan
zgjedhur sakt.
Analizn e skemave me pjestues tensioni mund ta bjm me dy metoda:
1. Metoda ekzakte mund t zbatohet n do skem me pjestues tensioni.
2. Metoda e prafrimit zbatohet vetm n qoft se knaqen disa kushte
specifike.
142
Analiza ekzakte
Skema nga ana e hyrjes pr skemn me pjestues tensioni pr analizn dc
sht si n figurn 4.18.
KK
Bjm analizn e qarkut t hyrjes duke
u bazuar n teoremn e Teveninit.
Burimi i tensionit sht zvendsuar
me nj qark t shkurtr si n figurn
4.19.
Figura 4.19
R
TH
= R
1
/ / R
2
= . (4.21)
Burimi i tensionit V
KK
kthehet prsri n qark dhe tensioni i Teveninit, pr
qarkun e hapur (fig. 4.20 a), sht:
E
TH
= I R
2
= . (4.22)
N figurn 4.20 b) sht treguar skema ekuivalente e Teveninit.
KK
KK
Figura 4.20 a) Prcaktimi i E
TH
; b) Skema ekuivalente e Teveninit
Figura 4.18. Qarku i hyrjes pr skemn
me pjestues tensioni.
143
I
BQ
mund t llogaritet duke prdorur ligjin e Kirkofit:
E
TH
- I
B
R
TH
- V
BE
- I
E
R
E
= 0
I
E
= (+1)I
B
dhe gjejm I
B
:
I
B
= . (4.23)
Duke ditur q I
E
I
K
, ather ekuacioni pr V
KE
do t jet i njjt me ekuacionin
me skem me emiter t stabilizuar:
V
KE
= V
KK
-I
K
(R
K
+R
E
) (4.24)
SHEMBULLI 4.5
Gjeni V
KE
dhe I
K
pr skemn 4.21 pr = 140.
Figura 4.21
R
TH
+( +1)R
E
E
TH
- V
BE

Zgjidhje
Nga barazimi 4.21 prcaktojm:
R
TH
=R
1
// R
2

Zvendsojm:
R
TH
= = 3.55 K.
22V
144
Nga barazimi 4.22 prcaktojm:
E
TH
= V
R2
=
Zvendsojm
Nga barazimi 4.23 prcaktojm rrymn e bazs:
I
B
=
Si prfundim llogaritim I
K
dhe V
KE
:
I
K
= I
B
= (140)(6.05 A) = 0.85 mA.
Nga barazimi 4.24 prcaktojm V
KE
:
V
KE
= V
KK
-I
K
(R
K
+R
E
)
= 22V (0.85 mA)(10 K +1.5 K)= 12.22 V.
Analiza e prafrt
Gjat analizs s prafrt duhet t plotsohet kushti q:
R
E
10 R
2
(4.25)
Nse mendojm q rryma e bazs, I
B
, sht afrsisht zero krahasuar me
vlern e I
1
dhe I
2
, ather R
1
dhe R
2
mund t konsiderohen si elemente n
seri. Tensioni n R
2
sht tensioni i bazs kundrejt toks dhe prcaktohet:
V
B
=
Vlera e V
E
mund t llogaritet:
V
E
= V
B
V
BE
.
KK
R
TH
+( +1)R
E
KK
E
TH
-V
BE
145
Rryma e emiterit mund t prcaktohet:
I
E
= dhe I
KQ
sht afrsisht sa I
E
.
Tensioni kolektoremiter sht prcaktuar:
V
KE
= V
KK
I
K
R
K
I
E
R
E
ose
V
KEQ
= V
KK
I
K
(R
K
+ R
E
).
Pra, duket qart q I
KQ
dhe V
KEQ
jan t pavarura nga vlera e .
SHEMBULLI 4.6
Pr shembullin e mparshm t prcaktohen I
KQ
dhe V
KEQ
me metodn e
prafrt dhe t vihen re ndryshimet shum t vogla t tyre n vler.
R
E
10 R
2
(140)(1.5 K) 10(3.9 K)
210 K 39 K (Kushti u plotsua)
V
B
= = = 2 V.
Pra, V
B
= E
TH
. Prcaktojm V
E
:
V
E
= V
B
V
BE
= 2 V - 0.7 V = 1.3 V
I
KQ
I
E
= = = 0.867 mA
(n krahasim me 0.85 mA n analizn e sakt).
V
KEQ
= V
KK
- I
K
(R
K
+ R
E
) = 22 V - (0.867 mA)(10 K +1.5 K) = 12.3 V
(krahasuar me 12.22 V n analizn e sakt).
146
USHTRIME
1. Pr skemn me pjestues tensioni n figurn e mposhtme, gjeni:
a) I
BQ
b) I
KQ
c) V
KEQ
d) V
K
e) V
E

f) V
B
a) I
K
b) V
E
c) V
B
d) R
1
(Koeficienti i amplifikimit t rryms sht = 120.)
a) I
K
b) V
E
c) V
K
d) V
B
e) R
1
f) V
KE
K
E
V
K
V
B
V
KE
V
Q
Q
BQ
K
E
V
K
V
B
V
B
I
Q
147
4. Gjeni rrymn e ngopjes (I
Ksat
) pr qarkun e figurs s mposhtme.
5. Pr skemn e dhn, prcaktoni:
a) I
B
b) I
K
c) V
KE
d) V
E
e) V
B
.
6. Pr figurn e mposhtme, prcaktoni vlern e rezistencs R
2
dhe I
Ksat
.
K
KE
V
B
V
E
V
K
E
V
K
V
B
V
KE
V
Q
Q
BQ
E
V
B
K
B
V
KE
V
148
7. Projektoni nj skem me pjestues tensioni, duke prdorur nj burim
ushqimi prej 20 V, nj transistor me = 100 dhe nj I
KQ
= 4 mA me
V
KEQ
= 8V. Zgjidhni V
E
= 1/ 8 V
KK
.
4.6. SKEMA E POLARIZIMIT ME LIDHJE T KUNDRT
N KOLEKTOR
Nj skem me cilsi t mira sht edhe skema ku prfshihet nj lidhje e
kundrt nga kolektori n baz, si tregohet n figurn 4.22.
Megjithat pika e puns Q nuk sht plotsisht e pavarur nga beta ose
ndryshimi i temperaturs, por sht me e pavarur se n skemn me
polarizim fiks apo at t polarizimit me rezistenc n emiter.
Qarku baz - emiter
Duke zbatuar ligjin e tensioneve t Kirkofit n drejtimin e rrotullimit t
akrepave t ors, kemi:
V
KK
I
K
R
K
I
B
R
B
V
BE
I
E
R
E
= 0
Figura 4.22. a) Skema e polarizimit me lidhje t kundrt tensioni;
b) Qarku baz-emiter
Vini re q rryma n R
K
nuk sht I
K
, por I
K
(ku I
K
= I
K
+ I
B
). Meq I
B
ka vlera
shum t vogla, I
K
sht afrsisht sa I
K
. Duke zvendsuar I
K
= I
K
= I
B
dhe
I
E
afrsisht I
C
do kemi:
V
KK
I
B
R
K
I
B
R
B
V
BE
I
B
R
E
= 0
V
KK
V
BE
I
B
( R
K
+ R
E
) I
B
R
B
= 0
V
KK
V
BE
= I
B
( R
B
+ (R
K
+R
E
) ).
Nga ku:
I
B
= . (4.26)
K
KK
KK
K
K
K
KE
KK
E E
I R
K K
I R
B B
I R
BE
KK
K
K
K
KK
K
K
K
KE
KK
E E
I R
K K
I R
B B
I R
BE
KK
K
K
K
KK
K
K
K
KE
KK
E E
I R
K K
I R
B B
I R
BE
KK
K
K
K
149
Sa m i madh t jet produkti (R
K
+ R
E
) nga R
B
, aq m pak e ndjeshme
sht I
KQ
ndaj ndryshimeve t .
Qarku kolektor emiter sht treguar n figurn e mposhtme (4.23):
K
K
K
K
KE
K K
K
Figura 4.23. Qarku kolektor emiter
Duke zbatuar ligjin e dyt t Kirkofit n drejtimin e rrotullimit t akrepave
t ors, rezulton q:
I
E
R
E
+ V
KE
+ I
K
R
K
V
KK
= 0.
Meq I
K
I
K
dhe I
E
I
K
, kemi:
I
K
(R
K
+R
E
) + V
KE
V
KK
= 0
dhe
V
KE
= V
KK
- I
K
(R
K
+ R
E
).
e cila sht e njjt me prcaktimin e V
KE
n skemat e tjera.
Regjimi i ngopjes (saturation) dhe i shkyjes (cutoff)
Qarku i daljes kolektoremiter n skemn me pjestues tensioni sht i
njjt n pamje me at n skemn me polarizim n emiter. Rryma e ngopjes
ose e saturimit (pr V
KE
t barabart me zero) sht:
I
Kng
= I
max
=
Meq n pamje qarku i daljes sht i njjt me at t skems me polarizim
n emiter, edhe linja e ngarkess do t ndrpritet n t njjtn mnyr me
karakteristikat. Linja e ngarkess do t ket kto pika ekstreme:
I
Kng
= I
max
= pr V
KE
= 0
V
KE
= V
KK
pr I
K
= 0 mA.
K
KK
E
KK
K E
~
~
~
~
150
V
KE
pritet t ket vlera negative.
Lexuesi t prpiqet t bj analizn e
ksaj skem, pra, t prcaktoj vlerat
e t gjitha rrymave e tensioneve n
skem.
KE KK K K
USHTRIME
1. Pr skemn e figurs 4.22 me R
K
= 3.6 K, R
B
= 250 K, R
E
= 500 prcaktoni:
a) I
B
b) I
K
c) V
K
.
2. Pr skemn e figurs 4.22 me R
K
=4.7 K, R
B
=470 K, R
E
=1.2 K, prcaktoni:
a) I
K
b) V
E
c) V
K
d) V
KE
.
4.7. TRANSISTORI P-N-P
N t gjitha analizat e bra deri tani pr skema t ndryshme sht prdorur
transistori n-p-n, duke ln t kuptohet q analiza sht e njjt edhe pr
skemat me transistor p-n-p.
N skemat me transistor p-n-p (figura 4.24), drejtimet e rrymave jan t
kundrta si dhe polariteti i tensioneve n pika t ndyshme t skemave sht
i kundrt, pra V
BE
dhe V
KE
jan madhsi negative.
Skema e figurs 4.24 sht skem e polarizuar me rezistenc shtes, pra
tensioni V
KE
sht:
Figura 4.24. Skema e polarizimit t transistorit
p-n-p me rezistenc n emiter
151
4.8. TRANSISTORI N ROLIN E ELSIT
Transistori prdoret jo vetm pr t amplifikuar sinjalet, por edhe n rolin
e elsit n skemat e kompjuterave apo t kontrollit; n qarqet logjike luan
rolin e nj invertuesi. N figurn 4.25 sht treguar transistori n rolin e
elsit. Vini re! Tensioni n dalje V
K
sht i kundrt me tensionin e zbatuar
n baz apo n terminalet e hyrjes.
KK
V = V
R
B
R
K 0.82k
68k
V
K
h
FE
125
V
V
V
V
K
V
V
I (mA)
K
I =6.1 mA
K
sat
V 0V
KE
sat
V = 5V
KK
V
KE
I 0mA
KEO
~
=
~
=
Figura 4.25
a) Transistori si els
b) Linja e ngarkess
USHTRIME
1. Prcaktoni V
K
, V
KE
, I
K
pr skemn 4.24 me V
KK
= -15 V, R
K
= 3 K, R
E
= 1.2 K,
R
B
= 470 K, = 100.
2. Prcaktoni V
K
, V
KE
, I
B
pr skemn e figurs s mposhtme:
47k
1.1k
v
i
10F
10k
-18V
2.4k
10F
v
o
=120
a)
b)
KK
V = V
R
B
R
K 0.82k
68k
V
K
h
FE
125
V
V
V
V
K
V
V
I (mA)
K
I =6.1 mA
K
sat
V 0V
KE
sat
V = 5V
KK
V
KE
I 0mA
KEO
~
=
~
=
152
Pr V
i
= 5 V, transistori sht n gjendjen e elsit t kyur dhe n t kalon
rryma e ngopjes I
Kng
:
N regjimin e ngopjes duhet t sigurohet kushti q:
N rastin ton, kur V
i
= 5V,
dhe
Duke arsyetuar si m lart,
.
Pra, ky kusht sht knaqur.
Pr V
i
= 0 V, I
B
= 0 A, I
k
= 0 mA dhe rnia e tensionit n R
k
sht
V
RK
= I
k
R
k
= 0 V.
Si rrjedhim V
k
= 5 V. Transistori sht si nj els i shkyur.
Pika e puns s transistorit si els ndodhet n pikat ekstreme t linjs s
ngarkess.
Pr V
i
= 5 V, transistori luan rolin e elsit t kyur dhe rezistenca e brendshme
e tij sht shum e vogl dhe konsiderohet afrsisht 0 ; pika e puns
ndodhet n regjimin e ngopjes.
Pr V
i
= 0 V, transistori luan rolin e elsit t shkyur dhe rezitenca e tij
e brendshme sht shum e madhe dhe konsiderohet afrsisht ; pika e
puns ndodhet n regjimin e shkyjes.
B
B
K
K
ng
153
USHTRIME
1. Pr nj skem invertuese me transistor (karakteristikat e t cilit
ndodhen n figurn 4.26) ku R
K
= 1.2 K, R
B
= 100 K, = 100, V
KK
= 10 V,
V
i
= 10 V, vizatoni formn e sinjalit n dalje . Ndrtoni linjn e ngarkess
dhe tregoni pikat e puns s transistorit si els. Prcaktoni I
B
, I
Bmax

dhe I
Kng
.
Figura 4.26
2. Projektoni nj skem invertuese me transistor me V
i
= 10 V pr t punuar
me nj rrym I
Kng
(saturimi) 5 mA me = 110, V
KK
=10 V. Prdorni nj I
B
sa
110% e I
Bmax
.
KE
K
154
KAPITULLI
TRANSISTORT ME EFEKT FUSHE
5.1. NJOHURI T PRGJITHSHME
Transistori me efekt fushe (FET) sht nj element me tre terminale (dalje):
burimin, portn, derdhjen.
Disa nga veorit kryesore t FET dhe transistorve dypolar (BJT) t studiuar
deri tani jan treguar m posht:
FET kan rezistenc shum m t madhe n hyrje (e rendit M) se BJT.
Te BJT

rryma n kolektor kontrollohet nga rryma n baz, ndrsa te FET
rryma n kalimin derdhje-burim (drain-source) kontrollohet nga V
GS
(port-burim). Pr kt arsye BJT quhen elemente t kontrolluara nga
rryma, ndrsa FET quhen elemente t kontrolluara nga tensioni.
Figura 5.1 a) BJT i komanduar nga rryma,
b) FET i komanduar nga tensioni
BJT jan transistor dypolar me 2 kalime p-n (transistori q studiuam n
kapitujt e mparshm), ndrsa FET jan njpolar. N parimin e puns
s FET merr pjes vetm nj tip ngarkese (ose vrimat, ose elektronet),
ndrsa n parimin e puns s BJT marrin pjes dhe bashkveprojn
vrimat dhe elektronet.
Te FET fusha elektrike do t kontrolloj gjersin e kanalit ku do t
kalojn ngarkesat.
FET jan m pak t ndjeshm ndaj ndryshimeve t temperaturs
krahasuar me BJT.
FET jan m t vegjl, gj q i bn t marrin pjes m mir n qarqet e
integruara (IC).
I
B
I
K
I
E
I
D
K
V
GS
a) b)
155
Ato kan nj disavantazh: koeficienti i amplifikimit t tensionit sht shum
m i vogl n skemat amplifikuese me FET se me BJT.
FET mund t ndrtohen me kanal n ose me kanal p.
N to kalon vetm nj rrym, rryma derdhje-burim, I
D
. N port nuk
kalon rrym, pra I
G
= 0.
Ata ndahen n dy tipa: JFET (junction field-effect transistor) dhe MOSFET
(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).
Fillimisht do t studiojm JFET.
N figurn e mposhtme jan treguar simbolet e JFET me kanal n dhe p.
Daljet e JFET jan D-derdhje (drain), S-burim (source), G-porta (gate).
Figura 5.2. Simboli i JFET (a) me kanal n; (b) me kanal p
5.2. NDRTIMI DHE KARAKTERISTIKAT E JFET
Si shihet n figurn 5.3, kanali ndodhet midis dy shtresave gjysmprcjellse
t tipit p. N krye t kanalit tip n sht lidhur nj kontakt ohmik me
terminalin derdhje (D), ndrsa n fundin e poshtm t s njjts shtres
sht lidhur nj kontakt ohmik me terminalin burim (source), S. T dyja
shtresat tip p jan lidhur s bashku me terminalin e ports (gate), G. Nse
kalimi p-n sht i papolarizuar, ai sillet si nj diod e papolarizuar.
Shtresa e kundrt
Figura 5.3. Ndrtimi i JFET
156
Figura 5.4. Karakteristika e FET me V
GS
=0 dhe V
DS
>0
Elektronet e nisura nga S (burimi) kalojn prgjat kanalit dhe e mbyllin
rrugn n konturin derdhje - burim, pra I
D
= I
S
. Shtresa e kundrt sht m
e gjer nga kreu i shtress tip p, sepse dhe tensioni i kundrt sht m
i madh nga kjo an (te dioda sht par q sa m i madh sht tensioni i
kundrt i polarizimit, aq m e gjer sht shtresa e kundrt).
Me rritjen e tensionit V
DS
nga 0 n disa volt do t rritet rryma I
D
(pjesa e
par e karakteristiks). Nse V
DS
i afrohet vlers V
P
aty ku mbaron zona
1 e karakteristiks, shtresa e kundrt do t zgjerohet deri n mbylljen e
kanalit, si n figurn (5.5), por realisht ekziston nj kanal mjaft i ngusht e
rryma ka dendsi shum t lart. Rryma n kt rast ka vlern e rryms s
ngopjes I
DSS
(fig. 5.5). Pra, pr V
DS
= V
P,
kemi I
D
= I
DSS
.
Nse V
GS
= 0 (d.m.th. porta dhe burimi kan t njjtin potencial) dhe V
DS
ka
vlera pozitive, karakteristika do t ket pamje si n figurn 5.4 dhe quhet
karakteristika e daljes (derdhjes): I
D
= f(V
DS
) pr V
GS
= 0.
1
2
Figura 5.5. JFET dhe karakteristika I
D
=f (V
DS
) pr V
GS
=0 dhe V
DS
= Vp
Me rritjen e mtejshme t V
DS
, vlera e rryms nuk ndryshon (zona 2 e
karakteristiks). I
DSS
sht rryma maksimale e derdhjes pr nj JFET, kur
V
GS
= 0 dhe V
DS
>| V
P
| .
p
n
p
e
e
e
e
Kanali n
I
D
I
S
Zona e kundrt
1
2
157
Figura 5.6. JFET me V
GS
=V
P
Nse V
GS
< 0 pr V
DS
>0, porta (G) ka potencial m t vogl se burimi (S), pra
kalimi G-S sht polarizuar n t kundrt. Sa m negative bhet V
GS
, aq m
e vogl do t bhet I
D
, sepse rritet gjersia e shtress s kundrt.
Kur V
GS
= - V
p
(kanali sht ngushtuar aq shum, saq elektronet e nisura nga
burimi nuk arrijn n derdhje), rryma e ngopjes (saturimit) sht pothuajse
0 dhe n do zbatim praktik JFET konsiderohet i shkyur.
Te JFET kalimi G-S polarizohet gjithnj n t kundrt.
Figura 5.7. Karakteristika e daljes (derdhjes) s JFET me kanal n
me I
DSS
=8 mA dhe Vp =- 4 V
Karakteristika n figurn 5.7 tregon q pr zonn 1 n t majt t V
p
, JFET
punon n regjim linear (regjimi ohmik).
Vlera e V
GS
, q i korrespondon I
D
= 0, shnohet Vp dhe ka vlera negative pr
JFET me kanal n dhe vlera pozitive pr JFET me kanal p.
Vp dhe I
DSS
jan t specifikuara n katalog pr do JFET.
-
+
V
DS
>0
158
5.3. KARAKTERISTIKA E TRANSFERIMIT
Karakteristika e transferimit jep lidhjen q ekziston mes nj madhsie n
qarkun e hyrjes, tensionit n kalimin port-burim (tensioni gate-source, V
GS
)
dhe nj madhsie n qarkun e daljes, rryms s derdhjes (rryms n drain,
I
D
). Marrdhnia midis tyre jepet nprmjet ekuacionit Shoklei (Shockley):
(5.1)
V
p
dhe I
DSS
jan dy madhsi q jepen n katalog dhe pr nj JFET t
caktuar jan konstante, ndrsa V
GS
sht madhsia elektrike q kontrollon
vlern e rryms I
D
n transistor.
Karakteristika e transferimit ndrtohet duke u nisur nga ekuacioni Shoklei
dhe nuk varet nga skema n t ciln sht lidhur elementi. Pr t ndrtuar
karakteristikn e transferimit, gjejm fillimisht dy pikat ekstreme.
Kur V
GS
= 0 =>I
D
= I
DSS
;
Kur V
GS
= V
p
=> I
D
= 0.
Pr vlera t ndryshme t V
GS
zvendsojm n ekuacion dhe gjejm
vlerat korresponduese t I
D
e kshtu ndrtojm disa pika midis dy pikave
ekstreme (V
p
dhe I
DSS
). Duke i bashkuar ato, ne kemi ndrtuar karakteristikn
e transferimit (fig. 5.8). Gjithashtu karakteristika e transferimit mund t
ndrtohet edhe nga karakteristikat e daljes s transistorit. Duke prdorur
karakteristikat e daljes s transistorit, ne mund t transferojm vlerat e
rryms s saturimit pr V
GS
korresponduese dhe t ndrtojm karakteristikn
e transferimit, si tregohet n figurn 5.8 a) e b).
Figura 5.8. Ndrtimi i karakteristiks s transferimit nga karakteristikat e daljes
a) b)
159
Mnyra praktike e ndrtimit t karakteristiks s transferimit
Pr t vizatuar karakteristikn e transferimit, duhen t paktn katr pika.
Sipas ekuacionit Shoklei:
Kur V
GS
= 0 => I
D
= I
DSS
;
Kur V
GS
= V
P
=> I
D
= 0;
Kur V
GS
= V
P
/2 => I
D
= I
DSS
/4;
Kur I
D
= I
DSS
/2 => V
GS
= 0.3V
P.
Sipas ksaj metode sht ndrtuar karakteristika e transferimit e JFET me
I
DSS
= 12 mA dhe V
P
= -6V (fig. 5.9).
JFET me kanal p
Karakteristika e transferimit pr JFET me kanal p do t jet e njjt me
karakteristiken e JFET me kanal n. I vetmi ndryshim do t jet q vlera e V
P

dhe V
GS
do t jen pozitive, si n figurn 5.10 pr nj JFET me kanal p.
Figura 5.9. Karakteristika e transferimit
e JFET me kanal n me I
DSS
=12 mA dhe
V
P
=- 6V
Figura 5.10. Karakteristika e transferimit
e JFET me kanal p me I
DSS
=12 mA dhe
Vp =-6V
160
USHTRIME
1. a) Cili sht ndryshimi midis karakteristikave t kolektorit t nj BJT dhe
karakteristikave t derdhjes t nj JFET.
b) Pse I
G
sht realisht 0 mA?
c) Pse rezistenca n hyrje e nj JFET sht shum e madhe?
2. Vizatoni skemn strukturore t nj JFET me kanal p.
3. Pr karakteristikat e figurs 5.7:
a) Vizatoni karakteristikn e transferimit nga karakteristikat e derdhjes.
b) Duke par karakteristikat e figurs 5.7, lexoni I
DSS
dhe V
P
, si dhe
ndrtoni karakteristikn e transferimit n baz t ekuacionit Shoklei.
c) Krahasoni karakteristikat e ndrtuara n pikn a) e b). A ka ndonj
ndryshim t madh?
4. sht dhn I
DSS
= 12 mA dhe Vp = -4V.
a) Vizatoni karakteristikn e transferimit pr transistorin JFET.
b) Vizatoni karakteristikat e derdhjes pr kt element.
5. Nj JFET me kanal - p ka I
DSS
= 8 mA dhe Vp = 4V. Vizatoni karakteristikn
e transferimit pr transistorin JFET.
6. sht dhn pika Q me I
DQ
= 3 mA dhe V
GSQ
= - 3 V. Prcaktoni I
DSS,
, nse
V
P
= -6 V.
5.4. FAR PRMBAN NJ KATALOG?
N katalog shnohen t gjitha karakteristikat e nj elementi (n rastin ton
nj transistor) q ne dshirojm. Kto t dhna jepen nga prodhues t
ndryshm. N katalog mund t gjejm:
fushn e prdorimit t tyre, si: amplifikator, oshilator etj.;
vlerat e madhsive elektrike, si: tensionin maksimal t drejt, tensionin
maksimal t kundrt, rrymn maksimale, fuqin si edhe temperaturat
minimale dhe maksimale t prdorimit t transistorve (nse kto vlera
nuk kihen parasysh elementi del jasht prdorimi) etj.;
prbrjen e nj transistori si, p.sh., silici ose germaniumi;
t dhnat mekanike q kan t bjn me prmasat e nj transistori.
Fuqia e nj transistori n temperaturn 25C (n temperaturn e dhoms)
mund t llogaritet me formuln:
161
Figura 5.11. Zona normale e puns n regjimin linear
Nga karakteristikat dhe t dhnat n katalog pr nj element prcaktohet
regjimi i puns n karakteristikat e daljes pr projektimin e amplifikatorve
linear si n figurn 5.11. Regjimi ohmik prcakton vlerat minimale t V
DS

pr vlera t ndryshme t V
GS
. V
DSMAX
tregon vlerat maksimale t tensionit
derdhje-burim. Rryma e saturimit I
DSS
sht rryma maksimale e derdhjes,
ndrsa fuqia maksimale tregohet nprmjet nj vije t lakuar si n figur.
USHTRIME
1. Prcaktoni zonn e puns s nj JFET, nse V
DSMAX
=25 V dhe P
DSMAX
=120 mW
me karakteristika t ngjashme me ato n figurn 5.7, por me I
DSS
= 10 mA
dhe Vp = -6V.
2. A mund t punoj JFET, zona normale e pun s t cilit jepet n figurn
5.11 n pikn me koordinata (I
DSS
,V
DSmax
) ?
3. Pr karakteristikat n figurn 5.7, t prcaktohet zona e puns nse
P
DSMAX
= 120 mW dhe V
DSMAX
= 25 V.
P
D
= V
DS
I
D
(5.2)
Si u tha m lart, V
P
= V
GS(off),
vlerat e s cils luhaten nga -0.5 V n -6.0 V pr
nj JFET me kanal n.
0
I
DSS
162
5.5. D-MOSFET
Si u tha n fillim t kapitullit, FET jan transistor t kontrolluar nga tensioni.
FET-et i kemi 2 llojesh: JFET dhe MOSFET.
MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect), sipas karakteristikave t
tyre, ndahen n 2 lloje: MOSFET me pasurim (enhancement-me shtim) dhe
MOSFET me varfrim (depletion-me paksim). T part shnohen shpesh
E-MOSFET, ndrsa t dytt D-MOSFET. Secilin nga kto 2 tranzistor MOSFET
i kemi me kanal p dhe n.
MOSFET t tipit me varfrim kan karakteristika t ngjashme me t JFET,
por ato mund t punojn edhe pr V
GS
me polaritet t kundrt me t part.
Ndrtimi
Le t shohim ndrtimin e MOSFET me varfrim (me pakic) me kanal n
(D-MOSFET).
Nj shtres materiali tip p me baz silici sht shtresa mbi t ciln do t
vendoset konstrukti i transistorit dhe sht bazamenti i tij (substrate).
Transistori MOSFET me varfrim ka n prgjithsi tri elektroda (dalje): derdhja
(drain, D), (source, S), port (gate, G). Ka raste kur nga shtresa p del nj kmb
e veant (e katrta) e MOSFET-it, e cila shnohet SS. Bazamenti (SS) lidhet
me burimin (S) e MOSFET-it, n prgjithsi.
Shohim q derdhja dhe burimi me an t kontakteve metalike lidhen me
shtresat e tipit n, midis t cilave ndodhet kanali tip n. Gate nuk lidhet me
kontakt metalik me kanalin n, por me an t nj shtrese dioksidi-silici, SiO
2
,
e cila luan rolin e nj dielektriku. Kjo bn q midis kmbs G dhe kanalit
tip n t mos ket lidhje elektrike.
Pr kt arsye transistort MOSFET kan rezistenc t madhe n hyrje. Rryma
q kalon n port sht 0. Ndonjher ky element gjendet n literatur me
emrin FET me port t izoluar ose IGFET.
e
e
Figura 5.12. MOSFET me varfrim
(D-MOSFET) me kanal n
163
Karakteristikat dhe parimi i puns
N kt figur kemi ushqyer transistorin me tension V
DD
. N kt rast V
GS

sht 0 V, si n figurn 5.13. Pr shkak t potencialit pozitiv n derdhje
ndodh nj trheqje e elektroneve nprmjet kanalit n. Kjo bn q rryma t
jet I
DSS
n analogji me parimin e puns s JFET (kjo rrym jepet n katalog).
Rryma q kalon n kt transistor kontrollohet nga potenciali n port.
Diferenca potenciale port-burim kontrollon gjersin e kanalit.
+
V
DD
-
Figura 5.13. MOSFET me varfrim (DMOSFET) me kanal n me V
GS
=0
Kur V
GS
sht m i vogl se 0 V, p.sh., -1 V, -2 V, -3 V etj., tensioni negativ
n port shtyn elektronet drejt shtress p dhe ndodh rikombinimi mes
elektroneve e vrimave, duke br t mundur zvoglimin e elektroneve t
lira n kanal (fig. 5.14).
Figura 5.14. Zvoglimi i elektroneve t lira n kanal kur V
GS
<0
Sa m i madh t jet tensioni i kundrt n port, aq m i madh sht niveli
i rikombinimit dhe aq m i vogl do t jet numri i elektroneve t lira n
kanalin n. Kjo bn q rryma t zvoglohet kur V
GS
= V
P
(ky tension jepet n
katalog), I
D
= 0. V
P
sht tensioni i kundrt m i madh.
-
e
e
e
e
e
e
e
e
164
Figura 5.15. V
GS
m i madh se 0 V
Ekuacioni Shoklei shrben pr t gjetur I
D
GS

(pozitive, negative e zero).
N figurn e mposhtme 5.16 jepet karakteristika e transferimit q tregon I
D

n funksion t V
GS
si dhe varsin e I
D
n funksion t V
DS
Figura 5.16. Karakteristika e transferimit I
D
n funksion t V
GS
dhe
grafiku I
D
n funksion t V
DS
D-MOSFET me kanal p
Ndrtimi i transistorit D-MOSFET me kanal p sht i kundrt me pamjen
e atij me kanal n. Emrtimet e kmbve jan po njsoj, por ndryshojn
polaritetet dhe drejtimi i rryms. V
GS
do t marr vlera pozitive dhe negative,
ndrsa V
DS
negative si n figurn e mposhtme.
Kur V
GS
sht m i madh se
0 V, pra tensioni port-burim t
polarizoj n t drejt kalimin
port-burim, porta sht ngarkuar
pozitivisht dhe trheq elektrone
nga shtresa p duke u bashkuar me
elektronet e lira t cilat s bashku
bjn rritjen e rryms n vlera m
t mdha se I
DSS
si n figurn 5.15.
Pr kt arsye zona me V
GS
pozitive,
n karakteristikn e transferimit,
sht quajtur zona me pasurim,
ndrsa zona pr V
GS
negative sht
quajtur zona me varfrim.
D
G
GS
S
2
4
8
(mA)
10.9
I
DSS
I
DSS
2
I
DSS
4
-5V
-4V
= -6V
= -2V
2
= -3V
= -1V
0
V
165
Figura 5.17. a) Ndrtimi i transistorit D-MOSFET me kanal-p
b) Karakteristikat e D-MOSFET me kanal-p me I
DSS
=6 mA dhe VP =+6V
N figurat e mposhtme jan paraqitur simbolet e D-MOSFET.
D
Figura 5.18. a) D-MOSFET me kanal n,
b) D-MOSFET me kanal p
USHTRIME
1. Ku qndron ndryshimi midis D-MOSFET e JFET? Po ngjashmria midis
tyre?
2. Jepet nj D-MOSFET me I
DSS
= 6 mA dhe V
P
= -3 V. Prcaktoni I
D
n
V
GS
= - 1, 0, 1, 2 V. Marrdhnia midis I
D
dhe V
GS
sht lineare apo
jolineare? Pse?
3. Vizatoni karakteristikn e transferimit (kalimtare) dhe karakteristikn e
derdhjes pr D-MOSFET me kanal -n me I
DSS
= 12 mA dhe V
P
= -8 V, n
kufijt nga V
GS
= - V
P
deri n V
GS
= 1 V.
4. Jepet I
D
= 4 mA pr V
GS
= -2 V. Prcaktoni I
DSS
nse V
P
= -5 V.
166
5.6. MOSFET ME PASURIM (E-MOSFET)
Megjithse ka disa ngjashmri n ndrtim dhe mnyrn e puns midis
MOSFET me varfrim dhe atij me pasurim, karakteristika e MOSFET me
pasurim sht e ndryshme nga ato t para deri tani. Linja e transferimit nuk
prcaktohet nga ekuacioni Shoklei dhe rryma n derdhje sht zero derisa
tensioni port-burim t arrij nj vler t caktuar. N veanti, kontrolli i
rryms n nj MOSFET me pasurim me kanal-n ndikohet nga tensioni pozitiv
port-burim, ndyshe nga MOSFET dhe JFET kanal-n q komandoheshin
nga tensioni port-burim negativ.
Ndrtimi baz
Ndrtimi i nj MOSFET me pasurim kanal-n shihet n figurn 5.19. Nj
shtres materiali gjysmprcjells tip p me baz silici, si te MOSFET me
varfrim, shrben si bazament pr transistorin.
Derdhja (D) dhe burimi (S) me an t kontakteve metalike lidhen me shtresat
e tipit n, midis t cilave nuk ndodhet kanal. Ky sht dallimi kryesor midis
MOSFET me pasurim dhe atij me varfrim.
Shtresa SiO
2
sht prsri e pranishme, pr t siguruar izolimin e kontaktit
metalik t ports (G) me shtresn midis derdhjes (D) dhe burimit (S).
Si prfundim, ndrtimi i nj MOSFET me pasurim sht i ngjashm me at
me varfrim, prve mungess s nj kanali midis derdhjes (D) dhe burimit
(S) kur nuk ka tension nga jasht.
Figura 5.19. MOSFET me pasurim me kanal n
do t krijohet
167
Karakteristikat dhe parimi i puns
Kur V
GS
= 0, mungesa e kanalit n, n t cilin kalojn elektronet, bn q t
mos kaloj asnj elektron nga S n D, pra rryma I
D
= 0, ndryshe nga JFET
dhe D-MOSFET ku I
D
= I
DSS
.
N figurn 5.20 kemi marr vlera t V
GS
>0 dhe V
DS
>0, pra derdhja dhe
porta (G) kan potencial pozitiv n lidhje me burimin (S). Ky potencial
pozitiv n portn (G) do t shtyj ngarkesat pozitive (vrimat) t shkojn m
n brendsi t bazamentit (substrate) tip p. Si rezultat krijohet nj shtres
e kundrt pran shtress s SiO
2
, e cila pengon kalimin e elektroneve n
daljen port (G). Sa m shum rritet V
GS
, aq m shum rritet prqendrimi i
elektroneve pran shtress SiO
2
. Kur vlera e V
GS
bhet sa nj tension gjuri
(tensioni threshold, V
GS(Th)
), fillon rrjedhja e elektroneve nga (S) drejt (D), pra
n transistor kalon rrym. Vlera e V
GS(Th)
jepet n katalog.
N qoft se rritim tensionin pozitiv n portn (G) prtej vlerave t V
TH
, do
t rritet rryma q kalon nga derdhja n burim, pra vlera e rryms n kt
transistor kontrollohet nga tensioni port-burim.
Ekziston nj vler tensioni e zbatuar n port q nuk duhet kaluar, si mund
t themi se ekziston nj vler e rryms s kalimit derdhje-burim q nuk
mund t kaprcehet. Kto vlera jepen n katalog.
Meqense kanali nuk ekziston pr V
GS
= 0, por krijohet pr V
GS
>0, ky
transistor merr emrin MOSFET me pasurim.
Figura 5.20. Krijimi i kanalit n MOSFET me pasurim
168
Figura 5.21. Karakteristika e derdhjes t MOSFET me pasurim me kanal tip n
Pr V
GS
m t mdha se V
GS(Th)
, rryma e derdhjes rritet jolinearisht kundrejt
tensionit port-burim, nprmjet ekuacionit
I
D
= k (V
GS
- V
T
)
2
,
ku k sht nj konstante q sht funksion i ndrtimit t elementit. N
katalog jepen vlerat e I
D
(on) dhe V
GS
(on) q tregojn vlerat e rryms dhe
tensionit n nj pik t karakteristiks s elementit.
Q ktu mund t prcaktojm vlern e k-s.
k = (5.3)
Pasi gjejm vlern e k-s, pr vlera t ndryshme t V
GS
, prcaktojm vlerat
e I
D
dhe kto pika i hedhim n grafikun e karakteristiks s transferimit, si
n figurn 5.22 a). N figurn 5.22 b) tregohet edhe mnyra e ndrtimit t
karakteristiks s transferimit nprmjet karakteristiks s derdhjes.
Vm re q pr V
DS
m t vogla se vlera e V
GS(Th)
, vlera e rryms rritet pothuajse
linearisht. Kur V
DS
>V
GS(Th)
, rryma derdhjes arrin nivelin e saturimit (ngopjes)
GS
.
) V V (
I
T ) on ( GS
) on ( D
(V
GS
- V
T
)
2
) V V (
I
T ) on ( GS
) on ( D
V
DS
N karakteristikn e derdhjes (fig. 5.21) vm re q pr V
GS
m t vogla se
V
GS(Th)
, rryma e derdhjes (daljes) sht 0 mA. V
GS(Th)
mund ta shkruajm thjesht
V
T
.
169
DS
Figura 5.23. Ndrtimi i E-MOSFET me kanal p
DS
GS
V
a) b)
Figura 5.22 a) Karakteristika e transferimit
b) Karakteristika e transferimit e ndrtuar nga karakteristika e derdhjes
(daljes) s MOSFET me pasurim me kanal tip n
E-MOSFET me kanal p
Ndrtimi i E-MOSFET me kanal p, si shihet n figurn 5.23, sht i kundrt
me E-MOSFET me kanal n. N kt tip MOSFET, bazamenti sht shtres
e tipit n, ndrsa shtresat q lidhen me derdhjen (drain, D) dhe burimin
(source, S) jan t tipit p. Terminalet (kmbt) kan t njjtin emrtim, por
polaritetet e tensionit dhe drejtimi i rryms jan t kundrta.
Karakteristika e transferimit do t jet pasqyrimi rreth boshtit t I
D
t
karakteristiks s transferimit pr E-MOSFET me kanal n (fig. 5.24 a).
N figurn 5.24 b) jan treguar karakteristikat e derdhjes, nga ku shihet
qart q me rritjen e vlerave negative t V
GS
rritet vlera e I
D
.
170
USHTRIME
1. Cili sht ndryshimi midis nj E-MOSFET e nj D-MOSFET?
2. Vizatoni nj E-MOSFET me kanal p si dhe tensionet e polarizimit t tij.
Tregoni drejtimin e rrjedhjes s elektroneve.
3. Vizatoni karakteristikn e transferimit dhe karakteristikat e derdhjes s
nj E-MOSFET me V
T
= 3.5 V dhe k = 0.4 X 10
-3
A/ V
2
.
4. Jepet V
T
= 4 V, I
D(on)
= 4 mA dhe V
GS(On)
= 6 V.
a) Prcaktoni konstanten k.
b) Vizatoni karakteristikn e transferimit.
c) Prcaktoni I
D,
nse V
GS
= 2.5 V. Po pr V
GS
= 10 V, sa sht I
D
?
5. Vizatoni karakteristikn e transferimit dhe karakteristikat e derdhjes s
nj E-MOSFET me kanal p me V
T
= -5 V dhe k = 0.45 X 10
-3
A/ V
2
.
DS
Figura 5.24 a) Karakteristika e transferimit pr E-MOSFET me kanal p
b) Karakteristika e derdhjes (daljes)
N figurn 5.25 jan treguar simbolet e E-MOSFET me kanal n dhe me kanal p
a)
b)
Figura 5.25
a) Simbolet e E-MOSFET me kanal n
b) Simbolet e E-MOSFET me kanal p
a) b)
171
Ky qark me MOSFET quhet CMOS (Complementary MOSFET). Hyrja e qarkut
ndodhet n portat e dy transistorve t lidhura n nj pik, ndrsa dalja
merret nga derdhjet e lidhura n nj pik.
Prpara se t studiojm efektin e qarkut CMOS, kujtoni edhe njher
karakteristikat e transferimit t transistorve MOSFET me pasurim me kanal
p e n.
Nse n hyrje do t kemi nj tension prej 0 V, ather V
GS1
= 0 V dhe Q
1
sht
n gjendjen off, pra rezistenca derdhje - burim sht shum e madhe.
V
GS2
= -5 V dhe transistori i Q
2
sht n gjendjen on. Midis derdhjes dhe
burimit t Q
2
rezistenca sht shum e vogl. Pra, po ta shihnim si pjestues
tensioni, do t arrinim n prfundimin se V
O
sht afrsisht 5 V. Dalja
inverton gjendjen e hyrjes. Pra, pr V
i
= 0 V, V
o
= 5 V.
Nse n hyrje do t kemi nj tension prej 5 V, ather V
GS1
= V
i
= 5 V dhe Q
1

sht n gjendjen on. Rezistenca derdhje - burim sht shum e vogl.
Pra, V
GS2
= 0 dhe transistori i Q
2
sht n gjendjen off. V
O
sht afrsisht
0 V. Dalja inverton gjendjen e hyrjes. Pra, pr V
i
= 5 V, V
o
= 0 V. Tabela
prmbledhse e puns s CMOS tregohet n figurn 5.26.
Si prfundim, CMOS sht qark invertues.
Fuqia q harxhon CMOS sht shum e vogl, sepse transistort jan n
rolin e elsave. Ata kan rezistenc t madhe n hyrje dhe shpejtsin e
komutimit (kyje-shkyje) shum t lart.
5.7. QARQET CMOS
Qarqet CMOS jan qarqe dixhitale logjike mjaft t prdorshme n praktik.
Ato jan t ndrtuara me transistor MOSFET t t njjtit lloj, por t tipave
t kundrt (E-MOSFET me kanal n dhe E-MOSFET me kanal p t vendosura
mbi t njjtin bazament).
Figura 5.26
a) Invertuesi CMOS
b) Tabela prmbledhse e puns s CMOS
a)
b)
V
i
V
GS1
V
GS2
V
O
0 0 -5 V 5 V
5 V 5 V 0 0
172
KAPITULLI
MNYRAT E POLARIZIMIT T FET
6.1. HYRJE
Pr transistort me efekt fushe, marrdhniet midis madhsive t hyrjes e t
daljes jan jolineare dhe kjo vihet re edhe n karakteristikn e transferimit
t nj FET. Lidhja grafike q ekziston mes I
D
e V
GS
sht m e prdorur dhe,
n kt kapitull, studimi bhet mbi kt lidhje e jo mbi at matematikore.
Si n skemat me BJT edhe n ato me FET madhsia e rryms n dalje ndikon
n madhsin e tensionit n dalje.
Gjat analizs DC pr t gjith prforcuesit me FET duhet t kihen parasysh
kto marrdhnie:
I
G
= 0 A (6.1)
I
D
= I
S
. (6.2)
Kujtojm q pr JFET dhe MOSFET me varfrim (D-MOSFET), marrdhnia
mes qarkut t hyrjes e t daljes jepet me ekuacionin Shoklei:
I
D
= I
DSS
(1- )
2
.

(6.3)
Pr MOSFET me pasurim (E-MOSFET), marrdhnia mes qarkut t hyrjes e
t daljes jepet me ekuacionin
I
D
= k

(V
GS
-V
T
)
2
. (6.4)
sht e rndsishme t theksohet q kto ekuacione shprehin lidhjen
mes madhsive elektrike vetm pr elementin, pavarsisht se n ciln lloj
skem sht lidhur ai. Nga skema ku lidhet elementi prcaktohet sa sht
konkretisht vlera e rryms dhe e tensionit, duke u bazuar n gjetjen e piks
s puns.
173
6.2. SKEMA ME POLARIZIM FIKS
Skema me polarizim fiks sht skema m e thjesht e polarizimit t JFET
me kanal n (fig. 6.1). N kt skem tensioni i polarizimit t transistorit
sht fiks sa vlera e tensionit t burimit t vendosur n qarkun e hyrjes
V
GG
. Ajo sht nj nga skemat e pakta me FET q mund t zgjidhet n
mnyr t drejtprdrejt duke prdorur mnyrn matematike ose grafike.
N kt msim prfshihen t dyja metodat, pr t vrtetuar faktin se i njjti
prfundim mund t arrihet me t dyja mnyrat.
Skema n figurn 6.1 prfshin v
i
dhe v
o
dhe kondesatort lidhs C
1
dhe
C
2
. Mos harroni q kondesatort sillen si qark i hapur gjat analizs pr
rrymat e vazhduara dhe qark i shkurtr gjat analizs pr rrymat alternative.
Rezistenca R
G
bn pjes n skem pr t treguar se v
i
shfaqet n hyrjen
e prforcuesit me FET gjat analizs pr rrymn alternative. Kujtojm q
rezistenca e hyrjes s FET sht shum e madhe. Le t bjm analizn e
skems pr rrymn e vazhduar:
I
G
= 0 A
dhe
V
RG
= I
G
R
G
= (0 A)R
G
= 0 V.
Vlera e tensionit n R
G
lejon zvendsimin e R
G
me nj qark t shkurtr
ekuivalent (fig. 6.2) i rivizatuar pikrisht pr analizn DC.
Figura 6.2. Qarku pr analizn DC
Figura 6.1. Skema me polarizim fiks
174
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit pr tensionet n drejtimin e rrotullimit t
akrepave t ors, n qarkun e dhn n figurn 6.2 kemi:
-V
GG
V
GS
= 0
dhe
V
GS
= -V
GG
. (6.5)
Meqense V
GG
ka nj vler t caktuar, mund t zvendsohen n ekuacionin
Shoklei pr t gjetur matematikisht vlern e I
D
.
Analiza grafike krkon ndrtimin e karakteristiks s transferimit nprmjet
ekuacionit Shoklei si n figurn 6.3. Pr t vizatuar karakteristikn e
transferimit, duhen t paktn katr pika:
- kur V
GS
= 0 =>I
D
= I
DSS
;
- kur V
GS
= V
P
=>I
D
= 0;
- kur V
GS
= V
P
/ 2 =>I
D
= I
DSS
/ 4 ;
- kur I
D
= I
DSS
/ 2 =>V
GS
= 0.3V
P
.
Figura 6.3. Ndrtimi grafik i karakteristiks
s transferimit sipas ekuacionit Shoklei
Figura 6.4. Prcaktimi i piks s puns
2
I
DSS
4
0.5 0.3V
P
Karakteristika
e transferimit e
tranzistorit
Karakteristika
e skems ku
lidhet elementi

Pika Q
Linja e ngarkess do t jet nj vij e drejt vertikale n pikn V
GS
= -V
GG
.
Nga pikprerja e ktyre dy vijave, mund t prcaktojm vendndodhjen e
piks s puns ose t qetsis, pra, I
DQ
dhe V
GSQ
.
175
Kto vlera, I
DQ
dhe V
GSQ
, do jen ato q matin aparatet matse (fig. 6.5).
Figura 6.5. Matja me voltmetr dhe ampermetr e I
DQ
dhe V
GSQ
T dyja mnyrat e zgjidhjes (grafike e matematike) duhet t arrijn n vlera
pothuajse t njjta t I
DQ
dhe V
GSQ
.
Tensioni drain-source (dalje-burim) mund t prcaktohet duke zbatuar
ligjin e dyt t Krikofit n qarkun e daljes s figurs 6.2 dhe del si m posht:
+V
DS
+ I
D
R
D
V
DD
= 0
V
DS
= V
DD
I
D
R
D
(6.6)
V
S
= 0 V
V
DS
= V
D
V
S
ose
V
D
= V
DS
+ V
S
= V
DS
+ 0 V
nga ku, pr skemn me polarizim fiks,
V
D
= V
DS
. (6.7)
Gjithashtu
V
GS
= V
G
V
S
ose
V
G
= V
GS
+ V
S
= V
GS
+ 0
nga ku, pr skemn me polarizim fiks,
V
G
= V
GS
(6.8)
Miliampermetr
Fisha e kuqe
Fisha e zez
176
SHEMBULL
Pr skemn e mposhtme me kto t dhna: V
DD
= 16 V, V
GG
= 2V, R
G
= 1K,
R
D
= 2K, I
DSS
= 10 mA, V
P
= -8V, prcaktoni:
a) V
GSQ
b) I
DQ
c) V
DS
d) V
D
e) V
G
f) V
S
Zgjidhje
(a) e (b) Grafikisht ushtrimi mund t zgjidhet duke ndrtuar karakteristikn e
transferimit dhe linjn e ngarkess me V
GS
= -2V, si n figurn e mposhtme.
Vihet re q V
GSQ
= -V
GG
= - 2 V, ndrsa I
DQ
= 5.6 mA.
c) V
DS
= V
DD
I
D
R
D
= 16V - (5.6 mA)(2 K ) = 4.8 V
d) V
D
= V
DS
= 4.8 V
e) V
G
= V
GS
= - 2 V
f) V
S
= 0 V
10 mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8
Pika Q I
DQ
I = 2.5mA
DS
4
= 5.6mA
V = -8V
P
V
P
= -4V
2
I = -V = -2V
GS GG
Q
177
USHTRIME
1. Pr skemn me polarizim fiks:
a) Vizatoni karakteristikn e transferimit t transistorit.
b) Vizatoni linjn e ngarkess n t njjtin sistem boshtesh.
c) Prcaktoni I
DQ
dhe V
GSQ
.
d) Duke prdorur ekuacionin Shoklei, prcaktoni I
DQ
e m pas gjeni V
DSQ
.
Krahasoni rezultatin me at t piks c).
I
DSS
= 10 mA
V
P
= -4V
Matematikisht ushtrimi mund t zgjidhet:
a) V
GSQ
= - V
GG
= - 2V
b)
I
D
= I
DSS
(1- )
2

= 10 mA (1 - )
2
= 5.625 mA
c) V
DS
= V
DD
I
D
R
D
= 16V - (5.625 mA)(2 K ) = 4.75 V
d) V
D
= V
DS
= 4.75V
e) V
G
= V
GS
= - 2 V
f) V
S
= 0 V
-8 V
-2 V
178
Figura 6.6. Skema me vetpolarizim
Pr analizn dc t qarkut, kondensatort mund t zvendsohen me qark
t hapur dhe rezistenca R
G
mund t zvendsohet nga nj qark i shkurtr,
prderisa I
G
= 0A. Rezultati sht qarku n figurn 6.7 n analizn e rrymave
t vazhduara (dc). Rryma q kalon n rezistencn R
S
sht rryma q kalon
n burim, por I
S
= I
D
dhe
V
RS
= I
D
R
S
(6.9)
6.3. SKEMA ME VETPOLARIZIM
Skema me vetpolarizim nuk ka nevoj pr dy burime ushqimi t vazhduar.
Tensioni i kontrollit port-burim tani prcaktohet nga tensioni n rezistencn
R
s
q lidhet me burimin (source) si n figurn 6.6.
2. Me vlern e V
D
s dhn, prcaktoni madhsit e mposhtme:
a) I
D
b) V
DS
c) V
GG
I
DSS
= 8 mA
V
P
= -4V
179
Figura 6.7. Analiza dc e skems
me vetpolarizim
Ekuacioni (6.10) sht prcaktuar nga skema e msiprme. Nga ana tjetr,
ekuacioni Shoklei (6.3) lidh madhsit e qarkut t hyrjes me ato t qarkut t
daljes s skems. T dy ekuacionet lidhin t njjtat madhsi, I
D
dhe

V
GS
, duke
na dhn mundsin pr ta zgjidhur n mnyr grafike ose matematikore
problemin.
Zgjidhja matematikore e duhur mund t prftohet thjesht duke zvendsuar
ekuacionin (6.10) n ekuacionin e Shokleit si m posht:
I
D
= I
DSS
(1- )
2
= I
DSS
(1- )
2

ose
I
D
= I
DSS
(1+ )
2
.
Duke vazhduar me veprimin e ngritjes n katror, prftojm ekuacionin si
m posht:
I
D
2
+ K
1
I
D
+ K
2
= 0.
Ekuacioni i grads s dyt zgjidhet pr vlerat e prshtatshme t I
D
. Kjo
prcakton zgjidhjen matematikore.
Pr konturin e mbyllur n figurn 6.7, gjejm q
-V
GS
-V
RS
=0
ose
V
GS
= -I
D
R
S
. (6.10)
Nga ekuacioni (6.10) shohim q V
GS
sht n funksion t rryms s derdhjes
I
D
dhe jo me vler fikse si ndodhte n rastin e skems me polarizim fiks.
180
Zgjidhja grafike krkon q, n fillim, t vizatojm karakteristikn e transferimit
pr transistorin si n figurn 6.8. Me ekuacionin (6.10) mund t ndrtohet
linja e ngarkess (nj vij e drejt) n t njjtin grafik.
Le t prcaktojm koordinatat e dy pikave t linjs s ngarkess nga ekuacioni
(6.10) dhe ti bashkojm ato.
N fillim konsiderojm I
D
= 0 dhe marrim q V
GS
= -I
D
R
S
= (0)R
S
= 0 V.
Pika e dyt prcaktohet duke marr nj vler t caktuar t V
GS
ose I
D
dhe vlera
korresponduese e madhsis tjetr t zgjidhet duke prdorur ekuacionin
(6.10) me nj vler t dhn t R
S
. Kshtu, me an t dy pikave, mund t
ndrtojm vijn e ngarkess. P.sh., marrim
I
D
= ,
ather
V
GS
= - I
D
R
S
= * R
S
.
Ndrtojm linjn e ngarkess. Pikprerja e karakteristiks s transferimit
me linjn e ngarkess na prcakton pikn e puns Q si n figurn 6.8.
Figura 6.8. Vizatimi i linjs s ngarkess
Pasi prcaktojm I
DQ
dhe V
GSQ
, mund t gjejm madhsit e tjera.
Pr gjetjen e V
DS
mund t zbatojm ligjin e Kirkofit n qarkun e daljes:
V
Rs
+ V
DS
+ V
R
D
V
DD
= 0
nga ku V
DS
= V
DD
V
R
S
V
R
D
= V
DD
I
S
R
S
I
D
R
D
.
Por I
D
= I
S

dhe V
DS
= V
DD
I
D
(R
S
+ R
D
). (6.11)
181
N vazhdim:
V
S
= I
D
R
S
(6.12)
V
G
= 0 V (6.13)
dhe V
D
= V
DS
+ V
S
= V
DD
-V
RD
. (6.14)
SHEMBULL
Gjeni pikn e qetsis pr skemn e figurs (6.6) me kto t dhna:
V
DD
= 20 V, R
D
= 3.3 K, R
G
= 1 M, I
DSS
= 8mA, V
P
= -6V
a) R
S
= 100
b) R
S
=10 K.
USHTRIME
1. Pr skemn me vetpolarizim t figurs s
mposhtme (fig. e ushtrimit 1) duhet t:
a) Vizatoni karakteristikn e transferimit t
transistorit nse I
DSS
= 10 mA dhe V
P
= - 4 V.
b) Vizatoni linjn e ngarkess n t njjtin
sistem boshtesh.
c) Prcaktoni I
DQ
, V
GSQ
d) Llogaritni V
DS
, V
D
, V
G
, V
S
.
2. Pr skemn me vetpolarizim t figurs s
mposhtme (fig. e ushtrimit 2), nse I
DSS
= 6 mA
dhe V
P
= - 4 V, t prcaktohen:
a) I
DQ
, V
GSQ

b) V
DS
, V
D
, V
G
, V
S
.
Skema e ushtrimit 1
Zgjidhje
Ndrtojm linjn e ngarkess pr
seciln nga vlerat e rezistencs sipas
mnyrs s prshkruar m sipr.
Si vihet re, sa m e vogl t jet R
S
,
aq m pran boshtit t I
D
ndodhet
linja e ngarkess, ndrsa sa m
tepr t rritet R
S
, aq m afr boshtit
t V
GS
ndodhet linja e ngarkess.
Figura 6.9
R
S
=100
I
DQ
=6.4mA, V
GSQ
=-0.5V
R
S
=10K
I
DQ
=0.4mA,V
GSQ
=-4.6V
182
M posht po tregojm skemn ekuivalente pr rrymat e vazhduara.
6.4. SKEMA ME PJESTUES TENSIONI
Skema e polarizimit me pjestues tensioni, e studiuar n amplifikatort
me transistor dypolar, prdoret edhe n amplifikatort me transistor
njpolar si sht treguar n figurn 6.10.
Figura 6.10. Skema me pjestues tensioni
3. Prcaktoni:
a) I
DQ
, V
GSQ
.
b) V
DS
, V
D
, I
DSS
nse V
P
= - 4 V.
Skema e ushtrimit 3 Skema e ushtrimit 2
18 V 12 V
183
Vini re q t gjith kondensatort jan zvendsuar n skem me qark t
hapur. N vazhdim, burimi V
DD
sht ndar n dy burime ekuivalente: nj n
qarkun e hyrjes dhe nj n qarkun e daljes. Prderisa I
G
= 0, nga ligji i Kirkofit
pr rrymat kemi q I
R1
= I
R2
, dhe mund t prdorim qarkun ekuivalent seri
n t majt t figurs 6.11 pr t gjetur vlern e V
G
. Tensioni V
G
, i barabart
me tensionin n rezistencn R
2
, mund t gjendet duke prdorur barazimin
e mposhtm:
V
G
= . (6.15)
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit pr tensionet n drejtimin e rrotullimit t
akrepave t ors pr qarkun e hyrjes:
V
G
V
GS
V
RS
= 0
dhe V
GS
= V
G
V
RS
.
Duke zvendsuar V
RS
= I
S
R
S
= I
D
R
S
, kemi:
V
GS
= V
G
- I
D
R
S
. (6.16)
Rezultati sht nj ekuacion q lidh dy madhsi t njjta me at t ekuacionit
Shoklei: V
GS
dhe I
D
. Vlerat e V
G
dhe R
S
jan fikse. Ekuacioni (6.16) sht
ekuacion i nj vije q nuk kalon nga origjina.
Zgjedhim I
D
=0 mA dhe prcaktojm V
GS
nga ekuacioni (6.16) si m posht:
V
GS
= V
G
(0 mA) R
S
.
Figura 6.11. Skema ekuivalente pr
rrymat e vazhduara
184
Pra:
V
GS
= V
G
, pr I
D
= 0 mA. (6.17)
Pr t prcaktuar pikn tjetr, konsiderojm V
GS
= 0V dhe nga ekuacioni
(6.16) gjejm I
D
:
V
GS
= V
G
I
D
R
S
0V = V
G
I
D
R
S
dhe I
D
= , pr V
GS
= 0 V. (6.18)
Dy pikat e prcaktuara m sipr bjn t mundur ndrtimin e linjs s
ngarkess. Pikprerja e linjs s ngarkess me karakteristikn e transferimit
prcakton pikn e puns dhe vlerat e I
DQ
dhe V
GSQ
prkatse (fig. 6.12).
Figura 6.12. Karakteristika e transferimit dhe pika e puns
Pikprerja e boshtit vertikal me linjn e ngarkess ndodh pr I
D
= V
G
/ R
S
.
V
G
sht fikse n qarkun e hyrjes, prandaj, nse rritet vlera e R
S
, do t
zvoglohet vlera e I
D
(fig. 6.13).
Figura 6.13. Efekti i R
S
n prcaktimin e piks s puns.
V
G
R
S
V
G
R
S
Q
Q
Q
Rritja e vlers
s R
S
185
Duke rritur vlerat e R
S
, dalin vlera m t vogla t I
D
dhe vlera m negative t
V
GS
. Pr qarkun e daljes:
V
S
= I
D
R
S
(6.19)
V
D
= V
DD
I
D
R
D
(6.20)
V
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
). (6.21)
Pr qarkun e hyrjes:
I
R1
= I
R2
dhe V
G
= .
Skema e ushtrimit 1 dhe 2
USHTRIME
1. Pr skemn e ushtrimit 1, t prcaktohen:
a) V
G
b) I
DQ
dhe V
GSQ
c) V
D
dhe V
S
d) V
DSQ
,
nse I
DSS
= 10 mA dhe V
P
= -3.5 V.
2. T prsritet ushtrimi i msiprm nse
R
S
= 0.51 k. Cili sht efekti i vlers m t
vogl t R
S
n I
DQ
dhe V
GSQ
?
Skema e ushtrimit 3
20V
18V
750
91
0.68
2 k
V
D
= 9 V
3. N skemn e ushtrimit 3, nse I
DSS
= 8 mA,
t prcaktohet :
a) I
D
b) V
S
dhe V
DS
c) V
G
dhe V
GS
d) V
P
186
Zgjidhje
a) Pr karakteristikn e transferimit, nj pik e grafikut prcaktohet nga
I
D
= I
DSS
/ 4 = 6mA/ 4 = 1.5 mA dhe V
GS
= V
P
/ 2 = -3/ 2 = -1.5 V. Ekuacioni Shoklei
prcakton nj vij t lakuar q ngrihet m shpejt kur V
GS
bhet pozitive.
Kshtu, nj pik tjetr mund t ndrtohet n V
GS
= +1V. Duke zvendsuar
n ekuacionin Shoklei:
I
D
= I
DSS
(1- )
= 6 mA (1- )
= 6 mA (1+1/ 3)
2
= 6 mA (1.778) = 10.67 mA.
a) b)
Figura 6.14 a) Skema e D-MOSFET me kanal-n me pjestues tensioni
b) Prcaktimi i piks s puns
6.5. MOSFET I TIPIT ME VARFRIM (D-MOSFET)
Si e kemi par n kapitullin e shkuar, karakteristika e transferimit e JFET
dhe e D-MOSFET sht e ngjashme.
Ndryshimi kryesor midis skemave me JFET dhe atyre me MOSFET t tipit
me varfrim (depletion type) qndron n faktin q n karakteristikn e
transferimit t D-MOSFET, pika e puns mund t gjendet edhe pr vlera
pozitive t V
GS
. N kt rast vlera e I
D
kuptohet q do t jet m e madhe se
vlera e I
DSS
.
SHEMBULL
Pr MOSFET me varfrim kanal-n, t lidhur si n figurn e mposhtme
(fig. 6.14), prcaktoni:
a) I
DQ
dhe V
GSQ
.
b) V
DS
.
2
2
187
Pr t ndrtuar karakteristikn e transferimit, duhen t paktn edhe dy pika
t tjera. Njra sht pika ku V
GS
= 0 dhe I
D
= I
DSS
, ndrsa tjetra mund t jet
pika I
D
= 0 mA dhe V
GS
= V
P
.
I bashkojm kto pika dhe kjo sht karakteristika e transferimit e figurs
6.14 (b). Duke ndjekur t njjtn rrug si n skemat me JFET, kemi:
ndrsa V
GS
e gjejm:
V
GS
= V
G
I
D
R
S
= 1.5 V - I
D
(750 ).
Ky sht ekuacioni i linjs s ngarkess.
Duke zgjedhur I
D
= 0 mA, rezulton q:
V
GS
= V
G
= 1.5V;
Duke zgjedhur V
GS
= 0 V, gjejm:
I
D
= V
G
/ R
S
= 1.5 v/ 750 = 2 mA.
Vendosim madhsit e prcaktuara m lart n boshte dhe i bashkojm
me nj vij t drejt. Pikprerja e karakteristiks s transferimit me linjn e
ngarkess prcakton pikn e puns Q, si n figurn 6.14 (b). Pika e puns ka
kto koordinata:
I
DQ
= 3.1 mA; V
GSQ
= -0.8V.
b) V
DS
= V
DD
- I
D
(R
D
+R
S
)
V
DS
= 18V - 3.1mA (1.8 k + 750 ) = 10.1 V
USHTRIME
1. Pr skemn e ushtrimit 1 t prcaktohen:
a) V
G
b) I
DQ
dhe V
GSQ
c) V
D
dhe V
S
d) V
DSQ
nse I
DSS
= 6 mA dhe V
P
= -4 V.
2. Pr skemn e ushtrimit 1 t prcaktohen
I
DQ
dhe V
GSQ
, nse R
S
= 1.1 K .
Skema e ushtrimit 1 dhe 2
188
Figura 6.15. Karakteristika e transferimit e MOSFET me pasurim me kanal n
Kujtojm q karakteristika e transferimit e MOSFET me pasurim ndrtohet
duke u bazuar n ekuacionin
I
D
= k (V
GS
- V
GS(TH)
)
2
.
Nse nuk dim vlern e k-s, duhet tu referohemi t dhnave t treguara
n katalog, si: V
GS(TH)
, I
D(on)
dhe V
GS(on)
. Duke zvendsuar n ekuacionin
e msiprm madhsit e gjetura n katalog, gjejm k-n si tregohet m
posht:
I
D(on)
= k (V
GS(on)
- V
GS(TH)
)
2
nga ku
k = . (6.22)
Pasi gjendet vlera e k-s, duke i dhn vlera V
GS
, gjenden vlerat e I
D
. Kuptohet
q vlerat e V
GS
do jen m t mdha se vlera e V
GS(TH)
.
Mnyra e polarizimit me lidhje t kundrt
Nj nga mnyrat m t prdorshme pr polarizimin e ktyre transistorve
sht ajo me lidhje t kundrt. Skema e polarizimit me lidhje t kundrt
dhe skema ekuivalente DC e saj tregohen n figurn 6.16.
6.6. MOSFET I TIPIT ME PASURIM (E-MOSFET)
Karakteristika e transferimit e MOSFET me pasurim sht shum e ndryshme
nga ajo e JFET e D-MOSFET dhe kjo on n nj zgjidhje grafike shum t
ndryshme nga ajo e par deri tani.
(on)
(on)
I
D
= 0 mA
2
189
Transistori polarizohet (ushqehet) me tension n vler t konsiderueshme
q vjen nga derdhja (drain, dalja) e transistorit. Meq I
(G)
= 0 dhe V
RG
= 0,
ather:
V
D
= V
G
dhe
V
DS
= V
GS
. (6.23)
Por
V
DS
= V
DD
I
D
R
D
nga ku
V
GS
= V
DD
I
D
R
D
. (6.24)
Ky sht njkohsisht edhe ekuacioni i nj vije t drejt ose i linjs s
ngarkess.
Duke marr I
D
= 0 mA, kemi:
V
GS
= V
DD
. (6.25)
Duke zvendsuar V
GS
= 0 V, kemi:
. (6.26)
-Vendosim madhsit e prcaktuara m lart n boshte dhe i bashkojm me
nj vij t drejt, q sht linja e ngarkess. Pikprerja e karakteristiks s
transferimit me linjn e ngarkess prcakton pikn e puns Q (fig. 6.17 m
posht).
Figura 6.16 a) Skema e polarizimit me lidhje t kundrt,
b) Skema ekuivalente pr rrymat e vazhduara
a) b)
190
Si e kemi par m sipr,
V
G
= = V
R2
. (6.27)
Duke zbatuar ligjin e Kirkofit pr tensionet n drejtim t rrotullimit t
akrepave t ors pr qarkun e hyrjes n figurn 6.18, do t dal q:
V
G
V
GS
V
RS
= 0
dhe
V
GS
= V
G
V
RS
.
Figura 6.17. Prcaktimi i piks s puns pr skemn me lidhje t kundrt
Mnyra e polarizimit me pjestues tensioni
Nj mnyr tjetr e polarizimit t E-MOSFET sht ajo e polarizimit me
pjestues tensioni. Duke kujtuar q I
G
= 0 mA, mund t arsyetohet si n
rastet e tjera me kt mnyr polarizimi.
Figura 6.18. Skema me pjestues tensioni
191
Duke zvendsuar V
RS
= I
S
R
S
= I
D
R
S
, kemi
V
GS
= V
G
- I
D
R
S
(6.28)
Pr qarkun e daljes:
V
S
= I
D
R
S
V
D
= V
DD
I
D
R
D
V
DS
= V
DD
I
D
(R
D
+ R
S
) (6.29)
USHTRIME
1. Pr skemn e ushtrimit 1
t prcaktohen:
a) V
G
b) I
DQ
dhe V
GSQ
c) V
D
dhe V
S
d) V
DSQ
2. Pr skemn e ushtrimit 2
t prcaktohen:
a) V
G
b) I
DQ
dhe V
GSQ
c) V
D
dhe V
S
V
GS(Th)
=4V
V
GS (on)
=7V
I
D (on)
=5 mA
V
GS(Th)
=3V
V
GS (on)
=6V
I
D (on)
=5 mA
192
6.7. LIDHJA E KOMBINUAR MIDIS TRANSISTORVE BJT E FET
T gjitha ekuacionet dhe marrdhniet midis madhsive elektrike t
prcaktuara deri tani jan t njjta dhe pr t br analizn e puns s
skemave t kombinuara me BJT e FET.
SHEMBULL
T prcaktohet V
D
e V
K
pr skemn e mposhtme:
Zgjidhje
Nse n skemn me pjestues tensioni plotsohet kushti R
E
> 10R
2
,
prcaktimi i V
B
mund t bhet me metodn e prafrt (duke prdorur
rregulln e pjestuesit t tensionit n qarkun e hyrjes). Vm re q:
R
E
= (180 x 1.6 k) = 288 k >10R
2
= 240 k.
Meq kushti plotsohet, llogaritim V
B
:
V
B
.
Duke ditur q I
G
= 0 dhe I
G
R
G
= 0, kemi:
193
V
B
= V
G
Duke prdorur faktin q V
BE
= 0.7 V, gjejm:
V
E
= V
B
- V
BE
= 3.62 V - 0.7 V
= 2.92 V
dhe
N kt skem
I
DQ
= I
E
= I
K
V
D
= 16 V - I
D
(2.7 K)
= 16 V (1.825 mA) (2.7 K)
= 11.07 V
Po t shohim skemn me vmendje, V
K
sht e njjt me vlern e V
S
:
.
M lart gjetm I
DQ
dhe matematikisht ose grafikisht mund t prcaktojm
V
GSQ
. Pr kt, ndrtojm karakteristikn e transferimit dhe pr vlern e
njohur t I
DQ
prcaktojm vlern e V
GSQ
.
Grafikisht, nga figura 6.19, shihet q
V
GSQ
= -3.7 V.
Vlera e V
K
:
V
K
= V
B
V
GSQ
= 3.62 V (-3.7 V)
= 7.32 V.
194
I
DSS
=6 mA
V
P
=-6V
=160
USHTRIM
1. Pr qarkun n figurn e mposhtme prcaktoni:
a) V
G
b) V
GSQ
dhe I
DQ
c) I
E
d) I
B
e) V
D
f) V
K
Figura 6.19. Prcaktimi i piks s puns

Elektronika 1

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronika 1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1

Luiana TOTI ELEKTRONIKA 1

You might also like